特表 2024-535779 マルチレベル積層音響波（ＡＷ）フィルタパッケージ及び関連する製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-10-02

(54)【発明の名称】マルチレベル積層音響波（ＡＷ）フィルタパッケージ及び関連する製造方法

(51)【国際特許分類】

   H03H 9/145 20060101AFI20240925BHJP

   H01L 23/08 20060101ALI20240925BHJP

   H01L 23/06 20060101ALI20240925BHJP

   H03H 3/08 20060101ALI20240925BHJP

   H03H 9/25 20060101ALI20240925BHJP

   H03H 9/72 20060101ALI20240925BHJP

【ＦＩ】

H03H9/145 Z

H01L23/08 B

H01L23/06 Z

H03H3/08

H03H9/25 A

H03H9/72

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024515431

(86)(22)【出願日】2022-08-22

(85)【翻訳文提出日】2024-03-08

(86)【国際出願番号】 EP2022073325

(87)【国際公開番号】W WO2023046386

(87)【国際公開日】2023-03-30

(31)【優先権主張番号】17/481,811

(32)【優先日】2021-09-22

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】323006002

【氏名又は名称】アールエフ３６０・シンガポール・ピーティーイー・リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】110003708

【氏名又は名称】弁理士法人鈴榮特許綜合事務所

(72)【発明者】

【氏名】ホファー、マヌエル

(72)【発明者】

【氏名】ペロア、ザビエル

(72)【発明者】

【氏名】ビック、ミヒャエル

(72)【発明者】

【氏名】ビーレン、イェレン

(72)【発明者】

【氏名】ハツル、シュテファン・レオポルト

(72)【発明者】

【氏名】ポルトマン、ユルゲン

【テーマコード（参考）】

5J097

【Ｆターム（参考）】

5J097AA30

5J097BB15

5J097CC02

5J097HA04

(57)【要約】

第２のＡＷフィルタ（２０４）上に積層された第１の音響波ＡＷフィルタ（２０８）を含むマルチレベル積層ＡＷフィルタパッケージ（２００）は、接触面を第２のＡＷフィルタに結合するための相互接続部を備えるメタライゼーション層を含む、半導体製造方法及び構造を採用する。各ＡＷフィルタは、半導体基板上にＡＷフィルタ回路を含む。基板上のフレーム（２１８）上に配置された第２の基板（２０６）は、ＡＷフィルタ回路を保護する。マルチレベルＡＷフィルタパッケージでは、第１のＡＷフィルタの第２の基板は、半導体基板と同様の膨張率を有するガラス基板を備える。第２のＡＷフィルタと接触面とを接続する相互接続部は、分離のために、第１のＡＷフィルタの半導体基板の側壁面の絶縁体上に配置される。単一のＡＷフィルタを備える積層ＡＷフィルタパッケージでは、相互接続部は、接触面をＡＷフィルタに結合する。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

積層音響波（ＡＷ）フィルタパッケージであって、
第１の表面を備える第１の基板と、
前記第１の基板の前記第１の表面上のＡＷフィルタ回路と、
前記第１の基板の前記第１の表面上に配置されたフレームと、
接触面及び側壁面を備える第２の基板と、前記第２の基盤が、前記ＡＷフィルタ回路と前記第２の基板との間にキャビティを形成するために前記フレーム上に配置され、
前記第２の基板の前記接触面及び前記第１の基板の前記第１の表面に結合された少なくとも１つの金属相互接続部を備えるメタライゼーション層と、前記少なくとも１つの金属相互接続部が、前記第２の基板の前記側壁面上に配置され、
を備える、積層ＡＷフィルタパッケージ。

【請求項2】

前記接触面に結合された接触パッドを更に備え、
前記少なくとも１つの金属相互接続部が、前記接触パッドから前記第１の基板の前記第１の表面に信号を再分配するように構成される、
請求項１に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【請求項3】

前記フレームが、前記第２の基板と前記第１の基板の前記第１の表面との間に配置され、前記第２の基板の前記側壁面の第１の側において、前記第２の基板の前記側壁面から前記第２の基板の前記側壁面に直交する方向に延在し、
前記第１の基板の前記第１の表面が、前記第２の基板の前記側壁面に直交する方向において、前記第２の基板の前記側壁面の第２の側に肩部領域を有する、
請求項１に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【請求項4】

前記少なくとも１つの金属相互接続部が、前記第１の基板の前記第１の表面の前記肩部領域上に配置される、請求項３に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【請求項5】

前記接触面上に接触パッドを更に備え、前記接触パッドが外部回路に結合するように構成され、前記少なくとも１つの金属相互接続部が前記接触パッドに電気的に結合される、請求項４に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【請求項6】

前記キャビティの内側から前記肩部領域まで延在する前記第１の基板の前記第１の表面上の表面相互接続部を更に備え、前記表面相互接続部が、前記ＡＷフィルタ回路と、前記肩部領域上の前記メタライゼーション層の前記少なくとも１つの金属相互接続部とに電気的に結合される、請求項４に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【請求項7】

前記メタライゼーション層の前記少なくとも１つの金属相互接続部が、前記第２の基板と前記第１の基板との間の前記フレームの側面に配置される、請求項６に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【請求項8】

前記フレームが、前記第２の基板の前記側壁面の前記第２の側の前記肩部領域内へと、前記第２の基板の前記側壁面と直交する方向に延在し、
前記メタライゼーション層の前記少なくとも１つの金属相互接続部が、前記フレームの上面上に配置される、
請求項７に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【請求項9】

前記フレームが第１の材料を含み、前記第２の基板が前記第１の材料とは異なる第２の材料を含む、請求項１に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【請求項10】

前記フレームが、ポリマー材料を含み、
前記第２の基板が、ガラスを含み、
前記第１の基板が、半導体材料を含む、
請求項９に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【請求項11】

前記フレームが、前記第２の基板の周囲に沿って配置された周囲フレームを更に備え、
前記キャビティが、前記周囲フレームによって囲まれている、
請求項１に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【請求項12】

前記フレームが、前記周囲フレームの少なくとも一部分に直交して前記キャビティ内へと延在するフレーム部材を更に備える、請求項１１に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【請求項13】

前記フレーム部材が、前記フレームの複数のフレーム部材のうちの１つを備える、請求項１２に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【請求項14】

前記フレーム部材が、前記周囲フレームに結合された第１の端部を備える線形フレーム部材を更に備える、請求項１２に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【請求項15】

前記キャビティが、前記線形フレーム部材の第１の側の第１のキャビティ部分から前記線形フレーム部材の第２の端部の周りを通って前記線形フレーム部材の第２の側の第２のキャビティ部分まで延在する連続キャビティを備える、請求項１４に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【請求項16】

前記第１の基板の前記第１の表面上の前記ＡＷフィルタ回路が、第１のＡＷフィルタ回路であり、
前記第１のＡＷフィルタ回路が、前記線形フレーム部材の前記第１の側の前記第１のキャビティ部分内に配置され、
前記積層ＡＷフィルタパッケージが、前記線形フレーム部材の前記第２の側に別のＡＷフィルタ回路を更に備える、
請求項１５に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【請求項17】

前記キャビティが、前記フレームが除外された、最大４００マイクロメートル（μｍ）の直径を有する連続円形領域を備える、請求項１に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【請求項18】

前記連続円形領域の直径が３６０μｍよりも大きい、請求項１７に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【請求項19】

第３の基板の第２の表面上に第２のＡＷフィルタ回路を備える第３の基板と、
前記第３の基板の前記第２の表面上に配置された第２のフレームと、
を更に備え、
前記第１の基板が、前記第２のＡＷフィルタ回路と前記第１の基板との間に第２のキャビティを形成するために前記第２のフレーム上に配置される、
請求項５に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【請求項20】

前記第１の基板が、前記第１の基板の前記第１の表面に直交する側壁面を更に備え、
前記第２のフレームが、前記第１の基板と前記第３の基板の前記第２の表面との間に配置され、前記第１の基板の前記側壁面の第１の側において、前記第１の基板の前記側壁面から前記第１の基板の前記側壁面と直交する方向に延在し、
前記第３の基板の前記第２の表面が、前記第１の基板の前記第１の側壁面と直交する方向において、前記第１の基板の前記側壁面の第２の側に下部肩部領域を含む、
請求項１９に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【請求項21】

前記少なくとも１つの金属相互接続部が、
前記第１の基板の前記側壁面上及び、
前記第３の基板の前記第２の表面の前記下部肩部領域上
に配置される、請求項２０に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【請求項22】

前記第２のキャビティの内側から前記下部肩部領域まで延在する前記第３の基板の前記第２の表面上の表面相互接続部を更に備え、前記表面相互接続部は、前記第２のＡＷフィルタ回路と、前記下部肩部領域上の前記少なくとも１つの金属相互接続部とに電気的に結合される、請求項２１に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【請求項23】

前記少なくとも１つの金属相互接続部が、前記第１の基板と前記第３の基板との間で前記第２のフレームの側面に配置される、請求項２１に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【請求項24】

前記第２のフレームが、前記第１の基板の前記側壁面の前記第２の側の前記下部肩部領域上へと、前記第１の基板の前記側壁面と直交する方向に延在し、
前記少なくとも１つの金属相互接続部が、前記第２のフレームの上面上に配置される、
請求項２３に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【請求項25】

積層音響波（ＡＷ）フィルタパッケージを製造する方法であって、
第１の表面を備える第１の基板を形成することと、
前記第１の基板の前記第１の表面上にＡＷフィルタ回路を形成することと、
前記第１の基板の前記第１の表面上にフレームを形成することと、
接触面及び側壁面を備える第２の基板を形成することと、
前記ＡＷフィルタ回路と前記第２の基板との間にキャビティを形成するために前記第２の基板を前記フレーム上に配置することと、
前記第２の基板の前記接触面及び前記第１の基板の前記第１の表面に結合された少なくとも１つの金属相互接続部を備えるメタライゼーション層を形成することと、前記少なくとも１つの金属相互接続部が、前記第２の基板の前記側壁面上に配置され、
を備える、方法。

【請求項26】

前記第２の基板と前記第１の基板の前記第１の表面との間に前記フレームを配置し、前記第２の基板の前記側壁面の第１の側において、前記第２の基板の前記側壁面から前記第２の基板の前記側壁面と直交する方向に延在させることと、
前記第２の基板の前記側壁面と直交する方向において、前記第２の基板の前記側壁面の第２の側に前記第１の基板の前記第１の表面の肩部領域を形成することと、
を更に含む、請求項２５に記載の方法。

【請求項27】

積層音響波（ＡＷ）フィルタパッケージであって、
第１の表面及び側壁面を備える第１の基板と、
前記第１の基板の前記第１の表面上の第１のＡＷフィルタ回路と、
前記第１の基板の前記第１の表面上に配置された第１のフレームと、
接触面及び側壁面を備える第２の基板と、前記第２の基板は、前記第１のＡＷフィルタ回路と前記第２の基板との間に第１のキャビティを形成するために前記第１のフレーム上に配置され、
第３の基板の第２の表面上に第２のＡＷフィルタ回路を備える第３の基板と、
前記第３の基板の前記第２の表面上に配置された第２のフレームと、
前記第１の基板が、前記第２のＡＷフィルタ回路と前記第１の基板との間に第２のキャビティを形成するために前記第２のフレーム上に配置され、
前記第２の基板の前記接触面及び前記第３の基板の前記第２の表面に結合された少なくとも１つの金属相互接続部を備えるメタライゼーション層と、前記少なくとも１つの金属相互接続部が、前記第１の基板の前記側壁面上に配置され、
前記第１の基板の前記側壁面と前記少なくとも１つの金属相互接続部との間で前記第１の基板の前記側壁面上に配置された絶縁体と、
を備える、積層ＡＷフィルタパッケージ。

【請求項28】

前記絶縁体が、前記少なくとも１つの金属相互接続部と前記第１のフレームとの間に配置される、請求項２７に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【請求項29】

前記絶縁体が、前記少なくとも１つの金属相互接続部と前記第１の基板の前記第１の表面との間に配置される、請求項２７に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【請求項30】

前記絶縁体が、前記少なくとも１つの金属相互接続部と前記第２の基板の前記側壁面との間に配置される、請求項２７に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【請求項31】

前記接触面から前記第１の基板の前記第１の表面まで前記第２の基板を貫通して延在するビアを更に備える、請求項２８に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【請求項32】

前記接触面に接触パッドを更に備え、
前記接触パッドが、電気信号を伝導するように構成され、
前記ビアが、前記第１のＡＷ回路を前記接触パッドに電気的に結合するように構成される、
請求項３１に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【請求項33】

