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特表2024-530499アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバおよびアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクタ
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-08-21
(54)【発明の名称】アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバおよびアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクタ
(51)【国際特許分類】
C23C 16/455 20060101AFI20240814BHJP
H01L 21/205 20060101ALI20240814BHJP
H01L 21/31 20060101ALI20240814BHJP
【ＦＩ】
C23C16/455
H01L21/205
H01L21/31 B
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024508326
(86)(22)【出願日】2022-08-12
(85)【翻訳文提出日】2024-04-02
(86)【国際出願番号】 FI2022050522
(87)【国際公開番号】W WO2023017212
(87)【国際公開日】2023-02-16
(31)【優先権主張番号】20215853
(32)【優先日】2021-08-13
(33)【優先権主張国・地域又は機関】FI
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】522115871
【氏名又は名称】ベネク・オサケユフティオ
【氏名又は名称原語表記】Ｂｅｎｅｑ Ｏｙ
(74)【代理人】
【識別番号】100145403
【弁理士】
【氏名又は名称】山尾 憲人
(74)【代理人】
【識別番号】100221501
【弁理士】
【氏名又は名称】式見 真行
(74)【代理人】
【識別番号】100187584
【弁理士】
【氏名又は名称】村石 桂一
(72)【発明者】
【氏名】ボスンド，マルクス
(72)【発明者】
【氏名】ソイニネン，ペッカ
(72)【発明者】
【氏名】カルッパネン，エスコ
(72)【発明者】
【氏名】メリライネン，パシ
【テーマコード（参考）】
4K030
5F045
【Ｆターム（参考）】
4K030CA04
4K030CA12
4K030EA03
4K030EA11
4K030GA02
4K030HA01
4K030KA02
4K030LA15
5F045AA03
5F045BB08
5F045DP04
5F045DP19
5F045EB02
5F045EE20
5F045EM08
(57)【要約】
【課題】本発明は、アトミック・レイヤー・デポジッション・チャンバ（２０）およびリアクタ（１０）に関する。
【解決手段】リアクション・チャンバ（２０））は、第１端部（２４）と、第２端部（２６）と、第１および第２端部（２４、２６）の間の長手方向中心軸（Ｘ）と、長手方向中心軸（Ｘ）の長さ（Ｌ）と、リアクション・チャンバ（２０）の幅（Ｗ）を規定する第１側壁（２７）および第２側壁（２８）と、長手方向中心軸（Ｘ）に対して垂直に延びる幅中心軸（Ｙ）とを備える。リアクション・チャンバ（２０）は、長手方向中心軸（Ｘ）に沿って、第１端部（２４）から幅中心軸（Ｙ）に向かって増加する幅（Ｗ）と、幅中心軸（Ｙ）から第２端部（２６）に向かって減少する幅（Ｗ）と、を有する。
【選択図】図１
【解決手段】リアクション・チャンバ（２０））は、第１端部（２４）と、第２端部（２６）と、第１および第２端部（２４、２６）の間の長手方向中心軸（Ｘ）と、長手方向中心軸（Ｘ）の長さ（Ｌ）と、リアクション・チャンバ（２０）の幅（Ｗ）を規定する第１側壁（２７）および第２側壁（２８）と、長手方向中心軸（Ｘ）に対して垂直に延びる幅中心軸（Ｙ）とを備える。リアクション・チャンバ（２０）は、長手方向中心軸（Ｘ）に沿って、第１端部（２４）から幅中心軸（Ｙ）に向かって増加する幅（Ｗ）と、幅中心軸（Ｙ）から第２端部（２６）に向かって減少する幅（Ｗ）と、を有する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１端部（２４）と、第１端部（２４）の反対側の第２端部（２６）と、第１端部（２４）と第２端部（２６）との間に延びる長手方向中心軸（Ｘ）とを備え、長手方向中心軸（Ｘ）における第１端部（２４）と第２端部（２６）との間の長さ（Ｌ）を有しており、第１端部（２４）と第２端部（２６）との間に延びる第１側壁（２７）と、第１側壁（２７）の反対側に有し、第１端部（２４）と第２端部（２６）との間に延びる第２側壁（２８）とを備え、第１側壁（２７）および第２側壁（２８）が、第１端部（２４）と第２端部（２６）との間でリアクション・チャンバ（２０）の幅（Ｗ）を規定し、リアクション・チャンバ（２０）が、第１側壁（２７）と第２側壁（２８）との間で、長手方向中心軸（Ｘ）に対して垂直に延びる幅中心軸（Ｙ）を有しており、
リアクション・チャンバ（２０）内にガスを供給するためのガス・インレット（３０）と、
リアクション・チャンバ（２０）からガスを排出するためのガス・アウトレット（４０）と、を備え、
ガス・インレット（３０）およびガス・アウトレット（４０）は、リアクション・チャンバ（２０）の長手方向中心軸（Ｘ）に沿って間隔を置いて設けられている、アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）であって、
リアクション・チャンバ（２０）は、長手方向中心軸（Ｘ）に沿って、第１端部（２４）から幅中心軸（Ｙ）に向かう方向で増大する幅（Ｗ）を有し、
リアクション・チャンバ（２０）は、長手方向中心軸（Ｘ）に沿って、幅中心軸（Ｙ）から第２端部（２６）に向かう方向で減少する幅（Ｗ）を有し、
リアクション・チャンバ（２０）の長さ（Ｌ）は、幅中心軸（Ｙ）に沿ったリアクション・チャンバ（２０）の幅（Ｗ）よりも大きい、
アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）。
【請求項2】
請求項１に記載のアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）であって、リアクション・チャンバ（２０）は、第１端部（２４）から幅中心軸（Ｙ）まで長手方向中心軸（Ｘ）に沿って増加する幅（Ｗ）を有し、且つ、
リアクション・チャンバ（２０）は、幅中心軸（Ｙ）から第２端部（２６）まで長手方向中心軸（Ｘ）に沿って減少する幅（Ｗ）を有する、
または、
リアクション・チャンバ（２０）は、第１端部（２４）と幅中心軸（Ｙ）との間に幅増加エリア（Ｇ）を備え、幅増加エリア（Ｇ）は、第１端部（２４）から幅中心軸（Ｙ）まで延在し、第１端部（２４）から幅中心軸（Ｙ）まで長手方向中心軸（Ｘ）に沿って増加する幅（Ｗ）を有し、且つ、
リアクション・チャンバ（２０）は、幅中心軸（Ｙ）と第２端部（２６）との間に幅減少エリア（Ｈ）を備え、幅減少エリア（Ｈ）は、幅中心軸（Ｙ）から第２端部（２６）まで延在し、幅中心軸（Ｙ）から第２端部（２６）まで長手方向中心軸（Ｘ）に沿って幅減少（Ｗ）を有する、
アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）。
【請求項3】
請求項２に記載のアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）であって、第１および第２側壁（２７，２８）は、第１端部（２４）から幅中心軸（Ｙ）まで延びる幅増加壁部（３１）を備え、幅増加壁部（３１）は、平面壁部または湾曲壁部であり、且つ、
第１および第２側壁（２７，２８）は、幅中心軸（Ｙ）から第２端部（２６）まで延びる幅減少壁部（４１）を備え、幅減少壁部（４１）は、平面壁部または湾曲壁部であり、
または、
第１および第２側壁（２７，２８）は、幅増加エリア（Ｇ）において幅増加壁部（３１）を備え、幅増加壁部（３１）は、平面壁部または湾曲壁部であり、且つ、
第１および第２側壁（２７，２８）は、幅減少エリア（Ｈ）において幅減少壁部（４１）を備え、幅減少壁部（４１）は、平面壁部または湾曲壁部である、
アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）。
【請求項4】
請求項１に記載のアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）であって、リアクション・チャンバ（２０）は、第１端部（２４）から幅中心軸（Ｙ）に向かう方向において、長手方向中心軸（Ｘ）に沿って増加する幅（Ｗ）を有し、
リアクション・チャンバ（２０）は、幅中心軸（Ｙ）から第２端部（２６）に向かう方向において、長手方向中心軸（Ｘ）に沿って減少する幅（Ｗ）を有し、
リアクション・チャンバ（２０）は、幅中心軸（Ｙ）から第１端部（２４）に向かう方向および幅中心軸（Ｙ）から第２端部（２６）に向かう方向において、長手方向中心軸（Ｘ）に沿って一定の幅（Ｗ）を有し、
または、
リアクション・チャンバ（２０）は、第１端部（２４）と幅中心軸（Ｙ）との間に設けられた幅増加エリア（Ｇ）を備え、幅増加エリア（Ｇ）は、第１端部（２４）から幅中心軸（Ｙ）に向かう方向において、長手方向中心軸（Ｘ）に沿って増加する幅（Ｗ）を有し、
リアクション・チャンバ（２０）は、幅中心軸（Ｙ）と第２端部（２６）との間に設けられた幅減少エリア（Ｈ）を備え、幅減少エリア（Ｈ）は、幅中心軸（Ｙ）から第２端部（２６）に向かう方向において、長手方向中心軸（Ｘ）に沿って減少する幅（Ｗ）を有し、
リアクション・チャンバ（２０）は、幅増加エリア（Ｇ）と幅減少エリア（Ｈ）との間に設けられた幅一定エリア（Ｆ）を備えている、
アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）。
【請求項5】
請求項１～４のいずれか１つに記載のアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）であって、リアクション・チャンバ（２０）は、第１端部（２４）と第２端部（２６）との間、および、ガス・インレット（３０）とガス・アウトレット（４０）との間のリアクション・チャンバ（２０）内に配置された基板ホルダ（５０）を備える、
または、
リアクション・チャンバ（２０）は、第１端部（２４）と第２端部（２６）との間、および、ガス・インレット（３０）とガス・アウトレット（４０）との間のリアクション・チャンバ（２０）内に配置された基板ホルダ（５０）を備え、基板ホルダ（５０）は、リアクション・チャンバ（２０）内で長手方向中心軸（Ｘ）と幅中心軸（Ｙ）との交点に対して対称に配置されている、
アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）。
【請求項6】
