特表 2024-530848 表示パネル、その製造方法、および表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-08-27

(54)【発明の名称】表示パネル、その製造方法、および表示装置

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20240820BHJP

   G09F 9/302 20060101ALI20240820BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20240820BHJP

【ＦＩ】

G09F9/30 338

G09F9/302 Z

G09F9/30 348A

G09F9/00 366Z

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023549091

(86)(22)【出願日】2022-08-09

(85)【翻訳文提出日】2023-08-15

(86)【国際出願番号】 CN2022111019

(87)【国際公開番号】W WO2023020326

(87)【国際公開日】2023-02-23

(31)【優先権主張番号】202110939190.3

(32)【優先日】2021-08-16

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】510280589

【氏名又は名称】京東方科技集團股▲ふん▼有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＢＯＥ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＧＲＯＵＰ ＣＯ．，ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１０ Ｊｉｕｘｉａｎｑｉａｏ Ｒｄ．，Ｃｈａｏｙａｎｇ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００１５，ＣＨＩＮＡ

(71)【出願人】

【識別番号】511121702

【氏名又は名称】成都京東方光電科技有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＣＨＥＮＧＤＵ ＢＯＥ ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＣＯ．，ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１１８８，Ｈｅｚｕｏ Ｒｄ．，（Ｗｅｓｔ Ｚｏｎｅ），Ｈｉ－ｔｅｃｈ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｚｏｎｅ，Ｃｈｅｎｇｄｕ，Ｓｉｃｈｕａｎ，６１１７３１，Ｐ．Ｒ．ＣＨＩＮＡ

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(72)【発明者】

【氏名】方 ▲飛▼

(72)【発明者】

【氏名】▲劉▼ 珂

(72)【発明者】

【氏名】石 ▲領▼

(72)【発明者】

【氏名】李 若湘

【テーマコード（参考）】

5C094

5G435

【Ｆターム（参考）】

5C094AA01

5C094CA20

5C094DA13

5C094DA15

5C094DB01

5C094FB12

5C094HA05

5C094HA08

5G435AA01

5G435EE49

5G435LL04

5G435LL07

5G435LL08

(57)【要約】

表示技術の分野に属する表示パネル、その製造方法、および表示装置を開示する。表示パネルは、ベース基板、複数の第１の画素ユニット、及び複数の信号線を含み、ベース基板は、表示領域と周辺領域とを有し、表示領域は、第１の表示領域と第２の表示領域とを含み、第１の表示領域の光透過率は、第２の表示領域の光透過率より大きく、複数の第１の画素ユニットは、ベース基板上に配置され且つ第１の表示領域に配置され、複数の信号線は、少なくとも第１の表示領域に配置され且つ複数の第１の画素ユニットに電気的に接続、され、ここで、複数の信号線は、複数の第１の信号線と複数の第２の信号線とを含み、複数の第１の信号線のうちの各第１の信号線の第１の部分は金属信号線であり、複数の第２の信号線のうちの各第２の信号線の第１の部分は金属酸化物信号線であり、第１の信号線の第１の部分は、少なくとも第１の表示領域に配置され、第２の信号線の第１の部分は、少なくとも第１の表示領域に配置される。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

表示領域と前記表示領域を少なくとも部分的に囲む周辺領域とを有し、前記表示領域は、第１の表示領域と少なくとも前記第１の表示領域の片側に位置する第２の表示領域とを含み、前記第１の表示領域の光透過率は、前記第２の表示領域の光透過率より大きいベース基板と、
前記ベース基板上に配置され且つ前記第１の表示領域に配置された複数の第１の画素ユニットと、
少なくとも前記第１の表示領域に配置され且つ前記複数の第１の画素ユニットに電気的に接続、された複数の信号線と、
を含み、
前記複数の信号線は、複数の第１の信号線と複数の第２の信号線とを含み、前記複数の第１の信号線のうちの各第１の信号線の第１の部分は金属信号線であり、前記第１の信号線の第１の部分は、少なくとも前記第１の表示領域に配置され、前記複数の第２の信号線のうちの各第２の信号線の第１の部分は金属酸化物信号線であり、前記第２の信号線の第１の部分は、少なくとも前記第１の表示領域に配置される、
ことを特徴とする表示パネル。

【請求項2】

前記第１の信号線は、ゲート信号線、データ信号線、リセット信号線、発光制御信号線、初期電圧信号線及び電源信号線のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする、請求項１に記載の表示パネル。

【請求項3】

前記第１の信号線はゲート信号線とデータ信号線とを含むことを特徴とする、請求項２に記載の表示パネル。

【請求項4】

前記第１の信号線は、前記第２の表示領域に配置された第２の部分をさらに含み、前記第２の信号線は、前記第２の表示領域に配置された第２の部分をさらに含み、前記第１の信号線の第２の部分と前記第２の信号線の第２の部分は、いずれも金属信号線であることを特徴とする、請求項１から３のいずれか１項に記載の表示パネル。

【請求項5】

前記ベース基板から離れた方向に沿って前記ベース基板上に順次に配置された第１の金属層、第１の絶縁層及び金属酸化物層をさらに含み、
前記第１の信号線は、前記第１の金属層に配置され、
前記複数の第２の信号線のうちの少なくとも１本の第２の信号線の前記第１の表示領域における第１の部分は、前記金属酸化物層に配置され、前記第２の表示領域における第２の部分は、前記第１の金属層に配置され、前記第２の信号線の第１の部分と第２の部分は、前記第１の絶縁層を貫通する第１のビアを介して接続され、前記第１のビアは、前記第１の表示領域と前記第２の表示領域との境界に位置する、
ことを特徴とする、請求項４に記載の表示パネル。

【請求項6】

前記第１の金属層は、第１のゲート金属層と第１のソース・ドレイン金属層とを含み、前記第１の絶縁層は、第１のパッシベーション層と層間誘電体層とを含み、
前記ベース基板から離れた方向に沿って、前記第１のゲート金属層、前記層間誘電体層、前記第１のソース・ドレイン金属層、及び前記第１のパッシベーション層は、順次に積層される、
ことを特徴とする、請求項５に記載の表示パネル。

【請求項7】

第２の絶縁層と第２の金属層とをさらに含み、前記ベース基板から離れた方向に沿って、前記第２の金属層、前記第２の絶縁層、前記第１の金属層、前記第１の絶縁層、及び金属酸化物層は、順次に積層され、
前記複数の第２の信号線のうちの他の一部の第２の信号線の前記第１の表示領域における第１の部分は、前記金属酸化物層に配置され、前記第２の表示領域における第２の部分は、前記第２の金属層内に配置され、前記第２の信号線の第１の部分と第２の部分は、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層を貫通する第２のビアを介して接続され、前記第２のビアは、前記第１の表示領域と前記第２の表示領域との境界に位置する、
ことを特徴とする、請求項５に記載の表示パネル。

【請求項8】

前記第２の金属層は、第２のゲート金属層を含み、前記第２の絶縁層は、第１のゲート絶縁層を含むことを特徴とする、請求項７に記載の表示パネル。

【請求項9】

前記第１の表示領域の第１のサイズと前記第１の表示領域の第２のサイズとの比が２より大きい場合、前記第１の信号線はゲート信号線であり、前記第１の表示領域の第１のサイズは、前記ゲート信号線の延在方向における前記第１の表示領域のサイズであり、前記第１の表示領域の第２のサイズは、データ信号線の延在方向における前記第１の表示領域のサイズであることを特徴とする、請求項１から３及び請求項５から８のいずれか１項に記載の表示パネル。

【請求項10】

前記第１の表示領域の第１のサイズと前記第１の表示領域の第２のサイズとの比が０．５未満である場合、前記第１の信号線はデータ信号線であり、前記第１の表示領域の第１のサイズは、ゲート信号線の延在方向における前記第１の表示領域の第１のサイズであり、前記第１の表示領域の第２のサイズは、前記データ信号線の延在方向における前記第１の表示領域のサイズであることを特徴とする、請求項１から３及び請求項５から８のいずれか１項に記載の表示パネル。

【請求項11】

前記第１の表示領域の第１のサイズと前記第１の表示領域の第２のサイズとの比が０．５～２の場合、前記第１の信号線はゲート信号線とデータ信号線とを含み、前記第１の表示領域の第１のサイズは、ゲート信号線の延在方向における前記第１の表示領域のサイズであり、前記第１の表示領域の第２のサイズは、前記データ信号線の延在方向における前記第１の表示領域のサイズであることを特徴とする、請求項１から３及び請求項５から８のいずれか１項に記載の表示パネル。

【請求項12】

前記表示パネルは、複数の第２の画素ユニットをさらに含み、前記複数の第２の画素ユニットは、前記第２の表示領域に配置され、前記複数の第１の画素ユニットと前記複数の第２の画素ユニットは、複数行の画素ユニットになるように配列し、１行の画素ユニットの配列方向において、隣接する２行の画素ユニットにおける画素ユニットは、互いにずれており、
隣接する２行の画素ユニットにおける画素ユニットは、１本のゲート信号線を介して接続されている、
ことを特徴とする、請求項１から３及び請求項５から８のいずれか１項に記載の表示パネル。

【請求項13】

前記ゲート信号線は波状であり、前記ゲート信号線のピークと谷は、隣接する２行の画素ユニットにおける画素ユニットにそれぞれ接続されていることを特徴とする、請求項１２に記載の表示パネル。

【請求項14】

前記データ信号線は波状であり、前記データ信号線のピークと谷は、同一列の画素ユニットにおける隣接する２つの画素ユニットにそれぞれ接続されていることを特徴とする、請求項１２に記載の表示パネル。

