特表 2024-534418 大きいコードワードのＲＡＩＮ保護のための冗長メタデータ方式

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-09-20

(54)【発明の名称】大きいコードワードのＲＡＩＮ保護のための冗長メタデータ方式

(51)【国際特許分類】

   G06F 11/10 20060101AFI20240912BHJP

【ＦＩ】

G06F11/10 660

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024516780

(86)(22)【出願日】2022-09-19

(85)【翻訳文提出日】2024-04-12

(86)【国際出願番号】 US2022044022

(87)【国際公開番号】W WO2023044125

(87)【国際公開日】2023-03-23

(31)【優先権主張番号】17/477,859

(32)【優先日】2021-09-17

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】595168543

【氏名又は名称】マイクロン テクノロジー，インク．

(74)【代理人】

【識別番号】110004185

【氏名又は名称】インフォート弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】チェン チェンガン

(72)【発明者】

【氏名】パルタサラティ シヴァニャナム

(57)【要約】

メモリサブシステムの１つまたは複数のメモリページに複数のコードワードがプログラムされる。メモリサブシステムの各メモリページは、メモリサブシステムの複数の論理ユニットのうちの１つの論理ユニットと、メモリサブシステムの複数のプレーンのうちの１つのプレーンまたはメモリサブシステムの複数のブロックのうちの１つのブロックのうちの少なくとも１つとに関連づけられる。複数のコードワードの各コードワードはホストデータおよびベースパリティビットを含む。メモリサブシステムの１つまたは複数のメモリページに複数の追加のパリティビットがプログラムされ、複数の追加のパリティビットの各追加のパリティビットは複数の標準的なコードワードのうちの１つのコードワードに関連づけられる。追加のパリティビットの各々に対応する冗長メタデータの第１のセットが生成される。冗長メタデータの第１のセットは、追加のパリティビットを記憶するいずれのメモリページとも別個のメモリページにプログラムされる。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

メモリサブシステムの１つまたは複数のメモリページに複数のコードワードをプログラムすることであって、前記メモリサブシステムの各メモリページが、前記メモリサブシステムの複数の論理ユニットのうちの１つの論理ユニットと、前記メモリサブシステムの複数のプレーンのうちの１つのプレーンまたは前記メモリサブシステムの複数のブロックのうちの１つのブロックのうちの少なくとも１つとに関連づけられ、前記複数のコードワードの各コードワードがホストデータおよびベースパリティビットを含む、プログラムすることと、
前記メモリサブシステムの前記１つまたは複数のメモリページに複数の追加のパリティビットをプログラムすることであって、前記複数の追加のパリティビットの各追加のパリティビットが前記複数のコードワードのそれぞれのコードワードに関連づけられる、プログラムすることと、
前記追加のパリティビットの各々に対応する冗長メタデータの第１のセットを生成することと、
前記複数の追加のパリティビットを記憶するいずれのメモリページとも別個の、前記メモリサブシステムのメモリページに冗長メタデータの前記第１のセットをプログラムすることと
を含む、方法。

【請求項2】

コードワードのセットに対応する冗長メタデータの第２のセットを生成することと、
冗長メタデータの前記第１のセットを記憶する前記メモリサブシステムの前記メモリページに冗長メタデータの前記第２のセットをプログラムすることと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。

【請求項3】

冗長メタデータの前記第１のセットのための第２階層パリティメタデータを生成することと、
冗長メタデータの前記第１のセットを記憶する前記メモリサブシステムの前記メモリページに前記パリティメタデータをプログラムすることと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。

【請求項4】

冗長メタデータの前記第１のセットを生成することが、前記追加のパリティビットに基づいて１つまたは複数の排他的論理和（ＸＯＲ）演算を実行することを含む、請求項１に記載の方法。

【請求項5】

冗長メタデータの前記第２セットのためのパリティメタデータを生成することと、
冗長メタデータの前記第１のセットを記憶する前記メモリサブシステムの前記メモリページに前記パリティメタデータをプログラムすることと
をさらに含む、請求項２に記載の方法。

【請求項6】

前記メモリサブシステムのメモリページに記憶されたデータ項目の読み出し要求を受信したことに応答して、読み出しエラーが発生したと決定することと、
前記読み出しエラーを経験した前記メモリページが冗長メタデータの前記第１のセットを記憶していたと決定することと、
冗長メタデータの前記第１のセットを再生成することと、
前記メモリサブシステムの異なるメモリページに冗長メタデータの前記再生成されたセットを記憶することと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。

【請求項7】

前記メモリサブシステムのメモリページに記憶されたデータ項目の読み出し要求を受信したことに応答して、読み出しエラーが発生したと決定することと、
前記読み出しエラーを経験した前記メモリページが冗長メタデータの前記第２のセットを記憶していたと決定することと、
冗長メタデータの前記第２のセットを再生成することと、
前記メモリサブシステムの異なるメモリページに冗長メタデータの前記再生成されたセットを記憶することと
をさらに含む、請求項２に記載の方法。

【請求項8】

各ブロックが１つまたは複数のメモリページを含む、複数のブロックであって、前記メモリページは、各ストライプが前記複数のプレーンまたは前記複数のブロックの各々の少なくとも１つのメモリページを含む、複数のストライプに編成される、複数のブロックと、
前記複数のプレーンまたは前記複数のブロックの各々に結合された処理デバイスと
を含むシステムであって、前記処理デバイスは、
データ項目のセットにアクセスすることに関連するエラーを検出することであって、データ項目の前記セットが、前記複数のストライプのうちの１つのストライプに関連づけられたそれぞれのメモリページにプログラムされる、検出することと、
データ項目の前記セットが、１つまたは複数のコードワード、追加のパリティメタデータ、独立した否定論理積（ＮＡＮＤ）の冗長アレイ（ＲＡＩＮ）冗長メタデータ、または論理ユニット（ＬＵＮ）冗長メタデータのうちの少なくとも１つを含むかどうかを決定することと、
データ項目の前記セットが１つまたは複数のコードワードを含むと決定したことに応答して、ＲＡＩＮ冗長メタデータに少なくとも部分的に基づいて前記１つまたは複数のコードワードの各々を復元するために第１のデータ復元プロセスを実行することと、
データ項目の前記セットが追加のパリティメタデータを含むと決定したことに応答して、ＬＵＮ冗長メタデータに少なくとも部分的に基づいて前記追加のパリティメタデータを復元するために第２のデータ復元プロセスを実行することと、
データ項目の前記セットがＲＡＩＮ冗長メタデータを含むと決定したことに応答して、前記複数のブロックの前記複数のプレーン上に記憶されたコードワードの１つまたは複数のセットに少なくとも部分的に基づいて、前記ＲＡＩＮ冗長メタデータを再生成するために第１のデータ再構成プロセスを実行することと、
データ項目の前記セットがＬＵＮ冗長メタデータを含むと決定したことに応答して、前記複数のブロックの前記複数のプレーン上に記憶された追加のパリティメタデータに少なくとも部分的に基づいて、前記ＬＵＮ冗長メタデータを再生成するために第２のデータ再構成プロセスを実行することと
を含む動作を実行する、システム。

【請求項9】

前記ＲＡＩＮ冗長メタデータと前記ＬＵＮ冗長メタデータとが同じメモリページ上に記憶される、請求項８に記載のシステム。

【請求項10】

前記ＬＵＮ冗長メタデータと前記追加のパリティメタデータとが前記メモリサブシステムコントローラの異なるメモリページに記憶される、請求項８に記載のシステム。

【請求項11】

前記第２の復元プロセスを実行することが、前記メモリサブシステム上に記憶された前記ＬＵＮ冗長メタデータと残りの追加のパリティメタデータとに基づいて１つまたは複数の排他的論理和（ＸＯＲ）演算を実行することを含む、請求項８に記載のシステム。

【請求項12】

前記第２のデータ再構成プロセスを実行することが、前記メモリサブシステム上に記憶された前記追加のパリティメタデータに基づいて１つまたは複数の排他的論理和（ＸＯＲ）演算を実行することを含む、請求項８に記載のシステム。

【請求項13】

前記ＬＵＮ冗長メタデータが、パリティメタデータを使用して符号化される、請求項８に記載のシステム。

【請求項14】

処理デバイスによって実行されるとき、前記処理デバイスに、
メモリサブシステムの１つまたは複数のメモリページに複数のコードワードをプログラムすることであって、前記メモリサブシステムの各メモリページが、前記メモリサブシステムの複数の論理ユニットのうちの１つの論理ユニットと、前記メモリサブシステムの複数のプレーンのうちの１つのプレーンまたは前記メモリサブシステムの複数のブロックのうちの１つのブロックのうちの少なくとも１つとに関連づけられ、前記複数のコードワードの各コードワードがホストデータおよびベースパリティビットを含む、プログラムすることと、
前記メモリサブシステムの前記１つまたは複数のメモリページに複数の追加のパリティビットをプログラムすることであって、前記複数の追加のパリティビットの各追加のパリティビットが前記複数のコードワードのうちの１つのコードワードに関連づけられる、プログラムすることと、
前記追加のパリティビットの各々に対応する冗長メタデータの第１のセットを生成することと、
前記複数の追加のパリティビットを記憶するいずれのメモリページとも別個の、前記メモリサブシステムのメモリページに冗長メタデータの前記第１のセットをプログラムすることと
を含む動作を実施させる命令を含む、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。

【請求項15】

前記動作が、
コードワードのセットに対応する冗長メタデータの第２のセットを生成することと、
冗長メタデータの前記第１のセットを記憶する前記メモリサブシステムの前記メモリページに冗長メタデータの前記第２のセットをプログラムすることと
をさらに含む、請求項１４に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体。

