(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-09-12
(54)【発明の名称】高密度相互接続子を有する基板を備えるパッケージ
(51)【国際特許分類】
H01L 25/07 20060101AFI20240905BHJP
H01L 23/12 20060101ALI20240905BHJP
【ＦＩ】
H01L25/08 H
H01L23/12 501B
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024513794
(86)(22)【出願日】2022-08-05
(85)【翻訳文提出日】2024-02-29
(86)【国際出願番号】 US2022039610
(87)【国際公開番号】W WO2023043548
(87)【国際公開日】2023-03-23
(31)【優先権主張番号】17/479,691
(32)【優先日】2021-09-20
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】507364838
【氏名又は名称】クアルコム，インコーポレイテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100108453
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
(74)【代理人】
【識別番号】100163522
【弁理士】
【氏名又は名称】黒田 晋平
(72)【発明者】
【氏名】ヒュンチュル・チョ
(72)【発明者】
【氏名】クン・ファン
(72)【発明者】
【氏名】ジェヒュン・ヨン
(72)【発明者】
【氏名】スヒュン・ファン
(57)【要約】
基板と、基板の第１の表面に結合された第１の集積デバイスと、基板の第２の表面に結合された第２の集積デバイスとを含むパッケージ。基板は、少なくとも１つの誘電体層と、少なくとも１つの誘電体層内に少なくとも１つの誘電体層の第１の表面を通して配置された第１の複数の高密度相互接続子と、少なくとも１つの誘電体内に配置された第２の複数の高密度相互接続子とを含む。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板であって、少なくとも１つの誘電体層と、
前記少なくとも１つの誘電体層内に前記少なくとも１つの誘電体層の第１の表面を通して配置された第１の複数の相互接続子であって、前記第１の複数の相互接続子は、第１の幅及び第１の間隔を含む、第１の複数の相互接続子と、
前記少なくとも１つの誘電体層内に前記少なくとも１つの誘電体層の第２の表面を通して配置された第２の複数の相互接続子であって、第２の複数の相互接続子は、第２の幅及び第２の間隔を含む、第２の複数の相互接続子と、
前記少なくとも１つの誘電体層内に配置された第３の複数の相互接続子とを備え、
前記第３の複数の相互接続子が、前記第１の幅及び前記第２の幅よりも大きな第３の幅を含み、
前記第３の複数の相互接続子が、前記第１の間隔及び前記第２の間隔よりも大きな第３の間隔を含む、基板と、
前記基板の前記第１の表面に結合された第１の集積デバイスと、
前記基板の前記第２の表面に結合された第２の集積デバイスと
を備える、パッケージ。
【請求項2】
前記第１の集積デバイスが、前記第１の複数の相互接続子に結合され、前記第２の集積デバイスが、前記第２の複数の相互接続子に結合される、
請求項１に記載のパッケージ。
【請求項3】
前記第１の複数の相互接続子が、前記基板の第１の金属層上に配置され、前記第２の複数の相互接続子が、前記基板の最後の金属層に隣接する金属層上に配置される、
請求項１に記載のパッケージ。
【請求項4】
前記第１の複数の相互接続子が、前記少なくとも１つの誘電体層内の第１の金属層上に配置され、前記第２の複数の相互接続子が、前記少なくとも１つの誘電体層に埋め込まれた最後の金属層上に配置される、
請求項１に記載のパッケージ。
【請求項5】
前記基板が、前記少なくとも１つの誘電体層の前記第１の表面の上に配置された第４の複数の相互接続子を含む、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項6】
前記基板が、前記少なくとも１つの誘電体層の前記第２の表面の上に配置された第４の複数の相互接続子を含む、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項7】
前記第１の複数の相互接続子が、約３～４マイクロメートルの第１の最小幅及び／又は約３～４マイクロメートルの第１の最小間隔を含み、前記第２の複数の相互接続子が、約３～４マイクロメートルの第２の最小幅及び／又は約３～４マイクロメートルの第２の最小間隔を含む、
請求項１に記載のパッケージ。
【請求項8】
前記第１の幅が、約３～４マイクロメートル以上であり、かつ／又は前記第１の間隔が、約３～４マイクロメートル以上であり、前記第２の幅が、約３～４マイクロメートル以上であり、かつ／又は前記第２の間隔が、約３～４マイクロメートル以上である、
請求項１に記載のパッケージ。
【請求項9】
前記第１の集積デバイスが、第１の複数のはんだ相互接続子及び／又は第１の複数のピラー相互接続子を介して前記第１の複数の相互接続子に結合される、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項10】
前記第２の集積デバイスが、第２の複数のはんだ相互接続子及び／又は第２の複数のピラー相互接続子を介して前記第２の複数の相互接続子に結合される、請求項９に記載のパッケージ。
【請求項11】
基板であって、少なくとも１つの誘電体層と、
前記少なくとも１つの誘電体層内に前記少なくとも１つの誘電体層の第１の表面を通して配置された第１の高密度相互接続のための手段と、
前記少なくとも１つの誘電体層内に前記少なくとも１つの誘電体層の第２の表面を通して配置された第２の高密度相互接続のための手段とを備える基板と、
前記基板の前記第１の表面に結合された第１の集積デバイスと、
前記基板の前記第２の表面に結合された第２の集積デバイスと
を備える、装置。
【請求項12】
前記第１の集積デバイスが、前記第１の高密度相互接続のための手段に結合され、前記第２の集積デバイスが、前記第２の高密度相互接続のための手段に結合される、
請求項１１に記載の装置。
【請求項13】
前記第１の高密度相互接続のための手段が、前記基板の第１の金属層上に配置され、前記第２の高密度相互接続のための手段が、前記基板の最後の金属層に隣接する金属層上に配置される、
請求項１１に記載の装置。
【請求項14】
前記第１の高密度相互接続のための手段が、前記少なくとも１つの誘電体層内の第１の金属層上に配置され、前記第２の高密度相互接続のための手段が、前記少なくとも１つの誘電体層に埋め込まれた最後の金属層上に配置される、
請求項１１に記載の装置。
【請求項15】
前記基板が、前記少なくとも１つの誘電体層の前記第１の表面の上に配置された相互接続のための手段を含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項16】
前記基板が、前記少なくとも１つの誘電体層の前記第２の表面の上に配置された相互接続のための手段を含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項17】
前記第１の高密度相互接続のための手段が、約３～４マイクロメートルの第１の最小幅及び／又は約３～４マイクロメートルの第１の最小間隔を有する第１の相互接続子を含み、前記第２の高密度相互接続のための手段が、約３～４マイクロメートルの第２の最小幅及び／又は約３～４マイクロメートルの第２の最小間隔を有する第２の相互接続子を含む、
請求項１１に記載の装置。
【請求項18】
前記第１の高密度相互接続のための手段が、約３～４マイクロメートル以上の第１の幅及び／又は約３～４マイクロメートル以上の第１の間隔を有する第１の相互接続子を含み、前記第２の高密度相互接続のための手段が、約３～４マイクロメートル以上の第２の幅及び／又は約３～４マイクロメートル以上の第２の間隔を有する第２の相互接続子を含む、
請求項１１に記載の装置。
【請求項19】
前記第１の集積デバイスが、第１のはんだ相互接続のための手段及び／又は第１のピラー相互接続のための手段を介して前記第１の高密度相互接続のための手段に結合され、前記第２の集積デバイスが、第２のはんだ相互接続のための手段及び／又は第２のピラー相互接続のための手段を介して前記第２の高密度相互接続のための手段に結合される、
請求項１１に記載の装置。
【請求項20】
前記装置が、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、固定位置端末、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、モノのインターネット（ＩｏＴ）デバイス、及び自動車両内のデバイスからなる群から選択されるデバイスを含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項21】
基板を製造するための方法であって、第１のシード層を備える第１のキャリアを提供することと、
前記第１のシード層の上に第１の複数の高密度相互接続子を形成することと、
前記第１の複数の高密度相互接続子の上に第１の誘電体層を形成することと、
前記第１の誘電体層内及び／又はその上に複数の相互接続子を形成することと、
第２のシード層を備える第２のキャリアを提供することと、
前記第２のシード層の上に第２の複数の高密度相互接続子を形成することと、
前記第２のシード層及び前記第２の複数の高密度相互接続子を備える前記第２のキャリアを、第２の誘電体層を介して、前記第１のシード層、前記第１の複数の高密度相互接続子、前記第１の誘電体層、及び前記複数の相互接続子を備える前記第１のキャリアに結合することと、
前記第２のキャリア及び前記第１のキャリアを分離することと、
前記第１のシード層の一部分及び前記第２のシード層の一部分を除去することと
を含む、方法。
【請求項22】
前記第２のキャリアを分離した後に、前記第２の誘電体層内及びその上に第２の複数の相互接続子を形成することを更に含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項23】
前記第２の複数の高密度相互接続子の上にはんだレジスト層を更に形成する、請求項２１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願の相互参照
本出願は、２０２１年９月２０日に米国特許庁に出願された非仮出願第１７／４７９，６９１号に対する優先権及び利益を主張するものであり、この非仮出願の内容全体は、その全体が以下に完全に記載されるかのように、かつ全ての適用可能な目的のために、参照により本明細書に組み込まれる。
本出願は、２０２１年９月２０日に米国特許庁に出願された非仮出願第１７／４７９，６９１号に対する優先権及び利益を主張するものであり、この非仮出願の内容全体は、その全体が以下に完全に記載されるかのように、かつ全ての適用可能な目的のために、参照により本明細書に組み込まれる。
