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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-09-30
(54)【発明の名称】表示基板及びその製造方法、表示装置
(51)【国際特許分類】
H10K 77/10 20230101AFI20240920BHJP
H10K 50/842 20230101ALI20240920BHJP
H10K 50/844 20230101ALI20240920BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20240920BHJP
H10K 59/124 20230101ALI20240920BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20240920BHJP
【ＦＩ】
H10K77/10
H10K50/842 426
H10K50/844 445
H10K59/122
H10K59/124
G09F9/30 308Z
G09F9/30 309
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023549654
(86)(22)【出願日】2021-09-27
(85)【翻訳文提出日】2023-08-16
(86)【国際出願番号】 CN2021121040
(87)【国際公開番号】W WO2023044914
(87)【国際公開日】2023-03-30
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】510280589
【氏名又は名称】京東方科技集團股▲ふん▼有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＢＯＥ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＧＲＯＵＰ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１０ Ｊｉｕｘｉａｎｑｉａｏ Ｒｄ．，Ｃｈａｏｙａｎｇ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００１５，ＣＨＩＮＡ
(71)【出願人】
【識別番号】511121702
【氏名又は名称】成都京東方光電科技有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＣＨＥＮＧＤＵ ＢＯＥ ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１１８８，Ｈｅｚｕｏ Ｒｄ．，（Ｗｅｓｔ Ｚｏｎｅ），Ｈｉ－ｔｅｃｈ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｚｏｎｅ，Ｃｈｅｎｇｄｕ，Ｓｉｃｈｕａｎ，６１１７３１，Ｐ．Ｒ．ＣＨＩＮＡ
(74)【代理人】
【識別番号】100108453
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
(74)【代理人】
【識別番号】100110364
【弁理士】
【氏名又は名称】実広 信哉
(72)【発明者】
【氏名】▲賈▼ 立
(72)【発明者】
【氏名】高 涛
(72)【発明者】
【氏名】▲チャン▼ 裕程
(72)【発明者】
【氏名】王 品凡
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107BB08
3K107CC23
3K107CC25
3K107CC33
3K107DD17
3K107DD89
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3K107DD93
3K107EE48
3K107EE49
3K107EE50
3K107FF15
5C094AA51
5C094BA03
5C094BA27
5C094DA06
5C094DA07
5C094FB01
5C094FB02
5C094JA08
(57)【要約】
表示基板であり、フレキシブルベース基板１０と、第１充填層６１と、パッケージ層４０と、を備える。フレキシブルベース基板１０は少なくとも１つの伸張表示領域Ａ２を備える。伸張表示領域Ａ２は、互いに分離された複数の画素島領域１００と、複数の孔領域３００と、画素島領域１００と孔領域３００との間に位置する接続ブリッジ領域２００と、を含む。少なくとも１つの孔領域３００には、フレキシブルベース基板１０を貫通する１つ以上の第１貫通孔Ｋ１が設けられている。第１充填層６１は孔領域３００に位置し且つ第１貫通孔Ｋ１内に充填される。パッケージ層４０は、第１充填層６１のフレキシブルベース基板１０から離れる側に位置し、パッケージ層４０のフレキシブルベース基板１０における正投影は、第１充填層６１と部分的にオーバーラップし、又は、オーバーラップしない。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
表示基板であって、フレキシブルベース基板と、第１充填層と、パッケージ層と、を備え、前記フレキシブルベース基板は、少なくとも１つの伸張表示領域を備え、前記伸張表示領域は、互いに分離された複数の画素島領域と、複数の孔領域と、前記画素島領域と孔領域との間に位置する接続ブリッジ領域と、を含み、少なくとも１つの孔領域には前記フレキシブルベース基板を貫通する１つ以上の第１貫通孔が設けられ、
前記第１充填層は前記孔領域に位置し且つ前記第１貫通孔内に充填され、
前記パッケージ層は、前記第１充填層の前記フレキシブルベース基板から離れる側に位置し、前記パッケージ層の前記フレキシブルベース基板における正投影は、前記第１充填層と部分的にオーバーラップし、又は、オーバーラップしない、表示基板。
【請求項2】
更に、前記画素島領域及び接続ブリッジ領域に位置する第１平坦層を備え、前記第１平坦層と前記第１充填層は同層構造且つ同じ材料である、請求項１に記載の表示基板。
【請求項3】
前記孔領域は更に前記フレキシブルベース基板に積層された複合絶縁層を備え、前記複合絶縁層は第２貫通孔を有し、前記第２貫通孔は前記複合絶縁層を貫通し、そして対応する第１貫通孔に貫通し、前記複合絶縁層は少なくとも１つの無機層を含み、又は、少なくとも１つの有機層を含み、又は、少なくとも１つの無機層と少なくとも１つの有機層とを含む、請求項１又は２に記載の表示基板。
【請求項4】
更に前記孔領域に位置する第２充填層を備え、前記第２充填層は前記第２貫通孔内に充填され、前記第２充填層は前記第１充填層に接触し、前記第２充填層の前記フレキシブルベース基板における正投影は、前記第１充填層の前記フレキシブルベース基板における正投影と少なくとも部分的にオーバーラップし、前記パッケージ層の前記フレキシブルベース基板における正投影は、前記第２充填層の前記フレキシブルベース基板における正投影と部分的にオーバーラップし、又は、オーバーラップしない、請求項３に記載の表示基板。
【請求項5】
更に前記画素島領域及び接続ブリッジ領域に位置する第２平坦層を備え、前記第２平坦層は第１平坦層の前記フレキシブルベース基板から離れる側に位置し、前記第２平坦層と前記第２充填層は同層構造且つ同じ材料である、請求項４に記載の表示基板。
【請求項6】
前記第２充填層の前記フレキシブルベース基板から離れる表面と、前記複合絶縁層の前記フレキシブルベース基板から離れる表面とは、揃えられている、請求項４に記載の表示基板。
【請求項7】
前記表示基板に垂直な方向において、前記第２貫通孔の断面形状は逆台形である、請求項３～６のいずれか１項に記載の表示基板。
【請求項8】
前記第１充填層の表面と前記フレキシブルベース基板の表面とは揃えられている、請求項２～７のいずれか１項に記載の表示基板。
【請求項9】
前記少なくとも１つの孔領域には前記フレキシブルベース基板及び第１充填層に形成された第２分離溝が設けられ、前記第２分離溝は前記複合絶縁層の第２貫通孔に貫通し、前記複合絶縁層における少なくとも１つの絶縁層は第２延出部を有し、前記第２延出部の前記フレキシブルベース基板における正投影は、前記第２分離溝の前記フレキシブルベース基板における正投影内に位置し、前記第２分離溝の前記フレキシブルベース基板における正投影は、前記第１充填層の前記フレキシブルベース基板における正投影を覆う、請求項３に記載の表示基板。
【請求項10】
前記第２分離溝の深さは約１．５マイクロメートル～２．０マイクロメートルである、請求項９に記載の表示基板。
【請求項11】
前記表示基板に垂直な方向において、前記複合絶縁層の少なくとも１つの絶縁層の第２延出部の側壁と同側の前記第２分離溝の側壁との間の距離は、約０．３マイクロメートル～０．５マイクロメートルである、請求項９に記載の表示基板。
【請求項12】
更に、第１平坦層の前記フレキシブルベース基板から離れる側に位置する第２平坦層と、前記第２平坦層の前記フレキシブルベース基板から離れる側に位置する不動態化層と、を備え、前記接続ブリッジ領域には、前記不動態化層及び一部の第２平坦層を貫通して形成された第１分離溝が設けられ、前記不動態化層は第１延出部を有し、前記第１延出部の前記フレキシブルベース基板における正投影は、前記第１分離溝の前記フレキシブルベース基板における正投影内に位置する、請求項２～１１のいずれか１項に記載の表示基板。
【請求項13】
前記パッケージ層は、積層された第１無機パッケージ層と、有機パッケージ層と、第２無機パッケージ層と、を含む、請求項１～１２のいずれか１項に記載の表示基板。
【請求項14】
表示装置であって、請求項１～１３のいずれか１項に記載の表示基板を備えた表示装置。
【請求項15】
表示基板の製造方法であって、前記表示基板は少なくとも１つの伸張表示領域を備え、前記伸張表示領域は、互いに分離された複数の画素島領域と、複数の孔領域と、前記画素島領域と孔領域との間に位置する接続ブリッジ領域と、を含み、前記製造方法は、
前記孔領域にフレキシブルベース基板を貫通する１つ以上の第１貫通孔を形成することと、
前記孔領域に前記第１貫通孔を充填する第１充填層を形成することと、
パッケージ層を形成し、前記パッケージ層の前記フレキシブルベース基板における正投影は、前記第１充填層と部分的にオーバーラップし、又は、オーバーラップしないことと、を含む、表示基板の製造方法。
【請求項16】
更に、前記孔領域に前記第１充填層を形成すると同時に、前記画素島領域及び接続ブリッジ領域に第１平坦層を形成することを含む、請求項１５に記載の製造方法。
【請求項17】
更に、前記孔領域に前記第１充填層を形成する前に、前記フレキシブルベース基板に複合絶縁層を形成し、そして前記孔領域の前記複合絶縁層に第２貫通孔を形成し、前記第２貫通孔は前記複合絶縁層を貫通し、そして対応する第１貫通孔に貫通することを含む、請求項１５に記載の製造方法。
【請求項18】
更に、前記孔領域に前記第１充填層を形成した後に、前記画素島領域及び接続ブリッジ領域に第２平坦層を形成するとともに、前記孔領域に第２充填層を形成し、前記第２充填層は前記第２貫通孔内に充填されることを含み、前記第２充填層は前記第１充填層に接触し、前記第２充填層の前記フレキシブルベース基板における正投影は、前記第１充填層の前記フレキシブルベース基板における正投影と少なくとも部分的にオーバーラップし、前記パッケージ層の前記フレキシブルベース基板における正投影は、前記第２充填層の前記フレキシブルベース基板における正投影と部分的にオーバーラップし、又は、オーバーラップしない、請求項１７に記載の製造方法。
【請求項19】
更に、前記孔領域に前記第１充填層を形成した後に、前記複合絶縁層、一部の第２平坦部、及び一部のフレキシブルベース基板を貫通する第２分離溝を前記孔領域に形成することを含み、前記第２分離溝は前記複合絶縁層の第２貫通孔に貫通し、前記複合絶縁層における少なくとも１つの絶縁層は第２延出部を有し、前記第２延出部の前記フレキシブルベース基板における正投影は、前記第２分離溝の前記フレキシブルベース基板における正投影内に位置し、前記第２分離溝の前記フレキシブルベース基板における正投影は、前記第１充填層の前記フレキシブルベース基板における正投影を覆う、請求項１７に記載の製造方法。
【請求項20】
表示基板であって、フレキシブルベース基板を備え、前記フレキシブルベース基板は、少なくとも１つの伸張表示領域を備え、前記伸張表示領域は、互いに分離された複数の画素島領域と、複数の孔領域と、前記画素島領域と孔領域との間に位置する接続ブリッジ領域と、を含み、少なくとも１つの孔領域には前記フレキシブルベース基板を貫通する１つ以上の第１貫通孔が設けられ、
前記孔領域は更に前記フレキシブルベース基板に積層された複合絶縁層を備え、前記複合絶縁層は第２貫通孔を有し、前記第２貫通孔は前記複合絶縁層を貫通し、そして対応する第１貫通孔に貫通し、
前記複合絶縁層の前記フレキシブルベース基板における正投影は、前記第１貫通孔の前記フレキシブルベース基板における正投影とオーバーラップする、表示基板。
【請求項21】
前記複合絶縁層は前記フレキシブルベース基板に接触する第１絶縁層を含み、前記第２貫通孔は前記第１絶縁層に開設された第１スルーホールを含み、前記第１スルーホールの前記フレキシブルベース基板における正投影は、前記第１貫通孔の前記フレキシブルベース基板における正投影内に位置する、請求項２０に記載の表示基板。
【請求項22】