【請求項15】

前記金属信号線は、モリブデン信号線またはチタン信号線を含むことを特徴とする、請求項１から３及び請求項５から８のいずれか１項に記載の表示パネル。

【請求項16】

前記金属酸化物信号線は、透明な金属酸化物信号線であることを特徴とする、請求項１から３及び請求項５から８のいずれか１項に記載の表示パネル。

【請求項17】

前記金属酸化物信号線は、酸化インジウムスズ信号線であることを特徴とする、請求項１６に記載の表示パネル。

【請求項18】

表示領域と前記表示領域を少なくとも部分的に囲む周辺領域とを有し、前記表示領域は、第１の表示領域と少なくとも前記第１の表示領域の片側に位置する第２の表示領域とを含み、前記第１の表示領域の光透過率は、前記第２の表示領域の光透過率より大きいベース基板を準備することと、
前記ベース基板上に複数の第１の画素ユニットと複数の信号線とを形成することと、
を含み、
ここで、前記複数の第１の画素ユニットは、前記第１の表示領域に配置され、複数の信号線は、少なくとも前記第１の表示領域に配置され且つ前記複数の第１の画素ユニットに電気的に接続、され、前記複数の信号線は、複数の第１の信号線と複数の第２の信号線とを含み、前記複数の第１の信号線のうちの各第１の信号線の第１の部分は金属信号線であり、前記第１の信号線の第１の部分は、少なくとも前記第１の表示領域に配置され、前記複数の第２の信号線のうちの各第２の信号線の第１の部分は金属酸化物信号線であり、前記第２の信号線の第１の部分は、少なくとも前記第１の表示領域に配置される、
ことを特徴とする表示パネルの製造方法。

【請求項19】

給電アセンブリと請求項１から１７のいずれか１項に記載の表示パネルとを含み、前記給電アセンブリは、前記表示パネルに電力を供給するためのものであることを特徴とする表示装置。

【請求項20】

光センサをさらに含み、前記光センサは、前記表示パネルの前記複数の第１の画素ユニットから離れた側に配置され、前記光センサの前記ベース基板への正投影は、前記第１の表示領域と少なくとも部分的に重なることを特徴とする、請求項１９に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、２０２１年０８月１６日に提出された出願番号２０２１１０９３９１９０．３、発明名称「表示パネル、その製造方法、および表示装置」の中国特許出願の優先権を主張し、その全ての内容は参照により本開示に援用する。

【0002】

本開示は、表示技術の分野に関し、特に表示パネル、その製造方法、および表示装置に関するものである。

【背景技術】

【0003】

全画面表示装置の画面占有率が高く、優れた視覚効果があり、全画面表示装置の画面占有率を高めるために、アンダースクリーンカメラ技術が携帯電話などの表示装置で徐々に発展してきた。

【0004】

全画面表示装置は、表示パネルとフルディスプレイカメラ（Ｆｕｌｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃａｍｅｒａ、ＦＤＣ）とを含み、表示パネルはカメラ表示領域を有し、カメラ表示領域に画素ユニットが配置され、カメラ表示領域が画面を表示できるようになっている。ＦＤＣは、表示パネルの下方に配置され、且つカメラ表示領域と対向する。

【発明の概要】

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の実施例は、表示装置の表示均一性を向上させることができる表示パネル、その製造方法、および表示装置を提供する。前記技術案は以下の通りである。

【0006】

一側面において、本開示は、表示領域と前記表示領域を少なくとも部分的に囲む周辺領域とを有し、前記表示領域は、第１の表示領域と少なくとも前記第１の表示領域の片側に位置する第２の表示領域とを含み、前記第１の表示領域の光透過率は、前記第２の表示領域の光透過率より大きいベース基板と、前記ベース基板上に配置され且つ前記第１の表示領域に配置された複数の第１の画素ユニットと、少なくとも前記第１の表示領域に配置され且つ前記複数の第１の画素ユニットに電気的に接続、された複数の信号線と、を含み、ここで、前記複数の信号線は、複数の第１の信号線と複数の第２の信号線とを含み、前記複数の第１の信号線のうちの各第１の信号線の第１の部分は金属信号線であり、前記第１の信号線の第１の部分は、少なくとも前記第１の表示領域に配置され、前記複数の第２の信号線のうちの各第２の信号線の第１の部分は金属酸化物信号線であり、前記第２の信号線の第１の部分は、少なくとも前記第１の表示領域に配置される表示パネルに関する。

【0007】

本開示の実施例の一実施形態では、前記第１の信号線は、ゲート信号線、データ信号線、リセット信号線、発光制御信号線、初期電圧信号線及び電源信号線のうちの少なくとも１つを含む。

【0008】

本開示の実施例の一実施形態では、前記第１の信号線はゲート信号線とデータ信号線とを含む。

【0009】

本開示の実施例の一実施形態では、前記第１の信号線は、前記第２の表示領域に配置された第２の部分をさらに含み、前記第２の信号線は、前記第２の表示領域に配置された第２の部分をさらに含み、前記第１の信号線の第２の部分と前記第２の信号線の第２の部分は、いずれも金属信号線である。

【0010】

本開示の実施例の一実施形態では、前記表示パネルは、前記ベース基板から離れた方向に沿って前記ベース基板上に順次に配置された第１の金属層、第１の絶縁層及び金属酸化物層をさらに含み、前記第１の信号線は、前記第１の金属層に配置され、前記複数の第２の信号線のうちの少なくとも１本の第２の信号線の前記第１の表示領域における第１の部分は、前記金属酸化物層に配置され、前記第２の表示領域における第２の部分は、前記第１の金属層に配置され、前記第２の信号線の第１の部分と第２の部分は、前記第１の絶縁層を貫通する第１のビアを介して接続され、前記第１のビアは、前記第１の表示領域と前記第２の表示領域との境界に位置する。

【0011】

本開示の実施例の一実施形態では、前記第１の金属層は、第１のゲート金属層と第１のソース・ドレイン金属層とを含み、前記第１の絶縁層は、第１のパッシベーション層と層間誘電体層とを含み、前記ベース基板から離れた方向に沿って、前記第１のゲート金属層、前記層間誘電体層、前記第１のソース・ドレイン金属層、及び前記第１のパッシベーション層は、順次に積層される。

【0012】

本開示の実施例の一実施形態では、前記表示パネルは、第２の絶縁層と第２の金属層とをさらに含み、前記ベース基板から離れた方向に沿って、前記第２の金属層、前記第２の絶縁層、前記第１の金属層、前記第１の絶縁層、及び金属酸化物層は、順次に積層され、前記複数の第２の信号線のうちの他の一部の第２の信号線の前記第１の表示領域における第１の部分は、前記金属酸化物層に配置され、前記第２の表示領域における第２の部分は、前記第２の金属層内に配置され、前記第２の信号線の第１の部分と第２の部分は、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層を貫通する第２のビアを介して接続され、前記第２のビアは、前記第１の表示領域と前記第２の表示領域との境界に位置する。

【0013】

本開示の実施例の一実施形態では、前記第２の金属層は、第２のゲート金属層を含み、前記第２の絶縁層は、第１のゲート絶縁層を含む。

【0014】

本開示の実施例の一実施形態では、前記第１の表示領域の第１のサイズと前記第１の表示領域の第２のサイズとの比が２より大きい場合、前記第１の信号線はゲート信号線であり、前記第１の表示領域の第１のサイズは、前記ゲート信号線の延在方向における前記第１の表示領域のサイズであり、前記第１の表示領域の第２のサイズは、データ信号線の延在方向における前記第１の表示領域のサイズである。

【0015】

本開示の実施例の一実施形態では、前記第１の表示領域の第１のサイズと前記第１の表示領域の第２のサイズとの比が０．５未満である場合、前記第１の信号線はデータ信号線であり、前記第１の表示領域の第１のサイズは、ゲート信号線の延在方向における前記第１の表示領域の第１のサイズであり、前記第１の表示領域の第２のサイズは、前記データ信号線の延在方向における前記第１の表示領域のサイズである。

【0016】

本開示の実施例の一実施形態では、前記第１の表示領域の第１のサイズと前記第１の表示領域の第２のサイズとの比が０．５～２の場合、前記第１の信号線はゲート信号線とデータ信号線とを含み、前記第１の表示領域の第１のサイズは、ゲート信号線の延在方向における前記第１の表示領域のサイズであり、前記第１の表示領域の第２のサイズは、前記データ信号線の延在方向における前記第１の表示領域のサイズである。

【0017】

本開示の実施例の一実施形態では、前記表示パネルは、複数の第２の画素ユニットをさらに含み、前記複数の第２の画素ユニットは、前記第２の表示領域に配置され、前記複数の第１の画素ユニットと前記複数の第２の画素ユニットは、複数行の画素ユニットになるように配列し、１行の画素ユニットの配列方向において、隣接する２行の画素ユニットにおける画素ユニットは、互いにずれており、隣接する２行の画素ユニットにおける画素ユニットは、１本のゲート信号線を介して接続されている。

【0018】

本開示の実施例の一実施形態では、前記ゲート信号線は波状であり、前記ゲート信号線のピークと谷は、隣接する２行の画素ユニットにおける画素ユニットにそれぞれ接続されている。

【0019】

本開示の実施例の一実施形態では、前記データ信号線は波状であり、前記データ信号線のピークと谷は、同一列の画素ユニットにおける隣接する２つの画素ユニットにそれぞれ接続されている。

