特表 2024-532560 基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-09-05

(54)【発明の名称】基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   C23C 16/455 20060101AFI20240829BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20240829BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20240829BHJP

【ＦＩ】

C23C16/455

H01L21/31 C

H01L21/302 101H

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024515298

(86)(22)【出願日】2022-09-02

(85)【翻訳文提出日】2024-03-12

(86)【国際出願番号】 KR2022013189

(87)【国際公開番号】W WO2023038370

(87)【国際公開日】2023-03-16

(31)【優先権主張番号】10-2021-0120180

(32)【優先日】2021-09-09

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】504210651

【氏名又は名称】ジュスン エンジニアリング カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】110000154

【氏名又は名称】弁理士法人はるか国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】キム ジュン ヨン

(72)【発明者】

【氏名】チャ サン ユン

(72)【発明者】

【氏名】リ ジ フン

(72)【発明者】

【氏名】ジャン ダイ ス

【テーマコード（参考）】

4K030

5F004

5F045

【Ｆターム（参考）】

4K030CA02

4K030CA04

4K030CA06

4K030CA12

4K030CA17

4K030EA04

4K030EA05

4K030EA06

4K030FA01

4K030GA02

4K030JA01

4K030JA03

4K030KA15

4K030KA17

4K030LA15

4K030LA16

4K030LA18

5F004AA01

5F004AA16

5F004BA04

5F004BB13

5F004BB18

5F004BB19

5F004BC08

5F004BD04

5F004CA06

5F045AA08

5F045BB02

5F045BB08

5F045BB15

5F045DP03

5F045EB05

5F045EF01

5F045EH05

5F045EH14

(57)【要約】

本発明は、チャンバー、前記チャンバーの内部で少なくとも１つの基板を支持する基板支持部、前記基板支持部の上側に配置された下部プレート、および前記下部プレートの上側に配置された上部プレートを含み、前記上部プレートが第１ガスを提供する第１噴射孔、および第２ガスを提供する第２噴射孔を含み、前記下部プレートは、前記第１噴射孔から提供された第１ガスを通過させるように前記第１噴射孔の下側に配置された第１開口、および前記第２噴射孔から提供された第２ガスを通過させるように前記第２噴射孔の下側に配置された第２開口を含む基板処理装置に関するものである。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

チャンバー、
前記チャンバーの内部で少なくとも１つの基板を支持する基板支持部、
前記基板支持部の上側に配置された下部プレート、および
前記下部プレートの上側に配置された上部プレートを含み、
前記上部プレートが、第１ガスを提供する第１噴射孔、および第２ガスを提供する第２噴射孔を含み、
前記下部プレートは、前記第１噴射孔から提供された第１ガスを通過させるように前記第１噴射孔の下側に配置された第１開口、および前記第２噴射孔から提供された第２ガスを通過させるように前記第２噴射孔の下側に配置された第２開口を含むことを特徴とする基板処理装置。

【請求項2】

前記上部プレートが、接地され、
前記下部プレートは、前記第１ガスが活性化され、前記第２ガスが活性化されるようにＲＦ電源に連結したことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記上部プレートと前記下部プレートが互いに離隔した間隔が、前記第１開口の直径および前記第２開口の直径のそれぞれよりも小さいことを特徴とする、請求項１または２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記第１開口の直径が、前記第１開口でプラズマの発生を許容する長さで形成され、
前記第２開口の直径は、前記第２開口でプラズマの発生を許容する長さで形成され、
前記上部プレートと前記下部プレートが互いに離隔した間隔は、前記上部プレートと前記下部プレートの間でプラズマの発生を遮断する長さで形成されたことを特徴とする、請求項１または２に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記第１開口が、前記第１噴射孔よりも大きな直径で形成され、
前記第２開口は、前記第２噴射孔よりも大きな直径で形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記下部プレートには、第１軸方向に平行な複数の第１仮想ラインのそれぞれに沿って前記第１開口と前記第２開口が交互に複数配置され、
前記第１仮想ラインは、前記第１軸方向に垂直な第２軸方向に沿って互いに離隔したことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記下部プレートには、前記第２軸方向に平行な複数の第２仮想ラインのそれぞれに沿って前記第１開口と前記第２開口が交互に複数配置され、
前記第２仮想ラインは、前記第１軸方向に沿って互いに離隔したことを特徴とする、請求項６に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記下部プレートには、前記第１軸方向と前記第２軸方向の間の第３軸方向に平行な複数の第３仮想ラインのうちの奇数番目の第３仮想ラインのそれぞれに沿って前記第１開口が複数配置され、偶数番目の第３仮想ラインのそれぞれに沿って前記第２開口が複数配置され、
前記第３仮想ラインは、前記第３軸方向に垂直な第４軸方向に沿って互いに離隔したことを特徴とする、請求項６または７に記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記奇数番目の第３仮想ラインのそれぞれに沿って配置された第１開口および偶数番目の第３仮想ラインのそれぞれに沿って配置された第２開口が、前記第３軸方向を基準にして互いにずれた位置に配置されたことを特徴とする、請求項８に記載の基板処理装置。

【請求項10】

前記下部プレートには、前記第４軸方向に平行な複数の第４仮想ラインのうちの奇数番目の第４仮想ラインのそれぞれに沿って前記第１開口が複数配置され、偶数番目の第４仮想ラインのそれぞれに沿って前記第２開口が複数配置され、
前記第４仮想ラインは、前記第３軸方向に沿って互いに離隔したことを特徴とする、請求項８に記載の基板処理装置。

