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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-09-30
(54)【発明の名称】アンテナを備えるファンアウトパッケージ
(51)【国際特許分類】
H01L 23/12 20060101AFI20240920BHJP
H01L 25/00 20060101ALI20240920BHJP
H01Q 13/08 20060101ALI20240920BHJP
H01Q 1/40 20060101ALI20240920BHJP
H01Q 23/00 20060101ALI20240920BHJP
【ＦＩ】
H01L23/12 501B
H01L23/12 501P
H01L25/00 B
H01Q13/08
H01Q1/40
H01Q23/00
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024518627
(86)(22)【出願日】2022-09-21
(85)【翻訳文提出日】2024-05-21
(86)【国際出願番号】 US2022044185
(87)【国際公開番号】W WO2023049142
(87)【国際公開日】2023-03-30
(31)【優先権主張番号】63/247,792
(32)【優先日】2021-09-23
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】17/689,153
(32)【優先日】2022-03-08
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】507107291
【氏名又は名称】テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド
(74)【代理人】
【識別番号】230129078
【弁護士】
【氏名又は名称】佐藤 仁
(72)【発明者】
【氏名】イキ タン
(72)【発明者】
【氏名】ラジェン マニコン ムルガン
【テーマコード（参考）】
5J021
5J045
5J046
【Ｆターム（参考）】
5J021AA01
5J021AB06
5J045DA10
5J045HA05
5J045KA05
5J046AA13
5J046AB13
5J046QA02
(57)【要約】
電子デバイス（１００）が、ダイ（１０８）と、パッケージ構造（１２０）と、マルチレベル再配線構造（１１０）とを含み、マルチレベル再配線構造（１１０）は、第１のビア（１１１）、第１のレベル、第２のビア（１１３）、第２のレベル、及びパッシベーション材料（１１９）を有する。第１のレベル（１１１）は、導電性アンテナ（１３０）を有し、第１のビア（１１１）は、導電性アンテナ（１３０）とダイ（１０８）の導電性端子（１０９）との間に延在し、パッシベーション材料（１１９）は、第１のレベルと第２のレベルとの間に延在する。第２のビア（１１３）は、第１のレベルと第２のレベルとの間でパッシベーション材料（１１９）を介して延在する。第２のレベルは、導電性リフレクタ（１３８）を有する。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
電子デバイスであって、側部と導電性端子とを有するダイであって、前記側部が第１の方向及び直交する第２の方向の第１の平面において延在し、前記導電性端子が前記側部に沿って延在する、前記ダイと、
前記ダイの一部を囲むパッケージ構造と、
第１のビアと、第１のレベルと、第２のビアと、第２のレベルと、パッシベーション材料とを有するマルチレベル再配線構造と、
を含み、
前記第１のレベルが、前記第１の方向及び前記第２の方向の第２の平面において導電性アンテナを含む第１の導電性特徴を有し、前記第１のビアが、前記第１及び第２の方向に直交する第３の方向に沿って前記導電性アンテナと前記導電性端子との間に延在し、前記パッシベーション材料が、前記第１のレベルと前記第２のレベルとの間に延在し、前記第２のビアが、前記第３の方向に沿って前記第１のレベルと前記第２のレベルとの間で前記パッシベーション材料を介して延在し、前記第２のレベルが、前記第１及び第２の方向の第３の平面において導電性リフレクタを含む第２の導電性特徴を有し、前記第３の平面が、前記第３の方向に沿って前記第２の平面から離間されている、
