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特表2024-529615一方向透視フィルム、マジックミラー、マジックミラーの製造方法、及び電子機器
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-08-08
(54)【発明の名称】一方向透視フィルム、マジックミラー、マジックミラーの製造方法、及び電子機器
(51)【国際特許分類】
G02B 5/08 20060101AFI20240801BHJP
【ＦＩ】
G02B5/08 A
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023580877
(86)(22)【出願日】2022-08-23
(85)【翻訳文提出日】2024-02-27
(86)【国際出願番号】 CN2022114244
(87)【国際公開番号】W WO2023025145
(87)【国際公開日】2023-03-02
(31)【優先権主張番号】202110979363.4
(32)【優先日】2021-08-25
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】510177809
【氏名又は名称】ビーワイディー カンパニー リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100169904
【弁理士】
【氏名又は名称】村井 康司
(74)【代理人】
【識別番号】100132698
【弁理士】
【氏名又は名称】川分 康博
(72)【発明者】
【氏名】彭新海
(72)【発明者】
【氏名】▲劉▼玉▲陽▼
(72)【発明者】
【氏名】王▲継▼厚
(72)【発明者】
【氏名】李超
(72)【発明者】
【氏名】黎原
【テーマコード（参考）】
2H042
【Ｆターム（参考）】
2H042DA01
2H042DA21
(57)【要約】
本願は、順に設置された第１五酸化二ニオブ層（１１）、第１酸化シリコン層（１２）、吸収層（１３）、第２五酸化二ニオブ層（１４）及び第２酸化シリコン層（１５）を含み、吸収層１３の厚さが８ｎｍ～２０ｎｍである一方向透視フィルム（１０）を提供する。本願は、マジックミラー、マジックミラーの製造方法、及び電子機器をさらに提供する。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
順に設置された第１五酸化二ニオブ層（１１）、第１酸化シリコン層（１２）、吸収層（１３）、第２五酸化二ニオブ層（１４）及び第２酸化シリコン層（１５）を含み、前記吸収層（１３）の厚さは、８ｎｍ～２０ｎｍである、ことを特徴とする一方向透視フィルム（１０）。
【請求項2】
前記吸収層（１３）は、シリコン、インジウム、ニオブ、チタン及びクロムのうちの１種又は複数を含む、ことを特徴とする請求項１に記載の一方向透視フィルム（１０）。
【請求項3】
前記第１五酸化二ニオブ層（１１）と前記第２五酸化二ニオブ層（１４）の厚さは、それぞれ１０ｎｍ～１２０ｎｍであり、前記第１酸化シリコン層（１２）と前記第２酸化シリコン層（１５）の厚さは、それぞれ１０ｎｍ～１６０ｎｍである、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の一方向透視フィルム（１０）。
【請求項4】
前記第１五酸化二ニオブ層（１１）の厚さは、３０ｎｍ～６０ｎｍであり、前記第１酸化シリコン層（１２）の厚さは、９０ｎｍ～１１０ｎｍであり、
前記第２五酸化二ニオブ層（１４）の厚さは、６０ｎｍ～１１０ｎｍであり、
前記第２酸化シリコン層（１５）の厚さは、５０ｎｍ～９０ｎｍである、ことを特徴とする請求項１～３のいずれか一項に記載の一方向透視フィルム。
【請求項5】
前記第１五酸化二ニオブ層（１１）と前記第１酸化シリコン層（１２）との厚さの比は、１：（１．５～３．５）である、ことを特徴とする請求項１～４のいずれか一項に記載の一方向透視フィルム（１０）。
【請求項6】
前記第２五酸化二ニオブ層（１４）と前記第２酸化シリコン層（１５）との厚さ比は、１：（０．５～１．５）である、ことを特徴とする請求項１～５のいずれか一項に記載の一方向透視フィルム（１０）。
【請求項7】
可視光線透過率は、１０％～２５％である、ことを特徴とする請求項１～６のいずれか一項に記載の一方向透視フィルム（１０）。
【請求項8】
両側面の可視光線反射率の差の絶対値は、１５％以上である、ことを特徴とする請求項１～７のいずれか一項に記載の一方向透視フィルム（１０）。
【請求項9】
基材（２０）と、前記基材（２０）の表面に設置された、請求項１～８のいずれか一項に記載の一方向透視フィルム（１０）とを含む、ことを特徴とするマジックミラー。
【請求項10】
前記基材（２０）は、前記第１五酸化二ニオブ層の前記第１酸化シリコン層から離れた表面に設置される、ことを特徴とする請求項９に記載のマジックミラー。
【請求項11】
基材（２０）を提供し、前記基材（２０）の表面に第１五酸化二ニオブ層、第１酸化シリコン層、吸収層、第２五酸化二ニオブ層及び第２酸化シリコン層を順に堆積して前記マジックミラーを得るステップによって製造され、前記吸収層は、シリコン、インジウム、ニオブ、チタン及びクロムのうちの１種以上を含み、
前記吸収層の厚さは、８ｎｍ～２０ｎｍである、ことを特徴とする請求項９又は１０に記載のマジックミラー。
【請求項12】
請求項１～８のいずれか一項に記載の一方向透視フィルム（１０）、又は、請求項９～１１のいずれか一項に記載のマジックミラーを含む、ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本願は、２０２１年８月２５日に中国国家知識産権局に提出された、出願名称が「一方向透視フィルム、マジックミラー、マジックミラーの製造方法、及び電子機器」である中国特許出願第２０２１１０９７９３６３．４号の優先権を主張するものであり、その全ての内容は参照により本開示に組み込まれるものとする。
【0002】
本願は、光学の技術分野に関し、具体的には、一方向透視フィルム、マジックミラー、マジックミラーの製造方法、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【0003】
マジックミラーは、特殊なコーティングガラスであり、その一面がガラスミラー（外側）であり、光線を反射することができ、一般的なミラーと同様に機能し、ミラー効果を有し、他面（内側）には、ガラスの外側の光景が見られ、透視効果を有し、即ちガラスの外側からガラスの内側の状況が見られないが、ガラスの内側からガラスの外側の状況が見られるという透視効果がある。マジックミラーは、監獄、公安局と検察庁と裁判所機関の取調室、精神病病院、大学科学研究機関の研究室、大型会議室などの場所に適用することができる。
【0004】
現在市販されているマジックミラーは、銀、チタン、酸化チタンをメッキ層として用いて片面透視効果を達成することが多いが、上記材料は、コストが高いだけでなく、安定性が低いため、メッキ膜が失効しやすくなる。また、従来のマジックミラーは、色が単一であり、人々の多様な応用ニーズを満たさない。したがって、マジックミラーの安定性を向上させるとともに、マジックミラーに多様な色を持たせる新規な一方向透視フィルムを提供する必要がある。
【発明の概要】
【0005】
これに鑑みて、本願は、生産コストが低く、性能が安定し、高い片面透視効果を有し、かつ様々な色があり、市場化ニーズを満たす一方向透視フィルムを提供する。本願は、マジックミラー、マジックミラーの製造方法、及び電子機器をさらに提供する。
【0006】
本願の第１態様に係る一方向透視フィルムは、順に設置された第１五酸化二ニオブ層、第１酸化シリコン層、吸収層、第２五酸化二ニオブ層及び第２酸化シリコン層を含み、前記吸収層の厚さは、８ｎｍ～２０ｎｍである。
【0007】
本願の実施例において、前記吸収層は、シリコン、インジウム、ニオブ、チタン及びクロムのうちの１種以上を含む。
【0008】
本願の実施例において、前記第１五酸化二ニオブ層及び前記第２五酸化二ニオブ層の厚さは、１０ｎｍ～１２０ｎｍである。
【0009】
本願の実施例において、前記第１酸化シリコン層及び前記第２酸化シリコン層の厚さは、１０ｎｍ～１６０ｎｍである。
【0010】
本願の実施例において、前記第１五酸化二ニオブ層の厚さは、３０ｎｍ～６０ｎｍである。
【0011】
本願の実施例において、前記第１酸化シリコン層の厚さは、９０ｎｍ～１１０ｎｍである。
【0012】
本願の実施例において、前記第２五酸化二ニオブ層の厚さは、６０ｎｍ～１１０ｎｍである。
【0013】
本願の実施例において、前記第２酸化シリコン層の厚さは、５０ｎｍ～９０ｎｍである。
【0014】
本願の実施例において、前記一方向透視フィルムの可視光線透過率は、１０％～２５％である。
【0015】
本願の実施例において、前記一方向透視フィルムの両側面の可視光線反射率の差の絶対値は、１５％以上である。
【0016】
本願の一方向透視フィルムは、第１五酸化二ニオブ層及び第１酸化シリコン層により増反射層を形成することにより、一方向透視フィルムの第１五酸化二ニオブ層に近接する側の表面（Ｒ１面）の反射率が高くなり、ミラー効果を達成し、第２五酸化二ニオブ層及び第２酸化シリコン層は、反射防止層を形成することにより、一方向透視フィルムの第２酸化シリコン層に近接する側の表面（Ｒ２面）の反射率が低くなり、透視効果を達成し、吸収層は、一部の光を吸収することができ、吸収層の厚さが８ｎｍ～２０ｎｍである場合、Ｒ１面からＲ２面が見られなく、Ｒ２面からＲ１面が見られることを保証することができる。
【0017】
本願の第２態様に係るマジックミラーは、基材と、前記基材の表面に設置された、本願の第１態様に記載の一方向透視フィルムと、を含む。
【0018】
本願の実施例において、前記基材は、前記第１五酸化二ニオブ層の表面に設置される。
【0019】
本願の実施例において、前記基材は、透明基材を含む。前記透明基材は、ガラス、アクリル板、防爆フィルム、離型フィルム及びポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のうちの１種以上を含む。
【0020】
本願の第２態様に係るマジックミラーは、一方向透視効果が高く、コストが低く、多様な色を有し、幅広い用途を有する。
【0021】
本願の第３の態様に係るマジックミラーの製造方法は、
基材を提供し、前記基材の表面に第１五酸化二ニオブ層、第１酸化シリコン層、吸収層、第２五酸化二ニオブ層及び第２酸化シリコン層を順に堆積して前記マジックミラーを得るステップを含み、前記吸収層は、シリコン、インジウム、ニオブ、チタン及びクロムのうちの１種以上を含み、前記吸収層の厚さは、８ｎｍ～２０ｎｍである。
基材を提供し、前記基材の表面に第１五酸化二ニオブ層、第１酸化シリコン層、吸収層、第２五酸化二ニオブ層及び第２酸化シリコン層を順に堆積して前記マジックミラーを得るステップを含み、前記吸収層は、シリコン、インジウム、ニオブ、チタン及びクロムのうちの１種以上を含み、前記吸収層の厚さは、８ｎｍ～２０ｎｍである。
【0022】
本願の第４の態様に係る電子機器は、本願の第１態様に記載の一方向透視フィルム又は本願の第２態様に記載のマジックミラーを含む。
【図面の簡単な説明】
【0023】
【図1】本願の一実施例に係る一方向透視フィルムの概略構成図である。
【図2】本願の一実施例に係る光の一方向透視フィルム中の伝送概略図である。
【図3】本願の一実施例に係るマジックミラーの概略構成図である。
【図4】本願の実施例１に係るマジックミラーのＲ１面の反射率測定図である。
【図5】本願の実施例１に係るマジックミラーのＲ１面の透過率測定図である。
【図6】本願の実施例１に係るマジックミラーのＲ２面の反射率測定図である。
【図7】本願の実施例２に係るマジックミラーのＲ１面の反射率測定図である。
【図8】本願の実施例２に係るマジックミラーのＲ１面の透過率測定図である。
【図9】本願の実施例２に係るマジックミラーのＲ２面の反射率測定図である。
【発明を実施するための形態】
【0024】
以下、本願の実施例における図面を参照しながら、本願の実施例における技術手段を明確かつ完全に説明し、明らかに、説明される実施例は、本願の実施例の一部に過ぎず、全ての実施例ではない。本願における実施例に基づいて、当業者が創造的な労働をしない前提で得る他の全ての実施例は、いずれも本願の保護範囲に属するものである。
【0025】
図１に示すように、図１は、本願の一実施例に係る一方向透視フィルムの概略構成図である。一方向透視フィルムは、順に設置された第１五酸化二ニオブ層１１、第１酸化シリコン層１２、吸収層１３、第２五酸化二ニオブ層１４及び第２酸化シリコン層１５を含む。説明の便宜上、本願における一方向透視フィルムの外側とは、第１五酸化二ニオブ層１１側を指し、一方向透視フィルムの内側とは、第２酸化シリコン層１５側を指す。
【0026】
本願において、一方向透視フィルムの外側面（Ｒ１面）は、第１五酸化二ニオブ層であり、外側面の光線が第１五酸化二ニオブ層を通過して第１酸化シリコン層に到達する場合に半波損失が発生しないため、光の反射が強くなり、一方向透視フィルムの外側にミラー効果が現れ、一方向透視フィルムの内側面（Ｒ２面）は第２酸化シリコン層であり、内側面の光線が第２酸化シリコン層を通過して第２五酸化二ニオブ層に到達する場合に半波損失が発生するため、光の反射が低減され、一方向透視フィルムの内側に透視効果が現れる。本願は、五酸化ニオブ及び酸化シリコン層を用いて一方向透視フィルムを製造することにより、生産コストを大幅に低減し、製品の普及に役立つ。
【0027】
本願の一方向透視フィルムにおいて、吸収層は、光線の一部を吸収することにより、一方向透視フィルムの透過率を適切な範囲にすることができる。本願の実施形態において、吸収層は、シリコン、インジウム、ニオブ、チタン及びクロムのうちの１種以上を含む。本願の実施形態において、吸収層の厚さは、８ｎｍ～２０ｎｍである。さらに、吸収層の厚さは、１５ｎｍ～２０ｎｍである。吸収層の厚さは、具体的には、８ｎｍ、１０ｎｍ、１２ｎｍ、１５ｎｍ、１７ｎｍ又は２０ｎｍであってもよいが、これらに限定されない。吸収層の厚さが大きいと、光に対する吸収量が大きく、一方向透視フィルムの透過率が小さく、吸収層の厚さが小さいと、光に対する吸収量が小さく、一方向透視フィルムの透過率が大きい。吸収層の厚さが８ｎｍ～２０ｎｍである場合、吸収層は、第１五酸化二ニオブ層、第１酸化シリコン層、第２五酸化二ニオブ層及び第２酸化シリコン層とともに、高い相乗効果を達成することができ、一方向透視フィルムの外側にミラー効果が現れ、一方向透視フィルムの内側に透視効果が現れることを保証する。本願の実施形態において、一方向透視フィルムの可視光線透過率は、１０％～２５％であり、一方向透視フィルムの可視光線透過率は、具体的には、１０％、１５％、１８％、２０％、２２％、２５％であってもよいが、これらに限定されない。
【0028】
本願の実施形態において、第１五酸化二ニオブ層及び第２五酸化二ニオブ層の厚さは、１０ｎｍ～１２０ｎｍである。第１五酸化二ニオブ層及び第２五酸化二ニオブ層の厚さは、具体的には、１０ｎｍ、３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、５５ｎｍ、６０ｎｍ、８０ｎｍ、９０ｎｍ、１００ｎｍ又は１２０ｎｍであってもよいが、これらに限定されない。本願の実施形態において、第１酸化シリコン層及び第２酸化シリコン層の厚さは、１０ｎｍ～１６０ｎｍである。第１酸化シリコン層及び第２酸化シリコン層の厚さは、具体的には、１０ｎｍ、３０ｎｍ、５０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍ、９０ｎｍ、１００ｎｍ、１１０ｎｍ、１２０ｎｍ又は１６０ｎｍであってもよいが、これらに限定されない。第１五酸化二ニオブ層、第２五酸化二ニオブ層、第１酸化シリコン層及び第２酸化シリコン層の厚さを上記範囲に制御することにより、一方向透視フィルムが高い構造安定性を有し脱落しにくいことを保証でき、一方向透視フィルムの製造コストが低く、製品の市場化に役立つ。
【0029】
本願において、第１五酸化二ニオブ層、第１酸化シリコン層、第２五酸化二ニオブ層及び第２酸化シリコン層の厚さを調整することにより、一方向透視フィルムの一方向透視効果を最適化し、一方向透視フィルムの外側の反射率を向上させ、一方向透視フィルムの内側の反射率を低下させ、一側がミラーであり、他側が透視面であるという高い視覚的コントラスト効果を達成することができる。具体的には、図２に示すように、図２は、本願の一実施例に係る光の一方向透視フィルム中の伝送概略図であり、ｒ１は、外側光の界面１で発生する振幅反射係数であり、ｒ２は、外側光の界面２で発生する振幅反射係数であり、ｒ３は、内側光の界面２で発生する振幅反射係数であり、ｒ４は、内側光の界面１で発生する振幅反射係数である。界面１での一方向透視フィルムの反射率はＲ１であり、界面２での一方向透視フィルムの反射率はＲ２であり、Ｒ１＝｜ｒ１－ｒ２｜であり、Ｒ２＝｜ｒ３－ｒ４｜であり、さらに、ｒ１＝（Ｎ０－Ｎ１）／（Ｎ０＋Ｎ１）であり、ｒ２＝（Ｎ１－Ｎ２）／（Ｎ１＋Ｎ２）×ｅ（－２δ）であり、ｒ３＝（Ｎ０－Ｎ２）／（Ｎ０＋Ｎ２）であり、ｒ４＝（Ｎ２－Ｎ１）／（Ｎ１＋Ｎ２）×ｅ（－２δ）であり、δ＝２π×Ｎ×Ｄ／λであり、ここで、Ｎ０は、入射媒体の屈折率であり、Ｎ１は、酸化シリコンの屈折率であり、Ｎ２は、五酸化ニオブの屈折率であり、δは、一方向透視フィルムの位相膜厚であり、Ｄは、一方向透視フィルムの物理膜厚であり、λは、光の波長である。また、光の各層の界面間の光路差が４分の１の波長の偶数倍である場合、光の反射を増加させ、光の各層の界面間の光路差が４分の１の波長の奇数倍である場合、光の反射を低減することができる。
【0030】
以上の式と原理に基づいて、本願は、一方向透視フィルムの最適化後の厚さの関係を導き出し、第１五酸化二ニオブ層の厚さが３０ｎｍ～６０ｎｍであり、かつ第１酸化シリコン層の厚さが９０ｎｍ～１１０ｎｍである場合、片面透視フィルムの外側面は、高い反射率を有することができ、第２五酸化二ニオブ層の厚さが６０ｎｍ～１１０ｎｍであり、かつ第２酸化シリコン層の厚さが５０ｎｍ～９０ｎｍである場合、片面透視フィルムの内側面は、低い反射率を有することができる。さらに、第１五酸化二ニオブ層と第１酸化シリコン層との厚さ比は、１：（１．５～３．５）であり、第２五酸化二ニオブ層と第２酸化シリコン層との厚さ比は、１：（０．５～１．５）である。第１五酸化二ニオブ層と第１酸化シリコン層との厚さの比は、具体的には、１：１．５、１：２、１：２．５又は１：３．５であってもよいが、これらに限定されず、第２五酸化二ニオブ層と第２酸化シリコン層との厚さの比は、具体的には、１：０．５、１：０．７、１：１又は１：１．５であってもよいが、これらに限定されない。本願の実施形態において、一方向透視フィルムの両側面の可視光線反射率の差の絶対値は、１５％以上であり、一方向透視フィルムの両側面の可視光線反射率の差の絶対値は、具体的には、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％又は４０％であってもよいが、これらに限定されない。一方向透視フィルムの両側面の可視光線反射率の差が大きいほど、片面透視効果が高くなり、視覚差が顕著になる。
【0031】
本願において、一方向透視フィルムの各層の厚さの関係は、フィルムの色にも影響を与え、具体的には、各層の厚さを調整することにより、一方向透視フィルムの可視光に対する反射率を変更することができ、一方向透視フィルムの異なる波長の光に対する反射率も異なるため、一方向透視フィルムが異なる色を呈することができる。
【0032】
