特表 2024-531004 ＭＥＭＳデバイスの製造方法及びＭＥＭＳデバイス

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-08-29

(54)【発明の名称】ＭＥＭＳデバイスの製造方法及びＭＥＭＳデバイス

(51)【国際特許分類】

   B81C 1/00 20060101AFI20240822BHJP

   B81B 3/00 20060101ALI20240822BHJP

   B23K 26/382 20140101ALI20240822BHJP

【ＦＩ】

B81C1/00

B81B3/00

B23K26/382

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2022576567

(86)(22)【出願日】2022-09-26

(85)【翻訳文提出日】2022-12-12

(86)【国際出願番号】 CN2022121224

(87)【国際公開番号】W WO2024036705

(87)【国際公開日】2024-02-22

(31)【優先権主張番号】202210973004.2

(32)【優先日】2022-08-15

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】511027518

【氏名又は名称】エーエーシーアコースティックテクノロジーズ（シンセン）カンパニーリミテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＡＣ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ（Ｓｈｅｎｚｈｅｎ）Ｃｏ．，Ｌｔｄ

【住所又は居所原語表記】Ａ－Ｂｌｏｃｋ， Ｎａｎｊｉｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｅｎｔｅｒ Ｓｈｅｎｚｈｅｎ Ｂｒａｎｃｈ， Ｎｏ．６ Ｙｕｅｘｉｎｇ ３ｒｄ Ｒｏａｄ， Ｓｏｕｔｈ Ｈｉ－Ｔｅｃｈ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｐａｒｋ， Ｎａｎｓｈａｎ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ， Ｓｈｅｎｚｈｅｎ Ｇｕａｎｇｄｏｎｇ ５１８０５７ Ｐｅｏｐｌｅ’ｓ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｃｈｉｎａ

(74)【代理人】

【識別番号】100128347

【弁理士】

【氏名又は名称】西内 盛二

(72)【発明者】

【氏名】チャン，ピンーホー

(72)【発明者】

【氏名】ライ，カキーン

【テーマコード（参考）】

3C081

4E168

【Ｆターム（参考）】

3C081AA20

3C081BA30

3C081CA03

3C081CA14

3C081CA15

3C081CA17

4E168AD12

4E168AD18

4E168JA14

4E168JA15

4E168JA17

(57)【要約】

【課題】本願はＭＥＭＳデバイスの製造方法及びＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスの製造方法は、犠牲層の面の少なくとも一部に薄膜を堆積し、薄膜にスルーホールを加工し、犠牲層における薄膜に覆われた少なくとも一部の材料を除去し、犠牲層において除去された材料をスルーホールから排出することにより、犠牲層にチャンバを形成し、薄膜の犠牲層から離れた面に封止層を堆積し、スルーホールを封止することを含む。従来技術における製造方法に比べて、本願の製造方法は一層の薄膜のみを堆積する必要があり、生産周期を短縮し、且つ確実な現場の封止能力を有する。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、
犠牲層の面の少なくとも一部に薄膜を堆積することと、
前記薄膜にスルーホールを加工することと、
前記犠牲層における前記薄膜で覆われた少なくとも一部の材料を除去し、前記犠牲層において除去された材料を前記スルーホールから排出することにより、前記犠牲層にチャンバを形成することと、
前記薄膜の前記犠牲層から離れた面に封止層を堆積し、前記スルーホールを封止することとを含むことを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法。

【請求項2】

前記薄膜に前記スルーホールを加工完了する前に、前記犠牲層の面の少なくとも一部に構造層を堆積し、
前記構造層は、透かし彫り部を有し、前記薄膜の少なくとも一部の材料は、前記透かし彫り部を介して露出することを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法。

【請求項3】

前記犠牲層の面の少なくとも一部に前記構造層を堆積した後、前記構造層における前記薄膜を覆う少なくとも一部の材料を除去することにより、前記透かし彫り部を形成することを特徴とする請求項２に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法。

【請求項4】

前記薄膜の材料は、シリコンベースの材料、ポリマー又は金属のうちの一種であることを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法。

【請求項5】

レーザードリル又は表面アブレーションにより前記薄膜に前記スルーホールを加工することを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法。

【請求項6】

前記ＭＥＭＳデバイスの製造方法は、真空環境で完成することを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法。

