▶ 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司の特許一覧 ▶ 北京京▲東▼方技▲術▼▲開▼▲発▼有限公司の特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-08-27
(54)【発明の名称】表示基板および表示装置
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20240820BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20240820BHJP
G06F 3/041 20060101ALI20240820BHJP
G06F 3/044 20060101ALI20240820BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 308Z
G09F9/30 338
G09F9/30 365
G09F9/00 366A
G06F3/041 412
G06F3/041 422
G06F3/044 122
G06F3/044 124
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023550288
(86)(22)【出願日】2022-07-06
(85)【翻訳文提出日】2023-08-21
(86)【国際出願番号】 CN2022104153
(87)【国際公開番号】W WO2023029742
(87)【国際公開日】2023-03-09
(31)【優先権主張番号】202111001585.5
(32)【優先日】2021-08-30
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】510280589
【氏名又は名称】京東方科技集團股▲ふん▼有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＢＯＥ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＧＲＯＵＰ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１０ Ｊｉｕｘｉａｎｑｉａｏ Ｒｄ．，Ｃｈａｏｙａｎｇ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００１５，ＣＨＩＮＡ
(71)【出願人】
【識別番号】519385216
【氏名又は名称】北京京▲東▼方技▲術▼▲開▼▲発▼有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＢＥＩＪＩＮＧ ＢＯＥ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＤＥＶＥＬＯＰＭＥＮＴ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｒｏｏｍ ４０７，Ｂｕｉｌｄｉｎｇ １，Ｎｏ．９ Ｄｉｚｅ Ｒｏａｄ，ＢＤＡ，Ｂｅｉｊｉｎｇ，１００１７６，ＣＨＩＮＡ
(74)【代理人】
【識別番号】100108453
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
(74)【代理人】
【識別番号】100110364
【弁理士】
【氏名又は名称】実広 信哉
(72)【発明者】
【氏名】徐 晶晶
(72)【発明者】
【氏名】▲ハオ▼ 学光
(72)【発明者】
【氏名】李 春延
(72)【発明者】
【氏名】▲劉▼ ▲ラン▼
(72)【発明者】
【氏名】王 景泉
【テーマコード（参考）】
5C094
5G435
【Ｆターム（参考）】
5C094AA53
5C094BA03
5C094BA27
5C094DA09
5C094DA15
5C094ED15
5C094FA01
5C094FA02
5C094FA03
5C094FB12
5C094FB15
5C094JA08
5C094JA09
5G435BB05
5G435EE49
5G435LL07
(57)【要約】
表示基板および表示装置が提供される。当該表示基板は、表示領域と、表示領域に位置される開口部とを有し、開口部が表示基板を貫通し、表示基板は、ベース基板と、駆動回路層と、発光デバイス層と、封止層と、タッチ制御層とを含む。駆動回路層は、開口部を少なくとも部分的に取り囲む第１信号線を含み、発光デバイス層は、駆動回路層のベース基板から離れた側に配置され、封止層は、発光デバイス層のベース基板から離れた側に配置され、タッチ制御層は、封止層のベース基板から離れた側に配置され、タッチ制御補償電極と、開口部を少なくとも部分的に取り囲むタッチ制御補償電極を含み、第１信号線がタッチ制御補償電極と少なくとも部分的に重なる。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
表示領域と、前記表示領域に位置される開口部とを有し、前記開口部が前記表示基板を貫通する表示基板であって、ベース基板と、
前記ベース基板に配置され、前記開口部を少なくとも部分的に取り囲む第１信号線を含む駆動回路層と、
前記駆動回路層の前記ベース基板から離れた側に配置される発光デバイス層と、
前記発光デバイス層の前記ベース基板から離れた側に配置される封止層と、
前記封止層の前記ベース基板から離れた側に配置され、タッチ制御電極および前記タッチ制御電極と電気的に接続されかつ前記開口部を少なくとも部分的に取り囲むタッチ制御補償電極を含むタッチ制御層とを含み、
前記ベース基板の表面に垂直な方向において、前記第１信号線が前記タッチ制御補償電極と少なくとも部分的に重なる、表示基板。
【請求項2】
前記タッチ制御電極は、第１方向に沿って延在する第１タッチ制御電極を含み、前記第１タッチ制御電極が前記第１方向において、前記開口部の対向する両側に位置される第１サブタッチ制御電極および第２サブタッチ制御電極を含み、前記タッチ制御補償電極が第１タッチ制御補償電極を含み、前記第１タッチ制御補償電極が前記開口部の縁部に沿って延在するとともに、第２方向において前記開口部の対向する両側に位置される第１サブ補償電極および第２サブ補償電極を含み、前記第１方向が前記第２方向と交差し、
前記第１サブ補償電極および前記第２サブ補償電極の両端がそれぞれ、前記第１サブタッチ制御電極および前記第２サブタッチ制御電極と電気的に接続される、請求項１に記載の表示基板。
【請求項3】
前記第１タッチ制御補償電極は、前記第１サブ補償電極と前記第２サブ補償電極との間に位置される第３サブ補償電極をさらに含み、前記第３サブ補償電極が前記第１サブタッチ制御電極または前記第２サブタッチ制御電極と電気的に接続される、請求項２に記載の表示基板。
【請求項4】
前記第３サブ補償電極は、前記第１サブ補償電極および前記第２サブ補償電極の少なくとも一方と電気的に接続される、請求項３に記載の表示基板。
【請求項5】
前記タッチ制御電極は、前記第２方向に沿って延在する第２タッチ制御電極をさらに含み、前記第２タッチ制御電極は、前記第２方向において、前記開口部の対向する両側に位置される第３サブタッチ制御電極および第４サブタッチ制御電極をさらに含み、前記タッチ制御補償電極が第２タッチ制御補償電極を含み、前記第２タッチ制御補償電極が前記開口部の縁部に延在する第４サブ補償電極および第５サブ補償電極を含み、
前記第４サブ補償電極が前記第３サブタッチ制御電極と電気的に接続され、前記第５サブ補償電極が前記第４サブタッチ制御電極と電気的に接続される、請求項２～４のいずれか一項に記載の表示基板。
【請求項6】
前記第４サブ補償電極は、前記第５サブ補償電極と電気的に接続される、請求項５に記載の表示基板。
【請求項7】
前記タッチ制御電極は、第２方向に沿って延在する第２タッチ制御電極を含み、前記第２タッチ制御電極が、第１方向において、前記開口部の対向する両側に配置される第３サブタッチ制御電極の第１サブ電極および第３サブタッチ制御電極の第２サブ電極を含み、前記タッチ制御補償電極が第１タッチ制御補償電極を含み、前記第１タッチ制御補償電極が前記開口部の縁部に沿って延在するとともに第２方向において前記開口部の対向する両側に位置される第１サブ補償電極および第２サブ補償電極を含み、前記第１方向が前記第２方向と交差し、
前記第１サブ補償電極および前記第２サブ補償電極の両端はそれぞれ、前記第３サブタッチ制御電極の第１サブ電極および前記第３サブタッチ制御電極の第２サブ電極と電気的に接続される、請求項１に記載の表示基板。
【請求項8】
前記タッチ制御電極は、前記第１方向に沿って延在する第１タッチ制御電極をさらに含み、前記第１タッチ制御電極は、第２方向に沿って隣接に配置される第１サブタッチ制御電極および第２サブタッチ制御電極を含み、前記タッチ制御補償電極は、第２タッチ制御補償電極を含み、前記第２タッチ制御補償電極が前記開口部の縁部に沿って延在する第４サブ補償電極および第５サブ補償電極を含み、
前記第４サブ補償電極は、前記第１サブタッチ制御電極と電気的に接続され、前記第５サブ補償電極は、前記第２サブタッチ制御電極と電気的に接続される、請求項７に記載の表示基板。
【請求項9】
前記第４サブ補償電極は、電気的に接続するための第１接続部を含み、前記第５サブ補償電極は、電気的に接続するための第２接続部を含み、前記ベース基板の表面に垂直な方向において、前記第１接続部と前記第１サブ補償電極とは、第１重なり領域を有し、および／または、
前記第２接続部と前記第２サブ補償電極とは、第２重なり領域を有する、請求項５または８に記載の表示基板。
【請求項10】
前記第１接続部および前記第１サブ補償電極の少なくとも一方は、前記第１重なり領域に透かし部を有し、および／または、前記第２接続部および前記第２サブ補償電極の少なくとも一方は、前記第２重なり領域に透かし部を有する、請求項９に記載の表示基板。
【請求項11】
前記開口部は、中心Ｒを有し、前記第１接続部と前記第１サブ補償電極との重なり部分の任意の点と前記中心Ｒとを結ぶ線と、前記第１接続部の延在方向とのなす角がα１であり、α１＜２０°であり、および／または、前記第２接続部と前記第２サブ補償電極との重なり部分の任意の点と前記中心Ｒとを結ぶ線と、前記第２接続部の延在方向とのなす角がθ１であり、θ１＜２０°である、請求項９に記載の表示基板。
【請求項12】
前記第１接続部と前記第１サブ補償電極との重なり面積はＳ１であり、前記第１サブ補償電極は、面積がＳ１’である透かし部を有し、０．４０＜Ｓ１／（Ｓ１＋Ｓ１’）＜０．７１となり、および／または、前記第２接続部と前記第２サブ補償電極との重なり面積はＳ２であり、前記第２サブ補償電極は、面積がＳ２’である透かし部を有し、０．４０＜Ｓ２／（Ｓ２＋Ｓ２’）＜０．７１となる、請求項１０に記載の表示基板。
【請求項13】
前記第１接続部と前記第１サブ補償電極との重なり面積はＳ１であり、前記第１サブ補償電極は、面積がＳ１’である透かし部を有し、前記開口部が中心Ｒを有し、前記第１接続部と前記第１サブ補償電極との重なり部分の任意の点と前記中心Ｒとを結ぶ線と、前記第１接続部の延在方向とのなす角がα１であり、
α１＜２０°かつ０．４０＜Ｓ１／（Ｓ１＋Ｓ１’）＜０．７１となる、請求項１０に記載の表示基板。
【請求項14】
前記第１接続部と前記第１サブ補償電極との間には層間絶縁層が配置され、前記層間絶縁層の材料は、ＳｉＮ、ＳｉＯ、ＳｉＯＮおよびＯＣのうちの少なくとも１種である、請求項９に記載の表示基板。
【請求項15】
前記第１信号線は、前記開口部を取り囲む第１サブ信号線を含み、前記第１サブ信号線の縦断面が少なくとも１つの屈曲部を有する、請求項１～１４のいずれか一項に記載の表示基板。
【請求項16】
前記第１信号線は、前記開口部を取り囲む第２サブ信号線および第３サブ信号線をさらに含み、前記第１サブ信号線が前記第２サブ信号線の前記ベース基板から離れた側に位置され、前記第３サブ信号線が前記第１サブ信号線の前記ベース基板から離れた側に位置され、前記第３サブ信号線の側壁と前記ベース基板の表面とのなす角がα２であり、前記第１サブ信号線の側壁と前記ベース基板の表面とのなす角がα３であり、前記第２サブ信号線の側壁と前記ベース基板の表面とのなす角がα４であり、
α３≦α４かつα３≦α２であり、ここで、α２＜７５°、α３＞３０°、４０°＜α４＜５０°である、請求項１５に記載の表示基板。
【請求項17】
前記第１サブ信号線の前記ベース基板への正投影の幅は、前記第３サブ信号線の前記ベース基板への正投影の幅よりも狭い、請求項１６に記載の表示基板。
【請求項18】
前記第１サブ信号線の前記ベース基板への正投影の延在長さと、前記第３サブ信号線の前記ベース基板への正投影の延在長さとは、基本的に等しい、請求項１６に記載の表示基板。
【請求項19】
前記第１サブ信号線の前記ベース基板への正投影の幅はＷ１であり、Ｗ１が１．３μｍ～１．７μｍであり、前記第３サブ信号線の前記ベース基板への正投影の幅はＷ２であり、Ｗ２が１．７μｍ～２．３μｍである、請求項１６に記載の表示基板。
【請求項20】
前記第１サブ信号線の前記ベース基板への正投影と、前記第２サブ信号線の前記ベース基板への正投影とは、第１重なり部分を有し、前記第１重なり部分の幅が０～０．１μｍである、請求項１６に記載の表示基板。
【請求項21】
前記第３サブ信号線の前記ベース基板への正投影と、前記第２サブ信号線の前記ベース基板への正投影とは、第２重なり部分を有し、前記第２重なり部分の幅が０．１８～０．３０μｍである、請求項１６に記載の表示基板。
【請求項22】
前記第１サブ信号線の縦断面は、Ｖ字状部分および前記Ｖ字状部分の少なくとも一端に位置される延在部を有し、前記Ｖ字状部分の側壁と前記ベース基板の表面とのなす角がα３－１であり、前記延在部の前記ベース基板に近い側と前記ベース基板の表面とのなす角がα３－２であり、α３－１＞α３－２であり、α３－１＜４６°、α３－２＞１０°である、請求項１５に記載の表示基板。
【請求項23】
前記第１サブ信号線の縦断面は、Ｖ字状部分および前記Ｖ字状部分の少なくとも一端に位置される延在部を含み、前記Ｖ字状部分の側壁と前記ベース基板の表面とのなす角がα３－１であり、前記延在部の前記ベース基板に近い側と前記ベース基板の表面とのなす角がα３－２であり、α３－１≧α３－２であり、α３－１＜３０°、α３－２＞１５°である、請求項１５に記載の表示基板。
【請求項24】
前記第１サブ信号線の縦断面は、傾斜部および前記傾斜部の少なくとも一端に位置される延在部を含み、前記傾斜部の側壁と前記ベース基板の表面とのなす角はα３－１であり、前記延在部の前記ベース基板に近い側と前記ベース基板の表面とのなす角はα３－２であり、α３－１＞α３－２であり、α３－１＜３０°、０°＜α３－２＜１０°である、請求項１５に記載の表示基板。
【請求項25】
前記駆動回路層は、複数のピクセル駆動回路を含み、前記発光デバイス層は、複数の発光デバイスを含み、前記複数のピクセル駆動回路のそれぞれが前記複数の発光デバイスと電気的に接続されて前記複数の発光デバイスのそれぞれを駆動し、前記ピクセル駆動回路は、薄膜トランジスタおよび蓄積コンデンサを含み、前記薄膜トランジスタは、前記ベース基板に配置されるゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を含み、前記ソース電極およびドレイン電極が前記ゲート電極の前記ベース基板から離れた側に配置され、前記蓄積コンデンサが前記ベース基板に配置される第１容量電極および第２容量電極を含み、前記第２容量電極が前記第１容量電極の前記ベース基板から離れた側に配置され、