【請求項11】

前記下部プレートが、前記第１開口と前記第２開口をそれぞれ複数個ずつ含み、
互いに隣接するように配置された前記第１開口と前記第２開口が互いに離隔した間隔は、前記第１開口同士が互いに離隔した間隔よりも短く、前記第２開口同士が互いに離隔した間隔よりも短いことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項12】

前記第１ガスと前記第２ガスのうちのいずれか１つが、ソースガスであり、
前記第１ガスと前記第２ガスのうちの残りの１つは、リアクタントガスであることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板に対する蒸着工程、エッチング工程などの処理工程を行う基板処理装置に関するものである。

【背景技術】

【0002】

一般に、太陽電池（ＳｏｌａｒＣｅｌｌ）、半導体素子、フラットパネルディスプレイなどを製造するためには、基板上に所定の薄膜層、薄膜回路パターン、または光学パターンを形成しなければならない。このため、基板に特定物質の薄膜を蒸着する蒸着工程、感光性物質を用いて薄膜を選択的に露出させるフォト工程、選択的に露出した部分の薄膜を除去してパターンを形成するエッチング工程などの基板に対する処理工程が行われる。このような基板に対する処理工程は、基板処理装置により行われる。

【0003】

従来技術による基板処理装置は、基板を支持する基板支持部、および基板支持部に向かってガスを噴射するガス噴射部を含む。前記ガス噴射部は、ガスを噴射するための複数の開口を含む。ガスは、前記開口を通過して基板支持体の互いに異なる部分に向かって噴射される。

【0004】

ここで、従来技術による基板処理装置は、第１ガスと第２ガスが、前記開口のそれぞれを通過して前記基板支持部に噴射するように具現される。すなわち、前記開口のそれぞれにおいて、前記第１ガスと前記第２ガスが混合する。これによって、従来技術による基板処理装置は、前記開口のそれぞれにおいて、前記第１ガスと前記第２ガスが反応することによって前記ガス噴射部に蒸着するなどのパーティクルを発生させるという問題がある。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明は、上述したような問題点を解決するために案出されたものであり、第１ガスと第２ガスが基板支持部に噴射される過程で、パーティクルの発生量を減少させることができる基板処理装置を提供するためのものである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上述したような課題を解決するために、本発明は以下のような構成を含むことができる。

【0007】

本発明による基板処理装置は、チャンバー、前記チャンバーの内部で少なくとも１つの基板を支持する基板支持部、前記基板支持部の上側に配置された下部プレート、および前記下部プレートの上側に配置された上部プレートを含むことができる。前記上部プレートは、第１ガスを提供する第１噴射孔、および第２ガスを提供する第２噴射孔を含むことができる。前記下部プレートは、前記第１噴射孔から提供された第１ガスを通過させるように前記第１噴射孔の下側に配置された第１開口、および前記第２噴射孔から提供された第２ガスを通過させるように前記第２噴射孔の下側に配置された第２開口を含むことができる。

【発明の効果】

【0008】

本発明によれば、次のような効果を得ることができる。

【0009】

本発明は、第１噴射孔と第１開口を通って第１ガスが流動するとともに、第２噴射孔と第２開口を通って第２ガスが流動するように具現される。これによって、本発明は、第１ガスと第２ガスが基板支持部に噴射される以前に、第１ガスと第２ガスが互いに混合する量を減らすことによって、第１ガスと第２ガスが基板支持部に噴射される以前に、第１ガスと第２ガスが反応することによって発生するパーティクルを減少させることができる。したがって、本発明は、処理工程が完了した基板の品質を向上させることができるだけでなく、パーティクルを除去するために行わなければならない洗浄作業の周期を延ばすことで工程コストを下げることに寄与することができる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】本発明による基板処理装置の概略構成図である。

【図2】本発明による基板処理装置における下部プレートと上部プレートの概略的な側断面図である。

【図3】図２のＡ部分を拡大して示した拡大図である。

【図4】本発明による基板処理装置における下部プレートの概略的な底面図である。

【図5】図４のＢ部分を拡大して示した拡大図である。

【図6】図４のＢ部分を拡大して示した拡大図である。

【図7】図４のＢ部分を拡大して示した拡大図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下では、本発明による基板処理装置の実施例を添付の図を参照して詳細に説明する。図２は、図４のＩ－Ｉ線を基準とする側断面図であり得る。図４では、下部プレートに形成された開口は省略されている。

【0012】

図１を参照すると、本発明による基板処理装置１は、基板（Ｓ）に対する処理工程を行うものである。前記基板（Ｓ）は、シリコン基板、ガラス基板、メタル基板などであり得る。本発明に係る基板処理装置１は、前記基板（Ｓ）に薄膜を蒸着する蒸着工程、前記基板（Ｓ）に蒸着した薄膜の一部を除去するエッチング工程等を行うことができる。以下では、本発明に係る基板処理装置１が前記蒸着工程を行う実施例に基づいて説明するが、これから本発明に係る基板処理装置１が、前記エッチング工程等と同様に異なる処理工程を行う実施例を導出することは、本発明が属する技術分野に属する当業者には自明であろう。

