特表 2024-529582 表示パネル及び表示端末

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-08-08

(54)【発明の名称】表示パネル及び表示端末

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20240801BHJP

   G02F 1/1368 20060101ALI20240801BHJP

   H01L 29/786 20060101ALI20240801BHJP

【ＦＩ】

G09F9/30 338

G02F1/1368

H01L29/78 612C

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2022550712

(86)(22)【出願日】2022-08-15

(85)【翻訳文提出日】2022-10-24

(86)【国際出願番号】 CN2022112519

(87)【国際公開番号】W WO2024000753

(87)【国際公開日】2024-01-04

(31)【優先権主張番号】202210775484.1

(32)【優先日】2022-07-01

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】517264292

【氏名又は名称】武漢華星光電技術有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＷＵＨＡＮ ＣＨＩＮＡ ＳＴＡＲ ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＣＯ．，ＬＴＤ

【住所又は居所原語表記】Ｂｕｉｌｄｉｎｇ Ｃ５， Ｂｉｏｌａｋｅ ｏｆ Ｏｐｔｉｃｓ Ｖａｌｌｅｙ，Ｎｏ．６６６ Ｇａｏｘｉｎ Ａｖｅｎｕｅ，Ｗｕｈａｎ Ｅａｓｔ Ｌａｋｅ Ｈｉｇｈ－ｔｅｃｈ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｚｏｎｅ， Ｗｕｈａｎ，Ｈｕｂｅｉ ４３００７９，Ｃｈｉｎａ

(74)【代理人】

【識別番号】110002181

【氏名又は名称】弁理士法人ＩＰ－ＦＯＣＵＳ

(72)【発明者】

【氏名】余 文強

(72)【発明者】

【氏名】王 超

【テーマコード（参考）】

2H192

5C094

5F110

【Ｆターム（参考）】

2H192AA24

2H192BB02

2H192BB04

2H192BB12

2H192BB13

2H192BC34

2H192CB02

2H192CB34

2H192EA67

2H192JA32

5C094AA05

5C094BA03

5C094BA43

5C094CA19

5C094DA14

5C094DB01

5C094DB04

5C094EA04

5C094EC03

5C094ED03

5C094FA01

5C094FA02

5C094FB01

5C094FB02

5C094FB15

5C094HA08

5C094JA08

5C094JA09

5F110BB01

5F110CC02

5F110DD02

5F110GG02

5F110GG13

5F110HM17

5F110HM18

5F110NN03

5F110NN23

5F110NN24

5F110NN27

5F110NN73

5F110QQ19

(57)【要約】

本願の実施例によれば、ベースと、ベースに設けられる第１金属層と、第１金属層に設けられる第２金属層と、を含む表示パネルであって、第１金属層は、第１方向に沿って延在する複数のデータ線と、データ線と電気的に接続される薄膜トランジスタのソースとを含み、第２金属層は、隣接する二つのデータ線の間に位置する薄膜トランジスタのドレインを含む表示パネル及び表示端末が開示される。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ベースと、
前記ベースに設けられる第１金属層と、
前記第１金属層に設けられる第２金属層と、を含む表示パネルであって、
前記第１金属層は、第１方向に沿って延在する複数のデータ線と、前記データ線と電気的に接続される薄膜トランジスタのソースとを含み、前記第２金属層は、隣接する二つの前記データ線の間に位置する前記薄膜トランジスタのドレインを含む、
表示パネル。

【請求項2】

前記ベースと前記第１金属層との間に設けられる第３金属層と、
前記第１金属層と前記ベースとの間に設けられる半導体層と、をさらに含み、
前記第３金属層は、第２方向に沿って延在する走査線を含み、前記半導体層は、複数の前記薄膜トランジスタの複数の活性部材を含み、前記活性部材は、ソース端及びドレイン端と、前記ソース端と前記ドレイン端との間に接続される活性接続部材と、を含み、前記第１方向は、前記第２方向とは異なり、
前記ソース端及び前記ドレイン端は、それぞれ対応する前記走査線の両側に位置し、前記活性接続部材は、少なくとも、前記第１方向及び前記第２方向とは異なる第３方向に沿って延在し、
前記ソースは、前記ソース端と電気的に接続され、前記ドレインは、前記ドレイン端と電気的に接続される、
請求項１に記載の表示パネル。

【請求項3】

前記薄膜トランジスタは、単一ゲート構造である、
請求項２に記載の表示パネル。

【請求項4】

前記第３方向と前記第１方向とのなす角は、５度以上１５度以下である、
請求項３に記載の表示パネル。

【請求項5】

前記第３方向と前記第１方向とのなす角は、７度である、
請求項４に記載の表示パネル。

【請求項6】

複数のサブ画素を含み、
前記サブ画素は画素電極を含み、
複数の前記サブ画素は、前記走査線の両側にそれぞれ位置する第１サブ画素と第２サブ画素とを含み、前記第１サブ画素の前記画素電極と前記第２サブ画素の前記画素電極との間には、前記走査線に対応して設けられる隙間を有する、
請求項２に記載の表示パネル。

