(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-09-18
(54)【発明の名称】金属セラミック基板及び金属セラミック基板の製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 1/02 20060101AFI20240910BHJP
H05K 1/03 20060101ALI20240910BHJP
【ＦＩ】
H05K1/02 J
H05K1/03 610D
【審査請求】有
【予備審査請求】有
(21)【出願番号】P 2024519590
(86)(22)【出願日】2022-09-30
(85)【翻訳文提出日】2024-04-30
(86)【国際出願番号】 EP2022077292
(87)【国際公開番号】W WO2023052589
(87)【国際公開日】2023-04-06
(31)【優先権主張番号】102021125557.0
(32)【優先日】2021-10-01
(33)【優先権主張国・地域又は機関】DE
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】515063390
【氏名又は名称】ロジャーズ ジャーマニー ゲーエムベーハー
【氏名又は名称原語表記】Ｒｏｇｅｒｓ Ｇｅｒｍａｎｙ ＧｍｂＨ
【住所又は居所原語表記】Ａｍ Ｓｔａｄｔｗａｌｄ ２， Ｄ－９２６７６ Ｅｓｃｈｅｎｂａｃｈ， Ｇｅｒｍａｎｙ
(74)【代理人】
【識別番号】100116322
【弁理士】
【氏名又は名称】桑垣 衛
(72)【発明者】
【氏名】マイヤー、アンドレアス
【テーマコード（参考）】
5E338
【Ｆターム（参考）】
5E338AA02
5E338AA18
5E338BB19
5E338CD02
5E338EE28
5E338EE60
(57)【要約】
電気部品を取り付けるためのプリント回路基板として提供される金属セラミック基板（１）であって、部品メタライゼーション部（１０）及び裏面メタライゼーション部（２０）と、部品メタライゼーション部（１０）と裏面メタライゼーション部（２０）との間に積層方向（Ｓ）に沿って配置されたセラミック要素（３０）と、を備え、部品メタライゼーション部（１０）は、第１の金属セクション（１１）及び第２の金属セクション（１２）を含み、第１の金属セクション（１１）及び第２の金属セクション（１２）は、絶縁セクション（１５）によって互いに分離されており、裏面メタライゼーション部（２０）は材料弱化部（２５）、特に、積層方向（Ｓ）に見て、絶縁セクション（１５）と少なくとも部分的に一致して配置された材料凹部を有する。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
電気部品を取り付けるためのプリント回路基板として提供される金属セラミック基板（１）であって、部品メタライゼーション部（１０）及び裏面メタライゼーション部（２０）と、
前記部品メタライゼーション部（１０）と前記裏面メタライゼーション部（２０）との間に積層方向（Ｓ）に沿って配置されたセラミック要素（３０）と、を備え、
前記部品メタライゼーション部（１０）は、第１の金属セクション（１１）及び第２の金属セクション（１２）を含み、前記第１の金属セクション（１１）及び前記第２の金属セクション（１２）は、絶縁セクション（１５）によって互いに分離されており、
前記裏面メタライゼーション部（２０）は材料弱化部（２５）、特に、前記積層方向（Ｓ）に見て、前記絶縁セクション（１５）と少なくとも部分的に一致して配置された材料凹部を有する、金属セラミック基板（１）。
【請求項2】
前記材料弱化部（２５）は、ドーム状の凹部として形成される、請求項１に記載の金属セラミック基板（１）。
【請求項3】
前記部品メタライゼーション部（１０）における前記絶縁セクション（１５）は、主延長面（ＨＳＥ）に平行に延びる平面において第１のコース（ＶＥ１）に従い、前記裏面メタライゼーション部（２０）における前記材料弱化部（２５）又は複数の材料弱化部（２５）は、前記主延長面（ＨＳＥ）に平行に延びる平面において第２のコース（ＶＥ２）に従い、好ましくは、前記第２のコース（ＶＥ２）は、前記積層方向（Ｓ）において前記第１のコース（ＶＥ１）と一致して配置される、請求項１又は２に記載の金属セラミック基板（１）。
【請求項4】
前記材料弱化部（２５）又は前記複数の材料弱化部（２５）の前記第２のコース（ＶＥ２）は、例えば孔の列の形態の一連の材料弱化部（２５）によって形成され、かつ／又は２つの材料弱化部（２５）間に前記第２のコース（ＶＥ２）に沿って安定化領域を有する、請求項３に記載の金属セラミック基板（１）。
【請求項5】
更なる材料弱化部（２６）が設けられており、前記更なる材料弱化部（２６）は、前記裏面メタライゼーション部（２０）の周縁領域において前記裏面メタライゼーション部（２０）に埋め込まれており、特に、絶縁セクション（１５）とは独立して前記部品メタライゼーション部（１０）に埋め込まれている、請求項１～４のいずれか一項に記載の金属セラミック基板（１）。
【請求項6】
前記裏面メタライゼーション部（２０）における凹部として形成された前記材料弱化部（２５）が、前記セラミック要素（３０）まで延びる、請求項１～５のいずれか一項に記載の金属セラミック基板（１）。
【請求項7】
残留メタライゼーション部（４０）が、凹部として形成された前記更なる材料弱化部（２６）と前記セラミック要素（３０）との間に形成される、請求項１～６のいずれか一項に記載の金属セラミック基板（１）。
【請求項8】
前記第１のコース（ＶＥ１）と前記第２のコース（ＶＥ２）とが前記積層方向（Ｓ）に見て互いに一致して走っていないセクションの、前記第１のコース（ＶＥ１）と前記第２のコース（ＶＥ２）とが前記積層方向（Ｓ）に見て互いに一致して走っているセクションに対する比が、１未満、より好ましくは０．５未満、最も好ましくは０．２未満の値を有する、請求項１～７のいずれか一項に記載の金属セラミック基板（１）。
【請求項9】
前記第１のコース（ＶＥ１）及び／又は前記第２のコース（ＶＥ２）に沿った単位長さ（ＬＥ）当たり、前記絶縁セクション（１５）は第１の体積（Ｖ１）を有し、前記裏面メタライゼーション部（２０）における前記材料弱化部（２５）又は前記複数の材料弱化部は第２の体積（Ｖ２）を有し、前記第１の体積（Ｖ１）及び前記第２の体積（Ｖ２）は、それらの絶対サイズに関して実質的に等しく、それらの幾何学的形状に関して異なる、請求項１～８のいずれか一項に記載の金属セラミック基板（１）。
【請求項10】
電気部品を取り付けるためのプリント回路基板として提供される金属セラミック基板（１）であって、部品メタライゼーション部（１０）及び裏面メタライゼーション部（２０）と、
前記部品メタライゼーション部（１０）と前記裏面メタライゼーション部（２０）との間に積層方向（Ｓ）に沿って配置されたセラミック要素（３０）と、を備え、
前記部品メタライゼーション部（１０）は、第１の金属セクション（１１）及び第２の金属セクション（１２）を有し、前記第１の金属セクション（１１）及び前記第２の金属セクション（１２）は、絶縁セクション（１５）によって互いに分離され、かつ／又は電気部品用の接続領域が前記第１の金属セクション上に設けられ、
前記裏面メタライゼーション部（２０）は材料弱化部（２５）、特に、前記積層方向（Ｓ）に見て、前記接続領域と少なくとも部分的に一致して配置された材料凹部を有する、金属セラミック基板（１）。
【請求項11】
請求項１～１０のいずれか一項に記載の金属セラミック基板（１）を製造する方法であって、部品メタライゼーション部（１０）と、裏面メタライゼーション部（３０）と、セラミック要素（２０）とを設けることと、
前記部品メタライゼーション部（１０）と前記裏面メタライゼーション部（３０）とを前記セラミック要素（２０）に接合することであって、前記セラミック要素（２０）が前記部品メタライゼーション部（１０）と前記裏面メタライゼーション部（２０）との間に積層方向（Ｓ）に沿って配置されることと、
絶縁セクション（１５）を実現することによって前記部品メタライゼーション部（１０）を構造化することと、
前記裏面メタライゼーション部（２０）において材料弱化部（２５）を実現することであって、前記材料弱化部（２５）は、前記積層方向（Ｓ）に見て、前記絶縁セクション（１５）及び／又は前記第１の金属セクションの接続領域と一致して配置されることと、
を含む、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、金属セラミック基板及び金属セラミック基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
例えば金属セラミック基板の形態の電気部品用のキャリア基板は、例えば特許文献１～３より、例えばプリント回路基板又は回路基板として、従来技術から十分に知られている。典型的には、電気部品及び導体経路のための接続領域は、金属セラミック基板の一方の部品側に配置され、ここで、電気部品及び導体経路は、電気回路を形成するために相互に接続され得る。金属セラミック基板の本質的な部品は、より好ましくはセラミックから製造された絶縁層、及び部品メタライゼーション部、又は絶縁層に接合された部品メタライゼーション部である。セラミックから製造された絶縁層は、それらの比較的高い絶縁強度により、パワーエレクトロニクスにおいて特に有利であることが証明されている。部品メタライゼーション部を構造化することによって、電気部品用の導体経路及び／又は接続領域を作り出すことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】独国特許出願公開第１０２０１３１０４７３９号明細書
