特表 2024-531756 電気光学変調器および電気光学デバイス

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-08-29

(54)【発明の名称】電気光学変調器および電気光学デバイス

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/035 20060101AFI20240822BHJP

【ＦＩ】

G02F1/035

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024516728

(86)(22)【出願日】2022-07-08

(85)【翻訳文提出日】2024-03-14

(86)【国際出願番号】 CN2022104535

(87)【国際公開番号】W WO2023040434

(87)【国際公開日】2023-03-23

(31)【優先権主張番号】202111082353.7

(32)【優先日】2021-09-15

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(31)【優先権主張番号】202210031154.1

(32)【優先日】2022-01-12

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】523399256

【氏名又は名称】ナンジン、リコア、テクノロジーズ、カンパニー、リミテッド

【住所又は居所原語表記】ＮＡＮＪＩＮＧ ＬＹＣＯＲＥ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＩＥＳ ＣＯ．， ＬＴＤ．

(74)【代理人】

【識別番号】100120031

【弁理士】

【氏名又は名称】宮嶋 学

(74)【代理人】

【識別番号】100107582

【弁理士】

【氏名又は名称】関根 毅

(74)【代理人】

【識別番号】100217940

【弁理士】

【氏名又は名称】三並 大悟

(72)【発明者】

【氏名】リャン、ハンシアオ

(72)【発明者】

【氏名】ソン、イーピン

(72)【発明者】

【氏名】チョウ、インツォン

(72)【発明者】

【氏名】ウー、ハイツァン

(72)【発明者】

【氏名】マオ、ウェンハオ

(72)【発明者】

【氏名】ソン、シーウェイ

(72)【発明者】

【氏名】スン、ウェイチー

(72)【発明者】

【氏名】ユイ、チンヤン

【テーマコード（参考）】

2K102

【Ｆターム（参考）】

2K102AA21

2K102BA02

2K102BB01

2K102BB04

2K102BC04

2K102BD01

2K102CA05

2K102DA05

2K102DB04

2K102DC08

2K102DD05

2K102EA02

2K102EA12

2K102EA17

(57)【要約】

電気光学変調器および電気光学デバイスが提供される。電気光学変調器は、基板と、基板上に位置する分離層と、第１の光導波路および第２の光導波路を形成するために使用される薄膜層であって、第１の光導波路および第２の光導波路の配置により、薄膜層が第１のエッジ領域、第１の光導波路、中間領域、第２の光導波路、および第２のエッジ領域を備えることになる、薄膜層と、間隔をおいて順に配置された第１の接地電極、信号電極、および第２の接地電極を備える電極とを備える。第１の接地電極は少なくとも第１の主電極を備え、第２の接地電極は少なくとも第２の主電極を備え、信号電極は少なくとも第３の主電極を備える。第１の光導波路は、第１の主電極と第３の主電極との間の第１の間隙に配置され、第２の光導波路は、第２の主電極と第３の主電極との間の第２の間隙に配置され、第１の主電極および第２の主電極は、第１の高さを有する水平面上に配置され、第３の主電極は、第２の高さを有する水平面上に配置され、第１の高さは第２の高さと異なる。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板上に位置する分離層と、
第１の光導波路および第２の光導波路を形成するように構成された薄膜層であって、前記第１の光導波路および前記第２の光導波路の配置により、前記薄膜層が第１のエッジ領域、前記第１の光導波路、中間領域、前記第２の光導波路、および第２のエッジ領域を備える薄膜層と、
電極であって、前記電極が、間隔をおいて順に配置された第１の接地電極、信号電極、および第２の接地電極を備え、前記第１の接地電極が少なくとも第１の主電極を備え、前記第２の接地電極が少なくとも第２の主電極を備え、前記信号電極が少なくとも第３の主電極を備え、前記第１の光導波路が前記第１の主電極と前記第３の主電極との間の第１の間隙に配置され、前記第２の光導波路が前記第２の主電極と前記第３の主電極との間の第２の間隙に配置され、前記第１の主電極および前記第２の主電極が、第１の高さを有する水平面上に配置され、前記第３の主電極が、第２の高さを有する水平面上に配置され、前記第１の高さが前記第２の高さと異なる、電極と、
を備える、電気光学変調器。

【請求項2】

前記電極が、前記薄膜層の前記基板から離れて形成される、請求項１に記載の電気光学変調器。

【請求項3】

前記第１の主電極および前記第２の主電極が、前記薄膜層に埋め込まれ、前記薄膜層を貫通して前記分離層と直接接触しているか、または
前記第１の主電極および前記第２の主電極が、前記薄膜層に埋め込まれ、前記薄膜層を貫通していない、請求項１に記載の電気光学変調器。

【請求項4】

前記第３の主電極が、前記薄膜層に埋め込まれ、前記薄膜層を貫通して前記分離層と直接接触しているか、または
前記第３の主電極が、前記薄膜層に埋め込まれ、前記薄膜層を貫通していない、請求項１に記載の電気光学変調器。

【請求項5】

被覆層をさらに備え、前記被覆層が前記薄膜層の上面を少なくとも部分的に被覆し、前記被覆層の屈折率が前記薄膜層の屈折率よりも低い、請求項１に記載の電気光学変調器。

【請求項6】

前記被覆層が前記中間領域の上面を被覆し、
前記第１の主電極および前記第２の主電極が前記薄膜層上に位置し、前記第３の主電極が前記被覆層上に位置する、請求項５に記載の電気光学変調器。

【請求項7】

前記第３の主電極が、前記被覆層に埋め込まれ、前記被覆層を貫通して前記薄膜層と直接接触しているか、または
前記第３の主電極が、前記被覆層に埋め込まれ、前記被覆層を貫通していない、請求項５に記載の電気光学変調器。

【請求項8】

前記被覆層が前記第１のエッジ領域および前記第２のエッジ領域の上面を被覆し、
前記第１の主電極および前記第２の主電極が前記被覆層上に位置し、前記第３の主電極が前記薄膜層上に位置する、請求項５に記載の電気光学変調器。

【請求項9】

前記第１の主電極および前記第２の主電極が、前記被覆層に埋め込まれ、前記被覆層を貫通して前記薄膜層と直接接触しているか、または
前記第１の主電極および前記第２の主電極が、前記被覆層に埋め込まれ、前記被覆層を貫通していない、請求項５に記載の電気光学変調器。

【請求項10】

前記被覆層が前記薄膜層の前記上面を被覆し、
前記第１の主電極、前記第２の主電極、および前記第３の主電極が前記被覆層上に位置し、前記被覆層のうち前記第１の主電極および前記第２の主電極が設けられている部分が、前記第３の主電極が設けられている部分と異なる厚さを有する、請求項５に記載の電気光学変調器。

【請求項11】

前記被覆層が、前記第１の光導波路および前記第２の光導波路の誘電率よりも低い誘電率を有する、請求項５に記載の電気光学変調器。

【請求項12】

前記被覆層が絶縁層である、請求項５に記載の電気光学変調器。

【請求項13】

前記第１の接地電極および前記第２の接地電極のそれぞれが、少なくとも１つの電極延出部をさらに備え、前記第１の接地電極の前記少なくとも１つの電極延出部が、前記第１の主電極の前記第３の主電極に面する側から前記第１の間隙内に延出しており、前記第２の接地電極の前記少なくとも１つの電極延出部が、前記第２の主電極の前記第３の主電極に面する側から前記第２の間隙内に延出している、請求項１に記載の電気光学変調器。

【請求項14】

前記電気光学変調器が被覆層をさらに備え、前記被覆層が少なくとも前記第１の光導波路および前記第２の光導波路を被覆し、前記被覆層の屈折率が前記薄膜層の屈折率よりも低く、
前記第１の接地電極の前記少なくとも１つの電極延出部が、前記第１の主電極の前記第３の主電極に面する側から前記第１の光導波路上の前記被覆層の上に延出しており、
前記第２の接地電極の前記少なくとも１つの電極延出部が、前記第２の主電極の前記第３の主電極に面する側から前記第２の光導波路上の前記被覆層の上に延出している、請求項１３に記載の電気光学変調器。

【請求項15】

前記信号電極が、前記第３の主電極の前記第１の主電極に面する側および前記第３の主電極の前記第２の主電極に面する側からそれぞれ前記第１の間隙内および前記第２の間隙内に延出している少なくとも１つの電極延出部をさらに備える、請求項１に記載の電気光学変調器。

【請求項16】

前記電気光学変調器が被覆層をさらに備え、前記被覆層が少なくとも前記第１の光導波路および前記第２の光導波路を被覆し、前記被覆層の屈折率が前記薄膜層の屈折率よりも低く、
前記信号電極の前記少なくとも１つの電極延出部が、前記第３の主電極の前記第１の主電極に面する第１の側および前記第３の主電極の前記第２の主電極に面する第２の面からそれぞれ前記第１の光導波路上の前記被覆層および前記第２の光導波路上の前記被覆層の上に延出している、請求項１５に記載の電気光学変調器。

