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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-10-08
(54)【発明の名称】チップ製造方法及び製品
(51)【国際特許分類】
   H01L 21/02 20060101AFI20241001BHJP
   G06F 7/38 20060101ALI20241001BHJP
【ＦＩ】
H01L21/02 B
G06F7/38 610
G06F7/38 510
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024510688
(86)(22)【出願日】2021-09-17
(85)【翻訳文提出日】2024-02-21
(86)【国際出願番号】 FI2021050615
(87)【国際公開番号】W WO2023041834
(87)【国際公開日】2023-03-23
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】519394241
【氏名又は名称】アイキューエム フィンランド オイ
(74)【代理人】
【識別番号】110001519
【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】イェネイ、マテ
(72)【発明者】
【氏名】チャン、コク ワイ
(72)【発明者】
【氏名】タン、クアン イェン
(57)【要約】
本発明は、チップ製造の分野、特に、量子コンピュータ用の超伝導集積回路の製造に関する。凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造は、アライメント構造の幾何形状によって決定される最大深さまで凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造が凹状アライメント構造内に延在するように、２つの基板の表面上に提供される。アライメント構造は、フリップチップ接合のために基板を位置決め及びアライメントするためのハードストップとして機能する。
【選択図】図２Ｄ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
方法であって、
第１の基板をエッチングして、前記第１の基板の第１の表面の上方に延在する凸状アライメント構造を形成することと、
第２の基板をエッチングして、前記第２の基板の第１の表面の下方に延在する凹状アライメント構造を形成することと、
前記第１の基板の前記第１の表面が、前記第２の基板の前記第１の表面に対向しかつ平行であり、前記凸状アライメント構造が、少なくとも部分的に前記凹状アライメント構造内に位置決めされるように、前記凸状アライメント構造を前記凹状アライメント構造に対向して位置決めすることと、を含み、
前記凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造が、前記凸状アライメント構造が、設定深さまで少なくとも部分的に前記凹状アライメント構造内に延在するように、かつ、前記凸状アライメント構造が、前記設定深さで前記凹状アライメント構造内に位置決めされているとき、前記第２の基板に向かう前記第１の基板の移動と、前記第１の基板及び前記第２の基板の前記第１の表面に平行な少なくとも１つの軸に沿った前記第２の基板に対する前記第１の基板の移動と、が制限されるように、成形されている、方法。
【請求項2】
前記凸状アライメント構造を前記凹状アライメント構造に対向して位置決めする前に、前記方法が、
複数のフリップチップバンプを、前記第１の基板の前記第１の表面又は前記第２の基板の前記第１の表面のうちの少なくとも１つの上に堆積させること、又は
インジウム膜を、前記凸状アライメント構造の上及び／若しくは前記凹状アライメント構造内に堆積させること、のうちの少なくとも１つを行うことを更に含み、
前記凸状アライメント構造を前記凹状アライメント構造に対向して位置決めすることが、前記フリップチップバンプ又はインジウム膜を介して、前記第１の基板を前記第２の基板に接合することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項3】
前記第１の基板を前記第２の基板に接合することが、熱圧着を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項4】
前記凸状アライメント構造が、前記設定深さで前記凹状アライメント構造内に位置決めされているとき、前記堆積されたフリップチップバンプの高さが、前記第１の基板の前記第１の表面と前記第２の基板の前記第１の表面との間の分離よりも大きく、圧着に続いて、前記凸状アライメント構造が、前記設定深さで前記凹状アライメント構造内に位置決めされる、請求項３に記載の方法。
【請求項5】
前記凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造の、各基板の前記第１の表面に垂直な少なくとも１つの平面に沿った断面が、前記凸状アライメント構造の前記断面が、前記第１の基板の前記第１の表面から延在している台形であり、かつ、前記凹状アライメント構造の前記断面が、前記第２の基板の前記第１の表面内に延在している台形であるように、台形状である、先行請求項のいずれか一項に記載の方法。
【請求項6】
前記凸状アライメント構造の台形の最も長い底辺が、前記凹状アライメント構造の台形の最も長い底辺よりも長く、前記第１の基板の前記第１の表面が前記第２の基板の前記第１の表面に平行であるとき、前記凸状アライメント構造の台形の各斜辺が、前記凹状アライメント構造の台形の隣接する斜辺に平行である、請求項５に記載の方法。
【請求項7】
前記凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造が、等脚台形状である、請求項６に記載の方法。
【請求項8】
前記凸状アライメント構造が、前記設定深さまで前記凹状アライメント構造内に延在するとき、前記第１の基板の前記第１の表面と前記第２の基板の前記第１の表面との間の前記分離ｄが、以下の式によって与えられ、
【数1】

式中、αは、各台形の前記斜辺と前記最も長い底辺との間の内角であり、Ｂｒａｉｓｅｄは、前記凸状アライメント構造の前記最も長い底辺の長さであり、Ｂｒｅｃｅｓｓｅｄは、前記凹状アライメント構造の前記最も長い底辺の長さである、請求項７に記載の方法。
【請求項9】
前記凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造の、各基板の前記第１の表面に各々垂直な２つの垂直平面に沿った断面が、前記凸状アライメント構造が、前記第１の基板の前記第１の表面から延在している正方形又は長方形錐台であり、前記凹状アライメント構造が、前記第２の基板の前記第１の表面内に延在している正方形又は長方形錐台形状のくぼみであるように、台形状である、請求項５～８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項10】
前記凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造の寸法が、以下の式に従い、
【数2】

式中、ｄは、前記凸状アライメント構造が、前記設定深さまで前記凹状アライメント構造内に延在するときの、前記第１の基板の前記第１の表面と前記第２の基板の前記第１の表面との間の前記分離であり、αは、前記第１の基板及び前記第２の基板の前記第１の表面に平行な第１の軸に沿った前記台形の前記斜辺と前記最も長い底辺との間の前記内角であり、Ｂｒａｉｓｅｄは、前記凸状アライメント構造の前記第１の軸に沿った前記台形の前記最も長い底辺の長さであり、Ｂｒｅｃｅｓｓｅｄは、前記凹状アライメント構造の前記第１の軸に沿った前記台形の前記最も長い底辺の長さであり、βは、前記第１の基板及び前記第２の基板の前記第１の表面に平行であり、前記第１の軸に垂直な第２の軸に沿った前記台形の前記斜辺と前記最も長い底辺との間の前記内角であり、Ｃｒａｉｓｅｄは、前記凸状アライメント構造の前記第２の軸に沿った前記台形の前記最も長い底辺の長さであり、Ｃｒｅｃｅｓｓｅｄは、前記凹状アライメント構造の前記第２の軸に沿った前記台形の前記最も長い底辺の長さである、請求項９に記載の方法。
【請求項11】
前記第１の基板をエッチングして、凸状アライメント構造を形成することが、
前記第１の基板の第１の領域上に、ハードマスク又はレジストを形成することと、
前記第１の基板を異方的にエッチングすることと、
前記ハードマスク又はレジストを除去することと、を含む、請求項８～１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項12】
前記凸状アライメント構造の前記台形／錐台形状の寸法を制御するために、前記ハードマスク又はレジストが形成される前記第１の領域のサイズ、エッチング時間、及び／又はエッチング液濃度が制御される、請求項１１に記載の方法。
【請求項13】
前記第２の基板をエッチングして、凹状アライメント構造を形成することが、
前記第２の基板の上表面上に、ハードマスク又はレジストを形成することであって、前記ハードマスク又はレジストが、前記第２の基板の開口領域を画定する少なくとも１つの開口部を含む、形成することと、
前記ハードマスク又はレジストの前記開口部を介して、前記第２の基板を異方的にエッチングすることと、
前記ハードマスク又はレジストを除去することと、を含む、請求項８～１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項14】
前記凹状アライメント構造の前記台形／錐台形状の寸法を制御するために、前記第２の基板上の前記開口領域のサイズ、前記エッチング時間、及び／又は前記エッチング液濃度が制御される、請求項１３に記載の方法。
【請求項15】
第１の基板をエッチングして凸状アライメント構造を形成することが、前記第１の基板上に複数の凸状アライメント構造を形成することを含み、第２の基板をエッチングして凹状アライメント構造を形成する前記ステップが、前記第２の基板上に複数の凹状アライメント構造を形成することを含む、先行請求項のいずれか一項に記載の方法。
【請求項16】
前記第１の基板が、複数のダイを備える第１のウエハ上のダイであり、
前記第２の基板が、複数のダイを備える第２のウエハ上のダイであり、