請求項５に記載のアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）であって、基板ホルダ（５０）は、幅増加エリア（Ｇ）および幅減少エリア（Ｈ）において長手方向中心軸（Ｘ）の方向に延びるように配置されている、
または、
基板ホルダ（５０）は、幅増加エリア（Ｇ）から幅減少エリア（Ｈ）まで長手方向中心軸（Ｘ）の方向に延びるように配置されている、
または、
基板ホルダ（５０）は、幅増加エリア（Ｇ）、幅減少エリア（Ｈ）および幅一定エリア（Ｆ）において長手方向中心軸（Ｘ）の方向に延びるように配置されている、
または、
基板ホルダ（５０）は、幅増加エリア（Ｇ）から幅一定エリア（Ｆ）を介して幅減少エリア（Ｈ）まで長手方向中心軸（Ｘ）の方向に延びるように配置されている、
アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）。
【請求項7】
請求項５または６に記載のアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）であって、基板ホルダ（５０）は、長手方向中心軸（Ｘ）において第１端部（２４）の反対側に有する前端部（５４）と、第２端部（２６）の反対側に有する後端部（５６）と、を備え、基板ホルダ（５０）は、長手方向中心軸（Ｘ）において前端部（５４）と後端部（５６）との間のリアクション・チャンバ（２０）内に基板ゾーン（Ｚ２）を規定し、
リアクション・チャンバ（２０）は、リアクション・チャンバ（２０）の第１端部（２４）と基板ホルダ（５０）の前端部（５４）との間に、長手方向中心軸（Ｘ）に延びるサプライ・ゾーン（Ｚ１）を備え、ガス・インレット（３０）は、サプライ・ゾーン（Ｚ１）に設けられており、
リアクション・チャンバ（２０）は、リアクション・チャンバ（２０）の第２端部（２６）と基板ホルダ（５０）の後端部（５６）との間に、長手方向中心軸（Ｘ）に延びるディスチャージ・ゾーン（Ｚ３）を備え、ガス・アウトレット（４０）は、ディスチャージ・ゾーン（Ｚ３）に設けられており、
幅増加エリア（Ｇ）は、サプライ・ゾーン（Ｚ１）から基板ゾーン（Ｚ２）まで長手方向中心軸（Ｘ）に延び、幅減少エリア（Ｈ）は、ディスチャージ・ゾーン（Ｚ３）から基板ゾーン（Ｚ２）まで長手方向中心軸（Ｘ）に延びている、
アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）。
【請求項8】
請求項７に記載のアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）であって、幅一定エリア（Ｆ）は、長手方向中心軸（Ｘ）において、基板ゾーン（Ｚ２）内に設けられている、
または、
幅一定エリア（Ｆ）は、長手方向中心軸（Ｘ）において、基板ゾーン（Ｚ２）内に設けられ、基板ゾーン（Ｚ２）は、長手方向中心軸（Ｘ）において、幅一定エリア（Ｆ）よりも大きい長さを有している、
アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）。
【請求項9】
請求項５～８のいずれか１項に記載のアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）であって、幅中心軸（Ｙ）に沿った基板ホルダ（５０）と第１または第２側壁（２７、２８）との間の第１距離（Ｄ１）は、長手方向中心軸（Ｘ）に沿った基板ホルダ（５０）と第１または第２端部（２４、２６）との間の第２距離（Ｄ２）よりも小さい、
アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）。
【請求項10】
請求項５～９のいずれか１つに記載のアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）であって、基板ホルダ（５０）は、１つ以上の円形基板または円形セミコンダクタ・ウェハを支持するように配置されている、
アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）。
【請求項11】
リアクション・チャンバ（２０）は、底壁（２３）と、上壁（２５）と、第１および第２側壁（２７、２８）と、第１および第２端部（２４、２６）とを備え、第１および第２側壁（２７、２８）並びに第１および第２端部（２４、２６）は、底壁（１２３）と上壁（２５）との間に延びている、請求項１～１０のいずれか１つに記載のアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）であって、ガス・インレット（３０）およびガス・アウトレット（４０）が底壁（２３）に設けられ、
または、
ガス・インレット（３０）が第１端部（２４）の近傍で底壁（２３）に設けられ、ガス・アウトレット（４０）が第２端部（２６）の近傍で底壁（２３）に設けられ、
または
ガス・インレット（３０）が第１端部（２４）に設けられ、ガス・アウトレット（４０）が第２端部（２６）に設けられている、
アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）。
【請求項12】
真空チャンバ（９０）と、真空チャンバ（９０）内に配置されたリアクション・チャンバ（２０）と、を備え、
リアクション・チャンバ（２０）は、
第１端部（２４）と、第１端部（２４）の反対側の第２端部（２６）と、第１端部（２４）と第２端部（２６）との間を延びる長手方向中心軸（Ｘ）とを備え、長手方向中心軸（Ｘ）における第１端部（２４）と第２端部（２６）との間が長さ（Ｌ）であり、
第１端部（２４）と第２端部（２６）との間に延びる第１側壁（２７）および第２側壁（２８）と、第１および第２側壁（２７、２８）の間の長手方向中心軸（Ｘ）に対して垂直に延びる幅中心軸（Ｙ）とを備え、幅中心軸（Ｙ）における前記第１及び第２側壁（２７、２８）の間が幅（Ｗ）であり、
リアクション・チャンバ（２０）にガスを供給するガス・インレット（３０）と、
リアクション・チャンバ（２０）からガスを排出するガス・アウトレット（４０）と、
ガス・インレット（３０）およびガス・アウトレット（４０）が、長手方向中心軸（Ｘ）において幅中心軸（Ｙ）の反対側に間隔を隔てて設けられている、
アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクタ（１０）であって、
リアクション・チャンバ（２０）の第１および第２側壁（２７，２８）は、ガス・インレット（３０）から幅中心軸（Ｙ）において長手方向中心軸（Ｘ）に沿って増加する幅（Ｗ）、および幅中心軸（Ｙ）からガス・アウトレット（４０）に向かう方向において長手方向中心軸（Ｘ）に沿って減少する幅（Ｗ）を規定するように配置され、
リアクション・チャンバ（２０）の長さ（Ｌ）は、幅中心軸（Ｙ）に沿ったリアクション・チャンバ（２０）の幅（Ｗ）よりも大きい、
アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクタ（１０）。
【請求項13】
請求項１２に記載のアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクタ（１０）であって、リアクタ（１０）は、
真空チャンバ（９０）の外側からリアクション・チャンバ（２０）に延び、真空チャンバ（９０）の外側からリアクション・チャンバ（２０）にガスを供給するためにガス・インレット（３０）に接続される少なくとも１つのガス・インレット・コネクション（１１０）と、
真空チャンバ（９０）の外側からリアクション・チャンバ（２０）に延び、リアクション・チャンバ（２０）から真空チャンバ（９０）の外側にガスを排出するためのガス・アウトレット（４０）に接続されている少なくとも１つのガス・アウトレット・コネクション（２１０）と、を備えている、
アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクタ（１０）。
【請求項14】
請求項１２または請求項１３に記載のアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクタ（１０）であって、リアクション・チャンバ（２０）は、ガス・インレット（３０）から幅中心軸（Ｙ）に向かう方向に長手方向中心軸（Ｘ）に沿って増加する幅（Ｗ）を有し、
リアクション・チャンバ（２０）は、幅中心軸（Ｙ）からガス・アウトレット（４０）に向かう方向に長手方向中心軸（Ｘ）に沿って減少する幅（Ｗ）を有し、
リアクション・チャンバ（２０）は、幅中心軸（Ｙ）からガス・インレット（３０）に向かう方向および幅中心軸（Ｙ）からガス・アウトレット（４０）に向かう方向において、長手方向中心軸（Ｘ）に沿って一定の幅（Ｗ）を有している、
アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクタ（１０）。
【請求項15】
請求項１２～１４のいずれか１つに記載のアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクタ（１０）であって、請求項１～１１のいずれか１つに記載のリアクション・チャンバ（２０）を備える、
アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクタ（１０）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（原子層堆積反応チャンバ）に関し、より詳細には、請求項１のプリアンブルに記載のリアクション・チャンバに関する。本発明はさらに、アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクタ、より詳細には、請求項１２のプリアンブルに記載のリアクタに関する。
【背景技術】
【0002】
アトミック・レイヤー・デポジッション（ＡＬＤ）プロセスと１つのＡＬＤサイクルは、１つの単層を生成するための４回のガス交換で構成される。したがって、ＡＬＤサイクル時間は成長率の制限要因となる。さらに、サイクル時間は、パルス化学物質を基板表面にどれだけ速く分配（distributed）できるか、および残留ガスがどれだけ速く表面からパージされるかによって決まる。良好なガス交換と高品質を実現するには、基板表面全体に均一なガス・フローを実現する必要がある。基板全体にわたるガス・フローが不均一である場合、それはガス・フローが基板表面の異なる部分で異なっていることを意味する。ガス・フローが不均一であるため、１回の ＡＬＤサイクル中のガスの投与量を増やす必要があり、サイクル時間とリアクション・チャンバ内のガスの滞留時間を増やす必要がある。これにより、プロセス時間が遅くなり、効率が低下し、材料効率も低下する。
【0003】
先行技術のリアクション・チャンバとＡＬＤリアクタでは、均一なガス・フロー、短いサイクルタイム、良好な材料効率が損なわれている。これは特に、シリコンウェーハのような丸い形状の基板を加工する場合に顕著である。丸い形状の基板を加工する場合、丸い基板の中央部よりも端部の方が、ガスが交換されやすい。
【0004】