【0013】

本発明に係る基板処理装置１は、チャンバー２、基板支持部３、及びガス噴射部４を含むことができる。

【0014】

＜チャンバー＞
図１を参照すると、前記チャンバー２は、処理空間１００を提供するものである。前記処理空間１００では、前記基板（Ｓ）に対する蒸着工程、エッチング工程などの処理工程を行うことができる。前記処理空間１００は、前記チャンバー２の内部に配置することができる。前記チャンバー２には、前記処理空間１００からガスを排気する排気口（未図示）を結合することができる。前記チャンバー２の内部には、前記基板支持部３と前記ガス噴射部４を配置することができる。

【0015】

＜基板支持部＞
図１を参照すると、前記基板支持部３は、前記基板（Ｓ）を支持するものである。前記基板支持部３は、１つの基板（Ｓ）を支持することもでき、複数の基板（Ｓ）を支持することもできる。前記基板支持部３に複数の基板（Ｓ）を支持した場合、一度に複数の基板（Ｓ）に対する処理工程を行うことができる。前記基板支持部３は、前記チャンバー２に結合することができる。前記基板支持部３は、前記チャンバー２の内部に配置することができる。

【0016】

＜ガス噴射部＞
図１を参照すると、前記ガス噴射部４は、前記基板支持部３に向かってガスを噴射するものである。前記ガス噴射部４は、前記チャンバー２の内部に配置することができる。前記ガス噴射部４は、前記基板支持部３と対向して配置することができる。前記ガス噴射部４は、垂直方向（Ｚ軸方向）を基準として前記基板支持部３の上側に配置することができる。前記垂直方向（Ｚ軸方向）は、前記ガス噴射部４と前記基板支持部３が互いに離隔した方向に対して平行な軸方向である。前記ガス噴射部４と前記基板支持部３の間には、前記処理空間１００を配置することができる。前記ガス噴射部４は、蓋（未図示）に結合することができる。前記蓋は、前記チャンバー２の上部を覆うように前記チャンバー２に結合することができる。前記ガス噴射部４は、ガス貯蔵部４０に連結することができる。この場合、前記ガス噴射部４は、前記ガス貯蔵部４０から供給されたガスを前記基板支持部３に向けて噴射することができる。

【0017】

前記ガス噴射部４は、第１ガス流路４ａと第２ガス流路４ｂを含むことができる。

【0018】

前記第１ガス流路４ａは、第１ガスを噴射するためのものである。前記第１ガス流路４ａは、一側が配管、ホースなどを介して前記ガス貯蔵部４０に連結することができる。前記第１ガス流路４ａは、他側が前記処理空間１００に連通することができる。これにより、前記ガス貯蔵部４０から供給された前記第１ガスは、前記第１ガス流路４ａに沿って流動した後に前記第１ガス流路４ａを介して前記処理空間１００に噴射することができる。前記第１ガス流路４ａは、前記第１ガスが流動するための流路として機能するとともに、前記処理空間１００に前記第１ガスを噴射するための噴射口として機能することができる。

【0019】

前記第２ガス流路４ｂは、第２ガスを噴射するためのものである。前記第２ガスと前記第１ガスは、互いに異なるガスであり得る。例えば、前記第１ガスと前記第２ガスのうちのいずれか１つはソースガス（Ｓｏｕｒｃｅ Ｇａｓ）であり、前記第１ガスと前記第２ガスのうちの残りの１つはリアクタントガス（Ｒｅａｃｔａｎｔ Ｇａｓ）であり得る。前記第２ガス流路４ｂは、一側が配管、ホースなどを介して前記ガス貯蔵部４０に連結することができる。前記第２ガス流路４ｂは、他側が前記処理空間１００に連通することができる。これにより、前記ガス貯蔵部４０から供給された前記第２ガスは、前記第２ガス流路４ｂに沿って流動した後に前記第２ガス流路４ｂを介して前記処理空間１００に噴射することができる。前記第２ガス流路４ｂは、前記第２ガスが流動するための流路として機能するとともに、前記処理空間１００に前記第２ガスを噴射するための噴射口として機能することができる。

【0020】

前記第２ガス流路４ｂと前記第１ガス流路４ａは、互いに空間的に分離するように配置することができる。これにより、前記ガス貯蔵部４０から前記第２ガス流路４ｂに供給された前記第２ガスは、前記第１ガス流路４ａを介さずに前記処理空間１００に噴射することができる。前記ガス貯蔵部４０から前記第１ガス流路４ａに供給された前記第１ガスは、前記第２ガス流路４ｂを介さずに前記処理空間１００に噴射することができる。

【0021】

図１～図３を参照すると、前記ガス噴射部４は、上部プレート４１および下部プレート４２を含むことができる。

【0022】

前記上部プレート４１は、前記下部プレート４２の上側に配置されたものである。前記上部プレート４１と前記下部プレート４２は、前記垂直方向（Ｚ軸方向）に沿って互いに離隔して配置することができる。前記上部プレート４１と前記下部プレート４２の間には、離隔空間４３を配置することができる。前記上部プレート４１と前記下部プレート４２は、前記離隔空間４３を介して互いに電気的に接続しないように配置することができる。図に示していないが、前記離隔空間４３には、前記上部プレート４１と前記下部プレート４２を電気的に絶縁する絶縁部材を配置することもできる。前記上部プレート４１の下面４１ａ（図２に示す）は、平坦に形成することができる。