【0020】

本開示の実施例の一実施形態では、前記金属信号線は、モリブデン信号線またはチタン信号線を含む。

【0021】

本開示の実施例の一実施形態では、前記金属酸化物信号線は、透明な金属酸化物信号線である。

【0022】

本開示の実施例の一実施形態では、前記金属酸化物信号線は、酸化インジウムスズ信号線である。

【0023】

別の側面において、本開示は、表示パネルの製造方法に関し、前記製造方法は、
表示領域と前記表示領域を少なくとも部分的に囲む周辺領域とを有し、前記表示領域は、第１の表示領域と少なくとも前記第１の表示領域の片側に位置する第２の表示領域とを含み、前記第１の表示領域の光透過率は、前記第２の表示領域の光透過率より大きいベース基板を準備することと、前記ベース基板上に複数の第１の画素ユニットと複数の信号線とを形成することと、を含み、ここで、前記複数の第１の画素ユニットは、前記第１の表示領域に配置され、複数の信号線は、少なくとも前記第１の表示領域に配置され且つ前記複数の第１の画素ユニットに電気的に接続、され、前記複数の信号線は、複数の第１の信号線と複数の第２の信号線とを含み、前記複数の第１の信号線のうちの各第１の信号線の第１の部分は金属信号線であり、前記第１の信号線の第１の部分は、少なくとも前記第１の表示領域に配置され、前記複数の第２の信号線のうちの各第２の信号線の第１の部分は金属酸化物信号線であり、前記第２の信号線の第１の部分は、少なくとも前記第１の表示領域に配置される。

【0024】

別の側面において、本開示は表示装置に関し、前記表示装置は、給電アセンブリと上記のいずれかに記載の表示パネルを含み、前記給電アセンブリは、前記表示パネルに電力を供給するためのものである。

【0025】

本開示の実施例の一実施形態では、前記表示装置は、光センサをさらに含み、前記光センサは、前記表示パネルの前記複数の第１の画素ユニットから離れた側に配置され、前記光センサの前記ベース基板への正投影は、前記第１の表示領域と少なくとも部分的に重なる。

【0026】

本開示の実施例による技術案の有益な効果は、少なくとも以下のものを含む。

【0027】

本開示の実施例では、第１の表示領域の光透過率は高く、光センサ（例えば、全画面カメラ）を第１の表示領域に対応する領域に配置することで、光が第１の表示領域を透過して光センサに伝播することができる。第１の信号線の第１の表示領域における第１の部分は、金属信号線であり、金属の抵抗は金属酸化物の抵抗に対して小さく、第１の信号線の抵抗を小さく、第１の信号線の負荷を小さくすることができ、この結果、第１の表示領域における画素ユニットが受信した電圧は大きくなり、第１の表示領域に配置された画素ユニットが受信した電圧と他の領域の画素ユニットが受信した電圧との差は小さく、表示の不均一な現象が改善された。同時に、第２の信号線の第１の部分を金属酸化物信号線とすることで、第１の表示領域の光透過率を保証する。

【図面の簡単な説明】

【0028】

本開示の実施例における技術案をより明確に説明するために、以下、実施例の説明に使用される図面を簡単に説明し、以下の説明における図面は、本開示のいくつかの実施例にすぎず、当業者にとっては、創造的な労働をしない前提で、これらの図面に基づいて他の図面を得ることもできることは明らかである。

【0029】

【図1】本開示の実施例による表示パネルの平面概略図である。

【図2】本開示の実施例による表示パネルの構成概略図である。

【図3】本開示の実施例による表示パネルの構成概略図である。

【図4】図２のＡ－Ａ面の断面図である。

【図5】本開示の実施例による表示パネルの構成概略図である。

【図6】本開示の実施例による表示パネルの構成概略図である。

【図7】本開示の実施例による表示パネルの構成概略図である。

【図8】本開示の実施例による表示パネルの構成概略図である。

【図9】本開示の実施例による表示パネルの構成概略図である。

【図10】本開示の実施例による画素の膜層概略図である。

【図11】本開示の実施例による第１の表示領域の平面図である。

【図12】本開示の実施例による別の第１の表示領域の平面図である。

【図13】本開示の実施例による第１の表示領域の画素配置図である。

【図14】本開示の実施例による別の第１の表示領域の平面図である。

【図15】本開示の実施例による別の第１の表示領域の平面図である。

【図16】本開示の実施例による別の第１の表示領域の平面図である。

【図17】本開示の実施例による別の第１の表示領域の平面図である。

【図18】本開示の実施例による別の第１の表示領域の画素配置図である。

【図19】本開示の実施例による別の第１の表示領域の平面図である。

【図20】本開示の実施例による別の第１の表示領域の平面図である。

【図21】本開示の実施例による別の第１の表示領域の平面図である。

【図22】本開示の実施例による別の第１の表示領域の平面図である。

【図23】本開示の実施例による別の第１の表示領域の画素配置図である。

【図24】本開示の実施例による表示パネルの構成概略図である。

【図25】本開示の実施例による７Ｔ１Ｃ画素回路図である。

【図26】本開示の実施例による表示パネルの製造方法のフローチャートである。

【図27】本開示の実施例による表示パネルの製造方法のフローチャートである。

【図28】本開示の実施例による表示パネルの製造方法のプロセス図である。

【図29】本開示の実施例による表示パネルの製造方法のプロセス図である。

【図30】本開示の実施例による表示パネルの製造方法のプロセス図である。

【図31】本開示の実施例による表示パネルの製造方法のプロセス図である。

【図32】本開示の実施例による表示パネルの製造方法のプロセス図である。

【図33】本開示の実施例による表示パネルの製造方法のプロセス図である。

【図34】本開示の実施例による表示パネルの製造方法のプロセス図である。

【図35】本開示の実施例による表示パネルの製造方法のプロセス図である。

【発明を実施するための形態】

【0030】

本開示の目的、技術案および利点をより明確にするために、以下、図面を参照して本開示の実施形態をより詳細に説明する。

【0031】

関連技術において、カメラ表示領域の光透過率を向上させ、ＦＤＣが十分な光イメージングを受信できるようにするために、カメラ表示領域に配置された画素ユニット間の信号線をすべて透明な金属酸化物信号線、例えば酸化インジウムスズ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）信号線とする。

【0032】

金属酸化物信号線の抵抗が大きくて大きな負荷を発生させ、金属酸化物信号線に接続された画素ユニットが受信した電圧を、他の表示領域の画素ユニットが受信した電圧より小さくすることで、カメラ表示領域の表示効果と他の表示領域の表示効果との差が大きくなり、表示が不均一になる。

【0033】

図１は、本開示の実施例による表示パネルの平面概略図である。図１を参照すると、表示パネルはベース基板１０を含み、ベース基板１０は表示領域１００と表示領域１００を少なくとも部分的に囲む周辺領域２００とを有する。表示領域１００は、画素回路を配置するために使用されることができ、周辺領域２００は、集積回路を配置するために使用されることができ、集積回路は、作動するように画素回路を駆動するために使用される。例示的に、周辺領域２００が表示領域１００を少なくとも部分的に囲むことは、周辺領域２００が表示領域１００を含み得ること、または、表示領域１００の両側が周辺領域２００と接すること、または、表示領域１００が周辺領域２００と並び、このとき表示領域１００の片側が周辺領域２００と接することを示す。

【0034】

表示領域１００は、第１の表示領域１０１と少なくとも第１の表示領域１０１側に位置する第２の表示領域１０２とを含み、第１の表示領域１０１の光透過率は、第２の表示領域１０２の光透過率より大きい。第１の表示領域１０１の光透過率が高いため、ベース基板１０に穴あけ処理を行う必要がなく、光センサなどの必要なハードウェア構成を第１の表示領域１０１と対向する位置に直接に配置することができ、真全画面表示装置が実現される。

【0035】

図１では、第１の表示領域１０１の形状は矩形であり、他の実施形態では、第１の表示領域１０１の形状は円形、多角形、その他の規則的または不規則な形状などであってもよい。

【0036】

例示的に、少なくとも第１の表示領域１０１の片側に位置する第２の表示領域１０２は、第２の表示領域１０２が第１の表示領域１０１を囲み得ること、または、第１の表示領域１０１の両側が第２の表示領域１０２と接すること、または、第１の表示領域１０１が第２の表示領域１０２と並び、このとき第１の表示領域１０１の片側が第２の表示領域１０２と接することを示す。

【0037】

再び図１を参照すると、第２の表示領域１０２は、第１の表示領域１０１を囲む。例示的に、第１の表示領域１０１は、ベース基板１０の上部領域の中央に位置する。

【0038】

いくつかの実施例では、当該第１の表示領域１０１は、ベース基板１０の他の位置に位置してもよい。例えば、図１に参照して、第１の表示領域１０１は、ベース基板１０の左上隅または右上隅に位置してもよい。

【0039】

図２は、本開示の実施例による表示パネルの構成概略図である。図２を参照すると、表示パネルは、複数の第１の画素ユニット２０と複数の信号線３０とをさらに含む。複数の第１の画素ユニット２０は、ベース基板１０上に配置され且つ第１の表示領域１０１に配置される。複数の信号線３０は、少なくとも第１の表示領域１０１に配置され且つ複数の第１の画素ユニット２０に電気的に接続される。

