(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-08-01
(54)【発明の名称】表示パネル及び表示パネルの製造方法
(51)【国際特許分類】
H10K 50/824 20230101AFI20240725BHJP
H10K 59/123 20230101ALI20240725BHJP
H10K 50/826 20230101ALI20240725BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20240725BHJP
H10K 59/124 20230101ALI20240725BHJP
H10K 71/20 20230101ALI20240725BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20240725BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20240725BHJP
【FI】
H10K50/824
H10K59/123
H10K50/826
H10K59/122
H10K59/124
H10K71/20
G09F9/30 338
G09F9/00 338
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2022575466
(86)(22)【出願日】2022-07-22
(85)【翻訳文提出日】2022-12-07
(86)【国際出願番号】 CN2022107457
(87)【国際公開番号】W WO2024011655
(87)【国際公開日】2024-01-18
(31)【優先権主張番号】202210835770.2
(32)【優先日】2022-07-15
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】519182202
【氏名又は名称】深▲セン▼市▲華▼星光▲電▼半▲導▼体▲顕▼示技▲術▼有限公司
(74)【代理人】
【識別番号】100103894
【氏名又は名称】家入 健
(72)【発明者】
【氏名】武 凡靖
(72)【発明者】
【氏名】胡 靖源
【テーマコード(参考)】
3K107
5C094
5G435
【Fターム(参考)】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC33
3K107CC45
3K107DD29
3K107DD37
3K107DD44Z
3K107EE04
3K107GG12
3K107GG28
5C094AA04
5C094AA43
5C094BA03
5C094BA27
5C094DA13
5C094EA04
5C094EA10
5C094FB02
5C094FB12
5C094GB01
5G435AA01
5G435AA17
5G435BB05
5G435HH12
5G435KK05
(57)【要約】
本願は、表示パネル及び表示パネルの製造方法を提供し、補助陰極を表示パネルの駆動回路層内に設け、補助陰極に重ね孔を設けることで、陰極層は、重ね孔内に延伸して導電構造体に接触し、このように、電圧降下現象を改善することができる。
【選択図】
図1
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
前記基板に設けられる駆動回路層であって、前記駆動回路層内に補助電極が設けられる駆動回路層と、
前記駆動回路層の前記基板から離れた側に設けられる共通層と、
前記共通層の前記駆動回路層から離れた側に設けられる陰極層と、を含み、
前記補助電極は、積層して設けられる多層の導電構造体を含み、前記補助電極に重ね孔が設けられ、前記共通層は、前記重ね孔で途切れて設けられ、前記陰極層は、前記重ね孔内まで延伸し、前記基板に近い側の前記導電構造体に接触する表示パネル。
【請求項2】
前記補助電極は、
第一導電構造体と、
前記第一導電構造体の前記基板に近い側に設けられる第二導電構造体と、
前記第二導電構造体の前記基板に近い側に設けられる第三導電構造体と、を含み、
前記重ね孔は、前記第一導電構造体に設けられる第一開口と、前記第二導電構造体に設けられる第二開口と、を含み、
前記共通層は、前記第一開口で途切れて設けられ、前記陰極層は、前記第一開口及び前記第二開口に繋がって設けられ、前記第二開口内まで延伸し、前記第三導電構造体に接触する請求項1に記載の表示パネル。
【請求項3】
前記第一開口のサイズは、前記第二開口のサイズより小さい請求項2に記載の表示パネル。
【請求項4】
前記重ね孔は、前記第三導電構造体に設けられる第三開口を含み、前記第三開口のサイズは、前記第二開口のサイズより小さい請求項3に記載の表示パネル。
【請求項5】
前記第一導電構造体の内周縁は、前記第二導電構造体の内周縁より突出し、前記第三導電構造体の内周縁は、前記第二導電構造体の内周縁より突出している請求項4に記載の表示パネル。
【請求項6】