【請求項17】

前記第１の接地電極および前記第２の接地電極のそれぞれが、少なくとも１つの電極延出部をさらに備え、前記第１の接地電極の前記少なくとも１つの電極延出部が、前記第１の主電極の前記第３の主電極に面する側から前記第１の間隙内に延出しており、前記第２の接地電極の前記少なくとも１つの電極延出部が、前記第２の主電極の前記第３の主電極に面する側から前記第２の間隙内に延出しており、
前記信号電極が、前記第３の主電極の前記第１の主電極に面する側および前記第３の主電極の前記第２の主電極に面する側からそれぞれ前記第１の間隙内および前記第２の間隙内に延出している少なくとも１つの電極延出部をさらに備え、
前記第１の接地電極の前記少なくとも１つの電極延出部の前記第３の主電極に近い端子、前記第２の接地電極の前記少なくとも１つの電極延出部の前記第３の主電極に近い端子、および前記信号電極の前記少なくとも１つの電極延出部の前記第３の主電極から遠い端子が、同じ高さを有する水平面上に配置される、請求項１に記載の電気光学変調器。

【請求項18】

前記電気光学変調器が、前記薄膜層の前記基板から離れて形成された被覆層をさらに備え、前記被覆層が、間隔をおいて順に配置された第１の部分、第２の部分、第３の部分、および第４の部分を備え、
前記第２の部分が前記第１の光導波路を被覆し、前記第３の部分が前記第２の光導波路を被覆し、
前記第１の主電極が前記第１の部分上に位置し、前記第２の主電極が前記第４の部分上に位置し、前記第３の主電極が前記薄膜層上に位置し、
前記第１の接地電極の前記少なくとも１つの電極延出部の前記第３の主電極に近い前記端子が、前記第２の部分上に位置し、前記第２の接地電極の前記少なくとも１つの電極延出部の前記第３の主電極に近い前記端子が、前記第３の部分上に位置し、前記信号電極の前記少なくとも１つの電極延出部の前記第３の主電極から遠い前記端子の一部分が、前記第２の部分上に位置し、その他の部分が、前記第３の部分上に位置する、請求項１７に記載の電気光学変調器。

【請求項19】

前記電気光学変調器が、前記薄膜層の前記基板から離れて形成された被覆層をさらに備え、前記被覆層が、間隔をおいて順に配置された第１の部分、第２の部分、および第３の部分を備え、
前記第１の部分が前記第１の光導波路を被覆し、前記第３の部分が前記第２の光導波路を被覆し、
前記第１の主電極が前記薄膜層に位置し、前記第２の主電極が前記薄膜層上に位置し、前記第３の主電極が前記第２の部分上に位置し、
前記第１の接地電極の前記少なくとも１つの電極延出部の前記第３の主電極に近い前記端子が、前記第１の部分上に位置し、前記第２の接地電極の前記少なくとも１つの電極延出部の前記第３の主電極に近い前記端子が、前記第３の部分上に位置し、前記信号電極の前記少なくとも１つの電極延出部の前記第３の主電極から遠い前記端子の一部分が、前記第１の部分上に位置し、その他の部分が、前記第３の部分上に位置する、請求項１７に記載の電気光学変調器。

【請求項20】

前記電気光学変調器が、前記薄膜層の前記基板から離れて形成された被覆層をさらに備え、前記被覆層が、間隔をおいて順に配置された第１の部分、第２の部分、および第３の部分を備え、
前記第１の部分が前記第１の光導波路を被覆し、前記第３の部分が前記第２の光導波路を被覆し、
前記第１の主電極が前記薄膜層に位置し、前記第２の主電極が前記薄膜層上に位置し、前記第３の主電極が前記第２の部分上に位置し、
前記第１の接地電極の前記少なくとも１つの電極延出部の前記第３の主電極に近い前記端子、前記第２の接地電極の前記少なくとも１つの電極延出部の前記第３の主電極に近い前記端子、および前記信号電極の前記少なくとも１つの電極延出部の前記第３の主電極から遠い前記端子が、すべて前記薄膜層上に位置する、請求項１７に記載の電気光学変調器。

【請求項21】

前記薄膜層が、ニオブ酸リチウムのエッチングされたＸカット、Ｙカット、またはＺカット薄膜である、請求項１から２０のいずれか一項に記載の電気光学変調器。

【請求項22】

前記薄膜層および前記電極を被覆するように構成された保護層をさらに備える、請求項１から２０のいずれか一項に記載の電気光学変調器。

【請求項23】

請求項１から２２のいずれか一項に記載の電気光学変調器を備える電気光学デバイス。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願の相互参照
本出願は、２０２１年９月１５日に出願された「ＥＬＥＣＴＲＯ－ＯＰＴＩＣ ＭＯＤＵＬＡＴＯＲ ＡＮＤ ＥＬＥＣＴＲＯ－ＯＰＴＩＣ ＤＥＶＩＣＥ」と題する中国特許出願第２０２１１１０８２３５３．７号、および２０２２年１月１２日に出願された「ＥＬＥＣＴＲＯ－ＯＰＴＩＣ ＭＯＤＵＬＡＴＯＲ ＡＮＤ ＥＬＥＣＴＲＯ－ＯＰＴＩＣ ＤＥＶＩＣＥ」と題する中国特許出願第２０２２１００３１１５４．１号に対する優先権を主張し、当該出願は、本開示の一部として、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
本開示は、電気光学技術に関し、より詳細には、電気光学変調器および電気光学デバイスに関する。

【背景技術】

【0002】

電気光学変調器は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）結晶、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）結晶、またはタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）結晶などのいくつかの電気光学結晶の電気光学効果を使用して作製された変調器である。電気光学結晶に電圧が印加されると、電気光学結晶の屈折率が変化し、それによって光信号の位相、振幅、強度、偏光状態、および他の特性の変調を実装する。電気光学変調器の中で一般的な変調器は、マッハ・ツェンダ変調器である。この干渉計タイプの変調器は、主に変調器内の２つのアーム間の位相差を使用して、コヒーレンス強化およびコヒーレンス・キャンセレーションの信号変調を完了する。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

電気光学変調関連技術は、光通信、マイクロ波フォトニクス、レーザ光偏向、波面変調などの分野で広く開発および応用されている。共平面導波路伝送線（ｃｏｐｌａｎａｒ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｌｉｎｅ）は、光伝送および電気伝送の相互整合ならびに変調を実装するための重要な構成要素である。共平面導波路伝送線の設計では、伝送損失を最小限に抑えることが望まれるだけでなく、光伝送速度が電気伝送速度と整合することも求められる。

【課題を解決するための手段】

【0004】

一態様によれば、本開示の実施形態は、基板と、基板上に位置する分離層と、第１の光導波路および第２の光導波路を形成するように構成された薄膜層であって、第１の光導波路および第２の光導波路の配置により、薄膜層が第１のエッジ領域、第１の光導波路、中間領域、第２の光導波路、および第２のエッジ領域を備えることになる、薄膜層と、電極であって、電極が、間隔をおいて順に配置された第１の接地電極、信号電極、および第２の接地電極を備え、第１の接地電極が少なくとも第１の主電極を備え、第２の接地電極が少なくとも第２の主電極を備え、信号電極が少なくとも第３の主電極を備え、第１の光導波路が第１の主電極と第３の主電極との間の第１の間隙に配置され、第２の光導波路が第２の主電極と第３の主電極との間の第２の間隙に配置され、第１の主電極および第２の主電極が、第１の高さを有する水平面上に配置され、第３の主電極が、第２の高さを有する水平面上に配置され、第１の高さが第２の高さと異なる、電極とを備える、電気光学変調器を提供する。

【0005】

いくつかの実施形態では、電極は、薄膜層の基板から離れて形成される。

【0006】

いくつかの実施形態では、第１の主電極および第２の主電極は、薄膜層に埋め込まれ、薄膜層を貫通して分離層と直接接触しており、代替として、第１の主電極および第２の主電極は、薄膜層に埋め込まれ、薄膜層を貫通していない。

【0007】

いくつかの実施形態では、第３の主電極は、薄膜層に埋め込まれ、薄膜層を貫通して分離層と直接接触しており、代替として、第３の主電極は、薄膜層に埋め込まれ、薄膜層を貫通していない。

【0008】

いくつかの実施形態では、電気光学変調器は、被覆層をさらに備え、被覆層が薄膜層の上面を少なくとも部分的に被覆し、被覆層の屈折率が薄膜層の屈折率よりも低い。

【0009】

いくつかの実施形態では、被覆層は中間領域の上面を被覆し、第１の主電極および第２の主電極は薄膜層上に位置し、第３の主電極は被覆層上に位置する。

【0010】

いくつかの実施形態では、第３の主電極は、被覆層に埋め込まれ、被覆層を貫通して薄膜層と直接接触しており、代替として、第３の主電極は、被覆層に埋め込まれ、被覆層を貫通していない。

【0011】

いくつかの実施形態では、被覆層は第１のエッジ領域および第２のエッジ領域の上面を被覆し、第１の主電極および第２の主電極は被覆層上に位置し、第３の主電極は薄膜層上に位置する。

【0012】

いくつかの実施形態では、第１の主電極および第２の主電極は、被覆層に埋め込まれ、被覆層を貫通して薄膜層と直接接触しており、代替として、第１の主電極および第２の主電極は、被覆層に埋め込まれ、被覆層を貫通していない。

【0013】

いくつかの実施形態では、被覆層は薄膜層の上面を被覆し、第１の主電極、第２の主電極、および第３の主電極は被覆層上に位置し、被覆層のうち第１の主電極および第２の主電極が設けられている部分は、第３の主電極が設けられている部分と異なる厚さを有する。

