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特表2024-541889改善された音響特性を有する超音波システムおよびデバイス
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-11-13
(54)【発明の名称】改善された音響特性を有する超音波システムおよびデバイス
(51)【国際特許分類】
A61B 8/00 20060101AFI20241106BHJP
H04R 17/00 20060101ALN20241106BHJP
【ＦＩ】
A61B8/00
H04R17/00 330G
【審査請求】有
【予備審査請求】有
(21)【出願番号】P 2024523901
(86)(22)【出願日】2021-10-21
(85)【翻訳文提出日】2024-06-12
(86)【国際出願番号】 US2021056026
(87)【国際公開番号】W WO2023069101
(87)【国際公開日】2023-04-27
(81)【指定国・地域】
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．ＦＲＡＭ
２．ＦＩＲＥＷＩＲＥ
３．ＴＨＵＮＤＥＲＢＯＬＴ
(71)【出願人】
【識別番号】520342725
【氏名又は名称】エコー イメージング，インク．
(74)【代理人】
【識別番号】100118902
【弁理士】
【氏名又は名称】山本 修
(74)【代理人】
【識別番号】100106208
【弁理士】
【氏名又は名称】宮前 徹
(74)【代理人】
【識別番号】100196508
【弁理士】
【氏名又は名称】松尾 淳一
(72)【発明者】
【氏名】サリバン，キリアン
(72)【発明者】
【氏名】オグズ，フセイン・ケーガン
(72)【発明者】
【氏名】ブロック，アンソニー
(72)【発明者】
【氏名】コンロイ，マイケル
(72)【発明者】
【氏名】ターター，トーマス
(72)【発明者】
【氏名】グンサー，ドレイク
(72)【発明者】
【氏名】バーカムショー，ブライアン
【テーマコード（参考）】
4C601
5D019
【Ｆターム（参考）】
4C601BB03
4C601EE04
4C601EE19
4C601GA01
4C601GB06
4C601GB20
4C601GB30
4C601GB41
4C601GB50
5D019AA21
5D019BB02
5D019FF04
(57)【要約】
撮像システムおよびデバイスによって生成される音響撮像アーチファクトは、システムまたはデバイス内にマルチシンク媒体を備えることによって低減またはなくされ得る。マルチシンク材料は、撮像システムまたはデバイスの音響反射コンポーネントと撮像システムまたはデバイスの超音波トランスジューサとの間に配設され得る。熱伝導性でかつ音響非伝導性であるマルチシンク媒体の包含は、撮像システムおよびデバイス内の熱管理を維持または改善しながら、音響撮像アーチファクトを低減することができる。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
集積回路基板と、前記集積回路基板と接触状態のマルチシンク媒体と、
前記集積回路基板に結合された１つまたは複数の微小電気機械（ＭＥＭ）超音波トランスジューサとを備える撮像デバイス。
【請求項2】
ヒートシンクをさらに備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項3】
前記ヒートシンクは金属を含む、請求項２に記載のデバイス。
【請求項4】
前記金属はアルミニウムである、請求項３に記載のデバイス。
【請求項5】
前記マルチシンク媒体は、前記ヒートシンクと接触状態にある、請求項２～４のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項6】
前記マルチシンク媒体は、前記１つまたは複数のＭＥＭトランスジューサと前記ヒートシンクとの間に少なくとも部分的に配設される、請求項１～５のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項7】
前記集積回路基板に結合されたハウジングをさらに備える、請求項１～６のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項8】
前記マルチシンク媒体は、前記ハウジングと接触状態にある、請求項７に記載のデバイス。
【請求項9】
前記マルチシンク媒体は、前記１つまたは複数のＭＥＭトランスジューサと前記ハウジングとの間に少なくとも部分的に配設される、請求項７または８に記載のデバイス。
【請求項10】
前記マルチシンク媒体は注入可能である、請求項１～９のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項11】
前記マルチシンク媒体は、少なくとも２９ｇ／ｍｉｎの流量を有する、請求項１～１０のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項12】
前記マルチシンク媒体は、少なくとも４０ｇ／ｍｉｎの流量を有する、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項13】
前記マルチシンク媒体は、少なくとも１．５ワット／メートル－ケルビン（Ｗ／ｍＫ）の熱伝導率を有する、請求項１～１２のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項14】
前記マルチシンク媒体は、少なくとも３．７ワット／メートル－ケルビン（Ｗ／ｍＫ）の熱伝導率を有する、請求項１３に記載のデバイス。
【請求項15】
前記マルチシンク媒体は、少なくとも６．４ワット／メートル－ケルビン（Ｗ／ｍＫ）の熱伝導率を有する、請求項１３に記載のデバイス。
【請求項16】
前記マルチシンク媒体は、少なくとも０．５ｍｍの厚さを有する、請求項１～１５のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項17】
前記マルチシンク媒体は、少なくとも１．０ｍｍの厚さを有する、請求項１６に記載のデバイス。
【請求項18】
前記マルチシンク媒体は、少なくとも１．５ｍｍの厚さを有する、請求項１７に記載のデバイス。
【請求項19】
バッキング材料をさらに備える、請求項１～１８のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項20】
前記バッキング材料はバッキングラミネートを含む、請求項１９に記載のデバイス。
【請求項21】
撮像デバイスを作製する方法であって、前記撮像デバイスの第１のコンポーネントを集積回路基板に結合することによって内部キャビティを形成するステップと、
１つまたは複数の微小電気機械（ＭＥＭ）超音波トランスジューサを前記集積回路基板に結合するステップと、
マルチシンク媒体を前記内部キャビティに注入するステップと
を含む、方法。
【請求項22】
前記第１のコンポーネントは音響反射材料を含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項23】
前記第１のコンポーネントは、集積回路板に直接結合される、請求項２１または２２に記載の方法。
【請求項24】
前記第１のコンポーネントはヒートシンクである、請求項２１～２３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項25】
前記ヒートシンクは金属を含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項26】
前記マルチシンク媒体は、前記ヒートシンクと接触状態にある、請求項２３～２５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項27】
前記第１のコンポーネントはハウジングを備える、請求項２１に記載の方法。
【請求項28】
前記マルチシンク媒体は、前記ハウジングと接触状態にある、請求項２７に記載の方法。
【請求項29】
前記マルチシンク媒体は、前記１つまたは複数のＭＥＭトランスジューサと前記第１のコンポーネントとの間に少なくとも部分的に配設される、請求項２１～２８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項30】
前記マルチシンク媒体は注入可能である、請求項２１～２９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項31】
前記マルチシンク媒体は、少なくとも２９ｇ／ｍｉｎの流量を有する、請求項２１～３０のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項32】
前記マルチシンク媒体は、少なくとも４０ｇ／ｍｉｎの流量を有する、請求項３１に記載のデバイス。
【請求項33】
前記マルチシンク媒体は、少なくとも１．５ワット／メートル－ケルビン（Ｗ／ｍＫ）の熱伝導率を有する、請求項２１～３２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項34】
前記マルチシンク媒体は、少なくとも３．７ワット／メートル－ケルビン（Ｗ／ｍＫ）の熱伝導率を有する、請求項３３に記載の方法。
【請求項35】
前記マルチシンク媒体は、少なくとも６．４ワット／メートル－ケルビン（Ｗ／ｍＫ）の熱伝導率を有する、請求項３３に記載の方法。
【請求項36】
前記マルチシンク媒体は、注入後に少なくとも０．５ｍｍの厚さを有する、請求項２１～３５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項37】
前記マルチシンク媒体は、注入後に少なくとも１．０ｍｍの厚さを有する、請求項３６に記載の方法。
【請求項38】
前記マルチシンク媒体は、注入後に少なくとも１．５ｍｍの厚さを有する、請求項３６に記載の方法。
【請求項39】
バッキング材料を前記集積回路基板に結合するステップをさらに含む、請求項２１～３８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項40】
前記バッキング材料はバッキングラミネートを含む、請求項３９に記載の方法。
【請求項41】
前記バッキング材料は、前記第１のコンポーネントと前記１つまたは複数のＭＥＭ超音波トランスジューサとの間に少なくとも部分的に配設される、請求項３９または４０に記載の方法。【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【0001】
[001]超音波撮像は、医療および非破壊試験のための一般的な技法である。超音波システムおよびデバイスは、典型的に、音響波送信軸に沿って画像を作成するために、音響エネルギーを生成し、送信軸に沿って音響的に異質なターゲット物質内に送信し、ターゲット物質から反射される音響エネルギーを検出することが可能な超音波トランスジューサを備える。送信音響エネルギーの部分的または完全反射は、送信音響エネルギー波が、第１の音響インピーダンス（Ｚ１）を有するターゲット物質の第１の部分と第２の音響インピーダンス（Ｚ２）を有するターゲット物質の第２の部分と間の界面に遭遇すると起こり得る。反射音響エネルギー波の振幅を決定するために使用され得る反射係数（Ｒ）は、方程式（１）を使用して計算され得る：
【0002】
【数1】
【0003】
[002]しかしながら、超音波システムおよびデバイスの性能は、超音波プローブトランスジューサおよび／または超音波スキャンのターゲット物質の周囲環境内の音響ノイズ源によって悪い影響を及ぼされ得る。多重反射（リバーブ）アーチファクトは、超音波エネルギー波が、２つ以上の平行な音響反射体間で反射するときに生じる可能性がある。幾つかの場合、平行な音響反射体を備えるターゲット物質内のリバーブアーチファクトの悪影響は、音響波がターゲット物質に送信される角度を変更することによって減じられ得る。しかしながら、そのような方策は、平行な音響反射体に対する超音波トランスジューサの角度を変更することが可能であるときに使用され得るだけである。多重反射アーチファクトが音響ノイズ源から生じ、送信超音波の入射角度が容易に変更されない状況に対処する長年にわたりかつ未解決の必要性が存在する。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0004】
[003]超音波スキャンターゲット（例えば、ターゲット物質）の外の発生源から生じる超音波撮像アーチファクトは、例えば、そのような妨害に対処するための超音波デバイスまたはシステムの設計に対する調整が、実質的な性能トレードオフおよび設計上の妥協を伴う可能性があるため、特有の課題を提示する可能性がある。本明細書において、超音波走査デバイス内の音響多重反射から生じるアーチファクトに関して超音波スキャン性能を改善することができるシステム、デバイス、および方法が説明される。種々の態様において、システム、デバイス、および方法は、熱管理、コスト、および／またはプローブ幾何形状制約に関連する競合する設計制約を同様に克服しながら、超音波スキャン品質に対する音響多重反射の影響を低減することができる。例えば、本明細書で説明する幾つかの実施形態は、システムまたはデバイスのプローブ内の熱伝導を同時に改善しながら、（例えば、超音波システムまたはデバイスの音響反射コンポーネントからの）超音波システムまたはデバイスの超音波トランスジューサの音響分離を改善することができるマルチシンク媒体（例えば、注入可能なマルチシンク媒体４００）を含む。
【0005】
[004]種々の態様において、撮像デバイスは、集積回路基板と、集積回路基板と接触状態のマルチシンク媒体と、集積回路基板に結合された１つまたは複数の微小電気機械（ＭＥＭ：ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ）超音波トランスジューサとを備える。幾つかの場合、撮像デバイスは、ヒートシンクをさらに備える。幾つかの場合、ヒートシンクは金属を含む。幾つかの場合、金属はアルミニウムである。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、ヒートシンクと接触状態にある。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、１つまたは複数のＭＥＭトランスジューサとヒートシンクとの間に少なくとも部分的に配設される。幾つかの場合、デバイスは、集積回路基板に結合されたハウジングをさらに備える。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、ハウジングと接触状態にある。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、１つまたは複数のＭＥＭトランスジューサとハウジングとの間に少なくとも部分的に配設される。幾つかの場合、マルチシンク媒体は注入可能である。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、少なくとも２９ｇ／ｍｉｎの流量を有する。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、少なくとも４０ｇ／ｍｉｎの流量を有する。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、少なくとも１．５ワット／メートル－ケルビン（Ｗ／ｍＫ）の熱伝導率を有する。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、少なくとも３．７ワット／メートル－ケルビン（Ｗ／ｍＫ）の熱伝導率を有する。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、少なくとも６．４ワット／メートル－ケルビン（Ｗ／ｍＫ）の熱伝導率を有する。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、少なくとも０．５ｍｍの厚さを有する。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、少なくとも１．０ｍｍの厚さを有する。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、少なくとも１．５ｍｍの厚さを有する。幾つかの場合、撮像デバイスは、バッキング材料をさらに備える。幾つかの場合、バッキング材料はバッキングラミネートを含む。
