特表2024-537996ダイ側埋め込みトレース基板（ＥＴＳ）層内の埋め込み金属トレースに結合された補助金属層を採用する集積回路（ＩＣ）パッケージ、及び関連する製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-10-18
(54)【発明の名称】ダイ側埋め込みトレース基板（ＥＴＳ）層内の埋め込み金属トレースに結合された補助金属層を採用する集積回路（ＩＣ）パッケージ、及び関連する製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 23/12 20060101AFI20241010BHJP
H05K 1/02 20060101ALI20241010BHJP
H05K 3/46 20060101ALI20241010BHJP
H05K 1/09 20060101ALI20241010BHJP
【ＦＩ】
H01L23/12 Q
H05K1/02 J
H05K3/46 Q
H05K3/46 N
H05K3/46 B
H05K1/09 C
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024519876
(86)(22)【出願日】2022-09-23
(85)【翻訳文提出日】2024-04-01
(86)【国際出願番号】 US2022076910
(87)【国際公開番号】W WO2023069820
(87)【国際公開日】2023-04-27
(31)【優先権主張番号】17/451,302
(32)【優先日】2021-10-18
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】595020643
【氏名又は名称】クゥアルコム・インコーポレイテッド
【氏名又は名称原語表記】ＱＵＡＬＣＯＭＭ ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
(74)【代理人】
【識別番号】110003708
【氏名又は名称】弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
(72)【発明者】
【氏名】キム、ミシェル・イェジン
(72)【発明者】
【氏名】カン、クイウォン
(72)【発明者】
【氏名】ブオト、ジョアン・レイ・ビラーバ
(72)【発明者】
【氏名】ファン、チン－リウ
【テーマコード（参考）】
4E351
5E316
5E338
【Ｆターム（参考）】
4E351DD04
4E351GG01
4E351GG20
5E316AA32
5E316AA43
5E316CC32
5E316CC52
5E316CC55
5E316CC58
5E316DD32
5E316DD48
5E316FF07
5E316GG22
5E316HH11
5E316HH40
5E316JJ02
5E338AA03
5E338BB13
5E338BB25
5E338BB75
5E338CD02
5E338EE26
5E338EE28
5E338EE60
(57)【要約】
金属密度の不一致を低減するために、補助金属層を、ダイ側埋め込みトレース基板（ＥＴＳ）層内の埋め込み金属トレースに結合されて採用する集積回路（ＩＣ）パッケージ、及び関連する製造方法。ＩＣパッケージは、パッケージ基板に電気的に結合された半導体ダイ（「ダイ」）を含む。パッケージ基板は、ダイに隣接して結合されたダイ側ＥＴＳ金属化層を含む。ダイ側ＥＴＳ金属化層とパッケージ基板内の別の金属化層（単数又は複数）との間の金属密度の不一致を低減又は回避するために、追加の金属相互接続部を有する補助金属層が、ダイサイズＥＴＳ金属化層に隣接して配置される。追加の金属相互接続部は、ダイ側ＥＴＳ金属化層内の埋め込み金属トレースに垂直方向に結合されて、ダイ側ＥＴＳ金属化層内の埋め込み金属トレースに結合された追加の金属相互接続によって形成されたダイ側金属相互接続の金属密度を増加させる。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
集積回路（ＩＣ）パッケージであって、パッケージ基板であって、
第１の金属化層であって、
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層に埋め込まれた１つ又は複数の第１の金属トレースを含む第１の金属層と、を含む、第１の金属化層と、
前記第１の金属化層に隣接して配置された第２の金属層であって、前記第１の金属化層の前記第１の金属層内の前記１つ又は複数の第１の金属トレースのうちの第１の金属トレースに各々結合された１つ又は複数の第２の金属相互接続部を含む、第２の金属層と、を備える、集積回路（ＩＣ）パッケージ。
【請求項2】
前記第２の金属層が、垂直方向において前記第１の金属化層の第１の側に隣接して配置され、前記パッケージ基板が、
前記垂直方向において前記第１の金属化層の第２の側にある前記１つ又は複数の第１の金属トレースのうちの第１の金属トレースに各々結合された、１つ又は複数の垂直相互接続アクセス（ビア）を更に含む、
請求項１に記載のＩＣパッケージ。
【請求項3】
前記パッケージ基板が、１つ又は複数の第３の金属相互接続部を含む第３の金属層を含む第３の金属化層を更に含み、前記１つ又は複数のビアのうちの各ビアが、前記１つ又は複数の第３の金属相互接続部のうちの第３の金属相互接続部に結合されている、請求項２に記載のＩＣパッケージ。
【請求項4】
前記第３の金属化層内の前記１つ又は複数の第３の金属相互接続部のうちの第３の金属相互接続部に各々結合された１つ又は複数の外部相互接続部を更に備える、請求項３に記載のＩＣパッケージ。
【請求項5】
前記１つ又は複数の第１の金属トレースが、垂直方向において１２～１４マイクロメートル（μｍ）の第１の垂直方向における高さを各々有し、前記１つ又は複数の第３の金属相互接続部が、１０μｍ～２０μｍの前記垂直方向における第２の高さを各々有する、
請求項３に記載のＩＣパッケージ。
【請求項6】
前記１つ又は複数の第１の金属トレースが、垂直方向における第１の高さを有し、前記１つ又は複数の第３の金属相互接続部が、前記垂直方向における第２の高さを有し、
前記第２の高さに対する前記第１の高さの比が、少なくとも８／２０である、
請求項３に記載のＩＣパッケージ。
【請求項7】
前記１つ又は複数の第２の金属相互接続部が各々、前記１つ又は複数の第１の金属トレースのうちの第１の金属トレースと直接接触している、請求項１に記載のＩＣパッケージ。
【請求項8】
前記第１の金属化層に隣接するはんだレジスト層を更に含み、前記第２の金属層が、前記はんだレジスト層内に配置されている、
請求項１に記載のＩＣパッケージ。
【請求項9】
前記第１の絶縁層が第１の表面を含み、前記第２の金属層が前記第１の表面に隣接して配置されている、
請求項１に記載のＩＣパッケージ。
【請求項10】
前記第１の絶縁層の前記第１の表面が、水平方向において水平面に配置され、前記１つ又は複数の第１の金属トレースの少なくとも一部が、垂直方向において前記水平面に延びる第２の表面を各々含む、
請求項９に記載のＩＣパッケージ。
【請求項11】
前記１つ又は複数の第２の金属相互接続部が、前記第１の絶縁層に埋め込まれない、請求項１に記載のＩＣパッケージ。
【請求項12】
前記１つ又は複数の第１の金属トレースが、垂直方向における第１の高さを有する外側金属部分と、
前記外側金属部分の内側に配置された内側金属部分であって、前記第１の高さよりも小さい前記垂直方向における第２の高さを有する、内側金属部分と、
を各々含む、請求項１に記載のＩＣパッケージ。
【請求項13】
前記第１の絶縁層が、前記第２の金属層に隣接する第１の表面を含み、前記第１の表面が、水平方向において第１の水平面に配置され、前記１つ又は複数の第１の金属トレースの各々に対して、
前記外側金属部分が、
前記水平方向において第２の水平面に配置された第２の表面と、
前記垂直方向において前記第２の表面の反対側にあり、前記第２の金属層に隣接する第３の表面であって、前記垂直方向における前記第１の水平面と前記第２の水平面との間に前記水平方向において第３の水平面に配置された、第３の表面と、
を含み、
前記内側金属部分が、
前記第２の水平面に配置された第４の表面と、
前記垂直方向において前記第４の表面の反対側にあり、前記第２の金属層に隣接する第５の表面であって、前記第１の水平面に配置された、第５の表面と、
を含む、
請求項１２に記載のＩＣパッケージ。
【請求項14】
１つ又は複数の第１の金属トレースが、８～１４マイクロメートル（μｍ）の垂直方向における第１の高さを有し、１つ又は複数の第２の金属相互接続部が、１μｍ～５μｍの前記垂直方向における第２の高さを有する、
請求項１に記載のＩＣパッケージ。
【請求項15】
前記１つ又は複数の第１の金属トレースが、垂直方向における第１の高さを各々有し、前記１つ又は複数の第２の金属相互接続部が、前記垂直方向における第２の高さを各々有し、
前記第２の高さに対する前記第１の高さの比が、少なくとも８／５である、
請求項１に記載のＩＣパッケージ。
【請求項16】
前記１つ又は複数の第１の金属トレースが、７マイクロメートル（μｍ）以下の水平方向における第１の幅を各々有し、９μｍ以下の水平方向における第２の幅を有する前記１つ又は複数の第１の金属トレースのうちの隣接する第１の金属トレース間に１つ又は複数の空間を更に備える、
請求項１に記載のＩＣパッケージ。
【請求項17】
前記パッケージ基板に結合されたダイを更に備える、請求項１に記載のＩＣパッケージ。
【請求項18】
前記ダイが、前記１つ又は複数の第１の金属トレースのうちの第１の金属トレースに各々結合された１つ又は複数のダイ相互接続部を含む、請求項１７に記載のＩＣパッケージ。
【請求項19】
前記１つ又は複数のダイ相互接続部が、前記第２の金属層内の前記１つ又は複数の第２の金属相互接続のうちの第２の金属相互接続部に各々結合されている、請求項１８に記載のＩＣパッケージ。
【請求項20】
前記第２の金属層の少なくとも一部が、垂直方向において前記ダイと前記第１の金属化層との間に配置されている、請求項１７に記載のＩＣパッケージ。
【請求項21】
前記第２の金属層が、垂直方向において前記ダイの外側に配置されている、請求項１７に記載のＩＣパッケージ。
【請求項22】
セットトップボックスと、エンターテイメントユニットと、ナビゲーションデバイスと、通信デバイスと、固定ロケーションデータユニットと、モバイルロケーションデータユニットと、全地球測位システム（ＧＰＳ）デバイスと、モバイルフォンと、携帯電話と、スマートフォンと、セッション開始プロトコル（ＳＩＰ）フォンと、タブレットと、ファブレットと、サーバと、コンピュータと、ポータブルコンピュータと、モバイルコンピューティングデバイスと、ウェアラブルコンピューティングデバイスと、デスクトップコンピュータと、携帯情報端末（ＰＤＡ）と、モニタと、コンピュータモニタと、テレビと、チューナーと、ラジオと、衛星ラジオと、音楽プレーヤと、デジタル音楽プレーヤと、ポータブル音楽プレーヤと、デジタルビデオプレーヤと、ビデオプレーヤと、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）プレーヤと、ポータブルデジタルビデオプレーヤと、自動車と、車両部品と、アビオニクスシステムと、ドローンと、マルチコプターと、からなる群から選択されるデバイスに一体化された、請求項１に記載のＩＣパッケージ。
【請求項23】
集積回路（ＩＣ）パッケージの製造方法であって、パッケージ基板を形成することであって、
第１の金属化層を形成することであって、
第１の絶縁層を形成することと、
前記第１の絶縁層に１つ又は複数の第１の金属トレースを埋め込み、前記第１の絶縁層内に第１の金属層を形成することと、
を含む、第１の金属化層を形成すること、
を含む、パッケージ基板を形成することと、
前記第１の金属化層に隣接する第２の金属層内に１つ又は複数の第２の金属相互接続部を形成することと、
前記第２の金属層内の前記１つ又は複数の第２の金属相互接続部の各々を、前記第１の金属化層の前記第１の金属層内の前記１つ又は複数の第１の金属トレースのうちの第１の金属トレースに結合することと、
を含む、方法。
【請求項24】
前記第２の金属層内に前記１つ又は複数の第２の金属相互接続部を形成することが、垂直方向において前記第１の金属化層の第１の側に隣接して前記第２の金属層内に１つ又は複数の第２の金属相互接続部を形成することを含み、前記パッケージ基板を形成することが、
前記垂直方向において前記第１の金属化層の第２の側にある前記１つ又は複数の第１の金属トレースのうちの第１の金属トレースに各々結合された１つ又は複数の垂直相互接続アクセス（ビア）を形成することを更に含む、
請求項２３に記載の方法。
【請求項25】
前記パッケージ基板を形成することが、１つ又は複数の第３の金属相互接続部を含む第３の金属層を含む第３の金属化層を形成することを更に含み、部第３の金属層内の前記１つ又は複数の第３の金属相互接続部の各々を、前記１つ又は複数のビアのうちのビアに結合することを更に含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項26】
前記１つ又は複数の第２の金属相互接続の各々を結合することが、前記第１の金属化層の前記第１の金属層内の前記１つ又は複数の第１の金属トレースのうちの第１の金属トレースと接触して、前記第２の金属層内の前記１つ又は複数の第２の金属相互接続の各々を配置することを含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項27】
はんだレジスト層を形成することであって、前記第２の金属層が前記はんだレジスト層内に配置されるように、前記第２の金属層の上にかつ前記第１の金属化層に隣接して前記はんだレジスト層を形成することを更に含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項28】
前記第１の絶縁層を形成することが、水平方向において水平面に配置された第１の表面を形成することを更に含み、前記１つ又は複数の第１の金属トレースを前記第１の絶縁層に埋め込むことが、垂直方向において前記水平面に延びる前記１つ又は複数の第１の金属トレースの少なくとも一部に第２の表面を形成することを更に含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項29】
前記１つ又は複数の第２の金属相互接続部を、前記第１の絶縁層に埋め込まないことを更に含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項30】
前記パッケージ基板に結合されたダイを結合することを更に含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項31】
前記ダイを結合することが、前記ダイの少なくとも１つのダイ相互接続部を、前記第２の金属層内の前記１つ又は複数の第２の金属相互接続部のうちの第２の金属相互接続に結合することを含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項32】
キャリアを設けることと、前記キャリア上に第２の金属層を形成することと、
前記第２の金属層上に配置された前記第１の金属層内に前記１つ又は複数の第１の金属トレースを形成することと、
を更に含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項33】
前記第１の絶縁層に１つ又は複数の第１の金属トレースを埋め込むことが、前記第１の金属層内に前記１つ又は複数の第１の金属トレースを形成することと、
前記第１の金属層内の前記１つ又は複数の第１の金属トレースを、前記第１の絶縁層を形成する誘電体材料で積層することと、を含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項34】
前記第２の金属層上にマスキング層を配置することと、前記第２の金属層の上の前記マスキング層に１つ又は複数の開口部を形成するために、
前記マスキング層を露光することと、
エッチングされていない前記第２の金属層内に前記１つ又は複数の第２の金属相互接続部を形成するために、前記１つ又は複数の開口部から露出された前記第２の金属層内に前記１つ又は複数の開口部の内側をエッチングすることと、
