特表2024-532773対称的なＲＦ戻り経路を提供するプロセスモジュールチャンバ
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-09-10
(54)【発明の名称】対称的なＲＦ戻り経路を提供するプロセスモジュールチャンバ
(51)【国際特許分類】
H01L 21/31 20060101AFI20240903BHJP
C23C 16/509 20060101ALI20240903BHJP
H05H 1/46 20060101ALI20240903BHJP
【ＦＩ】
H01L21/31 C
C23C16/509
H05H1/46 M
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024508437
(86)(22)【出願日】2022-08-04
(85)【翻訳文提出日】2024-04-08
(86)【国際出願番号】 US2022039397
(87)【国際公開番号】W WO2023018596
(87)【国際公開日】2023-02-16
(31)【優先権主張番号】63/232,590
(32)【優先日】2021-08-12
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】592010081
【氏名又は名称】ラム リサーチ コーポレーション
【氏名又は名称原語表記】ＬＡＭ ＲＥＳＥＡＲＣＨ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ
(74)【代理人】
【識別番号】110000028
【氏名又は名称】弁理士法人明成国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】ジャファリアン・テヘラニ・サム
(72)【発明者】
【氏名】リーサー・カール・フレデリック
(72)【発明者】
【氏名】フレンチ・デイビッド
(72)【発明者】
【氏名】ウィルツ・ジョン・マイケル
【テーマコード（参考）】
2G084
4K030
5F045
【Ｆターム（参考）】
2G084AA05
2G084BB14
2G084CC12
2G084DD37
2G084FF15
2G084FF23
4K030FA03
4K030GA02
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4K030KA02
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4K030KA30
5F045AA08
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5F045AD01
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5F045EK07
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5F045EN04
5F045EN05
(57)【要約】
【解決手段】上部プレートおよび底部部分を有するマルチステーション処理チャンバを含む装置は、台座アセンブリを各々が含むステーションを取り囲む。ステーション間の中央に位置するスピンドルは、中央軸の周りを回転するように構成され、底部部分に電気的に接続される。アクチュエータが、Ｚ方向のスピンドルの移動を制御する。スピンドルに接続されたインデクサは、スピンドルと共に回転し、基板移送のために対応する基板と連動するように各々が構成された延長部を含む。上部プレートに移動可能に接続された導電性インターフェースは、ＲＦ戻り経路を提供する。接地インターフェースに結合された別のアクチュエータは、Ｚ方向の導電性インターフェースの移動を制御する。導電性インターフェースは、複数の延長部の各々が停止され、スピンドルがプラズマ処理中に下側位置に移動されるとき、Ｚ方向に下方に移動してインデクサと接触する。
【選択図】図４Ａ
【選択図】図４Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
装置であって、上部プレートおよび底部部分を含むマルチステーション処理チャンバであって、前記マルチステーション処理チャンバは、処理のために基板を支持するための台座アセンブリを各々が含む複数のステーションを取り囲むように構成されるマルチステーション処理チャンバと、
前記複数のステーション間の中央に位置し、中央軸の周りを回転するように構成されたスピンドルであって、前記スピンドルは、前記底部部分に電気的に接続されるスピンドルと、
前記スピンドルに結合され、Ｚ方向の前記スピンドルの移動を制御するように構成された第１のアクチュエータと、
前記スピンドルに接続され、前記スピンドルと共に回転するように構成されたインデクサであって、前記インデクサは、ステーション間での移送のために対応する基板と連動するように各々が構成された複数の延長部を含むインデクサと、
前記上部プレートに移動可能に接続された導電性インターフェースと、
前記導電性インターフェースに結合され、前記Ｚ方向の前記導電性インターフェースの移動を制御するように構成された第２のアクチュエータと
を備え、
前記導電性インターフェースは、前記複数の延長部の各々が停止され、前記スピンドルがプラズマ処理中に下側位置に移動されるとき、前記Ｚ方向に下方に移動して前記インデクサと接触するように構成される、
装置。
【請求項2】
請求項１に記載の装置であって、前記導電性インターフェースは、１つまたは複数の中実円筒チューブを備える、装置。
【請求項3】
請求項１に記載の装置であって、前記導電性インターフェースは、複数の垂直リンクによって接続された水平方向に配向された複数の格子間ビームを含む回旋状の円筒チューブを備える、装置。
【請求項4】
請求項３に記載の装置であって、前記導電性インターフェースは、前記導電性インターフェースが前記インデクサと接触しているとき、前記上部プレートと前記底部部分との間に非螺旋状の導電性経路を提供する、装置。
【請求項5】
請求項１に記載の装置であって、前記マルチステーション処理チャンバは、４つのステーションを含む、
装置。
【請求項6】
請求項１に記載の装置であって、前記インデクサの前記複数の延長部が前記複数のステーションで１つまたは複数の基板と係合することができるように、前記スピンドルが上側位置に移動されるときに前記導電性インターフェースを受け入れるように構成された、前記上部プレートにおけるポケット
をさらに備える、装置。
【請求項7】
請求項１に記載の装置であって、前記インデクサ上に位置決めされ、前記導電性インターフェースと前記インデクサとの間のＲＦ戻り経路を容易にする接触インターフェース
をさらに備え、
前記接触インターフェースは、柔軟である、
装置。
【請求項8】
請求項１に記載の装置であって、前記底部部分へのＲＦ戻り経路は、前記導電性インターフェース、前記インデクサ、および前記スピンドルを通して生成される、
装置。
【請求項9】
請求項１に記載の装置であって、前記導電性インターフェースは、前記Ｚ方向に下方に移動し、その中で前記スピンドルが前記Ｚ方向に移動するチャネルの外壁と接触するように構成される、
装置。
【請求項10】
請求項１に記載の装置であって、前記インデクサは、
上側インデクサ部分と、
下側インデクサ部分と
を備える、装置。
【請求項11】
請求項１に記載の装置であって、前記複数の延長部の各々は、前記対応する基板を回転させるように構成される、装置。
【請求項12】
装置であって、上部プレートおよび底部部分を含むマルチステーション処理チャンバであって、前記マルチステーション処理チャンバは、処理のために基板を支持するための台座アセンブリを各々が含む複数のステーションを取り囲むように構成されるマルチステーション処理チャンバと、
前記複数のステーション間の中央に位置し、中央軸の周りを回転するように構成されたスピンドルと、
前記スピンドルに結合され、Ｚ方向の前記スピンドルの移動を制御するように構成された第１のアクチュエータと、
前記スピンドルに接続され、前記中央軸の周りを前記スピンドルと共に回転するように構成されたインデクサであって、前記インデクサは、ステーション間での移送のために対応する基板と連動するように各々が構成された複数の延長部を含むインデクサと、
前記上部プレートに移動可能に接続された導電性インターフェースと、
前記導電性インターフェースに結合され、前記Ｚ方向の前記導電性インターフェースの移動を制御するように構成された第２のアクチュエータと
を備え、
前記導電性インターフェースは、前記インデクサの直径にわたる下端部分を有し、
前記導電性インターフェースは、前記複数の延長部の各々が停止され、前記スピンドルがプラズマ処理中に下側位置に移動されるとき、前記Ｚ方向に下方に移動して前記スピンドルおよび前記インデクサに隣接する導電性構造と接触するように構成され、
前記導電性構造は、前記底部部分に電気的に結合される、
装置。
【請求項13】
請求項１２に記載の装置であって、前記導電性構造は、前記複数のステーションの複数の台座を囲むように構成されたＲＦライナである、装置。
【請求項14】
請求項１２に記載の装置であって、前記導電性構造は、１つまたは複数の導電性ロッドである、装置。
【請求項15】
請求項１２に記載の装置であって、前記導電性インターフェースは、１つまたは複数の中実円筒チューブを備える、装置。
【請求項16】
請求項１２に記載の装置であって、前記導電性インターフェースは、複数の垂直リンクによって接続された水平方向に配向された複数の格子間ビームを含む回旋状の円筒チューブを備え、
前記導電性インターフェースは、前記導電性インターフェースが前記インデクサと接触しているとき、前記上部プレートと前記底部部分との間に非螺旋状の導電性経路を提供する、
装置。
【請求項17】
請求項１２に記載の装置であって、前記マルチステーション処理チャンバは、４つのステーションを含む、
装置。
【請求項18】
請求項１２に記載の装置であって、前記インデクサの前記複数の延長部が前記複数のステーションで１つまたは複数の基板と係合することができるように、前記スピンドルが上側位置に移動されるときに前記導電性インターフェースを受け入れるように構成された、前記上部プレートにおけるポケット
をさらに備える、装置。
【請求項19】
請求項１２に記載の装置であって、前記底部部分へのＲＦ戻り経路は、前記導電性インターフェースおよび前記導電性構造を通して生成される、
装置。
【請求項20】
請求項１２に記載の装置であって、前記インデクサは、
上側インデクサ部分と、
下側インデクサ部分と
を備える、装置。
【請求項21】
請求項１２に記載の装置であって、前記複数の延長部の各々は、前記対応する基板を回転させるように構成される、装置。
【請求項22】
装置であって、上部プレートおよび底部部分を含むマルチステーション処理チャンバであって、前記マルチステーション処理チャンバは、処理のために基板を支持するための台座アセンブリを各々が含む複数のステーションを取り囲むように構成されるマルチステーション処理チャンバと、
前記複数のステーション間の中央に位置し、中央軸の周りを回転するように構成されたスピンドルであって、前記スピンドルは、前記底部部分に電気的に接続されるスピンドルと、
前記スピンドルに結合され、Ｚ方向の前記スピンドルの移動を制御するように構成されたアクチュエータと、
前記スピンドルに接続され、前記スピンドルと共に回転するように構成されたインデクサであって、前記インデクサは、ステーション間での移送のために対応する基板と連動するように各々が構成された複数の延長部を含むインデクサと、
前記インデクサに接続された導電性インターフェースと
を備え、
前記スピンドルは、前記導電性インターフェースがプラズマ処理中に上部部分と接触するように、前記Ｚ方向に上方に移動してより高い位置に向かうように構成され、
前記複数の延長部の各々は、前記スピンドルが前記より高い位置にあるときに停止される、
装置。
【請求項23】
請求項２２に記載の装置であって、前記導電性インターフェースは、中実円筒チューブを備える、装置。
【請求項24】
請求項２２に記載の装置であって、前記導電性インターフェースは、複数の垂直リンクによって接続された水平方向に配向された複数の格子間ビームを含む回旋状の円筒チューブを備える、装置。
【請求項25】
請求項２３に記載の装置であって、前記導電性インターフェースは、前記導電性インターフェースが前記インデクサと接触しているとき、前記上部プレートと前記底部部分との間に非螺旋状の導電性経路を提供する、装置。
【請求項26】
請求項２２に記載の装置であって、前記マルチステーション処理チャンバは、４つのステーションを含む、
装置。
【請求項27】
請求項２２に記載の装置であって、前記上部プレート上に位置決めされ、前記導電性インターフェースと前記上部プレートとの間のＲＦ戻り経路を容易にする接触インターフェース
をさらに備え、
前記接触インターフェースは、柔軟である、
装置。
【請求項28】
請求項２２に記載の装置であって、前記底部部分へのＲＦ戻り経路は、前記上部プレート、前記導電性インターフェース、前記インデクサ、および前記スピンドルを通して生成される、
装置。
【請求項29】
請求項２２に記載の装置であって、前記インデクサは、
上側インデクサ部分と、
下側インデクサ部分と
を備える、装置。
【請求項30】
請求項２２に記載の装置であって、前記複数の延長部の各々は、前記対応する基板を回転させるように構成される、装置。
【請求項31】
装置であって、上部プレートおよび底部部分を含むマルチステーション処理チャンバであって、前記マルチステーション処理チャンバは、処理のために基板を支持するための台座アセンブリを各々が含む複数のステーションを取り囲むように構成されるマルチステーション処理チャンバと、
前記複数のステーション間の中央に位置し、中央軸の周りを回転するように構成されたスピンドルであって、前記スピンドルは、前記上部プレートに移動可能かつ電気的に接続されるスピンドルと、
前記スピンドルに結合され、Ｚ方向の前記スピンドルの移動を制御するように構成されたアクチュエータと、
前記スピンドルに接続され、前記スピンドルと共に回転するように構成されたインデクサであって、前記インデクサは、ステーション間での移送のために対応する基板と連動するように各々が構成された複数の延長部を含むインデクサと、
前記インデクサに接続された導電性インターフェースと、
前記底部部分に電気的に接続された接地構造と
を備え、
前記スピンドルは、前記導電性インターフェースがプラズマ処理中に前記接地構造と接触するように、前記Ｚ方向に下方に移動して下側位置に向かうように構成され、
前記複数の延長部の各々は、前記スピンドルが前記下側位置にあるときに停止される、
装置。
【請求項32】
請求項３１に記載の装置であって、前記導電性インターフェースは、１つまたは複数の中実円筒チューブを備える、装置。
【請求項33】
請求項３１に記載の装置であって、前記導電性インターフェースは、複数の垂直リンクによって接続された水平方向に配向された複数の格子間ビームを含む回旋状の円筒チューブを備える、装置。
【請求項34】
請求項３３に記載の装置であって、前記導電性インターフェースは、前記導電性インターフェースが前記インデクサと接触しているとき、前記上部プレートと前記底部部分との間に非螺旋状の導電性経路を提供する、装置。
【請求項35】
請求項３１に記載の装置であって、前記マルチステーション処理チャンバは、４つのステーションを含む、装置。
【請求項36】
請求項３１に記載の装置であって、導電性構造上に位置決めされ、前記導電性インターフェースと前記導電性構造との間のＲＦ戻り経路を容易にする接触インターフェース
をさらに備え、
前記接触インターフェースは、柔軟である、
装置。
【請求項37】
請求項３１に記載の装置であって、前記底部部分のグランドへのＲＦ戻り経路は、前記上部プレート、前記インデクサ、前記スピンドル、前記導電性インターフェース、および前記導電性構造を通して生成される、
装置。
【請求項38】
請求項３１に記載の装置であって、前記導電性構造は、底部構造に接続された１つまたは複数の導電性ロッドを含む、
装置。
【請求項39】
装置であって、上部プレートおよび底部部分を含むマルチステーション処理チャンバであって、前記マルチステーション処理チャンバは、処理のために基板を支持するための台座アセンブリを各々が含む複数のステーションを取り囲むように構成されるマルチステーション処理チャンバと、
前記複数のステーション間の中央に位置し、中央軸の周りを回転するように構成されたスピンドルであって、前記スピンドルは、前記底部部分に電気的に接続されるスピンドルと、
前記スピンドルに結合され、Ｚ方向の前記スピンドルの移動を制御するように構成されたアクチュエータと、
前記スピンドルに接続され、前記スピンドルと共に回転するように構成されたインデクサであって、前記インデクサは、ステーション間での移送のために対応する基板と連動するように各々が構成された複数の延長部を含むインデクサと、
前記インデクサに接続された導電性インターフェースであって、前記導電性インターフェースの端部は、前記上部プレートの進行空間内に延び、前記導電性インターフェースは、前記スピンドルと共に移動する導電性インターフェースと、
前記進行空間の開口部の周りの前記上部プレートに接続された導電性シールおよびベローズアセンブリと
を備え、
前記導電性インターフェースの前記端部は、前記スピンドルが停止されるとき、または前記Ｚ方向に移動しているとき、ベアリングを通して前記導電性シールおよびベローズアセンブリと係合し、前記上部プレートと連続的に接触し、
前記複数の延長部の各々は、前記スピンドルがプラズマ処理中に下側位置に移動されるときに停止される、
装置。
【請求項40】
請求項３９に記載の装置であって、前記導電性インターフェースは、１つまたは複数の中実円筒チューブを備える、装置。
【請求項41】
請求項３９に記載の装置であって、前記導電性インターフェースは、複数の垂直リンクによって接続された水平方向に配向された複数の格子間ビームを含む回旋状の円筒チューブを備える、
装置。
【請求項42】
請求項４１に記載の装置であって、前記導電性インターフェースは、前記導電性インターフェースが前記インデクサと接触しているとき、前記上部プレートと前記底部部分との間に非螺旋状の導電性経路を提供する、
装置。
【請求項43】
請求項３９に記載の装置であって、前記マルチステーション処理チャンバは、４つのステーションを含む、
装置。
【請求項44】
請求項３９に記載の装置であって、前記底部部分へのＲＦ戻り経路は、前記上部プレート、前記導電性シールおよびベローズアセンブリ、前記導電性インターフェース、前記インデクサ、および前記スピンドルを通して生成される、
装置。
【請求項45】
請求項３９に記載の装置であって、前記インデクサは、
上側インデクサ部分と、
下側インデクサ部分と
を備える、装置。
【請求項46】
請求項３９に記載の装置であって、前記複数の延長部の各々は、前記対応する基板を回転させるように構成される、装置。
【請求項47】
装置であって、上側ポストアセンブリであって、前記上側ポストアセンブリは、導電性である上側ポストアセンブリと、
前記上側ポストアセンブリに移動可能に接続された下側ポストアセンブリであって、前記下側ポストアセンブリは、導電性である下側ポストアセンブリと
を備え、
前記上側ポストアセンブリおよび前記下側ポストアセンブリは、マルチステーション処理チャンバの上部プレートと底部部分との間にＲＦ戻り経路を提供するように構成される、
装置。
【請求項48】
請求項４７に記載の装置であって、前記上側ポストアセンブリは、
上側ポストと、
前記上側ポストアセンブリの上部部分と、
前記上側ポストアセンブリの底部部分と、
前記上側ポストアセンブリの前記底部部分上のリップと
を含む、装置。
【請求項49】
請求項４８に記載の装置であって、前記上側ポストは、円筒形である、
装置。
【請求項50】
請求項４７に記載の装置であって、前記下側ポストアセンブリは、
下側ポストと、
前記下側ポストアセンブリの底部と、
前記下側ポストアセンブリのベースと、
前記下側ポストアセンブリの上部部分と、
前記下側ポストアセンブリの前記上部部分上のリップと
を含む、装置。
【請求項51】
請求項５０に記載の装置であって、前記下側ポストは、円筒形である、
装置。
【請求項52】
請求項４７に記載の装置であって、前記上側ポストアセンブリおよび前記下側ポストアセンブリに電気的に接続されたばねアセンブリであって、前記ばねアセンブリは、前記上側ポストアセンブリに対して前記下側ポストアセンブリを移動させるように構成されるばねアセンブリ
をさらに備える、装置。
【請求項53】
請求項５２に記載の装置であって、前記ばねアセンブリは、
前記下側ポストアセンブリに電気的に接続されたばねベースと、
前記上側ポストアセンブリと電気的に接触するばねピストンチューブであって、前記ばねピストンチューブは、前記ばねベースに移動可能に接続されるばねピストンチューブと、
前記ばねベースおよび前記上側ポストアセンブリと電気的に接触しており、前記ばねピストンチューブ内で移動するように構成されたばねと
を含む、装置。
【請求項54】
