特表 2024-538901 共振器、共振器アセンブリ、フィルタ、電子機器及び製作方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-10-28

(54)【発明の名称】共振器、共振器アセンブリ、フィルタ、電子機器及び製作方法

(51)【国際特許分類】

   H03H 9/17 20060101AFI20241018BHJP

   H03H 3/02 20060101ALI20241018BHJP

【ＦＩ】

H03H9/17 F

H03H3/02

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023571495

(86)(22)【出願日】2022-11-30

(85)【翻訳文提出日】2023-11-17

(86)【国際出願番号】 CN2022135593

(87)【国際公開番号】W WO2024066021

(87)【国際公開日】2024-04-04

(31)【優先権主張番号】202211230473.1

(32)【優先日】2022-09-30

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】520296211

【氏名又は名称】見聞録（浙江）半導体有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＪＷＬ （ＺＨＥＪＩＡＮＧ） ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ ＣＯ．， ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】ＢＵＩＬＤＩＮＧ ３， ＮＯ．５５， ＤＡＣＨＵＡＮＷＡＮ ＲＯＡＤ， ＬＯＮＧＸＩ ＳＵＢ－ＤＩＳＴＲＩＣＴ， ＨＵＺＨＯＵ， ＺＨＥＪＩＡＮＧ ３１３０００， ＣＨＩＮＡ

(74)【代理人】

【識別番号】100130513

【弁理士】

【氏名又は名称】鎌田 直也

(74)【代理人】

【識別番号】100074206

【弁理士】

【氏名又は名称】鎌田 文二

(74)【代理人】

【識別番号】100130177

【弁理士】

【氏名又は名称】中谷 弥一郎

(74)【代理人】

【識別番号】100161746

【弁理士】

【氏名又は名称】地代 信幸

(72)【発明者】

【氏名】リ リンピン

【テーマコード（参考）】

5J108

【Ｆターム（参考）】

5J108AA07

5J108BB00

5J108DD06

5J108EE03

(57)【要約】

本願は、共振器、共振器アセンブリ、フィルタ、電子機器及び製作方法を提供し、前記共振器は、対向する第１表面及び第２表面を有する基板と、第１表面から離れて突起した第１突起部分と、第１表面に位置する第１平坦部分とを含む、前記第１表面に位置する第１電極であって、前記第１突起部分と前記第１表面との間にキャビティが形成される第１電極と、前記第１電極の前記基板から離反する側に位置し、前記第１表面と平行である圧電層と、前記圧電層の前記第１電極から離反する側に位置する第２電極と、を含む。圧電層が前記第１表面と平行であるため、圧電層全体での応力変化の幅が小さく、これにより、圧電層の圧電性能の整合性を保証し、同時に、圧電層のひずみが小さいため、機械構造が比較的に安定であり、外界の衝撃に直面する場合に破壊しにくい。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

共振器であって、
対向する第１表面及び第２表面を有する基板と、
前記第１表面から離れて突起した第１突起部分と、前記第１表面に位置する第１平坦部分とを含む、前記第１表面に位置する第１電極であって、前記第１突起部分と前記第１表面との間にキャビティが形成される第１電極と、
前記第１電極の前記基板から離反する側に位置し、前記第１表面と平行である圧電層と、
前記圧電層の前記第１電極から離反する側に位置する第２電極と、を含む、
ことを特徴とする共振器。

【請求項2】

前記第１電極の第１平坦部分と、前記圧電層と、の間に第１隙間を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の共振器。

【請求項3】

前記第１隙間は、空気隙間を含むか、又は誘電体材料が充填されている、
ことを特徴とする請求項２に記載の共振器。

【請求項4】

少なくとも一側の前記第１平坦部分の外側に支持構造が接続されており、前記支持構造は前記第１突起部分と面一である、
ことを特徴とする請求項１に記載の共振器。

【請求項5】

前記支持構造は、
前記第１表面から離れて突起した第２突起部分と、前記第１表面に位置する第２平坦部分と、を含む、
ことを特徴とする請求項４に記載の共振器。

【請求項6】

前記支持構造は、導電性材料又は非導電性材料である、
ことを特徴とする請求項４に記載の共振器。

【請求項7】

前記支持構造の第２突起部分と前記第１表面との間に第２隙間を有する、
ことを特徴とする請求項４に記載の共振器。

【請求項8】

前記第２隙間内に充填された媒体は、空気、低音響インピーダンス媒体、又は両者の組み合わせを含む、
ことを特徴とする請求項７に記載の共振器。

【請求項9】

共振器アセンブリであって、請求項１～８のいずれかの１項に記載の共振器を複数含み、少なくとも１つの前記共振器は別の前記共振器と相互に接続される、
ことを特徴とする共振器アセンブリ。

【請求項10】

１つの前記共振器と別の前記共振器との相互接続領域の圧電層と、前記第１電極との間及び／又は前記第１表面との間に第３隙間を有する、
ことを特徴とする請求項９に記載の共振器アセンブリ。

【請求項11】

前記第３隙間は、空気隙間を含むか、又は誘電体材料が充填されている、
ことを特徴とする請求項１０に記載の共振器アセンブリ。

【請求項12】

前記第３隙間上方の圧電層、及び前記第１突起部分と前記第１平坦部分との間の第１電極に、エッチング試薬を投入して前記第３隙間及び前記キャビティを形成するために、解放孔を設ける、
ことを特徴とする請求項１０に記載の共振器アセンブリ。

【請求項13】

１つの前記共振器は別の前記共振器の第１電極と相互に接続され、
或いは、１つの前記共振器は別の前記共振器の第２電極と相互に接続され、
或いは、１つの前記共振器の第１電極は別の前記共振器の第２電極と相互に接続される、
ことを特徴とする請求項９に記載の共振器アセンブリ。

【請求項14】

１つの前記共振器は別の前記共振器の第１電極と支持構造を介して相互に接続され、
或いは、１つの前記共振器の第２電極は支持構造を介して別の前記共振器の第１電極に接続される、
ことを特徴とする請求項９に記載の共振器アセンブリ。

【請求項15】

１つの前記共振器の第２電極は、別の前記共振器の圧電層を通るビアホールを介して別の前記共振器の第１電極に接続される、
ことを特徴とする請求項１３又は１４に記載の共振器アセンブリ。