【0014】

いくつかの実施形態では、被覆層は、第１の光導波路および第２の光導波路の誘電率よりも低い誘電率を有する。

【0015】

いくつかの実施形態では、被覆層は絶縁層である。

【0016】

いくつかの実施形態では、第１の接地電極および第２の接地電極のそれぞれは、少なくとも１つの電極延出部（ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ ｅｘｔｅｎｓｉｏｎ ｐｏｒｔｉｏｎ）をさらに備え、第１の接地電極の少なくとも１つの電極延出部は、第１の主電極の第３の主電極に面する側から第１の間隙内に延出しており、第２の接地電極の少なくとも１つの電極延出部は、第２の主電極の第３の主電極に面する側から第２の間隙内に延出している。

【0017】

いくつかの実施形態では、電気光学変調器は被覆層をさらに備え、被覆層は少なくとも第１の光導波路および第２の光導波路を被覆し、被覆層の屈折率は薄膜層の屈折率よりも低く、第１の接地電極の少なくとも１つの電極延出部は、第１の主電極の第３の主電極に面する側から第１の光導波路上の被覆層の上に延出しており、第２の接地電極の少なくとも１つの電極延出部は、第２の主電極の第３の主電極に面する側から第２の光導波路上の被覆層の上に延出している。

【0018】

いくつかの実施形態では、信号電極は、第３の主電極の第１の主電極に面する側および第３の主電極の第２の主電極に面する側からそれぞれ第１の間隙内および第２の間隙内に延出している少なくとも１つの電極延出部をさらに備える。

【0019】

いくつかの実施形態では、電気光学変調器は被覆層をさらに備え、被覆層は少なくとも第１の光導波路および第２の光導波路を被覆し、被覆層の屈折率は薄膜層の屈折率よりも低く、信号電極の少なくとも１つの電極延出部は、第３の主電極の第１の主電極に面する第１の側および第３の主電極の第２の主電極に面する第２の面からそれぞれ第１の光導波路上の被覆層および第２の光導波路上の被覆層の上に延出している。

【0020】

いくつかの実施形態では、第１の接地電極および第２の接地電極のそれぞれは、少なくとも１つの電極延出部をさらに備え、第１の接地電極の少なくとも１つの電極延出部は、第１の主電極の第３の主電極に面する側から第１の間隙内に延出しており、第２の接地電極の少なくとも１つの電極延出部は、第２の主電極の第３の主電極に面する側から第２の間隙内に延出しており、信号電極は、第３の主電極の第１の主電極に面する側および第３の主電極の第２の主電極に面する側からそれぞれ第１の間隙内および第２の間隙内に延出している少なくとも１つの電極延出部をさらに備え、第１の接地電極の少なくとも１つの電極延出部の第３の主電極に近い端子、第２の接地電極の少なくとも１つの電極延出部の第３の主電極に近い端子、および信号電極の少なくとも１つの電極延出部の第３の主電極から遠い端子は、同じ高さを有する水平面上に配置される。

【0021】

いくつかの実施形態では、電気光学変調器は、薄膜層の基板から離れて形成された被覆層をさらに備え、被覆層は、間隔をおいて順に配置された第１の部分、第２の部分、第３の部分、および第４の部分を備え、第２の部分は第１の光導波路を被覆し、第３の部分は第２の光導波路を被覆し、第１の主電極は第１の部分上に位置し、第２の主電極は第４の部分上に位置し、第３の主電極は薄膜層上に位置し、第１の接地電極の少なくとも１つの電極延出部の第３の主電極に近い端子は、第２の部分上に位置し、第２の接地電極の少なくとも１つの電極延出部の第３の主電極に近い端子は、第３の部分上に位置し、信号電極の少なくとも１つの電極延出部の第３の主電極から遠い端子の一部分は、第２の部分上に位置し、その他の部分は、第３の部分上に位置する。

【0022】

いくつかの実施形態では、電気光学変調器は、薄膜層の基板から離れて形成された被覆層をさらに備え、被覆層は、間隔をおいて順に配置された第１の部分、第２の部分、および第３の部分を備え、第１の部分は第１の光導波路を被覆し、第３の部分は第２の光導波路を被覆し、第１の主電極は薄膜層に位置し、第２の主電極は薄膜層上に位置し、第３の主電極は第２の部分上に位置し、第１の接地電極の少なくとも１つの電極延出部の第３の主電極に近い端子は、第１の部分上に位置し、第２の接地電極の少なくとも１つの電極延出部の第３の主電極に近い端子は、第３の部分上に位置し、信号電極の少なくとも１つの電極延出部の第３の主電極から遠い端子の一部分は、第１の部分上に位置し、その他の部分は、第３の部分上に位置する。

【0023】

いくつかの実施形態では、電気光学変調器は、薄膜層の基板から離れて形成された被覆層をさらに備え、被覆層は、間隔をおいて順に配置された第１の部分、第２の部分、および第３の部分を備え、第１の部分は第１の光導波路を被覆し、第３の部分は第２の光導波路を被覆し、第１の主電極は薄膜層に位置し、第２の主電極は薄膜層上に位置し、第３の主電極は第２の部分上に位置し、第１の接地電極の少なくとも１つの電極延出部の第３の主電極に近い端子、第２の接地電極の少なくとも１つの電極延出部の第３の主電極に近い端子、信号電極の少なくとも１つの電極延出部の第３の主電極から遠い端子は、すべて薄膜層上に位置する。

【0024】

いくつかの実施形態では、薄膜層は、ニオブ酸リチウムのエッチングされたＸカット、Ｙカット、またはＺカット薄膜である。

【0025】

いくつかの実施形態では、電気光学変調器は、薄膜層および電極を被覆するように構成された保護層をさらに備える。

【0026】

別の態様では、本開示の一実施形態は、上述の実施形態のいずれか１つの電気光学変調器を備える電気光学デバイスを提供する。

【0027】

本セクションで説明される内容は、本開示の実施形態の不可欠または重要な特徴を特定することを意図したものではなく、本開示の範囲を限定するように構成されていないことを理解されたい。本開示の他の特徴は、以下の説明により容易に理解されるであろう。

【0028】

本開示のさらなる詳細、特徴、および利点は、添付の図面を参照しながら例示的な実施形態の以下の説明において開示される。

【図面の簡単な説明】

【0029】

【図1】例示的な実施形態による電気光学変調器の概略斜視図である。

【図2】例示的な実施形態による電気光学変調器の概略斜視図である。

【図3】例示的な実施形態による電気光学変調器の概略斜視図である。

【図4】例示的な実施形態による電気光学変調器の概略斜視図である。

【図5】例示的な実施形態による電気光学変調器の概略斜視図である。

【図6】例示的な実施形態による電気光学変調器の概略斜視図である。

【図7】例示的な実施形態による電気光学変調器の概略斜視図である。

【図8】例示的な実施形態による電気光学変調器の概略斜視図である。

【図9A】例示的な実施形態による電気光学変調器の概略斜視図である。

【図9B】図９ＡのＡ－Ａ線に沿った概略断面図である。

【図10】例示的な実施形態による電気光学変調器の概略断面図である。

【図11】例示的な実施形態による電気光学変調器の概略断面図である。

【図12】例示的な実施形態による電気光学デバイスの概略ブロック図である。

【発明を実施するための形態】

【0030】

本開示では、特に記載がない限り、様々な要素を説明するために使用される「第１の」、「第２の」などの用語は、これらの要素の位置的、時間的、または重要性の関係を限定することを意図するものではなく、単に、ある要素を別の要素と区別することを意図するものである。いくつかの例では、第１の要素および第２の要素は、要素の同じインスタンスを指すことがあり、いくつかの事例では、文脈上の説明に基づいて、第１の要素および第２の要素は、異なるインスタンスを指すこともある。

【0031】

本開示における様々な例の説明に使用される用語は、単に特定の例を説明することを目的としたものであり、限定することを意図したものではない。要素の数が特に定義されていない場合、文脈で明示的に示されていない限り、１つまたは複数の要素が存在する可能性がある。さらに、本開示で使用される「および／または」という用語は、列挙された項目の任意の組合せおよびすべての可能な組合せを包含する。

【0032】

光伝送速度と電気伝送速度とを整合させるために、従来の電気光学変調器における共平面導波路伝送線の伝送損失は特に大きい。したがって、伝送損失が大きいという問題を解決するために、電極延出部を有する共平面導波路伝送線がさらに設けられている。しかしながら、適用例における通信技術の高速化、大容量化、および集積化に対する需要がますます高まっており、光伝送速度と電気伝送速度との整合を確保しつつ、伝送損失を最小限に抑えることが望まれている。

【0033】

関連技術では、伝送損失が大きいという問題を解決するために、電極延出部を有する共平面導波路伝送線が使用されることがある。しかしながら、光伝送速度および電気伝送速度は通常、電気光学材料の特性に依存する。特に、電極延出部を使用した共平面導波路伝送線では、電極延出部は、電極構造をより複雑にするように構成されており、そのため、光伝送速度と電気伝送速度とを整合させることがより困難になっている。