【請求項16】

前記動作が、
冗長メタデータの前記第１のセットのための第２階層パリティメタデータを生成することと、
冗長メタデータの前記第１のセットを記憶する前記メモリサブシステムの前記メモリページに前記パリティメタデータをプログラムすることと
をさらに含む、請求項１４に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体。

【請求項17】

冗長メタデータの前記第１のセットを生成することが、前記追加のパリティビットに基づいて１つまたは複数の排他的論理和（ＸＯＲ）演算を実行することを含む、請求項１４に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体。

【請求項18】

前記動作が、
冗長メタデータの前記第２セットのためのパリティメタデータを生成することと、
冗長メタデータの前記第１のセットを記憶する前記メモリサブシステムの前記メモリページに前記パリティメタデータをプログラムすることと
をさらに含む、請求項１５に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体。

【請求項19】

前記動作が、
前記メモリサブシステムのメモリページに記憶されたデータの読み出し要求を受信したことに応答して、読み出しエラーが発生したと決定することと、
前記読み出しエラーを経験した前記メモリページが冗長メタデータの前記第１のセットを記憶していたと決定することと、
冗長メタデータの前記第１のセットを再生成することと、
前記メモリサブシステムの異なるメモリページに冗長メタデータの前記再生成されたセットを記憶することと
をさらに含む、請求項１４に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体。

【請求項20】

前記動作が、
前記メモリサブシステムのメモリページに記憶されたデータ項目の読み出し要求を受信したことに応答して、読み出しエラーが発生したと決定することと、
前記読み出しエラーを経験した前記メモリページが冗長メタデータの前記第２のセットを記憶していたと決定することと、
冗長メタデータの前記第２のセットを再生成することと、
前記メモリサブシステムの異なるメモリページに冗長メタデータの前記再生成されたセットを記憶することと
をさらに含む、請求項１５に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示の実施形態は、一般に、メモリサブシステムに関し、より詳細には、大きいコードワードのＲＡＩＮ保護のための冗長メタデータ方式に関する。

【背景技術】

【0002】

メモリサブシステムは、データを格納する１つまたは複数のメモリデバイスを含み得る。メモリデバイスは、例えば、不揮発性メモリデバイスおよび揮発性メモリデバイスであり得る。一般に、ホストシステムは、メモリデバイスにデータを格納するため、およびメモリデバイスからデータを取得するために、メモリサブシステムを利用し得る。

【0003】

本開示は、以下に提供される詳細な説明から、および本開示の様々な実施形態の添付の図面からより完全に理解される。しかしながら、図面は、本開示を特定の実施形態に限定すると見なされるべきではなく、単に解説および理解のためのものである。

【図面の簡単な説明】

【0004】

【図1】本開示のいくつかの実施形態によるメモリサブシステムを含む例示的なコンピューティングシステムを示す図である。

【図2】本開示のいくつかの実施形態による、マルチプレーンＬＵＮのセットのための冗長メタデータを生成するためのフロー図である。

【図3】本開示のいくつかの実施形態による、ＬＵＮのセット中に冗長メタデータを格納するための例示的な構成の図である。

【図4】本開示のいくつかの実施形態による、ＬＵＮのセット中に冗長メタデータを格納するための例示的な構成の別の図である。

【図5】本開示のいくつかの実施形態による、冗長メタデータを使用してデータを復元するためのフロー図である。

【図6】本開示の実施形態が動作し得る例示的なコンピュータシステムのブロック図である。

【発明を実施するための形態】

【0005】

本開示の態様は、大きいコードワードのＲＡＩＮ保護のための冗長メタデータ方式を対象とする。メモリサブシステムは、ストレージデバイス、メモリモジュール、またはストレージデバイスおよびメモリモジュールの組合せであり得る。ストレージデバイスおよびメモリモジュールの例は、図１と併せて以下に説明される。一般に、ホストシステムは、データを格納するメモリデバイスなど、１つまたは複数のメモリコンポーネントを含むメモリサブシステムを利用し得る。ホストシステムは、メモリサブシステムに格納されるべきデータを提供し得、メモリサブシステムから取得されるべきデータを要求し得る。

【0006】

メモリサブシステムは、ホストシステムによって与えられたデータを格納するために、異なるタイプの不揮発性メモリデバイスおよび／または揮発性メモリデバイスの任意の組合せを含む、１つまたは複数のメモリデバイスを利用することができる。いくつかの実施形態では、不揮発性メモリデバイスは否定論理積（ＮＡＮＤ）タイプフラッシュメモリデバイスによって与えることができる。不揮発性メモリデバイスの他の例について図１とともに以下で説明する。不揮発性メモリデバイスは１つまたは複数のダイのパッケージである。各ダイは１つまたは複数のプレーンを含むことができる。プレーンは、複数のメモリセルを含むメモリデバイスの一部分である。いくつかのメモリデバイスは２つ以上のプレーンを含むことができる。いくつかのタイプの不揮発性メモリデバイス（例えばＮＡＮＤデバイス）の場合、各プレーンは物理ブロックのセットを含む。各ブロックはページのセットを含む。「ブロック」は、本明細書では連続的または不連続的なメモリページのセットを指すものとする。「ブロック」の一例は、メモリの最小消去可能ユニットである「消去可能ブロック」であり、「ページ」はメモリの最小書き込み可能ユニットである。各ページはメモリセルのセットを含む。メモリセルは、情報を格納する電子回路である。

【0007】

上記で説明したように、ダイは１つまたは複数のプレーンを含むことがある。メモリサブシステムは、データ動作（例えば、書き込み、読み出し、消去など）を実行するときにデータの様々なセットをユニットとして処理するためにストライピング方式を使用することができる。ダイストライプは、データを書き込み、読み出し、または消去するときに１つのユニットとして処理されるプレーンの集合を指す。メモリデバイスのコントローラ（すなわち、メモリサブシステムコントローラ、メモリデバイスコントローラなど）は、ダイストライプの各プレーンにおいて並列に同じ演算を実行することができる。ブロックストライプは、１つのユニットとして処理される、ダイストライプの各プレーンからの少なくとも１つのブロックの集合である。ブロックストライプ中のブロックは、各それぞれのプレーンにある同じブロック識別子（例えばブロック番号）に関連づけることができる。ページストライプは、ブロックストライプにわたって同じページ識別子（例えば同じページ番号）を有するページのセットであり、１つのユニットとして処理される。

【0008】

ホストシステムは、メモリサブシステム上のメモリアクセス動作（例えば、プログラミングまたは書き込み動作、読み出し動作、消去動作など）を開始することができる。例えば、ホストシステムは、メモリサブシステムのメモリデバイスにデータをプログラムするために、および／またはメモリサブシステムのメモリデバイスからデータを読み出すために、メモリサブシステムコントローラに要求を送信することができる。そのようなデータを本明細書では「ホストデータ」と呼ぶ。メモリサブシステムコントローラは、要求に従ってホストデータにアクセスするために１つまたは複数の動作を実行することができる。ホストデータは、送信または格納中に発生し得るデータエラーを訂正するために誤り訂正符号（ＥＣＣ）を使用して符号化することができる。特に、ホストデータは、コードワードを形成するために冗長メタデータ（例えば、１つまたは複数のパリティビットなどのパリティデータ）を使用して符号化することができる。パリティデータは、メモリサブシステムコントローラが、ホストデータ中のどこでも発生し得るいくつかのエラーを検出し、しばしば再送信なしにこれらのエラーを訂正することを可能にする。

【0009】

レート適応的ＥＣＣは、パリティデータの複数の階層を用いてホストデータを保護することができる誤り訂正符号である。各階層は符号化可能および復号可能であり、各階層は、異なるコードレートをもつＥＣＣとして機能する。第１階層ＥＣＣパリティは第２階層ＥＣＣパリティのサブセットであり、第１階層パリティおよび第２階層パリティは第３階層パリティのサブセットであり、以下同様である。例えば、第１階層ＥＣＣパリティは、ホストデータと第１のパリティ（以下「ベースパリティ」）とを含む標準コードワードと呼ばれることがあり、第２階層ＥＣＣパリティは、標準コードワードと第２のパリティ（以下「追加のパリティ」）とを含む大きいコードワードと呼ばれることがあり、以下同様である。階層数が増加するにつれて、パリティサイズは増加し、コードレートは減少し、ＥＣＣ保護はより強くなる。第１階層パリティは、比較的小さい粒度の障害によるエラーを訂正するために使用することができ、第２階層パリティは、より大きい粒度の障害を訂正するために使用することができ、以下同様である。データ破損のいくつかの事例では、データを復元するために、より高い階層のＥＣＣのための追加のパリティを送信するだけでよく、それによりチャネル帯域幅が節約される。

【0010】

いくつかのシステムでは、大きいコードワード（第２階層ＥＣＣパリティ）を複数のページ間で分割することができる。特に、標準コードワードを１ページの１／４にプログラムすることができ、それにより４つの標準コードワードが単一のメモリページ中に収まる。例えば、４ＫＢのコードワードおよび１６ＫＢのページの場合、メモリサブシステムコントローラはメモリページ当たり４つのコードワードを格納することができる。各大きいコードワードの追加のパリティを異なるページまたはプレーン中に格納することができる。追加のパリティは、ワークロード、システムパフォーマンス、および／または電力要件に応じて、標準的なＥＣＣが復号に失敗したときに、または標準コードワードが読み出されるのと同時に読み出すことができる。

