特表 2024-541283 ＳｉＰモジュール

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-11-08

(54)【発明の名称】ＳｉＰモジュール

(51)【国際特許分類】

   H01L 25/07 20060101AFI20241031BHJP

   H01L 23/427 20060101ALI20241031BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20241031BHJP

【ＦＩ】

H01L25/08 Y

H01L23/46 B

H01L23/12 301Z

H01L23/12 B

H01L23/12 J

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024526729

(86)(22)【出願日】2022-11-15

(85)【翻訳文提出日】2024-05-02

(86)【国際出願番号】 KR2022017970

(87)【国際公開番号】W WO2023090809

(87)【国際公開日】2023-05-25

(31)【優先権主張番号】10-2021-0159856

(32)【優先日】2021-11-18

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(31)【優先権主張番号】10-2022-0011859

(32)【優先日】2022-01-26

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】517099982

【氏名又は名称】エルジー イノテック カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100099759

【弁理士】

【氏名又は名称】青木 篤

(74)【代理人】

【識別番号】100123582

【弁理士】

【氏名又は名称】三橋 真二

(74)【代理人】

【識別番号】100165191

【弁理士】

【氏名又は名称】河合 章

(74)【代理人】

【識別番号】100114018

【弁理士】

【氏名又は名称】南山 知広

(74)【代理人】

【識別番号】100159259

【弁理士】

【氏名又は名称】竹本 実

(72)【発明者】

【氏名】チェ ピョン ヒョン

【テーマコード（参考）】

5F136

【Ｆターム（参考）】

5F136CC23

5F136CC24

(57)【要約】

本発明の一実施例によるＳｉＰモジュールは、基板と、前記基板の内部にエンベデットされる第１ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｈｉｐ）と、前記基板の一面に配置される第２ＩＣを含み、前記基板の前記一面と他面を貫通する第１方向を基準に、前記第１ＩＣと前記第２ＩＣは、少なくとも一部がオーバーラップして配置される。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板の内部にエンベデットされる第１ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｈｉｐ）と、
前記基板の一面に配置される第２ＩＣを含み、
前記基板の前記一面と他面を貫通する第１方向を基準に、前記第１ＩＣと前記第２ＩＣは、少なくとも一部がオーバーラップして配置される、ＳｉＰモジュール。

【請求項2】

前記第１ＩＣと前記第２ＩＣは、同じ種類および同じ大きさを有し、
前記第１ＩＣと前記第２ＩＣは、前記第１方向に垂直な第２方向を基準に同じ方向に配置される、請求項１に記載のＳｉＰモジュール。

【請求項3】

前記第１ＩＣと前記第２ＩＣは、一つの電源キャパシタと接続される、請求項１に記載のＳｉＰモジュール。

【請求項4】

前記基板の前記一面には、前記第１ＩＣと接続される第１部品、前記第２ＩＣと接続される第２部品、および前記第１ＩＣおよび前記第２ＩＣと接続される第３部品を含む、請求項１に記載のＳｉＰモジュール。

【請求項5】

前記基板の他面に配置される放熱パッドを含み、
前記放熱パッドは、前記第１ＩＣと接続される第１放熱パッドおよび前記第２ＩＣと接続される第２放熱パッドを含む、請求項１に記載のＳｉＰモジュール。

【請求項6】

前記第１ＩＣと前記第１放熱パッドを接続する第１ヒートパイプおよび前記第２ＩＣと前記第２放熱パッドを接続する第２ヒートパイプを含み、
前記第１ＩＣと前記第２ＩＣがオーバーラップされるエリアで、前記第２ヒートパイプは前記第１ＩＣと離隔して配置される、請求項５に記載のＳｉＰモジュール。

【請求項7】

基板と、
前記基板の内部にエンベデットされる第１ＩＣと、
前記基板の一面は、一つのピンマップで構成される接続端子を含み、
前記基板の前記一面と他面を貫通する第１方向を基準に、前記接続端子と前記第１ＩＣは、少なくとも一部がオーバーラップして配置される、ＳｉＰモジュール。

【請求項8】

前記基板の前記一面に配置される第２ＩＣを含み、
前記第２ＩＣは、前記接続端子に対応する位置にピンが形成される、請求項７に記載のＳｉＰモジュール。

【請求項9】

前記第１ＩＣと前記第２ＩＣは、同じ種類および同じ大きさを有し、
前記第１ＩＣと前記第２ＩＣは、前記第１方向に垂直な第２方向を基準に、同じ方向に配置される、請求項８に記載のＳｉＰモジュール。