前記第１の基板をエッチングして複数の凸状アライメント構造を形成することが、前記第１のウエハをエッチングして、前記第１のウエハ上の各ダイ上に複数の凸状アライメント構造を形成することを含み、
前記第２の基板をエッチングして複数の凹状アライメント構造を形成することが、前記第２のウエハをエッチングして、前記第２のウエハ上の各ダイ上に複数の凹状アライメント構造を形成することを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項17】
前記第１のウエハをエッチングして複数の凸状アライメント構造を形成することが、前記第１のウエハ上の各ダイの四分円ごとに凸状アライメント構造を形成することを含み、かつ／又は
前記第２のウエハをエッチングして複数の凹状アライメント構造を形成することが、前記第２のウエハ上の各ダイの四分円ごとに凹状アライメント構造を形成することを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項18】
前記凸状アライメント構造を前記凹状アライメント構造に対向して位置決めすることが、各凸状アライメント構造を前記凹状アライメント構造に対向して位置決めすることを含み、かつ、各凸状アライメント構造が、前記設定深さまで少なくとも部分的に前記対向する凹状アライメント構造内に延在するように、前記複数の凸状アライメント構造が前記第１の基板上に配設され、前記複数の凹状アライメント構造が前記第２の基板上に配設されている、請求項１５～１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項19】
前記方法が、前記凸状アライメント構造を前記凹状アライメント構造に対向して位置決めするステップの前に、前記第１の基板及び／又は前記第２の基板上に量子回路部品を形成することを更に含む、先行請求項のいずれか一項に記載の方法。
【請求項20】
量子回路部品を形成することが、
前記凸状アライメント構造上にキュービットを形成することと、
前記第２の基板に基板貫通ビアを形成することであって、前記基板貫通ビアが、前記第２の基板を通って、前記凹状アライメント構造から前記第２の基板の第２の表面まで延在している、形成することと、
前記基板貫通ビアの側壁を金属被覆することと、を含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項21】
前記凸状アライメント構造を前記凹状アライメント構造に対向して位置決めすることが、前記基板貫通ビアの前記側壁金属被覆と、前記凸状アライメント構造上に形成された前記キュービットとの間にコンデンサを形成する、請求項２０に記載の方法。
【請求項22】
前記凸状アライメント構造上に前記キュービットを形成することが、前記凸状アライメント構造の前記上表面上に前記キュービットを形成することを含む、請求項２０又は２１に記載の方法。
【請求項23】
前記基板貫通ビアを形成することが、前記凹状アライメント部分内にハードマスク又はレジストを形成することと、前記ハードマスク又はレジストの開口部を通って前記基板貫通ビアをエッチングすることと、を含む、請求項２０～２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項24】
前記側壁金属被覆が、前記ハードマスク又はレジストが除去される前に、化学蒸着又は物理蒸着によって形成される、請求項２０～２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項25】
前記方法が、
複数の凸状アライメント構造及び複数の凹状アライメント構造を形成することと、
前記凸状アライメント構造上にキュービットを形成することであって、前記凸状アライメント構造の第１のサブセット上にキュービットを形成することを含む、キュービットを形成することと、
基板貫通ビアを形成することであって、前記凹状アライメント構造の第１のサブセットから延在している基板貫通ビアを形成することを含み、前記凹状アライメント構造の前記第１のサブセットが、前記位置決めのステップにおいて、前記凸状アライメント構造の前記第１のサブセット内の凸状アライメント構造に対向して位置決めされる前記凹状アライメント構造を備える、基板貫通ビアを形成することと、
前記凸状アライメント構造を前記凹状アライメント構造に対向して位置決めする前に、前記凸状アライメント構造（複数可）の第２のサブセット及び／又は前記凹状アライメント構造（複数可）の第２のサブセット上にスペーサ材料の層を堆積させることと、を更に含む、請求項２０～２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項26】
前記凸状アライメント構造を前記凹状アライメント構造に対向して位置決めした後の前記第１の基板と第２の基板との間の距離が、前記凸状アライメント構造（複数可）の前記第２のサブセット及び／又は前記凹状アライメント構造（複数可）の第２のサブセット上に堆積された前記スペーサ材料の層の厚さによって少なくともある程度は決定される、請求項２５に記載の方法。
【請求項27】
前記方法が、前記キュービットを取り囲んでいる前記凸状アライメント構造の少なくとも前記側壁上に金属被覆を形成することを更に含み、前記凸状アライメント構造を前記凹状アライメント構造に対向して位置決めすることが、前記凸状アライメント構造の前記側壁上の前記金属被覆と電気的に接触する前記基板貫通ビアの前記側壁上に前記金属被覆を配置することを更に含む、請求項２０～２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項28】
前記方法が、
複数の凸状アライメント構造及び複数の凹状アライメント構造を形成することと、
前記凸状アライメント構造上にキュービットを形成することであって、前記凸状アライメント構造のうちの少なくとも２つの上にキュービットを形成することと、前記凸状アライメント構造のうちの少なくとも１つの上にカプラを形成することと、を含む、キュービットを形成することと、
前記少なくとも２つのキュービットを前記少なくとも１つのカプラに接続する、接続素子を形成することと、
基板貫通ビアを形成することであって、前記凹状アライメント構造のサブセットから延在している基板貫通ビアを形成することを含み、凹状アライメント構造の前記サブセットが、前記キュービットが形成される前記凸状アライメント構造に対向して位置決めされる前記凹状アライメント構造を備える、基板貫通ビアを形成することと、を更に含む、請求項２０～２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項29】
前記キュービットが、ジョセフソン接合ベースのキュービット、例えば、トランスモンキュービットである、請求項２０～２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項30】
製品であって、
第１の基板であって、前記第１の基板の第１の表面の上方に延在する少なくとも１つの凸状アライメント構造を備える、第１の基板と、
第２の基板であって、前記第２の基板の第１の表面の下方に延在する少なくとも１つの凹状アライメント構造を備える、第２の基板と、を備え、
前記第１の基板の前記第１の表面が、前記第２の基板の前記第１の表面に対向しかつ平行であり、前記凸状アライメント構造が、少なくとも部分的に前記凹状アライメント構造内に位置決めされるように、前記凸状アライメント構造が、前記凹状アライメント構造に対向して位置決めされており、
前記凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造が、前記凸状アライメント構造が、設定深さまで少なくとも部分的に前記凹状アライメント構造内に延在するように、かつ、前記第２の基板に向かう前記第１の基板の移動と、前記第１の基板及び前記第２の基板の前記第１の表面に平行な少なくとも１つの軸に沿った前記第２の基板に対する前記第１の基板の移動と、が制限されるように、成形されている、製品。
【請求項31】
前記製品が、
前記第１の基板の前記第１の表面と、前記第２の基板の前記第１の表面と、を接続する、複数のフリップチップバンプ、並びに／又は
前記凸状アライメント構造の上及び／若しくは前記凹状アライメント構造内のインジウム膜を更に備える、請求項３０に記載の製品。
【請求項32】
前記凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造の、各基板の前記第１の表面に平行な少なくとも１つの軸に沿った断面が、前記凸状アライメント構造の前記断面が、前記第１の基板の前記第１の表面から延在している台形であり、かつ、前記凹状アライメント構造の前記断面が、前記第２の基板の前記第１の表面内に延在している台形であるように、台形状である、請求項３０又は３１に記載の製品。
【請求項33】
前記凸状アライメント構造の台形の最も長い底辺が、前記凹状アライメント構造の台形の最も長い底辺よりも長く、前記凸状アライメント構造の台形の各斜辺が、前記凹状アライメント構造の台形の隣接する斜辺に平行である、請求項３２に記載の製品。
【請求項34】
前記凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造が、等脚台形状である、請求項３３に記載の製品。
【請求項35】
前記凸状アライメント構造が、前記設定深さまで前記凹状アライメント構造内に延在するとき、前記第１の基板と前記第２の基板との間の前記分離ｄが、以下の式によって与えられ、
【数3】

式中、αは、各台形の前記斜辺と前記最も長い底辺との間の内角であり、Ｂｒａｉｓｅｄは、前記凸状アライメント構造の前記最も長い底辺の長さであり、Ｂｒｅｃｅｓｓｅｄは、前記凹状アライメント構造の前記最も長い底辺の長さである、請求項３４に記載の製品。
【請求項36】
前記凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造の、各基板の前記第１の表面に平行な２つの垂直軸に沿った断面が、前記凸状アライメント構造が、前記第１の基板の前記第１の表面から延在している正方形又は長方形錐台であり、前記凹状アライメント構造が、前記第２の基板の前記第１の表面内に延在している正方形又は長方形錐台形状のくぼみであるように、台形状である、請求項３２～３５のいずれか一項に記載の製品。
【請求項37】