【請求項16】

前記共振器の第１電極及び／又は第２電極の外部接続端は、前記支持構造を介してランド、キャパシタンス、又はインダクタンスに接続される、
ことを特徴とする請求項１４に記載の共振器アセンブリ。

【請求項17】

請求項１～８のいずれかの１項に記載の共振器を含む、
ことを特徴とするフィルタ。

【請求項18】

請求項１～８のいずれかの１項に記載の共振器を含む、
ことを特徴とする電子機器。

【請求項19】

共振器の製作方法であって、
対向する第１表面及び第２表面を有する基板を提供するステップと、
前記第１表面に第１電極を形成するステップであって、前記第１電極は、前記第１表面から離れて突起した第１突起部分と、前記第１表面に位置する第１平坦部分とを含み、前記第１突起部分と前記第１表面との間にキャビティが形成されるステップと、
前記第１電極の前記基板から離反する側に圧電層を形成するステップであって、前記圧電層は前記第１表面と平行であるステップと、
前記圧電層の前記第１電極から離反する側に第２電極を形成するステップと、を含む、
ことを特徴とする共振器の製作方法。

【請求項20】

前記キャビティの形成方法は、
前記キャビティを形成しようとする領域に第１犠牲層を形成し、前記第２電極を形成した後、前記第１犠牲層を除去するステップを含む、
ことを特徴とする請求項１９に記載の製作方法。

【請求項21】

前記第１電極の第１平坦部分と、前記圧電層と、の間に第１隙間が形成されている、
ことを特徴とする請求項１９に記載の製作方法。

【請求項22】

前記第１隙間の形成方法は、
前記第１隙間を形成しようとする領域に第２犠牲層を形成し、前記第２電極を形成した後、前記第２犠牲層を除去するステップ、
或いは、前記第１隙間を形成しようとする領域に媒体層を形成するステップを含む、
ことを特徴とする請求項２１に記載の製作方法。

【請求項23】

前記圧電層の形成の前に、
前記第１電極の外側に支持構造を形成するステップであって、前記支持構造は、前記第１表面から離れて突起した第２突起部分と、前記第１表面に位置する第２平坦部分と、を含み、前記第２突起部分は前記第１突起部分と面一であるステップをさらに含む、
ことを特徴とする請求項１９に記載の製作方法。

【請求項24】

前記第２突起部分と前記第１表面との間に第２隙間を有し、
前記支持構造の形成方法は、
前記第２隙間を形成しようとする領域に第３犠牲層を形成し、前記第３犠牲層に前記支持構造を形成し、前記第２電極を形成した後、前記第３犠牲層を除去するステップ、
或いは、前記第２隙間を形成しようとする領域に媒体層を形成し、前記媒体層に前記支持構造を形成するステップを含む、
ことを特徴とする請求項２３に記載の製作方法。

【請求項25】

前記支持構造は前記第１電極と同時に一体形成される、
ことを特徴とする請求項２３に記載の製作方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本願は、半導体分野に属し、具体的には、共振器、共振器アセンブリ、フィルタ、電子機器及び製作方法に関する。本願は、２０２２年０９月３０日にて中国特許庁に提出され、出願番号が２０２２１１２３０４７３．１であり、発明の名称が「共振器、共振器アセンブリ、フィルタ、電子機器及び製作方法」である中国特許出願の優先権を主張し、その全ての内容が本出願に援用される。

【背景技術】

【0002】

電磁スペクトルがますます混雑していくこと、無線通信機器のバンド、機能が増え続けていくこと、及び無線通信の電磁スペクトルが５００ＭＨｚから５ＧＨｚ以上に高速に増えていくことにつれて、性能が高く、コストが低く、消費電力が低く、体積が小さい無線周波数フロントエンドモジュールに対する人々の要求は日々高まっている。フィルタは無線周波数フロントエンドモジュールの１つとして、信号の発信及び受信の改善機能を有し、無線周波数フロントエンドモジュールで重要な役割を果たしている。

【0003】

従来技術における共振器の製作過程は、基板、第１電極、圧電層、及び第２電極を順次積層することであり、第１電極は突起構造を有し、その突起構造が基板とキャビティを形成し、圧電層は直接に第１電極表面に積層され、圧電層はキャビティのエッジ位置で大きな形貌変化が発生するため、圧電層のこの位置での成長欠陥が大きくなるとともに、圧電層の応力が大きくなり、ウエハ全体の応力分布範囲の変動が大きくなり、デバイスの歩留まりに影響を与える。また、デバイスが冷熱衝撃環境にあれば、機械構造の信頼性が悪くなる。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

同時に、共振器における音波の伝搬モードは縦モードを主とするが、現れるのを希望しない横モードも存在する。横モードは、音響エネルギーの損失を招致し、デバイスのＱファクターを低減させる。従って、デバイスのＱファクターを向上させるために、横モードの減少又は抑制が必要である。１つの方式は、横モードの音波（横波）をデバイスの共振領域の境界位置で再びデバイス内に反射し入らせるとともに、一部の横波を縦波に変換することである。

【課題を解決するための手段】

【0005】

これに鑑みて、本願の第１態様は共振器を提供し、方案は以下の通りである。

【0006】

共振器であって、
対向する第１表面及び第２表面を有する基板と、
前記第１表面から離れて突起した第１突起部分と、前記第１表面に位置する第１平坦部分とを含む、前記第１表面に位置する第１電極であって、前記第１突起部分と前記第１表面との間にキャビティが形成される第１電極と、
前記第１電極の前記基板から離反する側に位置し、前記第１表面と平行である圧電層と、
前記圧電層の前記第１電極から離反する側に位置する第２電極と、を含む。

【0007】

好ましくは、上記共振器において、前記第１電極の第１平坦部分と、前記圧電層と、の間に第１隙間を有する。

【0008】

好ましくは、上記共振器において、前記第１隙間は、空気隙間を含むか、又は誘電体材料が充填されている。

【0009】

好ましくは、上記共振器において、少なくとも一側の前記第１平坦部分の外側に支持構造が接続されており、前記支持構造は前記第１突起部分と面一である。

【0010】

好ましくは、上記共振器において、前記支持構造は、
前記第１表面から離れて突起した第２突起部分と、前記第１表面に位置する第２平坦部分と、を含む。

【0011】

好ましくは、上記共振器において、前記支持構造は、導電性材料又は非導電性材料である。

【0012】

好ましくは、上記共振器において、前記支持構造の第２突起部分と前記第１表面との間に第２隙間を有する。

【0013】

好ましくは、上記共振器において、前記第２隙間内に充填された媒体は、空気、低音響インピーダンス媒体、又は両者の組み合わせを含む。

【0014】

本願の第２態様によれば、共振器アセンブリを提供し、上記のいずれか１項に記載の共振器を含み、少なくとも１つの前記共振器は別の前記共振器と相互に接続される。

【0015】

好ましくは、上記共振器アセンブリにおいて、１つの前記共振器と別の前記共振器との相互接続領域の圧電層と、前記第１電極との間及び／又は前記第１表面との間に第３隙間を有する。

