(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-09-27
(54)【発明の名称】伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体
(51)【国際特許分類】
H05K 1/09 20060101AFI20240919BHJP
H05K 1/02 20060101ALI20240919BHJP
H01L 23/12 20060101ALI20240919BHJP
【ＦＩ】
H05K1/09 A
H05K1/02 B
H05K1/02 J
H01L23/12 F
H01L23/12 Q
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024509083
(86)(22)【出願日】2022-08-15
(85)【翻訳文提出日】2024-04-10
(86)【国際出願番号】 US2022074964
(87)【国際公開番号】W WO2023023482
(87)【国際公開日】2023-02-23
(31)【優先権主張番号】63/233,689
(32)【優先日】2021-08-16
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】63/261,266
(32)【優先日】2021-09-16
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】521075321
【氏名又は名称】リキッド ワイヤ インコーポレイテッド
【氏名又は名称原語表記】ＬＩＱＵＩＤ ＷＩＲＥ ＩＮＣ．
(74)【代理人】
【識別番号】100137095
【弁理士】
【氏名又は名称】江部 武史
(74)【代理人】
【識別番号】100091627
【弁理士】
【氏名又は名称】朝比 一夫
(72)【発明者】
【氏名】リビエラ， トレバー アントニオ
(72)【発明者】
【氏名】ホプキンス， マイケル アドベンチャー
(72)【発明者】
【氏名】キンゼル， チャールズ ジェイ．
(72)【発明者】
【氏名】ローナイ， マーク ウィリアム
【テーマコード（参考）】
4E351
5E338
【Ｆターム（参考）】
4E351AA04
4E351AA16
4E351BB50
4E351CC14
4E351DD04
4E351DD10
4E351DD12
4E351GG20
5E338AA01
5E338AA16
5E338BB04
5E338BB75
5E338CC04
5E338CC07
5E338CD13
5E338EE27
(57)【要約】
装置は、金属層１０２と、金属層の少なくとも一部と重なるように構成された流体相導体２０２と、流体相導体を含むビアまたはチャネルを有するステンシル層２０４と、装置内に流体相導体を封入するように構成された封入層２０６とを含む。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
金属パターンを含む金属層と、前記金属層の前記金属パターンの少なくとも第１の部分に重なるように構成された流体相導体と、
前記金属層上に配置された第１の封入層と、を含む装置であって、
前記第１の封入層は、前記流体相導体で充填された１つまたは複数のビアを有し、前記装置内に前記流体相導体を封入するように構成されていることを特徴とする装置。
【請求項2】
第２の封入層をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項3】
前記第１の封入層内の前記複数のビアのうちの少なくとも１つを介して前記第１の封入層に電気通信を提供するように構成されたステンシル層をさらに含む、請求項２に記載の装置。
【請求項4】
前記流体相導体を含むスロットの第２のパターンを備える第２のステンシル層をさらに含む、請求項３に記載の装置。
【請求項5】
前記第２のステンシル層は、前記第２の封入層に接着される、請求項４に記載の装置。
【請求項6】
前記第２の封入層は、前記第１のステンシル層に接着される、請求項３に記載の装置。
【請求項7】
前記金属層に結合された電子部品をさらに含む、請求項３に記載の装置。
【請求項8】
前記電子部品を支持するように構成された別個の補強セグメントをさらに含む、請求項７に記載の装置。
【請求項9】
前記別個の補強セグメントは、２つの層の間に挿入される、請求項８に記載の装置。
【請求項10】
前記別個の補強セグメントにより、前記装置は、前記電子部品の長さの２倍よりも大きい曲げ半径を有する、請求項８に記載の装置。
【請求項11】
前記別個の補強セグメントは、テキスタイルセグメントである請求項８に記載の装置。
【請求項12】
前記別個の補強セグメントは、ポリマーフィルムのセグメントである請求項１１に記載の装置。
【請求項13】
前記ポリマーフィルムは、ポリイミドフィルムである請求項１２に記載の装置。
【請求項14】
金属層と、前記金属層に結合された基板層と、
前記金属層および前記基板層に濡れた流体相導体と、
前記金属層および前記流体相導体を封入する封入層と、を含むことを特徴とする装置。
【請求項15】
流体相導体を含むステンシル層をさらに含み、前記封入層は、前記ステンシル層に結合される、請求項１４に記載の装置。
【請求項16】
前記金属層が第１の金属層であり、前記基板層が第１の基板層であり、前記金属層および前記基板層が第１のセグメントを形成し、第２の基板層を含む第２のセグメントと、
第３の基板層を含む第３のセグメントと、前記流体相導体は前記金属層および前記第３の基板層に濡れ、
前記金属層および前記第３の基板層を封入する第３の封入層と、をさらに含み、
前記第２のセグメントは、前記第３のセグメントの少なくとも一部に電気的に結合される、請求項１４に記載の装置。
【請求項17】
前記第２の金属層に電気的に結合された電子部品をさらに含む、請求項１６に記載の装置。
【請求項18】
前記金属層が第１の金属層であり、前記基板層が第１の基板層であり、前記金属層および前記基板層が第１のセグメントを形成し、第２の基板層を含む第２のセグメントと、
所定の電流伝導率を有する前記流体相導体を含む第３のセグメントと、をさらに含む、請求項１４に記載の装置。
【請求項19】
前記第２の金属層に電気的に結合された電子部品をさらに含む、請求項１８に記載の装置。
【請求項20】
前記電子部品は、外部装置への端子、集積回路、チップ、抵抗器、コンデンサ、またはインダクタからなる群から選択される、請求項１９に記載の装置。
【請求項21】
前記電子部品は、集積回路（ＩＣ）である請求項１９に記載の装置。
【請求項22】
前記電子部品は、前記第２の金属層に機械的に結合された第１の電子部品であり、前記封入層に機械的に結合された第２の電子部品をさらに含み、
前記第２の電子部品は、前記第１の電子部品よりも大きい物理的サイズ係数を有する、請求項１７に記載の装置。
【請求項23】
前記物理的サイズ係数は、ＳＭＴパッケージ規格に対応する、請求項２２に記載の装置。
【請求項24】
前記物理的サイズ係数は、少なくとも０６０３ＳＭＴパッケージサイズである請求項２２に記載の装置。
【請求項25】
前記流体相導体は、１．５アンペア以下の最大電流を有する、請求項１６に記載の装置。
【請求項26】
前記流体相導体の前記最大電流は、１．０アンペア以下である請求項２５に記載の装置。
【請求項27】
前記金属層は、前記流体相導体の最大電流よりも大きい最大電流を有する、請求項１６に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
（優先権出願）
本出願は２０２１年８月１６日に出願された米国仮特許出願第６３／２３３，６８９号および２０２１年９月１６日に出願された米国仮特許出願第６３／２６１，２６６号に対する優先権の利益を主張するものであり、その両方の内容は、参照により、それらの全体が本明細書に組み込まれる。
本出願は２０２１年８月１６日に出願された米国仮特許出願第６３／２３３，６８９号および２０２１年９月１６日に出願された米国仮特許出願第６３／２６１，２６６号に対する優先権の利益を主張するものであり、その両方の内容は、参照により、それらの全体が本明細書に組み込まれる。
【図面の簡単な説明】
【0002】
任意の特定の要素または動作の説明を容易に識別するために、参照番号における最上位の１つまたは複数の桁は、その要素が最初に導入された図番号を指す。
【0003】
【0004】
【0005】
【0006】
【0007】
【0008】
【0009】
【0010】
【発明の概要】
【0011】
［発明を実施するための形態］
例示的な方法およびシステムは、伸縮性および可撓性の金属フィルム（stretchable and flexible metal film）のシステム、回路、ならびに前記システムおよび／または回路を製造する方法を対象とする。実施例は、可能な変形例を単に代表するものである。特に明記しない限り、構成要素および機能はオプションであり、組み合わされてもよく、または細分化されてもよく、操作は、順序が変わってもよく、または組み合わされてもよく、または細分化されてもよい。以下の説明では、説明の目的で、例示的な実施形態の完全な理解を提供するために、多数の具体的な詳細が記載される。しかしながら、本主題がこれらの具体的な詳細なしに実施され得ることは、当業者には明らかであろう。
例示的な方法およびシステムは、伸縮性および可撓性の金属フィルム（stretchable and flexible metal film）のシステム、回路、ならびに前記システムおよび／または回路を製造する方法を対象とする。実施例は、可能な変形例を単に代表するものである。特に明記しない限り、構成要素および機能はオプションであり、組み合わされてもよく、または細分化されてもよく、操作は、順序が変わってもよく、または組み合わされてもよく、または細分化されてもよい。以下の説明では、説明の目的で、例示的な実施形態の完全な理解を提供するために、多数の具体的な詳細が記載される。しかしながら、本主題がこれらの具体的な詳細なしに実施され得ることは、当業者には明らかであろう。
【0012】
