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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-08-01
(54)【発明の名称】回路基板
(51)【国際特許分類】
H05K 3/46 20060101AFI20240725BHJP
H05K 1/02 20060101ALI20240725BHJP
【ＦＩ】
H05K3/46 Q
H05K1/02 A
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024506521
(86)(22)【出願日】2022-08-10
(85)【翻訳文提出日】2024-02-01
(86)【国際出願番号】 KR2022011956
(87)【国際公開番号】W WO2023018235
(87)【国際公開日】2023-02-16
(31)【優先権主張番号】10-2021-0105658
(32)【優先日】2021-08-10
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】517099982
【氏名又は名称】エルジー イノテック カンパニー リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100099759
【弁理士】
【氏名又は名称】青木 篤
(74)【代理人】
【識別番号】100123582
【弁理士】
【氏名又は名称】三橋 真二
(74)【代理人】
【識別番号】100165191
【弁理士】
【氏名又は名称】河合 章
(74)【代理人】
【識別番号】100114018
【弁理士】
【氏名又は名称】南山 知広
(74)【代理人】
【識別番号】100159259
【弁理士】
【氏名又は名称】竹本 実
(72)【発明者】
【氏名】シン チョン ペ
(72)【発明者】
【氏名】キム ム ソン
(72)【発明者】
【氏名】イ ス ミン
(72)【発明者】
【氏名】チョン チェ フン
【テーマコード（参考）】
5E316
5E338
【Ｆターム（参考）】
5E316AA02
5E316AA12
5E316AA43
5E316CC04
5E316CC05
5E316CC08
5E316CC09
5E316CC31
5E316CC32
5E316CC33
5E316CC38
5E316CC39
5E316DD02
5E316DD24
5E316DD32
5E316DD33
5E316DD34
5E316EE33
5E316FF04
5E316FF07
5E316FF14
5E316FF18
5E316GG15
5E316GG17
5E316HH40
5E316JJ02
5E316JJ03
5E316JJ06
5E316JJ12
5E316JJ13
5E316JJ24
5E338AA03
5E338AA16
5E338BB19
5E338BB75
5E338EE60
(57)【要約】
実施例に係る回路基板は、第１基板層と、前記第１基板層上に配置され、キャビティを含む第２基板層と、を含み、前記第２基板層のキャビティは、前記第２基板層の上面に隣接するように配置され、前記第２基板層の下面を向かうほど幅が漸減するように第１傾斜を有する第１パートと、前記第１パートの下に前記第２基板層の下面に隣接するように配置され、前記第２基板層の下面を向かうほど幅が漸減するように第２傾斜を有する第２パートと、を含み、前記キャビティの底面に対する前記第１パートの第１傾斜は、前記キャビティの底面に対する前記第２パートの第２傾斜より大きく、前記第１パートの垂直長さは、前記第２パートの垂直長さと異なる。
【選択図】図２
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１基板層と、前記第１基板層上に配置され、キャビティを含む第２基板層と、を含み、
前記第２基板層のキャビティは、
前記第２基板層の上面に隣接するように配置され、前記第２基板層の下面を向かうほど幅が漸減するように第１傾斜を有する第１パートと、
前記第１パートの下に前記第２基板層の下面に隣接するように配置され、前記第２基板層の下面を向かうほど幅が漸減するように第２傾斜を有する第２パートと、を含み、
前記キャビティの底面に対する前記第１パートの第１傾斜は、前記キャビティの底面に対する前記第２パートの第２傾斜より大きく、
前記第１パートの垂直長さは、前記第２パートの垂直長さと異なる、回路基板。
【請求項2】
前記キャビティの底面に対する前記第１パートの第１傾斜は、１１５度～１５０度の間の範囲を有し、前記キャビティの底面に対する前記第２パートの第２傾斜は、９１度～１１０度の間の範囲を有する、請求項１に記載の回路基板。
【請求項3】
前記第１パートの垂直長さは、前記第２パートの垂直長さより短い、請求項１に記載の回路基板。
【請求項4】
前記第１基板層は、少なくとも１つの第１絶縁層と、
前記少なくとも１つの第１絶縁層に配置された第１回路パターン層と、
前記少なくとも１つの第１絶縁層を貫通する第１貫通電極部と、を含み、
前記第２基板層は、
複数の第２絶縁層と、
前記複数の第２絶縁層に配置された第２回路パターン層と、
前記複数の第２絶縁層のうち少なくとも１つを貫通する第２貫通電極部と、を含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項5】
前記第２基板層の第２回路パターン層は、第１アンテナパターン層を含む、請求項４に記載の回路基板。
【請求項6】
前記第１基板層は、前記キャビティと垂直に重なった第１領域と、前記第１領域以外の第２領域を含み、前記第１基板層の第１領域の上面は、前記第１基板層の第２領域の上面と段差を有し、
前記キャビティの底面は、前記第２基板層の下面より低く位置する、請求項５に記載の回路基板。
【請求項7】
前記第１基板層の第２領域に形成された第１回路パターン層は、前記第１アンテナパターン層と連結された第２アンテナパターン層を含む、請求項６に記載の回路基板。
【請求項8】
前記第１絶縁層は、前記第２基板層と一番隣接するように配置された第１-１絶縁層を含み、前記第１-１絶縁層の上面は、前記キャビティと垂直に重なった第１上面と、前記第１上面を除いた第２上面を含み、
前記第１上面と前記第２上面は、段差を有する、請求項４に記載の回路基板。
【請求項9】
前記第１回路パターン層は、前記第１-１絶縁層の上面に配置された第１回路パターンを含み、前記第１回路パターンは、前記第１-１絶縁層の第１上面に配置され、前記キャビティと垂直に重なった第１-１パターンと、前記第１-１絶縁層の第２上面に配置された第１-２パターンを含む、請求項８に記載の回路基板。
【請求項10】
前記第１-１パターンの上面は、前記第１-２パターンの上面より低く位置する、請求項９に記載の回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
実施例は、回路基板に関し、特にアンテナパターンを含む回路基板及びアンテナパッケージ基板に関するものである。
【背景技術】
【0002】
最近、無線データトラフィックの需要を充足するために、改善された5G(5th generation)通信システムまたはpre-5G通信システムを開発するための努力がなされている。
【0003】
高いデータ伝送率を達成するために、5G通信システムは、超高周波(mmWave)帯域(sub 6G(6GHz)、28G(28GHz)、38G(38GHz)またはそれ以上の周波数)を使用する。このような高い周波数帯域は、波長の長さによりmm-Waveと呼ばれる。
【0004】
超高周波帯域おける電波の経路損失緩和及び電波の伝達距離を増加させるために、5G通信システムではビームフォーミング(beamforming)、massive MIMO(マッシブマイモ)、アレイアンテナ(array antenna)等の集積化技術が開発されている。
【0005】
このような周波数帯域で波長が数百個の活性アンテナで構成される点を考慮すると、アンテナシステムが相対的に大きくなる。
【0006】
これは、活性アンテナシステムを構成する多数の基板、即ち、アンテナ基板、アンテナ給電基板、送受信機(transceiver)基板、そして基底帯域(ベースバンド。baseband)基板が１つの小型装置(one compact unit)として集積されなければならないことを意味する。
【0007】
これにより、従来の5G通信システムに適用される回路基板は、上記のような多数の基板が集積化された構造を有し、それにより相対的に厚い厚さを有した。よって、従来では回路基板を構成する絶縁層の厚さを薄くすることにより、回路基板の全体的な厚さを減らした。
【0008】
しかし、前記絶縁層の厚さを薄くして回路基板を製作することに限界があり、ひいては前記絶縁層の厚さが薄くなることにより回路パターンが安定的に保護されない問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
実施例では、新しい構造の回路基板及びこれを含むアンテナパッケージ基板を提供しようとする。
【0010】
また、実施例では、回路基板をスリム化することができる回路基板及びこれを含むアンテナパッケージ基板を提供しようとする。
【0011】
また、実施例は、駆動素子が配置される信号ラインとアンテナパターンが配置される信号ラインの間の距離を最小化することができる回路基板及びこれを含むアンテナパッケージ基板を提供しようとする。
【0012】
また、実施例では、駆動素子が実装されるキャビティを含む回路基板及びこれを含むアンテナパッケージ基板を提供しようとする。
【0013】
また、実施例では、互いに異なる少なくとも２つの傾斜を有するキャビティを含む回路基板及びこれを含むアンテナパッケージ基板を提供しようとする。
【0014】
また、実施例では、キャビティを形成するためのレーザー工程時に、キャビティを介して露出するパッドの損傷を最小化することができる回路基板及びこれを含むパッケージ基板を提供しようとする。
【0015】
実施例で解決しようとする技術的課題は、以上で言及した技術的課題に制限されるものではなく、言及されていないさらに他の技術的課題は、以下の記載から本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されるだろう。
【課題を解決するための手段】
【0016】
実施例に係る回路基板は、第１基板層と、前記第１基板層上に配置され、キャビティを含む第２基板層と、を含み、前記第２基板層のキャビティは、前記第２基板層の上面に隣接するように配置され、前記第２基板層の下面を向かうほど幅が漸減するように第１傾斜を有する第１パートと、前記第１パートの下に前記第２基板層の下面に隣接するように配置され、前記第２基板層の下面を向かうほど幅が漸減するように第２傾斜を有する第２パートと、を含み、前記キャビティの底面に対する前記第１パートの第１傾斜は、前記キャビティの底面に対する前記第２パートの第２傾斜より大きく、前記第１パートの垂直長さは、前記第２パートの垂直長さと異なる。
【0017】
また、前記キャビティの底面に対する前記第１パートの第１傾斜は、１１５度～１５０度の間の範囲を有し、前記キャビティの底面に対する前記第２パートの第２傾斜は、９１度～１２０度の間の範囲を有する。
【0018】
また、前記第１パートの垂直長さは、前記第２パートの垂直長さより短い。
【0019】
また、前記第２パートの垂直長さは、前記第１パートの垂直長さの１.５倍～３０倍の間の範囲を満足する。
【0020】
また、前記第１基板層は、少なくとも１つの第１絶縁層と、前記少なくとも１つの第１絶縁層に配置された第１回路パターン層と、前記少なくとも１つの第１絶縁層を貫通する第１貫通電極部と、を含み、前記第２基板層は、複数の第２絶縁層と、前記複数の第２絶縁層に配置された第２回路パターン層と、前記複数の第２絶縁層のうち少なくとも１つを貫通する第２貫通電極部と、を含む。
【0021】
また、前記第２基板層の第２回路パターン層は、第１アンテナパターン層を含む。
【0022】
また、前記第１基板層は、前記キャビティと垂直に重なった第１領域と、前記第１領域以外の第２領域を含み、前記第１基板層の第１領域の上面は、前記第１基板層の第２領域の上面と段差を有し、前記キャビティの底面は、前記第２基板層の下面より低く位置する。
【0023】
また、前記第１基板層の第２領域に形成された第１回路パターン層は、前記第１アンテナパターン層と連結される第２アンテナパターン層を含む。
【0024】
また、前記第１絶縁層は、前記第２基板層と一番隣接するように配置された第１-１絶縁層を含み、前記第１-１絶縁層の上面は、前記キャビティと垂直に重なった第１上面と、前記第１上面を除いた第２上面を含み、前記第１上面と前記第２上面は、段差を有する。
【0025】
また、前記第１回路パターン層は、前記第１-１絶縁層の上面に配置された第１回路パターンを含み、前記第１回路パターンは、前記第１-１絶縁層の第１上面に配置され、前記キャビティと垂直に重なった第１-１パターンと、前記第１-１絶縁層の第２上面に配置される第１-２パターンを含む。
【0026】
また、前記第１-１パターンの上面は、前記第１-２パターンの上面より低く位置する。
【0027】
また、前記第１回路パターン層は、前記第１-１絶縁層の第２上面に前記キャビティと隣接するように配置され、側面が前記キャビティと水平方向に重なる第１-３パターンを含む。
【0028】
また、前記キャビティは、前記第１-３パターンの側面に対応する第３傾斜を有する第３パートを含む。
【0029】
一方、実施例に係るアンテナパッケージ基板は、第１基板層と、前記第１基板層上に配置される第２基板層を含み、前記第１基板層は、少なくとも１つの第１絶縁層と、前記少なくとも１つの第１絶縁層に配置された第１回路パターン層を含み、前記第２基板層は、複数の第２絶縁層と、前記複数の第２絶縁層に配置され、アンテナパターンを構成する第２回路パターン層を含み、前記第２基板層は、前記複数の第２絶縁層を貫通するキャビティを含み、前記第１絶縁層は、前記第１基板層と一番隣接するように配置された第１-１絶縁層を含み、前記第１回路パターン層は、前記第１-１絶縁層の上面に配置された第１回路パターンを含み、前記第１回路パターンは、前記キャビティと垂直に重なった第１領域に形成された第１-１パターンと、前記第１領域を除いた第２領域に形成された第１-２パターンを含み、前記第１-１パターンの上面は、前記第１-２パターンの上面より低く位置する回路基板と、前記回路基板の前記第１-１パターン上に配置される接続部と、前記接続部上に実装される素子と、前記キャビティ内に前記素子を覆いながら配置されるモールディング層を含む。
