特表 2024-534755 回路基板アセンブリ、表示モジュール及びその製造方法、表示設備

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-09-26

(54)【発明の名称】回路基板アセンブリ、表示モジュール及びその製造方法、表示設備

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/14 20060101AFI20240918BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20240918BHJP

   H05K 1/02 20060101ALI20240918BHJP

   H05K 3/36 20060101ALI20240918BHJP

【ＦＩ】

H05K1/14 A

G09F9/00 338

G09F9/00 346D

G09F9/00 346A

H05K1/02 J

H05K3/36 A

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024505184

(86)(22)【出願日】2021-09-17

(85)【翻訳文提出日】2024-01-26

(86)【国際出願番号】 CN2021119177

(87)【国際公開番号】W WO2023039861

(87)【国際公開日】2023-03-23

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】510280589

【氏名又は名称】京東方科技集團股▲ふん▼有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＢＯＥ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＧＲＯＵＰ ＣＯ．，ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１０ Ｊｉｕｘｉａｎｑｉａｏ Ｒｄ．，Ｃｈａｏｙａｎｇ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００１５，ＣＨＩＮＡ

(71)【出願人】

【識別番号】511121702

【氏名又は名称】成都京東方光電科技有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＣＨＥＮＧＤＵ ＢＯＥ ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＣＯ．，ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１１８８，Ｈｅｚｕｏ Ｒｄ．，（Ｗｅｓｔ Ｚｏｎｅ），Ｈｉ－ｔｅｃｈ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｚｏｎｅ，Ｃｈｅｎｇｄｕ，Ｓｉｃｈｕａｎ，６１１７３１，Ｐ．Ｒ．ＣＨＩＮＡ

(74)【代理人】

【識別番号】100103894

【弁理士】

【氏名又は名称】家入 健

(72)【発明者】

【氏名】ジャン チージュン

(72)【発明者】

【氏名】リー ティアンマ

(72)【発明者】

【氏名】リー リアン

(72)【発明者】

【氏名】ジー ビン

(72)【発明者】

【氏名】ジー シュエリアン

(72)【発明者】

【氏名】ワン グオフィ

(72)【発明者】

【氏名】ディン シュエフェン

(72)【発明者】

【氏名】ワン ダク

【テーマコード（参考）】

5E338

5E344

5G435

【Ｆターム（参考）】

5E338AA16

5E338CC09

5E338CD12

5E338EE60

5E344AA02

5E344AA22

5E344BB01

5E344BB02

5E344BB04

5E344CC23

5E344CD02

5E344DD10

5E344EE30

5G435AA17

5G435EE37

5G435EE38

5G435EE42

5G435HH12

5G435KK03

5G435KK09

5G435LL04

5G435LL07

5G435LL08

5G435LL14

5G435LL17

(57)【要約】

回路基板アセンブリ（１００）は、第１回路基板（１）と少なくとも１つの第２回路基板（２）とを含む。第１回路基板（１）は、少なくとも１つの第１バインディングアセンブリ（１１）を含み、第１バインディングアセンブリ（１１）は、第１方向に沿って間隔を空けて順に配置された複数の第１導電ブロック（１１１）を含む。少なくとも１つの第２回路基板（２）は、少なくとも１つの第２バインディングアセンブリ（２１）を含み、第２バインディングアセンブリ（２１）は、間隔を空けて順に配置された複数の第２導電ブロック（２１１）を含む。１つの第２バインディングアセンブリ（２１）における複数の第２導電ブロック（２１１）は、１つの第１バインディングアセンブリ（１１）における複数の第１導電ブロック（１１１）と１対１対応でバインディングして接続される。ここで、第１回路基板（１）の膨張率は、第２回路基板（２）の膨張率よりも小さい。第２バインディングアセンブリ（２１）における各第２導電ブロックは、それにバインディングして接続される第１導電ブロック（１１１）と重なって設けられ、且つ第２バインディングアセンブリ（２１）の第１方向における重なり状態の変化率は０．１０２％未満である。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

少なくとも１つの第１バインディングアセンブリを含む第１回路基板であって、前記第１バインディングアセンブリは、第１方向に沿って間隔を空けて順に配置された複数の第１導電ブロックを含む第１回路基板と、
少なくとも１つの第２バインディングアセンブリを含む少なくとも１つの第２回路基板であって、前記第２バインディングアセンブリは、間隔を空けて順に配置された複数の第２導電ブロックを含み、１つの前記第２バインディングアセンブリにおける複数の第２導電ブロックは、１つの前記第１バインディングアセンブリにおける複数の第１導電ブロックと１対１対応でバインディングして接続される少なくとも１つの第２回路基板と、
を含み、
前記第１回路基板の膨張率は、前記第２回路基板の膨張率よりも小さくて、
同一の前記第２バインディングアセンブリにおいて、各第２導電ブロックは、それにバインディングして接続される第１導電ブロックと重なって設けられ、且つ前記第２バインディングアセンブリの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．１０２％未満である、
回路基板アセンブリ。

【請求項2】

前記第２バインディングアセンブリの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．０５９％未満である、
請求項１に記載の回路基板アセンブリ。

【請求項3】

前記第２バインディングアセンブリの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．０３９％未満である、
請求項１に記載の回路基板アセンブリ。

【請求項4】

前記第２バインディングアセンブリの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．０２８％未満である、
請求項１に記載の回路基板アセンブリ。

【請求項5】

少なくとも１つの前記第２バインディングアセンブリにおける各第２導電ブロックと、それにバインディングして接続される第１導電ブロックとの前記第１方向における重なり幅は、前記第１導電ブロックの幅の３分の２以上である、
請求項１から請求項４のいずれかに記載の回路基板アセンブリ。

【請求項6】

前記第１回路基板は、前記第１方向に沿って間隔を空けて順に配置された少なくとも２つの前記第１バインディングアセンブリを含み、前記少なくとも１つの第２回路基板は、少なくとも２つの前記第２バインディングアセンブリを含み、
前記少なくとも２つの前記第２バインディングアセンブリにおける各第２バインディングアセンブリは、前記第１方向における重なり状態の変化率が等しい、
請求項１から請求項５のいずれかに記載の回路基板アセンブリ。

【請求項7】

前記第１回路基板は、少なくとも１つの第１仮想バインディングアセンブリをさらに含み、
前記少なくとも１つの第１仮想バインディングアセンブリと前記少なくとも１つの第１バインディングアセンブリは、前記第１方向において並列に配置され、前記少なくとも１つの第１仮想バインディングアセンブリと前記少なくとも１つの第１バインディングアセンブリは、前記第１方向に沿って、前記第１回路基板の一方側から前記第１回路基板の他方側まで、交互に配置され、
前記第１仮想バインディングアセンブリは、前記第１方向に沿って間隔を空けて順に配置された複数の第１仮想導電ブロックを含む、
請求項１から請求項６のいずれかに記載の回路基板アセンブリ。

【請求項8】

前記第１導電ブロックの幅は、前記第１バインディングアセンブリにおける隣接する２つの前記第１導電ブロック間の中心距離の０．５～０．６倍であり、
前記第２導電ブロックの幅は、前記第２バインディングアセンブリにおける隣接する２つの前記第２導電ブロック間の中心距離の０．５～０．６倍である、
請求項１から請求項７のいずれかに記載の回路基板アセンブリ。

【請求項9】

前記第１バインディングアセンブリにおける隣接する２つの前記第１導電ブロック間の中心距離は０．３ｍｍ～０．４ｍｍであり、
前記第２バインディングアセンブリにおける隣接する２つの前記第２導電ブロック間の中心距離は０．３ｍｍ～０．４ｍｍである、
請求項１から請求項８のいずれかに記載の回路基板アセンブリ。

【請求項10】

前記第１導電ブロックの幅は０．１８ｍｍ～０．２８ｍｍであり、及び／又は、
前記第２導電ブロックの幅は０．１５ｍｍ～０．２ｍｍである、
請求項１から請求項９のいずれかに記載の回路基板アセンブリ。

【請求項11】

前記第２バインディングアセンブリにおける隣接する２つの前記第２導電ブロック間の中心の距離単位温度における膨張率は、前記第１バインディングアセンブリにおける隣接する２つの前記第１導電ブロック間の中心距離の単位温度における膨張率の２～３倍である、
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の回路基板アセンブリ。

【請求項12】

前記第１バインディングアセンブリは、少なくとも２つの第１位置合わせ構造をさらに含み、前記第２バインディングアセンブリは、少なくとも２つの第２位置合わせ構造をさらに含み、１つの第１位置合わせ構造は、１つの第２位置合わせ構造と協働する、
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の回路基板アセンブリ。

【請求項13】

前記第１回路基板の前記第１方向に沿った寸法は３５０ｍｍ以下であり、
前記第２回路基板の前記第１方向に沿った寸法は２００ｍｍ以下である、
請求項１から請求項１２のいずれかに記載の回路基板アセンブリ。

【請求項14】

表示パネルと、
少なくとも１つの請求項１から請求項１３のいずれかに記載の回路基板アセンブリであって、前記回路基板アセンブリにおける全ての第２回路基板は、前記表示パネルの同一の側にバインディングされている回路基板アセンブリと、
を含む、
表示モジュール。

【請求項15】

前記表示パネルは、少なくとも１つの第３バインディングアセンブリを含み、前記第３バインディングアセンブリは、前記第１方向に沿って間隔を空けて順に配置された複数の第３導電ブロックを含み、
前記少なくとも１つの第２回路基板は、少なくとも１つの第４バインディングアセンブリをさらに含み、前記第４バインディングアセンブリは、間隔を空けて順に配置された複数の第４導電ブロックを含み、１つの前記第４バインディングアセンブリにおける複数の第４導電ブロックは、１つの前記第３バインディングアセンブリにおける複数の第３導電ブロックと１対１対応でバインディングして接続され、
少なくとも１つの前記第４バインディングアセンブリにおける各第４導電ブロックと、それにバインディングして接続される第３導電ブロックとの前記第１方向における重なり幅は、前記第３導電ブロックの幅の３分の２以上である、
請求項１４に記載の表示モジュール。

【請求項16】

表示パネルと、
表示パネルの一方側に位置して表示パネルにバインディングされる回路基板アセンブリと、
を含み、
前記回路基板アセンブリは、
複数の第１バインディングアセンブリを含む第１回路基板であって、前記第１バインディングアセンブリは、第１方向に沿って順に間隔を空けて配置された複数の第１導電ブロックを含む第１回路基板と、
複数の第２回路基板であって、各々の前記第２回路基板は、少なくとも１つの第２バインディングアセンブリを含み、前記第２バインディングアセンブリは、間隔を空けて順に配置された複数の第２導電ブロックを含み、１つの前記第２バインディングアセンブリにおける複数の第２導電ブロックは、１つの前記第１バインディングアセンブリにおける複数の第１導電ブロックと１対１対応でバインディングして接続される複数の第２回路基板と、
を含み、
前記第１回路基板の膨張率は前記第２回路基板の膨張率よりも小さく、
同一の前記第２バインディングアセンブリにおいて、各第２導電ブロックは、それにバインディングして接続される第１導電ブロックと重なって設けられ、且つ前記第２バインディングアセンブリの中間位置に対応する第２導電ブロックの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．０５０％未満である、
表示モジュール。

【請求項17】

前記第２バインディングアセンブリの中間位置に対応する第２導電ブロックの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．０３９％未満である、
請求項１６に記載の表示モジュール。

【請求項18】

前記第２バインディングアセンブリの中間位置に対応する第２導電ブロックの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．０２８％未満である、
請求項１６に記載の表示モジュール。

【請求項19】

前記第２バインディングアセンブリの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．１０２％未満である、
請求項１６から請求項１８のいずれかに記載の表示モジュール。

【請求項20】

前記第２バインディングアセンブリの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．０５９％未満である、
請求項１６から請求項１８のいずれかに記載の表示モジュール。

【請求項21】

前記第２バインディングアセンブリの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．０３９％未満である、
請求項１６から請求項１８のいずれかに記載の表示モジュール。

【請求項22】

前記第２バインディングアセンブリの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．０２８％未満である、
請求項１６から請求項１８のいずれかに記載の表示モジュール。

【請求項23】

前記第２回路基板は、
第１回路基板にバインディングして接続された第１端と、
表示パネルに接続された第２端と
を含み、
前記第１回路基板の二等分面から前記第１回路基板の境界に向かう方向に沿って、全ての前記第２回路基板における前記第１端の中点と前記第２端の中点との前記第１方向における偏差は、徐々に大きくなる、
請求項１６から請求項２２のいずれかに記載の表示モジュール。

【請求項24】

同一の前記第２回路基板において、前記第１端部の中点は、前記第２端部の中点よりも前記第１回路基板の二等分面に近い、
請求項２３に記載の表示モジュール。

【請求項25】

全ての前記第２バインディングアセンブリにおける当該第２バインディングアセンブリの二等分面に近い前記第２導電ブロックは、前記第１方向における重なり状態の変化率が一定である、
請求項１６から請求項２４のいずれかに記載の表示モジュール。

【請求項26】

前記表示パネルは少なくとも１つの第３バインディングアセンブリを含み、前記第３バインディングアセンブリは、前記第１方向に沿って間隔を空けて順に配置された複数の第３導電ブロックを含み、
前記少なくとも１つの第２回路基板は、少なくとも１つの第４バインディングアセンブリをさらに含み、前記第４バインディングアセンブリは、間隔を空けて順に配置された複数の第４導電ブロックを含み、１つの前記第４バインディングアセンブリにおける複数の第４導電ブロックは、１つの前記第３バインディングアセンブリにおける複数の第３導電ブロックと１対１対応でバインディングして接続され、
少なくとも１つの前記第４バインディングアセンブリにおける各第４導電ブロックと、それにバインディングして接続される第３導電ブロックとの前記第１方向における重なり幅は、前記第３導電ブロックの幅の３分の２以上である、
請求項１６から請求項２５のいずれかに記載の表示モジュール。

【請求項27】

少なくとも１つの前記第２バインディングアセンブリにおける各第２導電ブロックと、それにバインディングして接続される第１導電ブロックとの前記第１方向における重なり幅は、前記第１導電ブロックの幅の３分の２以上である、
請求項１６から請求項２６のいずれかに記載の表示モジュール。

【請求項28】

前記第１回路基板は、前記第１方向に沿って間隔を空けて順に配置された少なくとも２つの前記第１バインディングアセンブリを含み、前記少なくとも１つの第２回路基板は、少なくとも２つの前記第２バインディングアセンブリを含み、
前記少なくとも２つの前記第２バインディングアセンブリにける各第２バインディングアセンブリは、前記第１方向における重なり状態の変化率が等しい、
請求項１６から請求項２７のいずれかに記載の表示モジュール。

【請求項29】

前記第１回路基板は、少なくとも１つの第１仮想バインディングアセンブリをさらに含み、
前記少なくとも１つの第１仮想バインディングアセンブリと前記少なくとも１つの第１バインディングアセンブリは、前記第１方向において並列に配置され、前記少なくとも１つの第１仮想バインディングアセンブリと前記少なくとも１つの第１バインディングアセンブリは、前記第１方向に沿って、前記第１回路基板の一方側から前記第１回路基板の他方側まで、交互に配置され、
前記第１仮想バインディングアセンブリは、前記第１方向に沿って間隔を空けて順に配置された複数の第１仮想導電ブロックを含む、
請求項１６から請求項２８のいずれかに記載の表示モジュール。

【請求項30】

前記第１導電ブロックの幅は、前記第１バインディングアセンブリにおける隣接する２つの前記第１導電ブロック間の中心距離の０．５～０．６倍であり、
前記第２導電ブロックの幅は、前記第２バインディングアセンブリにおける隣接する２つの前記第２導電ブロック間の中心距離の０．５～０．６倍である、
請求項１６から請求項２９のいずれかに記載の表示モジュール。

【請求項31】

前記第１バインディングアセンブリにおける隣接する２つの前記第１導電ブロック間の中心距離は０．３ｍｍ～０．４ｍｍであり、
前記第２バインディングアセンブリにおける隣接する２つの前記第２導電ブロック間の中心距離は０．３ｍｍ～０．４ｍｍである、
請求項１６から請求項３０のいずれかに記載の表示モジュール。

【請求項32】

前記第１導電ブロックの幅は０．１８ｍｍ～０．２８ｍｍであり、及び／又は、
前記第２導電ブロックの幅は０．１５ｍｍ～０．２ｍｍである、
請求項１６から請求項３１のいずれかに記載の表示モジュール。

【請求項33】

前記第２バインディングアセンブリにおける隣接する２つの前記第２導電ブロック間の中心距離の単位温度における膨張率は、前記第１バインディングアセンブリにおける隣接する２つの前記第１導電ブロック間の中心距離の単位温度における膨張率の２～３倍である、
請求項１６から請求項３２のいずれかに記載の表示モジュール。

【請求項34】

前記第１バインディングアセンブリは、少なくとも２つの第１位置合わせ構造をさらに含み、前記第２バインディングアセンブリは、少なくとも２つの第２位置合わせ構造をさらに含み、１つの第１位置合わせ構造は、１つの第２位置合わせ構造と協働する、
請求項１６から請求項３３のいずれかに記載の表示モジュール。

【請求項35】

前記第１回路基板の前記第１方向に沿った寸法は３５０ｍｍ以下であり、
前記第２回路基板の前記第１方向に沿った寸法は２００ｍｍ以下である、
請求項１６から請求項３４のいずれかに記載の表示モジュール。

【請求項36】

請求項１４から請求項３５のいずれかに記載の表示モジュールを含む、
表示設備。

【請求項37】

第２回路基板の単位温度における第２膨張率を取得するステップと、
前記第２膨張率に基づいて、第２予め収縮率を決定することにより、少なくとも１つの第２回路基板を製造するステップであって、前記少なくとも１つの第２回路基板は、少なくとも１つの第２バインディングアセンブリを含み、前記第２バインディングアセンブリは、間隔を空けて順に配置された複数の第２導電ブロックを含むステップと、
第１回路基板を提供するステップであって、前記第１回路基板は、少なくとも１つの第１バインディングアセンブリを含み、前記第１バインディングアセンブリは、第１方向に沿って間隔を空けて順に配置された複数の第１導電ブロックを含むステップと、
前記第１バインディングアセンブリを前記第２バインディングアセンブリと位置合わせするステップと、
前記第１バインディングアセンブリと前記第２バインディングアセンブリとの間に導電性接着剤を設けるステップと、
前記第１バインディングアセンブリと前記第２バインディングアセンブリとを予め設定された温度まで加熱した後、予め設定された圧力強度で前記第１バインディングアセンブリと前記第２バインディングアセンブリとを押圧することにより、１つの前記第２バインディングアセンブリにおける複数の第２導電ブロックを１つの前記第１バインディングアセンブリにおける複数の第１導電ブロックと１対１対応でバインディングして接続するステップであって、同一の前記第２バインディングアセンブリにおいて、各第２導電ブロックは、それにバインディングして接続される第１導電ブロックと重なって設けられ、且つ前記第２バインディングアセンブリの中間位置に対応する第２導電ブロックの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．１０２％未満であるステップと、
を含む、
表示モジュールの製造方法。

【請求項38】

前記した、第１回路基板を提供するステップは、
第１回路基板の単位温度における第１膨張率を取得するステップと、
前記第１膨張率に基づいて、第１予め収縮率を決定することにより、第１回路基板を製造するステップと、
を含み、
前記第２バインディングアセンブリの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．０３９％未満である、
請求項３７に記載の表示モジュールの製造方法。

【請求項39】

前記した、前記第１バインディングアセンブリを前記第２バインディングアセンブリと位置合わせするステップは、
前記第２バインディングアセンブリの二等分面を前記第１バインディングアセンブリの二等分面と位置合わせするステップを含む、
請求項３７又は請求項３８に記載の表示モジュールの製造方法。

【請求項40】

前記第１バインディングアセンブリは、少なくとも２つの第１位置合わせ構造をさらに含み、前記第２バインディングアセンブリは、少なくとも２つの第２位置合わせ構造をさらに含み、
前記した、前記第１バインディングアセンブリを前記第２バインディングアセンブリと位置合わせするステップは、
前記第２バインディングアセンブリにおける少なくとも２つの第２位置合わせ構造を、それぞれ前記第１バインディングアセンブリにおける少なくとも２つの第１位置合わせ構造と位置合わせするステップを含む、
請求項３７又は請求項３８に記載の表示モジュールの製造方法。

【請求項41】

前記予め設定された圧力強度は０．１ＭＰａ～０．４ＭＰａである、
請求項３７から請求項４０のいずれかに記載の表示モジュールの製造方法。

【請求項42】

第１回路基板の単位温度における第１膨張率を取得するステップと、
前記第１膨張率に基づいて、第１予め収縮率を決定することにより、第１回路基板を製造するステップであって、前記第１回路基板は、少なくとも１つの第１バインディングアセンブリを含み、前記第１バインディングアセンブリは、第１方向に沿って間隔を空けて順に配置された複数の第１導電ブロックを含むステップと、
少なくとも１つの第２回路基板を提供するステップであって、前記少なくとも１つの第２回路基板は、少なくとも１つの第２バインディングアセンブリを含み、前記第２バインディングアセンブリは、間隔を空けて順に配置された複数の第２導電ブロックを含むステップと、
前記第１バインディングアセンブリを前記第２バインディングアセンブリと位置合わせするステップと、
前記第１バインディングアセンブリと前記第２バインディングアセンブリとの間に導電性接着剤を設けるステップと、
前記第１バインディングアセンブリと前記第２バインディングアセンブリとを予め設定された温度まで加熱した後、予め設定された圧力強度で前記第１バインディングアセンブリと前記第２バインディングアセンブリとを押圧することにより、１つの前記第２バインディングアセンブリにおける複数の第２導電ブロックが、１つの前記第１バインディングアセンブリにおける複数の第１導電ブロックと１対１対応でバインディングして接続されるステップと、
を含み、
同一の前記第２バインディングアセンブリにおいて、各第２導電ブロックは、それにバインディングして接続される第１導電ブロックと重なって設けられ、且つ前記第２バインディングアセンブリの中間位置に対応する第２導電ブロックの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．０５０％未満である、
表示モジュールの製造方法。

【請求項43】

前記少なくとも１つの第２回路基板は、少なくとも１つの第４バインディングアセンブリを含み、前記第４バインディングアセンブリは、間隔を空けて順に配置された複数の第４導電ブロックを含み、
前記した、前記第１バインディングアセンブリを前記第２バインディングアセンブリと位置合わせするステップの前に、前記方法は、さらに、
表示パネルを提供するステップであって、前記表示パネルは、少なくとも１つの第３バインディングアセンブリを含み、前記第３バインディングアセンブリは、前記第１方向に沿って間隔を空けて順に配置された複数の第３導電ブロックを含むステップと、
前記第３バインディングアセンブリを前記第４バインディングアセンブリと位置合わせするステップと、
前記第３バインディングアセンブリと前記第４バインディングアセンブリとの間に導電性接着剤を設けるステップと、
前記第３バインディングアセンブリと前記第４バインディングアセンブリとを予め設定された温度まで加熱した後、予め設定された圧力で前記第３バインディングアセンブリと前記第４バインディングアセンブリとを押圧することにより、１つの前記第４バインディングアセンブリにおける複数の第４導電ブロックが、１つの前記第３バインディングアセンブリにおける複数の第３導電ブロックと１対１対応でバインディングして接続されるステップであって、少なくとも１つの前記第４バインディングアセンブリにおける各第４導電ブロックと、それにバインディングして接続される第３導電ブロックとの前記第１方向における重なり幅は、前記第３導電ブロックの幅の３分の２以上であるステップと、
を含む、
請求項４２に記載の表示モジュールの製造方法。

【請求項44】

前記予め設定された温度は１５０℃～２５０℃であり、前記予め設定された圧力は２０Ｎ～４０Ｎである、
請求項４３に記載の表示モジュールの製造方法。

【請求項45】

前記した、少なくとも１つの第２回路基板を提供するステップは、
第２回路基板の単位温度における第２膨張率を取得するステップと、
前記第２膨張率に基づいて、第２予め収縮率を決定することにより、少なくとも１つの第２回路基板を製造するステップと、
を含み、
前記第２バインディングアセンブリの中間位置に対応する第２導電ブロックの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．０３９％未満である、
請求項４３又は請求項４４に記載の表示モジュールの製造方法。

【請求項46】

前記した、前記第１バインディングアセンブリを前記第２バインディングアセンブリと位置合わせするステップは、
中間位置に位置する前記第２バインディングアセンブリの二等分面を前記第１バインディングアセンブリの二等分面と位置合わせするステップを含む、
請求項４３から請求項４５のいずれかに記載の表示モジュールの製造方法。

【請求項47】

前記第１バインディングアセンブリは、少なくとも２つの第１位置合わせ構造をさらに含み、前記第２バインディングアセンブリは、少なくとも２つの第２位置合わせ構造をさらに含み、
前記した、前記第１バインディングアセンブリを前記第２バインディングアセンブリと位置合わせするステップは、
全ての前記第２位置合わせ構造における前記第１方向に沿って最も離れた２つの第２位置合わせ構造を、それぞれ対応する２つの第１位置合わせ構造と位置合わせするステップを含む、
請求項４３から請求項４５のいずれかに記載の表示モジュールの製造方法。

【請求項48】

前記予め設定された圧力強度は０．１ＭＰａ～０．４ＭＰａである、
請求項４２から請求項４７のいずれかに記載の表示モジュールの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、表示技術分野に関し、特に回路基板アセンブリ、表示モジュール及びその製造方法、表示設備に関するものである。

【背景技術】

【0002】

表示技術の発展に伴い、各種の表示装置が人々の生活でますます広く使用されている。表示装置は主に表示パネルと主制御ボードとを含んでおり、表示パネルと主制御ボードは１つ以上のフレキシブルプリント回路（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ，ＦＰＣ）を介してバインディングして接続されている。

【発明の概要】

【課題を解決するための手段】

【0003】

一態様では、回路基板アセンブリが提供される。当該回路基板アセンブリは、第１回路基板と少なくとも１つの第２回路基板とを含む。前記第１回路基板は、少なくとも１つの第１バインディングアセンブリを含み、前記第１バインディングアセンブリは、第１方向に沿って間隔を空けて順に配置された複数の第１導電ブロックを含む。前記少なくとも１つの第２回路基板は、少なくとも１つの第２バインディングアセンブリを含み、前記第２バインディングアセンブリは、間隔を空けて順に配置された複数の第２導電ブロックを含む。１つの前記第２バインディングアセンブリにおける複数の第２導電ブロックは、１つの前記第１バインディングアセンブリにおける複数の第１導電ブロックと１対１対応でバインディングして接続される。ここで、前記第１回路基板の膨張率は、前記第２回路基板の膨張率よりも小さい。同一の前記第２バインディングアセンブリにおいて、各第２導電ブロックは、それにバインディングして接続される第１導電ブロックと重なって設けられ、且つ前記第２バインディングアセンブリの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．１０２％未満である。

