(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-09-12
(54)【発明の名称】フィールド機器境界面のシールおよび電気絶縁
(51)【国際特許分類】
G01L 19/06 20060101AFI20240905BHJP
【ＦＩ】
G01L19/06 Z
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024518557
(86)(22)【出願日】2022-05-12
(85)【翻訳文提出日】2024-03-22
(86)【国際出願番号】 US2022028949
(87)【国際公開番号】W WO2023048774
(87)【国際公開日】2023-03-30
(31)【優先権主張番号】17/486,141
(32)【優先日】2021-09-27
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】597115727
【氏名又は名称】ローズマウント インコーポレイテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100092772
【弁理士】
【氏名又は名称】阪本 清孝
(74)【代理人】
【識別番号】100119688
【弁理士】
【氏名又は名称】田邉 壽二
(72)【発明者】
【氏名】ワグナー，アンドリュー，ジョン
(72)【発明者】
【氏名】ホルム，ヤコブ，ダニエル
(72)【発明者】
【氏名】ジョーンズ，シドニィ，ジェーン
【テーマコード（参考）】
2F055
【Ｆターム（参考）】
2F055AA40
2F055BB05
2F055CC60
2F055DD20
2F055EE40
2F055FF38
2F055GG25
2F055HH11
(57)【要約】
【解決手段】工業プロセスフィールド機器（１０２）は、圧力センサ（１２６）と、圧力センサを収容するハウジング（１４４）とを含む。ハウジング（１４４）はベース境界面（１５０）および第１ベースプロセス開口部を有するベース（１４６）を含む。フランジ（１５５）はベース（１４６）に装着されて、第１フランジプロセス開口部を有するフランジ境界面（１５２）を含む。第１フランジプロセス開口部の圧力（１２６）は第１ベースプロセス開口部を通して圧力センサ（１２６）に伝えられる。ガスケット（１１５）の第１ガスケットプロセス開口部（１７０）は、第１ベースプロセス開口部および第１フランジプロセス開口部に整列される。ガスケット（１１５）の第１表面がベース境界面（１５０）に係合し、ガスケット（１１５）の第２表面がフランジ境界面（１５２）に係合する。誘電体絶縁システム（１２０）は、フランジ（１５５）を通して伝導される電流からハウジング（１１４）を絶縁する少なくとも１つの誘電体層（１８４）を含む。各誘電体層（１８４）は、セラミック材料の層、陽極酸化層、またはプラスチックオーバーモールドを含む。
【選択図】 図１２
【選択図】 図１２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
フィールド機器アセンブリであって、圧力センサ、および
前記圧力センサを収容し、
第１ベースプロセス開口部を有するベース境界面を含む
ベースを備えるハウジング、
を備える工業プロセスフィールド機器と、
前記ハウジングの前記ベースに装着されて、第１フランジプロセス開口部を有するフランジ境界面を含み、前記第１フランジプロセス開口部の圧力が前記第１ベースプロセス開口部を通って前記圧力センサに伝えられる、フランジと、
前記第１ベースプロセス開口部および前記第１フランジプロセス開口部と整列される第１ガスケットプロセス開口部、前記ベース境界面と係合する第１表面、および前記第１表面とは反対側で前記フランジ境界面に係合する第２表面を含む、ガスケットと、
前記フランジを通って伝導される電流から前記ハウジングを絶縁する少なくとも１つの誘電体層を含み、前記少なくとも１つの誘電体層の各々が、
セラミック材料の層、および／または
陽極酸化層を含む、誘電体絶縁システムと、を備える
フィールド機器アセンブリ。
【請求項2】
前記少なくとも１つの誘電体層のうちの１つは金属表面上に前記セラミック材料の層を含む、請求項１に記載のフィールド機器アセンブリ。
【請求項3】
前記少なくとも１つの誘電体層のうちの１つはプラスチック材料でオーバーモールドされた前記セラミック材料の層を含む、請求項１に記載のフィールド機器アセンブリ。
【請求項4】
前記少なくとも１つの誘電体層のうちの１つは前記陽極酸化層を含む、請求項１に記載のフィールド機器アセンブリ。
【請求項5】
前記ガスケットは、金属表面上に前記セラミック材料の層を形成するセラミックコーティングを有する金属体を含む、請求項２に記載のフィールド機器アセンブリ。
【請求項6】
前記ガスケットは、前記陽極酸化層を含む外面を有する金属体を含む、請求項１に記載のフィールド機器アセンブリ。
【請求項7】
前記ベース境界面が第２ベースプロセス開口部を含み、前記フランジ境界面が第２フランジプロセス開口部を含み、
前記第２フランジプロセス開口部の圧力は、前記第２ベースプロセス開口部を通って、第２圧力検知ライン経由で前記圧力センサに伝えられ、
前記ガスケットは前記第２ベースプロセス開口部および前記第２フランジプロセス開口部と整列される第２ガスケットプロセス開口部を含み、
前記ガスケットは前記少なくとも１つの誘電体層のうちの１つを含む、
請求項１に記載のフィールド機器アセンブリ。
【請求項8】
前記アセンブリは複数のボルトおよび複数のボルトスペーサを含み、各ボルトが前記ベースおよび前記フランジを貫通し、さらに前記ボルトを前記ベースまたは前記フランジから分離する前記ボルトスペーサの１つを通って延びており、
前記ボルトスペーサの各々は前記少なくとも１つの誘電体層のうちの１つを含む、
請求項１に記載のフィールド機器アセンブリ。
【請求項9】
前記複数のボルトスペーサの各々は、前記セラミック材料の層を形成するセラミック材料から作られる一部分を含む、請求項８に記載のフィールド機器アセンブリ。
【請求項10】
前記ボルトスペーサの各々は、前記ベースまたは前記フランジの対応する孔内に受け入れられるように構成されるスリーブ部と、前記スリーブ部の端部に装着される肩部とを含み、前記肩部が前記スリーブ部の外径よりも大きい直径を有し、セラミック材料から作られる前記部分を含む、請求項９に記載のフィールド機器アセンブリ。
