特表 2024-530504 ペロブスカイト材料バイパスダイオード及びその製造方法、ペロブスカイト太陽電池モジュール及びその製造方法、太陽光発電モジュール

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-08-21

(54)【発明の名称】ペロブスカイト材料バイパスダイオード及びその製造方法、ペロブスカイト太陽電池モジュール及びその製造方法、太陽光発電モジュール

(51)【国際特許分類】

   H10K 30/50 20230101AFI20240814BHJP

   H10K 30/40 20230101ALI20240814BHJP

   H10K 39/12 20230101ALI20240814BHJP

【ＦＩ】

H10K30/50

H10K30/40

H10K39/12

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024508438

(86)(22)【出願日】2022-05-10

(85)【翻訳文提出日】2024-02-09

(86)【国際出願番号】 CN2022091970

(87)【国際公開番号】W WO2023015994

(87)【国際公開日】2023-02-16

(31)【優先権主張番号】202110927793.1

(32)【優先日】2021-08-10

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】522400560

【氏名又は名称】隆基緑能科技股▲フン▼有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＬＯＮＧＩ ＧＲＥＥＮ ＥＮＥＲＧＹ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＣＯ．， ＬＴＤ．

(74)【代理人】

【識別番号】110000729

【氏名又は名称】弁理士法人ユニアス国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】解 俊杰

(72)【発明者】

【氏名】徐 ▲チェン▼

(72)【発明者】

【氏名】李 子峰

(72)【発明者】

【氏名】呉 兆

(72)【発明者】

【氏名】劉 童

【テーマコード（参考）】

5F251

【Ｆターム（参考）】

5F251AA11

5F251JA08

(57)【要約】

本開示はペロブスカイト材料バイパスダイオード及びその製造方法、ペロブスカイト太陽電池モジュール及びその製造方法、太陽光発電モジュールを開示し、太陽光発電の技術分野に関し、ペロブスカイト材料バイパスダイオードの製造の困難性を低下させる。該ペロブスカイト材料バイパスダイオードの製造方法は、１層のペロブスカイト材料層を提供し、ペロブスカイト材料層を処理してＰ型ペロブスカイト材料領域及びＮ型ペロブスカイト材料領域を形成し、それによってペロブスカイト材料バイパスダイオードを形成するステップを含む。本開示に係るペロブスカイト材料バイパスダイオード及びその製造方法、ペロブスカイト太陽電池モジュール及びその製造方法、太陽光発電モジュールは、太陽光発電モジュールの製造に使用される。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

１層のペロブスカイト材料層を提供し、前記ペロブスカイト材料層を処理してＰ型ペロブスカイト材料領域及びＮ型ペロブスカイト材料領域を形成し、それによってペロブスカイト材料バイパスダイオードを形成することを特徴とするペロブスカイト材料バイパスダイオードの製造方法。

【請求項2】

前記ペロブスカイト材料層のペロブスカイト材料の一般式はＡＢＸ_３であり、ここで、Ａは１価カチオン、Ｂは２価カチオン、Ｘは１価アニオンであり、
前記Ｐ型ペロブスカイト材料領域のＡＸの含有量はＢＸ_２の含有量よりも大きく、前記Ｎ型ペロブスカイト材料領域のＡＸの含有量はＢＸ_２の含有量よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載のペロブスカイト材料バイパスダイオードの製造方法。

【請求項3】

前記ペロブスカイト材料層を処理するステップは、
前記ペロブスカイト材料層の局所を加熱して前記Ｎ型ペロブスカイト材料領域を形成するステップ、及び／又は、
ＡＸの雰囲気中で、前記ペロブスカイト材料層の局所を熱処理してＰ型ペロブスカイト材料領域を形成するステップを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のペロブスカイト材料バイパスダイオードの製造方法。

【請求項4】

請求項１～３のいずれか１項に記載の製造方法により得られたペロブスカイト材料バイパスダイオード。

【請求項5】

直列接続される複数のペロブスカイト電池と、前記ペロブスカイト電池に並列接続される少なくとも１つのペロブスカイト材料バイパスダイオードとを含み、前記ペロブスカイト材料バイパスダイオードは、ペロブスカイト材料層を処理してＰ型ペロブスカイト材料領域及びＮ型ペロブスカイト材料領域を形成することによって得られることを特徴とするペロブスカイト太陽電池モジュール。

【請求項6】

前記ペロブスカイト材料バイパスダイオードの数は前記ペロブスカイト電池の数と同じであり、前記ペロブスカイト材料バイパスダイオードは前記ペロブスカイト電池に１対１で対応して並列接続されることを特徴とする請求項５に記載のペロブスカイト太陽電池モジュール。

【請求項7】

前記ペロブスカイト材料バイパスダイオードのペロブスカイト材料の一般式はＡＢＸ_３であり、ここで、Ａは１価カチオン、Ｂは２価カチオン、Ｘは１価アニオンであり、
前記ペロブスカイト材料バイパスダイオードのＰ型ペロブスカイト材料領域のＡＸの含有量はＢＸ_２の含有量よりも大きく、前記ペロブスカイト材料バイパスダイオードのＮ型ペロブスカイト材料領域のＡＸの含有量はＢＸ_２の含有量よりも小さいことを特徴とする請求項５に記載のペロブスカイト太陽電池モジュール。

【請求項8】

各前記ペロブスカイト材料バイパスダイオードは前記ペロブスカイト電池の正電極と負電極との間に設けられ、
前記ペロブスカイト材料バイパスダイオードのＰ型ペロブスカイト材料領域は前記ペロブスカイト電池の負電極に電気的に接続され、前記ペロブスカイト材料バイパスダイオードのＮ型ペロブスカイト材料領域は前記ペロブスカイト電池の正電極に電気的に接続され、
及び／又は、前記ペロブスカイト材料バイパスダイオードの横断面は長方形、三角形又は台形であることを特徴とする請求項５に記載のペロブスカイト太陽電池モジュール。

【請求項9】

前記ペロブスカイト太陽電池モジュールは、前記ペロブスカイト材料バイパスダイオードと前記ペロブスカイト電池のペロブスカイト材料層との間に設けられる電気的分離壁をさらに含み、前記電気的分離壁の材料は誘電体材料、セラミック絶縁材料又は有機絶縁材料のうちのいずれか１種を含むことを特徴とする請求項５～８のいずれか１項に記載のペロブスカイト太陽電池モジュール。

【請求項10】

前記ペロブスカイト材料バイパスダイオードは、前記ペロブスカイト電池のペロブスカイト材料層のエッジ部分を熱処理することによって製造されることを特徴とする請求項５～８のいずれか１項に記載のペロブスカイト太陽電池モジュール。

【請求項11】

モジュールベースを提供するステップであって、前記モジュールベースは機能層を含み、前記機能層はペロブスカイト材料層を含むステップと、
前記ペロブスカイト材料層の一部を露出させ、前記ペロブスカイト材料層の露出部分を処理してＰ型ペロブスカイト材料領域及びＮ型ペロブスカイト材料領域を形成し、それによってペロブスカイト材料バイパスダイオードを形成するステップと、
前記ペロブスカイト材料バイパスダイオードをペロブスカイト太陽電池モジュールのペロブスカイト電池に並列接続するステップと、を含むことを特徴とするペロブスカイト太陽電池モジュールの製造方法。

【請求項12】

前記ペロブスカイト材料バイパスダイオードはペロブスカイト太陽電池モジュールのペロブスカイト電池に１対１で対応して並列接続されることを特徴とする請求項１１に記載のペロブスカイト太陽電池モジュールの製造方法。

【請求項13】

モジュールベースを提供した後、前記ペロブスカイト材料層の一部を露出させる前に、前記ペロブスカイト太陽電池モジュールの製造方法は、前記モジュールベースに直列接続溝を開設するステップと、前記モジュールベースに少なくとも１つの電気的分離壁を形成するステップと、各前記電気的分離壁はペロブスカイト電池が位置する領域に位置し、ペロブスカイト電池の機能層を電池領域及びバイパスダイオード領域に分割するステップと、その後、前記直列接続溝を充填する第２電極層を前記モジュールベースに形成するステップと、をさらに含み、
前記ペロブスカイト材料層の一部を露出させるステップは、隣接するペロブスカイト電池を分離する分離溝を前記第２電極層に開設し、前記分離溝が前記ペロブスカイト材料層の内部に延びることで、各前記バイパスダイオード領域のペロブスカイト材料層の一部を露出させるステップを含むことを特徴とする請求項１１に記載のペロブスカイト太陽電池モジュールの製造方法。

【請求項14】

前記モジュールベースに少なくとも１つの電気的分離壁を形成するステップは、
前記モジュールベースに前記機能層を貫通する少なくとも１つの電気的分離溝を開設するステップと、
前記電気的分離溝内に絶縁材料を充填して電気的分離壁を形成するステップと、を含み、
絶縁材料の充填方法は成膜、蒸着又は印刷であり、
直列接続溝の開設方法及び電気的分離溝の開設方法はいずれも化学エッチング、レーザースクライビング又はメカニカルスクライビングから選ばれることを特徴とする請求項１３に記載のペロブスカイト太陽電池モジュールの製造方法。

【請求項15】

前記直列接続溝の幅は１０μｍ～１００μｍであり、前記電気的分離溝の幅は５μｍ～５０μｍであり、前記電気的分離溝と前記直列接続溝との距離は２０μｍ～２００μｍであることを特徴とする請求項１４に記載のペロブスカイト太陽電池モジュールの製造方法。