様々な構成要素間の電気的接続を提供するために、様々な構成要素を有する様々なシステムに適合させることができる、伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体が開発されている。伸縮性および可撓性の金属フィルムは、導電性ゲルの包含（inclusion of conductive gel）を提供し、これは、様々な構成要素間のさらなる電気的接続を提供し、さらに可撓性および伸縮性を改善する。伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体はまた、本明細書に開示されるように、ステンシル・イン・プレース構造の包含（inclusion of stencil-in-place structures）を容易にする。伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体を使用して形成することができる様々なシステムは、テキスタイルシステム（textile systems）に容易に組み込むことができる。
【0013】
伸縮性基板層は、伸縮および屈曲するように構成され、金属フィルムまたは金属箔を有する領域は一般に、伸縮および／または屈曲しない。金属がエッチングされるとき、構造体は、（例えば、伸縮性基板層を介して）伸縮する部分と、伸縮しない部分（例えば、金属フィルム／金属箔）とを備える。この構成は、様々な目的（例えば、ウェアラブル物品）に望ましい柔軟性および適合性を有する構造体を可能にする。
【0014】
さらに、構造体は、１つ以上の層中、１つ以上の層上、または１つ以上の層内に埋め込まれた１つ以上の電子部品を備えてもよい。いくつかの実施形態では、電子部品が表面実装技術（ＳＭＴ）タイプまたは表面実装デバイス（ＳＭＤ）タイプの構成要素であり、コネクタは伸縮性および可撓性のフィルム構造体の表面上に面一に配置される。いくつかの実施形態では、電子部品は、パッケージタイプ６０３の標準表面実装技術（ＳＭＴ）であり、これは、長さ０．０６インチ、幅０．０３インチを有し、～５００ミクロンのランディングパッド（landing pad）を利用する。構造体はまた、より大きいサイズの構成要素を備えてもよい。前記より大きいサイズの構成要素のビアおよび／または接点パッド（contact pads）間の距離（別名「ウェビング（webbing）」と呼ばれる）は、１００～２５０ミクロンの間の距離で離間される。いくつかの実施形態では、電子部品は、５０～１００ミクロンの間のウェビングを有するプラスチック極薄クワッドフラットノーリード（ＰＶＱＦＮ）６４ピンパッケージタイプである。いくつかの他の実施形態では、電子部品は、ＳＯＩＣ－８パッケージタイプを含む小型アウトライン集積回路（ＳＯＩＣ）である。
【0015】
様々なサイズの複数の他の電子部品もまた、構造体内に組み込まれ得る。電子部品は、別のタイプ、例えば、任意選択的に、金属層を介して延在し、および／またはビア（図示せず）内に貫通するコネクタを有する貫通孔タイプの構成要素であってもよく、または何らかの他の構成要素タイプもしくは構成であってもよい。本明細書に記載される特定のパッケージタイプおよびサイズは一例であり、他のパッケージタイプおよびサイズが存在し、本開示に従って使用され得ることが理解される。このような電子部品の実装方法も、構成要素の種類によって異なる場合がある。
【0016】
以下に記載される実施形態および実施例の詳細は、例示の目的のためのものである。図面は、必ずしも一定の縮尺で示されていない。本発明の原理は、これらの実施形態および詳細に限定されない。
【0017】
図１は、いくつかの実施形態による、伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体１００の一例である。伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体１００は、金属層１０２および伸縮性基板層１０４を備える。いくつかの実施形態では、金属層１０２は、伸縮性基板層１０４に結合された連続金属層を形成する。いくつかの実施形態では、金属層１０２は、金属箔の形態で伸縮性基板層１０４に結合された金属トレースを形成する。金属トレースは、電子部品のための電気トレース、ビア、およびパッドを形成するようにパターン化される。金属層１０２は、伸縮性基板層１０４上に結合されるか、または他の方法で取り付けられ得る（例えば、伸縮性基板層１０４に堆積されるか、接着されるか、または他の方法で固定される）。金属層１０２は、いくつかの実施形態では無酸素銅（oxygen-free copper）から構成され得る。
【0018】
いくつかの実施形態では、伸縮性基板層１０４は、他の好適な化合物または材料の中でも、Ｂステージ樹脂フィルム、Ｃステージ樹脂フィルム、接着剤、熱可塑性ポリウレタン（ＴＰＵ）、および／またはシリコーンのうちの１つから形成され得る。
【0019】
図１には２つの層が示されているが、この実施例および本明細書の様々な実施例では、伸縮性フィルム構造体、または伸縮性フィルム構造体の原理に従って形成された他の構造体を組み込んでいるが、層の数は、所望に応じて（例えば、金属層（例えば、金属層１０２）を分離する伸縮性基板層１０４の交互のパターンに応じて）、増やすことができることが理解される。
【0020】
本明細書の実施例は、所望に応じて異なる方法で構成され得る様々な他の追加の層の中でも、複数の金属層、複数の伸縮性基板層を組み込んでもよい。
【0021】
伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体１００は、金属層１０２を利用して、電源、外部プロセッサ、制御回路、ならびに様々な別個の電気部品および／または電子部品など、より大きなシステムの外部構成要素に、または外部構成要素と電気的に結合し得る。
【0022】
一例では、伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体１００は、図示されるように、金属層１０２が配置される主表面とは反対側の基板層１０４の第２の主表面上の第２の金属であってもよく、またはその第２の金属を含んでもよい。基板層１０４の詳細は米国特許出願公開第２０２０／０３８１３４９号、「異種材料間の連続的な相互接続（CONTINUOUS INTERCONNECTS BETWEEN HETEROGENEOUS MATERIALS）」、Ronay et al.に開示されており、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。様々な実施例では、伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体１００は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる、特許協力条約出願ＰＣＴ／ＪＰ２０１７／０４５９８９、「金属箔を有する伸縮性部材（STRETCHABLE MEMBER WITH METAL FOIL）」、Tangyii et al.に開示される構造体もしくは任意の適切な代替物であってもよく、それを備えてもよい。
【0023】
図２Ａ～図２Ｂは、伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体２００の断面図および底面斜視図の例である。いくつかの実施形態では、伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体２００は、伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体１００の発展型（extension）であってもよく、様々な追加の構成要素を含んでもよい。
【0024】
伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体２００は伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体１００に示される構成要素に加えて、ステンシル層（stencil layer）２０４と、ステンシル層２０４とを含み、これらは一緒になってステンシル・イン・プレース構造５０６（図５）を形成する。さらに、伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体２００は、金属ゲル２０２を含む。
【0025】
【0026】
ステンシル層２０４は、層全体にわたって１つ以上のビアまたはチャネルを形成し、導電性ゲル（例えば、金属ゲル２０２）を含むいくつかのステンシル層のうちの１つであってもよい。いくつかの実施形態では、金属ゲル２０２は、ステンシル層２０４の１つ以上のビアおよび／またはチャネルを充填する。
【0027】
封入層（encapsulation layer）２０６は、伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体２００の構成要素および／または１つ以上の層を封入するように構成された封入材および／または封入層であってもよい。いくつかの実施形態では、ステンシル層２０４が、金属層１０２を封入し、金属層１０２を他の層および／または環境条件から隔離（isolate）するように構成される。いくつかの実施形態では、ステンシル層２０４は、ＴＰＵ、Ｂステージ樹脂または熱硬化性フィルム、Ｃステージ樹脂または熱硬化性フィルム、概して熱硬化性樹脂、概してエラストマー、または任意の他の適切な封入材料から作製される。
【0028】
いくつかの実施形態では、ステンシル層２０４、金属ゲルおよび封入層２０６の組合せは、本明細書ではステンシル・イン・プレース構造（例えば、ステンシル・イン・プレース構造５０６、図５）と呼ばれる。
【0029】
金属ゲル２０２は、構造体内の様々な構成要素の間の電気的接続を提供するように、伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体１００または２００の層上または層内に挿入された導電性ゲルまたは他の流体相導体（fluid phase conductor）であってもよく、構造体の可撓性および伸縮性の向上を促進する。
【0030】