電子デバイス。
【請求項2】
請求項１の電子デバイスであって、前記電子デバイスが、はんだボールを更に含み、
前記第２の導電性特徴が、前記第２のビアと前記はんだボールとの間で前記パッシベーション材料を介して延在する導電性アンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）構造を含む、
電子デバイス。
【請求項3】
請求項２の電子デバイスであって、前記導電性アンテナが、前記導電性リフレクタの上に延在し、
前記導電性リフレクタが、前記第１の方向において前記導電性アンテナよりも長く、
前記導電性リフレクタが、前記第２の方向において前記導電性アンテナよりも幅広い、
電子デバイス。
【請求項4】
請求項３の電子デバイスであって、前記導電性アンテナが、第１の部分と第２の部分とを有し、
前記第２の部分が、前記第１の方向に沿って前記第１のビアから前記第１の部分まで延在し、
前記第１の部分が、前記第２の方向に沿って前記第２の部分よりも幅広い、
電子デバイス。
【請求項5】
請求項２の電子デバイスであって、前記ＵＢＭ構造が前記ダイの横方向外方にある、電子デバイス。
【請求項6】
請求項１の電子デバイスであって、前記導電性アンテナが、前記導電性リフレクタの上に延在し、
前記導電性リフレクタが、前記第１の方向において前記導電性アンテナよりも長く、
前記導電性リフレクタが、前記第２の方向において前記導電性アンテナよりも幅広い、
電子デバイス。
【請求項7】
請求項６の電子デバイスであって、前記導電性アンテナが、第１の部分と第２の部分とを有し、
前記第２の部分が、前記第１の方向に沿って前記第１のビアから前記第１の部分まで延在し、
前記第１の部分が、前記第２の方向に沿って前記第２の部分よりも幅広い、
電子デバイス。
【請求項8】
請求項１の電子デバイスであって、前記導電性アンテナが、第１の部分と第２の部分とを有し、
前記第２の部分が、前記第１の方向に沿って前記第１のビアから前記第１の部分まで延在し、
前記第１の部分が、前記第２の方向に沿って前記第２の部分よりも幅広い、
電子デバイス。
【請求項9】
請求項８の電子デバイスであって、前記第１の部分が、前記第３の平面において矩形形状を有する、電子デバイス。
【請求項10】
請求項８の電子デバイスであって、前記第１の導電性特徴が、前記第２の平面において前記第２の部分に平行に延在する導電性シールドを含む、電子デバイス。
【請求項11】
マルチレベル再配線構造であって、第１の方向及び直交する第２の方向の平面において導電性アンテナを含む第１の導電性特徴を有する第１のレベルと、
前記導電性アンテナに結合される第１のビアと、
前記第１の方向及び前記第２の方向の別の平面において導電性リフレクタを含む第２の導電性特徴を有する第２のレベルと、
前記第１のレベルと前記第２のレベルとの間に延在するパッシベーション材料と、
前記第１及び第２の方向に直交する第３の方向に沿って、前記第１のレベルと前記第２のレベルとの間で前記パッシベーション材料を介して延在する第２のビアと、
を含む、マルチレベル再配線構造。
【請求項12】
請求項１１のマルチレベル再配線構造であって、はんだボールを更に含み、前記第２の導電性特徴が、前記第２のビアと前記はんだボールとの間で前記パッシベーション材料を介して延在する導電性アンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）構造を含む、マルチレベル再配線構造。
【請求項13】
請求項１１のマルチレベル再配線構造であって、前記導電性アンテナが、前記導電性リフレクタの上に延在し、
前記導電性リフレクタが、前記第１の方向において前記導電性アンテナよりも長く、
前記導電性リフレクタが、前記第２の方向において前記導電性アンテナよりも幅広い、
マルチレベル再配線構造。
【請求項14】
請求項１１のマルチレベル再配線構造であって、前記導電性アンテナが、第１の部分と第２の部分とを有し、
前記第２の部分が、前記第１の方向に沿って前記第１のビアから前記第１の部分まで延在し、
前記第１の部分が、前記第２の方向に沿って前記第２の部分よりも幅広い、
マルチレベル再配線構造。
【請求項15】
請求項１４のマルチレベル再配線構造であって、前記第１の部分が、前記別の平面において矩形形状を有する、マルチレベル再配線構造。
【請求項16】
請求項１４のマルチレベル再配線構造であって、前記第１の導電性特徴が、前記平面において前記アンテナの前記第２の部分に平行に延在する導電性シールドを含む、マルチレベル再配線構造。