【0011】

メモリデバイスのメモリセルにあるデータが繰り返しアクセスされると、メモリセルは劣化し、最終的に欠陥品になることがある。例えば、ホストシステムが、メモリデバイスに格納されたホストデータのためにあまりに多くのメモリアクセス動作を開始すると、ホストデータを格納するメモリセル、ならびにメモリデバイスにある隣接するメモリセルが破損することがある。いくつかの事例では、メモリデバイスのプレーンの１つまたは複数のメモリページにあるデータにアクセスするためにメモリサブシステムコントローラによって実行されるメモリアクセス動作（例えば読み出し動作など）が失敗することがある。そのような失敗を本明細書ではメモリアクセス障害と呼ぶ。

【0012】

メモリサブシステムは、メモリアクセス障害に対してホストデータを保護するために冗長機構をサポートし得る。例えば、ＮＡＮＤタイプフラッシュデバイスの場合、メモリサブシステムは、メモリサブシステム上に格納されたデータのための冗長を与えるために、独立したＮＡＮＤの冗長アレイ（ＲＡＩＮ）動作を実行することができる。メモリサブシステムのメモリデバイスにプログラムされるべきホストデータ（または１つもしくは複数のコードワード）がホストシステムから受信されたとき、メモリサブシステムコントローラは、受信されたホストデータを用いた１つまたは複数の排他的論理和（ＸＯＲ）演算に基づいて冗長メタデータを生成することができ、ホストデータを格納しているメモリデバイスの一部分の障害の場合に、ホストデータを再構成または再計算するために冗長メタデータを使用することができる。一例として、メモリサブシステムコントローラは、メモリサブシステムの１つまたは複数の論理ユニット（ＬＵＮ）（例えば、ページ、ブロック）の特定の数のデータロケーションに格納されたホストデータに適用されたＸＯＲ演算に基づいて、１つまたは複数のＲＡＩＮ標準コードワード（冗長メタデータ）を生成することができる。ホストデータを格納するメモリデバイスの一部分に障害が生じ、対応するデータが失われたかまたは破損した場合、メモリサブシステムコントローラは、残りのホストデータと冗長メタデータとの間のＸＯＲ演算に基づいて、失われた／破損したデータを再構成することができる。

【0013】

標準コードワードの場合、既存のＲＡＩＮ方式は、メモリサブシステムがメモリアクセス障害に対してホストデータを保護することを可能にする。しかしながら、大きいコードワードは複数のプレーン間で分割され得る。現在のところ、追加のパリティを格納するページまたはプレーンが障害を受けた場合に、前記追加のパリティの復元を可能にする方式はない。

【0014】

本開示の態様は、大きいコードワードのＲＡＩＮ保護のための冗長メタデータ方式を提供することによって上記および他の不備に対処する。特に、メモリサブシステムにあるメモリの他の部分に格納されたホストデータのために生成された異なるタイプの冗長メタデータを格納するために、メモリサブシステムにあるメモリの一部分を予約することができる。メモリの予約された部分は、メモリサブシステムの他のメモリデバイスに格納されたホストデータのために生成された冗長メタデータを格納するように構成された１つまたは複数の指定されたメモリデバイスに対応し得る。例えば、メモリサブシステムは、ホストデータを格納するように指定されたメモリサブシステムの複数のメモリデバイスにわたって複数のストライプを含み得る。メモリサブシステムのメモリデバイスのうちの１つまたは複数のメモリデバイスを、複数のメモリデバイスにわたって各ストライプに関連づけられたＬＵＮに常駐するホストデータに関連づけられた異なるタイプの冗長メタデータを格納するように指定することができる。冗長メタデータは、追加のパリティデータと、ＲＡＩＮ冗長メタデータと、ＬＵＮ冗長メタデータとを含み得る。ＬＵＮ冗長メタデータは、メモリデバイス上に格納された各大きいコードワードの追加のパリティデータを復元するために使用することができる。メモリサブシステムコントローラは、追加のパリティデータを用いた１つまたは複数のＸＯＲ演算に基づいてＬＵＮ冗長メタデータを生成することができる。例えば、メモリサブシステムコントローラは、各ＬＵＮ上に格納された追加のパリティビットの各々に１つまたは複数のＸＯＲ演算を適用することによって、ＬＵＮパリティコードワードを生成することができる。

【0015】

いくつかの事例では、特定のタイプの冗長メタデータを格納するために、メモリデバイスの別個の部分（例えばプレーン）を指定することができる。ホストデータがＬＵＮにプログラムされると、メモリサブシステムコントローラは、それぞれのストライプのための追加のパリティデータを生成することができ、生成された追加のパリティデータを１つまたは複数のメモリデバイスの指定された部分に格納することができる。さらに、メモリサブシステムコントローラは、ＲＡＩＮ冗長メタデータおよびＬＵＮ冗長メタデータを生成し、それらの冗長メタデータを１つまたは複数のメモリデバイスの他の指定された部分に格納することができる。一実施形態では、追加のパリティデータとＬＵＮ冗長メタデータとを異なる指定された部分に格納することができる。メモリサブシステムの各ストライプに関連づけられた異なるタイプの冗長メタデータを１つまたは複数の指定されたメモリデバイスの別個の部分に格納することによって、メモリサブシステムコントローラは、複数のメモリデバイスのうちの１つまたは複数のメモリデバイスにおけるメモリアクセス障害の後に、メモリサブシステムの複数のストライプに関連づけられたそれぞれのＬＵＮに常駐するホストデータを復元することができる。例えば、メモリサブシステムコントローラは、メモリサブシステムの一部分において（例えばメモリページにおいて）実行されたメモリアクセス動作中（例えば読み出し動作中など）に障害が発生したことを検出することができる。メモリアクセス動作障害を検出したことに応答して、メモリサブシステムコントローラは、メモリページが、１）ホストデータのみを含むかどうか、２）ホストデータと追加のパリティデータとを含むかどうか、３）ホストデータと追加のパリティデータとＲＡＩＮ冗長メタデータ（例えばＲＡＩＮパリティコードワード）とを含むかどうか、または、４）ＲＡＩＮ冗長メタデータとＬＵＮ冗長メタデータ（例えばパリティコードワード）とを含むかどうかを決定することができる。ホストデータは、ベースパリティデータを用いて符号化することができる。メモリページがホストデータのみを含むと決定したことに応答して、メモリサブシステムコントローラは、メモリデバイスの他の部分にプログラムされたＲＡＩＮパリティメタデータと残りのホストデータとに対する一連のＸＯＲ演算を使用して、メモリページ上のホストデータを復元することができる。メモリページがホストデータと追加のパリティデータとを含むと決定したことに応答して、メモリサブシステムコントローラは、ＲＡＩＮパリティメタデータと残りのホストデータとに対する一連のＸＯＲ演算を使用してメモリページ上のホストデータを復元し、メモリデバイスの他の部分にプログラムされたＬＵＮパリティデータと残りの追加のパリティデータとを使用して追加のパリティデータを復元することができる。代替的に、いくつかの実施形態では、メモリサブシステムコントローラがベースパリティデータを使用してホストデータを復元することに失敗したことに応答して、メモリサブシステムコントローラは、追加のパリティデータと一連のＸＯＲ演算とを使用してホストデータを復元するために、追加のパリティデータを使用することができる。メモリページがホストデータと追加のパリティデータとＲＡＩＮパリティメタデータとを含むと決定したことに応答して、メモリサブシステムコントローラは、上記で説明した方法を使用してホストデータと追加のパリティメタデータとを復元し、ホストデータを使用してＲＡＩＮパリティメタデータを再生成することができる。メモリページがＲＡＩＮパリティデータとＬＵＮパリティデータとを含むと決定したことに応答して、メモリサブシステムコントローラは、ホストデータと追加のパリティデータとを使用してＲＡＩＮパリティメタデータとＬＵＮパリティデータとを再生成することができる。異なるメモリデバイス上の特定のロケーションにＲＡＩＮパリティデータとＬＵＮパリティデータと追加のパリティデータとを格納することによって、メモリサブシステムコントローラは、メモリデバイスの任意の障害が生じた部分に関連づけられたデータ項目のためのデータ復元プロセスを実行することができる。データ項目は、メモリサブシステムのＬＵＮに書き込まれた、および／またはメモリサブシステムのＬＵＮから読み出されたデータの最小単位を指す。例えば、データ項目はデータブロックまたはキーバリュー（ｋｅｙ－ｖａｌｕｅ）ペアに対応し得る。データ項目を復元したことに応答して、データ項目を同じまたは異なるメモリページにプログラムすることができる。いくつかの実施形態では、第２階層ＥＣＣパリティを使用してＬＵＮパリティデータおよび／またはＲＡＩＮパリティデータを符号化することができる。

【0016】

各ＬＵＮが６つのプレーン（例えば２４個のメモリページ）にわたる、４つのＬＵＮを含む一実施形態では、ＬＵＮパリティデータとＲＡＩＮパリティデータとを５つのメモリページ上に格納することができる。したがって、本開示の利点は、限定されるものではないが、ホストデータを格納するために利用可能なメモリスペースの量を最大にしながら、第２階層ＥＣＣパリティメタデータを使用して符号化されたホストデータの復元を可能にする、ホストデータ復元方式を提供することを含む。第２階層ＥＣＣパリティを使用してホストデータを符号化することによって、メモリサブシステムコントローラは、ホストデータ中のエラーを検出し、訂正することができる。さらに、ＲＡＩＮ冗長メタデータおよびＬＵＮ冗長メタデータは、メモリアクセス障害の後に、メモリサブシステムの１つまたは複数のメモリデバイスのＬＵＮにあるデータ項目を復元することができる。したがって、ホストデータを格納するためにメモリサブシステムのかなりの量のスペースが利用可能にされている間に、メモリデバイス障害の場合に大きいコードワードを保護することができる。結果として、かなりの量のシステムリソースが他のプロセスのために利用可能にされる間に、ホストデータのための強いＥＣＣ保護が与えられ、それにより、全体的なシステム効率が向上し、全体的なシステムレイテンシが低減される。

