特表 2024-529122 金属箔、回路基板、及び回路基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-08-01

(54)【発明の名称】金属箔、回路基板、及び回路基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/03 20060101AFI20240725BHJP

   H05K 3/20 20060101ALI20240725BHJP

   B32B 15/08 20060101ALI20240725BHJP

【ＦＩ】

H05K1/03 630H

H05K3/20 A

B32B15/08 J

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024508440

(86)(22)【出願日】2022-05-30

(85)【翻訳文提出日】2024-03-06

(86)【国際出願番号】 CN2022095914

(87)【国際公開番号】W WO2023016061

(87)【国際公開日】2023-02-16

(31)【優先権主張番号】202110909511.5

(32)【優先日】2021-08-09

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】521204482

【氏名又は名称】広州方邦電子股▲ふん▼有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＧＵＡＮＧＺＨＯＵ ＦＡＮＧＢＡＮＧ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＣＯ．，ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．２８， Ｄｏｎｇｚｈｉ Ｒｏａｄ， Ｈｕａｎｇｐｕ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ Ｇｕａｎｇｚｈｏｕ，Ｇｕａｎｇｄｏｎｇ ５１０５３０ Ｃｈｉｎａ

(74)【代理人】

【識別番号】100158920

【弁理士】

【氏名又は名称】上野 英樹

(72)【発明者】

【氏名】▲張▼ 美娟

(72)【発明者】

【氏名】朱 宇▲華▼

【テーマコード（参考）】

4F100

5E343

【Ｆターム（参考）】

4F100AB00

4F100AB00D

4F100AB01

4F100AB01A

4F100AB01B

4F100AB02

4F100AB02A

4F100AB13

4F100AB13A

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4F100AB15A

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4F100AB17A

4F100AB33

4F100AB33A

4F100AB33B

4F100AR00A

4F100AR00B

4F100AR00C

4F100AR00D

4F100BA02

4F100BA03

4F100BA04

4F100BA07

4F100EJ15

4F100EJ15B

4F100GB43

4F100JK15

4F100JK15B

5E343AA11

5E343BB02

5E343BB24

5E343BB67

5E343DD56

5E343DD76

5E343GG20

(57)【要約】

本発明は、金属箔の技術分野に関し、導電層と担持層とを含む金属箔であって、導電層と担持層とは、積層して設けられ、導電層は、導電回路を製造するために用いられ、金属箔で回路基板を製造する場合、第１エッチング液により担持層と導電層とを分離させ、前記担持層の前記導電層に近い面の粗さＲｚは、２ミクロン以下である金属箔を開示する。該金属箔で回路基板を製造する場合、担持層を除去した後の導電回路の表面と基板の表面とが基本的に面一となり、且つ導電回路の表面粗さが小さく、寸法精度に対する要求が高い製品需要を満たす。また、それに応じて本発明実施例は、回路基板及び回路基板の製造方法を更に提供する。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

導電層と担持層とを含む金属箔であって、
前記導電層と前記担持層とは、積層して設けられ、前記導電層は、導電回路を製造するために用いられ、前記金属箔で回路基板を製造する場合、第１エッチング液により前記担持層と前記導電層とを分離させ、前記導電層は、前記第１エッチング液に対して耐食性を有し、前記担持層の前記導電層に近い面の粗さＲｚは、２ミクロン以下である、ことを特徴とする金属箔。

【請求項2】

前記担持層の前記導電層に近い面の粗さＲｚは、１ミクロン以下である、ことを特徴とする請求項１に記載の金属箔。

【請求項3】

前記担持層は、遷移層を含み、前記遷移層と前記導電層とは、積層して設けられ、前記金属箔を用いて回路基板を製造する場合、前記担持層と前記導電層が分離するように、前記第１エッチング液により前記遷移層をエッチングする、ことを特徴とする請求項１に記載の金属箔。

【請求項4】

前記遷移層は、前記導電層をエッチングできる第２エッチング液に対して耐食性を有する、ことを特徴とする請求項３に記載の金属箔。

【請求項5】

前記導電層は、銅層であり、前記遷移層は、ニッケル、クロム、マンガン、鉄、コバルト元素のうちの少なくとも１つを含む、ことを特徴とする請求項４に記載の金属箔。

【請求項6】

前記担持層の厚さは、８～１０５ミクロンである、ことを特徴とする請求項１に記載の金属箔。

【請求項7】

前記担持層は、キャリア層を更に含み、前記遷移層は、前記キャリア層と前記導電層との間に設けられる、ことを特徴とする請求項３に記載の金属箔。

【請求項8】

前記キャリア層の材質は、金属、及び非金属から選択される少なくとも１つである、ことを特徴とする請求項７に記載の金属箔。

【請求項9】

前記金属箔を用いて回路基板を製造する場合、前記キャリア層は、非剥離の方式で除去される、ことを特徴とする請求項７に記載の金属箔。

【請求項10】

前記金属箔を用いて回路基板を製造する場合、前記キャリア層は、剥離の方式で除去される、ことを特徴とする請求項７に記載の金属箔。

【請求項11】

前記遷移層の材質は、第３エッチング液に対して耐食性を有し、前記金属箔を用いて回路基板を製造する場合、前記第３エッチング液により前記キャリア層をエッチングする、ことを特徴とする請求項７に記載の金属箔。

【請求項12】

前記担持層は、前記キャリア層と前記遷移層との間に設けられる剥離層を更に含む、ことを特徴とする請求項７に記載の金属箔。

【請求項13】

前記導電層と前記遷移層の厚さの和は、０．２ミクロン以上である、ことを特徴とする請求項１０又は１２に記載の金属箔。

【請求項14】

基板及び請求項１～１３のいずれか１項に記載の金属箔で製造される、ことを特徴とする回路基板。

【請求項15】

請求項１～１３のいずれか１項に記載の金属箔を用いて回路基板を製造する回路基板の製造方法であって、
前記導電層に回路製造を行って、導電回路を得るステップと、
前記導電回路と基板とを結合するステップと、
前記担持層を除去するステップと、を含む、ことを特徴とする回路基板の製造方法。

【請求項16】

前記担持層を除去する前記ステップの後に、
前記導電回路の表面と前記基板の表面との段差が予め設定される段差範囲にあるように、前記導電回路に表面処理を行うステップを更に含む、ことを特徴とする請求項１５に記載の回路基板の製造方法。

【請求項17】

前記導電層に回路製造を行って、導電回路を得る前記ステップは、具体的には、
マスクパターンによりマスクされていない領域が非導電回路領域である前記導電層に膜貼り付け、露光及び現像操作を行って、前記マスクパターンを得るステップと、
第２エッチング液を用いて前記非導電回路領域をエッチングするステップと、
前記マスクパターンを除去して、導電回路を得るステップと、を含む、ことを特徴とする請求項１５に記載の回路基板の製造方法。

