(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-10-23
(54)【発明の名称】電気化学装置および電気機器
(51)【国際特許分類】
H01M 50/531 20210101AFI20241016BHJP
H01M 50/548 20210101ALI20241016BHJP
H01M 50/109 20210101ALI20241016BHJP
H01M 50/119 20210101ALI20241016BHJP
H01M 50/586 20210101ALI20241016BHJP
H01M 50/593 20210101ALI20241016BHJP
H01M 50/559 20210101ALI20241016BHJP
H01M 50/184 20210101ALI20241016BHJP
【ＦＩ】
H01M50/531
H01M50/548 201
H01M50/109
H01M50/119
H01M50/586
H01M50/593
H01M50/559
H01M50/184 E
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024525558
(86)(22)【出願日】2021-10-29
(85)【翻訳文提出日】2024-06-12
(86)【国際出願番号】 CN2021127691
(87)【国際公開番号】W WO2023070590
(87)【国際公開日】2023-05-04
(81)【指定国・地域】
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ
(71)【出願人】
【識別番号】513054978
【氏名又は名称】寧徳新能源科技有限公司
【氏名又は名称原語表記】Ｎｉｎｇｄｅ Ａｍｐｅｒｅｘ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌｉｍｉｔｅｄ
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１ Ｘｉｎｇａｎｇ Ｒｏａｄ， Ｚｈａｎｇｗａｎ Ｔｏｗｎ， Ｊｉａｏｃｈｅｎｇ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ， Ｎｉｎｇｄｅ Ｃｉｔｙ， Ｆｕｊｉａｎ Ｐｒｏｖｉｎｃｅ， ３５２１００， Ｐｅｏｐｌｅ’ｓ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｃｈｉｎａ
(74)【代理人】
【識別番号】100160691
【弁理士】
【氏名又は名称】田邊 淳也
(72)【発明者】
【氏名】蘇 士偉
(72)【発明者】
【氏名】▲デン▼ 道林
(72)【発明者】
【氏名】楊 興富
(72)【発明者】
【氏名】陳 文
【テーマコード（参考）】
5H011
5H043
【Ｆターム（参考）】
5H011AA03
5H011BB04
5H011CC06
5H043AA10
5H043AA11
5H043CA07
5H043CA12
5H043DA01
5H043DA08
5H043EA06
5H043GA22
5H043GA26
5H043LA02E
5H043LA11D
5H043LA23D
(57)【要約】
本開示は、エネルギー貯蔵技術分野に関し、特に電気化学装置および当該電気化学装置を含む電気機器に関する。電気化学装置は、ケース１、電極組立体と、第１タブと、第２タブと、第一接続子と、第２接続子とを含む。ケースは、第１電極が設けられた天壁と、側壁と、底壁とを含む。電極組立体は、第１極片と第２極片とを含む。第１タブは、第１極片と第１電極とを接続し、第１接続子は第１電極と接続している。第２タブは、第２極片とケースとを接続し、第２接続子はケースと接続する。電気化学装置が充放電状態にあるとき、第１タブから発生される磁界と第１接続子から発生される磁界とが少なくとも部分的に相殺され、第２タブから発生される磁界と第２接続子から発生される磁界とが少なくとも部分的に相殺され、電気化学装置から生じる磁界が弱くなり、電気化学装置が電気機器に対する電磁的な干渉を低減する。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
電気化学装置であって、第１電極が設けられた天壁と、側壁と、底壁とを含むケースと、
前記ケース内に収容され、第１極片と第２極片とを含む電極組立体と、を含み、
以下の条件（ｉ）から（ｉｉ）のうち少なくとも一つを満たし、
条件（ｉ）は、
前記電気化学装置が、
前記第１極片と前記第１電極とを接続し、前記第１極片に接続する第１接続領域を有する第１タブと、
前記ケース外に設けられ、前記第１電極に接続された第１接続子と、をさらに含み、
前記天壁に垂直な方向から見て、前記第１接続領域の幾何学中心と前記第１電極の幾何学中心とを結ぶ線を、第１基準線とし、前記第１電極の幾何学中心を中心とし、前記第１接続領域の幾何学中心と前記第１電極の幾何学中心との間の線分の長さＬ１を半径として、前記第１基準線の両側の±４５°の扇形の領域が第１領域となり、前記第１接続子の面積をＳ１とし、前記第１接続子と前記第１領域の重なり部分の面積をＳ２とする場合、Ｓ２／Ｓ１≧５０％を満たすことであり、
条件（ｉｉ）は、
前記電気化学装置が、
前記第２極片と前記ケースとを接続し、前記第２極片に接続する第２接続領域と、前記ケースに接続する第３接続領域とを含む第２タブと、
前記ケース外に設けられ、前記ケースに接続された第２接続子と、をさらに含み、
前記底壁に垂直な方向から見て、前記第２接続領域の幾何学中心と前記第３接続領域の幾何学中心とを結ぶ線を、第２基準線とし、前記第３接続領域の幾何学中心を中心とし、前記第２接続領域の幾何学中心と前記第３接続領域の幾何学中心との間の線分の長さＬ２を半径として、前記第２基準線の両側の±４５°の扇形領域が第２領域となり、前記第２接続子の面積をＳ３とし、前記第２接続子と前記第２領域の重なり部分の面積をＳ４とする場合、Ｓ４／Ｓ３≧５０％を満たすことである
