(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-10-28
(54)【発明の名称】表示基板及びその製造方法、表示装置
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20241018BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20241018BHJP
H10K 77/10 20230101ALI20241018BHJP
H10K 59/80 20230101ALI20241018BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20241018BHJP
H10K 59/124 20230101ALI20241018BHJP
H10K 50/844 20230101ALI20241018BHJP
H10K 59/38 20230101ALI20241018BHJP
H10K 50/10 20230101ALI20241018BHJP
H10K 50/858 20230101ALI20241018BHJP
H10K 59/40 20230101ALI20241018BHJP
H10K 71/00 20230101ALI20241018BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 348A
G09F9/30 365
G09F9/30 349Z
G09F9/30 338
G09F9/30 349B
G09F9/00 366A
G09F9/00 338
H10K77/10
H10K59/80
H10K59/122
H10K59/124
H10K50/844
H10K59/38
H10K50/10 321
H10K50/858
H10K59/40
H10K71/00
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023575612
(86)(22)【出願日】2021-10-26
(85)【翻訳文提出日】2023-12-07
(86)【国際出願番号】 CN2021126477
(87)【国際公開番号】W WO2023070328
(87)【国際公開日】2023-05-04
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】510280589
【氏名又は名称】京東方科技集團股▲ふん▼有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＢＯＥ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＧＲＯＵＰ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１０ Ｊｉｕｘｉａｎｑｉａｏ Ｒｄ．，Ｃｈａｏｙａｎｇ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００１５，ＣＨＩＮＡ
(74)【代理人】
【識別番号】100108453
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
(74)【代理人】
【識別番号】100110364
【弁理士】
【氏名又は名称】実広 信哉
(72)【発明者】
【氏名】黄 ▲海▼涛
(72)【発明者】
【氏名】徐 ▲傳▼祥
(72)【発明者】
【氏名】于 勇
(72)【発明者】
【氏名】▲呉▼ 慧利
(72)【発明者】
【氏名】崔 ▲ジャオ▼
(72)【発明者】
【氏名】▲劉▼ 文渠
(72)【発明者】
【氏名】舒 ▲適▼
(72)【発明者】
【氏名】井 ▲麗▼娜
(72)【発明者】
【氏名】孟 ▲徳▼天
(72)【発明者】
【氏名】倪 子博
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
5G435
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC05
3K107CC14
3K107CC32
3K107CC45
3K107DD18
3K107DD89
3K107DD90
3K107EE22
3K107EE27
3K107EE30
3K107EE46
3K107EE66
3K107FF15
3K107GG28
5C094BA03
5C094BA27
5C094CA19
5C094DA13
5C094DA15
5C094ED03
5C094FB12
5C094FB15
5C094JA08
5G435BB05
5G435CC09
5G435EE49
5G435HH12
5G435HH14
5G435KK05
(57)【要約】
表示基板及びその製造方法、表示装置であって、前記表示基板は、ベース（１０）と、前記ベース（１０）に設けられた少なくとも１つの絶縁膜層と、前記絶縁膜層の前記ベース（１０）から離れた側に設けられた第１電極と、を備え、少なくとも１つの前記絶縁膜層の前記ベース（１０）から離れた側に凹凸構造が設けられ、前記凹凸構造の前記ベース（１０）における正投影と前記第１電極の前記ベース（１０）における正投影とは重畳領域を有する。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
表示基板であって、ベースと、前記ベースに設けられた少なくとも１つの絶縁膜層と、前記絶縁膜層の前記ベースから離れた側に設けられた第１電極と、を備え、少なくとも１つの前記絶縁膜層の前記ベースから離れた側に凹凸構造が設けられ、前記凹凸構造の前記ベースにおける正投影と前記第１電極の前記ベースにおける正投影とは重畳領域を有する、表示基板。
【請求項2】
前記ベース上に順次に形成された平坦層、発光構造層、パッケージ層、カラーフィルター層を備え、前記発光構造層は、画素定義層、陽極、陰極、前記陽極と前記陰極との間に位置する有機発光層を備え、前記画素定義層は複数の画素開口を備え、前記画素開口は前記陽極の少なくとも一部を露出し、前記陰極は前記画素定義層を覆い、前記カラーフィルター層は間隔を置いて設けられたブラックマトリクスとカラーフィルターとを備え、前記ブラックマトリクスはマトリクス配列をなす複数の開口領域を有し、前記カラーフィルターの少なくとも一部は前記開口領域内に充填され、前記カラーフィルターと前記ブラックマトリクスとは少なくとも一部のオーバーラップ領域を有し、前記オーバーラップ領域では前記カラーフィルターは前記ブラックマトリクスを覆う、請求項１に記載の表示基板。
【請求項3】
少なくとも１つの前記絶縁膜層は前記画素定義層を備え、前記第１電極は前記陰極を備える、請求項２に記載の表示基板。
【請求項4】
前記画素定義層は複数の第１凸起部を備え、隣接する前記第１凸起部の間に第１凹部が形成される、請求項３に記載の表示基板。
【請求項5】
前記第１凹部は前記画素開口を囲む凹溝であり、隣接する前記凹溝間の距離は、前記ブラックマトリクスの開口領域のエッジと前記画素定義層に形成された画素開口のエッジとの間の距離の１／８～７／８である、請求項４に記載の表示基板。
【請求項6】
隣接する前記凹溝間の距離は１～２マイクロメートルである、請求項５に記載の表示基板。
【請求項7】
前記凹溝の幅は０．８～１．５マイクロメートルである、請求項５に記載の表示基板。
【請求項8】
前記第１凹部は前記画素開口を囲む開孔であり、前記開孔の幅は０．５～１．８マイクロメートルである、請求項４に記載の表示基板。
【請求項9】
複数の前記開孔は複数の環状構造ユニットを構成し、少なくとも１つの環状構造ユニットは、前記画素開口の周りに設けられ且つ互いに平行なＮ個の環状構造を備え、最内層の環状構造は複数の第１開孔を備え、前記第１開孔と前記画素開口とは隣接し、Ｎは１より大きい自然数である、請求項８に記載の表示基板。
【請求項10】
複数の前記第１開孔の間に鋸歯状凸起が形成され、前記鋸歯状凸起の幅は０．８～１．５マイクロメートルである、請求項９に記載の表示基板。
【請求項11】
Ｎは１～５０の間の自然数である、請求項１０に記載の表示基板。
【請求項12】
少なくとも１つの前記絶縁膜層は前記平坦層を備え、前記第１電極は前記陽極を備える、請求項２に記載の表示基板。
