特表 2024-529811 アレイ基板及びその製造方法、発光装置、及びタイルドディスプレイ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-08-14

(54)【発明の名称】アレイ基板及びその製造方法、発光装置、及びタイルドディスプレイ

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20240806BHJP

   G09F 9/33 20060101ALI20240806BHJP

   G09F 9/40 20060101ALI20240806BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20240806BHJP

   H01L 33/00 20100101ALI20240806BHJP

   H01L 33/60 20100101ALI20240806BHJP

   H01L 33/54 20100101ALI20240806BHJP

   H01L 33/62 20100101ALI20240806BHJP

   H01L 33/58 20100101ALI20240806BHJP

   H01L 33/50 20100101ALI20240806BHJP

   F21S 2/00 20160101ALI20240806BHJP

   F21V 19/00 20060101ALI20240806BHJP

   F21Y 115/10 20160101ALN20240806BHJP

   F21Y 105/10 20160101ALN20240806BHJP

【ＦＩ】

G09F9/30 349D

G09F9/33

G09F9/30 309

G09F9/30 348A

G09F9/40 301

G09F9/00 338

G09F9/00 313

H01L33/00 L

H01L33/60

H01L33/54

H01L33/62

H01L33/58

H01L33/50

F21S2/00 482

F21V19/00 170

F21V19/00 150

F21S2/00 484

F21Y115:10

F21Y105:10

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023561030

(86)(22)【出願日】2022-07-01

(85)【翻訳文提出日】2023-09-29

(86)【国際出願番号】 CN2022103454

(87)【国際公開番号】W WO2023005609

(87)【国際公開日】2023-02-02

(31)【優先権主張番号】202110883921.7

(32)【優先日】2021-07-30

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】510280589

【氏名又は名称】京東方科技集團股▲ふん▼有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＢＯＥ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＧＲＯＵＰ ＣＯ．，ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１０ Ｊｉｕｘｉａｎｑｉａｏ Ｒｄ．，Ｃｈａｏｙａｎｇ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００１５，ＣＨＩＮＡ

(71)【出願人】

【識別番号】523374806

【氏名又は名称】合肥京▲東▼方星宇科技有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＨＥＦＥＩ ＢＯＥ ＰＩＸＥＹ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＣＯ．， ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】Ｎｏ． ６６８ Ｌｏｎｇｚｉｈｕ Ｒｏａｄ， Ｘｉｎｚｈａｎ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ， Ｈｅｆｅｉ， Ａｎｈｕｉ ２３００１２， ＣＨＩＮＡ

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(72)【発明者】

【氏名】高 ▲亮▼

(72)【発明者】

【氏名】▲湯▼ ▲海▼

【テーマコード（参考）】

3K013

3K244

5C094

5F142

5G435

【Ｆターム（参考）】

3K013AA01

3K013BA01

3K013CA05

3K244AA04

3K244BA22

3K244BA31

3K244CA02

3K244DA01

3K244DA17

3K244DA19

3K244FA12

3K244GA02

3K244GA04

3K244HA03

5C094AA03

5C094AA42

5C094BA23

5C094CA19

5C094DA01

5C094DA07

5C094DA12

5C094DA15

5C094DB01

5C094EC10

5C094ED11

5C094FA01

5C094FA02

5C094FB16

5F142AA04

5F142BA32

5F142CA11

5F142CA13

5F142CB14

5F142CB23

5F142CD02

5F142CD44

5F142CE03

5F142CE16

5F142CE32

5F142CG23

5F142DA13

5F142DB16

5F142FA21

5F142GA02

5F142GA11

5G435AA01

5G435AA17

5G435BB04

5G435CC09

5G435EE25

5G435FF06

5G435KK05

5G435KK07

5G435KK10

(57)【要約】

本願はアレイ基板及びその製造方法、発光装置、及びタイルドディスプレイを提供している。アレイ基板は、デバイス区域と、デバイス区域に隣接する周辺区域とを含み、デバイス区域と周辺区域はいずれもベースと、ベースに位置する反射層とを含み、デバイス区域は層間誘電体層と複数のデバイスとをさらに含み、層間誘電体層は少なくともベースと反射層との間に位置する。反射層はベースに垂直な方向に沿う複数の透かし区域を有し、デバイスは透かし区域内に位置し、デバイス区域に位置する反射層の一部のベースへの正投影は、層間誘電体層のベースへの正投影と部分的に重なっており、周辺区域に位置する反射層の一部は周辺区域に位置するベースの一部を被覆し、且つベースの外側輪郭はアレイ基板の周辺区域の外側輪郭と一致する。該アレイ基板の周辺区域は光線を反射でき、それによりアレイ基板に存在する、異なる区域の光学輝度差異が大きいという問題を改善し、アレイ基板で製造されたタイルドディスプレイの表示効果を向上させる。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

アレイ基板であって、
デバイス区域と、
前記デバイス区域に隣接する周辺区域と、を含み、
前記デバイス区域及び前記周辺区域はいずれもベースと、前記ベースに位置する反射層とを含み、
前記デバイス区域は層間誘電体層と複数のデバイスとをさらに含み、前記層間誘電体層が少なくとも前記ベースと前記反射層との間に位置し、前記反射層が前記ベースに垂直な方向に沿う複数の透かし区域を有し、前記デバイスが前記透かし区域内に位置し、
前記デバイス区域に位置する前記反射層の一部の前記ベースへの正投影は前記層間誘電体層の前記ベースへの正投影と部分的に重なっており、前記周辺区域に位置する前記反射層の一部は、前記周辺区域に位置する前記ベースの一部を被覆し、且つ前記ベースの外側輪郭は前記周辺区域の外側輪郭と一致し、
前記デバイスは少なくとも発光デバイスを含むアレイ基板。

【請求項2】

前記反射層は第１サブ反射層と第２サブ反射層とを含み、前記第２サブ反射層は前記第１サブ反射層の前記ベースから離れる側に位置し、前記第１サブ反射層の前記ベースへの正投影は前記デバイス区域及び前記周辺区域に位置し、
前記デバイス区域に位置する前記第１サブ反射層の一部の前記ベースへの正投影は前記層間誘電体層の前記ベースへの正投影と部分的に重なっており、且つ前記第１サブ反射層はさらに前記周辺区域に位置する前記ベースの一部を被覆し、
前記第２サブ反射層の前記ベースへの正投影は前記第１サブ反射層の前記ベースへの正投影内に位置する請求項１に記載のアレイ基板。

【請求項3】

前記第２サブ反射層の前記ベースへの正投影は前記デバイス区域に位置し、
前記第２サブ反射層の前記ベースへの正投影は前記周辺区域に位置する前記第１サブ反射層の一部の前記ベースへの正投影と互いに重なっていない請求項２に記載のアレイ基板。

【請求項4】

前記第２サブ反射層の前記ベースへの正投影は前記周辺区域及び前記デバイス区域に位置し、
前記周辺区域に位置する前記第２サブ反射層の一部の前記ベースへの正投影は前記周辺区域に位置する前記第１サブ反射層の一部の前記ベースへの正投影と重なっている請求項２に記載のアレイ基板。

【請求項5】

前記第１サブ反射層及び前記第２サブ反射層は、前記ベースに垂直な方向における厚さが同じである請求項２に記載のアレイ基板。

【請求項6】

前記アレイ基板は、前記層間誘電体層に位置し、且つ前記反射層と接続される補助反射部をさらに含む請求項１に記載のアレイ基板。

【請求項7】

前記補助反射部は第１反射部と第２反射部とを含み、前記第１反射部と前記第２反射部は一体構造であり、
前記透かし区域は、前記層間誘電体層の一部の区域を露出させ、前記第１反射部は、前記ベースへの正投影が前記透かし区域に位置し、且つ前記層間誘電体層と直接接触し、
前記第２反射部は前記反射層の前記ベースから離れる表面に直接接触し、且前記ベースへの正投影が前記反射層の前記ベースへの正投影と重なっている請求項６に記載のアレイ基板。

【請求項8】

前記アレイ基板は前記デバイスに対応する複数の封止部をさらに含み、
前記封止部は、前記ベースへの正投影が前記デバイスの前記ベースへの正投影を被覆し、かつ、前記反射層の前記ベースへの正投影と部分的に重なっている請求項１に記載のアレイ基板。

【請求項9】

前記アレイ基板の前記デバイス区域は、前記ベースに位置されて順に設置されたバッファ層及び第１導電層をさらに含み、前記層間誘電体層は前記第１導電層の前記ベースから離れる側に位置し、
前記層間誘電体層は、第１絶縁層と、少なくとも前記第１絶縁層と前記反射層との間に位置する第１平坦層とを含む請求項１に記載のアレイ基板。

【請求項10】

前記アレイ基板の前記デバイス区域は前記バッファ層に位置されて順に積層設置された第２導電層、第２絶縁層、第２平坦層、及び第３絶縁層をさらに含み、前記第３絶縁層は前記第１導電層の前記第１絶縁層から離れる側に位置する請求項９に記載のアレイ基板。

【請求項11】

前記第１導電層は少なくとも１つの第１パッドと少なくとも１つの第２パッドとを含み、前記層間誘電体層は前記ベースに垂直な方向に沿う複数の第１開口部及び複数の第２開口部を有し、前記第１開口部は前記第１パッドが位置する区域を露出し、前記第２開口部は前記第２パッドが位置する区域を露出し、
前記第１パッドは前記第１開口部を介して前記デバイスの第１半田フィレットと電気的に接続され、前記第２パッドは前記第２開口部を介して前記デバイスの第２半田フィレットと電気的に接続される請求項９に記載のアレイ基板。

【請求項12】

前記アレイ基板は複数の支持柱をさらに含み、
前記支持柱は前記反射層の前記ベースから離れる側に位置し、且つ前記ベースへの正投影が前記デバイスの前記ベースへの正投影と重なっていない請求項１１に記載のアレイ基板。

【請求項13】

請求項１～１２のいずれか１項に記載のアレイ基板を含む発光装置。

【請求項14】

前記発光装置は、順に積層設置された拡散板、量子ドットフィルム、拡散シート、及び複合フィルムをさらに含み、
前記拡散板は前記アレイ基板の光出射側に位置する請求項１３に記載の発光装置。

【請求項15】

少なくとも２つの請求項１３又は１４に記載の発光装置を含むタイルドディスプレイ。

【請求項16】

アレイ基板の製造方法であって、請求項１～１２のいずれか１項に記載のアレイ基板を製造することに適用され、前記方法は、
少なくとも１つのデバイス区域と前記デバイス区域に隣接する切断区域とに区画されるマザーベース板を提供するステップと、
前記マザーベース板の前記デバイス区域に層間誘電体層を形成するステップと、
前記マザーベース板の前記デバイス区域及び前記切断区域に反射層を形成するステップであって、前記反射層は前記マザーベース板に垂直な方向に沿う複数の透かし区域を有し、前記層間誘電体層は少なくとも前記マザーベース板と前記反射層との間に位置し、前記デバイス区域に位置する前記反射層の一部の前記マザーベース板への正投影は前記層間誘電体層の前記マザーベース板への正投影と部分的に重なっており、前記切断区域に位置する前記反射層の一部は前記マザーベース板の前記切断区域を被覆するステップと、
前記前記マザーベース板の前記デバイス区域において、透かし区域内に位置する複数のデバイスを結びつけるステップと、
前記マザーベース板の前記デバイスから離れる表面である裏面から、前記切断区域に位置するカットラインに沿って切断して、少なくとも１つの前記アレイ基板を得るステップと、を含むアレイ基板の製造方法。

