特表 2024-538658 空間光変調器描画によるエッジ配置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-10-23

(54)【発明の名称】空間光変調器描画によるエッジ配置

(51)【国際特許分類】

   G03F 7/20 20060101AFI20241016BHJP

【ＦＩ】

G03F7/20 501

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024519889

(86)(22)【出願日】2022-09-27

(85)【翻訳文提出日】2024-04-01

(86)【国際出願番号】 EP2022076800

(87)【国際公開番号】W WO2023057259

(87)【国際公開日】2023-04-13

(31)【優先権主張番号】21201227.2

(32)【優先日】2021-10-06

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】513253940

【氏名又は名称】マイクロニック アクティエボラーグ

(74)【代理人】

【識別番号】100099759

【弁理士】

【氏名又は名称】青木 篤

(74)【代理人】

【識別番号】100123582

【弁理士】

【氏名又は名称】三橋 真二

(74)【代理人】

【識別番号】100092624

【弁理士】

【氏名又は名称】鶴田 準一

(74)【代理人】

【識別番号】100114018

【弁理士】

【氏名又は名称】南山 知広

(74)【代理人】

【識別番号】100153729

【弁理士】

【氏名又は名称】森本 有一

(72)【発明者】

【氏名】マルティン グリムトフト

(72)【発明者】

【氏名】ヤーン ステルナル

(72)【発明者】

【氏名】ロベルト エクルンド

(72)【発明者】

【氏名】フレードリク イレーン

(72)【発明者】

【氏名】ポントゥス ステンストレーム

【テーマコード（参考）】

2H197

【Ｆターム（参考）】

2H197AA28

2H197AA29

2H197BA02

2H197CC05

2H197DA03

2H197DB06

2H197DB23

2H197HA03

(57)【要約】

ＳＬＭを用いて描画するための画素データを作成する方法には、パターンを表すデータを取得するステップＳ１０が含まれる。Ｓ２０にてデータは画素の格子にラスタ化される。ラスタ化は、パターンのエッジを覆う画素にエッジ調整値を割り当てるステップＳ２２を含む。Ｓ３０にて、ラスタ化されたパターンは、それぞれの放射露光に関連する多数のラスタ化されたパターン平面に分割される。Ｓ３２にて、完全に覆われた画素の放射露光の合計は、パターンが印刷される基板上の放射線感受性層を活性化するための閾値を超える。Ｓ３４にて、パターンエッジ画素に対する放射露光の合計は、放射露光の合計が活性化閾値に達する位置を、エッジ調整値に対応する距離だけ移動させるのに充分な量に対応する。Ｓ４０にて、ラスタ化されたパターン平面を表すデータが出力される。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

空間光変調器（２）を用いて描画するための画素データを作成する方法であって、
－ラスタ化モジュール（６０）の入力インターフェース（６６）によって、印刷されるパターン（３０）を表すデータを取得するステップ（Ｓ１０）と、
－前記ラスタ化モジュール（６２）の処理ユニット（６２）にて、画素（２２）の格子（２０）に印刷される前記パターン（３０）をラスタ化するステップ（Ｓ２０）であって、
前記ラスタ化するステップ（Ｓ２０）は、印刷される前記パターン（３０）のエッジ（３１）を覆う画素（２２Ｃ）にエッジ調整値（１０７）を割り当てるステップ（Ｓ２２）を含み、
前記エッジ調整値（１０７）は、印刷される前記パターン（３０）によって覆われる隣接画素（２２Ａ）を基準とした、前記エッジ（３１）が配置される画素幅（１０８）の一部である、ステップと、
－前記処理ユニット（６２）にて、前記ラスタ化されたパターン（１５）をｎ個のラスタ化されたパターン平面（１６）に分割するステップ（Ｓ３０）であって、
前記ラスタ化されたパターン平面（１６）はそれぞれ、それぞれの放射露光（１０２、１０５、１１０）に関連付けられ、
印刷される前記パターン（３０）によって完全に覆われている画素（２２Ａ）に対する前記ラスタ化されたパターン平面（１６）の放射露光（１０２、１０５、１１０）の合計は、前記パターン（３０）が印刷される基板（１０）上の放射線感受性層を活性化するための閾値（１０１）を超え、
印刷される前記パターン（３０）のエッジ（３１）に関連する画素（２２Ｃ）に対する前記ラスタ化されたパターン平面（１６）の放射露光（１０２、１０５、１１０）の合計は、放射露光の合計が前記放射線感受性層を活性化するための前記閾値（１０１）に達する位置を、前記エッジ調整値（１０７）に対応する距離（Δ）だけ移動させるのに充分な量に対応する、ステップと、
－前記ラスタ化ユニット（６０）の出力インターフェース（６８）によって、前記ｎ個のラスタ化されたパターン平面（１６）を表すデータを出力するステップ（Ｓ４０）であって、
前記それぞれの放射露光（１０２、１０５、１１０）のうちの少なくとも２つは異なる、ステップと、を含む、方法。

【請求項2】

前記それぞれの放射露光（１０２、１０５、１１０）の全部が異なることを特徴とする、請求項１に記載の方法。

【請求項3】

前記それぞれの放射露光（１０２、１０５、１１０）の少なくとも大多数が、前記それぞれの放射露光（１０２、１０５、１１０）のうちのもう１つの２倍の放射線量を有することを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。

【請求項4】

前記それぞれの放射露光（１０２、１０５、１１０）の少なくとも大多数が、前記それぞれの放射露光（１０２、１０５、１１０）のうちのもう１つと一定の差だけ放射線量が異なることを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。

【請求項5】

前記放射露光（１０２、１０５、１１０）が、ｎ個のラスタ化されたパターン平面（１６）の各シーケンスにわたって非単調に変化することを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。

【請求項6】

前記それぞれの放射露光（１０２、１０５、１１０）の大多数について、最も近い以前の放射露光（１０２、１０５、１１０）及び最も近い後続の放射露光（１０２、１０５、１１０）の線量が、両方とも高くなるか、両方とも低くなるかのいずれかであることを特徴とする、請求項５に記載の方法。

【請求項7】

空間光変調器（２）での描画のための方法であって、
－ａ）印刷されるパターンに関連するｎ個のラスタ化されたパターン平面（１６）を表すデータを取得するステップ（Ｓ５０）であって、前記ラスタ化されたパターン平面（１６）は、請求項１から６のいずれか１項に記載の方法によって取得される、ステップと、
－ｂ）前記第１のラスタ化されたパターン平面（１６）のスタンプ領域（１４、１４´´）に合わせて空間光変調器（２）を配置するステップ（Ｓ５５）と、
－ｃ）前記第１のラスタ化されたパターン平面（１６）に関連する前記放射露光（１０２、１０５、１１０）に対応する放射線量で、前記放射線感受性層を有する基板を露光するステップ（Ｓ６０）と、
－ｅ）それぞれの関連する放射線量で露光することによって、前記ｎ個のラスタ化されたパターン平面（１６）に対して前記ステップｂ）及びｃ）を繰り返すステップ（Ｓ７０）と、
－ｆ）走査スキームに従って追加のスタンプ領域（１６）に対して前記ステップｂ）、ｃ）及びｅ）を繰り返すステップ（Ｓ７５）と、を含む、方法。