第２の表面に直交する第１の方向における前記第３の基板の厚さが、６０～１３０マイクロメートル（μｍ）の範囲であり、
前記第１の方向における前記第１の基板の厚さが、３０～７０μｍの範囲であり、
前記第１の方向における前記第２の基板の厚さが、３０～７０μｍの範囲である、
請求項２８に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【請求項34】

前記第１の基板の厚さが８５μｍ未満であり、
前記第３の基板の厚さが５５μｍ未満であり、
前記第２の基板の厚さが５５μｍ未満である、
請求項３３に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【請求項35】

積層音響波フィルタ（ＡＷフィルタ）パッケージを形成する方法であって、
第１の表面及び側壁面を備える第１の基板を形成することと、
前記第１の基板の前記第１の表面上に第１のＡＷフィルタ回路を形成することと、
前記第１の基板の前記第１の表面上に第１のフレームを形成することと、
接触面及び側壁面を備える第２の基板を形成することと、
前記第１のＡＷフィルタ回路と前記第２の基板との間に第１のキャビティを形成するために前記第１のフレーム上に第２の基板を配置することと、
第３の基板の第２の表面上に第２のＡＷフィルタ回路を備える第３の基板を形成することと、
前記第３の基板の前記第２の表面上に第２のフレームを形成することと、
前記第２のＡＷフィルタ回路と前記第１の基板との間に第２のキャビティを形成するために前記第２のフレーム上に前記第１の基板を配置することと、
前記第１の基板の前記側壁面上に絶縁体を形成することと、
前記第２の基板の前記接触面及び前記第３の基板の前記第２の表面に結合された少なくとも１つの金属相互接続部を備えるメタライゼーション層を形成することと、前記少なくとも１つの金属相互接続部が、前記第１の基板の前記側壁面上の前記絶縁体上に配置され、
を備える、方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

Ｉ．開示の分野
[0001] 本開示の分野は、基板上に音響波ＡＷ（acoustic wave、ＡＷ）フィルタ回路を有するＡＷフィルタと、ＡＷフィルタ回路を備える積層基板とを含む、ＡＷフィルタパッケージに関する。

【背景技術】

【0002】

ＩＩ．背景技術
[0002] モバイル無線デバイスの製造業者は、新たな世代ごとにデバイスの機能的能力を増大させることによって、新たなデバイスを購入者にとって魅力的にすることができる。デバイスの能力を増大させることは、典型的に、より多くの回路が追加されることを必要とし、それは、より多くの空間を占めるが、ハンドヘルドデバイスのデバイスサイズは、例えば、同じままである人間の手のサイズに基づく。デバイスサイズを増大させることなく機能の増大を達成するための方法は、より多くの回路がデバイスの内部空間に収まるように、機能的能力を提供する回路の寸法を低減することを含む。トランジスタ及びワイヤの面積の低減は、回路密度を増大させることができ、半導体チップのサイズを低減すること、又は所与のサイズの半導体チップ上により多くの回路を配置することを可能にする。パッケージ内の集積回路（integrated circuit、ＩＣ）の数を増加させる別の方法は、３次元（３Ｄ）ＩＣ積層である。この方法によって、横に並んで配置された２つのＩＣが以前に占めていた領域は、同じ水平領域において１つのＩＣを別のＩＣの上に垂直に積層することによって低減され（例えば、半分に切断され）、パッケージ高さの僅かな増大のみをもたらし得る。積層されたＩＣ内の能動回路は、金属、誘電材料、絶縁体、及び／又は成形コンパウンドの層内に封入され、パッケージ内にＩＣを積層することは、ＩＣの動作に著しく干渉しない場合がある。

【0003】

[0003] ハンドヘルドデバイスはまた、無線周波数（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ、ＲＦ）回路を含む無線デバイスを含む。ＲＦ回路は、音響波（ＡＷ）フィルタ回路を含むＡＷデバイスとして従来形成されているアナログフィルタを含む。ＡＷフィルタ回路の例として、表面音響波（ｓｕｒｆａｃｅ ａｃｏｕｓｔｉｃ ｗａｖｅ、ＳＡＷ）フィルタ回路及びバルク音響波（ｂｕｌｋ ａｃｏｕｓｔｉｃ ｗａｖｅ、ＢＡＷ）フィルタ回路が挙げられる。ＡＷフィルタ回路は、電気入力信号を圧電材料内の音響波へと変換する。一例では、ＳＡＷフィルタ回路は、ＲＦ信号を受信するように構成された圧電材料の表面上の第１のインターデジタルトランスデューサ（ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ、ＩＤＴ）と、フィルタリングされたＲＦ信号を生成するように構成された表面上の第２のＩＤＴとを含む。ＲＦ信号は、第１のＩＤＴから第２のＩＤＴへ圧電材料の表面を通って伝播する音響波へと変換される。ＳＡＷフィルタ回路内の音響波は、物理的接触から保護される必要があり、これは、波の伝播と干渉する。保護は、基板の表面の上方にキャビティ又は空気空間を提供することによって行われる。このようなキャビティは、ＡＷフィルタ回路を保護するために必要であり、積層されたＩＣは、そのようなキャビティを必要としないため、ＡＷフィルタデバイスは、３Ｄ ＩＣ積層において使用される従来の方法によって積層されていない。

【発明の概要】

【0004】

[0004] 詳細な説明において開示される例示的な態様は、積層音響波（ＡＷ）フィルタを支持するための構造を含むマルチレベル積層ＡＷフィルタパッケージを含む。関連する製造方法も開示される。マルチレベル積層ＡＷフィルタパッケージをサポートする、本明細書で開示される特定の構造及び製造方法は、単一のＡＷフィルタのみを含むＡＷフィルタパッケージにおいても採用され得る。この点に関して、本明細書で開示されるＡＷフィルタパッケージは、少なくとも１つのＡＷフィルタ回路がその上に配置された第１の表面（例えば、圧電材料）を備える第１の基板を各々が含む１つ以上のＡＷフィルタを含む。各ＡＷフィルタ回路は、無線周波数（ＲＦ）信号フィルタリングを提供するための第１及び第２のインターデジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）を備える。各ＡＷフィルタはまた、第１の基板に結合され、少なくとも１つのＡＷフィルタ回路を囲むフレームを含む。フレーム上に配置された第２の基板（例えば、キャップ基板）は、第１の基板と第２の基板との間のフレームの内側にエアキャビティを囲い込む。１つの例示的な態様では、ＡＷフィルタパッケージは、複数の周波数又は周波数帯域をフィルタリングするための複数のフィルタ回路を含むように積層配置で垂直方向に積層された複数のＡＷフィルタを含むマルチレベルＡＷフィルタパッケージを含む。マルチレベルＡＷフィルタパッケージは、第１の基板上に配置された少なくとも第１のＡＷフィルタ回路を含む第１の上部ＡＷフィルタと、第１の基板上に配置された第１のフレーム上に配置された第２の基板とを含む。第３の基板上に配置された第２のフレーム上に配置された第１の基板は、マルチレベルＡＷフィルタパッケージを形成するために、少なくとも第２のＡＷフィルタ回路を含む第２の下部ＡＷフィルタを囲い込む。第１の基板及び第３の基板は、半導体基板として半導体材料から形成され得る。第１の基板及び第３の基板を半導体基板として製造することは、半導体ダイパッケージを製造する際に使用される半導体製造プロセス及び技法を使用して、ＡＷフィルタパッケージを製造することを可能にすることができる。

【0005】

[0005] マルチレベルＡＷフィルタパッケージの第１の例示的な態様では、第１のＡＷフィルタに提供された金属相互接続部は、第２の基板の接触面上の接触パッドからそれぞれのＡＷフィルタ回路においてＲＦ信号を受信し、それぞれのフィルタリングされたＲＦ信号を接触面上の接触パッドに提供するための別個の信号経路を提供するために、第２のＡＷフィルタに提供された金属相互接続部とは別個である。この点に関して、金属化された垂直相互接続アクセス（ビア）の形態の第１の金属相互接続部は、第１の上部ＡＷフィルタのための相互接続経路を提供するために、第２の基板を貫通して第１の基板の表面まで配置される。更に、第２の金属相互接続部を含むメタライゼーション層が、積層ＡＷフィルタの外周壁上に形成されて、第１の上部ＡＷフィルタの相互接続経路から物理的かつ電気的に分離された第２の下部ＡＷフィルタのＡＷフィルタ回路のための相互接続経路を提供する。メタライゼーション層の第２の金属相互接続部は、第２の下部ＡＷフィルタ回路と、第１の上部ＡＷフィルタの第２の基板の接触面上の第１の接触パッドとの間の相互接続経路を提供する。例えば、再分配層（redistribution layer、ＲＤＬ）などのメタライゼーション層内の金属相互接続部としてＡＷフィルタパッケージ内にＡＷフィルタの相互接続経路を形成することは、ＡＷフィルタパッケージを製造するためにメタライゼーション層製造プロセス（例えば、ＲＤＬ製造プロセス）を採用することを可能にする。単一のＡＷフィルタのみを含み、積層ＡＷフィルタを含まないＡＷフィルタパッケージにおいても、ＡＷフィルタの相互接続経路のための金属相互接続部を提供するためにメタライゼーション層内の金属相互接続部が採用することができる。また、マルチレベルＡＷフィルタパッケージの例では、第２の基板、第１の基板、及び第３の基板の側壁面は、積層ＡＷフィルタの外周壁上のメタライゼーション層の形成をサポートして、第２の基板の接触面上の接触パッドから第２の下部ＡＷフィルタ回路への相互接続経路を提供するために、水平方向に互い違いにすることができる。互い違いの側壁面は、第２の基板から外に延在する第１の基板上の肩部領域を形成し、マルチレベルＡＷフィルタパッケージでは、ＡＷフィルタパッケージの第１の基板から延在する第３の基板上の下部肩部領域を形成する。互い違いの側壁面は、積層ＡＷフィルタの外周壁上に金属相互接続部を形成するためのサポートを提供し、金属相互接続部を形成できないことがある「負の露出」領域を形成する重なりを回避する。

【0006】

[0006] マルチレベルＡＷフィルタパッケージの別の例示的な態様では、金属相互接続部（例えば、ＲＤＬ相互接続部）は、第２の基板の接触面から第２の下部ＡＷフィルタへの相互接続経路を提供するために、積層ＡＷフィルタの外周壁上に形成され、この相互接続経路は、第２の下部ＡＷフィルタの第３の基板まで下方に延在する前に、第１の上部ＡＷフィルタの第１の基板の外壁上に必然的に延在する。第１の上部ＡＷフィルタの第１の基板は、第２の下部ＡＷフィルタの第２の基板と第３の基板との間に配置される。したがって、第２の基板上の接触パッドから第２のＡＷフィルタの第３の基板までの相互接続経路内の第２の金属相互接続部内で搬送される電気信号は、第１の上部ＡＷフィルタの第１の基板と電気的に接触することがあり、第２の金属相互接続部と第１の上部ＡＷフィルタの少なくとも１つのＡＷフィルタ回路との間に漏れ電流経路を引き起こす。漏れ電流は、第１の基板及び第３の基板上のＡＷフィルタ回路の性能と干渉することがある。この点に関して、別の例示的な態様では、１つ以上の絶縁層が、第１の基板と第２の金属相互接続部との間の積層ＡＷフィルタの外周壁上に配置される。第２の金属相互接続部は、積層ＡＷフィルタの外周壁上に配置された１つ以上の絶縁層の上に形成される。このようにして、第２の金属相互接続部によって搬送される電気信号は、第１の上部ＡＷフィルタの第１の基板から分離され絶縁される。

【0007】

[0007] ＡＷフィルタパッケージの別の例示的な態様では、第１の上部ＡＷフィルタの第２の基板は、第１のＡＷフィルタ回路への第１の金属相互接続部のための金属化されたビアを形成するために第２の基板に精密な開口を形成することが可能になるようにレーザ加工され得るガラス材料から作られることができる。ガラスの第２の基板はまた、ＡＷフィルタパッケージに機械的堅牢性及び安定性を有利に提供し得る。ガラスの熱膨張係数（Coefficient of Thermal Expansion、ＣＴＥ）は、例えば、第２の基板を形成するために従来使用されてきたポリマー材料のＣＴＥよりも高い。特に、複数のＡＷフィルタキャビティが積層配置で各基板上に形成される積層マルチレベルＡＷフィルタパッケージでは、フィルタキャビティ内の撓みに起因する第２の基板又は第１の基板の破損を回避するために、ＡＷフィルタパッケージに機械的安定性を提供することが重要である。また、ガラスの第２の基板を採用することは、ＡＷフィルタパッケージの全高を所望の高さバジェット内に維持するために採用される低減された厚さの基板に機械的安定性を提供することができる。