【特許文献2】独国特許出願公告第１９９２７０４６号明細書
【特許文献3】独国特許出願公開第１０２００９０３３０２９号明細書 熱間等方圧加圧法、拡散接合プロセス、直接金属接合プロセス、ＤＣＢプロセス、又は活性はんだ付けプロセスなどの高温プロセスが、通常、部品メタライゼーション部をセラミック要素に接合するために提供される。個々の導体経路又は接続領域を形成するために、接合された部品メタライゼーション部は、少なくとも第１の金属セクション及び第２の金属セクションが部品メタライゼーション部に形成され、それらが互いに分離されかつ絶縁されるように構造化される。部品メタライゼーション部とセラミック要素とは異なる膨張係数を有するので、例えば接合中に、又は電気部品に起因して温度が上昇すると、部品メタライゼーション部とセラミック要素との間の接合界面に熱機械的応力が発生し、これにより金属セラミック基板全体が反る可能性がある。この影響を打ち消すために、従来技術では、金属セラミック基板の部品側と裏面との間に対称性を作り出すために、裏面メタライゼーション部がセラミック要素に接合されるようになっている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
従来技術に基づいて、本発明は、金属セラミック基板を改善して、金属セラミック基板の反りやすさを更に低減し、できるだけ平坦な金属セラミック基板を提供する目的を有する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明は、この目的を、請求項１に記載の方法及び請求項１０に記載の方法で製造された金属セラミック基板によって達成する。
第１の態様によれば、電気部品を取り付けるためのプリント回路基板として提供又は意図される金属セラミック基板が提供され、この基板は、
部品メタライゼーション部及び裏面メタライゼーション部と、
部品メタライゼーション部と裏面メタライゼーション部との間に積層方向に沿って配置されたセラミック要素と、を備え、
部品メタライゼーション部は、第１の金属セクション及び第２の金属セクションを含み、第１の金属セクション及び第２の金属セクションは、絶縁セクションによって互いに分離されており、
裏面メタライゼーション部は、材料弱化部、特に、積層方向に見て、絶縁セクションと一致して配置された材料凹部を有する。
第１の態様によれば、電気部品を取り付けるためのプリント回路基板として提供又は意図される金属セラミック基板が提供され、この基板は、
部品メタライゼーション部及び裏面メタライゼーション部と、
部品メタライゼーション部と裏面メタライゼーション部との間に積層方向に沿って配置されたセラミック要素と、を備え、
部品メタライゼーション部は、第１の金属セクション及び第２の金属セクションを含み、第１の金属セクション及び第２の金属セクションは、絶縁セクションによって互いに分離されており、
裏面メタライゼーション部は、材料弱化部、特に、積層方向に見て、絶縁セクションと一致して配置された材料凹部を有する。
【0006】
従来技術から知られている金属セラミック基板とは対照的に、裏面メタライゼーション部は材料弱化部を有し、この材料弱化部は、部品側の絶縁セクション又は複数の絶縁セクションと一致して配置されるか、又は延びるように正確に配置されると規定される。これにより、有利なことに、部品側及び反対の裏面における材料分布の対称性を向上させる。その結果、部品側と裏側に生じる熱機械的応力が互いに相殺するので、基板全体の曲がりやすさを低減することができる。これは、曲がる傾向を更に低減することができ、可能な限り平坦な金属セラミック基板を提供することができることを意味する。この目的のために、好ましくは、部品メタライゼーション部の第１の厚さは、裏面メタライゼーション部の第２の厚さに実質的に対応する。
【0007】
一致した配置とは、特に、積層方向に沿って、又は積層方向に平行に走る方向に沿って材料弱化部を仮想投影した場合に、絶縁セクションとの空間的重なりが確立されることを意味する。この場合、この仮想的な空間的重なりは、裏面メタライゼーション部における材料弱化部の広がりの５０％より多く、より好ましくは７５％より多く、最も好ましくは９０％より多くにわたって生じる。材料弱化部の広がりの中心は、絶縁セクションの広がりの中心と本質的に一致して配置され得るか、又は横方向に、すなわち積層方向に対して垂直な方向に沿ってオフセットされ得る。
【0008】
更に、好ましくは、セラミック要素は、積層方向に沿って測定された第３の厚さを有することが規定される。特に好ましくは、第３の厚さは、７００μｍ未満、より好ましくは４００μｍ未満、最も好ましくは３３０μｍ未満であると規定される。裏面メタライゼーション部における材料弱化部と部品メタライゼーション部における絶縁セクションとの間の対称性は、比較的薄い絶縁層又はセラミック要素に対して特に有利であることが判明している。なぜなら、これらのセラミック要素は、特に曲がりやすく、損傷を受け易いためである。例えば、セラミック要素の第３の厚さが、部品メタライゼーション部の第１の厚さ及び裏面メタライゼーション部の第２の厚さ、又は第１の厚さと第２の厚さの合計よりも小さいか又は薄いことさえ考えられる。
【0009】
更に、好ましくは、構造化及び／又は材料弱化部の導入は、メタライゼーション部及び／又は裏面メタライゼーション部をセラミック要素に接合した後に行われると規定される。
【0010】
特に、プリント回路基板として使用されるのは金属セラミック基板であり、この基板では、メタライゼーション部、すなわち部品メタライゼーション部が部品側に形成され、この部品側は、構造化に起因していくつかの電気的に絶縁されたメタライゼーションセクションを有する。これらのメタライゼーションセクションは、例えば、プリント回路基板の接続領域又はパッド又は導体経路を形成する。
【0011】
好ましくは、セラミック要素は、セラミックの材料としてＡｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＨＰＳＸセラミック（すなわち、ｘパーセントのＺｒＯ２を含むＡｌ２Ｏ３マトリックスを有するセラミック、例えば、９％ＺｒＯ２を有するＡｌ２Ｏ３＝ＨＰＳ９又は２５％ＺｒＯ２を有するＡｌ２Ｏ３＝ＨＰＳ２５）、ＳｉＣ、ＢｅＯ、ＭｇＯ、高密度ＭｇＯ（理論密度の＞９０％）、ＴＳＺ（正方晶安定化酸化ジルコニウム）を有する。また、セラミック要素がコンパウンドセラミック又はハイブリッドセラミックとして形成され、この場合、様々な所望の特性を組み合わせるために、それらの材料組成においてそれぞれが異なるいくつかのセラミック層が互いの上に配置され、互いに接合されて、絶縁要素を形成する。
【0012】
銅、アルミニウム、モリブデン、タングステン、及び／又はＣｕＺｒ、ＡｌＳｉ、ＡｌＭｇＳｉなどのそれらの合金、並びにＣｕＷ、ＣｕＭｏ、ＣｕＡｌ、及び／又はＡｌＣｕなどの積層体、あるいはＣｕＷ、ＣｕＭｏ、ＡｌＳｉＣなどのＭＭＣ（metal matrix composite、金属マトリックス複合材）が、部品メタライゼーション部及び／又は裏面メタライゼーション部用の材料として考えられる。好ましくは、部品メタライゼーション部は、その材料に関して裏面メタライゼーション部に対応するか、又は裏面メタライゼーション部とは異なる。更に、好ましくは、製造された金属セラミック基板上の部品メタライゼーション部及び／又は裏面メタライゼーション部は、特に部品メタライゼーション部として表面改質されることが規定される。表面改質としては、例えば、貴金属、特に銀及び／若しくは金、又は（無電解）ニッケル若しくはＥＮＩＧ（「electroless nickel immersion gold」、「無電解ニッケル浸漬金」）によるシーリング、あるいは亀裂形成若しくは膨張を抑制するためのメタライゼーション部上のエッジカプセル化が挙げられる。例えば、部品メタライゼーション部の金属は、裏面メタライゼーション部の金属とも異なる。
【0013】
金属層、すなわち部品メタライゼーション部及び／又は裏面メタライゼーション部のセラミック要素への接合は、例えば、ＤＣＢ法、ＡＭＢ法、拡散接合、特にＡＤＢ、及び／又は熱間等方圧加圧法によって行うことができる。
【0014】
当業者は、「ＤＣＢ法」（直接銅接合技術）又は「ＤＡＢ法」（直接アルミニウム接合技術）が、例えば、金属層又はシート（例えば、銅シート若しくは銅箔又はアルミニウムシート若しくはアルミニウム箔）を互いに及び／又はセラミック若しくはセラミック層に接合するために、すなわち、それらの表面側に層又はコーティング（溶融層）を有する金属シート、銅シート、金属箔又は銅箔を使用して、使用されるような方法であると理解する。例えば米国特許第３７４４１２０号又は独国特許第２３１９８５４号に記載されているこの方法では、この層又はコーティング（溶融層）は、金属（例えば銅）の製錬温度よりも低い溶融温度を有する共晶を形成し、その結果、箔をセラミック上に置き、すべての層を加熱することによって、本質的に溶融層又は酸化物層の領域のみで金属又は銅を製錬することによって、それらを互いに接合することができる。
【0015】
好ましくは、セラミック層及び金属層は、直接金属接合プロセス、熱間等方加圧プロセス、はんだ付けプロセス及び／又は拡散接合プロセスによって接合される。
特に、ＤＣＢ法は、次に、例えば以下の方法ステップ、すなわち、
・均一な酸化銅層が形成されるように銅箔を酸化させることと、
・銅箔をセラミック層上に配置することと、