請求項５３に記載の装置であって、前記ばねベースおよび前記下側ポストアセンブリの前記下側ポストベースに電気的に接続された軸上スラストベアリングであって、前記軸上スラストベアリングは、前記上側ポストアセンブリを回転させることなく前記下側ポストアセンブリの回転を可能にするように構成される軸上スラストベアリング
をさらに備える、装置。
【請求項55】
請求項４７に記載の装置であって、前記上側ポストアセンブリ上に位置決めされ、前記マルチステーション処理チャンバの上部プレートと第１のＲＦ接続を行うように構成された第１のＲＦガスケットと、
前記上側ポストアセンブリと前記下側ポストアセンブリとの間の第２のＲＦ接続を行うように構成された第２のＲＦガスケットと、
前記下側ポストアセンブリ上に位置決めされ、前記下側ポストアセンブリと前記マルチステーション処理チャンバの底部部分との間の第３のＲＦ接続を行うように構成された第３のＲＦガスケットと
をさらに備える、装置。
【請求項56】
請求項５５に記載の装置であって、前記第１のＲＦガスケットは、前記上側ポストアセンブリの上部部分上に位置決めされ、
前記第２のＲＦガスケットは、前記上側ポストアセンブリの底部部分上に位置決めされたリップと前記下側ポストアセンブリの上側部分上に位置決めされたリップとの間に位置決めされ、
前記第３のＲＦガスケットは、前記下側ポストアセンブリの底部部分上に位置決めされる、
装置。
【請求項57】
請求項５６に記載の装置であって、前記下側ポストアセンブリは、前記マルチステーション処理チャンバのスピンドルに接続されたインデクサを囲むように構成され、前記下側ポストベースは、前記インデクサと接触するように構成され、
前記インデクサに接続されたスピンドルがプラズマ処理中に下側位置にあるとき、前記下側ポストアセンブリの前記底部は、前記第３のＲＦガスケットを介して前記マルチステーション処理チャンバの前記底部部分に電気的に接続され、前記上側ポストアセンブリの底部部分上に位置決めされた前記リップは、前記第２のＲＦガスケットを介して前記下側ポストアセンブリの上側部分上に位置決めされた前記リップに電気的に接続される、
装置。
【請求項58】
請求項５６に記載の装置であって、前記下側ポストアセンブリは、前記マルチステーション処理チャンバのスピンドルに接続されたインデクサを囲むように構成され、前記下側ポストベースは、前記インデクサと接触するように構成され、
前記インデクサに接続されたスピンドルが上側位置にあるとき、前記下側ポストアセンブリの前記底部は、前記マルチステーション処理チャンバの前記底部部分から分離され、前記上側ポストアセンブリの底部部分上に位置決めされた前記リップは、前記下側ポストアセンブリの上側部分上に位置決めされた前記リップから分離される、
装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本実施形態は、半導体ウエハ処理機器ツールに関し、より詳細には、チャンバの中心を通る各ステーションについてより対称的な高周波（ＲＦ）接地戻り経路を有するマルチステーションチャンバに関する。
【背景技術】
【0002】
半導体製作分野では、多くのタイプの膜堆積プロセスが一般的に使用されている。１つの例示的なプロセスは、プラズマ強化化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）と呼ばれ、これは、ウエハなどの基板上に気体状態（すなわち、蒸気）から固体状態に薄膜を堆積するために使用されるプラズマ堆積のタイプである。ＰＥＣＶＤシステムは、液体前駆体を蒸気前駆体に変換し、蒸気前駆体がチャンバに送給される。ＰＥＣＶＤシステムは、制御された方式で液体前駆体を気化させて蒸気前駆体を生成する気化器を含むことが可能である。
【0003】
別の例示的な膜堆積プロセスは、原子層堆積（ＡＬＤ）と呼ばれ、これもまた堆積を促進するためにプラズマエネルギーを利用する。ＡＬＤシステムは、高度に共形であり、滑らかであり、かつ優れた物理的性質を有する非常に薄い膜を発生させるために使用される。ＡＬＤは、加熱された基板の上に連続的に導入（またはパルス化）される揮発性ガス、固体、または蒸気を使用する。第１の前駆体がガスとして導入され、基板に吸収（または吸着）され、リアクタチャンバからガス状前駆体が除去される。第２の前駆体がガスとして導入され、吸収された前駆体と反応し、所望の材料の単層を形成する。この順序を調節することによって、ＡＬＤによって発生される膜は、基板の上の２つ以上の反応性ガスの連続的な流れを繰り返し切り替えることで一度に単層堆積される。
【0004】
ＰＥＣＶＤおよびＡＬＤプロセスを処理するために使用されるチャンバは、基板上に堆積される結果として得られる膜が可能な限り均一であり、プロセスがウエハごとに反復可能であるように、高度に設計された構造的構成を必要とする。そのようなチャンバでは、高周波（ＲＦ）電力が供給され、プラズマの形態でガスの励起が可能となることで材料膜が堆積される。ＲＦ電力の送給は、典型的には、基板支持体（すなわち、台座）またはシャワーヘッドのいずれかに適用される。いずれの構成であっても、チャンバに印加されるＲＦ電力には戻り経路が必要である。一般に、導電性チャンバ壁がこの戻り経路を提供する。
【0005】
このプロセスは以前はうまく機能してきたが、より小さいフィーチャサイズの製造に対する需要が高まるにつれ、チャンバの構造および設計された幾何学的形状に対してより厳しい要求が継続的に課されている。例えば、ＰＥＣＶＤならびにＡＬＤに使用可能な一部のチャンバ設計は、マルチステーション設計を含む。マルチステーション設計とは、堆積プロセスが同時に複数のステーションで行われることを可能にする設計である。そのようなマルチステーション設計は、他のステーションによる近傍の処理に関連する複雑さを追加する。
【0006】
さらに、ウエハの各々に関して対称ではないマルチステーションプロセスモジュールは、特に高い周波数において、非対称のＲＦ戻り経路に関する問題を有する場合がある。例えば、ＲＦ戻り経路は、導電性経路がチャンバの中心における回転機構に向かう位置よりもチャンバの縁部にあるウエハに近い位置に存在するため、対応するウエハに関して軸対称ではない。この非対称性により、対応するウエハ上に不均一性が現れる場合がある。
【0007】
ここで提供される背景の説明は、本開示の内容を概ね提示することを目的とする。この背景技術のセクションで説明されている範囲内における、現時点で名前を挙げられている発明者らによる研究、ならびに出願の時点で先行技術として別途見なされ得ない説明の態様は、明示または暗示を問わず、本開示に対抗する先行技術として認められない。
【0008】
本開示の実施形態は、このような状況で生じるものである。
【発明の概要】
【0009】
本実施形態は、半導体ウエハを処理するために使用されるプロセスチャンバに関する。特に、本開示の実施形態は、チャンバ内に中央ＲＦリターンを提供することによってマルチステーションプロセスチャンバ内のＲＦ戻り経路の対称性を高め、プロセスウエハ上の不均一性を減少させる。本開示のいくつかの発明の実施形態を、以下に説明する。
【0010】
本開示の実施形態は、プラズマ処理用に構成された装置を提供する。装置は、上部プレートおよび底部部分を含むマルチステーション処理チャンバを含み、マルチステーション処理チャンバは、処理のために基板を支持するための台座アセンブリを各々が含む複数のステーションを取り囲むように構成される。装置は、複数のステーション間の中央に位置し、中央軸の周りを回転するように構成されたスピンドルを含み、スピンドルは、底部部分に電気的に接続される。装置は、スピンドルに結合され、Ｚ方向のスピンドルの移動を制御するように構成された第１のアクチュエータを含む。装置は、スピンドルに接続され、スピンドルと共に回転するように構成されたインデクサを含み、インデクサは、ステーション間での移送のために対応する基板と連動するように各々が構成された複数の延長部を含む。装置は、上部プレートに移動可能に接続された導電性インターフェースを含む。装置は、導電性インターフェースに結合され、Ｚ方向の導電性インターフェースの移動を制御するように構成された第２のアクチュエータを含む。導電性インターフェースは、複数の延長部の各々が停止され、スピンドルがプラズマ処理中に下側位置に移動されるとき、Ｚ方向に下方に移動してインデクサと接触するように構成される。
【0011】
本開示の他の実施形態は、プラズマ処理用に構成された装置を提供する。装置は、上部プレートおよび底部部分を含むマルチステーション処理チャンバを含み、マルチステーション処理チャンバは、処理のために基板を支持するための台座アセンブリを各々が含む複数のステーションを取り囲むように構成される。装置は、複数のステーション間の中央に位置し、中央軸の周りを回転するように構成されたスピンドルを含む。装置は、スピンドルに結合され、Ｚ方向のスピンドルの移動を制御するように構成された第１のアクチュエータを含む。装置は、スピンドルに接続され、中央軸の周りをスピンドルと共に回転するように構成されたインデクサを含み、インデクサは、ステーション間での移送のために対応する基板と連動するように各々が構成された複数の延長部を含む。装置は、上部プレートに移動可能に接続された導電性インターフェースを含む。装置は、導電性インターフェースに結合され、Ｚ方向の接地インターフェースの移動を制御するように構成された第２のアクチュエータを含む。導電性インターフェースは、インデクサの直径にわたる下端部分を有する。加えて、導電性インターフェースは、複数の延長部の各々が停止され、スピンドルがプラズマ処理中に下側位置に移動されるとき、Ｚ方向に下方に移動してスピンドルおよびインデクサに隣接する導電性構造と接触するように構成される。導電性構造は、底部部分に電気的に結合される。
【0012】
本開示のさらに他の実施形態は、プラズマ処理用に構成された装置を提供する。装置は、上部プレートおよび底部部分を含むマルチステーション処理チャンバを含み、マルチステーション処理チャンバは、処理のために基板を支持するための台座アセンブリを各々が含む複数のステーションを取り囲むように構成される。装置は、複数のステーション間の中央に位置し、中央軸の周りを回転するように構成されたスピンドルを含み、スピンドルは、底部部分に電気的に接続される。装置は、スピンドルに結合され、Ｚ方向のスピンドルの移動を制御するように構成されたアクチュエータを含む。装置は、スピンドルに接続され、スピンドルと共に回転するように構成されたインデクサを含み、インデクサは、ステーション間での移送のために対応する基板と連動するように各々が構成された複数の延長部を含む。装置は、インデクサに接続された導電性インターフェースを含む。スピンドルは、導電性インターフェースがプラズマ処理中に上部部分と接触するように、Ｚ方向に上方に移動してより高い位置に向かうように構成される。複数の延長部の各々は、スピンドルがより高い位置にあるときに停止される。
【0013】
本開示のさらに他の実施形態は、プラズマ処理用に構成された装置を提供する。装置は、上部プレートおよび底部部分を含むマルチステーション処理チャンバを含み、マルチステーション処理チャンバは、処理のために基板を支持するための台座アセンブリを各々が含む複数のステーションを取り囲むように構成される。装置は、複数のステーション間の中央に位置し、中央軸の周りを回転するように構成されたスピンドルを含み、スピンドルは、上部プレートに移動可能かつ電気的に接続される。装置は、スピンドルに結合され、Ｚ方向のスピンドルの移動を制御するように構成されたアクチュエータを含む。装置は、スピンドルに接続され、スピンドルと共に回転するように構成されたインデクサを含み、インデクサは、ステーション間での移送のために対応する基板と連動するように各々が構成された複数の延長部を含む。装置は、インデクサに接続された導電性インターフェースを含む。装置は、底部部分に電気的に接続された導電性構造を含む。スピンドルは、導電性インターフェースがプラズマ処理中に導電性構造と接触するように、Ｚ方向に下方に移動して下側位置に向かうように構成される。複数の延長部の各々は、スピンドルが下側位置にあるときに停止される。
【0014】
本開示のさらに他の実施形態は、プラズマ処理用に構成された装置を提供する。装置は、上部プレートおよび底部部分を含むマルチステーション処理チャンバを含み、マルチステーション処理チャンバは、処理のために基板を支持するための台座アセンブリを各々が含む複数のステーションを取り囲むように構成される。装置は、複数のステーション間の中央に位置し、中央軸の周りを回転するように構成されたスピンドルを含み、スピンドルは、底部部分に電気的に接続される。装置は、スピンドルに結合され、Ｚ方向のスピンドルの移動を制御するように構成されたアクチュエータを含む。装置は、スピンドルに接続され、スピンドルと共に回転するように構成されたインデクサを含み、インデクサは、ステーション間での移送のために対応する基板と連動するように各々が構成された複数の延長部を含む。装置は、インデクサに接続された導電性インターフェースを含み、導電性インターフェースの端部は、上部プレートの進行空間内に延び、導電性インターフェースは、スピンドルと共に移動する。装置は、進行空間の開口部の周りの上部プレートに接続された導電性（例えば、流体）シールおよびベローズアセンブリを含む。導電性インターフェースの端部は、スピンドルが停止されるとき、またはＺ方向に移動しているとき、ベアリングを通して導電性シールおよびベローズアセンブリ（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｓｅａｌ ａｎｄ ｂｅｌｌｏｗｓ ａｓｓｅｍｂｌｙ）と係合し、上部プレートと連続的に接触する。複数の延長部の各々は、スピンドルがプラズマ処理中に下側位置に移動されるときに停止される。
【0015】
本開示のさらに他の実施形態は、マルチステーション処理チャンバ内のＲＦ戻り経路を容易にするように構成された装置を提供する。装置は、上側ポストアセンブリを含み、上側ポストアセンブリは、導電性である。装置は、上側ポストアセンブリに移動可能に接続された下側ポストアセンブリを含み、下側ポストアセンブリは、導電性である。上側ポストアセンブリおよび下側ポストアセンブリは、マルチステーション処理チャンバの上部プレートと底部部分との間にＲＦ戻り経路を提供するように構成される。
【0016】
これらおよび他の利点は、明細書全体および特許請求の範囲を読めば当業者によって理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0017】
実施形態は、添付の図面と併せて解釈される以下の説明を参照することによって最もよく理解され得る。
【0018】
【0019】
【0020】
【0021】
【0022】
【0023】
【0024】
【0025】
【0026】
【0027】
【0028】
【0029】
【0030】
【0031】
【発明を実施するための形態】
【0032】
以下の詳細な説明は、例示の目的で多くの具体的な詳細を含むが、当業者は、以下の詳細に対する多くの変形および変更が本開示の範囲内であることを理解するであろう。したがって、以下に説明する本開示の態様は、この説明に続く特許請求の範囲に対する一般性を失うことなく、また限定を課すことなく記載されている。
【0033】
一般的に言えば、本開示の様々な実施形態は、チャンバの中央導電性経路を提供してプロセスウエハ上の不均一性を減少させることによって、マルチステーションプロセスチャンバ内のＲＦ戻り経路の対称性を高めるためのシステムおよび装置について説明する。実施形態では、マルチステーションチャンバが開示され、一実施態様では、中心場所に回転機構を有する正方形構成で配置されたクワッドステーションモジュールが開示される。クワッドステーションモジュールは、上側部分および底部部分を含む大型の開放された正方形のチャンバにおいて４つの台座上で４つのウエハを処理するように構成される。各台座は、基板を支持するように構成され、４つのチャンバの台座の各々のための空間を画定する外壁および内壁を含む下側チャンバ部分に配置される。いくつかの実施態様では、各台座は、キャリアリングを含む。いくつかの実施形態では、キャリアリングは、プラズマフォーカスリングと呼ばれる。下側チャンバ部分は、４つのチャンバの台座の各々のための空間を画定する外壁および内壁を含む。チャンバは、上側チャンバ部分または上部プレートをさらに含む。上側チャンバ部分は、下側チャンバ部分の上に嵌合するように構成される。上側チャンバ部分は、４つのシャワーヘッドを含み、４つのシャワーヘッドの各々は、それぞれのステーションのそれぞれの台座の上に位置合わせされるように構成される。実施形態では、高周波（ＲＦ）電力が各ステーションのシャワーヘッドまたは台座のいずれかに供給されるとき、ＲＦ電力は、各ステーションの各プロセス開口部を対称的に囲む導電性プレートを介してＲＦリターンと共に供給される。
【0034】
いくつかの実施態様では、導電性構造（例えば、導電性インターフェース、導電性プレート、１つまたは複数の導電性ロッドなど）が、ＲＦ戻り経路を提供するために実装される。例えば、導電性プレートを内壁の上に配置し、外壁に取り付けることが可能である。導電性プレートは、回転機構を受け入れるように構成された中心開口部と、台座および／またはキャリアリングよりも大きい直径を有するステーション用のプロセス開口部とを有する。従来、チャンバの中央に導電性経路は存在しないが、本開示の実施形態は、互いにチャンバの上部プレートと底部部分を電気的に接続し、中央のＲＦ戻り経路を提供することができる回転機構のスピンドルの中心近くに構造を追加することによって、各ステーションについて対称的な導電性経路を提供する。この中央導電性経路は、回転機構のスピンドルを通して、または別々の導電性ロッド、またはスピンドルの近くのロッドのセット、またはチャンバの下側部分へのリターンを提供する任意の適切な構造を用いて実装することができる。これにより、基板およびプラズマからシャワーヘッドを通って上部プレートに達するＲＦ信号に対して、より対称的なＲＦ戻り経路が提供される。本開示の実施形態は、チャンバの可能な公差スタックアップを可能にする共通のアルミニウム素材サイズおよび共通の機械加工フィーチャを使用することによって、対称的なＲＦ電気伝導のためのより費用効果の高い解決策を提供する。一実施形態では、機械加工されたフィーチャにより、チャンバの上部プレートと下側部分を電気的に接続する導電性インターフェースに使用される非螺旋状のばね状構造が可能になる。螺旋状の電流経路は、生成または増幅され得る磁場のために望ましくない場合があるが、本開示の実施形態の階段状ビーム屈曲構造は電流をジグザグにさせることができ、それによって有害な磁場をより少なくすることが可能である。
【0035】
チャンバの中央接地構造を提供する様々な実施形態の利点には、ステーション内のウエハに関して対称ではないマルチステーションチャンバ内のステーションの各々についてＲＦ戻り経路の対称性を高めることが挙げられる。さらなる実施形態は、マルチステーションチャンバ内のステーションのおよびステーション間のＲＦ戻り経路の対称性が高まるため、プロセスウエハにおける不均一性を減少させる。
【0036】
様々な実施形態の上記の一般的な理解により、次に実施形態の例示的な詳細が様々な図面を参照して説明される。１つまたは複数の図において同様に番号付けされた要素および／または構成要素は、一般に、同じ構成および／または機能を有することを意図している。さらに、図は一定の縮尺で描かれていない場合があるが、新規の概念を示し強調することを意図している。本実施形態は、これらの具体的な詳細の一部または全部なしで実践することができることが明らかであろう。他の例では、本実施形態を不必要に曖昧にしないように、周知のプロセス動作は詳細に説明されていない。
【0037】
図１は、ウエハ１０１を処理するために使用される基板処理システム１００を示している。システムは、下側チャンバ部分１０２ｂおよび上側チャンバ部分１０２ａを有するチャンバ１０２を含む。中心コラムが台座１４０を支持するように構成され、台座１４０は、一実施形態では電力供給電極である。台座１４０は、整合ネットワーク１０６を介して電源１０４に電気的に結合される。電源は、制御モジュール１１０、例えば、コントローラによって制御される。制御モジュール１１０は、プロセス入力および制御部１０８を実行することによって基板処理システム１００を動作させるように構成される。プロセス入力および制御部１０８は、電力レベル、タイミングパラメータ、プロセスガス、ウエハ１０１の機械的移動など、例えばウエハ１０１の上に膜を堆積または形成するためのプロセスレシピを含むことができる。
【0038】
中心コラムはまた、リフトピン制御部１２２によって制御されるリフトピン（図示せず）を含む。リフトピンは、台座１４０からウエハ１０１を上昇させ、エンドエフェクタがウエハを持ち上げ、エンドエフェクタによって載置された後にウエハ１０１を下降させることを可能にするために使用される。基板処理システム１００は、プロセスガス１１４、例えば、設備からのガス化学物質供給源に接続されたガス供給マニホールド１１２をさらに含む。実施される処理に応じて、制御モジュール１１０は、ガス供給マニホールド１１２を介したプロセスガス１１４の送給を制御する。次に、選択されたガスはシャワーヘッド１５０内に流され、そのウエハ１０１に面するシャワーヘッド１５０の面と台座１４０の上に存在するウエハ１０１との間に画定された空間容積に分配される。ＡＬＤプロセスでは、ガスは、吸収、または吸収された反応剤との反応のために選択された反応剤であり得る。