【請求項7】

前記半導体層と前記第３金属層との間に設けられるゲート絶縁層と、
前記第３金属層と前記第１金属層との間に設けられる第１絶縁層と、
前記第１金属層と前記第２金属層との間に設けられる第２絶縁層と、をさらに含み、
前記表示パネルは、前記ゲート絶縁層及び前記第１絶縁層を貫通する第１貫通孔と、前記ゲート絶縁層、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層を貫通する第２貫通孔とをさらに含み、前記ソースは、前記第１貫通孔を介して前記ソース端と電気的に接続され、前記ドレインは、前記第２貫通孔を介して前記ドレイン端と電気的に接続される、
請求項６に記載の表示パネル。

【請求項8】

前記第１金属層に設けられる第１電極層と、
前記第１電極層に設けられる第４絶縁層と、
前記第４絶縁層に設けられる第２電極層と、をさらに含み、
前記第１電極層及び前記第２電極層のうちの一つは、前記サブ画素の画素電極を含む、
請求項７に記載の表示パネル。

【請求項9】

前記第１電極層は、前記ドレインに直接接続される前記サブ画素の画素電極を含む、
請求項８に記載の表示パネル。

【請求項10】

前記第２絶縁層と前記第２金属層との間に設けられる第３絶縁層をさらに含み、前記第２絶縁層は、有機材料であり、前記第３絶縁層は、無機材料であり、前記第２貫通孔は、前記第３絶縁層をさらに貫通する、
請求項８に記載の表示パネル。

【請求項11】

前記第２絶縁層と前記第３絶縁層との間に設けられる第３電極層をさらに含み、前記第３電極層は、前記画素電極と少なくとも部分的に重なる複数の蓄積電極を含む、
請求項１０に記載の表示パネル。

【請求項12】

前記第２金属層の厚さは、３５００オングストローム以上である、
請求項７に記載の表示パネル。

【請求項13】

前記第２貫通孔に対応する部位における前記第１電極層、前記第４絶縁層及び前記第２電極層の凹みによって形成される第１盲孔と、
少なくとも前記第１盲孔に充填される有機材料である第５絶縁層と、をさらに含む、
請求項８に記載の表示パネル。

【請求項14】

基板と、前記基板に設けられる支持柱とを含むカラーフィルム基板をさらに含み、前記支持柱は、前記基板と前記ベースとの間に位置し、前記ベースにおける前記支持柱の正投影と前記ベースにおける前記第５絶縁層の正投影とが重ならない、
請求項１３に記載の表示パネル。

【請求項15】

ベースと、
前記ベースに設けられる第１金属層と、
前記第１金属層に設けられる第２金属層と、を含む表示パネルを含む表示端末であって、
前記第１金属層は、第１方向に沿って延在する複数のデータ線と、前記データ線と電気的に接続される薄膜トランジスタのソースとを含み、前記第２金属層は、隣接する二つの前記データ線の間に位置する前記薄膜トランジスタのドレインを含む、
表示端末。

【請求項16】

前記ベースと前記第１金属層との間に設けられる第３金属層と、
前記第１金属層と前記ベースとの間に設けられる半導体層と、をさらに含み、
前記第３金属層は、第２方向に沿って延在する走査線を含み、前記半導体層は、複数の前記薄膜トランジスタの複数の活性部材を含み、前記活性部材は、ソース端及びドレイン端と、前記ソース端と前記ドレイン端との間に接続される活性接続部材と、を含み、前記第１方向は、前記第２方向とは異なり、
前記ソース端及び前記ドレイン端は、それぞれ対応する前記走査線の両側に位置し、前記活性接続部材は、少なくとも、前記第１方向及び前記第２方向とは異なる第３方向に沿って延在し、
前記ソースは、前記ソース端と電気的に接続され、前記ドレインは、前記ドレイン端と電気的に接続される、
請求項１５に記載の表示端末。

【請求項17】

前記薄膜トランジスタは、単一ゲート構造である、
請求項１６に記載の表示端末。

【請求項18】

前記第３方向と前記第１方向とのなす角は、５度以上１５度以下である、
請求項１７に記載の表示端末。

【請求項19】

前記表示パネルは、複数のサブ画素を含み、前記サブ画素は画素電極を含み、複数の前記サブ画素は、前記走査線の両側にそれぞれ位置する第１サブ画素と第２サブ画素とを含み、前記第１サブ画素の前記画素電極と前記第２サブ画素の前記画素電極との間には、前記走査線に対応して設けられる隙間を有する、
請求項１６に記載の表示端末。

【請求項20】

前記半導体層と前記第３金属層との間に設けられるゲート絶縁層と、
前記第３金属層と前記第１金属層との間に設けられる第１絶縁層と、
前記第１金属層と前記第２金属層との間に設けられる第２絶縁層と、をさらに含み、
前記表示パネルは、前記ゲート絶縁層及び前記第１絶縁層を貫通する第１貫通孔と、前記ゲート絶縁層、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層を貫通する第２貫通孔とをさらに含み、前記ソースは、前記第１貫通孔を介して前記ソース端と電気的に接続され、前記ドレインは、前記第２貫通孔を介して前記ドレイン端と電気的に接続される、
請求項１９に記載の表示端末。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本願は、表示分野に関し、特に表示パネル及び表示端末に関する。