図２Ｂは、いくつかの実施形態による、伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体２００の底面斜視図である。図示されるように、金属層１０２、伸縮性基板１０４、ステンシル層２０４は、サンドイッチ状の層に一緒に構成され、接着される。いくつかの実施形態では、ステンシル層２０４は、金属ゲル２０２で充填された１つ以上のチャネルを備える。いくつかの実施形態では、金属層１０２は、伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体２００の接地面（ground plane）として機能するように構成される。いくつかの実施形態では、金属層１０２は、回路の接地端子（ground terminal）に結合される。図５に関してより詳細に説明されるように、伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体２００は、より大きなシステムの構成要素であってもよい。
【0031】
【0032】
図３Ａは、電子部品３０２を含む伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体３００の一部の断面図である。図示のように、電子部品３０２は、金属層１０２に結合される。金属層１０２は、金属であり、電子部品３０２からステンシル層２０４の金属ゲル２０２を介して電気的結合を提供する。電子部品３０２は、金属層１０２上に取り付けられ、それに電気的に結合され得る。いくつかの実施形態では、ステンシル層２０４が金属ゲル２０２のための封入材として作用する。任意選択的に、または追加的に、電子部品３０２は、基板層１０４への接着（adhesion）によって、例えば、基板層１０４の接着剤（adhesive）および／または接着特性（adhesive characteristic）を使用して、構造体３００に取り付けられてもよい。
【0033】
金属層１０２は電子部品３０２の左側にのみラベル付けされているが、金属層１０２と電子部品３０２との間に（例えば、電子部品３０２の右側に）１つ以上の接点の事例（instances of contact）があってもよいことが理解される。それに対応して、金属ゲル２０２で充填された、または、金属ゲル２０２を含む、伸縮性基板層１０４およびステンシル層２０４内のビアおよび／またはチャネルは、１つの位置においてラベル付けされ得るが、他の位置（例えば、電子部品３０２の右側）に存在してもよい。ステンシル・イン・プレース構造が例示の目的で示されているが、本明細書に開示された原理は、２０２２年２月２５日に出願された特許協力条約出願ＰＣＴ／ＵＳ２０２２／０７０８５３、「高持続性回路を製造および使用する装置、システムおよび方法（DEVICES, SYSTEMS, AND METHODS OF MAKING AND USING HIGHLY SUSTAINABLE CIRCUITS）」、Kruskopf et al.に開示された任意の構造を含むがこれらに限定されない、様々な代替構造のいずれにも適用することができることが認識され、理解されるべきであり、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【0034】
図３Ｂは、いくつかの実施形態による、伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体３００の等角図である。図示のように、電子部品３０２は、伸縮性基板１０４に接着される。電子部品３０２は、電子部品３０２の１つ以上のコネクタ３１４を備える。１つ以上のコネクタ３１４の各々は、１つ以上のビア（例えば、ビア３１２）を介して電気的に結合される。いくつかの実施形態では、電子部品３０２の対応する各コネクタは、金属ゲル２０２で充填されたビア３１２を介して、伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体３００の金属層１０２の金属トレースに電気的に結合される。
【0035】
いくつかの実施形態では、流体トレース幅（fluid trace width）３０８は、金属トレース幅（metal trace width）３１０よりも小さい。流体トレース幅３０８は、約０．０５ｍｍ～１ｍｍの範囲で変化してもよく、約１０ｃｍの長さのトレース長さを有してもよい。いくつかの実施形態では、流体トレース幅３０８は、０．０５ｍｍ以上～約０．５ｍｍの幅を有してもよい。そのような例において、約１．５アンペアを超える電流が流れるとき、トレースは高温になり、トレース内に断絶（discontinuity）が生じる可能性がある。金属ゲル２０２における過剰な熱蓄積の場合、金属ゲル２０２は、低電流状態（例えば、１アンペア未満）に戻った後に、自己修復することができる。また、高温は、構造体３００の完全性を損なう可能性があり、例えば、層のうちの１つの中に孔を溶融または焼き付ける可能性がある。
【0036】
図３Ｃは、いくつかの実施形態による、伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体３００の第１実施形態の第１の断面図である。図３Ａに示される伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体３００と同様に、伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体３００は、電子部品３０２と、金属層１０２と、伸縮性基板１０４と、ステンシル層２０４と、ステンシル層２０４と、金属ゲル２０２で充填された１つ以上のビア３１２とを備える。さらに、図３Ｃの伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体３００は、補強材（stiffener）または伸縮ロックアウト機構（stretch lockout feature）などの補強部材３０４を備える。いくつかの実施形態では、補強部材３０４は、テキスタイルセグメント、ポリマーフィルムのセグメント、例えば、ポリイミドフィルム、または任意の他の適切な可撓性材料である。いくつかの実施形態では、補強材が電子部品３０２を支持するために電子部品３０２の下に配置される。いくつかの実施形態では、補強部材３０４が伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体３００の２つの層の間に挿入されるか、または（図３Ｃに示されるように）伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体３００の最下層として構成される。いくつかの実施形態では、補強部材３０４により、伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体３００は、電子部品３０２の長さの２倍よりも大きい曲げ半径（bend radius）を有する。曲げ半径は、構造体３００に組み込まれた補強部材３０４を用いて、かつ構成要素３０２の取り付け前に、決定、測定、または計算することができる。曲げ半径は、ＩＰＣ－２２２３の設計基準の原理を使用して計算することができる。
【0037】
補強部材３０４は、伸縮性および可撓性の回路上で電子部品３０２を支持するために使用されてもよい。電子部品３０２の損傷を回避するために、電子部品３０２の曲げ、ねじれ、または伸縮を回避する必要があり得る。いくつかの実施形態では、伸縮性および可撓性の回路上の構成要素（例えば、電子部品３０２）の曲率半径（radius of curvature）を超えると、構成要素は、破損し得、および／または接続点は、構造体３００から切り離され得る。
【0038】
本明細書に記載されるように、補強材のセクション（例えば、ポリイミド（ＰＩ）シートまたはフィルムで作製された補強部材３０４）を使用して、回路が最大曲げ半径に達しないようにすることができる。いくつかの実施形態では、ガラス強化エポキシ積層材料（ＦＲ４）の補強層が、構成要素（例えば、電子部品３０２）を備えるＰＩ基板の１つ以上のセクションの下に配置されるか、または、それ自体で、補強部材３０４を構成し得る。いくつかの実施形態では、補強部材が最大５ｍｍ、またはわずか～０．１ｍｍだけ構成要素のエッジを越えて延在する。いくつかの例では、補強部材３０４は、電子部品３０２よりも小さい設置面積（footprint）を有し得る。一例では、構成要素レイアウトの設置面積は、約３ｍｍ×３ｍｍ、または９ｍｍ＾２であり、４ｍｍ×４ｍｍもしくは１６ｍｍ＾２の補強セグメントまたは補強部材は、構成要素の下に配置される。いくつかの実施形態では、補強部材がない構造体３００の剛性および補強部材３０４のために選択された材料の弾性率に応じて、補強部材の厚さは、０．１～２ｍｍであってもよい。
【0039】
図３Ｄは、いくつかの実施形態による、図３Ｃの伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体３００と同様の、伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体３００の第２実施形態の断面図である。この例の構造体３００は、別のステンシル層３０６および隔離層（isolation layer）３１６をそれぞれ追加した、図３Ｃに示されるものと同様である。いくつかの実施形態では、追加のステンシル層および／または隔離層を使用することができる。追加の層によって、多層回路が、各ステンシル層内の流体相または金属ゲル導体でパターン化されることを可能にする。各層内の回路のパターンに応じて、隔離層は、望ましくない個々のトレースの電気的結合を防止するために使用され得る。いくつかの実施形態では、補強部材３０４は、電子部品３０２の寸法および下の構造体の所望の曲げ剛性プロファイルに応じて、厚さが変化してもよい。
【0040】
【0041】
