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特表2024-532085上側積層ダイをパッケージ基板に結合するためのインターポーザをパッケージ高さ低減のために用いる積層ダイ集積回路（ＩＣ）パッケージ、および関連する製作方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-09-05
(54)【発明の名称】上側積層ダイをパッケージ基板に結合するためのインターポーザをパッケージ高さ低減のために用いる積層ダイ集積回路（ＩＣ）パッケージ、および関連する製作方法
(51)【国際特許分類】
H01L 25/07 20060101AFI20240829BHJP
【ＦＩ】
H01L25/08 H
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024506762
(86)(22)【出願日】2022-07-01
(85)【翻訳文提出日】2024-02-02
(86)【国際出願番号】 US2022073358
(87)【国際公開番号】W WO2023028393
(87)【国際公開日】2023-03-02
(31)【優先権主張番号】17/409,481
(32)【優先日】2021-08-23
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】507364838
【氏名又は名称】クアルコム，インコーポレイテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100108453
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
(74)【代理人】
【識別番号】100163522
【弁理士】
【氏名又は名称】黒田 晋平
(72)【発明者】
【氏名】クリシュナ・ヴェムリ
(72)【発明者】
【氏名】ジンソン・キム
(57)【要約】
上側積層ダイをパッケージ基板に電気的に結合するためのインターポーザをパッケージ高さ低減のために用いる積層ダイ集積回路（ＩＣ）パッケージ、および関連する製作方法。パッケージ基板に電気的に結合される積層ダイを設けながら、ＩＣパッケージの高さを低減するために、ＩＣパッケージはインターポーザを含む。積層ダイは、パッケージ基板とインターポーザとの間に配置される。上側ダイとインターポーザとの間の電気的接続をもたらすために、上側ダイとインターポーザとの間に１つまたは複数のワイヤが結合される（例えば、ワイヤボンディングされる）。上側ダイとパッケージ基板との間の電気的接続をルーティングするために、インターポーザとパッケージ基板との間に１つまたは複数の電気的相互接続部（例えば、導電性ピラー）が結合される。したがって、上側ダイは、上側ダイの上方にワイヤボンドのための追加の隙間領域を必要とせずに、パッケージ基板に電気的に結合され得る。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
集積回路（ＩＣ）パッケージであって、パッケージ基板と、
インターポーザと、
前記パッケージ基板に電気的に結合された第１のダイと、
前記第１のダイと前記インターポーザとの間に配置された第２のダイと、
前記第２のダイおよび前記インターポーザに結合された１つまたは複数の第２のワイヤと、
前記インターポーザおよび前記パッケージ基板に結合され、前記１つまたは複数の第２のワイヤのうちの第２のワイヤを前記パッケージ基板にそれぞれ電気的に結合する１つまたは複数の電気的相互接続部と、
を備える集積回路（ＩＣ）パッケージ。
【請求項2】
前記第１のダイが、前記パッケージ基板に隣接し前記パッケージ基板に電気的に結合された第１の活性面と、前記第１の活性面とは反対側の第１の不活性面とを有し、前記第２のダイが、前記インターポーザに隣接する第２の不活性面と、前記第２の不活性面とは反対側の第２の活性面とを有し、前記１つまたは複数の第２のワイヤが、前記インターポーザに電気的に結合される、請求項１に記載のＩＣパッケージ。
【請求項3】
前記１つまたは複数の第２のワイヤが、前記第２のダイの前記第２の活性面および前記インターポーザに結合される、請求項２に記載のＩＣパッケージ。
【請求項4】
前記第２のダイの前記第２の活性面が、垂直方向において前記第１のダイの少なくとも一部分に重なる第１の活性面部分と、
垂直方向において前記第１のダイに重ならない第２の活性面部分と、を備え、
前記１つまたは複数の第２のワイヤが、前記第２の活性面の前記第２の活性面部分に結合される、請求項３に記載のＩＣパッケージ。
【請求項5】
前記１つまたは複数の第２のワイヤがそれぞれ、前記第２のダイの下方で前記第２のダイから前記パッケージ基板に向かって延び、前記インターポーザに向かって上向きに曲がる凹状曲がり部を備える、請求項４に記載のＩＣパッケージ。
【請求項6】
前記１つまたは複数の第２のワイヤがそれぞれ、前記インターポーザに向かって上向きに曲がる凹状曲がり部を備える、請求項４に記載のＩＣパッケージ。
【請求項7】
前記第２のダイの前記第２の活性面の少なくとも一部分が、前記第１のダイの前記第１の不活性面の少なくとも一部分に接合される、請求項２に記載のＩＣパッケージ。
【請求項8】
前記第２のダイが、前記第１のダイに積層配置で結合される、請求項１に記載のＩＣパッケージ。
【請求項9】
前記第２のダイの前記第２の活性面の少なくとも一部分と前記第１のダイの前記第１の不活性面の少なくとも一部分との間に圧着部をさらに備える、請求項２に記載のＩＣパッケージ。
【請求項10】
前記第２のダイの前記第２の活性面の少なくとも一部分を前記第１のダイの前記第１の不活性面の少なくとも一部分に結合するエポキシをさらに備える、請求項２に記載のＩＣパッケージ。
【請求項11】
前記第１のダイを前記パッケージ基板にそれぞれ結合する１つまたは複数の相互接続バンプをさらに備える、請求項１に記載のＩＣパッケージ。
【請求項12】
前記第１のダイに電気的に結合され、前記パッケージ基板に電気的に結合された１つまたは複数の第１のワイヤをさらに備える、請求項１に記載のＩＣパッケージ。
【請求項13】
前記第１のダイが、前記第１のダイを前記第２のダイに電気的に結合するために、前記１つまたは複数の電気的相互接続部のうちの少なくとも１つの電気的相互接続部に前記パッケージ基板を通して電気的に結合される、請求項１に記載のＩＣパッケージ。
【請求項14】
前記第１のダイと前記第２のダイとの間に配置された第３のダイをさらに備える、請求項１に記載のＩＣパッケージ。
【請求項15】
前記第３のダイおよび前記パッケージ基板に電気的に結合された１つまたは複数の第３のワイヤをさらに備える、請求項１４に記載のＩＣパッケージ。
【請求項16】
前記１つまたは複数の第３のワイヤがそれぞれ、前記第３のダイの上方で前記第３のダイから前記インターポーザに向かって延び、前記パッケージ基板に向かって下向きに曲がる凸状曲がり部を備える、請求項１５に記載のＩＣパッケージ。
【請求項17】
前記第３のダイおよび前記インターポーザに電気的に結合された１つまたは複数の第３のワイヤをさらに備える、請求項１４に記載のＩＣパッケージ。
【請求項18】
前記１つまたは複数の第３のワイヤがそれぞれ、前記第３のダイの下方で前記第３のダイから前記パッケージ基板に向かって延び、前記インターポーザに向かって上向きに曲がる凹状曲がり部を備える、請求項１７に記載のＩＣパッケージ。
【請求項19】
前記インターポーザおよび前記パッケージ基板に結合され、前記１つまたは複数の第３のワイヤのうちの第３のワイヤにそれぞれ電気的に結合された１つまたは複数の第２の電気的相互接続部をさらに備える、請求項１７に記載のＩＣパッケージ。
【請求項20】
前記第３のダイが、前記第３のダイを前記第１のダイに電気的に結合するために、前記１つまたは複数の電気的相互接続部のうちの少なくとも１つの電気的相互接続部に前記インターポーザによって電気的に結合される、請求項１９に記載のＩＣパッケージ。
【請求項21】
前記第１のダイが、前記パッケージ基板に隣接し前記パッケージ基板に電気的に結合された第１の活性面と、前記第１の活性面とは反対側の第１の不活性面とを有し、前記第２のダイが、前記インターポーザに隣接する第２の不活性面と、前記第２の不活性面とは反対側の第２の活性面とを有し、
前記第３のダイが、第３の活性面と、前記第３の活性面とは反対側の第３の不活性面とを有する、
請求項１４に記載のＩＣパッケージ。
【請求項22】
１つまたは複数の第３のワイヤが、前記第３のダイの前記第３の活性面および前記パッケージ基板に結合される、請求項２１に記載のＩＣパッケージ。
【請求項23】
前記第３のダイの前記第３の活性面が、垂直方向において前記第１のダイの少なくとも一部分に重なる第１の活性面部分と、
垂直方向において前記第１のダイに重ならない第２の活性面部分と、を備え、
１つまたは複数の第３のワイヤが、前記第３の活性面の前記第２の活性面部分に結合される、請求項２１に記載のＩＣパッケージ。
【請求項24】
セットトップボックスと、エンターテイメントユニットと、ナビゲーションデバイスと、通信デバイスと、固定ロケーションデータユニットと、モバイルロケーションデータユニットと、全地球測位システム（ＧＰＳ）デバイスと、モバイルフォンと、セルラーフォンと、スマートフォンと、セッション開始プロトコル（ＳＩＰ）フォンと、タブレットと、ファブレットと、サーバと、コンピュータと、ポータブルコンピュータと、モバイルコンピューティングデバイスと、ウェアラブルコンピューティングデバイスと、デスクトップコンピュータと、携帯情報端末（ＰＤＡ）と、モニタと、コンピュータモニタと、テレビと、チューナーと、ラジオと、衛星ラジオと、音楽プレーヤと、デジタル音楽プレーヤと、ポータブル音楽プレーヤと、デジタルビデオプレーヤと、ビデオプレーヤと、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）プレーヤと、ポータブルデジタルビデオプレーヤと、自動車と、車両部品と、アビオニクスシステムと、ドローンと、マルチコプターと、からなる群から選択されるデバイスに一体化された、請求項１に記載のＩＣパッケージ。
【請求項25】
集積回路（ＩＣ）パッケージを製作する方法であって、パッケージ基板を用意することと、
インターポーザを用意することと、
第１のダイを前記パッケージ基板に電気的に結合することと、
前記第１のダイと前記インターポーザとの間に第２のダイを配置することと、
１つまたは複数の第２のワイヤを前記第２のダイおよび前記インターポーザに結合することと、
１つまたは複数の電気的相互接続部を前記パッケージ基板および前記インターポーザに結合して、前記１つまたは複数の第２のワイヤのうちの第２のワイヤを前記パッケージ基板に電気的に結合することと、
を含む方法。
【請求項26】
前記第１のダイを前記パッケージ基板に電気的に結合することが、前記パッケージ基板に隣接する前記第１のダイの第１の活性面を電気的に結合することを含み、前記１つまたは複数の第２のワイヤを前記第２のダイおよび前記インターポーザに結合することが、前記１つまたは複数の第２のワイヤを前記インターポーザに隣接する前記第２のダイの第２の活性面に結合することを含む、
請求項２５に記載の方法。
【請求項27】
前記第１のダイと前記インターポーザとの間に前記第２のダイを配置することが、前記第２のダイの第１の活性面部分が垂直方向において前記第１のダイの少なくとも一部分に重なり、前記第２のダイの第２の活性面部分が垂直方向において前記第１のダイに重ならないように、前記第１のダイに対して前記第２のダイを向けることを含み、前記１つまたは複数の第２のワイヤを前記第２のダイおよび前記インターポーザに結合することが、前記１つまたは複数の第２のワイヤを前記第２の活性面の前記第２の活性面部分に結合することを含む、
請求項２６に記載の方法。
【請求項28】
前記第２のダイを前記第１のダイに積層配置で接合することをさらに含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項29】
前記第１のダイと前記第２のダイとの間に第３のダイを配置することをさらに含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項30】
１つまたは複数の第３のワイヤを前記第３のダイおよび前記パッケージ基板に結合することをさらに含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項31】
前記第１のダイと前記第２のダイとの間に前記第３のダイを配置することが、前記第３のダイの第１の活性面部分が垂直方向において前記第１のダイの少なくとも一部分に重なり、前記第３のダイの第２の活性面部分が垂直方向において前記第１のダイに重ならないように、前記第１のダイに対して前記第３のダイを向けることを含み、前記１つまたは複数の第３のワイヤを前記第３のダイおよび前記パッケージ基板に結合することが、前記１つまたは複数の第３のワイヤを前記第３のダイの前記第２の活性面部分および前記パッケージ基板に結合することを含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項32】