【背景技術】

【0002】

様々なタイプの表示パネルは、携帯電話、コンピュータ、ＡＲ（Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ Ｒｅａｌｉｔｙ，拡張現実）、ＶＲ（Ｖｉｒｔｕａｌ Ｒｅａｌｉｔｙ，仮想現実）などの表示スクリーンに広く使用されている。従来の三次元表示は、主に解像度を犠牲にする方式に基づいて左右の目で見られる内容が異なるようにするという目的を達成するものであり、より高い解像度を必要とする。

【0003】

しかしながら、現在の画素レイアウト（Ｌａｙｏｕｔ）スペースとプロセス能力により、解像度の向上が制限され、特に液晶表示パネルの解像度が大幅に制限されることで、現在の表示パネルの解像度が向上しにくくなる。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本願の実施例によれば、現在の表示パネルの解像度が向上しにくくなるという問題を解決するために、表示パネル及び表示端末が提供される。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本願の実施例によれば、ベースと、
前記ベースに設けられる第１金属層と、
前記第１金属層に設けられる第２金属層と、を含む表示パネルであって、
前記第１金属層は、第１方向に沿って延在する複数のデータ線と、前記データ線と電気的に接続される薄膜トランジスタのソースとを含み、前記第２金属層は、隣接する二つの前記データ線の間に位置する前記薄膜トランジスタのドレインを含む表示パネルが提供される。

【0006】

任意に、本願のいくつかの実施例において、前記ベースと前記第１金属層との間に設けられる第３金属層と、
前記第１金属層と前記ベースとの間に設けられる半導体層と、をさらに含み、
前記第３金属層は、第２方向に沿って延在する走査線を含み、前記半導体層は、複数の前記薄膜トランジスタの複数の活性部材を含み、前記活性部材は、ソース端及びドレイン端と、前記ソース端と前記ドレイン端との間に接続される活性接続部材と、を含み、前記第１方向は、前記第２方向とは異なり、
前記ソース端及び前記ドレイン端は、それぞれ対応する前記走査線の両側に位置し、前記活性接続部材は、少なくとも、前記第１方向及び前記第２方向とは異なる第３方向に沿って延在し、
前記ソースは、前記ソース端と電気的に接続され、前記ドレインは、前記ドレイン端と電気的に接続される。

【0007】

任意に、本願のいくつかの実施例において、前記薄膜トランジスタは、単一ゲート構造である。

【0008】

任意に、本願のいくつかの実施例において、前記第３方向と前記第１方向とのなす角は、５度以上１５度以下である。

【0009】

任意に、本願のいくつかの実施例において、前記第３方向と前記第１方向とのなす角は、７度である。

【0010】

任意に、本願のいくつかの実施例において、前記表示パネルは、複数のサブ画素を含み、前記サブ画素は画素電極を含み、複数の前記サブ画素は、前記走査線の両側にそれぞれ位置する第１サブ画素と第２サブ画素とを含み、前記第１サブ画素の前記画素電極と前記第２サブ画素の前記画素電極との間には、前記走査線に対応して設けられる隙間を有する。

【0011】

任意に、本願のいくつかの実施例において、前記半導体層と前記第３金属層との間に設けられるゲート絶縁層と、
前記第３金属層と前記第１金属層との間に設けられる第１絶縁層と、
前記第１金属層と前記第２金属層との間に設けられる第２絶縁層と、をさらに含み、
前記表示パネルは、前記ゲート絶縁層及び前記第１絶縁層を貫通する第１貫通孔と、前記ゲート絶縁層、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層を貫通する第２貫通孔とをさらに含み、前記ソースは、前記第１貫通孔を介して前記ソース端と電気的に接続され、前記ドレインは、前記第２貫通孔を介して前記ドレイン端と電気的に接続される。

【0012】

任意に、本願のいくつかの実施例において、前記第１金属層に設けられる第１電極層と、
前記第１電極層に設けられる第４絶縁層と、
前記第４絶縁層に設けられる第２電極層と、をさらに含み、
前記第１電極層及び前記第２電極層のうちの一つは、前記サブ画素の画素電極を含む。

【0013】

任意に、本願のいくつかの実施例において、前記第１電極層は、前記ドレインに直接接続される前記サブ画素の画素電極を含む。

【0014】

任意に、本願のいくつかの実施例において、前記第２絶縁層と前記第２金属層との間に設けられる第３絶縁層をさらに含み、前記第２絶縁層は、有機材料であり、前記第３絶縁層は、無機材料であり、前記第２貫通孔は、前記第３絶縁層をさらに貫通する。

【0015】

任意に、本願のいくつかの実施例において、前記第２絶縁層と前記第３絶縁層との間に設けられる第３電極層をさらに含み、前記第３電極層は、前記画素電極と少なくとも部分的に重なる複数の蓄積電極を含む。

【0016】

任意に、本願のいくつかの実施例において、前記第２金属層の厚さは、３５００オングストローム以上である。

【0017】

任意に、本願のいくつかの実施例において、前記第２貫通孔に対応する部位における前記第１電極層、前記第４絶縁層及び前記第２電極層の凹みによって形成される第１盲孔と、
少なくとも前記第１盲孔に充填される有機材料である第５絶縁層と、をさらに含む。

【0018】

任意に、本願のいくつかの実施例において、基板と、前記基板に設けられる支持柱とを含むカラーフィルム基板をさらに含み、前記支持柱は、前記基板と前記ベースとの間に位置し、前記ベースにおける前記支持柱の正投影と前記ベースにおける前記第５絶縁層の正投影とが重ならない。

