(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-08-29
(54)【発明の名称】高密度相互接続部を有する基板を含むパッケージ
(51)【国際特許分類】
H01L 23/12 20060101AFI20240822BHJP
H05K 3/46 20060101ALI20240822BHJP
【ＦＩ】
H01L23/12 Q
H05K3/46 B
H05K3/46 Q
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024513828
(86)(22)【出願日】2022-07-01
(85)【翻訳文提出日】2024-02-29
(86)【国際出願番号】 US2022036004
(87)【国際公開番号】W WO2023038694
(87)【国際公開日】2023-03-16
(31)【優先権主張番号】17/471,061
(32)【優先日】2021-09-09
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】595020643
【氏名又は名称】クゥアルコム・インコーポレイテッド
【氏名又は名称原語表記】ＱＵＡＬＣＯＭＭ ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
(74)【代理人】
【識別番号】110003708
【氏名又は名称】弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
(72)【発明者】
【氏名】キム、チン－クワン
(72)【発明者】
【氏名】カン、クイウォン
(72)【発明者】
【氏名】ブオト、ジョアン・レイ・ビラーバ
【テーマコード（参考）】
5E316
【Ｆターム（参考）】
5E316AA12
5E316AA15
5E316AA43
5E316BB15
5E316CC08
5E316CC09
5E316CC16
5E316CC18
5E316DD02
5E316EE31
5E316FF12
5E316FF18
5E316GG15
5E316GG17
5E316GG19
5E316GG28
5E316HH26
5E316JJ02
(57)【要約】
パッケージは、基板と、基板に結合された集積デバイスとを含む。基板は、第１の表面と第２の表面とを含むコア層と、コア層の第１の表面に結合された少なくとも１つの第１の誘電体層と、コア層の第２の表面に結合された少なくとも１つの第２の誘電体層と、少なくとも第１の誘電体層及び／又は少なくとも１つの第２の誘電体層から、コア層並びに少なくとも１つの誘電体層を通って延びている少なくとも１つのコア相互接続部と、第１の最小幅及び第１の最小間隔を有する複数の高密度相互接続部と、第２の最小幅及び第２の最小間隔を有する複数の相互接続部と、を含む。第２の最小幅は、第１の最小幅よりも大きい。第２の最小間隔は、第１の最小間隔よりも大きい。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板であって、第１の表面と第２の表面とを含むコア層と、
前記コア層の前記第１の表面に結合された少なくとも１つの第１の誘電体層と、
前記コア層の前記第２の表面に結合された少なくとも１つの第２の誘電体層と、
前記少なくとも第１の誘電体層及び／又は前記少なくとも１つの第２の誘電体層から、前記コア層並びに少なくとも１つの誘電体層を通って延びている少なくとも１つのコア相互接続部と、
第１の最小幅及び第１の最小間隔を有する複数の高密度相互接続部と、
第２の最小幅及び第２の最小間隔を有する複数の相互接続部であって、
前記第２の最小幅が、前記第１の最小幅よりも大きく、
前記第２の最小間隔が、前記第１の最小間隔よりも大きい、
複数の相互接続部と、
を含む、基板と、
前記基板に結合された集積デバイスと、
を含む、パッケージ。
【請求項2】
前記複数の高密度相互接続部が、約３～４マイクロメートルの幅を有し、前記複数の高密度相互接続部が、約３～４マイクロメートルの間隔を有する、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項3】
前記複数の相互接続部が、約５マイクロメートル以上の幅を有し、前記複数の相互接続部が、約５マイクロメートル以上の間隔を有する、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項4】
前記複数の高密度相互接続部が、約０．５～１マイクロメートルの厚さを有する、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項5】
前記基板に結合された第２の集積デバイスであって、前記複数の高密度相互接続部を介して前記集積デバイスに電気的に結合されるように構成されている、第２の集積デバイスを更に含む、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項6】
前記複数の高密度相互接続部が、前記集積デバイスと前記第２の集積デバイスとの間の電気通信のための複数のブリッジ相互接続部として構成されている、請求項５に記載のパッケージ。
【請求項7】
前記複数の高密度相互接続部が、前記基板の金属層上に位置している、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項8】
前記基板の前記金属層が、前記基板の前記コア層の上に位置している特定の金属層である、請求項７に記載のパッケージ。
【請求項9】
第１の表面と第２の表面とを含むコア層と、前記コア層の前記第１の表面に結合された少なくとも１つの第１の誘電体層と、
前記コア層の前記第２の表面に結合された少なくとも１つの第２の誘電体層と、
前記少なくとも第１の誘電体層及び／又は前記少なくとも１つの第２の誘電体層から、前記コア層並びに少なくとも１つの誘電体層を通って延びている少なくとも１つのコア相互接続部と、
第１の最小幅及び第１の最小間隔を有する複数の高密度相互接続部と、
第２の最小幅及び第２の最小間隔を有する複数の相互接続部であって、
前記第２の最小幅が、前記第１の最小幅よりも大きく、
前記第２の最小間隔が、前記第１の最小間隔よりも大きい、複数の相互接続部と、
を含む、基板。
【請求項10】
前記複数の高密度相互接続部が、約３～４マイクロメートルの幅を有し、前記複数の高密度相互接続部が、約３～４マイクロメートルの間隔を有する、請求項９に記載の基板。
【請求項11】
前記複数の相互接続部が、約５マイクロメートル以上の幅を有し、前記複数の相互接続部が、約５マイクロメートル以上の間隔を有する、請求項９に記載の基板。
【請求項12】
前記複数の高密度相互接続部が、約０．５～１マイクロメートルの厚さを有する、請求項９に記載の基板。
【請求項13】
前記基板に結合された第２の集積デバイスであって、前記複数の高密度相互接続部を介して集積デバイスに電気的に結合されるように構成されている、第２の集積デバイスを更に含む、請求項９に記載の基板。
【請求項14】
前記複数の高密度相互接続部が、前記集積デバイスと前記第２の集積デバイスとの間の電気通信のための複数のブリッジ相互接続部として構成されている、請求項１３に記載の基板。
【請求項15】
前記複数の高密度相互接続部が、前記基板の金属層上に位置している、請求項９に記載の基板。
【請求項16】
基板であって、第１の表面と第２の表面とを含むコア層と、
前記コア層の前記第１の表面に結合された少なくとも１つの第１の誘電体層と、
前記コア層の前記第２の表面に結合された少なくとも１つの第２の誘電体層と、
前記少なくとも第１の誘電体層及び／又は前記少なくとも１つの第２の誘電体層から、前記コア層並びに少なくとも１つの誘電体層を通って延びているコア相互接続のための手段と、
第１の最小幅及び第１の最小間隔を有する、高密度相互接続のための手段と、
第２の最小幅及び第２の最小間隔を有する、相互接続のための手段であって、
前記第２の最小幅が、前記第１の最小幅よりも大きく、
前記第２の最小間隔が、前記第１の最小間隔よりも大きい、
相互接続のための手段と、
を含む、基板と、
前記基板に結合された集積デバイスと、
を含む、装置。
【請求項17】
前記高密度相互接続のための手段が、約３～４マイクロメートルの幅を有し、前記高密度相互接続のための手段が、約３～４マイクロメートルの間隔を有し、
前記相互接続のための手段が、約５マイクロメートル以上の幅を有し、
前記相互接続のための手段が、約５マイクロメートル以上の間隔を有する、請求項１６に記載の装置。
【請求項18】
前記高密度相互接続のための手段が、約０．５～１マイクロメートルの厚さを有する、請求項１６に記載の装置。
【請求項19】
前記基板に結合された第２の集積デバイスであって、前記高密度相互接続のための手段を介して前記集積デバイスに電気的に結合されるように構成されている、第２の集積デバイスを更に含む、請求項１６に記載の装置。
【請求項20】
前記装置は、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、固定位置端末、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、モノのインターネット（ＩｏＴ）デバイス、及び自動車両内のデバイスからなる群から選択されるデバイスを含む、請求項１６に記載の装置。
【請求項21】
基板を製造する方法であって、第１の表面と第２の表面とを含むコア層を提供することと、
前記コア層の前記第１の表面の上に、少なくとも１つの第１の誘電体層及び複数の高密度相互接続部であって、第１の最小幅及び第１の最小間隔を有する、複数の高密度相互接続部を提供することと、
前記コア層の前記第２の表面の上に少なくとも１つの第２の誘電体層を形成することと、
前記少なくとも第１の誘電体層及び／又は前記少なくとも第２の誘電体層から、前記コア層並びに少なくとも１つの誘電体層を通って延びている少なくとも１つのコア相互接続部を形成することと、
第２の最小幅及び第２の最小間隔を有する複数の相互接続部であって、
前記第２の最小幅が、前記第１の最小幅よりも大きく、
前記第２の最小間隔が、前記第１の最小間隔よりも大きい、
複数の相互接続部を形成することと、
を含む、方法。
【請求項22】
前記複数の高密度相互接続部が、約３～４マイクロメートルの幅を有し、前記複数の高密度相互接続部が、約３～４マイクロメートルの間隔を有する、請求項２１に記載の方法。
【請求項23】
前記複数の相互接続部が、約５マイクロメートル以上の幅を有し、前記複数の相互接続部が、約５マイクロメートル以上の間隔を有する、請求項２１に記載の方法。
【請求項24】