【0002】
様々な特徴は、基板を有するパッケージに関する。
【背景技術】
【0003】
パッケージは、基板及び集積デバイスを含み得る。これらの構成要素は、一緒に結合されることにより、様々な電気的機能を実行することが可能なパッケージを提供する。より良好に機能するパッケージを提供し、かつパッケージの全体的なサイズを縮小することが、継続的に必要とされている。
【発明の概要】
【0004】
様々な特徴は、基板を有するパッケージに関する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
一例は、基板と、基板の第１の表面に結合された第１の集積デバイスと、基板の第２の表面に結合された第２の集積デバイスとを含む、パッケージを提供する。基板は、少なくとも１つの誘電体層と、少なくとも１つの誘電体層内に少なくとも１つの誘電体層の第１の表面を通して配置された第１の複数の相互接続子と、少なくとも１つの誘電体層内に少なくとも１つの誘電体層の第２の表面を通して配置された第２の複数の相互接続子とを含む。第１の複数の相互接続子は、第１の幅及び第１の間隔を含む。第２の複数の相互接続子は、第２の幅及び第２の間隔を含む。基板は、少なくとも１つの誘電体層内に配置された第３の複数の相互接続子を含む。第３の複数の相互接続子は、第１の幅及び第２の幅よりも大きな第３の幅を含む。第３の複数の相互接続子は、第１の間隔及び第２の間隔よりも大きな第３の間隔を含む。
【0006】
別の例は、基板と、基板の第１の表面に結合された第１の集積デバイスと、基板の第２の表面に結合された第２の集積デバイスとを含む装置を提供する。基板は、少なくとも１つの誘電体層と、少なくとも１つの誘電体層内に少なくとも１つの誘電体層の第１の表面を通して配置された第１の高密度相互接続のための手段と、少なくとも１つの誘電体層内に少なくとも１つの誘電体層の第２の表面を通して配置された第２の高密度相互接続のための手段とを含む。
【0007】
別の例は、基板を製造するための方法を提供する。方法は、第１のシード層を備える第１のキャリアを提供する。方法は、第１のシード層の上に第１の複数の高密度相互接続子を形成する。方法は、第１の複数の高密度相互接続子の上に第１の誘電体層を形成する。方法は、第１の誘電体層内及び／又はその上に複数の相互接続子を形成する。方法は、第２のシード層を備える第２のキャリアを提供する。方法は、第２のシード層の上に第２の複数の高密度相互接続子を形成する。方法は、第２のシード層及び第２の複数の高密度相互接続子を備える第２のキャリアを、第２の誘電体層を介して、第１のシード層、第１の複数の高密度相互接続子、第１の誘電体層、及び複数の相互接続子を備える第１のキャリアに結合する。方法は、第２のキャリア及び第１のキャリアを分離する。方法は、第１のシード層の一部分及び第２のシード層の一部分を除去する。
【0008】
以下に記載される「発明を実施するための形態」を、同様の参照符号が全体を通して対応するように特定されている図面と併せ読むことにより、様々な特徴、性質、及び利点が明らかとなり得る。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】高密度相互接続子を有する基板を含むパッケージの横断面図を示す。
【図2】高密度相互接続子を有する基板を含むパッケージの詳細図を示す。
【図3】高密度相互接続子を有する基板を含むパッケージの詳細図を示す。
【図4A】高密度相互接続子を有する基板を製造するための例示的なシーケンスを示す。
【図4B】高密度相互接続子を有する基板を製造するための例示的なシーケンスを示す。
【図4C】高密度相互接続子を有する基板を製造するための例示的なシーケンスを示す。
【図5】高密度相互接続子を有する基板を製造するための例示的なシーケンスを示す。
【図6A】高密度相互接続子を有する基板を備えるパッケージを製造するための例示的なシーケンスを示す。
【図6B】高密度相互接続子を有する基板を備えるパッケージを製造するための例示的なシーケンスを示す。
【図7】高密度相互接続子を有する基板を備えるパッケージを製造するための例示的なシーケンスを示す。
【図8】ダイ、電子回路、集積デバイス、集積受動デバイス（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｐａｓｓｉｖｅ ｄｅｖｉｃｅ；ＩＰＤ）、受動構成要素、パッケージ、及び／又は本明細書で説明するデバイスパッケージを統合することが可能な、様々な電子デバイスを示す。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下の説明では、本開示の様々な態様の完全な理解をもたらすために、具体的な詳細が記載される。しかしながら、当業者には、これらの具体的な詳細を伴わずとも、諸態様を実践することができる点が理解されるであろう。例えば、不必要な詳細で諸態様を不明瞭にすることを回避するために、回路がブロック図で示される場合がある。他の事例では、本開示の諸態様を不明瞭にすることがないように、周知の回路、構造、及び技術が、詳細には示されない場合がある。
【0011】
本開示は、基板と、基板の第１の表面に結合された第１の集積デバイスと、基板の第２の表面に結合された第２の集積デバイスとを含むパッケージを説明する。基板は、少なくとも１つの誘電体層と、少なくとも１つの誘電体層内に少なくとも１つの誘電体層の第１の表面を通して配置された第１の複数の高密度相互接続子と、少なくとも１つの誘電体層内に少なくとも１つの誘電体層の第２の表面を通して配置された第２の複数の高密度相互接続子と、少なくとも１つの誘電体層の上に配置されたはんだレジスト層とを含む。基板の第１の側の上に第１の複数の高密度相互接続子を使用し、基板の第２の側の上に第２の複数の高密度相互接続子を使用することは、パッケージの全体的な高さ及び／又はサイズを低減しながら、集積デバイスに高密度及び高速通信を提供するのに役立つ。
【0012】
高密度相互接続子を有する基板を備える例示的なパッケージ
図１は、高密度相互接続子を有する基板を含むパッケージ１００の横断面図を示す。パッケージ１００は、基板１０２、集積デバイス１０４、集積デバイス１０６、及びカプセル化層１０８を含む。
図１は、高密度相互接続子を有する基板を含むパッケージ１００の横断面図を示す。パッケージ１００は、基板１０２、集積デバイス１０４、集積デバイス１０６、及びカプセル化層１０８を含む。
【0013】
基板１０２は、少なくとも１つの誘電体層１２０、複数の相互接続子１２２、はんだレジスト層１２４、及びはんだレジスト層１２６を含む。基板１０２は、コアレス基板であり得る。基板１０２は、第１の表面（例えば、上面）と第２の表面（例えば、底面）とを含み得る。以下で更に説明するように、基板１０２は、基板１０２の第１の側（例えば、上側）に配置された複数の高密度相互接続子と、基板１０２の第２の側（例えば、底側）に配置された複数の高密度相互接続子とを含む。複数の相互接続子１２２は、複数の相互接続子１２２ａ、複数の相互接続子１２２ｂ、及び複数の相互接続子１２２ｃを含み得る。基板１０２の両側に高密度相互接続子を使用することは、パッケージのサイズを依然として縮小しながら、より小さな空間内の集積デバイスへの／からのより多くの電気接続（例えば、より高密度の電気ルーティング）を可能にし、高速通信を可能にすることができる。
【0014】
複数の相互接続子１２２ａは、複数の高密度相互接続子を含む。複数の相互接続子１２２ａは、Ｍ１層（例えば、第１の金属層）など、基板１０２の上部金属層上に配置された相互接続子を含み得る。複数の相互接続子１２２ａは、少なくとも１つの誘電体層１２０に埋め込まれ得る。複数の相互接続子１２２ａは、少なくとも１つの誘電体層１２０に埋め込まれた第１の金属層内に配置され得る。複数の相互接続子１２２ａは、約３～４マイクロメートルの最小幅及び約３～４マイクロメートルの最小間隔を含む。複数の相互接続子１２２ａは、約３～４マイクロメートル以上の幅を有する少なくとも１つの相互接続子を含み得る。複数の相互接続子１２２ａは、約３～４マイクロメートル以上の間隔を有する少なくとも１つの相互接続子を含み得る。
【0015】
複数の相互接続子１２２ｂは、複数の高密度相互接続子を含む。複数の相互接続子１２２ｂは、基板１０２の底部金属層に隣接する金属層（例えば、最後の金属層に隣接する金属層、Ｍ３層）上に配置された相互接続子を含み得る。複数の相互接続子１２２ｂは、少なくとも１つの誘電体層１２０に埋め込まれ得る。複数の相互接続子１２２ｂは、少なくとも１つの誘電体層１２０に埋め込まれた最後の金属層内に配置され得る。複数の相互接続子１２２ｂは、約３～４マイクロメートルの最小幅及び約３～４マイクロメートルの最小間隔を含む。複数の相互接続子１２２ｂは、約３～４マイクロメートル以上の幅を有する少なくとも１つの相互接続子を含み得る。複数の相互接続子１２２ｂは、約３～４マイクロメートル以上の間隔を有する少なくとも１つの相互接続子を含み得る。
【0016】
複数の相互接続子１２２ｃは、少なくとも１つの誘電体層１２０内に配置され得る。複数の相互接続子１２２ｃは、少なくとも１つの誘電体層１２０の底面の上に配置され得る。複数の相互接続子１２２ｃは、はんだレジスト層１２６によって取り囲まれ得る。複数の相互接続子１２２ｃは、約８マイクロメートルの最小幅及び約８マイクロメートルの最小間隔を含む。複数の相互接続子１２２ｃは、約８マイクロメートル以上の幅を有する少なくとも１つの相互接続子を含み得る。複数の相互接続子１２２ｃは、約８マイクロメートル以上の間隔を有する少なくとも１つの相互接続子を含み得る。
【0017】
【0018】
図１に示すように、集積デバイス１０４は、基板１０２の第１の表面（例えば、上面）に結合される。例えば、集積デバイス１０４は、複数のはんだ相互接続子１４０（例えば、第１の複数のはんだ相互接続子、第１のはんだ相互接続のための手段）及び／又は複数のピラー相互接続子１４２（例えば、第１の複数のピラー相互接続子、第１のピラー相互接続のための手段）を介して基板１０２の複数の相互接続子１２２ａに結合される。カプセル化層１０８は、基板１０２及び集積デバイス１０４に結合される。カプセル化層１０８は、基板１０２の第１の表面の上に配置される。カプセル化層１０８は、集積デバイス１０４をカプセル化する。カプセル化層１０８は、集積デバイス１０４の上に及び／又はその周りに配置され得る。カプセル化層１０８は、カプセル化のための手段であり得る。
【0019】
集積デバイス１０６は、基板１０２の第２の表面（例えば、底面）に結合される。例えば、集積デバイス１０６は、複数のはんだ相互接続子１６０（例えば、第２の複数のはんだ相互接続子、第２のはんだ相互接続のための手段）及び／又は複数のピラー相互接続子１６２（例えば、第２の複数のピラー相互接続子、第２のピラー相互接続のための手段）を介して基板１０２の複数の相互接続子１２２ｂに結合される。
【0020】