図４Ａは、いくつかの実施形態による、伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体４００の上面等角図である。伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体４００は、伸縮性基板１０４に結合された金属層１０２の金属トレースに結合された電子部品３０２を備える。さらに、電子部品３０２は、金属ゲル２０２を含むビア３１２を介して金属層１０２に電気的に結合される。図４Ａに示されるビア３１２は、ビアが重なり、層を横断するときに均一な円筒形状を有するものとして示されるが、ビアが存在する層に基づいて、ビアの寸法が異なり得ることが理解され、認識される。例えば、最上層（例えば、金属層１０２）内の接点パッドは、１ｍｍの直径を有していてもよく、最上層の接点パッドの下の中間層（例えば、伸縮性基板層１０４）内のビアは、０．７５ｍｍの直径を有していてもよく、中間層の下の最下層内のビアは、０．５ｍｍの直径を有していてもよい。別の例では、ビアが存在する層に基づいて、交互の構成においてビアのサイズが異なり得る。最上層（例えば、金属層１０２）内の接点パッドは、１ｍｍの直径を有していてもよく、最上層の接点パッドの下の中間層（例えば、伸縮性基板層１０４）内のビアは、０．７５ｍｍの直径を有していてもよく、最下層または中間層の下の層内のビアは、１ｍｍの直径を有していてもよい。ビアの寸法は、必要に応じて構成可能かつ可変であると理解される。いくつかの実施形態では、伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体４００は、ステンシル層２０４、第２のステンシル層３０６、および封入層２０６を備える。
【0042】
図４Ｂは、いくつかの実施形態による、図４Ａの伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体４００の断面図である。断面は、電子部品３０２の長さに実質的に直交するトレース３１０の接点パッドのほぼ中央で取られる。いくつかの実施形態では、電子部品３０２は、金属ゲル２０２と電気的に接触している金属層１０２の表面に電気的に結合される。いくつかの実施形態では、伸縮性基板層１０４は、ステンシル層２０４の１つ以上のチャネル内に金属ゲル２０２を封入するために使用される。追加の層は、第２のステンシル層３０６および封入層２０６を備えていてもよい。
【0043】
図４Ｃは、いくつかの実施形態による、図４Ａの伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体４００の第２実施形態の断面図である。図４Ｂの構造体３００と同じ位置で断面が取られ、図４Ｂに示された伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体４００と同様に、電子部品３０２は、金属層１０２に結合される。いくつかの実施形態では、伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体４００は、ステンシル層２０４内の開口、スロットまたはチャネルのパターンを隔離して、および／または金属ゲル２０２を含有する層内に提供されるビア／チャネルの深さを延ばして、様々な他の層との電気的結合を可能にするように構成される、追加の隔離層２０６を備える。封入層４０２は、金属ゲル２０２を追加の第２のステンシル層３０６内に封入するように構成される。追加のまたは任意の補強部材４０４が、図３Ｃおよび図３Ｄの構造体３００について説明したのと同様に、伸縮性および可撓性の金属フィルム構造体４００に結合されてもよい。
【0044】
図５は、いくつかの実施形態による例示的な可撓性回路の上面等角図である。可撓性回路５００は、１つ以上のステンシル・イン・プレース構造を備えることができる基板５０６を含む。本明細書に記載のアイランド構造５０２は、上記で開示した伸縮性金属クラッドフィルム構造体の１つと同様であり得、例えば、構造体２００、３００、４００は、可撓性回路５００に結合され得る。追加の電子部品５０４は、可撓性回路５００に含まれ、基板５０６のステンシル・イン・プレース部分に物理的に取り付けられ、図示のように金属ゲルトレース５０８および５１０、および／またはアイランド構造５０２に電気的に結合するように構成され、または回路設計の慣例に従って様々な構成であってもよい。いくつかの実施形態では、金属ゲルトレース５０８および５１０の厚さは、アイランド構造５０２上に設けられる金属トレースとは異なり得る。本明細書で説明するように、アイランド構造５０２は、少なくとも伸縮性基板１０４と、金属トレースおよび接点パッドのパターンを備えた金属層１０２と、電子部品３０２とを備え、より大きい回路（例えば、可撓性回路５００）の上または内部に配置されるように構成された別個の回路であり得る。アイランド構造５０２は、アイランド構造５０２および可撓性回路５００の両方の１つ以上の層内における１つ以上のビアによって、可撓性回路５００のステンシル・イン・プレース部分のトレースに電気的に結合され得る。そのようなビアは、アイランド構造５０２の接点パッドまで延在してもよく、金属ゲルのみで、および／または、接点パッドに物理的および／または電気的に結合された別の流体相導体、導電性エポキシ、はんだ、または他の導電性媒体と組み合わせて充填されてもよい。
【0045】
図６は、いくつかの実施形態による例示的な可撓性回路の上面図である。可撓性回路システム６００は、可撓性回路６０２およびアイランド構造６０４を備える。可撓性回路５００と同様に、可撓性回路システム６００は、別個の可撓性回路６０２および別個のアイランド構造６０４を示す。可撓性回路６０２は、上記で開示されたようなステンシル・イン・プレース構造であってもよい。ロケーション６０６および６０８は、アイランド構造６０４を受け入れるように構成された可撓性回路６０２内の物理的領域を識別する。いくつかの実施形態では、可撓性回路６０２が上記で開示したような金属ゲルなどの流体相導体で充填された１つ以上のトレース６１０を備える。１つ以上の任意のセンサまたは外部装置６１２が可撓性回路６０２上に設けられてもよく、この例に示されるように、可撓性回路に取り付けられてもよく、またはステンシル・イン・プレース構造に統合されてもよい。
【0046】
より詳細に示すために可撓性構造体と比較して拡大してここでは示されているアイランド構造６０４は、実質的に上記に開示されているようなものであってもよい。いくつかの実施形態では、アイランド構造６０４は、電子部品３０２と、金属層１０２内の１つ以上の金属トレースと、少なくとも１つ以上のビア３１２とを備える。アイランド構造６０４は、少なくとも１つの伸縮性基板層を有してもよく、ビアは、基板層に設けられてもよい。アイランド構造のトレースは、箔などの金属層から形成することができ、可撓性回路６０２に電気的に結合するために接点パッドを設けることができる。１つ以上の接点パッドは、１つ以上のビアの上に直接配置され得る。アイランド構造上の構成要素の密度は、可撓性回路６０２の密度よりも大幅に大きくてもよいことを理解されたい。
【0047】
本開示で企図される構成要素の密度は、構造体の単位サイズ当たりの構造体に電気的および／または物理的に結合された構成要素の数として特徴付けられ得る。例えば、１０個の構成要素が取り付けられ、２ｃｍ×２．５ｃｍのサイズを有する構造体は、平方ｃｍ当たり２個の構成要素の密度を有する。構成要素密度は、構造体が製造され得る分解能（resolution）を特徴付けるのに有用であり得、それによって、それが、流体相導体をトレースとして利用するステンシル・イン・プレース・プロセスから完全に製造され得るかどうか、または構造体の少なくとも一部が、金属層から形成されたトレースの少なくとも一部と、可撓性および／または伸縮性基板を組み合わせた金属層とを利用して製造され得るかどうかという情報が得られる。
【0048】
図７Ａ～図７Ｃは、いくつかの実施形態によるチップパッケージの例示的な可撓性回路の様々な図である。いくつかの実施形態では、例示的な可撓性回路システム６００は、より大きな回路上に実装される別個のアイランド構造（例えば、５０２、６０４）を備えるように構成される。
【0049】
図７Ａは、チップ７１０（例えば、クワッドフラットノーリード（ＱＦＮ）チップ）、１つ以上のトレース７０６、および１つ以上のビア７０４を備えるパッケージ７００の上面図である。パッケージ７００は、可撓性基板７０２を備えてもよく、または封入層２０６に関して説明したように可撓性材料によって封入されてもよく、チップ７１０を封入するように構成されてもよい。パッケージ７００は、最終パッケージ７００に組み立てられる１つ以上の層７０８を含んでもよい。
【0050】
図７Ｂは、チップ７１０と、チップ７１０の１つ以上のパッドを可撓性基板７０２に電気的に結合するための対応するトレース７０６とを含むパッケージ７００の底面図である。パッケージ７００の底面図は、チップ７１０を可撓性回路５００および／または６０２などの外部装置に電気的に接続するためのパッド、トレース、およびビアを有する、チップ７１０内の１つ以上の電子部品を示す。
【0051】
図７Ｃは、いくつかの実施形態による、例示的な可撓性回路の図である。図７Ｃは、補強部材７１８、７２０、７２２、および７２４を備える可撓性回路の一部の図である。図示の補強部材は、少なくとも図３Ｃおよび図３Ｄに関して本明細書で説明されている。補強部材は、様々な材料であってもよく、補強部材７１８、７２０、７２２、および７２４の間で異なっていてもよい。
【0052】
図８は、いくつかの実施形態による例示的な可撓性回路基板８００の図である。本明細書に記載されるように、アイランド構造（例えば、５０２、５０４、２００、３００、４００）は、電子部品のための可撓性基板を含む。いくつかの実施形態では、それぞれのアイランド構造のそのような電子部品は、とりわけ、発光ダイオード（ＬＥＤ）８０２、マイクロコントローラユニット（ＭＣＵ）８０６、センサ８０４である。説明される電子部品の各々は、剛性の性質を有し、１つ以上のトレース８０８によって電気的に結合される。
【0053】
