(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-10-02
(54)【発明の名称】表示装置
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20240925BHJP
H10K 50/824 20230101ALI20240925BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20240925BHJP
H10K 59/124 20230101ALI20240925BHJP
H10K 50/81 20230101ALI20240925BHJP
H10K 59/131 20230101ALI20240925BHJP
H10K 50/11 20230101ALI20240925BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 339Z
G09F9/30 365
G09F9/30 348A
H10K50/824
H10K59/122
H10K59/124
H10K50/81
H10K59/131
H10K50/11
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024515661
(86)(22)【出願日】2022-08-09
(85)【翻訳文提出日】2024-03-11
(86)【国際出願番号】 KR2022011849
(87)【国際公開番号】W WO2023043062
(87)【国際公開日】2023-03-23
(31)【優先権主張番号】10-2021-0124257
(32)【優先日】2021-09-16
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】512187343
【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１， Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ， Ｇｉｈｅｕｎｇ－ｇｕ， Ｙｏｎｇｉｎ－ｓｉ， Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】100121382
【弁理士】
【氏名又は名称】山下 託嗣
(72)【発明者】
【氏名】キム，ジェ イク
(72)【発明者】
【氏名】カン，テ ウク
(72)【発明者】
【氏名】ソン，スン ヨン
(72)【発明者】
【氏名】イ，ドク ジュン
(72)【発明者】
【氏名】イ，ジュン グ
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC33
3K107CC43
3K107DD21
3K107DD26
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3K107DD39
3K107DD44Z
3K107DD46Z
3K107DD50
3K107DD89
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3K107DD93
3K107FF15
5C094AA05
5C094AA15
5C094BA03
5C094BA27
5C094CA19
5C094DA13
5C094EA04
5C094EA05
5C094EA07
5C094FB12
(57)【要約】
本発明の一実施形態は、(1)基板上の補助配線と、(2)補助配線上に配置されるとともに補助配線に重畳しており、補助配線の幅より広い幅を有する第１開口を含む、絶縁層と、(3)絶縁層上の第１電極と、(4)第１電極に重畳する発光開口を含むバンク層と、(5)発光開口を通じて第１電極に重畳し、発光層を含む中間層と、(6)中間層上の第２電極と、を含み、補助配線は、複数のサブ層を含み、第２電極は、絶縁層の第１開口を通じて複数のサブ層のうちのいずれか１層のサブ層の側面に接触する、表示装置を開示する。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板上の補助配線と、前記補助配線上に配置されるとともに前記補助配線に重畳しており、前記補助配線の幅よりも広い幅を有する第１開口を含む、絶縁層と、
前記絶縁層上の第１電極と、
前記第１電極に重畳する発光開口を含むバンク層と、
前記発光開口を通じて前記第１電極に重畳し、発光層を含む中間層と、
前記中間層上の第２電極と、を含み、
前記補助配線は複数のサブ層を含み、前記第２電極は、前記絶縁層の前記第１開口を通じて前記複数のサブ層のうちのいずれか１層のサブ層の側面に接触する、表示装置。
【請求項2】
前記補助配線の前記複数のサブ層は、メインサブ層と、
前記メインサブ層上に配置され、前記メインサブ層の側面と上面とが出合う地点から突出したチップを有する上部層と、
前記メインサブ層の下に配置された下部層と、を含み、
前記第２電極は、前記メインサブ層の前記側面に直接接触する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
前記メインサブ層の厚さは、前記上部層の厚さ及び前記下部層の厚さのうちの少なくともいずれか１つより厚い、請求項２に記載の表示装置。
【請求項4】
前記中間層は前記第１電極及び前記補助配線に重畳し、前記中間層の一部は、前記チップによって前記補助配線の周辺で前記中間層の他の部分と分離された状態で、前記補助配線上に位置する、請求項２に記載の表示装置。
【請求項5】
前記第２電極は前記第１電極及び前記補助配線に重畳し、前記第２電極の一部は、前記チップによって、前記補助配線の周辺にて前記第２電極の他の部分から分離された状態で、前記補助配線上に位置する、請求項２または４に記載の表示装置。
【請求項6】
前記メインサブ層は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、及びモリブデン（Ｍｏ）のうちから選択された少なくとも１つを含む、請求項２に記載の表示装置。
【請求項7】
前記上部層及び前記下部層のうちの少なくともいずれか１つは、酸化インジウムスズ(ITO, Indium tin oxide)、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、及びタングステン（Ｗ）のうちから選択された少なくとも１つを含む、請求項２に記載の表示装置。
【請求項8】
前記補助配線下に配置された下部絶縁層をさらに含み、前記中間層の一部は、前記絶縁層の前記第１開口を通じて前記下部絶縁層の上面の一部と直接に接触する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項9】
平面上で前記補助配線は、前記補助配線の延長方向に対して交差する方向に突出した複数の突出部を含む、請求項１に記載の表示装置。
【請求項10】
前記第２電極と前記補助配線の前記側面との接触領域は、前記補助配線の前記複数の突出部のうちの少なくともいずれか１つの突出部の側面に沿って連続する、請求項９に記載の表示装置。
【請求項11】
表示領域、及び前記表示領域の周辺の非表示領域に配置された基板と、前記非表示領域に配置された共通電圧供給線と、
前記共通電圧供給線と電気的に連結され、前記表示領域に配置された補助配線と、
前記補助配線上に配置されるとともに前記補助配線に重畳しており、前記補助配線の幅よりも広い幅を有する第１開口を含む、絶縁層と、
前記絶縁層上の第１電極と、
前記第１電極に重畳する発光開口を含むバンク層と、
前記発光開口を通じて前記第１電極に重畳し、発光層を含む中間層と、
前記中間層上の第２電極と、を含み、
前記補助配線は、複数のサブ層を含み、前記第２電極は、前記絶縁層の前記第１開口を通じて前記複数のサブ層のうちのいずれか１層のサブ層の側面に接触する、表示装置。
【請求項12】
前記補助配線の前記複数のサブ層は、メインサブ層と、
前記メインサブ層上に配置され、前記メインサブ層の側面から突出したチップを有する上部層と、
前記メインサブ層の下に配置された下部層と、を含み、
前記第２電極は、前記メインサブ層の前記側面に直接に接触する、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項13】
前記メインサブ層の厚さは、前記上部層の厚さ及び前記下部層の厚さのうちの少なくともいずれか１つより厚い、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項14】