【0023】

前記上部プレート４１は、第１噴射孔４１１および第２噴射孔４１２とを含むことができる。

【0024】

前記第１噴射孔４１１は、前記第１ガスを提供するためのものである。前記第１噴射孔４１１は、前記下部プレート４２の上側から前記下部プレート４２の方に向かう下側方向に前記第１ガスを提供することができる。この場合、前記第１噴射孔４１１は、前記下側方向に前記第１ガスを噴射することによって、前記第１ガスを提供することもできる。前記第１噴射孔４１１は、前記上部プレート４１を貫通して形成することができる。前記第１噴射孔４１１は、バッファ空間（ＢＳ、図２に示す）を介して前記ガス貯蔵部４０に連結することができる。前記バッファ空間（ＢＳ）は、前記上部プレート４１の上側に配置された空間であり得る。前記バッファ空間（ＢＳ）は、前記垂直方向（Ｚ軸方向）を基準にして前記蓋と前記上部プレート４１の間に配置することができる。前記第１噴射孔４１１と前記バッファ空間（ＢＳ）は、前記第１ガス流路４ａに属することができる。前記第１噴射孔４１１は、前記チャンバー２の外部から流入した前記第１ガスを前記下部プレート４２の方に提供することもできる。前記上部プレート４１は、前記第１噴射孔４１１を複数含むことができる。前記第１噴射孔４１１は、互いに離隔して配置することができる。

【0025】

前記第２噴射孔４１２は、前記第２ガスを提供するためのものである。記前第２噴射孔４１２は、前記下側方向に前記第２ガスを提供することができる。この場合、前記第２噴射孔４１２は、下側方向に前記第２ガスを噴射することによって前記第２ガスを提供することもできる。前記第２噴射孔４１２は、供給孔（ＳＨ）（図２に示す）を介して前記ガス貯蔵部４０に連結することができる。前記供給孔（ＳＨ）は、前記上部プレート４１の内部に形成することができる。前記供給孔（ＳＨ）は、ガンドリル（Ｇｕｎ Ｄｒｉｌｌ）を用いて前記上部プレート４１の内部を加工することによって具現することができる。前記第２噴射孔４１２と前記供給孔（ＳＨ）は、前記第２ガス流路４ｂに属することができる。前記第２噴射孔４１２は、前記チャンバー２の外部から流入した前記第２ガスを前記下部プレート４２の方に提供することもできる。前記上部プレート４１は、前記第２噴射孔４１２を複数含むことができる。前記第２噴射孔４１２は、互いに離隔して配置することができる。この場合、前記供給孔（ＳＨ）には、前記第２噴射孔４１２を複数連結することができる。前記第２噴射孔４１２は、互いに離隔して前記供給孔（ＳＨ）の互いに異なる部分に連結することができる。前記上部プレート４１には、前記供給孔（ＳＨ）を複数形成することもできる。前記供給孔（ＳＨ）の各々には、前記第２噴射孔４１２を複数連結することができる。

【0026】

前記下部プレート４２は、前記基板支持部３の上側に配置されたものである。前記下部プレート４２は、前記垂直方向（Ｚ軸方向）を基準として前記基板支持部３と前記上部プレート４１の間に配置することができる。前記下部プレート４２は、上面４２ａが前記上部プレート４１の下面４１ａに面するように配置することができる。前記下部プレート４２の上面４２ａと前記上部プレート４１の下面４１ａの間には、前記離隔空間４３を配置することができる。図４には、前記下部プレート４２が四角形態に形成して示されているが、これに限定されず、前記下部プレート４２は、円形態などの他の形態で形成することもできる。前記下部プレート４２と前記上部プレート４１は、ほぼ一致する形態で形成することができる。

【0027】

前記下部プレート４２は、第１開口４２１および前記第２開口４２２を含むことができる。

【0028】

前記第１開口４２１は、前記第１ガスを通過させるためのものである。前記第１開口４２１は、前記下部プレート４２を貫通して形成することができる。前記第１開口４２１は、前記第１噴射孔４１１の下側に配置することができる。これにより、前記第１噴射孔４１１から提供された第１ガスは、前記第１開口４２１を通過して前記基板支持部３に向けて噴射することができる。前記第１開口４２１と前記第１噴射孔４１１は、前記第１ガス流路４ａに属することができる。この場合、前記第１噴射孔４１１から提供された第１ガスは、前記離隔空間４３を経て前記第１開口４２１に流入し、前記第１開口４２１を通過して前記基板支持部３に向けて噴射することもできる。

【0029】

前記第２開口４２２は、前記第２ガスを通過させるためのものである。前記第２開口４２２は、前記下部プレート４２を貫通して形成することができる。前記第２開口４２２は、前記第１開口４２１から離隔して配置することができる。前記第２開口４２２は、前記第２噴射孔４１２の下側に配置することができる。これにより、前記第２噴射孔４１２から提供された第２ガスは、前記第２開口４２２を通過して前記基板支持部３に向けて噴射することができる。前記第２開口４２２と前記第２噴射孔４１２は、前記第２ガス流路４ｂに属することができる。この場合、前記第２噴射孔４１２から提供された第２ガスは、前記離隔空間４３を経て前記第２開口４２２に流入し、前記第２開口４２２を通過して前記基板支持部３に向けて噴射することもできる。