【0040】

図３は、本開示の実施例による表示パネルの構成概略図である。図３を参照する、複数の信号線３０は、複数の第１の信号線３０１と複数の第２の信号線３０２とを含む。例えば、第１の信号線３０１は、ゲート信号線とデータ信号線とを含み得て、第２の信号線３０２は、リセット信号線を含み得る。複数の第１の画素ユニット２０は、複数行の画素ユニットになるように配列し、１行の画素ユニットの配列方向において、隣接する２行の画素ユニットにおける画素ユニットは、互いにずれており、隣接する２行の画素ユニットにおける画素ユニットは、１本の第１の信号線３０１または１本の第２の信号線３０２を介して接続されている。第１の信号線３０１と第２の信号線３０２は、いずれも波状である。

【0041】

複数の第１の信号線３０１のうちの各第１の信号線３０１の第１の部分は金属信号線であり、第１の信号線３０１の第１の部分は、少なくとも第１の表示領域１０１に配置される。複数の第２の信号線３０２のうちの各第２の信号線３０２の第１の部分は金属酸化物信号線であり、第２の信号線３０２の第１の部分は、少なくとも第１の表示領域１０１に配置される。

【0042】

本開示の実施例では、第１の表示領域１０１の光透過率は高く、光センサ（例えば、全画面カメラ）を第１の表示領域１０１に対応する領域に配置することで、光が第１の表示領域１０１を透過して光センサに伝播することができる。第１の信号線３０１の第１の表示領域１０１における第１の部分は、金属信号線であり、金属の抵抗は金属酸化物の抵抗に対して小さく、第１の信号線３０１の抵抗を小さく、第１の信号線の負荷を小さくすることができ、この結果、第１の表示領域１０１における画素ユニット２０が受信した電圧は大きくなり、第１の表示領域１０１に配置された画素ユニット２０が受信した電圧と他の領域の画素ユニット２０が受信した電圧との差は小さく、表示の不均一な現象が改善された。同時に、第２の信号線３０２の第１の部分を金属酸化物信号線とすることで、第１の表示領域１０１の光透過率を保証する。

【0043】

同時に、第１の表示領域１０１における第１の画素ユニット２０が規則的に配置され、画素ユニット２０間のスリットも規則的に配置されているため、光が第１の表示領域１０１におけるスリットを通るときに回折現象が発生しやすく、回折現象が発生した光が全画面カメラにさらに伝播し、全画面カメラの撮像効果に影響を与える。本開示の実施例では、第１の表示領域１０１を通る第１の信号線３０１のうちの各第１の信号線３０１の第１の部分を透明ではない金属信号線として配置することで、画素ユニット２０間のスリットの規則的な配置を破り、光の回折が改善され、この結果、全画面カメラの撮影効果を高めることができる。

【0044】

本開示の実施例では、第１の信号線３０１は、第２の表示領域１０２に配置された第２の部分をさらに含み、第２の信号線３０２は、第２の表示領域１０２に配置された第２の部分をさらに含み、第１の信号線３０１の第２の部分と第２の信号線３０２の第２の部分は、いずれも金属信号線である。

【0045】

本開示の実施例では、第２の表示領域１０２には光センサを配置する必要がないので、第２の表示領域１０２が高い光透過率を備える必要がなく、第２の表示領域１０２における第１の信号線３０１と第２の信号線３０２を共に金属信号線として配置することで、第１の信号線３０１と第２の信号線３０２の負荷を低減し、表示パネルの表示輝度を高め、表示効果を改善することができる。

【0046】

本開示の実施例では、第１の表示領域１０１の一部の信号線３０が透明な信号線になるように、複数の第２の信号線３０２のうちの各第２の信号線３０２の第１の部分を透明な金属酸化物信号線とすることで、第１の表示領域１０１の光透過率を確保する。

【0047】

本開示の実施例の一実施形態では、第１の信号線３０１は、ゲート（Ｇａｔｅ）信号線とデータ（Ｄａｔｅ）信号線のうちの少なくとも１つを含む。

【0048】

各第１の画素ユニット２０は、スイッチトランジスタと駆動トランジスタとを含み、ゲート信号線は、スイッチトランジスタのゲートにオン電圧を供給し、データ信号線は、駆動トランジスタのゲートにオン電圧を供給する。透明な金属酸化物信号線の抵抗が大きく、透明な金属酸化物信号線を使用するとオン電圧が小さくなり、スイッチ薄膜トランジスタをオンにできなかったり、スイッチ薄膜トランジスタがオンになるまでの時間が短くなったりするため、金属信号線を使用する領域と比べて輝度が不一致となり、表示パネルの表示均一性に影響を与える。本開示の実施例では、第１の表示領域１０１におけるゲート信号線およびデータ信号線のうちの少なくとも１つの信号線を金属信号線に置き換えることにより、ゲート信号線またはデータ信号線の抵抗を小さくし、第１の表示領域１０１に配置された第１の画素ユニット２０のオン電圧を高め、表示均一性を改善することができる。

【0049】

例示的に、金属酸化物信号線は酸化インジウムスズ信号線であってもよく、酸化インジウムスズの透明性が良く、金属酸化物信号線の透明性を保証する。

【0050】

再び図２を参照すると、表示パネルは、複数の第２の画素ユニット４０をさらに含み、複数の第２の画素ユニット４０は、第２の表示領域１０２に配置され、複数の第２の画素ユニット４０と複数の第１の画素ユニット２０は、複数行の画素ユニットになるように配列する。

【0051】

第１の画素ユニット２０と第２の画素ユニット４０の光透過率が悪いため、第１の表示領域１０１の光透過率を高めるためには、作製時に、第１の画素ユニット２０のサイズを第２の画素ユニット４０のサイズより小さくすることで、第１の表示領域１０１の光透過率を高めることができる。

【0052】

本開示の実施例の一実施形態では、信号線３０は、リセット（Ｒｅｓｅｔ）信号線、発光制御（ＥＭ）信号線、初期電圧（Ｖｉｎｉｔ）信号線、及び電源（ＶＤＤ）信号線をさらに含む。信号線３０のうち第１の信号線３０１を除く全ては第２の信号線３０２であり、つまり、リセット信号線、発光制御信号線、初期電圧信号線および電源信号線はいずれも第２の信号線３０２である。

【0053】

金属信号線の抵抗は小さいが、光透過率は悪く、透明な金属酸化物信号線の抵抗は大きいが、光透過率は高い。表示装置における第１の表示領域１０１に対応する領域に光センサが配置されているため、第１の表示領域１０１における信号線の抵抗を低減するとともに、第１の表示領域１０１の光透過率を確保する必要がある。実験シミュレーションにより、リセット信号線、発光制御信号線、初期電圧信号線、及び電源信号線などの信号線の表示輝度への影響が少ないことがわかり、これらの信号線を透明な金属酸化物信号線として配置することで、第１の表示領域１０１の光透過率を確保することができる。

【0054】

本開示の実施例の一実施形態では、第１の信号線３０１は、ゲート信号線とデータ信号線とを含み、第２の信号線３０２は、リセット信号線、発光制御信号線、初期電圧信号線、及び電源信号線を含む。

【0055】

本開示の実施例の一実施形態では、ゲート信号線は、モリブデン信号線を含む。データ信号線は、チタン信号線を含む。

【0056】

関連技術において、第１の表示領域を通る第１の信号線の第１の部分の材質は金属酸化物であり、本開示の実施例では、第１の表示領域を通る第１の信号線の第１の部分の材質は金属であり、このようにすると、第１の表示領域を通る第１の信号線と、第１の表示領域を通っていない第１の信号線とは、同じ方法で作成することができ、すなわち、信号線全体が同じ層にある。

【0057】

図４は、図２のＡ－Ａ面の断面概略図である。図４を参照すると、表示パネルは、ベース基板１０から離れた方向に沿ってベース基板１０上に順次に配置された第１の金属層２０１、第１の絶縁層２０２及び金属酸化物層２０３を含み、第１の信号線３０１（図４に図示せず）は、第１の金属層２０１に配置され、第１の表示領域１０１に配置された複数の第２の信号線３０２のうちの少なくとも１本の第２の信号線３０２の第１の表示領域１０１における第１の部分は、金属酸化物層２０３に配置され、第２の表示領域１０２における第２の部分は、第１の金属層２０１に配置され、第２の信号線３０２の第１の部分と第２の部分は、第１の絶縁層２０２を貫通する第１のビア２２１を介して接続され、第１のビア２２１は、第１の表示領域１０１と第２の表示領域１０２との境界に位置する。ここで、第１の表示領域１０１と第２の表示領域１０２との境界とは、第１の表示領域１０１と第２の表示領域１０２とが接続された境界が位置する領域を指す。複数の第２の信号線３０２のうちの少なくとも１本の第２の信号線３０２は、１本の第２の信号線３０２であってもよいし、複数の第２の信号線３０２であってもよいし、すべての第２の信号線３０２であってもよい。

【0058】

本開示の実施例では、第１の信号線３０１は、金属信号線であり、第１の金属層２０１に配置され、第２の信号線３０２は、第１の表示領域１０１において透明な金属酸化物信号線であり、第２の表示領域１０２において金属線であり、第１の表示領域１０１における第２の信号線３０２を金属酸化物層２０３に配置することで、第２の信号線３０２の第１の部分の光透過率を確保する。第２の表示領域１０２における第２の信号線３０２を第１の金属層２０１に配置することで、第２の信号線３０２の第２の部分の抵抗を低減する。同時に、第１のビア２２１を介して第２の信号線３０２の第１の部分と第２の部分とを接続し、電気的接続の有効性が保証される。