【0034】

本開示の実施形態は、上記の欠点を緩和、軽減、さらには克服することが可能な改良された電気光学変調器を提供する。

【0035】

図１は、例示的な実施形態による電気光学変調器１００の概略斜視図である。図１を参照すると、電気光学変調器１００は、基板１１０と、基板１１０上に位置する分離層１２０と、薄膜層１３０と、電極１４０とを備えてもよい。薄膜層１３０は、第１の光導波路１３１および第２の光導波路１３２を形成するように構成される。第１の光導波路１３１および第２の光導波路１３２の配置により、薄膜層１３０は、第１のエッジ領域１３３、第１の光導波路１３１、中間領域１３４、第２の光導波路１３２、および第２のエッジ領域１３５を備えることになる。電極１４０は、間隔をおいて順に配置された第１の接地電極１４１、信号電極１４３、および第２の接地電極１４２を備えてもよい。第１の接地電極１４１は少なくとも第１の主電極１４１０を備え、第２の接地電極１４２は少なくとも第２の主電極１４２０を備え、信号電極１４３は少なくとも第３の主電極１４３０を備え、第１の光導波路１３１は、第１の主電極１４１０と第３の主電極１４３０との間の第１の間隙１４０ａに配置され、第２の光導波路１３２は、第２の主電極１４２０と第３の主電極１４３０との間の第２の間隙１４０ｂに配置され、第１の主電極１４１０および第２の主電極１４２０は、第１の高さｈ１を有する水平面上に配置され、第３の主電極１４３０は、第２の高さｈ２を有する水平面上に配置され、第１の高さｈ１は、第２の高さｈ２とは異なる。

【0036】

上記の配置により、第１の光導波路１３１および第２の光導波路１３２は、光信号用の光伝送経路を提供することができる。電極１４０は、電気信号用の電気伝送経路を提供してもよい。したがって、電極１４０の全体的な延在方向は、光伝送経路の延在方向と同じである。第１の主電極１４１０と第３の主電極１４３０との間には第１の間隙１４０ａがあり、第１の光導波路１３１は第１の間隙１４０ａ内に配置され、第２の主電極１４２０と第３の主電極１４３０との間には第２の間隙１４０ｂがあり、第２の光導波路１３２は第２の間隙１４０ｂ内に配置される。このような構造により、第１の主電極１４１０および第３の主電極１４３０、ならびに第２の主電極１４２０および第３の主電極１４３０が、対応する光導波路の両側にそれぞれ配置され、対応する光導波路に作用する電界をそれぞれ形成し、それによって光信号に対する電気信号の調節および制御を実装する。

【0037】

電気信号の伝送速度は、主に材料の誘電率および構造の影響を受け、光信号の伝送速度は、主に材料の屈折率および構造の影響を受ける。従来の電気光学変調器では、薄膜層に使用される電気光学材料は、より低い屈折率およびより高い誘電率を有し、その結果、光信号の伝送速度は速くなり、電気信号の伝送速度は遅くなり、したがって、２つの伝送速度を整合させることが困難になる。

【0038】

本開示の一実施形態によれば、電極と薄膜層との間の構造的関係を適切に変更することにより、電気信号の伝送速度に対する電気光学材料の制限が調節および制御され得、すなわち、電気信号の伝送速度が調節および制御され得、したがって、光信号と電気信号との間の良好な整合を実装することがより容易になる。本開示の一実施形態では、第１の主電極１４１０および第２の主電極１４２０を同じ高さを有する水平面上に配置し、第３の主電極１４３０を異なる高さを有する水平面上に配置することにより、信号電極および接地電極に対する個別の調節および制御が実装され得、電気信号の伝送速度の調節および制御が、より柔軟かつ正確になる。

【0039】

本開示の一実施形態では、説明されるＡ構造は、Ｂ構造上に位置する。Ａ構造はＢ構造の基板１１０から離れて形成されることが理解され得る。Ｂ構造は特定の厚さおよび特定のパターンまたは形状を有するため、Ａ構造が形成された後、Ａ構造の一部は、Ｂ構造の一部と比較して、基板からさらに遠いか、基板により近いか、または基板からの同じ距離である可能性がある。

【0040】

いくつかの実施形態では、薄膜層１３０は、分離層１２０上に位置してもよく、すなわち、薄膜層１３０は、分離層１２０の基板１１０から離れて形成される。いくつかの実施形態では、電極１４０は、薄膜層１３０の基板１１０から離れて形成される。

【0041】

引き続き図１を参照すると、電極１４０が薄膜層１３０上に位置する場合、薄膜層１３０の製造プロセスにおいて薄膜材料層をエッチング、例えばフォトエッチングすることにより、または分離層１２０の製造プロセスにおいて分離材料層をエッチング、例えばフォトエッチングすることにより、電極１４０の高さを調整する効果を実装することが可能である。加えて、上記の実施形態では、第１の主電極１４１０、第２の主電極１４２０、および第３の主電極１４３０の下面が薄膜層１３０上に位置しているが、いくつかの他の実施形態では、第１の主電極１４１０、第２の主電極１４２０、および第３の主電極１４３の一部は、高低差の要件を満たすことを前提として、薄膜層１３０を貫通して分離層１２０の表面と直接接触することもできる。

【0042】

例えば、第１の主電極および第２の主電極は、薄膜層に埋め込まれ、薄膜層を貫通して分離層と直接接触しており、代替として、第１の主電極および第２の主電極は、薄膜層に埋め込まれ、薄膜層を貫通していない。本実施形態では、高低差の要件を満たすことを前提として、第３の主電極は、薄膜層に埋め込まれても埋め込まれなくてもよい。

【0043】

例えば、第３の主電極は、薄膜層に埋め込まれ、薄膜層を貫通して分離層と直接接触しており、代替として、第３の主電極は、薄膜層に埋め込まれ、薄膜層を貫通していない。高低差の要件を満たすことを前提として、第１の主電極および第２の主電極は、薄膜層に埋め込まれても埋め込まれなくてもよい。

【0044】

いくつかの実施形態では、第１の接地電極１４１、第２の接地電極１４２、および信号電極１４３のそれぞれは、電極延出部（図１には図示せず）を備えてもよい。電極延出部の構造および形状は、本開示で例示した方法に限定されず、他の方法が使用されてもよい。例えば、電極延出部は、Ｔ字状またはＬ字状のサブ電極であってもよく、電極延出部は、平面状に延出している構造であってもよい。

【0045】

いくつかの実施形態では、接地電極は、電極延出部（図１には図示せず）を備えてもよい。第１の接地電極１４１および第２の接地電極１４２はそれぞれ、少なくとも１つの電極延出部を備える。第１の接地電極１４１の少なくとも１つの電極延出部は、第１の主電極１４１０の第３の主電極１４３０に面する側から第１の間隙１４０ａ内に延出しており、第２の接地電極１４２の少なくとも１つの電極延出部は、第２の主電極１４２０の第３の主電極１４３０に面する側から第２の間隙１４０ｂ内に延出している。

【0046】

いくつかの実施形態では、信号電極は、電極延出部（図１には図示せず）を備えてもよい。信号電極１４３は、第３の主電極１４３０の第１の主電極１４１０に面する側および第３の主電極１４３０の第２の主電極１４２０に面する側からそれぞれ第１の間隙１４０ａおよび第２の間隙１４０ｂ内に延出している少なくとも１つの電極延出部を備える。

【0047】

第１の接地電極１４１、第２の接地電極１４２、および信号電極１４３の少なくとも１つの構造に電極延出部を設けることにより、信号電極１４３と接地電極との間の間隔が狭くなり、これは、変調電圧の電気信号の伝送損失の低減に有利となる。加えて、電気信号のインピーダンスおよび伝播速度などの電極構造のいくつかの固有の特性は、これらの電極延出部のいくつかの性質（電極延出部の長さおよび電極の長さなど）と密接に関係している。したがって、電極構造の実際の製造中に、電極構造で作製された電気光学変調器のインピーダンスが入力端のインピーダンス（一般に５０Ω）と同じであるかまたは類似するように、また変調回路内の電気信号の伝播速度が光導波路内の光の速度と同じであるかまたは類似するように、これらの性質の値が柔軟に設定され得、それによって光変調効果が向上する。

【0048】

いくつかの実施形態では、電気光学変調器１００は、薄膜層の上面を少なくとも部分的に被覆する被覆層をさらに備える。例えば、被覆層は、少なくとも第１の光導波路１３１および第２の光導波路１３２を被覆し、被覆層の屈折率は、薄膜層１３０の屈折率よりも低い。

【0049】

電極延出部は、光導波路上の被覆層の上に延出してもよい。例えば、いくつかの実施形態では、第１の接地電極１４１の少なくとも１つの電極延出部は、第１の主電極１４１０の第３の主電極１４３０に面する側から第１の光導波路１３１上の被覆層の上に延出しており、第２の接地電極１４２の少なくとも１つの電極延出部は、第２の主電極１４２０の第３の主電極１４３０に面する側から第２の光導波路１３２上の被覆層の上に延出している。別の例として、いくつかの実施形態では、信号電極１４３の少なくとも１つの電極延出部は、第３の主電極１４３０の第１の主電極１４１０に面する第１の側および第３の主電極１４３０の第２の主電極１４２０に面する第２の側からそれぞれ、第１の光導波路１３１上の被覆層および第２の光導波路１３２上の被覆層の上に延出している。