前記第一導電構造体は、前記第二導電構造体の内周縁より突出した第一突出部を含み、前記第三導電構造体は、前記第二導電構造体の内周縁より突出した第二突出部を含み、前記第一突出部と前記第二突出部及び前記第二導電構造体の内側壁との間にアンダーカット空間が形成され、前記陰極層は、前記アンダーカット空間内まで延伸し、前記第二突出部に接触する請求項5に記載の表示パネル。
【請求項7】
前記駆動回路層は、ソース・ドレイン電極層を含み、前記ソース・ドレイン電極層は、ソース及びドレインを含み、前記補助電極と前記ソース・ドレイン電極層は、同層に設けられる請求項2に記載の表示パネル。
【請求項8】
前記駆動回路層は、保護層及び平坦層を含み、前記保護層は、前記補助電極の前記基板から離れた側に設けられ、前記平坦層は、前記保護層の前記補助電極から離れた側に設けられ、
前記駆動回路層に二次重ね孔が設けられ、前記二次重ね孔は、前記平坦層と前記保護層を貫通し、前記補助電極を露出させる請求項7に記載の表示パネル。
【請求項9】
前記駆動回路層は、ソース・ドレイン電極層を含み、前記ソース・ドレイン電極層は、ソース及びドレインを含み、前記補助電極は、前記ソース・ドレイン電極層の前記基板から離れた側に設けられる請求項2に記載の表示パネル。
【請求項10】
前記駆動回路層は、保護層及び平坦層を含み、前記保護層は、前記補助電極の前記基板から離れた側に設けられ、前記平坦層は、前記保護層の前記補助電極から離れた側に設けられ、
前記駆動回路層に二次重ね孔が設けられ、前記二次重ね孔は、前記平坦層と前記保護層を貫通し、前記補助電極を露出させる請求項9に記載の表示パネル。
【請求項11】
前記第一導電構造体の材料の活性は、前記第二導電構造体の材料の活性より弱く、前記第三導電構造体の材料の活性は、前記第二導電構造体の材料の活性より弱い請求項2に記載の表示パネル。
【請求項12】
前記第一導電構造体と前記第三導電構造体の材料は同じであり、前記第一導電構造体の材料は、金属合金を含み、前記第二導電構造体の材料は、金属である請求項11に記載の表示パネル。
【請求項13】
前記第一導電構造体の材料は、モリブデンチタン合金であり、前記第二導電構造体の材料は、銅又はアルミニウムである請求項12に記載の表示パネル。
【請求項14】
基板に駆動回路層を形成し、前記駆動回路層内に補助電極を設けるステップであって、前記補助電極は、積層して設けられる多層の導電構造体を含むステップと、
前記補助電極に重ね孔を形成するステップと、
前記駆動回路層の前記基板から離れた側に共通層を形成するステップであって、前記共通層は、前記重ね孔で途切れているステップと、
前記共通層の前記駆動回路層から離れた側に陰極層を形成するステップであって、前記陰極層は、前記重ね孔内まで延伸し、前記基板に近い側の前記導電構造体に接触するステップと、を含む表示パネルの製造方法。
【請求項15】
前記基板に駆動回路層を形成し、前記駆動回路層内に補助電極を設けるステップであって、前記補助電極は、積層して設けられる多層の導電構造体を含む前記ステップは、
前記基板にソース・ドレイン電極層を形成するステップであって、前記ソース・ドレイン電極層は、前記基板に順に積層して設けられる第一導電層、第二導電層及び第三導電層を含むステップと、
前記ソース・ドレイン電極層にパターニングプロセスを行って、ソース、ドレイン及び前記補助電極を形成し、前記補助電極を貫通する初期重ね孔を前記補助電極に形成するステップと、を含む請求項14に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項16】
前記補助電極に重ね孔を形成する前記ステップは、
前記ソース・ドレイン電極層の前記基板から離れた側に第一陽極材料層、第二陽極材料層及び第三陽極材料層を順に積層して形成するステップと、
前記第一陽極材料層、前記第二陽極材料層及び前記第三陽極材料層をエッチングして、陽極を形成すると同時に、前記補助電極の初期重ね孔部分をエッチングして、前記初期重ね孔に基づいて前記重ね孔を形成するステップと、を含む請求項15に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項17】
前記補助電極に重ね孔を形成するステップにおいて、Ag酸エッチングプロセスによって前記第一陽極材料層、前記第二陽極材料層、前記第三陽極材料層及び前記補助電極をエッチングする請求項16に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項18】
前記第一導電層の材料の活性は、前記第二導電層の材料の活性より弱く、前記第三導電層の材料の活性は、前記第二導電層の材料の活性より弱い請求項16に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項19】
前記第一導電層と前記第三導電層の材料は同じであり、前記第一導電層の材料は、金属合金を含み、前記第二導電層の材料は、金属である請求項18に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項20】
前記第一導電層の材料は、モリブデンチタン合金であり、前記第二導電層の材料は、銅又はアルミニウムである請求項19に記載の表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、表示技術分野に関し、特に、表示パネル及び表示パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