【0016】

好ましくは、上記共振器アセンブリにおいて、前記第３隙間は、空気隙間を含むか、又は誘電体材料が充填されている。

【0017】

好ましくは、上記共振器アセンブリにおいて、前記第３隙間上方の圧電層、及び前記第１突起部分と前記第１平坦部分との間の第１電極に、エッチング試薬を投入して前記第３隙間及び前記キャビティを形成するために、解放孔を設ける。

【0018】

好ましくは、上記共振器アセンブリにおいて、１つの前記共振器は別の前記共振器の第１電極と相互に接続され、
或いは、１つの前記共振器は別の前記共振器の第２電極と相互に接続され、
或いは、１つの前記共振器の第１電極は別の前記共振器の第２電極と相互に接続される。

【0019】

好ましくは、上記共振器アセンブリにおいて、１つの前記共振器は別の前記共振器の第１電極と支持構造を介して相互に接続され、
或いは、１つの前記共振器の第２電極は支持構造を介して別の前記共振器の第１電極に接続される。

【0020】

好ましくは、上記共振器アセンブリにおいて、１つの前記共振器の第２電極は、別の前記共振器の圧電層を通るビアホールを介して別の前記共振器の第１電極に接続される。

【0021】

好ましくは、上記共振器アセンブリにおいて、前記共振器の第１電極及び／又は第２電極の外部接続端は、前記支持構造を介してランド、キャパシタンス、又はインダクタンスに接続される。

【0022】

本願の第３態様によれば、フィルタを提供し、上記のいずれか１項に記載の共振器を含む。

【0023】

本願の第４態様によれば、電子機器を提供し、上記のいずれか１項に記載の共振器を含む。

【0024】

本願の第５態様によれば、共振器の製作方法を提供し、
対向する第１表面及び第２表面を有する基板を提供するステップと、
前記第１表面に第１電極を形成するステップであって、前記第１電極は、前記第１表面から離れて突起した第１突起部分と、前記第１表面に位置する第１平坦部分とを含み、前記第１突起部分と前記第１表面との間にキャビティが形成されるステップと、
前記第１電極の前記基板から離反する側に圧電層を形成するステップであって、前記圧電層は前記第１表面と平行であるステップと、
前記圧電層の前記第１電極から離反する側に第２電極を形成するステップと、を含む。

【0025】

好ましくは、上記共振器の製作方法において、前記キャビティの形成方法は、
前記キャビティを形成しようとする領域に第１犠牲層を形成し、前記第２電極を形成した後、前記第１犠牲層を除去するステップを含む。

【0026】

好ましくは、上記共振器の製作方法において、前記第１電極の第１平坦部分と、前記圧電層と、の間に第１隙間が形成されている。

【0027】

好ましくは、上記共振器の製作方法において、前記第１隙間の形成方法は、
前記第１隙間を形成しようとする領域に第２犠牲層を形成し、前記第２電極を形成した後、前記第２犠牲層を除去するステップ、
或いは、前記第１隙間を形成する領域に媒体層を形成するステップを含む。

【0028】

好ましくは、上記共振器の製作方法において、前記圧電層の形成の前に、
前記第１電極の外側に支持構造を形成するステップであって、前記支持構造は、前記第１表面から離れて突起した第２突起部分と、前記第１表面に位置する第２平坦部分と、を含み、前記第２突起部分は前記第１突起部分と面一であるステップをさらに含む。

【0029】

好ましくは、上記共振器の製作方法において、前記第２突起部分と前記第１表面との間に第２隙間を有し、
前記支持構造の形成方法は、
前記第２隙間を形成しようとする領域に第３犠牲層を形成し、前記第３犠牲層に前記支持構造を形成し、前記第２電極を形成した後、前記第３犠牲層を除去するステップ、
或いは、前記第２隙間を形成しようとする領域に媒体層を形成し、前記媒体層に前記支持構造を形成するステップを含む。

【0030】

好ましくは、上記共振器の製作方法において、前記支持構造は前記第１電極と同時に一体形成される。

【0031】

上記記載により分かるように、本願技術が提供する共振器の圧電層は基板の第１表面と平行、又は略平行であり、その局部のひずみが小さいため、成長欠陥が小さく、圧電層全体の応力変化の幅が小さく、圧電層全体の圧電性能の整合性が比較的によい。同時に、圧電層全体のひずみが小さいため、機械構造が比較的に安定であり、外界の衝撃に直面する場合に破壊しにくい。

【図面の簡単な説明】

【0032】

本願の実施例又は関連技術における技術案をより明らかに説明するために、以下は実施例または従来技術の説明にとって必要な図面を簡単に紹介し、明らかに、以下の記載における図面は本願の実施例であり、当業者にとって、進歩性に値する労働をしない前提で、提供した図面に応じて他の図面を取得し得る。
本明細書の図面で表す構造、割合、サイズなどは、明細書に開示する内容に合わせて当業者に理解と読解をさせるためのものであり、本願が実施される限定条件を限定するためのものではないので、技術的に実質的な意味がなく、いずれの構造の修飾、割合関係の変化またはサイズの調整も、本願により生じる効果および達成される目的に影響を及ぼさない限り、本願に開示されている技術内容の範囲内に含まれる。