【0004】

具体的には、前記第２バインディングアセンブリの前記第１方向における重なり状態の変化率は、第２回路基板と第１回路基板とのバインディング効果を如実に反映し得る。

【0005】

幾つかの実施例では、前記第２バインディングアセンブリの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．０５９％未満である。

【0006】

幾つかの実施例では、前記第２バインディングアセンブリの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．０３９％未満である。

【0007】

幾つかの実施例では、前記第２バインディングアセンブリの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．０２８％未満である。

【0008】

幾つかの実施例では、少なくとも１つの前記第２バインディングアセンブリにおける各第２導電ブロックと、それにバインディングして接続される第１導電ブロックとの前記第１方向における重なり幅は、前記第１導電ブロックの幅の３分の２以上である。

【0009】

幾つかの実施例では、前記第１回路基板は、前記第１方向に沿って間隔を空けて順に配置された少なくとも２つの前記第１バインディングアセンブリを含み、前記少なくとも１つの第２回路基板は、少なくとも２つの前記第２バインディングアセンブリを含む。前記少なくとも２つの前記第２バインディングアセンブリにおける各第２バインディングアセンブリは、前記第１方向における重なり状態の変化率が等しい。

【0010】

幾つかの実施例では、前記第１回路基板は、少なくとも１つの第１仮想バインディングアセンブリをさらに含み、前記少なくとも１つの第１仮想バインディングアセンブリと前記少なくとも１つの第１バインディングアセンブリは、前記第１方向において並列に配置される。前記少なくとも１つの第１仮想バインディングアセンブリと前記少なくとも１つの第１バインディングアセンブリは、前記第１方向に沿って、前記第１回路基板の一方側から前記第１回路基板の他方側まで、交互に配置される。ここで、前記第１仮想バインディングアセンブリは、前記第１方向に沿って間隔を空けて順に配置された複数の第１仮想導電ブロックを含む。

【0011】

幾つかの実施例では、前記第１導電ブロックの幅は、前記第１バインディングアセンブリにおける隣接する２つの前記第１導電ブロック間の中心距離の０．５～０．６倍である。前記第２導電ブロックの幅は、前記第２バインディングアセンブリにおける隣接する２つの前記第２導電ブロック間の中心距離の０．５～０．６倍である。

【0012】

幾つかの実施例では、前記第１バインディングアセンブリにおける隣接する２つの前記第１導電ブロック間の中心距離は０．３ｍｍ～０．４ｍｍである。前記第２バインディングアセンブリにおける隣接する２つの前記第２導電ブロック間の中心距離は０．３ｍｍ～０．４ｍｍである。

【0013】

幾つかの実施例では、前記第１導電ブロックの幅は０．１８ｍｍ～０．２８ｍｍであり、及び／又は、前記第２導電ブロックの幅は０．１５ｍｍ～０．２ｍｍである。

【0014】

幾つかの実施例では、前記第２バインディングアセンブリにおける隣接する２つの前記第２導電ブロック間の中心距離の単位温度における膨張率は、前記第１バインディングアセンブリにおける隣接する２つの前記第１導電ブロック間の中心距離の単位温度における膨張率の２～３倍である。

【0015】

幾つかの実施例では、前記第１バインディングアセンブリは、少なくとも２つの第１位置合わせ構造をさらに含み、前記第２バインディングアセンブリは、少なくとも２つの第２位置合わせ構造をさらに含む。１つの第１位置合わせ構造は、１つの第２位置合わせ構造と協働する。

【0016】

幾つかの実施例では、前記第１回路基板の前記第１方向に沿った寸法は３５０ｍｍ以下であり、前記第２回路基板の前記第１方向に沿った寸法は２００ｍｍ以下である。

【0017】

別の態様では、表示モジュールが提供される。前記表示モジュールは、表示パネルと、少なくとも１つの上記実施例のいずれかに記載の回路基板アセンブリとを含む。前記回路基板アセンブリにおける全ての第２回路基板は、前記表示パネルの同一の側にバインディングされている。

【0018】

幾つかの実施例では、前記表示パネルは、少なくとも１つの第３バインディングアセンブリを含む。前記第３バインディングアセンブリは、前記第１方向に沿って間隔を空けて順に配置された複数の第３導電ブロックを含む。前記少なくとも１つの第２回路基板は、少なくとも１つの第４バインディングアセンブリをさらに含む。前記第４バインディングアセンブリは、間隔を空けて順に配置された複数の第４導電ブロックを含む。１つの前記第４バインディングアセンブリにおける複数の第４導電ブロックは、１つの前記第３バインディングアセンブリにおける複数の第３導電ブロックと１対１対応でバインディングして接続される。ここで、少なくとも１つの前記第４バインディングアセンブリにおける各第４導電ブロックと、それにバインディングして接続される第３導電ブロックとの前記第１方向における重なり幅は、前記第３導電ブロックの幅の３分の２以上である。

【0019】

別の態様では、別の表示モジュールが提供される。当該表示モジュールは、表示パネルと、表示パネルの一方側に位置して表示パネルにバインディングされる回路基板アセンブリとを含む。ここで、前記回路基板アセンブリは、第１回路基板と複数の第２回路基板とを含む。第１回路基板は複数の第１バインディングアセンブリを含む。前記第１バインディングアセンブリは、第１方向に沿って間隔を空けて順に配置された複数の第１導電ブロックを含む。各々の前記第２回路基板は、少なくとも１つの第２バインディングアセンブリを含む。前記第２バインディングアセンブリは、間隔を空けて順に配置された複数の第２導電ブロックを含む。１つの前記第２バインディングアセンブリにおける複数の第２導電ブロックは、１つの前記第１バインディングアセンブリにおける複数の第１導電ブロックと１対１対応でバインディングして接続される。ここで、前記第１回路基板の膨張率は前記第２回路基板の膨張率よりも小さい。同一の前記第２バインディングアセンブリにおいて、各第２導電ブロックは、それにバインディングして接続される第１導電ブロックと重なって設けられ、且つ前記第２バインディングアセンブリの中間位置に対応する第２導電ブロックの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．０５０％未満である。

【0020】

幾つかの実施例では、前記第２バインディングアセンブリの中間位置に対応する第２導電ブロックの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．０３９％未満である。

【0021】

幾つかの実施例では、前記第２バインディングアセンブリの中間位置に対応する第２導電ブロックの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．０２８％未満である。

【0022】

幾つかの実施例では、前記第２バインディングアセンブリの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．１０２％未満である。

【0023】

具体的には、前記第２バインディングアセンブリの前記第１方向における重なり状態の変化率は、第２回路基板と第１回路基板とのバインディング効果を如実に反映し得る。

【0024】

幾つかの実施例では、前記第２バインディングアセンブリの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．０５９％未満である。

【0025】

幾つかの実施例では、前記第２バインディングアセンブリの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．０３９％未満である。

【0026】

幾つかの実施例では、前記第２バインディングアセンブリの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．０２８％未満である。

【0027】

幾つかの実施例では、前記第２回路基板は、第１回路基板にバインディングして接続された第１端と、表示パネルに接続された第２端とを含む。前記第１回路基板の二等分面から前記第１回路基板の境界に向かう方向に沿って、全ての前記第２回路基板における前記第１端の中点と前記第２端の中点との前記第１方向における偏差は、徐々に大きくなる。

【0028】

幾つかの実施例では、同一の前記第２回路基板において、前記第１端部の中点は、前記第２端部の中点よりも前記第１回路基板の二等分面に近い。

【0029】

幾つかの実施例では、全ての前記第２バインディングアセンブリにおける当該第２バインディングアセンブリの二等分面に近い前記第２導電ブロックは、前記第１方向における重なり状態の変化率が一定である。

【0030】

幾つかの実施例では、前記表示パネルは少なくとも１つの第３バインディングアセンブリを含み、前記第３バインディングアセンブリは、前記第１方向に沿って間隔を空けて順に配置された複数の第３導電ブロックを含む。前記少なくとも１つの第２回路基板は、少なくとも１つの第４バインディングアセンブリをさらに含む。前記第４バインディングアセンブリは、間隔を空けて順に配置された複数の第４導電ブロックを含み、１つの前記第４バインディングアセンブリにおける複数の第４導電ブロックは、１つの前記第３バインディングアセンブリにおける複数の第３導電ブロックと１対１対応でバインディングして接続される。ここで、少なくとも１つの前記第４バインディングアセンブリにおける各第４導電ブロックと、それにバインディングして接続される第３導電ブロックとの前記第１方向における重なり幅は、前記第３導電ブロックの幅の３分の２以上である。

【0031】

幾つかの実施例では、少なくとも１つの前記第２バインディングアセンブリにおける各第２導電ブロックと、それにバインディングして接続される第１導電ブロックとの前記第１方向における重なり幅は、前記第１導電ブロックの幅の３分の２以上である。

【0032】

幾つかの実施例では、前記第１回路基板は、前記第１方向に沿って間隔を空けて順に配置された少なくとも２つの前記第１バインディングアセンブリを含む。前記少なくとも１つの第２回路基板は、少なくとも２つの前記第２バインディングアセンブリを含む。前記少なくとも２つの前記第２バインディングアセンブリにける各第２バインディングアセンブリは、前記第１方向における重なり状態の変化率が等しい。

【0033】

幾つかの実施例では、前記第１回路基板は、少なくとも１つの第１仮想バインディングアセンブリをさらに含み、前記少なくとも１つの第１仮想バインディングアセンブリと前記少なくとも１つの第１バインディングアセンブリは、前記第１方向において並列に配置される。前記少なくとも１つの第１仮想バインディングアセンブリと前記少なくとも１つの第１バインディングアセンブリは、前記第１方向に沿って、前記第１回路基板の一方側から前記第１回路基板の他方側まで、交互に配置される。ここで、前記第１仮想バインディングアセンブリは、前記第１方向に沿って間隔を空けて順に配置された複数の第１仮想導電ブロックを含む。

【0034】

幾つかの実施例では、前記第１導電ブロックの幅は、前記第１バインディングアセンブリにおける隣接する２つの前記第１導電ブロック間の中心距離の０．５～０．６倍である。前記第２導電ブロックの幅は、前記第２バインディングアセンブリにおける隣接する２つの前記第２導電ブロック間の中心距離の０．５～０．６倍である。

【0035】

幾つかの実施例では、前記第１バインディングアセンブリにおける隣接する２つの前記第１導電ブロック間の中心距離は０．３ｍｍ～０．４ｍｍである。前記第２バインディングアセンブリにおける隣接する２つの前記第２導電ブロック間の中心距離は０．３ｍｍ～０．４ｍｍである。

【0036】

幾つかの実施例では、前記第１導電ブロックの幅は０．１８ｍｍ～０．２８ｍｍであり、及び／又は前記第２導電ブロックの幅は０．１５ｍｍ～０．２ｍｍである。

【0037】

幾つかの実施例では、前記第２バインディングアセンブリにおける隣接する２つの前記第２導電ブロック間の中心距離の単位温度における膨張率は、前記第１バインディングアセンブリにおける隣接する２つの前記第１導電ブロック間の中心距離の単位温度における膨張率の２～３倍である。

【0038】

幾つかの実施例では、前記第１バインディングアセンブリは、少なくとも２つの第１位置合わせ構造をさらに含み、前記第２バインディングアセンブリは、少なくとも２つの第２位置合わせ構造をさらに含む。１つの第１位置合わせ構造は、１つの第２位置合わせ構造と協働する。

【0039】

幾つかの実施例では、前記第１回路基板の前記第１方向に沿った寸法は３５０ｍｍ以下であり、前記第２回路基板の前記第１方向に沿った寸法は２００ｍｍ以下である。

【0040】

また別の態様では、上記実施例のいずれかに記載の表示モジュールを含む表示設備が提供される。

【0041】

さらに別の態様では、表示モジュールの製造方法が提供される。前記製造方法は、第２回路基板の単位温度における第２膨張率を取得するステップと、前記第２膨張率に基づいて、第２予め収縮率を決定することにより、少なくとも１つの第２回路基板を製造するステップであって、前記少なくとも１つの第２回路基板は、少なくとも１つの第２バインディングアセンブリを含み、前記第２バインディングアセンブリは、間隔を空けて順に配置された複数の第２導電ブロックを含むステップと、第１回路基板を提供するステップであって、前記第１回路基板は、少なくとも１つの第１バインディングアセンブリを含み、前記第１バインディングアセンブリは、第１方向に沿って間隔を空けて順に配置された複数の第１導電ブロックを含むステップと、前記第１バインディングアセンブリを前記第２バインディングアセンブリと位置合わせするステップと、前記第１バインディングアセンブリと前記第２バインディングアセンブリとの間に導電性接着剤を設けるステップと、前記第１バインディングアセンブリと前記第２バインディングアセンブリとを予め設定された温度まで加熱した後、予め設定された圧力強度で前記第１バインディングアセンブリと前記第２バインディングアセンブリとを押圧することにより、１つの前記第２バインディングアセンブリにおける複数の第２導電ブロックを１つの前記第１バインディングアセンブリにおける複数の第１導電ブロックと１対１対応でバインディングして接続するステップであって、同一の前記第２バインディングアセンブリにおいて、各第２導電ブロックは、それにバインディングして接続される第１導電ブロックと重なって設けられ、且つ前記第２バインディングアセンブリの中間位置に対応する第２導電ブロックの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．１０２％未満であるステップと、を含む。

【0042】

幾つかの実施例では、前記した、第１回路基板を提供するステップは、第１回路基板の単位温度における第１膨張率を取得するステップと、前記第１膨張率に基づいて、第１予め収縮率を決定することにより、第１回路基板を製造するステップであって、前記第２バインディングアセンブリの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．０３９％未満であるステップとを含む。

【0043】

幾つかの実施例では、前記した、前記第１バインディングアセンブリを前記第２バインディングアセンブリと位置合わせするステップは、前記第２バインディングアセンブリの二等分面を前記第１バインディングアセンブリの二等分面と位置合わせするステップを含む。

【0044】

幾つかの実施例では、前記第１バインディングアセンブリは、少なくとも２つの第１位置合わせ構造をさらに含み、前記第２バインディングアセンブリは、少なくとも２つの第２位置合わせ構造をさらに含む。前記した、前記第１バインディングアセンブリを前記第２バインディングアセンブリと位置合わせするステップは、前記第２バインディングアセンブリにおける少なくとも２つの第２位置合わせ構造を、それぞれ前記第１バインディングアセンブリにおける少なくとも２つの第１位置合わせ構造と位置合わせするステップを含む。

【0045】

幾つかの実施例では、前記予め設定された圧力強度は０．１ＭＰａ～０．４ＭＰａである。

【0046】

さらに別の態様では、別の表示モジュールの製造方法が提供される。前記製造方法は、第１回路基板の単位温度における第１膨張率を取得するステップと、前記第１膨張率に基づいて、第１予め収縮率を決定することにより、第１回路基板を製造するステップであって、前記第１回路基板は、少なくとも１つの第１バインディングアセンブリを含み、前記第１バインディングアセンブリは、第１方向に沿って間隔を空けて順に配置された複数の第１導電ブロックを含むステップと、少なくとも１つの第２回路基板を提供するステップであって、前記少なくとも１つの第２回路基板は、少なくとも１つの第２バインディングアセンブリを含み、前記第２バインディングアセンブリは、間隔を空けて順に配置された複数の第２導電ブロックを含むステップと、前記第１バインディングアセンブリを前記第２バインディングアセンブリと位置合わせするステップと、前記第１バインディングアセンブリと前記第２バインディングアセンブリとの間に導電性接着剤を設けるステップと、前記第１バインディングアセンブリと前記第２バインディングアセンブリとを予め設定された温度まで加熱した後、予め設定された圧力強度で前記第１バインディングアセンブリと前記第２バインディングアセンブリとを押圧することにより、１つの前記第２バインディングアセンブリにおける複数の第２導電ブロックを１つの前記第１バインディングアセンブリにおける複数の第１導電ブロックと１対１対応でバインディングして接続するステップであって、同一の前記第２バインディングアセンブリにおいて、各第２導電ブロックは、それにバインディングして接続される第１導電ブロックと重なって設けられ、且つ前記第２バインディングアセンブリの中間位置に対応する第２導電ブロックの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．０５０％未満であるステップと、を含む。

【0047】

幾つかの実施例では、前記少なくとも１つの第２回路基板は、少なくとも１つの第４バインディングアセンブリを含む。前記第４バインディングアセンブリは、間隔を空けて順に配置された複数の第４導電ブロックを含む。前記した、前記第１バインディングアセンブリを前記第２バインディングアセンブリと位置合わせするステップの前に、前記方法は、さらに、表示パネルを提供するステップであって、前記表示パネルは、少なくとも１つの第３バインディングアセンブリを含み、前記第３バインディングアセンブリは、前記第１方向に沿って間隔を空けて順に配置された複数の第３導電ブロックを含むステップと、前記第３バインディングアセンブリを前記第４バインディングアセンブリと位置合わせするステップと、前記第３バインディングアセンブリと前記第４バインディングアセンブリとの間に導電性接着剤を設けるステップと、前記第３バインディングアセンブリと前記第４バインディングアセンブリとを予め設定された温度まで加熱した後、予め設定された圧力で前記第３バインディングアセンブリと前記第４バインディングアセンブリとを押圧することにより、１つの前記第４バインディングアセンブリにおける複数の第４導電ブロックを１つの前記第３バインディングアセンブリにおける複数の第３導電ブロックと１対１対応でバインディングして接続するステップであって、少なくとも１つの前記第４バインディングアセンブリにおける各第４導電ブロックと、それにバインディングして接続される第３導電ブロックとの前記第１方向における重なり幅は、前記第３導電ブロックの幅の３分の２以上であるステップと、を含む。

【0048】

幾つかの実施例では、前記予め設定された温度は１５０℃～２５０℃であり、前記予め設定された圧力は２０Ｎ～４０Ｎである。

【0049】

幾つかの実施例では、前記した、少なくとも１つの第２回路基板を提供するステップは、第２回路基板の単位温度における第２膨張率を取得するステップと、前記第２膨張率に基づいて、第２予め収縮率を決定することにより、少なくとも１つの第２回路基板を製造するステップであって、前記第２バインディングアセンブリの中間位置に対応する第２導電ブロックの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．０３９％未満であるステップとを含む。

【0050】

幾つかの実施例では、前記した、前記第１バインディングアセンブリを前記第２バインディングアセンブリと位置合わせするステップは、中間位置に位置する前記第２バインディングアセンブリの二等分面を前記第１バインディングアセンブリの二等分面と位置合わせするステップを含む。

【0051】

幾つかの実施例では、前記第１バインディングアセンブリは、少なくとも２つの第１位置合わせ構造をさらに含み、前記第２バインディングアセンブリは、少なくとも２つの第２位置合わせ構造をさらに含む。前記した、前記第１バインディングアセンブリを前記第２バインディングアセンブリと位置合わせするステップは、全ての前記第２位置合わせ構造における前記第１方向に沿って最も離れた２つの第２位置合わせ構造を、それぞれ対応する２つの第１位置合わせ構造と位置合わせするステップを含む。

【0052】

幾つかの実施例では、前記予め設定された圧力強度は０．１ＭＰａ～０．４ＭＰａである。

【図面の簡単な説明】

【0053】

以下、本開示に係る技術案をより明確に説明するために、本開示における幾つかの実施例で使用される図面について簡単に説明するが、以下の説明における図面は、本開示における幾つかの実施例の一部にすぎないことは明らかである。当業者であれば、これらの図面に基づいて他の図面を得ることもできる。また、以下の説明における図面は、概略図と見なすことができ、本開示の実施例に係る製品の実際の寸法、方法の実際の流れ、信号の実際のタイミングなどを限定するものではない。

【図1】図１は、幾つかの実施例に係る回路基板アセンブリの構造図である。

【図2】図２は、図１のＥ領域内に位置する第１回路基板の部分構造図である。

【図3】図３は、図１のＥ領域内に位置する第２回路基板の構造図である。

【図4A】図４Ａは、図１のＮ位置の構造図である。

【図4B】図４Ｂは、幾つかの実施例に係る第１導電ブロックと第２導電ブロックの位置関係図である。

【図5A】図５Ａは、幾つかの実施例に係る別の回路基板アセンブリの構造図である。

【図5B】図５Ｂは、幾つかの実施例に係るさらに別の回路基板アセンブリの構造図である。

【図6】図６は、幾つかの実施例に係るさらに別の回路基板アセンブリの構造図である。

【図7A】図７Ａは、幾つかの実施例に係る表示モジュールの構造図である。

【図7B】図７Ｂは、幾つかの実施例に係る別の表示モジュールの構造図である。

【図7C】図７Ｃは、幾つかの実施例に係るさらに別の表示モジュールの構造図である。

【図8A】図８Ａは、幾つかの実施例に係る表示パネルの構造図である。

【図8B】図８Ｂは、図８ＡのＰ位置の構造図である。

【図9】図９は、図７ＡのＯ位置の構造図である。

【図10】図１０は、幾つかの実施例に係る表示設備の構造図である。

【図11】図１１は、幾つかの実施例に係る表示モジュールの製造方法のフローチャートである。

【図12】図１２は、幾つかの実施例に係る別の表示モジュールの製造方法のフローチャートである。

【図13】図１３は、関連技術におけるＦＰＣと主制御ボードがバインディングした後の構造図である。

【発明を実施するための形態】

【0054】

以下、図面を参照して、本開示の幾つかの実施例に係る技術案を明確かつ完全に説明する。説明される実施例はあくまで本開示の実施例の一部に過ぎず、全ての実施例ではないことは明らかである。本開示に係る実施例に基づいて、当業者が得られた他のすべての実施例は、いずれも本開示の権利範囲に含まれるものとする。

【0055】

文脈上別段の解釈を要しない限り、本明細書及び特許請求の範囲全体において、用語「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」及びその他の形式、例えば、第三人称の単数形である「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」及び現在分詞の形式である「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」は、開放、包括的な意味、即ち「含むが、これらに限定されない」と解釈されるべきである。明細書の説明において、用語「１つの実施例（ｏｎｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ）」、「幾つかの実施例（ｓｏｍｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔｓ）」、「例示的な実施例（ｅｘｅｍｐｌａｒｙ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔｓ）」、「例（ｅｘａｍｐｌｅ）」、「特定の例（ｓｐｅｃｉｆｉｃ ｅｘａｍｐｌｅ）」、又は「幾つかの例（ｓｏｍｅ ｅｘａｍｐｌｅｓ）」などは、その実施例又は例に関連する特定の特徴、構造、材料、又は特性が、本開示の少なくとも１つの実施例又は例に含まれることを示すことが意図される。上記の用語の概略的な表現は、必ずしも同じ実施例又は例を指すわけではない。さらに、記載された特定の特徴、構造、材料、又は特性は、任意の適切な態様で、任意の１つ又は複数の実施例又は例に含み得る。

【0056】

以下、用語「第１」、「第２」は説明の目的だけに用いられ、相対的な重要性を明示又は暗示する、又は示される技術的特徴の数を暗黙的に示すものとは理解されない。従って、「第１」、「第２」で限定されている特徴は、１つ又は複数の該特徴を明示的又は暗黙的に含むことができる。本開示の実施例の説明では、特に説明がない限り、「複数」は、２つ以上を意味する。

【0057】

本開示の説明において、数値範囲ｘ～ｙは、端点値（ｘとｙ）及びその間の全ての数値を含む。

【0058】

幾つかの実施例を説明する際に、「接続」及びそれに由来する表現を使用する場合がある。例えば、幾つかの実施例を説明する際に、２つ又は２つ以上の構成要素が互いに直接的な物理的又は電気的接触していることを示すように、「接続」という用語を使用する場合がある。ここに開示された実施例は、必ずしも本明細書の内容に限定されるものではない。

【0059】

「Ａ及び／又はＢ」は、Ａのみ、Ｂのみ、及びＡとＢの組合せの３つの組合せを含む。

【0060】

本明細書において使用されるように、「約」又は「近似」は、記載された値と、特定値の許容可能な偏差範囲内の平均値を含み、ここで、前記許容可能な偏差範囲は、当業者によって検討されている測定及び特定量の測定に関連する誤差（即ち、測定システムの制限）を考慮して決定される。「重なり合い」には、絶対的な重なり合いと近似的な重なり合いが含まれ、ここで、近似的な重なり合いについて、許容可能な偏差範囲は、例えば、絶対的な重なり合いの領域の大きさの５％以内の偏差範囲としてもよい。「ＡとＢが等しい」には、ＡとＢが絶対に等しいことと、ＡとＢがほぼ等しいこととが含まれ、ＡとＢがほぼ等しいことについて、許容可能な偏差範囲は、例えば、Ｂに記載された数値の５％以内としてもよい。さらに、「約」は、例えば、記載された数値を指してもよく、また、記載された数値の±１０パーセントの範囲内に変動してもよい。

【0061】

本明細書では、理想化された例示的な図面である断面図及び／又は平面図を参照して、例示的な実施形態を説明する。図面において、明確的に表示するために、層及び領域の厚さが拡大されている。そのため、例えば製造技術及び／又は公差に起因する図面に対する形状の変動が想定され得る。従って、例示的な実施形態は、本明細書に示された領域の形状に限定されるものではなく、製造などに起因する形状の偏差を含むものとして解釈すべきである。例えば、矩形として示されたエッチング領域は、通常、湾曲した特徴を有する。そのため、図面に示された領域は、本質的に例示的なものであり、且つそれらの形状は、設備の領域の実際形状を示すことを意図するものではないし、例示的な実施態様の範囲を限定することを意図するものでもない。

【0062】

また、本明細書において「二等分面」とは、回路基板のベースに垂直で、導電ブロックの延在方向に平行な平面を指す。例えば、第１導電ブロックの二等分面とは、第１回路基板のベースに垂直で、第１導電ブロックの延在方向に平行な平面を指し、また、第１導電ブロックは当該平面に対して対称である。同様に、第２導電ブロックの二等分面とは、第２回路基板のベースに垂直で、第２導電ブロックの延在方向に平行な平面を指し、また、第２導電ブロックは当該平面に対して対称である。本明細書において「ＡとＢとの中心距離」または「２つのＡ間の中心距離」とは、上記両者（ＡとＢ、または２つのＡ）の二等分面間の距離を指す。

【0063】

図１を参照すると、本開示の幾つかの実施例では、回路基板アセンブリ１００が提供される。当該回路基板アセンブリ１００は、第１回路基板１と、少なくとも１つの第２回路基板２を含む。ここで、第１回路基板１の膨張率は、第２回路基板２の膨張率よりも小さい。ここで、第１回路基板１のベースの膨張率が第２回路基板２のベースの膨張率よりも小さいと理解してもよいし、あるいは、第１回路基板１において、第２回路基板２を接続するための領域における全ての膜層の総膨張率が、第２回路基板２において、第１回路基板１を接続するための領域における全ての膜層の総膨張率よりも小さいと理解してもよい。