【請求項18】

前記導電層に回路製造を行って、導電回路を得る前記ステップは、具体的には、
マスクパターンによりマスクされていない領域が導電回路領域である前記導電層に膜貼り付け、露光及び現像操作を行って、前記マスクパターンを得るステップと、
前記導電回路領域を厚くするステップと、
前記マスクパターンを除去するステップと、
第２エッチング液を用いて高速エッチングを行って、前記導電層の厚くされていない領域を除去して、導電回路を得るステップと、を含む、ことを特徴とする請求項１５に記載の回路基板の製造方法。

【請求項19】

前記導電層に膜貼り付け、露光及び現像操作を行って、マスクパターンを得る前記ステップの前に、
前記導電層を薄くするステップを更に含む、ことを特徴とする請求項１８に記載の回路基板の製造方法。

【請求項20】

請求項１４に記載の回路基板及び／又は請求項１５～１９のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法で製造された前記回路基板を含む、ことを特徴とする多層回路基板。

【請求項21】

請求項１５～１９のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法を含む、ことを特徴とする多層回路基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、金属箔の技術分野に関し、特に金属箔、回路基板、及び回路基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

埋め込み回路基板とは、導電回路が回路基板内に埋め込まれる回路基板のことである。図１に示すように、回路の感度が要求される適用場面において、導電回路と他のデバイスが確実に接触し、それにより、信号を安定的に伝達することを確保するためには、導電回路の表面が平らであり且つ導電回路の表面が基板の表面と基本的に面一となり又は基板の表面からやや突出することを確保する必要がある。なお、寸法精度に対する要求が高い製品に対して、導電回路の表面と基板の表面との段差を一定の範囲内に収める必要がある。

【0003】

現在、導電回路の表面と基板の表面との段差を一定の範囲内に収めることを確保するためには、従来の製造回路基板の主なプロセスフローは、以下のとおりである。
（１）まず剥離可能な金属箔を製造する。該金属箔は、積層して設けられるキャリア層と導電層とを含む。
（２）マスクパターンによりマスクされる領域が非導電回路領域であり、マスクパターンによりマスクされていない領域が導電回路領域である導電層に膜貼り付け、露光及び現像操作を行って、マスクパターンを得る。
（３）電気めっきして、前記導電回路領域を厚くする。
（４）金属箔の導電回路が形成された面を基板に圧着し、且つキャリア層を剥離の方式で除去する（即ち外力でキャリア層を引き裂く）。
（５）エッチング液を用いて導電層をエッチングして、前記剥離可能な金属箔における導電層を除去して、導電回路を形成する。
（６）導電回路の表面が基板の表面と基本的に面一となり又は基板の表面よりも一定の高さだけ高くなるように、上記導電回路に表面処理を行う。

【0004】

実際の応用では、ステップ（５）でエッチング液を用いて導電層をエッチングして前記剥離可能な金属箔における導電層を除去する時、厚く形成された導電回路の材質と剥離可能な金属箔における導電層の材質とは、同じであるため、エッチング液は、導電層をエッチングすることができるだけではなく、厚く形成された導電回路をエッチングすることもでき、また、基板の下部の導電層がきれいにエッチングされないことによる微小短絡の現象を回避し、基板の下部の導電層がきれいにエッチングされることを満たすために、導電層をエッチングする過程でオーバーエッチングにすることが多く、図１と図２に示すように、エッチング終了後、導電回路が基板内に凹んでしまう。実際の生産において、導電回路の高さ方向での基板内における凹みは、０．５ミクロンよりも大きい。これにより、例えば、金めっき又はニッケルめっきなどにより導電回路を基板と面一にし又は基板から突出させるというステップ（６）のプロセスを実現することが困難になる。少なくとも従来のプロセスは、表面処理された導電回路が基板と面一になり又は基板から突出するように、そのような高い段差下で表面処理を行うことが困難である。また、基板内に凹んだ導電回路は、表面処理の原材料及び加工コストを著しく増加させる。更に、エッチング過程でエッチング部位の正確な制御が実現できないため、導電回路の各箇所及び基板の各箇所がオーバーエッチングされる度合いが一致せず、導電回路の各箇所と基板の各箇所の粗さに大きな差が生じてしまう。これにより、得られた回路基板は、寸法精度に対する要求が高い製品需要を満たすことができなくなる。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明実施例の目的は、金属箔で回路基板を製造する場合、担持層が除去された導電回路の表面と基板の表面とが基本的に面一となり、且つ導電回路の表面粗さが小さく、寸法精度に対する要求が高い製品需要を満たすことができる金属箔、回路基板及び回路基板の製造方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記課題を解決するための本発明実施例は、電層と担持層とを含む金属箔であって、前記導電層と前記担持層とは、積層して設けられ、前記導電層は、導電回路を製造するために用いられ、前記金属箔で回路基板を製造する場合、第１エッチング液により前記担持層と前記導電層とを分離させ、前記導電層は、前記第１エッチング液に対して耐食性を有し、前記担持層の前記導電層に近い面の粗さＲｚは、２ミクロン以下である金属箔を提供する。

【0007】

好適な態様としては、前記担持層の前記導電層に近い面の粗さＲｚは、１ミクロン以下である。

【0008】

好適な態様としては、前記担持層は、遷移層を含み、前記遷移層と前記導電層とは、積層して設けられ、前記金属箔を用いて回路基板を製造する場合、前記担持層と前記導電層が分離するように、前記第１エッチング液により前記遷移層をエッチングする。

【0009】

好適な態様としては、前記遷移層は、前記導電層をエッチングできる第２エッチング液に対して耐食性を有する。

【0010】

好適な態様としては、前記導電層は、銅層であり、前記遷移層は、ニッケル、クロム、マンガン、鉄、コバルト元素のうちの少なくとも１つを含む。

【0011】

好適な態様としては、前記担持層の厚さは、８～１０５ミクロンである。

【0012】

好適な態様としては、前記担持層は、キャリア層を更に含み、前記遷移層は、前記キャリア層と前記導電層との間に設けられる。

【0013】

好適な態様としては、前記キャリア層の材質は、金属、及び非金属から選択される少なくとも１つである。

【0014】

好適な態様としては、前記金属箔を用いて回路基板を製造する場合、前記キャリア層は、非剥離の方式で除去される。

【0015】

好適な態様としては、前記金属箔を用いて回路基板を製造する場合、前記キャリア層は、剥離の方式で除去される。

【0016】

好適な態様としては、前記遷移層の材質は、第３エッチング液に対して耐食性を有し、前記金属箔を用いて回路基板を製造する場合、前記第３エッチング液により前記キャリア層をエッチングする。