【図1】従来技術における共振器の構造模式図である。

【図2】本願の実施例が提供する共振器の構造模式図である。

【図3】本願の実施例が提供する、共振器の周波数とインピーダンスとの曲線関係図である。

【図4】本願の実施例が提供する、共振器の周波数とインピーダンスとの曲線関係図である。

【図5】本願の実施例が提供する、共振器の周波数とインピーダンスとの曲線関係図である。

【図6】本願の実施例が提供する共振器の並列共振周波数のグラフである。

【図7】本願の実施例が提供する別の共振器の構造模式図である。

【図8】本願の実施例が提供する共振器アセンブリの構造模式図である。

【図9】本願の実施例が提供する別の共振器アセンブリの構造模式図である。

【図10】本願の実施例が提供するさらに別の共振器アセンブリの構造模式図である。

【図11】本願の実施例が提供するさらに別の共振器アセンブリの構造模式図である。

【図12】本願の実施例が提供するさらに別の共振器アセンブリの構造模式図である。

【図13】本願の実施例が提供するさらに別の共振器アセンブリの構造模式図である。

【図14】本願の実施例が提供するさらに別の共振器アセンブリの構造模式図である。

【図15】本願の実施例が提供する共振器の製作フローのプロセス模式図である。

【図16】本願の実施例が提供する共振器の製作フローのプロセス模式図である。

【図17】本願の実施例が提供する共振器の製作フローのプロセス模式図である。

【図18】本願の実施例が提供する共振器の製作フローのプロセス模式図である。

【図19】本願の実施例が提供する共振器の製作フローのプロセス模式図である。

【図20】本願の実施例が提供する共振器の製作フローのプロセス模式図である。

【図21】本願の実施例が提供する共振器の製作フローのプロセス模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0033】

以下、本願における実施例を、本願の実施例における図面を結合して明確かつ完全に記載する。明らかに、記載した実施例は本願のすべての実施例ではなく、一部のみである。本願における実施例に基づいて、当業者が創造的な労働を行わない前提で得られるすべての他の実施例は、いずれも本願の保護範囲に属する。

【0034】

共振器のキャビティは主に、基板内部に嵌入されたキャビティ、及び基板表面の上に位置するキャビティを含む。なお、基板内部に嵌入されたキャビティについて、製作過程において、基板に凹溝をエッチングし、その後、凹溝の位置でキャビティを形成する必要があるが、基板に大きな凹溝をエッチングするには時間がかかり、製作に必要な時間を大幅に延長する。基板内に嵌入されたキャビティに対して、基板表面の上に位置するキャビティは、基板をエッチングするステップを必要としないため、キャビティの形成に必要な時間を大幅に短縮できる。

【0035】

図１を参照し、図１は従来技術における共振器の構造模式図であり、共振器は、対向する第１表面及び第２表面を有する基板１００と、第１表面から離れて突起した突起部分１０２１と、第１表面上に位置する第１平坦部分１０２２とを含む、第１表面に位置する第１電極１０２であって、突起部分１０２１と第１表面との間にキャビティ１０１が形成される第１電極１０２と、第１電極１０２の基板１００から離反する側に位置する圧電層１０４と、圧電層１０４の第１電極１０２から離反する側に位置する第２電極１０５と、を含む。圧電層１０４は直接に第１電極１０２の表面に成長され、両者は同じ表面形貌を有し、圧電層１０４は第１電極１０２の高さにつれて起伏し変化する。

【0036】

圧電層は、従来技術において上凸のキャビティ形貌に制限され、キャビティのエッジ位置で大きな形貌変更が発生するため、この位置の圧電層の成長欠陥が大きくなるとともに、圧電層の応力が大きくなり、さらにウエハ全体の応力分布範囲の変動が大きくなる。圧電材料の応力が直接にその有効な圧電結合係数に影響を与えるので、応力変動範囲が大きい場合、圧電層全体の圧電性能の整合性が悪くなり、最終的にデバイスの歩留まりに影響を与える。また、デバイスが冷熱衝撃環境にあれば、機械構造の信頼性が悪くなり、キャビティのエッジから破壊する現象が容易に現れる。

【0037】

これに鑑みて、本願の実施例は、共振器を提供し、対向する第１表面及び第２表面を有する基板と、第１表面から離れて突起した第１突起部分と、第１表面に位置する第１平坦部分とを含む、第１表面に位置する第１電極であって、第１突起部分と第１表面との間にキャビティが形成される第１電極と、第１電極の基板から離反する側に位置し、第１表面と平行である圧電層と、圧電層の第１電極から離反する側に位置する第２電極と、を含む。

【0038】

なお、圧電層は基板の第１表面と平行、又は略平行であり、その局部のひずみが小さいか、又は、ひずみがほとんどなく、特にキャビティのエッジで、圧電層の形貌変化が小さいため、キャビティのエッジでの成長欠陥が小さく、同時に、ウエハ全体での圧電層の応力変化の幅が小さいため、圧電層の圧電性能の整合性が向上する。同時に、圧電層全体のひずみが小さいため、デバイスが冷熱衝撃環境にあれば、機械構造の安定性が向上し、外界の衝撃に直面する場合に破壊しにくく、特にキャビティのエッジで破壊のリスクを大幅に低減させる。

【0039】

本願の上記目的、特徴及び利点をより明確かつ理解しやすくするために、以下、図面及び具体的な実施形態を結合して本願をさらに詳しく説明する。

【0040】

図２を参照し、図２は本願の実施例が提供する共振器の構造模式図であり、示す共振器は、対向する第１表面及び第２表面を有する基板１０と、第１表面から離れて突起した第１突起部分１２１と、第１表面に位置する第１平坦部分１２２とを含む、第１表面に位置する第１電極１２であって、第１突起部分１２１と第１表面との間にキャビティ１１が形成される第１電極１２と、第１電極１２の基板１０から離反する側に位置し、第１表面と平行である圧電層１４と、圧電層１４の第１電極１２から離反する側に位置する第２電極１５と、を含む。

【0041】

具体的には、圧電層１４が第１表面と平行であることは、圧電層１４が基板１０と平行、又は略平行であることを含む。圧電層１４が基板１０と平行、又は略平行であるため、圧電層１４全体の局部のひずみが小さく、ひずみによって発生される成長欠陥が小さく、圧電層１４の成長品質を向上させ、質（Ｑ）ファクターを向上させる。同時に、圧電層１４のひずみがほとんどないため、圧電層１４の応力変化が小さく、応力変化の大きい領域が現れず、よって、圧電層１４の圧電性能の整合性がよく、さらに共振器の歩留まりが高い。また、水平状の圧電層１４はさらに、デバイスの電力許容レベルを向上させることができる。