【0030】
また、前記キャビティは、前記第２基板層の上面に隣接するように配置され、前記第２基板層の下面を向かうほど幅が漸減するように第１傾斜を有する第１パートと、前記第１基板層の上面に隣接するように配置され、前記第１基板層の上面を向かうほど幅が漸増するように第２傾斜を有する第２パートと、を含み、前記キャビティの底面に対する前記第１パートの第１傾斜は、前記キャビティの底面に対する前記第２パートの第２傾斜より大きく、前記第１パートの垂直長さは、前記第２パートの垂直長さと異なる。
【0031】
また、前記キャビティの底面に対する前記第１パートの第１傾斜は、１１５度～１５０度の間の範囲を有し、前記キャビティの底面に対する前記第２パートの第２傾斜は、９１度～１１０度の間の範囲を有する。
【0032】
また、前記第１パートの垂直長さは、前記第２パートの垂直長さより短い。
【発明の効果】
【0033】
実施例によれば、回路基板は、第１基板層と第２基板層を含む。前記第２基板層はキャビティを含む。そして、前記第１基板層は、前記キャビティと垂直に重なった第１領域と前記第１領域を除いた第２領域を含む。また、前記第２基板層は、前記キャビティに対応する第３領域及び前記第３領域を除いた第４領域を含む。この時、実施例における前記第２基板層の第３領域は、駆動素子が配置される領域であり、前記第４領域は、アンテナパターン層が配置される領域である。上記のような実施例では、第２基板層のキャビティを利用して駆動素子を配置するとともに、前記駆動素子と水平方向に隣接した第２基板層の第４領域にアンテナパターン層を配置するようにする。これにより、実施例では、前記アンテナパターン層と前記駆動素子の間の信号伝送距離を最小化することができ、これによる信号伝送損失を最小化することができる。例えば、実施例では、比較例における駆動素子が配置される基板とアンテナパターン層が配置される基板を別途の接続手段を利用して連結させることに比べて、信号伝送距離を減らすことができ、これによる別途の接続手段によって発生する信号伝送損失を減らすことができる。また、実施例では、前記アンテナパターン層と駆動素子が水平方向に配置される構造を有することにより、前記第２基板層の第４領域と垂直に重なる第１基板層の第２領域を第２アンテナパターン層として活用することができ、これにより１つの回路パターンで、互いに異なる方向へのアンテナパターン放射及び信号受信が可能とすることができる。
【0034】
また、実施例では、第２基板層のキャビティ内に駆動素子を配置することにより、前記キャビティが有する深さに対応するように回路基板の全体的な厚さを減らすことができる。
【0035】
また、実施例におけるキャビティは、第１傾斜を有する第１パートと、前記第１傾斜と異なる第２傾斜を有する第２パートを含む。この時、前記キャビティの底面に対し、前記第２傾斜は、前記第１傾斜より小さい傾斜角を有する。また、実施例における前記第２傾斜を有する第２パートの垂直長さは、前記第１傾斜を有する第１パートの垂直長さより長い。これにより、実施例では、前記比較例に比べて、前記キャビティが占める空間を減らすことができ、これにより回路集積度を向上させることができる。例えば、実施例では、前記キャビティが占める空間を減らすことにより、比較例と同一サイズを有する基板内で、アンテナパターン層の長さを増加させることができ、これによる通信性能を向上させることができる。
【0036】
また、実施例における第１基板層は、前記第１基板層と一番隣接するように配置された第１-１絶縁層と、前記第１-１絶縁層の上面に配置された第１回路パターンを含む。この時、前記第１回路パターンは、前記キャビティと垂直に重なった第１領域に形成された第１-１パターンと、前記第１領域を除いた第２領域に形成された第１-２パターンを含み、前記第１-１パターンの上面は、前記第１-２パターンの上面より低く位置する。これにより、実施例では、前記キャビティを形成するためのレーザー工程で、前記第１-１パターンの表面が損傷することを防止することができ、これによる回路基板の電気的信頼性及び物理的信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0037】
【図1a】比較例の回路基板を示した図面である。
【図1b】比較例のアンテナパッケージ基板を示した図面である。
【図2】実施例に係る回路基板を示した図面である。
【図3c】第３実施例に係るキャビティ領域を拡大した拡大図である。
【図4a】第２基板層を上側から見た平面図を示したものである。
【図4b】第２基板層を上側から見た平面図を示したものである。
【図5】実施例に係るアンテナパッケージ基板を示した図面である。
【発明を実施するための形態】
【0038】
以下、添付された図面を参照して、本発明の好ましい実施例を詳しく説明する。
【0039】
ただし、本発明の技術思想は、説明される一部実施例に限定されるものではなく、多様な形態に具現することができ、本発明の技術思想の範囲内であれば、実施例間の構成要素を選択的に結合または置き換えて用いることができる。
【0040】
また、本発明の実施例で用いられる用語(技術及び科学的用語を含む)は、明白に特定して記述されない限り、本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に一般的に理解できる意味と解釈され、辞書に定義された用語のように一般的に使用される用語は、かかわる技術の文脈上の意味を考慮してその意味を解釈できるだろう。
【0041】
また、本発明の実施例で用いられる用語は、実施例を説明するためのものであり、本発明を制限しようとするものではない。本明細書において、単数形は、記載上特に限定しない限り複数形も含むことができ、「A及びB、Cのうち少なくとも１つ(または１つ以上)」と記載される場合、A、B、Cで組合せることのできる全ての組合せのうち１つ以上を含むことができる。
【0042】
また、本発明の実施例の構成要素の説明において、第１、第２、A、B、(a)、(b)等の用語を用いることができる。このような用語は、その構成要素を他の構成要素と区別するためのものであり、その用語によって当該構成要素の本質または順序等が限定されるものではない。ある構成要素が他の構成要素に「連結」、「結合」または「接続」されると記載された場合、その構成要素は他の構成要素に直接的に連結または接続される場合と、各構成要素の間にさらに他の構成要素が「連結」、「結合」または「接続」される場合も含むことができる。
【0043】
また、各構成要素の「上または下」に形成または配置されると記載される場合、「上または下」は、２つの構成要素が直接接触する場合だけではなく、１つ以上のさらに他の構成要素が２つの構成要素の間に形成または配置される場合も含む。また「上または下」と表現される場合、１つの構成要素を基準として、上側方向だけではなく下側方向の意味も含むことができる。
【0044】
本発明の実施例の説明の前に、比較例に係る回路基板について説明することにする。好ましく、以下ではアンテナパッケージのためのアンテナ回路基板について説明することにする。
【0045】
【0046】
【0047】
図１aの(a)及び(b)を参照すると、比較例では、第１基板１０及び第２基板２０を含む。
【0048】
前記第１基板１０は、アンテナパターンが配置されるアンテナ基板ということもできる。例えば、前記第１基板１０は、アンテナパッケージ基板でアンテナ部を構成することができる。
【0049】
前記第１基板１０は、複数の絶縁層を含む。
【0050】
例えば、第１基板１０は、アンテナパターンの放射特性を向上させるために、複数の絶縁層構造を有することができる。例えば、第１基板１０は、第１-１絶縁層１１、第１-２絶縁層１２及び第１-３絶縁層１３を含む。
【0051】
第１基板１０は、複数の絶縁層に配置された第１回路パターン１４を含む。例えば、前記第１回路パターン１４０は、第１基板１０で、外部に信号を送信したり、外部から伝送される信号を受信するアンテナパターンを意味することができる。
【0052】
前記第１回路パターン１４は、複数の絶縁層のそれぞれの表面に配置される。
【0053】
例えば、前記第１回路パターン１４は、第１-１絶縁層１１の下面に配置される。例えば、第１回路パターン１４は、第１-１絶縁層１１の上面及び第１-２絶縁層１２の下面の間に配置される。例えば、第１回路パターン１４は、第１-２絶縁層１２の上面及び第１-３絶縁層１３の下面の間に配置される。例えば、第１回路パターン１４は、第１-３絶縁層１３の上面に配置される。
【0054】
また、前記第１基板１０は、貫通電極１５を含む。前記貫通電極１５は、前記第１基板１０を構成する複数の絶縁層を貫通して形成される。例えば、前記貫通電極１５は、前記第１-１絶縁層１１、第１-２絶縁層１２及び第１-３絶縁層１３を貫通して形成される。これにより、前記貫通電極１５は、互いに異なる絶縁層にそれぞれ配置された第１回路パターンを互いに電気的に連結することができる。
【0055】
また、第２基板２０は、前記第１基板１０と別途の工程により製造される。
【0056】
例えば、比較例では、第１基板１０と第２基板２０を別途の工程によりそれぞれ製造し、これによりこれらを結合する工程を行う。
【0057】
第２基板２０は、第２絶縁層２１を含む。この時、前記第２絶縁層２１は、単層構造を有することができ、これと違うように複数の層構造を有することができる。
【0058】
第２基板２０は、前記第２絶縁層２１の表面に配置された第２回路パターン２２を含む。例えば、第２基板２０は、第２絶縁層２１の上面に配置される第２回路パターンを含む。この時、前記第２絶縁層２１の上面に配置される第２回路パターンは、素子を実装するための実装パッドとして利用さすることができる。また、第２基板２０は、第２絶縁層２１の下面に配置される第２回路パターンを含む。この時、前記第２絶縁層２１の下面に配置される第２回路パターンは、前記素子及び前記第１基板１０の間を連結する機能をすることができる。
【0059】
例えば、前記第２絶縁層２１の上面に配置された第２回路パターン上には、第１接続部２４及び第２接続部２６が配置される。前記第１接続部２４及び第２接続部２６はソルダボールを意味することができる。
【0060】
また、前記第１接続部２４上には駆動素子２５が配置される。前記駆動素子２５は、アンテナ装置でアンテナを駆動させるための素子を意味することができる。例えば、前記駆動素子２５は、送信信号を第１基板１０に伝達して、これによりアンテナパターンを介して前記送信信号に対応する無線信号が外部に伝送されるようにすることができる。また、前記駆動素子２５は、前記第１基板１０を介して受信信号を受信し、これを分析して受信情報を確認することができる。
【0061】
また、前記第２接続部３７上には受動素子２５が配置される。前記受動素子２５は、前記駆動素子２５の動作を支援するための素子であってもよい。例えば、受動素子２５は、抵抗、キャパシタ及びインダクタ等を含むことができる。
【0062】
また、第２基板２０は、第２絶縁層２３内に配置される第２貫通電極２３を含む。前記第２貫通電極２３は、第２絶縁層２３の互いに異なる層に配置された第２回路パターンを互いに電気的に連結する。例えば、前記第２貫通電極２３は、前記駆動素子２５と前記第１基板１０のアンテナパターンを互いに電気的に連結することができる。
【0063】
一方、図１bを参照すると、比較例におけるアンテナパッケージ基板は、上記のような別途の工程により製造された第１基板１０と第２基板２０がソルダボール３０によって結合される構造を有する。
【0064】
この時、前記ソルダボール３０は、別途のモールディング層４０により覆われる構造を有する。
【0065】
しかし、図１bのような比較例のアンテナパッケージ基板は、アンテナパターンを構成する第１基板１０と駆動素子や受動素子を含む第２基板２０が垂直方向に整列された状態で結合される。そして、比較例のアンテナパッケージ基板は、前記第１基板１０と第２基板２０の間に別途の接続手段(例えば、ソルダボール３０)が配置され、前記接続手段により相互電気的に連結される構造を有する。
【0066】
これにより、比較例では、前記第１基板１０と前記第２基板２０が前記ソルダボール３０により相互連結されることにより、前記ソルダボール３０が有する高さだけ前記アンテナパッケージ基板の厚さが増加する問題がある。
【0067】
また、比較例では、上記のようにソルダボール３０により第１基板１０と第２基板２０が垂直積層構造にて相互結合する構造を有し、これにより信号の伝送長さが増加し、前記伝送長さ(例えば、信号伝送距離)が長くなることによる信号損失が増加する問題がある。
【0068】
また、比較例では、前記ソルダボール３０に代って、別途のフレキシブル回路基板(不図示)を利用して前記第１基板１０と第２基板２０をコネクター構造で連結した。しかし、前記フレキシブル回路基板を利用して第１基板１０と第２基板２０を互いに電気的に連結する場合、前記第１基板と第２基板が水平配置構造を有するものの、前記フレキシブル回路基板の長さだけ信号伝送距離が増加し、これによる信号損失が増加する問題がある。
【0069】
一方、5G通信システムに適用されるアンテナ装置の場合、既存の通信システムより多いデータを送受信しており、上記のように多いデータを送受信するためにはバッテリーの消耗が増加することによりバッテリーの用量が大きくなる必要がある。そして、前記バッテリーの用量を増加させるためには、バッテリーのサイズが大きくなり、これによるバッテリーの配置空間が大きくなる必要がある。
【0070】
これにより、一般的な5G通信システムでは、バッテリーのサイズを増加させると共に、アンテナ装置(例えば、移動端末機)のサイズは維持するために上記のようなアンテナパッケージ基板の厚さを減らしている。
【0071】
この時、前記アンテナパッケージ基板の厚さを減らすためには、アンテナパッケージ基板を構成する絶縁層の厚さやアンテナパターンの厚さを減らす必要があるが、これを減らすには限界がある。また、前記アンテナパターンの厚さをむやみに減らす場合、これによる通信性能が減少(例えば、送信信号の送信強度または受信信号の受信強度が減少)する問題があり、絶縁層の厚さを減らす場合、アンテナパターンが安定的に保護されないことにより通信エラーが発生する問題がある。