【請求項11】
セラミック材料から作られる前記ボルトスペーサの各々の前記部分はプラスチック材料でオーバーモールドされている、請求項１０に記載のフィールド機器アセンブリ。
【請求項12】
前記複数のボルトスペーサの各々は前記セラミック材料の層で被覆された金属体を含み、これが前記少なくとも１つの誘電体層のうちの１つを形成する、請求項８に記載のフィールド機器アセンブリ。
【請求項13】
前記複数のボルトスペーサの各々は前記陽極酸化層を含む外面を有する金属体を含み、これが前記少なくとも１つの誘電体層のうちの１つを形成する、請求項８に記載のフィールド機器アセンブリ。
【請求項14】
前記ベース境界面の表面および／または前記フランジ境界面の表面は前記セラミック材料の層を含み、これが前記少なくとも１つの誘電体層のうちの１つを形成する、請求項１に記載のフィールド機器アセンブリ。
【請求項15】
前記ベース境界面の表面および／または前記フランジ境界面の表面は前記陽極酸化層を含む外面を有する金属体を含み、これが前記少なくとも１つの誘電体層のうちの１つを形成する、請求項１に記載のフィールド機器アセンブリ。
【請求項16】
ガスケットを含む誘電体絶縁システムであって、金属体と、
誘電体層と、を備えており、前記誘電体層が、
前記金属体の外面上のセラミックコーティング、
前記金属体の陽極酸化外面、および
プラスチックでオーバーモールドされた金属、のうちの１つを備える、
誘電体絶縁システム。
【請求項17】
前記誘電体層は前記金属体の前記外面上の前記セラミックコーティングを含む、請求項１６に記載のシステム。
【請求項18】
前記誘電体層は前記金属体の前記陽極酸化外面を含む、請求項１６に記載のシステム。
【請求項19】
前記陽極酸化外面は前記金属体の前記外面上の陽極層を含む、請求項１８に記載のシステム。
【請求項20】
ボルトスペーサを含む誘電体絶縁システムであって、スリーブ部と、
前記スリーブ部の端部に装着されて、前記スリーブ部の外径よりも大きい直径を有する肩部と、
前記スリーブ部および前記肩部がセラミック体を含む、セラミック体、
前記肩部がプラスチック材料でオーバーモールドされたセラミック材料を含む、プラスチック材料でオーバーモールドされたセラミック材料、
前記スリーブ部および前記肩部が金属体を含む、陽極酸化外面を有する金属体、
前記スリーブ部および前記肩部が金属体を含む、金属体の外面上にセラミックコーティングを有する金属体、
前記肩部がプラスチック材料でオーバーモールドされた金属体を含む、プラスチック材料でオーバーモールドされた金属体、および、
前記スリーブ部および前記肩部がプラスチック材料でオーバーモールドされた金属体を含む、プラスチック材料でオーバーモールドされた金属体、
のうちの１つを含む誘電体層と、を備える、
誘電体絶縁システム。
【請求項21】
前記誘電体層は前記セラミック体を含む、請求項２０に記載のシステム。
【請求項22】
前記誘電体層はプラスチック材料でオーバーモールドされた前記セラミック材料を含む、請求項２０に記載のシステム。
【請求項23】
前記誘電体層は前記陽極酸化外面を有する前記金属体を含む、請求項２０に記載のシステム。
【請求項24】
前記誘電体層は前記外面上に前記セラミックコーティングを有する前記金属体を含む、請求項２０に記載のシステム。
【請求項25】
前記誘電体層は前記プラスチック材料でオーバーモールドされた前記金属体を含む、請求項２０に記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示の実施形態は工業プラントの工業プロセス制御システムに関する。より具体的には、本開示の実施形態は、例えば、プロセス境界面を通して伝導される陰極防食法の電流からフィールド機器の電子機器を保護するために、工業プロセスフィールド機器に誘電体絶縁を施すことに関する。
【背景技術】
【0002】
工業環境では、工業プロセスおよび化学プロセスの在庫、および同様なものをモニタリングして制御するために、制御システムが使用される。典型的には、制御システムは、工業プロセスの重要な場所で分散させてプロセス制御ループによって制御システム内の制御回路部に結合される工業プロセスフィールド機器を使用して、これらの機能を行う。「フィールド機器」という用語は、現在公知であるかこれから公知になるすべての機器を含め、工業プロセスの測定、制御および／またはモニタリングで使用される分散型制御またはプロセスモニタリングシステム内で機能を行うあらゆる機器をいう。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
典型的なフィールド機器は、１つもしくは複数のセンサを使用したプロセスパラメータのモニタリングおよび測定、並びに／または１つもしくは複数の制御機器を使用したプロセス制御動作など、従来のフィールド機器のタスクをフィールド機器に行わせることができる機器回路部を含む。例示的なセンサは圧力センサ、レベルセンサ、温度センサおよび工業プロセスで使用される他のセンサを含む。例示的な制御機器は、アクチュエータ、ソレノイド、バルブおよび他の制御機器を含む。
【0004】
フィールド機器の機器回路部は、センサおよび／または制御機器を制御し、例えば、４－２０ｍＡのプロセス制御ループなどのプロセス制御ループを介して、プロセス制御システムまたは他の回路部と通信するために使用されるコントローラも含んでもよい。ある施設では、プロセス制御ループは、フィールド機器に給電するためにフィールド機器に規制電流および／または電圧を送出するために使用される。プロセス制御ループは、検知したプロセスパラメータに対応するプロセスパラメータ値などのデータも運ぶことができる。このデータは、プロセス制御ループを介して、アロログ信号として通信されても、またはデジタル信号として通信されてもよい。
【0005】