複数のはんだ相互接続子１３０を、基板１０２に結合され得る。例えば、複数のはんだ相互接続子１３０は、複数の相互接続子１２２ｃに結合され得る。複数のはんだ相互接続子１３０は、基板１０２の最後の金属層（例えば、Ｍ４層）からの相互接続子に結合され得る。
【0021】
図２は、パッケージ１００の詳細図を示す。図２に示すように、パッケージ１００は、基板１０２、集積デバイス１０４、及び集積デバイス１０６を含む。基板１０２は、複数の相互接続子１２２を含む。複数の相互接続子１２２は、複数の相互接続子１２２ａ、複数の相互接続子１２２ｂ、及び複数の相互接続子１２２ｃを含む。
【0022】
集積デバイス１０４は、複数のはんだ相互接続子１４０を介して複数の相互接続子１２２ａに結合される。集積デバイス１０４は、複数のピラー相互接続子１４２及び／又は複数のはんだ相互接続子２４０（例えば、第１の複数のはんだ相互接続子、第１のはんだ相互接続のための手段）を介して複数の相互接続子１２２ａに結合される。複数のはんだ相互接続子１４０及び複数のはんだ相互接続子２４０は、それらが異なるサイズ及び／又は体積を有する場合であっても、同じグループのはんだ相互接続子の一部と見なされ得ることに留意されたい。複数の相互接続子１２２ａは、複数の高密度相互接続子を含む。複数の相互接続子１２２ａは、Ｍ１層（例えば、第１の金属層）など、基板１０２の上部金属層上に配置された相互接続子を含み得る。複数の相互接続子１２２ａは、少なくとも１つの誘電体層１２０内に配置され（例えば、埋め込まれ）得る。複数の相互接続子１２２ａは、少なくとも１つの誘電体層１２０の第１の表面を通して配置され得る。例えば、複数の相互接続子１２２ａは、少なくとも１つの誘電体層１２０の第１の表面を通して少なくとも１つの誘電体層１２０内に配置される（例えば、埋め込まれる）相互接続子を含み得る。複数の相互接続子１２２ａのうちの少なくともいくつかの相互接続子は、少なくとも１つの誘電体層１２０の第１の表面（例えば、上面）と共に平面に位置する相互接続面を有し得る。複数の相互接続子１２２ａは、約３～４マイクロメートルの最小幅及び約３～４マイクロメートルの最小間隔を含む。複数の相互接続子１２２ａは、約３～４マイクロメートル以上の幅を有する少なくとも１つの相互接続子を含み得る。複数の相互接続子１２２ａは、約３～４マイクロメートル以上の間隔を有する少なくとも１つの相互接続子を含み得る。
【0023】
集積デバイス１０６は、複数のはんだ相互接続子１６０を介して複数の相互接続子１２２ｂに結合される。集積デバイス１０６は、複数のピラー相互接続子１６２及び／又は複数のはんだ相互接続子２６０（例えば、第２の複数のはんだ相互接続子、第２のはんだ相互接続のための手段）を介して複数の相互接続子１２２ｂに結合される。複数のはんだ相互接続子１６０及び複数のはんだ相互接続子２６０は、それらが異なるサイズ及び／又は体積を有する場合であっても、同じグループのはんだ相互接続子の一部と見なされ得ることに留意されたい。集積デバイス１０６は、基板１０２のＭ３層からの相互接続子に結合される。複数の相互接続子１２２ｂは、複数の高密度相互接続子を含む。複数の相互接続子１２２ｂは、少なくとも１つの誘電体層１２０内に配置され（埋め込まれ）得る。複数の相互接続子１２２ｂは、少なくとも１つの誘電体層１２０の第２の表面を通して配置され得る。例えば、複数の相互接続子１２２ｂは、少なくとも１つの誘電体層１２０の第２の表面を通して少なくとも１つの誘電体層１２０に埋め込まれる相互接続子を含み得る。複数の相互接続子１２２ｂのうちの少なくともいくつかの相互接続子は、少なくとも１つの誘電体層１２０の第２の表面（例えば、底面）と共に平面に位置する相互接続面を有し得る。複数の相互接続子１２２ｂは、基板１０２の最後の金属層に隣接する金属層（例えば、底部金属層に隣接する金属層、Ｍ３層）上に配置された相互接続子を含み得る。複数の相互接続子１２２ｂは、少なくとも１つの誘電体層１２０に埋め込まれた最後の金属層上に配置された相互接続子を含み得る。複数の相互接続子１２２ｂは、約３～４マイクロメートルの最小幅及び約３～４マイクロメートルの最小間隔を含む。複数の相互接続子１２２ｂは、約３～４マイクロメートル以上の幅を有する少なくとも１つの相互接続子を含み得る。複数の相互接続子１２２ｂは、約３～４マイクロメートル以上の間隔を有する少なくとも１つの相互接続子を含み得る。
【0024】
いくつかの実装形態では、複数の相互接続子１２２ｃのうち少なくともいくつかの相互接続子は、少なくとも１つの誘電体層１２０内に配置され得る。いくつかの実装形態では、複数の相互接続子１２２ｃのうち少なくともいくつかの相互接続子は、少なくとも１つの誘電体層１２０の第２の表面（例えば、底面）の上に配置され得る。複数の相互接続子１２２ｃは、はんだレジスト層１２６によって取り囲まれ得る。複数の相互接続子１２２ｃは、相互接続のための手段であり得る。複数の相互接続子１２２ｃは、基板１０２の最後の金属層（例えば、底部金属層、Ｍ４層）上に配置された相互接続子を含み得る。複数の相互接続子１２２ｃは、Ｍ２層などのその他の金属層上に配置された相互接続子を含み得ることに留意されたい。少なくとも１つの誘電体層１２０の第２の表面の上に配置される複数の相互接続子１２２ｃのうち少なくともいくつかの相互接続子は、少なくとも１つの誘電体層１２０の第２の表面と共に平面に位置する相互接続面、及び／又は少なくとも１つの誘電体層１２０の第２の表面を通して配置される複数の相互接続子１２２ｂのうち少なくとも１つの相互接続子の別の相互接続面を有し得る。例えば、複数の相互接続子１２２ｂのうち１つの相互接続子（例えば、高密度相互接続子、高密度トレース相互接続子、高密度パッド相互接続子）が、少なくとも１つの誘電体層１２０から離れる方を向いた相互接続面を有し得、相互接続面は、少なくとも１つの誘電体層１２０の方を向いた、複数の相互接続子１２２ｃのうち１つの相互接続子（例えば、トレース相互接続子、パッド相互接続子）の別の相互接続面と共に平面に位置し、複数の相互接続子１２２ｃのうち１つの相互接続子（例えば、トレース相互接続子、パッド相互接続子）は、少なくとも１つの誘電体層１２０の第２の表面の上に配置される。複数の相互接続子１２２ｃは、約８マイクロメートルの最小幅及び約８マイクロメートルの最小間隔を含む。複数の相互接続子１２２ｃは、約８マイクロメートル以上の幅を有する少なくとも１つの相互接続子を含み得る。複数の相互接続子１２２ｃは、約８マイクロメートル以上の間隔を有する少なくとも１つの相互接続子を含み得る。
【0025】
図３は、パッケージ３００の詳細図を示す。パッケージ３００は、パッケージ１００と同様であり、パッケージ１００と同様の構成要素及び／又は同様の様式で構成される構成要素を含み得る。図３に示すように、パッケージ３００は、基板１０２、集積デバイス１０４、及び集積デバイス１０６を含む。基板１０２は、複数の相互接続子１２２を含む。複数の相互接続子１２２は、複数の相互接続子１２２ａ、複数の相互接続子１２２ｂ、及び複数の相互接続子１２２ｃを含む。
【0026】
集積デバイス１０６は、複数のはんだ相互接続子１６０を介して複数の相互接続子１２２ｃに結合される。集積デバイス１０６は、複数のピラー相互接続子１６２及び／又は複数のはんだ相互接続子２６０を介して複数の相互接続子１２２ｂに結合される。集積デバイス１０６は、基板１０２のＭ３層及びＭ４層からの相互接続子に結合される。複数の相互接続子１２２ｂは、複数の高密度相互接続子を含む。複数の相互接続子１２２ｂは、少なくとも１つの誘電体層１２０に埋め込まれ得る。複数の相互接続子１２２ｃは、少なくとも１つの誘電体層１２０内及び少なくとも１つの誘電体層１２０の第２の表面（例えば、底面）の上に配置され得る。図３は、集積デバイス１０６が、少なくとも１つの誘電体層１２０内の相互接続子と、少なくとも１つの誘電体層１２０の第２の表面の上に配置された相互接続子とに結合され得ることを示す。
【0027】
図１～図３は、高密度相互接続子を基板の両側及び／又は両面にどのように配置し得るかを図示及び説明する。これにより、基板の両側に配置された集積デバイスに高速通信を提供することが可能になる。基板の両側及び／又は両面に配置された高密度相互接続子は、非高密度相互接続子を介して一緒に結合されるように構成され得る。例えば、複数の相互接続子１２２ａ（例えば、第１の複数の高密度相互接続子）と複数の相互接続子１２２ｂ（例えば、第２の複数の高密度相互接続子）とは、複数の相互接続子１２２のうち他の相互接続子（例えば、非高密度相互接続子）を介して一緒に結合されるように構成され得る。更に説明するように、高密度相互接続子（例えば、１２２ａ、１２２ｂ）は、埋め込み型トレース基板（埋込みトレース基板；ＥＴＳ）プロセスを使用して製造され得る。基板１０２に示される金属層の数は例示的なものである。基板の異なる実装形態は、異なる数の金属層を有し得る。例えば、基板は、７つの金属層（例えば、Ｍ１層～Ｍ７層）を含み得る。そのような例では、複数の相互接続子１２２ａは、Ｍ１金属層（例えば、第１の金属層）上に配置された相互接続子を含み得、複数の相互接続子１２２ｂは、Ｍ６金属層（例えば、最後の金属層に隣接する、底部金属層に隣接する）上に配置された相互接続子を含み得、複数の相互接続子１２２ｃは、Ｍ７金属層（例えば、最後の金属層、底部金属層）上の相互接続子を含み得る。金属層の番号は、基板の上部から底部に向かうことに留意されたい。しかしながら、金属層の番号は、基板の底部から上部に向かうこともある。トレース相互接続子及び／又はパッド相互接続子は、基板の１つ以上の金属層上に配置され得る。ビア相互接続子は、基板の金属層間に配置され得る。本開示で説明する底面及び／又は上面は、任意に定義され得ることに留意されたい。いくつかの実装形態では、第１の表面が底面であり得、第２の表面が上面であり得る。いくつかの実装形態では、第２の表面が底面であり得、第１の表面は上面であり得る。
【0028】
図２及び図３は、Ｍ３層からの相互接続子とＭ４層からの相互接続子との間の垂直間隔が、Ｍ３層からの相互接続子とＭ２層からの相互接続子との間の垂直間隔よりも小さい（例えば、より近い）ことを示す。この構成は、同じ数の金属層を有する他の基板よりも薄い基板を提供するのに役立ち得る。様々な相互接続子について言及する幅、間隔、最小幅、及び／又は最小間隔は例示的なものであることに留意されたい。いくつかの実装形態では、相互接続子の幅、間隔、最小幅、及び／又は最小間隔は変動し得る。いくつかの実装形態では、相互接続子の幅、間隔、最小幅、及び／又は最小間隔の異なる組み合わせが基板に使用され得る。相互接続子に使用される幅、間隔、最小幅、及び／又は最小間隔のいずれの組み合わせも、集積デバイス（単数又は複数）及び基板を含むパッケージの設計及び／又は要件に依存し得る。例えば、いくつかの実装形態では、基板１０２は、（ｉ）約６マイクロメートルの最小幅及び／又は約８マイクロメートルの最小間隔を備える相互接続子を有する、複数の相互接続子１２２ａ及び／又は複数の相互接続子１２２ｂと、（ｉｉ）約１０マイクロメートルの最小幅及び／又は約１５マイクロメートルの最小間隔を有する相互接続子を有する、複数の相互接続子１２２ｃとを含み得る。いくつかの実装形態では、基板１０２は、（ｉ）約６マイクロメートル以上の幅及び／又は約８マイクロメートル以上の間隔の相互接続子を有する、複数の相互接続子１２２ａ及び／又は複数の相互接続子１２２ｂと、（ｉｉ）約１０マイクロメートル以上の幅及び／又は約１５マイクロメートル以上の最小間隔の相互接続子を有する、複数の相互接続子１２２ｃとを含み得る。