【0017】

好適な態様としては、前記担持層は、前記キャリア層と前記遷移層との間に設けられる剥離層を更に含む。

【0018】

好適な態様としては、前記導電層と前記遷移層の厚さの和は、０．２ミクロン以上である。

【0019】

それに応じて、本発明実施例は、基板及び前記金属箔で製造される回路基板を更に提供する。

【0020】

それに応じて、本発明実施例は、前記金属箔で回路基板を製造する回路基板の製造方法であって、
前記導電層に回路製造を行って、導電回路を得るステップと、
前記導電回路と基板とを結合するステップと、
前記担持層を除去するステップと、を含む回路基板の製造方法を更に提供する。

【0021】

好適な態様としては、前記担持層を除去する前記ステップの後に、
前記導電回路の表面と前記基板の表面との段差が予め設定される段差範囲にあるように、前記導電回路に表面処理を行うステップを更に含む。

【0022】

好適な態様としては、前記導電層に回路製造を行って、導電回路を得る前記ステップは、具体的には、
前記マスクパターンによりマスクされていない領域が非導電回路領域である前記導電層に膜貼り付け、露光及び現像操作を行って、マスクパターンを得るステップと、
第２エッチング液を用いて前記非導電回路領域をエッチングするステップと、
前記マスクパターンを除去して、導電回路を得るステップと、を含む。

【0023】

好適な態様としては、前記導電層に回路製造を行って、導電回路を得る前記ステップは、具体的には、
前記マスクパターンによりマスクされていない領域が導電回路領域である前記導電層に膜貼り付け、露光及び現像操作を行って、マスクパターンを得るステップと、
前記導電回路領域を厚くするステップと、
前記マスクパターンを除去するステップと、
第２エッチング液を用いて高速エッチングを行って、前記導電層の厚くされていない領域を除去して、導電回路を得るステップと、を含む。

【0024】

好適な態様としては、前記導電層に膜貼り付け、露光及び現像操作を行って、マスクパターンを得る前記ステップの前に、
前記導電層を薄くするステップを更に含む。

【0025】

好適な態様としては、前記回路基板を用いて多層回路基板を製造する。

【0026】

それに応じて、本発明実施例は、前記回路基板及び／又は前記回路基板の製造方法で製造された前記回路基板を含む多層回路基板を提供する。

【0027】

それに応じて、本発明実施例は、前記回路基板の製造方法を含む多層回路基板の製造方法を提供する。

【発明の効果】

【0028】

従来技術に比べて、本発明実施例の有益な効果は、以下のとおりである。即ち、本発明実施例は、導電層と担持層とを含む金属箔であって、前記導電層と前記担持層とは、積層して設けられ、前記導電層は、導電回路を製造するために用いられ、前記金属箔で回路基板を製造する場合、第１エッチング液により前記担持層と前記導電層とを分離させ、前記導電層は、前記第１エッチング液に対して耐食性を有し、前記担持層の前記導電層に近い面の粗さＲｚは、２ミクロン以下である金属箔を提供する。本発明実施例による金属箔における担持層の導電層に近い面の粗さが２ミクロン以下であり、これにより、導電層の担持層に近い面も小さい粗さを有し、本発明実施例による金属箔で導電回路を形成し、且つ金属箔で回路基板を製造する場合、第１エッチング液で前記担持層と前記導電層とを分離させ、導電層が第１エッチング液に対して耐食性を有するため、第１エッチング液で担持層と導電層とを分離させた後、最終的に形成された導電回路の表面が元の導電層の小さい面粗さを基本的に維持し、表面が平らな導電回路を得ることができ、また、担持層を除去した後に、導電回路の表面と基板の表面とが基本的に面一となることを確保し、それにより、導電回路の表面と基板の表面との段差を抑制しやすく、更に寸法精度に対する要求が高い製品需要を満たすことができる。また、それに応じて、本発明実施例は、回路基板及び回路基板の製造方法を更に提供する。

【図面の簡単な説明】

【0029】

【図1】従来の剥離可能な金属箔を用いて回路基板を製造する場合に導電回路の表面が基板の表面に凹んだ構造概略図である。

【図2】従来の剥離可能な金属箔を用いて製造される回路基板の構造概略図である。

【図3】本発明実施例１の金属箔の構造概略図である。

【図4】本発明実施例１の回路基板の構造概略図である。

【図5】本発明実施例１の導電回路が表面処理された回路基板の構造概略図である。

【図6】本発明実施例２のキャリア層と、遷移層と、導電層とを含む金属箔の構造概略図である。

【図7】本発明実施例２のキャリア層と、剥離層と、遷移層と、導電層とを含む金属箔の構造概略図である。

【図8】本発明実施例１による回路基板の製造方法のフローチャートである。

【図9】本発明実施例１による回路基板の製造方法のステップＳ１０１の第１実施形態のフローチャートである。

【図10】本発明実施例１による回路基板の製造方法のステップＳ１０１の第２実施形態のフローチャート、

【発明を実施するための形態】

【0030】

以下、本発明の実施例における図面を参照して、本発明の実施例における技術案を明瞭で完全に説明し、明らかに、説明される実施例は、本発明の一部の実施例にすぎず、すべての実施例ではない。本発明における実施例に基づき、当業者が創造的な労力を払わない前提で得られたすべての他の実施例は、いずれも本発明の保護範囲に属する。

【0031】

実施例１
図３を参照すると、本発明実施例の金属箔は、導電層１と担持層とを含み、前記導電層１と前記担持層とは、積層して設けられ、前記導電層１は、導電回路を製造するために用いられ、前記金属箔で回路基板を製造する場合、第１エッチング液により前記担持層と前記導電層１とを分離させ、前記導電層１は、前記第１エッチング液に対して耐食性を有し、前記担持層の前記導電層に近い面の粗さＲｚは、２ミクロン以下である。

【0032】

本発明実施例では、金属箔は、導電層１と担持層とを含み、前記導電層１と前記担持層とは、積層して設けられ、前記導電層１は、導電回路を製造するために用いられ、前記金属箔で回路基板を製造する場合、第１エッチング液により前記担持層と前記導電層１とを分離させ、前記導電層１は、前記第１エッチング液に対して耐食性を有し、前記担持層の前記導電層に近い面の粗さＲｚは、２ミクロン以下である。本発明実施例による金属箔における担持層の導電層に近い面の粗さが２ミクロン以下であり、これにより、導電層の担持層に近い面も小さい粗さを有し、本発明実施例による金属箔で導電回路を形成し、且つ金属箔で回路基板を製造する場合、第１エッチング液で前記担持層と前記導電層１とを分離させ、導電層が第１エッチング液に対して耐食性を有するため、第１エッチング液で担持層と導電層とを分離させた後、最終的に形成された導電回路の表面が基本的に元の導電層の小さい面粗さを維持し、表面が平らな導電回路を得ることができ、また、担持層を除去した後に、導電回路の表面と基板の表面とが基本的に面一となることを確保し、それにより、導電回路の表面と基板の表面との段差を抑制しやすく、更に寸法精度に対する要求が高い製品需要を満たすことができる。

