特表 2024-538045 一体型電子積層体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-10-18

(54)【発明の名称】一体型電子積層体

(51)【国際特許分類】

   B32B 7/025 20190101AFI20241010BHJP

   H05K 1/03 20060101ALI20241010BHJP

   B32B 7/12 20060101ALI20241010BHJP

   H01R 11/01 20060101ALI20241010BHJP

【ＦＩ】

B32B7/025

H05K1/03 670

B32B7/12

H01R11/01 501E

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024521740

(86)(22)【出願日】2022-10-05

(85)【翻訳文提出日】2024-04-10

(86)【国際出願番号】 IB2022059512

(87)【国際公開番号】W WO2023062484

(87)【国際公開日】2023-04-20

(31)【優先権主張番号】10-2021-0136941

(32)【優先日】2021-10-14

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】505005049

【氏名又は名称】スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー

(74)【代理人】

【識別番号】100130339

【弁理士】

【氏名又は名称】藤井 憲

(74)【代理人】

【識別番号】100135909

【弁理士】

【氏名又は名称】野村 和歌子

(74)【代理人】

【識別番号】100133042

【弁理士】

【氏名又は名称】佃 誠玄

(74)【代理人】

【識別番号】100171701

【弁理士】

【氏名又は名称】浅村 敬一

(72)【発明者】

【氏名】チェ，ジョンワン

(72)【発明者】

【氏名】キム，ジョン－ピル

(72)【発明者】

【氏名】キム，ジンベ

(72)【発明者】

【氏名】マカッチオン，ジェフリー ダブリュ．

【テーマコード（参考）】

4F100

【Ｆターム（参考）】

4F100AB01E

4F100AB02E

4F100AB03E

4F100AB04

4F100AB04E

4F100AB09E

4F100AB10E

4F100AB12E

4F100AB18E

4F100AB25

4F100AB31E

4F100AR00B

4F100AR00C

4F100AR00D

4F100AR00E

4F100AT00A

4F100AT00E

4F100BA05

4F100BA07

4F100CB00

4F100CB00C

4F100CB00E

4F100EH71E

4F100GB48

4F100JG01

4F100JG01B

4F100JG01C

4F100JG01D

4F100JG01E

4F100JG04C

4F100JG04E

4F100JK01A

4F100JK01E

4F100JK17

4F100JK17E

4F100JL11

4F100JL11C

4F100JL11E

4F100YY00A

4F100YY00B

4F100YY00C

4F100YY00D

4F100YY00E

(57)【要約】

本開示は、一体型電子積層体及び多層積層体に関する。具体的には、本開示の一実施形態によれば、導電性構成要素を接地するための、パッシブ相互変調（ＰＩＭ）が内部で低減する一体型電子積層体が提供され、この一体型電子積層体は、第１の一体型積層体及び第２の一体型積層体を含み、第１の一体型積層体は第２の一体型積層体に接合されており、第１の一体型積層体は、実質的に剛性の第１の基板と、第１の基板の第１の主表面の少なくとも一部分に配置された第１の導電層と、第１の導電性接着剤層及び第２の導電性接着剤層と、第１の導電性接着剤層と第２の導電性接着剤層との間に配置され、第１の導電性接着剤層及び第２の導電性接着剤層にそれぞれ接合され、第１の導電性接着剤層及び第２の導電性接着剤層が電気絶縁性材料内に実質的に分散された複数の導電性要素を含む、第１の導電性薄膜とを含み、第１の導電性接着剤層は、第１の導電性薄膜を１つ以上の第１の導電層に接合する。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

導電性構成要素を接地するための、パッシブ相互変調（ＰＩＭ）が内部で低減する一体型電子積層体であって、
前記一体型電子積層体が、第１の一体型積層体及び第２の一体型積層体を含み、前記第１の一体型積層体が前記第２の一体型積層体に接合されており、
前記第１の一体型積層体が、
実質的に剛性の第１の基板と、
前記第１の基板の第１の主表面の少なくとも一部分に配置された第１の導電層と、
第１の導電性接着剤層及び第２の導電性接着剤層と、
前記第１の導電性接着剤層と前記第２の導電性接着剤層との間に配置され、前記第１の導電性接着剤層及び前記第２の導電性接着剤層にそれぞれ接合され、前記第１の導電性接着剤層及び前記第２の導電性接着剤層が電気絶縁性材料内に実質的に分散された複数の導電性要素を含む、第１の導電性薄膜と、
を含み、
前記第１の導電性接着剤層が前記第１の導電性薄膜を前記１つ以上の第１の導電層に接合し、
前記第２の一体型積層体が、
実質的に剛性の導電性の第２の基板と、
電気絶縁性材料内に実質的に分散された複数の導電性要素を含む第３の導電性接着剤層と、
前記第２の基板の第１の主表面の少なくとも一部分に前記第３の導電性接着剤層を介して接合された可撓性金属薄膜と、を含み、
前記第１の一体型積層体と前記第２の一体型積層体とが、前記第３の導電性接着剤層の反対側に配置された前記可撓性金属薄膜に接合された前記第２の導電性接着剤層によって互いに接合され、前記第１の導電層と前記第２の基板とを電気的に接続する、
一体型電子積層体。

【請求項2】

前記第２の基板がステンレス鋼、アルミニウム（Ａｌ）、亜鉛めっきアルミニウム、マグネシウム（Ｍｇ）、マグネシウムとアルミニウムとの合金、鉄（Ｆｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、亜鉛めっき鋼、チタン（Ｔｉ）、及び亜鉛めっき鉄のうち１つ以上を含む、
請求項１に記載の一体型電子積層体。

【請求項3】

前記第１の導電性接着剤層が前記第１の導電性層との第１の接触抵抗を形成し、前記第３の導電性接着剤層が前記第２の基板との第２の接触抵抗を形成し、
前記可撓性金属薄膜が存在することが、前記第１の接触抵抗及び前記第２の接触抵抗のうち１つ以上で発生するパッシブ相互変調信号を５ｄＢ以上、８０ｄＢ以下だけ低減する、
請求項１に記載の一体型電子積層体。

【請求項4】

前記一体型電子積層体で発生するパッシブ相互変調信号が、主に前記第１の基板及び前記第２の基板のうちいずれか１つによって引き起こされる、
請求項１に記載の一体型電子積層体。

【請求項5】

実質的に剛性である前記第１の基板及び前記第２の基板の各々の第１の点を１ｍｍ～１０ｍｍの曲げ半径にわたって曲げると、前記第１の点において前記剛性の基板が不可逆的に変形する、
請求項１に記載の一体型電子積層体。