更に、前記複合絶縁層の前記フレキシブルベース基板から離れる側に位置するパッケージ層を備え、前記パッケージ層は前記孔領域において前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔の側壁を覆う、請求項２１に記載の表示基板。
【請求項23】
前記第１貫通孔は連通する第１サブ貫通孔と第２サブ貫通孔とを含み、前記第１サブ貫通孔は前記第２貫通孔に貫通し、前記第１サブ貫通孔の前記フレキシブルベース基板における正投影は、前記第２サブ貫通孔の前記フレキシブルベース基板における正投影内に位置する、請求項２０に記載の表示基板。
【請求項24】
更に、前記複合絶縁層の前記フレキシブルベース基板から離れる側に位置するパッケージ層を備え、前記パッケージ層は前記孔領域において前記第１サブ貫通孔及び前記第２貫通孔の側壁を覆う、請求項２３に記載の表示基板。
【請求項25】
表示基板に垂直な方向において、前記第２サブ貫通孔の断面形状は台形である、請求項２３に記載の表示基板。
【請求項26】
前記パッケージ層は、積層された第１無機パッケージ層と第２無機パッケージ層とを含む、請求項２２又は２４に記載の表示基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示の実施例は表示技術分野に関するが、これには限らず、特に表示基板及びその製造方法、表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）は能動発光型表示素子であり、自律発光、超軽量薄型、速い応答速度、広い視野角、低い消費電力等の利点がある。ＯＬＥＤ表示技術の発展に伴い、ＯＬＥＤ表示技術を採用した表示製品は、現在の曲げ製品形態から折りたたみ可能、ひいては伸張可能な製品形態に徐々に発展している。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0003】
以下は本文が詳細に説明するテーマについての概説である。本概説は特許請求の保護範囲を制限するためのものではない。
【0004】
本開示の実施例は表示基板及びその製造方法、表示装置を提供する。
【0005】
一態様では、本開示の実施例は表示基板を提供し、フレキシブルベース基板と、第１充填層と、パッケージ層と、を備える。フレキシブルベース基板は少なくとも１つの伸張表示領域を備える。伸張表示領域は、互いに分離された複数の画素島領域と、複数の孔領域と、画素島領域と孔領域との間に位置する接続ブリッジ領域と、を含む。少なくとも１つの孔領域には、フレキシブルベース基板を貫通する１つ以上の第１貫通孔が設けられている。第１充填層は前記孔領域に位置し且つ前記第１貫通孔内に充填される。パッケージ層は、前記第１充填層の前記フレキシブルベース基板から離れる側に位置する。前記パッケージ層の前記フレキシブルベース基板における正投影は、前記第１充填層と部分的にオーバーラップし、又は、オーバーラップしない。
【0006】
幾つかの例示的な実施形態では、表示基板は更に、前記画素島領域及び接続ブリッジ領域に位置する第１平坦層を備え、前記第１平坦層と前記第１充填層は同層構造且つ同じ材料である。
【0007】
幾つかの例示的な実施形態では、前記孔領域は更に前記フレキシブルベース基板に積層された複合絶縁層を備え、前記複合絶縁層は第２貫通孔を有し、前記第２貫通孔は前記複合絶縁層を貫通し、そして対応する第１貫通孔に貫通する。前記複合絶縁層は少なくとも１つの無機層を含み、又は、少なくとも１つの有機層を含み、又は、少なくとも１つの無機層と少なくとも１つの有機層とを含む。
【0008】
幾つかの例示的な実施形態では、表示基板は更に前記孔領域に位置する第２充填層を備え、前記第２充填層は前記第２貫通孔内に充填される。前記第２充填層は前記第１充填層に接触し、前記第２充填層の前記フレキシブルベース基板における正投影は、前記第１充填層の前記フレキシブルベース基板における正投影と少なくとも部分的にオーバーラップする。前記パッケージ層の前記フレキシブルベース基板における正投影は、前記第２充填層の前記フレキシブルベース基板における正投影と部分的にオーバーラップし、又は、オーバーラップしない。
【0009】
幾つかの例示的な実施形態では、表示基板は更に、前記画素島領域及び接続ブリッジ領域に位置する第２平坦層を備え、前記第２平坦層は前記第１平坦層の前記フレキシブルベース基板から離れる側に位置し、前記第２平坦層と前記第２充填層は同層構造且つ同じ材料である。
【0010】
幾つかの例示的な実施形態では、前記第２充填層の前記フレキシブルベース基板から離れる表面と、前記複合絶縁層の前記フレキシブルベース基板から離れる表面とは、揃えられている。
【0011】
幾つかの例示的な実施形態では、前記表示基板に垂直な方向において、前記第２貫通孔の断面形状は逆台形である。
【0012】
幾つかの例示的な実施形態では、前記第１充填層の表面と前記フレキシブルベース基板の表面とは揃えられている。
【0013】
幾つかの例示的な実施形態では、前記少なくとも１つの孔領域には前記フレキシブルベース基板及び第１充填層に形成された第２分離溝が設けられ、前記第２分離溝は前記複合絶縁層の第２貫通孔に貫通する。前記複合絶縁層における少なくとも１つの絶縁層は第２延出部を有し、前記第２延出部の前記フレキシブルベース基板における正投影は、前記第２分離溝の前記フレキシブルベース基板における正投影内に位置する。前記第２分離溝の前記フレキシブルベース基板における正投影は、前記第１充填層の前記フレキシブルベース基板における正投影を覆う。
【0014】
幾つかの例示的な実施形態では、前記第２分離溝の深さは約１．５マイクロメートル～２．０マイクロメートルである。
【0015】
幾つかの例示的な実施形態では、前記表示基板に垂直な方向において、前記複合絶縁層の少なくとも１つの絶縁層の第２延出部の側壁と同側の前記第２分離溝の側壁との間の距離は、約０．３マイクロメートル～０．５マイクロメートルである。
【0016】
幾つかの例示的な実施形態では、表示基板は更に、前記第１平坦層の前記フレキシブルベース基板から離れる側に位置する第２平坦層と、前記第２平坦層の前記フレキシブルベース基板から離れる側に位置する不動態化層と、を備える。前記接続ブリッジ領域には、前記不動態化層及び一部の第２平坦層を貫通して形成された第１分離溝が設けられている。前記不動態化層は第１延出部を有し、前記第１延出部の前記フレキシブルベース基板における正投影は、前記第１分離溝の前記フレキシブルベース基板における正投影内に位置する。
【0017】
幾つかの例示的な実施形態では、前記パッケージ層は、積層された第１無機パッケージ層と、有機パッケージ層と、第２無機パッケージ層と、を含む。
【0018】
他の一態様では、本開示の実施例は表示装置を提供し、上記の表示基板を備える。
【0019】
他の一態様では、本開示の実施例は表示基板の製造方法を提供する。前記表示基板は少なくとも１つの伸張表示領域を備え、前記伸張表示領域は、互いに分離された複数の画素島領域と、複数の孔領域と、前記画素島領域と孔領域との間に位置する接続ブリッジ領域と、を含む。前記製造方法は、前記孔領域にフレキシブルベース基板を貫通する１つ以上の第１貫通孔を形成することと、前記孔領域に第１貫通孔を充填する第１充填層を形成することと、パッケージ層を形成し、前記パッケージ層の前記フレキシブルベース基板における正投影は、前記第１充填層と部分的にオーバーラップし、又は、オーバーラップしないことと、を含む。
【0020】
幾つかの例示的な実施形態では、上記の製造方法は更に、前記孔領域に前記第１充填層を形成すると同時に、前記画素島領域及び接続ブリッジ領域に第１平坦層を形成することを含む。
【0021】
幾つかの例示的な実施形態では、上記の製造方法は更に、前記孔領域に前記第１充填層を形成する前に、前記フレキシブルベース基板に複合絶縁層を形成し、そして前記孔領域の前記複合絶縁層に第２貫通孔を形成し、前記第２貫通孔は前記複合絶縁層を貫通し、そして対応する第１貫通孔に貫通することを含む。
【0022】
幾つかの例示的な実施形態では、上記の製造方法は更に、前記孔領域に前記第１充填層を形成した後に、前記画素島領域及び接続ブリッジ領域に第２平坦層を形成するとともに、前記孔領域に第２充填層を形成し、前記第２充填層は前記第２貫通孔内に充填されることを含む。前記第２充填層は前記第１充填層に接触し、前記第２充填層の前記フレキシブルベース基板における正投影は、前記第１充填層の前記フレキシブルベース基板における正投影と少なくとも部分的にオーバーラップし、前記パッケージ層の前記フレキシブルベース基板における正投影は、前記第２充填層の前記フレキシブルベース基板における正投影と部分的にオーバーラップし、又は、オーバーラップしない。
【0023】
幾つかの例示的な実施形態では、上記の製造方法は更に、前記孔領域に前記第１充填層を形成した後に、前記複合絶縁層、一部の第２平坦部、及び一部のフレキシブルベース基板を貫通する第２分離溝を前記孔領域に形成することを含む。前記第２分離溝は前記複合絶縁層の第２貫通孔に貫通し、前記複合絶縁層における少なくとも１つの絶縁層は第２延出部を有し、前記第２延出部の前記フレキシブルベース基板における正投影は、前記第２分離溝の前記フレキシブルベース基板における正投影内に位置する。前記第２分離溝の前記フレキシブルベース基板における正投影は、前記第１充填層の前記フレキシブルベース基板における正投影を覆う。
【0024】
他の一態様では、本開示の実施例は更に表示基板を提供し、フレキシブルベース基板を備える。フレキシブルベース基板は、少なくとも１つの伸張表示領域を備え、前記伸張表示領域は、互いに分離された複数の画素島領域と、複数の孔領域と、前記画素島領域と孔領域との間に位置する接続ブリッジ領域と、を含み、少なくとも１つの孔領域には前記フレキシブルベース基板を貫通する１つ以上の第１貫通孔が設けられている。前記孔領域は更に前記フレキシブルベース基板に積層された複合絶縁層を備え、前記複合絶縁層は第２貫通孔を有し、前記第２貫通孔は前記複合絶縁層を貫通し、そして対応する第１貫通孔に貫通する。前記複合絶縁層の前記フレキシブルベース基板における正投影は、前記第１貫通孔の前記フレキシブルベース基板における正投影とオーバーラップする。
【0025】
幾つかの例示的な実施形態では、前記複合絶縁層は前記フレキシブルベース基板に接触する第１絶縁層を含み、前記第２貫通孔は前記第１絶縁層に開設された第１スルーホールを含み、前記第１スルーホールの前記フレキシブルベース基板における正投影は、前記第１貫通孔の前記フレキシブルベース基板における正投影内に位置する。
【0026】
幾つかの例示的な実施形態では、表示基板は更に、前記複合絶縁層の前記フレキシブルベース基板から離れる側に位置するパッケージ層を備え、前記パッケージ層は前記孔領域において前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔の側壁を覆う。
【0027】
幾つかの例示的な実施形態では、前記第１貫通孔は連通する第１サブ貫通孔と第２サブ貫通孔とを含み、前記第１サブ貫通孔は前記第２貫通孔に貫通する。前記第１サブ貫通孔の前記フレキシブルベース基板における正投影は、前記第２サブ貫通孔の前記フレキシブルベース基板における正投影内に位置する。
【0028】
幾つかの例示的な実施形態では、表示基板は更に、前記複合絶縁層の前記フレキシブルベース基板から離れる側に位置するパッケージ層を備え、前記パッケージ層は前記孔領域において前記第１サブ貫通孔及び前記第２貫通孔の側壁を覆う。
【0029】
幾つかの例示的な実施形態では、表示基板に垂直な方向において、前記第２サブ貫通孔の断面形状は台形である。
【0030】
幾つかの例示的な実施形態では、前記パッケージ層は、積層された第１無機パッケージ層と第２無機パッケージ層とを含む。
【0031】
添付図面及び詳しい説明を読んで理解した後、その他の態様を分かることができる。
【0032】
図面は本開示の技術案をより理解するためのものであり、且つ明細書の一部を構成し、本開示の実施例と一緒に本開示の技術案を説明することに用いられ、本開示の技術案を制限するためのものではない。図面における１つ以上の部材の形状及びサイズは実際の縮尺を反映しておらず、本開示の内容を模式的に説明することのみを目的としている。
【図面の簡単な説明】
【0033】
【発明を実施するための形態】
【0034】
以下は図面を参照しながら、本開示の実施例を詳しく説明する。実施形態は、複数の異なる形式によって実施されてもよい。当業者が容易に理解できるように、方式及び内容は本開示の主旨及びその範囲を離脱せずに他の形式に変換されてもよい。従って、本開示は以下の実施形態に記載される内容に限定されると解釈されるべきではない。衝突しない限り、本開示における実施例及び実施例における特徴は任意に組み合わせることができる。
【0035】
図面では、明確にするために、１つ以上の構成要素のサイズ、層の厚さ、又は領域が誇張表示される場合がある。従って、本開示の１つの方式は必ずしも該サイズに限定されず、図における１つ以上の部材の形状及びサイズは実際の縮尺を反映するものではない。尚、図面には理想的な例が模式的に示されるが、本開示の１つの方式は図に示される形状又は数値等に限らない。
【0036】
本明細書における「第１」、「第２」、「第３」等の序数は構成要素の混同を回避するために設定されたものであり、数量の面で限定するためのものではない。本開示における「複数」は、２つ以上の数を表す。
【0037】