【0006】
[005]さらなる態様において、撮像デバイスを作製する方法は、撮像デバイスの第１のコンポーネントを集積回路基板に結合することによって内部キャビティを形成するステップと、１つまたは複数の微小電気機械（ＭＥＭ）超音波トランスジューサを集積回路基板に結合するステップと、マルチシンク媒体を内部キャビティに注入するステップとを含む。幾つかの場合、第１のコンポーネントは音響反射材料を含む。幾つかの場合、第１のコンポーネントは、集積回路板に直接結合される。幾つかの場合、第１のコンポーネントはヒートシンクである。幾つかの場合、ヒートシンクは金属を含む。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、ヒートシンクと接触状態にある。幾つかの場合、第１のコンポーネントはハウジングを備える。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、ハウジングと接触状態にある。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、１つまたは複数のＭＥＭトランスジューサと第１のコンポーネントとの間に少なくとも部分的に配設される。幾つかの場合、マルチシンク媒体は注入可能である。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、少なくとも２９ｇ／ｍｉｎの流量を有する。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、少なくとも４０ｇ／ｍｉｎの流量を有する。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、少なくとも１．５ワット／メートル－ケルビン（Ｗ／ｍＫ）の熱伝導率を有する。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、少なくとも３．７ワット／メートル－ケルビン（Ｗ／ｍＫ）の熱伝導率を有する。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、少なくとも６．４ワット／メートル－ケルビン（Ｗ／ｍＫ）の熱伝導率を有する。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、注入後に少なくとも０．５ｍｍの厚さを有する。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、注入後に少なくとも１．０ｍｍの厚さを有する。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、注入後に少なくとも１．５ｍｍの厚さを有する。幾つかの場合、方法は、バッキング材料を集積回路基板に結合するステップをさらに含む。幾つかの場合、バッキング材料はバッキングラミネートを含む。幾つかの場合、バッキング材料は、第１のコンポーネントと１つまたは複数のＭＥＭ超音波トランスジューサとの間に少なくとも部分的に配設される。
【0007】
[006]本主題の特徴および利点のよりよい理解は、例証的な実施形態および添付図面を述べる以下の詳細な説明を参照して得られるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】[007]実施形態によるマルチシンク媒体を備えることができる撮像デバイスのブロック図である。
【図2】[008]実施形態によるマルチシンク媒体を備えることができる撮像デバイスの略図である。
【図3】[009]実施形態による撮像デバイスの内部コンポーネントの略図である。
【図4】[010]実施形態による撮像デバイスの内部コンポーネントの代替の構成の略図である。
【図5】[011]実施形態による撮像デバイスの内部コンポーネントの第２の代替の構成の略図である。
【図6】[012]実施形態による撮像デバイスの内部コンポーネントの第３の代替の構成の略図である。
【図7A】[013]実施形態による、アルミニウムバッキングを使用しマルチシンク媒体を使用しない試験ターゲット基板の超音波スキャンを示す図である。
【図8A】[016]実施形態による、０．５ミリメートル厚を有するマルチシンク媒体を使用する試験ターゲット基板の超音波スキャンを示す図である。
【図9A】[019]実施形態による、０．５ミリメートル厚を有するマルチシンク媒体４００を使用する試験ターゲット基板の超音波スキャンを示す図である。
【図10】[022]実施形態によるコンピューティングシステムのブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
[023]本明細書に、超音波撮像アプリケーションにおける改善された音響および熱管理のためのシステム、デバイス、および方法が開示される。超音波撮像システムおよびデバイスを構成する幾何形状および材料は、熱管理および音響アーチファクトの低減を含む、複数のおそらくは競合する設計制約を生じさせる可能性がある。撮像システムまたはデバイスの温度感応性電子コンポーネント（例えば、超音波撮像システムまたはデバイスのプローブヘッド）から外方への熱伝達（Ｈｅａｔ ｔｒａｎｓｆｅｒ）は、電子コンポーネントによって生成される熱用の導管として働く熱伝導性金属ヒートシンクの組み込みによって既存の機器において、典型的に対処される。残念ながら、金属ヒートシンクは、多重反射アーチファクトを含む音響アーチファクトを生成する可能性があり、そのアーチファクトは、超音波デバイスのトランスジューサ（例えば、超音波プローブヘッドのトランスジューサ）によって生成される超音波エネルギー（例えば、超音波波形またはパターン）に起因する可能性があり、超音波エネルギーは、デバイスの本体を通して後方に移動し、金属ヒートシンク（および／または超音波エネルギーを反射することができる他のコンポーネント）から反射し、デバイスの検出トランスジューサに戻る。その間、撮像システムまたはデバイスの内部キャビティまたは空間内に存在することができる、空気などの多くの音響絶縁材料は、熱エネルギーを効率的に伝導せず、超音波プローブヘッド内のプロセッサおよび集積回路などの撮像システムまたはデバイスの熱感応性内部コンポーネントから外方への熱伝導の総合効率を減少させる。本明細書で説明するように、熱エネルギーを効率的に伝導し、同時に、音響エネルギー（例えば、超音波エネルギー）を吸収するまたは消散させることが可能な物質（例えば、セラミック粒子を含むシリコーンベースペーストまたはパティ）を含むことができるマルチシンク媒体４００は、撮像トランスジューサの熱管理および音響分離を同時に改善するために、撮像システムおよびデバイス内に組み込まれ得る。多くの場合、注入可能かまたは成形可能なペーストまたはパティの形態で使用され得るマルチシンク媒体４００は、撮像システムまたはデバイス内の不規則形状のキャビティ、ギャップ、または空間（例えば、超音波プローブヘッド内の）を容易に充填することができ、熱束（例えば、電気コンポーネントから、金属ヒートシンクまたはハウジングであって、音響アーチファクトを生成する可能性に加えて、そのようなキャビティ、ギャップ、および空間を充填するために容易に作製されない場合がある、金属ヒートシンクまたはハウジングまでの）のためのより大きい断面積を提供し、音響反射材料のより密接するおよび／または完全な輪郭付け（例えば、音響分離）を可能にする。
【0010】
[024]本明細書で説明するように、撮像システムまたはデバイス１００は、超音波エネルギーを（例えば、超音波波形あるいは超音波波形の群またはパターンの形態で）送信および／または受信するように構成されるハードウェアおよび／またはソフトウェアを含むことができる。多くの場合、ターゲット物質の（例えば、ターゲット組織）の全てまたは一部分の画像は、撮像デバイスまたはシステム、例えば、本明細書で説明する撮像デバイスまたはシステムの超音波トランスジューサによる超音波エネルギー（例えば、超音波波形または超音波波形のパターン）の処理および／または分析によって生成され得る。幾つかの場合、本開示の実施形態は、撮像デバイスおよびシステム、例えば、微小電気機械システム（ＭＥＭ）超音波トランスジューサを備える非貫入型超音波撮像デバイスおよびシステムに関することができる。幾つかの場合、超音波トランスジューサは、ＭＵＴ（例えば、単一ダイヤフラムまたは膜を有するトランスジューサユニット（例えば、「ピクセル（ｐｉｘｅｌ）」））を備えることができる。幾つかの場合、超音波システムまたはデバイスは、１つのものとして共に機能するためにグループ化された複数のトランスジューサユニットを備えることができるトランスジューサ素子を備える。幾つかの場合、超音波トランスジューサは、受信した超音波エネルギー（例えば、受信した超音波波形またはパターン）を電気信号またはパターンに変換することができる。幾つかの場合、超音波デバイスまたはシステムは、受信した超音波波形またはパターンからトランスジューサによって生成される電気信号またはパターンをターゲット物質の全てまたは一部分の画像に変換するように構成され得る。
【0011】
[025]図１に示すように、撮像システムまたはデバイス１００はトランスジューサ１０２を備えることができる。撮像システムまたはデバイス１００のトランスジューサ１０２は、１つまたは複数のトランスジューサ素子１０４（例えば、アレイで配置された、例えば、複数のトランスジューサ素子）を備えることができる。幾つかの場合、撮像システムまたはデバイス１００のトランスジューサ１０２は、複数のトランスジューサ素子１０４を備えることができる。トランスジューサ素子１０４は、複数のトランスジューサユニットを備えることができ、複数のトランスジューサユニットは、圧電型微細加工超音波トランスジューサ（ｐＭＵＴ：ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｅｄ ｕｌｔｒａｓｏｕｎｄ ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）または容量性微細加工超音波トランスジューサ（ｃＭＵＴ：ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｅｄ ｕｌｔｒａｓｏｕｎｄ ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）をそれぞれ備える場合がある。ｐＭＵＴまたはｃＭＵＴは、例えば、ターゲット物質の撮像において、光音響または超音波原理に基づいて動作することができる。トランスジューサ素子１０２またはその所定の部分（例えば、トランスジューサユニット）は、生物学的組織（例えば、人間または動物の骨、血流、および／または器官（複数可）を備える）および／または他の物質または質量を備えることができるターゲット物質を通って伝搬する超音波圧力波（例えば、超音波エネルギー）を生成するために使用され得る。トランスジューサ素子１０２またはその所定の部分（例えば、トランスジューサユニット）は、（例えば、ターゲット物質の一部分から反射された）超音波エネルギーを受信するために使用され得る。多くの場合、トランスジューサ素子１０２またはその所定の部分は、受信した超音波エネルギーを電気信号に変換するように構成され得る。幾つかの場合、撮像システムまたはデバイス１００は、信号（例えば、超音波波形またはパターン）をターゲット物質（例えば、身体またはその所定の部分）内に送信し、ターゲット物質（例えば、身体またはその所定の部分）からの反射信号（例えば、超音波波形またはパターン）を受信することができる。幾つかの場合、撮像システムまたはデバイスは、超音波エネルギー（例えば、１つまたは複数の超音波波形またはパターンを含む）を同時に送信し受信するように構成され得る。
【0012】
[026]ｐＭＵＴまたはｃＭＵＴなどのトランスジューサ（または複数のトランスジューサ）は、基板２６０上で、例えば、半導体ウェハ製造プロセスを利用する方法で、効率的に形成され得る。従来のトランスジューサ（例えば、伝統的なバルク圧電（ＰＺＴ：ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ）トランスジューサ）と比較して、ｐＭＵＴトランスジューサ素子およびピクセルは、半導体基板２６０（例えば、集積回路基板）上に構築され得、半導体基板２６０は、かさばらず、製造するのに費用がかからず、より複雑でなく、伝統的なＰＺＴトランスジューサ基板に比べて、高性能の電子／トランスジューサ相互接続を有することができる。多くの場合、ｐＭＵＴを備える撮像システムおよびデバイス１００は、動作周波数においてより大きい柔軟性を可能にすることができ、より高品質な画像を生成することができる。
【0013】
[027]幾つかの場合、基板２６０（例えば、集積回路基板）は、半導体ウェハを備えることができる。幾つかの場合、半導体ウェハは、長さが、１５２．４ｍｍ（６インチ）、２０３．２ｍｍ（８インチ）、３０４．８ｍｍ（１２インチ）、１５２．４～２０３．２ｍｍ（６～８インチ）、２０３．２～３０４．８ｍｍ（８～１２インチ）、１５２．４～３０４．８ｍｍ（６～１２インチ）、１５２．４ｍｍ（６インチ）より小さい値、または３０４．８ｍｍ（１２インチ）より大きい値であることができる。幾つかの場合、半導体ウェハは、シリコン基板上に１つまたは複数の二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）層を形成することによって製造され得る。半導体ウェハの製造におけるさらなる処理は、例えば、半導体ウェハ集積回路基板２６０に結合される電子コンポーネント用のインターコネクトおよびボンドパッドとして役立つために、金属層または経路の付加（例えば、堆積またはエッチングのプロセスを含む）を含むことができる。幾つかの場合、キャビティは、集積回路基板２６０内にエッチングされ得る。
【0014】