【0042】

なお、第１電極１２の第１平坦部分１２２と、水平な圧電層１４と、の間に第１隙間１３１を有し、第１隙間１３１は、圧電層１４、第１平坦部分１２２、基板１０の第１表面を分離し、圧電層１４を水平状にさせ、かつ基板１０の第１表面と平行にさせる。

【0043】

水平状の第１電極１２と比較すると、第１隙間１３１の周辺の第１電極１２は、第１突起部分１２１と、第１平坦部分１２２と、両者の間に位置する部分とを含み、第１電極１２の形貌は大きな変更が発生し、よって、横モードの音波を反射し、音波のエネルギー損失を低減することができる。同時に、第１隙間１３１と第１電極１２とは材料の音響インピーダンスが異なり、音響インピーダンスの不整合が両者の界面で発生するので、横波モードを抑制し、音波のエネルギー損失を減少し、さらに共振器の質（Ｑ）ファクターを向上させることができる。

【0044】

第１電極１２の第１突起部分１２１と第１平坦部分１２２との間の第１電極は、傾斜状にすることができ、第１隙間１３１は傾斜部分の第１電極１２の側面にあり、傾斜形貌も横波をよりよく反射できる。また、第１隙間１３１は、垂直方向において基板１０の上方に位置する第１電極１２と圧電層１４とを分離し、第１電極１２、圧電層１４、第２電極１５が基板の上方で重なると寄生振動が発生するため、第１隙間１３１はさらに、寄生振動を減少でき、特に複数の共振器の間が相互に接続される場合、フィルタのデバイス全体性能を向上させる。

【0045】

図３～図５を参照し、図３は本願の実施例が提供する、共振器の周波数とインピーダンスとの曲線関係図であり、図４は図３における上方の破線円形領域の局部拡大図であり、図５は図３における下方の破線円形領域の局部拡大図である。実線が示すのは、図２に示す共振器に対応する、周波数とインピーダンスとのグラフであり、破線が示すのは、図１に示す共振器に対応する、周波数とインピーダンスとのグラフである。

【0046】

図４に基づいて分かるように、図２に示す共振器について、その直列インピーダンスＲｓの最大値が破線の１１００Ωから実線の１２５０Ωまで上昇し、共振器の直列インピーダンスＲｓが向上した後、その直列の性質係数Ｑｓも相応的に向上する。

【0047】

図５に基づいて分かるように、図２に示す共振器について、並列インピーダンスＲｐの最小値が破線の１．５Ωから実線の１．１Ωまで低減し、共振器の並列インピーダンスＲｐが低減した後、その並列の性質係数Ｑｐは相応的に向上する。

【0048】

本願の実施例が提供する共振器の構造は従来技術における共振器の構造と比較すると、図６に示すように、第１隙間１３１により、さらに寄生振動を改善できる。

【0049】

図６を参照し、図６は本願の実施例が提供する共振器のスミスチャートである。実線は、図２に示す共振器に対応するスミスチャートであり、破線は、図１に示す共振器に対応するスミスチャートである。なお、スミス円における曲線が最も外側の円から外れる程度が大きいほど、その寄生共振が強いことを意味し、図における破線円形位置では、破線の最も外側から外れる程度が大きく、実線の最も外側から外れる程度が小さいが、本願の実施例が提供する共振器の寄生周波数が明らかに改善されることを説明し、特に２．５ＧＨｚでの寄生共振モードの低減が多い。

【0050】

上記実施例における第１隙間１３１について、空気隙間を採用してもよく、又は、第１隙間１３１内に誘電体材料を充填してもよい。

【0051】

具体的には、第１隙間１３１内に充填される誘電体材料は、誘電損失の低い材料であり、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＣ、ＰＩ（ポリイミド）、エアロゾル、カーボン（Ｃ）をドープしたＳｉＯ２、ＳｉＬＫの誘電体樹脂、又はベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）等の材料である。第１隙間１３１に誘電体材料が充填された場合、上記の電気的性能の改善効果を奏するだけでなく、圧電層１４によりよい支持効果を提供することもできる。

【0052】

圧電層１４の平坦性をさらに保証するために、図７に示すように、共振器に支持構造１６を設けることで、圧電層１４にウエハ全体の基板１０の上方で水平状態を保持させることにより、圧電層１４の平坦性を保証することができる。

【0053】

図７を参照し、図７は本願の実施例の別の共振器の構造模式図である。第１電極１２の少なくとも一側の第１平坦部分１２２の外側に支持構造１６が接続されており、支持構造１６は突起部分と面一であり、支持構造１６及び突起部分によって共同して支持されるから、圧電層１４は第１電極１２、支持構造１６上でともに水平状態を保持する。

【0054】

図７には、１つの支持構造１６が例示され、当該支持構造１６は、図に示す第１電極１２の左側にあってもよい。明らかに、ニーズに応じて、１つ又は複数の支持構造１６を有するように設けてもよく、第１突起部分１２１の少なくとも一側の第１平坦部分１２２に１つ又は複数の支持構造１６が接続されている。２つ及び２つ以上の支持構造１６が存在する場合、支持構造１６は、第１電極１２の第１平坦部分１２２の両側で任意に組み合わせることができる。

【0055】

支持構造１６は、第１表面から離れて突起した第２突起部分１６１と、第１表面に位置する第２平坦部分１６２と、を含み、いくつかの実施例では、第２平坦部分１６２を設けず、第２突起部分１６１のみによって圧電層１４を支持するようにしてもよい。第２突起部分１６１は第１突起部分１２１と面一であり、即ち、両者は、第１表面に対して同じ、又は近い高さを有し、よって、支持構造１６は、圧電層１４のために支持効果を提供し、圧電層１４が基板１０と平行であるように保証することができ、これにより、圧電層１４のサイズが大き過ぎる時に大きなひずみが発生することを回避又は低減し、圧電層１４がよりよい圧電の整合性を得る。

【0056】

上記紹介における支持構造１６は、導電性材料又は非導電性材料であってもよい。

【0057】

なお、導電性材料は、金、ルテニウム、モリブデン、アルミニウム、プラチナ、チタン、タングステン、パラジウム、クロム、ニッケルのうちの少なくとも１種であってもよい。これらの材料では、モリブデン材料は優れた導電性能、低い誘電損失、及び比較的に安いコストにより、比較的によく使われる材料の１つとなっている。支持構造１６について導電性材料が採用される場合、支持構造１６は、第１電極１２と同じ材料が採用されてもよく、このようにすると、支持構造１６は、第１電極１２と同じ工程で製造でき、製作の難度を低減させ、製作レートをアップすることができる。