本明細書では、便利のために、「中部」、「上」、「下」、「前」、「後」、「垂直」、「水平」、「頂」、「底」、「内」、「外」等の、方位又は位置関係を指示する記載が使用されることによって、構成要素の位置関係を図面を参照しながら説明されるが、それは本明細書を簡単に説明するためのものに過ぎず、指示される装置や素子が必ず特定の方位を有し、特定の方位で構成及び操作されることを明示又は暗示するものではなく、従って本開示に対する制限と理解されるべきではない。構成要素の位置関係は各構成要素を説明する方向によって適切に変更される。従って、明細書に記載される用語に制限されず、状況に応じて適切に置き換えることができる。
【0038】
本明細書では、特に明確な規定や限定がない限り、「取り付け」、「接続」という用語は広い意味で理解されるべきである。例えば、固定的に接続されること、又は取り外し可能に接続されること、又は一体的に接続されることであってもよく、機械的接続又は電気的接続であってもよく、直接接続、又は中間部材を介した間接接続、又は２つの素子内部の連通であってもよい。当業者にとって、状況によって上記用語の本開示での意味を理解することができる。
【0039】
本明細書では、「電気的接続」は、構成要素が何かの電気的機能を有する素子を介して接続される場合を含む。「何かの電気的機能を有する素子」は特に限定されなく、接続された構成要素間の電気信号の伝送を行うことができるものであればよい。「何かの電気的機能を有する素子」の例は、電極及び配線を含むだけでなく、更にトランジスタ等のスイッチング素子、抵抗器、インダクタ、コンデンサ、及び他の様々な機能を有する素子等も含む。
【0040】
本明細書では、トランジスタとは少なくとも、ゲート電極、ドレイン電極、及びソース電極という３つの端子を備える素子を指す。トランジスタは、ドレイン電極（ドレイン電極端子、ドレイン領域、又はドレイン電極）とソース電極（ソース電極端子、ソース領域、又はソース電極）との間にチャネル領域を有し、そして電流はドレイン電極、チャネル領域、及びソース電極を流れることができる。本明細書では、チャネル領域とは、電流が主に流れる領域を指す。
【0041】
本明細書では、第１極はドレイン電極であってもよく、第２極はソース電極であってもよく、又は、第１極はソース電極であってもよく、第２極はドレイン電極であってもよい。極性が逆のトランジスタを用いる場合、又は回路動作中の電流方向が変化する等の場合には、「ソース電極」及び「ドレイン電極」の機能は互いに入れ替わる場合がある。従って、本明細書では、「ソース電極」及び「ドレイン電極」は互いに入れ替わることができる。
【0042】
本明細書では、「平行」とは、２本の直線のなす角度が－１０°以上且つ１０°以下である状態を指し、従って該角度が－５°以上且つ５°以下である状態も含む。尚、「垂直」とは、２本の直線のなす角度が８０°以上且つ１００°以下である状態を指し、従って、８５°以上且つ９５°以下の角度の状態も含む。
【0043】
本明細書では、「膜」と「層」は互いに入れ替わることができる。例えば、「導電層」を「導電膜」に置き換えてもよい場合がある。それと同様に、「絶縁膜」を「絶縁層」に置き換えてもよい場合がある。
【0044】
本開示における「約」とは、限界を厳密に限定せず、プロセス及び測定の誤差範囲内を許容することを指す。
【0045】
本開示において、「伸張可能」とは、永久変形、又は破裂のような故障を生じることなく、材料、構造、装置又は装置アセンブリが引張力を受けて変形する（例えば、長くなる、又は広くなる、又は長く且つ広くなる）能力、例えば、長さを少なくとも１０％伸ばしても永久変形、破裂、又は切断しない能力を指す。「伸張可能」はまた、伸張可能、膨張可能、又は展開可能な表面を収容し、且つ伸張された、膨張した、又は展開された、伸張可能、膨張可能、又は展開可能な表面に適用された場合、機能を維持するように構成された、アセンブリを有する（これらのアセンブリ自体が単独で上記のように伸張できるかどうかにかかわらず）基板を含むことも意図されている。「伸張可能」は更に、弾性的に又は可塑的に変形可能な基板（即ち、伸張された後、該基板は伸張力が解除されると元のサイズに戻ることができ、又は該基板は元のサイズに戻らないことができ、そして幾つかの例では伸張形態を維持することができる）であって、且つ基板の製造期間、基板を有する装置の組み立て（製造作業の一部と見なされることができる）期間、又は使用（例えば、ユーザが基板を伸張すること及び選択的に曲げること）期間において変形（例えば、伸張及び選択的な曲げ）が生じてもよい基板を含むことも意図されている。
【0046】
幾つかの実現方式では、伸張可能な表示基板は、通常、多量の開孔構造設計を採用する。しかしながら、伸張可能な表示基板の製造プロセスにおいて、フレキシブルベース基板に開孔構造が形成された後、段差が大きい（例えば、１０マイクロメートルよりも大きい）ため、後続のプロセスで深孔露光残留が生じやすく、表示基板の伸張性能に影響を与える。そして、表示基板とガラス基板との剥離の際に、パッケージ層が引き裂かれて失効しやすく、伸張可能な表示基板のパッケージの失効を招く。
【0047】
図１は表示基板とガラス基板との剥離が失効する模式図である。図１に示すように、フレキシブルベース基板０２の開口領域Ｄ０をパッケージ層０３が覆っている。開口領域Ｄ０では、パッケージ層０３はフレキシブルベース基板０２の側壁及びガラス基板０１に直接接触する。フレキシブルベース基板０２がガラス基板０１から剥離される時、開孔領域Ｄ０内でガラス基板０１に直接接触するパッケージ層０３はガラス基板０１から分離しにくく、それによって剥離プロセスにおいて第１位置Ｄ１にパッケージ層０３の引き裂き破壊ポイントが発生しやすく、表示基板のパッケージの失効を招く。
【0048】
本開示の少なくとも１つの実施例は表示基板を提供し、フレキシブルベース基板と、第１充填層と、パッケージ層と、を備える。フレキシブルベース基板は少なくとも１つの伸張表示領域を備える。伸張表示領域は、互いに分離された複数の画素島領域と、複数の孔領域と、画素島領域と孔領域との間に位置する接続ブリッジ領域と、を含む。少なくとも１つの孔領域には、フレキシブルベース基板を貫通する１つ以上の第１貫通孔が設けられている。第１充填層は孔領域に位置し且つ第１貫通孔内に充填される。パッケージ層は、第１充填層のフレキシブルベース基板から離れる側に位置し、パッケージ層のフレキシブルベース基板における正投影は、第１充填層と部分的にオーバーラップし、又は、オーバーラップしない。
【0049】
本開示の実施例による表示基板は、フレキシブルベース基板を貫通する第１貫通孔内に第１充填層を充填することにより、深孔露光プロセスで残留が生じることを回避し、表示基板の伸張可能性能を向上させることができ、そして、表示基板とガラス基板との剥離の際にパッケージ層が破裂して失効することを回避でき、それによって表示基板のパッケージ信頼性を向上させることができる。
【0050】
幾つかの例示的な実施形態では、第１充填層の接着性とフレキシブルベース基板の接着性とは異なってもよい。異なる接着性を有する第１充填層を用いてフレキシブルベース基板の第１貫通孔を充填することにより、表示基板の伸張可能効果を確保することができる。
【0051】
幾つかの例示的な実施形態では、表示基板は更に、画素島領域及び接続ブリッジ領域に位置する第１平坦層を備えてもよい。第１平坦層と第１充填層は同層構造且つ同じ材料である。本例では、第１平坦層と第１充填層は同期して製造されてもよく、それによって製造プロセスが簡略化される。
【0052】
幾つかの例示的な実施形態では、第１充填層の表面とフレキシブルベース基板の表面とは揃えられてもよい。本例では、第１充填層とフレキシブルベース基板の表面とが揃えられるように設置することによって、後にフレキシブルベース基板に形成される膜層を平滑化し、断裂が形成されにくいようにすることができる。しかし、本実施例はこれについて限定しない。幾つかの例示的な実施形態では、第１充填層の表面とフレキシブルベース基板の表面とは揃えられなくてもよく、例えば、第１充填層の表面はフレキシブルベース基板の表面よりも高く、又は、第１充填層の表面はフレキシブルベース基板の表面よりも低い。
【0053】
幾つかの例示的な実施形態では、孔領域は更にフレキシブルベース基板に積層された複合絶縁層を備える。複合絶縁層は第２貫通孔を有する。第２貫通孔は複合絶縁層を貫通し、そして対応する第１貫通孔に貫通する。複合絶縁層は少なくとも１つの無機層を含み、又は、少なくとも１つの有機層を含み、又は、少なくとも１つの無機層と少なくとも１つの有機層とを含んでもよい。幾つかの例では、複合絶縁層は無機層のみを含み、即ち無機複合絶縁層であり、又は、複合絶縁層は有機層のみを含んでもよく、即ち有機複合絶縁層であり、又は、複合絶縁層は無機層と有機層とを含んでもよい。本例では、孔領域の複合絶縁層を掘削することにより、表示基板の伸張可能効果を改善することができる。しかし、本実施例はこれについて限定しない。
【0054】
幾つかの例示的な実施形態では、表示基板は更に孔領域に位置する第２充填層を備え、第２充填層は第２貫通孔内に充填される。第２充填層は第１充填層に接触し、第２充填層のフレキシブルベース基板における正投影は、第１充填層のフレキシブルベース基板における正投影と少なくとも部分的にオーバーラップする。パッケージ層のフレキシブルベース基板における正投影は、第２充填層のフレキシブルベース基板における正投影と部分的にオーバーラップし、又は、オーバーラップしない。本例では、パッケージ層は第２充填層を覆わない又は完全に覆うことではないため、表示基板の伸張効果を確保することができる。第２貫通孔内に第２充填層を充填することにより、深孔露光プロセスで残留が生じることを回避し、表示基板の伸張可能効果を改善することができ、そして、表示基板とガラス基板との剥離の際にパッケージ層が破裂して失効することを回避でき、それによって表示基板のパッケージ信頼性を向上させることができる。
【0055】
幾つかの例では、複合絶縁層は有機層を含んでもよく、第２充填層と複合絶縁層の有機層は同層構造且つ同じ材料であってもよい。しかし、本実施例はこれについて限定しない。
【0056】
幾つかの例示的な実施形態では、表示基板は更に、画素島領域及び接続ブリッジ領域に位置する第２平坦層を備えてもよい。第２平坦層は第１平坦層のフレキシブルベース基板から離れる側に位置し、そして第２平坦層と第２充填層は同層構造且つ同じ材料である。本例では、第２平坦層と第２充填層は同期して製造されてもよく、それによって製造プロセスが簡略化される。
【0057】
幾つかの例示的な実施形態では、第２充填層のフレキシブルベース基板から離れる表面と、複合絶縁層のフレキシブルベース基板から離れる表面とは、揃えられてもよい。第２充填層と複合絶縁層の表面が揃えられるように設置することによって、後に複合絶縁層に形成される膜層を平滑化し、断裂が形成されにくいようにすることができる。しかし、本実施例はこれについて限定しない。例えば、第２充填層のフレキシブルベース基板から離れる表面は、複合絶縁層のフレキシブルベース基板から離れる表面よりも低くてもよい。
【0058】
幾つかの例示的な実施形態では、少なくとも１つの孔領域にはフレキシブルベース基板及び第１充填層に形成された第２分離溝が設けられてもよい。第２分離溝は複合絶縁層の第２貫通孔に貫通する。複合絶縁層における少なくとも１つの絶縁層は第２延出部を有し、第２延出部のフレキシブルベース基板における正投影は、第２分離溝のフレキシブルベース基板における正投影内に位置する。本例では、第２分離溝の一部は第１充填層に形成され、残りの部分はフレキシブルベース基板に形成されてもよい。複合絶縁層の少なくとも１つの絶縁層の第２延出部は、第２分離溝の切り欠きに位置し、それによって、第２分離溝の切り欠きのフレキシブルベース基板における正投影は、第２分離溝のフレキシブルベース基板における正投影内に位置する。第２分離溝のフレキシブルベース基板における正投影は、第１充填層のフレキシブルベース基板における正投影を覆う。表示基板に垂直な方向において、第２分離溝の断面形状は凸字型であってもよい。本例では、第１充填層で充填されたフレキシブルベース基板に第２分離溝を形成することにより、発光素子の有機発光層と陰極とが遮断されることができ、それによって表示基板のパッケージ信頼性を向上させる。
【0059】
幾つかの例示的な実施形態では、表示基板は更に、第１平坦層のフレキシブルベース基板から離れる側に位置する第２平坦層と、第２平坦層のフレキシブルベース基板から離れる側に位置する不動態化層と、を備えてもよい。接続ブリッジ領域には、不動態化層及び一部の第２平坦層を貫通して形成された第１分離溝が設けられている。不動態化層は第１延出部を有し、第１延出部のフレキシブルベース基板における正投影は、第１分離溝のフレキシブルベース基板における正投影内に位置する。本例では、第１分離溝は第２平坦層に形成され、不動態化層の第１延出部は第１分離溝の切り欠きに位置し、それによって、第１分離溝の切り欠きのフレキシブルベース基板における正投影は第１分離溝のフレキシブルベース基板における正投影内に位置する。表示基板に垂直な方向において、第１分離溝の断面形状は凸字型であってもよい。本例では、接続ブリッジ領域に第１分離溝を形成することにより、画素島領域の孔領域に近いところに形成された有機発光層と陰極とが第１分離溝のところで遮断されることができ、それによって、孔領域の水と酸素等が発光素子を侵食することを回避することができる。