【請求項13】
前記平坦層は複数の第２凸起部を備え、隣接する前記第２凸起部の間に第２凹部が形成される、請求項１２に記載の表示基板。
【請求項14】
前記第２凸起部は鋸歯状である、請求項１３に記載の表示基板。
【請求項15】
前記第２凸起部と前記第２凹部との間の段差は、前記平坦層の厚さの１／８～７／８である、請求項１３に記載の表示基板。
【請求項16】
前記第２凸起部と前記第２凹部との間の段差は０．２～０．８マイクロメートルである、請求項１３に記載の表示基板。
【請求項17】
少なくとも１つの前記絶縁膜層は前記画素定義層と前記平坦層とを備え、前記第１電極は前記陰極と前記陽極とを備え、前記画素定義層の前記ベースから離れた側に第１凹凸構造が設けられ、前記第１凹凸構造の前記ベースにおける正投影と前記陰極の前記ベースにおける正投影とは重畳領域を有し、
前記平坦層の前記ベースから離れた側に第２凹凸構造が設けられ、前記第２凹凸構造の前記ベースにおける正投影と前記陽極の前記ベースにおける正投影とは重畳領域を有する、請求項２に記載の表示基板。
【請求項18】
更に、前記パッケージ層と前記カラーフィルター層との間に設けられたタッチ構造層を備え、前記タッチ構造層は複数のタッチ電極を備え、前記ブラックマトリクスの前記ベースにおける正投影は前記タッチ電極の前記ベースにおける正投影を含む、請求項６に記載の表示基板。
【請求項19】
請求項１～１８のいずれか１項に記載の表示基板を備えた表示装置。
【請求項20】
表示基板の製造方法であって、ベースに少なくとも１つの絶縁膜層を形成し、少なくとも１つの前記絶縁膜層の前記ベースから離れた側に凹凸構造が設けられることと、
前記絶縁膜層の前記ベースから離れた側に第１電極を形成し、前記凹凸構造の前記ベースにおける正投影と前記第１電極の前記ベースにおける正投影とは重畳領域を有することと、を含む、表示基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示の実施例は表示技術分野に関するが、これには限らず、特に表示基板及びその製造方法、表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤと略称される）は能動発光型表示素子であり、発光、超薄、広視野角、高輝度、高コントラスト、低消費電力、極めて高反応速度等の利点を有する。駆動方式の違いによって、ＯＬＥＤはパッシブマトリクス駆動（Ｐａｓｓｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ、ＰＭと略称される）型とアクティブマトリクス駆動（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ、ＡＭと略称される）型の２種類に分けることができ、ここにおいてＡＭＯＬＥＤは電流ドライバであり、独立した薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴと略称される）を用いて各サブ画素を制御し、各サブ画素はいずれも連続且つ独立した駆動発光ができる。
【発明の概要】
【0003】
以下は本文が詳細に説明するテーマについての概説である。本概説は特許請求の保護範囲を制限するためのものではない。
【0004】
本開示の実施例は表示基板を提供し、ベースと、前記ベースに設けられた少なくとも１つの絶縁膜層と、前記絶縁膜層の前記ベースから離れた側に設けられた第１電極と、を備え、少なくとも１つの前記絶縁膜層の前記ベースから離れた側に凹凸構造が設けられ、前記凹凸構造の前記ベースにおける正投影と前記第１電極の前記ベースにおける正投影とは重畳領域を有する。
【0005】
例示的な実施例では、前記表示基板は、前記ベース上に順次に形成された平坦層、発光構造層、パッケージ層、カラーフィルター層を備え、前記発光構造層は、画素定義層、陽極、陰極、前記陽極と前記陰極との間に位置する有機発光層を備え、前記画素定義層は複数の画素開口を備え、前記画素開口は前記陽極の少なくとも一部を露出し、前記陰極は前記画素定義層を覆い、
前記カラーフィルター層は間隔を置いて設けられたブラックマトリクスとカラーフィルターとを備え、前記ブラックマトリクスはマトリクス配列をなす複数の開口領域を有し、前記カラーフィルターの少なくとも一部は前記開口領域内に充填され、前記カラーフィルターと前記ブラックマトリクスとは少なくとも一部のオーバーラップ領域を有し、前記オーバーラップ領域では前記カラーフィルターは前記ブラックマトリクスを覆う。
前記カラーフィルター層は間隔を置いて設けられたブラックマトリクスとカラーフィルターとを備え、前記ブラックマトリクスはマトリクス配列をなす複数の開口領域を有し、前記カラーフィルターの少なくとも一部は前記開口領域内に充填され、前記カラーフィルターと前記ブラックマトリクスとは少なくとも一部のオーバーラップ領域を有し、前記オーバーラップ領域では前記カラーフィルターは前記ブラックマトリクスを覆う。
【0006】
例示的な実施例では、少なくとも１つの前記絶縁膜層は前記画素定義層を備え、前記第１電極は前記陰極を備える。
【0007】
例示的な実施例では、前記画素定義層は複数の第１凸起部を備え、隣接する前記第１凸起部の間に第１凹部が形成される。
【0008】
例示的な実施例では、前記第１凹部は前記画素開口を囲む凹溝であり、隣接する前記凹溝間の距離は、前記ブラックマトリクスの開口領域のエッジと前記画素定義層に形成された画素開口のエッジとの間の距離の１／８～７／８である。
【0009】
例示的な実施例では、隣接する前記凹溝間の距離は１～２マイクロメートルである。
【0010】
例示的な実施例では、前記凹溝の幅は０．８～１．５マイクロメートルである。
【0011】
例示的な実施例では、前記第１凹部は前記画素開口を囲む開孔であり、前記開孔の幅は０．５～１．８マイクロメートルである。
【0012】
例示的な実施例では、複数の前記開孔は複数の環状構造ユニットを構成し、少なくとも１つの環状構造ユニットは、前記画素開口の周りに設けられ且つ互いに平行なＮ個の環状構造を備え、最内層の環状構造は複数の第１開孔を備え、前記第１開孔と前記画素開口とは隣接し、Ｎは１より大きい自然数である。
【0013】
例示的な実施例では、複数の前記第１開孔の間に鋸歯状凸起が形成され、前記鋸歯状凸起の幅は０．８～１．５マイクロメートルである。
【0014】
例示的な実施例では、Ｎは１～５０の間の自然数である。
【0015】
例示的な実施例では、少なくとも１つの前記絶縁膜層は前記平坦層を備え、前記第１電極は前記陽極を備える。
【0016】
例示的な実施例では、前記平坦層は複数の第２凸起部を備え、隣接する前記第２凸起部の間に第２凹部が形成される。
【0017】
例示的な実施例では、前記第２凸起部は鋸歯状である。
【0018】
例示的な実施例では、前記第２凸起部と前記第２凹部との間の段差は、前記平坦層の厚さの１／８～７／８である。
【0019】
例示的な実施例では、前記第２凸起部と前記第２凹部との間の段差は０．２～０．８マイクロメートルである。
【0020】
例示的な実施例では、少なくとも１つの前記絶縁膜層は前記画素定義層と前記平坦層とを備え、前記第１電極は前記陰極と前記陽極とを備え、前記画素定義層の前記ベースから離れた側に第１凹凸構造が設けられ、前記第１凹凸構造の前記ベースにおける正投影と前記陰極の前記ベースにおける正投影とは重畳領域を有し、前記平坦層の前記ベースから離れた側に第２凹凸構造が設けられ、前記第２凹凸構造の前記ベースにおける正投影と前記陽極の前記ベースにおける正投影とは重畳領域を有する。
【0021】
例示的な実施例では、前記表示基板は更に、前記パッケージ層と前記カラーフィルター層との間に設けられたタッチ構造層を備え、前記タッチ構造層は複数のタッチ電極を備え、前記ブラックマトリクスの前記ベースにおける正投影は前記タッチ電極の前記ベースにおける正投影を含む。
【0022】
本開示の実施例は更に表示装置を提供し、上記のいずれかの表示基板を備える。
【0023】
本開示の実施例は表示基板の製造方法を提供し、ベースに少なくとも１つの絶縁膜層を形成し、少なくとも１つの前記絶縁膜層の前記ベースから離れた側に凹凸構造が設けられることと、前記絶縁膜層の前記ベースから離れた側に第１電極を形成し、前記凹凸構造の前記ベースにおける正投影と前記第１電極の前記ベースにおける正投影とは重畳領域を有することと、を含む。