１つまたは複数の第３のワイヤを前記第３のダイおよび前記インターポーザに結合することをさらに含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項33】
前記第１のダイと前記第２のダイとの間に前記第３のダイを配置することが、前記第３のダイの第１の活性面部分が垂直方向において前記第１のダイの少なくとも一部分に重なり、前記第３のダイの第２の活性面部分が垂直方向において前記第１のダイに重ならないように、前記第１のダイに対して前記第３のダイを向けることを含み、前記１つまたは複数の第３のワイヤを前記第３のダイおよび前記インターポーザに結合することが、前記１つまたは複数の第３のワイヤを前記第３のダイの前記第２の活性面部分および前記インターポーザに結合することを含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項34】
前記第１のダイを前記パッケージ基板に電気的に結合することが、前記第１のダイの第１の活性面に結合された１つまたは複数のダイ相互接続部を前記パッケージ基板に結合することを含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項35】
第３のダイを、前記第１の活性面とは反対側の前記第１のダイの第１の不活性面に結合することと、前記第３のダイを前記パッケージ基板に電気的に結合することと、
をさらに含む、請求項３４に記載の方法。
【請求項36】
前記第１のダイと前記インターポーザとの間に前記第２のダイを配置することが、前記第２のダイの第２の不活性面を前記インターポーザに接続することをさらに含む、請求項２５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
優先権出願
本出願は、「ＳＴＡＣＫＥＤ ＤＩＥ ＩＮＴＥＧＲＡＴＥＤ ＣＩＲＣＵＩＴ（ＩＣ）ＰＡＣＫＡＧＥ ＥＭＰＬＯＹＩＮＧ ＩＮＴＥＲＰＯＳＥＲ ＦＯＲ ＣＯＵＰＬＩＮＧ ＡＮ ＵＰＰＥＲ ＳＴＡＣＫＥＤ ＤＩＥ（Ｓ）ＴＯ Ａ ＰＡＣＫＡＧＥ ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ ＦＯＲ ＰＡＣＫＡＧＥ ＨＥＩＧＨＴ ＲＥＤＵＣＴＩＯＮ， ＡＮＤ ＲＥＬＡＴＥＤ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ ＭＥＴＨＯＤＳ」と題される、２０２１年８月２３日に出願された米国特許出願第１７／４０９，４８１号の優先権を主張し、その全体が参照によって本明細書に組み込まれる。
本出願は、「ＳＴＡＣＫＥＤ ＤＩＥ ＩＮＴＥＧＲＡＴＥＤ ＣＩＲＣＵＩＴ（ＩＣ）ＰＡＣＫＡＧＥ ＥＭＰＬＯＹＩＮＧ ＩＮＴＥＲＰＯＳＥＲ ＦＯＲ ＣＯＵＰＬＩＮＧ ＡＮ ＵＰＰＥＲ ＳＴＡＣＫＥＤ ＤＩＥ（Ｓ）ＴＯ Ａ ＰＡＣＫＡＧＥ ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ ＦＯＲ ＰＡＣＫＡＧＥ ＨＥＩＧＨＴ ＲＥＤＵＣＴＩＯＮ， ＡＮＤ ＲＥＬＡＴＥＤ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ ＭＥＴＨＯＤＳ」と題される、２０２１年８月２３日に出願された米国特許出願第１７／４０９，４８１号の優先権を主張し、その全体が参照によって本明細書に組み込まれる。
【背景技術】
【0002】
Ｉ．開示の分野
本開示の分野は、集積回路（ＩＣ）パッケージに関し、より詳細には、ＩＣパッケージ内のパッケージ基板への半導体ダイのワイヤボンディングに関する。
本開示の分野は、集積回路（ＩＣ）パッケージに関し、より詳細には、ＩＣパッケージ内のパッケージ基板への半導体ダイのワイヤボンディングに関する。
【0003】
ＩＩ．背景技術
集積回路（ＩＣ）は、電子デバイスの基礎である。ＩＣは、「半導体パッケージ」または「チップパッケージ」とも呼ばれるＩＣパッケージにパッケージングされる。ＩＣパッケージは、物理的支持およびダイへの電気的インターフェースを提供するためのパッケージ基板に実装され、電気的に結合される１つまたは複数の半導体ダイス（「ダイ」または「ダイス」）をＩＣとして含む。パッケージ基板は、電気トレース（例えば、金属ライン）を含む１つまたは複数の金属化層を含み、垂直相互接続アクセス（ビア）が、隣接する金属化層間で電気トレースを互いに結合して、ダイ間の電気的インターフェースを提供する。ダイは、半導体ダイをパッケージ基板の電気トレースに電気的に結合するために、パッケージ基板の上部または外側層に露出した金属相互接続部に電気的にインターフェースされる。パッケージ基板は、ダイを他の回路とインターフェースするための回路基板にＩＣパッケージを実装するためにＩＣパッケージ内のダイ間に外部インターフェースを提供するための外部金属相互接続部（例えば、はんだバンプ）に結合された外側金属化層を含む。
集積回路（ＩＣ）は、電子デバイスの基礎である。ＩＣは、「半導体パッケージ」または「チップパッケージ」とも呼ばれるＩＣパッケージにパッケージングされる。ＩＣパッケージは、物理的支持およびダイへの電気的インターフェースを提供するためのパッケージ基板に実装され、電気的に結合される１つまたは複数の半導体ダイス（「ダイ」または「ダイス」）をＩＣとして含む。パッケージ基板は、電気トレース（例えば、金属ライン）を含む１つまたは複数の金属化層を含み、垂直相互接続アクセス（ビア）が、隣接する金属化層間で電気トレースを互いに結合して、ダイ間の電気的インターフェースを提供する。ダイは、半導体ダイをパッケージ基板の電気トレースに電気的に結合するために、パッケージ基板の上部または外側層に露出した金属相互接続部に電気的にインターフェースされる。パッケージ基板は、ダイを他の回路とインターフェースするための回路基板にＩＣパッケージを実装するためにＩＣパッケージ内のダイ間に外部インターフェースを提供するための外部金属相互接続部（例えば、はんだバンプ）に結合された外側金属化層を含む。
【0004】
一部のＩＣパッケージは、異なる目的または用途のための複数のダイを含む「ハイブリッド」ＩＣパッケージとして知られている。例えば、ハイブリッドＩＣパッケージは、通信インターフェースをサポートするためのフロントエンド回路の一部としてのモデムダイを含み得る。ハイブリッドＩＣパッケージはまた、変調されるデータおよび／または復調されたデータをバッファリングおよび発信するためなどに、モデムダイによるデータ記憶およびアクセスをサポートするためのメモリを提供する１つまたは複数のメモリダイを含み得る。したがって、これらのハイブリッドＩＣパッケージでは、ＩＣパッケージ内で複数のダイを互いの上に積層することが従来から行われている。ＩＣパッケージのパッケージ基板に直接隣接する最下側ダイは、ダイ相互接続部によってパッケージ基板の上側金属化層の金属相互接続部に電気的に結合される。ＩＣパッケージのパッケージ基板に直接隣接しない他の積層ダイは、ワイヤボンドによってパッケージ基板の金属化層に電気的に結合することができる。メモリダイとモデムダイとの間の電気的接続は、パッケージ基板内の電気的接続によって形成される。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0005】
本明細書で開示される態様は、上側積層ダイをパッケージ基板に電気的に結合するためのインターポーザをパッケージ高さ低減のために用いる積層ダイ集積回路（ＩＣ）パッケージを含む。関連する製作方法も開示される。ＩＣパッケージは、積層ダイを支持するパッケージ基板を含む。パッケージ基板は、外部相互接続部とダイとの間およびＩＣパッケージ内のダイ間の電気信号ルーティングをもたらすための金属相互接続部をそれぞれ含む１つまたは複数の金属化層を含む。積層ダイは、信号ルーティングのためにパッケージ基板に電気的に結合される。ＩＣパッケージ内の下側ダイが、パッケージ基板に（例えば、相互接続バンプによって）直接電気的に結合され、下側ダイの活性面をパッケージ基板の上側金属化層の金属相互接続部に結合することができる。しかし、ＩＣパッケージ内の下側ダイの上方に積層された上側ダイが、パッケージ基板に直接隣接して配置されない。上側ダイの活性面をパッケージ基板に結合するために、ワイヤボンドを用いることができる。しかし、ワイヤボンドは、下側ダイまたは他のパッケージ構成要素と干渉せずに、外向きに、次いでパッケージ基板へと下向きに延びるのに十分な隙間領域を有するように、上側ダイの上方に延びるように向ける必要がある場合がある。ワイヤボンドはまた、損傷を受けないように最小曲げ半径を必要とする場合があり、これには、上側ダイとＩＣパッケージのオーバーモールドの上面との間の通常の領域許容範囲を超えて、上側ダイの上方に多少の追加の隙間領域が必要になる。この追加の隙間領域は、ＩＣパッケージの全高に寄与し、望ましくない場合がある。
【0006】
したがって、例示的な態様では、パッケージ基板に電気的に結合される積層ダイ構成を依然として設けながら、ＩＣパッケージの高さを低減するために、ＩＣパッケージはインターポーザを含む。積層ダイは、パッケージ基板とインターポーザとの間に配置される。上側ダイとインターポーザとの間の電気的接続をもたらすために、上側ダイの活性面とインターポーザとの間に１つまたは複数のワイヤが結合される（例えば、ワイヤボンディングされる）。上側ダイに結合されたワイヤとパッケージ基板との間の電気接続をルーティングするために、インターポーザとパッケージ基板との間に１つまたは複数の電気的相互接続部（例えば、導電性ピラー）が結合される。このようにして、上側ダイは、ワイヤボンドを上側ダイに結合しパッケージ基板まで結合するための追加の隙間領域を必要とせずに、パッケージ基板に電気的に結合され得る。ＩＣパッケージの全高に追加されるインターポーザの高さは、上側ダイをパッケージ基板にワイヤボンディングするために必要とされる隙間領域の高さよりも小さくてよい。
【0007】
この点について、１つの例示的な態様では、ＩＣパッケージが開示される。ＩＣパッケージは、パッケージ基板を含む。ＩＣパッケージはまた、インターポーザを含む。ＩＣパッケージはまた、パッケージ基板に電気的に結合された第１のダイを含む。ＩＣパッケージはまた、第１のダイとインターポーザとの間に配置された第２のダイを含む。ＩＣパッケージはまた、第２のダイおよびインターポーザに結合された１つまたは複数の第２のワイヤを含む。ＩＣパッケージはまた、インターポーザおよびパッケージ基板に結合され、１つまたは複数の第２のワイヤのうちの第２のワイヤをパッケージ基板にそれぞれ電気的に結合する１つまたは複数の電気的相互接続部を含む。
【0008】
別の例示的な態様では、ＩＣパッケージを製作する方法が開示される。方法は、パッケージ基板を用意することを含む。方法はまた、インターポーザを用意することを含む。方法はまた、第１のダイをパッケージ基板に電気的に結合することを含む。方法はまた、第１のダイとインターポーザとの間に第２のダイを配置することを含む。方法はまた、１つまたは複数の第２のワイヤを第２のダイおよびインターポーザに結合することを含む。方法はまた、１つまたは複数の電気的相互接続部をパッケージ基板およびインターポーザに結合して、１つまたは複数の第２のワイヤのうちの第２のワイヤをパッケージ基板に電気的に結合することを含む。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1A】パッケージ基板とインターポーザとの間に２つの積層された半導体ダイ（「ダイ」）を含み、下側ダイがパッケージ基板に直接電気的に結合され、上側ダイがパッケージ高さ低減のためにインターポーザによってパッケージ基板に電気的に結合される、例示的な集積回路（ＩＣ）パッケージの側面図である。
【図1B】パッケージ基板とインターポーザとの間に２つの積層された半導体ダイ（「ダイ」）を含み、下側ダイがパッケージ基板に直接電気的に結合され、上側ダイがパッケージ高さ低減のためにインターポーザによってパッケージ基板に電気的に結合される、例示的な集積回路（ＩＣ）パッケージの側面図である。
【図2A】積層ダイを含むが、上側ダイがパッケージ基板に直接電気的に結合される、ＩＣパッケージの側面図である。
【図3A】パッケージ基板とインターポーザとの間に３つの積層ダイを含み、下側ダイがパッケージ基板に直接電気的に結合され、上側ダイがパッケージ高さ低減のためにインターポーザによってパッケージ基板に電気的に結合される、別の例示的なＩＣパッケージの側面図である。
【図3B】パッケージ基板とインターポーザとの間に３つの積層ダイを含み、下側ダイがパッケージ基板に直接電気的に結合され、上側ダイがパッケージ高さ低減のためにインターポーザによってパッケージ基板に電気的に結合される、別の例示的なＩＣパッケージの側面図である。
【図4】図１Ａ～図１Ｂおよび図３Ａ～図３ＢのＩＣパッケージを含むが、これらに限定されないＩＣパッケージであって、パッケージ基板とインターポーザとの間に積層ダイを含み、下側ダイがパッケージ基板に直接電気的に結合され、上側ダイがパッケージ高さ低減のためにインターポーザによってパッケージ基板に電気的に結合される、ＩＣパッケージを製作する例示的なプロセスを示すフローチャートである。