陰極防食法とは、多くの工業用途で、構造物を電気化学セルの陰極側にすることによって、パイプやタンクなどの金属構造物を腐食から保護するために使用される技術である。例えば、大型のパイプライン構造物は、構造物をＤＣ電源に接続する外部電源方式陰極防食システムを使用してもよい。このような陰極防食法が構造物に実装されているとき、構造物に結合されているフィールド機器をフィールド機器の電子機器を保護するためにこの手法から電気絶縁する必要がある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の実施形態は、誘電体絶縁システムを含むフィールド機器アセンブリと、工業プロセスフィールド機器アセンブリで使用するための誘電体絶縁システムとを含む。フィールド機器アセンブリの一実施形態は工業プロセスフィールド機器を含み、これは圧力センサと、圧力センサを収容するハウジングとを含む。ハウジングはベース境界面および第１ベースプロセス開口部を有するベースを含む。フランジはベースに装着されて、第１フランジプロセス開口部を有するフランジ境界面を含む。第１フランジプロセス開口部の圧力は、第１ベースプロセス開口部を通して圧力センサに伝えられる。ガスケットの第１ガスケットプロセス開口部は、第１ベースプロセス開口部および第１フランジプロセス開口部と整列している。ガスケットはベース境界面と係合する第１表面と、第１表面の反対側で、フランジ境界面と係合する第２表面とを含む。少なくとも１つの誘電体層を含む誘電体絶縁システムは、フランジを通って伝導される電流からハウジングを絶縁する。少なくとも１つの誘電体層の各々は、セラミック材料の層、陽極酸化層またはプラスチックオーバーモールドを含む。
【0007】
誘電体絶縁システムの一実施形態は、金属体および誘電体層を有するガスケットを含む。誘電体層は金属体の外面上のセラミックコーティング、または金属体の陽極酸化外面を含む。
【0008】
誘電体絶縁システムの別の実施形態は、スリーブ部、スリーブ部の端部に装着される肩部、および誘電体層を有するボルトスペーサを含む。肩部はスリーブ部の外径よりも大きい直径を有する。誘電体層は、スリーブ部および肩部を形成するセラミック体、プラスチック材料でオーバーモールドされて肩部を形成するセラミック材料、陽極酸化外面を有する金属体であって、前記金属体がスリーブ部および肩部を形成する金属体、または金属体の外面上にセラミックコーティングを有する金属体であって、前記金属体がスリーブ部および肩部を形成する金属体を含む。
【0009】
本概要は、以下の詳細な説明で詳しく説明する概念の抜粋を簡潔な形で紹介するために提供される。本概要は請求される主題の重要な特徴または本質的な特徴を特定することを意図するものでも、請求される主題の範囲を決定する一助として使用されることを意図するものでもない。請求される主題は背景に記載されるいずれかの、または全部の欠点を解決する実施態様に制限されない。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】先行技術による、工業プロセス制御システムの例の簡略図である。
【図2】本開示の実施形態による、プロセス境界面から分解したフィールド機器アセンブリの実施例の等角図である。
【図4】本開示の実施形態による、フィールド機器アセンブリの実施例の側面図である。
【図7】本開示の実施形態による、圧力トランスミッタの形態のフィールド機器の実施例の簡略ブロック図である。
【図9】本開示の実施形態による、ガスケットの実施例の底面図である。
【図10】本開示の実施形態による、マニホールドおよびガスケットの実施例の等角図である。
【図11】本開示の実施形態による、ガスケットの実施例の等角図である。
【図12】本開示の実施形態による、フィールド機器アセンブリの境界面における電気絶縁システムの実施例の簡略図である。
【図13】本開示の実施形態による、誘電体絶縁システムの構成要素を形成するボルトスペーサの実施例の等角図である。
【図16】本開示の実施形態による、誘電体絶縁システムの構成要素を形成するフィールド機器アセンブリのガスケットの実施例の一部分の簡略断面図である。
【図17】本開示の実施形態による、金属体の表面上に陽極酸化材料または層を形成するための技術の実施例の簡略断面図である。
【図18】本開示の実施形態による、金属体の表面上に陽極酸化材料または層を形成するための技術の実施例の簡略断面図である。
【図19】本開示の実施形態による、金属体の表面上に陽極酸化材料または層を形成するための技術の実施例の簡略断面図である。
【図20】本開示の実施形態による、金属体の表面上に陽極酸化材料または層を形成するための技術の実施例の簡略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
本開示の実施形態を、添付の図面を参照して以下でより詳細に説明する。同じまたは同様な参照文字を使用して識別される要素は、同じまたは同様な要素を示す。本開示のさまざまな実施形態は、多くの異なる形態で実施することができ、本明細書に記載される実施形態に制限されると解釈してはならない。むしろ、これらの実施形態は本開示を徹底した完全なものとし、本開示の範囲を当業者に十分に伝えるように提供される。
【0012】
図１は、先行技術による、例示的な工業プロセス測定または制御システム１００の簡略図である。システム１００は、材料を低価値の状態から、石油、化学品、紙、食品等といった、より価値のある有益な製品に変換するために、材料の加工において使用される。例えば、石油精製所は、原油をガソリン、燃料油および他の石油化学製品に加工することができる工業プロセスを行う。
【0013】
システム１００はフィールド機器アセンブリ１０１を含み、これは工業プロセスフィールド機器１０２、トランスミッタフランジまたはアダプタ１０３、マニホールド１０４、並びに／またはマニホールド１０４およびフィールド機器１０２を工業プロセス１０８に接続するプロセス境界面１０６を含む。いくつかの実施形態において、プロセス１０８は、パイプ、タンクまたは別のプロセス容器などのプロセス容器１１０により収容または搬送される、流体（すなわち、液体または気体）などのプロセス材料を必要とする。
【0014】
陰極防食システム１１２は、パイプ１１０に、またはタンクなど、フィールド機器１０２を装着する他の構造物に腐食保護を施すために使用することができる。陰極防食システム１１２は、例えば、外部電源方式陰極防食システムまたはガルバニック陰極防食システムなど、任意の適切な形態を取ることができる。
【0015】
