▶ ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッドの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-08-14
(54)【発明の名称】発光モジュールおよびそれを有するヘッドランプ
(51)【国際特許分類】
H01L 33/50 20100101AFI20240806BHJP
H01L 33/60 20100101ALI20240806BHJP
F21V 9/32 20180101ALI20240806BHJP
F21S 41/143 20180101ALI20240806BHJP
F21S 41/125 20180101ALI20240806BHJP
F21W 102/13 20180101ALN20240806BHJP
F21Y 115/10 20160101ALN20240806BHJP
【ＦＩ】
H01L33/50
H01L33/60
F21V9/32
F21S41/143
F21S41/125
F21W102:13
F21Y115:10
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024505604
(86)(22)【出願日】2022-07-25
(85)【翻訳文提出日】2024-01-30
(86)【国際出願番号】 KR2022010910
(87)【国際公開番号】W WO2023008864
(87)【国際公開日】2023-02-02
(31)【優先権主張番号】63/227,541
(32)【優先日】2021-07-30
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】507194969
【氏名又は名称】ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド
【氏名又は名称原語表記】ＳＥＯＵＬ ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ ＣＯ．， ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】９７－１１， Ｓａｎｄａｎ－ｒｏ １６３ ｂｅｏｎ－ｇｉｌ， Ｄａｎｗｏｎ－ｇｕ，Ａｎｓａｎ－ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】100108453
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
(74)【代理人】
【識別番号】100110364
【弁理士】
【氏名又は名称】実広 信哉
(74)【代理人】
【識別番号】100133400
【弁理士】
【氏名又は名称】阿部 達彦
(72)【発明者】
【氏名】ヘ・イン・キム
(72)【発明者】
【氏名】ジュン・フン・ソン
【テーマコード（参考）】
5F142
【Ｆターム（参考）】
5F142AA01
5F142BA32
5F142CA13
5F142CB22
5F142CB23
5F142CD02
5F142CD18
5F142CD44
5F142CD47
5F142CG03
5F142CG04
5F142CG05
5F142CG24
5F142DA02
5F142DA14
5F142DA61
5F142DA73
(57)【要約】
一実施例にかかる発光モジュールは、基板；前記基板上に配置された複数の発光ダイオードチップ；前記の複数の発光ダイオードチップ上にそれぞれ配置された複数の波長変換器；および前記の複数の発光ダイオードチップおよび前記の複数の波長変換器を囲むホワイトウォールを含み、前記の複数の波長変換器は、それぞれ波長変換器の上面に対して８０度以下の傾斜角で傾斜した側面を含む。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板；前記基板上に配置された複数の発光ダイオードチップ；
前記の複数の発光ダイオードチップ上にそれぞれ配置された複数の波長変換器；および
前記の複数の発光ダイオードチップおよび前記の複数の波長変換器を囲むホワイトウォールを含み、
前記の複数の波長変換器は、それぞれ波長変換器の上面に対して８０度以下の傾斜角で傾斜した側面を含む、発光モジュール。
【請求項2】
前記基板は、上面回路パターン、下面回路パターン、および前記上面回路パターンと下面回路パターンを連結するビアを含む、請求項１に記載の発光モジュール。
【請求項3】
前記波長変換器は、それぞれ上面面積が下面面積よりも大きい、請求項１に記載の発光モジュール。
【請求項4】
前記波長変換器の下面面積は、前記発光ダイオードチップの上面面積の９５％～１０５％の範囲内にある、請求項３に記載の発光モジュール。
【請求項5】
前記波長変換器の下面面積は、前記発光ダイオードチップの上面面積よりも小さい、請求項４に記載の発光モジュール。
【請求項6】
前記波長変換器間の間隔は、１００ｕｍ以下である、請求項１に記載の発光モジュール。
【請求項7】
前記波長変換器間の間隔は、７０ｕｍ以下である、請求項６に記載の発光モジュール。
【請求項8】
前記傾斜角は、７０度以下である、請求項１に記載の発光モジュール。
【請求項9】
前記波長変換器の厚さは、前記発光ダイオードチップの厚さよりも小さい、請求項１に記載の発光モジュール。
【請求項10】
前記波長変換器の下面間の間隔は、上面間の間隔よりも波長変換器の厚さの１／２倍以上さらに大きい、請求項１に記載の発光モジュール。
【請求項11】
前記波長変換器間の間隔は、１００ｕｍ以下で、一つの発光ダイオードチップを駆動させて得られる輝度グラフにおいて、前記の一つの発光ダイオードチップに対応する波長変換器の端から２５０ｕｍ離れた位置における輝度が、最大輝度の１／２５０よりも小さい、請求項１に記載の発光モジュール。
【請求項12】
前記波長変換器間の間隔は、１００ｕｍ以下で、一つの発光ダイオードチップを駆動させて得られる輝度グラフにおいて、最大輝度に対して１０％の輝度を表す地点から２５０ｕｍ離れた位置における輝度が最大輝度の１／２００よりも小さい、請求項１に記載の発光モジュール。
【請求項13】
基板；前記基板上に配置された複数の発光ダイオードチップ；
前記の複数の発光ダイオードチップ上にそれぞれ配置された複数の波長変換器；および
前記の複数の発光ダイオードチップおよび前記の複数の波長変換器を囲むホワイトウォールを含み、
前記波長変換器間の間隔は、１００ｕｍ以下で、
一つの発光ダイオードチップを駆動させて得られる輝度グラフにおいて、前記の一つの発光ダイオードチップに対応する波長変換器の端から２５０ｕｍ離れた位置における輝度が最大輝度の１／２５０よりも小さい、発光モジュール。