【0030】

このように、本発明による基板処理装置１は、前記第１開口４２１と前記第１噴射孔４１１を用いて前記第１ガスを前記処理空間１００に噴射するとともに、前記第２開口４２２と前記第２噴射孔４１２を用いて前記第２ガスを前記処理空間１００に噴射するように具現される。これによって、本発明による基板処理装置１は、前記第１ガスと前記第２ガスが前記処理空間１００に噴射される前に、前記第１ガスと前記第２ガスとが互いに混合する量を減らすことができる。したがって、本発明による基板処理装置１は、前記第１ガスと前記第２ガスが前記処理空間１００に噴射される前に前記第１ガスと前記第２ガスが反応することにより発生するパーティクルを減らすことができる。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記処理工程が完了した基板（Ｓ）の品質を向上させることができるだけでなく、パーティクルを除去するために前記ガス噴射部４等に行わなければならない洗浄作業の周期を延ばすことで、工程コストを下げるのに寄与することができる。

【0031】

図１～図３を参照すると、前記下部プレート４２は、前記第１ガスが活性化され前記第２ガスが活性化されるようにＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）電源に連結することができる。この場合、前記上部プレート４１を接地するとともに、前記下部プレート４２にＲＦ電力を印加すると、プラズマを発生させることができる。したがって、前記下部プレート４２は、プラズマを使用して前記第１ガスを活性化し、前記第２ガスを活性化することができる。

【0032】

したがって、本発明による基板処理装置１は、前記活性化された第１ガスと活性化された第２ガスが前記処理空間１００で混合して反応するように具現することにより、前記基板（Ｓ）に蒸着する薄膜の膜質を向上させることができる。また、本発明による基板処理装置１は、前記上部プレート４１の下面４１ａを平坦に形成することができる。それによって、前記上部プレート４１の下面４１ａから突出した突出電極を具備した比較例と対比する場合、本発明による基板処理装置１は、比較例において突出電極における集中的な電力消耗をなくすことができるので、比較例よりも電力消費量を減らすことで工程コストを下げることに寄与することができる。

【0033】

前記下部プレート４２は、前記第１開口４２１と前記第２開口４２２のそれぞれにプラズマが発生するように具現することができる。したがって、前記第１ガスは、前記第１開口４２１を通過する過程で前記第１開口４２１で発生したプラズマによって活性化した後に前記処理空間１００に噴射され得る。また、前記第２ガスは、前記第２開口４２２を通過する過程で前記第２開口４２２で発生したプラズマによって活性化した後に前記処理空間１００に噴射され得る。

【0034】

図１～図３を参照すると、本発明による基板処理装置１において、前記上部プレート４１と前記下部プレート４２が互いに離隔した間隔４３Ｄ（図３に示す）（以下、「離隔間隔４３Ｄ」と称する）は、前記第１開口４２１の直径４２１Ｄ（図３に示す）と前記第２開口４２２の直径４２２Ｄ（図３に示す）より小さく具現することができる。したがって、本発明による基板処理装置１は、前記上部プレート４１と前記下部プレート４２の間のプラズマの発生を遮断するように具現するとともに、前記第１開口４２１と前記第２開口４２２のそれぞれにおけるプラズマの発生を許容するように具現することができる。したがって、本発明による基板処理装置１は、前記第１ガスが前記第１開口４２１で活性化されるとともに、前記第２ガスが前記第２開口４２２で活性化されるように具現することができる。

【0035】

この場合、前記離隔間隔４３Ｄは、前記上部プレート４１と前記下部プレート４２の間のプラズマの発生を遮断する長さに形成することができる。また、前記離隔間隔４３Ｄは、前記上部プレート４１と前記下部プレート４２を電気的に絶縁することができる長さに形成することができる。例えば、前記離隔間隔４３Ｄは、１．５ｍｍ以上２ｍｍ未満に形成することができる。前記離隔間隔４３Ｄが１．５ｍｍ未満の場合、前記上部プレート４１と前記下部プレート４２が電気的に絶縁されないことがあり得る。前記離隔間隔４３Ｄが２ｍｍ以上の場合、前記上部プレート４１と前記下部プレート４２の間にプラズマが発生することがある。これを考慮して、本発明による基板処理装置１は、前記離隔間隔４３Ｄが１．５ｍｍ以上２ｍｍ未満に形成することにより、前記上部プレート４１と前記下部プレート４２を電気的に絶縁しながら、前記上部プレート４１と前記下部プレート４２の間のプラズマの発生を遮断するように具現することができる。

【0036】

図１～図３を参照すると、前記第１開口４２１は、前記離隔間隔４３Ｄよりも大きい直径４２１Ｄで形成することができる。この場合、前記第１開口４２１の直径４２１Ｄは、前記第１開口４２１でプラズマの発生を許容する長さで形成することができる。例えば、前記第１開口４２１の直径４２１Ｄは、２ｍｍ以上５ｍｍ以下の長さで形成することができる。前記第１開口４２１は、前記第１噴射孔４１１よりも大きい直径４２１Ｄで形成することができる。この場合、前記第１噴射孔４１１の直径４１１Ｄ（図３に示す）は、前記第１開口４２１の直径４２１Ｄよりも小さく形成することができる。したがって、本発明による基板処理装置１は、前記第１開口４２１でプラズマが集中的に発生するように具現することにより、前記第１開口４２１で前記第１ガスが集中的に活性化されて前記処理空間１００に噴射するように具現することができる。

