特表2024-530233キャビティを有するピラー相互接続を備える集積デバイス
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-08-16
(54)【発明の名称】キャビティを有するピラー相互接続を備える集積デバイス
(51)【国際特許分類】
H01L 21/60 20060101AFI20240808BHJP
【ＦＩ】
H01L21/92 602D
H01L21/92 604B
H01L21/60 311Q
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024509111
(86)(22)【出願日】2022-06-30
(85)【翻訳文提出日】2024-02-15
(86)【国際出願番号】 US2022035751
(87)【国際公開番号】W WO2023027811
(87)【国際公開日】2023-03-02
(31)【優先権主張番号】17/409,334
(32)【優先日】2021-08-23
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】595020643
【氏名又は名称】クゥアルコム・インコーポレイテッド
【氏名又は名称原語表記】ＱＵＡＬＣＯＭＭ ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
(74)【代理人】
【識別番号】110003708
【氏名又は名称】弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
(72)【発明者】
【氏名】チェン、イージェン
(72)【発明者】
【氏名】シュ、フン－ユエン
(72)【発明者】
【氏名】ヘー、ドンミン
【テーマコード（参考）】
5F044
【Ｆターム（参考）】
5F044KK01
5F044LL01
5F044QQ02
5F044QQ04
(57)【要約】
集積デバイス（例えば、フリップチップ）（１００）であって、複数のパッド（１０７ａ、１０７ｂ）と、複数のパッド（１０７ａ、１０７ｂ）に結合された複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続（１０９ａ、１０９ｂ）とを備えるダイ部分と、複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続（１０９ａ、１０９ｂ）に結合された複数のピラー相互接続（１０４ａ、１０４ｂ）とを備え、ここにおいて、複数のピラー相互接続（１０４ａ、１０４ｂ）は、第１のキャビティ（２０９）を備える第１のピラー相互接続（１０４ａ）と、第２のキャビティ（２０９）を備える第２のピラー相互接続（１０４ｂ）とを備える、集積デバイス。キャビティ（２０９）は、ピラー相互接続（１０４ａ、１０４ｂ）の高さに部分的に沿って延在し得る。ピラー相互接続（１０４ａ、１０４ｂ）のキャビティ（２０９）を通って延在する平面断面は、Ｏ形状を備え得る。複数のはんだ相互接続（１０６ａ、１０６ｂ）は、複数のピラー相互接続（１０４ａ、１０４ｂ）に結合され得、ピラー相互接続（１０４ａ、１０４ｂ）のキャビティ（２０９）内に配置されるはんだ相互接続（１０６ａ、１０６ｂ）を備え得る。ピラー相互接続（１０４ａ、１０４ｂ）は、第１の幅を備える第１のピラー相互接続部（２０４）と、第１の幅とは異なる（例えば、より小さい）第２の幅を備える第２のピラー相互接続部（２０６）とを備え得、ここにおいて、ピラー相互接続（１０４ａ、１０４ｂ）のキャビティ（２０９）は、第２のピラー相互接続部（２０６）に配置され得る。ピラー相互接続（１０４ａ、１０４ｂ）は、シルクハットの形状を備え得る。集積デバイス（１００）を製造するための方法（７００）は、ダイ部分（１０２）を提供することと、複数のピラー相互接続（１０４）を形成することを備え得る。複数のピラー相互接続（１０４）を形成することは、ダイ部分（１０２）の上に第１のフォトレジスト層（６００）を形成し、パターニングすることと、第１のピラー相互接続部（６０２）（例えば、リング形状）を形成することと、第１のフォトレジスト層（６００）を除去することと、ダイ部分（１０２）の上に第２のフォトレジスト層（６１０）を（例えば、リング形状の第１の相互接続部（６０２）の内径と外径との間の直径を有する円形パターンで）形成し、パターニングすることと、第１のキャビティ（２０９）が第２のピラー相互接続部内に形成されるように、第１のピラー相互接続部（６０２）の上に第２のピラー相互接続部を形成することとを備え得る。複数のピラー相互接続（１０４）を形成することは、ピラー相互接続（１０４）のキャビティ（２０９）の上にはんだ相互接続（１０６）を形成することをさらに備え得る。第２のフォトレジスト層（６１０）は、第１のはんだ相互接続（１０６）の形成後に除去され得る。その後、アンダーバンプメタライゼーション層（１０９）の部分は除去され得、複数のはんだ相互接続（１０６）はリフローされ得る。パッケージ（４００）は、基板（４０２）と、複数のピラー相互接続（１０４ａ、１０４ｂ）および複数のはんだ相互（１０６ａ、１０６ｂ）を通して基板（４０２）に結合された集積デバイス（１００）とを備える。はんだ相互接続（１０６ａ、１０６ｂ）は、金属間化合物（ＩＭＣ）（４０６ａ、４０６ｂ）を備え得、それは、集積デバイス（１００）を基板（４０２）に結合するために使用されるはんだリフロープロセス時に、基板相互接続（４２２ａ、４２２ｂ）および／またはピラー相互接続（１０４ａ、１０４ｂ）からの金属がはんだ相互接続（１０６ａ、１０６ｂ）において拡散するときに形成され得る。キャビティ（２０９）は、はんだ相互接続（１０６ａ、１０６ｂ）が結合するためのより大きな表面積を可能にし、したがって、集積デバイス（１００）と基板（４０２）との間のよりロバストで信頼性の高い接合部を提供する。キャビティ（２０９）はまた、基板（４０２）の隣接する相互接続（１０４ａ、１０４ｂ）間の短絡を引き起こすことなく、より多くのはんだ相互接続（１０６ａ、１０６ｂ）がピラー相互接続（１０４ａ、１０４ｂ）と基板（４０２）との間（１０６ａ、１０６ｂ）に配置されることを可能にし得る。
【選択図】図５
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
集積デバイスであって、複数のパッドと、
前記複数のパッドに結合された複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続と
を備えるダイ部分と、
前記複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続に結合された複数のピラー相互接続と、ここにおいて、前記複数のピラー相互接続は、第１のキャビティを備える第１のピラー相互接続を備える、
を備える、集積デバイス。
【請求項2】
前記複数のピラー相互接続に結合された複数のはんだ相互接続をさらに備える、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項3】
前記複数のはんだ相互接続は、前記第１のピラー相互接続の前記第１のキャビティ内に配置される第１のはんだ相互接続を備える、請求項２に記載の集積デバイス。
【請求項4】
前記第１のピラー相互接続の前記第１のキャビティを通って延在する平面断面は、Ｏ形状を備える、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項5】
前記第１のピラー相互接続は、第１の幅を備える第１のピラー相互接続部と、
前記第１の幅とは異なる第２の幅を備える第２のピラー相互接続部と
を備える、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項6】
前記第１のピラー相互接続の前記第１のキャビティは、前記第２のピラー相互接続部に配置される、請求項５に記載の集積デバイス。
【請求項7】
前記第１のキャビティは、前記第１のピラー相互接続の高さを部分的に通って延在する、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項8】
前記第１のピラー相互接続は、シルクハットの形状を備える、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項9】
前記集積デバイスは、フリップチップを備える、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項10】
前記ダイ部分は、ダイ基板と、
前記ダイ基板内および／または前記ダイ基板上に形成された複数のトランジスタと
を備える、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項11】
パッケージであって、基板と、
複数のピラー相互接続および複数のはんだ相互接続を通して前記基板に結合された集積デバイスと、ここにおいて、前記複数のピラー相互接続は、第１のキャビティを備える第１のピラー相互接続を備える、
を備える、パッケージ。
【請求項12】
前記複数のはんだ相互接続は、前記第１のピラー相互接続の前記第１のキャビティ内に配置される第１のはんだ相互接続を備える、請求項１１に記載のパッケージ。
【請求項13】
前記第１のはんだ相互接続は、金属間化合物（ＩＭＣ）を備える、請求項１２に記載のパッケージ。
【請求項14】
前記第１のピラー相互接続の前記第１のキャビティを通って延在する平面断面は、Ｏ形状を備える、請求項１１に記載のパッケージ。
【請求項15】
前記第１のピラー相互接続は、第１の幅を備える第１のピラー相互接続部と、
前記第１の幅とは異なる第２の幅を備える第２のピラー相互接続部と
を備える、請求項１１に記載のパッケージ。
【請求項16】
前記第１のピラー相互接続の前記第１のキャビティは、前記第２のピラー相互接続部に配置される、請求項１５に記載のパッケージ。
【請求項17】
前記複数のピラー相互接続は、前記集積デバイスの一部である、請求項１１に記載のパッケージ。
【請求項18】
前記第１のピラー相互接続は、シルクハットの形状を備える、請求項１１に記載のパッケージ。
【請求項19】
前記パッケージは、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイルフォン、スマートフォン、携帯情報端末、固定位置ターミナル、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、モノのインターネット（ＩｏＴ）デバイス、および自動車車両内のデバイスから成るグループから選択されたデバイスの一部である、請求項１１に記載のパッケージ。
【請求項20】
集積デバイスを製造するための方法であって、複数のパッドと、
前記複数のパッドに結合された複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続と
を備えるダイ部分を提供することと、
前記複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続の上に複数のピラー相互接続を形成することと、ここにおいて、前記複数のピラー相互接続を形成することは、第１のキャビティを備える第１のピラー相互接続を形成することを備える、
を備える、方法。
【請求項21】
前記複数のピラー相互接続を形成することは、前記ダイ部分の上に第１のフォトレジスト層を形成し、パターニングすることと、
第１のピラー相互接続部を形成することと、
前記第１のフォトレジスト層を除去することと、
前記ダイ部分の上に第２のフォトレジスト層を形成し、パターニングすることと、
前記第１のキャビティが第２のピラー相互接続部内に形成されるように、前記第１のピラー相互接続部の上に前記第２のピラー相互接続部を形成することと、
を備える、請求項２０に記載の方法。
【請求項22】
前記複数のピラー相互接続を形成することは、前記第１のピラー相互接続の前記第１のキャビティの上に第１のはんだ相互接続を形成することをさらに備える、請求項２１に記載の方法。
【請求項23】