【請求項8】

－ｄ）前記基板に対して前記空間光変調器（２）を、前記走査方向の前記スタンプ領域（１４、１４´´）の幅をｎで割った値に等しい走査方向の距離だけ走査するステップ（Ｓ６５）を、さらに含むことを特徴とする、請求項７に記載の方法であって、
前記ステップｅ）は、前記走査距離に従って移動したそれぞれの前記スタンプ領域（１６）を用いて実施され、それによって以前の露光と部分的に重なり合い、
前記ステップｆ）の繰り返しはステップｄ）をさらに含む、方法。

【請求項9】

前記ラスタ化されたパターン平面（１６）は、少なくとも２つのラスタ化されたパターン平面（１６）が、低い方の放射露光（１０２、１０５、１１０）に関連するラスタ化されたパターン平面（１６）によって適時に囲まれ、その結果、全画素（２２）の放射露光の非単調な時間変化が生じるように、適時に選択されることを特徴とする、請求項７又は８に記載の方法。

【請求項10】

－基板を露光する前記ステップｃ）の後に、画素（２２）の露光レベルを測定するステップと、
－予想される露光レベルからの任意の逸脱を補償するために、前記ラスタ化されたパターン平面（１６）の未だ使用されていない部分を調整するステップと、をさらに含むことを特徴とする、請求項７から９のいずれか１項に記載の方法。

【請求項11】

処理ユニット（６２）、メモリ（６４）、入力インターフェース（６６）及び出力インターフェース（６８）を具備する、空間光変調器（２）を用いて描画するための画素データを作成するためのラスタ化モジュール（６０）であって、
前記入力インターフェース（６６）は、印刷されるパターン（３０）を表すデータを取得するように構成され、
前記処理ユニット（６２）は、印刷される前記パターン（３０）を画素（２２）の格子（２０）にラスタ化するように構成され、
前記ラスタ化は、印刷される前記パターン（３０）のエッジ（３１）を覆う画素（２２Ｃ）へのエッジ調整値（１０７）の割り当てを含み、
前記エッジ調整値（１０７）は、印刷される前記パターン（３０）によって覆われる隣接画素（２２Ａ）を基準とした、前記エッジ（３１）が配置される前記画素幅（１０８）の一部であり、
前記処理ユニット（６２）は、前記ラスタ化されたパターン（１５）をｎ個のラスタ化されたパターン平面（１６）に分割するようにさらに構成され、
ラスタ化されたパターン平面（１６）はそれぞれ、それぞれの放射露光（１０２、１０５、１１０）に関連付けられ、
印刷される前記パターン（３０）によって完全に覆われている画素（２２Ａ）に対する前記ラスタ化されたパターン平面（１６）の放射露光（１０２、１０５、１１０）の合計は、前記パターン（３０）が印刷される基板上の放射線感受性層を活性化するための閾値（１０１）を超え、
印刷される前記パターン（３０）のエッジ（３１）に関連する画素（２２Ｃ）に対する前記ラスタ化されたパターン平面（１６）の放射露光（１０２、１０５、１１０）の合計は、放射露光の合計が前記放射線感受性層を活性化するための前記閾値（１０１）に達する位置を、前記エッジ調整値（１０７）に対応する距離（Δ）だけ移動させるのに充分な量に対応し、
前記出力インターフェース（６８）は、前記ｎ個のラスタ化されたパターン平面（１６）を表すデータを出力するように構成され、
前記処理ユニット（６２）は、前記それぞれの放射露光（１０２、１０５、１１０）のうちの少なくとも２つが異なるように、前記放射露光（１０２、１０５、１１０）を選択するようにさらに構成される、ラスタ化モジュール。

【請求項12】

前記処理ユニット（６２）は、前記それぞれの放射露光（１０２、１０５、１１０）の全部が異なるように、前記放射露光（１０２、１０５、１１０）を選択するようにさらに構成されることを特徴とする、請求項１１に記載のラスタ化モジュール。

【請求項13】

制御モジュール（８２）と、
空間光変調器（２）によってスタンプ領域（１４）にパターンを描画するように配置された画像化モジュール（８４）であって、前記空間光変調器（２）は、標的表面（１０）上のスタンプ領域（１４、１４´´）内に画素（２２）の格子（２０）を生成するように配置された、個別に制御可能な素子（４）のアレイ（３）を有し、個々の画素（２２）の照明はそれぞれの前記素子（４）によって制御される、画像化モジュール（８４）と、を具備する、パターン発生器（８０）であって、
前記制御モジュール（８２）は、請求項１１又は１２に記載のラスタ化モジュール（６０）から、印刷されるパターン（３０）に関連付けられたｎ個のラスタ化されたパターン平面（１６）を表すデータを取得するように構成され、
前記画像化モジュール（８４）は、前記第１のラスタ化されたパターン平面（１６）のスタンプ領域（１４、１４´´）に合わせて前記空間光変調器（２）を配置するように構成され、
前記画像化モジュール（８４）は、前記第１のラスタ化されたパターン平面（１６）に関連する前記放射露光（１０２、１０５、１１０）に対応する放射線量で、前記放射線感受性層を有する基板を露光するように構成され、
前記画像化モジュール（８４）は、前記空間光変調器（２）を配置するステップと、それぞれの関連する放射線量で露光することによって、前記ｎ個のラスタ化されたパターン平面（１６）を露光するステップとを繰り返すように構成され、
前記画像化モジュール（８４）は、走査スキームに従って、前記空間光変調器（２）を配置するステップと、露光するステップと、追加のスタンプ領域（１４、１４´´）についてこのようなステップを繰り返すステップと、を繰り返すようにさらに構成される、パターン発生器。

【請求項14】

前記制御モジュール（８２）は、少なくとも２つのラスタ化されたパターン平面（１６）が、低い方の放射露光（１０２、１０５、１１０）に関連するラスタ化されたパターン平面（１６）によって適時に囲まれ、その結果、全画素（２２）の放射線量の非単調な時間変化がもたらされるように、前記画像化モジュール（８４）によって使用されるラスタ化されたパターン平面（１６）を適時に選択するようにさらに構成されることを特徴とする、請求項１３に記載のパターン発生器。

【請求項15】

－基板を露光した後、画素の露光レベルを測定するように構成された露光レベル測定ユニットをさらに具備する、請求項１３又は１４に記載のパターン発生器であって、
それによって、前記制御モジュールは、予期される露光レベルからの任意の逸脱を補償するために、前記ラスタ化されたパターン面（１６）の未だ使用されていない部分を調整するようにさらに構成される、パターン発生器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本技術は、例えば、マスク描画又は直接描画などの描画に関し、特に、空間光変調器のための方法と配置に概ね関する。