図２は、先行技術におけるアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクタ１０のアトミック・レイヤー・デポジッション・チャンバ２０を示す。図２のリアクション・チャンバ２０は、リアクション・チャンバ２０の反対側に第１端部２４と第２端部２６を有する。リアクション・チャンバ２０は、さらに、第１端部２４の近傍にガス・インレット３０を備え、第２端部２６の近傍にガス・アウトレット４０を備える。ガス・インレット３０とガス・アウトレット４０はリアクション・チャンバ２０の底部２２に設けられている。ガス・インレット３０とガス・アウトレット４０の間には、１枚以上の円形基板を支持するための基板ホルダ５０が配置されている。ガスは、ガス・インレット３０からガス・アウトレット４０までリアクション・チャンバ２０内を流れるように、ガス・インレット３０から供給され、ガス・アウトレット４０から排出される。ガス・インレット３０とガス・アウトレット４０の間のガス・フローは、１つまたは複数の円形基板の表面を横切って流れる。
【0005】
先行技術のリアクション・チャンバ２０では、図２に示すように、リアクタ・ウォールは、第１端部２４と第２端部２６との間の方向、またはガス・インレット３０とガス・アウトレット４０との間の方向で直線状である。ガス・フローのガス分子は、ガス・インレット３０からガス・アウトレットまでの２つのフロー・パス、第１フロー・パスＡと第２・フロー・パスＢを有する。ガス・インレット３０から供給されるガスは、フロー・パスＡのコンダクタンスがフロー・パスＢに比べて小さいため、フロー・パスＡを通る傾向がある。したがって、ガス分子の大部分はフロー・パスＡを通り、ガス分子がリアクション・チャンバの側壁付近や円形基板の端部付近から流れるためバイパス効果が生じる。少量のガス分子は、フロー・パスＢを流れる。これと同じバイパス効果は、円形のリアクション・チャンバでも起こる。基板表面のほんのわずかなエリアだけが、ガス・インレット３０とガス・アウトレット４０の間のリアクション・チャンバの側壁に近いため、バイパス効果は、円形基板の場合に特に問題となる。さらに、図２のリアクション・チャンバには、リアクション・チャンバ２０内のガス・フローを遅くするガス・ポケットがある。
【0006】
従来技術のリアクション・チャンバ２０のバイパス効果は、前駆体分子の大部分がコーティングされる基板表面をバイパスし、ガス・アウトレット４０に直接流れるため、前駆体ガスの経済性を低下させる。従って、前駆体分子のほんの一部だけがフロー・パスＢをたどるという事実により、リアクション・チャンバ２０の中央部分で前駆体ガスの用量不足が発生する。用量が不足していると、基板表面および基板表面に設けられたコーティングにさらなる均一性の問題が発生する。リアクション・チャンバ２０の中央部分の用量不足をリアクション・チャンバ２０に供給される前駆体の高過量で補う場合、パージすべき前駆体分子が存在するため、リアクション・チャンバ２０のパージにはより長い時間がかかる。したがって、ＡＬＤサイクル時間が延長され、材料効率だけでなくプロセスの効率も損なわれる。
【発明の概要】
【0007】
本発明の目的は、従来技術の欠点を解決または少なくとも軽減するアトミック・レイヤー・デポジッション・チャンバおよびアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクタを提供することである。
【0008】
本発明の目的は、独立請求項１に記載されたことを特徴とするアトミック・レイヤー・デポジッション・チャンバによって達成される。本発明の目的はさらに、独立請求項１２に記載されることを特徴とするアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクタによって達成される。
【0009】
本発明の好ましい実施形態は、従属請求項に開示されている。
【0010】
本発明は、第１端部と、第１端部とは反対側の第２端部と、第１端部と第２端部との間に延びる長手方向の中心軸と、長手方向中心軸の方向における第１端部と第２端部との間の長さとを備えるアトミック・レイヤー・デポジッション・チャンバを提供するという考えに基づいている。リアクション・チャンバはさらに、第１端部と第２端部との間に延びる第１側壁と、第１側壁の反対側にあり第１端部と第２端部との間に延びる第２側壁とを備え、第１側壁と第２側壁は、第１端部と第２端部との間のリアクション・チャンバの幅を画定し、リアクション・チャンバは、第１側壁と第２側壁との間に延び、長手方向中心軸に対して垂直な幅中心軸を有する。リアクション・チャンバはまた、リアクション・チャンバにガスを供給するためのガス・インレットと、リアクション・チャンバからガスを排出するためのガス・アウトレットとを備える。ガス・インレットおよびガス・アウトレットは、リアクション・チャンバの長手方向中心軸に沿って間隔を置いて設けられる。
【0011】
本発明によれば、リアクション・チャンバは、長手方向中心軸に沿って、第１端部から幅中心軸に向かう方向に増加する幅を有する。リアクション・チャンバはまた、長手方向中心軸に沿って、幅中心軸から第２端部に向かう方向に減少する幅を有する。リアクション・チャンバの長さは、幅中心軸に沿ったリアクション・チャンバの幅よりも大きい。
【0012】
第１端部と第２端部との間の方向に増加する幅と減少する幅を有するリアクション・チャンバは、側壁を基板から非常に短い距離に配置することを可能にする。さらに、幅の増減により、リアクション・チャンバの側壁を円形基板の外縁に部分的に沿わせて配置することが可能となる。さらに、幅よりも大きな長さによって提供される楕円形または楕円形のような形状は、前駆体ガス分子が基板に接触する前に拡散するのに十分な時間と空間を有する様に、第１および第２端部の方向において基板からガス・インレットの間に十分な距離を形成することを可能にする。したがって、バイパス効果は最小限に抑えられる。
【0013】
一実施形態では、リアクション・チャンバは、長手方向中心軸に沿って第１端部から幅中心軸まで増加する幅と、長手方向中心軸に沿って幅中心軸から第２端部まで減少する幅を有する。
【0014】
したがって、リアクション・チャンバの幅は、第１端部から幅中心軸に向かって増加し、幅中心軸から第２端部に向かって減少する。
【0015】
別の実施形態において、リアクション・チャンバは、第１端部と幅中心軸との間に幅増加エリアを備え、幅増加エリアは、第１端部から幅中心軸まで延び、第１端部から幅中心軸まで長手方向中心軸に沿って幅増加を有する。リアクション・チャンバは、幅中心軸と第２端部との間に幅減少エリアをさらに備え、幅減少エリアは、幅中心軸から第２端部まで延び、幅中心軸から第２端部まで長手方向中心軸に沿って幅減少を有する。
【0016】
幅増加エリアと幅減少エリアは、楕円形または楕円形のようなリアクション・チャンバとして提供され、良好な前駆体流の均一性と、第１端部と第２端部の間、またはガス・インレットとガス・アウトレットの間の速いフローを可能にする。
【0017】
一実施形態では、第１および第２側壁は、第１端部から幅中心軸まで延びる増加する幅の壁部分を備える。幅増加壁部分は、平面壁部分または湾曲壁部分である。第１および第２側壁は、幅中心軸から第２端部まで延びる幅が減少する壁部分を備える。幅減少壁部分は、平面壁部分または湾曲壁部分である。
【0018】
直線的に増減する壁部は、シンプルなリアクション・チャンバ構造を提供する。
【0019】
湾曲して増減する壁部は、円形基板の形状により近いリアクション・チャンバ形状を提供する。
【0020】
別の実施形態では、第１および第２側壁は、幅増加エリア内に幅増加壁部分を含む。幅増加壁部分は、平面壁部分または湾曲壁部分である。第１および第２側壁は、幅減少エリア内に幅減少壁部分を含む。幅減少壁部分は、平面壁部分または湾曲壁部分である。
【0021】
直線的に幅が増減するエリアは、シンプルなリアクション・チャンバ構造を提供する。
【0022】
湾曲して幅が増減するエリアは、円形基板の形状により近いリアクション・チャンバ形状を提供する。
【0023】
一実施形態では、リアクション・チャンバは、第１端部から幅中心軸に向かう方向において長手方向中心軸に沿って増加する幅と、幅中心軸から第２端部に向かう方向において長手方向中心軸に沿って減少する幅とを有する。リアクション・チャンバはさらに、幅中心軸から第１端部に向かう方向および幅中心軸から第２端部に向かう方向に、長手方向中心軸に沿って一定の幅を有する。リアクション・チャンバはさらに、幅中心軸から第１端部に向かう方向および幅中心軸から第２端部に向かう方向に、長手方向中心軸に沿って一定の幅を有する。
【0024】
幅増加と幅減少との間の一定の幅は、より均一で安定したガス・フローの提供を強化することができる。さらに、基板ホルダをリアクション・チャンバ内にさらに容易に配置することができる。
【0025】
別の実施形態では、リアクション・チャンバは、第１端部と幅中心軸との間に設けられた幅増加エリアを備える。幅増加エリアは、第１端部から幅中心軸に向かう方向で長手方向中心軸に沿った増加する幅を含む。リアクション・チャンバは、幅中心軸と第２端部との間に設けられた幅減少エリアを備える。幅減少エリアは、長手方向中心軸に沿って、幅中心軸から第２端部に向かう方向に減少する幅を含む。リアクション・チャンバは、幅増加エリアと幅減少エリアとの間に設けられた幅一定エリアをさらに備える。
【0026】
幅増加エリアと幅減少エリアとの間の幅一定エリアは、より均一で安定したガス・フローの提供を強化することができる。さらに、幅一定エリアは、基板ホルダにとって構造的に良好な位置を提供する。
【0027】
一実施形態では、リアクション・チャンバは、リアクション・チャンバ内で第１端部と第２端部との間、およびガス・インレットとガス・アウトレットとの間に配置された基板ホルダを備える。
【0028】
別の実施形態では、リアクション・チャンバは、リアクション・チャンバ内で第１端部と第２端部との間、およびガス・インレットとガス・アウトレットとの間に配置された基板ホルダを備える。基板ホルダは、リアクション・チャンバ内において長手方向中心軸と幅中心軸との交点に対して対称に配置される。
【0029】
したがって、基板ホルダは、基板ホルダを通る高速かつ均一なガス・フローにより幅増加エリアおよび幅減少エリアの利点がある。
【0030】
一実施形態では、基板ホルダは、幅増加エリアおよび幅減少エリアにおいて長手方向中心軸の方向に延在するように配置される。
【0031】
別の実施形態では、基板ホルダは、幅増加エリアから幅減少エリアまで長手方向中心軸の方向に延在するように配置される。
【0032】
したがって、基板は、リアクション・チャンバの側壁が基板の縁部の近くに設けられるように、幅増加エリアおよび幅減少エリアまで延在するように配置することもできる。
【0033】
さらなる実施形態では、基板ホルダは、幅増加エリア、幅減少エリア、および幅一定エリアにおいて長手方向中心軸の方向に延在するように配置される。
【0034】
さらに別の実施形態では、基板ホルダは、幅増加エリアから幅一定エリアを介して幅減少エリアまで長手方向中心軸の方向に延在するように配置される。
【0035】
したがって、基板は、リアクション・チャンバの側壁がガス・インレットおよびガス・アウトレットに向かう方向においても基板の縁部に近接して設けられるように、幅一定エリアから幅増加エリアおよび幅減少エリアへと延びるように配置することもできる。