【請求項17】

前記マザーベース板の裏面からカットラインに沿って切断して、少なくとも１つの前記アレイ基板を得る前記ステップの後、前記方法は、
垂直研削プロセスで前記アレイ基板のエッジを研削するステップをさらに含む請求項１６に記載のアレイ基板の製造方法。

【請求項18】

垂直研削プロセスで前記アレイ基板のエッジを研削する前記ステップは、
前記アレイ基板に垂直な方向に、同一面に位置する前記アレイ基板のベースの側面と前記反射層の側面とを同時に研削するステップを含む請求項１７に記載のアレイ基板の製造方法。

【請求項19】

前記マザーベース板の前記デバイス区域及び前記切断区域に反射層を形成する前記ステップは、
前記マザーベース板への正投影が前記デバイス区域及び前記切断区域内に位置する第１サブ反射層を形成するステップと、
前記マザーベース板への正投影が前記デバイス区域内に位置する第２サブ反射層を形成するステップと、を含むか、
又は、前記マザーベース板への正投影が前記デバイス区域及び前記切断区域内に位置する第１サブ反射層を形成するステップと、
前記マザーベース板への正投影が前記デバイス区域及び前記切断区域内に位置する第２サブ反射層を形成するステップと、を含む請求項１６に記載のアレイ基板の製造方法。

【請求項20】

前記マザーベース板の前記デバイス区域に複数のデバイスを結びつける前記ステップの後、且つ前記マザーベース板の裏面からカットラインに沿って切断して、少なくとも１つの前記アレイ基板を得る前記ステップの前、前記方法は、
前記層間誘電体層に、前記反射層と接続される補助反射部を形成するステップをさらに含む請求項１６に記載のアレイ基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

［関連出願の相互参照］
本願は、２０２１年０７月３０日に中国特許庁に提出され、出願番号が２０２１１０８８３９２１．７であり、名称が「アレイ基板及びその製造方法、発光装置、及びタイルドディスプレイ」である中国特許出願の優先権を主張しており、その全内容は援用により本願に組み込まれる。

【0002】

本願は表示技術分野に関し、特にアレイ基板及びその製造方法、発光装置、及びタイルドディスプレイに関する。

【背景技術】

【0003】

表示技術の急速な発展に伴い、Ｍｉｎｉ ＬＥＤ（Ｍｉｎｉ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、サブミリメートル発光ダイオード）とＭｉｃｒｏ ＬＥＤ（Ｍｉｃｒｏ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、マイクロ発光ダイオード）の表示製品は人々に幅広く注目されている。Ｍｉｃｒｏ／ｍｉｎｉ ＬＥＤ表示製品の利点の一つは、大面積の接合、すなわち複数のアレイ基板を用いた接合を実現することで、超大サイズの表示製品を取得することである。

【発明の概要】

【課題を解決するための手段】

【0004】

本願の実施例は以下の技術的解決手段を用いる。

【0005】

一態様では、アレイ基板を提供し、
デバイス区域と、
前記デバイス区域に隣接する周辺区域と、を含み、
前記デバイス区域と前記周辺区域はいずれもベースと、前記ベースに位置する反射層とを含み、
前記デバイス区域は層間誘電体層と複数のデバイスとをさらに含み、前記層間誘電体層は少なくとも前記ベースと前記反射層との間に位置し、前記反射層は前記ベースに垂直な方向に沿う複数の透かし区域を有し、前記デバイスは前記透かし区域内に位置し、
前記デバイス区域に位置する前記反射層の一部の前記ベースへの正投影は前記層間誘電体層の前記ベースへの正投影と部分的に重なっており、前記周辺区域に位置する前記反射層の一部は、前記周辺区域に位置する前記ベースの一部を被覆し、且つ前記ベースの外側輪郭は前記周辺区域の外側輪郭と一致し、
前記デバイスは少なくとも発光デバイスを含む。

【0006】

本願のいくつかの実施例では、前記反射層は第１サブ反射層と第２サブ反射層とを含み、前記第２サブ反射層は前記第１サブ反射層の前記ベースから離れる側に位置し、前記第１サブ反射層の前記ベースへの正投影は前記デバイス区域及び前記周辺区域に位置し、
前記デバイス区域に位置する前記第１サブ反射層の一部の前記ベースへの正投影は前記層間誘電体層の前記ベースへの正投影と部分的に重なっており、且つ前記第１サブ反射層はさらに前記周辺区域に位置する前記ベースの一部を被覆し、
前記第２サブ反射層の前記ベースへの正投影は前記第１サブ反射層の前記ベースへの正投影内に位置する。

【0007】

本願のいくつかの実施例では、前記第２サブ反射層の前記ベースへの正投影は前記デバイス区域に位置し、
前記第２サブ反射層の前記ベースへの正投影は前記周辺区域に位置する前記第１サブ反射層の一部の前記ベースへの正投影と互いに重なっていない。

【0008】

本願のいくつかの実施例では、前記第２サブ反射層の前記ベースへの正投影は前記周辺区域及び前記デバイス区域に位置し、
前記周辺区域に位置する前記第２サブ反射層の一部の前記ベースへの正投影は前記周辺区域に位置する前記第１サブ反射層の一部の前記ベースへの正投影と重なっている。

【0009】

本願のいくつかの実施例では、前記第１サブ反射層及び前記第２サブ反射層は、前記ベースに垂直な方向における厚さが同じである。

【0010】

本願のいくつかの実施例では、前記アレイ基板は、前記アレイ基板は、前記層間誘電体層に位置し、且つ前記反射層と接続される補助反射部をさらに含む。

【0011】

本願のいくつかの実施例では、前記補助反射部は第１反射部と第２反射部とを含み、前記第１反射部と前記第２反射部は一体構造であり、
前記透かし区域は、前記層間誘電体層の一部の区域を露出させ、前記第１反射部は、前記ベースへの正投影が前記透かし区域に位置し、且つ前記層間誘電体層と直接接触し、
前記第２反射部は前記反射層の前記ベースから離れる表面に直接接触し、且前記ベースへの正投影が前記反射層の前記ベースへの正投影と重なっている。

【0012】

本願のいくつかの実施例では、前記アレイ基板は前記デバイスに対応する複数の封止部をさらに含み、
前記封止部は、前記ベースへの正投影が前記デバイスの前記ベースへの正投影を被覆し、かつ、前記反射層の前記ベースへの正投影と部分的に重なっている。

【0013】

本願のいくつかの実施例では、前記アレイ基板の前記デバイス区域は、前記ベースに位置されて順に設置されたバッファ層及び第１導電層をさらに含み、前記層間誘電体層は前記第１導電層の前記ベースから離れる側に位置し、
前記層間誘電体層は、第１絶縁層と、少なくとも前記第１絶縁層と前記反射層との間に位置する第１平坦層とを含む。

【0014】

本願のいくつかの実施例では、前記アレイ基板の前記デバイス区域は前記バッファ層に位置して順に積層して設置された第２導電層、第２絶縁層、第２平坦層、及び第３絶縁層をさらに含み、前記第３絶縁層は前記第１導電層の前記第１絶縁層から離れる側に位置する。

【0015】

本願のいくつかの実施例では、前記第１導電層は少なくとも１つの第１パッドと少なくとも１つの第２パッドとを含み、前記層間誘電体層は前記ベースに垂直な方向に沿う複数の第１開口部及び複数の第２開口部を有し、前記第１開口部は前記第１パッドが位置する区域を露出し、前記第２開口部は前記第２パッドが位置する区域を露出し、
前記第１パッドは前記第１開口部を介して前記デバイスの第１半田フィレットと電気的に接続され、前記第２パッドは前記第２開口部を介して前記デバイスの第２半田フィレットと電気的に接続される。

【0016】

本願のいくつかの実施例では、前記アレイ基板は複数の支持柱をさらに含み、
前記支持柱は前記反射層の前記ベースから離れる側に位置し、且つ前記ベースへの正投影が前記デバイスの前記ベースへの正投影と重なっていない。

【0017】

本願の実施例は、上記アレイ基板を含む発光装置をさらに提供する。

【0018】

本願のいくつかの実施例では、前記発光装置は、順に積層設置された拡散板、量子ドットフィルム、拡散シート、及び複合フィルムをさらに含み、
前記拡散板は前記アレイ基板の光出射側に位置する。

【0019】

本願の実施例は、少なくとも２つの上記発光装置を含むタイルドディスプレイをさらに提供する。

【0020】

本願の実施例は、上記アレイ基板の製造に適用されるアレイ基板の製造方法をさらに提供し、前記方法は、
少なくとも１つのデバイス区域と前記デバイス区域に隣接する切断区域とに区画されるマザーベース板を提供するステップと、
前記マザーベース板の前記デバイス区域に層間誘電体層を形成するステップと、
前記マザーベース板の前記デバイス区域及び前記切断区域に反射層を形成するステップであって、前記反射層は前記マザーベース板に垂直な方向に沿う複数の透かし区域を有し、前記層間誘電体層は少なくとも前記マザーベース板と前記反射層との間に位置し、前記デバイス区域に位置する前記反射層の一部の前記マザーベース板への正投影は前記層間誘電体層の前記マザーベース板への正投影と部分的に重なっており、前記切断区域に位置する前記反射層の一部は前記マザーベース板の前記切断区域を被覆するステップと、
前記前記マザーベース板の前記デバイス区域において、透かし区域内に位置する複数のデバイスを結びつけるステップと、
前記マザーベース板の前記デバイスから離れる表面である裏面から、前記切断区域に位置するカットラインに沿って切断して、少なくとも１つの前記アレイ基板を得るステップと、を含む。

【0021】

本願のいくつかの実施例では、前記マザーベース板の裏面からカットラインに沿って切断して、少なくとも１つの前記アレイ基板を得る前記ステップの後、前記方法は、
垂直研削プロセスで前記アレイ基板のエッジを研削するステップをさらに含む。

【0022】

本願のいくつかの実施例では、垂直研削プロセスで前記アレイ基板のエッジを研削する前記ステップは、
前記アレイ基板に垂直な方向に、同一面に位置する前記アレイ基板のベースの側面と前記反射層の側面とを同時に研削するステップを含む。

【0023】

本願のいくつかの実施例では、前記マザーベース板の前記デバイス区域及び前記切断区域に反射層を形成する前記ステップは、
前記マザーベース板への正投影が前記デバイス区域及び前記切断区域内に位置する第１サブ反射層を形成するステップと、
前記マザーベース板への正投影が前記デバイス区域内に位置する第２サブ反射層を形成するステップと、を含むか、
又は、前記マザーベース板への正投影が前記デバイス区域及び前記切断区域内に位置する第１サブ反射層を形成するステップと、
前記マザーベース板への正投影が前記デバイス区域及び前記切断区域内に位置する第２サブ反射層を形成するステップと、を含む。