【請求項14】
前記波長変換器間の間隔は、７０ｕｍ以下である、請求項１３に記載の発光モジュール。
【請求項15】
前記波長変換器間の間隔は、５０ｕｍ以下である、請求項１４に記載の発光モジュール。
【請求項16】
前記波長変換器の厚さは、前記発光ダイオードチップの厚さよりも小さい、請求項１３に記載の発光モジュール。
【請求項17】
発光モジュールを含むヘッドランプにおいて、前記発光モジュールは、基板；
前記基板上に配置された複数の発光ダイオードチップ；
前記の複数の発光ダイオードチップ上にそれぞれ配置された複数の波長変換器；および
前記の複数の発光ダイオードチップおよび前記の複数の波長変換器を囲むホワイトウォールを含み、
前記の複数の波長変換器は、それぞれ波長変換器の上面に対して８０度以下の傾斜角で傾斜した側面を含む、ヘッドランプ。
【請求項18】
前記波長変換器間の間隔は、１００ｕｍ以下で、一つの発光ダイオードチップを駆動させて得られる輝度グラフにおいて、前記の一つの発光ダイオードチップに対応する波長変換器の端から２５０ｕｍ離れた位置における輝度が最大輝度の１／２５０よりも小さい、請求項１７に記載のヘッドランプ。
【請求項19】
前記波長変換器間の間隔は、１００ｕｍ以下で、一つの発光ダイオードチップを駆動させて得られる輝度グラフにおいて、最大輝度に対して１０％の輝度を表す地点から２５０ｕｍ離れた位置における輝度が、最大輝度の１／２００よりも小さい、請求項１７に記載のヘッドランプ。
【請求項20】
基板；前記基板上に配置された単一の発光ダイオードチップ；
前記発光ダイオードチップ上に配置された単一の波長変換器；および
前記発光ダイオードチップおよび前記波長変換器を囲むホワイトウォールを含み、
前記波長変換器の上面の幅は前記発光ダイオードチップの上面の幅よりも大きい、発光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、発光モジュールおよびそれを有するヘッドランプに関するものである。
【背景技術】
【0002】
発光ダイオードチップは、電子と正孔の再結合により発生する光を発する半導体素子として、近年では、ディスプレイ、自動車のライト、一般照明等の様々な分野で使用されている。発光ダイオードチップは、寿命が長く、消費電力が低く、且つ応答速度が速いため、自動車のライト、ディスプレイ装置等の多様な分野に応用されている。
【0003】
自動車のヘッドランプは、車両が進む方向の前方を照らして運転手の前方の認識を助ける。また、ヘッドランプから照射されるビーム（ｂｅａｍ）は、反対方向を走行する相手の運転手に眩しさを与えてはならない。このような要求事項を満たすために、ＡＤＢ（ａｄａｔｉｖｅ ｄｒｉｖｉｎｇ ｂｅａｍ）システムが導入されている。
【0004】
ＡＤＢヘッドランプは、通常、選択された局部領域に照射される光を取り除くことができる光学系装置を含む。一般に、多数の発光ダイオードが要求される方向に光を照射するように配列され、それぞれの発光ダイオードがＣＡＮ信号によって独立駆動して、選択された領域の光を遮断することができる。ＡＤＢシステムを用いることにより、反対方向の運転手や前方車両運転手に対して眩しさを誘発しないと共に、ハイビーム（ｈｉｇｈ ｂｅａｍ）を用いることができるため、運転手の夜間の視野を十分に確保することができる。
【0005】
ＡＤＢシステムは、相手車両の位置や前方車両の位置を確認するために、カメラセンサーを用いる。ところが、現在のカメラセンサーの信頼度は高くないため、車両の位置に相応する領域よりも相対的に広い領域に照射される光を取り除いている。つまり、光が取り除かれたダークゾーン（ｄａｒｋ ｚｏｎｅ）が不必要に広いという問題がある。しかし、カメラセンサーの信頼度は高くなりつつあり、それによってＡＤＢシステムはより精密な制御が必要となる。これにより、現在は数十個の発光ダイオードが配列されたヘッドランプが使用されているが、今後は数千あるいは数万個の発光ダイオードが配列されたピクセル光源が使用されるものと予想される。
【0006】
一方、発光ダイオードチップを稠密に配列する場合、発光ダイオードチップから放出される光のグレアが重要な問題として浮上する。自動車のライトに適用される個別発光ダイオードの側面にグレア（ｇｌａｒｅ）現象が発生すると、自動車のライトから放出される光が前方に照射される明部（ｂｒｉｇｈｔ ｚｏｎｅ）と、光が取り除かれた暗部（ｄａｒｋ ｚｏｎｅ）の境界線であるカットオフ（Ｃｕｔｏｆｆ）線が鮮明ではなくなる。これによって、ダークゾーンを精密に制御することが難しく、運転手が不要な領域に光を照射することになり他の運転手の視野を妨げることになる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本開示が解決しようとする課題は、少なくとも２つ以上の発光ダイオードチップを含む発光モジュールにおいて、発光ダイオードチップのグレアを防止できる発光モジュールを提供することである。
【0008】
本開示が解決しようとするまた別の課題は、ダークゾーンを精密に制御するためのＡＤＢシステムに適した発光モジュールおよびそれを含むヘッドランプを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0009】
一実施例にかかる発光モジュールは、基板；前記基板上に配置された複数の発光ダイオードチップ；前記の複数の発光ダイオードチップ上にそれぞれ配置された複数の波長変換器；および前記の複数の発光ダイオードチップおよび前記の複数の波長変換器を囲むホワイトウォールを含み、前記の複数の波長変換器は、それぞれ波長変換器の上面に対して８０度以下の傾斜角で傾斜した側面を含む。
【0010】
一実施例にかかる発光モジュールは、基板；前記基板上に配置された複数の発光ダイオードチップ；前記の複数の発光ダイオードチップ上にそれぞれ配置された複数の波長変換器；および前記の複数の発光ダイオードチップおよび前記の複数の波長変換器を囲むホワイトウォールを含み、前記波長変換器間の間隔は、１００ｕｍ以下で、一つの発光ダイオードチップを駆動させて得られる輝度グラフにおいて、前記の一つの発光ダイオードチップに対応する波長変換器の端から２５０ｕｍ離れた位置における輝度が最大輝度の１／２５０よりも小さい。
【0011】
一実施例にかかるヘッドランプは、発光モジュールを含み、前記発光モジュールは、基板；前記基板上に配置された複数の発光ダイオードチップ；前記の複数の発光ダイオードチップ上にそれぞれ配置された複数の波長変換器；および前記の複数の発光ダイオードチップおよび前記の複数の波長変換器を囲むホワイトウォールを含み、前記の複数の波長変換器は、それぞれ波長変換器の上面に対して８０度以下の傾斜角で傾斜した側面を含む。
