特表 2024-528357 駆動基板及びその製造方法、発光装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-07-30

(54)【発明の名称】駆動基板及びその製造方法、発光装置

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20240723BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20240723BHJP

   G09F 9/33 20060101ALI20240723BHJP

   H01L 33/00 20100101ALI20240723BHJP

   H01L 33/62 20100101ALI20240723BHJP

【ＦＩ】

G09F9/30 309

G09F9/30 308Z

G09F9/30 317

G09F9/00 338

G09F9/33

H01L33/00 L

H01L33/62

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023556830

(86)(22)【出願日】2022-07-01

(85)【翻訳文提出日】2023-09-14

(86)【国際出願番号】 CN2022103455

(87)【国際公開番号】W WO2023005610

(87)【国際公開日】2023-02-02

(31)【優先権主張番号】202110876291.0

(32)【優先日】2021-07-30

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】510280589

【氏名又は名称】京東方科技集團股▲ふん▼有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＢＯＥ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＧＲＯＵＰ ＣＯ．，ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１０ Ｊｉｕｘｉａｎｑｉａｏ Ｒｄ．，Ｃｈａｏｙａｎｇ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００１５，ＣＨＩＮＡ

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(72)【発明者】

【氏名】▲盧▼ ▲シン▼泓

(72)【発明者】

【氏名】▲張▼ 春芳

(72)【発明者】

【氏名】朱 小研

(72)【発明者】

【氏名】▲孫▼ 双

(72)【発明者】

【氏名】董 水浪

(72)【発明者】

【氏名】周 靖上

(72)【発明者】

【氏名】▲齊▼ ▲キ▼

(72)【発明者】

【氏名】胡 合合

【テーマコード（参考）】

5C094

5F142

5G435

【Ｆターム（参考）】

5C094AA38

5C094AA42

5C094BA23

5C094CA19

5C094DA06

5C094DA07

5C094DA12

5C094DA13

5C094DB01

5C094FA01

5C094FA02

5C094FB01

5C094FB02

5C094GB10

5C094JA08

5F142AA65

5F142AA72

5F142AA75

5F142BA32

5F142CA13

5F142CD02

5F142CD24

5F142CG03

5F142CG26

5F142GA01

5F142GA11

5G435AA13

5G435AA17

5G435BB04

5G435CC09

5G435EE12

5G435KK05

5G435KK10

(57)【要約】

駆動基板及びその製造方法、発光装置を提供し、表示技術分野に関する。駆動基板は、機能区域（Ａ）と、機能区域を取り囲む周辺区域（Ｂ）とを含み、機能区域（Ａ）及び周辺区域（Ｂ）はいずれも支持ベース（１）を含み、機能区域（Ａ）は支持ベース（１）に位置して順に設置されたフレキシブルベース（２）及び少なくとも１層の保護層をさらに含み、フレキシブルベース（２）の支持ベース（１）への正投影区域は機能区域（Ａ）における支持ベース（１）が位置する区域内に位置し、且つ保護層はフレキシブルベース（２）の支持ベース（１）から離れた表面及びフレキシブルベース（２）の周辺区域に近い側面を被覆する。駆動基板のフレキシブルベース（２）と支持ベース（１）との間の付着力が向上し、駆動基板で製造される製品の信頼性が高まる。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

駆動基板であって、
機能区域と、前記機能区域を取り囲む周辺区域とを含み、
前記機能区域及び前記周辺区域はいずれも支持ベースを含み、前記機能区域は前記支持ベースに位置されて順に設置されたフレキシブルベース及び少なくとも１層の保護層をさらに含み、
前記フレキシブルベースの前記支持ベースへの正投影区域は前記機能区域における前記支持ベースが位置する区域内に位置し、且つ前記保護層は前記フレキシブルベースの前記支持ベースから離れた表面及び前記フレキシブルベースの前記周辺区域に近い側面を被覆する駆動基板。

【請求項2】

前記保護層の材料は無機材料を含む請求項１に記載の駆動基板。

【請求項3】

前記保護層は第１バッファ層を含み、前記第１バッファ層は前記フレキシブルベースの前記支持ベースから離れた表面及び前記フレキシブルベースの前記周辺区域に近い側面を被覆する請求項１に記載の駆動基板。

【請求項4】

前記第１バッファ層の前記支持ベースへの正投影区域は、さらに前記周辺区域と重なっており、且つ前記第１バッファ層は、前記周辺区域における前記支持ベースと直接接触する請求項３に記載の駆動基板。

【請求項5】

前記機能区域は第２バッファ層をさらに含み、
前記第２バッファ層は、前記フレキシブルベースと前記第１バッファ層との間に位置し、且つ前記支持ベースへの正投影が前記フレキシブルベースの前記支持ベースへの正投影と重なっている請求項３に記載の駆動基板。

【請求項6】

前記機能区域及び前記周辺区域は第２バッファ層をさらに含み、
前記第２バッファ層は、前記支持ベースと前記第１バッファ層との間に位置し、少なくとも前記フレキシブルベースの前記支持ベースから離れた表面及び前記フレキシブルベースの前記周辺区域に近い側面を被覆する請求項３に記載の駆動基板。

【請求項7】

前記機能区域及び前記周辺区域は第１パッシベーション層をさらに含み、
前記第１パッシベーション層の前記支持ベースへの正投影は前記第１バッファ層の前記支持ベースへの正投影と重なっている請求項３に記載の駆動基板。

【請求項8】

前記機能区域は第１有機層をさらに含み、
前記第１有機層は、前記第１パッシベーション層の前記フレキシブルベースから離れた側に位置し、且つ前記支持ベースへの正投影区域が前記周辺区域と互いに重なっていない請求項７に記載の駆動基板。

【請求項9】

前記第１有機層の前記支持ベースへの正投影は前記フレキシブルベースの前記支持ベースへの正投影内に位置する請求項８に記載の駆動基板。

【請求項10】

前記第１有機層は前記フレキシブルベースの前記支持ベースから離れた表面及び前記フレキシブルベースの前記周辺区域に近い側面を被覆する請求項８に記載の駆動基板。

【請求項11】

第１方向における前記第１有機層の前記周辺区域に近い側面から前記駆動基板のエッジまでの距離の値は５～１０ｕｍであり、前記第１方向は前記フレキシブルベースの前記周辺区域に近い側面が前記第１有機層の前記周辺区域に近い側面を指示する方向である請求項１０に記載の駆動基板。

【請求項12】

前記機能区域及び前記周辺区域は第１有機層をさらに含み、
前記第１有機層の前記支持ベースへの正投影は前記フレキシブルベースの前記支持ベースへの正投影を被覆し、且つ前記周辺区域に位置する前記第１パッシベーション層の前記支持ベースへの正投影をさらに被覆する請求項７に記載の駆動基板。

【請求項13】

前記機能区域はデバイス設置区域、折り曲げ区域及びボンディング区域を含み、前記折り曲げ区域は前記デバイス設置区域と前記ボンディング区域との間に位置し、
前記デバイス設置区域、前記折り曲げ区域及び前記ボンディング区域にはいずれも前記フレキシブルベース、前記第１バッファ層及び前記第１パッシベーション層が設置され、
前記デバイス設置区域、前記ボンディング区域及び前記周辺区域はいずれも第２パッシベーション層及び第３パッシベーション層を含み、前記第２パッシベーション層は前記第１パッシベーション層の前記フレキシブルベースから離れた側に位置し、前記第３パッシベーション層の前記支持ベースへの正投影は前記第２パッシベーション層の前記支持ベースへの正投影を被覆し、且つ前記第２パッシベーション層及び記第３パッシベーション層の前記支持ベースへの正投影はいずれも前記折り曲げ区域における前記フレキシブルベースの前記支持ベースへの正投影と互いに重なっていない請求項７に記載の駆動基板。

【請求項14】

前記デバイス設置区域、前記折り曲げ区域及び前記ボンディング区域はいずれも第２有機層を含み、
前記デバイス設置区域及び前記ボンディング区域における前記第２有機層は、前記第３パッシベーション層の前記支持ベースから離れた側に位置し、前記折り曲げ区域における前記第２有機層は前記フレキシブルベースの前記支持ベースから離れた側に位置し、
前記第２有機層の前記支持ベースへの正投影は、前記フレキシブルベースの前記支持ベースへの正投影内に位置する請求項１３に記載の駆動基板。

【請求項15】

前記支持ベースに平行な方向における前記フレキシブルベースの前記周辺区域に近い側面から前記第２有機層の前記周辺区域に近い側面までの距離の値は５ｕｍ以上である請求項１４に記載の駆動基板。

【請求項16】

前記周辺区域は前記第２有機層をさらに含み、前記周辺区域における前記第２有機層は前記周辺区域における前記第３パッシベーション層を被覆する請求項１４に記載の駆動基板。

【請求項17】

第２方向における、前記フレキシブルベースの前記周辺区域に近い側面から前記駆動基板のエッジまでの距離の値は５０ｕｍ以上であり、
前記第２方向は前記フレキシブルベースの前記周辺区域に近い側面が前記保護層の前記周辺区域に近い側面を指示する方向である請求項１に記載の駆動基板。

【請求項18】

前記駆動基板は第１導電層及び第２導電層をさらに含み、前記第１導電層は前記第１バッファ層と前記第１パッシベーション層との間に位置し、前記第２導電層は前記第２パッシベーション層と前記第３パッシベーション層との間に位置し、
前記第１導電層は前記デバイス設置区域、前記折り曲げ区域及び前記ボンディング区域に位置し、前記第２導電層は前記デバイス設置区域及び前記ボンディング区域に位置する請求項１３に記載の駆動基板。

【請求項19】

前記第１導電層は第１リード及び第２リードを含み、
前記第１リードは前記デバイス設置区域に位置し、前記第２リードは前記折り曲げ区域に位置し、且つ前記第２リードの両端は、一端が前記折り曲げ区域から前記デバイス設置区域までに延伸すると共に他端が前記折り曲げ区域から前記ボンディング区域までに延伸する請求項１８に記載の駆動基板。

【請求項20】

前記第２導電層は第１端子、第２端子、第３リード及びバインディング端子を含み、
前記第１端子、第２端子及び前記第３リードは前記デバイス設置区域に位置し、前記バインディング端子は前記ボンディング区域に位置し、前記第１リードは前記第１端子に電気的に接続され、前記第２リードはそれぞれ前記第３リード及び前記バインディング端子に電気的に接続される請求項１９に記載の駆動基板。

【請求項21】

前記機能区域はデバイス設置区域、折り曲げ区域及びボンディング区域を含み、前記折り曲げ区域は前記デバイス設置区域と前記ボンディング区域との間に位置し、
前記支持ベースは前記デバイス設置区域及び前記ボンディング区域に位置し、前記折り曲げ区域における前記駆動基板は折り曲げ軸に沿って折り曲げ可能に構成される請求項１～２０のいずれか１項に記載の駆動基板。

【請求項22】

発光装置であって、発光デバイス、回路基板及び請求項１～２１のいずれか１項に記載の駆動基板を含み、
前記駆動基板はそれぞれ前記発光デバイス及び前記回路基板に電気的に接続される発光装置。

【請求項23】

請求項１～２１のいずれか１項に記載の駆動基板の製造方法であって、前記方法は、
少なくとも２つの機能区域及び各前記機能区域を取り囲む切断区域に区画される剛性マザーベース板を提供するステップと、
前記機能区域にフレキシブルベースを形成するステップと、
少なくとも各前記機能区域に位置し、前記フレキシブルベースの前記剛性マザーベース板から離れた表面及び前記フレキシブルベースの前記切断区域に近い側面を被覆する少なくとも１層の保護層を形成するステップと、
前記切断区域に位置するカットラインに沿って切断して、少なくとも１つの前記駆動基板を得るステップと、を含む駆動基板の製造方法。