有機発光ダイオード(Organic Light-Emitting Diode、OLED)表示パネルは、LCDを上回る表示特性及び品質、例えば:薄型化、短い反応時間、低い駆動電圧、より良好な表示色及び表示視野角等の利点を有していることから、幅広く注目されており、近年、その開発は、日進月歩であり、曲面表示を製造できるだけではなく、同時に徐々に大型化に向けても発展している。
【0003】
大型OLED表示パネルにおいて、サイズが大きく、陰極が薄いことによる電圧降下が解決すべき問題であり、特に、トップエミッションのパネルは、目視できるムラ(表示不均一)が極めて生じやすい。現在、補助電極と陰極層を並列にすることで、電圧降下現象を改善しており、一般的に、陰極と補助電極との間には、逆テーパー形状のスペーサが設けられるが、スペーサの体積占有比が大きく、成形難易度が高いことから、開口率及びパッケージングに影響し、更に、原料の選択肢が少なく、製造プロセスが複雑になり、生産効率が下がり、歩留まりは低くなる。
【0004】
以上より、従来の表示パネルには、補助陰極の製造プロセスが複雑になる問題が存在する。従って、この欠点を改善する表示パネル及び表示パネルの製造方法を提供する必要がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本願の実施例は、電圧降下現象を改善し、表示パネルの表示均一性を向上させ、スペーサの製造を回避して、プロセス難易度を下げることができる、表示パネル及び表示パネルの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本願の実施例は、
基板と、
前記基板に設けられる駆動回路層であって、前記駆動回路層内に補助電極が設けられる駆動回路層と、
前記駆動回路層の前記基板から離れた側に設けられる共通層と、
前記共通層の前記駆動回路層から離れた側に設けられる陰極層と、を含み、
前記補助電極は、積層して設けられる多層の導電構造体を含み、前記補助電極に重ね孔が設けられ、前記共通層は、前記重ね孔で途切れて設けられ、前記陰極層は、前記重ね孔内まで延伸し、前記基板に近い側の前記導電構造体に接触する表示パネルを提供する。
【0007】
本願の一実施例によれば、前記補助電極は、
第一導電構造体と、
前記第一導電構造体の前記基板に近い側に設けられる第二導電構造体と、
前記第二導電構造体の前記基板に近い側に設けられる第三導電構造体と、を含み、
前記重ね孔は、前記第一導電構造体に設けられる第一開口と、前記第二導電構造体に設けられる第二開口と、を含み、
前記共通層は、前記第一開口で途切れて設けられ、前記陰極層は、前記第一開口及び前記第二開口に繋がって設けられ、前記第二開口内まで延伸し、前記第三導電構造体に接触する。
【0008】
本願の一実施例によれば、前記第一開口のサイズは、前記第二開口のサイズより小さい。
【0009】
本願の一実施例によれば、前記重ね孔は、前記第三導電構造体に設けられる第三開口を含み、前記第三開口のサイズは、前記第二開口のサイズより小さい。
【0010】
本願の一実施例によれば、前記第一導電構造体の内周縁は、前記第二導電構造体の内周縁より突出し、前記第三導電構造体の内周縁は、前記第二導電構造体の内周縁より突出している。
【0011】
本願の一実施例によれば、前記第一導電構造体は、前記第二導電構造体の内周縁より突出した第一突出部を含み、前記第三導電構造体は、前記第二導電構造体の内周縁より突出した第二突出部を含み、前記第一突出部と前記第二突出部及び前記第二導電構造体の内側壁との間にアンダーカット空間が形成され、前記陰極層は、前記アンダーカット空間内まで延伸し、前記第二突出部に接触する。
【0012】
本願の一実施例によれば、前記駆動回路層は、ソース・ドレイン電極層を含み、前記ソース・ドレイン電極層は、ソース及びドレインを含み、前記補助電極と前記ソース・ドレイン電極層は、同層に設けられる。
【0013】
本願の一実施例によれば、前記駆動回路層は、保護層及び平坦層を含み、前記保護層は、前記補助電極の前記基板から離れた側に設けられ、前記平坦層は、前記保護層の前記補助電極から離れた側に設けられ、
前記駆動回路層に二次重ね孔が設けられ、前記二次重ね孔は、前記平坦層と前記保護層を貫通し、前記補助電極を露出させる。
【0014】
本願の一実施例によれば、前記駆動回路層は、ソース・ドレイン電極層を含み、前記ソース・ドレイン電極層は、ソース及びドレインを含み、前記補助電極は、前記ソース・ドレイン電極層の前記基板から離れた側に設けられる。
【0015】
本願の一実施例によれば、前記駆動回路層は、保護層及び平坦層を含み、前記保護層は、前記補助電極の前記基板から離れた側に設けられ、前記平坦層は、前記保護層の前記補助電極から離れた側に設けられ、
前記駆動回路層に二次重ね孔が設けられ、前記二次重ね孔は、前記平坦層と前記保護層を貫通し、前記補助電極を露出させる。
【0016】