ことを特徴とする電気化学装置。
【請求項2】
以下の条件（ｉｉｉ）から（ｉｖ）のうち少なくとも一つを満たし、条件（ｉｉｉ）はＳ２／Ｓ１≧７０％を満たすことであり、
条件（ｉｖ）はＳ４／Ｓ３≧７０％を満たすことである
ことを特徴とする請求項１に記載の電気化学装置。
【請求項3】
以下の条件（ｖ）から（ｖｉ）のうち少なくとも一つを満たし、条件（ｖ）は、
前記第１接続子において、前記第１電極から離れた端部に第４接続領域が設けられており、
前記天壁に垂直な方向から見て、前記第４接続領域の幾何学中心と前記第１電極の幾何学中心とを結ぶ線と、前記第１接続領域の幾何学中心と前記第１電極の幾何学中心とを結ぶ線とがなす角をθとする場合、０°≦θ≦４５°を満たすことであり、
条件（ｖｉ）は、
前記第２接続子において、前記第３接続領域から離れた端部に第５接続領域が設けられており、
前記底壁に垂直な方向から見て、前記第５接続領域の幾何学中心と前記第３接続領域の幾何学中心とを結ぶ線と、前記第２接続領域の幾何学中心と前記第３接続領域の幾何学中心とを結ぶ線とがなす角をβとする場合、０°≦β≦４５°を満たすことである
ことを特徴とする請求項１に記載の電気化学装置。
【請求項4】
前記第１接続子は、前記第１電極から離れた端部に第４接続領域が設けられ、前記天壁に垂直な方向から見て、前記第４接続領域の幾何学中心と前記第１電極の幾何学中心とを結ぶ線を、第３基準線とし、前記第１電極の幾何学中心を中心とし、前記第４接続領域の幾何学中心と第１電極の幾何学中心との間の線分の長さＬ３を半径として、前記第三基準線の両側の±４５°の扇形領域が第三領域となり、前記第二接続子と前記第三領域との重なり部分の面積をＳ５とする場合、Ｓ５／Ｓ３≧５０％を満たす、ことを特徴とする請求項１に記載の電気化学装置。
【請求項5】
前記面積Ｓ５と前記面積Ｓ３との比は、Ｓ５／Ｓ３≧８５％を満たす、ことを特徴とする請求項４に記載の電気化学装置。
【請求項6】
前記天壁に垂直な方向から見て、前記第１基準線と前記第２基準線とがなす角をαとする場合、０°≦α≦６０°を満たす、ことを特徴とする請求項４に記載の電気化学装置。
【請求項7】
前記電極組立体は、捲回構造であり、前記第１極片は、第１端部を有する第１活物質層を備え、前記第１端部は、捲回構造の巻き始め端に設けられており、
前記第２極片は、第２端部を有する第２活物質層を備え、前記第２端部は、捲回構造の巻き始め端に設けられており、
前記第１極片の長手方向に沿って、前記第１接続領域の幾何学中心と前記第１端部との間の距離をＤ１とし、前記第２極片の長手方向に沿って、前記第２接続領域の幾何学中心と前記第２端部との間の距離をＤ２とする場合、０．５≦Ｄ１／Ｄ２≦２を満たす、ことを特徴とする請求項１に記載の電気化学装置。
【請求項8】
以下の条件（ａ）から（ｂ）のうち少なくとも一つを満たし、条件（ａ）は、
前記第１接続子において、前記第１電極から離れた端部に第４接続領域が設けられており、
前記天壁に垂直な方向から見て、前記第４接続領域の幾何学中心と前記第１電極の幾何学中心との間の線分の長さをＬ３とする場合、０．５≦Ｌ１／Ｌ３≦２を満たすことであり、
条件（ｂ）は、
前記第２接続子において、前記第３接続領域から離れた端部に第５接続領域が設けられており、
前記底壁に垂直な方向から見て、前記第５接続領域の幾何学中心と前記第３接続領域の幾何学中心との線分の長さをＬ４とする場合、０．５≦Ｌ２／Ｌ４≦２を満たすことである
ことを特徴とする請求項１に記載の電気化学装置。
【請求項9】
以下の条件（１）から（４）のうち少なくとも一つを満たし、条件（１）は、前記第１タブ及び前記第２タブが前記電極組立体の反対側に位置することであり、
条件（２）は、前記頂壁において、対向する第１表面と第２表面とを有し、前記第１表面と前記第２表面とを貫通する貫通孔が設けられており、前記第１電極が前記貫通孔に設けられることであり、
条件（３）は、前記天壁と前記第１電極との間に絶縁材が設けられることであり、
条件（４）は、前記ケースが金属材料を含むことである
ことを特徴とする請求項１に記載の電気化学装置。
【請求項10】
請求項１～９のいずれかに記載の電気化学装置を含むことを特徴とする電気機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、エネルギー貯蔵技術分野に関し、特に電気化学装置および電気機器に関する。
【背景技術】
【0002】
ボタン電池はＢｌｕｅｔｏｏｔｈイヤホンに広く適用されているが、ボタン電池は自己磁界によるノイズフロアがＢｌｕｅｔｏｏｔｈイヤホンの音効に影響を与え、ユーザ体験に影響する。
【発明の概要】
【0003】
このような状況に鑑み、電気機器に対する電磁的な干渉を低減する電気化学装置を提供することが必要である。
【0004】
本発明の第１態様は、ケースとケース内に収容された電極組立体とを含む電気化学装置を提供する。ケースは、第１電極が設けられた天壁と、側壁と、底壁とを含む。電極組立体は、第１極片と第２極片とを含む。当該電気化学装置は、以下の条件（ｉ）から（ｉｉ）の少なくとも一つを満たす。
【0005】
条件（ｉ）
電気化学装置は、第１タブと、ケース外に設けられた第１接続子と、をさらに備える。第１タブは、第１極片と第１電極とを接続し、第１タブは、第１極片に接続する第１接続領域を有する。第１接続子は、第１電極に接続される。天壁に垂直な方向から見て、第１接続領域の幾何学中心と第１電極の幾何学中心とを結ぶ線は、第１基準線である。第１電極の幾何学中心を中心とし、第１接続領域の幾何学中心と第１電極の幾何学中心との間の線分の長さＬ１を半径として、第１基準線の両側の±４５°の扇形の領域が第１領域となる。第１接続子の面積をＳ１とし、第１接続子と第１領域の重なり部分の面積をＳ２とする場合、Ｓ２／Ｓ１≧５０％を満たす。