【請求項17】
電子デバイスを製造する方法であって、前記方法が、ダイの一部を囲むパッケージ構造であって、直交する第１及び第２の方向の第１の平面において前記ダイの側部に沿って導電性端子を露出させる前記パッケージ構造を形成することと、
第１のビアと第１のレベルと第２のビアと第２のレベルとパッシベーション材料とを有するマルチレベル再配線構造を前記ダイの側部上に形成することと、
を含み、
前記第１のレベルが、前記第１の方向及び前記第２の方向の第２の平面において導電性アンテナを含む第１の導電性特徴を有し、前記第１のビアが、前記第１及び第２の方向に直交する第３の方向に沿って前記導電性アンテナと前記導電性端子との間に延在し、前記パッシベーション材料が、前記第１のレベルと前記第２のレベルとの間に延在し、前記第２のビアが、前記第３の方向に沿って前記第１のレベルと前記第２のレベルとの間で前記パッシベーション材料を介して延在し、前記第２のレベルが、前記第１の方向及び前記第２の方向の第３の平面において導電性リフレクタを含む第２の導電性特徴を有し、前記第２の導電性特徴が、前記第２のビアに結合される導電性アンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）構造を含み、前記第３の平面が、前記第３の方向に沿って前記第２の平面から離間されている、
方法。
【請求項18】
請求項１７の方法であって、前記ＵＢＭ構造体にはんだボールを取り付けることを更に含む、方法。
【請求項19】
請求項１８の方法であって、前記マルチレベル再配線構造を形成することが、前記ダイの前記側部上に第１のパッシベーション材料層を形成及びパターン化することと、
前記第１のパッシベーション材料層上に前記第１のビア及び前記第１の導電性特徴を含む第１の再配線層金属構造を形成及びパターン化することと、
前記第１の再配線層金属構造上に第２のパッシベーション材料層を形成及びパターン化することと、
前記第２のパッシベーション材料層上に前記第２のビア及び前記第２の導電性特徴を含む第２の再配線層金属構造を形成及びパターン化することと、
前記第２の再配線層金属構造上に第３のパッシベーション材料層を形成及びパターン化することと、
を含む、方法。
【請求項20】
請求項１７の方法であって、前記マルチレベル再配線構造を形成することが、前記ダイの前記側部上に第１のパッシベーション材料層を形成及びパターン化することと、
前記第１のパッシベーション材料層上に前記第１のビア及び前記第１の導電性特徴を含む第１の再配線層金属構造を形成及びパターン化することと、
前記第１の再配線層金属構造上に第２のパッシベーション材料層を形成及びパターン化することと、
前記第２のパッシベーション材料層上に前記第２のビア及び前記第２の導電性特徴を含む第２の再配線層金属構造を形成及びパターン化することと、
前記第２の再配線層金属構造上に第３のパッシベーション材料層を形成及びパターン化することと、
を含む、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
現代の電子デバイスは、以前より増して高周波通信機能をサポートするようになっている。ミリ波アンテナなどのアンテナは、広帯域セルラーネットワーク（５Ｇ）及びモノのインターネット（ＩｏＴ）技術のための第５世代技術標準がますます広まってくるのに伴い、より小さいフォームファクタ、緊密な統合、及びより高い周波数を絶えず必要としてきている。しかしながら、適切なアンテナを縮小し続ける電子デバイスパッケージ内に組み込むことがいまだ課題となっている。
【発明の概要】
【0002】
一態様において、電子デバイスが、ダイと、パッケージ構造と、マルチレベル再配線構造とを含む。ダイは、直交する第１の方向及び第２の方向の第１の平面において延在する側部と、その側部に沿って延在する導電性端子とを有する。パッケージ構造はダイの一部を囲む。マルチレベル再配線構造は、第１のビアと、第１のレベルと、第２のビアと、第２のレベルと、パッシベーション材料とを有する。第１のレベルは、第１及び第２の方向の第２の平面において導電性アンテナを含む第１の導電性特徴を有する。第１のビアは、第１及び第２の方向に直交する第３の方向に沿って導電性アンテナと導電性端子との間に延在する。パッシベーション材料は、第１のレベルと第２のレベルとの間に延在し、第２のビアは、第３の方向に沿って第１のレベルと第２のレベルとの間でパッシベーション材料を介して延在する。第２のレベルは、第１及び第２の方向の第３の平面において導電性リフレクタを含む第２の導電性特徴を有し、第３の平面は、第３の方向に沿って第２の平面から離間されている。