【0036】
一実施形態では、基板ホルダは、長手方向中心軸の方向に、第１端部の反対側の前端部と、第２端部の反対側の後端部とを備える。基板ホルダは、長手方向中心軸の前端部と後端部との間のリアクション・チャンバ内に基板ゾーンを画定する。リアクション・チャンバはまた、リアクション・チャンバの第１端部と基板ホルダの前端部との間で長手方向中心軸方向に延びるサプライ・ゾーンを備える。ガス・インレットはサプライ・ゾーンに設けられる。リアクション・チャンバは、リアクション・チャンバの第２端部と基板ホルダの後端部との間で長手方向中心軸の方向に延びるディスチャージ・ゾーンをさらに備える。ガス・アウトレットは、ディスチャージ・ゾーンに設けられる。幅増加エリアは、サプライ・ゾーンから基板ゾーンまで長手中心軸の方向に延在し、幅減少エリアは、ディスチャージ・ゾーンから基板ゾーンまで長手中心軸の方向に延在する。
【0037】
したがって、基板エリアは、長手中心軸方向において、幅増加エリアおよび幅減少エリアと重なっている。 したがって、リアクション・チャンバの側壁は、基板エリア内の基板の端に近い。
【0038】
一実施形態では、幅一定エリアは、基板ゾーン内に長手方向中心軸の方向に設けられる。
【0039】
別の実施形態では、幅一定エリアは長手方向中心軸の方向で基板ゾーン内に設けられ、基板ゾーンは長手方向中心軸の方向で幅一定エリアよりも長い長さを有する。
【0040】
したがって、基板エリア内で均一なガス・フローが実現される。
【0041】
一実施形態では、幅中心軸に沿った基板ホルダと第１または第２側壁との間の第１距離は、長手方向中心軸に沿った基板ホルダと第１または第２端部との間の第２距離よりも小さい。
【0042】
したがって、基板はリアクション・チャンバの側壁に近くなり、ガス・インレット／ガス・アウトレットと基板ホルダとの間により大きな空間および距離を設けることができる。
【0043】
一実施形態では、基板ホルダは、１つ以上の円形基板または円形半導体ウェハを支持するように配置される。
【0044】
本発明のリアクション・チャンバは、幅の増減により円形基板とリアクション・チャンバの側壁との間の距離を最小限に抑えることができるため、円形基板に特に適している。
【0045】
いくつかの実施形態では、リアクション・チャンバは、底壁、上壁、第１および第２側壁、ならびに第１および第２端部を備える。第１および第２側壁、ならびに第１および第２端部は、底壁と上壁との間に延在する。
【0046】
一実施形態では、ガス・インレットおよびガス・アウトレットは底壁に設けられる。 これにより、シンプルなリアクション・チャンバの構築が可能となる。
【0047】
別の実施形態では、ガス・インレットは第１端部の近くの底壁に設けられ、ガス・アウトレットは第２端部の近くの底壁に設けられる。これにより、ガス・インレット／ガス・アウトレットと基板ホルダまたは基板の間に大きな距離が得られ、同時にリアクション・チャンバの構造もシンプルになる。
【0048】
さらなる実施形態では、ガス・インレットは第１端部に設けられ、ガス・アウトレットは第２端部に設けられる。これにより、ガス・インレット／ガス・アウトレットと基板ホルダまたは基板の間に大きな距離が得られる。
【0049】
本発明はさらに、真空チャンバと、真空チャンバ内に配置されたリアクション・チャンバとを備えるアトミック・レイヤー・デポジション・リアクタに関する。リアクション・チャンバは、第１端部と、第１端部の反対側の第２端部と、第１端部と第２端部との間に延びる長手方向の中心軸と、長手方向の中心軸に沿った第１端部と第２端部との間の長さを備える。リアクション・チャンバはまた、第１端部と第２端部との間に延びる第１側壁および第２側壁と、第１側壁と第２側壁との間の長手方向中心軸に対して垂直に延びる幅中心軸と、幅中心軸の方向における第１側壁と第２側壁との間の幅とを備える。リアクション・チャンバは、リアクション・チャンバ内にガスを供給するためのガス・インレットと、リアクション・チャンバからガスを排出するためのガス・アウトレットとをさらに備える。ガス・インレットとガス・アウトレットは、幅中心軸を挟んで長手中心軸方向の反対側に間隔を隔てて設けられている。
【0050】
本発明によれば、リアクション・チャンバの第１および第２側壁は、ガス・インレットから幅中心軸に向かう方向において長手方向中心軸に沿って増加する幅と、幅中心軸からガス・アウトレットに向かう方向において長手方向中心軸に沿って減少する幅とを画定するように配置され、リアクション・チャンバの長さは、幅中心軸に沿ったリアクション・チャンバの幅よりも大きい。
【0051】
ガス・インレットとガス・アウトレットとの間の方向における増加する幅および減少する幅により、側壁を基板、特に円形基板の外縁から非常に短い距離に配置することが可能になる。さらに、幅よりも長い長さによって提供される楕円形または楕円形のような形状は、前駆体ガス分子が基板に接触する前に拡散するのに十分な時間と空間を有するように、長手方向中心軸の方向において基板からガス・インレットの間に十分な距離を形成することを可能にする。したがって、バイパス効果は最小限に抑えられる。
【0052】
一実施形態では、リアクタは、真空チャンバの外側からリアクション・チャンバに延び、真空チャンバの外側からリアクション・チャンバにガスを供給するためにガス・インレットに接続される少なくとも１つのガス・インレット・コネクションと、真空チャンバの外側からリアクション・チャンバに延び、リアクション・チャンバから真空チャンバの外側にガスを排出するためにガス・アウトレットに接続される少なくとも１つのガス・アウトレット・コネクションとを備える。
【0053】
したがって、リアクション・チャンバへのガスの供給および排出は、真空チャンバの外で行われる。リアクション・チャンバ内に制御された安全な処理環境が生成される。
【0054】
一実施形態では、リアクション・チャンバは、ガス・インレットから幅中心軸に向かう方向に長手方向中心軸に沿って増加する幅を有する。リアクション・チャンバは、長手方向中心軸に沿って、幅中心軸からガス・アウトレットに向かう方向に減少する幅を有する。リアクション・チャンバはさらに、幅中心軸からガス・インレットに向かう方向、および幅中心軸からガス・アウトレットに向かう方向において、長手方向中心軸に沿って一定の幅を有する。
【0055】
リアクタのリアクション・チャンバは、上述で開示したようなリアクション・チャンバであってよい。
【0056】
本発明の利点は、ガス・インレットとガス・アウトレットとの間の方向、および長手方向中心軸の方向において、増加する幅および減少する幅が、側壁を基板、特に円形基板の外縁から非常に短い距離に配置することを可能にすることである。さらに、幅よりも長さの方が大きいことにより、楕円形または楕円形のような形状が得られるため、長手方向の中心軸の方向において、基板からガス・インレットまでの間に十分な距離を形成することができ、前駆体ガス分子が基板に接触する前に広がる十分な時間と空間を確保することができる。したがって、バイパス効果は最小限に抑えられる。同時に、リアクション・チャンバ内にガス・ポケットのない良好な流動力学が達成されるため、かなりの過剰量を利用する必要がなく、リアクションのパージを短時間で行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【0057】
本発明を、添付の図面を参照して、具体的な実施形態によって詳細に説明される。
【0058】
【図1】アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクタの概略図を示す。
【図2】従来技術のアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバを概略的に示す図である。
【図3】本発明に係るアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバの一実施形態を概略的に示す図である。
【図4】本発明に係るアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバの一実施形態を概略的に示す図である。
【図5】本発明に係るアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバの一実施形態を概略的に示す図である。
【図6】本発明に係るアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバの一実施形態を概略的に示す図である。
【図7】本発明に係るアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバの一実施形態を概略的に示す図である。
【図8】本発明に係るアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバの一実施形態を概略的に示す図である。
【図9】本発明に係るアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバの別の実施形態を概略的に示す図である。
【図10】本発明に係るアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバの別の実施形態を概略的に示す図である。
【図11】本発明に係るアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバの別の実施形態を概略的に示す図である。
【図12】本発明に係るアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバの別の実施形態を概略的に示す図である。
【図13】本発明に係るアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバのさらなる実施形態を概略的に示す図である。
【図14】本発明に係るアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバのさらなる実施形態を概略的に示す図である。
【図15】本発明に係るアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバのさらに別の実施形態を概略的に示す図である。
【図16】本発明に係るアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバのさらに別の実施形態を概略的に示す図である。
【図17】本発明に係るアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバの代替実施形態を概略的に示す図である。
【図18】本発明に係るアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバの変形例を概略的に示す図である。
【図19】本発明に係るアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバの変形例を概略的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0059】
