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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-08-06
(54)【発明の名称】基板処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/3065 20060101AFI20240730BHJP
H05H 1/46 20060101ALI20240730BHJP
【ＦＩ】
H01L21/302 101G
H05H1/46 L
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024505025
(86)(22)【出願日】2022-07-19
(85)【翻訳文提出日】2024-01-26
(86)【国際出願番号】 KR2022010489
(87)【国際公開番号】W WO2023008805
(87)【国際公開日】2023-02-02
(31)【優先権主張番号】10-2021-0099318
(32)【優先日】2021-07-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】519362963
【氏名又は名称】ピーエスケー インコーポレイテッド
(74)【代理人】
【識別番号】110000671
【氏名又は名称】ＩＢＣ一番町弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】ヤン，ポール
(72)【発明者】
【氏名】カン，ジュン ヒュン
(72)【発明者】
【氏名】ヤン，ソ ヨン
(72)【発明者】
【氏名】イ，チ ヨン
【テーマコード（参考）】
2G084
5F004
【Ｆターム（参考）】
2G084AA02
2G084AA03
2G084BB14
2G084CC13
2G084CC33
2G084DD03
2G084DD32
2G084DD37
2G084DD38
2G084DD55
2G084FF12
5F004AA01
5F004AA16
5F004BA20
5F004BB13
5F004BB23
5F004BB28
5F004BB29
5F004BC06
5F004BD01
5F004CA03
5F004DA01
5F004DA23
5F004DA24
5F004DA25
5F004DA26
5F004DB02
5F004DB03
5F004DB07
(57)【要約】
【要約】本発明は、基板を処理する装置を提供する。基板を処理する装置は基板を処理する処理空間を有するハウジング、前記処理空間が密閉されるように前記処理空間の上部を覆うウィンドウユニット、前記処理空間で基板を支持する支持ユニット、前記処理空間にガスを供給するノズルを含むガス供給ユニット及び前記処理空間の外部に配置され、前記ガスからプラズマを発生させるプラズマユニットを含むが、前記ノズルは内部空間及び前記内部空間内の前記ガスを前記処理空間に供給する吐出口が形成された胴体及び前記胴体の上端に挿入される挿入部材を含むことができる。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を処理する装置において、基板を処理する処理空間を有するハウジングと、
前記処理空間が密閉されるように前記処理空間の上部を覆うウィンドウユニットと、
前記処理空間で基板を支持する支持ユニットと、
前記処理空間にガスを供給するノズルを含むガス供給ユニットと、
前記処理空間の外部に配置され、前記ガスからプラズマを発生させるプラズマユニットを含み、
前記ノズルは、
内部空間及び前記内部空間内の前記ガスを前記処理空間に供給する吐出口が形成された胴体と、
前記胴体の上端に挿入される挿入部材を含む基板処理装置。
【請求項2】
前記挿入部材は、上下で貫通する貫通孔が形成された底板と前記底板から上の方向に延長される測板を有して、
前記挿入部材は内部に前記底板及び前記測板によって取り囲まれる上部混合空間を有する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記内部空間のうちで前記挿入部材の下の領域は下部混合空間で提供され、正面から眺める時、前記上部混合空間の幅と前記下部混合空間の幅は等しく提供される請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記胴体には前記吐出口らが形成された吐出領域が提供され、前記吐出領域は、
前記胴体の下端に位置され、半球形状を有する請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記ガス供給ユニットは、一端が前記挿入部材に連結され、前記ガスを前記内部空間に供給するガス供給ラインをさらに含み、
前記ガス供給ラインは、
前記内部空間に第１ガスを供給する第１ガス供給ラインと、
前記内部空間に前記第１ガスと相異な第２ガスを供給する第２ガス供給ラインを含む請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記プラズマユニットは、内部コイル部と、
上部から眺める時、前記内部コイル部を取り囲むように提供される外部コイル部と、
前記内部コイル部及び前記外部コイル部に電力を印加する上部電源と、
前記内部コイル部及び前記外部コイル部の上部に配置され、前記内部コイル部及び前記外部コイル部を接地させるグラウンドプレートを含む請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記内部空間のうちで前記挿入部材の下の領域は下部混合空間で提供され、前記胴体の内側壁は前記下部混合空間を提供する下部内壁と前記挿入部材が挿入される空間を提供する上部内壁を具備し、
前記上部内壁は前記下部内壁に対して段差になるように提供され、前記上部内壁によって取り囲まれる空間の幅は前記下部内壁によって取り囲まれる空間の幅より広く提供される請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記挿入部材が前記上部内壁に挿入された状態で、前記挿入部材の内側面と前記下部内壁の内側面が等しい面を成すように提供される請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記挿入部材は、前記胴体の上端に脱着可能になるように提供される請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記ノズルは、前記ウィンドウユニットに形成された開口を貫通するように前記ウィンドウユニットに設置され、
前記挿入部材は、
前記測板の上端から前記内部空間から遠くなる方向に延長される係止板をさらに含み、
前記係止板の下面は前記ウィンドウユニットの上部面上に位置される請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項11】
前記挿入部材の高さは１５mm以上であることを特徴とする請求項１乃至請求項１０のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。
【請求項12】
前記挿入部材の下端から前記胴体の下端までの距離は５mm以上であることを特徴とする請求項１乃至請求項１０のうちで何れか一つ記載の基板処理装置。