【0064】

例示的に、第１回路基板１は、表示装置における主制御ボードであり、第２回路基板２は、表示装置におけるＦＰＣであり得る。これは例示的なものに過ぎず、すなわち、本開示で提供される回路基板アセンブリ１００における第１回路基板１と第２回路基板２は、異なる膨張率を有しているものであれば、上記の例の主制御ボードとＦＰＣに限定されないことが理解され得る。また、当該回路基板アセンブリ１００は、種々の電子設備に適用可能であり、上記の例の表示装置に限定されない。

【0065】

図２を参照すると、第１回路基板１は、少なくとも１つの第１バインディングアセンブリ１１を含み、第１バインディングアセンブリ１１は、第１方向Ｘに沿って間隔を空けて順に配置された複数の第１導電ブロック１１１を含む。図３を参照すると、第２回路基板２は、少なくとも１つの第２バインディングアセンブリ２１を含み、第２バインディングアセンブリ２１は、間隔を空けて順に配置された複数の第２導電ブロック２１１を含む。１つの第２バインディングアセンブリ２１における複数の第２導電ブロック２１１は、１つの第１バインディングアセンブリ１１における複数の第１導電ブロック１１１と１対１対応でバインディングして接続される。

【0066】

ここで、同一の第２バインディングアセンブリ２１において、各第２導電ブロック２１１は、それにバインディングして接続される第１導電ブロック１１１と重なって設けられ、且つ当該第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は０．１０２％未満である。

【0067】

なお、同一の第２回路基板２について、その重なり状態の変化率とは、単位長さでバインディング接続された第２導電ブロック２１及び第１導電ブロック１１上の同一の特徴点間の相対位置の変化量を意味する。すなわち、２つの第２導電ブロック２１１上の同一の位置の特徴点（すなわち、第１グループの特徴点）間の距離と、当該２つの第２導電ブロック２１１にそれぞれ対応する２つの第１導電ブロック１１１上の同一の位置の特徴点（すなわち、第２グループの特徴点）間の距離との差と、上記第１グループの特徴点間の距離の比は、当該第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率である。

【0068】

図４Ａに示すように、第２グループの特徴点のうち、２つの特徴点の２つの第２導電ブロック２１１上における位置は、第１グループの特徴点のうち、２つの特徴点の２つの第１導電ブロック１１１上における位置に対応する。例えば、第２グループの特徴点のうち、２つの特徴点（Ｐ１、Ｐ１’）が、それぞれ２つの第２導電ブロック２１１の左側縁に位置する場合、第１グループの特徴点のうち、２つの特徴点（Ｑ１、Ｑ１’）も、それぞれ２つの第１導電ブロック１１１の左側縁に位置する。ここでの「左側縁」とは、図示方向において、対応する導電性ブロックの左側の境界を指すことが理解され得る。また、上記特徴点は、第２導電ブロック２１１上の任意の位置にあってもよく、当該左側縁に限定されず、例えば、導電ブロックの右側縁や導電ブロックの二等分面上に位置していてもよい。

【0069】

例示的に、第２導電ブロック２１１上の特徴点は、第２導電ブロック２１１の接触面（すなわち、第２導電ブロック２１１と第１導電ブロック１１１との間の接触面）において、第１方向Ｘに垂直な一方側縁の第１中点Ｐ１であってもよい。この時、第１導電ブロック１１１上の特徴点は、第１導電ブロック１１１の接触面（すなわち、第１導電ブロック１１１と第２導電ブロック２１１との間の接触面）において、第１方向Ｘに垂直で第１中点Ｐ１に近い一方側縁の第２中点Ｑ１である。

【0070】

また例示的に、第２導電ブロック２１１上の特徴点は、第２導電ブロック２１１の接触面において、第１方向Ｘに垂直な他方側縁の１つの第１端点Ｐ２であってもよい。この時、第１導電ブロック１１１上の特徴点は、第１導電ブロック１１１の接触面において、第１方向Ｘに垂直で第１端点Ｐ２に近い他方側縁の第２端点Ｑ２であって、第１端点Ｐ２に近い第２端点Ｑ２である。

【0071】

さらに例示的に、第２導電ブロック２１１上の特徴点は、第２導電ブロック２１１の接触面において、第１方向Ｘに平行な一方側縁の第３中点Ｐ３であってもよい。この時、第１導電ブロック１１１上の特徴点は、第１導電ブロック１１１の接触面上において、第１方向Ｘに平行で第３中点Ｐ３に近い一方側縁の第４中点Ｑ３である。

【0072】

以下、第２導電ブロック２１１上の特徴点をＰ１、第１導電ブロック１１１上の特徴点をＱ１として、本開示の幾つかの実施例について説明する。

【0073】

引き続き図４Ａを参照すると、上記２つの第２導電ブロック２１１上の第１グループの特徴点間の第１方向Ｘにおける距離を、隣接する２つの第２導電ブロック２１１上の第１グループの特徴点（すなわち、Ｐ１とＰ１’）間の第１方向Ｘにおける距離ｍ２とすると、２つの第１導電ブロック１１１上の第２グループの特徴点間の第１方向Ｘにおける距離は、隣接する２つの第１導電ブロック１１１上の第２グループの特徴点（すなわち、Ｑ１とＱ１’）間の第１方向Ｘにおける距離ｍ１である。この時、上記２つの第２導電ブロック２１１に対応する第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率ρは、

【数1】

である。なお、図４Ａにおける特徴点を選択する方法は、重なり状態の変化率の意味を容易に説明するためのものであり、実際の測定においては、誤差要因を考慮して、このような方式での測定は一般的には採用されていない。

【0074】

図４Ｂを参照すると、２つの第２導電ブロック２１１上の第１グループの特徴点間の第１方向Ｘにおける距離が、間隔を空けて配置された複数の第２導電ブロック２１１（例えば、第２バインディングアセンブリ２１における第２導電ブロック２１１の数の半分）のうちの２つの第２導電ブロック２１１上の第１グループの特徴点（すなわち、Ｐ１とＰ１’）間の第１方向Ｘにおける距離ｍ４とすると、２つの第１導電ブロック１１１上の第２特徴点間の第１方向Ｘにおける距離は、間隔を空けて配置された複数の第１導電ブロック１１１（例えば、第２バインディングアセンブリ２１における第２導電ブロック２１１の数の半分）のうちの２つの第１導電ブロック１１１上の第２グループの特徴点（すなわち、Ｑ１とＱ１’）間の第１方向Ｘにおける距離ｍ３である。この時、上記２つの第２導電ブロック２１１に対応する第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率ρは、下記式１で求められる。このように計算すると、第１回路基板１と第２回路基板２とがバインディングして接続される過程において、一部の領域に大きな歪みや変形が生じ、実測値（重なり状態の変化率）に大きな偏差が生じる問題を回避するのに有利である。他の実施例では、例えば、測定結果をより正確にするために、より多くの導電ブロックを間隔を空けて配置することができる。また、特徴点が位置する導電ブロックの選択については、例えば、最外側の導電ブロックの大きな歪みや変形に起因する大きな測定誤差の問題を回避するために、バインディングアセンブリにおける最外側の導電ブロック以外の導電ブロックを選択することができる。

【数2】

【0075】

重なり状態の変化率は、１つの第２回路基板２と１つの第１回路基板１との間のバインディング効果を反映しており、重なり状態の変化率の絶対値が小さいほど、第１回路基板１と第２回路基板２との間のバインディング効果が良好であることを示している。なお、重なり状態の変化率は、同一の回路基板２であれば、理論的には一定であるが、特徴点を選択する方式がプロセス上の理由により変動する可能性があり、例えば、２つのグループの特徴点の位置が、隣接または近接している場合、測定される重なり状態の変化率は、第１回路基板１と第２回路基板２とのバインディング効果を反映することができない。

【0076】

実際の応用では、同一の第２回路基板について、一般に、第２導電ブロック２１の数は１５以上である。測定された重なり状態の変化率が正確であることを保証するために、第１グループの特徴点および第２グループの特徴点は、以下の方式で選択される。第１グループの特徴点として、第２回路基板２上の左側に近い第２導電ブロック２１と、右側に近い第２導電ブロック２１とを選択する。これに基づいて、第２グループの特徴点として、第１回路基板１上の上記２つの第２導電ブロック２１にバインディングして接続される２つの第１導電ブロック１１を選択する。ここで、「左側に近い第２導電ブロック２１１」を選択するという用語は、最も左側の第２導電ブロック２１の右側から４つの第２導電ブロック２１を隔てる第２導電ブロック２１を選択することを意味してもよい。「右側に近い第２導電ブロック２１１」を選択するという用語は、最も右側の第２導電ブロック２１の左側から４つの第２導電ブロック２１を隔てる第２導電ブロック２１を選択することを意味してもよい。このように特徴点を選択すると、境界上の導電ブロックが境界に近づきすぎると、重なり状態が急激に変化する可能性があるため、重なり状態の変化率の測定に影響を与えることを回避することができる。このように特徴点を選択すると、第２回路基板２と第１回路基板１とのバインディング効果を如実に反映した重なり状態変化率を得ることができる。

【0077】

関連技術では、膨張率の異なる２つの回路基板（例えば、主制御ボードとＦＰＣ）がバインディングして接続された後、任意の回路基板の二等分面から離れた部位の接続構造（それぞれ２つの回路基板に配置され、且つバインディングして接続される２つの導電ブロックを含む）には、位置ずれ、低いバインディング信頼性などの問題がありやすい。また、任意の回路基板の二等分面から離れるほど、接続構造の位置ずれが深刻になる。

【0078】

例えば、第２回路基板２の単位温度における膨張率は、３／４３７５００であり、第１回路基板１の単位温度における膨張率は、１／４３７５００である。当該第２回路基板２と第１回路基板１とをバインディングする過程において、その温度を常温（例えば、２５℃）から予め設定された温度（例えば、２５０℃）まで加熱する必要がある。この時、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．１０２より大きい。その計算方法は下記式２を参照できる。

【数3】

【0079】

なお、本開示における「単位温度における膨張率」という用語は、１つの単位温度（例えば、１℃）における隣接する２つの第２導電ブロック２１１（または隣接する２つの第１導電ブロック１１１）間の中心距離の膨張の大きさを意味する。

【0080】

本開示の幾つかの実施例で提供される回路基板アセンブリ１００では、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は０．１０２％未満である。すなわち、本開示で提供される回路基板アセンブリ１００における第２バインディングアセンブリ２１は、予め収縮されている（例えば、１つの第１回路基板と１つの第２回路基板とを含み、且つ第１回路基板の二等分面が第２回路基板の二等分面と重なり合う場合、少なくとも膨張率が比較的に大きい第２回路基板におけるの第２バインディングアセンブリ２１は、予め収縮されている。また例えば、１つの第１回路基板と少なくとも２つの第２回路基板を含み、且つ少なくとも１つの第２回路基板の二等分面が第１回路基板の二等分面と重なり合わない場合、当該少なくとも１つの第２回路基板における各第２バインディングアセンブリ２１と第１回路基板上の第１バインディングアセンブリ１１は、いずれも予め収縮されている）。このように設計することにより、第２バインディングアセンブリの第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．１０２％未満にすることができ、これにより、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも比較的に良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりを向上させることができる。

【0081】

なお、幾つかの例では、理想的には、重なり状態の変化率は０であってもよく、お互いにバインディングした２つの導電ブロックを完全に重なり合わせることができる。無論、一般的に、バインディング誤差により、重なり状態の変化率は、０ではなく、例えば、上記（０，０．１０２％）の範囲内である。

【0082】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０５９％未満である。

【0083】

なお、幾つかの実現方法では、第２回路基板２の単位温度における膨張率は１／１７５０００であり、第１回路基板１の単位温度における膨張率は１／４３７５００である。当該第２回路基板２と第１回路基板１とをバインディングする過程において、その温度を常温（例えば、２５℃）から予め設定された温度（例えば、２５０℃）まで加熱する必要がある。この時、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０５９％より大きい。その計算方法は下記式３を参照できる。

【数4】

【0084】

本開示の幾つかの実施例で提供される回路基板アセンブリ１００では、少なくとも１つの回路基板は予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０５９％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをさらに向上させることができる。

【0085】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０３９％未満である。

【0086】

第１回路基板１の材料の等級はＦＲ－４であってもよい。第２回路基板２は、ＰＩ（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ポリイミド）ベースと、ＰＩベース上に配置された金属配線層とを含む。ここで、ＦＲ－４は難燃性材料グレードコードであり、樹脂材料が燃焼状態になった後に必ず自然消火できることを意味しており、材料名ではなく材料の等級であるため、一般の回路基板に使用されるＦＲ－４等級の材料には多くの種類があるが、多くの等級はいわゆるテラファンクション（Ｔｅｒａ－Ｆｕｎｃｔｉｏｎ）のエポキシ樹脂にフィラー（Ｆｉｌｌｅｒ）とガラス繊維を加えた複合材料である。

【0087】

この時、常温（２５℃）から（１５０℃～２５０℃）まで加熱した後、第１回路基板１上の第１バインディングアセンブリ１１における隣接する２つの第１導電ブロック１１１間の膨張割合は、約０．０４％であり、第２回路基板２上の第２バインディングアセンブリ２１における隣接する２つの第２導電ブロック２１１間の膨張割合は、０．０８％～０．１２％である。

【0088】

上記の例に基づいて、上記の膨張割合をそれぞれ温度変化量（例えば、１７５℃）で除算すると、第１回路基板１の単位温度における膨張率は１／４３７５００となり、第２回路基板２の単位温度における膨張率は１／２１８７５０となり得る。

【0089】

以上のことから、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０３９％よりも大きいことが分かる。その計算方法は下記式４を参照できる。

【数5】

【0090】

本開示の幾つかの実施例で提供される回路基板アセンブリ１００では、少なくとも１つの回路基板は予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０３９％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれもより良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをさらに向上させることができる。

【0091】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０２８％未満である。幾つかの実現方法では、第２回路基板２の単位温度における膨張率は約１／２１８７５０であり、第１回路基板１の単位温度における膨張率は１／４３７５００である。当該第２回路基板２と第１回路基板１とをバインディングする過程において、その温度を常温（例えば、２５℃）から予め設定された温度（例えば、２５０℃）まで加熱する必要がある。この時、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０２８％より大きい。その計算方法は下記式５を参照できる。

【数6】

【0092】

本開示の幾つかの実施例で提供される回路基板アセンブリ１００では、少なくとも１つの回路基板は予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０２８％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをより効果的に向上させることができる。幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０１４％未満である。

【0093】

この時、本開示で提供される回路基板アセンブリ１００は、予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０１４％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをより効果的に向上させることができる。

【0094】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は０．００５％未満である。

【0095】

この時、本開示で提供される回路基板アセンブリ１００は、予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．００５％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをより効果的に向上させることができる。

【0096】

幾つかの実現方法では、第１回路基板１の第１方向Ｘに沿った寸法は、３５０ｍｍ以下、例えば、２５０ｍｍ～３００ｍｍの範囲内であってもよいし、または、第２回路基板２の第１方向Ｘに沿った寸法とほぼ同じであってもよい。第２回路基板２の第１方向Ｘに沿った寸法Ｌ１は、２００ｍｍ以下、例えば、４０ｍｍ～８０ｍｍの範囲内であってもよい。

【0097】

上記の幾つかの実施例に基づいて、例示的に、引き続き図４Ａを参照して、全ての第２バインディングアセンブリ２１における少なくとも１つの第２バインディングアセンブリ２１について、当該第２バインディングアセンブリ２２における各第２導電ブロック２１１と、それにバインディングして接続される第１導電ブロック１１１との第１方向Ｘにおける重なり幅ａ１は、前記第１導電ブロック１１１の幅ｄ１の３分の２以上である。すなわち、下記式６のようなものである。

【数7】

【0098】

ここで、導電ブロック（例えば、第１導電ブロック１１１）の幅とは、第１方向Ｘにおける当該導電ブロック（すなわち、第１導電ブロック１１１）の距離を指す。

【0099】

また、図４Ａは、第２導電ブロック２１１と第１導電ブロック１１１との間の重なり部分と、第１導電ブロック１１１の幅の相対位置合わせ関係のみを示しており、２つの導電ブロックのそれぞれの寸法や形状を限定するものではない。

【0100】

なお、膨張率の異なる２つの回路基板（例えば、主制御ボードとＦＰＣ）がバインディングして接続された後、少なくとも１つのグループの接続構造間には、ひどい位置ずれ、低いバインディング信頼性などの問題がある。この場合、一方では、同一のグループの接続構造における２つの導電ブロックの接触面積が小さくなりすぎることを容易に招き、例えば、その後電気的接続障害の問題が容易に発生する。他方では、それぞれ隣接する２つのグループの接続構造に位置し、且つそれぞれ２つの回路基板間に位置する２つの導電ブロック間の絶縁面積が小さくなりすぎることを容易に招き、例えば、接続されるべきではないこの２つの導電ブロック間で短絡が発生することを容易に招く。

【0101】

本開示の幾つかの実施例で提供される回路基板アセンブリ１００では、全ての第２回路基板２における１つ以上の第２回路基板２について、当該第２回路基板２の第２バインディングアセンブリ２２における各第２導電ブロック２１１と、それにバインディングして接続される第１導電ブロック１１１との第１方向Ｘにおける重なり幅ａ１は、前記第１導電ブロック１１１の幅ｄ１の３分の２以上であり、これにより、同一のグループの接続構造において、バインディングして接続される２つの導電ブロック（すなわち、第１導電ブロック１１１と、それに接続される第２導電ブロック２１１）との間の接触面積が比較的に大きいので、２つの導電ブロック間に、電気的接続障害の問題が容易に発生しない。また、同一のグループの接続構造における２つの導電ブロックの位置合わせが正確であるため、隣接する２つのグループの接続構造にそれぞれ位置し且つ２つの回路基板上にそれぞれ位置する２つの導電ブロック間で短絡が発生ことを改善できる。

【0102】

例示的に、図５Ａを参照すると、回路基板アセンブリ１００が１つの第２回路基板２を含み、当該場合第２回路基板２が１つの第２バインディングアセンブリが含む場合、位置合わせとバインディングの前に、第２バインディングアセンブリ２１における全ての任意の隣接する２つの第２導電ブロック２１１間の中心距離の設計値を低減することにより、バインディングと位置合わせの後の第２導電ブロック２１１と第１導電ブロック１１１との第１方向Ｘにおける重なり幅ａ１を前記第１導電ブロック１１１の幅ｄ１の３分の２以上にする。

【0103】

例えば、第２バインディングアセンブリ２１と第１バインディングアセンブリ１１とをバインディングする過程において、まず、第１バインディングアセンブリ１１の二等分面と第２バインディングアセンブリ２１の二等分面とが重なり合うように、第２バインディングアセンブリ２１を第１バインディングアセンブリ１１と位置合わせする。次に、第１バインディングアセンブリ１１と第２バインディングアセンブリ２１との間に導電性接着剤を設ける。そして、第１バインディングアセンブリ１１及び第２バインディングアセンブリ２１を予め設定された温度（例えば、１５０℃～２５０℃）まで加熱し、この時、第２バインディングアセンブリ２１における任意の隣接する２つの第２導電ブロック２１１間の中心距離は、上記低減された設計値から、第１バインディングアセンブリ１１における任意の２つの隣接する第１導電ブロック１１１の拡張後の中心距離と等しい値か、または近い値まで、膨張される。最後に、第１バインディングアセンブリ１１と第２バインディングアセンブリ２１を予め設定された圧力強度（例えば、０．１ＭＰａ～０．４ＭＰａ）で押圧することにより、１つの第２バインディングアセンブリ２１における複数の第２導電ブロック２１１は、１つの第１バインディングアセンブリ１１における複数の第１導電ブロック１１１と１対１対応でバインディングして接続されることができる。

【0104】

ここで、第１バインディングアセンブリ１１の二等分面とは、第１回路基板１のベースに垂直で、第１導電ブロック１１１の延在方向に平行な平面を指し、また、当該第１バインディングアセンブリ１１は、当該平面に対して対称である。同様に、第２バインディングアセンブリ２１の二等分面とは、第２回路基板２のベースに垂直で、第２導電ブロック２１１の延在方向に平行な平面を指し、また、当該第２バインディングアセンブリ２１は、当該平面に対して対称である。

【0105】

第１バインディングアセンブリ１１と第２バインディングアセンブリ２１とを押圧した後、第１バインディングアセンブリ１１と第２バインディングアセンブリ２１とが共に冷却されるにつれて、第２バインディングアセンブリ２１における隣接する２つの第２導電ブロック２１１間の中心距離と、第１バインディングアセンブリ１１における隣接する２つの第１導電ブロック１１１間の中心距離とが共に小さくし、最終的に上記のような回路基板アセンブリ１００が得られることが理解され得る。当該回路基板アセンブリ１００において、バインディングと位置合わせ後の第２導電ブロック２１１と第１導電ブロック１１１との第１方向Ｘにおける重なり幅ａ１は、前記第１導電ブロック１１１の幅ｄ１の３分の２以上である。

【0106】

また例示的に、回路基板アセンブリ１００が少なくとも１つの第２回路基板２を含み、当該少なくとも１つの第２回路基板が少なくとも２つの第２バインディングアセンブリ２１（例えば、１つの第２回路基板２は２つの第２バインディングアセンブリ２１を含み（図６に示すように）、または、２つの第２回路基板２の各々は１つの第２バインディングアセンブリ２１を含む）、且つ１つの第１回路基板１が少なくとも２つの第１バインディングアセンブリ１１を含む場合、少なくとも２つの第２バインディングアセンブリ２１における各第２バインディングアセンブリ２１は、第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率が等しい。つまり、本開示で提供される回路基板アセンブリ１００における第１回路基板１と全ての第２回路基板２は、予め収縮されていてる。このように、各第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を等しくすることができる。この時、各第２バインディングアセンブリ２１における各々の第２導電ブロック２１１と第１導電ブロック１１１との重なりの変化傾向は同じであるので、第２バインディングアセンブリ２１と第１バインディングアセンブリ１１とのバインディング歩留まりを制御し、回路基板アセンブリ１００の製造歩留まりを向上させることに有利である。

【0107】

これに基づいて、位置合わせとバインディングの前に、第１バインディングアセンブリ１１における隣接する任意の２つの第１導電ブロック１１１間の中心距離の設計値と、第２バインディングアセンブリ２１における隣接する任意の２つの第２導電ブロック２１１間の中心距離の設計値とを同時に低減し、且つ第１バインディングアセンブリ１１におけるの隣接する任意の２つの第１導電ブロック１１１間の中心距離の設計値の縮小量を、第２バインディングアセンブリ２１におけるの隣接する任意の２つの第２導電ブロック２１１間の中心距離の設計値の縮小量よりも小さくすることにより、バインディングと位置合わせの後の第２導電ブロック２１１と第１導電ブロック１１１との第１方向Ｘにおける重なり幅ａ１を、前記第１導電ブロック１１１の幅ｄ１の３分の２以上にすることができる。

【0108】

例えば、少なくとも２つの第２バインディングアセンブリ２１と少なくとも２つの第１バインディングアセンブリ１１とをバインディングする過程において、まず、各第１バインディングアセンブリ１１の二等分面と対応する第２バインディングアセンブリ２１の二等分面とが重なり合うように、各第２バインディングアセンブリ２１を対応する第１バインディングアセンブリ１１と位置合わせする。次に、各第１バインディングアセンブリ１１と対応する第２バインディングアセンブリ２１との間に導電性接着剤を設ける。そして、全ての第１バインディングアセンブリ１１及び全ての第２バインディングアセンブリ２１を予め設定された温度（例えば、１５０℃～２５０℃）まで加熱し、この時、各第２バインディングアセンブリ２１における隣接する任意の２つの第２導電ブロック２１１の膨張後の中心距離は、対応する第１バインディングアセンブリ１１における隣接する任意の２つの第１導電ブロック１１１の膨張後の中心距離と等しい。最後に、１つの第２バインディングアセンブリ２１における複数の第２導電ブロック２１１が、１つの第１バインディングアセンブリ１１における複数の第１導電ブロック１１１と１対１対応でバインディングして接続されるように、第１バインディングアセンブリ１１と第２バインディングアセンブリ２１を予め設定された圧力強度（例えば、０．１ＭＰａ～０．４ＭＰａ）で押圧する。

【0109】

ここで、各第１バインディングアセンブリ１１と、それぞれ対応する第２バインディングアセンブリ２１を押圧後に、各第１バインディングアセンブリ１１と、それぞれ対応する第２バインディングアセンブリ２１とが共に冷却されるにつれて、各第２バインディングアセンブリ２１における隣接する２つの第２導電ブロック２１１間の中心距離と、それぞれ対応する第１バインディングアセンブリ１１における隣接する２つの第１導電ブロック１１１間の中心距離とが共に小さくし、最終的に上記のような回路基板アセンブリ１００が得られることが理解され得る。当該回路基板アセンブリ１００において、バインディングと位置合わせの後の第２導電ブロック２１１と第１導電ブロック１１１との第１方向Ｘにおける重なり幅ａ１は、前記第１導電ブロック１１１の幅ｄ１の３分の２以上である。

【0110】

上記の第１バインディングアセンブリ１１における第１導電ブロック１１１の数が奇数である場合、当該第１バインディングアセンブリ１１の二等分面は、中央に位置する１つの第１導電ブロック１１１の二等分面と重なり合うことができる。上記の第１バインディングアセンブリ１１における第１導電ブロック１１１の数が偶数である場合、当該第１バインディングアセンブリ１１の二等分面は、中央に位置する２つの第１導電ブロック１１１との間の対称面と重なり合うことができ、すなわち、中央に位置する２つの第１導電ブロック１１１は、当該第１バインディングアセンブリ１１の二等分面に対して、対称である。図５Ａに示すように、第１バインディングアセンブリ１１における第１導電ブロック１１１の数は２６個であり、この時、第１方向Ｘに沿った１３番目と１４番目の第１導電ブロック１１１は、当該第１バインディングアセンブリ１１の二等分面に対して、対称である。

【0111】

なお、第１導電ブロック１１１の二等分面とは、第１回路基板１のベースに垂直で第１導電ブロック１１１の延在方向に平行な平面を指し、且つ当該第１導電ブロック１１１は、当該平面に対して対称である。

【0112】

同様に、上記の第２バインディングアセンブリ２１における第２導電ブロック２１１の数が奇数である場合、当該第２バインディングアセンブリ２１の二等分面は、中央に位置する１つの第２導電ブロック２１１の二等分面と重なり合うことができる。上記の第２バインディングアセンブリ２１における第２導電ブロック２１１の数が偶数である場合、当該第２バインディングアセンブリ２１の二等分面は、中央に位置する２つの第２導電ブロック２１１との間の対称面と重なり合うことができ、すなわち、中央に位置する２つの第２導電ブロック２１１は、当該第２バインディングアセンブリ２１の二等分面に対して、対称である。図５Ａに示すように、第２バインディングアセンブリ２１における第２導電ブロック２１１の数は１４個であり、この時、第１方向Ｘに沿った７番目と８番目の第２導電ブロック２１１は、当該第２バインディングアセンブリ２１の二等分面に対して、対称である。