前記凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造の寸法が、以下の式に従い、
【数4】

式中、ｄは、前記凸状アライメント構造が、前記設定深さまで前記凹状アライメント構造内に延在するときの、前記第１の基板の前記第１の表面と前記第２の基板の前記第１の表面との間の前記分離であり、αは、前記第１の基板及び前記第２の基板の前記第１の表面に平行な第１の軸に沿った前記台形の前記斜辺と前記最も長い底辺との間の前記内角であり、Ｂｒａｉｓｅｄは、前記凸状アライメント構造の前記第１の軸に沿った前記台形の前記最も長い底辺の長さであり、Ｂｒｅｃｅｓｓｅｄは、前記凹状アライメント構造の前記第１の軸に沿った前記台形の前記最も長い底辺の長さであり、βは、前記第１の基板及び前記第２の基板の前記第１の表面に平行であり、前記第１の軸に垂直な第２の軸に沿った前記台形の前記斜辺と前記最も長い底辺との間の前記内角であり、Ｃｒａｉｓｅｄは、前記凸状アライメント構造の前記第２の軸に沿った前記台形の前記最も長い底辺の長さであり、Ｃｒｅｃｅｓｓｅｄは、前記凹状アライメント構造の前記第２の軸に沿った前記台形の前記最も長い底辺の長さである、請求項４０に記載の製品。
【請求項38】
前記製品が、各凸状アライメント構造が、前記設定深さまで少なくとも部分的に前記対向する凹状アライメント構造内に延在するように、複数の凸状アライメント構造及び複数の凹状アライメント構造を備える、請求項３０～３７のいずれか一項に記載の製品。
【請求項39】
少なくとも１つの凸状アライメント構造及び少なくとも１つの凹状アライメント構造が、前記基板の各四分円に存在する、請求項３８に記載の製品。
【請求項40】
前記製品が、前記凸状アライメント構造上にキュービットを更に備え、
基板貫通ビアが、前記凹状アライメント構造から前記第２の基板の第２の表面まで延在しており、
前記基板貫通ビアの前記側壁が、金属被覆されている、請求項３０～３９のいずれか一項に記載の製品。
【請求項41】
前記貫通基板の前記キュービット及び側壁金属被覆が、コンデンサの電極である、請求項４０に記載の製品。
【請求項42】
前記キュービットが、前記凸状アライメント構造の前記上表面上に位置する、請求項４１に記載の製品。
【請求項43】
前記製品が、複数の凸状アライメント構造及び複数の凹状アライメント構造を備え、
キュービットが、前記凸状アライメント構造の第１のサブセット内の各凸状アライメント構造上に位置し、
基板貫通ビアが、前記凹状アライメント構造の第１のサブセットから延在しており、凹状アライメント構造の前記第１のサブセットが、凸状アライメント構造の前記第１のサブセット内の凸状アライメント構造に対向して位置決めされる前記凹状アライメント構造を備え、
スペーサ材料の層が、前記凸状アライメント構造（複数可）の第２のサブセット及び／又は前記凹状アライメント構造（複数可）の第２のサブセット上に位置する、請求項４０～４２のいずれか一項に記載の製品。
【請求項44】
前記第１の基板と前記第２の基板との間の前記距離が、前記凸状アライメント構造（複数可）の前記第２のサブセット及び／又は前記凹状アライメント構造（複数可）の第２のサブセット上に位置する前記スペーサ材料の層の厚さによって決定される、請求項４３に記載の製品。
【請求項45】
前記製品が、前記キュービットを取り囲んでいる前記凸状アライメント構造の少なくとも前記側壁上の金属被覆を更に備え、前記基板貫通ビアの前記側壁上の前記金属被覆が、前記凸状アライメント構造の前記側壁上の前記金属被覆と電気的に接触している、請求項３０～３９のいずれか一項に記載の製品。
【請求項46】
前記製品が、複数の凸状アライメント構造及び複数の凹状アライメント構造を備え、
キュービットが、前記凸状アライメント構造のうちの少なくとも２つの上に位置し、カプラが、前記凸状アライメント構造のうちの少なくとも１つの上に位置し、
接続素子が、前記少なくとも２つのキュービットを前記少なくとも１つのカプラに接続し、
基板貫通ビアが、前記凹状アライメント構造のサブセットから延在しており、凹状アライメント構造の前記サブセットが、前記キュービットが位置する前記凸状アライメント構造に対向して位置決めされる前記凹状アライメント構造を備える、請求項３０～３９のいずれか一項に記載の製品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、チップ製造の分野、特に、量子コンピュータ用の超伝導集積回路の製造に関する。
【背景技術】
【0002】
三次元集積回路デバイスでは、集積回路部品は、単一の基板側を占有するだけでなく、基板の両側及び／又は（例えば、スタック内の）複数の一体化ダイスの側面に分散されている。異なる層又は設計面上への回路部品の分散により、キュービットチップ設計のより一層の柔軟性及びより高い部品密度をもまた提供する。しかしながら、フリップチップなどの三次元集積回路デバイスを製造するための既存のプロセスは、個々のチップの分離、個々のチップの相対配向（すなわち、傾斜）、又は個々のチップのアライメント（すなわち、横方向オフセット又は回転）の正確な制御を可能にしない。
【発明の概要】
【0003】
本発明の第１の態様によれば、方法が提供される。本方法は、
・第１の基板をエッチングして、第１の基板の第１の表面の上方に延在する凸状アライメント構造を形成することと、
・第２の基板をエッチングして、第２の基板の第１の表面の下方に延在する凹状アライメント構造を形成することと、
・第１の基板の第１の表面が、第２の基板の第１の表面に対向しかつ平行であり、凸状アライメント構造が、少なくとも部分的に凹状アライメント構造内に位置決めされるように、凸状アライメント構造を凹状アライメント構造に対向して位置決めすることと、を含み、
・凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造が、凸状アライメント構造が、設定深さまで少なくとも部分的に凹状アライメント構造内に延在するように、かつ、凸状アライメント構造が、設定深さで凹状アライメント構造内に位置決めされているとき、第２の基板に向かう第１の基板の移動と、第１の基板及び第２の基板の第１の表面に平行な少なくとも１つの軸に沿った第２の基板に対する第１の基板の移動と、が制限されるように、成形されている。
【0004】
凸状アライメント構造を凹状アライメント構造に対向して位置決めする前に、本方法は、
・複数のフリップチップバンプを、第１の基板の第１の表面若しくは第２の基板の第１の表面のうちの少なくとも１つの上に堆積させること、又は
・インジウム膜を、凸状アライメント構造の上及び／若しくは凹状アライメント構造内に堆積させること、のうちの少なくとも１つを行うことを更に含み得、凸状アライメント構造を凹状アライメント構造に対向して位置決めすることは、フリップチップバンプ又はインジウム膜を介して、第１の基板を第２の基板に接合することを更に含む。
【0005】
第１の基板を第２の基板に接合することは、熱圧着を含み得る。
【0006】
凸状アライメント構造が、設定深さで凹状アライメント構造内に位置決めされているとき、堆積されたフリップチップバンプの高さは、第１の基板の第１の表面と第２の基板の第１の表面との間の分離よりも大きくあり得、圧着に続いて、凸状アライメント構造は、設定深さで凹状アライメント構造内に位置決めされ得る。
【0007】
凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造の、各基板の第１の表面に垂直な少なくとも１つの平面に沿った断面は、凸状アライメント構造の断面が、第１の基板の第１の表面から延在している台形であり、かつ、凹状アライメント構造の断面は、第２の基板の第１の表面内に延在している台形であるように、台形状であり得る。
【0008】
凸状アライメント構造の台形の最も長い底辺が、凹状アライメント構造の台形の最も長い底辺よりも長くあり得、第１の基板の第１の表面が第２の基板の第１の表面に平行であるとき、凸状アライメント構造の台形の各斜辺が、凹状アライメント構造の台形の隣接する斜辺に平行であり得る。
【0009】
凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造は、等脚台形状であり得る。
【0010】
凸状アライメント構造が、設定深さまで凹状アライメント構造内に延在するとき、第１の基板の第１の表面と第２の基板の第１の表面との間の分離ｄは、以下の式によって与えられ得、
【数1】

式中、αは、各台形の斜辺と最も長い底辺との間の内角であり、Ｂｒａｉｓｅｄは、凸状アライメント構造の最も長い底辺の長さであり、Ｂｒｅｃｅｓｓｅｄは、凹状アライメント構造の最も長い底辺の長さである。
【0011】
凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造の、各基板の第１の表面に各々垂直な２つの垂直平面に沿った断面は、凸状アライメント構造が、第１の基板の第１の表面から延在している正方形又は長方形錐台であり、凹状アライメント構造が、第２の基板の第１の表面内に延在している正方形又は長方形錐台形状のくぼみであるように、台形状であり得る。
【0012】
凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造の寸法は、以下の式に従い得、
【数2】

式中、ｄは、凸状アライメント構造が、設定深さまで凹状アライメント構造内に延在するときの、第１の基板の第１の表面と第２の基板の第１の表面との間の分離であり、αは、第１の基板及び第２の基板の第１の表面に平行な第１の軸に沿った台形の斜辺と最も長い底辺との間の内角であり、Ｂｒａｉｓｅｄは、凸状アライメント構造の第１の軸に沿った台形の最も長い底辺の長さであり、Ｂｒｅｃｅｓｓｅｄは、凹状アライメント構造の第１の軸に沿った台形の最も長い底辺の長さであり、βは、第１の基板及び第２の基板の第１の表面に平行であり、第１の軸に垂直な第２の軸に沿った台形の斜辺と最も長い底辺との間の内角であり、Ｃｒａｉｓｅｄは、凸状アライメント構造の第２の軸に沿った台形の最も長い底辺の長さであり、Ｃｒｅｃｅｓｓｅｄは、凹状アライメント構造の第２の軸に沿った台形の最も長い底辺の長さである。
【0013】
第１の基板をエッチングして、凸状アライメント構造を形成することは、
・第１の基板の第１の領域上に、ハードマスク又はレジストを形成することと、
・第１の基板を異方的にエッチングすることと、