【0019】

したがって、本願の実施例によれば、ベースと、
前記ベースに設けられる第１金属層と、
前記第１金属層に設けられる第２金属層と、を含む表示パネルを含む表示端末であって、
前記第１金属層は、第１方向に沿って延在する複数のデータ線と、前記データ線と電気的に接続される薄膜トランジスタのソースとを含み、前記第２金属層は、隣接する二つの前記データ線の間に位置する前記薄膜トランジスタのドレインを含む表示端末がさらに提供される。

【0020】

任意に、本願のいくつかの実施例において、前記ベースと前記第１金属層との間に設けられる第３金属層と、
前記第１金属層と前記ベースとの間に設けられる半導体層と、をさらに含み、
前記第３金属層は、第２方向に沿って延在する走査線を含み、前記半導体層は、複数の前記薄膜トランジスタの複数の活性部材を含み、前記活性部材は、ソース端及びドレイン端と、前記ソース端と前記ドレイン端との間に接続される活性接続部材と、を含み、前記第１方向は、前記第２方向とは異なり、
前記ソース端及び前記ドレイン端は、それぞれ対応する前記走査線の両側に位置し、前記活性接続部材は、少なくとも、前記第１方向及び前記第２方向とは異なる第３方向に沿って延在し、
前記ソースは、前記ソース端と電気的に接続され、前記ドレインは、前記ドレイン端と電気的に接続される。

【0021】

任意に、本願のいくつかの実施例において、前記薄膜トランジスタは、単一ゲート構造である。

【0022】

任意に、本願のいくつかの実施例において、前記第３方向と前記第１方向とのなす角は、５度以上１５度以下である。

【0023】

任意に、本願のいくつかの実施例において、前記表示パネルは、複数のサブ画素を含み、前記サブ画素は画素電極を含み、複数の前記サブ画素は、前記走査線の両側にそれぞれ位置する第１サブ画素と第２サブ画素とを含み、前記第１サブ画素の前記画素電極と前記第２サブ画素の前記画素電極との間には、前記走査線に対応して設けられる隙間を有する。

【0024】

任意に、本願のいくつかの実施例において、前記半導体層と前記第３金属層との間に設けられるゲート絶縁層と、
前記第３金属層と前記第１金属層との間に設けられる第１絶縁層と、
前記第１金属層と前記第２金属層との間に設けられる第２絶縁層と、をさらに含み、
前記表示パネルは、前記ゲート絶縁層及び前記第１絶縁層を貫通する第１貫通孔と、前記ゲート絶縁層、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層を貫通する第２貫通孔とをさらに含み、前記ソースは、前記第１貫通孔を介して前記ソース端と電気的に接続され、前記ドレインは、前記第２貫通孔を介して前記ドレイン端と電気的に接続される。

【発明の効果】

【0025】

本願の実施例において、ベースと、ベースに設けられる第１金属層と、第１金属層に設けられる第２金属層と、を含む表示パネルであって、第１金属層は、第１方向に沿って延在する複数のデータ線と、データ線と電気的に接続される薄膜トランジスタのソースとを含み、第２金属層は、隣接する二つのデータ線の間に位置する薄膜トランジスタのドレインを含む表示パネル及び表示端末が提供される。本願の実施例において、データ線、ソース及びドレインは、それぞれ第１金属層及び第２金属層に位置し、ドレインは、隣接する二つのデータ線の間に位置し、ドレインとデータ線とは、異なる層に位置し、ドレインとデータ線とが同じ層に位置する従来技術に比べてエッチングプロセス上の制限の問題が存在しないため、ドレインとデータ線との間の距離が小さくなるとともに、ドレインとデータ線との間の寄生容量が小さくなり、隣接する二つのデータ線をより近くに設けることができ、サブ画素のサイズをより小さくすることができ、それにより、表示パネルの解像度が向上する。

【図面の簡単な説明】

【0026】

本願の実施例における技術的手段をより明確に説明するために、以下、実施例の説明において使用する必要がある図面を簡単に説明する。明らかに、以下の説明における図面は、本願のいくつかの実施例に過ぎず、当業者にとって、創造的な労力を払わずにこれらの図面に基づいて他の図面を得ることもできる。

【0027】

【図1】本願の実施例に係る表示パネルの第１の部分断面概略図である。

【図2】本願の実施例に係る表示パネルの部分構造の第１平面概略図である。

【図3】本願の実施例に係る表示パネルの部分構造の第２平面概略図である。

【図4】本願の実施例に係る表示パネルの第２の部分断面概略図である。

【図5】本願の実施例に係る表示パネルの第３の部分断面概略図である。

【図6】本願の実施例に係る表示パネルの第４の部分断面概略図である。

【図7】本願の実施例に係る表示端末の概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0028】

以下、本願の実施例における図面と併せて、本願の実施例における技術的手段について明確かつ完全に説明する。明らかに、説明される実施例は、本願のいくつかの実施例に過ぎず、すべての実施例ではない。本願の実施例に基づいて、当業者が創造的な労力を行わずに得られる他のすべての実施例は、いずれも本願の保護範囲に属する。また、本明細書に記載される具体的な実施形態は、本願の説明及び解釈のみを目的としており、本願を限定するものではないことを理解すべきである。本願において、逆の説明がない場合、「上」や「下」などの使用される方位語は、通常、実際の使用又は動作状態における装置の上下、具体的には図面における図面方向を意味する。また、「内」と「外」は、装置の輪郭に対していうものである。