【請求項7】

ＭＥＭＳデバイスであって、
前記ＭＥＭＳデバイスは、請求項１～６のいずれか１項に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法を用いて製造され、
前記ＭＥＭＳデバイスは、
チャンバを有する犠牲層と、
前記犠牲層の前記チャンバが設けられた側に設けられ、且つ前記チャンバを覆い、スルーホールを有し、前記スルーホールが前記チャンバと連通する薄膜と、
前記犠牲層の前記チャンバが設けられた側に設けられた構造層と、
第１封止部を含み、前記第１封止部が前記薄膜の前記犠牲層から離れた側に設けられ、前記第１封止部が前記スルーホールを塞ぐ封止層とを含むことを特徴とするＭＥＭＳデバイス。

【請求項8】

前記構造層には、透かし彫り部が設けられ、前記透かし彫り部は、前記薄膜の前記犠牲層から離れた側に隣接し、
前記第１封止部は、前記透かし彫り部の少なくとも一部の空間に充填されていることを特徴とする請求項７に記載のＭＥＭＳデバイス。

【請求項9】

前記封止層は、第２封止部を更に含み、前記第２封止部は、前記構造層の前記犠牲層から離れた側に設けられ、
前記第１封止部と前記第２封止部とは、接続部により接続され、前記接続部と前記第１封止部とは、囲んで窪み部を形成することを特徴とする請求項８に記載のＭＥＭＳデバイス。

【請求項10】

前記構造層の厚さは、前記薄膜の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項７に記載のＭＥＭＳデバイス。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本願は、封止技術分野に関し、特にＭＥＭＳデバイスの製造方法及びＭＥＭＳデバイスに関する。

【背景技術】

【0002】

従来技術におけるデバイス内部のチャンバに対する封止処理方法は、チャンバの頂部に１層の薄膜層を堆積し、当該薄膜層は、エッチングプロセスを利用して形成された排気孔を有し、デバイスの内部のチャンバからガスを排出した後、薄膜で排気孔を更に封止することにより、小型のチャンバの封止を実現する。しかしながら、当該方法は、特定のシリコンベースの材料／ツールを必要とし、且つプロセスサイクル時間が長く、いくつかの実際の応用は、ウェハボンディング及び薄膜パッケージにより封止を実現するが、製造コスト及びメンテナンス作業が大幅に増加し、更に相補型金属酸化物半導体（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｍｏｎ、ＣＭＯＳ）に基づくフロントエンド（Ｆｒｏｎｔ ｅｎｄ ｏｆ ｔｈｅ ｌｉｎｅ、ＦＥＯＬ）にプロセス／材料の制限が存在する。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

本願は、製造周期を減少させることができるＭＥＭＳデバイスの製造方法及びＭＥＭＳデバイスを提供する。

【課題を解決するための手段】

【0004】

本願の第１態様は、ＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供し、当該製造方法は、犠牲層の面の少なくとも一部に薄膜を堆積し、薄膜にスルーホールを加工し、犠牲層における薄膜で覆われた少なくとも一部の材料を除去し、犠牲層において除去された材料をスルーホールから排出することにより、犠牲層にチャンバを形成し、薄膜の犠牲層から離れた面に封止層を堆積し、スルーホールを封止することを含む。

【0005】

従来技術における製造方法に比べて、本願の製造方法は、１層の薄膜のみを堆積する必要があり、生産周期を短縮し、且つ確実な現場の封止能力を有することができる。

【0006】

可能な設計において、薄膜にスルーホールを加工完了する前に、犠牲層の面の少なくとも一部に構造層を堆積し、構造層は、透かし彫り部を有し、薄膜の少なくとも一部の材料は、透かし彫り部を介して露出する。

【0007】

可能な設計において、犠牲層の面の少なくとも一部に構造層を堆積した後、構造層における薄膜を覆う少なくとも一部の材料を除去することにより、透かし彫り部を形成する。

【0008】

可能な設計において、薄膜の材料は、シリコンベースの材料、ポリマー又は金属のうちの一種である。

【0009】

可能な設計において、レーザードリル又は表面アブレーションにより薄膜にスルーホールを加工する。

【0010】

可能な設計において、ＭＥＭＳデバイスの製造方法は、真空環境で完成する。

【0011】

本願の第２態様は、ＭＥＭＳデバイスを提供し、上記内容の方法で製造され、上記効果を有する。ＭＥＭＳデバイスは、犠牲層、薄膜、構造層及び封止層を含む。犠牲層はチャンバを有し、薄膜は、犠牲層のチャンバが設けられた側に設けられ、且つチャンバを覆い、薄膜は、スルーホールを有し、スルーホールは、チャンバと連通し、構造層は、犠牲層のチャンバが設けられた側に設けられ、封止層は、第１封止部を含み、第１封止部は、薄膜の犠牲層から離れた側に設けられ、第１封止部がスルーホールを塞ぐ。