・複合材を約１０２５～１０８３℃のプロセス温度、例えば約１０７１℃に加熱することと、
・室温に冷却することと、を有する。
特に、ＤＣＢ法は、次に、例えば以下の方法ステップ、すなわち、
・均一な酸化銅層が形成されるように銅箔を酸化させることと、
・銅箔をセラミック層上に配置することと、
・複合材を約１０２５～１０８３℃のプロセス温度、例えば約１０７１℃に加熱することと、
・室温に冷却することと、を有する。
【0016】
例えば金属層又は金属箔、特に銅層又は銅箔をセラミック材料と接合するための活性はんだ付けプロセスは、特に金属セラミック基板の製造にも使用される方法として理解されるべきであり、銅、銀及び／又は金などの主成分に加えて活性金属も含有する硬質はんだを使用して、金属箔、例えば銅箔とセラミック基板、例えば窒化アルミニウムセラミックとの間で約６００～１０００℃の温度で製造される。例えば、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｃｅの群からの少なくとも１つの元素であるこの活性金属は、化学反応によってはんだとセラミックとの間に接合を生じさせ、はんだと金属との間の接合は、金属ろう付け接続である。代替的に、接合のために厚膜プロセスも考えられる。
【0017】
好ましくは、拡散接合方法としてＡＤＢ（Active Diffusion Bonding、活性拡散接合）法が提供される。これは例えば以下のステップ、すなわち、
セラミック要素及び金属層を提供することと、
セラミック要素を囲む気密容器を提供することであって、容器は、好ましくは金属層から形成されるか、又は金属層を含むことと、
熱間等方圧加圧法によって、金属層をセラミック要素に接合することによって金属セラミック基板を形成することと、を含み、
活性金属層又は活性金属を含む接触層は、少なくとも金属層とセラミック要素との間のセクションにおいて配置されて、金属セラミック基板を形成するために、金属層のセラミック要素への接合を支援する。容器は、好ましくは、金属層及び／又は更なる金属層から金属容器として形成される。代替的に、ガラス容器を使用することも考えられる。
セラミック要素及び金属層を提供することと、
セラミック要素を囲む気密容器を提供することであって、容器は、好ましくは金属層から形成されるか、又は金属層を含むことと、
熱間等方圧加圧法によって、金属層をセラミック要素に接合することによって金属セラミック基板を形成することと、を含み、
活性金属層又は活性金属を含む接触層は、少なくとも金属層とセラミック要素との間のセクションにおいて配置されて、金属セラミック基板を形成するために、金属層のセラミック要素への接合を支援する。容器は、好ましくは、金属層及び／又は更なる金属層から金属容器として形成される。代替的に、ガラス容器を使用することも考えられる。
【0018】
熱間等方圧加圧法では、接合は、特に圧力下で加熱することによって提供され、金属容器の金属層、特に金属セラミック基板の後続の金属層及びそこに生じる任意の共晶層は、溶融相に移行しない。したがって、熱間等方圧加圧法には、直接金属接合法、特にＤＣＢ法よりも低い温度が必要とされる。
【0019】
少なくとも１つの金属層の溶融温度未満の温度が通常使用される、はんだ材料によるセラミック層への金属層の接合と比較して、本手順は、有利には、はんだベース材料を不要にし、活性金属のみが必要とされる。熱間等方圧加圧法中の圧力の使用又は利用は、一方の金属層と他方のセラミック要素との間の空気の包含又は空洞を減少させることができ、したがって、形成されたか又は製造された金属セラミック基板におけるそれらの頻度でのボイドの形成を減少させるか又は回避することさえできるので、有利であることも判明している。これは、金属容器の金属層とセラミック要素との間の接合の品質に有利な効果を有する。更に有利には、「第２のエッチング」を簡略化し、はんだ残留物及び銀マイグレーションを回避することが可能である。
【0020】
活性金属層を含む接触層は、１５重量パーセントより多い活性金属を含む。
熱間等方圧加圧法は、例えば、欧州特許第３０８００５５号から知られており、その内容は、熱間等方圧加圧法に関して本明細書によって明確に参照される。
熱間等方圧加圧法は、例えば、欧州特許第３０８００５５号から知られており、その内容は、熱間等方圧加圧法に関して本明細書によって明確に参照される。
【0021】
更に、材料弱化部は、ドーム状の凹部として形成されることがより好ましい。裏面メタライゼーション部におけるこれらのドーム状の凹部の１つの開口部は、セラミック要素に面し、及び／又はセラミック要素から離れる方向に面することが考えられる。材料弱化部として、裏面メタライゼーション部が形成される材料とは異なる材料を有する材料セクションが裏面メタライゼーション部において設けられることも考えられる。例えば、裏面メタライゼーション部におけるそれぞれの凹部は、膨張係数が熱機械的応力の形成又は支持／補強に大きく寄与しない対応する充填材料で充填することができる。このような充填材料は、部品側と裏面との間の所望の熱機械的対称性を損なうことなく安定性を高める。
【0022】
凹部は、主延長面に対して平行な方向において、円形、ダイヤモンド形状、正方形、長方形、又は多角形の断面を有することもできる。
特に、一致した配置は、材料弱化部の配置に関することに留意されたい。これに対して、例えば、部品側の絶縁セクションの各サブ領域に対して裏面材料弱化部を設ける必要はない。換言すれば、部品メタライゼーション部において絶縁セクションによって占められる第１の総面積は、裏面メタライゼーション部において材料弱化部によって占められる第２の総面積よりも大きい。好ましくは、第１の面積に対する第２の面積の比は、０．６～０．９、より好ましくは０．７～０．９、最も好ましくは０．７５～０．９の値を有すると規定される。ここで、更なる材料弱化部は、より好ましくは考慮されず、それは、絶縁セクションと一致して裏面メタライゼーション部に埋め込まれる材料弱化部に加えて実現される。
特に、一致した配置は、材料弱化部の配置に関することに留意されたい。これに対して、例えば、部品側の絶縁セクションの各サブ領域に対して裏面材料弱化部を設ける必要はない。換言すれば、部品メタライゼーション部において絶縁セクションによって占められる第１の総面積は、裏面メタライゼーション部において材料弱化部によって占められる第２の総面積よりも大きい。好ましくは、第１の面積に対する第２の面積の比は、０．６～０．９、より好ましくは０．７～０．９、最も好ましくは０．７５～０．９の値を有すると規定される。ここで、更なる材料弱化部は、より好ましくは考慮されず、それは、絶縁セクションと一致して裏面メタライゼーション部に埋め込まれる材料弱化部に加えて実現される。
【0023】
特に、部品メタライゼーション部における絶縁セクションは、第１のコースに沿って延び、特に、途切れずに延びる一方で、反対側では、裏面メタライゼーション部における一致した配置で、互いに分離された複数の材料弱化部が形成されることが考えられる。更に、裏面メタライゼーション部の外側上の材料弱化部は、セラミック要素から離れる方向に面し、１．０ｍｍより小さい、より好ましくは０．８ｍｍより小さい、最も好ましくは０．７ｍｍより小さい第１の広がりを有すると規定される。更に、好ましくは、２つの隣接する材料弱化部は、互いに６００μｍ未満、より好ましくは４００μｍ未満、最も好ましくは２５０μｍ未満の第１の距離で配置されると規定される。更に、第１の距離及び／又は第１の広がりは、いくつかの材料弱化部に対して異なってもよいことが考えられる。代替的に、例えば、裏面メタライゼーション部における２つの隣接する材料弱化部の間の第１の広がり又は第１の距離が同じであることが考えられる。
【0024】
好ましくは、部品メタライゼーション部における絶縁セクションは、主延長面に対して平行に走る平面において第１のコースに従い、裏面メタライゼーション部における１つ以上の材料弱化部は、主延長面に対して平行に延びる平面において第２のコースに従い、積層方向で第２のコースは第１のコースと一致して配置され、特に、第２のコースは、その総延長の５０％より多く、より好ましくは７０％より多く、最も好ましくは９０％より多く又は完全に第１のコースと一致すると規定される。したがって、材料弱化部及び絶縁セクションは、主延長面に対して垂直に走る断面において互いに一致して配置されるだけでなく、絶縁セクション及び材料弱化部が主延長面に対して平行に走る平面において延びるそれらの第１及び第２のコースに関しても互いに一致して配置される。裏面メタライゼーション部における個片化されたセクション又は部分的なセクションは、絶縁セクション又は複数の絶縁セクションに対するそれらの一致した配置に関して省略されることが考えられる。換言すれば、裏面メタライゼーション部において材料弱化部が存在する限り、これは、好ましくは、常に絶縁セクションと一致して配置されるが、絶縁セクションには、裏面メタライゼーション部における材料弱化部が絶縁セクションと一致することが必ずしも必要ではない。必要であれば、これは、この金属領域における裏面メタライゼーション部が、密接に間隔を空けて配置された絶縁セクションによって過度に弱められることを防止することができる。
【0025】