・ハードマスク又はレジストを除去することと、を含み得る。
【0014】
凸状アライメント構造の台形／錐台形状の寸法を制御するために、ハードマスク又はレジストが形成される第１の領域のサイズ、エッチング時間、及び／又はエッチング液濃度が制御され得る。
【0015】
第２の基板をエッチングして、凹状アライメント構造を形成することは、
・第２の基板の上表面上に、ハードマスク又はレジストを形成することであって、ハードマスク又はレジストが、第２の基板の開口領域を画定する少なくとも１つの開口部を含む、形成することと、
・ハードマスク又はレジストの開口部を介して、第２の基板を異方的にエッチングすることと、
・ハードマスク又はレジストを除去することと、を含み得る。
【0016】
凹状アライメント構造の台形／錐台形状の寸法を制御するために、第２の基板上の開口領域のサイズ、エッチング時間、及び／又はエッチング液濃度が制御され得る。
【0017】
第１の基板をエッチングして凸状アライメント構造を形成することは、第１の基板上に複数の凸状アライメント構造を形成することを含み得、第２の基板をエッチングして凹状アライメント構造を形成するステップは、第２の基板上に複数の凹状アライメント構造を形成することを含む。
【0018】
第１の基板は、複数のダイを備える第１のウエハ上のダイであり得、第２の基板は、複数のダイを備える第２のウエハ上のダイであり得、第１の基板をエッチングして複数の凸状アライメント構造を形成することは、第１のウエハをエッチングして、第１のウエハ上の各ダイ上に複数の凸状アライメント構造を形成することを含み得、第２の基板をエッチングして複数の凹状アライメント構造を形成することが、第２のウエハをエッチングして、第２のウエハ上の各ダイ上に複数の凹状アライメント構造を形成することを含み得る。
【0019】
第１のウエハをエッチングして複数の凸状アライメント構造を形成することは、第１のウエハ上の各ダイの四分円ごとに凸状アライメント構造を形成することを含み得、かつ／又は、第２のウエハをエッチングして複数の凹状アライメント構造を形成することは、第２のウエハ上の各ダイの四分円ごとに凹状アライメント構造を形成することを含み得る。
【0020】
凸状アライメント構造を凹状アライメント構造に対向して位置決めすることが、各凸状アライメント構造を凹状アライメント構造に対向して位置決めすることを含み、かつ、各凸状アライメント構造が、設定深さまで少なくとも部分的に対向する凹状アライメント構造内に延在するように、複数の凸状アライメント構造が第１の基板上に配設され得、複数の凹状アライメント構造が第２の基板上に配設され得る。
【0021】
本方法は、凸状アライメント構造を凹状アライメント構造に対向して位置決めするステップの前に、第１の基板及び／又は第２の基板上に量子回路部品を形成することを更に含み得る。
【0022】
量子回路部品を形成することは、
・凸状アライメント構造上にキュービットを形成することと、
・第２の基板に基板貫通ビアを形成することであって、基板貫通ビアが、第２の基板を通って、凹状アライメント構造から第２の基板の第２の表面まで延在している、形成することと、
・基板貫通ビアの側壁を金属被覆することと、を含み得る。
【0023】
凸状アライメント構造を凹状アライメント構造に対向して位置決めすることは、基板貫通ビアの側壁金属被覆と、凸状アライメント構造上に形成されたキュービットとの間にコンデンサを形成し得る。
【0024】
凸状アライメント構造上にキュービットを形成することは、凸状アライメント構造の上表面上にキュービットを形成することを含み得る。
【0025】
基板貫通ビアを形成することは、凹状アライメント部分内にハードマスク又はレジストを形成することと、ハードマスク又はレジストの開口部を通って基板貫通ビアをエッチングすることと、を含み得る。
【0026】
側壁金属被覆は、ハードマスク又はレジストが除去される前に、化学蒸着又は物理蒸着によって形成され得る。
【0027】
本方法は、
・複数の凸状アライメント構造及び複数の凹状アライメント構造を形成することと、
・凸状アライメント構造上にキュービットを形成することであって、凸状アライメント構造の第１のサブセット上にキュービットを形成することを含む、キュービットを形成することと、
・基板貫通ビアを形成することであって、凹状アライメント構造の第１のサブセットから延在している基板貫通ビアを形成することを含み、凹状アライメント構造の第１のサブセットが、位置決めのステップにおいて、凸状アライメント構造の第１のサブセット内の凸状アライメント構造に対向して位置決めされる凹状アライメント構造を備える、基板貫通ビアを形成することと、
・凸状アライメント構造を凹状アライメント構造に対向して位置決めする前に、凸状アライメント構造（複数可）の第２のサブセット及び／又は凹状アライメント構造（複数可）の第２のサブセット上にスペーサ材料の層を堆積させることと、を更に含み得る。
【0028】
凸状アライメント構造を凹状アライメント構造に対向して位置決めした後の第１の基板と第２の基板との間の距離が、凸状アライメント構造（複数可）の第２のサブセット及び／又は凹状アライメント構造（複数可）の第２のサブセット上に堆積されたスペーサ材料の層の厚さによって少なくともある程度は決定され得る。
【0029】
本方法は、キュービットを取り囲んでいる凸状アライメント構造の少なくとも側壁上に金属被覆を形成することを更に含み得、凸状アライメント構造を凹状アライメント構造に対向して位置決めすることは、凸状アライメント構造の側壁上の金属被覆と電気的に接触する基板貫通ビアの側壁上に金属被覆を配置することを更に含み得る。
【0030】
本方法は、
・複数の凸状アライメント構造及び複数の凹状アライメント構造を形成することと、
・凸状アライメント構造上にキュービットを形成することであって、凸状アライメント構造のうちの少なくとも２つの上にキュービットを形成することと、凸状アライメント構造のうちの少なくとも１つの上にカプラを形成することと、を含む、キュービットを形成することと、
・少なくとも２つのキュービットを少なくとも１つのカプラに接続する、接続素子を形成することと、
・基板貫通ビアを形成することであって、凹状アライメント構造のサブセットから延在している基板貫通ビアを形成することを含み、凹状アライメント構造のサブセットが、キュービットが形成される凸状アライメント構造に対向して位置決めされる凹状アライメント構造を備える、基板貫通ビアを形成することと、を更に含み得る。
【0031】
キュービットは、ジョセフソン接合ベースのキュービット、例えば、トランスモンキュービットであり得る。
【0032】
本発明の第２の態様によれば、製品が提供される。本製品は、
・第１の基板であって、第１の基板の第１の表面の上方に延在する少なくとも１つの凸状アライメント構造を備える、第１の基板と、
・第２の基板であって、第２の基板の第１の表面の下方に延在する少なくとも１つの凹状アライメント構造を備える、第２の基板と、を備え、
・第１の基板の第１の表面が、第２の基板の第１の表面に対向しかつ平行であり、凸状アライメント構造が、少なくとも部分的に凹状アライメント構造内に位置決めされるように、凸状アライメント構造が、凹状アライメント構造に対向して位置決めされており、
・凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造が、凸状アライメント構造が、設定深さまで少なくとも部分的に凹状アライメント構造内に延在するように、かつ、第２の基板に向かう第１の基板の移動と、第１の基板及び第２の基板の第１の表面に平行な少なくとも１つの軸に沿った第２の基板に対する第１の基板の移動と、が制限されるように、成形されている。
【0033】
本製品は、
・第１の基板の第１の表面と、第２の基板の第１の表面と、を接続する、複数のフリップチップバンプ、並びに／又は
・凸状アライメント構造の上及び／若しくは凹状アライメント構造内のインジウム膜を更に備え得る。
【0034】
凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造の、各基板の第１の表面に平行な少なくとも１つの軸に沿った断面は、凸状アライメント構造の断面が、第１の基板の第１の表面から延在している台形であり、かつ、凹状アライメント構造の断面は、第２の基板の第１の表面内に延在している台形であり得るように、台形状であり得る。
【0035】
凸状アライメント構造の台形の最も長い底辺は、凹状アライメント構造の台形の最も長い底辺よりも長くあり得、凸状アライメント構造の台形の各斜辺が、凹状アライメント構造の台形の隣接する斜辺に平行であり得る。
【0036】
凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造は、等脚台形状であり得る。
【0037】
凸状アライメント構造が、設定深さまで凹状アライメント構造内に延在するとき、第１の基板と第２の基板との間の分離ｄは、以下の式によって与えられ得、
【数3】

式中、αは、各台形の斜辺と最も長い底辺との間の内角であり、Ｂｒａｉｓｅｄは、凸状アライメント構造の最も長い底辺の長さであり、Ｂｒｅｃｅｓｓｅｄは、凹状アライメント構造の最も長い底辺の長さである。
【0038】
凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造の、各基板の第１の表面に平行な２つの垂直軸に沿った断面は、凸状アライメント構造が、第１の基板の第１の表面から延在している正方形又は長方形錐台であり、凹状アライメント構造が、第２の基板の第１の表面内に延在している正方形又は長方形錐台形状のくぼみであるように、台形状であり得る。
【0039】
凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造の寸法は、以下の式に従い得、
【数4】

式中、ｄは、凸状アライメント構造が、設定深さまで凹状アライメント構造内に延在するときの、第１の基板の第１の表面と第２の基板の第１の表面との間の分離であり、αは、第１の基板及び第２の基板の第１の表面に平行な第１の軸に沿った台形の斜辺と最も長い底辺との間の内角であり、Ｂｒａｉｓｅｄは、凸状アライメント構造の第１の軸に沿った台形の最も長い底辺の長さであり、Ｂｒｅｃｅｓｓｅｄは、凹状アライメント構造の第１の軸に沿った台形の最も長い底辺の長さであり、βは、第１の基板及び第２の基板の第１の表面に平行であり、第１の軸に垂直な第２の軸に沿った台形の斜辺と最も長い底辺との間の内角であり、Ｃｒａｉｓｅｄは、凸状アライメント構造の第２の軸に沿った台形の最も長い底辺の長さであり、Ｃｒｅｃｅｓｓｅｄは、凹状アライメント構造の第２の軸に沿った台形の最も長い底辺の長さである。