本願の一実施例によれば、前記第一導電構造体の材料の活性は、前記第二導電構造体の材料の活性より弱く、前記第三導電構造体の材料の活性は、前記第二導電構造体の材料の活性より弱い。
【0017】
本願の一実施例によれば、前記第一導電構造体と前記第三導電構造体の材料は同じであり、前記第一導電構造体の材料は、金属合金を含み、前記第二導電構造体の材料は、金属である。
【0018】
本願の一実施例によれば、前記第一導電構造体の材料は、モリブデンチタン合金であり、前記第二導電構造体の材料は、銅又はアルミニウムである。
【0019】
本願の上記実施例が提供する表示パネルによれば、本願の実施例は、上記実施例が提供する表示パネルを製造して形成するための表示パネルの製造方法を更に提供する。
【0020】
前記表示パネルの製造方法は、前記基板に駆動回路層を形成し、前記駆動回路層内に補助電極を設けるステップであって、前記補助電極は、積層して設けられる多層の導電構造体を含むステップと、
前記補助電極に重ね孔を形成するステップと、
前記駆動回路層の前記基板から離れた側に共通層を形成するステップであって、前記共通層は、前記重ね孔で途切れているステップと、
前記共通層の前記駆動回路層から離れた側に陰極層を形成するステップであって、前記陰極層は、前記重ね孔内まで延伸し、前記基板に近い側の前記導電構造体に接触するステップと、を含む。
【0021】
本願の一実施例によれば、前記基板に駆動回路層を形成し、前記駆動回路層内に補助電極を設けるステップであって、前記補助電極は、積層して設けられる多層の導電構造体を含む前記ステップは、
前記基板にソース・ドレイン電極層を形成するステップであって、前記ソース・ドレイン電極層は、前記基板に順に積層して設けられる第一導電層、第二導電層及び第三導電層を含むステップと、
前記ソース・ドレイン電極層にパターニングプロセスを行って、ソース、ドレイン及び前記補助電極を形成し、前記補助電極を貫通する初期重ね孔を前記補助電極に形成するステップと、を含む。
【0022】
本願の一実施例によれば、前記補助電極に重ね孔を形成する前記ステップは、
前記ソース・ドレイン電極層の前記基板から離れた側に第一陽極材料層、第二陽極材料層及び第三陽極材料層を順に積層して形成するステップと、
前記第一陽極材料層、前記第二陽極材料層及び前記第三陽極材料層をエッチングして、陽極を形成すると同時に、前記補助電極の初期重ね孔部分をエッチングして、前記初期重ね孔に基づいて前記重ね孔を形成するステップと、を含む。
【0023】
本願の一実施例によれば、前記補助電極に重ね孔を形成するステップにおいて、Ag酸エッチングプロセスによって前記第一陽極材料層、前記第二陽極材料層、前記第三陽極材料層及び前記補助電極をエッチングする。
【0024】
本願の一実施例によれば、前記第一導電層の材料の活性は、前記第二導電層の材料の活性より弱く、前記第三導電層の材料の活性は、前記第二導電層の材料の活性より弱い。
【0025】
本願の一実施例によれば、前記第一導電層と前記第三導電層の材料は同じであり、前記第一導電層の材料は、金属合金を含み、前記第二導電層の材料は、金属である。
【0026】
本願の一実施例によれば、前記第一導電層の材料は、モリブデンチタン合金であり、前記第二導電層の材料は、銅又はアルミニウムである。
【発明の効果】
【0027】
本開示の実施例の有益な效果:本願の実施例は表示パネル及び表示パネルの製造方法を提供し、前記表示パネルは、基板に積層して設けられる駆動回路層、共通層及び陰極層を含み、補助陰極を前記表示パネルの駆動回路層内に設けると同時に前記補助陰極に重ね孔が設けられることで、前記重ね孔により、前記共通層が前記重ね孔で途切れて、陰極層が前記重ね孔内まで延伸し、前記基板に近い側の前記導電構造体に接触することができ、このように電圧降下現象を改善することができ、従来技術に対して、本願は、スペーサを製造する必要が無く、前記駆動回路層の製造工程を利用して前記補助陰極を同時に製造して形成することができ、プロセス難易度を低くし、生産効率を向上させる。
【0028】
実施例又は従来技術における技術案をより明確に説明するために、以下に、実施例又は従来技術の説明に使用する必要がある図面を簡潔に紹介する。以下の説明における図面は、本開示のいくつかの実施例にすぎないことは明らかである。当業者は、創造的努力なしに、これらの図面に基づいて、他の図面を得ることもできる。
【図面の簡単な説明】
【0029】
【
図1】本願の実施例が提供する第一の表示パネルの積層構造概略図である。
【
図2】本願の実施例が提供する
図1のA部の拡大概略図である。
【
図3】本願の実施例が提供する補助電極の構造概略図である。
【
図4】本願の実施例が提供する第二の表示パネルの積層構造概略図である。
【
図5a】本願の実施例が提供する表示パネルの製造方法のフローの構造概略図である。
【
図5b】本願の実施例が提供する表示パネルの製造方法のフローの構造概略図である。
【
図5c】本願の実施例が提供する表示パネルの製造方法のフローの構造概略図である。
【
図5d】本願の実施例が提供する表示パネルの製造方法のフローの構造概略図である。
【
図5e】本願の実施例が提供する表示パネルの製造方法のフローの構造概略図である。
【