【請求項16】

同一の電極ブロックにおいて、前記分離溝は前記直列接続溝と前記電気的分離壁との間に位置し、及び／又は、
前記分離溝が前記ペロブスカイト材料層の内部に延びる深さは、前記ペロブスカイト材料層の厚さ値の３０％以上且つ前記ペロブスカイト材料層の厚さ値の７０％以下であり、
及び／又は、前記分離溝の幅は１０μｍ～１００μｍであることを特徴とする請求項１３～１５のいずれか１項に記載のペロブスカイト太陽電池モジュールの製造方法。

【請求項17】

前記ペロブスカイト材料層の露出部分は前記バイパスダイオード領域のペロブスカイト材料層の露出部分であり、
前記ペロブスカイト材料層の露出部分を処理するステップは、
前記バイパスダイオード領域のペロブスカイト材料層の露出部分のＡＸの含有量を増加させるステップ、又は前記バイパスダイオード領域のペロブスカイト材料層の露出部分のＡＸの含有量を減少させるステップを含むことを特徴とする請求項１３～１５のいずれか１項に記載のペロブスカイト太陽電池モジュールの製造方法。

【請求項18】

前記ペロブスカイト材料層の露出部分を処理するステップは、
前記バイパスダイオード領域のペロブスカイト材料層の露出部分を加熱してペロブスカイト材料バイパスダイオードのＮ型ペロブスカイト材料領域を形成するステップ、又はＡＸの雰囲気中で、前記バイパスダイオード領域のペロブスカイト材料層の露出部分を熱処理してペロブスカイト材料バイパスダイオードのＰ型ペロブスカイト材料領域を形成するステップを含むことを特徴とする請求項１７に記載のペロブスカイト太陽電池モジュールの製造方法。

【請求項19】

ペロブスカイト材料バイパスダイオードを形成した後、前記分離溝を深くしてペロブスカイト太陽電池モジュールを形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１３～１５のいずれか１項に記載のペロブスカイト太陽電池モジュールの製造方法。

【請求項20】

前記モジュールベースは順に積層される基板、第１電極層及び機能層を含み、前記第１電極層は前記基板に間隔をおいて分布する複数の電極ブロックを含み、
前記機能層は第１キャリア輸送層及び第２キャリア輸送層をさらに含み、前記第１キャリア輸送層は第１電極層とペロブスカイト材料層との間に位置し、前記第２キャリア輸送層は前記ペロブスカイト材料層の第１電極層から離れた面に位置することを特徴とする請求項１３～１５のいずれか１項に記載のペロブスカイト太陽電池モジュールの製造方法。

【請求項21】

モジュールベースを提供するステップは、
導電層を有する基板を提供するステップと、
前記基板に前記導電層を貫通する第１溝を開設し、第１電極層を形成するステップと、
前記第１電極層上に前記第１電極層の電極ブロックと前記電極ブロックとの間の基板を被覆する前記機能層を形成するステップと、を含むことを特徴とする請求項２０に記載のペロブスカイト太陽電池モジュールの製造方法。

【請求項22】

請求項５～１０のいずれか１項に記載のペロブスカイト太陽電池モジュールを少なくとも１つ含むことを特徴とする太陽光発電モジュール。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本願は、２０２１年８月１０日に中国特許庁に提出された、出願番号が２０２１１０９２７７９３．１、発明の名称が「ペロブスカイト材料バイパスダイオード及びその製造方法、ペロブスカイト太陽電池モジュール及びその製造方法、太陽光発電モジュール」の中国特許出願の優先権を主張し、その全内容が引用により本願に組み込まれている。

【0002】

本開示は、太陽光発電の技術分野に関し、特にペロブスカイト材料バイパスダイオード及びその製造方法、ペロブスカイト太陽電池モジュール及びその製造方法、太陽光発電モジュールに関する。

【背景技術】

【0003】

従来のペロブスカイト材料バイパスダイオードは一般には、シリコン、ゲルマニウムなどの半導体材料を使用し、薄膜成膜、フォトリソグラフィーなどの様々なステップによって、ペロブスカイト材料バイパスダイオードのＰＮ接合構造を形成する。

【0004】

従来のペロブスカイト材料バイパスダイオードの製造過程では、多くの高温・高真空成膜装置を使用する必要があり、作製プロセスが複雑である。そして、作製過程におけるフォトリソグラフィーなどのプロセスはプロセス及び装置に対して極めて高い要件を求めている。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本開示の目的は、ペロブスカイト材料バイパスダイオードの製造の困難性を低下させるために、ペロブスカイト材料バイパスダイオード及びその製造方法、ペロブスカイト太陽電池モジュール及びその製造方法、太陽光発電モジュールを提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

第１態様によれば、本開示は、ペロブスカイト材料バイパスダイオードの製造方法を提供する。該ペロブスカイト材料バイパスダイオードの製造方法は、１層のペロブスカイト材料層を提供し、ペロブスカイト材料層を処理してＰ型ペロブスカイト材料領域及びＮ型ペロブスカイト材料領域を形成し、それによってペロブスカイト材料バイパスダイオードを形成するステップを含む。

【0007】

上記技術案によれば、ペロブスカイト材料の結晶構造が「ソフト格子」の特徴を有することに鑑みて、低い温度（３００度以下）で、簡単な雰囲気熱処理、イオン拡散などのプロセスによって、Ｐ型ペロブスカイト材料又はＮ型ペロブスカイト材料を形成することができる。熱処理によって、ペロブスカイト材料の導電型をＰ型とＮ型の間で変換することができる。これにより、熱処理などの簡単なプロセスによって、ペロブスカイト材料層を容易に処理してＰ型ペロブスカイト材料領域及びＮ型ペロブスカイト材料領域を形成することができる。このとき、ペロブスカイト材料バイパスダイオードの作製プロセスが簡単で、コストが低く、作製の困難性を大幅に低下させ、太陽光発電、発光ダイオード、検出器などの多くの用途におけるペロブスカイト材料バイパスダイオードの産業応用を容易にすることができる。

【0008】

また、ペロブスカイト材料バイパスダイオードをペロブスカイト太陽電池モジュールに応用すると、ペロブスカイト太陽電池モジュールの既存のペロブスカイト材料層を使用してペロブスカイト材料バイパスダイオードをその場で製造することができる。このとき、スクライビングプロセスで作製されたペロブスカイト太陽電池モジュールにおいてペロブスカイト電池ごとに１つのペロブスカイト材料バイパスダイオードを配置することができ、それによってホットスポット効果やエネルギー変換効率の減衰を回避し、ペロブスカイト電池の安定性及び寿命を向上させることができる。

【0009】

いくつかの実現形態では、ペロブスカイト材料層のペロブスカイト材料の一般式はＡＢＸ_３であり、ここで、Ａは１価カチオン、Ｂは２価カチオン、Ｘは１価アニオンであり、Ｐ型ペロブスカイト材料領域のＡＸの含有量はＢＸ_２の含有量よりも大きく、Ｎ型ペロブスカイト材料領域のＡＸの含有量はＢＸ_２の含有量よりも小さい。このとき、ＡＸ及びＢＸ２の含有量を調整することで、ペロブスカイト材料の導電型を容易に調整でき、さらにペロブスカイト材料層のＰＮ接合構造を容易に作製できる。

【0010】

いくつかの実現形態では、ペロブスカイト材料層を処理するステップは、ペロブスカイト材料層の局所を加熱してＮ型ペロブスカイト材料領域を形成するステップ、及び／又は、ＡＸの雰囲気中で、ペロブスカイト材料層の局所を熱処理してＰ型ペロブスカイト材料領域を形成するステップを含む。加熱及びＡＸ雰囲気中での熱処理はいずれも簡単なプロセス方法である。これらの簡単なプロセス方法によってペロブスカイト材料層を局所的に処理することで、ペロブスカイト材料バイパスダイオードのＰＮ接合構造を簡単かつ迅速に製造できる。

【0011】

第２態様によれば、本開示は、第１態様又は第１態様の実現形態のいずれか１項に記載の製造方法により得られたペロブスカイト材料バイパスダイオードを提供する。

【0012】

第２態様に係るペロブスカイト材料バイパスダイオードの有益な効果について、第１態様又は第１態様の実現形態のいずれか１項に記載のペロブスカイト材料バイパスダイオードの製造方法の有益な効果を参照すればよく、ここでは重複説明を省略する。

【0013】

第３態様によれば、本開示は、ペロブスカイト太陽電池モジュールを提供する。該ペロブスカイト太陽電池モジュールは、直列接続される複数のペロブスカイト電池と、ペロブスカイト電池に並列接続される少なくとも１つのペロブスカイト材料バイパスダイオードとを含み、ペロブスカイト材料層を処理してＰ型ペロブスカイト材料領域及びＮ型ペロブスカイト材料領域を形成することによって得られる。