【0059】

本開示の実施例では、第１の金属層２０１は、第１のゲート金属層と第１のソース・ドレイン金属層とを含み、第１の絶縁層２０２は、第１のパッシベーション層と層間誘電体層とを含む。

【0060】

例示的に、第１の信号線３０１は、ゲート信号線とデータ信号線のうちの一方を含み、第２の信号線３０２は、ゲート信号線とデータ信号線のうちの他方を含む。例えば、第１の信号線３０１はゲート信号線であり、第２の信号線３０２はデータ信号線であり、ゲート信号線は、第１のゲート金属層２１１に配置され、第１の表示領域１０１におけるデータ信号線は、金属酸化物層２０３に配置され、第２の表示領域１０２におけるデータ信号線は、第１のソース・ドレイン金属層２１２に配置される。

【0061】

図５は、本開示の実施例による表示パネルの構成概略図である。ここで、図４と図５は、それぞれ異なる断面における断面図であり、図５を参照すると、表示パネルは、ベース基板１０から離れた方向に沿ってベース基板１０上に順次に配置された第１のゲート金属層２１１、第１のパッシベーション層２２２、第１のソース・ドレイン金属層２１２、層間誘電体層２２３、及び金属酸化物層２０３を含む。この場合、表示パネルは、一層のゲート金属層と一層のソース・ドレイン金属層だけを含み、前述第１の金属層２０１は、第１のゲート金属層２１１と第１のソース・ドレイン金属層２１２とを含み、前記第１の絶縁層２０２は、第１のパッシベーション層２２２と層間誘電体層２２３とを含む。第１の信号線３０１は、ゲート信号線とデータ信号線の両方を含み、第１の表示領域１０１と第２の表示領域１０２の両方において、ゲート信号線は、第１のゲート金属層２１１に配置され、第１の表示領域１０１と第２の表示領域１０２の両方において、データ信号線は、第１のソース・ドレイン金属層２１２に配置される。図５には、第１の信号線３０１のみが示された。

【0062】

図６は、本開示の実施例による表示パネルの構成概略図である。図６を参照すると、表示パネルは、第１のゲート金属層２１１、第１のパッシベーション層２２２、第１のソース・ドレイン金属層２１２、層間誘電体層２２３、及び金属酸化物層２０３を含み、ベース基板１０から離れた方向に沿って、第１のゲート金属層２１１、第１のパッシベーション層２２２、第１のソース・ドレイン金属層２１２、層間誘電体層２２３、及び金属酸化物層２０３は、順次に積層される。

【0063】

例示的に、第２の信号線３０２は、初期電圧信号線を含む。第１の表示領域１０１において、第２の信号線３０２は、金属酸化物層２０３に配置され、第２の表示領域１０２において、第２の信号線３０２は、第１のゲート金属層２１１に配置される。図６には、第２の信号線３０２のみが示された。

【0064】

例示的に、第２の信号線３０２は、リセット信号線と発光制御信号線とをさらに含む。第２の表示領域１０２において、リセット信号線と発光制御信号線は、第１のゲート金属層２１１に配置され、第１の表示領域１０１において、リセット信号線と発光制御信号線は、金属酸化物層２０３に配置される。第１の表示領域１０１に配置されたリセット信号線と第２の表示領域１０２に配置されたリセット信号線は、第１のビア２２１を介して電気的に接続され、第１の表示領域１０１に配置された発光制御信号線と第２の表示領域１０２に配置された発光制御信号線は、第１のビア２２１を介して電気的に接続され、この場合、第１のビア２２１は、第１のパッシベーション層２２２、第１のソース・ドレイン金属層２１２、及び層間誘電体層２２３を貫通する。

【0065】

図７は、本開示の実施例による表示パネルの構成概略図である。図７を参照すると、表示パネルは、ベース基板１０上に配置された第１のゲート金属層２１１、第１のパッシベーション層２２２、第１のソース・ドレイン金属層２１２、層間誘電体層２２３、及び金属酸化物層２０３を含む。この場合、第２の信号線３０２は、電源信号線を含む。第１の表示領域１０１において、第２の信号線３０２は、金属酸化物層２０３に配置され、第２の表示領域１０２において、第２の信号線３０２は、第１のソース・ドレイン金属層２１２に配置される。図７には、第２の信号線３０２のみが示された。

【0066】

再び図７を参照すると、第２の信号線３０２は、電源信号線であり、第２の表示領域１０２において、電源信号線は、第１のソース・ドレイン金属層２１２に配置され、第１の表示領域１０１において、電源信号線は、金属酸化物層２０３に配置される。第１の表示領域１０１に配置された電源信号線と第２の表示領域１０２に配置された電源信号線は、第１のビア２２１を介して電気的に接続され、この場合、第１のビア２２１は、層間誘電体層２２３を貫通する。他の実施形態において、電源信号線は、第２のソース・ドレイン金属層に配置されてもよい。

【0067】

図８は、本開示の実施例による表示パネルの構成概略図である。図８を参照すると、図４と比べて、当該表示パネルは、第２の絶縁層２０４と第２の金属層２０５とをさらに含み、第２の絶縁層２０４は、第１の金属層２０１と第２の金属層２０５との間に配置される。複数の第２の信号線３０２のうちの他の一部の第２の信号線３０２の第１の表示領域１０１における第１の部分は、金属酸化物層２０３に配置され、第２の表示領域１０２における第２の部分は、第２の金属層２０５内に配置され、第２の信号線３０２の第１の部分と第２の部分は、第１の絶縁層２０２及び第２の絶縁層２０４を貫通する第２のビア２４１を介して接続され、第２のビア２４１は、第１の表示領域１０１と第２の表示領域１０２との境界に位置する。

【0068】

本開示の実施例の一実施形態では、第２の金属層２０５は、第２のゲート金属層であり、第２の絶縁層２０４は、第１のゲート絶縁層である。

【0069】

例示的に、第２の信号線３０２は、リセット信号線、発光制御信号線、初期電圧信号線、及び電源信号線をさらに含み、第１の表示領域１０１において、リセット信号線、発光制御信号線、初期電圧信号線、及び電源信号線は、金属酸化物層２０３に配置され、第２の表示領域１０２において、リセット信号線、発光制御信号線、初期電圧信号線、及び電源信号線は、第２のゲート金属層に配置される。

【0070】

本開示の実施例の一実施形態では、第２の金属層２０５は、第２のゲート金属層であり、第２の絶縁層２０４は、第１のゲート絶縁層である。

【0071】

図９は、本開示の実施例による表示パネルの構成概略図である。図９を参照すると、図８と比べて、表示パネルは、ベース基板１０から離れた方向に沿ってベース基板１０上に順次に配置された第２のゲート金属層２５１、第１のゲート絶縁層２４２、第１のゲート金属層２１１、第１のパッシベーション層２２２、第１のソース・ドレイン金属層２１２、層間誘電体層２２３、及び金属酸化物層２０３を含む。

【0072】

再び図９を参照すると、第２の信号線３０２は、初期電圧信号線であり、第２の表示領域１０２において、初期電圧信号線は、第２のゲート金属層２５１に配置され、第１の表示領域１０１において、初期電圧信号線は、金属酸化物層２０３に配置される。第１の表示領域１０１に配置された初期電圧信号線の一部と第２の表示領域１０２に配置された初期電圧信号線の一部は、第２のビア２４１を介して電気的に接続され、この場合、第２のビア２４１は、第１のゲート絶縁層２４２、第１のゲート金属層２１１、第１のパッシベーション層２２２、第１のソース・ドレイン金属層２１２、及び層間誘電体層２２３を貫通する。

【0073】

なお、ゲート信号線は、第１のゲート金属層２１１に配置され、データ信号線は、第１のソース・ドレイン金属層２１２に配置される。

【0074】

再び図９を参照すると、表示パネルは、アクティブ層２０６、第２のゲート絶縁層２０７、第２のパッシベーション層２０８、及び第２のソース・ドレイン金属層２０９をさらに含む。第２のゲート絶縁層２０７は、アクティブ層２０６と第２のゲート金属層２５１との間に配置され、第２のパッシベーション層２０８は、金属酸化物層２０３と第２のソース・ドレイン金属層２０９との間に配置される。

【0075】

ここで、アクティブ層２０６は、多結晶シリコン（Ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｓｉｌｉｃｏｎ）材料層であってもよく、Ｐｏｌｙ層と略称される。第２のゲート絶縁層２０７によって、アクティブ層２０６と第２のゲート金属層２５１とを隔てる。第２のソース・ドレイン金属層２０９は、回線転送層であり、第２のパッシベーション層２０８によって、第１のソース・ドレイン金属層２１２と第２のソース・ドレイン金属層２０９とを隔てる。

【0076】

本開示の実施例では、第１のゲート金属層２１１と第２のゲート金属層２５１は、モリブデン層を含み、第１のソース・ドレイン金属層２１２と第２のソース・ドレイン金属層２０９は、チタン層を含む。第２のゲート絶縁層２０７、第１のゲート絶縁層２４２、層間誘電体層２２３、第１のパッシベーション層２２２、及び第２のパッシベーション層２０８は、窒化ケイ素層、酸化ケイ素層、またはエポキシ樹脂層のいずれかであってもよい。

【0077】

本開示の実施例では、ベース基板１０は、ガラス基板又はポリイミド基板であってもよい。

【0078】

以上、図４～図９は、表示パネルの一部の膜層を示し、以下、図１０を参照して、表示パネルの比較的完全な膜層構造を説明し、図１０の膜層構造は、前述の図２の第１の画素ユニット２０の構造に対応する。