【請求項10】

前記基板の前記一面には、前記第１ＩＣと接続される第１部品、前記第２ＩＣと接続される第２部品、および前記第１ＩＣおよび前記第２ＩＣと接続される第３部品を含む、請求項８に記載のＳｉＰモジュール。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ＳｉＰモジュールに関し、より具体的には、デュアルべースバンドを実現する小型化ＳｉＰモジュールに関する。

【背景技術】

【0002】

Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、無線電話機およびその他多くの無線装置は、多くの自動車ホットスポットに存在するノイズの多い２．４ＧＨｚ帯域を使用しているが、Ｗｉ-Ｆｉ８０２．１１ａｃ（ＷｉＦｉ５）以後の標準は、混雑の少ない５ＧＨｚ帯域で作動する機能が備えている。

【0003】

図１（Ａ）を参照すると、今日のほとんどの自動車等級Ｗｉ-Ｆｉ（登録商標）チップセットは、「時分割多重化」という技術を使用して、２．４ＧＨｚおよび５ＧＨｚ帯域で同時作動を達成して帯域当たりデータ速度を低下させる。多くの旧型Ｗｉ-Ｆｉ装置は、２．４ＧＨｚ帯域でのみ作動するため、自動車ホットスポットは互換性のために２．４ＧＨｚ帯域を固守しなければならない。

【0004】

２．４ＧＨｚ帯域は、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈおよびその他Ｗｉ-Ｆｉ装置でも使用されているため混雑を誘発し、伝送速度が理想的でない場合がある。次世代のアプリケーションは、５ＧＨｚ帯域に依存し、混雑や平凡なサービス品質を回避しようとするため、デュアルバンド要求事項が発生する。

【0005】

図１（Ｂ）を参照すると、実際同時デュアルバンド（ＲＳＤＢ、Ｒｅａｌ Ｓｉｍｕｌｔａｎｅｏｕｓ Ｄｕａｌ Ｂａｎｄ）は、２．４ＧＨｚおよび５ＧＨｚ帯域の両方で同時に伝送できる新しいタイプのＷｉ-Ｆｉモジュールであり、実際同時デュアルバンド（ＲＳＤＢ）Ｗｉ-Ｆｉモジュールは、二つの個別Ｗｉ-Ｆｉネットワークを支援することができる。一つは２．４ＧＨｚ帯域、他の一つは５ＧＨｚである。

【0006】

車両内環境の場合、５ＧＨｚ帯域で高いデータ速度と強力なＷｉ-Ｆｉ信号を許容すると同時に最適な速度で２．４ＧＨｚでレガシー（Ｌｅｇａｃｙ）装置を支援し続けることができる。５ＧＨｚＷｉ-Ｆｉはより高速で安定しているため、優先順位の高いＷｉ-Ｆｉトラフィックがこの帯域を使用することができ、２．４ＧＨｚ帯域は一般Ｗｉ-Ｆｉトラフィックに使用することができる。

【0007】

つまり、実際の同時デュアルバンド（ＲＳＤＢ）は、２．４ＧＨｚおよび５ＧＨｚＷｉ-Ｆｉネットワークが同時に作動し、互いに完全に独立的に作動することで、各ネットワークの性能を最適化し、車両でインターネット接続が可能なレガシーＷｉ-Ｆｉ装置を支援すると同時に、最も必要な車両内部システムに高速、クリーン、安定した５ＧＨｚＷｉ-Ｆｉ接続を提供することができる。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

本発明が解決しようとする技術的課題は、デュアルべースバンドを実現する小型化ＳｉＰモジュールを提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0009】

前記技術的課題を解決するために、本発明の一実施例によるＳｉＰモジュールは、基板と、前記基板の内部にエンベデットされる第１ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｈｉｐ）と、前記基板の一面に配置される第２ＩＣを含み、前記基板の前記一面と他面を貫通する第１方向を基準に、前記第１ＩＣと前記第２ＩＣは、少なくとも一部がオーバーラップされて配置される。

【0010】

前記第１ＩＣと前記第２ＩＣは、同じ種類および同じ大きさを有し、前記第１ＩＣと前記第２ＩＣは、前記第１方向に垂直な第２方向を基準に同じ方向に配置することができる。

【0011】

前記第１ＩＣと前記第２ＩＣは、一つの電源キャパシタと接続することができる。

【0012】

前記基板の前記一面には、前記第１ＩＣと接続される第１部品、前記第２ＩＣと接続される第２部品、および前記第１ＩＣおよび前記第２ＩＣと接続される第３部品を含むことができる。