を更に含む、請求項３３に記載の方法。
【請求項35】
前記第２の金属層上にはんだレジスト層を形成することを更に含む、請求項３４に記載の方法。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
優先権出願
[0001] 本出願は、２０２１年１０月１８日に出願された、「ＩＮＴＥＧＲＡＴＥＤ ＣＩＲＣＵＩＴ（ＩＣ）ＰＡＣＫＡＧＥＳ ＥＭＰＬＯＹＩＮＧ ＳＵＰＰＬＥＭＥＮＴＡＬ ＭＥＴＡＬ ＬＡＹＥＲ ＣＯＵＰＬＥＤ ＴＯ ＥＭＢＥＤＤＥＤ ＭＥＴＡＬ ＴＲＡＣＥＳ ＩＮ Ａ ＤＩＥ－ＳＩＤＥ ＥＭＢＥＤＤＥＤ ＴＲＡＣＥ ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ（ＥＴＳ）ＬＡＹＥＲ，ＡＮＤ ＲＥＬＡＴＥＤ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ ＭＥＴＨＯＤＳ」と題する米国特許出願第１７／４５１，３０２号の優先権を主張するものであり、この文書はその全体が参照により本明細書に組み込まれる。
[0001] 本出願は、２０２１年１０月１８日に出願された、「ＩＮＴＥＧＲＡＴＥＤ ＣＩＲＣＵＩＴ（ＩＣ）ＰＡＣＫＡＧＥＳ ＥＭＰＬＯＹＩＮＧ ＳＵＰＰＬＥＭＥＮＴＡＬ ＭＥＴＡＬ ＬＡＹＥＲ ＣＯＵＰＬＥＤ ＴＯ ＥＭＢＥＤＤＥＤ ＭＥＴＡＬ ＴＲＡＣＥＳ ＩＮ Ａ ＤＩＥ－ＳＩＤＥ ＥＭＢＥＤＤＥＤ ＴＲＡＣＥ ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ（ＥＴＳ）ＬＡＹＥＲ，ＡＮＤ ＲＥＬＡＴＥＤ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ ＭＥＴＨＯＤＳ」と題する米国特許出願第１７／４５１，３０２号の優先権を主張するものであり、この文書はその全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【背景技術】
【0002】
Ｉ．開示の分野
[0002] 本開示の分野は、集積回路（ＩＣ）パッケージに関し、より具体的には、ＩＣパッケージ内の半導体ダイ（単数又は複数）への信号ルーティングを支持するパッケージ基板の設計及び製造に関する。
[0002] 本開示の分野は、集積回路（ＩＣ）パッケージに関し、より具体的には、ＩＣパッケージ内の半導体ダイ（単数又は複数）への信号ルーティングを支持するパッケージ基板の設計及び製造に関する。
【0003】
ＩＩ．背景
[0003] 集積回路（ＩＣ）は、電子デバイスの基礎である。ＩＣは、「半導体パッケージ」又は「チップパッケージ」とも呼ばれるＩＣパッケージにパッケージングされる。ＩＣパッケージは、物理的支持及びダイへの電気的インターフェースを提供するためのパッケージ基板に実装され、電気的に結合される１つ又は複数の半導体ダイス（「ダイ」又は「ダイス」）をＩＣとして含む。パッケージ基板は、金属相互接続部（例えば、金属トレース、金属線）を含む１つ又は複数の金属化層を含み、垂直相互接続アクセス（ビア）が、隣接する金属化層間で金属相互接続部を一緒に結合して、ダイ（単数又は複数）間の電気的インターフェースを提供する。ダイ（単数又は複数）をパッケージ基板の金属相互接続部に電気的に結合するために、ダイ（単数又は複数）は、パッケージ基板の上部のダイ側金属化層に露出された金属相互接続部に電気的にインターフェースで接続される。パッケージ基板はまた、ＩＣパッケージ内のダイ（単数又は複数）間の外部インターフェースを提供するために、外部金属相互接続部（例えば、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）相互接続部）に結合された金属相互接続部を含む、底部の外側金属化層を含む。外部金属相互接続部はまた、プリント回路基板（ＰＣＢ）内のトレースに結合（例えば、はんだ付け）されて、パッケージをＰＣＢに取り付け、そのダイ（単数又は複数）をＰＣＢの回路とインターフェース接続することができる。
[0003] 集積回路（ＩＣ）は、電子デバイスの基礎である。ＩＣは、「半導体パッケージ」又は「チップパッケージ」とも呼ばれるＩＣパッケージにパッケージングされる。ＩＣパッケージは、物理的支持及びダイへの電気的インターフェースを提供するためのパッケージ基板に実装され、電気的に結合される１つ又は複数の半導体ダイス（「ダイ」又は「ダイス」）をＩＣとして含む。パッケージ基板は、金属相互接続部（例えば、金属トレース、金属線）を含む１つ又は複数の金属化層を含み、垂直相互接続アクセス（ビア）が、隣接する金属化層間で金属相互接続部を一緒に結合して、ダイ（単数又は複数）間の電気的インターフェースを提供する。ダイ（単数又は複数）をパッケージ基板の金属相互接続部に電気的に結合するために、ダイ（単数又は複数）は、パッケージ基板の上部のダイ側金属化層に露出された金属相互接続部に電気的にインターフェースで接続される。パッケージ基板はまた、ＩＣパッケージ内のダイ（単数又は複数）間の外部インターフェースを提供するために、外部金属相互接続部（例えば、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）相互接続部）に結合された金属相互接続部を含む、底部の外側金属化層を含む。外部金属相互接続部はまた、プリント回路基板（ＰＣＢ）内のトレースに結合（例えば、はんだ付け）されて、パッケージをＰＣＢに取り付け、そのダイ（単数又は複数）をＰＣＢの回路とインターフェース接続することができる。
【0004】
[0004] 一例として、ＩＣパッケージのパッケージ基板は、埋め込みトレース基板（ＥＴＳ）ベースのパッケージ基板であり得る。ＥＴＳベースのパッケージ基板は、金属相互接続部として埋め込み金属トレースを有するＥＴＳ金属化層である、１つ又は複数の金属化層を含む。埋め込み金属トレースは、ＥＴＳ金属化層の一部である絶縁層（すなわち、誘電体層）に埋め込まれる。ＥＴＳ金属化層は、信号ルーティングのためにダイをパッケージ基板に電気的に結合するためのラインアンドスペース比（Ｌ／Ｓ）が低減された、より高密度のバンプ／はんだ接合を提供することを容易にする。信号ルーティングのための信号ルーティング経路を提供するために、パッケージ基板の他の金属化層内のダイ及び金属相互接続部に電気的に結合される金属埋め込みトレースがＥＴＳ金属化層内に形成される。例えば、パッケージ基板が２層（２Ｌ）ＥＴＳベースのパッケージ基板である場合、パッケージ基板は、ダイのダイ相互接続部に結合された埋め込み金属トレースを有する上部のダイ側ＥＴＳ金属化層と、ＩＣパッケージへの外部インターフェースを提供するための、外部相互接続部に結合された埋め込み金属トレースを有する底部の外部相互接続側ＥＴＳ金属化層とを含み得る。
【0005】
[0005] ＩＣパッケージのルーティング及び相互接続設計は、パッケージ基板のダイ側ＥＴＳ金属化層に提供される埋め込み金属トレースの数を規定する。これは、水平方向（すなわち、Ｘ軸及びＹ軸方向）においてダイ側ＥＴＳ金属化層内に提供される金属トレースの面積に影響を及ぼす。これにより、ダイ側ＥＴＳ金属化層内の埋め込み金属トレースとパッケージ基板内の他の金属化層内の金属トレースとの間で、金属（例えば、銅）面積の不一致、したがって金属密度の不一致を引き起こす可能性がある。例えば、ダイ側ＥＴＳ金属化層内の埋め込み金属トレースの金属密度は、パッケージ基板内の別の金属化層（１つ又は複数）内の金属トレースの金属密度よりも１０パーセント（１０％）低い場合がある。金属密度の不一致が生じ得る１つの理由は、ダイ側ＥＴＳ金属化層内の金属が、例えばパッド及び／又は接地面とは対照的に、金属トレースによって占められていることに起因する。パッケージ基板のダイサイズＥＴＳ金属化層と他の金属化層との間のこの非対称な金属密度は、パッケージ基板内の熱膨張係数（ＣＴＥ）の不一致を引き起こす。このＣＴＥの不一致は、ダイ側ＥＴＳ金属化層とパッケージ基板内の別の金属化層（単数又は複数）との間の水平方向（Ｘ軸及びＹ軸方向）における異なる膨張及び収縮に応じて、反りを引き起こす可能性がある。
【発明の概要】
【0006】
[0006] 本明細書で開示される態様は、金属密度の不一致を低減するために、ダイ側埋め込みトレース基板（ＥＴＳ）層内の埋め込み金属トレースに結合された補助金属層を採用する集積回路（ＩＣ）パッケージを含む。関連する製造方法も開示される。パッケージ基板に電気的に結合される半導体ダイ（「ダイ」）を含むＩＣパッケージが提供される。パッケージ基板は、ダイとパッケージ基板との間の電気的結合を提供するために、ダイのダイ相互接続部（例えば、隆起相互接続バンプ）に隣接して結合されるダイ側ＥＴＳ金属化層を含む。ダイ側ＥＴＳ金属化層は、より高密度の信号ルーティングのためにダイにより高密度の電気的インターフェースを提供するための、ラインアンドスペース比（Ｌ／Ｓ）が低減された、より高密度のバンプ／はんだ接合を提供することを容易にする。ダイ側ＥＴＳ金属化層内の埋め込み金属トレースは、ダイ側ＥＴＳ金属化層内の金属が、例えば金属パッド又は接地面とは対照的に、金属トレースによって占められていることに起因して、パッケージ基板内の他の金属化層内の金属相互接続部の面積よりも小さい面積であり得る。金属面積のこの差により、ダイ側ＥＴＳ金属化層と他の金属化層との間の金属密度の不一致を引き起こし、これが、それらの熱膨張係数（ＣＴＥ）の不一致を引き起こす。ダイ側ＥＴＳ金属化層とパッケージ基板内の他の金属化層との間のＣＴＥのこの不一致は、パッケージ基板の反りの増加に寄与し得る。したがって、例示的な態様では、この金属密度の不一致を低減又は回避するために、その中に追加の金属相互接続部が形成された補助（すなわち、追加の）金属層が、ダイ側ＥＴＳ金属化層に隣接して配置される。追加の金属相互接続部は、パッケージ基板内に増加した厚さ／密度のダイ側金属相互接続部を形成するために、ダイ側ＥＴＳ金属化層内の埋め込み金属トレースに対して垂直方向に結合される。これにより、ダイ側ＥＴＳ金属化層とパッケージ基板内の他の金属化層（単数又は複数）との間の金属密度の不一致を低減するために、パッケージ基板内の別の金属化層（単数又は複数）内の金属層の厚さを低減する必要性を低減又は回避することができる。例えば、外部相互接続部を支持するパッケージ基板の外部金属化層における金属層の厚さを低減することにより、その中の金属相互接続部におけるディンプル深さの増加につながる可能性があり、これが次いで、金属相互接続部を外部相互接続部に結合するはんだ接合におけるボイドのリスクを増加させる。
【0007】
[0007] 一例として、追加の金属相互接続部は、ＩＣパッケージの製造においてダイサイズＥＴＳ金属化層の外面に隣接して形成される補助金属層（例えば、追加の銅層）内に提供され得る。追加の金属相互接続部は、追加の金属相互接続部がダイサイズＥＴＳ金属化層とダイとの間に配置されるように、垂直方向においてパッケージ基板のダイ側ＥＴＳ金属化層内の埋め込み金属トレースのそれぞれの露出された外面に結合され得る。１つの非限定的な例として、追加の金属相互接続部は、ダイサイズＥＴＳ金属化層内の埋め込み金属トレースに、追加の銅めっきなどの追加の金属めっきとして形成され得る。別の非限定的な例として、追加の金属相互接続部はまた、ダイサイズＥＴＳ金属化層内の埋め込み金属トレースに結合された追加の金属トレース又は金属線として形成され得る。パッケージ基板のダイ側金属相互接続部を形成するダイ側ＥＴＳ金属化層の埋め込み金属トレースに結合された追加の金属相互接続部は、補助金属層上に配置されたはんだレジスト層にパターニングされた開口部を通して接続のために露出され得る。ＩＣパッケージ内に補助金属層を設けることにより、垂直方向においてＩＣパッケージに高さを追加することができる。しかしながら、この追加された高さは、ダイ側ＥＴＳ金属化層とパッケージ基板内の別の金属化層（単数又は複数）との間の金属密度の不均衡を回避又は低減するために、パッケージ基板内の１つ又は複数の金属化層の厚さを増加させる必要がないという利点をもたらす。
【0008】
[0008] この点について、例示的な一態様では、ＩＣパッケージが提供される。ＩＣパッケージは、パッケージ基板を含む。パッケージ基板は、第１の絶縁層を含む第１の金属化層と、第１の絶縁層に埋め込まれた１つ又は複数の第１の金属トレースを含む第１の金属層と、を含む。ＩＣパッケージはまた、第１の金属化層に隣接して配置された第２の金属層を含む。第２の金属層は、第１の金属化層の第１の金属層内の１つ又は複数の第１の金属トレースのうちの第１の金属トレースに各々結合された１つ又は複数の第２の金属相互接続部を含む。
【0009】
[0009] 別の例示的な態様では、ＩＣパッケージの製造方法が提供される。方法は、パッケージ基板を形成することを含む。パッケージ基板を形成することは、第１の絶縁層を形成することを含む、第１の金属化層を形成することと、第１の絶縁層内に１つ又は複数の第１の金属トレースを埋め込み、第１の絶縁層内に第１の金属層を形成することと、を含む。方法はまた、第１の金属化層に隣接する第２の金属層内に、１つ又は複数の第２の金属相互接続部を形成することを含む。方法はまた、第２の金属層内の１つ又は複数の第２の金属相互接続部の各々を、第１の金属化層の第１の金属層内の１つ又は複数の第１の金属トレースのうちの第１の金属トレースに結合することを含む。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】[0010] パッケージ基板とダイとの間で電気的インターフェースを提供するための埋め込みトレース基板（ＥＴＳ）金属化層を含むパッケージ基板上に実装された半導体ダイ（「ダイ」）を含む、集積回路（ＩＣ）パッケージの側面図である。
【図2A】[0011] ダイ側ＥＴＳ金属化層と、外部金属相互接続パッドに形成されたディンプルを有する外部金属化層とを含む、パッケージ基板の一部の側面図である。
【図2B】[0012] 図２Ａのダイ側ＥＴＳ金属化層内の金属層の厚さにわたって、ダイ側ＥＴＳ金属化層において厚さが低減された金属層と、図２Ａの外部金属相互接続パッドよりも深い外部金属相互接続パッドに形成されたディンプルを有する、外部金属化層における厚さが低減された金属層とを有する、パッケージ基板の一部の側面図である。
【図3A】[0013] ダイ側ＥＴＳ金属化層と外部相互接続部を支持する外部金属化層との間の金属密度の不一致を回避又は低減するために、パッケージ基板のダイ側ＥＴＳ金属化層内の埋め込み金属トレースに結合された追加の金属相互接続部を有する補助金属層を採用する、例示的なＩＣパッケージの側面図である。
【図4】[0015] パッケージ基板のダイ側ＥＴＳ金属化層内の埋め込み金属トレースに結合された追加の金属相互接続部を示し、追加の金属相互接続部が、垂直方向において埋め込み金属トレースから内向きにオフセットされている、パッケージ基板におけるダイ側ＥＴＳ金属化層に配置された例示的な補助金属層の上面図である。
【図5】[0016] ダイ側ＥＴＳ金属化層と、外部相互接続部を支持する外部金属化層との間の金属密度の不一致を回避又は低減するために、ＩＣパッケージが、パッケージ基板のダイ側ＥＴＳ金属化層内の埋め込み金属トレースに結合された追加の金属相互接続部を有する補助金属層を採用する、第１のダイパッケージに積層された第２のダイパッケージを有し、かつ第１のダイパッケージ内のインターポーザ基板を通して第１のダイパッケージに電気的に接続された積層ダイＩＣパッケージである、別の例示的なＩＣパッケージの側面図である。
【図7】[0019] 図３Ａ～図６ＢのＥＴＳ金属化層パッケージ及び補助金属層パッケージを含むがこれらに限定されない、埋め込み金属トレースを有するＥＴＳ金属化層、及び埋め込み金属トレースの金属密度を増加させるためにＥＴＳ金属化層内の埋め込み金属トレースに結合された追加の金属相互接続部を有する補助金属層を製造する、例示的な製造プロセスを示すフローチャートである。
【図8A】[0020] 図３Ａ～図６ＢのＥＴＳ金属化層パッケージ及び補助金属層パッケージを含むがこれらに限定されない、埋め込み金属トレースを有するＥＴＳ金属化層、及び埋め込み金属トレースの金属密度を増加させるためにＥＴＳ金属化層内の埋め込み金属トレースに結合された追加の金属相互接続部を有する補助金属層を製造する、別の例示的な製造プロセスを示すフローチャートである。