【請求項24】

前記機能区域は第２バッファ層をさらに含み、
前記方法は、
前記機能区域において前記フレキシブルベースと前記第２バッファ層を同時に形成するステップをさらに含み、前記第２バッファ層は前記フレキシブルベースと前記保護層との間に位置し、前記第２バッファ層の前記剛性マザーベース板への正投影は前記フレキシブルベースの前記剛性マザーベース板への正投影と重なっている請求項２３に記載の製造方法。

【請求項25】

前記機能区域において前記フレキシブルベースと前記第２バッファ層を同時に形成する前記ステップは、
前記機能区域及び前記切断区域に位置するフレキシブルフィルムを前記剛性マザーベース板に形成するステップと、
前記フレキシブルフィルムを被覆する第２バッファフィルムを前記フレキシブルフィルムに形成するステップと、
前記第２バッファフィルムと前記フレキシブルフィルムを同時にパターニングして、前記機能区域に位置する前記フレキシブルベースと前記第２バッファ層を得るステップと、を含む請求項２４に記載の製造方法。

【請求項26】

前記保護層は第１バッファ層を含み、少なくとも１層の保護層を形成する前記ステップは、
少なくとも前記機能区域に位置し、かつ前記フレキシブルベースの前記支持ベースから離れた表面及び前記フレキシブルベースの前記切断区域に近い側面を被覆する前記第１バッファ層を形成するステップを含む請求項２３に記載の製造方法。

【請求項27】

前記第１バッファ層を形成する前記ステップの後、且つ前記カットラインに沿って切断して、少なくとも１つの前記駆動基板を得る前記ステップの前に、前記方法は、
前記第１バッファ層の前記剛性マザーベース板から離れた側であって前記デバイス設置区域、前記折り曲げ区域及び前記ボンディング区域に位置する第１導電層を形成するステップと、
前記デバイス設置区域、前記折り曲げ区域、前記ボンディング区域及び前記切断区域に位置する第１パッシベーション層を前記第１導電層に形成するステップと、
前記フレキシブルベースに垂直な方向において前記切断区域における前記剛性マザーベース板と互いに重なっていない第１有機層を、前記第１パッシベーション層に形成するステップと、をさらに含む請求項２６に記載の製造方法。

【請求項28】

前記第１パッシベーション層に第１有機層を形成する前記ステップは、
前記第１パッシベーション層に第１有機フィルムを形成するステップと、
前記第１有機フィルムをパターニングして、前記剛性マザーベース板への正投影が前記フレキシブルベースの前記剛性マザーベース板への正投影内に位置し、又は、前記フレキシブルベースの前記剛性マザーベース板から離れた表面及び前記フレキシブルベースの前記切断区域に近い側面を被覆する前記第１有機層を得るステップと、を含む請求項２７に記載の製造方法。

【請求項29】

前記第１パッシベーション層に第１有機層を形成するステップの後、且つカットラインに沿って切断して、少なくとも１つの前記駆動基板を得る前記ステップの前に、前記方法は、
前記第１有機層において、前記デバイス設置区域、前記ボンディング区域及び前記切断区域に位置する第２パッシベーション層を形成するステップと、
を前記第２パッシベーション層において、前記デバイス設置区域及び前記ボンディング区域に位置する第２導電層を形成するステップと、
前記第２導電層において、前記デバイス設置区域、前記ボンディング区域及び前記切断区域に位置する第３パッシベーション層を形成するステップと、
前記第３パッシベーション層において、前記剛性マザーベース板への正投影が少なくとも前記フレキシブルベースの前記剛性マザーベース板への正投影と重なっている第２有機層を形成するステップと、をさらに含む請求項２７に記載の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

（関連出願の相互参照）
本願は、２０２１年０７月３０日に中国特許庁に提出された、出願番号が２０２１１０８７６２９１．０であり、名称が「駆動基板及びその製造方法、発光装置」である中国特許出願の優先権を主張しており、その全内容は援用により本願に組み込まれる。

【0002】

本願は表示技術分野に関し、特に駆動基板及びその製造方法、発光装置に関する。

【背景技術】

【0003】

表示技術の急速な発展に伴い、Ｍｉｎｉ ＬＥＤ（Ｍｉｎｉ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、サブミリメートル発光ダイオード）とＭｉｃｒｏ ＬＥＤ（Ｍｉｃｒｏ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、マイクロ発光ダイオード）の表示製品は人々に幅広く注目されている。Ｍｉｃｒｏ／ｍｉｎｉ ＬＥＤ表示製品の利点の一つは、大面積の接合、すなわち複数の駆動基板を用いた接合を実現することで、超大サイズの表示製品を取得することである。

【0004】

しかしながら、このような表示製品については、製造過程に、レーザ切断ステップによって駆動基板の側辺でのフレキシブルベースと支持ベースの付着力の低減が引き起こされ、高温高湿環境下で、フレキシブルベースがさらに吸水して離脱する。

【発明の概要】

【0005】

本願の実施例は以下の技術的解決手段を用いる。

【0006】

一態様では、機能区域と、前記機能区域を取り囲む周辺区域とを含み、
前記機能区域及び前記周辺区域はいずれも支持ベースを含み、前記機能区域は前記支持ベースに位置されて順に設置されたフレキシブルベース及び少なくとも１層の保護層をさらに含み、
前記フレキシブルベースの前記支持ベースへの正投影区域は前記機能区域における前記支持ベースが位置する区域内に位置し、且つ前記保護層は前記フレキシブルベースの前記支持ベースから離れた表面及び前記フレキシブルベースの前記周辺区域に近い側面を被覆する。

【0007】

いくつかの実施例では、前記保護層の材料は無機材料を含む。

【0008】

いくつかの実施例では、前記保護層は第１バッファ層を含み、前記第１バッファ層は前記フレキシブルベースの前記支持ベースから離れた表面及び前記フレキシブルベースの前記周辺区域に近い側面を被覆する。

【0009】

いくつかの実施例では、前記第１バッファ層の前記支持ベースへの正投影区域はさらに前記周辺区域と重なっており、且つ前記第１バッファ層は前記周辺区域における前記支持ベースと直接接触する。

【0010】

いくつかの実施例では、前記機能区域は第２バッファ層をさらに含み、
前記第２バッファ層は前記フレキシブルベースと前記第１バッファ層との間に位置し、且つ前記第２バッファ層の前記支持ベースへの正投影は前記フレキシブルベースの前記支持ベースへの正投影と重なっている。

【0011】

いくつかの実施例では、前記機能区域及び前記周辺区域は第２バッファ層をさらに含み、
前記第２バッファ層は前記支持ベースと前記第１バッファ層との間に位置し、前記第２バッファ層は少なくとも前記フレキシブルベースの前記支持ベースから離れた表面及び前記フレキシブルベースの前記周辺区域に近い側面を被覆する。

【0012】

いくつかの実施例では、前記機能区域及び前記周辺区域は第１パッシベーション層をさらに含み、
前記第１パッシベーション層の前記支持ベースへの正投影は前記第１バッファ層の前記支持ベースへの正投影と重なっている。

【0013】

いくつかの実施例では、前記機能区域は第１有機層をさらに含み、前記第１有機層は前記第１パッシベーション層の前記フレキシブルベースから離れた側に位置し、且つ前記第１有機層の前記支持ベースへの正投影区域は前記周辺区域と互いに重なっていない。

【0014】

いくつかの実施例では、前記第１有機層の前記支持ベースへの正投影は前記フレキシブルベースの前記支持ベースへの正投影内に位置する。

【0015】

いくつかの実施例では、前記第１有機層は前記フレキシブルベースの前記支持ベースから離れた表面及び前記フレキシブルベースの前記周辺区域に近い側面を被覆する。

【0016】

いくつかの実施例では、第１方向における、前記第１有機層の前記周辺区域に近い側面と前記駆動基板のエッジとの間の距離の値は５～１０ｕｍであり、前記第１方向は前記フレキシブルベースの前記周辺区域に近い側面が前記第１有機層の前記周辺区域に近い側面を指示する方向である。

【0017】

いくつかの実施例では、前記機能区域及び前記周辺区域は第１有機層をさらに含み、
前記第１有機層の前記支持ベースへの正投影は前記フレキシブルベースの前記支持ベースへの正投影を被覆し、且つ、前記周辺区域に位置する前記第１パッシベーション層の前記支持ベースへの正投影をさらに被覆する。

【0018】

いくつかの実施例では、前記機能区域はデバイス設置区域、折り曲げ区域及びボンディング区域を含み、前記折り曲げ区域は前記デバイス設置区域と前記ボンディング区域との間に位置し、
前記デバイス設置区域、前記折り曲げ区域及び前記ボンディング区域にはいずれも前記フレキシブルベース、前記第１バッファ層及び前記第１パッシベーション層が設置され、
前記デバイス設置区域、前記ボンディング区域及び前記周辺区域はいずれも第２パッシベーション層及び第３パッシベーション層を含み、前記第２パッシベーション層は前記第１パッシベーション層の前記フレキシブルベースから離れた側に位置し、前記第３パッシベーション層の前記支持ベースへの正投影は前記第２パッシベーション層の前記支持ベースへの正投影を被覆し、且つ前記第２パッシベーション層及び記第３パッシベーション層の前記支持ベースへの正投影はいずれも前記折り曲げ区域における前記フレキシブルベースの前記支持ベースへの正投影と互いに重なっていない。

【0019】

いくつかの実施例では、前記デバイス設置区域、前記折り曲げ区域及び前記ボンディング区域はいずれも第２有機層を含み、
前記デバイス設置区域及び前記ボンディング区域における前記第２有機層は前記第３パッシベーション層の前記支持ベースから離れた側に位置し、前記折り曲げ区域における前記第２有機層は前記フレキシブルベースの前記支持ベースから離れた側に位置し、
前記第２有機層の前記支持ベースへの正投影は前記フレキシブルベースの前記支持ベースへの正投影内に位置する。

【0020】

いくつかの実施例では、前記支持ベースに平行な方向における、前記フレキシブルベースの前記周辺区域に近い側面と前記第２有機層の前記周辺区域に近い側面との間の距離の値は５ｕｍ以上である。

【0021】

いくつかの実施例では、前記周辺区域は前記第２有機層をさらに含み、前記周辺区域における前記第２有機層は前記周辺区域における前記第３パッシベーション層を被覆する。

【0022】

いくつかの実施例では、第２方向における、前記フレキシブルベースの前記周辺区域に近い側面と前記駆動基板のエッジとの間の距離の値は５０ｕｍ以上であり、前記第２方向は前記フレキシブルベースの前記周辺区域に近い側面が前記保護層の前記周辺区域に近い側面を指示する方向である。

【0023】

いくつかの実施例では、前記駆動基板は第１導電層及び第２導電層をさらに含み、前記第１導電層は前記第１バッファ層と前記第１パッシベーション層との間に位置し、前記第２導電層は前記第２パッシベーション層と前記第３パッシベーション層との間に位置し、
前記第１導電層は前記デバイス設置区域、前記折り曲げ区域及び前記ボンディング区域に位置し、前記第２導電層は前記デバイス設置区域及び前記ボンディング区域に位置する。

【0024】

いくつかの実施例では、前記第１導電層は第１リード及び第２リードを含み、
前記第１リードは前記デバイス設置区域に位置し、前記第２リードは前記折り曲げ区域に位置し、前記第２リードは、一端が前記折り曲げ区域から前記デバイス設置区域まで延伸し、他の一端が前記折り曲げ区域から前記ボンディング区域まで延伸する。