【0050】

一般的に言えば、変調信号電圧（すなわち、信号電極１４３と接地電極との間に印加される電圧）は、第１の間隙１４０ａのサイズおよび第２の間隙１４０ｂのサイズに関係する。上記の配置により、第１の間隙１４０ａおよび第２の間隙１４０ｂが縮小され得（すなわち、信号電極１４３および接地電極が互いに近づくことが可能になり）、それによって電気光学変調効率が向上する。しかしながら、信号電極１４３または接地電極が光導波路の非常に近くに設けられる場合、第１の光導波路１３１または第２の光導波路１３２内の光の正常な伝送に影響を与える可能性がある。本実施形態における電極構造によれば、光導波路上に位置する被覆層１５０がさらに設けられ、信号電極１４３または接地電極の電極延出部は、被覆層１５０の上面に延出している。このような配置により、信号電極１４３の電極延出部と接地電極の電極延出部との間の距離を十分に近いことが保証され、電極延出部と対応する光導波路（すなわち、第１の光導波路１３１または第２の光導波路１３２）との間に一定の距離があることも保証される。したがって、本実施形態における電極構造により、電気光学変換効率が向上し、第１の光導波路１３１または第２の光導波路１３２内の光の正常な伝送への影響が防止され、その結果、導波路線電極構造の変調効果が大幅に改善される。

【0051】

いくつかの実施形態では、薄膜層１３０は、ニオブ酸リチウムのエッチングされたＸカット、Ｙカット、またはＺカット薄膜である。したがって、第１の光導波路１３１および第２の光導波路１３２は、ニオブ酸リチウム光導波路である。ニオブ酸リチウム結晶は、平滑な表面を有し、優れた電気光学効果および音響光学効果を有する光学材料である。ニオブ酸リチウム結晶を使用した高品質光導波路は、超低伝送損失をサポートし、成熟した技術、低コスト、および量産性など多くの優れた特性を有する。

【0052】

いくつかの実施形態では、電気光学変調器１００は、電極および薄膜層を被覆し、それによって光導波路、接地電極、信号電極などの電気光学変調器１００の少なくとも１つの機能構成要素を被覆するように構成された、保護層をさらに備える。電極１４０は保護層によって被覆され、その結果、電極の自然酸化または偶発的な表面損傷の速度が遅くなる可能性があり、素子の耐用寿命が延長され得る。

【0053】

本開示の実施形態では、被覆層の設計に応じて、電極の高さも調整されてもよい。

【0054】

図２は、例示的な実施形態による電気光学変調器２００の概略斜視図である。電気光学変調器２００は、基板２１０と、基板２１０上に位置する分離層２２０と、薄膜層２３０と、電極２４０とを備えてもよい。薄膜層２３０は、第１の光導波路２３１および第２の光導波路２３２を形成するように構成される。第１の光導波路２３１および第２の光導波路２３２の配置により、薄膜層２３０は、第１のエッジ領域２３３、第１の光導波路２３１、中間領域２３４、第２の光導波路２３２、および第２のエッジ領域２３５を備えることになる。電極２４０は、間隔をおいて順に配置された第１の接地電極２４１、信号電極２４３、および第２の接地電極２４２を備えてもよい。第１の接地電極２４１の第１の主電極２４１０と信号電極２４３の第３の主電極２４３０との間には第１の間隙２４０ａがあり、第２の接地電極２４２の第２の主電極２４２０と信号電極２４３の第３の主電極２４３０との間には第２の間隙２４０ｂがある。図１の参照番号と同様の参照番号は、同様の要素を示しており、したがって、簡潔にするためにその詳細な説明は省略されている。

【0055】

図２に示された電気光学変調器２００と図１に示された電気光学変調器１００との間の違いは、電気光学変調器２００が被覆層２５０をさらに備えるという点である。被覆層２５０は、薄膜層２３０の上面を少なくとも部分的に被覆する。被覆層２５０の屈折率は、薄膜層２３０の屈折率よりも低い。

【0056】

薄膜層２３０の上面に被覆層２５０を追加することにより、薄膜層２３０内の電気光学材料から適切に遠ざけることが可能であり、それによって電気信号の伝送速度に対する電気光学材料の制限を軽減する。また、被覆層２５０の屈折率は、光導波路内を伝送される光の出射を防止するように、薄膜層２３０の屈折率よりも低い。

【0057】

いくつかの実施形態では、図２に示されるように、被覆層２５０は、第１の光導波路２３１、中間領域２３４、および第２の光導波路２３２の上面を被覆してもよく、第１の主電極２４１０および第２の主電極２４２０は薄膜層２３０上に位置し、第３の主電極２４３０は被覆層２５０上に位置する。いくつかの他の実施形態では、被覆層２５０は、第１の光導波路２３１および第２の光導波路２３２の上面を被覆せず、中間領域２３４にのみ設けられてもよい。

【0058】

薄膜層２３０の上面に被覆層２５０を追加することにより、電気信号の伝送速度が高まる可能性があり、電気信号の伝送速度に対する電気光学材料の制限が軽減され得る。しかしながら、薄膜層２３０の上面が、同じ厚さを有する被覆層で被覆される場合、第３の主電極は、第１の主電極および第２の主電極と同じ高さになる。このように被覆層によって引き起こされる調節および制御は、第３の主電極に対して、第１の主電極および第２の主電極とほぼ同じ影響を与え、これは、電気信号の伝送速度の調節および制御につながらない。

【0059】

本開示の実施形態では、異なる領域に異なる厚さを有する被覆層２５０を選択的に設けることにより、信号電極２４３および接地電極に対する個別の調節および制御が実装され得、電気信号の伝送速度の調節および制御が、より柔軟かつ正確になる。図２に示された実施形態で説明されたように、第３の主電極２４３０と接触する材料が、第１の主電極２４１０および第２の主電極２４２０と接触する材料とは異なるように、被覆層２５０は、第１の光導波路２３１、中間領域２３４、および第２の光導波路２３２の上面のみを被覆してもよい。この実施形態では、接地電極２４２および信号電極２４３がそれぞれ電極延出部を備えていないため、接地電極２４３と信号電極２４３とが異なる材質に接触している場合でも、電気信号の伝送速度の調節および制御パラメータが増加し、その結果、電気信号の伝送速度の調節および制御がより柔軟かつ正確になり、したがって、光信号および電気信号の伝送速度を整合させることがより容易になる。

【0060】

いくつかの実施形態では、電極２３０は電極延出部を備えてもよい。電極２３０が延出する方法は、本開示で例示された方法に限定されず、他の方法も使用されてもよい。

【0061】

いくつかの実施形態では、接地電極は電極延出部を備えてもよい。図３に示されるように、第１の接地電極２４１および第２の接地電極２４２は、それぞれ少なくとも１つの電極延出部を備える。第１の接地電極２４１の少なくとも１つの電極延出部（図３に示された実施形態では複数の電極延出部２４１１ａ、２４１１ｂ、２４１１ｃが例示されている）は、第１の主電極２４１０の第３の主電極２４３０に面する側から第１の間隙２４０ａ内に延出しており、第２の接地電極２４２の少なくとも１つの電極延出部（図３に示された実施形態では複数の電極延出部２４２１ａ、２４２１ｂ、２４２１ｃが例示されている）は、第２の主電極２４２０の第３の主電極２４３０に面する側から第２の間隙２４０ｂ内に延出している。

【0062】

いくつかの実施形態では、信号電極は電極延出部を備えてもよい。図４に示されるように、信号電極２４３は、少なくとも１つの電極延出部（図４に示された実施形態では、信号電極２４３の一方の側に複数の電極延出部２４３１ａ、２４３１ｂ、２４３１ｃが例示されている）を備え、少なくとも１つの電極延出部は、第３の主電極２４３０の第１の主電極２４１０に面する側および第３の主電極２４３０の第２の主電極２４２０に面する側からそれぞれ第１の間隙２４０ａ内および第２の間隙２４０ｂ内に延出している。

【0063】

加えて、上記の実施形態では、第１の主電極２４１０および第２の主電極２４２０の下面が薄膜層２３０上に位置しているが、いくつかの他の実施形態では、これら２つの主電極は、薄膜層を貫通して分離層の表面と直接接触してもよい。代替として、第１の主電極および第２の主電極は、薄膜層に埋め込まれ、薄膜層を貫通していない。

【0064】

同様に、上記の実施形態では、第３の主電極２４３０の下面が被覆層２５０上に位置しているが、いくつかの他の実施形態では、第３の主電極は、被覆層を貫通して薄膜層の表面と直接接触してもよい。代替として、第３の主電極は、被覆層に埋め込まれ、被覆層を貫通していない。

【0065】

いくつかの実施形態では、被覆層２５０が低誘電率の材料で作製される場合、この事例では電極２４０が低誘電率の被覆層２５０と接触するため、電気信号の伝送速度が大幅に高まる可能性があり、したがって、光信号と電気信号との間の良好な整合を実装することがより容易になる。

【0066】

いくつかの実施形態では、被覆層２５０は絶縁層である。

【0067】

本開示の他のいくつかの修正された実施形態について、図５～図８を参照して以下にさらに説明する。

【0068】

図５は、例示的な実施形態による電気光学変調器５００の概略斜視図である。電気光学変調器５００は、基板５１０と、基板５１０上に位置する分離層５２０と、薄膜層５３０と、電極５４０と、被覆層５５０とを備えてもよい。薄膜層５３０は、第１の光導波路５３１および第２の光導波路５３２を形成するように構成される。第１の光導波路５３１および第２の光導波路５３２の配置により、薄膜層５３０は、第１のエッジ領域５３３、第１の光導波路５３１、中間領域５３４、第２の光導波路５３２、および第２のエッジ領域５３５を備えることになる。電極５４０は、間隔をおいて順に配置された第１の接地電極５４１、信号電極５４３、および第２の接地電極５４２を備えてもよい。第１の接地電極５４１の第１の主電極５４１０と信号電極５４３の第３の主電極５４３０との間には第１の間隙５４０ａがあり、第２の接地電極５４２の第２の主電極５４２０と信号電極５４３の第３の主電極５４３０との間には第２の間隙５４０ｂがある。図４の参照番号と同様の参照番号は、同様の要素を示しており、したがって、簡潔にするためにその詳細な説明は省略されている。