前記複数の高密度相互接続部が、約０．５～１マイクロメートルの厚さを有する、請求項２１に記載の方法。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願の相互参照
[0001] 本出願は、２０２１年９月９日に米国特許庁に出願された非仮出願第１７／４７１，０６１号に対する優先権及び利益を主張するものであり、その内容全体が、その全体が以下に完全に記載されるかのように、かつ全ての適用可能な目的のために、参照により本明細書に組み込まれる。
[0001] 本出願は、２０２１年９月９日に米国特許庁に出願された非仮出願第１７／４７１，０６１号に対する優先権及び利益を主張するものであり、その内容全体が、その全体が以下に完全に記載されるかのように、かつ全ての適用可能な目的のために、参照により本明細書に組み込まれる。
【0002】
[0002] 様々な特徴が、基板（substrate）と集積デバイス（integrated device）とを有するパッケージ（package）に関する。
【背景技術】
【0003】
[0003] パッケージは、基板と集積デバイスとを含み得る。これらの構成要素は、共に結合されることにより、様々な電気的機能を実行することが可能なパッケージを提供する。集積デバイスと基板とが、どのように共に結合されるかが、そのパッケージが全体としてどのように機能するかに影響を及ぼす。より良好に機能するパッケージを提供し、かつパッケージの全体的なサイズを縮小することが、継続的に必要とされている。
【発明の概要】
【0004】
[0004] 様々な特徴が、基板と集積デバイスとを有するパッケージに関する。
【0005】
[0005] 一実施例が、基板と、基板に結合された集積デバイスとを含むパッケージを提供する。基板は、第１の表面（surface）と第２の表面とを含むコア層（core layer）と、コア層の第１の表面に結合された少なくとも１つの第１の誘電体層（dielectric layer）と、コア層の第２の表面に結合された少なくとも１つの第２の誘電体層と、少なくとも第１の誘電体層及び／又は少なくとも１つの第２の誘電体層から、コア層並びに少なくとも１つの誘電体層を通って延びている少なくとも１つのコア相互接続部（core interconnect）と、第１の最小幅（minimum width）及び第１の最小間隔（minimum spacing）を有する複数の高密度相互接続部（high-density interconnect）と、第２の最小幅及び第２の最小間隔を有する複数の相互接続部（interconnect）と、を含む。第２の最小幅は、第１の最小幅よりも大きい。第２の最小間隔は、第１の最小間隔よりも大きい。
【0006】
[0006] 別の実施例は、第１の表面と第２の表面とを含むコア層と、コア層の第１の表面に結合された少なくとも１つの第１の誘電体層と、コア層の第２の表面に結合された少なくとも１つの第２の誘電体層と、少なくとも第１の誘電体層及び／又は少なくとも１つの第２の誘電体層から、コア層並びに少なくとも１つの誘電体層を通って延びている少なくとも１つのコア相互接続部と、第１の最小幅及び第１の最小間隔を有する複数の高密度相互接続部と、第２の最小幅及び第２の最小間隔を有する複数の相互接続部と、を含む基板を提供する。第２の最小幅は、第１の最小幅よりも大きい。第２の最小間隔は、第１の最小間隔よりも大きい。
【0007】
[0007] 別の実施例は、基板と、基板に結合された集積デバイスとを含む装置を提供する。基板は、第１の表面と第２の表面とを含むコア層と、コア層の第１の表面に結合された少なくとも１つの第１の誘電体層と、コア層の第２の表面に結合された少なくとも１つの第２の誘電体層と、少なくとも第１の誘電体層及び／又は少なくとも１つの第２の誘電体層から、コア層並びに少なくとも１つの誘電体層を通って延びているコア相互接続のための手段と、第１の最小幅及び第１の最小間隔を有する、高密度相互接続のための手段と、第２の最小幅及び第２の最小間隔を有する、相互接続のための手段と、を含む。第２の最小幅は、第１の最小幅よりも大きい。第２の最小間隔は、第１の最小間隔よりも大きい。
【0008】
[0008] 別の実施例は、基板を製造する方法を提供する。本方法は、第１の表面と第２の表面とを含むコア層を準備する。本方法は、コア層の第１の表面の上に、少なくとも１つの第１の誘電体層及び複数の高密度相互接続部を提供する。複数の高密度相互接続部は、第１の最小幅及び第１の最小間隔を有する。本方法は、コア層の第２の表面の上に、少なくとも１つの第２の誘電体層を形成する。本方法は、少なくとも第１の誘電体層及び／又は少なくとも第２の誘電体層から、コア層並びに少なくとも１つの誘電体層を通って延びている少なくとも１つのコア相互接続部を形成する。本方法は、第２の最小幅及び第２の最小間隔を有する複数の相互接続部を形成する。第２の最小幅は、第１の最小幅よりも大きい。第２の最小間隔は、第１の最小間隔よりも大きい。
【図面の簡単な説明】
【0009】
[0009] 以下に記載される「発明を実施するための形態」を、同様の参照符号が全体を通して対応するように特定されている図面と併せ読むことにより、様々な特徴、性質、及び利点が明らかとなり得る。
【図1】[0010] 高密度相互接続部を有するコア基板を含むパッケージの側断面図を示す。
【図2】[0011] 高密度相互接続部を有する別のコア基板を含むパッケージの側断面図を示す。
【図3】[0012] 高密度相互接続部を有するコア基板を含むパッケージの平面図を示す。
【図4】[0013] 高密度相互接続部を有する埋め込みトレース基板（embedded trace substrate、ＥＴＳ）層を製造するための例示的な順序（sequence）を示す。
【図5】[0014] 高密度相互接続部を有する埋め込みトレース基板（ＥＴＳ）層を製造する方法の例示的なフロー図を示す。
【図6A】[0015] 高密度相互接続部を有するコア基板を製造するための例示的な順序を示す。
【図6B】高密度相互接続部を有するコア基板を製造するための例示的な順序を示す。
【図6C】高密度相互接続部を有するコア基板を製造するための例示的な順序を示す。
【図6D】高密度相互接続部を有するコア基板を製造するための例示的な順序を示す。
【図7】[0016] 高密度相互接続部を有するコア基板を製造する方法の例示的なフロー図を示す。
【図8A】[0017] 高密度相互接続部を有するコア基板を含むパッケージを製造する例示的な順序を示す。
【図8B】高密度相互接続部を有するコア基板を含むパッケージを製造する例示的な順序を示す。
【図9】[0018] 高密度相互接続部を有するコア基板を含むパッケージを製造する方法の例示的なフロー図を示す。
【図10】[0019] ダイ、電子回路、集積デバイス、集積受動デバイス（integrated passive device、ＩＰＤ）、受動部品、パッケージ、及び／又は本明細書で説明されるデバイスパッケージを一体化することが可能な、様々な電子デバイスを示す。
【発明を実施するための形態】
【0010】
[0020] 以下の説明では、本開示の様々な態様の完全な理解をもたらすために、具体的な詳細が記載される。しかしながら、当業者には、これらの具体的な詳細を伴わずとも、諸態様を実践することができる点が理解されるであろう。例えば、不必要な詳細で諸態様を不明瞭にすることを回避するために、回路がブロック図で示される場合がある。他の事例では、本開示の諸態様を不明瞭にすることがないように、周知の回路、構造、及び技術が、詳細には示されない場合がある。
【0011】
[0021] 本開示は、基板と基板に結合された集積デバイスとを含むパッケージを説明する。基板は、第１の表面と第２の表面とを含むコア層と、コア層の第１の表面に結合された少なくとも１つの第１の誘電体層と、コア層の第２の表面に結合された少なくとも１つの第２の誘電体層と、少なくとも第１の誘電体層及び／又は少なくとも１つの第２の誘電体層から、コア層並びに少なくとも１つの誘電体層を通って延びている少なくとも１つのコア相互接続部と、第１の最小幅及び第１の最小間隔を有する複数の高密度相互接続部と、第２の最小幅及び第２の最小間隔を有する複数の相互接続部と、を含む。第２の最小幅は、第１の最小幅よりも大きい。第２の最小間隔は、第１の最小間隔よりも大きい。パッケージは、第２の集積デバイスを含んでもよい。第２の集積体は、複数の高密度相互接続部を介して集積デバイスに電気的に結合されるように構成されている。複数の高密度相互接続部は、２つの集積デバイス間のブリッジ相互接続部（bridge interconnect）として構成されてもよい。高密度相互接続部は、より多くの相互接続部（例えば、より高い密度のルーティング）がパッケージ内に実装されることを可能にする。高密度相互接続部は、パッケージの集積デバイス間のより高速な通信（例えば、電気通信（electrical communication））を可能にし得る。高密度相互接続部は、改善されたパッケージ性能を依然として提供すると同時に、より小さいフットプリントを有するパッケージを可能にし得る。
【0012】
高密度相互接続部を有する基板を含む例示的なパッケージ
[0022] 図１は、高密度相互接続部を有する基板（例えば、コア基板）を含むパッケージ１００の側断面図を示す。パッケージ１００は、基板１０２と、集積デバイス１０４と、封止層（encapsulation layer）１０８と、を含む。パッケージ１００は、基板１０２に結合された２つ以上の集積デバイスを含んでもよい。
[0022] 図１は、高密度相互接続部を有する基板（例えば、コア基板）を含むパッケージ１００の側断面図を示す。パッケージ１００は、基板１０２と、集積デバイス１０４と、封止層（encapsulation layer）１０８と、を含む。パッケージ１００は、基板１０２に結合された２つ以上の集積デバイスを含んでもよい。
【0013】
[0023] 集積デバイス１０４は、複数のはんだ相互接続部１４０を介して基板１０２の第１の表面に結合されている。例えば、集積デバイス１０４は、複数のはんだ相互接続部１４０を介して複数の相互接続部１２５に結合されている。封止層１０９は、基板１０２及び集積デバイス１０４の上に位置している。封止層１０９は、集積デバイス１０４を封止することができる。封止層１０９は、モールド、樹脂、及び／又はエポキシを含んでもよい。封止層１０９は、封止のための手段であり得る。封止層１０９は、圧縮成形プロセス及び転写成形プロセス、シート成形プロセス、又は液状成形プロセスを使用することにより提供されてもよい。複数のはんだ相互接続部１９０が、基板１０２に結合されている。例えば、複数のはんだ相互接続部１９０は、複数の相互接続部１２７に結合されている。
【0014】