[028]撮像システムまたはデバイス１００は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ：ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｓｐｅｃｉｆｉｃ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）を備えることができ、ＡＳＩＣは、トランスジューサの動作、送信超音波波形またはパターンの形成、および／または、（例えば、ターゲット物質またはその所定の部分からの）（例えば、反射された）超音波エネルギーを受信すると、トランスジューサによって生成される電気信号の処理のための電子部品を備えることができる。幾つかの場合、ＡＳＩＣは、１つまたは複数の送信ドライバー、（例えば、撮像される物体または物質から後方に反射した後にトランスジューサによって受信されたと思われる受信超音波エネルギーに対応する電気エネルギー（例えば、エコー信号）を処理するための検知回路部、および／または、撮像システムまたはデバイス１００の機能に関連する他の動作を制御するための他の処理回路部を備えることができる。幾つかの場合、ＡＳＩＣは、基板２６０（例えば、半導体ウェハ集積回路基板などの半導体ウェハ）上に形成され得る。幾つかの場合、ＡＳＩＣは、例えば、寄生損失を低減するために、撮像システムまたはデバイス１００のトランスジューサ（例えば、ｐＭＵＴまたはｃＭＵＴ）素子またはピクセルにごく接近して位置付けられ（例えば、撮像システムまたはデバイス１００内に位置決めされ）得る。例えば、ＡＳＩＣは、トランスジューサ（例えば、トランスジューサ素子のアレイ）から５０マイクロメートル以下に位置付けられ得る。ＡＳＩＣは、撮像システムまたはデバイス１００の基板２６０（例えば、半導体ウェハ集積回路基板）に直接結合され得る。幾つかの場合、ＡＳＩＣは、撮像システムまたはデバイス１００のトランスジューサが直接結合されるのと同じ集積回路基板２６０（例えば、半導体ウェハ基板）に直接結合される。例えば、撮像システムまたはデバイス１００のトランスジューサは、例えば、ＡＳＩＣに適合する低温ピエゾ材料スパッタリングおよび／または他の低温処理を使用して、ＡＳＩＣがその上で製造される集積回路基板２６０に結合され得る。幾つかの場合、ＡＳＩＣは、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０のトランスジューサに（例えば、積層式ウェハ－ツー－ウェハ相互接続によって）直接的に結合される集積回路基板２６０（例えば、半導体ウェハ基板）に間接的に結合される。例えば、ＡＳＩＣは、トランスジューサに間接的に結合される第１の集積回路基板２６０に直接結合される場合がある（例えば、第１の集積回路基板は、トランスジューサに直接結合される第２の集積回路基板２６０に直接結合される）。幾つかの場合、ＡＳＩＣ（または、ＡＳＩＣに結合された集積回路基板２６０）は、トランスジューサ素子またはアレイ（あるいはトランスジューサ素子またはアレイに結合された半導体ウェハ基板２６０）から１００マイクロメートル未満だけ空間的に分離される場合がある。幾つかの場合、ＡＳＩＣは、ｐＭＵＴトランスジューサ（例えば、ｐＭＵＴ素子を備える）に対して同様のまたは同一のフットプリントを有することができる。ＡＳＩＣは、インターコネクトを介してトランスジューサに結合され得る。
【0015】
[029]撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０の１つまたは複数のトランスジューサ１０４（例えば、１つまたは複数のトランスジューサ素子またはピクセル）は、特定の周波数および帯域幅で（または或る範囲の周波数内でおよび或る範囲の帯域幅で）超音波信号（例えば、超音波圧力波または波形のパターンの形態の、例えば、超音波エネルギー）を送信または受信するように構成され得る。幾つかの場合、トランスジューサ１０４（またはトランスジューサ素子のアレイ）は、例えば、第１の中心周波数（および第１の帯域幅）および１つまたは複数のさらなる中心周波数（１つまたは複数の対応するさらなる帯域幅を有する）を含む、複数の周波数および帯域幅で、信号（例えば、超音波圧力波または波形のパターンの形態の、例えば、超音波エネルギー）を送信または受信するように構成され得る。幾つかの場合、トランスジューサ１０４（例えば、トランスジューサアレイ、素子、またはピクセル）は、０．１メガヘルツ（ＭＨｚ）～１００メガヘルツ（ＭＨｚ）（例えば、０．１ＭＨｚ～１．８ＭＨｚ、１．８ＭＨｚ～５．１ＭＨｚ、または５．１ＭＨｚより大きい値）の中心周波数を有する超音波信号を放出（例えば、送信）または受信することができる。幾つかの場合、超音波信号（例えば、超音波波形、パターン、または圧力波）は、１つまたは複数のトランスジューサがそれに応答する周波数の電圧パルスを用いてトランスジューサアレイ（例えば、または、トランスジューサ素子１０４またはピクセルの群）の１つまたは複数のトランスジューサ１０２を駆動するために１つまたは複数の送信チャネル１０８を使用することによって生成され得る。多くの場合、これは、例えば、ターゲット物質またはその一部分の撮像が所望されるときに、超音波波形を、トランスジューサ素子１０４からターゲット物質に向かって放出（例えば、送信）させることができる。幾つかの場合、超音波波形は、撮像デバイスの１つまたは複数の対応するトランスジューサ素子から送信される１つまたは複数の超音波圧力波を含むことができ、例えば、圧力波は、同時にまたは実質的に同時に送信される。超音波エネルギー（本明細書で説明するように、例えば、波形またはパターンの形態で、例えば、トランスジューサによってターゲット物質に向けて送信される）は、ターゲット物質に向かって、その中に、および／またはそれを通って移動することができる。多くの場合、送信超音波エネルギーの全てまたは一部分は、トランスジューサ１０２に戻るように反射され得る。多くの場合、例えば、ターゲット物質またはその所定の部分からトランスジューサ１０２に戻るように反射される超音波エネルギーは、トランスジューサ１０２によって受信され得る。トランスジューサ１０２によって受信される超音波エネルギー（例えば、トランスジューサ１０２に戻るように反射された後の）は、トランスジューサ１０２における圧電効果を通して電気エネルギー（例えば、電気信号）に変換され得る。１つまたは複数の受信チャネル１１０は、トランスジューサ１０２によって生成される電気エネルギーを（例えば、超音波エネルギーを電気信号に変換する結果として）収集することができる。幾つかの場合、１つまたは複数の受信チャネル１１０は、電気エネルギーを処理することができる。幾つかの場合、トランスジューサ１０２によって生成される（例えば、また、受信チャネル１１０によって収集される）電気エネルギーは、例えば、表示され得る画像の生成を含む場合がある処理のために、コンピューティングシステムまたはデバイス１１２に送信され得る。
【0016】
[030]撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０は、コントローラを備えることができる制御回路部１０６を備えることができる。撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０の制御回路部１０６は、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０の１つまたは複数のトランスジューサ素子１０２またはトランスジューサユニットを制御する（例えば、動作させる）ように構成され得る。幾つかの場合、制御回路部１０６は、トランスジューサ素子１０４に戻るように反射される超音波エネルギー（例えば、超音波圧力波を含む）を受信し、受信超音波信号に基づいて電気信号を生成するためにトランスジューサ素子１０４を動作させるように構成され得る。幾つかの場合、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０の制御回路部１０６は、１つまたは複数の送信チャネル１０８および１つまたは複数の受信チャネル１１０を備えることができる。幾つかの場合、制御回路部は、ビーム形成回路部を備えることができる。幾つかの場合、制御回路部１０６は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ：ｆｉｅｌｄ ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ｇａｔｅ ａｒｒａｙ）、システムオンチップ、プロセッサ、メモリ（例えば、非一時的メモリおよび／または一時的メモリ）、電圧源、電流源、１つまたは複数の増幅器（例えば、１つまたは複数の演算増幅器）、１つまたは複数のデジタルアナログ変換器、および／または、１つまたは複数のアナログデジタル変換器を備える。幾つかの場合、トランスジューサ１０４は、１つまたは複数の送信ドライバー回路（例えば、本明細書で説明する送信チャネルの）および／または低ノイズ増幅器（例えば、受信チャネルの）に結合され得る。幾つかの場合、送信チャネルは送信ドライバーを含むことができる。幾つかの場合、受信チャネルは、１つまたは複数の低ノイズ増幅器を備えることができる。幾つかの場合、送信および受信チャネルは、例えば、特定のトランスジューサ素子およびトランスジューサ素子のセットが、起動される、停止される、または低電力モードに置かれることを可能にするために、多重化およびアドレス制御回路部をそれぞれ含むことができる。
【0017】
[031]撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０は、本明細書で説明するように、コンピューティングシステム１１２（例えば、コンピューティングデバイス１１２）を備えることができる。幾つかの場合、コンピューティングシステムまたはデバイスは、プロセッサ、メモリ（例えば、非一時的メモリおよび／または一時的メモリ）、通信回路部（例えば、無線または有線通信ポートおよび／または通信モジュール）、電池、および／またはディスプレイを備えることができる。コンピューティングシステムまたはデバイス１１２は、制御回路部１０６および／または１つまたは複数のトランスジューサ素子、ピクセル、またはアレイ１０２と統合され（例えば、に結合され）得る。幾つかの場合、コンピューティングシステムまたはデバイス１１２は、例えば、単一システムオンチップ（ＳｏＣ：ｓｙｓｔｅｍ ｏｎ ａ ｃｈｉｐ）として単一基板２６０（例えば、チップ）に結合された、または、同じハウジング内に配設された複数のコンポーネント（例えば、制御回路部、トランスジューサ、および／またはマルチシンク媒体４００などの本明細書で説明するコンポーネント）を備えることができる。幾つかの場合、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０のコンピューティングシステムまたはデバイス１１２は、制御回路部、トランスジューサ、および／またはマルチシンク媒体４００に結合されるが、それから物理的に離れている（例えば、それと同じチップ内にまたは同じハウジング内に位置しない）ことができる。
【0018】
[032]幾つかの場合、撮像システムまたはデバイスは、必要とされる画像品質を同時に維持しながら、撮像デバイスの温度限界を超えることなく、電力損失を制御する方法で、発射を送信するように構成され得る（例えば、トランスジューサ素子からターゲット物質に向けての、その中への、および／またはそれを通した超音波波形の送信）。幾つかの場合、送信および／または受信チャネルの数またはパターンは、例えば、デバイス内の電力消費を低減するおよび／または過熱のリスクを低減するために、（例えば、制御回路部１０６によって）動的に制御され得る。幾つかの場合、動作中の撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０の送信チャネル１０８の数および／または受信チャネル１１０の数は、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０の動作を通して一定である。幾つかの場合、動作中の送信チャネルの数は、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０の動作を通して一定でない。例えば、Ｎ列およびＭ行を有する２次元空間アレイで配置された（例えば、直交する行および列で配置された、または、非対称の（または、千鳥状の）直線的アレイで配置された）トランスジューサ素子１０４を有する撮像システムは、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０のトランスジューサアレイの動作全体を通してまたは動作中の任意の時点において、Ｎと同程度の数の送信チャネルおよび／または受信チャネル、Ｍと同程度の数の送信チャネルおよび／または受信チャネル、Ｎ×Ｍと同程度の数の送信チャネルおよび／または受信チャネルを使用する場合がある。例えば、トランスジューサ素子１０４のサブセットは、所与の超音波スキャンまたは超音波スキャンの所定の部分のために使用される場合がある。幾つかの場合、トランスジューサ素子は、送信チャネル１０８と受信チャネル１１０の両方に結合される場合がある。例えば、トランスジューサ素子１０４は、超音波パルスを作成し送信し、その後、例えば、反射超音波エネルギーを電気エネルギーに変換することによって、そのパルスのエコーを検出するように構成される場合がある。幾つかの場合、複数のトランスジューサ１０４は、同じ１つまたは複数の送信チャネル１０８および／または同じ１つまたは複数の受信チャネル１１０に結合され得る。幾つかの場合、トランスジューサ１０４のそれぞれは、異なる送信チャネル１０８および／または異なる受信チャネル１１０に結合され得る。幾つかの場合、トランスジューサ素子１０４の任意のものまたは全ては、送信チャネル１０８または受信チャネル１１０に結合されるが、両方に結合されない場合がある。
【0019】
[033]本明細書で説明するように、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０は、例えば、熱管理を改善するおよび／また撮像アーチファクト（例えば、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０の音響反射コンポーネントに起因する多重反射アーチファクト）を低減するために、（例えば、送信および／または受信チャネルの動的制御を有するまたはそれを欠くシステムおよびデバイス１００において）マルチシンク媒体４００を備えることができる。
【0020】
[034]図２は、幾つかの実施形態による、選択的に調整可能なフィーチャを有する撮像デバイス１００、２００、２５０の略図である。撮像デバイス２００、２５０は、単に例として、図１の撮像デバイス１００と同様である場合がある。撮像デバイス１００、２００、２５０は、超音波医療プローブを備える場合がある。
【0021】