電気化学装置は、第１タブと、ケース外に設けられた第１接続子と、をさらに備える。第１タブは、第１極片と第１電極とを接続し、第１タブは、第１極片に接続する第１接続領域を有する。第１接続子は、第１電極に接続される。天壁に垂直な方向から見て、第１接続領域の幾何学中心と第１電極の幾何学中心とを結ぶ線は、第１基準線である。第１電極の幾何学中心を中心とし、第１接続領域の幾何学中心と第１電極の幾何学中心との間の線分の長さＬ１を半径として、第１基準線の両側の±４５°の扇形の領域が第１領域となる。第１接続子の面積をＳ１とし、第１接続子と第１領域の重なり部分の面積をＳ２とする場合、Ｓ２／Ｓ１≧５０％を満たす。
【0006】
条件（ｉｉ）
電気化学装置は、第２タブと、ケース外に設けられた第２接続子と、をさらに備える。第２タブは、第２極片とケースとを接続し、第２タブは、第２極片に接続する第２接続領域と、ケースに接続する第３接続領域とを含む。第２接続子は、ケースに接続される。底壁に垂直な方向から見て、第２接続領域の幾何学中心と第３接続領域の幾何学中心とを結ぶ線は、第２基準線である。第３接続領域の幾何学中心を中心とし、第２接続領域の幾何学中心と第３接続領域の幾何学中心との間の線分の長さＬ２を半径として、第２基準線の両側の±４５°の扇形領域が第２領域となる。第２接続子の面積をＳ３とし、第２接続子と第２領域の重なり部分の面積をＳ４とする場合、Ｓ４／Ｓ３≧５０％を満たす。
電気化学装置は、第２タブと、ケース外に設けられた第２接続子と、をさらに備える。第２タブは、第２極片とケースとを接続し、第２タブは、第２極片に接続する第２接続領域と、ケースに接続する第３接続領域とを含む。第２接続子は、ケースに接続される。底壁に垂直な方向から見て、第２接続領域の幾何学中心と第３接続領域の幾何学中心とを結ぶ線は、第２基準線である。第３接続領域の幾何学中心を中心とし、第２接続領域の幾何学中心と第３接続領域の幾何学中心との間の線分の長さＬ２を半径として、第２基準線の両側の±４５°の扇形領域が第２領域となる。第２接続子の面積をＳ３とし、第２接続子と第２領域の重なり部分の面積をＳ４とする場合、Ｓ４／Ｓ３≧５０％を満たす。
【0007】
電気化学装置が充放電状態にあるとき、第１タブから発生される磁界と第１接続子から発生される磁界とが少なくとも部分的に相殺され、および／または、第２タブから発生される磁界と第２接続子から発生される磁界とが少なくとも部分的に相殺され、電気化学装置端面から生じる磁界が弱くなる。Ｓ２／Ｓ１及び／又はＳ４／Ｓ３の他の値に比べて、Ｓ２／Ｓ１≧５０％及び／又はＳ４／Ｓ３≧５０％の場合、電気化学装置端面の磁界が弱く、電気機器に対する電磁干渉が小さい。
【0008】
本開示のいくつかの態様において、上記電気化学装置は、以下の条件（ｉｉｉ）～（ｉｖ）の少なくとも１つをさらに満たす。
【0009】
条件（ｉｉｉ）はＳ２／Ｓ１≧７０％を満たすことである。
【0010】
条件（ｉｖ）はＳ４／Ｓ３≧７０％を満たすことである。
【0011】
Ｓ２／Ｓ１≧７０％および／またはＳ４／Ｓ３≧７０％のとき、電気化学装置端面に発生する磁界が小さく、端面での磁界強度の差が小さい。
【0012】
本開示のいくつかの態様において、電気化学装置は、以下の条件（ｖ）から（ｖｉ）の少なくとも一つをさらに満たす。
【0013】
条件（ｖ）
第１接続子は、第１電極から離れた端部に第４接続領域が設けられる。また、天壁に垂直な方向から見て、第４接続領域の幾何学中心と第１電極の幾何学中心とを結ぶ線と、第１接続領域の幾何学中心と第１電極の幾何学中心とを結ぶ線とがなす角をθとする場合、０°≦θ≦４５°を満たす。
第１接続子は、第１電極から離れた端部に第４接続領域が設けられる。また、天壁に垂直な方向から見て、第４接続領域の幾何学中心と第１電極の幾何学中心とを結ぶ線と、第１接続領域の幾何学中心と第１電極の幾何学中心とを結ぶ線とがなす角をθとする場合、０°≦θ≦４５°を満たす。
【0014】
条件（ｖｉ）
第２接続子は、第３接続領域から離れた端部に第５接続領域が設けられる。また、底壁に垂直な方向から見て、第５接続領域の幾何学中心と第３接続領域の幾何学中心とを結ぶ線と、第２接続領域の幾何学中心と第３接続領域の幾何学中心とを結ぶ線とがなす角をβとする場合、０°≦β≦４５°を満たす。
第２接続子は、第３接続領域から離れた端部に第５接続領域が設けられる。また、底壁に垂直な方向から見て、第５接続領域の幾何学中心と第３接続領域の幾何学中心とを結ぶ線と、第２接続領域の幾何学中心と第３接続領域の幾何学中心とを結ぶ線とがなす角をβとする場合、０°≦β≦４５°を満たす。
【0015】
θ＞４５°と比べ、θ≦４５°である場合、第１タブが発生する磁界と第１接続子が発生する磁界とがお互いに相殺する効果が高く、電気化学装置の電磁気特性がよい。β＞４５°と比べ、β≦４５°である場合、第２タブが発生する磁界と第２接続子が発生する磁界とがお互いに相殺する効果が高く、電気化学装置の電磁気特性がよい。
【0016】
本開示のいくつかの実施形態では、第１接続子は、第１電極から離れた端部に第４接続領域が設けられている。天壁に垂直な方向から見て、第４接続領域の幾何学中心と第１電極の幾何学中心とを結ぶ線は、第３基準線である。第１電極の幾何学中心を中心とし、第４接続領域の幾何学中心と第１電極の幾何学中心との間の線分の長さＬ３を半径として、第３基準線の両側の±４５°の扇形領域が第３領域となる。第２接続子と第３領域との重なり部分の面積をＳ５とする場合、Ｓ５／Ｓ３≧５０％を満たす。電気化学装置が充放電状態にあるとき、第１接続子が発生する磁界と第２接続子が発生する磁界とが少なくとも部分的に相殺され、電気化学装置全体が発生する磁界を弱めることができる。Ｓ５／Ｓ３＜５０％と比べ、Ｓ５／Ｓ３≧５０％である場合、第１接続子が発生する磁界と第２接続子が発生する磁界とがお互いに相殺する効果が高く、電気化学装置の電磁気特性がよい。
【0017】
本開示のいくつかの態様において、面積Ｓ５と面積Ｓ３との比は、Ｓ５／Ｓ３≧８５％を満たす。Ｓ５／Ｓ３≧８５％である場合、第１接続子が発生する磁界と第２接続子が発生する磁界とがお互いに相殺する効果がより高く、かつ、端面での磁界強度の差が小さい。
【0018】