【0029】
本開示で使用する場合、高密度相互接続子は、基板の他の相互接続子よりも小さな最小幅及び／又は最小間隔を有する相互接続子であり得る。本開示で使用する場合、高密度相互接続子は、基板の他の相互接続子よりも小さな幅及び／又は間隔を有する相互接続子であり得る。いくつかの実装形態では、基板の高密度相互接続子は、基板の第１の複数の相互接続子であり得、基板の他の相互接続子（例えば、非高密度相互接続子）は、基板の第２の複数の相互接続子及び／又は第３の複数の相互接続子であり得る。いくつかの実装形態では、基板の高密度相互接続子は、基板内のより高密度のルーティングを可能にする改善された幅及び／又は間隔を高密度相互接続子が有することを除いて、基板の相互接続子（例えば、非高密度相互接続子）と同様であり得る。特定の幅及び／又は特定の間隔を含む複数の相互接続子は、複数の相互接続子のうち相互接続子のうちの１つ以上がそれぞれ、特定の幅及び／又は特定の間隔を有することを意味し得る。特定の最小幅及び／又は特定の最小間隔を含む複数の相互接続子は、複数の相互接続子のうち相互接続子のうちの１つ以上がそれぞれ、特定の最小幅及び／又は特定の最小間隔を有することを意味し得る。
【0030】
集積デバイス（例えば、１０４、１０６）は、ダイ（例えば、半導体ベアダイ）を含み得る。集積デバイスは、集積回路を含み得る。集積デバイスは、電源管理用集積回路（ｐｏｗｅｒ ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ；ＰＭＩＣ）を含み得る。集積デバイスは、アプリケーションプロセッサを含み得る。集積デバイスは、モデムを含み得る。集積デバイスは、無線周波数（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ；ＲＦ）デバイス、受動デバイス、フィルタ、キャパシタ、インダクタ、アンテナ、送信機、受信機、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）ベースの集積デバイス、表面弾性波（ｓｕｒｆａｃｅ ａｃｏｕｓｔｉｃ ｗａｖｅ；ＳＡＷ）フィルタ、バルク弾性波（ｂｕｌｋ ａｃｏｕｓｔｉｃ ｗａｖｅ；ＢＡＷ）フィルタ、発光ダイオード（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ；ＬＥＤ）集積デバイス、シリコン（Ｓｉ）ベースの集積デバイス、炭化ケイ素（ＳｉＣ）ベースの集積デバイス、メモリ、電源管理プロセッサ、及び／又はこれらの組み合わせを含み得る。集積デバイス（例えば、１０４、１０６）は、少なくとも１つの電子回路（例えば、第１の電子回路、第２の電子回路、など）を含み得る。集積デバイスは、電気構成要素及び／又は電気デバイスの一例であり得る。
【0031】
パッケージ（例えば、１００、３００）は、無線周波数（ＲＦ）パッケージに実装され得る。ＲＦパッケージは、無線周波数フロントエンドパッケージ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｆｒｏｎｔ ｅｎｄ ｐａｃｋａｇｅ；ＲＦＦＥ）であり得る。パッケージ（例えば、１００、３００）は、ワイヤレスフィデリティ（Ｗｉｒｅｌｅｓｓ Ｆｉｄｅｌｉｔｙ；ＷｉＦｉ）通信及び／又はセルラー通信（例えば、２Ｇ、３Ｇ、４Ｇ、５Ｇ）を提供するように構成され得る。パッケージ（例えば、１００、３００）は、移動体通信のためのグローバルシステム（Ｇｌｏｂａｌ Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｍｏｂｉｌｅ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ；ＧＳＭ）、ユニバーサル移動体通信システム（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｍｏｂｉｌｅ Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ Ｓｙｓｔｅｍ；ＵＭＴＳ）、及び／又はロングタームエボリューション（Ｌｏｎｇ－Ｔｅｒｍ Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ：ＬＴＥ）をサポートするように構成され得る。パッケージ（例えば、１００、３００）は、異なる周波数及び／又は通信プロトコルを有する信号を送信及び受信するように構成され得る。
【0032】
基板を有する様々なパッケージを説明してきたが、次に、基板を製造するためのいくつかの方法を以下で説明する。
【0033】
基板を製造するための例示的なシーケンス
いくつかの実装形態では、基板を製造することは、いくつかのプロセスを含む。図４Ａ～図４Ｃは、基板を提供又は製造するための例示的なシーケンスを示す。図４Ａ～図４Ｃは、コアレス基板を提供又は製造するために使用され得る。いくつかの実装形態では、図４Ａ～図４Ｃのシーケンスを使用して、基板１０２を提供又は製造することができる。しかしながら、図４Ａ～図４Ｃのプロセスを使用して、本開示で説明する基板のいずれかを製造することができる。
いくつかの実装形態では、基板を製造することは、いくつかのプロセスを含む。図４Ａ～図４Ｃは、基板を提供又は製造するための例示的なシーケンスを示す。図４Ａ～図４Ｃは、コアレス基板を提供又は製造するために使用され得る。いくつかの実装形態では、図４Ａ～図４Ｃのシーケンスを使用して、基板１０２を提供又は製造することができる。しかしながら、図４Ａ～図４Ｃのプロセスを使用して、本開示で説明する基板のいずれかを製造することができる。
【0034】
図４Ａ～図４Ｃのシーケンスは、基板を提供又は製造するためのシーケンスを簡略化及び／又は明確化するために、１つ以上の段階を組み合わせることができる点に留意されたい。いくつかの実装形態では、プロセスの順序を変更又は修正することができる。いくつかの実装形態では、本開示の範囲から逸脱することなく、プロセスのうちの１つ以上を交換又は置換することができる。
【0035】
段階１は、図４Ａに示すように、第１のキャリア４００が提供された後の状態を示す。第１のシード層４０１及び相互接続子４０２が、第１のキャリア４００の上に配置され得る。相互接続子４０２は、第１のシード層４０１の上に配置され得る。めっきプロセス又はエッチングプロセスを使用して、相互接続子４０２を形成することができる。いくつかの実装形態では、第１のキャリア４００には、第１のシード層４０１と、相互接続子４０２を形成するためにパターニングされた金属層とを提供することができる。相互接続子４０２は、高密度相互接続子を含み得る。例えば、相互接続子４０２は、複数の相互接続子１２２ａのうちの少なくともいくつかの高密度相互接続子を表し得る。
【0036】
段階２は、誘電体層４２０が、第１のキャリア４００、第１のシード層４０１、及び相互接続子４０２の上に形成された後の状態を示す。堆積及び／又は積層プロセスを使用して、誘電体層４２０を形成することができる。誘電体層４２０は、ポリイミドを含み得る。しかしながら、異なる実装形態は、誘電体層に関して異なる材料を使用し得る。
【0037】
段階３は、複数のキャビティ４１０が、誘電体層４２０内に形成された後の状態を示す。複数のキャビティ４１０は、エッチングプロセス（例えば、フォトエッチングプロセス）又はレーザプロセスを使用して形成され得る。
【0038】
段階４は、相互接続子４１２が、複数のキャビティ４１０内及びその上を含めて、誘電体層４２０内及び誘電体層４２０の上に形成された後の状態を示す。例えば、ビア、パッド、及び／又はトレースが形成され得る。めっきプロセスを使用して、相互接続子を形成することができる。段階２～段階４を反復的に繰り返して、追加的な誘電体層及び追加的な相互接続子を形成することができる点に留意されたい。
【0039】
段階５は、図４Ｂに示すように、第２のキャリア４０６が提供された後の状態を示す。第２のシード層４０７及び相互接続子４０８が、第２のキャリア４０６の上に配置され得る。相互接続子４０８は、第２のシード層４０７の上に配置され得る。めっきプロセス又はエッチングプロセスを使用して、相互接続子４０８を形成することができる。いくつかの実装形態では、第２のキャリア４０６には、第２のシード層４０７と、相互接続子４０８を形成するためにパターニングされた金属層とを提供することができる。相互接続子４０８は、高密度相互接続子を含み得る。例えば、相互接続子４０８は、複数の相互接続子１２２ｂのうちの少なくともいくつかの高密度相互接続子を表し得る。
【0040】
段階６は、第２のキャリア４０６、第２のシード層４０７、相互接続子４０８、及び誘電体層４２２を誘電体層４２０及び相互接続子４１２に結合するプロセスを示す。誘電体層４２２はプリプレグを含み得る。
【0041】
段階７は、第２のキャリア４０６、第２のシード層４０７、相互接続子４０８、及び誘電体層４２２が、誘電体層４２０、相互接続子４１２、相互接続子４０２、第１のシード層４０１、及び第１のキャリア４００に結合された後の状態を示す。積層プロセスを使用して、第２のキャリア４０６、第２のシード層４０７、相互接続子４０８、及び誘電体層４２２を、誘電体層４２０、相互接続子４１２、相互接続子４０２、第１のシード層４０１、及び第１のキャリア４００に結合することができる。
【0042】
段階８は、第２のキャリア４０６が第２のシード層４０７から分離された（例えば、取り外された、除去された）後の状態を示す。
【0043】
段階９は、図４Ｃに示すように、複数のキャビティ４３０が誘電体層４２２内に形成された後の状態を示す。エッチングプロセス又はレーザプロセスを使用して、キャビティ４３０を形成することができる。
【0044】
段階１０は、相互接続子４１４が、複数のキャビティ４３０内及びその上を含めて、誘電体層４２２内及び誘電体層４２２の上に形成された後の状態を示す。例えば、ビア、パッド、及び／又はトレースが形成され得る。めっきプロセスを使用して、相互接続子を形成することができる。
【0045】
相互接続子４０２、４０８、４１２、及び／又は４１４のうちのいくつか又は全てが、基板１０２の複数の相互接続子１２２を定義し得る。例えば、相互接続子４０２は、複数の相互接続子１２２ａによって表され得、相互接続子４０８は、複数の相互接続子１２２ｂによって表され得、相互接続子４１２及び４１４は、複数の相互接続子１２２ｃによって表され得る。誘電体層４２０と誘電体層４２２とを、少なくとも１つの誘電体層１２０によって表され得る。誘電体層４２０及び／又は４２２は、プリプレグを含み得る。いくつかの実装形態では、誘電体層４２０は、味の素ビルドアップフィルム（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ ｂｕｉｌｄ－ｕｐ ｆｉｌｍ；ＡＢＦ）及び／又はポリイミドを含み得る。いくつかの実装形態では、少なくとも１つの誘電体層１２０は、プリプレグの少なくとも１つの層とＡＢＦの少なくとも１つの層とを含み得る。いくつかの実装形態では、少なくとも１つの誘電体層１２０は、プリプレグの少なくとも１つの層とポリイミドの少なくとも１つの層とを含み得る。