【0013】

前記基板の他面に配置される放熱パッドを含み、前記放熱パッドは、前記第１ＩＣと接続される第１放熱パッドおよび前記第２ＩＣと接続される第２放熱パッドを含むことができる。

【0014】

前記第１ＩＣと前記第１放熱パッドを接続する第１ヒートパイプおよび前記第２ＩＣと前記第２放熱パッドを接続する第２ヒートパイプを含み、前記第１ＩＣと前記第２ＩＣがオーバーラップされるエリアで前記第２ヒートパイプは前記第１ＩＣと離隔して配置することができる。

【0015】

前記技術的課題を解決するために、本発明の他の実施例によるＳｉＰモジュールは、基板と、前記基板の内部にエンベデットされる第１ＩＣと、前記基板の一面は一つのピンマップで構成される接続端子を含み、前記基板の前記一面と他面を貫通する第１方向を基準に、前記接続端子と前記第１ＩＣは、少なくとも一部がオーバーラップされて配置される。

【0016】

前記基板の前記一面に配置される第２ＩＣを含み、前記第２ＩＣは、前記接続端子に対応する位置にピンが形成されることができる。

【0017】

前記第１ＩＣと前記第２ＩＣは、同じ種類および同じ大きさを有し、前記第１ＩＣと前記第２ＩＣは、前記第１方向に垂直な第２方向を基準に同じ方向に配置することができる。

【0018】

前記基板の前記一面には、前記第１ＩＣと接続される第１部品、前記第２ＩＣと接続される第２部品、および前記第１ＩＣおよび前記第２ＩＣと接続される第３部品を含むことができる。

【発明の効果】

【0019】

本発明の実施例によれば、一つの基板に二つのシングルべースバンドチップをオーバーラップして配置するので、ＳｉＰモジュールの全体の大きさを小型化することができる。

【0020】

また、各シングルべースバンドチップを同じ方向に配置することで、基板上に配置される部品をより効率的に配置することができ、部品および電源構造の共用化およびＲＦポートの配列設計の最適化を図ることがきる。

【0021】

また、ＳｉＰモジュールのプラットフォーム化により、一つの基板でシングルべースバンドチップのみを含むモジュールまたはデュアルべースバンドチップで実現されたモジュールを自由に実現することができる。

【0022】

また、チップセットごとに別の放熱パッドを配置することにより、各チップセット間の熱干渉を最小化することができ、熱発生による性能低下を最小化することができる。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1A】シングルべースバンドチップセットの動作を説明するための図面であり、

【図1B】デュアルべースバンドチップセットの動作を説明するための図面である。

【図2-5】本発明の一実施例によるＳｉＰモジュールを説明するための図面である。

【発明を実施するための形態】

【0024】

以下、添付の図面を参照して、本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。

【0025】

ただし、本発明の技術思想は、説明される一部の実施例に限定されるものではなく、異なる様々な形態で実施することができ、本発明の技術思想の範囲内であれば、実施例間でその構成要素の一つ以上を選択的に組み合わせたり、置換して使用することができる。

【0026】

また、本実施例で使用される用語（技術的及び科学的用語を含む）は、明らかに特別に定義されて記載されていない限り、本実施例が属する技術分野で通常の知識を有する者に一般的に理解される意味に解釈することができ、辞書で定義された用語のように一般的に使用される用語は、関連技術の文脈上の意味を考慮してその意味を解釈することができるだろう。

【0027】

また、本実施の形態で使用される用語は、実施例を説明するためのものであり、本発明を限定するものではない。

【0028】

本明細書において、単数形は、文言で特に言及されていない限り、複数形も含むことができ、「Ａおよび（と）Ｂ、Ｃのうち少なくとも1つ（または複数）」と記載されている場合、Ａ、Ｂ、Ｃで組み合わせられるすべての組み合わせのうち一つ以上を含むことができる。

【0029】

また、本実施形態の構成要素を説明するにあたり、第１、第２、Ａ、Ｂ、（ａ）、（ｂ）などの用語を使用することができる。これらの用語は、その構成要素を他の構成要素と区別するためのものであって、その用語によって当該構成要素の本質や順番または順序などに限定されるものではない。

【0030】

そして、ある構成要素が他の構成要素に「連結」、「結合」、または「接続」と記載されている場合、その構成要素は、その他の構成要素に直接的に「連結」、「結合」、または「接続」される場合だけでなく、その構成要素とその他の構成要素の間にある別の構成要素により「連結」、「結合」、または「接続」される場合も含むことができる。