本願は、マジックミラーをさらに提供し、図３に示すように、図３は、本願の一実施例に係るマジックミラーの概略構成図であり、マジックミラーは、基材２０と、基材の表面に設置された一方向透視フィルム１０とを含む。本願の実施形態において、基材は、透明基材を含む。本願のいくつかの実施形態において、基材は、ガラス及び高分子透明基材のうちの１種又は複数種を含み、高分子透明基材は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、アクリル板、防爆フィルム及び離型フィルムのうちの１種以上を含む。本願において、一方向透視フィルムは、基材のいずれの表面に設置されてもよい。本願のいくつかの実施形態において、基材は、一方向透視フィルムの外側（Ｒ１面）に設置され、即ち、基材は、一方向透視フィルムにおける第１五酸化二ニオブ層に隣接し、上記位置設置により、マジックミラーが高い片面透視効果を有することを保証することができる。
【0033】
本願に係るマジックミラーの製造方法は、
基材を提供し、上記基材の表面に第１五酸化二ニオブ層、第１酸化シリコン層、吸収層、第２五酸化二ニオブ層及び第２酸化シリコン層を順に堆積してマジックミラーを得るステップを含む。
基材を提供し、上記基材の表面に第１五酸化二ニオブ層、第１酸化シリコン層、吸収層、第２五酸化二ニオブ層及び第２酸化シリコン層を順に堆積してマジックミラーを得るステップを含む。
【0034】
本願の実施形態において、第１五酸化二ニオブ層、第１酸化シリコン層、吸収層、第２五酸化二ニオブ層及び第２酸化シリコン層は、スパッタリング法により製造される。具体的には、第１五酸化二ニオブ層及び第２五酸化二ニオブ層については、スパッタ装置にアルゴンガス及び酸素ガスを流し、ニオブターゲットにアルゴンガスを衝突させ、スパッタリングされたニオブが酸素ガスと反応して五酸化二ニオブを形成すると同時に堆積して五酸化二ニオブ層を形成する。第１酸化シリコン層及び第２酸化シリコン層については、スパッタ装置にアルゴンガス及び酸素ガスを流し、シリコンターゲットをアルゴンガスで衝突し、スパッタリングされたシリコンが酸素ガスと反応して酸化シリコン層を形成すると同時に堆積して酸化シリコン層を形成する。
【0035】
本願において、吸収層は、シリコン、インジウム、ニオブ、チタン及びクロムのうちの１種以上を含み、吸収層は、対応するターゲットをアルゴンガスで衝突して製造され、例えば、吸収層がシリコン層である場合、シリコン層は、シリコンターゲットをアルゴンガスで衝突すると同時に堆積することにより得られる。
【0036】
本願のいくつかの実施形態において、マジックミラーの製造方法は、
基材を提供し、基材をスパッタ装置に置き、機台炉室を真空引きし、
機台炉室にアルゴンガスを流し、ガスが安定した後にイオン源をオンにし、基材及びターゲットの表面をイオン洗浄し、イオン源のＩＣＰパワーを０．５ｋｗ～５ｋｗとし、機台炉室の真空度を１×１０－３～１×１０－２Ｐａとし、イオン洗浄の時間を１ｍｉｎ～６０ｍｉｎとし、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、酸素ガスの流量を２００ｓｃｃｍ～３００ｓｃｃｍとし、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタパワーを５ｋｗ～１５ｋｗとし、コーティング作動圧力を０．０７Ｐａ～１Ｐａとし、基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、第１五酸化二ニオブ層の厚さを１０ｎｍ～１２０ｎｍとし、
ニオブターゲットのスパッタ電源をオフにし、アルゴンガス及び酸素ガスを流し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタリングパワーを５ｋｗ～１５ｋｗとし、コーティング作動圧力を０．０７Ｐａ～１Ｐａとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、第１酸化シリコン層の厚さを１０ｎｍ～１６０ｎｍとし、
酸素ガスの流れを停止し、吸収層ターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタパワーを５ｋｗ～１５ｋｗとし、コーティング作動圧力を０．０７Ｐａ～１Ｐａとし、第１酸化シリコン層の表面に吸収層を堆積し、吸収層の厚さを８ｎｍ～２０ｎｍとし、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、酸素ガスの流量を２００ｓｃｃｍ～３００ｓｃｃｍとし、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタパワーを５ｋｗ～１５ｋｗとし、コーティング作動圧力を０．０７Ｐａ～１Ｐａとし、基材の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、第２五酸化二ニオブ層の厚さを１０ｎｍ～１２０ｎｍとし、
ニオブターゲットのスパッタ電源をオフにし、アルゴンガス及び酸素ガスを流し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタリングパワーを５ｋｗ～１５ｋｗとし、コーティング作動圧力を０．０７Ｐａ～１Ｐａとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、第２酸化シリコン層の厚さを１０ｎｍ～１６０ｎｍとして、原子ミラーを得ることである。
基材を提供し、基材をスパッタ装置に置き、機台炉室を真空引きし、
機台炉室にアルゴンガスを流し、ガスが安定した後にイオン源をオンにし、基材及びターゲットの表面をイオン洗浄し、イオン源のＩＣＰパワーを０．５ｋｗ～５ｋｗとし、機台炉室の真空度を１×１０－３～１×１０－２Ｐａとし、イオン洗浄の時間を１ｍｉｎ～６０ｍｉｎとし、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、酸素ガスの流量を２００ｓｃｃｍ～３００ｓｃｃｍとし、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタパワーを５ｋｗ～１５ｋｗとし、コーティング作動圧力を０．０７Ｐａ～１Ｐａとし、基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、第１五酸化二ニオブ層の厚さを１０ｎｍ～１２０ｎｍとし、
ニオブターゲットのスパッタ電源をオフにし、アルゴンガス及び酸素ガスを流し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタリングパワーを５ｋｗ～１５ｋｗとし、コーティング作動圧力を０．０７Ｐａ～１Ｐａとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、第１酸化シリコン層の厚さを１０ｎｍ～１６０ｎｍとし、
酸素ガスの流れを停止し、吸収層ターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタパワーを５ｋｗ～１５ｋｗとし、コーティング作動圧力を０．０７Ｐａ～１Ｐａとし、第１酸化シリコン層の表面に吸収層を堆積し、吸収層の厚さを８ｎｍ～２０ｎｍとし、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、酸素ガスの流量を２００ｓｃｃｍ～３００ｓｃｃｍとし、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタパワーを５ｋｗ～１５ｋｗとし、コーティング作動圧力を０．０７Ｐａ～１Ｐａとし、基材の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、第２五酸化二ニオブ層の厚さを１０ｎｍ～１２０ｎｍとし、
ニオブターゲットのスパッタ電源をオフにし、アルゴンガス及び酸素ガスを流し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタリングパワーを５ｋｗ～１５ｋｗとし、コーティング作動圧力を０．０７Ｐａ～１Ｐａとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、第２酸化シリコン層の厚さを１０ｎｍ～１６０ｎｍとして、原子ミラーを得ることである。
【0037】
本願に係る原子ミラーの製造方法は、プロセスが簡単であり、生産効率が高く、製造された原子ミラーの構造安定性が高く、片面透視効果が高い。
【0038】
本願は、本願の一方向透視フィルム又はマジックミラーを含む電子機器をさらに提供する。本願のいくつかの実施例において、電子機器は、筐体を含み、筐体は、筐体基材及び一方向透視フィルムを含み、筐体基材は、電子機器の他の構造に設置位置及び支持を提供することができ、ガラス基材であってもよく、高分子透明基材であってもよい。一方向透視フィルムは、筐体基材の表面に設置され、反射率の高い面が筐体の外部に向かって筐体の意匠面とされ、筐体の外光が強く筐体の意匠面の反射率が高いため、筐体の意匠面にミラー効果が現れ、筐体の内部の製品構造を遮蔽する。さらに、筐体の内部に発光源を設置することができ、発光源は、ＬＥＤランプであってもよく、有機発光材料であってもよく、発光源の形状と発光の色を設計することにより特定のパターン、例えば、製品ｌｏｇｏ又は装飾模様などを形成することができ、マジックミラーは、一定の透過率を有するため、筐体の内部の光源が十分に強い場合、筐体の外部から筐体の内部のパターンを見ることもできるが、筐体の内部の発光しない領域は依然として見えなく、即ち、筐体の意匠面から筐体の内部の発光するパターンを見ることができるが、筐体の内部の発光しない領域は依然としてミラーであるため、マジックの装飾効果を達成する。
【0039】
本願の他のいくつかの実施例において、電子機器は、ディスプレイアセンブリを含み、ディスプレイアセンブリは、表示パネル及び一方向透視フィルムとを含み、一方向透視フィルムは、表示パネルの表面に設置される。一方向透視フィルムの反射率の高い面は、ディスプレイアセンブリの外部に向かう。ディスプレイは、スクリーンオフの場合、ミラー効果が現れる。ディスプレイは、スクリーンオンの場合、ディスプレイの画像を正常に表示することができる。具体的には、ディスプレイアセンブリが発光しない（スクリーンオフ）場合、一方向透視フィルムの外側光がより明るいため、光の反射が強く、ディスプレイの表面がミラー効果を有し、ディスプレイが発光する（スクリーンオン）場合、一方向透視フィルムの内側光がより明るいため、ディスプレイから透過した光の強度が高く、ディスプレイの外部からディスプレイに表示された内容を見ることができるため、ディスプレイがスクリーンオンの場合に正常に表示し、スクリーンオフの場合にミラーの装飾効果を達成することができる。
【0040】
本願の実施形態において、電子機器は、具体的には、携帯電話、コンピュータ、電子タバコ、スマートブレスレット、ウェアラブルデバイスなどであってもよい。
【0041】
以下、複数の実施例に分けて本願の技術手段をさらに説明する。
【実施例1】
【0042】
マジックミラーの製造方法は、
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４３Ｐａとし、コーティング時間を１８６ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを５６ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４３Ｐａとし、コーティング時間を３２７ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを１０５ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、シリコンターゲットをオンにし続け、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にシリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．２６Ｐａとし、コーティング時間を１８２ｓとし、シリコン層の厚さを１８ｎｍとするステップと、
シリコンターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、シリコン層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４３Ｐａとし、コーティング時間を３４０ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを１０２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４３Ｐａとし、コーティング時間を１８３ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを５５ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（５６ｎｍ）／ＳｉＯ２（１０５ｎｍ）／Ｓｉ（１８ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（１０２ｎｍ）／ＳｉＯ２（５５ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４３Ｐａとし、コーティング時間を１８６ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを５６ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４３Ｐａとし、コーティング時間を３２７ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを１０５ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、シリコンターゲットをオンにし続け、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にシリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．２６Ｐａとし、コーティング時間を１８２ｓとし、シリコン層の厚さを１８ｎｍとするステップと、
シリコンターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、シリコン層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４３Ｐａとし、コーティング時間を３４０ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを１０２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４３Ｐａとし、コーティング時間を１８３ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを５５ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（５６ｎｍ）／ＳｉＯ２（１０５ｎｍ）／Ｓｉ（１８ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（１０２ｎｍ）／ＳｉＯ２（５５ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
【実施例2】
【0043】
マジックミラーの製造方法は、
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１０６ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを３２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３１６ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを９５ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、インジウムターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にインジウム層を堆積し、コーティング作動圧力を０．２５Ｐａとし、コーティング時間を１８０ｓとし、インジウム層の厚さを１８ｎｍとするステップと、
インジウムターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、インジウム層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２０６ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを６２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａであり、コーティング時間を２８６ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを８６ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（３２ｎｍ）／ＳｉＯ２（９５ｎｍ）／Ｉｎ（１８ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（６２ｎｍ）／ＳｉＯ２（８６ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１０６ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを３２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３１６ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを９５ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、インジウムターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にインジウム層を堆積し、コーティング作動圧力を０．２５Ｐａとし、コーティング時間を１８０ｓとし、インジウム層の厚さを１８ｎｍとするステップと、
インジウムターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、インジウム層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２０６ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを６２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａであり、コーティング時間を２８６ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを８６ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（３２ｎｍ）／ＳｉＯ２（９５ｎｍ）／Ｉｎ（１８ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（６２ｎｍ）／ＳｉＯ２（８６ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
【実施例3】
【0044】
マジックミラーの製造方法は、