【0003】
別の態様において、マルチレベル再配線構造が、第１の方向及び直交する第２の方向の平面において導電性アンテナを含む第１の導電性特徴を有する第１のレベルを含む。マルチレベル再配線構造はまた、導電性アンテナに結合される第１のビアと、第１の方向及び第２の方向の別の平面において導電性リフレクタを含む第２の導電性特徴を有する第２のレベルと、第１及び第２のレベル間のパッシベーション材料と、第１の方向及び第２の方向に直交する第３の方向に沿って第１及び第２のレベル間のパッシベーション材料を介して延在する第２のビアとを含む。
【0004】
更なる態様において、或る方法が、ダイの一部を囲みダイの側部に沿って導電性端子を露出させるパッケージ構造を形成することと、ダイの側部上にマルチレベル再配線構造を形成することとを含み、マルチレベル再配線構造は、第１のビアと、第１のレベルと、第２のビアと、第２のレベルと、パッシベーション材料とを有する。第１のレベルは、第１及び第２の方向の第２の平面において導電性アンテナを含む第１の導電性特徴を有し、第１のビアは、第１の方向及び第２の方向に直交する第３の方向に沿って導電性アンテナと導電性端子との間に延在し、パッシベーション材料は、第１及び第２のレベルの間で延在し、第２のビアは、第３の方向に沿って第１のレベルと第２のレベルとの間でパッシベーション材料を介して延在し、第２のレベルは、第１及び第２の方向の第３の平面において導電性リフレクタを含む第２の導電性特徴を有し、第２の導電性特徴は、第２のビアに結合される導電性アンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）構造を含み、第３の平面は、第３の方向に沿って第２の平面から離間されている。
【図面の簡単な説明】
【0005】
【図1】統合されたアンテナ及び導電性リフレクタを備えるファンアウトウェハチップスケールパッケージ再配線構造を含むパッケージ化された電子デバイスの頂部斜視図である。
【0006】
【0007】
【0008】
【0009】
【0010】
【0011】
【0012】
【0013】
【0014】
【図2】電子デバイスを製造する方法のフローチャートである。
【0015】
【発明を実施するための形態】
【0016】
図面において、同様の参照番号は全体を通して同様の要素を指し、種々の特徴は必ずしも一定の縮尺で描いてはいない。また、用語「結合する」は、間接的又は直接的な、電気的接続、又は機械的接続、又はそれらの組み合わせを含む。例えば、第１のデバイスが第２のデバイスに結合するか又は第２のデバイスと結合される場合、その接続は、直接電気的接続を介するものであってもよく、又は、一つ又は複数の介在デバイス及び接続を介した間接的電気的接続を介するものであってもよい。種々の回路、システム、及び／又は構成要素の１つ又は複数の動作特性が、いくつかの場合において、回路要素が給電され動作するときに様々な構造の構成及び／又は相互接続から生じる機能の文脈において以下に説明される。
【0017】
図１～図１Ｇは、導電性アンテナ１３０と導電性リフレクタ１３８とを含む２つのレベルを備えるファンアウトウェハチップスケール（ＦＯＷＣＳＰ）マルチレベル再配線構造１１０を含むパッケージ化された電子デバイス１００を示す。パッケージ化された電子デバイス１００は、例えば、ＦＯＷＣＳＰ又は他のパッケージタイプにおいて、ウェハチップスケールパッケージングの利点を備えて、デバイスフォームファクタの低減を容易にし、より高い周波数の通信機能をサポートするための、統合されたアンテナソリューションを提供する。パッケージ化された電子デバイス１００は、第１又は底部側１０１と、第２又は頂部側１０２と、対向する第３及び第４（例えば、左及び右）側１０３及び１０４と、第５及び第６（例えば、前及び後ろ）側１０５及び１０６とを有する矩形形状を有する。電子デバイス１００はまた、図１Ａ及び図１Ｂに示す導電性端子１０９（例えば、銅ピラー又はバンプとして形成されたダイボンドパッド）を有する半導体ダイ１０８を含む。マルチレベル再配線構造１１０は、半導体ダイ１０８の側部１０７上に形成される。側部１０７は、第１の方向Ｘ及び直交する第２の方向Ｙの第１の平面において延在する。半導体ダイ１０８は、半導体ダイ１０８の側部１０７に沿って延在する導電性端子１０９を有する。