【図5】図１Ａ～図１Ｂおよび図３Ａ～図３ＢのＩＣパッケージを含むが、これらに限定されないＩＣパッケージであって、パッケージ基板とインターポーザとの間に積層ダイを含み、下側ダイがパッケージ基板に直接電気的に結合され、上側ダイがパッケージ高さ低減のためにインターポーザによってパッケージ基板に電気的に結合される、ＩＣパッケージに含まれる、インターポーザおよび上側ダイサブパッケージを製作するための例示的なプロセスを示すフローチャートである。
【図6A】図５の例示的な製作プロセスによる、図１Ａ～図１Ｂおよび図３Ａ～図３ＢのＩＣパッケージを含むが、これらに限定されないＩＣパッケージのための、インターポーザおよび上側ダイサブパッケージの製作中の例示的な製作段階を示す図である。
【図6B】図５の例示的な製作プロセスによる、図１Ａ～図１Ｂおよび図３Ａ～図３ＢのＩＣパッケージを含むが、これらに限定されないＩＣパッケージのための、インターポーザおよび上側ダイサブパッケージの製作中の例示的な製作段階を示す図である。
【図6C】図５の例示的な製作プロセスによる、図１Ａ～図１Ｂおよび図３Ａ～図３ＢのＩＣパッケージを含むが、これらに限定されないＩＣパッケージのための、インターポーザおよび上側ダイサブパッケージの製作中の例示的な製作段階を示す図である。
【図7】図１Ａ～図１Ｂおよび図３Ａ～図３ＢのＩＣパッケージを含むが、これらに限定されないＩＣパッケージであって、パッケージ基板とインターポーザとの間に積層ダイを含み、下側ダイがパッケージ基板に直接電気的に結合され、上側ダイがパッケージ高さ低減のためにインターポーザによってパッケージ基板に電気的に結合される、ＩＣパッケージに含まれる、パッケージ基板および下側ダイサブパッケージを製作するための例示的なプロセスを示すフローチャートである。
【図8A】図７の例示的な製作プロセスによる、図１Ａ～図１Ｂおよび図３Ａ～図３ＢのＩＣパッケージを含むが、これらに限定されないＩＣパッケージのための、パッケージ基板および下側ダイサブパッケージの製作中の例示的な製作段階を示す。
【図8B】図７の例示的な製作プロセスによる、図１Ａ～図１Ｂおよび図３Ａ～図３ＢのＩＣパッケージを含むが、これらに限定されないＩＣパッケージのための、パッケージ基板および下側ダイサブパッケージの製作中の例示的な製作段階を示す。
【図8C】図７の例示的な製作プロセスによる、図１Ａ～図１Ｂおよび図３Ａ～図３ＢのＩＣパッケージを含むが、これらに限定されないＩＣパッケージのための、パッケージ基板および下側ダイサブパッケージの製作中の例示的な製作段階を示す。
【図9A】図１Ａ～図１Ｂおよび図３Ａ～図３ＢのＩＣパッケージを含むが、これらに限定されないＩＣパッケージであって、パッケージ基板とインターポーザとの間に積層ダイを含み、下側ダイがパッケージ基板に直接電気的に結合され、上側ダイがパッケージ高さ低減のためにインターポーザによってパッケージ基板に電気的に結合される、ＩＣパッケージを製作するために、図６Ｃのインターポーザおよび上側ダイサブパッケージを含むが、これらに限定されない、インターポーザおよび上側ダイサブパッケージを、図８Ｃのパッケージ基板および下側ダイサブパッケージを含むが、これらに限定されない、パッケージ基板および下側ダイサブパッケージと組み立てるための例示的なプロセスを示すフローチャートである。
【図9B】図１Ａ～図１Ｂおよび図３Ａ～図３ＢのＩＣパッケージを含むが、これらに限定されないＩＣパッケージであって、パッケージ基板とインターポーザとの間に積層ダイを含み、下側ダイがパッケージ基板に直接電気的に結合され、上側ダイがパッケージ高さ低減のためにインターポーザによってパッケージ基板に電気的に結合される、ＩＣパッケージを製作するために、図６Ｃのインターポーザおよび上側ダイサブパッケージを含むが、これらに限定されない、インターポーザおよび上側ダイサブパッケージを、図８Ｃのパッケージ基板および下側ダイサブパッケージを含むが、これらに限定されない、パッケージ基板および下側ダイサブパッケージと組み立てるための例示的なプロセスを示すフローチャートである。
【図10A】図９Ａおよび図９Ｂの例示的な製作プロセスによる、図１Ａ～図１Ｂおよび図３Ａ～図３ＢのＩＣパッケージを含むが、これらに限定されないＩＣパッケージを形成するための、インターポーザおよび上側ダイサブパッケージとパッケージ基板および下側ダイサブパッケージとの組み立て中の例示的な製作段階を示す図である。
【図10B】図９Ａおよび図９Ｂの例示的な製作プロセスによる、図１Ａ～図１Ｂおよび図３Ａ～図３ＢのＩＣパッケージを含むが、これらに限定されないＩＣパッケージを形成するための、インターポーザおよび上側ダイサブパッケージとパッケージ基板および下側ダイサブパッケージとの組み立て中の例示的な製作段階を示す図である。
【図10C】図９Ａおよび図９Ｂの例示的な製作プロセスによる、図１Ａ～図１Ｂおよび図３Ａ～図３ＢのＩＣパッケージを含むが、これらに限定されないＩＣパッケージを形成するための、インターポーザおよび上側ダイサブパッケージとパッケージ基板および下側ダイサブパッケージとの組み立て中の例示的な製作段階を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
次に、図面を参照して、本開示のいくつかの例示的な態様について説明する。「例示的（exemplary）」という語は、「例、事例、または例示として働くこと」を意味するために本明細書で使用される。「例示的」として本明細書で説明したいかなる態様も、必ずしも他の態様よりも好ましいまたは有利であると解釈されるべきではない。
【0011】
本明細書で開示される態様は、上側積層ダイをパッケージ基板に電気的に結合するためのインターポーザをパッケージ高さ低減のために用いる積層ダイ集積回路（ＩＣ）パッケージを含む。関連する製作方法も開示される。ＩＣパッケージは、積層ダイを支持するパッケージ基板を含む。パッケージ基板は、外部相互接続部とダイとの間およびＩＣパッケージ内のダイ間の電気信号ルーティングをもたらすための金属相互接続部をそれぞれ含む１つまたは複数の金属化層を含む。積層ダイは、信号ルーティングのためにパッケージ基板に電気的に結合される。ＩＣパッケージ内の下側ダイが、パッケージ基板に（例えば、相互接続バンプによって）直接電気的に結合され、下側ダイの活性面をパッケージ基板の上側金属化層の金属相互接続部に結合することができる。しかし、ＩＣパッケージ内の下側ダイの上方に積層された上側ダイが、パッケージ基板に直接隣接して配置されない。上側ダイの活性面をパッケージ基板に結合するために、ワイヤボンドを用いることができる。しかし、ワイヤボンドは、下側ダイまたは他のパッケージ構成要素と干渉せずに、外向きに、次いでパッケージ基板へと下向きに延びるのに十分な隙間領域を有するように、上側ダイの上方に延びるように向ける必要がある場合がある。ワイヤボンドはまた、損傷を受けないように最小曲げ半径を必要とする場合があり、これには、上側ダイとＩＣパッケージのオーバーモールドの上面との間の通常の領域許容範囲を超えて、上側ダイの上方に多少の追加の隙間領域が必要になる。この追加の隙間領域は、ＩＣパッケージの全高に寄与し、望ましくない場合がある。
【0012】
したがって、例示的な態様では、パッケージ基板に電気的に結合される積層ダイ構成を依然として設けながら、ＩＣパッケージの高さを低減するために、ＩＣパッケージはインターポーザを含む。積層ダイは、パッケージ基板とインターポーザとの間に配置される。上側ダイとインターポーザとの間の電気的接続をもたらすために、上側ダイの活性面とインターポーザとの間に１つまたは複数のワイヤが結合される（例えば、ワイヤボンディングされる）。上側ダイに結合されたワイヤとパッケージ基板との間の電気接続をルーティングするために、インターポーザとパッケージ基板との間に１つまたは複数の電気的相互接続部（例えば、導電性ピラー）が結合される。このようにして、上側ダイは、ワイヤボンドを上側ダイに結合しパッケージ基板まで結合するための追加の隙間領域を必要とせずに、パッケージ基板に電気的に結合され得る。ＩＣパッケージの全高に追加されるインターポーザの高さは、上側ダイをパッケージ基板にワイヤボンディングするために必要とされる隙間領域の高さよりも小さくてよい。
【0013】
この点に関して、図１Ａは、パッケージ基板１０４とインターポーザ１０６との間に配置された２つの積層ダイ１０２（１）、１０２（２）を含む例示的なＩＣパッケージ１００の側面図である。第１のダイ１０２（１）は、この例では「下側」ダイと見なされ、図１Ａに示すように、垂直なＺ軸方向において第２の「上側」ダイ１０２（２）の下方に配置されることを意味する。下側ダイ１０２（１）は、パッケージ基板１０４に隣接して配置される。上側ダイ１０２（２）は、インターポーザ１０６に隣接して配置される。オーバーモールド１０５（例えば、エポキシ）が、インターポーザ１０６とパッケージ基板１０４との間で積層ダイ１０２（１）、１０２（２）を取り囲む。積層ダイ１０２（１）、１０２（２）は、設計に従って電子的機能を実施するためのＩＣを含む。例えば、下側ダイ１０２（１）は、通信モデムであり得る。上側ダイ１０２（２）は、無線周波数（ＲＦ）信号として送信するために変調されるデータおよび受信されたＲＦ信号から復調されたデータのバッファリングのためなどに、データ記憶および下側ダイ１０２（１）のモデムへのアクセスをもたらすように設計されるメモリデバイスであり得る。
【0014】
パッケージ基板１０４は、積層ダイ１０２（１）、１０２（２）を支持し、また外部相互接続部１１２（例えば、はんだバンプ）とダイ１０２（１）、１０２（２）との間の電気信号ルーティングをもたらし得る金属相互接続部１１０（１）、１１０（２）（例えば、金属ライン、金属トレース、垂直相互接続アクセス（ビア））をそれぞれ含む金属化層１０８（１）、１０８（２）を含む。金属化層１０８（１）、１０８（２）は、互いに接合される積層基板として、および／または再分配層（ＲＤＬ）として形成することができる。図示しないが、パッケージ基板１０４は、コアレス基板とは対照的に、コア基板になるコア部も含み得ることに留意されたい。この例のパッケージ基板１０４は、パッケージ基板１０４から露出した金属相互接続部１１０（３）を有する外部金属化層１０８（３）を含み、外部相互接続部１１２は、ＩＣパッケージ１００への外部信号ルーティングアクセスをもたらすために、金属相互接続部１１０（３）に結合され得る。例えば、外部相互接続部１１２は、ＩＣパッケージ１００をプリント回路基板（ＰＣＢ）に物理的に実装するために、またＩＣパッケージ１００を他の回路に結合するために、ＰＣＢ上の接点にはんだ付けされ得る。パッケージ基板１０４内の特定の金属相互接続部１１０（１）、１１０（２）がまた、ダイ１０２（１）、１０２（２）自体の間の内部信号ルーティングをもたらすように指定され得る。
【0015】
引き続き図１Ａを参照すると、積層ダイ１０２（１）、１０２（２）は、信号ルーティングのためにパッケージ基板１０４に電気的に結合される。ＩＣパッケージ１００内の下側ダイ１０２（１）は、相互接続バンプ１１４によってパッケージ基板１０４に直接電気的に結合されるものとして示されている。パッケージ基板１０４に隣接する下側ダイ１０２（１）の活性面１１６が、パッケージ基板１０４の上側金属化層１０８（１）の金属相互接続部１１０（１）に結合される相互接続バンプ１１４に結合される。しかし、ＩＣパッケージ１００内の下側ダイ１０２（１）の上方に積層された上側ダイ１０２（２）は、パッケージ基板１０４に直接隣接して配置されない。上側ダイ１０２（２）の活性面１１８をパッケージ基板１０４の上側金属化層１０８（１）の金属相互接続部１１０（１）に直接結合するために、ワイヤボンドを用いることができる。しかし、ワイヤボンドは、下側ダイ１０２（１）または他のパッケージ構成要素と干渉せずに、外向きに、次いでパッケージ基板１０４へと下向きに延びるのに十分な隙間領域を有するように、垂直（Ｚ軸）方向において上側ダイ１０２（２）の上方で延びるように向ける必要がある場合がある。ワイヤボンドはまた、損傷を受けないように最小曲げ半径を必要とする場合があり、これには、そのようなワイヤボンドのための十分な領域を有し、それらの必要な最小曲げ半径に適応するために、ＩＣパッケージ１００内で上側ダイ１０２（２）の上方に多少の追加の隙間領域が必要になる。この追加の隙間領域は、存在する場合、ＩＣパッケージ１００の全高Ｈ１に寄与し、望ましくない場合がある。
【0016】