【0113】

なお、第２導電ブロック２１１の二等分面とは、第２回路基板２のベースに垂直で第２導電ブロック２１１の延在方向に平行な平面を指し、且つ当該第２導電ブロック２１１は、当該平面に対して対称である。

【0114】

幾つかの実施例では、少なくとも１つの第２回路基板２と第１回路基板１とをバインディングする過程において、各第２バインディングアセンブリ２１の二等分面の位置は変化せず、第１回路基板１の二等分面の位置は変化しない。ここで、第１回路基板１の二等分面は、第１回路基板１のベースに垂直で、且つ第１導電ブロック１１１の延在方向と平行な平面であり、また当該第１回路基板１は、当該平面に対して対称である。ここで、第１回路基板１の二等分面は、第１回路基板１上の１つの第１バインディングアセンブリ１１の二等分面と重なり合うことができる。

【0115】

幾つかの実施例では、図１と図２を参照すると、第１回路基板１は、少なくとも１つの第１仮想バインディングアセンブリ１２をさらに含む。当該少なくとも１つの第１仮想バインディングアセンブリ１２と前記少なくとも１つの第１バインディングアセンブリ１１は、第１方向Ｘにおいて並列に配置される。少なくとも１つの第１仮想バインディングアセンブリ１２と少なくとも１つの第１バインディングアセンブリ１１は、前記第１方向Ｘに沿って、第１回路基板１の一方側から第１回路基板１の他方側まで、交互に配置される。前記第１仮想バインディングアセンブリ１２は、前記第１方向Ｘに沿って間隔を空けて順に配置された複数の第１仮想導電ブロック１２２を含む。

【0116】

このように設計することにより、第１回路基板１上に区間を分けて第１バインディングアセンブリ１１を設けることによって引き起こしたバインディング不良を改善することができ、第２バインディングアセンブリ２１が第１バインディングアセンブリ１１にバインディングされた後、各グループの接続構造の圧力が均一になり、接続が確実になり、電気信号の伝送がより安定する。

【0117】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の二等分面に最も近い第２導電ブロック２１１と、当該第２導電ブロック２１１にバインディングして接続される第１導電ブロック１１１との第１方向Ｘにおける中心位置合わせ偏差は、０．０１ｍｍ以下である。

【0118】

ここで、中心位置合わせ偏差とは、第１方向Ｘにおける２つの導電ブロックの二等分面間の距離を意味する。

【0119】

なお、幾つかの例では、第２回路基板２は少なくとも１つの第２仮想バインディングアセンブリを含んでもよい。当該少なくとも１つの第２仮想バインディングアセンブリと前記少なくとも１つの第２バインディングアセンブリ２１は、第１方向Ｘにおいて並列に配置される。少なくとも１つの第２仮想バインディングアセンブリと少なくとも１つの第２バインディングアセンブリ２１は、前記第１方向Ｘに沿って、第２回路基板２の一方側から第１回路基板１の他方側まで、交互に配置される。例示的に、第２回路基板２は１つの第２バインディングアセンブリ２１を含み、第２仮想ダミーバインディングアセンブリは１つのグループを設け、且つ第２バインディングアセンブリ２１の一方側に位置する。別の例では、第２回路基板２は１つの第２バインディングアセンブリ２１を含み、第２仮想バインディングアセンブリは２つのグループを設け、且つそれぞれ第２バインディングアセンブリ２１の両側に位置する。

【0120】

第２回路基板２に少なくとも１つの第２仮想バインディングアセンブリが設けられている場合、上記の中心位置合わせ偏差は、第２仮想バインディングアセンブリによって影響されない。

【0121】

また、第２仮想バインディングアセンブリは、例えば、前記第１方向Ｘに沿って間隔を空けて順に配置された複数の第２仮想導電ブロックを含んでもよい。

【0122】

なお、回路基板アセンブリ１００が、１つの第２バインディングアセンブリ２１及び１つの第１バインディングアセンブリ１１のみを含み、且つ当該１つの第１バインディングアセンブリ１１の二等分面と、それが位置する第１回路基板１の二等分面とが重なり合う場合、図５Ａに示すように、第２バインディングアセンブリ２１がその平面から両側に膨張し、第１バインディングアセンブリ１１もその平面から両側に膨張し、第１回路基板１の膨張率が前記第２回路基板２の膨張率よりも小さいので、第２バインディングアセンブリ２１を予め収縮するか、または、第１バインディングアセンブリ１１及び第２バインディングアセンブリ２１を同時に予め収縮することのみによって、第２バインディングアセンブリ２１の二等分面に最も近い第２導電ブロック２１１と、当該第２バインディングアセンブリ２１にバインディングして接続される第１導電ブロック１１１との第１方向Ｘにおける中心位置合わせ偏差は、０．０１ｍｍ以下になることを実現できる。

【0123】

なお、上記の第１バインディングアセンブリ１１の二等分面と、それが位置する第１回路基板１の二等分面とが重なり合う場合、当該「重なり合い」には、一定の許容誤差範囲内の重なり合い（すなわち、略重なり合い）も含まれる。

【0124】

回路基板アセンブリ１００が、１つの第２バインディングアセンブリ２１及び１つの第１バインディングアセンブリ１１のみを含み、且つ当該１つの第１バインディングアセンブリ１１の二等分面と、それが位置する第１回路基板１の二等分面とが重なり合わない場合、図５Ｂに示すように、第２バインディングアセンブリ２１がその平面から両側に膨張し、第１バインディングアセンブリ１１もその平面から両側に膨張するので、各第２バインディングアセンブリ２１を予め収縮し、且つ第１方向Ｘに沿って第１回路基板１の全体を予め収縮する（すなわち、第１回路基板１上の全ての第１バインディングアセンブリ１１を予め収縮している）ことによって、第２バインディングアセンブリ２１の二等分面に最も近い第２導電ブロック２１１と、当該第２バインディングアセンブリ２１にバインディングして接続される第１導電ブロック１１１との第１方向Ｘにおける中心位置合わせ偏差は、０．０１ｍｍ以下になることを実現できる。

【0125】

幾つかの実施例では、第１回路基板１は、第１方向Ｘに沿って間隔を空けて順に配置された少なくとも２つの第１バインディングアセンブリ１１を含む。前記少なくとも１つの第２回路基板２は、少なくとも２つの第２バインディングアセンブリ２１を含む。

【0126】

各第２バインディングアセンブリ２１について、各第２導電ブロック２１１と、それにバインディングして接続される第１導電ブロック１１１との第１方向Ｘにおける重なり幅は、第１導電ブロックの幅の３分の２以上である。

【0127】

ここで、各第２バインディングアセンブリ２１を予め収縮し、且つ第１方向Ｘに沿って第１回路基板１の全体を予め収縮する（すなわち、第１回路基板１上の全ての第１バインディングアセンブリ１１を予め収縮している）ことによって、各々の第２バインディングアセンブリ２１における各第２導電ブロック２１１と、それにバインディングして接続される第１導電ブロック１１１との第１方向Ｘにおける重なり幅は、第１導電ブロックの幅の３分の２以上になることを実現できる。

【0128】

これに基づいて、例示的に、各々の第２バインディングアセンブリ２１について、第２バインディングアセンブリ２１の二等分面に最も近い第２導電ブロック２１１と、当該第２導電ブロック２１１にバインディングして接続される第１導電ブロック１１１との第１方向Ｘにおける中心位置合わせ偏差は、０．０１ｍｍ以下である。

【0129】

ここで、各第２バインディングアセンブリ２１を予め収縮し、且つ第１方向Ｘに沿って第１回路基板１の全体を予め収縮する（すなわち、第１回路基板１上の全ての第１バインディングアセンブリ１１を予め収縮している）ことによって、各々の第２バインディングアセンブリ２１における任意の１つの第２バインディングアセンブリ２１の二等分面に最も近い第２導電ブロック２１１と、当該第２導電ブロック２１１にバインディングして接続される第１導電ブロック１１１との第１方向Ｘにおける中心位置合わせ偏差は、０．０１ｍｍ以下になることを実現できる。

【0130】

幾つかの実施例では、引き続き図１を参照すると、第１回路基板１は３つの第１バインディングアセンブリ１１を含む。ここで、１つの第１バインディングアセンブリ１１の二等分面は、第１回路基板１の二等分面と重なり合う。他の２つの第１バインディングアセンブリ１１は、それぞれ、第１回路基板１の第１方向Ｘにおける二等分面の両側に位置する。この時、例示的に、第２回路基板２の数は３つであり、各々の第２回路基板２は、１つの第２バインディングアセンブリ２１を含む。

【0131】

幾つかの実施例では、図４Ａを参照すると、第１導電ブロック１１１の幅ｄ１は、第１バインディングアセンブリ１１における隣接する２つの第１導電ブロック１１１間の中心距離ｃ１の０．５～０．６倍である。第２導電ブロック２１１の幅ｄ２は、第２バインディングアセンブリ２１における隣接する２つの第２導電ブロック２１１間の中心距離ｂ１の０．５～０．６倍である。

【0132】

このように設計することにより、同一のグループの接続構造における２つの導電ブロック（すなわち、第１導電ブロック１１１と、それに接続される第２導電ブロック２１１）との間の接触面積を増大させるのに寄与し、よって、当該２つの導電ブロック間に電気的接続障害の問題を起こしにくくなる。

【0133】

幾つかの例では、第２導電ブロック２１１の幅ｄ２は、第１導電ブロック１１１の幅ｄ１の３分の２以上、且つ第１導電ブロック１１１の幅ｄ１の６分の５以下である。すなわち、下記式７のようなものである。

【数8】

【0134】

このように設計することにより、第１導電ブロック１１１の幅ｄ１は、第２導電ブロック２１１の幅ｄ２よりも大きく、第２導電ブロック２１１が位置する第２回路基板２を第１回路基板１にバインディングして接続することにも有利である。

【0135】

例示的に、第１バインディングアセンブリ１１における隣接する２つの第１導電ブロック１１１間の中心距離ｃ１は、０．３ｍｍ～０．４ｍｍである。第２バインディングアセンブリ２１における隣接する２つの第２導電ブロック２１１間の中心距離ｂ１は、０．３ｍｍ～０．４ｍｍである。

【0136】

好ましくは、第１バインディングアセンブリ１１における隣接する２つの第１導電ブロック１１１間の中心距離ｃ１は、第２バインディングアセンブリ２１における隣接する２つの第２導電ブロック２１１間の中心距離ｂ１と等しくてもよい。このように、第１バインディングアセンブリ１１が第２バインディングアセンブリ２１にバインディングされた後、同一のグループの接続構造における２つの導電ブロック（すなわち、第１導電ブロック１１１と、それに接続される第２導電ブロック２１１）の位置合わせが正確になり、隣接する２つのグループの接続構造にそれぞれ位置し且つ２つの回路基板上にそれぞれ位置する２つの導電ブロック間で短絡が容易に発生することを改善できる。

【0137】

幾つかの例では、前記第１導電ブロック１１１の幅ｄ１は、０．１８ｍｍ～０．２８ｍｍである。

【0138】

幾つかの例では、前記第２導電ブロック２１１の幅ｄ２は、０．１５ｍｍ～０．２ｍｍである。

【0139】

このように、第１バインディングアセンブリ１１が第２バインディングアセンブリ２１にバインディングされた後、同一のグループの接続構造における２つの導電ブロック（すなわち、第１導電ブロック１１１と、それに接続される第２導電ブロック２１１）の位置合わせがより正確になり、また、同一のグループの接続構造における２つの導電ブロックとの間の接触面積を増大させるのに寄与し、よって、当該２つの導電ブロック間に電気的接続障害の問題を起こしにくくなる。

【0140】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１における隣接する２つの第２導電ブロック２１１間の中心距離の単位温度における膨張率は、第１バインディングアセンブリ１１における隣接する２つの第１導電ブロック１１１間の中心距離の単位温度における膨張率の２～３倍である。

【0141】

なお、本開示の幾つかの実施例で提供される回路基板アセンブリ１００において、第２バインディングアセンブリ２１における隣接する２つの第２導電ブロック２１１間の中心距離の単位温度における膨張率が、第１バインディングアセンブリ１１における隣接する２つの第１導電ブロック１１１間の中心距離の単位温度における膨張率の２～３倍である場合、少なくとも１つの第２バインディングアセンブリ２１における各第２導電ブロック２１１と、それにバインディングして接続される第１導電ブロック１１１との第１方向Ｘにおける重なり幅ａ１は、依然として、前記第１導電ブロック１１１の幅ｄ１の３分の２以上になることが実現できる。これに基づいて、幾つかの例では、少なくとも１つの第２バインディングアセンブリ２１について、さらに、前記第２バインディングアセンブリの二等分面に最も近い前記第２導電ブロックと、当該第２導電ブロックにバインディングして接続される第１導電ブロックとの前記第１方向における中心位置合わせ偏差が、０．０１ｍｍ以下であることを満たしてもよい。

【0142】

幾つかの実施例では、図２を参照すると、第１バインディングアセンブリ１１は、少なくとも２つの第１位置合わせ構造１１２をさらに含む。例示的に、少なくとも１つの第１位置合わせ構造１１２は、第１バインディングアセンブリ１１の両端にそれぞれ設けられ、すなわち、少なくとも１つの第１位置合わせ構造１１２は、第１バインディングアセンブリ１１に対応する複数の第１導電ブロック１１１の両端にそれぞれ設けられる。例えば、引き続き図２を参照すると、上記の複数の第１導電ブロック１１１の両端にそれぞれ１つの第１位置合わせ構造１１２が設けられる。第１回路基板１に第１仮想バインディングアセンブリ１２がさらに設けられる場合、上記の複数の第１導電ブロック１１１は、１つの第１位置合わせ構造１１２によって１つの仮想バインディングアセンブリ１２から間隔を空けて配置される。

【0143】

図３を参照すると、第２バインディングアセンブリ２１は、少なくとも２つの第２位置合わせ構造２１２をさらに含む。選択的に、第２位置合わせ構造２１２の形状及び数量は、いずれも第１位置合わせ構造１１２の形状及び数量に対応する。隣接する２つの第１位置合わせ構造１１２（例えば、第１バインディングアセンブリ１１の両端に位置する第１位置合わせ構造１１２）間の距離は、対応する隣接する２つの第２位置合わせ構造２１２間の距離よりも小さい。

【0144】

幾つかの例では、引き続き図３を参照すると、第２位置合わせ構造２１２は正方形構造である。第２位置合わせ構造２１２は十字構造または円形構造などであってもよいが、これに限定されない。

【0145】

第１バインディングアセンブリ１１の両端にはそれぞれ第１位置合わせ構造１１２が設けられ、当該第１バインディングアセンブリ１１に対応する第２バインディングアセンブリ２１の両端にもそれぞれ第２位置合わせ構造２１２が設けられる場合、第１バインディングアセンブリ１１と第２バインディングアセンブリ２１とをバインディングする過程において、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ－ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ、電荷結合素子）カメラなどの撮像装置を用いて、上記の隣接する２つの第２位置合わせ構造２１２及び上記の隣接する２つの第１位置合わせ構造１１２の位置を撮影し、隣接する２つの第２位置合わせ構造２１２の位置と隣接する２つの第１位置合わせ構造１１２の位置とを１対１対応で位置合わせする（例えば、第２位置合わせ構造２１２を、それに対応する第１位置合わせ構造１１２上の特徴位置に位置合わせする）。次に、第１バインディングアセンブリ１１及び第２バインディングアセンブリ２１を予め設定された温度まで加熱し、その後、予め設定された圧力強度で第１バインディングアセンブリ１１及び第２バインディングアセンブリ２１を押圧すればよい。加熱前、上記の隣接する２つの第１バインディングアセンブリ１１間の距離は、隣接する２つの第２バインディングアセンブリ２１間の距離と等しいが、加熱後、同じ条件下で第２バインディングアセンブリ２１の膨張率が大きいため、最終的には、隣接する２つの第１位置合わせ構造１１２間の距離は、対応する隣接する２つの第２位置合わせ構造２１２間の距離よりも小さい。幾つかの他の実施例では、第１バインディングアセンブリ１１及び第２バインディングアセンブリ２１が予め設定されたバインディング温度まで加熱される際に、第２位置合わせ構造２１２を、それに対応する第１位置合わせ構造１１２上の特徴位置と位置合わせすることにより、最終の隣接する２つの第１位置合わせ構造１１２間の距離が、対応する隣接する２つの第２位置合わせ構造２１２間の距離と等しいか、またはほぼ等しくなるようにする。

【0146】

図７Ａを参照すると、本開示の幾つかの実施例では、表示モジュール２００が提供される。当該表示モジュール２００は、表示パネル３と、上記実施例のいずれかに記載の少なくとも１つの回路基板アセンブリ１００とを含む。回路基板アセンブリ２００における全ての第２回路基板２は、表示パネル３の同一の側にバインディングされる。

【0147】

本開示の幾つかの実施例で提供される表示モジュール２００は、上記の回路基板アセンブリ１００を含むため、上記の回路基板アセンブリ１００の全ての有益な効果を有する。

【0148】

幾つかの実施例では、引き続き図８Ａを参照すると、表示パネル３は、少なくとも１つの第３バインディングアセンブリ３１を含む。第３バインディングアセンブリ３１は、第１方向Ｘに沿って間隔を空けて順に配置された複数の第３導電ブロック３１１を含む。

【0149】

図３を参照すると、少なくとも１つの第２回路基板２は、少なくとも１つの第４バインディングアセンブリ２２をさらに含む。例示的に、全ての第２回路基板２は、いずれも少なくとも１つの第４バインディングアセンブリ２２を含む。

【0150】

ここで、第４バインディングアセンブリ２２は、間隔を空けて順に配置された複数の第４導電ブロック２２１を含む。１つの第４バインディングアセンブリ２２における複数の第４導電ブロック２２１は、１つの第３バインディングアセンブリ３１における複数の第３導電ブロック３１１と１対１対応でバインディングして接続される。

【0151】

幾つかの例では、図９を参照すると、少なくとも１つの第４バインディングアセンブリ２２における各第４導電ブロック２２１と、それにバインディングして接続される第３導電ブロック３１１との第１方向Ｘにおける重なり幅ａ２は、第３導電ブロック３１１の幅ｄ３の３分の２以上であり、すなわち、下記式８のようなものである。このように設定することにより、同一のグループの接続構造における２つの導電ブロック（すなわち、第４導電ブロック２２１と、それにバインディングして接続される第３導電ブロック３１１）間の接触面積を大きくすることができ、よって、当該２つの導電ブロックとの間の電気的接続障害の問題が発生しにくくなる。また、同一のグループの接続構造における２つの導電ブロックの位置合わせが正確であるため、隣接する２つのグループの接続構造にそれぞれ位置し且つ２つの回路基板上にそれぞれ位置する２つの導電ブロック間で短絡が容易に発生することを改善できる。

【数9】

【0152】

幾つかの実施例では、少なくとも１つの第４バインディングアセンブリ２２について（例えば、全ての第４バインディングアセンブリ２２について）、各々の第４バインディングアセンブリ２２の二等分面に最も近い第４導電ブロック２２１と、当該第４導電ブロック２２１にバインディングして接続される第３導電ブロック３１１との第１方向Ｘにおける中心位置合わせ偏差は、０．０１ｍｍ以下である。

【0153】

幾つかの例では、第２回路基板２は、少なくとも１つの第４仮想バインディングアセンブリをさらに含んでもよい。当該少なくとも１つの第４仮想バインディングアセンブリと前記少なくとも１つの第４バインディングアセンブリ２２との間の配置方式は、前記少なくとも１つの第２仮想バインディングアセンブリと前記少なくとも１つの第２バインディングアセンブリ２１との間の配置方式を参照することができるが、ここでは繰り返さない。第４仮想バインディングアセンブリの設定について、上記の第４導電ブロック２２１と第３導電ブロック３１１との間の中心位置合わせ偏差に影響を与えない。

【0154】

幾つかの例では、第２回路基板２の膨張率は、表示パネル３の第２回路基板２に接続される一端の膨張率よりも大きい。例えば、第２回路基板２がＦＰＣである場合、加熱後の膨張度は比較的大きい。これに基づき、第３バインディングアセンブリ３１における複数の第３導電ブロック３１１を第４バインディングアセンブリ２２における複数の第４導電ブロック２２１に１対１対応でバインディングして接続する前に、第４バインディングアセンブリ２２における任意の隣接する２つの第４導電ブロック２２１間の中心距離の設計値を縮小することにより、第３バインディングアセンブリ３１と第４バインディングアセンブリ２２は、熱により膨張後に、第４バインディングアセンブリ２２の二等分面に最も近い第４導電ブロック２２１と、それにバインディングして接続される第３導電ブロック３１１との第１方向Ｘにおける中心位置合わせ偏差は、０．０１ｍｍ以下になることを実現できる。

【0155】

幾つかの実施例において、図３、図７Ａ、及び図８Ａを参照すると、表示パネル３は、第１方向Ｘに沿って間隔を空けて順に配置された少なくとも２つの第３バインディングアセンブリ３１を含む。第２回路基板２の数は少なくとも２つであり、各々の第２回路基板２は１つの第４バインディングアセンブリ２２を含む。

【0156】

例示的に、引き続き図７Ａを参照すると、表示パネル３は、第１方向Ｘに沿って間隔を空けて順に配置された３つの第３バインディングアセンブリ３１を含む。第２回路基板２の数は３つであり、各第２回路基板２における第４バインディングアセンブリ２２は、表示パネル３上の各第３バインディングアセンブリ３１と１対１に対応する。

【0157】

幾つかの実施例では、第３導電ブロック３１１の幅ｄ３は、隣接する２つの第３導電ブロック３１１間の中心距離ｂ２の１．１～１．３倍である。第４導電ブロック２２１の幅ｄ３は、第４バインディングアセンブリ２２における隣接する２つの第４導電ブロック２２１間の中心距離ｃ２の０．５倍である。

【0158】

このように設計することにより、同一のグループの接続構造における２つの導電ブロック（すなわち、第３導電ブロック３１１と、それに接続される第４導電ブロック２２１）間の接触面積を増大させるのに寄与し、よって、当該２つの導電ブロックとの間に電気的接続障害の問題を起こしにくくなる。

【0159】

例示的に、第３バインディングアセンブリ３１における隣接する２つの第３導電ブロック３１１間の中心距離ｂ２は、０．１ｍｍ～０．３ｍｍである。第４バインディングアセンブリ２２における隣接する２つの第４導電ブロック２２１間の中心距離ｃ２は、０．１ｍｍ～０．３ｍｍである。このように、第３バインディングアセンブリ３１が第４バインディングアセンブリ２２にバインディングされた後、同一のグループの接続構造における２つの導電ブロック（すなわち、第３導電ブロック３１１と、それに接続される第４導電ブロック２２１）の位置合わせが正確になり、それぞれ隣接する２つのグループの接続構造に位置し、且つ２つの回路基板上にそれぞれ位置する２つの導電ブロック間で短絡が容易に発生することを改善できる。

【0160】

幾つかの例では、第３導電ブロック３１１の幅ｄ３は、０．０５５ｍｍ～０．１９５ｍｍである。

【0161】

幾つかの例では、第４導電ブロック２２１の幅ｄ４は、０．０５ｍｍ～０．１５ｍｍである。

【0162】

このように、第３バインディングアセンブリ３１が第４バインディングアセンブリ２２にバインディングされた後、同一のグループの接続構造における２つの導電ブロック（すなわち、第３導電ブロック３１１と、それに接続される第４導電ブロック２２１）の位置合わせがより正確になり、また、同一のグループの接続構造における２つの導電ブロックとの間の接触面積を増大させるのに寄与し、よって、当該２つの導電ブロック間に電気的接続障害の問題を起こしにくくなる。

【0163】

幾つかの実施例では、図８Ａと図８Ｂを参照すると、第３バインディングアセンブリ３１は、少なくとも２つの第３位置合わせ構造３１２をさらに含む。図２を参照すると、第４バインディングアセンブリ２２は、少なくとも２つの第４位置合わせ構造２２２をさらに含む。隣接する２つの第３バインディングアセンブリ３１間の距離は、対応する隣接する２つの第４バインディングアセンブリ２２間の距離よりも小さい。第３位置合わせ構造３１２及び第４位置合わせ構造２２２の配置方式は、第１位置合わせ構造１１２及び第２位置合わせ構造２１２の配置方式を参照することができるが、ここでは繰り返さない。第３位置合わせ構造３１２及び第４位置合わせ構造２２２の設定により、位置合わせとバインディング過程において、第３バインディングアセンブリ３１及び第４バインディングアセンブリ２２の位置合わせを正確にすることが実現できる。

【0164】

図７Ｂを参照し、且つ図２～図４と組み合わせて、本開示の幾つかの実施例では、さらに、表示モジュール２００’が提供される。当該表示モジュール２００’は、表示パネル３と、表示パネル３の一方側に位置して表示パネル３にバインディングされる回路基板アセンブリ１００とを含む。

【0165】

回路基板アセンブリ１００は、第１回路基板１と、複数の第２回路基板２とを含む。ここで、第１回路基板１の膨張率は、第２回路基板２の膨張率よりも小さい。

【0166】

第１回路基板１は、複数の第１バインディングアセンブリ１１を含む。第１バインディングアセンブリ１１は、第１方向Ｘに沿って間隔を空けて順に配置された複数の第１導電ブロック１１１を含む。

【0167】

各々の第２回路基板２は、少なくとも１つの第２バインディングアセンブリ２１を含む。第２バインディングアセンブリ２１は、間隔を空けて順に配置された複数の第２導電ブロック２１１を含む。１つの第２バインディングアセンブリ２１における複数の第２導電ブロック２１１は、１つの第１バインディングアセンブリ１１における複数の第１導電ブロック１１１と１対１対応でバインディングして接続される。

【0168】

第２バインディングアセンブリ２１における各第２導電ブロック２１１は、それにバインディングして接続される第１導電ブロック１１１と重なって設けられ、且つ第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は０．０５０％未満である。

【0169】

幾つかの例では、第２バインディングアセンブリ２１における第２導電ブロック２１１の数Ｒが奇数である場合、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１は、中間位置（すなわち、（Ｒ＋１）／２の位置）の第２導電ブロック２１１である。第２バインディングアセンブリ２１における第２導電ブロック２１１の数Ｒが偶数である場合、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１は、中央の２つの第２導電ブロック２１１のうち、第１回路基板１の二等分面から最も離れた第２導電ブロック２１１である。第１回路基板１の二等分面からの距離が等しい第２導電ブロック２１１が、２つあれば、そのうちのいずれかの１つを選択できることが理解され得る。

【0170】

これに基づいて、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１について、その重なり状態の変化率は、例えば、次のようにして計算される。

【0171】

第２バインディングアセンブリ２１における第２導電ブロック２１１の数Ｒが奇数である場合、当該第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、中間位置に位置する第２導電ブロック２１１における隣接する２つの第２導電ブロック２１１によって、計算されてもよい。そして、第２バインディングアセンブリ２１における第２導電ブロック２１１の数Ｒが偶数である場合、当該第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、中央の２つの第２導電ブロック２１１のうち、第２バインディングアセンブリ２１の二等分面に最も近い方を選択することによって、計算されてもよい。上記２つの場合の計算方法について、いずれも上記の幾つかの実施例における第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率ρの計算方法を参照することができるので、ここでは繰り返さない。