【0033】

なお、前記導電層１が第１エッチング液に対して耐食性を有することとは、前記導電層１が前記第１エッチング液により腐食されないか腐食されにくいか、又はエッチング速度が遅いことを意味する。前記導電層１は、第１エッチング液に対して耐食性を有するため、前記金属箔で回路基板を製造する場合、第１エッチング液により前記担持層と前記導電層１とを分離させると、前記導電層１は、前記第１エッチング液により腐食されないか腐食されにくいか、又はエッチング速度が遅く、本発明実施例では、適切なエッチング液を選択することにより、第１エッチング液により前記担持層と前記導電層１とを分離させる場合、前記第１エッチング液により前記導電回路の表面が基板に凹んだ深さが０．５ミクロン以下であることを確保することができる。なお、第１エッチング液の具体的なタイプは、特に限定されず、当業者は、上記機能を実現できれば、実際の必要に応じて選択することができる。

【0034】

具体的な実施では、他の機能を実現するために、更に前記担持層と前記導電層１との間に他の構造を設けてもよく、例えば前記担持層と前記導電層１との間に前記酸化防止層などの構造を設けてもよい。なお、前記担持層と前記導電層１との間に他の構造を設ける態様も本発明の保護範囲内である。

【0035】

本発明実施例では、前記担持層の前記導電層に近い面の粗さＲｚは、２ミクロン以下であり、例えば、２ミクロン、１．５ミクロン、１ミクロン、０．５ミクロン、０．２ミクロン、０．１ミクロンなど以下であってもよく、好適には、１ミクロン以下である。担持層の導電層に近い面の粗さが上記範囲内にある場合には、導電層の担持層に近い面の粗さも基本的に上記範囲内にあり、即ち導電層の担持層に近い面は、平らであり、また、本発明実施例では、導電層は、担持層と導電層とをエッチングし分離させる第１エッチング液に対して耐食性を有することで、担持層から分離された後、導電層の担持層に近い面の、第１エッチング液からの影響が小さく、最終的に形成された導電回路の表面は、元の導電層の担持層に近い面の面粗さを基本的に維持し、即ち導電回路の表面は、平らである。

【0036】

図３を参照すると、前記担持層は、遷移層２を含み、前記遷移層２と前記導電層１とは、積層して設けられ、前記金属箔を用いて回路基板を製造する場合、前記担持層と前記導電層１が分離するように、前記第１エッチング液により前記遷移層２をエッチングする。本発明実施例では、第１エッチング液により前記遷移層２をエッチングして、前記遷移層２を除去することで、前記担持層と前記導電層１とを分離させ、また、前記導電層１は、前記第１エッチング液に対して耐食性を有し、即ち第１エッチング液は、前記導電層１をエッチングしないかエッチングしにくいか、又はエッチング速度が遅い。

【0037】

なお、前記担持層が遷移層２のみを含む場合には、前記遷移層２が前記導電層１に一定の支持力を提供する必要があるため、前記遷移層２の厚さを大きくする必要がある。担持層が担持作用を果たすことができる他の構造を更に含む場合には、前記遷移層２の厚さを小さくしてもよく、例えば、遷移層２の導電層１から離れる面にキャリア層３が設けられる場合には、キャリア層３により導電層１に支持力を提供することができるため、遷移層２の厚さを小さくしてもよく、無論、このとき、更に導電層１に支持力を提供するために、遷移層２の厚さを大きくしてもよい。よって、遷移層２の具体的な厚さは、実際の使用要求に応じて設定することができ、ここでこれ以上の説明を省略する。

【0038】

１つの選択的な実施形態では、前記遷移層２は、前記導電層１をエッチングできる第２エッチング液に対して耐食性を有する。なお、前記遷移層２が第２エッチング液に対して耐食性を有することとは、前記遷移層２が前記第２エッチング液により腐食されないか腐食されにくいか、又はエッチング速度が遅いことを意味する。前記遷移層２は、第２エッチング液に対して耐食性を有するため、前記金属箔を用いて回路基板を製造する場合、前記導電層１をエッチングする過程で、前記遷移層２は、前記第２エッチング液により腐食されないか腐食されにくいか、又はエッチング速度が遅い。なお、第２エッチング液の具体的なタイプは、特に限定されず、当業者は、上記機能を実現できれば、実際の必要に応じて選択することができる。

【0039】

１つの選択的な実施形態では、前記導電層１は、銅層であり、前記遷移層２は、ニッケル、クロム、マンガン、鉄、コバルト元素のうちの少なくとも１つを含み、例えば、ニッケルクロム合金、ニッケルリン合金及びニッケル金属のうちの少なくとも１つを含む。本発明実施例では、前記導電層１は、銅層であり、主に銅から構成され、前記遷移層２は、ニッケル、クロム、マンガン、鉄、コバルト元素のうちの少なくとも１つを含み、ニッケルクロム合金、ニッケルリン合金及びニッケル金属を例とすると、例えば主にニッケルクロム合金、ニッケルリン合金又はニッケル金属から構成されてもよく、主にニッケルクロム合金、ニッケルリン合金及びニッケル金属のうちのいずれか２つ以上の材料から構成されてもよく、主にニッケルクロム合金、ニッケルリン合金及びニッケル金属のうちの少なくとも１つの材料と他の材料とを混合されたものでもよい。前記遷移層２は、単層又は多層構造であり、前記遷移層２が多層構造である場合には、例えば１層のニッケル金属と１層のニッケルクロム合金とを積層して設けられたもの、又は１層のニッケル金属と１層のニッケルリン合金とを積層して設けられたもの、又は１層のニッケルリン合金と１層のニッケルクロム合金とを積層して設けられたものなどであってもよい。なお、実際の生産では、前記導電層１と前記遷移層２は、他の不純物が予期せず混入されている可能性があり、前記導電層１と前記遷移層２に不純物が予期せず混入されている場合も本発明の保護範囲内である。なお、本発明における前記導電層１は、銅層に限定されず、前記遷移層２の材料も、ニッケルクロム合金、ニッケルリン合金、ニッケル金属に限定されず、ニッケル、クロム、マンガン、鉄、コバルト元素のうちの少なくとも１つを含む他の材料を用いる導電層１と遷移層２も本発明の保護範囲内であり、導電層１と遷移層２の具体的な材料と層構造は、実際の使用要求に応じて設定することができ、導電層１が第１エッチング液に対して耐食性を有し、且つ遷移層２が第２エッチング液に対して耐食性を有することを確保すればよく、ここでこれ以上の説明を省略する。例示的には、導電層が銅層であり、遷移層がニッケルクロム合金、ニッケルリン合金、ニッケル金属のうちの少なくとも１つである場合には、第１エッチング液は、硫酸、過酸化水素及びチオ尿素を含んでもよく、又は硝酸、塩化ニッケル及びイミダゾール（又は窒素アゾール類）を含んでもよく、又はシアン化物を含んでもよく、第２エッチング液は、塩化アンモニウム、硫酸銅(II)五水和物及びアンモニア水を含んでもよい。