【0031】

また、各構成要素の「上（の上）」または「下（の下）」に形成または配置されるものとして記載される場合、「上（の上）」または「下（の下）」は、二つの構成要素が互いに直接接触する場合だけでなく、一つ以上の別の構成要素が二つの構成要素の間に形成または配置される場合も含む。また、「上(の上)」または「下(の下)」で表現される場合、一つの構成要素を基準に上方向だけでなく、下方向の意味も含むことができる。

【0032】

図１（Ａ）は、シングルべースバンドチップセットの動作を説明するための図面であり、図１（Ｂ）は、デュアルべースバンドチップセットの動作を説明するための図面である。

【0033】

図１（Ａ）は、シングルべースバンドチップセットを含む通信モジュールのブロック図を示した図面で、時分割（Ｔｉｍｅ Ｄｉｖｉｄｅ）動作を通じて２．４ＧＨｚおよび５ＧＨｚ帯域で同時作動することができるが、帯域当たりデータ速度が低下するなどの通信性能が低下する問題がある。

【0034】

図１（Ｂ）は、デュアルべースバンドチップセットを含む通信モジュールのブロック図を示した図面であり、実際の同時デュアルバンド（ＲＳＤＢ）を通じて、２．４ＧＨｚおよび５ＧＨｚ帯域の両方に同時に伝送することができる。一般的に、デュアルべースバンドチップセットは、二つのシングルべースバンドチップセットを並べて配置して構成されるため、通信モジュールのチップセットの大きさが増加する問題がある。

【0035】

このような間題点を解決するために、本発明の一実施例によるＳｉＰモジュールは、一つのシングルべースバンドチップセットを基板内部にエンベデットし、他の一つのシングルべースバンドチップセットを基板上に配置するが、エンベデットされたシングルべースバンドチップセットとオーバーラップするように配置することにより、全体的な大きさを最小化することができ、各シングルべースバンドチップセットを同一方向に配置することによって部品の共用化およびＲＦポートの最適配列を実現することができる。

【0036】

図２～図５は、本発明の一実施例によるＳｉＰモジュールを説明するための図面である。

【0037】

本発明の一実施例によるＳｉＰモジュール１００は、基板１１０、第１ＩＣ１２１、第２ＩＣ１３１を含むことができる。

【0038】

基板１１０は、印刷回路基板（ＰＣＢ、Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）であることができる。基板１１０は、単一層で形成することができる。基板１１０は、複数層で形成することができる。基板１１０の一面には部品が配置されることができ、基板１１０の他面には基板バンプ１１１が配置されることができる。

【0039】

基板１１０の内部にはエンベデットされる第１ＩＣ１２１を含むことができる。既存には表面実装技術（ＳＭＴ、Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）を通じて基板表面の上に電子部品を接合させたのと異なり、本発明で使用される「エンベデット（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ）技術」は、基板内部に電子部品を挿入させる技術を意味する。第１ＩＣ１２１は、第１ＩＣ１２１の他面に第１バンプ１２２を含むことができる。

【0040】

第２ＩＣ１３１は、基板１１０の一面に配置することができる。第２ＩＣ１３１と第１ＩＣ１２１は、少なくとも一部がオーバーラップするように配置することができる。基板１１０の一面と他面を貫通する第１方向を基準に、第２ＩＣ１３１は、第１ＩＣ１２１とオーバーラップするように配置することができる。これにより、一つのＳｉＰモジュールでデュアルべースバンド動作を実現することができる。

【0041】

第２ＩＣ１３１は、基板１１０にフリップチップ技術によって結合することができる。第２ＩＣ１３１は、第２ＩＣ１３１の他面に第２バンプ１３２を含むことができる。フリップチップ技術は、素子実装技術の一つのワイヤレスボンディングの一方式として、チップを基板に取り付ける際に金属リード（ワイヤー）のような追加的な接続構造やボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）のような中間媒体を使用せずに、チップ下面の電極となる鉛バンプ（ｂｕｍｐ）を利用してそのまま融着する技術である。この技術は、パッケージがチップの大きさと同じであるため、小型、軽量化に有利で、熱的安定性が優れ、電流印加率が高く、反応速度も高めることができ、電極間の距離をはるかに細かくすることができる効果がある。