[035]図２に示すように、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０またはその所定の部分（例えば、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０のプローブ）は、例えば、トランスジューサ２０２および関連する電子部品を収容することができるハウジング２３１（例えば、手持ち式ケーシング）を備えることができる。幾つかの場合、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０またはその所定の部分（例えば、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０のプローブ）は、例えば、図２に示すように、例えば、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０またはその所定の部分の１つまたは複数のコンポーネントに電力供給するために、電池２３８を備えることができる。幾つかの場合、例えば、図２に示すように、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０またはその所定の部分は、２Ｄアレイで配置された、任意選択で、基板２６０（例えば、シリコンウェハ集積回路ウェハ）上に構築された（に結合された）ｐＭＵＴトランスジューサ素子を使用して２次元（２Ｄ）および／または３次元（３Ｄ）撮像が可能なポータブル撮像デバイスを備えることができる。幾つかの場合、１つまたは複数のトランスジューサ（例えば、トランスジューサアレイ）は、例えば、本明細書で説明するように、トランスジューサ動作のパラメータを制御するのに役立つことができる特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）１０６に（例えば、直接または間接的に）結合され得る。図２に明示的に示さないが、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０またはその所定の部分（例えば、図２に示す）は、例えば、トランスジューサ（および／またはＡＳＩＣ、および／または集積回路基板２６０などの基板２６０）と、ヒートシンク、ハウジング、または図２に示す１つまたは複数のさらなるコンポーネントのうちの１つまたは複数との間で、ハウジング内に配設され得るマルチシンクを備えることができる。
【0022】
[036]図２に示すように、撮像デバイス１００、２００、２５０は、１つまたは複数のトランスジューサ２０２を備えることができる。幾つかの場合、１つまたは複数のトランスジューサ２０２は、トランスジューサ素子の１つまたは複数のアレイを備えることができ、例えば、トランスジューサ２０２は、超音波エネルギー（例えば、超音波圧力波）を送信および／受信するように構成される場合がある。
【0023】
[037]幾つかの場合、撮像デバイス１００、２００、２５０は、例えば、トランスジューサ２０２とターゲット物質（例えば、撮像デバイス１００、２００、２５０によって超音波エネルギーがそこを通って送信される人間の身体あるいは他の質量または組織）との間のインピーダンス整合界面として役立つために、コーティング層２２２を備えることができる。幾つかの場合、コーティング層２２２は、レンズであることができ、または、例えば、所望の焦点距離と整合する曲率を持つように設計されると、レンズとして機能することができる。幾つかの場合、ユーザは、例えば、コーティング層２２２およびターゲット物質の表面の界面におけるインピーダンス整合を改善するために、コーティング層２２２をターゲット物質の表面に接触させる前に、ターゲット物質の表面に（例えば、生体の皮膚に）ゲルを塗布する場合がある。幾つかの場合、本明細書で説明する整合インピーダンスは、（例えば、ターゲット物質内への送信中に、または、ターゲット物質からの反射音響エネルギーの受信中に）コーティング層２２２およびターゲット物質の表面の界面における音響エネルギーの伝導を改善することができ、音響エネルギーの（例えば、振幅の）損失を低減することができる。コーティング層２２２は、例えば、トランスジューサ２０２（例えば、その平坦アレイ）から身体への音響信号の送信を最大にする、また、その逆も同様に最大にするために平坦層である場合がある。コーティング層２２２は、幾つかの実施形態において、トランスジューサ２０２で生成される音響圧力波の波長の１／４（例えば、２５％）に等しい厚さを有することができる。
【0024】
[038]撮像デバイス１００、２００、２５０は、制御回路部１０６を備えることができる。制御回路部１０６は、例えば、１つまたは複数のトランスジューサ２０２を制御するために、１つまたは複数のプロセッサを備えることができる。幾つかの場合、制御回路部１０６は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）またはＡＳＩＣチップを備える。幾つかの場合、ＡＳＩＣまたはＡＳＩＣチップは、１つまたは複数のプロセッサを備えることができる。制御回路部１０６は、幾つかの実施形態において、例えば、バンプによって、例えば、積層構成で１つまたは複数のトランスジューサ１０２に結合され得る。幾つかの場合、制御回路部は、例えば、欠陥についてピクセルを試験したいおよび／または走査モードを変更するかまたはその他の方法でトランスジューサ１０２の動作を調整したいという要望に基づいて、送信チャネル１０８および受信チャネル１１０を（例えば、選択的に）動作させるおよび／またはその動作を調整するように構成され得る。幾つかの場合、撮像デバイス１００、２００、２５０は、例えば、撮像デバイス１００、２００、２５０の１つまたは複数のコンポーネントを制御するために、１つまたは複数のプロセッサ２２６を備えることができる。１つまたは複数のプロセッサ２２６は、１つまたは複数のトランスジューサ素子の動作を（例えば、制御回路部１０６と協調してまたはそれと独立に）制御する、電気信号を（例えば、トランスジューサ素子によって受信される反射超音波エネルギーに基づいて）処理する、および／または、（例えば、コンピューティングデバイス１１２などのコンピューティングデバイスの１つまたは複数のプロセッサによって撮像されるターゲット物質またはその所定の部分の画像の回復をもたらすために）信号を生成するように構成され得る。幾つかの場合、１つまたは複数のプロセッサ２２６は、撮像デバイス１００、２００、２５０に関連する他の処理機能を実施するように構成され得る。プロセッサ（複数可）２２６は、任意のタイプのプロセッサ（複数可）として具現化され得る。例えば、１つまたは複数のプロセッサ２２６は、単一またはマルチコアプロセッサ（複数可）、単一またはマルチソケットプロセッサ（複数可）、デジタル信号プロセッサ（複数可）、グラフィクスプロセッサ（複数可）、ニューラルネットワークコンピュータエンジン（複数可）、画像プロセッサ（複数可）、マイクロコントローラ（複数可）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（複数可）（ＦＰＧＡ）、または他のプロセッサ／制御回路（複数可）として具現化され得る。
【0025】
[039]撮像デバイス１００、２００、２５０は、アナログフロントエンド（ＡＦＥ：Ａｎａｌｏｇ Ｆｒｏｎｔ Ｅｎｄ）（例えば、信号を処理する／調整するための）を備えることができる回路（複数可）２２８を備えることができる。幾つかの場合、アナログフロントエンド２２８は、制御回路部１０６およびプロセッサ２２６などの撮像デバイスの他のコンポーネントとインターフェースするように構成される任意の１つまたは複数の回路として具現化され得る。例えば、アナログフロントエンド２２８は、例えば、１つまたは複数のデジタルアナログ変換器、１つまたは複数のアナログデジタル変換器、および／または１つまたは複数の増幅器を含むことができる。
【0026】
[040]撮像デバイス１００、２００、２５０は、例えば、図３、図４、図５、および図６に示すように、マルチシンク媒体４００および／または音響吸収体層２３０（例えば、トランスジューサ２０２によって生成され、回路２２８に向かって伝搬される音響エネルギーを吸収するための）を備えることができる。マルチシンク媒体４００（および、幾つかの場合、音響吸収体層）は、普通なら反射され、（例えば、多重反射アーチファクトなどのアーチファクト（複数可）の生成を通して）画像の品質に干渉する場合がある、逆方向に放出される（例えば、コーティング層２２２から離れる方向にトランスジューサ２０２によって放出される）超音波エネルギーを吸収することができる。例えば、トランスジューサ（複数可）２０２（例えば、基板２６０上に搭載される場合がある）は、マルチシンク媒体４００と接触状態にあることができる（例えば、マルチシンク媒体４００は、トランスジューサアレイ２０２の全てまたは一部分と、ハウジング２３１、ヒートシンク２６８、バッキングラミネート、および／または音響収集体２３０などの撮像デバイス１００、２００、２５０の別のコンポーネントの全てまたは一部分との間に少なくとも部分的に配設される）。幾つかの場合、トランスジューサ（複数可）２０２は、基板２６０上に搭載され、音響吸収体層２３０に（例えば、１つまたはふく数の接着剤層２６２によって）結合され得、任意選択で、バッキングラミネート（例えば、図３に示すように、アルミニウムバッキングラミネートまたはタングステンバッキングラミネートなどの金属反射体）を有する。
【0027】
[041]本明細書で説明するように、マルチシンク媒体４００は、撮像システムおよびデバイス１００、２００、２５０内への包含のために独自に有利な特性を有することができる。例えば、マルチシンク媒体４００は、熱伝導性であると共に音響非伝導性（例えば、超音波エネルギーについて吸収性または消散性）であることができる。多くの場合、しばしば良好な熱伝導を示さない音響吸収層２３０は、しばしば音響反射性である１つまたは複数のヒートシンク２６８と共に撮像デバイス１００、２００、２５０内で最もよく使用される場合がある。マルチシンク媒体４００は、変形可能または流動可能（例えば、注入可能または成形可能）であることもでき、それは、マルチシンク媒体４００が、撮像デバイス１００、２００、２５０内のキャビティ、ギャップ、または空間２７０内に充填されることを可能にすることができ、トランスジューサ２０２の後方のコンポーネント（例えば、コーティング層２６６および／またはターゲット物質と反対方向に配設された）のより広範な音響分離、および、撮像デバイス１００、２００、２５０の熱感応性コンポーネントと、外部コンポーネント（例えば、ハウジング２３１）および／または音響反射性である場合がある熱伝導コンポーネント（例えば、ヒートシンク２６８など）との間のより大きい接触面積（例えば、熱流束のための断面積）を可能にする。例えば、マルチシンク媒体４００は、音響吸収体層２３０と比べて、撮像デバイス１００、２００、２５０の音響反射コンポーネントのより完全な包囲を可能にする場合があり、音響吸収体層２３０は、パッド、ラミネート、またはフィルムを備える場合があり、また、例えば、音響反射コンポーネントの周りのキャビティ、ギャップ、または空間２７０内に、注入可能、成形可能、または流動可能でない場合がある。マルチシンク媒体４００は、図３、図５、または図６に明示的に示されないが、撮像デバイス１００、２００、２５０の１つまたは複数のキャビティ、ギャップ、または空間２７０（例えば、図３、図５、または図６に示すような）が、マルチシンク媒体４００によって部分的にまたは完全に充填され得ること、および、本明細書で説明するかまたは本出願の図に示す音響吸収体層２３０および／またはヒートシンク２６８の一部または全てがマルチシンク媒体４００によって置換される場合があることが企図される。
【0028】
[042]幾つかの場合、撮像デバイス１００、２００、２５０は、マルチシンク媒体４００および音響吸収体層２３０（および、任意選択で、バッキングラミネート）を備える。図３は、音響吸収体層２３０およびバッキングラミネート２３２（例えば、アルミニウムバッキングまたはタングステン反射体などの金属バッキング）を示すが、これらのコンポーネントの一方または両方は、省略されるかまたは（例えば、マルチシンク媒体４００によって）置換される場合があり、例えば、撮像デバイス１００、２００、２５０の他のコンポーネント（例えば、マルチシンク媒体４００）は、コーティング層２２２から離れる方向へのトランスジューサ２０２からの超音波の送信を実質的に防止する。例えば、撮像デバイス１００、２００、２５０は、例えば、図４、図５、および図６に示すように、音響吸収体層２３０なしで、また任意選択で、バッキングラミネートなしでマルチシンク媒体４００を含むことができる。幾つかの場合、例えば、バッキングラミネート２３２の代わりの、マルチシンク媒体４００の使用は、撮像デバイス１００、２００、２５０のコンポーネントの製造を簡略化するおよび／またはそのコストを低減することができる。
【0029】
[043]図３は、音響吸収層２３０を備える撮像デバイス２５０の実施形態を示す。本明細書で説明するように、撮像デバイス２５０は、マルチシンク媒体４００を備えることができ、例えば、マルチシンク媒体は（例えば、部分的にまたは完全に充填する）キャビティ２７０内に配設される、および／または、マルチシンク媒体は、バッキングラミネート２３２、接着剤層２６２、および／または音響吸収体層２３０の１つまたは複数を置換する。図３に示すように、本明細書で説明する超音波撮像システムまたはデバイス１００、２００の一部である場合がある撮像デバイス２５０は、レンズである場合があるまたはレンズとして機能する場合があるコーティング層２２２を備えることができる。図３に示すように、コーティング層２２２は、ＡＳＩＣに（例えば、直接）結合される場合がある微小電気機械（ＭＥＭ）トランスジューサ（複数可）２０２としての撮像デバイス２５０の遠位端のより近くに位置することができる。制御回路部を備える場合があるＡＳＩＣ１０６は、基板２６０（例えば、プリント回路板（ＰＣＢ：ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）などの集積回路基板）に結合され得る。ＡＳＩＣ１０６は、電池２３８、メモリ２３６、通信回路部２３２、プロセッサ２２６、ＡＦＥ２２８、および／またはポート２３４を含む場合がある撮像デバイス２５０の電子コンポーネントの一部または全てを含む場合がある。幾つかの場合、撮像デバイス２５０のコンポーネント（例えば、コーティング層２２２、トランスジューサ２０２、ＡＳＩＣ１０６、および／または基板２６０）は、タンブステン反射体などの反射体を備える場合がある１つまたは複数の接着剤層２６２、吸収体層２３０、および／またはバッキングラミネート２３２上に載る場合がある、または、それに直接または間接的に結合される場合がある。
【0030】
[044]図４に示すように、マルチシンク媒体４００は、撮像デバイス１００、２００、２５０の１つまたは複数のキャビティ、ギャップ、または空間２７０内に配設され得る。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、撮像デバイス１００、２００、２５０の１つまたは複数のキャビティ、ギャップ、または空間２７０（例えば、図５または図６に示すキャビティ２７０）の全てまたは一部分を充填することができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、ハウジング２３１とヒートシンク２６８との間に配設され得る。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、撮像デバイス１００、２００、２５０のハウジング２３１と接触状態にあることができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、撮像デバイス１００、２００、２５０の１つまたは複数のヒートシンク２６８と接触状態にあることができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、１つまたは複数のヒートシンク２６８と撮像デバイス１００、２００、２５０の基板２６０（例えば、プリント回路板を備えることができる）との間に配設され得る。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、撮像デバイス１００、２００、２５０の基板２６０と接触状態にあることができる。図４において接触状態で示されないが、マルチシンク媒体４００は、ＡＳＩＣ１０６（例えば、制御回路部を備えることができる）と撮像デバイス１００、２００、２５０のヒートシンク２６８またはハウジング２３１との間に配設され得る。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、トランスジューサ２０２（例えば、トランスジューサアレイ、素子、またはピクセル）と撮像デバイス１００、２００、２５０のヒートシンク２６８またはハウジング２３１との間に配設され得る。図６に示す撮像デバイス２５０のキャビティ２７０が、マルチシンク媒体４００によって部分的にまたは完全に充填され得ること、および、１つまたは複数の音響吸収体層２３０および／または１つまたは複数の接着剤層２６２および／または１つまたは複数のバッキングラミネートが、幾つかの実施形態において、マルチシンク媒体４００と接触状態にあることができることが理解される。