前記第１のはんだ相互接続は、前記第１のピラー相互接続の前記第１のキャビティ内に少なくとも部分的に配置される、請求項２２に記載の方法。
【請求項24】
前記第１のキャビティは、前記第１のピラー相互接続の高さを部分的に通って延在する、請求項２０に記載の方法。
【請求項25】
前記第１のピラー相互接続の前記第１のキャビティを通って延在する平面断面は、Ｏ形状を備える、請求項２０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の相互参照】
【0001】
[0001] 本出願は、２０２１年８月２３日に米国特許庁に出願された非仮出願第１７／４０９，３３４号の優先権および利益を主張し、その内容全体は、その全体が以下に完全に記載されているかのように、そして全ての適用可能な目的のために、参照により本明細書に組み込まれる。
【技術分野】
【0002】
[0002] 様々な特徴は、集積デバイス（integrated device）に関する。
【背景技術】
【0003】
[0003] パッケージ（package）は、基板（substrate）および集積デバイスを含み得る。これらの構成要素は、様々な電気的機能を実行し得るパッケージを提供するために互いに結合される。パッケージおよびその構成要素の性能は、パッケージの様々な構成要素間の接合部（joint）の品質に依存し得る。構成要素間の確実かつ信頼性の高い接合部を含むパッケージを提供することが、現在も必要とされている。
【発明の概要】
【0004】
[0004] 様々な特徴は、集積デバイスに関する。
【0005】
[0005] 一例は、ダイ部分（die portion）を含む集積デバイスを提供する。ダイ部分は、複数のパッド（pad）と、複数のパッドに結合された複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続（under bump metallization interconnect）とを含む。集積デバイスは、複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続に結合された複数のピラー相互接続（pillar interconnect）を含む。複数のピラー相互接続は、第１のキャビティ（cavity）を備える第１のピラー相互接続を備える。
【0006】
[0006] 別の例は、基板と、複数のピラー相互接続および複数のはんだ相互接続（solder interconnect）を通して基板に結合された集積デバイスとを含むパッケージを提供する。複数のピラー相互接続は、第１のキャビティを備える第１のピラー相互接続を備える。
【0007】
[0007] 別の例は、集積デバイスを製造するための方法を提供する。この方法は、ダイ部分を提供する。ダイ部分は、複数のパッドと、複数のパッドに結合された複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続とを含む。方法は、複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続の上に複数のピラー相互接続を形成する。複数のピラー相互接続を形成することは、第１のキャビティを備える第１のピラー相互接続を形成することを備える。
【図面の簡単な説明】
【0008】
[0008] 様々な特徴、性質、および利点は、同様の参照符号が全体を通して同様のものを指す図面と共に考慮されるとき、以下に示される詳細な説明から明らかになるであろう。
【詳細な説明】
【0009】
[0019] 以下の説明では、本開示の様々な態様の完全な理解を提供するために、具体的な詳細が与えられる。しかしながら、これらの態様が、これらの具体的な詳細なしに実施され得ることは、当業者によって理解されるであろう。例えば、不必要な詳細で態様を不明瞭にすることを避けるために、回路はブロック図で示され得る。他の例では、本開示の態様を不明瞭にしないために、周知の回路、構造および技法は詳細に示されない場合もある。
【0010】
[0020] 本開示は、基板と、複数のピラー相互接続および複数のはんだ相互接続を通して基板に結合された集積デバイスとを含むパッケージについて説明する。複数のピラー相互接続は、第１のキャビティを備える第１のピラー相互接続を含む。複数のはんだ相互接続は、第１のピラー相互接続の第１のキャビティ内に配置される第１のはんだ相互接続を備える。第１のピラー相互接続の第１のキャビティを通って延在する平面断面（planar cross section）は、Ｏ形状（O shape）を備える。第１のピラー相互接続は、第１の幅（width）を備える第１のピラー相互接続部と、第１の幅とは異なる第２の幅を備える第２のピラー相互接続部とを含む。第１のキャビティは、第１のはんだ相互接続が結合するためのより大きな表面積を可能にし、したがって、集積デバイスと基板との間のよりロバストで信頼性の高い接合部を提供する。第１のキャビティはまた、基板の隣接する相互接続間の短絡を引き起こすことなく、より多くのはんだ相互接続が第１のピラー相互接続と基板との間に配置されることを可能にし得る。よりロバストで信頼性の高い接合部は、集積デバイスと基板との間を移動する電流および／または信号のためのより信頼性の高い電気経路を提供し、これは、集積デバイスおよびパッケージの性能の改善につながり得る。
【0011】
キャビティを有するピラー相互接続を備える例示的な集積デバイス
[0021] 図１は、キャビティを有するピラー相互接続を含む集積デバイス１００の断面プロファイル図を例示する。集積デバイス１００は、ダイ部分１０２と、複数のピラー相互接続１０４と、複数のはんだ相互接続１０６とを含む。複数のピラー相互接続１０４は、ダイ部分１０２に結合される。複数のはんだ相互接続１０６は、複数のピラー相互接続１０４に結合される。以下でさらに説明するように、複数のピラー相互接続１０４からの少なくとも１つのピラー相互接続は、ピラー相互接続の高さに少なくとも部分的に沿って延在するキャビティを含み得る。キャビティは、はんだ相互接続が結合するための余分な表面積を作り出す。また、キャビティは、より多くのはんだ相互接続を収容するためにより多くの空間を作り出し、その一方で、近くの相互接続との短絡の可能性を低減する。ピラー相互接続の余分な表面積および／またははんだ相互接続の追加の体積は、集積デバイスのためのよりロバストで信頼性の高い接合部を提供するのに役立ち、したがって、集積デバイスへのおよび集積デバイスからの電流のためのよりロバストで信頼性の高い電気経路を提供する。集積デバイス１００は、フリップチップ（flip chip）を含み得る。
[0021] 図１は、キャビティを有するピラー相互接続を含む集積デバイス１００の断面プロファイル図を例示する。集積デバイス１００は、ダイ部分１０２と、複数のピラー相互接続１０４と、複数のはんだ相互接続１０６とを含む。複数のピラー相互接続１０４は、ダイ部分１０２に結合される。複数のはんだ相互接続１０６は、複数のピラー相互接続１０４に結合される。以下でさらに説明するように、複数のピラー相互接続１０４からの少なくとも１つのピラー相互接続は、ピラー相互接続の高さに少なくとも部分的に沿って延在するキャビティを含み得る。キャビティは、はんだ相互接続が結合するための余分な表面積を作り出す。また、キャビティは、より多くのはんだ相互接続を収容するためにより多くの空間を作り出し、その一方で、近くの相互接続との短絡の可能性を低減する。ピラー相互接続の余分な表面積および／またははんだ相互接続の追加の体積は、集積デバイスのためのよりロバストで信頼性の高い接合部を提供するのに役立ち、したがって、集積デバイスへのおよび集積デバイスからの電流のためのよりロバストで信頼性の高い電気経路を提供する。集積デバイス１００は、フリップチップ（flip chip）を含み得る。
【0012】
[0022] ダイ部分１０２は、ダイ基板（die substrate）１２０と、相互接続部（interconnect portion）１２２と、保護層（passivation layer）１０５と、複数のパッド１０７と、複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続１０９とを含む。ダイ基板１２０は、シリコン（Ｓｉ）を含み得る。複数のセルおよび／またはトランジスタ（transistor）（図示せず）が、ダイ基板１２０内および／またはダイ基板１２０上に形成され得る。異なる実装は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、プレーナＦＥＴ、ｆｉｎＦＥＴ、およびゲートオールアラウンドＦＥＴ（gate all around FET）のような、異なるタイプのトランジスタを使用し得る。いくつかの実装では、ダイ基板１２０内および／またはダイ基板１２０上に複数のセルおよび／またはトランジスタを製造するために、基板工程（ＦＥＯＬ：front end of line）プロセスが使用され得る。相互接続部１２２は、ダイ基板１２０の上に配置され、ダイ基板１２０に結合される。相互接続部１２２は、ダイ基板１２０内および／またはダイ基板１２０上に配置された複数のセルおよび／またはトランジスタに結合され得る。相互接続部１２２は、少なくとも１つの誘電体層と複数のダイ相互接続（図示せず）とを含み得、ここで、複数のダイ相互接続は、複数のセルおよび／またはトランジスタに結合される。いくつかの実装では、相互接続部１２２を製造するために、配線工程（ＢＥＯＬ：back end of line）プロセスが使用され得る。
【0013】
[0023] 保護層１０５は、相互接続部１２２の上に配置され、相互接続部１２２に結合される。複数のパッド１０７は、相互接続部１２２の上に配置される。複数のパッド１０７は、相互接続部１２２のダイ相互接続に結合され得る。いくつかの実装では、保護層１０５および／または複数のパッド１０７は、相互接続部１２２の一部と見なされ得る。いくつかの実装では、保護層１０５および複数のパッド１０７を製造するために、配線工程（ＢＥＯＬ）プロセスが使用され得る。複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続１０９は、複数のパッド１０７に結合される。複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続１０９は、複数のパッド１０７の上に配置され得る。いくつかの実装では、複数のパッド１０７と複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続１０９との間に追加の相互接続が存在し得る。例えば、複数のパッド１０７と複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続１０９との間にメタライゼーション相互接続が存在し得る。メタライゼーション相互接続の例は、再分配相互接続（redistribution interconnect）を含む。いくつかの実装では、複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続１０９は、メタライゼーション相互接続（例えば、再分配相互接続）を通して複数のパッド１０７に結合され得る。したがって、複数のパッド１０７に結合された複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続１０９は、複数のパッド１０７に直接結合され得る、および／または少なくとも１つのメタライゼーション相互接続を通して複数のパッド１０７に間接的に結合され得る。
【0014】
[0024] 複数のピラー相互接続１０４は、ダイ部分１０２に結合され得る。複数のピラー相互接続１０４は、複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続１０９に結合され得る。複数のピラー相互接続１０４は、複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続１０９を通してダイ部分１０２に結合され得る。複数のピラー相互接続１０４は、ピラー相互接続のための手段であり得る。複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続１０９は、アンダーバンプメタライゼーション相互接続のための手段であり得る。