【0014】

上記技術案によれば、ペロブスカイト太陽電池モジュールは、ペロブスカイト電池に並列接続される少なくとも１つのペロブスカイト材料バイパスダイオードを含む。ペロブスカイト太陽電池モジュールのペロブスカイト電池が正常に動作して光電変換を行うことができる場合、ペロブスカイト材料バイパスダイオードはオンにならず、光生成電子及び光生成正孔は直列接続された複数のペロブスカイト電池内で輸送される。ペロブスカイト太陽電池モジュールでは、ペロブスカイト材料バイパスダイオードに並列接続されるペロブスカイト電池のペロブスカイト材料層（ペロブスカイト材料）に劣化や分解などの故障問題が発生する場合、該ペロブスカイト材料バイパスダイオードは故障したペロブスカイト電池をバイパスする。このとき、故障したペロブスカイト電池に並列接続されるペロブスカイト材料バイパスダイオードはその前後のペロブスカイト電池に直列接続されてオンになり、ペロブスカイト太陽電池モジュールの電流（光生成電子及び光生成正孔）はペロブスカイト材料バイパスダイオードによって輸送される。これにより、故障したペロブスカイト電池による電流の輸送に起因する電力損失を回避でき、さらにペロブスカイト太陽電池モジュールの変換効率を向上させることができる。

【0015】

また、バイパスダイオードがペロブスカイト材料バイパスダイオードであため、Ｐ型ペロブスカイト材料及びＮ型ペロブスカイト材料を使用してＰＮ接合を容易に製造してペロブスカイト材料バイパスダイオードを形成することができる。また、ペロブスカイト材料バイパスダイオードの材料がペロブスカイト電池のペロブスカイト材料層の材料と同じであることで、ペロブスカイト材料層を製造すると同時にペロブスカイト材料バイパスダイオードを製造するか、又はペロブスカイト材料層を使用してペロブスカイト材料バイパスダイオードを製造することができる。

【0016】

いくつかの実現形態では、ペロブスカイト材料バイパスダイオードの数はペロブスカイト電池の数と同じであり、ペロブスカイト材料バイパスダイオードはペロブスカイト電池に１対１で対応して並列接続される。このとき、ペロブスカイト太陽電池モジュールのペロブスカイト電池ごとに１つのペロブスカイト材料バイパスダイオードを配置することができる。どのペロブスカイト電池が故障しても、それに並列接続されたペロブスカイト材料バイパスダイオードによってバイパスでき、さらに故障したペロブスカイト電池の電力消費を回避することができる。これにより、ペロブスカイト太陽電池モジュール全体を故障から保護することができる。

【0017】

いくつかの実現形態では、ペロブスカイト材料バイパスダイオードのペロブスカイト材料の一般式はＡＢＸ_３であり、ここで、Ａは１価カチオン、Ｂは２価カチオン、Ｘは１価アニオンであり、ペロブスカイト材料バイパスダイオードのＰ型ペロブスカイト材料領域のＡＸの含有量はＢＸ_２の含有量よりも大きく、ペロブスカイト材料バイパスダイオードのＮ型ペロブスカイト材料領域のＡＸの含有量はＢＸ_２の含有量よりも小さい。このとき、ＡＸ及びＢＸ_２の含有量を調整することで、ペロブスカイト材料の導電型を容易に調整でき、さらにペロブスカイト材料バイパスダイオードのＰＮ接合構造を容易に作製できる。

【0018】

いくつかの実現形態では、各ペロブスカイト材料バイパスダイオードはペロブスカイト電池の正電極と負電極との間に設けられる。このとき、ペロブスカイト材料バイパスダイオードの２つの電極は、接続補助用のほかの構造を介せずに、ペロブスカイト電池の２つの電極に直接電気的に接触可能であり、それによって構造を簡素化することができる。ペロブスカイト材料バイパスダイオードのＰ型ペロブスカイト材料領域はペロブスカイト電池の負電極に電気的に接続され、ペロブスカイト材料バイパスダイオードのＮ型ペロブスカイト材料領域はペロブスカイト電池の正電極に接続される。このとき、ペロブスカイト材料バイパスダイオードの電流方向と、該ペロブスカイト材料バイパスダイオードに並列接続されるペロブスカイト電池の電流方向とは同じであり、ペロブスカイト材料バイパスダイオードとペロブスカイト電池との並列接続を実現することができる。

【0019】

いくつかの実現形態では、ペロブスカイト材料バイパスダイオードの横断面は長方形、三角形又は台形である。このとき、ペロブスカイト太陽電池モジュールの回路設計に応じて、異なる形状及びサイズのペロブスカイト材料バイパスダイオードを設置することができる。

【0020】

いくつかの実現形態では、ペロブスカイト太陽電池モジュールは、ペロブスカイト材料バイパスダイオードとペロブスカイト電池のペロブスカイト材料層との間に設けられる電気的分離壁をさらに含み、電気的分離壁の材料は誘電体材料、セラミック絶縁材料又は有機絶縁材料のうちのいずれか１種を含む。このとき、電気的分離壁はペロブスカイト材料バイパスダイオードとペロブスカイト材料層との絶縁分離をよく実現し、両者の漏電などの問題を回避し、ペロブスカイト材料バイパスダイオードのバイパス性能を向上させることができる。

【0021】

いくつかの実現形態では、各ペロブスカイト材料バイパスダイオードは、ペロブスカイト電池のペロブスカイト材料層のエッジ部分を熱処理することによって製造される。このとき、ペロブスカイト電池の製造過程で、ペロブスカイト材料層から一部の領域を分離し、後処理によって、該領域にＰＮ接合を有するペロブスカイト材料バイパスダイオードを構築する。このペロブスカイト材料バイパスダイオードの製造方法は、従来のスクライビングモジュールのプロセスと互換性があり、いくつかの簡単なステップを追加するだけでペロブスカイト材料バイパスダイオードの製造を実現でき、プロセスが簡単である。また、該方法は従来のプロセスの改善が少なく、コストの増加が少なく、生産と応用が容易である。

【0022】

第４態様によれば、本開示は、ペロブスカイト太陽電池モジュールの製造方法を提供する。該ペロブスカイト太陽電池モジュールの製造方法は、
モジュールベースを提供するステップであって、モジュールベースは機能層を含み、機能層はペロブスカイト材料層を含むステップと、
ペロブスカイト材料層の一部を露出させ、ペロブスカイト材料層の露出部分を処理してＰ型ペロブスカイト材料領域及びＮ型ペロブスカイト材料領域を形成し、それによってペロブスカイト材料バイパスダイオードを形成するステップと、
ペロブスカイト材料バイパスダイオードをペロブスカイト太陽電池モジュールのペロブスカイト電池に並列接続するステップと、を含む。

【0023】

上記技術案によれば、ペロブスカイト太陽電池モジュールの製造過程で、ペロブスカイト太陽電池モジュール内の既存のペロブスカイト材料層を利用して、その一部を露出及び処理してペロブスカイト材料バイパスダイオードのＰＮ接合構造を形成する。つまり、ペロブスカイト材料層にペロブスカイト材料バイパスダイオードをその場で作製する。このとき、ペロブスカイト材料バイパスダイオードの作製プロセスは、スクライビングプロセスとよく組み合わせ、ペロブスカイト電池ごとに１つのペロブスカイト材料バイパスダイオードを配置し、ホットスポット効果やエネルギー変換効率の減衰を回避し、ペロブスカイト電池の安定性及び寿命を向上させることができる。

【0024】

いくつかの実現形態では、ペロブスカイト材料バイパスダイオードはペロブスカイト太陽電池モジュールのペロブスカイト電池に１対１で対応して並列接続される。

【0025】

いくつかの実現形態では、モジュールベースを提供した後、ペロブスカイト材料層の一部を露出させる前に、ペロブスカイト太陽電池モジュールの製造方法は、モジュールベースに直列接続溝を開設するステップと、モジュールベースに少なくとも１つの電気的分離壁を形成するステップと、各電気的分離壁はペロブスカイト電池が位置する領域に位置し、ペロブスカイト電池の機能層を電池領域及びバイパスダイオード領域に分割するステップと、その後、直列接続溝を充填する第２電極層をモジュールベースに形成するステップと、をさらに含む。

【0026】

いくつかの実現形態では、ペロブスカイト材料層の一部を露出させるステップは、隣接するペロブスカイト電池を分離する分離溝を第２電極層に開設し、分離溝がペロブスカイト材料層の内部に延びることで、各バイパスダイオード領域のペロブスカイト材料層の一部を露出させるステップを含む。このとき、分離溝を開設することでバイパスダイオード領域のペロブスカイト材料層の一部を容易に露出させ、後続でペロブスカイト材料層の露出部分を容易に処理することができる。

【0027】

いくつかの実現形態では、モジュールベースに少なくとも１つの電気的分離壁を形成するステップは、モジュールベースに機能層を貫通する少なくとも１つの電気的分離溝を開設するステップと、電気的分離溝内に絶縁材料を充填して電気的分離壁を形成するステップと、を含み、絶縁材料の充填方法は成膜、蒸着又は印刷であり、直列接続溝の開設方法及び電気的分離溝の開設方法はいずれも化学エッチング、レーザースクライビング又はメカニカルスクライビングから選ばれる。このとき、電気的分離溝を開設し絶縁材料を充填することによって、ペロブスカイト電池の機能層をバイパスダイオード領域及び電池領域に容易に分割することができる。また、電気的分離溝の開設と直列接続溝の開設は同期して実行されてもよく、プロセスが簡単である。

【0028】

いくつかの実現形態では、直列接続溝の幅は１０μｍ～１００μｍであり、電気的分離溝の幅は５μｍ～５０μｍであり、電気的分離溝と直列接続溝との距離は２０μｍ～２００μｍである。このとき、電気的分離溝で形成された電気的分離壁は十分な幅を有し、良好な絶縁分離作用を発揮できる。また、電気的分離溝と直列接続溝との間に十分な空間があり、ペロブスカイト電池を分割する分離溝の設置が容易である。