本開示のいくつかの態様において、天壁に垂直な方向から見て、第１基準線と第２基準線とがなす角をαとする場合、０°≦α≦６０°を満たす。α＞６０°と比べ、０°≦α≦６０°である場合、第１タブが発生する磁界と第２タブが発生する磁界とがお互いに相殺する効果が高く、電気化学装置全体が発生する磁界は小さい。
【0019】
本願のいくつかの実施例では、電極組立体は捲回構造である。第１極片は、第１端部を有する第１活物質層を備え、第１端部は、捲回構造の巻き始め端に設けられている。第２極片は、第２端部を有する第２活物質層を備え、第２端部は、捲回構造の巻き始め端に設けられている。第１極片の長手方向に沿って、第１接続領域の幾何学中心と第１端部との間の距離をＤ１とし、第２極片の長手方向に沿って、第２接続領域の幾何学中心と第２端部との間の距離をＤ２とすると、０．５≦Ｄ１／Ｄ２≦２を満たす。Ｄ１／Ｄ２の他の値と比べ、０．５≦Ｄ１／Ｄ２≦２である場合、第１極片が発生する磁界と第２極片が発生する磁界とがお互いに相殺する効果が高く、電気化学装置が発生する磁界が電気機器に与える影響は小さい。さらに、０．９≦Ｄ１／Ｄ２≦１．１であると、第１極片が発生する磁界と第２極片が発生する磁界とがお互いに相殺する効果がよりよくなり、電気化学装置端面での磁界強度の差が小さい。
【0020】
本開示のいくつかの態様において、当該電気化学装置は、以下の条件（ａ）から（ｂ）の少なくとも一つをさらに満たす。
【0021】
条件（ａ）
第１接続子は、第１電極から離れた端部に第４接続領域が設けられている。天壁に垂直な方向から見て、第４接続領域の幾何学中心と第１電極の幾何学中心との間の線分の長さをＬ３とする場合、０．５≦Ｌ１／Ｌ３≦２を満たす。
第１接続子は、第１電極から離れた端部に第４接続領域が設けられている。天壁に垂直な方向から見て、第４接続領域の幾何学中心と第１電極の幾何学中心との間の線分の長さをＬ３とする場合、０．５≦Ｌ１／Ｌ３≦２を満たす。
【0022】
条件（ｂ）
第２接続子は、第３接続領域から離れた端部に第５接続領域が設けられている。底壁に垂直な方向から見て、第５接続領域の幾何学中心と第３接続領域の幾何学中心との線分の長さをＬ４とする場合、０．５≦Ｌ２／Ｌ４≦２を満たす。
第２接続子は、第３接続領域から離れた端部に第５接続領域が設けられている。底壁に垂直な方向から見て、第５接続領域の幾何学中心と第３接続領域の幾何学中心との線分の長さをＬ４とする場合、０．５≦Ｌ２／Ｌ４≦２を満たす。
【0023】
Ｌ１／Ｌ３の他の値と比べ、０．５≦Ｌ１／Ｌ３≦２である場合、第１タブが発生する磁界と第１接続子が発生する磁界とがお互いに相殺する効果が高く、電気化学装置の天壁側の各所における磁界強度の差が小さい。Ｌ２／Ｌ４の他の値と比べ、０．５≦Ｌ２／Ｌ４≦２である場合、第２タブが発生する磁界と第２接続子が発生する磁界とがお互いに相殺する効果が高く、電気化学装置底壁側の各所における磁界強度の差が小さい。
【0024】
本開示のいくつかの態様において、上記電気化学装置は、以下の（１）～（４）の条件の少なくとも一つをさらに満たす。（１）第１タブ及び第２タブが電極組立体の反対側に位置する。（２）頂壁は、対向する第１表面と第２表面とを有し、第１表面と第２表面とを貫通する貫通孔が設けられており、第１電極は貫通孔に設けられる。（３）天壁と第１電極との間には絶縁材が設けられる。（４）ケースは金属材料を含む。
【0025】
本発明の第２態様は、上記いずれかの実施形態に係る電気化学装置を備えた電気機器を提供する。上記電気化学装置は、自己が発生する磁界を弱め、良好な電磁気特性を持ち、自己磁界による電気機器への影響を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0026】
【図1】本開示の一実施形態に係る電気化学装置を示す第１立体図である。
【図2】本開示の一実施形態に係る電気化学装置を示す第２立体図である。
【図3】本開示の一実施形態に係る電気化学装置を示す部分断面図である。
【図4】本開示の一実施形態に係る第１電極の構成を示す図である。
【図5】本開示の一実施形態に係る電極組立体、第１タブ及び第２タブを示す第１立体図である。
【図6】本開示の一実施形態に係る電極組立体、第１タブ及び第２タブを示す第２立体図である。
【図7】本開示の一実施形態に係る電気化学装置を示す第３平面図である。
【図8】本開示の一実施形態に係る電極組立体、第１タブ及び第２タブを示す第３平面図である。
【図9】本開示の他の実施形態に係る電気化学装置を示す第４平面図である。
【図10】本開示の一実施形態に係る電気化学装置を示す第５平面図である。
【図11】本開示の一実施形態に係る電気化学装置を示す第６平面図である。
【図12】本開示の一実施形態に係る電気機器の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0027】
本開示は、以下の詳細な説明において上記の図面と併せてさらに説明される。
以下、本願実施例に係わる発明を、本願実施例における図面と共に説明するが、当然のことながら、記載された実施例は、本願の実施例の一部であって、全ての実施例に限定されるものではない。
以下、本願実施例に係わる発明を、本願実施例における図面と共に説明するが、当然のことながら、記載された実施例は、本願の実施例の一部であって、全ての実施例に限定されるものではない。
【0028】
なお、１つの要素がもう１つの要素に「接続される」と考えられる場合、それは前記もう１つの要素に直接に接続されてもよいし、他の要素を介して前記もう１つの要素に接続されてもよい。ある要素がもう１つの要素に「設けられる」と記載されている場合、それは前記もう１つの要素に直接に設けられてもよいし、他の要素を介して前記もう１つの要素に設けられてもよい。
【0029】
本明細書において用いられる技術および科学の用語は、特に定義されない限り、本開示の技術分野に属する当業者が通常理解する意味合いと同義である。本願明細書において使用される用語は、具体的な実施例を記述する目的のみであり、本願を制限することを意図するものではない。
【0030】