【0072】
これにより、実施例では、アンテナパターンが配置されるアンテナ部と駆動素子が配置される駆動部を１つの回路基板に形成して前記ソルダボールやフレキシブル回路基板のような別途の接続手段を除去することができるようにする。また、実施例では、回路基板に駆動素子が配置されるキャビティを形成し、前記形成されたキャビティ内に駆動素子を配置することにより回路基板の全体的な厚さを薄くすることができるようにする。また、実施例では、アンテナ部と駆動部が１つの基板で垂直方向ではなく水平方向に配置される構造を有するようにすることにより、アンテナ部に通信性能を極大化(例えば、回路基板の両側でそれぞれ送信信号の送信または受信信号の受信を可能とする)できるようにする。これについては、以下でより詳しく説明することにする。
【0073】
図２は、実施例に係る回路基板を示した図面であり、図３aは、第１実施例に係る図２のキャビティ領域を拡大した拡大図であり、図３bは、第２実施例に係る図２のキャビティ領域を拡大した拡大図であり、図３cは、第３実施例に係るキャビティ領域を拡大した拡大図である。
【0074】
【0075】
まず、実施例の回路基板３００の基本構造について簡単に説明すると、実施例の回路基板３００は、アンテナ部の駆動、給電及び支持のために提供される。例えば、前記回路基板３００は、プリント回路基板(Printed Circuit Board、PCB)であってもよい。このような回路基板３００は平板構造を有する。このような回路基板３００は、多数の層が積層された多層構造を有することができる。
【0076】
前記回路基板３００は、接地のための接地層(不図示)及び給電のための給電部(不図示)を含むことができる。
【0077】
実施例の回路基板３００は、導電性アンテナパターン層が形成されたアンテナ部と、前記アンテナ領域の導電性アンテナパターン層によるアンテナ部の駆動のための駆動素子を含む駆動部とに区分することができる。前記導電性アンテナパターン層は、以下で説明される回路パターンを意味することができる。
【0078】
前記導電性アンテナパターン層は、実施例の回路基板で信号を送受信するために提供される。例えば、導電性アンテナパターン層は、予め決められた共振周波数帯域で信号を送受信することができる。例えば、前記導電性アンテナパターン層は、共振周波数帯域で動作して電磁波を送受信することができる。前記導電性アンテナパターン層は、前記回路基板３００の給電部(不図示)から電源が供給されることにより動作することができ、前記給電部の電源供給動作は、前記駆動部の制御によって行われる。
【0079】
前記導電性アンテナパターン層は、複数の共振周波数帯域で共振することができる。例えば、前記導電性アンテナパターン層は、互いに異なる共振周波数帯域で共振するデュアル共振アンテナであってもよい。例えば、前記導電性アンテナパターン層は、２４.０３GHz～２５.８１GHzの第１周波数帯域及び２７.０７GHz～２８.８０GHzの第２周波数帯域でそれぞれ共振するデュアル共振アンテナであってもよいが、これに限定されない。前記導電性アンテナパターン層の共振周波数帯域は、前記回路基板が適用されるアンテナ装置の通信規格に応じて可変である。
【0080】
実施例の回路基板３００は、第１基板層２００及び第２基板層３００を含むことができる。
【0081】
この時、前記第１基板層２００及び第２基板層３００は、互いに分離された状態で製造された後、後で接合層により接合される複数の基板を意味するものではない。例えば、前記第１基板層２００と第２基板層３００は、１つの回路基板で、前記回路基板の厚さ方向にキャビティCが形成された領域と、前記キャビティCが形成された領域を除いた領域を単に区分したものである。
【0082】
前記第１基板層２００は、単一層構造を有することができ、これと違うように複数の層構造を有することができる。例えば、前記第１基板層２００は、１つの絶縁層のみを含むことができ、これと違うように２層以上の絶縁層を含むことができる。ただし、前記第１基板層２００は、駆動素子(後述)が実装され、それにより前記実装された駆動素子と導電性アンテナパターン層(後述)を連結しながら、前記回路基板が適用されるアンテナ装置(例えば、移動端末機)のメインボードと連結される。この時、前記第１基板層２００が１層構造を有する場合、前記アンテナパターン及びメインボードと連結されるために、前記第１基板層２００の水平方向への幅が増加し得る。これにより、前記第１基板層２００は、前記導電性アンテナパターン層とメインボードと連結されながら、回路基板の水平方向への幅を減らし、これにより信号伝送距離を減らすことができるように、少なくとも２層以上の層構造を有するのが好ましい。以下では、前記第１基板層２００が２層以上の層構造を有するものと説明する。ただし、実施例は、これに限定されるものではなく、前記第１基板層２００が単一層構造を有することもできる。
【0083】
第２基板層３００は、前記第１基板層２００上に配置される。前記第２基板層３００は、少なくとも２層以上の層構造を有することができる。
【0084】
前記第２基板層３００は、導電性アンテナパターン層が配置されると共に、駆動素子が配置されるキャビティCを提供することができる。この時、前記第２基板層３００が１層構造を有する場合、前記駆動素子が配置されるキャビティCの充分な空間(例えば、深さ)が形成されない。また、前記第２基板層３００は、導電性アンテナパターン層が配置される領域である。この時、前記第２基板層３００が１層構造を有する場合、前記導電性アンテナパターン層による通信性能が低下する。例えば、前記通信性能は、導電性アンテナパターン層の長さに比例して増減する。この時、前記第２基板層３００が１層構造を有する場合、前記通信性能を一定レベル以上に合わせるためには、前記第２基板層３００で前記キャビティCが形成された領域を除いた残りの領域の幅が相当増加し得る。これにより、実施例では、前記第２基板層３００が少なくとも２層以上の層構造を有するようにして、前記通信性能を満足するための前記導電性アンテナパターン層の長さが確保されるようにしながら、前記駆動素子が実装されるためのキャビティCの空間が確保されるようにする。
【0085】
以下では、実施例に係る第１基板層２００及び第２基板層３００について具体的に説明することにする。
【0086】
第１基板層２００は、第１絶縁層、回路パターン及び貫通電極を含むことができる。前記貫通電極は、互いに異なる層に配置された回路パターンの間を連結する機能をし、「ビア」と称することもできる。
【0087】
前記第１基板層２００は、第１絶縁層を含むことができる。前記第１絶縁層は、複数の層構造を有することができ、これと違うように単一層構造を有することもできる。この時、図面上には、前記第１絶縁層が３層構造を有するものと図示したが、これに限定されるものではない。ただし、以下では説明の便宜を図り、前記第１絶縁層が３層構造を有するとして説明することにする。しかし、前記第１絶縁層は、２層以下の層構造を有することができ、これと違うように４層以上の層構造を有することもできる。
【0088】
前記第１絶縁層は、第１-１絶縁層２１１、第１-２絶縁層２１２及び第１-３絶縁層２１３を含むことができる。例えば、前記第１絶縁層は、上側から第１-１絶縁層２１１、第１-２絶縁層２１２及び第１-３絶縁層２１３を含むことができる。
【0089】
前記第１-１絶縁層２１１は、前記第１絶縁層のうち前記第２基板層３００と一番隣接するように配置された最上側絶縁層を意味することができる。また、前記第１-３絶縁層２１３は、前記第１絶縁層のうち前記第２基板層３００と一番遠く離れた最下側絶縁層を意味することができる。また、前記第１-２絶縁層２１２は、前記最上側絶縁層及び最下側絶縁層の間に配置される内側絶縁層を意味することができる。
【0090】
前記第１絶縁層は、プリプレグ(PPG、prepreg)を含むことができる。前記プリプレグは、ガラス繊維糸(glass yarn)で織造されたガラス布(glass fabric)のような織物シート(fabric sheet)形態の繊維層にエポキシ樹脂等を含浸した後熱圧着を行うことで形成さてもよい。ただし、実施例は、これに限定されるものではなく、前記第１絶縁層を構成するプリプレグは炭素繊維糸で織造された織物シート形態の繊維層を含むことができる。
【0091】
前記第１絶縁層は、樹脂及び前記樹脂内に配置される強化繊維を含むことができる。前記樹脂は、エポキシ樹脂であってもよいが、これに限定されるものではない。前記樹脂は、エポキシ樹脂に特別に制限されず、例えば分子内にエポキシ基が１つ以上含まれてもよく、これと違うようにエポキシ基が２つ以上含まれてもよく、これと違うようにエポキシ基が４つ以上含まれてもよい。また、前記第１絶縁層の樹脂は、ナフタレン(naphthalene)基が含まれてもよく、例えば芳香族アミン型であってもよいが、これに限定されるものではない。例えば、前記樹脂はビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、アラルキル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性ヒドロキシル基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ樹脂、ビフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、キサンテン型エポキシ樹脂、TGIC(triglycidyl isocyanurate)、ゴム変性型エポキシ樹脂及びリン(phosphorous)系エポキシ樹脂等を挙げることができ、ナフタレン系エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、ゴム変性型エポキシ樹脂、及びリン(phosphorous)系エポキシ樹脂を含むことができる。また、前記強化繊維は、ガラス繊維、炭素繊維、アラミド繊維(例えば、アラミド系の有機材料)、ナイロン(nylon)、シリカ(silica)系の無機材料またはチタニア(titania)系の無機材料を用いることができる。前記強化繊維は、前記樹脂内で、平面方向に互いに交差する形態で配列される。
【0092】
一方、前記ガラス繊維、炭素繊維、アラミド繊維(例えば、アラミド系の有機材料)、ナイロン(nylon)、シリカ(silica)系の無機材料またはチタニア(titania)系の無機材料を用いることができる。
【0093】
ただし、実施例は、これに限定されるものではなく、前記第１絶縁層は、前記プリプレグではない他の絶縁物質で構成されてもよい。
【0094】
また、これと違うように前記第１絶縁層を構成する複数の絶縁層のうち少なくとも１つの絶縁層はプリプレグを含み、他の１つの絶縁層は前記プリプレグではない他の絶縁物質を含むことができる。
【0095】
例えば、第１絶縁層は、リジド(rigid)またはフレキシブル(flexible)であってもよい。例えば、前記第１絶縁層は、ガラスまたはプラスチックを含むことができる。詳しくは、前記第１絶縁層は、ソーダライムガラス(soda lime glass)またはアルミノケイ酸ガラス等の化学強化/半強化ガラスを含むか、ポリイミド(Polyimide、PI)、ポリエチレンテレフタレート(polyethylene terephthalate、PET)、プロピレングリコール(propylene glycol、PPG)、ポリカーボネート(PC)等の強化或は軟性プラスチックを含むか、サファイアを含むことができる。例えば、前記第１絶縁層は、光等方性フィルムを含むことができる。一例として、前記第１絶縁層は、COC(Cyclic Olefin Copolymer)、COP(Cyclic Olefin Polymer)、光等方ポリカーボネート(polycarbonate、PC)または光等方ポリメチルメタクリレート(PMMA)等を含むことができる。例えば、前記第１絶縁層は、無機フィラー及び絶縁樹脂を含む材料からなることができる。例えば、第１絶縁層は、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂とともにシリカ、アルミナ等の無機フィラーのような補強材が含まれた樹脂、具体的にABF(Ajinomoto Build-up Film)、FR-4、BT(Bismaleimide Triazine)、PID(Photo Imagable Dielectric resin)、BT等を用いることができる。一例として、前記第１絶縁層は、RCC(Resin coated copper)で構成されてもよい。
【0096】
前記第１絶縁層を構成するそれぞれの絶縁層は、１０μｍ～６０μｍの範囲の厚さを有することができる。例えば、第１-１絶縁層２１１、第１-２絶縁層２１２及び第１-３絶縁層２１３は、それぞれ１０μｍ～６０μｍの範囲の厚さを有することができる。例えば、第１-１絶縁層２１１、第１-２絶縁層２１２及び第１-３絶縁層２１３は、それぞれ１２μｍ～５０μｍの範囲の厚さを有することができる。例えば、前記第１-１絶縁層２１１、第１-２絶縁層２１２及び第１-３絶縁層２１３のそれぞれは、１５μｍ～４０μｍの厚さを有することができる。
【0097】
前記第１-１絶縁層２１１、第１-２絶縁層２１２及び第１-３絶縁層２１３の厚さが１０μｍ未満であると、回路基板に含まれた回路パターンが安定的に保護されなくなる。前記第１-１絶縁層２１１、第１-２絶縁層２１２及び第１-３絶縁層２１３のそれぞれの厚さが６０μｍを超過すると、回路基板の全体的な厚さが増加する。また、前記第１-１絶縁層２１１、第１-２絶縁層２１２及び第１-３絶縁層２１３のそれぞれの厚さが６０μｍを超過すると、これに対応するように回路パターンやビアの厚さも増加し、これによる回路パターンを介して伝達される信号の損失が増加する。
【0098】
実施例の第１基板層２００は、第１回路パターン層を含むことができる。例えば、前記第１基板層２００は、第１絶縁層の表面に配置される第１回路パターン層を含むことができる。
【0099】