【0069】

図５に示された電気光学変調器５００は、図５の被覆層５５０が第１のエッジ領域５３３、第１の光導波路５３１、第２の光導波路５３２、および第２のエッジ領域５３５の上面を被覆し、第１の主電極５４１０および第２の主電極５４２０が被覆層５５０上に位置し、第３の主電極５４３０が薄膜層５３０上に位置するという点において、図４に示された電気光学変調器２００とは異なる。いくつかの他の実施形態では、被覆層５５０は、第１の光導波路５３１および第２の光導波路５３２の上面を被覆せず、第１のエッジ領域５３３および第２のエッジ領域５３５にのみ設けられてもよい。

【0070】

薄膜層５３０の上面に被覆層５５０を追加することにより、電気信号の伝送速度が高まる可能性があり、電気信号の伝送速度に対する電気光学材料の制限が軽減され得る。しかしながら、薄膜層５３０の上面が、同じ厚さを有する被覆層で被覆される場合、第３の主電極は、第１の主電極および第２の主電極と同じ高さになる。このように被覆層によって引き起こされる調節および制御は、第３の主電極に対して、第１の主電極および第２の主電極とほぼ同じ影響を与え、これは、電気信号の伝送速度の調節および制御につながらない。

【0071】

本開示の実施形態では、異なる領域に異なる厚さを有する被覆層５５０を選択的に設けることにより、信号電極５４３および接地電極に対する個別の調節および制御が実装され得、電気信号の伝送速度の調節および制御が、より柔軟かつ正確になる。図５に示された実施形態で説明されたように、被覆層５５０は、第１のエッジ領域５３３、第１の光導波路５３１、第２の光導波路５３２および第２のエッジ領域５３５の上面のみを被覆して、第３の主電極５４３０と接触する材料が、第１の主電極５４１０および第２の主電極５４２０に接触する材料とは異なるようにしてもよく、その結果、電気信号の伝送速度の調節および制御パラメータが増加し、電気信号の伝送速度の調節および制御がより柔軟かつ正確になり、したがって、光信号および電気信号の伝送速度を整合させることがより容易になる。

【0072】

いくつかの実施形態では、電極５３０は電極延出部を備えてもよい。電極５３０が延出する方法は、本開示で例示された方法に限定されず、他の方法も使用されてもよい。

【0073】

いくつかの実施形態では、接地電極は電極延出部を備えてもよい。引き続き図５を参照すると、第１の接地電極５４１および第２の接地電極５４２は、それぞれ少なくとも１つの電極延出部を備える。第１の接地電極５４１の少なくとも１つの電極延出部（図５に示された実施形態では複数の電極延出部５４１１ａ、５４１１ｂ、５４１１ｃが例示されている）は、第１の主電極５４１０の第３の主電極５４３０に面する側から第１の間隙５４０ａ内に延出しており、第２の接地電極５４２の少なくとも１つの電極延出部（図５に示された実施形態では複数の電極延出部５４２１ａ、５４２１ｂ、５４２１ｃが例示されている）は、第２の主電極５４２０の第３の主電極５４３０に面する側から第２の間隙５４０ｂ内に延出している。

【0074】

いくつかの実施形態では、信号電極は電極延出部を備えてもよい。引き続き図５を参照すると、信号電極５４３は、少なくとも１つの電極延出部（図５に示された実施形態では複数の電極延出部５４３１ａ、５４３１ｂ、５４３１ｃが例示されている）を備え、少なくとも１つの電極延出部は、第３の主電極５４３０の第１の主電極５４１０に面する側および第３の主電極５４３０の第２の主電極５４２０に面する側からそれぞれ第１の間隙５４０ａ内および第２の間隙５４０ｂ内に延出している。

【0075】

さらに説明すべき点としては、図５に示された実施形態では、第１の接地電極５４１、信号電極５４３、第２の接地電極５４２はそれぞれ電極延出部を有しているが、いくつかの他の実施形態では、図１または図２の実施形態の配置と同様に、第１の接地電極、信号電極、および第２の接地電極にはそれぞれ電極延出部が設けられなくてもよく、または、図３の実施形態の配置と同様に、第１の接地電極、信号電極、および第２の接地電極の一部に電極延出部が設けられる。

【0076】

いくつかの実施形態では、電極延出部は、光導波路上の被覆層の上面の上に延出してもよい。図６および図７を参照すると、いくつかの実施形態では、第１の接地電極５４１の少なくとも１つの電極延出部（電極延出部５４１１ａ、５４１１ｂ、５４１１ｃを参照）は、第１の主電極５４１０の第３の主電極５４３０に面する側から第１の主電極５４１０上の被覆層５５０の上に延出しており、第２の接地電極５４２の少なくとも１つの電極延出部（電極延出部５４２１ａ、５４２１ｂ、５４２１ｃを参照）は、第２の主電極５４２０の第３の主電極５４３０に面する側から、第２の光導波路５３２上の被覆層５５０の上に延出している。別の例として、いくつかの実施形態では、信号電極５４３の少なくとも１つの電極延出部（電極延出部５４３１ａ、５４３１ｂ、５４３１ｃを参照）は、第３の主電極５４３０の第１の主電極５４１０に面する第１の側および第３の主電極５４３０の第２の主電極５４２０に面する第２の側からそれぞれ、第１の光導波路５３１上の被覆層５５０および第２の光導波路５３２上の被覆層５５０の上に延出している。

【0077】

図６に示された実施形態などのいくつかの実施形態では、電極延出部の一部分は、その電極延出部に接続される主電極が位置する面内に延出しており、その電極延出部の他の部分は、対応する光導波路上の被覆層の上に延出している。例えば、第１の接地電極５４１の電極延出部５４１１ａ、５４１１ｂ、５４１１ｃのうちの少なくとも１つは、第１の主電極５４１０が位置する面内に部分的に延出しており、また第１の光導波路５３１上の被覆層５５０の上に部分的に延出しており、第２の接地電極５４２の電極延出部５４２１ａ、５４２１ｂ、５４２１ｃのうちの少なくとも１つ、または信号電極５４３の電極延出部５４３１ａ、５４３１ｂ、５４３１ｃのうちの少なくとも１つも、同様に対応して設けられてもよい。

【0078】

図７に示された実施形態などのいくつかの他の実施形態では、電極延出部は、対応する光導波路上の被覆層の上面の上に直接延出している。例えば、第１の接地電極５４１の電極延出部５４１１ａ、５４１１ｂ、５４１１ｃのうちの少なくとも１つは、第１の光導波路５３１上の被覆層５５０の上に直接延出しており、第２の接地電極５４２の電極延出部５４２１ａ、５４２１ｂ、５４２１ｃのうちの少なくとも１つ、または信号電極５４３の電極延出部５４３１ａ、５４３１ｂ、５４３１ｃのうちの少なくとも１つも、同様に対応して設けられてもよい。

【0079】

加えて、上記の実施形態では、第１の主電極５４１０および第２の主電極５４２０の下面が被覆層５５０上に位置しているが、いくつかの他の実施形態では、これら２つの主電極は、被覆層を貫通して薄膜層の表面と直接接触してもよい。代替として、第１の主電極および第２の主電極は、被覆層に埋め込まれ、被覆層を貫通していない。

【0080】

同様に、上記の実施形態では、第３の主電極５４３０の下面が薄膜層５３０上に位置しているが、いくつかの他の実施形態では、第３の主電極は、薄膜層を貫通して分離層の表面と直接接触してもよい。代替として、第３の主電極は、薄膜層に埋め込まれ、薄膜層を貫通していない。

【0081】

図８は、例示的な実施形態による電気光学変調器８００の概略斜視図である。電気光学変調器８００は、基板８１０と、基板８１０上に位置する分離層８２０と、薄膜層８３０と、電極８４０と、被覆層８５０とを備えてもよい。薄膜層８３０は、第１の光導波路８３１および第２の光導波路８３２を形成するように構成される。第１の光導波路８３１および第２の光導波路８３２の配置により、薄膜層８３０は、第１のエッジ領域８３３、第１の光導波路８３１、中間領域８３４、第２の光導波路８３２、および第２のエッジ領域８３５を備えることになる。電極８４０は、間隔をおいて順に配置された第１の接地電極８４１、信号電極８４３、および第２の接地電極８４２を備えてもよい。第１の接地電極８４１の第１の主電極８４１０と信号電極８４３の第３の主電極８４３０との間には第１の間隙８４０ａがあり、第２の接地電極８４２の第２の主電極８４２０と信号電極８４３の第３の主電極８４３０との間には第２の間隙８４０ｂがある。図２の参照番号と同様の参照番号は、同様の要素を示しており、したがって、簡潔にするためにその詳細な説明は省略されている。

【0082】

図８に示された電気光学変調器８００は、図８の被覆層８５０が薄膜層８３０の上面を被覆し、電極８４０が全体的に被覆層８５０上に位置しており、被覆層８５０のうち第１の主電極８４１０および第２の主電極８４２０が設けられている部分が、第３の主電極８４３０が設けられている部分の厚さと異なる厚さを有する、すなわち、ｈ１とｈ２が異なるという点において、図２に示された電気光学変調器２００とは異なる。