【図8B】図３Ａ～図６ＢのＥＴＳ金属化層パッケージ及び補助金属層パッケージを含むがこれらに限定されない、埋め込み金属トレースを有するＥＴＳ金属化層、及び埋め込み金属トレースの金属密度を増加させるためにＥＴＳ金属化層内の埋め込み金属トレースに結合された追加の金属相互接続部を有する補助金属層を製造する、別の例示的な製造プロセスを示すフローチャートである。
【図8C】図３Ａ～図６ＢのＥＴＳ金属化層パッケージ及び補助金属層パッケージを含むがこれらに限定されない、埋め込み金属トレースを有するＥＴＳ金属化層、及び埋め込み金属トレースの金属密度を増加させるためにＥＴＳ金属化層内の埋め込み金属トレースに結合された追加の金属相互接続部を有する補助金属層を製造する、別の例示的な製造プロセスを示すフローチャートである。
【図8D】図３Ａ～図６ＢのＥＴＳ金属化層パッケージ及び補助金属層パッケージを含むがこれらに限定されない、埋め込み金属トレースを有するＥＴＳ金属化層、及び埋め込み金属トレースの金属密度を増加させるためにＥＴＳ金属化層内の埋め込み金属トレースに結合された追加の金属相互接続部を有する補助金属層を製造する、別の例示的な製造プロセスを示すフローチャートである。
【図8E】図３Ａ～図６ＢのＥＴＳ金属化層パッケージ及び補助金属層パッケージを含むがこれらに限定されない、埋め込み金属トレースを有するＥＴＳ金属化層、及び埋め込み金属トレースの金属密度を増加させるためにＥＴＳ金属化層内の埋め込み金属トレースに結合された追加の金属相互接続部を有する補助金属層を製造する、別の例示的な製造プロセスを示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0011】
[0024] 次に、図面を参照して、本開示のいくつかの例示的な態様について説明する。「例示的（exemplary）」という語は、「例、事例、又は例示としての役割を果たすこと」を意味するために本明細書で使用される。「例示的」として本明細書で説明したいずれの態様も、必ずしも他の態様よりも好ましい又は有利であると解釈されるべきではない。
【0012】
[0025] 本明細書で開示される態様は、金属密度の不一致を低減するために、ダイ側埋め込みトレース基板（ＥＴＳ）層内の埋め込み金属トレースに結合された補助金属層を採用する集積回路（ＩＣ）パッケージを含む。関連する製造方法も開示される。パッケージ基板に電気的に結合された半導体ダイ（「ダイ」）を含むＩＣパッケージが提供される。パッケージ基板は、ダイとパッケージ基板との間の電気的結合を提供するために、ダイのダイ相互接続部（例えば、隆起相互接続バンプ）に隣接して結合されたダイ側ＥＴＳ金属化層を含む。ダイ側ＥＴＳ金属化層は、より高密度の信号ルーティングのためにダイにより高密度の電気的インターフェースを提供するための、ラインアンドスペース比（Ｌ／Ｓ）が低減された、より高密度のバンプ／はんだ接合を提供することを容易にする。ダイ側ＥＴＳ金属化層内の埋め込み金属トレースは、ダイ側ＥＴＳ金属化層内の金属が、例えば金属パッド又は接地面とは対照的に、金属トレースによって占められていることに起因して、パッケージ基板内の他の金属化層内の金属相互接続部の面積よりも小さい面積であり得る。金属面積のこの差が、ダイ側ＥＴＳ金属化層と他の金属化層との間の金属密度の不一致を引き起こし、これが、それらの熱膨張係数（ＣＴＥ）の不一致を引き起こす。ダイ側ＥＴＳ金属化層とパッケージ基板内の他の金属化層との間のＣＴＥのこの不一致は、パッケージ基板の反りの増加に寄与し得る。したがって、例示的な態様では、この金属密度の不一致を低減又は回避するために、その中に追加の金属相互接続部が形成された補助（すなわち、追加の）金属層が、ダイ側ＥＴＳ金属化層に隣接して配置される。追加の金属相互接続は、パッケージ基板内に増加した厚さ／密度のダイ側金属相互接続を形成するために、ダイ側ＥＴＳ金属化層内の埋め込み金属トレースに対して垂直方向に結合される。これにより、ダイ側ＥＴＳ金属化層とパッケージ基板内の他の金属化層（単数又は複数）との間の金属密度の不一致を低減するために、パッケージ基板内の別の金属化層（単数又は複数）内の金属層の厚さを低減する必要性を低減又は回避することができる。例えば、外部相互接続部を支持するパッケージ基板の外部金属化層における金属層の厚さを低減することにより、その中の金属相互接続部におけるディンプル深さの増加につながる可能性があり、これが次いで、金属相互接続部を外部相互接続部に結合するはんだ接合におけるボイドのリスクを増加させる。
【0013】
[0026] ダイ側ＥＴＳ金属化層とパッケージ基板内の別の金属化層（単数又は複数）との間の金属密度の不一致を回避又は低減するために、パッケージ基板のダイ側ＥＴＳ金属化層内の埋め込み金属トレースに結合された追加の金属相互接続部を有する補助金属層を採用するＩＣパッケージの例は、図３Ａにおいて始まる。これらのＩＣパッケージを説明する前に、埋め込み金属トレースを含むダイ側ＥＴＳ金属化層を有するパッケージ基板を採用するＩＣパッケージであって、埋め込み金属トレースに結合された追加の金属相互接続部を有する補助金属層を含まないＩＣパッケージについて、図１～図２Ｂに関して以下で最初に説明する。
【0014】
[0027] これに関して、図１は、はんだボールなどの外部相互接続部１０６を使用してプリント回路基板（ＰＣＢ）１０４に実装されているＩＣパッケージ１０２を含むＩＣアセンブリ１００の断面の概略側面図を示す。ＩＣパッケージ１０２は、半導体ダイ１０８（「ＩＣダイ１０８」又は「ダイ１０８」とも呼ばれる）を含み、これは、ダイ・トゥ・ダイボンディング及び／又はアンダーフィル接着剤を介してパッケージ基板１１０に実装される。外部相互接続部１０６は、パッケージ基板１１０内の金属相互接続部に結合されて、ＩＣパッケージ１０２がＰＣＢ１０４に実装されたときにダイ１０８に電気的インターフェースを提供する。パッケージ基板１１０は、金属相互接続部１１４（１）～１１４（３）（例えば、金属トレース、金属線）を含む複数の金属化層１１２（１）～１１２（３）を含む。金属相互接続部１１４（１）～１１４（３）は、ダイ１０８への、及び外部相互接続部１０６とダイ１０８との間で信号ルーティングを提供するために、互いに相互接続される。金属化層１１２（１）～１１２（３）の各々は、金属相互接続部１１４（１）～１１４（３）を絶縁するための絶縁層１１６（１）～１１６（３）を含む。パッケージ基板１１０は、第１のはんだレジスト層１１８と第２のはんだレジスト層１２０とを含む。外部相互接続部１０６は、底部の金属化層１１２（３）内の金属相互接続部１１４（３）に結合された第１のはんだレジスト層１１８内の開口部内に形成される。
【0015】
[0028] この例では、上部の金属化層１１２（１）はＥＴＳ金属化層であり、金属相互接続部１１４（１）は、絶縁層１１６（１）内の埋め込み金属トレースとして形成される。したがって、金属相互接続部１１４（１）はまた、埋め込み金属トレース１１４（１）と呼ばれる。ＥＴＳ金属化層１１２（１）は、信号ルーティングのためにダイ１０８をパッケージ基板１１０に電気的に結合するためのラインアンドスペース比（Ｌ／Ｓ）が低減された、より高密度のバンプ／はんだ接合を提供することを容易にする。隆起金属相互接続１２２（例えば、相互接続はんだ／金属バンプ）は、ＥＴＳ金属化層１１２（１）に埋め込まれた埋め込み金属トレース１１４（１）と接触して形成される。ダイ１０８のアクティブ表面１２６上に配置されたダイ相互接続部１２４（例えば、隆起相互接続バンプ）は、ダイ１０８とパッケージ基板１１０との間の電気的結合を提供するために、埋め込み金属トレース１１４（１）として金属相互接続部１１４（１）に結合される。
【0016】
[0029] 下にある金属相互接続部に結合された、図１のＥＴＳ金属化層１１２（１）内の埋め込み金属トレース１１４（１）などの、ＥＴＳ金属化層内の埋め込み金属トレースを更に示すために、図２Ａ及び図２Ｂが提供されている。図２Ａは、ダイ（図示せず）に結合されるように構成されたＥＴＳ金属化層２０２を含む、パッケージ基板２００の一部の側面図である。したがって、ＥＴＳ金属化層２０２は、「ダイ側」ＥＴＳ金属化層と考えられ得る。ＥＴＳ金属化層２０２は、誘電体材料で作成された層である絶縁層２０６に埋め込まれた埋め込み金属トレース２０４（１）～２０４（４）を含む。絶縁層２０６における埋め込み金属トレース２０４（１）～２０４（４）の埋め込みにより、ＥＴＳ金属化層２０２内に第１の金属層２０８を形成する。埋め込み金属トレース２０４（１）～２０４（４）は、製造プロセス中のエッチングの結果として、絶縁層２０６の上面２１０から凹んでいる。接続されていない埋め込み金属トレース２０４（１）～２０４（４）の部分を絶縁及び保護するために、はんだレジスト層２１２が、絶縁層２０６の上面２１０上に配置される。ＩＣパッケージの一部として接続されるべき埋め込み金属トレース２０４（３）、２０４（４）を露出させるために、開口部２１４がはんだレジスト層２１２に形成される。
【0017】
[0030] 引き続き図２Ａを参照すると、パッケージ基板２００はまた、垂直方向（Ｚ軸方向）においてＥＴＳ金属化層２０２の下方に配置された第２の金属化層２１６を含む。第２の金属化層２１６は、ＥＴＳ金属化層２０２の絶縁層２０６の底面２２２上に形成された第２の金属相互接続部２２０を含む、第２の金属層２１８を含む。第２の金属相互接続部２２０は、第２の金属相互接続部２２０と埋め込み金属トレース２０４（１）との間で垂直方向（Ｚ軸方向）に延びる垂直相互接続アクセス（ビア）２２４（例えば、金属ピラー、金属トレース、又は他の金属相互接続部）を通して埋め込み金属トレース２０４（１）に結合される。信号が、埋め込み金属トレース２０４（１）と第２の金属相互接続部２２０との間で、パッケージ基板２００内でルーティングされ得る。この例では、第２の金属化層２１６は、パッケージ基板２００及びそのＩＣパッケージへの外部インターフェースを提供するために、外部相互接続部（例えば、はんだバンプ、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）相互接続部）の形成を容易にするように構成された。パッケージ基板２００の外部金属化層である。これに関して、開口部２２６が、外部相互接続部が開口部２２６内に形成され、はんだ接合が外部相互接続部と第２の金属相互接続部２２０との間に形成され得るように、第２の金属相互接続部２２０の底面２２８を露出させるように形成される。図２Ａに示すように、パッケージ基板２００の製造におけるエッチングの結果として、ディンプル２３０が第２の金属相互接続部２２０の底面２２８に形成される。
【0018】
[0031] 図２Ａの例示的なパッケージ基板２００では、ディンプル２３０は、第２の金属相互接続部２２０と外部相互接続部との間の接続の完全性のリスクがあり得る、第２の金属相互接続部２２０を外部相互接続部に結合するはんだ接合内のボイドのリスクに対して底面２２８からの十分な深さＤ１ではない。これは、垂直方向（Ｚ軸方向）における第２の金属相互接続部２２０の高さＨ１（すなわち、厚さ）が十分に低くなく、その結果、製造中のエッチングがはんだ接合ボイドのリスクがあるより大きい深さＤ１のディンプル２３０を形成することになるからである。第２の金属相互接続部２２０の高さＨ１は、垂直方向（Ｚ軸方向）におけるＥＴＳ金属化層２０２の第１の金属層２０８の高さＨ２（すなわち、厚さ）に基づく。これは、ＥＴＳ金属化層２０２内の第１の金属層２０８と第２の金属化層２１６内の第２の金属相互接続部２２０との間の金属密度の不一致を低減又は緩和するためである。この例では、ＥＴＳ金属化層２０２がダイに結合されたダイ側金属化層であるため、埋め込み金属トレース２０４（１）～２０４（４）の面積は、ＥＴＳ金属化層２０２内の金属が、例えば金属パッド又は接地面とは対照的に、金属トレースによって占められていることに起因して、第２の金属化層２１６内の第２の金属相互接続部２２０の面積よりも小さくなり得る。この金属密度の不一致は、ＥＴＳ金属化層２０２と第２の金属化層２１６との間の熱膨張係数（ＣＴＥ）の不一致を引き起こす可能性があり、これが、パッケージ基板２００の反りの増加に寄与する可能性がある。ＥＴＳ金属化層２０２と第２の金属化層２１６との間のこの金属密度の不一致を低減又は回避するために、第２の金属化層２１６の第２の金属層２１８の高さＨ１は、ＥＴＳ金属化層２０２の第１の金属層２０８の高さＨ２から減少される。第２の金属化層２１６の第２の金属層２１８の高さＨ１の減少は、第２の金属化層２１６とＥＴＳ金属化層２０２との間の金属密度を均衡させようと試みるために、第２の金属化層２１６の金属密度（体積）を減少させる。例えば、第１金属層２０８の高さＨ２は、１８マイクロメータ（μｍ）であり得、第２の金属層２１８の高さＨ１は、１５μｍであり得る。
【0019】
[0032] ダイとのより高密度の相互接続を支持するために、ＥＴＳ金属化層２０２内の埋め込み金属トレース２０４（１）～２０４（４）のＬ／Ｓ比を更に低減することが望まれるようになるにつれて、ＥＴＳ金属化層２０２内の第１の金属層２０８の高さＨ２（すなわち、厚さ）を低減することが必要になる場合がある。これは、ＥＴＳ金属化層２０２の製造中のパターニングプロセスの制限によるものである。このことは、図２Ａのパッケージ基板２００と同様の図２Ｂの例示的なパッケージ基板２４０の側面図に示されている。図２Ｂに示すように、パッケージ基板２４０は、ＥＴＳ金属化層２４２を含む、誘電体材料で作成された層である絶縁層２４６に埋め込まれた埋め込み金属トレース２４４（１）～２４４（４）を含む。絶縁層２４６内への埋め込み金属トレース２４４（１）～２４４（４）の埋め込みが、ＥＴＳ金属化層２４２（１）内に第１の金属層２４８を形成する。接続されていない埋め込み金属トレース２０４（１）～２０４（４）の部分を絶縁及び保護するために、はんだレジスト層２５２が絶縁層２４６上に配置される。パッケージ基板２４０はまた、垂直方向（Ｚ軸方向）においてＥＴＳ金属化層２４２の下方に配置された第２の金属化層２５６を含む。第２の金属化層２５６は、ＥＴＳ金属化層２０２の絶縁層２０６の底面２６２上に形成された第２の金属相互接続部２６０を含む、第２の金属層２５８を含む。第２の金属相互接続２２０は、第２の金属相互接続２２０と埋め込み金属トレース２４４（１）との間で垂直方向（Ｚ軸方向）に延びる垂直相互接続アクセス（ビア）２６４（例えば、金属ピラー、金属トレース、又は他の金属相互接続）を通して埋め込み金属トレース２０４（１）に結合される。
【0020】
[0033] 図２Ｂに示すように、第２の金属相互接続部２６０は、垂直方向（Ｚ軸方向）におけるＥＴＳ金属化層２４２の第１の金属層２４８の高さＨ４（すなわち、厚さ）に基づく高さＨ３（すなわち、厚さ）を有する。ＥＴＳ金属化層２４２と第２の金属化層２５６との間のこの金属密度の不一致を低減又は回避するために、第２の金属化層２５６の第２の金属層２５８の高さＨ３は、ＥＴＳ金属化層２４２の第１の金属層２４８の高さＨ４から減少される。第２の金属化層２５６の第２の金属層２５８の高さＨ３の減少は、第２の金属化層２５６とＥＴＳ金属化層２４２との間の金属密度を均衡させようと試みるために、第２の金属化層２５６の金属密度（体積）を減少させる。例えば、第１の金属層２４８の高さＨ４は、１２マイクロメータ（μｍ）であり得、第２の金属層２１８の高さＨ３は、１０μｍであり得る。
【0021】
[0034] 図２Ｂに示すように、パッケージ基板２４０の製造におけるエッチングの結果として、ディンプル２７０は第２の金属相互接続部２６０の底面２６８に形成される。しかしながら、この場合、ディンプル２７０は、第２の金属相互接続部２６０と外部相互接続部との間の接続の完全性のリスクがあり得る、第２の金属相互接続部２６０を外部相互接続部に結合するはんだ接合内のボイドのリスクに対して、第２の金属化層２５６の底面２６８からの十分な深さＤ２である。これは、垂直方向（Ｚ軸方向）における第２の金属相互接続部２６０の高さＨ３（すなわち厚さ）が低減され、第２の金属相互接続部２６０の厚さがより薄くなるためである。パッケージ基板２００の製造において生じ、第２の金属相互接続部２６０の底面２６８をエッチングさせる金属エッチングは、第２の金属相互接続部２６０の底面２６８からより大きな深さＤ２のディンプル２７０を提供する。これは、第２の金属相互接続部２６０と接触して形成されたはんだ接合におけるボイドのリスクを増加させる。ディンプル２７０の深さＤ２を低減するために第２の金属相互接続部２６０の高さＨ３（すなわち、厚さ）が増加される場合、これは、ＥＴＳ金属化層２４２内の第１の金属層２４８の高さＨ４（すなわち、厚さ）が増加されない限り、第２の金属化層２５６とＥＴＳ金属化層２４２との間の何らかの金属密度の不一致を増加させる。これは可能ではない場合があるが、依然としてＥＴＳ金属化層２４２内の埋め込み金属トレース２４４（１）～２４４（４）の所望のＬ／Ｓを達成し得る。