例えば、前記第１基板層２００は、第１-１絶縁層２１１の上面に配置された第１回路パターン２２１を含むことができる。例えば、前記第１基板層２００は、前記第１-１絶縁層２１１の下面及び前記第１-２絶縁層２１２の上面の間に配置される第２回路パターン２２２を含むことができる。例えば、前記第１基板層２００は、前記第１-２絶縁層２１２の下面及び前記第１-３絶縁層２１３の上面の間に配置される第３回路パターン２２３を含むことができる。例えば、前記第１基板層２００は、前記第１-３絶縁層２１３の下面に配置される第４回路パターン２２４を含むことができる。
【0100】
前記第１回路パターン２２１は、第１絶縁層に埋め込まれる。例えば、前記第１回路パターン２２１は、前記第１絶縁層の上部に埋め込まれた構造を有することができる。例えば、前記第１回路パターン２２１は、前記第１絶縁層のうち最上側に配置される絶縁層内に配置される。前記第１回路パターン２２１は、前記第１回路パターン層のうち最上側に配置された回路パターンを意味することができる。そして、前記第１回路パターン２２１は、第１絶縁層のうち最上側に配置された最上側絶縁層に埋め込まれてもよい。この時、前記第１回路パターン２２１が埋め込まれるということは、前記第１回路パターン２１１の上面の少なくとも一部は、前記第１-１絶縁層２１１の上面と重ならないということを意味することができる。また、前記第１回路パターン２２１の側面の少なくとも一部及び下面は、前記第１-１絶縁層２１１によって覆われるということを意味することができる。
【0101】
一方、前記第１回路パターン２２１の上面は、位置によって段差(例えば、互いに異なる高さ)を有することができる。
【0102】
例えば、前記第１基板層２００は、幅方向または長さ方向に複数の領域に区分することができる。
【0103】
例えば、前記第１基板層２００は、第２基板層３００のキャビティCと垂直に重なる第１領域RB１及び前記第１領域RB１以外の第２領域RB２を含むことができる。前記第１領域RB１は、前記第２基板層３００のキャビティCと重なる領域であってもよい。これと違うように前記第１領域RB１は、前記第２基板層３００のキャビティCの下面または底面と重なる領域であってもよい。即ち、実施例のキャビティCは、上部における幅と下部における幅が異なってもよい。例えば、前記キャビティCは、上部における幅が下部における幅より大きい形状を有することができる。例えば、前記キャビティCは、上部における幅が下部における幅より大きい傾斜を有することができる。
【0104】
そして、前記第１回路パターン２２１は、前記第１-１絶縁層２１１の前記第１領域RB１の上面に配置される第１パターン部と、前記第１-１絶縁層２１１の前記第２領域RB２の上面に配置される第２パターン部を含む。そして、前記第１パターン部の高さと前記第２パターン部の高さは、異なってもよい。例えば、前記第１パターン部は、前記第２パターン部と段差を有することができる。例えば、前記第１パターン部の上面は、前記第２パターン部の上面と互いに異なる平面に配置されてもよい。例えば、前記第１パターン部の上面は、前記第２パターン部の上面より低く位置することができる。
【0105】
上記のように実施例では、前記第１領域RB１に配置される前記第１回路パターン２２１の第１パターン部が前記第２領域RB２に配置された第２パターン部より低く配置されるようにすることにより、前記キャビティCの形成工程で発生する前記第１パターン部の損傷を最小化することができる。これについては、以下でより詳しく説明することにする。
【0106】
一方、上記のような第１回路パターン層は、金(Au)、銀(Ag)、白金(Pt)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、銅(Cu)及び亜鉛(Zn)から選択される少なくとも１つの金属物質からなることができる。また、前記第１回路パターン層は、ボンディング力が優れる金(Au)、銀(Ag)、白金(Pt)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)から選択される少なくとも１つの金属物質を含むペーストまたはソルダーペーストからなることができる。好ましくは、第１回路パターン層は、電気伝導性が高く、かつ比較的安価な銅(Cu)からなることができる。
【0107】
前記第１回路パターン層は、５μｍ～２０μｍの範囲の厚さを有することができる。例えば、第１回路パターン層は、６μｍ～１７μｍの範囲の厚さを有することができる。前記第１回路パターン層は、７μｍ～１６μｍの範囲の厚さを有することができる。前記第１回路パターン層の厚さが５μｍ未満である場合には、回路パターンの抵抗が増加し、これによる信号伝送効率が低下する。例えば、前記第１回路パターン層の厚さが５μｍ未満である場合には、信号伝送損失が増加する。例えば、前記第１回路パターン層の厚さが２０μｍを超過する場合には、前記回路パターンの線幅が増加し、これによる回路基板の全体的な体積が増加する。
【0108】
前記第１回路パターン層は、通常の回路基板の製造工程であるアディティブ法(Additive process)、サブトラクティブ法(Subtractive Process)、MSAP(Modified Semi Additive Process)及びSAP(Semi Additive Process)法等で可能であり、ここでは詳細な説明は省略する。
【0109】
一方、前記第１基板層２００は、貫通電極を含む。前記第１貫通電極は、前記第１基板層２００を構成する第１絶縁層を貫通して形成される。例えば、前記第１基板層２００は、前記第１-１絶縁層２１１を貫通する第１貫通電極２３１を含むことができる。例えば、前記第１基板層２００は、前記第１絶縁層のうち最上側に配置された最上側絶縁層を貫通する第１貫通電極２３１を含むことができる。
【0110】
前記第１貫通電極２３１は、前記第１-１絶縁層２１１を貫通し、それにより前記第１回路パターン２２１と前記第２回路パターン２２２の間を電気的に連結することができる。
【0111】
また、前記第１基板層２００は、前記第１-２絶縁層２１２を貫通する第２貫通電極２３２を含むことができる。
【0112】
前記第２貫通電極２３２は、前記第１-２絶縁層２１２を貫通し、それにより前記第２回路パターン２２２と第３回路パターン２２３の間を電気的に連結することができる。
【0113】
また、前記第１基板層２００は、前記第１-３絶縁層２１３を貫通する第３貫通電極２３３を含むことができる。
【0114】
前記第３貫通電極２３３は、前記第１-３絶縁層２１３を貫通し、それにより前記第３回路パターン２２３と第４回路パターン２２４の間を電気的に連結することができる。
【0115】
上記のような貫通電極は、前記第１絶縁層を貫通する貫通ホール内部を導電性物質で充填して形成される。前記第１絶縁層を貫通する貫通ホールは、機械、レーザー、化学加工のうちいずれか１つの加工方式によって形成される。前記貫通ホールが機械加工によって形成される場合には、ミーリング(Milling)、ドリル(Drill)及びルーティング(Routing)等の方式を用いることができ、レーザー加工によって形成される場合には、UVやCO２レーザー方式を用いることができ、化学加工によって形成される場合には、アミノシラン、ケトン類等を含む薬品を利用して前記複数の絶縁層のうち少なくとも１つの絶縁層を開放することができる。
【0116】
一方、前記レーザーによる加工は、光学エネルギーを表面に集中させて材料の一部を溶かして蒸発させ、所望の形態を取る切断方法として、コンピュータープログラムによる複雑な形状も容易に加工することができ、他の方法では切断しにくい複合材料も加工することができる。
【0117】
また、前記レーザーによる加工は、切断直径が最小０.００５mmまで可能であり、加工可能な厚さ範囲が広い長所がある。
【0118】
前記レーザー加工ドリルとして、YAG(Yttrium Aluminum Garnet)レーザーやCO２レーザーや紫外線(UV)レーザーを利用することが好ましい。YAGレーザーは、銅箔層及び絶縁層の全てを加工することができるレーザーであり、CO２レーザーは、絶縁層のみを加工できるレーザーである。
【0119】
前記貫通ホールが形成されると、前記貫通ホール内部を導電性物質で充填してそれぞれの貫通電極を形成することができる。前記貫通電極を形成する金属物質は、銅(Cu)、銀(Ag)、スズ(Sn)、金(Au)、ニッケル(Ni)及びパラジウム(Pd)から選択されるいずれか１つの物質であってもよく、前記導電性物質の充填は、無電解メッキ、電解メッキ、スクリーン印刷(Screen Printing)、スパッタリング(Sputtering)、蒸発法(Evaporation)、インクジェッティング及びディスペンシングのうちいずれか１つまたはこれらの組合方式を利用することができる。
【0120】
第２基板層３００は、複数の層構造を有することができる。これのために、第２基板層３００は、複数の第２絶縁層を含むことができる。例えば、前記第２基板層３００は、第２-１絶縁層３１１、第２-２絶縁層３１２、第２-３絶縁層３１３及び第２-４絶縁層３１４を含むことができる。
【0121】
例えば、第２基板層３００は、４層の第２絶縁層を含むことができる。ただし、実施例は、これに限定されるものではなく、前記第２基板層３００を構成する第２絶縁層は３層以下の第２絶縁層を含むことができ、４層以上の第２絶縁層を含むこともできる。
【0122】
前記第２-１絶縁層３１１は、前記第１基板層２００上に配置される。例えば、第２-１絶縁層３１１は、前記第１基板層２００のうち最上側に配置された第１-１絶縁層２１１の上面に配置される。
【0123】
第２-２絶縁層３１２は、前記第２-１絶縁層３１１上に配置される。
【0124】
また、第２-３絶縁層３１３は、第２-２絶縁層３１２上に配置される。
【0125】
また、第２-４絶縁層３１４は、第２-３絶縁層３１３上に配置される。
【0126】
前記第２基板層３００を構成する４層の第２絶縁層は、前記第１基板層２００を構成する第１絶縁層と同一絶縁物質を含むことができるが、これに限定されるものではない。
【0127】
前記第２基板層３００は、第２回路パターン層を含むことができる。
【0128】
例えば、前記第２基板層３００は、第２-１絶縁層３１１の上面に配置された第５回路パターン３２１を含むことができる。
【0129】
例えば、前記第２基板層３００は、前記第２-２絶縁層３１２の上面に配置された第６回路パターン３２２を含むことができる。
【0130】
例えば、前記第２基板層３００は、前記第２-３絶縁層３１３の上面に配置された第７回路パターン３２３を含むことがである。
【0131】
また、前記第２基板層３００は、前記第２-４絶縁層３１４の上面に配置された第８回路パターン３２４を含むことができる。
【0132】
この時、前記第２基板層３００を構成する第２回路パターン層は、導電性アンテナパターン層であってもよい。例えば、前記第５回路パターン３２１、第６回路パターン３２２、第７回路パターン３２３及び第８回路パターン３２４は、前記第１基板層２００と連結され、外部に送信信号を送信したり、外部から送信される信号を受信するアンテナの機能をするアンテナ部であってもよい。
【0133】
前記導電性アンテナパターン層は、前記第１基板層２００を構成する第１回路パターン層と同一工程により形成されてもよい。
【0134】
前記第２基板層３００は、貫通電極を含むことができる。
【0135】
例えば、前記第２基板層３００は、前記第２絶縁層を貫通する貫通電極を含むことができる。
【0136】
例えば、第２基板層３００は、前記第２-１絶縁層３１１を貫通する第４貫通電極３３１を含むことができる。前記第４貫通電極３３１は、前記第１基板層２００の第１回路パターン２２１と前記第５回路パターン３２１の間を電気的に連結することができる。
【0137】
例えば、第２基板層３００は、第２-２絶縁層３１２を貫通する第５貫通電極３３２を含むことができる。例えば、前記第５貫通電極３３２は、前記第５回路パターン３２１と第６回路パターン３２２の間を電気的に連結することができる。
【0138】
例えば、第２基板層３００は、第２-３絶縁層３１３を貫通する第６貫通電極３３３を含むことができる。前記第６貫通電極３３３は、前記第６回路パターン３２２と第７回路パターン３２３の間を電気的に連結することができる。
【0139】
例えば、第２基板層３００は、第２-４絶縁層３１４を貫通する第７貫通電極３３４を含むことができる。前記第７貫通電極３３４は、前記第７回路パターン３２３と第８回路パターン３３４の間を電気的に連結することができる。
【0140】
一方、前記第２基板層３００はキャビティCを含む。
【0141】
これにより、前記第２基板層３００は、前記キャビティCが形成された領域、例えば前記キャビティCと垂直に重なる第３領域RT１及び前記第３領域RT１以外の第４領域RT２を含むことができる。
【0142】
前記第３領域RT１は、第１基板層２００の第１領域RB１と垂直に重なる領域であってもよい。前記第４領域RT２は、前記第１基板層２００の第２領域RB２と垂直に重なる領域であってもよい。
【0143】
そして、前記第２基板層３００の第３領域RT１には、アンテナパッケージ基板で駆動素子や受動素子が実装される実装空間を提供するキャビティCが形成される。そして、前記第２基板層３００の第４領域RT２には、アンテナの機能をするアンテナ部の導電性アンテナパターン層が形成される。
【0144】
例えば、前記第２基板層３００の第３領域RT１はキャビティCが形成された領域であり、前記第２基板層３００の第４領域RT２はキャビティCが形成された領域を除いた領域である。そして、前記第２基板層３００の第４領域RT２には、導電性アンテナパターン層が形成された領域である。
【0145】
この時、本願の回路基板１００におけるそれぞれの回路パターンは、第１基板層２００及び第２基板層３００の前記第１～第４領域にそれぞれ配置され、これによりそれぞれの領域で互いに異なる機能をすることができる。
【0146】
例えば、前記第１基板層２００を構成する第１回路パターン層は、前記第１基板層２００の第１領域RB１に配置された第１パターン部を含むことができる。そして、前記第１パターン部は、前記キャビティCと垂直に重なることができる。前記第１パターン部は、駆動素子や受動素子が配置される実装パターンとして機能するか、前記回路基板１００と外部基板(例えば、端末機のメインボード)の間を連結する端子パターンとして機能することができる。
【0147】