【請求項13】
基板を処理する装置において、基板を処理する処理空間を有するハウジングと、
前記処理空間で基板を支持する支持ユニットと、
前記処理空間に第１ガス及び前記第１ガスと相異な第２ガスを含むガスを供給するガス供給ユニットと、
前記処理空間に供給される前記ガスからプラズマを発生させるプラズマソースを含み、
前記ガス供給ユニットは、
前記処理空間に前記ガスを供給するノズルと、
前記ノズルで前記第１ガスを供給する第１ガス供給ラインと、
前記ノズルで前記第２ガスを供給する第２ガス供給ラインを含み、
前記ノズルは、
内部空間及び前記内部空間内の前記ガスを前記処理空間に供給する吐出口が形成された胴体と、
前記胴体上端に挿入される挿入部材を含み、
前記胴体前記吐出口らが形成された吐出領域が提供され、
前記吐出領域は前記胴体の下端に位置され、半球形状を有して、
前記挿入部材は、
上下で貫通する貫通孔が形成された底板と前記底板から上の方向に延長される測板を有して、
前記挿入部材は内部に前記底板及び前記測板によって取り囲まれる上部混合空間を有する基板処理装置。
【請求項14】
前記内部空間のうちで前記挿入部材の下の領域は下部混合空間で提供され、前記胴体内側壁は前記下部混合空間を提供する下部内壁と前記挿入部材が挿入される空間を提供する上部内壁を具備し、
前記上部内壁は前記下部内壁に対して段差になるように提供され、前記上部内壁によって取り囲まれる空間の幅は前記下部内壁によって取り囲まれる空間の幅より広く提供される請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項15】
前記挿入部材が前記上部内壁に挿入された状態で、前記挿入部材の内側面と前記下部内壁の内側面が等しい面を成すように提供される請求項１４に記載の基板処理装置。
【請求項16】
基板を処理する処理空間に複数のガスを供給するノズルユニットにおいて、内部空間及び前記内部空間内前記複数のガスを前記処理空間に供給する吐出口が形成された胴体と、
前記胴体の上端に挿入される挿入部材を含み、
前記胴体には前記吐出口らが形成された吐出領域が提供され、
前記吐出領域は前記胴体の下端に位置され、半球形状を有して、
前記挿入部材は、
上下で貫通する貫通孔が形成された底板と前記底板から上の方向に延長される測板を有して、
前記挿入部材は内部に前記底板及び前記測板によって取り囲まれる上部混合空間を有するノズルユニット。
【請求項17】
前記内部空間のうちで前記挿入部材の下の領域は下部混合空間で提供され、前記胴体内側壁は前記下部混合空間を提供する下部内壁と前記挿入部材が挿入される空間を提供する上部内壁を具備し、
前記上部内壁は前記下部内壁に対して段差になるように提供され、前記上部内壁によって取り囲まれる空間の幅は前記下部内壁によって取り囲まれる空間の幅より広く提供される請求項１６に記載のノズルユニット。
【請求項18】
前記挿入部材が前記上部内壁に挿入された状態で、前記挿入部材の内側面と前記下部内壁の内側面が等しい面を成すように提供される請求項１７に記載のノズルユニット。
【請求項19】
前記挿入部材は、前記胴体の上端に脱着可能になるように提供される請求項１６に記載のノズルユニット。
【請求項20】
前記挿入部材の高さは１５mm以上、そして、前記挿入部材の下端から前記胴体の下端までの距離は５mm以上であることを特徴とする請求項１６乃至請求項１９のうちで何れか一つに記載のノズルユニット。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板処理装置に関するものであり、より詳細には、プラズマを利用して基板を処理する基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【0002】
プラズマはイオンやラジカル、そして、電子などでなされたイオン化されたガス状態を言う。プラズマは非常に高い温度や、強い電界あるいは高周波電子系(ＲＦ Electromagnetic Fields)によって生成される。半導体素子製造工程はプラズマを使って基板上の薄膜を除去するアッシングまたは蝕刻工程を含む。アッシングまたは蝕刻工程はプラズマに含有されたイオン及びラジカル粒子らが基板上の膜と衝突または反応することで遂行される。
【0003】
プラズマを生成するためには工程ガスが必須に処理空間内に注入されなければならない。工程ガスは工程の必要によってお互いに異なる種類の複数のガスで提供される。異種の工程ガスらが処理空間内に均一に混合されて供給されると基板上に形成された膜と衝突性または反応性が向上される。但し、異種の工程ガスらは処理空間内に供給される過程でお互いに均一に混合することができずに処理空間に供給される。また、異種の工程ガスらが処理空間内で均一な領域に分布されることができずに、基板の中心領域に集中的に供給される。これに、基板の中央領域は縁領域と比べて相対的に過アッシングまたは過蝕刻になる問題が発生する。これはアッシングまたは蝕刻工程において基板のアッシング率または蝕刻率に影響を及ぼす要因で作用する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】韓国特許公開第２０１８－００８２７４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
［技術的課題］
本発明は、お互いに異なる種類の工程ガスらが均一に混合されることができる基板処理装置を提供することを一目的とする。
本発明は、お互いに異なる種類の工程ガスらが均一に混合されることができる基板処理装置を提供することを一目的とする。
【0006】
また、本発明は混合された工程ガスらが基板を処理する空間内で均一に流動することができる基板処理装置を提供することを一目的とする。
【0007】
本発明が解決しようとする課題が上述した課題らに限定されるものではなくて、言及されない課題らは本明細書及び添付された図面から本発明の属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されることができるであろう。
【課題を解決するための手段】
【0008】
［技術的解決手段］
本発明は、基板を処理する装置を提供する。基板を処理する装置は基板を処理する処理空間を有するハウジング、前記処理空間が密閉されるように前記処理空間の上部を覆うウィンドウユニット、前記処理空間で基板を支持する支持ユニット、前記処理空間にガスを供給するノズルを含むガス供給ユニット及び前記処理空間の外部に配置され、前記ガスからプラズマを発生させるプラズマユニットを含むが、前記ノズルは内部空間及び前記内部空間内の前記ガスを前記処理空間に供給する吐出口が形成された胴体及び前記胴体の上端に挿入される挿入部材を含むことができる。
本発明は、基板を処理する装置を提供する。基板を処理する装置は基板を処理する処理空間を有するハウジング、前記処理空間が密閉されるように前記処理空間の上部を覆うウィンドウユニット、前記処理空間で基板を支持する支持ユニット、前記処理空間にガスを供給するノズルを含むガス供給ユニット及び前記処理空間の外部に配置され、前記ガスからプラズマを発生させるプラズマユニットを含むが、前記ノズルは内部空間及び前記内部空間内の前記ガスを前記処理空間に供給する吐出口が形成された胴体及び前記胴体の上端に挿入される挿入部材を含むことができる。