【0172】

関連技術では、第１回路基板１の単位温度における膨張率は１／４３７５００である。第２回路基板２と第１回路基板１とをバインディングする際には、温度を常温（例えば、２５℃）から予め設定された温度（例えば、２５０℃）まで加熱する必要がある。この時、第１回路基板１及び第２回路基板２の両方は、熱によって、膨張する。また、第１回路基板１及び第２回路基板２の膨張過程において、それぞれの二等分面の位置は変化しない。この場合、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０５０％よりも大きい。その計算方法は下記式９を参照できる。

【数10】

【0173】

本開示の幾つかの実施例で提供される表示モジュール２００’では、複数の第２回路基板２が設けられ、且つ複数の第２回路基板２がいずれも表示パネル３にバインディングされている場合、第２バインディングアセンブリ２１を第１バインディングアセンブリ１１とバインディングし、第２バインディングアセンブリ２１において、中間位置に位置する第２導電ブロック２１１の位置は変化しない。したがって、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０５０％未満であり、すなわち、本開示で提供される表示モジュール２００’における第１回路基板１は、予め収縮されている。このように設計することにより、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０５０％未満にすることができ、よって、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１と、それに対応する第１導電ブロック１１１とが比較的に良好な位置合わせとバインディング状態となることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりを向上させることができる。

【0174】

なお、幾つかの例では、理想的には、重なり状態の変化率は０であってもよく、互いにバインディングされた２つの導電ブロックが完全に重なり合わせることができる。無論、一般的には、バインディング誤差により、重なり状態の変化率は、０ではなく、例えば、上記（０，０．０５０％）の範囲内である。

【0175】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０３９％未満である。

【0176】

第１回路基板１の材料の等級はＦＲ－４であってもよい。第２回路基板２は、ＰＩ（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ポリイミド）ベースと、ＰＩベース上に配置された金属配線層とを含む。ここで、ＦＲ－４は難燃性材料グレードコードであり、樹脂材料が燃焼状態になった後に必ず自然消火できることを意味しており、材料名ではなく材料の等級であるため、一般の回路基板に使用されるＦＲ－４等級の材料には多くの種類があるが、多くの等級はいわゆるテラファンクション（Ｔｅｒａ－Ｆｕｎｃｔｉｏｎ）のエポキシ樹脂にフィラー（Ｆｉｌｌｅｒ）とガラス繊維を加えた複合材料である。

【0177】

この時、常温（２５℃）から（１５０℃～２５０℃）まで加熱した後、第１回路基板１上の第１バインディングアセンブリ１１における隣接する２つの第１導電ブロック１１１間の膨張割合は、約０．０４％であり、第２回路基板２上の第２バインディングアセンブリ２１における隣接する２つの第２導電ブロック２１１間の膨張割合は、０．０８％～０．１２％である。

【0178】

上記に基づいて、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０３９％よりも大きい。その計算方法は下記式１０を参照できる。

【数11】

【0179】

本開示の幾つかの実施例で提供される表示モジュール２００’では、第１回路基板１は、予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０３９％未満にすることができる。そのため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１と、それに対応する第１導電ブロック１１１とは、良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをさらに向上させることができる。

【0180】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は０．０２８％未満である。

【0181】

なお、幾つかの実現方法では、第２回路基板２の単位温度における膨張率は約１／２１８７５０であり、第１回路基板１の単位温度における膨張率は１／４３７５００である。当該第２回路基板２と第１回路基板１とをバインディングする過程において、その温度を常温（例えば、２５℃）から予め設定された温度（例えば、１５０℃）まで加熱する必要がある。この時、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は０．０２８％より大きい。その計算方法は下記式１１を参照できる。

【数12】

【0182】

本開示の幾つかの実施例で提供される回路基板アセンブリ１００では、第１回路基板１は予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０２８％未満にすることができる。そのため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１と、それに対応する第１導電ブロック１１１とがより良好な位置合わせとバインディング状態となることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをさらに向上させることができる。

【0183】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０１４％未満である。

【0184】

この時、本開示で提供される表示モジュール２００’における第１回路基板１は、予め収縮されていて、且つ第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０１４％未満にすることができるため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１と、それに対応する第１導電ブロック１１１とは、良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをさらに向上させることができる。

【0185】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．００５％未満である。

【0186】

この時、本開示で提供される表示モジュール２００’における第１回路基板１は、予め収縮されていて、且つ第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．００５％未満にすることができるため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１と、それに対応する第１導電ブロック１１１とは、より良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをより効果的に向上させることができる。

【0187】

幾つかの実現方法では、第１回路基板１の第１方向Ｘに沿った寸法は、３５０ｍｍ以下であってもよい。例えば、２５０ｍｍ～３００ｍｍの範囲内である。第２回路基板２の第１方向Ｘに沿った寸法Ｌ１は、２００ｍｍ以下、例えば、４０ｍｍ～８０ｍｍの範囲内であってもよい。

【0188】

図７Ｂを参照し、且つ図３と組み合わせて、第２回路基板２は、第１回路基板１にバインディングして接続される第１端Ｔ２と、表示パネル３に接続される第２端Ｔ２とを含む。

【0189】

ここで、第１回路基板１の二等分面から第１回路基板１の境界に向かう方向に沿って、全ての第２回路基板２における第１端の中点Ｍ１と第２端の中点Ｍ２との第１方向Ｘにおける偏差は、徐々に大きくなる。

【0190】

なお、第１端の中点Ｍ１と第２端の中点Ｍ２との第１方向Ｘにおける偏差は、第１方向Ｘにおける第１端の中点Ｍ１と第２端の中点Ｍ２との間の距離である。

【0191】

幾つかの例では、図７Ｃを参照すると、第１回路基板１が１つ設けられ、第２回路基板２が４つ設けられ、且つ各々の第２回路基板２に１つの第２バインディングアセンブリ２１が設けられることを一例とする。当該４つの第２回路基板２は、いずれも表示パネル３にバインディングされているので、当該４つの第２回路基板２の第２端の中点Ｍ２の位置は、いずれも変化しない。当該４つの第２バインディングアセンブリ２１を第１回路基板１上の４つの第１バインディングアセンブリ１１とそれぞれバインディングする過程において、全てのバインディングアセンブリ上の導電ブロックは、いずれも予め設定された温度（例えば、１５０℃～２５０℃）で位置合わせとバインディングを完了する。第１回路基板１は、予め収縮されているので、加熱後、第１バインディングアセンブリ１１上の全ての第１導電ブロック１１１と、第２バインディングアセンブリ２１上の全ての第２導電ブロック２１１とがそれぞれ位置合わせを完了する。バインディングが完了した後、第１回路基板１は、冷却により収縮し、この時、第１回路基板１は、それに接続される第２回路基板２を第１回路基板１の二等分面に向かって引っ張る。また、二等分面から離れるほど、第２回路基板２における第１端の中点Ｍ１の収縮が顕著になる。したがって、第１回路基板１の二等分面から第１回路基板１の境界に向かう方向に沿って、全ての第２回路基板２における第１端の中点Ｍ２と第２端の中点Ｍ１との第１方向Ｘにおける偏差は、徐々に大きくなる。

【0192】

幾つかの実施例では、同一の第２回路基板２において、第２端の中点Ｍ２は、第１端の中点Ｍ１よりも第１回路基板１の二等分面から離れている。

【0193】

第２回路基板２は、いずれも表示パネル３にバインディングされているので、第２回路基板２の第２端の中点は固定されている。第１回路基板１と第２回路基板２とをバインディングする過程において、第１回路基板１は、予め収縮されているので、加熱後、第１バインディングアセンブリ１１上の全ての第１導電ブロック１１１と、第２バインディングアセンブリ２１上の全ての第２導電ブロック２１１とがそれぞれ位置合わせを完了する。バインディングが完了した後、第１回路基板１は、冷却により収縮し、この時、第１回路基板１は、それに接続される第２回路基板２における第１端の中点を第１回路基板１の二等分面に向かって引っ張る。したがって、同一の第２回路基板２において、第１端の中点Ｍ１は、第２端の中点Ｍ２よりも第１回路基板１の二等分面に近い。このように設計することにより、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１と、それに対応する第１導電ブロック１１１とが良好な位置合わせとバインディング状態となることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりを向上させることができる。

【0194】

幾つかの実施例では、全ての第２バインディングアセンブリ２１において、当該第２バインディングアセンブリ２１の二等分面に近い第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、変化しない。

【0195】

なお、第２バインディングアセンブリ２１において、当該第２バインディングアセンブリ２１の二等分面に近い第２導電ブロック２１１は、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１であるが、ここでは繰り返さない。

【0196】

図７Ｃを参照すると、第２回路基板２の数は３つ以上である。各第２回路基板２における第２バインディングアセンブリ２１の二等分面の位置は、加熱中に相対的に変化せず、且つ第１回路基板１の全体は予め収縮されているため、任意の２つの第２回路基板２における第２バインディングアセンブリ２１を用いて、重なり状態の変化率を測定する際に、当該第２バインディングアセンブリ２１の二等分面に近い第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、いずれも同じである。無論、ここでわずかな偏差が生じる可能性もある。このようなわずかな偏差は、バインディングのエラーや、導電ブロックがバインディングアセンブリの中心に位置していないことによって、引き起こされる可能性がある。

【0197】

幾つかの例では、第１回路基板１の二等分面の両側に位置し、且つ第１回路基板１の二等分面からの距離が等しい２つの第２バインディングアセンブリ２１のうち、各第２バインディングアセンブリ２１の二等分面に近い第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率の絶対値は等しい。

【0198】

幾つかの実施例では、図８Ａを参照すると、表示パネル３は、少なくとも１つの第３バインディングアセンブリ３１を含む。第３バインディングアセンブリ３１は、上記の第１方向Ｘに沿って間隔を空けて順に配置された複数の第３導電ブロック３１１を含む。

【0199】

図３を参照すると、少なくとも１つの第２回路基板２は、少なくとも１つの第４バインディングアセンブリ２２をさらに含む。例示的に、全ての第２回路基板２は、いずれも少なくとも１つの第４バインディングアセンブリ２２を含む。

【0200】

ここで、第４バインディングアセンブリ２２は、間隔を空けて順に配置された複数の第４導電ブロック２２１を含む。１つの第４バインディングアセンブリ２２における複数の第４導電ブロック２２１は、１つの第３バインディングアセンブリ３１における複数の第３導電ブロック３１１と１対１対応でバインディングして接続される。

【0201】

図９を参照すると、少なくとも１つの第４バインディングアセンブリ２２における各第４導電ブロック２２１と、これにバインディングして接続される第３導電ブロック３１１との第１方向Ｘにおける重なり幅ａ２は、第３導電ブロック３１１の幅ｄ３の３分の２以上であり、すなわち、下記式１２のようなものである。このように設定することにより、同一のグループの接続構造における２つの導電ブロック（すなわち、第４導電ブロック２２１と、それに接続される第３導電ブロック３１１）との間の接触面積を大きくすることができ、よって、当該２つの導電ブロック間に電気的接続障害の問題を起こしにくくなる。また、同一のグループの接続構造における２つの導電ブロックの位置合わせが正確であるため、隣接する２つのグループの接続構造にそれぞれ位置し且つ２つの回路基板上にそれぞれ位置する２つの導電ブロック間で短絡が容易に発生することを改善できる。

【数13】

【0202】

また、第３バインディングアセンブリ３１及び第４バインディングアセンブリ２２は、上記の表示モジュール２００で提供される方式を参照して設置することもでき、それによって実現される効果は同じであるため、ここでは繰り返さない。

【0203】

幾つかの実施例では、全ての第２回路基板２における１つ以上の第２回路基板２について、当該第２回路基板２の第２バインディングアセンブリ２２における各第２導電ブロック２１１と、それにバインディングして接続される第１導電ブロック１１１との第１方向Ｘにおける重なり幅ａ１は、前記第１導電ブロック１１１の幅ｄ１の３分の２以上である。

【0204】

このように設計することにより、同一のグループの接続構造において、バインディングして接続される２つの導電ブロック（すなわち、第１導電ブロック１１１と、それに接続される第２導電ブロック２１１）間の接触面積が比較的に大きいので、当該２つの導電ブロックとの間に、電気的接続障害の問題が容易に発生しない。また、同一のグループの接続構造における２つの導電ブロックの位置合わせが正確であるため、隣接する２つのグループの接続構造にそれぞれ位置し且つ２つの回路基板上にそれぞれ位置する２つの導電ブロック間で短絡が容易に発生することを改善できる。

【0205】

幾つかの実施例では、回路基板アセンブリ１００が少なくとも１つの第２回路基板２を含み、当該少なくとも１つの第２回路基板が少なくとも２つの第２バインディングアセンブリ２１を含み、且つ１つの第１回路基板１が第１方向Ｘに沿って間隔を空けて順に配置された少なくとも２つの第１バインディングアセンブリ１１を含む場合、少なくとも２つの第２バインディングアセンブリ２１における各第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は等しい。すなわち、本開示で提供される回路基板アセンブリ１００における第１回路基板１及び全ての第２回路基板２は、予め収縮されている。このように、各第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を等しくすることができ、この時、各第２バインディングアセンブリ２１における各々の第２導電ブロック２１１と第１導電ブロック１１１との重なりの変化傾向が同じであるので、第２バインディングアセンブリ２１と第１バインディングアセンブリ１１とのバインディング歩留まりを制御し、回路基板アセンブリ１００の製造歩留まりを向上させることに有利である。

【0206】

幾つかの実施例では、図１と図２を参照すると、第１回路基板１は、少なくとも１つの第１仮想バインディングアセンブリ１２をさらに含む。当該少なくとも１つの第１仮想バインディングアセンブリ１２と前記少なくとも１つの第１バインディングアセンブリ１１は、前記第１方向Ｘにおいて並列に配置される。少なくとも１つの第１仮想バインディングアセンブリ１２と少なくとも１つの第１バインディングアセンブリ１１は、前記第１方向Ｘに沿って、第１回路基板１の一方側から第１回路基板１の他方側まで、交互に配置される。前記第１仮想バインディングアセンブリ１２は、前記第１方向Ｘに沿って間隔を空けて順に配置された複数の第１仮想導電ブロック１２２を含む。

【0207】

このように設計することにより、第１回路基板１上に区間を分けて第１バインディングアセンブリ１１を設けることによって引き起こしたバインディング不良を改善することができ、第２バインディングアセンブリ２１が第１バインディングアセンブリ１１にバインディングされた後、各グループの接続構造の圧力が均一になり、接続が確実になり、電気信号の伝送がより安定する。

【0208】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の二等分面に最も近い第２導電ブロック２１１と、当該第２導電ブロック２１１にバインディングして接続される第１導電ブロック１１１との第１方向Ｘにおける中心位置合わせ偏差は、０．０１ｍｍ以下である。

【0209】

幾つかの実施例では、図４Ａを参照すると、第１導電ブロック１１１の幅ｄ１は、第１バインディングアセンブリ１１における隣接する２つの第１導電ブロック１１１間の中心距離ｃ１の０．５～０．６倍である。第２導電ブロック２１１の幅ｄ２は、第２バインディングアセンブリ２１における隣接する２つの第２導電ブロック２１１間の中心距離ｂ１の０．５～０．６倍である。

【0210】

このように設計することにより、同一のグループの接続構造における２つの導電ブロック（すなわち、第１導電ブロック１１１と、それに接続される第２導電ブロック２１１）間の接触面積を増大させるのに寄与し、よって、当該２つの導電ブロックとの間に電気的接続障害の問題を起こしにくくなる。

【0211】

幾つかの例では、第２導電ブロック２１１の幅ｄ２は、第１導電ブロック１１１の幅ｄ１の３分の２以上、且つ第１導電ブロック１１１の幅ｄ１の６分の５以下である。すなわち、下記式１３のようなものである。

【数14】

【0212】

このように設計することにより、第１導電ブロック１１１の幅ｄ１は、第２導電ブロック２１１の幅ｄ２よりも大きく、第２導電ブロック２１１が位置する第２回路基板２を第１回路基板１にバインディングして接続することにも有利である。

【0213】

例示的に、第１バインディングアセンブリ１１における隣接する２つの第１導電ブロック１１１間の中心距離ｃ１は、０．３ｍｍ～０．４ｍｍである。第２バインディングアセンブリ２１における隣接する２つの第２導電ブロック２１１間の中心距離ｂ１は、０．３ｍｍ～０．４ｍｍである。

【0214】

好ましくは、第１バインディングアセンブリ１１における隣接する２つの第１導電ブロック１１１間の中心距離ｃ１は、第２バインディングアセンブリ２１における隣接する２つの第２導電ブロック２１１間の中心距離ｂ１と等しくてもよい。このように、第１バインディングアセンブリ１１が第２バインディングアセンブリ２１にバインディングされた後、同一のグループの接続構造における２つの導電ブロック（すなわち、第１導電ブロック１１１と、それに接続される第２導電ブロック２１１）の位置合わせが正確になり、隣接する２つのグループの接続構造にそれぞれ位置し且つ２つの回路基板上にそれぞれ位置する２つの導電ブロック間で短絡が容易に発生することを改善できる。

【0215】

幾つかの例では、前記第１導電ブロック１１１の幅ｄ１は、０．１８ｍｍ～０．２８ｍｍである。

【0216】

幾つかの例では、前記第２導電ブロック２１１の幅ｄ２は、０．１５ｍｍ～０．２ｍｍである。

【0217】

このように、第１バインディングアセンブリ１１が第２バインディングアセンブリ２１にバインディングされた後、同一のグループの接続構造における２つの導電ブロック（すなわち、第１導電ブロック１１１と、それに接続される第２導電ブロック２１１）の位置合わせがより正確になり、また、同一のグループの接続構造における２つの導電ブロック間の接触面積を増大させるのに寄与し、よって、当該２つの導電ブロック間に電気的接続障害の問題を起こしにくくなる。

【0218】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１における隣接する２つの第２導電ブロック２１１間の中心距離の単位温度における膨張率は、第１バインディングアセンブリ１１における隣接する２つの第１導電ブロック１１１間の中心距離の単位温度における膨張率の２～３倍である。

【0219】

幾つかの実施例では、図２を参照すると、第１バインディングアセンブリ１１は、少なくとも２つの第１位置合わせ構造１１２をさらに含む。図３を参照すると、第２バインディングアセンブリ２１は、少なくとも２つの第２位置合わせ構造２１２をさらに含む。１つの第１位置合わせ構造１１２は、１つの第２位置合わせ構造２１２と協働する。選択的に、第２位置合わせ構造２１２の形状及び数量は、いずれも第１位置合わせ構造１１２の形状及び数量に対応する。

【0220】

図１０を参照すると、本開示の幾つかの実施例では、表示設備３００が提供される。当該表示設備３００は、上記実施例のいずれかに記載の表示モジュール２００を含む。

【0221】

本開示の幾つかの実施例で提供される表示設備３００は、上記の表示モジュール２００を含むため、上記の表示モジュール２００の全ての有益な効果を有する。

【0222】

例えば、表示モジュール２００は回路基板アセンブリ１００を含む。当該回路基板アセンブリ１００は、第１回路基板１と少なくとも１つの第２回路基板２を含む。第１回路基板１の膨張率は、第２回路基板２の膨張率よりも小さい。ここで、第１回路基板１は、少なくとも１つの第１バインディングアセンブリ１１を含む。第１バインディングアセンブリ１１は、第１方向Ｘに沿って間隔を空けて順に配置された複数の第１導電ブロック１１１を含む。図３を参照すると、第２回路基板２は、少なくとも１つの第２バインディングアセンブリ２１を含む。第２バインディングアセンブリ２１は、間隔を空けて順に配置された複数の第２導電ブロック２１１を含む。１つの第２バインディングアセンブリ２１における複数の第２導電ブロック２１１は、１つの第１バインディングアセンブリ１１における複数の第１導電ブロック１１１と１対１対応でバインディングして接続される。

【0223】

同一の第２バインディングアセンブリ２１において、各第２導電ブロック２１１は、それにバインディングして接続される第１導電ブロック１１１と重なって設けられ、且つ当該第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は０．１０２％未満である。ここで、重なり状態の変化率の定義及び測定方法については、上記を参照することができ、ここでは繰り返さない。

【0224】

上記の回路基板アセンブリ１００では、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は０．１０２％未満である。すなわち、本開示で提供される回路基板アセンブリ１００における第２バインディングアセンブリ２１は、予め収縮されていて、つまり、本開示で提供される回路基板アセンブリ１００における第２バインディングアセンブリ２１及び第１バインディングアセンブリ１１は、いずれも予め収縮されている。このように設計することにより、第２バインディングアセンブリの第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．１０２％未満にすることができ、よって、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも比較的に良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりを向上させることができる。

【0225】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０５９％未満である。ここで、重なり状態の変化率の定義及び測定方法については、上記を参照することができ、ここでは繰り返さない。

【0226】

本開示の幾つかの実施例で提供される回路基板アセンブリ１００では、少なくとも１つの回路基板は予め収縮されていて、且つ第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０５９％未満にすることができるため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをさらに向上させることができる。

【0227】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０３９％未満である。ここで、重なり状態の変化率の定義及び測定方法については、上記を参照することができ、ここでは繰り返さない。

【0228】

本開示の幾つかの実施例で提供される回路基板アセンブリ１００では、少なくとも１つの回路基板は予め収縮されていて、且つ第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０３９％未満にすることができるため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをさらに向上させることができる。

【0229】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０２８％未満である。ここで、重なり状態の変化率の定義及び測定方法については、上記を参照することができ、ここでは繰り返さない。

【0230】

本開示の幾つかの実施例で提供される回路基板アセンブリ１００では、少なくとも１つの回路基板は予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０２８％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをより効果的に向上させることができる。

【0231】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０１４％未満である。ここで、重なり状態の変化率の定義及び測定方法については、上記を参照することができ、ここでは繰り返さない。

【0232】

この時、本開示で提供される回路基板アセンブリ１００は、予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０１４％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをより効果的に向上させることができる。

【0233】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は０．００５％未満である。ここで、重なり状態の変化率の定義及び測定方法については、上記を参照することができ、ここでは繰り返さない。

【0234】

この時、本開示で提供される回路基板アセンブリ１００は、予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．００５％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをより効果的に向上させることができる。

【0235】

引き続き図１０を参照すると、本開示の幾つかの実施例では、表示設備３００’が提供される。当該表示設備３００’は、上記いずれかの実施例で説明した表示モジュール２００’を含む。

【0236】

表示モジュール２００’において、含まれる回路基板アセンブリ１００は、第１回路基板１と複数の第２回路基板２とを含む。ここで、第１回路基板１の膨張率は、第２回路基板２の膨張率よりも小さい。

【0237】

第１回路基板１は複数の第１バインディングアセンブリ１１を含む。第１バインディングアセンブリ１１は、第１方向Ｘに沿って間隔を空けて順に配置された複数の第１導電ブロック１１１を含む。

【0238】

各々の第２回路基板２は、少なくとも１つの第２バインディングアセンブリ２１を含む。第２バインディングアセンブリ２１は、間隔を空けて順に配置された複数の第２導電ブロック２１１を含む。１つの第２バインディングアセンブリ２１における複数の第２導電ブロック２１１は、１つの第１バインディングアセンブリ１１における複数の第１導電ブロック１１１と１対１対応でバインディングして接続される。

【0239】

第２バインディングアセンブリ２１における各第２導電ブロック２１１は、それにバインディングして接続される第１導電ブロック１１１と重なって設けられ、且つ第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は０．０５０％未満である。

【0240】

この例では、複数の第２回路基板２が設けられ、且つ複数の第２回路基板２がいずれも表示パネル３にバインディングされている場合、第２バインディングアセンブリ２１を第１バインディングアセンブリ１１にバインディングし、第２バインディングアセンブリ２１において、中間位置に位置する第２導電ブロック２１１の位置は変化しない。したがって、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０５０％未満であり、すなわち、本開示で提供される表示モジュール２００’における第１回路基板１は、予め収縮されている。このように設計することにより、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０５０％未満にすることができ、よって、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１と、それに対応する第１導電ブロック１１１とが比較的に良好な位置合わせとバインディング状態となることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりを向上させることができる。

【0241】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０３９％未満である。ここで、重なり状態の変化率の定義及び測定方法については、上記を参照することができ、ここでは繰り返さない。

【0242】

本開示の幾つかの実施例で提供される表示モジュール２００’では、第１回路基板１は、予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０３９％未満にすることができる。そのため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１と、それに対応する第１導電ブロック１１１とは、良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをさらに向上させることができる。

【0243】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は０．０２８％未満である。ここで、重なり状態の変化率の定義及び測定方法については、上記を参照することができ、ここでは繰り返さない。

【0244】

本開示の幾つかの実施例で提供される回路基板アセンブリ１００では、第１回路基板１は予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０２８％未満にすることができる。そのため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１と、それに対応する第１導電ブロック１１１とがより良好な位置合わせとバインディング状態となることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをさらに向上させることができる。

【0245】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０１４％未満である。ここで、重なり状態の変化率の定義及び測定方法については、上記を参照することができ、ここでは繰り返さない。

【0246】

この時、本開示で提供される表示モジュール２００’における第１回路基板１は、予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０１４％未満にすることができる。そのため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１と、それに対応する第１導電ブロック１１１とは、良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをさらに向上させることができる。

【0247】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．００５％未満である。ここで、重なり状態の変化率の定義及び測定方法については、上記を参照することができ、ここでは繰り返さない。

【0248】

この時、本開示で提供される表示モジュール２００’における第１回路基板１は、予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．００５％未満にすることができる。そのため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１と、それに対応する第１導電ブロック１１１とは、より良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをより効果的に向上させることができる。

【0249】

幾つかの実施例では、同一の第２バインディングアセンブリ２１において、各第２導電ブロック２１１は、それにバインディングして接続される第１導電ブロック１１１と重なって設けられ、且つ当該第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は０．１０２％未満である。ここで、重なり状態の変化率の定義及び測定方法については、上記を参照することができ、ここでは繰り返さない。

【0250】

上記の回路基板アセンブリ１００では、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は０．１０２％未満である。すなわち、本開示で提供される回路基板アセンブリ１００における第２バインディングアセンブリ２１は、予め収縮されていて、つまり、本開示で提供される回路基板アセンブリ１００における第２バインディングアセンブリ２１と第１バインディングアセンブリ１１は、いずれも予め収縮されている。このように設計することにより、第２バインディングアセンブリの第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．１０２％未満にすることができ、よって、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも比較的に良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりを向上させることができる。

【0251】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０５９％未満である。ここで、重なり状態の変化率の定義及び測定方法については、上記を参照することができ、ここでは繰り返さない。

【0252】

本開示の幾つかの実施例で提供される回路基板アセンブリ１００では、少なくとも１つの回路基板は予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０５９％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをさらに向上させることができる。