【0040】
本製品は、各凸状アライメント構造が、設定深さまで少なくとも部分的に対向する凹状アライメント構造内に延在するように、複数の凸状アライメント構造及び複数の凹状アライメント構造を備え得る。
【0041】
少なくとも１つの凸状アライメント構造及び少なくとも１つの凹状アライメント構造は、基板の各四分円に存在し得る。
【0042】
本製品は、凸状アライメント構造上にキュービットを更に備え得、基板貫通ビアは、凹状アライメント構造から第２の基板の第２の表面まで延在し得、基板貫通ビアの側壁は、金属被覆され得る。
【0043】
貫通基板のキュービット及び側壁金属被覆は、コンデンサの電極であり得る。
【0044】
キュービットは、凸状アライメント構造の上表面上に位置し得る。
【0045】
本製品は、複数の凸状アライメント構造及び複数の凹状アライメント構造を備える。キュービットは、凸状アライメント構造の第１のサブセット内の各凸状アライメント構造上に位置し得、基板貫通ビアは、凹状アライメント構造の第１のサブセットから延在し得、凹状アライメント構造の第１のサブセットは、凸状アライメント構造の第１のサブセット内の凸状アライメント構造に対向して位置決めされる凹状アライメント構造を備え、スペーサ材料の層は、凸状アライメント構造（複数可）の第２のサブセット及び／又は凹状アライメント構造（複数可）の第２のサブセット上に位置し得る。
【0046】
第１の基板と第２の基板との間の距離は、凸状アライメント構造（複数可）の第２のサブセット及び／又は凹状アライメント構造（複数可）の第２のサブセット上に位置するスペーサ材料の層の厚さによって決定され得る。
【0047】
本製品は、キュービットを取り囲んでいる凸状アライメント構造の少なくとも側壁上の金属被覆を更に備え得、基板貫通ビアの側壁上の金属被覆は、凸状アライメント構造の側壁上の金属被覆と電気的に接触し得る。
【0048】
本製品は、複数の凸状アライメント構造及び複数の凹状アライメント構造を備え得、キュービットは、凸状アライメント構造のうちの少なくとも２つの上に位置し得、カプラは、凸状アライメント構造のうちの少なくとも１つの上に位置し、接続素子は、少なくとも２つのキュービットを少なくとも１つのカプラに接続し得、基板貫通ビアは、凹状アライメント構造のサブセットから延在し得、凹状アライメント構造のサブセットは、キュービットが位置する凸状アライメント構造に対向して位置決めされる凹状アライメント構造を備える。
【図面の簡単な説明】
【0049】
【図1】本発明による方法を示すフローチャートである。
【図2A】本発明の方法におけるステップを描写する。
【図2B】本発明の方法におけるステップを描写する。
【図2C】本発明の方法におけるステップを描写する。
【図2D】本発明の方法におけるステップを描写する。
【図3】本発明の凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造の幾何形状を描写する断面図である。
【図4】本発明の凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造の幾何形状を描写する斜視図である。
【図5】本発明の第１の実施形態による、キュービット及び共振器構造を描写する断面図である。
【図6】本発明の第２の実施形態による、キュービット及び共振器構造を描写する断面図である。
【図7】本発明による、基板分離が調節可能なデバイスを描写する断面図である。
【図8】本発明による、結合キュービット及び共振器構造を描写する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0050】
図１は、基板をアライメントするための方法を示すフローチャートである。本方法は、集積回路デバイスの部品、例えば、超伝導キュービットが、基板のうちの１つ以上の上に形成される、より広範なプロセスの一部であり得る。「基板」という用語は、集積回路部品及び構造を形成するためにパターン化され得る基材を指す。基板は、例えば、シリコンウエハであり得る。「基板」という用語が使用される場合、ウエハ全体、すなわち、ダイスカットされる前のウエハ、又は個々のダイを指し得る。本方法のステップは、各基板から、多数の個々の実質的に同一のダイを形成するために、各基板の複数の領域で同時に実行され得る。
【0051】
ステップ１０１では、第１の基板２１０をエッチングして、第１の基板２１０の第１の表面２１１の上方に延在する凸状アライメント構造２０１を形成する。「上方に延在する」という句は、凸状アライメント構造２０１が、第１の基板２１０の第１の表面２１１から延在する突起であるように、凸状アライメント構造２０１が、基板２１０の内部から離れる方向に、第１の基板２１０の第１の表面２１１から離れるように延在することを意味する。
【0052】
ステップ１０２では、第２の基板２２０をエッチングして、第２の基板２２０の第１の表面２２１の下方に延在する凹状アライメント構造２０２を形成する。「下方に延在する」という句は、凹状アライメント構造２０２が、第１の基板２２０の第１の表面２２１から延在する、第２の基板２２０内の凹状領域であるように、凹状アライメント構造２０２が、基板２２０の内部に向かう方向に、第２の基板２２０の第１の表面２２１から離れるように延在することを意味する。
【0053】
ステップ１０１及び１０２は、任意の順序で、又は別個のプロセスで同時に実施され得る。ステップ１０１及び１０２は、図２Ａに示されており、図中の斜線部は、エッチングプロセスで除去される第１の基板２１０及び第２の基板２２０の領域を示す。
【0054】
ステップ１０３では、第１の基板２１０の第１の表面２１１が、第２の基板２２０の第１の表面２２１に対向しかつ平行であり、凸状アライメント構造２０１が、少なくとも部分的に凹状アライメント構造内２０２に位置決めされるように、凸状アライメント構造２０１を、凹状アライメント構造２０２に対向して位置決めする。
【0055】
凸状アライメント構造２０１及び凹状アライメント構造２０２は、凸状アライメント構造２０１が、設定深さまで少なくとも部分的に凹状アライメント構造２０２内に延在するように成形されている。この文脈では、「少なくとも部分的に内部に延在する」とは、凸状アライメント構造２０１の少なくとも一部が、凹状アライメント構造２０２内に延在する、すなわち、第２の基板２２０の第１の表面２２１の平面の下方に延在することを意味する。更に、凸状アライメント構造２０１が、設定深さで凹状アライメント構造２０２内に位置決めされているとき、第２の基板２２０に向かう第１の基板２１０の移動は、凸状アライメント構造２０１と凹状アライメント構造２０２との間の接触によって制限され、第１の基板及び第２の基板の第１の表面に平行な少なくとも１つの軸に沿った、第１の基板２１０及び第２の基板２２０の相対移動もまた、凸状アライメント構造２０１と凹状アライメント構造２０２との間の接触によって制限される。
【0056】
凸状アライメント構造２０１が凹状アライメント構造２０２内に延在する設定深さは、図３に示すように、凸状アライメント構造２０１及び凹状アライメント構造２０２の相対サイズによって決定される。凸状アライメント構造２０１及び凹状アライメント構造２０２は、好ましくは、第１の基板２１０及び第２の基板２２０の第１の表面２１１及び２２１に垂直な少なくとも１つの平面に沿って、台形状の断面を有する。凸状アライメント構造２０１の台形の最も長い底辺は、凹状アライメント構造２０２の台形の最も長い底辺よりも長く、凸状アライメント構造２０１の台形の各斜辺は、第１の基板２１０の第１の表面２１１が第２の基板２２０の第１の表面２２１に平行であるとき、凹状アライメント構造２０２の台形の隣接する斜辺に平行である。好ましくは、凸状アライメント構造２０１及び凹状アライメント構造２０２は、等脚台形状である。
【0057】
第１の基板２１０の第１の表面２１１と第２の基板２２０の第１の表面２２１との間の最終的分離ｄは、凸状アライメント構造２０１及び凹状アライメント構造２０２がハードストップを形成するように、基板２１０及び２２０が位置決め及びアライメントされるとき、すなわち、凸状アライメント構造２０１が凹状アライメント構造２０２内の設定深さにあるときに、次の式によって決定され、
【数5】

式中、αは、各台形の斜辺と最も長い底辺との間の内角であり、Ｂｒａｉｓｅｄは、凸状アライメント構造の最も長い底辺の長さであり、Ｂｒｅｃｅｓｓｅｄは、凹状アライメント構造の最も長い底辺の長さである。これは、図３でより詳細に示される。
【0058】
凸状アライメント構造２０１及び凹状アライメント構造２０２が、２つの垂直平面で台形断面を有する場合、すなわち、凸状アライメント構造２０１及び凹状アライメント構造２０２が、図４に示すように、錐台形状である場合、凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造の寸法は、以下の式に従い、
【数6】

式中、ｄは、凸状アライメント構造が、設定深さまで凹状アライメント構造内に延在するときの、第１の基板の第１の表面と第２の基板の第１の表面との間の分離であり、αは、第１の基板及び第２の基板の第１の表面に平行な第１の軸に沿った台形の斜辺と最も長い底辺との間の内角であり、Ｂｒａｉｓｅｄは、凸状アライメント構造の第１の軸に沿った台形の最も長い底辺の長さであり、Ｂｒｅｃｅｓｓｅｄは、凹状アライメント構造の第１の軸に沿った台形の最も長い底辺の長さであり、βは、第１の基板及び第２の基板の第１の表面に平行であり、第１の軸に垂直な第２の軸に沿った台形の斜辺と最も長い底辺との間の内角であり、Ｃｒａｉｓｅｄは、凸状アライメント構造の第２の軸に沿った台形の最も長い底辺の長さであり、Ｃｒｅｃｅｓｓｅｄは、凹状アライメント構造の第２の軸に沿った台形の最も長い底辺の長さである。
【0059】
ステップ１０１で第１の基板２１０をエッチングして凸状アライメント構造２０１を形成することは、第１の基板２１０の第１の領域上にハードマスク又はレジストを形成することと、第１の基板２１０を異方的にエッチングすることと、ハードマスク又はレジストを除去することと、を含み得る。凸状アライメント構造２０１の台形／錐台形状の寸法を制御するために、ハードマスク又はレジストが形成される第１の領域のサイズ、エッチング時間、及び／又はエッチング液濃度が制御される。