[0024] 基板１０２は、コア基板であってもよい。基板１０２は、コア層１２０、少なくとも１つの誘電体層１２２、少なくとも１つの誘電体層１２４、少なくとも１つのコア相互接続部１２１、複数の相互接続部１２５、複数の相互接続部１２７、複数の高密度相互接続部１２９、はんだレジスト層（solder resist layer）１５０、及びはんだレジスト層１７０を含む。少なくとも１つの誘電体層１２２は、少なくとも１つの第１の誘電体層であり得る。少なくとも１つの誘電体層１２４は、少なくとも１つの第２の誘電体層であり得る。
【0015】
[0025] コア層１２０は、シリコン、ガラス、石英、エポキシ、又はこれらの組み合わせなどの異なる誘電体材料を含むことができる。少なくとも１つの誘電体層１２２は、コア層１２０の第１の表面（例えば、上部表面）に結合されて、第１の表面の上に形成されている。少なくとも１つの誘電体層１２２は、誘電体層１２２ａ、誘電体層１２２ｂ、及び誘電体層１２２ｃを含むことができる。誘電体層１２２ａ、誘電体層１２２ｂ及び／又は誘電体層１２２ｃは、１つの誘電体層と見なすことができる。少なくとも１つの誘電体層１２４は、コア層１２０の第２の表面（例えば、底部表面）に結合されて、第２の表面の上に形成されている。少なくとも１つの誘電体層１２４は、誘電体層１２４ａ、誘電体層１２４ｂ、及び誘電体層１２４ｃを含むことができる。誘電体層１２４ａ、誘電体層１２４ｂ及び／又は誘電体層１２４ｃは、１つの誘電体層と見なすことができる。誘電体層（例えば、１２２、１２４）の例には、プリプレグ（prepreg）及び／又は味の素ビルドアップフィルム「ＡＢＦ（Ajinomoto Build-up Film）」が含まれる。はんだレジスト層１５０は、少なくとも１つの誘電体層１２２の上に位置している。はんだレジスト層１７０は、少なくとも１つの誘電体層１２４の上に位置している。
【0016】
[0026] 少なくとも１つのコア相互接続部１２１は、少なくとも１つの誘電体層１２２及び／又は少なくとも１つの誘電体層１２４から、コア層１２０並びに少なくとも１つの誘電体層を通って延びていてもよい。少なくとも１つのコア相互接続部１２１は、コア相互接続のための手段であり得る。少なくとも１つのコア相互接続部１２１は、少なくとも１つの誘電体層１２２及び／又は少なくとも１つの誘電体層１２４から、コア層１２０並びに少なくとも１つの誘電体層を通って延びているコアビア（core via）を含み得る。図２の例では、少なくとも１つのコア相互接続部１２１（例えば、コアビア、コアビア相互接続部）は、誘電体層１２２ｂ、誘電体層１２２ａ、コア層１２０、誘電体層１２４ａ、及び誘電体層１２４ｂを通って延びている。少なくとも１つのコア相互接続部１２１は、コア相互接続のための手段であり得る。
【0017】
[0027] 複数の高密度相互接続部１２９は、少なくとも１つの誘電体層１２２中に、及び／又は少なくとも１つの誘電体層１２２の上に位置してもよい。複数の高密度相互接続部１２９は、高密度相互接続のための手段であってもよい。複数の高密度相互接続部１２９は、第１の最小幅（Ｗ）及び第１の最小間隔（Ｓ）を有してもよい。いくつかの実装形態では、第１の最小幅は、３～４マイクロメートルの範囲内であってもよい。いくつかの実装形態では、第１の最小間隔は、３～４マイクロメートルの範囲であってもよい。複数の高密度相互接続部１２９は、３～４マイクロメートルの範囲内の第１の幅（width）を有してもよい。複数の高密度相互接続部１２９は、３～４マイクロメートルの範囲内の第１の間隔（spacing）を有してもよい。複数の高密度相互接続部１２９は、約０．５～１マイクロメートルの厚さ（thickness）を有してもよい。複数の高密度相互接続部１２９は、埋め込みトレース基板（ＥＴＳ）プロセスを使用して製造されてもよい。複数の高密度相互接続部１２９は、基板１０２のＥＴＳ層の一部であってもよい。以下で更に説明するように、基板は、高密度相互接続部を含む１つ以上のＥＴＳ層を含むことができる。いくつかの実装形態では、複数の高密度相互接続部１２９と同じ金属層（metal layer）上に位置している相互接続部は、第１の最小幅よりも大きい最小幅及び／又は第１の最小間隔よりも大きい最小間隔を有してもよいことに留意されたい。
【0018】
[0028] 複数の相互接続部１２５は、少なくとも１つの誘電体層１２２中に及び／又は少なくとも１つの誘電体層１２２の上に位置してもよい。複数の相互接続部１２７は、少なくとも１つの誘電体層１２４中に及び／又は少なくとも１つの誘電体層１２４の上に位置してもよい。複数の相互接続部１２５及び／又は複数の相互接続部１２７は、相互接続のための手段であってもよい。複数の相互接続部１２５、複数の相互接続部１２７、及び／又は少なくとも１つのコア相互接続部１２１は、第２の最小幅（Ｗ）及び第２の最小間隔（Ｓ）を有してもよい。いくつかの実装形態では、第２の最小幅は、５マイクロメートル以上であってもよい。いくつかの実装形態では、第１の最小間隔は、５マイクロメートル以上であってもよい。複数の相互接続部１２５、複数の相互接続部１２７、及び／又は少なくとも１つのコア相互接続部１２１は、５マイクロメートル以上である第２の幅（Ｗ）を含んでもよい。複数の相互接続部１２５、複数の相互接続部１２７、及び／又は少なくとも１つのコア相互接続部１２１は、５マイクロメートル以上である第２の間隔（Ｓ）を含んでもよい。複数の相互接続部１２５及び／又は複数の相互接続部は、相互接続のための手段であってもよい。
【0019】
[0029] いくつかの実装形態では、複数の相互接続部１２５は、複数の高密度相互接続部１２９と同じ金属層上に位置している相互接続部を含んでもよい。
【0020】
[0030] いくつかの実装形態では、第２の最小幅は、第１の最小幅よりも大きい。いくつかの実装形態では、第２の最小間隔は、第１の最小間隔よりも大きい。複数の高密度相互接続部１２９は、複数の相互接続部１２５、複数の相互接続部１２７、及び／又は少なくとも１つのコア相互接続部１２１を製造するために使用されるプロセスとは異なるプロセスを使用して製造されるので、複数の高密度相互接続部１２９は、より小さい幅及び／又は間隔を有することが可能であり得る。以下で更に説明するように、基板１０２のための複数の高密度相互接続部１２９及び複数の相互接続部（例えば、１２５、１２７）を製造するために、パッケージは、異なる相互接続部のための異なる製造プロセスを組み合わせてもよい。
【0021】
[0031] 図１は、５つの金属層（例えば、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４、Ｍ５）を含む基板１０２を示す。図１の例では、Ｍ３層及びＭ４層は、コア層１２０の表面（１つ又は複数）上に位置していない。図１はまた、複数の高密度相互接続部１２９が基板１０２のＭ３金属層上に位置していることを示す。複数の高密度相互接続部１２９は、基板の複数の金属層上に及び／又は異なる金属層上に位置し得ることに留意されたい。図１は、複数の高密度相互接続部１２９が、コア層１２０の上の次の金属層である金属層上に位置していることを示す。いくつかの実装形態では、複数の高密度相互接続部１２９は、基板内に別様に位置していてもよい。図１は、金属層の数に関して非対称である基板１０２を示す。すなわち、コア層１２０の一方の側は、コア層１２０の他方の側とは異なる数の金属層を有する。基板１０２は、コア層１２０の一方の側に３つの金属層を有し、コア層１２０の他方の側に２つの金属層を有する。異なる実装形態では、金属層の数に関して異なる構成を有し得ることに留意されたい。いくつかの実装形態では、コア層１２０の底面は、コア層１２０の上面よりも多くの金属層を有し得る。
【0022】
[0032] 図２は、基板２０２と集積デバイス１０４とを含むパッケージ２００を示す。パッケージ２００は、パッケージ１００に類似しており、したがって、パッケージ１００について説明したものと類似の構成要素及び／又は構成を含む。
【0023】
[0033] 基板２０２は、基板１０２に類似している。基板２０２は、コア基板であってもよい。基板２０２は、コア層１２０、少なくとも１つの誘電体層１２２、少なくとも１つの誘電体層１２４、少なくとも１つのコア相互接続部１２１、複数の相互接続部１２５、複数の相互接続部１２７、複数の高密度相互接続部１２９、はんだレジスト層１５０、及びはんだレジスト層１７０を含む。基板２０２は、基板１０２よりも多くの金属層（例えば、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４、Ｍ５、Ｍ６、Ｍ７）を含む。図２の例では、Ｍ４層及びＭ５層は、コア層１２０の表面（１つ又は複数）上に位置している。
【0024】
[0034] 少なくとも１つの誘電体層１２２は、コア層１２０の第１の表面に結合されて、第１の表面の上に形成されている。少なくとも１つの誘電体層１２２は、誘電体層１２２ａ、誘電体層１２２ｂ、誘電体層１２２ｃ、及び誘電体層１２２ｄを含んでもよい。誘電体層１２２ａ、誘電体層１２２ｂ、誘電体層１２２ｃ、及び／又は誘電体層１２２ｄは、１つの誘電体層と見なすことができる。少なくとも１つの誘電体層１２４は、コア層１２０の第２の表面に結合されて、第２の表面の上に形成されている。少なくとも１つの誘電体層１２４は、誘電体層１２４ａ、誘電体層１２４ｂ、誘電体層１２４ｃ、及び誘電体層１２４ｄを含んでもよい。誘電体層１２４ａ、誘電体層１２４ｂ、誘電体層１２４ｃ、及び／又は誘電体層１２４ｄは、１つの誘電体層と見なすことができる。
【0025】
[0035] 図２は、複数の高密度相互接続部１２９が基板２０２のＭ３金属層上に位置していることを示す。しかしながら、複数の高密度相互接続部１２９は、基板の複数の金属層上に及び／又は異なる金属層上に位置し得ることに留意されたい。図１で説明した相互接続部の幅、間隔、最小幅及び／又は最小間隔は、図２の様々な相互接続部及び／又は高密度相互接続部にも適用可能である。
【0026】
[0036] 図１及び図２は、誘電体層１２２中に位置している高密度相互接続部（例えば、１２９）を示す。しかしながら、高密度相互接続部はまた、誘電体層１２４中に位置してもよい。したがって、例えば、高密度相互接続部（例えば、１２９）はまた、基板１０２のＭ４金属層中に位置してもよい。同様に、いくつかの実装形態では、高密度相互接続部（例えば、１２９）はまた、基板２０２のＭ５金属層及び／又はＭ６金属層中に位置してもよい。金属層のラベル付けは、異なる実装形態で異なり得ることに留意されたい。他の金属層上に残留金属が存在し得ることに留意されたい。しかしながら、残留金属を有するそのような層は、基板用の金属層と見なされない場合がある。
【0027】