図２は、本開示の実施形態による、プロセス境界面１０６から分解したフィールド機器アセンブリ１０１Ａの実施例の等角図であり、図３はプロセス境界面１０６に取り付けられた図２のアセンブリ１０１Ａの等角図である。ここで、アセンブリ１０１Ａのフィールド機器１０２はアダプタ１０３に取り付けてもよく、これはプロセス境界面１０６に取り付けられるマニホールド１０４に取り付けられる。アダプタ１０３は、フィールド機器１０２の流路をマニホールド１０４の流路に略適合させる。アセンブリ１０１Ａは、フィールド機器１０２とアダプタ１０３との接合部または境界面１１３Ａ、アダプタ１０３とマニホールド１０４との接合部１１３Ｂ、およびマニホールド１０４とプロセス境界面１０６との接合部１１３Ｃで、従来の技術および／または本明細書に説明される技術を使用して、封止されて陰極防食システム１１２から電気的に絶縁されることができる。アセンブリ１０１Ａは４つの潜在的なリークパスの封止を必要とする。リークパスのうちの３つは境界面または接合部１１３Ａ～１１３Ｃに位置し、リークパスのうち１つはプロセス境界面１０６とプロセス１０８との接合部に位置する。
【0016】
あるいは、フィールド機器アセンブリ１０１Ｂは、図４の側面図および図５の分解等角図に図示されるように、マニホールド１０４に直接取り付けられるフィールド機器１０２を備えてもよい。図４は、仮想線で示されるプロセス境界面１０６およびプロセス１０８へのフィールド機器アセンブリ１０１Ｂの装着も模式的に示す。このフィールド機器アセンブリ１０１の実施形態は、潜在的なリークパスの数を３つに減らす。例えば、アセンブリ１０１Ｂはプロセス境界面１０６とプロセス１０８との間のリークパスと、マニホールド１０４とプロセス境界面１０６との間のリークパス１１３Ｃとを含むが、アダプタ１０３に関連する２つのリークパス１１３Ａおよび１１３Ｂを、マニホールド１０４とフィールド機器１０２との間の１つのリークパス１１３Ｄに取り替える。したがって、フィールド機器アセンブリ１０１Ｂは、アセンブリ１０１Ａよりも好ましいことがある。
【0017】
本開示の実施形態は、全体をフィールド機器アセンブリ１０１ということもあるフィールド機器アセンブリ１０１Ａおよび１０１Ｂとともに、他のフィールド機器アセンブリ構成に適用できることは理解される。
【0018】
フィールド機器アセンブリ１０１は、図２および図５に図示される、潜在的なリークパスである上記示した境界面１１３のうちの１つまたは複数にガスケット１１５を含むことができる。ガスケット１１５の各々はアセンブリ１０１の構成要素間の境界面１１３を通る流路を封止するように作用する。加えて、アセンブリ１０１の境界面１１３に形成されるシールは、必要な場合、所望の封止を与えるために、Ｏリングおよび他の構成要素を含んでもよい。例えば、Ｏリング１１８は、本開示の実施形態による、境界面１１３Ｄにおけるフィールド機器アセンブリ１０１Ｂの部分断面図である、図６に示されるように、アセンブリ１０１Ｂの境界面１１３Ｄでフィールド機器１０２とガスケット１１３との間にシールを形成することができる。
【0019】
いくつかの実施形態において、フィールド機器１０１Ａおよび１０１Ｂは、本開示の１つまたは複数の実施形態により形成される、図２および図４に示されるような誘電体絶縁システム１２０（仮想線）をそれぞれ含む。システム１２０は、例えば、システム１１２（図１）によって実装される陰極防食法により生成されるものなど、プロセス境界面１０６およびアセンブリ１０１の他の構成要素を通して伝導されうる電荷および電流からフィールド機器１０２の電子機器１２１（図４）を保護する作用をする。
【0020】
システム１２０は、大略的に、例えば、フィールド機器１０２とフィールド機器１０１Ａ（図３）のアダプタ１０３との間の境界面１１３Ａで、またはフィールド機器１０２とアセンブリ１０１Ｂ（図４）のマニホールド１０４との間の境界面１１３Ｄでなど、フィールド機器１０２またはフィールド機器１０２の電子機器をプロセス境界面１０６を通って伝導される電荷または電流から絶縁する１つまたは複数の誘電体層を含む。当業者は、例えば、境界面１１３Ｂおよび／または１１３Ｃ（図２）など、所望の電気絶縁を施しながら、システム１２０の１つまたは複数の誘電体層がフィールドアセンブリ１０１Ａまたは１０１Ｂの他の境界面に位置してもよいことを理解する。したがって、システム１２０の実施形態の例はアセンブリ１０１Ｂのマニホールド１０４とフィールド機器１０２との間の境界面１１３Ｄを参照して説明するかもしれないが、開示される実施形態はアセンブリ１０１Ｂの他の境界面１１３とともに、アセンブリ１０１Ａの境界面１１３にも関係することは理解される。したがって、境界面１１３Ｄに関係して説明される実施形態は、これら他の境界面にも適用することができる。
【0021】
システム１２０の実施形態を詳細に説明する前に、フィールド機器１０２の特徴を、図１と、本開示の実施形態による圧力トランスミッタの形態の例示的なフィールド機器１０２の簡略ブロック図である図７を参照して説明する。
【0022】
フィールド機器１０２は、フィールド機器１０２を制御するように構成することのできるコンピュータ化された制御ユニット１２２と通信することができる。制御ユニット１２２は、図１に図示するように、システム１００の制御室内など、フィールド機器１０２から遠隔に配置することができる。制御ユニット１２２は、２線式制御ループ１２３などの適切な物理的通信リンク、または無線通信リンクでフィールド機器１０２に通信可能に連結することができる。
【0023】
制御ユニット１２２とフィールド機器１０２との通信は、従来のアナログおよび／またはデジタル通信プロトコルに従って、制御ループ１２３を介して行ってもよい。いくつかの実施形態において、プロセス制御ループ１２３は４～２０ミリアンプのプロセス制御ループを含み、そこではプロセス変数はプロセス制御ループ１２３を流れるループ電流Ｉ（図７）のレベルによって表されてもよい。例示的なデジタル通信プロトコルは、ＨＡＲＴ（登録商標）通信規格によるものなど、デジタル信号の２線式プロセス制御ループ１２３のアナログ電流レベルへの変調を含む。フィールドバスおよびプロフィバス通信プロトコルを含め、他の純粋なデジタル技術も採用してもよい。ＩＥＣ ６２５９１などのワイヤレスプロトコルも採用してもよい。
【0024】