図１は、アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクタ１０を概略的に示す。リアクタ１０は、真空チャンバ９０を備える。真空チャンバ９０は、かなりの圧力に耐えるように構築されている。真空デバイス９２は、真空チャンバ９０に接続されており、真空チャンバ９０内に真空または加圧状態を提供するように配置されている。真空デバイス９２は、真空コネクション９４を介して真空チャンバ９０に接続されている。
【0060】
真空デバイス９２は、真空チャンバ９０内を真空または加圧状態にすることができる真空ポンプなどの装置である。真空デバイス９２は、真空チャンバ９０の外部に配置されている。
【0061】
リアクタ１０は、真空チャンバ９０の内部に配置されたリアクション・チャンバ２０をさらに備える。基板はリアクション・チャンバ２０内で処理される。
【0062】
リアクション・チャンバ２０は、第１端部２４と、第１端部２４の反対側の第２端部２６と、第１端部２４と第２端部２６との間に延びる第１側壁２７と第２側壁２８とを備える。リアクション・チャンバ２０は、第１端部２４と第２端部２６との間の長さと、第１側壁２７と第２側壁２８との間の幅を有する。
【0063】
リアクション・チャンバ２０はさらに、底壁２３および上壁２５を備える。第１端部２４、第２端部２６、第１側壁２７、および第２側壁２８は、底壁２３と上壁２５との間に延びる。
【0064】
リアクション・チャンバ２０は、壁２３、２５、２４、２６、２７、２８によって画定されるリアクション・スペース２１を有する。
【0065】
リアクション・チャンバ２０には、前駆体ガス、パージ・ガスなどがリアクション・チャンバ２０内に供給されるガス・インレット３０が設けられている。いくつかの実施形態では、１つ以上のガス・インレット３０を有する。
【0066】
ガス・インレット３０は、前駆体ガス・ソースおよびパージ・ガス・ソースなどの１つまたは複数のガス・ソース１００に接続される。ガス・ソース１００は、リアクション・チャンバ２０の外部および真空チャンバ９０の外部に配置されている。ガス・ソース１００は、リアクション・チャンバ２０内にガスを供給するためのガス・インレット３０に接続されている。これにより、真空チャンバ９０の外部からリアクション・チャンバ２０内にガスが供給される。ガス・ソース１００は、ガス・サプライ・コネクション１１０を介してガス・インレット３０に接続されている。ガス・サプライ・コネクション１１０は、ガス・ソース１００から、真空チャンバ９０の外側からリアクション・チャンバ２０およびガス・インレット３０まで延びている。ガス・ソース１００は、ガス・ボトルなどであってもよい。
【0067】
また、リアクション・チャンバ２０には、リアクション・チャンバ２０内から前駆体ガスやパージ・ガスなどが排出されるガス・アウトレット４０が設けられている。いくつかの実施形態では、１つ以上のガス・アウトレット４０を有する。
【0068】
ガス・アウトレット４０は、ディスチャージ・デバイス２００に接続されている。ディスチャージ・デバイス２００は、リアクション・チャンバ２０の外部かつ真空チャンバ９０の外部に配置されている。ディスチャージ・デバイス２００は、リアクション・チャンバ２０内にガスを排出するためのガス・アウトレット４０に接続されている。これにより、ガスがリアクション・チャンバ２０から真空チャンバ９０の外に排出される。ディスチャージ・デバイス２００は、ガス・ディスチャージ・コネクション２１０を用いてガス・アウトレット４０に接続されている。ガス・ディスチャージ・コネクション２１０は、ディスチャージ・デバイス２００から真空チャンバ９０の外側からリアクション・チャンバ２０およびガス・アウトレット４０まで延びている。
【0069】
したがって、前駆体ガスおよびパージ・ガスなどのガスは、ガス・インレット３０からガス・アウトレット４０までリアクション・チャンバ２０内を流れる。処理される基板は、ガス・インレット３０とガス・アウトレット４０との間のリアクション・チャンバ２０内に配置される。
【0070】
リアクション・チャンバ２０にはさらに、処理のために１つ以上の基板が配置され支持される基板ホルダが設けられる。基板ホルダは、ガス・インレット３０とガス・アウトレット４０の間の基板ホルダを通ってガスが流れ、基板の表面がガスに曝されるように、ガス・インレット３０とガス・アウトレット４０の間に配置される。
【0071】
ガス・インレット３０およびガス・アウトレット４０は、それぞれ、底壁２３の第１端部２４および第２端部２６の近傍に設けられている。
【0072】
あるいは、ガス・インレット３０およびガス・アウトレット４０は、それぞれ第１端部２４および第２端部２６の近傍の上壁２５に設けられる。
【0073】
代替実施形態では、ガス・インレット３０およびガス・アウトレット４０は、それぞれ第１端部２４および第２端部２６に設けられる。
【0074】
したがって、ガス・インレット３０とガス・アウトレット４０は、リアクション・チャンバ２０内において、第１端部２４と第２端部２６との間の方向に互いに離間して設けられる。したがって、基板はガス・インレット３０とガス・アウトレット４０の間に配置され得る。
【0075】
本発明において、リアクション・チャンバ２０は、略楕円形または楕円形のような形状を有する。これは、第１端部２４と第２端部２６との間のリアクション・チャンバ２０の長さが、リアクション・チャンバ２０の幅または最大幅よりも大きいことを意味する。さらに、楕円のような形状は、リアクション・チャンバ２０の幅が、第１端部２４から第２端部２６に向かう方向において、リアクション・チャンバの長さの少なくとも一部に沿って増加することを意味し、そして、リアクション・チャンバ２０の幅が、第２端部２６から第１端部２４に向かう方向において、リアクション・チャンバの長さの少なくとも一部に沿って増加することを意味する。したがって、リアクション・チャンバ２０の幅は、第１端部２４から第２端部２６からリアクション・チャンバ２０の中心に向かう方向に増加する。リアクション・チャンバ２０の幅は、リアクション・チャンバ２０の側壁によって画定される。
【0076】
リアクション・チャンバ２０の楕円形または楕円形のような形状は、第１端部２４と第２端部２６との間に形成される。あるいは、楕円形または楕円形のような形状は、少なくともガス・インレット３０とガス・アウトレット４０との間に形成される。
【0077】
【0078】
本発明の代替実施形態では、ガス・インレット３０およびガス・アウトレット４０は、それぞれリアクション・チャンバ２０の上壁２５または第１端部２４および第２端部２６に設けられる。本発明は、ガス・インレット３０とガス・アウトレット４０の正確な位置に限定されない。
【0079】
さらに、一般に、リアクション・チャンバ２０は、第１端部２４と第２端部２６との間の長さＬを有する。リアクション・チャンバ２０はまた、リアクション・チャンバ２０の長さ方向に、かつ第１端部２４と第２端部２６との間の方向に延びる長手方向中心軸Ｘを備える。
【0080】
第１および第２側壁２７、２８は、リアクション・チャンバ２０の幅Ｗを画定する。本発明に係るリアクション・チャンバ２０では、リアクション・チャンバ２０の幅Ｗが長手方向中心軸Ｘに沿って変化する。リアクション・チャンバ２０はまた、第１側壁２７と第２側壁２８との間の方向に、かつ長手方向中心軸Ｘに対して垂直に延びる幅中心軸Ｙを備える。
【0081】
長手方向中心軸Ｘはリアクション・チャンバの長さ方向に延び、幅中心軸Ｙは、リアクション・チャンバの幅方向に延びる。
【0082】
長手方向中心軸Ｘは、リアクション・チャンバ２０を長さ方向に２等分する。幅中心軸Ｙは、リアクション・チャンバ２０を幅方向に２等分する。
【0083】
図３は、本発明に係るリアクション・チャンバ２０の一実施形態を上方から示している。リアクション・チャンバ２０は、略楕円形または楕円形のような形状を有する。
【0084】
図３に示すリアクション・チャンバは、第１端部２４と第２端部２６と、第１端部２４と第２端部２６の間に延びる第１側壁２７と、第１側壁２７に対向し、第１端部２４と第２端部２６の間に延びる第２側壁２８と、を備える。
【0085】
本実施形態では、ガス・インレット３０およびガス・アウトレットは、底壁２３に設けられている。
【0086】
リアクション・チャンバ２０内には、第１端部２４と第２端部２６との間、より具体的にはガス・インレット３０とガス・アウトレット４０との間に、基板ホルダ５０が配置されている。基板ホルダ５０は、処理中に１つまたは複数の基板、特に円形の基板を保持するように配置される。
【0087】
図３の矢印ＡおよびＢは、リアクション・チャンバ２０内のガス・インレット３０からガス・アウトレット４０へのガスの流れを表す。リアクション・チャンバ２０の楕円形または楕円形のような形状により、リアクション・チャンバ２０または底壁２３を横切るガス・インレット３０とガス・アウトレット４０との間に均一な流れが生じる。より均一な量のガス分子は、側壁２７、２８に沿った長いフロー・パスＡと、ガス・インレット３０からガス・アウトレット４０までの直線的なフロー・パスＢを通る。
【0088】
図４に示すように、リアクション・チャンバ２０は、第１端部２４から第１および第２側壁２７、２８によって画定される幅中心軸Ｙまで長手方向中心軸Ｘに沿って増加する幅Ｗを備える。さらに、リアクション・チャンバ２０は、長手方向中心軸Ｘに沿って幅中心軸Ｙから第２端部２６まで減少する幅Ｗを有する。したがって、リアクション・チャンバ２０は、長手方向中心軸Ｘに沿った幅中心軸Ｙにおいて最大の幅を有する。
【0089】
したがって、リアクション・チャンバ２０は、第１端部２４から幅中心軸Ｙまでの長手方向中心軸Ｘに沿って、第１端部２４と幅中心軸Ｙとの間に幅増加エリアＧを備える。同様に、リアクション・チャンバ２０は、図４に示すように、幅中心軸Ｙと長手方向中心軸Ｘに沿った第２端部２６との間に幅減少エリアＨを含む。
【0090】
図５は、リアクション・チャンバ２０内の基板ホルダ５０を示す。リアクション・チャンバ２０の楕円形または楕円形のような形状は、幅中心軸Ｙに沿って基板ホルダ５０と第１および第２側壁２７、２８との間に第１距離Ｄ１を有し、長手方向中心軸Ｘに沿って基板ホルダ５０と第１および第２端部２４、２６との間に第２距離Ｄ２を有するように配置される。リアクション・チャンバ２０の楕円形または楕円形のような形状は、第２距離Ｄ２が第１距離Ｄ１よりも大きくなるように配置される。これにより、第１距離Ｄ１を大きくすることなく、バイパス効果を排除するとともに、ガス・インレット３０およびガス・アウトレット４０のサイズを大きくすることができる。
【0091】
図６に示すように、基板ホルダ５０は、第１端部２４と第２端部２６との間、およびガス・インレット３０とガス・アウトレット４０との間に配置される。
【0092】
基板ホルダ５０は、長手方向中心軸Ｘと幅中心軸Ｙとの断面において、リアクション・チャンバ２０の中央に配置されることが好ましい。
【0093】
基板ホルダ５０は、長手方向中心軸Ｘの方向に、第１端部２４の反対側の前端部５４と、第２端部２６の反対側の後端部５６とを備える。基板ホルダ５０は、長手方向中心軸Ｘにおける前端部５４と後端部５６との間のリアクション・チャンバ２０内に基板ゾーンＺ２を画定する。