【0029】

本願の実施例によれば、ベースと、ベースに設けられる第１金属層と、第１金属層に設けられる第２金属層と、を含む表示パネルであって、第１金属層は、第１方向に沿って延在する複数のデータ線と、データ線と電気的に接続される薄膜トランジスタのソースとを含み、第２金属層は、隣接する二つのデータ線の間に位置する薄膜トランジスタのドレインを含む表示パネルが提供される。

【0030】

本願の実施例によれば、前述した表示パネルを含む表示端末がさらに提供される。以下、それぞれ詳細に説明する。なお、以下の実施例の説明順序は、実施例の好適順序を限定するものではない。
（実施例１）

【0031】

図１、図２及び図３を参照して、図１は、本願の実施例に係る表示パネルの第１の部分断面概略図であり、図２は、本願の実施例に係る表示パネルの部分構造の第１平面概略図であり、図３は、本願の実施例に係る表示パネルの部分構造の第２平面概略図である。図２と図３は、表示パネルの同一部位の平面図を示しており、表示パネル１００の構造をより明確に説明するために、図２と図３は、異なる層構造を選択的に示している。

【0032】

本願の実施例によれば、ベース１１と、ベース１１に設けられる第１金属層１８と、第１金属層１８に設けられる第２金属層２０と、を含む表示パネル１００であって、第１金属層１８は、第１方向Ｘに沿って延在する複数のデータ線１８２と、データ線１８２と電気的に接続される薄膜トランジスタ１０１のソース１８１とを含み、第２金属層２０は、隣接する二つのデータ線１８２の間に位置する薄膜トランジスタ１０１のドレイン２０１を含む表示パネル１００が提供される。

【0033】

具体的には、表示パネル１００は、ベース１１と、ベース１１に設けられる第１金属層１８と、第１金属層１８に設けられる第２金属層２０と、を含み、第１金属層１８と第２金属層２０との間には、対応する絶縁層がさらに設けられるが、後述する実施例で詳述する。

【0034】

具体的には、ベース１１は、ガラスなどの材料であってもよく、ここでは限定されない。

【0035】

具体的には、第１金属層１８は、第１方向Ｘに沿って延在する複数のデータ線１８２と、データ線１８２と電気的に接続される薄膜トランジスタ１０１のソース１８１とを含み、図２において、ソース１８１は、データ線１８２の一部であるが、これに限定されず、例えば、ソース１８１は、データ線１８２の突出する一部である。

【0036】

具体的には、ソース１８１は、データ線１８２と電気的に接続され、第２金属層２０は、隣接する二つのデータ線１８２の間に位置する薄膜トランジスタ１０１のドレイン２０１を含む。ドレイン２０１とソース１８１とは、異なる層の金属層である。

【0037】

具体的には、本実施例において、データ線１８２、ソース１８１及びドレイン２０１は、それぞれ第１金属層１８及び第２金属層２０に位置し、ドレイン２０１は、隣接する二つのデータ線１８２の間に位置し、ドレイン２０１とデータ線１８２とは、異なる層に位置し、ドレイン２０１とデータ線１８２とが同じ層に位置する従来技術に比べてエッチングプロセス上の制限の問題（従来技術において、ドレイン２０１とデータ線１８２とは、同一層の金属層に位置し、ドレイン２０１とデータ線１８２との間には、エッチング残りによる短絡を回避し、かつ寄生容量が大きすぎるのを回避するために大きな距離を維持する必要がある）が存在しないため、ドレイン２０１とデータ線１８２との間の距離が小さくなるとともに、ドレイン２０１とデータ線１８２との間の寄生容量が小さくなり、隣接する二つのデータ線１８２をより近くに設けることができ、サブ画素のサイズをより小さくすることができ、それにより、表示パネル１００の解像度が向上する。
（実施例２）

【0038】

本実施例は、実施例１と同一又は類似であり、表示パネル１００の特徴をさらに限定する点で異なる。図１～図３を参照されたい。

【0039】

いくつかの実施例において、表示パネル１００は、ベース１１と第１金属層１８との間に設けられる第３金属層１６と、第１金属層１８とベース１１との間に設けられる半導体層１４と、をさらに含み、第３金属層１６は、第２方向Ｙに沿って延在する走査線１６２を含み、半導体層１４は、複数の薄膜トランジスタ１０１の複数の活性部材１４１を含み、活性部材１４１は、ソース端１４１１及びドレイン端１４１２と、ソース端１４１１とドレイン端１４１２との間に接続される活性接続部材１４１４と、を含み、第１方向Ｘは、第２方向Ｙとは異なり、ソース端１４１１及びドレイン端１４１２は、それぞれ対応する走査線１６２の両側に位置し、活性接続部材１４１４は、少なくとも、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙとは異なる第３方向Ｚに沿って延在し、ソース１８１は、ソース端１４１１と電気的に接続され、ドレイン２０１は、ドレイン端１４１２と電気的に接続される。