第１のコース及び／又は第２のコースは、互いに対してある角度で又はオフセットして配置された直線又は湾曲したセクションを有することができる。更に、より好ましくは、材料弱化部又は複数の材料弱化部の第２のコースが、一連の材料弱化部、例えば孔の列又は一連のドーム状の凹部の形態の材料弱化部によって形成されること、及び／又は第２のコースに沿って、裏面メタライゼーション部が２つの材料弱化部間に安定化領域を有することが規定される。特に、孔の列は、一連の隣接するドーム状の凹部によって形成される。２つの隣接するドーム状の凹部間に、裏面メタライゼーション部が第２の厚さを有する部分的なセクションが形成されるか、又は凹部とセラミック要素との間の残留メタライゼーション部よりも大きい残留メタライゼーション部が設けられることが考えられる。その結果、対称性の向上にもかかわらず、金属セラミック基板の安定性は維持される。好ましくは、２つの隣接する材料弱化部間の第１の距離は、６００μｍ未満、４００μｍ未満、最も好ましくは２５０μｍ未満であると規定される。特に、凹部は、化学的方法、例えばエッチングによって、機械的方法、例えばミリングによって、又は光学的方法、例えばレーザ光、特にレーザパルスによって製造されると規定される。特にレーザ光の使用は、材料弱化部、特に凹部の最も狭くかつ最も正確に位置決めされた形成を可能にする。安定化領域は、好ましくは、材料弱化部があまり顕著でないという事実によって特徴付けられる。例えば、安定化領域における凹部の深さはより小さいか、又はいくつかの領域では、安定化領域において凹部が全く存在しない。
【0026】
好ましくは、絶縁セクションと一致して配置される材料弱化部に加えて、裏面メタライゼーション部の周縁領域において裏面メタライゼーション部に埋め込まれた更なる材料弱化部が設けられる。材料弱化部とは対照的に、更なる材料弱化部では、積層方向に見て、一致して配置された絶縁セクションが反対側に設けられない、又は形成されないことが規定される。
【0027】
例えば、好ましくは、更なる材料弱化部は、主延長面に平行な方向に部品メタライゼーション部から突出する裏面メタライゼーション部の周縁領域に配置されることが規定される。この場合、部品メタライゼーション部は、特に主延長面に沿ったその広がりに関して、裏面メタライゼーション部よりも小さい。更なる材料弱化部は、孔の列を形成することができるか、又は平坦な側面として、すなわち、特に比較的小さい傾斜角で形成することができ、この傾斜角は、例えば、部品側の対応する傾斜角よりも少なくとも２の倍数、より好ましくは少なくとも３の倍数、最も好ましくは少なくとも５の倍数小さい。部品メタライゼーション部及び裏面メタライゼーション部の異なる広がりは、電気的フラッシュオーバーを防止するために、部品側のセラミック要素の外縁からの十分な距離を確保し、部品メタライゼーション部から突出する裏面メタライゼーション部のセクションは、周縁領域において金属セラミック基板の安定性を向上させる。
【0028】
更なる材料弱化部のこの手段は、金属セラミック基板における更なる改善を達成することができ、それは、金属セラミック基板の曲がりやすさを打ち消し、特に、耐熱衝撃性を更に向上させることができることが見出された。更なる縁部側の材料弱化部は、少なくとも１つの中間最大値を有する湾曲した側壁プロファイルとして設計することもできる。更に、好ましくは、更なる材料弱化部の第１の広がりは、材料弱化部の第１の広がりよりも小さいと規定される。材料弱化部及び更なる材料弱化部が各々異なる広がりを有する場合、好ましくは、それぞれの平均値が考慮されることが規定される。更に、周縁領域は、裏面メタライゼーション部の外周から延び、かつその際に裏面メタライゼーション部の全面積の１０％未満、より好ましくは５％未満、最も好ましくは２％未満を占めるメタライゼーション部又は裏面メタライゼーション部の部分的なセクションとして理解されるものとする、と規定される。更に、更なる材料弱化部は、材料弱化部を有する領域を囲み、特に完全に取り囲むと規定される。
【0029】
更に、凹部の形態の材料弱化部がセラミック要素まで走るか、又はセラミック要素まで延びることがより好ましい。これにより、部品側と裏面との間の高い対称性が達成される。代替的に、残留メタライゼーション部が材料弱化部の領域に形成されることが考えられ、その結果、この残留メタライゼーション部は、金属セラミック基板全体の安定性の向上に寄与することができる。これは、非常に薄い絶縁層又はセラミック要素を使用する場合に特に有利であり、さもなければ、絶縁層又はセラミック要素は破壊する傾向が増大する。例えば、積層方向で測定して、残留メタライゼーション部は第４の厚さを有し、ここで、第２の厚さに対する第４の厚さの比は、０．５未満、より好ましくは０．４未満、最も好ましくは０．２未満であると規定される。
【0030】
特に、凹部として形成された材料弱化部がセラミック要素まで延びる場合、凹部として形成された更なる材料弱化部とセラミック要素との間に残留メタライゼーション部が形成されることも考えられる。これにより、例えば周縁領域において、材料弱化部が更なる材料弱化部から区別される。
【0031】
好ましくは、絶縁セクションの第１の幅は、第１のコースに対して垂直に走る第１の方向に沿って測定される、第１の金属セクションと第２の金属セクションとの間の距離によって決定され、第１の方向に沿って測定された材料弱化部の第２の幅の、第１の幅に対する比は、０．１から２の間、より好ましくは０．５から１．５の間、最も好ましくは０．７５から０．９の間の値を有すると規定される。特に、裏面メタライゼーション部上の材料弱化部が絶縁セクションの第２の幅全体にわたって延びない場合には、部品側及び裏面の熱力学的広がりに関して十分な程度の対称性をすでに設定することができることが示されている。その結果、金属セラミック基板の安定性を維持することができ、裏面上の材料の量が少ないために金属セラミック基板の破断点が発生する恐れがない。
【0032】
好ましくは、第１のコースと第２のコースとが、積層方向に見て、互いに一致して走っていないセクションの、第１のコースと第２のコースとが、積層方向に見て、互いに一致して走っているセクションに対する比は、１未満、より好ましくは０．５未満、最も好ましくは０．２未満の値を有すると規定される。金属セラミック部品の前面及び背面における全体的な対称性は、一致して配置された材料弱化部の割合が増加するにつれて向上させることができ、したがって、対応して設計された金属セラミック基板の全体的な曲がりやすさが更に改善又は低減されることが見出された。
【0033】
好ましくは、裏面メタライゼーション部にヒートシンクが接合されていると規定される。特に、材料弱化部は、例えば凹部の形態で裏面メタライゼーション部に埋め込まれていると規定される。したがって、裏面メタライゼーション部に埋め込まれた材料弱化部は、裏面メタライゼーション部に接合され、特に特定の金属セラミック基板の動作中に発生した熱を冷却流体に放散するために設けられたヒートシンクに埋め込まれた凹部ではない。
【0034】
特に、第１のコース及び／又は第２のコースに沿った単位長さ当たり、絶縁セクションは第１の体積を有し、裏面メタライゼーション部における材料弱化部は第２の体積を有し、ここで、第１の体積及び第２の体積は、それらの絶対サイズに関して実質的に等しく、かつそれらの幾何学的形状に関して異なると規定される。このようにして、一方では、部品メタライゼーション部における凹部と裏面メタライゼーション部における凹部との間の対称性を可能な限り大きく保つことができ、同時に、絶縁セクション又は材料弱化部が埋め込まれている領域における安定性を強化するための手段を講じることができる。この文脈において、当業者は、好ましくは、「実質的に等しい」体積が、それらの平均値の１０％より多く、より好ましくは５％より多く、最も好ましくは２．５％より多く互いから逸脱しない体積であると理解する。第１の体積及び第２の体積は、例えば、それらの深さ、それらの幅、及び／又はそれらの長さの点で異なり得る。したがって、部品メタライゼーション部及び裏面メタライゼーション部における凹部の体積が本質的に一致することを確実にするために、例えば、部品側及び裏面上の異なる深さの凹部に対して、対応して異なる幅又は直径を使用することができる。
【0035】
本発明の別の目的によれば、電気部品を取り付けるためのプリント回路基板として設けられる金属セラミック基板が提供され、金属セラミック基板は、
部品メタライゼーション部及び裏面メタライゼーション部と、
部品メタライゼーション部と裏面メタライゼーション部との間に積層方向に沿って配置されたセラミック要素と、を備え、
部品メタライゼーション部は、第１の金属セクション及び第２の金属セクションを含み、第１の金属セクション及び第２の金属セクションは、絶縁セクションによって互いに分離され、かつ／又は電気部品のための接続領域が第１の金属セクション上に設けられ、
裏面メタライゼーション部は、材料弱化部、特に、積層方向に見て、接続領域と少なくとも部分的に一致するように配置される材料凹部を有する。絶縁セクションと一致して配置された材料弱化部を有する金属セラミック基板について記載された全ての利点及び特性は、接続領域と一致した材料弱化部を有する金属セラミック基板について記載された利点及び特性又は仕様に同様に転用することができ、逆もまた同様である。特に、絶縁セクションと一致する材料凹部と、接続領域と一致する（更なる）材料凹部との両方を有する金属セラミック基板が考えられる。
部品メタライゼーション部及び裏面メタライゼーション部と、
部品メタライゼーション部と裏面メタライゼーション部との間に積層方向に沿って配置されたセラミック要素と、を備え、
部品メタライゼーション部は、第１の金属セクション及び第２の金属セクションを含み、第１の金属セクション及び第２の金属セクションは、絶縁セクションによって互いに分離され、かつ／又は電気部品のための接続領域が第１の金属セクション上に設けられ、