【請求項6】

一体型電子積層体であって、
第１の導電性接着剤層、第２の導電性接着剤層、第３の導電性接着剤層と、
前記第１の導電性接着剤層と前記第２の導電性接着剤層との間に配置され、前記第１の導電性接着剤層及び前記第２の導電性接着剤層に接合された可撓性金属薄膜と、
前記第２の導電性接着剤層と前記第３の導電性接着剤層との間に配置され、前記第２の導電性接着剤層及び前記第３の導電性接着剤層に接合された第２の導電性薄膜と、を含み、
前記第１から第３の導電性接着剤層の各々が、電気絶縁性材料内に実質的に分散された複数の導電性要素を含み、
互いに離間した第１の金マイクロストリップ及び第２の金マイクロストリップを提供するステップと、
前記第１の金マイクロストリップと前記第２の金マイクロストリップとの上に同一のステンレス鋼板を配置するステップと、
ある多層積層体及び前記多層積層体と実質的に類似した多層積層体を、前記ステンレス鋼板と前記第１の金マイクロストリップとの間及び前記第２の金マイクロストリップとの間に、前記２つの多層積層体の前記第１の導電性接着剤層が前記ステンレス鋼板の同一表面に接合され、前記２つの多層積層体の前記第３の導電性接着剤層がそれぞれ前記第１の金マイクロストリップと前記第２の金マイクロストリップとに接合されるように配置するステップと、によって導電性回路が提供されたときに、
実質的に同じ強度Ｉ１及びＩ２と、異なった周波数Ｆ１及びＦ２をそれぞれ有する第１の電流信号及び第２の電流信号が同時に前記第１の金マイクロストリップに適用されると、ｎＦ１＋ｍＦ２（ｍ及びｎは０でない正又は負の整数）と同じ周波数Ｆ３を有する相互変調電流信号が、強度Ｉ３、－１５０≦Ｉ３／Ｉ１≦－３０ｄＢの電気信号によって反射される、
一体型電子積層体。

【請求項7】

前記強度Ｉ１及びＩ２が０％～１０％の間に属する、
請求項６に記載の一体型電子積層体。

【請求項8】

前記Ｆ１及びＦ２が約０．４ＧＨｚ～６ＧＨｚである、
請求項６に記載の一体型電子積層体。

【請求項9】

一体型電子積層体であって、
互いに交互になった複数の第１の導電性可撓層及び複数の第２の導電性可撓層を含み、
前記１つ以上の第１の導電性可撓層が金属層であり、前記複数の第２の導電性可撓層の各々が電気絶縁性材料内に実質的に分散された複数の導電性要素を含む接着剤層であり、
第１の基板と第２の基板との間に一体型の第１の多層積層体を配置することによって電気的に接地された第１の回路が形成され、前記第１の基板は実質的に剛性で、前記一体型の第１の多層積層体が前記第１の基板及び前記第２の基板にそれぞれ接合されるようなっており、前記第２の基板は電気的に接地され、かつ実質的に剛性であり、
電気的に接地された第２の回路が、
前記一体型の第１の多層積層体の複数の層のうちいくつかのみを含む一体型の第１の部分的多層積層体と、前記一体型の第１の多層積層体の前記複数の層のうち他のいくつかを含む一体型の第２の部分的多層積層体とを提供するステップと、
前記一体型の第１の部分的多層積層体を前記第１の基板に接合することによって第１の部分的第２の回路を形成し、前記一体型の第２の部分的多層積層体を前記第２の基板に接合することによって第２の部分的第２の回路を形成するステップと、
によって形成され、
前記一体型の第２の多層積層体が前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置されるように、前記第１の部分的第２の回路と前記第２の部分的第２の回路とを互いに接合することによって第２の回路を形成するステップと、によって
形成され、
前記一体型の第１の多層積層体及び前記一体型の第２の多層積層体が、互いに実質的に類似し、前記第１の基板から前記第２の基板まで同じ層順序を有しており、
前記第１の回路の前記第２の基板及び前記第２の回路の前記第２の基板が、パッシブ相互変調信号Ｉ１及びＩ２をそれぞれ発生させ、前記Ｉ１が前記Ｉ２よりも５ｄＢ～８０ｄＢ小さい、
一体型電子積層体。

【請求項10】

前記一体型の第１の多層積層体の前記他の層のうちいくつかが、前記複数の第１の導電性可撓層のうちいずれか１つと、前記複数の第２の導電性可撓層のうちいずれか１つとを含む、
請求項９に記載の一体型電子積層体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は一体型電子積層体に関する。

【背景技術】

【0002】

最近、移動通信のための技術開発が活発に行われており、移動通信の開発における重要な要素は、サービス容量を増大させること、及び通信品質を向上させることである。サービス容量の増大及び通信品質の向上にはチャネル間干渉の問題が伴うことがあり、相互変調歪み（ＩＭＤ：Intermodulation Distortion）が、干渉問題の重要な要因であり得る。

【0003】

２つ以上の信号周波が互いに干渉すると、予期しない寄生信号が発生することがある。例えば、信号周波が互いに干渉して受動要素に寄生信号が発生する現象をパッシブ相互変調（Passive Intermodulation：ＰＩＭ）という。

【0004】

このようなパッシブ相互変調（ＰＩＭ）は、フィルタだけでなく、アンテナ、ケーブル、コネクタ、スイッチなどの、金属間接触を有する受動要素のほとんどで発生する。加えて、パッシブ相互変調（ＰＩＭ）は、機械的接合の緩み、鉄系金属間の接合部の酸化、高周波溶接時の導体表面の汚染、強磁性材料のヒステリシスのような非線形特性などによって発生し得る。

【発明の概要】

【0005】

発明が解決しようとする課題
パッシブ相互変調（ＰＩＭ）現象は、主として通信機器でデータを高速で通信する過程などで発生する。ところが、パッシブ相互変調が発生すると、上りリンクチャネル信号と下りリンクチャネル信号との間の干渉に影響を及ぼし、通信サービス半径が縮小し、電話接続効率が急激に低下するという問題を引き起こす。このため、通信品質が劣化し、ユーザの不便を招くことがある。

【0006】

本開示の実施形態は、上記背景に鑑みてなされたものであり、複数の信号に起因するパッシブ相互変調（ＰＩＭ）が内部で低減する導電性回路基板を提供することを目的とする。

【0007】

課題を解決するための手段
本開示の一態様によれば、導電性構成要素を接地するための、パッシブ相互変調（ＰＩＭ）が内部で低減する一体型電子積層体が提供され、この一体型電子積層体は、第１の一体型積層体及び第２の一体型積層体を含み、第１の一体型積層体は第２の一体型積層体に接合されており、第１の一体型積層体は、実質的に剛性の第１の基板と、第１の基板の第１の主表面の少なくとも一部分に配置された第１の導電層と、第１の導電性接着剤層及び第２の導電性接着剤層と、第１の導電性接着剤層と第２の導電性接着剤層との間に配置され、第１の導電性接着剤層及び第２の導電性接着剤層にそれぞれ接合され、第１の導電性接着剤層及び第２の導電性接着剤層が、電気絶縁性材料内に実質的に分散された複数の導電性要素を含む、第１の導電性薄膜とを含み、第１の導電性接着剤層は第１の導電性薄膜を１つ以上の第１の導電層に接合し、第２の一体型積層体は、実質的に剛性の導電性の第２の基板と、電気絶縁材料内に実質的に分散された複数の導電性要素を含む第３の導電性接着剤層と、第２の基板の第１の主表面の少なくとも一部分に第３の導電性接着剤層を通して接合された可撓性金属薄膜と、を含み、第１の一体型積層体と第２の一体型積層体とは、第３の導電性接着剤層の反対側に配置された可撓性金属薄膜に接合された第２の導電性接着剤層によって互いに接合され、第１の導電層を第２の基板に電気接続している。