【0025】

いくつかの実施例では、前記第２導電層は第１端子、第２端子、第３リード及びバインディング端子を含み、
前記第１端子、第２端子及び前記第３リードは前記デバイス設置区域に位置し、前記バインディング端子は前記ボンディング区域に位置し、前記第１リードは前記第１端子に電気的に接続され、前記第２リードはそれぞれ前記第３リード及び前記バインディング端子に電気的に接続される。

【0026】

いくつかの実施例では、前記機能区域はデバイス設置区域、折り曲げ区域及びボンディング区域を含み、前記折り曲げ区域は前記デバイス設置区域と前記ボンディング区域との間に位置し、
前記支持ベースは前記デバイス設置区域及び前記ボンディング区域に位置し、前記折り曲げ区域における前記駆動基板は折り曲げ軸に沿って折り曲げ可能に構成される。

【0027】

他の態様では、本願の実施例は発光装置をさらに提供し、発光デバイス、回路基板及び上記した駆動基板を含み、
前記駆動基板はそれぞれ前記発光デバイス及び前記回路基板に電気的に接続される。

【0028】

さらに他の態様では、本願の実施例は駆動基板の製造方法をさらに提供し、前記方法は、
少なくとも２つの機能区域及び各前記機能区域を取り囲む切断区域に区画される剛性マザーベース板を提供するステップと、
前記機能区域にフレキシブルベースを形成するステップと、
少なくとも各前記機能区域に位置し、前記フレキシブルベースの前記剛性マザーベース板から離れた表面及び前記フレキシブルベースの前記切断区域に近い側面を被覆する少なくとも１層の保護層を形成するステップと、
前記切断区域に位置するカットラインに沿って切断して、少なくとも１つの前記駆動基板を得るステップと、を含む。

【0029】

いくつかの実施例では、前記機能区域は第２バッファ層をさらに含み、
前記方法は、
前記機能区域において前記フレキシブルベースと前記第２バッファ層を同時に形成するステップをさらに含み、前記第２バッファ層は前記フレキシブルベースと前記保護層との間に位置し、前記第２バッファ層の前記剛性マザーベース板への正投影は前記フレキシブルベースの前記剛性マザーベース板への正投影と重なっている。

【0030】

いくつかの実施例では、前記機能区域において前記フレキシブルベースと前記第２バッファ層を同時に形成する前記ステップは、
前記機能区域及び前記切断区域に位置するフレキシブルフィルムを前記剛性マザーベース板に形成するステップと、
前記フレキシブルフィルムを被覆する第２バッファフィルムを前記フレキシブルフィルムに形成するステップと、
前記第２バッファフィルムと前記フレキシブルフィルムを同時にパターニングして、前記機能区域に位置する前記フレキシブルベースと前記第２バッファ層を得るステップと、を含む。

【0031】

いくつかの実施例では、前記保護層は第１バッファ層を含み、
少なくとも１層の保護層を形成する前記ステップは、
前記第１バッファ層を形成するステップを含み、前記第１バッファ層は少なくとも前記機能区域に位置し、前記第１バッファ層は前記フレキシブルベースの前記支持ベースから離れた表面及び前記フレキシブルベースの前記切断区域に近い側面を被覆する。

【0032】

いくつかの実施例では、前記第１バッファ層を形成する前記ステップの後、且つカットラインに沿って切断して、少なくとも１つの前記駆動基板を得る前記ステップの前に、前記方法は、
前記第１バッファ層の前記剛性マザーベース板から離れた側に位置し、且つ前記デバイス設置区域、前記折り曲げ区域及び前記ボンディング区域に位置する第１導電層を形成するステップと、
前記デバイス設置区域、前記折り曲げ区域、前記ボンディング区域及び前記切断区域に位置する第１パッシベーション層を前記第１導電層に形成するステップと、
前記フレキシブルベースに垂直な方向に沿って前記切断区域における前記剛性マザーベース板と互いに重なっていない第１有機層を前記第１パッシベーション層に形成するステップと、をさらに含む。

【0033】

いくつかの実施例では、前記第１パッシベーション層に第１有機層を形成する前記ステップは、
前記第１パッシベーション層に第１有機フィルムを形成するステップと、
前記第１有機フィルムをパターニングして、前記第１有機層を得るステップと、を含み、前記第１有機層の前記剛性マザーベース板への正投影は前記フレキシブルベースの前記剛性マザーベース板への正投影内に位置し、又は、前記第１有機層は前記フレキシブルベースの前記剛性マザーベース板から離れた表面及び前記フレキシブルベースの前記切断区域に近い側面を被覆する。

【0034】

いくつかの実施例では、前記第１パッシベーション層に第１有機層を形成するステップの後、且つカットラインに沿って切断して、少なくとも１つの前記駆動基板を得る前記ステップの前に、前記方法は、
前記第１有機層に第２パッシベーション層を形成するステップと、
前記デバイス設置区域及び前記ボンディング区域に位置する第２導電層を前記第２パッシベーション層に形成するステップと、
前記第２導電層に第３パッシベーション層を形成するステップであって、前記第２パッシベーション層及び前記第３パッシベーション層はいずれも前記デバイス設置区域、前記ボンディング区域及び前記切断区域に位置する、ステップと、
前記剛性マザーベース板への正投影が少なくとも前記フレキシブルベースの前記剛性マザーベース板への正投影と重なっている第２有機層を前記第３パッシベーション層に形成するステップと、をさらに含む。

【0035】

上記説明は本願の技術的解決手段の概略にすぎず、本願の技術手段をより明確に理解するために、明細書の内容に従って実施することができ、且つ本願の上記及び他の目的、特徴及び利点をより明確に理解するために、以下、本願の具体的な実施形態を挙げる。

【0036】

本願の実施例又は関連技術における技術的解決手段を明瞭に説明するために、以下、実施例又は関連技術の説明において使用される必要がある図面を簡単に紹介し、明らかに、以下の説明における図面は本願のいくつかの実施例であり、当業者にとって、創造的な労働を行うことなく、それらの図面に基づき、他の図面を取得することもできる。

【0037】

本願の実施例又は関連技術における技術的解決手段を明瞭に説明するために、以下、実施例又は従来技術の説明において使用される図面を簡単に紹介し、明らかに、以下の説明における図面は本願のいくつかの実施例に過ぎず、当業者にとって、創造的な労働を行うことなく、それらの図面に基づき、他の図面を取得することもできる。

【図面の簡単な説明】

【0038】

【図1a】図１ａは本願の実施例が提供する関連技術における駆動基板の構造模式図である。

【図1b】図１ｂは本願の実施例が提供する関連技術における駆動基板の構造模式図である。

【図2a】図２ａは本願の実施例が提供する９種の駆動基板の構造模式図である。

【図2b】図２ｂは本願の実施例が提供する３種の駆動基板のマザーボードの構造模式図である。

【図3a】図３ａは本願の実施例が提供する９種の駆動基板の構造模式図である。

【図3b】図３ｂは本願の実施例が提供する３種の駆動基板のマザーボードの構造模式図である。

【図4a】図４ａは本願の実施例が提供する９種の駆動基板の構造模式図である。

【図4b】図４ｂは本願の実施例が提供する３種の駆動基板のマザーボードの構造模式図である。

【図4c】図４ｃは本願の実施例が提供する９種の駆動基板の構造模式図である。

【図5】図５は本願の実施例が提供する９種の駆動基板の構造模式図である。

【図6】図６は本願の実施例が提供する９種の駆動基板の構造模式図である。

【図7a】図７ａは本願の実施例が提供する９種の駆動基板の構造模式図である。

【図7b】図７ｂは本願の実施例が提供する９種の駆動基板の構造模式図である。

【図7c】図７ｃは本願の実施例が提供する９種の駆動基板の構造模式図である。

【図8】図８は本願の実施例が提供する駆動基板が折り曲げられた後の２種の構造模式図である。

【図9】図９は本願の実施例が提供する駆動基板が折り曲げられた後の２種の構造模式図である。

【図10】図１０は本願の実施例が提供する発光装置の構造模式図である。

【図11】図１１は本願の実施例が提供する駆動基板の製造方法のフローチャートである。

【図11a】図１１ａは本願の実施例が提供する駆動基板の製造過程の中間構造の模式図である。

【図12a】図１２ａは本願の実施例が提供する駆動基板の製造過程の中間構造の模式図である。

【図12b】図１２ｂは本願の実施例が提供する駆動基板の製造過程の中間構造の模式図である。

【図13a】図１３ａは本願の実施例が提供する駆動基板の製造過程の中間構造の模式図である。

【図13b】図１３ｂは本願の実施例が提供する駆動基板の製造過程の中間構造の模式図である。

【図14a】図１４ａは本願の実施例が提供する駆動基板の製造過程の中間構造の模式図である。

【図14b】図１４ｂは本願の実施例が提供する駆動基板の製造過程の中間構造の模式図である。

【図15a】図１５ａは本願の実施例が提供する駆動基板の製造過程の中間構造の模式図である。

【図15b】図１５ｂは本願の実施例が提供する駆動基板の製造過程の中間構造の模式図である。

【図16a】図１６ａは本願の実施例が提供する駆動基板の製造過程の中間構造の模式図である。

【図16b】図１６ｂは本願の実施例が提供する駆動基板の製造過程の中間構造の模式図である。

【図17】図１７は本願の実施例が提供する駆動基板の走査電子顕微鏡データ図である。

【発明を実施するための形態】

【0039】

以下、本願の実施例における図面を組み合わせて、本願の実施例における技術的解決手段を明瞭且つ完全に説明し、明らかに、説明される実施例は単に本願の一部の実施例に過ぎず、すべての実施例ではない。本願における実施例に基づき、当業者は創造的な労働を行うことなく取得したすべての他の実施例は、いずれも本願の保護範囲に属する。

【0040】

本願の実施例では、特に説明しない限り、「複数」、「複数本」の意味は２つ（本）又は２つ（本）以上であり、用語「上」等で示される方位又は位置関係は、図面に示される方位又は位置関係に基づくものであり、本願の説明及び説明の簡略化のために過ぎず、示される構造又は素子は特定の方位を有したり、特定の方位で構成や操作されたりすることを指示又は示唆するものではなく、従って、本願に対する制限として理解することはできない。

【0041】

本願の実施例の技術的解決手段を明瞭に説明するために、「第１」、「第２」、「第３」等のような用語は基本的に同じ機能及び目的を有している同じ項目又は類似した項目どうしを区別するために本願の実施例で使用される。当業者であれば、「第１」、「第２」、「第３」等のような用語は数量を限定しないことを理解することができる。

【0042】

基板折り曲げ技術とは、表示製品の基板を折り曲げ、それにより非表示区域と表示区域を異なる平面に設置して画面占有率を高める表示技術である。

【0043】

発明者は、基板折り曲げ技術において、通常、表示素子を有機材料を含んで製造されるベースに設置することができ、ベースの側面が露出しているため、有機材料が吸水しやすい特性により、フレキシブルベースのエッジに近い区域と、表示製品の他の構造（たとえば、支持を提供するための支持ベース）との間の付着力が低減し、ひいては支持ベースと、一部のフレキシブルベースとの間の膨張及び離脱が発生し、それにより表示製品の歩留まり率が低下することを発見した。