裏面メタライゼーション部は、材料弱化部、特に、積層方向に見て、接続領域と少なくとも部分的に一致するように配置される材料凹部を有する。絶縁セクションと一致して配置された材料弱化部を有する金属セラミック基板について記載された全ての利点及び特性は、接続領域と一致した材料弱化部を有する金属セラミック基板について記載された利点及び特性又は仕様に同様に転用することができ、逆もまた同様である。特に、絶縁セクションと一致する材料凹部と、接続領域と一致する（更なる）材料凹部との両方を有する金属セラミック基板が考えられる。
【0036】
好ましくは、接続領域は、対応する平面広がりによって特徴付けられ、この平面広がりは、主延長面において導体経路よりも幅広であるため、導体経路とは明らかに異なる。材料弱化部は、接続領域の下に一致して配置された領域全体にわたって延びることが考えられる。接続領域と一致する裏面メタライゼーション部の部分的なセクションのみが、いくつかの領域で、例えば接続領域の縁部セクションと一致する材料弱化部を有することも考えられる。好ましくは、接続領域の下に一致して配置される材料弱化部は、二次元パターンで配置される。
【0037】
本発明の更なる目的は、金属セラミック基板、特に本発明による金属セラミック基板を製造する方法であって、該方法は、
部品メタライゼーション部と、裏面メタライゼーション部と、セラミック要素とを設けることと、
部品メタライゼーション部と裏面メタライゼーション部とをセラミック要素に接合することであって、セラミック要素が部品メタライゼーション部と裏面メタライゼーション部との間に積層方向に沿って配置されることと、
絶縁セクションを実現することによって部品メタライゼーション部を構造化することと、
裏面メタライゼーション部において材料弱化部を実現することであって、材料弱化部は、積層方向に見て、絶縁セクションと一致して配置されることと、を含む。
部品メタライゼーション部と、裏面メタライゼーション部と、セラミック要素とを設けることと、
部品メタライゼーション部と裏面メタライゼーション部とをセラミック要素に接合することであって、セラミック要素が部品メタライゼーション部と裏面メタライゼーション部との間に積層方向に沿って配置されることと、
絶縁セクションを実現することによって部品メタライゼーション部を構造化することと、
裏面メタライゼーション部において材料弱化部を実現することであって、材料弱化部は、積層方向に見て、絶縁セクションと一致して配置されることと、を含む。
【0038】
金属セラミック基板に関して説明した全ての利点及び特性又は仕様は、本方法にも同様に転用することができ、逆もまた同様である。
【図面の簡単な説明】
【0039】
更なる利点及び特徴は、添付の図面を参照して、本発明による目的の好ましい実施形態の以下の説明からもたらされる。それによって、個々の実施形態の個々の特徴は、本発明の範囲内で互いに組み合わせることができる。
【0040】
以下を示す。
【図1】従来技術による金属セラミック基板。
【図2】本発明の第１の例示的な実施形態による、断面図における金属セラミック基板。
【図3】本発明の第２の例示的な実施形態による、断面図における金属セラミック基板。
【図4】本発明の第３の例示的な実施形態による、金属セラミック基板。
【図5】裏面メタライゼーション部の２つの異なる材料弱化部。
【図6】本発明の第４の実施形態による、金属セラミック基板の部品メタライゼーション部（下）、裏面メタライゼーション部（上）及び側面図（中央）。
【図7】本発明の第５の例示的な実施形態による、金属セラミック基板のための絶縁セクションを形成する凹部と材料弱化部を形成する凹部との間の比較。
【発明を実施するための形態】
【0041】
図１は、従来技術による金属セラミック基板１を概略的に示す。このような金属セラミック基板１は、好ましくは電気部品用のキャリアである。特に、金属セラミック基板１は、セラミック要素３０及び部品メタライゼーション部１０を有し、セラミック要素３０及び部品メタライゼーション部１０は、主延長面ＨＳＥに沿って延びると規定される。部品メタライゼーション部１０は、セラミック要素３０に接合されており、部品メタライゼーション部１０及びセラミック要素３０は、主延長面ＨＳＥに対して垂直な積層方向Ｓで互いの上に配置されている。特に、部品メタライゼーション部１０は、複数の金属セクション、例えば第１の金属セクション１１、第２の金属セクション１２、及び第２の第３の金属セクション１３を有し、これらの金属セクションは、例えば、主延長面ＨＳＥに対して平行に走る方向に沿って互いに電気的に絶縁されて互いに隣り合って配置されていると規定される。
【0042】
特に、従来技術では、まず、特に、直接金属接合プロセス及び／又は活性はんだ付けプロセス又はＡＭＢプロセス及び／又はＡＤＢプロセス及び／又は熱間等方圧加圧法によって、部品メタライゼーション部１０をセラミック要素３０に接合することが一般的である。このような接合プロセスは高温プロセスであり、この高温プロセスでは、セラミック要素３０及び部品メタライゼーション部１０の配置が、高められた温度、特に５００℃を上回る温度にさらされる。接合プロセスの後、電気的に絶縁された金属セクション、特に第１の金属セクション１１及び第２の金属セクション１２を実現するために、例えばエッチングプロセスによって構造化が行われ、これらの金属セクションは、電気回路のための導体経路及び／又は接続領域、いわゆるパッドとして使用することができる。
【0043】
部品メタライゼーション部１０とは反対側のセラミック要素３０の側には、裏面メタライゼーション部２０が接合されることが好ましく、裏面メタライゼーション部２０は、特に、部品メタライゼーション部１０と同時に、すなわち共通の作業ステップで、セラミック要素３０に接合される。代替的に、部品メタライゼーション部１０及び裏面メタライゼーション部は、互いに接合される。このような裏面メタライゼーション部２０は、特に、部品メタライゼーション部１０とセラミック要素３０との異なる熱機械膨張係数によって引き起こされる金属セラミック基板１における熱機械的応力を補償する働きをする。
【0044】
この文脈において、部品メタライゼーション部１０は、少なくとも第１の金属セクション１１、第２の金属セクション１２及び／又は第３の金属セクション１３を有すると規定される。構造化後、第１の金属セクション１１、第２の金属セクション１２及び／又は第３の金属セクション２３は、互いに電気的に絶縁された対応する導体経路及び／又は接続領域を形成するために、絶縁セクション１５によって互いに分離される。この目的のために、例えば、化学的方法及び／又は機械的方法及び／又は光学的方法によって、構造化が部品メタライゼーション部１０に埋め込まれ、構造化に必要な部品メタライゼーション部１０における凹部は、必要な電気絶縁を提供するために、少なくともセラミック要素３０まで延びる。このような絶縁セクション１５は、特にトレンチの形態で部品メタライゼーション部１０に形成され、口語的に絶縁トレンチとしても知られている。トレンチ形状の絶縁セクション１５の対応する第１のコースＶＥ１は、プリント回路基板として提供される金属セラミック基板１の用途に応じて特定のパターンに従う。特に、一連の製造された金属セラミック基板１のための絶縁セクション１５の第１のコースは、対応する用途のために個々に設定されると規定される。
【0045】
金属セラミック基板１の部品側ＢＳと裏面ＲＳとの間に所望の対称性を提供し、したがって、金属セラミック基板１に生じる対応する熱機械的応力を互いに補償することを可能にするために、裏面メタライゼーション部２０及び部品メタライゼーション部１０が実質的に同等の厚さを有すると規定される。厚さは、積層方向Ｓに沿った方向に沿って測定される。
【0046】
図２は、本発明の第１の例示的な実施形態による、金属セラミック基板１を示す。金属セラミック基板１の反りやすさを低減するために、ここでは、部品メタライゼーション部１０における絶縁セクション１５に加えて、材料弱化部２５が裏面メタライゼーション部２０に埋め込まれる。図２に示される実施形態では、材料弱化部２５は、裏面メタライゼーション部２０における凹部であり、凹部は、特にセラミック要素２０まで延び、裏面メタライゼーション部３０の部分的なセクションの完全な絶縁をもたらす。特に、材料弱化部２５は、積層方向Ｓに見て、絶縁セクション１５と実質的に一致して配置されると規定される。これは、有利なことに、部品側ＢＳと裏面ＲＤとの間の対称性を更に向上させ、したがって、金属セラミック基板１の曲がりやすさを更に低減する。更に、部品メタライゼーション部１０は第１の厚さＤ１を有し、裏面メタライゼーション部２０は第２の厚さＤ２を有し、第１の厚さＤ１と第２の厚さＤ２とは実質的に等しい。この文脈において、「実質的に」とは、第１の厚さＤ１と第２の厚さＤ２との間の偏差が、第１の厚さＤ１及び／又は第２の厚さＤ２の平均値の１０％未満、より好ましくは５％未満、最も好ましくは２．５％未満であることを意味すると理解される。
【0047】
更に、セラミック要素３０は第３の厚さＤ３を有すると規定される。好ましくは、第３の厚さＤ３は、７００μｍ未満、より好ましくは４００μｍ未満、最も好ましくは３３０μｍ未満の値を有すると規定される。したがって、これらは比較的薄い絶縁層又はセラミック要素３０であり、それに対応してより曲がりやすい。したがって、一致して配置された材料弱化部２５を追加的に含むことによってもたらされる対称性の向上によって、比較的薄い絶縁層、すなわち比較的薄いセラミック要素３０が使用されるこのような金属セラミック基板１における曲げに対抗することも有利に可能である。
【0048】