【0008】

[0008] １つの例示的な態様では、積層ＡＷフィルタパッケージが開示される。積層ＡＷフィルタパッケージは、第１の表面を備える第１の基板と、第１の基板の第１の表面上のＡＷフィルタ回路と、第１の基板の第１の表面上に配置されたフレームと、接触面及び側壁面を備える第２の基板であって、ＡＷフィルタ回路と第２の基板との間にキャビティを形成するためにフレーム上に配置される、第２の基板と、第２の基板の接触面及び第１の基板の第１の表面に結合された少なくとも１つの金属相互接続部を備えるメタライゼーション層であって、少なくとも１つの金属相互接続部が、第２の基板の側壁面上に配置される、メタライゼーション層と、を備える。

【0009】

[0009] 別の例示的な態様では、積層ＡＷフィルタパッケージを製造する方法が開示される。本方法は、第１の表面を備える第１の基板を形成することと、第１の基板の第１の表面上にＡＷフィルタ回路を形成することと、第１の基板の第１の表面上にフレームを形成することと、接触面及び側壁面を備える第２の基板を形成することと、ＡＷフィルタ回路と第２の基板との間にキャビティを形成するために第２の基板をフレーム上に配置することと、第２の基板の接触面及び第１の基板の第１の表面に結合された少なくとも１つの金属相互接続部を備えるメタライゼーション層を形成することであって、少なくとも１つの金属相互接続部が、第２の基板の側壁面上に配置される、形成することと、を含む。

【0010】

[0010] 別の例示的な態様では、積層ＡＷフィルタパッケージが開示される。積層ＡＷフィルタパッケージは、第１の表面及び側壁面を備える第１の基板と、第１の基板の第１の表面上の第１のＡＷフィルタ回路と、第１の基板の第１の表面上に配置された第１のフレームと、接触面及び側壁面を備える第２の基板であって、第１のＡＷフィルタ回路と第２の基板との間にキャビティを形成するために第１のフレーム上に積層された第２の基板と、第３の基板の第２の表面上に第２のＡＷフィルタ回路を備える第３の基板と、第３の基板の第２の表面上に配置された第２のフレームであって、第１の基板が、第２のＡＷフィルタ回路と第１の基板との間に第２のキャビティを形成するために第２のフレーム上に配置される、第２のフレームと、第２の基板の接触面及び第３の基板の第２の表面に結合された少なくとも１つの金属相互接続部を備えるメタライゼーション層であって、少なくとも１つの金属相互接続部が、第１の基板の側壁面上に配置される、メタライゼーション層と、第１の基板の側壁面と少なくとも１つの金属相互接続部との間で第１の基板の側壁面上に配置された絶縁体と、を備える。

【0011】

[0011] 別の例示的な態様では、積層ＡＷフィルタパッケージを製造する方法が開示される。本方法は、第１の表面及び側壁面を備える第１の基板を形成することと、第１の基板の第１の表面上に第１のＡＷフィルタ回路を形成することと、第１の基板の第１の表面上に第１のフレームを形成することと、接触面及び側壁面を備える第２の基板を形成することと、第１のＡＷフィルタ回路と第２の基板との間に第１のキャビティを形成するために第１のフレーム上に第２の基板を配置することと、第３の基板の第２の表面上に第２のＡＷフィルタ回路を備える第３の基板を形成することと、第３の基板の第２の表面上に第２のフレームを形成することと、第２のＡＷフィルタ回路と第１の基板との間に第２のキャビティを形成するために第２のフレーム上に第１の基板を配置することと、第１の基板の側壁面上に絶縁体を形成することと、第２の基板の接触面及び第３の基板の第２の表面に結合された少なくとも１つの金属相互接続部を備えるメタライゼーション層を形成することであって、少なくとも１つの金属相互接続部が、第１の基板の側壁面上の絶縁体上に配置される、形成することと、を含む。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】[0012] 積層音響波（ＡＷ）フィルタパッケージに採用され得る表面音響波（ＳＡＷ）デバイスの一例の図である。

【図2A】[0013] 第１の上部ＡＷフィルタの第１の基板と、第１の基板上に積層された第２の基板であって、第１の基板が第２の下部ＡＷフィルタの第３の基板上に積層されている、第２の基板と、第２の下部ＡＷフィルタを第２の基板上の接触パッドに結合する積層ＡＷフィルタの外周壁上のメタライゼーション層内の金属相互接続部とを含む、マルチレベル積層ＡＷフィルタパッケージの側断面図である。

【図2B】第１の上部ＡＷフィルタの第１の基板と、第１の基板上に積層された第２の基板であって、第１の基板が第２の下部ＡＷフィルタの第３の基板上に積層されている、第２の基板と、第２の下部ＡＷフィルタを第２の基板上の接触パッドに結合する積層ＡＷフィルタの外周壁上のメタライゼーション層内の金属相互接続部とを含む、マルチレベル積層ＡＷフィルタパッケージの側断面図である。

【図2C】第１の上部ＡＷフィルタの第１の基板と、第１の基板上に積層された第２の基板であって、第１の基板が第２の下部ＡＷフィルタの第３の基板上に積層されている、第２の基板と、第２の下部ＡＷフィルタを第２の基板上の接触パッドに結合する積層ＡＷフィルタの外周壁上のメタライゼーション層内の金属相互接続部とを含む、マルチレベル積層ＡＷフィルタパッケージの側断面図である。

【図3】[0014] 基板上のＡＷフィルタ回路の上にキャビティを形成するように基板の第１の表面上のフレーム上に積層された第２の基板を含む積層ＡＷフィルタパッケージ内のＡＷフィルタの図である。

【図4】[0015] 第１の基板上のＡＷフィルタ回路の上にキャビティを形成するために、第１の基板上の第１のフレーム上に第２の基板を積層することを含む、図３の積層ＡＷフィルタパッケージを製造するプロセスを示すフローチャートである。

【図5A】[0016] 積層ＡＷフィルタの外周壁と、漏れ電流を回避するために第３の基板と第２の基板上の接触パッドとの間に延在する金属相互接続部との間に絶縁体を形成することを含む、図２Ａ～図２Ｃの積層ＡＷフィルタパッケージを製造するプロセスを示すフローチャートである。

【図5B】積層ＡＷフィルタの外周壁と、漏れ電流を回避するために第３の基板と第２の基板上の接触パッドとの間に延在する金属相互接続部との間に絶縁体を形成することを含む、図２Ａ～図２Ｃの積層ＡＷフィルタパッケージを製造するプロセスを示すフローチャートである。

【図6】[0017] 図２Ａ～図２Ｃ及び図３のＡＷフィルタパッケージ内の基板の表面上のフレームの上面図である。

【図7】[0018] 図２Ａ～図２Ｃに示すＡＷフィルタ回路の例の上面斜視図である。

【図8】[0019] 図２Ａ～図２Ｃ、図３、及び図７に示すように、第１の基板上のフレーム上に積層された第２の基板によってキャビティ内で保護された第１の基板上の第１のＡＷフィルタ回路を含み、かつ、第１の基板と、第２の基板上の接触パッドから第１の基板の裏側に積層された第３の基板まで延在する金属相互接続部との間に絶縁体も含む、ＡＷフィルタパッケージを含む無線周波数（ＲＦ）モジュールを含む例示的な無線通信デバイスのブロック図である。

【図9】[0020] 基板上のフレーム上に積層された第２の基板によってキャビティ内で保護された第１の基板上の第１のＡＷフィルタ回路を含み、かつ、図２Ａ～図２Ｃ、図３、及び図７に示すように、本明細書に開示された態様のいずれかにしたがって、第１の基板と、第２の基板上の接触パッドから基板の裏側に積層された第３の基板まで延在する金属相互接続部との間に絶縁体も含む、ＡＷフィルタパッケージを含むことができる例示的なプロセッサベースのシステムのブロック図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

[0021] 次に、図面を参照して、本開示のいくつかの例示的な態様について説明する。「例示的（exemplary）」という語は、「例、事例、又は例示として働くこと」を意味するために本明細書で使用される。「例示的」として本明細書で説明したいかなる態様も、必ずしも他の態様よりも好ましい又は有利であると解釈されるべきではない。

【0014】

[0022] 図２Ａ～図２Ｃに示すような、ＡＷフィルタ回路上に保護キャビティを提供するためにフレーム上に配置された第１の基板及び第２の基板（例えば、キャップ基板）上に少なくとも１つのＡＷフィルタ回路を各々が含む１つ以上のＡＷフィルタの積層音響波（ＡＷ）フィルタパッケージの例示的な態様を説明する前に、図１について説明する。図１は、積層ＡＷフィルタパッケージ内のＡＷフィルタ１０４に採用され得る第１の基板１０２上の表面音響波（ＳＡＷ）フィルタ回路１００の図である。ここでは示されていないが、ＡＷフィルタ１０４は、本明細書で開示されるように、ＡＷフィルタ回路１００を音響干渉から保護するためのキャビティを形成するために、第１の基板１０２上のフレーム上に配置された第２の基板を含む。この点に関して、図１は、入力無線周波数（ＲＦ）信号の他の周波数を遮断しながら特定の周波数範囲を通すように構成されたＡＷフィルタ１０４の斜視図である。ＡＷフィルタ１０４は、ＲＦ送受信回路及びアンテナを含む別の集積回路（ＩＣ）パッケージに含まれてもよく、ＳＡＷフィルタ回路１００は、送信及び／又は受信されたＲＦ信号をフィルタリングするために採用される。第１の基板１０２は、この例では第１の表面１０８を形成する圧電材料１０６を含む。第１の基板１０２の第１の表面１０８上には、入力回路として第１のインターデジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）１１０（１）が配置されている。第１の基板１０２の第１の表面１０８上には、第１のＩＤＴ１１０（１）に隣接する出力回路として第２のＩＤＴ１１０（２）もまた配置されている。第１のＩＤＴ１１０（１）は、第１の金属接点１１６Ａ、１１６Ｂにそれぞれ結合された第１の金属相互接続部１１４Ａ、１１４Ｂを介して入力ＲＦ信号１１２を受信するように構成される。第１の基板１０２上の第１の金属接点１１６Ａ、１１６Ｂ（例えば、はんだバンプ、はんだボール）は、第１のＩＤＴ１１０（１）に接続する。第１のＩＤＴ１１０（１）は、互いに噛み合う金属相互接続部１１８Ａ、１１８Ｂ（例えば、金属線、金属トレース）を含み、受信した電気入力ＲＦ信号１１２を、第１のＩＤＴ１１０（１）から第２のＩＤＴ１１０（２）まで基板１０２の第１の表面１０８上を伝播する音響波へと変換するように構成される。第１のＩＤＴ１１０（１）は、第１の表面１０８上に音響波を放射するように構成され、第２のＩＤＴ１１０（２）は、フィルタリングされた音響波を受信し、フィルタリングされた音響波をフィルタリングされたＲＦ信号１２０に変換するように構成される。第２のＩＤＴ１１０（２）は、第２の金属接点１２４Ａ、１２４Ｂにそれぞれ結合された互いに噛み合う金属相互接続部１２２Ａ、１２２Ｂを含み、フィルタリングされたＲＦ信号１２０を第２の金属相互接続部１２６Ａ、１２６Ｂに提供する。いくつかの例では、第１の基板１０２に対応するＳＡＷ基板は、複数のＳＡＷフィルタ回路１００を含んでもよい。同様に、バルク音響波（ＢＡＷ）基板は、複数のＢＡＷフィルタ回路を含んでもよい。

【0015】

[0023] 本明細書に開示される例示的な態様は、図２Ａ～図２Ｃの断面側面図に示すようなマルチレベル積層ＡＷフィルタパッケージ２００をサポートし、マルチレベル積層ＡＷフィルタパッケージ２００は、第１の表面２１０上に配置された少なくとも１つの第１のＡＷフィルタ回路２０８を備える第１の基板２０６と、第２の表面２１６上に配置された少なくとも１つの第２のＡＷフィルタ回路２１４を備える第３の基板２１２とをそれぞれ含む、第１の上部ＡＷフィルタ２０２（「第１のＡＷフィルタ２０２」）及び第２の下部ＡＷフィルタ２０４（「第２のＡＷフィルタ２０４」）を含む。第１の基板２０６及び第３の基板２１２には、それぞれ第１のＡＷフィルタ回路２０８及び第２のＡＷフィルタ回路２１４が配置されている。マルチレベル積層ＡＷフィルタパッケージ２００は、本明細書では「積層ＡＷフィルタパッケージ２００」又は「ＡＷフィルタパッケージ２００」と呼ばれることもある。