【0058】

導電性材料を採用する場合、支持構造１６は、支持の作用を奏するだけでなく、１つの接続構造とすることもでき、支持構造１６は第１電極１２に直接に接続され、これにより、第１電極１２は、支持構造１６を介して他の部材と電気的に導通できる。支持構造１６について非導電性材料が採用される場合、支持構造１６は、支持作用を奏するだけであり、それに、第１電極１２とそれぞれに製造し形成する必要がある。

【0059】

選択可能に、支持構造１６の第２突起部分１６１と第１表面との間に第２隙間１３２を有するように設けてもよく、第２隙間１３２内に充填された媒体は、空気、低音響インピーダンス媒体、又は両者の組み合わせを含む。さらに、直接に誘電体材料を採用して中実の非導電性支持構造１６を製造するようにしてもよい。

【0060】

上記実施例では、単一の共振器の構造を紹介し、実際の適用シーンでは、複数の共振器を組み合わせて使用する必要があるシーンが現れ、よって、本願の実施例では、共振器アセンブリを提供し、共振器アセンブリは、上記実施例のいずれか１項の共振器を含み、それに、少なくとも１つの共振器は別の共振器と相互に接続される。

【0061】

使用ニーズに応じて、共振器アセンブリに任意の複数の上記実施例の共振器を有するように設けてもよく、本願の実施例に図示される２つの共振器に限定されない。図８～１４を参照し、図８～１４は本願の異なる実施例が提供する共振器アセンブリの構造模式図である。

【0062】

なお、１つの共振器と別の共振器との相互接続領域の圧電層１４と、第１電極１２との間及び／又は第１表面との間に第３隙間１３３を有する。

【0063】

以下のような３種の接続方式を含んでもよく、図９、１１、１３、１４に示すように、第１種の方式における２つの共振器の第１電極１２の間が切断され、両者の第１電極１２の切断領域が露出する第１表面と、両者の共有する圧電層１４との間に第３隙間１３３を有する。図８、１０、１２に示すように、第２種の方式における当該２つの共振器の第１電極１２は一体に接続され、両者の第１電極１２と、両者の共有する圧電層１４との間に第３隙間１３３を有する。上記両者の方式の組み合わせが形成する第３種の方式（図示せず）をさらに含み、２つの共振器の第１電極１２の間が切断され、両者の第１電極１２の切断領域が露出する第１表面と、両者の共有する圧電層１４との間に第３隙間１３３を有し、また、２つの共振器の第１電極１２は一体に接続され、両者の第１電極１２と、両者の共有する圧電層１４との間に第３隙間１３３を有する。

【0064】

選択可能に、第３隙間１３３は、空気隙間を含むか、誘電体材料が充填されており、又は両者の組み合わせである。

【0065】

本願の実施例では、第１犠牲層に基づいて、必要な図形構造の第１電極１２及びキャビティ１１を形成する。

【0066】

第１隙間１３１、第３隙間１３３は、ともに空気で充填されてもよく、又は、ともに媒体で充填されてもよく、又は、ともに空気、媒体の組み合わせてあってもよく、又は、そのうちの１つが空気、もう１つが媒体で充填されてもよい。両者がともに空気であることを例示的に説明し、両者の形成は、同じステップのプロセスであってもよい。例えば、まず、第１隙間１３１、第３隙間１３３を形成する位置で第２犠牲層１８２を充填し、第２電極１５を形成した後、第２犠牲層１８２を解放することにより、第１隙間１３１、第３隙間１３３を形成し、且つ、両者が連通する。第１隙間１３１及び／又は第３隙間１３３内に媒体を充填する場合、第１隙間１３１及び／又は第２隙間１３２を形成しようとする位置で犠牲層を充填し、犠牲層を除去した後に媒体層を充填するか、又は、直接に媒体層を充填するとともに、当該媒体層を保留し、隙間を形成することであってもよい。

【0067】

図８に示すように、第３隙間１３３の上方の圧電層１４、第１突起部分１２１、第１平坦部分１２２の間の第１電極１２に、エッチング試薬を投入してキャビティ１１、第１隙間１３１、第３隙間１３３を形成するために、貫通する解放孔２０を設けることができる。

【0068】

第３隙間１３３が空気隙間であると、第２犠牲層を解放する場合、先に第３隙間１３３の上方に位置して圧電層１４を通る解放孔２０を介して、第３隙間１３３の対応領域内の第２犠牲層１８２を解放する必要があり、即ち、当該領域の第２犠牲層１８２をエッチング除去し、第３隙間１３３を形成する。第３隙間１３３の領域の第２犠牲層１８２を解放したあと、第１電極１２に設けられる解放孔２０に応じて、キャビティ１１の対応領域内に充填された第１犠牲層を解放し、即ち、当該領域の第１犠牲層をエッチング除去し、キャビティ１１を形成する。

【0069】

第３隙間１３３に媒体材料が充填されていると、圧電層１４に位置する解放孔２０と、第１電極１２に位置する解放孔２０とを連通するために、第３隙間１３３の対応領域内の誘電体材料に１つの孔を形成する必要がある。この場合、エッチング試薬は、第３隙間１３３の対応領域内の誘電体材料をエッチング除去せず、キャビティ１１の領域内の第１犠牲層のみを除去する。

【0070】

本願技術案について、第３隙間１３３に位置する第２犠牲層１８２、又は媒体材料に基づいて圧電層１４を形成することは、平坦性のよい圧電層１４を形成できるだけでなく、圧電層１４のひずみが小さく、応力変化が小さく、圧電の整合性がよい。

【0071】

本願の実施例が提供する共振器アセンブリにおいて、２つの共振器に対して、以下のような方式により接続することができ、図９に示すように、１つの共振器は別の共振器の第２電極１５と相互に接続され、或いは、図８、１０に示すように、１つの共振器は別の共振器の第１電極１２と相互に接続され、或いは、図１１に示すように、１つの共振器の第１電極１２は別の共振器の第２電極１５と相互に接続される。

【0072】

図９を参照し、図９は本願の実施例が提供する別の共振器アセンブリの構造模式図であり、当該方式において、１つの共振器の第１電極１２はもう１つの共振器の第１電極１２と切断され、両者の第２電極１５は相互に接続される。