更に、絶縁セクションが第１の幅Ｂ１を有し、材料弱化部２５が第２の幅Ｂ２を有すると規定される。好ましくは、第２の幅Ｂ２は第１の幅Ｂ１よりも小さいと規定される。特に、第１の幅Ｂ１に対する第２の幅Ｂ２の比は、０．１～２．０、より好ましくは０．５～１．５、最も好ましくは０．７５～０．５の値を有することが考えられる。図２に示される実施形態の例では、凹部として形成された材料弱化部２５の領域における裏面メタライゼーション部２０の側面は、主延長面ＨＳＥに対して実質的に垂直に走る。しかしながら、ここでは、特に裏面メタライゼーション部２０に埋め込まれた材料弱化部２５がエッチングプロセスによって実現される場合、形成された側面が湾曲しているか、又は傾斜していることが好ましい。
【0049】
絶縁セクション１５の第１の幅は、特に、絶縁セクション１５の測定されるべき点において、２つの対向する金属セクション１１、１２、１３間の最小距離によって決定される。第１の幅Ｂ１が決定される第１の方向Ｒ１は、主延長面ＨＳＥ内にあり、特に、絶縁セクション１５が主延長面ＨＳＥにおける第１のコースＶＥ１に従って延びる方向に垂直である。この第１のコースＶＥ１は、それぞれの金属セラミック基板１に設けられた対応するパターンによって予め決定される。第２の幅Ｂ２の大きさは、同じ第１の方向Ｒ１に沿った裏面ＲＳ上の同じ位置において決定されることが好ましい。
【0050】
更に、「一致する」とは、積層方向Ｓに平行な絶縁セクション１５の広がりへの材料弱化部２５の広がりの仮想投影に沿って、特に５０％より大きい、好ましくは７５％より大きい、より好ましくは９５％より大きい空間的重なりが決定され得ることを意味するものとして理解されるべきである。材料弱化部２５の広がりの中心及び絶縁セクション１５の中心は、積層方向で互いの上に位置し得、又は、特に主延長面ＨＳＥにおいて、第１のコースＶＥ１に対して垂直又は第２のコースＶＥ２に対して垂直に走る方向に沿って、互いに対して横方向にオフセットされ得る。
【0051】
図３は、本発明の第２の例示的な実施形態による金属セラミック基板１を通る断面図を示す。図３の実施形態の例は、図３の実施形態の例において、凹部として形成された材料弱化部２５がセラミック要素３０まで延びないという点においてのみ、図２の実施形態の例と本質的に異なる。特に、ここでは、残留メタライゼーション部４０が材料弱化部２５の領域に設けられている。この残留メタライゼーション部４０は、第２の厚さＤ２よりも小さい第４の厚さＤ４を有する。好ましくは、第２の厚さＤ２に対する第４の厚さＤ４の比は、０．５未満、より好ましくは０．２５未満、最も好ましくは０．１未満である。この実施形態の例は、残留メタライゼーション部４０をセラミック要素３０の安定性に寄与するために使用することができ、同時に、部品側ＢＳ及び裏面ＲＳの対称性の考えが考慮されるという利点を有する。残留メタライゼーション部４０の存在を補償するために、第２の厚さＤ２が第１の厚さＤ１よりも小さいことが考えられる。更に、別の実施形態の例では、金属セラミック基板１に凹部として設けられた材料弱化部２５が部分的にセラミック部分３０まで延び、他のセクションが残留メタライゼーション部４０を有することが考えられる。換言すれば、金属セラミック基板１は、凹部として形成された材料弱化部２５を含み、その一部はセラミック要素３０まで延び、その一部は残留メタライゼーション部４０を有する。
【0052】
更に、別の実施形態の例では、第４の厚さＤ４は、異なる材料弱化部２５に対して異なり、変化し、特に、絶縁セクション１５のそれぞれのレイアウト／パターン又はそれぞれの計画された第１のコースＶＥ１に対して予想される熱機械的応力の程度に適合されることが考えられる。
【0053】
図４は、本発明の第３の例示的な実施形態による金属セラミック基板１の側面図（中央）、裏面ＲＳの上面図（上）、及び部品側ＢＳの上面図（下）を示す。特に、裏面メタライゼーション部２０における材料弱化部２５は、孔の列として、又は一連の材料弱化部２５として形成されると規定される。このような孔の列は、個々の孔の間に保持されたメタライゼーション部が金属セラミック基板１の安定性を高め、同時に金属セラミック基板１の部品側ＢＳ及び裏面ＲＳ上の材料凹部の対称性を向上させるので、特に有利であることが判明している。好ましくは、孔の列は、一連の円形及び／又はドーム状の凹部である。断面図に示された凹部の実施形態は、セラミック要素３０（左）まで延び、凹部が裏面メタライゼーション部で終端する（右）、すなわち、残留メタライゼーション部４０が凹部とセラミック要素３０との間に設けられる。
【0054】
更に、孔の列又は一連の材料弱化部２５は、第２のコースＶＥ２を辿り、この第２のコースＶＥ２は、特に、部品側ＢＳ上又は部品メタライゼーション部１０における絶縁セクション１５によって提供される第１のコースＶＥ１と一致すると規定される。主延長面ＨＳＥにおける第１のコースＶＥ１及び第２のコースＶＥ２は、各々互いに対して角度を付けられたサブセクションを有してもよく、及び／又は、たとえば直線のサブセクションを互いに接合する湾曲したサブセクションを有してもよい。第１のコースＶＥ１及び／又は第２のコースＶＥ２が分岐を有することも考えられる。
【0055】
更に、好ましくは、２つの隣接する凹部間又は材料弱化部２５間の第１の距離ＡＢ１は、６００μｍよりも小さく、より好ましくは４００μｍよりも小さく、最も好ましくは２５０μｍよりも小さいと規定される。特に、２つの材料弱化部間の第１の距離ＡＢ１は、第１の広がりＥ１よりも大きいと規定される。
【0056】
孔の列として配置された凹部が、互いに接触するか、又は互いに一体化し、裏面メタライゼーション部の外側へ延びる金属セクションによって互いに分離されないことも考えられる。
【0057】
更に、材料弱化部２５に加えて、裏面メタライゼーション部２０の周縁領域に形成される更なる材料弱化部２６が設けられることがより好ましい。特に、更なる材料弱化部２６は、一連の更なる材料弱化部２６として、特に孔の列として形成され、この一連の更なる材料弱化部２６は、裏面メタライゼーション部２０又は金属セラミック基板１の周縁領域に沿って枠状に延びる。特に、更なる材料弱化部２６のコースは、第１のコースＶＥ１と又は部品側ＢＳ上の絶縁セクション１５の配置と一致して配置される材料弱化部２５が形成される領域の外側に位置すると規定される。更に、特に更なる凹部として形成された更なる材料弱化部２６は、セラミック要素３０から離れる方向に面する裏面メタライゼーション部２０の外側上に、材料弱化部２５の第１の広がりＥ１よりも小さい第１の広がりＥ１を有すると規定される。更に、材料弱化部２５の第１の広がりＥ１に対する更なる材料弱化部２６の第１の広がりＥ１の比は、０．７未満、０．６未満、最も好ましくは０．５未満の値を有する。好ましくは、更なる材料弱化部２６の第１の広がりＥ１は、１．２ｍｍ未満、より好ましくは０．９ｍｍ未満、最も好ましくは０．７ｍｍ未満である。更に、より好ましくは、２つの隣接する更なる材料弱化部２６間の第１の距離ＡＢ１は、２つの材料弱化部２５間の距離よりも小さいことが規定される。材料弱化部２５間又は更なる材料弱化部２６間の距離は、ここでは、それぞれの凹部の中心から中心までで、決定される。更に、好ましくは、周縁領域は、外周から裏面メタライゼーション部２０の中心の方向に延びる領域であると理解され、周縁領域の範囲は、裏面メタライゼーション部２０の全範囲の最大１０％、特に最大５％、より好ましくは最大２％に制限されると規定される。
【0058】
図５は、材料弱化部２５の２つの異なる形態を通る断面図を示す。特に、ドーム状の凹部は、セラミック要素３０から離れる方向に面する裏面メタライゼーション部２０の外側上に第１の広がりＥ１を有すると規定される。好ましくは、第１の広がりＥ１は、全ての材料弱化部２５、特に全てのドーム状の凹部に対して実質的に同一であると規定される。絶縁セクション１５と一致して配置された異なるドーム状の凹部の第１の広がりＥ１のサイズが互いに異なることも考えられる。
【0059】
好ましくは、材料弱化部２５、特にドーム状の凹部の第１の広がりＥ１は、１．５ｍｍより小さく、より好ましくは１．０ｍｍより小さく、最も好ましくは０．７５ｍｍより小さいと規定される。ドーム状の凹部がセラミック要素３０まで延びる場合、好ましくは、セラミック要素３０に面する裏面メタライゼーション部２０の外側上の材料弱化部２５の第２の広がりＥ２は、１．３ｍｍより小さく、より好ましくは０．８ｍｍより小さく、最も好ましくは０．６ｍｍより小さいことが規定される。特に、第１の広がりＥ１に対する第２の広がりＥ２の比は、０．６～０．９５、より好ましくは０．７～０．９、最も好ましくは０．７５～０．８５の値を有する。
【0060】
図６は、第４の例示的な実施形態による金属セラミック基板１の部品メタライゼーション部１０（下）、裏面メタライゼーション部２０（上）及び側面図（中央）を示す。図６の実施形態は、特に、互いと一致しており、各々部品メタライゼーション部１０又は裏面メタライゼーション部２０の中央領域に配置される第１のコースＶＥ１及び第２のコースＶＥ２が、互いに向かって角度を付けられたいくつかのサブセクションを有するという点で、図４の実施形態と異なる。これは、導体経路又は接続パッドを形成するための所望のパターンを実現するために必要である。特に、以下の図は、第１のコースＶＥ１を示し、それに沿って、絶縁セクション１５が、主延長面ＨＳＥに対して平行に走る平面において延びる。ここで選択された上面図では、セラミック要素３０が、プルバックを形成するために、主延長面ＨＳＥに平行な方向において、部品メタライゼーション部１０に対して突出していることが分かる。
【0061】