【0008】

加えて、一体型電子積層体が提供され、この一体型電子積層体は、第１の導電性接着剤層、第２の導電性接着剤層、第３の導電性接着剤層と、第１の導電性接着剤層と第２の導電性接着剤層との間に配置され、第１の導電性接着剤層及び第２の導電性接着剤層に接合された可撓性金属薄膜と、第２の導電性接着剤層と第３の導電性接着剤層との間に配置され、第２の導電性接着剤層及び第３の導電性接着剤層に接合された第２の導電性薄膜と、を含み、第１から第３の導電性接着剤層の各々は電気絶縁性材料内に実質的に分散された複数の導電性要素を含んでおり、互いに離間した第１の金マイクロストリップ及び第２の金マイクロストリップを提供するステップと、第１の金マイクロスストリップと第２の金マイクロストリップとの上に同一のステンレス鋼板を配置するステップと、ある多層積層体及びその多層積層体に実質的に類似した多層積層体を、ステンレス鋼板と第１の金マイクロストリップとの間及び第２の金マイクロストリップとの間に、２つの多層積層体の第１の導電性接着剤層がステンレス鋼板の同一表面に接合され、２つの多層積層体の第３の導電性接着剤層がそれぞれ第１の金マイクロストリップと第２の金マイクロストリップに接合されるように配置するステップと、によって導電性回路が提供されたときに、実質的に同じ強度Ｉ１及びＩ２と、異なった周波数Ｆ１及びＦ２をそれぞれ有する第１の電流信号及び第２の電流信号が同時に第１の金マイクロストリップに適用されると、ｎＦ１＋ｍＦ２（ｍ及びｎは、０ではない正又は負の整数）と同じ周波数Ｆ３を有する相互変調電流信号が、強度Ｉ３、－１５０≦Ｉ３／Ｉ１≦－３０ｄＢの電気信号によって反射される。

【0009】

発明の効果
本開示の一実施形態では、複数の信号によって生じるパッシブ相互変調（ＰＩＭ）が低減するという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】本開示の第１の実施形態による一体型電子積層体の断面を示す断面図である。

【図2】図１の一体型電子積層体を製造する工程を示す断面図である。

【図3】図１の一体型電子積層体を製造する工程を示す断面図である。

【図4】本開示の第２の実施形態による一体型電子積層体の断面を示す断面図である。

【図5】本開示の第３の実施形態による一体型電子積層体の断面を示す断面図である。

【図6】本開示の第４の実施形態による一体型電子積層体の断面を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下では、本開示の技術的概念を実施するための特定の実施形態を、図面を参照しながら詳細に記載する。

【0012】

本開示の記載において、関連技術の構成又は機能の詳細な説明によって本発明の要旨が不必要に曖昧になると判断される場合、その説明は省略される。

【0013】

加えて、ある要素が別の要素に「接続している（connected to）」、又は「接触している（in contact with）」と記述される場合、その要素は、その別の要素に直接接続、又は直接接触していてもよいが、それらの間に介在要素があってもよいと理解すべきである。

【0014】

「発明を実施するための形態」で使用される用語は特定の実施形態を説明する目的でのみ使用され、本開示を限定すると意図されない。単数形は、文脈によって別途に明示されない限り、複数形も包含すると意図される。

【0015】

加えて、「第１」、「第２」などの序数を含む用語は、様々な要素を説明するために使用できるが、これらの要素は、そのような用語によって限定されるべきではない。これらの用語は、１つの要素を別の要素から区別する目的でのみ使用される。

【0016】

本明細書で使用される用語「含む」は、特定の特徴、領域、整数、ステップ、動作、要素、及び／又は構成要素を特定するものであり、他の特定の特徴、領域、整数、ステップ、動作、要素、構成要素、及び／又は群の存在又は追加を排除するものではない。

【0017】

本明細書で使用される厚さ方向は、図１～図３及び図６のｙ軸方向であってもよい。加えて、横方向は、図１～図３及び図６のｘ軸方向であってもよい。

【0018】

以下では、本開示の一実施形態による一体型電子積層体１の詳細な構成を、図面を参照しながら記載する。

【0019】

図１及び図２を参照すると、本開示の実施形態による一体型電子積層体１は、電気的に接地された回路基板を提供してもよく、複数の電流信号によって引き起こされるパッシブ相互変調（ＰＩＭ）を低減し得る。前述の一体型電子積層体１は、第１の一体型積層体１０及び第２の一体型積層体２０を含んでもよい。

【0020】

第１の一体型積層体１０は、第２の一体型積層体２０と接続していてもよく、第２の一体型積層体２０で発生するパッシブ相互変調（ＰＩＭ）を低減し得る。第１の一体型積層体１０は、第１の基板１００と、第１の導電層２００と、第１の導電性薄膜３００と、第１の導電性接着剤層４００と、第２の導電性接着剤層５００とを含んでもよい。

【0021】

第１の基板１００は、電流が流れる回路を提供してもよい。例えば、第１の基板１００は可撓性プリント回路基板（printed circuit board：ＦＰＣＢ）であってもよい。加えて、第１の基板１００は、導電性を有してもよい。第１の基板１００は、厚さ方向に互いに反対側にある第１の主表面１１０及び第２の主表面１２０を有してもよい。加えて、第１の基板１００は、所定の剛性を有してもよい。例えば、第１の基板１００の第１の点１０１を１ｍｍ～１０ｍｍの曲げ半径にわたって曲げると、第１の基板１００の第１の点１０１において第１の基板１００が不可逆的に変形し得る。第１の基板１００は、第１の回路基板１３０及び電子デバイス１４０を含んでもよい。

【0022】

第１の回路基板１３０は、厚さ方向に互いに反対側にある表面を有してもよい。本明細書では、第１の基板１００の第１の主表面１１０を第１の回路基板１３０の第１の主表面１１０と称し、第１の基板１００の第２の主表面１２０を第１の回路基板１３０の第２の主表面１２０と称することがある。加えて、第１の回路基板１３０は、導電性コネクタ１３１を含んでもよい。

【0023】

導電性コネクタ１３１は、そこを通して電流を流せるように、導電性を有する材料を含んでもよい。加えて、導電性コネクタ１３１は、第１の基板１００の第１の主表面１１０及び第２の主表面１２０のうち１つ以上に接続していてもよく、第１の基板１３０の内部に挿入されていてもよい。例えば、第１の回路基板１３０上に配置された電子デバイス１４０は、導電性コネクタ１３１と電気信号を交換してもよい。

【0024】

複数の導電性コネクタ１３１が備わってもよく、複数の導電性コネクタ１３１のうち少なくともいくつかは互いに接続していなくてもよい。加えて、複数の導電性コネクタ１３１のうちいくつかは電子デバイス１４０と接続していてもよく、導電性コネクタ１３１のうち他のいくつかは第１の導電層２００と接続していてもよい。