すべての例において、構造体は、層ごとのプロセス（layer-by-layer process）において、付加的に構築されてもよく、このプロセスでは、以前に組み立てられた層の上（または下）に、各層が形成され配置される。したがって、各層は、構造体全体の所望の特性を提供するように、多くの異なる方法でカスタマイズすることができる。各層は、上述のように、導電性ゲルで充填されたスロットまたはチャネルを有するステンシル層を除いて、実質的に１つの材料から形成され得る。しかしながら、低電力回路の場合、本明細書に開示される構造体のために企図される機能を実行するために必要とされる金属の体積は、比較的最小であることに留意されたい。したがって、金属層の得られる厚さは、非常に小さく、例えば、２００ミクロン以下、または約０．０１０インチ以下であってもよい。この薄い層を取り扱い、組み立てることは、製造環境において困難であり得る。したがって、例えば、金属層１０２および例えば基板層１０４は、例えば構造体１００を組み立てるときに、１つのフィルムまたは層として提供されてもよい。さらに、単一層は、構造体への組み立て前に、例えば、上述のように化学エッチングによって、不要な金属材料を除去するために処理されてもよい。あるいは、金属層は、別個の層として積層構造に付加的に堆積されてもよい。企図された機能を実行するために、例えば、回路にＲＦシールドを提供するために、高電力バスとして作用するために、接地面として機能するために、または、金属層の比較的大きなパターンもしくはシートを必要とし得るか、または製造作業中に離散層として容易に提供され得る他の機能もしくは構成のために、金属層が比較的大きな表面積を有することを必要とする構造体の場合、金属層を付加的に提供することが有利であり得る。本明細書全体を通して、複数の事例は、単一の事例として説明される構成要素、操作、または構造を実装し得る。１つ以上の方法の個々の操作が、別個の操作として図示および説明されているが、個々の操作のうちの１つ以上は、同時に実行されてもよく、操作は、図示の順序で実行されることを必要としない。例示的な構成において、別個の構成要素として提示される構造および機能は、組み合わせられた構造または構成要素として実装され得る。同様に、単一の構成要素として提示される構造および機能は、別個の構成要素として実装され得る。これらおよび他の変形、修正、追加、および改良は、本明細書の主題の範囲内に含まれる。
【0054】
本明細書では、特定の実施形態が、ロジックまたはいくつかの構成要素、モジュール、または機構を含むものとして説明される。モジュールは、ソフトウェアモジュール（例えば、機械可読媒体上または送信信号内に具現化されたコード）またはハードウェアモジュールのいずれかを構成し得る。「ハードウェアモジュール」は、特定の操作を実行することが可能な有形のユニットであり、特定の物理的な方法で構成または配置され得る。様々な例示的な実施形態では、１つ以上のコンピュータシステム（例えば、スタンドアロンコンピュータシステム、クライアントコンピュータシステム、またはサーバコンピュータシステム）、またはコンピュータシステムの１つ以上のハードウェアモジュール（例えば、プロセッサまたはプロセッサのグループ）は、本明細書で説明するような特定の操作を実行するように動作するハードウェアモジュールとして、ソフトウェア（例えば、アプリケーションまたはアプリケーション部分）によって構成され得る。
【0055】
いくつかの実施形態では、ハードウェアモジュールは、機械的に、電子的に、またはそれらの任意の適切な組合せで実装され得る。例えば、ハードウェアモジュールは、特定の操作を実行するように永続的に構成された専用の回路またはロジックを含み得る。例えば、ハードウェアモジュールは、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）またはＡＳＩＣなどの専用プロセッサであり得る。ハードウェアモジュールはまた、特定の操作を実行するためにソフトウェアによって一時的に構成されるプログラマブルロジックまたは回路を含み得る。例えば、ハードウェアモジュールは、汎用プロセッサまたは他のプログラマブルプロセッサ内に包含されるソフトウェアを含み得る。ハードウェアモジュールを機械的に、専用の永続的に構成された回路に、または一時的に構成された回路（例えば、ソフトウェアによって構成された回路）に実装するという決定は、コストおよび時間を考慮して決定され得ることが理解されよう。
【0056】
したがって、「ハードウェアモジュール」という語句は、有形のエンティティを包含すると理解されるべきであり、これは、本明細書で説明する特定の操作を実行するように、または、特定の方法で動作するように、物理的に構築され、永続的に構成され（例えば、ハードワイヤードされ）、または一時的に構成され（例えば、プログラムされ）たエンティティであると理解されるべきである。本明細書で使用される場合、「ハードウェア実装モジュール」は、ハードウェアモジュールを指す。ハードウェアモジュールが一時的に構成される（例えば、プログラムされる）実施形態を考慮すると、ハードウェアモジュールの各々は、一度に任意の１つの事例において構成または事例化される必要はない。例えば、ハードウェアモジュールが、専用プロセッサになるようにソフトウェアによって構成された汎用プロセッサを含む場合、汎用プロセッサは異なる時間にそれぞれ異なる専用プロセッサ（例えば、異なるハードウェアモジュールを含むもの）として構成され得る。したがって、ソフトウェアは、例えば、ある時点で特定のハードウェアモジュールを構成し、異なる時点で異なるハードウェアモジュールを構成するように、プロセッサを構成することができる。
【0057】
ハードウェアモジュールは、他のハードウェアモジュールに情報を提供し、他のハードウェアモジュールから情報を受信することができる。したがって、説明されたハードウェアモジュールは、通信可能に結合されているとみなされ得る。複数のハードウェアモジュールが同時に存在する場合、通信は、ハードウェアモジュールのうちの２つ以上の間で（例えば、適切な回路およびバスを介して）信号伝送によって達成され得る。複数のハードウェアモジュールが異なる時間に構成または事例化される実施形態では、そのようなハードウェアモジュール間の通信は、例えば、複数のハードウェアモジュールによりアクセスされるメモリ構造内の情報の記憶および検索を介して達成され得る。例えば、１つのハードウェアモジュールは操作を実行し、その操作の出力を、それが通信可能に結合されるメモリデバイスに保存することができる。次いで、さらなるハードウェアモジュールは、後に、記憶された出力を取り出して処理するためにメモリデバイスにアクセスし得る。ハードウェアモジュールはまた、入力デバイスまたは出力デバイスとの通信を開始することができ、リソース（例えば、情報のまとまり（collection of information））上で動作することができる。
【0058】
本明細書で説明される例示的な方法の各種操作は、関連する操作を実行するように、（例えば、ソフトウェアによって）一時的に構成されるか、または永続的に構成される１つ以上のプロセッサによって、少なくとも部分的に実行され得る。一時的にまたは永続的に構成されるかどうかにかかわらず、そのようなプロセッサは、本明細書で説明される１つ以上の操作または機能を実行するように動作するプロセッサ実装モジュールを構成し得る。本明細書で使用される場合、「プロセッサ実装モジュール」は、１つ以上のプロセッサを使用して実装されるハードウェアモジュールを指す。
【0059】
同様に、本明細書で説明される方法は、少なくとも部分的にプロセッサ実装（processor-implemented）され得、プロセッサはハードウェアの一例である。例えば、方法の操作の少なくとも一部は、１つ以上のプロセッサまたはプロセッサ実装モジュールによって実行され得る。さらに、１つ以上のプロセッサは、「クラウドコンピューティング」環境において、または「サービスとしてのソフトウェア」（ＳａａＳ）として、関連する操作の性能をサポートするように動作することもできる。例えば、操作の少なくとも一部は、（プロセッサを含むマシンの例として）コンピュータのグループによって実行され得、これらの操作は、ネットワーク（例えば、インターネット）を介して、および１つ以上の適切なインターフェース（例えば、アプリケーションプログラムインターフェース（ＡＰＩ））を介してアクセス可能である。
【0060】
特定の操作の性能は、単一のマシン内に常駐するだけでなく、いくつかのマシンにわたって展開される、１つ以上のプロセッサの間で分散され得る。いくつかの例示的な実施形態では、１つ以上のプロセッサまたはプロセッサ実装モジュールは、単一の地理的ロケーション（例えば、ホーム環境、オフィス環境、またはサーバファーム内）に配置され得る。他の例示的な実施形態では、１つ以上のプロセッサまたはプロセッサ実装モジュールは、いくつかの地理的ロケーションにわたって分散され得る。
【0061】
本明細書に記載の物品に含まれる導電性ゲルなどの導電性組成物（electrically conductive compositions）は、例えば、とりわけ、酸化ガリウムが共晶ガリウム合金（eutectic gallium alloy）中に混合されたときに、酸化ガリウムが組成物に与えることができる構造を利用することによって作り出すことができるペースト状またはゲル状のコンシステンシー（consistency）を有することができる。共晶ガリウム合金に混合されると、酸化ガリウムは、共晶ガリウム合金のバルク材料特性を変化させることができる、本明細書にさらに記載されるマイクロ構造またはナノ構造を形成することができる。
【0062】
本明細書で使用するとき、用語「共晶」は、一般に、最も低い融点を有し、この温度で各相が溶融溶液から同時に結晶化する組成物の２つ以上の相の混合物を指す。共晶を得るための相の比は、相図（phase diagram）上の共晶点（eutectic point）によって特定される。共晶合金の特徴の一つは鋭い融点である。
【0063】
導電性組成物は、導電性剪断減粘ゲル組成物（conducting shear thinning gel compositions）として特徴付けることができる。本明細書に記載の導電性組成物は、ビンガムプラスチック（Bingham plastic）の特性を有する組成物として特徴付けることもできる。例えば、導電性組成物は、粘塑性（viscoplastics）であることができ、その結果、それらは、剛性であり、低応力では高さおよび幅によって特徴付けられる三次元特徴を形成および維持することができるが、高応力では粘性流体として流動する。したがって、例えば、導電性組成物は、低剪断下で約１０，０００，０００Ｐａ＊ｓ～約４０，０００，０００Ｐａ＊ｓ、高剪断で約１５０～１８０の範囲の粘度を有することができる。例えば、低剪断の条件下で、組成物は、約１０，０００，０００Ｐａ＊ｓ、約１５，０００，０００Ｐａ＊ｓ、約２０，０００，０００Ｐａ＊ｓ、約２５，０００，０００Ｐａ＊ｓ、約３０，０００，０００Ｐａ＊ｓ、約４５，０００，０００Ｐａ＊ｓ、または約４０，０００，０００Ｐａ＊ｓの粘度を有する。高剪断の条件下で、組成物は、約１５０Ｐａ＊ｓ、約１５５Ｐａ＊ｓ、約１６０Ｐａ＊ｓ、１６５Ｐａ＊ｓ、約１７０Ｐａ＊ｓ、約１７５Ｐａ＊ｓ、または約１８０Ｐａ・ｓの粘度を有する。