【0044】

図１ａは関連技術における表示製品のフィルム層構造を示し、フレキシブルベース１０１には絶縁材料層１０２、ソースドレイン金属層１０３、パッシベーション層１０４、複数の絶縁バリア部１０５が設置され、絶縁バリア部１０５には第１封止層１０６、第２封止層１０７及び第３封止層１０８が設置される。また、いくつかのフレキシブル表示製品では、絶縁バリア部１０５には異なるフィルム層に位置する導電パターンを連通するためのビア（図１ａでは図示せず）がさらに設置される。そうすると、絶縁バリア部１０５の表示製品の周辺区域でのサイズＤ１が小さすぎることはできず、且つ隣接する２つの絶縁バリア部１０５の間の距離Ｄ２は通常に４０ｕｍ±１０ｕｍであり、それにより表示製品のフレームが大きくなり、従って、上記フィルム層を用いて設計した表示製品は、接合のための表示製品を形成するのに適用しない。

【0045】

図１ｂは関連技術において基板折り曲げ技術を用いて製造された表示製品の周辺局所区域の基板折り曲げ技術を用いる前の構造模式を示し、該表示製品の周辺区域は支持ベース１０９、フレキシブルベース１１０、複合封止フィルム１１１及びブラックグルー保護層１１２を含み、基板折り曲げ技術を用いる前に、周辺区域のうち支持ベース１０９における区域Ｃ及び区域Ｃにおけるフィルム層構造をレーザ切断プロセスによって剥離する必要があり、レーザ切断プロセスが熱量を生じるため、フレキシブルベース１１０における、切断位置に対応する区域１１０１に影響を与え、フレキシブルベース１１０と支持ベース１０９の付着力が悪くなることをもたらし、さらに該表示製品を湿っぽい環境に配置する時に、熱及び水蒸気の二重作用を受け、フレキシブルベース１１０と支持ベース１０９との間の膨張及び離脱の問題が激化する。実際の応用において、関連技術における表示製品に対して高温高湿保存（ＴＨＳ）検証試験を行った後、表示製品のフレキシブルベース１１０及び支持ベース１０９には顕著な膨張及び離脱の問題が発生する。説明する必要がある点として、上記レーザ切断プロセスにより生じた熱量が影響した区域１１０１の範囲のサイズは、カットラインからの０～５０ｕｍ範囲内の区域である。

【0046】

図２ａ、図３ａ、図４ａ、図５又は図６に示すように、本願の実施例は駆動基板を提供し、機能区域Ａと、機能区域Ａを取り囲む周辺区域Ｂとを含み、駆動基板の機能区域Ａ及び周辺区域Ｂはいずれも支持ベース１を含み、駆動基板の機能区域Ａは支持ベース１に位置して順に設置されたフレキシブルベース２及び少なくとも１層の保護層をさらに含み、
フレキシブルベース２の支持ベース１への正投影区域は機能区域Ａにおける支持ベース１が位置する区域内に位置し、且つ保護層はフレキシブルベース２の支持ベース１から離れた表面及びフレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い側面を被覆する。

【0047】

上記機能区域Ａはデバイス設置区域Ａ１、折り曲げ区域Ａ２及びボンディング区域Ａ３を含んでもよい。デバイス設置区域Ａ１とは発光デバイスを設置するための区域であり、折り曲げ区域Ａ２とは折り曲げるための区域であり、ボンディング区域Ａ３とは一端がデバイス設置区域Ａ１と折り曲げ区域Ａ２とを貫通する信号線によって接続されるファンアウト配線、及びファンアウト配線の他端に接続されるバインディング電極が設置され、バインディング電極は回路基板にバインディングして接続される。説明する必要がある点として、実際の応用では、該駆動基板は折り曲げられる必要がある場合で、折り曲げられる前に、少なくとも図２ａに示された、折り曲げ区域Ａ２に位置する支持ベース１を取り外す必要があり、たとえば、図４ｃに示すように、折り曲げ区域Ａ２に位置する支持ベース１のみを取り外してもよく、さらにボンディング区域Ａ３の折り曲げ区域Ａ２に近い一部の区域を含む支持ベース１を取り外してもよく、後続の回路基板とボンディング区域におけるバインディングプロセスの信頼性を低減させないことを基準とし、本願は制限しない。

【0048】

上記周辺区域Ｂとは、駆動基板を製造する過程に、機能区域Ａと駆動基板の境界との間に予め残されたバッファ区域であり、実際の応用過程に、周辺区域Ｂのサイズは実際の切断プロセスによって決定されてもよい。

【0049】

実際の応用では、図７ａに示すように、機能区域Ａ（図７ａにおけるＡ１、Ａ２及びＡ３を含む）にフレキシブルベース２を設置し、周辺区域Ｂにフレキシブルベース２を設置しないことにより、フレキシブルベース２が支持ベース１に垂直な方向に沿って周辺区域Ｂの支持ベース１と互いに重ならなくなり、そして、少なくとも１層の保護層を設置し、且つ保護層はフレキシブルベース２の支持ベース１から離れた表面及びフレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い側面を被覆することで、フレキシブルベース２の側面が水蒸気に影響されないように保護する。

【0050】

上記少なくとも１層の保護層の意味は、保護層が単層構造であるか、又は複数のフィルム層で構成される積層構造であり、少なくとも１層の保護層はフレキシブルベース２の支持ベース１から離れた表面及びフレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い側面を被覆することで、フレキシブルベース２が水蒸気及び酸素に影響されないように保護する。説明する必要がある点として、上記保護層が単層構造である場合、上記保護層は図５に示される第１バッファ層４であってもよく、又は、上記保護層は図５に示される第２バッファ層３であってもよく、又は、上記保護層はさらに図５に示される第１パッシベーション層６であってもよい。

【0051】

上記保護層はフレキシブルベース２に対して保護効果を有し、それによってフレキシブルベース２と支持ベース１との間に膨張及び離脱が発生することを回避することができる場合で、ここで上記保護層の具体的な材料を限定しない。

【0052】

説明する必要がある点として、機能区域Ａに位置する保護層がフレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い側面を被覆し、保護層の側面が所定の厚さを有するため、実際の応用では、図２ａに示すように、フレキシブルベース２の支持ベース１への正投影区域は機能区域Ａにおける支持ベース１が位置する区域内に位置する。

【0053】

いくつかの実施例では、支持ベース１の材料はガラス、セキエイ、ＰＥＴ、プラスチック等の材料のうちの任意の１つであってもよく、フレキシブルベース２の材料はポリイミド、ＰＥＮ樹脂、シリコーン樹脂のうちの任意の１つであってもよく、支持ベース１の厚さは０．５ｍｍ～０．８ｍｍであってもよく、フレキシブルベース２の厚さは３ｕｍ～１０ｕｍであってもよい。

【0054】

本願の実施例は駆動基板を提供し、該駆動基板は、機能区域Ａと、機能区域Ａを取り囲む周辺区域Ｂとを含み、駆動基板の機能区域Ａ及び周辺区域Ｂはいずれも支持ベース１を含み、駆動基板の機能区域Ａは支持ベース１に位置して順に設置されたフレキシブルベース２及び少なくとも１層の保護層をさらに含み、フレキシブルベース２の支持ベース１への正投影区域は機能区域Ａにおける支持ベース１が位置する区域内に位置し、且つ保護層はフレキシブルベース２の支持ベース１から離れた表面及びフレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い側面を被覆する。

【0055】

このように、保護層がフレキシブルベース２の支持ベース１から離れた表面及びフレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い側面を被覆するため、フレキシブルベース２の側面が環境中の水蒸気に接触することを回避し、それによりフレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い部分と支持ベース１との間の付着力を向上させ、フレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い部分と支持ベース１との間に発生した膨張及び離脱の問題を改善し、さらに該駆動基板で製造された表示製品の信頼性を高める。

【0056】

さらに説明する必要がある点として、無機材料が水蒸気に対して良好な遮断作用を有するため、実際の応用では、保護層の材料は無機材料を含む。

【0057】

いくつかの実施例では、図２ａに示すように、保護層は第１バッファ層４を含み、第１バッファ層４はフレキシブルベース２の支持ベース１から離れた表面及びフレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い側面を被覆する。

【0058】

いくつかの実施例では、第１バッファ層４の支持ベース１への正投影区域はさらに周辺区域Ｂと重なっており、且つ第１バッファ層４は周辺区域Ｂに位置する支持ベース１と直接接触する部分を有する。

【0059】

実際の応用では、第１バッファ層４とフレキシブルベース２との間により良好な付着力を有することを確保する必要があり、第１バッファ層４の材料は酸化ケイ素及び／又は窒化ケイ素であってもよく、また、材料の折り曲げ応力を考慮すると、第１バッファ層４の厚さは５００Å～１０００Åであってもよい。

【0060】

いくつかの実施例では、第１バッファ層４の材料は酸化ケイ素であり、厚さは５００Åであり、又は、第１バッファ層４の材料は窒化ケイ素であり、厚さは５００Åであり、又は、第１バッファ層４は厚さが同じである２つのサブ層を含み、２つのサブ層の材料はそれぞれ酸化ケイ素及び窒化ケイ素であり、各サブ層の厚さはいずれも５００Åであり、すなわち第１バッファ層４の厚さは１０００Åであり、ここで、材料が酸化ケイ素であるサブ層はフレキシブルベース２に直接接触してもよく、又は材料が窒化ケイ素であるサブ層はフレキシブルベース２に直接接触してもよい。

【0061】

本願が提供する駆動基板において、第１バッファ層４をフレキシブルベース２の支持ベース１から離れた表面に被覆させ、且つフレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い側面にさらに被覆させることにより、フレキシブルベース２の側面が環境中の水蒸気に接触することを回避し、それによりフレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い部分と支持ベース１との間の付着力を向上させ、フレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い部分と支持ベース１との間に発生した膨張及び離脱の問題を改善し、さらに該駆動基板の信頼性を高める。

【0062】

いくつかの実施例では、駆動基板は第２バッファ層３をさらに含む。

【0063】

いくつかの実施例では、図２ａに示すように、駆動基板の機能区域Ａは第２バッファ層３を含み、第２バッファ層３はフレキシブルベース２と第１バッファ層４との間に位置し、且つ第２バッファ層３の支持ベース１への正投影はフレキシブルベース２の支持ベース１への正投影と重なっている。

【0064】

駆動基板を製造する時に、支持ベース１にフレキシブルフィルム、第２バッファフィルムを順にコーティングした後、第２バッファフィルムをハードマスク（Ｈａｒｄ ｍａｓｋ）として、同時に第２バッファフィルム及びフレキシブルフィルムに対してパターニングを行い、それにより９０°勾配角（Ｐｒｏｆｉｌｅ）を有するフレキシブルベース２を形成する。

【0065】

説明する必要がある点として、第２バッファ層３がフレキシブルベース２のハードマスクとして両者がパターニングを同時に行うため、実際の応用では、第２バッファ層３とフレキシブルベース２の形状及びサイズは同じである。

【0066】

いくつかの実施例では、図５に示すように、駆動基板の機能区域Ａ及び周辺区域Ｂは第２バッファ層３を含み、第２バッファ層３は支持ベース１と第１バッファ層４との間に位置し、第２バッファ層３は少なくともフレキシブルベース２の支持ベース１から離れた表面及びフレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い側面を被覆する。

【0067】

第２バッファ層３がフレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い側面を被覆するため、第２バッファ層３に第１バッファ層４を設置することにより、第１バッファ層４もフレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い側面を被覆し、さらに水蒸気に対する遮断作用を向上させ、フレキシブルベース２の側面が環境中の水蒸気に接触することを回避し、それによりフレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い部分と支持ベース１との間の付着力を向上させ、フレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い部分と支持ベース１との間に発生した膨張及び離脱の問題を改善し、さらに該駆動基板の信頼性を高める。

【0068】

第２バッファ層３の材料は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）であってもよく、第２バッファ層３の厚さ範囲は５００Å～１５００Åであってもよい。