前記中間層は前記第１電極及び前記補助配線に重畳し、前記中間層の一部は、前記チップによって、前記補助配線の周辺にて前記中間層の他の部分から分離された状態で、前記補助配線上に位置する、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項15】
前記第２電極は前記第１電極及び前記補助配線に重畳し、前記第２電極の一部は、前記チップによって、前記補助配線の周辺にて前記第２電極の他の部分から分離された状態で前記補助配線上に位置する、請求項１２または１４に記載の表示装置。
【請求項16】
前記メインサブ層は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、及びモリブデン（Ｍｏ）のうちから選択された少なくとも１つを含む、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項17】
前記上部層及び前記下部層のうちの少なくともいずれか１層は、酸化インジウムスズ(ITO, Indium tin oxide)、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、及びタングステン（Ｗ）のうちから選択された少なくとも１つを含む、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項18】
前記補助配線下に配置された下部絶縁層をさらに含み、前記中間層の一部は、前記絶縁層の前記第１開口を通じて前記下部絶縁層の上面の一部と直接に接触する、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項19】
平面上で前記補助配線は、前記補助配線の延長方向に対して交差する方向に突出した複数の突出部を含む、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項20】
前記第２電極と前記補助配線の前記側面との接触領域は、前記補助配線の前記複数の突出部のうちの少なくともいずれか１つの突出部の側面に沿って連続する、請求項１９に記載の表示装置。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
一般的に、有機発光表示装置のような表示装置は、発光ダイオードの輝度などを制御するために、トランジスタが表示領域に配置される。トランジスタは、伝達されたデータ信号、駆動電圧、及び共通電圧を用いて、対応する発光ダイオードから所定の色を有する光を放出するように制御する。
【0003】
発光ダイオードの電極のうちの１つは、トランジスタを介して所定の電圧を印加され、他の１つは、補助配線を介して電圧を印加されうる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
表示装置において、イメージを提供することができる表示領域が表示装置にて占める比率が増加することにより、発光ダイオードが配置されないデッドスペース(dead space)である非表示領域を減らす必要がある。一方、非表示領域に配置される構成要素が位置する空間が狭くなることにより、発光ダイオードから放出される光の品質が低下するという問題が発生しうる。
【0005】
本発明は、前記のような問題点を含めて様々な問題点を解決するためのものであって、デッドスペースの面積を減らしつつも、高品質のイメージをディスプレイする表示装置を提供することを目的にする。しかし、そのような課題は、例示的なものであって、それにより本発明の範囲が限定されるものではない。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一側面によれば、基板上の補助配線；前記補助配線上に配置されるとともに前記補助配線に重畳しており、前記補助配線の幅よりも広い幅を有する第１開口を含む、絶縁層；前記絶縁層上の第１電極；前記第１電極に重畳する発光開口を含むバンク層；前記発光開口を介して前記第１電極に重畳し、発光層を含む中間層；前記中間層上の第２電極；を含み、前記補助配線は、複数のサブ層を含み、前記第２電極は、前記絶縁層の前記第１開口を通じて前記複数のサブ層のうちのいずれか１層のサブ層の側面に接触する表示装置を開示する。
【0007】
前記補助配線の前記複数のサブ層は、メインサブ層；前記メインサブ層上に配置され、前記メインサブ層の側面と上面とが出合う地点から突出したチップを有する上部層；及び前記メインサブ層の下に配置された下部層；を含み、前記第２電極は、前記メインサブ層の前記側面に直接接触することができる。
【0008】
前記メインサブ層の厚さは、前記上部層の厚さ及び前記下部層の厚さのうちの少なくともいずれか１層より厚くなりうる。
【0009】
前記中間層は前記第１電極及び前記補助配線に重畳し、前記中間層の一部は、前記チップによって前記補助配線の周辺にて前記中間層の他の部分から分離された状態で前記補助配線上に位置しうる。
【0010】
前記第２電極は前記第１電極及び前記補助配線に重畳し、前記第２電極の一部は、前記チップによって、前記補助配線の周辺にて前記中間層の他の部分から分離された状態で前記補助配線上に位置しうる。
【0011】
前記メインサブ層は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、及びモリブデン（Ｍｏ）のうちから選択された少なくとも１つを含みうる。
【0012】
前記上部層及び前記下部層のうちの少なくともいずれか１層は、酸化インジウムスズ(ITO, Indium tin oxide)、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、及びタングステン（Ｗ）のうちから選択された少なくとも１つを含みうる。
【0013】
前記補助配線の下に配置された下部絶縁層をさらに含み、前記中間層の一部は、前記絶縁層の前記第１開口を通じて前記下部絶縁層の上面の一部と直接に接触しうる。
【0014】
平面上で前記補助配線は、前記補助配線の延長方向に対して交差する方向に突出した複数の突出部を含みうる。
【0015】
前記第２電極と前記補助配線の前記側面との接触領域は、前記補助配線の前記複数の突出部のうちの少なくともいずれか１つの突出部の側面に沿って連続している。
【0016】
本発明の他の実施形態は、表示領域、及び前記表示領域の周辺の非表示領域に配置された基板；前記非表示領域に配置された共通電圧供給線；前記共通電圧供給線と電気的に連結され、前記表示領域に配置された補助配線；前記補助配線上に配置されるとともに前記補助配線に重畳しており、前記補助配線の幅よりも広い幅を有する第１開口を含む絶縁層；前記絶縁層上の第１電極；前記第１電極に重畳する発光開口を含むバンク層；前記発光開口を通じて前記第１電極に重畳し、発光層を含む中間層；前記中間層上の第２電極；を含み、前記補助配線は、複数のサブ層を含み、前記第２電極は、前記絶縁層の前記第１開口を介して前記複数のサブ層のうちのいずれか１層のサブ層の側面に接触する表示装置を開示する。
【0017】
前記補助配線の前記複数のサブ層は、メインサブ層；前記メインサブ層上に配置され、前記メインサブ層の側面から突出したチップを有する上部層；及び前記メインサブ層下に配置された下部層；を含み、前記第２電極は、前記メインサブ層の前記側面に直接に接触するのでありうる。
【0018】
前記メインサブ層の厚さは、前記上部層の厚さ及び前記下部層の厚さのうちの少なくともいずれか１つより厚いのでありうる。
【0019】
前記中間層は前記第１電極及び前記補助配線に重畳し、前記中間層の一部は、前記チップによって、前記補助配線の周辺にて前記中間層の他の部分から分離された状態で、前記補助配線上に位置しうる。
【0020】
前記第２電極は前記第１電極及び前記補助配線に重畳し、前記第２電極の一部は、前記チップによって、前記補助配線の周辺にて前記中間層の他の部分から分離された状態で前記補助配線上に位置しうる。
【0021】
前記メインサブ層は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、及びモリブデン（Ｍｏ）のうちから選択された少なくとも１つを含みうる。
【0022】
前記上部層及び前記下部層のうちの少なくともいずれか１層は、酸化インジウムスズ(ITO, Indium tin oxide)、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、及びタングステン（Ｗ）のうちから選択された少なくとも１つを含みうる。