【0017】

図１は、本開示のいくつかの実施形態によるメモリサブシステム１１０を含む例示的なコンピューティングシステム１００を示す図である。メモリサブシステム１１０は、１つもしくは複数の揮発性メモリデバイス（例えば、メモリデバイス１４０）、１つもしくは複数の不揮発性メモリデバイス（例えば、メモリデバイス１３０）、またはそのようなものの組合せなどの媒体を含み得る。

【0018】

メモリサブシステム１１０は、ストレージデバイス、メモリモジュール、またはストレージデバイスおよびメモリモジュールの組合せであり得る。ストレージデバイスの例としては、ソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）、フラッシュドライブ、ユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）フラッシュドライブ、埋め込み型マルチメディアコントローラ（ｅＭＭＣ）ドライブ、ユニバーサルフラッシュストレージ（ＵＦＳ）ドライブ、セキュアデジタル（ＳＤ）カード、およびハードディスクドライブ（ＨＤＤ）が挙げられる。メモリモジュールの例としては、デュアルインラインメモリモジュール（ＤＩＭＭ）、スモールアウトラインＤＩＭＭ（ＳＯ－ＤＩＭＭ）、および様々なタイプの不揮発性デュアルインラインメモリモジュール（ＮＶＤＩＭＭ）が挙げられる。

【0019】

コンピューティングシステム１００は、デスクトップコンピュータ、ラップトップコンピュータ、ネットワークサーバ、モバイルデバイス、車両（例えば、航空機、ドローン、列車、自動車、または他の運輸機関）、モノのインターネット（ＩｏＴ）が可能なデバイス、埋め込み型コンピュータ（例えば、車両、産業機器、またはネットワーク化された商用デバイスに含まれるもの）、またはメモリおよび処理デバイスを含むそのようなコンピューティングデバイスなどの、コンピューティングデバイスであり得る。

【0020】

コンピューティングシステム１００は、１つまたは複数のメモリサブシステム１１０に結合されるホストシステム１２０を含み得る。いくつかの実施形態において、ホストシステム１２０は、異なるタイプの複数のメモリサブシステム１１０に結合される。図１は、１つのメモリサブシステム１１０に結合されたホストシステム１２０の一例を示す。本明細書で使用される場合、「～に結合される」または「～と結合される」は、一般的に、コンポーネント間の接続を指し、これは、有線またはワイヤレスにしろ、電気、光学、磁気などの接続を含め、間接通信接続または直接通信接続（例えば、介在するコンポーネントなし）であり得る。

【0021】

ホストシステム１２０は、プロセッサチップセット、およびプロセッサチップセットによって実行されるソフトウェアスタックを含み得る。プロセッサチップセットは、１つまたは複数のコア、１つまたは複数のキャッシュ、メモリコントローラ（例えば、ＮＶＤＩＭＭコントローラ）、およびストレージプロトコルコントローラ（例えば、ＰＣＩｅコントローラ、ＳＡＴＡコントローラ）を含み得る。ホストシステム１２０は、例えば、メモリサブシステム１１０にデータを書き込み、メモリサブシステム１１０からデータを読み出すために、メモリサブシステム１１０を使用する。

【0022】

ホストシステム１２０は、物理的なホストインターフェースを介してメモリサブシステム１１０に結合され得る。物理的なホストインターフェースの例としては、限定されるものではないが、シリアルアドバンストテクノロジアタッチメント（ＳＡＴＡ）インターフェース、ＰＣＩｅ（Ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ Ｅｘｐｒｅｓｓ）インターフェース、ユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）インターフェース、ファイバチャネル、シリアルアタッチドＳＣＳＩ（ＳＡＳ）、ダブルデータレート（ＤＤＲ）メモリバス、スモールコンピュータシステムインターフェース（ＳＣＳＩ）、デュアルインラインメモリモジュール（ＤＩＭＭ）インターフェース（例えば、ダブルデータレート（ＤＤＲ）をサポートするＤＩＭＭソケットインターフェース）などが挙げられる。物理的なホストインターフェースは、ホストシステム１２０とメモリサブシステム１１０との間でデータを送信するために使用され得る。ホストシステム１２０はさらに、メモリサブシステム１１０が物理的なホストインターフェース（例えば、ＰＣＩｅバス）によってホストシステム１２０と結合されるとき、コンポーネント（例えば、メモリデバイス１３０）にアクセスするためにＮＶＭ Ｅｘｐｒｅｓｓ（ＮＶＭｅ）インターフェースを利用し得る。物理的なホストインターフェースは、メモリサブシステム１１０とホストシステム１２０との間で制御信号、アドレス信号、データ信号、および他の信号を渡すためのインターフェースを提供し得る。図１は、例としてメモリサブシステム１１０を示す。一般に、ホストシステム１２０は、同じ通信接続、複数の別個の通信接続、および／または通信接続の組合せを介して、複数のメモリサブシステムにアクセスし得る。

【0023】

メモリデバイス１３０、１４０は、異なるタイプの不揮発性メモリデバイスおよび／または揮発性メモリデバイスの任意の組合せを含み得る。揮発性メモリデバイス（例えば、メモリデバイス１４０）は、限定されるものではないが、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）およびシンクロナスダイナミックランダムアクセスメモリ（ＳＤＲＡＭ）などのランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）であってもよい。

【0024】

不揮発性メモリデバイス（例えば、メモリデバイス１３０）のいくつかの例としては、否定論理積（ＮＡＮＤ）タイプのフラッシュメモリ、および不揮発性メモリセルのクロスポイントアレイである３次元クロスポイント（「３Ｄクロスポイント」）メモリデバイスなど書き込みインプレイスメモリが挙げられる。不揮発性メモリセルのクロスポイントアレイは、積層可能なクロスグリッドデータアクセスアレイと併せて、バルク抵抗の変化に基づいてビット格納を実施し得る。加えて、多くのフラッシュベースのメモリと対照的に、クロスポイント不揮発性メモリは、書き込みインプレイス動作を実施することができ、ここでは、不揮発性メモリセルは、不揮発性メモリセルが先に消去されることなく、プログラムされ得る。ＮＡＮＤタイプのフラッシュメモリとしては、例えば、２次元ＮＡＮＤ（２Ｄ ＮＡＮＤ）、および３次元ＮＡＮＤ（３Ｄ ＮＡＮＤ）が挙げられる。

【0025】

メモリデバイス１３０の各々は、メモリセルの１つまたは複数のアレイを含み得る。メモリセルの１つのタイプ、例えば、単一レベルセル（ＳＬＣ）は、セルあたり１ビットを格納することができる。多レベルセル（ＭＬＣ）、３レベルセル（ＴＬＣ）、４レベルセル（ＱＬＣ）、および５レベルセル（ＰＬＣ）などの他のタイプのメモリセルは、セルあたり複数ビットを格納することができる。いくつかの実施形態において、メモリデバイス１３０の各々は、ＳＬＣ、ＭＬＣ、ＴＬＣ、ＱＬＣ、ＰＬＣまたはそのようなものの任意の組合せなどのメモリセルの１つまたは複数のアレイを含み得る。いくつかの実施形態において、特定のメモリデバイスは、メモリセルのＳＬＣ部分、およびＭＬＣ部分、ＴＬＣ部分、ＱＬＣ部分、またはＰＬＣ部分を含み得る。メモリデバイス１３０のメモリセルは、データを格納するために使用されるメモリデバイスの論理ユニットを指し得るページとしてグループ化され得る。いくつかのタイプのメモリ（例えば、ＮＡＮＤ）では、ページは、ブロックを形成するためにグループ化され得る。

【0026】

不揮発性メモリセルの３ＤクロスポイントアレイおよびＮＡＮＤタイプのフラッシュメモリ（例えば、２Ｄ ＮＡＮＤ、３Ｄ ＮＡＮＤ）などの不揮発性メモリコンポーネントが説明されるが、メモリデバイス１３０は、リードオンリメモリ（ＲＯＭ）、相変化メモリ（ＰＣＭ）、自己選別メモリ、他のカルコゲナイドベースのメモリ、強誘電体トランジスタランダムアクセスメモリ（ＦｅＴＲＡＭ）、強誘電体ランダムアクセスメモリ（ＦｅＲＡＭ）、磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）、スピントランスファトルク（ＳＴＴ）－ＭＲＡＭ、導電性ブリッジＲＡＭ（ＣＢＲＡＭ）、抵抗ランダムアクセスメモリ（ＲＲＡＭ）、酸化物ベースのＲＲＡＭ（ＯｘＲＡＭ）、否定論理和（ＮＯＲ）フラッシュメモリ、または電気的に消去可能なプログラマブルリードオンリメモリ（ＥＥＰＲＯＭ）など、任意の他のタイプの不揮発性メモリに基づき得る。