【0024】

本願のいくつかの実施例では、前記マザーベース板の前記デバイス区域に複数のデバイスを結びつける前記ステップの後、且つ前記マザーベース板の裏面からカットラインに沿って切断して、少なくとも１つの前記アレイ基板を得る前記ステップの前、前記方法は、
前記層間誘電体層に、前記反射層と接続される補助反射部を形成するステップをさらに含む。

【0025】

上記説明は本願の技術的解決手段の概略にすぎず、本願の技術手段をより明確に理解するために、明細書の内容に従って実施することができ、且つ本願の上記及び他の目的、特徴及び利点をより明確に理解するために、以下、本願の具体的な実施形態を挙げる。

【0026】

本願の実施例又は関連技術における技術的解決手段を明瞭に説明するために、以下、実施例又は関連技術の説明において使用される必要がある図面を簡単に紹介し、明らかに、以下の説明における図面は本願のいくつかの実施例であり、当業者にとって、創造的な労働を行うことなく、それらの図面に基づき、他の図面を取得することもできる。

【図面の簡単な説明】

【0027】

【図1a】図１ａは本願実施例により提供される９種のアレイ基板の構造模式図である。

【図1b】図１ｂは本願実施例により提供される９種のアレイ基板の構造模式図である。

【図2a】図２ａは本願実施例により提供される９種のアレイ基板の構造模式図である。

【図2b】図２ｂは本願実施例により提供される９種のアレイ基板の構造模式図である。

【図2c】図２ｃは本願実施例により提供される９種のアレイ基板の構造模式図である。

【図2d】図２ｄは本願実施例により提供される９種のアレイ基板の構造模式図である。

【図3】図３は本願実施例により提供される９種のアレイ基板の構造模式図である。

【図4】図４は本願実施例により提供される９種のアレイ基板の構造模式図である。

【図5】図５は本願実施例により提供される９種のアレイ基板の構造模式図である。

【図6】図６は本願実施例により提供される発光装置の構造模式図である。

【図7】図７は本願実施例により提供されるタイルドディスプレイの構造模式図である。

【図8a】図８ａは本願実施例により提供される関連技術におけるアレイ基板の封止部のかき傷及び反射層のカッターマークの顕微鏡干渉図である。

【図8b】図８ｂは本願実施例により提供される関連技術におけるアレイ基板の反射層のカッターマークの顕微鏡図である。

【図8c】図８ｃは本願実施例により提供される切断カッターホイールの構造模式図である。

【図8d】図８ｄは本願実施例により提供されるカッターホイール正面切断プロセスの模式図である。

【図9】図９は本願実施例により提供されるアレイ基板の製造方法フローチャートである。

【図10】図１０は本願実施例により提供されるアレイ基板のマザー板の構造模式図である。

【図11】図１１は本願実施例により提供される別のアレイ基板のマザー板の構造模式図である。

【図12a】図１２ａは本願実施例により提供される３つの裏面切断プロセスの模式図である。

【図12b】図１２ｂは図１２ａの切断プロセスに対応するカットライン位置の模式図である。

【図13a】図１３ａは本願実施例により提供される３つの裏面切断プロセスの模式図である。

【図13b】図１３ｂは図１３ａの切断プロセスに対応するカットライン位置の模式図である。

【図14】図１４は本願実施例により提供される３つの裏面切断プロセスの模式図である。

【図15a】図１５ａは本願実施例により提供される関連技術におけるアレイ基板の研削プロセスの模式図である。

【図15b】図１５ｂは図１５ａの研削プロセスで製造されたアレイ基板の研削区域の２種の構造模式図である。

【図15c】図１５ｃは図１５ａの研削プロセスで製造されたアレイ基板の研削区域の２種の構造模式図である。

【図16】図１６は本願実施例により提供されるアレイ基板の研削プロセスの模式図である。

【図17a】図１７ａは本願実施例により提供される関連技術におけるタイルドディスプレイの構造模式図である。

【図17b】図１７ｂは本願実施例により提供されるタイルドディスプレイの構造模式図である。

【図18】図１８は本願実施例により提供される真空チャックの構造模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0028】

以下、本願の実施例における図面を組み合わせて、本願の実施例における技術的解決手段を明瞭且つ完全に説明し、明らかに、説明される実施例は単に本願の一部の実施例に過ぎず、すべての実施例ではない。本願における実施例に基づき、当業者は創造的な労働を行うことなく取得したすべての他の実施例は、いずれも本願の保護範囲に属する。

【0029】

文脈上別段の要求がない限り、明細書及び特許請求の範囲全体では、「含む」という用語は、開放かつ包括的な意味、すなわち「含むがそれらに制限されない」と解釈される。明細書の説明では、「一実施例」、「いくつかの実施例」、「例示的な実施例」、「例」、「特定の例」又は「いくつかの例」等の用語は該実施例又は例に関連する特定の特徴、構造、材料又は特性が本開示の少なくとも１つの実施例又は例に含まれることを表すことを目的とする。上記用語の概略表現は必ずしも同一の実施例又は例を指すことではない。また、前記特定の特徴、構造、材料又は特徴はいかなる適切な方式で任意の１つ又は複数の実施例又は例に含まれてもよい。

【0030】

本願の実施例では、特に説明しない限り、「複数」の意味は２つ又は２つ以上であり、用語「上」等で示される方位又は位置関係は、図面に示される方位又は位置関係に基づくものであり、本願の説明及び説明の簡略化のために過ぎず、示される構造又は素子は特定の方位を有したり、特定の方位で構成や操作されたりすることを指示又は示唆するものではなく、従って、本願に対する制限として理解することはできない。

【0031】

本願の実施例の技術的解決手段を明瞭に説明するために、「第１」、「第２」等のような用語は基本的に同じ機能及び目的を有している同じ項目又は類似した項目同士を区別するために本願の実施例で使用される。当業者であれば、「第１」、「第２」等のような用語は数量を限定しないことを理解することができる。

【0032】

本明細書は理想化された例示的な図面とする断面図及び／又は上面図を参照して例示的な実施形態を説明する。図面において、明瞭の便宜上、層及び区域の厚さを増加させる。従って、例えば、製造技術及び／又は公差による図面に対する形状の変化が考慮される。従って、例示的な実施形態は本文に示される区域の形状に制限されるものとして解釈されるべきではなく、例えば製造による形状の偏差を含む。例えば、長方形として示されるエッチング区域は、通常、湾曲した特徴を持っている。従って、図面において示される区域は本質的に概略的なものであり、且つそれらの形状は機器の区域の実際の形状を示すことを意図したものではなく、且つ例示的な実施形態の範囲を制限することを意図したものではない。

【0033】

本願の実施例はアレイ基板を提供し、図１ａ又は図２ａに示すように、
デバイス区域Ａと、図２ｄに示すように、デバイス区域Ａに隣接する周辺区域Ｂとを含み、デバイス区域Ａと周辺区域Ｂはいずれもベース１と、ベース１に位置する反射層２０とを含み、
デバイス区域Ａは層間誘電体層３０と複数のデバイス１２とをさらに含み、層間誘電体層３０は少なくともベース１と反射層２０との間に位置し、反射層２０はベース１に垂直な方向に沿う複数の透かし区域Ｌを有し、デバイス１２は透かし区域Ｌ内に位置し、
デバイス区域Ａに位置する反射層２０の一部のベースへの正投影は層間誘電体層３０のベースへの正投影と部分的に重なっており、周辺区域Ｂに位置する反射層２０の一部は周辺区域Ｂに位置するベース１の一部を被覆し、且つベース１の外側輪郭はアレイ基板の周辺区域Ｂの外側輪郭と一致する。

【0034】

アレイ基板におけるデバイス区域Ａにはアレイ状に配置された複数種デバイス１２が設置され、デバイス１２は少なくとも発光デバイスを含み、且つセンサデバイス、コンパクト駆動チップ又は他のタイプのデバイスのうちのいずれか１つをさらに含んでもよく、理解できるように、異なるタイプのデバイスの数は異なり、又は、異なるタイプのデバイスのアレイ状に配置された密度は異なる。

【0035】

周辺区域Ｂはデバイス区域Ａとアレイ基板の境界との間の区域であり、実際の生産過程において、各アレイ基板はマザー板により切断して形成され、すなわち周辺区域Ｂのサイズは実際の切断プロセスに基づいて決定することができる。

【0036】

説明する必要がある点として、周辺区域Ｂの幅はアレイ基板の境界とデバイス区域Ａとの間の間隔であり、周辺区域Ｂの各箇所の幅の値範囲は０．２ｍｍ～２ｍｍであり、例えば、０．２ｍｍ、１ｍｍ、１．２ｍｍ、１．５ｍｍ又は２ｍｍであってもよい。

【0037】

アレイ基板では、図１ａ又は図２ａに示すように、バインディング区域を考慮しない場合、周辺区域Ｂ以外の区域はデバイス区域Ａである。

【0038】

アレイ基板の境界に最も近いデバイス１２のいずれか１つは、ベース１が位置する平面に平行な方向において、ベースへの正投影の幾何中心から、アレイ基板のエッジ（周辺区域Ｂの外側輪郭）までの距離範囲は１ｍｍ～５ｍｍであり、例えば、その距離は、１ｍｍ、１．２ｍｍ、１．５ｍｍ、２ｍｍ、３ｍｍ、４ｍｍ、５ｍｍであってもよい。

【0039】

例示的に、図２ｄに示すように、アレイ基板における、左上隅に位置するデバイス１２のベースへの正投影の幾何中心と、アレイ基板のエッジとの間のＸ方向における距離は４ｍｍであり、デバイス区域Ａの外側輪郭と、周辺区域Ｂの外側輪郭との間のＸ方向における距離は０．７ｍｍであり、アレイ基板における、左上隅に位置するデバイス１２のベースへの正投影の幾何中心と、アレイ基板のエッジとの間のＹ方向における距離は２ｍｍ又は３ｍｍであり、デバイス区域Ａの外側輪郭と、周辺区域Ｂの外側輪郭との間のＹ方向における距離は０．７ｍｍである。すなわち、アレイ基板におけるあらゆるデバイスはいずれもデバイス区域Ａが位置する範囲に位置する。

【0040】

ベース１は剛性ベースであってもよく、剛性ベースの材料はガラス、セキエイ、ＰＥＴ、プラスチックのうちのいずれか１つであってもよく、剛性ベースの厚さは０．２ｍｍ～１ｍｍであってもよく、例示的に、剛性ベースの厚さは０．２ｍｍ、０．４ｍｍ、０．５ｍｍ、０．７ｍｍ又は１ｍｍである。

【0041】

発光デバイスはサブミリメートル発光ダイオード（Ｍｉｎｉ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、Ｍｉｎｉ ＬＥＤと略される）又はコンパクト発光ダイオード（Ｍｉｃｒｏ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、Ｍｉｃｒｏ ＬＥＤと略される）であってもよく、ここで限定しない。