【0023】
前記補助配線下に配置された下部絶縁層をさらに含み、前記中間層の一部は、前記絶縁層の前記第１開口を通じて前記下部絶縁層の上面の一部と直接に接触しうる。
【0024】
平面上にて前記補助配線は、前記補助配線の延長方向に対して交差する方向に突出した複数の突出部を含みうる。
【0025】
前記第２電極と前記補助配線の前記側面との接触領域は、前記補助配線の前記複数の突出部のうちの少なくともいずれか１つの突出部の側面に沿って連続している。
【発明の効果】
【0026】
前述したようになされた本発明の一実施形態によれば、表示品質を向上させ、表示領域の周辺に位置するデッドスペースの面積を減らしうる表示装置を提供することができる。もちろん、そのような効果によって本発明の範囲が限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【0027】
【図1】本発明の一実施形態による表示装置を概略的に示す斜視図である。
【図2】本発明の一実施形態による表示装置の各画素を概略的に示す断面図である。
【図4】本発明の一実施形態による表示装置に含まれた発光ダイオード及び発光ダイオードに電気的に連結された画素回路を示す等価回路図である。
【図5A】本発明の一実施形態による表示装置の共通電圧供給線及び駆動電圧供給線を示す平面図である。
【図5B】本発明の他の実施形態による表示装置の共通電圧供給線を示す平面図である。
【図5C】本発明の他の実施形態による表示装置の共通電圧供給線を示す平面図である。
【図6】本発明の一実施形態による表示装置の一部を示す断面図である。
【図8A】本発明の他の実施形態による補助配線を示す断面図である。
【図8B】本発明の他の実施形態による補助配線を示す断面図である。
【図9A】本発明の一実施形態による補助配線と、補助配線上の平坦化絶縁層の第１開口を概略的に示す斜視図である。
【図10A】本発明の他の実施形態による補助配線と、補助配線上の平坦化絶縁層の第１開口を概略的に示す斜視図である。
【図10C】本発明のさらに他の実施形態による補助配線と、平坦化絶縁層の第１開口を示す平面図である。
【図11A】本発明の他の実施形態による補助配線と、補助配線上の平坦化絶縁層の第１開口を概略的に示す斜視図である。
【図11B】本発明の他の実施形態による補助配線と、平坦化絶縁層の第１開口を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0028】
本発明は、多様な変換を加えることができ、様々な実施形態を有することができるところ、特定の実施形態を図面に例示し、詳細な説明によって詳細に説明する。本発明の効果及び特徴、そして、それらを達成する方法は、図面と共に詳細に後述されている実施形態を参照すれば、明確になるであろう。しかし、本発明は、後述する実施形態に限定されるものではなく、多様な形態によって具現されうる。
【0029】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明し、図面を参照して説明するとき、同一であるか、対応する構成要素には、同じ図面符号を付し、それに係わる重複説明は省略する。
【0030】
以下の実施形態において、層、膜、領域、板などの各種構成要素が他の構成要素「上に」あるというとき、これは、他の構成要素「直上に」（すぐ上に）ある場合のみならず、それらの間に他の構成要素が介在された場合も含む。また説明の便宜上、図面では、構成要素についてその大きさが誇張または縮小されうる。例えば、図面で示された各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜上、任意に示したので、本発明が、必ずしも図示されたところに限定されない。
【0031】
以下の実施形態において、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は、直交座標系上の３軸に限定されず、それを含む広い意味として解釈されうる。例えば、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は、互いに直交しうるが、互いに直交しない互いに異なる方向を指称することもありうる。
【0032】
図１は、本発明の一実施形態による表示装置を概略的に示す斜視図である。
【0033】
図１を参照すれば、表示装置ＤＶは、表示領域ＤＡ、及び表示領域ＤＡに外側の非表示領域ＮＤＡを含みうる。表示装置ＤＶは、表示領域ＤＡにｘ－ｙ平面上から２次元的に配列された複数の画素のアレイを通じてイメージを提供しうる。複数の画素は、第１画素、第２画素、及び第３画素を含み、以下では、説明の便宜上、第１画素が赤色画素Ｐｒであり、第２画素が緑色画素Ｐｇであり、及び第３画素が青色画素Ｐｂである場合を例として説明する。
【0034】
赤色画素Ｐｒ、緑色画素Ｐｇ、及び青色画素Ｐｂは、それぞれ赤色、緑色、及び青色の光を放出することができる領域であり、表示装置ＤＶは、画素から放出される光を用いてイメージを提供しうる。
【0035】
非表示領域ＮＤＡは、イメージを提供しない領域であって、表示領域ＤＡを全体として取り囲むことができる。非表示領域ＮＤＡには、画素回路に電気的信号や電源を提供するためのドライバまたは、メイン電圧ラインが配置されうる。非表示領域ＮＤＡには、電子素子や印刷回路基板が電気的に連結される領域であるパッドが含まれうる。
【0036】
表示領域ＤＡは、図１に図示されたように方形を含む多角形の形状を有する。例えば、表示領域ＤＡは、横の長さが縦の長さより長い長方形を有するか、横の長さが縦の長さより短い長方形を有するか、正方形を有することができる。または、表示領域ＤＡは、楕円または円形といった多様な形状を有することができる。
【0037】
図２は、本発明の一実施形態による表示装置の各画素を概略的に示す断面図である。
【0038】
図２を参照すれば、表示装置ＤＶは、基板１００上の回路層２００を含みうる。回路層２００は、第１ないし第３画素回路ＰＣ１、ＰＣ２、ＰＣ３を含み、第１ないし第３画素回路ＰＣ１、ＰＣ２、ＰＣ３のそれぞれは、発光ダイオード層３００の第１ないし第３発光ダイオードＬＥＤ１、ＬＥＤ２、ＬＥＤ３に電気的に連結されうる。
【0039】
第１ないし第３発光ダイオードＬＥＤ１、ＬＥＤ２、ＬＥＤ３は、有機物を含む有機発光ダイオードを含みうる。他の実施形態において、第１ないし第３発光ダイオードＬＥＤ１、ＬＥＤ２、ＬＥＤ３は、無機物を含む無機発光ダイオードでありうる。無機発光ダイオードは、無機物半導体基盤の材料を含むＰＮ接合ダイオードを含みうる。ＰＮ接合ダイオードに順方向に電圧を印加すれば、正孔と電子が注入され、その正孔と電子の再結合によって生じるエネルギーを光エネルギーに変換させて所定色相の光を放出することができる。前述した無機発光ダイオードは、数～数百μｍまたは数～数百nｍの幅を有しうる。一部実施形態において、発光ダイオードＬＥＤは、量子点を含む発光ダイオードでありうる。前述したように、発光ダイオードＬＥＤの発光層は、有機物を含むか、無機物を含むか、量子点を含むか、有機物と量子点とを含むか、無機物と量子点とを含みうる。
【0040】
第１ないし第３発光ダイオードＬＥＤ１、ＬＥＤ２、ＬＥＤ３は、同色の光を放出することができる。例えば、第１ないし第３発光ダイオードＬＥＤ１、ＬＥＤ２、ＬＥＤ３から放出された光（例えば、青色光Ｌｂ）は、発光ダイオード層３００上の封止層４００を経て色変換透過層５００を通過することができる。
【0041】
色変換透過層５００は、発光ダイオード層３００から放出された光（例えば、青色光Ｌｂ）の色を変換するか、変換せず、透過させる光学部を含みうる。例えば、色変換透過層５００は、発光ダイオード層３００から放出された光（例えば、青色光Ｌｂ）を、他の色の光に変換する色変換部、及び、発光ダイオード層３００から放出された光（例えば、青色光Ｌｂ）を色変換せずに透過させる透過部を含みうる。色変換透過層５００は、赤色の画素Ｐｒと対応する第１色変換部５１０、緑色画素Ｐｇに対応する第２色変換部５２０、及び、青色画素Ｐｂに対応する透過部５３０を含みうる。第１色変換部５１０は、青色光Ｌｂを赤色光Ｌｒに変換し、第２色変換部５２０は、青色光Ｌｂを緑色光Ｌｇに変換することができる。透過部５３０は、青色光Ｌｂを変換せずに通過させうる。
【0042】