【0039】
加えて、制御モジュール１１０は、命令を電気伝導インターフェース制御部１３０および回転機構制御部１３５に提供するように構成することができる。特に、電気伝導インターフェース制御部１３０は、回転機構のスピンドルおよびインデクサとの接触を提供するため、またはＲＦ戻り経路を提供する目的の導電性構造との接触を提供するためなど、例えばＺ方向（例えば、垂直）における導電性インターフェースの移動を可能にする。回転機構制御部１３５は、Ｚ方向の移動、基板と連動する延長部の移動、延長部の端部における基板の回転など、回転機構の移動を可能にする。
【0040】
さらに、ガスは、予め混合されていてもいなくてもよい。プロセスの堆積およびプラズマ処置段階中に正しいガスが送給されることを確実にするために、適切な弁調節および質量流量制御機構を用いることができる。プロセスガスは、出口を介してチャンバを出る。真空ポンプ（例えば、１段または２段の機械式ドライポンプおよび／またはターボ分子ポンプ）がプロセスガスを引き出し、スロットル弁または振り子弁などの閉ループ制御流量制限デバイスによってリアクタ内を適切に低い圧力に維持する。
【0041】
一実施形態では、台座１４０の外側領域を取り囲むキャリアリング２００もまた示されている。キャリアリング２００は、台座１４０の中心におけるウエハ支持領域から一段下がったキャリアリング支持領域の上に位置するように構成される。キャリアリングは、そのディスク構造の外縁側、例えば、外側半径と、ウエハ１０１が位置する場所に最も近いそのディスク構造のウエハエッジ側、例えば、内側半径とを含む。キャリアリングのウエハエッジ側は、キャリアリング２００がスパイダフォーク１８０によって持ち上げられるときにウエハ１０１を持ち上げるように構成された複数の接触支持構造を含む。したがって、キャリアリング２００は、ウエハ１０１と共に持ち上げられ、例えば、マルチステーションシステム内の別のステーションに回転させることができる。
【0042】
図２は、４つの処理ステーションが設けられるマルチステーション処理ツールの上面図を示している。この上面図は、下側チャンバ部分１０２ｂ（例えば、図示のために上部プレート１０２ｃを含む上部チャンバ部分１０２ａが除去されている）であり、４つのステーションがスパイダフォーク２２６によってアクセスされる。各スパイダフォーク、またはフォークは、第１および第２のアームを含み、各々が台座１４０の各側面の一部の周りに位置決めされる。この図では、スパイダフォーク２２６は、それらがキャリアリング２００の下にあることを伝えるために破線で描かれている。スパイダフォーク２２６は、係合および回転機構２２０を使用して、同時にステーションから（すなわち、キャリアリング２００の下面から）キャリアリング２００を上昇させて持ち上げ、その後、キャリアリング２００（キャリアリングの少なくとも１つはウエハ１０１を支持する）を次の位置に下降させる前に少なくとも１つまたは複数のステーションを回転させるように構成され、それによりさらなるプラズマ処理、処置、および／または膜堆積をそれぞれのウエハ１０１上で行うことが可能になる。
【0043】
図３は、インバウンドロードロック３０２およびアウトバウンドロードロック３０４を有するマルチステーション処理ツール３００の一実施形態の概略図を示す。ロボット３０６は、大気圧において、ポッド３０８を介してロードされたカセットから、大気圧ポート３１０を介してインバウンドロードロック３０２に基板を移動させるように構成される。インバウンドロードロック３０２は真空源（図示せず）に結合され、したがって大気圧ポート３１０が閉じている場合、インバウンドロードロック３０２をポンプダウンすることができる。インバウンドロードロック３０２はまた、処理チャンバ１０２ｂと連動するチャンバ搬送ポート３１６を含む。したがって、チャンバ搬送３１６が開かれると、別のロボット（図示せず）が、基板をインバウンドロードロック３０２から処理のために第１のプロセスステーションの台座１４０に移動させることができる。
【0044】
図示の処理チャンバ１０２ｂは、図３に示す実施形態において１から４まで番号が付けられた４つの処理ステーションを備える。いくつかの実施形態では、処理チャンバ１０２ｂは、真空破壊および／または空気曝露を経験することなく処理ステーション間でキャリアリング２００を使用して基板を移送することができるように、低圧環境を維持するように構成され得る。図３に図示される各プロセスステーションは、プロセスステーション基板ホルダ（ステーション１について３１８で示す）と、プロセスガス送給ライン入口とを含む。
【0045】
図３はまた、処理チャンバ１０２ｂ内で基板を移送するためのスパイダフォーク２２６を図示する。例えば、チャンバは、４つのスパイダフォークを含み、キャリアリングは、マルチステーションプロセスチャンバのステーションの各々のそれぞれの台座の周りに配置される。スパイダフォーク２２６が回転し、あるステーションから別のステーションへの基板の移送を可能にする。移送は、スパイダフォーク２２６が外下面からキャリアリング２００を持ち上げることを可能にするようにすることによって行われ、これにより基板が持ち上げられ、基板およびキャリアを一緒に次のステーションに回転させる。この構成では、スパイダフォークは、４つのキャリアリング（およびその上に配置された任意の基板）の各々を同時に持ち上げ、キャリアリングおよび基板のすべてを次のステーションに回転させることができる（例えば、追加のまたは異なる処理のために）。いくつかの実施形態では、キャリアリングは、基板のエッジを含む基板の表面全体にわたってプラズマ処理を集中または最適化するように機能するプラズマフォーカスリングと呼ばれることがある。例えば、プラズマフォーカスリングは、エッジにおける不均一性がプラズマフォーカスリングの外面エッジまで（すなわち、基板エッジの代わりに）拡張されるように、基板の外面を拡張するように機能する。一構成では、スパイダフォーク２２６は、処理中の高レベルの熱に耐えられるようにセラミック材料から作製される。
【0046】
本開示の実施形態は、各ステーションにおける、またはステーション間でのウエハの移送、送給、および回転のための任意の適切な手段を使用することができることが理解される。いくつかの実施形態はキャリアリングの使用を含むが、他の実施形態は、基板と直接連動する送給システムの使用を伴う（すなわち、リングを使用しない）。例えば、いくつかの実施形態では、「リングレス」基板移送もまた用いられてもよい。そのような実施形態では、「キャリアリング」または「プラズマ集束リング」は、１つのステーションに固定されたままであるか、またはリングが存在しなくてもよい。基板は、ピンを用いて台座から基板を持ち上げ、ウエハの下にパドルを挿入し、次にピン上で基板を下降させることによって移動され、これによりパドルが基板に直接接触するようになる。この時点で、基板は、パドルを使用して別のステーションにインデックスされる。基板が新しいステーションに位置すると、基板はピンを用いてパドルから持ち上げられ、パドルが回転または外に移動され、ピンが下降されて基板が台座に直接接触するようになる。ここで、基板処理は、インデックスされた（すなわち、移動された）基板に対する新しいステーションで続行することができる。システムが複数のステーションを有する場合、基板の各々（すなわち、ステーションに存在する基板）は、リングレス基板移送の場合と同様の様式で一緒に、例えば、同時に移送することができる。
【0047】
本開示の実施形態は、マルチステーション処理チャンバの上部部分（例えば、上部プレート）と底部部分との間に対称的なＲＦ戻り経路を提供する。ＲＦ戻り経路、ＲＦリターンなどの用語は、ＲＦ戻り電流が使用する経路を指すことが理解される。例えば、任意のＲＦ戻り電流は、波の伝播のためにＲＦ電源によって提供されるＲＦ信号電流と同時に存在する。さらに、ＲＦ戻り経路は、直流（ＤＣ）可能な接続に従わない場合であっても、マルチステーション処理チャンバの２つ以上の構成要素（例えば、導体）の間など、任意の低ＲＦインピーダンス経路に従うことができることが理解される。すなわち、構成要素間に完全な接触またはいかなる接触も存在しない場合があるが、ＲＦ戻り経路を提供するＲＦ接続が存在する。例えば、２つの近接した導体は、それらの間に誘電体または真空を有し、ＤＣ接続のないＲＦ戻り経路として構成される低インピーダンスコンデンサを提供することができる。一般に、導電性導体の存在は、ＲＦ戻り経路のＲＦ戻り電流に必要な境界条件を提供するのに十分である。したがって、従来の処理チャンバは非対称の導電性境界条件を含むが、本開示の実施形態は、ＲＦ場を導く境界条件の対称性を改善し、それによってＲＦ電力の放電の対称性を改善する。
【0048】
図４Ａは、本開示の一実施形態による、１つまたは複数のステーションについてＲＦ戻り経路の対称性を高め、それによって基板全体にわたる不均一性を減少させるチャンバの中央電気伝導経路を含むように構成されたマルチステーション処理チャンバ４００Ａの断面図である。特に、マルチステーション処理チャンバ４００Ａは、本開示の一実施形態によれば、チャンバの上部プレートに電気的に結合された導電性インターフェースを含み、また、チャンバの中心における回転機構に接触して各ステーションについて対称的なＲＦ戻り経路を提供するように構成される。
【0049】
示すように、マルチステーション処理チャンバ４００Ａは、上部プレート１０２ｃを含む上側部分１０２ａと、底部部分１０２ｂとを含む。マルチステーション処理チャンバ４００Ａは、複数のステーションを取り囲むように構成され、ステーションの各々は、処理のために基板を支持するための台座アセンブリの台座１４０（例えば、静電チャック）を含む。明瞭さおよび簡潔さのために、１つのステーションのみが断面図に示されている。前述したように、上側部分１０２ａは、シャワーヘッド１５０を含み、ステーションの台座１４０の上に配置されて台座１４０と位置合わせされ、シャワーヘッド１５０は、上部プレート１０２ｃに電気的に接続される。
【0050】
回転機構４１０が、スピンドル４１０と、インデクサ４１０ｂとを含み、インデクサ４１０ｂは、多数のインデックス機構（例えば、スパイダフォーク、アームなど）のうちのいずれか１つであり得る。スピンドル４１０ａは、複数のステーション間の中央に位置し、中央軸４７０の周りを回転するように構成される。スピンドル４１０ａは、底部部分１０２ｂ（例えば、磁性流体シールおよびベローズアセンブリ（図示せず）に電気的に接続される。アクチュエータ４６５がスピンドル４１０ａに結合され、スピンドルの移動を制御するように構成される。特に、スピンドル４１０ａは、回転されてもよく、かつ／またはＺ方向に移動されてもよい。一実施形態では、アクチュエータ４６５は、図１の制御モジュール１１０によって制御され得る。
【0051】
回転機構はまた、スピンドル４１０ａに接続されたインデクサ４１０ｂを含み、これもまたアクチュエータ４６５によって制御することが可能である。インデクサ４１０ｂは、スピンドル４１０ａと共に回転するように構成される。また、インデクサ４１０ｂは、スピンドル４１０ａの移動に伴ってＺ方向に移動するように構成される。図示されていないが、インデクサ４１０ｂは複数の延長部を含み、その各々は、前述したように、ステーション間での移送のために対応する基板と連動するように構成される。例えば、インデクサ４１０ｂおよび延長部は、基板および／または基板を囲むキャリアリングと係合し、基板および／またはキャリアリングを次のステーションに持ち上げて回転させるように構成される。また、延長部は、インデクサ４１０ｂを回転させることなく基板を回転させるように構成されてもよい。例示の目的で、延長部は、一実施態様ではスパイダフォークであってもよく、他の実施態様では、基板と連動するために使用される水平移動、および延長部に対する基板の回転のために構成されたアームであってもよい。
【0052】
示すように、導電性構造は、上部プレート１０２ｃに電気的に接続されたシャフト４２０を含む。例えば、電気接続は、ライン接続を提供するラインベアリング、または導電性（例えば、流体、磁性流体など）シールおよびベローズアセンブリなどを通じて達成され得る。導電性構造は、コネクタ４２１と、導電性インターフェース４２５とを含む。コネクタ４２１は、シャフト４２０と導電性インターフェース４２５との間の物理的連動を提供する。特に、導電性インターフェース４２５は、シャフト４２０の移動を通じて上部プレート１０２ｃに移動可能に接続される。例えば、アクチュエータ４６７は、導電性インターフェース４２５に結合されたシャフト４２０に接続されてもよい。アクチュエータ４６７は、Ｚ方向における導電性インターフェース４２５の移動を制御するように構成され得る。このようにして、導電性インターフェース４２５は、Ｚ方向に下方に移動し、インデクサ４１０ｂと接触することができる。特に、接触は、チャンバ４００Ａの中心を通る対称的なＲＦ戻り経路を提供するために、マルチステーションプロセスチャンバがプラズマプロセス（例えば、プラズマを使用して層を堆積する）を受けているときに行われてもよい。プラズマ処理中、インデクサ４１０ｂの複数の延長部の各々は停止され、スピンドル４１０ａはプラズマ処理中に下側位置に移動される。例えば、インデクサおよびインデクサの延長部は、台座１４０の少なくとも一部の下の位置に移動されてもよい。すなわち、インデクサ４１０ｂおよびスピンドル４１０ａは、マルチステーションプロセスチャンバ４００Ａ内の基板の各々のプラズマ処理との干渉を低減するように位置決めされる。
【0053】
一実施形態では、導電性インターフェース４２５とインデクサとの間の電気的接触を容易にするために、接触インターフェース（図示せず）がインデクサ４１０ｂ上に位置決めされる。例えば、導電性インターフェース４２５およびインデクサ４１０ｂの表面は完全に滑らかで平面ではない場合があるため、導電性インターフェースとインデクサとの間の接触は、理想的ではない可能性がある。接触インターフェースは、より良好な電気接続を提供するために、柔軟であり、かつ導電性インターフェース４２５およびインデクサ４１０ｂの表面に適合することができる材料であり得る。
【0054】
示すように、シャフト４２０は、チャンバの上側部分１０２ａの上部プレート１０２ｃを越えて延び、アクチュエータ４６７に結合される。別の実施形態では、シャフトは、上部プレート１０２ｃにおけるポケットに封入され、さらに上部プレート１０２ｃを通してアクチュエータに接続される。例えば、いずれの構成においてもＺ方向にシャフトが移動することにより、基板の移送中に導電性インターフェース４２５が回転機構４１０と干渉しないことが可能になる。特に、ポケットは、スピンドルが上側位置に移動されるときに導電性インターフェース、または導電性インターフェースの少なくとも一部（例えば、コネクタ４２１を含む部分）を受け入れるように構成され、それによりインデクサ４１０ｂの複数の延長部は、ステーションからステーションへの基板の移送および送給、ならびに／または延長部の周りの基板の回転のために、ステーションにおいて１つまたは複数の基板と係合することができる。
【0055】
一実施形態では、導電性インターフェース４２５は、１つまたは複数の中実チューブ、またはロッドなどを含み、導電性インターフェースの端部間に直接的な導電性経路を提供する。例えば、導電性インターフェース４２５は、１つまたは複数の円筒チューブであってもよい。別の実施形態では、導電性インターフェース４２５は、回旋状の円筒チューブである。例えば、導電性インターフェース４２５は、複数の垂直リンクによって接続された水平方向に配向された複数の格子間ビーム（ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ ｂｅａｍ）を含み、マルチステーションプロセスチャンバ４００Ａの上部プレート１０２ｃと下側部分１０２ｂとの間に非螺旋状の導電性経路を提供する。回旋状の円筒チューブは、図６により完全に示されている。
【0056】
ＲＦ電力についての戻り経路が示されている。特に、ＲＦ電力は、１つまたは複数の電源を通して台座アセンブリの台座１４０（例えば、静電チャック）に供給される。ＲＦ電力は、台座１４０とシャワーヘッド１５０との間の一部に位置するプラズマ閉じ込め領域に向かって経路４９０を介して台座１４０を通過し、そこで反応性ガスがシャワーヘッドまたは電極アセンブリに画定された開口部を通して供給される（すなわち、チャンバの底部部分または上部部分から来る）。ＲＦ電力は、例えば、容量結合プラズマ（ＣＣＰ）放電を通じて反応性ガスのプラズマを生成する。プラズマ閉じ込め領域からのＲＦ電力は、シャワーヘッド１５０を通して画定された導電性経路を通って流れ、上部プレート１０２ｃを通って上方に流れる。チャンバ４００Ａの側壁にのみ進行するのではなく、ＲＦ電力は、チャンバ４００Ａの側壁ならびに導電性構造に、より詳細にはシャフト４２０、コネクタ４２１、および導電性インターフェース４２５を通って流れる。さらに、ＲＦ電力は、回転機構４１０を通って、より詳細にはインデクサ４１０ｂおよびスピンドル４１０を通って流れ、最終的にマルチステーションプロセスチャンバ４００Ａの下側部分１０２ｂに至る。
【0057】
図４Ｂは、本開示の一実施形態による、インデクサを通る可能なＲＦ戻り経路を示す回転機構４１０の斜視図である。特に、インデクサ４１０ｂは、上側インデクサ部分と、下側インデクサ部分とを含むことができる。インデクサは、スピンドル４１０ａおよび／またはスピンドル４１０ａがＺ方向に移動するチャネル４９１の外壁４９０と接触してもよい。ＲＦ電力は、チャネル４９１の外壁４９０を介して、および／またはスピンドル４１０ａを通してマルチステーションプロセスチャンバ４００Ａの下側部分１０２ｂに戻ることができる。
【0058】
図５Ａは、本開示の一実施形態による、１つまたは複数のステーションについてＲＦ戻り経路の対称性を高め、それによって基板全体にわたる不均一性を減少させるチャンバの中央電気伝導経路を含むように構成されたマルチステーション処理チャンバ５００Ａの断面図である。特に、マルチステーション処理チャンバ４００Ａは、本開示の一実施形態によれば、チャンバの上部プレートに電気的に結合された導電性インターフェースを含み、また、チャンバの中心における回転機構に接触して各ステーションについて対称的なＲＦ戻り経路を提供するように構成される。マルチステーション処理チャンバ５００Ａは、導電性インターフェース５２５が異なっており、より詳細には、図４Ａの導電性インターフェース４２５よりも大きな設置面積を有し、それによって回転機構４１０を介する以外の異なるＲＦ戻り経路を提供することを除いて、図４Ａのマルチステーション処理チャンバ４００Ａと同様である。したがって、２つの図の間では、同様の参照番号が付された構成要素は同じ特徴および機能を有し、図４Ａ、ならびに他の図に関連して提供される説明は、図５Ａのマルチステーション処理チャンバ５００Ａにも同様に適用可能である。
【0059】
要約すると、マルチステーション処理チャンバ５００Ａは、上部プレート１０２ｃを含む上側部分１０２ａと、底部部分１０２ｂとを含み、ステーションを取り囲むように構成され、ステーションの各々は、台座アセンブリの台座１４０を含む。上側部分１０２ａは、台座１４０の上に位置合わせされたシャワーヘッド１５０を含み、上部プレート１０２ｃに電気的に接続される。中央に位置する回転機構４１０は、スピンドル４１０ａと、インデクサ４１０ｂとを含み、ステーション間で基板を移送および／または回転させ、インデクサの延長部の周りで基板を回転させるように構成される。スピンドル４１０ａは、中央軸４７０の周りで回転し、中央軸に沿って垂直方向に移動する。スピンドルは、チャンバ５００Ａの底部部分１０２ｂ（例えば、導電性シールおよびベローズアセンブリ、例えば導電性流体または磁性流体のシールおよびベローズアセンブリ（図示せず））に電気的に接続され、アクチュエータ４６５によって制御可能に移動される。したがって、インデクサ４１０ｂは、スピンドル４１０ａの移動に伴ってＺ方向に移動し、中央軸４７０の周りのスピンドルの回転と共に回転し、ステーション間で移送するために基板と係合するように延長部を水平移動させ、かつ／またはインデクサ４１０ｂを回転させることなく延長部の端部の周りで基板を回転させるように構成される。
【0060】
示すように、導電性構造は、上部プレート１０２ｃに電気的に接続されたシャフト５２０を含む。例えば、電気接続は、ライン接続を提供するラインベアリング、または導電性（流体、磁性流体など）シールおよびベローズアセンブリなどを通じて達成され得る。導電性構造は、コネクタ５２１と、導電性インターフェース５２５とを含む。コネクタ５２１は、シャフト５２０と導電性インターフェース５２５との間の物理的連動を提供する。特に、導電性インターフェース５２５は、シャフト５２０の移動を通じて上部プレート１０２ｃに移動可能に接続される。例えば、アクチュエータ５６７は、導電性インターフェース５２５に結合されたシャフト５２０に接続されてもよい。アクチュエータ５６７は、Ｚ方向における導電性インターフェース５２５の移動を制御するように構成され得る。
【0061】