【0042】

第１ＩＣ１２１と第２ＩＣ１３１は、同じ種類のチップであってもよい。第１ＩＣ１２１と第２ＩＣ１３１は、同じ種類のシングルべースバンドチップであってもよい。第１ＩＣ１２１と第２ＩＣ１３１は、互いに同じ種類のＷｉ-Ｆｉチップセットであってもよい。第１ＩＣ１２１と第２ＩＣ１３１は、それぞれ異なる種類のシングルべースバンドチップであってもよい。第１ＩＣ１２１と第２ＩＣ１３１は、同じサイズを有することができる。第１ＩＣ１２１と第２ＩＣ１３１は、それぞれ異なるサイズを有することができる。

【0043】

第１ＩＣ１２１と第２ＩＣ１３１は、基板１１０の一面と他面を貫通する第１方向に垂直な第１方向を基準に、同じ方向に配置することができる。図４を参照すると、第１ＩＣ１２１と第２ＩＣ１３１が同じ種類のチップである場合、各チップに同じ部品が基板１１０の同じ方向を向くように配置することができる。

【0044】

例えば、基板１１０が互いに反対側に配置される第１辺および第３辺と、互いに反対側に配置される第２辺および第４辺を含み、第１辺は、第２辺および第４辺と接続され、第３ 辺は、第２辺および第４辺と接続することができる。第１ＩＣ１２１のＡ部品が基板１１０の第１辺を向くように配置され、Ｂ部品が基板１１０の第３辺を向くように配置される場合、第２ＩＣ１３１のＡ部品は基板１１０の第１辺を向くように配置され、Ｂ部品が基板１１０の第３辺を向くように配置されることができる。

【0045】

第１ＩＣ１２１と第２ＩＣ１３１は、互いに同じ方向に基板１１０に配置されるため、基板１１０上に配置される部品をより効率的に配置することができる。基板１１０に配置される部品は、ＴＣＸＯ（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）、クロックバッファー（Ｃｌｏｃｋ Ｂｕｆｆｅｒ）、ＲＦスイッチおよび多様な受動素子などでありうる。第１ＩＣ１２１と第２ＩＣ１３１は、基板１１０上に配置される部品を共有することができ、ＲＦポートの配列を最適化することができる。また、基板１１０に配置されるインターフェースがオーバーラップしたり、重ならないように配列することが可能で、シールドおよび放熱設計に有利なこともある。第１ＩＣ１２１と第２ＩＣ１３１は、一つの電源キャパシタと接続することができる。第１ＩＣ１２１と第２ＩＣ１３１は、同一電源部のキャパシタを共用に適用することにより、回路を簡素化することができる。

【0046】

基板１１０の一面には、第１ＩＣ１２１と接続される第１部品１４１、第２ＩＣ１３１と接続される第２部品１４２、第１ＩＣ１２１および第２ＩＣ１３１と接続される第３部品１４３を含むことができる。基板１１０の一面において、第１部品１４１は、第１ＩＣ１２１と隣接した位置に配置されることができ、第２部品１４２は、第２ＩＣ１３１と隣接した位置に配置されることができ、第３部品１４３は、第１ＩＣ１２１と第２ＩＣ１３１と共通して隣接したエリアに配置されることができる。

【0047】

図４は、基板１１０上に配置される第１～第３部品１４１、１４２、１４３の配置図を例示的に図示したもので、図４を参照すると、第１部品１４１は、第１ＩＣ１２１と隣接した基板１１０の右側方向に主に配置され、第２部品１４２は、第２ＩＣ１３１と隣接した基板１１０の左側方向に主に配置され、第３部品１４３は、第１ＩＣ１２１と第２ＩＣ１３１と共通して隣接したエリアである基板１１０の左側下段および右側上段に配置されることができる。これは例示的なものに過ぎず、様々な配置の変更が可能であることは当然である。

【0048】

基板１２０の一面は、一つのピンマップで構成される接続端子を含むことができる。基板１１０の一面に配置される第２ＩＣ１３１は、基板１１０の接続端子に対応する位置にピンが形成されることができる。ＳｉＰモジュール１００は、一つのシングルべースバンドチップがエンベデットされた構造を有することができる。ＳｉＰモジュール１００は、一つのシングルべースバンドチップがエンベデットされ、他の一つのシングルべースバンドチップがエンベデットされたシングルべースバンドチップと少なくとも一部がオーバーラップするように配置された構造を有することができる。