【0060】
第２の基板２２０をエッチングして、凹状アライメント構造２０２を形成することは、第２の基板２２０の上表面上に、ハードマスク又はレジストを形成することであって、ハードマスク又はレジストが、第２の基板２２０の開口領域を画定する少なくとも１つの開口部を含む、形成することと、ハードマスク又はレジストの開口部を介して、第２の基板を異方的にエッチングすることと、ハードマスク又はレジストを除去することと、を含み得る。凹状アライメント構造２０２の台形／錐台形状の寸法を制御するために、第２の基板２２０上の開口領域のサイズ、及びエッチング時間、及び／又はエッチング液濃度が制御される。
【0061】
第１の基板２１０及び第２の基板２２０がシリコン基板であるとき、第１の基板２１０及び第２の基板２２０の異方性エッチングは、ＴＭＡＨ及びＫＯＨベースの溶液を使用して実行され得る。＜１００＞結晶配向を有するシリコン基板を使用して、＜１１０＞方向（＜１００＞に対して４５°）は、ＴＭＡＨで選択的にエッチングすることができ、一方、ＫＯＨ溶液は、＜１１１＞（＜１００＞に対して５４，７°）を選択的にエッチングする。
【0062】
複数の凸状アライメント構造２０１及び凹状アライメント構造２０２は、同じ基板上に形成され得、基板が、後でダイスカットされるウエハである場合、複数が各個々のダイ上に形成され得る。横方向のアライメント及び垂直方向のアライメントの両方を提供するために、各基板及び／又はダイは、基板／ダイの各四分円に、少なくとも１対の対応する凸状アライメント構造２０１及び凹状アライメント構造２０２（例えば、各コーナーに１対）を含み得る。最小のケースでは、横方向のアライメント及び垂直方向のアライメントを提供するために、ダイの各対は、３対の凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造を含み得る。
【0063】
図１に示される方法はまた、凸状アライメント構造２０１を凹状アライメント構造２０２に対向して位置決めする前に、複数のフリップチップバンプ２３１～２３４を、第１の基板の第１の表面若しくは第２の基板の第１の表面のうちの少なくとも１つの上に堆積させること、並びに／又はインジウム膜を、凸状アライメント構造２０１の上及び／若しくは凹状アライメント構造２０２内に堆積させることを含み得る。凸状アライメント構造２０１を凹状アライメント構造２０２に対向して位置決めするステップ１０３は、次いで、フリップチップバンプ又はインジウム膜を介して、第１の基板を第２の基板に接合することを更に含み得る。第１の基板を第２の基板に接合することは、熱圧着であり得る。フリップチップバンプの使用は、図２Ｂ～図２Ｃでより詳細に示される。
【0064】
堆積されたフリップチップバンプ２３１～２３４の高さは、凸状アライメント構造２０１が、設定深さで凹状アライメント構造２０２内に位置決めされているとき、第１の基板２１０の第１の表面２１１と第２の基板２２０の第１の表面２２１との間の分離よりも大きい。圧着に続いて、凸状アライメント構造２０１は、設定深さで凹状アライメント構造２０２内に位置決めされる。
【0065】
第１の基板２１０及び凸状アライメント構造２０１上に下地金属層２４１を堆積させ、第２の基板２２０及び凹状アライメント構造２０２上に下地金属層２４２を堆積させる更なるステップは、フリップチップバンプを形成することに先行し得る。下地金属層は、基板２１０及び２２０上で製造され、アライメント構造２０１、２０２を位置決めするステップ１０３の前にパターン化される更なる部品の基礎を形成し得る。
【0066】
本方法は、基板上に部品を製造するための更なるステップ、例えば、凸状アライメント構造を凹状アライメント構造に対向して位置決めするステップの前に、第１の基板及び／又は第２の基板上に量子回路部品を形成するステップを含み得る。
【0067】
図５は、第１の基板５１０及び第２の基板５２０上に形成されるキュービット及び読み出し構造の例を示す。１つの更なるステップでは、キュービット５５０は、凸状アライメント構造５０１上に形成される。キュービットは、トランスモンキュービットなどのジョセフソン接合ベースのキュービットであり得、凸状アライメント構造の上表面上に形成される。凸状アライメント構造の上表面は、基板の元の研磨された表面であるので、ジョセフソン接合などの繊細な超伝導部品の製造に特に好適な場所を提供する。
【0068】
別の方法ステップでは、基板貫通ビア５６０が、第２の基板５２０に形成される。基板貫通ビアは、第２の基板を通って、凹状アライメント構造５０２から第２の基板５２０の第２の表面５２２まで延在する。基板貫通ビアが形成された後、基板貫通ビア５６０の側壁は、金属被覆される。
【0069】
基板貫通ビアを形成することは、凹状アライメント部分５０２内にハードマスク又はレジストを形成することと、ハードマスク又はレジストの開口部を通って基板貫通ビアをエッチングすることと、を含み得る。側壁金属被覆は、ハードマスク又はレジストが除去される前に、化学蒸着又は物理蒸着によって形成され、それによって、凹状アライメント部分５０２の側壁を金属被覆がないままにし、金属被覆５７０とキュービット５５０との間の直接導電接触を防止する。
【0070】
第１の基板５１０及び凸状アライメント構造５０１が、第２の基板５２０及び凹状アライメント構造５０２に対向して位置決めされた後、かつ凸状アライメント構造５０１が、図５に示すように、凹状アライメント構造５０２内に延在するとき、側壁金属被覆５７０及びキュービット５５０は各々、コンデンサの電極を形成する。側壁金属被覆５７０は、第２の基板５２０の第２の表面５２２上の共振器及び読み出し構造製造に接続され得る。
【0071】
キュービット５５０と側壁金属被覆５７０との間に形成されたコンデンサの全電気容量を効果的に制御するために、高アスペクト比のトレンチ、すなわち、幅よりも大きい深さを有するトレンチは、基板貫通ビア５６０を取り囲んでいる第２の基板内に形成され得る。トレンチの側壁は、金属被覆され、電気接地に接続されている。
【0072】
代替的に、図６に示すように、側壁金属被覆６７０は、凹状アライメント構造６０２の側壁もまた金属被覆されるように、ハードマスク又はレジストの除去後に形成され得る。凸状アライメント構造６０１の上表面に形成されたキュービット６５０は、凸状アライメント構造６０１の少なくとも側壁上にも形成された金属被覆６８０に導電接続されていない。第１の基板６１０及び凸状アライメント構造６０１が、第２の基板６２０及び凹状アライメント構造６０２に対向して位置決めされた後、かつ凸状アライメント構造６０１が、図６に示すように、凹状アライメント構造６０２内に延在するとき、凸状アライメント構造６０１の側壁上の金属被覆６８０は、凹状アライメント構造の側壁上の金属被覆６７０と電気的に接触し、コンデンサが、金属被覆６７０、６８０とキュービット６５０との間に形成される。
【0073】
図７は、凸状アライメント構造が、設定深さで凹状アライメント構造内に位置決めされているとき、第１の基板７１０と第２の基板７２０との間の分離が、凸状アライメント構造７０３、７０５及び／又は凹状アライメント構造７０４、７０６の上に堆積されたスペーサ材料７９１、７９２の厚さによって決定される、更なる代替物を示す。図７に示される製品では、スペーサ材料７９１、７９２は、凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造７０３～７０６上に堆積され、基板７１０、７２０の間の分離を決定する。スペーサ材料の厚さを制御することにより、分離を調節することができる。
【0074】
図８は、（図５又は図６に示されるものなどの）凸状アライメント構造８０１、８０３の周りに形成された複数の結合キュービット及び共振器が、凸状アライメント構造８０５上に形成された中間カプラ８５２を介して結合されている実施形態を示す。キュービット８５０、８５１は、導波路８５５、８５６によってカプラ８５２に結合されている。カプラ８５２は、キュービット８５０、８５１を、キュービットとしてではなく、選択的に結合するために使用されるトランスモンであり得る。
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図2D】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【手続補正書】
【提出日】2024-03-19
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
方法であって、
第１の基板をエッチングして、前記第１の基板の第１の表面の上方に延在する凸状アライメント構造を形成することと、
第２の基板をエッチングして、前記第２の基板の第１の表面の下方に延在する凹状アライメント構造を形成することと、
前記第１の基板の前記第１の表面が、前記第２の基板の前記第１の表面に対向しかつ平行であり、前記凸状アライメント構造が、少なくとも部分的に前記凹状アライメント構造内に位置決めされるように、前記凸状アライメント構造を前記凹状アライメント構造に対向して位置決めすることと、を含み、
前記凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造が、前記凸状アライメント構造が、設定深さまで少なくとも部分的に前記凹状アライメント構造内に延在するように、かつ、前記凸状アライメント構造が、前記設定深さで前記凹状アライメント構造内に位置決めされているとき、前記第２の基板に向かう前記第１の基板の移動と、前記第１の基板及び前記第２の基板の前記第１の表面に平行な少なくとも１つの軸に沿った前記第２の基板に対する前記第１の基板の移動と、が制限されるように、成形されている、方法。
【請求項2】
前記凸状アライメント構造を前記凹状アライメント構造に対向して位置決めする前に、前記方法が、
複数のフリップチップバンプを、前記第１の基板の前記第１の表面又は前記第２の基板の前記第１の表面のうちの少なくとも１つの上に堆積させること、又は
インジウム膜を、前記凸状アライメント構造の上及び／若しくは前記凹状アライメント構造内に堆積させること、のうちの少なくとも１つを行うことを更に含み、