【0060】
幾つかの例示的な実施形態では、パッケージ層は、積層された第１無機パッケージ層と、有機パッケージ層と、第２無機パッケージ層と、を含んでもよい。本例では、パッケージ層は無機、有機、無機の３層パッケージ構造を採用し、パッケージ効果を高めることができる。
【0061】
以下では幾つかの例によって本実施例の案を説明する。
【0062】
図２は本開示の少なくとも１つの実施例による表示基板の模式図である。幾つかの例示的な実施形態では、図２に示すように、表示基板の表示領域は、主表示領域Ａ１と、少なくとも１つの伸張表示領域Ａ２（例えば、４つの伸張表示領域）と、を含んでもよい。表示基板は矩形表示基板であってもよく、４つの伸張表示領域Ａ２は表示基板の４つの角領域に位置してもよく、残りの表示領域はいずれも主表示領域である。本例では、表示基板の四辺が湾曲しているため、４つの角領域に伸張表示領域を設けることにより、応力解放を行うことができ、表示基板を湾曲させた際の断裂を回避する。しかし、本実施例はこれについて限定しない。幾つかの例では、伸張表示領域は、表示基板の表示領域が湾曲する必要がある任意の位置に設けられてもよい。例えば、表示基板は三角形表示基板であってもよく、表示基板は３つの伸張表示領域を備えてもよく、３つの伸張表示領域は表示基板の３つの角領域に位置してもよい。また、例えば、表示基板の側辺に近い位置にいずれも伸張表示領域が設けられてもよい。これにより、表示基板の対応する部分領域の伸張可能機能を実現することができる。
【0063】
幾つかの例示的な実施形態では、図２に示すように、伸張表示領域Ａ２は矩形領域であってもよい。しかし、本実施例はこれについて限定しない。例えば、伸張表示領域は、円形、五角形等の他の形状であってもよい。
【0064】
【0065】
幾つかの例示的な実施形態では、図３に示すように、表示基板に平行な平面内において、表示基板の伸張表示領域Ａ２は、互いに分離された複数の画素島領域１００と、隣接画素島領域１００の間に位置する孔領域３００と、隣接画素島領域１００を互いに接続させる接続ブリッジ領域２００と、を含んでもよい。各画素島領域１００の周囲を複数の孔領域３００が囲んでもよく、接続ブリッジ領域２００は画素島領域と孔領域３００との間に位置してもよく、接続ブリッジ領域２００は更に隣接する孔領域３００の間に位置してもよい。画素島領域１００は画像表示に用いられ、孔領域３００は伸張時に変形空間を提供することに用いられ、接続ブリッジ領域２００は配線（隣接する画素島領域１００間の信号を接続する）及び引張力の伝達に用いられる。
【0066】
幾つかの例示的な実施形態では、各画素島領域１００は１つ以上の画素ユニットを備えてもよく、各画素ユニットは異なる色の光を出射する３つの発光ユニット（例えば、赤緑青）又は異なる色の光を出射する４つの発光ユニット（例えば、赤緑青白）を備えてもよい。各発光ユニットは、発光素子と、発光素子の発光を駆動するように構成された画素回路と、を備えてもよい。発光素子は、積層された陽極と、有機発光層と、陰極と、を備えるＯＬＥＤ素子であってもよい。有機発光層は、陽極と陰極との間の電圧で発光する。伸張表示領域は外力により伸張されると、主に接続ブリッジ領域２００に歪みが発生し、画素島領域１００の発光ユニットは基本的に形状を保持し、破壊されない。しかし、本実施例はこれについて限定しない。例えば、発光ユニットの発光素子は画素島領域に配置されてもよく、一方、画素回路は画素島領域に配置されなくてもよく、例えば、画素回路は接続ブリッジ領域、又は表示領域の外囲の周辺領域に配置されてもよい。
【0067】
幾つかの例示的な実施形態では、図３に示すように、表示基板に平行な平面において、複数の接続ブリッジ領域２００は、複数の画素島領域１００を互いに接続してもよい。各画素島領域１００は矩形であってもよい。しかし、本実施例はこれについて限定しない。幾つかの例では、画素島領域は、円形、正多角形、又はその他の不規則な形状であってもよい。又は、幾つかの例では、複数の画素島領域の形状は異なってもよい。
【0068】
幾つかの例示的な実施形態では、図３に示すように、表示基板に平行な平面において、表示基板が未伸張状態にある場合、孔領域３００は、工字型、Ｔ型、Ｌ型、矩形、円弧、一字型等の形状であってもよい。幾つかの例では、各孔領域３００は１つの貫通孔と見なされてもよく、貫通孔の幅は約１０マイクロメートル～５００マイクロメートルであってもよい。接続ブリッジ領域２００は、画素島領域１００と孔領域３００との間に位置し、又は隣接する孔領域３００の間に位置し、隣接する画素島領域１００に接続される。接続ブリッジ領域２００は、Ｌ形状、又は複数のＬ形状が互いに接続された形状、例えば、
【0069】
【数1】
【0070】
形状、Ｔ字型等の形状であってもよく、接続ブリッジ領域２００の幅は、約１０マイクロメートル～５００マイクロメートルであってもよい。しかし、本実施例はこれについて限定しない。
【0071】
図４は図３におけるＱ－Ｑ’方向に沿う一部断面模式図である。幾つかの例示的な実施形態では、図４に示すように、表示基板に垂直な方向において、画素島領域１００は、フレキシブルベース基板１０と、フレキシブルベース基板１０に順に配置された駆動構造層と、発光構造層と、パッケージ層４０と、バッファ保護層５０と、を備えてもよい。駆動構造層は、複数のゲート線と複数のデータ線とを備えてもよく、複数のゲート線と複数のデータ線とは垂直に交差して複数のサブ画素領域を限定し、各サブ画素領域に画素回路が配置される。各画素回路は、複数のトランジスタと少なくとも１つのコンデンサとを備え、例えば、２Ｔ１Ｃ（２つのトランジスタと１つのコンデンサ）、３Ｔ１Ｃ（３つのトランジスタと１つのコンデンサ）、又は７Ｔ１Ｃ（７つのトランジスタと１つのコンデンサ）の構造であってもよい。発光構造層は複数の発光素子を備えてもよい。複数の画素回路と複数の発光素子とは、一対一に対応して電気的に接続されてもよい。図４では、画素島領域１００の１つの発光素子、画素回路の１つのトランジスタ及び１つのコンデンサのみを例にして模式的に説明している。
【0072】
幾つかの例示的な実施例では、図４に示すように、表示基板に垂直な方向において、接続ブリッジ領域２００は、フレキシブルベース基板１０と、フレキシブルベース基板１０に設けられた複合絶縁層と、複合絶縁層に設けられた信号線（図４では１本の信号線２３のみを模式とする）と、信号線を順次覆う第１平坦層１６、第２平坦層１７、不動態化層１８、パッケージ層４０、及びバッファ保護層５０と、を備えてもよい。本例では、複合絶縁層は複数の無機層を備える無機複合絶縁層である。無機複合絶縁層は、フレキシブルベース基板１０に積層された第１絶縁層１１と、第２絶縁層１２と、第３絶縁層１３と、第４絶縁層１４と、第５絶縁層１５と、を含んでもよい。接続ブリッジ領域２００には、不動態化層１８及び第２平坦層１７を貫通して形成された第１分離溝Ｈ１が設けられている。不動態化層１８は第１分離溝Ｈ１の一部を遮蔽する第１延出部を有し、それによって、第１分離溝Ｈ１の切り欠きのフレキシブルベース基板１０における正投影は、第１分離溝Ｈ１のフレキシブルベース基板１０における正投影内に位置する。本例では、第１絶縁層１１～第５絶縁層１５はいずれも無機層である。しかし、本実施例はこれについて限定しない。例えば、第５絶縁層は有機層であってもよい。
【0073】
幾つかの例では、接続ブリッジ領域２００の信号線は、隣接する画素島領域１００間の信号接続を実現するように構成される。例えば、信号を画素島領域１００に伝送し、又は、画素島領域１００から信号を伝送する。隣接する画素島領域１００間の信号接続とは、１つの画素島領域１００における発光ユニットと、隣接する他の画素島領域１００における発光ユニットとの間の信号接続を指す。接続ブリッジ領域２００の複数の信号線は、例えば、隣接する画素島領域１００におけるゲート線を接続する接続線、隣接する画素島領域１００におけるデータ線を接続する接続線、電源信号の接続線を含んでもよい。幾つかの例では、複数の信号線は複数のフレキシブル信号線であってもよい。
【0074】
幾つかの例示的な実施形態では、図４に示すように、表示基板に垂直な方向において、孔領域３００のフレキシブルベース基板１０は第１貫通孔を有し、第１貫通孔はフレキシブルベース基板１０を貫通する。第１充填層６１は第１貫通孔内に充填される。孔領域３００は更に第１開口Ｇ１を有する。第１開口Ｇ１は、第１貫通孔内に充填された第１充填層６１を露出させる。伸張時に変形空間を提供するための第１開口Ｇ１が孔領域３００に配置されることによって、伸張効果が実現される。
【0075】
幾つかの例示的な実施形態では、図４に示すように、画素島領域１００及び接続ブリッジ領域２００のパッケージ層４０は、積層された第１無機パッケージ層４１と、有機パッケージ層４２と、第２無機パッケージ層４３と、を含んでもよい。孔領域３００において、第１開口Ｇ１の側壁を第１無機パッケージ層４１が覆い、且つ第１無機パッケージ層４１のフレキシブルベース基板１０における正投影は第１充填層６１とオーバーラップしない。即ち、パッケージ層４０は孔領域３００においては第１充填層６１を覆わず、それによって、表示基板の伸張効果が確保される。しかし、本実施例はこれについて限定しない。幾つかの例では、第１無機パッケージ層４１のフレキシブルベース基板１０における正投影は、第１充填層６１と部分的にオーバーラップしてもよく、例えば、第１無機パッケージ層４１は第１充填層６１のエッジを覆ってもよい。
【0076】
【0077】
本実施例で言及される「パターン化プロセス」は、金属材料、無機材料、又は透明導電材料に対しては、フォトレジストコーティング、マスク露光、現像、エッチング、及びフォトレジスト剥離等の処理を含み、有機材料に対しては、有機材料のコーティング、マスク露光、現像等の処理を含む。堆積ではスパッタリング、蒸着、化学気相堆積のうちのいずれか１つ又は複数を採用してもよく、コーティングではスプレーコーティング、スピンコーティング、及びインクジェット印刷のうちのいずれか１つ又は複数を採用してもよく、エッチングではドライエッチング及びウェットエッチングのうちのいずれか１つ又は複数を採用してもよく、本開示の実施例は限定しない。「薄膜」とは、ある材料でサブストレート基板において堆積、コーティング、又は他のプロセスによって製作した１つの層の薄膜のことを指す。製造プロセス全体において該「薄膜」がパターン化プロセスを必要としない場合、該「薄膜」は更に「層」と称されてもよい。製造プロセス全体において該「薄膜」がパターン化プロセスを必要とする場合、パターン化プロセスの前は「薄膜」と称され、パターン化プロセスの後は「層」と称される。パターン化プロセスを経た後の「層」には少なくとも１つの「パターン」が含まれる。
【0078】
本開示の実施例で言及される「Ａ及びＢ同層配置」とは、Ａ及びＢが同じ回のパターニングプロセスによって同時に形成されることを指す。「同じ層」は、必ずしも層の厚さ又は層の高さが断面図において同じであることを意味するわけではない。「Ａの正投影はＢの正投影を含む」とは、Ｂの正投影がＡの正投影の範囲内にあること、又は、Ａの正投影がＢの正投影を覆うことを指す。
【0079】
本実施例の表示基板の製造プロセスは以下（１）～（１２）のステップを含んでもよい。
【0080】
（１）ガラス基板６０においてフレキシブルベース基板１０を製作する。幾つかの例示的な実施形態では、ガラス基板６０にフレキシブル材料をコーティングし、硬化して膜を形成し、フレキシブルベース基板１０を形成する。幾つかの例では、フレキシブルベース基板１０の厚さ範囲は約６マイクロメートル（μｍ）～１０μｍであってもよい。幾つかの例では、フレキシブル材料は、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、又は表面処理されたポリマーフィルム等の材料を採用してもよい。
【0081】
本プロセスの後、画素島領域１００、接続ブリッジ領域２００、及び孔領域３００は、図５Ａに示すように、いずれもフレキシブルベース基板１０を含む。
【0082】
（２）フレキシブルベース基板１０において、第１絶縁層１１、第２絶縁層１２、半導体層、第３絶縁層１３、第１金属層、第４絶縁層１４、第２金属層、及び第５絶縁層１５を順次に製作する。
【0083】
幾つかの例示的な実施形態では、図５Ａに示すように、フレキシブルベース基板１０において、第１絶縁薄膜及び第２絶縁薄膜を順次に堆積し、フレキシブルベース基板１０全体を覆う第１絶縁層１１及び第２絶縁層１２を形成する。
【0084】
その後、半導体薄膜を堆積し、パターン化プロセスによって半導体薄膜をパターン化し、第２絶縁層１２に配置された半導体層を形成し、半導体層は少なくとも画素島領域１００に位置する第１アクティブ層２１０を含む。
【0085】
その後、第３絶縁薄膜及び第１金属薄膜を順次に堆積し、パターン化プロセスにより第１金属薄膜をパターン化し、半導体層を覆う第３絶縁層１３と、第３絶縁層１３に設けられた第１金属層とを形成する。第１金属層は少なくとも画素島領域１００に位置する第１ゲート電極２１１と第１コンデンサ電極２２１とを備える。
【0086】
その後、第４絶縁薄膜及び第２金属薄膜を順次に堆積し、パターン化プロセスにより第２金属薄膜をパターン化し、第１金属層を覆う第４絶縁層１４と、第４絶縁層１４に設けられた第２金属層とを形成する。第２金属層は少なくとも画素島領域１００に位置する第２コンデンサ電極２２２を備える。第２コンデンサ電極２２２と第１コンデンサ電極２２１のフレキシブルベース基板１０における正投影はオーバーラップする。