【背景技術】

【0002】

高品質のパターン印刷を得るために、空間光変調器（ＳＬＭ）、例えば、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、回折格子ライトバルブ（ＧＬＶ）、平面ライトバルブ（ＰＬＶ）、マイクロシャッターアレイ（ＭＳＡ）、アナログ空間光変調器（ＡＳＬＭ）及び／又は液晶オンシリコン（ＬＣＳ）を使用することが多い。ＳＬＭは、標的表面上のスタンプ領域内に画素の格子を生成するために配置された個別に制御可能な素子のアレイを有する。ＳＬＭでは、ＳＬＭ内の制御可能な素子のパターンを、放射線感受性被覆を有する基板の一部の露光に変換することになる。ＳＬＭは１回の動作中に基板に対して連続的に移動し、連続する短い放射線パルスがＳＬＭの制御可能素子アレイを照射することができる。これにより、光を反射するか透過する制御可能な素子の瞬間的なパターンが基板の一部の領域に「スタンプ」されることになる。次に、光を制御する制御可能素子のパターンは、次の放射線パルスを導入する前に、変更されてもよく、基板表面はパターン化された露光で徐々に覆われる。この露光は、二元的な性質を有する。即ち、露光は、放射線感受性被覆の特性を変化させるのに充分なものであるか、そうではないかのいずれかである。換言すれば、放射線が閾値レベルを超えると、放射線感受性被覆は反応することになる。各制御可能素子は、マシン画素と呼ばれる基板の特定の領域に対応する。

【0003】

印刷される構造を、マシン画素のマシン格子上にマッピングすることができる。印刷される構造内に完全に収まるマシン画素には全面露光が割り当てられ、マシン画素のあらゆる部分の放射線レベルが閾値レベルを超えることが保証される。印刷される構造の完全に外側にあるマシン画素には露光が割り当てられず、マシン画素のあらゆる部分の放射線レベルが閾値レベルよりも低いことが保証される。

【0004】

印刷される構造のエッジを覆うマシン画素の場合、状況はこれより多少複雑なものになる。印刷される構造によって覆われている隣接するマシン画素から、一部の放射線がエッジに関連するマシン画素にも入ることになる。しかし、この放射線レベルは閾値よりも低く、任意の「露光されない」隣接マシン画素に向かって低下する。しかし、低めの放射露光の放射線をエッジ関連マシン画素に追加することによって、構造で覆われたマシン画素に最も近い総線量が閾値を超える可能性がある。これにより、閾値を超えた基板の領域のエッジが、露光されていない隣接マシン画素に向かって移動することになる。このようにして、追加の放射露光を適応させることにより、マシン画素のサイズよりもかなり優れたエッジ配置の精度が達成される可能性がある。

【0005】

ＳＬＭ描画にて放射線のオン／オフ原理を使用する場合、問題が発生する。追加の露光を複数回の露光によって提供し、それによって、総放射線量が変化する場合がある。しかし、要求されたエッジ配置が大幅に異なる可能性がある場合、個々のエッジ関連マシン画素に適合した異なる追加の放射露光を提供するには、多数の追加露光が必要になる場合がある。露光が追加されるたびに、全体的な製造速度が低下する。

【0006】

このため、ＳＬＭの正確なエッジ配置のための改善された方法と配置が必要である。

【発明の概要】

【0007】

本技術の一般的な目的は、空間光変調器のエッジ配置を改善することである。

【0008】

上記の目的は、独立請求項に記載の方法及び装置によって達成される。好ましい実施形態を従属請求項にて定義する。

【0009】

一般的に言えば、第１の態様では、空間光変調器を用いて描画するための画素データを作成する方法には、ラスタ化モジュールの入力インターフェースによって、印刷されるパターンを表すデータを取得するステップが含まれる。印刷されるパターンは、ラスタ化モジュールの処理ユニットにて画素の格子にラスタ化される。ラスタ化するステップは、印刷されるパターンのエッジを覆う画素にエッジ調整値を割り当てるステップを含む。エッジ調整値は、印刷されるパターンによって覆われる隣接画素を基準とした、エッジが配置される画素幅の一部である。ラスタ化されたパターンは、処理ユニット内で、ｎ個のラスタ化されたパターン平面に分割される。ラスタ化されたパターン平面のそれぞれは、それぞれの放射露光に関連付けられている。印刷されるパターンによって完全に覆われる画素のラスタ化されたパターン平面の放射露光の合計は、パターンが印刷される基板上の放射線感受性層を活性化するための閾値を超える。印刷されるパターンのエッジに関連付けられた画素のラスタ化されたパターン平面の放射露光の合計は、放射露光の合計が放射線感受性層を活性化するための閾値に達する位置を、エッジ調整値に対応する距離だけ移動させるのに充分な量に対応する。ｎ個のラスタ化されたパターン平面を表すデータを、ラスタ化ユニットの出力インターフェースによって出力する。それぞれの放射露光のうちの少なくとも２つは異なる。

【0010】

第２の態様では、空間光変調器を用いて描画するための方法には、印刷されるパターンに関連するｎ個のラスタ化されたパターン平面を表すデータを取得するステップａ）が含まれる。ラスタ化されたパターン平面は、第１の態様による方法によって取得される。ステップｂ）では、空間光変調器を、第１のラスタ化されたパターン平面のスタンプ領域に従って配置する。ステップｃ）では、放射線感受性層を有する基板を、第１のラスタ化されたパターン平面に関連する放射露光に対応する放射線量で露光する。ステップｅ）では、ステップｂ）及びｃ）は、それぞれ関連する放射露光で露光することによって、ｎ個のラスタ化されたパターン平面に対して繰り返される。ステップｆ）では、ステップｂ）、ｃ）及びｅ）は、走査スキームに従って追加のスタンプ領域に対して繰り返される。

【0011】

第３の態様では、空間光変調器を用いて描画するための画素データを作成するためのラスタ化モジュールが、処理ユニット、メモリ、入力インターフェース及び出力インターフェースを備える。入力インターフェースは、印刷されるパターンを表すデータを取得するように構成される。処理ユニットは、印刷されるパターンを画素の格子にラスタ化するように構成される。ラスタ化するステップは、印刷されるパターンのエッジを覆う画素にエッジ調整値を割り当てるステップを含む。エッジ調整値は、印刷されるパターンによって覆われる隣接画素を基準とした、エッジが配置される画素幅の一部である。処理ユニットは、ラスタ化されたパターンをｎ個のラスタ化されたパターン平面に分割するようにさらに構成される。ラスタ化されたパターン平面のそれぞれは、それぞれの放射露光に関連付けられている。印刷されるパターンによって完全に覆われる画素のラスタ化されたパターン平面の放射露光の合計は、印刷されるパターンが印刷される基板上の放射線感受性層を活性化するための閾値を超える。印刷されるパターンのエッジに関連付けられた画素のラスタ化されたパターン平面の放射露光の合計は、放射露光の合計が放射線感受性層を活性化するための閾値に達する位置を、エッジ調整値に対応する距離だけ移動させるのに充分な量に対応する。出力インターフェースは、ｎ個のラスタ化されたパターン平面を表すデータを出力するように構成される。処理ユニットは、それぞれの放射露光のうちの少なくとも２つが異なるように放射露光を選択するようにさらに構成される。