【0022】
[0035] これに関して、パッケージ基板のダイ側ＥＴＳ金属化層などのＥＴＳ金属化層内の金属層の厚さを低減することができる一方で、また、金属密度の不一致を低減又は回避するために、外部金属化層内を含む他の金属化層内の金属層の厚さを過度に低減する必要性を回避することが望ましい。図２Ｂの例示的なパッケージ基板２４０において上述したように、外部金属化層の厚さを低減することは、外部相互接続部（例えば、ＢＧＡ相互接続）に結合された外部金属化層内の金属相互接続部と接触して形成されたはんだ接合内のボイドのリスクを有し得る。
【0023】
[0036] これに関して、図３Ａ及び図３Ｂは、ＥＴＳ金属化層３０８と第３の外部金属化層３１０との間の金属密度の不一致を低減又は回避するために、追加の第２の金属相互接続部３０６を有する、本明細書では「補助金属層３０４」と呼ばれる第２の金属層３０４（例えば、銅層）を採用するパッケージ基板３０２を含む、例示的なＩＣパッケージ３００の側面図である。補助金属層３０４は、この例では、パッケージ基板３０２の外側にあり、ＥＴＳ金属化層３０８に隣接かつ接触して形成される。この例では、図３Ａに示すように、ＥＴＳ金属化層３０８は、ＩＣパッケージ３００内の結合されたダイ３１２に隣接して配置されたダイ側金属化層である。この例ではまた、第３の金属化層３１０は、第３の外部金属化層３１０内の第２の金属相互接続部３１６（１）、３１６（２）に結合された外部相互接続部３１４（例えば、はんだバンプ、金属ピラー、ＢＧＡ相互接続部）の形成を容易にする、外部相互接続部側金属化層である。以下でより詳細に説明し、図３Ａに示すように、補助金属層３０４内の追加の金属相互接続部３０６（１）～３０６（３）は、パッケージ基板３０２内に増加した厚さ／密度のダイ側金属相互接続部３２２（１）～３２２（３）を形成するために、ダイ側ＥＴＳ金属化層３０８の絶縁層３２０に埋め込まれたそれぞれの埋め込み金属トレース３１８（１）～３１８（３）に垂直方向（Ｚ軸方向）に結合される。これにより、パッケージ基板３０２内のダイ側ＥＴＳ金属化層３０８と第３の外部金属化層３１０との間の金属密度の不一致を回避又は低減するために、第３の外部金属化層３１０の第３の金属層３２３の高さＨ５（すなわち、厚さ）を低減する必要性を低減又は回避することができる。例えば、第３の外部金属化層３１０内の第３の金属層３２３の高さＨ５を低減することは、第３の金属層３２３内の第２の金属相互接続部３１６（１）、３１６（２）内のディンプル深さの増加につながる可能性があり、これが次いで、第２の金属相互接続部３１６（１）、３１６（２）を外部相互接続部３１４に結合するはんだ接合内のボイドのリスクを増加させる。
【0024】
[0037] 図３Ａ及び図３Ｂを参照すると、ＥＴＳ金属化層３０８の絶縁層３２０に埋め込まれた埋め込み金属トレース３１８（１）～３１８（３）は、絶縁層３２０内に金属層３２４を形成する。金属層３２４の高さＨ６（すなわち、厚さ）は、埋め込み金属トレース３１８（１）～３１８（３）の最大高さを制御する。したがって、ＥＴＳ金属化層３０８の金属層３２４の高さＨ６は、埋め込み金属トレース３１８（１）～３１８（３）の金属密度に影響を及ぼす。この例では、ＥＴＳ金属化層３０８の金属層３２４の高さＨ６は、第３の外部金属化層３１０の第３の金属層３２３の高さＨ５よりも低い。これにより、パッケージ基板３０２に対してより高い接続密度を支持するために、ＥＴＳ金属化層３０８内の絶縁層３２０に埋め込まれた、形成された埋め込み金属トレース３１８（１）～３１８（３）のよりタイトな（より低いＬ／Ｓを可能にし得る。しかしながら、これはまた、ＥＴＳ金属化層３０８の金属密度を、第３の外部金属化層３１０の金属密度よりも低くさせる。したがって、この金属密度の不均衡を補償するために第３の外部金属化層３１０の第３の金属層３２３の高さＨ５を増加させる代わりに、補助金属層３０４が提供され、垂直方向（Ｚ軸方向）においてＥＴＳ金属化層３０８上に配置され、補助金属層３０４の追加の金属相互接続部３０６が、それぞれの埋め込み金属トレース３１８（１）～３１８（３）に結合される。例えば、補助金属層３０４の追加の金属相互接続３０６は、垂直方向（Ｚ軸方向）においてＥＴＳ金属化層３０８のそれぞれの埋め込み金属トレース３１８（１）～３１８（３）に直接結合され得る。それぞれの埋め込み金属トレース３１８（１）～３１８（３）に結合された補助金属層３０４の追加の金属相互接続部３０６の組合せは、パッケージ基板３０２の反りを低減又は回避するために、ＥＴＳ金属化層３０８と第３の外部金属化層３１０との間の金属密度の不均衡、したがってＣＴＥの不均衡を回避又は低減するために、金属密度が増加したダイ側金属相互接続部３２２（１）～３２２（３）を形成する。
【0025】
[0038] 図３Ａを参照すると、ＩＣパッケージ３００は、ダイ３１２を含む。図３Ｂに示すように、ダイ３１２は、ダイ相互接続部３２６（例えば、隆起相互接続バンプ）を通してパッケージ基板３０２に結合されている。より具体的には、ダイ３１２のアクティブ側３２８から延びるダイ相互接続部３２６は、ＥＴＳ金属化層３０８の絶縁層３２０に埋め込まれた他の埋め込み金属トレース３３０に結合される。ＩＣパッケージ３００に外部信号インターフェースを提供するように指定された選択ダイ相互接続部３２６は、ダイ３１２と外部相互接続部３１４との間に信号ルーティング経路を提供するために、ＥＴＳ金属化層３０８を通して第３の外部金属化層３１０内の第２の金属相互接続部３１６（１）、３１６（２）に結合され得る。この例では、図３Ａに示すように、補助金属層３０４は、ダイ３１２とパッケージ基板３０２との間の垂直方向（Ｚ軸方向）における垂直領域の内側及び外側の両方に配置される。補助金属層３０４の追加の金属相互接続部３０６（１）、３０６（２）は、ダイ３１２とパッケージ基板３０２との間の垂直方向（Ｚ軸方向）における垂直領域の外側に配置される。これは、追加の金属相互接続部３０６（１）、３０６（２）に結合された埋め込み金属トレース３１８（１）、３１８（２）が、接地面のためなどの、ダイ３１２に直接結合されない接続を提供するためのものであるからであり得る。補助金属層３０４の追加の金属相互接続部３０６（３）は、ダイ３１２とパッケージ基板３０２との間の垂直方向（Ｚ軸方向）における垂直領域の内側に配置される。これは、追加の金属相互接続部３０６（３）に結合された埋め込み金属トレース３１８（３）が、ダイ相互接続部３２６を通してダイ３１２への接続を提供するためのものであるからであり得る。
【0026】
[0039] 図３Ａ及び図３Ｂを参照すると、この例では、はんだレジスト層３３２は、ＥＴＳ金属化層３０８の絶縁層３２０の第１の外面３３４に隣接して配置されている。補助金属層３０４はまた、ＥＴＳ金属化層３０８の絶縁層３２０の第１の外面３３４に隣接して配置される。はんだレジスト層３３２は、補助金属層３０４内の追加の金属相互接続部３０６（１）～３０６（３）の上方に配置される。したがって、補助金属層３０４は、はんだレジスト層３３２内に配置されていると考えられ得る。追加の金属相互接続部３０６（１）～３０６（３）は、この例では、ＥＴＳ金属化層３０８の絶縁層３２０に含まれないか、又は埋め込まれない。
【0027】
[0040] 上記で説明したように、ＥＴＳ金属化層３０８の金属層３２４（又はその埋め込み金属トレース３１８（１）～３１８（３））の高さＨ６は、第３の外部金属化層３１０の第３の金属層３２３（又はその第２の金属相互接続部３１６（１）～３１６（３））の高さＨ５よりも低い。それぞれの埋め込み金属トレース３１８（１）～３１８（３）への追加の金属相互接続部３０６（１）～３０６（３）の結合は、ＥＴＳ金属化層３０８と第３の外部金属化層３１０との間の金属密度の不均衡を回避又は低減する。例えば、垂直方向（Ｚ軸方向）におけるＥＴＳ金属化層３０８の金属層３２４の高さＨ６は、８～１４マイクロメートル（μｍ）であり得る。別の例として、第３の外部金属化層３１０における第３の金属層３２３の高さＨ５は、１０～２０μｍであり得る。別の例として、図３Ｂに示すように、垂直方向（Ｚ軸方向）における補助金属層３０４（又はその追加の金属相互接続部３０６（１）～３０６（３））の高さＨ７は、１～５μｍであり得る。したがって、一例として、補助金属層３０４の高さＨ７に対するＥＴＳ金属化層３０８の金属層３２４の高さＨ６の比は、少なくとも８／５であり得る。また別の例として、第３の外部金属化層３１０内の第３の金属層３２３の高さＨ５に対するＥＴＳ金属化層３０８の金属層３２４の高さＨ６の比は、少なくとも８／２０であり得る。
【0028】
[0041] したがって、これらの例では、埋め込み金属トレース３１８（１）～３１８（３）に結合されている追加の金属相互接続部３０６（１）～３０６（３）は、埋め込み金属トレース３１８（１）～３１８（３）の有効高さを高さＨ６と高さＨ７との組合せ（例えば、２０μｍ）にまで高めて、金属密度が増加した有効ダイ側金属相互接続部３２２（１）～３２２（３）を提供する。ＥＴＳ金属化層３０８の金属層３２３内の埋め込み金属トレース３１８（１）～３１８（３）の７／９Ｌ／Ｓの例では、ＥＴＳ金属化層３０８の金属層３２４の高さＨ６は１４μｍであり得、第３の外部金属化層３１０内の第３の金属層３２４の高さＨ５は１５μｍであり得、補助金属層３０４の高さＨ７は４μｍであり得る。ＥＴＳ金属化層３０８の金属層３２４内の埋め込み金属トレース３１８（１）～３１８（３）の６／８Ｌ／Ｓの例では、ＥＴＳ金属化層３０８の金属層３２４の高さＨ６は１２μｍであり得、第３の外部金属化層３１０内の第３の金属層３２３の高さＨ５は１５μｍであり得、補助金属層３０４の高さＨ７は４μｍであり得る。
【0029】
[0042] 図３Ａ及び図３Ｂのパッケージ基板３０２内のＥＴＳ金属化層３０８の製造において追加の金属相互接続部３０６（１）～３０６（３）を形成するための補助金属層３０４の金属エッチングの結果として、埋め込み金属トレース３１８（１）～３１８（２）の端部は、絶縁層３２０の外側の上面３３４の下方に凹み得ることに留意されたい。以下でより詳細に製造プロセスにおいて説明するように、埋め込み金属トレース３１８（１）～３１８（３）内に形成されるこれらの凹部は、追加の金属相互接続部３０６（１）～３０６（３）を形成するために存在する部分を残すように補助金属層５０４をエッチングするための位置合わせ機構として埋め込み金属トレース３１８（１）～３１８（３）を使用した結果である。ＥＴＳ金属化層内の他の埋め込み金属トレース５１８（２）、５１８（３）はまた、埋め込み金属トレース５１８（１）のような凹部を形成する内側及び外側金属部分を有する。
【0030】
[0043] 図３Ｃに示すように、絶縁層３２０の第１の外面３３４は、水平方向（Ｘ軸及びＹ軸方向）の第１の水平面Ｐ１に配置される。埋め込み金属トレース３１８（１）は、第１の水平面Ｐ１まで垂直方向（Ｚ軸方向）に延びる上部の外面３３８を有する内側金属部分３３６（１）を有し、内側金属部分３３６（１）は、絶縁層３２０の上部の外面３３４と同一平面上にあり得る。埋め込み金属トレース３１８（１）の内側金属部分３３６（１）は、埋め込み金属トレース３１８（１）の底面３３８からの高さＨ６を有する。埋め込み金属トレース３１８（１）の底面３３８は、水平方向（Ｘ軸及びＹ軸方向）において第２の水平面Ｐ２内に配置される。埋め込み金属トレース３１８（１）はまた、内側金属部分３３６（１）を取り囲む外側金属部分３３６（２）を有する。埋め込み金属トレース３１８（１）の外側金属部分３３６（２）は、垂直方向（Ｚ軸方向）において第１の水平面Ｐ１にまでは延びないが、垂直方向（Ｚ軸方向）において第１の水平面Ｐ１の下方の第３の水平面Ｐ３に延びる、上部の外面３４０を有する。埋め込み金属トレース３１８（１）の外側金属部分３３６（２）はまた、第２の水平面Ｐ２内に配置された内側金属部分３３６（１）と同じ底面３３８を共有する。埋め込み金属トレース３１８（１）の外側金属部分３３６（２）は、底面３３８からその上部の外面３４０までの高さＨ８を有し、これは、埋め込み金属トレース３１８（１）の内側金属部分３３６（１）の高さＨ６よりも低い。このようにして、埋め込み金属トレース３１８（１）の内側金属部分３３６（１）と外側金属部分３３６（２）との交点間に凹部３４２が形成される。凹部３４２は、一例として１０μｍであり得る、水平方向（Ｘ軸及び／又はＹ軸方向）における幅Ｗ１を有する。
【0031】
[0044] 図４は、ダイ側ＥＴＳ金属化層３０８上に配置された、図３Ａ～図３Ｃのパッケージ基板３０２内の補助金属層３０４の上面図である。図４は、ダイ側ＥＴＳ金属化層３０８内の埋め込み金属トレース３１８上及びその上方に配置された、追加の金属相互接続部３０６を示す。図４において、ダイ側ＥＴＳ金属化層３０８は、垂直方向（Ｚ軸方向）において補助金属層３０４の下に配置されている。図４はまた、追加の金属相互接続部３０６と埋め込み金属トレース３１８の外側金属部分３３６（２）との間のオフセット及び凹部３４２を示す。
【0032】
[0045] 金属密度の不一致を回避又は低減するために、ダイ側ＥＴＳ金属化層内の埋め込み金属トレースに結合された追加の金属相互接続部を有する補助金属層を採用するパッケージ基板を含むＩＣパッケージを、他のタイプのＩＣパッケージ内に提供することもできる。例えば、図５は、ダイ側ＥＴＳ金属化層５０８と外部相互接続部５１４を支持する第３の外部金属化層５１０との間の金属密度の不一致を回避又は低減するために、ダイ側ＥＴＳ金属化層５０８内の埋め込み金属トレースに結合された追加の金属相互接続部を有する補助金属層を含み得る、積層ダイＩＣパッケージ５００の側面図である。
【0033】
[0046] 図５を参照すると、積層ダイＩＣパッケージ５００は、それぞれのダイパッケージ５５０（１）、５５０（２）に含まれ、かつ垂直方向（Ｚ軸方向）において互いの上に積層された、複数のダイ５１２（１）、５１２（２）を含む。積層ダイＩＣパッケージ５００の第１のダイパッケージ５５０（１）は、パッケージ基板５０２に結合されたダイ５１２（１）を含む。この例では、パッケージ基板５０２は、コア基板５０９上に配置された第１の上部ＥＴＳ金属化層５０８（１）を含む。コア基板５０９は、底部の第３の外部金属化層５１０上に配置される。ＥＴＳ金属化層５０８は、第１のダイ５１２（１）への信号ルーティングのための電気的インターフェースを提供する。第１のダイ５１２（１）は、ＥＴＳ金属化層５０８内の埋め込み金属トレース５１８（１）に電気的に結合されたダイ相互接続部５２６（例えば、隆起金属バンプ）に結合される。ＥＴＳ金属化層５０８内の埋め込み金属トレース５１８は、コア基板５０９内の金属相互接続部５１９に結合され、金属相互接続部５１９は、第３の外部金属化層５１０内の金属相互接続部５１６に結合される。このようにして、パッケージ基板５０２は、第１のダイ５１２（１）への信号ルーティングを提供するために、その金属化層５０８、５１０とコア基板５０９との間の相互接続を提供する。外部相互接続部５１４（例えば、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）相互接続部）は、第３の外部金属化層５１０内の金属相互接続部５１６に結合されて、パッケージ基板５０２を通る相互接続を、ダイ相互接続部５２６を通して第１のダイ５１２（１）に提供する。この例では、第１のダイ５１２（１）の第１のアクティブ側５５２（１）は、パッケージ基板５０２、より具体的にはパッケージ基板５０２のＥＴＳ金属化層５０８に隣接し、かつ結合される。
【0034】