【0040】

具体的には、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ及び第３方向Ｚは、いずれも同一平面の方向を意味し、いずれも、ベース１１の平面に平行する方向を意味する。

【0041】

具体的には、半導体層１４の材料は、多結晶シリコンであってもよいが、これに限定されない。なお、活性部材１４１は、半導体層１４のうちの一つの薄膜トランジスタ１０１に対応する部位である。ソース端１４１１及びドレイン端１４１２は、活性部材１４１における再ドープ領域であり、ソース端１４１１は、活性部材１４１のソース領域であり、ドレイン端１４１２は、活性部材１４１のドレイン領域である。

【0042】

具体的には、複数のデータ線１８２は、第１方向Ｘに沿って延在し、複数の走査線１６２は、第２方向Ｙに沿って延在し、第１方向Ｘは、第２方向Ｙとは異なり、すなわち、第１方向Ｘは、第２方向Ｙと交差する。好適に、又は任意に、第１方向Ｘは、第２方向Ｙと互いに直交する。

【0043】

具体的には、活性部材１４１は、ソース端１４１１及びドレイン端１４１２と、ソース端１４１１とドレイン端１４１２との間に接続される活性接続部材１４１４と、を含み、ソース端１４１１及びドレイン端１４１２は、それぞれ対応する走査線１６２の両側に位置し、活性接続部材１４１４は、少なくとも第３方向Ｚに沿って延在する。図２及び図３において、ソース端１４１１及びドレイン端１４１２がそれぞれ対応する走査線１６２の両側に位置するように、ベース１１における活性接続部材１４１４の正投影とベースにおける走査線１６２の正投影とが交差し、ソース端１４１１及びドレイン端１４１２が対応する走査線１６２の一方側に位置することに比べて、第１方向Ｘ又は／及び第２方向Ｙにおけるサブ画素の幅を小さくすることができ、それにより、表示パネルの解像度を向上させることができる。

【0044】

具体的には、活性接続部材１４１４は、少なくとも第１方向Ｘ及び第２方向Ｙとは異なる第３方向Ｚに沿って延在する。すなわち、第３方向Ｚは、第１方向Ｘに対して傾斜し、第２方向Ｙに対して傾斜する。

【0045】

具体的には、走査線１６２と活性接続部材１４１４とがベース１１に垂直な方向に積層して設けられる部位は、ゲート１６１であり、すなわち、ゲート１６１は、走査線１６２の一部であってもよいが、これに限定されず、例えば、ゲート１６１は、走査線１６２の突出又は延在する一部であってもよい。

【0046】

具体的には、活性接続部材１４１４は、少なくとも第３方向Ｚに沿って延在し、ドレイン端１４１２の少なくとも一部を隣接する二つのデータ線１８２の間に位置させることができ、それにより、ドレイン２０１を隣接する二つのデータ線１８２の間に位置させ、ドレイン端１４１２と電気的に接続することができ、それにより、表示パネル１００の解像度が向上する。

【0047】

いくつかの実施例において、薄膜トランジスタ１０１は、単一ゲート構造である。

【0048】

具体的には、薄膜トランジスタ１０１は、単一ゲート構造であり、一つのゲートのみを有し、二つのゲート構造に比べて、サブ画素のサイズをより小さくすることができ、それにより、表示パネル１００の解像度が向上する。

【0049】

具体的には、上記いずれかの表示パネル１００において、薄膜トランジスタ１０１は、単一ゲート構造であり、すなわち、第１方向Ｘ又は／及び第２方向Ｙにおけるサブ画素の幅が小さくなるように、ベース１１における活性接続部材１４１４の正投影とベースにおける走査線１６２の正投影とが一度交差し、それにより、表示パネルの解像度を向上させることができる。

【0050】

いくつかの実施例において、第３方向Ｚと第１方向Ｘとのなす角αは、５度以上１５度以下である。

【0051】

具体的には、第３方向Ｚと第１方向Ｘとのなす角αが５度以上となるようにすることで、ベース１１におけるドレイン端１４１２の正投影と、ベースにおけるドレイン２０１の正投影とが少なくとも部分的に重なるようにし、ドレイン２０１が後述する実施例で説明する第２貫通孔１０６を介してドレイン端１４１２と電気的に接続されることに便利である。

【0052】

いくつかの実施例において、第３方向Ｚと第１方向Ｘとのなす角αは、７度である。

【0053】

具体的には、第３方向Ｚと第１方向Ｘとのなす角αは、７度であることが好ましく、薄膜トランジスタ１０１の活性部材１４１が適切なアスペクト比のチャネル１４１３を有することを保証することができ、ドレイン２０１とドレイン端１４１２との良好な電気的接続性能を保証することもでき、高解像度表示パネルに好適である。

【0054】

いくつかの実施例において、上記いずれかの表示パネル１００において、表示パネル１００は、複数のサブ画素１１０を含み、複数のサブ画素１１０は、走査線１６２の両側にそれぞれ位置する第１サブ画素１１１と第２サブ画素１１２とを含み、第１サブ画素１１１の画素電極２１１と第２サブ画素１１２の画素電極２１１との間には、走査線１６２に対応して設けられる隙間１１３を有する。