【0087】
その後、第５絶縁薄膜を堆積し、第２金属層を覆う第５絶縁層１５を形成する。
【0088】
本プロセスの後、接続ブリッジ領域２００及び孔領域３００はいずれも、フレキシブルベース基板１０に順に配置された第１絶縁層１１と、第２絶縁層１２と、第３絶縁層１３と、第４絶縁層１４と、第５絶縁層１５と、を含んでもよい。第１絶縁層１１～第５絶縁層１５は無機複合絶縁層と総称されてもよい。
【0089】
幾つかの例示的な実施形態では、第１絶縁層１１、第２絶縁層１２、第３絶縁層１３、第４絶縁層１４、及び第５絶縁層１５は、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、及び窒酸化ケイ素（ＳｉＯＮ）のうちのいずれか１つ又は複数を採用してもよく、単層、多層、又は複合層であってもよい。第１絶縁層１１は更に阻止層と称されてもよく、第２絶縁層１２は更にバッファ（Ｂｕｆｆｅｒ）層と称されてもよく、第１絶縁層１１及び第２絶縁層１２はフレキシブルベース基板１０の耐水性、耐酸素能力を高めることに用いられてもよい。第３絶縁層１３及び第４絶縁層１４は更にゲート絶縁（ＧＩ、Ｇａｔｅ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）層と称されてもよく、第５絶縁層１５は更に層間媒体（ＩＬＤ、Ｉｎｔｅｒ Ｌａｙｅｒ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）層と称されてもよい。
【0090】
幾つかの例示的な実施形態では、第１金属薄膜及び第２金属薄膜は、金属材料、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、及びモリブデン（Ｍｏ）のうちのいずれか１つ又は複数、又は上記金属の合金材料、例えば、アルミニウムネオジム合金（ＡｌＮｄ）又はモリブデンニオブ合金（ＭｏＮｂ）を採用し、単層構造、又は多層複合構造、例えばＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ等であってもよい。半導体薄膜は、アモルファスインジウムガリウム酸化亜鉛（ａ－ＩＧＺＯ）、酸窒化亜鉛（ＺｎＯＮ）、インジウム亜鉛スズ酸化物（ＩＺＴＯ）、アモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）、多結晶シリコン（ｐ－Ｓｉ）、ヘキサチオフェン、ポリチオフェン等のうちの１つ又は複数の材料を採用し、即ち、本開示は、酸化物（Ｏｘｉｄｅ）技術、シリコン技術、及び有機物技術に基づいて製造されたトランジスタに適用可能である。
【0091】
（３）、孔領域３００の無機複合絶縁層をエッチングして、第２貫通孔Ｋ２を形成する。
【0092】
幾つかの例示的な実施形態では、図５Ｂに示すように、第５絶縁層１５、第４絶縁層１４、第３絶縁層１３、第２絶縁層１２、及び第１絶縁層１１をエッチングして、フレキシブルベース基板１０の表面を露出する第２貫通孔Ｋ２を孔領域３００に形成する。幾つかの例では、孔領域３００の第５絶縁層１５には第５スルーホールＫ２５が開設され、第５スルーホールＫ２５は第４絶縁層１４の表面を露出する。第４絶縁層１４の第５スルーホールＫ２５により露出された部分には第４スルーホールＫ２４が形成され、第４スルーホールＫ２４は第３絶縁層１３の表面を露出する。第３絶縁層１３の第４スルーホールＫ２４により露出された部分には第３スルーホールＫ２３が形成され、第３スルーホールＫ２３は第２絶縁層１２の表面を露出する。第２絶縁層１２の第３スルーホールＫ２３により露出された部分には第２スルーホールＫ２２が形成され、第２スルーホールＫ２２は第１絶縁層１１の表面を露出する。第１絶縁層１１の第２スルーホールＫ２２により露出された部分には第１スルーホールＫ２１が形成される。第１スルーホールＫ２１～第５スルーホールＫ２５は連通して、第２貫通孔Ｋ２を形成する。
【0093】
幾つかの例では、第５スルーホールＫ２５のフレキシブルベース基板１０における正投影は第４スルーホールＫ２４のフレキシブルベース基板１０における正投影を含み、第４スルーホールＫ２４のフレキシブルベース基板１０における正投影は第３スルーホールＫ２３のフレキシブルベース基板１０における正投影を含み、第３スルーホールＫ２３のフレキシブルベース基板１０における正投影は第２スルーホールＫ２２のフレキシブルベース基板１０における正投影を含み、第２スルーホールＫ２２のフレキシブルベース基板１０における正投影は第１スルーホールＫ２１のフレキシブルベース基板１０における正投影を含む。言い換えれば、第１開孔Ｋ２１のサイズは第２開孔Ｋ２２のサイズよりも小さくてもよく、第２開口Ｋ２２のサイズは第３開孔Ｋ２３のサイズよりも小さくてもよく、第３開孔Ｋ２３のサイズは第４開孔Ｋ２４のサイズよりも小さくてもよく、第４開孔Ｋ２４のサイズは第５開孔Ｋ２５のサイズよりも小さくてもよい。しかし、本実施例はこれについて限定しない。例えば、第１開孔、第２開孔、第３開孔、第４開孔、及び第５開孔のサイズは略同じであってもよい。
【0094】
幾つかの例では、表示基板に平行な平面内において、第２貫通孔Ｋ２は矩形又は円形であってもよい。表示基板に垂直な方向において、第２貫通孔Ｋ２の断面形状は逆台形であってもよい。しかし、本実施例はこれについて限定しない。
【0095】
本開示において、孔サイズとは、孔の大きさの尺度を指す。例えば、円形孔の場合、孔径であってもよく、四角孔の場合、辺長であってもよい。
【0096】
本プロセスの後、画素島領域１００及び接続ブリッジ領域２００の膜層構造は変化していない。
【0097】
（４）フレキシブルベース基板１０をエッチングして、孔領域３００に第１貫通孔Ｋ１を形成する。
【0098】
幾つかの例示的な実施形態では、図５Ｃに示すように、第５絶縁層１５をマスクとしてフレキシブルベース基板１０をエッチングして、孔領域３００のフレキシブルベース基板１０に第１貫通孔Ｋ１を形成する。第１貫通孔Ｋ１はフレキシブルベース基板１０を貫通し、そして第２貫通孔Ｋ２に貫通する。第２貫通孔Ｋ２のフレキシブルベース基板１０における正投影は第１貫通孔Ｋ１を覆う。幾つかの例では、表示基板に平行な平面内において、第１貫通孔Ｋ１は矩形又は円形であってもよく、表示基板に垂直な方向において、第１貫通孔Ｋ１の断面形状は矩形であってもよい。しかし、本実施例は第１貫通孔Ｋ１の形状については限定しない。
【0099】
本プロセスの後、画素島領域１００及び接続ブリッジ領域２００の膜層構造は変化していない。
【0100】
（５）前述のパターンが形成されたフレキシブルベース基板１０に第３金属層を形成する。
【0101】
幾つかの例示的な実施形態では、パターン化プロセスにより第５絶縁層１５をパターン化し、画素島領域１００の第５絶縁層１５に少なくとも１つの第１接続孔を形成する。第１接続孔内の第５絶縁層１５、第４絶縁層１４、及び第３絶縁層１３はエッチングされ、半導体層の表面が露出される。
【0102】
その後、第３金属薄膜を堆積し、図５Ｄに示すように、パターン化プロセスにより第３金属薄膜をパターン化し、第３金属層を形成する。第３金属層は少なくとも、画素島領域１００に位置する第１ソース電極２１２と第１ドレイン電極２１３と、接続ブリッジ領域２００に位置する信号線２３と、を備える。第１ソース電極２１２は、１つの第１接続孔を介して第１アクティブ層２１０の第１ドーピング領域に電気的に接続されてもよく、第１ドレイン電極２１３は、他の１つの第１接続孔を介して第１アクティブ層２１０の第２ドーピング領域に電気的に接続されてもよい。接続ブリッジ領域２００の信号線２３は、隣接する画素島領域１００間の信号接続を実現するように構成されてもよい。幾つかの例では、信号線２３は隣接する画素島領域１００におけるゲート線を接続する接続線、又は隣接する画素島領域１００におけるデータ線を接続する接続線、又は電源信号の接続線であってもよい。しかし、本実施例はこれについて限定しない。幾つかの例では、接続ブリッジ領域２００内に配置され、隣接する画素島領域１００におけるゲート線を接続するように構成された接続線は、第１金属層又は第２金属層に位置してもよい。
【0103】
これで、フレキシブルベース基板１０における複数の画素島領域１００の駆動構造層の製作が完成する。図４に示すように、１つの画素島領域１００の駆動構造層において、第１アクティブ層２１０、第１ゲート電極２１１、第１ソース電極２１２、及び第１ドレイン電極２１３は第１トランジスタ２１を構成してもよく、第１コンデンサ電極２２１及び第２コンデンサ電極２２２は第１コンデンサ２２を構成してもよい。
【0104】
本プロセスの後、接続ブリッジ領域２００は、フレキシブルベース基板１０に積層された無機複合絶縁層と信号線２３とを備える。孔領域３００の膜層構造は変化していない。
【0105】
（６）前述のパターンが形成されたフレキシブルベース基板１０に第１平坦層１６及び第１充填層６１を形成する。
【0106】
幾つかの例示的な実施形態では、図５Ｅに示すように、前述のパターンが形成されたフレキシブルベース基板１０に有機材料を用いた第１平坦薄膜をコーティングし、そしてパターン化プロセスにより第１平坦薄膜をパターン化し、第１平坦層１６及び第１充填層６１を形成する。第１平坦層１６は接続ブリッジ領域２００及び画素島領域１００に位置し、第１充填層６１は孔領域３００に位置する。第１平坦層１６は第３金属層を覆い、第１充填層６１はフレキシブルベース基板１０の第１貫通孔Ｋ１内に充填される。第１平坦層１６は孔領域３００において第６スルーホールＫ２６が開設され、第６スルーホールＫ２６は第２貫通孔Ｋ２に連通する。第６スルーホールＫ２６のフレキシブルベース基板１０における正投影は第２貫通孔Ｋ２のフレキシブルベース基板１０における正投影を含んでもよい。
【0107】
幾つかの例示的な実施形態では、第１充填層６１のガラス基板６０から離れる表面と、フレキシブルベース基板１０のガラス基板６０から離れる表面とは揃えられてもよい。しかし、本実施例はこれについて限定しない。例えば、第１充填層６１のガラス基板６０から離れる表面は、フレキシブルベース基板１０のガラス基板６０から離れる表面よりやや低くてもよく、又はフレキシブルベース基板１０のガラス基板６０から離れる表面よりやや高くてもよい。
【0108】
本例では、フレキシブルベース基板１０の第１貫通孔Ｋ１内に第１充填層６１を充填することにより、後続プロセスにおける深孔露光残留の問題を回避し、表示基板の伸張性能を改善することができる。第１充填層６１と第１平坦層１６とは同層に設けられ、プロセスを簡略化することができる。そして、第１充填層６１とフレキシブルベース基板１０は、接着性の異なる有機材料を採用してもよく、それによって相互間の接着力が比較的に弱いようにさせ、フレキシブルベース基板１０の伸張に影響を与えることが回避され、それによって、フレキシブルベース基板に貫通孔構造を用いたような伸張可能効果を得ることができる。
【0109】
（７）前述のパターンが形成されたフレキシブルベース基板１０に、第４金属層、第２平坦層１７、不動態化層１８、陽極層、画素定義層３４、及びスペーサ柱１９を順次に形成する。
【0110】
幾つかの例示的な実施形態では、パターン化プロセスにより第１平坦層１６をパターン化し、画素島領域１００の第１平坦層１６に少なくとも１つの第２接続孔を形成する。図５Ｆに示すように、第２接続孔内の第１平坦層１６は除去され、第３金属層の表面が露出される。本プロセスの後、接続ブリッジ領域２００及び孔領域３００の膜層構造は変化していない。
【0111】
その後、第４金属薄膜を堆積し、図５Ｆに示すように、パターン化プロセスにより第４金属薄膜をパターン化し、第４金属層を形成する。第４金属層は少なくとも画素島領域１００に位置する接続電極２４を備える。接続電極２４は、第２接続孔を介して第１トランジスタ２１の第１ドレイン電極２１３に電気的に接続されてもよい。本プロセスの後、接続ブリッジ領域２００及び孔領域３００の膜層構造は変化していない。
【0112】
その後、図５Ｆに示すように、前述のパターンが形成されたフレキシブルベース基板１０に有機材料を用いた第２平坦薄膜をコーティングし、パターン化プロセスにより第２平坦薄膜をパターン化し、第４金属層を覆う第２平坦層１７を画素島領域１００及び接続ブリッジ領域２００に形成する。第２平坦層１７は孔領域３００において第７スルーホールＫ２７が開設され、第７スルーホールＫ２７は第６スルーホールＫ２６に連通する。第７スルーホールＫ２７のフレキシブルベース基板１０における正投影は第６スルーホールＫ２６のフレキシブルベース基板１０における正投影を含んでもよい。本プロセスの後、孔領域３００の膜層構造は変化していない。
【0113】
その後、前述のパターンが形成されたフレキシブルベース基板１０に不動態化薄膜を堆積し、パターン化プロセスにより不動態化薄膜をパターン化し、画素島領域１００及び接続ブリッジ領域２００に不動態化層１８を形成する。画素島領域１００の不動態化層１８には、少なくとも１つの第３接続孔が形成される。第３接続孔内の不動態化層１８及び第２平坦層１７は除去され、第４金属層の表面が露出される。不動態化層１８は、孔領域３００において第８スルーホールＫ２８が開設され、第８スルーホールＫ２８は第７スルーホールＫ２７に連通する。第８スルーホールＫ２８のフレキシブルベース基板１０における正投影は第７スルーホールＫ２７のフレキシブルベース基板１０における正投影を含んでもよい。本プロセスの後、孔領域３００の膜層構造は変化していない。本例では、第８スルーホールＫ２８、第７スルーホールＫ２７、第６スルーホールＫ２７、及び第２貫通孔Ｋ２は連通して、孔領域３００の第１開口Ｇ１を形成する。