【0024】
添付図面及び詳しい説明を読んで理解した後、その他の態様を分かることができる。
【図面の簡単な説明】
【0025】
図面は本開示の技術案をより理解するためのものであり、且つ明細書の一部を構成し、本開示の実施例と一緒に本開示の技術案を説明することに用いられ、本開示の技術案を制限するためのものではない。図面における各部品の形状及びサイズは実際の縮尺を反映しておらず、本開示の内容を模式的に説明することのみを目的としている。
【0026】
【発明を実施するための形態】
【0027】
本開示の目的、技術案及びメリットをよりはっきりさせるために、以下は図面を参照しながら、本開示の実施例を詳しく説明する。実施形態は、複数の異なる形式によって実施されてもよい。当業者が容易に理解できるように、方式及び内容は本開示の主旨及びその範囲を離脱せずに様々な形式に変換されてもよい。従って、本開示は以下の実施形態に記載される内容に限定されると解釈されるべきではない。衝突しない限り、本開示における実施例及び実施例における特徴は任意に組み合わせることができる。
【0028】
本開示における図面の比例は実際のプロセスでの参照とされることができるが、これに限らない。例えば、チャネルのアスペクト比、各膜層の厚さとピッチ、各信号線の幅とピッチは、実際の必要に応じて調整することができる。表示基板における画素の個数及び各画素におけるサブ画素の個数も図に示される数量に限定されず、本開示に記載される図面は構造模式図であり、本開示の１つの方式は図面に示される形状又は数値等に限らない。
【0029】
本明細書における「第１」、「第２」、「第３」等の序数は構成要素の混同を回避するために設定されたものであり、数量の面で限定するためのものではない。
【0030】
本明細書では、便利のために、「中部」、「上」、「下」、「前」、「後」、「垂直」、「水平」、「頂」、「底」、「内」、「外」等の、方位又は位置関係を指示する記載が使用されることによって、構成要素の位置関係を、図面を参照しながら説明されるが、それは本明細書を簡単に説明するためのものに過ぎず、指示される装置や素子が必ず特定の方位を有し、特定の方位で構成及び操作されることを明示又は暗示するものではなく、従って本開示に対する制限と理解されるべきではない。構成要素の位置関係は各構成要素を説明する方向によって適切に変更される。従って、明細書に記載される用語に制限されず、状況に応じて適切に置き換えることができる。
【0031】
本明細書では、特に明確な規定や限定がない限り、「取り付け」、「接続」という用語は広い意味で理解されるべきである。例えば、固定的に接続されること、又は取り外し可能に接続されること、又は一体的に接続されることであってもよく、機械的接続又は電気的接続であってもよく、直接接続、又は中間部材を介した間接接続、又は２つの素子内部の連通であってもよい。当業者にとって、具体的な状況によって上記用語の本開示での具体的な意味を理解することができる。
【0032】
本明細書では、トランジスタとは少なくとも、ゲート電極、ドレイン電極、及びソース電極という３つの端子を備える素子を指す。トランジスタは、ドレイン電極（ドレイン電極端子、ドレイン領域、又はドレイン電極）とソース電極（ソース電極端子、ソース領域、又はソース電極）との間にチャネル領域を有し、そして電流はドレイン電極、チャネル領域、及びソース電極を流れることができる。但し、本明細書では、チャネル領域とは、電流が主に流れる領域を指す。
【0033】
本明細書では、第１極はドレイン電極であってもよく、第２極はソース電極であってもよく、又は、第１極はソース電極であってもよく、第２極はドレイン電極であってもよい。極性が逆のトランジスタを用いる場合、又は回路動作中の電流方向が変化する等の場合には、「ソース電極」及び「ドレイン電極」の機能は互いに入れ替わる場合がある。従って、本明細書では、「ソース電極」と「ドレイン電極」とは互いに入れ替わることができ、「ソース端」と「ドレイン端」とは互いに入れ替わることができる。
【0034】
本明細書では、「電気的接続」は、構成要素が何かの電気的機能を有する素子を介して接続される場合を含む。「何かの電気的機能を有する素子」は特に限定されなく、接続された構成要素間の電気信号を送受信することができればよい。「何かの電気的機能を有する素子」の例は、電極及び配線を含むだけでなく、更にトランジスタ等のスイッチング素子、抵抗器、インダクタ、コンデンサ、及び他の様々な機能を有する素子等も含む。
【0035】
本明細書では、「平行」とは、２本の直線のなす角度が－１０°以上且つ１０°以下である状態を指し、従って該角度が－５°以上且つ５°以下である状態も含む。尚、「垂直」とは、２本の直線のなす角度が８０°以上且つ１００°以下である状態を指し、従って、８５°以上且つ９５°以下の角度の状態も含む。
【0036】
本明細書では、「膜」及び「層」は互いに入れ替わることができる。例えば、「導電層」を「導電膜」に置き換えてもよい場合がある。それと同様に、「絶縁膜」を「絶縁層」に置き換えてもよい場合がある。
【0037】
本明細書における三角形、矩形、台形、五角形又は六角形等は厳密な意味でのものではなく、近似三角形、矩形、台形、五角形又は六角形等であってもよく、公差による小さな変形が存在してもよく、面取り、弧辺及び変形等が存在してもよい。
【0038】
本開示における「約」とは、限界を厳密に限定せず、プロセス及び測定の誤差範囲内の数値を許容することを指す。
【0039】
図１は表示装置の構造模式図である。図１に示すように、表示装置はタイミングコントローラ、データ信号ドライバ、走査信号ドライバ、及び画素アレイを備えてもよく、タイミングコントローラはそれぞれデータ信号ドライバ及び走査信号ドライバに接続され、データ信号ドライバはそれぞれ複数のデータ信号線（Ｄ１～Ｄｎ）に接続され、走査信号ドライバはそれぞれ複数の走査信号線（Ｓ１～Ｓｍ）に接続される。画素アレイは複数のサブ画素Ｐｘｉｊを含んでもよく、ｉ及びｊは自然数であってもよく、少なくとも１つのサブ画素Ｐｘｉｊは回路ユニット、及び回路ユニットに接続された発光素子を備えてもよく、回路ユニットは少なくとも１つの走査信号線と、少なくとも１つのデータ信号線と、画素駆動回路とを備えてもよい。幾つかの例示的な実施例では、タイミングコントローラはデータ信号ドライバの仕様に適した階調値及び制御信号をデータ信号ドライバに提供してもよく、走査信号ドライバの仕様に適したクロック信号、走査開始信号等を走査信号ドライバに提供してもよい。データ信号ドライバはタイミングコントローラから受信した階調値及び制御信号を利用してデータ信号線Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、…及びＤｎに提供されるデータ電圧を生成してもよい。例えば、データ信号ドライバは、クロック信号を利用して階調値をサンプリングし、そして画素行単位で階調値に対応するデータ電圧をデータ信号線Ｄ１～Ｄｎに印加してもよく、ｎは自然数であってもよい。走査信号ドライバはタイミングコントローラからクロック信号、走査開始信号等を受信することによって、走査信号線Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…及びＳｍに提供する走査信号を生成してもよい。例えば、走査信号ドライバは、オンレベルパルスを有する走査信号を走査信号線Ｓ１～Ｓｍに順次に提供することができる。例えば、走査信号ドライバはシフトレジスタの形態に構成されてもよく、そしてオンレベルパルスの形式で提供された走査開始信号をクロック信号の制御下で次段の回路に順次に伝送するように走査信号を生成してもよく、ｍは自然数であってもよい。
【0040】