【0046】
段階１１は、第１のキャリア４００が少なくとも１つの誘電体層１２０及び第１のシード層４０１から分離され（例えば、取り外され、除去され、研削され）、第１のシード層４０１の一部分が除去され（例えば、エッチング除去され）、第２のシード層４０７の一部分が除去され（例えば、エッチング除去され）、少なくとも１つの誘電体層１２０及び複数の相互接続子１２２を含む基板１０２が残された後の状態を示す。複数の相互接続子１２２は、複数の相互接続子１２２ａ、複数の相互接続子１２２ｂ、及び複数の相互接続子１２２ｃを含む。基板１０２は、コアレス基板であり得る。
【0047】
段階１２は、はんだレジスト層１２４及びはんだレジスト層１２６が、基板１０２の上に形成された後の状態を示す。堆積プロセスを使用して、はんだレジスト層１２４及びはんだレジスト層１２６を形成することができる。いくつかの実装形態では、少なくとも１つの誘電体層１２０の上には、はんだレジスト層が形成されない場合もあれば、又は、１つのはんだレジスト層が形成される場合もある。
【0048】
異なる実装形態は、金属層（単数又は複数）を形成するために、異なるプロセスを使用し得る。いくつかの実装形態では、金属層（単数又は複数）を形成するための化学気相成長（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＣＶＤ）プロセス及び／又は物理気相成長（ｐｈｙｓｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＰＶＤ）プロセス。例えば、スパッタリングプロセス、スプレーコーティングプロセス、及び／又はめっきプロセスを使用して、金属層（単数又は複数）を形成することができる。
【0049】
基板を製造するための方法の、例示的なフロー図
いくつかの実装形態では、基板を製造することは、いくつかのプロセスを含む。図５は、基板を提供又は製造するための方法５００の例示的なフロー図を示す。いくつかの実装形態では、図５の方法５００を使用して、図１～図３の基板（単数又は複数）を提供又は製造することができる。例えば、図５の方法を使用して、基板１０２を製造することができる。
いくつかの実装形態では、基板を製造することは、いくつかのプロセスを含む。図５は、基板を提供又は製造するための方法５００の例示的なフロー図を示す。いくつかの実装形態では、図５の方法５００を使用して、図１～図３の基板（単数又は複数）を提供又は製造することができる。例えば、図５の方法を使用して、基板１０２を製造することができる。
【0050】
図５の方法５００は、基板を提供又は製造するための方法を簡略化及び／又は明確化するために、１つ以上のプロセスを組み合わせることができる点に留意されたい。いくつかの実装形態では、プロセスの順序を変更又は修正することができる。
【0051】
方法は、（５０５において）第１のキャリア（例えば、４００）を提供する。異なる実装形態は、第１のキャリア４００のために異なる材料を使用し得る。第１のキャリア４００は、第１のシード層（例えば、４０１）を含み得る。第１のシード層４０１は、金属（例えば、銅）を含み得る。第１のキャリアは、基板、ガラス、石英、及び／又はキャリアテープを含み得る。図４Ａの段階１は、提供された第１のシード層を有する第１のキャリアの一例を図示及び説明する。
【0052】
方法は、（５１０において）第１のキャリア４００及び第１のシード層４０１の上に相互接続子を形成しパターニングする。金属層が、相互接続子を形成するためにパターニングされ得る。めっきプロセスを使用して、金属層及び相互接続子を形成することができる。いくつかの実装形態では、キャリア及びシード層は、金属層を含み得る。金属層は、シード層の上に配置され、金属層は、相互接続子（例えば、４０２）を形成するためにパターニングされ得る。図４Ａの段階１は、シード層及びキャリアの上の相互接続子の一例を図示及び説明する。
【0053】
方法は、（５１５において）第１のシード層４０１、第１のキャリア４００、及び相互接続子４０２の上に誘電体層４２０を形成する。堆積及び／又は積層プロセスを使用して、誘電体層４２０を形成することができる。誘電体層４２０は、ポリイミドを含み得る。誘電体層を形成することはまた、誘電体層４２０内に複数のキャビティ（例えば、４１０）を形成することも含み得る。複数のキャビティは、エッチングプロセス（例えば、フォトエッチング）又はレーザプロセスを使用して形成され得る。図４Ａの段階２及び３は、誘電体層と誘電体層内のキャビティとを形成することの一例を図示及び説明する。
【0054】
方法は、（５２０において）誘電体層内及びその上に相互接続子を形成する。例えば、相互接続子４１２を、誘電体層４２０内及びその上に形成することができる。めっきプロセスを使用して、相互接続子を形成することができる。相互接続子を形成することは、誘電体層の上及び／又は誘電体層内に、パターニングされた金属層を提供することを含み得る。相互接続子を形成することはまた、誘電体層のキャビティ内に相互接続子を形成することも含み得る。図４Ａの段階４は、誘電体層内及びその上に相互接続子を形成することの一例を図示及び説明する。いくつかの方法は、５１５及び５２０において説明したように、追加の相互接続子及び追加の誘電体層を反復的に提供及び／又は形成し得ることに留意されたい。
【0055】
方法は、（５２５において）第２のキャリア（例えば、４０６）を提供する。異なる実装形態は、第２のキャリア４０６のために異なる材料を使用し得る。第２のキャリアは、第２のシード層（例えば、４０７）を含み得る。第２のシード層４０７は、金属（例えば、銅）を含み得る。第２のキャリアは、基板、ガラス、石英、及び／又はキャリアテープを含み得る。方法はまた、（５２５において）第２のキャリア４０６及び第２のシード層４０７の上に相互接続子４０８を形成しパターニングし得る。金属層が、相互接続子を形成するためにパターニングされ得る。めっきプロセスを使用して、金属層及び相互接続子を形成することができる。図４Ｂの段階５は、第２のシード層及び相互接続子を有する第２のキャリアの一例を図示及び説明する。
【0056】
方法は、（５３０において）第２のキャリア４０６、第２のシード層４０７、相互接続子４０８、誘電体層４２２を、第１のキャリア４００、第１のシード層４０１、相互接続子４０２、及び誘電体層４２０に結合する。積層プロセスを使用して、第２のキャリア４０６、第２のシード層４０７、相互接続子４０８、及び誘電体層４２２を、第１のキャリア４００、第１のシード層４０１、相互接続子４０２、及び誘電体層４２０に結合することができる。図４Ｂの段階６及び図７は、１つのキャリアの相互接続子を別のキャリアの相互接続子に結合することの一例を図示及び説明する。
【0057】
方法は、（５３５において）第２のキャリア（例えば、４０６）を第２のシード層（例えば、４０７）から分離する。第２のキャリア４０６は、取り外され、及び／又は接地され得る。図４Ｂの段階８は、キャリア分離の一例を図示及び説明する。
【0058】
方法は、（５４０において）誘電体層内及び／又は誘電体層の上に相互接続子を形成する。例えば、相互接続子４１４を、誘電体層４２２内及び／又は誘電体層４２２の上に形成することができる。めっきプロセスを使用して、相互接続子を形成することができる。相互接続子を形成することは、誘電体層の上及び誘電体層内に、パターニングされた金属層を提供することを含み得る。相互接続子を形成することはまた、誘電体層のキャビティ内に相互接続子を形成することも含み得る。図４Ｃの段階９及び図１０は、誘電体層内及びその上に相互接続子を形成することの一例を図示及び説明する。
【0059】
方法は、（５４５において）第１のキャリア（例えば、４００）を第１のシード層（例えば、４０１）から分離する。第１のキャリア４００は、取り外され、及び／又は接地され得る。方法はまた、（５４５において）第１のシード層（例えば、４０１）の一部分及び第２のシード層（例えば、４０７）の一部分を除去し得る。エッチングプロセスを使用して、第１のシード層４０１の一部分及び第２のシード層４０７の一部分を除去することができる。図４Ｃの段階１１は、キャリア及びシード層を分離することの一例を図示及び説明する。
【0060】
いくつかの実装形態では、キャリア（単数又は複数）及びシード層（単数又は複数）の除去の後、方法は、基板の上にはんだレジスト層（例えば、１２４、１２６）を形成し得る。図４Ｃの段階１２は、はんだレジスト層を形成することの一例を図示及び説明する。
【0061】
異なる実装形態は、金属層（単数又は複数）を形成するために、異なるプロセスを使用し得る。いくつかの実装形態では、金属層（単数又は複数）を形成するための化学気相成長（ＣＶＤ）プロセス及び／又は物理気相成長（ＰＶＤ）プロセス。例えば、スパッタリングプロセス、スプレーコーティングプロセス、及び／又はめっきプロセスを使用して、金属層（単数又は複数）を形成することができる。
【0062】
高密度相互接続子を有する基板を備えるパッケージを製造するための例示的なシーケンス
いくつかの実装形態では、パッケージを製造することは、いくつかのプロセスを含む。図６Ａ～図６Ｂは、高密度相互接続子を有する基板を含むパッケージを提供又は製造するための例示的なシーケンスを示す。いくつかの実装形態では、図６Ａ及び図６Ｂのシーケンスを使用して、パッケージ１００を提供又は製造することができる。しかしながら、図６Ａ～図６Ｂのプロセスを使用して、本開示で説明するパッケージのいずれか（例えば、３００）を製造することができる。
いくつかの実装形態では、パッケージを製造することは、いくつかのプロセスを含む。図６Ａ～図６Ｂは、高密度相互接続子を有する基板を含むパッケージを提供又は製造するための例示的なシーケンスを示す。いくつかの実装形態では、図６Ａ及び図６Ｂのシーケンスを使用して、パッケージ１００を提供又は製造することができる。しかしながら、図６Ａ～図６Ｂのプロセスを使用して、本開示で説明するパッケージのいずれか（例えば、３００）を製造することができる。
【0063】
図６Ａ～図６Ｂのシーケンスは、パッケージを提供又は製造するためのシーケンスを簡略化及び／又は明確化するために、１つ以上の段階を組み合わせることができる点に留意されたい。いくつかの実装形態では、プロセスの順序を変更又は修正することができる。いくつかの実装形態では、本開示の範囲から逸脱することなく、プロセスのうちの１つ以上を交換又は置換することができる。
【0064】