前記第１サブ信号線と、前記ソース電極およびドレイン電極とは、同じ材料で同じ層に配置され、前記ゲート電極と前記第１容量電極とは、同じ材料で同じ層に配置される、請求項１６に記載の表示基板。
【請求項26】
前記第２サブ信号線は、前記ゲート電極または前記第２容量電極と、同じ材料で同じ層に配置される、請求項２５に記載の表示基板。
【請求項27】
前記ピクセル駆動回路は、前記ソース電極およびドレイン電極の前記ベース基板から離れた側に配置される接続電極をさらに含み、前記発光デバイスは、前記接続電極を介して前記ソース電極およびドレイン電極のうちの一方と電気的に接続され、前記第３サブ信号線と前記接続電極とは、同じ材料で同じ層に配置される、請求項２５または２６に記載の表示基板。
【請求項28】
前記第１信号線は、前記ピクセル駆動回路と電気的に接続されて、データ信号または走査信号を前記ピクセル駆動回路に提供するように構成される、請求項２５～２７のいずれか一項に記載の表示基板。
【請求項29】
前記開口部を取り囲む遮光リングをさらに含み、前記遮光リングと前記タッチ制御層とは、同じ材料で同じ層に配置される、請求項１～２８のいずれか一項に記載の表示基板。
【請求項30】
前記前記ベース基板の表面と平行な方向において、前記遮光リングは、前記タッチ制御補償電極の前記開口部に近い側に位置され、前記第１信号線は、前記タッチ制御補償電極および前記遮光リングで定められる範囲内に配置される、請求項２９に記載の表示基板。
【請求項31】
前記ベース基板の表面に垂直な方向において、前記第１信号線と前記遮光リングとは、少なくとも部分的に重なる、請求項３０に記載の表示基板。
【請求項32】
前記遮光リングは、間隔をあけて配置される複数の遮光部を含む、請求項２９～３１のいずれか一項に記載の表示基板。
【請求項33】
前記タッチ制御電極と電気的に接続され、前記開口部を取り囲む検出配線をさらに含む、請求項２９～３２のいずれか一項に記載の表示基板。
【請求項34】
前記検出配線と前記タッチ制御層とは、同じ材料で同じ層に配置される、請求項３３に記載の表示基板。
【請求項35】
前記検出配線は、前記遮光リングの前記開口部に近い側に少なくとも部分的に位置される、請求項３３または３４に記載の表示基板。
【請求項36】
前記開口部を取り囲むバリアダムをさらに含み、前記バリアダムが前記第１信号線の前記開口部に近い側に位置される、請求項２５に記載の表示基板。
【請求項37】
前記バリアダムの少なくとも一部は、前記ソース電極およびドレイン電極と同じ材料で同じ層に配置される、請求項３６に記載の表示基板。
【請求項38】
前記ピクセル駆動回路は、複数のサブ絶縁層をさらに含み、前記複数のサブ絶縁層がそれぞれ、前記ゲート電極と前記第２容量電極との間、および前記第２容量電極と前記ソース電極およびドレイン電極との間に配置され、前記表示基板は、前記開口部を取り囲む溝をさらに含み、前記溝が前記第１信号線の前記開口部に近い側に配置され、かつ複数の前記サブ絶縁層および前記ベース基板のうちの一方に設置される、請求項２５に記載の表示基板。
【請求項39】
前記タッチ制御層は、前記ベース基板から離れた方向に順次積層して配置される第１タッチ制御金属層、層間絶縁層および第２タッチ制御金属層を含み、前記タッチ制御電極は、前記第１タッチ制御金属層に位置される第１金属線、および前記第２タッチ制御金属層に位置される第２金属線を含み、前記層間絶縁層には第１ビアホールが配置され、前記第１金属線が前記第１ビアホールを介して前記第２金属線と電気的に接続される、請求項１６に記載の表示基板。
【請求項40】
前記第２金属線は、前記第１金属線の側縁に第１スロープ部を有し、前記第１スロープ部が第１サブスロープ部および第２サブスロープ部を含み、前記第１サブスロープ部が前記第２サブスロープ部の前記ベース基板から離れた側に位置され、前記第１サブスロープ部の任意の点の接線と前記ベース基板の表面との間の最大角度がα５であり、前記第２サブスロープ部の任意の点の接線と前記ベース基板の表面との間の最大角度がα６であり、α５＞α６であり、ここで、α５＞５０°、α６＞１０°である、請求項３９に記載の表示基板。
【請求項41】
α５＞α６、α５＞７０°、α６＞１５°である、請求項４０に記載の表示基板。
【請求項42】
前記第２タッチ制御金属層は、チタン層－アルミニウム層－チタン層またはインジウムスズ酸化物層－銀層－インジウムスズ酸化物層の積層構造を含み、前記ベース基板に近いチタン層またはインジウムスズ酸化物層が前記最大角度α５および最大角度α６を形成する、請求項４０に記載の表示基板。
【請求項43】
α５とα３とは、ほぼ同じである、請求項４２に記載の表示基板。
【請求項44】
タッチ制御層は、前記タッチ制御電極と電気的に接続されるタッチ制御配線をさらに含み、前記タッチ制御配線が前記第１タッチ制御金属層に位置される第１サブ配線および前記第２タッチ制御金属層に位置される第２サブ配線を含み、前記層間絶縁層には第２ビアホールが配置され、前記第１サブ配線が前記第２ビアホールを介して前記第２サブ配線と電気的に接続され、前記第２サブ配線が前記第１サブ配線の側縁に第２スロープ部を有し、前記第２スロープ部が第３サブスロープ部および第４サブスロープ部を含み、前記第３サブスロープ部が前記第４サブスロープ部の前記ベース基板から離れた側に配置され、
前記第３サブスロープ部の任意の点の接線と前記ベース基板の表面との間の最大角度がα７であり、前記第４サブスロープ部の任意の点の接線と前記ベース基板の表面との間の最大角度がα８であり、α７＞α８、α７＞５０°、α８＞１０°である、請求項３９または４０に記載の表示基板。
【請求項45】
請求項１～４４のいずれか一項に記載の表示基板を含む、表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本願は、２０２１年８月３０日に出願された、第２０２１１１００１５８５．５号の中国特許出願について優先権を主張し、上記中国特許出願に開示される内容の全てが本願の一部として援用される。
【0002】
本開示の実施例は、表示基板および表示装置に関する。
【背景技術】
【0003】
タッチ制御機能を備えたユーザーインターフェースは、携帯電話やタブレットコンピュータなどの、様々な電子装置で幅広く使用されている。タッチ制御機能を実現するためのタッチ制御層にはタッチ制御電極構造が含まれ、タッチ制御電極構造の設置がタッチ制御機能の感度と精度に影響を与えるため、ユーザーエクスペリエンスに影響を与える重要な要素である。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0004】
本開示の少なくとも一実施例は、表示領域と、前記表示領域に位置される開口部とを有し、前記開口部が前記表示基板を貫通する表示基板であって、ベース基板と、前記ベース基板上に配置され、前記開口部を少なくとも部分的に取り囲む第１信号線を含む駆動回路層と、前記駆動回路層の前記ベース基板から離れた側に配置される発光デバイス層と、前記発光デバイス層の前記ベース基板から離れた側に配置される封止層と、前記封止層の前記ベース基板から離れた側に配置され、タッチ制御電極および前記タッチ制御電極と電気的に接続されかつ前記開口部を少なくとも部分的に取り囲むタッチ制御補償電極を含むタッチ制御層とを含み、前記ベース基板の表面に垂直な方向において、前記第１信号線が前記タッチ制御補償電極と少なくとも部分的に重なる。
【0005】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記タッチ制御電極は、第１方向に沿って延在する第１タッチ制御電極を含み、前記第１タッチ制御電極が前記第１方向において、前記開口部の対向する両側に位置される第１サブタッチ制御電極および第２サブタッチ制御電極を含み、前記タッチ制御補償電極が第１タッチ制御補償電極を含み、前記第１タッチ制御補償電極が前記開口部の縁部に沿って延在すると共に、第２方向において前記開口部の対向する両側に位置される第１サブ補償電極および第２サブ補償電極を含み、前記第１方向が前記第２方向と交差し、前記第１サブ補償電極および前記第２サブ補償電極の両端がそれぞれ前記第１サブタッチ制御電極および前記第２サブタッチ制御電極と電気的に接続されている。
【0006】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記第１タッチ制御補償電極は、前記第１サブ補償電極と前記第２サブ補償電極との間に位置される第３サブ補償電極をさらに含み、前記第３サブ補償電極が前記第１サブタッチ制御電極または前記第２サブタッチ制御電極と電気的に接続される。
【0007】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記第３サブ補償電極は、前記第１サブ補償電極および前記第２サブ補償電極の少なくとも一方と電気的に接続される。
【0008】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記タッチ制御電極は、前記第２方向に沿って延在する第２タッチ制御電極をさらに含み、前記第２タッチ制御電極は、前記第２方向において、前記開口部の対向する両側に位置される第３サブタッチ制御電極および第４サブタッチ制御電極をさらに含み、前記タッチ制御補償電極が第２タッチ制御補償電極を含み、前記第２タッチ制御補償電極が前記開口部の縁部に延在する第４サブ補償電極および第５サブ補償電極を含み、前記第４サブ補償電極が前記第３サブタッチ制御電極と電気的に接続され、前記第５サブ補償電極が前記第４サブタッチ制御電極と電気的に接続される。
【0009】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記第４サブ補償電極は、前記第５サブ補償電極と電気的に接続される。
【0010】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記タッチ制御電極は、第２方向に沿って延在する第２タッチ制御電極を含み、前記第２タッチ制御電極が、前記第１方向において、前記開口部の対向する両側に位置される第３サブタッチ制御電極の第１サブ電極および第３サブタッチ制御電極の第２サブ電極を含み、前記タッチ制御補償電極が第１タッチ制御補償電極を含み、前記第１タッチ制御補償電極が前記開口部の縁部に沿って延在するとともに、第２方向において前記開口部の対向する両側に位置される第１サブ補償電極および第２サブ補償電極を含み、前記第１方向が前記第２方向と交差し、前記第１サブ補償電極および前記第２サブ補償電極の両端がそれぞれ、前記第３サブタッチ制御電極の第１サブ電極および前記第３サブタッチ制御電極の第２サブ電極と電気的に接続される。
【0011】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記第１タッチ制御電極は、第２方向に沿って隣接に配置される第１サブタッチ制御電極および第２サブタッチ制御電極を含み、前記タッチ制御補償電極が第２タッチ制御補償電極を含み、前記第２タッチ制御補償電極が前記開口部の縁部に沿って延在する第４サブ補償電極および第５サブ補償電極を含み、前記第４サブ補償電極が前記第１サブタッチ制御電極と電気的に接続され、前記第５サブ補償電極が前記第２サブタッチ制御電極と電気的に接続される。
【0012】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記第４サブ補償電極は、電気的に接続するための第１接続部を含み、前記第５サブ補償電極は、電気的に接続するための第２接続部を含み、前記ベース基板の表面に垂直な方向において、前記第１接続部と前記第１サブ補償電極は、第１重なり領域を有し、および／または前記第２接続部と前記第２サブ補償電極は、第２重なり領域を有する。
【0013】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記第１接続部および前記第１サブ補償電極の少なくとも一方は、前記第１重なり領域で透かし部を有し、および／または前記第２接続部および前記第２サブ補償電極の少なくとも一方は、前記第２重なり領域で透かし部を有する。
【0014】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記開口部は、中心Ｒを有し、前記第１接続部と前記第１サブ補償電極との重なり部分の任意の点と前記中心Ｒとを結ぶ線と、前記第１接続部の延在方向とのなす角がα１であり、α１＜２０°であり、および／または、前記第２接続部と前記第２サブ補償電極との重なり部分の任意の点と前記中心Ｒとを結ぶ線と、前記第２接続部の延在方向とのなす角がθ１であり、θ１＜２０°である。
【0015】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記第１接続部と前記第１サブ補償電極との重なり面積はＳ１であり、前記第１サブ補償電極は、面積がＳ１’である透かし部を有し、０．４０＜Ｓ１／（Ｓ１＋Ｓ１’）＜０．７１となり、および／または、前記第２接続部と前記第２サブ補償電極との重なり面積はＳ２であり、前記第２サブ補償電極は、面積がＳ２’である透かし部を有し、０．４０＜Ｓ２／（Ｓ２＋Ｓ２’）＜０．７１となる。
【0016】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記第１接続部と前記第１サブ補償電極との重なり面積はＳ１であり、前記第１サブ補償電極は、面積がＳ１’である透かし部を有し、前記開口部が中心Ｒを有し、前記第１接続部と前記第１サブ補償電極との重なり部分の任意の点と前記中心Ｒとを結ぶ線と、前記第１接続部の延在方向とのなす角がα１であり、α１＜２０°かつ０．４０＜Ｓ１／（Ｓ１＋Ｓ１’）＜０．７１である。
【0017】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記第１接続部と前記第１サブ補償電極との間には層間絶縁層が配置され、前記層間絶縁層の材料は、ＳｉＮ、ＳｉＯ、ＳｉＯＮおよびＯＣのうちの少なくとも１種である。
【0018】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記第１信号線は、前記開口部を取り囲む第１サブ信号線を含み、前記第１サブ信号線の縦断面が少なくとも１つの屈曲部を有する。
【0019】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記第１信号線は、前記開口部を取り囲む第２サブ信号線および第３サブ信号線をさらに含み、前記第１サブ信号線が前記第２サブ信号線の前記ベース基板から離れた側に位置され、前記第３サブ信号線が前記第１サブ信号線の前記ベース基板から離れた側に位置され、前記第３サブ信号線の側壁と前記ベース基板の表面とのなす角がα２であり、前記第１サブ信号線の側壁と前記ベース基板の表面とのなす角がα３であり、前記第２サブ信号線の側壁と前記ベース基板の表面とのなす角がα４であり、