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１２７ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを３８ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３２６ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを９８ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、ニオブターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１８０ｓとし、フィルム層の厚さを１８ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２１７ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを６５ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２０６ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを６２ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（３８ｎｍ）／ＳｉＯ２（９８ｎｍ）／Ｎｂ（１８ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（６５ｎｍ）／ＳｉＯ２（６２ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１２７ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを３８ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３２６ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを９８ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、ニオブターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１８０ｓとし、フィルム層の厚さを１８ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２１７ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを６５ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２０６ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを６２ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（３８ｎｍ）／ＳｉＯ２（９８ｎｍ）／Ｎｂ（１８ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（６５ｎｍ）／ＳｉＯ２（６２ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
【実施例4】
【0045】
マジックミラーの製造方法は、
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１４０ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを４２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３４０ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを１０２ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、ニオブターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１８０ｓとし、ニオブ層の厚さを１８ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２３３ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを７０ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２３３ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを７０ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（４２ｎｍ）／ＳｉＯ２（１０２ｎｍ）／Ｎｂ（１８ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（７０ｎｍ）／ＳｉＯ２（７０ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１４０ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを４２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３４０ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを１０２ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、ニオブターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１８０ｓとし、ニオブ層の厚さを１８ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２３３ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを７０ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２３３ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを７０ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（４２ｎｍ）／ＳｉＯ２（１０２ｎｍ）／Ｎｂ（１８ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（７０ｎｍ）／ＳｉＯ２（７０ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
【実施例5】
【0046】
マジックミラーの製造方法は、
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１６０ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを４８ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３５０ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを１０５ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、ニオブターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１８０ｓとし、ニオブ層の厚さを１８ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２４０ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを７２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２７３ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを８２ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（４８ｎｍ）／ＳｉＯ２（１０５ｎｍ）／Ｎｂ（１８ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（７２ｎｍ）／ＳｉＯ２（８２ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１６０ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを４８ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３５０ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを１０５ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、ニオブターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１８０ｓとし、ニオブ層の厚さを１８ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２４０ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを７２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２７３ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを８２ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（４８ｎｍ）／ＳｉＯ２（１０５ｎｍ）／Ｎｂ（１８ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（７２ｎｍ）／ＳｉＯ２（８２ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
【実施例6】
【0047】
マジックミラーの製造方法は、
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１０６ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを３２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３１６ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを９２ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、チタンターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にチタン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１５０ｓとし、チタン層の厚さを１５ｎｍとするステップと、
チタンターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２３３ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを７０ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２７３ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを８５ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（３２ｎｍ）／ＳｉＯ２（９２ｎｍ）／Ｔｉ（１５ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（７０ｎｍ）／ＳｉＯ２（８５ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１０６ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを３２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３１６ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを９２ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、チタンターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にチタン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１５０ｓとし、チタン層の厚さを１５ｎｍとするステップと、
チタンターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２３３ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを７０ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２７３ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを８５ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（３２ｎｍ）／ＳｉＯ２（９２ｎｍ）／Ｔｉ（１５ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（７０ｎｍ）／ＳｉＯ２（８５ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
【実施例7】
【0048】
マジックミラーの製造方法は、
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１６０ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを４８ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３５０ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを１０２ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、クロムターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にクロム層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１００ｓとし、クロム層の厚さを１０ｎｍとするステップと、
クロムターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２０６ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを６２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２８６ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを８６ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（４８ｎｍ）／ＳｉＯ２（１０２ｎｍ）／Ｃｒ（１０ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（６２ｎｍ）／ＳｉＯ２（８６ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１６０ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを４８ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３５０ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを１０２ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、クロムターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にクロム層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１００ｓとし、クロム層の厚さを１０ｎｍとするステップと、
クロムターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２０６ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを６２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２８６ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを８６ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（４８ｎｍ）／ＳｉＯ２（１０２ｎｍ）／Ｃｒ（１０ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（６２ｎｍ）／ＳｉＯ２（８６ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
【実施例8】
【0049】
マジックミラーの製造方法は、
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２３１ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを７２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２８９ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを８６ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、シリコンターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にシリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２００ｓとし、シリコン層の厚さを２０ｎｍとするステップと、
シリコンターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２４０ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを７２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２７３ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを８２ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（７２ｎｍ）／ＳｉＯ２（８６ｎｍ）／Ｓｉ（２０ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（７２ｎｍ）／ＳｉＯ２（８２ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２３１ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを７２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２８９ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを８６ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、シリコンターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にシリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２００ｓとし、シリコン層の厚さを２０ｎｍとするステップと、
シリコンターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２４０ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを７２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２７３ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを８２ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（７２ｎｍ）／ＳｉＯ２（８６ｎｍ）／Ｓｉ（２０ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（７２ｎｍ）／ＳｉＯ２（８２ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
【実施例9】
【0050】
マジックミラーの製造方法は、
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１７３ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを５２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３１０ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを９３ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、インジウムターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にインジウム層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１５０ｓとし、インジウム層の厚さを１５ｎｍとするステップと、
インジウムターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１４０ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを４２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２６３ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを８２ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（５２ｎｍ）／ＳｉＯ２（９３ｎｍ）／Ｉｎ（１５ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（４２ｎｍ）／ＳｉＯ２（８２ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１７３ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを５２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３１０ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを９３ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、インジウムターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にインジウム層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１５０ｓとし、インジウム層の厚さを１５ｎｍとするステップと、
インジウムターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１４０ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを４２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２６３ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを８２ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（５２ｎｍ）／ＳｉＯ２（９３ｎｍ）／Ｉｎ（１５ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（４２ｎｍ）／ＳｉＯ２（８２ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
【実施例10】
【0051】
マジックミラーの製造方法は、
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１３３ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを２５ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３４０ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを１０２ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、クロムターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にクロム層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１５０ｓとし、クロム層の厚さを１５ｎｍとするステップと、
クロムターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２４０ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを７２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２６３ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを８２ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（２５ｎｍ）／ＳｉＯ２（１０２ｎｍ）／Ｃｒ（１５ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（７２ｎｍ）／ＳｉＯ２（８２ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１３３ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを２５ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３４０ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを１０２ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、クロムターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にクロム層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１５０ｓとし、クロム層の厚さを１５ｎｍとするステップと、
クロムターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２４０ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを７２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２６３ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを８２ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（２５ｎｍ）／ＳｉＯ２（１０２ｎｍ）／Ｃｒ（１５ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（７２ｎｍ）／ＳｉＯ２（８２ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
【実施例11】
【0052】
マジックミラーの製造方法は、
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１２７ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを３８ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３２６ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを９８ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、ニオブターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１８０ｓとし、ニオブ層の厚さを１８ｎｍとし、
ニオブターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３４０ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを１０２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１４３ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを４２ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（３８ｎｍ）／ＳｉＯ２（９８ｎｍ）／Ｎｂ（１８ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（１０２ｎｍ）／ＳｉＯ２（４２ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
本願の有益な効果を強調するために、以下の比較例を設定する。
（比較例１）
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１２７ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを３８ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３２６ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを９８ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、ニオブターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１８０ｓとし、ニオブ層の厚さを１８ｎｍとし、
ニオブターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３４０ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを１０２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１４３ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを４２ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（３８ｎｍ）／ＳｉＯ２（９８ｎｍ）／Ｎｂ（１８ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（１０２ｎｍ）／ＳｉＯ２（４２ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
本願の有益な効果を強調するために、以下の比較例を設定する。
（比較例１）
【0053】
比較例１と実施例１との相違点は、酸素ガスをオフにし、シリコンターゲットをオンにし続け、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にシリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を６００ｓとし、シリコン層の厚さを６８ｎｍとし、フィルム層を形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（５６ｎｍ）／ＳｉＯ２（１０５ｎｍ）／Ｓｉ（６８ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（１０２ｎｍ）／ＳｉＯ２（５５ｎｍ）のコーティングガラスを得るという比較例１におけるシリコン層の堆積条件である。
（比較例２）
（比較例２）
【0054】
比較例２と実施例１との相違点は、酸素ガスをオフにし、シリコンターゲットをオンにし続け、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にシリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を６０ｓとし、シリコン層の厚さを５ｎｍとし、フィルム層を形成して、基材／Ｎｂ２Ｏ５（５６ｎｍ）／ＳｉＯ２（１０５ｎｍ）／Ｓｉ（５ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（１０２ｎｍ）／ＳｉＯ２（５５ｎｍ）の構造を得るという比較例２におけるシリコン層の堆積条件である。
（効果実施例）
（効果実施例）
【0055】
本願で製造されたマジックミラーの性能を検証するために、本願は、効果実施例をさらに提供する。
【0056】
１）分光光度計により実施例１～１１のマジックミラーと比較例１～２のコーティングガラスに対して反射率及び透過率を測定し、測定に用いられた装置は、Ｘ－ｒｉｔｅ Ｃｏｌｏｒ Ｉ５分光光度計であり、測定過程のパラメータについて、繰り返し精度が０．０３ＲＭＳ ＣＩＥＬａｂであり、光源がパルスキセノンランプ、校正Ｄ６５であり、スペクトル範囲が３６０－７５０ｎｍであり、波長間隔が１０ｎｍであり、反射孔径が２５ｍｍ／１０ｍｍ／６ｍｍであり、全透過孔径が２２ｍｍ／１０ｍｍ／６ｍｍであり、光度測定範囲が０～２００％反射率であり、光度測定分解能が０．０１％であり、測定時間が２．５ｓであり、測定過程において、マジックミラーのガラス基材に近接する側は、Ｒ１面であり、他側は、Ｒ２面である。
【0057】
図４～図６に示すように、図４は、本願の実施例１に係るマジックミラーのＲ１面の反射率測定図である。図５は、本願の実施例１に係るマジックミラーのＲ１面の透過率測定図である。図６は、本願の実施例１に係るマジックミラーのＲ２面の反射率測定図である。図４～図６の測定結果に基づいて、マジックミラーの各表面の全波長反射率又は透過率について平均値をとって、実施例１のマジックミラーのＲ１面の平均反射率が４２．８％であり、Ｒ２面の平均反射率が２１．６％であり、マジックミラーの平均透過率が１５．６％であることを得る。図７～図９に示すように、図７は、本願の実施例２に係るマジックミラーのＲ１面の反射率測定図である。図８は、本願の実施例２に係るマジックミラーのＲ１面の透過率測定図である。図９は、本願の実施例２に係るマジックミラーのＲ２面の反射率測定図である。図７～図９の測定結果に基づいて、マジックミラーの各表面の全波長反射率又は透過率について平均値をとって、実施例２のマジックミラーのＲ１面の平均反射率が５２．６％であり、Ｒ２面の平均反射率が１５．６％であり、マジックミラーの平均透過率が１９．９％であることを得る。同じ方法で実施例３～１１のマジックミラーと比較例１～２のコーティングガラスに対して反射率及び透過率を測定し、実施例１～１１のマジックミラーと比較例１～２のコーティングガラスの透過率と反射率の測定結果を表１に示す。
【0058】
表１ 実施例１～１１のマジックミラーと比較例１～２のコーティングガラスの光学パラメータ
【表1】
【0059】
表１から分かるように、本願の実施例に係るマジックミラーは、Ｒ１面が高い反射率を有し、Ｒ２面が低い反射率を有し、適切な透過率によりマジックミラーのＲ１面にミラー効果が現れ、Ｒ２面に透視効果が現れることを保証し、高い片面透視効果を達成することができる。比較例１は、コーティングガラスの透過率が低すぎるため、コーティングガラスのＲ１面及びＲ２面がいずれも透視効果を有さない。比較例２は、コーティングガラスの透過率が高すぎるため、コーティングガラスのＲ１面及びＲ２面がいずれも透視効果を有する。
【0060】
２）色度テスターを用いて実施例１～１１のマジックミラーの色度［Ｌａｂ（ＣＩＥ）］を測定し、Ｌは、明度指数であり、Ａは、赤緑色度指数であり、ｂは、黄青色度指数であり、実施例１～１１のマジックミラーの色度値を表２に示す。
【0061】
表２ 実施例１～１１のマジックミラーの色のパラメータテーブル
【表2】
【0062】
表２から分かるように、本願に係る一方向透視フィルムは、異なる色を呈し、多様な外観効果を達成することができ、市場化ニーズを満たす。
【0063】
３）実施例１～１１のマジックミラーにおける一方向透視フィルムの付着力を測定し、クロスカット付着力試験法で測定し、測定方法は、以下のステップａ～ｄを含む。
【0064】
ａでは、クロスカットテスター（刃先角度が１５°～３０°である）を用いて、一方向透視フィルムの表面積≧１０ｍｍ２の箇所に１０×１０個の１ｍｍ×１ｍｍの格子を切り込み、各切り込みは、一方向透視フィルムの下層まで深くされるべきである。
【0065】
ｂでは、ブラシで測定領域の破片をきれいにブラッシングする。
【0066】
ｃでは、粘着力が３５０ｇ／ｃｍ２～４００ｇ／ｃｍ２の粘着テープ（３Ｍ６００号の粘着紙又は同等）を被測定格子にしっかり付着させ、消しゴムで粘着テープを強く擦ることにより、粘着テープと被測定領域との接触面積及び力を増加させる。
【0067】
ｄでは、粘着テープの一端を手で掴み、９０度の角度で迅速に粘着紙を引き剥がし、同じ位置で同じ測定を２回行い、一方向透視フィルムの剥離状況を観察し、ランクを以下のように分ける。
【0068】
５Ｂ：格子に剥離が発生しない。
４Ｂ：剥離部分の面積は、表面に接触するテープ面積の５％以下である。
３Ｂ：剥離部分の面積は、表面に接触するテープ面積の５％より大きく、１５％以下である。
２Ｂ：剥離部分の面積は、表面に接触するテープ面積の１５％より大きく、３５％以下である。
１Ｂ：剥離部分の面積は、表面に接触するテープ面積の３５％より大きく、６５％以下である。
０Ｂ：剥離部分の面積は、表面に接触するテープ面積の６５％より大きい。
４Ｂ：剥離部分の面積は、表面に接触するテープ面積の５％以下である。
３Ｂ：剥離部分の面積は、表面に接触するテープ面積の５％より大きく、１５％以下である。
２Ｂ：剥離部分の面積は、表面に接触するテープ面積の１５％より大きく、３５％以下である。
１Ｂ：剥離部分の面積は、表面に接触するテープ面積の３５％より大きく、６５％以下である。
０Ｂ：剥離部分の面積は、表面に接触するテープ面積の６５％より大きい。
【0069】
実施例１～１１のマジックミラーの付着力測定結果を表３に示す。