【0029】

いくつかの実現形態では、同一の電極ブロックにおいて、分離溝は直列接続溝と電気的分離壁との間に位置する。このとき、分離溝は２つのペロブスカイト電池を分割するとともに、前のペロブスカイト電池の直列接続溝と後のペロブスカイト電池のペロブスカイト材料バイパスダイオードとを分離する。

【0030】

分離溝がペロブスカイト材料層の内部に延びる深さは、ペロブスカイト材料層の厚さ値の３０％以上且つペロブスカイト材料層の厚さ値の７０％以下である。このとき、バイパスダイオード領域は２つの部分に分割され、一方は露出し、他方は分離溝の底部にある材料に遮られるままである。この２つの部分はペロブスカイト材料バイパスダイオードのＰ領域及びＮ領域にそれぞれ対応する。また、Ｐ領域とＮ領域の体積の差が小さく、機能が良好なＰＮ接合を形成することを確保し、大きな体積差による機能不全を回避することができる。

【0031】

いくつかの実現形態では、分離溝の幅は１０μｍ～１００μｍである。

【0032】

いくつかの実現形態では、ペロブスカイト材料層の露出部分はバイパスダイオード領域のペロブスカイト材料層の露出部分であり、ペロブスカイト材料層の露出部分を処理するステップは、
バイパスダイオード領域のペロブスカイト材料層の露出部分のＡＸの含有量を増加させるステップ、又はバイパスダイオード領域のペロブスカイト材料層の露出部分のＡＸの含有量を減少させるステップを含む。ペロブスカイト材料中のＡＸとＢＸ_２との比によってペロブスカイト材料の導電型を調整できるため、ＡＸの含有量を変更することでＡＸとＢＸ_２との比を容易に調整でき、それによってＰＮ接合を形成する。

【0033】

いくつかの実現形態では、ペロブスカイト材料層の露出部分を処理するステップは、
バイパスダイオード領域のペロブスカイト材料層の露出部分を加熱してペロブスカイト材料バイパスダイオードのＮ型ペロブスカイト材料領域を形成するステップ、又はＡＸの雰囲気中で、バイパスダイオード領域のペロブスカイト材料層の露出部分を熱処理してペロブスカイト材料バイパスダイオードのＰ型ペロブスカイト材料領域を形成するステップを含む。ペロブスカイト格子におけるＡＸの結合力があまりに高くないため、加熱処理によってＡＸをペロブスカイト材料から放出してＮ型ペロブスカイト材料を形成することができる。ＡＸの雰囲気中で熱処理することで、ＡＸをペロブスカイト材料に注入してＰ型ペロブスカイト材料を形成することができる。このようにバイパスダイオード領域のペロブスカイト材料層の露出部分を処理することで、ＰＮ接合を簡単かつ迅速に製造することができる。

【0034】

いくつかの実現形態では、ペロブスカイト材料バイパスダイオードを形成した後、ペロブスカイト太陽電池モジュールの製造方法は、分離溝を深くしてペロブスカイト太陽電池モジュールを形成するステップをさらに含む。

【0035】

いくつかの実現形態では、モジュールベースは順に積層される基板、第１電極層及び機能層を含み、第１電極層は前記基板に間隔をおいて分布する複数の電極ブロックを含み、機能層は第１キャリア輸送層及び第２キャリア輸送層をさらに含み、第１キャリア輸送層は第１電極層とペロブスカイト材料層との間に位置し、第２キャリア輸送層はペロブスカイト材料層の第１電極層から離れた面に位置する。このとき、ペロブスカイト電池の設計需要に応じて、第１キャリア輸送層及び第２キャリア輸送層を設定することができる。

【0036】

いくつかの実現形態では、モジュールベースを提供するステップは、
導電層を有する基板を提供するステップと、
基板に導電層を貫通する第１溝を開設し、第１電極層を形成するステップと、
第１電極層上に第１電極層の電極ブロックと電極ブロック間の基板を被覆する機能層を形成するステップと、を含む。

【0037】

第５態様によれば、本開示は、太陽光発電モジュールを提供する。該太陽光発電モジュールは、第３態様又は第３態様の実現形態のいずれか１項に記載のペロブスカイト太陽電池モジュールを少なくとも１つ含む。

【0038】

第５態様に係る太陽光発電モジュールの有益な効果について、第３態様又は第３態様の実現形態のいずれか１項に記載のペロブスカイト太陽電池モジュールの有益な効果を参照すればよく、ここでは重複説明を省略する。

【0039】

ここで説明される図面は本開示をさらに理解するためのものであり、本開示の一部を構成し、本開示の例示的な実施例及びその説明は本開示を解釈するために使用され、本開示を不適切に限定しない。

【図面の簡単な説明】

【0040】

【図1】本開示の実施例に係るペロブスカイト太陽電池モジュールの構造模式図である。

【図2】本開示の実施例に係るペロブスカイト太陽電池モジュールのペロブスカイト電池の正常動作の模式図である。

【図3】本開示の実施例に係るペロブスカイト太陽電池モジュールのペロブスカイト電池の故障時の動作模式図である。

【図4】本開示の実施例に係るペロブスカイト材料層でペロブスカイト材料バイパスダイオードを製造したペロブスカイト太陽電池モジュールの構造模式図である。

【図5-14】本開示の実施例に係るペロブスカイト太陽電池モジュールの製造方法の各段階状態の模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0041】

本開示の実施例の技術案を明確に説明しやすいために、本開示の実施例では、「第１」、「第２」などの単語を使用して略同じ機能及び作用を持つ同じ項目又は類似項目を区別する。当業者であれば、「第１」、「第２」などの単語は数や実行順序を限定せず、且つ「第１」、「第２」などの単語は必ずしも異なるものを限定しないことを理解できる。

【0042】

本開示の説明では、理解できるように、「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」などの用語で指示される方位又は位置関係は図示に基づく方位又は位置関係であり、本開示を簡単に説明し且つ説明を簡略化するためのものに過ぎず、係る装置又は素子が必ずしも特定の方位を有したり、特定の方位で構成及び操作されたりすることを指示又は暗示するものではなく、本開示を限定するものではないと理解すべきである。

【0043】

なお、本開示では、「例示的」又は「例えば」などの単語は、例、例示又は説明を示すために用いられる。本開示では、「例示的」又は「例えば」として説明されるいかなる実施例又は設計スキームもほかの実施例又は設計スキームよりも好ましい又は優れているわけではないと理解すべきである。詳しく言えば、「例示的」又は「例えば」などの単語の使用は、概念を具体的に提示することを意図する。

【0044】

本開示では、「少なくとも１つ」は１つ又は複数を意味し、「複数」は２つ以上を意味する。「及び／又は」は、関連オブジェクトの関連関係を説明し、３種の関係が存在することを示し、例えば、Ａ及び／又はＢは、Ａのみが存在する場合、ＡとＢの両方が存在する場合、及びＢのみが存在する場合を示し、Ａ、Ｂは単数形又は複数形であってもよい。文字「／」は一般には、前後の関連オブジェクトが「又は」の関係を持つことを示す。「以下の少なくとも１項（個）」又はその類似表現は、これらの項目の任意の組み合わせを意味し、１つの項目（個）又は複数の項目（個）の任意の組み合わせを含む。例えば、ａ、ｂ又はｃのうちの少なくとも１項（個）は、ａ、ｂ、ｃ、ａ及びｂの組み合わせ、ａ及びｃの組み合わせ、ｂ及びｃの組み合わせ、又はａ、ｂ及びｃの組み合わせを示してもよく、ａ、ｂ、ｃは１つであってもよいし、複数であってもよい。

【0045】

ペロブスカイト材料バイパスダイオードの製造プロセスが複雑であるという問題を解決するために、本開示の実施例はペロブスカイト材料バイパスダイオードの製造方法を提供する。該ペロブスカイト材料バイパスダイオードの製造方法は、１層のペロブスカイト材料層を提供し、ペロブスカイト材料層を処理してＰ型ペロブスカイト材料領域及びＮ型ペロブスカイト材料領域を形成し、それによってペロブスカイト材料バイパスダイオードを形成するステップを含む。

【0046】

上記製造方法によれば、ペロブスカイト材料の結晶構造が「ソフト格子」の特徴を有することに鑑みて、低い温度（３００度以下）で、簡単な雰囲気熱処理、イオン拡散などのプロセスによって、Ｐ型ペロブスカイト材料又はＮ型ペロブスカイト材料を形成することができる。熱処理によって、ペロブスカイト材料の導電型をＰ型とＮ型の間で変換することができる。これにより、熱処理などの簡単なプロセスによって、ペロブスカイト材料層を容易に処理してＰ型ペロブスカイト材料領域及びＮ型ペロブスカイト材料領域を形成することができる。このとき、ペロブスカイト材料バイパスダイオードの作製プロセスが簡単で、コストが低く、作製の困難性を大幅に低下させ、太陽光発電、発光ダイオード、検出器などの多くの用途におけるペロブスカイト材料バイパスダイオードの産業応用を容易にすることができる。