いくつかの実施形態において、フィールド機器１０２はプロセス１０８の単一圧力または差圧を検知するように構成される圧力トランスミッタの形態である。フィールド機器は、図７に図示するように、コントローラ１２４、１つまたは複数の圧力センサ１２６、測定回路部１２８、デジタル・アナログ変換器（ＤＡＣ）１３０、通信回路１３２および／または端子台１３４を含む。
【0025】
コントローラ１２４は指示の実行に応答して本明細書で説明される１つまたは複数の機能を行うために、フィールド機器１０２の構成要素を制御する１つまたは複数のプロセッサ（すなわち、マイクロプロセッサ、中央処理装置等）としてもよく、該指示は、機器１０２の非一時的なコンピュータ可読媒体またはメモリ１３６にローカルに格納することができる。いくつかの実施形態において、コントローラ１２４のプロセッサは、１つまたは複数のコンピュータベースのシステムの構成要素である。コントローラ１２４は１つまたは複数の制御回路、マイクロプロセッサベースのエンジン制御システム、フィールド・プログラマブル・ゲートアレイ（ＦＰＧＡ）などの１つまたは複数のプログラマブルハードウェアコンポーネントを含むことができ、これらを使用して機器１０２の構成要素を本明細書で説明する１つまたは複数の機能を行うように制御する。コントローラ１２４は他の従来のフィールド機器回路部としてもよい。
【0026】
マニホールド１０４のバルブ類１２５は、従来のマニホールド１０４に従い、プロセス境界面１０６を通してなど、フィールド機器１０２をプロセス１０８に曝すように調整することができる。これにより、フィールド機器１０２は、図７のブロック１２６によって表される１つまたは複数の圧力センサを使用して、プロセス１０８の圧力または差圧を検知または測定することができる。
【0027】
測定回路部１２８はセンサ１２６と相互作用する回路部を表す。例えば、回路部１２８はセンサ１２６からの出力をフィールド機器１０２のコントローラ１２４によって使用するために変換する回路部を含むことができる。
【0028】
ＤＡＣ１３０はコントローラ１２４によって、例えば、センサ１２６で検知されるプロセスパラメータの値を示すためにループ電流Ｉを調整することによって、２線式プロセス制御ループ１２３を介してなど、通信回路１３２を使用して、デジタル信号を制御ユニット１２２に通信されるアナログ信号に変換するために使用することができる。コントローラ１２４は従来の技術を使用して通信回路１３２を通して制御ユニット１２２からの通信を受信することもできる。
【0029】
フィールド機器１０２は、図４に示されるように、フィールド機器１０２の電子機器１２１を取り囲み、環境条件から保護するハウジング１４４を含む。ハウジング１４４は、図３および図４にそれぞれ示されるように、ボルト１４８を使用してアダプタ１０３またはマニホールド１０４に取り付けることのできるベース１４６を含む。
【0030】
図８は、アセンブリ１０１Ｂが組み立てられたときに（図４）、大略的に図５の線８－８に沿って切断されたアセンブリ１０１Ｂの一部分の簡略断面図である。いくつかの実施形態において、フィールド機器１０２とマニホールド１０４との間の境界面１１３Ｄは、ベース１４６のベース表面または境界面１５０と、マニホールド１０４のフランジ１５５のフランジ表面または境界面１５２（例えば、同一平面上の境界面）との間に形成される。境界面１５２は、マニホールドプロセス開口部１５４Ａおよび１５４Ｂなど、マニホールド１０４のフランジ１５５の平面にそれぞれ整列している１つまたは複数のマニホールドプロセス開口部１５４を含む。
【0031】
同一平面上の境界面１５２はマニホールド１０４のフランジ１５５上に形成されるように描かれているが、フィールド機器アセンブリ１０１の実施形態は、図示されるマニホールド１０４の代わりに、アダプタ１０３のフランジ、伝統的なフランジ、同一平面上フランジ、ドイツ規格協会（ＤＩＮ）のフランジ、または他のフランジなど、境界面１５２を有する任意の適切なフランジを利用できることは理解される。したがって、いくつかの実施形態において、フランジ１５５はこれらのフランジを表し、マニホールド１０４のフランジに制限されない。このように、本開示の実施形態が関係するフィールド機器アセンブリ１０１の実施形態は、例えば、フィールド機器１０２、境界面１５２を有するフランジ１５５（例えば、フランジ境界面）および１つまたは複数の開口部１５４の組合せを含む。
【0032】
いくつかの実施形態において、開口部１５４Ａおよび１５４Ｂは、図８に図示するように、流体通路１５６Ａおよび１５６Ｂなど、マニホールド１０４（すなわち、フランジ１５５）の対応する流体通路１５６に対して開いている。流体通路１５６Ａおよび１５６Ｂは、図４に図示するように、適切なプロセス境界面１０６を通してプロセス１０８に結合することができる。マニホールド境界面１５２は実質的に平らにすることができる。
【0033】
ベース境界面１５０は、ベースプロセス開口部１５８Ａおよび１５８Ｂなど、対応するマニホールドプロセス開口部１５４Ａおよび１５４Ｂと整列するように構成される１つまたは複数のベースプロセス開口部１５８を含む。ベースプロセス開口部１５８はフィールド機器１０２の１つまたは複数のセンサ１２６を通路１５６を通してマニホールド１０４によって提供されるプロセスに曝させる。ベース境界面１５０は実質的に平らにすることができる。
【0034】
１つまたは複数のマニホールドプロセス開口部１５４およびベースプロセス開口部１５８は、プロセス境界面１０６を通して伝えられるプロセス１０８のプロセスパラメータにセンサ１２６を曝すために使用することができる。例えば、図８に図示されるフィールド機器１０２は、ダイヤフラム１６０Ａおよび１６０Ｂを含む差圧トランスミッタの形態であり、該ダイヤフラムは、マニホールドプロセス開口部１５４Ａおよび１５４Ｂ並びにベースプロセス開口部１５８Ａおよび１５８Ｂを通してマニホールド１０４の通路１５６Ａおよび１５６Ｂ内のプロセス１０８の圧力Ｐ１およびＰ２にそれぞれ曝される。ダイヤフラム１６０Ａおよび１６０Ｂは圧力Ｐ１およびＰ２を受けて湾曲する。湾曲しているダイヤフラム１６０Ａおよび１６０Ｂは、検知された圧力をライン１６２Ａおよび１６２Ｂを通して圧力センサ１２６に伝えるが、当該ラインには油圧流体を充填してもよい。測定回路部１２８はセンサ１２６から１つまたは複数の信号を受信して、矢印１６４で示される差圧信号を生成することができる。コントローラ１２４は、信号１６４によって示される差圧測定値を、図７を参照して上記説明したように、２線式プロセス制御ループ１２３を介して電流Ｉを調整するなど、任意の適切な技術を使用して制御ユニット１２２に伝えることができる。