【0027】

メモリサブシステムコントローラ１１５（または簡略のためコントローラ１１５）は、メモリデバイス１３０においてデータを読み出すこと、データを書き込むこと、またはデータを消去することなどの動作、および他のそのような動作を実施するために、メモリデバイス１３０と通信することができる。メモリサブシステムコントローラ１１５は、１つもしくは複数の集積回路および／もしくは個別コンポーネント、バッファメモリ、またはそれらの組合せなどのハードウェアを含み得る。ハードウェアは、本明細書に説明される動作を実施するために専用（すなわち、ハードコードされた）論理を有するデジタル回路を含み得る。メモリサブシステムコントローラ１１５は、マイクロコントローラ、専用論理回路（例えば、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）など）、または他の好適なプロセッサであり得る。

【0028】

メモリサブシステムコントローラ１１５は、ローカルメモリ１１９に格納された命令を実行するように構成される１つまたは複数のプロセッサ（例えば、プロセッサ１１７）を含む、処理デバイスを含み得る。示された例において、メモリサブシステムコントローラ１１５のローカルメモリ１１９は、メモリサブシステム１１０とホストシステム１２０との間の通信を処理することを含む、メモリサブシステム１１０の動作を制御する様々なプロセス、動作、論理フロー、およびルーチンを実施するための命令を格納するように構成される埋め込み型メモリを含む。

【0029】

いくつかの実施形態において、ローカルメモリ１１９は、メモリポインタ、取り出したデータなどを格納するメモリレジスタを含み得る。ローカルメモリ１１９は、マイクロコードを格納するためのリードオンリメモリ（ＲＯＭ）も含み得る。図１の例示的なメモリサブシステム１１０は、メモリサブシステムコントローラ１１５を含んで示されているが、本開示の別の実施形態において、メモリサブシステム１１０は、メモリサブシステムコントローラ１１５を含まず、代わりに、外部制御（例えば、外部ホストによって、またはメモリサブシステムとは別個のプロセッサもしくはコントローラによって提供される）に依拠し得る。

【0030】

一般に、メモリサブシステムコントローラ１１５は、ホストシステム１２０からコマンドまたは動作を受信することができ、メモリデバイス１３０への所望のアクセスを達成するために、そのコマンドまたは動作を命令または適切なコマンドへと変換することができる。メモリサブシステムコントローラ１１５は、ウェアレベリング動作、ガベージコレクション動作、エラー検出および誤り訂正符号（ＥＣＣ）動作、暗号化動作、キャッシング動作、ならびに、論理アドレス（例えば、論理ブロックアドレス（ＬＢＡ）、名前空間）とメモリデバイス１３０と関連づけられる物理アドレス（例えば、物理ブロックアドレス）との間のアドレス変換など、他の動作を担当し得る。メモリサブシステムコントローラ１１５は、ホストインターフェース回路をさらに含み、この物理的なホストインターフェースを介してホストシステム１２０と通信し得る。ホストインターフェース回路は、ホストシステムから受信したコマンドを、メモリデバイス１３０にアクセスするためのコマンド命令へと変換し、ならびにメモリデバイス１３０と関連づけられた応答を、ホストシステム１２０のための情報へと変換し得る。

【0031】

メモリサブシステム１１０は、示されていない追加の回路またはコンポーネントも含み得る。いくつかの実施形態において、メモリサブシステム１１０は、キャッシュまたはバッファ（例えば、ＤＲＡＭ）、およびメモリサブシステムコントローラ１１５からアドレスを受信し、メモリデバイス１３０にアクセスするためにそのアドレスを復号することができるアドレス回路（例えば、行デコーダおよび列デコーダ）を含み得る。

【0032】

いくつかの実施形態において、メモリデバイス１３０は、メモリデバイス１３０の１つまたは複数のメモリセルに対して動作を実行するためにメモリサブシステムコントローラ１１５と併せて動作するローカルメディアコントローラ１３５を含む。外部コントローラ（例えば、メモリサブシステムコントローラ１１５）は、メモリデバイス１３０を外部から管理する（例えば、メモリデバイス１３０に対して媒体管理動作を実施する）ことができる。いくつかの実施形態において、メモリサブシステム１１０は、ダイ上の制御論理（例えば、ローカルコントローラ１３２）を有する生のメモリデバイスである、被管理メモリデバイス、および同じメモリデバイスパッケージ内の媒体管理のためのコントローラ（例えば、メモリサブシステムコントローラ１１５）である。被管理メモリデバイスの例は、被管理ＮＡＮＤ（ＭＮＡＮＤ）デバイスである。

【0033】

メモリサブシステム１１０は、メモリデバイス１３０、１４０の１つまたは複数の部分に格納されたホストデータのために生成された冗長データを管理することができる、冗長メタデータマネージャコンポーネント１１３を含む。いくつかの実施形態では、メモリサブシステムコントローラ１１５は冗長メタデータマネージャコンポーネント１１３の少なくとも一部分を含む。例えば、メモリサブシステムコントローラ１１５は、本明細書で説明する動作を実行するためにローカルメモリ１１９に格納された命令を実行するように構成されたプロセッサ１１７（処理デバイス）を含み得る。いくつかの実施形態では、冗長メタデータマネージャコンポーネント１１３は、ホストシステム１２０、アプリケーション、またはオペレーティングシステムの一部である。

【0034】

冗長メタデータマネージャコンポーネント１１３は、ユーザデータのための、および／または２つ以上の論理メモリユニット（ＬＵＮ）にあるメモリページのグループのための冗長メタデータを生成するように構成され得る。ＬＵＮは、複数のプレーン、ブロックおよび／またはダイにわたるメモリページのグループであり得る。ＬＵＮは、単一の動作において書き込まれるかまたは消去され得る、メモリデバイスの個々のセグメントを表し得る。冗長メタデータは、メモリデバイス１３０、１４０の一部分におけるメモリアクセス動作（例えば、書き込み動作、読み出し動作など）が失敗した後に、メモリデバイス１３０、１４０のその一部分にプログラムされたデータ項目を復元するためにメモリサブシステムコントローラ１１５によって使用され得る、そのデータ項目のために生成されたメタデータ（例えば、パリティデータ）を指す。いくつかの実施形態では、（本明細書ではコンポーネント１１３とも呼ばれる）冗長メタデータマネージャコンポーネント１１３は、障害が生じたデータ項目のための冗長メタデータと、メモリデバイス１３０、１４０（またはメモリサブシステム１１０の別のメモリデバイス１３０、１４０）に格納された１つまたは複数の他のデータ項目とに基づいて、データ復元動作（例えば、１つまたは複数の排他的論理和（ＸＯＲ）演算）を実行することによって、障害が生じたデータ項目を計算または再構築することができる。

【0035】

コンポーネント１１３は、格納されたデータの事前決定されたロケーション（例えば、ＬＵＮの複数のプレーンにわたるホストデータのストライプ、各プレーンおよび／またはＬＵＮ中の各メモリページ内のデータのロケーション（メモリページの第１の１／４ページ、メモリページの第２の１／４ページ、以下同様）など）、または格納されたデータのタイプ（例えば、標準コードワード、追加のパリティデータなど）に基づいて、異なるタイプの冗長メタデータを生成することができる。いくつかの実施形態では、冗長メタデータは、第１階層ＥＣＣパリティデータ（例えば、ベースパリティデータ）と、第２階層ＥＣＣパリティデータ（例えば、追加のパリティデータ）と、ＲＡＩＮパリティメタデータと、ＬＵＮ冗長メタデータとを含み得る。ＲＡＩＮパリティメタデータは、ホストデータ（例えば、標準コードワード）を復元するために使用することができる。ＬＵＮ冗長メタデータは、格納されたホストデータのための追加のパリティデータを復元するために使用することができる。

【0036】

図２は、本開示のいくつかの実施形態による、マルチプレーンＬＵＮのセットのための冗長メタデータを生成するための例示的な方法２００のフロー図である。方法２００は、ハードウェア（例えば、処理デバイス、回路、専用論理、プログラマブル論理、マイクロコード、デバイスのハードウェア、集積回路など）、ソフトウェア（例えば、処理デバイス上で実行される（ｒｕｎまたはｅｘｅｃｕｔｅｄ）命令）、またはそれらの組合せを含み得る処理論理によって実施され得る。いくつかの実施形態では、方法２００は図１の冗長メタデータマネージャコンポーネント１１３によって実行される。他のまたは同様の実施形態では、方法２００の１つまたは複数の動作は、メモリサブシステムコントローラ１１５の別のコンポーネントによって、またはローカルメディアコントローラ１３５のコンポーネントによって実行される。特定のシーケンスまたは順序で示されるが、別段の記載のない限り、プロセスの順序は修正され得る。したがって、示された実施形態は、単に例として理解されるべきであり、示されたプロセスは、異なる順序で実施され得、いくつかのプロセスが並行して実施され得る。加えて、１つまたは複数のプロセスは、様々な実施形態において、省略され得る。したがって、全実施形態においてすべてのプロセスが必要とされるわけではない。他のプロセスフローが可能である。

【0037】

ブロック２１０において、処理論理は、１つまたは複数のメモリデバイス上にプログラムするために書き込みデータを受信する。いくつかの実施形態では、書き込みデータはホストシステム１２０から受信することができる。いくつかの実施形態では、書き込みデータは大きいコードワードのセットを含み得る。各大きいコードワードは、ホストデータおよびベースパリティ（第１階層ＥＣＣパリティ）を含む標準コードワードと、追加のパリティ（第２階層ＥＣＣパリティ）とから構成され得る。