【0047】

また、ペロブスカイト材料バイパスダイオードをペロブスカイト太陽電池モジュールに応用すると、ペロブスカイト太陽電池モジュールの既存のペロブスカイト材料層を使用してペロブスカイト材料バイパスダイオードをその場で製造することができる。このとき、スクライビングプロセスで作製されたペロブスカイト太陽電池モジュールにおいてペロブスカイト電池ごとに１つのペロブスカイト材料バイパスダイオードを配置することができ、それによってホットスポット効果やエネルギー変換効率の減衰を回避し、ペロブスカイト電池の安定性及び寿命を向上させることができる。

【0048】

上記ペロブスカイト材料層のペロブスカイト材料の一般式はＡＢＸ_３であり、ここで、Ａは１価カチオン、Ｂは２価カチオン、Ｘは１価アニオンである。具体的には、ＡはＦＡ^＋、ＭＡ^＋又はＣｓ^＋のうちの少なくとも１種であってもよく、ＢはＰｂ^２＋又はＳｎ^２＋のうちの少なくとも１種であってもよく、ＸはＣｌ^－、Ｂｒ^－又はＩ^－のうちの少なくとも１種であってもよい。このとき、Ｐ型ペロブスカイト材料とＮ型ペロブスカイト材料とを接触させることで、ＰＮ接合を容易に形成できる。

【0049】

上記Ｐ型ペロブスカイト材料領域のＡＸの含有量はＢＸ_２の含有量よりも大きく、Ｎ型ペロブスカイト材料領域のＡＸの含有量はＢＸ_２の含有量よりも小さい。ＡＢＸ_３ペロブスカイト材料は、通常、ＡＸ及びＢＸ_２からなる。ＢＸ_２の含有量がＡＸよりも大きいと、ペロブスカイト材料はＮ型ペロブスカイト材料であり、ＡＸの含有量がＢＸ_２よりも大きいと、ペロブスカイト材料はＰ型ペロブスカイト材料である。ＡＢＸ_３ペロブスカイト材料中のＡＸとＢＸ_２との比を調整しやすいという材料の特徴に基づいて、ペロブスカイト材料中のＡＸとＢＸ_２との比を調整することで、Ｐ型ペロブスカイト材料及びＮ型ペロブスカイト材料を容易に製造でき、それによってＰＮ接合を有するペロブスカイト材料バイパスダイオード２０を形成する。

【0050】

１層のペロブスカイト材料層を提供する方法は、塗布、成膜、スパッタリングなどであってもよい。

【0051】

ペロブスカイト材料層を処理するステップは、ペロブスカイト材料層の局所を加熱してＮ型ペロブスカイト材料領域を形成するステップ、及び／又は、ＡＸの雰囲気中で、ペロブスカイト材料層の局所を熱処理してＰ型ペロブスカイト材料領域を形成するステップを含む。加熱及びＡＸ雰囲気中での熱処理はいずれも簡単なプロセス方法である。これらの簡単なプロセス方法によってペロブスカイト材料層を局所的に処理することで、ペロブスカイト材料バイパスダイオードのＰＮ接合構造を簡単かつ迅速に製造できる。ペロブスカイト材料層の処理過程について、以下、ペロブスカイト太陽電池モジュールを参照して詳細に説明する。

【0052】

本開示の実施例は、上記製造方法により得られたペロブスカイト材料バイパスダイオードをさらに提供する。該ペロブスカイト材料バイパスダイオードの有益な効果について、上記ペロブスカイト材料バイパスダイオードの製造方法の有益な効果を参照すればよく、ここでは重複説明を省略する。

【0053】

本開示の実施例は、ペロブスカイト太陽電池モジュールをさらに提供する。図１に示すように、該ペロブスカイト太陽電池モジュールは、直列接続される複数のペロブスカイト電池１０と、ペロブスカイト電池に並列接続される少なくとも１つのペロブスカイト材料バイパスダイオード２０とを含み、ペロブスカイト材料層を処理してＰ型ペロブスカイト材料領域及びＮ型ペロブスカイト材料領域を形成することによって得られる。

【0054】

上記構造からわかるように、ペロブスカイト太陽電池モジュールは、ペロブスカイト電池１０に並列接続される少なくとも１つのペロブスカイト材料バイパスダイオード２０を含む。図１及び図２に示すように、図中の点線は光生成電子及び光生成正孔の流れ方向を示す。ペロブスカイト太陽電池モジュールのペロブスカイト電池１０が正常に動作して光電変換を行うことができる場合、ペロブスカイト材料バイパスダイオード２０はオンにならず、光生成電子及び光生成正孔は直列接続された複数のペロブスカイト電池１０内で輸送される。図３に示すように、ペロブスカイト太陽電池モジュールでは、ペロブスカイト材料バイパスダイオード２０に並列接続されるペロブスカイト電池１０のペロブスカイト材料層１４（ペロブスカイト材料）に劣化や分解などの故障問題が発生する場合、該ペロブスカイト材料バイパスダイオード２０は故障したペロブスカイト電池１０をバイパスする。このとき、故障したペロブスカイト電池１０に並列接続されるペロブスカイト材料バイパスダイオード２０はその前後のペロブスカイト電池１０に直列接続されてオンになり、ペロブスカイト太陽電池モジュールの電流（光生成電子及び光生成正孔）はペロブスカイト材料バイパスダイオード２０によって輸送される。これにより、故障したペロブスカイト電池による電流の輸送に起因する電力損失を回避でき、さらにペロブスカイト太陽電池モジュールの変換効率を向上させることができる。

【0055】

また、バイパスダイオードがペロブスカイト材料バイパスダイオードであため、Ｐ型ペロブスカイト材料及びＮ型ペロブスカイト材料を使用してＰＮ接合を容易に製造してペロブスカイト材料バイパスダイオードを形成することができる。また、ペロブスカイト材料バイパスダイオードの材料がペロブスカイト電池のペロブスカイト材料層の材料と同じであることで、ペロブスカイト材料層を製造すると同時にペロブスカイト材料バイパスダイオードを製造するか、又はペロブスカイト材料層を使用してペロブスカイト材料バイパスダイオードを製造することができる。

【0056】

数量に関して、上記ペロブスカイト材料バイパスダイオード２０の数はペロブスカイト電池１０の数と同じであってもよく、ペロブスカイト材料バイパスダイオード２０はペロブスカイト電池１０に１対１で対応して並列接続される。このとき、ペロブスカイト太陽電池モジュールのペロブスカイト電池１０ごとに１つのペロブスカイト材料バイパスダイオード２０を配置することができる。どのペロブスカイト電池１０が故障しても、それに並列接続されたペロブスカイト材料バイパスダイオード２０によってバイパスでき、さらに故障したペロブスカイト電池１０の電力消費を回避する。これにより、ペロブスカイト太陽電池モジュール全体を故障から保護することができる。

【0057】

例示的には、ペロブスカイト太陽電池モジュールが直列接続される１０個のペロブスカイト電池１０を含む場合、ペロブスカイト材料バイパスダイオード２０の数は１０個であり、ペロブスカイト電池１０ごとに１つのペロブスカイト材料バイパスダイオード２０が並列接続される。

【0058】

材料に関して、ペロブスカイト材料バイパスダイオード２０のペロブスカイト材料の一般式はＡＢＸ_３であり、ここで、Ａは１価カチオン、Ｂは２価カチオン、Ｘは１価アニオンであり、ペロブスカイト材料バイパスダイオード２０のＰ型ペロブスカイト材料領域のＡＸの含有量はＢＸ_２の含有量よりも大きく、ペロブスカイト材料バイパスダイオード２０のＮ型ペロブスカイト材料領域のＡＸの含有量はＢＸ_２の含有量よりも小さい。このとき、ＡＸ及びＢＸ_２の含有量を調整することで、ペロブスカイト材料の導電型を容易に調整でき、さらにペロブスカイト材料バイパスダイオード２０のＰＮ接合構造を容易に作製できる。

【0059】

図１－４に示すように、設置位置に関して、各ペロブスカイト材料バイパスダイオード２０はペロブスカイト電池１０の正電極と負電極との間に設けられる。このとき、ペロブスカイト材料バイパスダイオード２０の２つの電極は、接続補助用のほかの構造を介せずに、ペロブスカイト電池１０の２つの電極に直接電気的に接触可能であり、それによって構造を簡素化することができる。

【0060】

理解できるように、ペロブスカイト電池１０の正電極と負電極との間には、ペロブスカイト材料層１４などの機能構造が設置されるだけでなく、ペロブスカイト材料バイパスダイオード２０が設置される。つまり、正電極と負電極との間には、ペロブスカイト材料バイパスダイオード２０とペロブスカイト材料層１４が並列に設置されている。

【0061】

接続方法に関して、ペロブスカイト材料バイパスダイオード２０のＰ型ペロブスカイト材料領域はペロブスカイト電池１０の負電極に電気的に接続され、ペロブスカイト材料バイパスダイオード２０のＮ型ペロブスカイト材料領域はペロブスカイト電池１０の正電極に電気的に接続される。このとき、ペロブスカイト材料バイパスダイオード２０の電流方向と、該ペロブスカイト材料バイパスダイオード２０に並列接続されるペロブスカイト電池１０の電流方向とは同じであり、ペロブスカイト材料バイパスダイオード２０とペロブスカイト電池１０との並列接続を実現することができる。