【0073】

図１０を参照し、図１０は本願の実施例が提供するさらに別の共振器アセンブリの構造模式図であり、当該方式において、１つの共振器の第１電極１２はもう１つの共振器の第１電極１２に接続され、両者の第２電極１５は切断される。

【0074】

図１１を参照し、図１１は本願の実施例が提供するさらに別の共振器アセンブリの構造模式図であり、当該方式において、２つの共振器の第１電極１２は切断され、かつ２つの共振器の第２電極１５は切断され、１つの共振器の第１電極１２はもう１つの共振器の第２電極１５に接続される。

【0075】

図８～図１１に示す実施例では、支持構造１６がない状況での２つの共振器の接続方式を紹介し、導電の支持構造１６を有する場合、２つの共振器の接続方式は、図１２～図１４に示すように、１つの共振器が別の共振器の第１電極１２と支持構造１６を介して相互に接続され、又は、１つの共振器の第２電極１５が支持構造１６を介して別の共振器の第１電極１２に接続されるようにしてもよい。

【0076】

図１２を参照し、図１２は本願の実施例が提供するさらに別の共振器アセンブリの構造模式図であり、当該方式において、１つの共振器の第１電極１２は別の共振器の第１電極１２と支持構造１６を介して相互に接続され、かつ当該２つの共振器の第２電極１５は切断される。

【0077】

図１３を参照し、図１３は本願の実施例が提供するさらに別の共振器アセンブリの構造模式図であり、当該方式において、１つの共振器の第２電極１５は支持構造１６を介して別の共振器の第１電極１２に接続され、当該２つの共振器の第１電極１２は切断され、かつ当該２つの共振器の第２電極１５は切断される。

【0078】

なお、共振器アセンブリにおいて、共振器は任意の複数であってもよく、共振器は、相互に直列する共振器、又は、相互に並列する共振器を含んでもよく、又は、相互に直列する共振器、相互に並列する共振器を同時に有する。

【0079】

本願の実施例では、１つの共振器の第２電極１５がもう１つの共振器の第１電極１２と相互に接続される場合、１つの共振器の第２電極１５が、別の共振器の圧電層１４を通ったビアホールを介して別の共振器の第１電極１２に接続されるように設けてもよい。

【0080】

上記実施例では、複数の共振器が相互に接続する方法を紹介し、共振器アセンブリと他の構造との電気的な接続方式は、図１４に示すようにしてもよい。

【0081】

図１４を参照し、図１４は本願の実施例が提供するさらに別の共振器アセンブリの構造模式図であり、当該方式において、共振器の第１電極１２又は第２電極１５の外部接続端１７は支持構造１６を介してランド、キャパシタンス又はインダクタンスに接続される。外部接続端１７が支持構造１６を介してランド、キャパシタンス又はインダクタンスに接続されるように設けることは、支持構造１６の支持作用を利用でき、ランド等を第２電極１５と同じ平面に位置させ、ランドの製作を容易にさせ、それに、圧電層１４がランドの位置で依然として水平状態にあることを保証し、形貌の変化を減少することができ、同時に、外部接続端１７をランド、キャパシタンス又はインダクタンスに接続する際に圧電層１４に損傷を与えることを回避するためである。

【0082】

共振器アセンブリにおいて、複数の共振器は同じ基板１０の表面に位置し、異なる共振器の第１電極１２は同じ層の導電層に位置し、異なる共振器の第２電極１５は同じ層の導電層に位置し、異なる共振器は同じ圧電層１４を共有し、且つ、圧電層１４の同じ基板１０の上方が基板１０と平行であり、その形貌が基本的に変化しない。

【0083】

上記実施例に基づいて、本願の１つの実施例はさらに、フィルタを提供し、フィルタは、上記実施例のいずれかの方式の共振器又は共振器アセンブリを含む。

【0084】

上記実施例に基づいて、本願はもう１つの実施例において、さらに電子機器を提供し、上記実施例のいずれかの方式の共振器又は共振器アセンブリを含む。

【0085】

上記実施例に基づいて、本願の別の実施例はさらに、共振器の製作方法を提供し、当該方法は、上記の１つの実施例の構造形成方法であり、例示として、他の実施例の構造についても、この方法を参照して製作形成されてもよい。当該製作方法は、図１５～図２１に示すようにしてもよい。図１５～図２１は本願の実施例が提供する共振器の製作プロセスのフローチャートである。

【0086】

ステップＳ１００：図１５に示すように、１つの基板１０を提供し、基板１０は第１表面及び第２表面を備え、基板１０に第１犠牲層１８１を形成し、第１犠牲層１８１の所在領域はキャビティ１１を形成するための領域であり、後続のプロセスにおいて、第２電極１５を形成した後、第１犠牲層１８１を除去し、キャビティ１１を形成する。

【0087】

基板１０が使用する材料は、シリコン、サファイア、ポリシリコン、シリカ、ヒ化ガリウム、スピネル、ガラス、又はセラミックスのうちの１種又は多種の結合であってもよく、シリコン材料は優れた性質のため、広く適用される。第１犠牲層１８１について、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属及びリンケイ酸ガラス又はポリマーのうちの１種又は多種を採用して製作できる。

【0088】

ステップＳ１１０：図１６に示すように、第１表面に第１電極１２を形成し、第１電極１２は、第１表面から離れて突起した第１突起部分１２１と、第１表面に位置する第１平坦部分１２２とを含み、第１突起部分１２１と第１表面との間にキャビティ１１が形成される。

【0089】

なお、この段階のステップにおいて、第１突起部分１２１と第１表面との間は第１犠牲層１８１であり、第２電極１５を形成した後、第１犠牲層１８１を除去する。第１犠牲層１８１を除去した後、キャビティ１１を形成し、第１犠牲層１８１は、キャビティ１１の形状及び大きさを決定する。

【0090】

ステップＳ１２０：図１７、図１８に示すように、第１電極１２の基板１０から離反する側に、第１表面と平行な圧電層１４を形成する。

【0091】

なお、第１電極１２の第１平坦部分１２２と、圧電層１４と、の第１隙間１３１の生成の前に、第１隙間１３１を形成しようとする位置で犠牲層を製造する必要があり、図１７を参照し、図１７に示すように、圧電層１４を製作する前に、第１電極１２を処理する必要があり、第１平坦部分１２２を第２犠牲層１８２で覆い、そして、第２電極１５を形成し、図１８に示すように、第２電極１５を形成した後、第２犠牲層１８２を除去し、第１隙間１３１を形成し、或いは、直接に第１隙間１３１を形成する領域に媒体層を形成し、第１隙間１３１の領域の媒体層を保留する。