【0025】

第１の導電層２００は、第１の基板１００の第１の主表面１１０の少なくとも一部分に配置されてもよい。例えば、第１の導電層２００は、第１の基板１００の第１の主表面１１０の一部にのみ配置されていてもよい。加えて、第１の導電層２００は、第１の導電性接着剤層４００に取り囲まれていてもよい。第１の導電層２００でのパッシブ相互変調（ＰＩＭ）は低くあり得る。例えば、第１の導電層２００は、金（Ａｕ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、及び銀インクのうち１つ以上を含んでもよい。

【0026】

第１の導電性薄膜３００は、片面が第１の導電性接着剤層４００に接合され、他方の面が第２の導電性接着剤層５００に接合されていてもよい。言い換えれば、第１の導電性薄膜３００は、第１の導電性接着剤層４００と第２の導電性接着剤層５００との間に配置されていてもよい。例えば、第１の導電性薄膜３００は、導電性箔及び導電性布のうち１つ以上を含んでもよい。第１の導電性薄膜３００の導電性箔は、銅（Ｃｕ）を含んでもよい。加えて、第１の導電性薄膜３００の導電性布は、複数の導電性繊維織布、及び複数の導電性繊維不織布を含んでもよい。

【0027】

第１の導電性接着剤層４００は、第１の基板１００と第１の導電性薄膜３００との間に配置されていてもよく、第１の基板１００と第１の導電性薄膜３００を接続してもよい。加えて、第１の導電性接着剤層４００は、第１の導電層２００と第１の導電性薄膜３００を接続してもよい。第１の導電性接着剤層４００は、第１の導電層２００との第１の接触抵抗を形成することがある。本明細書では、第１の接触抵抗とは、第１の導電層２００と第１の導電性接着剤層４００との接触によって発生する抵抗を意味する。例えば、第１の導電性接着剤層４００と第１の導電層２００との間に形成された第１の接触抵抗によって、第１のパッシブ相互変調信号が発生することがある。

【0028】

第２の導電性接着剤層５００は、第１の導電性薄膜３００と第２の一体型積層体２０との間に配置されていてもよく、第１の導電性薄膜３００と第２の一体型積層体２０を接続してもよい。

【0029】

第２の一体型積層体２０は、第１の一体型積層体１０と接続していてもよい。加えて、第２の一体型積層体２０は接地されていてもよく、また第１の一体型積層体１０を接地させてもよい。第２の一体型積層体２０は、第２の基板６００と、可撓性金属薄膜７００と、第３の導電性接着剤層８００とを含んでもよい。

【0030】

第２の基板６００は、電流が流れる回路を提供してもよい。例えば、第２の基板６００は、可撓性プリント回路基板（flexible printed circuit board：ＦＰＣＢ）であってもよい。加えて、第２の基板６００は、導電性を有してもよい。第２の基板６００は、互いに反対側にある第１の主表面６１０及び第２の主表面６２０を有してもよい。本明細書では、第２の基板６００の第１の主表面６１０及び第２の主表面６２０は、第２の基板６００の表面であってもよく、第１の基板１００の第１の主表面１１０及び第２の主表面１２０とは区別されるものとして理解され得る。

【0031】

一方、第２の基板６００は接地されていてもよく、また第１の基板１００を接地させてもよい。言い換えれば、第１の基板１００は、第２の基板６００を介して接地されていてもよい。例えば、第２の基板６００は、ステンレス鋼、アルミニウム（Ａｌ）、亜鉛めっきアルミニウム、マグネシウム（Ｍｇ）、マグネシウムとアルミニウムとの合金、鉄（Ｆｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、亜鉛めっき鋼、チタン（Ｔｉ）、及び亜鉛めっき鉄のうち１つ以上を含んでもよい。

【0032】

一体型電子積層体１で発生するパッシブ相互変調信号は、第１の基板１００及び第２の基板６００のいずれか一方で発生するパッシブ相互変調信号であり得る。例えば、一体型電子積層体１で発生するパッシブ相互変調信号は、主として第２の基板６００で発生する第２のパッシブ相互変調信号によって引き起こされ得る。

【0033】

加えて、第２の基板６００は、所定の剛性を有してもよい。例えば、第２の基板６００の第１の点６０１を１ｍｍ～１０ｍｍの曲げ半径にわたって曲げると、第２の基板６００の第１の点６０１において第２の基板６００が不可逆的に変形し得る。

【0034】

可撓性金属薄膜７００は、第２の基板６００で発生するパッシブ相互変調（ＰＩＭ）を低減し得る。例えば、可撓性金属薄膜７００は、後述する第１の接触抵抗及び第２の接触抵抗のうち１つ以上で発生するパッシブ相互変調信号を３ｄＢ以上、８０ｄＢ以下だけ低減し得る。可撓性金属薄膜７００は、第３の導電性接着剤層８００を介して第２の基板６００の第１の主表面６１０の少なくとも一部に接合されていてもよい。加えて、可撓性金属薄膜７００は、第２の導電性接着剤層５００に接合されていてもよく、第２の導電性接着剤層５００を介して第１の一体型積層体１０と電気的に接続していてもよい。

【0035】

例えば、可撓性金属薄膜７００は、銅、金属めっき銅、ニッケルめっき銅、ニッケル合金めっき銅、スズめっき銅、金めっき銅、ニッケル、ニッケル合金、及び導電性多層膜のうち１つ以上を含んでもよい。加えて、可撓性金属薄膜７００のニッケル合金は、クロム、バナジウム及びチタン合金のうち１つ以上を含んでもよい。

【0036】

加えて、可撓性金属薄膜７００は、可撓性材料を含んでもよく、外力によって曲げられ得る。例えば、可撓性金属薄膜７００の第１の点７０１を１ｍｍ～１０ｍｍの曲げ半径にわたって曲げると、可撓性金属薄膜７００の第１の点７０１において可撓性金属薄膜７００に非常に小さい損傷が発生するか、又は損傷が起こらないこともある。

【0037】

第３の導電性接着剤層８００は、可撓性金属薄膜７００と第２の基板６００との間に配置されていてもよく、可撓性金属薄膜７００と第２の基板６００を接続していてもよい。第３の導電性接着剤層８００は、第２の基板６００との第２の接触抵抗を形成してもよい。本明細書では、第２の接触抵抗とは、第２の基板６００と第３の導電性接着剤層８００との接触によって発生する抵抗を意味する。例えば、第３の導電性接着剤層８００と第２の基板６００との間に形成された第２の接触抵抗によって、第２のパッシブ相互変調信号が発生し得る。

【0038】

一方、第１の導電性接着剤層４００、第２の導電性接着剤層５００及び第３の導電性接着剤層８００は、それぞれ導電性要素４１０、５１０、８１０及び電気絶縁性材料４２０、５２０、８２０を含んでもよい。