【0062】

理解できるように、上記ペロブスカイト材料バイパスダイオード２０のＰ型ペロブスカイト材料領域とは、ペロブスカイト材料バイパスダイオード２０が有するＰＮ接合のＰ領域である。ペロブスカイト材料バイパスダイオード２０のＮ型ペロブスカイト材料領域とは、ペロブスカイト材料バイパスダイオード２０が有するＰＮ接合のＮ領域である。

【0063】

具体的な実施において、正電極と負電極との間に位置するペロブスカイト材料バイパスダイオード２０は、そのＰ型ペロブスカイト材料領域が負電極に電気的に接触してもよく、そのＮ型ペロブスカイト材料領域が正電極に電気的に接触してもよい。勿論、ペロブスカイト材料バイパスダイオード２０のＰ型ペロブスカイト材料領域（Ｎ型ペロブスカイト材料領域）はキャリア輸送層を介して負電極（正電極）に電気的に接触してもよい。

【0064】

形状に関して、上記ペロブスカイト材料バイパスダイオード２０の横断面は長方形又は三角形又は台形であってもよい。このとき、ペロブスカイト太陽電池モジュールの回路設計に応じて、異なる形状及びサイズのペロブスカイト材料バイパスダイオード２０を設置することができる。

【0065】

上記横断面とは、ペロブスカイト材料バイパスダイオード２０をペロブスカイト電池１０の厚さ方向と垂直に切断したペロブスカイト材料バイパスダイオード２０の断面形状である。該横断面は、ペロブスカイト太陽電池モジュールの基板１１上でのペロブスカイト材料バイパスダイオード２０の正投影のパターンでもある。

【0066】

上記ペロブスカイト電池１０はＮ－Ｉ－Ｐ構造であってもよいし、ペロブスカイト電池１０はＰ－Ｉ－Ｎ構造であってもよい。具体的には、ペロブスカイト電池１０は順に積層された基板１１、第１電極層１２、第１キャリア輸送層１３、ペロブスカイト材料層１４、第２キャリア輸送層１５及び第２電極層１６を含んでもよい。該ペロブスカイト材料層１４の材料はペロブスカイト材料であり、ペロブスカイト材料の一般式はＡＢＸ_３であり、ここで、ＡはＦＡ^＋、ＭＡ^＋又はＣｓ^＋のうちの少なくとも１種であり、ＢはＰｂ^２＋又はＳｎ^２＋のうちの少なくとも１種であり、ＸはＣｌ^－、Ｂｒ^－又はＩ^－のうちの少なくとも１種である。Ｎ－Ｉ－Ｐ構造のペロブスカイト電池１０の場合、第１電極層１２は負電極、第２電極層１６は正電極、第１キャリア輸送層１３は電子輸送層、第２キャリア輸送層１５は正孔輸送層である。Ｐ－Ｉ－Ｎ構造のペロブスカイト電池１０の場合、第１電極層１２は正電極、第２電極層１６は負電極、第１キャリア輸送層１３は正孔輸送層、第２キャリア輸送層１５は電子輸送層である。

【0067】

図４に示すように、ペロブスカイト材料バイパスダイオード２０の材料がペロブスカイト材料層１４の材料と同じであり得るため、各ペロブスカイト材料バイパスダイオード２０は、ペロブスカイト電池１０のペロブスカイト材料層１４のエッジ部分を熱処理することによって製造され得る。このとき、ペロブスカイト電池１０の製造過程で、ペロブスカイト材料層１４から一部の領域を分離し、後処理によって、該領域にＰＮ接合を有するペロブスカイト材料バイパスダイオード２０を構築する。このペロブスカイト材料バイパスダイオード２０の製造方法は、従来のスクライビングモジュールのプロセスと互換性があり、いくつかの簡単なステップを追加するだけでペロブスカイト材料バイパスダイオード２０の製造を実現でき、プロセスが簡単である。また、該方法は従来のプロセスの改善が少なく、コストの増加が少なく、生産と応用が容易である。

【0068】

上記エッジ領域とは、上面視において、ペロブスカイト材料層１４のエッジに近い領域である。該エッジ部分のサイズは、ペロブスカイト材料バイパスダイオード２０の需要に応じて設定できる。ただし、ペロブスカイト材料バイパスダイオード２０が占有するエッジ部分は、ペロブスカイト材料層１４の光電変換領域の面積を確保するために、できるだけ小さくすべきである。ペロブスカイト材料バイパスダイオード２０の製造が完了すると、ペロブスカイト材料層１４のエッジ部分はペロブスカイト材料バイパスダイオード２０となり、ペロブスカイト材料層１４の残りの部分はペロブスカイト材料層１４であり、光電変換を実現する。

【0069】

図１－４に示すように、上記ペロブスカイト太陽電池モジュールは電気的分離壁３０をさらに含む。電気的分離壁３０はペロブスカイト材料バイパスダイオード２０とペロブスカイト電池１０のペロブスカイト材料層１４との間に設けられ、電気的分離壁３０の材料は誘電体材料又はセラミック絶縁材料又は有機絶縁材料であってもよい。このとき、電気的分離壁３０は、ペロブスカイト材料バイパスダイオード２０とペロブスカイト材料層１４との絶縁分離をよく実現し、両者の漏電などの問題を回避し、ペロブスカイト材料バイパスダイオード２０のバイパス性能を向上させることができる。

【0070】

基板１１から離れる方向に沿って、電気的分離壁３０の高さはペロブスカイト材料層１４の厚さ以上であり、電気的分離壁３０は少なくともペロブスカイト材料層１４とペロブスカイト材料バイパスダイオード２０との接触を防止することができる。

【0071】

本開示の実施例は上記ペロブスカイト太陽電池モジュールの製造方法をさらに提供する。図５－１４に示すように、該製造方法は、以下のステップを含む。

【0072】

ステップＳ１００：図５に示すように、導電層を有する基板１１を提供する。該導電層は基板１１全体を被覆する。該基板１１はガラスなどであってもよい。

【0073】

ステップＳ２００：図６に示すように、上記基板１１に導電層を貫通する第１溝４１を開設し、第１電極層１２を形成する。この過程では、導電層は第１溝４１により複数の電極ブロック１２１に分割される。このとき、第１電極層１２は基板１１に間隔をおいて分布する複数の電極ブロック１２１を含む。電極ブロック１２１同士は互いに電気的に分離される。各電極ブロック１２１はペロブスカイト電池１０の第１電極層１２である。上記第１溝４１の数は電極ブロック１２１の数と一致する。第１溝４１の幅は１０μｍ～１００μｍであってもよい。例えば、第１溝４１の幅は１０μｍ、２０μｍ、３０μｍ、４０μｍ、５０μｍ、６０μｍ、７０μｍ、８０μｍ、９０μｍ、１００μｍなどであってもよい。ただし、本開示の実施例では、各溝の幅とは、溝の２つの側壁間の距離である。

【0074】

ステップＳ３００：図７に示すように、第１電極層１２上に機能層を形成し、機能層は第１電極層１２の電極ブロック１２１と電極ブロック１２１との間の基板１１を被覆する。機能層はペロブスカイト材料層１４を含み、第１キャリア輸送層１３及び第２キャリア輸送層１５をさらに含んでもよい。第１キャリア輸送層１３は第１電極層１２とペロブスカイト材料層１４との間に位置し、第２キャリア輸送層１５はペロブスカイト材料層１４の第１電極層１２から離れた面に位置する。このとき、ペロブスカイト電池１０の設計需要に応じて、第１キャリア輸送層１３及び第２キャリア輸送層１５を設置することができる。

【0075】

機能層が第１キャリア輸送層１３、ペロブスカイト材料層１４及び第２キャリア輸送層１５を含むことを例とすると、機能層の形成方法は、第１電極層１２上に第１キャリア輸送層１３、ペロブスカイト材料層１４及び第２キャリア輸送層１５を順番成膜させることである。このとき、第１キャリア輸送層１３は第１電極層１２の電極ブロック１２１を被覆するだけでなく、第１溝４１を充填する。理解できるように、機能層に含まれる各層の形成方法は実際の生産に応じて選択することができる。

【0076】

以上の３つのステップは後続の製造ステップのためにモジュールベースを提供することができる。該モジュールベースは順に積層される基板１１、第１電極層１２及び機能層を含む。第１電極層１２は基板１１に間隔をおいて分布する複数の電極ブロック１２１を含み、機能層は少なくともペロブスカイト材料層１４を含む。

【0077】

ステップＳ４００：図８及び図９に示すように、モジュールベースに直列接続溝４２を開設し、モジュールベースに少なくとも１つの電気的分離壁３０を形成し、各電気的分離壁３０はペロブスカイト電池１０が位置する領域に位置し、ペロブスカイト電池１０の機能層を電池領域及びバイパスダイオード領域に分割する。

【0078】

図８に示すように、上記直列接続溝４２は後続のプロセスで第２電極材料を充填するために用いられ、それによって隣接するペロブスカイト電池１０の直列接続を実現する。該直列接続溝４２は機能層を貫通し、第１電極層１２を破壊しない。直列接続溝４２の幅は１０μｍ～１００μｍであってもよく、例えば１０μｍ、２０μｍ、４０μｍ、５０μｍ、７０μｍ、９０μｍ、１００μｍなどである。直列接続溝４２と第１溝４１との距離は５μｍ～５０μｍであってもよく、例えば５μｍ、１０μｍ、３０μｍ、４０μｍ、５０μｍなどである。