【0092】

ステップ１３０：図１９に示すように、圧電層１４の第１電極１２から離反する側に第２電極１５を形成する。

【0093】

圧電層１４を形成する前に、第１突起部分１２１と面一である第２犠牲層１８２又は媒体層を第１平坦部分１２２の上方に形成する必要があり、犠牲層１８２は、第２電極１５の形成後に除去され、第１隙間１３１内にさらに媒体層を形成できると、当該媒体層は、除去される必要がない。

【0094】

ステップＳ１４０：図２０に示すように、共振器の製作過程に形成された第１犠牲層１８１、第２犠牲層１８２を取り除き、第１犠牲層１８１を取り除いた後キャビティ１１を形成し、第２犠牲層１８２を取り除いた後第１隙間１３１を形成する。

【0095】

上記実施例では、共振器がさらに支持構造１６を備えてもよいことを紹介し、支持構造１６の製作方法は図２１に示すように、圧電層１４の形成の前に、第１電極１２の外側に支持構造１６を形成し、前記支持構造１６は、第１表面から離れて突起した第２突起部分１６１と、第１表面に位置する第２平坦部分１６２と、を含み、第２突起部分１６１は第１突起部分１２１と面一である。なお、第２突起部分１６１と第１表面との間に第２隙間１３２を有する。

【0096】

本願の実施例では、紹介する支持構造１６の第２突起部分１６１と第１表面との間に第２隙間１３２を有し、支持構造１６の製造の前に、第２隙間１３２を形成しようとする領域に第３犠牲層１８３を形成し、そして、第３犠牲層１８２の上方に支持構造１６を形成する必要がある。第２電極１５を形成した後、第３犠牲層１８３を除去する。或いは、直接に第２隙間１３２を形成しようとする領域に媒体層を形成し、媒体層に支持構造１６を形成する。支持構造１６の下方が媒体層である場合、それをエッチング除去する必要がない。第１犠牲層１８１、第３犠牲層１８３は、同じ種類の材料の犠牲層であってもよい。異なる犠牲層について同じ材料を使用し、犠牲層を解放する場合、同じ種類の解放薬液を採用可能であり、操作フローを簡単化し、共振器の製造時間を低減させる。

【0097】

なお、支持構造１６は、第１電極１２と同期したプロセスで製作されてもよく、且つ、支持構造１６は、第１電極１２と一体成形された構造であってもよい。支持構造１６を増やし、前記圧電層の整合性を向上させる状況では、余分な製作ステップを増やしない。

【0098】

本明細書における各実施例は漸進的、又は並列的、又は漸進的及び並列的な結合に記載され、各実施例は、他の実施例との相違点に焦点を当て、各実施例間の同じ又は類似の部分は互いに参照することができる。実施例に開示された製作方法は、実施例に開示された共振器に対応するので、説明は比較的簡単であり、関連する部分は共振器部分を参照することができる。

【0099】

なお、本願の記載において、図面及び実施例の記載は、制限的なものではなく、説明的なものである。明細書実施例にわたる同様な符号は、同様な構造を標識する。また、理解し記載しやすくするために、図面は、ある層、膜、パネル、領域等の厚さを誇張して図示する可能性がある。また、層、膜、領域、又はベースプレートのような素子が、別の素子「上」「にある」と呼ばれる場合、当該素子は、直接に他の素子上にあってもよく、又は中間素子が存在してもよい。また、「…上にある」とは、素子を別の素子上、又は別の素子の下方に位置決めることを意味し、本質的には、重力方向に応じて別の素子の上側上に位置決めることを意味しない。

【0100】

用語「上」、「下」、「頂」、「底」、「内」、「外」などが指示する方位又は位置関係は図面に基づいて示す方位又は位置関係であり、単に本願の説明及び説明の簡略化の便宜上のものであり、言及された装置又は素子が特定の方位を有し、特定の方位で構成及び操作されなければならないことを示したり暗示したりすることを意図するものではなく、従って、本願を制限するものと理解されるべきではない。１つのアセンブリが、もう１つのアセンブリに「接続」される場合、直接にもう１つのアセンブリに接続されてもよく、又は、中央に配置されたアセンブリが同時に存在する可能性がある。

【0101】

なお、本明細書では、「第一」及び「第二」等の用語は、単に、実体または動作を、他の実体または動作と区別するために使用され、必ずしも、実体または動作間に、この種の実在関係または順位付けが存在することを要求する、あるいは意味するわけではないことにさらに注意すべきである。さらに、「含む」、「包含する」、または他のそれらの変化形等の用語は、非排他的に包含することを意味する。一連の要素を含む製品またはデバイスは、それらの要素ばかりでなく、明示的に列挙されていない他の要素をも含む、あるいは、さらに、そのような製品またはデバイス内に既に存在していた要素を含む。さらに制限しない限り、語句「１つ．．．を含む」によって定義される要素は、上記要素を含む製品またはデバイス内のさらなる同一の要素の存在を排除しない。

【0102】

開示された実施例の上記説明は、当業者が本発明を実現又は使用することを可能にさせる。これらの実施例に対する様々な変更は、当業者にとって自明であり、本明細書で定義される一般的な原理は、本発明の精神又は範囲から逸脱することなく、他の実施例において実現される。従って、本願は、本明細書に示される実施例に限定されず、本明細書に開示される原理及び新規な特徴と一致する最も広い範囲に適合すべきである。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【手続補正書】

【提出日】2023-11-17

【手続補正1】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５１

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0051】

具体的には、第１隙間１３１内に充填される誘電体材料は、誘電損失の低い材料であり、例えば、ＳｉＯ _２ 、ＳｉＣ、ＰＩ（ポリイミド）、エアロゾル、カーボン（Ｃ）をドープしたＳｉＯ _２ 、ＳｉＬＫの誘電体樹脂、又はベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）等の材料である。第１隙間１３１に誘電体材料が充填された場合、上記の電気的性能の改善効果を奏するだけでなく、圧電層１４によりよい支持効果を提供することもできる。

【国際調査報告】