【0055】

具体的には、第１サブ画素１１１の画素電極２１１と第２サブ画素１１２の画素電極２１１との間には、隙間１１３を有し、すなわち、第１サブ画素１１１の画素電極２１１と第２サブ画素１１２の画素電極２１１とは、対応し、又は隙間１１３において間隔をあけて設けられ、第１サブ画素１１１の画素電極２１１と第２サブ画素１１２の画素電極２１１とは、対応する走査線１６２の他方側に延在する必要はなく、カラーフィルム基板におけるブラックマトリックス（Ｂｌａｃｋ Ｍａｔｒｉｘ，ＢＭ）の遮蔽幅を小さくすることができ、それにより、開口率が向上し、表示パネルの解像度の向上に役立つことになる。
（実施例３）

【0056】

本実施例は、上記実施例のいずれかの表示パネル１００と同一又は類似であり、表示パネル１００の特徴をさらに限定する点で異なる。

【0057】

図１、図４、図５、図６を参照して、図４は、本願の実施例に係る表示パネルの第２の部分断面概略図であり、図５は、本願の実施例に係る表示パネルの第３の部分断面概略図であり、図６は、本願の実施例に係る表示パネルの第４の部分断面概略図である。

【0058】

いくつかの実施例において、図１に示すように、表示パネル１００は、ゲート絶縁層１５、第１絶縁層１７及び第２絶縁層１９をさらに含む。ゲート絶縁層１５は、半導体層１４と第３金属層１６との間に設けられ、第１絶縁層１７は、第３金属層１６と第１金属層１８との間に設けられ、第２絶縁層１９は、第１金属層１８と第２金属層２０との間に設けられ。ここで、表示パネル１００は、ゲート絶縁層１５及び第１絶縁層１７を貫通する第１貫通孔１０５と、ゲート絶縁層１５、第１絶縁層１７及び第２絶縁層１９とを貫通する第２貫通孔１０６と、をさらに含み、ソース１８１は、第１貫通孔１０５を介してソース端１４１１と電気的に接続され、ドレイン２０１は、第２貫通孔１０６を介してドレイン端１４１２と電気的に接続される。

【0059】

具体的には、第１絶縁層１７及び第２絶縁層１９の材料は、無機材料又は有機材料を含んでもよい。例えば、第１絶縁層１７及び第２絶縁層１９の材料は、窒化ケイ素又は／及び酸化ケイ素を含んでもよいが、ここでは限定されない。

【0060】

具体的には、ドレイン２０１は、第２貫通孔１０６を介してドレイン端１４１２と電気的に接続され、それにより、ドレイン２０１と薄膜トランジスタ１０１との電気的接続が実現される。

【0061】

いくつかの実施例において、図１に示すように、表示パネル１００は、第１金属層１８に設けられる第１電極層２１と、第１電極層２１に設けられる第４絶縁層２２と、第４絶縁層２２に設けられる第２電極層２３と、をさらに含み、第１電極層２１及び第２電極層２３のうちの一つは、サブ画素１１０の画素電極２１１を含む。

【0062】

具体的には、表示パネル１００が液晶表示パネルである場合、第１電極層２１は、画素電極２１１を含んでもよく、第２電極層２３は、共通電極２３１を含んでもよい。又は、表示パネル１００が液晶表示パネルである場合、第１電極層２１は、共通電極を含んでもよく、第２電極層２３は、画素電極を含んでもよい。この二つの場合は、いずれも、上記実施例における有益な効果を有する。

【0063】

いくつかの実施例において、図１、図４及び図５に示すように、第１電極層２１は、ドレイン２０１に直接接続されるサブ画素の画素電極２１１を含む。

【0064】

具体的には、第１電極層２１は、ドレイン２０１に直接接続されるサブ画素の画素電極２１１を含み、このとき、第２金属層２０を製造した後に第１電極層２１を直接製造することができ、第１電極層２１と第２金属層２０との間に絶縁層を設ける必要はなく、プロセスを簡略化できるという効果を奏する。

【0065】

いくつかの実施例において、図５に示すように、表示パネル１００は、第２絶縁層１９と第２金属層２０との間に設けられる第３絶縁層２５をさらに含み、第２絶縁層１９は、有機材料であり、第３絶縁層２５は、無機材料であり、第２貫通孔１０６は、第３絶縁層２５をさらに貫通する。

【0066】

具体的には、第３絶縁層２５は、第２絶縁層１９と第２金属層２０との間に設けられ、第２絶縁層１９は、有機材料であり、第３絶縁層２５は、無機材料であり、第２貫通孔１０６の形成プロセスにおいて、第３絶縁層２５と第２絶縁層１９とが同一プロセスにおいてエッチングされ、第３絶縁層２５は、第２絶縁層１９を保護する役割を果たし、有機材料である第２絶縁層１９がオーバーエッチングされるのを防止し、アンダーカット（Ｕｎｄｅｒｃｕｔ）構造の形成を回避し、ドレイン２０１とドレイン端１４１２との接続信頼性を向上させることができる。

【0067】

いくつかの実施例において、図５に示すように、表示パネル１００は、第２絶縁層１９と第３絶縁層２５との間に設けられる第３電極層２６をさらに含み、第３電極層２６は、画素電極２１１と少なくとも部分的に重なる複数の蓄積電極２６１を含む。