【0012】

第４の態様では、パターン発生器が制御モジュール及び画像化モジュールを備える。画像モジュールは、空間光変調器によってスタンプ領域にパターンを描画するように配置される。空間光変調器は、標的表面上のスタンプ領域内に画素の格子を生成するように配置された個別に制御可能な素子のアレイを有する。個々の画素の照明を、それぞれの素子によって制御する。制御モジュールは、第３の態様に従って、印刷されるパターンに関連付けられたｎ個のラスタ化されたパターン平面を表すデータをラスタ化モジュールから取得するように構成される。画像化モジュールは、第１のラスタ化されたパターン平面のスタンプ領域に合わせて空間光変調器を配置するように構成される。画像化モジュールは、第１のラスタ化されたパターン平面に関連付けられた放射露光に対応する放射線量で、放射線感受性層を有する基板を露光するように構成される。画像化装置は、空間光変調器の配置と、それぞれ関連する放射線量で露光することによるｎ個のラスタ化されたパターン平面の露光とを繰り返すように構成される。画像化装置は、走査スキームに従って、空間光変調器の配置と、露光と、追加のスタンプ領域に対するその繰り返しと、を繰り返すようにさらに構成される。

【0013】

提案された技術の利点の１つには、さらに正確なエッジ配置を達成することができることが挙げられる。他の利点については、詳細な説明を読めば理解されるであろう。

【図面の簡単な説明】

【0014】

本発明は、その追加の目的及び利点とともに、以下の説明を参照することによって添付の図面とともに最もよく理解される可能性がある。

【図1】図１は、ＳＬＭに基づくパターン生成器を概略的に示す。

【図2】図２は、標的表面の一部を概略的に示す。

【図3】図３は、スタンプ領域が移動した状態の標的表面の一部を概略的に示す。

【図4】図４は、標的表面での放射線量を示す図である。

【図5】図５は、パターンが画素境界と一致しない標的表面の一部を概略的に示す。

【図6】図６は、標的表面での部分的放射線量を伴う放射線量を示す図である。

【図7】図７は、放射線量とエッジ移動との関係を示す図である。

【図8】図８は、一連のラスタ化されたパターン平面による照射を概略的に示す。

【図9】図９は、図８の照射の最終結果を概略的に示す。

【図10】図１０は、ＳＬＭによる描画用の画素データを作成する方法の一実施形態のステップの流れ図である。

【図11】図１１は、ＳＬＭによる描画方法の一実施形態のステップの流れ図である。

【図12】図１２は、多数のラスタ化されたパターン平面に対する一連の放射露光の実施形態を示す図である。

【図13】図１３は、多数のラスタ化されたパターン平面に対する一連の放射露光の実施形態を示す図である。

【図14】図１４は、多数のラスタ化されたパターン平面に対する一連の放射露光の実施形態を示す図である。

【図15】図１５は、多数のラスタ化されたパターン平面に対する一連の放射露光の実施形態を示す図である。

【図16】図１６は、ラスタ化モジュールの一実施形態を概略的に示す。

【図17】図１７は、パターン生成システムの一実施形態を概略的に示す。

【図18】図１８は、パターン生成器の一実施形態を概略的に示す。

【発明を実施するための形態】

【0015】

図面全体を通じて、類似する素子又は対応する素子には同一の参照番号を使用する。

【0016】

提案された技術をさらによく理解するには、空間光変調器（ＳＬＭ）のいくつかの原理の簡単な概要から始めると有用な場合がある。

【0017】

図１は、ＳＬＭ２に基づくパターン生成器１を概略的に示す。ＳＬＭ２はここでは、個別に制御可能な素子４、この実施形態では、放射線反射素子のアレイ３として示している。アレイ３に入射する光５を反射して、標的表面１０に向かう一連の露光ビーム６とする。標的表面１０は、典型的には、標的支持体１２によって支持される。ＳＬＭ２の個々の素子４は、反射を許容するか、反射を抑制するように制御可能である。ＳＬＭ２の素子４をこのほか、無効に設定し、それによりアレイ３の活性部分を低減してもよい。

【0018】

ＳＬＭ２の活性部分から出た光は標的表面１０に向かい、その標的表面上に画素２２の格子２０を形成する。画素２２、即ち、撮像素子は一体となってスタンプ領域１４を形成する。これにより、個々の画素２２のそれぞれの照明は、ＳＬＭ２のそれぞれの素子４によって制御される。典型的には、ＳＬＭ格子２０に関してスタンプ領域１４の公称光学的スケーリングが存在する。この公称スケーリングは、異なる距離などの異なる設計パラメータと通常の光学系とによって決定される均一なスケーリングである。そのような公称スケーリングを達成するための配置は当業者には周知であり、これ以上は考察しない。

【0019】

アレイ３に入射する光５は、あらゆる個別に制御可能な素子４が本質的に同一の当初の線量を受けるという意味で均一である。このため、素子４の制御は、個々の画素２２ごとにオン／オフ動作を提供することになるが、標的表面１０に到達する任意の光の線量測定は、入射光５の線量によって決定される。標的表面１０のさまざまな領域のさまざまな露光の間でこの入射光５の線量を制御することにより、さまざまな位置にてさまざまな放射線量を達成することができる。しかし、素子４が「オン」であるあらゆる位置には、各露光に対して同一の線量が供給されることになる。

【0020】

ＳＬＭ２の素子４の個別設定に従ってスタンプ領域１４を露光した後、スタンプ領域１４を移動することができる。これは、典型的には、標的支持体１２に対してＳＬＭ２を機械的に移動させることによって、標的支持体１２、ＳＬＭ２又はその両方を移動させることによって実施されてもよい。スタンプ領域１４の移動は、少なくとも部分的に光学的手段によって実施されてもよい。

【0021】

相対移動は、１つの露光の１つのスタンプ領域１４が他の以前のスタンプ領域１４と端と端が接するように配置されるような方法で実施されてもよい。しかし、このほか、相対移動により、さまざまな露光のスタンプ領域１４間に重なりが生じる場合もある。そのような重なりは、例えば、エッジ効果を軽減するために、スタンプ領域１４のエッジ領域にのみ関係する可能性がある。しかし、他の用途では、使用する重複部分を大きくすることができ、その結果、複数の露光戦略が得られる。これは、本技術で使用され、以下でさらに詳細に考察する。

【0022】

背景技術で説明したように、ＳＬＭ２はさまざまな方法で構成することができる。ＳＬＭ２の動作の詳細は、素子４の個別制御が提供され、ＳＬＭ２が標的表面１０上のスタンプ領域１４内に画素２２の格子２０を生成する限り、本発明の考え方にとって決定的に重要なものではない。

【0023】

図２は、標的表面１０の一部を概略的に示す。ＳＬＭの現在位置のスタンプ領域１４を、画素２２の格子２０として示す。画素２２は、第１の方向１０１に第１のピッチＤ１で設けられ、第２の方向１０２に第２のピッチＤ２で設けられる。この図では、説明の目的で画素の数が少なくなっている。現在の状況では、ＳＬＭの素子のいくつかは放射線をスタンプ領域１４に向けることを可能にし、黒としてマークされる。ＳＬＭでの素子の選択は、印刷される予定のパターン３０を表す印刷データに従って実施される。対象とするパターン３０は、参考として点線で示しているにすぎず、スタンプ領域１４に物理的に存在するわけではない。しかし、パターン３０内の項目に対応する画素２２が照明されるのに対し、パターン３０内の項目間の領域に対応する画素２２は照明されないことが容易にわかる。現在のスタンプ領域１４の外側の対象とするパターン３０の領域は、斜線でマークされており、前後の印刷ステップによって処理されることになる。