一実施形態では、導電性インターフェース５２５は、インデクサ４１０ｂの直径にわたる下端部分５２６を有する。すなわち、下端部分５２６は、物理的インターフェースなしでインデクサ４１０ｂの少なくとも一部を完全に囲むことができる。例えば、導電性インターフェース５２５は、インデクサ４１０ｂの上面を越えて下降させ、別の導電性構造を有するＲＦ経路を形成することができる。すなわち、導電性インターフェースは、プラズマ処理中など、スピンドル４１０ａおよびインデクサ４１０ｂに隣接する導電性構造とＲＦ接続を行うために、Ｚ方向に下方に移動するように構成される。例えば、導電性インターフェース５２５は、シャフト５２０の移動を介して、底部部分１０２ｂに電気的に結合された別の導電性構造（例えば、導電性プレート、１つまたは複数の導電性ロッドなど）とＲＦ接続を行う位置に移動することができる。特に、ＲＦ接続は、チャンバ４００Ａの中心を通る対称的なＲＦ戻り経路を提供するために、マルチステーションプロセスチャンバがプラズマプロセス（例えば、プラズマを使用して層を堆積する）を受けているときに行われてもよい。プラズマ処理中、インデクサ４１０ｂの複数の延長部の各々は停止され、スピンドルはプラズマ処理中に下側位置に移動される。例えば、インデクサおよびインデクサ４１０ｂの延長部は、台座１４０の少なくとも一部の下の位置に移動されてもよい。すなわち、インデクサ４１０ｂおよびスピンドル４１０ａは、マルチステーションプロセスチャンバ５００Ａ内の基板の各々のプラズマ処理との干渉を低減するように位置決めされる。
【0062】
ＲＦ電力についての戻り経路が示されている。特に、ＲＦ電力は、１つまたは複数の電源を通して台座アセンブリの台座１４０（例えば、静電チャック）に供給される。ＲＦ電力は、台座１４０とシャワーヘッド１５０との間の一部に位置するプラズマ閉じ込め領域に向かって経路５９０を介して台座１４０を通過し、そこで反応性ガスがシャワーヘッドまたは上部電極アセンブリに画定された開口部を通して供給される。ＲＦ電力は、例えば、容量結合プラズマ（ＣＣＰ）放電を通じて反応性ガスのプラズマを生成する。プラズマ閉じ込め領域からのＲＦ電力は、シャワーヘッド１５０を通して画定された導電性経路を通って流れ、上部プレート１０２ｃを通って上方に流れる。チャンバ５００Ａの側壁にのみ進行するのではなく、ＲＦ電力は、チャンバ５００Ａの側壁ならびに導電性構造に、より詳細にはシャフト５２０、コネクタ５２１、および導電性インターフェース５２５を通って流れる。さらに、ＲＦ電力は、導電性インターフェース５２５（例えば、下端部分５２６）にＲＦ接続された別の導電性構造（例えば、導電性プレート、１つまたは複数の導電性ロッドなど）を通って流れ、最終的にマルチステーションプロセスチャンバ５００Ａの下側部分１０２ｂに至る。
【0063】
図５Ｂは、本開示の一実施形態による、各ステーションについて対称的なＲＦ戻り経路を提供する図５Ａの導電性インターフェース５２５の接点を示す、導電性構造（例えば、ＲＦライナ）の図である。特に、図５Ｂは、下側チャンバ部分または本体１０２ｂの上面図を示し、これは導電性構造５０４（例えば、導電性プレートとして形成される）の位置決めを示している。例えば、導電性構造５０４は、内壁の上に配置され、外壁に取り付けられる。導電性構造５０４は、ステーションごとに中心開口部およびプロセス開口部を有する。中心開口部は、中心場所で回転機構を受け入れるように構成される。プロセス開口部は、各ステーションにおけるキャリアリングの直径よりも大きい直径を有し、対称的なギャップが、導電性構造によって画定された各プロセス開口部の縁部とキャリアリングの外縁との間に画定される。
【0064】
例えば、導電性構造５０４は、直径Ｄ１を有するプロセス開口部を含み、その中に台座１４０が配置される。一実施形態では、キャリアリング２００を含む台座は、直径Ｄ２を有する。したがって、直径Ｄ２とＤ１との間の差によって画定されたギャップ５０６が設けられ、それにより台座と導電性構造５０４との間の対称的な分離が画定される。加えて、別のギャップ５０８が、チャンバ１０２ｂの内側壁と導電性構造５０４の外縁との間に画定される。このギャップは、公差に応じて変えることができ、いくつかの実施形態では、導電性構造５０４が下側チャンバ本体１０２ｂの内壁に接触する点まで減少させることができる。
【0065】
また、導電性インターフェース５２５が導電性構造５０４と接触する接触点５０１が示されている。例えば、接触点５０１は、実線で示されている。導電性インターフェース５２５の輪郭は、点線の円で示されている。
【0066】
図５Ｃは、本開示の一実施形態による、図５Ｂの導電性構造５０４の斜視図である。この例では、プロセス開口部は、上記のように、直径Ｄ１を有するように画定される。直径Ｄ１は、台座１４０の直径よりも大きい。中心開口部５０４ａは、回転機構２２０を収容するために使用される。上記のように、例示的な実施態様では、回転機構２２０はまた、スパイダフォーク２２６を含む。他の実施形態では、スパイダフォーク２２６の代わりに、他の持ち上げ機構を使用することができ、これには回転機構２２０を設けることも可能である。様々な実施形態において、導電性構造５０４は、１つまたは複数のモジュールもしくは部品４０４ｂによって画定されてもよいし、または図示の分離線のない単一のユニットとして画定されてもよい。
【0067】
図６は、本開示の一実施形態による、回旋状の可撓性シリンダとして構成された導電性インターフェース６００の斜視図である。他の実施形態では、導電性インターフェースは、１つまたは複数の中実チューブ、ロッドなどを含む中実であってもよい。示すように、導電性インターフェース６００は、回旋状の円筒チューブである。例えば、導電性インターフェース４２５は、各々が水平に配向され、垂直方向に積み重ねられた複数の格子間ビーム６２０を含む。特に、格子間ビームは、任意の２つの格子間ビームが１つまたは複数の垂直リンクを介して接続されるように、複数の垂直リンク６１０によって接続される。
【0068】
一実施形態では、導電性インターフェース６００は、回旋状の可撓性チューブとして構成され、この構造は、上部プレート１０２ｃと導電性構造（例えば、スピンドル、インデクサ、導電性プレート、１つまたは複数の導電性ロッドなど）で作製されるあらゆる接触点との間に確実な接続が存在するように、物理的コンプライアンスを提供する。すなわち、（例えば、対応するチャンバの上側部分１０２ａと下側部分１０２ｂを接続することによって）導電性インターフェース６００の端部間にある程度の圧力を加えることが可能であり、これにより上部プレート１０２ｃと実装されるあらゆる導電性構造との間に良好な接続が存在することが確実になる。例えば、導電性インターフェースは、機械的に従順な特徴を示し得る。
【0069】
図６に示す導電性インターフェース６００は、導電性インターフェースがインデクサ、または任意の他の導電性構造と接触しているとき、対応するマルチステーションプロセスチャンバの上部プレートと底部部分１０２ｃとの間に非螺旋状の導電性経路を提供する。ＲＦ戻り電流経路は導電性インターフェース６００の端部間に直接的ではないため、導電性インターフェースは、プラズマ処理と干渉しにくい有害性の低い磁場を発生させる。
【0070】
一実施形態では、導電性インターフェース６００は、インデクサ４１０ｂを通過してスピンドル４１０ａに直接接触することができる。他の実施形態では、導電性インターフェース６００は、インデクサ４１０ｂの表面と接触する。さらに他の実施形態では、導電性インターフェース６００は、導電性プレート、１つまたは複数の導電性ロッドなどの別の導電性構造と接触する。
【0071】
図７は、本開示の一実施形態による、１つまたは複数のステーションについてＲＦ戻り経路の対称性を高め、それによって基板全体にわたる不均一性を減少させるチャンバの中央ＲＦ経路を含むように構成されたマルチステーション処理チャンバ７００の断面図である。特に、マルチステーション処理チャンバ７００は、本開示の一実施形態によれば、チャンバの中心における回転機構に接続された導電性インターフェースを含み、チャンバの上部プレートに接触して各ステーションについて対称的なＲＦ戻り経路を提供するように構成される。マルチステーション処理チャンバ７００の部分は、図４Ａのマルチステーション処理チャンバ４００Ａと同様である。したがって、２つの図の間では、同様の参照番号が付された構成要素は同じ特徴および機能を有し、図４Ａ、ならびに他の図に関連して提供される説明は、図７のマルチステーション処理チャンバ７００にも同様に適用可能である。
【0072】
要約すると、マルチステーション処理チャンバ７００は、上部プレート１０２ｃを含む上側部分１０２ａと、底部部分１０２ｂとを含み、ステーションを取り囲むように構成され、ステーションの各々は、台座アセンブリの台座１４０を含む。上側部分１０２ａは、台座１４０の上に位置合わせされたシャワーヘッド１５０を含み、上部プレート１０２ｃに電気的に接続される。中央に位置する回転機構４１０は、スピンドル４１０ａと、インデクサ４１０ｂとを含み、ステーション間で基板を移送および／または回転させ、インデクサの延長部の周りで基板を回転させるように構成される。スピンドル４１０ａは、中央軸４７０の周りで回転し、中央軸に沿って垂直方向に移動する。スピンドルは、チャンバ７００の底部部分１０２ｂ（例えば、導電性シールおよびベローズアセンブリ、例えば導電性流体、磁性流体などのシールおよびベローズアセンブリ（図示せず）を使用する）に電気的に接続され、アクチュエータ４６５によって制御可能に移動される。したがって、インデクサ４１０ｂは、スピンドル４１０ａの移動に伴ってＺ方向に移動し、中央軸４７０の周りのスピンドルの回転と共に回転し、ステーション間で移送するために基板と係合するように延長部を水平移動させ、かつ／またはインデクサ４１０ｂを回転させることなく延長部の端部の周りで基板を回転させるように構成される。
【0073】
示すように、導電性インターフェース７２５がインデクサに接続される。したがって、回転機構４１０はチャンバの下側部分１０２ｂに電気的に接続されるため、導電性インターフェース７２５もまたチャンバの下側部分に電気的に接続される。前述したように、スピンドル４１０ａは、アクチュエータ４６５を使用してＺ方向に上方に移動するように構成される。例えば、スピンドル４１０ａは、プラズマ処理中など、導電性インターフェース７２５が上部プレート１０２ｃとＲＦ接続を形成するようにより高い位置に移動されてもよい。一実施態様では、導電性インターフェース７２５は、上部プレート１０２ｃと直接ＲＦ接続を行う。別の実施態様では、導電性インターフェース７２５は、上部プレート１０２ｃに電気的に接続された受け入れインターフェース（ｒｅｃｅｉｖｉｎｇ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）７２０とＲＦ接続を行う。この場合、導電性インターフェース７２５を上部プレート１０２ｃおよび／または上部プレートにおける受け入れインターフェース７２０とＲＦ接続させるには、Ｚ方向のスピンドル４１０ａの移動のみが必要である。したがって、インデクサ４１０ｂおよびインデクサに接続されたスピンドル４１０ａは、プラズマ処理中など、導電性インターフェース７２５が上部プレート１０２ｃおよび／または受け入れインターフェース７２０とＲＦ接続を行うように、より高い位置にＺ方向へと上方に移動するように構成される。
【0074】
特に、ＲＦ接続は、チャンバ４００Ａの中心を通る対称的なＲＦ戻り経路を提供するために、マルチステーションプロセスチャンバ７００がプラズマプロセス（例えば、プラズマを使用して層を堆積する）を受けているときに行われてもよい。プラズマ処理中、インデクサ４１０ｂの複数の延長部の各々は、スピンドルがプラズマ処理中により高い位置に移動されるときに停止される。例えば、インデクサおよびインデクサ４１０ｂの延長部は、シャワーヘッド１５０の少なくとも一部の上の位置に移動されてもよい。すなわち、インデクサ４１０ｂおよびスピンドル４１０ａは、マルチステーションプロセスチャンバ７００内の基板の各々のプラズマ処理との干渉を低減するように位置決めされる。
【0075】
ＲＦ電力についての戻り経路が示されている。特に、ＲＦ電力は、１つまたは複数の電源を通して台座アセンブリの台座１４０（例えば、静電チャック）に供給される。ＲＦ電力は、台座１４０とシャワーヘッド１５０との間の一部に位置するプラズマ閉じ込め領域に向かって経路７９０を介して台座１４０を通過し、そこで反応性ガスがシャワーヘッドまたは上部電極アセンブリに画定された開口部を通して供給される。ＲＦ電力は、例えば、容量結合プラズマ（ＣＣＰ）放電を通じて反応性ガスのプラズマを生成する。プラズマ閉じ込め領域からのＲＦ電力は、シャワーヘッド１５０を通して画定された導電性経路を通って流れ、上部プレート１０２ｃを通って上方に流れる。チャンバ５００Ａの側壁にのみ進行するのではなく、ＲＦ電力は、チャンバ７００の側壁にならびにチャンバの中心を通って、より詳細には上側部分１０２ｂおよび／または上側部分１０２ｂの受け入れインターフェース７２０を通って流れる。さらに、ＲＦ電力は、上側部分１０２ｂおよび／または受け入れインターフェース７２０とＲＦ接続された導電性インターフェース７２５を通って流れる。次に、ＲＦ電力は、回転機構４１０、より詳細にはインデクサ４１０ｂおよびスピンドル４１０ａを通って流れ、最終的にマルチステーションプロセスチャンバ７００の下側部分１０２ｂに至る。
【0076】
図８は、本開示の一実施形態による、１つまたは複数のステーションについてＲＦ戻り経路の対称性を高め、それによって基板全体にわたる不均一性を減少させるチャンバの中央導電性経路を含むように構成されたマルチステーション処理チャンバ８００の断面図である。特に、マルチステーション処理チャンバ８００は、本開示の一実施形態によれば、回転機構に接続された導電性インターフェースであって、チャンバの上部に電気的に結合され、チャンバの中心における導電性構造に接触して各ステーションについて対称的なＲＦ戻り経路を提供するように構成された導電性インターフェースを含む。マルチステーション処理チャンバ８００の部分は、図４Ａのマルチステーション処理チャンバ４００Ａと同様である。したがって、２つの図の間では、同様の参照番号が付された構成要素は同じ特徴および機能を有し、図４Ａ、ならびに他の図に関連して提供される説明は、図８のマルチステーション処理チャンバ８００にも同様に適用可能である。
【0077】
示すように、マルチステーション処理チャンバ８００は、上部プレート１０２ｃを含む上側部分１０２ａと、底部部分１０２ｂとを含む。マルチステーション処理チャンバ８００は、複数のステーションを取り囲むように構成され、ステーションの各々は、処理のために基板を支持するための台座アセンブリの台座１４０（例えば、静電チャック）を含む。明瞭さおよび簡潔さのために、１つのステーションのみが断面図に示されている。前述したように、上側部分１０２ａは、シャワーヘッド１５０を含み、ステーションの台座１４０の上に配置されて台座１４０と位置合わせされ、シャワーヘッド１５０は、上部プレート１０２ｃに電気的に接続される。
【0078】
回転機構８１０が、スピンドル８１０と、インデクサ８１０ｂとを含み、インデクサ８１０ｂは、多数のインデックス機構（例えば、スパイダフォーク、アームなど）のうちのいずれか１つであり得る。スピンドル８１０ａは、複数のステーション間の中央に位置し、中央軸８７０の周りを回転するように構成される。回転機構８１０は、図４Ａを含む前の図に示すように下側部分１０２ｂに位置するのではなく、チャンバの上部プレート１０２ｃ内で動作する。したがって、スピンドル８１０ａは、上部プレート１０２ｃ（例えば、導電性シールおよびベローズアセンブリ、例えば導電性流体または磁性流体のシールおよびベローズアセンブリ（図示せず）を介して）に電気的に接続される。アクチュエータ８６５がスピンドル８１０ａに結合され、スピンドルの移動を制御するように構成される。特に、スピンドル８１０ａは、中央軸８７０の周りで回転されてもよく、かつ／またはＺ方向に移動されてもよい。一実施形態では、アクチュエータ８６５は、図１の制御モジュール１１０によって制御され得る。
【0079】
回転機構８１０はまた、スピンドル８１０ａに接続されたインデクサ８１０ｂを含み、これもまたアクチュエータ８６５によって制御することが可能である。インデクサ８１０ｂは、中央軸８７０の周りをスピンドル８１０ａと共に回転するように構成される。また、インデクサ８１０ｂは、スピンドル８１０ａの移動に伴ってＺ方向に移動するように構成される。図示されていないが、インデクサ８１０ｂは複数の延長部を含み、その各々は、前述したように、ステーション間での移送のために対応する基板と連動するように構成される。例えば、インデクサ８１０ｂおよび延長部は、基板および／または基板を囲むキャリアリングと係合し、基板および／またはキャリアリングを次のステーションに持ち上げて回転させるように構成される。また、延長部は、インデクサ８１０ｂを回転させることなく基板を回転させるように構成されてもよい。例示の目的で、延長部は、一実施態様ではスパイダフォークであってもよく、他の実施態様では、基板と連動するために使用される水平移動、および延長部に対する基板の回転のために構成されたアームであってもよい。
【0080】
示すように、導電性構造は、回転機構４１０、より具体的にはインデクサ４１０ｂに電気的に接続された導電性インターフェース８２５を含む。導電性インターフェース８２５もまた、導電性である。回転機構８１０は上部プレート１０２ｃに電気的に接続されるため、導電性インターフェースもまた上部プレートに電気的に接続される。導電性構造はまた、接続インターフェース８３０を含み得る。加えて、受け入れインターフェース８２０（または別の導電性構造）が、チャンバ８００の底部部分１０２ｂに電気的に接続される。
【0081】
スピンドル４１０ａは、アクチュエータ８６５を使用してＺ方向に下方に移動するように構成される。例えば、スピンドル８１０ａは、処理中など、導電性インターフェース８２５または接続インターフェース８３０が底部部分１０２ｂに電気的に接続される受け入れインターフェース８２０とＲＦ接続を行うように下側位置に移動されてもよい。一実施態様では、導電性インターフェース８２５または接続インターフェース８３０は、チャンバの底部部分１０２ｂと直接ＲＦ接続を行う。この場合、導電性インターフェース８２５を受け入れインターフェース８２０および／または下側部分１０２ｂとＲＦ接触させる（すなわち、ＲＦ接続を行う）には、Ｚ方向のスピンドル８１０ａの移動のみが必要である。したがって、インデクサ８１０ｂおよび（インデクサ８１０ｂに接続された）スピンドル８１０ａは、プラズマ処理中に導電性インターフェース８２５または接続インターフェース８３０が受け入れインターフェース８２０または下側部分１０２ｂとＲＦ接続を行うように、下側位置にＺ方向へと下方に移動するように構成される。
【0082】
特に、ＲＦ接続は、チャンバ８００の中心を通る対称的なＲＦ戻り経路を提供するために、マルチステーションプロセスチャンバ８００がプラズマプロセス（例えば、プラズマを使用して層を堆積する）を受けているときに行われてもよい。プラズマ処理中、インデクサ８１０ｂの複数の延長部の各々は、スピンドルがプラズマ処理中に下側位置に移動されるときに停止される。例えば、インデクサおよびインデクサ８１０ｂの延長部は、台座１４０の少なくとも一部の下の位置に移動されてもよい。すなわち、インデクサ８１０ｂおよびスピンドル８１０ａは、マルチステーションプロセスチャンバ８００内の基板の各々のプラズマ処理との干渉を低減するように位置決めされる。
【0083】
ＲＦ電力についての戻り経路が示されている。特に、ＲＦ電力は、１つまたは複数の電源を通して台座アセンブリの台座１４０（例えば、静電チャック）に供給される。ＲＦ電力は、台座１４０とシャワーヘッド１５０との間の一部に位置するプラズマ閉じ込め領域に向かって経路８９０を介して台座１４０を通過し、そこで反応性ガスがシャワーヘッドまたは上部電極アセンブリに画定された開口部を通して供給される。ＲＦ電力は、例えば、容量結合プラズマ（ＣＣＰ）放電を通じて反応性ガスのプラズマを生成する。プラズマ閉じ込め領域からのＲＦ電力は、シャワーヘッド１５０を通して画定された導電性経路を通って流れ、上部プレート１０２ｃを通って上方に流れる。チャンバ５００Ａの側壁にのみ進行するのではなく、ＲＦ電力は、チャンバ８００の側壁にならびにチャンバの中心に、より詳細には回転機構８１０を通って、より具体的にはスピンドル８１０ａおよびインデクサ８１０ｂを通って流れる。さらに、ＲＦ電力は、導電性構造を通って、より具体的には導電性インターフェース８２５および／または接続インターフェース８３０を通って流れる。また、ＲＦ電力は、導電性インターフェース８２５および／または接続インターフェース８３０とＲＦ接触している（すなわち、ＲＦ接続を通じて）受け入れインターフェース８２０および／または下側部分１０２ｂを通って流れ、最終的にマルチステーションプロセスチャンバ８００の下側部分１０２ｂに至る。
【0084】