【0012】
また別の実施例にかかる発光モジュールは、基板、前記基板上に配置された単一の発光ダイオードチップ、前記発光ダイオードチップ上に配置された単一の波長変換器、および前記発光ダイオードチップおよび前記波長変換器を囲むホワイトウォールを含み、前記波長変換器の上面の幅は前記発光ダイオードチップの上面の幅よりも大きい。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【0014】
【0015】
【0016】
【0017】
【0018】
【0019】
【0020】
【0021】
【0022】
【0023】
【0024】
【0025】
【発明を実施するための形態】
【0026】
以下、添付の図面を参照して本発明の実施例を詳しく説明する。以下に紹介する実施例は、本発明が属する技術分野の通常の技術者に本発明の思想が十分に伝わるようにするために例として提供するものである。よって、本発明は、以下で説明する実施例に限定されるのではなく、他の形態で具体化することもできる。そして、図面において、構成要素の幅、長さ、厚さ等は、便宜のために誇張して表現する場合もある。また、一つの構成要素が別の構成要素の「上部に」または「上に」あると記載されている場合、各部分が他の部分の「直上部」または「直上に」ある場合だけでなく、各構成要素と他の構成要素間にまた別の構成要素が介在する場合も含む。明細書全体に亘って同じ参照番号は同じ構成要素を表す。
【0027】
一実施例にかかる発光モジュールは、基板；前記基板上に配置された複数の発光ダイオードチップ；前記の複数の発光ダイオードチップ上にそれぞれ配置された複数の波長変換器；および前記の複数の発光ダイオードチップおよび前記の複数の波長変換器を囲むホワイトウォールを含み、前記の複数の波長変換器は、それぞれ波長変換器の上面に対して８０度以下の傾斜角で傾斜した側面を含む。
【0028】
前記基板は、上面回路パターン、下面回路パターン、および前記上面回路パターンと下面回路パターンを連結するビアを含むことができる。
【0029】
前記波長変換器は、それぞれ上面面積が下面面積よりも大きくなり得る。
【0030】
前記波長変換器の下面面積は、前記発光ダイオードチップの上面面積の９５％～１０５％の範囲内になり得る。
【0031】
前記波長変換器の下面面積は、前記発光ダイオードチップの上面面積よりも小さくなり得る。
【0032】
一方、前記波長変換器間の間隔は、１００ｕｍ以下になり得る。さらに、前記波長変換器間の間隔は、７０ｕｍ以下になり得る。さらに、前記波長変換器間の間隔は、５０ｕｍ以下になり得る。
【0033】
前記傾斜角は、８０度以下、さらに、７０度以下になり得る。
【0034】
前記波長変換器の厚さは、前記発光ダイオードチップの厚さよりも小さくなり得る。前記波長変換器の厚さは、約１２０ｕｍ以下、さらに、約１００ｕｍ以下になり得る。
【0035】
前記波長変換器の下面間の間隔は、上面間の間隔よりも波長変換器の厚さの１／２倍以上さらに大きくなり得る。
【0036】
一実施例において、前記波長変換器間の間隔は、１００ｕｍ以下になり得、一つの発光ダイオードチップを駆動させて得られる輝度グラフにおいて、前記の一つの発光ダイオードチップに対応する波長変換器の端から２５０ｕｍ離れた位置における輝度が最大輝度の１／２５０よりも小さくなり得る。さらに、前記波長変換器間の間隔は、５０ｕｍ以下になり得る。
【0037】
一実施例において、前記波長変換器間の間隔は１００ｕｍ以下になり得、一つの発光ダイオードチップを駆動させて得られる輝度グラフにおいて、最大輝度に対して１０％の輝度を表す地点から２５０ｕｍ離れた位置における輝度が最大輝度の１／２００よりも小さくなり得る。さらに、前記波長変換器間の間隔は５０ｕｍ以下になり得る。
【0038】
一実施例にかかる発光モジュールは、基板；前記基板上に配置された複数の発光ダイオードチップ；前記の複数の発光ダイオードチップ上にそれぞれ配置された複数の波長変換器；および前記の複数の発光ダイオードチップおよび前記の複数の波長変換器を囲むホワイトウォールを含み、前記波長変換器間の間隔は１００ｕｍ以下で、一つの発光ダイオードチップを駆動させて得られる輝度グラフにおいて、前記の一つの発光ダイオードチップに対応する波長変換器の端から２５０ｕｍ離れた位置における輝度が最大輝度の１／２５０よりも小さい。
【0039】
前記波長変換器間の間隔は、７０ｕｍ以下、さらに、５０ｕｍ以下になり得る。
【0040】
前記波長変換器の厚さは、前記発光ダイオードチップの厚さよりも小さくなり得る。一例として、前記波長変換器の厚さは、約１２０ｕｍ以下、さらに、１００ｕｍ以下になり得る。
【0041】
一実施例にかかるヘッドランプは、発光モジュールを含み、前記発光モジュールは、基板；前記基板上に配置された複数の発光ダイオードチップ；前記の複数の発光ダイオードチップ上にそれぞれ配置された複数の波長変換器；および前記の複数の発光ダイオードチップおよび前記の複数の波長変換器を囲むホワイトウォールを含み、前記の複数の波長変換器は、それぞれ波長変換器の上面に対して８０度以下の傾斜角で傾斜した側面を含む。
【0042】
前記波長変換器間の間隔は、１００ｕｍ以下になり得、一つの発光ダイオードチップを駆動させて得られる輝度グラフにおいて、前記の一つの発光ダイオードチップに対応する波長変換器の端から２５０ｕｍ離れた位置における輝度が、最大輝度の１／２５０よりも小さくなり得る。さらに、前記波長変換器間の間隔は５０ｕｍ以下になり得る。
【0043】
一実施例において、前記波長変換器間の間隔は１００ｕｍ以下になり得、一つの発光ダイオードチップを駆動させて得られる輝度グラフにおいて、最大輝度に対して１０％の輝度を表す地点から２５０ｕｍ離れた位置における輝度が、最大輝度の１／２００よりも小さくなり得る。さらに、前記波長変換器間の間隔は５０ｕｍ以下になり得る。
【0044】
図１Ａは本発明の一実施例にかかる発光モジュールを説明するための概略的な平面図で、図１Ｂは図１Ａの一部分（点線で表した領域）を拡大図示した平面図で、図１Ｃは本発明の一実施例にかかる発光モジュールの電極構造を説明するための平面図で、図１Ｄは本発明の一実施例にかかる発光モジュールを説明するための背面図である。一方、図２は図１Ｂの切り取り線Ａ－Ａ’に沿って切り取った概略的な断面図である。
【0045】
図１Ａ～図１Ｄ、および図２を参照すると、発光モジュール１０００は、基板４００、複数の発光ダイオードチップ３１０、波長変換器３２０、およびホワイトウォール３４０を含むことができる。発光モジュール１０００はまた、回路パターン４１０；４１０ａ，４１０ｂ，４１０ｃ、反り防止パターン４２０、光透過性接着層３５０およびボンディング材３６０をさらに含むことができる。