本発明の第１態様は、ケースと、ケース内に収容された電極組立体とを含む電気化学装置を提供する。ケースは、第１電極が設けられた天壁と、側壁と、底壁とを含む。電極組立体は、第１極片と第２極片とを含む。当該電気化学装置は、以下の条件（ｉ）から（ｉｉ）の少なくとも一つを満たす。
【0031】
条件（ｉ）
電気化学装置は、第１タブと、ケース外に設けられた第１接続子と、をさらに備える。第１タブは、第１極片と第１電極とを接続し、第１タブは、第１極片に接続する第１接続領域を有する。第１接続子は、第１電極に接続される。天壁に垂直な方向から見て、第１接続領域の幾何学中心と第１電極の幾何学中心とを結ぶ線は、第１基準線である。第１電極の幾何学中心を中心とし、第１接続領域の幾何学中心と第１電極の幾何学中心との間の線分の長さＬ１を半径として、第１基準線の両側の±４５°の扇形の領域が第１領域となる。第１接続子の面積をＳ１とし、第１接続子と第１領域の重なり部分の面積をＳ２とする場合、Ｓ２／Ｓ１≧５０％を満たす。
電気化学装置は、第１タブと、ケース外に設けられた第１接続子と、をさらに備える。第１タブは、第１極片と第１電極とを接続し、第１タブは、第１極片に接続する第１接続領域を有する。第１接続子は、第１電極に接続される。天壁に垂直な方向から見て、第１接続領域の幾何学中心と第１電極の幾何学中心とを結ぶ線は、第１基準線である。第１電極の幾何学中心を中心とし、第１接続領域の幾何学中心と第１電極の幾何学中心との間の線分の長さＬ１を半径として、第１基準線の両側の±４５°の扇形の領域が第１領域となる。第１接続子の面積をＳ１とし、第１接続子と第１領域の重なり部分の面積をＳ２とする場合、Ｓ２／Ｓ１≧５０％を満たす。
【0032】
条件（ｉｉ）
電気化学装置は、第２タブと、ケース外に設けられた第２接続子と、をさらに備える。第２タブは、第２極片とケースとを接続し、第２タブは、第２極片に接続する第２接続領域と、ケースに接続する第３接続領域とを含む。第２接続子は、ケースに接続される。底壁に垂直な方向から見て、第２接続領域の幾何学中心と第３接続領域の幾何学中心とを結ぶ線は、第２基準線である。第３接続領域の幾何学中心を中心とし、第２接続領域の幾何学中心と第３接続領域の幾何学中心との間の線分の長さＬ２を半径として、第二基準線の両側の±４５°の扇形領域が第二領域となる。第二接続子の面積をＳ３とし、第二接続子と第二領域の重なり部分の面積をＳ４とする場合、Ｓ４／Ｓ３≧５０％を満たす。
電気化学装置は、第２タブと、ケース外に設けられた第２接続子と、をさらに備える。第２タブは、第２極片とケースとを接続し、第２タブは、第２極片に接続する第２接続領域と、ケースに接続する第３接続領域とを含む。第２接続子は、ケースに接続される。底壁に垂直な方向から見て、第２接続領域の幾何学中心と第３接続領域の幾何学中心とを結ぶ線は、第２基準線である。第３接続領域の幾何学中心を中心とし、第２接続領域の幾何学中心と第３接続領域の幾何学中心との間の線分の長さＬ２を半径として、第二基準線の両側の±４５°の扇形領域が第二領域となる。第二接続子の面積をＳ３とし、第二接続子と第二領域の重なり部分の面積をＳ４とする場合、Ｓ４／Ｓ３≧５０％を満たす。
【0033】
電気化学装置が充放電状態にあるとき、第１タブから発生される磁界と第１接続子から発生される磁界とが少なくとも部分的に相殺され、および／または、第２タブから発生される磁界と第２接続子から発生される磁界とが少なくとも部分的に相殺され、電気化学装置端面から生じる磁界が弱くなる。Ｓ２／Ｓ１及び／又はＳ４／Ｓ３の他の値に比べて、Ｓ２／Ｓ１≧５０％及び／又はＳ４／Ｓ３≧５０％の場合、電気化学装置端面の磁界が弱く、電気機器に対する電磁干渉が小さい。
【0034】
例示として、電気化学装置が水平面に設けられて、底壁が下、天壁が上にある場合を例としてさらに説明する。
【0035】
以下、図面を参照して、本開示の実施例をさらに説明する。
【0036】
図１、図２、及び図３に示すように、本開示の実施形態は、ケース１と、電極組立体２と、第１タブ３と、第２タブ４と、第一接続子５と、第２接続子６とを備える電気化学装置１００を提供する。電極組立体２、第１タブ３及び第２タブ４は、ケース１の内部に設けられており、電極組立体２は、第１タブ３と第２タブ４とを接続している。第１接続子５及び第２接続子６は、ケース１外に設けられ、第１接続子５と第１タブ３とが電気的に接続され、第２接続子６と第２タブ４とが電気的に接続されている。第１接続子５及び第２接続子６は電気機器と接続するためのものであり、電気化学装置１００が電気機器に給電することができる。
【0037】
ケース１は、天壁１１、側壁１２、及び底壁１３を備え、天壁１１、側壁１２、及び底壁１３は、囲んで収納空間１４を形成し、電極組立体２、第１タブ３、及び第２タブ４は、収納空間１４内に設けられている。
【0038】
天壁１１には、第１タブ３と第１接続子５とを接続する第１電極１１１が設けられている。
【0039】
一実施形態において、天壁１１は、貫通孔１１４が設けられ、お互いに背離する第１表面１１２及び第２表面１１３を含み、貫通孔１１４は第１表面１１２および第２表面１１３を貫し、第１表面は天壁１１の収納空間１４に対向する一側に位置し、第２表面１１３は天壁１１の収納空間１４から背離する一側に位置する。
【0040】
第１電極１１１は、少なくとも一部が貫通孔１１４内に設けられている。一実施形態において、電気化学装置１００は絶縁材７をさらに備え、絶縁材７は、天壁１１と第１電極１１１との間に設けられ、天壁１１と第１電極１１１とを接続して天壁１１と第１電極１１１とを絶縁し、電気化学装置１００が短絡するリスクを低減する。
【0041】
一実施形態において、第１電極１１１の材質は、アルミニウムや銅金属を含むが、これらに限られない。
【0042】
一実施形態において、底壁１３は、第２タブ４と第２接続子６とを接続し、第２タブ４と第２接続子６とを電気的に接続する導電部１３１を含む。一実施形態において、導電部１３１は金属材料を含む。
【0043】