α３≦α４かつα３≦α２であり、ここで、α２＜７５°、α３＞３０°、４０°＜α４＜５０°である。
α３≦α４かつα３≦α２であり、ここで、α２＜７５°、α３＞３０°、４０°＜α４＜５０°である。
【0020】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記第１サブ信号線の前記ベース基板への正投影の幅は、前記第３サブ信号線の前記ベース基板への正投影の幅よりも狭い。
【0021】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記第１サブ信号線の前記ベース基板への正投影の延在長さと、前記第３サブ信号線の前記ベース基板への正投影の延在長さとは、実質的に等しい。
【0022】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記第１サブ信号線の前記ベース基板への正投影の幅は、Ｗ１であり、Ｗ１が１．３μｍ～１．７μｍであり、前記第３サブ信号線の前記ベース基板への正投影の幅は、Ｗ２であり、Ｗ２が１．７μｍ～２．３μｍである。
【0023】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記第１サブ信号線の前記ベース基板への正投影と、前記第２サブ信号線の前記ベース基板への正投影とは、第１重なり部分を有し、前記第１重なり部分の幅が０～０．１μｍである。
【0024】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記第３サブ信号線の前記ベース基板への正投影と、前記第２サブ信号線の前記ベース基板への正投影とは、第２重なり部分を有し、前記第２重なり部分の幅が０．１８～０．３０μｍである。
【0025】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記第１サブ信号線の縦断面は、Ｖ字状部分および前記Ｖ字状部分の少なくとも一端に位置される延在部を有し、前記Ｖ字状部分の側壁と前記ベース基板の表面とのなす角がα３－１であり、前記延在部の前記ベース基板に近い側と前記ベース基板の表面とのなす角がα３－２であり、
α３－１＞α３－２であり、ここで、α３－１＜４６°、α３－２＞１０°である。
α３－１＞α３－２であり、ここで、α３－１＜４６°、α３－２＞１０°である。
【0026】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記第１サブ信号線の縦断面は、Ｖ字状部分および前記Ｖ字状部分の少なくとも一端に位置される延在部を含み、前記Ｖ字状部分の側壁と前記ベース基板の表面とのなす角がα３－１であり、前記延在部の前記ベース基板に近い側と前記ベース基板の表面とのなす角がα３－２であり、
α３－１≧α３－２であり、ここで、α３－１＜３０°、α３－２＞１５°である。
α３－１≧α３－２であり、ここで、α３－１＜３０°、α３－２＞１５°である。
【0027】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記第１サブ信号線の縦断面は、傾斜部および前記傾斜部の少なくとも一端に位置される延在部を含み、前記傾斜部の側壁と前記ベース基板の表面とのなす角はα３－１であり、前記延在部の前記ベース基板に近い側と前記ベース基板の表面とのなす角はα３－２であり、
α３－１＞α３－２であり、ここで、α３－１＜３０°、０°＜α３－２＜１０°である。
α３－１＞α３－２であり、ここで、α３－１＜３０°、０°＜α３－２＜１０°である。
【0028】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記駆動回路層は、複数のピクセル駆動回路を含み、前記発光デバイス層は、複数の発光デバイスを含み、前記複数のピクセル駆動回路のそれぞれが、前記複数の発光デバイスと電気的に接続されて、前記複数の発光デバイスのそれぞれを駆動し、前記ピクセル駆動回路は、薄膜トランジスタおよび蓄積コンデンサを含み、前記薄膜トランジスタは、前記ベース基板に配置されるゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を含み、前記ソース電極およびドレイン電極が前記ゲート電極の前記ベース基板から離れた側に配置され、前記蓄積コンデンサが前記ベース基板に配置される第１容量電極および第２容量電極を含み、前記第２容量電極が前記第１容量電極の前記ベース基板から離れた側に配置され、前記第１サブ信号線と、前記ソース電極およびドレイン電極とは、同じ材料で同じ層に配置され、前記ゲート電極と前記第１容量電極とは、同じ材料で同じ層に配置される。
【0029】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記第２サブ信号線と、前記ゲート電極または前記第２容量電極とは、同じ材料で同じ層に配置される。
【0030】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記ピクセル駆動回路は、前記ソース電極およびドレイン電極の前記ベース基板から離れた側に配置される接続電極をさらに含み、前記発光デバイスは、前記接続電極を介して前記ソース電極およびドレイン電極のうちの一方と電気的に接続され、前記第３サブ信号線と前記接続電極とは、同じ材料で同じ層に配置される。
【0031】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記第１信号線は、前記ピクセル駆動回路と電気的に接続されて、データ信号または走査信号を前記ピクセル駆動回路に提供するように構成される。
【0032】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板は、前記開口部を取り囲む遮光リングをさらに含み、前記遮光リングと前記タッチ制御層とは、同じ材料で同じ層に配置される。
【0033】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記前記ベース基板の表面と平行な方向において、前記遮光リングは、前記タッチ制御補償電極の前記開口部に近い側に位置され、前記第１信号線は、前記タッチ制御補償電極および前記遮光リングで定められる範囲内に配置される。
【0034】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記ベース基板の表面に垂直な方向において、前記第１信号線と前記遮光リングとは、少なくとも部分的に重なる。
【0035】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記遮光リングは、間隔をあけて配置される複数の遮光部を含む。
【0036】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板は、前記タッチ制御電極と電気的に接続され、前記開口部を取り囲む検出配線をさらに含む。
【0037】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記検出配線と前記タッチ制御層とは、同じ材料で同じ層に配置される。
【0038】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記検出配線は、前記遮光リングの前記開口部に近い側に少なくとも部分的に位置される。
【0039】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板は、前記開口部を取り囲むバリアダムをさらに含み、前記バリアダムが前記第１信号線の前記開口部に近い側に位置される。
【0040】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記バリアダムの少なくとも一部は、前記ソース電極およびドレイン電極と同じ材料で同じ層に配置される。
【0041】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記ピクセル駆動回路は、複数のサブ絶縁層をさらに含み、前記複数のサブ絶縁層がそれぞれ、前記ゲート電極と前記第２容量電極との間、および前記第２容量電極と前記ソース電極およびドレイン電極との間に配置され、前記表示基板は、前記開口部を取り囲む溝をさらに含み、前記溝が前記第１信号線の前記開口部に近い側に配置され、かつ複数の前記サブ絶縁層および前記ベース基板のうちの一方に設置される。
【0042】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記タッチ制御層は、前記ベース基板から離れた方向に順次積層して配置される第１タッチ制御金属層、層間絶縁層および第２タッチ制御金属層を含み、前記タッチ制御電極は、前記第１タッチ制御金属層に位置される第１金属線および前記第２タッチ制御金属層に位置される第２金属線を含み、前記層間絶縁層には第１ビアホールが配置され、前記第１金属線が前記第１ビアホールを介して前記第２金属線と電気的に接続される。
【0043】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記第２金属線は、前記第１金属線の側縁に第１スロープ部を有し、前記第１スロープ部が第１サブスロープ部および第２サブスロープ部を含み、前記第１サブスロープ部が前記第２サブスロープ部の前記ベース基板から離れた側に配置され、前記第１サブスロープ部の任意の点の接線と前記ベース基板の表面との間の最大角度がα５であり、前記第２サブスロープ部の任意の点の接線と前記ベース基板の表面との間の最大角度がα６であり、α５＞α６であり、ここで、α５＞５０°、α６＞１０°である。
【0044】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、α５＞α６、α５＞７０°、α６＞１５°である。
【0045】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、前記第２タッチ制御金属層は、チタン層－アルミニウム層－チタン層、または、インジウムスズ酸化物層－銀層－インジウムスズ酸化物層の積層構造を含み、前記ベース基板に近いチタン層またはインジウムスズ酸化物層が前記最大角度α５と最大角度α６を形成する。
【0046】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、α５とα３とは、ほぼ同じである。
【0047】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板において、タッチ制御層は、前記タッチ制御電極と電気的に接続されるタッチ制御配線をさらに含み、前記タッチ制御配線は、前記第１タッチ制御金属層に位置される第１サブ配線および前記第２タッチ制御金属層に位置される第２サブ配線を含み、前記層間絶縁層内に第２ビアホールが配置され、前記第１サブ配線が前記第２ビアホールを介して前記第２サブ配線と電気的に接続され、前記第２サブ配線が前記第１サブ配線の側縁に第２スロープ部を有し、前記第２スロープ部が第３サブスロープ部および第４サブスロープ部を含み、前記第３サブスロープ部が前記第４サブスロープ部の前記ベース基板から離れた側に配置され、前記第３サブスロープ部の任意の点の接線と前記ベース基板の表面との間の最大角度がα７であり、前記第４サブスロープ部の任意の点の接線と前記ベース基板の表面との間の最大角度がα８であり、α７＞α８であり、ここで、α７＞５０°、α８＞１０°である。
【0048】
本開示の少なくとも１つの実施例は、本開示の実施例によって提供される表示基板を含む、表示装置をさらに提供する。
【0049】
本開示の実施例の技術的解決手段をより明確に説明するために、以下で実施例の図面を簡単に説明するが、明らかに、以下の説明における図面は、本開示のいくつかの実施例にのみ関連しており、本開示を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【0050】
【発明を実施するための形態】
【0051】
本開示の実施例の目的、技術的解決手段および利点をより明確にするために、本開示の実施例の技術的解決手段を、本開示の実施例の添付図面と併せて以下で明確かつ完全に説明する。明らかに、説明される実施例は、本開示の実施例の一部であり、それらのすべてではない。説明された本開示の実施例に基づいて、創造的な努力なしに当業者によって得られる他のすべての実施例は、本開示の保護範囲内に含まれる。
【0052】
特に定義されない限り、本開示で使用される技術用語または科学用語は、当業者に理解されるべき一般的な意味である。本開示で使用される「第１」、「第２」及び類似の語は、いかなる順序、数または重要性を表すものではなく、異なる構成部分を区別するために使用される。「含む」または「含有」などの類似語は、当該用語の前に現れる要素または物が、当該用語の後に列挙される要素または物及びその同等物を含むことを意味し、他の要素または物を排除しない。「接続」または「連結」などの類似語は、物理的または機械的接続に限定されるものではなく、直接的または間接的にかかわらず、電気的接続を含むことができる。「上」、「下」、「左」、「右」などは、相対位置関係のみを表すために用いられ、記述対象の絶対位置が変化すると、その相対位置関係もそれに応じて変化することがある。
【0053】
図１は、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板の概略平面図を示す。図１に示すように、表示基板の大画面化を実現するために、表示基板の表示領域ＡＡに開口部Ｏを形成し、開口部Ｏの位置に対応してカメラなどの機能性素子を配置することにより、カメラなどの機能性素子の設置スペースを削減し、表示基板の表示領域ＡＡを増加させ、表示基板の画面占有率を高める効果を実現することができる。
【0054】
例えば、図２は、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板の別の概略平面図を示す。図２に示すように、表示基板は、表示領域ＡＡで複数のサブピクセルＰを含み、周囲領域ＮＡで走査駆動回路Ｓおよびデータ駆動回路Ｄなどの駆動回路を含む。例えば、複数のサブピクセルＰはそれぞれ、複数の走査線ＳＬを介して走査駆動回路Ｓと接続され、かつそれぞれ複数のデータケーブルＤＬを介してデータ駆動回路Ｄと接続され、走査駆動回路Ｓおよびデータ駆動回路Ｄなどを介して複数のサブピクセルＰを駆動して表示させる。例えば、図２に示すように、表示領域ＡＡには開口部が配置されているため、走査線ＳＬおよびデータケーブルＤＬが開口部Ｏを直線的に通過することができないため、いくつかの実施例において、走査線ＳＬおよびデータケーブルＤＬを巻き回して配線することができる。
【0055】