【0046】
基板４００は、絶縁性または導電性基板になり得る。前記基板４００は、ＡｌＮのように熱伝導性に優れたセラミック物質を含むことができる。
【0047】
また、前記基板４００は、上面および／または下面に回路パターン４１０を含むことができる。一例として、前記基板４００は、上面回路パターン４１０ａ、下面回路パターン４１０ｂ、およびビア４１０ｃを含むことができる。
【0048】
上面回路パターン４１０ａは、発光ダイオードチップの電極３１１が実装できる構造を有する。発光ダイオードチップのｎ電極およびｐ電極が互いに短絡しないように上面回路パターン４１０ａが形成され、それぞれの発光ダイオードチップ３１０は、上面回路パターン４１０ａの互いに離隔されたパッド上に実装される。
【0049】
下面回路パターン４１０ｂは、それぞれの発光ダイオードチップ３１０に電源を供給するために複数個が設けられる。図１Ｄにおいて、パッドが上下に区分されていることを示したが、上下のパッドは互いに連結されてもよい。但し、上下のパッドを互いに離すことにより、発光モジュール１０００をヘッドランプに実装する際に接着力を強化することができる。
【0050】
一方、前記ビア４１０ｃは、基板４００を貫通する貫通ホールを形成した後、導電性物質を満たして形成することができる。ビア４１０ｃは、上面回路パターン４１０ａと下面回路パターン４１０ｂを電気的に連結する。前記ビア４１０ｃは、前記基板４００の上面から下面に幅が一定の構造になり得るが、本発明がこれに限定されるのではない。例えば、前記ビア４１０ｃは、前記基板４００の上面および下面において内部に行くほど幅が狭くなる構造になり得る。
【0051】
前記回路パターン４１０は、前記基板４００上に位置する前記の複数の発光ダイオードチップ３１０と電気的に連結され得、前記基板４００の下部に露出した部分を通じて外部電源と電気的に連結されて前記の複数の発光ダイオードチップ３１０に電源を供給することができる。
【0052】
前記回路パターン４１０によって前記の複数の発光ダイオードチップ３１０は、それぞれ別途の電極に電気的に連結され得る。前記電極に供給される電源を別個に連結して、前記の複数の発光ダイオードチップ３１０を個別駆動させることができる。但し、本発明がこれに限定されるのではなく、前記電極が互いに電気的に相互連結されてもよい。また、前記発光モジュール１０００は別途の制御部をさらに含み、前記制御部によって前記の複数の発光ダイオードチップ３１０の駆動を制御することができる。
【0053】
反り防止パターン４２０は、上面回路パターン４１０ａの周囲に配置され得る。反り防止パターン４２０は、基板４００の反りを防止するために上面回路パターン４１０ａにさらに形成することができる。下面回路パターン４１０ｂの全体面積が上面回路パターン４１０ａの全体面積よりも大きいと、基板４００に反りが発生しやすくなる。前記上面回路パターン４１０ａにさらに反り防止パターン４２０を基板４００上面に形成することにより、基板４００の反りを防止することができる。反り防止パターン４２０は、上面回路パターン４１０ａを囲むように形成することができる。反り防止パターン４２０は、閉ループを形成するライン状に形成することができるが、図１Ｃに示したように、一部が取り除かれた不連続ラインに形成されてもよい。
【0054】
一方、本実施例において、ビア４１０ｃが上面回路パターン４１０ａと下面回路パターン４１０ｂを連結することを図示および説明するが、本開示がこれに限定されるのではない。例えば、本開示の別の実施例において、前記ビア４１０ｃの代わりに基板４００の側面に沿って形成された連結パターン（図示せず）を通じて上面および下面回路パターン４１０ａ，４１０ｂが連結されてもよい。
【0055】
複数の発光ダイオードチップ３１０が基板４００上に実装され、各発光ダイオードチップ３１０上に波長変換器３２０が配置される。複数の発光ダイオードチップ３１０は、同じ色域帯にピーク波長を有することができる。また、複数の発光ダイオードチップ３１０は、互いに異なるピーク波長を有し得る。本実施例において、１８個の発光ダイオードチップ３１０および波長変換器３２０がＸ方向に配置されたことを図示したが、特定個数に限定されるのではなく、２個以上の任意の個数の発光ダイオードチップ３１０が基板４００上に配列され得る。また、本実施例において、発光ダイオードチップ３１０が一列に配列されたことを図示したが、本開示がこれに限定されるのではない。つまり、Ｘ方向およびＹ方向にそれぞれ複数の発光ダイオードチップ３１０を配列することができ、よって、発光ダイオードチップ３１０が複数の行および複数の列を有するマトリックスで配列されてもよい。
【0056】
発光ダイオードチップ３１０は、成長基板３１０ａと、ｎ型半導体層、ｐ型半導体層およびｎ型半導体層とｐ型半導体層間に介在する活性層を含む半導体積層３１０ｂを含み得る。また、発光ダイオードチップ３１０は、前記半導体積層３１０ｂの下面に電極３１１を含み得る。前記電極３１１は、ｎ型半導体層およびｐ型半導体層にそれぞれ電気的に連結され得る。これにより、前記電極３１１を通じて、前記発光ダイオードチップ３１０に電源が供給されて光が放出され得る。
【0057】
本発明の実施例のように、前記の複数の発光ダイオードチップ３１０は、前記基板４００上にボンディングすることができる。前記の複数の発光ダイオードチップ３１０の電極３１１は、それぞれ前記基板４００に形成された回路パターン４１０に連結され得る。前記電極３１１は、共晶ボンディングによって回路パターン４１０にボンディングされ得るが、これに限定されるのではなく、はんだボンディング、エポキシボンディング等によって連結されてもよい。前記の複数の発光ダイオードチップ３１０を前記基板４００にボンディングするために、前記基板４００の上面回路パターン４１０ａに前記発光ダイオードチップ３１０を機械的および電気的にボンディングするための導電性ボンディング材３６０が配置され得る。
【0058】
前記波長変換器３２０は、前記発光ダイオードチップ３１０から放出される光を透過させることができ、前記発光ダイオードチップ３１０から放出する光の波長を変換して、特定色の光が放出されるようにすることができる。また、前記波長変換器３２０は、それぞれ互いに異なる色の光が放出されるようにすることもできる。一例として、前記波長変換器３２０は、発光ダイオードチップ３１０から放出される青色光を黄色光、または緑色光や赤色光に波長変換して発光モジュール１０００から白色光が放出されるようにすることができる。
【0059】
前記波長変換器３２０は、シリコンやエポキシのような透明樹脂、ガラス、セラミック等の材料に光の波長を変換させる波長変換物質が混合されたものになり得る。例えば、透明樹脂は、透明シリコンであり得る。前記波長変換物質は、蛍光体であり得、黄色蛍光体、赤色蛍光体および緑色蛍光体等を使用することができ、さらに、青色蛍光体も使用することができる。