【0024】

特定の用途では、照明はパターン３０に対する負の対応であることがあり得る、即ち、意図されたパターンの外側の画素２２のみが照明されることがわかるであろう。しかし、これは「負の」パターン３０に似たものであろう。

【0025】

図３を参照すると、スタンプ領域１４が照明されている場合、次の露光が実施される前にスタンプ領域１４の移動を実施してもよい。図３では、次の位置の例を１４´´で示している。パターン３０の一部が依然として次のスタンプ領域１４´´によって覆われており、ＳＬＭが許容する場合には、その部分は追加の照射線量を受ける可能性がある。以前に照明されていたパターンの他の部分が、新たなスタンプ領域１４´´の外側になることになる。同じように、パターン３０の以前は照射領域の外側にあった部分が、今度は新たなスタンプ領域１４´´の内側に入ることになる。このようにして、標的表面１０の表面全体を覆うことができ、各画素２２は、画素２２がスタンプ領域によって覆われるとき、線量の合計である照射線量を達成することになる。

【0026】

換言すれば、スタンプ領域１４がスタンプ領域１４の幅の一部のみを移動する多重露光により、標的表面１０の各点が複数回露光される場合がある。このほか、同一のスタンプ領域１４の複数回の露光を、即ち、露光間にいかなる移動も実施せずに実施することが可能である。

【0027】

印刷されるパターンを、典型的には、画素２２の格子２０にラスタ化する。各画素は、１回又は複数回の露光から放射線に対して露光するように意図されている。印刷されるパターンによって完全に覆われた画素の場合、このような露光からの線量の合計は、画素表面全体にわたって上記パターンが印刷される基板上の放射線感受性層を活性化するための閾値を超えるように構成される。このようにして、画素は「露光」されるようになる。

【0028】

これを、図４の図表に概略的に示す。多数の画素に対する１次元の放射線量１０２を示している。第１の群の画素２２Ａを、印刷されるパターンによって全体的に覆い、ＳＬＭの対応する素子を「オン」にすることによって総線量を達成する。第２の群の画素２２Ｂを、印刷されるパターンの外側に位置づけ、ＳＬＭの対応する素子は「オフ」位置にされる。放射線のエンベロープは完全に鮮明ではないため、放射線を照射することを意図していない画素２２Ｂの領域にもある程度の放射線量が現れることになる。しかし、放射線量１０２の大きさは、基板上の放射線感受性層の活性化レベル１０１よりも低いため、放射線を照射することを意図していない画素２２Ｂに「プリント」が現れないことになる。放射線量の形状は説明のために概略的に描いたものであり、実際の測定例とは一致していないことに留意されたい。

【0029】

これは、印刷されるパターンのエッジが画素の格子と一致する限り、良好に機能する。しかし、一般的な場合では、印刷するパターンを画素の格子に合わせて位置決めすることができるかどうかはわからない。図５は、印刷されるパターン３０のエッジ３１が、ラスタ化されたパターン１５の格子２０の画素の中央に位置する例を示す。全面的に覆われた画素２２Ａ、完全に空の画素２２Ｂ及び部分的に覆われた画素２２Ｃがある。全面的に覆われた画素２２Ａと完全に空の画素２２Ｂは容易に提供される。部分的に覆われた画素２２Ｃについては、追加の措置を講じる必要がある。ここでは、スタンプ領域１４が、ラスタ化されたパターン１５のサブ領域であり、完全なパターン３０を印刷するには、いくつかのスタンプ領域１４を印刷する必要がある。

【0030】

画素サイズよりも高い精度でエッジ配置を実現する１つの手法には、全面的に覆われた画素の放射線量よりも低い部分放射線量によって画素を照射することが挙げられる。図６に概略的に示すように、部分的に覆われた画素２２Ｃでの少量の放射線量１０５が、隣接する全面的に覆われた画素２２Ａによって供給される放射線量１０２に追加されることになる。このような線量の合計はグラフ１０３によって示しており、この合計は点１０６にて基板上の放射線感受性層の活性化レベル１０１に達することになる。このため、この点１０６の右側の画素２２Ｃの部分は「露光される」ことになるのに対し、この点１０６の左側の画素２２Ｃの部分は「露光されない」ことになる。換言すれば、印刷されるパターンのエッジは距離Δだけ移動したことになる。

【0031】

距離Δは、パターンエッジの位置に対応することが好ましい。印刷される上記パターンによって覆われている隣接画素２２Ａを基準として、エッジ調整値１０７を上記エッジが配置される画素幅１０８の一部として定義することができる。

【0032】

このため、図７の図表に示すように、画素内で許容される追加の放射線量と、当該画素内へのエッジ調整値との間には関係１０４が存在する。この関係１０４は、ＳＭＬの実際の放射線量分布に依存するが、各装備又は各タイプの装備に対して容易に較正されてもよい。図７の曲線は説明のみを目的としており、実際の測定された関係に対応するものではないことに留意されたい。これは、画素の放射線量を変更することによって、隣接する画素に向かってエッジを移動させ得ることを意味する。

【0033】

上述したように、格子内の全画素には、本質的に同一の放射線量が供給される。しかし、多重露光を利用することにより、異なる画素にて放射線量の差が生じる場合がある。非常に基本的な見解では、同一のスタンプ領域は複数回露光することができるが、画素の選択は異なる。例えば、同一の画像化領域の５回の露光が同一の衝突放射露光で実施される場合、異なる画素には最大利用可能線量の０％、２０％、４０％、６０％、８０％又は１００％が供給され、それに応じてエッジ位置をずらすことができる。

【0034】

この多重露光の原理はこのほか、前述の部分的に重複する露光と併用しても良好に機能する。図８では、印刷されるパターン３０を、各露光の間に基板に対して移動する連続スタンプ領域１４内で露光する。塗りつぶされた四角は、その時々に露光を許可するように制御される画素を示す。この例では、パターン３０の各場所は最大６回の露光によって露光される。このため、スタンプ領域１４は、ラスタ化されたパターン平面１６の選択された領域であり、一体となってラスタ化されたパターンを形成する。このため、６回の露光は、それぞれのラスタ化されたパターン平面１６によって制御される。これは、６回目の露光ごとのスタンプ領域１４が同一のラスタ化されたパターン平面１６から選択されることを意味する。画素では、エッジ移動が実施される場合、即ち、一部のパターンのみが、対応する画素を覆う場合は、その画素は、ある露光では露光されるが、他の露光では露光されない。最終結果を図９に概略的に示す。ここで、パターン３０の中央部分に対応する画素、即ち、画素がパターン３０によって全面的に覆われている部分は、黒い領域として示している。パターン３０のエッジのいくつかの画素では、ハッチングで示すように、提供される放射線量が低くなる。このようなエッジ画素の放射線量は、当初のパターン３０と一致するエッジ移動を引き起こすように適合される。小さなエッジ移動が少量の追加放射線量によって引き起こされ、これより大きなエッジ移動は、これより大きな追加放射線量によって引き起こされる。