図９は、本開示の一実施形態による、１つまたは複数のステーションについてＲＦ戻り経路の対称性を高め、それによって基板全体にわたる不均一性を減少させるチャンバの中央ＲＦ戻り経路を含むように構成されたマルチステーション処理チャンバ９００の断面図である。特に、マルチステーション処理チャンバ９００は、本開示の一実施形態によれば、チャンバの上部プレートとチャンバの中心における回転機構との間に連続的な電気接続を提供し、各ステーションに対するグランドへの対称的なＲＦ戻り経路を提供するように構成された導電性インターフェースを含む。マルチステーション処理チャンバ９００は、連続的な電気接続を提供する導電性（例えば、流体、磁性流体など）シールおよびベローズアセンブリの少なくとも追加の構成を除いて、図４Ａのマルチステーション処理チャンバ４００Ａと同様である。したがって、２つの図の間では、同様の参照番号が付された構成要素は同じ特徴および機能を有し、図４Ａ、ならびに他の図に関連して提供される説明は、図９のマルチステーション処理チャンバ９００にも同様に適用可能である。
【0085】
要約すると、マルチステーション処理チャンバ５００Ａは、上部プレート１０２ｃ含む上側部分１０２ａと、底部部分１０２ｂとを含み、ステーションを取り囲むように構成され、ステーションの各々は、台座アセンブリの台座１４０を含む。上側部分１０２ａは、台座１４０の上に位置合わせされたシャワーヘッド１５０を含み、上部プレート１０２ｃに電気的に接続される。中央に位置する回転機構４１０は、スピンドル４１０ａと、インデクサ４１０ｂとを含み、ステーション間で基板を移送および／または回転させ、インデクサの延長部の周りで基板を回転させるように構成される。スピンドル４１０ａは、中央軸４７０の周りで回転し、中央軸に沿って垂直方向に移動する。スピンドルは、チャンバ５００Ａの底部部分１０２ｂ（例えば、導電性シールおよびベローズアセンブリ、例えば導電性流体、磁性流体などのシールおよびベローズアセンブリ（図示せず））に電気的に接続され、アクチュエータ４６５によって制御可能に移動される。したがって、インデクサ４１０ｂは、スピンドル４１０ａの移動に伴ってＺ方向に移動し、中央軸４７０の周りのスピンドルの回転と共に回転し、ステーション間で移送するために基板と係合するように延長部を水平移動させ、かつ／またはインデクサ４１０ｂを回転させることなく延長部の端部の周りで基板を回転させるように構成される。
【0086】
示すように、導電性構造は、上部プレート１０２ｃに電気的に接続されたシャフト９２０を含み、シャフトは、上部プレート１０２ｃ内の進行空間を通って移動する。例えば、電気接続は、進行空間の開口部の周りで上部プレート１０２ｃに接続された磁性流体シールおよびベローズアセンブリ９５０を通じて達成され得る。このようにして、導電性構造（すなわち、シャフト９２０）間の電気接続は、シャフト９２０のいかなる移動によっても継続される。特に、導電性インターフェースの端部は、スピンドル４１０ａが停止されるとき、またはＺ方向に移動しているときに上部プレート１０２ｃと連続的に接触するために、ベアリングなどを通して導電性（例えば、流体、磁性流体など）シールおよびベローズアセンブリ９５０と係合する。導電性構造は、コネクタ９２１と、導電性インターフェース９２５とを含む。コネクタ９２１は、シャフト９２０と導電性インターフェース９２５との間の物理的連動を提供する。特に、説明されるように、導電性インターフェース９２５およびシャフト９２０は、スピンドル４１０ａの移動を通じて上部プレート１０２ｃに移動可能に接続される。特に、導電性インターフェース９２５は、回転機構４１０、より詳細には回転機構のインデクサ４１０ｂにさらに接続される。したがって、回転機構のスピンドル４１０ａの移動は、Ｚ方向の導電性インターフェース９２５およびシャフト９２０の移動に変換される。
【0087】
このようにして、導電性構造（例えば、導電性インターフェース９２５）と回転機構４１０との間に（すなわち、インデクサ４１０ｂを通して）連続的な電気的接触が存在し、回転機構は、プラズマ処理中、常に下側部分１０２ｂに電気的に接続されている。したがって、導電性構造と回転機構４１０との間の連続的な接触は、チャンバ９００の中心を通る通る対称的なＲＦ戻り経路を提供する。プラズマ処理中、インデクサ４１０ｂの複数の延長部の各々は停止され、スピンドルはプラズマ処理中に下側位置に移動される。例えば、インデクサおよびインデクサ４１０ｂの延長部は、台座１４０の少なくとも一部の下の位置に移動されてもよい。別の実施態様では、連続的な接続が存在するため、プラズマ処理中、インデクサ４１０ｂの延長部の各々は、スピンドルがプラズマ処理中により高い位置に移動されるときに停止される。例えば、インデクサおよびインデクサ４１０ｂの延長部は、シャワーヘッド１５０の少なくとも一部よりも高い位置に移動されてもよい。すなわち、いずれの実施態様においても、インデクサ４１０ｂおよびスピンドル４１０ａは、マルチステーションプロセスチャンバ９００内の基板の各々のプラズマ処理との干渉を低減するように位置決めされる。
【0088】
ＲＦ電力についての戻り経路が示されている。特に、ＲＦ電力は、１つまたは複数の電源を通して台座アセンブリの台座１４０（例えば、静電チャック）に供給される。ＲＦ電力は、台座１４０とシャワーヘッド１５０との間の一部に位置するプラズマ閉じ込め領域に向かって経路９９０を介して台座１４０を通過し、そこで反応性ガスがシャワーヘッドまたは上部電極アセンブリに画定された開口部を通して供給される。ＲＦ電力は、例えば、容量結合プラズマ（ＣＣＰ）放電を通じて反応性ガスのプラズマを生成する。プラズマ閉じ込め領域からのＲＦ電力は、シャワーヘッド１５０を通して画定された導電性経路を通って流れ、上部プレート１０２ｃを通って上方に流れる。チャンバ９００の側壁にのみ進行するのではなく、ＲＦ電力は、チャンバ９００の側壁にならびに導電性構造に、より詳細にはシャフト９２０、コネクタ９２１、および導電性インターフェース９２５を通って流れる。さらに、ＲＦ電力は、導電性インターフェース９２５と接触またはＲＦ接続されている回転機構４１０（すなわち、インデクサ４１０ｂ）を通って流れ、最終的にマルチステーションプロセスチャンバ９００の下側部分１０２ｂを通ってグランドに至る。
【0089】
図１０Ａ～図１０Ｆは、本開示の一実施形態による、マルチステーション処理チャンバの上側部分と下側部分との間のＲＦ戻り経路を容易にするように構成されたドロップイン受動または能動装置を示す図である。特に、本開示の実施形態は、自己作動式あるいは受動的であり、マルチステーション処理チャンバからの入力または作動を必要としない、ドロップインスピンドルポストまたは同様の構成要素について説明する。ドロップインスピンドルポストまたは同様の構成要素は、生産後にマルチステーション処理チャンバに追加することが可能なスタンドアロンアイテムとすることができる。
【0090】
図１０Ａは、本開示の一実施形態による、マルチステーション処理チャンバの上側部分と下側部分との間のＲＦ戻り経路を容易にするように構成された装置１０００Ａを示している。一実施態様では、ドロップイン装置は事前に組み立てられ、次にマルチステーション処理チャンバのスピンドル上に載置され、その後チャンバを閉じることができる。装置は、図１～図９に関連して前述したように、導電性ＲＦ戻り経路を提供するように構成されている限り、受動的あるいは自己作動式であってもよい。すなわち、装置１０００Ａは、修正を加えて、前述の図４Ａ、図５Ａ、図７、図８、および図９のシステムおよび装置に載置することが可能である。さらに、装置１０００Ａは、マルチステーション処理チャンバの中心（例えば、スピンドルおよびインデクサアセンブリの中心）に載置されなくてもよい。例えば、装置１０００Ａは、ステーションに関して改善された対称性を示すＲＦ戻り経路（すなわち、ステーションの各々の周りのマルチステーション処理チャンバの側壁ならびに中心を通るＲＦ戻り経路が提供されている限り、中心から外れていてもよい。
【0091】
装置１０００Ａは、導電性の上側ポストアセンブリ１０４１を含む。特に、上側ポストアセンブリは、上側ポストアセンブリの上部部分１０４５に電気的に接続された上側ポスト１０４０を含む。一実施態様では、上側ポスト１０４０は、円筒形である。上側ポストアセンブリ１０４１は、リップ１０４９を含む底部部分１０４８を含む。
【0092】
装置１０００Ａは、導電性であり、上側ポストアセンブリ１０４１に移動可能に接続された下側ポストアセンブリ１０５１を含む。上側ポストアセンブリ１０４１および下側ポストアセンブリ１０５１は、マルチステーション処理チャンバの上部プレートと底部部分１０２ｂとの間にＲＦ戻り経路を提供するように構成される。特に、下側ポストアセンブリは、下側ポストアセンブリの底部１０５５に電気的に接続された下側ポスト１０５０を含む。一実施態様では、下側ポスト１０５０は、円筒形である。加えて、下側ポストアセンブリは、下側ポスト１５０に接続されたベース１０５７を含む。下側ポストアセンブリ１０５１は、リップ１０５９を含む上部部分１０５８を含む。
【0093】
装置１０００Ａはまた、上側ポストアセンブリおよび下側ポストアセンブリに電気的に接続された任意選択のばねアセンブリ１００５を含み、ばねアセンブリは、上側ポストアセンブリ１０４１に対して下側ポストアセンブリ１０５１を移動させるように構成される。特に、ばねアセンブリは、下側ポストアセンブリ１０５１に電気的に接続されたばねベース１０１０を含む。ばねピストンチューブ１０１５が、上側ポストアセンブリ１０４１と電気的に接触しており、ばねピストンチューブは、ばねベース１０１０に移動可能に接続される。ばね１０１１は、ばねベース１０１０および上側ポストアセンブリ１０４１と接触し、かつ電気的に接触しており、ばねピストンチューブ１０１５内で移動するように構成される。例えば、ばね１０１１は、上側ポストアセンブリ１０４１の上部部分１０４５を押すように構成される。
【0094】
さらに、装置１０００Ａは、ばねベース１０１０および下側ポストアセンブリ１０５１のベース１０５７に電気的に接続された軸上スラストベアリング（ｏｎ ａｘｉｓ ｔｈｒｕｓｔ ｂｅａｒｉｎｇ）１０２０を含む。特に、軸上スラストベアリング１０２０は、上側ポストアセンブリ１０４１を回転させることなく下側ポストアセンブリ１０５１の回転を可能にするように構成される。すなわち、下側ポストアセンブリ１０５１が対応する回転機構（例えば、スピンドルおよびインデクサアセンブリ）と共に回転するとき、スラストベアリング１０２０は、ばねベース１０１０が下側ポストアセンブリ１０５１および対応する回転機構の回転と共に回転しないように構成される。
【0095】
装置１０００Ａは、１つまたは複数の任意選択のＲＦガスケット１０３０を含み、その各々は、２つの構成要素間に対応するＲＦ接続を行うように構成される。特に、ＲＦガスケット１０３０ａは、上側ポストアセンブリ１０４１上に位置決めされ、マルチステーション処理チャンバの上部プレートとＲＦ接続を行うように構成される。例えば、ＲＦガスケット１０３０ａは、上側ポストアセンブリの上部部分１０４５上に位置決めされる。加えて、ＲＦガスケット１０３０ｂが、上側ポストアセンブリ１０４１と下側ポストアセンブリ１０５１との間のＲＦ接続を行うように構成される。例えば、ＲＦガスケット１０３０ｂは、上側ポストアセンブリ１０４１の底部部分１０４８上に位置決めされたリップ１０４９と、下側ポストアセンブリ１０５１の上側部分１０５８上に位置決めされたリップ１０５９との間に位置決めされる。ＲＦガスケット１０３０ｂ、上側ポストアセンブリ１０４１、および下側ポストアセンブリ１０５１の間の相互作用により、チャンバの開閉に対するコンプライアンスが十分に向上し、チャンバの上部部分、装置１０００Ａ、およびチャンバの底部部分全体にわたってＲＦ接触が維持されるようになる。さらに、ＲＦガスケット１０３０ｃが下側ポストアセンブリ１０５１上に位置決めされ、下側ポストアセンブリ１０５１とマルチステーション処理チャンバの底部部分１０２ｂとの間のＲＦ接続を行うように構成される。
【0096】
図１０Ｂは、下側ポストアセンブリ１０５１の底部１０５５を示す図である。特に、底部１０５５は、ギャップ１０６１を含む。ギャップ１０６１における開口部は、ギャップを通る延長部の移動を可能にし、延長部１０６０は、基板送給および／または回転のために回転機構４１０（例えば、インデクサ）内に構成される。
【0097】
図１０Ｃは、図１０Ａの装置１０００Ａとマルチステーション処理チャンバの上部プレートおよび底部部分との相互作用を示す図１０００Ｃである。例えば、装置１０００Ａは、回転機構４１０の上、および受け入れインターフェース１０８０の下に位置決めされる。一実施態様では、受け入れインターフェース１０８０は、マルチステーション処理チャンバの上部プレート１０２ｃに電気的に接続される。別の実施形態では、装置は、受け入れインターフェース１０８０を使用することなく、上部プレート１０２ｃの下に位置決めされる。ばねアセンブリは、装置１０００Ａをマルチステーション処理チャンバの上部部分と底部部分との間に位置決めしたままにするように構成される。すなわち、スピンドル４１０ａの位置に関係なく、ばね１０１１は、上側ポストアセンブリ１０４１の上部部分１０４５を受け入れインターフェース１０８０に向かって押すように、より詳細には、受け入れインターフェース１０８０と上側ポストアセンブリ１０４１との間の連続的なＲＦ接続を行うように構成される。
【0098】
示すように、下側ポストアセンブリは、スピンドル４１０およびインデクサ４１０ｂを含む回転機構４１０を囲むように構成される。より具体的には、下側ポストアセンブリは、スピンドル４１０ａに接続されたインデクサ４１０ｂを囲むように構成される。スピンドル４１０ａは、複数のステーション間の中央に位置し、中央軸の周りを回転するように構成される。スピンドル４１０ａは、底部部分１０２ｂ（例えば、磁性流体シールおよびベローズアセンブリ（図示せず））に電気的に接続され、スピンドル４１０ａが回転され、かつ／またはＺ方向に移動され得るように、前述のアクチュエータにより作動されてもよい。すなわち、スピンドル４１０ａは、チャンバの底部部分１０２ｂの進行空間１０７０内で移動することができる。また、下側ポストアセンブリ１０５１のベース１０５７は、回転機構４１０と接触するように、より具体的にはインデクサ４１０ｂと接触するように構成される。
【0099】
より詳細には、インデクサ４１０ｂに接続されたスピンドル４１０ａが下側位置にあるとき（例えば、プラズマ処理中）、下側ポストアセンブリ１０５１の底部１０５５は、ＲＦガスケット１０３０ｃを介してマルチステーション処理チャンバの底部部分１０２ｂにＲＦ接続される。加えて、上側ポストアセンブリ１０４１の底部部分１０４８上に位置決めされたリップ１０４９は、ＲＦガスケット１０３０ｂを介して下側ポストアセンブリ１０５１の上側部分１０５８上に位置決めされたリップ１０５９にＲＦ接続される。前述したように、ばね１０１１は、受け入れインターフェース１０８０と上側ポストアセンブリ１０４１との間の連続的なＲＦ接続を行うように構成される。示すように、ばね１０１１は、受け入れインターフェース１０８０と上側ポストアセンブリ１０４１の上部部分１０４５との間の接触を強制し、リップ１０５９と１０４９との間の接触を強制し、かつマルチステーション処理チャンバの底部１０５５と底部部分１０２ｂとの間の接触を強制する。
【0100】
図１０Ｄは、図１０Ｃに関連して前述したように、図１０Ａの装置１０００Ａとマルチステーション処理チャンバの上部プレートおよび底部部分との相互作用を示す図１０００Ｄである。前述したように、ばねアセンブリは、装置１０００Ａをマルチステーション処理チャンバの上部部分と底部部分との間に位置決めしたままにするように構成される。すなわち、スピンドル４１０ａの位置に関係なく、ばね１０１１は、上側ポストアセンブリ１０４１の上部部分１０４５を受け入れインターフェース１０８０に向かって押すように、より詳細には、受け入れインターフェース１０８０と上側ポストアセンブリ１０４１との間の連続的なＲＦ接続を行うように構成される。図１０Ｄは、スピンドル４１０ａの位置が異なることを除いて図１０Ｃと同様であり、図１０Ｃで参照される構成要素の説明は、図１０Ｄで同様に参照される構成要素に適用可能である。
【0101】
より詳細には、インデクサ４１０ｂに接続されたスピンドル４１０ａが上側位置にあるとき（例えば、基板の移送および／または回転中）、下側ポストアセンブリ１０５１の底部１０５５は、マルチステーション処理チャンバの底部部分１０２Ｂから分離される。すなわち、底部１０５５と底部部分１０２Ｂとの間にはＲＦ接続が存在しない。加えて、上側ポストアセンブリ１０４１の底部部分１０４８上に位置決めされたリップ１０４９は、下側ポストアセンブリ１０５１の上側部分１０５８上に位置決めされたリップ１０５９から分離される。すなわち、リップ１０４９とリップ１０５９との間にはＲＦ接続が存在せず、したがって、上側ポストアセンブリ１０４１と下側ポストアセンブリ１０５１との間にもＲＦ接続が存在しない。前述したように、ばね１０１１は、受け入れインターフェース１０８０と上側ポストアセンブリ１０４１との間の連続的なＲＦ接続を行うように構成され、それによりばね１０１１は、受け入れインターフェースと上側ポストアセンブリ１０４１の上部部分１０４５との間の接触を強制する。しかし、スピンドル４１０ａが上側位置にあるため、ばね１０１１が圧縮され、リップ１０４９とリップ１０５９との間の接触が解放され、また下側ポストアセンブリ１０５１の底部１０５５とマルチステーション処理チャンバの底部部分１０２ｂとの間の接触も解放される。
【0102】
図１０Ｅは、本開示の一実施形態による、装置１００１Ｅとマルチステーション処理チャンバの上部プレートおよび／または受け入れインターフェース１０８０ならびに底部部分１０２ｂとの相互作用を示す図１０００Ｅである。例えば、装置１００１Ｅは、回転機構４１０の上、および受け入れインターフェース１０８０の下に位置決めされる。一実施態様では、受け入れインターフェース１０８０は、マルチステーション処理チャンバの上部プレート１０２ｃに電気的に接続される。別の実施形態では、装置は、受け入れインターフェース１０８０を使用することなく、上部プレート１０２ｃの下に位置決めされる。
【0103】
装置１００１Ｅは、底部１０５５が存在しないことを除いて、図１０Ａの装置１０００Ａと同様に構成される。特に、装置１００１Ｅは、マルチステーション処理チャンバの上側部分と下側部分との間のＲＦ戻り経路を容易にするように構成される。一実施態様では、装置１００１Ｅは、ドロップインアセンブリ用にまたはマルチステーション処理チャンバと連動するように構成され得、かつ事前に組み立てられ、次にスピンドル４１０ｂ上に載置され得、その後チャンバを閉じることができる。装置１００１Ｅは、図１～図９に関連して前述したように、導電性ＲＦ戻り経路を提供するように構成されている限り、受動的あるいは自己作動式であってもよい。すなわち、装置１００１Ｅは、修正を加えて、図４Ａ、図５ａ、および図７～図９のシステムおよび装置に載置することが可能である。さらに、装置１００１Ｅは、ステーションに関して改善された対称性を示すＲＦ戻り経路（すなわち、マルチステーション処理チャンバの側壁を通り、かつ中心に向かうＲＦ戻り経路）が提供されている限り、マルチステーション処理チャンバの中心（例えば、スピンドルおよびインデクサアセンブリの中心）に載置されてもよいし、またはスピンドルおよびインデクサアセンブリの中心から外れて載置されてもよい。
【0104】
示すように、装置１００１Ｅは、導電性の上側ポストアセンブリ１０４１を含み、かつ上部部分１０４５に電気的に接続された上側ポスト１０４０を含む。上側ポストアセンブリ１０４１は、リップ１０４９を含む底部部分１０４８を含む。また、装置１００１Ｅは、導電性であり、上側ポストアセンブリ１０４１に移動可能に接続される下側ポストアセンブリ１０５１を含む。下側ポストアセンブリ１０５１は、ベース１０５７に接続された下側ポスト１０５０を含む。下側ポストアセンブリ１０５１は、リップ１０５９を含む上部位置１０５８を含む。
【0105】
上側ポストアセンブリ１０４１および下側ポストアセンブリ１０５１は、マルチステーション処理チャンバの上部プレートと底部部分１０２ｂとの間にＲＦ戻り経路を提供するように構成される。特に、下側ポストアセンブリ１０５１のベース１０５７は、回転機構４１０のインデクサ４１０ｂに強固に取り付けられて電気的に接続される。加えて、上部部分１０４５は、受け入れインターフェース１０８０に強固に取り付けられて電気的に接続され、かつ／またはマルチステーション処理チャンバの上部プレートに直接取り付けられる。したがって、装置１００１Ｅは、スピンドル４１０ａの位置に関係なく、マルチステーション処理チャンバの上側部分と下側部分との間に位置決めされる。装置１００１Ｅは、回転機構４１０の位置に関係なく、マルチステーション処理チャンバの上側部分と下側部分との間に連続的なＲＦ戻り経路（すなわち、連続的なＲＦ接続）を提供するように構成される（すなわち、ＲＦ戻り経路は、スピンドル４１０ａが上下に垂直に移動するときに維持される）。例えば、スピンドル４１０ａは、底部部分１０２ｂ（例えば、磁性流体シールおよびベローズアセンブリ（図示せず））に電気的に接続され、前述したアクチュエータにより作動され得、それによりスピンドル４１０ａは、底部部分１０２ｂの進行空間１０７０内で移動することができるようにＺ方向に回転および／または移動することができる。
【0106】