【0009】
一実施例によれば、前記挿入部材は上下で貫通する貫通孔が形成された底板と前記底板から上の方向に延長される測板を有して、前記挿入部材は内部に前記底板及び前記測板によって取り囲まれる上部混合空間を有することができる。
【0010】
一実施例によれば、前記内部空間中で前記挿入部材の下の領域は下部混合空間で提供され、正面から眺める時、前記上部混合空間の幅と前記下部混合空間の幅は等しく提供されることができる。
【0011】
一実施例によれば、前記胴体には前記吐出口らが形成された吐出領域が提供され、前記吐出領域は前記胴体の下端に位置され、半球形状を有することができる。
【0012】
一実施例によれば、前記ガス供給ユニットは一端が前記挿入部材に連結され、前記ガスを前記内部空間に供給するガス供給ラインをさらに含むが、前記ガス供給ラインは前記内部空間に第１ガスを供給する第１ガス供給ライン及び前記内部空間に前記第１ガスと相異な第２ガスを供給する第２ガス供給ラインを含むことができる。
【0013】
一実施例によれば、前記プラズマユニットは内部コイル部、上部から眺める時、前記内部コイル部を取り囲むように提供される外部コイル部、前記内部コイル部及び前記外部コイル部に電力を印加する上部電源及び前記内部コイル部及び前記外部コイル部の上部に配置され、前記内部コイル部及び前記外部コイル部を接地させるグラウンドプレートを含むことができる。
【0014】
一実施例によれば、前記内部空間中で前記挿入部材の下の領域は下部混合空間で提供され、前記胴体の内側壁は前記下部混合空間を提供する下部内壁と前記挿入部材が挿入される空間を提供する上部内壁を具備するが、前記上部内壁は前記下部内壁に対して段差になるように提供され、前記上部内壁によって取り囲まれる空間の幅は前記下部内壁によって取り囲まれる空間の幅より広く提供されることができる。
【0015】
一実施例によれば、前記挿入部材が前記上部内壁に挿入された状態で、前記測板の内側面と前記下部内壁の内側面が等しい面を成すように提供されることができる。
【0016】
一実施例によれば、前記挿入部材は前記測板の上端から前記内部空間から遠くなる方向に延長される係止板をさらに含み、前記係止板の下面は前記上部内壁の上端面上に位置されて前記胴体に脱着可能に提供されることができる。
【0017】
一実施例によれば、前記ノズルは前記ウィンドウユニットに形成された開口を貫通するように前記ウィンドウユニットに設置されることができる。
【0018】
一実施例によれば、前記挿入部材の高さは１５mm以上であることがある。
【0019】
一実施例によれば、前記挿入部材の下端から前記胴体の下端までの距離は５mm以上であることがある。
【0020】
また、本発明は基板を処理する装置を提供する。基板を処理する装置は基板を処理する処理空間を有するハウジング、前記処理空間で基板を支持する支持ユニット、前記処理空間に第１ガス及び前記第１ガスと相異な第２ガスを含むガスを供給するガス供給ユニット及び前記処理空間に供給される前記ガスからプラズマを発生させるプラズマソースを含むが、前記ガス供給ユニットは前記処理空間に前記ガスを供給するノズル、前記ノズルで前記第１ガスを供給する第１ガス供給ライン及び前記ノズルで前記第２ガスを供給する第２ガス供給ラインを含み、前記ノズルは内部空間及び前記内部空間内の前記ガスを前記処理空間に供給する吐出口が形成された胴体及び前記胴体の上端に挿入される挿入部材を含むが、前記胴体前記吐出口らが形成された吐出領域が提供され、前記吐出領域は前記胴体の下端に位置され、半球形状を有して、前記挿入部材は上下で貫通する貫通孔が形成された底板と前記底板から上の方向に延長される測板を有して、前記挿入部材は内部に前記底板及び前記測板によって取り囲まれる上部混合空間を有することができる。
【0021】
一実施例によれば、前記内部空間中で前記挿入部材の下の領域は下部混合空間に提供され、前記胴体の内側壁は前記下部混合空間を提供する下部内壁と前記挿入部材が挿入される空間を提供する上部内壁を具備するが、前記上部内壁は前記下部内壁に対して段差になるように提供され、前記上部内壁によって取り囲まれる空間の幅は前記下部内壁によって取り囲まれる空間の幅より広く提供されることができる。
【0022】
一実施例によれば、前記挿入部材が前記上部内壁に挿入された状態で、前記測板の内側面と前記下部内壁の内側面が等しい面を成すように提供されることができる。
【0023】
また、本発明は基板を処理する処理空間に複数のガスを供給するノズルユニットを提供する。ノズルユニットは内部空間及び前記内部空間内の前記複数のガスを前記処理空間に供給する吐出口が形成された胴体及び前記胴体の上端に挿入される挿入部材を含むが、前記胴体には前記吐出口らが形成された吐出領域が提供され、前記吐出領域は前記胴体の下端に位置され、半球形状を有して、前記挿入部材は上下で貫通する貫通孔が形成された底板と前記底板から上の方向に延長される測板を有して、前記挿入部材は内部に前記底板及び前記測板によって取り囲まれる上部混合空間を有することができる。
【0024】
一実施例によれば、前記内部空間中で前記挿入部材の下の領域は下部混合空間で提供され、前記胴体の内側壁は前記下部混合空間を提供する下部内壁と前記挿入部材が挿入される空間を提供する上部内壁を具備するが、前記上部内壁は前記下部内壁に対して段差になるように提供され、前記上部内壁によって取り囲まれる空間の幅は前記下部内壁によって取り囲まれる空間の幅より広く提供されることができる。
【0025】
一実施例によれば、前記挿入部材が前記上部内壁に挿入された状態で、前記測板の内側面と前記下部内壁の内側面が等しい面を成すように提供されることができる。
【0026】
一実施例によれば、前記挿入部材は前記測板の上端から前記内部空間から遠くなる方向に延長される係止板をさらに含み、前記係止板の下面は前記上部内壁の上端面上に位置されて前記胴体に脱着可能に提供されることができる。
【0027】
一実施例によれば、前記挿入部材の高さは１５mm以上、そして、前記挿入部材の下端から前記胴体の下端までの距離は５mm以上であることがある。
【発明の効果】
【0028】
［有利な効果］
本発明の一実施例によれば、お互いに異なる種類の工程ガスらが均一に混合されることができる。
本発明の一実施例によれば、お互いに異なる種類の工程ガスらが均一に混合されることができる。
【0029】
また、本発明の一実施例によれば、混合された工程ガスらが基板を処理する空間内で均一に流動することができる。
【0030】
また、本発明の一実施例によれば、基板に対する処理均一性を改善することができる。
【0031】
本発明の効果が上述した効果らで限定されるものではなくて、言及されない効果らは本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されることができるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0032】
【発明を実施するための形態】
【0033】
［発明を実施するための最良の様態］