【0012】

可能な設計において、構造層には、透かし彫り部が設けられ、透かし彫り部は、薄膜の犠牲層から離れた側に隣接し、第１封止部は、透かし彫り部の少なくとも一部の空間に充填されている。

【0013】

可能な設計において、封止層は、第２封止部を更に含み、第２封止部は、構造層の犠牲層から離れた側に設けられ、第１封止部と第２封止部とは、接続部により接続され、接続部と第１封止部とは、囲んで窪み部を形成する。

【0014】

可能な設計において、構造層の厚さは、薄膜の厚さよりも大きい。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】従来技術におけるＭＥＭＳデバイスの構造である。

【図2】本願に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法である。

【図3】ステップＳ１におけるＭＥＭＳデバイスの構造概略図である。

【図4】ステップＳ３におけるＭＥＭＳデバイスの構造概略図である。

【図5】ステップＳ４におけるＭＥＭＳデバイスの構造概略図である。

【図6】ステップＳ５におけるＭＥＭＳデバイスの構造概略図である。

【図7】ステップＳ２におけるＭＥＭＳデバイスの構造概略図であり、ここで、構造層が透かし彫り部を有していない。

【図8】ステップＳ２におけるＭＥＭＳデバイスの構造概略図であり、ここで、構造層が透かし彫り部を有する。

【図9】ステップＳ２におけるＭＥＭＳデバイスの構造概略図であり、ここで、薄膜が表示されていない。

【0016】

ここでの図面は、明細書に組み込まれ且つ本明細書の一部を構成し、本願に適合した実施例を示し、且つ明細書と共に本願の原理を説明するために用いられる。

【発明を実施するための形態】

【0017】

本願の技術案をよりよく理解するために、以下は、添付の図面を参照して本願の実施例を詳細に説明する。

【0018】

説明した実施例は、本願の実施例の一部にすぎず、すべての実施形態ではないことは明らかである。本願の実施例に基づいて、創造的な作業なしに当業者によって得られる他のすべての実施例は、本願の保護範囲に含まれる。

【0019】

本願の実施例で使用される用語は、特定の実施例を説明することのみを目的とし、本願を限定する意図はない。本願の実施例および添付の特許請求の範囲で使用される単数形「１種」、および「当該」は、文脈が他の意味を明確に示さない限り、複数の形を含むことも意図される。

【0020】

理解すべきことは、本明細書で使用される用語“及び／又は”は関連対象の関連関係を説明するだけであり、３種類の関係が存在してもよく、例えば、Ａ及び／又はＢは、以下の関係を表すことができ、Ａが単独で存在し、同時にＡとＢが存在し、Ｂが単独で存在するという３種類の状況が存在する。なお、ここで符号「／」とは、一般に、前後関連オブジェクトが「または」の関係であることを意味する。

【0021】

なお、本願の実施例に記載の「上」、「下」、「左」、「右」等の向きを示す用語は、図面の示す角度から記載したものであり、本願実施例を限定するものとして解釈されるべきではない。更に、この文脈では、ある要素が別の要素に「上」または「下」に接続されていると記載される場合、他の要素に「上」または「下」に直接接続することができるだけでなく、中間要素を介して、別の要素の「上」または「下」に間接的に接続されてもよいと理解されるべきである。

【0022】

マイクロ電子機械システム（Ｍｉｃｒｏ－Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ、ＭＥＭＳ）は、サイズが数ミリメートル乃至より小さいハイテクノロジー装置を指し、その内部構造は、一般的にミクロン又はナノメートルオーダーである。ＭＥＭＳデバイスにおいてフローティングの構造を有し、一般的に犠牲層除去プロセスを用いてフローティングの構造を製造する。