また、前記第１基板層２００を構成する第１回路パターン層は、前記第１基板層２００の第２領域RB２に配置された第２パターン部を含むことができる。そして、前記第２パターン部は、前記キャビティCと垂直に重ならなくてもよい。例えば、前記第２パターン部は、前記第２基板層３００の第４領域RT２に形成された導電性アンテナパターン層と垂直に重なることができる。
【0148】
この時、一実施例で、前記第２パターン部は、前記第１パターン部と一緒に端子パターンとして機能することができる。そして、前記第２パターン部が前記第１パターン部と一緒に端子パターンとして機能する場合、実施例の回路基板は、第２基板層３００の第４領域RT２のみにおいてアンテナの機能をすることができる。例えば、前記第２パターン部が導電性アンテナパターン層ではない場合、実施例の回路基板は、前記第２基板層３００の第４領域RT２の上側に送信信号を送信したり、前記第４領域RT２の上側から送信される信号を受信することができる。
【0149】
また、別の実施例で、前記第２パターン部は、前記第２基板層３００の第４領域RT２に配置された導電性アンテナパターン層と連結されるさらなる導電アンテナパターン層であってもよい。
【0150】
例えば、前記第２基板層３００の第４領域RT２に配置された導電性アンテナパターン層を第１アンテナパターン層と称することができる。そして、前記第１基板層２００の第２領域RB２に配置された第２パターン部は、前記第１アンテナパターン層と連結される第２アンテナパターン層であってもよい。
【0151】
そして、このような場合、実施例では、回路基板の両側方向に信号を送信したり、前記回路基板の両側方向から送信される信号を受信することができる。例えば、実施例では、第１アンテナパターン層の上側に信号を送信することができ、前記第２アンテナパターン層の下側に信号を送信することができる。また、実施例では、前記第１アンテナパターン層の上側から伝達される信号を受信することができ、第２アンテナパターン層の下側から伝達される信号を受信することができる。
【0152】
一方、実施例で、前記第１基板層２００の第１領域RB１に配置された第１パターン部は、全て実装パッドまたは端子パッドとして機能するとしたが、これに限定されるものではない。例えば、前記第１基板層２００の第１領域RB１に配置された第１パッド部のうち一部は実装パッドまたは端子パッドとして機能することができ、残りの一部は、前記第２アンテナパターン層と一緒にアンテナパターンとして機能することもできる。
【0153】
以下では、実施例のキャビティCの構造について具体的に説明することにする。
【0154】
図３aを参照すると、実施例におけるキャビティCは、前記第２基板層３００を貫通して形成される。例えば、前記キャビティCは、前記第２基板層３００を構成する複数の第２絶縁層を貫通して形成される。
【0155】
この時、前記キャビティCは、複数のパートを含むことができる。
【0156】
例えば、前記キャビティCは、前記第２基板層３００の上面に隣接した第１パートP１を含むことができる。また、前記キャビティCは、前記第２基板層３００の下面に隣接し、前記第１パートP１の下の第２パートP２を含むことができる。
【0157】
この時、前記第１パートP１は、前記第２基板層３００の下面に行くほど幅が漸減する第１傾斜を有することができる。前記第１傾斜は、前記第１パートP１の内壁IW１が有する傾斜を意味することができる。例えば、前記第１傾斜は、前記キャビティCの底面に対する前記第１パートP１の内壁IW１が有する傾斜角を意味することができる。例えば、前記第１傾斜は、前記キャビティCの底面と前記第１パートP１の内壁IW１の間の内角を意味することができる。
【0158】
前記第１パートP１の内壁IW１の第１傾斜θ１は、１１５度～１５０度の間の範囲を有することができる。例えば、前記第１パートP１の内壁IW１の第１傾斜θ１は、１１８度～１４８度の間の範囲を有することができる。例えば、前記第１パートP１の内壁IW１の第１傾斜θ１は、１２０度～１４５度の間の範囲を有することができる。
【0159】
前記第１パートP１の内壁IW１の第１傾斜θ１が１１５度より小さい場合、実施例に係る前記キャビティCの形成に要する工程時間が増加する。例えば、前記第１パートP１の内壁IW１の第１傾斜θ１が１１５度より小さいということは、以下で説明される１次キャビティを形成する工程で使用されたレーザービームの幅(例えば、レーザーマスク)が小さいということを意味し、これによるキャビティCの形成に要する時間が増加する。
【0160】
また、前記第１パートP１の内壁IW１の第１傾斜θ１が１５０より大きいと、前記キャビティCの上部の幅が増加することによる回路集積度が減少する。例えば、前記キャビティCの幅は、実装される素子の配置空間に対応するように、前記キャビティCの下部幅を決定し、前記決定された下部幅を中心にキャビティ形成工程を行うことになる。この時、前記キャビティCの上部幅が増加する場合、無意味に浪費される空間が増加することを意味し、これにより前記上部幅が増加しただけアンテナパターン層を配置できる空間が減少する。これにより、実施例では、前記第１パートP１の内壁IW１の第１傾斜θ１が１１５度～１５０度の間の範囲を有するようにする。
【0161】
一方、実施例のキャビティCは、前記第１パートP１の下の第２パートP２を含む。前記第２パートP２は、前記第２基板層３００の下面に行くほど幅が漸減する第２傾斜θ２を有することができる。この時、前記第２パートP２の第２傾斜θ２は、前記第１パートP１の第１傾斜θ１と異なってもよい。例えば、前記第２パートP２の第２傾斜θ２は、前記第１パートP１の第１傾斜θ１より小さくてもよい。
【0162】
この時、前記第２傾斜θ２は、前記第２パートP２の内壁IW２が有する傾斜を意味することができる。例えば、前記第２傾斜θ２は、前記キャビティCの底面に対する前記第２パートP２の内壁IW２が有する傾斜を意味することができる。例えば、前記第２傾斜θ２は、前記キャビティCの底面と前記第２パートP２の内壁IW２の間の内角を意味することができる。
【0163】
前記第２パートP２の内壁IW２の第２傾斜θ２は、前記第１傾斜θ１より小さく、かつ９１度～１２０度の間の範囲を有することができる。例えば、前記第２パートP２の内壁IW２の第２傾斜θ２は、前記第１傾斜θ１より小さく、かつ９５度～１１８度の間の範囲を有することができる。例えば、前記第２パートP２の内壁IW２の第２傾斜θ２は、前記第１傾斜θ１より小さく、かつ９８度～１１５度の間の範囲を有することができる。
【0164】
前記第２パートP２の内壁IW２の第２傾斜θ２が９１度より小さい場合、前記キャビティC内に駆動素子や受動素子が安定的に配置されなくなる。例えば、前記第２パートP２の内壁IW２の第２傾斜θ２が９１度より小さいと、前記第２パートP２が前記第２基板層３００の上面に行くほど幅が減少する形状を有し、前記キャビティCの中間領域で駆動素子や受動素子が配置される空間がなくなる。例えば、前記キャビティCの中間領域における内壁が駆動素子や受動素子と接触し、これにより駆動素子や受動素子の実装工程時に、前記駆動素子や受動素子の位置がずれる恐れがある。即ち、前記キャビティCの幅は、前記説明したように、素子の実装空間に対応して前記キャビティCの下部の幅を決定する。この時、前記第２パートP２の内壁IW２の第２傾斜θ２が９１度より小さい場合、前記第２パートP２の上側に行くほど前記素子の実装空間より狭い空間が存在し、これにより前記キャビティC内に受動素子や駆動素子が安定的に配置されない問題がある。
【0165】
また、前記第２パートP２の内壁IW２の第２傾斜θ２が１２０度より大きい場合、前記素子の実装空間に必要な空間より大きいサイズにて前記キャビティCが形成される。これにより、前記第２パートP２の内壁IW２の第２傾斜θ２が１２０度より大きい場合、同一素子を配置しても、前記キャビティCが占める空間の面積が増加し、これによる回路集積度が減少する。
【0166】
一方、前記キャビティCの第１パートP１及び第２パートP２の長さは異なってもよい。例えば、前記キャビティCの第１パートP１は第１長さL１を有し、前記第２パートP２は前記第１長さL１より長い第２長さL２を有することができる。この時、前記第１長さL１は、前記第１パートP１の深さを意味することができる。例えば、前記第１長さL１は、前記第１パートP１の垂直方向への垂直距離を意味することができる。また、前記第２長さL２は、前記第２パートP２の深さを意味することができる。例えば、前記第２長さL２は、前記第２パートP２の垂直方向への垂直距離を意味することができる。
【0167】
この時、前記第２長さL２は、前記第１長さL１の１.５倍以上であってもよい。例えば、前記第２長さL２は、前記第１長さL１の３倍以上であってもよい。例えば、前記第２長さL２は、前記第１長さL１の５倍以上であってもよい。例えば、前記第２長さL２は、前記第１長さL１の１０倍以上であってもよい。
【0168】
例えば、前記第２長さL２は、前記第１長さL１の１.５倍～３０倍の間の範囲を満足することができる。例えば、前記第２長さL２は、前記第１長さL１の３倍～２８倍の間の範囲を満足することができる。例えば、前記第２長さL２は、前記第１長さL１の５倍～２５倍の間の範囲を満足することができる。例えば、前記第２長さL２は、前記第１長さL１の１０倍～２０倍の間の範囲を満足することができる。
【0169】
この時、前記第２長さL２が前記第１長さL１の１.５倍未満であると、前記第１パートP１の第１傾斜及び前記第２パートP２の第２傾斜の差によって発生する効果が微小となる。また、前記第２長さL２が前記第１長さL１の３０倍以上であると、これを満足するための第２基板層３００の厚さが増加し、これによる回路基板の全体的な厚さが増加する。
【0170】
一方、実施例のキャビティCは、前記第２パートP２の下の第３パートP３を含むことができる。前記第３パートP３は、前記第２基板層３００より低く位置することができる。例えば、前記第２基板層３００を貫通するキャビティは、前記第１パートP１及び第２パートP２を含み、前記第３パートP３は、前記第２基板層３００ではない、前記第１基板層２００の一部を除去することにより形成される空間であってもよい。
【0171】
例えば、前記第３パートP３は、前記第１基板層２００の最上側に配置された第１回路パターン２２１のうち前記キャビティCと垂直に重なった領域に配置されたストッパ層が除去されることにより形成された部分であってもよい。
【0172】
例えば、前記キャビティCの全体深さは、前記第２基板層３００を構成する第２絶縁層の全体厚さより大きくてもよい。例えば、前記キャビティCの深さは、前記第２絶縁層の全体厚さ対比前記第１回路パターン２２１の厚さだけ大きくてもよい。
【0173】
これにより、前記キャビティCの底面は、前記第２基板層３００の下面より低く位置することができる。
【0174】
前記第３パートP３は、第３傾斜を有することができる。前記第３傾斜は、前記第３パートP３の内壁IW３が有する傾斜を意味することができる。この時、前記第１パートP１の内壁IW１及び前記第２パートP２の内壁IW２は、前記第２基板層３００を構成する第２絶縁層の内壁を意味する。これと違うように前記第３パートP３の内壁IW３は、前記第１基板層２００の第１回路パターン２２１で第１-３パターン２２１-３の側面の傾斜を意味することができる。
【0175】
例えば、実施例で、前記第１基板層２００の第１回路パターン２２１は、前記キャビティCの底部の周囲を取り囲んで配置される第１-３パターン２２１-３を含む。前記第１-３パターン２２１-３は、前記キャビティCを形成する工程で使用されたストッパ層の一部である。例えば、前記ストッパ層に対応する下部幅にて前記キャビティCを形成し難く、これにより前記キャビティCの下部幅は、前記ストッパ層の幅より小さい幅を有することができる。これにより前記ストッパ層の一部は、前記キャビティCと垂直に重なることができ、残りの一部は、前記キャビティCの垂直に重ならなくてもよい。この時、前記キャビティCと垂直に重なったストッパ層は、エッチングによって除去されて前記キャビティCの第３パートP３を形成することができる。そして、前記キャビティCと垂直に重ならないストッパ層は、前記エッチング工程時に除去されず、第１基板層２００と第２基板層３００の間に第１-３パターン２２１-３として残ることができる。前記キャビティCの第３パートP３の内壁IW３は、前記第１-３パターン２２１-３の側面の傾斜角を意味することができる。前記第３パートP３の内壁IW３の第３傾斜は、前記ストッパ層のエッチング条件によって決定される。
【0176】
例えば、第１実施例で、前記第３パートP３の内壁IW３の第３傾斜は、前記キャビティCの底面に対し直角であってもよい。
【0177】
一方、実施例で、前記第１基板層２００の上面は、段差を有することができる。例えば、前記第１基板層２００は、第１絶縁層を含む。そして、前記第１絶縁層の上面は、段差を有することができる。例えば、前記第１基板層２００は、複数の第１絶縁層を含み、前記複数の第１絶縁層のうち最上側に配置された第１-１絶縁層の上面は、段差を有することができる。
【0178】
例えば、前記第１-１絶縁層２１１の上面は、前記キャビティCと垂直に重なる第１上面２１１T１と、前記第１上面２１１T１以外の第２上面２１１T２を含むことができる。例えば、前記第１-１絶縁層２１１の第１上面２１１T１は、前記第１基板層２００の第１領域RB１を意味することができる。例えば、前記第１-１絶縁層２１１の第２上面２１１T２は、前記第１基板層２００の第２領域RB２を意味することができる。
【0179】
そして、前記第１-１絶縁層２１１の第１上面２１１T１は、前記第１-１絶縁層２１１の第２上面２１１T２より低く位置することができる。例えば、前記第１-１絶縁層２１１の第１上面２１１T１は、前記キャビティCと垂直に重なった領域のストッパ層の除去により、前記第２上面２１１T２より低く位置することができる。例えば、前記第１-１絶縁層２１１の第１上面２１１T１は、前記第２上面２１１T２より前記ストッパ層が有する厚さだけ低く位置することができる。この時、前記第１-１絶縁層２１１の前記第１上面２１１T１は、前記キャビティCの底面を意味することができる。
【0180】