[0037] 以下で更に説明するように、高密度相互接続部を使用する１つの利点は、集積デバイス間にブリッジ相互接続部を提供する能力である。これらの高密度相互接続部を使用して、集積デバイス間に高密度電気ルーティング（例えば、大容量電気通信）を提供することができる。
【0028】
[0038] 図３は、基板１０２、集積デバイス１０４（例えば、第１の集積デバイス）、集積デバイス３０４（例えば、第２の集積デバイス）、及び複数の高密度相互接続部１２９を含むパッケージ１００の平面図を示す。複数の高密度相互接続部１２９は、基板１０２の任意の金属層（１つ又は複数）中に位置してもよい。複数の高密度相互接続部１２９は、集積デバイス１０４と集積デバイス３０４との間の複数のブリッジ相互接続部として動作するように構成されている。複数の高密度相互接続部１２９は、集積デバイス１０４と集積デバイス３０４との間に大容量電気通信を提供するように構成されてもよい。いくつかの実装形態では、複数の高密度相互接続部１２９は、集積デバイスと基板との間のエスケープ相互接続部として使用されるように構成されてもよい。エスケープ相互接続部は、少なくとも部分的に集積デバイスの下方に位置し、集積デバイスのはんだ相互接続部に結合された相互接続部であってもよい。そのために、基板１０２の他の相互接続部は、図３には必ずしも示されていない。
【0029】
[0039] 複数の相互接続部（例えば、第２の複数の相互接続部）と複数の高密度相互接続部（例えば、第１の複数の相互接続部）の両方を含む基板の使用は、必要とされる場合に高密度相互接続部を提供することができる、基板の費用効果の高い製造を可能にする。以下で更に説明するように、埋め込みトレース基板（ＥＴＳ）プロセスを使用して複数の高密度相互接続部を製造することができ、次いで複数の高密度相互接続部は、コア基板の製造で実装される（ＥＴＳプロセスはより高い費用効果を有する場合があるが、高密度相互接続部を生産することができない場合がある）。本開示で使用される場合、高密度相互接続部は、５マイクロメートル未満の幅及び／又は間隔を有する相互接続部であり得る。本開示で使用される場合、高密度相互接続部は、基板の他の相互接続部よりも小さい最小幅及び／又は最小間隔を有する相互接続部であり得る。本開示で使用される場合、高密度相互接続部は、基板の他の相互接続部よりも小さい幅及び／又は間隔を有する相互接続部であり得る。いくつかの実装形態では、基板の高密度相互接続部は、基板の第１の複数の相互接続部であってもよく、基板の他の相互接続部（例えば、非高密度相互接続部）は、基板の第２の複数の相互接続部であってもよい。いくつかの実装形態では、基板の高密度相互接続部は、基板の相互接続部（例えば、非高密度相互接続部）に類似していてもよい。しかしながら、高密度相互接続部は、改善された幅及び／又は間隔を有してもよく、それにより、基板において、より高い密度のルーティングが許容され可能になる。
【0030】
[0040] パッケージは、３つ以上の集積デバイスを含んでもよく、複数の高密度相互接続部１２９は、３つ以上の集積デバイスと併せて使用されてもよいことに留意されたい。図３の説明及び開示は、パッケージ２００及び／又は基板２０２に適用可能であり得る。
【0031】
[0041] 集積デバイス（例えば、１０４、３０４）は、ダイ（例えば、半導体ベアダイ）を含み得る。集積デバイスは、電源管理集積回路（power management integrated circuit、ＰＭＩＣ）を含み得る。集積デバイスは、集積回路を含み得る。集積デバイスは、アプリケーションプロセッサを含み得る。集積デバイスは、モデムを含み得る。集積デバイスは、無線周波数（radio frequency、ＲＦ）デバイス、受動デバイス、フィルタ、キャパシタ、インダクタ、アンテナ、送信機、受信機、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）ベースの集積デバイス、表面弾性波（surface acoustic wave、ＳＡＷ）フィルタ、バルク弾性波（bulk acoustic wave、ＢＡＷ）フィルタ、発光ダイオード（light emitting diode、ＬＥＤ）集積デバイス、シリコン（Ｓｉ）ベースの集積デバイス、炭化ケイ素（ＳｉＣ）ベースの集積デバイス、メモリ、電源管理プロセッサ、及び／又はこれらの組み合わせを含み得る。集積デバイス（例えば、１０４、１０６、４０６）は、少なくとも１つの電子回路（例えば、第１の電子回路、第２の電子回路など）を含み得る。
【0032】
[0042] 様々なパッケージについて説明したが、ここで高密度相互接続部を製造する方法について以下に説明する。
【0033】
高密度相互接続部を製造する例示的な順序
[0043] 図４は、高密度相互接続部を提供又は製造する例示的な順序を示す。いくつかの実装形態では、図４の順序を使用して、複数の高密度相互接続部１２９を提供又は製造できる。しかしながら、図４のプロセスを使用して、本開示で説明されるいかなる高密度相互接続部も製造できる。
[0043] 図４は、高密度相互接続部を提供又は製造する例示的な順序を示す。いくつかの実装形態では、図４の順序を使用して、複数の高密度相互接続部１２９を提供又は製造できる。しかしながら、図４のプロセスを使用して、本開示で説明されるいかなる高密度相互接続部も製造できる。
【0034】
[0044] 図４の順序は、パッケージを提供又は製造するための順序を簡略化及び／又は明確化するために、１つ以上の段階を組み合わせることができる点に留意されたい。いくつかの実装形態では、プロセスの順番（order）を変更又は修正することができる。いくつかの実装形態では、本開示の範囲から逸脱することなく、プロセスのうちの１つ以上を交換又は置換することができる。
【0035】
[0045] 段階１は、シード層（seed layer）４０２を有するキャリア４００が準備された後の状態を示す。異なる実装形態では、キャリア４００に異なる材料を使用し得る。キャリア４００は、基板、ガラス、石英、及び／又はキャリアテープを含み得る。シード層４０２は、銅（例えば、銅箔）を含んでもよい。
【0036】
[0046] 段階２は、シード層４０２及び／又はキャリア４００の上に金属層４０４が形成された後の状態を示す。金属層４０４を形成するために、めっきプロセスが使用されてもよい。
【0037】
[0047] 段階３は、金属層４０４から高密度相互接続部が形成された（例えば、パターニングされた）後の状態を示す。金属層４０４から形成された高密度相互接続部は、複数の高密度相互接続部１２９を表し得る。パターニングプロセス及び／又はエッチングプロセスを使用して、金属層４０４の一部分をパターニングして除去し、高密度相互接続部を形成することができる。いくつかの実装形態では、金属層４０４をパターニングして、高密度相互接続部ではない相互接続部を形成してもよい。いくつかの実装形態では、金属層４０４は、複数の高密度相互接続部１２９と複数の相互接続部（例えば、複数の相互接続部１２５からの相互接続部）とを含むようにパターニングされてもよい。
【0038】
[0048] 段階３は、複数の高密度相互接続部を含む埋め込みトレース基板（ＥＴＳ）層を示してもよく、ＥＴＳ層は、コア基板に実装することができる。いくつかの実装形態では、高密度相互接続部は、キャリアの両側に形成されてもよく、その結果、キャリア上に２つのＥＴＳ層が形成されることに留意されたい。各ＥＴＳ層は、キャリアから分離されて、コア基板に別々に実装されてもよい。
【0039】
[0049] いくつかの実装形態では、キャリア４００、シード層４０２、及び／又は金属層４０４から形成された高密度相互接続部の上に誘電体層４０６が形成されてもよい。堆積プロセス及び／又は積層プロセスを使用して誘電体層４０６を形成してもよい。
【0040】
高密度相互接続部を製造する方法の例示的なフロー図
[0050] 図５は、高密度相互接続部を提供又は製造する方法５００の例示的なフロー図を示す。いくつかの実装形態では、図５の方法５００を使用して、本開示で説明される複数の高密度相互接続部１２９を提供又は製造できる。しかしながら、方法５００を使用して、本開示で説明されるいかなる高密度相互接続部も提供又は製造できる。
[0050] 図５は、高密度相互接続部を提供又は製造する方法５００の例示的なフロー図を示す。いくつかの実装形態では、図５の方法５００を使用して、本開示で説明される複数の高密度相互接続部１２９を提供又は製造できる。しかしながら、方法５００を使用して、本開示で説明されるいかなる高密度相互接続部も提供又は製造できる。
【0041】
[0051] 図５の方法は、高密度相互接続部を提供又は製造する方法を簡略化及び／又は明確化するために、１つ以上のプロセスを組み合わせることができる点に留意されたい。いくつかの実装形態では、プロセスの順番を変更又は修正することができる。
【0042】
[0052] 方法は、（５０５において）シード層（例えば４０２）を有するキャリア（例えば４００）を準備する。異なる実装形態では、キャリアに異なる材料を使用し得る。キャリアは、基板、ガラス、石英、及び／又はキャリアテープを含み得る。シード層４０２は、銅（例えば、銅箔）を含んでもよい。図４の段階１は、シード層を有するキャリアを準備する一例を図示及び説明する。
【0043】
[0053] 方法は、（５１０において）シード層（例えば、４０２）の上に金属層（例えば、４０４）を形成する。金属層４０４を形成するために、めっきプロセス（例えば、無電解めっき）が使用されてもよい。図４の段階２は、シード層の上に形成及びパターニングされた金属層の一例を図示及び説明する。
【0044】
[0054] 本方法は、（５１５において）金属層（例えば、４０４）の一部分を選択的に除去して、高密度相互接続部を形成する。パターニングプロセス及び／又はエッチングプロセスを使用して、金属層４０４の一部分をパターニングして除去し、高密度相互接続部を形成することができる。いくつかの実装形態では、金属層４０４は、複数の高密度相互接続部１２９及び／又は複数の相互接続部（例えば、複数の相互接続部１２５からの相互接続部）を含むようにパターニングされてもよい。図４の段階３は、高密度相互接続部を形成する一例を図示及び説明する。
【0045】
[0055] 本方法は、キャリア（例えば、４００）、シード層（例えば、４０２）、及び／又は金属層（例えば、４０４）から形成された高密度相互接続部の上に誘電体層（例えば、４０６）を形成することができる。堆積プロセス及び／又は積層プロセスを使用して誘電体層４０６を形成してもよい。
【0046】
高密度相互接続部を有する基板を製造するための例示的な順序
[0056] 図６Ａ～図６Ｄは、高密度相互接続部を含むコア基板を提供又は製造するための例示的な順序を示す。いくつかの実装形態では、図６Ａ～図６Ｄの順序を使用して、図１の基板１０２、又は本開示で説明されるいかなる基板も提供又は製造できる。