【0035】
いくつかの実施形態において、ガスケット１１５、および任意で、Ｏリング１１８は、マニホールドプロセス開口部１５４Ａおよび１５４Ｂとベースプロセス開口部１５８Ａおよび１５８Ｂとの間の境界面１１３Ｄで封止通路１６５Ａおよび１６５Ｂを形成するように作用して、境界面１１３Ｄでのプロセス流体の漏れを防止し、適切なプロセス測定（例えば、圧力測定）が行われることを確実にする。
【0036】
図３、図４および図８の例示的なフィールド機器１０２は差圧トランスミッタの形態とすることができるが、本開示の実施形態は差圧トランスミッタに制限されないことは理解される。すなわち、本明細書で説明するシステム１２０の実施形態は、例えば、圧力を測定する、温度を測定する、流量を測定する、別のプロセスパラメータを測定する、および／またはプロセスを制御するフィールド機器など、誘電体絶縁を施すのにシステム１２０が有用でありうる他のタイプのフィールド機器１０２およびアセンブリ１０１とともに使用してもよい。
【0037】
ガスケット１１５は、通路１６５Ａおよび１６５Ｂなど、境界面１１３Ｄで１つまたは複数の通路を封止するための任意の適切な形態をとることができる。図９は、通路１６５Ａおよび１６５Ｂを封止するように構成されるガスケット１１５の実施例の底面図である。ガスケット１１５は、ベースプロセス開口部１５８およびマニホールドプロセス開口部１５４に対応する１つまたは複数のガスケットプロセス開口部１７０を含む。例えば、ガスケット１１５は、図１０に図示されるように、対応するベースプロセス開口部１５８Ａおよび１５８Ｂとマニホールドプロセス開口部１５４Ａおよび１５４Ｂにそれぞれ整列するガスケットプロセス開口部１７０Ａおよび１７０Ｂを含んでもよく、図１０はガスケット開口部１７０とマニホールド開口部１５４との整列を図示する例示的なマニホールド１０４の等角図である。ガスケット１１５は、マニホールド１０４をベース１４６に装着するためにボルト１４８が貫通することのできるボルト開口部１７１も含んでもよい。ガスケット１１５は、通路１６５Ａおよび１６５Ｂ並びに境界面１１３Ｄを封止するために、表面１５０と１５２との間に締め付けられる。図９のガスケット１１５は、開口部１７０Ａおよび１７０Ｂの周りに、通路１６５Ａおよび１６５Ｂの封止を助ける環状突部１７４を含んでもよい。
【0038】
図１１は、通路１６５のうちの１つを封止するために、１つのガスケットプロセス開口部１７０を有するガスケット１１５の実施例の等角図である。このように、フィールド機器１０２を個別の通路１６５を通して２つのプロセスパラメータ（例えば、プロセス圧力）に結合するように構成するとき、ガスケット１１５のうちの１つを、図２に図示されるように、境界面１１３Ｃで通路１６５の各々に使用してもよい。ガスケット１１５は、マニホールド１０４をベース１４６に接続するボルトが貫通することのできるボルト開口部または切抜き穴１７２を含んでもよい。いくつかの実施形態において、ガスケット１１５は開口部１７０の周りに、封止機能を助ける環状突部１７４を含む。
【0039】
図１２は、フィールド機器アセンブリ１０１の金属構成要素１８０と１８２との間の境界面１１３において、本開示の実施形態による電気絶縁システム１２０の特徴を示す簡略断面図である。システム１２０は、フィールド機器１０２を境界面１０６またはプロセス容器１１０から電気絶縁し、システム１１２（図１）によるなど、プロセス容器１１０に実装される陰極防食法からフィールド機器１０２の電子機器１２１を保護するように作用する１つまたは複数の誘電体層１８４を含む。その結果、システム１２０は、フィールド機器１０２の電子機器１２１（図４）を保護するために、フィールド機器のハウジング１４４とマニホールド１０４、アダプタ１０３（存在する場合）、プロセス境界面１０６（図３および図４）およびプロセス容器１１０との間の導電路がなくなる。
【0040】
いくつかの実施形態において、誘電体層１８４は構成要素１８０および１８２間の境界面１１３を封止するガスケット１１５の一部分、構成要素１８０の表面１８６の一部分、および／または構成要素１８２の表面１８８の一部分を形成してもよい。例えば、構成要素１８０はベース１４６としてもよく、構成要素１８２は、マニホールド１０４のフランジ１５５（境界面１１３Ｄ）、アダプタ１０３のフランジ（境界面１１３Ａ）またはベース１４６に装着される別のフランジなど、フランジとしてもよい。ここで、誘電体層１８４の実施形態は、例えば、構成要素１８０と１８２との間のシール（例えば、境界面１１３Ａもしくは１１３Ｂを封止する）、表面１８６に対応するベース１４６の表面１５０上のコーティングもしくは層、および／または表面１８８に対応するマニホールド１０４もしくはアダプタ１０３のフランジの表面１５２上のコーティングもしくは層を形成するように作用する、ガスケット１１５のコーティングまたは層を含んでもよい。
【0041】
いくつかの実施形態において、図１２に図示される境界面１１３はボルト１４８のうちの１つとベース１４６またはマニホールド１０４との境界面または接合部としてもよく、絶縁システム１２０は、図２および図５に図示されるように、ボルト１４８のうちの１つが貫通するボルトスペーサ１９０の一部分を形成してもよい。ここで、ボルトスペーサ１９０の誘電体層１８４は、電流がボルト１４８を通してベース１４６とマニホールド１０４との間を伝わるのを防止する。
【0042】
システム１２０の各誘電体層１８４は様々な形態をとることができる。一実施形態において、誘電体層１８４はセラミック材料の層を含む。一実施形態において、セラミック材料の層１８４はアルミナを含み、これは化学気相成長法または別の適切な技術により金属体１８０および／または１８２に塗布することができる。誘電体層１８４のうちの１つを形成することのできる適切なセラミック材料の他の例は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）もしくは二酸化チタン（ＴｉＯ２）などのナノポリマー接着コーティング、またはセラコート（エポキシ・セラミック配合物）などのスプレー式コーティングを含む。いくつかの実施例において、セラミック材料の層１８４は厚さが約３００マイクロメートルで、層１８４がアルミナから作られるとき、層１８４は約ＤＣ２５００Ｖの電気に耐えるはずである。層１８４の厚さを増減して、所望の電気絶縁を施すことができる。