【0040】

１つの選択的な実施形態では、導電層１に十分な支持力を提供するために、本実施例における前記担持層の厚さは、８～１０５ミクロンであり、例えば８ミクロン、１０ミクロン、１５ミクロン、２０ミクロン、２５ミクロン、３０ミクロン、３５ミクロン、４０ミクロン、４５ミクロン、５０ミクロン、５５ミクロン、６０ミクロン、６５ミクロン、７０ミクロン、７５ミクロン、８０ミクロン、８５ミクロン、９０ミクロン、９５ミクロン、１００ミクロン、１０５ミクロンなどであってもよい。無論、前記担持層の具体的な厚さは、実際の使用要求に応じて設定することができ、ここでこれ以上の説明を省略する。

【0041】

それに応じて、本発明実施例は、基板及び上記いずれかの実施形態の金属箔で製造される回路基板を更に提供する。

【0042】

図８を参照すると、本発明実施例は、前記金属箔で回路基板を製造する回路基板の製造方法であって、
前記導電層に回路製造を行って、導電回路を得るステップＳ１０１と、
前記導電回路と基板とを結合するステップＳ１０２と、
前記担持層を除去するステップＳ１０３とを含む回路基板の製造方法を更に提供する。

【0043】

１つの選択的な実施形態では、前記ステップＳ１０３の後、
前記導電回路の表面と前記基板の表面との段差が予め設定される段差範囲にあるように、前記導電回路に表面処理を行うステップＳ１０４を更に含む。

【0044】

具体的な実施では、導電回路に表面処理を行うことにより、酸化防止の作用を果たすとともに、前記導電回路の表面と前記基板の表面との段差が予め設定される段差範囲にあり、導電回路と他のデバイスが確実に接触することを更に確保し、それにより、信号を安定的に伝達することができる。

【0045】

１つの選択的な実施形態では、「前記導電回路の表面と前記基板の表面との段差が予め設定される段差範囲にあるように、前記導電回路に表面処理を行う」前記ステップＳ１０４は、具体的には、
前記導電回路の表面と前記基板の表面との段差が予め設定される段差範囲にあるように、電気めっきすることを含む。例えば、図５を参照すると、導電回路１１の表面が前記基板５の表面から突出し且つ前記基板５の表面との段差ｈが予め設定される段差範囲にあるように、前記導電回路１１の表面に１層の金を電気めっきしたが、無論、実際の使用要求に応じて導電回路に他の導電性材料を電気めっきしてもよく、ここでこれ以上の説明を省略する。更に、表面処理の具体的な形態は、特に限定されず、当業者は、実際の必要に応じて選択することができ、例えば、電気めっき、化学めっき、蒸着めっき、スパッタリングのうちのいずれか１つ、又はそれらの複合プロセスを選択してもよい。

【0046】

具体的な実施では、導電回路の酸化を防止するために、導電回路に表面処理を行う時、金などの高価な材料を電気めっきすることを選択するのが一般的であるが、従来技術では、表面処理時に金属を厚く電気めっきする必要があるため、生産コストを著しく増加させる。本願は、従来技術に比べて、金属を厚く電気めっきする必要がないため、生産コストを大幅に削減する。また、担持層を除去した後に導電回路の表面が平らであるため、表面処理された導電回路も平らな表面を有し、これにより、形成された回路基板は、寸法精度が高い製品を満たすことができる。

【0047】

図９を参照すると、１つの選択的な実施形態では、「前記導電層に回路製造を行って、導電回路を得る」前記ステップＳ１０１は、具体的には、
前記マスクパターンによりマスクされていない領域が非導電回路領域である前記導電層に膜貼り付け、露光及び現像操作を行って、マスクパターンを得る、ステップＳ１１１と、
第２エッチング液を用いて前記非導電回路領域をエッチングするステップＳ１１２と、
前記マスクパターンを除去して、導電回路を得るステップＳ１１３とを含む。

【0048】

図１０を参照すると、別の選択的な実施形態では、「前記導電層に回路製造を行って、導電回路を得る」前記ステップＳ１０１は、具体的には、
前記マスクパターンによりマスクされていない領域が導電回路領域である前記導電層に膜貼り付け、露光及び現像操作を行って、マスクパターンを得るステップＳ１２１と、
前記導電回路領域を厚くし、例えば電気めっきにより前記導電回路領域を厚くするステップＳ１２２と、
前記マスクパターンを除去するステップＳ１２３と、
第２エッチング液を用いて高速エッチングを行って、前記導電層の厚くされていない領域を除去して、導電回路を得るステップＳ１２４とを含む。

【0049】

なお、更に実際の必要に応じて、「前記導電層に膜貼り付け、露光及び現像操作を行って、マスクパターンを得る」前記ステップＳ１２１の前に、前記導電層を薄くしてもよい。

【0050】

更に、当業者は、実際の必要に応じて、前記回路基板を用いて多層回路基板を製造することができる。多層回路基板の層数及び埋め込み回路基板及び／又は導電回路が基板の表面に突出する回路基板を用いて多層回路基板を製造することは、本願ではあまり限定されず、当業者は、実際の必要に応じて選択することができる。

【0051】

実施例２
図６を参照すると、本実施例の金属箔と実施例１との違いは、本実施例における前記担持層が、キャリア層３を更に含み、前記遷移層２が前記キャリア層３と前記導電層１との間に設けられることである。