【0015】
[0025] 複数のパッド１０７は、第１のパッド１０７ａと第２のパッド１０７ｂとを含む。複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続１０９は、第１のアンダーバンプメタライゼーション相互接続１０９ａと第２のアンダーバンプメタライゼーション相互接続１０９ｂとを含む。複数のピラー相互接続１０４は、第１のピラー相互接続１０４ａと第２のピラー相互接続１０４ｂとを含む。複数のはんだ相互接続１０６は、第１のはんだ相互接続１０６ａと第２のはんだ相互接続１０６ｂとを含む。
【0016】
[0026] 第１のアンダーバンプメタライゼーション相互接続１０９ａは、第１のパッド１０７ａに結合される。第１のピラー相互接続１０４ａは、第１のアンダーバンプメタライゼーション相互接続１０９ａに結合される。第１のはんだ相互接続１０６ａは、第１のピラー相互接続１０４ａに結合される。第１のピラー相互接続１０４ａは第１のキャビティを含み、第１のはんだ相互接続１０６ａの一部は、第１のピラー相互接続１０４ａの第１のキャビティ内に配置され得る。いくつかの実装では、第１のピラー相互接続１０４ａは、少なくとも１つのメタライゼーション相互接続を通して第１のアンダーバンプメタライゼーション相互接続１０９ａに結合されることに留意されたい。すなわち、少なくとも１つのメタライゼーション相互接続（例えば、再分配相互接続）が、第１のピラー相互接続１０４ａと第１のアンダーバンプメタライゼーション相互接続１０９ａとの間に配置され得る。
【0017】
[0027] 第２のアンダーバンプメタライゼーション相互接続１０９ｂは、第２のパッド１０７ｂに結合される。第２のピラー相互接続１０４ｂは、第２のアンダーバンプメタライゼーション相互接続１０９ｂに結合される。第２のはんだ相互接続１０６ｂは、第２のピラー相互接続１０４ｂに結合される。第２のピラー相互接続１０４ｂは、第２のキャビティを含み、第２のはんだ相互接続１０６ｂの一部は、第２のピラー相互接続１０４ｂの第２のキャビティ内に配置され得る。ピラー相互接続のキャビティの一例は、少なくとも図２において以下でさらに説明される。いくつかの実装では、第２のピラー相互接続１０４ｂは、少なくとも１つのメタライゼーション相互接続を通して第２のアンダーバンプメタライゼーション相互接続１０９ｂに結合されることに留意されたい。すなわち、少なくとも１つのメタライゼーション相互接続（例えば、再分配相互接続）が、第２のピラー相互接続１０４ｂと第２のアンダーバンプメタライゼーション相互接続１０９ｂとの間に配置され得る。
【0018】
[0028] 図２は、ピラー相互接続１０４の例示的な図を例示する。図２のピラー相互接続１０４は、図１からの複数のピラー相互接続からのピラー相互接続のいずれかを表し得る。図２に示すように、ピラー相互接続１０４は、キャビティ２０９を含む。キャビティ２０９は、ピラー相互接続１０４の高さに少なくとも部分的に沿って延在し得る。図２では、キャビティ２０９は、半球（例えば、ボウル）の形状を有する。しかしながら、キャビティ２０９の形状および／またはサイズは、異なる実装によって変化し得る。キャビティ２０９は、トレンチであり得る。ピラー相互接続１０４は、たとえピラー相互接続１０４がキャビティ２０９を有していても、一般的なシルクハット（top hat）の形状を有する。シルクハット形状のピラー相互接続１０４の縁部分は、アンダーバンプメタライゼーション相互接続に結合され得る。
【0019】
[0029] ピラー相互接続１０４は、第１のピラー相互接続部２０４と第２のピラー相互接続部２０６とを含む。第１のピラー相互接続部２０４は、ピラー相互接続１０４の基部を表し得る。第１のピラー相互接続部２０４は、ピラー相互接続１０４の縁部分と見なされ得る。第１のピラー相互接続部２０４は、アンダーバンプメタライゼーション相互接続（例えば、１０９ａ、１０９ｂ）に結合され得る。第１のピラー相互接続部２０４は、第１の幅を含む。第１の幅は、第１の直径を含み得る。第２のピラー相互接続部２０６は、第２の幅を含む。第２の幅は、第２の直径を含み得る。第２の幅は、第１の幅とは異なる。例えば、第２の幅は、第１の幅よりも小さくなり得る。キャビティ２０９は、第２のピラー相互接続部２０６に配置される。キャビティ２０９は、ピラー相互接続１０４の高さに沿って（例えば、第２のピラー相互接続部２０６の高さに沿って）少なくとも部分的に延在し得る。図２は、ピラー相互接続１０４の平面断面積が円形であることを例示する。しかしながら、ピラー相互接続１０４は、任意の形状（例えば、楕円形、長方形、正方形）を有する平面断面を有し得る。はんだ相互接続（例えば、１０６ａ、１０６ｂ）は、第２のピラー相互接続部２０６に結合され得る。はんだ相互接続の一部は、ピラー相互接続１０４のキャビティ２０９内に配置され得る。第１のピラー相互接続部２０４および第２のピラー相互接続部２０６は、１つの部分または２つ以上の別個の部分と見なされ得ることに留意されたい。第１のピラー相互接続部２０４と第２のピラー相互接続部２０６との間にインターフェースが存在することも存在しないこともあり得る。いくつかの実装では、ピラー相互接続１０４の一部は、集積デバイスのメタライゼーション層（例えば、再分配層）の一部と見なされ得ることにも留意されたい。
【0020】
[0030] 図３は、ピラー相互接続１０４の断面平面図を例示する。図３に示すように、第１のピラー相互接続１０４のキャビティ２０９を通って延在する平面断面は、Ｏ形状を備える。例えば、第２のピラー相互接続部２０６のキャビティ２０９を通って延在する平面断面は、Ｏ形状を備える。しかしながら、異なる実装は、ピラー相互接続１０４の平面断面について異なる形状を有し得る。ピラー相互接続１０４は、異なるサイズを有し得る。例えば、第１のピラー相互接続部２０４は、約５０－７０マイクロメートルの範囲内にある第１の幅（例えば、第１の直径）を有し得る。第２のピラー相互接続部２０６は、約３０－５０マイクロメートルの範囲内にある第２の幅（例えば、第２の直径）を有し得る。キャビティ２０９は、約２０－４０マイクロメートルの範囲内にあるキャビティ幅（例えば、キャビティ直径）を有し得る。ピラー相互接続１０４は、約１０－１５マイクロメートルの範囲内にある高さを有し得る。上述した値および範囲は例示的なものであり、限定を意味するものではないことに留意されたい。いくつかの実装では、値および／または範囲は、上述したものよりも大きいまたは小さい値を含み得る。
【0021】
[0031] 集積デバイス１００は、パッケージにおいて実装され得る。図４は、基板４０２と、集積デバイス１００と、カプセル化層（encapsulation layer）４０８とを含むパッケージ４００を例示する。基板４０２は、少なくとも１つの誘電体層（dielectric layer）４２０と、複数の相互接続（interconnect）４２２と、はんだレジスト層（solder resist layer）４２６とを含む。複数のはんだ相互接続４３０が、基板４０２の複数の相互接続４２２に結合され得る。集積デバイス１００は、複数のピラー相互接続１０４および複数のはんだ相互接続１０６を通して基板４０２の第１の表面（例えば、上面）に結合される。カプセル化層４０８は、集積デバイス１００および／または基板４０２の上および／または周りに配置され得る。カプセル化層４０８は、集積デバイス１００を少なくとも部分的にカプセル化し得る。カプセル化層４０８は、金型、樹脂、および／またはエポキシを含み得る。カプセル化層４０８は、カプセル化のための手段であり得る。カプセル化層４０８は、圧縮およびトランスファー成形プロセス、シート成形プロセス、または液体成形プロセスを使用することによって提供され得る。
【0022】
[0032] 図５は、集積デバイスがどのように基板に結合され得るかの拡大図を例示する。図５は、集積デバイス１００および基板４０２を含むパッケージ４００の一部分を例示し得る。集積デバイス１００は、複数のピラー相互接続１０４および複数のはんだ相互接続１０６を通して基板４０２に結合される。
【0023】
[0033] 図５に示されるように、第１のピラー相互接続１０４ａは、第１のはんだ相互接続１０６ａに結合される。第１のはんだ相互接続１０６ａは、基板４０２の第１の相互接続４２２ａに結合される。第１のはんだ相互接続１０６ａは、金属間化合物（ＩＭＣ：intermetallic compound）４０６ａを含み得る。金属間化合物４０６ａは、第１のピラー相互接続１０４ａおよび第１の相互接続４２２ａに結合され得る。金属間化合物４０６ａは、第１の相互接続４２２ａおよび／または第１のピラー相互接続１０４ａからの金属がはんだ相互接続１０６ａに拡散するときに形成され得る。
【0024】
[0034] 第２のピラー相互接続１０４ｂは、第２のはんだ相互接続１０６ｂに結合される。第２のはんだ相互接続１０６ｂは、基板４０２の第２の相互接続４２２ｂに結合される。第２のはんだ相互接続１０６ｂは、金属間化合物（ＩＭＣ）４０６ｂを含み得る。金属間化合物４０６ｂは、第２のピラー相互接続１０４ｂおよび第２の相互接続４２２ｂに結合され得る。金属間化合物４０６ｂは、第２の相互接続４２２ｂおよび／または第２のピラー相互接続１０４ｂからの金属がはんだ相互接続１０６ｂに拡散するときに形成され得る。
【0025】
[0035] 図５は、はんだ相互接続（例えば、１０６ａ）の金属間化合物（例えば、４０６ａ）の間により大きなギャップが存在することを例示する。これは、よりロバストで信頼性の高い接合部を提供するのに役立つ。これはまた、集積デバイスと基板との結合中の応力を低減するのに役立ち、それは、パッケージに亀裂が入る可能性を低減するのに役立つ。ピラー相互接続内のキャビティが提供する追加の空間は、はんだの体積の増加によって、はんだが分離する可能性が低くなるので、はんだに亀裂が入るのを回避するのに役立つ。
【0026】
[0036] 集積デバイス（例えば、１００）は、ダイ（例えば、半導体ベアダイ）を含み得る。集積デバイスは、電力管理集積回路（ＰＭＩＣ）を含み得る。集積デバイスは、アプリケーションプロセッサを含み得る。集積デバイスは、モデムを含み得る。集積デバイスは、無線周波数（ＲＦ）デバイス、受動デバイス、フィルタ、キャパシタ、インダクタ、アンテナ、送信機、受信機、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）ベースの集積デバイス、表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ、バルク弾性波（ＢＡＷ）フィルタ、発光ダイオード（ＬＥＤ）集積デバイス、シリコン（Ｓｉ）ベースの集積デバイス、炭化シリコン（ＳｉＣ）ベースの集積デバイス、メモリ、電力管理プロセッサ、および／またはそれらの組合せを含み得る。集積デバイス（例えば、１００）は、少なくとも１つの電子回路（例えば、第１の電子回路、第２の電子回路、等）を含み得る。集積デバイスは、電気構成要素および／または電気デバイスの一例であり得る。
【0027】
[0037] キャビティを有するピラー相互接続を有する集積デバイスについて説明してきたが、次に、集積デバイスを製造するための方法を以下で説明する。
【0028】
キャビティを有するピラー相互接続を備える集積デバイスを製造するための例示的なシーケンス
[0038] いくつかの実装では、集積デバイスを製造することはいくつかのプロセスを含む。図６Ａ－図６Ｄは、キャビティを有するピラー相互接続を備える集積デバイスを提供または製造するための例示的なシーケンスを例示する。いくつかの実装では、図６Ａ－図６Ｄのシーケンスは、集積デバイス１００を提供または製造するために使用され得る。しかしながら、図６Ａ－図６Ｄのプロセスは、本開示で説明される集積デバイスのいずれかを製造するために使用され得る。