【0070】
表３ 実施例１～１１の一方向透視フィルムの付着力測定結果
【表3】
【0071】
表３から分かるように、本願に係る一方向透視フィルムは、基材に対して結合力が高く、フィルム層の剥離の問題が発生しにくい。
【0072】
以上の記載は、本願の好ましい実施形態であるが、本願の範囲を限定するものと理解してはならない。なお、当業者にとって、本願の原理から逸脱することなく、いくつかの改良及び修正を行うことができ、これらの改良及び修正も本願の保護範囲にあると見なされる。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【手続補正書】
【提出日】2024-02-27
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
順に設置された第１酸化ニオブ層（１１）、第１酸化シリコン層（１２）、吸収層（１３）、第２酸化ニオブ層（１４）及び第２酸化シリコン層（１５）を含み、前記吸収層（１３）の厚さは、８ｎｍ～２０ｎｍである、ことを特徴とする一方向透視フィルム（１０）。
【請求項2】
前記吸収層（１３）は、シリコン、インジウム、ニオブ、チタン及びクロムのうちの１種又は複数を含む、ことを特徴とする請求項１に記載の一方向透視フィルム（１０）。
【請求項3】
前記第１酸化ニオブ層（１１）と前記第２酸化ニオブ層（１４）の厚さは、それぞれ１０ｎｍ～１２０ｎｍであり、前記第１酸化シリコン層（１２）と前記第２酸化シリコン層（１５）の厚さは、それぞれ１０ｎｍ～１６０ｎｍである、ことを特徴とする請求項１に記載の一方向透視フィルム（１０）。
【請求項4】
前記第１酸化ニオブ層（１１）の厚さは、３０ｎｍ～６０ｎｍであり、前記第１酸化シリコン層（１２）の厚さは、９０ｎｍ～１１０ｎｍであり、
前記第２酸化ニオブ層（１４）の厚さは、６０ｎｍ～１１０ｎｍであり、
前記第２酸化シリコン層（１５）の厚さは、５０ｎｍ～９０ｎｍである、ことを特徴とする請求項１に記載の一方向透視フィルム。
【請求項5】
前記第１酸化ニオブ層（１１）と前記第１酸化シリコン層（１２）との厚さの比は、１：（１．５～３．５）である、ことを特徴とする請求項１に記載の一方向透視フィルム（１０）。
【請求項6】
前記第２酸化ニオブ層（１４）と前記第２酸化シリコン層（１５）との厚さ比は、１：（０．５～１．５）である、ことを特徴とする請求項１に記載の一方向透視フィルム（１０）。
【請求項7】
可視光線透過率は、１０％～２５％である、ことを特徴とする請求項１に記載の一方向透視フィルム（１０）。
【請求項8】
両側面の可視光線反射率の差の絶対値は、１５％以上である、ことを特徴とする請求項１に記載の一方向透視フィルム（１０）。
【請求項9】
基材（２０）と、前記基材（２０）の表面に設置された、請求項１に記載の一方向透視フィルム（１０）とを含む、ことを特徴とするマジックミラー。
【請求項10】
前記基材（２０）は、前記第１酸化ニオブ層の前記第１酸化シリコン層から離れた表面に設置される、ことを特徴とする請求項９に記載のマジックミラー。
【請求項11】
基材（２０）を提供し、前記基材（２０）の表面に第１酸化ニオブ層、第１酸化シリコン層、吸収層、第２酸化ニオブ層及び第２酸化シリコン層を順に堆積して前記マジックミラーを得るステップによって製造され、前記吸収層は、シリコン、インジウム、ニオブ、チタン及びクロムのうちの１種以上を含み、
前記吸収層の厚さは、８ｎｍ～２０ｎｍである、ことを特徴とする請求項９に記載のマジックミラー。
【請求項12】
請求項１～８のいずれか一項に記載の一方向透視フィルム（１０）、又は、請求項９～１１のいずれか一項に記載のマジックミラーを含む、ことを特徴とする電子機器。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本願は、２０２１年８月２５日に中国国家知識産権局に提出された、出願名称が「一方向透視フィルム、マジックミラー、マジックミラーの製造方法、及び電子機器」である中国特許出願第２０２１１０９７９３６３．４号の優先権を主張するものであり、その全ての内容は参照により本開示に組み込まれるものとする。
【0002】
本願は、光学の技術分野に関し、具体的には、一方向透視フィルム、マジックミラー、マジックミラーの製造方法、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【0003】
マジックミラーは、特殊なコーティングガラスであり、その一面がガラスミラー（外側）であり、光線を反射することができ、一般的なミラーと同様に機能し、ミラー効果を有し、他面（内側）には、ガラスの外側の光景が見られ、透視効果を有し、即ちガラスの外側からガラスの内側の状況が見られないが、ガラスの内側からガラスの外側の状況が見られるという透視効果がある。マジックミラーは、監獄、公安局と検察庁と裁判所機関の取調室、精神病病院、大学科学研究機関の研究室、大型会議室などの場所に適用することができる。
【0004】
現在市販されているマジックミラーは、銀、チタン、酸化チタンをメッキ層として用いて片面透視効果を達成することが多いが、上記材料は、コストが高いだけでなく、安定性が低いため、メッキ膜が失効しやすくなる。また、従来のマジックミラーは、色が単一であり、人々の多様な応用ニーズを満たさない。したがって、マジックミラーの安定性を向上させるとともに、マジックミラーに多様な色を持たせる新規な一方向透視フィルムを提供する必要がある。
【発明の概要】
【0005】
これに鑑みて、本願は、生産コストが低く、性能が安定し、高い片面透視効果を有し、かつ様々な色があり、市場化ニーズを満たす一方向透視フィルムを提供する。本願は、マジックミラー、マジックミラーの製造方法、及び電子機器をさらに提供する。
【0006】
本願の第１態様に係る一方向透視フィルムは、順に設置された第１酸化ニオブ層、第１酸化シリコン層、吸収層、第２酸化ニオブ層及び第２酸化シリコン層を含み、前記吸収層の厚さは、８ｎｍ～２０ｎｍである。
【0007】
本願の実施例において、前記吸収層は、シリコン、インジウム、ニオブ、チタン及びクロムのうちの１種以上を含む。
【0008】
本願の実施例において、前記第１酸化ニオブ層及び前記第２酸化ニオブ層の厚さは、１０ｎｍ～１２０ｎｍである。
【0009】
本願の実施例において、前記第１酸化シリコン層及び前記第２酸化シリコン層の厚さは、１０ｎｍ～１６０ｎｍである。
【0010】
本願の実施例において、前記第１酸化ニオブ層の厚さは、３０ｎｍ～６０ｎｍである。
【0011】
本願の実施例において、前記第１酸化シリコン層の厚さは、９０ｎｍ～１１０ｎｍである。
【0012】
本願の実施例において、前記第２酸化ニオブ層の厚さは、６０ｎｍ～１１０ｎｍである。
【0013】
本願の実施例において、前記第２酸化シリコン層の厚さは、５０ｎｍ～９０ｎｍである。
【0014】
本願の実施例において、前記一方向透視フィルムの可視光線透過率は、１０％～２５％である。
【0015】
本願の実施例において、前記一方向透視フィルムの両側面の可視光線反射率の差の絶対値は、１５％以上である。
【0016】
本願の一方向透視フィルムは、第１酸化ニオブ層及び第１酸化シリコン層により増反射層を形成することにより、一方向透視フィルムの第１酸化ニオブ層に近接する側の表面（Ｒ１面）の反射率が高くなり、ミラー効果を達成し、第２酸化ニオブ層及び第２酸化シリコン層は、反射防止層を形成することにより、一方向透視フィルムの第２酸化シリコン層に近接する側の表面（Ｒ２面）の反射率が低くなり、透視効果を達成し、吸収層は、一部の光を吸収することができ、吸収層の厚さが８ｎｍ～２０ｎｍである場合、Ｒ１面からＲ２面が見られなく、Ｒ２面からＲ１面が見られることを保証することができる。
【0017】
本願の第２態様に係るマジックミラーは、基材と、前記基材の表面に設置された、本願の第１態様に記載の一方向透視フィルムと、を含む。
【0018】
本願の実施例において、前記基材は、前記第１酸化ニオブ層の表面に設置される。
【0019】
本願の実施例において、前記基材は、透明基材を含む。前記透明基材は、ガラス、アクリル板、防爆フィルム、離型フィルム及びポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のうちの１種以上を含む。
【0020】
本願の第２態様に係るマジックミラーは、一方向透視効果が高く、コストが低く、多様な色を有し、幅広い用途を有する。
【0021】
本願の第３の態様に係るマジックミラーの製造方法は、
基材を提供し、前記基材の表面に第１酸化ニオブ層、第１酸化シリコン層、吸収層、第２酸化ニオブ層及び第２酸化シリコン層を順に堆積して前記マジックミラーを得るステップを含み、前記吸収層は、シリコン、インジウム、ニオブ、チタン及びクロムのうちの１種以上を含み、前記吸収層の厚さは、８ｎｍ～２０ｎｍである。
基材を提供し、前記基材の表面に第１酸化ニオブ層、第１酸化シリコン層、吸収層、第２酸化ニオブ層及び第２酸化シリコン層を順に堆積して前記マジックミラーを得るステップを含み、前記吸収層は、シリコン、インジウム、ニオブ、チタン及びクロムのうちの１種以上を含み、前記吸収層の厚さは、８ｎｍ～２０ｎｍである。
【0022】
本願の第４の態様に係る電子機器は、本願の第１態様に記載の一方向透視フィルム又は本願の第２態様に記載のマジックミラーを含む。
【図面の簡単な説明】
【0023】
【図1】本願の一実施例に係る一方向透視フィルムの概略構成図である。
【図2】本願の一実施例に係る光の一方向透視フィルム中の伝送概略図である。
【図3】本願の一実施例に係るマジックミラーの概略構成図である。
【図4】本願の実施例１に係るマジックミラーのＲ１面の反射率測定図である。
【図5】本願の実施例１に係るマジックミラーのＲ１面の透過率測定図である。
【図6】本願の実施例１に係るマジックミラーのＲ２面の反射率測定図である。
【図7】本願の実施例２に係るマジックミラーのＲ１面の反射率測定図である。
【図8】本願の実施例２に係るマジックミラーのＲ１面の透過率測定図である。
【図9】本願の実施例２に係るマジックミラーのＲ２面の反射率測定図である。
【発明を実施するための形態】
【0024】
以下、本願の実施例における図面を参照しながら、本願の実施例における技術手段を明確かつ完全に説明し、明らかに、説明される実施例は、本願の実施例の一部に過ぎず、全ての実施例ではない。本願における実施例に基づいて、当業者が創造的な労働をしない前提で得る他の全ての実施例は、いずれも本願の保護範囲に属するものである。
【0025】
図１に示すように、図１は、本願の一実施例に係る一方向透視フィルムの概略構成図である。一方向透視フィルムは、順に設置された第１五酸化二ニオブ層１１、第１酸化シリコン層１２、吸収層１３、第２五酸化二ニオブ層１４及び第２酸化シリコン層１５を含む。説明の便宜上、本願における一方向透視フィルムの外側とは、第１五酸化二ニオブ層１１側を指し、一方向透視フィルムの内側とは、第２酸化シリコン層１５側を指す。
【0026】
本願において、一方向透視フィルムの外側面（Ｒ１面）は、第１五酸化二ニオブ層であり、外側面の光線が第１五酸化二ニオブ層を通過して第１酸化シリコン層に到達する場合に半波損失が発生しないため、光の反射が強くなり、一方向透視フィルムの外側にミラー効果が現れ、一方向透視フィルムの内側面（Ｒ２面）は第２酸化シリコン層であり、内側面の光線が第２酸化シリコン層を通過して第２五酸化二ニオブ層に到達する場合に半波損失が発生するため、光の反射が低減され、一方向透視フィルムの内側に透視効果が現れる。本願は、五酸化ニオブ及び酸化シリコン層を用いて一方向透視フィルムを製造することにより、生産コストを大幅に低減し、製品の普及に役立つ。
【0027】
本願の一方向透視フィルムにおいて、吸収層は、光線の一部を吸収することにより、一方向透視フィルムの透過率を適切な範囲にすることができる。本願の実施形態において、吸収層は、シリコン、インジウム、ニオブ、チタン及びクロムのうちの１種以上を含む。本願の実施形態において、吸収層の厚さは、８ｎｍ～２０ｎｍである。さらに、吸収層の厚さは、１５ｎｍ～２０ｎｍである。吸収層の厚さは、具体的には、８ｎｍ、１０ｎｍ、１２ｎｍ、１５ｎｍ、１７ｎｍ又は２０ｎｍであってもよいが、これらに限定されない。吸収層の厚さが大きいと、光に対する吸収量が大きく、一方向透視フィルムの透過率が小さく、吸収層の厚さが小さいと、光に対する吸収量が小さく、一方向透視フィルムの透過率が大きい。吸収層の厚さが８ｎｍ～２０ｎｍである場合、吸収層は、第１五酸化二ニオブ層、第１酸化シリコン層、第２五酸化二ニオブ層及び第２酸化シリコン層とともに、高い相乗効果を達成することができ、一方向透視フィルムの外側にミラー効果が現れ、一方向透視フィルムの内側に透視効果が現れることを保証する。本願の実施形態において、一方向透視フィルムの可視光線透過率は、１０％～２５％であり、一方向透視フィルムの可視光線透過率は、具体的には、１０％、１５％、１８％、２０％、２２％、２５％であってもよいが、これらに限定されない。
【0028】
本願の実施形態において、第１五酸化二ニオブ層及び第２五酸化二ニオブ層の厚さは、１０ｎｍ～１２０ｎｍである。第１五酸化二ニオブ層及び第２五酸化二ニオブ層の厚さは、具体的には、１０ｎｍ、３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、５５ｎｍ、６０ｎｍ、８０ｎｍ、９０ｎｍ、１００ｎｍ又は１２０ｎｍであってもよいが、これらに限定されない。本願の実施形態において、第１酸化シリコン層及び第２酸化シリコン層の厚さは、１０ｎｍ～１６０ｎｍである。第１酸化シリコン層及び第２酸化シリコン層の厚さは、具体的には、１０ｎｍ、３０ｎｍ、５０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍ、９０ｎｍ、１００ｎｍ、１１０ｎｍ、１２０ｎｍ又は１６０ｎｍであってもよいが、これらに限定されない。第１五酸化二ニオブ層、第２五酸化二ニオブ層、第１酸化シリコン層及び第２酸化シリコン層の厚さを上記範囲に制御することにより、一方向透視フィルムが高い構造安定性を有し脱落しにくいことを保証でき、一方向透視フィルムの製造コストが低く、製品の市場化に役立つ。
【0029】
本願において、第１五酸化二ニオブ層、第１酸化シリコン層、第２五酸化二ニオブ層及び第２酸化シリコン層の厚さを調整することにより、一方向透視フィルムの一方向透視効果を最適化し、一方向透視フィルムの外側の反射率を向上させ、一方向透視フィルムの内側の反射率を低下させ、一側がミラーであり、他側が透視面であるという高い視覚的コントラスト効果を達成することができる。具体的には、図２に示すように、図２は、本願の一実施例に係る光の一方向透視フィルム中の伝送概略図であり、ｒ１は、外側光の界面１で発生する振幅反射係数であり、ｒ２は、外側光の界面２で発生する振幅反射係数であり、ｒ３は、内側光の界面２で発生する振幅反射係数であり、ｒ４は、内側光の界面１で発生する振幅反射係数である。界面１での一方向透視フィルムの反射率はＲ１であり、界面２での一方向透視フィルムの反射率はＲ２であり、Ｒ１＝｜ｒ１－ｒ２｜であり、Ｒ２＝｜ｒ３－ｒ４｜であり、さらに、ｒ１＝（Ｎ０－Ｎ１）／（Ｎ０＋Ｎ１）であり、ｒ２＝（Ｎ１－Ｎ２）／（Ｎ１＋Ｎ２）×ｅ（－２δ）であり、ｒ３＝（Ｎ０－Ｎ２）／（Ｎ０＋Ｎ２）であり、ｒ４＝（Ｎ２－Ｎ１）／（Ｎ１＋Ｎ２）×ｅ（－２δ）であり、δ＝２π×Ｎ×Ｄ／λであり、ここで、Ｎ０は、入射媒体の屈折率であり、Ｎ１は、酸化シリコンの屈折率であり、Ｎ２は、五酸化ニオブの屈折率であり、δは、一方向透視フィルムの位相膜厚であり、Ｄは、一方向透視フィルムの物理膜厚であり、λは、光の波長である。また、光の各層の界面間の光路差が４分の１の波長の偶数倍である場合、光の反射を増加させ、光の各層の界面間の光路差が４分の１の波長の奇数倍である場合、光の反射を低減することができる。
【0030】
以上の式と原理に基づいて、本願は、一方向透視フィルムの最適化後の厚さの関係を導き出し、第１五酸化二ニオブ層の厚さが３０ｎｍ～６０ｎｍであり、かつ第１酸化シリコン層の厚さが９０ｎｍ～１１０ｎｍである場合、一方向透視フィルムの外側面は、高い反射率を有することができ、第２五酸化二ニオブ層の厚さが６０ｎｍ～１１０ｎｍであり、かつ第２酸化シリコン層の厚さが５０ｎｍ～９０ｎｍである場合、一方向透視フィルムの内側面は、低い反射率を有することができる。さらに、第１五酸化二ニオブ層と第１酸化シリコン層との厚さ比は、１：（１．５～３．５）であり、第２五酸化二ニオブ層と第２酸化シリコン層との厚さ比は、１：（０．５～１．５）である。第１五酸化二ニオブ層と第１酸化シリコン層との厚さの比は、具体的には、１：１．５、１：２、１：２．５又は１：３．５であってもよいが、これらに限定されず、第２五酸化二ニオブ層と第２酸化シリコン層との厚さの比は、具体的には、１：０．５、１：０．７、１：１又は１：１．５であってもよいが、これらに限定されない。本願の実施形態において、一方向透視フィルムの両側面の可視光線反射率の差の絶対値は、１５％以上であり、一方向透視フィルムの両側面の可視光線反射率の差の絶対値は、具体的には、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％又は４０％であってもよいが、これらに限定されない。一方向透視フィルムの両側面の可視光線反射率の差が大きいほど、片面透視効果が高くなり、視覚差が顕著になる。
【0031】
本願において、一方向透視フィルムの各層の厚さの関係は、フィルムの色にも影響を与え、具体的には、各層の厚さを調整することにより、一方向透視フィルムの可視光に対する反射率を変更することができ、一方向透視フィルムの異なる波長の光に対する反射率も異なるため、一方向透視フィルムが異なる色を呈することができる。
【0032】
本願は、マジックミラーをさらに提供し、図３に示すように、図３は、本願の一実施例に係るマジックミラーの概略構成図であり、マジックミラーは、基材２０と、基材の表面に設置された一方向透視フィルム１０とを含む。本願の実施形態において、基材は、透明基材を含む。本願のいくつかの実施形態において、基材は、ガラス及び高分子透明基材のうちの１種又は複数種を含み、高分子透明基材は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、アクリル板、防爆フィルム及び離型フィルムのうちの１種以上を含む。本願において、一方向透視フィルムは、基材のいずれの表面に設置されてもよい。本願のいくつかの実施形態において、基材は、一方向透視フィルムの外側（Ｒ１面）に設置され、即ち、基材は、一方向透視フィルムにおける第１五酸化二ニオブ層に隣接し、上記位置設置により、マジックミラーが高い片面透視効果を有することを保証することができる。
【0033】
本願に係るマジックミラーの製造方法は、
基材を提供し、上記基材の表面に第１五酸化二ニオブ層、第１酸化シリコン層、吸収層、第２五酸化二ニオブ層及び第２酸化シリコン層を順に堆積してマジックミラーを得るステップを含む。
基材を提供し、上記基材の表面に第１五酸化二ニオブ層、第１酸化シリコン層、吸収層、第２五酸化二ニオブ層及び第２酸化シリコン層を順に堆積してマジックミラーを得るステップを含む。
【0034】
本願の実施形態において、第１五酸化二ニオブ層、第１酸化シリコン層、吸収層、第２五酸化二ニオブ層及び第２酸化シリコン層は、スパッタリング法により製造される。具体的には、第１五酸化二ニオブ層及び第２五酸化二ニオブ層については、スパッタ装置にアルゴンガス及び酸素ガスを流し、ニオブターゲットにアルゴンガスを衝突させ、スパッタリングされたニオブが酸素ガスと反応して五酸化二ニオブを形成すると同時に堆積して五酸化二ニオブ層を形成する。第１酸化シリコン層及び第２酸化シリコン層については、スパッタ装置にアルゴンガス及び酸素ガスを流し、シリコンターゲットをアルゴンガスで衝突し、スパッタリングされたシリコンが酸素ガスと反応して酸化シリコン層を形成すると同時に堆積して酸化シリコン層を形成する。