【0069】

いくつかの実施例では、図２ａに示すように、駆動基板の機能区域Ａ及び周辺区域Ｂは第１パッシベーション層（ＰＶＸ１）６をさらに含み、第１パッシベーション層６の支持ベース１への正投影は第１バッファ層４の支持ベース１への正投影と重なっている。

【0070】

上記第１パッシベーション層６の材料は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）であってもよく、上記第１パッシベーション層６の厚さ範囲は１０００Å～２０００Åであってもよい。

【0071】

本願の実施例が提供する駆動基板については、第１バッファ層４に第１パッシベーション層６をさらに設置し、且つ第１パッシベーション層６の支持ベース１への正投影が第１バッファ層４の支持ベース１への正投影と重なっており、このようにすると、第１パッシベーション層６もフレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い側面を被覆し、それによって水蒸気に対する遮断作用をさらに向上させ、フレキシブルベース２の側面が環境中の水蒸気に接触することにより生じた膨張及び離脱の問題を回避する。

【0072】

いくつかの実施例では、図２ａ、図３ａ及び図４ａに示すように、駆動基板の機能区域Ａは第１有機層７をさらに含み、第１有機層７は第１パッシベーション層６のフレキシブルベース２から離れた側に位置し、且つ第１有機層７の支持ベース１での正投影区域は周辺区域Ｂと互いに重なっていない。

【0073】

いくつかの実施例では、図４ａに示すように、第１有機層７の支持ベース１への正投影はフレキシブルベース２の支持ベース１への正投影内に位置する。

【0074】

実際の応用では、通常、大きな面積サイズを有する剛性マザーベース板において、半導体製造プロセスによって複数の機能区域Ａを製造し、カットラインに沿って剛性マザーベース板及びその上の機能区域Ａに対して画線（ｓｃｒｉｂｅ）及び切り出しを行い、複数の機能区域Ａを互いに分割し、複数の駆動基板が形成する。図４ｂは２つの駆動基板を含むマザーボードの構造模式図を示し、図４ｂでレンダリングされたカットライン位置で切断すると、図４ａに示される２つの駆動基板を得ることができる。

【0075】

このように、駆動基板を製造する過程に、駆動基板のマザーボードを切断して駆動基板を得る時に、第１有機層７の周辺区域Ｂに近い側面と駆動基板のエッジとの間の距離は少なくともフレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い側面からカットラインまでの距離より大きく、それにより切断による熱が第１有機層７に与える影響を回避し、また、切断プロセスの難度も低減される。

【0076】

いくつかの実施例では、図３ａに示すように、第１有機層７はフレキシブルベース２の支持ベース１から離れた表面及びフレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い側面を被覆する。

【0077】

いくつかの実施例では、第１方向における、第１有機層７の周辺区域Ｂに近い側面と駆動基板のエッジとの間の距離Ｈ１の値は５～１０ｕｍであり、第１方向はフレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い側面が第１有機層７の周辺区域Ｂに近い側面を指示する方向である。

【0078】

本願の実施例が提供する駆動基板については、第１有機層７がフレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い側面を被覆し、一方では、第１有機層７はフレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い側面に対して保護効果を有し、他方では、第１有機層７が有機材料で製造されるため、有機材料の流動性により第１有機層７の周辺区域Ｂに近い側面に緩やかな勾配角（たとえば５０°±１０°）が形成し、更に後続に第１有機層７に図３ａに示される第２パッシベーション層８及び第３パッシベーション層１０を形成する時に、第２パッシベーション層８及び第３パッシベーション層１０の側面位置での堆積被覆性がより良好であり、不安定なフィルム形成プロセスに起因する、第２パッシベーション層８と第３パッシベーション層１０が第１有機層７の周辺区域Ｂに近い側面位置で切断する問題の発生を回避する。

【0079】

さらに、図３ａに示すように、第１方向における、第１有機層７の周辺区域Ｂに近い側面と駆動基板のエッジとの間の距離Ｈ１の値は５～１０ｕｍの範囲内であり、それにより、駆動基板を製造する過程に、マザーボードを切断して駆動基板を得る時に、第１有機層７とカットライン（すなわち周辺区域Ｂの外側輪郭）との間の距離が遠く、それにより切断による熱が第１有機層７に与える影響を回避し、また、切断プロセスの難度も低減される。図３ｂは図３ａに示される駆動基板を製造するマザーボードの一部の構造を示し、図３ｂにおけるカットラインで切断すると、図３ａに示される２つの駆動基板を得ることができる。

【0080】

いくつかの実施例では、図２ａに示すように、駆動基板の機能区域Ａ及び周辺区域Ｂは第１有機層７をさらに含み、第１有機層７の支持ベース１への正投影はフレキシブルベース２の支持ベース１への正投影を被覆し、且つ周辺区域Ｂに位置する第１パッシベーション層６の支持ベース１への正投影をさらに被覆する。

【0081】

本願の実施例が提供する駆動基板は、第１有機層７全体を形成し、すなわち第１有機層７が機能区域Ａに位置し、また、周辺区域Ｂに位置することにより、製造プロセスを簡略化し、駆動基板の製造難度を低減させる。

【0082】

いくつかの実施例では、図４ａと図７ａに示すように、機能区域Ａはデバイス設置区域Ａ１、折り曲げ区域Ａ２及びボンディング区域Ａ３を含み、折り曲げ区域Ａ２はデバイス設置区域Ａ１とボンディング区域Ａ３との間に位置し、デバイス設置区域Ａ１、折り曲げ区域Ａ２及びボンディング区域Ａ３にはいずれもフレキシブルベース２、第１バッファ層４及び第１パッシベーション層６が設置され、
駆動基板のデバイス設置区域Ａ１、ボンディング区域Ａ３及び周辺区域Ｂはいずれも第２パッシベーション層（ＰＶＸ２）８及び第３パッシベーション層（ＰＶＸ３）１０をさらに含み、第２パッシベーション層８は第１パッシベーション層６のフレキシブルベース２から離れた側に位置し、第３パッシベーション層１０の支持ベース１への正投影は第２パッシベーション層８の支持ベース１への正投影を被覆し、且つ第２パッシベーション層８及び第３パッシベーション層１０の支持ベース１への正投影はいずれも折り曲げ区域Ａ２のフレキシブルベース２の支持ベース１への正投影と互いに重なっていない。説明する必要がある点として、図４ａは図７ａにおけるＭ１Ｍ２方向における断面図である。

【0083】

本願の実施例が提供する駆動基板において、第１パッシベーション層６の支持ベース１への正投影は第１バッファ層４の支持ベース１への正投影と重なっているため、第１パッシベーション層６に第２パッシベーション層８及び第３パッシベーション層１０を設置する時に、デバイス設置区域Ａ１、ボンディング区域Ａ３及び周辺区域Ｂに位置する第２パッシベーション層８及び第３パッシベーション層１０の支持ベース１への正投影もそれぞれ第１バッファ層４の支持ベース１への正投影と重なっており、それにより第２パッシベーション層８及び第３パッシベーション層１０もフレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い側面を被覆し、このように、水蒸気に対する遮断作用をさらに向上させ、フレキシブルベース２の側面が環境中の水蒸気に接触することにより生じた膨張及び離脱の問題を回避する。

【0084】

また、折り曲げ区域Ａ２に第２パッシベーション層８及び第３パッシベーション層１０を設置しないことにより、折り曲げ区域Ａ２の全体フィルム層の厚さを低減させ、駆動基板が折り曲げられる時の折り曲げ応力を低減させる。

【0085】

いくつかの実施例では、図４ａに示すように、駆動基板のデバイス設置区域Ａ１、折り曲げ区域Ａ２及びボンディング区域Ａ３はいずれも第２有機層１１を含み、デバイス設置区域Ａ１及びボンディング区域Ａ３における第２有機層１１は第３パッシベーション層１０の支持ベース１から離れた側に位置し、折り曲げ区域Ａ２の第２有機層１１はフレキシブルベース２の支持ベース１から離れた側に位置し、第２有機層１１の支持ベース１への正投影はフレキシブルベース２の支持ベース１への正投影内に位置する。

【0086】

図１７は図４ａに示される駆動基板のフレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い側面位置の走査電子顕微鏡データ図を提供し、図１７に示すように、フレキシブルベース２は支持ベース１に位置し、フレキシブルベース２（ＰＩ）の厚さが６１００ｎｍであり、フレキシブルベース２上のフィルム層が順に第２バッファ層３及び第１バッファ層４であり、その厚さの和ｘ１が６６０ｎｍであり、フレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い側面を被覆するフィルム層は第１バッファ層４であり、その厚さが４０１．５ｎｍであり、周辺区域Ｂの支持ベース１に位置するフィルム層は第１バッファ層４であり、その厚さｘ２が４０５．６ｎｍである。試験により測定した結果として、直角位置近傍の第１バッファ層４のフィルム層の被覆性は６０％以に達することができ、第１バッファ層４のフィルム層の切断の問題がなく、且つその被覆厚さが３０００～４０００Åに達することができ、水蒸気と酸素を遮断するニーズを満たすことができ、また、図４ａに示される駆動基板は６０℃／９０％湿度の条件において、１０００時間の高温高湿信頼性検証により、いずれもフレキシブルベース２と支持ベース１との間の膨張及びフィルム層の離脱の問題が発生せず、製品の使用ニーズを満たし、品質が保証される。

【0087】

説明する必要がある点として、上記被覆性の意味は、周辺区域Ｂに近いフレキシブルベース２の側面上の第１バッファ層４の厚さと、フレキシブルベース２の支持ベース１から離れた表面に位置する第１バッファ層４の厚さとの間の比は、被覆性という指標により勾配のある位置の近傍（図１７における直角位置近傍）の第１バッファ層４のフィルム形成品質を測定する。

【0088】

本願の実施例が提供する駆動基板において、第３パッシベーション層１０に第２有機層１１をさらに設置することにより、機能区域Ａにおける平坦層として使用でき、平坦化及び絶縁の作用を果たす。また、第２有機層１１の支持ベース１への正投影はフレキシブルベース２の支持ベース１への正投影内に位置することを可能にすることにより、駆動基板を製造する時に、駆動基板のマザーボードを切断して駆動基板を得る時に生じた熱が第２有機層１１に与える影響を回避し、切断時のプロセス難度も低減される。

【0089】

実際の応用では、図４ａに示すように、製造を容易にするために、支持ベース１に平行な方向における、フレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い側面と第２有機層１１の周辺区域Ｂに近い側面との間の距離Ｈ２を５ｕｍ以に設定する。

【0090】

いくつかの実施例では、図２ａに示すように、駆動基板の周辺区域Ｂは第２有機層１１をさらに含み、周辺区域Ｂにおける第２有機層１１は周辺区域Ｂにおける第３パッシベーション層１０を被覆する。

【0091】

説明する必要がある点として、切断プロセスにより生じた熱が駆動基板に与える影響は非常に小さい場合で、（たとえば、熱影響が発生する区域におけるサイズが非常に小さいレーザ切断プロセスを用い、又はカッターホイール切断等の他の方式を用いて切断する場合）第２有機層１１全体を駆動基板の機能区域Ａ及び周辺区域Ｂに設置し、周辺区域Ｂの第２有機層１１を除去する（又は第２有機層１１に対してパターニングを行う）ステップを省略でき、駆動基板を製造するための製造時間を短縮し、生産効率を向上させる。

【0092】

いくつかの実施例では、図２ａに示すように、第２方向における、フレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い側面と駆動基板のエッジとの間の距離Ｈ３は５０ｕｍ以上であり、第２方向はフレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い側面が保護層の周辺区域Ｂに近い側面を指示する方向である。