【0037】

図１～図３を参照すると、前記第２開口４２２は、前記離隔間隔４３Ｄよりも大きい直径４２２Ｄで形成することができる。この場合、前記第２開口４２２の直径４２２Ｄは、前記第２開口４２２でプラズマの発生を許容する長さに形成することができる。例えば、前記第２開口４２２の直径４２２Ｄは、２ｍｍ以上５ｍｍ以下の長さで形成することができる。前記第２開口４２２は、前記第２噴射孔４１２よりも大きい直径４２２Ｄで形成することができる。この場合、前記第２噴射孔４１２の直径４１２Ｄ（図３に示す）は、前記第２開口４２２の直径４２２Ｄよりも小さく形成することができる。したがって、本発明による基板処理装置１は、前記第２開口４２２でプラズマが集中的に発生するように具現することにより、前記第２開口４２２で前記第２ガスが集中的に活性化して処理空間１００に噴射するように具現することができる。一方、前記第２開口４２２の直径４２２Ｄと前記第１開口４２１の直径４２１Ｄは、互いに等しく形成することができる。

【0038】

図１～図７を参照すると、前記下部プレート４２は、前記第１開口４２１と前記第２開口４２２をそれぞれ複数個ずつ含むことができる。

【0039】

前記第１開口４２１は、互いに離隔して配置することができる。前記下部プレート４２が有する前記第１開口４２１の個数および前記上部プレート４１が有する前記第１噴射孔４１１の個数は、互いに同じであり得る。前記第１開口４２１は、前記第１噴射孔４１１のそれぞれの下側に配置することができる。この場合、前記第１開口４２１と前記第１噴射孔４１１とは、一対一に対応するように配置することができる。

【0040】

前記第２開口４２２は、互いに離隔するように配置することができる。前記下部プレート４２が有する前記第２開口４２２の数および前記上部プレート４１が有する前記第２噴射孔４１２の数は、互いに同じであり得る。前記第２開口４２２は、前記第２噴射孔４１２のそれぞれの下側に配置することができる。この場合、前記第２開口４２２と前記第２噴射孔４１２は、一対一で対応するように配置することができる。

【0041】

ここで、本発明による基板処理装置１は、前記第１開口４２１と前記第２開口４２２が、次のような配置形態で配置されるように具現することができる。この場合、前記第１噴射孔４１１と前記第２噴射孔４１２は、それぞれ前記第１開口４２１と前記第２開口４２２の上側に配置されるので、前記第１開口４２１と前記第２開口４２２の間の配置形態と同じ配置形態で具現することができる。したがって、前記第１噴射孔４１１と前記第２噴射孔４１２の間の配置形態についての説明は、前記第１開口４２１と前記第２開口４２２の間の配置形態についての説明で代替する。一方、前記第１開口４２１のそれぞれの中心と前記第１噴射孔４１１のそれぞれの中心は、前記垂直方向（Ｚ軸方向）を基準として同一線上に配置することができる。前記第２開口４２２のそれぞれの中心と前記第２噴射孔４１２のそれぞれの中心は、前記垂直方向（Ｚ軸方向）を基準として同一線上に配置することができる。

【0042】

まず、図５～図６において、前記第１開口４２１、前記第２開口４２２、および前記下部プレート４２間の区別をするために、前記下部プレート４２にはハッチングを付している。前記第１開口４２１および前記第２開口４２２には、ハッチングは表示していない。また、前記第１噴射孔４１１と前記第２噴射孔４１２間の区別をするために、前記第１噴射孔４１１と前記第２噴射孔４１２等には、互いに異なる形状のハッチングを表示している。

【0043】

次に、図５に示すように、互いに隣接して配置された前記第１開口４２１と前記第２開口４２２が互いに離隔した間隔（Ｄ１）［以下、「混合間隔（Ｄ１）」とする］は、前記第１開口４２１同士が互いに離隔した間隔（Ｄ２）［以下、「第１開口間隔（Ｄ２）」とする］よりも短く、前記第２開口４２２同士が互いに離隔した間隔（Ｄ３）［以下、「第２開口間隔（Ｄ３）」とする）よりも短く具現することができる。すなわち、前記混合間隔（Ｄ１）は、前記第１開口間隔（Ｄ２）と前記第２開口間隔（Ｄ３）のそれぞれよりも短く具現することができる。

【0044】

したがって、本発明による基板処理装置１は、前記下部プレート４２において前記処理空間１００の方に前記第１ガスの噴射位置と前記第２ガスの噴射位置が互いに離隔した距離を減少させることができる。したがって、本発明による基板処理装置１は、前記処理空間１００における前記第１ガスと前記第２ガスの間の反応性を向上させることができるので、前記処理工程が完了した基板（Ｓ）の品質をさらに向上させることができる。

【0045】

一方、前記混合間隔（Ｄ１）は、互いに隣接して配置された前記第１開口４２１と前記第２開口４２２において、前記第１開口４２１の中心と前記第２開口４２２の中心を最短に結ぶ直線距離を意味することができる。前記第１開口間隔（Ｄ２）は、互いに隣接して配置された２つの第１開口４２１において、前記第１開口４２１のそれぞれの中心を最短に結ぶ直線距離を意味することができる。前記第２開口間隔（Ｄ３）は、互いに隣接して配置された２つの第２開口４２２において、前記第２開口４２２のそれぞれの中心を最短に結ぶ直線距離を意味することができる。