【0016】

[0024] 第１のＡＷフィルタ回路２０８及び第２のＡＷフィルタ回路２１４は、各々、ＲＦ信号フィルタリングを提供する。第１のＡＷフィルタ２０２は、第１の基板２０６に結合され、少なくとも１つの第１のＡＷフィルタ回路２０８を囲む第１のフレーム２１８を含む。第１のフレーム２１８上に配置された第２の基板２２０は、第１のＡＷフィルタ回路２０８の上方、第１のフレーム２１８の内側、かつ第１の基板２０６とキャップ基板２２０との間に第１のキャビティ２２２（例えば、エアキャビティ）を囲い込む。第２の基板２２０は、第１のフレーム２１８上に配置されることによって、本明細書では「キャップ基板２２０」と呼ぶこともできるキャップ構造を形成する。第２のＡＷフィルタ２０４は、第３の基板２１２に結合され、少なくとも１つの第２のＡＷフィルタ回路２１４を囲む第２のフレーム２２４を含む。第１のＡＷフィルタ２０２の第１の基板２０６は、第１の基板２０６と第３の基板２１２との間の第２のフレーム２２４内に第２のキャビティ２２６（例えば、エアキャビティ）を囲い込むキャップ構造を提供するために、第２のフレーム２２４上に配置される。この点に関して、マルチレベルＡＷフィルタパッケージ２００は、複数の周波数又は周波数帯域をフィルタリングするための複数のフィルタ回路を含むように積層配置で垂直方向に積層された複数のＡＷフィルタを含む。

【0017】

[0025] 第１の基板２０６及び第３の基板２１２は、基板が圧電材料から形成される従来のプロセスよりも安価とすることができる半導体ダイパッケージを製造する際に使用される半導体製造プロセス及び技法を利用するために、半導体基板２１３として、半導体材料から形成され得る。第１の基板２０６及び第３の基板２１２を製造することは、圧電材料２２８を含む第１の表面２１０及び第２の表面２１６を有する、シリコン基板などの半導体基板２１３を形成することを含む。圧電材料２２８は、第１の基板２０６及び第３の基板２１２上に配置された水晶、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、スカンジウムドープＡｌＮ（ＡｌＮＳｃ）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）、及び亜鉛酸化物（ＺｎＯ）を含むがこれらに限定されない任意の適切な圧電材料であってもよい。

【0018】

[0026] マルチレベルＡＷフィルタパッケージ２００において、第１の金属相互接続部２３０は、第１のＡＷフィルタ２０２がＲＦ信号を受信し、フィルタリングされたＲＦ信号をキャップ基板２２０の接触面２３４に送信するための相互接続経路（「信号経路」）２３２を提供する。第１の金属相互接続部２３０は、少なくとも１つの第２の金属相互接続部２３６から分離されており、第２のＡＷフィルタ２０４のための信号経路２３８を提供する。この点に関して、第１の金属相互接続部２３０は、第１のＡＷフィルタ回路２０８に信号経路２３２を提供するために、キャップ基板２２０を貫通して第１の基板２０６の第１の表面２１０まで配置された金属化垂直相互接続アクセス（ビア）２４０の形態である。更に、メタライゼーション層２４３内の少なくとも１つの第２の金属相互接続部２３６（「金属相互接続部２３６」）は、第１のＡＷフィルタ２０２の信号経路２３２から物理的かつ電気的に分離された、第２のＡＷフィルタ２０４の第２のＡＷフィルタ回路２１４のための信号経路２３８を提供するために、積層ＡＷフィルタ２０２、２０４の外周壁２４４上に形成される。金属相互接続部２３６は、第２のＡＷフィルタ回路２１４と、第１のＡＷフィルタ２０２のキャップ基板２２０の接触面２３４上に配置された接触パッド２４６との間に信号経路２３８を提供する。接触パッド２４６は、パッド又はバンプ内に形成され、かつ、電気信号を伝導するように構成され得る金属又は金属合金（例えば、はんだ）を含む。この例では、メタライゼーション層２４３内に形成された金属相互接続部２３６は、接触パッド２４６から第１の基板２０６の第１の表面２１０に信号を分配するように構成される。非限定的な例として、金属相互接続部２３６は、接触パッド２４６に結合された１つ以上の再分配層（ＲＤＬ）層内に形成されたＲＤＬ相互接続部であってもよく、ＲＤＬ相互接続部は、接触パッド２４６から第１の基板２０６の第１の表面２１０に信号を再分配するように構成される。第２のＡＷフィルタ２０４の信号経路２３８をメタライゼーション層２４３の第２の金属相互接続部２３６としてＡＷフィルタパッケージ２００内に形成することは、例えば、ＡＷフィルタパッケージ２００を製造するために、メタライゼーション層製造プロセスを採用することを可能にすることができる。例えば、メタライゼーション層２４３がＲＤＬである場合、ＲＤＬ製造プロセスが採用され得る。

【0019】

[0027] メタライゼーション層製造プロセス（例えば、ＲＤＬ製造プロセス）において金属相互接続部２３６が形成され得る表面は、基板の第１の側（例えば、上側）の基板に平行な（例えば、水平な）表面、基板に直交する（例えば、垂直な）表面、又は基板の第１の側の傾斜面を含む。しかしながら、金属相互接続部２３６は、基板の第２の側（例えば、下向きの側）にあり、基板の第１の側において基板に直交する方向から露出されない傾斜面又は水平な表面上にはうまく形成されないことがある。例えば、メタライゼーション層は、上向き表面及び連続側壁面上に形成されてもよいが、下向き表面又は上部基板によって陰になる側壁面上には形成されなくてもよい。この点に関して、ＡＷフィルタ２０２、２０４の外周壁２４４上に連続金属相互接続部２３６を成功裏に製造するために、上部構造が下部構造に張り出す（例えば、第１の側から下部構造を陰にする）領域などの「負の露出」領域は、メタライゼーション層２４３の形成において信頼できない結果をもたらす可能性がある。積層構造に関する例では、基板の側面がＺ軸方向に位置合わせされた基板の積層体の外周壁に金属相互接続部が形成され得る。しかしながら、これは、金属相互接続部がその上にある積層体の各外周壁がＺ軸方向に位置合わせされることを必要とする。しかしながら、実際には、基板の製造公差により、基板の幅が変動し、基板のオーバーレイが変動する可能性がある。積層体内の下部基板よりも大きな幅を有し、積層体の少なくとも一方側において下部基板から張り出している積層体内の上部基板は、張り出している上部基板の第２の側に（例えば、Ｚ軸方向に）陰領域（例えば、負の露出領域）を形成する。このような陰領域は、上部基板の第１の側に直交する方向（例えば、Ｚ軸方向）に露出されないため、陰領域にはメタライゼーション層が適切に形成されないことがある。

【0020】

[0028] この点に関して、別の例示的な態様では、マルチレベルＡＷフィルタパッケージ２００の例では、第２のＡＷフィルタ回路２１４への信号経路２３８を提供するために、積層ＡＷフィルタ２０２、２０４の外周壁２４４上への金属相互接続部２３６の形成をサポートするように、キャップ基板２２０の側壁面２５０、第１の基板２０６の側壁面２５２、及び第３の基板２１２の側壁面２５４は、水平方向において互いに対して互い違いにされ得る。ここで、「互い違い（staggered）」とは、第１の基板２０６がキャップ基板２２０の側壁面２５０よりもＸ軸方向に延在し、第３の基板２１２が第１の基板２０６の側壁面２５２よりもＸ軸方向に延在し、Ｘ軸方向において第１の基板２０６の側壁面２５２がキャップ基板２２０の側壁面２５０と第３の基板２１２の側壁面２５４との間にあることを意味する。互い違いの側壁面２５０、２５２は、キャップ基板２２０の側壁面２５０に直交する方向（例えば、Ｘ軸方向）にキャップ基板２２０の側壁面２５０（図２Ｂを参照）を超えて延在する第１の基板２０６の肩部領域２５６を形成する。互い違いの側壁面２５２、２５４はまた、マルチレベルＡＷフィルタパッケージ２００において、ＡＷフィルタパッケージ２００の第１の基板２０６の側壁面２５２を越えて（例えば、Ｘ軸方向に）延在する第３の基板２１２上の下部肩部領域２５８を形成する。肩部領域２５６及び下部肩部領域２５８は、例えば、ＲＤＬ製造プロセスを使用して、積層ＡＷフィルタ２０２、２０４の外周壁２４４上に金属相互接続部２３６を形成するためのサポートを提供し、金属相互接続部２３６を形成できないことがある負の露出領域を形成する重なりを回避する。

【0021】

[0029] 図２Ａ～図２Ｃを更に参照すると、金属相互接続部２３６は、キャップ基板２２０の接触面２３４上に配置され、接触パッド２４６に電気的に結合される。接触パッド２４６は、ＲＦ信号を受信するために、又はフィルタリングされたＲＦ信号を提供するために、外部回路に結合するように構成される。接触パッド２４６上で受信又は生成された信号は、金属相互接続部２３６を介して、第３の基板２１２上の第２のＡＷフィルタ回路２１４のうちの１つに電気的に結合され得る。この点に関して、金属相互接続部２３６は、接触面２３４（例えば、ＡＷフィルタパッケージ２００の上面）からキャップ基板２２０の側壁面２５０上へと続いている。キャップ基板２２０の側壁面２５０は、接触面２３４と直交する垂直方向（例えば、Ｚ軸方向）に延在している。第１のフレーム２１８は、キャップ基板２２０と第１の基板２０６の第１の表面２１０との間に配置されている。第１のフレーム２１８の側壁面２６０は、キャップ基板２２０の側壁面２５０に対して直交する方向（例えば、Ｘ軸方向）にずれることなく、キャップ基板２２０の側壁面２５０と並んで（例えば、Ｚ軸方向に）延在していてもよい。このようにして、キャップ基板２２０の側壁面２５０及び第１のフレーム２１８の側壁面２６０は、金属相互接続部２３６が、例えば、ＲＤＬ製造プロセス又は他のメタライゼーション層製造プロセスによって形成されることを可能にすることができる。金属相互接続部２３６は、キャップ基板２２０の側壁面２５０から、キャップ基板２２０と第１の基板２０６との間の第１のフレーム２１８の側壁面２６０上へと延在する。第１のフレーム２１８は、キャップ基板２２０を支持するために、キャップ基板２２０の側壁面２５０の第１の側Ｓ_１において（すなわち、第１のキャビティ２２２内へと）、キャップ基板２２０の側壁面２５０からキャップ基板２２０の側壁面２５０に直交する方向（Ｘ軸方向）に延在して。第１のフレーム２１８は、キャップ基板２２０とは異なる材料を含む。いくつかの例では、第１のフレーム２１８は、キャップ基板２２０が第１の基板２０６上に積層される前に、キャップ基板２２０のうちの１つ及び第１の基板２０６上に形成されるポリマー材料である。キャップ基板２２０は、例えば、ガラスから形成され得る。

【0022】

[0030] いくつかの例では、第１のフレーム２１８は、キャップ基板２２０の側壁面２５０の第２の側Ｓ_２において、キャップ基板２２０の側壁面２５０に直交する方向に、第１の基板２０６の第１の表面２１０上の肩部領域２５６上へと延在する。この点に関して、第１のフレーム２１８の側壁面２６０がキャップ基板２２０の側壁面２５０に対して互い違いになるように、第１のフレーム２１８の側壁面２６０は、キャップ基板２２０の側壁面２５０と位置合わせされず、これもまた金属相互接続部２３６の形成を可能にする。そのような例では、金属相互接続部２３６はまた、第１のフレーム２１８の上面２６２上に配置される。したがって、金属相互接続部２３６は、そのような例では、キャップ基板２２０の側壁面２５０から第１のフレーム２１８の上面２６２上へと、かつ、第１のフレーム２１８の側壁面２６０上へと延在する。