【0035】
本願において、吸収層は、シリコン、インジウム、ニオブ、チタン及びクロムのうちの１種以上を含み、吸収層は、対応するターゲットをアルゴンガスで衝突して製造され、例えば、吸収層がシリコン層である場合、シリコン層は、シリコンターゲットをアルゴンガスで衝突すると同時に堆積することにより得られる。
【0036】
本願のいくつかの実施形態において、マジックミラーの製造方法は、
基材を提供し、基材をスパッタ装置に置き、機台炉室を真空引きし、
機台炉室にアルゴンガスを流し、ガスが安定した後にイオン源をオンにし、基材及びターゲットの表面をイオン洗浄し、イオン源のＩＣＰパワーを０．５ｋｗ～５ｋｗとし、機台炉室の真空度を１×１０－３～１×１０－２Ｐａとし、イオン洗浄の時間を１ｍｉｎ～６０ｍｉｎとし、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、酸素ガスの流量を２００ｓｃｃｍ～３００ｓｃｃｍとし、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタパワーを５ｋｗ～１５ｋｗとし、コーティング作動圧力を０．０７Ｐａ～１Ｐａとし、基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、第１五酸化二ニオブ層の厚さを１０ｎｍ～１２０ｎｍとし、
ニオブターゲットのスパッタ電源をオフにし、アルゴンガス及び酸素ガスを流し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタリングパワーを５ｋｗ～１５ｋｗとし、コーティング作動圧力を０．０７Ｐａ～１Ｐａとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、第１酸化シリコン層の厚さを１０ｎｍ～１６０ｎｍとし、
酸素ガスの流れを停止し、吸収層ターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタパワーを５ｋｗ～１５ｋｗとし、コーティング作動圧力を０．０７Ｐａ～１Ｐａとし、第１酸化シリコン層の表面に吸収層を堆積し、吸収層の厚さを８ｎｍ～２０ｎｍとし、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、酸素ガスの流量を２００ｓｃｃｍ～３００ｓｃｃｍとし、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタパワーを５ｋｗ～１５ｋｗとし、コーティング作動圧力を０．０７Ｐａ～１Ｐａとし、基材の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、第２五酸化二ニオブ層の厚さを１０ｎｍ～１２０ｎｍとし、
ニオブターゲットのスパッタ電源をオフにし、アルゴンガス及び酸素ガスを流し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタリングパワーを５ｋｗ～１５ｋｗとし、コーティング作動圧力を０．０７Ｐａ～１Ｐａとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、第２酸化シリコン層の厚さを１０ｎｍ～１６０ｎｍとして、原子ミラーを得ることである。
基材を提供し、基材をスパッタ装置に置き、機台炉室を真空引きし、
機台炉室にアルゴンガスを流し、ガスが安定した後にイオン源をオンにし、基材及びターゲットの表面をイオン洗浄し、イオン源のＩＣＰパワーを０．５ｋｗ～５ｋｗとし、機台炉室の真空度を１×１０－３～１×１０－２Ｐａとし、イオン洗浄の時間を１ｍｉｎ～６０ｍｉｎとし、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、酸素ガスの流量を２００ｓｃｃｍ～３００ｓｃｃｍとし、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタパワーを５ｋｗ～１５ｋｗとし、コーティング作動圧力を０．０７Ｐａ～１Ｐａとし、基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、第１五酸化二ニオブ層の厚さを１０ｎｍ～１２０ｎｍとし、
ニオブターゲットのスパッタ電源をオフにし、アルゴンガス及び酸素ガスを流し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタリングパワーを５ｋｗ～１５ｋｗとし、コーティング作動圧力を０．０７Ｐａ～１Ｐａとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、第１酸化シリコン層の厚さを１０ｎｍ～１６０ｎｍとし、
酸素ガスの流れを停止し、吸収層ターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタパワーを５ｋｗ～１５ｋｗとし、コーティング作動圧力を０．０７Ｐａ～１Ｐａとし、第１酸化シリコン層の表面に吸収層を堆積し、吸収層の厚さを８ｎｍ～２０ｎｍとし、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、酸素ガスの流量を２００ｓｃｃｍ～３００ｓｃｃｍとし、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタパワーを５ｋｗ～１５ｋｗとし、コーティング作動圧力を０．０７Ｐａ～１Ｐａとし、基材の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、第２五酸化二ニオブ層の厚さを１０ｎｍ～１２０ｎｍとし、
ニオブターゲットのスパッタ電源をオフにし、アルゴンガス及び酸素ガスを流し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタリングパワーを５ｋｗ～１５ｋｗとし、コーティング作動圧力を０．０７Ｐａ～１Ｐａとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、第２酸化シリコン層の厚さを１０ｎｍ～１６０ｎｍとして、原子ミラーを得ることである。
【0037】
本願に係る原子ミラーの製造方法は、プロセスが簡単であり、生産効率が高く、製造された原子ミラーの構造安定性が高く、片面透視効果が高い。
【0038】
本願は、本願の一方向透視フィルム又はマジックミラーを含む電子機器をさらに提供する。本願のいくつかの実施例において、電子機器は、筐体を含み、筐体は、筐体基材及び一方向透視フィルムを含み、筐体基材は、電子機器の他の構造に設置位置及び支持を提供することができ、ガラス基材であってもよく、高分子透明基材であってもよい。一方向透視フィルムは、筐体基材の表面に設置され、反射率の高い面が筐体の外部に向かって筐体の意匠面とされ、筐体の外光が強く筐体の意匠面の反射率が高いため、筐体の意匠面にミラー効果が現れ、筐体の内部の製品構造を遮蔽する。さらに、筐体の内部に発光源を設置することができ、発光源は、ＬＥＤランプであってもよく、有機発光材料であってもよく、発光源の形状と発光の色を設計することにより特定のパターン、例えば、製品ｌｏｇｏ又は装飾模様などを形成することができ、マジックミラーは、一定の透過率を有するため、筐体の内部の光源が十分に強い場合、筐体の外部から筐体の内部のパターンを見ることもできるが、筐体の内部の発光しない領域は依然として見えなく、即ち、筐体の意匠面から筐体の内部の発光するパターンを見ることができるが、筐体の内部の発光しない領域は依然としてミラーであるため、マジックの装飾効果を達成する。
【0039】
本願の他のいくつかの実施例において、電子機器は、ディスプレイスクリーンアセンブリを含み、ディスプレイスクリーンアセンブリは、表示パネル及び一方向透視フィルムとを含み、一方向透視フィルムは、表示パネルの表面に設置される。一方向透視フィルムの反射率の高い面は、ディスプレイスクリーンアセンブリの外部に向かう。ディスプレイは、スクリーンオフの場合、ミラー効果が現れる。ディスプレイは、スクリーンオンの場合、ディスプレイスクリーンアセンブリの画像を正常に表示することができる。具体的には、ディスプレイスクリーンアセンブリが発光しない（スクリーンオフ）場合、一方向透視フィルムの外側光がより明るいため、光の反射が強く、ディスプレイスクリーンアセンブリの表面がミラー効果を有し、ディスプレイスクリーンアセンブリが発光する（スクリーンオン）場合、一方向透視フィルムの内側光がより明るいため、ディスプレイから透過した光の強度が高く、ディスプレイスクリーンアセンブリの外部からディスプレイスクリーンアセンブリに表示された内容を見ることができるため、ディスプレイスクリーンアセンブリがスクリーンオンの場合に正常に表示し、スクリーンオフの場合にミラーの装飾効果を達成することができる。
【0040】
本願の実施形態において、電子機器は、具体的には、携帯電話、コンピュータ、電子タバコ、スマートブレスレット、ウェアラブルデバイスなどであってもよい。
【0041】
以下、複数の実施例に分けて本願の技術手段をさらに説明する。
【実施例1】
【0042】
マジックミラーの製造方法は、
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、イオンクリーニング時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４３Ｐａとし、コーティング時間を１８６ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを５６ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４３Ｐａとし、コーティング時間を３２７ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを１０５ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、シリコンターゲットをオンにし続け、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にシリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．２６Ｐａとし、コーティング時間を１８２ｓとし、シリコン層の厚さを１８ｎｍとするステップと、
シリコンターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、シリコン層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４３Ｐａとし、コーティング時間を３４０ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを１０２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４３Ｐａとし、コーティング時間を１８３ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを５５ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（５６ｎｍ）／ＳｉＯ２（１０５ｎｍ）／Ｓｉ（１８ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（１０２ｎｍ）／ＳｉＯ２（５５ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、イオンクリーニング時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４３Ｐａとし、コーティング時間を１８６ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを５６ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４３Ｐａとし、コーティング時間を３２７ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを１０５ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、シリコンターゲットをオンにし続け、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にシリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．２６Ｐａとし、コーティング時間を１８２ｓとし、シリコン層の厚さを１８ｎｍとするステップと、
シリコンターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、シリコン層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４３Ｐａとし、コーティング時間を３４０ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを１０２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４３Ｐａとし、コーティング時間を１８３ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを５５ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（５６ｎｍ）／ＳｉＯ２（１０５ｎｍ）／Ｓｉ（１８ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（１０２ｎｍ）／ＳｉＯ２（５５ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
【実施例2】
【0043】
マジックミラーの製造方法は、
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１０６ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを３２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３１６ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを９５ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、インジウムターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にインジウム層を堆積し、コーティング作動圧力を０．２５Ｐａとし、コーティング時間を１８０ｓとし、インジウム層の厚さを１８ｎｍとするステップと、
インジウムターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、インジウム層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２０６ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを６２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａであり、コーティング時間を２８６ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを８６ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（３２ｎｍ）／ＳｉＯ２（９５ｎｍ）／Ｉｎ（１８ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（６２ｎｍ）／ＳｉＯ２（８６ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１０６ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを３２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３１６ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを９５ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、インジウムターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にインジウム層を堆積し、コーティング作動圧力を０．２５Ｐａとし、コーティング時間を１８０ｓとし、インジウム層の厚さを１８ｎｍとするステップと、
インジウムターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、インジウム層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２０６ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを６２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａであり、コーティング時間を２８６ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを８６ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（３２ｎｍ）／ＳｉＯ２（９５ｎｍ）／Ｉｎ（１８ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（６２ｎｍ）／ＳｉＯ２（８６ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
【実施例3】
【0044】
マジックミラーの製造方法は、
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１２７ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを３８ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３２６ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを９８ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、ニオブターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１８０ｓとし、ニオブ層の厚さを１８ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２１７ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを６５ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２０６ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを６２ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（３８ｎｍ）／ＳｉＯ２（９８ｎｍ）／Ｎｂ（１８ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（６５ｎｍ）／ＳｉＯ２（６２ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１２７ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを３８ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３２６ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを９８ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、ニオブターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１８０ｓとし、ニオブ層の厚さを１８ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２１７ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを６５ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２０６ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを６２ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（３８ｎｍ）／ＳｉＯ２（９８ｎｍ）／Ｎｂ（１８ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（６５ｎｍ）／ＳｉＯ２（６２ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