[0056] 図６Ａ～図６Ｄは、高密度相互接続部を含むコア基板を提供又は製造するための例示的な順序を示す。いくつかの実装形態では、図６Ａ～図６Ｄの順序を使用して、図１の基板１０２、又は本開示で説明されるいかなる基板も提供又は製造できる。
【0047】
[0057] 図６Ａ～図６Ｄの順序は、基板を提供又は製造するための順序を簡略化及び／又は明確化するために、１つ以上の段階を組み合わせることができる点に留意されたい。いくつかの実装形態では、プロセスの順番を変更又は修正することができる。いくつかの実装形態では、プロセスのうちの１つ以上は、本開示の主旨を逸脱することなく交換又は置換されてもよい。異なる実装形態では、基板を別様に製造してもよい。
【0048】
[0058] 段階１は、図６Ａに示すように、コア層１２０が準備された後の状態を示す。コア層１２０は、シリコン、ガラス、樹脂を含むガラス繊維、石英、エポキシ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。しかしながら、コア層１２０は、異なる材料を含んでもよい。いくつかの実装形態では、コア層１２０は、コア層１２０の両側又はいずれかの側にシード層を含んでもよい。
【0049】
[0059] 段階２は、（ｉ）コア層１２０の第１の表面に誘電体層１２２ａが形成されて結合され、（ｉｉ）コア層１２０の第２の表面に誘電体層１２４ａが形成されて結合された後の状態を示す。積層プロセス及び／又は堆積プロセスを使用して、誘電体層１２２ａ及び誘電体層１２４ａを形成してもよい。
【0050】
[0060] 段階３は、第１の埋め込みトレース基板（ＥＴＳ）層６０２がコア層１２０に結合された後の状態を示す。積層プロセスを使用して、第１のＥＴＳ層６０２をコア層１２０の第１の表面に結合させてもよい。第１のＥＴＳ層６０２は、キャリア４００と、シード層４０２と、複数の高密度相互接続部１２９とを含んでもよい。第１のＥＴＳ層６０２は、誘電体層１２２ａを介してコア層１２０に結合される。複数の高密度相互接続部１２９は、誘電体層１２２ａ中に位置してもよい。誘電体層１２２ａは、第１のＥＴＳ層６０２の一部と見なすことができる。第１のＥＴＳ層は、高密度相互接続部（例えば、１２９）と、非高密度相互接続部（例えば、複数の相互接続部１２５からの相互接続部）とを含んでもよいことに留意されたい。ＥＴＳ層を製造する一例を図４に示す。
【0051】
[0061] 段階４は、第１のＥＴＳ層６０２からキャリア４００が除去された後の状態を示す。キャリア４００は、切り離されても及び／又は研磨されてもよい。しかしながら、キャリア４００は、シード層４０２から別様に分離されてもよい。
【0052】
[0062] 段階５は、第１のＥＴＳ層６０２からシード層４０２が除去された後の状態を示す。エッチングプロセスを使用して、シード層（１つ又は複数）４０２を除去してもよい。シード層４０２を除去することにより、誘電体層１２２ａ、複数の高密度相互接続部１２９を残すことができる。ＥＴＳ層６０２が非高密度相互接続部を含む場合、非高密度相互接続部も同様に存在する。
【0053】
[0063] 段階６は、図６Ｂに示すように、誘電体層１２２ａの上に誘電体層１２２ｂが形成され、誘電体層１２４ｂの上に誘電体層１２４ｂが形成された後の状態を示す。堆積プロセス及び／又は積層プロセスを使用して、誘電体層１２２ｂ及び１２４ｂを形成することができる。
【0054】
[0064] 段階７は、少なくとも１つのキャビティ（cavity）６１０が、（誘電体層１２２ａ及び１２２ｂを含む）誘電体層１２２、コア層１２０、（誘電体層１２４ａ及び１２４ｂを含む）誘電体層１２４に形成された後の状態を示す。少なくとも１つのキャビティ６１０は、レーザープロセス及び／又はドリル加工プロセスによって形成されてもよい。
【0055】
[0065] 段階８は、少なくとも１つのキャビティ６１０内に少なくとも１つのコア相互接続部１２１が形成された後の状態を示す。めっきプロセスを使用して、少なくとも１つのコア相互接続部１２１を形成することができる。しかしながら、異なる実装形態では、少なくとも１つのコア相互接続部１２１を形成するために異なるプロセスを使用してもよい。例えば、少なくとも１つのコア相互接続部１２１は、金属（例えば、金属ペースト）で充填されてもよい。いくつかの実装形態では、使用される方法は、コア層１２０の厚さに依存する場合がある。いくつかの実装形態では、最大で２５０マイクロメートルの厚さのコア層の場合、充填法／ペースト法を使用して、少なくとも１つのコア相互接続部１２１を形成してもよい。コア層１２０の厚さが４００マイクロメートルよりも大きい場合、いくつかの実装形態では、めっきプロセスを使用して、少なくとも１つのコア相互接続部１２１を形成してもよい。少なくとも１つのコア相互接続部１２１は、誘電体層１２２、コア層１２０、及び誘電体層１２４を通って延びていてもよい。少なくとも１つのコア相互接続部１２１は、誘電体層１２２、コア層１２０、及び誘電体層１２４を通って延びている少なくとも１つのコアビア（例えば、コアビア相互接続部）を含んでもよい。
【0056】
[0066] 段階９は、誘電体層１２２ｂ中に複数のキャビティ６１２が形成された後の状態を示す。いくつかの実装形態では、誘電体層１２４ｂ中に複数のキャビティが形成されてもよい。レーザープロセス（例えば、レーザードリル加工、レーザーアブレーション）及び／又はエッチングプロセスを使用して、複数のキャビティ６１２を形成することができる。
【0057】
[0067] 段階１０は、図６Ｃに示すように、複数の相互接続部６１５が、誘電体層１２２及び複数のキャビティ６１２の上に形成されて、それらに結合された後の状態を示す。複数の相互接続部６１５は、複数の高密度相互接続部１２９に結合されてもよい。複数の相互接続部６１５は、複数の高密度相互接続部１２９と同じ金属層上の他の相互接続部に結合されてもよい。複数の相互接続部６１５は、少なくとも１つのコア相互接続部１２１に結合されてもよい。段階１０はまた、誘電体層１２４及び（存在する場合）複数のキャビティの上に複数の相互接続部６１７が形成されて、それらに結合された後の状態を示す。複数の相互接続部６１７は、少なくとも１つのコア相互接続部１２１に結合されてもよい。パターニングプロセス、剥離プロセス、及び／又はめっきプロセスを使用して、複数の相互接続部６１５及び複数の相互接続部６１７を形成してもよい。
【0058】
[0068] 段階１１は、誘電体層１２２ｂの第１の表面の上に誘電体層１２２ｃが形成されて、第１の表面に結合され、誘電体層１２４ｂの第２の表面の上に誘電体層１２４ｃが形成されて、第２の表面に結合された後の状態を示す。堆積プロセス及び／又は積層プロセスを使用して、誘電体層１２２ｃ及び１２４ｃを形成することができる。
【0059】
[0069] 段階１２は、誘電体層１２２ｃ中に複数のキャビティ６２２が形成され、誘電体層１２４ｃ中に複数のキャビティ６２４が形成された後の状態を示す。レーザープロセス（例えば、レーザードリル加工、レーザーアブレーション）及び／又はエッチングプロセスを使用して、複数のキャビティ６２２及び複数のキャビティ６２４を形成することができる。
【0060】
[0070] 段階１３は、図６Ｄに示すように、（誘電体層１２２ａ、１２２ｂ、及び１２２ｃを含み得る）誘電体層１２２及び複数のキャビティ６２２の上に複数の相互接続部６２５が形成されて、それらに結合された後の状態を示す。複数の相互接続部６２５は、複数の相互接続部６１５に結合されてもよい。段階１２はまた、（誘電体層１２４ａ、１２４ｂ、及び１２４ｃを含み得る）誘電体層１２４及び複数のキャビティ６２４の上に複数の相互接続部６２７が形成されて、それらに結合された後の状態を示す。複数の相互接続部６２７は、複数の相互接続部６１７に結合されてもよい。パターニングプロセス、剥離プロセス、及び／又はめっきプロセスを使用して、複数の相互接続部６２５及び複数の相互接続部６２７を形成してもよい。
【0061】
【0062】
[0072] 段階１４は、（ｉ）誘電体層１２２の上にはんだレジスト層１５０が形成され、（ｉｉ）誘電体層１２４の上にはんだレジスト層１７０が形成された後の状態を示す。はんだレジスト層１５０及びはんだレジスト層１７０に堆積プロセスが使用されてもよい。段階１３は、ＥＴＳプロセスを含むプロセスを使用して製造された複数の高密度相互接続部１２９を含む基板１０２の一例を示し得る。基板１０２は、高密度相互接続部１２９を有するＥＴＳ層を含むコア基板であってもよい。
【0063】
高密度相互接続部を有する基板を製造する方法の例示的なフロー図
[0073] いくつかの実装形態では、基板を製造することは、いくつかのプロセスを含む。図７は、高密度相互接続部を有する基板を提供又は製造する方法７００の例示的なフロー図を示す。いくつかの実装形態では、図７の方法７００を使用して、図１の基板を提供又は製造することができる。例えば、図７の方法を使用して、基板１０２を製造することができる。しかしながら、図７の方法を使用して、本開示における任意の基板（例えば２０２）を製造してもよい。
[0073] いくつかの実装形態では、基板を製造することは、いくつかのプロセスを含む。図７は、高密度相互接続部を有する基板を提供又は製造する方法７００の例示的なフロー図を示す。いくつかの実装形態では、図７の方法７００を使用して、図１の基板を提供又は製造することができる。例えば、図７の方法を使用して、基板１０２を製造することができる。しかしながら、図７の方法を使用して、本開示における任意の基板（例えば２０２）を製造してもよい。
【0064】
[0074] 図７の方法７００は、基板を提供又は製造するための方法を簡略化及び／又は明確化するために、１つ以上のプロセスを組み合わせることができる点に留意されたい。いくつかの実装形態では、プロセスの順番を変更又は修正することができる。
【0065】
[0075] 本方法は、（７０５において）コア層（例えば、１２０）を準備する。コア層１２０は、シリコン、ガラス、樹脂を含むガラス繊維、石英、エポキシ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。しかしながら、コア層１２０は、異なる材料を含んでもよい。いくつかの実装形態では、コア層１２０の表面（１つ又は複数）の上にシード層が位置していてもよい。図６Ａの段階１は、コア層を準備する一例を図示及び説明する。
【0066】
[0076] 本方法は、（７１０において）コア層１２０の第１の表面及び第２の表面の上に誘電体層（例えば、１２２ａ、１２４ａ）を形成する。堆積プロセス及び／又は積層プロセスを使用して、誘電体層を形成してもよい。図６Ａの段階２は、コア層の上に誘電体層を形成する一例を図示及び説明する。