例えば、各サブピクセルＰは、発光デバイスおよび発光デバイスを駆動するためのピクセル駆動回路を含み、当該ピクセル駆動回路が走査駆動回路Ｓおよびデータ駆動回路Ｄから伝送される走査信号およびデータ信号などの電気信号を受信して、発光デバイスを駆動することができる。例えば、図３は、ピクセル駆動回路の等価回路図を示す。
【0056】
例えば、図３に示すように、この例において、ピクセル駆動回路は、７Ｔ１Ｃのピクセル駆動回路であり、複数の薄膜トランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６およびＴ７、ならびに複数の薄膜トランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６およびＴ７と接続される複数の信号線および蓄積コンデンサＣｓｔを含み、複数の信号線が走査線ＳＬ、発光制御線ＥＭ、初期化線ＲＬ、データケーブルＤＬおよび第１電源ケーブルＶＤＤを含む。例えば、走査線ＳＬは、ゲート電極走査信号を伝送するための第１走査線ＳＬｎおよびリセット信号を伝送するための第２走査線ＳＬｎ－１を含む。発光制御線ＥＭは、発光制御信号を伝送する。
【0057】
なお、他の例において、ピクセル駆動回路は、２Ｔ１Ｃ構造、７Ｔ２Ｃ構造、または９Ｔ２Ｃ構造などの他のタイプの回路構造を採用することもできるが、本開示の実施例において、これらに限定されない。
【0058】
例えば、図３に示すように、第１薄膜トランジスタＴ１の第１ゲート電極Ｇ１は、第３薄膜トランジスタＴ３の第３ドレイン電極Ｄ３および第４薄膜トランジスタＴ４の第４ドレイン電極Ｄ４と電気的に接続される。第１薄膜トランジスタＴ１の第１ソース電極Ｓ１は、第２薄膜トランジスタＴ２の第２ドレイン電極Ｄ２および第５薄膜トランジスタＴ５の第５ドレイン電極Ｄ５と電気的に接続される。第１薄膜トランジスタＴ１の第１ドレイン電極Ｄ１は、第３薄膜トランジスタＴ３の第３ソース電極Ｓ３および第６薄膜トランジスタＴ６の第６ソース電極Ｓ６と電気的に接続される。
【0059】
例えば、図３に示すように、第２薄膜トランジスタＴ２の第２ゲート電極Ｇ２は、第１走査線ＳＬｎと電気的に接続されてゲート電極走査信号を受信するように構成され、第２薄膜トランジスタＴ２の第２ソース電極Ｓ２は、データケーブルＤＡＴと電気的に接続されてデータ信号を受信するように構成され、第２薄膜トランジスタＴ２の第２ドレイン電極Ｄ２は、第１薄膜トランジスタＴ１の第１ソース電極Ｓ１と電気的に接続される。
【0060】
例えば、図３に示すように、第３薄膜トランジスタＴ３の第３ゲート電極Ｇ３は、第１走査線ＳＬｎと電気的に接続するように構成され、第３薄膜トランジスタＴ３の第３ソース電極Ｓ３は、第１薄膜トランジスタＴ１の第１ドレイン電極Ｄ１と電気的に接続され、第３薄膜トランジスタＴ３の第３ドレイン電極Ｄ３は、第１薄膜トランジスタＴ１の第１ゲート電極Ｇ１と電気的に接続される。
【0061】
例えば、図３に示すように、第４薄膜トランジスタＴ４の第４ゲート電極Ｇ４は、第２走査線ＳＬｎ－１と電気的に接続されてリセット信号を受信するように構成され、第４薄膜トランジスタＴ４の第４ソース電極Ｓ４は、初期化線ＲＬと電気的に接続されて初期化信号を受信するように構成され、第４薄膜トランジスタＴ４の第４ドレイン電極Ｄ４は、第１薄膜トランジスタＴ１の第１ゲート電極Ｇ１と電気的に接続される。
【0062】
例えば、図３に示すように、第５薄膜トランジスタＴ５の第５ゲート電極Ｇ５は、発光制御線ＥＭと電気的に接続されて発光制御信号を受信するように構成され、第５薄膜トランジスタＴ５の第５ソース電極Ｓ５は、第１電源ケーブルＶＤＤと電気的に接続されて第１電源信号を受信するように構成され、第５薄膜トランジスタＴ５の第５ドレイン電極Ｄ５は、第１薄膜トランジスタＴ１の第１ソース電極Ｓ１と電気的に接続される。
【0063】
例えば、図３に示すように、第６薄膜トランジスタＴ６の第６ゲート電極Ｇ６は、発光制御線ＥＭと電気的に接続されて発光制御信号を受信するように構成され、第６薄膜トランジスタＴ６の第６ソース電極Ｓ６は、第１薄膜トランジスタＴ１の第１ドレイン電極Ｄ１と電気的に接続され、第６薄膜トランジスタＴ６の第６ドレイン電極Ｄ６は、発光デバイスＥＴの第１電極（例えば、アノード）と電気的に接続される。
【0064】
例えば、図３に示すように、第７薄膜トランジスタＴ７の第７ゲート電極Ｇ７は、第２走査線ＳＬｎ－１と電気的に接続されてリセット信号を受信するように構成され、第７薄膜トランジスタＴ７の第７ソース電極Ｓ７は、発光デバイスＥＴの第１電極（例えば、アノード）と電気的に接続され、第７薄膜トランジスタＴ７の第７ドレイン電極Ｄ７は、初期化線ＲＬと電気的に接続されて初期化信号を受信するように構成される。例えば、第７薄膜トランジスタＴ７の第７ドレイン電極Ｄ７は、第４薄膜トランジスタＴ４と接続される第４ソース電極Ｓ４を介して、初期化線ＲＬと電気的に接続される。
【0065】
例えば、図３に示すように、蓄積コンデンサＣｓｔは、第１容量電極ＣＥ１および第２容量電極ＣＥ２を含む。第２容量電極ＣＥ２は、第１電源ケーブルＶＤＤと電気的に接続され、第１容量電極ＣＥ１は、第１薄膜トランジスタＴ１の第１ゲート電極Ｇ１および第３薄膜トランジスタＴ３の第３ドレイン電極Ｄ３と電気的に接続される。
【0066】
例えば、図３に示すように、発光デバイスＥＴの第２電極（例えば、カソード）は、第２電源ケーブルＶＳＳと電気的に接続される。
【0067】
なお、第１電源線ＶＤＤと第２電源線ＶＳＳのうちの一方は、高電圧を供給する電源線であり、他方は、低電圧を供給する電源線である。例えば、図３に示す例において、第１電源線ＶＤＤは、正の電圧である一定の第１電圧を提供し、第２電源線ＶＳＳは、負の電圧などであってもよい一定の第２電圧を提供する。例えば、いくつかの例において、第２電圧は、接地電圧であってもよい。
【0068】
なお、上記のリセット信号と上記初期化信号とは、同一の信号であってもよい。
【0069】
また、トランジスタは、トランジスタの特性に応じて、Ｎ型トランジスタとＰ型トランジスタとに分類することができるが、明確にするために、本開示の実施例において、本開示の技術的解決手段を詳細に説明するために、例としてＰ型トランジスタ（例えば、Ｐ型ＴＦＴ）を使用する。即ち、本開示の説明において、第１トランジスタＴ１、第２トランジスタＴ２、第３トランジスタＴ３、第４トランジスタＴ４、第５トランジスタＴ５、第６トランジスタＴ６および第７トランジスタＴ７などはいずれも、Ｐ型トランジスタであってもよい。しかしながら、本開示の実施例におけるトランジスタは、Ｐ型トランジスタに限定されず、当業者は、実際の必要に応じて、Ｎ型トランジスタ（例えば、Ｎ型ＴＦＴ）を使用して、本開示の実施例における１つまたは複数のトランジスタの機能を実現することができる。
【0070】
なお、本開示の実施例で使用されるトランジスタは、薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ、または同様の特性を有する他のスイッチングデバイスであってもよく、薄膜トランジスタは、酸化物半導体薄膜トランジスタ、アモルファスシリコン薄膜トランジスタ、またはポリシリコン薄膜トランジスタを含むことができる。トランジスタのソース電極とドレイン電極は、対称的な構造を持つことができるため、ソース電極とドレイン電極とは物理的構造に違いがなく、本開示の実施例において、トランジスタの全部または一部のソース電極とドレイン電極は、必要に応じて入れ替えることができる。
【0071】
例えば、図４は、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板のサブピクセルの概略平面図を示す。例えば、図４に示す薄膜トランジスタは、図３の第７薄膜トランジスタＴＦＴ７である。図４に示すように、表示基板は、ベース基板ＢＳ、ベース基板ＢＳに配置される駆動回路層、駆動回路層に配置される発光デバイス層および発光デバイス層に配置される封止層を含む。駆動回路層は、複数のサブピクセルに用いられる複数のピクセル駆動回路を含み、発光デバイス層は、複数のサブピクセルに用いられる複数の発光デバイスＥＴを含み、複数のピクセル駆動回路はそれぞれ、複数の発光デバイスと電気的に接続されて複数の発光デバイスＥＴをそれぞれ駆動する。
【0072】
例えば、各ピクセル駆動回路は、薄膜トランジスタＴＦＴおよび蓄積コンデンサＣｓｔなどの構造を含み、図４に示すように、封止層は、例えば、複数のサブ封止層１０８／１０９／１１０を含む。例えば、いくつかの例において、サブ封止層１０８および１１０は無機封止層であり、サブ封止層１０９は有機封止層であり、このように形成される複合封止層は、表示基板の効果的な封止を実現することができる。
【0073】
例えば、図４に示すように、薄膜トランジスタＴＦＴは、活性層ＡＴ、ゲート電極ＧＴ、ソース電極ＳＥおよびドレイン電極ＤＥを含み、蓄積コンデンサＣｓｔは、第１容量電極ＣＥ１および第２容量電極ＣＥ２を含む。例えば、第１容量電極ＣＥ１とゲート電極ＧＴとは、同じ材料で同じ層に配置され、第２容量電極ＣＥ２は、第１容量電極ＣＥ１のベース基板から離れた側に配置される。
【0074】
なお、本開示の実施例において、「同じ材料で同じ層に配置される」とは、表示基板の積層構造において、２つの機能層または構造層が同じ材料で同じ層に形成されること、即ち、製造工程において、当該２つの機能層または構造層は、同じ材料層から形成されてもよく、かつ同じパターニングプロセスを通じて必要なパターンおよび構造が形成されてもよいことを意味する。
【0075】
例えば、図４に示すように、表示基板は、ベース基板ＢＳに配置されるバッファ層１０１、活性層ＡＴに配置される第１ゲート絶縁層１０２、ゲート電極ＧＴおよび第１容量電極ＣＥ１に配置される第２ゲート絶縁層１０３、第２容量電極ＣＥ２に配置される層間絶縁層１０４、ならびにソース電極ＳＥおよびドレイン電極ＤＥに配置される平坦化層１０５などの絶縁層をさらに含むことができる。
【0076】
例えば、図４に示すように、発光デバイスＥＴは、第１電極（例えば、アノード）Ｅ１、第２電極（例えば、カソード）Ｅ３、および第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ３との間に配置される発光層Ｅ２を含む。例えば、平坦化層１０５にはビアホールが配置され、第１電極Ｅ１は、平坦化層１０５のビアホールを通じて薄膜トランジスタのソース電極ＳＥと電気的に接続され、それによって第１電極Ｅ１が薄膜トランジスタのソース電極ＳＥから電気信号を受信することができる。
【0077】
例えば、図４に示すように、第１電極Ｅ１には、ピクセル定義層１０６がさらに配置され、ピクセル定義層１０６は、第１電極Ｅ１を露出するサブピクセル開口部を有し、発光層Ｅ２および第２電極Ｅ３が少なくともサブピクセル開口部に配置され、このサブピクセル開口部によってサブピクセルの発光領域が画定される。例えば、ピクセル定義層１０６には、スペーサ１０７がさらに配置され、スペーサ１０７には、上記封止層が配置される。
【0078】
例えば、図５は、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示基板のサブピクセルの別の概略断面図を示す。図４とは異なり、図５に示す例において、表示基板は、接続電極Ｅ４をさらに含み、発光デバイスＥＴの第１電極Ｅ１は、接続電極Ｅ４を介して薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＥと接続される。このとき、表示基板は、ソース電極ＳＥおよびドレイン電極ＤＥに配置されるパッシベーション層１０５１をさらに含むことができ、パッシベーション層１０５１に平坦化層１０５が配置され、平坦化層１０５に別の平坦化層１０５２がさらに配置される。例えば、平坦化層１０５２にはビアホールが配置され、第１電極Ｅ１は、平坦化層１０５２におけるビアホールを介して接続電極Ｅ４と電気的に接続され、パッシベーション層１０５１および平坦化層には、貫通したビアホールが配置され、接続電極Ｅ４は、パッシベーション層１０５１および平坦化層１０５におけるビアホールを介して、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＥと電気的に接続される。
【0079】
例えば、他のいくつかの実施例において、表示基板は、図５に示すパッシベーション層１０５１を含まなくてもよく、この場合、接続電極Ｅ４は、平坦化層１０５のビアホールを介して薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＥと直接電気的に接続される。
【0080】
【0081】
例えば、図６は、タッチ制御層の概略平面図を示す。図６に示すように、いくつかの実施例において、タッチ制御層は、タッチ制御電極ＴＸ／ＲＸ、およびタッチ制御電極ＴＸ／ＲＸを接続するタッチ制御配線ＴＣＬを含む。例えば、カメラなどの機能性素子の設置を容易にするために、タッチ制御層の開口部Ｏに相当する部分が除去された。
【0082】
例えば、上記のタッチ制御層を有する表示基板において、開口部Ｏの存在は、表示基板の開口部Ｏ近傍における走査線ＳＬやデータケーブルＤＬなどの信号線の配置に影響を及ぼし、開口部Ｏ近傍におけるタッチ制御電極ＴＸ／ＲＸの配置にも影響を与える。この点について、開口部Ｏ近傍における信号線およびタッチ制御電極などの構造をどのように配置するかが、良好なタッチ制御効果や表示効果を形成するための重要な課題となる。
【0083】
本開示の少なくとも１つの実施例は、表示基板および表示装置を提供し、当該表示基板は、表示領域、および表示領域に位置され、表示基板を貫通する開口部を有し、表示基板は、ベース基板と、ベース基板に配置され、開口部を少なくとも部分的に取り囲む第１信号線を含む駆動回路層と、駆動回路層のベース基板から離れた側に配置される発光デバイス層と、発光デバイス層のベース基板から離れた側に配置される封止層と、封止層のベース基板から離れた側に配置され、タッチ制御電極およびタッチ制御電極と電気的に接続され、かつ開口部を少なくとも部分的に取り囲むタッチ制御補償電極を含むタッチ制御層を含み、ベース基板の表面に垂直な方向において、第１信号線は、タッチ制御補償電極と少なくとも部分的に重なる。
【0084】
本開示の実施例において、第１信号線とタッチ制御補償電極とが少なくとも部分的に重なることにより、表示基板上で第１信号線とタッチ制御補償電極との全体が占めるスペースを削減することができ、それによって表示基板の大画面設計が容易になる。
【0085】
以下、本発明の表示基板および表示装置について、いくつかの具体的な実施例に基づいて説明する。
【0086】
本開示の少なくとも１つの実施例は表示基板を提供し、図１を参照すると、当該表示基板は、表示領域ＡＡ、および表示領域ＡＡに位置され、表示基板を貫通する開口部Ｏを有し、図４および図５を参照すると、表示基板は、ベース基板ＢＳ、駆動回路層、発光デバイス層、封止層およびタッチ制御層ＴＬを含む。駆動回路層は、ベース基板ＢＳに配置され、薄膜トランジスタＴＦＴ、蓄積コンデンサＣｓｔおよび開口部Ｏを少なくとも部分的に取り囲む第１信号線Ｌ１（図１６を参照し、後で説明する）などの構造を含み、発光デバイス層は、駆動回路層のベース基板ＢＳから離れた側に配置され、複数の発光デバイスＥＴを含み、封止層は、発光デバイス層のベース基板ＢＳから離れた側に配置され、例えば、複数のサブ封止層１０８／１０９／１１０を含む複合封止層であってもよく、タッチ制御層ＴＬは、タッチ制御機能を実現するために、封止層のベース基板ＢＳから離れた側に配置される。