図5f】本願の実施例が提供する表示パネルの製造方法のフローの構造概略図である。
【発明を実施するための形態】
【0030】
以下の各実施例の説明は、本開示が実施可能な特定の実施例を例示するために添付した図面を参考にする。本開示で言及されている方向の用語、例えば、「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「内」、「外」、「側面」等は、添付した図面の方向を参考とするものでしかない。従って、使用される方向の用語は、本開示を説明及び理解するためのものであり、本開示を限定するものではない。図面において、構造が相似する構成単位は、同じ符号で示す。
【0031】
以下に図面と具体的な実施例とを組み合わせて本開示について更に説明する。
【0032】
本願の実施例は、表示パネルを提供し、
図1に示すように、
図1は、本願の実施例が提供する第一の表示パネルの積層構造概略図であり、前記表示パネルは、基板10、駆動回路層20、共通層31及び陰極層32を含む。
【0033】
前記駆動回路層20は、前記基板10に設けられる。説明が必要なこととして、前記基板10に設けられるとは、前記基板10に直接接触することを指してもよく、前記基板10に間接的に接触することを指してもよい。
【0034】
前記共通層31は、前記駆動回路層20の前記基板10から離れた側に設けられ、前記陰極層32は、前記共通層31の前記駆動回路層20から離れた側に設けられる。
【0035】
本願の実施例において、前記共通層31は、積層して設けられた正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層を含んでもよいがこれに限定されず、前記表示パネルは、有機発光材料層を含んでもよく、前記有機発光材料層は、前記正孔輸送層と前記電子輸送層との間に設けられてもよい。
【0036】
前記駆動回路層20内に補助電極21が設けられ、前記補助電極21は、積層して設けられる多層の導電構造体を含み、前記補助電極21に重ね孔H1が設けられ、前記共通層31は、前記重ね孔H1で途切れて設けられ、前記陰極層32は、前記重ね孔H1内まで延伸し、前記補助電極21のうち前記基板10に近い側の前記導電構造体に接触する。
【0037】
説明が必要なこととして、従来の有機発光ダイオード表示パネルは、金属材料の陰極層の厚みが厚いことから、シート抵抗が大きくなり、電圧降下が深刻になり、表示パネルの輝度ムラの現象が顕著になる。本願の実施例において、前記補助電極21に重ね孔H1が設けられることで、共通層31は、前記重ね孔H1で途切れて設けられ、前記陰極層32は、前記重ね孔H1により前記補助電極21のうち前記基板10に近い側の導電構造体に接触することができ、これにより、前記補助電極21と並列な回路構造が形成される。前記補助電極21の抵抗は小さいことから、前記表示パネルが通電する時、前記陰極層32の抵抗を下げることができ、これにより、電圧降下が低減され、表示パネルの輝度均一性を改善することができる。
【0038】
本願の実施例において、前記補助電極21を前記駆動回路層20内に設けることで、前記駆動回路層20の製造工程を利用して前記補助電極21を同時に製造して形成することができ、前記補助電極21に形成された重ね孔H1によって、前記共通層31が前記重ね孔H1で途切れさせることができ、このように陰極層32と前記補助電極21が重なる効果を実現すると同時にスペーサを製造する必要も無くなり、プロセス難易度を低くし、生産効率を向上させることができる。
【0039】
更に、前記補助電極21は、第一導電構造体211、第二導電構造体212及び第三導電構造体213を含む。
【0040】
前記第二導電構造体212は、前記第一導電構造体211の前記基板10に近い側に設けられ、前記第三導電構造体213は、前記第二導電構造体212の前記基板10に近い側に設けられる。
【0041】
図2と
図3を組み合わせると、
図2は、本願の実施例が提供する
図1のA部の拡大概略図であり、
図3は、本願の実施例が提供する補助電極の構造概略図であり、前記重ね孔H1は、互いに連通する第一開口H11と第二開口H12を含み、前記第一開口H11は、前記第一導電構造体211に形成され、前記第二開口H12は、前記第二導電構造体212に形成される。
【0042】
前記共通層31は、前記第一開口H11で途切れて設けられ、前記陰極層32は、前記第一開口H11及び前記第二開口H12に繋がって設けられ、前記第二開口H12内まで延伸し、前記第三導電構造体213に接触する。
【0043】
前記重ね孔H1は、前記第二開口H12と連通する第三開口H13を更に含み、前記第三開口H13は、前記第三導電構造体213に設けられる。
【0044】
図2と
図3を組み合わせると、前記共通層31の一部は、前記第三開口H13の底部に堆積して形成され、前記共通層31の他の一部は、前記第一導電構造体211に堆積して形成され、前記共通層31の前記第三開口H13の底部に位置する部分と前記共通層31の前記第一導電構造体211の上に位置する部分の間で途切れている。
【0045】