【0067】
[0077] 本方法は、（７１０において）高密度相互接続部を含む少なくとも１つの埋め込みトレース基板（ＥＴＳ）層をコア層（例えば、１２０）に結合する。例えば、コア層１２０に第１の埋め込みトレース基板（ＥＴＳ）層６０２が結合されてもよい。積層プロセスを使用して、第１のＥＴＳ層６０２をコア層１２０の第１の表面に結合させてもよい。第１のＥＴＳ層６０２は、キャリア４００と、シード層４０２と、複数の高密度相互接続部１２９とを含んでもよい。ＥＴＳ層を形成する一例を図４に示す。図６Ａの段階３は、誘電体層を介してコア層に結合された少なくとも１つのＥＴＳ層の一例を図示及び説明する。
【0068】
[0078] ＥＴＳ層がコア層に結合された後、本方法は、（７１０において）キャリア（１つ又は複数）及びシード層（１つ又は複数）を除去してもよい。キャリアは、切り離されてもよく、シード層は、エッチングで除去されてもよい。図６Ａの段階４及び５は、キャリア層及びシード層を除去する一例を図示及び説明する。
【0069】
[0079] 本方法は、（７１５において）ＥＴＳ層（１つ又は複数）及び／又は誘電体層（例えば、１２２ａ、１２４ｂ）の上に誘電体層（１つ又は複数）（例えば、１２２ｂ、１２４ｂ）を形成する。堆積プロセス及び／又は積層プロセスを使用して、誘電体層１２２ｂ及び１２４ｂを形成することができる。図６Ｂの段階６は、ＥＴＳ層の上に誘電体層を形成する一例を図示及び説明する。
【0070】
[0080] 本方法は、（７２０において）コア層及び少なくとも１つの誘電体層中に少なくとも１つのキャビティ（例えば、６１０）を形成する。例えば、本方法は、誘電体層１２２、コア層１２０、及び誘電体層１２４中にキャビティ（例えば、６１０）を形成してもよい。少なくとも１つのキャビティ６１０は、レーザープロセス及び／又はドリル加工プロセスによって形成されてもよい。図６Ｂの段階７は、コア層及び誘電体層（１つ又は複数）中にキャビティを形成する一例を図示及び説明する。
【0071】
[0081] 本方法は、（７２５において）少なくとも１つのキャビティ６１０中に少なくとも１つのコア相互接続部（例えば、１２１）を形成する。めっきプロセスを使用して、少なくとも１つのコア相互接続部１２１を形成することができる。しかしながら、異なる実装形態では、少なくとも１つのコア相互接続部１２１を形成するために異なるプロセスを使用してもよい。少なくとも１つのコア相互接続部１２１は、誘電体層１２２、コア層１２０、及び誘電体層１２４を通って延びていてもよい。少なくとも１つのコア相互接続部１２１は、誘電体層１２２、コア層１２０、及び誘電体層１２４を通って延びている少なくとも１つのコアビアを含んでもよい。図６Ｂの段階８は、少なくとも１つのコア相互接続部を形成する一例を図示及び説明する。
【0072】
[0082] 本方法は、（７３０において）コア層、誘電体層（例えば、１２２ａ、１２４ａ）、及び／又はＥＴＳ層（１つ又は複数）の上に誘電体層及び相互接続部を形成する。誘電体層（１つ又は複数）（例えば、１２２ｂ、１２２ｃ、１２４ｂ、１２４ｃ）を形成することは、堆積プロセス及び／又は積層プロセスを含んでもよい。誘電体層を形成することは、誘電体層（１つ又は複数）中にキャビティ（例えば、６１２）を形成することを含んでもよい。相互接続部（例えば、６１５、６１７、６２５、６２７）を形成することは、誘電体層（１つ又は複数）の上に相互接続部を形成することを含む。パターニングプロセス、剥離プロセス、及び／又はめっきプロセスを使用して、複数の相互接続部（例えば、６１５、６１７、６２５、６２７）を形成してもよい。図６Ｂ～図６Ｄの段階９～１３は、いくつかの誘電体層及び相互接続部を形成することを図示及び説明する。誘電体層を形成すること、キャビティを形成すること、及び相互接続部を形成することは、必要な数の金属層に対して反復的に繰り返されてもよいことに留意されたい。いくつかの実装形態では、誘電体層及び相互接続部の上に１つ以上のＥＴＳ層（１つ又は複数）が形成されてもよいことに留意されたい。
【0073】
[0083] 本方法は、（７３５において）誘電体層（１つ又は複数）の上に少なくとも１つのはんだレジスト層（例えば、１５０、１７０）を形成する。例えば、誘電体層１２２の上にはんだレジスト層１５０が形成されてもよく、（ｉｉ）誘電体層１２４の上にはんだレジスト層１７０が形成されてもよい。はんだレジスト層１５０及びはんだレジスト層１７０に堆積プロセスが使用されてもよい。図６Ｄの段階１４は、少なくとも１つのはんだレジスト層を形成する一例を図示及び説明する。
【0074】
高密度相互接続部を有する基板を含むパッケージを製造する例示的な順序
[0084] 図８Ａ及び図８Ｂは、高密度相互接続部を有する基板を含むパッケージを提供又は製造する例示的順序を示す。いくつかの実装形態では、図８Ａ及び図８Ｂの順序を使用して、図１のパッケージ１００、又は本開示で説明されるいかなるパッケージ（例えば２００）も提供又は製造できる。
[0084] 図８Ａ及び図８Ｂは、高密度相互接続部を有する基板を含むパッケージを提供又は製造する例示的順序を示す。いくつかの実装形態では、図８Ａ及び図８Ｂの順序を使用して、図１のパッケージ１００、又は本開示で説明されるいかなるパッケージ（例えば２００）も提供又は製造できる。
【0075】
[0085] 図８Ａ、図８Ｂの順序は、パッケージを提供又は製造するための順序を簡略化及び／又は明確化するために、１つ以上の段階を組み合わせることができる点に留意されたい。いくつかの実装形態では、プロセスの順番を変更又は修正することができる。いくつかの実装形態では、プロセスのうちの１つ以上は、本開示の主旨を逸脱することなく交換又は置換されてもよい。異なる実装形態では、パッケージを別様に製造してもよい。
【0076】
[0086] 図８Ａに示されるように、段階１は、基板１０２が準備された後の状態を示している。基板１０２は、図６Ａ～図６Ｄに記載されるプロセスを使用して提供されてもよい。基板１０２は、コア層１２０、少なくとも１つの第１の誘電体層１２２、少なくとも１つの誘電体層１２４、複数の相互接続部１２５、複数の相互接続部１２７、少なくとも１つのコア相互接続部１２１、複数の高密度相互接続部１２９、はんだレジスト層１５０、及びはんだレジスト層１７０を含む。
【0077】
[0087] 段階２は、集積デバイス１０４が複数のはんだ相互接続部１４０を介して基板１０２に結合された後の状態を示す。ピックアンドプレースプロセスを使用して、集積デバイス１０４を基板１０２の第１の表面の上に配置することができる。はんだリフロープロセスを使用して、集積デバイス１０４を基板１０２に結合することができる。集積デバイス１０４は、複数のはんだ相互接続部１４０を介して複数の相互接続部１２５に結合されてもよい。異なる実装形態では、異なる数の集積デバイスを基板１０２に結合してもよい。
【0078】
[0088] 段階３は、図８Ｂに示すように、封止層１０９が設けられた後の状態を示す。封止層１０９は、集積デバイス１０４を封止することができる。封止層１０９は、基板１０２の表面に結合されてもよい。封止層１０９は、基板１０２及び集積デバイス１０４の上に形成されてもよい。封止層１０９は、モールド、樹脂、及び／又はエポキシを含んでもよい。封止層１０９は、封止のための手段であり得る。圧縮成形プロセス及び転写成形プロセス、シート成形プロセス、又は液状成形プロセスを使用して、封止層を形成することができる。
【0079】
[0089] 段階４は、複数のはんだ相互接続部１９０が基板１０２に結合されている状態を示す。はんだリフロープロセスを使用して、複数のはんだ相互接続部１９０を基板１０２に結合してもよい。段階４は、基板１０２と、集積デバイス１０４と、封止層１０９とを含む、パッケージ１００を示すことができる。
【0080】
高密度相互接続部を有する基板を有するパッケージを製造する方法の例示的なフロー図
[0090] いくつかの実装形態では、パッケージを製造することは、いくつかのプロセスを含む。図９は、パッケージを提供又は製造する方法９００の例示的なフロー図を示す。いくつかの実装形態では、図９の方法９００を使用して、図１のパッケージ１００を提供又は製造することができる。例えば、図９の方法９００を使用して、パッケージ１００を製造することができる。しかしながら、図９の方法９００を使用して、本開示におけるいかなるパッケージ（例えば２００）も製造することができる。
[0090] いくつかの実装形態では、パッケージを製造することは、いくつかのプロセスを含む。図９は、パッケージを提供又は製造する方法９００の例示的なフロー図を示す。いくつかの実装形態では、図９の方法９００を使用して、図１のパッケージ１００を提供又は製造することができる。例えば、図９の方法９００を使用して、パッケージ１００を製造することができる。しかしながら、図９の方法９００を使用して、本開示におけるいかなるパッケージ（例えば２００）も製造することができる。
【0081】
[0091] 図９の方法は、パッケージを提供又は製造するための方法を簡略化及び／又は明確化するために、１つ以上のプロセスを組み合わせることができる点に留意されたい。いくつかの実装形態では、プロセスの順番を変更又は修正することができる。
【0082】
[0092] 方法は、（９０５において）高密度相互接続部（例えば、１２９）を含む基板（例えば１０２、２０２）を準備する。複数の高密度相互接続部は、ＥＴＳプロセスを使用して製造されてもよい。基板は、コア層１２０、少なくとも１つの誘電体層（例えば、１２２、１２４）、複数の相互接続部（例えば、１２５、１２７）、少なくとも１つのコア相互接続部１２１、複数の高密度相互接続部１２９、及び少なくとも１つのはんだレジスト層（例えば、１５０、１７０）を含んでもよい。基板は、図６Ａ～図６Ｄに記載されるプロセスを使用して提供されてもよい。図８Ａの段階１は、高密度相互接続部を有する基板の一例を図示及び説明する。
【0083】
[0093] 本方法は、（９１０において）少なくとも１つの集積デバイス（例えば、１０４、３０４）を基板（例えば、１０２、２０２）に結合する。ピックアンドプレースプロセスを使用して、少なくとも１つの集積デバイスを基板の第１の表面の上に配置することができる。はんだリフロープロセスを使用して、集積デバイスを基板に結合することができる。異なる実装形態では、異なる数の集積デバイスを基板に結合してもよい。図８Ａの段階２は、基板に結合された少なくとも１つの集積デバイスの一例を図示及び説明する。
【0084】