【0079】

図１０は、本開示の実施例による画素の膜層概略図である。図１０を参照すると、表示パネルは、ベース基板１０から離れた方向に沿ってベース基板１０上に順次に配置されたバッファ層（Ｂｕｆｆｅｒ）２０１０、アクティブ層２０６、第２のゲート絶縁層２０７、第２のゲート金属層２５１、第１のゲート絶縁層２４２、第１のゲート金属層２１１、層間誘電体層２２３、第１のソース・ドレイン金属層２１２、第２のパッシベーション層２０８、平坦化層２０１１、アノード層２０１２、画素定義層２０１３、スペーサ層２０１４、発光層２０１５、カソード層２０１６、第１の無機パッケージング層２０１７、有機パッケージング層２０１８、及び第２の無機パッケージング層２０１９を含む。この場合、表示パネルは、一層のソース・ドレイン金属層だけを含み、即ち第１のソース・ドレイン金属層２１２だけを含む。

【0080】

バッファ層２０１０は、ベース基板１０とアクティブ層２０６との間に配置され、バッファ層２０１０は、アクティブ層２０６をエッチングする際のベース基板１０への影響を低減するために用いられる。

【0081】

平坦化層２０１１は、第２のパッシベーション層２０８の第１のソース・ドレイン金属層２１２から離れた側に配置され、平坦化層２０１１は、第１のソース・ドレイン金属層２１２が作製された表示パネルの表面をより平坦にするために用いられる。

【0082】

アノード層２０１２は、平坦化層２０１１の第１のソース・ドレイン金属層２１２から離れた側に配置され、アノード層２０１２は、第１のソース・ドレイン金属層２１２に電気的に接続、される。画素定義層２０１３は、アノード層２０１２の第１のソース・ドレイン金属層２１２から離れた側に配置され、画素定義層２０１３には開口があり、開口はアノード層２０１２と連通し、発光層２０１５は開口内に位置する。スペーサ層２０１４は、発光層２０１５を蒸着する際にマスクプレートを支持するために使用されることができる。カソード層２０１６は、発光層２０１５の第１のソース・ドレイン金属層２１２から離れた側に配置され、カソード層２０１６とアノード層２０１２との間に電圧が形成されて、発光するように発光層２０１５を制御する。第１の無機パッケージング層２０１７、有機パッケージング層２０１８、及び第２の無機パッケージング層２０１９は共にパッケージング層を構成し、表示パネルをパッケージ化して完全性を保証する。

【0083】

本開示の実施例では、画素ユニットは、キャパシタ６０を含み、再び図１０を参照すると、キャパシタ６０の第１の極板６０１は、第２のゲート金属層２５１に配置され、キャパシタの第２の極板６０２は、第１のゲート金属層２１１に配置される。

【0084】

図１０において、第２のゲート絶縁層２０７、第２のゲート金属層２５１、第１のゲート絶縁層２４２、第１のゲート金属層２１１は、ベース基板１０から離れた方向に沿って順次に配置されている。他の実施形態では、第２のゲート絶縁層２０７、第１のゲート金属層２１１、第１のゲート絶縁層２４２、及び第２のゲート金属層２５１は、順次に配置されていてもよく、本開示ではこれに限定されない。

【0085】

図１１は、本開示の実施例による第１の表示領域の平面図である。図１１を参照すると、第１の表示領域１０１は長尺状であり、第１の表示領域１０１の第１のサイズＬ１は、第１の表示領域１０１の第２のサイズＬ２より大きく、第１の表示領域１０１の第１のサイズＬ１は、ゲート信号線の延在方向における第１の表示領域１０１のサイズであり、第１の表示領域１０１の第２のサイズＬ２は、データ信号線の延在方向における第１の表示領域１０１のサイズである。表示装置は、複数の光センサ５０を含み、複数の光センサ５０の表示パネルへの正投影は、第１の表示領域１０１にあり、複数の光センサ５０の延在方向は、ゲート信号線の延在方向と平行である。

【0086】

図１１において、表示装置における第１の表示領域１０１に対応する領域には、３つの光センサ５０が配置されている。

【0087】

図１２は、本開示の実施例による別の第１の表示領域の平面図である。図１２を参照すると、表示装置は、４つの光センサ５０を含む。４つの光センサ５０は、２つのグループに分けられ、１つのグループは、２つの光センサ５０を含み、同じグループ内の２つの光センサ５０の間の距離は０であり、隣接する２つのグループの間には一定の隙間がある。

【0088】

他の実施形態では、表示装置内に他の数の光センサ５０が配置されてもよく、本開示ではこれに対して限定しない。

【0089】

図１１及び図１２に示された第１の表示領域１０１について、第１の表示領域１０１の第１のサイズＬ１と第１の表示領域１０１の第２のサイズとの比が２より大きい。

【0090】

図１３は、本開示の実施例による第１の表示領域の画素配置図である。図１１～図１３を参照すると、第１の表示領域１０１の第１のサイズＬ１と第１の表示領域１０１の第２のサイズとの比が２より大きい場合、第１の信号線３０１はゲート信号線である。

【0091】

ゲート信号線は、複数の第１の画素ユニット２０に電気的に接続、され、ゲート信号線に負荷がかかると、駆動回路に近い第１の画素ユニット２０が受信したゲート電圧は大きくなり、駆動回路から遠い第１の画素ユニット２０が受信したゲート電圧は小さくなる。第１の表示領域１０１の第１のサイズＬ１と第１の表示領域１０１の第２のサイズＬ２との比が２より大きい場合、このとき第１の表示領域１０１におけるゲート信号線の長さが第１の表示領域１０１におけるデータ信号線の長さより大きいことを意味する。一方、信号線の長さと抵抗信号線の抵抗が負の相関であると、第１の表示領域１０１において、ゲート信号線による表示の不均一な現象がより顕著になった。ゲート信号線を金属信号線として配置することで、ゲート信号線による表示の不均一な現象を低減し、表示の不均一な現象を改善することができる。

【0092】

図１１～図１３では、第１の表示領域１０１は、第１のサイズＬ１の延在方向に沿って延在し、他の実施形態では、他の方向に沿って延在することもできる。

【0093】

図１４は、本開示の実施例による別の第１の表示領域の平面図である。図１４を参照すると、第１の表示領域１０１は、同様に長尺状であり、第１の表示領域１０１の第１のサイズＬ１は、第１の表示領域１０１の第２のサイズＬ２より小さく、第１の表示領域１０１には、複数の光センサ５０が配置され、複数の光センサ５０の延在方向は、第２のサイズＬ２の延在方向である。

【0094】

図１４では、表示装置は、２つの光センサ５０を含む。図１５は、本開示の実施例による別の第１の表示領域の平面図である。図１５を参照すると、表示装置は、４つの光センサ５０を含む。４つの光センサ５０は、２つのグループに分けられ、１つのグループは、２つの光センサ５０を含み、同じグループ内の２つの光センサ５０の間の距離は０であり、隣接する２つのグループの間には一定の隙間がある。

【0095】

図１６は、本開示の実施例による別の第１の表示領域の平面図である。図１６を参照すると、表示装置は、４つの光センサ５０を含み、隣接する２つの光センサ５０の間の距離は０である。

【0096】

図１７は、本開示の実施例による別の第１の表示領域の平面図である。図１７を参照すると、表示装置は、３つの光センサ５０を含み、隣接する２つの光センサ５０の間の距離は０である。

【0097】

他の実施形態では、表示装置内に他の数の光センサ５０が配置されてもよく、本開示ではこれに対して限定しない。

【0098】

図１４～図１７に示された第１の表示領域１０１について、第１の表示領域１０１の第１のサイズＬ１と第１の表示領域１０１の第２のサイズＬ２との比が０．５未満である。図１８は、本開示の実施例による別の第１の表示領域の画素配置図である。図１４～図１８を参照すると、第１の表示領域１０１の第１のサイズＬ１と第１の表示領域１０１の第２のサイズＬ２との比が０．５未満である場合、第１の信号線３０１は、データ信号線である。

【0099】

データ信号線は、ゲート信号線と同様であり、駆動回路に近い第１の画素ユニット２０が受信したデータ電圧は大きくなり、駆動回路から遠い第１の画素ユニット２０が受信したデータ電圧は小さくなる。第１の表示領域１０１の第１のサイズＬ１と第１の表示領域１０１の第２のサイズＬ２との比が０．５未満である場合、このとき第１の表示領域１０１におけるデータ信号線の長さが第１の表示領域１０１におけるゲート信号線の長さより大きいことを意味する。第１の表示領域１０１において、データ信号線による表示の不均一な現象がより顕著になった。データ信号線を金属信号線として配置することで、データ信号線による表示の不均一な現象を低減し、表示の不均一な現象を改善することができる。

【0100】

図１１～図１８では、第１の表示領域１０１は、長尺状である。他の実施形態では、第１の表示領域１０１は、ブロック状であってもよい。

【0101】

図１９は、本開示の実施例による別の第１の表示領域の平面図である。図１９を参照すると、第１の表示領域１０１は、ブロック状であり、第１の表示領域１０１の第１のサイズＬ１と第１の表示領域１０１の第２のサイズＬ２との差は大きくなく、第１の表示領域１０１には３つの光センサ５０が配置され、３つの光センサ５０は、三角形に配置されている。

【0102】

図１９では、表示装置は、３つの光センサ５０を含む。図２０は、本開示の実施例による別の第１の表示領域の平面図である。図２０を参照すると、表示装置は、４つの光センサ５０を含み、４つの光センサ５０は、正方形に配置されている。