【0093】

関連技術では、駆動基板のマザーボードを切断して駆動基板を得る時に、切断により生じた熱による熱影響区域における幅は５０ｕｍであり、切断により生じた熱がフレキシブルベース２に与える影響を低減させるために、第２方向における、フレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い側面と駆動基板のエッジとの間の距離Ｈ３を５０ｕｍ以に設定し、もちろん、切断プロセスが最適化された場合で、該距離はさらに実際の切断プロセスに基づいて最適化して縮小することができ、具体的には実際の状況に応じて決定することができる。

【0094】

説明する必要がある点として、駆動基板のマザーボードを切断して駆動基板を得る時に、カットラインが位置する位置は、すなわち切断後の駆動基板のエッジ位置である。第２方向における、フレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い側面と駆動基板のエッジとの間の距離Ｈ３が５０ｕｍ以上である上記ことは、駆動基板のマザーボードにおいて、第２方向における、フレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い側面からカットラインまでの距離が５０ｕｍ以上であると理解されてもよく、フレキシブルベース２の外側輪郭と周辺区域Ｂの外側輪郭との間の距離が５０ｕｍ以上であると理解されてもよい。

【0095】

いくつかの実施例では、図４ａに示すように、駆動基板は第１導電層及び第２導電層をさらに含み、第１導電層は第１バッファ層４と第１パッシベーション層６との間に位置し、第２導電層は第２パッシベーション層８と第３パッシベーション層１０との間に位置し、
第１導電層はデバイス設置区域Ａ１、折り曲げ区域Ａ２及びボンディング区域Ａ３に位置し、第２導電層はデバイス設置区域Ａ１及びボンディング区域Ａ３に位置する。

【0096】

図７ｂは１つのボンディング区域Ａ３及び１つの折り曲げ区域Ａ２を含む駆動基板の構造模式図を示し、図７ｃは図７ｂに対応する駆動基板の回路図である。

【0097】

図７ｃに示すように、デバイス設置区域Ａ１はアレイ状に配置された複数の画素Ｐ、複数本の走査線Ｓｎ、複数本のデータ線Ｄｍ、複数本の正極信号線Ｈｍ及び複数本の参照信号線Ｖｍを有し、
複数の画素における各画素Ｐは、少なくとも３色のサブ画素と、それが発光するように駆動する画素駆動チップとを含み、各サブ画素は、少なくとも１つの無機発光ダイオードを含み、画素駆動チップは、それにより駆動される各サブ画素における無機発光ダイオードの正極、該複数本のデータ線のうちの少なくとも１本のデータ信号線Ｄｍ、該複数本の走査線のうちの少なくとも１本の走査線Ｓｎ及び該複数本の参照信号線のうちの少なくとも１本の参照信号線Ｖｍに電気的に接続される。

【0098】

画素駆動チップは走査線Ｓｎの制御下で、データ信号線Ｄｍの信号を異なる色のサブ画素に時分割的に書き込むことに用いられ、参照信号線Ｖｍは画素駆動チップに負極信号を提供することにより、画素駆動チップと無機発光ダイオードとの間に電流路を形成させることに用いられる。

【0099】

本願の実施例が提供する駆動基板において、無機発光ダイオードはサブミリ発光ダイオード（Ｍｉｎｉ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、英語の略語はＭｉｎｉ ＬＥＤ）又はコンパクト発光ダイオード（Ｍｉｃｒｏ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、英語の略語はＭｉｃｒｏ ＬＥＤ）であってもよく、ここで限定しない。

【0100】

各画素行は複数本の走査線のうちの１本の走査線Ｓｎに対応して接続され、各画素列は複数本のデータ線のうちの１本のデータ信号線Ｄｍ、複数本の参照信号線のうちの１本の参照信号線Ｖｍ、及び複数本の正極信号線のうちの１本の正極信号線Ｈｍ１及びＨｍ２に対応し、
該２本の正極信号線Ｈｍ１及びＨｍ２のうちの１本の正極信号線Ｈｍ１は第１色サブ画素（Ｒ）における無機発光ダイオードの正極に電気的に接続され、他方の正極信号線Ｈｍ２は第３色サブ画素（Ｇ）及び第２色サブ画素（Ｂ）における無機発光ダイオードの正極に電気的に接続される。このように、第３色サブ画素（Ｇ）及び第２色サブ画素（Ｂ）における無機発光ダイオードの正極が受信した信号を同じにすることができ、第１色サブ画素（Ｒ）における無機発光ダイオードの正極が受信した信号は他の２つの色のサブ画素が受信した信号振幅よりも大きく、それにより３色のサブ画素の正極がいずれも３色のサブ画素のうち、必要な信号の振幅が最も大きい方の信号を受信することを回避することができ、それにより電力損失を低減させることができる。

【0101】

デバイス設置区域Ａ１は複数本の走査線のうちの各本の走査線Ｓｎと一対一で対応して接続される走査信号配線Ｃｎをさらに含み、走査信号配線Ｃｎによって対応する走査線Ｓｎに走査信号を提供し、それにより走査信号を提供するための信号源を走査信号配線Ｃｎの両端に設置することができ、走査線Ｓｎの両端に走査信号を提供するためのチップを設置することを回避する。

【0102】

デバイス設置区域Ａ１における画素行の個数Ｎと画素列の個数Ｍとが同じである場合、すなわちＮ＝Ｍの場合、各画素列の一側には１本の走査信号配線Ｃｎが対応して設置され、且つ隣接する２列の画素列の間には１本のみの走査信号配線Ｃｎが設置される。

【0103】

デバイス設置区域Ａ１における画素行の個数Ｎが画素列の個数Ｍよりも大きい場合、すなわちＮ＞Ｍの場合、
少なくとも１つの画素列の両側にはそれぞれ少なくとも１本の走査信号配線Ｃｎが設置され、隣接する２列の画素列の少なくとも一部の間にはいずれも少なくとも１本の走査信号配線Ｃｎが設置される。

【0104】

具体的に実施する場合、第１色、第２色及び第３色はそれぞれ赤色、青色及び緑色のうちの１つであってもよく、たとえば第１色は赤色であり、第２色は青色であり、第３色は緑色であり、ここで限定しない。

【0105】

説明する必要がある点として、走査線Ｓｎは第１導電層に同層に設置され、走査信号配線Ｃｎ、データ信号線Ｄｍ、参照信号線Ｖｍ、及び正極信号線Ｈｍ１及びＨｍ２は第２導電層に同層に設置される。

【0106】

ボンディング区域Ａ３の複数のバインディング電極９４は受信して伝達された信号のタイプに応じて異なる群に分けられ、同じ群に分けられたバインディング電極は１つの回路基板に接続され、具体的には、回路基板上の金端子メッキ構造に対応して接続される。図７ｃを例として、バインディング電極９４は第１バインディング電極群３００～１、第２バインディング電極群３００～２、第３バインディング電極群３００～３に分けられ、すなわち駆動基板に接続されるための３つの回路基板を必要とする。

【0107】

走査信号配線Ｃｎ及びデータ信号線Ｄｍは順に折り曲げ区域Ａ２及びボンディング区域Ａ３に位置する配線を介して第２バインディング電極群３００～２に接続され、且つ第２バインディング電極群３００～２を介して第１回路基板にバインディングして接続され、参照信号線Ｖｍ及び正極信号線Ｈｍは順に折り曲げ区域Ａ２及びボンディング区域Ａ３に位置する配線を介して第１バインディング電極群３００～１及び第３バインディング電極群３００～３に接続され、且つ第１バインディング電極群３００～１及び第３バインディング電極群３００～３を介してそれぞれ２つの第２回路基板にバインディングして接続される。

【0108】

具体的に実施する場合、本願の実施例が提供する駆動基板において、ボンディング区域Ａ３には１つの第１回路基板及び１つの第２回路基板のみが設置されてもよく、このように回路基板の数を減少させることができる。

【0109】

第１導電層は通常、各種の信号線、たとえば共通電圧線ＧＮＤ、駆動電圧線ＶＬＥＤ、ソース電源線ＰＷＲ、アドレス線ＤＩ等を設置することに用いられる。

【0110】

第２導電層は通常、発光デバイスに接続される端子（パッド）及び接続リード等を設置することに用いられる。

【0111】

例示的には、図６に示すように、第１導電層には第１リード５１及び第２リード５２を含み、第２導電層は表面が露出している第１端子９１、第２端子９２、バインディング端子９４、及び表面が第２有機層１１で被覆される第３リード９３を含む。第１端子９１及び第２端子９２は発光デバイスにバインディングして接続され、バインディング端子９４は回路基板にバインディングして接続される。第１リード５１はデバイス設置区域Ａ１に位置し、第２リード５２は折り曲げ区域Ａ２に位置し、且つ第２リード５２の両端が折り曲げ区域Ａ２からそれぞれデバイス設置区域Ａ１及びボンディング区域Ａ３まで延伸し、第１端子９１、第２端子９２及び第３リード９３はデバイス設置区域Ａ１に位置し、バインディング端子９４はボンディング区域Ａ３に位置し、第１リード５１は第１端子９１に電気的に接続され、第２リード５２はそれぞれ第３リード９３及びバインディング端子９４に電気的に接続される。

【0112】

いくつかの実施例では、第１導電層の厚さは約１．５μｍ～７μｍであり、その材料は銅を含んでもよく、たとえばスパッタリングの方式によってＭｏＮｂ／Ｃｕ／ＭｏＮｂのような積層構造を形成することができ、基板１に近い一側の材料はＭｏＮｂであり、厚さが約３００Åであり、主にフィルム層間の付着力を向上させることに用いられ、積層構造の中間層材料はＣｕであり、電気信号伝達通路の好ましい材料であり、基板１から離れた側の材料はＭｏＮｂであり、厚さが約２００Åであり、中間層を保護することことに用いられ、抵抗率の低い中間層の表面が露出して酸化することを防止する。単一のスパッタリングの厚さは通常に１μｍを超えず、従って１μｍを超える第１導電層を製造する時に、複数回スパッタリングして形成する必要がある。また、第１導電層はさらにメッキの方式によって形成することもでき、具体的には、まず、ＭｏＮｉＴｉを利用してシード層を形成し、後続のメッキプロセス中の金属結晶粒子の結晶核形成密度を向上させ、その後、メッキによって抵抗率の低い銅を製造し、その後で、酸化防止層を製造し、材料はＭｏＮｉＴｉであってもよい。

【0113】

いくつかの実施例では、第２導電層のフィルム層の厚さは約６０００Åである。第２導電層におけるパッド（又は端子）は各種の電気素子をバインディングすることに用いられ、たとえばデバイス設置区域Ａ１に位置して、サブミリ発光ダイオードチップを取り付けるための第１端子９１及び第２端子９２、及び／又は、コンパクト集積回路チップ又はセンサなどの機能素子を取り付けるためのパッド（又は端子）、及びボンディング区域Ａ３に位置して、回路基板に接続するためのバインディング端子９４を含んでもよい。

【0114】

パッド（又は端子）の基板１から離れた側の表面は、電子部品に接続されていない前に部分的に露出する必要があり、基板プロセスから電子部品を基板に設置するプロセスまでの過程中に、パッドがエアに露出して酸化する可能性がある問題を防止するために、パッドが露出する表面区域におけるみに酸化防止材料層を設置してもよく、すなわちパッド区域における表面は接続リード（たとえば第３リード９３）が位置する区域における構造よりも１層多く、又は第２導電層全体を少なくとも２層の構造の積層構造に設定してもよく、その基板１から離れたフィルム層の材料は酸化防止金属又は合金材料であり、具体的には、たとえばＭｏＮｂ／Ｃｕ／ＣｕＮｉの積層構造で構成されてもよく、積層中の底層材料ＭｏＮｂは主に付着力を向上させることに用いられ、積層中の中間層Ｃｕは、抵抗率が低いため、主に電気信号を伝達することに用いられ、積層中の最上層ＣｕＮｉは中間層の酸化を防止することができるだけではなく、電子部品との接続の堅牢性を保証することもできる。