【0094】
リアクション・チャンバ２０は、リアクション・チャンバ２０の第１端部２４と基板ホルダ５０の前端部５４との間で長手方向中心軸Ｘの方向に延在するサプライ・ゾーンＺ１をさらに備える。ガス・インレット３０は、サプライ・ゾーンＺ１に設けられている。リアクション・チャンバ２０はまた、リアクション・チャンバ２０の第２端部２６と基板ホルダ５０の後端部５６との間で長手方向中心軸Ｘの方向に延びるディスチャージ・ゾーンＺ３を備える。ガス・アウトレット４０は、ディスチャージ・ゾーンＺ３に設けられている。
【0095】
ガス・インレット３０は第１端部２４の近くに配置され、ガス・アウトレット４０は第２端部２６の近くに配置される。
【0096】
したがって、リアクション・チャンバ２０は、長手方向中心軸Ｘに沿って、サプライ・ゾーンＺ１、基板ゾーンＺ２、およびディスチャージ・ゾーンＺ３の３つのゾーンを備える。ガスは、サプライ・ゾーンＺ１のガス・インレット３０から供給され、ガス・アウトレット４０を介してディスチャージ・ゾーンＺ３から排出され、基板ゾーンＺ２を流れる。
【0097】
図６に示すように、幅増加エリアＧは、長手方向中心軸Ｘの方向にサプライ・ゾーンＺ１から基板ゾーンＺ２まで延びる。したがって、幅増加エリアＧと基板ゾーンＺ２は部分的に重なる。図６の実施形態では、幅増加エリアＧおよび基板ゾーンＺ２は、基板ホルダ５０の前端部５４と幅中心軸Ｙとの間で重なっている。同様に、幅減少エリアＨは、ディスチャージ・ゾーンＺ３から基板ゾーンＺ２まで長手方向中心軸Ｘの方向に延びる。したがって、幅減少エリアＨと基板ゾーンＺ２は部分的に重なる。 図６の実施形態では、幅減少エリアＨおよび基板ゾーンＺ２は、幅中心軸Ｙと基板ホルダ５０の後端部５６との間で重なっている。
【0098】
【0099】
図７は、幅中心軸Ｙに沿って第１端部２４の方向から見たリアクション・チャンバ２０の断面図を示す。基板ホルダ５０は、１つ以上の基板を支持するための１つ以上の基板支持面またはシェルフ５２を備える。基板ホルダ５０は、第１および第２側壁２７、２８から第１距離Ｄ１を隔てて配置される。
【0100】
図８は、長手方向中心軸Ｘに沿って第２側壁２８の方向から見たリアクション・チャンバ２０の別の断面図を示す。基板ホルダ５０は、第１および第２端部２４、２６から第２距離Ｄ２に配置される。リアクション・チャンバ２０はさらに、サプライ・ゾーンＺ１、基板ゾーンＺ２、およびディスチャージ・ゾーンＺ３を備える。
【0101】
図９から図１２は、第１および第２側壁２７、２８が直線状または平面状である代替実施形態を示している。第１側壁２７および第２側壁２８は、第１端部２４から幅中心軸Ｙまで延びる分岐壁部３１を備える。第１および第２側壁２７、２８は、図１０に示すように、幅中心軸Ｙから第２端部２６まで延びる収束壁部４１をさらに備える。
【0102】
分岐壁部３１および収束壁部４１は直線状または平面状である。
【0103】
分岐壁部３１は、第１端部２４から幅中心軸Ｙまで長手方向中心軸Ｘに沿って増加する幅Ｗを画定する。さらに、収束壁部４１は、長手方向中心軸Ｘに沿って幅中心軸Ｙから第２端部２６まで減少する幅Ｗを画定する。したがって、リアクション・チャンバ２０は、長手方向中心軸Ｘに沿った幅中心軸Ｙにおいて最大の幅を有する。
【0104】
したがって、リアクション・チャンバ２０は、第１端部２４から分岐壁部３１によって画定される幅中心軸Ｙまでの長手方向中心軸Ｘに沿って、第１端部２４と幅中心軸Ｙとの間に幅増加エリアＧを備える。同様に、リアクション・チャンバ２０は、図１０に示すように、幅中心軸Ｙと、収束壁部４１によって画定される長手方向中心軸Ｘに沿った第２端部２６との間に幅減少エリアＨを備える。
【0105】
分岐壁部３１および収束壁部４１は、リアクション・チャンバ２０の楕円形または楕円形のような形状を提供する。
【0106】
図１１は、リアクション・チャンバ２０内の基板ホルダ５０を示す。基板ホルダ５０は、幅中心軸Ｙに沿って第１及び第２側壁２７、２８から第１距離Ｄ１を隔てて配置されている。基板ホルダ５０はさらに、長手方向中心軸Ｘに沿って第１および第２端部２４、２６から第２距離Ｄ２のところに配置される。リアクション・チャンバ２０の楕円形または楕円形のような形状は、第２距離Ｄ２が第１距離Ｄ１よりも大きくなるように配置される。
【0107】
図９に示すように、基板ホルダ５０は、第１端部２４と第２端部２６との間、およびガス・インレット３０とガス・アウトレット４０との間に配置される。
【0108】
基板ホルダ５０は、長手方向中心軸Ｘと幅中心軸Ｙとの断面において、リアクション・チャンバ２０の中央に配置されることが好ましい。
【0109】
リアクション・チャンバ２０は、リアクション・チャンバ２０の第１端部２４と基板ホルダ５０の前端部５４との間で長手方向中心軸Ｘの方向に延在するサプライ・ゾーンＺ１をさらに備える。ガス・インレット３０は、サプライ・ゾーンＺ１に設けられている。リアクション・チャンバ２０はまた、リアクション・チャンバ２０の第２端部２６と基板ホルダ５０の後端部５６との間で長手方向中心軸Ｘの方向に延びるディスチャージ・ゾーンＺ３を備える。ガス・アウトレット４０は、ディスチャージ・ゾーンＺ３に設けられている。基板ゾーンＺ２は、基板ホルダ５０の前端部５４と後端部５６との間に設けられる。
【0110】
ガス・インレット３０は第１端部２４の近くに配置され、ガス・アウトレット４０は第２端部２６の近くに配置される。
【0111】
したがって、リアクション・チャンバ２０は、長手方向中心軸Ｘに沿って、サプライ・ゾーンＺ１、基板ゾーンＺ２、およびディスチャージ・ゾーンＺ３の３つのゾーンを備える。ガスは、サプライ・ゾーンＺ１のガス・インレット３０から供給され、ガス・アウトレット４０を介してディスチャージ・ゾーンＺ３から排出され、基板ゾーンＺ２を流れる。
【0112】
図１２に示すように、幅増加エリアＧは、サプライ・ゾーンＺ１から基板ゾーンＺ２まで長手方向中心軸Ｘの方向に延びる。したがって、幅増加エリアＧと基板ゾーンＺ２は部分的に重なる。図１２の実施形態では、幅増加エリアＧおよび基板ゾーンＺ２は、基板ホルダ５０の前端部５４と幅中心軸Ｙとの間で重なっている。同様に、幅減少エリアＨは、ディスチャージ・ゾーンＺ３から基板ゾーンＺ２まで長手方向中心軸Ｘの方向に延びる。したがって、幅減少エリアＨと基板ゾーンＺ２は部分的に重なる。図６の実施形態では、幅減少エリアＨおよび基板ゾーンＺ２は、幅中心軸Ｙと基板ホルダ５０の後端部５６との間で重なっている。
【0113】
【0114】
図１３のリアクション・チャンバは、第１端部２４と第２端部２６と、第１端部２４と第２端部２６の間に延びる第１側壁２７と、第１側壁２７に対向し、第１端部２４と第２端部２６の間に延びる第２側壁２８と、を備える。
【0115】
本実施形態では、ガス・インレット３０およびガス・アウトレットは、底壁２３に設けられている。
【0116】
リアクション・チャンバ２０内には、第１端部２４と第２端部２６との間に、より具体的にはガス・インレット３０とガス・アウトレット４０との間に配置された基板ホルダ５０を有する。基板ホルダ５０は、処理中に１つまたは複数の基板、特に円形の基板を保持するように配置される。
【0117】
【0118】
第１および第２側壁２７、２８は、互いに平行に延びる平行壁部３５をさらに備える。平行壁部３５は、長手方向中心軸Ｘに沿って一定の幅Ｗを画定する。
【0119】
平行壁部３５は、長手方向中心軸Ｘの方向に延在する。平行壁部３５は、直線状または平面状である。
【0120】
平行壁部３５は、分岐壁部３１から第２端部２６に向かって延びる。平行壁部３５は、幅中心軸Ｙから第１端部２４および第２端部２６に向かって延びている。
【0121】
第１および第２側壁２７、２８は、平行壁部３５から第２端部２６まで延びる収束壁部４１を備える。収束壁部４１は、リアクション・チャンバ２０の減少する幅Ｗを画定する。
【0122】
分岐壁部３１および収束壁部４１は、湾曲壁部である。分岐壁部３１および収束壁部４１は、外側に凸の湾曲形状を有している。
【0123】
リアクション・チャンバ２０は、長手方向中心軸Ｘに沿って、第１端部２４と平行壁部３５との間に幅増加エリアＧを備える。幅増加エリアＧは、分岐壁部３１によって画定される。リアクション・チャンバ２０は、長手方向中心軸Ｘに沿って幅増加エリアＧから第２端部２６に向かって延びる幅一定エリアＦをさらに含む。幅一定エリアＦは、平行壁部３５によって画定される。さらに、リアクション・チャンバ２０は、図１４に示すように、長手方向中心軸Ｘに沿って幅一定エリアＦと第２端部２６との間に幅減少エリアＨを備える。
【0124】
幅一定エリアＦは、幅増加エリアＧと幅減少エリアＨとの間に配置されている。
【0125】
また、この実施形態では、基板ホルダ５０は、第１および第２側壁２７、２８から第１距離Ｄ１の位置にあり、第１および第２端部２４、２６から第２距離Ｄ２の位置に有する。リアクション・チャンバ２０の楕円形または楕円形のような形状は、第２距離Ｄ２が第１距離Ｄ１よりも大きくなるように配置される。
【0126】
図１４に示すように、幅一定エリアＦは、リアクション・チャンバ２０の中央に設けられ、幅中心軸Ｙから第１及び第２端部２４、２６に向かって延びている。
【0127】
基板ホルダ５０は、第１端部２４と第２端部２６との間、およびガス・インレット３０とガス・アウトレット４０との間に配置される。
【0128】
基板ホルダ５０は、長手方向中心軸Ｘと幅中心軸Ｙとの断面において、リアクション・チャンバ２０の中央に配置されることが好ましい。
【0129】
リアクション・チャンバ２０は、サプライ・ゾーンＺ１、基板ゾーンＺ２、およびディスチャージ・ゾーンＺ３を備える。
【0130】
図１４に示すように、幅増加エリアＧは、長手方向中心軸Ｘの方向にサプライ・ゾーンＺ１から基板ゾーンＺ２まで延びる。したがって、幅増加エリアＧと基板ゾーンＺ２は部分的に重なる。図１４の実施形態では、幅増加エリアＧおよび基板ゾーンＺ２は、基板ホルダ５０の前端部５４と幅一定エリアＦとの間で重なっている。同様に、幅減少エリアＨは、ディスチャージ・ゾーンＺ３から基板ゾーンＺ２まで長手方向中心軸Ｘの方向に延びる。したがって、幅減少エリアＨと基板ゾーンＺ２は部分的に重なる。図１４の実施形態では、幅減少エリアＨおよび基板ゾーンＺ２は、幅一定エリアＦと基板ホルダ５０の後端部５６との間で重なっている。
【0131】
さらに、基板ゾーンＺ２内には、長手方向中心軸Ｘ方向に幅一定エリアＦが設けられている。
【0132】
したがって、基板ゾーンＺ２内には長手方向中心軸Ｘ方向に幅一定エリアＦが設けられており、基板ゾーンＺ２は長手方向中心軸Ｘ方向において幅一定エリアＦよりも長い。
【0133】
【0134】
【0135】
図１７の実施形態は、長手方向中心軸Ｘの方向に第１端部２４から第２端部２６に向かって延びる第１端部幅一定エリアＪを備える。第１端部幅一定エリアＪは、第１端部２４と幅増加エリアＧとの間に設けられる。第１端部幅一定エリアＪは、第１端部平行側壁部３２によって画定される。
【0136】
第１端部平行側壁部３２は、長手方向中心軸Ｘと平行に延びている。
【0137】