【0049】

図５（Ａ）は、シングルべースバンドチップを含むＳｉＰモジュールであり、図５（Ｂ）は、シングルべースバンドチップを二つ含むデュアルべースバンドで実現されたＳｉＰモジュールである。つまり、基板１１０の一面には一つのピンマップで構成される接続端子を含むことにより、基板１１０に第２ＩＣ１３１の脱付着が可能になるため、ＳｉＰモジュール製作時、シングルべースバンドチップが含まれたＳｉＰモジュールまたはデュアルべースバンドチップが含まれたＳｉＰモジュールを選択的に製作することができる。

【0050】

したがって、シングルべースバンドチップ専用ＳｉＰモジュールまたはデュアルべースバンドチップ専用ＳｉＰモジュールごとに基板を別に製作する必要がない。通信方法によるＳｉＰモジュールの基板をプラットフォーム化することができ、一つの基板をマザーボードとして活用することができる。

【0051】

基板１１０の他面には放熱パッドが配置されることができる。

【0052】

具体的に、放熱パッドは、熱伝導テープ（Ｔｈｅｒｍａｌ ｐａｄ）であることができる。放熱パッドは、熱伝導率が高く、ＳｉＰモジュール内部で発生する熱を下げることができる。放熱パッドは、テープ形態であることができる。放熱パッドは、両面テープ形態であってもよい。放熱パッドは、第１ＩＣ１２１と接続される第１放熱パッドおよび第２ＩＣ１３１と接続される第２放熱パッドを含むことができる。基板１１０の一面から他面を貫通する第１方向を基準に、第１放熱パッドは、第１ＩＣ１２１とオーバーラップされるように配置することができ、第２放熱パッドは、第２ＩＣ１３１とオーバーラップされるように配置することができる。

【0053】

第１ＩＣ１２１と第１放熱パッドを接続する第１ヒートパイプ１１２および第２ＩＣ１３１と第２放熱パッドを接続する第２ヒートパイプ１１３を含むことができる。第１ヒートパイプ１１２と第２ヒートパイプ１１３は、基板１１０内部にエンベデットすることができる。図３を参照すると、第１ヒートパイプ１１２は、第１ＩＣ１２１とダイレクトに接続され、第１ＩＣ１２１で発生した熱を第１放熱パッドに放出することができる。第２ヒートパイプ１１３は、第２ＩＣ１３１とダイレクトに接続され、第２ＩＣ１３１で発生した熱を第１放熱パッドに放出することができる。

【0054】

第１ＩＣ１２１と第２ＩＣ１３１がオーバーラップされるエリアで、第２ヒートパイプ１１３は、第１ＩＣ１２１と離隔して配置することができる。第２ＩＣ１３１で発生した熱は、第１ＩＣ１２１に影響を最小化して第２放熱パッドに放出することができる。これにより、第１ＩＣ１２１と第２ＩＣ１３１は、それぞれ異なる熱フロー（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｆｌｏｗ）が形成されるので、第１ＩＣ１２１と第２ＩＣ１３１間の熱に対する干渉を減らすことができる。さらに、第１ＩＣ１２１と第２ＩＣ１３１は、それそれ別の放熱パッドと接続されるので、基板１１０の底面で熱干渉が発生することを予防することができ、各チップセットの発熱によって性能低下が発生する現象を防止することができる。

【0055】

本発明の実施例によれば、一つの基板に二つのシングルべースバンドチップをオーバーラップして配置されるので、ＳｉＰモジュールの全体のサイズを小型化することができる。また、各シングルべースバンドチップを同じ方向に配置することで、基板上に配置される部品をより効率的に配置することができ、部品および電源構造の共用化およびＲＦポートの配列設計の最適化を図ることができる。また、ＳｉＰモジュールのプラットフォーム化により、一つの基板でシングルべースバンドチップのみ含むモジュールまたはデュアルべースバンドチップで実現されたモジュールを自由に実現することができる。また、チップセットごとに別の放熱パッドを配置することにより、各チップセット間の熱干渉を最小化することができ、熱発生による性能低下を最小化することができる。

【0056】

本実施の形態に関連する技術分野において当業者であれば、前記の記載された基材の本質的な特性から逸脱しない範囲で変形された形態で実施することができることを理解できるであろう。したがって、開示された方法は、限定的な観点ではなく、説明的な観点から考慮されるべきである。本発明の範囲は、前述の説明ではなく、特許請求の範囲に示されており、それと同等の範囲内にあるすべての差異は、本発明に含まれるものと解釈されるべきである。

【図1(a)】

【図1(b)】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5(a)】

【図5(b)】

【国際調査報告】