【0079】

モジュールベースに少なくとも１つの電気的分離壁３０を形成する具体的なステップは、以下のステップを含む。

【0080】

図８に示すように、モジュールベースに少なくとも１つの電気的分離溝４３を開設し、電気的分離溝４３は機能層を貫通する。

【0081】

図９に示すように、その後、電気的分離溝４３内に絶縁材料を充填して電気的分離壁３０を形成する。絶縁材料の充填方法は、成膜、蒸着又は印刷である。絶縁材料は誘電体材料、セラミック絶縁材料又は有機物絶縁材料であってもよい。このとき、電気的分離溝４３を開設し絶縁材料を充填することによって、ペロブスカイト電池１０の機能層をバイパスダイオード領域及び電池領域に容易に分割することができる。また、電気的分離溝４３の開設と直列接続溝４２の開設は同期して実行されてもよく、プロセスが簡単である。

【0082】

図８に示すように、上記電気的分離溝４３の幅は５μｍ～５０μｍであってもよく、例えば５μｍ、１０μｍ、２０μｍ、３０μｍ、４０μｍ、５０μｍなどである。電気的分離溝４３と直列接続溝４２との距離は２０μｍ～２００μｍであってもよく、例えば２０μｍ、４０μｍ、６０μｍ、１００μｍ、１２０μｍ、１５０μｍ、１８０μｍ、１９０μｍ、２００μｍなどである。このとき、電気的分離溝４３で形成された電気的分離壁３０は十分な幅を有し、良好な絶縁分離作用を発揮できる。また、電気的分離溝４３と直列接続溝４２との間に十分な空間があり、ペロブスカイト電池１０を分割する分離溝４４０の設置が容易である。

【0083】

理解できるように、実際の応用では、各電極ブロック１２１には１つの直列接続溝４２と１つの電気的分離溝４３が設けられてもよい。直列接続溝４２を開設してから電気的分離溝４３を開設してもよい。電気的分離溝４３を開設してから直列接続溝４２を開設してもよい。直列接続溝４２と電気的分離溝４３を同時に開設してもよい。また、上記絶縁材料の充填過程で、絶縁材料は電気的分離溝４３のみに充填される。

【0084】

ステップＳ５００：図９に示すように、直列接続溝４２を充填する第２電極層１６をモジュールベースに形成する。第２電極層１６は直列接続溝４２を充填することで、第２電極層１６と第１電極層１２との電気的接続を実現する。また、第２電極層１６は機能層の表面を被覆する。第２電極層１６の材料は導電性が良好な材料である。このとき、第１電極層１２は正電極、第２電極層１６は負電極である。又は、第１電極層１２は負電極、第２電極層１６は正電極である。

【0085】

ステップＳ６００：図１０に示すように、ペロブスカイト材料層の一部を露出させる。具体的な方法は、隣接するペロブスカイト電池１０を分離する分離溝４４０を第２電極層１６に開設する。分離溝４４０がペロブスカイト材料層１４の内部に延びることで、各バイパスダイオード領域の一部を露出させる。

【0086】

同一の電極ブロック１２１において、分離溝４４０は直列接続溝４２と電気的分離壁３０との間に位置する。このとき、分離溝４４０は２つのペロブスカイト電池１０を分割するとともに、前のペロブスカイト電池１０の直列接続溝４２と後のペロブスカイト電池１０のペロブスカイト材料バイパスダイオード２０とを分離する。

【0087】

分離溝４４０がペロブスカイト材料層１４の内部に延びる深さは、ペロブスカイト材料層１４の厚さ値の３０％以上且つペロブスカイト材料層１４の厚さ値の７０％以下である。ペロブスカイト材料層１４の厚さ値とは、第１電極層１２上に位置するペロブスカイト材料層１４の高さ値であり、第１溝４１内に位置する可能性があるペロブスカイト材料層１４部分の高さを含む。具体的には、分離溝４４０がペロブスカイト材料層１４の内部に延びる深さはペロブスカイト材料層１４の厚さ値の３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５６％、５８％、６０％、６５％、７０％などの位置と合わせる。このとき、バイパスダイオード領域は２つの部分に分割され、一方は露出し、他方は分離溝４４０の底部にある材料に遮られるままである。この２つの部分はペロブスカイト材料バイパスダイオード２０のＰ領域及びＮ領域にそれぞれ対応する。分離溝４４０がペロブスカイト材料層１４の厚さの３０％～７０％まで延びる場合、Ｐ領域とＮ領域の体積の差が小さく、機能が良好なＰＮ接合を形成することを確保し、大きな体積差による機能不全を回避することができる。

【0088】

上記分離溝４４０の幅は１０μｍ～１００μｍであってもよく、例えば１０μｍ、２０μｍ、４０μｍ、５０μｍ、６０μｍ、７０μｍ、９０μｍ、１００μｍなどである。

【0089】

ステップＳ７００：図１１に示すように、ペロブスカイト材料層１４の露出部分を処理してＰ型ペロブスカイト材料領域及びＮ型ペロブスカイト材料領域を形成し、それによってペロブスカイト材料バイパスダイオード２０を形成する。ペロブスカイト材料層１４の露出部分は、バイパスダイオード領域のペロブスカイト材料層１４の露出部分である。

【0090】

バイパスダイオード領域のペロブスカイト材料層の材料はＡＢＸ_３ペロブスカイト材料であり、所定の化学量論比に従ってＡＸとＢＸ_２で構成される。ここで、ＡはＦＡ^＋、ＭＡ^＋又はＣｓ^＋イオンのうちの少なくとも１種であってもよく、ＢはＰｂ^２＋又はＳｎ^２＋イオンのうちの少なくとも１種であってもよく、ＸはＣｌ^－、Ｂｒ^－又はＩ^－のうちの少なくとも１種であってもよい。

【0091】

ペロブスカイト材料層１４の露出部分を処理するステップは、以下のステップを含む。

【0092】

バイパスダイオード領域のペロブスカイト材料層１４の露出部分のＡＸの含有量を増加させることで、該バイパスダイオード領域のペロブスカイト材料層１４の露出部分をＰ型ペロブスカイト材料に変換する。又は、バイパスダイオード領域のペロブスカイト材料層１４の露出部分のＡＸの含有量を減少させることで、バイパスダイオード領域のペロブスカイト材料層１４の露出部分をＮ型ペロブスカイト材料に変換する。ペロブスカイト材料中のＡＸとＢＸ_２との比によってペロブスカイト材料の導電型を調整できるため、ＡＸの含有量を変更することでＡＸとＢＸ_２との比を容易に調整でき、それによってＰＮ接合を形成する。

【0093】

ペロブスカイト材料層１４の露出部分を処理するステップは、バイパスダイオード領域のペロブスカイト材料層１４の露出部分を加熱してペロブスカイト材料バイパスダイオード２０のＮ型ペロブスカイト材料領域を形成するステップ、又はＡＸの雰囲気５０中で、バイパスダイオード領域のペロブスカイト材料層１４の露出部分を熱処理してペロブスカイト材料バイパスダイオード２０のＰ型ペロブスカイト材料領域を形成するステップを含む。ペロブスカイト格子におけるＡＸの結合力があまりに高くないため、加熱処理によってＡＸをペロブスカイト材料から放出してＮ型ペロブスカイト材料を形成することができる。ＡＸの雰囲気５０中で熱処理することで、ＡＸをペロブスカイト材料に注入してＰ型ペロブスカイト材料を形成することができる。このようにバイパスダイオード領域のペロブスカイト材料層１４の露出部分を処理することで、ＰＮ接合を簡単かつ迅速に製造することができる。

【0094】

例示的には、図１２に示すように、ペロブスカイト材料層１４がＮ型ペロブスカイト材料である場合、分離溝４４０を有するモジュールベースを形成し、ＡＸの雰囲気５０中で熱処理すると、ＡＸがバイパスダイオード領域のペロブスカイト材料層１４の露出部分から拡散して上半部のペロブスカイト材料に注入され、上半部の露出したペロブスカイト材料がＰ型ペロブスカイト材料となり、それによって図１２におけるペロブスカイト材料バイパスダイオード２０のＰＮ接合を形成する。このとき、形成されたペロブスカイト材料バイパスダイオード２０の上側はＰ領域、下側はＮ領域である。このようなペロブスカイト材料バイパスダイオード２０をＰ－Ｉ－Ｎ構造のペロブスカイト電池１０に製造することができる。

【0095】

例示的には、図１３に示すように、ペロブスカイト材料層１４がＰ型ペロブスカイト材料である場合、分離溝４４０を形成した後、バイパスダイオード領域のペロブスカイト材料層１４の露出部分を加熱処理することで、バイパスダイオード領域のペロブスカイト材料層１４の露出部分のＡＸの一部をペロブスカイト材料から放出する。加熱処理後、バイパスダイオード領域の上半部のペロブスカイト材料がＮ型ペロブスカイト材料に変換され、それによって図１３に示すペロブスカイト材料バイパスダイオード２０のＰＮ接合を形成する。このとき、形成されたペロブスカイト材料バイパスダイオード２０の上側はＮ領域、下側はＰ領域である。このようなペロブスカイト材料バイパスダイオード２０をＮ－Ｉ－Ｐ構造のペロブスカイト電池１０に製造することができる。

【0096】

ステップＳ８００：図１４に示すように、分離溝４４０を深くして、分離溝４４０から第２溝４４を形成し、ペロブスカイト太陽電池モジュールを形成する。分離溝４４０を深くして形成された第２溝４４は第２電極層１６及び機能層を貫通し、第１電極層１２を破壊しない。このとき、ペロブスカイト材料バイパスダイオード２０はペロブスカイト太陽電池モジュールのペロブスカイト電池１０に１対１で対応して並列接続される。