【実施例4】
【0045】
マジックミラーの製造方法は、
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１４０ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを４２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３４０ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを１０２ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、ニオブターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１８０ｓとし、ニオブ層の厚さを１８ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２３３ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを７０ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２３３ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを７０ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（４２ｎｍ）／ＳｉＯ２（１０２ｎｍ）／Ｎｂ（１８ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（７０ｎｍ）／ＳｉＯ２（７０ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１４０ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを４２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３４０ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを１０２ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、ニオブターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１８０ｓとし、ニオブ層の厚さを１８ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２３３ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを７０ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２３３ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを７０ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（４２ｎｍ）／ＳｉＯ２（１０２ｎｍ）／Ｎｂ（１８ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（７０ｎｍ）／ＳｉＯ２（７０ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
【実施例5】
【0046】
マジックミラーの製造方法は、
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１６０ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを４８ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３５０ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを１０５ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、ニオブターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１８０ｓとし、ニオブ層の厚さを１８ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２４０ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを７２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２７３ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを８２ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（４８ｎｍ）／ＳｉＯ２（１０５ｎｍ）／Ｎｂ（１８ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（７２ｎｍ）／ＳｉＯ２（８２ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１６０ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを４８ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３５０ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを１０５ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、ニオブターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１８０ｓとし、ニオブ層の厚さを１８ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２４０ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを７２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２７３ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを８２ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（４８ｎｍ）／ＳｉＯ２（１０５ｎｍ）／Ｎｂ（１８ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（７２ｎｍ）／ＳｉＯ２（８２ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
【実施例6】
【0047】
マジックミラーの製造方法は、
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１０６ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを３２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３１６ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを９２ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、チタンターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にチタン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１５０ｓとし、チタン層の厚さを１５ｎｍとするステップと、
チタンターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２３３ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを７０ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２７３ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを８５ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（３２ｎｍ）／ＳｉＯ２（９２ｎｍ）／Ｔｉ（１５ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（７０ｎｍ）／ＳｉＯ２（８５ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１０６ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを３２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３１６ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを９２ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、チタンターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にチタン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１５０ｓとし、チタン層の厚さを１５ｎｍとするステップと、
チタンターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２３３ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを７０ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２７３ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを８５ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（３２ｎｍ）／ＳｉＯ２（９２ｎｍ）／Ｔｉ（１５ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（７０ｎｍ）／ＳｉＯ２（８５ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
【実施例7】
【0048】
マジックミラーの製造方法は、
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１６０ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを４８ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３５０ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを１０２ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、クロムターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にクロム層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１００ｓとし、クロム層の厚さを１０ｎｍとするステップと、
クロムターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２０６ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを６２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２８６ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを８６ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（４８ｎｍ）／ＳｉＯ２（１０２ｎｍ）／Ｃｒ（１０ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（６２ｎｍ）／ＳｉＯ２（８６ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１６０ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを４８ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３５０ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを１０２ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、クロムターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にクロム層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１００ｓとし、クロム層の厚さを１０ｎｍとするステップと、
クロムターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２０６ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを６２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２８６ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを８６ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（４８ｎｍ）／ＳｉＯ２（１０２ｎｍ）／Ｃｒ（１０ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（６２ｎｍ）／ＳｉＯ２（８６ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
【実施例8】
【0049】
マジックミラーの製造方法は、
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２３１ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを７２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２８９ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを８６ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、シリコンターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にシリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２００ｓとし、シリコン層の厚さを２０ｎｍとするステップと、
シリコンターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２４０ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを７２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２７３ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを８２ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（７２ｎｍ）／ＳｉＯ２（８６ｎｍ）／Ｓｉ（２０ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（７２ｎｍ）／ＳｉＯ２（８２ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２３１ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを７２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２８９ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを８６ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、シリコンターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にシリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２００ｓとし、シリコン層の厚さを２０ｎｍとするステップと、
シリコンターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２４０ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを７２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２７３ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを８２ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（７２ｎｍ）／ＳｉＯ２（８６ｎｍ）／Ｓｉ（２０ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（７２ｎｍ）／ＳｉＯ２（８２ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
【実施例9】
【0050】
マジックミラーの製造方法は、