【0115】

図６及び図７ｃに示すように、第１リード５１は走査線Ｓｎに接続され、第１リード５１はさらに第１端子９１を介して画素駆動チップの正極に接続され、第２端子９２はそれぞれ参照信号線Ｖｍ及び画素駆動チップの負極に接続され、画素駆動チップは無機発光ダイオードに接続され、それにより画素駆動チップ及び無機発光ダイオードを駆動する電流を形成する。

【0116】

また、第３リード９３の一部、第２リード５２の一部及びバインディング端子９４の一部によって、デバイス設置区域Ａ１に位置する走査信号配線Ｃｎ及びデータ信号線Ｄｍを第１回路基板に接続し、第３リード９３の他部、第２リード５２の他部及びバインディング端子９４の他部によって、デバイス設置区域Ａ１に位置する参照信号線Ｖｍ及び正極信号線Ｈｍを２つの第２回路基板に接続する。

【0117】

いくつかの実施例では、図６に示すように、上記駆動基板の構造については、さらに、バッファ層４６を第１導電層に設置してもよく、且つ該バッファ層４６の厚さは図５に示される駆動基板における第１バッファ層４と第１パッシベーション層６の厚さの和である。

【0118】

いくつかの実施例では、図４ｃに示すように、機能区域Ａはデバイス設置区域Ａ１、折り曲げ区域Ａ２及びボンディング区域Ａ３を含み、折り曲げ区域Ａ２はデバイス設置区域Ａ１とボンディング区域Ａ３との間に位置し、支持ベース１はデバイス設置区域Ａ１及びボンディング区域Ａ３に位置し、折り曲げ区域Ａ２の駆動基板は折り曲げ軸に沿って折り曲げ可能に構成される。

【0119】

実際の応用では、上記駆動基板が折り曲げられる前に、折り曲げ区域Ａ２における支持ベース１を取り外し、図４ｃに示される駆動基板の構造を形成し、次に折り曲げ区域で折り曲げる。説明する必要がある点として、上記折り曲げ軸は駆動基板に存在する実際の構造ではなく、駆動基板の折り曲げ過程を説明するために提出された概念である。

【0120】

いくつかの実施例では、図４ｃに示すように、折り曲げ区域Ａ２が非折り曲げ状態である場合、デバイス設置区域Ａ１の支持ベース１のフレキシブルベース２から離れた表面はボンディング区域Ａ３の支持ベース１のフレキシブルベース２から離れた表面と同じ平面内に位置し、
折り曲げ区域Ａ２が折り曲げ状態である場合、デバイス設置区域Ａ１の支持ベース１のフレキシブルベース２から離れた表面はボンディング区域Ａ３の支持ベース１のフレキシブルベース２から離れた表面と一体に固定される。

【0121】

図７ａは駆動基板の見下ろす構造模式図を示し、図８及び図９はそれぞれ図７ａに示される駆動基板が折り曲げられた後の正面（表示面）及び裏面（表示面から離反した表面）の見下ろす構造模式図である。図７ａに示すように、該駆動基板は機能区域Ａと、機能区域Ａを取り囲む周辺区域Ｂとを含み、機能区域Ａには１つのデバイス設置区域Ａ１、２つのボンディング区域Ａ３及び２つの折り曲げ区域Ａ２を含み、周辺区域Ｂには１つの折り曲げ可能な周辺サブ区域Ｂ１をさらに含み、該周辺サブ区域Ｂ１は折り曲げ区域Ａ２の延伸位置に位置し、ボンディング区域Ａ３には回路基板をバインディングするためのバインディング端子群３００をさらに含む（すなわち図４ｃにおける第２有機層１１のバインディング端子９４を露出する位置）。

【0122】

実際の応用では、上記駆動基板は図７ｂに示される１つのボンディング区域Ａ３及び１つの折り曲げ区域Ａ２をさらに含んでもよく、又は、３つ又は４つのボンディング区域Ａ３をさらに含んでもよく、具体的には実際の状況に応じて決定することができ、ここで制限しない。図８と図９に示すように、折り曲げ区域Ａ２における支持ベース１を取り外した後、駆動基板は図８に示される方式に基づいて折り曲げ可能であり、ボンディング区域Ａ３及び折り曲げ区域Ａ２の一部を折り曲げて駆動基板の裏面に固定し、それにより駆動基板で製造される発光装置のフレーム幅を狭め、更にスリットの狭い接合発光装置を製造することに用いることができる。

【0123】

本願の実施例は発光装置をさらに提供し、図１０に示すように、発光デバイス８０、回路基板７２及び上記した駆動基板を含み、駆動基板はそれぞれ発光デバイス８０及び回路基板７２に電気的に接続される。

【0124】

上記発光デバイスは画素駆動チップ及び無機発光ダイオード（８０１は画素駆動チップ及び無機発光ダイオードである）を含み、上記無機発光ダイオードはマイクロＬＥＤ、たとえば、Ｍｉｎｉ ＬＥＤ又はＭｉｃｒｏ ＬＥＤであってもよい。上記回路基板はフレキシブル回路基板（ＦＰＣ）又はプリント基板（ＰＣＢ）又はプログラマブルロジック配列（ＦＰＧＡ）等であってもよい。

【0125】

具体的には、発光デバイス８０の２つのピン８０２はそれぞれ溶接材料Ｔ（たとえば半田）を介してデバイス設置区域Ａ１の第１端子９１及び第２端子９２に電気的に接続され、回路基板７２は異方性導電性接着剤７１を介してボンディング区域Ａ３のバインディング端子９４に電気的に接続される。発光デバイス８０には、発光デバイス８０の出光色に影響を与えないように透明樹脂材料又は有色樹脂材料を用いてもよい保護構造９０１と、隣接する２つの発光デバイス８０の間に位置するクロストーク防止構造９０２とがさらに設置され、クロストーク防止構造９０２の材料は濃色樹脂であってもよく、それにより隣接する２つの発光デバイスから発する光線が互いに干渉することを回避できるとともに、外部環境光を吸収し、それにより環境光が金属メッキ層に入射して反射することによりコントラストが低下する等の問題を回避する。

【0126】

実際の応用では、発光デバイスの設置種類の異なりによって、上記発光装置はバックライト装置として用いられてもよく、又は、表示装置として用いられてもよい。具体的には、発光装置における複数の発光デバイスがいずれも青色光を発する発光デバイスである場合、上記発光装置はバックライト装置として用いられてもよく、発光装置における複数の発光デバイスが赤色光、緑色光及び青色光を発する３種の発光デバイスを同時に含む場合、上記発光装置は表示装置として用いられてもよい。

【0127】

本願の実施例が提供する発光装置については、発光装置における保護層がフレキシブルベースの支持ベースから離れた表面及びフレキシブルベースの周辺区域に近い側面を被覆するため、フレキシブルベースの側面が環境中の水蒸気に接触することを回避し、それにより周辺区域に近い部分のフレキシブルベースと支持ベースとの間の付着力を向上させ、周辺区域に近い部分のフレキシブルベースの膨張及び離脱の問題を改善し、さらに該駆動基板で製造される表示製品の信頼性を高める。

【0128】

本願の実施例は駆動基板の製造方法をさらに提供し、図１１に示すように、該方法は、
少なくとも２つの機能区域Ａ及び各機能区域Ａを取り囲む切断区域に区画される、図１１ａに示される剛性マザーベース板１００を提供するステップＳ９０１と、
機能区域Ａにフレキシブルベース２を形成するステップＳ９０２と、
少なくとも各機能区域Ａに位置し、且つフレキシブルベース２の剛性マザーベース板１００から離れた表面及びフレキシブルベース２の切断区域に近い側面を被覆する少なくとも１層の保護層を形成するステップＳ９０３と、
切断区域に位置するカットラインに沿って切断して、少なくとも１つの駆動基板を得るステップＳ９０４と、を含む。

【0129】

説明する必要がある点として、剛性マザーベース板を切断する前に、機能区域Ａ以外の区域はいずれも切断区域であり、切断した後、一部の切断区域は切り取られ、他部の切断区域は駆動基板の周辺区域Ｂとして機能区域Ａの周囲に保留される。

【0130】

本願の実施例は駆動基板の製造方法を提供し、該方法で製造される駆動基板については、保護層がフレキシブルベース２の支持ベース１から離れた表面及びフレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い側面を被覆するため、フレキシブルベース２の側面が環境中の水蒸気に接触することを回避し、それにより周辺区域Ｂに近い部分のフレキシブルベース２と支持ベース１との間の付着力を向上させ、周辺区域Ｂに近い部分のフレキシブルベース２の膨張及び離脱の問題を改善し、さらに該駆動基板で製造される表示製品の信頼性を高める。

【0131】

いくつかの実施例では、機能区域Ｂの駆動基板は第２バッファ層４をさらに含み、該方法は、
フレキシブルベース２と第２バッファ層３を同時に形成するステップＳ９０２０をさらに含み、第２バッファ層３はフレキシブルベース２と保護層との間に位置し、第２バッファ層３の支持ベース１への正投影はフレキシブルベース２の支持ベース１への正投影と重なっている。

【0132】

さらに、フレキシブルベース２と第２バッファ層３を同時に形成するステップＳ９０２０は、
図１１ａに示すように、機能区域Ａ及び切断区域に位置するフレキシブルフィルム２０１を剛性マザーベース板１００に形成するステップＳ９０２１と、
フレキシブルフィルム２０１を被覆する第２バッファフィルム２０２をフレキシブルフィルム２０１に形成するステップＳ９０２２と、
第２バッファフィルム２０２とフレキシブルフィルム２０１に対してパターニングを同時に行って、フレキシブルベース２と第２バッファ層３を得るステップＳ９０２３と、を含む。

【0133】

関連技術では、フレキシブルベースに対してパターニングを行う方式は３種あり、具体的には、以下のとおりである。

【0134】

第１種としては、レーザ切断及び掘削の方式を用いて切断区域におけるフレキシブルベースを除去し、しかしながら、フレキシブルベース（ＰＩ）が有機物であるため、レーザがフレキシブルベースをアブレーションする可能性があり、その結果、レーザの切断プロセスの条件に対する要件が非常に厳しく、該方法で製造される駆動基板の製品の歩留まり率が低い。

【0135】

第２種としては、ドライエッチングプロセスを用いて切断区域におけるフレキシブルベースを除去し、フレキシブルベースの厚さが通常に３ｕｍより大きいため、ドライエッチングプロセスを用いて周辺区域Ｂにおけるフレキシブルベースを除去する時に、厚さがフレキシブルベースの厚さを超えるフォトレジスト材料層をマスクとする必要があり（たとえば、５ｕｍのフレキシブルベースが７ｕｍのフォトレジスト材料層を必要とする）、そうでない場合は、エッチングムラによるＭｕｒａが発生し、製品の品質に深刻な影響を与え、且つエッチングプロセスの条件に対する要件も非常に高い。

【0136】

第３種としては、カッターホイールを用いて切断区域におけるフレキシブルベースを切断して除去し、しかしながら、カッターホイールのカッターヘッドはフレキシブルベースと容易に接着し、切断の不均一をもたらし、それにより切断区域におけるフレキシブルベースを完全に除去できず、残存する問題が存在する。