【0097】

上記第１溝４１の開設、直列接続溝４２の開設、電気的分離溝４３の開設、分離溝４４０の開設及び分離溝４４０の深めの方法は、化学エッチング、レーザースクライビング又はメカニカルスクライビングから選ばれる。

【0098】

以上のように、本開示の実施例では、ペロブスカイト材料バイパスダイオード２０の製造過程で、電気的分離溝４３を開設するプロセスと、従来のプロセスで直列接続溝４２を開設するプロセスとは同じプロセスを使用して同時に行われてもよい。絶縁材料の充填プロセスは第２電極層１６の形成プロセスと高い互換性がある。これにより、一方では、工程を簡略化し、製造の困難性を低下させることができる。他方では、従来のプロセスの改善が少なく、改良コストを削減でき、生産と応用が容易である。本開示の実施では、従来技術で一括して開設された第２溝４４を２つのステップで形成し、まず、ペロブスカイト材料層１４の内部に延びる分離溝４４０を開設し、その後、分離溝４４０を深くする。この過程で、分離溝４４０を使用してペロブスカイト材料バイパスダイオード２０を２つの部分に分割し、それによってペロブスカイト材料バイパスダイオード２０の一部のみを処理してＰＮ接合を有するペロブスカイト材料バイパスダイオード２０を形成することができる。また、第２溝４４を２つのステップで開設することは第２溝４４とペロブスカイト太陽電池モジュールに影響しない。このようにペロブスカイト材料バイパスダイオード２０を形成する方法は、従来のスクライビング直列接続プロセスとよく組み合わせることができ、第２溝４４を形成する元のステップをわずかに改善するだけでペロブスカイト材料バイパスダイオード２０を形成することができる。この場合、製造プロセスが簡単で、製造の困難性が低く、生産と応用が容易であるだけでなく、従来のプロセスの改良コストが小さい。

【0099】

本開示の実施例は、太陽光発電モジュールをさらに提供する。該太陽光発電モジュールは少なくとも１つの上記ペロブスカイト太陽電池モジュールを含む。

【0100】

具体的には、太陽光発電モジュールは、１つの基板に複数のペロブスカイト太陽電池モジュールを電気的に接続するものであってもよい。太陽光発電モジュールは複数のペロブスカイト太陽電池モジュールを溶接ストリップによって直列・並列接続して形成された太陽光発電モジュールであってもよい。

【0101】

ペロブスカイト太陽電池モジュールをさらに説明するために、本開示は上記ペロブスカイト太陽電池モジュール及びその製造方法の具体的な実施例をさらに提供する。

【0102】

＜実施例１＞
本実施例では、長さ、幅、厚さがそれぞれ６００ｍｍ×６００ｍｍ×２．２ｍｍのＩＴＯ導電性ガラスを基板として使用し、ペロブスカイト太陽電池モジュールを製造した。

【0103】

ステップ１では、ＩＴＯ導電性ガラスに第１溝を形成した。レーザーエッチング方法を使用して、ＩＴＯ導電性ガラスの導電面に、１０ｍｍおきに、幅５０μｍの第１溝を開設し、第１電極層を形成した。

【0104】

ステップ２では、第１溝を有する基板上にＴｉＯ_２電子輸送層（厚さ５０ｎｍ）、Ｐ型ＦＡＰｂＩ_３ペロブスカイト材料層（厚さ１０００ｎｍ）、Ｓｐｉｒｏ－ＯＭｅＴＡＤ正孔輸送層（厚さ１５０ｎｍ）を製造した。

【0105】

ステップ３では、レーザーエッチング方法を使用して直列接続溝（幅５０μｍ）及び電気的分離溝（幅２０μｍ）を開設し、直列接続溝と第１溝との距離は１０μｍ、電気的分離溝と直列接続溝との距離は５０μｍであり、その後、電気的分離溝内にＺｒＯ_２絶縁材料を充填した。

【0106】

ステップ４では、絶縁材料を充填した後、厚さ１００ｎｍのＡｕ金薄膜を第２電極層として製造した。その後、レーザーエッチング方法を使用して分離溝を開設した。

【0107】

ステップ５では、分離溝を有する基板を不活性雰囲気中で８０℃で５ｈ加熱し、バイパスダイオード領域のペロブスカイト材料層の露出部分中のＦＡＩの一部をペロブスカイト材料から放出し、上半部にペロブスカイト材料バイパスダイオードのＮ型領域を形成し、ペロブスカイト材料バイパスダイオードを得た。

【0108】

ステップ６では、レーザーエッチング方法を使用して分離溝の深さをペロブスカイト材料層の内部位置からＩＴＯ層と電子輸送層との境界位置までエッチングし、ペロブスカイト太陽電池モジュールの製造が完了した。

【0109】

＜実施例２＞
本実施例では、長さ、幅、厚さがそれぞれ６００ｍｍ×６００ｍｍ×２．２ｍｍのＩＴＯ導電性ガラスを基板として使用し、ペロブスカイト太陽電池モジュールを製造した。

【0110】

ステップ１では、ＩＴＯ導電性ガラスに第１溝を形成した。レーザーエッチング方法を使用して、ＩＴＯ導電性ガラスの導電面に、１０ｍｍおきに、幅５０μｍの第１溝を開設し、第１電極層を形成した。

【0111】

ステップ２では、第１溝を有する基板上にＰＣ_６１ＢＭ正孔輸送層（厚さ１５０ｎｍ）、Ｐ型ＦＡＰｂＩ_３ペロブスカイト材料層（厚さ１０００ｎｍ）、ＮｉＯ電子輸送層（厚さ５０ｎｍ）を製造した。

【0112】

ステップ３では、レーザーエッチング方法を使用して直列接続溝（幅５０μｍ）及び電気的分離溝（幅２０μｍ）を開設し、直列接続溝と第１溝との距離は１０μｍ、電気的分離溝と直列接続溝との距離は５０μｍであり、その後、電気的分離溝内にＺｒＯ_２絶縁材料を充填した。

【0113】

ステップ４では、絶縁材料を充填した後、厚さ１００ｎｍのＡｕ金薄膜を第２電極層として製造した。その後、レーザーエッチング方法を使用して分離溝を開設した。

【0114】

ステップ５では、分離溝を有する基板をＦＡＩ雰囲気中で８０℃で５ｈ加熱し、加熱過程でＦＡＩをバイパスダイオード領域のペロブスカイト材料層の露出部分に注入し、上半部にペロブスカイト材料バイパスダイオードのＰ型領域を形成し、ペロブスカイト材料バイパスダイオードを得た。

【0115】

ステップ６では、レーザーエッチング方法を使用して分離溝の深さをペロブスカイト材料層の内部位置からＩＴＯ層と電子輸送層との境界位置までエッチングし、ペロブスカイト太陽電池モジュールの製造が完了した。

【0116】

実施例１及び実施例２で製造されたペロブスカイト太陽電池モジュールをテストした。テスト過程で、１つのペロブスカイト電池のペロブスカイト材料層のペロブスカイト材料を破壊して故障させた。その後、その変換効率をテストし、ペロブスカイト材料バイパスダイオードを設置していないペロブスカイト太陽電池モジュールと比較した。結果は、本開示の実施例１及び実施例２で製造されたペロブスカイト太陽電池モジュールの変換効率が、ペロブスカイト材料バイパスダイオードを設置していないペロブスカイト太陽電池モジュールよりも有意に高いことを示した。

【0117】

ここでは各実施例を参照しながら本開示を説明したが、保護しようとする本開示を実施する過程で、当業者は、図面、開示の内容、及び添付の特許請求の範囲を読むことで開示の実施例のほかの変更を理解及び実現することができる。請求項では、「含む」（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）という用語は、ほかの構成部分又はステップを除外せず、「一」又は「１つ」は複数の場合を除外しない。互いに異なる従属請求項にはいくつかの措置が記載されているが、これらの措置を組み合わせて良い結果を生成できないことを意味するものではない。

【0118】

具体的な特徴及びその実施例を参照しながら本開示を説明したが、本開示の趣旨及び範囲を逸脱せずに、種々の変更や組み合わせを行うことができることは明らかである。従って、本明細書及び図面は添付の特許請求の範囲に定められる本開示の例示的な説明に過ぎず、本開示の範囲内の任意及びすべての変更、変形、組み合わせ又は同等物をカバーするものとみなされる。明らかに、当業者は本開示の趣旨及び範囲を逸脱せずに本開示に対して種々の変更や変形を行うことができる。このように、本開示のこれらの変更や変形が本開示の特許請求の範囲及びその同等な技術的範囲に属すると、本開示はこれらの変更や変形も含むことを意図する。

【符号の説明】

【0119】

図１－図１４では、１０－ペロブスカイト電池、１１－基板、１２－第１電極層、１２１－電極ブロック、１３－第１キャリア輸送層、１４－ペロブスカイト材料層、１５－第２キャリア輸送層、１６－第２電極層、２０－ペロブスカイト材料バイパスダイオード、３０－電気的分離壁、４１－第１溝、４２－直列接続溝、４３－電気的分離溝、４４０－分離溝、４４－第２溝、５０－ＡＸ雰囲気である。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【国際調査報告】