【0023】

[0031] 外周壁２４４に沿ってＺ軸方向において第３の基板２１２に向かう金属相互接続部２３６に続いて、金属相互接続部２３６は、第１の基板２０６の肩部領域２５６上に、かつ、第１の基板２０６の側壁面２５２上へと配置される。第１の基板２０６の側壁面２５２は、第１の基板２０６の第１の表面２１０に直交していてもよい。第２のフレーム２２４は、第１の基板２０６と第３の基板２１２との間に配置される。第２のフレーム２２４の側壁面２６４は、第１の基板２０６の側壁面２５２と位置合わせされてもよく、それにより、第１の基板２０６の側壁面２５２から延在する金属相互接続部２３６を形成し、第２のフレーム２２４の側壁面２６４上へと続くことが可能になる。第２のフレーム２２４は、第１の基板２０６を支持するために、第１の基板２０６の側壁面２５２から第１の基板２０６の側壁面２５２に直交する方向（例えば、Ｘ軸方向）に第１の側Ｓ_１まで（すなわち、第２のキャビティ２２６内へと）延在する。

【0024】

[0032] いくつかの例では、第２のフレーム２２４は、第１の基板２０６の側壁面２５２に対して互い違いになるように、第１の基板２０６の側壁面２５２の第２の側Ｓ_２まで第１の基板２０６の側壁面２５２に直交する方向に延在する（すなわち、第２のフレーム２２４の側壁面２６４は、第１の基板２０６の側壁面２５２の側Ｓ_２までＸ軸方向に延在する）。そのような例では、金属相互接続部２３６は、第２のフレーム２２４の上面２６６上に配置され、第２のフレーム２２４の側壁面２６４上へと続き、第２のフレーム２２４の側壁面２６４の第２の側Ｓ_２上にもある第３の基板２１２の下部肩部領域２５８上にも配置される。

【0025】

[0033] 金属相互接続部２３６を介して第２の表面２１６上の第２のＡＷフィルタ回路２１４に接触パッド２４６を電気的に結合するために、接触パッド２４６に結合された金属相互接続部２３６は、表面相互接続部２６８にも結合される。表面相互接続部２６８は、第３の基板２１２の第２の表面２１６上に配置され、第２のキャビティ２２６の内側から下部肩部領域２５８（キャビティの外側）まで延在する。表面相互接続部２６８は、第２のＡＷフィルタ回路２１４と金属相互接続部２３６の両方に結合される。第２のフレーム２２４は、第２のキャビティ２２６内の第２のＡＷフィルタ回路２１４と下部肩部領域２５４上の金属相互接続部２３６との間の表面相互接続部２６８の一部分上へと配置される。このようにして、金属相互接続部２３６は、第２のＡＷフィルタ回路２１４を接触パッド２４６に電気的に結合する。

【0026】

[0034] 別の例示的な態様では、金属相互接続部２３６が第３の基板２１２上の接触パッド２４６と第２のＡＷフィルタ回路（単数又は複数）２１４との間に信号経路２３８を提供し、金属相互接続部２３６が第１のＡＷフィルタ回路２０８を含む第１の基板２０６を横切って延在するマルチレベル積層ＡＷフィルタパッケージ２００において、絶縁体２７０は、第１の基板２０６の側壁面２５２と金属相互接続部２３６との間で第１の基板２０６の側壁面２５２上に配置される。第１の基板２０６は、第１の表面２１０上に圧電材料２２８を有する半導体基板２１３のうちの１つを備える。圧電材料２２８は、半導体である半導体基板２１３を金属相互接続部２３６内の電気信号から保護する。製造の際に、半導体基板２１３は、ウェハからダイシングされ、第１の基板２０６の側壁面２５２が露出される（例えば、電気信号から保護されない）。したがって、少なくとも１つの第１のＡＷフィルタ回路（単数又は複数）２０８が形成される第１の基板２０６の側壁面２５２上へと金属相互接続部２３６を直接配置することは、第１のＡＷフィルタ回路２０８を金属相互接続部２３６に、したがって第２のＡＷフィルタ回路２１４及び接触パッド２４６に電気的に結合させる。そのような電気的結合の結果として、第１のＡＷフィルタ回路２０８と第２のＡＷフィルタ回路２１４との間の半導体基板２１３を介して電流が漏れることがあり、それは、第１及び第２のＡＷフィルタ回路２０８、２１４の動作との干渉を引き起こす可能性があり、また、ＡＷフィルタパッケージ２００における電力損失を引き起こす可能性がある。この点に関して、絶縁体２７０は、第１のＡＷフィルタ回路２０８を第２のＡＷフィルタ回路２１４から絶縁及び分離するために、第１の基板２０６の側壁面２５２と金属相互接続部２３６との間で第１の基板２０６の側壁面２５２上に配置される。製造の際に、絶縁体２７０は、金属相互接続部２３６がその上に配置される前に、キャップ基板２２０の側壁面２５０、第１のフレーム２１８の側壁面２６０、及び第１の基板２０６の第１の表面２１０を含む、積層ＡＷフィルタ２０２、２０４の外周壁２４４上に配置される。したがって、絶縁体２７０は、キャップ基板２２０の側壁面２５０と金属相互接続部２３６との間、第１のフレーム２１８の側壁面２６０と金属相互接続部２３６との間、及び第１の基板２０６の第１の表面２１０と金属相互接続部２３６との間に配置される。

【0027】

[0035] 別の態様では、第１の金属相互接続部２３０（すなわち、ビア２４０）及び第２の金属相互接続部２３６はまた、第１のＡＷフィルタ回路２０８及び第２のＡＷフィルタ回路２１４から離してキャップ基板２２０の接触面２３４まで熱を分散させてＡＷフィルタパッケージ２００から放散させるための別個の熱経路を提供する。キャップ基板２２０内にビア２４０を形成することは、例えば、キャップ基板２２０内に孔をレーザ穿孔することと、電気伝導と熱伝導の両方を提供するために孔を金属で充填することとを含み得る。ビア２４０は、銅、アルミニウム、又は電気伝導性及び熱伝導性を提供する他の１つ若しくは複数の金属から形成され得る。

【0028】

[0036] 別の態様では、マルチレベル積層ＡＷフィルタパッケージ２００の目的は、電子デバイス内の面積を節約することであるが、結果として生じる高さの増大が電子デバイス内での使用に許容可能でない限り、面積の節約は有益ではない。この点に関して、ＩＣ加工方法によって加工され得る半導体基板２１３の第１の基板２０６及び第３の基板２１２を形成することによって、第１の基板２０６及び第３の基板２１２が薄くされて、パッケージ高さを低減することができる。更に、キャップ基板２２０をガラスから形成することは、ポリマーなどのより可撓性のキャッピング材料によって提供されない追加の構造的完全性をＡＷフィルタパッケージ２００に提供する。例として、第３の基板２１２は、第２の表面２１６に直交する第１の方向に６０ミクロン（μｍ）～１３０（１３０）μｍの範囲の厚さＴ_２１２を有してもよく、第１の基板２０６は、第１の方向に３０μｍ～７０μｍの範囲の厚さＴ_２０６を有してもよく、キャップ基板２２０は、３０μｍ～７０μｍの範囲の厚さＴ_２２０を有してもよい。いくつかの例では、第３の基板２１２の厚さＴ_２１２は８５μｍ未満であり、厚さＴ_２０６は５５μｍ未満であり、キャップ基板２２０の厚さＴ_２２０は５５μｍ未満である。

【0029】

[0037] 図２Ａ～図２Ｃに示されるようなマルチレベル積層ＡＷフィルタパッケージ２００をサポートする本明細書で開示される例示的な態様はまた、第１の基板３０４と、第１の基板３０４の第１の表面３０８上のＡＷフィルタ回路３０６と、第１の表面３０８上に配置されたフレーム３１０と、フレーム３１０上に配置された（例えば、積層された）第２の基板３１２とを含む、単一のＡＷフィルタ３０２のみを含む図３に示されるような積層ＡＷフィルタパッケージ３００において採用されることができる。第２の基板３１２は、フレーム３１０上に配置されることによって、本明細書では「キャップ基板３１２」と呼ぶこともできるキャップ構造を形成する。この点に関して、メタライゼーション製造プロセスは、少なくとも１つの金属相互接続部３１４（「金属相互接続部３１４」）を備えるメタライゼーション層３１３を製造するために使用され得る。非限定的な例として、メタライゼーション層３１２は、その中にＲＤＬ相互接続部を有するＲＤＬとすることができ、積層ＡＷフィルタを含まないＡＷフィルタパッケージ３００においてもＡＷフィルタ３０２の信号経路３１６を提供する。金属相互接続部３１４は、第１の基板３０４からキャップ基板３１２の接触面３２０上の接触パッド３１８への信号経路３１６（及び熱経路）を提供する。金属相互接続部３１４は、接触面３２０上に配置され、接触パッド３１８に電気的に結合され、第１の基板３０４の第１の表面３０８にも結合される。

【0030】

[0038] 非限定的な例としてＲＤＬ製造方法などのメタライゼーション製造プロセスを採用するために、第１の基板３０４の側壁面３２２は、上述したマルチレベルＡＷフィルタパッケージ２００のように、キャップ基板３１２の側壁面３２４に対して互い違いに配置される。したがって、第１の表面３０８は、キャップ基板３１２の側壁面３２４に直交する方向に延在する肩部領域３２６を含む。金属相互接続部３１４は、キャップ基板３１２の側壁面３２４上へと延在する。フレーム３１０の側壁面３２８がキャップ基板３１２の側壁面３２４と（例えば、Ｙ軸方向の軸に沿って）位置合わせされている例では、金属相互接続部３１４は、キャップ基板３１２の側壁面３２４からフレーム３１０の側壁面３２８上へと延在する。フレーム３１０は、キャップ基板３１２を支持し、キャビティ３３０を提供するために、キャップ基板３１２の側壁面３２４からキャップ基板３１２と第１の基板３０４との間の第１の側Ｓ_１まで延在する。いくつかの例では、フレーム３１０は、キャップ基板３１２の側壁面３２４と位置合わせされない。代わりに、フレーム３１０は、キャップ基板３１２の側壁面３２４を越えて、キャップ基板３１２の側壁面３２４に直交する方向に、キャップ基板３１２の側壁面３２４の第２の側Ｓ_２まで、第１の基板３０４の肩部領域３２６上へと延在し、それにより、フレーム３１０の側壁面３２８は、キャップ基板３１２の側壁面３２４に対して互い違いにされる。この例では、金属相互接続部３１４は、キャップ基板３１２の側壁面３２４からフレーム３１０の上面３３２上へと、かつ、フレーム３１０の側壁面３２８上へと延在する。金属相互接続部３１４は、第１の基板３０４の第１の表面３０８上へと配置される。第１の表面３０８上に配置された表面相互接続部３３４は、表面相互接続部３３４がＡＷフィルタ回路３０６に電気的に結合されているキャビティ３３０内から、フレーム３１０を越えて肩部領域３２６内へと延在している。金属相互接続部３１４は、ＡＷフィルタ回路３０６を接触パッド３１８に電気的に結合するために、肩部領域３２６内の表面相互接続部３３４に電気的に結合される。

【0031】

[0039] 図４は、積層ＡＷフィルタパッケージ３００を製造するプロセス４００のフローチャートである。プロセス４００は、第１の表面３０８を備える第１の基板３０４を形成すること（ブロック４０２）と、第１の基板３０４の第１の表面３０８上にＡＷフィルタ回路３０６を形成すること（ブロック４０４）とを含む。プロセス４００は、第１の基板３０４の第１の表面３０８上にフレーム３１０を形成すること（ブロック４０６）と、接触面３２０及び側壁面３２４を備える第２の基板（例えば、キャップ基板）３１２を形成すること（ブロック４０８）とを含む。プロセス４００は、ＡＷフィルタ回路３０６とキャップ基板３１２との間にキャビティ３３０を形成するためにフレーム３１０上にキャップ基板３１２を配置すること（ブロック４１０）と、キャップ基板３１２の接触面３２０及び第１の基板３０４の第１の表面３０８に結合された少なくとも１つの金属相互接続部３１４を備えるメタライゼーション層３１３を形成することであって、少なくとも１つの金属相互接続部３１４が、キャップ基板３１２の側壁面３２４上に配置される、形成すること（ブロック４１２）とを含む。