段階１は、図６Ａに示すように、基板１０２が提供された後の状態を示す。基板１０２は、少なくとも１つの誘電体層１２０、複数の相互接続子１２２、はんだレジスト層１２４、及びはんだレジスト層１２６を含む。複数の相互接続子１２２は、複数の相互接続子１２２ａ、複数の相互接続子１２２ｂ、及び複数の相互接続子１２２ｃを含み得る。相互接続子のうちのいくつかは、高密度相互接続子を含み得る。例えば、図１～図３で説明したように、第１の複数の高密度相互接続子が、基板の第１の側に配置され得、第２の複数の高密度相互接続子が、基板の第２の側に配置され得る。異なる実装形態は、異なる数の金属層を有する異なる基板を使用し得る。基板１０２は、図４Ａ～図４Ｃで説明した方法を使用して製造され得る。
【0065】
段階２は、集積デバイス１０６が複数のはんだ相互接続子１６０、複数のピラー相互接続子１６２、及び／又は複数のはんだ相互接続子２６０を介して基板１０２に結合された後の状態を示す。はんだリフロープロセスを使用して、集積デバイス１０６を基板１０２に結合することができる。集積デバイス１０６は、基板１０２の第２の表面（例えば、底面）に結合され得る。図２は、集積デバイス１０６をどのように基板１０２に結合し得るかの一例を示す。異なる実装形態は、異なる構成要素及び／又はデバイスを基板１０２に結合し得る。
【0066】
段階３は、集積デバイス１０４が複数のはんだ相互接続子１４０、複数のピラー相互接続子１４２、及び／又は複数のはんだ相互接続子２４０を介して基板１０２に結合された後の状態を示す。はんだリフロープロセスを使用して、集積デバイス１０４を基板１０２に結合することができる。集積デバイス１０４は、基板１０２の第１の表面（例えば、上面）に結合され得る。図２は、集積デバイス１０４をどのように基板１０２に結合し得るかの一例を示す。異なる実装形態は、異なる構成要素及び／又はデバイスを基板１０２に結合し得る。
【0067】
段階４は、図６Ｂに示すように、カプセル化層１０８が、基板１０２の第１の表面の上に提供された（例えば、形成された）後の状態を示す。カプセル化層１０８は、集積デバイス１０４をカプセル化し得る。カプセル化層１０８は、型成形物、樹脂、及び／又はエポキシを含み得る。圧縮成形プロセス、トランスファー成形プロセス、又は液状成形プロセスを使用して、カプセル化層１０８を形成することができる。カプセル化層１０８は、フォトエッチング可能であり得る。カプセル化層１０８は、カプセル化のための手段であり得る。
【0068】
段階５は、複数のはんだ相互接続子１３０が、基板１０２に結合された後の状態を示す。はんだリフロープロセスを使用して、複数のはんだ相互接続子１３０を基板１０２に結合することができる。複数のはんだ相互接続子１３０は、複数の相互接続子１２２に結合され得る。
【0069】
本開示で説明するパッケージ（例えば、１００、３００）は、一度に１つ製造されてもよく、又は１つ以上のウェハの一部として一緒に製造され、次いで個別のパッケージに単一化されてもよい。
【0070】
高密度相互接続子を有する基板を備えるパッケージを製造するための方法の例示的なフロー図
いくつかの実装形態では、パッケージを製造することは、いくつかのプロセスを含む。図７は、高密度相互接続子を有する基板を備えるパッケージを提供又は製造するための方法７００の例示的なフロー図を示す。いくつかの実装形態では、図７の方法７００を使用して、本開示で説明するパッケージ１００を提供又は製造することができる。しかしながら、方法７００は、本開示で説明したパッケージ（例えば、３００）のいずれかを提供又は製造するために使用され得る。
いくつかの実装形態では、パッケージを製造することは、いくつかのプロセスを含む。図７は、高密度相互接続子を有する基板を備えるパッケージを提供又は製造するための方法７００の例示的なフロー図を示す。いくつかの実装形態では、図７の方法７００を使用して、本開示で説明するパッケージ１００を提供又は製造することができる。しかしながら、方法７００は、本開示で説明したパッケージ（例えば、３００）のいずれかを提供又は製造するために使用され得る。
【0071】
図７の方法は、パッケージを提供又は製造するためのシーケンスを簡略化及び／又は明確化するために、１つ以上のプロセスを組み合わせることができる点に留意されたい。いくつかの実装形態では、プロセスの順序を変更又は修正することができる。
【0072】
方法は、（７０５において）基板（例えば、１０２）を提供する。基板１０２は、供給元によって提供される場合もあれば、又は製造される場合もある。基板１０２は、少なくとも１つの誘電体層１２０、複数の相互接続子１２２、はんだレジスト層１２４、及びはんだレジスト層１２６を含む。複数の相互接続子１２２は、複数の相互接続子１２２ａ、複数の相互接続子１２２ｂ、及び複数の相互接続子１２２ｃを含み得る。相互接続子のうちのいくつかは、高密度相互接続子を含み得る。例えば、図１～図３で説明したように、第１の複数の高密度相互接続子が、基板の第１の側に配置され得、第２の複数の高密度相互接続子が、基板の第２の側に配置され得る。異なる実装形態は、基板１０２を製造するために、異なるプロセスを使用し得る。図４Ａ及び図４Ｃは、高密度相互接続子を有する基板を製造することの一例を図示及び説明する。図６Ａの段階１は、高密度相互接続子を有する基板を提供することの一例を図示及び説明する。
【0073】
方法は、（７１０において）集積デバイス（例えば、１０６）を基板１０２に結合する。例えば、集積デバイス１０６は、基板１０２の第２の表面（例えば、底面）に結合される。集積デバイス１０６は、複数のはんだ相互接続子１６０、複数のピラー相互接続子１６２及び／又は複数のはんだ相互接続子２６０を介して基板１０２に結合される。はんだリフロープロセスを使用して、集積デバイス１０６を基板１０２に結合することができる。図６Ａの段階２は、集積デバイスを基板に結合すること一例を図示及び説明する。
【0074】
方法は、（７１０において）集積デバイス（例えば、１０４）を基板１０２に結合する。例えば、集積デバイス１０４が、基板１０２の第１の表面（例えば、上面）に結合される。集積デバイス１０４は、複数のはんだ相互接続子１４０、複数のピラー相互接続子１４２及び／又は複数のはんだ相互接続子２４０を介して基板１０２に結合される。はんだリフロープロセスを使用して、集積デバイス１０４を基板１０２に結合することができる。図６Ａの段階３は、集積デバイスを基板に結合することの一例を図示及び説明する。
【0075】
方法は、（７１５において）基板（例えば、１０２）の第１の表面の上にカプセル化層（例えば、１０８）を形成する。カプセル化層１０８は、基板１０２及び集積デバイス１０４の上に及び／又はその周りに提供され、形成され得る。カプセル化層１０８は、型成形物、樹脂、及び／又はエポキシを含み得る。圧縮成形プロセス、トランスファー成形プロセス、又は液状成形プロセスを使用して、カプセル化層１０８を形成することができる。カプセル化層１０８は、フォトエッチング可能であり得る。カプセル化層１０８は、カプセル化のための手段であり得る。図６Ｂの段階４は、カプセル化層を形成することの一例図示及び説明する。
【0076】
方法は、（７２０において）複数のはんだ相互接続子（例えば、１３０）を基板１０２に結合する。はんだリフロープロセスを使用して、複数のはんだ相互接続子１３０を基板１０２に結合することができる。図６Ｂの段階５は、はんだ相互接続子を基板に結合することの一例を図示及び説明する。
【0077】
本開示で説明するパッケージ（例えば、１００、３００）は、一度に１つ製造されてもよく、又は１つ以上のウェハの一部として一緒に製造され、次いで個別のパッケージに単一化されてもよい。
【0078】
例示的な電子デバイス
図８は、前述のデバイス、集積デバイス、集積回路（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔ；ＩＣ）パッケージ、集積回路（ＩＣ）デバイス、半導体デバイス、集積回路、ダイ、インターポーザ、パッケージ、パッケージオンパッケージ（ｐａｃｋａｇｅ－ｏｎ－ｐａｃｋａｇｅ；ＰｏＰ）、システムインパッケージ（ＳｙｓｔｅｍｉｎＰａｃｋａｇｅ；ＳｉＰ）、又はシステムオンチップ（ＳｙｓｔｅｍｏｎＣｈｉｐ；ＳｏＣ）のいずれかと統合され得る、様々な電子デバイスを示す。例えば、携帯電話デバイス８０２、ラップトップコンピュータデバイス８０４、固定位置端末デバイス８０６、ウェアラブルデバイス８０８、又は自動車両８１０は、本明細書で説明したようなデバイス８００を含み得る。デバイス８００は、例えば、本明細書で説明するデバイス及び／又は集積回路（ＩＣ）パッケージのいずれかであり得る。図８に示されるデバイス８０２、８０４、８０６、及び８０８、並びに車両８１０は、単に例示的なものに過ぎない。他の電子デバイスもまた、デバイス８００を特徴とし得るものであり、それらの電子デバイスとしては、限定するものではないが、モバイルデバイス、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ｐｅｒｓｏｎａｌｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓｙｓｔｅｍ；ＰＣＳ）ユニット、携帯情報端末などのポータブルデータユニット、全地球測位システム（ｇｌｏｂａｌｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇｓｙｓｔｅｍ；ＧＰＳ）対応デバイス、ナビゲーションデバイス、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、メータ読み取り機器などの固定位置データユニット、通信デバイス、スマートフォン、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス（例えば、時計、眼鏡）、モノのインターネット（Ｉｎｔｅｒｎｅｔｏｆｔｈｉｎｇｓ；ＩｏＴ）デバイス、サーバ、ルータ、自動車両（例えば、自律走行車）内に実装されている電子デバイス、又は、データ若しくはコンピュータ命令を記憶するか若しくは取り出す任意の他のデバイス、あるいはこれらの任意の組み合わせを含む、デバイス（例えば、電子デバイス）の群が挙げられる。