【0046】

次に、図６に示すように、前記下部プレート４２には、複数の第１仮想ライン（ＶＬ１）のそれぞれに沿って前記第１開口４２１と前記第２開口４２２を交互に複数配置することができる。前記第１仮想ライン（ＶＬ１）は、第１軸方向（ＡＸ１軸方向）に対して平行な仮想のラインである。前記第１仮想ライン（ＶＬ１）は、前記第１軸方向（ＡＸ１軸方向）に対して垂直な第２軸方向（ＡＸ２軸方向）に沿って互いに離隔して配置することができる。

【0047】

このように、前記第１仮想ライン（ＶＬ１）のそれぞれに沿って前記第１開口４２１、前記第２開口４２２、前記第１開口４２１、前記第２開口４２２の順序で前記第１開口４２１と第２開口４２２が交互に複数個ずつ配置されることにより、本発明による基板処理装置１は、前記第１仮想ライン（ＶＬ１）のそれぞれに沿った前記第１ガスの噴射位置と前記第２ガスとの噴射位置が互いに離隔した距離を短くすることができる。したがって、本発明による基板処理装置１は、前記第１仮想ライン（ＶＬ１）のそれぞれを基準として、前記第１ガスと前記第２ガスの間の反応性を向上させることができる。これによって、本発明による基板処理装置１は、前記第１軸方向（ＡＸ１軸方向）を基準として前記基板（Ｓ）に対する処理工程の均一性を高めることができる。

【0048】

次に、図６に示すように、前記下部プレート４２には、複数の第２仮想ライン（ＶＬ２）のそれぞれに沿って前記第１開口４２１と前記第２開口４２２が交互に複数配置することができる。前記第２仮想ライン（ＶＬ２）は、前記第２軸方向（ＡＸ２軸方向）に対して平行な仮想のラインである。前記第２仮想ライン（ＶＬ２）は、前記第１軸方向（ＡＸ１軸方向）に沿って互いに離隔して配置することができる。

【0049】

このように、前記第２仮想ライン（ＶＬ２）のそれぞれに沿って、前記第１開口４２１、前記第２開口４２２、前記第１開口４２１、前記第２開口４２２の順に前記第１開口４２１と前記第２開口４２２が交互に複数個ずつ配置されることにより、本発明による基板処理装置１は、前記第２仮想ライン（ＶＬ２）のそれぞれに沿った前記第１ガスの噴射位置と前記第２ガスとの噴射位置が互いに離隔した距離を短くすることができる。したがって、本発明による基板処理装置１は、前記第２仮想ライン（ＶＬ２）のそれぞれを基準として、前記第１ガスと前記第２ガスの間の反応性を向上させることができる。これによって、本発明による基板処理装置１は、前記第２軸方向（ＡＸ２軸方向）を基準として前記基板（Ｓ）に対する処理工程の均一性を高めることができる。

【0050】

次に、図７に示すように、前記下部プレート４２には、複数の第３仮想ライン（ＶＬ３）のうち、奇数番目の第３仮想ライン（ＶＬ３１）のそれぞれに沿って前記第１開口４２１を複数配置することができる。前記下部プレート４２には、前記第３仮想ライン（ＶＬ３）のうち、偶数番目の第３仮想ライン（ＶＬ３２）のそれぞれに沿って前記第２開口４２２を複数配置することができる。前記第３仮想ライン（ＶＬ３）は、第３軸方向（ＡＸ３軸方向）に対して平行な仮想のラインである。前記第３軸方向（ＡＸ３軸方向）は、前記第１軸方向（ＡＸ１軸方向）と前記第２軸方向（ＡＸ２軸方向）の間に配置された軸方向である。前記第３軸方向（ＡＸ３軸方向）は、前記第１軸方向（ＡＸ１軸方向）と前記第２軸方向（ＡＸ２軸方向）のそれぞれと４５度の角度で離隔した軸方向であり得る。前記第３仮想ライン（ＶＬ３）は、前記第３軸方向（ＡＸ３軸方向）に対して垂直な第４軸方向（ＡＸ４軸方向）に沿って互いに離隔して配置することができる。

【0051】

このように、前記奇数番目の第３仮想ライン（ＶＬ３１）のそれぞれに沿って前記第１開口４２１を複数配置するとともに、前記偶数番目の第３仮想ライン（ＶＬ３２）に沿って前記第２開口４２２を複数配置することにより、本発明による基板処理装置１は、前記第４軸方向（ＡＸ４軸方向）を基準として前記第１開口４２１からなるラインと前記第２開口４２２からなるラインを交互に配置することができる。したがって、本発明による基板処理装置１は、前記第４軸方向（ＡＸ４軸方向）を基準として前記第１ガスと前記第２ガスの間の反応性を向上させることにより、前記第４軸方向（ＡＸ４軸方向）を基準として、前記基板（Ｓ）に対する処理工程の均一性を高めることができる。

【0052】

一方、前記奇数番目の第３仮想ライン（ＶＬ３１）のそれぞれに沿って配置された第１開口４２１および前記偶数番目の第３仮想ライン（ＶＬ３２）のそれぞれに沿って配置された第２開口４２２は、前記第３軸方向（ＡＸ３軸方向）を基準として互いにずれた位置に配置することができる。これによって、本発明による基板処理装置１は、前記第１開口４２１と前記第２開口４２２が互いに離隔した距離をさらに短くすることができる。