【0023】

図１に示すように、従来技術の方法を利用してＭＥＭＳデバイスを製造し、まず、エッチングプロセスを利用して犠牲層１０内の一部の材料を除去し、犠牲層１０にチャンバ１０１を形成する。チャンバ１０１の頂部に薄膜２０を堆積し、ここで、エッチングプロセスを利用して薄膜２０の一部の材料を除去することにより、スルーホール２０１を形成する。その後、チャンバ１０１内のガスをスルーホール２０１から排出し、さらに封止層４０を利用してスルーホール２０１を封止し、チャンバ１０１に対する封止を完了する。ここで、犠牲層１０のチャンバ１０１が設けられた側に構造層３０が更に堆積され、薄膜２０が構造層３０内に穿設され、且つ構造層３０の厚さが薄膜２０の厚さと同じである。スルーホール２０１を封止した後、平坦化（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、ＣＭＰ）を利用してＭＥＭＳデバイスを処理する。出願人は、研究により、従来技術における製造方法を利用してチャンバ１０１を排気した後に現場の封止を実現することができず、生産サイクル時間が長いと発見した。また従来技術における製造方法は、平坦化処理（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、ＣＭＰ）を必要とし、構造欠陥の問題（例えば孔、ひび割れ又は層剥離）を引き起こしやすい。また、従来技術における製造方法は、シリコンベースの材料を用いて薄膜層２０を製造することを限定し、他の材料との熱膨張係数が異なるため、薄膜層２０に構造欠陥（例えばひび割れ及び層剥離）が存在しやすい。

【0024】

上記の少なくとも１つの課題を解決するために、本願は、ＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供し、図２に示すフローチャート及び図３～図６に示すＭＥＭＳデバイスの加工プロセスにおける構造変化を参照し、当該方法は下記のステップを含む。

【0025】

ステップＳ１：犠牲層１の面の少なくとも一部に薄膜２を堆積する。

【0026】

ステップＳ３：薄膜２にスルーホール２１を加工する。

【0027】

ステップＳ４：犠牲層１における薄膜２で覆われた少なくとも一部の材料を除去し、犠牲層１において除去された材料をスルーホール２１から排出することにより、犠牲層１にチャンバ１１を形成する。

【0028】

ステップＳ５：薄膜２の犠牲層１から離れた面に封止層４を堆積し、スルーホール２１を封止する。

【0029】

本実施例において、図３に示すように、まず犠牲層１の面に薄膜２を堆積し、次に図４に示すように、薄膜２にスルーホール２１を加工し、図５に示すように、犠牲層１における薄膜２で覆われた少なくとも一部の材料を除去し、犠牲層１において除去された材料をスルーホール２１から排出することにより、犠牲層１にチャンバ１１を形成し、図６に示すように、薄膜２の犠牲層１から離れた面に封止層４を堆積し、スルーホール２１を封止することにより、チャンバ１１に対する封止が完了する。従来技術における製造方法に比べて、本願の実施例の製造方法は、１層の薄膜２のみを堆積する必要があり、生産周期を短縮し、且つ確実な現場の封止能力を有することができる。

【0030】

具体的には、図２に示すように、ステップＳ３（薄膜２にスルーホール２１を加工する）の前にステップＳ２を更に有する。

【0031】

本実施例において、図７に示すように、犠牲層１の面の少なくとも一部に構造層３を堆積し、ここで、図８に示すように、構造層３は、透かし彫り部３１を有し、薄膜２の少なくとも一部の材料は、透かし彫り部３１を介して露出し、ステップＳ３において薄膜２にスルーホール２１を加工しやすい。

【0032】

ここで、犠牲層１の面に複数の構造層３を堆積し、隣接する２つの構造層３の間に間隔を有することにより、透かし彫り部３１を形成することができる。又は、構造層３の一部の材料を除去することにより、透かし彫り部３１を形成する。具体的には、ガスエッチングプロセスを用いて構造層３の一部の材料を除去することができ、それにより透かし彫り部３１を形成する。

【0033】

また、構造層３の材料は、シリコン酸化物、金属酸化物、又は、シリコン酸化物の熱膨張係数材料に近い材料であってもよい。一方、構造層３の材料の熱膨張係数が薄膜２の熱膨張係数に近いとき、及び／又は、構造層３の材料の熱膨張係数が封止層４の熱膨張係数に近いとき、熱膨張係数の差異が大きいことによる材料欠陥問題（例えば孔、ひび割れ又は層剥離）が生じにくく、封止不良の可能性を低減し、製造されたＭＥＭＳデバイスの動作信頼性及び耐用年数が高い。他方では、本願の実施例の製造方法は、構造層３の製造プロセスを拡張し、ＭＥＭＳデバイスの製造の制限を減少させる。

【0034】

ここで、シリコン酸化物は、シリカ（ＳｉＯ_２）、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、ポリシリコン（Ｐｏｌｙ－Ｓｉ）を含んでいてもよい。ポリマーは、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、シリコン－ガラス接合構造材料（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）、パリレン（ｐａｒｙｌｅｎｅ）などを含んでもよい。金属酸化物は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、チタニア（ＴｉＯ_２）を含んでもよい。