[0047] 図５の例示的な積層ダイＩＣパッケージ５００では、複数のダイを支持するために、第２のダイパッケージ５５０（２）が提供されて、第１のダイパッケージ５５０（１）に結合される。例えば、第１のダイパッケージ５５０（１）内の第１のダイ５１２（１）はアプリケーションプロセッサを含み得、第２のダイ５１２（２）は、アプリケーションプロセッサのためのメモリ支持を提供するダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）ダイなどのメモリダイであり得る。これに関して、この例では、第１のダイパッケージ５５０（１）はまた、第１のダイ５１２（１）の第２の非アクティブ側５５２（２）に隣接して、第１のダイ５１２（１）を包み込むパッケージモールド５５６上に配置されたインターポーザ基板５５４を含む。インターポーザ基板５５４はまた、第２のダイパッケージ５５０（２）内の第２のダイ５１２（２）への相互接続を提供するために、各々が外部金属相互接続部５６０を含む、１つ又は複数の金属化層５５８を含む。第２のダイパッケージ５５０（２）は、外部金属相互接続部５６０（例えば、はんだバンプ、ＢＧＡ相互接続部）を通してインターポーザ基板５５４に結合されていることによって、第１のダイパッケージ５５０（１）に物理的及び電気的に結合される。外部相互接続部５６２は、インターポーザ基板５５４内の外部金属相互接続部５６０に結合される。
【0035】
[0048] 第２のダイ５１２（２）から外部相互接続５６２及びインターポーザ基板５５４を通して第１のダイ５１２（１）まで信号をルーティングするための相互接続を提供するために、垂直相互接続部５６４（例えば、金属ピラー、金属ポスト、スルーモールドビア（ＴＭＶ）などの金属垂直相互接続アクセス（ビア））が、第１のダイパッケージ５５０（１）のパッケージモールド５５６内に配置される。垂直相互接続部５６４は、この例では、垂直方向（Ｚ軸方向）において、インターポーザ基板５５４の第１の底面５６６からパッケージ基板５０２の第１の上面５６８に延びる。垂直相互接続部５６４は、インターポーザ基板５５４の底面５６６に隣接するインターポーザ基板５５４内の外部金属相互接続部５６０に結合される。垂直相互接続部５６４はまた、パッケージ基板５０２の第１の上面５６８に隣接する、パッケージ基板５０２のＥＴＳ金属化層５０８内の埋め込み金属トレース５１８に結合される。このようにして、垂直相互接続５６４は、インターポーザ基板５５４とパッケージ基板５０２との間の入出力（Ｉ／Ｏ）接続などの、相互接続のためのブリッジを提供する。これにより、第２のダイパッケージ５５０（２）内の第２のダイ５１２（２）と第１のダイパッケージ５５０（１）内の第１のダイ５１２（１）との間に、パッケージ基板５０２を通して外部相互接続５１４までの信号ルーティング経路を提供する。
【0036】
[0049] 第２の補助金属層はまた、図５の積層ダイＩＣパッケージ５００内に設けられ、ＥＴＳ金属化層５０８と第１のダイ５１２（１）との間でパッケージ基板５０２のＥＴＳ金属化層５０８に隣接して配置され得る。補助金属層は、ＥＴＳ金属化層５０８の金属密度を増加させながら接続性を提供するために、ＥＴＳ金属化層５０８内の埋め込み金属トレース５１８に各々結合された追加の金属相互接続部を含み得る。例えば、ダイ相互接続部５２６は、第１のダイ５１２（１）をパッケージ基板５０２のＥＴＳ金属化層５０８に結合するために、補助金属層への追加の金属相互接続部に結合され得る。別の例として、垂直相互接続部５６４は、第２のダイパッケージ５５０（２）内の第２のダイ５１２（２）を、インターポーザ基板５５４を通してパッケージ基板５０２のＥＴＳ金属化層５０８に結合するために、追加の金属相互接続部及び補助金属層に結合され得る。
【0037】
[0050] これに関して、図６Ａ及び図６Ｂは、ＥＴＳ金属化層５０８と第３の外部金属化層５１０との間の金属密度の不一致を低減又は回避するために、追加の金属相互接続部５０６を有する補助金属層５０４（例えば、銅層）を採用するパッケージ基板５０２を示す、図５の積層ダイＩＣパッケージ５００の側面図である。第２の補助金属層５０４は、この例では、パッケージ基板５０２の外側にあり、ＥＴＳ金属化層５０８に隣接かつ接触して形成される。この例では、図６Ａに示すように、ＥＴＳ金属化層５０８は、ＩＣパッケージ５００内の結合された第１のダイ５１２（１）に隣接して配置されたダイ側金属化層である。この例ではまた、第３の外部金属化層５１０は、第３の外部金属化層５１０内の第２の金属相互接続部５１６（１）、５１６（２）に結合された外部相互接続部５１４（例えば、はんだバンプ、金属ピラー、ＢＧＡ相互接続部）の形成を容易にする、外部相互接続部側金属化層である。以下でより詳細に説明し、図６Ａに示すように、補助金属層５０４内の追加の金属相互接続部５０６（１）～５０６（３）は、パッケージ基板５０２内に増加した厚さ／密度のダイ側金属相互接続部５２２（１）～５２２（３）を形成するために、ダイ側ＥＴＳ金属化層５０８の絶縁層５２０に埋め込まれた埋め込み金属トレース５１８（１）～５１８（３）に、垂直方向（Ｚ軸方向）に結合される。これにより、パッケージ基板５０２内のダイ側ＥＴＳ金属化層５０８と第３の外部金属化層５１０との間の金属密度の不一致を回避又は低減するために、第３の外部金属化層５１０の第３の金属層５２３の高さＨ９（すなわち、厚さ）を低減する必要性を低減又は回避することができる。例えば、第３の外部金属化層５１０内の第３の金属層の高さＨ９を低減することは、第３の金属層５２３内の第２の金属相互接続部５１６（１）、５１６（２）内のディンプル深さの増加につながる可能性があり、これが次いで、第２の金属相互接続部５１６（１）、５１６（２）を外部相互接続部５１４に結合するはんだ接合内のボイドのリスクを増加させる。
【0038】
[0051] 図６Ａ及び図６Ｂを参照すると、ＥＴＳ金属化層５０８の絶縁層５２０に埋め込まれた埋め込み金属トレース５１８（１）～５１８（３）は、絶縁層５２０内に金属層５２４を形成する。金属層５２４の高さＨ１０（すなわち、厚さ）は、埋め込み金属トレース５１８（１）～５１８（３）の最大高さを制御する。したがって、ＥＴＳ金属化層５０８の金属層５２４の高さＨ１０は、埋め込み金属トレース５１８（１）～５１８（３）の金属密度に影響を及ぼす。この例では、ＥＴＳ金属化層５０８の金属層５２４の高さＨ１０は、第３の外部金属化層５１０の第３の金属層５２３の高さＨ９よりも低い。これにより、パッケージ基板５０２に対してより高い接続密度を支持するために、ＥＴＳ金属化層５０８内の絶縁層５２０に埋め込まれた、形成された埋め込み金属トレース５１８（１）～５１８（３）のよりタイトな（より低い）Ｌ／Ｓを可能にし得る。しかしながら、これはまた、ＥＴＳ金属化層５０８の金属密度を、第３の外側金属化層５１０の金属密度よりも低くさせる。したがって、この金属密度の不均衡を補償するために第３の外部金属化層５１０の第３の金属層５２３の高さＨ９を増加させる代わりに、補助金属層５０４が設けられ、垂直方向（Ｚ軸方向）においてＥＴＳ金属化層３０８上に配置され、補助金属層５０４の追加の金属相互接続部５０６がそれぞれの埋め込み金属トレース５１８（１）～５１８（３）に結合される。例えば、補助金属層５０４の追加の金属相互接続部５０６は、垂直方向（Ｚ軸方向）においてＥＴＳ金属化層５０８のそれぞれの埋め込み金属トレース５１８（１）～５１８（３）に直接結合され得る。それぞれの埋め込み金属トレース５１８（１）～５１８（３）に結合された補助金属層５０４の追加の金属相互接続部５０６の組合せは、パッケージ基板５０２の反りを低減又は回避するために、ＥＴＳ金属化層５０８と第３の外部金属化層５１０との間の金属密度の不均衡、したがってＣＴＥの不均衡を回避又は低減するために、金属密度が増加したダイ側金属相互接続部５２２（１）～５２２（３）を形成する。
【0039】
[0052] 図６Ａを参照すると、積層ダイＩＣパッケージ５００は、第１のダイ５１２（１）を含む。図６Ｂに示すように、第１のダイ５１２（１）は、ダイ相互接続部５２６（例えば、隆起相互接続バンプ）を通してパッケージ基板５０２に結合されている。より具体的には、第１のダイ５１２（１）のアクティブ側５２８から延びるダイ相互接続部５２６は、ＥＴＳ金属化層５０８の絶縁層５２０に埋め込まれた他の埋め込み金属トレース５３０に結合される。積層ダイＩＣパッケージ５００に外部信号インターフェースを提供するように指定される選択ダイ相互接続部５２６は、第１のダイ５１２（１）と外部相互接続部５１４との間に信号ルーティング経路を提供するために、ＥＴＳ金属化層５０８を通して第３の外部金属化層５１０内の第２の金属相互接続部５１６（１）、５１６（２）に結合され得る。この例では、図６Ａに示すように、補助金属層５０４は、第１のダイ５１２（１）とパッケージ基板５０２との間の垂直方向（Ｚ軸方向）における垂直領域の内側及び外側の両方に配置される。補助金属層５０４の追加の金属相互接続部５０６（１）、５０６（２）は、第１のダイ５１２（１）とパッケージ基板５０２との間の垂直方向（Ｚ軸方向）における垂直領域の外側に配置される。これは、追加の金属相互接続部５０６（１）、５０６（２）に結合された埋め込み金属トレース５１８（１）、３１８（２）が、接地面のためなど、第１のダイ５１２（１）に直接ではない接続を提供するためのものであるからであり得る。補助金属層５０４の追加の金属相互接続部５０６（３）は、第１のダイ５１２（１）とパッケージ基板５０２との間の垂直方向（Ｚ軸方向）において垂直領域の内側に配置される。これは、追加の金属相互接続部５０６（３）に結合された埋め込み金属トレース５１８（３）が、ダイ相互接続部５２６を通して第１のダイ５１２（１）への接続を提供するためのものであるからであり得る。
【0040】
[0053] 図６Ａ及び図６Ｂを参照すると、この例では、はんだレジスト層５３２が、ＥＴＳ金属化層５０８の絶縁層５２０の第１の外面５３４に隣接して配置される。補助金属層５０４はまた、ＥＴＳ金属化層５０８の絶縁層５２０の第１の外面５３４に隣接して配置される。はんだレジスト層５３２は、補助金属層５０４内の追加の金属相互接続部５０６（１）～５０６（３）の上に配置される。したがって、補助金属層５０４は、はんだレジスト層５３２内に配置されていると考えられ得る。追加の金属相互接続部５０６（１）～５０６（３）は、この例では、ＥＴＳ金属化層５０８の絶縁層５２０に含まれないか、又は埋め込まれない。
【0041】
[0054] 上記で説明したように、ＥＴＳ金属化層５０８の金属層５２４（又はその埋め込み金属トレース５１８（１）～５１８（３））の高さＨ１０は、第３の外部金属化層５１０の第３の金属層５２３（又はその第２の金属相互接続部５１６（１）～５１６（３））の高さＨ９よりも低い。それぞれの埋め込み金属トレース５１８（１）～５１８（３）への追加の金属相互接続部５０６（１）～５０６（３）の結合は、ＥＴＳ金属化層５０８と第３の外部金属化層５１０との間の金属密度の不均衡を回避又は低減する。例えば、垂直方向（Ｚ軸方向）におけるＥＴＳ金属化層５０８の金属層５２４の高さＨ１０は、８～１４μｍであり得る。別の例として、第３の外部金属化層５１０における第３の金属層５２３の高さＨ９は、１０～２０μｍであり得る。別の例として、図５Ｂに示すように、垂直方向（Ｚ軸方向）における補助金属層５０４（又はその追加の金属相互接続部５０６（１）～５０６（３））の高さＨ１１は、１～５μｍであり得る。したがって、一例として、補助金属層５０４の高さＨ１１に対するＥＴＳ金属化層５０８の金属層５２４の高さＨ１０の比は、少なくとも８／５であり得る。また別の例として、第３の金属化層５１０内の第３の金属層５２３の高さＨ９に対するＥＴＳ金属化層５０８の金属層５２４の高さＨ１０の比は、少なくとも８／２０であり得る。
【0042】
[0055] したがって、これらの例では、埋め込み金属トレース５１８（１）～５１８（３）に結合されている追加の金属相互接続部５０６（１）～５０６（３）は、埋め込み金属トレース５１８（１）～５１８（３）の有効高さを、高さＨ１０と高さＨ１１との組合せ（例えば、２０μｍ）にまで高めて、金属密度が増加した有効ダイ側金属相互接続部５２２（１）～５２２（３）を提供する。ＥＴＳ金属化層５０８の金属層５２４内の埋め込み金属トレース５１８（１）～５１８（３）の７／９Ｌ／Ｓの例では、ＥＴＳ金属化層５０８の金属層５２４の高さＨ１０は１４μｍであり得、第３の外部金属化層５１０内の第３の金属層５２３の高さＨ９は１５μｍであり得、補助金属層５０４の高さＨ７は４μｍであり得る。ＥＴＳ金属化層５０８の金属層５２４内の埋め込み金属トレース５１８（１）～５１８（３）の６／８Ｌ／Ｓの例では、ＥＴＳ金属化層５０８の金属層５２４の高さＨ１０は１２μｍであり得、第３の外部金属化層５１０内の第３の金属層５２３の高さＨ９は１５μｍであり得、補助金属層５０４の高さＨ１１は４μｍであり得る。
【0043】
[0056] 一例として図６Ｂの埋め込み金属トレース５１８（１）を使用することにより、パッケージ基板５０２内のＥＴＳ金属化層５０８の製造において追加の金属相互接続部５０６（１）を形成するための補助金属層５０４の金属エッチングの結果として、埋め込み金属トレース５１８（１）の外側金属部分５３６（１）は、絶縁層５２０の第１の外面５３４の下方に凹み得ることに留意されたい。埋め込み金属トレース５１８（１）の内側金属部分５３６（２）は、絶縁層５２０の第１の外面５３４と同じ平面に延びる。これにより、図３Ｂ及び図３ＣのＥＴＳ金属化層５０８内の埋め込み金属トレース３１８（１）～３１８（３）に関して上述したように、埋め込み金属トレース５１８（１）内に凹部５４２が設けられる。埋め込み金属トレース５１８（１）内に形成された凹部５４２は、追加の金属相互接続部５０６（１）を形成するために存在する部分を残すように、補助金属層５０４をエッチングするための位置合わせ機構として埋め込み金属トレース５１８（１）を使用した結果である。ＥＴＳ金属化層５０８内の他の埋め込み金属トレース５１８（２）、５１８（３）はまた、埋め込み金属トレース５１８（１）のような凹部を形成する内側金属部分及び外側金属部分を有し、追加の金属相互接続部５０６（２）、５０６（３）は、埋め込み金属トレース５１８（２）、５１８（３）の上に形成された開口部内の補助金属層５０４をエッチングすることによって形成される。
【0044】
[0057] 図３Ａ～図３ＣのＥＴＳ金属化層３０８内の埋め込み金属トレース３１８（１）～３１８（３）に関して上述した他の詳細は、図６Ａ及び図６ＢのＥＴＳ金属化層５０８内の埋め込み金属トレース５１８（１）～５１８（３）にも適用可能であることに留意されたい。
【0045】
[0058] 図３～図６Ｂのパッケージ基板３０２及び５０２をそれぞれ含むがこれらに限定されない、信号経路のインピーダンスを低減するために金属相互接続部に結合された埋め込み金属トレースを有するパッケージ基板及びそれらのＥＴＳ金属化層を製造するために、製造プロセスが採用され得る。これに関して、図７は、ＩＣパッケージのパッケージ基板内にダイ側ＥＴＳ金属化構造として含まれ得る補助金属層を有するＥＴＳ金属化層を製造する例示的な製造プロセス７００を示すフローチャートであり、追加の金属相互接続部が補助金属層内に形成され、かつＥＴＳ金属化層内の埋め込み金属トレースに結合されて、図３Ａ～図６Ｂのパッケージ基板３０２、５０２を含むがこれらに限定されない埋め込み金属トレースの金属密度を増加させる。図７の製造プロセス７００を、図３Ａ～図３Ｃ及び図６Ａ～図６ＢのＩＣパッケージ３００、５００に関して説明する。
【0046】
[0059] これに関して、図７を参照すると、製造プロセス７００におけるあるステップは、パッケージ基板３０２、５０２を形成することを含む（図７のブロック７０２）。パッケージ基板３０２、５０２を形成することは、第１のＥＴＳ金属化層３０８、５０８を形成することを含み得る（図７のブロック７０４）。第１の金属化層３０８、５０８は、ＥＴＳ金属化層である。第１の金属化層３０８、５０８を形成することは、誘電体材料の第１の絶縁層３２０、５２０を形成すること（図７のブロック７０６）と、次いで、第１の絶縁層３２０、５２０内に第１の金属トレース３１８（１）～３１８（３）、５１８（１）～５１８（３）を埋め込み、それによって第１の絶縁層３２０、５２０内に第１の金属層３２４、５２４を形成すること（図７のブロック７０８）と、を含む。製造プロセス７００における次のステップは、第１の金属化層３０８、５０８に隣接する補助金属層３０４、５０４として、第２の補助金属層３０４、５０４内に１つ又は複数の第２の追加の金属相互接続部３０６（１）～３０６（３）、５０６（１）～５０６（３）を形成することを含む（図７のブロック７１０）。製造プロセス７００における次のステップは、第２の補助金属層３０４、５０４内の１つ又は複数の第２の追加の金属相互接続部３０６（１）～３０６（３）、５０６（１）～５０６（３）の各々を、第１の金属化層３０８、５０８の第１の金属層３２４、５２４内の１つ又は複数の第１の金属トレース３１８（１）～３１８（３）、５１８（１）～５１８（３）のうちの第１の金属トレース３１８（１）～３１８（３）、５１８（１）～５１８（３）に結合することを含む（図７のブロック７１２）。