[0038] いくつかの実装では、集積デバイスを製造することはいくつかのプロセスを含む。図６Ａ－図６Ｄは、キャビティを有するピラー相互接続を備える集積デバイスを提供または製造するための例示的なシーケンスを例示する。いくつかの実装では、図６Ａ－図６Ｄのシーケンスは、集積デバイス１００を提供または製造するために使用され得る。しかしながら、図６Ａ－図６Ｄのプロセスは、本開示で説明される集積デバイスのいずれかを製造するために使用され得る。
【0029】
[0039] 図６Ａ－図６Ｄのシーケンスは、集積デバイスを提供または製造するためのシーケンスを簡略化および／または明確化するために、１つまたは複数のステージを組み合わせ得ることに留意されたい。いくつかの実装では、プロセスの順序は、変更または修正され得る。いくつかの実装では、本開示の範囲から逸脱することなく、プロセスのうちの１つまたは複数が置き換えられるか代用され得る。
【0030】
[0040] 図６Ａに示されているようなステージ１は、ダイ部分１０２が設けられた後の状態を例示する。ダイ部分１０２は、ダイ基板１２０、相互接続部１２２、保護層１０５、複数のパッド１０７、および複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続１０９を含み得る。ダイ部分１０２は、ベアダイ（bare die）（例えば、半導体ベアダイ）を含み得る。
【0031】
[0041] ステージ２は、第１のフォトレジスト層（photo resist layer）６００がダイ部分１０２の上に形成され、第１のフォトレジスト層６００中に複数の開口部６０１を含むようにパターニングされた後の状態を例示する。第１のフォトレジスト層６００のパターンを形成および画定するためにフォトリソグラフィプロセスが使用され得る。
【0032】
[0042] ステージ３は、第１のフォトレジスト層６００の複数の開口部６０１を通してピラー相互接続部６０２が形成された後の状態を例示する。ピラー相互接続部６０２は、複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続１０９（またはアンダーバンプメタライゼーション層）の上に形成され得る。ピラー相互接続部６０２を形成するために、めっきプロセスが使用され得る。ピラー相互接続部６０２は、銅を含み得る。
【0033】
[0043] 図６Ｂに示されているようなステージ４は、第１のフォトレジスト層６００がダイ部分１０２から除去された後の状態を例示する。第１のフォトレジスト層６００は、開発プロセスを通して除去され得る。第１のフォトレジスト層６００は、洗浄プロセスを通して除去され得る。
【0034】
[0044] ステージ５は、第２のフォトレジスト層６１０がダイ部分１０２の上に形成され、第２のフォトレジスト層６１０中に複数の開口部６１１を含むようにパターニングされた後の状態を例示する。第２のフォトレジスト層６１０は、ピラー相互接続部６０２の上に形成され得る。第２のフォトレジスト層６１０のパターンを形成および画定するためにフォトリソグラフィプロセスが使用され得る。
【0035】
[0045] 図６Ｃに示されているようなステージ６は、第２のフォトレジスト層６１０の複数の開口部６１１を通して複数のピラー相互接続１０４が形成された後の状態を例示する。複数のピラー相互接続１０４は、複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続１０９（またはアンダーバンプメタライゼーション層）の上に形成され得る。複数のピラー相互接続１０４は、ピラー相互接続部６０２の上に形成され得る。ピラー相互接続部６０２は、複数のピラー相互接続１０４の一部と見なされ得る。複数のピラー相互接続１０４を形成するために、めっきプロセスが使用され得る。ピラー相互接続１０４は、銅を含み得る。ステージ３において形成されたピラー相互接続部６０２とステージ６において形成された複数のピラー相互接続１０４の部分との間に、１つまたは複数のインターフェースが存在することも存在しないこともあり得る。複数のピラー相互接続１０４は、少なくとも１つのピラー相互接続がキャビティ２０９を含むように形成される。
【0036】
[0046] ステージ７は、第２のフォトレジスト層６１０の複数の開口部６１１を通して複数のピラー相互接続１０４の上に複数のはんだ相互接続１０６が形成された後の状態を例示する。いくつかの実装では、複数のはんだ相互接続１０６を形成するためにペーストプロセスが使用され得る。しかしながら、複数のはんだ相互接続１０６は、異なるように形成され得る。
【0037】
[0047] 図６Ｄに示されているようなステージ８は、第２のフォトレジスト層６１０がダイ部分１０２から除去された後の状態を例示する。第２のフォトレジスト層６１０は、開発プロセスを通して除去され得る。第２のフォトレジスト層６１０は、洗浄プロセスを通して除去され得る。
【0038】
[0048] ステージ９は、アンダーバンプメタライゼーション相互接続１０９ａおよびアンダーバンプメタライゼーション相互接続１０９ｂを画定するためにアンダーバンプメタライゼーション層の部分が選択的にエッチングされた後の状態を例示する。ステージ９はまた、複数のピラー相互接続１０４を結合するために複数のはんだ相互接続１０６がはんだリフロープロセスを受けた後の状態を例示し得る。ステージ９は、ダイ部分１０２と、複数のピラー相互接続１０４と、複数のはんだ相互接続１０６とを含む集積デバイス１００を例示し得、ここで、複数のピラー相互接続１０４からの少なくとも１つのピラー相互接続は、ピラー相互接続の高さ（例えば、厚さ）を少なくとも部分的に通って延在するキャビティ（例えば、２０９）を含む。複数のはんだ相互接続１０６は、ピラー相互接続のキャビティ内に配置され得る。複数のはんだ相互接続１０６は、第１のピラー相互接続１０４ａに結合された第１のはんだ相互接続１０６ａと、第２のピラー相互接続１０４ｂに結合された第２のはんだ相互接続１０６ｂとを含む。
【0039】
キャビティを有するピラー相互接続を備える集積デバイスを製造するための方法の例示的なフロー図
[0049] いくつかの実装では、集積デバイスを製造することはいくつかのプロセスを含む。図７は、キャビティを有するピラー相互接続を備える集積デバイスを提供または製造するための方法７００の例示的なフロー図を例示する。いくつかの実装では、図７の方法７００は、本開示で説明された図１の集積デバイス１００を提供または製造するために使用され得る。しかしながら、方法７００は、本開示で説明される集積デバイスのいずれかを提供または製造するために使用され得る。
[0049] いくつかの実装では、集積デバイスを製造することはいくつかのプロセスを含む。図７は、キャビティを有するピラー相互接続を備える集積デバイスを提供または製造するための方法７００の例示的なフロー図を例示する。いくつかの実装では、図７の方法７００は、本開示で説明された図１の集積デバイス１００を提供または製造するために使用され得る。しかしながら、方法７００は、本開示で説明される集積デバイスのいずれかを提供または製造するために使用され得る。
【0040】
[0050] 図７の方法は、集積デバイスを提供または製造するための方法を簡略化および／または明確化するために、１つまたは複数のプロセスを組み合わせ得ることに留意されたい。いくつかの実装では、プロセスの順序は、変更または修正され得る。
【0041】
[0051] 方法は、（７０５において）ダイ部分（例えば、１０２）を設ける。ダイ部分１０２は、ダイ基板１２０、相互接続部１２２、保護層１０５、複数のパッド１０７、および複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続１０９を含み得る。ダイ部分１０２は、ベアダイ（例えば、半導体ベアダイ）を含み得る。図６Ａのステージ１は、ダイ部分を設ける例を例示および説明する。
【0042】
[0052] 方法は、（７１０において）ダイ部分（例えば、１０２）の上に第１のフォトレジスト層（例えば、６００）を形成する。方法はまた、（７１０において）第１のフォトレジスト層（例えば、６００）をパターニングし得る。第１のフォトレジスト層６００のパターンを形成および画定するためにフォトリソグラフィプロセスが使用され得る。図６Ａのステージ２は、第１のフォトレジスト層を形成およびパターニングする例を例示および説明する。
【0043】
[0053] 方法は、（７１５において）ピラー相互接続部（例えば、６０２）を形成する。ピラー相互接続部６０２は、複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続１０９（またはアンダーバンプメタライゼーション層）の上に形成され得る。ピラー相互接続部６０２を形成するために、めっきプロセスが使用され得る。ピラー相互接続部６０２は、第１のフォトレジスト層６００の複数の開口部６０１を通して形成され得る。図６Ａのステージ３は、ピラー相互接続部を形成する例を例示および説明する。
【0044】
[0054] 方法は、（７２０において）第１のフォトレジスト層（例えば、６００）を除去する。第１のフォトレジスト層６００は、開発プロセスを通して除去され得る。第１のフォトレジスト層６００は、洗浄プロセスを通して除去され得る。図６Ｂのステージ４は、第１のフォトレジスト層を除去する例を例示および説明する。
【0045】
[0055] 方法は、（７２５において）ダイ部分（例えば、１０２）の上に第２のフォトレジスト層（例えば、６１０）を形成する。方法はまた、（７２５において）第２のフォトレジスト層（例えば、６１０）をパターニングし得る。第２のフォトレジスト層６１０のパターンを形成および画定するためにフォトリソグラフィプロセスが使用され得る。図６Ｂのステージ５は、第２のフォトレジスト層を形成およびパターニングする例を例示および説明する。
【0046】
[0056] 方法は、（７３０において）複数のピラー相互接続１０４を形成するために別のピラー相互接続部を形成し、ここで、少なくとも１つのピラー相互接続はキャビティ（例えば、２０９）を含む。複数のピラー相互接続１０４は、複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続１０９（またはアンダーバンプメタライゼーション層）の上に形成され得る。複数のピラー相互接続１０４は、ピラー相互接続部６０２の上に形成され得る。ピラー相互接続部６０２は、複数のピラー相互接続１０４の一部と見なされ得る。複数のピラー相互接続１０４を形成するために、めっきプロセスが使用され得る。（７１５において）形成されたピラー相互接続部６０２と（７３０において）形成された複数のピラー相互接続１０４の部分との間に１つまたは複数のインターフェースが存在することも存在しないこともあり得る。複数のピラー相互接続１０４は、少なくとも１つのピラー相互接続がキャビティ２０９を含むように形成される。図６Ｃのステージ６は、ピラー相互接続を形成するためにピラー相互接続部を形成する例を例示および説明する。
【0047】
[0057] 方法は、（７３５において）複数のピラー相互接続（例えば、１０４）のキャビティ（例えば、２０９）の上に複数のはんだ相互接続（例えば、１０６）を設ける。複数のはんだ相互接続１０６は、第２のフォトレジスト層６１０の複数の開口部６１１を通して複数のピラー相互接続１０４の上に形成され得る。いくつかの実装では、複数のはんだ相互接続１０６を形成するためにペーストプロセスが使用され得る。しかしながら、複数のはんだ相互接続１０６は、異なるように形成され得る。図６Ｃのステージ７は、複数のはんだ相互接続を提供および／または形成する例を例示および説明する。
【0048】
[0058] 方法は、（７４０において）第２のフォトレジスト層（例えば、６１０）を除去する。第２のフォトレジスト層６１０は、開発プロセスを通して除去され得る。第２のフォトレジスト層６１０は、洗浄プロセスを通して除去され得る。図６Ｄのステージ８は、第２のフォトレジスト層を除去する例を例示および説明する。
【0049】