【0064】
本明細書に記載の導電性組成物は、約２×１０５Ｓ／ｍ～約８×１０５Ｓ／ｍの導電率などの任意の好適な導電率を有することができる。
【0065】
本明細書に記載の導電性組成物は、約－２０℃～約１０℃、約－１０℃～約５℃、約－５℃～約５℃または約－５℃～約０℃の融点などの任意の適切な融点を有することができる。
【0066】
導電性組成物は共晶ガリウム合金と酸化ガリウムとの混合物を含むことができ、共晶ガリウム合金と酸化ガリウムとの混合物は、約５９．９％～約９９．９％（例えば約６７％～約９０％）の間の重量百分率（ｗｔ％）の共晶ガリウム合金、および約０．１％～約２．０％（例えば約０．２％～約１％）の間の重量百分率（ｗｔ％）の酸化ガリウムを有する。例えば、導電性組成物は、約６０％、約６１％、約６２％、約６３％、約６４％、約６５％、約６６％、約６７％、約６８％、約６９％、約７０％、約７１％、約７２％、約７３％、約７４％、約７５％、約７６％、約７７％、約７８％、約７９％、約８０％、約８１％、約８２％、約８３％、約８４％、約８５％、約８６％、約８７％、約８８％、約８９％、約９０％、約９１％、約９２％、約９３％、約９４％、約９５％、約９６％、約９７％、約９８％、約９９％、またはそれ以上、例えば約９９．９％の共晶ガリウム合金、および約０．１％、約０．２％、約０．３％、約０．４％、約０．５％、約０．６％、約０．７％、約０．８％、約０．９％、約１．０％、約１．１％、約１．２％、約１．３％、約１．４％、約１．５％、約１．６％、約１．７％、約１．８％、約１．９％、および約２．０％の酸化ガリウムを有することができる。
【0067】
共晶ガリウム合金は、任意の元素比で、ガリウム－インジウムまたはガリウム－インジウム－スズを含むことができる。例えば、共晶ガリウム合金は、ガリウムおよびインジウムを含む。導電性組成物は、ガリウム－インジウム合金中に任意の適切な重量百分率のガリウムを含むことができ、その重量百分率は、約４０％～約９５％の間であり、例えば、約４０％、約４１％、約４２％、約４３％、約４４％、約４５％、約４６％、約４７％、約４８％、約４９％、約５０％、約５１％、約５２％、約５３％、約５４％、約５５％、約５６％、約５７％、約５８％、約５９％、約６０％、約６１％、約６２％、約６３％、約６４％、約６５％、約６６％、約６７％、約６８％、約６９％、約７０％、約７１％、約７２％、約７３％、約７４％、約７５％、約７６％、約７７％、約７８％、約７９％、約８０％、約８１％、約８２％、約８３％、約８４％、約８５％、約８６％、約８７％、約８８％、約８９％、約９０％、約９１％、約９２％、約９３％、約９４％、または約９５％である。
【0068】
導電性組成物は、ガリウム-インジウム合金中に約５％～約６０％の間の重量百分率のインジウムを含むことができ、その重量百分率は、例えば、約５％、約６％、約７％、約８％、約９％、約１０％、約１１％、約１２％、約１３％、約１４％、約１５％、約１６％、約１７％、約１８％、約１９％、約２０％、約２１％、約２２％、約２３％、約２４％、約２５％、約２６％、約２７％、約２８％、約２９％、約３０％、約３１％、約３２％、約３３％、約３４％、約３５％、約３６％、約３７％、約３８％、約３９％、約４０％、約４１％、約４２％、約４３％、約４４％、約４５％、約４６％、約４７％、約４８％、約４９％、約５０％、約５１％、約５２％、約５３％、約５４％、約５５％、約５６％、約５７％、約５８％、約５９％、または約６０％である。
【0069】
共晶ガリウム合金は、ガリウムおよびスズを含むことができる。例えば、導電性組成物は、合金中に約０．００１％～約５０％の間の重量百分率のスズを含むことができ、その重量百分率は、例えば、約０．００１％、約０．００５％、約０．０１％、約０．０５％、約０．１％、約０．２％、約０．３％、約０．４％、約０．５％、約０．６％、約０．７％、約０．８％、約０．９％、約１％、約１．５％、約２％、約３％、約４％、約５％、約６％、約７％、約８％、約９％、約１０％、約１１％、約１２％、約１３％、約１４％、約１５％、約１６％、約１７％、約１８％、約１９％、約２０％、約２１％、約２２％、約２３％、約２４％、約２５％、約２６％、約２７％、約２８％、約２９％、約３０％、約３１％、約３２％、約３３％、約３４％、約３５％、約３６％、約３７％、約３８％、約３９％、約４０％、約４１％、約４２％、約４３％、約４４％、約４５％、約４６％、約４７％、約４８％、約４９％、または約５０％である。
【0070】
導電性組成物は、共晶ガリウム合金および酸化ガリウムとブレンドされた１つ以上のマイクロ粒子（micro-particles）またはサブミクロンスケールの粒子を含むことができる。粒子は、共晶ガリウム合金またはガリウム中にコーティングされ、酸化ガリウム中に封入されるか、または前の方法でコーティングされないかのいずれかで、共晶ガリウム合金中に懸濁させることができる。マイクロ粒子またはサブミクロンスケールの粒子は、ナノメートルからマイクロメートルのサイズの範囲であり得、ガリウム、ガリウム－インジウム合金、またはガリウム－インジウム－スズ合金中に懸濁され得る。粒子対合金の比率は、変えることができ、導電性組成物の流動特性を変化させることができる。マイクロ構造およびナノ構造は、超音波処理または他の適切な手段によって導電性組成物内にブレンドすることができる。導電性組成物は、共晶ガリウム合金／酸化ガリウム混合物内にマイクロ構造およびナノ構造のコロイド懸濁液を含むことができる。
【0071】
導電性組成物は、組成物内に分散された１つ以上のマイクロ粒子またはサブミクロンスケールの粒子をさらに含むことができる。これは、共晶ガリウム合金またはガリウム中にコーティングされ、酸化ガリウム中に封入されているか、または先の方法でコーティングされていない粒子を、導電性組成物中に、または特に共晶ガリウム合金流体中に懸濁させることを含む、任意の適切な方法で達成することができる。これらの粒子は、ナノメートルからマイクロメートルのサイズの範囲であり得、ガリウム、ガリウム－インジウム合金、またはガリウム－インジウム－スズ合金中に懸濁され得る。粒子対合金の比率は、とりわけ、合金および導電性組成物のうちの少なくとも１つの流体特性を変化させるために、変えることができる。さらに、コロイド懸濁液または共晶ガリウム合金への任意の補助材料の添加は、とりわけ、その物理的、電気的、または熱的特性を強化または修正するためである。共晶ガリウム合金および導電性組成物の少なくとも１つの中でのマイクロ構造およびナノ構造の分布は、粒子を加えることなく、超音波処理または他の機械的手段を含む任意の好適な手段によって達成することができる。特定の実施形態では、１つ以上のマイクロ粒子またはサブミクロン粒子が、共晶ガリウム合金および導電性組成物の少なくとも１つとブレンドされ、マイクロ粒子の重量％は、約０．００１％～約４０．０％の間であり、例えば、約０．００１％、約０．００５％、約０．０１％、約０．０５％、約０．１％、約０．２％、約０．３％、約０．４％、約０．５％、約０．６％、約０．７％、約０．８％、約０．９％、約１％、約１．５％、約２％、約３％、約４％、約５％、約６％、約７％、約８％、約９％、約１０％、約１１％、約１２％、約１３％、約１４％、約１５％、約１６％、約１７％、約１８％、約１９％、約２０％、約２１％、約２２％、約２３％、約２４％、約２５％、約２６％、約２７％、約２８％、約２９％、約３０％、約３１％、約３２％、約３３％、約３４％、約３５％、約３６％、約３７％、約３８％、約３９％、または約４０％である。
【0072】
１つ以上のマイクロ粒子またはサブミクロン粒子は、ソーダガラス、シリカ、ホウケイ酸ガラス、石英、酸化銅、銀被覆銅、非酸化銅、タングステン、過飽和スズ顆粒、ガラス、グラファイト、銀被覆銅球および銀被覆銅フレークなどの銀被覆銅、銅フレークもしくは銅球、またはそれらの組合せ、または共晶ガリウム合金および導電性組成物のうちの少なくとも１つに濡れることができる任意の他の材料を含む、任意の適切な材料で作ることができる。１つ以上のマイクロ粒子またはサブミクロンスケールの粒子は、回転楕円体、ロッド、チューブ、フレーク、プレート、立方体、角柱、ピラミッド、ケージ（cages）、およびデンドリマー（dendrimers）の形状を含む、任意の適切な形状を有することができる。１つ以上のマイクロ粒子またはサブミクロンスケールの粒子は、約０．５ミクロン～約６０ミクロンのサイズ範囲を含む任意の適切なサイズを有することができ、そのサイズは、例えば、約０．５ミクロン、約０．６ミクロン、約０．７ミクロン、約０．８ミクロン、約０．９ミクロン、約１ミクロン、約１．５ミクロン、約２ミクロン、約３ミクロン、約４ミクロン、約５ミクロン、約６ミクロン、約７ミクロン、約８ミクロン、約９ミクロン、約１０ミクロン、約１１ミクロン、約１２ミクロン、約１３ミクロン、約１４ミクロン、約１５ミクロン、約１６ミクロン、約１７ミクロン、約１８ミクロン、約１９ミクロン、約２０ミクロン、約２１ミクロン、約２２ミクロン、約２３ミクロン、約２４ミクロン、約２５ミクロン、約２６ミクロン、約２７ミクロン、約２８ミクロン、約２９ミクロン、約３０ミクロン、約３１ミクロン、約３２ミクロン、約３３ミクロン、約３４ミクロン、約３５ミクロン、約３６ミクロン、約３７ミクロン、約３８ミクロン、約３９ミクロン、約４０ミクロン、約４１ミクロン、約４２ミクロン、約４３ミクロン、約４４ミクロン、約４５ミクロン、約４６ミクロン、約４７ミクロン、約４８ミクロン、約４９ミクロン、約５０ミクロン、約５１ミクロン、約５２ミクロン、約５３ミクロン、約５４ミクロン、約５５ミクロン、約５６ミクロン、約５７ミクロン、約５８ミクロン、約５９ミクロン、または約６０ミクロンである。
【0073】
本明細書に記載の導電性組成物は、表面酸化物／合金界面（surface oxide/alloy interface）の剪断混合（shear mixing）によって、共晶ガリウム合金の表面上に形成された表面酸化物を、共晶ガリウム合金のバルク中にブレンドすることを含む方法を含む、任意の適切な方法によって作製することができる。そのような組成物の剪断混合は、表面酸化物中に架橋微細構造（cross linked microstructure）をもたらし、それによって、導電性剪断減粘ゲル組成物を形成することができる。微細構造のコロイド懸濁液は、共晶ガリウム合金／酸化ガリウム混合物内に、例えば酸化ガリウム粒子および／またはシートとして形成される。