したがって、図１ＢのＩＣパッケージ１００の追加の側面図に示すように、パッケージ基板１０４に電気的に結合される積層ダイ１０２（１）、１０２（２）を依然として設けながら、ＩＣパッケージ１００の高さを低減するために、図１ＢのＩＣパッケージ１００はインターポーザ１０６を含む。インターポーザ１０６は、１つの構成要素と別の構成要素との間の電気的インターフェースルーティングをもたらし、この場合、上側ダイ１０２（２）と、インターポーザ１０６をパッケージ基板１０４に結合する電気的相互接続部１２０（例えば、金属ピラー、金属ポスト、金属ビア）との間にある。例えば、インターポーザ１０６は、１つまたは複数の金属相互接続部をそれぞれ含む１つまたは複数の金属化層１２２を含み得、１つまたは複数の金属化層は、上側ダイ１０２（２）に電気的に結合され、上側ダイ１０２（２）からパッケージ基板１０４へ電気信号をルーティングするための１つまたは複数の電気的相互接続部１２０にも電気的に結合され得る。このようにして、上側ダイ１０２（２）は、外部相互接続部１１２および／またはダイ間接続のために下側ダイ１０２（１）に結合される金属化層１０８（１）、１０８（２）の他の金属相互接続部１１０（１）、１１０（２）への信号ルーティングのために、パッケージ基板１０４に電気的に結合される。図１Ｂに示すように、この例では、上側ダイ１０２（２）とインターポーザ１０６との間に電気的インターフェース接続をもたらすために、上側ダイ１０２（２）の活性面１１８とインターポーザ１０６との間に１つまたは複数のワイヤ１２４が結合される（例えば、ワイヤボンディングされる）。電気的相互接続部１２０は、上側ダイ１０２（２）に結合されたワイヤ１２４とパッケージ基板１０４との間の電気的接続をルーティングするために、インターポーザ１０６とパッケージ基板１０４との間に結合される。このようにして、上側ダイ１０２（２）は、ワイヤボンドが上側ダイ１０２（２）の活性面１１８に結合され、垂直（Ｚ軸）方向において上側ダイ１０２（２）の上方で上に延び、次いでパッケージ基板１０４へと下に戻るための追加の隙間領域を必要とせずに、パッケージ基板１０４に電気的に結合され得る。ＩＣパッケージ１００の全高Ｈ１に追加されるインターポーザ１０６の高さＨ２は、上側ダイ１０２（２）をパッケージ基板１０４にワイヤボンディングするために上側ダイ１０２（２）の上方に追加の隙間領域を設けるために必要とされるオーバーモールド１０５の追加の高さよりも小さくてよい。例えば、インターポーザ１０６の高さＨ２は、５０マイクロメートル（μｍ）であってもよい。
【0017】
上側ダイ１０２（２）とパッケージ基板１０４との間の電気的接続をもたらすためのインターポーザ１０６を含む図１Ａおよび図１ＢのＩＣパッケージ１００と、上側ダイ１０２（２）をパッケージ基板１０４に電気的に接続するためにワイヤボンディングを使用するＩＣパッケージとの間の例示的な差異をさらに示すために、図２Ａおよび図２Ｂが提示される。図２Ｂは、図１ＡのＩＣパッケージ１００の側面図である。図示するように、ＩＣパッケージ１００は、全高Ｈ１を有し、インターポーザは、ＩＣパッケージ１００の全高Ｈ１に寄与する高さＨ２を有する。図２Ａは、図１ＡのＩＣパッケージ１００と同じパッケージ基板１０４および積層ダイ１０２（１）、１０２（２）を含む代替的なＩＣパッケージ２００の側面図である。しかし、図２Ａに示すように、上側ＩＣダイ１０２（１）は、ワイヤ２０２によってパッケージ基板１０４にワイヤボンディングされる。パッケージ基板１０４に接続されるワイヤ２０２を設けるために、ワイヤ２０２は、上側ダイ１０２（２）から垂直（Ｚ軸）方向において上向きに延び、次いで水平（Ｘ軸）方向において外向きに延び、パッケージ基板１０４にルーティングされるためのクリアパスを有するようにパッケージ基板１０４に向かって下に反転する曲がり部２０４を有する。曲がり部２０４の最小半径、およびワイヤ２０２がパッケージ基板１０４まで下に延びるために必要な角度θ１が、ワイヤ２０２のために確保されなければならない上側ダイ１０２（２）の上方の高さＨ４の最小ワイヤボンド隙間領域２０５を規定する。また、ワイヤボンド隙間領域２０５の上方には、ＩＣパッケージ２００のためにオーバーモールド２１０の上面２０８との間に許容範囲を設けるために必要な高さＨ５の追加領域２０６が存在する。したがって、図２ＡのＩＣパッケージ２００内の上側ダイ１０２（２）とパッケージ基板１０４との間にワイヤボンディングを設けることにより、ＩＣパッケージ２００の全高Ｈ３に寄与する高さＨ４の最小ワイヤボンド隙間領域２０５が追加される。この例では、ＩＣパッケージ２００の全高Ｈ３は、インターポーザ１０６を用いる、図１ＡのＩＣパッケージ１００の全高Ｈ１よりも大きいことに留意されたい。例えば、インターポーザ１０６の高さＨ２は、５０μｍであるのに対し、最小ワイヤボンド隙間領域２０５および追加領域２０６の高さは、１２５μｍであり、図１Ａ～図１Ｂおよび図２ＢのＩＣパッケージ１００の全高Ｈ１に対して、図２ＡのＩＣパッケージ２００の全高Ｈ３における余分な７５μｍの差をもたらす。
【0018】
図１Ｂに戻って参照すると、ＩＣパッケージ１００の下側ダイ１０２（１）は、活性面１１６とは反対側に不活性面１２６を有する。上側ダイ１０２（２）の活性面１１８は、この例では下側ダイ１０２（４）の不活性面１２６に隣接する。上側ダイ１０２（２）の活性面１１８の少なくとも一部分が、下側ダイ１０２（１）の不活性面１２６の少なくとも一部分に（例えば、エポキシまたは圧着によって）接合され得る。上側ダイ１０２（２）は、上側ダイ１０２（２）の活性面１１８とは反対側に不活性面１２８を有する。ワイヤ１２４は、上側ダイ１０２（２）の活性面１１８に結合され、上側ダイ１０２（２）をインターポーザ１０６に電気的に結合するためにインターポーザ１０６にも結合される。この例では、上側ダイ１０２（２）とインターポーザ１０６との間にワイヤ１２４を結合するための余裕を作るために、上側ダイ１０２（２）は、水平（Ｘ軸）方向において下側ダイ１０２（１）に部分的にのみ重なるようにずらされる。この点に関して、上側ダイ１０２（２）の活性面１１８は、垂直（Ｚ軸）方向において下側ダイ１０２（２）の不活性面１２６の一部分に重なる第１の活性面部分１３０と、垂直（Ｚ軸）方向において下側ダイ１０２（１）に重ならない第２の活性面部分１３２とを含む。このようにして、ワイヤ１２４が、上側ダイ１０２（２）の活性面１１８からパッケージ基板１０４に向かって下向きに延び、次いでインターポーザ１０６に向かって上向きに反転し、次いでインターポーザ１０６まで延びて結合するための余裕が存在する。この配置により、ワイヤ１２４の曲がり部１３４が垂直方向において上側ダイ１０２（２）の上方で延びることにより、上側ダイ１０２（２）の上方に追加の領域を確保することが必要になり、ＩＣパッケージ１００の高さが増加することが、回避される。この例では、ワイヤ１２４は、垂直方向において上側ダイ１０２（２）の活性面１１８の下方で上側ダイ１０２（２）からパッケージ基板１０４に向かって下向きに延び、次いでインターポーザ１０６に向かって上向きに曲がる凹状曲がり部１３４を含む。
【0019】
図１Ａおよび図１ＢのＩＣパッケージ１００は、２つのダイ１０２（１）、１０２（２）のみを含むが、上側ダイに電気的に結合するためのインターポーザを含む他のＩＣパッケージを提供することができ、そのようなＩＣパッケージは、２つよりも多くのダイを含むことに留意されたい。この点に関して、図３Ａは、パッケージ基板３０４とインターポーザ３０６との間に配置された３つの積層ダイ３０２（１）～３０２（３）を含む例示的なＩＣパッケージ３００の側面図である。第１のダイ３０２（１）は、この例では「下側」ダイと見なされ、図３Ａに示すように、垂直なＺ軸方向において第２の「上側」ダイ３０２（２）および第３のダイ３０２（３）の下方に配置されることを意味する。第３のダイ３０２（３）は、この例では「中間」ダイと見なされ、図３Ａにまた示すように、垂直なＺ軸方向において下側ダイ３０２（１）と上側ダイ３０２（２）との間に配置されることを意味する。下側ダイ３０２（１）は、パッケージ基板３０４に隣接して配置される。上側ダイ３０２（２）は、インターポーザ３０６に隣接して配置される。オーバーモールド３０５（例えば、エポキシ）が、インターポーザ３０６とパッケージ基板３０４との間で積層ダイ３０２（１）～３０２（３）を取り囲む。積層ダイ３０２（１）～３０２（３）は、設計に従って電子的機能を実施するためのＩＣを含む。例えば、下側ダイ３０２（１）は通信モデムであり得る。中間および上側ダイ３０２（３）、３０２（２）は、無線周波数（ＲＦ）信号として送信するために変調されるデータおよび受信されたＲＦ信号から復調されたデータのバッファリングのためなどに、データ記憶および下側ダイ３０２（１）のモデムへのアクセスをもたらすように設計されるメモリデバイスであり得る。
【0020】
パッケージ基板３０４は、積層ダイ３０２（１）～３０２（３）を支持し、外部相互接続部３１２（例えば、はんだバンプ）とダイ３０２（１）～３０２（３）との間の電気信号ルーティングをもたらし得る金属相互接続部３１０（１）、３１０（２）（例えば、金属ライン、金属トレース、ビア）をそれぞれ含む金属化層３０８（１）、３０８（２）も含む。金属化層３０８（１）、３０８（２）は、互いに接合される積層基板として、および／またはＲＤＬとして形成することができる。図示しないが、パッケージ基板３０４は、コアレス基板とは対照的に、コア基板であるコア部を含むこともできることに留意されたい。この例のパッケージ基板３０４は、パッケージ基板３０４から露出した金属相互接続部３１０（３）を有する外部金属化層３０８（３）を含み、外部相互接続部３１２は、ＩＣパッケージ３００への外部信号ルーティングアクセスをもたらすために、金属相互接続部３１０（３）に結合され得る。例えば、外部相互接続部３１２は、ＩＣパッケージをＰＣＢに物理的に実装し、ＩＣパッケージ３００を他の回路に結合するために、ＰＣＢ上の接点にはんだ付けされ得る。パッケージ基板３０４内の特定の金属相互接続部３１０（１）、３１０（２）がまた、ダイ３０２（１）～３０２（３）自体の間の内部信号ルーティングをもたらすように指定され得る。
【0021】
引き続き図３Ａを参照すると、積層ダイ３０２（１）～３０２（３）は、信号ルーティングのためにパッケージ基板３０４に電気的に結合される。ＩＣパッケージ３００内の下側ダイ３０２（１）は、相互接続バンプ３１４によってパッケージ基板３０４に直接電気的に結合されるものとして示されている。パッケージ基板３０４に隣接する下側ダイ３０２（１）の活性面３１６が、パッケージ基板３０４の上側金属化層３０８（１）の金属相互接続部３１０（１）に結合される相互接続バンプ３１４に結合される。しかし、下側ダイ３０２（１）の上方に積層された中間および上側ダイ３０２（３）、３０２（２）は、パッケージ基板３０４に直接隣接して配置されない。上側ダイ３０２（２）の活性面３１８をパッケージ基板３０４の上側金属化層３０８（１）の金属相互接続部３１０（１）に直接結合するために、ワイヤボンドを用いることができる。しかし、ワイヤボンドは、中間および／もしくは下側ダイ３０２（３）、３０２（１）または他のパッケージ構成要素と干渉せずに、外向きに、次いでパッケージ基板３０４へと下向きに延びるのに十分な隙間領域を有するように、垂直（Ｚ軸）方向において上側ダイ３０２（２）の上方で延びるように向ける必要がある場合がある。ワイヤボンドはまた、損傷を受けないように最小曲げ半径を必要とする場合があり、これには、そのようなワイヤボンドのための十分な領域を有し、それらの必要な最小曲げ半径に適応するために、ＩＣパッケージ３００内で上側ダイ３０２（２）の上方に多少の追加の隙間領域が必要になる。この追加の隙間領域は、存在する場合、ＩＣパッケージ３００の全高Ｈ６に寄与し、望ましくない場合がある。
【0022】
したがって、図３ＢのＩＣパッケージ３００の追加の側面図に示すように、パッケージ基板３０４に電気的に結合される積層ダイ３０２（１）～３０２（３）を依然として設けながら、ＩＣパッケージ３００の高さを低減するために、図３ＣのＩＣパッケージ３００はインターポーザ３０６を含む。インターポーザ３０６は、１つの構成要素と別の構成要素との間の電気的インターフェースルーティングをもたらし、この場合、上側ダイ３０２（１）と、インターポーザ３０６をパッケージ基板３０４に結合する電気的相互接続部３２０（例えば、金属ピラー、金属ポスト、金属ビア）との間にある。例えば、インターポーザ３０６は、上側ダイ３０２（１）に電気的に結合され、上側ダイ３０２（１）からパッケージ基板３０４へ電気信号をルーティングするための１つまたは複数の電気的相互接続部３２０にも電気的に結合される１つまたは複数の金属相互接続部をそれぞれ含む１つまたは複数の金属化層３２２を含み得る。このようにして、上側ダイ３０２（２）は、外部相互接続部３１２、および／またはダイ間接続のために中間および下側ダイ３０２（３）、３０２（１）に結合される金属化層３０８（１）、３０８（２）の他の金属相互接続部３１０（１）、３１０（２）への信号ルーティングのために、パッケージ基板３０４に電気的に結合される。図３Ｂに示すように、この例では、上側ダイ３０２（２）とインターポーザ３０６との間に電気的インターフェース接続をもたらすために、上側ダイ３０２（２）の活性面３１８とインターポーザ３０６との間に１つまたは複数のワイヤ３２４が結合される（例えば、ワイヤボンディングされる）。電気的相互接続部３２０は、上側ダイ３０２（２）に結合されたワイヤ３２４とパッケージ基板３０４との間の電気的接続をルーティングするために、インターポーザ３０６とパッケージ基板３０４との間に結合される。このようにして、上側ダイ３０２（１）は、ワイヤボンドが上側ダイ３０２（１）の活性面３１８に結合され、垂直（Ｚ軸）方向において上側ダイ３０２（１）の上方で上に延び、次いでパッケージ基板３０４へと下に戻るための追加の隙間領域を必要とせずに、パッケージ基板３０４に電気的に結合され得る。ＩＣパッケージ３００の全高Ｈ６に追加されるインターポーザ３０６の高さＨ７は、上側ダイ３０２（２）をパッケージ基板３０４にワイヤボンディングするために必要な上側ダイ３０２（２）の上方に追加の隙間領域を設けるために必要とされるオーバーモールドの追加の高さよりも小さくてよい。例えば、インターポーザ３０６の高さＨ７は、５０マイクロメートル（μｍ）であってもよい。