【0031】
[045]図３、図４、図５、および図６に示すように、ヒートシンク２６８および／またはハウジングは、種々の実施形態によれば、撮像デバイス２５０の基板上に載るかまたはそれに直接結合される場合がある。幾つかの場合、そのような構成は、マルチシンク媒体４００がそこに配設され得る１つまたは複数のキャビティ、ギャップ、または空間２７０を提供することができる。幾つかの場合、そのような構成は、ヒートシンク２６８および／または基板２６０が、（例えば、マルチシンク媒体４００ではなく）撮像デバイス２５０の１つまたは複数のコンポーネントを機械的に支持することを可能にする。
【0032】
[046]幾つかの場合、撮像デバイス１００、２００、２５０は、（例えば、ポート２３４または無線送受信機を通して）例えば、コンピューティングデバイスなどの外部デバイスと、例えば、制御信号を含むデータを通信するために、通信ユニット２３２を備えることができる。撮像デバイス１００、２００、２５０は、例えば、撮像デバイス２５０のコンポーネント（例えば、プロセッサおよび／またはトランスジューサ）の動作のためのデータおよび／または命令を記憶するために、メモリ２３６（例えば、非一時的メモリ）を備えることができる。メモリ２３６は、本明細書で説明する機能を実施することが可能な、揮発性または不揮発性メモリあるいはデータストレージ（例えば、本明細書で説明する）として具現化され得る。幾つかの場合、メモリ２３６は、オペレーティングシステム、アプリケーション、プログラム、ライブラリ、および／またはドライバーなどの、撮像デバイス１００、２００、２５０の動作中に使用される場合がある種々のデータおよびソフトウェアを記憶する場合がある。
【0033】
[047]幾つかの場合、撮像デバイス１００、２００、２５０は、例えば、トランスジューサ、プロセッサ、および／またはメモリなどの撮像デバイスの１つまたは複数のコンポーネントに電力を提供するために、電池２３８を含むことができる。電池２３８は、無線または有線充電回路である場合がある電池充電回路を含む場合がある。撮像デバイス１００、２００、２５０は、幾つかの実施形態によれば、消費された電池電荷量を示し、電池寿命の改善のために電力管理を最適化するよう撮像デバイスを構成するために使用される場合があるゲージを含む場合がある。付加的にまたは代替的に、撮像デバイス１００、２００、２５０は、幾つかの実施形態によれば、外部電力源（例えば、壁電気コンセントから撮像デバイスに電力供給するためのプラグ）によって電力供給される場合がある。
【0034】
[048]撮像デバイス１００、２００、２５０は、種々の実施形態において、異なる適切なフォームファクターを含むことができる。幾つかの実施形態において、トランスジューサ２０２を含む撮像デバイス１００、２００、２５０の一部分は、撮像デバイス１００、２００、２５０の残りの部分から外方に延在する場合がある。撮像デバイス１００、２００、２５０は、任意の適切な超音波医療プローブ、例えば、コンベックスアレイプローブ、マイクロコンベックスアレイプローブ、リニアアレイプローブ、経膣プローブ、直腸内プローブ、外科プローブ、または術中プローブとして具現化される場合がある。
【0035】
[049]図７Ａ～７Ｃは、スキャン品質およびスキャンアーチファクトに対するマルチシンク媒体４００の（例えば、トランスジューサと、ヒートシンク、金属バッキング、またはハウジングなどの撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０の１つまたは複数のさらなるコンポーネントとの間への）組み込みの影響を示す。図７Ａは、試験ターゲット物質（ピンターゲット、ワイヤターゲット、および嚢胞を含む）のスキャンを示し、金属バッキング（この場合、アルミニウムバッキング）は、（ＡＳＩＣおよびトランスジューサのような電子コンポーネントから外方への最大熱伝達を提供するために）利用される撮像デバイス１００、２００、２５０の集積回路基板２６０に（例えば、接着剤によって）結合される。スキャンは、かなりの多重反射アーチファクトを示す；試験物質ターゲットまたはフィーチャはウォッシュアウトのために識別できない。図７Ｂは、同一のスキャン設定を使用する同じ試験ターゲット物質のスキャンを示し、マルチシンク媒体４００は、電子コンポーネント（集積回路基板２６０を含む）とアルミニウムヒートシンクとの間で利用される。スキャンは、多重反射アーチファクトがほとんどないかまたは全くない状態で、試験基板内の全てのターゲットおよびフィーチャの明瞭なフィーチャを示す。図７Ｃは、同一のスキャン設定を使用する同じ試験ターゲット物質のスキャンを示し、空気バッキングは、電子コンポーネント（集積回路基板２６０を含む）とアルミニウムヒートシンクとの間で利用される。スキャンは、多重反射アーチファクトがほとんどないかまたは全くない状態で、試験基板内の全てのターゲットおよびフィーチャの明瞭なフィーチャを示す。
【0036】
[050]図８Ａ～８Ｃは、スキャン品質およびスキャンアーチファクトに対するマルチシンク媒体４００のいろいろな厚さの（例えば、トランスジューサと、ヒートシンク、金属バッキング、またはハウジングなどの撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０の１つまたは複数のさらなるコンポーネントとの間への）組み込みの影響を示す。図８Ａは、集積回路基板２６０と撮像デバイスのアルミニウムヒートシンクとの間に配設された０．５ｍｍの厚さを有するマルチシンク媒体４００を備える撮像デバイス１００を使用して５．１ＭＨｚの中心周波数における試験ターゲット物質（ピンターゲット、ワイヤターゲット、および嚢胞を含む）のスキャンを示す。スキャンは、画像内にわずかな多重反射アーチファクトストリエーションを有する、明瞭に識別可能な試験物質ターゲットおよびフィーチャを示す。これらの結果は、マルチシンク媒体４００がないスキャン結果（例えば、図７Ａに示す）を凌ぐ有意の改善を示す。図８Ｂは、１．０ｍｍであるマルチシンク媒体４００の厚さを除いて、同一のスキャン設定および機器条件を使用する同じ試験物質のスキャンを示す。スキャンは、図８Ａに示すスキャン結果を凌ぐ有意の改善を示し、マルチシンク媒体４００の厚さの増加は、多重反射アーチファクトがほとんどないかまたは全くない状態で、試験基板内の全てのターゲットおよびフィーチャの明瞭なフィーチャを有する画像をもたらす。図８Ｃは、マルチシンク媒体４００が空気バッキング（例えば、マルチシンク媒体４００充填ギャップの代わりに、トランスジューサと撮像デバイス１００のヒートシンクとの間の空気充填ギャップ）によって置換されることを除いて、同一のスキャン設定および機器条件を使用する同じ試験物質のスキャンを示す。スキャンは、図８Ｂに示す結果と同様の結果を示し、その際、試験基板内の全てのターゲットおよびフィーチャの明瞭なフィーチャが、多重反射アーチファクトがほとんどないかまたは全くない状態の画像において明らかである。全てにおいて、これらの結果は、マルチシンク媒体４００の０．５ｍｍ以下の厚さが超音波スキャン品質を改善する（例えば、多重反射アーチファクトを低減する）のに十分であり、その際、品質が、マルチシンク媒体４００の１．０ｍｍ程度の値の厚さにおける理想的な条件に向けて改善する（例えば、内部音響反射および多重反射アーチファクトの減少の結果として）ことを示す。これらの結果は、マルチシンク媒体４００の１．５ｍｍ（例えば、＋／－０．２５ｍｍ）の厚さが、中域のまたは高い中心周波数における任意のスキャン条件から全ての多重反射アーチファクトを減衰させるまたはなくすのに十分であることを示唆する。
【0037】
[051]図９Ａ～９Ｃは、より低い中心周波数を有するスキャンを使用する、スキャン品質およびスキャンアーチファクトに対するマルチシンク媒体４００のいろいろな厚さの（例えば、トランスジューサと、ヒートシンク、金属バッキング、またはハウジングなどの撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０の１つまたは複数のさらなるコンポーネントとの間への）組み込みの影響を示す。図９Ａは、集積回路基板２６０と撮像デバイスのアルミニウムヒートシンクとの間に配設された０．５ｍｍの厚さを有するマルチシンク媒体４００を備える撮像デバイス１００を使用して１．８ＭＨｚの中心周波数における試験ターゲット物質（ピンターゲット、ワイヤターゲット、および嚢胞を含む）のスキャンを示す。スキャンは、画像内にわずかな多重反射アーチファクトストリエーションを有する、明瞭に識別可能な試験物質ターゲットおよびフィーチャを示す。これらの結果は、マルチシンク媒体４００がないスキャン結果（例えば、図７Ａに示す）を凌ぐ有意の改善を示す。図９Ｂは、１．０ｍｍであるマルチシンク媒体４００の厚さを除いて、同一のスキャン設定および機器条件を使用する同じ試験物質のスキャンを示す。スキャンは、図９Ａに示すスキャン結果を凌ぐ有意の改善を示し、マルチシンク媒体４００の厚さの増加は、多重反射アーチファクトがほとんどないかまたは全くない状態で、試験基板内の全てのターゲットおよびフィーチャの明瞭なフィーチャを有する画像をもたらす。図９Ｃは、マルチシンク媒体４００が空気バッキング（例えば、マルチシンク媒体４００充填ギャップの代わりに、トランスジューサと撮像デバイス１００のヒートシンクとの間の空気充填ギャップ）によって置換されることを除いて、同一のスキャン設定および機器条件を使用する同じ試験物質のスキャンを示す。スキャンは、図９Ｂに示す結果と同様の結果を示し、その際、試験基板内の全てのターゲットおよびフィーチャの明瞭なフィーチャが、多重反射アーチファクトがほとんどないかまたは全くない状態の画像において明らかである。全てにおいて、これらの結果は、マルチシンク媒体４００の０．５ｍｍ以下の厚さが超音波スキャン品質を改善する（例えば、多重反射アーチファクトを低減する）のに十分であり、その際、品質が、マルチシンク媒体４００の１．０ｍｍ程度の値の厚さにおける理想的な条件に向けて改善する（例えば、内部音響反射および多重反射アーチファクトの減少の結果として）ことを示す。これらの結果は、マルチシンク媒体４００の１．５ｍｍ（例えば、＋／－０．２５ｍｍ）の厚さが、低い中心周波数における任意のスキャン条件から全ての多重反射アーチファクトを減衰させるまたはなくすのに十分であることを示唆する。
トランスジューサ
[052]幾つかの場合、本明細書で説明するシステム、デバイス、または方法は、１つまたは複数の圧電型微細加工超音波トランスジューサ（ｐＭＵＴ）を備えることができる。幾つかの場合、本明細書で説明するシステム、デバイス、または方法は、１つまたは複数の容量性微細加工超音波トランスジューサ（ｃＭＵＴ）を備えることができる。圧電型微細加工超音波トランスジューサ（ｐＭＵＴ）は、半導体ウェハ（例えば、プリント回路版、ＰＣＢ）などの基板２６０上に形成され得る。半導体基板２６０上に構築されるｐＭＵＴ素子は、よりかさばる圧電材料を有するかさばる従来のトランスジューサより小さいサイズプロファイルを提供することができる。幾つかの場合、ｐＭＵＴは、製造するのに費用がかからない可能性もある、および／または、トランスジューサと超音波デバイスまたはシステムのさらなる電子部品との間により複雑でなくかつ高性能の相互接続を可能にする場合がある。
トランスジューサ
[052]幾つかの場合、本明細書で説明するシステム、デバイス、または方法は、１つまたは複数の圧電型微細加工超音波トランスジューサ（ｐＭＵＴ）を備えることができる。幾つかの場合、本明細書で説明するシステム、デバイス、または方法は、１つまたは複数の容量性微細加工超音波トランスジューサ（ｃＭＵＴ）を備えることができる。圧電型微細加工超音波トランスジューサ（ｐＭＵＴ）は、半導体ウェハ（例えば、プリント回路版、ＰＣＢ）などの基板２６０上に形成され得る。半導体基板２６０上に構築されるｐＭＵＴ素子は、よりかさばる圧電材料を有するかさばる従来のトランスジューサより小さいサイズプロファイルを提供することができる。幾つかの場合、ｐＭＵＴは、製造するのに費用がかからない可能性もある、および／または、トランスジューサと超音波デバイスまたはシステムのさらなる電子部品との間により複雑でなくかつ高性能の相互接続を可能にする場合がある。
【0038】
[053]ｐＭＵＴおよび／またはｃＭＵＴを含むことができる微細加工超音波トランスジューサ（ＭＵＴ）は、ダイヤフラム（例えば、撮像デバイス（例えば、超音波プローブ）の内部の１つまたは複数の部分に対して、例えば、膜縁部に取り付けられる薄膜を含むことができる。対照的に、伝統的なバルク圧電（ＰＺＴ）素子は、典型的に、単一固体材料片からなる。そのような伝統的なＰＺＴ超音波システムおよびデバイスは、例えば、適切な間隔を有するＰＺＴ超音波システムおよびデバイスを構成するＰＺＴまたはセラミック材料をカットし搭載するために、高い精度が必要とされるため、作製するのに費用がかかる可能性がある。さらに、伝統的なＰＺＴ超音波システムおよびデバイスは、ＰＺＴシステムおよびデバイスの送信／受信電子部品のインピーダンスと比較して著しく高いトランスジューサインピーダンスを有する可能性があり、それは、性能に悪影響を及ぼす可能性がある。
【0039】
[054]幾つかの場合、１つまたは複数のトランスジューサ素子１０４は、特定の周波数または帯域幅（例えば、帯域幅は中心周波数に関連する）で信号を送信および／または受信するように構成され得る。幾つかの場合、１つまたは複数のトランスジューサ素子は、さらなる中心周波数および帯域幅で信号を送信および／または受信するようにさらに構成され得る。そのような複数周波数トランスジューサ素子１０４は、マルチモーダル素子１０４と呼ばれ得、幾つかの実施形態において、撮像システムまたはデバイス１００の帯域幅を拡張するために使用され得る。トランスジューサ素子またはピクセル１０４は、例えば、０．１メガヘルツ（ＭＨｚ）～１００ＭＨｚの適切な中心周波数で超音波エネルギー（例えば、超音波波形、パターン、または圧力波）を放出（例えば、送信）および／または受信するように構成され得る。幾つかの場合、トランスジューサまたはピクセル１０４は、０．１ＭＨｚ～１ＭＨｚ、０．１ＭＨｚ～１．８ＭＨｚ、０．１ＭＨｚ～３．５ＭＨｚ、０．１ＭＨｚ～５．１ＭＨｚ、０．１ＭＨｚ～１０ＭＨｚ、０．１ＭＨｚ～２５ＭＨｚ、０．１ＭＨｚ～５０ＭＨｚ、０．１ＭＨｚ～１００ＭＨｚ、１ＭＨｚ～１．８ＭＨｚ、１ＭＨｚ～３．５ＭＨｚ、１ＭＨｚ～５．１ＭＨｚ、１ＭＨｚ～１０ＭＨｚ、１ＭＨｚ～２５ＭＨｚ、１ＭＨｚ～５０ＭＨｚ、１ＭＨｚ～１００ＭＨｚ、１．８ＭＨｚ～３．５ＭＨｚ、１．８ＭＨｚ～５．１ＭＨｚ、１．８ＭＨｚ～１０ＭＨｚ、１．８ＭＨｚ～２５ＭＨｚ、１．８ＭＨｚ～５０ＭＨｚ、１．８ＭＨｚ～１００ＭＨｚ、３．５ＭＨｚ～５．１ＭＨｚ、３．５ＭＨｚ～１０ＭＨｚ、３．５ＭＨｚ～２５ＭＨｚ、３．５ＭＨｚ～５０ＭＨｚ、３．５ＭＨｚ～１００ＭＨｚ、５．１ＭＨｚ～１０ＭＨｚ、５．１ＭＨｚ～２５ＭＨｚ、５．１ＭＨｚ～５０ＭＨｚ、５．１ＭＨｚ～１００ＭＨｚ、１０ＭＨｚ～２５ＭＨｚ、１０ＭＨｚ～５０ＭＨｚ、１０ＭＨｚ～１００ＭＨｚ、２５ＭＨｚ～５０ＭＨｚ、２５ＭＨｚ～１００ＭＨｚ、または５０ＭＨｚ～１００ＭＨｚの中心周波数で超音波エネルギーを送信または受信するように構成され得る。幾つかの場合、トランスジューサまたはピクセル１０４は、０．１ＭＨｚ、１ＭＨｚ、１．８ＭＨｚ、３．５ＭＨｚ、５．１ＭＨｚ、１０ＭＨｚ、２５ＭＨｚ、５０ＭＨｚ、または１００ＭＨｚの中心周波数で超音波エネルギーを送信または受信するように構成され得る。幾つかの場合、トランスジューサまたはピクセル１０４は、少なくとも０．１ＭＨｚ、１ＭＨｚ、１．８ＭＨｚ、３．５ＭＨｚ、５．１ＭＨｚ、１０ＭＨｚ、２５ＭＨｚ、５０ＭＨｚ、または１００ＭＨｚの中心周波数で超音波エネルギーを送信または受信するように構成され得る。幾つかの場合、トランスジューサまたはピクセル１０４は、せいぜい０．１ＭＨｚ、１ＭＨｚ、１．８ＭＨｚ、３．５ＭＨｚ、５．１ＭＨｚ、１０ＭＨｚ、２５ＭＨｚ、５０ＭＨｚ、または１００ＭＨｚの中心周波数で超音波エネルギーを送信または受信するように構成され得る。