【0042】

例示的に、複数のデバイス１２はいずれも青色の光を発光するするサブミリメートル発光ダイオード又はコンパクト発光ダイオードであってもよく、又は、複数のデバイス１２は赤色、緑色、及び青色の光を発光する３つの発光ダイオード又はコンパクト発光ダイオードを同時に含んでもよい。

【0043】

発光デバイスが発した光は周囲に放射されるため、反射層２０は発光デバイスが発した光をアレイ基板の発光面に反射することで、発光デバイスの光利用率を向上させる。

【0044】

例示的に、反射層２０の色は白色であり、それにより、反射層２０は比較的高い反射率を有する。

【0045】

いくつかの実施例では、反射層２０は複数の透かし区域Ｌを有するシート状構造であってもよく、又は、反射層２０はスパッタリング、メッキ、コーティング等のプロセスによってアレイ基板に製造されてもよい。

【0046】

例示的に、反射層２０の材料は白色インクを含んでもよく、白色インクの成分は樹脂（例えば、エポキシ樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂）、二酸化チタン（化学式ＴｉＯ２）及び有機溶剤（例えば、ジプロピレングリコールメチルエーテル）等を含む。

【0047】

反射層２０の材料はシリコンベースの白色接着剤をさらに含んでもよい。反射層２０の材料は白色インクを含むか、又はシリコンベースの白色接着剤を含む場合、スクリーン印刷プロセスで、印刷によって反射層２０を形成してもよく、又は接着剤バルブスプレープロセスで、噴射してコーティングすることによって反射層２０を形成してもよい。

【0048】

例示的に、図２ｂに示すように、反射層２０の層間誘電体層３０に接触する表面と、層間誘電体層３０から離れる表面との間の距離Ｔ１の範囲は１０μｍ～３００μｍであってもよく、例えば、厚さは１０μｍ、５０μｍ、５５μｍ、６０μｍ、８０μｍ、１５５μｍ、２００μｍ又は３００μｍであってもよい。

【0049】

例示的に、反射層２０は一回又は複数回のスクリーン印刷プロセスによって形成することができる。

【0050】

複数回スクリーン印刷プロセスで反射層２０を製造する場合、反射層２０の透かし区域Ｌのエッジに位置する一部は階段状であってもよい。

【0051】

例示的に、透かし区域Ｌのベースへの正投影の形状は円形、三角形又は長方形等であってもよい。

【0052】

反射層２０における透かし区域Ｌによって露出されたベース１における導電パターンの一部は、デバイス１２に接続することに用いられ、反射層２０によって被覆される導電パターンの一部は、外部信号源回路と接続されて、それにより電気信号を受信しかつデバイス１２に伝送することに用いられる。

【0053】

層間誘電体層３０が少なくともベース１と反射層２０との間に位置するとは、図１ａに示すように、デバイス１２が設置されていないアレイ基板の区域では、層間誘電体層３０はベース１と反射層２０との間に位置し、透かし区域Ｌでは、導電パターンの間（例えば導電性パッド７１と７２との間）の一部の区域には一部の層間誘電体層３０が設置され、且つ該一部の層間誘電体層３０はベース１とデバイス１２との間に位置する。

【0054】

図１ａに示すように、層間誘電体層３０はベース１に垂直な方向に沿う複数の第１開口部Ｋ１及び複数の第２開口部Ｋ２を有する。第１開口部Ｋ１及び／又は第２開口部Ｋ２のベース１への正投影は透かし区域Ｌのベース１への正投影範囲内に位置する。

【0055】

層間誘電体層３０における第１開口部Ｋ１はベース１に設置された一部の導電パターンを露出し、層間誘電体層３０における第２開口部Ｋ２はベース１に設置された他部の導電パターンを露出し、それにより、デバイス１２は導電パターンと接続され、導電パターンは外部信号源回路と接続され、それにより電気信号を受信する。

【0056】

いくつかの実施例では、デバイス区域Ａ及び周辺区域Ｂにはいずれも反射層２０が設置され、例示的に、図１ａ又は図２ａに示すように、反射層２０のアレイ基板への正投影は透かし区域Ｌと重なっていない。

【0057】

例示的に、デバイス区域Ａに設置される反射層２０の一部は層間誘電体層３０のベース１から離れる側に位置し、且つ反射層２０を製造する材料、及び／又は、製造プロセスの異なりによって、反射層２０のベースへの正投影と層間誘電体層３０のベースへの正投影の重なることも異なる。

【0058】

例えば、複数回のスクリーン印刷プロセスで反射層２０を製造する場合、透かし区域Ｌに位置する反射層２０の境界は階段状であり、透かし区域Ｌに位置する一部の層間誘電体層３０は反射層２０に被覆されていない。

【0059】

図３は反射層２０がベース１の周辺区域Ｂに設置されていない場合でのアレイ基板の構造模式図を示す。図３に示すように、反射層２０はアレイ基板のデバイス区域Ａにおける、透かし区域Ｌ以外のほぼすべての区域を被覆するが、ベース１の周辺区域Ｂを被覆しない。図３に示されたアレイ基板が発光する場合、周辺区域Ｂにはデバイス１２がなく、光線を反射する反射層２０もなく、それにより、比較的暗い視覚効果を呈し、すなわち発光効果が良くない。

【0060】

本願の実施例により提供された、図１ａ又は図２ａに示されたアレイ基板において、アレイ基板の周辺区域Ｂの外側輪郭はベース１の外側輪郭であり、且つ周辺区域Ｂに位置する反射層２０の一部がベース１の周辺区域Ｂを被覆するため、周辺区域Ｂに位置する反射層２０の一部はベース１の外側輪郭まで延伸することができ、それにより、アレイ基板が発光する場合、周辺区域Ｂの反射層２０はデバイス区域Ａから発せられ且つその表面に入射する光線を反射することができ、アレイ基板の周辺区域Ｂがデバイス区域Ａに比べて比較的大きな光学輝度差異を有するという問題を最大限に改善し、また、ベース１が位置する平面に垂直な方向に沿うアレイ基板の光出射量を増加させることができ、それにより、アレイ基板の光出射効率を向上させる。

【0061】

本願のいくつかの実施例では、図１ａ又は図２ａに示すように、反射層２０は第１サブ反射層１０と第２サブ反射層１１とを含み、第２サブ反射層１１は第１サブ反射層１０のベース１から離れる側に位置し、第１サブ反射層１０のベースへの正投影はデバイス区域Ａ及び周辺区域Ｂに位置する。

【0062】

デバイス区域Ａに位置する第１サブ反射層１０の一部のベースへの正投影は層間誘電体層３０のベースへの正投影と部分的に重なっており、第１サブ反射層１０は周辺区域Ｂのベース１をさらに被覆する。

【0063】

第２サブ反射層１１のベースへの正投影は第１サブ反射層１０のベースへの正投影内に位置する。

【0064】

いくつかの実施例では、図１ａに示すように、デバイス１２とベース１との間の一部の層間誘電体層３０において、反射層２０を設置する必要がなく、デバイス１２が位置する区域以外の層間誘電体層３０に反射層２０を設置することで、反射層２０のベースへの正投影と層間誘電体層３０のベースへの正投影とを部分的に重ねるようにする。

【0065】

いくつかの実施例では、デバイス区域Ａに位置する第１サブ反射層１０の一部のベースへの正投影は層間誘電体層３０のベースへの正投影と部分的に重なっており、しかしながら、実際の製造過程において、プロセス誤差により、アレイ基板の一部の区域では、反射層２０における第１サブ反射層１０は第１サブ反射層１０からデバイス１２へ指向する方向へ延伸することで、第１サブ反射層１０に図１ａに示された、層間誘電体層３０の、透かし区域Ｌのうちデバイス１２のベースへの正投影と重なっていない一部を被覆させることができる。

【0066】

いくつかの実施例では、第２サブ反射層１１のベースへの正投影は第１サブ反射層１０のベースへの正投影内に位置する。

【0067】

例示的に、図１ａに示すように、第２サブ反射層１１のベースへの正投影はデバイス区域Ａ及び周辺区域Ｂに位置し、デバイス区域Ａに設置される第２サブ反射層１１の一部のベースへの正投影はデバイス区域Ａに設置される第１サブ反射層１０の一部のベースへの正投影内に位置し、周辺区域Ｂに位置する第２サブ反射層１１の一部のベースへの正投影は周辺区域Ｂに位置する第１サブ反射層１０の一部のベースへの正投影と重なっている。

【0068】

又は、第２サブ反射層１１のベースへの正投影はデバイス区域Ａ及び周辺区域Ｂに位置し、デバイス区域Ａに設置される第２サブ反射層１１の一部のベースへの正投影はデバイス区域Ａに設置される第１サブ反射層１０の一部のベースへの正投影内に位置し、且つ周辺区域Ｂに設置される第２サブ反射層１１の一部のベースへの正投影は周辺区域Ｂに設置される第１サブ反射層１０の一部のベースへの正投影内に位置する。

【0069】

又は、図２ａに示すように、第２サブ反射層１１のベースへの正投影はデバイス区域Ａに位置し、周辺区域Ｂには第２サブ反射層１１が設置されておらず、第２サブ反射層１１のベースへの正投影はデバイス区域Ａに設置される第１サブ反射層１０の一部のベースへの正投影内に位置する。

【0070】

いくつかの実施例では、第１サブ反射層１０のベースへの正投影は第２サブ反射層１１のベースへの正投影内に位置してもよい。本願の実施例により提供される図面において、第２サブ反射層１１のベースへの正投影は第１サブ反射層１０のベースへの正投影内に位置することを例として作成される。

【0071】

いくつかの実施例では、図２ａに示すように、第１サブ反射層１０はベース１のエッジを被覆し、第２サブ反射層１１はデバイス区域Ａ内へ後退し、それにより、第２サブ反射層１１のエッジとベース１のエッジとの間の距離Ｈ１の範囲を０．２～２ｍｍの間に制御する。

【0072】

例示的に、第２サブ反射層１１のエッジとベース１のエッジとの間の距離Ｈ１は０．２ｍｍ、０．４ｍｍ、０．５ｍｍ、０．８ｍｍ、１ｍｍ、１．５ｍｍ、１．８ｍｍ又は２ｍｍであってもよく、第２サブ反射層１１のエッジとベース１のエッジとの間の距離Ｈ１の具体的な値はアレイ基板の設計の異なり、アレイ基板製造プロセス又は切断プロセスの異なりによって決定されてもよい。

【0073】

いくつかの実施例では、図２ｄを参照し、アレイ基板の上面図を示し、図２ａは図２ｄのＭ１Ｍ２方向に沿った断面図である。図２ｄに示すように、複数のデバイス１２はデバイス区域Ａ中にアレイ状に配置され、デバイス区域Ａにおける反射層２０は第１サブ反射層１０と第２サブ反射層１１とを含み、周辺区域Ｂの反射層２０は第１サブ反射層１０を含む。図２ｄにおいてデバイス区域Ａの表層に位置する第２サブ反射層１１のみが見られ、第１サブ反射層１０は周辺区域Ｂに位置するベース１のエッジを被覆し、第２サブ反射層１１はデバイス区域Ａ内へ後退し、それにより第２サブ反射層１１のエッジとベース１のエッジとの間の距離Ｈ１の範囲を０．２～２ｍｍの間に制御する。図２ｄにおいて作成されたデバイス１２は発光デバイスである。