【0253】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０３９％未満である。ここで、重なり状態の変化率の定義及び測定方法については、上記を参照することができ、ここでは繰り返さない。

【0254】

本開示の幾つかの実施例で提供される回路基板アセンブリ１００では、少なくとも１つの回路基板は予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０３９％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれもより良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをさらに向上させることができる。

【0255】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０２８％未満である。ここで、重なり状態の変化率の定義及び測定方法については、上記を参照することができ、ここでは繰り返さない。

【0256】

本開示の幾つかの実施例で提供される回路基板アセンブリ１００では、少なくとも１つの回路基板は予め収縮されているため、且つ第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０２８％未満にすることができるため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをより効果的に向上させることができる。

【0257】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０１４％未満である。ここで、重なり状態の変化率の定義及び測定方法については、上記を参照することができ、ここでは繰り返さない。

【0258】

この時、本開示で提供される回路基板アセンブリ１００は、予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０１４％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをより効果的に向上させることができる。

【0259】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は０．００５％未満である。ここで、重なり状態の変化率の定義及び測定方法については、上記を参照することができ、ここでは繰り返さない。

【0260】

この時、本開示で提供される回路基板アセンブリ１００は、予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．００５％未満にすることができるため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをより効果的に向上させることができる。

【0261】

本開示の上記の幾つかの実施例で提供される表示装置３００’は、上記の表示モジュール２００’を含むため、上記の表示モジュール２００’の全ての有益な効果を有する。

【0262】

上記の表示装置３００（または表示装置３００’）は、動いている（例えば、ビデオ）、又は静止している（例えば、静止画像）ことに関係なく、且つテキストや画像に関係なく表示する任意の装置であり得る。当該表示装置３００（または表示装置３００’）は、携帯電話、無線装置、パーソナル・データ・アシスタント（ＰＤＡ）、ハンドヘルドまたはポータブル・コンピュータ、グローバルポジショニングシステム（ＧＰＳ）レシーバー／ナビゲーター、カメラ、ＭＰ３プレーヤ、ビデオカメラ、ゲーム・コンソール、腕時計、時計、電卓、テレビ・モニター、フラット・パネル・ディスプレイ、コンピュータ・モニター、カーディスプレイ（例えば、速度・距離メーターディスプレイなど）、ナビゲーター、コックピットコントローラー及び／又はディスプレイ、カメラビューのディスプレイ（例えば、車両におけるリアビューカメラのディスプレイ）、電子写真、電子看板または標識、プロジェクター、建築構造、パッケージング及び美的構造体（例えば、１つの宝石の画像のディスプレイ）などであってもよい。

【0263】

図１１を参照すると、本開示の幾つかの実施例では、表示モジュール２００の製造方法が提供される。当該製造方法は、ステップＳ１０～Ｓ６０を含む。

【0264】

Ｓ１０：第２回路基板２の単位温度における第２膨張率を取得する。

【0265】

Ｓ２０：第２膨張率に基づいて、第２予め収縮率を決定し、少なくとも１つの第２回路基板２を製造し、ここで、少なくとも１つの第２回路基板２は、少なくとも１つの第２バインディングアセンブリ２１を含み、第２バインディングアセンブリ２１は、間隔を空けて順に配置された複数の第２導電ブロック２１１を含む。

【0266】

当該ステップにおいて、第２予め収縮率は、第２回路基板２の単位温度における第２膨張率と温度差との積であってもよく、温度差は、予め設定された温度と常温との差である。

【0267】

予め収縮後の第２バインディングアセンブリ２１の長さ＝予め収縮前の第２バインディングアセンブリ２１の長さ×（１－第２予め収縮率）。

【0268】

Ｓ３０：第１回路基板１を提供する。第１回路基板１は少なくとも１つの第１バインディングアセンブリ１１を含み、第１バインディングアセンブリ１１は、第１方向Ｘに沿って間隔を空けて順に配置された複数の第１導電ブロック１１１を含む。

【0269】

Ｓ４０：第１バインディングアセンブリ１１を第２バインディングアセンブリ２１と位置合わせする。

【0270】

Ｓ５０：第１バインディングアセンブリ１１と第２バインディングアセンブリ２１との間に導電性接着剤を設ける。

【0271】

Ｓ６０：第１バインディングアセンブリ１１と第２バインディングアセンブリ２１とを予め設定された温度まで加熱した後、予め設定された圧力強度で第１バインディングアセンブリ１１と第２バインディングアセンブリ２１とを押圧することにより、１つの第２バインディングアセンブリ２１における複数の第２導電ブロック２１１を１つの第１バインディングアセンブリ１１における複数の第１導電ブロック１１１と１対１対応でバインディングして接続される。ここで、同一の第２バインディングアセンブリ２１において、各第２導電ブロック２１１は、それにバインディングして接続される第１導電ブロック１１１と重なって設けられ、且つ第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は０．１０２％未満である。

【0272】

上記の本開示の幾つかの実施例で提供される製造方法により製造される表示モジュール２００では、バインディングアセンブリ２１は、予め収縮されている（例えば、１つの第１回路基板と１つの第２回路基板とを含み、且つ第１回路基板の二等分面が第２回路基板の二等分面と重なり合う場合、第２回路基板における少なくとも膨張率が大きい方の第２バインディングアセンブリ２１は、予め収縮されている。また例えば、１つの第１回路基板と少なくとも２つの第２回路基板を含み、且つ少なくとも１つの第２回路基板の二等分面が第１回路基板の二等分面と重なり合わない場合、当該少なくとも１つの第２回路基板における各第２バインディングアセンブリ２１と第１回路基板上の第１バインディングアセンブリ１１は、いずれも予め収縮されている）ため、第２バインディングアセンブリの第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．１０２％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも比較的に良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては第１回路基板１と第２回路基板２との間のバインディング歩留まりを向上させることができる。

【0273】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０５９％未満である。ここで、重なり状態の変化率の定義及び測定方法については、上記を参照することができ、ここでは繰り返さない。

【0274】

本開示の幾つかの実施例で提供される回路基板アセンブリ１００では、少なくとも１つの回路基板は予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０５９％未満にすることができる。そのため、各グループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをさらに向上させることができる。

【0275】

幾つかの実施例では、Ｓ３０における第１回路基板１を提供するステップは、Ｓ３０１～Ｓ３０２を含む。

【0276】

Ｓ３０１：第１回路基板１の単位温度における第１膨張率を取得する。

【0277】

Ｓ３０２：第１膨張率に基づいて第１予め収縮率を決定することにより、第１回路基板１を製造する。

【0278】

当該ステップにおいて、第１予め収縮率は、第１回路基板１の単位温度における第１膨張率と温度差との積であってもよく、温度差は、予め設定された温度と常温との差である。

【0279】

予め収縮後の第１バインディングアセンブリ１１の長さ＝予め収縮前の第１バインディングアセンブリ１１の長さ×（１－第１予め収縮率）。

【0280】

当該実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０３９％未満である。

【0281】

第１回路基板の材料の等級はＦＲ－４であってもよい。第２回路基板は、ＰＩ（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ポリイミド）ベースと、ＰＩベース上に配置された金属配線層とを含む。ここで、ＦＲ－４は難燃性材料グレードコードであり、樹脂材料が燃焼状態になった後に必ず自然消火できることを意味しており、材料名ではなく材料の等級であるため、一般の回路基板に使用されるＦＲ－４等級の材料には多くの種類があるが、多くの等級はいわゆるテラファンクション（Ｔｅｒａ－Ｆｕｎｃｔｉｏｎ）のエポキシ樹脂にフィラー（Ｆｉｌｌｅｒ）とガラス繊維を加えた複合材料である。

【0282】

この時、常温（２５℃）から（１５０℃～２５０℃）まで加熱した後、第１回路基板１上の第１バインディングアセンブリ１１における隣接する２つの第１導電ブロック１１１間の膨張割合は、約０．０４％であり、第２回路基板２上の第２バインディングアセンブリ２１における隣接する２つの第２導電ブロック２１１間の膨張割合は、０．０８％～０．１２％である。

【0283】

上記の例に基づいて、上記の膨張割合をそれぞれ温度変化量（例えば、１７５℃）で除算すると、第１回路基板１の単位温度における膨張率は１／４３７５００となり、第２回路基板２の単位温度における膨張率は１／２１８７５０となり得る。

【0284】

以上のことから、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０３９％よりも大きいことが分かる。その計算方法は下記式１４を参照できる。

【数15】

【0285】

本開示の幾つかの実施例で製造される表示モジュール２００では、少なくとも１つの回路基板は予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０３９％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれもより良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては第１回路基板１と第２回路基板２との間のバインディング歩留まりをさらに向上させることができる。

【0286】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０２８％未満である。ここで、重なり状態の変化率の定義及び測定方法については、上記を参照することができ、ここでは繰り返さない。

【0287】

本開示の幾つかの実施例で提供される回路基板アセンブリ１００では、少なくとも１つの回路基板は予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０２８％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをより効果的に向上させることができる。

【0288】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０１４％未満である。ここで、重なり状態の変化率の定義及び測定方法については、上記を参照することができ、ここでは繰り返さない。

【0289】

この時、本開示で提供される回路基板アセンブリ１００は、予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０１４％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをより効果的に向上させることができる。

【0290】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は０．００５％未満である。ここで、重なり状態の変化率の定義及び測定方法については、上記を参照することができ、ここでは繰り返さない。

【0291】

この時、本開示で提供される回路基板アセンブリ１００は、予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．００５％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをより効果的に向上させることができる。

【0292】

幾つかの実施例では、Ｓ４０における第１バインディングアセンブリ１１を第２バインディングアセンブリ２１と位置合わせするステップは、Ｓ４０１を含む。

【0293】

Ｓ４０１：第２バインディングアセンブリ２１の二等分面を第１バインディングアセンブリ１１の二等分面と位置合わせする。

【0294】

このように、中心位置合わせにより、第２バインディングアセンブリ２１における各第２導電ブロック２１１と、第１バインディングアセンブリ１１における各第１導電ブロック１１１との間の位置合わせを良好に行うことが実現でき、よって、第１回路基板１と第２回路基板２との間のバインディング歩留まりを確保することに有利である。

【0295】

幾つかの実施例では、第１バインディングアセンブリ１１は、少なくとも２つの第１位置合わせ構造１１２をさらに含む。第２バインディングアセンブリ２１は、少なくとも２つの第２位置合わせ構造２１２をさらに含む。

【0296】

これに基づいて、上記Ｓ４０における第１バインディングアセンブリ１１を第２バインディングアセンブリ２１と位置合わせするステップは、Ｓ４０２を含む。

【0297】

Ｓ４０２：第２バインディングアセンブリ２１における少なくとも２つの第２位置合わせ構造２１２を、それぞれ第１バインディングアセンブリ１１における少なくとも２つの第１位置合わせ構造１１２と位置合わせする。

【0298】

このように、位置合わせマークを用いて位置合わせを行うことにより、第２バインディングアセンブリ２１における各第２導電ブロック２１１と、第１バインディングアセンブリ１１における各第１導電ブロック１１１との間の位置合わせを良好に行うことができるので、第１回路基板１と第２回路基板２との間のバインディング歩留まりを確保することに有利である。

【0299】

幾つかの実施例では、上記の予め設定された圧力強度は０．１ＭＰａ～０．４ＭＰａである。これにより、良好な押圧効果が実現できるので、バインディング歩留まりの向上に寄与する。

【0300】

図１２を参照すると、本開示の幾つかの実施例では、表示モジュール２００’の製造方法が提供される。当該製造方法は、ステップＳ１０’～Ｓ６０’を含む。

【0301】

Ｓ１０’：第１回路基板１の単位温度における第１膨張率を取得する。

【0302】

Ｓ２０’：第１膨張率に基づいて、第１予め収縮率を決定することにより、第１回路基板１を製造する。ここで、第１回路基板１は少なくとも１つの第１バインディングアセンブリ１１を含み、第１バインディングアセンブリ１１は第１方向Ｘに沿って間隔を空けて順に配置された複数の第１導電ブロック１１１を含む。

【0303】

当該ステップにおいて、第１予め収縮率は、第１回路基板１の単位温度における第１膨張率と温度差との積であってもよく、温度差は、予め設定された温度と常温との差である。

【0304】

予め収縮後の第１バインディングアセンブリ１１の長さ＝予め収縮前の第１バインディングアセンブリ１１の長さ×（１－第１予め収縮率）。

【0305】

Ｓ３０’：少なくとも１つの第２回路基板２を提供する。少なくとも１つの第２回路基板２は、少なくとも１つの第２バインディングアセンブリ２１を含み、第２バインディングアセンブリ２１は、間隔を空けて順に配置された複数の第２導電ブロック２１１を含む。

【0306】

Ｓ４０’：第１バインディングアセンブリ１１を第２バインディングアセンブリ２１と位置合わせする。

【0307】

Ｓ５０’：第１バインディングアセンブリ１１と第２バインディングアセンブリ２１との間に導電性接着剤を設ける。

【0308】

Ｓ６０’：第１バインディングアセンブリ１１と第２バインディングアセンブリ２１を予め設定された温度まで加熱した後、予め設定された圧力強度で第１バインディングアセンブリ１１と第２バインディングアセンブリ２１を押圧することにより、１つの第２バインディングアセンブリ２１における複数の第２導電ブロック２１１を１つの第１バインディングアセンブリ１１における複数の第１導電ブロック１１１と１対１対応でバインディングして接続される。ここで、同一の第２バインディングアセンブリ２１において、各第２導電ブロック２１１は、それにバインディングして接続される第１導電ブロック１１１と重なって設けられ、且つ第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は０．０５０％未満である。

【0309】

本開示の幾つかの実施例で提供される製造方法により製造される表示モジュール２００’では、第１回路基板１は予め収縮されている。このように設計することにより、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０５０％未満にすることができ、よって、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１と、それに対応する第１導電ブロック１１１とが比較的に良好な位置合わせとバインディング状態となることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりを向上させることができる。

【0310】

幾つかの実施例では、前記予め設定された圧力強度は０．１ＭＰａ～０．４ＭＰａである。これにより、良好な押圧効果が実現できるので、第１バインディングアセンブリ１１と第２バインディングアセンブリ２１とのバインディング歩留まりを向上させることに寄与する。

【0311】

幾つかの実施例において、少なくとも１つの第２回路基板２は少なくとも１つの第４バインディングアセンブリ２２を含む。第４バインディングアセンブリ２２は、間隔を空けて順に配置された複数の第４導電ブロック２２１を含む。

【0312】

Ｓ４０’における第１バインディングアセンブリ１１を第２バインディングアセンブリ２１と位置合わせするステップの前に、製造方法は、さらにＳ３０１’～Ｓ３０４’を含む。

【0313】

Ｓ３１１’：表示パネル３を提供する。表示パネル３は、少なくとも１つの第３バインディングアセンブリ３１を含み、第３バインディングアセンブリ３１は、第１方向Ｘに沿って間隔を空けて配置された複数の第３導電ブロック３１１を含む。

【0314】

Ｓ３１２’：第３バインディングアセンブリ３１を第４バインディングアセンブリ２２と位置合わせする。

【0315】

Ｓ３１３’：第３バインディングアセンブリ３１と第４バインディングアセンブリ２２との間に導電性接着剤を設ける。

【0316】

Ｓ３１４’：第３バインディングアセンブリ３１と第４バインディングアセンブリ２２を予め設定された温度まで加熱した後、予め設定された圧力で第３バインディングアセンブリ３１と第４バインディングアセンブリ２２とを押圧するこれにより、１つの第４バインディングアセンブリ２２における複数の第４導電ブロック２２１が、１つの第３バインディングアセンブリ３１における複数の第３導電ブロック３１１と１対１対応でバインディングして接続される。ここで、少なくとも１つの第４バインディングアセンブリ２２における各第４導電ブロック２２１と、それにバインディングして接続される第３導電ブロック３１１との第１方向Ｘにおける重なり幅は、第３導電ブロック３１の幅の３分の２以上である。

【0317】

このように設定することにより、バインディングと位置合わせの後の第３導電ブロック３１１と第４導電ブロック２２１との第１方向Ｘにおける重なり幅が、前記第３導電ブロック３１１の幅の３分の２以上であることをより確実に保証することができ、よって、２つの導電ブロック間に、電気的接続障害の問題が容易に発生しない。また、同一のグループの接続構造における２つの導電ブロックの位置合わせが正確であるため、隣接する２つのグループの接続構造にそれぞれ位置し且つ２つの回路基板上にそれぞれ位置する２つの導電ブロック間で短絡が容易に発生することを改善できる。

【0318】

以上により、本開示の幾つかの実施例で提供される製造方法により製造される表示モジュール２００’では、複数の第２回路基板２が設けられ、且つ複数の第２回路基板２がいずれも表示パネル３にバインディングされている。この時、第２バインディングアセンブリ２１を第１バインディングアセンブリ１１とバインディングし、第２バインディングアセンブリ２１において、中間位置に位置する第２導電ブロック２１１の位置は変化しない。したがって、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０５０％未満であり、すなわち、本開示で提供される表示モジュール２００’における第１回路基板１は、予め収縮されている。このように設計することにより、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０５０％未満にすることができ、よって、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１と、それに対応する第１導電ブロック１１１とが比較的に良好な位置合わせとバインディング状態となることができ、ひいては第１回路基板１と第２回路基板２との間のバインディング歩留まりを向上させることができる。

【0319】

幾つかの実施例では、予め設定された温度は１５０℃～２５０℃であり、予め設定された圧力は２０Ｎ～４０Ｎである。これにより、良好な押圧効果が実現できるので、第３バインディングアセンブリ３１と第４バインディングアセンブリ２２とのバインディング歩留まりの向上に寄与する。

【0320】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０３９％未満である。

【0321】

本開示の幾つかの実施例で提供される製造方法により製造される表示モジュール２００’では、第１回路基板１は、予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０３９％未満にすることができる。そのため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１と、それに対応する第１導電ブロック１１１とは、良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては第１回路基板１と第２回路基板２との間のバインディング歩留まりをさらに向上させることができる。

【0322】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は０．０２８％未満である。ここで、重なり状態の変化率の定義及び測定方法については、上記を参照することができ、ここでは繰り返さない。

【0323】

本開示の幾つかの実施例で提供される回路基板アセンブリ１００では、第１回路基板１は予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０２８％未満にすることができる。そのため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１と、それに対応する第１導電ブロック１１１とがより良好な位置合わせとバインディング状態となることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをさらに向上させることができる。

【0324】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０１４％未満である。ここで、重なり状態の変化率の定義及び測定方法については、上記を参照することができ、ここでは繰り返さない。

【0325】

この時、本開示で提供される表示モジュール２００’における第１回路基板１は、予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０１４％未満にすることができる。そのため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１と、それに対応する第１導電ブロック１１１とは、良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをさらに向上させることができる。

【0326】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．００５％未満である。ここで、重なり状態の変化率の定義及び測定方法については、上記を参照することができ、ここでは繰り返さない。

【0327】

この時、本開示で提供される表示モジュール２００’における第１回路基板１は、予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．００５％未満にすることができる。そのため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１と、それに対応する第１導電ブロック１１１とは、より良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをより効果的に向上させることができる。

【0328】

幾つかの実施例では、Ｓ３０’における少なくとも１つの第２回路基板２を提供するステップは、Ｓ３０１’～Ｓ３０２’を含む。

【0329】

Ｓ３０１’：第２回路基板２の単位温度における第２膨張率を取得する。

【0330】

Ｓ３０２’：第２膨張率に基づいて、第２予め収縮率を決定することにより、少なくとも１つの第２回路基板２を製造する。

【0331】

当該ステップにおいて、第２予め収縮率は、第２回路基板２の単位温度における第２膨張率と温度差との積であってもよく、温度差は、予め設定された温度と常温との差である。

【0332】

予め収縮後の第２バインディングアセンブリ２１の長さ＝予め収縮前の第２バインディングアセンブリ２１の長さ×（１－第２予め収縮率）。

【0333】

これに基づいて、同一の第２バインディングアセンブリ２１において、各第２導電ブロック２１１は、それにバインディングして接続される第１導電ブロック１１１と重なって設けられ、且つ当該第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は０．１０２％未満である。ここで、重なり状態の変化率の定義及び測定方法については、上記を参照することができ、ここでは繰り返さない。

【0334】

上記の回路基板アセンブリ１００では、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は０．１０２％未満である。すなわち、本開示で提供される回路基板アセンブリ１００における第２バインディングアセンブリ２１は、予め収縮されていて、つまり、本開示で提供される回路基板アセンブリ１００における第２バインディングアセンブリ２１及び第１バインディングアセンブリ１１は、いずれも予め収縮されている。このように設計することにより、第２バインディングアセンブリの第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．１０２％未満にすることができ、よって、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも比較的に良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりを向上させることができる。

【0335】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０５９％未満である。ここで、重なり状態の変化率の定義及び測定方法については、上記を参照することができ、ここでは繰り返さない。

【0336】

本開示の幾つかの実施例で提供される回路基板アセンブリ１００では、少なくとも１つの回路基板は予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０５９％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをさらに向上させることができる。

【0337】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０３９％未満である。ここで、重なり状態の変化率の定義及び測定方法については、上記を参照することができ、ここでは繰り返さない。

【0338】

本開示の幾つかの実施例で提供される回路基板アセンブリ１００では、少なくとも１つの回路基板は予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０３９％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれもより良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをさらに向上させることができる。

【0339】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０２８％未満である。ここで、重なり状態の変化率の定義及び測定方法については、上記を参照することができ、ここでは繰り返さない。

【0340】

本開示の幾つかの実施例で提供される回路基板アセンブリ１００では、少なくとも１つの回路基板は予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０２８％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをより効果的に向上させることができる。

【0341】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０１４％未満である。ここで、重なり状態の変化率の定義及び測定方法については、上記を参照することができ、ここでは繰り返さない。

【0342】

この時、本開示で提供される回路基板アセンブリ１００は、予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０１４％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをより効果的に向上させることができる。

【0343】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は０．００５％未満である。ここで、重なり状態の変化率の定義及び測定方法については、上記を参照することができ、ここでは繰り返さない。

【0344】

この時、本開示で提供される回路基板アセンブリ１００は、予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．００５％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをより効果的に向上させることができる。

【0345】

幾つかの実施例では、Ｓ４０’における第１バインディングアセンブリ１１を第２バインディングアセンブリ２１と位置合わせするステップは、Ｓ４０１’を含む。

【0346】

Ｓ４０１’：中間位置に位置する第２バインディングアセンブリ２１の二等分面を第１バインディングアセンブリ１１の二等分面と位置合わせする。

【0347】

このように、中心位置合わせにより、第２バインディングアセンブリ２１における各第２導電ブロック２１１と、第１バインディングアセンブリ１１における各第１導電ブロック１１１との間の位置合わせを良好に行うことが実現でき、よって、第１回路基板１と第２回路基板２との間のバインディング歩留まりを確保することに有利である。

【0348】

幾つかの実施例では、第１バインディングアセンブリ１１は、少なくとも２つの第１位置合わせ構造１１２をさらに含む。第２バインディングアセンブリ２１は、少なくとも２つの第２位置合わせ構造２１２をさらに含む。

【0349】

これに基づいて、上記Ｓ４０における第１バインディングアセンブリ１１を第２バインディングアセンブリ２１と位置合わせするステップは、Ｓ４０２’を含む。

【0350】

Ｓ４０２’：全ての第２位置合わせ構造２１２における第１方向Ｘに沿って最も離れた２つの第２位置合わせ構造２１２を、それぞれ対応する２つの第１位置合わせ構造１１２と位置合わせする。

【0351】

複数の第２回路基板２が、いずれも表示パネル３にバインディングされているので、複数の第２回路基板２の二等分面の相対位置は変化しない。このように、複数の第２回路基板２の最端部の位置合わせマークを用いて位置合わせを行うことにより、第２バインディングアセンブリ２１における各第２導電ブロック２１１と、第１バインディングアセンブリ１１における各第１導電ブロック１１１との間の位置合わせを良好に行うことができるので、第１回路基板１と第２回路基板２との間のバインディング歩留まりを確保することに有利である。

【0352】

図１３を参照すると、図１３は、関連技術におけるＦＰＣと主制御ボードがバインディングした後の構造図を示す。なお、関連技術では、ＦＰＣ２’の膨張率は主制御ボード１’の膨張率よりも大きいため、ＦＰＣ２’が主制御ボード１’にバインディングされた後、お互いにバインディングされる２つの導電ブロックとの間の位置ずれは、ＦＰＣ２’の二等分面からＦＰＣ２’の両端に向かう方向に沿って徐々に顕著化する。

【0353】

なお、関連技術では、図１３においてお互いにバインディングされる２つの導電ブロックの位置は、通常、完全に重なるように図示される。しかしながら、本願の上記の改良がなければ、両者は実際には図１３に示すような誤差（すなわち、両者の間には比較的に明らかな位置ずれがある）を有することが理解され得る。

【0354】

したがって、本願の上記の幾つかの実施例で提供される回路基板アセンブリ１００では、第２バインディングアセンブリ２１は、予め収縮されている（例えば、１つの第１回路基板と１つの第２回路基板とを含み、且つ第１回路基板の二等分面が第２回路基板の二等分面と重なり合う場合、第２回路基板における少なくとも膨張率が大きい方の第２バインディングアセンブリ２１は、予め収縮されている。また例えば、１つの第１回路基板と少なくとも２つの第２回路基板を含み、且つ少なくとも１つの第２回路基板の二等分面が第１回路基板の二等分面と重なり合わない場合、当該少なくとも１つの第２回路基板における各第２バインディングアセンブリ２１と第１回路基板上の第１バインディングアセンブリ１１は、いずれも予め収縮されている）。このように設計することにより、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．１０２％未満にすることができ、よって、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも比較的に良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりを向上させることができる。

【0355】

また、幾つかの例では、理想的には、重なり状態の変化率は０であってもよく、お互いにバインディングされた２つの導電ブロックが完全に重なり合わせることができる。無論、一般的に、バインディング誤差の存在により、重なり状態の変化率は、０ではなく、例えば、上記（０，０．１０２％）の範囲内である。

【0356】

上記は、本開示の具体的な実施形態に過ぎず、本開示の保護範囲はこれに限定されず、本開示の技術的範囲内で当業者であれば容易に想到できる変更又は置換は、すべて本開示の技術的範囲内に包含するものである。従って、本開示の保護範囲は、特許請求の範囲に記載された範囲を準拠するものとする。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図5A】