図８は、前述のデバイス、集積デバイス、集積回路（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔ；ＩＣ）パッケージ、集積回路（ＩＣ）デバイス、半導体デバイス、集積回路、ダイ、インターポーザ、パッケージ、パッケージオンパッケージ（ｐａｃｋａｇｅ－ｏｎ－ｐａｃｋａｇｅ；ＰｏＰ）、システムインパッケージ（ＳｙｓｔｅｍｉｎＰａｃｋａｇｅ；ＳｉＰ）、又はシステムオンチップ（ＳｙｓｔｅｍｏｎＣｈｉｐ；ＳｏＣ）のいずれかと統合され得る、様々な電子デバイスを示す。例えば、携帯電話デバイス８０２、ラップトップコンピュータデバイス８０４、固定位置端末デバイス８０６、ウェアラブルデバイス８０８、又は自動車両８１０は、本明細書で説明したようなデバイス８００を含み得る。デバイス８００は、例えば、本明細書で説明するデバイス及び／又は集積回路（ＩＣ）パッケージのいずれかであり得る。図８に示されるデバイス８０２、８０４、８０６、及び８０８、並びに車両８１０は、単に例示的なものに過ぎない。他の電子デバイスもまた、デバイス８００を特徴とし得るものであり、それらの電子デバイスとしては、限定するものではないが、モバイルデバイス、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ｐｅｒｓｏｎａｌｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓｙｓｔｅｍ；ＰＣＳ）ユニット、携帯情報端末などのポータブルデータユニット、全地球測位システム（ｇｌｏｂａｌｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇｓｙｓｔｅｍ；ＧＰＳ）対応デバイス、ナビゲーションデバイス、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、メータ読み取り機器などの固定位置データユニット、通信デバイス、スマートフォン、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス（例えば、時計、眼鏡）、モノのインターネット（Ｉｎｔｅｒｎｅｔｏｆｔｈｉｎｇｓ；ＩｏＴ）デバイス、サーバ、ルータ、自動車両（例えば、自律走行車）内に実装されている電子デバイス、又は、データ若しくはコンピュータ命令を記憶するか若しくは取り出す任意の他のデバイス、あるいはこれらの任意の組み合わせを含む、デバイス（例えば、電子デバイス）の群が挙げられる。
【0079】
図１～図３、図４Ａ～図４Ｃ、図５、図６Ａ～図６Ｂ、及び／又は図７及び図８に示される構成要素、プロセス、特徴、及び／又は機能のうちの１つ以上は、単一の構成要素、プロセス、特徴又は機能に再構成され、及び／又は組み合わせられるか、あるいはいくつかの構成要素、プロセス、又は機能において実施され得る。追加的な要素、構成要素、プロセス、及び／又は機能もまた、本開示から逸脱することなく追加することができる。また、本開示における図１～図３、図４Ａ～図４Ｃ、図５、図６Ａ～図６Ｂ、及び／又は図７及び図８、並びにそれの対応する説明は、ダイ及び／又はＩＣに限定されないことに留意されたい。いくつかの実装形態では、図１～図３、図４Ａ～図４Ｃ、図５、図６Ａ及び図６Ｂ、及び／又は図７及び図８、並びに対応する説明は、デバイス及び／又は集積デバイスを製造、作成、提供、及び／又は生成するために使用され得る。いくつかの実装形態では、デバイスは、ダイ、集積デバイス、集積受動デバイス（ＩＰＤ）、ダイパッケージ、集積回路（ＩＣ）デバイス、デバイスパッケージ、集積回路（ＩＣ）パッケージ、ウェハ、半導体デバイス、パッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）デバイス、放熱デバイス、及び／又はインターポーザを含み得る。
【0080】
本開示における図は、様々な部品、構成要素、物体、デバイス、パッケージ、集積デバイス、集積回路、及び／又はトランジスタの、実際の表現及び／又は概念的表現を表し得る点に留意されたい。いくつかの事例では、図は、正確な縮尺ではない場合がある。いくつかの事例では、明瞭化の目的のために、全ての構成要素及び／又は部品が示されてはいない場合もある。いくつかの事例では、図中の様々な部品及び／又は構成要素の、位置、場所、サイズ、及び／又は形状は、例示的なものであり得る。いくつかの実装形態では、図中の様々な構成要素及び／又は部品は、任意選択的なものであり得る。
【0081】
「例示的（ｅｘｅｍｐｌａｒｙ）」という語は、「例、事例、又は例示としての役割を果たすこと」を意味するために本明細書で使用される。「例示的」として本明細書で説明されている、いずれの実装形態又は態様も、必ずしも本開示の他の態様よりも好ましいか又は有利であるとして解釈されるべきではない。同様に、「態様」という用語は、本開示の全ての態様が、説明した特徴、利点、又は動作モードを含むことを必要とするとは限らない。「結合されている」という用語は、本明細書では、２つの物体間の直接的又は間接的な結合（例えば、機械的結合）を指すために使用されている。例えば、物体Ａが物体Ｂに物理的に接触しており、物体Ｂが物体Ｃに接触している場合には、物体Ａと物体Ｃとは、それらが互いに物理的に直接接触していない場合であっても、依然として互いに結合されていると見なすことができる。物体Ｂに結合される物体Ａは、物体Ｂの少なくとも一部に結合され得る。「電気的に結合される」という用語は、電流（例えば、信号、電力、接地）が２つの物体間を移動し得るように、２つの物体が一緒に直接的又は間接的に結合されることを意味し得る。電気的に結合されている２つの物体は、それら２つの物体の間に電流を伝播させる場合もあれば、又は伝播させない場合もある。用語「第１」、「第２」、「第３」、及び「第４」（及び／又は、第４を上回るいずれかのもの）の使用は、恣意的なものである。説明されている構成要素のうちのいずれも、第１の構成要素、第２の構成要素、第３の構成要素、又は第４の構成要素とすることができる。例えば、第２の構成要素と称されている構成要素は、第１の構成要素、第２の構成要素、第３の構成要素、又は第４の構成要素とすることもできる。「カプセル化する」、「カプセル化すること」という用語、及び／又はその派生語は、物体が別の物体を部分的にカプセル化する、又は完全にカプセル化し得ることを意味する。「上部（ｔｏｐ）」及び「底部（ｂｏｔｔｏｍ）」という用語は、恣意的なものである。上部に配置されている構成要素は、底部に配置されている構成要素の上に配置されている場合がある。上部の構成要素が底部の構成要素と見なされる場合もあり、その逆も同様である。本開示で説明したように、第２の構成要素「の上に（ｏｖｅｒ）」配置されている第１の構成要素とは、どのように底部又は上部が恣意的に定義されているかに応じて、その第１の構成要素が、第２の構成要素の上方に配置されていること又は下方に配置されていることを意味し得る。別の実施例では、第１の構成要素は、第２の構成要素の第１の表面の上に（例えば、上方に）配置されている場合があり、第３の構成要素は、第２の構成要素の第２の表面の上に（例えば、下方に）配置されている場合があり、この場合、第２の表面は、第１の表面の反対側にある。ある１つの構成要素が別の構成要素の上に配置されている文脈において、本出願で使用する場合、「の上に」という用語は、別の構成要素上に、及び／又は別の構成要素内に存在している（例えば、構成要素の表面上に存在しているか、又は構成要素内に埋め込まれている）構成要素を意味するために使用することができる点に更に留意されたい。それゆえ、例えば、第２の構成要素の上に存在している第１の構成要素とは、（１）第１の構成要素が第２の構成要素の上に存在しているが、第２の構成要素には直接接触していないこと、（２）第１の構成要素が第２の構成要素上に（例えば、第２の構成要素の表面上に）存在していること、及び／又は（３）第１の構成要素が第２の構成要素内に存在している（例えば、第２の構成要素内に埋め込まれている）ことを意味し得る。第２の構成要素「内に（ｉｎ）」配置されている第１の構成要素は、第２の構成要素内に部分的に配置されている場合もあれば、又は、第２の構成要素内に完全に配置されている場合もある。約Ｘ～ＸＸである値は、Ｘ及びＸＸを含む、ＸとＸＸとの間の値を意味し得る。ＸとＸＸとの間の値（単数又は複数）は、離散的であってもよく、連続的であってもよい。本開示で使用する場合、「約（ａｂｏｕｔ）値Ｘ」又は「およそ（ａｐｐｒｏｘｉｍａｔｅｌｙ）値Ｘ」という用語は、「値Ｘ」の１０パーセントの範囲内を意味する。例えば、約１又はおよそ１の値とは、０．９～１．１の範囲の値を意味することになる。
【0082】
いくつかの実装形態では、相互接続子とは、２つの点、要素、及び／又は構成要素間の電気的接続を可能にするか若しくは容易にする、デバイス又はパッケージの要素若しくは構成要素である。いくつかの実装形態では、相互接続子は、トレース（例えば、トレース相互接続子）、ビア（例えば、ビア相互接続子）、パッド（例えば、パッド相互接続子）、ピラー、メタライゼーション層、再配線層、及び／又はアンダーバンプメタライゼーション（ｕｎｄｅｒ ｂｕｍｐ ｍｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ；ＵＢＭ）層／相互接続子を含み得る。いくつかの実装形態では、相互接続子は、信号（例えば、データ信号）、接地、及び／又は電力に関する、電気経路を提供するように構成することが可能な、導電性材料を含み得る。相互接続子は、２つ以上の要素又は構成要素を含み得る。相互接続子は、１つ以上の相互接続子によって定義することができる。１つ以上のインターフェースが相互接続子間にあってもよく、又はなくてもよい。相互接続子は、１つ以上の金属層を含み得る。相互接続子は、回路の一部とすることができる。異なる実装形態は、相互接続子を形成するために、異なるプロセス及び／又はシーケンスを使用し得る。いくつかの実装形態では、化学気相成長（ＣＶＤ）プロセス、物理気相成長（ＰＶＤ）プロセス、スパッタリングプロセス、スプレー塗布、及び／又はめっきプロセスを使用して、相互接続子を形成することができる。１つ以上の相互接続子を形成するプロセスは、スミア除去、マスキング、マスク除去、及び／又はエッチングを含み得る。
【0083】
また、本明細書に含まれている様々な開示は、フローチャート、フロー図、構造図、又はブロック図として示されているプロセスとして、説明される場合がある点にも留意されたい。フローチャートは、動作を逐次プロセスとして説明することがあるが、動作の多くは並列に又は同時に実行することができる。加えて、工程の順序は並べ替えられてもよい。プロセスは、その動作が完了すると終了する。
【0084】
以下では、さらなる例が、本発明の理解を容易にするために説明される。
態様１：基板と、基板の第１の表面に結合された第１の集積デバイスと、基板の第２の表面に結合された第２の集積デバイスとを備える、パッケージ。基板は、少なくとも１つの誘電体層と、少なくとも１つの誘電体層内に少なくとも１つの誘電体層の第１の表面を通して配置された第１の複数の相互接続子と、少なくとも１つの誘電体層内に少なくとも１つの誘電体層の第２の表面を通して配置された第２の複数の相互接続子とを備える。第１の複数の相互接続子は、第１の幅及び第１の間隔を含む。第２の複数の相互接続子は、第２の幅及び第２の間隔を含む。基板は、少なくとも１つの誘電体層内に配置された第３の複数の相互接続子を含む。第３の複数の相互接続子は、第１の幅及び第２の幅よりも大きな第３の幅を含む。第３の複数の相互接続子は、第１の間隔及び第２の間隔よりも大きな第３の間隔を含む。
態様１：基板と、基板の第１の表面に結合された第１の集積デバイスと、基板の第２の表面に結合された第２の集積デバイスとを備える、パッケージ。基板は、少なくとも１つの誘電体層と、少なくとも１つの誘電体層内に少なくとも１つの誘電体層の第１の表面を通して配置された第１の複数の相互接続子と、少なくとも１つの誘電体層内に少なくとも１つの誘電体層の第２の表面を通して配置された第２の複数の相互接続子とを備える。第１の複数の相互接続子は、第１の幅及び第１の間隔を含む。第２の複数の相互接続子は、第２の幅及び第２の間隔を含む。基板は、少なくとも１つの誘電体層内に配置された第３の複数の相互接続子を含む。第３の複数の相互接続子は、第１の幅及び第２の幅よりも大きな第３の幅を含む。第３の複数の相互接続子は、第１の間隔及び第２の間隔よりも大きな第３の間隔を含む。