【0114】
その後、図５Ｆに示すように、第１導電薄膜を堆積し、パターン化プロセスにより第１導電薄膜をパターン化し、陽極層を形成する。陽極層は、画素島領域１００の不動態化層１８に形成される。陽極層は複数の陽極を含む。図５Ｆでは、１つの陽極３１のみを例にして模式的に説明している。陽極３１は第３接続孔を介して接続電極２４に電気的に接続され、接続電極２４を介して第１トランジスタ２１の第１ドレイン電極２１３との電気的接続が実現される。幾つかの例では、陽極は反射陽極であってもよい。例えば、陽極層は、積層された第１光透過性導電層、反射層、及び第２光透過性導電層を含んでもよい。第１光透過性導電層及び第２光透過性導電層は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ、Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）又は酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ、Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等の光透過性導電材料を採用してもよい。反射層は金属層であってもよく、例えば、銀の材質で作られてもよい。しかし、本実施例はこれについて限定しない。幾つかの例では、第１導電薄膜は、金属材料、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、及びモリブデン（Ｍｏ）のうちのいずれか１つ又は複数、又は上記金属の合金材料、例えば、アルミニウムネオジム合金（ＡｌＮｄ）又はモリブデンニオブ合金（ＭｏＮｂ）を採用してもよく、単層構造、又は多層複合構造、例えばＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ等であってもよい。本プロセスの後、接続ブリッジ領域２００及び孔領域３００の膜層構造は変化していない。
【0115】
その後、図５Ｆに示すように、前述のパターンが形成されたフレキシブルベース基板１０に画素定義薄膜をコーティングし、パターン化プロセスにより画素定義薄膜をパターン化し、画素島領域１００に画素定義層３４を形成する。画素島領域１００の画素定義層３４には、複数の画素開口が開設される。図５Ｆでは、１つの画素開口Ｖ１のみを例にして模式的に説明している。画素開口Ｖ１内の画素定義層３４は現像され、陽極３１の表面が露出される。幾つかの例では、画素定義層３４は、ポリイミド、アクリル、又はポリエチレンテレフタレート等の材料を採用してもよい。本プロセスの後、接続ブリッジ領域２００及び孔領域３００の膜層構造は変化していない。
【0116】
その後、図５Ｆに示すように、前述のパターンが形成されたフレキシブルベース基板１０にスペーサ柱薄膜をコーティングし、パターン化プロセスによりスペーサ柱薄膜をパターン化し、画素島領域１００及び接続ブリッジ領域２００にスペーサ柱１９を形成する。幾つかの例では、スペーサ柱１９は、ポリイミド、アクリル、又はポリエチレンテレフタレート等の材料を採用してもよい。本プロセスの後、孔領域３００の膜層構造は変化していない。
【0117】
その後、不動態化層１８にフォトレジストをコーティングし、フォトレジストを露光した後、現像して不動態化層１８を貫通する分離孔を形成し、その後、分離孔を有する不動態化層１８をマスクとして、第２平坦層１７の少なくとも一部をドライエッチングし、第２平坦層１７内の第１凹溝を形成する。不動態化層１８の分離孔は第２平坦層１７の第１凹溝に連通し、且つ第１凹溝のフレキシブルベース基板１０における正投影は分離孔のフレキシブルベース基板１０における正投影を含む。本例では、不動態化層１８の分離孔と第２平坦層１７の第１凹溝とは第１分離溝Ｈ１を形成する。不動態化層１８は第１凹溝の上方に位置する第１延出部を有し、不動態化層１８の第１延出部のフレキシブルベース基板１０における正投影は、第１凹溝のフレキシブルベース基板１０における正投影内に位置する。不動態化層１８の第１延出部は第１分離溝Ｈ１の切り欠きを部分的に遮蔽し、それによって、第１分離溝Ｈ１の切り欠きのフレキシブルベース基板１０における正投影は、第１凹溝のフレキシブルベース基板１０における正投影内に位置する。第１分離溝Ｈ１の切り欠きのサイズは、不動態化層１８の分離孔のサイズによって決定されてもよい。表示基板に垂直な方向において、第１分離溝Ｈ１の断面形状は凸字型であってもよい。本プロセスの後、孔領域３００の膜層構造は変化していない。
【0118】
幾つかの例では、第１分離溝Ｈ１は、孔領域３００に隣接する接続ブリッジ領域２００に位置してもよい。第１分離溝Ｈ１は、画素島領域１００又は接続ブリッジ領域２００の孔領域３００に近い有機発光層と陰極とを遮断することに用いられ、それによって水蒸気が孔領域３００から有機発光層と陰極に沿って発光素子に侵入してそれを損傷することができないようにする。
【0119】
幾つかの例では、第１分離溝Ｈ１の深さは約１．５μｍ～２．５μｍであってもよく、それによってその落差深さが有機発光層と陰極とを完全に遮断できることが確保される。第１分離溝Ｈ１の深さは、不動態化層１８の第１延出部のフレキシブルベース基板１０に近い側の表面と第１凹溝の底面との間の距離であってもよい。
【0120】
（８）前述のパターンが形成されたフレキシブルベース基板１０に有機発光層３２及び陰極３３を順次に形成する。
【0121】
幾つかの例示的な実施形態では、有機発光層３２及び陰極３３は、蒸着プロセスを採用して画素島領域１００、接続ブリッジ領域２００及び孔領域３００に形成してもよい。画素島領域１００及び接続ブリッジ領域２００の有機発光層３２は画素定義層３４を覆ってもよく、そして画素島領域１００の有機発光層３２は、画素定義層３４の画素開口Ｖ１から露出した陽極３１に直接接触してもよい。図５Ｇに示すように、接続ブリッジ領域２００の有機発光層３２は第１分離溝Ｈ１内に位置し、孔領域３００の有機発光層３２は第１開口Ｇ１の側壁及び底部を覆う。
【0122】
幾つかの例では、陰極３３は有機発光層３２に形成される。画素島領域１００の積層された陽極３１、有機発光層３２、及び陰極３３は発光素子を形成する。幾つかの例では、陰極３３は、ＩＴＯ又はＩＺＯ等の光透過性導電材料を採用してもよい。発光素子は、透明陰極によりフレキシブルベース基板１０から離れる側から光を出射し、トップエミッションを実現してもよい。
【0123】
幾つかの例では、有機発光層３２は、積層された正孔注入層と、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層と、を含んでもよく、それによって、電子及び正孔の発光層への注入効率を高める。しかし、本実施例はこれについて限定しない。
【0124】
本例では、第１分離溝Ｈ１の存在のため、蒸着により形成された有機発光層３２と陰極３３とは、第１分離溝Ｈ１で切断される。画素島領域１００及び接続ブリッジ領域２００の有機発光層３２と陰極３３とを遮断することにより、孔領域３００から画素島領域１００の有機発光層３２と陰極３３への水蒸気侵入経路を完全に遮断し、パッケージの有効性と信頼性を確保することができる。
【0125】
本プロセスの後、孔領域３００のフレキシブルベース基板１０には有機発光層３２及び陰極３３が積層される。フレキシブルベース基板１０には、第１充填層６１が充填される。
【0126】
（９）前述のパターンが形成されたフレキシブルベース基板１０にパッケージ層４０を形成する。
【0127】
幾つかの例示的な実施形態では、前述のパターンが形成されたフレキシブルベース基板１０に第１パッケージ薄膜を堆積し、フレキシブルベース基板１０全体を覆う第１無機パッケージ層４１を形成する。その後、インクジェット印刷プロセスを採用して有機パッケージ層４２を形成する。その後、第２パッケージ薄膜を堆積し、フレキシブルベース基板１０全体を覆う第２無機パッケージ層４３を形成する。本例では、図５Ｈに示すように、パッケージ層４０は、積層された第１無機パッケージ層４１、有機パッケージ層４２、及び第２無機パッケージ層４３の３層構造を含む無機有機積層構造である。幾つかの例では、無機材料は酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、又は窒酸化ケイ素等を採用してもよく、有機材料はＰＥＴに基づくフレキシブル高分子材料を採用してもよく、良好なパッケージ効果を有し、有機発光層への水と酸素の侵入を効果的に阻止することができ、そしてフレキシブル変形の特徴を有し、表示基板の伸張変形を実現することができる。しかし、本実施例はこれについて限定しない。例えば、パッケージ層は、無機／有機／無機／有機／無機の５層構造であってもよい。
【0128】
本プロセスの後、孔領域３００は、ガラス基板６０に順次に積層されたフレキシブルベース基板１０と、有機発光層３２と、陰極３３と、第１無機パッケージ層４１と、有機パッケージ層４２と、第２無機パッケージ層４３と、を備える。フレキシブルベース基板１０には、第１充填層６１が充填される。
【0129】
（１０）孔領域３００の有機パッケージ層４２及び第２無機パッケージ層４３をエッチングする。
【0130】
幾つかの例示的な実施形態では、パターン化プロセスにより第２無機パッケージ層４３をパターン化し、孔領域３００の第２無機パッケージ層４３を除去する。図５Ｉに示すように、パターン化された第２無機パッケージ層４３をマスクとして、有機パッケージ層４２をパターン化し、孔領域３００の第１開口Ｇ１内の有機パッケージ層４２を除去する。幾つかの例では、無機パッケージ層がエッチングされることを回避するために、酸素を用いて有機パッケージ層４２をエッチングしてもよい。孔領域３００の第２無機パッケージ層４３及び有機パッケージ層４２をエッチングした後、孔領域３００の第１無機パッケージ層４１の表面が露出されることができる。
【0131】
（１１）孔領域３００において、有機発光層３２、陰極３３、及び第１無機パッケージ層４１をパターン化する。
【0132】
幾つかの例示的な実施形態では、図５Ｊに示すように、孔領域３００において、パターン化プロセスによって、第１無機パッケージ層４１、陰極３３、及び有機発光層３２を順次にパターン化し、第１充填層６１及びフレキシブルベース基板１０の一部を覆う第１無機パッケージ層４１、陰極３３、及び有機発光層３２を除去して、第１充填層６１の表面を露出する。本例では、孔領域３００の第１充填層６１は残りの膜層構造に覆われなくてもよく、それによって表示基板の伸張可能効果が確保されることができる。
【0133】
（１２）バッファ保護層５０を形成する。
【0134】
幾つかの例示的な実施形態では、図５Ｋに示すように、前述のパターンが形成されたフレキシブルベース基板１０にバッファ保護薄膜を堆積し、パターン化プロセスによりバッファ保護薄膜をパターン化し、バッファ保護層５０を形成する。孔領域３００のバッファ保護層５０はエッチングされ、第１充填層６１の表面が露出される。本例では、バッファ保護層５０のフレキシブルベース基板１０における正投影は、第１無機パッケージ層４１のフレキシブルベース基板１０における正投影を含み、且つ第１充填層６１のフレキシブルベース基板１０における正投影とオーバーラップしなくてもよい。幾つかの例では、バッファ保護層５０はタッチ構造層のベース基板としてもよく、バッファ保護層５０にタッチ構造層を配置してもよい。
【0135】
幾つかの例では、表示基板の製造が完了した後、、レーザーリフトオフプロセス（ＬＴＯ、Ｌａｓｅｒ－Ｌｉｆｔ－Ｏｆｆ）によってフレキシブルベース基板１０をガラス基板６０から剥離してもよい。本例では、フレキシブルベース基板１０の第１貫通孔内に第１充填層６１が充填され、パッケージ層４０がガラス基板６０に直接接触することが回避され、それによって、ガラス基板６０を剥離する際にパッケージ層４０の引き裂き失効が生じることを回避することができる。
【0136】
本実施例の表示基板の構造及びその製造プロセスは単なる例示的な説明である。幾つかの例示的な実施形態では、実際の必要に応じて対応する構造を変更すること、及びパターニングプロセスを増加又は減少させることができる。例えば、第２平坦層及び第４金属層を省略してもよく、発光素子の陽極は第３金属層に直接接続され、且つ不動態化層及び第１平坦層に第１分離溝を形成してもよい。本開示はここで限定しない。
【0137】
幾つかの例示的な実施形態では、表示基板の主表示領域の構造は、伸張表示領域の画素島領域の構造を参照することができ、ここでは繰り返して説明しない。
【0138】
本例示的な実施形態では、フレキシブルベース基板１０の第１貫通孔に第１充填層を充填することにより、後続のプロセスにおける深孔露光残留を回避することができ、そして、フレキシブルベース基板とガラス基板とを分離する際にパッケージ層が引き裂かれてパッケージが失効することを回避することができ、それによって、表示基板のパッケージ効果を高め、そして表示基板の良品率を高めることができる。
【0139】