【0023】
引き続き図３Ｂを参照すると、ＩＣパッケージ３００の下側ダイ３０２（１）は、活性面３１６とは反対側に不活性面３２６を有する。ＩＣパッケージ３００の中間ダイ３０２（３）は、下側ダイ３０２（１）の不活性面３２６に隣接する不活性面３３６を有する。中間ダイ３０２（３）は、不活性面３３６とは反対側に、上側ダイ３０２（２）の活性面３１８に隣接する活性面３３８を有する。中間ダイ３０２（３）の不活性面３３６の少なくとも一部分が、下側ダイ３０２（１）の不活性面３２６の少なくとも一部分に（例えば、エポキシまたは圧着によって）接合され得る。上側ダイ３０２（２）の活性面３１８の少なくとも一部分が、中間ダイ３０２（３）の活性面３３８の少なくとも一部分に（例えば、エポキシまたは圧着によって）接合され得る。上側ダイ３０２（２）は、上側ダイ３０２（２）の活性面３１８とは反対側に不活性面３２８を有する。ワイヤ３２４は、上側ダイ３０２（２）の活性面３１８に結合され、上側ダイ３０２（２）をインターポーザ３０６に電気的に結合するためにインターポーザ３０６にも結合される。この例では、上側ダイ３０２（２）とインターポーザ３０６との間にワイヤ３２４を結合するための余裕を作るために、上側ダイ３０２（２）は、水平（Ｘ軸）方向において中間ダイ３０２（３）に部分的にのみ重なるようにずらされる。この点に関して、上側ダイ３０２（２）の活性面３１８は、垂直（Ｚ軸）方向において中間ダイ３０２（２）の活性面３３８の一部分に重なる第１の活性面部分３３０と、垂直（Ｚ軸）方向において中間ダイ３０２（３）に重ならない第２の活性面部分３３２とを含む。このようにして、ワイヤ３２４が上側ダイ３０２（２）の活性面３１８からパッケージ基板３０４に向かって下向きに延び、次いでインターポーザ３０６に向かって上向きに反転し、次いでインターポーザ３０６まで延びて結合するための余裕が存在する。この配置により、ワイヤ３２４の曲がり部３３４が垂直方向において上側ダイ３０２（２）の上方で延びることにより、上側ダイ３０２（２）の上方に追加の領域を確保することが必要になり、ＩＣパッケージ３００の高さが増加することが、回避される。この例では、ワイヤ３２４は、垂直方向において上側ダイ３０２（２）の活性面３１８の下方で、上側ダイ３０２（２）からパッケージ基板３０４に向かって下向きに延び、次いでインターポーザ３０６に向かって上向きに曲がる凹状曲がり部３３４を含む。
【0024】
また、図３Ｂに示すように、中間ダイ３０２（３）は、この例では、例えばワイヤボンドであり得るワイヤ３４０によって、パッケージ基板３０４に電気的に結合される。中間ダイ３０２（３）の活性面３３８は、垂直（Ｚ軸）方向において上側ダイ３０２（２）に重ならない第１の活性面部分３４２を含むので、ワイヤ３４０が中間ダイ３０２（３）の活性面３３８からインターポーザ３０６に向かって上向きに延び、次いでパッケージ基板３０４に向かって下向きに反転し、次いでパッケージ基板３０４まで延びて結合するための余裕が存在する。代替的に、中間ダイ３０２（３）は、その活性面３３８が下側ダイ３０２（１）に隣接し、その不活性面３３６が上側ダイ３０２（２）に隣接するように、向きを逆にすることができる。この例では、上側ダイ３０２（２）をインターポーザ３０６に結合するワイヤ３２４と同様に、ワイヤ３４０は、次いで中間ダイ３０２（３）の活性面３３８をインターポーザ３０６に結合するように向けることができる。この後者の例示的なシナリオでは、中間ダイ３０２（３）は、インターポーザ３０６と電気的相互接続部３２０との間の接続によってパッケージ基板３０４に電気的に結合され得る。
【0025】
図４は、パッケージ基板とインターポーザとの間に積層ダイを含み、下側ダイがパッケージ基板に直接電気的に結合され、上側ダイがパッケージ高さ低減のためにインターポーザによってパッケージ基板に電気的に結合される、ＩＣパッケージを製作する例示的なプロセス４００を示すフローチャートである。図４の例示的なプロセス４００は、それぞれ図１Ａ～図１Ｂおよび図３Ａ～図３ＢのＩＣパッケージ１００、３００を製作するために用いることができる。図４のプロセス４００は、図１Ａ～図１Ｂおよび図３Ａ～図３ＢのＩＣパッケージ１００、３００とともに説明される。
【0026】
この点に関して、図４に示すように、プロセス４００の１つの例示的なステップは、パッケージ基板１０４、３０４を用意すること（図４のブロック４０２）である。プロセス４００の別の例示的なステップは、インターポーザ１０６、３０６を用意すること（図４のブロック４０４）である。プロセス４００の別の例示的なステップは、第１のダイ１０２（１）、３０２（１）をパッケージ基板１０４、３０４に電気的に結合すること（図４のブロック４０６）である。プロセス４００の別の例示的なステップは、第１のダイ１０２（１）、３０２（１）とインターポーザ１０６、３０６との間に第２のダイ１０２（２）、３０２（２）を配置すること（図４のブロック４０８）である。プロセス４００の別の例示的なステップは、１つまたは複数の第２のワイヤ１２４、３２４を第２のダイ１０２（２）、３０２（２）およびインターポーザ１０６、３０６に結合すること（図４のブロック４１０）である。プロセス４００の別の例示的なステップは、１つまたは複数の電気的相互接続部１２０、３２０をパッケージ基板１０４、３０４およびインターポーザ１０６、３０６に結合して、１つまたは複数の第２のワイヤ１２４、３２４のうちの第２のワイヤ１２４、３２４をパッケージ基板１０４、３０４に電気的に結合すること（図４のブロック４１２）である。
【0027】
パッケージ基板に直接電気的に結合された下側ダイと、パッケージ高さ低減のためにインターポーザによってパッケージ基板に電気的に結合された上側ダイとを含むＩＣパッケージが、後で互いに組み立てられるサブアセンブリとして製作され得る。例えば、図５は、パッケージ基板とインターポーザとの間に積層ダイを含み、下側ダイがパッケージ基板に直接電気的に結合され、上側ダイがパッケージ高さ低減のためにインターポーザによってパッケージ基板に電気的に結合される、ＩＣパッケージに含まれる、インターポーザおよび上側ダイサブパッケージを製作するための例示的なプロセス５００を示すフローチャートである。これは、それぞれ図１Ａ～図１Ｂおよび図３Ａ～図３ＢのＩＣパッケージ１００、３００を含むことができる。図６Ａ～図６Ｃは、図５の例示的な製作プロセス５００による、図１Ａ～図１Ｂおよび図３Ａ～図３ＢのＩＣパッケージ１００、３００を含むが、これらに限定されないＩＣパッケージのためのインターポーザおよび上側ダイサブパッケージの製作中の例示的な製作段階６００Ａ～６００Ｃを示す。図５のプロセス５００は、図３Ａ～図３ＢのＩＣパッケージ３００を参照して、図６Ａ～図６Ｃの製作段階６００Ａ～６００Ｃとともに説明される。
【0028】
この点に関して、図６Ａの例示的な製作段階６００Ａに示すように、インターポーザ１０６および上側ダイ１０２（２）サブパッケージを製作するためのプロセス５００の第１のステップは、インターポーザ１０６に上側ダイ１０２（２）の不活性面３２８を配置すること（図５のブロック５０２）であり得る。次に、図６Ｂの例示的な製作段階６００Ｂに示すように、プロセス５００の次のステップは、ワイヤ３２４を用意し、ワイヤ３２４を上側ダイ３０２（２）の活性面３１８およびインターポーザ３０６に結合（例えば、ワイヤボンディング）して、インターポーザ３０６および上側ダイ３０２（２）サブパッケージを用意すること（図５のブロック５０４）であり得る。次いで、図６Ｃの例示的な製作段階６００Ｃに示すように、プロセス５００の次のステップは、次に図７～図８Ｃに関して以下で説明するように、インターポーザ３０６および上側ダイ３０２（２）サブパッケージを反転させて、パッケージ基板３０４および下側ダイ３０２（１）サブパッケージに配置するように準備することであり得る。
【0029】
図７は、パッケージ基板とインターポーザとの間に積層ダイを含み、下側ダイがパッケージ基板に直接電気的に結合され、上側ダイがパッケージ高さ低減のためにインターポーザによってパッケージ基板に電気的に結合される、ＩＣパッケージに含まれるパッケージ基板および下側ダイサブパッケージを製作するための例示的なプロセス７００を示すフローチャートである。これは、それぞれ図１Ａ～図１Ｂおよび図３Ａ～図３ＢのＩＣパッケージ１００、３００を含むことができる。図８Ａ～図８Ｃは、図７の例示的な製作プロセスによる、図１Ａ～図１Ｂおよび図３Ａ～図３ＢのＩＣパッケージ１００、３００を含むが、これらに限定されないＩＣパッケージのためのパッケージ基板および下側ダイサブパッケージの製作中の例示的な製作段階８００Ａ～８００Ｃを示す。図７のプロセス７００は図３Ａ～図３ＢのＩＣパッケージ３００を参照して、図８Ａ～図８Ｃの製作段階８００Ａ～８００Ｃとともに説明される。
【0030】
この点に関して、図８Ａの例示的な製作段階８００Ａに示すように、パッケージ基板３０４および下側ダイ３０２（２）サブパッケージを製作するためのプロセス７００の第１のステップは、パッケージ基板３０４を用意し、パッケージ基板３０４に結合された電気的相互接続部３２０を形成すること（図７のブロック７０２）であり得る。図８Ｂの例示的な製作段階８００Ｂに示すように、パッケージ基板３０４および下側ダイ３０２（２）サブパッケージを製作するためのプロセス７００の次のステップは、下側ダイ３０２（１）を相互接続バンプ３１４によってパッケージ基板３０４に結合して、中間ダイ３０２（３）を下側ダイ３０２（１）に積層すること（図７のブロック７０４）であり得る。中間ダイ３０２（３）の不活性面３３６は、下側ダイ３０２（１）の不活性面３２６に接合され得る。前述のように、この例では、中間ダイ３０２（３）は、中間ダイ３０２（３）が下側ダイ３０２（１）に部分的にのみ重なるように、下側ダイ３０２（１）に積層される。これにより、ワイヤ３４０を中間ダイ３０２（３）の活性面３３８およびパッケージ基板３０４に結合するための余裕が設けられる。図８Ｃの例示的な製作段階８００Ｃに示すように、パッケージ基板３０４および下側ダイ３０２（２）サブパッケージを製作するためのプロセス７００の次のステップは、ワイヤ３４０を用意し、ワイヤを中間ダイ３０２（３）の活性面３３８およびパッケージ基板３０４に結合（例えば、ワイヤボンディング）して、中間ダイ３０２（３）をパッケージ基板３０４に電気的に結合すること（図７のブロック７０６）であり得る。
【0031】
図９Ａおよび図９Ｂは、ＩＣパッケージを製作するために、図６Ｃのインターポーザ３０６および上側ダイ３０２（２）サブパッケージを含むが、これに限定されない、インターポーザおよび上側ダイサブパッケージを、図８Ｃのパッケージ基板３０４および下側ダイ３０２（１）サブパッケージを含むが、これらに限定されない、パッケージ基板および下側ダイサブパッケージと組み立てるための例示的なプロセスを示すフローチャート９００である。製作されたＩＣパッケージは、図１Ａ～図１Ｂおよび図３Ａ～図３ＢのＩＣパッケージ１００、３００を含むが、これらに限定されないＩＣパッケージであって、パッケージ基板とインターポーザとの間に積層ダイを含み、下側ダイがパッケージ基板に直接電気的に結合され、上側ダイがパッケージ高さ低減のためにインターポーザによってパッケージ基板に電気的に結合される、ＩＣパッケージを含む。図１０Ａ～図１０Ｃは、図９Ａおよび図９Ｂの例示的な製作プロセスによる、図１Ａ～図１Ｂおよび図３Ａ～図３ＢのＩＣパッケージ１００、３００を含むが、これらに限定されないＩＣパッケージを形成するために、インターポーザおよび上側ダイサブパッケージをパッケージ基板および下側ダイサブパッケージと組み立てる間の例示的な製作段階１０００Ａ～１０００Ｃを示す。図９Ａおよび図９Ｂのプロセス９００は、図３Ａ～図３Ｂおよび図６Ｃのインターポーザ３０６および上側ダイ３０２（２）サブパッケージ、ならびに図８Ｃのパッケージ基板３０４および下側ダイ３０２（１）サブパッケージを参照して、図１０００Ａ～図１００Ｃの製作段階１０００Ａ～１０００Ｃとともに説明される。
【0032】