【0035】

より具体的には、本実施例において、ステップＳ２においてステップＳ２．１を更に含み、図７～図８に示すように、犠牲層１の面の少なくとも一部に構造層３を堆積した後、構造層３における薄膜２を覆う少なくとも一部の材料を除去することにより、透かし彫り部３１を形成する。

【0036】

本実施例において、図７～図８に示すように、犠牲層１の面の少なくとも一部に構造層３を堆積し、構造層３も薄膜２を覆い、構造層３における薄膜２を覆う少なくとも一部の材料を除去することにより、透かし彫り部３１を形成し、それにより薄膜２の少なくとも一部の材料を透かし彫り部３１を介して露出させ、ステップＳ３（薄膜２にスルーホール２１を加工する）を容易に行う。

【0037】

ここで、実施例において、図８～図９に示すように、構造層３における薄膜２を覆う一部の材料を除去することにより、構造層３が段差３２を有し、薄膜２のエッジは、段差３２内に位置することにより、構造層３が薄膜２のエッジを押さえることにより、薄膜２が透かし彫り部３１から脱落する可能性を低減する。

【0038】

別の実施例において（図示せず）、構造層３における薄膜２を覆う全ての材料を除去することにより、透かし彫り部３１を形成し、段差３２がなく、構造層３が薄膜２のエッジを押さえない。

【0039】

上記実施例において、薄膜２の材料は、シリコンベースの材料（ｏｎ－ｂａｓｅｄ ｍａｔｅｒｉａｌ）、ポリマー材料（ｐｏｌｙｍｅｒ ｍａｔｅｒｉａｌ）又は金属材料（Ｍｅｔａｌ ｍａｔｅｒｉａｌ）のうちの１種である。

【0040】

ここで、シリコンベースの材料は、シリカ（ＳｉＯ_２）、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、ポリシリコン（Ｐｏｌｙ－Ｓｉ）、アモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）を含んでいてもよい。ポリマー材料は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、シリコン－ガラス接合構造材料（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）、パリレン（ｐａｒｙｌｅｎｅ）を含んでいてもよい。金属材料は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、チタニア（ＴｉＯ_２）を含んでいてもよい。

【0041】

上記薄膜２の材料において、構造層３の熱膨張係数に近い材料を選択して薄膜２を製造することができ、又は、封止層４の熱膨張係数に近い材料を選択して薄膜２を製造することができ、熱膨張係数の差異が大きいことによる材料欠陥問題（例えば孔、ひび割れ又は層剥離）が生じにくく、封止不良の可能性を低減し、製造されたＭＥＭＳデバイスの動作信頼性及び耐用年数が高い。他方では、従来技術の方法においてシリコンベースの材料を使用することを限定することに比べて、本願の実施例の製造方法は、薄膜２の製造可能な材料を拡張し、スルーホール２１を加工できるプロセス方法を更に拡張し、ＭＥＭＳデバイスの製造制限を減少させる。

【0042】

ここで、シリコンベースの材料を用いて薄膜２を製造するとき、ドライエッチングプロセスを利用してスルーホール２１を製造することができる。ポリマー材料を用いて薄膜２を製造するとき、フォトリソグラフィ又はレーザプロセスを利用してスルーホール２１を製造することができる。金属材料を用いて薄膜２を製造するとき、ウェットエッチングプロセスを利用してスルーホール２１を製造することができる。

【0043】

また、金属材料を利用して薄膜２を製造するとき、薄膜２のスルーホール２１は、封止層４により封止される過程において、薄膜２は、より高い温度を受けることができ、欠陥又は層剥離の問題が発生しにくく、ＭＥＭＳデバイスの動作信頼性及び耐用年数がより高い。

【0044】

上記実施例において、図３～図４に示すように、ステップＳ３において、レーザードリル又は表面アブレーションにより薄膜２にスルーホール２１を加工する。

【0045】

本実施例において、図３～図４に示すように、レーザードリル又は表面アブレーションにより薄膜２にスルーホール２１を製造し、スルーホール２１の直径がサブミクロンの範囲内又はナノメートルの範囲内にあることにより、封止層４によりスルーホール２１を封止する時、材料の欠陥問題（孔及びひび割れ）が発生しにくく、封止層４と薄膜２が階層化するという問題が発生しにくく、製造されたＭＥＭＳデバイスの動作信頼性がより高く且つ耐用年数がより長い。