図２は表示基板の平面構造模式図である。図２に示すように、表示基板は行列方式で配列される複数の画素ユニットＰを備えてもよく、複数の画素ユニットＰのうちの少なくとも１つは第１色光線を出射する第１サブ画素Ｐ１、第２色光線を出射する第２サブ画素Ｐ２、第３色光線を出射する第３サブ画素Ｐ３、及び第４色光線を出射する第４サブ画素Ｐ４を備え、４つのサブ画素はいずれも回路ユニット及び発光素子を備えてもよく、回路ユニットは走査信号線、データ信号線、及び画素駆動回路を備えてもよく、画素駆動回路はそれぞれ走査信号線及びデータ信号線に接続され、画素駆動回路は、走査信号線の制御で、データ信号線から伝送されたデータ電圧を受信し、対応する電流を発光素子に出力するように構成される。各サブ画素における発光素子はそれぞれ所在するサブ画素の画素駆動回路に接続され、発光素子は、所在するサブ画素の画素駆動回路から出力された電流に応じて、対応する輝度の光を発光するように構成される。
【0041】
幾つかの例示的な実施例では、第１サブ画素Ｐ１は赤色光線を出射する赤色サブ画素（Ｒ）であってもよく、第２サブ画素Ｐ２は緑色光線を出射する緑色サブ画素（Ｇ）であってもよく、第３サブ画素Ｐ３は白色光線を出射する白色サブ画素（Ｗ）であってもよく、第４サブ画素Ｐ４は青色光線を出射する青色サブ画素（Ｂ）であってもよい。
【0042】
幾つかの例示的な実施例では、サブ画素の形状は、矩形、菱形、五角形、又は六角形であってもよい。１つの例示的な実施形態では、４つのサブ画素は水平並列方式で配列され、ＲＷＢＧ画素配列を形成してもよい。他の例示的な実施形態では、４つのサブ画素は正方形（Ｓｑｕａｒｅ）、ダイヤモンド形（Ｄｉａｍｏｎｄ）、又は垂直並列等の方式で配列されてもよく、本開示はこれについて限定しない。
【0043】
他の幾つかの例示的な実施形態では、複数の画素ユニットＰのうちの少なくとも１つは、赤色光線を出射する１つの赤色（Ｒ）サブ画素、緑色光線を出射する１つの緑色（Ｇ）サブ画素、及び青色光線を出射する１つの青色（Ｂ）サブ画素を備えてもよく、又は、赤色光線を出射する１つの赤色サブ画素、緑色光線を出射する２つの緑色サブ画素、及び青色光線を出射する１つの青色サブ画素を備えてもよく、本開示はこれについて限定しない。画素ユニットが３つのサブ画素を備えた場合、３つのサブ画素は水平並列、垂直並列、又は品という文字の方式で配列されてもよく、画素ユニットが４つのサブ画素を備えた場合、４つのサブ画素は水平並列、垂直並列、又は正方形（Ｓｑｕａｒｅ）の方式で配列されてもよく、本開示はこれについて限定しない。
【0044】
幾つかの例示的な実施例では、水平方向に順次に配置された複数のサブ画素は画素行と称され、垂直方向に順次に配置された複数のサブ画素は画素列と称され、複数の画素行と複数の画素列はアレイ配置された画素アレイを構成する。
【0045】
現在、ＯＬＥＤパネルの液晶ディスプレイ（ＬＣＤ、Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）に対しての最も顕著な特徴は、全固体表示（液晶を含まない）であり、曲げや折り畳み能力において、明らかな優位性がある。ＯＬＥＤ製品の折り曲げ性能を向上させるためには、モジュールの厚さを持続的に薄くする必要があるが、反射防止の円偏光板及び貼り合わせられたタッチモジュールは全体の厚さの中で大きな割合を占めている。この問題を解決するために、タッチ構造及びカラーフィルター構造をＯＬＥＤパッケージ層に統合する方法、即ち薄膜パッケージ層におけるタッチ構造（ＴＯＴ、Ｔｏｕｃｈ ｏｎ ＴＦＥ）技術及び色抵抗構造（ＣＯＥ、ＣＦ ｏｎ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）技術が採用され、モジュール厚さは大幅に低減された。しかし、ＣＯＥ技術では暗い状態での色分離現象という問題が存在し、即ち画面オフ状態の場合、図３ａと図３ｂに示すように、光源の照射下で明らかに反射光の色分離が見られ、ユーザーの絶対的な黒い画面に対する体験が影響される。
【0046】
分析及び検証して分かったように、暗い状態での色分離現象が現れた主な原因は、円偏光板が取り除かれた後、環境光は赤緑青画素反射、及び陰極と陽極の光に対する指向反射を経た後、異なる程度で強度分布が変えられた、ということである。一部の技術では、色分離現象を改善するために、コーティング保護層（ＯＣ）に散乱粒子をドープすることによって光を散乱するが、散乱粒子の導入は光透過率を低下させ、そうすると、ＣＯＥの高透過率の利点を失う。
【0047】
本開示の実施例は表示基板を提供し、ベースと、ベースに設けられた少なくとも１つの絶縁膜層と、絶縁膜層のベースから離れた側に設けられた第１電極と、を備え、少なくとも１つの絶縁膜層のベースから離れた側に凹凸構造が設けられ、該凹凸構造のベースにおける正投影と第１電極のベースにおける正投影とは重畳領域を有する。
【0048】
本開示の実施例による表示基板は、第１電極と対向する位置の少なくとも１つの絶縁膜層を処理し、凹凸構造を形成し、環境光反射の経路を干渉し、環境光の出射を破壊することによって、色分離現象を改善し、しかも本開示の表示基板の製造プロセスは簡単で、生産効率が高く、生産コストが低く、良品率が高い等の利点があり、応用の見通しが良い。
【0049】
図４は本開示の実施例による表示基板の断面構造模式図であり、図４に示すように、本開示の実施例の表示基板は、ベースと、ベースに順次に形成された平坦層９５及び発光構造層と、を備え、発光構造層は陽極５１を備え、少なくとも１つの絶縁膜層は平坦層９５を備え、第１電極は陽極５１を備え、
平坦層９５のベースから離れた側に第２凹凸構造が設けられ、第２凹凸構造のベースにおける正投影と陽極５１のベースにおける正投影とは重畳領域を有する。
平坦層９５のベースから離れた側に第２凹凸構造が設けられ、第２凹凸構造のベースにおける正投影と陽極５１のベースにおける正投影とは重畳領域を有する。
【0050】
本実施例による表示基板は、陽極５１と正対の位置にある平坦層９５を緩やかに起伏するように処理することによって、陽極５１はある程度の起伏波動の形状を形成し、即ち、拡散反射陽極を形成し、環境光反射の経路を干渉し、環境光の出射を破壊し、色分離現象を改善する。図５ａ及び図５ｂに示すように、本開示の実施例による表示基板は、色分離現象が大幅に軽減され、暗い状態での強光照射下で良い黒色を保持することができ、ユーザー体験テストの結果、明らかな効果があることが分かった。
【0051】
幾つかの例示的な実施例では、第２凹凸構造は複数の第２凸起部を備え、隣接する第２凸起部の間に第２凹部が形成される。
【0052】
幾つかの例示的な実施例では、第２凸起部は鋸歯状であってもよい。
【0053】
幾つかの例示的な実施例では、第２凸起部と第２凹部との間の段差は０．２～０．８マイクロメートルであってもよい。
【0054】
幾つかの例示的な実施例では、発光構造層は更に画素定義層９６を備え、画素定義層９６は複数の画素開口を備え、画素開口は陽極５１を露出し、画素定義層９６のベースから離れた側に第１凹凸構造が設けられる。
【0055】
本実施例では、少なくとも１つの絶縁膜層は画素定義層９６を備え、第１電極は陰極を備え、画素定義層９６も緩やかに起伏するように処理されることによって、画素定義層９６は凹凸起伏の形状を形成し、そうすると、陰極が蒸着される際には陰極にも凹凸のある形状を形成させることができ、即ち、散乱陰極面が形成され、環境光の反射の経路が干渉され、環境光の出射が破壊され、色分離現象がより改善される。
【0056】
幾つかの例示的な実施例では、第１凹凸構造は複数の第１凸起部を備え、隣接する第１凸起部の間に第１凹部が形成される。
【0057】
幾つかの例示的な実施例では、第１凹部は画素開口を囲む凹溝であり、凹溝の幅は０．８～１．５マイクロメートルであり、隣接する凹溝の間の距離は１～２マイクロメートルである。
【0058】
幾つかの例示的な実施例では、隣接する凹溝間の距離は、ブラックマトリクスの開口領域のエッジと画素定義層に形成された画素開口のエッジとの間の距離の１／８～７／８である。
【0059】
他の幾つかの例示的な実施例では、第１凹部は画素開口を囲む開孔であり、開孔の幅は０．５～１．８マイクロメートルである。
【0060】
幾つかの例示的な実施例では、複数の開孔は複数の環状構造ユニットを構成し、各環状構造ユニットは、画素開口の周りに設けられ且つ互いに平行なＮ個の環状構造を備え、最内層の環状構造は複数の第１開孔を備え、第１開孔と画素開口とは隣接し、複数の第１開孔の間に鋸歯状凸起が形成され、各鋸歯状凸起の幅は０．８～１．５マイクロメートルであり、Ｎは１より大きい自然数である。