【図5B】

【図6】

【図7A】

【図7B】

【図7C】

【図8A】

【図8B】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【手続補正書】

【提出日】2024-09-13

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

少なくとも１つの第１バインディングアセンブリを含む第１回路基板であって、前記第１バインディングアセンブリは、第１方向に沿って間隔を空けて順に配置された複数の第１導電ブロックを含む第１回路基板と、
少なくとも１つの第２バインディングアセンブリを含む少なくとも１つの第２回路基板であって、前記第２バインディングアセンブリは、間隔を空けて順に配置された複数の第２導電ブロックを含み、１つの前記第２バインディングアセンブリにおける複数の第２導電ブロックは、１つの前記第１バインディングアセンブリにおける複数の第１導電ブロックと１対１対応でバインディングして接続される少なくとも１つの第２回路基板と、
を含み、
前記第１回路基板の膨張率は、前記第２回路基板の膨張率よりも小さくて、
同一の前記第２バインディングアセンブリにおいて、各第２導電ブロックは、それにバインディングして接続される第１導電ブロックと重なって設けられ、且つ前記第２バインディングアセンブリの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．１０２％未満である、
回路基板アセンブリ。

【請求項2】

前記第２バインディングアセンブリの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．０５９％未満である、
請求項１に記載の回路基板アセンブリ。

【請求項3】

前記第２バインディングアセンブリの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．０２８％未満である、
請求項１に記載の回路基板アセンブリ。

【請求項4】

少なくとも１つの前記第２バインディングアセンブリにおける各第２導電ブロックと、それにバインディングして接続される第１導電ブロックとの前記第１方向における重なり幅は、前記第１導電ブロックの幅の３分の２以上である、
請求項１から請求項３のいずれかに記載の回路基板アセンブリ。

【請求項5】

前記第１回路基板は、少なくとも１つの第１仮想バインディングアセンブリをさらに含み、
前記少なくとも１つの第１仮想バインディングアセンブリと前記少なくとも１つの第１バインディングアセンブリは、前記第１方向において並列に配置され、前記少なくとも１つの第１仮想バインディングアセンブリと前記少なくとも１つの第１バインディングアセンブリは、前記第１方向に沿って、前記第１回路基板の一方側から前記第１回路基板の他方側まで、交互に配置され、
前記第１仮想バインディングアセンブリは、前記第１方向に沿って間隔を空けて順に配置された複数の第１仮想導電ブロックを含む、
請求項１から請求項４のいずれかに記載の回路基板アセンブリ。

【請求項6】

前記第１バインディングアセンブリにおける隣接する２つの前記第１導電ブロック間の中心距離は０．３ｍｍ～０．４ｍｍであり、
前記第２バインディングアセンブリにおける隣接する２つの前記第２導電ブロック間の中心距離は０．３ｍｍ～０．４ｍｍであり、
前記第１導電ブロックの幅は０．１８ｍｍ～０．２８ｍｍであり、及び／又は、
前記第２導電ブロックの幅は０．１５ｍｍ～０．２ｍｍである、
請求項１から請求項５のいずれかに記載の回路基板アセンブリ。

【請求項7】

前記第１回路基板の前記第１方向に沿った寸法は３５０ｍｍ以下であり、
前記第２回路基板の前記第１方向に沿った寸法は２００ｍｍ以下である、
請求項１から請求項６のいずれかに記載の回路基板アセンブリ。

【請求項8】

表示パネルと、
少なくとも１つの請求項１から請求項７のいずれかに記載の回路基板アセンブリであって、前記回路基板アセンブリにおける全ての第２回路基板は、前記表示パネルの同一の側にバインディングされている回路基板アセンブリと、
を含み、
前記表示パネルは、少なくとも１つの第３バインディングアセンブリを含み、前記第３バインディングアセンブリは、前記第１方向に沿って間隔を空けて順に配置された複数の第３導電ブロックを含み、
前記少なくとも１つの第２回路基板は、少なくとも１つの第４バインディングアセンブリをさらに含み、前記第４バインディングアセンブリは、間隔を空けて順に配置された複数の第４導電ブロックを含み、１つの前記第４バインディングアセンブリにおける複数の第４導電ブロックは、１つの前記第３バインディングアセンブリにおける複数の第３導電ブロックと１対１対応でバインディングして接続され、
少なくとも１つの前記第４バインディングアセンブリにおける各第４導電ブロックと、それにバインディングして接続される第３導電ブロックとの前記第１方向における重なり幅は、前記第３導電ブロックの幅の３分の２以上である、
表示モジュール。

【請求項9】

表示パネルと、
表示パネルの一方側に位置して表示パネルにバインディングされる回路基板アセンブリと、
を含み、
前記回路基板アセンブリは、
複数の第１バインディングアセンブリを含む第１回路基板であって、前記第１バインディングアセンブリは、第１方向に沿って順に間隔を空けて配置された複数の第１導電ブロックを含む第１回路基板と、
複数の第２回路基板であって、各々の前記第２回路基板は、少なくとも１つの第２バインディングアセンブリを含み、前記第２バインディングアセンブリは、間隔を空けて順に配置された複数の第２導電ブロックを含み、１つの前記第２バインディングアセンブリにおける複数の第２導電ブロックは、１つの前記第１バインディングアセンブリにおける複数の第１導電ブロックと１対１対応でバインディングして接続される複数の第２回路基板と、
を含み、
前記第１回路基板の膨張率は前記第２回路基板の膨張率よりも小さく、
同一の前記第２バインディングアセンブリにおいて、各第２導電ブロックは、それにバインディングして接続される第１導電ブロックと重なって設けられ、且つ前記第２バインディングアセンブリの中間位置に対応する第２導電ブロックの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．０５０％未満である、
表示モジュール。

【請求項10】

前記第２バインディングアセンブリの中間位置に対応する第２導電ブロックの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．０２８％未満である、
請求項９に記載の表示モジュール。

【請求項11】

前記第２バインディングアセンブリの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．１０２％未満である、
請求項９又は１０に記載の表示モジュール。

【請求項12】

前記第２バインディングアセンブリの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．０２８％未満である、
請求項９又は１０に記載の表示モジュール。

【請求項13】

前記第２回路基板は、
第１回路基板にバインディングして接続された第１端と、
表示パネルに接続された第２端と
を含み、
前記第１回路基板の二等分面から前記第１回路基板の境界に向かう方向に沿って、全ての前記第２回路基板における前記第１端の中点と前記第２端の中点との前記第１方向における偏差は、徐々に大きくなる、
請求項９から請求項１２のいずれかに記載の表示モジュール。

【請求項14】

同一の前記第２回路基板において、前記第１端の中点は、前記第２端の中点よりも前記第１回路基板の二等分面に近い、
請求項１３に記載の表示モジュール。

【請求項15】

前記表示パネルは少なくとも１つの第３バインディングアセンブリを含み、前記第３バインディングアセンブリは、前記第１方向に沿って間隔を空けて順に配置された複数の第３導電ブロックを含み、
前記少なくとも１つの第２回路基板は、少なくとも１つの第４バインディングアセンブリをさらに含み、前記第４バインディングアセンブリは、間隔を空けて順に配置された複数の第４導電ブロックを含み、１つの前記第４バインディングアセンブリにおける複数の第４導電ブロックは、１つの前記第３バインディングアセンブリにおける複数の第３導電ブロックと１対１対応でバインディングして接続され、
少なくとも１つの前記第４バインディングアセンブリにおける各第４導電ブロックと、それにバインディングして接続される第３導電ブロックとの前記第１方向における重なり幅は、前記第３導電ブロックの幅の３分の２以上である、
請求項９から請求項１４のいずれかに記載の表示モジュール。

【請求項16】

第２回路基板の単位温度における第２膨張率を取得するステップと、
前記第２膨張率に基づいて、第２予め収縮率を決定することにより、少なくとも１つの第２回路基板を製造するステップであって、前記少なくとも１つの第２回路基板は、少なくとも１つの第２バインディングアセンブリを含み、前記第２バインディングアセンブリは、間隔を空けて順に配置された複数の第２導電ブロックを含むステップと、
第１回路基板を提供するステップであって、前記第１回路基板は、少なくとも１つの第１バインディングアセンブリを含み、前記第１バインディングアセンブリは、第１方向に沿って間隔を空けて順に配置された複数の第１導電ブロックを含むステップと、
前記第１バインディングアセンブリを前記第２バインディングアセンブリと位置合わせするステップと、
前記第１バインディングアセンブリと前記第２バインディングアセンブリとの間に導電性接着剤を設けるステップと、
前記第１バインディングアセンブリと前記第２バインディングアセンブリとを予め設定された温度まで加熱した後、予め設定された圧力強度で前記第１バインディングアセンブリと前記第２バインディングアセンブリとを押圧することにより、１つの前記第２バインディングアセンブリにおける複数の第２導電ブロックを１つの前記第１バインディングアセンブリにおける複数の第１導電ブロックと１対１対応でバインディングして接続するステップであって、同一の前記第２バインディングアセンブリにおいて、各第２導電ブロックは、それにバインディングして接続される第１導電ブロックと重なって設けられ、且つ前記第２導電ブロックの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．１０２％未満であるステップと、
を含む、
表示モジュールの製造方法。

【請求項17】

前記した、第１回路基板を提供するステップは、
第１回路基板の単位温度における第１膨張率を取得するステップと、
前記第１膨張率に基づいて、第１予め収縮率を決定することにより、第１回路基板を製造するステップと、
を含み、
前記第２バインディングアセンブリの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．０３９％未満である、
請求項１６に記載の表示モジュールの製造方法。

【請求項18】

前記した、前記第１バインディングアセンブリを前記第２バインディングアセンブリと位置合わせするステップは、
前記第２バインディングアセンブリの二等分面を前記第１バインディングアセンブリの二等分面と位置合わせするステップを含む、
請求項１６又は請求項１７に記載の表示モジュールの製造方法。

【請求項19】

前記第１バインディングアセンブリは、少なくとも２つの第１位置合わせ構造をさらに含み、前記第２バインディングアセンブリは、少なくとも２つの第２位置合わせ構造をさらに含み、
前記した、前記第１バインディングアセンブリを前記第２バインディングアセンブリと位置合わせするステップは、
前記第２バインディングアセンブリにおける少なくとも２つの第２位置合わせ構造を、それぞれ前記第１バインディングアセンブリにおける少なくとも２つの第１位置合わせ構造と位置合わせするステップを含む、
請求項１６又は請求項１７に記載の表示モジュールの製造方法。

【請求項20】

第１回路基板の単位温度における第１膨張率を取得するステップと、
前記第１膨張率に基づいて、第１予め収縮率を決定することにより、第１回路基板を製造するステップであって、前記第１回路基板は、複数の第１バインディングアセンブリを含み、前記第１バインディングアセンブリは、第１方向に沿って間隔を空けて順に配置された複数の第１導電ブロックを含むステップと、
複数の第２回路基板を提供するステップであって、少なくとも１つの前記第２回路基板は、少なくとも１つの第２バインディングアセンブリを含み、前記第２バインディングアセンブリは、間隔を空けて順に配置された複数の第２導電ブロックを含むステップと、
前記第１バインディングアセンブリを前記第２バインディングアセンブリと位置合わせするステップと、
前記第１バインディングアセンブリと前記第２バインディングアセンブリとの間に導電性接着剤を設けるステップと、
前記第１バインディングアセンブリと前記第２バインディングアセンブリとを予め設定された温度まで加熱した後、予め設定された圧力強度で前記第１バインディングアセンブリと前記第２バインディングアセンブリとを押圧することにより、１つの前記第２バインディングアセンブリにおける複数の第２導電ブロックが、１つの前記第１バインディングアセンブリにおける複数の第１導電ブロックと１対１対応でバインディングして接続されるステップと、
を含み、
同一の前記第２バインディングアセンブリにおいて、各第２導電ブロックは、それにバインディングして接続される第１導電ブロックと重なって設けられ、且つ前記第２バインディングアセンブリの中間位置に対応する第２導電ブロックの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．０５０％未満である、
表示モジュールの製造方法。

【請求項21】

少なくとも１つの前記第２回路基板は、少なくとも１つの第４バインディングアセンブリを含み、前記第４バインディングアセンブリは、間隔を空けて順に配置された複数の第４導電ブロックを含み、
前記した、前記第１バインディングアセンブリを前記第２バインディングアセンブリと位置合わせするステップの前に、前記方法は、さらに、
表示パネルを提供するステップであって、前記表示パネルは、少なくとも１つの第３バインディングアセンブリを含み、前記第３バインディングアセンブリは、前記第１方向に沿って間隔を空けて順に配置された複数の第３導電ブロックを含むステップと、
前記第３バインディングアセンブリを前記第４バインディングアセンブリと位置合わせするステップと、
前記第３バインディングアセンブリと前記第４バインディングアセンブリとの間に導電性接着剤を設けるステップと、
前記第３バインディングアセンブリと前記第４バインディングアセンブリとを予め設定された温度まで加熱した後、予め設定された圧力で前記第３バインディングアセンブリと前記第４バインディングアセンブリとを押圧することにより、１つの前記第４バインディングアセンブリにおける複数の第４導電ブロックが、１つの前記第３バインディングアセンブリにおける複数の第３導電ブロックと１対１対応でバインディングして接続されるステップであって、少なくとも１つの前記第４バインディングアセンブリにおける各第４導電ブロックと、それにバインディングして接続される第３導電ブロックとの前記第１方向における重なり幅は、前記第３導電ブロックの幅の３分の２以上であるステップと、
を含む、
請求項２０に記載の表示モジュールの製造方法。

【請求項22】

前記予め設定された温度は１５０℃～２５０℃であり、前記予め設定された圧力は２０Ｎ～４０Ｎである、
請求項２１に記載の表示モジュールの製造方法。

【請求項23】

前記した、複数の第２回路基板を提供するステップは、
第２回路基板の単位温度における第２膨張率を取得するステップと、
前記第２膨張率に基づいて、第２予め収縮率を決定することにより、前記複数の第２回路基板を製造するステップと、
を含み、
前記第２バインディングアセンブリの中間位置に対応する第２導電ブロックの前記第１方向における重なり状態の変化率は０．０３９％未満である、
請求項２１又は請求項２２に記載の表示モジュールの製造方法。

【請求項24】

前記した、前記第１バインディングアセンブリを前記第２バインディングアセンブリと位置合わせするステップは、
中間位置に位置する前記第２バインディングアセンブリの二等分面を前記第１バインディングアセンブリの二等分面と位置合わせするステップを含む、
請求項２１から請求項２３のいずれかに記載の表示モジュールの製造方法。

【請求項25】

前記第１バインディングアセンブリは、少なくとも２つの第１位置合わせ構造をさらに含み、前記第２バインディングアセンブリは、少なくとも２つの第２位置合わせ構造をさらに含み、
前記した、前記第１バインディングアセンブリを前記第２バインディングアセンブリと位置合わせするステップは、
全ての前記第２位置合わせ構造における前記第１方向に沿って最も離れた２つの第２位置合わせ構造を、それぞれ対応する２つの第１位置合わせ構造と位置合わせするステップを含む、
請求項２１から請求項２３のいずれかに記載の表示モジュールの製造方法。

【手続補正2】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６７

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0067】

なお、同一の第２バインディングアセンブリ２１について、その重なり状態の変化率とは、単位長さでバインディング接続された第２導電ブロック２１１及び第１導電ブロック１１１上の同一の特徴点間の相対位置の変化量を意味する。すなわち、２つの第２導電ブロック２１１上の同一の位置の特徴点（すなわち、第１グループの特徴点）間の距離と、当該２つの第２導電ブロック２１１にそれぞれ対応する２つの第１導電ブロック１１１上の同一の位置の特徴点（すなわち、第２グループの特徴点）間の距離との差と、上記第１グループの特徴点間の距離の比は、当該第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率である。

【手続補正3】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６８

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0068】

図４Ａに示すように、第２グループの特徴点のうち、２つの特徴点の２つの第１導電ブロック２１１上における位置は、第２グループの特徴点のうち、２つの特徴点の２つの第１導電ブロック１１１上における位置に対応する。例えば、第１グループの特徴点のうち、２つの特徴点（Ｐ１、Ｐ１’）が、それぞれ２つの第２導電ブロック２１１の左側縁に位置する場合、第２グループの特徴点のうち、２つの特徴点（Ｑ１、Ｑ１’）も、それぞれ２つの第１導電ブロック１１１の左側縁に位置する。ここでの「左側縁」とは、図示方向において、対応する導電性ブロックの左側の境界を指すことが理解され得る。また、上記特徴点は、第２導電ブロック２１１上の任意の位置にあってもよく、当該左側縁に限定されず、例えば、導電ブロックの右側縁や導電ブロックの二等分面上に位置していてもよい。

【手続補正4】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００７４

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0074】

図４Ｂを参照すると、２つの第２導電ブロック２１１上の第１グループの特徴点間の第１方向Ｘにおける距離が、間隔を空けて配置された複数の第２導電ブロック２１１（例えば、第２バインディングアセンブリ２１における第２導電ブロック２１１の数の半分）のうちの２つの第２導電ブロック２１１上の第１グループの特徴点（すなわち、Ｐ１とＰ１’）間の第１方向Ｘにおける距離ｍ４とすると、２つの第１導電ブロック１１１上の第２特徴点間の第１方向Ｘにおける距離は、間隔を空けて配置された複数の第１導電ブロック１１１（例えば、第１バインディングアセンブリ１１における第１導電ブロック１１１の数の半分）のうちの２つの第１導電ブロック１１１上の第２グループの特徴点（すなわち、Ｑ１とＱ１’）間の第１方向Ｘにおける距離ｍ３である。この時、上記２つの第２導電ブロック２１１に対応する第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率ρは、下記式１で求められる。このように計算すると、第１回路基板１と第２回路基板２とがバインディングして接続される過程において、一部の領域に大きな歪みや変形が生じ、実測値（重なり状態の変化率）に大きな偏差が生じる問題を回避するのに有利である。他の実施例では、例えば、測定結果をより正確にするために、より多くの導電ブロックを間隔を空けて配置することができる。また、特徴点が位置する導電ブロックの選択については、例えば、最外側の導電ブロックの大きな歪みや変形に起因する大きな測定誤差の問題を回避するために、バインディングアセンブリにおける最外側の導電ブロック以外の導電ブロックを選択することができる。

【数2】

【手続補正5】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００７５

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0075】

重なり状態の変化率は、１つの第２回路基板２と１つの第１回路基板１との間のバインディング効果を反映しており、重なり状態の変化率の絶対値が小さいほど、第１回路基板１と第２回路基板２との間のバインディング効果が良好であることを示している。なお、重なり状態の変化率は、同一の回路基板２であれば、理論的には一定であるが、特徴点を選択する方式がプロセス上の理由により変動する可能性があり、例えば、２つのグループの特徴点のうちの１つのグループの特徴点に含まれる2つの特徴点の位置が、隣接または近接している場合、測定される重なり状態の変化率は、第１回路基板１と第２回路基板２とのバインディング効果を反映することができない。

【手続補正6】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００７６

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0076】

実際の応用では、同一の第２バインディングアセンブリ２１について、一般に、第２導電ブロック２１１の数は１５以上である。測定された重なり状態の変化率が正確であることを保証するために、第１グループの特徴点および第２グループの特徴点は、以下の方式で選択される。第１グループの特徴点として、第２バインディングアセンブリ２１上の左側に近い第２導電ブロック２１１と、右側に近い第２導電ブロック２１とを選択する。これに基づいて、第２グループの特徴点として、第１バインディングアセンブリ１１上の上記２つの第２導電ブロック２１１にバインディングして接続される２つの第１導電ブロック１１１を選択する。ここで、「左側に近い第２導電ブロック２１１」を選択するという用語は、最も左側の第２導電ブロック２１１の右側から４つの第２導電ブロック２１１を隔てる第２導電ブロック２１１を選択することを意味してもよい。「右側に近い第２導電ブロック２１１」を選択するという用語は、最も右側の第２導電ブロック２１１の左側から４つの第２導電ブロック２１１を隔てる第２導電ブロック２１を選択することを意味してもよい。このように特徴点を選択すると、境界上の導電ブロックが境界に近づきすぎると、重なり状態が急激に変化する可能性があるため、重なり状態の変化率の測定に影響を与えることを回避することができる。このように特徴点を選択すると、１つの第２バインディングアセンブリ２１と１つの第１バインディングアセンブリ１１とのバインディング効果を如実に反映した重なり状態変化率を得ることができる。

【手続補正7】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００７８

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0078】

例えば、第２回路基板２の単位温度における膨張率は、３／４３７５００であり、第１回路基板１の単位温度における膨張率は、１／４３７５００である。第２回路基板２が予め収縮されていない場合、当該第２回路基板２と第１回路基板１とをバインディングする過程において、その温度を常温（例えば、２５℃）から予め設定された温度（例えば、２５０℃）まで加熱する必要がある。この時、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．１０２％より大きい。その計算方法は下記式２を参照できる。

【数3】

【手続補正8】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００８３

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0083】

なお、幾つかの実現方法では、第２回路基板２の単位温度における膨張率は１／１７５０００であり、第１回路基板１の単位温度における膨張率は１／４３７５００である。第２回路基板２が予め収縮されていない場合、当該第２回路基板２と第１回路基板１とをバインディングする過程において、その温度を常温（例えば、２５℃）から予め設定された温度（例えば、２５０℃）まで加熱する必要がある。この時、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０５９％より大きい。その計算方法は下記式３を参照できる。

【数4】

【手続補正9】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００８９

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0089】

以上のことから、第２回路基板２が予め収縮されていない場合、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０３９％よりも大きいことが分かる。その計算方法は下記式４を参照できる。

【数5】

【手続補正10】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００９１

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0091】

幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０２８％未満である。
幾つかの実現方法では、第２回路基板２の単位温度における膨張率は約１／２１８７５０であり、第１回路基板１の単位温度における膨張率は１／４３７５００である。第２回路基板２が予め収縮されていない場合、当該第２回路基板２と第１回路基板１とをバインディングする過程において、その温度を常温（例えば、２５℃）から予め設定された温度（例えば、２５０℃）まで加熱する必要がある。この時、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０２８％より大きい。その計算方法は下記式５を参照できる。

【数6】

【手続補正11】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００９２

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0092】

本開示の幾つかの実施例で提供される回路基板アセンブリ１００では、少なくとも１つの回路基板は予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０２８％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをより効果的に向上させることができる。
幾つかの実施例では、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０１４％未満である。

【手続補正12】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００９３

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0093】

この時、本開示で提供される回路基板アセンブリ１００における少なくとも１つの回路基板は、予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０１４％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをより効果的に向上させることができる。

【手続補正13】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００９５

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0095】

この時、本開示で提供される回路基板アセンブリ１００における少なくとも１つの回路基板は、予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．００５％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをより効果的に向上させることができる。

【手続補正14】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１１６

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0116】

このように設計することにより、第２バインディングアセンブリ２１が第１バインディングアセンブリ１１にバインディングされた後、各グループの接続構造の圧力が均一になり、接続が確実になり、電気信号の伝送がより安定する。

【手続補正15】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１１９

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0119】

なお、幾つかの例では、第２回路基板２は少なくとも１つの第２仮想バインディングアセンブリを含んでもよい。当該少なくとも１つの第２仮想バインディングアセンブリと前記少なくとも１つの第２バインディングアセンブリ２１は、第１方向Ｘにおいて並列に配置される。少なくとも１つの第２仮想バインディングアセンブリと少なくとも１つの第２バインディングアセンブリ２１は、前記第１方向Ｘに沿って、第２回路基板２の一方側から第２回路基板２の他方側まで、交互に配置される。例示的に、第２回路基板２は１つの第２バインディングアセンブリ２１を含み、第２仮想ダミーバインディングアセンブリは１つのグループを設け、且つ第２バインディングアセンブリ２１の一方側に位置する。別の例では、第２回路基板２は１つの第２バインディングアセンブリ２１を含み、第２仮想バインディングアセンブリは２つのグループを設け、且つそれぞれ第２バインディングアセンブリ２１の両側に位置する。

【手続補正16】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１２４

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0124】

回路基板アセンブリ１００が、１つの第２バインディングアセンブリ２１及び１つの第１バインディングアセンブリ１１のみを含み、且つ当該１つの第１バインディングアセンブリ１１の二等分面と、それが位置する第１回路基板１の二等分面とが重なり合わない場合、図５Ｂに示すように、第２バインディングアセンブリ２１がその平面から両側に膨張し、第１バインディングアセンブリ１１もその平面から両側に膨張するので、第２バインディングアセンブリ２１を予め収縮し、且つ第１方向Ｘに沿って第１回路基板１の全体を予め収縮する（すなわち、第１回路基板１上の第１バインディングアセンブリ１１を予め収縮している）ことによって、第２バインディングアセンブリ２１の二等分面に最も近い第２導電ブロック２１１と、当該第２バインディングアセンブリ２１にバインディングして接続される第１導電ブロック１１１との第１方向Ｘにおける中心位置合わせ偏差は、０．０１ｍｍ以下になることを実現できる。

【手続補正17】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１４２

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0142】

幾つかの実施例では、図２を参照すると、第１バインディングアセンブリ１１は、少なくとも２つの第１位置合わせ構造１１２をさらに含む。例示的に、少なくとも１つの第１位置合わせ構造１１２は、第１バインディングアセンブリ１１の両端にそれぞれ設けられ、すなわち、少なくとも１つの第１位置合わせ構造１１２は、第１バインディングアセンブリ１１に対応する複数の第１導電ブロック１１１の両端にそれぞれ設けられる。例えば、引き続き図２を参照すると、上記の複数の第１導電ブロック１１１の両端にそれぞれ１つの第１位置合わせ構造１１２が設けられる。第１回路基板１に第１仮想バインディングアセンブリ１２がさらに設けられる場合、上記の複数の第１導電ブロック１１１は、１つの第１位置合わせ構造１１２によって１つの第１仮想バインディングアセンブリ１２から間隔を空けて配置される。

【手続補正18】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１４５

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0145】

第１バインディングアセンブリ１１の両端にはそれぞれ第１位置合わせ構造１１２が設けられ、当該第１バインディングアセンブリ１１に対応する第２バインディングアセンブリ２１の両端にもそれぞれ第２位置合わせ構造２１２が設けられる場合、第１バインディングアセンブリ１１と第２バインディングアセンブリ２１とをバインディングする過程において、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ－ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ、電荷結合素子）カメラなどの撮像装置を用いて、上記の隣接する２つの第２位置合わせ構造２１２及び上記の隣接する２つの第１位置合わせ構造１１２の位置を撮影し、隣接する２つの第２位置合わせ構造２１２の位置と隣接する２つの第１位置合わせ構造１１２の位置とを１対１対応で位置合わせする（例えば、第２位置合わせ構造２１２を、それに対応する第１位置合わせ構造１１２上の特徴位置に位置合わせする）。次に、第１バインディングアセンブリ１１及び第２バインディングアセンブリ２１を予め設定された温度まで加熱し、その後、予め設定された圧力強度で第１バインディングアセンブリ１１及び第２バインディングアセンブリ２１を押圧すればよい。加熱前、上記の隣接する２つの第２位置合わせ構造２１２間の距離は、隣接する２つの第１位置合わせ構造１１２間の距離と等しいが、加熱後、同じ条件下で第２バインディングアセンブリ２１の膨張率が大きいため、最終的には、隣接する２つの第１位置合わせ構造１１２間の距離は、対応する隣接する２つの第２位置合わせ構造２１２間の距離よりも小さい。幾つかの他の実施例では、第１バインディングアセンブリ１１及び第２バインディングアセンブリ２１が予め設定されたバインディング温度まで加熱される際に、第２位置合わせ構造２１２を、それに対応する第１位置合わせ構造１１２上の特徴位置と位置合わせすることにより、最終の隣接する２つの第１位置合わせ構造１１２間の距離が、対応する隣接する２つの第２位置合わせ構造２１２間の距離と等しいか、またはほぼ等しくなるようにする。