図６は図３におけるＱ－Ｑ’方向に沿う他の一部断面模式図である。幾つかの例示的な実施形態では、図６に示すように、表示基板に垂直な方向において、画素島領域１００は、フレキシブルベース基板１０と、フレキシブルベース基板１０に順に配置された駆動構造層と、発光構造層と、パッケージ層４０と、バッファ保護層５０と、を備えてもよい。図６では、画素島領域１００の１つの発光素子、画素回路の１つのトランジスタ及び１つのコンデンサのみを例にして模式的に説明している。接続ブリッジ領域２００は、フレキシブルベース基板１０と、フレキシブルベース基板１０に設けられた無機複合絶縁層と、無機複合絶縁層に設けられた信号線（図６では１本の信号線２３のみを模式とする）と、信号線を順次覆う第１平坦層１６、第２平坦層１７、不動態化層１８、パッケージ層４０、及びバッファ保護層５０と、を備えてもよい。画素島領域１００及び接続ブリッジ領域２００の構造については、前の実施例の説明を参照することができ、ここでは繰り返して説明しない。
【0140】
幾つかの例示的な実施形態では、図６に示すように、表示基板に垂直な方向において、孔領域３００のフレキシブルベース基板１０は第１貫通孔を有し、第１貫通孔はフレキシブルベース基板１０を貫通する。第１平坦層１６の第１充填層６１は、第１貫通孔内に充填される。孔領域３００の無機複合絶縁層は第２貫通孔を有し、第２貫通孔は無機複合絶縁層を貫通する。第２充填層７１は第２貫通孔内に充填される。第２充填層７１と第１充填層６１とは直接接触している。第２充填層７１のフレキシブルベース基板１０における正投影は、第１充填層６１のフレキシブルベース基板１０における正投影を覆ってもよい。孔領域３００は第２開口Ｇ２を有し、第２開口Ｇ２は第２充填層７１を露出する。本例では、孔領域３００において第１充填層６１及び第２充填層７１を用いて第１貫通孔及び第２貫通孔を充填することにより、深孔露光残留の問題を回避することができる。
【0141】
幾つかの例示的な実施形態では、図６に示すように、孔領域３００において、パッケージ層４０のフレキシブルベース基板１０における正投影は、第２充填層７１のフレキシブルベース基板１０における正投影とオーバーラップしなくてもよく、第１充填層６１のフレキシブルベース基板１０における正投影とオーバーラップしなくてもよく、それによって表示基板の伸張効果が確保される。しかし、本実施例はこれについて限定しない。例えば、パッケージ層４０のフレキシブルベース基板１０における正投影は、第２充填層７１のフレキシブルベース基板１０における正投影と部分的にオーバーラップしてもよく、そして、第１充填層６１のフレキシブルベース基板１０における正投影とオーバーラップしなくてもよい。又は、パッケージ層４０のフレキシブルベース基板１０における正投影は、第２充填層７１のフレキシブルベース基板１０における正投影と部分的にオーバーラップしてもよく、そして、第１充填層６１のフレキシブルベース基板１０における正投影とも部分的にオーバーラップしてもよい。
【0142】
幾つかの例示的な実施形態では、表示基板の製造プロセスにおいて、第４金属層を形成した後、フレキシブルベース基板１０に有機材料を用いた第２平坦薄膜をコーティングし、パターン化プロセスにより第２平坦薄膜をパターン化し、第４金属層を覆う第２平坦層１７を画素島領域１００及び接続ブリッジ領域２００に形成し、孔領域３００に第２充填層７１を形成してもよい。第２平坦層１７は孔領域３００において第７スルーホールＫ２７が開設され、第７スルーホールＫ２７は第１平坦層１６の孔領域３００において開設された第６スルーホールＫ２６に連通する。第７スルーホールＫ２７のフレキシブルベース基板１０における正投影は第６スルーホールＫ２６のフレキシブルベース基板１０における正投影を含んでもよい。第２充填層７１は孔領域３００の第２貫通孔内に充填される。第２充填層７１のフレキシブルベース基板１０から離れる表面と、第５絶縁層１５のフレキシブルベース基板１０から離れる表面とは、揃えられてもよい。しかし、本実施例はこれについて限定しない。例えば、第２充填層７１のフレキシブルベース基板１０から離れる表面は、第５絶縁層１５のフレキシブルベース基板１０から離れる表面よりも低くてもよい。
【0143】
本例示的な実施形態では、第１平坦層１６の第６スルーホールと、第２平坦層１７の第７スルーホールと、不動態化層１８の第８スルーホールとは、連通して表示基板の第２開口Ｇ２を形成してもよい。有機発光層３２、陰極３３、第１無機パッケージ層４１、及びバッファ保護層５０は、第２開口Ｇ２の側壁及び底部の一部領域を覆い、そして第２充填層７１とオーバーラップしなくてもよく、表示基板の伸張可能効果への影響が回避される。
【0144】
本実施例の残りの構造及び製造プロセスについては、前の実施例の説明を参照することができ、ここでは繰り返して説明しない。
【0145】
本実施形態に示される構造（又は方法）は、他の実施形態に示される構造（又は方法）と適宜組み合わせられてもよい。
【0146】
図７は図３におけるＱ－Ｑ’方向に沿う他の一部断面模式図である。幾つかの例示的な実施形態では、図７に示すように、表示基板に垂直な方向において、孔領域３００に第２分離溝Ｈ２が設けられる。第２分離溝Ｈ２は、無機複合絶縁層、第１充填層６１の一部、及びフレキシブルベース基板１０の一部を貫通することによって形成される。無機複合絶縁層は、フレキシブルベース基板１０に順次積層された第１絶縁層１１と、第２絶縁層１２と、第３絶縁層１３と、第４絶縁層１４と、第５絶縁層１５と、を含んでもよい。第２分離溝Ｈ２は無機複合絶縁層の第２貫通孔に貫通する。無機複合絶縁層の少なくとも１つの絶縁層は第２延出部を有する。第２延出部のフレキシブルベース基板１０における正投影は、第２分離溝Ｈ２のフレキシブルベース基板における正投影内に位置する。無機複合絶縁層の第２延出部は第２分離溝Ｈ２の切り欠きを部分的に遮蔽し、それによって、第２分離溝Ｈ２の切り欠きのフレキシブルベース基板１０における正投影は、第２分離溝Ｈ２のフレキシブルベース基板１０における正投影内に位置する。第２分離溝Ｈ２のフレキシブルベース基板１０における正投影は、第１充填層６１のフレキシブルベース基板１０における正投影を覆ってもよい。
【0147】
本実施例の表示基板の画素島領域１００及び接続ブリッジ領域２００の構造については、前述の実施例の説明を参照することができ、ここでは繰り返して説明しない。
【0148】
【0149】
幾つかの例示的な実施形態では、図５Ｅに示すように、画素島領域１００及び接続ブリッジ領域２００に第１平坦層１６を形成し、孔領域３００にフレキシブルベース基板１０の第１貫通孔を充填する第１充填層６１を形成する。その後、図８Ａに示すように、第４金属層、第２平坦層１７、不動態化層１８、陽極層、画素定義層３４、及びスペーサ柱１９を順次に形成する。
【0150】
その後、不動態化層１８にフォトレジストをコーティングし、フォトレジストを露光現像して不動態化層１８を貫通する分離孔を形成し、その後、分離孔を有する不動態化層１８をマスクとして、第２平坦層１７の少なくとも一部をドライエッチングして第１凹溝を形成し、そして第１スルーホールを有する第１絶縁層１１をマスクとして、フレキシブルベース基板１０及び第１充填層６１の少なくとも一部をドライエッチングして第２凹溝を形成する。本例では、不動態化層１８の分離孔と第２平坦層１７の第１凹溝とは連通して第１分離溝Ｈ１を形成する。第１分離溝Ｈ１の切り欠きのサイズは、不動態化層１８の分離孔のサイズによって決定される。
【0151】
幾つかの例では、無機複合絶縁層は第２凹溝の上方に位置する第２延出部を有し、無機複合絶縁層の第２延出部のフレキシブルベース基板１０における正投影は、第２凹溝のフレキシブルベース基板１０における正投影内に位置する。無機複合絶縁層の第２延出部は第２分離溝Ｈ２の切り欠きを部分的に遮蔽し、それによって、第２分離溝Ｈ２の切り欠きのフレキシブルベース基板１０における正投影は、第２凹溝のフレキシブルベース基板１０における正投影内に位置する。幾つかの例では、無機複合絶縁層の第２延出部は、第２凹溝のフレキシブルベース基板１０における正投影とオーバーラップする第１絶縁層１１～第５絶縁層１５のうちの少なくとも１つから形成されてもよい。幾つかの例では、無機複合絶縁層の第２延出部は、第２凹溝のフレキシブルベース基板１０における正投影とオーバーラップする第１絶縁層１１、第１絶縁層１２、及び第３絶縁層１３から形成されてもよい。第１絶縁層１１の第１スルーホールとフレキシブルベース基板１０の第２凹溝とは連通する。第２分離溝Ｈ２の切り欠きのサイズは、第１絶縁層１１の第１スルーホールのサイズによって決定される。第２凹溝のフレキシブルベース基板１０における正投影は第１スルーホールのフレキシブルベース基板１０における正投影を含んでもよい。しかし、本実施例はこれについて限定しない。例えば、第２分離溝の切り欠きのサイズは、第２絶縁層又は第３絶縁層におけるスルーホールのサイズによって決定されてもよい。
【0152】
幾つかの例では、エッチングガスとして四フッ化炭素（ＣＦ４）と酸素（Ｏ２）との混合ガス（ＣＦ４、Ｏ２）を採用してもよく、両者の比例を調整することにより、第２平坦層１７に対する横方向エッチングを実現し、第１凹溝を形成し、そして第１充填層６１及びフレキシブルベース基板１０に対する横方向エッチングを実現し、第２凹溝を形成する。
【0153】
幾つかの例では、フレキシブルベース基板１０の厚さは約６μｍ～１０μｍであってもよく、例えば、約６μｍ又は８μｍである。第２分離溝Ｈ２の深さＬ２（即ち、第１絶縁層１１のフレキシブルベース基板１０に近い側の表面と第２凹溝の底面との距離）は約１．５μｍ～２．０μｍであってもよく、例えば、約１．５μｍ又は１．８μｍである。無機複合絶縁層の第２延出部の側壁と同側の第２分離溝Ｈ２の側壁との距離Ｌ１（即ち、第２分離溝Ｈ２の切り欠き縁と該切り欠き縁の同側の第２分離溝Ｈ１の側壁との距離）は約０．３μｍ～０．５μｍであってもよく、例えば、約０．３μｍ又は０．４μｍである。本例では、Ｌ１は即ち、第１絶縁層１１の第１スルーホールの孔壁と同側の第２凹溝の側壁との間の最大距離である。しかし、本実施例はこれについて限定しない。
【0154】
その後、図８Ｂに示すように、蒸着プロセスを採用して、画素島領域１００、接続ブリッジ領域２００及び孔領域３００に有機発光層３２及び陰極３３を形成する。有機発光層３２と陰極３３は、第１分離溝Ｈ１及び第２分離溝Ｈ２において切断される。その後、前述のパターンが形成されたフレキシブルベース基板１０に第１パッケージ薄膜を堆積し、フレキシブルベース基板１０全体を覆う第１無機パッケージ層４１を形成する。その後、インクジェット印刷プロセスを採用して有機パッケージ層４２を形成する。その後、第２パッケージ薄膜を堆積し、フレキシブルベース基板１０全体を覆う第２無機パッケージ層４３を形成する。本例では、第１無機パッケージ層４１は、第２分離溝Ｈ２において遮断される。しかし、本実施例はこれについて限定しない。
【0155】
その後、図８Ｃに示すように、孔領域３００の有機パッケージ層４２及び第２無機パッケージ層４３をエッチングし、孔領域３００の第１無機パッケージ層４１の表面が露出される。孔領域３００において、有機発光層３２、陰極３３、及び第１無機パッケージ層４１をパターン化処理し、第２分離溝Ｈ２内のフレキシブルベース基板１０及び第１充填層６１における第１無機パッケージ層４１、陰極３３、及び有機発光層３２を除去して、第１充填層６１の表面を露出し、又は第１充填層６１及び一部のフレキシブルベース基板１０の表面を露出する。例えば、エッチングプロセスにより、第２分離溝Ｈ２の底部の、フレキシブルベース基板１０及び第１充填層６１を覆う第１無機パッケージ層４１、陰極３３、及び有機発光層３２を除去して、第１充填層６１の表面を露出し、又は第１充填層６１及び一部のフレキシブルベース基板１０の表面を露出する。本例では、第１充填層６１は残りの膜層構造に覆われていなく、それによって表示基板の伸張可能効果が確保されることができる。しかし、本実施例はこれについて限定しない。例えば、第１充填層６１の縁部はパッケージ層５０に覆われてもよく、表示基板の伸張可能効果さえ確保されればよい。
【0156】
その後、前述のパターンが形成されたフレキシブルベース基板１０にバッファ保護薄膜を堆積し、パターン化プロセスによりバッファ保護薄膜をパターン化し、バッファ保護層５０を形成する。孔領域３００のバッファ保護層５０はエッチングされ、第１充填層６１の表面が露出される。
【0157】
本例示的な実施形態では、フレキシブルベース基板１０の第１貫通孔に第１充填層を充填し且つ第２分離溝Ｈ２を形成することにより、フレキシブルベース基板１０とガラス基板６０とを分離する際には、パッケージ層が引き裂かれてパッケージが失効することを回避することができ、それによって、表示基板のパッケージ効果を高めることができる。そして、第２分離溝Ｈ２を設けることにより、有機発光層と陰極とが遮断され、水蒸気が発光素子に入ることが回避され、それによって表示基板のパッケージ効果をより向上させる。
【0158】
本実施例の残りの構造及び製造プロセスについては、前の実施例の説明を参照することができ、ここでは繰り返して説明しない。
【0159】
本実施形態に示される構造（又は方法）は、他の実施形態に示される構造（又は方法）と適宜組み合わせられてもよい。
【0160】
本開示の実施例は更に表示基板の製造方法を提供する。表示基板は少なくとも１つの伸張表示領域を備え、伸張表示領域は、互いに分離された複数の画素島領域と、複数の孔領域と、前記画素島領域と孔領域との間に位置する接続ブリッジ領域と、を含む。本実施例の製造方法は、孔領域にフレキシブルベース基板を貫通する１つ以上の第１貫通孔を形成することと、孔領域に第１貫通孔を充填する第１充填層を形成することと、パッケージ層を形成し、パッケージ層のフレキシブルベース基板における正投影は、第１充填層と部分的にオーバーラップし、又は、オーバーラップしないことと、を含む。