【0035】

図１０は、例えば、マスク描画又は直接描画など、空間光変調器による描画用の画素データを作成する方法の一実施形態のステップの流れ図を示す。ステップＳ１０では、印刷されるパターンを表すデータを取得する。ステップＳ２０では、印刷されるパターンは画素の格子にラスタ化される。このプロセスでは、ステップＳ２２に示すように、ラスタ化は、印刷されるパターンのエッジを覆う画素へのエッジ調整値の割り当てを含む。エッジ調整値は、印刷されるパターンによって覆われる隣接画素を基準とした、エッジが配置される画素幅の一部である。換言すれば、エッジ調整値は、全面的に覆われた画素の最も近いパターンエッジが、部分的に覆われた画素の領域全体にわたってどの程度移動する必要があるかを示す。

【0036】

ステップＳ３０では、ラスタ化されたパターンは、ｎ個のラスタ化されたパターン平面に分割される。これにより、ラスタ化された各パターン平面は、次のパターン描画中の多重露光プロセスの１回の露光に関連付けられる。そのような多重露光プロセスは、全体的に重複する露光又は部分的に重複する露光によって実施されてもよい。ラスタ化されたパターン平面のそれぞれは、それぞれの放射露光に関連付けられる。これに対するさまざまな代替案については、以下でさらに詳細に考察する。ラスタ化されたパターン平面への分割は、ステップＳ３２に示すように、印刷されるパターンによって完全に覆われる画素のためのラスタ化されたパターン平面の放射露光の合計が、パターンが印刷される基板上の放射線感受性層を活性化するための閾値を超えるように、実施される。同じように、ラスタ化されたパターン平面への分割は、ステップＳ３４に示すように、印刷されるパターンのエッジに関連付けられた画素のためのラスタ化されたパターン平面の放射露光の合計が、総放射露光が放射線感受性層を活性化するための閾値に達する位置を、エッジ調整値に対応する距離だけ移動させるのに充分な量に対応する。ステップＳ４０では、ｎ個のラスタ化されたパターン平面を表すデータを出力する。次に、このデータは、空間光変調器を用いた描画方法で利用することができる。

【0037】

図１１は、マスク描画又は直接描画など、空間光変調器での描画方法の一実施形態のステップの流れ図を示す。ステップＳ５０では、印刷されるパターンに関連するｎ個のラスタ化されたパターン平面を表すデータを取得する。ラスタ化されたパターン平面は、例えば、上記で提示した技術による方法によって取得される。ステップＳ５５では、空間光変調器を、第１（一番目または最初）のラスタ化されたパターン平面のスタンプ領域に合わせて配置する。ステップＳ６０では、放射線感受性層を有する基板が、第１（一番目または最初）のラスタ化されたパターン平面に関連付けられた放射露光に対応する放射線量で露光される。

【0038】

一実施形態では、ラスタ化されたパターン平面に合わせた露光は、基板上の同一の領域にて実施される。そのような実施形態では、ステップＳ７０にて、ｎ個のラスタ化されたパターン平面についてステップＳ５５及びＳ６０の繰り返しを実施する。ｎ個のラスタ化されたパターン平面に対する繰り返しは、それぞれに関連する放射線量で露光することによって実施される。

【0039】

別の実施形態では、追加のステップＳ６５が導入される。このステップでは、空間光変調器は、走査方向のスタンプ領域の幅をｎで割った値に等しい走査方向の距離だけ基板に対して走査される。この実施形態では、これにより、ステップＳ７０は、走査距離に応じてそれぞれのスタンプ領域を移動させた状態で実施され、これにより以前の露光と部分的に重なり合う。

【0040】

ステップＳ７５では、ステップＳ５５、Ｓ６０及びＳ７０と、該当する場合にはステップＳ６５とを、走査スキームに従って追加のスタンプ領域に対して繰り返す。

【0041】

ラスタ化されたパターン平面のそれぞれの放射露光が等しい場合、ラスタ化パターン平面の数ｎにより、各画素に対する総放射線量のｎ個の異なる等距離レベルを達成することが可能になる。これは、単一画素の幅内でパターンエッジをｎ個の異なる位置に移動可能であることを意味する。しかし、ラスタ化されたパターン平面の数を増やすと、印刷速度も低下することになる。ラスタ化されたパターン平面の数が２倍に増大すると、即ち、エッジ位置の精度が２倍に増大する場合、印刷速度も２分の１に低下することになる。

【0042】

しかし、ラスタ化されたパターン平面の放射露光が異なることを許容することによって、達成可能なエッジ位置移動の数の増大を達成することができる。図１２は、一連のラスタ化されたパターン平面のさまざまな放射露光１１０を示す図である。ラスタ化されたパターン平面１～３を最大の放射露光に関連付け、ラスタ化されたパターン平面４～７を低減された放射露光に関連付ける。全画素をあらゆるラスタ化されたパターン平面によって照明するため、各画素が「オン」になるラスタ化されたパターン平面は、どのエッジ移動が必要かに応じて選択される場合がある。図１２に提示した一連のラスタ化されたパターン平面の放射露光では、計６２回の異なるエッジ移動を選択する場合がある。

【0043】

さまざまなラスタ化されたパターン平面に関連付けられた放射露光は、当業者にはそれぞれが知られているさまざまな方法によって変化させることができる。選択肢の１つには、光強度フィルタを使用することが挙げられる。これとは別に、音響光学変調器又は電気光学変調器を使用することができる。一部のレーザではこのほか、レーザ出力の直接変調が可能である。このほか、強度に影響を及ぼす他のタイプの方法を使用することができる。このような方法自体は当業者には周知であるため、これ以上詳細には説明しない。

【0044】

しかし、さらに正確なエッジ移動を実現するように順応させるには、いくつかの犠牲が伴う。いくつかのラスタ化されたパターン平面で利用可能な最大放射露光は、達成可能なものよりも少ないため、あらゆるラスタ化されたパターン平面を合わせた利用可能な総線量は減少する。この総線量の損失を補償するには、利用可能な最大放射露光を増大させるか、露光時間を延長する必要がある。最大放射露光を増大させると、典型的には、コストが高くなる。露光時間の増大も、全体のスループットを低下させるため望ましくない。このため、放射露光スキームの選択は、当該用途に合わせて選択する必要があり、典型的にはエッジ移動の精度と放射装備の利用度との間の妥協案である。

【0045】

一実施形態では、それぞれの放射露光のうちの少なくとも２つが異なる。異なる放射露光ごとに、選択可能なエッジ移動の数が増大し、最も効率的なセットアップでは最大２倍になる。

【0046】

エッジ移動に非常に高い精度を必要とするが、放射電力の利用度の影響を受けにくい用途では、異なる放射露光の数を増大させることが好ましい。図１３は、所与の数のラスタ化されたパターン平面について選択可能なエッジ移動の数を最大化する、一連のラスタ化されたパターン平面のさまざまな放射露光を示す図である。この実施形態では、それぞれの放射露光はいずれも異なる。