【0032】

[0040] 図５Ａ及び図５Ｂは、積層ＡＷフィルタパッケージ２００を製造するプロセス５００のフローチャートである。プロセス５００は、第１の表面２１０及び側壁面２５２を備える第１の基板２０６を形成すること（ブロック５０２）と、第１の基板２０６の第１の表面２１０上に第１のＡＷフィルタ回路２０８を形成すること（ブロック５０４）とを含む。プロセス５００は、第１の基板２０６の第１の表面２１０上に第１のフレーム２１８を形成すること（ブロック５０６）と、接触面２３４及び側壁面２５０を備えるキャップ基板２２０を形成すること（ブロック５０８）とを含む。プロセス５００は、第１のＡＷフィルタ回路２０８とキャップ基板２２０との間に第１のキャビティ２２２を形成するために第１のフレーム２１８上にキャップ基板２２０を配置すること（ブロック５１０）と、第３の基板２１２の第２の表面２１６上に第２のＡＷフィルタ回路２１４を備える第３の基板２１２を形成すること（ブロック５１２）とを含む。プロセス５００は、第３の基板２１２の第２の表面２１６上に第２のフレーム２２４を形成すること（ブロック５１４）と、第２のＡＷフィルタ回路２１４と第１の基板２０６との間に第２のキャビティ２２６を形成するために第２のフレーム２２４上に第１の基板２０６を配置すること（ブロック５１６）とを含む。プロセス５００は、第１の基板２０６の側壁面２５６上に絶縁体２６８を形成すること（ブロック５１８）と、キャップ基板２２０の接触面２３４及び第３の基板２１２の第２の表面２１６に結合された少なくとも１つの金属相互接続部（２３６）を備えるメタライゼーション層２４３を形成することであって、少なくとも１つの金属相互接続部（２３６）が、第１の基板２０６の側壁面２５２上の絶縁体２７０上に配置される、形成すること（ブロック５２０）とを含む。

【0033】

[0041] 図６は、積層ＡＷフィルタパッケージ２００及び３００の製造をサポートするフレーム６００の例の上面図である。フレーム６００は、図２Ａ～図２Ｃのフレーム２１８及び２２４並びに図３のフレーム３１０に対応し得る。フレーム６００は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向においてより大きい第１の基板６０６の周囲６０４に沿って延在する周囲フレーム６０２を含み、それにより、第１の基板６０６は、フレーム６００に対して幅方向に互い違いにされた肩部領域６０８を含む。いくつかの例では、フレーム６００の寸法は、金属相互接続部が形成されないことがある「負の露出」領域を回避するために、第２の基板（例えば、キャップ基板）と同じサイズであっても、又は第２の基板よりも面積が僅かに大きくてもよい。この例における周囲フレーム６０２は長方形であるが、正方形又は支持されるべき第２の基板の周囲に対応する別の形状であってもよい。フレーム６００は、追加の支持を提供することによって接触面上の圧力に対して第２の基板を支持するためのフレーム部材６１０を含み、したがって、キャビティ６１２のサイズは、第１の基板６０６上により多くのＡＷフィルタ回路６１４を含むように増大され得る。フレーム部材６１０は、周囲フレーム６０２からキャビティ６１２を横切って延在している。フレーム部材６１０は、線形であってもよく、周囲フレーム６０２と接触し、そこから延在する第１の端部６１６を有する。フレーム部材６１０は、キャビティ内にあり、周囲フレーム６０２と接触していない第２の端部６１８を含む。キャビティ６１２は、フレーム部材６１０の第１の側面上の第１のキャビティ部分６２０Ａからフレーム部材６１０の第２の側面上の第２のキャビティ部分６２０Ｂまで、第２の端部６１８の周囲に連続する（すなわち、中断しない）。第１のキャビティ部分６２０Ａには、ＡＷフィルタ回路６１４が配置されてもよい。いくつかの例では、別のＡＷフィルタ回路６２４が第２のキャビティ部分６２０Ｂ内に配置されてもよい。図示のように、フレーム６００は、第２の基板を支持するために周囲フレーム６０２からキャビティ６１２内へと延在する複数のフレーム部材６１０を含む。

【0034】

[0042] 周囲フレーム６０２及びフレーム部材６１０は、第２の基板（図示せず）及び第１の基板６０６と接触している。フレーム部材６１０は、第１の基板の接触面への圧力に対してキャビティ６１２内により多くの支持を提供することによって、積層ＡＷフィルタパッケージを支持する。ガラス基板であり得る第１の基板に印加される圧力は、積層ＡＷフィルタパッケージ内のガラス及び上部基板の内向きの撓みを引き起こす可能性がある。フレーム部材６１０が除外された（すなわち、フレーム部材６１０が存在しない）、キャビティ６１２の領域では、そのような支持されていない領域が大きすぎる場合、ガラスは圧力下で破壊点まで撓む可能性がある。しかしながら、ガラスの第２の基板の構造的剛性に起因して、ＡＷフィルタパッケージのキャビティ６１２は、本明細書で開示されるように、周囲フレーム６０２及びフレーム部材６１０が除外された、最大４００μｍの直径を有する円形領域６２６を含み得る。いくつかの例では、円形領域６２６は、３６０μｍ～４００μｍの範囲の直径（Ｄ１）を有する。

【0035】

[0043] 図７は、積層ＡＷフィルタパッケージ７００の上面斜視図である。積層ＡＷフィルタパッケージ７００は、第１のＡＷフィルタ７０６を形成するために第１の基板７０４の上方に積層された第２の基板７０２を含む。第２の基板７０２は、第１の基板７０４の上に配置されることによって、本明細書では「キャップ基板７０２」と呼ぶこともできるキャップ構造を形成する。第１のＡＷフィルタ７０６はまた、第２のＡＷフィルタ７１０を形成するために第３の基板７０８上に積層されるようなキャップ構造を提供する。積層ＡＷフィルタパッケージ７００は、キャップ基板７０２上に接触パッド７１２を含む。接触パッド７１２は、第１の基板７０４上の第１のＡＷフィルタ回路（図示せず）に結合するためにキャップ基板７０２を貫通して延在するビア７１６を備える第１の金属相互接続部７１４に結合する。第２の金属相互接続部７１８（ＲＤＬ相互接続部であり得る）は、接触パッド７１２から外周壁７２０に沿って第２のＡＷフィルタ７１０まで延在する。第２の金属相互接続部７１８は、第１の基板７０４の半導体材料に電気的に結合することなく、接触パッド７１２を第３の基板７０８上の第２のＡＷフィルタ回路（図示せず）に結合するために、第１の基板７０４の側壁面７２４上の絶縁体７２２上に配置される。

【0036】

[0044] 図８は、１つ以上のＩＣ８０２から形成されたＲＦ構成要素を含み、かつ、積層ＡＷフィルタパッケージ８０３を含むことができる、例示的な無線通信デバイス８００を示している。積層ＡＷフィルタパッケージ８０３は、第１の基板上に配置された第１のＡＷフィルタ回路と、第１の基板上に配置された第１のフレーム上に配置された第２の基板と、第２の下部ＡＷフィルタ回路を囲い込むように第３の基板上に配置された第２のフレーム上に配置された第１の基板とを含み、かつ、図２Ａ～図２Ｃ、図３及び図７に示すように、本明細書に開示された態様のいずれかにしたがって、第２の基板上の接触パッドは、絶縁体上に配置された金属相互接続部によって第２のＡＷフィルタ回路に電気的に結合され、第１の基板への漏れ電流から保護する。無線通信デバイス８００は、例として、上記のデバイスのうちのいずれかを含み得る、又は上記のデバイスのうちのいずれかの中に提供され得る。図８に示すように、無線通信デバイス８００は、トランシーバ８０４及びデータプロセッサ８０６を含む。データプロセッサ８０６は、データ及びプログラムコードを記憶するためのメモリを含み得る。トランシーバ８０４は、双方向通信をサポートする送信機８０８と受信機８１０とを含む。一般に、無線通信デバイス８００は、任意の数の通信システム及び周波数帯域用に、任意の数の送信機８０８及び／又は受信機８１０を含んでもよい。トランシーバ８０４の全部又は一部分は、１つ以上のアナログＩＣ、ＲＦＩＣ、ミックスドシグナルＩＣなどの上に実装され得る。

【0037】

[0045] 送信機８０８又は受信機８１０は、スーパーヘテロダインアーキテクチャ又はダイレクトコンバージョンアーキテクチャによって実装され得る。スーパーヘテロダインアーキテクチャでは、信号は、複数の段においてＲＦとベースバンドとの間で、例えば、１つの段においてＲＦから中間周波数（intermediate frequency、ＩＦ）に、次いで、別の段においてＩＦからベースバンドに周波数変換される。ダイレクトコンバージョンアーキテクチャでは、信号は、１つの段階において、ＲＦとベースバンドとの間で周波数変換される。スーパーヘテロダインアーキテクチャ及びダイレクトコンバージョンアーキテクチャは、異なる回路ブロックを使用すること、及び／又は異なる要件を有することがある。図８における無線通信デバイス８００では、送信機８０８及び受信機８１０は、ダイレクトコンバージョンアーキテクチャによって実装される。

【0038】

[0046] 送信経路では、データプロセッサ８０６は、送信されるべきデータを処理し、Ｉアナログ出力信号及びＱアナログ出力信号を送信機８０８に提供する。例示的な無線通信デバイス８００では、データプロセッサ８０６は、データプロセッサ８０６により生成されるデジタル信号を、更なる処理のために、Ｉアナログ出力信号及びＱアナログ出力信号、例えばＩ出力電流及びＱ出力電流へと変換するためのデジタルアナログ変換器（digital-to-analog converter、ＤＡＣ）８１２（１）及び８１２（２）を含む。

【0039】

[0047] 送信機８０８内では、ローパスフィルタ８１４（１）及び８１４（２）が、それぞれ、Ｉアナログ出力信号及びＱアナログ出力信号をフィルタリングして、前のデジタルアナログ変換によって引き起こされた不要な信号を除去する。ローパスフィルタ８１４（１）、８１４（２）は、ＡＷフィルタパッケージ８０３として実装され得る。増幅器（amplifier、ＡＭＰ）８１６（１）、８１６（２）は、それぞれ、ローパスフィルタ８１４（１）、８１４（２）からの信号を増幅し、Ｉベースバンド信号及びＱベースバンド信号を供給する。アップコンバータ８１８は、送信（ＴＸ）局部発振（local oscillator、ＬＯ）信号発生器８２２からミキサ８２０（１）、８２０（２）を介してＩＴＸ ＬＯ信号及びＱ ＴＸ ＬＯ信号によって、Ｉベースバンド信号及びＱベースバンド信号をアップコンバートして、アップコンバートされた信号８２４を提供する。フィルタ８２６は、アップコンバートされた信号８２４をフィルタリングして、周波数アップコンバージョンにより引き起こされる不要な信号並びに受信周波数帯域中の雑音を除去する。電力増幅器（power amplifier、ＰＡ）８２８は、所望の出力電力レベルを取得するために、フィルタ８２６からのアップコンバートされた信号８２４を増幅して、送信ＲＦ信号を提供する。送信ＲＦ信号は、デュプレクサ又はスイッチ８３０を通してルーティングされ、アンテナ８３２を介して送信される。ローパスフィルタ８１４（１）及び８１４（２）のいずれか、又はフィルタ８２６は、音響波フィルタ（ＡＷフィルタ）パッケージ８０３であってもよい。

【0040】

[0048] 受信経路では、アンテナ８３２は、基地局によって送信された信号を受信し、受信したＲＦ信号を提供し、ＲＦ信号は、デュプレクサ又はスイッチ８３０を通してルーティングされ、低雑音増幅器（low noise amplifier、ＬＮＡ）８３４に提供される。デュプレクサ又はスイッチ８３０は、受信（ＲＸ）信号がＴＸ信号から分離されるように、特定のＲＸからＴＸへのデュプレクサ周波数分離で動作するように設計されている。受信されたＲＦ信号は、ＬＮＡ８３４によって増幅され、フィルタ８３６によってフィルタリングされて、所望のＲＦ入力信号を取得する。ダウンコンバージョンミキサ８３８（１）、８３８（２）が、フィルタ８３６の出力を、ＲＸ ＬＯ信号発生器８４０からのＩ及びＱ ＲＸ ＬＯ信号（すなわち、ＬＯ＿Ｉ及びＬＯ＿Ｑ）と混合して、Ｉベースバンド信号及びＱベースバンド信号を生成する。Ｉ及びＱベースバンド信号は、ＡＭＰ８４２（１）、８４２（２）によって増幅され、更にローパスフィルタ８４４（１）、８４４（２）によってフィルタ処理されて、Ｉアナログ入力信号及びＱアナログ入力信号を取得し、これらがデータプロセッサ８０６に提供される。フィルタ８３６及びローパスフィルタ８４４（１）、８４４（２）のいずれも、ＡＷフィルタパッケージ８０３であってもよい。この例では、データプロセッサ８０６は、データプロセッサ８０６によって更に処理されるようにアナログ入力信号をデジタル信号に変換するためにアナログデジタル変換器（analog-to-digital converter、ＡＤＣ）８４６（１）、８４６（２）を含む。