【0083】

上述されたように、本開示の実施形態では、異なる領域に異なる厚さを有する被覆層８５０を選択的に設けることにより、信号電極８４３および接地電極に対する個別の調節および制御が実装され得、電気信号の伝送速度の調節および制御が、より柔軟かつ正確になる。図８に示された実施形態で説明したように、被覆層８５０のうち第１の主電極８４１０および第２の主電極８４２０が設けられている部分の厚さはｈ１によって表され、被覆層８５０のうち第３の主電極８４３０が設けられている部分の厚さはｈ２によって表される。２つの異なる厚さは、２つの接地電極の主電極と薄膜層８３０との間の距離および信号電極の主電極と薄膜層８３０との間の距離を異なる状態にすることができ、その結果、電気信号の伝送速度の調節および制御パラメータが増加し、電気信号の伝送速度の調節および制御がより柔軟かつ正確になり、したがって、光信号および電気信号の伝送速度を整合させることがより容易になる。

【0084】

上述の実施形態と同様に、電極８３０は電極延出部をさらに備えてもよい。簡潔にするために、ここでは詳細な説明は省略されている。

【0085】

加えて、上記の実施形態では、第１の主電極８４１０、第２の主電極８４２０、および第３の主電極８４３０の下面が被覆層８５０上に位置しているが、いくつかの他の実施形態では、２つの接地電極の主電極または信号電極の主電極は、被覆層を貫通して薄膜層の表面に直接接触してもよい。代替として、２つの接地電極の主電極または信号電極の主電極は、被覆層に埋め込まれ、被覆層を貫通していない。

【0086】

図９Ａおよび図９Ｂに示されるように、本開示のいくつかの実施形態の電気光学変調器９００では、第１の接地電極９４１および第２の接地電極９４２はそれぞれ、少なくとも１つの電極延出部（それぞれ、図に示された電極延出部９４１１、９４２１など）をさらに備え、第１の接地電極９４１の少なくとも１つの電極延出部９４１１は、第１の主電極９４１０の第３の主電極９４３０に面する側から第１の間隙９４０ａ内に延出しており、第２の接地電極９４２の少なくとも１つの電極延出部９４２１は、第２の主電極９４２０の第３の主電極９４３０に面する側から第２の間隙９４０ｂ内に延出しており、信号電極９４３は、第３の主電極９４３０の第１の主電極９４１０に面する側および第３の主電極９４３０の第２の主電極９４２０に面する側からそれぞれ第１の間隙９４０ａ内および第２の間隙９４０ｂ内に延出している少なくとも１つの電極延出部９４３１をさらに備え、第１の接地電極９４１の少なくとも１つの電極延出部９４１１の第３の主電極９４３０に近い端子、第２の接地電極９４２の少なくとも１つの電極延出部９４２１の第３の主電極９４３０に近い端子、および信号電極９４３の少なくとも１つの電極延出部９４３１の第３の主電極９４３０から遠い端子は、同じ高さを有する水平面上に配置される。

【0087】

図９Ａおよび図９Ｂに示された実施形態では、電気光学変調器９００は、薄膜層８３０の基板９１０および分離層９２０から離れて形成された被覆層９５０をさらに備える。被覆層９５０は、間隔をおいて順に配置された第１の部分９５０ａ、第２の部分９５０ｂ、および第３の部分９５０ｃを備え、第１の部分９５０ａは第１の光導波路９３１を被覆し、第３の部分９５０ｃは第２の光導波路９３２を被覆し、第１の主電極９４１０は薄膜層９３０上に位置し、第２の主電極９４２０は薄膜層９３０上に位置し、第３の主電極は第２の部分９５０ｂ上に位置し、第１の接地電極９４１の少なくとも１つの電極延出部９４１１の第３の主電極９４３０に近い端子、第２の接地電極９４２の少なくとも１つの電極延出部９４２１の第３の主電極９４３０に近い端子、および信号電極９４３の少なくとも１つの電極延出部９４３１の第３の主電極９４３０から遠い端子は、すべて薄膜層９３０上に位置する。本開示のいくつかの実施形態では、被覆層９５０は、第１の部分９５０ａおよび第３の部分９５０ｃを含まなくてもよい。

【0088】

図１０に示されるように、本開示のいくつかの実施形態では、電気光学変調器１０００は、薄膜層１０３０の基板１０１０および分離層１０２０から離れて形成された被覆層１０５０をさらに備える。被覆層１０５０は、間隔をおいて順に配置された第１の部分１０５０ａ、第２の部分１０５０ｂ、第３の部分１０５０ｃ、および第４の部分１０５０ｄを備え、第２の部分１０５０ｂは第１の光導波路１０３１を被覆し、第３の部分１０５０ｃは第２の光導波路１０３２を被覆し、第１の主電極１０４１０は第１の部分１０５０ａ上に位置し、第２の主電極１０４２０は第４の部分１０５０ｄ上に位置し、第３の主電極１０４３０は薄膜層１０３０上に位置し、第１の接地電極１０４１の少なくとも１つの電極延出部１０４１１の第３の主電極１０４３０に近い端子は、第２の部分１０５０ｂ上に位置し、第２の接地電極１０４２の少なくとも１つの電極延出部１０４２１の第３の主電極１０４３０に近い端子は、第３の部分１０５０ｃ上に位置し、信号電極１０４３の少なくとも１つの電極延出部１０４３１の第３の主電極１０４３０から遠い端子の一部分は、第２の部分１０５０ｂ上に位置し、その他の部分は、第３の部分１０５０ｃ上に位置する。

【0089】

図１１に示されるように、本開示のいくつかの実施形態では、電気光学変調器１１００は、薄膜層１１３０の基板１１１０および分離層１１２０から離れて形成された被覆層１１５０をさらに備える。被覆層１１５０は、間隔をおいて順に配置された第１の部分１１５０ａ、第２の部分１１５０ｂ、および第３の部分１１５０ｃを備え、第１の部分１１５０ａは第１の光導波路１１３１を被覆し、第３の部分１１５０ｃは第２の光導波路１１３２を被覆し、第１の主電極１１４１０は薄膜層１１３０上に位置し、第２の主電極１１４２０は薄膜層１１３０上に位置し、第３の主電極１１４３０は第２の部分１１５０ｂ上に位置し、第１の接地電極１１４１の少なくとも１つの電極延出部１１４１１の第３の主電極１１４３０に近い端子は、第１の部分１１５０ａ上に位置し、第２の接地電極１１４２の少なくとも１つの電極延出部１１４２１の第３の主電極１１４３０に近い端子は、第３の部分１１５０ｃ上に位置し、信号電極１１４３の少なくとも１つの電極延出部１１４３１の第３の主電極１１４３０から遠い端子の一部分は、第１の部分１１５０ａ上に位置し、その他の部分は、第３の部分１１５０ｃ上に位置する。

【0090】

図１２は、本開示の例示的な実施形態による電気光学デバイス１２００の簡略ブロック図である。一例では、電気光学デバイス１２００は、電気光学変調器１２１０と、電気光学変調器１２１０に結合された電気インターフェース１２１１と、電気光学変調器１２１０に結合された光インターフェース１２１２とを含んでもよい。電気光学変調器１２１０は、上述の実施形態のいずれか１つに従って構築されてもよい。

【0091】

本開示の実施形態または例について図面を参照して説明したが、上記で説明した方法、システム、およびデバイスは単なる例示的な実施形態または例であり、本開示の範囲はこれらの実施形態または例に限定されず、与えられた特許請求の範囲およびその均等物によってのみ定義されることが理解されるべきである。実施形態または例における様々な要素は、省略されるか、またはその同等の要素によって置換されてもよい。さらに、ステップは、本開示で説明した順序とは異なる順序で実行されてもよい。さらに、実施形態または例における様々な要素は、様々な方法で組み合わされてもよい。技術が進化するにつれて、本明細書に記載の多くの要素が、本開示後に現れる同等の要素と置き換えられてもよいことが重要である。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9A】

【図9B】

【図10】

【図11】

【図12】

【手続補正書】

【提出日】2024-03-14

【手続補正1】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００１

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0001】

本開示は、電気光学技術に関し、より詳細には、電気光学変調器および電気光学デバイスに関する。

【手続補正2】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板上に位置する分離層と、
第１の光導波路および第２の光導波路を形成するように構成された薄膜層であって、前記第１の光導波路および前記第２の光導波路の配置により、前記薄膜層が第１のエッジ領域、前記第１の光導波路、中間領域、前記第２の光導波路、および第２のエッジ領域を備える薄膜層と、
電極であって、前記電極が、間隔をおいて順に配置された第１の接地電極、信号電極、および第２の接地電極を備え、前記第１の接地電極が少なくとも第１の主電極を備え、前記第２の接地電極が少なくとも第２の主電極を備え、前記信号電極が少なくとも第３の主電極を備え、前記第１の光導波路が前記第１の主電極と前記第３の主電極との間の第１の間隙に配置され、前記第２の光導波路が前記第２の主電極と前記第３の主電極との間の第２の間隙に配置され、前記第１の主電極および前記第２の主電極が、第１の高さを有する水平面上に配置され、前記第３の主電極が、第２の高さを有する水平面上に配置され、前記第１の高さが前記第２の高さと異なる、電極と、
を備える、電気光学変調器。