【0052】

本発明実施例では、前記キャリア層３を設けることにより、より大きい支持力を提供することができるため、前記遷移層２を薄くすることができる。具体的な実施では、電気めっきプロセス、スパッタリングプロセス、蒸着めっき、化学めっき又はこれらの複合プロセスなどの方式により前記キャリア層３上に遷移層２を形成することができる。なお、説明すべきこととして、前記遷移層２が十分な支持力を提供できるように大きい厚さを有する場合には、必要に応じてキャリア層３を設けるか否かを選択することができる。前記キャリア層３の材質は、金属、及び非金属から選択される少なくとも１つであり、例えば金属、合金、有機物、無機物から選択される少なくとも１つであってもよく、ドーピング物を含む上記物質であってもよく、無論、前記キャリア層３の厚さと材料は、実際の使用要求に応じて設定することができ、ここでこれ以上の説明を省略する。

【0053】

１つの選択的な実施形態では、前記金属箔を用いて回路基板を製造する場合、前記キャリア層３は、剥離の方式で除去される。例示的には、前記キャリア層３を剥離した後、第１エッチング液により前記遷移層２を除去してもよい。なお、前記キャリア層３が剥離の方式で除去されることとは、キャリア層３が外力により引き裂かれる（例えば手動による引き裂き又はツールによる引き裂きなどにする）ことを意味する。

【0054】

別の選択的な実施形態では、前記金属箔を用いて回路基板を製造する場合、前記キャリア層３は、非剥離の方式で除去される。なお、前記キャリア層３が非剥離の方式で除去されることとは、外力による引き裂き以外の方式によりキャリア層３が除去され、例えば物理的研磨、エッチング液によるエッチング、プラズマによるエッチング、レーザーによるエッチングのうちの少なくとも１つなどの方式によりキャリア層３が除去されることを意味する。例示的には、エッチング液によりエッチングする方式で、キャリア層３を除去し、具体的には、前記遷移層２の材質は、第３エッチング液に対して耐食性を有し、前記金属箔を用いて回路基板を製造する場合、前記第３エッチング液により前記キャリア層３をエッチングする。なお、前記遷移層２が第３エッチング液に対して耐食性を有することとは、前記遷移層２が前記第３エッチング液により腐食されないか腐食されにくいか、又はエッチング速度が遅いことを意味する。前記遷移層２は、第３エッチング液に対して耐食性を有するため、前記金属箔を用いて回路基板を製造する場合、前記キャリア層３をエッチングする過程で、前記遷移層２は、前記第３エッチング液により腐食されないか腐食されにくいか、又はエッチング速度が遅い。更に、前記第３エッチング液は、前記導電層をエッチングできるエッチング液であってもよく、前記導電層をエッチングできないエッチング液であってもよく、当業者は、実際の必要に応じて選択することができ、同様に、前記第３エッチング液と前記第２エッチング液とは、同じであってもよく、異なってもよい。なお、第３エッチング液の具体的なタイプは、特に限定されず、当業者は、実際の必要に応じて選択することができ、例示的には、導電層が銅層であり、遷移層がニッケルクロム合金、ニッケルリン合金、ニッケル金属のうちの少なくとも１つであり、キャリア層が銅である場合には、第１エッチング液は、硫酸、過酸化水素及びチオ尿素を含んでもよく、又は硝酸、塩化ニッケル及びイミダゾール（又は窒素アゾール類）を含んでもよく、又はシアン化物を含んでもよく、第２エッチング液と第３エッチング液は、それぞれ独立して塩化アンモニウム、硫酸銅(II)五水和物及びアンモニア水を含んでもよい。

【0055】

更に、図７を参照すると、前記キャリア層３を剥離しやすくするために、前記担持層は、前記キャリア層３と前記遷移層２との間に設けられる剥離層４を更に含む。前記剥離層４を設けることによって、剥離の方式で前記キャリア層３を容易に除去することができる。なお、前記キャリア層３を剥離する時、前記剥離層４は、前記キャリア層３とともに剥離される可能性もあり、一部が前記遷移層２に残留されて別途に剥離する必要があり、一部がキャリア層３とともに剥離される可能性もある。具体的な実施において、回路基板の製造過程では、各層が予期せず脱落されることはない。

【0056】

更に、キャリア層が剥離可能な金属箔及び／又は剥離層を含む金属箔に対して、回路基板の製造過程でキャリア層及び／又は剥離層の剥離を実現しやすく、且つ後続の回路基板の製造に影響を与えないために、前記導電層１と前記遷移層２の厚さの和は、０．２ミクロン以上であってもよい。

【0057】

具体的な実施では、前記導電層１は、銅層であり、前記遷移層２は、ニッケル、クロム、マンガン、鉄、コバルト元素のうちの少なくとも１つを含む。本発明実施例では、前記導電層１は、銅層であり、主に銅から構成され、前記遷移層２は、ニッケル、クロム、マンガン、鉄、コバルト元素のうちの少なくとも１つを含み、ニッケルクロム合金、ニッケルリン合金又はニッケル金属を例として説明すると、例えば主にニッケルクロム合金、ニッケルリン合金又はニッケル金属から構成されてもよく、主にニッケルクロム合金、ニッケルリン合金及びニッケル金属のうちのいずれか２つ以上の材料から構成されてもよく、主にニッケルクロム合金、ニッケルリン合金及びニッケル金属のうちの少なくとも１つの材料と他の材料とを混合されたものでもよい。前記遷移層２は、単層又は多層構造であり、前記遷移層２が多層構造である場合には、例えば１層のニッケル金属と１層のニッケルクロム合金とを積層して設けられたもの、又は１層のニッケル金属と１層のニッケルリン合金とを積層して設けられたもの、又は１層のニッケルリン合金と１層のニッケルクロム合金とを積層して設けられたものなどであってもよい。なお、更に実際の必要に応じて遷移層２に他の材料をドーピングしてもよく、例えば前記遷移層２にケイ素をドーピングしてもよく、前記遷移層２にケイ素をドーピングすることによって、エッチング液を用いて前記キャリア層３をエッチングする時、前記遷移層２のバリア作用を増加させ、遷移層２から導電層１へのエッチング液の浸透を更に回避することができる。なお、実際の生産では、前記導電層１と前記遷移層２は、他の不純物が予期せず混入されている可能性があり、前記導電層１と前記遷移層２に不純物が予期せず混入されている場合も本発明の保護範囲内である。なお、本発明における前記導電層１は、銅層に限定されず、前記遷移層２の材料は、ニッケルクロム合金、ニッケルリン合金、ニッケル金属に限定されず、ニッケル、クロム、マンガン、鉄、コバルト元素のうちの少なくとも１つを含む他の材料を用いる導電層１と遷移層２も本発明の保護範囲内であり、導電層１と遷移層２の具体的な材料と層構造は、実際の使用要求に応じて設定することができ、導電層１が第１エッチング液に対して耐食性を有し、遷移層２が第２エッチング液に対して耐食性を有することを確保すればよく、ここでこれ以上の説明を省略する。