【0018】
マルチレベル再配線構造１１０は複数のレベルを有する。図示の例では、マルチレベル再配線構造１１０は、第１のレベル及び第２のレベルを有する。他の実装において、マルチレベル再配線構造１１０は、任意の整数Ｎ個のレベルを有し、Ｎは１より大きい。この例におけるダイ１０８の導電性端子１０９は、マルチレベル再配線構造１１０のそれぞれの導電性の第１のビア１１１（例えば、パターン化された銅又はアルミニウム導電性構造）に結合される。マルチレベル再配線構造１１０の第１のレベルは、導電性アンテナ１３０を含む第１の導電性特徴１１２を有する。導電性アンテナ１３０は、第１及び第２の方向の第２のＸ－Ｙ平面において延在する。第２のＸ－Ｙ平面は、第１及び第２の方向Ｘ及びＹに直交する第３の方向Ｚに沿って第１の平面から離間されており、第２の平面は、図１～図１Ｇに示される向きで第１の平面の下にある。マルチレベル再配線構造１１０は、第２のレベルのそれぞれの第２の導電性特徴１１４に結合される第２のビア１１３（例えば、図１Ａ～図１Ｃ）を有する。第２の導電性特徴１１４は導電性リフレクタ１３８を含む。導電性リフレクタ１３８は、第１及び第２の方向Ｘ及びＹの第３の平面において延在し、第３の平面は、第３の方向Ｚに沿って、第２の平面から離間されており、第２の平面の下にある。
【0019】
マルチレベル再配線構造１１０はまた、第１のレベルと第２のレベルとの間で、マルチレベル再配線構造１１０の導電性特徴間に横方向に延在する、パッシベーション材料１１９を含む。第１のビア１１１は、第３の方向Ｚに沿って導電性アンテナ１３０と導電性端子１０９のうちの１つとの間に延在し、第２のビア１１３のうちの１つが、第３の方向Ｚに沿って第１のレベルと第２のレベルとの間でパッシベーション材料１１９を介して延在する。１つの例においてパッシベーション材料１１９は、ポリイミドであるか又はポリイミドを含む。この例又は他の例において、パッシベーション材料１１９は、第１のレベル及び第２のレベルのパターン化された導電性特徴内及びそれらの間にある誘電性の電気的絶縁材料であるか又はそれを含む。電子デバイス１００はまた、半導体ダイ１０８の一部を囲みマルチレベル再配線構造１１０の頂部上に延在するプラスチック成形材料などのパッケージ構造１２０を含む。
【0020】
第２の導電性特徴１１４は、第２のビア１１３のうちのそれぞれの第２のビアとそれぞれのはんだボール１２２との間でパッシベーション材料１１９を介して延在する導電性アンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）構造１２１を含む。図示の例は、ファンアウトマルチレベル再配線構造１１０であり、ＵＢＭ構造１２１のうちの１つ又は複数が、半導体ダイ１０８の横方向外方に配置されて、ファンアウトウェハチップスケール再配線構造（ＦＯＷＣＳＰ）を提供する。また、この例において、ＵＢＭ構造１２１のうちの１つ又は複数が、例えば、図１Ｃ及び図１Ｅの底面図に示されるように、半導体ダイ１０８の下にある。別の実装（図示せず）において、ＵＢＭ構造１２１又ははんだボール１２２を外方に配置する（例えば、ファンアウトする）ことなく、半導体ダイ１０８の下にＵＢＭ構造１２１及び関連するはんだボール１２２を有するファンインオンリー再配線構造が提供される。実際には、はんだボール１２２は、印刷回路基板（ＰＣＢ）上のパッケージ化電子デバイス１００を構造的に支持するために、並びに、パッケージ化電子デバイス１００の種々の回路接続とＰＣＢの回路要素との間の導電接続を形成するために、ホストＰＣＢ（図示せず）の関連する導電性パッドにはんだ付けされるように構成される。
【0021】
導電性アンテナ１３０は、導電性リフレクタ１３８の上方に延在する。導電性アンテナ１３０は、第１の部分１３１と第２の部分１３２（例えば、フィード線）とを有する。導電性アンテナ１３０の第２の部分１３２は、それぞれの第１のビア１１１から第１の方向Ｘに沿って第１の部分１３１まで延在し、第１の部分１３１は、第２の方向Ｙに沿って第２の部分１３２よりも幅広い。導電性リフレクタ１３８は導電性アンテナ１３０の下にある。導電性リフレクタ１３８は、第１の方向Ｘにおいて導電性アンテナ１３０よりも長く、導電性リフレクタ１３８は、第２の方向Ｙにおいて導電性アンテナ１３０よりも幅広である。導電性アンテナ１３０の第１の部分１３１は、第３の平面において矩形形状を有し、図１、図１Ｅ、及び図１Ｆに示されるように、スロット１３３及び１３４を含む。図１、図１Ｄ、及び図１Ｅに示すように、第１のレベルの第１の導電性特徴１１２は、第２のＸ－Ｙ平面において導電性アンテナ１３０の第２の部分１３２に平行に延在する導電性シールド１３５及び１３６を含む。