カラー層６００は、色変換透過層５００上に配置されうる。カラー層６００は、互いに異なる色の第１ないし第３カラーフィルタ６１０、６２０、６３０を含みうる。例えば、第１カラーフィルタ６１０は、赤色のカラーフィルタであり、第２カラーフィルタ６２０は、緑色のカラーフィルタであり、かつ第３カラーフィルタ６３０は、青色のカラーフィルタでありうる。
【0043】
色変換透過層５００で色変換された光及び透過された光は、それぞれ第１ないし第３カラーフィルタ６１０、６２０、６３０を通過するに伴い、色純度が向上しうる。また、カラー層６００は、外光（例えば、表示装置ＤＶの外部から表示装置ＤＶに向かって入射する光）が反射されてユーザに視認されることを、防止するか、最小化しうる。
【0044】
カラー層６００上には、透光性基材層７００を含みうる。透光性基材層７００は、ガラスまたは透光性有機物を含みうる。例えば、透光性基材層７００は、アクリル系の樹脂といった透光性有機物を含みうる。
【0045】
一実施形態として、透光性基材層７００は、一種の基板であって、透光性基材層７００上にカラー層６００及び色変換透過層５００が形成された後、色変換透過層５００が封止層４００と対向するようにして一体化されうる。
【0046】
他の実施形態として、封止層４００上に色変換透過層５００及びカラー層６００が順次に形成された後、透光性基材層７００がカラー層６００上に直接に塗布され硬化されて形成されうる。一部実施形態として、透光性基材層７００上には、他の光学的フィルム、例えば、AR(anti-reflection)フィルムなどが配置されうる。
【0047】
前述した構造を有する表示装置ＤＶは、テレビ、広告板、映画館用スクリーン、モニター、タブレットＰＣ、ノート型パソコンといった動画または静止映像を表示することができる電子機器を含みうる。
【0048】
【0049】
図３を参照すれば、第１色変換部５１０は、入射される青色光Ｌｂを赤色光Ｌｒに変換しうる。第１色変換部５１０は、図３に図示されたように、第１感光性ポリマー１１５１と、第１感光性ポリマー１１５１に分散された第１量子点１１５２及び第１散乱粒子１１５３とを含みうる。
【0050】
第１量子点１１５２は、青色光Ｌｂによって励起されて青色光の波長より長い波長を有する赤色光Ｌｒを等方性放出することができる。第１感光性ポリマー１１５１は、光透過性を有する有機物質でもある。第１散乱粒子１１５３は、第１量子点１１５２に吸収されていない青色光Ｌｂを散乱させ、さらに多くの第１量子点１１５２を励起させることにより、色変換効率を増加させうる。第１散乱粒子１１５３は、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ２）や金属粒子などでありうる。第１量子点１１５２は、ＩＩ－ＶＩ族化合物、ＩＩＩ－Ｖ族化合物、ＩＶ－ＶＩ族化合物、ＩＶ族元素、ＩＶ族化合物、及びそれらの組合わせから選択されうる。
【0051】
第２色変換部５２０は、入射される青色光Ｌｂを緑色光Ｌｇに変換することができる。第２色変換部５２０は、図３に図示されたように、第２感光性ポリマー１１６１、第２感光性ポリマー１１６１において分散された第２量子点１１６２と第２散乱粒子１１６３を含みうる。
【0052】
第２量子点１１６２は、青色光Ｌｂによって励起されて青色光の波長より長い波長を有する緑色光Ｌｇを等方性で放出することができる。第２感光性ポリマー１１６１は、光透過性を有する有機物質でありうる。
【0053】
第２散乱粒子１１６３は、第２量子点１１６２に吸収されていない青色光Ｌｂを散乱させて、より多くの第２量子点１１６２を励起させることにより、色変換の効率を増加させうる。第２散乱粒子１１６３は、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ２）や金属粒子などでありうる。第２量子点１１６２は、ＩＩ－ＶＩ族化合物、ＩＩＩ－Ｖ族化合物、ＩＶ－ＶＩ族化合物、ＩＶ族元素、ＩＶ族化合物、及びそれらの組合わせから選択されうる。
【0054】
一部の実施形態において、第１量子点１１５２及び第２量子点１１６２は同一の物質でありうる。その場合、第１量子点１１５２の大きさは、第２量子点１１６２の大きさよりも大きいのでありうる。
【0055】
透過部５３０は、透過部５３０に入射する青色光Ｌｂを変換せず、青色光Ｌｂを透過することができる。透過部５３０は、図３に図示されたように、第３散乱粒子１１７３が分散された第３感光性ポリマー１１７１を含みうる。第３感光性ポリマー１１７１は、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの光透過性を有する有機物質でありうるのであり、第１及び第２感光性ポリマー１１５１、１１６１と同一の物質でありうる。第３散乱粒子１１７３は、青色光Ｌｂを散乱させて放出し、第１及び第２散乱粒子１１５３、１１６３と同一物質でありうる。
【0056】
図４は、本発明の一実施形態による表示装置に含まれた、発光ダイオード、及び発光ダイオードに電気的に連結された画素回路について示す等価回路図である。図４に図示された画素回路ＰＣは、前述した図２を参照して説明した第１ないし第３画素回路ＰＣ１、ＰＣ２、ＰＣ３のそれぞれに該当するのであって、図４の発光ダイオードＬＥＤ（ＯＬＥＤ）は、前述した図２を参照して説明した第１ないし第３発光ダイオードＬＥＤ１、ＬＥＤ２、ＬＥＤ３に該当しうる。
【0057】
図４を参照すれば、発光ダイオード、例えば、発光ダイオードＬＥＤの第１電極（例えば、アノード）は、画素回路ＰＣに連結され、発光ダイオードＬＥＤの第２電極（例えば、カソード）は、共通電圧ＥＬＶＳＳを提供する補助配線２４０に連結されうる。発光ダイオードＬＥＤは、画素回路ＰＣから供給される電流量に相応する輝度で発光しうる。
【0058】
図４の発光ダイオードＬＥＤは、前述した図２に図示された第１ないし第３発光ダイオードＬＥＤ１、ＬＥＤ２、ＬＥＤ３のそれぞれに該当し、図４の画素回路ＰＣは、前述した図２に図示された第１ないし第３画素回路ＰＣ１、ＰＣ２、ＰＣ３のそれぞれに該当する。
【0059】
画素回路ＰＣは、データ信号に対応して、駆動電圧ＥＬＶＤＤから発光ダイオードＬＥＤを経て共通電圧ＥＬＶＳＳに流れる電流量を制御しうる。画素回路ＰＣは、第１トランジスタＭ１、第２トランジスタＭ２、第３トランジスタＭ３、及びストレージキャパシタＣｓｔを含みうる。
【0060】
第１トランジスタＭ１、第２トランジスタＭ２、第３トランジスタＭ３のそれぞれは、酸化物半導体で構成された半導体層を含む酸化物半導体トランジスタであるか、ポリシリコンで構成された半導体層を含むシリコン半導体トランジスタでありうる。トランジスタのタイプによって第１電極は、ソース電極及びドレイン電極のうち１つでありうるのであって、第２電極は、ソース電極及びドレイン電極のうち他の１つでありうる。
【0061】
第１トランジスタＭ１は、駆動トランジスタでありうる。第１トランジスタＭ１の第１電極は、駆動電圧ＥＬＶＤＤを供給する駆動電圧線２５０に連結され、第２電極は、発光ダイオードＬＥＤの第１電極に連結されうる。第１トランジスタＭ１のゲート電極は、第１ノードＮ１に連結されうる。第１トランジスタＭ１は、第１ノードＮ１の電圧に対応して駆動電圧ＥＬＶＤＤから発光ダイオードＬＥＤを流れる電流量を制御することができる。
【0062】
第２トランジスタＭ２は、スイッチングトランジスタでもありうる。第２トランジスタＭ２の第１電極は、データラインＤＬに連結され、第２電極は、第１ノードＮ１に連結されうる。第２トランジスタＭ２のゲート電極は、スキャンラインＳＬに連結されうる。第２トランジスタＭ２は、スキャンラインＳＬに走査信号が供給されるとき、ターンオンされてデータラインＤＬと第１ノードＮ１とを電気的に連結しうる。
【0063】
第３トランジスタＭ３は、初期化トランジスタ及び／またはセンシングトランジスタでもある。第３トランジスタＭ３の第１電極は、第２ノードＮ２に連結され、第２電極は、センシングラインＳＥＬに連結されうる。第３トランジスタＭ３のゲート電極は、制御ラインＣＬに連結されうる。
【0064】
ストレージキャパシタＣｓｔは、第１ノードＮ１と第２ノードＮ２との間に連結されうる。例えば、ストレージキャパシタＣｓｔの第１キャパシタ電極は、第１トランジスタＭ１のゲート電極に連結され、ストレージキャパシタＣｓｔの第２キャパシタ電極は、発光ダイオードＬＥＤの第１電極に連結されうる。
【0065】