[0059] 方法は、（７４５において）アンダーバンプメタライゼーション層の部分を除去する。方法は、アンダーバンプメタライゼーション相互接続１０９ａおよびアンダーバンプメタライゼーション相互接続１０９ｂを画定するために、アンダーバンプメタライゼーション層の部分を選択的にエッチングし得る。方法は、（７４５において）複数のはんだ相互接続１０６を複数のピラー相互接続１０４に結合するために、はんだリフロープロセスを実行し得る。複数のはんだ相互接続１０６は、複数のピラー相互接続１０４のキャビティ（例えば、２０９）内に配置され得る。図６Ｄのステージ９は、アンダーバンプメタライゼーション層の部分を除去することと、複数のはんだ相互接続のはんだリフロープロセスの例を例示および説明する。
【0050】
[0060] 本開示で説明された集積デバイス（例えば、１００）は、一度に１つずつ製造され得る、または１つまたは複数のウェハの一部として共に製造され、そして個々の集積デバイスに単一化され得る（singulated）。
【0051】
キャビティを有するピラー相互接続を備える集積デバイスを備えるパッケージを製造するための例示的なシーケンス
[0061] いくつかの実装では、パッケージを製造することはいくつかのプロセスを含む。図８は、キャビティを有するピラー相互接続を備える集積デバイスを含むパッケージを提供または製造するための例示的なシーケンスを例示する。いくつかの実装では、図８のシーケンスは、図４のパッケージ４００を提供または製造するために使用され得る。しかしながら、図８のプロセスは、本開示で説明されるパッケージのいずれかを製造するために使用され得る。
[0061] いくつかの実装では、パッケージを製造することはいくつかのプロセスを含む。図８は、キャビティを有するピラー相互接続を備える集積デバイスを含むパッケージを提供または製造するための例示的なシーケンスを例示する。いくつかの実装では、図８のシーケンスは、図４のパッケージ４００を提供または製造するために使用され得る。しかしながら、図８のプロセスは、本開示で説明されるパッケージのいずれかを製造するために使用され得る。
【0052】
[0062] 図８のシーケンスは、パッケージを提供または製造するためのシーケンスを簡略化および／または明確化するために、１つまたは複数のステージを組み合わせ得ることに留意されたい。いくつかの実装では、プロセスの順序は、変更または修正され得る。いくつかの実装では、本開示の範囲から逸脱することなく、プロセスのうちの１つまたは複数が置き換えられるか代用され得る。
【0053】
[0063] 図８に示されているようなステージ１は、基板４０２が設けられた後の状態を例示する。基板４０２は、少なくとも１つの誘電体層４２０と、複数の相互接続４２２と、はんだレジスト層４２６とを含む。異なる実装は、異なる数の金属層を有する異なる基板を使用し得る。基板は、コアレス基板、コア基板、または埋込みトレース基板（ＥＴＳ）を含み得る。
【0054】
[0064] ステージ２は、集積デバイス１００が複数のピラー相互接続１０４および複数のはんだ相互接続１０６を通して基板４０２に結合された後の状態を例示する。集積デバイス１００は、複数のピラー相互接続１０４および複数のはんだ相互接続１０６を通して基板４０２の複数の相互接続４２２に結合され得る。集積デバイス１００を基板４０２に結合するために、はんだリフロープロセスが使用され得る。図５は、集積デバイス１００が基板４０２にどのように結合され得るかの一例を例示する。異なる実装は、異なる構成要素および／またはデバイスを基板４０２に結合し得る。
【0055】
[0065] ステージ３は、カプセル化層４０８が基板４０２の上に設けられた（例えば、形成された）後の状態を例示する。カプセル化層４０８は、集積デバイス１００をカプセル化し得る。カプセル化層４０８は、金型、樹脂、および／またはエポキシを含み得る。カプセル化層４０８を形成するために、圧縮成形プロセス、トランスファー成形プロセス、または液体成形プロセスが使用され得る。カプセル化層４０８は、フォトエッチング可能であり得る。カプセル化層４０８は、カプセル化のための手段であり得る。
【0056】
[0066] ステージ４は、複数のはんだ相互接続４３０が基板４０２に結合された後の状態を例示する。複数のはんだ相互接続４３０を基板４０２に結合するために、はんだリフロープロセスが使用され得る。
【0057】
キャビティを有するピラー相互接続を備える集積デバイスを備えるパッケージを製造するための方法の例示的なフロー図
[0067] いくつかの実装では、パッケージを製造することはいくつかのプロセスを含む。図９は、キャビティを有するピラー相互接続を含む集積デバイスを備えるパッケージを提供または製造するための方法９００の例示的なフロー図を例示する。いくつかの実装では、図９の方法９００は、本開示で説明された図４のパッケージ４００を提供または製造するために使用され得る。しかしながら、方法９００は、本開示で説明されるパッケージ（例えば、４００）のいずれかを提供または作製するために使用され得る。
[0067] いくつかの実装では、パッケージを製造することはいくつかのプロセスを含む。図９は、キャビティを有するピラー相互接続を含む集積デバイスを備えるパッケージを提供または製造するための方法９００の例示的なフロー図を例示する。いくつかの実装では、図９の方法９００は、本開示で説明された図４のパッケージ４００を提供または製造するために使用され得る。しかしながら、方法９００は、本開示で説明されるパッケージ（例えば、４００）のいずれかを提供または作製するために使用され得る。
【0058】
[0068] 図９の方法は、パッケージを提供または製造するための方法を簡略化および／または明確化するために、１つまたは複数のプロセスを組み合わせ得ることに留意されたい。いくつかの実装では、プロセスの順序は、変更または修正され得る。
【0059】
[0069] 方法は、（９０５において）基板（例えば、４０２）を提供する。基板４０２は、サプライヤによって設けられ得る、または製造され得る。異なる実装は、基板４０２を製造するために異なるプロセスを使用し得る。基板４０２を製造するために使用され得るプロセスの例は、セミアディティブプロセス（ＳＡＰ：semi-additive process）および修正セミアディティブプロセス（ｍＳＡＰ：modified semi-additive process）を含む。基板４０２は、少なくとも１つの誘電体層４２０と、複数の相互接続４２２と、はんだレジスト層４２６とを含む。基板４０２は、埋め込みトレース基板（ＥＴＳ）を含み得る。いくつかの実装では、基板は、コア基板であり得る。いくつかの実装では、少なくとも１つの誘電体層４２０は、プリプレグ層および／またはポリイミドを含み得る。図８のステージ１は、基板を設ける例を例示および説明する。
【0060】
[0070] 方法は、（９１０において）集積デバイス（例えば、１００）を基板４０２の第１の表面に結合する。例えば、集積デバイス１００は、基板４０２の第１の表面（例えば、上面）に結合され得る。集積デバイス１００は、複数のピラー相互接続１０４および複数のはんだ相互接続１０６を通して基板４０２に結合される。少なくとも１つのピラー相互接続は、キャビティを含む。はんだ相互接続の一部は、ピラー相互接続のキャビティ内に配置され得る。集積デバイス１００を基板４０２に結合するために、はんだリフロープロセスが使用され得る。図５は、集積デバイス１００が基板４０２にどのように結合され得るかの一例を例示する。図８のステージ２は、集積デバイスを基板に結合する例を例示および説明する。
【0061】
[0071] 方法は、（９１５において）基板（例えば、４０２）の上にカプセル化層（例えば、４０８）を形成する。カプセル化層４０８は、基板４０２および集積デバイス１００の上および／または周りに設けられ、形成され得る。カプセル化層４０８は、金型、樹脂、および／またはエポキシを含み得る。カプセル化層４０８を形成するために、圧縮成形プロセス、トランスファー成形プロセス、または液体成形プロセスが使用され得る。カプセル化層４０８は、フォトエッチング可能であり得る。カプセル化層４０８は、カプセル化のための手段であり得る。図８のステージ３は、カプセル化層を形成する例を例示および説明する。
【0062】
[0072] 方法は、（９２０において）複数のはんだ相互接続（例えば、４３０）を基板４０２に結合する。複数のはんだ相互接続４３０を基板４０２に結合するために、はんだリフロープロセスが使用され得る。図８のステージ４は、はんだ相互接続を基板に結合する例を例示および説明する。
【0063】
[0073] 本開示で説明されたパッケージ（例えば、４００）は、一度に１つずつ製造され得る、または１つまたは複数のウェハの一部として共に製造され、そして個々のパッケージに単一化され得る。
【0064】
例示的な電子デバイス
[0074] 図１０は、上述のデバイス、集積デバイス、集積回路（ＩＣ）パッケージ、集積回路（ＩＣ）デバイス、半導体デバイス、集積回路、ダイ、インターポーザ、パッケージ、パッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）、システムインパッケージ（ＳｉＰ）、またはシステムオンチップ（ＳｏＣ）のいずれかと統合され得る様々な電子デバイスを例示する。例えば、モバイルフォンデバイス１００２、ラップトップコンピュータデバイス１００４、固定位置ターミナルデバイス１００６、ウェアラブルデバイス１００８、または自動車車両１０１０は、本明細書で説明されるようなデバイス１０００を含み得る。デバイス１０００は、例えば、本明細書で説明されたデバイスおよび／または集積回路（ＩＣ）パッケージのいずれかであり得る。図１０に例示されたデバイス１００２、１００４、１００６、および１００８、ならびに車両１０１０は、例示的なものにすぎない。他の電子デバイスはまた、モバイルデバイス、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、携帯情報端末のようなポータブルデータユニット、グローバル測位システム（ＧＰＳ）対応デバイス、ナビゲーションデバイス、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、メータ読取機器のような固定位置データユニット、通信デバイス、スマートフォン、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス（例えば、時計、眼鏡）、モノのインターネット（ＩｏＴ）デバイス、サーバ、ルータ、自動車車両（例えば、自律車両）において実装された電子デバイス、またはデータもしくはコンピュータ命令を記憶または取り出す任意の他のデバイス、またはそれらの任意の組合せを含むデバイス（例えば、電子デバイス）のグループを含むが、それらに限定されないデバイス１０００を特徴とし得る。
[0074] 図１０は、上述のデバイス、集積デバイス、集積回路（ＩＣ）パッケージ、集積回路（ＩＣ）デバイス、半導体デバイス、集積回路、ダイ、インターポーザ、パッケージ、パッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）、システムインパッケージ（ＳｉＰ）、またはシステムオンチップ（ＳｏＣ）のいずれかと統合され得る様々な電子デバイスを例示する。例えば、モバイルフォンデバイス１００２、ラップトップコンピュータデバイス１００４、固定位置ターミナルデバイス１００６、ウェアラブルデバイス１００８、または自動車車両１０１０は、本明細書で説明されるようなデバイス１０００を含み得る。デバイス１０００は、例えば、本明細書で説明されたデバイスおよび／または集積回路（ＩＣ）パッケージのいずれかであり得る。図１０に例示されたデバイス１００２、１００４、１００６、および１００８、ならびに車両１０１０は、例示的なものにすぎない。他の電子デバイスはまた、モバイルデバイス、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、携帯情報端末のようなポータブルデータユニット、グローバル測位システム（ＧＰＳ）対応デバイス、ナビゲーションデバイス、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、メータ読取機器のような固定位置データユニット、通信デバイス、スマートフォン、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス（例えば、時計、眼鏡）、モノのインターネット（ＩｏＴ）デバイス、サーバ、ルータ、自動車車両（例えば、自律車両）において実装された電子デバイス、またはデータもしくはコンピュータ命令を記憶または取り出す任意の他のデバイス、またはそれらの任意の組合せを含むデバイス（例えば、電子デバイス）のグループを含むが、それらに限定されないデバイス１０００を特徴とし得る。