【0061】
幾つかの例示的な実施例では、Ｎは１～５０の間の自然数である。
【0062】
幾つかの例示的な実施例では、Ｎは３である。
【0063】
幾つかの例示的な実施例では、発光構造層は更に有機発光層５２と陰極５３とを備え、有機発光層５２は陽極５１に設けられ、陰極５３は有機発光層５２に設けられ、有機発光層５２と陽極５１とは接続され、陰極５３と有機発光層５２とは接続され、有機発光層５２は陽極５１及び陰極５３の駆動下で対応する色の光線を出射する。有機発光層５２及び陰極５３の第１凹凸構造及び／又は第２凹凸構造に対応する位置は非平坦表面である。
【0064】
幾つかの例示的な実施例では、有機発光層５２は、積層された正孔注入層（ＨＩＬ）と、正孔輸送層（ＨＴＬ）と、電子障壁層（ＥＢＬ）と、発光層（ＥＭＬ）と、正孔障壁層（ＨＢＬ）と、電子輸送層（ＥＴＬ）と、電子注入層（ＥＩＬ）と、を備えてもよい。幾つかの例示的な実施例では、全てのサブ画素の正孔注入層、正孔輸送層、電子障壁層、正孔障壁層、電子輸送層及び電子注入層は、互いに接続された共通層であってもよく、全てのサブ画素の発光層は、互いに接続された共通層であってもよく、又は互いに分離されてもよく、隣接するサブ画素の発光層は少量のオーバーラップがあってもよい。幾つかの可能な実現方式では、表示基板は他の膜層を備えてもよく、本開示はこれについて限定しない。
【0065】
幾つかの例示的な実施例では、表示基板は更に、発光構造層のベースから離れた側に設けられたパッケージ層９８を備える。パッケージ層９８は、積層された第１パッケージ層と、第２パッケージ層と、第３パッケージ層とを備えてもよく、第１パッケージ層及び第３パッケージ層は無機材料を採用してもよく、第２パッケージ層は有機材料を採用してもよく、第２パッケージ層は第１パッケージ層と第３パッケージ層との間に設けられ、外部の水蒸気が発光構造層に入ることができないように確保することができる。
【0066】
幾つかの例示的な実施例では、ベースは、ベース１０と、ベース１０に設けられた駆動構造層１０２とを備える。ベース１０は可撓性のベースであってもよく、又は剛性のベースであってもよい。各サブ画素の駆動構造層１０２は、複数のトランジスタ及び記憶コンデンサからなる画素駆動回路を備えてもよい。陽極５１は、平坦層９５に設けられたビアを介して、駆動構造層における第１薄膜トランジスタに接続される。
【0067】
幾つかの例示的な実施例では、図４に示すように、表示基板は更に、パッケージ層９８のベースから離れた側に設けられたカラーフィルター層を備え、カラーフィルター層は間隔を置いて設けられたブラックマトリクス７１とカラーフィルター７２とを備え、ブラックマトリクス７１はマトリクス配列をなす複数の開口領域を有し、カラーフィルター７２は開口領域内に充填される。例示的な実施例では、カラーフィルター７２とブラックマトリクス７１とは少なくとも一部のオーバーラップ領域を有する。ブラックマトリクス７１とカラーフィルター７２とのオーバーラップ領域では、カラーフィルター７２はブラックマトリクス７１を覆う。
【0068】
幾つかの例示的な実施例では、表示基板は更にパッケージ層９８とカラーフィルター層との間に設けられたタッチ構造層１０３を備え、タッチ構造層１０３は複数のタッチ電極を備えてもよく、ブラックマトリクス７１のベースにおける正投影はタッチ電極のベースにおける正投影を含む。
【0069】
次に、本実施例の表示パネルの製造プロセスを通して本実施例の技術案を更に説明する。本実施例で言及される「パターニングプロセス」は膜層の蒸着、フォトレジストコーティング、マスク露光、現像、エッチング、及びフォトレジスト剥離等の処理を含む。本実施例で言及される「フォトリソグラフィプロセス」は、膜層コーティング、マスク露光、現像等の処理を含み、関連技術における成熟化された製造プロセスである。蒸着ではスパッタリング、蒸着、及び化学気相蒸着のうちのいずれか１つ又は複数を採用することができ、コーティングではスプレーコーティング及びスピンコーティングのうちのいずれか１つ又は複数を採用することができ、エッチングではドライエッチング及びウェットエッチングのうちのいずれか１つ又は複数を採用することができる。「薄膜」とは、ある材料でベースにおいて蒸着又はコーティングプロセスによって製造した１つの層の薄膜のことを指す。製造の全プロセスにおいて該「薄膜」がパターニングプロセスを必要としない場合、該「薄膜」は更に「層」と称されてもよい。製造の全プロセスにおいて該「薄膜」がパターニングプロセスを必要とする場合、パターニングプロセスの前は「薄膜」と称され、パターニングプロセスの後は「層」と称される。パターニングプロセスを経た後の「層」には少なくとも１つの「パターン」が含まれる。本開示で言及される「Ａ及びＢを同層配置する」とは、Ａ及びＢを同じ回のパターニングプロセスによって同時に形成することを指す。「Ａの正投影はＢの正投影を含む」とは、Ｂの正投影がＡの正投影の範囲内にあること、又は、Ａの正投影がＢの正投影を覆うことを指す。
【0070】
幾つかの例示的な実施例では、図４の表示基板の製造プロセスは以下（１）～（１２）のステップを含んでもよい。
【0071】
（１）ガラス基板１においてフレキシブルベース１０を製造する。
【0072】
本開示の実施形態の一例では、フレキシブルベース１０は２層フレキシブル層構造を採用してもよく、フレキシブルベース１０は、ガラス基板１上に積層された第１フレキシブル材料層、第１無機材料層、半導体層、第２フレキシブル材料層、及び第２無機材料層を備える。第１フレキシブル材料層、第２フレキシブル材料層の材料は、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、又は表面処理されたポリマーフィルム等の材料を採用してもよく、第１無機材料層、第２無機材料層の材料は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）又は酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）等を採用してもよく、ベースの耐水酸素性能力を高めることに用いられ、第１無機材料層、第２無機材料層はバリア（Ｂａｒｒｉｅｒ）層とも呼ばれ、半導体層の材料はアモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）を採用してもよい。
【0073】
幾つかの例示的な実施例では、積層構造ＰＩ１／Ｂａｒｒｉｅｒ１／ａ－ｓｉ／ＰＩ２／Ｂａｒｒｉｅｒ２を例にすると、フレキシブルベース１０の製造プロセスは、図６に示すように、まずガラス基板１に１つの層のポリイミドをコーティングし、硬化して成膜した後に第１フレキシブル（ＰＩ１）層を形成することと、次に第１フレキシブル層に１つの層のバリア薄膜を蒸着し、第１フレキシブル層を覆う第１バリア（Ｂａｒｒｉｅｒ１）層を形成することと、それから第１バリア層に１つの層のアモルファスシリコン薄膜を蒸着し、第１バリア層を覆うアモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）層を形成することと、それからアモルファスシリコン層に更に１つの層のポリイミドをコーティングし、硬化して成膜した後に第２フレキシブル（ＰＩ２）層を形成することと、それから第２フレキシブル層に１つの層のバリア薄膜を蒸着し、第２フレキシブル層を覆う第２バリア（Ｂａｒｒｉｅｒ２）層を形成してフレキシブルベース１０の製造を完成することと、を含んでもよい。
【0074】
他の例では、フレキシブルベース１０は１つの層のフレキシブル層構造を採用してもよく、例えば、フレキシブルベース１０は、積層されたフレキシブル（ＰＩ）層とバリア（Ｂａｒｒｉｅｒ）層とを備える。
【0075】