マルチシンク媒体４００
[055]本明細書で説明する撮像デバイスまたはシステム（例えば、超音波撮像デバイスまたはシステム）は、マルチシンク媒体４００を備えることができる。マルチシンク媒体４００は、音響非伝導性（例えば、超音波エネルギーについて非伝導性）であることができる。マルチシンク媒体４００は、音響非反射性（例えば、超音波エネルギーについて非反射性）であることができる。例えば、マルチシンク媒体４００は、幾つかの実施形態において、音響エネルギー（例えば、超音波エネルギー）の伝導および／または反射を部分的にまたは完全に阻止することができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、音響エネルギー（例えば、超音波エネルギー）を部分的にまたは完全に吸収するまたはその他の方法で消散させることができる。マルチシンク媒体４００は熱伝導性であることができる。マルチシンク媒体４００は、熱伝導性であると共に音響非伝導性である物質を含むことができる。
マルチシンク媒体４００
[055]本明細書で説明する撮像デバイスまたはシステム（例えば、超音波撮像デバイスまたはシステム）は、マルチシンク媒体４００を備えることができる。マルチシンク媒体４００は、音響非伝導性（例えば、超音波エネルギーについて非伝導性）であることができる。マルチシンク媒体４００は、音響非反射性（例えば、超音波エネルギーについて非反射性）であることができる。例えば、マルチシンク媒体４００は、幾つかの実施形態において、音響エネルギー（例えば、超音波エネルギー）の伝導および／または反射を部分的にまたは完全に阻止することができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、音響エネルギー（例えば、超音波エネルギー）を部分的にまたは完全に吸収するまたはその他の方法で消散させることができる。マルチシンク媒体４００は熱伝導性であることができる。マルチシンク媒体４００は、熱伝導性であると共に音響非伝導性である物質を含むことができる。
【0040】
[056]多くの場合、マルチシンク媒体４００は、入射超音波波形またはパターンの一部または全てのエネルギーを吸収することができる（例えば、音響非伝導性）。例えば、マルチシンク媒体４００は、入射超音波波形またはパターンのエネルギーを低減することが可能な物質を含むことができる。多くの場合、マルチシンク媒体４００は、本明細書で説明する撮像デバイスまたはシステムの超音波トランスジューサによって生成される入射音響エネルギーの一部または全てを吸収することが可能な物質を含むことができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、例えば、ターゲット物質またはその所定の部分以外の物質から撮像デバイスまたはシステムのトランスジューサに向かって反射される音響エネルギー（撮像デバイスまたはシステムの一部分を構成する音響反射材料から反射される音響エネルギー）の送信を減少させるために、超音波トランスジューサと、撮像デバイスまたはシステムのハウジング２３１、ヒートシンク２６８、および／または基板２６０などの音響反射材料との間に配設される。幾つかの場合、金属を含む物質は、音響反射性であることができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、金属がない可能性がある。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、金属酸化物がない可能性がある。例えば、マルチシンク媒体４００は、幾つかの実施形態において、金属粒子（例えば、アルミニウム粒子）を含まない場合がある。
【0041】
[057]マルチシンク媒体４００は、ペーストまたはパティを含むことができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、充填剤を含むことができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、テープ、シート、またはフィルムを備えることができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、パッドを備えることができる。
【0042】
[058]幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、エラストマーを含むことができる。例えば、マルチシンク媒体４００は、シリコーンエラストマーまたはシリコーンベースエラストマーを含むことができる。幾つかの場合、シリコーンエラストマーまたはシリコーンベースエラストマーは、所望の変形能特性（例えば、室温で流動するおよび／または注入または押し出しされる能力）を高熱伝導率の高い特性（例えば、シリコーンの熱伝導率から生じる場合がある）と組み合わせることができる。マルチシンク媒体４００は、超音波エネルギーの伝搬を少なくとも部分的に阻止することが可能な材料を含むことができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、超音波エネルギーを少なくとも部分的に吸収することが可能な材料を含むことができる。例えば、マルチシンク媒体４００は、セラミック材料を含むことができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、セラミック充填シリコーンエラストマー（または、セラミック充填シリコーンベースエラストマー）を含むことができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、マルチシンク媒体４００のバルク内に分散した粒子を含むことができる。例えば、マルチシンク媒体４００は、セラミック粒子を含むシリコーンエラストマーを含むことができる。幾つかの場合、セラミック粒子を含むシリコーンベースエラストマーは、ペーストまたはパティであることができる。
【0043】
[059]幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、（例えば、室温で）変形または流動することが可能である。室温で変形可能であるかまたは流動することが可能である（例えば、室温で注入可能である）マルチシンク媒体４００は、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０内の（例えば、撮像デバイスまたはシステムのヒートシンクを完全にまたは部分的に囲むキャビティなどの、撮像デバイスまたはシステムのプローブ内のキャビティ内の）不規則形状の幾何学的構造を充填するときに有用であることができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０またはその所定の部分のキャビティ、ギャップ、または空間２７０に注入され得る（例えば、マルチシンク媒体４００は、ヒートシンクおよび／またはプリント回路板に接触する）。幾つかの実施形態において、マルチシンク媒体４００は、撮像デバイスまたはシステムまたはその所定の部分に（例えば、撮像デバイスまたはシステムプローブのヒートシンクおよび／またはプリント回路板と接触状態で）付加され得る。例えば、マルチシンク媒体４００は、（例えば、室温で）注入可能または成形可能であることができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、２５グラム／分（ｇ／ｍｉｎ）～４５ｇ／ｍｉｎの流量を有することができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、２５ｇ／ｍｉｎ～３０ｇ／ｍｉｎ、２５ｇ／ｍｉｎ～３５ｇ／ｍｉｎ、２５ｇ／ｍｉｎ～４０ｇ／ｍｉｎ、２５ｇ／ｍｉｎ～４５ｇ／ｍｉｎ、３０ｇ／ｍｉｎ～３５ｇ／ｍｉｎ、３０ｇ／ｍｉｎ～４０ｇ／ｍｉｎ、３０ｇ／ｍｉｎ～４５ｇ／ｍｉｎ、３５ｇ／ｍｉｎ～４０ｇ／ｍｉｎ、３５ｇ／ｍｉｎ～４５ｇ／ｍｉｎ、または４０ｇ／ｍｉｎ～４５ｇ／ｍｉｎの流量を有することができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、２５ｇ／ｍｉｎ、３０ｇ／ｍｉｎ、３５ｇ／ｍｉｎ、４０ｇ／ｍｉｎ、または４５ｇ／ｍｉｎの流量を有することができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、少なくとも２５ｇ／ｍｉｎ、少なくとも３０ｇ／ｍｉｎ、少なくとも３５ｇ／ｍｉｎ、少なくとも４０ｇ／ｍｉｎ、または少なくとも４５ｇ／ｍｉｎの流量を有することができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、せいぜい３０ｇ／ｍｉｎ、せいぜい３５ｇ／ｍｉｎ、せいぜい４０ｇ／ｍｉｎ、またはせいぜい４５ｇ／ｍｉｎの流量を有することができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、非ニュートン速度を有する（例えば、シアシニング特性を有する）。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、時間依存速度を有する（例えば、チキソトロピック特性を有する）。幾つかの場合、エラストマーであるかまたはエラストマーを含むマルチシンク媒体４００は、変形可能であるかまたは流動することが可能であることができる。例えば、エラストマーであるマルチシンク媒体４００は、幾つかの実施形態において、注入可能または成形可能であることができる。
【0044】
[060]幾つかの場合、変形可能であるかまたは流動することが可能である（例えば、注入可能または成形可能である）マルチシンク媒体４００は、熱伝達を改善することが、普通なら容易でないかまたはおそらくは可能でないことになる撮像システムまたは撮像デバイスの所定の部分において熱伝達が改善されることを可能にすることができる。例えば、撮像システムおよび撮像デバイスまたはその所定の部分（例えば、超音波トランスジューサプローブ）、特に、（例えば、手持ち式超音波トランスジューサプローブヘッドにおいて）総合寸法の減少または最小化から利益を得る部分における熱伝達は、伝統的なヒートシンク（例えば、アルミニウムヒートシンクブロックなどの金属ヒートシンク）によってしばしば促進され、伝統的なヒートシンクは、撮像システムまたはデバイスのおそらくは熱感応性の他のコンポーネントによって支持される、それに取り付けられる、それと接触状態にある、または、それと接触状態にないがそれに近接する場合があり、別々に作製される必要がある場合があり、撮像システムまたはデバイスあるいはその所定の部分内の（例えば、空気充填式）キャビティ、ギャップ、または空間をおそらくは必要にする。そのようなキャビティ、ギャップ、または空間は、（例えば、ガス、例えば空気などの熱絶縁体で充填されると）撮像システムまたは撮像デバイス内の熱伝達を低減することができる。伝統的なヒートシンク（例えば、アルミニウムヒートシンクブロックなどの金属ヒートシンク）は、そのようなキャビティ、ギャップ、または空間を充填するために容易に作製されない場合がある。そのため、成形される、プレス加工される、注入される、変形される、またはその他の方法で撮像システムまたはデバイスのキャビティ、ギャップ、または空間の全てまたは一部分に嵌ることを許容されることが可能なマルチシンク媒体４００の包含は、伝統的な熱伝達コンポーネントが占有することができない場合がある撮像システムおよびデバイスの領域における熱伝達を改善することができる。幾つかの場合、（例えば、撮像システムまたはデバイス内にあるいはそのキャビティ、ギャップ、または空間２７０内に配設された）マルチシンクは、０．５（ミリメートル）ｍｍ～２．０ｍｍの厚さを有することができる。幾つかの場合、（例えば、撮像システムまたはデバイス内にまたはそのキャビティ、ギャップ、または空間２７０内に配設された）マルチシンクは、０．５ミリメートル（ｍｍ）～０．８ｍｍ、０．５ｍｍ～１．０ｍｍ、０．５ｍｍ～１．３ｍｍ、０．５ｍｍ～１．５ｍｍ、０．５ｍｍ～１．７ｍｍ、０．５ｍｍ～２ｍｍ、０．８ｍｍ～１．０ｍｍ、０．８ｍｍ～１．３ｍｍ、０．８ｍｍ～１．５ｍｍ、０．８ｍｍ～１．７ｍｍ、０．８ｍｍ～２ｍｍ、１．０ｍｍ～１．３ｍｍ、１．０ｍｍ～１．５ｍｍ、１．０ｍｍ～１．７ｍｍ、１．０ｍｍ～２．０ｍｍ、１．３ｍｍ～１．５ｍｍ、１．３ｍｍ～１．７ｍｍ、１．３ｍｍ～２ｍｍ、１．５ｍｍ～１．７ｍｍ、１．５ｍｍ～２．０ｍｍ、または１．７ｍｍ～２．０ｍｍの厚さを有することができる。幾つかの場合、（例えば、撮像システムまたはデバイス内にまたはそのキャビティ、ギャップ、または空間２７０内に配設された）マルチシンクは、０．５ｍｍ、０．８ｍｍ、１．０ｍｍ、１．３ｍｍ、１．５ｍｍ、１．７ｍｍ、または２．０ｍｍの厚さを有することができる。幾つかの場合、（例えば、撮像システムまたはデバイス内にまたはそのキャビティ、ギャップ、または空間２７０内に配設された）マルチシンクは、少なくとも０．５ｍｍ、少なくとも０．８ｍｍ、少なくとも１．０ｍｍ、少なくとも１．３ｍｍ、少なくとも１．５ｍｍ、少なくとも１．７ｍｍ、または少なくとも２．０ｍｍの厚さを有することができる。幾つかの場合、（例えば、撮像システムまたはデバイス内にまたはそのキャビティ、ギャップ、または空間２７０内に配設された）マルチシンク媒体は、せいぜい０．８ｍｍ、せいぜい１．０ｍｍ、せいぜい１．３ｍｍ、せいぜい１．５ｍｍ、せいぜい１．７ｍｍ、またはせいぜい２．０ｍｍの厚さを有することができる。幾つかの場合、多重反射アーチファクトは、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０のマルチシンク媒体が、幾つかの場合、＋／－０．２５ｍｍの許容範囲を有する少なくとも１．０ｍｍまたは少なくとも１．５ｍｍの厚さを有するとき、超音波スキャンから完全になくされ得る。幾つかの場合、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０を製造する方法は、撮像システムまたはデバイスの１つまたは複数のキャビティ、ギャップ、または空間２７０を部分的にまたは完全に充填するために、マルチシンク媒体４００を注入することまたは成形することを含むことができる。幾つかの場合、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０は、完全に捕捉された縁部を備えることができる（例えば、撮像システムまたはデバイスの１つまたは複数のキャビティ、ギャップ、または空間２７０の縁部は、例えば、注入されるときにマルチシンク媒体４００の漏出を防止するために、結合されると共にシールされる）。幾つかの場合、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０は、撮像システムまたはデバイスの１つまたは複数のキャビティ、ギャップ、または空間２７０内へのマルチシンク媒体４００の注入を促進するために１つまたは複数の注入ポート（例えば、撮像システムまたはデバイスの１つまたは複数のヒートシンクを通る）を備えることができる。幾つかの場合、注入ポートは、（例えば、基板２６０とヒートシンクとの間のボンディングとの干渉を回避するために、例えば、ヒートシンクの外側から、撮像システムまたはデバイスのキャビティ、ギャップ、または空間に開放するヒートシンクの内側まで）ハウジングまたはヒートシンクの側面を通して設けられる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、例えば、ヒートシンクが基板にボンディングされると、マルチシンク媒体４００をキャビティ、ギャップ、または空間内に捕捉するために、ヒートシンクおよび基板またはハウジングおよび基板が結合／ボンディングされる前に、撮像デバイスまたはシステムに付加され得る。