図１７に示すように、ガス・インレット３０は、第１端部幅一定エリアＪに配置されている。これにより、ガス・インレット３０と基板ホルダ５０または前端部５４との間の距離を長くすることができる。
【0138】
第１端部幅一定エリアＪは、リアクション・チャンバ２０のサプライ・ゾーンＺ１に設けられる。
【0139】
基板ゾーンＺ２と幅増加エリアＧとは、長手方向中心軸Ｘの方向において部分的に重なっている。したがって、基板ゾーンＺ２は幅増加エリアＧまで延びている。
【0140】
図１７の実施形態は、長手方向中心軸Ｘの方向に第２端部２６から第１端部２４に向かって延びる第２端部幅一定エリアＫをさらに備える。第２端部幅一定エリアＫは、第２端部２５と幅減少エリアＨとの間に設けられる。第２端部幅一定エリアＫは、第２端部平行側壁部４２によって画定される。
【0141】
第２端部平行側壁部４２は、長手方向中心軸Ｘと平行に延びている。
【0142】
図１７に示すように、ガス・アウトレット４０は、第２端部幅一定エリアＫに配置されている。これにより、ガス・アウトレット４０と基板ホルダ５０または後端部５６との間の距離を増大させることができる。
【0143】
第２端部幅一定エリアＫは、リアクション・チャンバ２０のディスチャージ・ゾーンＺ３に設けられる。
【0144】
基板ゾーンＺ２と幅減少エリアＨとは、長手方向中心軸Ｘの方向において部分的に重なっている。したがって、基板ゾーンＺ２は、幅減少エリアＨまで拡張される。
【0145】
幅一定エリアＦは、基板ゾーンＺ２内で、幅増加エリアＧと幅減少エリアＨの間に配置されている。
【0146】
図１８は、図３から図６の実施形態の変形例を示す。リアクション・チャンバ２０には、サプライ・ゾーンＺ１に配置されたサプライ・フロー・ガイド６０が設けられる。サプライ・フロー・ガイド６０は、ガス・インレット３０からフロー・パスＡおよびフロー・パスＢへガス・フローをガイドするように配置されている。
【0147】
サプライ・フロー・ガイド６０は、幅増加エリアＧに配置されている。
【0148】
サプライ・フロー・ガイド６０は、分岐壁部３１と略平行となるように配置されている。長手方向中心軸Ｘの反対側に少なくとも１つのサプライ・フロー・ガイド６０が存在している。
【0149】
リアクション・チャンバ２０には、ディスチャージ・ゾーンＺ３に配置されたディスチャージ・フロー・ガイド６２がさらに設けられている。ディスチャージ・フロー・ガイド６２は、フロー・パスＡおよびフロー・パスＢからのガス・フローをガス・アウトレット４０へ案内するように配置されている。
【0150】
ディスチャージ・フロー・ガイド６２は、幅減少エリアＨに配置されている。
【0151】
ディスチャージ・フロー・ガイド６２は、収束する収束壁部４１と略平行となるように配置されている。長手方向中心軸Ｘの反対側に少なくとも１つのディスチャージ・フロー・ガイド６２が存在する。
【0152】
図１９は、図３から図６の実施形態に対するさらなる変形例を示す。リアクション・チャンバ２０には、サプライ・ゾーンＺ１から基板ゾーンＺ２まで延びるように配置されたサプライ・フロー・ガイド６０が設けられている。サプライ・フロー・ガイド６０は、ガス・インレット３０からフロー・パスＡおよびフロー・パスＢへガス・フローをガイドするように配置されている。
【0153】
サプライ・フロー・ガイド６０は、幅増加エリアＧに配置されている。
【0154】
サプライ・フロー・ガイド６０は、分岐壁部３１と実質的に平行となるように配置されている。サプライ・フロー・ガイド６０は、長手方向中心軸Ｘの反対側に少なくとも１つ存在する。
【0155】
リアクション・チャンバ２０にはさらに、ディスチャージ・ゾーンＺ３から基板ゾーンＺ２まで延びるように配置されたディスチャージ・フロー・ガイド６２が設けられている。ディスチャージ・フロー・ガイド６２は、フロー・パスＡおよびフロー・パスＢからのガス・フローをガス・アウトレット４０へガイドするように配置されている。
【0156】
ディスチャージ・フロー・ガイド６２は、幅減少エリアＨに配置されている。
【0157】
ディスチャージ・フロー・ガイド６２は、収束する収束壁部４１と略平行となるように配置されている。長手方向中心軸Ｘの反対側に少なくとも１つのディスチャージ・フロー・ガイド６２が存在する。
【0158】
いくつかの実施形態では、ディスチャージ・フロー・ガイド６２は省略されてもよく、サプライ・フロー・ガイド６０のみが存在する。
【0159】
サプライ・フロー・ガイド６０よびディスチャージ・フロー・ガイド６２は、プレート状または羽根状である。
【0160】
【0161】
リアクション・チャンバ２０内には、第１端部２４と第２端部２６との間、より具体的にはガス・インレット３０とガス・アウトレット４０との間に配置された長手方向の基板ホルダ５０がある。基板ホルダ５０は、処理中に１つまたは複数の基板、特に円形の基板を保持するように配置される。
【0162】
長手方向の基板ホルダ５０は、ガス・インレット３０とガス・アウトレット４０との間で、円形基板などの２つ以上の基板を連続してまたは連続して保持または支持するように配置されている。連続する基板は、リアクション・チャンバ２０の底壁２３から同じレベルまたは高さに配置される。長手方向の基板ホルダ５０は、図７および図８に示すように、２つ以上の基板を互いの上に保持または支持するように構成されてもよい。
【0163】
長手方向の基板ホルダ５０は、第１端部２４と第２端部２６との間、およびガス・インレット３０とガス・アウトレット４０との間に配置される。
【0164】
好ましくは、長手方向の基板ホルダ５０は、長手方向中心軸Ｘと幅中心軸Ｙとの断面において、リアクション・チャンバ２０の中央に配置される。
【0165】
長手方向の基板ホルダ５０は、幅増加エリアＧから幅一定エリアＦを介して幅減少エリアＨまで延びている。
【0166】
代替の実施形態では、幅一定エリアＦは省略されてもよく、長手方向の基板ホルダ５０は、幅増加エリアＧから幅減少エリアＨまで延びる。
【0167】
以上、本発明を図示の実施例を参照して説明した。しかしながら、本発明は上記の例に何ら限定されるものではなく、特許請求の範囲内で変更することができる。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【手続補正書】
【提出日】2024-04-02
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１端部（２４）と、第１端部（２４）の反対側の第２端部（２６）と、第１端部（２４）と第２端部（２６）との間に延びる長手方向中心軸（Ｘ）とを備え、長手方向中心軸（Ｘ）における第１端部（２４）と第２端部（２６）との間の長さ（Ｌ）を有しており、第１端部（２４）と第２端部（２６）との間に延びる第１側壁（２７）と、第１側壁（２７）の反対側に有し、第１端部（２４）と第２端部（２６）との間に延びる第２側壁（２８）とを備え、第１側壁（２７）および第２側壁（２８）が、第１端部（２４）と第２端部（２６）との間でリアクション・チャンバ（２０）の幅（Ｗ）を規定し、リアクション・チャンバ（２０）が、第１側壁（２７）と第２側壁（２８）との間で、長手方向中心軸（Ｘ）に対して垂直に延びる幅中心軸（Ｙ）を有しており、
リアクション・チャンバ（２０）内にガスを供給するためのガス・インレット（３０）と、
リアクション・チャンバ（２０）からガスを排出するためのガス・アウトレット（４０）と、を備え、
ガス・インレット（３０）およびガス・アウトレット（４０）は、リアクション・チャンバ（２０）の長手方向中心軸（Ｘ）に沿って間隔を置いて設けられている、アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）であって、
リアクション・チャンバ（２０）は、長手方向中心軸（Ｘ）に沿って、第１端部（２４）から幅中心軸（Ｙ）に向かう方向で増大する幅（Ｗ）を有し、
リアクション・チャンバ（２０）は、長手方向中心軸（Ｘ）に沿って、幅中心軸（Ｙ）から第２端部（２６）に向かう方向で減少する幅（Ｗ）を有し、
リアクション・チャンバ（２０）の長さ（Ｌ）は、幅中心軸（Ｙ）に沿ったリアクション・チャンバ（２０）の幅（Ｗ）よりも大きい、
アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）。
【請求項2】
請求項１に記載のアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）であって、リアクション・チャンバ（２０）は、第１端部（２４）から幅中心軸（Ｙ）まで長手方向中心軸（Ｘ）に沿って増加する幅（Ｗ）を有し、且つ、
リアクション・チャンバ（２０）は、幅中心軸（Ｙ）から第２端部（２６）まで長手方向中心軸（Ｘ）に沿って減少する幅（Ｗ）を有する、
または、
リアクション・チャンバ（２０）は、第１端部（２４）と幅中心軸（Ｙ）との間に幅増加エリア（Ｇ）を備え、幅増加エリア（Ｇ）は、第１端部（２４）から幅中心軸（Ｙ）まで延在し、第１端部（２４）から幅中心軸（Ｙ）まで長手方向中心軸（Ｘ）に沿って増加する幅（Ｗ）を有し、且つ、
リアクション・チャンバ（２０）は、幅中心軸（Ｙ）と第２端部（２６）との間に幅減少エリア（Ｈ）を備え、幅減少エリア（Ｈ）は、幅中心軸（Ｙ）から第２端部（２６）まで延在し、幅中心軸（Ｙ）から第２端部（２６）まで長手方向中心軸（Ｘ）に沿って幅減少（Ｗ）を有する、
アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）。
【請求項3】
請求項２に記載のアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）であって、第１および第２側壁（２７，２８）は、第１端部（２４）から幅中心軸（Ｙ）まで延びる幅増加壁部（３１）を備え、幅増加壁部（３１）は、平面壁部または湾曲壁部であり、且つ、
第１および第２側壁（２７，２８）は、幅中心軸（Ｙ）から第２端部（２６）まで延びる幅減少壁部（４１）を備え、幅減少壁部（４１）は、平面壁部または湾曲壁部であり、
または、
第１および第２側壁（２７，２８）は、幅増加エリア（Ｇ）において幅増加壁部（３１）を備え、幅増加壁部（３１）は、平面壁部または湾曲壁部であり、且つ、
第１および第２側壁（２７，２８）は、幅減少エリア（Ｈ）において幅減少壁部（４１）を備え、幅減少壁部（４１）は、平面壁部または湾曲壁部である、
アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）。
【請求項4】
請求項１に記載のアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）であって、リアクション・チャンバ（２０）は、第１端部（２４）から幅中心軸（Ｙ）に向かう方向において、長手方向中心軸（Ｘ）に沿って増加する幅（Ｗ）を有し、
リアクション・チャンバ（２０）は、幅中心軸（Ｙ）から第２端部（２６）に向かう方向において、長手方向中心軸（Ｘ）に沿って減少する幅（Ｗ）を有し、
リアクション・チャンバ（２０）は、幅中心軸（Ｙ）から第１端部（２４）に向かう方向および幅中心軸（Ｙ）から第２端部（２６）に向かう方向において、長手方向中心軸（Ｘ）に沿って一定の幅（Ｗ）を有し、