【0047】
[0060] 他の製造プロセスもまた、ＩＣパッケージのパッケージ基板のダイ側ＥＴＳ金属化構造として含まれ得る補助金属層を有するＥＴＳ金属化層を製造するために採用することができ、追加の金属相互接続部が補助金属層内に形成され、かつＥＴＳ金属化層内の埋め込み金属トレースに結合されて、図３Ａ～図６Ｂのパッケージ基板３０２、５０２を含むがこれらに限定されない埋め込み金属トレースの金属密度を増加させる。これに関して、図８Ａ～図８Ｅは、ＩＣパッケージのパッケージ基板内にダイ側ＥＴＳ金属化構造として含まれ得る補助金属層を有するＥＴＳ金属化層を製造する別の例示的な製造プロセス８００を示すフローチャートであり、追加の金属相互接続部が補助金属層内に形成され、かつＥＴＳ金属化層内の埋め込み金属トレースに結合されて、図３Ａ～図６Ｂのパッケージ基板３０２、５０２を含むがこれらに限定されない埋め込み金属トレースの金属密度を増加させる。図９Ａ～図９Ｉは、図８Ａ～図８Ｅの製造プロセス８００による、パッケージ基板の一部として、補助金属層を有するＥＴＳ金属化層の製造中の例示的な製造段階９００Ａ～９００Ｉである。図９Ａ～図９Ｉの製造段階９００Ａ～９００Ｉに示す製造プロセス８００は、図３Ａ～図３Ｃのパッケージ基板３０２内に補助金属層３０４を有するＥＴＳ金属化層３０８を参照する。しかしながら、図８Ａ～図８Ｅの製造プロセス８００はまた、図９Ａ～図９Ｉの製造段階９００Ａ～９００Ｉに示すように、図６Ａ～図６Ｂのパッケージ基板５０２内に補助金属層５０４を有するＥＴＳ金属化層５０８を製造するためにも適用可能である。
【0048】
[0061] これに関して、図９Ａの製造段階９００Ａに示すように、製造プロセス８００における第１の例示的なステップは、ＥＴＳ金属化層３０８を製造する用意をすることである。ＥＴＳ金属化層３０８を形成することにおける第１のステップは、ＥＴＳ金属化層３０８及び補助金属層を形成するために処理されることになるキャリア９１０上に未加工の金属層９０２、９０４、９０６、９０８を形成することを伴う（図８Ａのブロック８０２）。金属層９０２、９０４、９０６、９０８は、例えば銅層であり得る。金属層９０４、９０６は、キャリア９１２の相反する側９１２（１）、９１０（２）上に配置される。金属層９０４、９０６は、その上に金属層９０２、９０８（例えば、銅箔などの金属箔）が形成されるシード層を形成することができる。以下で説明するように、金属層９０２、９０８は、絶縁層３２０内の埋め込み金属トレース３１８（１）～３１８（３）の金属密度を増加させるために、補助金属層３０４の一部として追加の金属相互接続部３０６（１）～３０６（３）を形成するためのプロセスを通して再利用されることになる。この例では、金属層９０２は、ダイ側ＥＴＳ金属化層３０８のための補助金属層３０４を形成するために使用されることになる。
【0049】
[0062] 図９Ｂの製造段階９００Ｂに示すように、製造プロセス８００における次の例示的なステップは、後の処理ステップ（図８Ａのブロック８０４）において、形成されたダイ側ＥＴＳ金属化層３０８の絶縁層３２０に埋め込まれることになる金属トレース３１８（１）、３１８（３）、３３０を形成することである。金属トレース３１８（１）、３１８（３）、３３０は、金属層９０８上に別の金属層３２４（例えば、銅層）を配置し、（例えば、マスクを通して露光されるフォトレジスト層を使用して）金属層３２４をパターニングして、金属層３２４内に開口部９１４を形成し、金属層３２４の残りの金属部分が金属トレース３１８（１）、３１８（３）、３３０を形成することによって形成される。図９Ｃの製造段階９００Ｃに示すように、製造プロセス８００における次の例示的なステップは、絶縁層３２０を形成するために、金属層３２４において形成された金属トレース３１８（１）、３１８（３）、３３０を誘電体材料９１６で積層することである（図９Ｂのブロック８０６）。これにより、金属トレース３１８（１）、３１８（３）、３３０を絶縁層３２０に埋め込み、ＥＴＳ金属化層３０８を形成する。
【0050】
[0063] 図９Ｄの製造段階９００Ｄに示すように、製造プロセス８００における次の例示的なステップは、相互接続を行うことができるようにＥＴＳ金属化層３０８の埋め込み金属トレース３１８（１）、３１８（３）、３３０を露出させるようにエッチングされるべき金属層９０８を準備するために、キャリア９１０及び金属層９０６を除去することである（図８Ｂのブロック８０８）。金属層９０６は、通常、ＥＴＳ金属化層３０８を製造するための製造プロセスの一部として完全にエッチング除去される。しかしながら、この製造プロセス８００では、金属層９０６は、ＥＴＳ金属化層３０８の金属密度を増加させるための追加の金属相互接続部３０６（１）～３０６（３）を形成するために選択的にエッチングされることのみによって再利用されることになる。したがって、金属層９０６は、補助金属層３０４を形成することになる。埋め込み金属トレース３１８（１）～３１８（３）は金属層９０６と接触して既に形成されているため、金属層９０６が選択的にエッチングされるときに、エッチングされずに追加の金属相互接続部３０６（１）～３０６（３）を形成する金属層９０６の残りの金属材料は、埋め込み金属トレース３１８（１）～３１８（３）に既に結合されていることになる。
【0051】
[0064] 図９Ｅの製造段階９００Ｅに示すように、製造プロセス８００における次の例示的なステップは、金属層９０８にマスキング材料のマスキング層９１８を配置（すなわち、積層）して、金属層９０８を選択的にエッチングして補助金属層３０４内に追加の金属相互接続部３０６（１）～３０６（３）を形成するための用意をすることである（図８Ｃのブロック８１０）。例えば、マスキング層９１８は、化学的又は機械的エッチングプロセスなどの金属エッチングプロセスに対して耐性のある材料から作成され得る。次いで、図９Ｆの製造段階９００Ｆに示すように、製造プロセス８００における次の例示的なステップは、マスクを通してマスキング層９１８を露光して、マスキング層９１８内に開口部９２０を形成することである（図８Ｄのブロック８１２）。開口部９２０は、後続のエッチングプロセスにおいてエッチング除去されることになる金属層９０８内の領域の上方に形成され、金属層９０８の残りの金属部分はマスキング層９１８によって保護され、金属層９０８内に補助金属層３０４として追加の金属相互接続部３０６（１）～３０６（３）を形成する。
【0052】
[0065] 図９Ｇの製造段階９００Ｇに示すように、製造プロセス８００における次の例示的なステップは、マスキング層９１８内に形成された開口部９２０の内側をエッチングして、開口部９２０によって露出された金属層９０８内の金属材料をエッチング除去することである（図８Ｄのブロック８１４）。金属層９０８の領域の上方で除去されないマスキング層９１８は、金属層９０８が再利用されるように、それらの領域がエッチング除去されることから保護する。マスキング層９１８によって保護された金属層９０８の領域はエッチング除去されない、補助金属層３０４の追加の金属相互接続３０６（１）～３０６（３）を形成する。開口部９２０は、図９Ｆの製造段階９００Ｆに示すような処理ステップにおいて形成されることで、前述のように、埋め込み金属トレース３１８（１）～３１８（３）の上方に完全に延びるより幅Ｗ１だけ短い追加の金属相互接続３０６（１）～３０６（３）を短く残すことに留意されたい。これにより、図９Ｇの製造段階９００Ｇに示すように、凹部３４２を、埋め込み金属トレース３１８（１）～３１８（３）内に形成する。図９Ｈの段階９００Ｈにおける製造に示すように、製造プロセス８００における次の例示的なステップは、補助金属層３０４内の追加の金属相互接続３０６（１）～３０６（３）の上方、及び凹部３４２の内側に、はんだレジスト層３３２を形成することである（図８Ｄのブロック８１６）。図９Ｉの段階９００Ｉにおける製造に示すように、製造プロセス８００における次の例示的なステップは、はんだレジスト層３３２の上面９２２を仕上げる（例えば、研磨する）ことである（図８Ｅのブロック８１８）。
【0053】
[0066] 図３Ａ～図６Ｂ及び図９Ａ～図９Ｉのパッケージ基板、かつ図７～図８Ｅの例示的な製造プロセスによる、及び図８～図９Ｃの例示的な製造プロセスによるパッケージ基板を含むがこれらに限定されない、ダイ側ＥＴＳ金属化層とパッケージ基板内の別の金属化層（単数又は複数）との間の金属密度の不一致を回避又は低減するためにパッケージ基板のダイ側ＥＴＳ金属化層内の埋め込み金属トレースに結合された追加の金属相互接続部を有する補助金属層を採用するＩＣパッケージが、任意のプロセッサベースのデバイスに設けられ得る、又は統合され得る。例として、限定はしないが、セットトップボックス、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、固定ロケーションデータユニット、モバイルロケーションデータユニット、全地球測位システム（ＧＰＳ）デバイス、モバイルフォン、携帯電話、スマートフォン、セッション開始プロトコル（ＳＩＰ）フォン、タブレット、ファブレット、サーバ、コンピュータ、ポータブルコンピュータ、モバイルコンピューティングデバイス、ウェアラブルコンピューティングデバイス（例えば、スマートウォッチ、ヘルス又はフィットネストラッカ、アイウェアなど）、デスクトップコンピュータ、携帯情報端末（ＰＤＡ）、モニタ、コンピュータモニタ、テレビ、チューナー、ラジオ、衛星ラジオ、音楽プレーヤ、デジタル音楽プレーヤ、ポータブル音楽プレーヤ、デジタルビデオプレーヤ、ビデオプレーヤ、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）プレーヤ、ポータブルデジタルビデオプレーヤ、自動車、車両部品、アビオニクスシステム、ドローン、及びマルチコプターが挙げられる。
【0054】
[0067] これに関して、図１０は、ダイ（単数又は複数）を含むＩＣパッケージ１００２内に設けられ得る回路を含むプロセッサベースのシステム１０００の一例を示す。ＩＣパッケージ１００２は、図３Ａ～図６Ｂ及び図９Ａ～図９Ｉのパッケージ基板、かつ図７～図８Ｅの例示的な製造プロセスによる、及び本明細書で開示される任意の態様によるパッケージ基板を含むがそれらに限定されない、ダイ側ＥＴＳ金属化層とパッケージ基板内の別の金属化層（単数又は複数）との間の金属密度の不一致を回避又は低減するためにパッケージ基板のダイ側ＥＴＳ金属化層内の埋め込み金属トレースに結合された追加の金属相互接続部を有する補助金属層を採用する。この例では、プロセッサベースのシステム１０００は、ＩＣパッケージ１００２内のＩＣ１００４として、及びシステムオンチップ（system-on-a-chip、ＳｏＣ）１００６として形成され得る。プロセッサベースのシステム１０００は、ＣＰＵコア又はプロセッサコアとも呼ばれ得る、１つ又は複数のプロセッサ１０１０を含む中央処理ユニット（ＣＰＵ）１００８を含む。ＣＰＵ１００８は、一時的に記憶されたデータに迅速にアクセスするためにＣＰＵ１００８に結合されたキャッシュメモリ１０１２を有してもよい。ＣＰＵ１００８は、システムバス１０１４に結合され、プロセッサベースのシステム１０００内に含まれるマスタデバイスとスレーブデバイスとを相互結合することができる。よく知られているように、ＣＰＵ１００８は、システムバス１０１４を介してアドレス情報、制御情報、及びデータ情報を交換することによって、これらの他のデバイスと通信する。例えば、ＣＰＵ１００８は、スレーブデバイスの一例として、メモリコントローラ１０１６にバストランザクション要求を通信することができる。図１０には示されていないが、複数のシステムバス１０１４を設けることができ、各システムバス１０１４は、異なるファブリックを構成する。
【0055】
[0068] 他のマスタデバイス及びスレーブデバイスをシステムバス１０１４に接続することができる。図１０に示すように、これらのデバイスは、例として、メモリコントローラ１０１６及びメモリアレイ（単数又は複数）１０１８を含むメモリシステム１０２０と、１つ又は複数の入力デバイス１０２２と、１つ又は複数の出力デバイス１０２４と、１つ又は複数のネットワークインターフェースデバイス１０２６と、１つ又は複数のディスプレイコントローラ１０２８と、を含み得る。メモリシステム（単数又は複数）１０２０、１つ又は複数の入力デバイス１０２２、１つ又は複数の出力デバイス１０２４、１つ又は複数のネットワークインターフェースデバイス１０２６、及び１つ又は複数のディスプレイコントローラ１０２８の各々は、同じ又は異なるＩＣパッケージ１００２に設けられ得る。入力デバイス（単数又は複数）１０２２は、入力キー、スイッチ、ボイスプロセッサなどを含むが、それらに限定されない、任意のタイプの入力デバイスを含み得る。出力デバイス（単数又は複数）１０２４は、オーディオ、ビデオ、他の視覚インジケータなどを含むがそれらに限定されない、任意のタイプの出力デバイスを含み得る。ネットワークインターフェースデバイス（単数又は複数）１０２６は、ネットワーク１０３０への及びネットワーク１０３０からのデータの交換を可能にするように構成された任意のデバイスであり得る。ネットワーク１０３０は、有線ネットワーク又は無線ネットワーク、プライベートネットワーク又はパブリックネットワーク、ローカルエリアネットワーク（local area network、ＬＡＮ）、無線ローカルエリアネットワーク（wireless local area network、ＷＬＡＮ）、ワイドエリアネットワーク（wide area network、ＷＡＮ）、ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ（商標）ネットワーク、及びインターネットを含むがそれらに限定されない、任意のタイプのネットワークであってもよい。ネットワークインターフェースデバイス（単数又は複数）１０２６は、所望の任意のタイプの通信プロトコルを支持するように構成され得る。
【0056】
[0069] ＣＰＵ１００８はまた、システムバス１０１４を介してディスプレイコントローラ（単数又は複数）１０２８にアクセスして、１つ以上のディスプレイ１０３２に送られる情報を制御するように構成され得る。ディスプレイコントローラ（単数又は複数）１０２８は、１つ又は複数のビデオプロセッサ１０３４を介して表示されるようにディスプレイ（単数又は複数）１０３２に情報を送信し、ビデオプロセッサ１０３４は、表示されるべき情報を処理してディスプレイ（単数又は複数）１０３２に好適なフォーマットにする。ディスプレイコントローラ（単数又は複数）１０２８及びビデオプロセッサ（単数又は複数）１０３４は、同じ又は異なるＩＣパッケージ１００２に、一例として、ＣＰＵ１００８を含む同じ又は異なるＩＣパッケージ１００２に、ＩＣとして含まれ得る。ディスプレイ（単数又は複数）１０３２は、陰極線管（ＣＲＴ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ、発光ダイオード（ＬＥＤ）ディスプレイなどを含むがそれらに限定されない、任意のタイプのディスプレイを含み得る。
【0057】
[0070] 図１１は、１つ又は複数のＩＣ１１０２から形成された無線周波数（ＲＦ）構成要素を含む例示的な無線通信デバイス１１００を示し、ＩＣ１１０２のいずれかが、ダイ（単数又は複数）を含むＩＣパッケージ１１０３内に含まれ得る。ＩＣパッケージ１１０３は、ダイ側ＥＴＳ金属化層と、パッケージ基板内の別の金属化層（単数又は複数）との間の金属密度の不一致を回避又は低減するために、図７～図８Ｅの例示的な製造プロセスによる、及び本明細書で開示される任意の態様による、図３Ａ～図６Ｂ及び図９Ａ～図９Ｉのパッケージ基板を含むがこれらに限定されない、パッケージ基板のダイ側ＥＴＳ金属化層内の埋め込み金属トレースに結合された追加の金属相互接続部を有する補助金属層を採用する。無線通信デバイス１１００は、例として、上記のデバイスのうちのいずれかを含んでもよく、又は上記のデバイスのうちのいずれかの中に設けられてもよい。図１１に示すように、無線通信デバイス１１００は、送受信機１１０４とデータプロセッサ１１０６とを含む。データプロセッサ１１０６は、データ及びプログラムコードを記憶するためのメモリを含み得る。送受信機１１０４は、双方向通信を支持する送信機１１０８及び受信機１１１０を含む。一般に、無線通信デバイス１１００は、任意の数の通信システム及び周波数帯域に対して、任意の数の送信機１１０８及び／又は受信機１１１０を含み得る。送受信機１１０４の全部又は一部が、１つ又は複数のアナログＩＣ、ＲＦ ＩＣ（ＲＦＩＣ）、混合信号ＩＣなどに実装され得る。