前記陰極層32は、前記第一開口H11と前記第二開口H12に繋がって設けられ、前記第一開口H11の内側壁に沿って前記第二開口H12内まで延伸し、前記第二開口H12が露出する前記第三導電構造体213の前記基板10から離れた側に接触すると同時に、前記第三開口H13の底部に位置する前記共通層31を覆う。
【0046】
更に、前記第一開口H11のサイズは、前記第二開口H12のサイズより小さく、前記第三開口H13のサイズは、前記第二開口H12のサイズより小さい。
【0047】
説明が必要なこととして、前記第一開口H11のサイズは、
図3に示す断面図における前記第一開口H11の幅を指してもよい。前記第一開口H11が円形である時、前記第一開口H11のサイズは、前記第一開口H11の直径を指してもよい。その他の開口のサイズの意味は、前記第一開口H11のサイズを参考にすることができ、ここでは繰り返し説明しない。
【0048】
図3に示すように、前記第一導電構造体211の内周縁は、前記第二導電構造体212の内周縁より突出し、前記第三導電構造体213の内周縁は、前記第二導電構造体212の内周縁より突出している。
【0049】
更に、前記第一導電構造体211は、前記第二導電構造体212の内周縁より突出した第一突出部2110を含み、前記第三導電構造体213は、前記第二導電構造体212の内周縁より突出した第二突出部2130を含む。
【0050】
前記第一突出部2110と前記第二突出部2130及び前記第二導電構造体212の内周縁との間にアンダーカット空間UAが形成され、前記陰極層32は、前記アンダーカット空間UA内まで延伸し、前記第二突出部2130の前記第一導電構造体211に近い側の表面に接触することができる。
【0051】
更に、前記駆動回路層20は、前記基板10に順に積層して設けられる遮光層201、バッファ層202、活性層203、ゲート絶縁層204、ゲート金属層205、層間誘電体層206、ソース・ドレイン電極層207、保護層208及び平坦層209を含んでもよいがこれに限定されない。
【0052】
前記保護層208と前記平坦層209の厚さは、いずれも1μm以上4μm以下である。例えば、前記保護層208の厚さは、1μm、2μm、3μm又は4μmであってもよく、前記平坦層209の厚さは、1μm、2μm、3μm又は4μmであってもよい。前記保護層208の厚さは、前記平坦層209の厚さと等しくても等しくなくてもよく、ここでは限定されない。
【0053】
前記表示パネルは、前記平坦層209の前記基板10から離れた側に設けられる陽極33と、前記平坦層209の前記基板10から離れた側に設けられ、前記陽極33を覆う画素定義層34と、を更に含み、前記共通層31と前記陰極層32は、前記画素定義層34に積層して設けられる。
【0054】
そのうち一つの実施例において、前記補助電極21と前記ソース・ドレイン電極層207は、同層に設けられる。
【0055】
図2に示すように、前記補助電極21と前記ソース・ドレイン電極層207は、いずれも前記層間誘電体層206の前記基板10から離れた側に設けられる。前記ソース・ドレイン電極層207は、ソース207a及びドレイン207bを含んでもよく、前記活性層203は、中間に位置する半導体部及び前記半導体部の両側に位置する導体部を含んでもよく、前記ソース207a及び前記ドレイン207bは、それぞれ前記層間誘電体層206のビアホールによって対応する前記導体部とそれぞれ接続される。
【0056】
更に、前記ソース・ドレイン電極層207は、積層して設けられる多層の導電膜層を含む。
【0057】
そのうち一つの実施例において、前記ソース・ドレイン電極層207は、第一導電層2071、第二導電層2072及び第三導電層2073を含んでもよく、前記第二導電層2072は、前記第一導電層2071と前記第三導電層2073との間に設けられ、前記第一導電層2071は、前記第三導電層2073の前記基板10から離れた側に設けられる。
【0058】
前記補助電極21の前記第一導電構造体211と前記ソース・ドレイン電極層207の第一導電層2071の材料は同じであり、前記補助電極21の前記第二導電構造体212と前記ソース・ドレイン電極層207の第二導電層2072の材料は同じであり、前記補助電極21の前記第三導電構造体213と前記ソース・ドレイン電極層207の第三導電層2073の材料は同じである。このように、前記ソース・ドレイン電極層207の製造工程を用いて、前記補助電極21を同時に製造して形成することができ、このように前記補助電極21を単独で製造するのに必要な製造工程及びマスクを省くことができ、表示パネルの製造プロセスを簡略化して、生産コストを下げることができる。
【0059】
また、前記補助電極21と前記ソース・ドレイン電極層207を同層に設けることで、前記補助電極21が吸水性のレジスト材料に接触することを回避することもでき、パッケージが失敗するリスクを下げることができる。
【0060】
更に、前記第一導電構造体211の活性は、前記第二導電構造体212の活性より弱く、前記第三導電構造体213の活性は、前記第二導電構造体212の活性より弱い。
【0061】
前記補助電極21をエッチングする時、活性が強い前記第二導電構造体212のエッチングレートは、前記第一導電構造体211と前記第三導電構造体213より大きいので、前記アンダーカット空間UAを形成する。