【0043】
いくつかの実施形態において、セラミック材料の層１８４は、図１２に示されるように、表面１８６および／または表面１８８、例えば、ベース１４６の金属表面１５０、および／またはマニホールド１０４のフランジ１５５もしくはアダプタ１０３のフランジの金属表面１５２などに形成してもよい。セラミック材料の層１８４は、以下述べるように、ガスケット１１５またはボルトスペーサ１９０を形成する金属体に塗布してもよい。
【0044】
いくつかの実施形態において、システム１２０を形成する１つまたは複数の誘電体層１８４は、図１２の仮想線で示される層１９２Ａ～１９２Ｃなどの多数の層１９２を含む。例えば、いくつかの実施形態において、層１８４は、例えば、ＰＥＥＫ、Ｄｅｌｒｉｎ（登録商標）（アセタールホモプライマー）、ナイロン、ＳａｎｔｏｐｒｅｎｅＴＭ、および他の熱可塑性エラストマーなどのプラスチック材料の層１９２Ｂおよび／または層１９２Ｃでオーバーモールドされたセラミック材料の層１９２Ａを含む。
【0045】
さらに別の実施形態において、誘電体層１８４は、陽極酸化した金属体または金属体上の陽極酸化コーティング上に形成されるものなど、陽極酸化層または陽極層を含む。金属体がアルミニウムの場合、陽極酸化層または陽極層１８４は約９００～１０００ボルト／ミルの破壊電圧を提供するはずである。いくつかの実施形態において、陽極酸化層または陽極層１８４は約０．００２５インチの厚さにすることができ、これは約２２５０～２５００ボルトから絶縁を提供するはずである。
【0046】
誘電体層１８４は、ベース１４６の表面１５０としてもよい金属表面１８６上、および／またはマニホールド１０４のフランジ１５５、アダプタ１０３のフランジ、もしくはベース１４６に接続される別のフランジの表面１５２としてもよい金属表面１８８上の陽極酸化層によって形成することができる。ガスケット１１５またはボルトスペーサ１９０を形成する金属体も、以下で述べるように、誘電体層１８４の陽極酸化層形態を含んでもよい。
【0047】
図１３は、本開示の実施形態による、誘電体絶縁システム１２０の構成要素を形成するボルトスペーサ１９０の実施例の等角図であり、図１４および図１５は図１３のボルトスペーサ１９０の断面図である。図１３に図示されるように、ボルトスペーサ１９０はスリーブ部２００とスリーブ部２００の端部２０４に装着される肩部２０２を含んでもよい。スリーブ部２００は、一般に、ベース１４６またはマニホールド１０４の孔内に挿入されるように構成され、図５に大略的に図示されるように、ボルト１４８のうちの１つが貫通することができる孔２０６を含む。肩部２０２はスリーブ部２００およびスリーブ部２００が挿入される孔よりも大きい外径を有し、ボルト１４８またはボルト１４８に装着されるナットの頭をボルトスペーサ１９０が挿入されるベース１４６またはマニホールド１０４から分離し、図４に図示するように、ボルトスペーサ１９０をベース１４６またはマニホールド１０４の孔に挿入できる距離を制限する。
【0048】
商標Ｄｅｒｌｉｎ（登録商標）で販売されるポリオキシメチレン（ＰＯＭ）から作られるものなど、従来のプラスチック製のガスケットおよびボルトスペーサはクリープおよび環境劣化を受ける。加えて、プラスチック製のガスケットおよびボルトスペーサは圧力定格が限られる。その結果、従来のプラスチック製のガスケットおよびボルトスペーサは、一般に、高圧用途（例えば、６ｋ～１０ｋ ｐｓｉ）には適しておらず、寿命が短く頻繁な交換が必要である（例えば、３～１２ヶ月毎に）。ＰＯＭの代わりとしてポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を使用してもよいが、ＰＯＭの問題点をほとんど改善しない。
【0049】
一実施形態において、フィールド機器アセンブリ１０１のボルトスペーサ１９０の各々のスリーブ部２００および肩部２０２は、セラミック材料を含み、またはセラミック材料から作られる。そのため、ボルトスペーサ１９０はスリーブ部２００および肩部２０２を形成するセラミック体を含むことができる。したがって、各ボルトスペーサ１９０はシステム１２０の誘電体層１８４のうちの１つを形成する。ボルトスペーサ１９０のこの実施形態は５，０００ｌｂｆ以上の高い締付力に対応することができると判断されており、この力は一般にフィールド機器アセンブリにおける同一平面上の境界面について公開される機器の使用圧力を達成するために必要である。ボルトスペーサ１９０のセラミック形態は、ＰＥＥＫなどの他の材料から作られるボルトスペーサよりも、高い締付力での変形の減少などの利点を提供する。
【0050】
図１４に図示される実施形態において、ボルトスペーサ１９０は肩部２０２にセラミック材料２１０のリングを含み、誘電体層１８４のセラミック材料の層を形成する。一実施形態において、セラミック材料２１０のリングはプラスチック材料２１２でオーバーモールドされる。したがって、セラミック材料２１０のリングは図１２に図示される誘電体層１８４の層１９４Ａに略対応し、オーバーモールドされたプラスチック材料２１２は層１９２Ｂおよび１９２Ｃに略対応する。
【0051】
オーバーモールドプラスチック２１２は、図１４に示されるように、スリーブ部２００も形成してもよい。セラミック材料２１０のリングはボルトスペーサ１９０に剛性を加えて、誘電体絶縁に必要な電気絶縁特性を与えながらクリープを防止する。セラミック材料とプラスチック材料の組合せは、ボルトスペーサ１９０に、ＰＯＭまたはＰＥＥＫから作られるものなどの従来の単一材料のボルトスペーサを上回る改善された強度および電気絶縁特性を与える。
【0052】
セラミック材料２１０のリングによって提供される誘電体絶縁により、オーバーモールドプラスチック材料２１２はＰＥＥＫまたはＰＯＭのような低性能プラスチックに制限されない。代わりに、プラスチックオーバーモールド材料２１２は、ＳａｎｔｏｐｒｅｎｅＴＭまたは他の熱可塑性エラストマーなど、圧縮エネルギを提供するＰＥＥＫまたはＰＯＭと比べて軟らかいプラスチックを含むことができる。