以下、本発明の実施例を添付された図面らを参照してより詳細に説明する。本発明の実施例はさまざまな形態で変形されることができるし、本発明の範囲が下で敍述する実施例によって限定されられることで解釈されてはいけない。本実施例は当業界で平均的な知識を有した者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面での構成要素の形状などはより明確な説明を強調するために誇張されたものである。
以下、本発明の実施例を添付された図面らを参照してより詳細に説明する。本発明の実施例はさまざまな形態で変形されることができるし、本発明の範囲が下で敍述する実施例によって限定されられることで解釈されてはいけない。本実施例は当業界で平均的な知識を有した者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面での構成要素の形状などはより明確な説明を強調するために誇張されたものである。
【0034】
【0035】
図１は、本発明の基板処理装置を概略的に見せてくれる図面である。図１を参照すれば、基板処理装置１は前方端部モジュール(Equipment Front End Module：ＥＦＥＭ)２０及び処理モジュール３０を有する。前方端部モジュール２０と処理モジュール３０は一方向に配置される。
【0036】
前方端部モジュール２０はロードポート(Load port)２００及び移送フレーム２２０を有する。ロードポート２００は第１方向２に前方端部モジュール２０の前方に配置される。ロードポート２００は複数個の支持部２０２を有する。それぞれの支持部２０２は第２方向(４に一列で配置され、工程に提供される基板(W)及び工程処理が完了された基板(W)が収納されたキャリア(C)(例えば、カセット、ＦＯＵＰなど)が安着される。キャリア(C)には工程に提供される基板(W)及び工程処理が完了された基板(W)が収納される。移送フレーム２２０はロードポート２００と処理モジュール３０との間に配置される。移送フレーム２２０はその内部に配置されてロードポート２００と処理モジュール３０との間に基板(W)を移送する第１移送ロボット２２２を含む。第１移送ロボット２２２は第２方向４に具備された移送レール２２４に沿って移動してキャリア(C)と処理モジュール３０との間に基板(W)を移送する。
【0037】
処理モジュール３０はロードロックチャンバ３００、トランスファーチャンバ４００、そして、工程チャンバ５００を含む。
【0038】
ロードロックチャンバ３００は移送フレーム２２０に接するように配置される。一例で、ロードロックチャンバ３００はトランスファーチャンバ４００と前方端部モジュール２０との間に配置されることができる。ロードロックチャンバ３００は工程に提供される基板(W)が工程チャンバ５００に移送される前、または工程処理が完了された基板(W)が前方端部モジュール２０に移送される前に待機する空間を提供する。
【0039】
トランスファーチャンバ４００はロードロックチャンバ３００に接するように配置される。トランスファーチャンバ４００は上部から眺める時、多角形の胴体を有する。一例で、トランスファーチャンバ４００は上部から眺める時、五角形の胴体を有することができる。胴体外側にはロードロックチャンバ３００と複数個の工程チャンバ５００らが胴体のまわりに沿って配置される。胴体各側壁には基板(W)が出入りする通路(図示せず)が形成され、通路はトランスファーチャンバ４００とロードロックチャンバ３００または工程チャンバ５００らを連結する。各通路には通路を開閉して内部を密閉させるドア(図示せず)が提供される。トランスファーチャンバ４００の内部空間にはロードロックチャンバ３００と工程チャンバ５００らの間に基板(W)を移送する第２移送ロボット４２０が配置される。第２移送ロボット４２０はロードロックチャンバ３００で待機する未処理された基板(W)を工程チャンバ５００に移送するか、または工程処理が完了された基板(W)をロードロックチャンバ３００に移送する。そして、複数個の工程チャンバ５００に基板(W)を順次に提供するために工程チャンバ５００の間に基板(W)を移送する。一例で、図１のように、トランスファーチャンバ４００が五角形の胴体を有する時、前方端部モジュール２０と隣接した側壁にはロードロックチャンバ３００がそれぞれ配置され、残り側壁には工程チャンバ５００らが連続して配置される。トランスファーチャンバ４００の形状はこれで限定されないで、要求される工程モジュールによって多様な形態で変形されて提供されることができる。
【0040】
工程チャンバ５００はトランスファーチャンバ４００のまわりに沿って配置される。工程チャンバ５００は複数個提供されることができる。それぞれの工程チャンバ５００内では基板(W)に対する工程処理が進行される。工程チャンバ５００は第２移送ロボット４２０から基板(W)の移送を受けて工程処理をして、工程処理が完了された基板(W)を第２移送ロボット４２０に提供する。それぞれの工程チャンバ５００で進行される工程処理はお互いに相異であることがある。以下では、プラズマ処理工程を遂行する工程チャンバ５００に対して詳しく説明する。
【0041】
【0042】
図２を参照すれば、工程チャンバ５００はプラズマを利用して基板(W)上に所定の工程を遂行する。一例で、基板(W)上の薄膜を蝕刻またはアッシング(Ashing)することができる。薄膜はポリシリコン膜、酸化膜、そして、シリコン窒化膜など多様な種類の膜であることができる。選択的に、薄膜は自然酸化膜や化学的に生成された酸化膜であることができる。
【0043】
工程チャンバ５００はハウジング５１０、ウィンドウユニット５２０、支持ユニット５３０、ガス供給ユニット５４０、そして、プラズマユニット５５０を含むことができる。
【0044】
ハウジング５１０は基板(W)が処理される処理空間５１０１と上部空間５１０２を有することができる。ハウジング５１０は金属材質で提供される。ハウジング５１０はアルミニウムを含む材質で提供されることができる。ハウジング５１０は接地されることができる。ハウジング５１０は下部ボディー５１２０、そして、上部ボディー５１４０を含むことができる。
【0045】
下部ボディー５１２０は内部に上面が開放された空間を有することができる。一例で、下部ボディー５１２０は上部が開放された桶形状を有することができる。下部ボディー５１２０は後述するウィンドウユニット５２０とお互いに組合されて内部に処理空間５１０１を有することができる。上部ボディー５１４０は内部に下面が開放された空間を有することができる。一例で、上部ボディー５１２０は下部が開放された桶形状を有することができる。上部ボディー５１４０は後述するウィンドウユニット５２０とお互いに組合されて上部空間５１０２を有することができる。
【0046】
ウィンドウユニット５２０は下部ボディー５１２０の上部に配置されることができる。ウィンドウユニット５２０は下部ボディー５１２０の開放された上面を覆うことができる。ウィンドウユニット５２０は下部ボディー５１２０とお互いに組合されて処理空間５１０１を形成することができる。ウィンドウユニット５２０は上部ボディー５１４０の下部に配置され、下部ボディー５１４０の開放された下面を覆うことができる。ウィンドウユニット５２０は上部ボディー５１４０とお互いに組合されて上部空間５１０２を形成することができる。上部空間５１０２は処理空間５１０１より上部に配置されることができる。ウィンドウユニット５２０には開口が形成されることができる。一例で、ウィンドウユニット５２０の中央に開口が形成されることができる。ウィンドウユニット５２０に形成された開口には後述するノズルユニット６０００が設置されることができる。ウィンドウユニット５２０に設置されたノズルユニット６０００は脱着可能になるように提供されることができる。