これにより、前記第１-１絶縁層２１１の上面に配置される第１回路パターン２２１は、領域別に互いに異なる高さを有することができる。例えば、前記第１回路パターン２２１は、前記第１-１絶縁層２１１の第１上面２１１T１に配置される第１-１パターン２２１-１を含むことができる。また、前記第１回路パターン２２１は、前記第１-１絶縁層２１１の第２上面２１１T２に配置される第１-２パターン２２１-２を含むことができる。そして、前記第１-１パターン２２１-１は、前記第１-２パターン２２１-２より低く位置することができる。例えば、前記第１-１パターン２２１-１の上面は、前記第１-２パターン２２１-２の上面より低く位置することができる。
【0181】
また、実施例で、前記第１貫通電極２３１は、配置位置によって互いに異なる厚さを有することができる。例えば、前記第１貫通電極２３１は、前記第１-１パターン２２１-１と垂直に重なる第１-１貫通電極２３１-１を含むことができる。また、前記第１貫通電極２３１は、前記第１-２パターン２２１-２と垂直に重なる第１-２貫通電極２３１-２を含むことができる。そして、前記第１-１貫通電極２３１-１の厚さは、前記第１-２貫通電極２３１-２の厚さより薄くてもよい。例えば、前記第１-１貫通電極２３１-１の厚さは、前記第１-２貫通電極２３１-２の厚さ対比前記ストッパ層が有する厚さだけ薄くてもよい。これにより実施例では、回路基板の厚さを薄く具現することができる。
【0182】
一方、図３bを参照すると、キャビティCは、第１パートP１、第２パートP２及び第３パートP３aを含むことができる。この時、図３bのキャビティは、図３aのキャビティ対比前記第３パートP３aが有する第３傾斜が異なる。例えば、前記図３aにおける第１-３パターン２２１-３の側面の傾斜は、前記キャビティCの底面に対し実質的に垂直であった。これと違うように、前記図３bを参照すると、前記第１-３パターン２２１-３aの側面IW３aの第３傾斜は、前記キャビティの底面に対し一定傾斜を有することができる。例えば、前記第３傾斜は、前記第２パートP２の内壁IW２が有する第２傾斜と同一であってもよい。例えば、前記第３傾斜は、前記第２傾斜と異なる傾斜を有することができる。この時、前記第３傾斜は、前記ストッパ層のエッチング条件によって選択的に変更することができる。
【0183】
また、図３cを参照すると、キャビティCは、第１パートP１、第２パートP２及び第３パートP３bを含むことができる。この時、図３a及び図３bのキャビティは、前記キャビティCの底部の隣接領域に第１-３パターン２２１-３が配置される構造を有した。
【0184】
これと違うように、図３cのように、前記第１-３パターンは、エッチング時に完全に除去されてもよい。これにより、前記キャビティCの第３パートP３bの内壁には、前記キャビティCと離れる方向に陥没された凹部IW３abが形成される。
【0185】
実施例によれば、回路基板は、第１基板層と第２基板層を含む。前記第２基板層はキャビティを含む。そして、前記第１基板層は、前記キャビティと垂直に重なった第１領域と前記第１領域を除いた第２領域を含む。また、前記第２基板層は、前記キャビティに対応する第３領域及び前記第３領域を除いた第４領域を含む。この時、実施例における前記第２基板層の第３領域は、駆動素子が配置される領域であり、前記第４領域は、アンテナパターン層が配置される領域である。上記のような実施例では、第２基板層のキャビティを利用して駆動素子を配置するとともに、前記駆動素子と水平方向に隣接した第２基板層の第４領域にアンテナパターン層を配置するようにする。これにより、実施例では、前記アンテナパターン層と前記駆動素子の間の信号伝送距離を最小化することができ、これによる信号伝送損失を最小化することができる。例えば、実施例では、比較例における駆動素子が配置される基板とアンテナパターン層が配置される基板を別途の接続手段を利用して連結させることに比べて、信号伝送距離を減らすことができ、これによる別途の接続手段によって発生する信号伝送損失を減らすことができる。
【0186】
また、実施例では、第２基板層のキャビティ内に駆動素子を配置することにより、前記キャビティが有する深さに対応するように回路基板の全体的な厚さを減らすことができる。
【0187】
また、実施例におけるキャビティは、第１傾斜を有する第１パートと、前記第１傾斜と異なる第２傾斜を有する第２パートを含む。この時、前記キャビティの底面に対し、前記第２傾斜は、前記第１傾斜より小さい傾斜角を有する。また、実施例における前記第２傾斜を有する第２パートの垂直長さは、前記第１傾斜を有する第１パートの垂直長さより長い。これにより、実施例では、前記比較例に比べて、前記キャビティが占める空間を減らすことができ、これにより回路集積度を向上させることができる。例えば、実施例では、前記キャビティが占める空間を減らすことにより、比較例と同一サイズを有する基板内で、アンテナパターン層の長さを増加させることができ、これによる通信性能を向上させることができる。
【0188】
また、実施例における第１基板層は、前記第１基板層と一番隣接するように配置された第１-１絶縁層と、前記第１-１絶縁層の上面に配置された第１回路パターンを含む。この時、前記第１回路パターンは、前記キャビティと垂直に重なった第１領域に形成された第１-１パターンと、前記第１領域を除いた第２領域に形成された第１-２パターンを含み、前記第１-１パターンの上面は、前記第１-２パターンの上面より低く位置する。これにより、実施例では、前記キャビティを形成するためのレーザー工程で、前記第１-１パターンの表面が損傷することを防止することができ、これによる回路基板の電気的信頼性及び物理的信頼性を向上させることができる。
【0189】
【0190】
図４aを参照すると、第２基板層３００は、第３領域RT１及び第４領域RT２を含む。そして、前記第３領域RT１は、前記第２基板層３００を貫通するキャビティCが形成された領域である。この時、前記第３領域RT１と第４領域RT２は、前記第２基板層３００の幅方向または長さ方向にそれぞれ形成される。例えば、前記第３領域RT１は、前記第４領域RT２の一側に配置される。
【0191】
これと違うように、図４bを参照すると、前記第３領域RT１は、第２基板層３００の中央に配置される。そして、前記第４領域RT２は、前記第３領域RT１の周囲を取り囲んで形成される。
【0192】
図５は、実施例に係るアンテナパッケージ基板を示した図面である。
【0193】
【0194】
そして、アンテナパッケージ基板は、回路基板１００の第２基板層３００の上面に配置される第１保護層４５０を含むことができる。また、アンテナパッケージ基板は、回路基板１００の第１基板層２００の下面に配置される第２保護層４６０を含むことができる。
【0195】
また、アンテナパッケージ基板は、第１基板層２００の第１回路パターン２２１のうち前記キャビティCと垂直に重なった領域に配置された第１-１回路パターン２２１-１上に配置される第１接続部４１０を含むことができる。前記第１接続部４１０の平面形状は円形であってもよい。これと違うように、前記第１接続部４１０の平面形状は四角形であってもよい。前記第１接続部４１０は、前記第１-１回路パターン２２１-１上に配置され、前記第１-１回路パターン２２１-１と素子４２０の端子４２５の間を連結することができる。前記第１接続部４１０は、一例としてソルダボールであってもよい。前記第１接続部４１０はソルダに異種成分の物質が含有されてもよい。前記ソルダは、SnCu、SnPb、SnAgCuのうち少なくともいずれか１つからなることができる。そして、前記異種成分の物質は、Al、Sb、Bi、Cu、Ni、In、Pb、Ag、Sn、Zn、Ga、Cd及びFeのうちいずれか１つを含むことができる。
【0196】
前記第１接続部４１０上には素子４２０が配置される。前記素子４２０は、ドライバー素子であってもよい。例えば、前記素子４２０は、前記回路基板に含まれたアンテナパターン層を駆動する駆動素子であってもよい。また、図面上で、前記キャビティC内には、１つの素子しか実装されないと図示したが、これに限定されるものではない。例えば、前記キャビティC内には、前記素子４２０以外にも前記素子４２０の動作のための受動素子(不図示)が追加実装されてもよい。
【0197】
一方、前記キャビティC内には、前記素子４２０を覆いながらモールディング層４３０が形成される。前記モールディング層４３０は、EMC(Epoxy Molding Compound)であってもよいが、これに限定されるものではない。
【0198】
また、実施例は、第１基板層２００の第１領域RB１の下面に配置された回路パターン層の下面に配置された第２接続部４４０を含む。前記第２接続部４４０は、前記アンテナパッケージ基板と外部の基板(例えば、端末機のメインボード)の間を連結することができる。
【0199】
以下では、実施例に係る回路基板の製造方法を工程順に説明することにする。
【0200】
この時、実施例における回路基板は、図２に図示されたようにコアレス構造を有することができる。
【0201】
ただし、実施例はこれに限定されるものではない。例えば、実施例の回路基板は、コア絶縁層を含むコア基板であってもよい。例えば、実施例の回路基板は、ETS(Embedded Trace Substrate)工法で製造されたETS構造を有することができる。ただし、実施例は説明の便宜を図り、前記回路基板がコアレス基板構造を有するものとして説明することにする。
【0202】
【0203】
本願の実施例の回路基板の製造工程は、大きく、キャリアボードを利用して第１基板層の一部及び第２基板層の一部を製造する第１工程と、前記第１工程により製造された基板層の上下でそれぞれ第１基板層の残りの一部及び第２基板層の残りの一部を製造する工程と、前記第２基板層にキャビティを形成する工程と、前記キャビティと垂直に重なった領域におけるストッパ層を除去する工程を含むことができる。
【0204】
まず、図６aを参照すると、実施例に係る回路基板を製造するための基礎資材であるキャリアボードを用意することができる。
【0205】
前記キャリアボードは、キャリア絶縁層５１０及び前記キャリア絶縁層５１０の一面に配置されたキャリア銅箔層５２０を含むことができる。
【0206】
前記キャリア銅箔層５２０は、前記キャリア絶縁層５１０の一面に配置されてもよく、これと違うように両面に配置されてもよい。前記キャリア絶縁層５１０の両面に前記キャリア銅箔層５２０が配置される場合、以下の工程で、前記キャリアボードが除去される前まで、前記キャリアボードの両側でそれぞれ回路基板の製造工程が行われてもよい。
【0207】
前記キャリア銅箔層５２０は、前記キャリア絶縁層５１０の表面に無電解メッキを行って形成されてもよい。これと違うように、キャリア絶縁層５１０及び前記キャリア銅箔層５２０は、CCL(copper clad laminate)であってもよい。
【0208】
この時、前記キャリアボードは、第１基板層２００の第１領域RB１及び第２領域RB２を含むことができる。
【0209】
次に、実施例では、前記キャリア銅箔層５２０の下面にマスク５３０を形成する工程を行うことができる。この時、前記マスク５３０に開口部５４０を形成する工程を行うことができる。前記マスク５３０の開口部５４０は、前記キャリア銅箔層５２０の下面のうち第５回路パターン３２１が形成される領域と垂直に重なることができる。
【0210】
次に、図６bに図示されたように、前記キャリア銅箔層５２０をシード層として電解メッキを行って、前記マスク５３０の開口部５４０を満たす第５回路パターン３２１を形成する工程を行うことができる。
【0211】
そして、実施例では、前記第５回路パターン３２１が形成されると、前記マスク５３０を除去する工程を行うことができる。次に、実施例では、前記マスク５３０が除去されることにより、前記キャリア銅箔層５２０の下面及び前記第５回路パターン３２１の下面に第２基板層３００の第２絶縁層の一部は、第２-１絶縁層３１１を形成する工程を行うことができる。
【0212】
次に、図６cに図示されたように、実施例では、前記第２-１絶縁層３１１を貫通する貫通ホール(不図示)を形成する工程を行うことができる。次に、実施例では、前記第２-１絶縁層３１１の前記貫通ホールを満たす第４貫通電極３３１及び前記第２-１絶縁層３１１の下面に第１基板層２００の第１回路パターン２２１の一部を形成する工程を行うことができる。
【0213】
この時、前記第１回路パターン２２１は、前記第２-１絶縁層３１１の下面で、第２領域RB２と垂直に重なる第１-２パターン２２１-２と、前記第１領域RB１と垂直に重なるストッパ層２２１-３を含むことができる。前記ストッパ層２２１-３は、前記第２-１絶縁層の下面のうちキャビティが形成される領域と垂直に重なる領域に形成される。
【0214】
次に、実施例では、図６dに図示されたように、前記ストッパ層２２１-３の下面に第１回路パターン２２１の残りの一部である第１-１パターン２２１-１を形成する工程を行うことができる。
【0215】
この時、前記第１-１パターン２２１-１は、前記ストッパ層２２１-３の下面に配置され、これにより前記第２-１絶縁層３１１の下面の第２領域RB２に形成された第１-２パターン２２１-２と段差(例えば、互いに異なる高さ)を有することができる。
【0216】
次に、図６eに図示されたように、実施例では、前記キャリア絶縁層５１０と前記キャリア銅箔層５２０を除去する工程を行うことができる。
【0217】
以後、実施例では、前記第２-１絶縁層３１１の上部及び下部でそれぞれ第２基板層３００の一部及び第１基板層２００の一部を製造する工程を行うことができる。例えば、実施例では、前記第２-１絶縁層３１１の下面に第１-１絶縁層２１１を形成し、前記第１-１絶縁層２１１を貫通する第１貫通電極２３１と、前記第１-１絶縁層２１１の下面に第２回路パターン２２２を形成する工程を行うことができる。この時、前記第１貫通電極２３１は、前記第１-１パターン２２１-１と連結される第１-１貫通電極２３１-１と、前記第１-２パターン２２１-２と連結される第１-２貫通電極２３１-２を含むことができる。そして、前記第１-１貫通電極２３１-１と前記第１-２貫通電極２３１-２は互いに異なる厚さを有することができる。具体的に、前記第１-１パターン２２１-１は、前記第１-２パターン２２１-２より低く位置する。これにより、前記第１-１貫通電極２３１-１は、前記第１-２貫通電極２３１-２より薄い厚さを有することができる。例えば、前記第１-１貫通電極２３１-１の下面は、前記第１-２貫通電極２３１-２の下面と同一平面上に位置することができる。反面、前記第１-１貫通電極２３１-１の上面は、前記第１-２貫通電極２３１-２の上面より低く位置することができる。