この点に関して、図１０Ａの例示的な製作段階１０００Ａに示すように、図６Ｃのインターポーザ３０６および上側ダイ３０２（２）サブパッケージと、図８Ｃのパッケージ基板３０４および下側ダイ３０２（１）サブパッケージとを含むＩＣパッケージ３００を製作するためのプロセス９００の第１のステップは、図６Ｃのインターポーザ３０６および上側ダイ３０２（２）サブパッケージと、図８Ｃのパッケージ基板３０４および下側ダイ３０２（１）サブパッケージとを用意すること（図９Ａのブロック９０２）であり得る。図１０Ｂの例示的な製作段階１０００Ｂに示すように、図６Ｃのインターポーザ３０６および上側ダイ３０２（２）サブパッケージと、図８Ｃのパッケージ基板３０４および下側ダイ３０２（１）サブパッケージとを含むＩＣパッケージ３００を製作するためのプロセス９００の次のステップは、インターポーザ３０６を電気的相互接続部３２０に取り付け、上側ダイ３０２（２）と中間ダイ３０２（３）が部分的に重なるように、上側ダイ３０２（２）を中間ダイ３０２（３）に接合すること（図９Ａのブロック９０４）であり得る。これにより、ワイヤ３４０および３２４がそれぞれの中間および上側ダイ３０２（３）、３０２（２）をそれぞれのインターポーザ３０６およびパッケージ基板３０４に電気的に結合するための余裕が設けられる。前述のように、この例では、上側ダイ３０２（２）の活性面３１８は、中間ダイ３０２（３）の活性面３３８に接合される。図１０Ｃの例示的な製作段階１０００Ｃに示すように、図６Ｃのインターポーザ３０６および上側ダイ３０２（２）サブパッケージと、図８Ｃのパッケージ基板３０４および下側ダイ３０２（１）サブパッケージとを含むＩＣパッケージ３００を製作するためのプロセス９００の次のステップは、インターポーザ３０６とパッケージ基板３０４との間の領域をオーバーモールド材料３４４で充填して、オーバーモールド３０５を形成すること（図９Ｂのブロック９０６）であり得る。オーバーモールド３０５は、ダイ３０２（１）～３０２（３）およびボンディングワイヤ３２４、３４０の周りに形成されて、これらの構成要素を保護および絶縁する。
【0033】
図５、図７、および図９Ａ～図９Ｂの例示的な製作プロセスによる、図１Ａ～図１Ｂ、図３Ａ～図３Ｂ、図６Ａ～図６Ｃ、図８Ａ～図８Ｃ、および図１０Ａ～図１０ＢのＩＣパッケージを含むが、これらに限定されないＩＣパッケージであって、パッケージ基板とインターポーザとの間に積層ダイを有し、下側ダイおよび中間ダイがパッケージ基板に直接電気的に結合され、上側ダイがパッケージ高さ低減のためにインターポーザによってパッケージ基板に電気的に結合される、ＩＣパッケージが、任意のプロセッサベースのデバイスに設けられ得るまたは統合され得る。例には、限定はしないが、セットトップボックス、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、固定ロケーションデータユニット、モバイルロケーションデータユニット、全地球測位システム（ＧＰＳ）デバイス、モバイルフォン、セルラーフォン、スマートフォン、セッション開始プロトコル（ＳＩＰ）フォン、タブレット、ファブレット、サーバ、コンピュータ、ポータブルコンピュータ、モバイルコンピューティングデバイス、ウェアラブルコンピューティングデバイス（例えば、スマートウォッチ、ヘルスまたはフィットネストラッカー、アイウェアなど）、デスクトップコンピュータ、携帯情報端末（ＰＤＡ）、モニタ、コンピュータモニタ、テレビ、チューナー、ラジオ、衛星ラジオ、音楽プレーヤ、デジタル音楽プレーヤ、ポータブル音楽プレーヤ、デジタルビデオプレーヤ、ビデオプレーヤ、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）プレーヤ、ポータブルデジタルビデオプレーヤ、自動車、車両部品、アビオニクスシステム、ドローン、およびマルチコプターが含まれる。
【0034】
この点に関して、図１１は、プロセッサベースのシステム１１００の例を示す。プロセッサベースのシステム１１００の構成要素は、ＩＣ１１０２である。プロセッサベースのシステム１１００のＩＣ１１０２のうちの一部または全てを、本明細書で開示される任意の態様による、図５、図７および図９Ａ～図９Ｂの例示的な製作プロセスによる、図１Ａ～図１Ｂ、図３Ａ～図３Ｂ、図６Ａ～図６Ｃ、図８Ａ～図８Ｃおよび図１０Ａ～図１０ＢのＩＣパッケージを含むが、これらに限定されないＩＣパッケージであって、パッケージ基板とインターポーザとの間に積層ダイを有し、下側ダイおよび中間ダイがパッケージ基板に直接電気的に結合され、上側ダイがパッケージ高さ低減のためにインターポーザによってパッケージ基板に電気的に結合される、ＩＣパッケージ内に設けることができる。この例では、プロセッサベースのシステム１１００は、ＩＣパッケージ１１０４として、およびシステムオンチップ（ＳｏＣ）１１０６として形成され得る。プロセッサベースのシステム１１００は、ＣＰＵコアまたはプロセッサコアとも呼ばれることもある、１つまたは複数のプロセッサ１１１０を含むＣＰＵ１１０８を含む。ＣＰＵ１１０８は、一時的に記憶されたデータに迅速にアクセスするためにＣＰＵ１１０８に結合されたキャッシュメモリ１１１２を有してもよい。ＣＰＵ１１０８は、システムバス１１１４に結合され、プロセッサベースのシステム１１００内に含まれるマスターデバイスとスレーブデバイスとを相互結合することができる。よく知られているように、ＣＰＵ１１０８は、システムバス１１１４を介してアドレス情報、制御情報、およびデータ情報を交換することによって、これらの他のデバイスと通信する。例えば、ＣＰＵ１１０８は、スレーブデバイスの一例として、メモリコントローラ１１１６にバストランザクション要求を通信することができる。図１１には示されていないが、複数のシステムバス１１１４を設けることができ、各システムバス１１１４は、異なるファブリックを構成する。
【0035】
他のマスターデバイスおよびスレーブデバイスをシステムバス１１１４に接続することが可能である。図１１に示すように、これらのデバイスは、例として、メモリコントローラ１１１６およびメモリアレイ１１１８（１つまたは複数）を含むメモリシステム１１２０と、１つ以上の入力デバイス１１２２と、１つ以上の出力デバイス１１２４と、１つ以上のネットワークインターフェースデバイス１１２６と、１つ以上のディスプレイコントローラ１１２８とを含むことができる。メモリシステム１１２０、１つ以上の入力デバイス１１２２、１つ以上の出力デバイス１１２４、１つ以上のネットワークインターフェースデバイス１１２６、および１つ以上のディスプレイコントローラ１１２８がそれぞれ、同じまたは異なる回路パッケージで提供されることがある。入力デバイス１１２２（１つまたは複数）は、入力キー、スイッチ、ボイスプロセッサなどを含むが、それらに限定されない、任意のタイプの入力デバイスを含むことができる。出力デバイス１１２４（１つまたは複数）は、オーディオ、ビデオ、他の視覚インジケータなどを含むが、それらに限定されない、任意のタイプの出力デバイスを含むことができる。ネットワークインターフェースデバイス１１２６（１つまたは複数）は、ネットワーク１１３０への、およびネットワーク１１３０からのデータの交換を可能にするように構成された任意のデバイスであってもよい。ネットワーク１１３０は、有線ネットワークまたはワイヤレスネットワーク、プライベートネットワークまたはパブリックネットワーク、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、ワイヤレスローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）、ワイドエリアネットワーク（ＷＡＮ）、ブルートゥース（登録商標）ネットワーク、およびインターネットを含むが、それらに限定されない、任意のタイプのネットワークであってもよい。ネットワークインターフェースデバイス１１２６（１つまたは複数）は、所望の任意のタイプの通信プロトコルをサポートするように構成され得る。
【0036】
ＣＰＵ１１０８はまた、システムバス１１１４を通じてディスプレイコントローラ１１２８にアクセスして、１つまたは複数のディスプレイ１１３２に送られる情報を制御するように構成され得る。ディスプレイコントローラ１１２８は、１つまたは複数のビデオプロセッサ１１３４によって表示されるように情報をディスプレイ１１３２へ送り、ビデオプロセッサ１１３４は、表示されるべき情報を処理してディスプレイ１１３２に適したフォーマットにする。ディスプレイコントローラ１１２８（１つまたは複数）およびビデオプロセッサ１１３４（１つまたは複数）は、一例として、ＩＣパッケージ１１０４および同じまたは異なる回路パッケージとして、並びにＣＰＵ１１０８を含む同じまたは異なる回路パッケージ内に含まれてもよい。ディスプレイ１１３２（１つまたは複数）は、陰極線管（ＣＲＴ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ、発光ダイオード（ＬＥＤ）ディスプレイなどを含むが、それらに限定されない、任意のタイプのディスプレイを含むことができる。
【0037】
図１２は、１つまたは複数のＩＣ１２０２から形成された無線周波数（ＲＦ）構成要素を含む例示的なワイヤレス通信デバイス１２００を示し、ＩＣ１２０２のいずれかが、本明細書で開示される任意の態様による、図５、図７および図９Ａ～図９Ｂの例示的な製作プロセスによる、図１Ａ～図１Ｂ、図３Ａ～図３Ｂ、図６Ａ～図６Ｃ、図８Ａ～図８Ｃおよび図１０Ａ～図１０ＢのＩＣパッケージを含むが、これらに限定されない、パッケージ基板とインターポーザとの間に積層ダイを有し、下側ダイおよび中間ダイがパッケージ基板に直接電気的に結合され、上側ダイがパッケージ高さ低減のためにインターポーザによってパッケージ基板に電気的に結合される、ＩＣパッケージ１２０３を含むことができる。ワイヤレス通信デバイス１２００は、例として、上記のデバイスのうちのいずれかを含んでもよい、または上記のデバイスのうちのいずれかの中に設けられてもよい。図１２に示すように、ワイヤレス通信デバイス１２００は、トランシーバ１２０４およびデータプロセッサ１２０６を含む。データプロセッサ１２０６は、データおよびプログラムコードを記憶するためのメモリを含み得る。トランシーバ１２０４は、双方向通信をサポートする送信機１２０８と受信機１２１０とを含む。一般に、ワイヤレス通信デバイス１２００は、任意の数の通信システムおよび周波数帯域用に、任意の数の送信機１２０８および／または受信機１２１０を含んでもよい。トランシーバ１２０４の全部または一部は、１つ以上のアナログＩＣ、ＲＦＩＣ、ミックスドシグナルＩＣなどの上に実装され得る。
【0038】
送信機１２０８または受信機１２１０は、スーパーヘテロダインアーキテクチャまたはダイレクトコンバージョンアーキテクチャで実装することができる。スーパーヘテロダインアーキテクチャでは、信号は、受信機１２１０の複数の段階においてＲＦとベースバンドとの間で、例えば、１つの段階においてＲＦから中間周波数（ＩＦ）に、次いで、別の段階においてＩＦからベースバンドに周波数変換される。ダイレクトコンバージョンアーキテクチャでは、信号は、１つの段階において、ＲＦとベースバンドとの間で周波数変換される。スーパーヘテロダインアーキテクチャおよびダイレクトコンバージョンアーキテクチャは、異なる回路ブロックを使用すること、および／または異なる要件を有することがある。図１２におけるワイヤレス通信デバイス１２００では、送信機１２０８および受信機１２１０は、ダイレクトコンバージョンアーキテクチャで実装される。
【0039】
送信経路では、データプロセッサ１２０６は、送信されるべきデータを処理し、ＩおよびＱアナログ出力信号を送信機１２０８に提供する。例示的なワイヤレス通信デバイス１２００では、データプロセッサ１２０６は、データプロセッサ１２０６により生成されるデジタル信号を、更なる処理のために、ＩおよびＱアナログ出力信号、例えばＩおよびＱ出力電流へと変換するためのデジタルアナログ変換器（ＤＡＣ）１２１２（１）および１２１２（２）を含む。
【0040】
送信機１２０８内では、ローパスフィルタ１２１４（１）および１２１４（２）が、それぞれ、ＩおよびＱアナログ出力信号をフィルタ処理して、前のデジタルアナログ変換によって引き起こされた不要な信号を除去する。増幅器（ＡＭＰ）１２１６（１）、１２１６（２）は、それぞれ、ローパスフィルタ１２１４（１）、１２１４（２）からの信号を増幅し、ＩおよびＱベースバンド信号を供給する。アップコンバータ１２１８は、送信（ＴＸ）局部発振器（ＬＯ）信号発生器１２２２からミキサ１２２０（１）、１２２０（２）を通るＩおよびＱ ＴＸ ＬＯ信号を用いて、ＩおよびＱベースバンド信号をアップコンバートして、アップコンバートされた信号１２２４を提供する。フィルタ１２２６は、アップコンバートされた信号１２２４をフィルタ処理して、周波数アップコンバージョンにより引き起こされる不要な信号並びに受信周波数帯域中の雑音を除去する。電力増幅器（ＰＡ）１２２８は、所望の出力電力レベルを取得するために、フィルタ１２２６からのアップコンバートされた信号１２２４を増幅して、送信ＲＦ信号を提供する。送信ＲＦ信号は、デュプレクサまたはスイッチ１２３０によってルーティングされ、アンテナ１２３２によって送信される。
【0041】