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１７３ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを５２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３１０ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを９３ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、インジウムターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にインジウム層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１５０ｓとし、インジウム層の厚さを１５ｎｍとするステップと、
インジウムターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１４０ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを４２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２６３ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを８２ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（５２ｎｍ）／ＳｉＯ２（９３ｎｍ）／Ｉｎ（１５ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（４２ｎｍ）／ＳｉＯ２（８２ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１７３ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを５２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３１０ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを９３ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、インジウムターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にインジウム層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１５０ｓとし、インジウム層の厚さを１５ｎｍとするステップと、
インジウムターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１４０ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを４２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２６３ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを８２ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（５２ｎｍ）／ＳｉＯ２（９３ｎｍ）／Ｉｎ（１５ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（４２ｎｍ）／ＳｉＯ２（８２ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
【実施例10】
【0051】
マジックミラーの製造方法は、
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１３３ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを２５ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３４０ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを１０２ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、クロムターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にクロム層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１５０ｓとし、クロム層の厚さを１５ｎｍとするステップと、
クロムターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２４０ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを７２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２６３ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを８２ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（２５ｎｍ）／ＳｉＯ２（１０２ｎｍ）／Ｃｒ（１５ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（７２ｎｍ）／ＳｉＯ２（８２ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１３３ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを２５ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３４０ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを１０２ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、クロムターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にクロム層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１５０ｓとし、クロム層の厚さを１５ｎｍとするステップと、
クロムターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２４０ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを７２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を２６３ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを８２ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（２５ｎｍ）／ＳｉＯ２（１０２ｎｍ）／Ｃｒ（１５ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（７２ｎｍ）／ＳｉＯ２（８２ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
【実施例11】
【0052】
マジックミラーの製造方法は、
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１２７ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを３８ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３２６ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを９８ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、ニオブターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１８０ｓとし、ニオブ層の厚さを１８ｎｍとし、
ニオブターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３４０ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを１０２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１４３ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを４２ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（３８ｎｍ）／ＳｉＯ２（９８ｎｍ）／Ｎｂ（１８ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（１０２ｎｍ）／ＳｉＯ２（４２ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
本願の有益な効果を強調するために、以下の比較例を設定する。
（比較例１）
厚さが３ｍｍのガラス基材を提供し、ガラス基材をエタノールで超音波洗浄した後、脱イオン水で洗い流し、真空環境下で乾燥させるステップと、
ガラス基材をスパッタ装置のワーク回転フレームに置き、機台を真空引きして、作業室の圧力を０．００３ｐａ未満にするステップと、
イオン源をオンにし、アルゴンガスを流し、アルゴンガスの流量を２８０ｓｃｃｍとし、ガラス基材の表面をイオン洗浄し、イオン源ＩＣＰのパワーを０．７ｋｗとし、真空度を０．８Ｐａとし、時間を５ｍｉｎとするステップと、
アルゴンガスを流し続け、酸素ガスを流し始め、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ガラス基材の表面に第１五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１２７ｓとし、第１五酸化二ニオブ層の厚さを３８ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１五酸化二ニオブ層の表面に第１酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３２６ｓとし、第１酸化シリコン層の厚さを９８ｎｍとするステップと、
酸素ガスをオフにし、ニオブターゲットをオンにし、スパッタ電源のパワーを５ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１８０ｓとし、ニオブ層の厚さを１８ｎｍとし、
ニオブターゲットのスパッタ電源をオフにし、酸素ガスを流し、ニオブターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、ニオブ層の表面に第２五酸化二ニオブ層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を３４０ｓとし、第２五酸化二ニオブ層の厚さを１０２ｎｍとするステップと、
ニオブターゲットをオフにし、ガス源がガスを供給し続け、シリコンターゲットのスパッタ電源をオンにし、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第２五酸化二ニオブ層の表面に第２酸化シリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を１４３ｓとし、第２酸化シリコン層の厚さを４２ｎｍとし、一方向透視フィルムを形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（３８ｎｍ）／ＳｉＯ２（９８ｎｍ）／Ｎｂ（１８ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（１０２ｎｍ）／ＳｉＯ２（４２ｎｍ）のマジックミラーを得るステップと、を含む。
本願の有益な効果を強調するために、以下の比較例を設定する。
（比較例１）
【0053】
比較例１と実施例１との相違点は、酸素ガスをオフにし、シリコンターゲットをオンにし続け、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にシリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を６００ｓとし、シリコン層の厚さを６８ｎｍとし、フィルム層を形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（５６ｎｍ）／ＳｉＯ２（１０５ｎｍ）／Ｓｉ（６８ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（１０２ｎｍ）／ＳｉＯ２（５５ｎｍ）のコーティングガラスを得るという比較例１におけるシリコン層の堆積条件である。
（比較例２）
（比較例２）
【0054】
比較例２と実施例１との相違点は、酸素ガスをオフにし、シリコンターゲットをオンにし続け、スパッタ電源のパワーを８ｋｗとし、第１酸化シリコン層の表面にシリコン層を堆積し、コーティング作動圧力を０．４５Ｐａとし、コーティング時間を６０ｓとし、シリコン層の厚さを５ｎｍとし、フィルム層を形成して、構造が基材／Ｎｂ２Ｏ５（５６ｎｍ）／ＳｉＯ２（１０５ｎｍ）／Ｓｉ（５ｎｍ）／Ｎｂ２Ｏ５（１０２ｎｍ）／ＳｉＯ２（５５ｎｍ）のコーティングガラスを得るという比較例２におけるシリコン層の堆積条件である。
（効果実施例）
（効果実施例）
【0055】
本願で製造されたマジックミラーの性能を検証するために、本願は、効果実施例をさらに提供する。
【0056】
１）分光光度計により実施例１～１１のマジックミラーと比較例１～２のコーティングガラスに対して反射率及び透過率を測定し、測定に用いられた装置は、Ｘ－ｒｉｔｅ Ｃｏｌｏｒ Ｉ５分光光度計であり、測定過程のパラメータについて、繰り返し精度が０．０３ＲＭＳ ＣＩＥＬａｂであり、光源がパルスキセノンランプ、校正Ｄ６５であり、スペクトル範囲が３６０－７５０ｎｍであり、波長間隔が１０ｎｍであり、反射孔径が２５ｍｍ／１０ｍｍ／６ｍｍであり、全透過孔径が２２ｍｍ／１０ｍｍ／６ｍｍであり、光度測定範囲が０～２００％反射率であり、光度測定分解能が０．０１％であり、測定時間が２．５ｓであり、測定過程において、マジックミラーのガラス基材に近接する側は、Ｒ１面であり、他側は、Ｒ２面である。
【0057】
図４～図６に示すように、図４は、本願の実施例１に係るマジックミラーのＲ１面の反射率測定図である。図５は、本願の実施例１に係るマジックミラーのＲ１面の透過率測定図である。図６は、本願の実施例１に係るマジックミラーのＲ２面の反射率測定図である。図４～図６の測定結果に基づいて、マジックミラーの各表面の全波長反射率又は透過率について平均値をとって、実施例１のマジックミラーのＲ１面の平均反射率が４２．８％であり、Ｒ２面の平均反射率が２１．６％であり、マジックミラーの平均透過率が１５．６％であることを得る。図７～図９に示すように、図７は、本願の実施例２に係るマジックミラーのＲ１面の反射率測定図である。図８は、本願の実施例２に係るマジックミラーのＲ１面の透過率測定図である。図９は、本願の実施例２に係るマジックミラーのＲ２面の反射率測定図である。図７～図９の測定結果に基づいて、マジックミラーの各表面の全波長反射率又は透過率について平均値をとって、実施例２のマジックミラーのＲ１面の平均反射率が５２．６％であり、Ｒ２面の平均反射率が１５．６％であり、マジックミラーの平均透過率が１９．９％であることを得る。同じ方法で実施例１～１１のマジックミラーと比較例１～２のコーティングガラスに対して反射率及び透過率を測定し、実施例１～１１のマジックミラーと比較例１～２のコーティングガラスの透過率と反射率の測定結果を表１に示す。
【0058】
表１ 実施例１～１１のマジックミラーと比較例１～２のコーティングガラスの光学パラメータ
【表1】
【0059】
表１から分かるように、本願の実施例に係るマジックミラーは、Ｒ１面が高い反射率を有し、Ｒ２面が低い反射率を有し、適切な透過率によりマジックミラーのＲ１面にミラー効果が現れ、Ｒ２面に透視効果が現れることを保証し、高い片面透視効果を達成することができる。比較例１は、コーティングガラスの透過率が低すぎるため、コーティングガラスのＲ１面及びＲ２面がいずれも透視効果を有さない。比較例２は、コーティングガラスの透過率が高すぎるため、コーティングガラスのＲ１面及びＲ２面がいずれも透視効果を有する。
【0060】
２）色度テスターを用いて実施例１～１１のマジックミラーの色度［Ｌａｂ（ＣＩＥ）］を測定し、Ｌは、明度指数であり、Ａは、赤緑色度指数であり、ｂは、黄青色度指数であり、実施例１～１１のマジックミラーの色度値を表２に示す。
【0061】
表２ 実施例１～１１のマジックミラーの色のパラメータテーブル
【表2】
【0062】
表２から分かるように、本願に係る一方向透視フィルムは、異なる色を呈し、多様な外観効果を達成することができ、市場化ニーズを満たす。
【0063】
３）実施例１～１１のマジックミラーにおける一方向透視フィルムの付着力を測定し、クロスカット付着力試験法で測定し、測定方法は、以下のステップａ～ｄを含む。
【0064】
ａでは、クロスカットテスター（刃先角度が１５°～３０°である）を用いて、一方向透視フィルムの表面積≧１０ｍｍ２の箇所に１０×１０個の１ｍｍ×１ｍｍの格子を切り込み、各切り込みは、一方向透視フィルムの下層まで深くされるべきである。
【0065】
ｂでは、ブラシで測定領域の破片をきれいにブラッシングする。
【0066】
ｃでは、粘着力が３５０ｇ／ｃｍ２～４００ｇ／ｃｍ２の粘着テープ（３Ｍ６００号の粘着紙又は同等）を被測定格子にしっかり付着させ、消しゴムで粘着テープを強く擦ることにより、粘着テープと被測定領域との接触面積及び力を増加させる。
【0067】
ｄでは、粘着テープの一端を手で掴み、９０度の角度で迅速に粘着紙を引き剥がし、同じ位置で同じ測定を２回行い、一方向透視フィルムの剥離状況を観察し、ランクを以下のように分ける。
【0068】
５Ｂ：格子に剥離が発生しない。
４Ｂ：剥離部分の面積は、表面に接触するテープ面積の５％以下である。
３Ｂ：剥離部分の面積は、表面に接触するテープ面積の５％より大きく、１５％以下である。
２Ｂ：剥離部分の面積は、表面に接触するテープ面積の１５％より大きく、３５％以下である。
１Ｂ：剥離部分の面積は、表面に接触するテープ面積の３５％より大きく、６５％以下である。
０Ｂ：剥離部分の面積は、表面に接触するテープ面積の６５％より大きい。
４Ｂ：剥離部分の面積は、表面に接触するテープ面積の５％以下である。
３Ｂ：剥離部分の面積は、表面に接触するテープ面積の５％より大きく、１５％以下である。
２Ｂ：剥離部分の面積は、表面に接触するテープ面積の１５％より大きく、３５％以下である。
１Ｂ：剥離部分の面積は、表面に接触するテープ面積の３５％より大きく、６５％以下である。
０Ｂ：剥離部分の面積は、表面に接触するテープ面積の６５％より大きい。
【0069】
実施例１～１１のマジックミラーの付着力測定結果を表３に示す。
【0070】
表３ 実施例１～１１の一方向透視フィルムの付着力測定結果
【表3】
【0071】
表３から分かるように、本願に係る一方向透視フィルムは、基材に対して結合力が高く、フィルム層の剥離の問題が発生しにくい。
【0072】
以上の記載は、本願の好ましい実施形態であるが、本願の範囲を限定するものと理解してはならない。なお、当業者にとって、本願の原理から逸脱することなく、いくつかの改良及び修正を行うことができ、これらの改良及び修正も本願の保護範囲にあると見なされる。
【国際調査報告】