【0062】
更に、前記第一導電構造体211と前記第三導電構造体213の材料は同じであり、前記第一導電構造体211の材料は、金属合金を含み、前記第二導電構造体212の材料は金属である。
【0063】
例えば、前記第一導電構造体211と前記第三導電構造体213の材料は、いずれもモリブデンチタン合金(MoTi)であり、前記第二導電構造体212の材料は銅(Cu)又はアルミニウム(Al)である。
【0064】
そのうち一つの実施例において、前記補助電極21は、前記ソース・ドレイン電極層207の前記基板10から離れた側に設けられる。
【0065】
図4に示すように、
図4は、本願の実施例が提供する第二の表示パネルの積層構造概略図であり、説明が必要なこととして、
図4に示す表示パネルの構造と
図1に示す表示パネルの構造は、ほぼ同じであり、異なるのは、前記補助電極21が設けられる膜層位置が異なることである。
【0066】
図4に示す実施例において、前記ソース・ドレイン電極層207の前記基板10から離れた側に第二層間誘電体層210が設けられ、前記補助電極21は、前記第二層間誘電体層210の前記基板10から離れた側に設けられる。
【0067】
前記第二層間誘電体層210の前記基板10から離れた側に導電電極22が更に設けられ、前記導電電極は、前記補助電極21と同じ多層の導電構造体を有する。前記陽極33は、前記平坦層209と前記保護層208を貫通するビアホールによって前記導電電極22に接続され、前記導電電極は、前記第二層間誘電体層210を貫通するビアホールによって前記ドレインに接続される。
【0068】
更に、前記駆動回路層20に二次重ね孔H2が設けられ、前記二次重ね孔H2は、前記平坦層209と前記保護層208を貫通し、前記補助電極21を露出させる。
【0069】
図1又は
図4に示すように、前記二次重ね孔H2は、前記画素定義層34、前記平坦層209及び前記保護層208を貫通し、前記補助電極21を露出させるので、前記陰極層32が前記補助電極21に堆積して形成し、前記補助電極21の重ね孔H1内まで延伸し、前記補助電極21と重なることができる。
【0070】
更に、前記陽極33は、積層して設けられる多層の陽極材料層を有する。
【0071】
そのうち一つの実施例において、
図1に示すように、前記陽極33は、前記平坦層209の上に順に積層して設けられる第一陽極材料層331、第二陽極材料層332及び第三陽極材料層333を含み、前記第一陽極材料層331と前記第三陽極材料層333の材料は、いずれも透明導電性酸化物(transparent conductive oxide, TCO)であり、前記第二陽極材料層332の材料は、金属である。
【0072】
例えば、前記第一陽極材料層331と前記第三陽極材料層333の材料は、いずれも酸化インジウムスズ(indium tin oxide, ITO)であり、前記第二陽極材料層332の材料は、銀(Ag)である。
【0073】
本願の上記実施例が提供する表示パネルによれば、本願の実施例は、上記実施例が提供する表示パネルを製造して形成する製造方法も提供し、
図5aから
図5fに示すように、
図5aから
図5fは、本願の実施例が提供する表示パネルの製造方法のフローの構造概略図であり、前記表示パネルの製造方法は、以下のステップを含む。
ステップS10:前記基板10に駆動回路層20を形成し、前記駆動回路層20内に補助電極21を設け、前記補助電極21は、積層して設けられる多層の導電構造体を含む。
ステップS20:前記補助電極に重ね孔を形成する。
ステップS30:前記駆動回路層の前記基板から離れた側に共通層を形成し、前記共通層は、前記重ね孔で途切れている。
ステップS40:前記共通層の前記駆動回路層から離れた側に陰極層を形成し、前記陰極層は、前記重ね孔内まで延伸し、前記基板に近い側の前記導電構造体に接触する。
【0074】
図5a、
図5b及び
図5cを参照すると、前記ステップS10は、以下のステップを含んでもよい。
ステップS101:前記基板10に、遮光層201、バッファ層202、活性層203、ゲート絶縁層204、ゲート金属層205及び層間誘電体層206を順に形成する。
ステップS102:前記層間誘電体層206にソース・ドレイン電極層207を形成し、前記ソース・ドレイン電極層207は、順に積層して設けられる第一導電層2071、第二導電層2072及び第三導電層2073を含む。
ステップS103:前記ソース・ドレイン電極層207にパターニングプロセスを行って、ソース207a、ドレイン207b及び前記補助電極21を形成し、前記補助電極21を貫通する初期重ね孔H0を前記補助電極21に形成する。
ステップS104:前記層間誘電体層206に保護層208を形成し、前記保護層208をエッチングして、前記補助電極21、前記初期重ね孔H0及び前記ソース207aを露出させる。
ステップS105:前記保護層208に平坦層209を形成し、前記平坦層209をエッチングして、二次重ね孔H2及び陽極接触孔H3を形成し、前記二次重ね孔H2は、前記補助電極21及び前記初期重ね孔H0を露出させ、前記陽極接触孔H3は、前記ソース207aを露出させる。
【0075】