【0065】
[0075] 図１－５、図６Ａ－図６Ｄ、および／または図７－１０に例示された構成要素、プロセス、特徴、および／または機能のうちの１つまたは複数は、単一の構成要素、プロセス、特徴または機能に再構成および／または組み合わせられるか、またはいくつかの構成要素、プロセス、または機能において具現化され得る。追加の要素、構成要素、プロセス、および／または機能も、本開示から逸脱することなく追加され得る。本開示における図１－５、図６Ａ－図６Ｄ、および／または図７－１０、ならびにその対応する説明は、ダイおよび／またはＩＣに限定されないことにも留意されたい。いくつかの実装では、図１－５、図６Ａ－図６Ｄ、および／または図７－１０、ならびにその対応する説明は、デバイスおよび／または集積デバイスを製造、作成、提供、および／または生産するために使用され得る。いくつかの実装では、デバイスは、ダイ、集積デバイス、集積受動デバイス（ＩＰＤ）、ダイパッケージ、集積回路（ＩＣ）デバイス、デバイスパッケージ、集積回路（ＩＣ）パッケージ、ウェハ、半導体デバイス、パッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）デバイス、放熱デバイス、および／またはインターポーザを含み得る。
【0066】
[0076] 本開示における図は、様々な部分、構成要素、オブジェクト、デバイス、パッケージ、集積デバイス、集積回路、および／またはトランジスタの実際の表現および／または概念的表現を表し得ることに留意されたい。いくつかの例では、図は、一定の縮尺ではない場合がある。いくつかの例では、明確にするために、全ての構成要素および／または部分が示されていない場合がある。いくつかの例では、図における様々な部分および／または構成要素の位置、場所、サイズ、および／または形状は、例示的であり得る。いくつかの実装では、図における様々な構成要素および／または部分は任意であり得る。
【0067】
[0077] 「例示的（exemplary）」という用語は、本明細書では「例、実例、または例示として機能する」という意味で使用される。「例示的」として本明細書で説明された任意の実装または態様は、必ずしも本開示の他の態様よりも好ましい、または有利であると解釈されるべきではない。同様に、「態様（aspects）」という用語は、本開示の全ての態様が、説明された特徴、利点、または動作モードを含むことを必要としない。「結合される（coupled）」という用語は、本明細書では、２つのオブジェクト間の直接的または間接的な結合（例えば、機械的結合）を指すために使用される。例えば、オブジェクトＡがオブジェクトＢに物理的に接触し、オブジェクトＢがオブジェクトＣに接触する場合、オブジェクトＡおよびＣは、それらが互いに直接物理的に接触しない場合であっても、依然として互いに結合されていると見なされ得る。オブジェクトＢに結合されたオブジェクトＡは、オブジェクトＢの少なくとも一部に結合され得る。「電気的に結合された（electrically coupled）」という用語は、２つのオブジェクトが、電流（例えば、信号、電力、接地）が２つのオブジェクト間を移動し得るように、直接的または間接的に共に結合されることを意味し得る。電気的に結合された２つのオブジェクトは、２つのオブジェクト間を移動する電流を有することも、有さないこともあり得る。「第１（first）」、「第２（second）」、「第３（third）」、および「第４（fourth）」（および／または第４を超える任意のもの）という用語の使用は任意である。説明される構成要素のいずれも、第１の構成要素、第２の構成要素、第３の構成要素、または第４の構成要素であり得る。例えば、第２の構成要素と称される構成要素は、第１の構成要素、第２の構成要素、第３の構成要素、または第４の構成要素であり得る。「カプセル化する（encapsulate）」、「カプセル化すること（encapsulating）」という用語および／または任意の派生語は、オブジェクトが別の物体を部分的にカプセル化するか、または完全にカプセル化し得ることを意味する。用語「上部（top）」および「下部（bottom）」は任意である。上部に配置される構成要素は、下部に位置する構成要素の上に配置され得る。上部構成要素は下部構成要素と見なされ得、その逆も同様である。本開示で説明されたように、第２の構成要素の「上に（over）」配置される第１の構成要素は、下部または上部がどのように任意に定義されるかに応じて、第１の構成要素が第２の構成要素の上または下に配置されることを意味し得る。別の例では、第１の構成要素は、第２の構成要素の第１の表面の上（例えば、上方）に配置され得、第３の構成要素は、第２の構成要素の第２の表面の上（例えば、下方）に配置され得、ここで、第２の表面は、第１の表面の反対側である。さらに、別の構成要素の上に配置される１つの構成要素の文脈において本出願で使用されるような「上に」という用語は、別の構成要素の上および／または別の構成要素の中にある（例えば、構成要素の表面上にあるか、または構成要素の中に埋め込まれた）構成要素を意味するために使用され得ることに留意されたい。したがって、例えば、第２の構成要素の上にある第１の構成要素は、（１）第１の構成要素が第２の構成要素の上にあるが、第２の構成要素に直接接触していないこと、（２）第１の構成要素が第２の構成要素の上（例えば、表面上）にあること、および／または（３）第１の構成要素が第２の構成要素の中にある（例えば、埋め込まれている）ことを意味し得る。第２の構成要素の「中に（in）」配置される第１の構成要素は、第２の構成要素の中に部分的に配置され得る、または第２の構成要素の中に完全に配置され得る。本開示で使用される「約「値Ｘ」」または「およそ値Ｘ」という用語は、「値Ｘ」の１０パーセント以内を意味する。例えば、約１またはおよそ１の値は、０．９－１．１の範囲の値を意味する。
【0068】
[0078] いくつかの実装では、相互接続は、２つの点、要素および／または構成要素間の電気接続を可能または容易にするデバイスまたはパッケージの要素または構成要素である。いくつかの実装では、相互接続は、トレース（例えば、トレース相互接続）、ビア（例えば、ビア相互接続）、パッド（例えば、パッド相互接続）、ピラー、メタライゼーション層、再分配層、および／またはアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ：under bump metallization）層／相互接続を含み得る。いくつかの実装では、相互接続は、信号（例えば、データ信号）、接地および／または電力のための電気経路を設けるように構成され得る導電性材料を含み得る。相互接続は、２つ以上の要素または構成要素を含み得る。相互接続は、１つまたは複数の相互接続によって定義され得る。相互接続は、１つまたは複数の金属層を含み得る。相互接続は、回路の一部であり得る。異なる実装は、相互接続を形成するために異なるプロセスおよび／またはシーケンスを使用し得る。いくつかの実装では、化学気相成長法（ＣＶＤ）プロセス、物理気相成長法（ＰＶＤ）プロセス、スパッタリングプロセス、スプレーコーティング、および／またはめっきプロセスが、相互接続を形成するために使用され得る。
【0069】
[0079] また、本明細書に含まれる様々な開示は、フローチャート、フロー図、構造図、またはブロック図として図示されるプロセスとして説明され得ることに留意されたい。フローチャートは、動作を順次プロセスとして説明し得るが、動作の多くは、並行してまたは同時に実行され得る。さらに、動作の順序は、再配置され得る。プロセスは、その動作が完了したときに終了する。
【0070】
[0080] 以下では、本発明の理解を容易にするために、さらなる実施例を記載する。
【0071】
[0081] 態様１：ダイ部分を備える集積デバイス。ダイ部分は、複数のパッドと、複数のパッドに結合された複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続とを含む。集積デバイスは、複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続に結合された複数のピラー相互接続を含む。複数のピラー相互接続は、第１のキャビティを備える第１のピラー相互接続を備える。
【0072】
[0082] 態様２：複数のピラー相互接続に結合された複数のはんだ相互接続をさらに備える、態様１に記載の集積デバイス。
【0073】
[0083] 態様３：複数のはんだ相互接続は、第１のピラー相互接続の第１のキャビティ内に配置される第１のはんだ相互接続を備える、態様２に記載の集積デバイス。
【0074】
[0084] 態様４：第１のピラー相互接続の第１のキャビティを通って延在する平面断面は、Ｏ形状を備える、態様１乃至３に記載の集積デバイス。
【0075】
[0085] 態様５：第１のピラー相互接続は、第１の幅を備える第１のピラー相互接続部と、第１の幅とは異なる第２の幅を備える第２のピラー相互接続部と備える、態様１乃至４に記載の集積デバイス。
【0076】
[0086] 態様６：第１のピラー相互接続の第１のキャビティは、第２のピラー相互接続部に配置される、態様５に記載の集積デバイス。
【0077】
[0087] 態様７：第１のキャビティは、第１のピラー相互接続の高さを部分的に通って延在する、態様１乃至６に記載の集積デバイス。
【0078】
[0088] 態様８：第１のピラー相互接続は、シルクハットの形状を備える、態様１乃至７に記載の集積デバイス。
【0079】
[0089] 態様９：集積デバイスは、フリップチップを備える、態様１乃至８に記載の集積デバイス。
【0080】
[0090] 態様１０：ダイ部分は、ダイ基板と、ダイ基板内および／またはダイ基板上に形成された複数のトランジスタとを備える、態様１乃至９に記載の集積デバイス。
【0081】
[0091] 態様１１：基板と、複数のピラー相互接続および複数のはんだ相互接続を通して基板に結合された集積デバイスとを備えるパッケージ。複数のピラー相互接続は、第１のキャビティを備える第１のピラー相互接続を備える。
【0082】
[0092] 態様１２：複数のはんだ相互接続は、第１のピラー相互接続の第１のキャビティ内に配置される第１のはんだ相互接続を備える、態様１１に記載のパッケージ。
【0083】
[0093] 態様１３：第１のはんだ相互接続は、金属間化合物（ＩＭＣ）を備える、請求項１２に記載のパッケージ。
【0084】
[0094] 態様１４：第１のピラー相互接続の第１のキャビティを通って延在する平面断面は、Ｏ形状を備える、態様１１乃至１３に記載のパッケージ。
【0085】
[0095] 態様１５：第１のピラー相互接続は、第１の幅を備える第１のピラー相互接続部と、第１の幅とは異なる第２の幅を備える第２のピラー相互接続部と備える、態様１１乃至１４に記載のパッケージ。
【0086】
[0096] 態様１６：第１のピラー相互接続の第１のキャビティは、第２のピラー相互接続部に配置される、態様１５に記載のパッケージ。
【0087】
[0097] 態様１７：複数のピラー相互接続は、集積デバイスの一部である、態様１１乃至１６に記載のパッケージ。
【0088】
[0098] 態様１８：第１のピラー相互接続は、シルクハットの形状を備える、態様１１乃至１７に記載のパッケージ。
【0089】