【0087】
図７は、タッチ制御層ＴＬの一部の概略平面図を示す。図７に示すように、タッチ制御層ＴＬは、タッチ制御電極を含み、タッチ制御機能の安定性を向上させるために、開口部Ｏと間接的に接触するタッチ制御電極は、略長方形ブロックの形状を有する。例えば、図７に示すように、当該タッチ制御電極は、第１方向（例えば、図中の縦方向）に沿って延在する第１タッチ制御電極ＴＸと、第２方向（例えば、図中の横方向）に沿って延在する第２タッチ制御電極ＲＸとを含み、第１方向は、第２方向と例えば垂直に交差する。図７に示す例において、第１タッチ制御電極ＴＸと第２タッチ制御電極ＲＸとの交差位置において、隣接する第１タッチ制御電極ＴＸ同士が、例えば、ブリッジ電極ＴＸＱで電気的に接続される。
【0088】
なお、いくつかの実施例において、第１タッチ制御電極ＴＸと第２タッチ制御電極ＲＸの配置は、互いに交換することができ、本開示の実施例において、第１タッチ制御電極ＴＸと第２タッチ制御電極ＲＸの配置について特に限定しない。
【0089】
例えば、図８は、開口部Ｏでのタッチ制御層ＴＬの一部の概略平面図を示す。図８に示すように、開口Ｏの位置で、タッチ制御電極は、もはや完全な長方形のブロック形状ではなく、第１タッチ制御電極ＴＸおよび第２タッチ制御電極ＲＸの開口部Ｏに対応する部分が除去され、隣接する第１タッチ制御電極ＴＸまたは第２タッチ制御電極ＲＸを接続し、また、不完全なタッチ制御電極を補償して、その信号伝送性能を完全なタッチ制御電極の信号伝送性能と基本的に一致するようにして、タッチ制御層のタッチ制御の一貫性を確保するために、タッチ制御補償電極ＴＢＣを開口部Ｏの周囲に配置することができる。
【0090】
例えば、いくつかの実施例において、図８に示すように、タッチ制御層ＴＬは、タッチ制御電極と電気的に接続され、かつ開口部Ｏを少なくとも部分的に取り囲むタッチ制御補償電極ＴＢＣをさらに含むことができる。例えば、ベース基板ＢＳの表面に垂直な方向において、第１信号線Ｌ１は、タッチ制御補償電極ＴＢＣと少なくとも部分的に重なり、ここで図１６を参照する。その結果、表示基板上の第１信号線の巻回配置とタッチ制御層内のタッチ制御補償電極とは、表示基板で基本的に同じ空間を占有し、したがって、表示基板上で第１信号線とタッチ制御補償電極との全体が占めるスペースを削減することができ、それにより、表示基板の大画面設計が容易になる。
【0091】
【0092】
例えば、図８および図９Ａを併せて、第１タッチ制御電極ＴＸは、第１方向において、開口部Ｏの対向する両側（ここでは、上側と下側）に位置される第１サブタッチ制御電極ＴＸ１および第２サブタッチ制御電極ＴＸ２を含み、タッチ制御補償電極ＴＢＣは、第１タッチ制御補償電極を含み、第１タッチ制御補償電極が、開口部Ｏの縁部に沿って延在し、かつ第２方向において、開口部Ｏの対向する両側（ここでは、左側と右側）に位置される第１サブ補償電極ＴＢＣ１および第２サブ補償電極ＴＢＣ２を含み、第１サブ補償電極ＴＢＣ１および第２サブ補償電極ＴＢＣ２の両端がそれぞれ、第１サブタッチ制御電極ＴＸ１および第２サブタッチ制御電極ＴＸ２と電気的に接続され、第１サブタッチ制御電極ＴＸ１と第２サブタッチ制御電極ＴＸ２とを電気的に接続させ、そして、第１サブタッチ制御電極ＴＸ１および第２サブタッチ制御電極ＴＸ２の抵抗変化や形成された静電容量の変化、さらに引き起こされる信号伝送速度の変化など、第１サブタッチ制御電極ＴＸ１および第２サブタッチ制御電極ＴＸ２の部分的な欠落に起因する信号伝送特性の変化を補償する。
【0093】
例えば、いくつかの実施例において、図９Ａに示すように、第１タッチ制御補償電極は、第１サブ補償電極ＴＢＣ１と第２サブ補償電極ＴＢＣ２との間に位置される第３サブ補償電極ＴＢＣ３をさらに含み、第３サブ補償電極ＴＢＣ３は、第１サブタッチ制御電極ＴＸ１（図に示す状況）または第２サブタッチ制御電極ＴＸ２と電気的に接続され、第１サブタッチ制御電極ＴＸ１または第２サブタッチ制御電極ＴＸ２をさらに補償する。例えば、いくつかの例において、第３サブ補償電極ＴＢＣ３は、第１サブ補償電極ＴＢＣ１および第２サブ補償電極ＴＢＣ２の少なくとも一方とさらに電気的に接続することができ、それにより、第１サブ補償電極ＴＢＣ１または第２サブ補償電極ＴＢＣ２とともに、補償の役割を果たす。
【0094】
上記の実施例において、開口部Ｏは、基本的に第１タッチ制御電極ＴＸと第２タッチ制御電極ＲＸとの交点を中心とするが、他の実施例において、開口部Ｏが第１タッチ制御電極ＴＸと第２タッチ制御電極ＲＸとの交点を中心としない場合、第３サブ補償電極ＴＢＣ３を用いて、開口部によって掘り取った電極をさらに補うことができる。
【0095】
例えば、いくつかの実施例において、第１タッチ制御電極ＴＸおよびおよび／または第２タッチ制御電極ＲＸがダミー電極（ｄｕｍｍｙ電極）をさらに含む場合、第３サブ補償電極ＴＢＣ３が補償電極と接続されると同時に、ダミー電極と接続することができ、これにより、電極の面積がより大きくなり、補償電極の補償範囲がさらに拡大される。
【0096】
例えば、いくつかの実施例において、図８および図９Ｂを参照すると、第２タッチ制御電極ＲＸは、第２方向において、開口部Ｏの対向する両側（ここで、左右両側）に位置される第３サブタッチ制御電極ＲＸ１および第４サブタッチ制御電極ＲＸ２を含み、タッチ制御補償電極ＴＢＣが第２タッチ制御補償電極を含み、第２タッチ制御補償電極が開口部Ｏの縁部に沿って延在する第４サブ補償電極ＴＢＣ４および第５サブ補償電極ＴＢＣ５を含む。例えば、図９Ｂに示す例において、第４サブ補償電極ＴＢＣ４および第５サブ補償電極ＴＢＣ５はいずれも、開口部Ｏの第１方向の一方側に配置されているが、他のいくつかの実施例において、第４サブ補償電極ＴＢＣ４および第５サブ補償電極ＴＢＣ５がそれぞれ開口部Ｏの第１方向の反対側に配置されてもよい。
【0097】
例えば、図９Ｂに示すように、第４サブ補償電極ＴＢＣ４は、第３サブタッチ制御電極ＲＸ１と電気的に接続され、第５サブ補償電極ＴＢＣ５は、第４サブタッチ制御電極ＲＸ２と電気的に接続される。例えば、第４サブ補償電極ＴＢＣ４は、第５サブ補償電極ＴＢＣ５と電気的に接続され、それにより、第３サブタッチ制御電極ＲＸ１は、第４サブタッチ制御電極ＲＸ２と電気的に接続される。
【0098】
例えば、いくつかの実施例において、第４サブ補償電極ＴＢＣ４と第５サブ補償電極ＴＢＣ５とは直接接続されてもよく、または、他の構造を介して電気的に接続されてもよく、第４サブ補償電極ＴＢＣ４と第５サブ補償電極ＴＢＣ５の接続方法は、必要に応じて設定可能である。
【0099】
図９Ｂに示す例において、第４サブ補償電極ＴＢＣ４と第５サブ補償電極ＴＢＣ５は、補償容量値を調整することが容易であるが、その一方で、長い直線配線によって引き起こされる静電気の蓄積の問題を回避することができ、より良好なタッチ制御効果を実現することができる。
【0100】
例えば、別のいくつかの実施例において、開口部Ｏは、第１タッチ制御電極ＴＸのサブ電極または第２タッチ制御電極ＲＸのサブ電極にのみ配置されてもよく、以下、一例として、第２タッチ制御電極ＲＸの第３サブタッチ制御電極ＲＸ１にのみ開口部Ｏを配置することを説明する。
【0101】
例えば、図１０Ａに示すように、第２タッチ制御電極ＲＸは、第１方向において、開口部Ｏの対向する両側に位置される第３サブタッチ制御電極の第１サブ電極ＲＸ１１および第３サブタッチ制御電極の第２サブ電極ＲＸ１２を含み、この場合、図１０Ｂに示すように、タッチ制御補償電極ＴＢＣは、第１タッチ制御補償電極を含み、第１タッチ制御補償電極は、開口部Ｏの縁部に沿って延在し、第２方向において開口部Ｏの対向する両側に位置される第１サブ補償電極ＴＢＣ１１および第２サブ補償電極ＴＢＣ１２を含み、第１サブ補償電極ＴＢＣ１１および第２サブ補償電極ＴＢＣ１２の両端がそれぞれ、第３サブタッチ制御電極の第１サブ電極ＲＸ１１および第３サブタッチ制御電極の第２サブ電極ＲＸ１２と電気的に接続される。
【0102】
例えば、図１０Ｂに示すように、第１タッチ制御補償電極は、第１サブ補償電極ＴＢＣ１１と第２サブ補償電極ＴＢＣ１２との間に位置される第３サブ補償電極ＴＢＣ１３をさらに含むことができ、第３サブ補償電極ＴＢＣ１３は、第３サブタッチ制御電極の第１サブ電極ＲＸ１１または第３サブタッチ制御電極の第２サブ電極ＲＸ１２と電気的に接続され、第３サブタッチ制御電極の第１サブ電極ＲＸ１１および第３サブタッチ制御電極の第２サブ電極ＲＸ１２をさらに補償する。例えば、いくつかの例において、第３サブ補償電極ＴＢＣ１３は、第１サブ補償電極ＴＢＣ１１および第２サブ補償電極ＴＢＣ１２の少なくとも一方と電気的に接続することができ、それにより、第１サブ補償電極ＴＢＣ１１または第２サブ補償電極ＴＢＣ１２とともに補償の役割を果たす。
【0103】
例えば、図１０Ａに示すように、第１タッチ制御電極ＴＸは、第２方向に沿って隣接配置される第１サブタッチ制御電極ＴＸ１１および第２サブタッチ制御電極ＴＸ１２を含み、この場合、図１０Ｂに示すように、タッチ制御補償電極ＴＢＣは、第２タッチ制御補償電極を含み、第２タッチ制御補償電極は、開口部Ｏの縁部に沿って延在する第４サブ補償電極ＴＢＣ１４および第５サブ補償電極ＴＢＣ１５を含み、第４サブ補償電極ＴＢＣ１４は、第１サブタッチ制御電極ＴＸ１１と電気的に接続され、第５サブ補償電極ＴＢＣ１５は、第２サブタッチ制御電極ＴＸ１２と電気的に接続される。
【0104】
したがって、上記の実施例において、第１サブ補償電極ＴＢＣ１１および／または第２サブ補償電極ＴＢＣ１２は、同じプリズム状の第３サブタッチ制御電極の上半分および下半分と接続され、第４サブ補償電極ＴＢＣ１４および第５サブ補償電極ＴＢＣ１５はそれぞれ、左右２つのプリズム状の第１タッチ制御電極ＴＸのサブタッチ制御電極と接続され、この場合、第４サブ補償電極ＴＢＣ１４は、開口部Ｏの左側にあるサブタッチ制御電極を補償し、第５サブ補償電極ＴＢＣ１５は、開口部Ｏの右側にあるサブタッチ制御電極を補償する。
【0105】
同様に、開口部Ｏが第１タッチ制御電極ＴＸのサブ電極にのみ配置される場合、補償電極を上記の方法で配置することもできるが、ここでは繰り返さない。
【0106】
例えば、別のいくつかの実施例において、タッチ制御補償電極ＴＢＣは、他の構造を有してもよく、本開示の実施例は、タッチ制御補償電極ＴＢＣの具体的な構造を限定するものではない。例えば、図１１は、タッチ制御補償電極ＴＢＣの別の概略構造を示す。
【0107】
例えば、図１１に示すように、別のいくつかの実施例において、タッチ制御補償電極ＴＢＣは、第１導電板ＣＰ１、第２導電板ＣＰ２、第１導電板ＣＰ１と第２導電板ＣＰ２とを接続する第１導電性ブリッジＣＢ１、第３導電板ＣＰ３、第４導電板ＣＰ４、第５導電板ＣＰ５、および第４導電板ＣＰ４と第５導電板ＣＰ５とを接続する第２導電性ブリッジＣＢ２を含むことができる。第１導電板ＣＰ１、第２導電板ＣＰ２、第３導電板ＣＰ３、第４導電板ＣＰ４および第５導電板ＣＰ５はそれぞれ、タッチ制御電極の異なる部分と接続され、タッチ制御電極の異なる部分を補償する。
【0108】
例えば、図１１に示すように、第１導電性ブリッジＣＢ１は、第１セグメントＳＧ１、第２セグメントＳＧ２、第３セグメントＳＧ３、第４セグメントＳＧ４および第５セグメントＳＧ５を含むことができる。第１セグメントＳＧ１は、第２セグメントＳＧ２と第３セグメントＳＧ３との間に配置され、例えば、第２セグメントＳＧ２は、第１セグメントＳＧ１と直接接続され、第３セグメントＳＧ３も第１セグメントＳＧ１と直接接続される。第４セグメントＳＧ４は、第２導電性ブリッジＣＢ２の一部を介して第１導電板ＣＰ１と接続される。第５セグメントＳＧ５は、第４セグメントＳＧ４と第２セグメントＳＧ２との間に接続され、例えば、第２セグメントＳＧ２は、第５セグメントＳＧ５と直接接続され、第４セグメントＳＧ４も第５セグメントＳＧ５と直接接続される。例えば、第１セグメントＳＧ１、第２セグメントＳＧ２、第３セグメントＳＧ３、第４セグメントＳＧ４および第５セグメントＳＧ５のうちの隣接する２つはそれぞれ、異なる層に配置され、例えば、それぞれタッチ制御層ＴＬの第１タッチ制御金属層ＴＬ１および第２タッチ制御金属層ＴＬ２（第１タッチ制御金属層ＴＬ１および第２タッチ制御金属層ＴＬ２については後で説明する）に配置される。
【0109】
例えば、図１１に示すように、タッチ制御補償電極ＴＢＣは、第１仕切り板ＤＰ１、第２仕切り板ＤＰ２および第３仕切り板ＤＰ３をさらに含むことができる。例えば、第１仕切り板ＤＰ１は、第１導電性ブリッジＣＢ１および第３導電板ＣＰ３から分離され、第１導電性ブリッジＣＢ１の一部を第３導電板ＣＰ３の一部から分離させる。第２仕切り板ＤＰ２は、第５導電板ＣＰ５および第５セグメントＳＧ５から分離され、第５導電板ＣＰ５の一部を第５セグメントＳＧ５の一部から分離させる。第３仕切り板ＤＰ３は、第３導電板ＣＰ３と第５導電板ＣＰ５とを分離させる。
【0110】
【0111】
例えば、図１２は、タッチ制御補償電極ＴＢＣの概略平面図を示す。図１２に示すように、いくつかの実施例において、第４サブ補償電極ＴＢＣ４は、例えば、第３サブタッチ制御電極ＲＸ１と電気的に接続するための第１接続部Ｃ１を含み、第１接続部Ｃ１が第１サブ補償電極ＴＢＣ１の下方から延在して第３サブタッチ制御電極ＲＸ１と接続され、第５サブ補償電極ＴＢＣ５は、第４サブタッチ制御電極ＲＸ２と電気的に接続するための第２接続部Ｃ２を含み、第２接続部Ｃ２が第２サブ補償電極ＴＢＣ２の下方から延在して第２サブ補償電極ＴＢＣ２と接続される。この場合、ベース基板ＢＳの表面に垂直な方向において、第１接続部Ｃ１および第１サブ補償電極ＴＢＣ１は第１重なり領域Ｒ１を有し、第２接続部Ｃ２および第２サブ補償電極ＴＢＣ２は第２重なり領域Ｒ２を有する。
【0112】
例えば、図１３は、図１２のタッチ制御補償電極ＴＢＣの線Ａ－Ａに沿った概略断面図を示す。図１３に示すように、第４サブ補償電極ＴＢＣ４は、異なる層に位置される部分、即ち、第１部分Ｃ１１および第２部分Ｃ１２を有し、第１部分Ｃ１１と第１サブ補償電極ＴＢＣ１とは、同じ材料で同じ層に配置され、第２部分Ｃ１２は、上記第１接続部Ｃ１として形成され、ベース基板ＢＳの表面に垂直な方向において、第１サブ補償電極ＴＢＣ１と重なっている。
【0113】
例えば、図１３に示すように、第１接続部Ｃ１と第１サブ補償電極ＴＢＣ１との間に層間絶縁層ＩＬが配置され、層間絶縁層ＩＬの材料は、ＳｉＮ、ＳｉＯ、ＳｉＯＮおよびＯＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｌｅａｒ、光学的に透明な材料）のうちの少なくとも１種であってもよい。第１部分Ｃ１１と第２部分Ｃ１２とは、層間絶縁層ＩＬ内のビアホールを介して電気的に接続されている。
【0114】