[0094] 本方法は、（９１５において）基板（例えば、１０２）の上に封止層（例えば、１０９）を形成する。封止層（例えば、１０９）は、少なくとも１つの集積デバイス（例えば、１０４）を封止してもよい。封止層は、基板の表面に結合されてもよい。封止層は、モールド、樹脂、及び／又はエポキシを含んでもよい。圧縮成形プロセス及び転写成形プロセス、シート成形プロセス、又は液状成形プロセスを使用して、封止層を形成することができる。図８Ｂの段階３は、基板の上に位置している封止層の一例を図示及び説明する。
【0085】
[0095] 方法は、（９２０において）複数のはんだ相互接続部（例えば、１９０）を基板（例えば、１０２）に結合する。はんだリフロープロセス使用して、複数のはんだ相互接続部を基板に結合することができる。図８Ｂの段階４は、基板に結合されたはんだ相互接続部の一例を図示及び説明する。
【0086】
例示的な電子デバイス
[0096] 図１０は、前述したデバイス、集積デバイス、集積回路（integrated circuit、ＩＣ）パッケージ、集積回路（ＩＣ）デバイス、半導体デバイス、集積回路、ダイ、インターポーザ、パッケージ、パッケージオンパッケージ（package-on-package、ＰｏＰ）、システムインパッケージ（System in Package、ＳｉＰ）、又はシステムオンチップ（System on Chip、ＳｏＣ）のうちのいずれかと一体化されてもよい、様々な電子デバイスを示す。例えば、携帯電話デバイス１００２、ラップトップコンピュータデバイス１００４、固定位置端末デバイス１００６、ウェアラブルデバイス１００８、又は自動車両１０１０は、本明細書で説明されるようなデバイス１０００を含み得る。デバイス１０００は、例えば、本明細書で説明されるデバイス及び／又は集積回路（ＩＣ）パッケージのうちのいずれかであってもよい。図１０に示すデバイス１００２、１００４、１００６、及び１００８、並びに車両１０１０は、単なる例示に過ぎない。他の電子デバイスもまた、デバイス１０００を特徴とし得るものであり、それらの電子デバイスとしては、限定するものではないが、モバイルデバイス、ハンドヘルドパーソナル通信システム（personal communication system、ＰＣＳ）ユニット、携帯情報端末などのポータブルデータユニット、全地球測位システム（global positioning system、ＧＰＳ）対応デバイス、ナビゲーションデバイス、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、メータ読み取り機器などの固定位置データユニット、通信デバイス、スマートフォン、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス（例えば、時計、眼鏡）、モノのインターネット（Internet of things、ＩｏＴ）デバイス、サーバ、ルータ、自動車両（例えば、自律走行車）内に実装されている電子デバイス、又は、データ若しくはコンピュータ命令を記憶するか若しくは取り出す任意の他のデバイス、あるいはこれらの任意の組み合わせを含む、デバイス（例えば、電子デバイス）の群が挙げられる。
[0096] 図１０は、前述したデバイス、集積デバイス、集積回路（integrated circuit、ＩＣ）パッケージ、集積回路（ＩＣ）デバイス、半導体デバイス、集積回路、ダイ、インターポーザ、パッケージ、パッケージオンパッケージ（package-on-package、ＰｏＰ）、システムインパッケージ（System in Package、ＳｉＰ）、又はシステムオンチップ（System on Chip、ＳｏＣ）のうちのいずれかと一体化されてもよい、様々な電子デバイスを示す。例えば、携帯電話デバイス１００２、ラップトップコンピュータデバイス１００４、固定位置端末デバイス１００６、ウェアラブルデバイス１００８、又は自動車両１０１０は、本明細書で説明されるようなデバイス１０００を含み得る。デバイス１０００は、例えば、本明細書で説明されるデバイス及び／又は集積回路（ＩＣ）パッケージのうちのいずれかであってもよい。図１０に示すデバイス１００２、１００４、１００６、及び１００８、並びに車両１０１０は、単なる例示に過ぎない。他の電子デバイスもまた、デバイス１０００を特徴とし得るものであり、それらの電子デバイスとしては、限定するものではないが、モバイルデバイス、ハンドヘルドパーソナル通信システム（personal communication system、ＰＣＳ）ユニット、携帯情報端末などのポータブルデータユニット、全地球測位システム（global positioning system、ＧＰＳ）対応デバイス、ナビゲーションデバイス、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、メータ読み取り機器などの固定位置データユニット、通信デバイス、スマートフォン、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス（例えば、時計、眼鏡）、モノのインターネット（Internet of things、ＩｏＴ）デバイス、サーバ、ルータ、自動車両（例えば、自律走行車）内に実装されている電子デバイス、又は、データ若しくはコンピュータ命令を記憶するか若しくは取り出す任意の他のデバイス、あるいはこれらの任意の組み合わせを含む、デバイス（例えば、電子デバイス）の群が挙げられる。
【0087】
[0097] 図１～図５、図６Ａ～図６Ｄ、図７、図８Ａ及び図８Ｂ及び／又は図９及び図１０に示される構成要素、プロセス、特徴、及び／又は機能のうちの１つ以上が、単一の構成要素、プロセス、特徴又は機能に再構成され得る及び／又は組み合わされ得るか、あるいはいくつかの構成要素、プロセス、又は機能において具現化され得る。追加の要素、構成要素、プロセス、及び／又は機能もまた、本開示から逸脱することなく追加することができる。本開示における図１～図５、図６Ａ～図６Ｄ、図７、図８Ａ～図８Ｂ、及び／又は図９～図１０、並びにその対応する説明は、ダイ及び／又はＩＣに限定されないことにも留意すべきである。いくつかの実装形態では、図１～図５、図６Ａ～図６Ｄ、図７、図８Ａ及び図８Ｂ、及び／又は図９及び図１０、並びにその対応する説明は、デバイス及び／又は集積デバイスを製造、作製、提供、及び／又は生産するために使用され得る。いくつかの実装形態では、デバイスは、ダイ、集積デバイス、集積受動デバイス（ＩＰＤ）、ダイパッケージ、集積回路（ＩＣ）デバイス、デバイスパッケージ、集積回路（ＩＣ）パッケージ、ウェハ、半導体デバイス、パッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）デバイス、放熱デバイス、及び／又はインターポーザを含み得る。
【0088】
[0098] 本開示における図は、様々な部品、構成要素、物体、デバイス、パッケージ、集積デバイス、集積回路、及び／又はトランジスタの、実際の表現及び／又は概念的表現を表し得る点に留意されたい。いくつかの事例では、図は、正確な縮尺ではない場合がある。いくつかの事例では、明瞭化の目的のために、全ての構成要素及び／又は部品が示されていない場合もある。いくつかの事例では、図中の様々な部品及び／又は構成要素の、位置、場所、サイズ、及び／又は形状は、例示的なものであり得る。いくつかの実装形態では、図中の様々な構成要素及び／又は部品は、任意選択的なものであり得る。
【0089】
[0099] 「例示的（exemplary）」という語は、「例、事例、又は例示としての役割を果たすこと」を意味するために本明細書で使用される。「例示的」として本明細書で説明されている、いずれの実装形態又は態様も、必ずしも本開示の他の態様よりも好ましい又は有利であるとして解釈されるべきではない。同様に、「態様」という用語は、本開示の全ての態様が、説明した特徴、利点、又は動作モードを含むことを必要とするとは限らない。「結合されている」という用語は、本明細書では、２つの物体間の直接的又は間接的な結合（例えば、機械的結合）を指すために使用されている。例えば、物体Ａが物体Ｂに物理的に接触しており、物体Ｂが物体Ｃに接触している場合には、物体Ａと物体Ｃとは、それらが互いに物理的に直接接触していない場合であっても、依然として互いに結合されていると見なすことができる。別の物体に結合されている物体は、その物体の一部、又はその物体の全体に結合されている場合がある。「電気的に結合されている」という用語は、２つの物体の間を電流（例えば、信号、電力、接地）が伝播することができるように、それら２つの物体が直接的又は間接的に共に結合されていることを意味し得る。電気的に結合されている２つの物体は、それら２つの物体の間に電流を伝播させる場合もあれば、又は伝播させない場合もある。用語「第１」、「第２」、「第３」、及び「第４」（及び／又は、第４を上回るいずれのもの）の使用は、任意である。説明されている構成要素のうちのいずれも、第１の構成要素、第２の構成要素、第３の構成要素、又は第４の構成要素とすることができる。例えば、第２の構成要素と称されている構成要素は、第１の構成要素、第２の構成要素、第３の構成要素、又は第４の構成要素とすることもできる。「封止（encapsulating）」という用語は、物体が別の物体を部分的に封止し得るか、又は完全に封止し得ることを意味する。「上部（top）」及び「底部（bottom）」という用語は、任意的である。上部に配置されている構成要素は、底部に配置されている構成要素の上に配置されている場合がある。上部の構成要素が底部の構成要素と見なされる場合もあり、その逆も同様である。本開示で説明されるように、第２の構成要素「の上に（over）」配置されている第１の構成要素とは、どのように底部又は上部が任意的に定義されているかに応じて、その第１の構成要素が、第２の構成要素の上方に配置されていること又は下方に配置されていることを意味し得る。別の実施例では、第１の構成要素は、第２の構成要素の第１の表面の上に（例えば、上方に）配置されている場合があり、第３の構成要素は、第２の構成要素の第２の表面の上に（例えば、下方に）配置されている場合があり、この場合、第２の表面は、第１の表面の反対側にある。ある１つの構成要素が別の構成要素の上に配置されている文脈において、本出願で使用される場合の「の上に」という用語は、別の構成要素上に、及び／又は別の構成要素内に存在している（例えば、構成要素の表面上に存在しているか、又は構成要素内に埋め込まれている）構成要素を意味するために使用することができる点に更に留意されたい。それゆえ、例えば、第２の構成要素の上に存在している第１の構成要素とは、（１）第１の構成要素が第２の構成要素の上に存在しているが、第２の構成要素には直接接触していないこと、（２）第１の構成要素が第２の構成要素上に（例えば、第２の構成要素の表面上に）存在していること、及び／又は（３）第１の構成要素が第２の構成要素内に存在している（例えば、第２の構成要素内に埋め込まれている）ことを意味し得る。第２の構成要素「内に（in）」配置されている第１の構成要素は、第２の構成要素内に部分的に配置されている場合もあれば、又は、第２の構成要素内に完全に配置されている場合もある。約Ｘ～ＸＸである値は、ＸとＸＸとの間の値であって、ＸとＸＸとを含む値を意味し得る。ＸとＸＸとの間の値（１つ又は複数）は、離散的又は連続的であり得る。本開示で使用される場合の「約（about）『値Ｘ』」又は「およそ（approximately）値Ｘ」という用語は、「値Ｘ」の１０パーセントの範囲内を意味する。例えば、約１又はおよそ１の値とは、０．９～１．１の範囲の値を意味することになる。