【0060】
前記黄色蛍光体の例としては、５３０ｎｍ～５７０ｎｍの波長を主波長とするセリウム（Ｃｅ）がドーピングされたイットリウム（Ｙ）アルミニウム（Ａｌ）ガーネットであるＹＡＧ：Ｃｅ（Ｔ３Ａｌ３Ｏ１２：Ｃｅ）系列蛍光体や、シリケート（Ｓｉｌｉｃａｔｅ）系列の蛍光体になり得る。
【0061】
前記赤色蛍光体の例としては、６００ｎｍ～７００ｎｍの波長を主波長とする酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）とユウロピウム（ＥＵ）の化合物からなるＵＯＸ（Ｙ２Ｏ３：ＥＵ）系列の蛍光体、ナイトライド（Ｎｉｔｒｉｄｅ）蛍光体またはフッ化物系蛍光体であり得る。具体的に、赤色蛍光体の例としては、窒素含有アルミノシリコンカルシウム（ＣＡＳＮまたはＳＣＡＳＮ）系蛍光体（例えば、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）およびマンガン活性フッ化物系蛍光体（一般式（Ｉ）Ａ２［Ｍ１－ａＭｎａＦ６］で表される蛍光体、但し、前記一般式（Ｉ）中、Ａは、Ｋ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｒｂ，ＣｓおよびＮＨ４からなる群から選ばれる少なくとも１種であり、Ｍは第４族元素および第１４族元素からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素で、ａは０＜ａ＜０．２を満たす）を挙げることができる。このマンガン活性フッ化物系蛍光体の代表例としては、マンガン活性フッ化シリコンカリウムの蛍光体（例えばＫ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）がある。また、オキサイドハライド（ｏｘｉｏｄｏｈａｌｉｄｅ）ホスト格子に基づいたマンガン活性蛍光体（一般式（ＩＩ）（Ａ４－ａＢａ）ｍ／２＋ｎ／２Ｘ２ｍ［ＭＸ４Ｏ２］ｎで表される蛍光体）がある。但し、前記一般式（ＩＩ）中、Ａは水素（Ｈ）および／または重水素（Ｄ）で、ＢはＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ，ＮＨ４，ＮＤ４、および／またはＮＲ４で、ここで、Ｒはアルキルまたはアリールラジカルで、ＸはＦおよび／またはＣｌで、ＭはＣｒ，Ｍｏ，Ｗおよび／またはＲｅで、０≦ａ≦４，０≦ｍ≦１０、および１≦ｎ≦１０である。
【0062】
前記緑色蛍光体の例としては、５００ｎｍ～５９０ｎｍの波長を主波長とするリン酸（ＰＯ４）とランタン（Ｌａ）とテルビウム（Ｔｂ）の化合物であるＬＡＰ（ＬａＰＯ４：Ｃｅ，Ｔｂ）系列の蛍光体またはＳｉＡｌＯＮ系列の蛍光体を挙げることができる。また、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｙ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｌｕ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｔｂ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、シリケート系蛍光体（例えば、（Ｂａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ）、クロロシリケート系蛍光体（例えば、Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｅｕ）、β－サイアロン系蛍光体（例えば、Ｓｉ６－ＺＡｌＺＯＺＮ８－Ｚ：Ｅｕ（０＜ｚ＜４．２））、ＳＧＳ系蛍光体（例えば、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ）等を挙げることができる。イエロー光の蛍光体としては、α－サイアロン系蛍光体（例えば、ＭＺ（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６（但し、０＜ｚ≦２で、ＭはＬｉ，Ｍｇ，Ｃａ，ＹおよびＬａとＣｅを除いたランタン族元素）等を挙げることができる。
【0063】
前記青色蛍光体の例としては、４２０ｎｍ～４８０ｎｍの波長を主波長とするバリウム（Ｂａ）とマグネシウム（Ｍｇ）と酸化アルミニウム系列の物質とユウロピウム（ＥＵ）の化合物であるＢＡＭ（ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：ＥＵ）系列の蛍光体になり得る。
【0064】
図２に示したように、前記波長変換器３２０の上面の幅Ｗ２は、発光ダイオードチップ３１０の幅Ｗ１よりも大きくなり得る。また、波長変換器３２０の上面の幅Ｗ２は、下面の幅よりも大きくなり得る。
【0065】
一方、波長変換器３２０の下面の幅は、発光ダイオードチップ３１０の幅Ｗ１と大体同じになり得るが、これに限定されるのではなく、発光ダイオードチップ３１０の幅Ｗ１よりも大きくても小さくてもよい。波長変換器３２０の側面は、上面に対して傾斜角θを有するように傾斜する。波長変換器３２０の側面が上面に対して成す傾斜角θは、８０度以下になり得る。さらに、傾斜角θは７６度以下になり得、さらに、７０度以下、さらには、６８度以下になり得る。傾斜角θの下限は特に限定されるのではないが、傾斜角θが小さすぎると波長変換器３２０の下面面積が発光ダイオードチップ３１０よりも小さくなりすぎて発光ダイオードチップ３１０から放出した光が波長変換されず、損失されやすくなる。波長変換器３２０の下面面積は、発光ダイオードチップ３１０の上面面積の９５％～１０５％の範囲内になり得る。波長変換器３２０の下面面積が発光ダイオードチップ３１０の上面面積の９５％未満にならないようにすると共に、傾斜角θを小さくする必要がある。
【0066】
波長変換器３２０の側面を傾斜させることにより、波長変換器３２０間に配置されるホワイトウォール３４０の厚さを厚くさせることができる。これにより、隣接した波長変換器３２０間の光干渉を減らすことができ、グレアを防止することができる。
【0067】
波長変換器３２０間の間隔Ｗ３が狭いと、波長変換器３２０間に配置されたホワイトウォール３４０の幅が狭くなる。これにより、隣接した波長変換器３２０または発光ダイオードチップ３１０と隣り合う波長変換器３２０間に光漏れが発生する。ホワイトウォール３４０を通じた光漏れは、ダークゾーンを鮮明に具現できなくする。
【0068】
波長変換器３２０の間の間隔が１００ｕｍを超過する場合、ホワイトウォール３４０は光漏れを防止することができる。しかし、波長変換器間の間隔が１００ｕｍ以下に小さくなると、ホワイトウォール３４０を通じた光漏れが発生する。