【0074】

いくつかの実施例では、第１サブ反射層１０と第２サブ反射層１１が含む材料は異なってもよく、例えば、第１サブ反射層１０の材料は白色インクを含んでもよく、第２サブ反射層１１の材料はシリコンベースの白色接着剤を含んでもよく、又は、第１サブ反射層１０の材料は白色インクを含んでもよく、第２サブ反射層１１の材料は反射シートを含んでもよい。

【0075】

又は、第１サブ反射層１０と第２サブ反射層１１が含む材料は同じであってもよく、例えば、第１サブ反射層１０と第２サブ反射層１１の材料はいずれも白色インクを含む。第１サブ反射層１０と第２サブ反射層１１の材料は白色インク又はシリコンベースの白色接着剤を含む場合、スクリーン印刷プロセスで、それぞれ第１サブ反射層１０及び第２サブ反射層１１を印刷して形成することができる。

【0076】

例示的に、第１サブ反射層１０のベース１に垂直な方向に沿う厚さ範囲は２５μｍ～３５μｍであってもよく、例えば、２５μｍ、２８μｍ、３０μｍ、３２μｍ又は３５μｍである。

【0077】

例示的に、第２サブ反射層１１のベース１に垂直な方向に沿う厚さ範囲は２５μｍ～３５μｍであってもよく、例えば、２５μｍ、２８μｍ、３０μｍ、３２μｍ又は３５μｍである。

【0078】

本願のいくつかの実施例では、図２ａに示すように、第２サブ反射層１１はデバイス区域Ａに位置し、第２サブ反射層１１のベースへの正投影は周辺区域Ｂと重なっていない。説明する必要がある点として、周辺区域Ｂとは、アレイ基板製造過程において、デバイス区域Ａとアレイ基板境界（カットライン）との間の区域を指すため、周辺区域Ｂのベース１に第１サブ反射層１０を設置するが、第２サブ反射層１１を設置しないと、一方では、マザー板からアレイ基板に切断するとき、切断プロセスによる反射層２０のフィルムピーリング（Ｐｅｅｌｉｎｇ）問題を改善でき、他方では、周辺区域Ｂのベース１に第１サブ反射層１０が設置され、第１サブ反射層１０がベース１の外側輪郭を被覆するため、アレイ基板が発光する場合、周辺区域Ｂの第１サブ反射層１０はアレイ基板から発せられた光線を反射でき、アレイ基板の周辺区域Ｂがデバイス区域Ａに比べて比較的大きな光学輝度差異を有するという問題を改善し、アレイ基板のベース１が位置する平面に垂直な方向に沿う光出射量を最大限に増加させ、それによりアレイ基板の光出射効率を向上させる。

【0079】

いくつかの実施例では、第１サブ反射層１０と第２サブ反射層１１の材料はいずれも白色インクを含み、第１サブ反射層１０と第２サブ反射層１１の厚さ範囲はいずれも２５～３５μｍである場合、図２ａに示されたアレイ基板において、デバイス区域Ａの反射層２０と周辺区域Ｂの反射層２０の光線に対する反射率の値の差は５％内であり、デバイス区域Ａと周辺区域Ｂの著しい光学差異をもたらさない。

【0080】

本願のいくつかの実施例では、図１ａに示すように、第１サブ反射層１０と第２サブ反射層１１のベースへの正投影はいずれも延伸しかつ周辺区域Ｂを被覆し、さらに、第１サブ反射層１０と第２サブ反射層１１の境界はベース１の外側輪郭と基本的に重なっており、それによりアレイ基板が発光する場合、周辺区域Ｂの第１サブ反射層１０及び第２サブ反射層１１はアレイ基板から発せられた光線を反射でき、第１サブ反射層１０及び第２サブ反射層１１の２重作用で、アレイ基板の周辺区域Ｂがデバイス区域Ａに比べて比較的大きな光学輝度差異を有するという問題を改善し、また、アレイ基板のベース１が位置する平面に垂直な方向に沿う光出射量を最大限に増加させ、それによりアレイ基板の光出射効率を向上させる。

【0081】

いくつかの実施例では、図２ｄに示すように、アレイ基板は一側に位置するバインディング区域Ｄをさらに含み、バインディング区域Ｄには反射層２０が設置されておらず、バインディング区域Ｄは複数のバインディング端子群１０７を含み、バインディング端子群１０７の一端は外部回路（回路ベース又は集積回路）のゴールドフィンガー構造と接続して電気信号を受信することに用いられ、他端はアレイ基板における導電パターン、例えば信号線と接続して電気信号を伝送する。

【0082】

本願のいくつかの実施例では、第１サブ反射層１０と第２サブ反射層１１のベース１に垂直な方向に沿う厚さは同じである。

【0083】

例示的に、第１サブ反射層１０と第２サブ反射層１１のベース１に垂直な方向に沿う厚さはいずれも２５μｍ、又はいずれも３０μｍ、又はいずれも３５μｍである。

【0084】

本願のいくつかの実施例では、図１ａ又は図２ａに示すように、アレイ基板は補助反射部１３をさらに含み、補助反射部１３は層間誘電体層３０に位置し、且つ補助反射部１３は反射層２０と接続される。

【0085】

プロセスの安定性が十分に高い場合、デバイス区域Ａにおいて、反射層２０のベースへの正投影は層間誘電体層３０の透かし区域Ｌ以外の一部を被覆する。しかしながら、プロセス精度及び製造誤差を考慮すると、実際の製造過程において、デバイス区域Ａにおける透かし区域Ｌ以外の一部の区域において、反射層２０のベースへの正投影は層間誘電体層３０のベースへの正投影内にあり、従って、反射効果を確保するために、反射層３０を設置した後、補助反射部１３を設置することで、反射効果を強化する。

【0086】

いくつかの実施例では、複数回のスクリーン印刷プロセスで反射層２０を製造する場合、図１ａに示すように、透かし区域Ｌのエッジにある反射層２０は階段状を呈することができ、透かし区域Ｌのエッジ近傍の反射層２０が透かし区域Ｌに位置する層間誘電体層３０の一部を露出し、このとき、該一部の層間誘電体層３０に補助反射部１３を設置することで、透かし区域Ｌのエッジにある反射層２０によって露出された層間誘電体層３０の一部の表面を被覆し、それにより、アレイ基板のベース１が位置する平面に垂直な方向に沿う光出射量を更に増加し、それにより、アレイ基板の光出射効率を向上させる。

【0087】

いくつかの実施例では、反射層２０の透かし区域Ｌの側壁に補助反射部１３を設置すると、透かし区域Ｌの半径方向サイズを縮小して、透かし区域Ｌのサイズ精度を向上させることができる。図面においていずれも透かし区域Ｌの半径方向サイズが縮小していない状況でマークする。

【0088】

いくつかの実施例では、図２ｂに示すように、補助反射部１３の層間誘電体層３０に接触する表面と、補助反射部１３の層間誘電体層３０から離れる表面との間の距離Ｔ２は、反射層２０の層間誘電体層３０に接触する表面と、反射層２０の層間誘電体層３０から離れる表面との間の距離Ｔ１よりも大きい。

【0089】

例示的に、補助反射部１３の層間誘電体層３０に接触する表面と、補助反射部１３の層間誘電体層３０から離れる表面との間の距離Ｔ２の範囲は５０μｍ～８０μｍであってもよく、反射層２０の層間誘電体層３０に接触する表面と、反射層２０の層間誘電体層３０から離れる表面との間の距離Ｔ１の範囲は３０μｍ～５０μｍであってもよい。

【0090】

説明する必要がある点として、スプレー塗装プロセスによって透かし区域Ｌを取り囲むエッジに補助反射部１３を設置することを実現できる。

【0091】

いくつかの実施例では、補助反射部１３の材料はシリコンベースの白色接着剤を含み、シリコンベースの白色接着剤の色は白色であり、それにより、補助反射部１３の色が反射層２０の色とほぼ同じであり、その結果、補助反射部１３の光線に対する反射率が反射層２０の光線に対する反射率に近いことを確保できる。

【0092】

本願のいくつかの実施例では、図１ａ又は図２ａに示すように、補助反射部１３は第１反射部１３２と第２反射部１３１とを含み、第１反射部１３２と第２反射部１３１が一体構造である。

【0093】

反射層２０における透かし区域Ｌから層間誘電体層３０の一部の区域が露出され、第１反射部１３２のベースへの正投影は透かし区域Ｌに位置し、且つ第１反射部１３２が層間誘電体層３０に直接接触し、第２反射部１３１が反射層２０のベース１から離れる表面に直接接触し、且つ第２反射部１３１のベースへの正投影は反射層２０のベースへの正投影と重なっている。

【0094】

いくつかの実施例では、図２ａに示すように、第２反射部１３１は第１サブ反射層１０のベース１から離れる表面の一部を被覆し、且つベース１が位置する平面に平行な方向に、第２反射部１３１と第２サブ反射層１１との間に隙間Ｚが存在する。又は、図２ｂに示すように、第２反射部１３１は第１サブ反射層１０のベース１から離れる表面の一部を被覆し、且つ第２反射部１３１はベース１が位置する平面に平行な方向に第２サブ反射層１１と接続される。又は、図２ｃに示すように、第２反射部１３１は第１サブ反射層１０のベース１から離れる表面の一部を被覆し、且つ第２反射部１３１はさらに第２サブ反射層１１のベース１から離れる表面の一部を被覆する。

【0095】

本願のいくつかの実施例では、図１ａ又は図２ａに示すように、アレイ基板はデバイス１２に対応する複数の封止部１４をさらに含み、封止部１４のベースへの正投影はデバイス１２のベースへの正投影を被覆し、且つ封止部１４のベースへの正投影は反射層２０のベースへの正投影と部分的に重なっている。

【0096】

例示的に、図１ａ又は図２ａに示すように、各封止部１４は１つのデバイス１２を包む。封止部１４はデバイス１２に対して封止保護作用を果たすと同時に、ベース１から離れる表面の形状を設計し、例えば凸レンズと類似する表面を有するようにすることにより、デバイス１２に含まれた発光デバイスの発光角度をさらに調整することができる。

【0097】

いくつかの実施例では、アレイ基板はデバイス１２のベース１から離れる側に設置され、デバイス１２を保護する封止層をさらに含むことができる。

【0098】

例示的に、封止層は層全体で複数のデバイス１２に被覆されてもよい。

【0099】

図４はアレイ基板のデバイス区域Ａの構造模式図を示す。図４に示すように、アレイ基板のデバイス区域Ａはベース１に位置して順に設置されたバッファ層２及び第１導電層７を含み、層間誘電体層３０は第１導電層７のベース１から離れる側に位置し、層間誘電体層３０は第１絶縁層８と第１平坦層９とを含み、第１平坦層９は少なくとも第１絶縁層８と反射層２０との間に位置する。