【0058】

それに応じて、本発明実施例は、基板及び上記いずれかの実施形態の金属箔で製造される回路基板を更に提供する。なお、実施例２の金属箔は、実施例１によるいずれかの回路基板の製造方法を用いて回路基板を製造してもよい。

【0059】

更に、当業者は、実際の必要に応じて前記回路基板を用いて多層回路基板を製造してもよい。多層回路基板の層数及び埋め込み回路基板及び／又は導電回路が基板の表面に突出する回路基板を用いて多層回路基板を製造することは、本願ではあまり限定されず、当業者は、実際の必要に応じて選択することができる。

【0060】

従来技術に比べて、本発明実施例の有益な効果は、以下のとおりである。即ち、本発明実施例は、導電層１と担持層とを含む金属箔であって、前記導電層１と前記担持層とは、積層して設けられ、前記導電層１は、導電回路を製造するために用いられ、前記金属箔で回路基板を製造する場合、第１エッチング液により前記担持層と前記導電層１とを分離させ、前記導電層１は、前記第１エッチング液に対して耐食性を有し、前記担持層の前記導電層に近い面の粗さＲｚは、２ミクロン以下である金属箔を提供する。本発明実施例による金属箔における担持層の導電層に近い面の粗さが２ミクロン以下であり、これにより、導電層の担持層に近い面も小さい粗さを有し、本発明実施例による金属箔で導電回路を形成し、且つ金属箔で回路基板を製造する場合、第１エッチング液で前記担持層と前記導電層１とを分離させ、導電層が第１エッチング液に対して耐食性を有するため、第１エッチング液で担持層と導電層とを分離させた後、最終的に形成された導電回路の表面が元の導電層の小さい面粗さを基本的に維持し、表面が平らな導電回路を得ることができ、また、担持層を除去した後に、導電回路の表面と基板の表面とが基本的に面一となることを確保し、それにより、導電回路の表面と基板の表面との段差を抑制しやすく、更に寸法精度に対する要求が高い製品需要を満たすことができる。また、それに応じて、本発明実施例は、回路基板及び回路基板の製造方法を更に提供する。

【0061】

以上は本発明の好適な実施形態にすぎず、当業者にとっては、本発明の技術原理を逸脱することなく、いくつかの改良及び置換を行うことができ、これらの改良及び置換も本発明の保護範囲と見なすべきであることを指摘すべきである。

【符号の説明】

【0062】

１０、導電回路；２０、基板；１、導電層；２、遷移層；３、キャリア層；４、剥離層；１１、導電回路；５、基板。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【手続補正書】

【提出日】2024-03-06

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

導電層と担持層とを含む金属箔であって、
前記導電層と前記担持層とは、積層して設けられ、前記導電層は、導電回路を製造するために用いられ、前記金属箔で回路基板を製造する場合、第１エッチング液により前記担持層と前記導電層とを分離させ、前記導電層は、前記第１エッチング液に対して耐食性を有し、前記担持層の前記導電層に近い面の粗さＲｚは、２ミクロン以下である、ことを特徴とする金属箔。

【請求項2】

前記担持層の前記導電層に近い面の粗さＲｚは、１ミクロン以下である、ことを特徴とする請求項１に記載の金属箔。

【請求項3】

前記担持層は、遷移層を含み、前記遷移層と前記導電層とは、積層して設けられ、前記金属箔を用いて回路基板を製造する場合、前記担持層と前記導電層が分離するように、前記第１エッチング液により前記遷移層をエッチングする、ことを特徴とする請求項１に記載の金属箔。

【請求項4】

前記遷移層は、前記導電層をエッチングできる第２エッチング液に対して耐食性を有する、ことを特徴とする請求項３に記載の金属箔。

【請求項5】

前記導電層は、銅層であり、前記遷移層は、ニッケル、クロム、マンガン、鉄、コバルト元素のうちの少なくとも１つを含む、ことを特徴とする請求項４に記載の金属箔。

【請求項6】

前記担持層の厚さは、８～１０５ミクロンである、ことを特徴とする請求項１に記載の金属箔。

【請求項7】

前記担持層は、キャリア層を更に含み、前記遷移層は、前記キャリア層と前記導電層との間に設けられる、ことを特徴とする請求項３に記載の金属箔。

【請求項8】

前記キャリア層の材質は、金属、及び非金属から選択される少なくとも１つである、ことを特徴とする請求項７に記載の金属箔。

【請求項9】

前記金属箔を用いて回路基板を製造する場合、前記キャリア層は、非剥離の方式で除去される、ことを特徴とする請求項７に記載の金属箔。

【請求項10】

前記金属箔を用いて回路基板を製造する場合、前記キャリア層は、剥離の方式で除去される、ことを特徴とする請求項７に記載の金属箔。

【請求項11】

前記遷移層の材質は、第３エッチング液に対して耐食性を有し、前記金属箔を用いて回路基板を製造する場合、前記第３エッチング液により前記キャリア層をエッチングする、ことを特徴とする請求項７に記載の金属箔。

【請求項12】

前記担持層は、前記キャリア層と前記遷移層との間に設けられる剥離層を更に含む、ことを特徴とする請求項７に記載の金属箔。

【請求項13】

前記導電層と前記遷移層の厚さの和は、０．２ミクロン以上である、ことを特徴とする請求項１０に記載の金属箔。

【請求項14】

基板及び請求項１～１３のいずれか１項に記載の金属箔で製造される、ことを特徴とする回路基板。

【請求項15】

請求項１～１３のいずれか１項に記載の金属箔を用いて回路基板を製造する回路基板の製造方法であって、
前記導電層に回路製造を行って、導電回路を得るステップと、
前記導電回路と基板とを結合するステップと、
前記担持層を除去するステップと、を含む、ことを特徴とする回路基板の製造方法。

【請求項16】

前記担持層を除去する前記ステップの後に、
前記導電回路の表面と前記基板の表面との段差が予め設定される段差範囲にあるように、前記導電回路に表面処理を行うステップを更に含む、ことを特徴とする請求項１５に記載の回路基板の製造方法。

【請求項17】

前記導電層に回路製造を行って、導電回路を得る前記ステップは、具体的には、
マスクパターンによりマスクされていない領域が非導電回路領域である前記導電層に膜貼り付け、露光及び現像操作を行って、前記マスクパターンを得るステップと、
第２エッチング液を用いて前記非導電回路領域をエッチングするステップと、
前記マスクパターンを除去して、導電回路を得るステップと、を含む、ことを特徴とする請求項１５に記載の回路基板の製造方法。