図４では、第１トランジスタＭ１、第２トランジスタＭ２、及び第３トランジスタＭ３をＮ型ＭＯＳＦＥＴと図示したが、本発明がそれに限定されない。例えば、第１トランジスタＭ１、第２トランジスタＭ２、及び第３トランジスタＭ３のうちの少なくとも１つは、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴからなりうる。一部実施形態において、第２トランジスタＭ２及び／または第３トランジスタＭ３は、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴでありうる。
【0066】
図４には、３個のトランジスタが図示されているが、本発明はそれに限定されない。画素回路ＰＣは、４個またはそれ以上のトランジスタを含みうる。
【0067】
図５Ａは、本発明の一実施形態による表示装置の共通電圧供給線及び駆動電圧供給線を示す平面図である。
【0068】
図５Ａを参照すれば、表示装置ＤＶは、前述した図４を参照して説明した発光ダイオードの第２電極に、共通電圧ＥＬＶＳＳを供給するための共通電圧供給線１０、及び、画素回路に駆動電圧ＥＬＶＤＤを供給するための駆動電圧供給線２０を含みうる。共通電圧供給線１０及び駆動電圧供給線２０は、非表示領域ＮＤＡに配置されうる。
【0069】
表示装置ＤＶの形状は、基板１００の形状と実質的に同一でありうる。例えば、基板１００が、表示領域ＤＡ、及び、表示領域ＤＡの周辺（例えば、外郭）の非表示領域ＮＤＡを含むと言えるのであり、以下では、説明の便宜上、基板１００が表示領域ＤＡ、及び表示領域ＤＡの周辺（例えば、外郭）の非表示領域ＮＤＡを含むものとして説明する。
【0070】
共通電圧供給線１０は、表示領域ＤＡの第１エッジＥ１に隣接して配置された第１共通電圧供給部１１及び第２共通電圧供給部１２を含みうる。第１共通電圧供給部１１及び第２共通電圧供給部１２は、ｘ方向に沿って互いに離隔されるが、表示領域ＤＡの第２ないし第４エッジＥ２、Ｅ３、Ｅ４に隣接して配置された第１及び第３延長部１３、１４、１５を通じて一体に連結されうる。
【0071】
第１共通電圧供給部１１と第２共通電圧供給部１２との間には、少なくとも１つの第３共通電圧供給部１６が配置され、一実施形態として、図５Ａは、４個の第３共通電圧供給部１６を図示する。
【0072】
共通電圧供給線１０は、表示領域ＤＡを通る補助配線２４０と電気的に連結されうる。補助配線２４０は、それぞれ、例えば、図５Ａに図示されたようにｙ方向に沿って延びうる。少なくともいずれか１本の補助配線２４０は、ｙ方向に沿って表示領域ＤＡを横切るように延びて第１共通電圧供給部１１、及び、第１共通電圧供給部１１と対向する第２延長部１４の一部に電気的に連結されうる。他の少なくともいずれか１本の補助配線２４０は、ｙ方向に沿って表示領域ＤＡを横切るように延びて、第２共通電圧供給部１２、及び第２共通電圧供給部１２と対向する第２延長部１４の一部に電気的に連結されうる。同様に、さらに他の少なくとも１本の補助配線２４０は、ｙ方向に沿って表示領域ＤＡを横切るように延びて第３共通電圧供給部１６、及び第３共通電圧供給部１６と対向する第２延長部１４の一部に電気的に連結されうる。
【0073】
共通電圧供給線１０が、第１共通電圧供給部１１と第２共通電圧供給部１２との間に配置された第３共通電圧供給部１６を含む場合、第１共通電圧供給部１１及び第２共通電圧供給部１２のみを備える場合に比べて、共通電圧供給線１０を介して供給される電流の印加時に電流密度を低め、発熱を抑制することができる。
【0074】
駆動電圧供給線２０は、非表示領域ＮＤＡに位置するが、表示領域ＤＡの第１エッジＥ１に隣接した駆動電圧供給部２１、及び、表示領域ＤＡの第３エッジＥ３に沿って延びた相手部(counterpart)２２を含みうる。駆動電圧供給部２１及び相手部(counterpart)２２は、表示領域ＤＡを挟んで表示領域ＤＡの両側に配置されうる。
【0075】
駆動電圧供給線２０は、表示領域ＤＡを横切る駆動電圧線２５０に電気的に連結されうる。駆動電圧線２５０は、それぞれ駆動電圧供給部２１と電気的に連結された状態でｙ方向に沿って延びうる。一部の実施形態において、駆動電圧線２５０は、駆動電圧線２５０と交差するようにｘ方向に沿って延びた水平駆動電圧線２７０と電気的に連結されうる。駆動電圧線２５０及び水平駆動電圧線２７０は、互いに異なる層上に配置され、それらの間に介在された少なくとも１層の絶縁層を貫通するコンタクトホールを通じて、電気的に連結されうる。
【0076】
図５Ｂ及び図５Ｃは、それぞれ本発明の他の実施形態による表示装置の共通電圧供給線を示す平面図である。図５Ｂ及び図５Ｃに図示された表示装置ＤＶは、前述した図５Ａを参照して説明したように駆動電圧供給線２０に電気的に連結された駆動電圧線２５０（図５Ａ）及び水平駆動電圧線２７０（図５Ａ）を含むが、説明の便宜上、図５Ｂ及び図５Ｃでは、駆動電圧線２５０（図５Ａ）及び水平駆動電圧線２７０（図５Ａ）を省略する。
【0077】
図５Ｂを参照すれば、表示装置ＤＶは、ｙ方向に沿って表示領域ＤＡを横切る補助配線２４０′（以下、第１補助配線と称する）、及びｘ方向に沿って表示領域ＤＡを横切る補助配線２４０″（以下、第２補助配線と称する）を含みうる。互いに交差する第１補助配線２４０′及び第２補助配線２４０″は、異なる層上に配置され、それらの間に介在される少なくともいずれか１層の絶縁層に形成された貫通ホールを通じて電気的に連結されうる。
【0078】
図５Ａ及び図５Ｂでは、共通電圧供給線１０の第１共通電圧供給部１１及び第２共通電圧供給部１２が、第１及び第３延長部１３、１４、１５を通じて一体に連結されたことを図示するが、本発明は、それに限定されない。
【0079】
他の実施形態として、図５Ｃに図示されたように共通電圧供給線１０は、表示領域ＤＡの第１エッジＥ１に隣接して配置された第１共通電圧供給部１１、及び第２共通電圧供給部１２、及び表示領域ＤＡの第３エッジＥ３に隣接して配置された延長部１４′を含みうる。延長部１４′は、第１共通電圧供給部１１及び第２共通電圧供給部１２から物理的に分離されうる。
【0080】
補助配線２４０のそれぞれの一端部は、第１ないし第３共通電圧供給部１１、１２、１６に電気的に連結され、他の端部は、延長部１４′に連結されうる。言い換えれば、第１ないし第３共通電圧供給部１１、１２、１６、及び延長部１４′は、表示領域ＤＡを横切る補助配線２４０によって電気的に連結されるので、一部実施形態によれば、前述した図５Ａ及び図５Ｂに図示されたように第１延長部１３及び第３延長部１５が省略されうる。第１延長部１３及び第３延長部１５を省略することにより、非表示領域ＮＤＡの一部（例えば、表示領域ＤＡの第２エッジＥ２及び第４エッジＥ４に隣接した、非表示領域ＮＤＡの一部）を減らしうる。
【0081】
【0082】
図６を参照すれば、前述した図５Ａないし図５Ｃを参照して説明した補助配線２４０、２４０′、２４０″のうちの少なくともいずれか１本は、表示領域ＤＡで発光ダイオードの第２電極に電気的に連結されうる。以下、説明の便宜上、図５Ａまたは図５Ｃに図示された補助配線２４０が発光ダイオードＬＥＤの第２電極と電気的に連結されたことを図示するが、図５Ｂを参照して説明した第１補助配線２４０′及び／または第２補助配線２４０″も発光ダイオードＬＥＤの第２電極と電気的に連結されうる。言い換えれば、図６に図示された補助配線２４０は、図５Ｂを参照して説明した第１補助配線２４０′及び／または第２補助配線２４０″でありうる。
【0083】
図６は、表示装置に配置された複数の発光ダイオードのうちの第１発光ダイオードＬＥＤ１を図示しているが、前述した図２を参照して説明した第２及び第３発光ダイオードＬＥＤ２、ＬＥＤ３（図２）も図６の第１発光ダイオードと同じ構造を有する。
【0084】
図６を参照すれば、基板１００上に第１発光ダイオードＬＥＤ１が配置される。基板１００と第１発光ダイオードＬＥＤ１との間には、第１発光ダイオードＬＥＤ１と電気的に連結された第１画素回路ＰＣ１が配置される。第１画素回路ＰＣ１は、前述した図４を参照して説明したように複数のトランジスタ及びストレージキャパシタを含みうる。これと関連して、図６は、第１トランジスタＭ１を図示する。
【0085】
基板１００は、ガラス材または高分子樹脂を含み、高分子樹脂を含む基板１００は、可撓性を有する。例えば、可撓性を有する基板１００を備えた表示装置は、湾曲(curved)、折り曲げ(bendable)、巻き取り(rollable)、または折り畳み(foldable)といったようにその形状が変更されうる。
【0086】