【請求項2】

前記電極が、前記薄膜層の前記基板から離れて形成される、請求項１に記載の電気光学変調器。

【請求項3】

前記第１の主電極および前記第２の主電極が、前記薄膜層に埋め込まれ、前記薄膜層を貫通して前記分離層と直接接触しているか、または、
前記第１の主電極および前記第２の主電極が、前記薄膜層に埋め込まれ、前記薄膜層を貫通していない、請求項１に記載の電気光学変調器。

【請求項4】

前記第３の主電極が、前記薄膜層に埋め込まれ、前記薄膜層を貫通して前記分離層と直接接触しているか、または、
前記第３の主電極が、前記薄膜層に埋め込まれ、前記薄膜層を貫通していない、請求項１に記載の電気光学変調器。

【請求項5】

被覆層をさらに備え、前記被覆層が前記薄膜層の上面を少なくとも部分的に被覆し、前記被覆層の屈折率が前記薄膜層の屈折率よりも低い、請求項１に記載の電気光学変調器。

【請求項6】

前記被覆層が前記中間領域の上面を被覆し、
前記第１の主電極および前記第２の主電極が前記薄膜層上に位置し、前記第３の主電極が前記被覆層上に位置する、請求項５に記載の電気光学変調器。

【請求項7】

前記第３の主電極が、前記被覆層に埋め込まれ、前記被覆層を貫通して前記薄膜層と直接接触しているか、または、
前記第３の主電極が、前記被覆層に埋め込まれ、前記被覆層を貫通していない、請求項５に記載の電気光学変調器。

【請求項8】

前記被覆層が前記第１のエッジ領域および前記第２のエッジ領域の上面を被覆し、
前記第１の主電極および前記第２の主電極が前記被覆層上に位置し、前記第３の主電極が前記薄膜層上に位置する、請求項５に記載の電気光学変調器。

【請求項9】

前記第１の主電極および前記第２の主電極が、前記被覆層に埋め込まれ、前記被覆層を貫通して前記薄膜層と直接接触しているか、または、
前記第１の主電極および前記第２の主電極が、前記被覆層に埋め込まれ、前記被覆層を貫通していない、請求項５に記載の電気光学変調器。

【請求項10】

前記被覆層が前記薄膜層の前記上面を被覆し、
前記第１の主電極、前記第２の主電極、および前記第３の主電極が前記被覆層上に位置し、前記被覆層のうち前記第１の主電極および前記第２の主電極が設けられている部分が、前記第３の主電極が設けられている部分と異なる厚さを有する、請求項５に記載の電気光学変調器。

【請求項11】

前記被覆層が、前記第１の光導波路および前記第２の光導波路の誘電率よりも低い誘電率を有する、請求項５に記載の電気光学変調器。

【請求項12】

前記被覆層が絶縁層である、請求項５に記載の電気光学変調器。

【請求項13】

前記第１の接地電極および前記第２の接地電極のそれぞれが、少なくとも１つの電極延出部をさらに備え、前記第１の接地電極の前記少なくとも１つの電極延出部が、前記第１の主電極の前記第３の主電極に面する側から前記第１の間隙内に延出しており、前記第２の接地電極の前記少なくとも１つの電極延出部が、前記第２の主電極の前記第３の主電極に面する側から前記第２の間隙内に延出している、請求項１に記載の電気光学変調器。

【請求項14】

前記電気光学変調器が被覆層をさらに備え、前記被覆層が少なくとも前記第１の光導波路および前記第２の光導波路を被覆し、前記被覆層の屈折率が前記薄膜層の屈折率よりも低く、
前記第１の接地電極の前記少なくとも１つの電極延出部が、前記第１の主電極の前記第３の主電極に面する側から前記第１の光導波路上の前記被覆層の上に延出しており、
前記第２の接地電極の前記少なくとも１つの電極延出部が、前記第２の主電極の前記第３の主電極に面する側から前記第２の光導波路上の前記被覆層の上に延出している、請求項１３に記載の電気光学変調器。

【請求項15】

前記信号電極が、前記第３の主電極の前記第１の主電極に面する側および前記第３の主電極の前記第２の主電極に面する側からそれぞれ前記第１の間隙内および前記第２の間隙内に延出している少なくとも１つの電極延出部をさらに備える、請求項１に記載の電気光学変調器。

【請求項16】

前記電気光学変調器が被覆層をさらに備え、前記被覆層が少なくとも前記第１の光導波路および前記第２の光導波路を被覆し、前記被覆層の屈折率が前記薄膜層の屈折率よりも低く、
前記信号電極の前記少なくとも１つの電極延出部が、前記第３の主電極の前記第１の主電極に面する第１の側および前記第３の主電極の前記第２の主電極に面する第２の面からそれぞれ前記第１の光導波路上の前記被覆層および前記第２の光導波路上の前記被覆層の上に延出している、請求項１５に記載の電気光学変調器。

【請求項17】

前記第１の接地電極および前記第２の接地電極のそれぞれが、少なくとも１つの電極延出部をさらに備え、前記第１の接地電極の前記少なくとも１つの電極延出部が、前記第１の主電極の前記第３の主電極に面する側から前記第１の間隙内に延出しており、前記第２の接地電極の前記少なくとも１つの電極延出部が、前記第２の主電極の前記第３の主電極に面する側から前記第２の間隙内に延出しており、
前記信号電極が、前記第３の主電極の前記第１の主電極に面する側および前記第３の主電極の前記第２の主電極に面する側からそれぞれ前記第１の間隙内および前記第２の間隙内に延出している少なくとも１つの電極延出部をさらに備え、
前記第１の接地電極の前記少なくとも１つの電極延出部の前記第３の主電極に近い端子、前記第２の接地電極の前記少なくとも１つの電極延出部の前記第３の主電極に近い端子、および前記信号電極の前記少なくとも１つの電極延出部の前記第３の主電極から遠い端子が、同じ高さを有する水平面上に配置される、請求項１に記載の電気光学変調器。

【請求項18】

前記電気光学変調器が、前記薄膜層の前記基板から離れて形成された被覆層をさらに備え、前記被覆層が、間隔をおいて順に配置された第１の部分、第２の部分、第３の部分、および第４の部分を備え、
前記第２の部分が前記第１の光導波路を被覆し、前記第３の部分が前記第２の光導波路を被覆し、
前記第１の主電極が前記第１の部分上に位置し、前記第２の主電極が前記第４の部分上に位置し、前記第３の主電極が前記薄膜層上に位置し、
前記第１の接地電極の前記少なくとも１つの電極延出部の前記第３の主電極に近い前記端子が、前記第２の部分上に位置し、前記第２の接地電極の前記少なくとも１つの電極延出部の前記第３の主電極に近い前記端子が、前記第３の部分上に位置し、前記信号電極の前記少なくとも１つの電極延出部の前記第３の主電極から遠い前記端子の一部分が、前記第２の部分上に位置し、その他の部分が、前記第３の部分上に位置する、請求項１７に記載の電気光学変調器。

【請求項19】

前記電気光学変調器が、前記薄膜層の前記基板から離れて形成された被覆層をさらに備え、前記被覆層が、間隔をおいて順に配置された第１の部分、第２の部分、および第３の部分を備え、
前記第１の部分が前記第１の光導波路を被覆し、前記第３の部分が前記第２の光導波路を被覆し、
前記第１の主電極が前記薄膜層に位置し、前記第２の主電極が前記薄膜層上に位置し、前記第３の主電極が前記第２の部分上に位置し、
前記第１の接地電極の前記少なくとも１つの電極延出部の前記第３の主電極に近い前記端子が、前記第１の部分上に位置し、前記第２の接地電極の前記少なくとも１つの電極延出部の前記第３の主電極に近い前記端子が、前記第３の部分上に位置し、前記信号電極の前記少なくとも１つの電極延出部の前記第３の主電極から遠い前記端子の一部分が、前記第１の部分上に位置し、その他の部分が、前記第３の部分上に位置する、請求項１７に記載の電気光学変調器。

【請求項20】

前記電気光学変調器が、前記薄膜層の前記基板から離れて形成された被覆層をさらに備え、前記被覆層が、間隔をおいて順に配置された第１の部分、第２の部分、および第３の部分を備え、
前記第１の部分が前記第１の光導波路を被覆し、前記第３の部分が前記第２の光導波路を被覆し、
前記第１の主電極が前記薄膜層に位置し、前記第２の主電極が前記薄膜層上に位置し、前記第３の主電極が前記第２の部分上に位置し、
前記第１の接地電極の前記少なくとも１つの電極延出部の前記第３の主電極に近い前記端子、前記第２の接地電極の前記少なくとも１つの電極延出部の前記第３の主電極に近い前記端子、および前記信号電極の前記少なくとも１つの電極延出部の前記第３の主電極から遠い前記端子が、すべて前記薄膜層上に位置する、請求項１７に記載の電気光学変調器。

【請求項21】

前記薄膜層が、ニオブ酸リチウムのエッチングされたＸカット、Ｙカット、またはＺカット薄膜である、請求項１に記載の電気光学変調器。

【請求項22】

前記薄膜層および前記電極を被覆するように構成された保護層をさらに備える、請求項１に記載の電気光学変調器。

【請求項23】

請求項１に記載の電気光学変調器を備える電気光学デバイス。

【国際調査報告】