【0137】

しかしながら、本願の上記方法を用い、フレキシブルフィルム２０１に第２バッファフィルム２０２を形成し、次に第２バッファフィルム２０２にパターニングされた薄いＰＲ接着剤を形成し、パターニングされたＰＲ接着剤をマスクとして、第２バッファフィルム２０２とフレキシブルフィルム２０１を同時にエッチングし、また、第２バッファフィルム２０２を補助ハードマスク（Ｈａｒｄ Ｍａｓｋ）として、フレキシブルフィルム２０１に対するエッチングを補助し、第２バッファフィルム２０２は無機材料で製造されるため、ドライエッチング過程に、ガスの有機材料及び無機材料に対するエッチングレートが異なり、薄いＰＲ接着剤を形成し、製造プロセスの難度を低減させることができ、同時に、さらに図１２ｂに示される駆動基板を製造する中間構造を形成する。本願の上記製造方法でフレキシブルベース２を形成すると、その製造過程が簡単で、製造プロセスの難度が低く、且つ製品の歩留まり率が高い。

【0138】

上記エッチング過程に用いるのはＩＣＰ（ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ ｃｏｕｐｌｅｄ ｐｌａｓｍａ）エッチング技術であり、酸素ガス及びプラズマ処理の条件においてエッチングし、エッチングした後に勾配角が９０°のフレキシブルベース２を得ることができる。

【0139】

いくつかの実施例では、保護層は第１バッファ層４を含み、少なくとも１層の保護層を形成するステップＳ９０３は、
少なくとも機能区域Ａに位置し、フレキシブルベース２の支持ベース１から離れた表面及びフレキシブルベース２の切断区域に近い側面を被覆する第１バッファ層４を形成するステップＳ９０３１を含む。

【0140】

上記第１バッファ層４は機能区域Ａのみに位置してもよく、又は、上記第１バッファ層４は機能区域Ａに位置し、フレキシブルベース２の支持ベース１から離れた表面及びフレキシブルベース２の切断区域に近い側面を被覆してもよく、切断区域に位置し、且つ切断区域における支持ベース１を被覆してもよい。

【0141】

本願が提供する製造方法で製造される駆動基板において、第１バッファ層４がフレキシブルベース２の支持ベース１から離れた表面及びフレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い側面を被覆するように設定することにより、フレキシブルベース２の側面が環境中の水蒸気に接触することを回避し、それによりフレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い部分と支持ベース１との間の付着力を向上させ、フレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い部分と支持ベース１との間に発生する膨張及び離脱の問題を改善し、さらに該駆動基板で製造される表示製品の信頼性を高める。

【0142】

いくつかの実施例では、第１バッファ層４を形成するステップＳ９０３１の後、且つカットラインに沿って切断して、少なくとも１つの駆動基板を得るステップＳ９０４の前に、該方法は、ステップＳ９０５～ステップＳ９０７をさらに含む。

【0143】

ステップＳ９０５において、図１４ａに示すように、第１バッファ層４の支持ベース１から離れた側に位置し、且つデバイス設置区域Ａ１、折り曲げ区域Ａ２及びボンディング区域Ａ３に位置する第１導電層を形成し、
第１導電層は第１リード５１及び第２リード５２を含み、第１リード５１はデバイス設置区域Ａ１に位置し、第２リード５２は折り曲げ区域Ａに位置し、且つ第２リード５２の両端は折り曲げ区域Ａ２からそれぞれデバイス設置区域Ａ１及びボンディング区域Ａ３まで延伸する。

【0144】

Ｓ９０６において、デバイス設置区域Ａ１、折り曲げ区域Ａ２、ボンディング区域Ａ３及び切断区域に位置する第１パッシベーション層６を第１導電層に形成し、
第１パッシベーション層６の支持ベース１への正投影は第１バッファ層４の支持ベース１への正投影と重なっており、このように、第１パッシベーション層６もフレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い側面を被覆し、それによりさらに水蒸気に対する遮断作用を向上させ、フレキシブルベース２の側面が環境中の水蒸気に接触することにより生じた膨張及び離脱の問題を回避する。

【0145】

Ｓ９０７において、第１パッシベーション層６に第１有機層７を形成し、
第１有機層７には剛性マザーベース板１００に垂直な方向における第１ビア、第２ビア及び第３ビアを有し、第１ビアによって第１リード５１の一部の区域が露出され、第２ビアによってデバイス設置区域Ａ１に位置する第２リード５２の一部の区域が露出され、第３ビアによってボンディング区域Ａ３に位置する第２リード５２の一部の区域が露出される。

【0146】

第１有機層７はフレキシブルベース２に垂直な方向に沿って切断区域における剛性マザーベース板１００と互いに重なっておらず、このように、駆動基板を製造する過程に、剛性マザーベース板１００を切断して駆動基板を得る場合に、第１有機層７とカットラインとの間の距離は遠く、それにより切断により生じた熱が第１有機層７に与える影響を回避し、また、切断プロセスの難度も低減される。

【0147】

いくつかの実施例では、第１パッシベーション層６に第１有機層７を形成するステップＳ９０７は、
第１パッシベーション層７に第１有機フィルムを形成するステップＳ９０７１と、
第１有機フィルムに対してパターニングを行って、第１有機層７を得るステップＳ９０７２とを含み、第１有機層７の剛性マザーベース板１００への正投影はフレキシブルベース２の剛性マザーベース板１００への正投影内に位置し、又は、第１有機層７はフレキシブルベース２の剛性マザーベース板１００から離れた表面及びフレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い側面を被覆する。

【0148】

いくつかの実施例では、第１パッシベーション層６に第１有機層７を形成するステップＳ９０７の後、且つカットラインに沿って切断して、少なくとも１つの駆動基板を得るステップＳ９０４の前に、方法は、
第１有機層７に第２パッシベーション層８を形成するステップＳ９０８と、
デバイス設置区域Ａ１及びボンディング区域Ａ３に位置する第２導電層を第２パッシベーション層８に形成するステップＳ９０９と、
第２導電層に第３パッシベーション層１０を形成するステップＳ９１０であって、第２パッシベーション層８及び第３パッシベーション層１０はいずれもデバイス設置区域Ａ１、ボンディング区域Ａ３及び切断区域に位置する、ステップＳ９１０と、
剛性マザーベース板１００への正投影が少なくともフレキシブルベース２の剛性マザーベース板１００への正投影と重なっている第２有機層１１を第３パッシベーション層８に形成するステップＳ９１１と、をさらに含む。

【0149】

第２導電層は第１端子９１、第２端子９２、第３リード９３及びバインディング端子９４を含み、第１端子９１、第２端子９２及び第３リード９３はデバイス設置区域Ａ１に位置し、バインディング端子９４はボンディング区域Ａ３に位置し、第１リード５１は第１ビアを介して第１端子９１に電気的に接続され、第２リード５２は第２ビアを介して第３リード９３に電気的に接続され、第３ビアを介してバインディング端子９４に電気的に接続される。

【0150】

第２有機層１１は剛性マザーベース板１００に垂直な方向における第４ビア、第５ビア及び第６ビアを含み、第４ビアによって第１端子９１の一部の区域が露出され、第５ビアによって第２端子９２の一部の区域が露出され、第６ビアによって第３リード９３の一部の区域が露出され、第７ビアによってバインディング端子９４の一部の区域が露出される。本願の実施例が提供する駆動基板において、第１パッシベーション層６と第１バッファ層４は支持ベース１に垂直な方向に沿って重なっているため、第１パッシベーション層６に第２パッシベーション層８及び第３パッシベーション層１０を設置する時に、デバイス設置区域Ａ１、ボンディング区域Ａ３及び周辺区域Ｂに位置する第２パッシベーション層８及び第３パッシベーション層１０も、第１バッファ層４と、支持ベース１に垂直な方向に沿って重なっており、それにより、第２パッシベーション層８と第３パッシベーション層１０もフレキシブルベース２の周辺区域Ｂに近い側面を被覆し、このように、さらに水蒸気に対する遮断作用を向上させる。

【0151】

以下、図４ａに示される構造を例として、該駆動基板の製造方法を具体的に説明し、以下のとおりである。

【0152】

Ｓ１、図１１ａに示すように、剛性マザーベース板１００を提供する。

【0153】

Ｓ２、剛性マザーベース板１００に第１フレキシブルフィルム２０１を形成する。

【0154】

Ｓ３、フレキシブルフィルム２０１に第２バッファフィルム２０２を形成する。

【0155】

Ｓ４、第２バッファフィルム２０２とフレキシブルフィルム２０１に対してパターニングを同時に行って、図１２ａ又は図１２ｂのようなフレキシブルベース２及び第２バッファ層３を得る。

【0156】

説明する必要がある点として、図１２ａは図１２ｂにおける構造を切断して得られるものであり、本願の実施例において提供する製造方法は、まず剛性マザーベース板１００に各フィルム層構造を形成し、次に切断して駆動基板を得ることであり、剛性マザーベース板１００に各フィルム層を形成する過程は、駆動基板に各フィルム層を形成する過程と類似し、そのため、ここで特に説明しない。実際の応用では、通常、まず剛性マザーベース板１００に各フィルム層を形成し、各フィルム層の構造の製造を完了した後、そして切断して少なくとも１つの駆動基板を得る。

【0157】

Ｓ５、図１３ａ又は図１３ｂを参照し、第２バッファ層３に第１バッファ層４を形成し、図１３ａは図１３ｂにおける構造を切断して得られるものであり、図１３ａと図１３ｂの関係は図１２ａと図１２ｂの関係と類似し、ここで詳細な説明は省略する。

【0158】

Ｓ６、第１バッファ層４に図１４ａに示される第１リード５１及び第２リード５２を形成し、図１４ａは図１４ｂにおける構造を切断して得られるものである。

【0159】

Ｓ７、第１リード５１及び第２リード５２に第１パッシベーション層６を形成する。

【0160】

Ｓ８、図１５ａに示される第１有機層７を第１パッシベーション層６に形成する。

【0161】

Ｓ９、図１５ａに示される第２パッシベーション層８を第１有機層７に形成し、図１５ａは図１５ｂにおける構造を切断して得られるものである。

【0162】

Ｓ１０、図１６ａに示される第１端子９１、第２端子９２、第３リード９３及びバインディング端子９４を第２パッシベーション層８に形成し、
第１端子９１、第２端子９２及び第３リード９３はデバイス設置区域Ａ１に位置し、バインディング端子９４はボンディング区域Ａ３に位置し、第１リード５１は第１端子９１に電気的に接続され、第２リード５２はそれぞれ第３リード９３及びバインディング端子９４に電気的に接続される。

【0163】

Ｓ１１、第１端子９１、第２端子９２、第３リード９３及びバインディング端子９４に第３パッシベーション層１０を形成し、図１６ａは図１６ｂにおける構造を切断して得られるものである。

【0164】

以上は、本願の具体的な実施形態に過ぎず、本願の保護範囲はこれに限定されるものではなく、当業者が本願で開示される技術範囲内に容易に想到できる変更や置換は、いずれも本願の保護範囲内に含まれるべきである。従って、本願の保護範囲は前記特許請求の範囲に準じなければならない。

【図1a】

【図1b】

【図2a】

【図2b】

【図3a】

【図3b】

【図4a】

【図4b】

【図4c】

【図5】

【図6】

【図7a】

【図7b】

【図7c】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図11a】

【図12a】

【図12b】

【図13a】

【図13b】

【図14a】

【図14b】

【図15a】

【図15b】

【図16a】

【図16b】

【図17】

【国際調査報告】