受信経路では、アンテナ１２３２は、基地局によって送信された信号を受信し、受信したＲＦ信号を提供し、ＲＦ信号は、デュプレクサまたはスイッチ１２３０を通してルーティングされ、低雑音増幅器（ＬＮＡ）１２３４に提供される。デュプレクサまたはスイッチ１２３０は、受信（ＲＸ）信号がＴＸ信号から分離されるように、特定のＲＸからＴＸへのデュプレクサ周波数分離で動作するように設計される。受信されたＲＦ信号は、ＬＮＡ１２３４によって増幅され、フィルタ１２３６によってフィルタリングされて、望ましいＲＦ入力信号を取得する。ダウンコンバージョンミキサ１２３８（１）、１２３８（２）が、フィルタ１２３６の出力を、ＲＸ ＬＯ信号発生器１２４０からのＩおよびＱ ＲＸ ＬＯ信号（すなわち、ＬＯ＿ＩおよびＬＯ＿Ｑ）と混合して、ＩおよびＱベースバンド信号を生成する。ＩおよびＱベースバンド信号は、ＡＭＰ１２４２（１）、１２４２（２）によって増幅され、さらにローパスフィルタ１２４４（１）、１２４４（２）によってフィルタリングされて、ＩおよびＱアナログ入力信号を取得し、これらがデータプロセッサ１２０６に提供される。この例では、データプロセッサ１２０６は、データプロセッサ１２０６によってさらに処理されるようにアナログ入力信号をデジタル信号に変換するためにアナログデジタル変換器（ＡＤＣ）１２４６（１）、１２４６（２）を含む。
【0042】
図１２のワイヤレス通信デバイス１２００では、ＴＸ ＬＯ信号発生器１２２２が、周波数アップコンバージョンに使用するためのＩおよびＱ ＴＸ ＬＯ信号を生成し、ＲＸ ＬＯ信号発生器１２４０が、周波数ダウンコンバージョンに使用するためのＩおよびＱ ＲＸ ＬＯ信号を生成する。各ＬＯ信号は、特定の基本周波数を有する周期信号である。ＴＸ位相ロックループ（ＰＬＬ）回路１２４８は、データプロセッサ１２０６からタイミング情報を受け取り、ＴＸ ＬＯ信号発生器１２２２からのＴＸ ＬＯ信号の周波数および／または位相を調整するために使用される制御信号を生成する。同様に、ＲＸ ＰＬＬ回路１２５０は、データプロセッサ１２０６からタイミング情報を受け取り、ＲＸ ＬＯ信号発生器１２４０からのＲＸ ＬＯ信号の周波数および／または位相を調整するために使用される制御信号を生成する。
【0043】
本明細書において開示される態様に関連して説明された種々の例示的な論理ブロック、モジュール、回路、およびアルゴリズムが、電子ハードウェア、メモリ内に若しくは別のコンピュータ可読媒体内に記憶され、プロセッサ若しくは他の処理デバイスによって実行される命令、または両方の組合せとして実装される場合があることは、当業者にはさらに理解されよう。本明細書で開示するメモリは、任意のタイプおよびサイズのメモリであってもよく、所望の任意のタイプの情報を記憶するように構成されてもよい。この互換性について明確に説明するために、様々な例示的な構成要素、ブロック、モジュール、回路、およびステップについて、上記では概してそれらの機能に関して説明してきた。そのような機能がどのように実装されるかは、特定の適用例、設計上の選択、および／またはシステム全体に課される設計制約によって決まる。当業者は、説明する機能を特定の用途ごとに様々な方法で実装し得るが、そのような実装決定は、本開示の範囲からの逸脱を引き起こすものと解釈されるべきではない。
【0044】
本明細書で開示する態様に関連して説明した様々な例示的な論理ブロック、モジュール、および回路は、プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）若しくは他のプログラマブル論理デバイス、個別ゲート若しくはトランジスタ論理、個別ハードウェア構成要素、または本明細書で説明する機能を実行するように設計されたそれらの任意の組合せを用いて実装または実行され得る。プロセッサは、マイクロプロセッサであってもよいが、代替としてプロセッサは、任意の従来のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、またはステートマシンであってもよい。プロセッサはまた、コンピューティングデバイスの組合せ（例えば、ＤＳＰおよびマイクロプロセッサの組合せ、複数のマイクロプロセッサ、ＤＳＰコアと連携する１つ以上のマイクロプロセッサ、または任意の他のそのような構成）として実装されてもよい。
【0045】
本明細書で開示する態様は、ハードウェアにおいて具現化されてもよい、およびハードウェア内に記憶され、例えば、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、フラッシュメモリ、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、電気的プログラマブルＲＯＭ（ＥＰＲＯＭ）、電気的消去可能プログラマブルＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ）、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、ＣＤ－ＲＯＭ、または当技術分野において知られている任意の他の形態のコンピュータ可読媒体の中に存在し得る命令において具現化されてもよい。例示的な記憶媒体は、プロセッサが記憶媒体から情報を読み取ることおよび記憶媒体に情報を書き込むことができるように、プロセッサに結合される。代替として、記憶媒体はプロセッサと一体化され得る。プロセッサおよび記憶媒体は、ＡＳＩＣの中に存在してもよい。ＡＳＩＣは、リモート局の中に存在してもよい。代替として、プロセッサおよび記憶媒体は、個別構成要素としてリモート局、基地局、またはサーバの中に存在してもよい。
【0046】
本明細書の例示的な態様のいずれかで説明した動作ステップが、例および説明を提供するために記載されていることにも留意されたい。説明する動作は、図示のシーケンス以外の多数の異なるシーケンスにおいて実施され得る。さらに、単一の動作ステップにおいて記載した動作は、実際にはいくつかの異なるステップにおいて実施され得る。加えて、例示的な態様において論じられた１つ以上の動作ステップは組み合わせられる場合がある。当業者には容易に明らかになるように、フローチャート図に示される動作ステップが多数の異なる変更を受ける場合があることを理解されたい。当業者であれば、様々な異なる技術および技法のいずれかを使用して情報および信号が表され得ることも理解するであろう。例えば、上記の説明全体にわたって言及され得るデータ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、およびチップは、電圧、電流、電磁波、磁場若しくは磁性粒子、光場若しくは光学粒子、またはそれらの任意の組合せによって表されてもよい。
【0047】
本開示の前述の説明は、あらゆる当業者が本開示を作成または使用することが可能となるように提供される。本開示に対する様々な変更は当業者には容易に明らかであり、本明細書で定義される一般原理は他の例に適用され得る。したがって、本開示は、本明細書で説明する例および設計に限定することを意図するものではなく、本明細書で開示する原理および新規の特徴と一致する最も広い範囲を与えられるべきである。
【0048】
以下の番号付きの条項において、実装例について説明する。
１．集積回路（ＩＣ）パッケージであって、
パッケージ基板と、
インターポーザと、
パッケージ基板に電気的に結合された第１のダイと、
第１のダイとインターポーザとの間に配置された第２のダイと、
第２のダイおよびインターポーザに結合された１つまたは複数の第２のワイヤと、
インターポーザおよびパッケージ基板に結合され、１つまたは複数の第２のワイヤのうちの第２のワイヤをパッケージ基板にそれぞれ電気的に結合する１つまたは複数の電気的相互接続部と、
を備える集積回路（ＩＣ）パッケージ。
１．集積回路（ＩＣ）パッケージであって、
パッケージ基板と、
インターポーザと、
パッケージ基板に電気的に結合された第１のダイと、
第１のダイとインターポーザとの間に配置された第２のダイと、
第２のダイおよびインターポーザに結合された１つまたは複数の第２のワイヤと、
インターポーザおよびパッケージ基板に結合され、１つまたは複数の第２のワイヤのうちの第２のワイヤをパッケージ基板にそれぞれ電気的に結合する１つまたは複数の電気的相互接続部と、
を備える集積回路（ＩＣ）パッケージ。
【0049】
２．第１のダイが、パッケージ基板に隣接しパッケージ基板に電気的に結合された第１の活性面と、第１の活性面とは反対側の第１の不活性面とを有し、
第２のダイが、インターポーザに隣接する第２の不活性面と、第２の不活性面とは反対側の第２の活性面とを有し、１つまたは複数の第２のワイヤが、インターポーザに電気的に結合される、条項１に記載のＩＣパッケージ。
第２のダイが、インターポーザに隣接する第２の不活性面と、第２の不活性面とは反対側の第２の活性面とを有し、１つまたは複数の第２のワイヤが、インターポーザに電気的に結合される、条項１に記載のＩＣパッケージ。
【0050】
３．１つまたは複数の第２のワイヤが、第２のダイの第２の活性面およびインターポーザに結合される、条項２に記載のＩＣパッケージ。
【0051】
４．第２のダイの第２の活性面が、
垂直方向において第１のダイの少なくとも一部分に重なる第１の活性面部分と、
垂直方向において第１のダイに重ならない第２の活性面部分と、を備え、
１つまたは複数の第２のワイヤが、第２の活性面の第２の活性面部分に結合される、条項３に記載のＩＣパッケージ。
垂直方向において第１のダイの少なくとも一部分に重なる第１の活性面部分と、
垂直方向において第１のダイに重ならない第２の活性面部分と、を備え、
１つまたは複数の第２のワイヤが、第２の活性面の第２の活性面部分に結合される、条項３に記載のＩＣパッケージ。
【0052】
５．１つまたは複数の第２のワイヤがそれぞれ、第２のダイの下方で第２のダイからパッケージ基板に向かって延び、インターポーザに向かって上向きに曲がる凹状曲がり部を備える、条項４に記載のＩＣパッケージ。
【0053】
６．１つまたは複数の第２のワイヤがそれぞれ、インターポーザに向かって上向きに曲がる凹状曲がり部を備える、条項４に記載のＩＣパッケージ。
【0054】
７．第２のダイの第２の活性面の少なくとも一部分が、第１のダイの第１の不活性面の少なくとも一部分に接合される、条項２から６のいずれか一項に記載のＩＣパッケージ。
【0055】
８．第２のダイが、第１のＩＣダイに積層配置で結合される、条項１から７のいずれか一項に記載のＩＣパッケージ。
【0056】
９．第２のダイの第２の活性面の少なくとも一部分と第１のダイの第１の不活性面の少なくとも一部分との間に圧着部をさらに備える、条項２に記載のＩＣパッケージ。
【0057】
１０．第２のダイの第２の活性面の少なくとも一部分を第１のダイの第１の不活性面の少なくとも一部分に結合するエポキシをさらに備える、条項２に記載のＩＣパッケージ。
【0058】
１１．第１のダイをパッケージ基板にそれぞれ結合する１つまたは複数の相互接続バンプをさらに備える、条項１から１０のいずれか一項に記載のＩＣパッケージ。
【0059】
１２．第１のダイに電気的に結合され、パッケージ基板に電気的に結合された１つまたは複数の第１のワイヤをさらに備える、条項１から１１のいずれか一項に記載のＩＣパッケージ。
【0060】
１３．第１のダイが、第１のダイを第２のダイに電気的に結合するために、１つまたは複数の電気的相互接続部のうちの少なくとも１つの電気的相互接続部にパッケージ基板を通して電気的に結合される、条項１から１２のいずれか一項に記載のＩＣパッケージ。
【0061】
１４．第１のダイと第２のダイとの間に配置された第３のダイをさらに備える、条項１から１３のいずれか一項に記載のＩＣパッケージ。
【0062】
１５．第３のダイおよびパッケージ基板に電気的に結合された１つまたは複数の第３のワイヤをさらに備える、条項１４に記載のＩＣパッケージ。
【0063】
１６．１つまたは複数の第３のワイヤがそれぞれ、第３のダイの上方で第３のダイからインターポーザに向かって延び、パッケージ基板に向かって下向きに曲がる凸状曲がり部を備える、条項１５に記載のＩＣパッケージ。
【0064】
１７．第３のダイおよびインターポーザに電気的に結合された１つまたは複数の第３のワイヤをさらに備える、条項１４に記載のＩＣパッケージ。
【0065】
１８．１つまたは複数の第３のワイヤがそれぞれ、第３のダイの下方で第３のダイからパッケージ基板に向かって延び、インターポーザに向かって上向きに曲がる凹状曲がり部を備える、条項１７に記載のＩＣパッケージ。
【0066】
１９．インターポーザおよびパッケージ基板に結合され、１つまたは複数の第３のワイヤのうちの第３のワイヤにそれぞれ電気的に結合された１つまたは複数の第２の電気的相互接続部をさらに備える、条項１７に記載のＩＣパッケージ。
【0067】
２０．第３のダイが、第３のダイを第１のダイに電気的に結合するために、１つまたは複数の電気的相互接続部のうちの少なくとも１つの電気的相互接続部にインターポーザによって電気的に結合される、条項１９に記載のＩＣパッケージ。
【0068】
２１．第１のダイが、パッケージ基板に隣接しパッケージ基板に電気的に結合された第１の活性面と、第１の活性面とは反対側の第１の不活性面とを有し、
第２のダイが、インターポーザに隣接する第２の不活性面と、第２の不活性面とは反対側の第２の活性面とを有し、