【0103】

図２１は、本開示の実施例による別の第１の表示領域の平面図である。図２１を参照すると、表示装置は、５つの光センサ５０を含み、５つの光センサ５０は、五角形に配置されている。

【0104】

図２２は、本開示の実施例による別の第１の表示領域の平面図である。図２２を参照すると、表示装置は、６つの光センサ５０を含み、６つの光センサ５０は、六角形に配置されている。

【0105】

他の実施形態では、表示装置内に他の数の光センサ５０が配置されてもよく、本開示ではこれに対して限定しない。

【0106】

図１９～図２２に示された第１の表示領域１０１について、第１の表示領域１０１の第１のサイズと第１の表示領域１０１の第２のサイズＬ２との比が０．５～２である。図２３は、本開示の実施例による別の第１の表示領域の画素配置図である。図１９～図２３を参照すると、第１の表示領域１０１の第１のサイズＬ１と第１の表示領域１０１の第２のサイズＬ２との比が０．５～２の場合、第１の信号線３０１は、ゲート信号線とデータ信号線とを含む。

【0107】

第１の表示領域１０１の第１のサイズＬ１と第１の表示領域１０１の第２のサイズＬ２との比が０．５～２の場合、第１の表示領域１０１において、ゲート信号線の長さとデータ信号線の長さとの差が大きくなく、ゲート信号線による表示の不均一な現象とデータ信号線による表示の不均一な現象との差も大きな違いがないことを意味し、第１の表示領域１０１において、データ信号線による表示の不均一な現象がより顕著になった。ゲート信号線とデータ信号線を金属信号線として配置することで、ゲート信号線による表示の不均一な現象とデータ信号線による表示の不均一な現象を同時に低減し、表示の不均一な現象を改善することができる。

【0108】

図２４は、本開示の実施例による表示パネルの構成概略図である。図２４を参照すると、表示パネルは、複数の第１の画素ユニット２０と複数の第２の画素ユニット４０とを含む。複数の第１の画素ユニット２０と複数の第２の画素ユニット４０は、複数行の画素ユニットになるように配列し、１行の画素ユニットの配列方向において、隣接する２行の画素ユニットにおける画素ユニットは、互いにずれており、隣接する２行の画素ユニットにおける画素ユニットは、１本のゲート信号線を介して接続されている。

【0109】

複数列の画素ユニットをずらして配置することにより、同じ面積において、より多くの画素ユニットを配置することができ、画素ユニットの密度を高めることができ、これにより表示パネルの解像度を高め、表示効果をさらに高めることができる。同時に、隣接する２行の画素ユニットにおける画素ユニットをゲート信号線で接続することにより、配線が複雑になることを回避し、回路構造を簡略化する。

【0110】

再び図３及び図２４を参照すると、ゲート信号線は波状であり、ゲート信号線のピークと谷は、それぞれ第１の画素ユニット２０または第２の画素ユニット４０に接続される。

【0111】

再び図３及び図２４を参照すると、データ信号線は、同様に波状である。

【0112】

本開示の実施例では、第１の画素ユニット２０と第２の画素ユニット４０は、いずれも７Ｔ１Ｃ画素回路を含む。

【0113】

図２５は、本開示の実施例による７Ｔ１Ｃ画素回路図である。図２５を参照すると、画素回路は、第１のスイッチトランジスタＴ１、第１の補償トランジスタＴ２、第１のリセットトランジスタＴ３、第２のリセットトランジスタＴ４、駆動トランジスタＴ５、第１の発光制御トランジスタＴ６、第２の発光制御トランジスタＴ７、及びキャパシタＣｓｔを含む。

【0114】

第１のスイッチトランジスタＴ１の制御極は、第１の走査信号端（Ｓｃａｎ［ｎ］）を介して１本のゲート線に電気的に接続され、第１のスイッチトランジスタＴ１の第１の極は、データ入力端（Ｄａｔｅ［ｍ］）を介して１本のデータ線に電気的に接続、され、第１のスイッチトランジスタＴ１の第２の極は、第１のノードＮ１に電気的に接続されている。

【0115】

第１の補償トランジスタＴ２の制御極は、第１の走査信号端（Ｓｃａｎ［ｎ］）を介して１本のゲート線に電気的に接続され、第１の補償トランジスタＴ２の第１の極は、第２のノードＮ２に電気的に接続され、第１の補償トランジスタＴ２の第２の極は、第３のノードＮ３に電気的に接続されている。

【0116】

第１のリセットトランジスタＴ３の制御極は、第２の走査信号端（Ｓｃａｎ［ｎ－１］）を介してもう一本のゲート線に電気的に接続され、第１のリセットトランジスタＴ３の第１の極は、初期化電圧端（Ｖｉｎｉｔ）を介して初期電圧信号線に電気的に接続され、第１のリセットトランジスタＴ３の第２の極は、第３のノードＮ３に電気的に接続されている。

【0117】

第２のリセットトランジスタＴ４の制御極は、第１の走査信号端（Ｓｃａｎ［ｎ］）を介して１本のゲート線に電気的に接続され、第２のリセットトランジスタＴ４の第１の極は、初期化電圧端（Ｖｉｎｉｔ）を介して初期電圧信号線に電気的に接続され、第２のリセットトランジスタＴ４の第２の極は、第４のノードＮ４に電気的に接続されている。

【0118】

駆動トランジスタＴ５の制御極は、第３のノードＮ３に電気的に接続され、駆動トランジスタＴ５の第１の極は、第１のノードＮ１に電気的に接続され、駆動トランジスタＴ５の第２の極は、第２のノードＮ２に電気的に接続されている。

【0119】

第１の発光制御トランジスタＴ６の制御極は、発光制御信号端（ＥＭ［ｎ］）を介して発光制御信号線に電気的に接続され、第１の発光制御トランジスタＴ６の第１の極は、第１のノードＮ１に電気的に接続され、第１の発光制御トランジスタＴ６の第２の極は、第５のノードＮ５に電気的に接続されている。第５のノードＮ５は、第１の電圧信号端（ＥＬＶＤＤ）を介して電源信号線に電気的に接続されている。

【0120】

第２の発光制御トランジスタＴ７の制御極は、発光制御信号端（ＥＭ［ｎ］）を介して発光制御信号線に電気的に接続され、第２の発光制御トランジスタＴ７の第１の極は、第２のノードＮ２に電気的に接続され、第２の発光制御トランジスタＴ７の第２の極は、第４のノードＮ４に電気的に接続されている。

【0121】

キャパシタＣｓｔの第１の極板は、第５のノードＮ５に電気的に接続され、キャパシタＣｓｔの第２の極板は、第３のノードＮ３に電気的に接続されている。

【0122】

再び図２５を参照すると、画素回路は、発光ダイオードＬＥＤをさらに含み、第４のノードＮ４は、発光ダイオードＬＥＤの一端に電気的に接続され、発光ダイオードＬＥＤの一端は、第２の電圧信号端（ＥＬＶＳＳ）に電気的に接続されている。

【0123】

本開示の実施例の７Ｔ１Ｃ画素回路は、一例にすぎず、他の実施形態では、画素回路は、他の構成であってもよく、例えば、画素回路は、２Ｔ１Ｃ画素回路である。

【0124】

図２６は、本開示の実施例による表示パネルの製造方法のフローチャートである。ここで、表示パネルは、光を透過する第１の表示領域を有し、図２６を参照すると、製造方法は、以下のステップを含む。

【0125】

ステップＳ４０１では、ベース基板を準備する。

【0126】

ここで、ベース基板は、表示領域と前記表示領域を少なくとも部分的に囲む周辺領域とを有し、表示領域は、第１の表示領域と少なくとも第１の表示領域の片側に位置する第２の表示領域とを含み、第１の表示領域の光透過率は、第２の表示領域の光透過率より大きい。

【0127】

本開示の実施例では、ベース基板は、ガラス基板又はポリイミド基板であってもよい。

【0128】

ステップＳ４０２では、ベース基板上に複数の第１の画素ユニットと複数の信号線とを形成する。

【0129】

ここで、複数の第１の画素ユニットは、第１の表示領域に配置され、複数の信号線は、少なくとも第１の表示領域に配置され且つ複数の第１の画素ユニットと電気的に接続され、複数の信号線は、複数の第１の信号線と複数の第２の信号線とを含み、複数の第１の信号線のうちの各第１の信号線の第１の部分は金属信号線であり、第１の信号線の第１の部分は、少なくとも第１の表示領域に配置され、複数の第２の信号線のうちの各第２の信号線の第１の部分は金属酸化物信号線であり、第２の信号線の第１の部分は、少なくとも第１の表示領域に配置される。

【0130】

例示的に、ステップＳ４０２は、以下のステップを含み得る。

【0131】

図２７は、本開示の実施例による表示パネルの製造方法のフローチャートである。図２７を参照すると、当該方法は、以下のステップを含む。

【0132】

Ｓ４２１では、ベース基板の片側にアクティブ層を形成する。

【0133】

例示的に、アクティブ層は、多結晶シリコン層であってもよい。図２８は、本開示の実施例による表示パネルの製造方法のプロセス図である。図２８を参照すると、蒸着によりベース基板の片側にアクティブフィルムを形成し、この後、パターニングプロセスによりアクティブフィルムをグラフィカル化することで、図２８に示されたアクティブ層２０６を得ることができる。なお、アクティブ層２０６は、複数の画素ユニットに対応するアクティブパターンを含み、図２８に示されたように、中央部が完全なアクティブパターンであり、四隅がそれぞれ他の４つのアクティブパターンの部分となっている。図２９～図３５は、図２８と同様に、中央部が画素ユニットのパターンであり、四隅がそれぞれ他の画素ユニットの部分となっている。ここで、図２８～図３５に示された表示パネルは、第１の表示領域に配置される。