（２）フレキシブルベース１０において駆動構造層１０２のパターンを製造する。駆動構造層は、複数のゲート線と複数のデータ線とを備え、複数のゲート線と複数のデータ線とが垂直に交差して複数のマトリクス配列の画素ユニットを規定し、各画素ユニットは少なくとも３つのサブ画素を備え、少なくとも１つのサブ画素は少なくとも１つの第１薄膜トランジスタ（ＴＦＴ、Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を備える（１つの可能な実施例では、スクリーン下のカメラ領域では、少なくとも１つのサブ画素はＴＦＴを設けず、陽極のみを設ける）。第１薄膜トランジスタは、ボトムゲート構造であってもよく、トップゲート構造であってもよく、アモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）薄膜トランジスタであってもよく、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）薄膜トランジスタ又は酸化物（Ｏｘｉｄｅ）薄膜トランジスタであってもよく、これについて限定しない。本実施例では、１つの画素ユニットは３つのサブ画素を備え、それぞれ、赤色サブ画素Ｒ、緑色サブ画素Ｇ、青色サブ画素Ｂである。当然ながら、本実施例の案は、１つの画素ユニットが４つのサブ画素（赤色サブ画素Ｒ、緑色サブ画素Ｇ、青色サブ画素Ｂ、及び白色サブ画素Ｗ）を備えるという場合にも適用する。幾つかの例示的な実施例では、駆動構造層の製造プロセスは以下のステップを含んでもよい。
【0076】
フレキシブルベース１０において、第１絶縁薄膜及びアクティブ層薄膜を順次に蒸着し、パターニングプロセスによりアクティブ層薄膜をパターニングして、フレキシブルベース１０全体を覆う第１絶縁層９１と、第１絶縁層９１上に設けられたアクティブ層パターンとを形成し、アクティブ層は少なくとも第１アクティブ層１１を備える。１つの例示的な実施例では、第１絶縁層９１はバッファ（Ｂｕｆｆｅｒ）層と呼ばれ、ベースの耐水酸素性能力を高めることに用いられる。
【0077】
次に、第２絶縁薄膜及び第１金属薄膜を順次に蒸着し、パターニングプロセスにより第１金属薄膜をパターニングして、アクティブ層を覆う第２絶縁層９２と、第２絶縁層９２に設けられる第１ゲート電極層パターンとを形成し、第１ゲート電極層は少なくとも第１ゲート電極２１及び第１コンデンサ電極２２、複数のゲート線（図示せず）及び複数のゲートリード線（図示せず）を備える。１つの例示的な実施例では、第２絶縁層９２は、第１ゲート絶縁（ＧＩ１）層と呼ばれる。
【0078】
次に、第３絶縁膜及び第２金属膜を順次に蒸着し、パターニングプロセスにより第２金属薄膜をパターニングして、第１ゲート電極層を覆う第３絶縁層９３と、第３絶縁層９３に設けられる第２ゲート電極層パターンとを形成し、第２ゲート電極層は少なくとも第２コンデンサ電極３１と第２ゲートリード線（図示せず）とを備え、第２コンデンサ電極３１の位置は第１コンデンサ電極２２の位置に対応する。１つの例示的な実施例では、第３絶縁層９３はまた第２ゲート絶縁（ＧＩ２）層と呼ばれる。
【0079】
次に、第４絶縁薄膜を蒸着し、パターニングプロセスにより第４絶縁薄膜をパターニングして、第２ゲート電極層を覆う第４絶縁層９４のパターンを形成し、第４絶縁層９４には複数の第１ビアが設けられ、複数の第１ビアの位置はそれぞれ第１アクティブ層の両端位置に対応し、複数の第１ビア内の第４絶縁層９４、第３絶縁層９３及び第２絶縁層９２はエッチングされ、第１アクティブ層の表面がそれぞれ露出される。１つの例示的な実施例では、第４絶縁層９４はまた層間絶縁（ＩＬＤ）層と呼ばれる。
【0080】
次に、第３金属薄膜を蒸着し、パターニングプロセスにより第３金属薄膜をパターニングして、第４絶縁層９４にソースドレイン金属層（ＳＤ）パターンを形成し、ソースドレイン金属層は少なくとも第１ソース電極４１、第１ドレイン電極４２、低圧（ＶＳＳ）線（図示せず）、複数のデータ線（図示せず）、及び複数のデータリード線（図示せず）のパターンを備え、第１ソース電極４１及び第１ドレイン電極４２は、それぞれ第１ビアを介して第１アクティブ層１１の両端に接続される。１つの例示的な実施例では、ソースドレイン金属層は、実際の需要に応じて、更に電源線（ＶＤＤ）、補償線、及び補助陰極のいずれか１つ又は複数を備えてもよい。
【0081】
これにより、図７に示すように、フレキシブルベース１０上における駆動構造層パターンの製造は完了した。第１アクティブ層１１、第１ゲート電極２１、第１ソース電極４１、及び第１ドレイン電極４２は、第１薄膜トランジスタを構成し、第１コンデンサ電極２２及び第２コンデンサ電極３１は記憶コンデンサを構成し、複数のゲートリード線及びデータリード線はアレイ基板ゲート駆動（Ｇａｔｅ Ｄｒｉｖｅｒ ｏｎ Ａｒｒａｙ，ＧＯＡ）の駆動リード線を構成する。
【0082】
（３）前述のパターンが形成されたフレキシブルベースに第１平坦薄膜をコーティングし、パターニングプロセスにより第１平坦薄膜をパターニングして、フレキシブルベース１０全体を覆う平坦（ＰＬＮ）層９５を形成し、図８に示すように、平坦層９５に第２ビアＶ２が設けられ、第２ビアＶ２内の平坦層９５はエッチングされて、第１薄膜トランジスタの第１ドレイン電極４２の表面を露出し、平坦層９５のフレキシブルベース１０から離れた側には第２凹凸構造９５１が設けられ、第２凹凸構造９５１のフレキシブルベース１０における正投影と、その後に形成される陽極５１のフレキシブルベース１０における正投影とは重畳領域を有し、即ち、陽極５１に対応する位置の平坦層９５上に起伏変動する形状を形成する。
【0083】
幾つかの例示的な実施例では、第２凹凸構造９５１は複数の第２凸起部を備え、隣接する第２凸起部の間に第２凹部が形成される。
【0084】
本実施例では、第１平坦薄膜をパターニングする際に、フォトマスク上の開口パターンを第２凹凸構造９５１の第２凹部に対応させてもよく、これにより、フォトマスクの開口パターンの位置、形状及び配置方式を、所望の第２凹凸構造９５１に応じて設計することができ、そうすると、表示基板の製造プロセスの簡略化に利する。
【0085】
幾つかの例示的な実施例では、第２凸起部は鋸歯状であってもよい。
【0086】
幾つかの例示的な実施例では、図４に示すように、第２凸起部と第２凹部との間の段差ｈ１は平坦層９５の厚さｈ２の１／８～７／８であってもよい。
【0087】
幾つかの例示的な実施例では、第２凸起部と第２凹部との間の段差ｈ１は０．２～０．８マイクロメートルであってもよい。本実施例では、第２突起部と第２凹部との段差とは、第２突起部の最高点と第２凹部の最低点との高さの差を指す。
【0088】
（４）前述のパターンが形成されたベース上に透明導電性薄膜を蒸着し、パターニングプロセスにより透明導電性薄膜をパターニングして陽極５１のパターンを形成し、陽極５１は第２ビアＶ２を介して第１ドレイン電極Ｄに接続される。陽極５１に対応する位置の平坦層９５の、フレキシブルベースから離れた側に起伏波動の形状があるため、陽極５１も起伏波動の形状を形成することができ、そうすると、拡散反射陽極面を形成することができる。
【0089】
幾つかの例示的な実施例では、陽極５１のパターンを形成することは、図９に示すように、前述のパターンが形成されたベース上に第４金属薄膜を蒸着し、第４金属薄膜にフォトレジストの層をコーティングし、モノクロのフォトマスクを用いてフォトレジストを露光し、陽極５１の位置する位置に未露光領域を形成し、他の位置に完全露光領域を形成し、完全露光領域のフォトレジストを現像して除去し、その後、完全露光領域の第４金属薄膜をエッチングし、フォトレジストを剥離した後、陽極５１のパターンを形成する、ということを含む。
【0090】
本実施例の表示パネルはトップエミッション構造であるため、陽極５１は反射電極であり、反射率の高い金属、例えば、銀Ａｇ、金Ａｕ、パラジウムＰｄ、白金Ｐｔ等、又はこれらの金属の合金、又はこれらの金属の複合層を採用してもよい。実際に実施する際にはまた酸化インジウムスズＩＴＯ層と金属反射層の複合層構造を採用してもよく、良好な導電性、高い反射率、良好な形態安定性を有する。
【0091】
（５）前述のパターンが形成されたベースに画素定義薄膜をコーティングし、マスキング、露光、現像プロセスによって、画素定義（ＰＤＬ）層９６のパターンを形成し、図１０に示すように、画素定義層９６に画素開口Ｋが設けられ、画素開口Ｋ内の画素定義薄膜は現像されて陽極５１の表面の少なくとも一部を露出し、画素定義層９６のフレキシブルベース１０から離れた側に第１凹凸構造９６１が設けられる。画素開口Ｋ及び第１凹凸構造９６１は、階調マスク設計により実現することができる。