【0218】
また、実施例では、前記第２-１絶縁層３１１の上面に第２-２絶縁層３１２を形成し、前記第２-２絶縁層３１２を貫通する第５貫通電極３３２及び前記第２-２絶縁層３１２の上面に第６回路パターン３２２を形成する工程を行うことができる。
【0219】
また、図６gに図示されたように、実施例では、前記第１-１絶縁層２１１の下面に第１-２絶縁層２１２を形成する工程を行うことができる。また、実施例では、前記第１-２絶縁層２１２を貫通する第２貫通電極２３２及び前記第１-２絶縁層２１２の下面に第３回路パターン２２３を形成する工程を行うことができる。
【0220】
また、実施例では、前記第２-２絶縁層３１２の上面に第２-３絶縁層３１３を形成する工程を行うことができる。また、実施例では、前記第２-３絶縁層３１３を貫通する第６貫通電極３３３及び前記第２-３絶縁層３１３の上面に第７回路パターン３２３を形成する工程を行うことができる。
【0221】
次に、実施例では、図６hに図示されたように、実施例では、第１-２絶縁層２１２の下面に第１-３絶縁層２１３を形成する工程を行うことができる。また、実施例では、前記第１-３絶縁層２１３を貫通する第３貫通電極２３３及び前記第１-３絶縁層２１３の下面に第４回路パターン２２４を形成する工程を行うことができる。
【0222】
また、実施例では、前記第２-３絶縁層３１３の上面に第２-４絶縁層３１４を形成する工程を行うことができる。次に、実施例では、前記第２-４絶縁層３１４を貫通する第７貫通電極３３４及び前記第２-４絶縁層３１４上に第８回路パターン３２４を形成する工程を行うことができる。
【0223】
これにより、実施例では、キャビティCが形成される前の第１基板層２００及び第２基板層３００を含む回路基板１００の製造が完了する。
【0224】
一方、実施例では、図６iに図示されたように、前記第８回路パターン３２４を形成する工程で、前記第８回路パターン３２４のシード層を一部除去せずに残しておき、これを利用してキャビティCを形成する工程でマスクとして活用できるようにする。
【0225】
例えば、図６jに図示されたように、前記第８回路パターン３２４の製造工程を見ると、前記第２-４絶縁層３１４の上面には、前記第８回路パターン３２４を形成するためのシード層３２４-１が位置する。そして、前記シード層３２４-１は、前記第８回路パターン３２４を電解メッキするためのシード層として利用することができる。
【0226】
次に、図６kに図示されたように、実施例では、前記第８回路パターン３２４が形成されることにより、前記シード層３２４-１のうち前記第８回路パターン３２４と垂直に重ならない領域を除去する工程を行うことができる。この時、実施例では、前記シード層３２４-１のうち前記キャビティCが形成される領域と隣接した領域３２４-１aは除去せずに残しておく。そして、実施例では、以下におけるキャビティの形成工程で、前記シード層３２４-１の前記領域３２４-１aをレーザーマスクとして利用して前記第３領域RT１に対応する部分のみにキャビティ形成工程を行うことができる。この時、前記シード層３２４-１の領域RB１は、前記キャビティCが形成される領域である第３領域RT１の一部を覆うことができる。これは、レーザー形成工程で発生する工程偏差によるアンダーカットを考慮したものである。
【0227】
次に、図６lに図示されたように、実施例では、前記シード層３２４-１の領域RB１を活用して、前記第２基板層３００の第２絶縁層を貫通する第１キャビティC１を形成する工程を行うことができる。この時、前記第１キャビティC１は、前記第１基板層２００の第１回路パターン２２１の一部であるストッパ層２２１-３の上面まで形成される。この時、前記第１キャビティC１の内壁IW１は、第１傾斜を有することができる。例えば、実施例では、１次キャビティ工程を行うことができる。この時、前記１次キャビティ工程におけるレーザーマスクの幅は、第１幅を有することができる。前記レーザーマスクは、レーザー装備においてレーザービームの幅を決定する。この時、実施例では、キャビティが形成される領域を全体的に開放するために、相対的に大きい幅を有する第１レーザービームを利用して前記１次キャビティ工程を行うことができる。これにより、前記１次キャビティ工程により形成された第１キャビティC１の内壁IW１は、全体的に前記第１レーザービームに対応する第１傾斜を有することになる。
【0228】
次に、図６mに図示されたように、実施例では、前記第１キャビティC１上に２次キャビティ工程を行って第２キャビティC２を形成する工程を行うことができる。この時、前記第２キャビティ工程におけるレーザーマスクの幅は、前記第１幅より小さい第２幅を有することができる。そして、前記第２キャビティ工程は、前記第１キャビティ工程で形成された第１キャビティC１の内壁に対応する部分のみで行われる。前記２次キャビティ工程におけるレーザーマスクの幅は、前記第１幅より小さい第２幅を有することにより、前記第２キャビティC２の内壁は、複数の傾斜を有することができる。例えば、前記第２キャビティC２の内壁は、前記１次キャビティ工程により形成された第１傾斜と、前記２次キャビティ工程により形成された第２傾斜を含むことができる。
【0229】
例えば、図６nを参照すると、実施例では、２８０umの第１幅を有するマスクを利用して、これに対応する第１レーザービームL１を照射して前記第１キャビティC１を形成する工程を行うことができる。以後、実施例では、前記第１幅より小さい１００umの第２幅を有するマスクを利用して、これに対応する第２レーザービームL２を照射して前記第２キャビティC２を形成する工程を行うことができる。これにより、実施例におけるキャビティは、前記第１レーザービームL１に対応する第１傾斜及び第２レーザービームL２に対応する第２傾斜を含んでいる。この時、キャビティの全体的な傾斜が前記第２傾斜を有するようにすることができるが、前記第１キャビティの形成工程で、前記第１レーザービームL１が前記シード層３２４-１の領域RB１の下面に浸透することになり、これによるアンダーカット領域を含むことになる。そして、前記キャビティCで前記第１傾斜に対応する部分は、前記第１キャビティ工程で形成されたアンダーカット領域に対応することができる。
【0230】
次に、図６oに図示されたように、前記２次キャビティ工程により露出したストッパ層２２１-３を除去してキャビティCの第３パートを形成することができる。この時、前記第３パートの内壁は、第１-３パターン２２１-３の側面である。この時、前記キャビティCの第３パートは、図３a～図３cのうちいずれか１つに図示された形態を有するように形成することができる。
【0231】
実施例によれば、回路基板は、第１基板層と第２基板層を含む。前記第２基板層はキャビティを含む。そして、前記第１基板層は、前記キャビティと垂直に重なった第１領域と前記第１領域を除いた第２領域を含む。また、前記第２基板層は、前記キャビティに対応する第３領域及び前記第３領域を除いた第４領域を含む。この時、実施例における前記第２基板層の第３領域は、駆動素子が配置される領域であり、前記第４領域は、アンテナパターン層が配置される領域である。上記のような実施例では、第２基板層のキャビティを利用して駆動素子を配置するとともに、前記駆動素子と水平方向に隣接した第２基板層の第４領域にアンテナパターン層を配置するようにする。これにより、実施例では、前記アンテナパターン層と前記駆動素子の間の信号伝送距離を最小化することができ、これによる信号伝送損失を最小化することができる。例えば、実施例では、比較例における駆動素子が配置される基板とアンテナパターン層が配置される基板を別途の接続手段を利用して連結させることに比べて、信号伝送距離を減らすことができ、これによる別途の接続手段によって発生する信号伝送損失を減らすことができる。
【0232】
また、実施例では、第２基板層のキャビティ内に駆動素子を配置することにより、前記キャビティが有する深さに対応するように回路基板の全体的な厚さを減らすことができる。
【0233】
また、実施例におけるキャビティは、第１傾斜を有する第１パートと、前記第１傾斜と異なる第２傾斜を有する第２パートを含む。この時、前記キャビティの底面に対し、前記第２傾斜は、前記第１傾斜より小さい傾斜角を有する。また、実施例における前記第２傾斜を有する第２パートの垂直長さは、前記第１傾斜を有する第１パートの垂直長さより長い。これにより、実施例では、前記比較例に比べて、前記キャビティが占める空間を減らすことができ、これにより回路集積度を向上させることができる。例えば、実施例では、前記キャビティが占める空間を減らすことにより、比較例と同一サイズを有する基板内で、アンテナパターン層の長さを増加させることができ、これによる通信性能を向上させることができる。
【0234】
また、実施例における第１基板層は、前記第１基板層と一番隣接するように配置された第１-１絶縁層と、前記第１-１絶縁層の上面に配置された第１回路パターンを含む。この時、前記第１回路パターンは、前記キャビティと垂直に重なった第１領域に形成された第１-１パターンと、前記第１領域を除いた第２領域に形成された第１-２パターンを含み、前記第１-１パターンの上面は、前記第１-２パターンの上面より低く位置する。これにより、実施例では、前記キャビティを形成するためのレーザー工程で、前記第１-１パターンの表面が損傷することを防止することができ、これによる回路基板の電気的信頼性及び物理的信頼性を向上させることができる。
【0235】
以上の実施例に説明された説明された特徴、構造、効果等は、少なくとも１つの実施例に含まれ、必ず１つの実施例に限定されるものではない。また、各実施例に例示された特徴、構造、効果等は、実施例が属する分野で通常の知識を有する者によって、別の実施例に対して組合せまたは変形して実施可能である。よって、そのような組合せと変形に係る内容は、実施例の範囲に含まれると解釈されるべきである。
【0236】
以上では、実施例を中心に説明したが、これは単なる例示であり、実施例を限定するものではなく、実施例が属する分野で通常の知識を有した者であれば、本実施例の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、以上で例示されていない多様な変形と応用が可能である。例えば、実施例に具体的に提示された各構成要素は、変形して実施することができる。そして、そのような変形と応用に係る差異点は、添付される請求の範囲で規定する実施例の範囲に含まれると解釈されるべきである。
【図1a】
【図1b】
【図2】
【図3a】
【図3b】
【図3c】
【図4a】
【図4b】
【図5】
【図6a】
【図6b】
【図6c】
【図6d】
【図6e】
【図6f】
【図6g】
【図6h】
【図6i】
【図6j】
【図6k】
【図6l】
【図6m】
【図6n】
【図6o】
【手続補正書】
【提出日】2024-02-14
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に配置され、第１貫通ホールを含む第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に配置され、第２貫通ホールを含む第３絶縁層と、
前記第３絶縁層上に配置された保護絶縁層と、
前記第１貫通ホールの内側に配置された電子素子と、を含み、
前記第１貫通ホールは、前記第２貫通ホールと垂直方向に重なり、
前記第２絶縁層は、前記第１貫通ホールを形成し、前記第１絶縁層の上面に対し第１傾斜角を有する第１内側壁を含み、
前記第３絶縁層は、前記第２貫通ホールを形成し、前記第１絶縁層の上面に対し前記第１傾斜角より小さい第２傾斜角を有する第２内側壁を含み、
前記第２絶縁層と前記第３絶縁層の間に配置された回路層を含み、
前記電子素子は、前記回路層、及び前記第１内側壁と前記第２内側壁が接触された変曲部と水平方向に沿って重なった、回路基板。
【請求項2】
前記第１絶縁層と前記第２絶縁層の間に配置された金属層をさらに含み、
前記金属層は、前記第１内側壁の外側に前記水平方向に沿って延長された、請求項１に記載の回路基板。
【請求項3】
前記金属層は、前記第２貫通ホールと垂直方向に重なった、請求項２に記載の回路基板。
【請求項4】
前記第１絶縁層、前記第２絶縁層、及び前記第３絶縁層は、同一物質で備えられた、請求項１～３のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項5】
前記第１内側壁と前記第２内側壁が直接接触された界面は、前記電子素子と前記水平方向に重なった、請求項１～３のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項6】
前記電子素子は、前記第１内側壁及び前記第２内側壁と前記水平方向に離隔した、請求項５に記載の回路基板。
【請求項7】
前記第１貫通ホール、前記第２貫通ホール、及び前記電子素子を埋め込む埋め込み絶縁層を含む、請求項６に記載の回路基板。
【請求項8】
前記埋め込み絶縁層は、前記第１絶縁層、前記第２絶縁層、及び前記第３絶縁層と異なる物質で備えられた、請求項７に記載の回路基板。
【請求項9】
前記電子素子は、前記第１内側壁及び第２内側壁と水平方向に重なった、請求項１～３のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項10】
前記第１傾斜角は、９１度～１１０度の間の範囲を有し、
前記第２傾斜角は、１１５度～１５０度の間の範囲を有する、請求項１～３のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項11】
前記第１傾斜角を有する絶縁層の垂直方向の厚さは、前記第２傾斜角を有する絶縁層の垂直方向の厚さより厚い、請求項１～３のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項12】
前記第１傾斜角を有する絶縁層の垂直方向の厚さは、前記第２傾斜角を有する絶縁層の垂直方向の厚さの１.５倍～３０倍の間である、請求項１１に記載の回路基板。
【請求項13】
前記第１貫通ホールの内側で前記第１絶縁層と前記電子素子の間に配置された金属層を含み、