前記凸状アライメント構造を前記凹状アライメント構造に対向して位置決めすることが、前記フリップチップバンプ又はインジウム膜を介して、前記第１の基板を前記第２の基板に接合することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項3】
前記第１の基板を前記第２の基板に接合することが、熱圧着を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項4】
前記凸状アライメント構造が、前記設定深さで前記凹状アライメント構造内に位置決めされているとき、前記堆積されたフリップチップバンプの高さが、前記第１の基板の前記第１の表面と前記第２の基板の前記第１の表面との間の分離よりも大きく、圧着に続いて、前記凸状アライメント構造が、前記設定深さで前記凹状アライメント構造内に位置決めされる、請求項３に記載の方法。
【請求項5】
前記凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造の、各基板の前記第１の表面に垂直な少なくとも１つの平面に沿った断面が、前記凸状アライメント構造の前記断面が、前記第１の基板の前記第１の表面から延在している台形であり、かつ、前記凹状アライメント構造の前記断面が、前記第２の基板の前記第１の表面内に延在している台形であるように、台形状である、請求項１～４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項6】
前記凸状アライメント構造の台形の最も長い底辺が、前記凹状アライメント構造の台形の最も長い底辺よりも長く、前記第１の基板の前記第１の表面が前記第２の基板の前記第１の表面に平行であるとき、前記凸状アライメント構造の台形の各斜辺が、前記凹状アライメント構造の台形の隣接する斜辺に平行である、請求項５に記載の方法。
【請求項7】
前記凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造が、等脚台形状である、請求項６に記載の方法。
【請求項8】
前記凸状アライメント構造が、前記設定深さまで前記凹状アライメント構造内に延在するとき、前記第１の基板の前記第１の表面と前記第２の基板の前記第１の表面との間の分離ｄが、以下の式によって与えられ、
【数1】

式中、αは、各台形の前記斜辺と前記最も長い底辺との間の内角であり、Ｂｒａｉｓｅｄは、前記凸状アライメント構造の前記最も長い底辺の長さであり、Ｂｒｅｃｅｓｓｅｄは、前記凹状アライメント構造の前記最も長い底辺の長さである、請求項７に記載の方法。
【請求項9】
前記凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造の、各基板の前記第１の表面に各々垂直な２つの垂直平面に沿った断面が、前記凸状アライメント構造が、前記第１の基板の前記第１の表面から延在している正方形又は長方形錐台であり、前記凹状アライメント構造が、前記第２の基板の前記第１の表面内に延在している正方形又は長方形錐台形状のくぼみであるように、台形状である、請求項５～８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項10】
前記凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造の寸法が、以下の式に従い、
【数2】

式中、ｄは、前記凸状アライメント構造が、前記設定深さまで前記凹状アライメント構造内に延在するときの、前記第１の基板の前記第１の表面と前記第２の基板の前記第１の表面との間の分離であり、αは、前記第１の基板及び前記第２の基板の前記第１の表面に平行な第１の軸に沿った前記台形の斜辺と最も長い底辺との間の内角であり、Ｂｒａｉｓｅｄは、前記凸状アライメント構造の前記第１の軸に沿った前記台形の前記最も長い底辺の長さであり、Ｂｒｅｃｅｓｓｅｄは、前記凹状アライメント構造の前記第１の軸に沿った前記台形の前記最も長い底辺の長さであり、βは、前記第１の基板及び前記第２の基板の前記第１の表面に平行であり、前記第１の軸に垂直な第２の軸に沿った前記台形の前記斜辺と前記最も長い底辺との間の前記内角であり、Ｃｒａｉｓｅｄは、前記凸状アライメント構造の前記第２の軸に沿った前記台形の前記最も長い底辺の長さであり、Ｃｒｅｃｅｓｓｅｄは、前記凹状アライメント構造の前記第２の軸に沿った前記台形の前記最も長い底辺の長さである、請求項９に記載の方法。
【請求項11】
前記第１の基板をエッチングして、凸状アライメント構造を形成することが、
前記第１の基板の第１の領域上に、ハードマスク又はレジストを形成することと、
前記第１の基板を異方的にエッチングすることと、
前記ハードマスク又はレジストを除去することと、を含む、請求項８～１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項12】
前記凸状アライメント構造の前記台形／錐台形状の寸法を制御するために、前記ハードマスク又はレジストが形成される第１の領域のサイズ、エッチング時間、及び／又はエッチング液濃度が制御される、請求項１１に記載の方法。
【請求項13】
前記第２の基板をエッチングして、凹状アライメント構造を形成することが、
前記第２の基板の上表面上に、ハードマスク又はレジストを形成することであって、前記ハードマスク又はレジストが、前記第２の基板の開口領域を画定する少なくとも１つの開口部を含む、形成することと、
前記ハードマスク又はレジストの前記開口部を介して、前記第２の基板を異方的にエッチングすることと、
前記ハードマスク又はレジストを除去することと、を含む、請求項８～１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項14】
前記凹状アライメント構造の前記台形／錐台形状の寸法を制御するために、前記第２の基板上の前記開口領域のサイズ、エッチング時間、及び／又はエッチング液濃度が制御される、請求項１３に記載の方法。
【請求項15】
第１の基板をエッチングして凸状アライメント構造を形成することが、前記第１の基板上に複数の凸状アライメント構造を形成することを含み、第２の基板をエッチングして凹状アライメント構造を形成するステップが、前記第２の基板上に複数の凹状アライメント構造を形成することを含む、請求項１～１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項16】
前記第１の基板が、複数のダイを備える第１のウエハ上のダイであり、
前記第２の基板が、複数のダイを備える第２のウエハ上のダイであり、
前記第１の基板をエッチングして複数の凸状アライメント構造を形成することが、前記第１のウエハをエッチングして、前記第１のウエハ上の各ダイ上に複数の凸状アライメント構造を形成することを含み、
前記第２の基板をエッチングして複数の凹状アライメント構造を形成することが、前記第２のウエハをエッチングして、前記第２のウエハ上の各ダイ上に複数の凹状アライメント構造を形成することを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項17】
前記第１のウエハをエッチングして複数の凸状アライメント構造を形成することが、前記第１のウエハ上の各ダイの四分円ごとに凸状アライメント構造を形成することを含み、かつ／又は
前記第２のウエハをエッチングして複数の凹状アライメント構造を形成することが、前記第２のウエハ上の各ダイの四分円ごとに凹状アライメント構造を形成することを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項18】
前記凸状アライメント構造を前記凹状アライメント構造に対向して位置決めすることが、各凸状アライメント構造を前記凹状アライメント構造に対向して位置決めすることを含み、かつ、各凸状アライメント構造が、前記設定深さまで少なくとも部分的に前記対向する凹状アライメント構造内に延在するように、前記複数の凸状アライメント構造が前記第１の基板上に配設され、前記複数の凹状アライメント構造が前記第２の基板上に配設されている、請求項１５～１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項19】
前記方法が、前記凸状アライメント構造を前記凹状アライメント構造に対向して位置決めするステップの前に、前記第１の基板及び／又は前記第２の基板上に量子回路部品を形成することを更に含む、請求項１～１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項20】
量子回路部品を形成することが、
前記凸状アライメント構造上にキュービットを形成することと、
前記第２の基板に基板貫通ビアを形成することであって、前記基板貫通ビアが、前記第２の基板を通って、前記凹状アライメント構造から前記第２の基板の第２の表面まで延在している、形成することと、
前記基板貫通ビアの側壁を金属被覆することと、を含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項21】
前記凸状アライメント構造を前記凹状アライメント構造に対向して位置決めすることが、前記基板貫通ビアの前記側壁の金属被覆と、前記凸状アライメント構造上に形成された前記キュービットとの間にコンデンサを形成する、請求項２０に記載の方法。
【請求項22】
前記凸状アライメント構造上に前記キュービットを形成することが、前記凸状アライメント構造の上表面上に前記キュービットを形成することを含む、請求項２０又は２１に記載の方法。
【請求項23】
前記基板貫通ビアを形成することが、前記凹状アライメント構造内にハードマスク又はレジストを形成することと、前記ハードマスク又はレジストの開口部を通って前記基板貫通ビアをエッチングすることと、を含む、請求項２０～２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項24】
前記側壁の金属被覆が、ハードマスク又はレジストが除去される前に、化学蒸着又は物理蒸着によって形成される、請求項２０～２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項25】
前記方法が、
複数の凸状アライメント構造及び複数の凹状アライメント構造を形成することと、
前記凸状アライメント構造を前記凹状アライメント構造に対向して位置決めする前に、前記凸状アライメント構造の第２のサブセット及び／又は前記凹状アライメント構造の第２のサブセット上にスペーサ材料の層を堆積させることと、を更に含み、