【0161】
幾つかの例示的な実施形態では、本実施例の製造方法は更に、孔領域に第１充填層を形成すると同時に、画素島領域及び接続ブリッジ領域に第１平坦層を形成することを含んでもよい。
【0162】
幾つかの例示的な実施形態では、本実施例の製造方法は更に、孔領域に第１充填層を形成する前に、フレキシブルベース基板に複合絶縁層を形成し、そして孔領域の複合絶縁層に第２貫通孔を形成し、第２貫通孔は複合絶縁層を貫通し、そして対応する第１貫通孔に貫通することを含んでもよい。
【0163】
幾つかの例示的な実施形態では、本実施例の製造方法は更に、孔領域に第１充填層を形成した後に、画素島領域及び接続ブリッジ領域に第２平坦層を形成するとともに、孔領域に第２充填層を形成し、第２充填層は第２貫通孔内に充填されることを含んでもよい。第２充填層は第１充填層に接触し、第２充填層のフレキシブルベース基板における正投影は、第１充填層のフレキシブルベース基板における正投影と少なくとも部分的にオーバーラップし、パッケージ層のフレキシブルベース基板における正投影は、第２充填層のフレキシブルベース基板における正投影と部分的にオーバーラップし、又は、オーバーラップしない。
【0164】
幾つかの例示的な実施形態では、本実施例の製造方法は更に、孔領域に第１充填層を形成した後に、複合絶縁層、一部の第２平坦部、及び一部のフレキシブルベース基板を貫通する第２分離溝を孔領域に形成することを含んでもよい。第２分離溝は複合絶縁層の第２貫通孔に貫通し、複合絶縁層における少なくとも１つの絶縁層は第２延出部を有し、第２延出部のフレキシブルベース基板における正投影は、第２分離溝のフレキシブルベース基板における正投影内に位置する。第２分離溝のフレキシブルベース基板における正投影は、第１充填層のフレキシブルベース基板における正投影を覆う。
【0165】
本実施例の製造方法に関する関連説明は前述の実施例の説明を参照することができ、ここでは繰り返して説明しない。
【0166】
本開示の少なくとも１つの実施例は更に表示基板を提供し、フレキシブルベース基板を備える。フレキシブルベース基板は少なくとも１つの伸張表示領域を備え、伸張表示領域は、互いに分離された複数の画素島領域と、複数の孔領域と、画素島領域と孔領域との間に位置する接続ブリッジ領域と、を含む。少なくとも１つの孔領域には、フレキシブルベース基板を貫通する１つ以上の第１貫通孔が設けられている。孔領域は更にフレキシブルベース基板に積層された複合絶縁層を備える。複合絶縁層は第２貫通孔を有する。第２貫通孔は複合絶縁層を貫通し、そして対応する第１貫通孔に貫通する。複合絶縁層のフレキシブルベース基板における正投影は、第１貫通孔のフレキシブルベース基板における正投影とオーバーラップする。
【0167】
本例示的な実施形態による表示基板は、孔領域のフレキシブルベース基板又はフレキシブルベース基板と複合絶縁層との間にアンダーカット構造を形成することにより、孔領域のパッケージ層とガラス基板との間の接着力を改善し、表示基板とガラス基板との剥離の際に存在する、パッケージ層が破裂して失効するという状況を回避し、表示基板のパッケージ信頼性を向上させる。
【0168】
幾つかの例示的な実施形態では、複合絶縁層はフレキシブルベース基板に接触する第１絶縁層を含む。第２貫通孔は第１絶縁層に開設された第１スルーホールを含む。第１スルーホールのフレキシブルベース基板における正投影は第１貫通孔のフレキシブルベース基板における正投影内に位置する。本例では、パッケージ層は孔領域において第１スルーホール及び第１貫通孔の側壁を覆う。本例では、孔領域のフレキシブルベース基板と複合絶縁層を用いてアンダーカット構造を形成する。
【0169】
幾つかの例示的な実施形態では、第１貫通孔は連通する第１サブ貫通孔と第２サブ貫通孔とを含み、第１サブ貫通孔は第２貫通孔に貫通する。第１サブ貫通孔のフレキシブルベース基板における正投影は第２サブ貫通孔のフレキシブルベース基板における正投影内に位置する。本例では、パッケージ層は孔領域において第１サブ貫通孔及び第２貫通孔の側壁を覆う。本例では、フレキシブルベース基板の第１貫通孔を用いてアンダーカット構造を形成する。
【0170】
以下では幾つかの例によって本実施例の案を説明する。
【0171】
【0172】
幾つかの例示的な実施形態では、図９及び図１０に示すように、表示基板に垂直な平面内において、孔領域３００のフレキシブルベース基板１０は第１貫通孔Ｋ１を有する。第１貫通孔Ｋ１はフレキシブルベース基板１０を貫通する。本例では、複合絶縁層は、複数の無機層を含む無機複合絶縁層である。複合絶縁層は第１貫通孔Ｋ１に対応する第２貫通孔Ｋ２を有する。第２貫通孔Ｋ２は無機複合絶縁層を貫通し、そして第１貫通孔Ｋ１に貫通する。無機複合絶縁層は、フレキシブルベース基板１０に積層された第１絶縁層１１と、第２絶縁層１２と、第３絶縁層１３と、第４絶縁層１４と、第５絶縁層１５と、を含む。第１絶縁層１１には第１スルーホールＫ２１が開設され、第２絶縁層１２には第２スルーホールＫ２２が開設され、第３絶縁層１３には第３スルーホールＫ２３が開設され、第４絶縁層１４には第４スルーホールＫ２４が開設され、第５絶縁層１４には第５スルーホールＫ２５が開設されている。第１スルーホール２１～第５スルーホールＫ２５は連通して、第２貫通孔Ｋ２を形成する。第１スルーホール２１～第５スルーホールＫ２５のサイズは順次増加する。第２貫通孔Ｋ２の断面形状は逆台形であってもよい。
【0173】
幾つかの例示的な実施形態では、図１０に示すように、第１貫通孔Ｋ１は連通する第１サブ貫通孔Ｋ１１と第２サブ貫通孔Ｋ１２とを含む。第１サブ貫通孔Ｋ１１は第１スルーホールＫ２１に貫通する。第１サブ貫通孔Ｋ１１のガラス基板６０における正投影は第２サブ貫通孔Ｋ１２のガラス基板６０における正投影内に位置する。第２サブ貫通孔Ｋ１２のサイズはガラス基板６０に近い側に沿って徐々に増加する。例えば、第２サブ貫通孔Ｋ１２の断面形状は台形であってもよく、第１サブ貫通孔Ｋ１１の断面形状は矩形であってもよい。しかし、本実施例はこれについて限定しない。
【0174】
幾つかの例示的な実施形態では、図１０に示すように、第１サブ貫通孔Ｋ１１の側壁と同側の第２サブ貫通孔Ｋ１２の側壁との間の最大距離Ｌ３は、０．３μｍ以上であってもよく、例えば約０．３μｍ又は０．５μｍであってもよい。しかし、本実施例はこれについて限定しない。
【0175】
幾つかの例示的な実施形態では、図９及び図１０に示すように、無機複合絶縁層の第１絶縁層１１のフレキシブルベース基板１０における正投影は、第２サブ貫通孔Ｋ１２のフレキシブルベース基板１０における正投影とオーバーラップする。孔領域３００において、第２サブ貫通孔Ｋ１２によってアンダーカット構造が形成され、それによって、有機発光層３２と陰極３３とは第１貫通孔Ｋ１内において切断される。有機発光層３２及び陰極３３は、第１貫通孔Ｋ１内において第１サブ貫通孔Ｋ１１の側壁のみを覆い、第２サブ貫通孔Ｋ１２の側壁を覆っていない。パッケージ層は、積層された第１無機パッケージ層４１と第２無機パッケージ層４３とを含んでもよい。第１無機パッケージ層４１及び第２無機パッケージ層４２は、いずれも第２貫通孔Ｋ２の側壁及び第１サブ貫通孔Ｋ１１の側壁を覆い、第２サブ貫通孔Ｋ１２の側壁には接触しない。本例では、パッケージ層とガラス基板６０とが完全に張り合わせられていなく、ガラス基板６０を剥離する際にパッケージ層が破裂して失効することを回避することができる。
【0176】
本実施例の表示基板の残りの構造及び製造プロセスについては、前述の実施例の説明を参照することができ、ここでは繰り返して説明しない。
【0177】
本実施形態に示される構造（又は方法）は、他の実施形態に示される構造（又は方法）と適宜組み合わせられてもよい。
【0178】
【0179】
幾つかの例示的な実施形態では、図１１及び図１２に示すように、表示基板に垂直な平面内において、孔領域３００のフレキシブルベース基板１０は第１貫通孔Ｋ１を有する。第１貫通孔Ｋ１はフレキシブルベース基板１０を貫通する。本例では、複合絶縁層は、複数の無機層を含む無機複合絶縁層である。無機複合絶縁層は第１貫通孔Ｋ１に対応する第２貫通孔Ｋ２を有する。第２貫通孔Ｋ２は無機複合絶縁層を貫通し、そして第１貫通孔Ｋ１に貫通する。無機複合絶縁層は、フレキシブルベース基板１０に積層された第１絶縁層１１と、第２絶縁層１２と、第３絶縁層１３と、第４絶縁層１４と、第５絶縁層１５と、を含む。第１絶縁層１１には第１スルーホールＫ２１が開設され、第２絶縁層１２には第２スルーホールＫ２２が開設され、第３絶縁層１３には第３スルーホールＫ２３が開設され、第４絶縁層１４には第４スルーホールＫ２４が開設され、第５絶縁層１４には第５スルーホールＫ２５が開設されている。第１スルーホールＫ２１～第５スルーホールＫ２５は連通して、第２貫通孔Ｋ２を形成する。第１スルーホールＫ２１～第５スルーホールＫ２５のサイズは順次増加する。第２貫通孔Ｋ２の断面形状は逆台形であってもよい。第１スルーホールＫ２１のフレキシブルベース基板１０における正投影は第１貫通孔Ｋ１のフレキシブルベース基板における正投影に位置する。第１貫通孔Ｋ１の断面形状は矩形であってもよい。
【0180】
幾つかの例示的な実施形態では、図１２に示すように、第１スルーホールＫ２１の側壁と同側の第１貫通孔Ｋ１の側壁との間の最大距離Ｌ４は、０．３μｍ以上であってもよく、例えば約０．３μｍ又は０．４μｍである。しかし、本実施例はこれについて限定しない。
【0181】
幾つかの例示的な実施形態では、図１１及び図１２に示すように、孔領域３００において、第１スルーホールＫ２１のサイズが第１貫通孔Ｋ１のサイズよりも小さくなるように設定することによって、アンダーカット構造を形成し、それによって有機発光層３２及び陰極３３は第１貫通孔Ｋ１内において切断される。パッケージ層は、積層された第１無機パッケージ層４１と第２無機パッケージ層４３とを含む。第１無機パッケージ層４１は、第２貫通孔Ｋ２の側壁及び第１貫通孔Ｋ１の側壁を覆い、且つ第１貫通孔Ｋ１と第１スルーホールＫ２１との境で切断される。第２無機パッケージ層４３は、第２貫通孔Ｋ２の側壁及び第１貫通孔Ｋ１の側壁を連続的に覆ってもよい。本例では、第１無機パッケージ層は第１貫通孔Ｋ１内において切断され、それによって第１貫通孔Ｋ１箇所のパッケージは弱く、フレキシブルベース基板がガラス基板から剥離される際にパッケージ層が割れて失効するの状況を回避することができる。
【0182】
本実施例の表示基板の残りの構造及び製造プロセスについては、前述の実施例の説明を参照することができ、ここでは繰り返して説明しない。
【0183】
本実施形態に示される構造（又は方法）は、他の実施形態に示される構造（又は方法）と適宜組み合わせられてもよい。
【0184】
図１３は本開示の少なくとも１つの実施例による表示装置の模式図である。図１３に示すように、本実施例は表示装置９１を提供し、表示基板９１０を備える。表示基板９１０は、前述の実施例による表示基板である。幾つかの例では、表示基板９１０はＯＬＥＤ表示基板であってもよい。表示装置９１は、ＯＬＥＤ表示装置、携帯電話、タブレットＰＣ、テレビ、ディスプレイ、ノートＰＣ、デジタルフォトフレーム、ナビゲータ、車載ディスプレイ、腕時計、ブレスレット等の表示機能を有する任意の製品又は部品であってもよい。しかし、本実施例はこれについて限定しない。
【0185】
本開示の実施例の記載では、「中部」、「上」、「下」、「前」、「後」、「垂直」、「水平」、「頂」、「底」、「内」、「外」等の用語で指示される方位又は位置関係は図面に示される方位又は位置関係に基づくものであり、それは本開示を説明しそしてその説明を簡略化するためのものに過ぎず、指示される装置や素子が必ず特定の方位を有し、特定の方位で構成及び操作されることを明示又は暗示するものではなく、従って本開示に対する制限と理解されるべきではない。
【0186】
本開示に開示される実施形態は以上の通りであるが、その記載内容は本開示を理解するために採用される実施形態に過ぎず、本開示を限定するためのものではない。当業者は本開示に開示される精神と範囲を離脱せずに、実施の形式及び詳細において修正と変更を行うことができるが、本開示の特許保護範囲は、特許請求の範囲に記載の範囲に準じるべきである。
【符号の説明】
【0187】
１０ フレキシブルベース基板
１１ 第１絶縁層
１２ 第２絶縁層
１３ 第３絶縁層
１４ 第４絶縁層
１５ 第５絶縁層
１６ 第１平坦層
１７ 第２平坦層
１８ 不動態化層
２３ 信号線
４０ パッケージ層
５０ バッファ保護層
６０ ガラス基板
１００ 画素島領域
２００ 接続ブリッジ領域
３００ 孔領域
１１ 第１絶縁層
１２ 第２絶縁層
１３ 第３絶縁層
１４ 第４絶縁層
１５ 第５絶縁層
１６ 第１平坦層
１７ 第２平坦層
１８ 不動態化層
２３ 信号線
４０ パッケージ層
５０ バッファ保護層
６０ ガラス基板
１００ 画素島領域
２００ 接続ブリッジ領域
３００ 孔領域
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図5D】
【図5E】
【図5F】
【図5G】
【図5H】
【図5I】
【図5J】
【図5K】
【図6】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【国際調査報告】