前記金属層と前記電子素子の間に配置された接着部材を含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項14】
前記第１及び第２貫通ホールは、前記第１絶縁層を向かうほど水平方向の幅が漸減する、請求項１～３のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項15】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に配置され、第１貫通ホールを含む第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に配置され、第２貫通ホールを含む第３絶縁層と、
前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層の間に配置された回路層と、
前記第１貫通ホールの内側に配置された電子素子と、を含み、
前記第１貫通ホールは、前記第２貫通ホールと垂直方向に重なり、
前記第２絶縁層は、前記第１貫通ホールを形成し、前記第１絶縁層の上面に対し第１傾斜角を有する第１内側壁を含み、
前記第３絶縁層は、前記第２貫通ホールを形成し、前記第１絶縁層の上面に対し前記第１傾斜角より小さい第２傾斜角を有する第２内側壁を含み、
前記電子素子は、前記回路層、及び前記第１内側壁と前記第２内側壁が接触された変曲部と水平方向に沿って重なった、回路基板。
【請求項16】
前記電子素子は、前記第１内側壁、第２内側壁、及び前記回路層と水平方向に重なった、請求項１５に記載の回路基板。
【請求項17】
前記変曲部は、前記第１内側壁の第１傾斜角と前記第２内側壁の第２傾斜角が接触された領域であり、
前記電子素子は、前記変曲部、及び前記回路層と水平方向に重なった、請求項１５又は１６に記載の回路基板。
【請求項18】
前記第１傾斜角を有する絶縁層の垂直方向の厚さは、前記第２傾斜角を有する絶縁層の垂直方向の厚さより厚い、請求項１７に記載の回路基板。
【請求項19】
前記第１傾斜角は、９１度～１１０度の間の範囲を有し、
前記第２傾斜角は、１１５度～１５０度の間の範囲を有する、請求項１７に記載の回路基板。
【請求項20】
前記第１絶縁層と前記第２絶縁層の間に配置された金属層をさらに含み、
前記金属層は、前記第１内側壁の外側に前記水平方向に沿って延長された、請求項１５又は１６に記載の回路基板。
【手続補正書】
【提出日】2024-04-04
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に配置され、第１貫通ホールを含む第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に配置され、第２貫通ホールを含む第３絶縁層と、
前記第２絶縁層上に配置された回路部と、
前記第３絶縁層上に配置された保護絶縁層と、
前記第１貫通ホールの内側に配置された電子素子と、を含み、
前記第１貫通ホールは、前記第２貫通ホールと垂直方向に重なり、
前記第２絶縁層は、前記第１貫通ホールを形成し、前記第１絶縁層の上面に対し第１傾斜角を有する第１内側壁を含み、
前記第３絶縁層は、前記第２貫通ホールを形成し、前記第１絶縁層の上面に対し前記第１傾斜角より小さい第２傾斜角を有する第２内側壁を含み、
前記回路部は、前記第１内側壁と水平方向に重ならず、前記第２内側壁と水平方向に沿って重なった配線部を含み、
前記電子素子は、前記配線部、及び前記第１内側壁と前記第２内側壁が接触された接触部と水平方向に沿って重なった、回路基板。
【請求項2】
前記第１絶縁層と前記第２絶縁層の間に配置された金属層をさらに含み、前記金属層は、前記第１内側壁の内側から前記第１内側壁の外側に前記水平方向に沿って延長された、請求項１に記載の回路基板。
【請求項3】
前記金属層は、前記第２貫通ホールと垂直方向に重なった、請求項２に記載の回路基板。
【請求項4】
前記第１絶縁層、前記第２絶縁層、及び前記第３絶縁層は、同一物質で備えられた、請求項１～３のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項5】
前記回路部は、前記第１内側壁と前記水平方向に沿って重なった第１ビア電極と、前記第２内側壁と前記水平方向に沿って重なった第２ビア電極とを含み、
前記第１ビア電極は、前記第２内側壁と前記水平方向に沿って重ならず、
前記第２ビア電極は、前記第１内側壁と前記水平方向に沿って重ならない、請求項１～３のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項6】
前記電子素子は、前記第１内側壁及び前記第２内側壁と前記水平方向に離隔した、請求項５に記載の回路基板。
【請求項7】
前記第１貫通ホール、前記第２貫通ホール、及び前記電子素子を埋め込む埋め込み絶縁層を含む、請求項６に記載の回路基板。
【請求項8】
前記埋め込み絶縁層は、前記第１絶縁層、前記第２絶縁層、及び前記第３絶縁層と異なる物質で備えられた、請求項７に記載の回路基板。
【請求項9】
前記電子素子は、前記第１ビア電極及び前記第２ビア電極と前記水平方向に沿って重なった、請求項５に記載の回路基板。
【請求項10】
前記第１傾斜角は、９１度～１１０度の間の範囲を有し、前記第２傾斜角は、１１５度～１５０度の間の範囲を有する、請求項１～３のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項11】
前記第１内側壁の垂直方向の厚さは、前記第２内側壁の垂直方向の厚さより大きい、請求項１～３のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項12】
前記第１内側壁の垂直方向の厚さは、前記第２内側壁の垂直方向の厚さの１.５倍～３０倍の間である、請求項１１に記載の回路基板。
【請求項13】
前記第１貫通ホールの内側で前記第１絶縁層と前記電子素子の間に配置された金属層を含み、前記金属層と前記電子素子の間に配置された接着部材を含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項14】
前記第１及び第２貫通ホールは、前記第１絶縁層を向かうほど水平方向の幅が漸減する、請求項１～３のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項15】
第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に配置され、第１貫通ホールを含む第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に配置され、第２貫通ホールを含む第３絶縁層と、
前記第２絶縁層上に配置された回路部と、
前記第１貫通ホールの内側に配置された電子素子と、を含み、
前記第１貫通ホールは、前記第２貫通ホールと垂直方向に重なり、
前記第２絶縁層は、前記第１貫通ホールを形成し、前記第１絶縁層の上面に対し第１傾斜角を有する第１内側壁を含み、
前記第３絶縁層は、前記第２貫通ホールを形成し、前記第１絶縁層の上面に対し前記第１傾斜角より小さい第２傾斜角を有する第２内側壁を含み、
前記回路部は、前記第１内側壁と水平方向に重ならず、前記第２内側壁と水平方向に沿って重なった配線部を含み、
前記電子素子は、前記配線部、前記第１内側壁、前記第２内側壁、及び前記第１内側壁と前記第２内側壁が接触された接触部と水平方向に沿って重なった、回路基板。
【請求項16】
前記回路部は、前記第１内側壁と前記水平方向に沿って重なった第１ビア電極と、前記第２内側壁と前記水平方向に沿って重なった第２ビア電極とをさらに含み、
前記第１ビア電極は、前記第２内側壁と前記水平方向に沿って重ならず、
前記第２ビア電極は、前記第１内側壁と前記水平方向に沿って重ならない、請求項１５に記載の回路基板。
【請求項17】
前記電子素子は、前記第１ビア電極、及び前記第２ビア電極と前記水平方向に沿って重なった、請求項１６に記載の回路基板。
【請求項18】
前記第１内側壁の垂直方向の厚さは、前記第２内側壁の垂直方向の厚さより厚い、請求項１７に記載の回路基板。
【請求項19】
前記第１傾斜角は、９１度～１１０度の間の範囲を有し、前記第２傾斜角は、１１５度～１５０度の間の範囲を有する、請求項１８に記載の回路基板。
【請求項20】
前記電子素子の前記垂直方向の厚さは、前記第１及び第２ビア電極のそれぞれの前記垂直方向の厚さより大きい、請求項１８に記載の回路基板。
【手続補正書】
【提出日】2024-05-24
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に配置され、第１貫通ホールを含む第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に配置され、第２貫通ホールを含む第３絶縁層と、
前記第２絶縁層上に配置された回路部と、
前記第３絶縁層上に配置された保護絶縁層と、
前記第１貫通ホールの内側に配置された電子素子と、を含み、
前記第１貫通ホールは、前記第２貫通ホールと垂直方向に重なり、
前記第２絶縁層は、前記第１貫通ホールを形成し、前記第１絶縁層の上面に対し第１傾斜角を有する第１内側壁を含み、
前記第３絶縁層は、前記第２貫通ホールを形成し、前記第１絶縁層の上面に対し前記第１傾斜角より大きい第２傾斜角を有する第２内側壁を含み、
前記回路部は、前記第１内側壁と水平方向に重ならず、前記第２内側壁と水平方向に沿って重なった配線部を含み、
前記電子素子は、前記配線部、及び前記第１内側壁と前記第２内側壁が接触された接触部と水平方向に沿って重なった、回路基板。
【請求項2】
前記第１絶縁層と前記第２絶縁層の間に配置された金属層をさらに含み、前記金属層は、前記第１内側壁の外側に前記水平方向に沿って延長された、請求項１に記載の回路基板。
【請求項3】
前記金属層は、前記第２貫通ホールと垂直方向に重なった、請求項２に記載の回路基板。
【請求項4】
前記第１絶縁層、前記第２絶縁層、及び前記第３絶縁層は、同一物質で備えられた、請求項１～３のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項5】
前記電子素子は、前記第１内側壁及び前記第２内側壁と前記水平方向に沿って重なった、請求項１～３のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項6】
前記電子素子は、前記第１内側壁及び前記第２内側壁と前記水平方向に離隔した、請求項５に記載の回路基板。
【請求項7】
前記第１貫通ホール、前記第２貫通ホール、及び前記電子素子を埋め込む埋め込み絶縁層を含む、請求項６に記載の回路基板。
【請求項8】
前記埋め込み絶縁層は、前記第１絶縁層、前記第２絶縁層、及び前記第３絶縁層と異なる物質で備えられた、請求項７に記載の回路基板。
【請求項9】
前記回路部は、
前記配線部の下面に連結された前記第２絶縁層の少なくとも一部を貫通する第１ビア電極と、
前記配線部の上面に連結された前記第３絶縁層の少なくとも一部を貫通する第２ビア電極と、を含み、
前記第１ビア電極及び前記第２ビア電極の少なくとも一部は、前記水平方向に沿って前記電子素子と重なった、請求項１～３のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項10】
前記第１傾斜角は、９１度～１１０度の間の範囲を有し、前記第２傾斜角は、１１５度～１５０度の間の範囲を有する、請求項１～３のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項11】
前記第１傾斜角を有する前記第２絶縁層の一部の垂直方向の厚さは、前記第２傾斜角を有する前記第３絶縁層の一部の垂直方向の厚さより大きい、請求項１～３のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項12】
前記第１傾斜角を有する前記第２絶縁層の前記一部の垂直方向の厚さは、前記第２傾斜角を有する前記第３絶縁層の前記一部の垂直方向の厚さの１.５倍～３０倍の間である、請求項１１に記載の回路基板。
【請求項13】
前記第１貫通ホールの内側で前記第１絶縁層と前記電子素子の間に配置された金属層を含み、前記金属層と前記電子素子の間に配置された接着部材を含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項14】
前記第１及び第２貫通ホールは、前記第１絶縁層を向かうほど水平方向の幅が漸減する、請求項１～３のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項15】
第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に配置され、第１貫通ホールを含む第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に配置され、第２貫通ホールを含む第３絶縁層と、
前記第２絶縁層と前記第３絶縁層の間に配置された回路層と、
前記第１貫通ホールの内側に配置された電子素子と、を含み、
前記第１貫通ホールは、前記第２貫通ホールと垂直方向に重なり、
前記第２絶縁層は、前記第１貫通ホールを形成し、前記第１絶縁層の上面に対し第１傾斜角を有する第１内側壁を含み、
前記第３絶縁層は、前記第２貫通ホールを形成し、前記第１絶縁層の上面に対し前記第１傾斜角と異なる第２傾斜角を有する第２内側壁を含み、
前記電子素子は、前記回路層及び前記第１内側壁と前記第２内側壁が接触された接触部と水平方向に沿って重なった、回路基板。
【請求項16】
前記第１傾斜角は、前記第２傾斜角より小さい、請求項１５に記載の回路基板。
【請求項17】
前記第１傾斜角は、９１度～１１０度の間の範囲を有し、
前記第２傾斜角は、１１５度～１５０度の間の範囲を有する、請求項１６に記載の回路基板。
【請求項18】
前記電子素子は、前記第１内側壁、前記第２内側壁及び前記回路層と前記水平方向に沿って重なった、請求項１６に記載の回路基板。
【請求項19】
前記第１傾斜角を有する前記第２絶縁層の一部の垂直方向の厚さは、前記第２傾斜角を有する前記第３絶縁層の一部の垂直方向の厚さより大きい、請求項１８に記載の回路基板。
【請求項20】
前記第１絶縁層と前記第２絶縁層の間に配置された金属層をさらに含み、
前記金属層は、前記第１内側壁の外側に前記水平方向に沿って延長された、請求項１８に記載の回路基板。
【国際調査報告】