【0090】
[0100] いくつかの実装形態では、相互接続部とは、２つの点、要素、及び／又は構成要素間の電気的接続を可能にするか若しくは容易にする、デバイス又はパッケージの要素若しくは構成要素である。いくつかの実装形態では、相互接続部は、トレース、ビア、パッド、ピラー、メタライゼーション層、再配線層、及び／又はアンダーバンプメタライゼーション（under bump metallization、ＵＢＭ）層／相互接続部を含み得る。いくつかの実装形態では、相互接続部は、信号（例えば、データ信号）、接地、及び／又は電力に関する、電気経路を提供するように構成することが可能な、導電性材料を含み得る。相互接続部は、２つ以上の要素又は構成要素を含み得る。相互接続部は、１つ以上の相互接続部によって画定することができる。相互接続部間に１つ以上のインターフェースがあってもなくてもよい。相互接続部は、１つ以上の金属層を含んでもよい。相互接続部は、回路の一部とすることができる。異なる実装形態では、相互接続部を形成するために、異なるプロセス及び／又は順序を使用することができる。いくつかの実装形態では、化学気相成長（ＣＶＤ）プロセス、物理気相成長（ＰＶＤ）プロセス、スパッタリングプロセス、スプレーコーティング、及び／又はめっきプロセスを使用して、相互接続部を形成することができる。
【0091】
[0101] また、本明細書に含まれている様々な開示は、フローチャート、フロー図、構造図、又はブロック図として示されているプロセスとして、説明される場合がある点にも留意されたい。フローチャートは、動作を逐次プロセスとして説明することがあるが、動作の多くは並列に又は同時に実行することができる。加えて、工程の順番は並べ替えられてもよい。プロセスは、その動作が完了すると終了する。
【0092】
[0102] 以下では、更なる例が、本発明の理解を容易にするために説明される。
【0093】
[0103] 態様１．基板と、基板に結合された集積デバイスと、を含む、パッケージ。第１の表面と第２の表面とを含むコア層と、コア層の第１の表面に結合された少なくとも１つの第１の誘電体層と、コア層の第２の表面に結合された少なくとも１つの第２の誘電体層と、少なくとも第１の誘電体層及び／又は少なくとも１つの第２の誘電体層から、コア層並びに少なくとも１つの誘電体層を通って延びている少なくとも１つのコア相互接続部と、第１の最小幅及び第１の最小間隔を有する複数の高密度相互接続部と、第２の最小幅及び第２の最小間隔を有する複数の相互接続部と、を含む、基板。第２の最小幅は、第１の最小幅よりも大きい。第２の最小間隔は、第１の最小間隔よりも大きい。
【0094】
[0104] 態様２：複数の高密度相互接続部が、約３～４マイクロメートルの幅を有し、複数の高密度相互接続部が、約３～４マイクロメートルの間隔を有する、態様１に記載のパッケージ。
【0095】
[0105] 態様３：複数の相互接続部が、約５マイクロメートル以上の幅を有し、複数の相互接続部が、約５マイクロメートル以上の間隔を有する、態様１～２に記載のパッケージ。
【0096】
[0106] 態様４：複数の高密度相互接続部が、約０．５～１マイクロメートルの厚さを有する、態様１～３に記載のパッケージ。
【0097】
[0107] 態様５：基板に結合された第２の集積デバイスであって、複数の高密度相互接続部を介して集積デバイスに電気的に結合されるように構成されている、第２の集積デバイスを更に含む、態様１～４に記載のパッケージ。
【0098】
[0108] 態様６：複数の高密度相互接続部が、集積デバイスと第２の集積デバイスとの間の電気通信のための複数のブリッジ相互接続部として構成されている、態様項５に記載のパッケージ。
【0099】
[0109] 態様７：複数の高密度相互接続部が、基板の金属層上に位置している、態様１～６に記載のパッケージ。
【0100】
[0110] 態様８：基板の金属層が、基板のコア層の上に位置している特定の金属層である、態様７に記載のパッケージ。
【0101】
[0111] 態様９：第１の表面と第２の表面とを含むコア層と、コア層の第１の表面に結合された少なくとも１つの第１の誘電体層と、コア層の第２の表面に結合された少なくとも１つの第２の誘電体層と、少なくとも第１の誘電体層及び／又は少なくとも１つの第２の誘電体層から、コア層並びに少なくとも１つの誘電体層を通って延びている少なくとも１つのコア相互接続部と、第１の最小幅及び第１の最小間隔を有する複数の高密度相互接続部と、第２の最小幅及び第２の最小間隔を有する複数の相互接続部と、を含む基板。第２の最小幅は、第１の最小幅よりも大きい。第２の最小間隔は、第１の最小間隔よりも大きい。
【0102】
[0112] 態様１０：複数の高密度相互接続部が、約３～４マイクロメートルの幅を有し、複数の高密度相互接続部が、約３～４マイクロメートルの間隔を有する、態様９に記載の基板。
【0103】
[0113] 態様１１：複数の相互接続部が、約５マイクロメートル以上の幅を有し、複数の相互接続部が、約５マイクロメートル以上の間隔を有する、態様９～１０に記載の基板。
【0104】
[0114] 態様１２：複数の高密度相互接続部が、約０．５～１マイクロメートルの厚さを有する、態様９～１１に記載の基板。
【0105】
[0115] 態様１３：基板に結合された第２の集積デバイスであって、複数の高密度相互接続部を介して集積デバイスに電気的に結合されるように構成されている、第２の集積デバイスを更に含む、態様９～１２に記載の基板。
【0106】
[0116] 態様１４：複数の高密度相互接続部が、集積デバイスと第２の集積デバイスとの間の電気通信のための複数のブリッジ相互接続部として構成されている、態様１３に記載の基板。
【0107】
[0117] 態様１５：複数の高密度相互接続部が、基板の金属層上に位置している、態様９～１４に記載の基板。
【0108】
[0118] 態様１６：基板と、基板に結合された集積デバイスと、を含む装置。第１の表面と第２の表面とを含むコア層と、コア層の第１の表面に結合された少なくとも１つの第１の誘電体層と、コア層の第２の表面に結合された少なくとも１つの第２の誘電体層と、少なくとも第１の誘電体層及び／又は少なくとも１つの第２の誘電体層から、コア層並びに少なくとも１つの誘電体層を通って延びているコア相互接続のための手段と、第１の最小幅及び第１の最小間隔を有する、高密度相互接続のための手段と、第２の最小幅及び第２の最小間隔を有する、相互接続のための手段と、を含む、基板。第２の最小幅は、第１の最小幅よりも大きい。第２の最小間隔は、第１の最小間隔よりも大きい。
【0109】
[0119] 態様１７：高密度相互接続のための手段が、約３～４マイクロメートルの幅を有し、高密度相互接続のための手段が、約３～４マイクロメートルの間隔を有し、相互接続のための手段が、約５マイクロメートル以上の幅を有し、相互接続のための手段が、約５マイクロメートル以上の間隔を有する、態様１６に記載の装置。
【0110】
[0120] 態様１８：高密度相互接続のための手段が、約０．５～１マイクロメートルの厚さを有する、態様１６～１７に記載の装置。
【0111】
[0121] 態様１９：基板に結合された第２の集積デバイスであって、高密度相互接続のための手段を介して集積デバイスに電気的に結合されるように構成されている、第２の集積デバイスを更に含む、態様１６～１８に記載の装置。
【0112】
[0122] 態様２０：装置は、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、固定位置端末、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、モノのインターネット（ＩｏＴ）デバイス、及び自動車両内のデバイスからなる群から選択されるデバイスを含む、態様１６～１９に記載の装置。
【0113】
[0123] 態様２１：基板を製造する方法。本方法は、第１の表面と第２の表面とを含むコア層を提供する。本方法は、コア層の第１の表面の上に、少なくとも１つの第１の誘電体層及び複数の高密度相互接続部であって、第１の最小幅及び第１の最小間隔を有する、複数の高密度相互接続部を提供する。本方法は、コア層の第２の表面の上に、少なくとも１つの第２の誘電体層を形成する。本方法は、少なくとも第１の誘電体層及び／又は少なくとも第２の誘電体層から、コア層並びに少なくとも１つの誘電体層を通って延びている少なくとも１つのコア相互接続部を形成する。本方法は、第２の最小幅及び第２の最小間隔を有する複数の相互接続部を形成する。第２の最小幅は、第１の最小幅よりも大きい。第２の最小間隔は、第１の最小間隔よりも大きい。
【0114】
[0124] 態様２２：複数の高密度相互接続部が、約３～４マイクロメートルの幅を有し、複数の高密度相互接続部が、約３～４マイクロメートルの間隔を有する、態様２１に記載の方法。
【0115】
[0125] 態様２３：複数の相互接続部が、約５マイクロメートル以上の幅を有し、複数の相互接続部が、約５マイクロメートル以上の間隔を有する、態様２１～２２に記載の方法。
【0116】
[0126] 態様２４：複数の高密度相互接続部が、約０．５～１マイクロメートルの厚さを有する、態様２１～２３に記載の方法。
【0117】
[0127] 本明細書で説明されている本開示の様々な特徴は、本開示から逸脱することなく、異なるシステムにおいて実装することができる。本開示の上記の態様は、単なる例に過ぎず、本開示を限定するものとして解釈されるべきではない点に留意されたい。本開示の諸態様の説明は、例示的であることが意図されており、特許請求の範囲を限定することを意図するものではない。それゆえ、本教示は、他のタイプの装置に容易に適用することができ、当業者には、多くの代替形態、修正形態、及び変形形態が明らかとなるであろう。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図6D】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図9】
【図10】
【国際調査報告】