【0074】
表面酸化物は、約５９．９％（重量）～約９９．９％の共晶ガリウム合金と、約０．１％（重量）～約２．０％の酸化ガリウムとの比率など、任意の適切な比率でブレンドされる。例えば、酸化ガリウムとブレンドされるガリウム合金の重量百分率は、約６０％、６１％、約６２％、約６３％、約６４％、約６５％、約６６％、約６７％、約６８％、約６９％、約７０％、約７１％、約７２％、約７３％、約７４％、約７５％、約７６％、約７７％、約７８％、約７９％、約８０％、約８１％、約８２％、約８３％、約８４％、約８５％、約８６％、約８７％、約８８％、約８９％、約９０％、約９１％、約９２％、約９３％、約９４％、約９５％、約９６％、約９７％、約９８％、約９９％、またはそれ以上、例えば約９９．９％の共晶ガリウム合金であり、酸化ガリウムの重量百分率は、約０．１％、約０．２％、約０．３％、約０．４％、約０．５％、約０．６％、約０．７％、約０．８％、約０．９％、約１．０％、約１．１％、約１．２％、約１．３％、約１．４％、約１．５％、約１．６％、約１．７％、約１．８％、約１．９％、および約２．０％の酸化ガリウムである。実施形態において、共晶ガリウム合金は、列挙された元素の任意の比率で、ガリウム－インジウムまたはガリウム－インジウム－スズを含むことができる。例えば、共晶ガリウム合金は、ガリウムおよびインジウムを含むことができる。
【0075】
ガリウム－インジウム合金中のガリウムの重量百分率は、約４０％～約９５％の間であり、例えば、約４０％、約４１％、約４２％、約４３％、約４４％、約４５％、約４６％、約４７％、約４８％、約４９％、約５０％、約５１％、約５２％、約５３％、約５４％、約５５％、約５６％、約５７％、約５８％、約５９％、約６０％、約６１％、約６２％、約６３％、約６４％、約６５％、約６６％、約６７％、約６８％、約６９％、約７０％、約７１％、約７２％、約７３％、約７４％、約７５％、約７６％、約７７％、約７８％、約７９％、約８０％、約８１％、約８２％、約８３％、約８４％、約８５％、約８６％、約８７％、約８８％、約８９％、約９０％、約９１％、約９２％、約９３％、約９４％、または約９５％である。
【0076】
代替的にまたは追加的に、ガリウム－インジウム合金中のインジウムの重量百分率は、約５％～約６０％の間であり、例えば、約５％、約６％、約７％、約８％、約９％、約１０％、約１１％、約１２％、約１３％、約１４％、約１５％、約１６％、約１７％、約１８％、約１９％、約２０％、約２１％、約２２％、約２３％、約２４％、約２５％、約２６％、約２７％、約２８％、約２９％、約３０％、約３１％、約３２％、約３３％、約３４％、約３５％、約３６％、約３７％、約３８％、約３９％、約４０％、約４１％、約４２％、約４３％、約４４％、約４５％、約４６％、約４７％、約４８％、約４９％、約５０％、約５１％、約５２％、約５３％、約５４％、約５５％、約５６％、約５７％、約５８％、約５９％、または約６０％である。
【0077】
共晶ガリウム合金は、ガリウム、インジウムおよびスズを含むことができる。ガリウム－インジウム－スズ合金中のスズの重量百分率は、約０．００１％～約５０％の間であり、例えば、約０．００１％、約０．００５％、約０．０１％、約０．０５％、約０．１％、約０．２％、約０．３％、約０．４％、約０．５％、約０．６％、約０．７％、約０．８％、約０．９％、約１％、約１．５％、約２％、約３％、約４％、約５％、約６％、約７％、約８％、約９％、約１０％、約１１％、約１２％、約１３％、約１４％、約１５％、約１６％、約１７％、約１８％、約１９％、約２０％、約２１％、約２２％、約２３％、約２４％、約２５％、約２６％、約２７％、約２８％、約２９％、約３０％、約３１％、約３２％、約３３％、約３４％、約３５％、約３６％、約３７％、約３８％、約３９％、約４０％、約４１％、約４２％、約４３％、約４４％、約４５％、約４６％、約４７％、約４８％、約４９％、または約５０％である。
【0078】
ガリウム－インジウム－スズ合金中のガリウムの重量百分率は、約４０％～約９５％の間であり、例えば、約４０％、約４１％、約４２％、約４３％、約４４％、約４５％、約４６％、約４７％、約４８％、約４９％、約５０％、約５１％、約５２％、約５３％、約５４％、約５５％、約５６％、約５７％、約５８％、約５９％、約６０％、約６１％、約６２％、約６３％、約６４％、約６５％、約６６％、約６７％、約６８％、約６９％、約７０％、約７１％、約７２％、約７３％、約７４％、約７５％、約７６％、約７７％、約７８％、約７９％、約８０％、約８１％、約８２％、約８３％、約８４％、約８５％、約８６％、約８７％、約８８％、約８９％、約９０％、約９１％、約９２％、約９３％、約９４％、または約９５％である。
【0079】
代替的にまたは追加的に、ガリウム－インジウム－スズ合金中のインジウムの重量百分率は、約５％～約６０％の間であり、例えば、約５％、約６％、約７％、約８％、約９％、約１０％、約１１％、約１２％、約１３％、約１４％、約１５％、約１６％、約１７％、約１８％、約１９％、約２０％、約２１％、約２２％、約２３％、約２４％、約２５％、約２６％、約２７％、約２８％、約２９％、約３０％、約３１％、約３２％、約３３％、約３４％、約３５％、約３６％、約３７％、約３８％、約３９％、約４０％、約４１％、約４２％、約４３％、約４４％、約４５％、約４６％、約４７％、約４８％、約４９％、約５０％、約５１％、約５２％、約５３％、約５４％、約５５％、約５６％、約５７％、約５８％、約５９％、または約６０％である。
【0080】
１つ以上のマイクロ粒子またはサブミクロンスケールの粒子を、共晶ガリウム合金および酸化ガリウムとブレンドすることができる。例えば、１つ以上のマイクロ粒子またはサブミクロン粒子は、組成物中のマイクロ粒子の重量％が、約０．００１％～約４０．０％となるように混合物とブレンドすることができ、その重量％は、例えば、約０．００１％、約０．００５％、約０．０１％、約０．０５％、約０．１％、約０．２％、約０．３％、約０．４％、約０．５％、約０．６％、約０．７％、約０．８％、約０．９％、約１％、約１．５％、約２％、約３％、約４％、約５％、約６％、約７％、約８％、約９％、約１０％、約１１％、約１２％、約１３％、約１４％、約１５％、約１６％、約１７％、約１８％、約１９％、約２０％、約２１％、約２２％、約２３％、約２４％、約２５％、約２６％、約２７％、約２８％、約２９％、約３０％、約３１％、約３２％、約３３％、約３４％、約３５％、約３６％、約３７％、約３８％、約３９％、または約４０％である。実施形態において、粒子は、ソーダガラス、シリカ、ホウケイ酸ガラス、石英、酸化銅、銀被覆銅、非酸化銅、タングステン、過飽和スズ顆粒、ガラス、グラファイト、銀被覆銅球および銀被覆銅フレークなどの銀被覆銅、銅フレークもしくは銅球、またはそれらの組合せ、またはガリウムに濡れることができる任意の他の材料であり得る。いくつかの実施形態では、１つ以上のマイクロ粒子またはサブミクロンスケールの粒子は、回転楕円体、ロッド、チューブ、フレーク、プレート、立方体、角柱、ピラミッド、ケージ、およびデンドリマーの形状である。特定の実施形態では、１つ以上のマイクロ粒子またはサブミクロンスケールの粒子が、約０．５ミクロン～約６０ミクロンのサイズ範囲であり、そのサイズは、例えば、約０．５ミクロン、約０．６ミクロン、約０．７ミクロン、約０．８ミクロン、約０．９ミクロン、約１ミクロン、約１．５ミクロン、約２ミクロン、約３ミクロン、約４ミクロン、約５ミクロン、約６ミクロン、約７ミクロン、約８ミクロン、約９ミクロン、約１０ミクロン、約１１ミクロン、約１２ミクロン、約１３ミクロン、約１４ミクロン、約１５ミクロン、約１６ミクロン、約１７ミクロン、約１８ミクロン、約１９ミクロン、約２０ミクロン、約２１ミクロン、約２２ミクロン、約２３ミクロン、約２４ミクロン、約２５ミクロン、約２６ミクロン、約２７ミクロン、約２８ミクロン、約２９ミクロン、約３０ミクロン、約３１ミクロン、約３２ミクロン、約３３ミクロン、約３４ミクロン、約３５ミクロン、約３６ミクロン、約３７ミクロン、約３８ミクロン、約３９ミクロン、約４０ミクロン、約４１ミクロン、約４２ミクロン、約４３ミクロン、約４４ミクロン、約４５ミクロン、約４６ミクロン、約４７ミクロン、約４８ミクロン、約４９ミクロン、約５０ミクロン、約５１ミクロン、約５２ミクロン、約５３ミクロン、約５４ミクロン、約５５ミクロン、約５６ミクロン、約５７ミクロン、約５８ミクロン、約５９ミクロン、または約６０ミクロンである。
【実施例】
【0081】
実施例１は、金属パターンを含む金属層と、金属層の金属パターンの少なくとも第１の部分に重なるように構成された流体相導体と、金属層上に配置された第１の封入層と、を含む装置であって、第１の封入層は、流体相導体で充填され、装置内に流体相導体を封入するように構成された１つ以上のビアを有する装置である。
【0082】
実施例２では、実施例１の主題は、第２の封入層を含む。
【0083】
実施例３では、実施例１および２のうちのいずれか１つ以上の主題は、第１の封入層内の複数のビアのうちの少なくとも１つを介して、第１の封入層に電気通信を提供するように構成されたステンシル層を含む。
【0084】
実施例４では、実施例１～３のいずれか１つ以上の主題は、流体相導体を含むスロットの第２のパターンを含む第２のステンシル層を含む。
【0085】
実施例５では、実施例１～４のいずれか１つ以上の主題は、第２のステンシル層が第２の封入層に接着されていることを含む。
【0086】
実施例６では、実施例１～５のいずれか１つ以上の主題は、第２の封入層が第１のステンシル層に接着されていることを含む。
【0087】
実施例７では、実施例１～６のいずれか１つ以上の主題は、金属層に結合された電子部品を含む。
【0088】
実施例８では、実施例１～７のいずれか１つ以上の主題は、電子部品を支持するように構成された別個の補強セグメントを含む。
【0089】
実施例９では、実施例１～８のいずれか１つ以上の主題は、別個の補強セグメントが２つの層の間に挿入されることを含む。
【0090】
実施例１０では、実施例１～９のいずれか１つ以上の主題は、別個の補強セグメントにより、装置が、電子部品の長さの２倍よりも大きい曲げ半径を有することを含む。
【0091】