【0039】

複数の導電性要素４１０、５１０、８１０が提供されてもよく、複数の導電性要素４１０、５１０、８１０は電気絶縁性材料４２０、５２０、８２０内に分散されていてもよい。例えば、導電性要素４１０、５１０、８１０は、導電性粒子及び導電性繊維のうち１つ以上を含んでもよい。導電性要素４１０、５１０、８１０の導電性粒子は、１つ以上の導電性塗料でコーティングされた絶縁性粒子を含んでもよい。加えて、導電性要素４１０、５１０、８１０の導電性繊維は、１つ以上の導電性塗料でコーティングされた絶縁性粒子を含んでもよい。

【0040】

第１の導電性接着剤層４００、第２の導電性接着剤層５００、及び第３の導電性接着剤層８００は、複数の導電性要素４１０、５１０、８１０によって導電性を有してもよい。加えて、第１の導電性接着剤層４００、第２の導電性接着剤層５００、及び第３の導電性接着剤層８００は、厚さ方向の導電性が横方向の導電性より大きくてもよい。言い換えれば、第１の導電性接着剤層４００、第２の導電性接着剤層５００、及び第３の導電性接着剤層８００は、横方向よりも厚さ方向に電流をよく流し得る。

【0041】

本実施形態では、第２の多層積層体４０が第２の基板６００、可撓性金属薄膜７００、及び第３の導電性接着剤層８００を含むことを例示したが、これは一例に過ぎず、図３に示すように、第２の多層積層体４０は第２の基板６００のみを含んでもよい。例えば、第１の多層積層体３０は第１の基板１００、第１の導電層２００、第１の導電性薄膜３００、第１の導電性接着剤層４００、第２の導電性接着剤層５００、可撓性金属薄膜７００、及び第３の導電性接着剤層８００を含んでもよく、第２の多層積層体４０は第２の基板６００を含んでもよい。

【0042】

前述の構成に加えて、本開示の第２の実施形態による一体型電子積層体１は、第１の多層積層体３０と、第２の多層積層体４０と、金マイクロストリップ５０と、第１の基板１００と、第２の基板６００とを含んでもよい。以下では、本開示の第２の実施形態を、図４を参照して記載する。第２の実施形態を記載する際は、前述の実施形態との相違点を主に記載し、同じ記載及び符号については前述の実施形態を参照する。

【0043】

第１の多層積層体３０及び第２の多層積層体４０の各々は、第１の導電性薄膜３００、第１の導電性接着剤層４００、第２の導電性接着剤層５００、可撓性金属薄膜７００、及び第３の導電性接着剤層８００を含んでもよい。

【0044】

第１の導電性薄膜３００は、第２の導電性接着剤層５００と第３の導電性接着剤層８００との間に配置されていてもよく、第２の導電性接着剤層５００及び第３の導電性接着剤層８００に接合されていてもよい。第１の導電性薄膜３００は、第２の導電性薄膜と称され得る。

【0045】

第１の導電性接着剤層４００は、第２の基板６００と可撓性金属薄膜７００との間に配置されていてもよく、第２の基板６００と可撓性金属薄膜７００を接続してもよい。

【0046】

第２の導電性接着剤層５００は、可撓性金属薄膜７００と第１の導電性薄膜３００との間に配置されていてもよく、可撓性金属薄膜７００と第１の導電性薄膜３００を接続してもよい。

【0047】

可撓性金属薄膜７００は、第１の導電性接着剤層４００と第２の導電性接着剤層５００との間に配置されていてもよく、第１の導電性接着剤層４００及び第２の導電性接着剤層５００に接合されていてもよい。

【0048】

第３の導電性接着剤層８００は、金マイクロストリップ５０と第１の導電性薄膜３００との間に配置されていてもよく、金マイクロストリップ５０と第１の導電性薄膜３００を接続してもよい。

【0049】

第１の基板１００は、第１の金マイクロストリップ５０と第２の金マイクロストリップ６０を接続してもよい。

【0050】

第２の基板６００はステンレス鋼を含んでもよく、ステンレス鋼板とも称され得る。

【0051】

金マイクロストリップ５０は、金（Ａｕ）を含んでもよく、また第１の金マイクロストリップ５１及び第２の金マイクロストリップ５２を含んでもよい。

【0052】

第１の金マイクロストリップ５１は、第１の多層積層体３０と第１の基板１００との間に配置されていてもよく、第１の多層積層体３０と第１の基板１００を接続してもよい。第１の金マイクロストリップ５１は、第１の多層積層体３０と第２の基板６００との間に生じるパッシブ相互変調を低減し得る。

【0053】

第２の金マイクロストリップ５２は、第２の多層積層体４０と第１の基板１００との間に配置されていてもよく、第２の多層積層体４０と第１の基板１００を接続してもよい。第２の金マイクロストリップ５２は、第２の多層積層体４０と第２の基板６００との間に生じるパッシブ相互変調を低減し得る。

【0054】

一方、一体型電子積層体１に導電性回路が備わってもよい。例えば、導電性回路は、第１の多層積層体３０及び第２の多層積層体４０を金マイクロストリップ５０と第２の基板６００との間に配置して、第１の多層積層体３０及び第２の多層積層体４０の第１の導電性接着剤層４００が第２の基板６００の同一の表面に接合され、第１の多層積層体３０及び第２の多層積層体４０の第３の導電性接着剤層８００が第１の金マイクロストリップ５１及び第２の金マイクロストリップ５２に接合されるようにするステップによって提供されてもよい。例えば、一体型電子積層体１の導電性回路は、電流が第１の基板１００、第１の金属マイクロストリップ５１、第１の多層積層体３０、第２の基板６００、第２の多層積層体４０、及び第２の金マイクロストリップ５２に沿って流れることのできる、所定の回路であってもよい。

【0055】

第１の電流信号及び第２の電流信号が一体型電子積層体１の第１の金マイクロストリップ５１に適用されると、同時に、強度Ｉ３の電気信号によって相互変調電流信号が反射され得る。本明細書では、第１の電流信号は、強度Ｉ１及び周波数Ｆ１を有してもよい。加えて、第２の電流信号は、強度Ｉ２及び周波数Ｆ２を有してもよい。例えば、Ｆ１及びＦ２は約０．４ＧＨｚ～６ＧＨｚであってもよく、Ｉ１及びＩ２は０％～３０％の間に属してもよい。より具体的な例では、Ｆ１及びＦ２は、約６００ＭＨｚ～８００ＭＨｚであってもよく、約０ＭＨｚ～１００ＭＨｚの間の差異を有してもよい。

【0056】

相互変調電流信号は、ｎＦ１＋ｍＦ２と同じ周波数Ｆ３を有し得る（ｍ及びｎは、０ではない正又は負の整数）。例えば、Ｉ３／Ｉ１は、－１５０ｄＢ以上、－３０ｄＢ以下であってもよい。

【0057】

前述の構成に加えて、本開示の第３の実施形態による一体型電子積層体１は、第１の多層積層体３０と、第２の多層積層体４０と、第１の基板１００と、第２の基板６００とを含んでもよい。以下では、本開示の第３の実施形態を、図５を参照して記載する。第３の実施形態を記載する際は、前述の実施形態との相違点を主に記載し、同じ記載及び符号については前述の実施形態を参照する。