バッファ層１０１は、基板１００上に配置され、基板１００からトランジスタ、例えば、第１トランジスタＭ１に向かう不純物の侵入を防止しうる。バッファ層１０１は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、及び／またはシリコン酸窒化物といった無機絶縁物を含みうる。
【0087】
第１トランジスタＭ１の駆動半導体層２１０は、バッファ層１０１上に配置される。駆動半導体層２１０は、酸化物半導体を含みうる。酸化物半導体は、IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)、ZTO(Zinc Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)などを含みうる。他の実施形態において、駆動半導体層２１０は、ポリシリコンを含むか、非晶質(amorphous)シリコンを含むか、有機半導体などを含みうる。駆動半導体層２１０は、駆動ゲート電極２２０に重畳するチャネル領域２１１、チャネル領域２１１の両側に配置されて不純物にドーピングされるか、導電化された第１領域２１２及び第２領域２１３を含みうる。第１領域２１２及び第２領域２１３のうちのいずれか１つは、ソース領域であり、残りの１つは、ドレイン領域に該当する。
【0088】
駆動ゲート電極２２０は、ゲート絶縁層１０３を挟んで半導体層２１０のチャネル領域２１１と重畳しうる。駆動ゲート電極２２０は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含む導電物質を含み、前記の材料を含む多層または単層に形成されうる。ゲート絶縁層１０３は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、及び／またはシリコン酸窒化物のような無機絶縁物を含みうる。
【0089】
電極２３０は、層間絶縁層１０５上に配置され、半導体層２１０の第１領域２１２及び第２領域２１３のうちいずれか１つに接続されうる。これと関連して、図６は、電極２３０が第２領域２１３に接続されていると図示する。第２領域２１３がソース（またはドレイン）領域である場合、電極２３０は、ソース（またはドレイン）電極に該当する。層間絶縁層１０５は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、及び／またはシリコン酸窒化物といった無機絶縁物を含みうる。
【0090】
駆動電圧線２５０は、層間絶縁層１０５上に配置されうるのであり、同じ工程で共に形成されうる。電極２３０及び駆動電圧線２５０は、複数のサブ層で形成されうる。例えば、電極２３０は、第１層２３１、第１層２３１下の第２層２３２、及び第２層２３２下の第３層２３３を含みうる。同様に、駆動電圧線２５０は、第１層２５１、第１層２５１下の第２層２５２、及び第２層２５２下の第３層２５３を含みうる。
【0091】
表示領域ＤＡに配置された補助配線２４０は、第１画素回路ＰＣ１と隣接して配置されうる。補助配線２４０は、電極２３０及び／または駆動電圧線２５０と同一層上に配置されうる。これと関連して、図６は、補助配線２４０が層間絶縁層１０５上に配置されているものとして図示する。
【0092】
補助配線２４０は、複数の導電層の積層構造を有する。補助配線２４０は、メインサブ層２４２、メインサブ層２４２上の上部層２４１、及びメインサブ層２４２下の下部層２４３を含みうる。
【0093】
図６及び図７を参照すれば、メインサブ層２４２は、補助配線２４０のほとんどを占めるサブ層でありうる。メインサブ層２４２が補助配線２４０のほとんどを占めるということは、メインサブ層２４２の厚さｔ２が、補助配線２４０の全体の厚さＴｐの約５０％以上であることを示す。一部実施形態において、メインサブ層２４２の厚さｔ２は、補助配線２４０の全体の厚さＴｐの約６０％以上であるか、約７０％以上でありうる。メインサブ層２４２の厚さｔ２は、上部層２４１及び下部層２４３のそれぞれの厚さよりも厚くなりうる。一実施形態において、メインサブ層２４２の厚さは、約１０００Å～約１５０００Åの厚さを有しうる。
【0094】
メインサブ層２４２は、導電性などを考慮し、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、及び／またはモリブデン（Ｍｏ）を含みうる。メインサブ層２４２は、前述した物質を含む単層または多層の構造でありうる。一部実施形態において、メインサブ層２４２は、銅（Ｃｕ）を含む単一層であるか、アルミニウム（Ａｌ）を含む単一層でありうる。
【0095】
下部層２４３は、メインサブ層２４２と異なる物質を含みうる。下部層２４３は、導電性及び粘着性などを考慮して選択されうる。例えば、下部層２４３は、チタン（Ｔｉ）のような金属を含む金属層や、ガリウム亜鉛酸化物(GZO, Gallium zinc oxide)、及び／またはインジウム亜鉛酸化物(IZO, Indium zinc oxide)といった透明導電性酸化物(TCO, Transparent Conductive Oxide)を含み、前述した透明導電性酸化物は、非晶質であるか、結晶質でありうる。
【0096】
上部層２４１は、メインサブ層２４２上に配置され、メインサブ層２４２と異なる物質を含みうる。上部層２４１は、表示装置の製造工程中、メインサブ層２４２の損傷を防止しうる。上部層２４１は、酸化インジウムスズ(ITO, Indium tin oxide)といった透明導電性酸化物(TCO, Transparent Conductive Oxide)を含みうる。上部層２４１は、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、及び／またはタングステン（Ｗ）といった金属を含みうる。または、上部層２４１は、前述した金属層と透明導電性酸化物層との多層(積層)構造でありうる。
【0097】
補助配線２４０と同一層上に配置された電極２３０及び駆動電圧線２５０も、補助配線２４０と同一の物質を含みうる。例えば、電極２３０の第１層２３１、第２層２３２、及び第３層２３３は、それぞれ、補助配線２４０の上部層２４１、メインサブ層２４２、及び下部層２４３と同一の物質を含みうる。同様に、駆動電圧線２５０の第１層２５１、第２層２５２、及び第３層２５３は、それぞれ、補助配線２４０の上部層２４１、メインサブ層２４２、及び下部層２４３と同一の物質を含みうる。
【0098】
平坦化絶縁層１０７は、電極２３０、補助配線２４０、及び駆動電圧線２５０の上に配置されうる。平坦化絶縁層１０７は、アクリル、BCB(ベンゾシクロブテン；Benzocyclobutene)、ポリイミド(polyimide)及び／またはHMDSO(ヘキサメチルジシロキサン；Hexamethyldisiloxane)などの有機絶縁物を含みうる。
【0099】
平坦化絶縁層１０７は、補助配線２４０に重畳する第１開口１０７ＯＰを含む。第１開口１０７ＯＰの第１幅Ｗ１は、補助配線２４０の第２幅Ｗ２より大きく、よって、第１開口１０７ＯＰを介してその下の絶縁層、例えば、層間絶縁層１０５の上面の一部が露出されうる。
【0100】
平坦化絶縁層１０７上の第１電極３１０は、コンタクトホール１０７ＣＮＴを介して第１画素回路ＰＣ１に電気的に連結されうる。例えば、図６に図示されたように第１電極３１０は、コンタクトホール１０７ＣＮＴを通じて電極２３０に接続されうる。
【0101】
第１電極３１０は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、インジウム酸化物（Ｉｎ２Ｏ３）、インジウムガリウム酸化物（ＩＧＯ）または、アルミニウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）といった透明導電性酸化物を含みうる。他の実施形態において、第１電極３１０は、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）または、それらの化合物を含む反射膜を含みうる。他の実施形態において、第１電極３１０は、前述した反射膜の上／下にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３によって形成された膜をさらに含みうる。例えば、第１電極３１０は、ＩＴＯ層、銀（Ａｇ）層、及びＩＴＯ層が積層された３層構造でありうる。
【0102】