【0047】
処理空間５１０１は後述する支持ユニット５３０が基板(W)を支持し、基板(W)が処理される空間で使用されることができる。上部空間５１０２は後述する内部コイル部５５２０、外部コイル部５５４０、そして、グラウンドプレート５５８０が配置される空間で使用されることができる。ウィンドウユニット５２０には後述するノズルユニット６０００が提供されることができる。一例で、ウィンドウユニット５２０の中央にノズルユニット６０００が提供されることができる。
【0048】
ウィンドウユニット５２０は板形状で提供されることができる。ウィンドウユニット５２０は処理空間５１０１を密閉することができる。ウィンドウユニット５２０は誘電体(dielectric substance)窓を含むことができる。
【0049】
支持ユニット５３０は処理空間５１０１から基板(W)を支持することができる。支持ユニット５３０は基板(W)をチャッキング(Chucking)することができる。支持ユニット５３０はチャック５３１０、絶縁リング５３３０、フォーカスリング５３５０、カバーリング５３７０、そして、インターフェースカバー５３９０を含むことができる。
【0050】
チャック５３１０は基板(W)の下面を支持する安着面を有することができる。チャック５３１０はＥＳＣであることがある。チャック５３１０に置かれる基板(W)はウェハー(Wafer)であることがある。チャック５３１０には電力が印加されることができる。例えば、チャック５３１０には下部電源５３１２が印加する高周波電力が伝達されることができる。また、下部電源５３１２が印加する高周波電力に対して整合を遂行するように、下部電源５３１２とチャック５３１０との間には第１整合器５３１４が設置されることができる。
【0051】
絶縁リング５３３０は上部から眺める時チャック５３１０を取り囲むように提供されることができる。絶縁リング５３３０の上面にはフォーカスリング５３５０が置かれることができる。フォーカスリング５３５０の上面は内側高さが外側高さより低いように段差になることがある。フォーカスリング５３５０の内側にはチャック５３１０に置かれる基板(W)の縁領域下面が置かれることができる。すなわち、基板(W)の中央領域はチャック５３１０が有する安着面に置かれて、基板(W)の縁領域はフォーカスリング５３５０の内側上面に置かれることができる。
【0052】
カバーリング５３７０はチャック５３１０の下部に配置されることができる。カバーリング５３７０は概して上部が開放された桶形状を有することができる。カバーリング５３７０はチャック５３１０の下部に配置され、下部空間を形成することができる。下部空間には支持ユニット５３０を駆動するのに必要なインターフェースラインらが提供されることができる。このようなインターフェースラインらはカバーリング５３７０の下部空間とお互いに連通される空間を有するインターフェースカバー５３９０を通じて外部の装置らとお互いに連結されることができる。
【0053】
ガス供給ユニット５４０は処理空間５１０１で工程ガスを供給することができる。ガス供給ユニット５４０が処理空間５１０１に供給する工程ガスはCF４、N２、Ar、H２、O２、そしてOのうちで少なくとも一つ以上を含むことができる。しかし、これに限定されるものではなくてガス供給ユニット５４０が処理空間５１０１に供給する工程ガスの種類は公知された工程ガスで多様に変形されることができる。
【0054】
ガス供給ユニット５４０はガス供給源５４２０、ガス供給ライン５４４０、供給バルブ５４６０、そして、ノズルユニット６０００を含むことができる。
【0055】
ガス供給源５４２０は工程ガスを保存するか、または後述するガス供給ライン５４４０に工程ガスを伝達することができる。ガス供給源５４２０は第１ガス供給源５４２２と第２ガス供給源５４２４を含むことができる。第１ガス供給源５４２２は第１ガスを保存するか、または後述する第１ガスライン５４４２に第１ガスを伝達することができる。第２ガス供給源５４２４は第２ガスを保存するか、または後述する第２ガス供給ライン５４４４に第２ガスを伝達することができる。第１ガスと第２ガスはお互いに相異な種類のガスであることができる。
【0056】
ガス供給ライン５４４０はガス供給源５４２０から工程ガスの伝達を受けることができる。ガス供給ライン５４４０は第１ガス供給ライン５４４２と第２ガス供給ライン５４４４を含むことができる。第１ガス供給ライン５４４２の一端は後述するノズルユニット６０００に連結され、第１ガス供給ライン５４４２の他端は第１ガス供給源５４２２に連結されることができる。第２ガス供給ライン５４４４の一端はノズルユニット６０００に連結され、第２ガス供給ライン５４４４の他端は第２ガス供給源５４２４に連結されることができる。一例で、第１ガス供給ライン５４４２の一端と第２ガス供給ライン５４４４の一端は後述する挿入部材６４００と連結されることができる。
【0057】
前述した例と異なり、ガス供給ライン５４４０は第１ガス供給ライン５４４２と第２ガス供給ライン５４４４、そして、メインガス供給ライン５４４６を含むことができる。メインガス供給ライン５４４６の一端は後述するノズルユニット６０００と連結される。一例で、メインガス供給ライン５４４６の一端は後述する挿入部材６４００と連結されることができる。メイン供給ライン５４４６は第１ガス供給ライン５４４２と第２ガス供給ライン５４４４に分岐されることができる。第１ガス供給ライン５４４２は第１ガス供給源５４２２に連結され、第１ガス供給源５４２２から第１ガスの供給を受けることができる。第２ガス供給ライン５４４４は第２ガス供給源５４２４に連結され、第２ガス供給源５４２４から第２ガスの供給を受けることができる。
【0058】
ガス供給ライン５４４０上には供給バルブ５４６０が設置されることができる。供給バルブ５４４０は開閉バルブであることができる。しかし、これに限定されるものではなくて、供給バルブ５４４０は流量調節バルブに提供されることができる。供給バルブ５４６０は第１供給バルブ５４６２と第２供給バルブ５４６４を含むことができる。第１供給バルブ５４６２は第１ガス供給ライン５４４２上に設置されることができる。第２供給バルブ５４６４は第２ガス供給ライン５４４４上に設置されることができる。
【0059】
前述した例では供給バルブ５４６０を通じて処理空間５１０１に供給されるガスの量を調節することで説明したが、これに限定されるものではない。一例でガス供給ライン５４４０に質量流量制御機を設置してガス供給ライン５４４０を通じて処理空間５１０１に供給される工程ガスの量を制御することができる。
【0060】
前述した例ではガス供給源５４２０、ガス供給ライン５４４０、そして、供給バルブ５４６０が２個ずつ提供されることで説明した。但し、これに限定されないで、要求される工程ガスの種類によってそれぞれ３以上の自然数で提供されることができる。以下では、説明の便宜のために工程ガスが第１ガスと第２ガスで提供され、第１ガス供給ライン５４４２と第２ガス供給ライン５４４４がガス供給ライン５４４０上で分岐される場合を例であげて説明する。