一実施形態において、第１接続子５は、金属材料を含む。一実施形態において、第２接続子６は、金属材料を含む。
【0044】
別の実施形態において、第１電極１１１は貫通孔１１４内に設けられてもよく（図示せず）、絶縁材７は第１電極１１１と貫通孔１１４の内壁との間に設けられてもよい。
【0045】
図３及び図４に示すように、第１電極１１１は、第１部分１１１１と第２部分１１１２とを含む。第１部分１１１１は、第３表面１１１１ａを有し、第２部分１１１２は、第３表面１１１１ａよりも突出している。第１部分１１１１は、収納空間１４内に設けられており、第２部分１１１２は、貫通孔１１４内に位置している。
【0046】
理解及び記述の便宜のため、以下では、天壁１１に垂直な方向を第３方向Ｚとし、第３方向Ｚに沿って見て、第１接続子５の長手方向を第１方向Ｘとし、第２接続子６の長手方向を第２方向Ｙとして、さらに説明する。
【0047】
一実施形態において、絶縁材７は、リング構造であり、第１電極１１１の第２の部分１１１２は、リング構造を貫通する。
【0048】
一実施形態において、絶縁材７は、シーラント材によって構成されているが、これに限られない。
【0049】
図５および図６に示すように、電極組立体２は、第１極片２１と、第２極片２２と、第１極片２１と第２極片２２との間に設けられた分離膜２３とを含む。一実施形態において、第１極片２１、分離膜２３及び第２極片２２は捲回されて設けられる。
【0050】
第１極片２１及び第２極片２２は、一方が正極片であり、他方が負極片である。
【0051】
第１タブ３及び第２タブ４の一方は正タブであり、他方は負タブである。
【0052】
第１極片２１は、第１活物質層２１１を含み、第１タブ３は、第１接続領域３１を有し、第１タブ３は、第１接続領域３１において第１極片２１と接続されている。
【0053】
第２極片２２は、第２活物質層２２１を含み、第２タブ４は、第２接続領域４１を有し、第２タブ４は、第２接続領域４１において第２極片２２と接続されている。
【0054】
一実施形態において、第１タブ３は電極組立体２の一方側に位置し、第２タブ４は電極組立体２の対向する他方側に位置する。別の実施形態において、第１タブ３及び第２タブ４は、電極組立体２の同じ側に位置してもよい（図示せず）。
【0055】
電極組立体２は、捲回構造である。一実施形態において、第１活物質層２１１は、巻き構造の巻き始め端に設けられた第１端部２１１１を含み、第２活物質層２２１は、巻き構造の巻き始め端に設けられた第２端部２２１１を含む。
【0056】
第１極片２１の長手方向に沿って、第１接続領域３１の幾何学中心と第１端部２１１１との間の距離をＤ１とする。第２極片２２の長手方向に沿って、第２接続領域４１の幾何学中心と第２端部２２１１との間の距離をＤ２とする。好ましくは、０．５≦Ｄ１／Ｄ２≦２である。
【0057】
電気化学装置１００が充放電状態にあるとき、第１端部２１１１から第１接続領域３１までの間の電流の向きと、第２端部２２１１から第２接続領域４１までの間の電流の向きとが逆となり、第１極片２１と第２極片２２とにおいて逆電流により発生する磁界は少なくとも部分的に相殺することができ、電気化学装置１００が発生する磁界が電気機器に与える影響を低減することができる。
【0058】
さらに、好ましくは、０．９≦Ｄ１／Ｄ２≦１．１である。０．９≦Ｄ１／Ｄ２≦１．１である場合、第１極片２１が発生する磁界と第２極片２２が発生する磁界とがお互いに相殺する効果がより高く、電気化学装置１００の端面各所の磁界強度の差が小さくなる。
図１、図２及び図３を参照して、第２タブ４は、第３接続領域４２をさらに有し、第２タブ４は、第３接続領域４２において底壁１３の導電部１３１に接続されている。
図１、図２及び図３を参照して、第２タブ４は、第３接続領域４２をさらに有し、第２タブ４は、第３接続領域４２において底壁１３の導電部１３１に接続されている。
【0059】
第１接続子５は、第１電極１１１から離れた端部に第４接続領域５１が設けられ、第２接続子６は、第３接続領域４２から離れた端部に第５接続領域６１が設けられ、第４接続領域５１及び第５接続領域６１は電気機器と接続して、電気化学装置１００を電気機器に電気的に接続する。
【0060】
図５、図６および図７を併せて参照して、第３方向Ｚに沿って見ると、第４接続領域５１の幾何学中心と第１電極１１１の幾何学中心との間を結ぶ線をＷ１とし、第１接続領域３１の幾何学中心と第１電極１１１の幾何学中心との間を結ぶ線をＷ２とし、線Ｗ１と線Ｗ２とがなす角をθとする。
【0061】
本願において、θは、第３方向Ｚに沿って見て、第１電極１１１の幾何学中心を端点とし、第４接続領域５１の幾何学中心を通る線と、第１接続領域３１の幾何学中心を通る線とがなす角度である。
【0062】
一実施形態において、０°≦θ≦４５°である。電気化学装置１００が充放電状態にあるとき、第３方向Ｚに沿って見ると、第１タブ３および第１接続子５に流れる電流の向きが逆になり易く、第１タブ３が発生する磁界と第１接続子５が発生する磁界とが少なくとも部分的に相殺され、電気化学装置１００の天壁１１側で発生する磁界が弱まり、電気化学装置１００が発生する磁界が電気機器に与える影響を低減する。θ＞４５°と比べ、θ≦４５°である場合、第１タブ３が発生する磁界と第１接続子５が発生する磁界とがお互いに相殺する効果が高く、電気化学装置１００の電磁気特性がよい。
【0063】
第３方向Ｚから見て、第５接続領域６１の幾何学中心と第３接続領域４２の幾何学中心との間の結ぶ線をＷ３とし、第２接続領域４１の幾何学中心と第３接続領域４２の幾何学中心との間を結ぶ線をＷ４とし、線Ｗ３と線Ｗ４とのなす角をβとする。
【0064】
本願において、βは、第３方向Ｚから見て、第３接続領域４２の幾何学中心を端点とし、第５接続領域６１の幾何学中心を通る線と第２接続領域４１の幾何学中心を通る線とがなす角度である。
【0065】