【請求項18】

前記導電層に回路製造を行って、導電回路を得る前記ステップは、具体的には、
マスクパターンによりマスクされていない領域が導電回路領域である前記導電層に膜貼り付け、露光及び現像操作を行って、前記マスクパターンを得るステップと、
前記導電回路領域を厚くするステップと、
前記マスクパターンを除去するステップと、
第２エッチング液を用いて高速エッチングを行って、前記導電層の厚くされていない領域を除去して、導電回路を得るステップと、を含む、ことを特徴とする請求項１５に記載の回路基板の製造方法。

【請求項19】

前記導電層に膜貼り付け、露光及び現像操作を行って、マスクパターンを得る前記ステップの前に、
前記導電層を薄くするステップを更に含む、ことを特徴とする請求項１８に記載の回路基板の製造方法。

【請求項20】

請求項１４に記載の回路基板、及び／又は
金属箔を用いて回路基板を製造する回路基板の製造方法であって、
前記導電層に回路製造を行って、導電回路を得るステップと、
前記導電回路と基板とを結合するステップと、
前記担持層を除去するステップと、を含む回路基板の製造方法で製造された前記回路基板を含む、ことを特徴とする多層回路基板。

【請求項21】

請求項１５に記載の回路基板の製造方法を含む、ことを特徴とする多層回路基板の製造方法。

【手続補正書】

【提出日】2024-05-17

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

導電層と担持層とを含む金属箔であって、
前記導電層と前記担持層とは、積層して設けられ、前記導電層は、導電回路を製造するために用いられ、前記金属箔で回路基板を製造する場合、第１エッチング液により前記担持層と前記導電層とを分離させ、前記導電層は、前記第１エッチング液に対して耐食性を有し、前記担持層の前記導電層に近い面の粗さＲｚは、２ミクロン以下である、ことを特徴とする金属箔。

【請求項2】

前記担持層の前記導電層に近い面の粗さＲｚは、１ミクロン以下である、ことを特徴とする請求項１に記載の金属箔。

【請求項3】

前記担持層は、遷移層を含み、前記遷移層と前記導電層とは、積層して設けられ、前記金属箔を用いて回路基板を製造する場合、前記担持層と前記導電層が分離するように、前記第１エッチング液により前記遷移層をエッチングする、ことを特徴とする請求項１に記載の金属箔。

【請求項4】

前記遷移層は、前記導電層をエッチングできる第２エッチング液に対して耐食性を有する、ことを特徴とする請求項３に記載の金属箔。

【請求項5】

前記導電層は、銅層であり、前記遷移層は、ニッケル、クロム、マンガン、鉄、コバルト元素のうちの少なくとも１つを含む、ことを特徴とする請求項４に記載の金属箔。

【請求項6】

前記担持層の厚さは、８～１０５ミクロンである、ことを特徴とする請求項１に記載の金属箔。

【請求項7】

前記担持層は、キャリア層を更に含み、前記遷移層は、前記キャリア層と前記導電層との間に設けられる、ことを特徴とする請求項３に記載の金属箔。

【請求項8】

前記キャリア層の材質は、金属、及び非金属から選択される少なくとも１つである、ことを特徴とする請求項７に記載の金属箔。

【請求項9】

前記金属箔を用いて回路基板を製造する場合、前記キャリア層は、非剥離の方式で除去される、ことを特徴とする請求項７に記載の金属箔。

【請求項10】

前記金属箔を用いて回路基板を製造する場合、前記キャリア層は、剥離の方式で除去される、ことを特徴とする請求項７に記載の金属箔。

【請求項11】

前記遷移層の材質は、第３エッチング液に対して耐食性を有し、前記金属箔を用いて回路基板を製造する場合、前記第３エッチング液により前記キャリア層をエッチングする、ことを特徴とする請求項７に記載の金属箔。

【請求項12】

前記担持層は、前記キャリア層と前記遷移層との間に設けられる剥離層を更に含む、ことを特徴とする請求項７に記載の金属箔。

【請求項13】

前記導電層と前記遷移層の厚さの和は、０．２ミクロン以上である、ことを特徴とする請求項１０に記載の金属箔。

【請求項14】

基板及び請求項１～１３のいずれか１項に記載の金属箔で製造される、ことを特徴とする回路基板。

【請求項15】

請求項１～１３のいずれか１項に記載の金属箔を用いて回路基板を製造する回路基板の製造方法であって、
前記導電層に回路製造を行って、導電回路を得るステップと、
前記導電回路と基板とを結合するステップと、
前記担持層を除去するステップと、を含む、ことを特徴とする回路基板の製造方法。

【請求項16】

前記担持層を除去する前記ステップの後に、
前記導電回路の表面と前記基板の表面との段差が予め設定される段差範囲にあるように、前記導電回路に表面処理を行うステップを更に含む、ことを特徴とする請求項１５に記載の回路基板の製造方法。

【請求項17】

前記導電層に回路製造を行って、導電回路を得る前記ステップは、具体的には、
マスクパターンによりマスクされていない領域が非導電回路領域である前記導電層に膜貼り付け、露光及び現像操作を行って、前記マスクパターンを得るステップと、
第２エッチング液を用いて前記非導電回路領域をエッチングするステップと、
前記マスクパターンを除去して、導電回路を得るステップと、を含む、ことを特徴とする請求項１５に記載の回路基板の製造方法。

【請求項18】

前記導電層に回路製造を行って、導電回路を得る前記ステップは、具体的には、
マスクパターンによりマスクされていない領域が導電回路領域である前記導電層に膜貼り付け、露光及び現像操作を行って、前記マスクパターンを得るステップと、
前記導電回路領域を厚くするステップと、
前記マスクパターンを除去するステップと、
第２エッチング液を用いて高速エッチングを行って、前記導電層の厚くされていない領域を除去して、導電回路を得るステップと、を含む、ことを特徴とする請求項１５に記載の回路基板の製造方法。

【請求項19】

前記導電層に膜貼り付け、露光及び現像操作を行って、マスクパターンを得る前記ステップの前に、
前記導電層を薄くするステップを更に含む、ことを特徴とする請求項１８に記載の回路基板の製造方法。

【請求項20】

請求項１４に記載の回路基板、及び／又は
金属箔を用いて回路基板を製造する回路基板の製造方法であって、
前記導電層に回路製造を行って、導電回路を得るステップと、
前記導電回路と基板とを結合するステップと、
前記担持層を除去するステップと、を含む回路基板の製造方法で製造された前記回路基板を含む、ことを特徴とする多層回路基板。

【請求項21】

請求項１５に記載の回路基板の製造方法を含む、ことを特徴とする多層回路基板の製造方法。

【国際調査報告】