本願の実施例において、
図5aに示すように、前記補助電極21は、順に積層して設けられる第三導電構造体213、第二導電構造体212及び第一導電構造体211を含んでもよく、前記初期重ね孔H0は、前記第一導電構造体211、前記第二導電構造体212及び前記第三導電構造体213を貫通し、前記初期重ね孔H0のサイズは、前記基板10から離れた一端から前記基板10に近い一端に徐々に小さくなる。
【0076】
図5dを参照すると、前記ステップS20は、以下のステップを含む。
ステップS201:前記平坦層209に第一陽極材料層331、第二陽極材料層332及び第三陽極材料層333を順に積層して形成する。
ステップS202:Ag酸エッチングによって前記第一陽極材料層331、第二陽極材料層332及び第三陽極材料層333をエッチングして、前記陽極33を形成する。同時に、前記Ag酸エッチングによって前記補助電極21をエッチングして、前記初期重ね孔H0に基づいて前記重ね孔H1を形成する。
【0077】
説明が必要なこととして、Ag酸エッチングプロセスを調整することで、前記第一陽極材料層331、第二陽極材料層332及び第三陽極材料層333をエッチングすると同時に、前記補助電極21をエッチングすることができ、前記補助電極21を単独でエッチングして前記重ね孔H1を形成するのに必要なマスクを省くことができる。
【0078】
図3を組み合わせると、前記補助電極21における第二導電構造体212の活性は、第一導電構造体211及び第三導電構造体213の活性より高いことから、前記第二導電構造体212のエッチングレートが前記第一導電構造体211及び第三導電構造体213のエッチングレートより大きくなり、第一導電構造体211に前記第二導電構造体212の内周縁より突出した第一突出部2110が形成され、第三導電構造体213に前記第二導電構造体212の内周縁より突出した第二突出部2130が形成され、前記第一突出部2110と前記第三突出部2130及び前記第二導電構造体212の内側壁との間にアンダーカット空間UAが形成される。
【0079】
図5eから
図5fを参照すると、前記ステップS30において、前記共通層31を形成する前に、前記平坦層209に画素定義層34を形成し、前記画素定義層34をエッチングして、複数のバンク340を形成する必要があり、前記バンク340は、画素開口341及び前記補助電極21を露出させる開口を囲んで形成される。
【0080】
前記ステップS30において、前記共通層31は、全面蒸着によって製造してもよく、重ね孔H1にアンダーカット空間UAが存在することから、前記共通層31が前記重ね孔H1で途切れ、前記補助電極21を完全に覆うことはできない。
【0081】
その他のいくつかの実施例において、スパッタリングによって前記陰極層32を形成してもよい。
【0082】
前記ステップS40において、前記陰極層32は、全面蒸着によって製造してもよく、前記陰極層32を蒸着形成する時、前記陰極層32が前記重ね孔H1に繋がるように成膜し、且つ前記重ね孔H1のアンダーカット空間UA内まで延伸し、前記第三導電構造体213に接触するように、前記共通層31とは異なる蒸着角を制御してもよい。
【0083】
本願の実施例の有益な效果:本願の実施例は表示パネル及び表示パネルの製造方法を提供し、前記表示パネルは、基板に積層して設けられる駆動回路層、共通層及び陰極層を含み、補助陰極を前記表示パネルの駆動回路層内に設けると同時に前記補助陰極に重ね孔が設けられることで、前記重ね孔により、前記共通層が前記重ね孔で途切れて、陰極層が前記重ね孔内まで延伸し、前記基板に近い側の前記導電構造体に接触することができ、このように電圧降下現象を改善することができ、従来技術に対して、本願は、スペーサを製造する必要が無く、前記駆動回路層の製造工程を利用して前記補助陰極を同時に製造して形成することができ、プロセス難易度を低くし、生産効率を向上させる。
【0084】
以上より、本願は、好ましい実施例により上記のように開示されているが、上記好ましい実施例は、本願を限定するためのものではなく、当業者であれば、本願から逸脱しない精神と範囲内で、各種の変更及び修正を行うことができ、従って、本願の保護範囲は、請求項が限定する範囲を基準とする。
【符号の説明】
【0085】
10:基板
20:駆動回路層
201:遮光層
202:バッファ層
203:活性層
204:ゲート絶縁層
205:ゲート金属層
206:層間誘電体層
207:ソース・ドレイン電極層
2071:第一導電層
2072:第二導電層
2073:第三導電層
207a:ソース
207b:ドレイン
208:保護層
209:平坦層
21:補助電極
210:第二層間誘電体層
211:第一導電構造体
2110:第一突出部
212:第二導電構造体
213:第三導電構造体
2130:第二突出部
22:導電電極
31:共通層
32:陰極層
33:陽極
331:第一陽極材料層
332:第二陽極材料層
333:第三陽極材料層
34:画素定義層
340:バンク
341:画素開口
H0:初期重ね孔
H1:重ね孔
H11:第一開口
H12:第二開口
H13:第三開口
H2:二次重ね孔
H3:陽極接触孔
UA:アンダーカット空間
【国際調査報告】