[0099] 態様１９：パッケージは、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイルフォン、スマートフォン、携帯情報端末、固定位置ターミナル、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、モノのインターネット（ＩｏＴ）デバイス、および自動車車両内のデバイスから成るグループから選択されたデバイスの一部である、態様１１乃至１８に記載のパッケージ。
【0090】
[0100] 態様２０：集積デバイスを製造するための方法。方法は、複数のパッドと、複数のパッドに結合された複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続とを備えるダイ部分を提供する。方法は、複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続の上に複数のピラー相互接続を形成する。複数のピラー相互接続を形成することは、第１のキャビティを備える第１のピラー相互接続を形成することを備える。
【0091】
[0101] 態様２１：複数のピラー相互接続を形成することは、ダイ部分の上に第１のフォトレジスト層を形成し、パターニングすることと、第１のピラー相互接続部を形成することと、第１のフォトレジスト層を除去することと、ダイ部分の上に第２のフォトレジスト層を形成し、パターニングすることと、第１のキャビティが第２のピラー相互接続部内に形成されるように、第１のピラー相互接続部の上に第２のピラー相互接続部を形成することとを備える、態様２０に記載の方法。
【0092】
[0102] 態様２２：複数のピラー相互接続を形成することは、第１のピラー相互接続の第１のキャビティの上に第１のはんだ相互接続を形成することをさらに備える、態様２１に記載の方法。
【0093】
[0103] 態様２３：第１のはんだ相互接続が、第１のピラー相互接続の第１のキャビティ内に少なくとも部分的に配置される、態様２２に記載の方法。
【0094】
[0104] 態様２４：第１のキャビティは、第１のピラー相互接続の高さを部分的に通って延在する、態様２０乃至２３に記載の方法。
【0095】
[0105] 態様２５：第１のピラー相互接続の第１のキャビティを通って延在する平面断面は、Ｏ形状を含む、態様２０乃至２４に記載の方法。
【0096】
[0106] 本明細書で説明された本開示の様々な特徴は、本開示から逸脱することなく、異なるシステムにおいて実現され得る。本開示の前述の態様は、単なる例であり、本開示を限定するものとして解釈されるべきではないことに留意されたい。本開示の態様の説明は、例示的であることが意図されており、特許請求の範囲を限定することは意図されていない。したがって、本教示は、他のタイプの装置に容易に適用することができ、多くの代替、修正、および変形が当業者には明らかであろう。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図6D】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【手続補正書】
【提出日】2024-02-15
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
集積デバイスであって、複数のパッドと、
前記複数のパッドに結合された複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続と
を備えるダイ部分と、
前記複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続に結合された複数のピラー相互接続と、ここにおいて、前記複数のピラー相互接続は、
第１のキャビティと、
前記ダイ部分に最も近い第１のピラー相互接続部の最下部の第１の幅を備える前記第１のピラー相互接続部と、
前記第１の幅よりも小さい第２の幅を備える第２のピラー相互接続部と、前記第１のキャビティが、前記第２のピラー相互接続部に配置される、
を備える第１のピラー相互接続を備える、
を備える、集積デバイス。
【請求項2】
前記複数のピラー相互接続に結合された複数のはんだ相互接続をさらに備える、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項3】
前記複数のはんだ相互接続は、前記第１のピラー相互接続の前記第１のキャビティ内に配置される第１のはんだ相互接続を備える、請求項２に記載の集積デバイス。
【請求項4】
前記第１のピラー相互接続の前記第１のキャビティを通って延在する平面断面は、Ｏ形状を備える、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項5】
前記第１のピラー相互接続は、シルクハットの形状を備える、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項6】
前記集積デバイスは、フリップチップを備える、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項7】
前記ダイ部分は、ダイ基板と、
前記ダイ基板内および／または前記ダイ基板上に形成された複数のトランジスタと
を備える、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項8】
前記第１のピラー相互接続部の前記第１の幅は、前記複数のパッドのうちの第１のパッドの第３の幅よりも大きく、
前記第１のピラー相互接続部は、前記複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続のうちの第１のアンダーバンプメタライゼーション相互接続に直接結合され、
前記複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続のうちの前記第１のアンダーバンプメタライゼーション相互接続は、前記複数のパッドのうちの第１のパッドに結合される、
をさらに備える、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項9】
前記第１のピラー相互接続部の前記第１の幅は、前記複数のパッドのうちの第１のパッドの第３の幅よりも大きい、
をさらに備える、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項10】
前記第１のキャビティは、前記第１のピラー相互接続の高さを部分的に通って延在する、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項11】
パッケージであって、基板と、
複数のピラー相互接続および複数のはんだ相互接続を通して前記基板に結合された集積デバイスと、ここにおいて、前記複数のピラー相互接続は、
第１のキャビティと、
前記集積デバイスに最も近い第１のピラー相互接続部の最下部の第１の幅を備える前記第１のピラー相互接続部と、
前記第１の幅よりも小さい第２の幅を備える第２のピラー相互接続部と、前記第１のキャビティが、前記第２のピラー相互接続部に配置される、
を備える第１のピラー相互接続を備える、
を備える、パッケージ。
【請求項12】
前記複数のはんだ相互接続は、前記第１のピラー相互接続の前記第１のキャビティ内に配置される第１のはんだ相互接続を備える、請求項１１に記載のパッケージ。
【請求項13】
前記第１のはんだ相互接続は、金属間化合物（ＩＭＣ）を備える、請求項１２に記載のパッケージ。
【請求項14】
前記第１のピラー相互接続の前記第１のキャビティを通って延在する平面断面は、Ｏ形状を備える、請求項１１に記載のパッケージ。
【請求項15】
前記複数のピラー相互接続は、前記集積デバイスの一部である、請求項１１に記載のパッケージ。
【請求項16】
前記第１のピラー相互接続は、シルクハットの形状を備える、請求項１１に記載のパッケージ。
【請求項17】
前記パッケージは、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイルフォン、スマートフォン、携帯情報端末、固定位置ターミナル、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、モノのインターネット（ＩｏＴ）デバイス、および自動車車両内のデバイスから成るグループから選択されたデバイスの一部である、請求項１１に記載のパッケージ。
【請求項18】
複数のパッドと、ここにおいて、前記第１のピラー相互接続部の前記第１の幅は、前記複数のパッドのうちの第１のパッドの第３の幅よりも大きい、
複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続と、ここにおいて、前記第１のピラー相互接続部は、前記複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続のうちの第１のアンダーバンプメタライゼーション相互接続に直接結合され、
前記複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続のうちの前記第１のアンダーバンプメタライゼーション相互接続は、前記複数のパッドのうちの前記第１のパッドに結合される、
をさらに備える、請求項１１に記載のパッケージ。
【請求項19】
集積デバイスを製造するための方法であって、複数のパッドと、
前記複数のパッドに結合された複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続と
を備えるダイ部分を提供することと、
前記複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続の上に複数のピラー相互接続を形成することと、ここにおいて、前記複数のピラー相互接続を形成することは、
第１のキャビティと、
前記ダイ部分に最も近い第１のピラー相互接続部の最下部の第１の幅を備える前記第１のピラー相互接続部と、
前記第１の幅よりも小さい第２の幅を備える第２のピラー相互接続部と、前記第１のキャビティが、前記第２のピラー相互接続部に配置される、
を備える第１のピラー相互接続を形成することを備える、
を備える、方法。
【請求項20】
前記複数のピラー相互接続を形成することは、前記ダイ部分の上に第１のフォトレジスト層を形成し、パターニングすることと、
前記第１のピラー相互接続部を形成することと、
前記第１のフォトレジスト層を除去することと、
前記ダイ部分の上に第２のフォトレジスト層を形成し、パターニングすることと、
前記第１のピラー相互接続部の上に前記第２のピラー相互接続部を形成することと、
を備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項21】
前記複数のピラー相互接続を形成することは、前記第１のピラー相互接続の前記第１のキャビティの上に第１のはんだ相互接続を形成することをさらに備える、請求項２０に記載の方法。
【請求項22】
前記第１のはんだ相互接続は、前記第１のピラー相互接続の前記第１のキャビティ内に少なくとも部分的に配置される、請求項２１に記載の方法。
【請求項23】
前記第１のキャビティは、前記第１のピラー相互接続の高さを部分的に通って延在する、請求項１９に記載の方法。
【請求項24】
前記第１のピラー相互接続の前記第１のキャビティを通って延在する平面断面は、Ｏ形状を備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項25】
前記第１のピラー相互接続部の前記第１の幅は、前記複数のパッドのうちの第１のパッドの第３の幅よりも大きく、
前記第１のピラー相互接続部は、前記複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続のうちの第１のアンダーバンプメタライゼーション相互接続に直接結合され、
前記複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続のうちの前記第１のアンダーバンプメタライゼーション相互接続は、前記複数のパッドのうちの第１のパッドに結合される、