【0047】

この実施形態では、放射露光がいずれも、最も弱いものを除いて、それぞれの放射露光のうちのもう１つの２倍の線量を有する。この実施形態は、エッジ移動がまったくない場合と「最大限の移動」、即ち、最大照射画素の場合との間の６２の異なる中間エッジ移動を提供する。しかし同時に、印刷速度は６分の１に低下し、放射効率は３３％にまで低下する。この手法により、テスト実行で優れたエッジ位置決め精度が得られることが明らかになった。比較すると、同一の放射露光でラスタ化されたパターン平面が６つある場合、異なる中間エッジ移動は５つだけになるほか、印刷速度も６分の１に低下するが、利用可能な放射電力を１００％利用する。

【0048】

１つを除いた放射露光がいずれも、それぞれの放射露光のうちのもう１つの２倍の放射線量を有していない実施形態でも、異なる放射露光間の線量関係が２に等しいという概念は、多くの場合有利である。このため、一実施形態では、それぞれの放射露光の少なくとも大多数が、それぞれの放射露光のうちのもう１つの２倍の放射線量を有する。そのような実施形態の一例が、図１２に示すセットである。この実施形態は、６２の可能な中間エッジ移動を提供し、印刷速度は７分の１に低下するが、利用可能な放射電力の５６％を利用する。

【0049】

図１３の実施形態の別の欠点には、露光に関しては、１つ又は少数のラスタ化されたパターン平面が非常に優勢であることが挙げられる。そのような高出力露光に対してパルスエネルギーが変動するか、線量の実際の配置がほんの少しずれたりした場合、最終結果は大きな影響を受けることになる。換言すれば、動作妨害に対する感度が高い可能性がある。ほぼ同程度の大きさのいくつかのパルスが一体となって主要な放射部分を生成することにより、単一の予測不可能な妨害に対する感度が低下する。そのような理由により、図１２の実施形態のような実施形態が好まれる場合がある。しかし、放射露光分布の選択は、その分布が適用される用途の要求を考慮して実施されることが好ましい。

【0050】

さらに別の手法では、異なる放射露光の間の一定の差が使用される。換言すれば、一実施形態では、それぞれの放射露光の少なくとも大多数が、それぞれの放射露光のうちのもう1つと一定の差だけ放射線量が異なっている。そのような一定の差による利点には、利用可能な各エッジ移動が露光のいくつかの異なる組み合わせによって達成可能であることが挙げられる。これは、放射露光又はラスタ化されたパターン平面の選択が他の要求によっても決定され得るいくつかの用途では有益になる可能性がある。図１４は、そのような実施形態を示している。ここでは、放射露光がいずれも一定の差によって相互に関連付けられている。この実施形態は、５４の可能な中間エッジ移動を提供し、印刷速度は１０分の１に低下するが、利用可能な放射電力の５５％を利用する。

【0051】

線量レベルの選択の別の態様には、放射露光の順序が挙げられる。放射電力にわずかな変動が存在する場合、放射電力の一時的な偏差が１つ又は少なくともごく一部の高線量のラスタ化されたパターン平面にのみ影響を及ぼすように、高線量を有するラスタ化されたパターン平面を適時に分離することが賢明である可能性がある。

【0052】

同じように、以下でさらに考察するように、測定された露光に基づく補正を実施する場合、シーケンス全体で利用可能な異なる大きさの放射露光を計画することが推奨される。

【0053】

図１５は、最も高い線量を有するラスタ化されたパターン平面がシーケンス全体にわたって広がっている実施形態を示す。このため、この手法は、ｎ個のラスタ化されたパターン平面のシーケンスごとに放射露光が非単調に変化する解決策を提示する。全く同一のシーケンス内で、連続するラスタ化されたパターン平面間で線量の増大と減少の両方が存在する。

【0054】

放射露光を分散するために使用される別の原則には、高レベルの１回の線量がこれより低いレベルの２回の線量で囲まれるほか、好ましくは、低レベルの１回の線量がこれより高いレベルの２回の線量で囲まれる多数の例を作成することが挙げられる。換言すれば、一実施形態では、それぞれの放射露光の大多数について、最も近い以前の放射露光及び最も近い後続の放射露光の線量は、両方とも高くなるか、両方とも低くなるかのいずれかである。

【0055】

実際の描画を実施する場合、これにより、放射露光が高線量と低線量との間で頻繁に変化することになる。換言すれば、描画方法の一実施形態では、ラスタ化されたパターン平面は、少なくとも２つのラスタ化されたパターン平面が、低い方の放射露光に関連するラスタ化されたパターン平面によって適時に囲まれるように、適時に選択され、その結果、全画素に対する放射露光の非単調な時間変化がもたらされる。

【0056】

ＳＬＭを利用する今日の多くのパターン発生器では、画素の露光レベルを実際に測定する可能性が提供されている。これは、従来技術にてそれ自体知られており、パターン発生器の実際の構成に依存する。このため、そのような測定の詳細についてはこれ以上考察しない。まさに、当業者であれば、そのような測定を実施可能な知識とスキルを有していると想定される。

【0057】

そのような場合に、本技術をさらに活用してもよい。画素の露光レベルを、ラスタ化されたパターン平面のうちの１つによって基板を露光するステップの後に測定する。予想される露光からの逸脱が検出された場合、任意の残りのラスタ化されたパターン平面の計画を変更してもよい。換言すれば、測定と評価が充分に速く、測定された画素を照射するために使用されるラスタ化されたパターン平面が残っている場合、補償措置を実施してもよい。次に、残りのラスタ化されたパターン平面とそのそれぞれの放射露光を、当該画素の残りの要求露光にできるだけ近づけるために再結合してもよい。換言すれば、ラスタ化されたパターン平面の未だ使用されていない部分を、予想される露光レベルからの任意の逸脱を補償するために調整する。上記で考察した高線量と低線量のラスタ化されたパターン平面の混合は、問題の画素に対して「オン」又は「オフ」となるラスタ化されたパターン平面の適切な調整再配置を見つけることができるため、そのような場合に有益である。

【0058】

測定された露光が予想される露光よりも低い場合、代わりに、例えば、1回の戻り動作中に露光の調整を実施してもよい。しかし、検出された露光が高すぎる場合は、そのように調整することはできない。

【0059】

本発明の考え方はあらゆる種類の描画方法に適用可能であるが、当初の対象技術分野はリソグラフィシステム又はフォトマスクリソグラフィシステムへの応用であった。このため、好ましい実施形態では、パターン発生器はリソグラフィシステム又はフォトマスクリソグラフィシステムである。マスク描画システムでは、エッジ位置への要求は典型的にはきわめて高いが、実際の印刷速度はそれほど重要ではない。これは、本発明の考え方がマスク描画システムに特に有利に適用されることを意味する。しかし、同一の原理が、例えば、異なるタイプの直接印刷にも有用であることに留意されたい。