【0058】
[0071] 送信機１１０８又は受信機１１１０は、スーパーヘテロダインアーキテクチャ又はダイレクトコンバージョンアーキテクチャで実装され得る。スーパーヘテロダインアーキテクチャでは、信号は、受信機１１１０に対して、複数の段階においてＲＦとベースバンドとの間で、例えば、１つの段階においてＲＦから中間周波数（ＩＦ）に、次いで別の段階においてＩＦからベースバンドに周波数変換される。ダイレクトコンバージョンアーキテクチャでは、信号は、１つの段階において、ＲＦとベースバンドとの間で周波数変換される。スーパーヘテロダインアーキテクチャ及びダイレクトコンバージョンアーキテクチャは、異なる回路ブロックを使用すること、及び／又は異なる要件を有することがある。図１１の無線通信デバイス１１００では、送信機１１０８及び受信機１１１０は、ダイレクトコンバージョンアーキテクチャで実装されている。
【0059】
[0072] 送信経路では、データプロセッサ１１０６は、送信されるべきデータを処理し、送信機１１０８にＩ及びＱアナログ出力信号を提供する。例示的な無線通信デバイス１１００では、データプロセッサ１１０６は、データプロセッサ１１０６により生成されたデジタル信号を、更なる処理のために、Ｉ及びＱアナログ出力信号、例えばＩ及びＱ出力電流に変換するための、デジタルか．らアナログへのコンバータ（ＤＡＣ）１１１２（１）及び１１１２（２）を含む。
【0060】
[0073] 送信機１１０８内では、ローパスフィルタ１１１４（１）及び１１１４（２）が、それぞれ、Ｉ及びＱアナログ出力信号をフィルタリングして、前のデジタルからアナログへの変換によって引き起こされた不要な信号を除去する。増幅器（ＡＭＰ）１１１６（１）、１１１６（２）は、それぞれ、ローパスフィルタ１１１４（１）、１１１４（２）からの信号を増幅し、Ｉ及びＱベースバンド信号を提供する。アップコンバータ１１１８は、送信（ＴＸ）局部発振器（ＬＯ）信号発生器１１２２からミキサ１１２０（１）、１１２０（２）を通るＩ及びＱ ＴＸ ＬＯ信号を用いて、Ｉ及びＱベースバンド信号をアップコンバートして、アップコンバートされた信号１１２４を提供する。フィルタ１１２６は、アップコンバートされた信号１１２４をフィルタリングして、周波数アップコンバージョンによって引き起こされた不要な信号並びに受信周波数帯域中の雑音を除去する。電力増幅器（ＰＡ）１１２８は、所望の出力電力レベルを取得するためにフィルタ１１２６からのアップコンバートされた信号１１２４を増幅して、送信ＲＦ信号を提供する。送信ＲＦ信号は、デュプレクサ又はスイッチ１１３０を通してルーティングされ、アンテナ１１３２を介して送信される。
【0061】
[0074] 受信経路では、アンテナ１１３２は、基地局によって送信された信号を受信し、受信したＲＦ信号を提供し、ＲＦ信号は、デュプレクサ又はスイッチ１１３０を通してルーティングされ、低雑音増幅器（ＬＮＡ）１１３４に提供される。デュプレクサ又はスイッチ１１３０は、受信（ＲＸ）信号がＴＸ信号から分離されるように、特定のＲＸからＴＸへのデュプレクサ周波数分離で動作するように設計されている。受信されたＲＦ信号は、ＬＮＡ１１３４によって増幅され、所望のＲＦ入力信号を取得するためにフィルタ１１３６によってフィルタ処理される。ダウンコンバージョンミキサ１１３８（１）、１１３８（２）は、フィルタ１１３６の出力を、ＲＸ ＬＯ信号発生器１１４０からのＩ及びＱ ＲＸ ＬＯ信号（すなわち、ＬＯ＿Ｉ及びＬＯ＿Ｑ）と混合して、Ｉベースバンド信号及びＱベースバンド信号を生成する。Ｉベースバンド信号及びＱベースバンド信号は、データプロセッサ１１０６に提供されるＩアナログ入力信号及びＱアナログ入力信号を取得するために、ＡＭＰ１１４２（１）、１１４２（２）によって増幅され、ローパスフィルタ１１４４（１）、１１４４（２）によって更にフィルタ処理される。この例では、データプロセッサ１１０６は、データプロセッサ１１０６によって更に処理されるようにアナログ入力信号をデジタル信号に変換するためのアナログからデジタルへのコンバータ（ＡＤＣ）１１４６（１）、１１４６（２）を含む。
【0062】
[0075] 図１１の無線通信デバイス１１００では、ＴＸ ＬＯ信号発生器１１２２は、周波数アップコンバージョンに使用されるＩ及びＱ ＴＸ ＬＯ信号を生成する一方で、ＲＸ ＬＯ信号発生器１１４０は、周波数ダウンコンバージョンに使用されるＩ及びＱ ＲＸ ＬＯ信号を生成する。各ＬＯ信号は、特定の基本周波数を有する周期信号である。ＴＸ位相ロックループ（ＰＬＬ）回路１１４８は、データプロセッサ１１０６からタイミング情報を受信し、ＴＸ ＬＯ信号発生器１１２２からのＴＸ ＬＯ信号の周波数及び／又は位相を調整するために使用される制御信号を生成する。同様に、ＲＸ ＰＬＬ回路１１５０は、データプロセッサ１１０６からタイミング情報を受信し、ＲＸ ＬＯ信号発生器１１４０からのＲＸ ＬＯ信号の周波数及び／又は位相を調整するために使用される制御信号を生成する。
【0063】
[0076] 本明細書において開示される態様に関連して説明された種々の例示的な論理ブロック、モジュール、回路、及びアルゴリズムが、電子ハードウェアとして、メモリ内に若しくは別のコンピュータ可読媒体内に記憶され、プロセッサ若しくは他の処理デバイスによって実行される命令として、又は両方の組み合わせとして実装される場合があることは、当業者には更に理解されよう。本明細書で開示するメモリは、任意のタイプ及びサイズのメモリであってもよく、所望の任意のタイプの情報を記憶するように構成されてもよい。この互換性について明確に説明するために、様々な例示的な構成要素、ブロック、モジュール、回路、及びステップについて、上記では概してそれらの機能に関して説明してきた。そのような機能がどのように実装されるかは、特定の適用例、設計上の選択、及び／又はシステム全体に課される設計制約によって決まる。当業者は、説明する機能を特定の用途ごとに様々な方法で実装し得るが、そのような実装決定は、本開示の範囲からの逸脱を引き起こすものと解釈されるべきではない。
【0064】
[0077] 本明細書で開示する態様に関連して説明した様々な例示的な論理ブロック、モジュール、及び回路は、プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）若しくは他のプログラマブル論理デバイス、ディスクリートゲート若しくはトランジスタ論理、ディスクリートハードウェア構成要素、又は本明細書で説明する機能を実行するように設計されたそれらの任意の組み合わせを用いて実装又は実行され得る。プロセッサは、マイクロプロセッサであってもよいが、代替としてプロセッサは、任意の従来のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、又はステートマシンであってもよい。プロセッサはまた、コンピューティングデバイスの組み合わせ（例えば、ＤＳＰ及びマイクロプロセッサの組み合わせ、複数のマイクロプロセッサ、ＤＳＰコアと連携する１つ以上のマイクロプロセッサ、又は任意の他のそのような構成）として実装されてもよい。
【0065】
[0078] 本明細書で開示する態様は、ハードウェアにおいて具現化されてもよい、及びハードウェア内に記憶され、例えば、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、フラッシュメモリ、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、電気的プログラマブルＲＯＭ（ＥＰＲＯＭ）、電気的消去可能プログラマブルＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ）、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、ＣＤ－ＲＯＭ、又は当技術分野において知られている任意の他の形態のコンピュータ可読媒体の中に存在し得る命令において具現化されてもよい。例示的な記憶媒体は、プロセッサが記憶媒体から情報を読み取ること及び記憶媒体に情報を書き込むことができるように、プロセッサに結合される。代替として、記憶媒体はプロセッサと一体化され得る。プロセッサ及び記憶媒体は、ＡＳＩＣの中に存在してもよい。ＡＳＩＣは、リモート局の中に存在してもよい。代替として、プロセッサ及び記憶媒体は、ディスクリート構成要素として、リモート局、基地局、又はサーバの中に存在してもよい。
【0066】
[0079] 本明細書の例示的な態様のいずれかで説明した動作ステップが、例及び説明を提供するために記載されていることにも留意されたい。説明する動作は、図示の順序以外の多数の異なる順序において実施され得る。更に、単一の動作ステップにおいて記載した動作は、実際にはいくつかの異なるステップにおいて実施され得る。加えて、例示的な態様において説明された１つ以上の動作ステップは組み合わせられる場合がある。当業者には容易に明らかになるように、フローチャート図に示される動作ステップには多数の異なる変更がなされる場合があることを理解されたい。当業者であれば、様々な異なる技術及び技法のいずれかを使用して情報及び信号が表され得ることも理解するであろう。例えば、上記の説明全体にわたって言及され得るデータ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、及びチップは、電圧、電流、電磁波、磁場若しくは磁性粒子、光場若しくは光学粒子、又はそれらの任意の組み合わせによって表されてもよい。
【0067】
[0080] 本開示の上記の説明は、あらゆる当業者が本開示を作成又は使用することが可能となるように提供される。本開示に対する様々な変更は当業者には容易に明らかであり、本明細書で定義される一般原理は他の例に適用され得る。したがって、本開示は、本明細書で説明する例及び設計に限定することを意図するものでなく、本明細書で開示する原理及び新規の特徴と一致する最も広い範囲を与えられるべきである。
【0068】
[0081] 以下の番号付きの態様／条項において、実装例について説明する。
１．集積回路（ＩＣ）パッケージであって、
パッケージ基板であって、
第１の金属化層であって、
第１の絶縁層と、
第１の絶縁層に埋め込まれた１つ又は複数の第１の金属トレースを含む第１の金属層と、を含む、第１の金属化層と、
第１の金属化層に隣接して配置された第２の金属層であって、第１の金属化層の第１の金属層内の１つ又は複数の第１の金属トレースのうちの第１の金属トレースに各々結合された１つ又は複数の第２の金属相互接続部を含む、第２の金属層と、を備える、集積回路（ＩＣ）パッケージ。
２．
第２の金属層が、垂直方向において第１の金属化層の第１の側に隣接して配置され、
パッケージ基板が、
垂直方向において第１の金属化層の第２の側にある１つ又は複数の第１の金属トレースのうちの第１の金属トレースに各々結合された、１つ又は複数の垂直相互接続アクセス（ビア）を更に含む、
条項１に記載のＩＣパッケージ。
３．パッケージ基板が、１つ又は複数の第３の金属相互接続部を含む第３の金属層を含む第３の金属化層を更に含み、
１つ又は複数のビアのうちの各ビアが、１つ又は複数の第３の金属相互接続部のうちの第３の金属相互接続部に結合されている、条項２に記載のＩＣパッケージ。
４．第３の金属化層内の１つ又は複数の第３の金属相互接続部のうちの第３の金属相互接続部に各々結合された１つ又は複数の外部相互接続部を更に備える、条項３に記載のＩＣパッケージ。
５．
１つ又は複数の第１の金属トレースが、垂直方向において１２～１４マイクロメートル（μｍ）の第１の垂直方向における高さを各々有し、
１つ又は複数の第３の金属相互接続部が、１０μｍ～２０μｍの垂直方向における第２の高さを各々有する、
条項３又は４に記載のＩＣパッケージ。
６．
１つ又は複数の第１の金属トレースが、垂直方向における第１の高さを有し、
１つ又は複数の第３の金属相互接続部が、垂直方向における第２の高さを有し、
第２の高さに対する第１の高さの比が、少なくとも８／２０である、
条項３～５のいずれかに記載のＩＣパッケージ。
７．１つ又は複数の第２の金属相互接続部が各々、１つ又は複数の第１の金属トレースのうちの第１の金属トレースと直接接触している、条項１に記載のＩＣパッケージ。
８．第１の金属化層に隣接するはんだレジスト層を更に含み、
第２の金属層が、はんだレジスト層内に配置されている、条項１～７のいずれかに記載のＩＣパッケージ。
９．
第１の絶縁層が第１の表面を含み、
第２の金属層が第１の表面に隣接して配置されている、
条項１～８のいずれかに記載のＩＣパッケージ。
１０．
第１の絶縁層の第１の表面が、水平方向において水平面に配置され、
１つ又は複数の第１の金属トレースの少なくとも一部が、垂直方向において水平面に延びる第２の表面を各々含む、
条項９に記載のＩＣパッケージ。
１１．１つ又は複数の第２の金属相互接続部が、第１の絶縁層に埋め込まれていない、条項１～１０のいずれかに記載のＩＣパッケージ。
１２．１つ又は複数の第１の金属トレースが、
垂直方向における第１の高さを有する外側金属部分と、
外側金属部分の内側に配置された内側金属部分であって、第１の高さよりも小さい垂直方向における第２の高さを有する、内側金属部分と、
を各々含む、条項１～１１のいずれかに記載のＩＣパッケージ。
１３．
第１の絶縁層が、第２の金属層に隣接する第１の表面を含み、第１の表面が、水平方向において第１の水平面に配置され、
１つ又は複数の第１の金属トレースの各々に対して、
外側金属部分が、
水平方向において第２の水平面に配置された第２の表面と、
垂直方向において第２の表面の反対側にあり、第２の金属層に隣接する第３の表面であって、垂直方向における第１の水平面と第２の水平面との間の水平方向において第３の水平面に配置された、第３の表面と、
を含み、
内側金属部分が、
第２の水平面に配置された第４の表面と、
垂直方向において第４の表面の反対側にあり、第２の金属層に隣接する第５の表面であって、第１の水平面に配置された、第５の表面と、
を含む、条項１２に記載のＩＣパッケージ。
１４．
１つ又は複数の第１の金属トレースが、８～１４マイクロメートル（μｍ）の垂直方向における第１の高さを有し、
１つ又は複数の第２の金属相互接続部が、１μｍ～５μｍの垂直方向における第２の高さを有する、
条項１～１３のいずれかに記載のＩＣパッケージ。
１５．
１つ又は複数の第１の金属トレースが、垂直方向における第１の高さを各々有し、
１つ又は複数の第２の金属相互接続部が、垂直方向における第２の高さを各々有し、
第２の高さに対する第１の高さの比が、少なくとも８／５である、
条項１～１４のいずれかに記載のＩＣパッケージ。
１６．１つ又は複数の第１の金属トレースが、７マイクロメートル（μｍ）以下の水平方向における第１の幅を各々有し、
９μｍ以下の水平方向における第２の幅を有する１つ又は複数の第１の金属トレースのうちの隣接する第１の金属トレース間に１つ又は複数の空間を更に備える、
条項１～１５のいずれかに記載のＩＣパッケージ。
１７．パッケージ基板に結合されたダイを更に備える、条項１～１６のいずれかに記載のＩＣパッケージ。
１８．ダイが、１つ又は複数の第１の金属トレースのうちの第１の金属トレースに各々結合された１つ又は複数のダイ相互接続部を含む、条項１７に記載のＩＣパッケージ。
１９．１つ又は複数のダイ相互接続部が、第２の金属層内の１つ又は複数の第２の金属相互接続部のうちの第２の金属相互接続に各々結合されている、条項１７又は１８に記載のＩＣパッケージ。
２０．第２の金属層の少なくとも一部が、垂直方向においてダイと第１の金属化層との間に配置されている、条項１７～１９のいずれかに記載のＩＣパッケージ。
２１．第２の金属層が、垂直方向においてダイの外側に配置されている、条項１７～２０のいずれかに記載のＩＣパッケージ。