【0100】

第１導電層７は導電パターンを形成することに用いられる。

【0101】

例示的に、図４に示すように、アレイ基板には第１導電層７が設置され、第１導電層７の第１絶縁層８により被覆される一部は導電パターンにおける配線７３を構成し、電気信号を伝送することに用いられ、第１絶縁層８によって被覆されておらず、且つベース１の表面から離れる第１導電層７の一部は導電性パッドを構成し、配線７３において伝送された電気信号をデバイス１２に送信するように、デバイス１２と電気的に接続される。

【0102】

例示的に、ベース１にすべての導電パターンを配置するのに十分な空間がある場合、アレイ基板は一層のみの導電層を含んでもよい。

【0103】

いくつかの実施例では、第１導電層７の材料は銅、アルミニウム、ニッケル、モリブデン、及びチタンのうちのいずれか１つ又は積層して設置された複数種の金属の組み合わせを含んでもよい。

【0104】

例示的に、第１導電層７は順に積層して設置されたモリブデンニッケルチタン合金（ＭｏＮｉＴｉ）層、銅金属層、及びモリブデンニオブ合金（ＭｏＮｂ）層を含んでもよく、モリブデンニッケルチタン合金層は電気めっきプロセスにおける銅金属結晶粒子の核生成密度を高めることができ、モリブデンニオブ合金層は銅金属酸化を防止する作用を果たす。第１導電層７におけるモリブデンニッケルチタン合金層の厚さ範囲は２９０Å～３１０Åであってもよく、例えば、厚さは２９０Å、２９６Å、３００Å、３０５Å又は３１０Åであってもよい。

【0105】

いくつかの実施例では、第１導電層７の厚さ範囲は１．５μｍ～７μｍであってもよく、例えば、厚さは１．５μｍ、２μｍ、４μｍ、６．５μｍ又は７μｍであってもよい。

【0106】

図５はアレイ基板のデバイス区域Ａの別の構造模式図を示す。図５に示すように、アレイ基板のデバイス区域Ａは、バッファ層２に位置して順に積層して設置された第２導電層３、第２絶縁層４、第２平坦層５、及び第３絶縁層６をさらに含み、第３絶縁層６は第１導電層７の第１絶縁層８から離れる側に位置する。

【0107】

いくつかの実施例では、図５に示すように、第１導電層７と第２導電層３は共同で導電パターンを構成する。第１導電層７は第２導電層３よりもベース１から離れて設置され、従って、第１導電層７のベース１から離れる表面の層間誘電体層３０によって被覆されていない一部は導電性パッドを構成し、デバイス１２と電気的に接続され、第１導電層７の他のフィルム層によって被覆された一部及び第２導電層３は導電パターンにおける信号線及び接続線を構成し、外部信号源回路からの電気信号を受信しかつデバイス１２に伝送することに用いられる。本願の実施例により提供された図面において、第２導電層３の導電パターンが具体的に作成されておらず、そのパターン化された構造はアレイ基板の回路レイアウト設計に基づいて決定される。

【0108】

いくつかの実施例では、第２導電層３の材料は銅、アルミニウム、ニッケル、モリブデン、及びチタンのうちのいずれか１つ又は積層して設置された複数種の金属の組み合わせを含んでもよい。

【0109】

いくつかの実施例では、第２導電層３は順に積層して設置されたモリブデンニオブ合金層、銅金属層、及び保護層を含んでもよく、保護層は銅ニッケル合金（ＣｕＮｉ）、ニッケル又はインジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、略称ＩＴＯ）のうちのいずれかを含んでもよい。モリブデンニオブ合金層は銅金属と、ベースに近い側のフィルム層との密着性を高める作用を果たし、保護層は銅金属酸化を防止する作用を果たす。

【0110】

例示的に、第２導電層３の厚さ範囲は０．５～１０μｍであってもよく、例えば、厚さは０．５μｍ、１μｍ、１．８μｍ、２．７μｍ又は１０μｍであってもよい。

【0111】

本願のいくつかの実施例では、図１ａ又は図２ａに示すように、第１導電層７のベース１から離れる表面の露出された一部は導電性パッドを構成し、導電性パッドは、例えば、少なくとも１つの第１パッド７１と少なくとも１つの第２パッド７２とを含み、層間誘電体層３０はベース１に垂直な方向に沿う複数の第１開口部Ｋ１及び複数の第２開口部Ｋ２を有し、第１開口部Ｋ１は第１パッド７１が位置する区域を露出し、第２開口部Ｋ２は第２パッド７２が位置する区域を露出する。

【0112】

第１パッド７１は第１開口部によってデバイス１２の第１半田フィレット１５１と電気的に接続され、第２パッド７２は第２開口部Ｋ２によってデバイス１２の第２半田フィレット１５２と電気的に接続される。

【0113】

いくつかの実施例では、第１パッド７１と第１半田フィレット１５１との間は第１開口部Ｋ１中に位置する溶接材料（例えば半田、図示せず）によって電気的に接続され、第２パッド７２と第２半田フィレット１５２との間は第２開口部Ｋ２中に位置する溶接材料によって電気的に接続され、それにより、第１溶接７１及び第２パッド７２によって電気信号をデバイス１２に伝送する。

【0114】

いくつかの実施例では、溶接材料は第１パッド７１及び第２パッド７２に予め印刷されてもよく、又は、第１半田フィレット１５１及び第２半田フィレット１５２に予め製造されてもよい。

【0115】

本願のいくつかの実施例では、アレイ基板は複数の支持柱１０２をさらに含み、支持柱１０２は反射層２０のベース１から離れる側に位置し、且つ支持柱１０２のベースへの正投影はデバイス１２のベースへの正投影と重なっていない。

【0116】

説明する必要がある点として、支持柱１０２の色は需要に応じて選択でき、例えば、支持柱１０２の色は白色であってもよく、それにより、支持柱１０２の反射率が反射層２０の反射率に近い。また、例えば、支持柱１０２は透明であってもよい。

【0117】

いくつかの実施例では、図１ｂに示すように、周辺区域Ｂはさらにバッファ層２、第２導電層３、第２絶縁層４、第２平坦層５、第３絶縁層６、第１導電層７、第１絶縁層８、及び第１平坦層９のうちの少なくとも１つ又は複数のフィルム層を含んでもよい。周辺区域Ｂの反射層２０以外の他のフィルム層構造は実際の設計に基づいて決定され、ここで制限しない。

【0118】

本願の実施例は発光装置をさらに提供し、図６に示すように、上記アレイ基板１００を含む。

【0119】

図１ａにおけるベース１及びベース１と反射層２０との間のすべてのフィルム層は図６に示されたベース１０１を構成し、例示的に、ベース１０１はベース１及びベース１に位置する積層して設置されたバッファ層２、第２導電層３、第２絶縁層４、第２平坦層５、第３絶縁層６、第１導電層７、第１絶縁層８及び第１平坦層９を含む。

【0120】

アレイ基板１００に具体的に含まれたフィルム層及び部材は前文説明を参照すればよく、ここでは詳しい説明は省略する。

【0121】

いくつかの実施例では、発光装置を提供し、該発光装置は本願の実施例により提供されるアレイ基板を含む。

【0122】

いくつかの実施例では、該発光装置は該アレイ基板を被覆する保護基板（又はカバープレート）をさらに含むことができる。

【0123】

該発光装置はバックライト装置として使用されてもよく、又は、表示装置として使用されてもよい。具体的に、発光装置における複数のデバイス１２はいずれも単一の色の光を発光する発光デバイスである場合、上記発光装置はバックライト装置として使用することができ、発光装置における複数のデバイス１２はそれぞれ異なる色の光を発光する発光デバイス、例えば赤色、緑色及び青色の光を発光する３つの発光デバイスを含む場合、上記発光装置は表示装置として使用することができる。

【0124】

いくつかの実施例では、上記アレイ基板１００は表示装置に使用される場合、アレイ基板１００には支持柱１０２が設置されなくてもよい。

【0125】

本願のいくつかの実施例では、図６に示すように、発光装置は順に積層して設置された拡散板１０３、量子ドットフィルム１０４、拡散シート１０５、及び複合フィルム１０６をさらに含み、拡散板１０３はアレイ基板１００の光出射側に位置する。

【0126】

複数の支持柱１０２は複数の光学フィルムシート（拡散板１０３、量子ドットフィルム１０４、拡散シート１０５、及び複合フィルム１０６を含む）を支持することに用いられ、それにより、アレイ基板１００における反射層２０と光学フィルムシートとの間に光混合距離が存在し、アレイ基板による影を改善し、発光装置の表示画質を向上させることができる。

【0127】

いくつかの実施例では、拡散板１０３の材料は、ガラス、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ）、アクリル酸（ＭＭＡ）のうちのいずれか１つを含んでもよい。

【0128】

具体的に、量子ドットフィルム（ＱＤ Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ Ｆｉｌｍｓ、略称ＱＤＥＦ）は量子ドット蛍光体とポリマーを均一に混合した後にフィルムシートを製造する技術であり、例示的に、量子ドットフィルム１０４の材料はペロブスカイト量子ドット材料を含むことができ、その厚さは一般的に約１００ｕｍである。

【0129】

いくつかの実施例では、拡散シート１０５の材料は拡散板１０３の材料と同じであってもよい。

【0130】

いくつかの実施例では、複合フィルム１０６は光効率を向上させると同時に、拡散板１０３、量子ドットフィルム１０４、及び拡散シート１０５の保護フィルムとして使用され、それに対して保護作用を果たし、すり傷又は破損を防止する。

【0131】

本願の実施例により提供された発光装置において、ベース１の外側輪郭はアレイ基板の周辺区域Ｂの外側輪郭と一致し、且つ周辺区域Ｂに位置する反射層２０は周辺区域Ｂに位置するベース１を被覆するため、周辺区域Ｂに位置する反射層２０はベース１の外側輪郭を被覆し、その結果、周辺区域Ｂのベース１に非反射区域が存在せず、それにより、発光装置が発光するとき、周辺区域Ｂの反射層２０が発光装置から発せられた光線を反射でき、発光装置の周辺区域Ｂがデバイス区域Ａに比べて比較的大きな光学輝度差異を有するという問題を最大限に改善し、発光装置のベース１が位置する平面に垂直な方向に沿う光出射量を最大限に増加し、それにより、発光装置の光出射効率を向上させる。

【0132】

本願の実施例はタイルドディスプレイをさらに提供し、図７に示すように、少なくとも２つの上記発光装置を含む。

【0133】

説明する必要がある点として、タイルドディスプレイにおける発光装置として使用され、複数のデバイス１２は赤色、緑色、及び青色の光を発光する３つの発光デバイスを同時に含む。