【0038】

他の実施形態では、書き込みデータは、符号化されていないホストデータを含む。符号化されていないホストデータを受信したことに応答して、処理論理は、ホストデータとパリティデータとを使用して大きいコードワードを生成することができる。特に、処理論理は、最初に、受信されたホストデータを用いた１つまたは複数のＸＯＲ演算に基づいてベースパリティデータを生成することによって、標準コードワードを生成する。例示的な例として、各標準コードワードは、サイズが４ＫＢであり、１ページの１／４のサイズにプログラム可能であり得る。しかしながら、本開示の実施形態は、任意のサイズのページとともに使用することができることに留意されたい。処理論理は、次いで、標準コードワードを用いた１つまたは複数のＸＯＲ演算に基づいて追加のパリティデータを生成することによって、大きいコードワードを生成する。ベースパリティデータは、ホストデータが破損した場合に、対応するホストデータを再構成または再計算するために使用することができる。追加のパリティデータは、ベースパリティデータと組み合わせて、より強い訂正能力をもつ標準コードワードを読み出すことに失敗した場合に、対応する標準コードワードを再構成または再計算するために使用することができる。

【0039】

いくつかの実施形態では、追加のパリティデータは、第２階層ＥＣＣパリティを使用して符号化することができる。例えば、追加のパリティデータに基づいて生成された各標準コードワードは、大きいコードワードを生成するために符号化することができる。各大きいコードワードのための追加のパリティデータは、図３に関してより詳細に説明する指定されたセクションにプログラムすることができる。いくつかの実施形態では、特定の追加のパリティデータのみを第２階層ＥＣＣパリティを用いて符号化することができる。例えば、追加のパリティデータを格納するプレーンとは異なるプレーン上に格納されたホストデータベースの標準コードワードに対応する追加のパリティデータは、第２階層ＥＣＣパリティを使用して符号化することができるが、追加のパリティデータと同じプレーン上に格納されたホストデータベースの標準コードワードに対応する追加のパリティデータは同じプレーン中の第２階層ＥＣＣコードワードに相関する。異なるプレーンが対応する追加のパリティデータを格納する、標準コードワードを格納するプレーンの障害の場合、追加のパリティデータは、障害が生じた標準コードワードの復元を向上（例えば、スピードアップ）させ得る。しかしながら、標準コードワードならびに対応する追加のパリティデータを格納するプレーンの障害の場合、標準コードワードとそれの対応する追加のパリティデータとを復元するために他の復元方法が使用されるので、追加のパリティの第２階層ＥＣＣパリティは不要である。

【0040】

ブロック２１２において、処理論理は１つまたは複数のメモリデバイスの１つまたは複数のＬＵＮに大きいコードワードをプログラムする。特に、各ＬＵＮは、メモリサブシステム１１０のメモリデバイス１３０、１４０にある複数のプレーン、ブロックおよび／またはダイにわたるメモリページのストライプに対応し得る。例示的な例として、複数のプレーンにわたるメモリページの複数のＬＵＮについて以下で説明する。各ＬＵＮにおいて、特定タイプのデータ（例えば、ユーザデータ、符号化されたデータ、異なるタイプの冗長データ（追加のパリティデータ、ＲＡＩＮパリティメタデータ、ＬＵＮパリティメタデータなど））を格納するために、メモリページのいくつかのセクションを指定することができる。各大きいコードワードについて、標準コードワードのために指定されたＬＵＮの利用可能なページに、対応する標準コードワードをプログラムすることができ、対応するＬＵＮの指定されたセクション（例えば、指定された１／４ページ）に各強いコードワードの追加のパリティをプログラムすることができる。指定されるセクションについて図３に関してより詳細に説明する。

【0041】

ブロック２１４において、処理論理は、ＬＵＮ冗長メタデータを生成し、１つまたは複数のメモリデバイスにプログラムする。ＬＵＮ冗長メタデータは、１つまたは複数の大きいコードワードの追加のパリティデータ（例えば、追加のパリティ）を復元するために使用することができる。いくつかの実施形態では、処理論理は、追加のパリティデータを用いた１つまたは複数のＸＯＲ演算に基づいてＬＵＮ冗長メタデータを生成することができる。例えば、処理論理は、各ＬＵＮ上に格納された追加のパリティビットの各々に１つまたは複数のＸＯＲ演算を適用することができる。ＬＵＮ冗長メタデータは、図３に関してより詳細に説明する指定されたＬＵＮの指定されたセクションにプログラムすることができる。追加のパリティデータを格納するメモリデバイスの一部分に障害が生じ、対応するデータが失われたかまたは破損した場合、処理論理は、残りの追加のパリティデータとＬＵＮ冗長メタデータとの間の１つまたは複数のＸＯＲ演算に基づいて、失われた／破損したデータを再構成することができる。

【0042】

ブロック２１６において、処理論理は、ＲＡＩＮ冗長メタデータを生成し、１つまたは複数のメモリデバイスにプログラムする。特に、処理論理は、各メモリページの特定のセクションに格納されたデータ項目（例えば、標準コードワード）に基づいて冗長メタデータ生成動作（例えば、排他的論理和（ＸＯＲ）演算）を実行することによって、ＲＡＩＮ冗長メタデータの第１のセット（例えば、第１のＲＡＩＮコードワード）を生成することができる。例えば、処理論理は、各メモリページの第１の１／４ページに格納された標準コードワードに基づいてＸＯＲ演算を実行することによって、第１のＲＡＩＮコードワードを生成することができる。処理論理は、次いで、各メモリページの第２の１／４ページに格納された標準コードワードに基づいてＸＯＲ演算を実行することによって、第２のＲＡＩＮコードワードを生成することができる。処理論理は、次いで、各メモリページの第３の１／４ページに格納された標準コードワードに基づいてＸＯＲ演算を実行することによって、第３のＲＡＩＮコードワードを生成することができる。処理論理は、次いで、各メモリページの第４の１／４ページに格納された標準コードワードに基づいてＸＯＲ演算を実行することによって、第４のＲＡＩＮコードワードを生成することができる。各ＲＡＩＮコードワードは、図３に関してより詳細に説明する指定されたＬＵＮの指定されたセクションにプログラムすることができる。

【0043】

いくつかの実施形態では、各ＲＡＩＮコードワードは、第２階層ＥＣＣパリティを使用してさらに符号化することができる。例えば、処理論理は、各ＲＡＩＮコードワードのための追加のパリティメタデータ（以下「追加のＲＡＩＮパリティ」）を生成するようにＲＡＩＮストライプを構成する、ホストデータの追加のパリティデータに対する１つまたは複数のＸＯＲ演算を実行することができる。追加のＲＡＩＮパリティデータは、図３に関してより詳細に説明する指定されたＬＵＮの指定されたセクションにプログラムすることができる。

【0044】

図３は、本開示のいくつかの実施形態による、ＬＵＮのセット中に冗長メタデータを格納するための例示的な構成の図である。図示のように、ＬＵＮ３１２Ａ～Ｄは、図１に関して説明した１つまたは複数のメモリデバイス１３０、１４０に対応し得るプレーン３１４Ａ～Ｆにわたる。図３は、（メモリサブシステムコントローラ１１５（図示せず）に接続され得る）６つのプレーンを示しているが、本開示の実施形態は、任意の数のメモリサブシステムコントローラ（例えば、１つのメモリサブシステムコントローラ１１５、２つのメモリサブシステムコントローラ１１５など）に接続された任意の数のプレーン、ブロックおよび／またはダイを対象とし得ることに留意されたい。

【0045】

図３に示されているように、各ＬＵＮ３１２Ａ～Ｄは、６つのプレーン（例えば、プレーン３１４Ａ～Ｆ）にわたる６つのメモリページ（各メモリページは４つの１／４ページに分割される）のストライプを含む。各標準コードワードを１／４ページに格納することができる。図示のように、ＬＵＮ３１２Ａ～Ｃの場合、２６個の１／４ページのうちの最初の２５個が、標準コードワードを格納するように構成される。ＬＵＮ３１２Ｄの場合、２６個の１／４ページのうちの最初の２０個が、標準コードワードを格納するように構成される。ＬＵＮ３１２Ａ～Ｃの各々の最後の１／４ページは、各それぞれのＬＵＮ中に格納された標準コードワードのための追加のパリティデータを格納するように構成される。例えば、１／４ページ３２２は、ＬＵＮ３１２Ａ上に格納された２３個の標準コードワードのための追加のパリティメタデータを格納するように構成することができ、１／４ページ３２４は、ＬＵＮ３１２Ｂ上に格納された２３個の標準コードワードのための追加のパリティデータを格納するように構成することができ、１／４ページ３２６は、ＬＵＮ３１２Ｃ上に格納された２３個の標準コードワードのための追加のパリティデータを格納するように構成することができる。ＬＵＮ３１２Ｄに関して、ＬＵＮ３１２Ｄのプレーン３１４Ｅの第３の１／４ページ（例えば、１／４ページ３２８）は、ＬＵＮ３１２Ｄ上に格納された１８個の標準コードワードのための追加のパリティデータを格納するように構成することができる。

【0046】

ＲＡＩＮパリティコードワード３３２、３３４、３３６、３３８の各々をＬＵＮ３１２Ｄ上に格納することができる。特に、ＬＵＮ３１２Ｄのプレーン３１４Ｆの第１の１／４ページは、各メモリページの第１の１／４ページに格納された標準コードワードのために生成されたＲＡＩＮパリティコードワード３３２を格納するように構成することができ、ＬＵＮ３１２Ｄのプレーン３１４Ｆの第２の１／４ページは、各メモリページの第２の１／４ページに格納された標準コードワードのために生成されたＲＡＩＮパリティコードワード３３４を格納するように構成することができ、ＬＵＮ３１２Ｄのプレーン３１４Ｆの第３の１／４ページは、各メモリページの第３の１／４ページに格納された標準コードワードのために生成されたＲＡＩＮパリティコードワード３３６を格納するように構成することができ、ＬＵＮ３１２Ｄのプレーン３１４Ｅの第４の１／４ページは、各メモリページの第４の１／４ページに格納された標準コードワードのために生成されたＲＡＩＮパリティコードワード３３８を格納するように構成することができる。