本質的に、図６の実施形態の例では、裏面メタライゼーション部２０は、部品メタライゼーション部１０上の絶縁セクション１５の第１のコースＶＥ１と一致して配置された材料弱化部２５と、裏面メタライゼーション部２０の周縁領域に配置された更なる材料弱化部２６とを提供すると規定される。周縁領域における更なる材料弱化部２６は、絶縁セクション１５全体と一致して配置されていないことが分かる。
【0062】
図６の実施形態では、セラミック要素３０は、主延長面ＨＳＥに対して平行に走る方向において、部品メタライゼーション部１０に対してよりも裏面メタライゼーション部２０に対して突出していないことが更に規定される。これにより、セラミック要素３０の端部までの距離が増大するにつれて、部品側ＢＳ上でのフラッシュオーバーの確率が減少し、裏面ＲＳ上では、金属セラミック基板１の安定化が裏面メタライゼーション部２０の周縁領域によって支持される。特に、更なる材料弱化部２６は、部品メタライゼーション部１０に対して主延長面ＨＳＥに平行な方向に突出する裏面メタライゼーション部２０の領域で、裏面メタライゼーション部２０の周縁領域に配置されると規定される。側面図では、裏面メタライゼーション部２０は、主延長面ＨＳＥにおけるその広がりが部品メタライゼーション部１０よりも大きく、部品メタライゼーション部１０に対して主延長面ＨＳＥに平行な方向に突出していることが分かる。
【0063】
更に、材料弱化部２５の第２のコースＶＥ２が絶縁セクション１５と完全に一致して配置されるが、第２のコースＶＥ２は、材料弱化部２５が省略された部分的なセクションを含むことが考えられる（図示せず）。したがって、第１のコースＶＥ１は、第２のコースＶＥ２と完全に一致しない。なぜなら、第１のコースＶＥ１には、裏面メタライゼーション部２０上に材料弱化部２５が設けられていないサブ領域が存在するからである。これは、高密度の絶縁トレンチ又は絶縁セクション１５が設けられている領域に対して特に有用であり、それによって、裏面ＲＳ上への対応する材料弱化部２５の導入は、金属セラミック基板１の対応する不安定化につながる。
【0064】
図７は、絶縁セクション１５に割り当てられた凹部と、金属セラミック基板１の材料弱化部２５に割り当てられた凹部との比較を概略的に示す。換言すれば、図７の中央領域には、部品側ＢＳ及び裏面ＲＳの上面図がそれぞれ示されており、したがって、絶縁セクション１５の凹部のための第１の表面Ａ１、及び裏面ＲＳの上面図において例えば全体で同じサイズの一連の第２の表面Ａ２を形成するドーム状の凹部の形態のいくつかの材料弱化部２５が明らかになっている。
【0065】
ここで同様に挿入されている切断線ＡＡに沿って、部品メタライゼーション部（上）及び裏面メタライゼーション部（下）を通る断面図も示されている。部品側ＢＳ上の絶縁セクション１５に割り当てられた凹部は第１の深さＴ１を有し、ドーム状の凹部として形成された材料弱化部２５は第２の深さＴ２を有する。可能な限り大きな対称性を達成するために、固定された単位長さＬＥに対して、絶縁セクション１５を形成するための１つ以上の凹部の第１の体積Ｖ１は、絶縁セクション１５に対向する裏面メタライゼーション部２０における領域において単位長さＬＥ当たりに裏面メタライゼーション部１０における凹部又は複数の凹部が占める第２の体積Ｖ２にサイズが対応すると規定される。単位長さＬＥは、好ましくは、２つの隣接する材料弱化部２５間の第１の距離ＡＢ１によって形成され、かつ／又は１ｃｍ、より好ましくは２ｃｍ、最も好ましくは２．５ｃｍにわたって延びる。特に、同じサイズの体積にもかかわらず、第１の体積Ｖ１及び第２の体積Ｖ２の形状が異なることが規定される。例えば、絶縁セクション１５は、連続的な凹部によって形成され、一方、裏面ＲＳ上の材料弱化部２５は、ドーム状の凹部上に形成される。結果として、例えば、第２の深さＴ２は第１の深さＴ１に対応せず、第１のコースＶＥ１及び／又は第２のコースＶＥ２に沿って測定された、絶縁セクション１５に関連付けられた凹部の長さは、材料弱化部２５の対応する長さに対応しない。材料弱化部２５における凹部がセラミック要素３０まで延びる場合、より好ましくは、例えば、単位長さＬＥ当たりの第１の面積Ａ１は、裏面ＲＳにおける凹部の直径が増大しているため、裏面ＲＳにおける合計された第２の面積Ａ２にほぼ対応すると規定される。絶縁セクション１５を形成するための凹部に関して材料弱化部２５の異なる形態を考慮するために、ドーム状の凹部の直径、すなわち第２の幅Ｂ２は、例えば、関連する絶縁セクション１５の対応する第１の幅Ｂ１よりも大きくなるように選択することができる。これは、特に、より多くの材料が裏面ＲＳ上に保持され、したがって、特に絶縁セクション１５の領域において金属セラミック基板１全体の安定性が向上するので、有利であることが判明している。しかしながら、同時に、特に動作中に金属セラミック基板１を曲げる可能性がある対称性の低下が回避される。
【0066】
更に、第１の体積Ｖ１及び／又は第２の体積Ｖ２を、対応する第１の深さＴ１及び／又は第２の深さＴ２によって、第１の体積Ｖ１及び第２の体積Ｖ２が本質的に互いに対応するように設定することが可能である。
【0067】
この文脈において、当業者は、「実質的に」は、関連する量又は比較される値の平均値の１０％未満、より好ましくは５％未満、最も好ましくは２．５％未満の偏差が予想されることを意味すると理解する。
【符号の説明】
【0068】
１…金属セラミック基板、１０…部品メタライゼーション部、１１…第１の金属セクション、１２…第２の金属セクション、１３…第３の金属セクション、１５…絶縁セクション、２０…裏面メタライゼーション部、２５…材料弱化部、２６…更なる材料弱化部、３０…セラミック要素、４０…残留メタライゼーション部、Ｓ…積層方向、ＢＳ…部品側、ＲＳ…裏面、ＨＳＥ…主延長面、Ｒ１…第１の方向、Ｂ１…第１の幅、Ｂ２…第２の幅、Ｄ１…第１の厚さ、Ｄ２…第２の厚さ、Ｄ３…第３の厚さ、Ｄ４…第４の厚さ、Ｖ１…第１の体積、Ｖ２…s第２の体積、ＶＥ１…第１のコース、ＶＥ２…第２のコース、ＡＢ１…第１の距離、Ｔ１…第１の深さ、Ｔ２…第２の深さ、Ｅ１…第１の広がり、Ｅ２…第２の広がり。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【手続補正書】
【提出日】2024-02-16
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
電気部品を取り付けるためのプリント回路基板として提供される金属セラミック基板（１）であって、部品メタライゼーション部（１０）及び裏面メタライゼーション部（２０）と、
前記部品メタライゼーション部（１０）と前記裏面メタライゼーション部（２０）との間に積層方向（Ｓ）に沿って配置されたセラミック要素（３０）と、を備え、
前記部品メタライゼーション部（１０）は、第１の金属セクション（１１）及び第２の金属セクション（１２）を含み、前記第１の金属セクション（１１）及び前記第２の金属セクション（１２）は、絶縁セクション（１５）によって互いに分離されており、
前記裏面メタライゼーション部（２０）は材料弱化部（２５）、特に、前記積層方向（Ｓ）に見て、前記絶縁セクション（１５）と少なくとも部分的に一致して配置された材料凹部を有する、金属セラミック基板（１）において、
複数の分離された材料弱化部（２５）が形成され、２つの隣接する材料弱化部（２５）が互いから６００μｍ未満の第１の距離で配置され、前記絶縁セクションによって占有される前記部品メタライゼーション部における第１の総面積が、前記材料弱化部によって占有される前記裏面メタライゼーション部における第２の総面積よりも大きく、前記第１の総面積に対する前記第２の総面積の比が０．６～０．９の値を有する、金属セラミック基板（１）。
【請求項2】
前記材料弱化部（２５）は、ドーム状の凹部として形成される、請求項１に記載の金属セラミック基板（１）。
【請求項3】
前記部品メタライゼーション部（１０）における前記絶縁セクション（１５）は、主延長面（ＨＳＥ）に平行に延びる平面において第１のコース（ＶＥ１）に従い、前記裏面メタライゼーション部（２０）における前記材料弱化部（２５）又は複数の材料弱化部（２５）は、前記主延長面（ＨＳＥ）に平行に延びる平面において第２のコース（ＶＥ２）に従い、好ましくは、前記第２のコース（ＶＥ２）は、前記積層方向（Ｓ）において前記第１のコース（ＶＥ１）と一致して配置される、請求項１又は２に記載の金属セラミック基板（１）。
【請求項4】
前記材料弱化部（２５）又は前記複数の材料弱化部（２５）の前記第２のコース（ＶＥ２）は、例えば孔の列の形態の一連の材料弱化部（２５）によって形成され、かつ／又は２つの材料弱化部（２５）間に前記第２のコース（ＶＥ２）に沿って安定化領域を有する、請求項３に記載の金属セラミック基板（１）。
【請求項5】
更なる材料弱化部（２６）が設けられており、前記更なる材料弱化部（２６）は、前記裏面メタライゼーション部（２０）の周縁領域において前記裏面メタライゼーション部（２０）に埋め込まれており、特に、絶縁セクション（１５）とは独立して前記部品メタライゼーション部（１０）に埋め込まれている、請求項１～４のいずれか一項に記載の金属セラミック基板（１）。
【請求項6】
前記裏面メタライゼーション部（２０）における凹部として形成された前記材料弱化部（２５）が、前記セラミック要素（３０）まで延びる、請求項１～５のいずれか一項に記載の金属セラミック基板（１）。
【請求項7】
残留メタライゼーション部（４０）が、凹部として形成された前記更なる材料弱化部（２６）と前記セラミック要素（３０）との間に形成される、請求項５に記載の金属セラミック基板（１）。