バンク層１１１は、第１電極３１０上に配置され、第１電極３１０のエッジをカバーしうる。バンク層１１１は、第１電極３１０の一部に重畳する開口（以下、発光開口と称する）１１１ＥＯＰを含む。発光開口１１１ＥＯＰは、第１電極３１０の中心部は露出されうる。バンク層１１１は、有機物を含みうる。バンク層１１１は、平坦化絶縁層１０７の第１開口１０７ＯＰと重畳する第２開口１１１ＯＰを含みうる。第２開口１１１ＯＰの第３幅Ｗ３は、第１開口１０７ＯＰの第１幅Ｗ１より広幅でありうる。
【0103】
中間層３２０は、発光開口１１１ＥＯＰを通じて第１電極３１０に接触しうる。中間層３２０は、図７に図示されたように発光層３２２を含み、発光層３２２の下及び／または上に位置する機能層を含みうる。これと関連して、図７は、中間層３２０が発光層３２２の下に配置された第１機能層３２１、及び発光層３２２の上に配置された第２機能層３２３を含むことを図示する。
【0104】
第１機能層３２１は、単層または多層でありうる。第１機能層３２１は、ホール注入層(HIL: Hole Injection Layer)及び／またはホール輸送層（ＨＴＬ）を含みうる。発光層３２２は、所定色相の光を放出する高分子または低分子有機物を含みうる。第２機能層３２３は、電子輸送層(ETL: Electron Transport Layer)及び／または電子注入層(EIL: Electron Injection Layer)を含みうる。
【0105】
第２電極３３０は、仕事関数の低い導電性物質から形成されうる。例えば、第２電極３３０は、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）または、それらの合金などを含む（半）透明層を含みうる。または、第２電極３３０は、前述した物質を含む（半）透明層上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３といった層をさらに含みうる。
【0106】
第１電極３１０と異なって、中間層３２０及び第２電極３３０は、表示領域ＤＡに該当する開口を有するマスクを用いて蒸着されうる。したがって、中間層３２０は、表示領域ＤＡの全体の面積に該当する面積を有するが、補助配線２４０の形状によって補助配線２４０を中心に切断または分離されうる。同様に、第２電極３３０も、表示領域ＤＡの全体の面積に該当する面積を有しうるが、補助配線２４０の形状によって、補助配線２４０を中心に切断または分離されうる。補助配線２４０を中心に両側に位置する第２電極３３０部分は、補助配線２４０の側面に接触しうる。同様に、補助配線２４０を中心にして両側に位置する中間層３２０の部分も、補助配線２４０の側面に接触しうる。
【0107】
補助配線２４０は、図７に図示されたように、メインサブ層２４２上の上部層２４１の幅が、メインサブ層２４２の上面の幅よりも大きく形成されうる。言い換えれば、断面において、上部層２４１は、メインサブ層２４２の側面２４２ｓと、上面２４２ｔとが出合う地点から、両側へと突出した一対のチップＴを含みうる。そのような構造は、第１開口１０７ＯＰを通じて露出された補助配線２４０の一部をエッチング（例えば、第１電極３１０を形成する工程でのエッチング液を用いたエッチング）することで形成しうる。
【0108】
メインサブ層２４２の物質は、上部層２４１の物質とのエッチング選択比が異なる物質を含みうる。同様に、下部層２４３の物質も、メインサブ層２４２の物質とのエッチング選択比が異なる物質を含み、一部の実施形態において、下部層２４３は、上部層２４１と同一の物質を含みうる。エッチング工程で使用されるエッチング液によって、メインサブ層２４２が上部層２４１よりもオーバーエッチングされることにより、図７に図示されたように一対のチップＴを有する構造が形成されうる。
【0109】
中間層３２０及び第２電極３３０をそれぞれ形成する蒸着工程の際、蒸着物質は、基板１００に垂直の方向（ｚ方向）、及びそれに対して斜めの方向に進みうる。したがって、補助配線２４０の両側に位置する中間層３２０の部分は、メインサブ層２４２の側面２４２ｓに直接に接触し、補助配線２４０の両側に位置する第２電極３３０の部分は、メインサブ層２４２の側面２４２ｓに直接に接触するに伴い、接触領域ＣＣＲを形成しうる。中間層３２０の一部３２０Ｒ、及び第２電極３３０の一部３３０Ｒは、それぞれ補助配線２４０の上面２４０ｔ上に位置した状態で、中間層３２０の他の部分、及び第２電極３３０の他の部分と分離されうる。
【0110】
一部の実施形態として、中間層３２０が第１機能層３３１、発光層３３２、及び第２機能層３３３を含む場合、図７に図示されたように、該第１機能層３３１、発光層３３２、及び第２機能層３３３のそれぞれが補助配線２４０を中心に断絶され、補助配線２４０の両側に配置された部分、及び補助配線２４０の上面２４０ｔに位置する部分３３１Ｒ、３３２Ｒ、３３３Ｒを含みうる。
【0111】
図７には、メインサブ層２４２の側面２４２ｓの傾斜角度αは、約２０°と同一か、それより大きく、約９０°より小さいのでありうる。図６及び図７は、メインサブ層２４２の側面２４２ｓが順方向テーパ状を有するとして図示しているが、本発明はそれに限定されない。他の実施形態において、図８Ａに図示されたようにメインサブ層２４２の側面２４２ｓの傾斜角度αは、約９０°でありうる。または、図８Ｂに図示されたようにメインサブ層２４２の側面２４２ｓの傾斜角度αは、約９０°より大きく、約１３５°と同一か、それより小さいのでありうる。
【0112】
また、図６を参照すれば、第１電極３１０、中間層３２０及び第２電極３３０の多層(積層)構造を含む発光ダイオード、例えば、第１発光ダイオードＬＥＤ１は、封止層４００でカバーされる。封止層４００は、少なくとも１つの無機封止層と、少なくとも１つの有機封止層とを含みうる。一実施形態において、封止層４００は、順次に積層された第１無機封止層４１０、有機封止層４２０、及び第２無機封止層４３０を含みうる。
【0113】
第１及び第２無機封止層４１０、４３０は、それぞれ１つ以上の無機絶縁物を含みうる。無機絶縁物は、アルミニウム酸化物、タンタル酸化物、ハフニウム酸化物、亜鉛酸化物、シリコン酸化物、シリコン窒化物、または／及びシリコン酸窒化物を含みうる。第１及び第２無機封止層４１０、４３０は、化学気相蒸着法によって形成されうる。第１無機封止層４１０は、相対的にステップカバレッジに優れるので、補助配線２４０がチップＴ（図７）を有する形状を有するにもかかわらず、補助配線２４０を全体としてカバーすることができる。例えば、第１無機封止層４１０は、補助配線２４０の両側に配置された中間層３２０と第２電極３３０の部分、メインサブ層２４２の側面２４２ｓの一部、上部層２４５の下面と側面、及び補助配線２４０上の中間層３２０の一部２３０Ｒと第２電極３３０の一部３３０Ｒをカバーするように連続して延びうる。
【0114】
有機封止層４２０は、ポリマー(polymer)系の物質を含みうる。ポリマー系の素材としては、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド及びポリエチレンなどを含みうる。アクリル系樹脂は、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリル酸などを含みうる。
【0115】
封止層４００上には、色変換透過層５００及びカラー層６００が配置されうる。これと関連して、図６は、色変換透過層５００の第１色変換部５１０が第１発光ダイオードＬＥＤ１に重畳するように配置され、カラー層６００の第１カラーフィルタ６１０が第１発光ダイオードＬＥＤ１に重畳するように配置されていると図示する。第１色変換部５１０及び第１カラーフィルタ６１０は、それぞれ遮光部５４０、６４０によって取り囲まれ、これと関連して、図６は、第１色変換部５１０及び第１カラーフィルタ６１０のそれぞれの両側に配置された遮光部５４０、６４０を図示する。遮光部５４０、６４０は、ブラックマトリックスといった遮光物質を含み、補助配線２４０は、遮光部５４０、６４０に重畳されうる。
【0116】
【0117】
【0118】
補助配線２４０のうち、平坦化絶縁層１０７の物質部分に重畳する部分は、上部層２４１、メインサブ層２４２及び下部層２４３が比較的同幅を有して形成されうる。一方、補助配線２４０のうちの第１開口１０７ＯＰに重畳する部分は、前述したようにエッチング液によってエッチングされるので、上部層２４１、メインサブ層２４２及び下部層２４３の断面形状は、前述した図６及び図７（または、図８Ａ、図８Ｂ）を参照して説明したような構造を有する。換言すれば、第１開口１０７ＯＰに重畳するメインサブ層２４２の大きさまたは面積は、上部層２４１の大きさまたは面積よりも相対的に小さい。これと関連して、図９Ｂにおいて、実線は、平面上において上部層２４１及び／または下部層２４３のアウトライン（断面上における側面に該当）を示し、点線は、平面上においてメインサブ層２４２のアウトライン（断面における側面に該当）を示す。図９Ｂに図示されたように、上部層２４１及び／または下部層２４３の幅は、第２幅Ｗ２に該当し、メインサブ層２４２の幅Ｗ２２は、上部層２４１及び／または下部層２４３の幅（例えば、第２幅Ｗ２）よりも小さい。