【0068】

具体的には、蓄積電極２６１と画素電極２１１とが少なくとも部分的に重なり、すなわち、ベース１１における蓄積電極２６１の正投影と、ベース１１における画素電極２１１の投影とが少なくとも部分的に重なる。

【0069】

具体的には、高解像度の表示パネルにおける画素電極２１１と共通電極とが重なる面積が小さく、蓄積容量が不十分であるため、画素電極２１１と少なくとも部分的に重なる複数の蓄積電極２６１を含む第３電極層２６が設けられることで、高解像度の表示パネルにおける蓄積容量を大きくすることができ、画素電極２１１の充電後の電圧安定性が向上し、表示効果が向上する。

【0070】

いくつかの実施例において、第２金属層２０の厚さは、３５００オングストローム以上である。

【0071】

具体的には、第２貫通孔１０６は、多くの膜層を貫通しており、大きな深さを有し、第２金属層２０の厚さは、３５００オングストローム以上であり、第２金属層２０は、ある程度、第２貫通孔１０６を充填又は平らに埋める役割を果たし、後述する画素電極２１１などの膜層に平坦な担持界面を提供することができる。

【0072】

いくつかの実施例において、表示パネル１００は、第２貫通孔１０６に対応する部位における第１電極層２１、第４絶縁層２２及び第２電極層２３の凹みによって形成される第１盲孔１０７と、少なくとも第１盲孔１０７に充填される有機材料である第５絶縁層２４と、をさらに含む。

【0073】

具体的には、第１電極層２１、第４絶縁層２２及び第２電極層２３の膜層が薄く、第２貫通孔１０６に対応する部位における第１電極層２１、第４絶縁層２２及び第２電極層２３の凹みによって第１盲孔１０７が形成され、有機材料である第５絶縁層２４が設けられ、第５絶縁層２４は、第１盲孔１０７を平らに埋めることができ、表示パネル１００が液晶表示パネルである場合、第５絶縁層２４に設けられる液晶層３０１に平坦な界面を提供し、表示パネル１００の液晶ケース厚の均一性を維持するのに役立つことになる。

【0074】

いくつかの実施例において、図６に示すように、表示パネル１００は、基板３１と、基板３１に設けられる支持柱３２とを含むカラーフィルム基板３０をさらに含み、支持柱３２は、基板３１とベース１１との間に位置し、ベース１１における支持柱３２の正投影とベース１１における第５絶縁層２４の正投影とが重ならない。

【0075】

具体的には、第５絶縁層２４が有機材料であるため、第５絶縁層２４の厚さは、ある程度変動し、ベース１１における支持柱３２の正投影とベース１１における第５絶縁層２４の正投影とが重ならないようにすることで、表示パネル１００の液晶ケース厚の不均一性を回避することができる。

【0076】

なお、上記実施例のいずれかの表示パネル１００において、表示パネル１００は、表示領域ＡＡと、表示領域ＡＡを少なくとも部分的に取り囲む非表示領域ＢＢとを含んでもよく、上記実施例における薄膜トランジスタ１０１は、表示領域ＡＡに設けられてもよく、非表示領域ＢＢに設けられてもよい。第３金属層１６、第１金属層１８、第２金属層２０、第１電極層２１及び第２電極層２３などは、非表示領域ＢＢにおいて同時に配線、接続電極、ブリッジ電極などとして機能してもよく、例えば、第３金属層１６は、共通配線１６３を含み、第２金属層２０は、接続電極２０２を含み、第２電極層２３は、接続電極２０２を介して共通配線１６３と電気的に接続される周辺共通電極２３２を含み、ここでは限定されない。

【0077】

なお、上記実施例のいずれかの表示パネル１００において、第１貫通孔１０５を形成する際に、第１貫通孔１０５に対応する第１絶縁層１７の部位は全てエッチングされ、第２貫通孔１０６に対応する第１絶縁層１７の部位は、一部のみエッチングされ、ドレイン端１４１２を保護するために、第２貫通孔１０６に対応する第１絶縁層１７の部位は、一部保留される。また、第２貫通孔１０６を形成する際に、第１絶縁層１７の保留された部分、第２貫通孔１０６に対応する第２絶縁層１９の部位は、同時にエッチングされ、又は、第１絶縁層１７の保留された部分、第２貫通孔１０６に対応する第２絶縁層１９及び第３絶縁層２５の部位は、同時にエッチングされる。
（実施例４）

【0078】

図７を参照して、図７は、本願の実施例に係る表示端末の概略図である。

【0079】

本願の実施例によれば、上述した実施例のいずれかに記載の表示パネル１００を含む表示端末１０００がさらに提供される。

【0080】

具体的には、表示端末１０００は、携帯電話、ノートパソコン及びテレビなどであってもよく、表示パネル１００と一体に組み合わされた端末本体１００１を含んでもよい。端末本体１００１は、表示端末１０００の外筐などの構造及び部材であってもよい。

【0081】

以上、本願の実施例に係る表示パネル及び表示端末について詳細に説明し、本明細書では本願の原理及び実施形態を具体的な例を適用して説明した。以上の実施例の説明は、本願の方法及びそのコア思想の理解を助けるものであると同時に、当業者にとっては、本願の思想に基づき、具体的な実施形態及び適用範囲のいずれにも変更点があり、以上により、本明細書の内容は、本願の制限と解釈されるべきではない。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【国際調査報告】