【0053】

次に、図７に示すように、前記下部プレート４２には、複数の第４仮想ライン（ＶＬ４）のうち、奇数番目の第４仮想ライン（ＶＬ４１）のそれぞれに沿って前記第１開口４２１を複数配置することができる。前記下部プレート４２には、前記第４仮想ライン（ＶＬ４）のうち、偶数番目の第４仮想ライン（ＶＬ４２）のそれぞれに沿って前記第２開口４２２を複数配置することができる。前記第４仮想ライン（ＶＬ４）は、前記第４軸方向（ＡＸ４軸方向）に対して平行な仮想のラインである。前記第４仮想ライン（ＶＬ４）は、前記第３軸方向（ＡＸ３軸方向）に沿って互いに離隔して配置することができる。

【0054】

このように、前記奇数番目の第４仮想ライン（ＶＬ４１）に沿って前記第１開口４２１を複数配置するとともに、前記偶数番目の第４仮想ライン（ＶＬ４２）に沿って前記第２開口４２２を複数配置することにより、本発明による基板処理装置１は、前記第３軸方向（ＡＸ３軸方向）を基準として前記第１開口４２１からなるラインと前記第２開口４２２からなるラインを交互に配置することができる。したがって、本発明に係る基板処理装置１は、前記第３軸方向（ＡＸ３軸方向）を基準として前記第１ガスと前記第２ガスの間の反応性を向上させることにより、前記第３軸方向（ＡＸ３軸方向）を基準として、前記基板（Ｓ）に対する処理工程の均一性を高めることができる。

【0055】

一方、前記奇数番目の第４仮想ライン（ＶＬ４１）のそれぞれに沿って配置された第１開口４２１および前記偶数番目の第４仮想ライン（ＶＬ４２）のそれぞれに沿って配置された第２開口４２２は、前記第４軸方向（ＡＸ４軸方向）を基準として互いにずれた位置に配置することができる。これによって、本発明による基板処理装置１は、前記第１開口４２１と前記第２開口４２２が互いに離隔した距離をさらに短くすることができる。

【0056】

上述したように、本発明に係る基板処理装置１において、前記下部プレート４２に形成された第１開口４２１のうちのいずれか１つの第１開口４２１を基準に配置関係を見ると、前記第１開口４２１は、前記第１軸方向（ＡＸ１軸方向）と前記第２軸方向（ＡＸ２軸方向）のそれぞれを基準として前記第２開口４２２に隣接して配置され、前記第３軸方向（ＡＸ３軸方向）と前記第４軸方向（ＡＸ４軸方向）のそれぞれを基準として、前記第１開口４２１に隣接するように配置することができる。また、前記下部プレート４２に形成された第２開口４２２のうちのいずれか１つの第２開口４２２を基準に配置関係を見ると、前記第２開口４２２は、前記第１軸方向（ＡＸ１軸方向）と前記第２軸方向（ＡＸ２軸方向）のそれぞれを基準として前記第１開口４２１に隣接するように配置され、前記第３軸方向（ＡＸ３軸方向）と前記第４軸方向（ＡＸ４軸方向）のそれぞれを基準として前記第２開口４２２に隣接するように配置することができる。整理すると、本発明による基板処理装置１は、前記第１軸方向（ＡＸ１軸方向）と前記第２軸方向（ＡＸ２軸方向）のそれぞれを基準として、前記第１開口４２１と前記第２開口４２２が混合した混合配置をなして、前記第３軸方向（ＡＸ３軸方向）と前記第４軸方向（ＡＸ４軸方向）のそれぞれを基準としては、前記第１開口４２１のみで又は前記第２開口４２２のみからなる同種配置を成すように具現することができる。

【0057】

これと同様に、前記上部プレート４１に形成された第１噴射孔４１１のうちのいずれか１つの第１噴射孔４１１を基準に配置関係を見ると、前記第１噴射孔４１１は、前記第１軸方向（ＡＸ１軸方向）と前記第２軸方向（ＡＸ２軸方向）のそれぞれを基準として前記第２噴射孔４１２に隣接するように配置され、前記第３軸方向（ＡＸ３軸方向）と前記第４軸方向（ＡＸ４軸方向）のそれぞれを基準として、前記第１噴射孔４１１に隣接するように配置することができる。また、前記上部プレート４１に形成された第２噴射孔４１２のうちのいずれか１つの第２噴射孔４１２を基準に配置関係を見ると、前記第２噴射孔４１２は、前記第１軸方向（ＡＸ１軸方向）と前記第２軸方向（ＡＸ２軸方向）のそれぞれを基準として前記第１噴射孔４１１に隣接するように配置され、前記第３軸方向（ＡＸ３軸方向）と前記第４軸方向（ＡＸ４軸方向）のそれぞれを基準として、前記第２噴射孔４１２に隣接するように配置することができる。整理すると、本発明による基板処理装置１は、前記第１軸方向（ＡＸ１軸方向）と前記第２軸方向（ＡＸ２軸方向）のそれぞれを基準としては、前記第１噴射孔４１１と、前記第２噴射孔４１２が混合した混合配置を成し、前記第３軸方向（ＡＸ３軸方向）と前記第４軸方向（ＡＸ４軸方向）のそれぞれを基準としては、前記第１噴射孔４１１のみで、または、前記第２噴射孔４１２のみからなる同種配置を形成するように具現することができる。

【0058】

以上、説明した本発明は、上述した実施例及び添付の図に限定されるものではなく、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で種々の置換、変形及び変更が可能であることが、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者にとって明らかであろう。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【国際調査報告】