【0134】

いくつかの実施例では、タイルドディスプレイはマルチポートトランスポンダ、給電装置、第１フレーム、及び第２フレームをさらに含むことができる。

【0135】

各発光装置の発光面はいずれも共通平面に位置し、且つ各発光装置はいずれも第１フレームと固定され、第１フレームは第２フレームと固定され、且つ第２フレームは第１フレームの発光装置から離れる側に位置し、マルチポートトランスポンダ及び給電装置はいずれも第２フレームと固定され、マルチポートトランスポンダは給電装置と電気的に接続され、各発光装置のバインディング端子群１０７はそれぞれマルチポートトランスポンダと電気的に接続される。

【0136】

説明する必要がある点として、図７に示されたタイルドディスプレイは図２ｄに示されたアレイ基板からなる発光装置で接合されて得られる。

【0137】

本願の実施例により提供されたタイルドディスプレイにおいて、タイルドディスプレイにおける発光装置として使用される周辺区域Ｂには反射層２０も設置される（図７では、周辺区域Ｂには第１サブ反射層１０が設置される）ため、発光装置から発せられた光線を反射でき、発光装置の周辺区域Ｂがデバイス区域Ａに比べて比較的大きな光学輝度差異を有するという問題を最大限に改善し、該発光装置によって接合して形成されたタイルドディスプレイにおいて、継ぎ目の幅が十分に小さく且つ人間の目にはほとんど検出できない場合、隣接する２つの発光装置の間の区域に光学的に暗い区域が存在せず、それにより、タイルドディスプレイの表示効果を大幅に向上させる。

【0138】

前文に記載のアレイ基板については、周辺区域Ｂにおけるベース１には反射層２０が設置されるため、一方では、通常のカッターホイール正面切断プロセスでアレイ基板のマザー板正面から切断してアレイ基板を生成する場合、図８ｃに示すように、切断カッターホイール３０２がカッターホイール治具３０１に固定されるため、カッターホイール治具３０１によるアレイ基板における封止部１４のすり傷を引き起こし、かつ封止部１４に図８ａに示されるかき傷を引き起こす。他方では、切断カッターホイール３０２が反射層２０に直接切断するため、反射層２０に図８ａ及び図８ｂに示されたカッターマークを引き起こし、それにより、局所的な反射層２０が剥離し、剥離した反射層２０の破片が反射層２０に落ち、反射層２０の反射効果に影響を与える。他の態様では、カッターホイール正面切断プロセスを用いると、反射層２０を切断し、反射層２０の影響により、切断カッターホイール３０２がベース１の表面に直接切断することは困難であり、切断失敗を引き起こす。

【0139】

図８ｄはカッターホイール正面切断プロセスの模式図である。切断すべき基板は切断機テーブル３０５に位置し、カッターホイール正面切断プロセスを用いると、切断成功を確保するように、以下の条件を満たす必要がある。先ず、反射層２０と切断カッターホイール３０２の軸線（カットラインが位置する位置）との間の距離ｄ１が０．７ｍｍ以上であると、カッターホイール３０２がベース１の表面に直接切断することができる。そして、カッターホイールの治具３０１と封止部１０４との間の距離ｄ２が０ｍｍよりも大きいと、カッターホイールの治具３０１による封止部１０４のすり傷が発生しないと確保することができる。実際の応用で採用されたカッターホイールについては、軸線と治具３０１の一側のエッジとの間の距離が約３ｍｍであり、封止部１４の半径ｒが１．２５ｍｍであり、切断プロセスの変動範囲が０．２５ｍｍである場合、切断カッターホイール３０２の軸線と封止部１４のマザーベース板４００上での正投影の幾何中心との間の距離ｄ３がｄ３≧３ｍｍ＋１．２５ｍｍ＋０．２５＝４．５ｍｍを満たす。しかしながら、カッターホイール正面切断プロセスで得たアレイ基板は、反射層２０が周辺区域Ｂに延伸していないため、周辺区域Ｂがデバイス区域Ａに比べて比較的大きな光学輝度差異を有する問題がある。

【0140】

そのため、本願の実施例はアレイ基板の製造方法を提供し、上記アレイ基板の製造に適用され、図９に示すように、該方法は以下のステップを含む。

【0141】

Ｓ９０１、図１０又は図１１に示されたマザーベース板４００を提供し、マザーベース板４００は少なくとも１つのデバイス区域Ａと、デバイス区域Ａに隣接する切断区域Ｃとに区画される。

【0142】

説明する必要がある点として、切断区域Ｃにおけるカットライン以外の区域Ｃ１を切除した後、周辺区域Ｂを得ることができる。

【0143】

例示的に、図１０に示されたマザーベース板４００をカットラインに沿って切断し、マザーベース板４００のＣ１区域を除去した後、少なくとも１つのベース１を得ることができる。

【0144】

Ｓ９０２、マザーベース板４００のデバイス区域Ａに層間誘電体層３０を形成する。

【0145】

Ｓ９０３、マザーベース板４００のデバイス区域Ａ及び切断区域Ｃに反射層２０を形成する。

【0146】

反射層２０はマザーベース板４００に垂直な方向に沿う複数の透かし区域Ｌを有し、層間誘電体層３０は少なくともマザーベース板４００と反射層２０との間に位置し、デバイス区域Ａに位置する反射層２０の一部のマザーベース板４００上での正投影は層間誘電体層３０のマザーベース板４００上での正投影と部分的に重なっており、切断区域Ｃに位置する反射層２０の一部はマザーベース板４００の切断区域Ｃを被覆する。

【0147】

Ｓ９０４、マザーベース板４００のデバイス区域Ａに複数のデバイス１２を結びつけ、デバイス１２は透かし区域Ｌ内に位置する。

【0148】

デバイス区域Ａにはアレイ状に配置された複数種のデバイス１２が設置され、デバイス１２は発光デバイスを含み、且つセンサデバイス、コンパクト駆動チップ又は他のタイプのデバイスのうちのいずれか１つをさらに含む。

【0149】

層間誘電体層３０が少なくともベース１と反射層２０との間に位置する意味については、図１ａに示すように、アレイ基板のデバイス１２が設置されていない区域に、層間誘電体層３０がベース１と反射層２０との間に位置し、透かし区域Ｌにおいて、導電パターンの間（導電性パッド７１と７２との間）の一部の区域には一部の層間誘電体層３０が設置され、且つ該一部の層間誘電体層３０がベース１とデバイス１２との間に位置する。

【0150】

図１０、図１ａに示すように、層間誘電体層３０はマザーベース板４００に垂直な方向に沿う複数の第１開口部Ｋ１及び複数の第２開口部Ｋ２を有する。第１開口部Ｋ１及び／又は第２開口部Ｋ２のベースへの正投影は透かし区域Ｌのベースへの正投影範囲内に位置する。

【0151】

層間誘電体層３０における第１開口部Ｋ１はベース１に設置された導電パターン７１を露出し、層間誘電体層３０における第２開口部Ｋ２はベース１に設置された導電パターン７２を露出し、それにより、デバイス１２がそれぞれ導電パターン７１及び導電パターン７２と接続され、導電パターンが外部信号源回路と接続され、それにより電気信号を受信する。

【0152】

デバイス区域Ａ及び切断区域Ｃにはいずれも反射層２０が設置され、例示的に、図１０又は図１１に示すように、アレイ基板のマザー板におけるデバイス１２が設置された透かし区域Ｌ以外のすべての区域には、いずれも一層の反射層２０が設置される。

【0153】

いくつかの実施例では、バッファ層２、第２導電層３、第２絶縁層４、第２平坦層５、第３絶縁層６、第１導電層７、第１絶縁層８、及び第１平坦層９のうちの少なくとも１つのフィルム層は切断区域Ｃまで延伸することができ、実際の設計に基づいて決定することができ、ここで制限しない。

【0154】

Ｓ９０５、マザーベース板４００の裏面からカットラインに沿って切断して、少なくとも１つのアレイ基板を得て、カットラインは切断区域Ｃに位置し、裏面はマザーベース板４００のデバイス１２から離れる表面である。

【0155】

図１２ａは裏面削りプロセスの模式図を示す。

【0156】

いくつかの実施例では、図１２ａに示すように、マザーベース板４００の裏面からカットラインに沿って切断する場合、アレイ基板のマザー板は切断機テーブル３０５に位置し、切断カッターホイール３０２はマザーベース板４００の裏面に設置される。また、マザーベース板４００の切断区域の付近に切断機テーブル３０５によって支持されておらず、宙吊り状態にあり、切断カッターホイール３０２に対向するアレイ基板のマザー板の他側には、切断カッターホイール３０２がマザーベース板４００の裏面から切断するときに生じた切断圧力を相殺するように、ローラ３０６がさらに設置される。

【0157】

マザーベース板４００の裏面に反射層２０が設置されていないため、切断ニーズに応じて切断区域の任意の位置に切断することができ、このように、切断するとき、切断カッターホイール３０２の軸線と反射層２０のエッジとの間の距離を考慮する必要がなく、切断カッターホイール３０２の治具３０１による封止部１４に対するすり傷及び摩耗問題の可能性を考慮する必要もなく、且つ裏面を切断するため、切断カッターホイール３０２はマザーベース板４００の裏面に直接接触することができ、反射層２０の影響による切断失敗の問題が存在しない。

【0158】

説明する必要がある点として、図１２ａ、図１３ａ、及び図１４ａにおいて、マザーベース板４００には反射層２０、デバイス１２及び封止部１４が作成され、アレイ基板のマザー板に含まれた他の構造はいずれも作成されておらず、アレイ基板のマザー板に含まれた他の構造はアレイ基板に含まれた構造と類似し、具体的に前文でアレイ基板の構造についての説明を参照すればよく、ここでは詳しい説明は省略する。

【0159】

図１２ｂは図１２ａにおけるアレイ基板のマザー板のカットライン位置の模式図を示す。図１２ｂでは、破線によってマークされた位置はカットラインが位置する位置であり、カットラインに沿ってカットライン以外の区域Ｃ１を切断した後、アレイ基板を得ることができる。アレイ基板のマザー板のカットライン以外の区域Ｃ１にも反射層２０が設置され、しかしながら、裏面切断プロセスを採用するため、反射層２０は切断過程に影響を与えない。

【0160】

いくつかの実施例では、図１３ａは、別の裏面切断プロセスの模式図を示す。図１３ａでは、カットラインは２つのアレイ基板のマザー板の中央位置に位置し、切断カッターホイール３０２を設置するための空間を残すように、切断機テーブル３０５の中央位置がくり抜かれた。図１３ｂは図１３ａにおけるアレイ基板のマザー板のカットライン位置の模式図を示す。二枚のカットラインの中央区域は切断する必要があるＣ１区域である。

【0161】

いくつかの実施例では、図１４に示すように、切断カッターホイール３０２の裏面の切断時の切断効率を向上させるために、複数のカッターホイールで同時に切断する方式で切断することができる。図１４では、切断カッターホイール３０２が設置された位置に対応するアレイ基板の各マザー板において、反射層２０のマザーベース板４００から離れる側にはいずれもローラ３０６が設置され、それにより、切断カッターホイール３０２が切断するときに生じた切断圧力のバランスをとる。

【0162】

本願の実施例は図１８に示された真空チャック５００を提供し、該真空チャック５００はソフトノズルチャックであり、非平坦な表面を有するアレイ基板に対して良好な吸着作用を有し、切断時にアレイ基板のマザー板又はアレイ基板を運搬して移動することに用いられる。