【0047】

ＬＵＮ冗長メタデータ３４２をＬＵＮ３１２Ｄのプレーン３１４Ｆ上に格納することができる。特に、ＬＵＮ３１２Ｄの最後の１／４ページの一部分はＬＵＮ冗長メタデータ３４２を格納することができる。さらに、ＬＵＮ３１２Ｄのプレーン３１４Ｆ上の最後の１／４ページの別の部分は、各ＲＡＩＮコードワード（例えば、追加のＲＡＩＮパリティ）のために生成された第２階層ＥＣＣパリティデータ３４４を格納するように構成することができる。図５に関して後でより詳細に説明するように、異なるタイプの冗長メタデータ（例えば、追加のパリティメタデータからの別個のメモリページ上のＬＵＮパリティデータ）をプログラムすることによって、メモリサブシステムコントローラは、複数のメモリデバイスのうちの１つまたは複数のメモリデバイスにおけるメモリアクセス障害の後に、メモリサブシステムの複数のストライプに関連づけられたそれぞれのＬＵＮに常駐するホストデータを復元することができる。

【0048】

図４は、本開示のいくつかの実施形態による、ＬＵＮのセット中に冗長メタデータを格納するための例示的な構成の別の図を示している。図示のように、図１に関して説明した１つまたは複数のメモリデバイス１３０、１４０に対応し得るＬＵＮ４１２Ａ～Ｄはプレーン４１４Ａ～Ｆにわたる。図４は、（メモリサブシステムコントローラ１１５（図示せず）に接続され得る）６つのプレーンを示しているが、本開示の実施形態は、任意の数のメモリサブシステムコントローラ（例えば、１つのメモリサブシステムコントローラ１１５、２つのメモリサブシステムコントローラ１１５など）に接続された任意の数のプレーン、ブロックおよび／またはダイを対象とし得ることに留意されたい。図示のように、冗長メタデータは、図３に示されているように最後の２つのプレーンに格納されるのではなく、ＬＵＮ４１２Ｄの最初の２つのプレーン（例えば、プレーン４１４Ａ～Ｂ）に格納される。特に、１／４ページ４２２は、ＬＵＮ４１２Ａ上に格納された２３個の標準コードワードのための追加のパリティメタデータを格納するように構成することができ、１／４ページ４２４は、ＬＵＮ４１２Ｂ上に格納された２３個の標準コードワードのための追加のパリティデータを格納するように構成することができ、１／４ページ４２６は、ＬＵＮ４１２Ｃ上に格納された２３個の標準コードワードのための追加のパリティデータを格納するように構成することができる。ＬＵＮ４１２Ｄに関して、ＬＵＮ４１２Ｄのプレーン４１４Ｂの第２の１／４ページ（例えば、１／４ページ４２８）は、ＬＵＮ４１２Ｄ上に格納された１８個の標準コードワードのための追加のパリティデータを格納するように構成することができる。ＲＡＩＮパリティコードワード４３２、４３４、４３６、４３８の各々をＬＵＮ４１２Ｄの最初の２つのプレーン（例えば、プレーン４１４Ａ～Ｂ）上に格納することができる。各ＲＡＩＮコードワードのためのＬＵＮ冗長メタデータ４４２と第２階層ＥＣＣパリティデータ４４４とをＬＵＮ４１２Ｄのプレーン４１４Ａ上に格納することができる。図４は、異なる構成を使用して冗長メタデータを格納することができること、および、メモリページ、プレーン、またはブロックの障害の場合、いずれのデータ項目も残りのデータ項目を使用して復元することができることを立証している。特に、異なるメモリデバイス上の特定のロケーションにＲＡＩＮパリティデータとＬＵＮパリティデータと追加のパリティデータとを格納することによって、メモリサブシステムコントローラは、メモリデバイスの障害が生じた部分に関連づけられたデータ項目のためのデータ復元プロセスを実行することができる。

【0049】

図５は、本開示のいくつかの実施形態による、冗長メタデータを使用してデータを復元するための例示的な方法５００のフロー図である。方法５００は、ハードウェア（例えば、処理デバイス、回路、専用論理、プログラマブル論理、マイクロコード、デバイスのハードウェア、集積回路など）、ソフトウェア（例えば、処理デバイス上で実行される（ｒｕｎまたはｅｘｅｃｕｔｅｄ）命令）、またはそれらの組合せを含み得る処理論理によって実施され得る。いくつかの実施形態では、方法５００は図１の冗長メタデータマネージャコンポーネント１１３によって実行される。他のまたは同様の実施形態では、方法２００の１つまたは複数の動作は、メモリサブシステムコントローラ１１５の別のコンポーネントによって、またはローカルメディアコントローラ１３５のコンポーネントによって実行される。特定のシーケンスまたは順序で示されるが、別段の記載のない限り、プロセスの順序は修正され得る。したがって、示された実施形態は、単に例として理解されるべきであり、示されたプロセスは、異なる順序で実施され得、いくつかのプロセスが並行して実施され得る。加えて、１つまたは複数のプロセスは、様々な実施形態において、省略され得る。したがって、全実施形態においてすべてのプロセスが必要とされるわけではない。他のプロセスフローが可能である。

【0050】

動作５１０において、読み出し要求を処理したことに応答して、処理論理は、メモリアクセス障害が発生したと決定することができる。例えば、処理論理は、欠陥、エラー、データ破損などにより、要求されたデータを取り出すことが不可能になる。

【0051】

動作５１２において、処理論理は、ホストデータのみを格納するメモリデバイスのセクション（例えば、メモリページ）（例えば、ＬＵＮ３１２Ａ～Ｃのプレーン３１４Ａ～３１４Ｅ、またはＬＵＮ３１２Ｄのプレーン３１４Ａ～Ｄ）上でメモリアクセス障害が発生したかどうかを決定する。例えば、処理論理は、読み出し要求に関連づけられた物理アドレスが、ホストデータのみを格納するように構成されたメモリデバイスのメモリページに相関するかどうかを決定することができる。読み出し要求が、ホストデータのみを格納するメモリデバイスのメモリページに関連づけられていると決定したことに応答して、処理論理は動作５１４に進む。読み出し要求が、ホストデータのみを格納するメモリデバイスのメモリページに関連づけられていないと決定したことに応答して、処理論理は動作５１６に進む。

【0052】

動作５１４において、処理論理はホストデータのみのメモリページを復元する。例えば、メモリアクセス障害は、追加のパリティデータを格納するいかなるページ、ブロック、および／またはプレーンにも影響を及ぼさないので、処理論理は、追加のパリティデータを使用して対応するストライプ中のホストデータおよび／またはＲＡＩＮパリティコードワードを訂正することができる。いくつかの実施形態では、処理論理は、ＬＵＮ（例えば、ＬＵＮ３１２Ａ～Ｄ）上の残りのホストデータと、ＲＡＩＮ冗長メタデータとを使用してメモリページのホストデータを再構成する。例えば、処理論理は、障害が生じたメモリページのホストデータを再構成するために、ＲＡＩＮパリティデータと残りのホストデータベースのコードワード（標準コードワードまたは大きいコードワード）とに対してＲＡＩＮアルゴリズム（例えば、一連のＸＯＲ演算）を使用することができる。特に、各メモリページの第１の１／４ページに格納された第１のＲＡＩＮコードワードと残りの標準コードワードとを、障害が生じたメモリページの第１の１／４ページに格納されていた標準コードワードを再構成するために使用することができ、各メモリページの第２の１／４ページに格納された第２のＲＡＩＮコードワードと残りの標準コードワードとを、障害が生じたメモリページの第２の１／４ページに格納されていた標準コードワードを再構成するために使用することができ、各メモリページの第３の１／４ページに格納された第３のＲＡＩＮコードワードと残りの標準コードワードとを、障害が生じたメモリページの第３の１／４ページに格納されていた標準コードワードを再構成するために使用することができ、各メモリページの第４の１／４ページに格納された第４のＲＡＩＮコードワードと残りの標準コードワードとを、障害が生じたメモリページの第４の１／４ページに格納されていた標準コードワードを再構成するために使用することができる。

【0053】

動作５１６において、処理論理は、ホストデータのための追加のパリティデータを格納する（例えば、読み出し要求が、ＬＵＮ３１２Ａ～Ｃのプレーン３１４ＦおよびＬＵＮ３１２Ｄのプレーン３１４Ｅなど、ホストデータのための追加のパリティデータを格納するメモリデバイスのメモリページに関連づけられた）セクション上でメモリアクセス障害が発生したかどうかを決定する。ホストデータのための追加のパリティデータを格納するメモリデバイスのセクション上でメモリアクセス障害が発生したと決定したことに応答して、処理論理は動作５１８に進む。ホストデータのための追加のパリティデータを格納するメモリデバイスのセクション上でメモリアクセス障害が発生しなかったと決定したことに応答して、処理論理は動作５２２に進む。

【0054】

動作５１８において、処理論理はメモリページのホストデータと追加のパリティデータとを復元する。特に、処理論理は、ＲＡＩＮパリティデータと残りのホストデータとに対する一連のＸＯＲ演算を使用してメモリページ上のホストデータを復元することができる。処理論理は、ＬＵＮに関連づけられた他のメモリページにプログラムされたＬＵＮパリティデータと残りの追加のパリティデータとを使用して追加のパリティデータを復元することができる。