【0134】

Ｓ４２２では、アクティブ層のベース基板から離れた側に第２のゲート絶縁層を形成する。

【0135】

例示的に、第２のゲート絶縁層は、窒化ケイ素層であってもよく、蒸着によりアクティブ層の片側に第２のゲート絶縁層を形成することができ、第２のゲート絶縁層は、アクティブ層を覆う。

【0136】

Ｓ４２３では、第２のゲート絶縁層のベース基板から離れた側に第１のゲート金属層を形成する。

【0137】

図２９は、本開示の実施例による表示パネルの製造方法のプロセス図である。図２９を参照すると、第２のゲート絶縁層に第１のゲート金属層２１１を形成する。第１の表示領域において、第１のゲート金属層は、キャパシタの第２の極板６０２と、薄膜トランジスタの制御極Ｇと、ゲート信号線Ｇａｔｅとを含む。

【0138】

本開示の実施例では、第１の表示領域および第２の表示領域において、ゲート信号線Ｇａｔｅは、第１のゲート金属層に配置され、第２の表示領域において、リセット信号線と発光制御信号線の第１の部分は、第１のゲート金属層に配置される。

【0139】

例示的に、第１のゲート金属層は、モリブデン層であってもよく、スパッタリングにより第１のゲート絶縁層の片側に第１のゲート金属薄膜を形成し、この後、パターニングプロセスにより第１のゲート金属薄膜をグラフィカル化することで、第１のゲート金属層を得ることができる。

【0140】

Ｓ４２４では、第１のゲート金属層のベース基板から離れた側に第１のゲート絶縁層を形成する。

【0141】

例示的に、第１のゲート絶縁層は、窒化ケイ素層であってもよく、蒸着により第２のゲート金属層の片側に第１のゲート絶縁層を形成することができ、第１のゲート絶縁層は、第２のゲート金属層を覆う。

【0142】

Ｓ４２５では、第１のゲート絶縁層のベース基板から離れた側に第２のゲート金属層を形成する。

【0143】

例示的に、第２のゲート金属層は、モリブデン層であってもよい。図３０は、本開示の実施例による表示パネルの製造方法のプロセス図である。図３０を参照すると、スパッタリングにより第１のゲート絶縁層の片側に第２のゲート金属薄膜を形成し、この後、パターニングプロセスにより第２のゲート金属薄膜をグラフィカル化することで、第２のゲート金属層２５１を得ることができる。第１の表示領域において、第２のゲート金属層２５１は、キャパシタの第１の極板６０１を含む。

【0144】

Ｓ４２６では、第２のゲート金属層のベース基板から離れた側に第１のパッシベーション層を形成する。

【0145】

例示的に、第１のパッシベーション層は、窒化ケイ素層であってもよく、蒸着により第２のゲート金属層の片側に第１のパッシベーション層を形成することができる。

【0146】

図３１は、本開示の実施例による表示パネルの製造方法のプロセス図である。図３１を参照すると、第１のパッシベーション層に第１のビア２２１が形成される。

【0147】

例示的に、エッチングにより第１のビア２２１を形成することができる。

【0148】

Ｓ４２７では、第１のパッシベーション層のベース基板から離れた側に第１のソース・ドレイン金属層を形成する。

【0149】

図３２は、本開示の実施例による表示パネルの製造方法のプロセス図である。図３２を参照すると、スパッタリングにより第１のパッシベーション層の片側に第１のソース・ドレイン金属薄膜を形成し、この後、パターニングプロセスにより第１のソース・ドレイン金属薄膜をグラフィカル化することで、第１のソース・ドレイン金属層２１２を得ることができる。

【0150】

本開示の実施例では、データ信号線Ｄａｔｅは、第１のソース・ドレイン金属層に配置される。

【0151】

Ｓ４２８では、第１のソース・ドレイン金属層のベース基板から離れた側に層間誘電体層を形成する。

【0152】

例示的に、層間誘電体層は、窒化ケイ素層であってもよく、蒸着により金属酸化物層の片側に層間誘電体層を形成することができる。

【0153】

Ｓ４２９では、層間誘電体層のベース基板から離れた側に金属酸化物層を形成する。

【0154】

図３３は、本開示の実施例による表示パネルの製造方法のプロセス図である。図３３を参照すると、スパッタリングにより層間誘電体層の片側に金属酸化物薄膜を形成し、この後、パターニングプロセスにより金属酸化物薄膜をグラフィカル化することで、金属酸化物層２０３を得ることができる。

【0155】

本開示の実施例では、第１の表示領域において、リセット信号線Ｒｅｓｅｔ、発光制御信号線ＥＭ、及び初期電圧信号線Ｖｉｎｉｔの第２の部分は、いずれも金属酸化物層２０３に配置され、電源信号線ＶＤＤの第１の部分は、金属酸化物層に配置される。

【0156】

ここで、リセット信号線の第１の部分と第２の部分は、第１のビアを介して電気的に接続され、発光制御信号線の第１の部分と第２の部分は、第１のビアを介して電気的に接続され、初期電圧信号線の第１の部分と第２の部分は、第２のビアを介して電気的に接続されている。

【0157】

Ｓ４２１０では、金属酸化物層のベース基板から離れた側に第２のパッシベーション層を形成する。

【0158】

例示的に、第２のパッシベーション層は、窒化ケイ素層であってもよく、第１のソース・ドレイン金属層蒸着により第１のソース・ドレイン金属層の片側に第１のパッシベーション層を形成することができる。

【0159】

Ｓ４２１１では、第２のパッシベーション層のベース基板から離れた側に第２のソース・ドレイン金属層を形成する。

【0160】

例示的に、第２のソース・ドレイン金属層は、チタン層であってもよい。図３４は、本開示の実施例による表示パネルの製造方法のプロセス図である。図３４を参照すると、スパッタリングにより第２のパッシベーション層の片側に第２のソース・ドレイン金属薄膜を形成し、この後、パターニングプロセスにより第２のソース・ドレイン金属薄膜をグラフィカル化することで、第２のソース・ドレイン金属層２０９を得ることができる。図３４では、第２のソース・ドレイン金属層２０９は、第１のソース・ドレイン金属層２１２を遮蔽する。電源信号線の第２の部分は、第２のソース・ドレイン金属層２０９に配置される。

【0161】

最後に、第２のソース・ドレイン金属層に平坦化層、画素定義層、発光層、パッケージング層などの表示パネルの他の膜層を形成し、表示パネルの作製を完了する。

【0162】

例示的に、図３５は、本開示の実施例による表示パネルの製造方法のプロセス図である。図３５を参照すると、第２のソース・ドレイン金属層２０９にアノード層２０１２を形成する。

【0163】

なお、金属層と金属酸化物層の作製プロセスを明らかにするために、上記の作製プロセス図では、絶縁層の作製プロセス図を省略した。

【0164】

本開示の実施例では、表示装置をさらに提供し、表示装置は、給電アセンブリ及び上記の表示パネルを含み、給電アセンブリは、表示パネルに電力を供給するためのものである。

【0165】

具体的な実施形態において、本開示の実施例による表示装置は、携帯電話、タブレット、テレビ、ディスプレイ、ノートパソコン、デジタルフォトフレーム、ナビゲーションなど、表示機能を備えたあらゆる製品または部品であってもよい。

【0166】

本開示の実施例の一実施形態では、表示装置は、光センサをさらに含み、光センサは、表示パネルの複数の第１の画素ユニットから離れた側に配置され、光センサのベース基板への正投影は、第１の表示領域と少なくとも部分的に重なる。

【0167】

上記は、本出願の好適な実施例にすぎず、本開示を限定するものではなく、本開示の精神および原則内でなされた任意の変更、等効な置換、改善などは、本開示の範囲に含まれるものとする。

【符号の説明】

【0168】

１００ 表示領域
２００ 周辺領域
１０ ベース基板
１０１ 第１の表示領域
１０２ 第２の表示領域
２０ 画素ユニット
３０ 信号線
３０１ 第１の信号線
３０２ 第２の信号線
２０１ 第１の金属層
２０２ 第１の絶縁層
２０３ 金属酸化物層
２２１ 第１のビア
２１１ 第１のゲート金属層
２１２ 第１のソース・ドレイン金属層
２２２ 第１のパッシベーション層
２２３ 層間誘電体層
２０４ 第２の絶縁層
２０５ 第２の金属層
２４１ 第２のビア
２５１ 第２のゲート金属層
２４２ 第１のゲート絶縁層
２０６ アクティブ層
２０７ 第２のゲート絶縁層
２０８ 第２のパッシベーション層
２０９ 第２のソース・ドレイン金属層
２０１０ バッファ層
２０１１ 平坦化層
２０１２ アノード層
２０１３ 画素定義層
２０１４ スペーサ層
２０１５ 発光層
２０１６ カソード層
２０１７ 第１の無機パッケージング層
２０１８ 有機パッケージング層
２０１９ 第２の無機パッケージング層
Ｌ１ 第１のサイズ
Ｌ２ 第２のサイズ
４０ 第２の画素ユニット
５０ 光センサ
６０ キャパシタ
６０１ 第１の極板
６０２ 第２の極板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】

【図29】

【図30】

【図31】

【図32】

【図33】

【図34】

【図35】

【国際調査報告】