図１０Ｆは、本開示の一実施形態による、装置１００１Ｆとマルチステーション処理チャンバの上部プレートおよび／または受け入れインターフェース１０８０ならびに底部部分１０２ｂとの相互作用を示す図１０００Ｆである。例えば、装置１００１Ｆは、回転機構４１０の上、および受け入れインターフェース１０８０の下に位置決めされる。一実施態様では、受け入れインターフェース１０８０は、マルチステーション処理チャンバの上部プレート１０２ｃに電気的に接続される。別の実施形態では、装置は、受け入れインターフェース１０８０を使用することなく、上部プレート１０２ｃの下に位置決めされる。
【0107】
装置１００１Ｆは、装置１００１Ｆとマルチステーション処理チャンバの上側部分および下側部分との間で電気的接触を行うために使用されるばね１０１１が存在することを除いて、図１０Ｅの装置１００１Ｅと同様に構成される。特に、装置１００１Ｅは、上側部分と下側部分との間のＲＦ戻り経路を容易にするように構成される。特に、装置１００１Ｆは、前述したように、ドロップインアセンブリ用にまたはマルチステーション処理チャンバと連動するように構成され得る。装置１００１Ｆは、受動的あるいは自己作動式であってもよく、導電性ＲＦ戻り経路を提供するように構成されてもよい。したがって、装置１００１Ｆは、修正を加えて、図４Ａ、図５ａ、および図７～図９のシステムおよび装置に載置することが可能である。さらに、装置１００１Ｆは、ステーションに関して改善された対称性を示すＲＦ戻り経路（すなわち、マルチステーション処理チャンバの側壁を通り、かつ中心に向かうＲＦ戻り経路）が提供されている限り、マルチステーション処理チャンバの中心（例えば、スピンドルおよびインデクサアセンブリの中心）に載置されてもよいし、またはスピンドルおよびインデクサアセンブリの中心から外れて載置されてもよい。
【0108】
要約すると、装置１００１Ｆは、導電性の上側ポストアセンブリ１０４１および下側ポストアセンブリ１０５１を含む。下側ポストアセンブリ１０５１は、前述したように、上側ポストアセンブリ１０４１に移動可能に接続される。
【0109】
上側ポストアセンブリ１０４１および下側ポストアセンブリ１０５１は、マルチステーション処理チャンバの上部プレートと底部部分１０２ｂとの間にＲＦ戻り経路を提供するように構成される。特に、装置１００１Ｆは、ベース１０５７に接続されたばね１０１１を含み、ベース１０５７は、下側ポストアセンブリ１０５１の下側ポスト１０５０に接続される。また、ばね１０１１は、上側ポストアセンブリ１０４１の上側ポスト１０４０に接続された上部部分１０４５に接続される。ばね１０１１は、上側ポストアセンブリ１０４１の上部部分１０４５を押し、かつ下側ポストアセンブリ１０５１のベース１０５７を押すように構成される。すなわち、ばね１０１１は、上部部分１０４５と受け入れインターフェース１０８０との間の接触を強制し、かつベース１０５７と回転機構４１０のインデクサ４１０ｂとの間の接触を強制する。したがって、ばね１０１１は、スピンドル４１０ａの位置決め（すなわち、下方位置、上方位置、または中間位置）に関係なく、マルチステーション処理チャンバの上側部分と下側部分との間の連続的なＲＦ接続を行うように構成される。具体的には、ばね１０１１および装置１００１Ｆは、受け入れインターフェース１０８０、上側ポストアセンブリ１０４１、下側ポストアセンブリ１０５１、および回転機構４１０（例えば、インデクサ４１０ｂ）を介してＲＦ戻り経路を形成するように構成される。
【0110】
さらに、装置１００１Ｆは、スピンドル４１０ａの位置に関係なく、マルチステーション処理チャンバの上側部分と下側部分との間に位置決めされる。示すように、スピンドル４１０ａが下方位置にあるとき、ばね１０１１は、受け入れインターフェース１０８０と上側ポストアセンブリ１０４１の上部部分１０４５との間の接触を強制し、またリップ１０５９と１０４９との間の接触を強制し、また下側ポストアセンブリ１０５１のベース１０５７とマルチステーション処理チャンバの底部部分１０２ｂとの間の接触を強制する。実施形態では、上部部分１０４５は、受け入れインターフェース１０８０に強固に取り付けられておらず、ベース１０５７は、回転機構４１０（例えば、インデクサ４１０ｂ）に強固に取り付けられていない。別の実施形態では、上部部分１０４５には、受け入れインターフェース１０８０に強固に取り付けられ、またはベース１０５７は、回転機構４１０に強固に取り付けられる。
【0111】
図１１は、上述のシステムを制御するための制御モジュール１１００を示す。例えば、制御モジュール１１００は、プロセッサと、メモリと、１つまたは複数のインターフェースとを含むことができる。制御モジュール１１００は、感知された値に部分的に基づいてシステム内のデバイスを制御するために用いられ得る。ほんの一例として、制御モジュール１１００は、感知された値および他の制御パラメータに基づいて弁１１０２、フィルタヒータ１１０４、ポンプ１１０６、および他のデバイス１１０８の１つまたは複数を制御することができる。制御モジュール１１００は、ほんの一例として、圧力マノメータ１１１０、流量計１１１２、温度センサ１１１４、および／または他のセンサ１１１６から感知された値を受信する。制御モジュール１１００を用いて、前駆体の送給および膜の堆積中のプロセス条件を制御することもできる。制御モジュール１１００は、典型的には、１つまたは複数のメモリデバイスと、１つまたは複数のプロセッサとを含む。一実施態様では、制御モジュール１１００は、図１の制御モジュール１１０を含むことができる。
【0112】
制御モジュール１１００は、前駆体送給システムおよび堆積装置の活動を制御することができる。制御モジュール１１００は、プロセスタイミング、送給システム温度、およびフィルタにわたる圧力差、弁位置、ガスの混合、チャンバ圧力、チャンバ温度、基板温度、ＲＦ電力レベル、基板チャックまたは台座位置、パージガスの送給、および特定のプロセスの他のパラメータを制御するための一連の命令を含むコンピュータプログラムを実行する。制御モジュール１１００はまた、圧力差を監視し、蒸気前駆体の送給を１つまたは複数の経路から１つまたは複数の他の経路に自動的に切り替えることができる。いくつかの実施形態では、制御モジュール１１００に関連付けられたメモリデバイスに記憶された他のコンピュータプログラムを用いることができる。
【0113】
典型的には、制御モジュール１１００に関連付けられたユーザインターフェースが存在する。ユーザインターフェースは、ディスプレイ１１１８（例えば、装置および／またはプロセス条件のディスプレイスクリーンおよび／またはグラフィカルソフトウェアディスプレイ）、およびポインティングデバイス、キーボード、タッチスクリーン、マイクロフォンなどのユーザ入力デバイス１１２０を含むことができる。
【0114】
プロセスシーケンスにおける前駆体の送給、堆積、および他のプロセスを制御するためのコンピュータプログラムは、任意の従来のコンピュータ可読プログラミング言語（例えば、アセンブリ言語、Ｃ、Ｃ＋＋、パスカル、フォートランなど）で書かれ得る。コンパイルされたオブジェクトコードまたはスクリプトは、プログラムに識別されたタスクを実施するためにプロセッサによって実行される。
【0115】
制御モジュールパラメータは、例えば、フィルタ圧力差、プロセスガス組成および流量、パージガス流量、温度、圧力、ＲＦ電力レベルおよび低周波ＲＦ周波数などのプラズマ条件、冷却ガス圧力、ならびにチャンバ壁温度などのプロセス条件に関連する。
【0116】
システムソフトウェアは、多くの異なる方法で設計または構成することができる。例えば、様々なチャンバ構成要素サブルーチンまたは制御オブジェクトは、パージガスの送給を含む、本発明のプロセスを実行するために必要なチャンバ構成要素の動作を制御するために書かれてもよい。この目的のためのプログラムまたはプログラムのセクションの例には、基板位置決めコード、プロセスガス制御コード、パージガス制御コード、圧力制御コード、ヒータ制御コード、およびプラズマ制御コードが挙げられる。
【0117】
基板位置決めプログラムは、基板を台座またはチャック上にロードし、基板とガス入口および／またはターゲットなどのチャンバの他の部分との間の間隔を制御するために使用されるチャンバ構成要素を制御するためのプログラムコードを含むことができる。プロセスガス制御プログラムは、チャンバ内の圧力を安定化するために、ガス組成および流量を制御するためのコード、ならびに任意選択で、堆積前にガスをチャンバ内に流すためのコードを含むことができる。パージガス制御プログラムは、パージガスの送給を制御するためのコードを含むことができる。フィルタ監視プログラムは、測定された差を所定の値と比較するコードおよび／または経路を切り替えるためのコードを含むことができる。圧力制御プログラムは、例えば、チャンバの排気システムのスロットル弁を調節することによってチャンバの圧力を制御するためのコードを含むことができる。ヒータ制御プログラムは、前駆体送給システム、基板、および／またはシステムの他の部分の構成要素を加熱するための加熱ユニットへの電流を制御するためのコードを含むことができる。あるいは、ヒータ制御プログラムは、基板チャックへの熱伝達ガス（ヘリウムなど）の送給を制御することができる。
【0118】
堆積中に監視することができるセンサの例には、限定はしないが、質量流量制御モジュール、圧力マノメータ１１１０などの圧力センサ、送給システム、台座、またはチャックに位置する熱電対、および状態センサ１１２０が挙げられる。適切にプログラムされたフィードバックおよび制御アルゴリズムをこれらのセンサからのデータと共に使用して、所望のプロセス条件を維持することができる。以上は、シングルまたはマルチチャンバ半導体処理ツールにおける本開示の実施形態の実施を説明したものである。
【0119】
いくつかの実施態様では、コントローラはシステムの一部であり、そのようなシステムは上述した例の一部であってもよい。そのようなシステムは、１つまたは複数の処理ツール、１つまたは複数のチャンバ、１つまたは複数の処理用プラットフォーム、および／または特定の処理構成要素（基板台座、ガス流システムなど）を含む半導体処理機器を備えることができる。これらのシステムは、半導体ウエハまたは基板の処理前、処理中、および処理後のシステム動作を制御するための電子機器と一体化されてもよい。そのような電子機器は「コントローラ」と呼ばれることがあり、１つまたは複数のシステムの様々な構成要素または副部品を制御してもよい。コントローラは、処理要件および／またはシステムのタイプに応じて、本明細書に開示されるプロセスのいずれかを制御するようにプログラムされてもよい。そのようなプロセスとしては、処理ガスの送給、パージガスの送給、温度設定（例えば、加熱および／または冷却）、圧力設定、真空設定、電力設定、高周波（ＲＦ）発生器設定、ＲＦ整合回路設定、周波数設定、流量設定、流体送給設定、位置および動作設定、特定のシステムに接続または連動するツールおよび他の移送ツールに対する基板の搬入と搬出、および／またはロードロックに対する基板の搬入と搬出が含まれる。
【0120】
広義には、コントローラは、命令を受信し、命令を発行し、動作を制御し、洗浄動作を可能にし、エンドポイント測定を可能にするなどの様々な集積回路、論理、メモリ、および／またはソフトウェアを有する電子機器として定義されてもよい。集積回路は、プログラム命令を記憶するファームウェアの形式のチップ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）として定義されたチップ、および／または１つまたは複数のマイクロプロセッサ、すなわちプログラム命令（例えば、ソフトウェア）を実行するマイクロコントローラを含んでもよい。プログラム命令は、様々な個々の設定（またはプログラムファイル）の形式でコントローラに通信される命令であって、特定のプロセスを半導体基板上で、または半導体基板用に、またはシステムに対して実行するための動作パラメータを定義してもよい。動作パラメータは、いくつかの実施形態では、１つまたは複数の層、材料、金属、酸化物、ケイ素、二酸化ケイ素、表面、回路、および／またはウエハダイの製作における１つまたは複数の処理ステップを実現するためプロセスエンジニアによって定義されるレシピの一部であってもよい。
【0121】
コントローラは、いくつかの実施態様では、システムと統合または結合されるか、他の方法でシステムにネットワーク接続されるコンピュータの一部であってもよく、またはそのようなコンピュータに結合されてもよく、またはそれらの組み合わせであってもよい。例えば、コントローラは、「クラウド」内にあってもよいし、ファブホストコンピュータシステムのすべてもしくは一部であってもよい。これにより、基板処理のリモートアクセスが可能となる。コンピュータは、システムへのリモートアクセスを可能にして、製作動作の現在の進捗状況を監視し、過去の製作動作の履歴を検討し、複数の製作動作から傾向または性能基準を検討し、現在の処理のパラメータを変更し、現在の処理に続く処理ステップを設定するか、または新しいプロセスを開始してもよい。いくつかの例では、リモートコンピュータ（例えば、サーバ）は、ネットワークを通じてプロセスレシピをシステムに提供することができる。そのようなネットワークは、ローカルネットワークまたはインターネットを含んでいてもよい。
【0122】
リモートコンピュータは、パラメータおよび／または設定のエントリまたはプログラミングを可能にするユーザインターフェースを含んでもよく、そのようなパラメータおよび／または設定は、その後リモートコンピュータからシステムに通信される。いくつかの例では、コントローラは命令をデータの形式で受信する。そのようなデータは、１つまたは複数の動作中に実施される各処理ステップのためのパラメータを特定するものである。パラメータは、実施されるプロセスのタイプ、およびコントローラが連動または制御するように構成されるツールのタイプに特有のものであってもよいことを理解されたい。したがって、上述したように、コントローラは、例えば、互いにネットワーク接続され共通の目的（本明細書で説明されるプロセスおよび制御など）に向けて協働する１つまたは複数の個別のコントローラを備えることによって分散されてもよい。このような目的のための分散型コントローラの例として、チャンバ上の１つまたは複数の集積回路であって、（例えば、プラットフォームレベルで、またはリモートコンピュータの一部として）遠隔配置されておりチャンバにおけるプロセスを制御するよう組み合わせられる１つまたは複数の集積回路と通信するものが挙げられるであろう。
【0123】
例示的なシステムは、プラズマエッチングチャンバまたはモジュール、堆積チャンバまたはモジュール、スピンリンスチャンバまたはモジュール、金属めっきチャンバまたはモジュール、洗浄チャンバまたはモジュール、ベベルエッジエッチングチャンバまたはモジュール、物理気相堆積（ＰＶＤ）チャンバまたはモジュール、化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバまたはモジュール、プラズマ強化化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）チャンバまたはモジュール、原子層堆積（ＡＬＤ）チャンバまたはモジュール、原子層エッチング（ＡＬＥ）チャンバまたはモジュール、イオン注入チャンバまたはモジュール、追跡チャンバまたはモジュール、ならびに半導体ウエハの製作および／または製造に関連するか使用されてもよい任意の他の半導体処理システムを含むことができるが、これらに限定されない。
【0124】
上記のように、ツールによって実施される１つまたは複数のプロセスステップに応じて、コントローラは、１つまたは複数の他のツール回路もしくはモジュール、他のツール構成要素、クラスタツール、他のツールインターフェース、隣接するツール、近接するツール、工場全体に位置するツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、または半導体製造工場内のツール場所および／もしくはロードポートに対してウエハの容器を搬入および搬出する材料搬送に使用されるツールと通信してもよい。
【0125】
実施形態の前述の説明は、例示および説明の目的で提供されたものである。これは、網羅的であること、または本開示を限定することを意図するものではない。特定の実施形態の個々の要素または特徴は、一般に、その特定の実施形態に限定されるものではなく、適用可能であれば、具体的に図示または説明されていない場合であっても、交換可能であり、選択された実施形態で使用することができる。また、これは多くの方法で変更されてもよい。そのような変形は本開示からの逸脱と見なされるべきではなく、すべてのそのような修正は本開示の範囲内に含まれることを意図している。
【0126】
前述の実施形態は、明確な理解のために多少詳しく説明されてきたが、一定の変更および修正が添付の特許請求の範囲の範囲内で実践されてもよいことは明らかであろう。したがって、本実施形態は、限定ではなく例示と見なされるべきであり、実施形態は本明細書に述べられる詳細に限定されるべきではなく、特許請求の範囲の範囲および均等物内で修正されてもよい。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10A】
【図10B】
【図10C】
【図10D】
【図10E】
【図10F】
【図11】
【手続補正書】
【提出日】2024-04-22
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
装置であって、上部プレートおよび底部部分を含むマルチステーション処理チャンバであって、前記マルチステーション処理チャンバは、処理のために基板を支持するための台座アセンブリを各々が含む複数のステーションを取り囲むように構成されるマルチステーション処理チャンバと、
前記複数のステーション間の中央に位置し、中央軸の周りを回転するように構成されたスピンドルであって、前記スピンドルは、前記底部部分に電気的に接続されるスピンドルと、
前記スピンドルに結合され、Ｚ方向の前記スピンドルの移動を制御するように構成された第１のアクチュエータと、
前記スピンドルに接続され、前記スピンドルと共に回転するように構成されたインデクサであって、前記インデクサは、ステーション間での移送のために対応する基板と連動するように各々が構成された複数の延長部を含むインデクサと、
前記上部プレートに移動可能に接続された導電性インターフェースと、
前記導電性インターフェースに結合され、前記Ｚ方向の前記導電性インターフェースの移動を制御するように構成された第２のアクチュエータと
を備え、
前記導電性インターフェースは、前記複数の延長部の各々が停止され、前記スピンドルがプラズマ処理中に下側位置に移動されるとき、前記Ｚ方向に下方に移動して前記インデクサと接触するように構成される、
装置。
【請求項2】
請求項１に記載の装置であって、前記導電性インターフェースは、１つまたは複数の中実円筒チューブを備える、装置。
【請求項3】
請求項１に記載の装置であって、前記導電性インターフェースは、複数の垂直リンクによって接続された水平方向に配向された複数の格子間ビームを含む回旋状の円筒チューブを備える、装置。
【請求項4】
請求項３に記載の装置であって、前記導電性インターフェースは、前記導電性インターフェースが前記インデクサと接触しているとき、前記上部プレートと前記底部部分との間に非螺旋状の導電性経路を提供する、装置。
【請求項5】
請求項１に記載の装置であって、前記マルチステーション処理チャンバは、４つのステーションを含む、
装置。
【請求項6】
請求項１に記載の装置であって、前記インデクサの前記複数の延長部が前記複数のステーションで１つまたは複数の基板と係合することができるように、前記スピンドルが上側位置に移動されるときに前記導電性インターフェースを受け入れるように構成された、前記上部プレートにおけるポケット
をさらに備える、装置。
【請求項7】
請求項１に記載の装置であって、前記インデクサ上に位置決めされ、前記導電性インターフェースと前記インデクサとの間のＲＦ戻り経路を容易にする接触インターフェース
をさらに備え、
前記接触インターフェースは、柔軟である、
装置。
【請求項8】
請求項１に記載の装置であって、前記底部部分へのＲＦ戻り経路は、前記導電性インターフェース、前記インデクサ、および前記スピンドルを通して生成される、
装置。
【請求項9】
請求項１に記載の装置であって、前記導電性インターフェースは、前記Ｚ方向に下方に移動し、その中で前記スピンドルが前記Ｚ方向に移動するチャネルの外壁と接触するように構成される、
装置。
【請求項10】
請求項１に記載の装置であって、前記インデクサは、
上側インデクサ部分と、
下側インデクサ部分と
を備える、装置。
【請求項11】
請求項１に記載の装置であって、前記複数の延長部の各々は、前記対応する基板を回転させるように構成される、装置。
【請求項12】
装置であって、上部プレートおよび底部部分を含むマルチステーション処理チャンバであって、前記マルチステーション処理チャンバは、処理のために基板を支持するための台座アセンブリを各々が含む複数のステーションを取り囲むように構成されるマルチステーション処理チャンバと、
前記複数のステーション間の中央に位置し、中央軸の周りを回転するように構成されたスピンドルと、
前記スピンドルに結合され、Ｚ方向の前記スピンドルの移動を制御するように構成された第１のアクチュエータと、