【0069】
本発明の実施例は、波長変換器３２０間の間隔が１００ｕｍ以下と小さい場合でも、波長変換器３２０の側面を傾斜するように形成することにより、波長変換器３２０間のホワイトウォール３４０部分の幅を相対的に増加させることができ、これによって、光漏れを減少させてグレアを防止することができる。さらに、波長変換器３２０間の間隔は７０ｕｍ以下になり得、さらに、５０ｕｍ以下になり得る。
【0070】
前記波長変換器３２０の厚さは、前記発光ダイオードチップ３１０の厚さよりも厚く形成することができるが、これに限定されるのではなく、前記発光ダイオードチップ３１０の厚さよりも薄く形成することができる。例えば、波長変換器３２０の厚さは１２０ｕｍ以下になり得、さらに、１００ｕｍ以下にもなり得る。波長変換器３２０の厚さが薄いほど、傾斜角θを小さくすることができる。波長変換器３２０の厚さは、一般に発光ダイオードチップ３１０の厚さよりも厚いが、本実施例において、発光ダイオードチップ３１０の厚さよりも薄くてもよい。
【0071】
前記波長変換器３２０は、ガラスに蛍光体が混合されたＰＩＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏｒ ｉｎ Ｇｌａｓｓ）であり得る。ＰＩＧは、水分、塵等の外部物質が発光モジュール１０００内部に浸透することを効率的に防ぐ。しかし、本発明がこれに限定されるのではなく、前記波長変換器３２０は、ポリマー樹脂、ガラスのようなセラミックに蛍光体を混合して形成することができる。波長変換器３２０はエポキシ樹脂またはアクリル樹脂のような樹脂で形成することができ、この場合、発光ダイオードチップ３１０上に蛍光体を含む樹脂を塗布および硬化させることにより、前記波長変換器３２０が形成され得る。
【0072】
また、前記波長変換器３２０は、拡散剤をさらに含むことができる。前記拡散剤は、前記波長変換物質を焼成加工する際、溶けない程度の融点を有する必要があり、例えば、ＳｉＯ２，ＴｉＯ２およびＡｌ２Ｏ３等であり得る。
【0073】
光透過性接着層３５０は、波長変換器３２０と前記発光ダイオードチップ３１０間に配置することができる。前記光透過性接着層３５０は、発光ダイオードチップ３１０で生成された光を透過させ、シリコン樹脂、エポキシ樹脂等の有機接着剤、低融点ガラス等の無機接着剤を用いて形成することができる。
【0074】
図２に示したように、前記光透過性接着層３５０は、前記発光ダイオードチップ３１０の成長基板３１０ａの側面の少なくとも一部分を覆うことができる。前記光透過性接着層３５０は、圧着、焼結、水酸基接合法、表面活性化接合法、原子拡散結合法等の直接接合法等による接合方法を用いて形成することができる。
【0075】
ホワイトウォール３４０は、前記発光ダイオードチップ３１０および前記波長変換器３２０を囲むように形成することができる。また、前記ホワイトウォール３４０は基板４００を覆うことができる。
【0076】
前記ホワイトウォール３４０の上面は、前記波長変換器３２０の上面と並ぶことができる。前記ホワイトウォール３４０の上面は平らになり得るが、これに限定されるのではなく、へこんだり突出したりするように形成することができる。
【0077】
波長変換器３２０間に位置するホワイトウォール３４０の幅は、基板４００から離れるほど狭くなり得る。例えば、ホワイトウォール３４０の幅の最小値は、波長変換器３２０の上面間の間隔Ｗ３と同じになる。一方、波長変換器３２０の下面間の間隔はＷ３よりも大きく、例えば、Ｗ３よりも波長変換器３２０の厚さの１／２倍以上さらに大きくなり得る。例えば、Ｗ３が５０ｕｍで、波長変換器３２０の厚さが１００ｕｍの場合、波長変換器３２０の下面間の間隔は１００ｕｍ以上になり得る。これにより、波長変換器３２０の下面間に位置するホワイトウォール３４０の厚さも、例えば、１００ｕｍ以上に厚くなってもよい。波長変換器３２０間の領域に位置するホワイトウォール３４０の幅を増やすことにより、ホワイトウォール３４０を通じて発生する光漏れを減少させることができる。
【0078】
前記ホワイトウォール３４０は、反射性および非導電性を有する材質からなり得、弾性が大きい材質で形成することができる。例えば、前記ホワイトウォール３４０は、エポキシ樹脂、シリコン樹脂およびアクリル樹脂で形成され得る。前記ホワイトウォール３４０は、前記樹脂の１種以上と散乱または反射性物質を一緒に含んで形成することができる。前記散乱または反射性物質としては、ＴｉＯ２，ＳｉＯ２，ＺｒＯ２，Ｆ６Ｋ２Ｔｉ，Ａｌ２Ｏ３，ＡｌＮおよびＢＮ等を含み得る。樹脂に含有される物質の特性によって、ホワイトウォール３４０の反射特性を調節することができる。よって、ホワイトウォール３４０の反射特性を向上させて光漏れをさらに防止することができる。
【0079】
図３は、本発明のまた別の実施例にかかる発光モジュールを説明するための概略的な断面図である。
【0080】
図３を参照すると、本実施例にかかる発光モジュール２０００は、図２を参照して説明した発光モジュール１０００と大体類似しており、但し、波長変換器３２０の側面の傾斜角θが相対的に小さくなり波長変換器３２０の下面の面積が発光ダイオードチップ３１０の上面面積よりも小さい点において違いがある。上で説明したように、波長変換器３２０の下面面積は発光ダイオードチップ３１０の上面面積の９５％以上になり得る。発光ダイオードチップ３１０の上面面積の９５％以上を維持し、また波長変換器３２０間の設定された間隔Ｗ３下で傾斜角θを小さくしてグレアを防止することができる。
【0081】
図４は、本発明のまた別の実施例にかかる発光モジュールを説明するための概略的な断面図である。
【0082】
図４を参照すると、本実施例にかかる発光モジュール３０００は、図２を参照して説明した発光モジュール１０００と大体類似しており、但し、波長変換器３２０の厚さが相対的に薄いことに違いがある。波長変換器３２０の厚さを減らすことにより、波長変換器３２０の上面面積および下面面積を変更しなくても傾斜角θを減らすことができ、グレアを防止することができる。
【0083】
【0084】
先ず、図５Ａを参照すると、一つの発光ダイオードチップ３１０を駆動させて輝度を測定し距離による輝度値を求める。図５Ａはログスケールで表した典型的な輝度グラフを示している。最大輝度を１に正規化し、それぞれの輝度の相対値を表したものである。
【0085】
発光モジュールは、波長変換器（例、ＰＩＧ）が配置された位置において高い輝度を表し、ＰＩＧの端から離れるほど輝度が減少する。ＰＩＧの端は、グラフにおいて輝度が急激に減少する位置に設定することができる。
【0086】