第３のダイが、第３の活性面と、第３の活性面とは反対側の第３の不活性面とを有する、
条項１４から２０のいずれか一項に記載のＩＣパッケージ。
第２のダイが、インターポーザに隣接する第２の不活性面と、第２の不活性面とは反対側の第２の活性面とを有し、
第３のダイが、第３の活性面と、第３の活性面とは反対側の第３の不活性面とを有する、
条項１４から２０のいずれか一項に記載のＩＣパッケージ。
【0069】
２２．１つまたは複数の第３のワイヤが、第３のダイの第３の活性面およびパッケージ基板に結合される、条項２１に記載のＩＣパッケージ。
【0070】
２３．第３のダイの第３の活性面が、
垂直方向において第１のダイの少なくとも一部分に重なる第１の活性面部分と、
垂直方向において第１のダイに重ならない第２の活性面部分と、を備え、
１つまたは複数の第３のワイヤが、第３の活性面の第２の活性面部分に結合される、条項２１または２２に記載のＩＣパッケージ。
垂直方向において第１のダイの少なくとも一部分に重なる第１の活性面部分と、
垂直方向において第１のダイに重ならない第２の活性面部分と、を備え、
１つまたは複数の第３のワイヤが、第３の活性面の第２の活性面部分に結合される、条項２１または２２に記載のＩＣパッケージ。
【0071】
２４．セットトップボックスと、エンターテイメントユニットと、ナビゲーションデバイスと、通信デバイスと、固定ロケーションデータユニットと、モバイルロケーションデータユニットと、全地球測位システム（ＧＰＳ）デバイスと、モバイルフォンと、セルラーフォンと、スマートフォンと、セッション開始プロトコル（ＳＩＰ）フォンと、タブレットと、ファブレットと、サーバと、コンピュータと、ポータブルコンピュータと、モバイルコンピューティングデバイスと、ウェアラブルコンピューティングデバイスと、デスクトップコンピュータと、携帯情報端末（ＰＤＡ）と、モニタと、コンピュータモニタと、テレビと、チューナーと、ラジオと、衛星ラジオと、音楽プレーヤと、デジタル音楽プレーヤと、ポータブル音楽プレーヤと、デジタルビデオプレーヤと、ビデオプレーヤと、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）プレーヤと、ポータブルデジタルビデオプレーヤと、自動車と、車両部品と、アビオニクスシステムと、ドローンと、マルチコプターと、からなる群から選択されるデバイスに一体化された、条項１から２３のいずれか一項に記載のＩＣパッケージ。
【0072】
２５．集積回路（ＩＣ）パッケージを製作する方法であって、
パッケージ基板を用意することと、
インターポーザを用意することと、
第１のダイをパッケージ基板に電気的に結合することと、
第１のダイとインターポーザとの間に第２のダイを配置することと、
１つまたは複数の第２のワイヤを第２のダイおよびインターポーザに結合することと、
１つまたは複数の電気的相互接続部をパッケージ基板およびインターポーザに結合して、１つまたは複数の第２のワイヤのうちの第２のワイヤをパッケージ基板に電気的に結合することと、
を含む方法。
パッケージ基板を用意することと、
インターポーザを用意することと、
第１のダイをパッケージ基板に電気的に結合することと、
第１のダイとインターポーザとの間に第２のダイを配置することと、
１つまたは複数の第２のワイヤを第２のダイおよびインターポーザに結合することと、
１つまたは複数の電気的相互接続部をパッケージ基板およびインターポーザに結合して、１つまたは複数の第２のワイヤのうちの第２のワイヤをパッケージ基板に電気的に結合することと、
を含む方法。
【0073】
２６．第１のダイをパッケージ基板に電気的に結合することが、パッケージ基板に隣接する第１のダイの第１の活性面を電気的に結合することを含み、
１つまたは複数の第２のワイヤを第２のダイおよびインターポーザに結合することが、１つまたは複数の第２のワイヤをインターポーザに隣接する第２のダイの第２の活性面に結合することを含む、
条項２５に記載の方法。
１つまたは複数の第２のワイヤを第２のダイおよびインターポーザに結合することが、１つまたは複数の第２のワイヤをインターポーザに隣接する第２のダイの第２の活性面に結合することを含む、
条項２５に記載の方法。
【0074】
２７．第１のダイとインターポーザとの間に第２のダイを配置することが、第２のダイの第１の活性面部分が垂直方向において第１のダイの少なくとも一部分に重なり、第２のダイの第２の活性面部分が垂直方向において第１のダイに重ならないように、第１のダイに対して第２のダイを向けることを含み、
１つまたは複数の第２のワイヤを第２のダイおよびインターポーザに結合することが、１つまたは複数の第２のワイヤを第２の活性面の第２の活性面部分に結合することを含む、
条項２６に記載の方法。
１つまたは複数の第２のワイヤを第２のダイおよびインターポーザに結合することが、１つまたは複数の第２のワイヤを第２の活性面の第２の活性面部分に結合することを含む、
条項２６に記載の方法。
【0075】
２８．第２のダイを第１のダイに積層配置で接合することをさらに含む、条項２５から２７のいずれか一項に記載の方法。
【0076】
２９．第１のダイと第２のダイとの間に第３のダイを配置することをさらに含む、条項２５から２８のいずれか一項に記載の方法。
【0077】
３０．１つまたは複数の第３のワイヤを第３のダイおよびパッケージ基板に結合することをさらに含む、条項２９に記載の方法。
【0078】
３１．第１のダイと第２のダイとの間に第３のダイを配置することが、第３のダイの第１の活性面部分が垂直方向において第１のダイの少なくとも一部分に重なり、第３のダイの第２の活性面部分が垂直方向において第１のダイに重ならないように、第１のダイに対して第３のダイを向けることを含み、
１つまたは複数の第３のワイヤを第３のダイおよびパッケージ基板に結合することが、１つまたは複数の第３のワイヤを第３のダイの第２の活性面部分およびパッケージ基板に結合することを含む、条項３０に記載の方法。
１つまたは複数の第３のワイヤを第３のダイおよびパッケージ基板に結合することが、１つまたは複数の第３のワイヤを第３のダイの第２の活性面部分およびパッケージ基板に結合することを含む、条項３０に記載の方法。
【0079】
３２．１つまたは複数の第３のワイヤを第３のダイおよびインターポーザに結合することをさらに含む、条項２９に記載の方法。
【0080】
３３．第１のダイと第２のダイとの間に第３のダイを配置することが、第３のダイの第１の活性面部分が垂直方向において第１のダイの少なくとも一部分に重なり、第３のダイの第２の活性面部分が垂直方向において第１のダイに重ならないように、第１のダイに対して第３のダイを向けることを含み、
１つまたは複数の第３のワイヤを第３のダイおよびインターポーザに結合することが、１つまたは複数の第３のワイヤを第３のダイの第２の活性面部分およびインターポーザに結合することを含む、条項３２に記載の方法。
１つまたは複数の第３のワイヤを第３のダイおよびインターポーザに結合することが、１つまたは複数の第３のワイヤを第３のダイの第２の活性面部分およびインターポーザに結合することを含む、条項３２に記載の方法。
【0081】
３４．第１のダイをパッケージ基板に電気的に結合することが、第１のダイの第１の活性面に結合された１つまたは複数のダイ相互接続部をパッケージ基板に結合することを含む、条項２５から３３のいずれか一項に記載の方法。
【0082】
３５．第３のダイを、第１の活性面とは反対側の第１のダイの第１の不活性面に結合することと、
第３のダイをパッケージ基板に電気的に結合することと、
をさらに含む、条項３４に記載の方法。
第３のダイをパッケージ基板に電気的に結合することと、
をさらに含む、条項３４に記載の方法。
【0083】
３６．第１のダイとインターポーザとの間に第２のダイを配置することが、第２のダイの第２の不活性面をインターポーザに接続することをさらに含む、条項２５から３５のいずれか一項に記載の方法。
【符号の説明】
【0084】
１００ ＩＣパッケージ
１０２ 積層ダイ
１０４ パッケージ基板
１０５ オーバーモールド
１０６ インターポーザ
１０８ 金属化層
１１０ 金属相互接続部
１１２ 外部相互接続部
１１４ 相互接続バンプ
１１６ 活性面
１１８ 活性面
１２０ 電気的相互接続部
１２２ 金属化層
１２４ ワイヤ
１２６ 不活性面
１２８ 不活性面
１３０ 第１の活性面部分
１３２ 第２の活性面部分
１３４ 曲がり部
２００ ＩＣパッケージ
２０２ ワイヤ
２０４ 曲がり部
２０５ ワイヤボンド隙間領域
２０６ 追加領域
２０８ 上面
２１０ オーバーモールド
３００ ＩＣパッケージ
３０２ 積層ダイ
３０４ パッケージ基板
３０５ オーバーモールド
３０６ インターポーザ
３０８ 金属化層
３１０ 金属相互接続部
３１２ 外部相互接続部
３１４ 相互接続バンプ
３１６ 活性面
３１８ 活性面
３２０ 電気的相互接続部
３２２ 金属化層
３２４ ワイヤ
３２６ 不活性面
３２８ 不活性面
３３０ 第１の活性面部分
３３２ 第２の活性面部分
３３４ 曲がり部
３３６ 不活性面
３３８ 活性面
３４０ ワイヤ
３４２ 第１の活性面部分
３４４ オーバーモールド材料
１１００ システム
１１０４ ＩＣパッケージ
１１０６ システムオンチップ（ＳｏＣ）
１１１０ プロセッサ
１１１２ キャッシュメモリ
１１１４ システムバス
１１１６ メモリコントローラ
１１１８ メモリアレイ
１１２０ メモリシステム
１１２２ 入力デバイス
１１２４ 出力デバイス
１１２６ ネットワークインターフェースデバイス
１１２８ ディスプレイコントローラ
１１３０ ネットワーク
１１３２ ディスプレイ
１１３４ ビデオプロセッサ
１２００ ワイヤレス通信デバイス
１２０３ ＩＣパッケージ
１２０４ トランシーバ
１２０６ データプロセッサ
１２０８ 送信機
１２１０ 受信機
１２１２ デジタルアナログ変換器（ＤＡＣ）
１２１４ ローパスフィルタ
１２１６ 増幅器（ＡＭＰ）
１２１８ アップコンバータ
１２２０ ミキサ
１２２２ 信号発生器
１２２４ 信号
１２２６ フィルタ
１２２８ 電力増幅器（ＰＡ）
１２３０ スイッチ
１２３２ アンテナ
１２３４ 低雑音増幅器（ＬＮＡ）
１２３６ フィルタ
１２３８ ダウンコンバージョンミキサ
１２４０ ＬＯ信号発生器
１２４４ ローパスフィルタ
１２４６ アナログデジタル変換器（ＡＤＣ）
１２４８ 回路
１２５０ ＰＬＬ回路
１０２ 積層ダイ
１０４ パッケージ基板
１０５ オーバーモールド
１０６ インターポーザ
１０８ 金属化層
１１０ 金属相互接続部
１１２ 外部相互接続部
１１４ 相互接続バンプ
１１６ 活性面
１１８ 活性面
１２０ 電気的相互接続部
１２２ 金属化層
１２４ ワイヤ
１２６ 不活性面
１２８ 不活性面
１３０ 第１の活性面部分
１３２ 第２の活性面部分
１３４ 曲がり部
２００ ＩＣパッケージ
２０２ ワイヤ
２０４ 曲がり部
２０５ ワイヤボンド隙間領域
２０６ 追加領域
２０８ 上面
２１０ オーバーモールド
３００ ＩＣパッケージ
３０２ 積層ダイ
３０４ パッケージ基板
３０５ オーバーモールド
３０６ インターポーザ
３０８ 金属化層
３１０ 金属相互接続部
３１２ 外部相互接続部
３１４ 相互接続バンプ
３１６ 活性面
３１８ 活性面
３２０ 電気的相互接続部
３２２ 金属化層
３２４ ワイヤ
３２６ 不活性面
３２８ 不活性面
３３０ 第１の活性面部分
３３２ 第２の活性面部分
３３４ 曲がり部
３３６ 不活性面
３３８ 活性面
３４０ ワイヤ
３４２ 第１の活性面部分
３４４ オーバーモールド材料
１１００ システム
１１０４ ＩＣパッケージ
１１０６ システムオンチップ（ＳｏＣ）
１１１０ プロセッサ
１１１２ キャッシュメモリ
１１１４ システムバス
１１１６ メモリコントローラ
１１１８ メモリアレイ
１１２０ メモリシステム
１１２２ 入力デバイス
１１２４ 出力デバイス
１１２６ ネットワークインターフェースデバイス
１１２８ ディスプレイコントローラ
１１３０ ネットワーク
１１３２ ディスプレイ
１１３４ ビデオプロセッサ
１２００ ワイヤレス通信デバイス
１２０３ ＩＣパッケージ
１２０４ トランシーバ
１２０６ データプロセッサ
１２０８ 送信機
１２１０ 受信機
１２１２ デジタルアナログ変換器（ＤＡＣ）
１２１４ ローパスフィルタ
１２１６ 増幅器（ＡＭＰ）
１２１８ アップコンバータ
１２２０ ミキサ
１２２２ 信号発生器
１２２４ 信号
１２２６ フィルタ
１２２８ 電力増幅器（ＰＡ）
１２３０ スイッチ
１２３２ アンテナ
１２３４ 低雑音増幅器（ＬＮＡ）
１２３６ フィルタ
１２３８ ダウンコンバージョンミキサ
１２４０ ＬＯ信号発生器
１２４４ ローパスフィルタ
１２４６ アナログデジタル変換器（ＡＤＣ）
１２４８ 回路
１２５０ ＰＬＬ回路
【図1A】
【図1B】
【図2A】
【図2B】
【図3A】
【図3B】
【図4】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図9A】
【図9B】
【図10A】
【図10B】
【図10C】
【図11】
【図12】
【国際調査報告】