【0053】
図１５に図示される実施形態において、ボルトスペーサ１９０は、スリーブ部２００および肩部２０２の構造を形成する金属体２１４（例、ステンレススチール）と、金属体２１４の外面２１８を被覆するコーティングまたは層２１６とを含む。一実施形態において、層２１６は上記説明したセラミック材料の層１９２を含み、システム１２０の誘電体層１８４のうちの１つを形成する。
【0054】
別の実施形態において、コーティングまたは層２１６は上記述べた陽極酸化層を含み、ボルトスペーサ１９０上にシステム１２０の誘電体層１８４のうちの１つを形成する。
【0055】
別の実施例において、図１４に図示される例示的なボルトスペーサ１９０の材料２１０のリングは金属体から作られ、プラスチック２１２でオーバーモールドされる。同様に、図１５に図示されるボルトスペーサ１９０の実施形態は金属体２１４上のコーティング２１６としてプラスチックオーバーモールドを利用してもよい。
【0056】
図１６は、本開示の実施形態による、誘電体絶縁システム１２０の構成要素を形成するフィールド機器アセンブリ１０１のガスケット１１５の実施例の一部分の簡略断面図である。ガスケット１１５は、ベース１４６と、マニホールド１０４のフランジ（図４および図５）、アダプタ１０３のフランジ（図２および図３）、またはベース１４６に装着される別のフランジなど、ベース１４６が装着されるフランジ１５５との間の境界面など、フィールド機器アセンブリの境界面１１３を封止するように構成することができる。ガスケット１１５はベース１４６のプロセス開口部１５８と整列するように構成される少なくとも１つのプロセス開口部１７０と、例えば、マニホールド１０４のプロセス開口部１５４など、ベース１４６に装着されるフランジ１５５のプロセス開口部とを含む。ガスケット１１５が図９のガスケット１１５によって図示されるような２つのプロセス開口部１７０、図１１のガスケット１１５によって図示されるような１つのプロセス開口部１７０を含んでもよく、またはガスケット１１５がフィールド機器１０２のベース１４６およびベース１４６が接続されるフランジ１５５によって決まる別のプロセス開口部構成を有してもよいことは理解される。
【0057】
いくつかの実施形態において、ガスケット１１５は、図１６に図示されるように、金属体２２０と、上面２２４上の層２２２Ａおよび／または底面２２６上の層２２２Ｂなどの少なくとも１つのコーティングまたは層２２２とを含む。層はシステム１２０の誘電体層１８４のうちの１つをそれぞれ形成することができる。したがって、図１２に図示される誘電体層１８４のうち、金属体２２０は層１９２Ａに対応することができ、コーティングまたは層２２２Ａは層１９２Ｂに対応することができ、コーティングまたは層２２２Ｂは層１９２Ｃに対応することができる。ガスケット１１５の金属体２２０は、変形の減少、寿命の延長、および最大使用圧力の上昇（例えば、６０９２～１０ｋ ｐｓｉ）など、そのプラスチック品を凌ぐ改良点を提供する。
【0058】
一実施形態において、１つまたは複数の層２２２の各々はシステム１２０の誘電体層１８４を形成するセラミック材料の層を含む。あるいは、１つまたは複数の層２２２の各々は誘電体層１８４のうちの１つを形成する陽極酸化材料または層を含んでもよい。
【0059】
金属体上に陽極酸化層または陽極層を含む誘電体層１８４の実施形態は、任意の適切な技術を使用して形成することができる。図１７～図２０は、ガスケット１１５（図１６）の金属体２２０の上面２２４もしくは底面２２６、ボルトスペーサ１９０（図１５）の金属体２１４の外面２１８、フィールド機器１０２のベース１４６の表面１５０、フランジ１５５（例えば、マニホールド１０４もしくはアダプタ１０３）の表面１５２、および／または誘電体絶縁システム１２０の誘電体層１８４のうちの１つを形成する別の金属表面など、金属体２３２の表面２３０上に陽極酸化層または陽極層を形成する技術の実施例の簡略断面図である。
【0060】
いくつかの実施形態において、金属体２３２はアルミニウム（例えば、６０６１アルミニウム）または別の適切な金属を含むことができる。当初、金属体２２０は汚れ、油または他の材料２３４で汚染された外面２３０を有していてもよく、図１７で示すように、１つまたは複数の欠陥２３６を含んでいてもよい。一実施形態において、表面２３０は任意の適切な技術を使用して清浄化され、および／または研磨されて、図１８に示す清浄な表面２３０が得られる。例えば、図１７の汚染した表面２３０はアルカリ性を使用して、または別の適切な技術により清浄化してもよい。
【0061】
金属体２３２は従来の陽極酸化技術を使用して陽極酸化することができ、図１９に図示されるように、表面２３０が陽極層２３８（例えば、多孔性酸化物層）に変わることになる。陽極層２３８はシステム１２０の誘電体層１８４のうちの１つを形成してもよい。
【0062】
いくつかの実施形態において、陽極層２３８は、図２０に示されるように、エッチング外面２４０を提供するように酸エッチングすることもできる。これにより表面２３０により均一な外観を与えることができ、陽極層２３８の電気絶縁性を調整するために使用することもできる。
【0063】
本開示の実施形態を好適な実施形態を参照して説明してきたが、当該技術分野における当業者は、本開示の主旨および範囲から逸脱することなく、形態および詳細において変更がなされ得ることを認識するであろう。
【符号の説明】
【0064】
１０２…工業プロセスフィールド機器
１１５…ガスケット
１２０…誘電体絶縁システム
１２６…圧力センサ
１４４…ハウジング
１４６…ベース
１５０…ベース境界面
１５２…フランジ境界面
１５５…フランジ
１７０…第１ガスケットプロセス開口部
１８４…誘電体層
１１５…ガスケット
１２０…誘電体絶縁システム
１２６…圧力センサ
１４４…ハウジング
１４６…ベース
１５０…ベース境界面
１５２…フランジ境界面
１５５…フランジ
１７０…第１ガスケットプロセス開口部
１８４…誘電体層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【国際調査報告】