同様に、第５サブ補償電極ＴＢＣ５（第２接続部Ｃ２を含む）と第２サブ補償電極ＴＢＣ２も、図１３に示す構造を有してもよく、第４サブ補償電極ＴＢＣ４および第１サブ補償電極ＴＢＣ１の配置方法とは基本的に同じであるため、ここでは繰り返さない。
【0115】
同様に、図１１において、導電板ＣＰ１～ＣＰ５と導電性ブリッジＣＢ１～ＣＢ２の各部分との間に存在する接続構造も、第４サブ補償電極ＴＢＣ４および第１サブ補償電極ＴＢＣ１の配置方法と基本的に同じであってもよく、ここでは繰り返さない。
【0116】
例えば、図１４は、第１の接続部と第１サブ補償電極との重なりを示す別の概略図を示し、当該概略図が図１３の点線枠で示した領域に対応する。図１４に示すように、この例において、第１接続部Ｃ１および第１サブ補償電極ＴＢＣ１の少なくとも一方は、第１重なり領域Ｒ１において透かし部を有する。
【0117】
例えば、図１４に示す例において、第１サブ補償電極ＴＢＣ１は、第１重なり領域Ｒ１に透かし部ＬＫ１を有し、第１接続部Ｃ１は、第１重なり領域Ｒ１に透かし部ＬＫ２を有する。他の例において、第１補助補償電極ＴＢＣ１のみは、第１重なり領域Ｒ１に透かし部ＬＫ１を有し、第１接続部Ｃ１は、透かし部を有しなくてもよく、または、第１接続部Ｃ１のみは、第１重なり領域Ｒ１に透かし部を有し、第１サブ補償電極ＴＢＣ１は、透かし部を有しなくてもよい。
【0118】
本開示の実施例において、第１接続部Ｃ１および第１サブ補償電極ＴＢＣ１に配置された透かし部により、ベース基板の表面に垂直な方向における、第１接続部Ｃ１と第１サブ補償電極ＴＢＣ１との重なり面積を小さくすることができ、さらに、第１接続部Ｃ１と第１サブ補償電極ＴＢＣ１との間に形成される寄生容量を低減し、タッチ制御効果に対する寄生容量の悪影響を低減または回避する。
【0119】
例えば、図１４の例において、第１サブ補償電極ＴＢＣ１は、第１重なり領域Ｒ１に２つの透かし部ＬＫ１を有し、第１接続部Ｃ１は、第１重なり領域Ｒ１に１つの透かし部ＬＫ２を有する。他の例において、第１サブ補償電極ＴＢＣ１の透かし部ＬＫ１の数は、１つ、３つ、４つ以上の他の数であってもよく、同様に、第１接続部の透かし部ＬＫ２は、２つ、３つ、４つ以上の数であってもよい。本開示の実施例は、第１サブ補償電極ＴＢＣ１の透かし部ＬＫ１の数および第１接続部Ｃ１の透かし部ＬＫ２の数を限定するものではない。
【0120】
同様に、第２接続部Ｃ２および第２サブ補償電極ＴＢＣ２の少なくとも一方も、第２重なり領域Ｒ２に透かし部を有してもよく、その配置方法は、上記の第１接続部Ｃ１および第１サブ補償電極ＴＢＣ１の配置方法と基本的に同じであり、詳細については、上記の第１接続部Ｃ１および第１サブ補償電極ＴＢＣ１の説明を参照することができ、ここでは繰り返さない。
【0121】
例えば、いくつかの実施例において、図１５に示すように、開口部Ｏは中心Ｒを有し、第１接続部Ｃ１と第１サブ補償電極ＴＢＣ１との重なり部分の任意の点と中心Ｒとを結ぶ線と、第１接続部Ｃ１の延在方向（図１５の水平方向）とのなす角がα１であり、α１＜２０°、例えば、α１≦１５°、α１が１５°、１０°または５°などである。角度α１が小さいほど、ベース基板の表面に垂直な方向における第１接続部Ｃ１と第１サブ補償電極ＴＢＣ１との重なり面積が小さくなるため、第１接続部Ｃ１と第１サブ補償電極ＴＢＣ１とによって形成される寄生容量が小さくなる。例えば、α１が０の場合、ベース基板の表面に垂直な方向における第１接続部Ｃ１と第１サブ補償電極ＴＢＣ１との重なり面積が最も小さくなると、タッチ制御層のタッチ制御効果の向上にさらに寄与する。
【0122】
同様に、第２接続部Ｃ２と第２サブ補償電極ＴＢＣ２との重なり部分の任意の点と中心Ｒとを結ぶ線と、第２接続部Ｃ２の延在方向（図１５の水平方向）とのなす角がθ１であり、θ１＜２０°、例えば、θ１≦１５°、θ１が１５°、１０°または５°などである。角度θ１が小さいほど、ベース基板の表面に垂直な方向における、第２接続部Ｃ２と第２サブ補償電極ＴＢＣ２との重なり面積が小さくなり、それにより、第２接続部Ｃ２と第２サブ補償電極ＴＢＣ２とによって形成される寄生容量が小さくなる。例えば、θ１が０の場合、ベース基板の表面に垂直な方向における第２接続部Ｃ２と第２サブ補償電極ＴＢＣ２との重なり面積が最も小さくなると、タッチ制御層のタッチ制御効果の向上にさらに寄与する。
【0123】
例えば、いくつかの実施例において、第１サブ補償電極ＴＢＣ１は、透かし部ＬＫ１を有するが、第１接続部Ｃ１は、透かし部を有しなく、この場合、第１接続部Ｃ１と第１サブ補償電極ＴＢＣ１との重なり面積はＳ１であり、第１サブ補償電極ＴＢＣ１の透かし部ＬＫ１の面積はＳ１’であり、０．４０＜Ｓ１／（Ｓ１＋Ｓ１’）＜０．７１である。したがって、第１サブ補償電極ＴＢＣ１における透かし部ＬＫ１の比重が制限されて、第１サブ補償電極ＴＢＣ１と第１接続部Ｃ１とによって形成される寄生容量、および第１サブ補償電極ＴＢＣ１のタッチ制御電極への電気的接続効果と補償効果のバランスを保つに役立つ。また、上記配置により、表示基板の狭額縁化、大画面化にも有利となる。
【0124】
例えば、第１サブ補償電極ＴＢＣ１および第１接続部Ｃ１のいずれも透かし部を有しない場合、第１サブ補償電極ＴＢＣ１と第１接続部Ｃ１との間に形成される寄生容量Ｃ１は、
Ｃ１＝ε１＊（Ｓ１＋Ｓ１’）／ｄ１＊（ｃｏｓα１）となる。
ただし、ｄ１は、第１サブ補償電極ＴＢＣ１と第１接続部Ｃ１との間の距離であり、ε１は、層間絶縁層ＩＬの誘電率である。
Ｃ１＝ε１＊（Ｓ１＋Ｓ１’）／ｄ１＊（ｃｏｓα１）となる。
ただし、ｄ１は、第１サブ補償電極ＴＢＣ１と第１接続部Ｃ１との間の距離であり、ε１は、層間絶縁層ＩＬの誘電率である。
【0125】
例えば、第１サブ補償電極ＴＢＣ１が透かし部ＬＫ１を有し、第１接続部Ｃ１が透かし部を有しない場合、第１サブ補償電極ＴＢＣ１と第１接続部Ｃ１との間に形成される寄生容量Ｃ２は、
Ｃ２＝ε１＊Ｓ１／ｄ１＊（ｃｏｓα１）となる。
Ｃ２＝ε１＊Ｓ１／ｄ１＊（ｃｏｓα１）となる。
【0126】
第１サブ補償電極ＴＢＣ１に透かし部を配置することにより、第１サブ補償電極ＴＢＣ１と第１接続部Ｃ１との間の寄生容量を低減できることがわかり、
Ｃ３＝Ｃ１－Ｃ２＝ε１＊ Ｓ１’／ｄ１＊（ｃｏｓα１）となる。
Ｃ３＝Ｃ１－Ｃ２＝ε１＊ Ｓ１’／ｄ１＊（ｃｏｓα１）となる。
【0127】
同様に、第１接続部Ｃ１が透かし部ＬＫ２を有し、第１サブ補償電極ＴＢＣ１が透かし部を有しない場合、第１サブ補償電極ＴＢＣ１と第１接続部Ｃ１との間に形成される寄生容量と、寄生容量の減少量もそれに応じて計算でき、第１サブ補償電極ＴＢＣ１が透かし部ＬＫ１を有し、第１接続部Ｃ１が透かし部ＬＫ２を有する場合、第１サブ補償電極ＴＢＣ１と第１接続部Ｃ１との間に形成される寄生容量および寄生容量の減少量もそれに応じて計算できるが、ここでは繰り返さない。
【0128】
同様に、いくつかの実施例において、第２サブ補償電極ＴＢＣ２が透かし部を有し、第２接続部Ｃ２が透かし部を有しなく、この場合、第２接続部Ｃ２と第２サブ補償電極ＴＢＣ２との重なり面積はＳ２であり、第２サブ補償電極ＴＢＣ２の透かし部の面積はＳ２’であり、０．４０＜Ｓ２／（Ｓ２＋Ｓ２’）＜０．７１となる。したがって、第２サブ補償電極ＴＢＣ２における透かし部ＬＫ２の比重が制限されて、第２接続部Ｃ２と第２サブ補償電極ＴＢＣ２との間に形成される寄生容量、および第２サブ補償電極ＴＢＣ２のタッチ制御電極への電気的接続効果と補償効果のバランスを保つに役立つ。また、上記配置により、表示基板の狭額縁化、大画面化にも有利となる。
【0129】
例えば、第２サブ補償電極ＴＢＣ２および第２接続部Ｃ２はいずれも、透かし部を有しない場合、第２サブ補償電極ＴＢＣ２と第２接続部Ｃ２との間に形成される寄生容量Ｃ４は、
Ｃ４＝ε１＊（Ｓ２＋Ｓ２’）／ｄ２＊（ｃｏｓθ１）となる。
ただし、ｄ２は、第２サブ補償電極ＴＢＣ２と第２接続部Ｃ２との間の距離であり、ε１は、層間絶縁層ＩＬの誘電率である。
Ｃ４＝ε１＊（Ｓ２＋Ｓ２’）／ｄ２＊（ｃｏｓθ１）となる。
ただし、ｄ２は、第２サブ補償電極ＴＢＣ２と第２接続部Ｃ２との間の距離であり、ε１は、層間絶縁層ＩＬの誘電率である。
【0130】
例えば、第２サブ補償電極ＴＢＣ１が透かし部を有し、第２接続部Ｃ２が透かし部を有しない場合、第２サブ補償電極ＴＢＣ２と第２接続部Ｃ２との間に形成される寄生容量Ｃ５は、
Ｃ５＝ε１＊Ｓ２／ｄ２＊（ｃｏｓθ１）となる。
Ｃ５＝ε１＊Ｓ２／ｄ２＊（ｃｏｓθ１）となる。
【0131】
第２サブ補償電極ＴＢＣ２に透かし部を配置することにより、第１サブ補償電極ＴＢＣ１と第１接続部Ｃ１との間の寄生容量を低減できることがわかり、
Ｃ６＝Ｃ４－Ｃ５＝ε１＊Ｓ２’／ｄ２＊（ｃｏｓθ１）となる。
Ｃ６＝Ｃ４－Ｃ５＝ε１＊Ｓ２’／ｄ２＊（ｃｏｓθ１）となる。
【0132】
同様に、第２接続部Ｃ２が透かし部を有し、第２サブ補償電極ＴＢＣ２が透かし部を有さない場合、第２サブ補償電極ＴＢＣ２と第２接続部Ｃ２との間に形成される寄生容量と、寄生容量の減少量もそれに応じて計算でき、第２サブ補償電極ＴＢＣ２が透かし部を有し、第１接続部Ｃ２も透かし部を有する場合、第２サブ補償電極ＴＢＣ２と第２接続部Ｃ２との間に形成される寄生容量、および寄生容量の減少量もそれに応じて計算できるが、ここでは繰り返さない。
【0133】
【0134】
例えば、いくつかの実施例において、図１６に示すように、第１信号線Ｌ１は、開口部Ｏを取り囲む第１サブ信号線Ｌ１１を含み、開口部Ｏを取り囲む第２サブ信号線Ｌ１２および第３サブ信号線Ｌ１３をさらに含むことができる。
【0135】
例えば、図１７および図１８はそれぞれ、第１サブ信号線Ｌ１１、第２サブ信号線Ｌ１２および第３サブ信号線Ｌ１３の概略断面図を示す。例えば、図１６および図１７に示す例において、第１サブ信号線Ｌ１１、第２サブ信号線Ｌ１２および第３サブ信号線Ｌ１３の縦断面は、長方形または台形であってもよい。他のいくつかの例において、図１８に示すように、第１サブ信号線Ｌ１１の縦断面は、少なくとも１つの屈曲部Ｌ１１１を有してもよく、第２サブ信号線Ｌ１２および第３サブ信号線Ｌ１３の縦断面は、長方形または台形であってもよい。。
【0136】
本開示の実施例において、屈曲部Ｌ１１１を有する第１サブ信号線Ｌ１１は、第１サブ信号線Ｌ１１が占めるスペースをさらに削減することができ、例えば、同じ幅の範囲内により多くの第１サブ信号線Ｌ１１を配置することができ、狭額縁設計を実現することに寄与する。第１サブ信号線Ｌ１１を細くするだけで第１サブ信号線Ｌ１１が占めるスペースを減らす技術手段と比較して、上記技術手段は、第１サブ信号線Ｌ１１の抵抗を増加させない。
【0137】
例えば、いくつかの実施例において、図１６～図１８に示すように、第１サブ信号線Ｌ１１は、第２サブ信号線Ｌ１２のベース基板ＢＳから離れた側に位置され、第３サブ信号線Ｌ１３は、第１サブ信号線Ｌ１１のベース基板ＢＳから離れた側に位置される。
【0138】
例えば、図１９はそれぞれ、第１サブ信号線Ｌ１１、第２サブ信号線Ｌ１２および第３サブ信号線Ｌ１３の概略断面図を示す。図１９に示すように、第３サブ信号線Ｌ１３の側壁とベース基板ＢＳの表面とのなす角はα２であり、第１サブ信号線Ｌ１１の側壁とベース基板ＢＳの表面とのなす角はα３であり、第２サブ信号線Ｌ１２の側壁とベース基板ＢＳの表面とのなす角はα４であり、
α３≦α４かつα３≦α２となる。
α３≦α４かつα３≦α２となる。
【0139】
例えば、いくつかの例において、α２＜７５°、α３＞３０°、４０°＜α４＜５０°であり、例えば、α２＝７０°、α３＝３５°、α４＝４５°である。この場合、α３の角度が小さいため、第１サブ信号線Ｌ１１が断線するリスクを回避し、例えば、第１サブ信号線Ｌ１１が屈曲部Ｌ１１１で断線するリスクを回避し、プロセスの安定性を確保することができる。同時に、上記の角度設計は、配線の上方のパッケージング効果にも有利で、配線と隣接する絶縁層との間の剥離現象を回避し、さらに、上記の配線の角度設計により、パッケージング経路が長くなり、外部の水分や酸素などの不純物が開口部Ｏから配線とその隣接する絶縁層との間の隙間を通って、表示基板の内部に侵入することを防止し、これにより、表示基板の構造を保護することができる。
【0140】
例えば、いくつかの実施例において、第１サブ信号線Ｌ１１のベース基板ＢＳへの正投影の幅は、第３サブ信号線Ｌ１３のベース基板ＢＳへの正投影の幅よりも狭い。例えば、いくつかの実施例において、第１サブ信号線Ｌ１１のベース基板ＢＳへの正投影の面積は、第３サブ信号線Ｌ１３のベース基板ＢＳへの正投影の面積よりも小さい。例えば、いくつかの実施例において、第１サブ信号線Ｌ１１のベース基板ＢＳへの正投影の延在長さは、第３サブ信号線Ｌ１３のベース基板ＢＳへの正投影の延在長さと基本的に等しい。
【0141】
本開示の実施例において、第１サブ信号線Ｌ１１が屈曲部Ｌ１１１を有するが、第３サブ信号線Ｌ１３が屈曲部を有しないため、上記の配置は、第１サブ信号線Ｌ１１および第３サブ信号線Ｌ１１の抵抗値の整合性にとって有利である。さらに、第１サブ信号線Ｌ１１と第３サブ信号線Ｌ１３の電気信号の伝送速度などの伝送効果が基本的に同じであるため、表示基板の表示効果を最適化するのに有利である。
【0142】
例えば、いくつかの実施例において、第１サブ信号線Ｌ１１のベース基板ＢＳへの正投影の幅はＷ１であり、Ｗ１が１．３μｍ～１．７μｍであり、例えば、１．４、１．４５、１．５、１．５５、１．６または１．６５などであり、例えば、第３サブ信号線Ｌ１３のベース基板ＢＳへの正投影の幅はＷ２であり、Ｗ２が１．７μｍ～２．３μｍであり、例えば、１．８μｍ、１．９、２．０、２．１または２．２μｍなどであり、例えば、第２サブ信号線Ｌ１２のベース基板ＢＳへの正投影の幅はＷ３であり、Ｗ３が１．７μｍ～２．３μｍであり、例えば、１．８μｍ、１．９、２．０、２．１または２．２μｍなどである。
【0143】
例えば、いくつかの実施例において、図２０に示すように、第１サブ信号線Ｌ１１の縦断面全体は、Ｖ字状であり、この場合、Ｗ１＝Ｗ２×ｃｏｓα３となる。または、別のいくつかの実施例において、図２１に示すように、第１サブ信号線Ｌ１１の縦断面全体は、半Ｖ字状であり、この場合、Ｗ１＞Ｗ２・ｃｏｓα３となる。
【0144】
例えば、いくつかの実施例において、図１８に示すように、第１サブ信号線Ｌ１１のベース基板ＢＳへの正投影と、第２サブ信号線Ｌ１２のベース基板ＢＳへの正投影とは、第１重なり部分を有し、第１重なり部分の幅Ｗ４が０μｍ～０．１μｍであり、例えば、０．０１μｍ、０．０３μｍ、０．０５μｍ、０．０７μｍまたは０．０９μｍなどである。
【0145】
例えば、いくつかの実施例において、図１８に示すように、第３サブ信号線Ｌ１３のベース基板ＢＳへの正投影と第２サブ信号線Ｌ１２のベース基板ＢＳへの正投影とは、第２重なり部分を有し、第２重なり部分の幅Ｗ５が０．１８μｍ～０．３０μｍであり、例えば、０．２０μｍ、０．２２μｍ、０．２５μｍまたは０．２７μｍなどである。
【0146】
例えば、上記各幅のデータにおいて、各幅の範囲にはエンドポイント値が含まれなくてもよく、例えば、第２重なり部分の幅Ｗ５は、０．１８μｍ～０．３μｍであり、即ち、Ｗ５が０．１８μｍよりも大きく、０．３μｍよりも小さく、他の例として、第１重なり部分の幅Ｗ４は、０μｍ～０．１μｍであり、即ちＷ４が０μｍよりも大きく、０．１μｍよりも小さい。幅Ｗ１、Ｗ２およびＷ３は同じである。