【請求項8】
前記第１のコース（ＶＥ１）と前記第２のコース（ＶＥ２）とが前記積層方向（Ｓ）に見て互いに一致して走っていないセクションの、前記第１のコース（ＶＥ１）と前記第２のコース（ＶＥ２）とが前記積層方向（Ｓ）に見て互いに一致して走っているセクションに対する比が、１未満、より好ましくは０．５未満、最も好ましくは０．２未満の値を有する、請求項３に記載の金属セラミック基板（１）。
【請求項9】
前記第１のコース（ＶＥ１）及び／又は前記第２のコース（ＶＥ２）に沿った単位長さ（ＬＥ）当たり、前記絶縁セクション（１５）は第１の体積（Ｖ１）を有し、前記裏面メタライゼーション部（２０）における前記材料弱化部（２５）又は前記複数の材料弱化部は第２の体積（Ｖ２）を有し、前記第１の体積（Ｖ１）及び前記第２の体積（Ｖ２）は、それらの絶対サイズに関して実質的に等しく、それらの幾何学的形状に関して異なる、請求項３に記載の金属セラミック基板（１）。
【請求項10】
電気部品を取り付けるためのプリント回路基板として提供される金属セラミック基板（１）であって、部品メタライゼーション部（１０）及び裏面メタライゼーション部（２０）と、
前記部品メタライゼーション部（１０）と前記裏面メタライゼーション部（２０）との間に積層方向（Ｓ）に沿って配置されたセラミック要素（３０）と、を備え、
前記部品メタライゼーション部（１０）は、第１の金属セクション（１１）及び第２の金属セクション（１２）を有し、前記第１の金属セクション（１１）及び前記第２の金属セクション（１２）は、絶縁セクション（１５）によって互いに分離され、かつ／又は電気部品用の接続領域が前記第１の金属セクション上に設けられ、
前記裏面メタライゼーション部（２０）は、前記積層方向（Ｓ）に見て、前記接続領域と少なくとも部分的に一致して配置された材料凹部の形態の材料弱化部（２５）を有する、金属セラミック基板（１）において、
複数の分離された材料弱化部（２５）が形成され、前記裏面メタライゼーション部は、前記絶縁セクションと一致する材料凹部と、前記接続領域と一致する材料凹部との両方を有する、金属セラミック基板（１）。
【請求項11】
請求項１～１０のいずれか一項に記載の金属セラミック基板（１）を製造する方法であって、部品メタライゼーション部（１０）と、裏面メタライゼーション部（３０）と、セラミック要素（２０）とを設けることと、
前記部品メタライゼーション部（１０）と前記裏面メタライゼーション部（３０）とを前記セラミック要素（２０）に接合することであって、前記セラミック要素（２０）が前記部品メタライゼーション部（１０）と前記裏面メタライゼーション部（２０）との間に積層方向（Ｓ）に沿って配置されることと、
絶縁セクション（１５）を実現することによって前記部品メタライゼーション部（１０）を構造化することと、
前記裏面メタライゼーション部（２０）において材料弱化部（２５）を実現することであって、前記材料弱化部（２５）は、前記積層方向（Ｓ）に見て、前記絶縁セクション（１５）及び／又は前記第１の金属セクションの接続領域と一致して配置されることと、
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】2024-05-24
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
電気部品を取り付けるためのプリント回路基板として提供される金属セラミック基板（１）であって、部品メタライゼーション部（１０）及び裏面メタライゼーション部（２０）と、
前記部品メタライゼーション部（１０）と前記裏面メタライゼーション部（２０）との間に積層方向（Ｓ）に沿って配置されたセラミック要素（３０）と、を備え、
前記部品メタライゼーション部（１０）は、第１の金属セクション（１１）及び第２の金属セクション（１２）を含み、前記第１の金属セクション（１１）及び前記第２の金属セクション（１２）は、絶縁セクション（１５）によって互いに分離されており、
前記裏面メタライゼーション部（２０）は材料弱化部（２５）、特に、前記積層方向（Ｓ）に見て、前記絶縁セクション（１５）と少なくとも部分的に一致して配置された材料凹部を有する、金属セラミック基板（１）において、
複数の分離された材料弱化部（２５）が形成され、２つの隣接する材料弱化部（２５）が互いから６００μｍ未満の第１の距離で配置され、前記絶縁セクションによって占有される前記部品メタライゼーション部における第１の総面積が、前記材料弱化部によって占有される前記裏面メタライゼーション部における第２の総面積よりも大きく、前記第１の総面積に対する前記第２の総面積の比が０．６～０．９の値を有する、金属セラミック基板（１）。
【請求項2】
前記材料弱化部（２５）は、ドーム状の凹部として形成される、請求項１に記載の金属セラミック基板（１）。
【請求項3】
前記部品メタライゼーション部（１０）における前記絶縁セクション（１５）は、主延長面（ＨＳＥ）に平行に延びる平面において第１のコース（ＶＥ１）に従い、前記裏面メタライゼーション部（２０）における前記材料弱化部（２５）又は複数の材料弱化部（２５）は、前記主延長面（ＨＳＥ）に平行に延びる平面において第２のコース（ＶＥ２）に従い、好ましくは、前記第２のコース（ＶＥ２）は、前記積層方向（Ｓ）において前記第１のコース（ＶＥ１）と一致して配置される、請求項１又は２に記載の金属セラミック基板（１）。
【請求項4】
前記材料弱化部（２５）又は前記複数の材料弱化部（２５）の前記第２のコース（ＶＥ２）は、例えば孔の列の形態の一連の材料弱化部（２５）によって形成され、かつ／又は２つの材料弱化部（２５）間に前記第２のコース（ＶＥ２）に沿って安定化領域を有する、請求項３に記載の金属セラミック基板（１）。
【請求項5】
更なる材料弱化部（２６）が設けられており、前記更なる材料弱化部（２６）は、前記裏面メタライゼーション部（２０）の周縁領域において前記裏面メタライゼーション部（２０）に埋め込まれており、特に、絶縁セクション（１５）とは独立して前記部品メタライゼーション部（１０）に埋め込まれている、請求項１又は２に記載の金属セラミック基板（１）。
【請求項6】
前記裏面メタライゼーション部（２０）における凹部として形成された前記材料弱化部（２５）が、前記セラミック要素（３０）まで延びる、請求項１又は２に記載の金属セラミック基板（１）。
【請求項7】
残留メタライゼーション部（４０）が、凹部として形成された前記更なる材料弱化部（２６）と前記セラミック要素（３０）との間に形成される、請求項５に記載の金属セラミック基板（１）。
【請求項8】
前記第１のコース（ＶＥ１）と前記第２のコース（ＶＥ２）とが前記積層方向（Ｓ）に見て互いに一致して走っていないセクションの、前記第１のコース（ＶＥ１）と前記第２のコース（ＶＥ２）とが前記積層方向（Ｓ）に見て互いに一致して走っているセクションに対する比が、１未満、より好ましくは０．５未満、最も好ましくは０．２未満の値を有する、請求項３に記載の金属セラミック基板（１）。
【請求項9】
前記第１のコース（ＶＥ１）及び／又は前記第２のコース（ＶＥ２）に沿った単位長さ（ＬＥ）当たり、前記絶縁セクション（１５）は第１の体積（Ｖ１）を有し、前記裏面メタライゼーション部（２０）における前記材料弱化部（２５）又は前記複数の材料弱化部は第２の体積（Ｖ２）を有し、前記第１の体積（Ｖ１）及び前記第２の体積（Ｖ２）は、それらの絶対サイズに関して実質的に等しく、それらの幾何学的形状に関して異なる、請求項３に記載の金属セラミック基板（１）。
【請求項10】
電気部品を取り付けるためのプリント回路基板として提供される金属セラミック基板（１）であって、部品メタライゼーション部（１０）及び裏面メタライゼーション部（２０）
と、
前記部品メタライゼーション部（１０）と前記裏面メタライゼーション部（２０）との間に積層方向（Ｓ）に沿って配置されたセラミック要素（３０）と、を備え、
前記部品メタライゼーション部（１０）は、第１の金属セクション（１１）及び第２の金属セクション（１２）を有し、前記第１の金属セクション（１１）及び前記第２の金属セクション（１２）は、絶縁セクション（１５）によって互いに分離され、かつ／又は電気部品用の接続領域が前記第１の金属セクション上に設けられ、
前記裏面メタライゼーション部（２０）は、前記積層方向（Ｓ）に見て、前記接続領域と少なくとも部分的に一致して配置された材料凹部の形態の材料弱化部（２５）を有する、金属セラミック基板（１）において、
複数の分離された材料弱化部（２５）が形成され、前記裏面メタライゼーション部は、前記絶縁セクションと一致する材料凹部と、前記接続領域と一致する材料凹部との両方を有する、金属セラミック基板（１）。
【請求項11】
請求項１又は２に記載の金属セラミック基板（１）を製造する方法であって、部品メタライゼーション部（１０）と、裏面メタライゼーション部（３０）と、セラミック要素（２０）とを設けることと、
前記部品メタライゼーション部（１０）と前記裏面メタライゼーション部（３０）とを前記セラミック要素（２０）に接合することであって、前記セラミック要素（２０）が前記部品メタライゼーション部（１０）と前記裏面メタライゼーション部（２０）との間に積層方向（Ｓ）に沿って配置されることと、
絶縁セクション（１５）を実現することによって前記部品メタライゼーション部（１０）を構造化することと、
前記裏面メタライゼーション部（２０）において材料弱化部（２５）を実現することであって、前記材料弱化部（２５）は、前記積層方向（Ｓ）に見て、前記絶縁セクション（１５）及び／又は前記第１の金属セクションの接続領域と一致して配置されることと、
を含む、方法。
【国際調査報告】