【0085】
態様２：第１の集積デバイスが、第１の複数の相互接続子に結合され、第２の集積デバイスが、第２の複数の相互接続子に結合される、態様１のパッケージ。
【0086】
態様３：第１の複数の相互接続子が、基板の第１の金属層上に配置され、第２の複数の相互接続子が、基板の最後の金属層に隣接する金属層上に配置される、態様１～２のパッケージ。
【0087】
態様４：第１の複数の相互接続子が、少なくとも１つの誘電体層内の第１の金属層上に配置され、第２の複数の相互接続子が、少なくとも１つの誘電体層に埋め込まれた最後の金属層上に配置される、態様１及び２のパッケージ。
【0088】
態様５：基板が、少なくとも１つの誘電体層の第１の表面の上に配置された第４の複数の相互接続子を含む、態様１～４のパッケージ。いくつかの実装形態では、複数の相互接続子のうち１つの高密度相互接続子が、少なくとも１つの誘電体層から離れる方を向いた相互接続面を有し得、相互接続面は、少なくとも１つの誘電体層の方を向いた、複数の相互接続子のうち１つの相互接続子の別の相互接続面と共に平面に位置し、相互接続子は、少なくとも１つの誘電体層の第１の表面の上に配置される。
【0089】
態様６：基板が、少なくとも１つの誘電体層の第２の表面の上に配置された第４の複数の相互接続子を含む、態様１～４のパッケージ。いくつかの実装形態では、複数の相互接続子のうち１つの高密度相互接続子が、少なくとも１つの誘電体層から離れる方を向いた相互接続面を有し得、相互接続面は、少なくとも１つの誘電体層の方を向いた、複数の相互接続子のうち１つの相互接続子の別の相互接続面と共に平面に位置し、相互接続子は、少なくとも１つの誘電体層の第２の表面の上に配置される。
【0090】
態様７：第１の複数の相互接続子が、約３～４マイクロメートルの第１の最小幅及び／又は約３～４マイクロメートルの第１の最小間隔を含み、第２の複数の相互接続子が、約３～４マイクロメートルの第２の最小幅及び／又は約３～４マイクロメートルの第２の最小間隔を含む、態様１～６のパッケージ。
【0091】
態様８：第１の幅が、約３～４マイクロメートル以上であり、かつ／又は第１の間隔が、約３～４マイクロメートル以上であり、第２の幅が、約３～４マイクロメートル以上であり、かつ／又は第２の間隔が、約３～４マイクロメートル以上である、態様１～７のパッケージ。
【0092】
態様９：第１の集積デバイスが、第１の複数のはんだ相互接続子及び／又は第１の複数のピラー相互接続子を介して第１の複数の相互接続子に結合される、態様１～８のパッケージ。
【0093】
態様１０：第２の集積デバイスが、第２の複数のはんだ相互接続子及び／又は第２の複数のピラー相互接続子を介して第２の複数の相互接続子に結合される、態様９のパッケージ。
【0094】
態様１１：基板と、基板の第１の表面に結合された第１の集積デバイスと、基板の第２の表面に結合された第２の集積デバイスとを備える、装置。基板は、少なくとも１つの誘電体層と、少なくとも１つの誘電体層内に少なくとも１つの誘電体層の第１の表面を通して配置された第１の高密度相互接続のための手段と、少なくとも１つの誘電体層内に少なくとも１つの誘電体層の第２の表面を通して配置された第２の高密度相互接続のための手段とを含む。
【0095】
態様１２：第１の集積デバイスが、第１の高密度相互接続のための手段に結合され、第２の集積デバイスが、第２の高密度相互接続のための手段に結合される、態様１１の装置。
【0096】
態様１３：第１の高密度相互接続のための手段が、基板の第１の金属層上に配置され、第２の高密度相互接続のための手段が、基板の最後の金属層に隣接する金属層上に配置される、態様１１～１２の装置。
【0097】
態様１４：第１の高密度相互接続のための手段が、少なくとも１つの誘電体層内の第１の金属層上に配置され、第２の高密度相互接続のための手段が、少なくとも１つの誘電体層に埋め込まれた最後の金属層上に配置される、態様１１～１２の装置。
【0098】
態様１５：基板が、少なくとも１つの誘電体層の第１の表面の上に配置された相互接続のための手段を含む、態様１１～１４の装置。
【0099】
態様１６：基板が、少なくとも１つの誘電体層の第２の表面の上に配置された相互接続のための手段を含む、態様１１～１４の装置。
【0100】
態様１７：第１の高密度相互接続のための手段が、約３～４マイクロメートルの第１の最小幅及び／又は約３～４マイクロメートルの第１の最小間隔を有する相互接続子を含み、第２の高密度相互接続のための手段が、約３～４マイクロメートルの第２の最小幅及び／又は約３～４マイクロメートルの第２の最小間隔を有する相互接続子を含む、態様１１～１６の装置。
【0101】
態様１８：第１の高密度相互接続のための手段が、約３～４マイクロメートル以上の第１の幅及び／又は約３～４マイクロメートル以上の第１の間隔を有する相互接続子を含み、第２の高密度相互接続のための手段が、約３～４マイクロメートル以上の第２の幅及び／又は約３～４マイクロメートル以上の第２の間隔を有する相互接続子を含む、態様１１～１７の装置。
【0102】
態様１９：第１の集積デバイスが、第１のはんだ相互接続のための手段及び／又は第１のピラー相互接続のための手段を介して第１の高密度相互接続のための手段に結合され、第２の集積デバイスが、第２のはんだ相互接続のための手段及び／又は第２のピラー相互接続のための手段を介して第２の高密度相互接続のための手段に結合される、態様１１～１８の装置。
【0103】
態様２０：装置が、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、固定位置端末、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、モノのインターネット（ＩｏＴ）デバイス、及び自動車両内のデバイスからなる群から選択されるデバイスを含む、態様１１～１９の装置。
【0104】
態様２１：基板を製造するための方法。方法は、第１のシード層を備える第１のキャリアを提供する。方法は、第１のシード層の上に第１の複数の高密度相互接続子を形成する。方法は、第１の複数の高密度相互接続子の上に第１の誘電体層を形成する。方法は、第１の誘電体層内及び／又はその上に複数の相互接続子を形成する。方法は、第２のシード層を備える第２のキャリアを提供する。方法は、第２のシード層の上に第２の複数の高密度相互接続子を形成する。方法は、第２のシード層及び第２の複数の高密度相互接続子を備える第２のキャリアを、第２の誘電体層を介して、第１のシード層、第１の複数の高密度相互接続子、第１の誘電体層、及び複数の相互接続子を備える第１のキャリアに結合する。方法は、第２のキャリア及び第１のキャリアを分離する。方法は、第１のシード層の一部分及び第２のシード層の一部分を除去する。
【0105】
態様２２：第２のキャリアを分離した後に、方法は、第２の誘電体層内及びその上に第２の複数の相互接続子を形成する、態様２１の方法。
【0106】
態様２３：第２の複数の相互接続子の上にはんだレジスト層を更に形成する、態様２１～２２の方法。
【0107】
態様２４：基板と、基板の第１の表面に結合された第１の集積デバイスとを備える、パッケージ。基板は、（ｉ）少なくとも１つの誘電体層と、（ｉｉ）少なくとも１つの誘電体層内に配置された第１の複数の相互接続子であって、第１の複数の相互接続子は、少なくとも１つの誘電体層の第１の表面を通して配置され、第１の複数の相互接続子は、少なくとも１つの誘電体層の第１の表面を通して配置された第１の相互接続子を備え、第１の相互接続子が、第１の相互接続面を備える、第１の複数の相互接続子と、（ｉｉｉ）少なくとも１つの誘電体層の第１の表面の上に配置された第２の複数の相互接続子であって、第２の複数の相互接続子は、少なくとも１つの誘電体層の第１の表面の上に配置された第２の相互接続子を備え、第２の相互接続子が、第１の相互接続面に対して平坦である第２の相互接続面を有する、第２の相互接続子とを含む。
【0108】
態様２５：第１の複数の相互接続子が、第１の複数の高密度相互接続子を含み、第１の相互接続子が、第１の高密度相互接続子を含み、第１の高密度相互接続子が、第２の相互接続子の第２の幅よりも小さな第１の幅を有し、第１の高密度相互接続子が、第２の相互接続子の第２の間隔よりも小さな第１の間隔を有する、態様２４のパッケージ。
【0109】
態様２６：基板が、少なくとも１つの誘電体層内に配置された第３の複数の相互接続子を備え、第３の複数の相互接続子は、少なくとも１つの誘電体層の第２の表面を通して配置される、態様２４及び２５のパッケージ。
【0110】
態様２７：基板の第２の表面に結合された第２の集積デバイスを更に備える、態様２６のパッケージ。
【0111】
態様２８：第３の複数の相互接続子が、第３の複数の高密度相互接続子を含み、第３の複数の高密度相互接続子が、第３の高密度相互接続子を含み、第３の高密度相互接続子が、第２の相互接続子の第２の幅よりも小さな第３の幅を有し、第３の高密度相互接続子が、第２の相互接続子の第２の間隔よりも小さな第３の間隔を有する、態様２６及び２７のパッケージ。
【0112】
態様２９：第１の表面が上面であり、第２の表面が底面である、態様２６～２８のパッケージ。
【0113】
態様３０：第１の表面が底面であり、第２の表面が上面である、態様２６～２８のパッケージ。
【0114】
本明細書で説明されている本開示の様々な特徴は、本開示から逸脱することなく、異なるシステムにおいて実装することができる。本開示の上記の態様は、単なる例に過ぎず、本開示を限定するものとして解釈されるべきではない点に留意されたい。本開示の諸態様の説明は、例示的であることが意図されており、特許請求の範囲を限定することを意図するものではない。それゆえ、本教示は、他のタイプの装置に容易に適用することができ、当業者には、多くの代替形態、修正形態、及び変形形態が明らかとなるであろう。
【符号の説明】
【0115】
１００、３００ パッケージ
１０２ 基板
１０４、１０６ 集積デバイス
１０８ カプセル化層
１２０、４２０、４２２ 誘電体層
１２２、４０２、４０８、４１２、４１４ 相互接続子
１２４、１２６ はんだレジスト層
１３０、１４０、１６０、２４０、２６０ はんだ相互接続子
１４２、１６２ ピラー相互接続子
４１０、４３０ キャビティ
１０２ 基板
１０４、１０６ 集積デバイス
１０８ カプセル化層
１２０、４２０、４２２ 誘電体層
１２２、４０２、４０８、４１２、４１４ 相互接続子
１２４、１２６ はんだレジスト層
１３０、１４０、１６０、２４０、２６０ はんだ相互接続子
１４２、１６２ ピラー相互接続子
４１０、４３０ キャビティ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図7】
【図8】
【国際調査報告】