【0147】
本開示の実施例において、異なる層の信号線をベース基板の表面に垂直な方向に重ねることで、表示基板において第１信号線Ｌ１全体が占めるスペースを削減でき、表示基板の大画面化に有利となる。
【0148】
例えば、いくつかの実施例において、第１重なり部分と第２重なり部分とは、ほぼ同じ幅を有する。これは、開口部Ｏの周囲の狭額縁化およびプロセスの一貫性にとって有利である。他のいくつかの実施例において、第１重なり部分の幅が第２重なり部分の幅よりも小さくてもよく、第１サブ信号線Ｌ１１と第２サブ信号線Ｌ１２との間の距離が比較的に短いため、その両方の間の重なり部分を減らすことにより、両方の間に短絡の発生を防止することができる。
【0149】
例えば、いくつかの実施例において、図２０に示すように、第１サブ信号線Ｌ１１の縦断面は、Ｖ字状部分と、Ｖ字状部分の少なくとも一端（図では両端）に位置される延在部Ｖ１とを含み、Ｖ字状部分の側壁とベース基板ＢＳの表面とのなす角がα３－１であり、延在部Ｖ１のベース基板ＢＳに近い側とベース基板ＢＳの表面とのなす角がα３－２であり、
α３－１＞α３－２となる。
α３－１＞α３－２となる。
【0150】
例えば、α３－１＜４６°、α３－２＞１０°であり、例えば、いくつかの例において、α３－１は、３０°、３５°、４０°または４５°であり、α３－２は、１２°、１５°または２０°である。
【0151】
例えば、いくつかの実施例において、α３－１≧α３－２であり、α３－１＜３０°、α３－２＞１５°である。いくつかの例において、α３－１は、２０°、２３°、２６°または２８°であり、α３－２は、１６°、１８°または２０°である。
【0152】
例えば、別のいくつかの実施例において、図２１に示すように、第１サブ信号線Ｌ１１の縦断面は、傾斜部Ｖ２と、傾斜部Ｖ２の一端に位置される延在部Ｖ３とを含み、傾斜部Ｖ２の側壁とベース基板ＢＳの表面とのなす角がα３－１であり、延在部Ｖ３のベース基板ＢＳに近い側とベース基板ＢＳの表面とのなす角がα３－２であり、
α３－１＞α３－２となる。
この場合、Ｗ１＝Ｗ２－１＊ｃｏｓα３－１＋Ｗ２－２＊ｃｏｓα３－２となる。
α３－１＞α３－２となる。
この場合、Ｗ１＝Ｗ２－１＊ｃｏｓα３－１＋Ｗ２－２＊ｃｏｓα３－２となる。
【0153】
例えば、α３－２は、０よりも大きい。上記の配置により、第１サブ信号線Ｌ１１とその隣接する絶縁層との接触面積を増加し、第１サブ信号線Ｌ１１とその隣接する絶縁層との接合効果を向上させ、配線の脱落などの不良を防ぐことができる。
【0154】
例えば、いくつかの実施例において、α３－１＜３０°、０°＜α３－２＜１０°である。例えば、α３－１は、２０°、２３°、２６°または２８°であり、α３－２は、２°、５°、７°または９°などである。
【0155】
例えば、図４および図５を参照すると、いくつかの実施例において、第１信号線Ｌ１は、表示領域ＡＡ内の一部の機能層と同じ材料で同じ層に配置されてもよい。例えば、第１サブ信号線Ｌ１１は、ソース電極ＳＥおよびドレイン電極ＤＥと同じ材料で同じ層に配置されてもよい。例えば、第２サブ信号線Ｌ１２は、ゲート電極ＧＴおよび第１容量電極ＣＥ１と同じ材料で同じ層に配置されてもよく、または、第２サブ信号線Ｌ１２は、第２容量電極ＣＥ２と同じ材料で同じ層に配置されてもよく、または、第２サブ信号線Ｌ１２の一部は、ゲート電極ＧＴおよび第１容量電極ＣＥ１と同じ材料で同じ層に配置されてもよく、第２サブ信号線Ｌ１２の残りの一部は、第２容量電極ＣＥ２と同じ材料で同じ層に配置されてもよい。
【0156】
例えば、図５を参照すると、いくつかの実施例において、ピクセル駆動回路は、ソース電極ＳＥおよびドレイン電極ＤＥのベース基板ＢＳから離れた側に配置される接続電極Ｅ４をさらに含み、この場合、第３サブ信号線Ｌ１３は、接続電極Ｅ４と同じ材料で同じ層に配置することができる。
【0157】
例えば、いくつかの実施例において、第１信号線Ｌ１は、表示領域内の複数のサブピクセルのピクセル駆動回路と電気的に接続され、データ信号または走査信号などの電気信号をピクセル駆動回路に提供するように構成される。例えば、いくつかの例において、第１サブ信号線Ｌ１１、第２サブ信号線Ｌ１２および第３サブ信号線Ｌ１３の少なくとも一部は、走査線ＳＬとして実現され、少なくとも一部は、データケーブルＤＬとして実現される。
【0158】
例えば、図２２は、第１信号線Ｌ１が走査線ＳＬおよびデータケーブルＤＬとして開口部Ｏを取り囲む概略図を示す。例えば、図２２に示すように、表示領域ＡＡの、開口部Ｏに近い区域ＭＡにおいて、走査線ＳＬおよびデータケーブルＤＬは、開口部Ｏを取り囲むように配置され、走査線ＳＬおよびデータケーブルＤＬはそれぞれ、複数のサブピクセルＰのピクセル駆動回路と接続され、走査信号またはデータ信号を提供する。
【0159】
例えば、いくつかの実施例において、図２３に示すように、表示基板は、開口部Ｏを取り囲む遮光リングＳＬＤをさらに含み、遮光リングＳＬＤがタッチ制御層ＴＬと同じ材料で同じ層に配置される。遮光リングＳＬＤは、表示基板における一部の信号線に遮光効果を与えることができる。
【0160】
例えば、いくつかの実施例において、図２３に示すように、ベース基板ＢＳの表面と平行な方向において、遮光リングＳＬＤは、タッチ制御補償電極ＴＢＣの開口部Ｏに近い側に位置され、第１信号線Ｌ１は、タッチ制御補償電極ＴＢＣと遮光リングＳＬＤとで定められる範囲、即ち図中の矢印で示す範囲内に配置される。
【0161】
例えば、いくつかの実施例において、ベース基板ＢＳの表面に垂直な方向において、第１信号線Ｌ１（例えば、第１サブ信号線Ｌ１１、第２サブ信号線Ｌ１２、第３サブ信号線Ｌ１３のうちの１つ以上）と、遮光リングＳＬＤとは、少なくとも部分的に重なる。したがって、遮光リングＳＬＤは、これらの信号線に対する遮光効果を実現することができる。
【0162】
例えば、図２４は、遮光リングの別の概略平面図を示し、図２４に示すように、いくつかの実施例において、遮光リングＳＬＤは、間隔をあけた複数の遮光部を含む。複数の遮光部は、分離されている。したがって、遮光リングＳＬＤは、静電気の蓄積を回避し、タッチ制御層のタッチ制御効果への影響を防止することができる。
【0163】
例えば、後述する第１タッチ制御金属層と第２タッチ制御金属層のように、タッチ制御層が複数の金属層を有する場合、遮光リングＳＬＤの異なる部分は、異なるタッチ制御金属層と、または、そのうちのいずれかと同じ材料で同じ層に配置することができる。
【0164】
例えば、いくつかの実施例において、遮光リングＳＬＤは、開口部Ｏから離れた方向に順次配置され、開口部Ｏを取り囲む複数のサブ遮光リングをさらに有することができ、この場合、遮光効果を向上させるために、開口部Ｏから最も遠い遮光リングは、第１タッチ制御金属層と同じ材料で同じ層に配置することができる。
【0165】
例えば、図２５は、表示基板の開口部Ｏ付近の別の概略平面図を示す。図１１および図２５に示すように、いくつかの実施例において、表示基板は、タッチ制御電極とは電気的に接続され、開口部Ｏを取り囲む検出配線ＰＣＤをさらに含むことができる。例えば、検出配線ＰＣＤは、開口部Ｏの付近にクラックがあるか否かを検出するためのクラック検出回路として利用することができ、例えば、検出配線ＰＣＤは、タッチ制御電極が正常に接続されているか否かを検出することもできる。
【0166】
例えば、いくつかの実施例において、検出配線ＰＣＤは、タッチ制御層ＴＬと同じ材料で同じ層に配置される。例えば、検出配線ＰＣＤの少なくとも一部（例えば、開口部Ｏの周りに延在する部分）は、遮光リングＳＬＤの開口部Ｏに近い側に位置される。
【0167】
例えば、図２６は、図１１のタッチ制御層の点線枠ＺＲ部分の概略平面図を示す。図２６に示すように、検出配線ＰＣＤの端部ＰＣＤ１は、タッチ制御補償電極ＴＢＣの下方からタッチ制御電極まで延在し、タッチ制御電極と電気的に接続される。例えば、検出配線ＰＣＤの端部ＰＣＤ１は、タッチ制御層の第１タッチ制御金属層に位置され、タッチ制御補償電極ＴＢＣの第１導電板ＣＰ１は、タッチ制御層の第２タッチ制御金属層に位置され、それにより、検出配線ＰＣＤの端部ＰＣＤ１が第１導電板ＣＰ１の下方から貫通することができる。
【0168】
例えば、図２７は、図２６のタッチ制御層の線Ｇ－Ｇに沿った概略断面図を示す。図２７に示すように、いくつかの例において、図２１および図２６を併せて、検出配線ＰＣＤの、開口部Ｏを取り囲む部分（即ち、図２６の明色の部分）は、第２タッチ制御金属層に配置され、検出配線ＰＣＤのタッチ制御電極まで延在する部分（即ち、図２６の暗色の部分）は、第１タッチ制御金属層に配置され、遮光リングＳＬＤは、第１タッチ制御金属層に配置される。したがって、同じ層に位置される構造は、同じ材料および同じパターニングプロセスを使用して同時に形成することができ、その結果、タッチ制御層の製造プロセスが簡略化される。
【0169】
例えば、図２８は、表示基板の開口部付近の別の概略平面図を示し、図２８に示すように、表示基板は、開口部Ｏを取り囲むバリアダムをさらに含むことができ、バリアダムが第１信号線Ｌ１の開口部Ｏに近い側に位置される。本開示の実施例において、バリアダムは、水や酸素などの不純物が開口部Ｏを通って表示基板内に侵入するのを防止して、表示基板を保護することができ、また、機械的な打ち抜きや切削により表示領域ＡＡに開口部Ｏを形成する場合にも、バリアダムによってクラックの発生を防止することができ、または、開口部Ｏから表示基板内部へのクラックの進展を防止し、クラックに対する保護効果を得ることができる。
【0170】
例えば、図２９は、図２８の表示基板の線Ｂ－Ｂに沿った概略断面図を示す。図２９に示すように、表示基板は、開口部Ｏを取り囲む、例えば、開口部Ｏから離れた方向に沿って順次配置される第１バリアダムＣＲＤ１、第２バリアダムＣＲＤ２、および第３バリアダムを含む多層バリアダムを含むことができる。例えば、第１バリアダムＣＲＤ１、第２バリアダムＣＲＤ２、および第３バリアダムＣＲＤ３のそれぞれは、複数のサブバリアダムを含む。多層バリアダムの設計により、水や酸素などの外部不純物に対する遮断効果を高め、表示基板のクラック防止効果を高めることができる。
【0171】
例えば、いくつかの実施例において、表示基板は、開口部Ｏを取り囲む隔壁ＤＡＭ１をさらに含み、隔壁ＤＡＭ１は、第１バリアダムＣＲＤ１、第２バリアダムＣＲＤ２および第３バリアダムＣＲＤ３のうちの隣接する２つの間に配置されてもよく、図において、第２バリアダムＣＲＤ２と第３バリアダムＣＲＤ３との間に配置される。
【0172】
例えば、隔壁ＤＡＭ１は、一般に、より高い高さを有し、例えば、第１バリアダムＣＲＤ１、第２バリアダムＣＲＤ２、および第３バリアダムＣＲＤ３の少なくとも一部よりも高い。隔壁ＤＡＭ１は、外部の水や酸素などの不純物が表示基板の内部に侵入する経路を増加させることができ、外部の水や酸素などの不純物に対する遮断効果をさらに高めることができる。
【0173】
例えば、いくつかの実施例において、バリアダムの少なくとも一部は、ソースＳＥおよびドレインＤＥと同じ材料で同じ層に配置される。例えば、いくつかの実施例において、ソース電極ＳＥおよびドレイン電極ＤＥは、銅、アルミニウム、チタン、またはモリブデンなどの金属材料、またはそれらの合金材料で、例えば多層金属積層構造に形成され、例えばチタン／アルミニウム／チタン、モリブデン／アルミニウム／モリブデンなどの３層金属積層構造に形成される。この場合、バリアダムの少なくとも一部は、ソース電極ＳＥおよびドレイン電極ＤＥと同じ材料で同じ層に配置され、それにより、バリアダムの少なくとも一部も、チタン／アルミニウム／チタン、モリブデン／アルミニウム／モリブデンなどの３層金属積層構造を有する。
【0174】
例えば、図２９に示す例において、第１バリアダムＣＲＤ１は、チタン／アルミニウム／チタン、モリブデン／アルミニウム／モリブデンなどの３層金属積層構造を有する。第２バリアダムＣＲＤ２は、ソースＳＥおよびドレインＤＥと同じ材料で同じ層に配置されるチタン／アルミニウム／チタン、モリブデン／アルミニウム／モリブデンなどの３層金属積層構造を有し、その下方にもゲートＡＴおよび第２容量電極ＣＥ２と同じ材料で同じ層に配置される金属層ＭＴの一部がある。第３バリアダムＣＲＤ３は、ソース電極ＳＥおよびドレイン電極ＤＥと同じ材料で同じ層に配置されるチタン／アルミニウム／チタン、モリブデン／アルミニウム／モリブデンなどの３層金属積層構造を有し、その下方にも第１ゲート絶縁層、第２ゲート絶縁層、または層間絶縁層などの絶縁層と同じ材料で同じ層に配置される絶縁層ＩＴがある。したがって、バリアダムのバリア効果を高めるために、第１バリアダムＣＲＤ１、第２バリアダムＣＲＤ２、および第３バリアダムＣＲＤ３はそれぞれ、異なる高さを有することができる。
【0175】
例えば、いくつかの実施例において、隔壁ＤＡＭ１は、平坦化層、ピクセル定義層、スペーサと同じ材料で同じ層に配置することができる。即ち、隔壁ＤＡＭ１は、複数のサブ障壁層を有し、これらのサブ障壁層はそれぞれ、平坦化層、ピクセル定義層、スペーサと同じ材料および同じ層に配置される。
【0176】
例えば、別のいくつかの実施例において、上記のバリア効果は、開口部Ｏの近傍に他の構造を配置することによっても実現することができる。例えば、図４および図５を参照すると、ピクセル駆動回路は、複数のサブ絶縁層を含み、複数のサブ絶縁層がそれぞれ、活性層ＡＴとゲート電極ＧＴ（即ち、第１ゲート絶縁層１０２）との間、ゲート電極ＧＴと第２容量電極ＣＥ２（即ち、第２ゲート絶縁層１０３）との間、第２容量電極と前記ソース電極およびドレイン電極（即ち、層間絶縁層１０４）との間に配置される。図１６に示すように、表示基板は、開口部Ｏを取り囲む溝ＧＲをさらに含み、溝ＧＲが第１信号線Ｌ１の開口部Ｏに近い側に位置され、少なくとも複数のサブ絶縁層（例えば、第１ゲート絶縁層１０２、第２ゲート絶縁層１０３および層間絶縁層１０４）およびベース基板ＢＳのうちの１つに配置される。例えば、いくつかの例において、図１６に示すように、溝ＧＲは、バッファ層１０１およびベース基板ＢＳにさらに配置されてもよい。例えば、この例において、バッファ層１０１は、溝ＧＲを形成するために、複数のサブバッファ層１０１１／１０１２を含むことができる。
【0177】
本開示の実施例において、溝ＧＲにより、水や酸素などの外部不純物が開口部Ｏから表示基板内に侵入するのを防止することができ、表示基板を保護する役割を果たし、また、機械的な打ち抜きや切削により表示領域ＡＡに開口部Ｏを形成する際に、溝ＧＲによりクラックの発生を防止したり、開口部Ｏから表示基板の内部にクラックが延在することを防止したりすることができ、クラック防止効果を実現する。
【0178】
例えば、別のいくつかの実施例において、上記のバリアダム、隔壁、溝を表示基板上に同時に配置することもでき、表示基板を効果的に保護することができる。
【0179】