【0119】
【0120】
図９Ａ及び図９Ｂは、第１開口１０７ＯＰに重畳する補助配線２４０が、ｘ方向に沿って比較的一定の幅を有することを図示しているが、本発明は、それに限定されない。他の実施形態として、図１０Ａ及び図１０Ｂ、そして、図１０Ｃに図示されたように、補助配線２４０は、補助配線２４０の延長方向（ｙ方向）に交差する方向（ｘ方向）に突出した突出部を含みうる。
【0121】
図１０Ａは、本発明の他の実施形態による補助配線と、補助配線上の平坦化絶縁層の第１開口とを概略的に示す斜視図であり、図１０Ｂは、本発明の他の実施形態による補助配線と、平坦化絶縁層の第１開口とを示す平面図であり、図１０Ｃは、本発明のさらに他の実施形態による補助配線と、平坦化絶縁層の第１開口とを示す平面図である。
【0122】
図１０Ａを参照すれば、補助配線２４０は、補助配線２４０の延長方向（ｙ方向）に交差する方向（ｘ方向）に突出した突出部２４０Ｐを含みうる。例えば、図１０Ａに図示されたように突出部２４０Ｐは、補助配線２４０の両側に１つずつ配置されうる。図１０Ａ及び図１０Ｂは、補助配線２４０が一対の突出部２４０Ｐを含むことを図示しているが、他の実施形態として、補助配線２４０は、図１０Ｃに図示されたように複数対の突出部２４０Ｐを含みうる。
【0123】
補助配線２４０が突出部２４０Ｐを含むことにより、補助配線２４０に含まれた上部層２４１、メインサブ層２４２、及び下部層２４３も、それぞれ突出部２４１Ｐ、２４２Ｐ、２４３Ｐを含みうる。
【0124】
補助配線２４０の突出部２４０Ｐは、平坦化絶縁層１０７の第１開口１０７ＯＰに重畳され、第１開口１０７ＯＰの第１幅Ｗ１は、第１開口１０７ＯＰに重畳する補助配線２４０の一部の第２幅Ｗ２′よりも大きく形成されうる。第２幅Ｗ２′は、第１開口１０７ＯＰに重畳する補助配線２４０の一部の最広幅に該当しうる。例えば、補助配線２４０の両側に突出部２４０Ｐが配置されているとき、いずれか１つの突出部２４０Ｐの端部から、他の１つの突出部２４０Ｐの端部までの距離に該当しうる。第２幅Ｗ２′は、第１開口１０７ＯＰに重畳しない、補助配線２４０の一部の第２幅Ｗ２より大きくなりうる。
【0125】
補助配線２４０のうち、第１開口１０７ＯＰに重畳する部分は、前述したようにエッチング液によってエッチングされるので、上部層２４１、メインサブ層２４２及び下部層２４３の断面形状は、前述した図６及び図７（または、図８Ａ、図８Ｂ）を参照して説明したような構造を有することができる。これと関連して、図１０Ｂ及び図１０Ｃにおける実線は、平面上における、上部層２４１及び／または下部層２４３のアウトライン（断面における側面に該当）を示し、点線は、平面上におけるメインサブ層２４２のアウトライン（断面における側面に該当）を示す。図１０Ｂ及び図１０Ｃに図示されたように上部層２４１及び／または下部層２４３の幅は、第２幅Ｗ２′に該当し、メインサブ層２４２の幅Ｗ２２′は、上部層２４１及び／または下部層２４３の幅（例えば、第２幅、Ｗ２′）より小さくなりうる。
【0126】
図１０Ｂ及び図１０Ｃにおいて、第１開口１０７ＯＰと重畳する点線部分は、前述した図７を参照して説明した補助配線２４０と第２電極３３０が直接に接触するに伴って形成された接触領域ＣＣＲ（図７）に該当する。換言すれば、第２電極３３０と、補助配線２４０の側面（例えば、メインサブ層２４２の側面）との接触領域は、補助配線２４０の突出部２４０Ｐのうちの少なくともいずれか１つの側面に沿って連続している。図１０Ｂ及び図１０Ｃに図示されたように、補助配線２４０が突出部２４０Ｐを含む場合、補助配線２４０と第２電極３３０との接触面積、例えば、接触領域ＣＣＲが増加しうる。
【0127】
図１１Ａは、本発明の他の実施形態による補助配線と、補助配線上の平坦化絶縁層の第１開口とを概略的に示す斜視図であり、図１１Ｂは、本発明の他の実施形態による、補助配線と平坦化絶縁層の第１開口とを示す平面図である。
【0128】
図１１Ａを参照すれば、補助配線２４０は、補助配線２４０の延長方向（ｙ方向）に交差する方向（ｘ方向）に陥没した陥没部２４０Ｄを含みうる。例えば、図１１Ａに図示されたように、陥没部２４０Ｄは、補助配線２４０の両側に１つずつ配置されうる。図１１Ａ及び図１１Ｂは、補助配線２４０が一対の陥没部２４０Ｄを含むと図示しているが、他の実施形態として、補助配線２４０は、複数対の陥没部を含んでもよい。
【0129】
補助配線２４０が陥没部２４０Ｄを含むことにより、補助配線２４０に含まれた上部層２４１、メインサブ層２４２、及び下部層２４３もそれぞれ陥没部２４１Ｄ、２４２Ｄ、２４３Ｄを含みうる。
【0130】
補助配線２４０の陥没部２４０Ｄは、平坦化絶縁層１０７の第１開口１０７ＯＰに重畳され、第１開口１０７ＯＰの第１幅Ｗ１は、第１開口１０７ＯＰに重畳する補助配線２４０の一部の第２幅Ｗ２”より大きく形成されうる。第２幅Ｗ２”は、第１開口１０７ＯＰに重畳する補助配線２４０の一部の最小幅に該当する。例えば、補助配線２４０の両側に陥没部２４０Ｄが配置されているとき、いずれか１つの陥没部２４０Ｄの端部から、他の１つの陥没部２４０Ｄの端部までの距離に該当しうる。第２幅Ｗ２”は、第１開口１０７ＯＰに重畳しない補助配線２４０の一部の第２幅Ｗ２よりも小さく形成されうる。
【0131】
図１１Ｂに図示されたように上部層２４１及び／または下部層２４３の幅は、第２幅Ｗ２”に該当し、メインサブ層２４２の幅Ｗ２２”は、上部層２４１及び／または下部層２４３の幅（例えば、第２幅Ｗ２”）より小さいのでありうる。
【0132】
図７及び図１１Ｂを参照すれば、第１開口１０７ＯＰと重畳する点線部分は、接触領域ＣＣＲに該当する。すなわち、第２電極３３０と、補助配線２４０の側面（例えば、メインサブ層２４２の側面）との接触領域は、補助配線２４０の陥没部２４０Ｄのうちの少なくともいずれか１つの側面に沿って連続している。図１１Ｂに図示されたように補助配線２４０が陥没部２４０Ｄを含む場合、補助配線２４０と第２電極３３０との接触面積、例えば、接触領域ＣＣＲが増加しうる。図１１Ａ及び図１１Ｂでは、メインサブ層２４２の幅が、上部層２４１及び／または下部層２４３の幅より小さく形成されるものとして図示しているが、他の実施形態において、補助配線２４０が陥没部２４０Ｄを含み、第１開口１０７ＯＰに重畳する部分の第２幅Ｗ２”が非常に狭くなる場合、工程条件を修正(変形)しうる。補助配線２４０の第１開口１０７ＯＰに重畳する部分は、上部層２４１、メインサブ層２４２及び下部層２４３が、比較的同じ幅を有するように形成されうる。換言すれば、第１開口１０７ＯＰに重畳するメインサブ層２４２の大きさまたは面積は、上部層２４１の大きさまたは面積と比較的同一に形成されうる。
【0133】
このように本発明は、図示された実施形態を参照して説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当該技術分野で通常の知識を有するものであれば、それらから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解するであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、請求範囲の技術的思想によって決定されねばならない。
【0134】
このように本発明は、図示された一実施形態を参照して説明したが、これは、例示的なものに過ぎず、当該分野で通常の知識を有するものであれば、それらから多様な変形及び実施形態の変形が可能であるという点を理解するであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されねばならない。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図6】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図9A】
【図9B】
【図10A】
【図10B】
【図10C】
【図11A】
【図11B】
【国際調査報告】