グレアが少ない場合、ＰＩＧの端から離れるほど輝度は急激に減少する。グレアを評価するために、ＰＩＧの端から２５０ｕｍ離れた位置における輝度を求め、この輝度を最大輝度の１/２５０と比較する。ＰＩＧの端から２５０ｕｍ離れた位置における輝度が最大輝度の１/２５０よりも小さい場合、発光モジュールはグレアが少なく良好であると評価することができる。
【0087】
図５Ａの場合、ＰＩＧの端から２５０ｕｍ離れた位置における輝度を最大輝度の１／２５０と対比したが、ＰＩＧの位置を正確に見つけることが困難だという短所がある。図５Ｂの場合、最大輝度の１０％になる輝度、つまり、０．１の輝度を表す位置を基準点にして、この位置から２５０ｕｍ離れた位置における輝度を最大輝度の１／２００と対比する。最大輝度の１０％になる位置、つまり、０．１Ｍａｘ地点から２５０ｕｍ離れた位置における輝度が最大輝度の１／２００よりも小さい場合、発光モジュールはグレアが少なく良好であると評価することができる。
【0088】
図６Ａは本発明の一実施例にかかる発光モジュールのグレア特性を図５Ａの評価方法によって表したグラフで、図６Ｂは本発明の一実施例にかかる発光モジュールのグレア特性を図５Ｂの評価方法によって表したグラフである。
【0089】
比較例１（Ｒｅｆ１）は、波長変換器の側面傾斜角θが９０度で、厚さが１２０ｕｍであり、実施例１は、波長変換器の側面傾斜角θが７６度で、厚さが１２０ｕｍであり、実施例２は、波長変換器の側面傾斜角θが６８度で、厚さが１００ｕｍである。ここで、波長変換器３２０間の間隔は、約５０ｕｍだった。
【0090】
図６Ａおよび図６Ｂを参照すると、比較例１と実施例１を対比した場合、傾斜角θが小さくなることにより、グレアが減少することを確認することができる。また、実施例１と実施例２を比較すると、傾斜角θと一緒に厚さを減少させることにより、グレアがより減少することを確認することができる。
【0091】
さらに、実施例２は、波長変換器３２０の端から２５０ｕｍ離れた位置における輝度が最大輝度の１／２５０よりも小さく、また、最大輝度の１０％になる輝度を表す位置を基準点（０．１Ｍａｘ ｐｏｉｎｔ）にして、この位置から２５０ｕｍ離れた位置における輝度が最大輝度の１／２００よりも小さかった。
【0092】
本発明によると、波長変換器３２０を１００ｕｍ以下、特に、約５０ｕｍの間隔で配置し、ホワイトウォール３４０を用いて輝度を３００ｌｍ以上に維持しながら、グレアを防止することができる。
【0093】
本開示の実施例によると、波長変換器３２０の間隔を１００ｕｍ以下に狭く配置しながらグレアを防止することができる。よって、波長変換器３２０を稠密に配置してピクセル光源に適した発光モジュールを提供することができ、これを用いたＡＤＢシステムは、運転手にさらに精密なビームパターンを提供することができる。さらに、ピクセル光源を用いることにより、道路上に文字や絵を表現できるなど、より多くの機能を行うことができるヘッドランプまたは車両用ランプを提供することができる。
【0094】
前の実施例で、発光モジュールが複数の発光ダイオードチップおよび複数の波長変換器を含むことについて説明したが、発光モジュールは単一の発光ダイオードチップおよび単一の波長変換器を含むことができ、このような発光モジュールが複数個配列されてＡＤＢシステムの光源として使用することができる。以下では、単一の発光ダイオードチップおよび単一の波長変換器を含む発光モジュール４０００について、図７および図８を参照して説明する。
【0095】
【0096】
図７および図８を参照すると、発光モジュール４０００は、基板４００、発光ダイオードチップ３１０、単一の波長変換器３２０、およびホワイトウォール３４０を含むことができる。発光モジュール４０００はまた、回路パターン４１０；４１０ａ，４１０ｂ，４１０ｃ、光透過性接着層３５０、およびボンディング材３６０をさらに含むことができる。
【0097】
基板４００、回路パターン４１０、ボンディング材３６０、発光ダイオードチップ３１０は、図２～図４を参照して説明した実施例と同じため、詳しい説明は省略する。但し、本実施例において、基板４００上に単一の発光ダイオードチップ３１０が実装され、回路パターン４１０は、前記発光ダイオードチップ３１０に電源を供給するために、発光ダイオードチップ３１０のパッド３１１に電気的に連結される。
【0098】
発光ダイオードチップ３１０は、成長基板３１０ａと、ｎ型半導体層、ｐ型半導体層、およびｎ型半導体層とｐ型半導体層間に介在する活性層を含む半導体積層３１０ｂを含むことができる。また、発光ダイオードチップ３１０は、前記半導体積層３１０ｂの下面に電極３１１を含むことができる。前記電極３１１は、ｎ型半導体層およびｐ型半導体層にそれぞれ電気的に連結することができる。前記電極３１１は、共晶ボンディングによって回路パターン４１０にボンディングできるが、これに限定されるのではなく、はんだボンディング、エポキシボンディング等によって連結してもよい。一実施例において、前記の複数の発光ダイオードチップ３１０を前記回路基板４００にボンディングするために、前記基板４００の上面回路パターン４１０ａに前記発光ダイオードチップ３１０を機械的および電気的にボンディングするための導電性ボンディング材３６０が配置され得る。別の実施例において、前記電極３１１が直接前記上面回路パターン４１０ａに共晶ボンディングされてもよい。
【0099】
前記波長変換器３２０は、前の実施例で説明したものと類似するため、重複する説明は省略する。特に、波長変換器３２０の材料および蛍光体の種類、波長変換機能等は前の実施例で説明した通りである。また、波長変換器３２０の上面の幅Ｗ２は、発光ダイオードチップ３１０の幅Ｗ１よりも大きくなり得る。図７に示したように、波長変換器３２０の上面面積は、発光ダイオードチップ３１０の上面面積よりも大きく、発光ダイオードチップ３１０の上面は全ての波長変換器３２０によって隠される。
【0100】
一方、本実施例において、波長変換器３２０の下面の幅は、上面の幅Ｗ２よりも小さかったり同じでもよい。波長変換器３２０の下面の幅は、発光ダイオードチップ３１０の幅Ｗ１よりも大きくなり得る。波長変換器３２０の下面面積は、発光ダイオードチップ３１０の上面面積の１００％～１２０％の範囲内になり得る。本実施例において、発光モジュール４０００は単一の波長変換器３２０を含み、ホワイトウォール３４０は、波長変換器３２０を囲む。ホワイトウォール３４０は、波長変換器３２０の周囲で多様な幅Ｗ４，Ｗ５，Ｗ６，Ｗ７を有するように形成することができる。ホワイトウォール３４０の第１幅Ｗ４は、波長変換器３２０の周囲に配置されたホワイトウォール３４０の最小幅である。ホワイトウォールの第２幅Ｗ５は、第１幅Ｗ４を定義するホワイトウォール３４０領域に対向して配置されたホワイトウォールの幅である。一方、波長変換器３２０の上下にそれぞれホワイトウォール３４０の第３幅Ｗ６および第４幅Ｗ７を定義することができる。