【0045】
[061]幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、熱伝導性であることができる。例えば、マルチシンク媒体４００は、２ワット／メートル－ケルビン（Ｗ／ｍＫ）～７Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有することができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、２Ｗ／ｍＫ～２．３Ｗ／ｍＫ、２Ｗ／ｍＫ～２．５Ｗ／ｍＫ、２Ｗ／ｍＫ～３Ｗ／ｍＫ、２Ｗ／ｍＫ～３．７Ｗ／ｍＫ、２Ｗ／ｍＫ～４Ｗ／ｍＫ、２Ｗ／ｍＫ～５Ｗ／ｍＫ、２Ｗ／ｍＫ～５．５Ｗ／ｍＫ、２Ｗ／ｍＫ～６Ｗ／ｍＫ、２Ｗ／ｍＫ～６．４Ｗ／ｍＫ、２Ｗ／ｍＫ～７Ｗ／ｍＫ、２．３Ｗ／ｍＫ～２．５Ｗ／ｍＫ、２．３Ｗ／ｍＫ～３Ｗ／ｍＫ、２．３Ｗ／ｍＫ～３．７Ｗ／ｍＫ、２．３Ｗ／ｍＫ～４Ｗ／ｍＫ、２．３Ｗ／ｍＫ～５Ｗ／ｍＫ、２．３Ｗ／ｍＫ～５．５Ｗ／ｍＫ、２．３Ｗ／ｍＫ～６Ｗ／ｍＫ、２．３Ｗ／ｍＫ～６．４Ｗ／ｍＫ、２．３Ｗ／ｍＫ～７Ｗ／ｍＫ、２．５Ｗ／ｍＫ～３Ｗ／ｍＫ、２．５Ｗ／ｍＫ～３．７Ｗ／ｍＫ、２．５Ｗ／ｍＫ～４Ｗ／ｍＫ、２．５Ｗ／ｍＫ～５Ｗ／ｍＫ、２．５Ｗ／ｍＫ～５．５Ｗ／ｍＫ、２．５Ｗ／ｍＫ～６Ｗ／ｍＫ、２．５Ｗ／ｍＫ～６．４Ｗ／ｍＫ、２．５Ｗ／ｍＫ～７Ｗ／ｍＫ、３Ｗ／ｍＫ～３．７Ｗ／ｍＫ、３Ｗ／ｍＫ～４Ｗ／ｍＫ、３Ｗ／ｍＫ～５Ｗ／ｍＫ、３Ｗ／ｍＫ～５．５Ｗ／ｍＫ、３Ｗ／ｍＫ～６Ｗ／ｍＫ、３Ｗ／ｍＫ～６．４Ｗ／ｍＫ、３Ｗ／ｍＫ～７Ｗ／ｍＫ、３．７Ｗ／ｍＫ～４Ｗ／ｍＫ、３．７Ｗ／ｍＫ～５Ｗ／ｍＫ、３．７Ｗ／ｍＫ～５．５Ｗ／ｍＫ、３．７Ｗ／ｍＫ～６Ｗ／ｍＫ、３．７Ｗ／ｍＫ～６．４Ｗ／ｍＫ、３．７Ｗ／ｍＫ～７Ｗ／ｍＫ、４Ｗ／ｍＫ～５Ｗ／ｍＫ、４Ｗ／ｍＫ～５．５Ｗ／ｍＫ、４Ｗ／ｍＫ～６Ｗ／ｍＫ、４Ｗ／ｍＫ～６．４Ｗ／ｍＫ、４Ｗ／ｍＫ～７Ｗ／ｍＫ、５Ｗ／ｍＫ～５．５Ｗ／ｍＫ、５Ｗ／ｍＫ～６Ｗ／ｍＫ、５Ｗ／ｍＫ～６．４Ｗ／ｍＫ、５Ｗ／ｍＫ～７Ｗ／ｍＫ、５．５Ｗ／ｍＫ～６Ｗ／ｍＫ、５．５Ｗ／ｍＫ～６．４Ｗ／ｍＫ、５．５Ｗ／ｍＫ～７Ｗ／ｍＫ、６Ｗ／ｍＫ～６．４Ｗ／ｍＫ、６Ｗ／ｍＫ～７Ｗ／ｍＫ、または６．４Ｗ／ｍＫ～７Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有することができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、２Ｗ／ｍＫ、２．３Ｗ／ｍＫ、２．５Ｗ／ｍＫ、３Ｗ／ｍＫ、３．７Ｗ／ｍＫ、４Ｗ／ｍＫ、５Ｗ／ｍＫ、５．５Ｗ／ｍＫ、６Ｗ／ｍＫ、６．４Ｗ／ｍＫ、または７Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有することができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、少なくとも２Ｗ／ｍＫ、少なくとも２．３Ｗ／ｍＫ、少なくとも２．５Ｗ／ｍＫ、少なくとも３Ｗ／ｍＫ、少なくとも３．７Ｗ／ｍＫ、少なくとも４Ｗ／ｍＫ、少なくとも５Ｗ／ｍＫ、少なくとも５．５Ｗ／ｍＫ、少なくとも６Ｗ／ｍＫ、少なくとも６．４Ｗ／ｍＫ、または少なくとも７Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有することができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、せいぜい２．３Ｗ／ｍＫ、せいぜい２．５Ｗ／ｍＫ、せいぜい３Ｗ／ｍＫ、せいぜい３．７Ｗ／ｍＫ、せいぜい４Ｗ／ｍＫ、せいぜい５Ｗ／ｍＫ、せいぜい５．５Ｗ／ｍＫ、せいぜい６Ｗ／ｍＫ、せいぜい６．４Ｗ／ｍＫ、またはせいぜい７Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有することができる。幾つかの場合、マトリクス材料の選択は、マルチシンク媒体４００が熱伝導性であるか否かを判定することができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、マルチシンク媒体４００がシリコーンエラストマーまたはシリコーンベースエラストマーを含むとき熱伝導性であることができる。熱伝導性であるマルチシンク媒体４００は、撮像デバイスまたは撮像システムにおける熱伝達を改善することができる。例えば、マルチシンク媒体４００（例えば、集積回路（例えば、ＡＳＩＣ）、プロセッサ、および／またはトランスジューサ素子などの撮像デバイスまたは撮像システムのコンポーネントと接触状態にある）は、１つまたは複数のコンポーネントであって、（例えば、動作中に）熱を生成する場合がある、および／または、過剰の熱に敏感である場合がある（例えば、過剰の熱の存在下で、過熱する、性能の低下を経験する、および／または機能することを停止する場合がある）、１つまたは複数のコンポーネントから外方に熱を伝達するのに役立つことができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、撮像システムまたは撮像デバイスのヒートシンクおよび／またはハウジングまたはケーシングなどの撮像システムまたは撮像デバイスの別の熱伝導コンポーネントに接触することによって熱伝達を促進することができる。幾つかの場合、熱伝導性であるヒートシンクは、例えば、熱伝達（例えば、撮像システムまたは撮像デバイスの１つまたは複数の熱感応性コンポーネントから外方への）を改善するために、撮像システムまたは撮像デバイスまたはその一部分のキャビティ、ギャップ、または空間内に、位置付けられ得る、位置決めされ得る、注入され得る、または堆積され得る。幾つかの場合、撮像システムまたはデバイスのキャビティ、ギャップ、または空間は、撮像システムまたはデバイスを作製するために使用される方法に起因する場合がある、または、システムまたはデバイスの第１のコンポーネントをシステムまたはデバイスの第２のコンポーネントから電気的にまたは機械的に分離するのを助けるために、システムまたはデバイスの設計に含まれる場合がある。幾つかの場合、撮像システムまたは撮像デバイスまたはその所定の部分のキャビティ、ギャップ、または空間内に、位置付けられる、位置決めされる、注入される、または堆積されるマルチシンクは、キャビティ、ギャップ、または空間内に普通なら位置付けられるコンポーネントまたは材料（例えば、空気などのガス）を置換することができ、例えば、置換されるコンポーネントまたは材料は、マルチシンク媒体４００より低い熱伝導率を有する。例えば、撮像システムまたはデバイスのキャビティ、ギャップ、または空間をマルチシンク媒体４００で充填することは、より低い熱伝導性のコンポーネントまたは材料（例えば、空気）を置換することができ、システムまたはデバイス内の熱伝達を増加させることができ、それは、撮像システムまたは撮像デバイスの過熱のまたは熱関連の性能の低下のリスクを低減する場合がある。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、熱伝導性である（例えば、本明細書で説明するように）と共に音響非伝導性（例えば、音響絶縁性）である。なぜなら、例えば、超音波を反射するという熱伝導材料の傾向の存在から生じる音響多重反射の結果として、多くの熱伝導材料（例えば、アルミニウムヒートシンク）が、超音波走査中にアーチファクトを引き起こす可能性があるからである。
バッキング層
[062]本明細書で説明する撮像システムまたはデバイス１００（例えば、超音波撮像システムまたはデバイス１００）は、バッキング層２３２（例えば、バッキングラミネート）を備えることができる。幾つかの場合、例えば、吸収体層２３０および／またはマルチシンク媒体４００を備えるバッキング層２３２（例えば、バッキングラミネート）は、例えば、撮像システムまたはデバイス１００内の超音波エネルギーの多重反射に起因する場合がある多重反射アーチファクトを減少させるために、撮像システムまたはデバイス１００に付加され（例えば、撮像システムまたはデバイス１００のプローブの内側に位置決めされ）得る。幾つかの場合、撮像システムまたはデバイス１００は、マルチシンク媒体４００およびバッキング層２３２を備えることができる。バッキング層２３２（例えば、バッキングラミネート）は、金属を含むことができる。例えば、バッキングラミネート２３２は、タングステン反射体を備えることができる。幾つかの場合、バッキング層２３２の一部分を、幾つかの場合、備えることができる吸収体層２３０は、金属フォーム（例えば、銅フォーム）を含むことができる。幾つかの場合、バッキング層（例えば、バッキングラミネート）は、アルミニウムバッキングを備えることができる。幾つかの場合、バッキング層は、（例えば、バッキング層のコンポーネントを共に、および／またはバッキング層のコンポーネントを、基板２６０および／またはヒートシンク２６８などの撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０の１つまたは複数のコンポーネントに結合するために１つまたは複数の接着剤層２６２を備えることができる。
コンピューティグシステム
[063]図１０を参照すると、コンピュータシステム１０００（例えば、処理またはコンピューティングシステム）を含む例示的な機械を示すブロック図が示され、コンピュータシステム１０００内で、本開示の静的コードスケジューリングのための態様および／または方法論の任意の１つまたは複数をデバイスに実施または実行させるための命令のセットが実行され得る。図１０のコンポーネントは、例に過ぎず、任意のハードウェア、ソフトウェア、組み込み式（ｅｍｂｅｄｄｅｄ）ロジックコンポーネント、または、特定の実施形態を実装する２つ以上のそのようなコンポーネントの組み合わせの使用または機能の範囲を制限しない。
バッキング層
[062]本明細書で説明する撮像システムまたはデバイス１００（例えば、超音波撮像システムまたはデバイス１００）は、バッキング層２３２（例えば、バッキングラミネート）を備えることができる。幾つかの場合、例えば、吸収体層２３０および／またはマルチシンク媒体４００を備えるバッキング層２３２（例えば、バッキングラミネート）は、例えば、撮像システムまたはデバイス１００内の超音波エネルギーの多重反射に起因する場合がある多重反射アーチファクトを減少させるために、撮像システムまたはデバイス１００に付加され（例えば、撮像システムまたはデバイス１００のプローブの内側に位置決めされ）得る。幾つかの場合、撮像システムまたはデバイス１００は、マルチシンク媒体４００およびバッキング層２３２を備えることができる。バッキング層２３２（例えば、バッキングラミネート）は、金属を含むことができる。例えば、バッキングラミネート２３２は、タングステン反射体を備えることができる。幾つかの場合、バッキング層２３２の一部分を、幾つかの場合、備えることができる吸収体層２３０は、金属フォーム（例えば、銅フォーム）を含むことができる。幾つかの場合、バッキング層（例えば、バッキングラミネート）は、アルミニウムバッキングを備えることができる。幾つかの場合、バッキング層は、（例えば、バッキング層のコンポーネントを共に、および／またはバッキング層のコンポーネントを、基板２６０および／またはヒートシンク２６８などの撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０の１つまたは複数のコンポーネントに結合するために１つまたは複数の接着剤層２６２を備えることができる。
コンピューティグシステム
[063]図１０を参照すると、コンピュータシステム１０００（例えば、処理またはコンピューティングシステム）を含む例示的な機械を示すブロック図が示され、コンピュータシステム１０００内で、本開示の静的コードスケジューリングのための態様および／または方法論の任意の１つまたは複数をデバイスに実施または実行させるための命令のセットが実行され得る。図１０のコンポーネントは、例に過ぎず、任意のハードウェア、ソフトウェア、組み込み式（ｅｍｂｅｄｄｅｄ）ロジックコンポーネント、または、特定の実施形態を実装する２つ以上のそのようなコンポーネントの組み合わせの使用または機能の範囲を制限しない。
【0046】
[064]コンピュータシステム１０００は、バス１０４０を介して、互いにおよび他のコンポーネントと通信する１つまたは複数のプロセッサ１００１、メモリ１００３、およびストレージ１００８を含む場合がある。バス１０４０は、ディスプレイ１０３２、１つまたは複数の入力デバイス１０３３（例えば、キーパッド、キーボード、マウス、スタイラスなどを含む場合がある）、１つまたは複数の出力デバイス１０３４、１つまたは複数の記憶デバイス１０３５、および種々の有形記憶媒体１０３６にリンクする場合もある。これらの要素の全ては、直接あるいは１つまたは複数のインターフェースまたはアダプターを介してバス１０４０にインターフェースする場合がある。例えば、種々の有形記憶媒体１０３６は、記憶媒体インターフェース１０２６を介してバス１０４０とインターフェースすることができる。コンピュータシステム１０００は、１つまたは複数の集積回路（ＩＣ）、プリント回路板（ＰＣＢ）、モバイル手持ち式デバイス（モバイルテレフォンまたはＰＤＡなど）、ラップトップまたはノートブックコンピュータ、分散型コンピュータシステム、コンピューティンググリッド、またはサーバを含むがそれに限定しない任意の適切な物理的形態を有する場合がある。
【0047】