前記スピンドルに接続され、前記中央軸の周りを前記スピンドルと共に回転するように構成されたインデクサであって、前記インデクサは、ステーション間での移送のために対応する基板と連動するように各々が構成された複数の延長部を含むインデクサと、
前記上部プレートに移動可能に接続された導電性インターフェースと、
前記導電性インターフェースに結合され、前記Ｚ方向の前記導電性インターフェースの移動を制御するように構成された第２のアクチュエータと
を備え、
前記導電性インターフェースは、前記インデクサの直径にわたる下端部分を有し、
前記導電性インターフェースは、前記複数の延長部の各々が停止され、前記スピンドルがプラズマ処理中に下側位置に移動されるとき、前記Ｚ方向に下方に移動して前記スピンドルおよび前記インデクサに隣接する導電性構造と接触するように構成され、
前記導電性構造は、前記底部部分に電気的に結合される、
装置。
【請求項13】
請求項１２に記載の装置であって、前記導電性構造は、前記複数のステーションの複数の台座を囲むように構成されたＲＦライナである、装置。
【請求項14】
請求項１２に記載の装置であって、前記導電性構造は、１つまたは複数の導電性ロッドである、装置。
【請求項15】
請求項１２に記載の装置であって、前記導電性インターフェースは、１つまたは複数の中実円筒チューブを備える、装置。
【請求項16】
請求項１２に記載の装置であって、前記導電性インターフェースは、複数の垂直リンクによって接続された水平方向に配向された複数の格子間ビームを含む回旋状の円筒チューブを備え、
前記導電性インターフェースは、前記導電性インターフェースが前記インデクサと接触しているとき、前記上部プレートと前記底部部分との間に非螺旋状の導電性経路を提供する、
装置。
【請求項17】
請求項１２に記載の装置であって、前記マルチステーション処理チャンバは、４つのステーションを含む、
装置。
【請求項18】
請求項１２に記載の装置であって、前記インデクサの前記複数の延長部が前記複数のステーションで１つまたは複数の基板と係合することができるように、前記スピンドルが上側位置に移動されるときに前記導電性インターフェースを受け入れるように構成された、前記上部プレートにおけるポケット
をさらに備える、装置。
【請求項19】
請求項１２に記載の装置であって、前記底部部分へのＲＦ戻り経路は、前記導電性インターフェースおよび前記導電性構造を通して生成される、
装置。
【請求項20】
請求項１２に記載の装置であって、前記インデクサは、
上側インデクサ部分と、
下側インデクサ部分と
を備える、装置。
【請求項21】
請求項１２に記載の装置であって、前記複数の延長部の各々は、前記対応する基板を回転させるように構成される、装置。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0126】
前述の実施形態は、明確な理解のために多少詳しく説明されてきたが、一定の変更および修正が添付の特許請求の範囲の範囲内で実践されてもよいことは明らかであろう。したがって、本実施形態は、限定ではなく例示と見なされるべきであり、実施形態は本明細書に述べられる詳細に限定されるべきではなく、特許請求の範囲の範囲および均等物内で修正されてもよい。本開示は、以下の形態により実現されてもよい。
［形態１］
装置であって、
上部プレートおよび底部部分を含むマルチステーション処理チャンバであって、前記マルチステーション処理チャンバは、処理のために基板を支持するための台座アセンブリを各々が含む複数のステーションを取り囲むように構成されるマルチステーション処理チャンバと、
前記複数のステーション間の中央に位置し、中央軸の周りを回転するように構成されたスピンドルであって、前記スピンドルは、前記底部部分に電気的に接続されるスピンドルと、
前記スピンドルに結合され、Ｚ方向の前記スピンドルの移動を制御するように構成された第１のアクチュエータと、
前記スピンドルに接続され、前記スピンドルと共に回転するように構成されたインデクサであって、前記インデクサは、ステーション間での移送のために対応する基板と連動するように各々が構成された複数の延長部を含むインデクサと、
前記上部プレートに移動可能に接続された導電性インターフェースと、
前記導電性インターフェースに結合され、前記Ｚ方向の前記導電性インターフェースの移動を制御するように構成された第２のアクチュエータと
を備え、
前記導電性インターフェースは、前記複数の延長部の各々が停止され、前記スピンドルがプラズマ処理中に下側位置に移動されるとき、前記Ｚ方向に下方に移動して前記インデクサと接触するように構成される、
装置。
［形態２］
形態１に記載の装置であって、
前記導電性インターフェースは、１つまたは複数の中実円筒チューブを備える、装置。
［形態３］
形態１に記載の装置であって、
前記導電性インターフェースは、複数の垂直リンクによって接続された水平方向に配向された複数の格子間ビームを含む回旋状の円筒チューブを備える、装置。
［形態４］
形態３に記載の装置であって、
前記導電性インターフェースは、前記導電性インターフェースが前記インデクサと接触しているとき、前記上部プレートと前記底部部分との間に非螺旋状の導電性経路を提供する、装置。
［形態５］
形態１に記載の装置であって、
前記マルチステーション処理チャンバは、４つのステーションを含む、
装置。
［形態６］
形態１に記載の装置であって、
前記インデクサの前記複数の延長部が前記複数のステーションで１つまたは複数の基板と係合することができるように、前記スピンドルが上側位置に移動されるときに前記導電性インターフェースを受け入れるように構成された、前記上部プレートにおけるポケット
をさらに備える、装置。
［形態７］
形態１に記載の装置であって、
前記インデクサ上に位置決めされ、前記導電性インターフェースと前記インデクサとの間のＲＦ戻り経路を容易にする接触インターフェース
をさらに備え、
前記接触インターフェースは、柔軟である、
装置。
［形態８］
形態１に記載の装置であって、
前記底部部分へのＲＦ戻り経路は、前記導電性インターフェース、前記インデクサ、および前記スピンドルを通して生成される、
装置。
［形態９］
形態１に記載の装置であって、
前記導電性インターフェースは、前記Ｚ方向に下方に移動し、その中で前記スピンドルが前記Ｚ方向に移動するチャネルの外壁と接触するように構成される、
装置。
［形態１０］
形態１に記載の装置であって、
前記インデクサは、
上側インデクサ部分と、
下側インデクサ部分と
を備える、装置。
［形態１１］
形態１に記載の装置であって、
前記複数の延長部の各々は、前記対応する基板を回転させるように構成される、装置。
［形態１２］
装置であって、
上部プレートおよび底部部分を含むマルチステーション処理チャンバであって、前記マルチステーション処理チャンバは、処理のために基板を支持するための台座アセンブリを各々が含む複数のステーションを取り囲むように構成されるマルチステーション処理チャンバと、
前記複数のステーション間の中央に位置し、中央軸の周りを回転するように構成されたスピンドルと、
前記スピンドルに結合され、Ｚ方向の前記スピンドルの移動を制御するように構成された第１のアクチュエータと、
前記スピンドルに接続され、前記中央軸の周りを前記スピンドルと共に回転するように構成されたインデクサであって、前記インデクサは、ステーション間での移送のために対応する基板と連動するように各々が構成された複数の延長部を含むインデクサと、
前記上部プレートに移動可能に接続された導電性インターフェースと、
前記導電性インターフェースに結合され、前記Ｚ方向の前記導電性インターフェースの移動を制御するように構成された第２のアクチュエータと
を備え、
前記導電性インターフェースは、前記インデクサの直径にわたる下端部分を有し、
前記導電性インターフェースは、前記複数の延長部の各々が停止され、前記スピンドルがプラズマ処理中に下側位置に移動されるとき、前記Ｚ方向に下方に移動して前記スピンドルおよび前記インデクサに隣接する導電性構造と接触するように構成され、
前記導電性構造は、前記底部部分に電気的に結合される、
装置。
［形態１３］
形態１２に記載の装置であって、
前記導電性構造は、前記複数のステーションの複数の台座を囲むように構成されたＲＦライナである、装置。
［形態１４］
形態１２に記載の装置であって、
前記導電性構造は、１つまたは複数の導電性ロッドである、装置。
［形態１５］
形態１２に記載の装置であって、
前記導電性インターフェースは、１つまたは複数の中実円筒チューブを備える、装置。
［形態１６］
形態１２に記載の装置であって、
前記導電性インターフェースは、複数の垂直リンクによって接続された水平方向に配向された複数の格子間ビームを含む回旋状の円筒チューブを備え、
前記導電性インターフェースは、前記導電性インターフェースが前記インデクサと接触しているとき、前記上部プレートと前記底部部分との間に非螺旋状の導電性経路を提供する、
装置。
［形態１７］
形態１２に記載の装置であって、
前記マルチステーション処理チャンバは、４つのステーションを含む、
装置。
［形態１８］
形態１２に記載の装置であって、
前記インデクサの前記複数の延長部が前記複数のステーションで１つまたは複数の基板と係合することができるように、前記スピンドルが上側位置に移動されるときに前記導電性インターフェースを受け入れるように構成された、前記上部プレートにおけるポケット
をさらに備える、装置。
［形態１９］
形態１２に記載の装置であって、
前記底部部分へのＲＦ戻り経路は、前記導電性インターフェースおよび前記導電性構造を通して生成される、
装置。
［形態２０］
形態１２に記載の装置であって、
前記インデクサは、
上側インデクサ部分と、
下側インデクサ部分と
を備える、装置。
［形態２１］
形態１２に記載の装置であって、
前記複数の延長部の各々は、前記対応する基板を回転させるように構成される、装置。
［形態２２］
装置であって、
上部プレートおよび底部部分を含むマルチステーション処理チャンバであって、前記マルチステーション処理チャンバは、処理のために基板を支持するための台座アセンブリを各々が含む複数のステーションを取り囲むように構成されるマルチステーション処理チャンバと、
前記複数のステーション間の中央に位置し、中央軸の周りを回転するように構成されたスピンドルであって、前記スピンドルは、前記底部部分に電気的に接続されるスピンドルと、
前記スピンドルに結合され、Ｚ方向の前記スピンドルの移動を制御するように構成されたアクチュエータと、
前記スピンドルに接続され、前記スピンドルと共に回転するように構成されたインデクサであって、前記インデクサは、ステーション間での移送のために対応する基板と連動するように各々が構成された複数の延長部を含むインデクサと、
前記インデクサに接続された導電性インターフェースと
を備え、
前記スピンドルは、前記導電性インターフェースがプラズマ処理中に上部部分と接触するように、前記Ｚ方向に上方に移動してより高い位置に向かうように構成され、
前記複数の延長部の各々は、前記スピンドルが前記より高い位置にあるときに停止される、
装置。
［形態２３］
形態２２に記載の装置であって、
前記導電性インターフェースは、中実円筒チューブを備える、装置。
［形態２４］
形態２２に記載の装置であって、
前記導電性インターフェースは、複数の垂直リンクによって接続された水平方向に配向された複数の格子間ビームを含む回旋状の円筒チューブを備える、装置。
［形態２５］
形態２３に記載の装置であって、
前記導電性インターフェースは、前記導電性インターフェースが前記インデクサと接触しているとき、前記上部プレートと前記底部部分との間に非螺旋状の導電性経路を提供する、装置。
［形態２６］
形態２２に記載の装置であって、
前記マルチステーション処理チャンバは、４つのステーションを含む、
装置。
［形態２７］
形態２２に記載の装置であって、
前記上部プレート上に位置決めされ、前記導電性インターフェースと前記上部プレートとの間のＲＦ戻り経路を容易にする接触インターフェース
をさらに備え、
前記接触インターフェースは、柔軟である、
装置。
［形態２８］
形態２２に記載の装置であって、
前記底部部分へのＲＦ戻り経路は、前記上部プレート、前記導電性インターフェース、前記インデクサ、および前記スピンドルを通して生成される、
装置。
［形態２９］
形態２２に記載の装置であって、
前記インデクサは、
上側インデクサ部分と、
下側インデクサ部分と
を備える、装置。
［形態３０］
形態２２に記載の装置であって、
前記複数の延長部の各々は、前記対応する基板を回転させるように構成される、装置。
［形態３１］
装置であって、
上部プレートおよび底部部分を含むマルチステーション処理チャンバであって、前記マルチステーション処理チャンバは、処理のために基板を支持するための台座アセンブリを各々が含む複数のステーションを取り囲むように構成されるマルチステーション処理チャンバと、
前記複数のステーション間の中央に位置し、中央軸の周りを回転するように構成されたスピンドルであって、前記スピンドルは、前記上部プレートに移動可能かつ電気的に接続されるスピンドルと、
前記スピンドルに結合され、Ｚ方向の前記スピンドルの移動を制御するように構成されたアクチュエータと、
前記スピンドルに接続され、前記スピンドルと共に回転するように構成されたインデクサであって、前記インデクサは、ステーション間での移送のために対応する基板と連動するように各々が構成された複数の延長部を含むインデクサと、
前記インデクサに接続された導電性インターフェースと、
前記底部部分に電気的に接続された接地構造と
を備え、
前記スピンドルは、前記導電性インターフェースがプラズマ処理中に前記接地構造と接触するように、前記Ｚ方向に下方に移動して下側位置に向かうように構成され、
前記複数の延長部の各々は、前記スピンドルが前記下側位置にあるときに停止される、
装置。
［形態３２］
形態３１に記載の装置であって、
前記導電性インターフェースは、１つまたは複数の中実円筒チューブを備える、装置。
［形態３３］
形態３１に記載の装置であって、
前記導電性インターフェースは、複数の垂直リンクによって接続された水平方向に配向された複数の格子間ビームを含む回旋状の円筒チューブを備える、装置。
［形態３４］
形態３３に記載の装置であって、
前記導電性インターフェースは、前記導電性インターフェースが前記インデクサと接触しているとき、前記上部プレートと前記底部部分との間に非螺旋状の導電性経路を提供する、装置。
［形態３５］
形態３１に記載の装置であって、
前記マルチステーション処理チャンバは、４つのステーションを含む、装置。
［形態３６］
形態３１に記載の装置であって、
導電性構造上に位置決めされ、前記導電性インターフェースと前記導電性構造との間のＲＦ戻り経路を容易にする接触インターフェース
をさらに備え、
前記接触インターフェースは、柔軟である、
装置。
［形態３７］
形態３１に記載の装置であって、
前記底部部分のグランドへのＲＦ戻り経路は、前記上部プレート、前記インデクサ、前記スピンドル、前記導電性インターフェース、および前記導電性構造を通して生成される、
装置。
［形態３８］
形態３１に記載の装置であって、
前記導電性構造は、底部構造に接続された１つまたは複数の導電性ロッドを含む、
装置。
［形態３９］
装置であって、
上部プレートおよび底部部分を含むマルチステーション処理チャンバであって、前記マルチステーション処理チャンバは、処理のために基板を支持するための台座アセンブリを各々が含む複数のステーションを取り囲むように構成されるマルチステーション処理チャンバと、
前記複数のステーション間の中央に位置し、中央軸の周りを回転するように構成されたスピンドルであって、前記スピンドルは、前記底部部分に電気的に接続されるスピンドルと、
前記スピンドルに結合され、Ｚ方向の前記スピンドルの移動を制御するように構成されたアクチュエータと、
前記スピンドルに接続され、前記スピンドルと共に回転するように構成されたインデクサであって、前記インデクサは、ステーション間での移送のために対応する基板と連動するように各々が構成された複数の延長部を含むインデクサと、
前記インデクサに接続された導電性インターフェースであって、前記導電性インターフェースの端部は、前記上部プレートの進行空間内に延び、前記導電性インターフェースは、前記スピンドルと共に移動する導電性インターフェースと、
前記進行空間の開口部の周りの前記上部プレートに接続された導電性シールおよびベローズアセンブリと
を備え、
前記導電性インターフェースの前記端部は、前記スピンドルが停止されるとき、または前記Ｚ方向に移動しているとき、ベアリングを通して前記導電性シールおよびベローズアセンブリと係合し、前記上部プレートと連続的に接触し、
前記複数の延長部の各々は、前記スピンドルがプラズマ処理中に下側位置に移動されるときに停止される、
装置。
［形態４０］
形態３９に記載の装置であって、
前記導電性インターフェースは、１つまたは複数の中実円筒チューブを備える、装置。
［形態４１］
形態３９に記載の装置であって、
前記導電性インターフェースは、複数の垂直リンクによって接続された水平方向に配向された複数の格子間ビームを含む回旋状の円筒チューブを備える、
装置。
［形態４２］
形態４１に記載の装置であって、
前記導電性インターフェースは、前記導電性インターフェースが前記インデクサと接触しているとき、前記上部プレートと前記底部部分との間に非螺旋状の導電性経路を提供する、
装置。
［形態４３］
形態３９に記載の装置であって、
前記マルチステーション処理チャンバは、４つのステーションを含む、
装置。
［形態４４］
形態３９に記載の装置であって、
前記底部部分へのＲＦ戻り経路は、前記上部プレート、前記導電性シールおよびベローズアセンブリ、前記導電性インターフェース、前記インデクサ、および前記スピンドルを通して生成される、
装置。
［形態４５］
形態３９に記載の装置であって、
前記インデクサは、
上側インデクサ部分と、
下側インデクサ部分と
を備える、装置。
［形態４６］
形態３９に記載の装置であって、
前記複数の延長部の各々は、前記対応する基板を回転させるように構成される、装置。
［形態４７］
装置であって、
上側ポストアセンブリであって、前記上側ポストアセンブリは、導電性である上側ポストアセンブリと、
前記上側ポストアセンブリに移動可能に接続された下側ポストアセンブリであって、前記下側ポストアセンブリは、導電性である下側ポストアセンブリと
を備え、
前記上側ポストアセンブリおよび前記下側ポストアセンブリは、マルチステーション処理チャンバの上部プレートと底部部分との間にＲＦ戻り経路を提供するように構成される、
装置。
［形態４８］
形態４７に記載の装置であって、
前記上側ポストアセンブリは、
上側ポストと、
前記上側ポストアセンブリの上部部分と、
前記上側ポストアセンブリの底部部分と、
前記上側ポストアセンブリの前記底部部分上のリップと
を含む、装置。
［形態４９］
形態４８に記載の装置であって、
前記上側ポストは、円筒形である、
装置。
［形態５０］
形態４７に記載の装置であって、
前記下側ポストアセンブリは、
下側ポストと、
前記下側ポストアセンブリの底部と、
前記下側ポストアセンブリのベースと、
前記下側ポストアセンブリの上部部分と、
前記下側ポストアセンブリの前記上部部分上のリップと
を含む、装置。
［形態５１］
形態５０に記載の装置であって、
前記下側ポストは、円筒形である、
装置。
［形態５２］
形態４７に記載の装置であって、
前記上側ポストアセンブリおよび前記下側ポストアセンブリに電気的に接続されたばねアセンブリであって、前記ばねアセンブリは、前記上側ポストアセンブリに対して前記下側ポストアセンブリを移動させるように構成されるばねアセンブリ
をさらに備える、装置。
［形態５３］
形態５２に記載の装置であって、
前記ばねアセンブリは、
前記下側ポストアセンブリに電気的に接続されたばねベースと、
前記上側ポストアセンブリと電気的に接触するばねピストンチューブであって、前記ばねピストンチューブは、前記ばねベースに移動可能に接続されるばねピストンチューブと、
前記ばねベースおよび前記上側ポストアセンブリと電気的に接触しており、前記ばねピストンチューブ内で移動するように構成されたばねと
を含む、装置。
［形態５４］
形態５３に記載の装置であって、
前記ばねベースおよび前記下側ポストアセンブリの前記下側ポストベースに電気的に接続された軸上スラストベアリングであって、前記軸上スラストベアリングは、前記上側ポストアセンブリを回転させることなく前記下側ポストアセンブリの回転を可能にするように構成される軸上スラストベアリング
をさらに備える、装置。
［形態５５］
形態４７に記載の装置であって、
前記上側ポストアセンブリ上に位置決めされ、前記マルチステーション処理チャンバの上部プレートと第１のＲＦ接続を行うように構成された第１のＲＦガスケットと、
前記上側ポストアセンブリと前記下側ポストアセンブリとの間の第２のＲＦ接続を行うように構成された第２のＲＦガスケットと、
前記下側ポストアセンブリ上に位置決めされ、前記下側ポストアセンブリと前記マルチステーション処理チャンバの底部部分との間の第３のＲＦ接続を行うように構成された第３のＲＦガスケットと
をさらに備える、装置。
［形態５６］
形態５５に記載の装置であって、
前記第１のＲＦガスケットは、前記上側ポストアセンブリの上部部分上に位置決めされ、