【0163】

図１５ａに示すように、存在する可能性のある突起、欠け又は微小亀裂によるアレイ基板のエッジへの破損の確率を低減させ、アレイ基板の信頼性を向上させるように、切断した後にさらにアレイ基板のエッジを研削できる。

【0164】

ベベル研削プロセスにおいて、アレイ基板を研削盤テーブル３０７に置き、研削カッターホイール３０８が反時計回り方向に沿って回転し、それにより、研削カッターホイール３０８が先に反射層２０を研削し、そして、ベース１を研削し、先にベース１を研削するとき、反射層２０を引くことに起因する反射層２０の局所剥離を回避する。ベベル研削プロセスでは、研削するとき、研削カッターホイール３０８とアレイ基板との初期研削点は図１５ａに示された反射層２０の表面とベース１の側面との接合部であり、研削が終了した後、アレイ基板は図１５ｃに示された研削区域（ベベルが位置する区域）を生成し、該区域に対して顕微鏡でテストすると、研削区域Ｇ１の幅が図１５ｂに示された約１５０ｕｍであり、該区域内に反射層２０がないことを把握でき、これはアレイ基板の光学性能に深刻に影響する。

【0165】

そのため、本願のいくつかの実施例では、マザーベース板４００の裏面からカットラインに沿って切断して、少なくとも１つのアレイ基板を得るステップの後、該製造方法は以下のステップをさらに含む。

【0166】

Ｓ９０６、垂直研削プロセスでアレイ基板のエッジを研削する。

【0167】

本願のいくつかの実施例では、垂直研削プロセスでアレイ基板のエッジを研削するステップＳ９０６は以下のステップを含む。

【0168】

Ｓ９０６１、図１６に示すように、アレイ基板１００に垂直な方向に、アレイ基板のベース１の側面と反射層２０の側面とを同時に研削し、ベース１の側面と反射層２０の側面とは同一平面に位置する。

【0169】

説明する必要がある点として、図１６では、ベース１と反射層２０との間の他のフィルム層はいずれも作成されておらず、具体的に前文の説明を参照すればよい。

【0170】

いくつかの実施例では、垂直研削プロセスでアレイ基板を研削する過程は図１６に示すとおりであり、研削カッターホイール３０８の初期研削点はアレイ基板の側面であり、具体的には、研削カッターホイール３０８は反時計回り方向に沿って回転し、かつベース１の側面と反射層２０の側面とを同時に研削し、それによりアレイ基板のエッジの反射層２０の摩耗程度とベース１の摩耗程度との差を最大限に減少させることができ、更に研削区域Ｇ２の研削幅を縮小し、垂直研削プロセスで研削したアレイ基板の研削区域Ｇ２の研削幅は約１００ｕｍであり、垂直研削プロセスは、アレイ基板のエッジ位置の光学性能を最大限に向上させる。

【0171】

本願のいくつかの実施例では、マザーベース板４００のデバイス区域Ａ及び切断区域Ｃに反射層２０を形成するステップＳ９０３は、
マザーベース板４００上での正投影がデバイス区域Ａ及び切断区域Ｃ内に位置する第１サブ反射層１０を形成するステップＳ９０３１と、
マザーベース板４００上での正投影がデバイス区域Ａ内に位置する第２サブ反射層１１を形成するＳ９０３２と、を含むか、
又は、マザーベース板４００上での正投影がデバイス区域Ａ及び切断区域Ｃ内に位置する第１サブ反射層１０を形成するステップと、
デバイス区域Ａ及び切断区域Ｃに、マザーベース板４００上での正投影がデバイス区域Ａ及び切断区域Ｃ内に位置する第２サブ反射層１１を形成するステップと、を含む。

【0172】

いくつかの実施例では、いくつかの実施例では、図１０に示すように、第１サブ反射層１０はベース１のエッジを被覆し、第２サブ反射層１１はデバイス区域Ａ内へ後退し、それにより、第２サブ反射層１１のエッジとおベース１のエッジ（カットライン）との間の距離Ｈ１の範囲を０．２～２ｍｍの間に制御する。

【0173】

例示的に、第２サブ反射層１１のエッジとベース１のエッジとの間の距離Ｈ１は０．２ｍｍ、０．４ｍｍ、０．５ｍｍ、０．８ｍｍ、１ｍｍ、１．５ｍｍ、１．８ｍｍ又は２ｍｍであってもよく、第２サブ反射層１１のエッジとベース１のエッジとの間の距離Ｈ１の具体的な値はアレイ基板の設計の異なり、アレイ基板製造プロセス又は切断プロセスの異なりによって決定することができ、ここで限定しない。

【0174】

いくつかの実施例では、第１サブ反射層１０と第２サブ反射層１１が含む材料は異なってもよく、例えば、第１サブ反射層１０の材料は白色インクを含んでもよく、第２サブ反射層１１の材料はシリコンベースの白色接着剤を含んでもよい。又は、第１サブ反射層１０と第２サブ反射層１１が含む材料は同じであってもよく、例えば、第１サブ反射層１０と第２サブ反射層１１の材料はいずれも白色インクを含む。第１サブ反射層１０と第２サブ反射層１１の材料は白色インク又はシリコンベースの白色接着剤を含む場合、スクリーン印刷プロセスで、それぞれ第１サブ反射層１０及び第２サブ反射層１１を印刷して形成することができる。

【0175】

例示的に、第１サブ反射層１０の厚さ範囲は２５μｍ～３５μｍであってもよく、例えば、２５μｍ、２８μｍ、３０μｍ、３２μｍ又は３５μｍであってもよい。

【0176】

例示的に、第２サブ反射層１１の厚さ範囲は２５μｍ～３５μｍであってもよく、例えば、２５μｍ、２８μｍ、３０μｍ、３２μｍ又は３５μｍであってもよい。

【0177】

本願のいくつかの実施例では、マザーベース板４００のデバイス区域Ａに複数のデバイス１２を結びつけるステップの後、且つマザーベース板４００の裏面からカットラインに沿って切断して、少なくとも１つのアレイ基板を得るステップの前、方法は、
層間誘電体層３０に反射層２０と接続される補助反射部１３を形成するステップをさらに含む。

【0178】

いくつかの実施例では、複数回のスクリーン印刷プロセスで反射層２０を製造する場合、透かし区域Ｌのエッジにある反射層２０は階段状を呈することができ、透かし区域Ｌのエッジにある反射層２０から層間誘電体層３０の一部の区域が露出され、この場合、層間誘電体層３０に補助反射部１３を設置することで、透かし区域Ｌのエッジにある反射層２０によって露出された一部の層間誘電体層３０を被覆し、このように、一部の層間誘電体層３０に反射層２０が被覆されていないという問題を解決し、それにより、アレイ基板のベース１が位置する平面に垂直な方向に沿う光出射量を更に増加し、それにより、アレイ基板の光出射効率を向上させる。

【0179】

いくつかの実施例では、反射層２０の透かし区域Ｌの側壁に補助反射部１３を設置すると、透かし区域Ｌの半径方向サイズを減少させ、透かし区域Ｌのサイズ精度を向上させることができる。

【0180】

説明する必要がある点として、透かし区域のエッジを取り囲んでスプレー塗装プロセスで補助反射部１３を製造することができ、且つ図２ｂに示すように、補助反射部１３の層間誘電体層３０に接触する表面と、補助反射部１３の層間誘電体層３０から離れる表面との間の距離Ｔ２は、反射層２０の層間誘電体層３０に接触する表面と、反射層２０の層間誘電体層３０から離れる表面との間の距離Ｔ１よりも大きい。

【0181】

いくつかの実施例では、補助反射部１３の材料はシリコンベースの白色接着剤を含み、シリコンベースの白色接着剤の色は白色であり、それにより、補助反射部１３の色が反射層２０の色とほぼ同じであり、その結果、補助反射部１３の光線に対する反射率が反射層２０の光線に対する反射率に近いことを確保することができる。

【0182】

本願の実施例はそれぞれタンジェントプロセス及びバックカットプロセスで切断したアレイ基板によって形成されたタイルドディスプレイの構造模式図を提供する。図１７ａはタンジェントプロセスで切断したアレイ基板によって形成されたタイルドディスプレイの構造模式図を示す。図１７ｂはバックカットプロセスで切断したアレイ基板によって形成されたタイルドディスプレイの構造模式図を示す。

【0183】

図１７ａに示されたタイルドディスプレイでは、発光装置を形成するためのアレイ基板はタンジェントプロセスで得られ、発光装置において反射層が設置されていない区域は２０Ｎとしてマークされ、タイルドディスプレイは２つの発光装置を含み、各発光装置では、反射層２０のエッジから発光装置のエッジまでの距離が０．７ｍｍであり、タイルドディスプレイの継ぎ目の幅ｄ５＝０．９ｍｍである場合、隣接する２つの発光装置の中央の、反射層が設置されていない区域の幅ｄ６＝ｄ５＋０．７ｍｍ＊２＝２．３ｍｍである。すなわち、タイルドディスプレイにおいて隣接する２つの発光装置の表示区域の間の距離が２．３ｍｍであり、タイルドディスプレイが画面を表示する場合、画面を表示しない幅２．３ｍｍの区域（非表示区域）は存在するため、タイルドディスプレイの表示効果が大幅に低下する。

【0184】

図１７ｂに示されたタイルドディスプレイでは、発光装置を形成するためのアレイ基板はバックカットプロセスで得られる。タイルドディスプレイは２つの発光装置を含む、各発光装置では、接合用の各発光装置に反射層のない区域が存在しない場合、隣接する２つの発光装置の中央の、反射層が設置されていない区域の幅ｄ６＝ｄ５＝０．９ｍｍであり、タンジェントプロセスによって得られたタイルドディスプレイに比べて、バックカットプロセスによって得られたタイルドディスプレイにおいて隣接する２つの発光装置の間に比較的小さな非表示区域を有するため、タイルドディスプレイの表示効果を最大限に向上させる。

【0185】

上記は、本願の具体的な実施形態に過ぎず、本願の保護範囲はこれに制限されず、当業者であれば、本願の開示されている技術範囲内で、容易に想到できる変化又は置換は、いずれも本願の保護範囲内に属すべきである。従って、本願の保護範囲は前記請求項の保護範囲を基準とすべきである。

【符号の説明】

【0186】

１ ベース
２ バッファ層
３ 第２導電層
４ 第２絶縁層
５ 第２平坦層
６ 第３絶縁層
７ 第１導電層
８ 第１絶縁層
９ 第１平坦層
１０ 第１サブ反射層
１１ 第２サブ反射層
１２ デバイス
１３ 補助反射部
１４ 封止部
２０ 反射層

【図1a】

【図1b】

【図2a】

【図2b】

【図2c】

【図2d】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8a】

【図8b】

【図8c】

【図8d】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12a】

【図12b】

【図13a】

【図13b】

【図14】

【図15a】

【図15b】

【図15c】

【図16】

【図17a】

【図17b】

【図18】

【国際調査報告】