２２．セットトップボックスと、エンターテイメントユニットと、ナビゲーションデバイスと、通信デバイスと、固定ロケーションデータユニットと、モバイルロケーションデータユニットと、全地球測位システム（ＧＰＳ）デバイスと、モバイルフォンと、携帯電話と、スマートフォンと、セッション開始プロトコル（ＳＩＰ）フォンと、タブレットと、ファブレットと、サーバと、コンピュータと、ポータブルコンピュータと、モバイルコンピューティングデバイスと、ウェアラブルコンピューティングデバイスと、デスクトップコンピュータと、携帯情報端末（ＰＤＡ）と、モニタと、コンピュータモニタと、テレビと、チューナーと、ラジオと、衛星ラジオと、音楽プレーヤと、デジタル音楽プレーヤと、ポータブル音楽プレーヤと、デジタルビデオプレーヤと、ビデオプレーヤと、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）プレーヤと、ポータブルデジタルビデオプレーヤと、自動車と、車両部品と、アビオニクスシステムと、ドローンと、マルチコプターと、からなる群から選択されるデバイスに一体化された、条項１～２１のいずれかに記載のＩＣパッケージ。
２３．集積回路（ＩＣ）パッケージの製造方法であって、
パッケージ基板を形成することであって、
第１の金属化層を形成することであって、
第１の絶縁層を形成することと、
第１の絶縁層に１つ又は複数の第１の金属トレースを埋め込み、第１の絶縁層内に第１の金属層を形成することと、を含む、第１の金属化層を形成すること、
を含む、パッケージ基板を形成することと、
第１の金属化層に隣接する第２の金属層内に１つ又は複数の第２の金属相互接続部を形成することと、
第２の金属層内の１つ又は複数の第２の金属相互接続部の各々を、第１の金属化層の第１の金属層内の１つ又は複数の第１の金属トレースのうちの第１の金属トレースに結合することと、
を含む、方法。
２４．
第２の金属層内に１つ又は複数の第２の金属相互接続部を形成することが、垂直方向において第１の金属化層の第１の側に隣接して第２の金属層内に１つ又は複数の第２の金属相互接続部を形成することを含み、
パッケージ基板を形成することが、
垂直方向において第１の金属化層の第２の側にある１つ又は複数の第１の金属トレースのうちの第１の金属トレースに各々結合された１つ又は複数の垂直相互接続アクセス（ビア）を形成することを更に含む、
条項２３に記載の方法。
２５．パッケージ基板を形成することが、１つ又は複数の第３の金属相互接続部を含む第３の金属層を含む第３の金属化層を形成することを更に含み、
第３の金属層内の１つ又は複数の第３の金属相互接続部の各々を、１つ又は複数のビアのうちのビアに結合することを更に含む、条項２４に記載の方法。
２６．１つ又は複数の第２の金属相互接続部の各々を結合することが、第１の金属化層の第１の金属層内の１つ又は複数の第１の金属トレースのうちの第１の金属トレースと接触して、第２の金属層内の１つ又は複数の第２の金属相互接続部の各々を配置することを含む、条項２３に記載の方法。
２７．第２の金属層がはんだレジスト層内に配置されるように、第２の金属層の上にかつ第１の金属化層に隣接して、はんだレジスト層を形成することを更に含む、条項２３～２６のいずれかに記載の方法。
２８．
第１の絶縁層を形成することが、水平方向において水平面に配置された第１の表面を形成することを更に含み、
１つ又は複数の第１の金属トレースを第１の絶縁層に埋め込むことが、垂直方向において水平面に延びる１つ又は複数の第１の金属トレースの少なくとも一部に第２の表面を形成することを更に含む、条項２３～２７のいずれかに記載の方法。
２９．１つ又は複数の第２の金属相互接続部を、第１の絶縁層に埋め込まないことを更に含む、条項２３～２８のいずれかに記載の方法。
３０．パッケージ基板に結合されたダイを結合することを更に含む、条項２３～２９のいずれかに記載の方法。
３１．ダイを結合することが、ダイの少なくとも１つのダイ相互接続部を、第２の金属層内の１つ又は複数の第２の金属相互接続部のうちの第２の金属相互接続部に結合することを含む、条項３０に記載の方法。
３２．
キャリアを設けることと、
キャリア上に第２の金属層を形成することと、
第２の金属層上に配置された第１の金属層内に１つ又は複数の第１の金属トレースを形成することと、
を更に含む、条項２３～３１のいずれかに記載の方法。
３３．第１の絶縁層に１つ又は複数の第１の金属トレースを埋め込むことが、
第１の金属層内に１つ又は複数の第１の金属トレースを形成することと、
第１の金属層内の１つ又は複数の第１の金属トレースを、第１の絶縁層を形成する誘電体材料で積層することと、を含む、条項３２に記載の方法。
３４．
第２の金属層上にマスキング層を配置することと、
第２の金属層の上のマスキング層に１つ又は複数の開口部を形成するために、
マスキング層を露光することと、
エッチングされていない第２の金属層内に１つ又は複数の第２の金属相互接続部を形成するために、１つ又は複数の開口部から露出された第２の金属層内に１つ又は複数の開口部の内側をエッチングすることと、
を更に含む、条項３３に記載の方法。
３５．第２の金属層上にはんだレジスト層を形成することを更に含む、条項３４に記載の方法。
１．集積回路（ＩＣ）パッケージであって、
パッケージ基板であって、
第１の金属化層であって、
第１の絶縁層と、
第１の絶縁層に埋め込まれた１つ又は複数の第１の金属トレースを含む第１の金属層と、を含む、第１の金属化層と、
第１の金属化層に隣接して配置された第２の金属層であって、第１の金属化層の第１の金属層内の１つ又は複数の第１の金属トレースのうちの第１の金属トレースに各々結合された１つ又は複数の第２の金属相互接続部を含む、第２の金属層と、を備える、集積回路（ＩＣ）パッケージ。
２．
第２の金属層が、垂直方向において第１の金属化層の第１の側に隣接して配置され、
パッケージ基板が、
垂直方向において第１の金属化層の第２の側にある１つ又は複数の第１の金属トレースのうちの第１の金属トレースに各々結合された、１つ又は複数の垂直相互接続アクセス（ビア）を更に含む、
条項１に記載のＩＣパッケージ。
３．パッケージ基板が、１つ又は複数の第３の金属相互接続部を含む第３の金属層を含む第３の金属化層を更に含み、
１つ又は複数のビアのうちの各ビアが、１つ又は複数の第３の金属相互接続部のうちの第３の金属相互接続部に結合されている、条項２に記載のＩＣパッケージ。
４．第３の金属化層内の１つ又は複数の第３の金属相互接続部のうちの第３の金属相互接続部に各々結合された１つ又は複数の外部相互接続部を更に備える、条項３に記載のＩＣパッケージ。
５．
１つ又は複数の第１の金属トレースが、垂直方向において１２～１４マイクロメートル（μｍ）の第１の垂直方向における高さを各々有し、
１つ又は複数の第３の金属相互接続部が、１０μｍ～２０μｍの垂直方向における第２の高さを各々有する、
条項３又は４に記載のＩＣパッケージ。
６．
１つ又は複数の第１の金属トレースが、垂直方向における第１の高さを有し、
１つ又は複数の第３の金属相互接続部が、垂直方向における第２の高さを有し、
第２の高さに対する第１の高さの比が、少なくとも８／２０である、
条項３～５のいずれかに記載のＩＣパッケージ。
７．１つ又は複数の第２の金属相互接続部が各々、１つ又は複数の第１の金属トレースのうちの第１の金属トレースと直接接触している、条項１に記載のＩＣパッケージ。
８．第１の金属化層に隣接するはんだレジスト層を更に含み、
第２の金属層が、はんだレジスト層内に配置されている、条項１～７のいずれかに記載のＩＣパッケージ。
９．
第１の絶縁層が第１の表面を含み、
第２の金属層が第１の表面に隣接して配置されている、
条項１～８のいずれかに記載のＩＣパッケージ。
１０．
第１の絶縁層の第１の表面が、水平方向において水平面に配置され、
１つ又は複数の第１の金属トレースの少なくとも一部が、垂直方向において水平面に延びる第２の表面を各々含む、
条項９に記載のＩＣパッケージ。
１１．１つ又は複数の第２の金属相互接続部が、第１の絶縁層に埋め込まれていない、条項１～１０のいずれかに記載のＩＣパッケージ。
１２．１つ又は複数の第１の金属トレースが、
垂直方向における第１の高さを有する外側金属部分と、
外側金属部分の内側に配置された内側金属部分であって、第１の高さよりも小さい垂直方向における第２の高さを有する、内側金属部分と、
を各々含む、条項１～１１のいずれかに記載のＩＣパッケージ。
１３．
第１の絶縁層が、第２の金属層に隣接する第１の表面を含み、第１の表面が、水平方向において第１の水平面に配置され、
１つ又は複数の第１の金属トレースの各々に対して、
外側金属部分が、
水平方向において第２の水平面に配置された第２の表面と、
垂直方向において第２の表面の反対側にあり、第２の金属層に隣接する第３の表面であって、垂直方向における第１の水平面と第２の水平面との間の水平方向において第３の水平面に配置された、第３の表面と、
を含み、
内側金属部分が、
第２の水平面に配置された第４の表面と、
垂直方向において第４の表面の反対側にあり、第２の金属層に隣接する第５の表面であって、第１の水平面に配置された、第５の表面と、
を含む、条項１２に記載のＩＣパッケージ。
１４．
１つ又は複数の第１の金属トレースが、８～１４マイクロメートル（μｍ）の垂直方向における第１の高さを有し、
１つ又は複数の第２の金属相互接続部が、１μｍ～５μｍの垂直方向における第２の高さを有する、
条項１～１３のいずれかに記載のＩＣパッケージ。
１５．
１つ又は複数の第１の金属トレースが、垂直方向における第１の高さを各々有し、
１つ又は複数の第２の金属相互接続部が、垂直方向における第２の高さを各々有し、
第２の高さに対する第１の高さの比が、少なくとも８／５である、
条項１～１４のいずれかに記載のＩＣパッケージ。
１６．１つ又は複数の第１の金属トレースが、７マイクロメートル（μｍ）以下の水平方向における第１の幅を各々有し、
９μｍ以下の水平方向における第２の幅を有する１つ又は複数の第１の金属トレースのうちの隣接する第１の金属トレース間に１つ又は複数の空間を更に備える、
条項１～１５のいずれかに記載のＩＣパッケージ。
１７．パッケージ基板に結合されたダイを更に備える、条項１～１６のいずれかに記載のＩＣパッケージ。
１８．ダイが、１つ又は複数の第１の金属トレースのうちの第１の金属トレースに各々結合された１つ又は複数のダイ相互接続部を含む、条項１７に記載のＩＣパッケージ。
１９．１つ又は複数のダイ相互接続部が、第２の金属層内の１つ又は複数の第２の金属相互接続部のうちの第２の金属相互接続に各々結合されている、条項１７又は１８に記載のＩＣパッケージ。
２０．第２の金属層の少なくとも一部が、垂直方向においてダイと第１の金属化層との間に配置されている、条項１７～１９のいずれかに記載のＩＣパッケージ。
２１．第２の金属層が、垂直方向においてダイの外側に配置されている、条項１７～２０のいずれかに記載のＩＣパッケージ。
２２．セットトップボックスと、エンターテイメントユニットと、ナビゲーションデバイスと、通信デバイスと、固定ロケーションデータユニットと、モバイルロケーションデータユニットと、全地球測位システム（ＧＰＳ）デバイスと、モバイルフォンと、携帯電話と、スマートフォンと、セッション開始プロトコル（ＳＩＰ）フォンと、タブレットと、ファブレットと、サーバと、コンピュータと、ポータブルコンピュータと、モバイルコンピューティングデバイスと、ウェアラブルコンピューティングデバイスと、デスクトップコンピュータと、携帯情報端末（ＰＤＡ）と、モニタと、コンピュータモニタと、テレビと、チューナーと、ラジオと、衛星ラジオと、音楽プレーヤと、デジタル音楽プレーヤと、ポータブル音楽プレーヤと、デジタルビデオプレーヤと、ビデオプレーヤと、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）プレーヤと、ポータブルデジタルビデオプレーヤと、自動車と、車両部品と、アビオニクスシステムと、ドローンと、マルチコプターと、からなる群から選択されるデバイスに一体化された、条項１～２１のいずれかに記載のＩＣパッケージ。
２３．集積回路（ＩＣ）パッケージの製造方法であって、
パッケージ基板を形成することであって、
第１の金属化層を形成することであって、
第１の絶縁層を形成することと、
第１の絶縁層に１つ又は複数の第１の金属トレースを埋め込み、第１の絶縁層内に第１の金属層を形成することと、を含む、第１の金属化層を形成すること、
を含む、パッケージ基板を形成することと、
第１の金属化層に隣接する第２の金属層内に１つ又は複数の第２の金属相互接続部を形成することと、
第２の金属層内の１つ又は複数の第２の金属相互接続部の各々を、第１の金属化層の第１の金属層内の１つ又は複数の第１の金属トレースのうちの第１の金属トレースに結合することと、
を含む、方法。
２４．
第２の金属層内に１つ又は複数の第２の金属相互接続部を形成することが、垂直方向において第１の金属化層の第１の側に隣接して第２の金属層内に１つ又は複数の第２の金属相互接続部を形成することを含み、
パッケージ基板を形成することが、
垂直方向において第１の金属化層の第２の側にある１つ又は複数の第１の金属トレースのうちの第１の金属トレースに各々結合された１つ又は複数の垂直相互接続アクセス（ビア）を形成することを更に含む、
条項２３に記載の方法。
２５．パッケージ基板を形成することが、１つ又は複数の第３の金属相互接続部を含む第３の金属層を含む第３の金属化層を形成することを更に含み、
第３の金属層内の１つ又は複数の第３の金属相互接続部の各々を、１つ又は複数のビアのうちのビアに結合することを更に含む、条項２４に記載の方法。
２６．１つ又は複数の第２の金属相互接続部の各々を結合することが、第１の金属化層の第１の金属層内の１つ又は複数の第１の金属トレースのうちの第１の金属トレースと接触して、第２の金属層内の１つ又は複数の第２の金属相互接続部の各々を配置することを含む、条項２３に記載の方法。
２７．第２の金属層がはんだレジスト層内に配置されるように、第２の金属層の上にかつ第１の金属化層に隣接して、はんだレジスト層を形成することを更に含む、条項２３～２６のいずれかに記載の方法。
２８．
第１の絶縁層を形成することが、水平方向において水平面に配置された第１の表面を形成することを更に含み、
１つ又は複数の第１の金属トレースを第１の絶縁層に埋め込むことが、垂直方向において水平面に延びる１つ又は複数の第１の金属トレースの少なくとも一部に第２の表面を形成することを更に含む、条項２３～２７のいずれかに記載の方法。
２９．１つ又は複数の第２の金属相互接続部を、第１の絶縁層に埋め込まないことを更に含む、条項２３～２８のいずれかに記載の方法。
３０．パッケージ基板に結合されたダイを結合することを更に含む、条項２３～２９のいずれかに記載の方法。
３１．ダイを結合することが、ダイの少なくとも１つのダイ相互接続部を、第２の金属層内の１つ又は複数の第２の金属相互接続部のうちの第２の金属相互接続部に結合することを含む、条項３０に記載の方法。
３２．
キャリアを設けることと、
キャリア上に第２の金属層を形成することと、
第２の金属層上に配置された第１の金属層内に１つ又は複数の第１の金属トレースを形成することと、
を更に含む、条項２３～３１のいずれかに記載の方法。
３３．第１の絶縁層に１つ又は複数の第１の金属トレースを埋め込むことが、
第１の金属層内に１つ又は複数の第１の金属トレースを形成することと、
第１の金属層内の１つ又は複数の第１の金属トレースを、第１の絶縁層を形成する誘電体材料で積層することと、を含む、条項３２に記載の方法。
３４．
第２の金属層上にマスキング層を配置することと、
第２の金属層の上のマスキング層に１つ又は複数の開口部を形成するために、
マスキング層を露光することと、
エッチングされていない第２の金属層内に１つ又は複数の第２の金属相互接続部を形成するために、１つ又は複数の開口部から露出された第２の金属層内に１つ又は複数の開口部の内側をエッチングすることと、
を更に含む、条項３３に記載の方法。
３５．第２の金属層上にはんだレジスト層を形成することを更に含む、条項３４に記載の方法。
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図4】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図8D】
【図8E】
【図9A】
【図9B】
【図9C】
【図9D】
【図9E】
【図9F】
【図9G】
【図9H】
【図9I】
【図10】
【図11】
【国際調査報告】