【0058】

第１の多層積層体３０及び第２の多層積層体４０の各々は、第１の導電性薄膜３００、第１の導電性接着剤層４００、第２の導電性接着剤層５００、可撓性金属薄膜７００、及び第３の導電性接着剤層８００を含んでもよい。

【0059】

本実施形態において、第１の導電性薄膜３００及び可撓性金属薄膜７００は、第１の導電可撓層９００と称され得る。加えて、第１の導電性接着剤層４００、第２の導電性接着剤層５００、及び第３の導電性接着剤層８００は第２の導電性可撓層１０００と称され得る。

【0060】

例えば、第１の多層積層体３０及び第２の多層積層体４０の各々は、互いに交互になった複数の第１の導電性可撓層９００と複数の第２の導電性可撓層１０００とを含んでもよい。第１の導電性可撓層９００は、金属層であってもよい。加えて、第２の導電性可撓層１０００は、電気絶縁性材料内に実質的に分散された複数の導電性要素を含む接着剤層であってもよい。

【0061】

一方、第１の多層積層体３０内に、第１の回路が形成されてもよい。例えば、第１の回路は、第１の多層積層体３０を第１の基板１００及び第２の基板６００に接合するために、第１の基板１００と第２の基板６００との間に第１の多層積層体３０を配置することによって形成されてもよい。

【0062】

加えて、第２の多層積層体４０内に、第２の回路が形成されてもよい。例えば、第２の回路は、第１の部分的多層積層体４１及び第２の部分的多層積層体４２を提供して、提供された第１の部分的多層積層体４１を第１の基板１００に接合して第１の部分的第２の回路を形成し、第２の部分的多層積層体４２を第２の基板６００に接合して第２の部分的第２の回路を形成するステップを通じて形成されてもよい。より具体的な例では、第２の回路は、第１の基板１００と第２の基板６００との間に第２の多層積層体４０を配置するために、第１の部分第２の回路と第２の部分第２の回路とを互いに接合することによって形成されてもよい。

【0063】

本明細書では、第１の部分多層積層体４１は、第１の多層積層体３０の複数の層のいくつかを含み、第２の部分多層積層体４２は、第１の多層積層体３０の複数の層の他のいくつかを含んでもよい。例えば、第１の部分多層積層体４１は、第１の導電性接着剤層４００、第１の導電性薄膜３００、及び第２の導電性接着剤層５００を含んでもよい。加えて、第２の部分多層積層体４２は、可撓性金属薄膜７００及び第３の導電性接着剤層８００を含んでもよい。別の例では、第１の部分多層積層体４１は、２つの第２の導電性可撓層１０００のうちいずれか１つと、２つの第２の導電性可撓層１０００の間に配置された複数の第１の導電性可撓層９００とを含んでもよい。加えて、第２の部分的多層積層体４２は、複数の第１の導電性可撓層９００のいずれか１つと、複数の第２の導電性可撓層１０００のいずれか１つとを含んでもよい。

【0064】

第１の多層積層体３０及び第２の多層積層体４０は、互いに実質的に類似していてもよく、第１の基板１００から第２の基板６００まで同じ層順序を有してもよい。加えて、第１の回路及び第２の回路の第２の基板６００は、パッシブ相互変調信号Ｉ１、Ｉ２をそれぞれ発生させることがある。Ｉ１は、Ｉ２よりも３ｄＢ～８０ｄＢだけ小さくてもよい。

【0065】

本実施形態では、第１の多層積層体３０及び第２の多層積層体４０は、それぞれ、一体型の第１の多層積層体３０及び一体型の第２の多層積層体４０と称され得る。加えて、第１の部分多層積層体４１及び第２の部分多層積層体４２は、それぞれ、一体型の第１の部分的多層積層体４１及び一体型の第２の部分的多層積層体４２と称され得る。

【0066】

前述の構成に加えて、本開示の第４の実施形態による一体型電子積層体１は、第１の基板１００、第１の導電層２００、第１の導電性薄膜３００、第１の導電性接着剤層４００、第２の導電性接着剤層５００、第２の基板６００、可撓性金属薄膜７００、第３の導電性接着剤層８００、及び第４の導電性接着剤層１１００を含んでもよい。以下では、本開示の第４の実施形態を、図６を参照して記載する。第４の実施形態を記載する際は、前述の実施形態との相違点を主に記載し、同じ記載及び符号については前述の実施形態を参照する。

【0067】

複数の第１の導電性薄膜３００が備わってもよい。複数の第１の導電性薄膜３００のいくつかは、第１の導電性接着剤層４００と第２の導電性接着剤層５００との間に配置されていてもよい。複数の第１の導電性薄膜３００の他のいくつかは、第３の導電性接着剤層８００と第４導電性接着剤層１１００との間に配置されてもよい。

【0068】

第２の導電性接着剤層５００は、複数の第１の導電性薄膜３００のいくつかを可撓性金属薄膜７００に接続してもよい。

【0069】

第３の導電性接着剤層８００は、複数の第１の導電性薄膜３００の他のいくつかを可撓性金属薄膜７００に接続してもよい。

【0070】

第４の導電性接着剤層１１００は、複数の第１の導電性薄膜３００の他のいくつかと第２の基板６００との間に配置されてもよく、複数の第１の導電性薄膜３００の他のいくつかと第２の基板６００を接続してもよい。

【0071】

以下は、本開示の実施形態のリストである。

【0072】

項目１は導電性構成要素を接地するための、パッシブ相互変調（ＰＩＭ）が内部で低減する一体型電子積層体に関し、この一体型電子積層体は、第１の一体型積層体及び第２の一体型積層体を含み、第１の一体型積層体は第２の一体型積層体に接合されており、第１の一体型積層体は、実質的に剛性の第１の基板と、第１の基板の第１の主表面の少なくとも一部分に配置された第１の導電層と、第１の導電性接着剤層及び第２の導電性接着剤層と、第１の導電性接着剤層と第２の導電性接着剤層との間に配置され、第１の導電性接着剤層及び第２の導電性接着剤層にそれぞれ接合され、第１の導電性接着剤層及び第２の導電性接着剤層が電気絶縁性材料内に実質的に分散された複数の導電性要素を含む、第１の導電性薄膜とを含み、第１の導電性接着剤層は第１の導電性薄膜を１つ以上の第１の導電層に接合し、第２の一体型積層体は、実質的に剛性の導電性の第２の基板と、電気絶縁性材料内に実質的に分散された複数の導電性要素を含む第３の導電性接着剤層と、第２の基板の第１の主表面の少なくとも一部分に第３の導電性接着剤層を通して接合された可撓性金属薄膜と、を含み、第１の一体型積層体と第２の一体型積層体とは、第３の導電性接着剤層の反対側に配置された可撓性金属薄膜に接合された第２の導電性接着剤層によって互いに接合され、第１の導電層を第２の基板に電気接続している。