【0041】

[0049] 図８の無線通信デバイス８００では、ＴＸ ＬＯ信号発生器８２２が、周波数アップコンバージョンに使用されるＩ及びＱ ＴＸ ＬＯ信号を生成し、ＲＸ ＬＯ信号発生器８４０が、周波数ダウンコンバージョンに使用されるＩ ＲＸ ＬＯ信号及びＱ ＲＸ ＬＯ信号を生成する。各ＬＯ信号は、特定の基本周波数を有する周期信号である。ＴＸ位相ロックループ（phase-locked loop、ＰＬＬ）回路８４８は、データプロセッサ８０６からタイミング情報を受信し、ＴＸ ＬＯ信号発生器８２２からのＴＸ ＬＯ信号の周波数及び／又は位相を調整するために使用される制御信号を生成する。同様に、ＲＸ ＰＬＬ回路８５０は、データプロセッサ８０６からタイミング情報を受信し、ＲＸ ＬＯ信号発生器８４０からのＲＸ ＬＯ信号の周波数及び／又は位相を調整するために使用される制御信号を生成する。

【0042】

[0050] 第２のＡＷフィルタ回路を含む第３の基板上に更に積層された第１のＡＷフィルタ回路を含む第１の基板上に積層された第２の基板を含む積層ＡＷフィルタパッケージ８０３を各々含むことができる無線通信デバイス８００であって、図２Ａ～図２Ｃ、図３及び図７に示すように、本明細書に開示される態様のいずれかにしたがって、第２の基板上の接触パッドは、第１の基板への漏れ電流から保護するために、絶縁体上に配置された金属相互接続部によって第２のＡＷフィルタ回路に電気的に結合され、任意のプロセッサベースのデバイス内に提供され得る、又はその中に集積され得る。例は、限定されるものではないが、セットトップボックス、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、固定ロケーションデータユニット、モバイルロケーションデータユニット、全地球測位システム（global positioning system、ＧＰＳ）デバイス、モバイルフォン、セルラーフォン、スマートフォン、セッション開始プロトコル（session initiation protocol、ＳＩＰ）フォン、タブレット、ファブレット、サーバ、コンピュータ、ポータブルコンピュータ、モバイルコンピューティングデバイス、ウェアラブルコンピューティングデバイス（例えば、スマートウォッチ、ヘルス又はフィットネストラッカ、アイウェアなど）、デスクトップコンピュータ、携帯情報端末（personal digital assistant、ＰＤＡ）、モニタ、コンピュータモニタ、テレビ、チューナー、ラジオ、衛星ラジオ、音楽プレーヤ、デジタル音楽プレーヤ、ポータブル音楽プレーヤ、デジタルビデオプレーヤ、ビデオプレーヤ、デジタルビデオディスク（digital video disc、ＤＶＤ）プレーヤ、ポータブルデジタルビデオプレーヤ、自動車、車両部品、アビオニクスシステム、ドローン、及びマルチコプターを含む。

【0043】

[0051] この点に関して、図９は、ＲＦ回路を含む積層ＡＷフィルタパッケージ９０１を含むプロセッサベースシステム９００の例を示している。積層ＡＷフィルタパッケージ９０１は、第１の基板上に配置された第１のＡＷフィルタ回路と、第１の基板上に配置された第１のフレーム上に配置された第２の基板と、第２の下部ＡＷフィルタ回路を囲い込むように第３の基板上に配置された第２のフレーム上に配置された第１の基板とを含み、第２の基板上の接触パッドは、図２Ａ～図２Ｃ、図３、及び図７に示すように、本明細書に開示される任意の態様にしたがって、第１の基板への漏れ電流から保護するために、絶縁体上に配置された金属相互接続部によって第２のＡＷフィルタ回路に電気的に結合される。この例では、プロセッサベースシステム９００は、ＣＰＵ又はプロセッサコアと呼ばれることもあり、１つ以上のプロセッサ９０４を各々含む、１つ以上の中央処理ユニット（ＣＰＵ）９０２を含む。ＣＰＵ（単数又は複数）９０２は、一時的に記憶されているデータに迅速にアクセスするために、プロセッサ（単数又は複数）９０４に結合されたキャッシュメモリ９０６を有してもよい。ＣＰＵ（単数又は複数）９０２は、システムバス９０８に結合され、プロセッサベースシステム９００内に含まれるマスタデバイスとスレーブデバイスとを相互結合することができる。よく知られているように、ＣＰＵ（単数又は複数）９０２は、システムバス９０８を介してアドレス情報、制御情報、及びデータ情報を交換することによって、これらの他のデバイスと通信する。例えば、ＣＰＵ（単数又は複数）９０２は、スレーブデバイスの一例として、メモリコントローラ９１０にバストランザクション要求を通信することができる。図９には示していないが、複数のシステムバス９０８が提供され得る。ここで、各システムバス９０８は、異なるファブリックを構成する。

【0044】

[0052] 他のマスタデバイス及びスレーブデバイスがシステムバス９０８に接続され得る。図９に示すように、これらのデバイスは、例として、メモリコントローラ９１０及び１つ以上のメモリアレイ９１４、１つ以上の入力デバイス９１６、１つ以上の出力デバイス９１８、１つ以上のネットワークインターフェースデバイス９２０、並びに１つ以上のディスプレイコントローラ９２２を含むメモリシステム９１２を含むことができる。メモリシステム９１２、１つ以上の入力デバイス９１６、１つ以上の出力デバイス９１８、１つ以上のネットワークインターフェースデバイス９２０、及び１つ以上のディスプレイコントローラ９２２の各々は、積層ＡＷフィルタパッケージ９０１を含むＲＦ回路を含むことができる。積層ＡＷフィルタパッケージ９０１は、第１の基板上に配置された第１のＡＷフィルタ回路と、第１の基板上に配置された第１のフレーム上に配置された第２の基板と、第２の下部ＡＷフィルタ回路を囲い込むように第３の基板上に配置された第２のフレーム上に配置された第１の基板とを含み、第２の基板上の接触パッドは、図２Ａ～図２Ｃ、図３及び図７に示すように、本明細書に開示された態様のいずれかにしたがって、絶縁体上に配置された金属相互接続部によって第２のＡＷフィルタ回路に電気的に結合され、第１の基板への漏れ電流から保護する。入力デバイス（単数又は複数）９１６は、入力キー、スイッチ、ボイスプロセッサなどを含むが、それらに限定されない、任意のタイプの入力デバイスを含むことができる。出力デバイス（単数又は複数）９１８は、オーディオ、ビデオ、他の視覚インジケータなどを含むが、それらに限定されない、任意のタイプの出力デバイスを含むことができる。ネットワークインターフェースデバイス（単数又は複数）９２０は、ネットワーク９２４への、及びネットワーク９２４からのデータの交換を可能にするように構成された任意のデバイスとすることができる。ネットワーク９２４は、有線ネットワーク又は無線ネットワーク、プライベートネットワーク又はパブリックネットワーク、ローカルエリアネットワーク（local area network、ＬＡＮ）、無線ローカルエリアネットワーク（wireless local area network、ＷＬＡＮ）、ワイドエリアネットワーク（wide area network、ＷＡＮ）、ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ（登録商標）ネットワーク、及びインターネットを含むが、それらに限定されない、任意のタイプのネットワークとすることができる。ネットワークインターフェースデバイス（単数又は複数）９２０は、所望の任意のタイプの通信プロトコルをサポートするように構成され得る。

【0045】

[0053] ＣＰＵ９０２はまた、１つ以上のディスプレイ９２６に送られる情報を制御するために、システムバス９０８を介してディスプレイコントローラ（単数又は複数）９２２にアクセスするように構成され得る。ディスプレイコントローラ（単数又は複数）９２２は、１つ以上のビデオプロセッサ９２８を介して表示されるように情報をディスプレイ（単数又は複数）９２６へ送り、ビデオプロセッサは、表示されるべき情報を処理してディスプレイ（単数又は複数）９２６に適したフォーマットにする。ディスプレイ（単数又は複数）９２６は、限定されるものではないが、陰極線管（cathode ray tube、ＣＲＴ）、液晶ディスプレイ（liquid crystal display、ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ、発光ダイオード（ＬＥＤ）ディスプレイなどを含む任意のタイプのディスプレイを含むことができる。ディスプレイコントローラ（単数又は複数）９２２、ディスプレイ（単数又は複数）９２６、及び／又はビデオプロセッサ（単数又は複数）９２８は、積層ＡＷフィルタパッケージ９０１を含むＲＦ回路を含むことができる。積層ＡＷフィルタパッケージ９０１は、第１の基板上に配置された第１のＡＷフィルタ回路と、第１の基板上に配置された第１のフレーム上に配置された第２の基板と、第２の下部ＡＷフィルタ回路を囲い込むように第３の基板上に配置された第２のフレーム上に配置された第１の基板とを含み、第２の基板上の接触パッドは、図２Ａ～図２Ｃ、図３及び図７に示すように、本明細書に開示された態様のいずれかにしたがって、絶縁体上に配置された金属相互接続部によって第２のＡＷフィルタ回路に電気的に結合され、第１の基板への漏れ電流から保護する。

【0046】

[0054] 当業者は、本明細書で開示する態様に関して説明する様々な例示的な論理ブロック、モジュール、回路、及びアルゴリズムが、電子ハードウェア、メモリ内若しくは別のコンピュータ可読媒体内に記憶され、プロセッサ若しくは他の処理デバイスによって実行される命令、又は両方の組み合わせとして実装され得ることを更に理解されよう。本明細書で説明するマスタデバイス及びスレーブデバイスは、例として、任意の回路、ハードウェア構成要素、ＩＣ、又はＩＣチップにおいて採用され得る。本明細書で開示するメモリは、任意のタイプ及びサイズのメモリであってもよく、所望の任意のタイプの情報を記憶するように構成されてもよい。この互換性について明確に説明するために、様々な例示的な構成要素、ブロック、モジュール、回路、及びステップについて、上記では概してそれらの機能に関して説明してきた。そのような機能がどのように実装されるかは、特定の適用例、設計上の選択、及び／又はシステム全体に課される設計制約によって決まる。当業者は、説明する機能を特定の用途ごとに様々な方法で実装し得るが、そのような実装決定は、本開示の範囲からの逸脱を引き起こすものと解釈されるべきではない。

【0047】

[0055] 本明細書で開示する態様に関連して説明した様々な例示的な論理ブロック、モジュール、及び回路は、プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（Digital Signal Processor、ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（Application Specific Integrated Circuit、ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（Field Programmable Gate Array、ＦＰＧＡ）若しくは他のプログラマブル論理デバイス、ディスクリートゲート若しくはトランジスタ論理、ディスクリートハードウェア構成要素、又は本明細書で説明する機能を実行するように設計されたそれらの任意の組み合わせを用いて実装又は実施され得る。プロセッサは、マイクロプロセッサであってもよいが、代替としてプロセッサは、任意の従来のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、又はステートマシンであってもよい。プロセッサはまた、コンピューティングデバイスの組み合わせ（例えば、ＤＳＰ及びマイクロプロセッサの組み合わせ、複数のマイクロプロセッサ、ＤＳＰコアと連携する１つ以上のマイクロプロセッサ、又は任意の他のそのような構成）として実装されてもよい。

【0048】

[0056] 本明細書で開示する態様は、ハードウェアにおいて具現化されてもよい、及びハードウェア内に記憶され、例えば、ランダムアクセスメモリ（Random Access Memory、ＲＡＭ）、フラッシュメモリ、リードオンリーメモリ（Read-Only Memory、ＲＯＭ）、電気的プログラマブルＲＯＭ（Electrically Programmable ROM、ＥＰＲＯＭ）、電気的消去可能プログラマブルＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable ROM、ＥＥＰＲＯＭ（登録商標））、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、ＣＤ－ＲＯＭ、又は当該技術分野において知られている任意の他の形態のコンピュータ可読媒体の中に存在し得る命令において具現化されてもよい。例示的な記憶媒体は、プロセッサが記憶媒体から情報を読み取ること及び記憶媒体に情報を書き込むことができるように、プロセッサに結合される。代替として、記憶媒体は、プロセッサと一体であり得る。プロセッサ及び記憶媒体は、ＡＳＩＣの中に存在してもよい。ＡＳＩＣは、リモート局の中に存在してもよい。代替として、プロセッサ及び記憶媒体は、ディスクリート構成要素として、リモート局、基地局、又はサーバの中に存在してもよい。