【0092】
幾つかの例示的な実施例では、第１凹凸構造９６１のフレキシブルベース１０における正投影と、画素開口Ｋのフレキシブルベース１０における正投影とは重畳しない。
【0093】
幾つかの例示的な実施例では、第１凹凸構造９６１は、画素定義層９６の、後に形成される有機発光層５２に近い側に位置し、これにより、画素定義層９６の発光領域に近いエッジ位置に起伏波動の形状を形成することができる。
【0094】
幾つかの例示的な実施例では、図１０に示すように、第１凹凸構造９６１は複数の第１凸起部９６ａを備え、隣接する第１凸起部９６ａの間に第１凹部９６ｂが形成される。本開示の実施例では、画素開口Ｋ内の画素定義層はすべて現像され、第１凹部９６ｂ内の画素定義層は部分的に現像され、後に形成される陰極と陽極が第１凹部９６ｂを介して短絡するのを防止する。
【0095】
幾つかの例示的な実施例では、図４及び図１１に示すように、第１凹部９６ｂは画素開口Ｋを囲む凹溝であり、凹溝の幅ｄ１は現在の露光装置の解像度限界に基づいて決定されてもよく、隣接する凹溝間の距離ｄ２は、後に形成されるブラックマトリクス７１の開口領域のエッジと画素定義層９６に形成された画素開口Ｋのエッジとの距離ｄ３の１／８～７／８である。
【0096】
幾つかの例示的な実施例では、図１１に示すように、第１凹部９６ｂは画素開口Ｋを囲む凹溝であり、凹溝の幅ｄ１は０．８～１．５マイクロメートルであり、隣接する凹溝の間の距離ｄ２は１～２マイクロメートルである。
【0097】
他の幾つかの例示的な実施例では、図４及び図１２に示すように、第１凹部９６ｂは画素開口Ｋを囲む開孔を備え、開孔の幅ｄ４は現在の露光装置の解像度限界に基づいて決定されてもよい。隣接する開孔間の距離ｄ５は、後に形成されるブラックマトリクス７１の開口領域のエッジと画素定義層９６に形成された画素開口Ｋのエッジとの間の距離ｄ３の１／８～７／８である。
【0098】
例示的には、開孔の幅ｄ４は０．５～１．８マイクロメートルであってもよい。
【0099】
幾つかの例示的な実施例では、図１２に示すように、複数の開孔は複数の環状構造ユニット９６ｃを構成し、各環状構造ユニット９６ｃは、画素開口Ｋの周りに設けられ且つ互いに平行なＮ個の環状構造を備え、最内層の環状構造は複数の第１開孔９６ｂ１を備え、第１開孔９６ｂ１と画素開口Ｋとは隣接し、複数の第１開孔９６ｂ１の間に鋸歯状凸起９６ａ１が形成され、Ｎは１より大きい自然数である。
【0100】
幾つかの例示的な実施例では、図１２に示すように、鋸歯状凸起９６ａ１の幅ｄ６は現在の露光装置の解像度限界に基づいて決定されてもよい。隣接する鋸歯状凸起９６ａ１間の距離ｄ７は、後に形成されるブラックマトリクス７１の開口領域のエッジと画素定義層９６に形成された画素開口Ｋのエッジとの間の距離の１／８～７／８である。
【0101】
例示的には、鋸歯状凸起９６ａ１の幅ｄ６は０．８～１．５マイクロメートルである。
【0102】
幾つかの例示的な実施例では、Ｎは１～５０である。例示的に、Ｎは３であってもよい。
【0103】
本実施例では、開孔の幅を０．５～１．８マイクロメートルに設定することで、画素開口が曝露されても設計された開孔は曝露で透過されることがないように確保することができ、これにより画素定義層９６に凹凸起伏の形状を形成することができ、そうすると、後に陰極５３を蒸着する時も陰極５３に凹凸のある形状を形成させることができ、散乱陰極面を形成することができる。
【0104】
（６）図１３に示すように、前述のパターンが形成されたベースに有機材料薄膜をコーティングし、マスキング、露光、現像プロセスにより、スペーサ（ＰＳ）層９７のパターンを形成する。
【0105】
（７）図１４に示すように、前述のパターンが形成されたベースに有機発光層５２及び陰極５３を順次に形成する。有機発光層５２は、積層された正孔注入層と、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層と、を備え、画素開口内に形成され、有機発光層５２と陽極５１との接続が実現される。陽極５１が第１トランジスタの第１ドレイン電極４２に接続されるため、有機発光層５２の発光制御が実現される。陰極５３は有機発光層５２に接続される。陽極５１及び画素定義層９６がいずれも起伏波動の形状を有するため、有機発光層５２及び陰極５３もそれぞれ起伏波動の形状を形成することができ、そうすると、散乱陰極面を形成することができる。例示的な実施形態では、陰極５３は、互いに連通された一体構造であってもよい。
【0106】
これにより、駆動回路層における発光構造層パターンの製造は完了し、発光構造層は陽極と、画素定義層と、スペーサ層と、有機発光層と、陰極とを備え、有機発光層はそれぞれ陽極及び陰極に接続される。
【0107】
（８）図１５に示すように、前述のパターンが形成されたベースにパッケージ層９８のパターンを形成し、パッケージ層９８は無機材料／有機材料／無機材料の積層構造を採用してもよく、有機材料層は２つの無機材料層の間に配置される。
【0108】
幾つかの例示的な実施例では、パッケージ層９８のパターンを形成することは、まずオープンマスクプレートを用いてプラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）方式で第１無機薄膜を蒸着して、第１パッケージ層を形成することと、その後、インクジェット印刷プロセスを用いて第１パッケージ層に有機材料をインクジェット印刷し、硬化して成膜した後、第２パッケージ層を形成することと、その後、オープンマスクプレートを用いて第２無機薄膜を蒸着して、第３パッケージ層を形成し、第１パッケージ層、第２パッケージ層、及び第３パッケージ層からパッケージ層が構成されることと、を含んでもよい。幾つかの例示的な実施例では、第１パッケージ層及び第３パッケージ層は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、及び酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）のうちのいずれか１つ又は複数を採用してもよく、単層、多層、又は複合層であってもよく、第２パッケージ層は樹脂材料を採用して、無機材料／有機材料／無機材料の積層構造を形成してもよく、有機材料層は２つの無機材料層の間に設けられ、外部の水蒸気が発光構造層に入ることができないように確保することができる。
【0109】
（９）図１６に示すように、前述のパターンが形成されたベースにタッチ構造層１０３のパターンを形成する。
【0110】
幾つかの例示的な実施例では、タッチ構造層１０３は、パッケージ層９８上に積層配置されたバッファ層、第１タッチ電極層（即ちブリッジ層）、タッチ絶縁層（ＴＬＤ）、第２タッチ電極層、及び保護層を備えてもよく、複数の第１タッチ電極、複数の第２タッチ電極、及び複数の第１接続部は、第２タッチ電極層に同層配置されてもよく、そして同じ回のパターニングプロセスによって形成されてもよく、第１タッチ電極と第１接続部は、互いに接続された一体構造であってもよい。第２接続部は第１タッチ電極層に設けられてもよく、隣接する第２タッチ電極を、ビアを介して相互に接続させ、第２タッチ電極層と第１タッチ電極層との間にタッチ絶縁層が設けられる。
【0111】
幾つかの可能な実現方式では、複数の第１タッチ電極、複数の第２タッチ電極、及び複数の第２接続部は、第２タッチ電極層に同層配置されてもよく、第２タッチ電極と第２接続部は、互いに接続された一体構造であってもよく、第１接続部は第１タッチ電極層に設けられてもよく、隣接する第１タッチ電極を、ビアを介して相互に接続させる。
【0112】
（１０）前述のパターンが形成されたベースにカラーフィルター層パターンを形成し、図１７に示すように、カラーフィルター層は同層配置されたブラックマトリクス７１とカラーフィルター７２とを備え、ブラックマトリクス７１はマトリクス配列をなす複数の開口領域を有し、カラーフィルター７２は開口領域内に充填され、カラーフィルター７２とブラックマトリクス７１とは少なくとも一部のオーバーラップ領域を有し、オーバーラップ領域ではカラーフィルター７２はブラックマトリクス７１を覆う。
【0113】