一実施形態において、０°≦β≦４５°である。電気化学装置１００が充放電状態にあるとき、第３方向Ｚに沿って見ると、第２タブ4および第２接続子６に流れる電流の向きが逆になり易く、第２タブ４が発生する磁界と第２接続子６が発生する磁界とが少なくとも部分的に相殺され、電気化学装置１００の底壁１３側で発生する磁界が弱まり、電気化学装置１００が発生する磁界が電気機器に与える影響を低減する。β＞４５°と比べ、β≦４５°である場合、第２タブ４が発生する磁界及びインダクタンスと、第２接続子６が発生する磁界及びインダクタンスとがお互いに相殺する効果が高く、電気化学装置１００の電磁気特性がよい。
【0066】
第３方向Ｚから見て、第１接続領域３１の幾何学中心と第１電極１１１の幾何学中心との間の線分の長さをＬ１とし、第４接続領域５１の幾何学中心と第１電極１１１の幾何学中心との間の線分の長さをＬ３とする。
【0067】
好ましくは、０．５≦L1／L3≦２である。Ｌ１／Ｌ３の他の値と比べ、０．５≦Ｌ１／Ｌ３≦２である場合、第１タブ３が発生する磁界と第１接続子５が発生する磁界とがお互いに相殺する効果が高く、電気化学装置１００が発生する磁界が電気機器に与える影響が小さい。好ましくは、０．９≦L1／L3≦１．１である。
【0068】
第３方向Ｚから見て、第２接続領域４１の幾何学中心と第３接続領域４２の幾何学中心との間の線分の長さをＬ２とし、第５接続領域６１の幾何学中心と第３接続領域４２の幾何学中心との間の線分の長さをＬ４とする。
【0069】
一実施形態において、０．５≦Ｌ２／Ｌ４≦２である。Ｌ２／Ｌ４の他の値と比べ、０．５≦Ｌ２／Ｌ４≦２である場合、第２タブ４が発生する磁界と第２接続子６が発生する磁界とがお互いに相殺する効果が高く、電気化学装置１００が発生する磁界が電気機器に与える影響が小さい。好ましくは、０．９≦L2／L4≦１．１である。
【0070】
一実施形態において、線Ｗ２と線Ｗ４とがなす角は、０°≦α≦６０°であることが好ましい。電気化学装置１００が充放電状態にあるとき、第１タブ３が発生する磁界と第２タブ4が発生する磁界とが少なくとも部分的に相殺され、電気化学装置１００全体で発生する磁界が弱まり、電気化学装置１００が発生する磁界が電気機器に与える影響を低減する。本願において、挟角αは、線Ｗ２と線Ｗ４または両者の延長線との交点から第１接続領域３１の幾何学中心までの線と当該交点から第２接続領域４１の幾何学中心までの線との挟角である。
【0071】
図８及び図９に示すように、第３方向Ｚから見て、線Ｗ２を第１基準線とし、第１電極１１１の幾何学中心を中心とし、線分の長さＬ１を半径とし、第１基準線の両側の±４５°の扇形領域を第１領域Ａ１となり、第１接続子５の面積をＳ１とし、第１接続子５と第１領域Ａ１との重なり部分の面積をＳ２とする。
【0072】
好ましくは、Ｓ２／Ｓ１≧５０％である。Ｓ２／Ｓ１＜５０％と比べ、Ｓ２／Ｓ１≧５０％である場合、第１タブ３が発生する磁界と第１接続子５が発生する磁界とがお互いに相殺する効果が高く、電気化学装置１００の天壁１１側で発生する磁界が、電気機器に与える影響が小さい。
【0073】
好ましくは、Ｓ２／Ｓ１≧７０％である。Ｓ２／Ｓ１≧７０％のとき、第１タブ３が発生する磁界と第１接続子５が発生する磁界とがお互いに相殺する効果がより高く、かつ、天壁１１側の各所における磁界の差が小さい。
【0074】
一実施形態において、第３方向Ｚから見て、線Ｗ４を第２基準線とし、第３接続領域４２の幾何学中心を中心とし、線分の長さＬ２を半径とすると、第２基準線の両側±４５°の扇形領域が第２領域Ａ２となり、第２接続子６の面積をＳ３とし、第２接続子６と第２領域Ａ２との重なり部分の面積をＳ４とする。
【0075】
好ましくは、S４／S３≧50%である。Ｓ４／Ｓ３＜５０％と比べ、Ｓ４／Ｓ３≧５０％である場合、第２タブ４が発生する磁界と第２接続子６が発生する磁界とがお互いに相殺する効果が高く、電気化学装置１００の底壁１３側で発生する磁界が電気機器に与える影響は小さい。
【0076】
さらに、Ｓ４／Ｓ３≧７０％である。Ｓ４／Ｓ３≧７０％のとき、第２タブ４が発生する磁界と第２接続子６が発生する磁界とがお互いに相殺する効果がより高く、かつ、底壁１３側の各所における磁界の差が小さい。
【0077】
図１０及び図１１に示すように、一実施形態において、第３方向Ｚから見て、線Ｗ１を第３基準線とし、第１電極１１１の幾何学中心を中心とし、線分の長さＬ３を半径とすると、第３基準線の両側の±４５°の扇形の領域を第３領域Ａ３となり、第２接続子６と第３領域Ａ３との重なり部分の面積をＳ５とする。
【0078】
一実施形態において、Ｓ５／Ｓ３≧５０％である。電気化学装置１００が充放電状態にあるとき、第１接続子５が発生する磁界と第２接続子６が発生する磁界とが少なくとも部分的に相殺するため、電気化学装置１００全体が発生する磁界が弱まり、電気化学装置１００が発生する磁界が電気機器に与える影響を低減することができる。
【0079】
好ましくは、Ｓ５／Ｓ３≧８５％である。Ｓ５／Ｓ３≧８５％であると、第１接続子５が発生する磁界と第２接続子６が発生する磁界とがお互いに相殺する効果がより高く、電気化学装置１００の天壁１１側及び底壁１３側の各所における磁界の差が小さい。
【0080】
本願の電気化学装置１００が発生する磁界の低減効果を検証するため、以下の複数の比較試験を行っている。
【0081】
試験－１：
第１タブを正タブ、第２タブを負タブ、挟角βを０°、Ｓ４／Ｓ３の値を１００％、挟角αを０°、Ｄ１／Ｄ２の値を０．９４１８とし、Ｓ２／Ｓ１及び挟角θの大きさを変えて、天壁１１側の磁束密度Ｂを記録する。
第１タブを正タブ、第２タブを負タブ、挟角βを０°、Ｓ４／Ｓ３の値を１００％、挟角αを０°、Ｄ１／Ｄ２の値を０．９４１８とし、Ｓ２／Ｓ１及び挟角θの大きさを変えて、天壁１１側の磁束密度Ｂを記録する。
【0082】
本願では、磁束密度は、磁気誘導強度とも呼ばれ、磁界の強弱を表すことができる。磁束密度の数値が大きいほど、磁界が強いことを表し、磁界が強いほど、電気化学装置１００が発生する磁界に対する低減効果が小さいことを示す。磁束密度の数値が小さいほど、磁界が弱いことを表し、磁界が弱いほど、電気化学装置１００が発生する磁界に対する低減効果が大きいことを示す。
【0083】