【0073】

項目２は当該一体型電子積層体に関し、第１の基板は１つ以上の導電性コネクタを含む第１の回路基板を含む。

【0074】

項目３は当該一体型電子積層体に関し、第１の基板は、第１の基板の第１の主表面の反対側にある第１の基板の第２の主表面に接合された１つ以上の電子デバイスを更に含み、１つ以上の電子デバイスは１つ以上の導電性コネクタに電気的に接続している。

【0075】

項目４は当該一体型電子積層体に関し、第１の導電層は、金（Ａｕ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、及び銀インクのうち１つ以上を含む。

【0076】

項目５は当該一体型電子積層体に関し、第１の導電性薄膜は導電性箔及び導電性布のうち１つ以上を含む。

【0077】

項目６は当該一体型電子積層体に関し、導電性箔は銅（Ｃｕ）を含む。

【0078】

項目７は当該一体型電子積層体に関し、導電性布は複数の導電性繊維織布を含む。

【0079】

項目８は当該一体型電子積層体に関し、導電性布は複数の導電性繊維不織布を含む。

【0080】

項目９は当該一体型電子積層体に関し、第２の基板はステンレス鋼、アルミニウム（Ａｌ）、亜鉛めっきアルミニウム、マグネシウム（Ｍｇ）、マグネシウムとアルミニウムとの合金、鉄（Ｆｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、亜鉛めっき鋼、チタン（Ｔｉ）、及び亜鉛めっき鉄のうち１つ以上を含む。

【0081】

項目１０は当該一体型電子積層体に関し、可撓性金属薄膜は銅、金属めっき銅、ニッケルめっき銅、ニッケル合金めっき銅、スズめっき銅、金めっき銅、ニッケル、ニッケル合金、及び導電性多層膜のうち１つ以上を含む。

【0082】

項目１１は当該一体型電子積層体に関し、ニッケル合金はクロム、バナジウム、及びチタン合金のうち１つ以上を含む。

【0083】

項目１２は当該一体型電子積層体に関し、第１の導電性接着剤層は第１の導電性層との第１の接触抵抗を形成し、第３の導電性接着剤層は第２の基板との第２の接触抵抗を形成し、可撓性金属薄膜が存在することにより、第１の接触抵抗及び第２の接触抵抗のうち１つ以上で発生するパッシブ相互変調信号が５ｄＢ～８０ｄＢだけ低減する。

【0084】

項目１３は当該一体型電子積層体に関し、第２の基板は接地されており、第１の基板を接地させる。

【0085】

項目１４は当該一体型電子積層体に関し、一体型電子積層体で発生するパッシブ相互変調信号は、主に第１の基板及び第２の基板のいずれか１つによって引き起こされる。

【0086】

項目１５は当該一体型電子積層体に関し、電子積層体内で発生するパッシブ相互変調信号は主に第２の基板によって引き起こされる。

【0087】

項目１６は当該一体型電子積層体に関し、第１の導電性接着剤層、第２の導電性接着剤層、及び第３の導電性接着剤層のうち１つ以上の複数の導電性要素は、導電性粒子及び導電性繊維のうち１つ以上を含む。

【0088】

項目１７は当該一体型電子積層体に関し、導電性粒子は、１つ以上の導電性塗料でコーティングされた絶縁性粒子を含む。

【0089】

項目１８は当該一体型電子積層体に関し、導電性繊維は、１つ以上の導電性塗料でコーティングされた絶縁性粒子を含む。

【0090】

項目１９は当該一体型電子積層体に関し、第１の導電性接着剤層、第２の導電性接着剤層、及び第３の導電性接着剤層のうち１つ以上は、接着剤層の厚さ方向に沿って導電性がより高く、接着剤層の厚さ方向に直交する横方向に沿って導電性がより低い。

【0091】

項目２０は当該一体型電子積層体に関し、第１の導電層は、第１の回路基板の第１の主表面の一部のみに配置される。

【0092】

項目２１は当該一体型電子積層体に関し、実質的に剛性である第１の基板及び第２の基板の各々の第１の点を１ｍｍ～１０ｍｍの曲げ半径にわたって曲げると、剛性基板が第１の点において不可逆的に変形する。

【0093】

項目２２は当該一体型電子積層体に関し、可撓性金属薄膜の第１の点を１ｍｍ～１０ｍｍの曲げ半径にわたって曲げると、第１の点において可撓性金属薄膜に非常に小さい損傷が発生するか、又は損傷が起こらない。

【0094】

項目２３は一体型電子積層体に関し、この一体型電子積層体は、第１の導電性接着剤層、第２の導電性接着剤層、第３の導電性接着剤層と、第１の導電性接着剤層と第２の導電性接着剤層との間に配置され、第１の導電性接着剤層及び第２の導電性接着剤層に接合された可撓性金属薄膜と、第２の導電性接着剤層と第３の導電性接着剤層との間に配置され、第２の導電性接着剤層及び第３の導電性接着剤層に接合された第２の導電性薄膜と、を含み、第１から第３の導電性接着剤層は電気絶縁性材料内に実質的に分散された複数の導電性要素を含んでおり、互いに離間した第１の金マイクロストリップ及び第２の金マイクロストリップを提供するステップと、第１の金マイクロスストリップと第２の金マイクロストリップとの上に同一のステンレス鋼板を配置するステップと、ある多層積層体及びその多層積層体に実質的に類似した多層積層体を、ステンレス鋼板と第１の金マイクロストリップとの間及び第２の金マイクロストリップとの間に、２つの多層積層体の第１の導電性接着剤層がステンレス鋼板の同一表面に接合され、２つの多層積層体の第３の導電性接着剤層がそれぞれ第１の金マイクロストリップと第２の金マイクロストリップに接合されるように配置するステップと、によって導電性回路が提供されたときに、実質的に同じ強度Ｉ１及びＩ２と、異なった周波数Ｆ１及びＦ２をそれぞれ有する第１の電流信号及び第２の電流信号が同時に第１の金マイクロストリップに適用されると、ｎＦ１＋ｍＦ２（ｍ及びｎは、０ではない正又は負の整数）と同じ周波数Ｆ３を有する相互変調電流信号が、強度Ｉ３、－１５０≦Ｉ３／Ｉ１≦－３０ｄＢの電気信号によって反射される。

【0095】

項目２４は当該一体型電子積層体に関し、可撓性金属薄膜は導電性箔及び導電性布のうち１つ以上を含む。

【0096】

項目２５は当該一体型電子積層体に関し、導電性箔は銅を含む。

【0097】

項目２６は当該一体型電子積層体に関し、導電性布は複数の導電性繊維織布を含む。

【0098】

項目２７は当該一体型電子積層体に関し、導電性布は複数の導電性繊維不織布を含む。

【0099】

項目２８は当該一体型電子積層体に関し、第１の導電性接着剤層、第２の導電性接着剤層、及び第３の導電性接着剤層のうち１つ以上の複数の導電性要素は、導電性粒子及び導電性繊維のうち１つ以上を含む。