前記第２のＲＦガスケットは、前記上側ポストアセンブリの底部部分上に位置決めされたリップと前記下側ポストアセンブリの上側部分上に位置決めされたリップとの間に位置決めされ、
前記第３のＲＦガスケットは、前記下側ポストアセンブリの底部部分上に位置決めされる、
装置。
［形態５７］
形態５６に記載の装置であって、
前記下側ポストアセンブリは、前記マルチステーション処理チャンバのスピンドルに接続されたインデクサを囲むように構成され、前記下側ポストベースは、前記インデクサと接触するように構成され、
前記インデクサに接続されたスピンドルがプラズマ処理中に下側位置にあるとき、前記下側ポストアセンブリの前記底部は、前記第３のＲＦガスケットを介して前記マルチステーション処理チャンバの前記底部部分に電気的に接続され、前記上側ポストアセンブリの底部部分上に位置決めされた前記リップは、前記第２のＲＦガスケットを介して前記下側ポストアセンブリの上側部分上に位置決めされた前記リップに電気的に接続される、
装置。
［形態５８］
形態５６に記載の装置であって、
前記下側ポストアセンブリは、前記マルチステーション処理チャンバのスピンドルに接続されたインデクサを囲むように構成され、前記下側ポストベースは、前記インデクサと接触するように構成され、
前記インデクサに接続されたスピンドルが上側位置にあるとき、前記下側ポストアセンブリの前記底部は、前記マルチステーション処理チャンバの前記底部部分から分離され、前記上側ポストアセンブリの底部部分上に位置決めされた前記リップは、前記下側ポストアセンブリの上側部分上に位置決めされた前記リップから分離される、
装置。
［形態１］
装置であって、
上部プレートおよび底部部分を含むマルチステーション処理チャンバであって、前記マルチステーション処理チャンバは、処理のために基板を支持するための台座アセンブリを各々が含む複数のステーションを取り囲むように構成されるマルチステーション処理チャンバと、
前記複数のステーション間の中央に位置し、中央軸の周りを回転するように構成されたスピンドルであって、前記スピンドルは、前記底部部分に電気的に接続されるスピンドルと、
前記スピンドルに結合され、Ｚ方向の前記スピンドルの移動を制御するように構成された第１のアクチュエータと、
前記スピンドルに接続され、前記スピンドルと共に回転するように構成されたインデクサであって、前記インデクサは、ステーション間での移送のために対応する基板と連動するように各々が構成された複数の延長部を含むインデクサと、
前記上部プレートに移動可能に接続された導電性インターフェースと、
前記導電性インターフェースに結合され、前記Ｚ方向の前記導電性インターフェースの移動を制御するように構成された第２のアクチュエータと
を備え、
前記導電性インターフェースは、前記複数の延長部の各々が停止され、前記スピンドルがプラズマ処理中に下側位置に移動されるとき、前記Ｚ方向に下方に移動して前記インデクサと接触するように構成される、
装置。
［形態２］
形態１に記載の装置であって、
前記導電性インターフェースは、１つまたは複数の中実円筒チューブを備える、装置。
［形態３］
形態１に記載の装置であって、
前記導電性インターフェースは、複数の垂直リンクによって接続された水平方向に配向された複数の格子間ビームを含む回旋状の円筒チューブを備える、装置。
［形態４］
形態３に記載の装置であって、
前記導電性インターフェースは、前記導電性インターフェースが前記インデクサと接触しているとき、前記上部プレートと前記底部部分との間に非螺旋状の導電性経路を提供する、装置。
［形態５］
形態１に記載の装置であって、
前記マルチステーション処理チャンバは、４つのステーションを含む、
装置。
［形態６］
形態１に記載の装置であって、
前記インデクサの前記複数の延長部が前記複数のステーションで１つまたは複数の基板と係合することができるように、前記スピンドルが上側位置に移動されるときに前記導電性インターフェースを受け入れるように構成された、前記上部プレートにおけるポケット
をさらに備える、装置。
［形態７］
形態１に記載の装置であって、
前記インデクサ上に位置決めされ、前記導電性インターフェースと前記インデクサとの間のＲＦ戻り経路を容易にする接触インターフェース
をさらに備え、
前記接触インターフェースは、柔軟である、
装置。
［形態８］
形態１に記載の装置であって、
前記底部部分へのＲＦ戻り経路は、前記導電性インターフェース、前記インデクサ、および前記スピンドルを通して生成される、
装置。
［形態９］
形態１に記載の装置であって、
前記導電性インターフェースは、前記Ｚ方向に下方に移動し、その中で前記スピンドルが前記Ｚ方向に移動するチャネルの外壁と接触するように構成される、
装置。
［形態１０］
形態１に記載の装置であって、
前記インデクサは、
上側インデクサ部分と、
下側インデクサ部分と
を備える、装置。
［形態１１］
形態１に記載の装置であって、
前記複数の延長部の各々は、前記対応する基板を回転させるように構成される、装置。
［形態１２］
装置であって、
上部プレートおよび底部部分を含むマルチステーション処理チャンバであって、前記マルチステーション処理チャンバは、処理のために基板を支持するための台座アセンブリを各々が含む複数のステーションを取り囲むように構成されるマルチステーション処理チャンバと、
前記複数のステーション間の中央に位置し、中央軸の周りを回転するように構成されたスピンドルと、
前記スピンドルに結合され、Ｚ方向の前記スピンドルの移動を制御するように構成された第１のアクチュエータと、
前記スピンドルに接続され、前記中央軸の周りを前記スピンドルと共に回転するように構成されたインデクサであって、前記インデクサは、ステーション間での移送のために対応する基板と連動するように各々が構成された複数の延長部を含むインデクサと、
前記上部プレートに移動可能に接続された導電性インターフェースと、
前記導電性インターフェースに結合され、前記Ｚ方向の前記導電性インターフェースの移動を制御するように構成された第２のアクチュエータと
を備え、
前記導電性インターフェースは、前記インデクサの直径にわたる下端部分を有し、
前記導電性インターフェースは、前記複数の延長部の各々が停止され、前記スピンドルがプラズマ処理中に下側位置に移動されるとき、前記Ｚ方向に下方に移動して前記スピンドルおよび前記インデクサに隣接する導電性構造と接触するように構成され、
前記導電性構造は、前記底部部分に電気的に結合される、
装置。
［形態１３］
形態１２に記載の装置であって、
前記導電性構造は、前記複数のステーションの複数の台座を囲むように構成されたＲＦライナである、装置。
［形態１４］
形態１２に記載の装置であって、
前記導電性構造は、１つまたは複数の導電性ロッドである、装置。
［形態１５］
形態１２に記載の装置であって、
前記導電性インターフェースは、１つまたは複数の中実円筒チューブを備える、装置。
［形態１６］
形態１２に記載の装置であって、
前記導電性インターフェースは、複数の垂直リンクによって接続された水平方向に配向された複数の格子間ビームを含む回旋状の円筒チューブを備え、
前記導電性インターフェースは、前記導電性インターフェースが前記インデクサと接触しているとき、前記上部プレートと前記底部部分との間に非螺旋状の導電性経路を提供する、
装置。
［形態１７］
形態１２に記載の装置であって、
前記マルチステーション処理チャンバは、４つのステーションを含む、
装置。
［形態１８］
形態１２に記載の装置であって、
前記インデクサの前記複数の延長部が前記複数のステーションで１つまたは複数の基板と係合することができるように、前記スピンドルが上側位置に移動されるときに前記導電性インターフェースを受け入れるように構成された、前記上部プレートにおけるポケット
をさらに備える、装置。
［形態１９］
形態１２に記載の装置であって、
前記底部部分へのＲＦ戻り経路は、前記導電性インターフェースおよび前記導電性構造を通して生成される、
装置。
［形態２０］
形態１２に記載の装置であって、
前記インデクサは、
上側インデクサ部分と、
下側インデクサ部分と
を備える、装置。
［形態２１］
形態１２に記載の装置であって、
前記複数の延長部の各々は、前記対応する基板を回転させるように構成される、装置。
［形態２２］
装置であって、
上部プレートおよび底部部分を含むマルチステーション処理チャンバであって、前記マルチステーション処理チャンバは、処理のために基板を支持するための台座アセンブリを各々が含む複数のステーションを取り囲むように構成されるマルチステーション処理チャンバと、
前記複数のステーション間の中央に位置し、中央軸の周りを回転するように構成されたスピンドルであって、前記スピンドルは、前記底部部分に電気的に接続されるスピンドルと、
前記スピンドルに結合され、Ｚ方向の前記スピンドルの移動を制御するように構成されたアクチュエータと、
前記スピンドルに接続され、前記スピンドルと共に回転するように構成されたインデクサであって、前記インデクサは、ステーション間での移送のために対応する基板と連動するように各々が構成された複数の延長部を含むインデクサと、
前記インデクサに接続された導電性インターフェースと
を備え、
前記スピンドルは、前記導電性インターフェースがプラズマ処理中に上部部分と接触するように、前記Ｚ方向に上方に移動してより高い位置に向かうように構成され、
前記複数の延長部の各々は、前記スピンドルが前記より高い位置にあるときに停止される、
装置。
［形態２３］
形態２２に記載の装置であって、
前記導電性インターフェースは、中実円筒チューブを備える、装置。
［形態２４］
形態２２に記載の装置であって、
前記導電性インターフェースは、複数の垂直リンクによって接続された水平方向に配向された複数の格子間ビームを含む回旋状の円筒チューブを備える、装置。
［形態２５］
形態２３に記載の装置であって、
前記導電性インターフェースは、前記導電性インターフェースが前記インデクサと接触しているとき、前記上部プレートと前記底部部分との間に非螺旋状の導電性経路を提供する、装置。
［形態２６］
形態２２に記載の装置であって、
前記マルチステーション処理チャンバは、４つのステーションを含む、
装置。
［形態２７］
形態２２に記載の装置であって、
前記上部プレート上に位置決めされ、前記導電性インターフェースと前記上部プレートとの間のＲＦ戻り経路を容易にする接触インターフェース
をさらに備え、
前記接触インターフェースは、柔軟である、
装置。
［形態２８］
形態２２に記載の装置であって、
前記底部部分へのＲＦ戻り経路は、前記上部プレート、前記導電性インターフェース、前記インデクサ、および前記スピンドルを通して生成される、
装置。
［形態２９］
形態２２に記載の装置であって、
前記インデクサは、
上側インデクサ部分と、
下側インデクサ部分と
を備える、装置。
［形態３０］
形態２２に記載の装置であって、
前記複数の延長部の各々は、前記対応する基板を回転させるように構成される、装置。
［形態３１］
装置であって、
上部プレートおよび底部部分を含むマルチステーション処理チャンバであって、前記マルチステーション処理チャンバは、処理のために基板を支持するための台座アセンブリを各々が含む複数のステーションを取り囲むように構成されるマルチステーション処理チャンバと、
前記複数のステーション間の中央に位置し、中央軸の周りを回転するように構成されたスピンドルであって、前記スピンドルは、前記上部プレートに移動可能かつ電気的に接続されるスピンドルと、
前記スピンドルに結合され、Ｚ方向の前記スピンドルの移動を制御するように構成されたアクチュエータと、
前記スピンドルに接続され、前記スピンドルと共に回転するように構成されたインデクサであって、前記インデクサは、ステーション間での移送のために対応する基板と連動するように各々が構成された複数の延長部を含むインデクサと、
前記インデクサに接続された導電性インターフェースと、
前記底部部分に電気的に接続された接地構造と
を備え、
前記スピンドルは、前記導電性インターフェースがプラズマ処理中に前記接地構造と接触するように、前記Ｚ方向に下方に移動して下側位置に向かうように構成され、
前記複数の延長部の各々は、前記スピンドルが前記下側位置にあるときに停止される、
装置。
［形態３２］
形態３１に記載の装置であって、
前記導電性インターフェースは、１つまたは複数の中実円筒チューブを備える、装置。
［形態３３］
形態３１に記載の装置であって、
前記導電性インターフェースは、複数の垂直リンクによって接続された水平方向に配向された複数の格子間ビームを含む回旋状の円筒チューブを備える、装置。
［形態３４］
形態３３に記載の装置であって、
前記導電性インターフェースは、前記導電性インターフェースが前記インデクサと接触しているとき、前記上部プレートと前記底部部分との間に非螺旋状の導電性経路を提供する、装置。
［形態３５］
形態３１に記載の装置であって、
前記マルチステーション処理チャンバは、４つのステーションを含む、装置。
［形態３６］
形態３１に記載の装置であって、
導電性構造上に位置決めされ、前記導電性インターフェースと前記導電性構造との間のＲＦ戻り経路を容易にする接触インターフェース
をさらに備え、
前記接触インターフェースは、柔軟である、
装置。
［形態３７］
形態３１に記載の装置であって、
前記底部部分のグランドへのＲＦ戻り経路は、前記上部プレート、前記インデクサ、前記スピンドル、前記導電性インターフェース、および前記導電性構造を通して生成される、
装置。
［形態３８］
形態３１に記載の装置であって、
前記導電性構造は、底部構造に接続された１つまたは複数の導電性ロッドを含む、
装置。
［形態３９］
装置であって、
上部プレートおよび底部部分を含むマルチステーション処理チャンバであって、前記マルチステーション処理チャンバは、処理のために基板を支持するための台座アセンブリを各々が含む複数のステーションを取り囲むように構成されるマルチステーション処理チャンバと、
前記複数のステーション間の中央に位置し、中央軸の周りを回転するように構成されたスピンドルであって、前記スピンドルは、前記底部部分に電気的に接続されるスピンドルと、
前記スピンドルに結合され、Ｚ方向の前記スピンドルの移動を制御するように構成されたアクチュエータと、
前記スピンドルに接続され、前記スピンドルと共に回転するように構成されたインデクサであって、前記インデクサは、ステーション間での移送のために対応する基板と連動するように各々が構成された複数の延長部を含むインデクサと、
前記インデクサに接続された導電性インターフェースであって、前記導電性インターフェースの端部は、前記上部プレートの進行空間内に延び、前記導電性インターフェースは、前記スピンドルと共に移動する導電性インターフェースと、
前記進行空間の開口部の周りの前記上部プレートに接続された導電性シールおよびベローズアセンブリと
を備え、
前記導電性インターフェースの前記端部は、前記スピンドルが停止されるとき、または前記Ｚ方向に移動しているとき、ベアリングを通して前記導電性シールおよびベローズアセンブリと係合し、前記上部プレートと連続的に接触し、
前記複数の延長部の各々は、前記スピンドルがプラズマ処理中に下側位置に移動されるときに停止される、
装置。
［形態４０］
形態３９に記載の装置であって、
前記導電性インターフェースは、１つまたは複数の中実円筒チューブを備える、装置。
［形態４１］
形態３９に記載の装置であって、
前記導電性インターフェースは、複数の垂直リンクによって接続された水平方向に配向された複数の格子間ビームを含む回旋状の円筒チューブを備える、
装置。
［形態４２］
形態４１に記載の装置であって、
前記導電性インターフェースは、前記導電性インターフェースが前記インデクサと接触しているとき、前記上部プレートと前記底部部分との間に非螺旋状の導電性経路を提供する、
装置。
［形態４３］
形態３９に記載の装置であって、
前記マルチステーション処理チャンバは、４つのステーションを含む、
装置。
［形態４４］
形態３９に記載の装置であって、
前記底部部分へのＲＦ戻り経路は、前記上部プレート、前記導電性シールおよびベローズアセンブリ、前記導電性インターフェース、前記インデクサ、および前記スピンドルを通して生成される、
装置。
［形態４５］
形態３９に記載の装置であって、
前記インデクサは、
上側インデクサ部分と、
下側インデクサ部分と
を備える、装置。
［形態４６］
形態３９に記載の装置であって、
前記複数の延長部の各々は、前記対応する基板を回転させるように構成される、装置。
［形態４７］
装置であって、
上側ポストアセンブリであって、前記上側ポストアセンブリは、導電性である上側ポストアセンブリと、
前記上側ポストアセンブリに移動可能に接続された下側ポストアセンブリであって、前記下側ポストアセンブリは、導電性である下側ポストアセンブリと
を備え、
前記上側ポストアセンブリおよび前記下側ポストアセンブリは、マルチステーション処理チャンバの上部プレートと底部部分との間にＲＦ戻り経路を提供するように構成される、
装置。
［形態４８］
形態４７に記載の装置であって、
前記上側ポストアセンブリは、
上側ポストと、
前記上側ポストアセンブリの上部部分と、
前記上側ポストアセンブリの底部部分と、
前記上側ポストアセンブリの前記底部部分上のリップと
を含む、装置。
［形態４９］
形態４８に記載の装置であって、
前記上側ポストは、円筒形である、
装置。
［形態５０］
形態４７に記載の装置であって、
前記下側ポストアセンブリは、
下側ポストと、
前記下側ポストアセンブリの底部と、
前記下側ポストアセンブリのベースと、
前記下側ポストアセンブリの上部部分と、
前記下側ポストアセンブリの前記上部部分上のリップと
を含む、装置。
［形態５１］
形態５０に記載の装置であって、
前記下側ポストは、円筒形である、
装置。
［形態５２］
形態４７に記載の装置であって、
前記上側ポストアセンブリおよび前記下側ポストアセンブリに電気的に接続されたばねアセンブリであって、前記ばねアセンブリは、前記上側ポストアセンブリに対して前記下側ポストアセンブリを移動させるように構成されるばねアセンブリ
をさらに備える、装置。
［形態５３］
形態５２に記載の装置であって、
前記ばねアセンブリは、
前記下側ポストアセンブリに電気的に接続されたばねベースと、
前記上側ポストアセンブリと電気的に接触するばねピストンチューブであって、前記ばねピストンチューブは、前記ばねベースに移動可能に接続されるばねピストンチューブと、
前記ばねベースおよび前記上側ポストアセンブリと電気的に接触しており、前記ばねピストンチューブ内で移動するように構成されたばねと
を含む、装置。
［形態５４］
形態５３に記載の装置であって、
前記ばねベースおよび前記下側ポストアセンブリの前記下側ポストベースに電気的に接続された軸上スラストベアリングであって、前記軸上スラストベアリングは、前記上側ポストアセンブリを回転させることなく前記下側ポストアセンブリの回転を可能にするように構成される軸上スラストベアリング
をさらに備える、装置。
［形態５５］
形態４７に記載の装置であって、
前記上側ポストアセンブリ上に位置決めされ、前記マルチステーション処理チャンバの上部プレートと第１のＲＦ接続を行うように構成された第１のＲＦガスケットと、
前記上側ポストアセンブリと前記下側ポストアセンブリとの間の第２のＲＦ接続を行うように構成された第２のＲＦガスケットと、
前記下側ポストアセンブリ上に位置決めされ、前記下側ポストアセンブリと前記マルチステーション処理チャンバの底部部分との間の第３のＲＦ接続を行うように構成された第３のＲＦガスケットと
をさらに備える、装置。
［形態５６］
形態５５に記載の装置であって、
前記第１のＲＦガスケットは、前記上側ポストアセンブリの上部部分上に位置決めされ、
前記第２のＲＦガスケットは、前記上側ポストアセンブリの底部部分上に位置決めされたリップと前記下側ポストアセンブリの上側部分上に位置決めされたリップとの間に位置決めされ、
前記第３のＲＦガスケットは、前記下側ポストアセンブリの底部部分上に位置決めされる、
装置。
［形態５７］
形態５６に記載の装置であって、
前記下側ポストアセンブリは、前記マルチステーション処理チャンバのスピンドルに接続されたインデクサを囲むように構成され、前記下側ポストベースは、前記インデクサと接触するように構成され、
前記インデクサに接続されたスピンドルがプラズマ処理中に下側位置にあるとき、前記下側ポストアセンブリの前記底部は、前記第３のＲＦガスケットを介して前記マルチステーション処理チャンバの前記底部部分に電気的に接続され、前記上側ポストアセンブリの底部部分上に位置決めされた前記リップは、前記第２のＲＦガスケットを介して前記下側ポストアセンブリの上側部分上に位置決めされた前記リップに電気的に接続される、
装置。
［形態５８］
形態５６に記載の装置であって、
前記下側ポストアセンブリは、前記マルチステーション処理チャンバのスピンドルに接続されたインデクサを囲むように構成され、前記下側ポストベースは、前記インデクサと接触するように構成され、
前記インデクサに接続されたスピンドルが上側位置にあるとき、前記下側ポストアセンブリの前記底部は、前記マルチステーション処理チャンバの前記底部部分から分離され、前記上側ポストアセンブリの底部部分上に位置決めされた前記リップは、前記下側ポストアセンブリの上側部分上に位置決めされた前記リップから分離される、
装置。
【国際調査報告】