【手続補正19】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１４６

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0146】

図７Ａを参照すると、本開示の幾つかの実施例では、表示モジュール２００が提供される。当該表示モジュール２００は、表示パネル３と、上記実施例のいずれかに記載の少なくとも１つの回路基板アセンブリ１００とを含む。回路基板アセンブリ１００における全ての第２回路基板２は、表示パネル３の同一の側にバインディングされる。

【手続補正20】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１５１

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0151】

幾つかの例では、図９を参照すると、少なくとも１つの第４バインディングアセンブリ２２における各第４導電ブロック２２１と、それにバインディングして接続される第３導電ブロック３１１との第１方向Ｘにおける重なり幅ａ２は、第３導電ブロック３１１の幅ｄ３の３分の２以上であり、すなわち、下記式８のようなものである。このように設定することにより、同一のグループの接続構造における２つの導電ブロック（すなわち、第４導電ブロック２２１と、それにバインディングして接続される第３導電ブロック３１１）間の接触面積を大きくすることができ、よって、当該２つの導電ブロックとの間の電気的接続障害の問題が発生しにくくなる。また、同一のグループの接続構造における２つの導電ブロックの位置合わせが正確であるため、隣接する２つのグループの接続構造にそれぞれ位置し且つ第４バインディングアセンブリ２２と第３バインディングアセンブリ３１上にそれぞれ位置する２つの導電ブロック間で短絡が容易に発生することを改善できる。

【数9】

【手続補正21】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１５７

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0157】

幾つかの実施例では、第３導電ブロック３１１の幅ｄ３は、第４導電ブロック２２１の幅ｄ４の１．１～１．３倍である。第４導電ブロック２２１の幅ｄ４は、第４バインディングアセンブリ２２における隣接する２つの第４導電ブロック２２１間の中心距離ｃ２の０．５倍である。

【手続補正22】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１６２

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0162】

このように、第３バインディングアセンブリ３１が第４バインディングアセンブリ２２にバインディングされた後、同一のグループの接続構造における２つの導電ブロック（すなわち、第３導電ブロック３１１と、それに接続される第４導電ブロック２２１）の位置合わせがより正確になり、また、同一のグループの接続構造における２つの導電ブロックとの間の接触面積を増大させるのに寄与し、よって、当該２つの第４バインディングアセンブリ２２と第３バインディングアセンブリ３１間に電気的接続障害の問題を起こしにくくなる。

【手続補正23】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１６３

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0163】

幾つかの実施例では、図８Ａと図８Ｂを参照すると、第３バインディングアセンブリ３１は、少なくとも２つの第３位置合わせ構造３１２をさらに含む。図３を参照すると、第４バインディングアセンブリ２２は、少なくとも２つの第４位置合わせ構造２２２をさらに含む。隣接する２つの第３位置合わせ構造３１２間の距離は、対応する隣接する２つの第４位置合わせ構造２２２間の距離よりも小さい。第３位置合わせ構造３１２及び第４位置合わせ構造２２２の配置方式は、第１位置合わせ構造１１２及び第２位置合わせ構造２１２の配置方式を参照することができるが、ここでは繰り返さない。第３位置合わせ構造３１２及び第４位置合わせ構造２２２の設定により、位置合わせとバインディング過程において、第３バインディングアセンブリ３１及び第４バインディングアセンブリ２２の位置合わせを正確にすることが実現できる。

【手続補正24】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１６８

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0168】

第２バインディングアセンブリ２１における各第２導電ブロック２１１は、それにバインディングして接続される第１導電ブロック１１１と重なって設けられ、且つ第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は０．０５０％未満である。
第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率とは、単位長さを経た後、各第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に位置する第２導電ブロック２１１と、それにバインディング接続された第１導電ブロック１１１上の同一特徴点との間の相対位置変化量を意味する。前記相対位置変化量は、異なる第２バインディングアセンブリ２１の中間位置の第２導電ブロック２１１間で比較することにより得られる。例えば、各第２バインディングモジュール２１の中間位置の第２導電ブロック２１１と、それにバインディング接続された第１導電ブロック１１１上の同一位置の特徴点との相対距離差と、各第２バインディングモジュール２１の中間位置間の距離とを抽出し、重なり状態の変化率を得る。例えば、各第２バインディングアセンブリ２１の２つを任意に選択し、第１番目の第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に位置する第２導電ブロック２１１と、第２番目の第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に位置する第２導電ブロック２１１上の同一位置の特徴点間の第１方向Ｘにおける第１距離を測定し、前記第１番目の第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に位置する第２導電ブロック２１１にバインディング接続された第１導電ブロック１１１と、第２番目の第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に位置する第２導電ブロック２１１にバインディング接続された第１導電ブロック１１１上の同一特徴点間の第１方向Ｘにおける第２距離を測定し、第１距離と第２距離の違い、および計算に用いられる２つの第２バインディングアセンブリ２１の中間位置の距離に基づいて、重なり状態の変化率を得る。

【手続補正25】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１６９

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0169】

幾つかの例では、第２バインディングアセンブリ２１における第２導電ブロック２１１の数Ｒが奇数である場合、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１は、中間位置（すなわち、（Ｒ＋１）／２の位置）の第２導電ブロック２１１である。第２バインディングアセンブリ２１における第２導電ブロック２１１の数Ｒが偶数である場合、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１は、中央の２つの第２導電ブロック２１１のうち、第１回路基板１の二等分面から最も近い第２導電ブロック２１１である。第１回路基板１の二等分面からの距離が等しい第２導電ブロック２１１が、２つあれば、そのうちのいずれかの１つを選択できることが理解され得る。

【手続補正26】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１７１

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0171】

第２バインディングアセンブリ２１における第２導電ブロック２１１の数Ｒが奇数である場合、当該第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、中間位置に位置する第２導電ブロック２１１によって、計算されてもよい。
そして、第２バインディングアセンブリ２１における第２導電ブロック２１１の数Ｒが偶数である場合、当該第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、中央の２つの第２導電ブロック２１１のうち、第２バインディングアセンブリ２１の二等分面に最も近い方を選択することによって、計算されてもよい。上記２つの場合の計算方法について、いずれも上記の幾つかの実施例における第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率ρの計算方法を参照することができるので、ここでは繰り返さない。

【手続補正27】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１７８

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0178】

上記に基づいて、第１回路基板１が予め収縮されていない場合、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０３９％よりも大きい。
その計算方法は下記式１０を参照できる。

【数11】

【手続補正28】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１８１

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0181】

なお、幾つかの実現方法では、第２回路基板２の単位温度における膨張率は約１／２１８７５０であり、第１回路基板１の単位温度における膨張率は１／４３７５００である。
第１回路基板１が予め収縮されていない場合、当該第２回路基板２と第１回路基板１とをバインディングする過程において、その温度を常温（例えば、２５℃）から予め設定された温度（例えば、１５０℃）まで加熱する必要がある。この時、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は０．０２８％より大きい。その計算方法は下記式１１を参照できる。

【数12】

【手続補正29】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１８２

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0182】

本開示の幾つかの実施例で提供される表示モジュール２００’では、第１回路基板１は予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０２８％未満にすることができる。そのため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１と、それに対応する第１導電ブロック１１１とがより良好な位置合わせとバインディング状態となることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをさらに向上させることができる。

【手続補正30】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１８８

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0188】

図７Ｂを参照し、且つ図３と組み合わせて、第２回路基板２は、第１回路基板１にバインディングして接続される第１端Ｔ１と、表示パネル３に接続される第２端Ｔ２とを含む。

【手続補正31】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１９１

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0191】

幾つかの例では、図７Ｃを参照すると、第１回路基板１が１つ設けられ、第２回路基板２が４つ設けられ、且つ各々の第２回路基板２に１つの第２バインディングアセンブリ２１が設けられることを一例とする。当該４つの第２回路基板２は、いずれも表示パネル３にバインディングされているので、当該４つの第２回路基板２の第２端の中点Ｍ２の位置は、いずれも変化しない。当該４つの第２バインディングアセンブリ２１を第１回路基板１上の４つの第１バインディングアセンブリ１１とそれぞれバインディングする過程において、全てのバインディングアセンブリ上の導電ブロックは、いずれも予め設定された温度（例えば、１５０℃～２５０℃）で位置合わせとバインディングを完了する。第１回路基板１は、予め収縮されているので、加熱後、第１バインディングアセンブリ１１上の全ての第１導電ブロック１１１と、第２バインディングアセンブリ２１上の全ての第２導電ブロック２１１とがそれぞれ位置合わせを完了する。バインディングが完了した後、第１回路基板１は、冷却により収縮し、この時、第１回路基板１は、それに接続される第２回路基板２を第１回路基板１の二等分面に向かって引っ張る。また、二等分面から離れるほど、第２回路基板２における第１端の中点Ｍ１の収縮が顕著になる。したがって、第１回路基板１の二等分面から第１回路基板１の境界に向かう方向に沿って、全ての第２回路基板２における第１端の中点Ｍ１と第２端の中点Ｍ２との第１方向Ｘにおける偏差は、徐々に大きくなる。

【手続補正32】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２０１

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0201】

図９を参照すると、少なくとも１つの第４バインディングアセンブリ２２における各第４導電ブロック２２１と、これにバインディングして接続される第３導電ブロック３１１との第１方向Ｘにおける重なり幅ａ２は、第３導電ブロック３１１の幅ｄ３の３分の２以上であり、すなわち、下記式１２のようなものである。このように設定することにより、同一のグループの接続構造における２つの導電ブロック（すなわち、第４導電ブロック２２１と、それに接続される第３導電ブロック３１１）との間の接触面積を大きくすることができ、よって、当該２つの導電ブロック間に電気的接続障害の問題を起こしにくくなる。また、同一のグループの接続構造における２つの導電ブロックの位置合わせが正確であるため、隣接する２つのグループの接続構造にそれぞれ位置し且つ２つの回路基板上にそれぞれ位置する２つの第４バインディングアセンブリ２２と第３バインディングアセンブリ３１との間で短絡が容易に発生することを改善できる。

【数13】

【手続補正33】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２０３

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0203】

幾つかの実施例では、全ての第２回路基板２における１つ以上の第２回路基板２について、当該第２回路基板２の第２バインディングアセンブリ２１における各第２導電ブロック２１１と、それにバインディングして接続される第１導電ブロック１１１との第１方向Ｘにおける重なり幅ａ１は、前記第１導電ブロック１１１の幅ｄ１の３分の２以上である。

【手続補正34】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２０５

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0205】

幾つかの実施例では、回路基板アセンブリ１００が少なくとも１つの第２回路基板２を含み、当該少なくとも１つの第２回路基板が少なくとも２つの第２バインディングアセンブリ２１を含み、且つ１つの第１回路基板１が第１方向Ｘに沿って間隔を空けて順に配置された少なくとも２つの第１バインディングアセンブリ１１を含む場合、少なくとも２つの第２バインディングアセンブリ２１における各第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は等しい。すなわち、本実施例で提供される回路基板アセンブリ１００における第１回路基板１及び全ての第２回路基板２は、予め収縮されている。このように、各第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を等しくすることができ、この時、各第２バインディングアセンブリ２１における各々の第２導電ブロック２１１と第１導電ブロック１１１との重なりの変化傾向が同じであるので、第２バインディングアセンブリ２１と第１バインディングアセンブリ１１とのバインディング歩留まりを制御し、回路基板アセンブリ１００の製造歩留まりを向上させることに有利である。

【手続補正35】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２２４

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0224】

上記の回路基板アセンブリ１００では、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は０．１０２％未満である。すなわち、本開示で提供される回路基板アセンブリ１００における第２バインディングアセンブリ２１は、予め収縮されていて、つまり、本開示で提供される表示設備３００における第２バインディングアセンブリ２１及び第１バインディングアセンブリ１１のうちの少なくとも１つは、予め収縮されている。このように設計することにより、第２バインディングアセンブリの第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．１０２％未満にすることができ、よって、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも比較的に良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりを向上させることができる。

【手続補正36】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２２６

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0226】

本開示の幾つかの実施例で提供される表示設備３００では、少なくとも１つの回路基板は予め収縮されていて、且つ第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０５９％未満にすることができるため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをさらに向上させることができる。

【手続補正37】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２２８

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0228】

本開示の幾つかの実施例で提供される表示設備３００では、少なくとも１つの回路基板は予め収縮されていて、且つ第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０３９％未満にすることができるため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをさらに向上させることができる。

【手続補正38】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２３０

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0230】

本開示の幾つかの実施例で提供される表示設備３００では、少なくとも１つの回路基板は予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０２８％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをより効果的に向上させることができる。

【手続補正39】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２３２

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0232】

この時、本開示で提供される表示設備３００における回路基板アセンブリ１００における少なくとも１つの回路基板は、予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０１４％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをより効果的に向上させることができる。

【手続補正40】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２３４

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0234】

この時、本開示で提供される表示設備３００における回路基板アセンブリ１００における少なくとも１つの回路基板は、予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．００５％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをより効果的に向上させることができる。

【手続補正41】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２４０

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0240】

この例では、複数の第２回路基板２が設けられ、且つ複数の第２回路基板２がいずれも表示パネル３にバインディングされている場合、第２バインディングアセンブリ２１を第１バインディングアセンブリ１１にバインディングし、第２バインディングアセンブリ２１において、中間位置に位置する第２導電ブロック２１１の位置は変化しない。したがって、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０５０％未満であり、すなわち表示モジュール２００’における第１回路基板１は、予め収縮されている。
このように設計することにより、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０５０％未満にすることができ、よって、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１と、それに対応する第１導電ブロック１１１とが比較的に良好な位置合わせとバインディング状態となることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりを向上させることができる。

【手続補正42】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２４２

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0242】

本開示の幾つかの実施例で提供される表示設備３００では、第１回路基板１は、予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０３９％未満にすることができる。そのため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１と、それに対応する第１導電ブロック１１１とは、良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをさらに向上させることができる。

【手続補正43】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２４４

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0244】

本開示の幾つかの実施例で提供される表示設備３００では、第１回路基板１は予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０２８％未満にすることができる。そのため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１と、それに対応する第１導電ブロック１１１とがより良好な位置合わせとバインディング状態となることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをさらに向上させることができる。

【手続補正44】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２４６

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0246】

この時、本開示で提供される表示設備３００における第１回路基板１は、予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０１４％未満にすることができる。そのため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１と、それに対応する第１導電ブロック１１１とは、良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをさらに向上させることができる。

【手続補正45】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２４８

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0248】

この時、本開示で提供される表示設備３００における第１回路基板１は、予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．００５％未満にすることができる。そのため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１と、それに対応する第１導電ブロック１１１とは、より良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをより効果的に向上させることができる。

【手続補正46】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２５０

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0250】

上記の表示設備３００の回路基板アセンブリ１００では、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は０．１０２％未満である。例えば、本開示で提供される回路基板アセンブリ１００における第２バインディングアセンブリ２１と第１バインディングアセンブリ１１は、いずれも予め収縮されている。このように設計することにより、第２バインディングアセンブリの第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．１０２％未満にすることができ、よって、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも比較的に良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりを向上させることができる。

【手続補正47】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２５２

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0252】

本開示の幾つかの実施例で提供される表示設備３００では、第２バインディングアセンブリ２１及び第１バインディングアセンブリ１１はいずれも予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０５９％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをさらに向上させることができる。

【手続補正48】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２５４

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0254】

本開示の幾つかの実施例で提供される表示設備３００では、第２バインディングアセンブリ２１及び第１バインディングアセンブリ１１はいずれも予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０３９％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれもより良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをさらに向上させることができる。

【手続補正49】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２５６

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0256】

本開示の幾つかの実施例で提供される表示設備３００では、第２バインディングアセンブリ２１及び第１バインディングアセンブリ１１はいずれも予め収縮されているため、且つ第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０２８％未満にすることができるため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをより効果的に向上させることができる。

【手続補正50】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２５８

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0258】

この時、本開示で提供される表示設備３００の回路基板アセンブリ１００は、予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０１４％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをより効果的に向上させることができる。

【手続補正51】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２６０

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0260】

この時、本開示で提供される表示設備３００の回路基板アセンブリ１００は、予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．００５％未満にすることができるため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをより効果的に向上させることができる。

【手続補正52】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２６７

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0267】

第１方向Ｘにおいて、予め収縮後の第２バインディングアセンブリ２１の長さ＝予め収縮前の第２バインディングアセンブリ２１の長さ×（１－第２予め収縮率）。

【手続補正53】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２７１

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0271】

Ｓ６０：第１バインディングアセンブリ１１と第２バインディングアセンブリ２１とを予め設定された温度まで加熱した後、予め設定された圧力強度で第１バインディングアセンブリ１１と第２バインディングアセンブリ２１とを押圧することにより、１つの第２バインディングアセンブリ２１における複数の第２導電ブロック２１１を１つの第１バインディングアセンブリ１１における複数の第１導電ブロック１１１と１対１対応でバインディングして接続される。ここで、同一の第２バインディングアセンブリ２１において、各第２導電ブロック２１１は、それにバインディングして接続される第１導電ブロック１１１と重なって設けられ、且つ第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は０．１０２％未満である。

【手続補正54】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２７２

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0272】

上記の本開示の幾つかの実施例で提供される製造方法により製造される表示モジュール２００では、第２バインディングアセンブリ２１は、予め収縮されている（例えば、１つの第１回路基板と１つの第２回路基板とを含み、且つ第１回路基板の二等分面が第２回路基板の二等分面と重なり合う場合、第２回路基板における少なくとも膨張率が大きい方の第２バインディングアセンブリ２１は、予め収縮されている。また例えば、１つの第１回路基板と少なくとも２つの第２回路基板を含み、且つ少なくとも１つの第２回路基板の二等分面が第１回路基板の二等分面と重なり合わない場合、当該少なくとも１つの第２回路基板における各第２バインディングアセンブリ２１と第１回路基板上の第１バインディングアセンブリ１１は、いずれも予め収縮されている）ため、第２バインディングアセンブリの第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．１０２％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも比較的に良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては第１回路基板１と第２回路基板２との間のバインディング歩留まりを向上させることができる。

【手続補正55】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２７４

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0274】

本開示の幾つかの実施例で提供される表示モジュール２００では、少なくとも１つの回路基板は予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０５９％未満にすることができる。そのため、各グループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをさらに向上させることができる。

【手続補正56】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２７９

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0279】

第１方向Ｘにおいて、予め収縮後の第１バインディングアセンブリ１１の長さ＝予め収縮前の第１バインディングアセンブリ１１の長さ×（１－第１予め収縮率）。

【手続補正57】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２８７

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0287】

本開示の幾つかの実施例で提供される表示モジュール２００では、少なくとも１つの回路基板は予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０２８％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをより効果的に向上させることができる。

【手続補正58】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２９１

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0291】

この時、本開示で提供される表示モジュール２００の回路基板アセンブリ１００における少なくとも１つの回路基板は、予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．００５％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをより効果的に向上させることができる。

【手続補正59】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０３０２

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0302】

Ｓ２０’：第１膨張率に基づいて、第１予め収縮率を決定することにより、第１回路基板１を製造する。ここで、第１回路基板１は複数の第１バインディングアセンブリ１１を含み、第１バインディングアセンブリ１１は第１方向Ｘに沿って間隔を空けて順に配置された複数の第１導電ブロック１１１を含む。

【手続補正60】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０３０４

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0304】

第１方向Ｘにおいて、予め収縮後の第１バインディングアセンブリ１１の長さ＝予め収縮前の第１バインディングアセンブリ１１の長さ×（１－第１予め収縮率）。

【手続補正61】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０３０５

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0305】

Ｓ３０’：複数の第２回路基板２を提供する。少なくとも１つの第２回路基板２は、少なくとも１つの第２バインディングアセンブリ２１を含み、第２バインディングアセンブリ２１は、間隔を空けて順に配置された複数の第２導電ブロック２１１を含む。

【手続補正62】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０３０９

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0309】

本開示の幾つかの実施例で提供される製造方法により製造される表示モジュール２００’では、第１回路基板１は予め収縮されている。このように設計することにより、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０５０％未満にすることができ、よって、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１と、それに対応する第１導電ブロック１１１とが比較的に良好な位置合わせとバインディング状態となることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりを向上させることができる。

【手続補正63】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０３１６

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0316】

Ｓ３１４’：第３バインディングアセンブリ３１と第４バインディングアセンブリ２２を予め設定された温度まで加熱した後、予め設定された圧力で第３バインディングアセンブリ３１と第４バインディングアセンブリ２２とを押圧するこれにより、１つの第４バインディングアセンブリ２２における複数の第４導電ブロック２２１が、１つの第３バインディングアセンブリ３１における複数の第３導電ブロック３１１と１対１対応でバインディングして接続される。ここで、少なくとも１つの第４バインディングアセンブリ２２における各第４導電ブロック２２１と、それにバインディングして接続される第３導電ブロック３１１との第１方向Ｘにおける重なり幅は、第３導電ブロック３１１の幅の３分の２以上である。

【手続補正64】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０３１７

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0317】

このように設定することにより、バインディングと位置合わせの後の第３導電ブロック３１１と第４導電ブロック２２１との第１方向Ｘにおける重なり幅が、前記第３導電ブロック３１１の幅の３分の２以上であることをより確実に保証することができ、よって、２つの導電ブロック間に、電気的接続障害の問題が容易に発生しない。また、同一のグループの接続構造における２つの導電ブロックの位置合わせが正確であるため、隣接する２つのグループの接続構造にそれぞれ位置し且つ第４バインディングアセンブリ２２と第３バインディングアセンブリ３１上にそれぞれ位置する２つの導電ブロック間で短絡が容易に発生することを改善できる。

【手続補正65】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０３１８

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0318】

以上により、本開示の幾つかの実施例で提供される製造方法により製造される表示モジュール２００’では、複数の第２回路基板２が設けられ、且つ複数の第２回路基板２がいずれも表示パネル３にバインディングされている。この時、第２バインディングアセンブリ２１を第１バインディングアセンブリ１１とバインディングし、第２バインディングアセンブリ２１において、中間位置に位置する第２導電ブロック２１１の位置は変化しない。したがって、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は、０．０５０％未満であり、すなわち、表示モジュール２００’における第１回路基板１は、予め収縮されている。このように設計することにより、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０５０％未満にすることができ、よって、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１と、それに対応する第１導電ブロック１１１とが比較的に良好な位置合わせとバインディング状態となることができ、ひいては第１回路基板１と第２回路基板２との間のバインディング歩留まりを向上させることができる。

【手続補正66】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０３２３

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0323】

本開示の幾つかの実施例で提供される表示モジュール２００’では、第１回路基板１は予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０２８％未満にすることができる。そのため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１と、それに対応する第１導電ブロック１１１とがより良好な位置合わせとバインディング状態となることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをさらに向上させることができる。

【手続補正67】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０３２７

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0327】

この時、表示モジュール２００’における第１回路基板１は、予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．００５％未満にすることができる。そのため、第２バインディングアセンブリ２１の中間位置に対応する第２導電ブロック２１１と、それに対応する第１導電ブロック１１１とは、より良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをより効果的に向上させることができる。

【手続補正68】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０３２８

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0328】

幾つかの実施例では、Ｓ３０’における複数の第２回路基板２を提供するステップは、Ｓ３０１’～Ｓ３０２’を含む。

【手続補正69】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０３３０

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0330】

Ｓ３０２’：第２膨張率に基づいて、第２予め収縮率を決定することにより、複数の第２回路基板２を製造する。

【手続補正70】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０３３２

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0332】

第１方向Ｘにおいて、予め収縮後の第２バインディングアセンブリ２１の長さ＝予め収縮前の第２バインディングアセンブリ２１の長さ×（１－第２予め収縮率）。

【手続補正71】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０３３４

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0334】

上記の表示モジュール２００’では、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率は０．１０２％未満である。例えば、表示モジュール２００’の第２バインディングアセンブリ２１及び第１バインディングアセンブリ１１は、いずれも予め収縮されている。このように設計することにより、第２バインディングアセンブリの第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．１０２％未満にすることができ、よって、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも比較的に良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりを向上させることができる。

【手続補正72】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０３３６

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0336】

本開示の幾つかの実施例で提供される表示モジュール２００’では、例えば、表示モジュール２００’の第２バインディングアセンブリ２１及び第１バインディングアセンブリ１１は、いずれも予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０５９％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをさらに向上させることができる。

【手続補正73】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０３３８

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0338】

本開示の幾つかの実施例で提供される表示モジュール２００’では、例えば、表示モジュール２００’の第２バインディングアセンブリ２１及び第１バインディングアセンブリ１１は、いずれも予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０３９％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれもより良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをさらに向上させることができる。

【手続補正74】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０３４０

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0340】

本開示の幾つかの実施例で提供される表示モジュール２００’では、例えば、表示モジュール２００’の第２バインディングアセンブリ２１及び第１バインディングアセンブリ１１は、いずれも予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０２８％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをより効果的に向上させることができる。

【手続補正75】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０３４２

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0342】

例えば、、本開示で提供される表示モジュール２００’における回路基板アセンブリ１００における第２バインディングアセンブリ２１及び第１バインディングアセンブリ１１は、いずれも予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．０１４％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをより効果的に向上させることができる。

【手続補正76】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０３４４

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0344】

例えば、本開示で提供される表示モジュール２００’における回路基板アセンブリ１００における第２バインディングアセンブリ２１及び第１バインディングアセンブリ１１は、いずれも予め収縮されているため、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．００５％未満にすることができる。そのため、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりをより効果的に向上させることができる。

【手続補正77】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０３５４

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0354】

したがって、本願の上記の幾つかの実施例で提供される表示モジュール２００’では、第２バインディングアセンブリ２１は、予め収縮されている（例えば、１つの第１回路基板と１つの第２回路基板とを含み、且つ第１回路基板の二等分面が第２回路基板の二等分面と重なり合う場合、第２回路基板における少なくとも膨張率が大きい方の第２バインディングアセンブリ２１は、予め収縮されている。また例えば、１つの第１回路基板と少なくとも２つの第２回路基板を含み、且つ少なくとも１つの第２回路基板の二等分面が第１回路基板の二等分面と重なり合わない場合、当該少なくとも１つの第２回路基板における各第２バインディングアセンブリ２１と第１回路基板上の第１バインディングアセンブリ１１は、いずれも予め収縮されている）。このように設計することにより、第２バインディングアセンブリ２１の第１方向Ｘにおける重なり状態の変化率を０．１０２％未満にすることができ、よって、各々のグループの接続構造における２つの導電ブロックは、いずれも比較的に良好な位置合わせとバインディング状態になることができ、ひいては回路基板アセンブリ１００のバインディング歩留まりを向上させることができる。

【国際調査報告】