前記凸状アライメント構造上にキュービットを形成することが、前記凸状アライメント構造の第１のサブセット上にキュービットを形成することを含み、
基板貫通ビアを形成することが、前記凹状アライメント構造の第１のサブセットから延在している基板貫通ビアを形成することを含み、前記凹状アライメント構造の前記第１のサブセットが、前記位置決めのステップにおいて、前記凸状アライメント構造の前記第１のサブセット内の凸状アライメント構造に対向して位置決めされる前記凹状アライメント構造を備える、基板貫通ビアを形成することを含む、
請求項２０～２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項26】
前記凸状アライメント構造を前記凹状アライメント構造に対向して位置決めした後の前記第１の基板と第２の基板との間の距離が、前記凸状アライメント構造の前記第２のサブセット及び／又は前記凹状アライメント構造の第２のサブセット上に堆積された前記スペーサ材料の層の厚さによって少なくともある程度は決定される、請求項２５に記載の方法。
【請求項27】
前記方法が、前記キュービットを取り囲んでいる前記凸状アライメント構造の少なくとも前記側壁上に金属被覆を形成することを更に含み、前記凸状アライメント構造を前記凹状アライメント構造に対向して位置決めすることが、前記凸状アライメント構造の前記側壁上の前記金属被覆と電気的に接触する前記基板貫通ビアの前記側壁上に前記金属被覆を配置することを更に含む、請求項２０～２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項28】
前記方法が、
複数の凸状アライメント構造及び複数の凹状アライメント構造を形成することと、
前記少なくとも２つのキュービットを前記少なくとも１つのカプラに接続する、接続素子を形成することと、を更に含み、
前記凸状アライメント構造上にキュービットを形成することが、前記凸状アライメント構造のうちの少なくとも２つの上にキュービットを形成することと、前記凸状アライメント構造のうちの少なくとも１つの上にカプラを形成することを含み、
基板貫通ビアを形成することが、前記凹状アライメント構造のサブセットから延在している基板貫通ビアを形成することを含み、凹状アライメント構造の前記サブセットが、前記キュービットが形成される前記凸状アライメント構造に対向して位置決めされる前記凹状アライメント構造を備える、
請求項２０～２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項29】
前記キュービットが、ジョセフソン接合ベースのキュービット、例えば、トランスモンキュービットである、請求項２０～２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項30】
製品であって、
第１の基板であって、前記第１の基板の第１の表面の上方に延在する少なくとも１つの凸状アライメント構造を備える、第１の基板と、
第２の基板であって、前記第２の基板の第１の表面の下方に延在する少なくとも１つの凹状アライメント構造を備える、第２の基板と、を備え、
前記第１の基板の前記第１の表面が、前記第２の基板の前記第１の表面に対向しかつ平行であり、前記凸状アライメント構造が、少なくとも部分的に前記凹状アライメント構造内に位置決めされるように、前記凸状アライメント構造が、前記凹状アライメント構造に対向して位置決めされており、
前記凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造が、前記凸状アライメント構造が、設定深さまで少なくとも部分的に前記凹状アライメント構造内に延在するように、かつ、前記第２の基板に向かう前記第１の基板の移動と、前記第１の基板及び前記第２の基板の前記第１の表面に平行な少なくとも１つの軸に沿った前記第２の基板に対する前記第１の基板の移動と、が制限されるように、成形されており、
前記製品が、各凸状アライメント構造が、前記設定深さまで少なくとも部分的に前記対向する凹状アライメント構造内に延在するように、複数の凸状アライメント構造及び複数の凹状アライメント構造を備える、
製品。
【請求項31】
前記製品が、
前記第１の基板の前記第１の表面と、前記第２の基板の前記第１の表面と、を接続する、複数のフリップチップバンプ、並びに／又は
前記凸状アライメント構造の上及び／若しくは前記凹状アライメント構造内のインジウム膜を更に備える、請求項３０に記載の製品。
【請求項32】
前記凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造の、各基板の前記第１の表面に平行な少なくとも１つの軸に沿った断面が、前記凸状アライメント構造の前記断面が、前記第１の基板の前記第１の表面から延在している台形であり、かつ、前記凹状アライメント構造の前記断面が、前記第２の基板の前記第１の表面内に延在している台形であるように、台形状である、請求項３０又は３１に記載の製品。
【請求項33】
前記凸状アライメント構造の台形の最も長い底辺が、前記凹状アライメント構造の台形の最も長い底辺よりも長く、前記凸状アライメント構造の台形の各斜辺が、前記凹状アライメント構造の台形の隣接する斜辺に平行である、請求項３２に記載の製品。
【請求項34】
前記凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造が、等脚台形状である、請求項３３に記載の製品。
【請求項35】
前記凸状アライメント構造が、前記設定深さまで前記凹状アライメント構造内に延在するとき、前記第１の基板と前記第２の基板との間の分離ｄが、以下の式によって与えられ、
【数3】

式中、αは、各台形の前記斜辺と前記最も長い底辺との間の内角であり、Ｂｒａｉｓｅｄは、前記凸状アライメント構造の前記最も長い底辺の長さであり、Ｂｒｅｃｅｓｓｅｄは、前記凹状アライメント構造の前記最も長い底辺の長さである、請求項３４に記載の製品。
【請求項36】
前記凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造の、各基板の前記第１の表面に平行な２つの垂直軸に沿った断面が、前記凸状アライメント構造が、前記第１の基板の前記第１の表面から延在している正方形又は長方形錐台であり、前記凹状アライメント構造が、前記第２の基板の前記第１の表面内に延在している正方形又は長方形錐台形状のくぼみであるように、台形状である、請求項３２～３５のいずれか一項に記載の製品。
【請求項37】
前記凸状アライメント構造及び凹状アライメント構造の寸法が、以下の式に従い、
【数4】

式中、ｄは、前記凸状アライメント構造が、前記設定深さまで前記凹状アライメント構造内に延在するときの、前記第１の基板の前記第１の表面と前記第２の基板の前記第１の表面との間の分離であり、αは、前記第１の基板及び前記第２の基板の前記第１の表面に平行な第１の軸に沿った前記台形の斜辺と最も長い底辺との間の内角であり、Ｂｒａｉｓｅｄは、前記凸状アライメント構造の前記第１の軸に沿った前記台形の前記最も長い底辺の長さであり、Ｂｒｅｃｅｓｓｅｄは、前記凹状アライメント構造の前記第１の軸に沿った前記台形の前記最も長い底辺の長さであり、βは、前記第１の基板及び前記第２の基板の前記第１の表面に平行であり、前記第１の軸に垂直な第２の軸に沿った前記台形の前記斜辺と前記最も長い底辺との間の前記内角であり、Ｃｒａｉｓｅｄは、前記凸状アライメント構造の前記第２の軸に沿った前記台形の前記最も長い底辺の長さであり、Ｃｒｅｃｅｓｓｅｄは、前記凹状アライメント構造の前記第２の軸に沿った前記台形の前記最も長い底辺の長さである、請求項３６に記載の製品。
【請求項38】
少なくとも１つの凸状アライメント構造及び少なくとも１つの凹状アライメント構造が、前記基板の各四分円に存在する、請求項３０に記載の製品。
【請求項39】
前記製品が、前記凸状アライメント構造上にキュービットを更に備え、
基板貫通ビアが、前記凹状アライメント構造から前記第２の基板の第２の表面まで延在しており、
前記基板貫通ビアの側壁が、金属被覆されている、請求項３０～３８のいずれか一項に記載の製品。
【請求項40】
前記貫通基板の前記キュービット及び前記側壁の金属被覆が、コンデンサの電極である、請求項３９に記載の製品。
【請求項41】
前記キュービットが、前記凸状アライメント構造の上表面上に位置する、請求項４０に記載の製品。
【請求項42】
前記製品が、複数の凸状アライメント構造及び複数の凹状アライメント構造を備え、
キュービットが、前記凸状アライメント構造の第１のサブセット内の各凸状アライメント構造上に位置し、
基板貫通ビアが、前記凹状アライメント構造の第１のサブセットから延在しており、凹状アライメント構造の前記第１のサブセットが、凸状アライメント構造の前記第１のサブセット内の凸状アライメント構造に対向して位置決めされる前記凹状アライメント構造を備え、
スペーサ材料の層が、前記凸状アライメント構造の第２のサブセット及び／又は前記凹状アライメント構造の第２のサブセット上に位置する、請求項３９～４１のいずれか一項に記載の製品。
【請求項43】
前記第１の基板と前記第２の基板との間の距離が、前記凸状アライメント構造の前記第２のサブセット及び／又は前記凹状アライメント構造の第２のサブセット上に位置する前記スペーサ材料の層の厚さによって決定される、請求項４２に記載の製品。
【請求項44】
前記製品が、前記キュービットを取り囲んでいる前記凸状アライメント構造の少なくとも前記側壁上の金属被覆を更に備え、前記基板貫通ビアの前記側壁上の前記金属被覆が、前記凸状アライメント構造の前記側壁上の前記金属被覆と電気的に接触している、請求項３９～４３のいずれか一項に記載の製品。
【請求項45】
キュービットが、前記凸状アライメント構造のうちの少なくとも２つの上に位置し、カプラが、前記凸状アライメント構造のうちの少なくとも１つの上に位置し、
接続素子が、前記少なくとも２つのキュービットを前記少なくとも１つのカプラに接続し、
基板貫通ビアが、前記凹状アライメント構造のサブセットから延在しており、凹状アライメント構造の前記サブセットが、前記キュービットが位置する前記凸状アライメント構造に対向して位置決めされる前記凹状アライメント構造を備える、請求項３０～３８のいずれか一項に記載の製品。
【国際調査報告】
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