【0100】

項目２９は当該一体型電子積層体に関し、第１の導電性接着剤層、第２の導電性接着剤層、及び第３の導電性接着剤層のうち１つ以上は、接着剤層の厚さ方向に沿って導電性がより高く、接着剤層の厚さ方向に直交する横方向に沿って導電性がより低い。

【0101】

項目３０は当該一体型電子積層体に関し、可撓性金属薄膜は、銅、金属めっき銅、ニッケルめっき銅、ニッケル合金めっき銅、スズめっき銅、金めっき銅、ニッケル、ニッケル合金、及び導電性多層膜のうち１つ以上を含む。

【0102】

項目３１は当該一体型電子積層体に関し、ニッケル合金はクロム、バナジウム、及びチタン合金のうち１つ以上を含む。

【0103】

項目３２は当該一体型電子積層体に関し、強度Ｉ１及びＩ２は０％～１０％の間に属する。

【0104】

項目３３は当該一体型電子積層体に関し、Ｆ１及びＦ２は約０．４ＧＨｚ～６ＧＨｚである。

【0105】

項目３４は当該一体型電子積層体に関し、Ｆ１及びＦ２は約６００ＭＨｚ～４ＧＨｚである。

【0106】

項目３５は当該一体型電子積層体に関し、Ｆ１及びＦ２は、約６００ＭＨｚ～８００ＭＨｚである。

【0107】

項目３６は当該一体型電子積層体に関し、Ｆ１とＦ２とは、約０ＭＨｚ～１００ＭＨｚの差を有する。

【0108】

項目３７は当該一体型電子積層体に関し、ｍ及びｎのいずれか一方は正の整数であり、ｍ及びｎの他方は負の整数である。

【0109】

項目３８は、互いに交互になった複数の第１の導電性可撓層と複数の第２の導電性可撓層とを含む一体型電子積層体に関し、ここで、１つ以上の第１の導電性可撓層は金属層であり、複数の第２の導電性可撓層の各々は電気絶縁性材料内に実質的に分散された複数の導電性要素を含む接着剤層であり、一体型の第１の多層積層体を第１の基板と第２の基板との間に第１の多層積層体を配置することによって電気的に接地された第１の回路が形成され、第１の基板は実質的に剛性で、一体型の第１の多層積層体が第１の基板及び第２の基板にそれぞれ接合されるようになっており、第２の基板は電気的に接地され、かつ実質的に剛性であり、ここで、一体型の第１の多層積層体の複数の層のうちいくつかのみを含む一体型の第１の部分的多層積層体と、一体型の第１の多層積層体の複数の層の他のいくつかを含む一体型の第２の部分的多層積層体とを提供するステップと、一体型の第１の部分的多層積層体を第１の基板に接合することによって第１の部分的第２の回路を形成し、一体型の第２の部分的多層積層体を第２の基板に接合することによって第２の部分的第２の回路を警醒するステップと、一体型の第２の多層積層体が第１の基板と第２の基板との間に配置されるように、第１の部分的第２の回路及び第２の部分的第２の回路を互いに接合して第２の回路を形成するステップと、によって、電気的に接地された第２の回路が形成され、ここで、一体型の第１の回路と一体型の第２の回路は実質的に互いに類似し、かつ、第１の基板から第２の基板まで同じ層順序を有し、ここで、第１の回路の第２の基板及び第２の回路の第２の基板はパッシブ相互変調信号Ｉ１及びＩ２をそれぞれ発生させ、Ｉ１はＩ２よりも５ｄＢ～８０ｄＢ小さい。

【0110】

項目３９は当該一体型電子積層体に関し、金属層は銅、金属めっき銅、ニッケルめっき銅、ニッケル合金めっき銅、スズめっき銅、金めっき銅、ニッケル、ニッケル合金、及び導電性多層膜のうち１つ以上を含む。

【0111】

項目４０は当該一体型電子積層体に関し、１つ以上の第１の導電性可撓層は導電性箔及び導電性布のうち１つ以上を含む。

【0112】

項目４１は当該一体型電子積層体に関し、導電性箔は銅を含む。

【0113】

項目４２は当該一体型電子積層体に関し、導電性布は複数の導電性繊維織布を含む。

【0114】

項目４３は当該一体型電子積層体に関し、導電性布は複数の導電性繊維不織布を含む。

【0115】

項目４４は当該一体型電子積層体に関し、第１の基板は１つ以上の導電性コネクタを含む第１の回路基板を含む。

【0116】

項目４５は当該一体型電子積層体に関し、第１の基板の第１の主表面の反対側に配置された第１の基板の第２の主表面に接合された１つ以上の電子デバイスを更に含み、１つ以上の電子デバイスは１つ以上の導電性コネクタに電気的に接続している。

【0117】

項目４６は当該一体型電子積層体に関し、第２の基板はステンレス鋼、アルミニウム、亜鉛めっきアルミニウム、マグネシウム、マグネシウムとアルミニウムとの合金、鉄、亜鉛、亜鉛めっき鋼、チタン、及び亜鉛めっき鉄のうち１つ以上を含む。

【0118】

項目４７は当該一体型電子積層体に関し、実質的に剛性である第１の基板及び第２の基板の各々の第１の点を１ｍｍ～１０ｍｍの曲げ半径にわたって曲げると、剛性基板が第１の点において不可逆的に変形する。

【0119】

項目４８は当該一体型電子積層体に関し、一体型電子積層体のいくつかの層は、２つの第２の導電性可撓層の間に配置された複数の第１の導電性可撓層のうちいずれか１つを含む。

【0120】

項目４９は当該一体型電子積層体に関し、一体型電子積層体の他の層のうちいくつかは、複数の第１の導電性可撓層のうちいずれか１つと、複数の第２の導電性可撓層のうちいずれか１つとを含む。

【0121】

以上、本発明の実施形態について具体的な実施形態を挙げて説明したが、これらは例示に過ぎず、本発明はこれらに限定されるものではなく、本明細書で開示される技術概念の最も広い範囲を有するものとして解釈されるべきである。当業者は、本発明の範囲から逸脱することなく、開示された実施形態を組み合わせ／置換することによって、本明細書に記載されていない形状のパターンを具現化してもよい。加えて、当業者であれば、開示された実施形態を詳細な説明に基づいて容易に変更又は修正し得、そのような変更又は修正が本発明の権利範囲に属することは明らかである。

【符号の説明】

【0122】

１ 一体型電子積層体
１０ 第１の一体型積層体
２０ 第２の一体型積層体
３０ 第１の積層体
４０ 第２の積層体
４１ 第１の部分的積層体
４２ 第２の部分的積層体
５０ 金マイクロストリップ
５１ 第１の金マイクロストリップ
５２ 第２の金マイクロストリップ
１００ 第１の基板
２００ 第１の導電層
３００ 第１の導電性薄膜
４００ 第１の導電性接着剤層
５００ 第２の導電性接着剤層
６００ 第２の基板
７００ 可撓性金属薄膜
８００ 第３の導電性接着剤層
９００ 第１の導電性可撓層
１０００ 第２の導電性可撓層
１１００ 第４の導電性接着剤層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【国際調査報告】