【0055】

動作５２０において、処理論理は、ＲＡＩＮパリティデータを格納するセクション（例えば、ＬＵＮ３１２Ｄのプレーン３１４Ｅ）上でメモリアクセス障害が発生したかどうかを決定する。ＲＡＩＮパリティデータを格納するセクション上でメモリアクセス障害が発生したと決定したことに応答して、処理論理は動作５２２に進む。ＲＡＩＮパリティデータを格納するセクション上でメモリアクセス障害が発生しなかったと決定したことに応答して、処理論理は方法５００を終了する。

【0056】

動作５２０において、処理論理は、ホストデータと追加のパリティデータとを使用してＲＡＩＮパリティデータとＬＵＮパリティデータとを再生成する。例えば、処理論理は、ホストデータ（例えば、標準コードワード）に対して１つまたは複数のＸＯＲ演算を適用することによってＲＡＩＮパリティコードワードを再生成することができる。処理論理は、追加のパリティデータに対して１つまたは複数のＸＯＲ演算を適用することによってＬＵＮパリティデータを再生成することができる。

【0057】

図６は、コンピュータシステム６００の例示的なマシンを示し、このコンピュータシステム内で、本明細書内で論じられた方法論のうちの任意の１つまたは複数をマシンに実施させるための命令のセットが実行され得る。いくつかの実施形態において、コンピュータシステム６００は、メモリサブシステム（例えば、図１のメモリサブシステム１１０）を含むか、これに結合されるか、もしくはこれを利用するか、またはコントローラの動作を実施するために（例えば、図１の冗長メタデータマネージャコンポーネント１１３に対応する動作を実施するためにオペレーティングシステムを実行するために）使用され得る、ホストシステム（例えば、図１のホストシステム１２０）に対応し得る。代替の実施形態において、マシンは、ＬＡＮ、イントラネット、エクストラネット、および／またはインターネット内の他のマシンに接続（例えば、ネットワーク化）され得る。マシンは、ピアツーピア（もしくは分散）ネットワーク環境内のピアマシンとして、またはクラウドコンピューティングインフラストラクチャもしくは環境内のサーバもしくはクライアントマシンとして、クライアント－サーバネットワーク環境内のサーバまたはクライアントマシンの能力内で動作することができる。

【0058】

マシンは、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、タブレットＰＣ、セットトップボックス（ＳＴＢ）、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、携帯電話、ウェブ電化製品、サーバ、ネットワークルータ、スイッチもしくはブリッジ、またはそのマシンによって取られるべきアクションを指定する命令のセットを実行することができる（順次またはその他の方法で）任意のマシンであってもよい。さらに、単一のマシンが示されるが、用語「マシン」はまた、本明細書で論じられる方法論のうちの任意の１つまたは複数を実施するために命令のセット（または複数のセット）を個々に、またはまとめて実行するマシンの任意の集合を含むと見なされるものとする。

【0059】

例示的なコンピュータシステム６００は、バス６３０を介して互いと通信する、処理デバイス６０２、メインメモリ５０４（例えば、リードオンリメモリ（ＲＯＭ）、フラッシュメモリ、シンクロナスＤＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）またはＲＤＲＡＭなどのダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）など）、スタティックメモリ６０６（例えば、フラッシュメモリ、スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）など）、およびデータストレージシステム６１８を含む。

【0060】

処理デバイス６０２は、マイクロプロセッサ、中央処理装置、または同様のものなどの１つまたは複数の汎用処理デバイスを表す。より詳細には、処理デバイスは、複合命令セットコンピューティング（ＣＩＳＣ）マイクロプロセッサ、縮小命令セットコンピューティング（ＲＩＳＣ）マイクロプロセッサ、超長命令語（ＶＬＩＷ）マイクロプロセッサ、または他の命令セットを実装するプロセッサ、または命令セットの組合せを実装するプロセッサであり得る。処理デバイス６０２はまた、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、ネットワークプロセッサ、または同様のものなど、１つまたは複数の専用処理デバイスであり得る。処理デバイス６０２は、本明細書内で論じられる動作およびステップを実施するための命令６２６を実行するように構成される。コンピュータシステム６００は、ネットワーク６２０を通じて通信するためにネットワークインターフェースデバイス６０８をさらに含み得る。

【0061】

データストレージシステム５１８は、命令６２６の１つもしくは複数のセット、または本明細書内に説明される方法論もしくは機能のうちの任意の１つまたは複数を具現化するソフトウェアが格納されるマシン可読記憶媒体６２４（コンピュータ可読媒体としても知られる）を含み得る。命令６２６はまた、コンピュータシステム６００によるその実行中、メインメモリ６０４内に、および／または処理デバイス６０２内に、完全に、または少なくとも部分的に常駐し得、メインメモリ６０４および処理デバイス６０２もまた、マシン可読記憶媒体を構成する。マシン可読記憶媒体６２４、データストレージシステム６１８、および／またはメインメモリ６０４は、図１のメモリサブシステム１１０に対応し得る。

【0062】

１つの実施形態において、命令６２６は、電圧ビン境界コンポーネント（例えば、図１の冗長メタデータマネージャコンポーネント１１３）に対応する機能性を実装するための命令を含む。マシン可読記憶媒体６２４は、単一の媒体であると例示的な実施形態においては示されるが、用語「マシン可読記憶媒体」は、命令の１つまたは複数のセットを格納する単一の媒体または複数の媒体を含むと見なされるものとする。用語「マシン可読記憶媒体」はまた、マシンによる実行のための命令のセットを格納または符号化することができる、および本開示の方法論のうちの任意の１つまたは複数をマシンに実施させる、任意の媒体を含むと見なされるものとする。用語「マシン可読記憶媒体」は、したがって、限定されるものではないが、ソリッドステートメモリ、光学媒体、および磁気媒体を含むと見なされるものとする。

【0063】

先行する詳細な説明のいくつかの部分は、コンピュータメモリ内のデータビットに対する動作のアルゴリズムおよび記号的表現に関して提示されている。これらのアルゴリズムの説明および表現は、データ処理技術における当業者によりその仕事の内容を他の当業者に最も効果的に伝えるために使用される方法である。アルゴリズムは、ここでは、および一般的には、所望の結果をもたらす動作の自己無撞着シーケンスであると考えられる。動作は、物理量の物理的処理を必要とするものである。通常、必須ではないが、これらの量は、格納される、組み合わされる、比較される、および別途処理されることができる電気または磁気信号の形態をとる。主として共通使用の理由から、これらの信号をビット、値、要素、符号、文字、項、数字、または同様のものと呼ぶことが時には簡便であることが証明されている。

【0064】

しかしながら、これらのすべておよび同様の用語は、適切な物理量と関連づけられるべきであり、これらの量に適用される簡便なラベルにすぎないということに留意しておくべきである。本開示は、コンピュータシステムのレジスタおよびメモリ内の物理（電子）量として表されるデータを、操作して、コンピュータシステムメモリもしくはレジスタまたは他のそのような情報ストレージシステム内の物理量として同様に表される他のデータへと変換する、コンピュータシステム、または同様の電子コンピューティングデバイスのアクションおよびプロセスを指し得る。

【0065】

本開示はまた、本明細書内の動作を実施するための装置に関する。この装置は、意図した目的のために特別に構築され得るか、またはそれは、コンピュータに格納されるコンピュータプログラムによって選択的に起動または再構成される汎用コンピュータを含み得る。そのようなコンピュータプログラムは、限定されるものではないが、フロッピディスク、光学ディスク、ＣＤ－ＲＯＭ、および光磁気ディスクを含む任意のタイプのディスク、リードオンリメモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、磁気もしくは光学カード、または電子命令を格納するのに好適な任意のタイプの媒体などのコンピュータ可読記憶媒体に格納され得、これらの各々がコンピュータシステムバスに結合される。

【0066】

本明細書内に提示されるアルゴリズムおよびディスプレイは、任意の特定のコンピュータまたは他の装置に本質的に関連するものではない。様々な汎用システムが、本明細書内の教示に従ってプログラムとともに使用され得るか、またはそれは、本方法を実施するためにより専門化された装置を構築するのに簡便であることを証明し得る。様々なこれらのシステムの構造は、以下の説明に明記されるように見える。加えて、本開示は、任意の特定のプログラミング言語に関連して説明されるものではない。様々なプログラミング言語が本明細書内に説明されるような本開示の教示を実装するために使用され得るということを理解されたい。

【0067】

本開示は、本開示に従ってプロセスを実施するようにコンピュータシステム（または他の電子デバイス）をプログラムするために使用され得る、命令が格納されているマシン可読媒体を含み得るコンピュータプログラム製品、またはソフトウェアとして提供され得る。マシン可読媒体は、マシン（例えば、コンピュータ）によって読むことが可能な形態で情報を格納するための任意の機序を含む。いくつかの実施形態において、マシン可読（例えば、コンピュータ可読）媒体は、リードオンリメモリ（「ＲＯＭ」）、ランダムアクセスメモリ（「ＲＡＭ」）、磁気ディスク記憶媒体、光学記憶媒体、フラッシュメモリコンポーネントなど、マシン（例えば、コンピュータ）可読記憶媒体を含む。

【0068】

先述の明細書において、本開示の実施形態は、それらの特定の例示的な実施形態に関して説明されている。様々な修正が、それらに対して、以下の請求項に明記されるような本開示の実施形態の幅広い趣旨および範囲から逸脱することなくなされ得ることは明らかである。したがって、本明細書および図面は、制限的意味よりもむしろ例示的意味と考えられるべきである。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【国際調査報告】