または、
リアクション・チャンバ（２０）は、第１端部（２４）と幅中心軸（Ｙ）との間に設けられた幅増加エリア（Ｇ）を備え、幅増加エリア（Ｇ）は、第１端部（２４）から幅中心軸（Ｙ）に向かう方向において、長手方向中心軸（Ｘ）に沿って増加する幅（Ｗ）を有し、
リアクション・チャンバ（２０）は、幅中心軸（Ｙ）と第２端部（２６）との間に設けられた幅減少エリア（Ｈ）を備え、幅減少エリア（Ｈ）は、幅中心軸（Ｙ）から第２端部（２６）に向かう方向において、長手方向中心軸（Ｘ）に沿って減少する幅（Ｗ）を有し、
リアクション・チャンバ（２０）は、幅増加エリア（Ｇ）と幅減少エリア（Ｈ）との間に設けられた幅一定エリア（Ｆ）を備えている、
アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）。
【請求項5】
請求項１～４のいずれか１つに記載のアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）であって、リアクション・チャンバ（２０）は、第１端部（２４）と第２端部（２６）との間、および、ガス・インレット（３０）とガス・アウトレット（４０）との間のリアクション・チャンバ（２０）内に配置された基板ホルダ（５０）を備える、
または、
リアクション・チャンバ（２０）は、第１端部（２４）と第２端部（２６）との間、および、ガス・インレット（３０）とガス・アウトレット（４０）との間のリアクション・チャンバ（２０）内に配置された基板ホルダ（５０）を備え、基板ホルダ（５０）は、リアクション・チャンバ（２０）内で長手方向中心軸（Ｘ）と幅中心軸（Ｙ）との交点に対して対称に配置されている、
アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）。
【請求項6】
請求項５に記載のアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）であって、基板ホルダ（５０）は、幅増加エリア（Ｇ）および幅減少エリア（Ｈ）において長手方向中心軸（Ｘ）の方向に延びるように配置されている、
または、
基板ホルダ（５０）は、幅増加エリア（Ｇ）から幅減少エリア（Ｈ）まで長手方向中心軸（Ｘ）の方向に延びるように配置されている、
または、
基板ホルダ（５０）は、幅増加エリア（Ｇ）、幅減少エリア（Ｈ）および幅一定エリア（Ｆ）において長手方向中心軸（Ｘ）の方向に延びるように配置されている、
または、
基板ホルダ（５０）は、幅増加エリア（Ｇ）から幅一定エリア（Ｆ）を介して幅減少エリア（Ｈ）まで長手方向中心軸（Ｘ）の方向に延びるように配置されている、
アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）。
【請求項7】
請求項５に記載のアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）であって、基板ホルダ（５０）は、長手方向中心軸（Ｘ）において第１端部（２４）の反対側に有する前端部（５４）と、第２端部（２６）の反対側に有する後端部（５６）と、を備え、基板ホルダ（５０）は、長手方向中心軸（Ｘ）において前端部（５４）と後端部（５６）との間のリアクション・チャンバ（２０）内に基板ゾーン（Ｚ２）を規定し、
リアクション・チャンバ（２０）は、リアクション・チャンバ（２０）の第１端部（２４）と基板ホルダ（５０）の前端部（５４）との間に、長手方向中心軸（Ｘ）に延びるサプライ・ゾーン（Ｚ１）を備え、ガス・インレット（３０）は、サプライ・ゾーン（Ｚ１）に設けられており、
リアクション・チャンバ（２０）は、リアクション・チャンバ（２０）の第２端部（２６）と基板ホルダ（５０）の後端部（５６）との間に、長手方向中心軸（Ｘ）に延びるディスチャージ・ゾーン（Ｚ３）を備え、ガス・アウトレット（４０）は、ディスチャージ・ゾーン（Ｚ３）に設けられており、
幅増加エリア（Ｇ）は、サプライ・ゾーン（Ｚ１）から基板ゾーン（Ｚ２）まで長手方向中心軸（Ｘ）に延び、幅減少エリア（Ｈ）は、ディスチャージ・ゾーン（Ｚ３）から基板ゾーン（Ｚ２）まで長手方向中心軸（Ｘ）に延びている、
アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）。
【請求項8】
請求項７に記載のアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）であって、幅一定エリア（Ｆ）は、長手方向中心軸（Ｘ）において、基板ゾーン（Ｚ２）内に設けられている、
または、
幅一定エリア（Ｆ）は、長手方向中心軸（Ｘ）において、基板ゾーン（Ｚ２）内に設けられ、基板ゾーン（Ｚ２）は、長手方向中心軸（Ｘ）において、幅一定エリア（Ｆ）よりも大きい長さを有している、
アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）。
【請求項9】
請求項５に記載のアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）であって、幅中心軸（Ｙ）に沿った基板ホルダ（５０）と第１または第２側壁（２７、２８）との間の第１距離（Ｄ１）は、長手方向中心軸（Ｘ）に沿った基板ホルダ（５０）と第１または第２端部（２４、２６）との間の第２距離（Ｄ２）よりも小さい、
アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）。
【請求項10】
請求項５に記載のアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）であって、基板ホルダ（５０）は、１つ以上の円形基板または円形セミコンダクタ・ウェハを支持するように配置されている、
アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）。
【請求項11】
リアクション・チャンバ（２０）は、底壁（２３）と、上壁（２５）と、第１および第２側壁（２７、２８）と、第１および第２端部（２４、２６）とを備え、第１および第２側壁（２７、２８）並びに第１および第２端部（２４、２６）は、底壁（１２３）と上壁（２５）との間に延びている、請求項１～４のいずれか１つに記載のアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）であって、ガス・インレット（３０）およびガス・アウトレット（４０）が底壁（２３）に設けられ、
または、
ガス・インレット（３０）が第１端部（２４）の近傍で底壁（２３）に設けられ、ガス・アウトレット（４０）が第２端部（２６）の近傍で底壁（２３）に設けられ、
または
ガス・インレット（３０）が第１端部（２４）に設けられ、ガス・アウトレット（４０）が第２端部（２６）に設けられている、
アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）。
【請求項12】
真空チャンバ（９０）と、真空チャンバ（９０）内に配置されたリアクション・チャンバ（２０）と、を備え、
リアクション・チャンバ（２０）は、
第１端部（２４）と、第１端部（２４）の反対側の第２端部（２６）と、第１端部（２４）と第２端部（２６）との間を延びる長手方向中心軸（Ｘ）とを備え、長手方向中心軸（Ｘ）における第１端部（２４）と第２端部（２６）との間が長さ（Ｌ）であり、
第１端部（２４）と第２端部（２６）との間に延びる第１側壁（２７）および第２側壁（２８）と、第１および第２側壁（２７、２８）の間の長手方向中心軸（Ｘ）に対して垂直に延びる幅中心軸（Ｙ）とを備え、幅中心軸（Ｙ）における前記第１及び第２側壁（２７、２８）の間が幅（Ｗ）であり、
リアクション・チャンバ（２０）にガスを供給するガス・インレット（３０）と、
リアクション・チャンバ（２０）からガスを排出するガス・アウトレット（４０）と、
ガス・インレット（３０）およびガス・アウトレット（４０）が、長手方向中心軸（Ｘ）において幅中心軸（Ｙ）の反対側に間隔を隔てて設けられている、
アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクタ（１０）であって、
リアクション・チャンバ（２０）の第１および第２側壁（２７，２８）は、ガス・インレット（３０）から幅中心軸（Ｙ）において長手方向中心軸（Ｘ）に沿って増加する幅（Ｗ）、および幅中心軸（Ｙ）からガス・アウトレット（４０）に向かう方向において長手方向中心軸（Ｘ）に沿って減少する幅（Ｗ）を規定するように配置され、
リアクション・チャンバ（２０）の長さ（Ｌ）は、幅中心軸（Ｙ）に沿ったリアクション・チャンバ（２０）の幅（Ｗ）よりも大きい、
アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクタ（１０）。
【請求項13】
請求項１２に記載のアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクタ（１０）であって、リアクタ（１０）は、
真空チャンバ（９０）の外側からリアクション・チャンバ（２０）に延び、真空チャンバ（９０）の外側からリアクション・チャンバ（２０）にガスを供給するためにガス・インレット（３０）に接続される少なくとも１つのガス・インレット・コネクション（１１０）と、
真空チャンバ（９０）の外側からリアクション・チャンバ（２０）に延び、リアクション・チャンバ（２０）から真空チャンバ（９０）の外側にガスを排出するためのガス・アウトレット（４０）に接続されている少なくとも１つのガス・アウトレット・コネクション（２１０）と、を備えている、
アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクタ（１０）。
【請求項14】
請求項１２に記載のアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクタ（１０）であって、リアクション・チャンバ（２０）は、ガス・インレット（３０）から幅中心軸（Ｙ）に向かう方向に長手方向中心軸（Ｘ）に沿って増加する幅（Ｗ）を有し、
リアクション・チャンバ（２０）は、幅中心軸（Ｙ）からガス・アウトレット（４０）に向かう方向に長手方向中心軸（Ｘ）に沿って減少する幅（Ｗ）を有し、
リアクション・チャンバ（２０）は、幅中心軸（Ｙ）からガス・インレット（３０）に向かう方向および幅中心軸（Ｙ）からガス・アウトレット（４０）に向かう方向において、長手方向中心軸（Ｘ）に沿って一定の幅（Ｗ）を有している、
アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクタ（１０）。
【請求項15】
請求項１２～１４のいずれか１つに記載のアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクタ（１０）であって、請求項１～４のいずれか１つに記載のアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバ（２０）を備える、
アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクタ（１０）。
【国際調査報告】