【0022】
図１Ｆ～図１Ｈも参照すると、例示のパッケージ化された電子デバイス１００は、半導体ダイ１０８の側部に沿って形成された再配線層（ＲＤＬ）タイプのマルチレベル再配線構造１１０内に、統合された平面アンテナ及びリフレクタ構造を備える二層ＦＯＷＣＳＰパッケージングプラットフォームを含む。マルチレベル再配線１１０において導電性リフレクタ１３８を統合することにより、導電性リフレクタ１３８を導電性アンテナ１３０に対して並列に配置することが容易になり、電子デバイスが搭載される印刷回路基板（図示せず）の導電性リフレクタを用いる配置と比較して、この点で有利である。また、図示の例は、例えば、図１、図１Ａ、図１Ｄ、及び図１Ｅに見られるように、導電性リフレクタ１３８及び導電性アンテナ１３０の下に、ＵＢＭ構造１２１及び関連するはんだボール１２２を配置することを可能にすることによって、回路密度の増大を容易にする。ＰＣＢ基板を基準として用いる単一レベルＦＯＷＣＳＰと比較して、二層ＦＯＷＣＳＰパッケージ化電子デバイス１００は、第２のレベルの導電性リフレクタ１３８を基準面として直接用いて、外部環境への耐性を向上させる。
【0023】
図１Ｆは、パッケージ化された電子デバイス１００内の導電性アンテナ１３０及び導電性リフレクタ１３８のモデルの部分上面図を示し、図１Ｇは、そのモデルの頂部斜視図を示す。図１Ｈは、図１のパッケージ化された電子デバイス内のアンテナ及び導電性リフレクタのモデルについて、ＧＨｚで示す周波数を関数として、３次元電磁気シミュレートされたＳパラメータアンテナ反射損失応答性能曲線１５１、１５２、及び１５３をｄＢで示す、グラフ１５０を示す。曲線１５１は、モデル化された導電性アンテナ１３０及び関連する導電性リフレクタ１３８のモデル化された接地共面導波路（ＧＣＰＷ）性能を示し、曲線１５２は、シミュレートされた背面導体付き共面導波路（ＣＢＣＰＷ）性能を表す。曲線１５３は、いかなる駆動伝送線（ＣＢＣＰＷ又はＧＣＰＷ）もないアンテナ自体のｅパッチアンテナ反射損失性能を示す。シミュレートされた性能は、一例としてｅパッチアンテナ構造に対応するが、他の実装が、マルチレベル再配線構造内に形成された異なるアンテナタイプを含むことも可能である。
【0024】
ここで図２～図１３を参照すると、図２は、電子デバイスを製造する方法２００を示し、図３～図１３は、方法２００に従った製造プロセスを経る図１のパッケージ化された電子デバイス１００を示す。方法２００は、開始半導体ウェハ（例えば、シリコンウェハ、ＳＯＩ（silicon-on-insulator）ウェハ等）上又はその中の、２０２におけるトランジスタの形成を有する半導体ウェハ処理と、ウェハの頂部側に沿って露出された導電性端子１０９（例えば、ピラー又はバンプとして形成される銅又はアルミニウムダイボンドパッド）を備える単一又はマルチレベルのメタライゼーション構造を形成するための、２０４におけるメタライゼーション処理とを含む。２０６において、保護オーバーコート層（ＰＯ）が、導電性端子１０９を露出させる開口を備えるウェハの頂部側に形成される。２０８において、個々の半導体ダイ１０８が、例えば、鋸切断及び／又はレーザー切断によって、個片化されるか、又はその他の方式で開始ウェハから分離される。
【0025】
方法２００は、図２の２１０における、半導体ダイ１０８のアレイをキャリア構造に取り付けることで継続する。図３は、導電性端子１０９がキャリア構造３０２に面する状態で、半導体ダイ１０８の頂部側を接着性キャリア構造３０２に取り付ける、ダイ配置プロセス３００が実施される一例を示す。２１２においてパッケージ構造１２０が形成される。図４は、パッケージ１２０を形成するモールディングプロセス４００が実施される一例を示す。成形されたパッケージ構造１２０は、半導体ダイ１０８の一部を囲む。次いで、２１４において、キャリア構造３０２が除去される。図５は、キャリア構造３０２を除去して半導体ダイ１０８の側部１０７を露出させ、半導体ダイ１０８の導電性端子１０９及び保護オーバーコート層の一部を露出させるために、除去プロセス５００が実施される一例を示す。