【0101】
発光ダイオードチップ３１０の幅Ｗ１は、約３００ｕｍ以上１１００ｕｍ以下になり得、波長変換器３２０の幅Ｗ２は、約４００ｕｍ以上１２００ｕｍ以下になり得る。ホワイトウォール３４０の第１幅Ｗ４は、波長変換器３２０の周囲に配置されたホワイトウォール３４０の幅Ｗ４～Ｗ７中の最小の幅で形成される。第１幅Ｗ４は、約１００ｕｍを超過し、さらに、２００ｕｍを超過することができる。ホワイトウォール３４０の第２幅Ｗ５は、ホワイトウォール３４０の第１幅Ｗ４よりも大きく、約３００ｕｍ以上１３００ｕｍ以下になり得る。ホワイトウォール３４０の第２幅Ｗ５は、波長変換器３２０の幅Ｗ２と同じか、それよりも大きくなり得る。第２幅Ｗ５は、ホワイトウォール３４０の幅Ｗ１～Ｗ４中で最も大きくなり得る。
【0102】
一方、ホワイトウォール３４０の第３幅Ｗ６および第４幅Ｗ７は、互いに同じでもよく、異なってもよい。このように、発光モジュール４０００は、波長変換器３２０の周囲に配置されたホワイトウォール３４０が多様な幅Ｗ４，Ｗ５，Ｗ６，Ｗ７を有するように形成することができ、最小幅Ｗ４を調節して隣り合う発光モジュール間のグレアを防止することができる。ホワイトウォール３４０の最小幅Ｗ４を用いることにより、波長変換器３２０の側面が垂直な場合も、波長変換器３２０から放出される光のグレアを防止することができる。ホワイトウォール３４０は、回路基板４００上に配置され、発光ダイオードチップ３１０および波長変換器３２０を囲む。ホワイトウォール３４０の下面全体面積は、上面全体面積よりも大きくなり得る。図８に示したように、発光ダイオードチップ３１０の周囲に形成されたホワイトウォール３４０の内側面は、ホワイトウォール３４０の外側面とは異なり傾斜させることができる。前記ホワイトウォール３４０の内側面は、傾斜角が互いに異なる領域、または曲率が互いに異なる領域を含むことができる。ホワイトウォール３４０は、発光ダイオードチップ３１０に接すことができるが、これに限定されるのではない。発光ダイオードチップ３１０の側面に隣接するホワイトウォール３４０の内側面の少なくとも一部は、発光ダイオードチップ３１０の側面から離隔できるが、これによって、発光ダイオードチップ３１０の側面とホワイトウォール３４０の内側面間の少なくとも一部の領域に間隙が形成され得る。
【0103】
一実施例において、前記ホワイトウォール３４０の上面は、前記波長変換器３２０の上面と並ぶことができる。しかし、本発明がこれに限定されるのではなく、ホワイトウォール３４０の上面は、波長変換器３２０の上面よりも低く位置することができる。
【0104】
また、前記ホワイトウォール３４０の上面は平らになり得るが、これに限定されるのではなく、へこんだり突出したりするように形成することができる。また、前記ホワイトウォール３４０は、波長変換器３２０から離れるほど厚さが薄くなり得る。
【0105】
光透過性接着層３５０は、波長変換器３２０と発光ダイオードチップ３１０間に配置され、波長変換器３２０を発光ダイオードチップ３１０に付着させる。光透過性接着層３５０は、波長変換器３２０と前記発光ダイオードチップ３１０間に配置され得る。前記光透過性接着層３５０は、発光ダイオードチップ３１０で生成された光を透過させ、シリコン樹脂、エポキシ樹脂等の有機接着剤、低融点ガラス等の無機接着剤を用いて形成することができる。さらに、光透過性接着層３５０は、光拡散剤を含むことができ、例えば、光拡散剤を含む透明樹脂で形成することができる。
【0106】
光透過性接着層３５０は、発光ダイオードチップ３１０の側面の少なくとも一部を覆うことができる。光透過性接着層３５０は、発光ダイオードチップ３１０の側面とホワイトウォール３４０の内側面間の間隙を埋めることができる。よって、光透過性接着層３５０は、発光ダイオードチップ３１０と波長変換器３２０間に配置された第１光透過層３５０ａ、発光ダイオードチップ３１０の側面とホワイトウォール３４０の内側面間に配置された第２光透過層３５０ｂを有することができる。第１光透過層３５０ａは、波長変換器３２０の厚さよりも薄くなる。さらに、第１光透過層３５０ａは、ボンディング材３６０の厚さよりも薄くなり得る。
【0107】
第２光透過層３５０ｂは、上面、下面、上面と下面を連結する連結部を有する。前記連結部の一側面は、ホワイトウォール３４０の内側面に接することができ、他側面は、発光ダイオードチップ３１０の側面に接することができる。第２光透過層３５０ｂの上面は、波長変換器３２０の下面に接することができる。第２光透過層３５０ｂの上面の幅は、下面の幅よりも大きい。第２光透過層３５０ｂの上面の幅は約１０ｕｍ以上３５ｕｍ以下、さらに、１５ｕｍ以上３０ｕｍ以下になり得る。第２光透過層３５０ｂの連結部の一側面と他側面の長さは互いに異なり得る。また、連結部の一側面と他側面は互いに異なる傾斜角を有することができ、一側面または他側面の少なくとも一部は屈曲した領域を有することができる。一実施において、一側面または他側面は、傾斜が異なる領域または曲率が異なる領域を含むことができる。
【0108】
以上において、本発明の多様な実施例について説明したが、本発明は前記実施例だけに限定されるのではない。また、一つの実施例について説明した事項や構成要素は、本発明の技術的思想から外れない限り、別の実施例にも適用することができる。
【符号の説明】
【0109】
３１０ 発光ダイオードチップ
３１０ａ 成長基板
３１０ｂ 半導体積層
３１１ 電極、パッド
３２０ 波長変換器
３４０ ホワイトウォール
３５０ 光透過性接着層
３５０ａ 第１光透過層
３５０ｂ 第２光透過層
３６０ 導電性ボンディング材
４００ 基板
４１０ 回路パターン
４１０ａ 上面回路パターン
４１０ｂ 下面回路パターン
４１０ｃ ビア
４２０ 反り防止パターン
１０００ 発光モジュール
２０００ 発光モジュール
３０００ 発光モジュール
４０００ 発光モジュール
３１０ａ 成長基板
３１０ｂ 半導体積層
３１１ 電極、パッド
３２０ 波長変換器
３４０ ホワイトウォール
３５０ 光透過性接着層
３５０ａ 第１光透過層
３５０ｂ 第２光透過層
３６０ 導電性ボンディング材
４００ 基板
４１０ 回路パターン
４１０ａ 上面回路パターン
４１０ｂ 下面回路パターン
４１０ｃ ビア
４２０ 反り防止パターン
１０００ 発光モジュール
２０００ 発光モジュール
３０００ 発光モジュール
４０００ 発光モジュール
【図1a】
【図1b】
【図1c】
【図1d】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図6A】
【図6B】
【図7】
【図8】
【国際調査報告】