【0049】

[0057] 本明細書の例示的な態様のいずれかで説明した動作ステップが、例及び説明を提供するために記載されていることにも留意されたい。説明する動作は、図示のシーケンス以外の多数の異なるシーケンスにおいて実施され得る。更に、単一の動作ステップにおいて記載した動作は、実際にはいくつかの異なるステップにおいて実施され得る。加えて、例示的な態様において論じられた１つ以上の動作ステップを組み合わせてもよい。当業者には容易に明らかになるように、フローチャート図に示される動作ステップには多数の異なる変更がなされる場合があることを理解されたい。当業者であれば、様々な異なる技術及び技法のいずれかを使用して情報及び信号が表され得ることも理解するであろう。例えば、上記の説明全体にわたって言及され得るデータ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、及びチップは、電圧、電流、電磁波、磁場若しくは磁性粒子、光場若しくは光学粒子、又はそれらの任意の組み合わせによって表され得る。

【0050】

[0058] 本開示の前述の説明は、あらゆる当業者が本開示を作成又は使用することが可能となるように提供される。本開示に対する様々な変更は当業者には容易に明らかであり、本明細書で定義される一般原理は他の例に適用され得る。したがって、本開示は、本明細書で説明された例及び設計に限定されることを意図したものでなく、本明細書で開示された原理及び新規の特徴と一致する最も広い範囲を与えられるべきである。

【0051】

[0059] 以下の番号付きの条項において、実装例について説明する。
１．積層音響波（ＡＷ）フィルタパッケージであって、
第１の表面を備える第１の基板と、
第１の基板の第１の表面上のＡＷフィルタ回路と、
第１の基板の第１の表面上に配置されたフレームと、
接触面及び側壁面を備える第２の基板であって、ＡＷフィルタ回路と第２の基板との間にキャビティを形成するためにフレーム上に配置される、第２の基板と、
第２の基板の接触面及び第１の基板の第１の表面に結合された少なくとも１つの金属相互接続部を備えるメタライゼーション層であって、少なくとも１つの金属相互接続部が、第２の基板の側壁面上に配置される、メタライゼーション層と、
を備える、積層ＡＷフィルタパッケージ。

【0052】

２．接触面に結合された接触パッドを更に備え、
少なくとも１つの金属相互接続部が、接触パッドから第１の基板の第１の表面に信号を再分配するように構成される、
条項１に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【0053】

３．
フレームが、第２の基板と第１の基板の第１の表面との間に配置され、第２の基板の側壁面の第１の側において、第２の基板の側壁面から第２の基板の側壁面に直交する方向に延在し、
第１の基板の第１の表面が、第２の基板の側壁面に直交する方向において、第２の基板の側壁面の第２の側に肩部領域を有する、
条項１又は条項２に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【0054】

４．
少なくとも１つの金属相互接続部が、第１の基板の第１の表面の肩部領域上に配置される、条項３に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【0055】

５．接触面上に接触パッドを更に備え、接触パッドが外部回路に結合するように構成され、少なくとも１つの金属相互接続部が接触パッドに電気的に結合される、条項１～４のいずれかに記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【0056】

６．キャビティの内側から肩部領域まで延在する第１の基板の第１の表面上の表面相互接続部であって、ＡＷフィルタ回路と、肩部領域上のメタライゼーション層の少なくとも１つの金属相互接続部とに電気的に結合される、表面相互接続部、を更に備える、条項２～５のいずれかに記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【0057】

７．メタライゼーション層の少なくとも１つの金属相互接続部が、第２の基板と第１の基板との間のフレームの側面に配置される、条項１～６のいずれかに記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【0058】

８．
フレームが、第２の基板の側壁面の第２の側の肩部領域内へと、第２の基板の側壁面と直交する方向に延在し、
メタライゼーション層の少なくとも１つの金属相互接続部が、フレームの上面上に配置される、
条項２～７のいずれかに記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【0059】

９．フレームが第１の材料を含み、第２の基板が第１の材料とは異なる第２の材料を含む、条項１～８のいずれかに記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【0060】

１０．
フレームが、ポリマー材料を含み、
第２の基板が、ガラスを含み、
第１の基板が、半導体材料を含む、
条項１～９のいずれかに記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【0061】

１１．
フレームが、第２の基板の周囲に沿って配置された周囲フレームを更に備え、
キャビティが、周囲フレームによって囲まれている、
条項１～１０のいずれかに記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【0062】

１２．フレームが、周囲フレームの少なくとも一部分に直交してキャビティ内へと延在するフレーム部材を更に備える、条項１１に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【0063】

１３．フレーム部材が、フレームの複数のフレーム部材のうちの１つを備える、条項１２に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【0064】

１４．フレーム部材が、周囲フレームに結合された第１の端部を備える線形フレーム部材を更に備える、条項１２又は条項１３に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【0065】

１５．キャビティが、線形フレーム部材の第１の側の第１のキャビティ部分から線形フレーム部材の第２の端部の周りを通って線形フレーム部材の第２の側の第２のキャビティ部分まで延在する連続キャビティを備える、条項１４に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【0066】

１６．
第１の基板の第１の表面上のＡＷフィルタ回路が、第１のＡＷフィルタ回路であり、
第１のＡＷフィルタ回路が、線形フレーム部材の第１の側の第１のキャビティ部分内に配置され、
積層ＡＷフィルタパッケージが、線形フレーム部材の第２の側に別のＡＷフィルタ回路を更に備える、
条項１５に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【0067】

１７．キャビティが、フレームが除外された、最大４００マイクロメートル（μｍ）の直径を有する連続円形領域を備える、条項１～１６のいずれかに記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【0068】

１８．連続円形領域の直径が３６０μｍよりも大きい、条項１～１７のいずれかに記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【0069】

１９．
第３の基板の第２の表面上に第２のＡＷフィルタ回路を備える第３の基板と、
第３の基板の第２の表面上に配置された第２のフレームと、
を更に備え、
第１の基板が、第２のＡＷフィルタ回路と第１の基板との間に第２のキャビティを形成するために第２のフレーム上に配置される、
条項５に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【0070】

２０．
第１の基板が、第１の基板の第１の表面に直交する側壁面を更に備え、
第２のフレームが、第１の基板と第３の基板の第２の表面との間に配置され、第１の基板の側壁面の第１の側において、第１の基板の側壁面から第１の基板の側壁面と直交する方向に延在し、
第３の基板の第２の表面が、第１の基板の第１の側壁面と直交する方向において、第１の基板の側壁面の第２の側に下部肩部領域を含む、
条項１９に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【0071】

２１．
少なくとも１つの金属相互接続部が、
第１の基板の側壁面上、及び
第３の基板の第２の表面の下部肩部領域上
に配置される、条項２０に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【0072】

２２．第２のキャビティの内側から下部肩部領域まで延在する第３の基板の第２の表面上の表面相互接続部であって、第２のＡＷフィルタ回路と、下部肩部領域上の少なくとも１つの金属相互接続部とに電気的に結合される、表面相互接続部を更に備える、条項２１に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【0073】

２３．少なくとも１つの金属相互接続部が、第１の基板と第３の基板との間で第２のフレームの側面に配置される、条項１９～２２のいずれかに記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【0074】

２４．
第２のフレームが、第１の基板の側壁面の第２の側の下部肩部領域上へと、第１の基板の側壁面と直交する方向に延在し、
少なくとも１つの金属相互接続部が、第２のフレームの上面上に配置される、
条項２０～２３のいずれかに記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【0075】

２５．積層音響波（ＡＷ）フィルタパッケージを製造する方法であって、
第１の表面を備える第１の基板を形成することと、
第１の基板の第１の表面上にＡＷフィルタ回路を形成することと、
第１の基板の第１の表面上にフレームを形成することと、
接触面及び側壁面を備える第２の基板を形成することと、
ＡＷフィルタ回路と第２の基板との間にキャビティを形成するために第２の基板をフレーム上に配置することと、
第２の基板の接触面及び第１の基板の第１の表面に結合された少なくとも１つの金属相互接続部を備えるメタライゼーション層を形成することであって、少なくとも１つの金属相互接続部が、第２の基板の側壁面上に配置される、形成することと、
を含む、方法。

【0076】

２６．
第２の基板と第１の基板の第１の表面との間にフレームを配置し、第２の基板の側壁面の第１の側において、第２の基板の側壁面から第２の基板の側壁面と直交する方向に延在させることと、
第２の基板の側壁面と直交する方向において、第２の基板の側壁面の第２の側に第１の基板の第１の表面の肩部領域を形成することと、
を更に含む、条項２５に記載の方法。

【0077】

２７．積層音響波（ＡＷ）フィルタパッケージであって、
第１の表面及び側壁面を備える第１の基板と、
第１の基板の第１の表面上の第１のＡＷフィルタ回路と、
第１の基板の第１の表面上に配置された第１のフレームと、
接触面及び側壁面を備える第２の基板であって、第１のＡＷフィルタ回路と第２の基板との間に第１のキャビティを形成するために第１のフレーム上に配置される、第２の基板と、
第３の基板の第２の表面上に第２のＡＷフィルタ回路を備える第３の基板と、
第３の基板の第２の表面上に配置された第２のフレームであって、
第１の基板が、第２のＡＷフィルタ回路と第１の基板との間に第２のキャビティを形成するために第２のフレーム上に配置される、第２のフレームと、
第２の基板の接触面及び第３の基板の第２の表面に結合された少なくとも１つの金属相互接続部を備えるメタライゼーション層であって、少なくとも１つの金属相互接続部が、第１の基板の側壁面上に配置される、メタライゼーション層と、
第１の基板の側壁面と少なくとも１つの金属相互接続部との間で第１の基板の側壁面上に配置された絶縁体と、
を備える、積層ＡＷフィルタパッケージ。

【0078】

２８．絶縁体が、少なくとも１つの金属相互接続部と第１のフレームとの間に配置される、条項２７に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【0079】

２９．絶縁体が、少なくとも１つの金属相互接続部と第１の基板の第１の表面との間に配置される、条項２７又は条項２８に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【0080】

３０．絶縁体が、少なくとも１つの金属相互接続部と第２の基板の側壁面との間に配置される、条項２７～２９のいずれかに記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【0081】

３１．接触面から第１の基板の第１の表面まで第２の基板を貫通して延在するビアを更に備える、条項２７～３０のいずれかに記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【0082】

３２．接触面上に接点を更に備え、
接触パッドが、電気信号を伝導するように構成され、
ビアが、第１のＡＷ回路を接触パッドに電気的に結合するように構成される、
条項３１に記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【0083】

３３．
第２の表面に直交する第１の方向における第３の基板の厚さが、６０～１３０マイクロメートル（μｍ）の範囲であり、
第１の方向における第１の基板の厚さが、３０～７０μｍの範囲であり、
第１の方向における第２の基板の厚さが、３０～７０μｍの範囲である、
条項２７～３２のいずれかに記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【0084】

３４．
第１の基板の厚さが８５μｍ未満であり、
第３の基板の厚さが５５μｍ未満であり、
第２の基板の厚さが５５μｍ未満である、
条項２７～３３のいずれかに記載の積層ＡＷフィルタパッケージ。

【0085】

３５．積層音響波フィルタ（ＡＷフィルタ）パッケージを形成する方法であって、
第１の表面及び側壁面を備える第１の基板を形成することと、
第１の基板の第１の表面上に第１のＡＷフィルタ回路を形成することと、
第１の基板の第１の表面上に第１のフレームを形成することと、
接触面及び側壁面を備える第２の基板を形成することと、
第１のＡＷフィルタ回路と第２の基板との間に第１のキャビティを形成するために第１のフレーム上に第２の基板を配置することと、
第３の基板の第２の表面上に第２のＡＷフィルタ回路を備える第３の基板を形成することと、
第３の基板の第２の表面上に第２のフレームを形成することと、
第２のＡＷフィルタ回路と第１の基板との間に第２のキャビティを形成するために第２のフレーム上に第１の基板を配置することと、
第１の基板の側壁面上に絶縁体を形成することと、
第２の基板の接触面及び第３の基板の第２の表面に結合された少なくとも１つの金属相互接続部を備えるメタライゼーション層を形成することであって、少なくとも１つの金属相互接続部が、第１の基板の側壁面上の絶縁体上に配置される、形成することと、
を含む、方法。

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図2C】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【国際調査報告】