【0060】

図１６では、ＳＬＭを用いて描画するための画素データを作成するためのラスタ化モジュール６０の一実施形態を示している。上記で説明したように、ＳＬＭは、標的表面上のスタンプ領域内に画素の格子を生成するように配置された個別に制御可能な素子のアレイを有し、個々の撮像素子の照明をそれぞれの素子によって制御する。ラスタ化モジュールは、処理ユニット６２、メモリ６４、入力インターフェース６６及び出力インターフェース６８を備える。入力インターフェース６６は、印刷されるパターンを表すデータを取得するように構成される。印刷されるパターンを表すデータは、メモリ６４に保存されることが好ましい。処理ユニット６２は、印刷されるパターンを画素の格子にラスタ化するように構成される。ラスタ化は、印刷されるパターンのエッジを覆う画素へのエッジ調整値の割り当てを含む。エッジ調整値は、印刷されるパターンによって覆われる隣接画素を基準とした、エッジが配置される画素幅の一部である。ラスタ化を実施するための処理ユニットに対する命令を、メモリ６４に検索可能な方法で保存することが好ましい。処理ユニット６２は、ラスタ化されたパターンをｎ個のラスタ化されたパターン平面に分割するようにさらに構成される。ラスタ化されたパターン平面のそれぞれを、それぞれの放射露光に関連付ける。印刷されるパターンによって完全に覆われる画素のためのラスタ化されたパターン平面の放射線量の合計は、パターンが印刷される基板上の放射線感受性層を活性化するための閾値を超える。さらに、印刷されるパターンのエッジに関連付けられた画素のためのラスタ化されたパターン平面の放射露光の合計は、放射露光の合計が放射感応層を活性化するための閾値に達する位置を、エッジ調整値に対応する距離だけ移動させるのに充分な量に対応する。出力インターフェース６８は、ｎ個のラスタ化されたパターン平面を表すデータを出力するように構成される。

【0061】

一実施形態では、処理ユニット６２は、それぞれの放射露光のうちの少なくとも２つが異なるように放射露光を選択するようにさらに構成される。

【0062】

追加の実施形態では、処理ユニット６２は、それぞれの放射露光の全部が異なるように放射露光を選択するようにさらに構成される。

【0063】

一実施形態では、処理ユニット６２は、それぞれの放射露光の少なくとも大多数が、それぞれの放射露光のうちのもう１つの２倍の放射線量を有するように放射露光を選択するようにさらに構成される。

【0064】

一実施形態では、処理ユニット６２は、それぞれの放射露光の少なくとも大多数が、それぞれの放射露光のうちのもう１つに対して一定の差だけ放射線量が異なるように、放射露光を選択するようにさらに構成される。

【0065】

一実施形態では、処理ユニット６２は、ｎ個のラスタ化されたパターン平面のシーケンスごとに非単調に変化するように放射露光を選択するようにさらに構成される。

【0066】

追加の実施形態では、それぞれの放射露光の大多数について、最も近い以前の放射露光及び最も近い後続の放射露光の線量は、両方とも高くなるか、両方とも低くなるかのいずれかである。

【0067】

図１７は、ラスタ化モジュール６０及びパターン生成器８０を備えるパターン生成システム７０の一実施形態を示す。この実施形態では、ラスタ化モジュール６０は、印刷されるパターンに関連付けられたｎ個のラスタ化されたパターン平面を表すデータを提供する。本実施形態では、ラスタ化モジュール６０を別個のユニットとして示している。次に、ラスタ化されたパターンは、通信接続６１又は無線による代替手段によってパターン発生器８０に転送することができる。これとは別に、ラスタ化されたパターンを表すデータは、アクセスのためにパターン生成器８０に物理的にもたらされるデータ記憶ユニット内のラスタ化モジュール６０によって提供することができる。

【0068】

しかし、他の実施形態では、点線で示すように、ラスタ化モジュール６０はパターン生成器８０の一部として提供されてもよく、処理能力は好ましくはパターン生成器８０とラスタ化モジュール６０によって共有される。次に、ラスタ化モジュール６０からパターン発生器８０へのラスタ化されたパターンの転送が内部手段によって実施される。

【0069】

図１８は、パターン生成器８０の一実施形態を概略的に示す。パターン発生器８０は、制御モジュール８２及び画像化モジュール８４を備える。画像化モジュール８４は、パターンをスタンプ領域に描画するように配置される。画像化モジュールはＳＬＭ２を備える。ＳＬＭ２は、標的表面１０上のスタンプ領域内に画素の格子を生成するために配置された個別に制御可能な素子４のアレイ３を有する。個々の撮像素子の照明は、制御モジュール８２からの命令に基づいて、それぞれの素子４によって制御される。

【0070】

制御モジュール８２は、印刷されるパターンに関連付けられたｎ個のラスタ化されたパターン平面を表すデータをラスタ化モジュールから取得するように構成される。上記で説明したように、このラスタ化されたパターンは、上記でさらに説明した原理に従って、内部線源又は外部線源からさまざまな方法で提供することができる。

【0071】

画像化モジュール８４は、第１（一番目または最初）のラスタ化されたパターン平面のスタンプ領域に合わせてＳＬＭを配置するように構成される。画像化モジュール８４は、第１（一番目または最初）のラスタ化されたパターン平面に関連付けられた放射露光に対応する放射線量で、放射線感受性層を有する基板を露光するように構成される。画像化モジュール８４は、ＳＬＭの配置と、それぞれ関連する放射線量で露光することによるｎ個のラスタ化されたパターン平面の露光と、を繰り返すように構成される。画像化モジュール８４は、走査スキームに従って追加のスタンプ領域に対してＳＬＭの配置、露光及びその繰り返しを繰り返すようにさらに構成される。

【0072】

一実施形態では、画像化装置は、走査方向のスタンプ領域の幅をｎで割った値に等しい走査方向の距離だけ、基板に対して空間光変調器を走査するようにさらに構成される。ＳＬＭの配置と露光の繰り返しは、走査距離に応じてそれぞれのスタンプ領域をずらした状態で実施され、それによって、以前の露光と部分的に重なり合う。ＳＬＭの配置、露光及びその繰り返しは、ラスタ化されたパターン平面ごとの空間光変調器の走査の繰り返しをさらに含む。

【0073】

一実施形態では、制御モジュール８２は、画像化モジュール８４によって使用されるラスタ化されたパターン平面を適時に選択するようにさらに構成され、その結果、少なくとも２つのラスタ化されたパターン平面が、低い方の放射露光に関連するラスタ化されたパターン平面によって適時に囲まれ、その結果、全画素の放射露光の非単調な時間変化がもたらされる。

【0074】

一実施形態では、パターン発生器は、基板を露光した後に画素の露光レベルを測定するように構成された露光レベル測定ユニットをさらに備える。制御モジュール８２は、予想される露光レベルからの任意の逸脱を補償するために、ラスタ化されたパターン平面の未だ使用されていない部分を調整するようにさらに構成される。

【0075】

上述の実施形態は、本発明のいくつかの実例として理解されるべきである。本発明の範囲から逸脱することなく、実施形態に対してさまざまな修正、組み合わせ及び変更を施し得ることが当業者には理解されよう。特に、技術的に可能な場合には、異なる実施形態での異なる部分解決策を他の構成で組み合わせることができる。しかし、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲によって規定される。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【国際調査報告】