【0046】

本願の実施例の方法は、犠牲層１における除去しようとする材料の面積又は深さの寸法に応じて、スルーホール２１のサイズを調整し、犠牲層１における除去しようとする材料がスルーホール２１から排出される時間を制御し、その製造過程が柔軟であり、異なるユーザーの使用需要を満たすことができる。

【0047】

上記実施例において、真空環境で上記ステップを完了してＭＥＭＳデバイスを製造し、それによりチャンバ１１内の水分及び／又は有機ガスを乾燥させることにより、ＭＥＭＳデバイスの動作性能を安定したレベルに維持し、ＭＥＭＳデバイスの動作信頼性及び耐用年数を向上させる。

【0048】

上記実施例において、本願の実施例の製造方法は、ＭＥＭＳデバイスを平坦化処理する必要がなく、酸化物材料に欠陥が存在するという問題（例えば孔、ひび割れ又は層剥離）を引き起こしにくく、ＭＥＭＳデバイスの動作信頼性及び耐用年数がより高い。

【0049】

本願の実施例の製造方法を利用することは、下記の利点を更に有し、相補型金属酸化物半導体（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｍｏｎ、ＣＭＯＳ）プロセスと互換性があり、シリコンに基づく製造フロー（Ｓｉ－ｂａｓｅｄ ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｆｌｏｗｓ）と統合しやすく、生産サイクル時間の短縮に役立つ。

【0050】

本願の第２態様は、ＭＥＭＳデバイスを提供し、図６に示すように、当該ＭＥＭＳデバイスは、上記ＭＥＭＳデバイスの製造方法を利用して製造され、当該ＭＥＭＳデバイスは、犠牲層１、薄膜２、構造層３及び封止層４を含む。犠牲層１はチャンバ１１を有し、薄膜２は犠牲層１のチャンバ１１が設けられた側に設けられ、且つチャンバ１１を覆い、薄膜２はスルーホール２１を有し、スルーホール２１はチャンバ１１と連通する。構造層３は、犠牲層１のチャンバ１１が設けられた側に設けられている。封止層４は第１封止部４１を含み、第１封止部４１は薄膜２の犠牲層１から離れた側に設けられ、第１封止部４１はスルーホール２１を塞ぐ。本願の実施例のＭＥＭＳデバイスは、上記内容の製造方法で製造され、上記内容の効果を有し、ここでは説明を省略する。

【0051】

具体的には、図６に示すように、構造層３には、透かし彫り部３１が設けられ、透かし彫り部３１は、薄膜２の犠牲層１から離れた側に隣接し、第１封止部４１は、透かし彫り部３１の少なくとも一部の空間に充填され、薄膜２のスルーホール２１を封止することに用いられ、それによりチャンバ１１に対する封止を図る。

【0052】

ここで、実施例において、図６に示すように、第１封止部４１は、透かし彫り部３１の一部の空間を充填することができる。別の実施例において（図示せず）、第１封止部４１は、透かし彫り部３１の全ての空間を充填することができる。

【0053】

より具体的には、図６に示すように、封止層４は、第２封止部４２を更に含み、第２封止部４２は、構造層３の犠牲層１から離れた側に設けられ、第１封止部４１と第２封止部４２とは、接続部４３により接続され、接続部４３と第１封止部４１は、囲んで窪み部を形成する。

【0054】

本実施例において、図６に示すように、第２封止部４２は、構造層３を他の物質から遮断するために用いられ、それにより構造層３の動作性能を保証する。

【0055】

図６に示すように、構造層３の厚さは、薄膜２の厚さよりも大きく、構造層３の厚さは、ミクロンレベルであり、薄膜２の厚さは、ナノレベルである。薄膜２の厚さがナノレベルであるとき、犠牲層１におけるチャンバ１１の形成過程及びチャンバ１１の内部がきれいであるか否かを観察しやすい。

【0056】

以上は本発明の実施形態に過ぎず、当業者であれば本発明の思想を逸脱することなく改良を加えることができるが、これらは全て本発明の保護範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0057】

１０ 犠牲層
１０１ チャンバ
２０ 薄膜
２０１ スルーホール
３０ 構造層
４０ 封止層
１ 犠牲層
１１ チャンバ
２ 薄膜
２１ スルーホール
３ 構造層
３１ 透かし彫り部
３２ 段差
４ 封止層
４１ 第１封止部
４２ 第２封止部
４３ 接続部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【国際調査報告】