実施例１１では、実施例１～１０のいずれか１つ以上の主題は、別個の補強セグメントがテキスタイルセグメントであることを含む。
【0092】
実施例１２では、実施例１～１１のいずれか１つ以上の主題は、別個の補強セグメントがポリマーフィルムのセグメントであることを含む。
【0093】
実施例１３では、実施例１～１２のいずれか１つ以上の主題は、ポリマーフィルムがポリイミドフィルムであることを含む。
【0094】
実施例１４は、金属層と、金属層に結合された基板層と、金属層および基板層に濡れた流体相導体と、金属層および流体相導体を封入する封入層とを含む装置である。
【0095】
実施例１５では、実施例１４の主題は、流体相導体を含むステンシル層を含み、封入層はステンシル層に結合されることを含む。
【0096】
実施例１６では、実施例１４および１５のいずれか１つ以上の主題は、金属層が第１の金属層であり、基板層が第１の基板層であり、金属層および基板層が第１のセグメントを形成し、第２の基板層を含む第２のセグメントと、第３の基板層を含む第３のセグメントであって、流体相導体が金属層および第３の基板層に濡れている第３のセグメントと、金属層および第３の基板層を封入する第３の封入層であって、第２のセグメントが第３のセグメントの少なくとも一部に電気的に結合されている第３の封入層と、をさらに含む、ことを含む。
【0097】
実施例１７では、実施例１４～１６のいずれか１つ以上の主題は、第２の金属層に電気的に結合された電子部品を含む。
【0098】
実施例１８では、実施例１４～１７のいずれか１つ以上の主題は、金属層が第１の金属層であり、基板層が第１の基板層であり、金属層および基板層が第１のセグメントを形成し、第２の基板層を含む第２のセグメントと、所定の電流伝導率（current conductivity）を有する流体相導体を含む第３のセグメントとをさらに含む、ことを含む。
【0099】
実施例１９では、実施例１４～１８のいずれか１つ以上の主題は、第２の金属層に電気的に結合された電子部品を含む。
【0100】
実施例２０では、実施例１４～１９のいずれか１つ以上の主題は、電子部品が、外部装置への端子、集積回路、チップ、抵抗器、コンデンサ、またはインダクタからなる群から選択されることを含む。
【0101】
実施例２１では、実施例１４～２０のいずれか１つ以上の主題は、電子部品が集積回路（ＩＣ）であることを含む。
【0102】
実施例２２では、実施例１４～２１のいずれか１つ以上の主題は、電子部品が第２の金属層に機械的に結合された第１の電子部品であり、封入層に機械的に結合された第２の電子部品をさらに含み、第２の電子部品が、第１の電子部品よりも大きい物理的サイズ係数を有することを含む。
【0103】
実施例２３では、実施例１４～２２のいずれか１つ以上の主題は、物理サイズ係数がＳＭＴパッケージ規格に対応することを含む。
【0104】
実施例２４では、実施例１４～２３のいずれか１つ以上の主題は、ＳＭＴパッケージサイズを含む。
【0105】
実施例２５では、実施例１４～２４のいずれか１つ以上の主題は、アンペアを含む。
【0106】
実施例２６では、実施例１４～２５のいずれか１つ以上の主題は、アンペアを含む。
【0107】
実施例２７では、実施例１４～２６のいずれか１つ以上の主題は、金属層が、流体相導体の最大電流よりも大きい最大電流を有することを含む。
【0108】
実施例２８は、電気的接続を提供するための金属層と、ステンシル層であって、ステンシル層内に開口の第１のパターンを形成するステンシル層と、開口は流体相導体を含み、金属層とステンシル層との間に配置された第１の封入層と、第２の封入層とを含む装置であって、第１および第２の封入層は、装置内に流体相導体を封入するように構成される装置である。
【0109】
実施例２９では、実施例２８の主題は、金属層が接地面として構成されることを含む。
【0110】
実施例３０では、実施例２８および２９のいずれか１つ以上の主題は、ステンシル層内の開口がスロットであることを含む。
【0111】
実施例３１では、実施例２８～３０のいずれか１つ以上の主題は、ステンシル層が第１のステンシル層であり、装置が開口の第２のパターンを形成する第２のステンシル層をさらに含み、開口は流体相導体を含む、ことを含む。
【0112】
実施例３２では、実施例２８～３１のいずれか１つ以上の主題は、第１のステンシル層と第２のステンシル層との間に配置された隔離層を含み、隔離層は、第１のステンシル層のスロットの第１のパターンの少なくとも１つのスロットと、第２のステンシル層のスロットの第２のパターンの少なくとも１つのスロットとの間に電気的接点（electrical contact）を提供するように構成された１つ以上のビアを含む、ことを含む。
【0113】
実施例３３は、第１のトレース幅を有する金属パターンを含む金属層と、ステンシル層であって、ステンシル層内に開口の第１のパターンを形成するステンシル層と、開口は、流体相導体を含み、金属層の金属パターンの少なくとも第１の部分と重なるように構成され、金属層とステンシル層との間に配置された第１の封入層であって、流体相導体で充填された１つ以上のビアを有し、装置内に流体相導体を封入するように構成された第１の封入層と、を含む装置である。
【0114】
実施例３４では、実施例３３の主題は、ステンシル層内の開口がスロットであることを含む。
【0115】
実施例３５では、実施例３３および３４のいずれか１つ以上の主題は、流体相導体を含む開口の第１パターンが、金属パターンの第１トレース幅よりも大きい第２トレース幅を有することを含む。
【0116】
実施例３６では、実施例３３～３５のいずれか１つ以上の主題は、第２のトレース幅が５０マイクロメートル以上５００マイクロメートル以下の第１の最小値を有し、第１のトレース幅が第１の最小値未満の第２の最小値を有することを含む。
【0117】
実施例３７では、実施例３３～３６のいずれか１つ以上の主題は、開口の第１のパターンの少なくとも２つの隣接する開口間の開口間隔が、金属パターンの少なくとも２つの隣接するトレース間のトレース間隔よりも大きいことを含む。
【0118】
実施例３８では、実施例３３～３７のいずれか１つ以上の主題は、金属層に電気的に結合された電子部品を含む。
【0119】
実施例３９では、実施例３３～３８のいずれか１つ以上の主題は、電子部品が第１の電子部品であり、装置が、ステンシル層に電気的に結合された第２の電子部品をさらに含む、ことを含む。
【0120】
実施例４０では、実施例３３～３９のいずれか１つ以上の主題は、第２の電子部品が、ステンシル層の１つ以上の開口および第１の封入層の１つ以上のビアを介して、ステンシル層に電気的に結合されることを含む。
【0121】
実施例４１では、実施例３３～４０のいずれか１つ以上の主題は、第１の封入層とは反対側の表面上のステンシル層に接着された第２の封入層を含む。
【0122】
実施例４２では、実施例３３～４１のいずれか１つ以上の主題は、電子部品が金属層に物理的に結合されることを含む。
【0123】
実施例４３では、実施例３３～４２のいずれか１つ以上の主題は、電子部品が第２の封入層に物理的に結合されることを含む。
【0124】
実施例４４では、実施例３３～４３のいずれか１つ以上の主題は、第２の封入層が、流体相導体を含む少なくとも１つのビアを含み、電子部品が、ステンシル層の１つ以上のスロットと、第１の封入層内の少なくとも１つのビアと、第２の封入層内の少なくとも１つのビアとによって、金属層に電気的に結合されることを含む。
【0125】
実施例４５は、処理回路によって実行されると、処理回路に、実施例１～４４のいずれかを実施する操作を実行させる命令を含む少なくとも１つの機械可読媒体である。
【0126】
実施例４６は、実施例１～４４のいずれかを実施するための手段を含む装置である。
【0127】
実施例４７は、実施例１～４４のいずれかを実施するためのシステムである。
【0128】
実施例４８は、実施例１～４４のいずれかを作製または実施する方法である。
【0129】
本明細書の一部は、マシンメモリ（例えば、コンピュータメモリ）内にビットまたはバイナリデジタル信号として記憶されたデータに対する演算のアルゴリズムまたは記号表現に関して提示される。これらのアルゴリズムまたは記号表現は、データ処理技術の当業者が他の当業者に自分の仕事の内容を伝えるために使用する技術の例である。本明細書で使用される場合、「アルゴリズム」は、所望の結果をもたらす、自己整合的な一連の操作または同様の処理である。この文脈では、アルゴリズムおよび操作は、物理量の物理的操作を含む。必ずしも必要ではないが、典型的にはそのような量は、機械によって記憶、アクセス、転送、結合、比較、またはその他の方法で操作されることが可能な電気信号、磁気信号、または光信号の形式をとることがある。主に一般的な使用の理由から、「データ」、「コンテンツ」、「ビット」、「値」、「要素」、「記号」、「文字」、「用語」、「数」、「数字」などのような単語を使用して、そのような信号を指すことが好都合である場合がある。しかしながら、これらの単語は単に便利なラベルであり、適切な物理量と関連付けられるべきである。
【0130】
特に明記しない限り、「処理する」、「コンピューティングする」、「計算する」、「決定する」、「提示する」、「表示する」などの単語を使用する本明細書の説明は、１つ以上のメモリ（例えば、揮発性メモリ、不揮発性メモリ、またはそれらの任意の適切な組合せ）内、レジスタ内、または情報を受信、保存、送信、または表示する他の機械構成要素内の物理的（例えば、電子的、磁気的、または光学的）量として表されるデータを操作または変換する機械（例えば、コンピュータ）の動作またはプロセスを指し得る。さらに、特に明記しない限り、用語「ａ」または「ａｎ」は本明細書において、特許文献において一般的であるように、１つまたは２つ以上の事例を含むように使用される。最後に、本明細書で使用される場合、「または」という用語は、特に明記しない限り、非排他的な「または」を指す。
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図3D】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図5】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図8】
【国際調査報告】