【0061】
ノズルユニット６０００は処理空間５１０１に第１ガス及び第２ガスを供給する。ノズルユニット６０００は第１ガス供給ライン５４４２から供給を受けた第１ガスを処理空間５１０１に供給することができる。ノズルユニット６０００は第２ガス供給ライン５４４４から供給を受けた第２ガスを処理空間５１０１に供給することができる。ノズルユニット６０００は第１ガスと第２ガスを内部で混合して処理空間５１０１に供給することができる。ノズルユニット６０００はウィンドウユニット５２０の中央に形成された開口に設置されることができる。ノズルユニット６０００はウィンドウユニット５２０上で脱着されるように提供されることができる。
【0062】
図３は、図２のノズルユニットの斜視図を概略的に見せてくれる図面である。図４は図３のノズルユニットをX-X方向の切断面を概略的に見せてくれる図面である。図５は図４の胴体を概略的に見せてくれる図面である。図６は図２の挿入部材の切断斜視図を概略的に見せてくれる図面である。以下では、図３乃至図６を参照してノズルユニット６０００に対して詳しく説明する。図３乃至図６を参照すれば、ノズルユニット６０００は胴体６２００と挿入部材６４００を含むことができる。
【0063】
胴体６２００は内部に第１ガス及び第２ガスが流動する内部空間(A)を有する。内部空間(A)はガス供給ライン５４４０から供給された第１ガス及び第２ガスが流動する空間で提供される。内部空間(A)は第１ガス及び第２ガスがお互いに混合される空間で提供される。内部空間(A)で混合された第１ガス及び第２ガスは処理空間５１０１に供給される。
【0064】
胴体６２００の下端には吐出領域(B)が提供される。吐出領域(B)は概して半球形状で提供されることができる。一例で、吐出領域(B)は地面に対して下の方向に屈曲された半球形状で提供されることができる。吐出領域(B)には内部空間(A)で流動する第１ガス及び第２ガスを処理空間５１０１に供給する吐出口６２４０が形成される。吐出口６２４０は少なくとも一つ以上で提供されることができる。一例で、吐出口６２４０は複数個で提供されることができる。吐出口６２４０らの直径は１mm以上で提供されることができる。複数の吐出口６２４０は胴体６２００の内側壁から胴体６２００の外側壁まで貫通することができる。複数の吐出口６２４０は半球形状で提供される吐出領域(B)上でお互いに離隔されて提供されることができる。
【0065】
胴体６２００の中端は胴体６２００の下端から上の方向を向けて延長されることができる。胴体６２００の中端は概して内部に空間を有する円錐の形状で提供されることができる。胴体６２００の中端は内部に内部空間(A)を有することができる。一例で、胴体６２００の中端の外径は２５mm以上で提供されることができる。
【0066】
胴体６２００の上端は胴体６２００の中心から遠くなる方向を向けて胴体６２００の中端から延長されることができる。胴体６２００の上端は概して円盤形状で提供されることができる。
【0067】
胴体６２００の下端と中端はウィンドウユニット５２０に形成された開口を貫通することができる。胴体６２００の上端の下面はウィンドウユニット５２０上に位置されることができる。これに、胴体６２００はウィンドウユニット５２０に脱着可能に提供される。ノズルユニット６０００はウィンドウユニット５２０に脱着可能に提供される。
【0068】
胴体６２００の内側壁は上部内壁６２６０と下部内壁６２８０を具備することができる。上部内壁６２６０は挿入部材６４００が挿入される空間を提供する。上部内壁６２６０が取り囲んだ空間は挿入部材６４００が挿入される空間であることができる。挿入部材６４００が胴体６２００の上端に挿入された状態で、下部内壁６２８０が取り囲んだ空間は下部混合空間A２に提供されることができる。
【0069】
上部内壁６２６０は下部内壁６２４０に対して段差になるように提供されることができる。一例で、上部内壁６２６０は下部内壁６２４０から遠くなる方向に対して段差になるように提供されることができる。上部内壁６２６０によって取り囲まれる空間の幅D２は下部内壁６２８０によって取り囲まれる空間の幅D１より広く提供されることができる。一例で、下部内壁６２８０の厚さは５mm以上で提供されることができる。
【0070】
挿入部材６４００は胴体６２００に挿入される。挿入部材６４００は胴体６２００に挿入されることで、上部内壁６２６０によって取り囲まれることができる。挿入部材６４００は胴体６２００の上部中央に形成された挿入空間に挿入されることができる。挿入部材６４００は内部に空間を有することができる。挿入部材６４００の内部に提供された空間は後述する上部混合空間A１に提供されることができる。挿入部材６４００の上端にはガス供給ライン５４４０が連結されることができる。
【0071】
挿入部材６４００は底板６４２０、測板６４４０、そして、係止板６４６０を含むことができる。底板６４２０には底板６４２０を上下に貫通する貫通孔６４２５が形成される。貫通孔６４２５は少なくとも一つ以上で提供されることができる。一例で、貫通孔６４２５は複数個で提供されることができる。測板６４４０は底板６４２０から上の方向に延長される。挿入部材６４００は底板６４２０と測板６４４０によって取り囲まれる上部混合空間A１を有する。係止板６４６０は測板６４４０の上端から上部混合空間A１に対して遠くなる方向に延長される。挿入部材６４００が胴体６２００に挿入された状態で、係止板６４６０の下面は上部内壁６２６０の上端面上に位置されることができる。これに、挿入部材６４００は胴体６２００上で脱着可能に提供されることができる。
【0072】
挿入部材６４００が上部内壁６２６０に挿入された状態で、挿入部材６４００の測板６４４０の内側面と下部内壁６２８０の内側面はお互いに等しい面を成すように提供されることができる。すなわち、測板６４４０の厚さは上部内壁６２６０によって取り囲まれる空間の幅D２で下部内壁６２８０によって取り囲まれる空間の幅D１を抜いた値になることができる。これに、挿入部材６４００が上部内壁６２６０に挿入された状態で、正面から眺める時上部混合空間A１の幅と下部混合空間A２の幅が等しく提供されることができる。挿入部材６４００の高さは１５mm以上で提供されることができる。挿入部材６４００の下端から胴体６２００の下端までの距離は５mm以上で提供されることができる。これは挿入部材６４００が形成する上部混合空間A１、そして、下部混合空間A２で第１ガス及び第２ガスが充分に混合されることができる空間を確保するためである。
【0073】
胴体６２００の下端及び中端は、ウィンドウユニット５２０に形成された開口に挿入されることができる。胴体６２００の上端の下面はウィンドウユニット５２０上に位置することができる。これに、胴体６２００はウィンドウユニット５２０に脱着可能に提供されることができる。
【0074】
胴体６２００と挿入部材６４００は酸化物セラミックス、窒化物セラミックス、またはステンレス鋼などの材質で提供されることができる。胴体６２００と挿入部材６４００はイットリア系化合物または石英などの材質でコーティングされることができる。但し、これに限定されないで、胴体６２００と挿入部材６４００は比抵抗が高くて耐腐食性が良い薄膜にコーティングされることができる。胴体６２００と挿入部材６４００のコーティング層は物理的気相蒸着(Sputtering、Evaporating)化学的気相蒸着(ＣＶＤ)、スプレー、または電気メッキ(Electroplating)などの方式で形成されることができる。