【0026】
マルチレベル再配線構造１１０は、２１６～２２４において、ダイ１０８の側部１０７上に形成される。一例において、第１のパッシベーションポリイミド材料層１１９が、半導体ダイ１０８の側部１０７上に形成され、２１６においてパターン化される。図６は、半導体ダイ１０８の側部１０７上に第１のパッシベーションポリイミド材料層１１９を形成し、第１のビアとなる孔を含むようにポリイミド材料１１９をパターン化するプロセス６００が実施される一例を示す。２１８において、第１のビア１１１と、導電性アンテナ部分１３１及び１３２、並びに、任意の含まれる導電性シールド１３５及び１３６を含む第１のトレース層構造とを含む、パターン化された第１の再配線層金属構造が形成される。図７は、第１のポリイミド層１１９上に銅、アルミニウム、又は他の適切な導電性金属材料を堆積させるプロセス７００が実施され、堆積された金属は、パターン化されて、第１のビア１１１と、第１のパッシベーション材料層１１９上の導電性アンテナ１３０を含む他の第１の導電性特徴１１２とを形成する一例を示す。
【0027】
図２の２２０において、第２のパッシベーションポリイミド層１１９が、マルチレベル再配線構造１１０の第１のレベル上に形成される。図８は、前のポリイミド材料層１１９上及び第１のレベルの第１の導電性特徴１１２上に第２のパッシベーションポリイミド材料層１１９を形成するプロセス８００が実施される一例を示す。プロセス８００はまた、一例において、第２のパッシベーションポリイミド層１１９の一部をパターン化して、第２のビアとなる孔を形成する。２２２において、パターン化された第２の再配線層金属構造が形成及びパターン化される。図９は、第２のポリイミド層１１９上に銅、アルミニウム、又は他の任意の適切な導電性金属材料を堆積させるプロセス９００が実施される一例を示す。プロセス９００はまた、堆積された金属をパターン化して、第２のレベルの第２のビア１１３、ＵＢＭ構造１２１、及び導電性リフレクタ１３８を含む第２の導電性特徴１１４を形成する。２２４において、第３のパッシベーションポリイミド材料層が形成及びパターン化される。図１０は、前のポリイミド材料層１１９上、並びに、第２のビア１１３、ＵＢＭ構造１２１、及び導電性リフレクタ１３８の上に、第３のパッシベーションポリイミド層１１９を形成するプロセス１０００が実施される一例を示す。プロセス１０００はまた、第３のポリイミド材料層１１９をパターン化して、導電性リフレクタ１３８を覆う一方で、第２のビア１１３及びＵＢＭ構造１２１の一部を露出させる。
【0028】
方法２００は、図２の２２６におけるはんだボール取り付けで継続する。図１１は、はんだボール取り付けプロセス１１００が実施される一例を示し、はんだボール取り付けプロセス１１００は、はんだボール又は他のはんだ構造１２２（例えば、概して丸いはんだボール）を導電性ＵＢＭ構造１２１上に、例えば、それぞれの取り付けられるはんだボール１２２を関連するＵＢＭ構造１２１の中心と整合させるステンシル（図示せず）を用いて、取り付ける。方法２００は更に、２２８における熱はんだリフロー処理を含む。図１２は、はんだボールをリフローして、関連するＵＢＭ構造１２１上にはんだボール１２２を広げる熱リフロー（例えば、加熱）プロセス１２００が実施される一例を示す。一例において、方法２００はまた、２３０において、個々のパッケージ化された電子デバイス１００を、複数のパッケージ化された電子デバイス及び関連するマルチレベル再配線構造１１０を同時に形成するために用いられるパネル構造から分離するための、ダイ分離又は個片化を含む。図１３は、処理されたパネルが、（例えば、鋸及び／又はレーザー（図示せず）を用いて）プロセス１３００によって切断されて、完成したパッケージ化された電子デバイス１００を形成する一例を示す。
【0029】
上記の例は、本開示の様々な態様のいくつかの可能な実装の単なる例示であり、本明細書及び添付の図面を読んで理解すると、同等の変形及び／又は改変が他の当業者に想起され得る。本願の特許請求の範囲内で、説明した例に改変が成され得、他の実装も可能である。
【図1】
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図1D】
【図1E】
【図1F】
【図1G】
【図1H】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【国際調査報告】