をさらに備える、請求項１９に記載の方法。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0096】
[0106] 本明細書で説明された本開示の様々な特徴は、本開示から逸脱することなく、異なるシステムにおいて実現され得る。本開示の前述の態様は、単なる例であり、本開示を限定するものとして解釈されるべきではないことに留意されたい。本開示の態様の説明は、例示的であることが意図されており、特許請求の範囲を限定することは意図されていない。したがって、本教示は、他のタイプの装置に容易に適用することができ、多くの代替、修正、および変形が当業者には明らかであろう。
以下に本願の出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［Ｃ１］
集積デバイスであって、
複数のパッドと、
前記複数のパッドに結合された複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続と
を備えるダイ部分と、
前記複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続に結合された複数のピラー相互接続と、ここにおいて、前記複数のピラー相互接続は、第１のキャビティを備える第１のピラー相互接続を備える、
を備える、集積デバイス。
［Ｃ２］
前記複数のピラー相互接続に結合された複数のはんだ相互接続をさらに備える、Ｃ１に記載の集積デバイス。
［Ｃ３］
前記複数のはんだ相互接続は、前記第１のピラー相互接続の前記第１のキャビティ内に配置される第１のはんだ相互接続を備える、Ｃ２に記載の集積デバイス。
［Ｃ４］
前記第１のピラー相互接続の前記第１のキャビティを通って延在する平面断面は、Ｏ形状を備える、Ｃ１に記載の集積デバイス。
［Ｃ５］
前記第１のピラー相互接続は、
第１の幅を備える第１のピラー相互接続部と、
前記第１の幅とは異なる第２の幅を備える第２のピラー相互接続部と
を備える、Ｃ１に記載の集積デバイス。
［Ｃ６］
前記第１のピラー相互接続の前記第１のキャビティは、前記第２のピラー相互接続部に配置される、Ｃ５に記載の集積デバイス。
［Ｃ７］
前記第１のキャビティは、前記第１のピラー相互接続の高さを部分的に通って延在する、Ｃ１に記載の集積デバイス。
［Ｃ８］
前記第１のピラー相互接続は、シルクハットの形状を備える、Ｃ１に記載の集積デバイス。
［Ｃ９］
前記集積デバイスは、フリップチップを備える、Ｃ１に記載の集積デバイス。
［Ｃ１０］
前記ダイ部分は、
ダイ基板と、
前記ダイ基板内および／または前記ダイ基板上に形成された複数のトランジスタと
を備える、Ｃ１に記載の集積デバイス。
［Ｃ１１］
パッケージであって、
基板と、
複数のピラー相互接続および複数のはんだ相互接続を通して前記基板に結合された集積デバイスと、ここにおいて、前記複数のピラー相互接続は、第１のキャビティを備える第１のピラー相互接続を備える、
を備える、パッケージ。
［Ｃ１２］
前記複数のはんだ相互接続は、前記第１のピラー相互接続の前記第１のキャビティ内に配置される第１のはんだ相互接続を備える、Ｃ１１に記載のパッケージ。
［Ｃ１３］
前記第１のはんだ相互接続は、金属間化合物（ＩＭＣ）を備える、Ｃ１２に記載のパッケージ。
［Ｃ１４］
前記第１のピラー相互接続の前記第１のキャビティを通って延在する平面断面は、Ｏ形状を備える、Ｃ１１に記載のパッケージ。
［Ｃ１５］
前記第１のピラー相互接続は、
第１の幅を備える第１のピラー相互接続部と、
前記第１の幅とは異なる第２の幅を備える第２のピラー相互接続部と
を備える、Ｃ１１に記載のパッケージ。
［Ｃ１６］
前記第１のピラー相互接続の前記第１のキャビティは、前記第２のピラー相互接続部に配置される、Ｃ１５に記載のパッケージ。
［Ｃ１７］
前記複数のピラー相互接続は、前記集積デバイスの一部である、Ｃ１１に記載のパッケージ。
［Ｃ１８］
前記第１のピラー相互接続は、シルクハットの形状を備える、Ｃ１１に記載のパッケージ。
［Ｃ１９］
前記パッケージは、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイルフォン、スマートフォン、携帯情報端末、固定位置ターミナル、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、モノのインターネット（ＩｏＴ）デバイス、および自動車車両内のデバイスから成るグループから選択されたデバイスの一部である、Ｃ１１に記載のパッケージ。
［Ｃ２０］
集積デバイスを製造するための方法であって、
複数のパッドと、
前記複数のパッドに結合された複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続と
を備えるダイ部分を提供することと、
前記複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続の上に複数のピラー相互接続を形成することと、ここにおいて、前記複数のピラー相互接続を形成することは、第１のキャビティを備える第１のピラー相互接続を形成することを備える、
を備える、方法。
［Ｃ２１］
前記複数のピラー相互接続を形成することは、
前記ダイ部分の上に第１のフォトレジスト層を形成し、パターニングすることと、
第１のピラー相互接続部を形成することと、
前記第１のフォトレジスト層を除去することと、
前記ダイ部分の上に第２のフォトレジスト層を形成し、パターニングすることと、
前記第１のキャビティが第２のピラー相互接続部内に形成されるように、前記第１のピラー相互接続部の上に前記第２のピラー相互接続部を形成することと、
を備える、Ｃ２０に記載の方法。
［Ｃ２２］
前記複数のピラー相互接続を形成することは、前記第１のピラー相互接続の前記第１のキャビティの上に第１のはんだ相互接続を形成することをさらに備える、Ｃ２１に記載の方法。
［Ｃ２３］
前記第１のはんだ相互接続は、前記第１のピラー相互接続の前記第１のキャビティ内に少なくとも部分的に配置される、Ｃ２２に記載の方法。
［Ｃ２４］
前記第１のキャビティは、前記第１のピラー相互接続の高さを部分的に通って延在する、Ｃ２０に記載の方法。
［Ｃ２５］
前記第１のピラー相互接続の前記第１のキャビティを通って延在する平面断面は、Ｏ形状を備える、Ｃ２０に記載の方法。
以下に本願の出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［Ｃ１］
集積デバイスであって、
複数のパッドと、
前記複数のパッドに結合された複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続と
を備えるダイ部分と、
前記複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続に結合された複数のピラー相互接続と、ここにおいて、前記複数のピラー相互接続は、第１のキャビティを備える第１のピラー相互接続を備える、
を備える、集積デバイス。
［Ｃ２］
前記複数のピラー相互接続に結合された複数のはんだ相互接続をさらに備える、Ｃ１に記載の集積デバイス。
［Ｃ３］
前記複数のはんだ相互接続は、前記第１のピラー相互接続の前記第１のキャビティ内に配置される第１のはんだ相互接続を備える、Ｃ２に記載の集積デバイス。
［Ｃ４］
前記第１のピラー相互接続の前記第１のキャビティを通って延在する平面断面は、Ｏ形状を備える、Ｃ１に記載の集積デバイス。
［Ｃ５］
前記第１のピラー相互接続は、
第１の幅を備える第１のピラー相互接続部と、
前記第１の幅とは異なる第２の幅を備える第２のピラー相互接続部と
を備える、Ｃ１に記載の集積デバイス。
［Ｃ６］
前記第１のピラー相互接続の前記第１のキャビティは、前記第２のピラー相互接続部に配置される、Ｃ５に記載の集積デバイス。
［Ｃ７］
前記第１のキャビティは、前記第１のピラー相互接続の高さを部分的に通って延在する、Ｃ１に記載の集積デバイス。
［Ｃ８］
前記第１のピラー相互接続は、シルクハットの形状を備える、Ｃ１に記載の集積デバイス。
［Ｃ９］
前記集積デバイスは、フリップチップを備える、Ｃ１に記載の集積デバイス。
［Ｃ１０］
前記ダイ部分は、
ダイ基板と、
前記ダイ基板内および／または前記ダイ基板上に形成された複数のトランジスタと
を備える、Ｃ１に記載の集積デバイス。
［Ｃ１１］
パッケージであって、
基板と、
複数のピラー相互接続および複数のはんだ相互接続を通して前記基板に結合された集積デバイスと、ここにおいて、前記複数のピラー相互接続は、第１のキャビティを備える第１のピラー相互接続を備える、
を備える、パッケージ。
［Ｃ１２］
前記複数のはんだ相互接続は、前記第１のピラー相互接続の前記第１のキャビティ内に配置される第１のはんだ相互接続を備える、Ｃ１１に記載のパッケージ。
［Ｃ１３］
前記第１のはんだ相互接続は、金属間化合物（ＩＭＣ）を備える、Ｃ１２に記載のパッケージ。
［Ｃ１４］
前記第１のピラー相互接続の前記第１のキャビティを通って延在する平面断面は、Ｏ形状を備える、Ｃ１１に記載のパッケージ。
［Ｃ１５］
前記第１のピラー相互接続は、
第１の幅を備える第１のピラー相互接続部と、
前記第１の幅とは異なる第２の幅を備える第２のピラー相互接続部と
を備える、Ｃ１１に記載のパッケージ。
［Ｃ１６］
前記第１のピラー相互接続の前記第１のキャビティは、前記第２のピラー相互接続部に配置される、Ｃ１５に記載のパッケージ。
［Ｃ１７］
前記複数のピラー相互接続は、前記集積デバイスの一部である、Ｃ１１に記載のパッケージ。
［Ｃ１８］
前記第１のピラー相互接続は、シルクハットの形状を備える、Ｃ１１に記載のパッケージ。
［Ｃ１９］
前記パッケージは、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイルフォン、スマートフォン、携帯情報端末、固定位置ターミナル、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、モノのインターネット（ＩｏＴ）デバイス、および自動車車両内のデバイスから成るグループから選択されたデバイスの一部である、Ｃ１１に記載のパッケージ。
［Ｃ２０］
集積デバイスを製造するための方法であって、
複数のパッドと、
前記複数のパッドに結合された複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続と
を備えるダイ部分を提供することと、
前記複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続の上に複数のピラー相互接続を形成することと、ここにおいて、前記複数のピラー相互接続を形成することは、第１のキャビティを備える第１のピラー相互接続を形成することを備える、
を備える、方法。
［Ｃ２１］
前記複数のピラー相互接続を形成することは、
前記ダイ部分の上に第１のフォトレジスト層を形成し、パターニングすることと、
第１のピラー相互接続部を形成することと、
前記第１のフォトレジスト層を除去することと、
前記ダイ部分の上に第２のフォトレジスト層を形成し、パターニングすることと、
前記第１のキャビティが第２のピラー相互接続部内に形成されるように、前記第１のピラー相互接続部の上に前記第２のピラー相互接続部を形成することと、
を備える、Ｃ２０に記載の方法。
［Ｃ２２］
前記複数のピラー相互接続を形成することは、前記第１のピラー相互接続の前記第１のキャビティの上に第１のはんだ相互接続を形成することをさらに備える、Ｃ２１に記載の方法。
［Ｃ２３］
前記第１のはんだ相互接続は、前記第１のピラー相互接続の前記第１のキャビティ内に少なくとも部分的に配置される、Ｃ２２に記載の方法。
［Ｃ２４］
前記第１のキャビティは、前記第１のピラー相互接続の高さを部分的に通って延在する、Ｃ２０に記載の方法。
［Ｃ２５］
前記第１のピラー相互接続の前記第１のキャビティを通って延在する平面断面は、Ｏ形状を備える、Ｃ２０に記載の方法。
【国際調査報告】