【0075】
図７は、図２のノズルユニット内で工程ガスが流動する姿を概略的に見せてくれる図面である。図８は図２のノズルユニットで工程ガスが吐出される姿を概略的に見せてくれる図面である。図９は図２の処理空間内で工程ガスが流動する姿を概略的に見せてくれる図面である。
【0076】
図７を参照すれば、本発明の一実施例によるノズルユニットは挿入部材６４００によって上部混合空間A１、そして、下部混合空間A２で区画される。すなわち、胴体６２００の内部空間Aが挿入部材６４００によって上部混合空間A１と下部混合空間A２で区分されることができる。これに、ガス供給ライン５４４０から流入される第１ガス及び第２ガスが１次的に上部混合空間A１内で混合される。上部混合空間A１で先決的に混合された第１ガス及び第２ガスが挿入部材６４００の底板６４２０に形成された貫通孔６４２５を通じて下部混合空間A２に移動する。上部混合空間A１内で１次的に混合された第１ガス及び第２ガスは下部混合空間A２内で再び混合される。これに、お互いに異なる質量を有する第１ガスと第２ガスが処理空間５１０１上に供給される以前に、第１ガスと第２ガスがお互いに混合される空間を先制的に確保することができる。
【0077】
特に、工程ガスとして重い質量のガスが処理空間５１０１に供給される場合、重い質量のガスはその重さによって処理空間５１０１上にすぐ吐出される。これに、重い質量のガスはこれより相対的に軽い質量のガスと混合されないで個別的に処理空間５１０１上に供給される。本発明の一実施例によれば、上部混合空間A１と下部混合空間A２にお互いに異なるガス、一例で第１ガス及び第２ガスが混合する空間を確保することができる。これに、質量が他のお互いに異なるガスらがお互いに混合されないですぐ処理空間５１０１に供給される問題を解決することができる。
【0078】
すなわち、挿入部材６４００の底板６４２０及び測板６４４０によって取り囲まれた上部混合空間A１内で工程ガスらの渦流が形成され、１次的にお互いに異なる質量を有する異種の工程ガスらが混合することができる。続いて、胴体６２００の側壁らと挿入部材６４００によって形成された下部混合空間A２内で工程ガスらの渦流が形成され、１次的にお互いに混合された工程ガスらが２次的に再び混合することができる。これに、重い質量のガスがノズルユニット６０００内で相対的に質量が軽いガスと混合することができずに処理空間５１０１上に供給される問題を解決することができる。
【0079】
図８及び図９を参照すれば、本発明の一実施例による吐出領域６２２０は半球形状で提供されることができる。また、吐出領域６２２０に吐出口６２４０らが提供されることができる。上部混合空間A１と下部混合空間A２内で異種の工程ガスらが均一に混合され、このような混合された工程ガスがノズルユニット６０００の下端に提供された吐出領域６２２０によって均一に処理空間５１０１上に吐出されることができる。すなわち、吐出領域６２２０が半球形状で提供されるので、図８及び図９のように処理空間５１０１の全領域に均一に混合された工程ガスを供給することができる。
【0080】
また、挿入部材６４００が胴体６２００から脱着可能に提供されることで、ガス供給ライン５４４０から供給される工程ガスからの挿入部材６４００が汚染された場合、挿入部材６４００に対する維持補修を容易に遂行することができる。また、ノズルユニット６０００がウィンドウユニット５２０から脱着可能に提供されることで、ノズルユニット６０００に対する維持補修を容易に遂行することができる。
【0081】
プラズマユニット５５０は処理空間５１０１に供給される工程ガスからプラズマを発生させることができる。一例で、プラズマユニット５５０は処理空間５１０１に供給される第１ガス及び第２ガスからプラズマを発生させることができる。プラズマユニット５５０は処理空間５１０１の外部に配置されることができる。本発明の一実施例によればプラズマユニット５５０はＩＣＰタイプで構成されることができる。プラズマユニット５５０は内部コイル部５５２０、外部コイル部５５４０、電力印加部５５６０、グラウンドプレート５５８０、そして、電力ライン(EL)を含むことができる。
【0082】
内部コイル部５５２０と外部コイル部５５４０は上部空間５１０２に配置されることができる。内部コイル部５５２０と外部コイル部５５４０は後述する電力印加部５５６０から高周波電力の伝達を受けて処理空間５１０１に供給される第１ガス及び第２ガスを含む工程ガスからプラズマを発生させることができる。
【0083】
内部コイル部５５２０は上部から眺める時、処理空間５１０１の中央領域に対応する位置に配置されることができる。内部コイル部５５２０はリング形状で提供されることができる。外部コイル部５５４０は上部から眺める時、処理空間５１０１の縁領域に対応する位置に配置されることができる。一例で、外部コイル部５５４０は上部から眺める時、内部コイル部５５２０を取り囲むように提供されることができる。外部コイル部５５４０はリング形状で提供されることができる。
【0084】
前述した実施例では内部コイル部５５２０と外部コイル部５５４０が上部空間５１０２に提供されることを例であげて説明したが、これに限定されるものではない。一例で、内部コイル部５５２０と外部コイル部５５４０は工程チャンバ５００の側部に配置されることができる。実施例によって、内部コイル部５５２０及び外部コイル部５５４０のうちで何れか一つは工程チャンバ５００の上部に配置され、他の一つは工程チャンバ５００の側部に配置されることができる。内部コイル部５５２０と外部コイル部５５４０が工程チャンバ５００内でプラズマを生成する限り、内部コイル部５５２０と外部コイル部５５４０の位置は制限されない。
【0085】
内部コイル部５５２０の一端には後述する電力ライン(EL)が連結される電力端子が形成されることができる。内部コイル部５５２０の他端には後述する接地ライン(GL)が連結される接地端子が形成されることができる。外部コイル部５５４０の一端には電力ライン(EL)が連結される電力端子が形成され、外部コイル部５５４０の他端には接地ライン(GL)が連結される接地端子が形成されることができる。
【0086】
内部コイル部５５２０と外部コイル部５５４０は、銅、アルミニウム、タングステン、銀、金、白金、そして、鉄のうちで少なくとも何れか一つを含む金属素材で提供されることができる。内部コイル部５５２０と外部コイル部５５４０の表面は銀、金、そして、白金のうちで少なくとも何れか一つを含む金属素材でコーティングされることができる。このようなコーティング層は比抵抗が低く、熱伝導率が良い金属であることができる。コーティング層は２０ミクロメーター以上の厚さを有することができる。コーティング層は物理的気相蒸着(Sputtering、Evaporating)または、化学的気相蒸着(ＣＶＤ)、スプレー、電気メッキ(Electroplating)などの方式で形成されることができる。
【0087】