幾つかの例示的な実施例では、カラーフィルター層パターンを形成することは、まず、前述のパターンが形成されたベースに、ブラックマトリクス材料を混合した高分子フォトレジスト層をコーティングし、露光、現像を経て、ブラックマトリクス７１パターンを形成することと、次に、前述のパターンが形成されたベースに赤色顔料を混合した高分子フォトレジスト層をコーティングし、露光、現像を経て、赤色領域のパターンを形成することと、同じ方法と手順を用いて、緑色領域のパターン及び青色領域のパターンを順次に形成することと、を含む。最終的には、一定の規則に従って配列された赤、緑、青の３原色のカラーフィルター７２が形成される。
【0114】
（１１）前述のパターンが形成されたベースにおいて薄膜パッケージプロセスを行い、図１８に示すように、コーティング保護層９９のパターンを形成し、コーティング保護層９９のパターンが形成されたベースに光学接着剤１００をコーティングし、光学接着剤１００にカバープレート１０１を貼り合わせる。
【0115】
（１２）上記の膜層構造の製造が完了した後、図４に示すように、剥離プロセスによって表示基板をガラス基板１から剥離し、次に、ローラー貼り合わせ方式を用いて、１つの層の下地膜を表示基板裏面（フレキシブルベース１０の、膜層から離れた側の表面）に貼り付ける。
【0116】
上記のプロセスで、本実施例の図４に示す表示基板の製造が完了する。本実施例の表示パネルはトップエミッション構造を用いて説明したが、本実施例の案はボトムエミッション構造又は両面エミッション構造にも適用でき、そして大サイズ又は小サイズの表示パネルにも適用できる。
【0117】
本開示に示される構造及びその製造プロセスは例示的な説明に過ぎず、例示的な実施形態では、実際の必要に応じて対応する構造を変更すること、及びパターニングプロセスを増加又は減少させることができる。例えば、各表示ユニットは、３つ又は４つのサブ画素を備えてもよい。また例えば、画素駆動回路は５Ｔ１Ｃ又は７Ｔ１Ｃであってもよい。更に例えば、膜層構造において更に他の電極又はリード線が設けられてもよく、本開示はこれについて具体的な限定はしない。例示的な実施例では、ソースドレイン金属層は２層構造であってもよく、即ち、表示基板に垂直な平面において、表示基板はベースに順次に形成された第１絶縁層、アクティブ層、第２絶縁層、第１ゲート電極層、第３絶縁層、第２ゲート電極層、第４絶縁層、第１ソースドレイン電極層、第１平坦層、第２ソースドレイン電極層、第２平坦層を備え、第２ソースドレイン電極層は少なくとも陽極接続電極を備え、陽極接続電極は第１平坦層におけるビアを介して第１薄膜トランジスタのドレイン電極に接続され、そして第２平坦層におけるビアを介して陽極に接続される。
【0118】
上記で説明した表示基板の構造及び製造フローから分かるように、本開示による表示基板は、陽極に正対する平坦層を緩やかに起伏するように処理することによって、陽極はある程度の起伏波動を有する形状を形成し、即ち、拡散反射陽極を形成し、そして、画素定義層も緩やかに起伏するように処理することによって、画素定義層は凹凸起伏の形状を形成し、そうすると、陰極を蒸着する際には陰極にも凹凸のある形状を形成させることができ、即ち、散乱陰極面が形成され、これにより、画面オフ状態で外部環境光がスクリーン内に入る時には、散乱陰陽極は光に対して散乱を形成し、環境光の出射方向を破壊し、色分離現象が改善され、良い画面オフ効果が実現され、コーティング保護層に散乱粒子をドープすると透過率が低下するという問題が回避され、コストの増加がなく、そしてＣＯＥの高透過率の優位性を維持することができ、将来の５Ｇ及び低消費電力フレキシブル製品の需要に対応することができる。
【0119】
光学改善色分離試験モデルであって、図１９に示すように、入射光がカラーフィルター（ＣＦ）の長軸方向に沿う場合、シミュレーション結果は図２０ａ、図２０ｂ、及び表１に示す通りであり、入射光がカラーフィルター（ＣＦ）の短軸方向に沿う場合、シミュレーション結果は図２１ａ、図２１ｂ、及び表２に示す通りである。
【0120】
【表1】
【0121】
【表2】
【0122】
本開示の実施例による表示基板の製造プロセスは、既存の成熟した製造設備を利用して実現でき、既存のプロセスに対する改善は小さく、暗い状態での色分離を工程やステップを追加することなく改善することができ、既存の製造プロセスと良い互換性があり、プロセスの実現は簡単で実施しやすく、生産効率が高く、生産コストが低く、良品率が高い。
【0123】
例示的な実施形態では、本開示の表示基板は、画素駆動回路を有する表示装置、例えば、ＯＬＥＤ、量子ドット表示（ＱＬＥＤ）、発光ダイオード表示（Ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ又はＭｉｎｉ ＬＥＤ）、又は量子ドット発光ダイオード表示（ＱＤＬＥＤ）等に適用することができ、本開示はこれについて限定しない。
【0124】
本開示の例示的な実施例は更に表示基板の製造方法を提供し、表示基板は複数のサブ画素を備えてもよく、前記製造方法は、
ベースに少なくとも１つの絶縁膜層を形成し、少なくとも１つの前記絶縁膜層の前記ベースから離れた側に凹凸構造が設けられることと、
前記絶縁膜層の前記ベースから離れた側に第１電極を形成し、前記凹凸構造の前記ベースにおける正投影と前記第１電極の前記ベースにおける正投影とは重畳領域を有することと、を含む。
ベースに少なくとも１つの絶縁膜層を形成し、少なくとも１つの前記絶縁膜層の前記ベースから離れた側に凹凸構造が設けられることと、
前記絶縁膜層の前記ベースから離れた側に第１電極を形成し、前記凹凸構造の前記ベースにおける正投影と前記第１電極の前記ベースにおける正投影とは重畳領域を有することと、を含む。
【0125】
本開示の実施例は更に表示装置を提供し、前述の実施例の表示パネルを備える。ディスプレイ装置は、携帯電話、タブレットＰＣ、テレビ、ディスプレイ、ノートＰＣ、デジタルフォトフレーム、ナビゲータ等の表示機能を有する如何なる製品又は部品であってもよい。
【0126】
本開示に開示される実施形態は以上の通りであるが、その記載内容は本開示を理解するために採用される実施形態に過ぎず、本発明を限定するためのものではない。当業者は本開示に開示される精神と範囲を離脱せずに、実施の形式及び詳細において修正と変更を行うことができるが、本発明の特許保護範囲は、特許請求の範囲に記載の範囲に準じるべきである。
【符号の説明】
【0127】
１ ガラス基板
１０ ベース
１０ フレキシブルベース
１１ 第１アクティブ層
２１ 第１ゲート電極
２２ 第１コンデンサ電極
３１ 第２コンデンサ電極
４１ 第１ソース電極
４２ 第１ドレイン電極
５１ 陽極
５２ 有機発光層
５３ 陰極
７１ ブラックマトリクス
７２ カラーフィルター
９１ 第１絶縁層
９２ 第２絶縁層
９３ 第３絶縁層
９４ 第４絶縁層
９５ 平坦層
９６ 画素定義層
９６ａ 第１凸起部
９６ａ１ 鋸歯状凸起
９６ｂ 第１凹部
９６ｂ１ 第１開孔
９６ｃ 環状構造ユニット
９７ スペーサ層
９８ パッケージ層
９９ コーティング保護層
１００ 光学接着剤
１０１ カバープレート
１０２ 駆動構造層
１０３ タッチ構造層
９５１ 第２凹凸構造
９６１ 第１凹凸構造
１０ ベース
１０ フレキシブルベース
１１ 第１アクティブ層
２１ 第１ゲート電極
２２ 第１コンデンサ電極
３１ 第２コンデンサ電極
４１ 第１ソース電極
４２ 第１ドレイン電極
５１ 陽極
５２ 有機発光層
５３ 陰極
７１ ブラックマトリクス
７２ カラーフィルター
９１ 第１絶縁層
９２ 第２絶縁層
９３ 第３絶縁層
９４ 第４絶縁層
９５ 平坦層
９６ 画素定義層
９６ａ 第１凸起部
９６ａ１ 鋸歯状凸起
９６ｂ 第１凹部
９６ｂ１ 第１開孔
９６ｃ 環状構造ユニット
９７ スペーサ層
９８ パッケージ層
９９ コーティング保護層
１００ 光学接着剤
１０１ カバープレート
１０２ 駆動構造層
１０３ タッチ構造層
９５１ 第２凹凸構造
９６１ 第１凹凸構造
【図1】
【図2】
【図3a】
【図3b】
【図4】
【図5a】
【図5b】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20a】
【図20b】
【図21a】
【図21b】
【国際調査報告】