例えば、図１６に示すように、表示基板は、溝ＧＲを含むとともに隔壁ＤＡＭをさらに含み、隔壁ＤＡＭは、３つのサブ層Ｍ１／Ｍ２／Ｍ３を含み、３つのサブ層Ｍ１／Ｍ２／Ｍ３は、例えば、それぞれ平坦化層、ピクセル定義層、およびスペーサと同じ材料で同じ層に配置される。
【0180】
例えば、いくつかの実施例において、タッチ制御層ＴＬは、ベース基板ＢＳから離れた方向において順次配置される第１タッチ制御金属層ＴＬ１、層間絶縁層ＩＬおよび第２タッチ制御金属層ＴＬ２を含むことができる。例えば、図３０は、第１タッチ制御金属層ＴＬ１の概略平面図であり、図３１は、第２タッチ制御金属層ＴＬ２の概略平面図である。図３２は、第１タッチ制御金属層ＴＬ１と第２タッチ制御金属層ＴＬ２の積層後の概略平面図である。
【0181】
例えば、図３０に示すように、いくつかの実施例において、第１タッチ制御金属層ＴＬ１は、複数の金属線で形成される第１格子状タッチ制御電極を含む。図３１に示すように、第２タッチ制御金属層ＴＬ２は、複数の金属線で形成される第２格子状タッチ制御電極を含む。第１格子状タッチ制御電極と第２格子状タッチ制御電極との組み合わせにより、例えば、いくつかの位置で電気的に接続され、図６、図７および図８に示すように、第１方向および第２方向に沿って接続される長方形状のブロック電極を形成することができる。
【0182】
例えば、図３０～図３２に示すように、タッチ制御電極の少なくとも一部は、第１タッチ制御金属層ＴＬ１に位置される第１金属線２０１および第２タッチ制御金属層ＴＬ２に位置される第２金属線２０２を含み、層間絶縁層ＩＬには第１ビアホールＶＨ１が配置され、第１金属線２０１が第１ビアホールＶＨ１を介して第２金属線２０２と電気的に接続され、第２タッチ制御金属層ＴＬ２における複数の金属線で形成される第２格子状タッチ制御電極は、第１タッチ制御金属層ＴＬ１における複数の金属線で形成される第１格子状タッチ制御電極を、断線部分で電気的に接続させる。
【0183】
例えば、図３３は、図３２のタッチ制御層のＣ－Ｃ線に沿った概略断面図であり、図３３に示すように、当該断面において、層間絶縁層ＩＬは、４つの第１ビアホールＶＨ１を有し、第２タッチ制御金属層ＴＬ２における第２金属線２０２はそれぞれ、当該４つの第１ビアホールＶＨ１を介して第１タッチ制御金属層ＴＬ１における第１金属線２０１と電気的に接続される。
【0184】
本開示の実施例において、第１ビアホールＶＨ１を複数配置することにより、第１金属線２０１と第２金属線２０２との間の電気的接続効果を向上させることができる。
【0185】
【0186】
図３４に示すように、第２金属線２０２は、第１金属線２０１の側縁に第１スロープ部２０３を有し、第１スロープ部２０３が第１サブスロープ部２０３１および第２サブスロープ部２０３２を含み、第１サブスロープ部２０３１が第２サブスロープ部２０３２のベース基板ＢＳから離れた側に位置され、第１サブスロープ部２０３１の任意の点の接線とベース基板ＢＳの表面との間の最大角度がα５であり、第２サブスロープ部２０３２の任意の点の接線とベース基板ＢＳの表面との間の最大角度がα６であり、α５＞α６である。これにより、第２金属線２０２は、第１金属線２０１および層間絶縁層ＩＬをより良く覆うことができるため、第２金属線２０２を形成するプロセスにおいて、エッチング工程で使用されるガスにおける塩素ガス（Ｃｌ２）は、少なくとも第１サブスロープ部２０３１および第２サブスロープ部２０３２で覆われる層間絶縁層ＩＬの部分で、層間絶縁層ＩＬと接触しなく、これにより、従来の技術のように塩素ガスが層間絶縁層ＩＬと接触してそのうちの水と反応して、塩化水素（ＨＣｌ）を生成し、塩化水素と第２金属線２０２および／または第１金属線２０１における金属（例えば、ＡｌまたはＡｇ）と反応してそれを腐食し、製品の収率が低下することを回避できる。
【0187】
例えば、いくつかの実施例において、α５＞５０°、α６＞１０°である。例えば、α５＞α６、α５＞７０°、α６＞１５°である。例えば、α５は、７５°、８０°または８５°などであり、α６は、２０°、２５°または３０°などである。
【0188】
例えば、いくつかの実施例において、第２タッチ制御金属層ＴＬ２（即ち、第２金属線２０２）は、チタン層－アルミニウム層－チタン層（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）またはインジウムスズ酸化物層－銀層－インジウムスズ酸化物層（ＩＴＯ／Ａｇ／）の積層構造を含み、ベース基板ＢＳに近いチタン層（Ｔｉ）またはインジウムスズ酸化物層（ＩＴＯ）は、上記の最大角度α５および最大角度α６を形成する。
【0189】
例えば、いくつかの実施例において、α５は、α３とほぼ等しい。これは、開口部Ｏの周囲の狭額縁化およびプロセスの一貫性にとって有利である。
【0190】
なお、本開示の実施例において、ＡとＢが「ほぼ等しい」とは、ＡとＢの差がＡまたはＢの１０％以下であることを意味する。
【0191】
例えば、図６を参照すると、タッチ制御層ＩＬは、タッチ制御電極と電気的に接続されるタッチ制御配線ＴＣＬをさらに含み、例えば、図３５は、図６のＭ－Ｍ線に沿ったタッチ制御配線ＴＣＬの概略断面図を示す。図３５に示すように、タッチ制御配線ＴＣＬは、第１タッチ制御金属層ＴＬ１に位置される第１サブ配線ＴＣＬ１および第２タッチ制御金属層ＴＬ２に位置される第２サブ配線ＴＣＬ２を含み、層間絶縁層ＩＬには第２ビアホールＶＨ２が配置され、第１サブ配線ＴＣＬ１が第２ビアホールＶＨ２を介して第２サブ配線ＴＣＬ２と電気的に接続される。
【0192】
例えば、図３５に示すように、第２サブ配線ＴＣＬ２は、第１サブ配線ＴＣＬ１の側縁に第２スロープ部２０４を有し、第２スロープ部２０４が第３サブスロープ部２０４１および第４サブスロープ部２０４２を含み、第３サブスロープ部２０４１が第４サブスロープ部２０４２のベース基板ＢＳから離れた側に位置され、第３サブスロープ部２０４１の任意の点の接線とベース基板ＢＳの表面との間の最大角度はα７であり、第４サブスロープ部２０４２の任意の点の接線とベース基板ＢＳの表面との間の最大角度はα８であり、α７＞α８となる。これにより、第２サブ配線ＴＣＬ２は、第１サブ配線２０１および層間絶縁層ＩＬをより良く覆うことができるため、第２サブ配線ＴＣＬ２を形成するプロセスにおいて、エッチング工程で使用されるガスにおける塩素ガス（Ｃｌ２）は、少なくとも第３サブスロープ部２０４１および第４サブスロープ部２０４２で覆われる層間絶縁層ＩＬの部分で、層間絶縁層ＩＬと接触しなく、これにより、従来の技術のように塩素ガスが層間絶縁層ＩＬと接触してそのうちの水と反応して、塩化水素（ＨＣｌ）を生成し、塩化水素と第２サブ配線ＴＣＬ２および／または第１サブ配線ＴＣＬ１における金属（例えば、ＡｌまたはＡｇ）と反応してそれを腐食し、製品の収率が低下することを回避できる。
【0193】
例えば、いくつかの実施例において、α７＞５０°、α８＞１０°である。例えば、α７＞α８、α７＞７０°、α８＞１５°である。例えば、α７は、７５°、８０°または８５°などであり、α８は、２０°、２５°または３０°などである。
【0194】
例えば、図３６は、表示基板の複数のサブピクセルの配置概略図を示す。図３６に示すように、複数のサブピクセルは、赤色サブピクセルＲ、青色サブピクセルＢおよび緑色サブピクセルＧを含むことができる。いくつかの実施例において、図３６に示すように、１つの赤色サブピクセルＲ、１つの青色サブピクセルＢおよび２つの緑色サブピクセルＧは、１つの繰り返し単位であり、複数の繰り返し単位がアレイに配置される。例えば、他のいくつかの例において、１つの赤色サブピクセルＲ、１つの青色サブピクセルＢおよび１つの緑色サブピクセルＧは、１つの繰り返し単位であり、複数の繰り返し単位がアレイに配置される。本開示の実施例は、複数のサブピクセルの配置方法について限定しない。
【0195】
例えば、図３６において、各サブピクセルが占める領域の形状は、六角形や五角形などのポリゴンであってもよく、他の実施例において、各サブピクセルが占める領域の形状は、楕円形、半楕円形、円形、半円形、またはマンゴーの形などの湾曲したエッジを有するグラフィックスであってもよい。本開示の実施例は、各サブピクセルが占める領域の形状について、特定の制限をしない。
【0196】
なお、本開示の実施例において、ベース基板ＢＳは、ポリチド（ＰＩ）などの柔軟性絶縁材料またはガラス基板などの剛性絶縁材料を含むことができる。例えば、いくつかの例において、ベース基板ＢＳは、複数の柔軟性層と複数のブロッキング層によって交互に配置された積層構造であってもよい。この場合、柔軟性層は、ポリチドを含むことができ、ブロッキング層は、酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンなどの無機絶縁材料を含むことができる。
【0197】
例えば、バッファ層１０１は、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコンなどの無機材料を含むことができる。活性層ＡＴは、ポリシリコンと金属酸化物などの材料で作ることができる。第１ゲート絶縁層１０２および第２ゲート絶縁層１０３は、酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンなどの無機絶縁材料で作ることができ、ゲート電極ＧＴおよび第１容量電極ＣＥ１は、銅、アルミニウム、チタン、コバルトなどの金属材料で、チタン／アルミニウム／チタン、モリブデン／アルミニウム／モリブデンなどの単一層または多層構造を形成することができる。第２容量電極ＣＥ２は、銅、アルミニウム、チタン、コバルトなどの金属または合金材料で作ることができる。層間絶縁層１０４は、酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンなどの無機絶縁材料で作ることができ、パッシベーション層１０５１は、酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンなどの無機絶縁材料で作ることができ、ソース電極ＳＥおよびドレイン電極ＤＥは、銅、アルミニウム、チタン、コバルトなどの金属材料で、単一層構造または多層構造に形成することができ、例えば、チタン／アルミニウム／チタン、モリブデン／アルミニウム／モリブデンなどの多層構造に形成することができる。
【0198】
例えば、第１電極Ｓ１は、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの金属酸化物またはＡｇ、Ａｌ、Ｍｏなどの金属またはその合金を含むアノードである。発光層Ｅ２の材料は、有機発光材料であってもよく、例えば、ニーズに応じて、特定の色の光（例えば、赤色、青色、緑色の光など）を発光する発光材料であってもよい。第２電極Ｅ３は、例えば、Ｍｇ、Ｃａ、ＬｉまたはＡｌなどの金属またはその合金、または、ＩＺＯ、ＺＴＯなどの金属酸化物、またはＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリ３，４－エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホネート）などの導電性有機材料を含むカソード層である。接続電極Ｅ４は、銅、アルミニウム、チタン、コバルトなどの金属材料またはその合金材料で作ることができる。
【0199】
例えば、平坦化層１０５（および平坦化層１０５２）、ピクセル定義層１０６およびスペーサ１０７は、ポリアミドなどの有機絶縁材料を使用することができる。パッシベーション層１０５１、無機サブ封止層１０８および１１０は、酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンなどの無機絶縁材料を使用することができ、サブ封止層１０９は、ポリイミド、樹脂などの有機材料を使用することができる。
【0200】
例えば、第１タッチ制御金属層ＴＬ１および第２タッチ制御金属層ＴＬ２は、金属材料、合金材料または金属酸化物などで、例えば、チタン層－アルミニウム層－チタン層（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）またはインジウムスズ酸化物層－銀層－インジウムスズ酸化物層（ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ）などの積層構造に形成することができる。
【0201】
本開示の実施例は、表示基板の各構造の材料を特定に制限しない。
【0202】
本開示の少なくとも１つの実施例は、本開示の実施例によって提供される表示基板を備える、表示装置をさらに提供する。当該表示装置は、携帯電話、タブレットコンピュータ、テレビ、モニター、ラップトップコンピュータ、デジタルフレーム、ナビゲータなどの表示機能を備える製品またはコンポーネントであってもよい。
【0203】
説明する次のポイントもある。
（１）本開示の実施例の図面は、本開示の実施例に関する構造のみを示し、他の構造について、通常の設計を参照することができる。
（２）明確にするために、本開示の実施例を説明するために使用される図面において、層または領域の厚さが拡大または縮小され、即ち、これらの図面は、実際の縮尺で描かれていない。層、フィルム、領域、または基板などの要素が別の要素の「上」または「下」にあると言及される場合、当該要素は、他の要素の「上」または「下」に「直接」位置することができるか、または中間要素が存在してもよい。
（３）矛盾がない場合、本開示の実施例および実施例の特徴を互いに組み合わせて、新たな実施例を得ることができる。
（１）本開示の実施例の図面は、本開示の実施例に関する構造のみを示し、他の構造について、通常の設計を参照することができる。
（２）明確にするために、本開示の実施例を説明するために使用される図面において、層または領域の厚さが拡大または縮小され、即ち、これらの図面は、実際の縮尺で描かれていない。層、フィルム、領域、または基板などの要素が別の要素の「上」または「下」にあると言及される場合、当該要素は、他の要素の「上」または「下」に「直接」位置することができるか、または中間要素が存在してもよい。
（３）矛盾がない場合、本開示の実施例および実施例の特徴を互いに組み合わせて、新たな実施例を得ることができる。
【0204】
以上は、本開示の具体的な実施形態に過ぎず、本開示の保護範囲は、これに限定されるものではなく、本開示の保護範囲は、特許請求の範囲に基づくものである。
【符号の説明】
【0205】
１０１ バッファ層
１０２ 第１ゲート絶縁層
１０３ 第２ゲート絶縁層
１０４ 層間絶縁層
１０５ 平坦化層
１０６ ピクセル定義層
１０７ スペーサ
１０８ サブ封止層
１０９ サブ封止層
１１０ サブ封止層
１０２ 第１ゲート絶縁層
１０３ 第２ゲート絶縁層
１０４ 層間絶縁層
１０５ 平坦化層
１０６ ピクセル定義層
１０７ スペーサ
１０８ サブ封止層
１０９ サブ封止層
１１０ サブ封止層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9A】
【図9B】
【図10A】
【図10B】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【国際調査報告】