電力印加部５５６０は内部コイル部５５２０と外部コイル部５５４０で高周波電力を印加することができる。電力印加部５５６０は上部電源５５６２と第２整合器５５６４を含むことができる。上部電源５５６２は高周波電源であることができる。第２整合器５５６４は上部電源５５６２が内部コイル部５５２０及び外部コイル部５５４０に印加する高周波電力に対する整合を遂行することができる。上部電源５５６２が発生させる高周波電力を伝達する電力ライン(EL)の一端は、内部コイル部５５２０に連結された電力端子と外部コイル部５５４０に連結された電力端子と連結されることができる。
【0088】
グラウンドプレート５５８０は上部空間５１０２に提供されることができる。グラウンドプレート５５８０はアルミニウム、銅、そして、鉄のうちで少なくとも何れか一つを含む金属素材で提供されることができる。グラウンドプレート５５８０の厚さは３mm以上を有することができる。グラウンドプレート５５８０は内部コイル部５５２０及び外部コイル部５５４０の上部に配置されることができる。グラウンドプレート５５８０は内部コイル部５５２０及び外部コイル部５５４０の上部に離隔されて配置されることができる。一例で、グラウンドプレート５５８０は内部コイル部５５２０及び外部コイル部５５４０と５０mm以上の間隔で配置されることができる。グラウンドプレート５５８０は接地されることができる。グラウンドプレート５５８０は内部コイル部５５２０及び外部コイル部５５４０を接地させることができる。グラウンドプレート５５８０には後述するファンユニット５７０が上部空間５１０２に供給する気流が上部空間５１０２で円滑に循環されることができるように開口が形成されることができる。例えば、上部から眺める時、グラウンドプレート５５８０の中央領域には円形状の開口が形成されることができる。また、上部から眺める時、グラウンドプレート５５８０の中央領域を取り囲む領域には弧 (arc)形状の開口が複数個形成されることができる。グラウンドプレート５５８０の中央領域を取り囲む領域に形成された弧形状の開口は上部から眺める時、後述する第１ファン５７２０または第２ファン５７４０と重畳される位置でグラウンドフレート５５８０に形成されることができる。
【0089】
接地ライン(GL)はグラウンドプレート５５８０と内部コイル部５５２０をお互いに電気的に連結させることができる。接地ライン(GL)はグラウンドプレート５５８０と外部コイル部５５４０をお互いに電気的に連結させることができる。接地ライン(GL)は複数で提供されることができる。接地ライン(GL)は複数で提供され、接地ライン(GL)らそれぞれの一端はグラウンドプレート５５８０と連結され、それぞれの他端は接地端子に連結されることができる。接地ライン(GL)らは上部から眺める時、グラウンドプレート５５８０の中心を基準で円周方向に沿って同じ間隔で配置されることができる。一例で、接地ライン(GL)らは上部から眺める時、グラウンドプレート５５８０の中心を基準で対称で配置されることができる。
【0090】
制御機(図示せず)は基板処理装置が有する構成らを制御することができる。例えば、制御機は支持ユニット５３０、ガス供給ユニット５４０、プラズマユニット５５０、ガス排気ユニット５６０、そして、ファンユニット５７０を制御することができる。制御機は基板処理装置の制御を実行するマイクロプロセッサー(コンピューター)でなされるプロセスコントローラーと、オペレーターが基板処理装置を管理するためにコマンド入力操作などを行うキーボードや、基板処理装置の稼働状況を可視化して表示するディスプレイなどでなされるユーザーインターフェースと、基板処理装置で実行される処理をプロセスコントローラーの制御で行うための制御プログラムや、各種データ及び処理条件によって各構成部に処理を実行させるためのプログラム、すなわち、処理レシピが保存された記憶部を具備することができる。また、ユーザーインターフェース及び記憶部はプロセスコントローラーに接続されてあり得る。処理レシピは記憶部のうちで記憶媒体に記憶されてあり得て、記憶媒体は、ハードディスク、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤなどの可搬性ディスク、またはフラッシュメモリーなどの半導体メモリーであることがある。
【0091】
ガス排気ユニット５６０は処理空間５１０１に供給される工程ガス、そして、基板(W)を処理する工程中に発生されることができる工程副産物(By-Product)をハウジング５１０の底面に形成された排気ホール５１６０を通じて処理空間５１０１から排出することができる。ガス排気ユニット５６０は減圧部材５６２０、減圧ライン５６４０、減圧弁５６６０、そして、排気バッフル５６８０を含むことができる。
【0092】
減圧部材５６２０は処理空間５１０１に減圧を提供することができる。減圧部材５６２０はポンプであることができる。しかし、これに限定されるものではなくて減圧部材５６２０は処理空間５１０１に減圧を提供することができる公知された装置で多様に変形されることができる。減圧部材５６２０が提供する減圧は減圧ライン５６４０を通じて処理空間５１０１に伝達することができる。また、減圧ライン５６４０には減圧バルブ５６４０が設置されることができる。減圧弁５６４０は開閉バルブであることができる。しかし、これに限定されるものではなくて減圧バルブ５６４０は流量調節バルブで提供されることもできる。排気バッフル５６８０は上部から眺める時、リング形状を有することができる。排気バッフル５６８０は上部から眺める時、支持ユニット５３０を取り囲むように提供されることができる。排気バッフル５６８０には複数の排気ホールが形成されることができる。
【0093】
ファンユニット５７０は上部空間５１０２に気流を供給することができる。ファンユニット５７０は上部空間５１０２に温度と湿度が調節された気流を供給することができる。ファンユニット５７０は上部空間５１０２の温度が過度に高くなることを防止するようにするクーラー(Cooler)の役割を遂行することができる。ファンユニット５７０は第１ファン５７２０、そして、第２ファン５７４０を含むことができる。第１ファン５７２０と第２ファン５７４０はお互いに相異な位置で上部空間５１０２に気流を供給することができる。第１ファン５７２０と第２ファン５７４０は上部空間５１０２に下に向ける方向に気流を供給することができる。
【0094】
以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の望ましい実施形態を示して説明するものであり、本発明は多様な他の組合、変更及び環境で使用することができる。すなわち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、著わした開示内容と均等な範囲及び/または当業界の技術または知識の範囲内で変更または修正が可能である。前述した実施例は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明するものであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態で本発明を制限しようとする意図ではない。また、添付された請求範囲は他の実施状態も含むことで解釈されなければならない。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【国際調査報告】