【表1】
【0084】
表１より分かるように、Ｓ２／Ｓ１が１００％、θが０°のとき、磁束密度Ｂは約４．５６×１０－６Ｔである。Ｓ２／Ｓ１が５０％、θが４７°のとき、磁束密度Ｂは、約６．７３×１０－６Ｔ（約８２／Ｓ１が１００％、θが０°のときの１．４８倍）である。Ｓ２／Ｓ１が０％、θが７０°のとき、磁束密度Ｂは、約７．４７×１０－６Ｔ（約S1が100２／Ｓ１が１００％、θが０°のときの１．６であり、Ｓ２／Ｓ１が０％、θが１８０°のとき、磁束密度Ｂは、約９．８３×１０－６Ｔ（約８２／Ｓ１が１００％、θが０°のときの２．１６倍）である。
【0085】
Ｓ２／Ｓ１が１００％のとき、第３方向Ｚから見て、第１接続子５の投影と第１領域Ａ１の投影とが重なり、電気化学装置１００の電磁気特性がよい。そして、挟角θの値が小さくなるに従って、電気化学装置１００の電磁気特性が徐々に最適化される。
【0086】
試験－２：
第１タブを正タブ、第２タブを負タブ、挟角をθ０°、S２／Ｓ１の値を１００％、挟角βを０°とし、S５／S３、挟角αおよびD１／D２の大きさを変えて、天壁１１側の磁束密度Ｂ１および底壁１３側の磁束密度Ｂ２を記録する。
第１タブを正タブ、第２タブを負タブ、挟角をθ０°、S２／Ｓ１の値を１００％、挟角βを０°とし、S５／S３、挟角αおよびD１／D２の大きさを変えて、天壁１１側の磁束密度Ｂ１および底壁１３側の磁束密度Ｂ２を記録する。
【0087】
【表2】
【0088】
表２より分かるように、Ｓ５／Ｓ３が１００％、αが０°のとき、磁束密度Ｂ１は約４．５６０×１０－６Ｔであり、磁束密度Ｂ２は約３．３９０×１０－６Ｔである。Ｓ５／Ｓ３が５５％、αが４５°のとき、磁束密度Ｂ１は約５．２６５×１０－６Ｔ（約S５／Ｓ３が１００％、αが０°のときの１．１５倍）であり、磁束密度Ｂ２は約４．１１５×１０－６Ｔ（約５／Ｓ３が１００％、αが０°のときの１．２１倍）である。Ｓ５／Ｓ３が０％、αが９０°のとき、磁束密度Ｂ１は約５．９４０×１０－６Ｔ（約S５／Ｓ３が１００％、αが０°のときの１．３０倍）であり、磁束密度Ｂ２は約４．８５０×１０－６Ｔ（約S５／Ｓ３が１００％、αが０°のときの１．４３倍）である。
【0089】
Ｓ２／Ｓ１が１００％のとき、第３方向Ｚから見て、第２接続子６の投影と第１領域Ａ３の投影とが重なり、電気化学装置１００の電磁気特性がよい。そして、α値が小さくなるに従って、電気化学デバイス１００の電磁気特性が徐々に最適化され、電気化学装置１００の天壁１１側及び底壁１３側の磁束密度はさらに顕著に低下する。
【0090】
図１２に示すように、本出願の実施形態は、機器本体２１０と、上述のいずれかの実施形態に係る電気化学装置１００とを備え、電気化学装置１００が機器本体２１０に設けられた電気機器２００をさらに提供する。電気化学装置１００は、自己が発生する磁界を弱め、良好な電磁気特性を持ち、自己磁界が電気機器に与える影響を低減することができる。
【0091】
また、当業者は、本願の精神内でその他の変更を行うことも可能であり、当然のことながら、本願の精神に基づく変更は、本願において開示されている範囲に含まれる。
【符号の説明】
【0092】
１００ 電気化学装置
１ ケース
１１ 天壁
１１１ 第１電極
１１１１ 第１部分
１１１１ａ 第３表面
１１１２ 第２部分
１１２ 第１表面
１１３ 第２表面
１１４ 貫通孔
１２ 側壁
１３ 底壁
１３１ 導電部
１４ 収容空間
２ 電極組立体
２１ 第１極片
２１１ 第１活物質層
２１１１ 第１端部
２２ 第２極片
２２１ 第２活物質層
２２１１ 第２端部
２３ 分離膜
３ 第１タブ
３１ 第１接続領域
４ 第２タブ
４１ 第２接続領域
４２ 第３接続領域
５ 第１接続子
５１ 第４接続領域
６ 第２接続子
６１ 第５接続領域
７ 絶縁材
Ｗ１ 第４接続領域の幾何学中心と第１電極の幾何学中心とを結ぶ線
Ｗ２ 第１接続領域の幾何学中心と第１電極の幾何学中心とを結ぶ線
Ｗ３ 第５接続領域の幾何学中心と第３接続領域の幾何学中心とを結ぶ線
Ｗ４ 第２接続領域の幾何学中心と第３接続領域の幾何学中心とを結ぶ線
Ｌ１ 第１接続領域の幾何学中心と第１電極の幾何学中心との線分の長さ
Ｌ２ 第２接続領域の幾何学中心と第３接続領域の幾何学中心との線分の長さ
Ｌ３ 第４接続領域の幾何学中心と第１電極の幾何学中心との線分の長さ
Ｌ４ 第５接続領域の幾何学中心と第３接続領域の幾何学中心との線分の長さ
Ａ１ 第１領域
Ａ２ 第２領域
Ａ３ 第３領域
２００ 電気機器
２１０ 機器本体
Ｘ 第１方向
Ｙ 第２方向
Ｚ 第３方向
１ ケース
１１ 天壁
１１１ 第１電極
１１１１ 第１部分
１１１１ａ 第３表面
１１１２ 第２部分
１１２ 第１表面
１１３ 第２表面
１１４ 貫通孔
１２ 側壁
１３ 底壁
１３１ 導電部
１４ 収容空間
２ 電極組立体
２１ 第１極片
２１１ 第１活物質層
２１１１ 第１端部
２２ 第２極片
２２１ 第２活物質層
２２１１ 第２端部
２３ 分離膜
３ 第１タブ
３１ 第１接続領域
４ 第２タブ
４１ 第２接続領域
４２ 第３接続領域
５ 第１接続子
５１ 第４接続領域
６ 第２接続子
６１ 第５接続領域
７ 絶縁材
Ｗ１ 第４接続領域の幾何学中心と第１電極の幾何学中心とを結ぶ線
Ｗ２ 第１接続領域の幾何学中心と第１電極の幾何学中心とを結ぶ線
Ｗ３ 第５接続領域の幾何学中心と第３接続領域の幾何学中心とを結ぶ線
Ｗ４ 第２接続領域の幾何学中心と第３接続領域の幾何学中心とを結ぶ線
Ｌ１ 第１接続領域の幾何学中心と第１電極の幾何学中心との線分の長さ
Ｌ２ 第２接続領域の幾何学中心と第３接続領域の幾何学中心との線分の長さ
Ｌ３ 第４接続領域の幾何学中心と第１電極の幾何学中心との線分の長さ
Ｌ４ 第５接続領域の幾何学中心と第３接続領域の幾何学中心との線分の長さ
Ａ１ 第１領域
Ａ２ 第２領域
Ａ３ 第３領域
２００ 電気機器
２１０ 機器本体
Ｘ 第１方向
Ｙ 第２方向
Ｚ 第３方向
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【国際調査報告】