[065]コンピュータシステム１０００は、機能を実行する１つまたは複数のプロセッサ（複数可）１００１（例えば、中央処理ユニット（ＣＰＵ：ｃｅｎｔｒａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ）、汎用グラフィクス処理ユニット（ＧＰＧＰＵ：ｇｅｎｅｒａｌ ｐｕｒｐｏｓｅ ｇｒａｐｈｉｃｓ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ）、または量子処理ユニット（ＱＰＵ：ｑｕａｎｔｕｍ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ））を含む。プロセッサ（複数可）１００１は、命令、データ、またはコンピュータアドレスの一時的ローカル記憶のためにキャッシュメモリユニット１００２を、任意選択で含む。プロセッサ（複数可）１０１は、コンピュータ可読命令の実行を支援するように構成される。コンピュータシステム１０００は、メモリ１００３、ストレージ１００８、記憶デバイス１０３５、および／または記憶媒体１０３６などの１つまたは複数の有形コンピュータ可読記憶媒体において具現化される非一時的プロセッサ実行可能命令をプロセッサ（複数可）１００１が実行する結果として図１０に示すコンポーネントのための機能を提供する場合がある。コンピュータ可読媒体は、特定の実施形態を実装するソフトウェアを記憶する場合があり、プロセッサ（複数可）１００１は、ソフトウェアを実行する場合がある。メモリ１００３は、１つまたは複数の他のコンピュータ可読媒体（大容量記憶デバイス（複数可）１０３５、１０３６など）から、または、ネットワークインターフェース１０２０などの適切なインターフェースを通した１つまたは複数の他の供給源からソフトウェアを読み取る場合がある。ソフトウェアは、本明細書で説明するかまたは示す、１つまたは複数のプロセスあるいは１つまたは複数のプロセスの１つまたは複数のステップをプロセッサ（複数可）１００１に実行させる場合がある。そのようなプロセスまたはステップを実行することは、メモリ１００３に記憶されるデータ構造を規定すること、および、ソフトウェアによって指示されるようにデータ構造を修正することを含む場合がある。
【0048】
[066]メモリ１００３は、ランダムアクセスメモリコンポーネント（例えば、ＲＡＭ１００４）（例えば、スタティックＲＡＭ（ＳＲＡＭ）、ダイナミックＲＡＭ（ＤＲＡＭ）、強誘電体ランダムアクセスメモリ（ＦＲＡＭ：ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）、相変化ランダムアクセスメモリ（ＰＲＡＭ：ｐｈａｓｅ－ｃｈａｎｇｅ ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）など）、読み出し専用メモリコンポーネント（例えば、ＲＯＭ１００５）、およびその任意の組み合わせを含むがそれに限定されない種々のコンポーネント（例えば、機械可読媒体）を含む場合がある。ＲＯＭ１００５は、プロセッサ（複数可）１００１に対してデータおよび命令を一方向に通信するために働く場合があり、ＲＡＭ１００４は、プロセッサ（複数可）１００１とデータおよび命令を双方向に通信するために働く場合がある。ＲＯＭ１００５およびＲＡＭ１００４は、以下で説明する任意の適切な有形コンピュータ可読媒体を含む場合がある。一例において、スタートアップ中などで、コンピュータシステム１０００内の要素間で情報を転送するのを助ける基本ルーチンを含む基本入力／出力システム１００６（ＢＩＯＳ：ｂａｓｉｃ ｉｎｐｕｔ／ｏｕｔｐｕｔ ｓｙｓｔｅｍ）は、メモリ１００３に記憶される場合がある。
【0049】
[067]固定ストレージ１００８は、任意選択で、ストレージ制御ユニット１００７を通して、プロセッサ（複数可）１００１に双方向に接続される。固定ストレージ１００８は、さらなるデータストレージ容量を提供し、本明細書で説明する任意の適切な有形コンピュータ可読媒体を含む場合もある。ストレージ１００８は、オペレーティングシステム１００９、実行ファイル（複数可）１０１０、データ１０１１、アプリケーション１０１２（アプリケーションプログラム）、および同様のものを記憶するために使用される場合がある。ストレージ１００８は、光ディスクドライブ、固体メモリデバイス（例えば、フラッシュベースシステム）、または上記の任意のものの組み合わせを含むこともできる。ストレージ１００８内の情報は、適切な場合、メモリ１００３内の仮想メモリとして組み込まれる場合がある。
【0050】
[068]一例において、記憶デバイス（複数可）１０３５は、記憶デバイスインターフェース１０２５を介してコンピュータシステム１０００と（例えば、外部ポートコネクタ（示さず）を介して）取り外し可能にインターフェースされる場合がある。特に、記憶デバイス（複数可）１０３５および関連する機械可読媒体は、機械可読命令、データ構造、プログラムモジュール、および／またはコンピュータシステム１０００用の他のデータの不揮発性および／または揮発性記憶を提供する場合がある。一例において、ソフトウェアは、記憶デバイス（複数可）１０３５上の機械可読媒体内に完全にまたは部分的に存在する場合がある。別の例において、ソフトウェアは、プロセッサ（複数可）１００１内に完全にまたは部分的に存在する場合がある。
【0051】
[069]バス１０４０は、多種多様なサブシステムを接続する。本明細書で、バスに対する参照は、適切である場合、共通機能を提供する１つまたは複数のデジタル信号線を包含する場合がある。バス１０４０は、種々のバスアーキテクチャの任意のアーキテクチャを使用する、メモリバス、メモリコントローラ、ペリフェラルバス、ローカルバス、およびその任意の組み合わせを含むがそれに限定されない幾つかのタイプのバス構造の任意のバス構造である場合がある。制限としてではなく例として、そのようなアーキテクチャは、業界標準アーキテクチャ（ＩＳＡ：Ｉｎｄｕｓｔｒｙ Ｓｔａｎｄａｒｄ Ａｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅ）バス、エンハンスドＩＳＡ（ＥＩＳＡ：Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＩＳＡ）バス、マイクロチャネルアーキテクチャ（ＭＣＡ：Ｍｉｃｒｏ Ｃｈａｎｎｅｌ Ａｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅ）バス、ビデオエレクトロニクススタンダードアソシエーションローカルバス（ＶＬＢ：Ｖｉｄｅｏ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ ｌｏｃａｌ ｂｕｓ）、ペリフェラルコンポーネントインターコネクト（ＰＣＩ：Ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ）バス、ＰＣＩ－エクスプレス（ＰＣＩ－Ｘ：ＰＣＩ－Ｅｘｐｒｅｓｓ）バス、アクセラレーテッドグラフィクスポート（ＡＧＰ：Ａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｏｒｔ）バス、ハイパートランスポート（ＨＴＸ：ＨｙｐｅｒＴｒａｎｓｐｏｒｔ）バス、シリアルアドバンスドテクノロジーアタッチメント（ＳＡＴＡ：ｓｅｒｉａｌ ａｄｖａｎｃｅｄ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ）バス、およびその任意の組み合わせを含む。
【0052】
[070]コンピュータシステム１０００は、入力デバイス１０３３を含む場合もある。一例において、コンピュータシステム１０００のユーザは、コマンドおよび／または他の情報を入力デバイス（複数可）１０３３を介してコンピュータシステム１０００に入力する場合がある。入力デバイス（複数可）１０３３の例は、英数字入力デバイス（例えば、キーボード）、ポインティングデバイス（例えば、マウスまたはタッチパッド）、タッチパッド、タッチスクリーン、マルチタッチスクリーン、ジョイスティック、スタイラス、ゲームパッド、オーディオ入力デバイス（例えば、マイクロフォン、音声応答システムなど）、光学スキャナ、ビデオまたはスチル画像取り込みデバイス（例えば、カメラ）、およびその任意の組み合わせを含むがそれに限定されない。幾つかの実施形態において、入力デバイスは、Ｋｉｎｅｃｔ、Ｌｅａｐ Ｍｏｔｉｏｎ、または同様のものである。入力デバイス（複数可）１０３３は、シリアル、パラレル、ゲームポート、ＵＳＢ、ＦＩＲＥＷＩＲＥ、ＴＨＵＮＤＥＲＢＯＬＴ、または上記の任意の組み合わせを含むがそれに限定されない種々の入力インターフェース１０２３（例えば、入力インターフェース１０２３）の任意のインターフェースを介してバス１０４０にインターフェースされる場合がある。
【0053】
[071]特定の実施形態において、コンピュータシステム１０００は、ネットワーク１０３０に接続されると、ネットワーク１０３０に接続された、他のデバイス、特にモバイルデバイスおよびエンタープライズシステム、分散型コンピューティングシステム、クラウドストレージシステム、クラウドコンピューティングシステム、および同様のものと通信する場合がある。コンピュータシステム１０００へおよびからの通信は、ネットワークインターフェース１０２０を通して送信される場合がある。例えば、ネットワークインターフェース１０２０は、ネットワーク１０３０から１つまたは複数のパケット（インターネットプロトコル（ＩＰ：Ｉｎｔｅｒｎｅｔ Ｐｒｏｔｏｃｏｌ）パケットなど）の形態で到来する通信（要求または他のデバイスからの要求など）を受信する場合があり、コンピュータシステム１０００は、処理のために、到来する通信をメモリ１００３に記憶する場合がある。コンピュータシステム１００は、１つまたは複数のパケットの形態で出て行く通信（要求または他のデバイスへの要求など）をメモリ１００３に同様に記憶し、ネットワークインターフェース１０２０からネットワーク１０３０に通信する場合がある。プロセッサ（複数可）１００１は、処理のために、メモリ１００３に記憶されたこれらの通信パケットにアクセスする場合がある。
【0054】
[072]ネットワークインターフェース１０２０の例は、ネットワークインターフェースカード、モデム、およびその任意の組み合わせを含むがそれに限定されない。ネットワーク１０３０またはネットワークセグメント１０３０の例は、分散型コンピューティングシステム、クラウドコンピューティングシステム、ワイドエリアネットワーク（ＷＡＮ：ｗｉｄｅ ａｒｅａ ｎｅｔｗｏｒｋ）（例えば、インターネット、エンタープライズネットワーク）、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ：ｌｏｃａｌ ａｒｅａ ｎｅｔｗｏｒｋ）（例えば、オフィス、建物、キャンパス、または他の比較的小さい地理空間に関連するネットワーク）、電話ネットワーク、２つのコンピューティングデバイス間の直接接続、ピア－ツー－ピアネットワーク、およびその任意の組み合わせを含むがそれに限定されない。ネットワーク１０３０などのネットワークは、有線および／または無線通信モードを使用する場合がある。一般に、任意のネットワークトポロジーが使用される場合がある。
【0055】
[073]情報およびデータは、ディスプレイ１０３２を通して表示され得る。ディスプレイ１０３２の例は、陰極線管（ＣＲＴ：ｃａｔｈｏｄｅ ｒａｙ ｔｕｂｅ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ）、薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ（ＴＦＴ－ＬＣＤ：ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ）、パッシブマトリクスＯＬＥＤ（ＰＭＯＬＥＤ：ｐａｓｓｉｖｅ－ｍａｔｒｉｘ ＯＬＥＤ）またはアクティブマトリクスＯＬＥＤ（ＡＭＯＬＥＤ：ａｃｔｉｖｅ－ｍａｔｒｉｘ ＯＬＥＤ）ディスプレイなどの有機液晶ディスプレイ（ＯＬＥＤ：ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ）、プラズマディスプレイ、およびその任意の組み合わせを含むがそれに限定されない。ディスプレイ１０３２は、バス１０４０を介して、プロセッサ（複数可）１００１、メモリ１００３、および固定ストレージ１００８、ならびに、入力デバイス（複数可）１０３３などの他のデバイスにインターフェースすることができる。ディスプレイ１０３２は、ビデオインターフェース１０２２を介してバス１０４０にリンクされ、ディスプレイ１０３２とバス１０４０との間のデータの伝送は、グラフィクスコントロール１０２１によって制御され得る。幾つかの実施形態において、ディスプレイはビデオプロジェクタである。幾つかの実施形態において、ディスプレイは、ＶＲヘッドセットなどの頭部搭載型ディスプレイ（ＨＭＤ：ｈｅａｄ－ｍｏｕｎｔｅｄ ｄｉｓｐｌａｙ）である。さらなる実施形態において、適切なＶＲヘッドセットは、非制限的な例によれば、ＨＴＣ Ｖｉｖｅ、Ｏｃｕｌｕｓ Ｒｉｆｔ、Ｓａｍｓｕｎｇ Ｇｅａｒ ＶＲ、Ｍｉｃｒｏｓｏｆｔ ＨｏｌｏＬｅｎｓ、Ｒａｚｅｒ ＯＳＶＲ、ＦＯＶＥ ＶＲ、Ｚｅｉｓｓ ＶＲ Ｏｎｅ、Ａｖｅｇａｎｔ Ｇｌｙｐｈ、Ｆｒｅｅｆｌｙ ＶＲヘッドセット、および同様のものを含む。なおさらなる実施形態において、ディスプレイは、本明細書で開示するデバイスなどのデバイスの組み合わせである。
【0056】
[074]ディスプレイ１０３２に加えて、コンピュータシステム１０００は、オーディオスピーカ、プリンター、記憶デバイス、およびその任意の組み合わせを含むがそれに限定されない１つまたは複数の他のペリフェラル出力デバイス１０３４を含む場合がある。そのようなペリフェラル出力デバイスは、出力インターフェース１０２４を介してバス１０４０に接続される場合がある。出力インターフェース１０２４の例は、シリアルポート、パラレル接続、ＵＳＢポート、ＦＩＲＥＷＩＲＥポート、ＴＨＵＮＤＥＲＢＯＬＴポート、およびその任意の組み合わせを含むがそれに限定されない。
【0057】
[075]さらにまたは代替として、コンピュータシステム１０００は、本明細書で説明するかまたは示す１つまたは複数のプロセスあるいは１つまたは複数のプロセスの１つまたは複数のステップを実行するためにソフトウェアの代わりにまたはソフトウェアと共に動作する場合がある、回路において配線で接続されたまたはその他の方法で具現化されたロジックの結果として機能を提供する場合がある。本開示におけるソフトウェアに対する参照は、ロジックを包含し、ロジックに対する参照は、ソフトウェアを包含する場合がある。さらに、コンピュータ可読媒体に対する参照は、適切である場合、実行のためのソフトウェアを記憶する回路（ＩＣなど）、実行のためのロジックを具現化する回路、または両方を包含する場合がある。本開示は、ハードウェア、ソフトウェア、または両方の任意の適切な組み合わせを包含する。
【0058】
[076]本明細書で開示する実施形態に関連して説明する、種々の例証的な論理ブロック、モジュール、回路、およびアルゴリズムステップが、電子ハードウェア、コンピュータソフトウェア、または両方の組み合わせとして実装される場合があることを当業者は理解するであろう。ハードウェアおよびソフトウェアのこの互換性を明確に示すために、種々の例証的なコンポーネント、ブロック、モジュール、回路、およびステップが、それらの機能の観点から全体的に上記で説明された。
【0059】
[077]本明細書で開示する実施形態に関連して説明する、種々の例証的な論理ブロック、モジュール、および回路は、本明細書で説明する機能を実施するために設計された、汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ：ｄｉｇｉｔａｌ ｓｉｇｎａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）または他のプログラマブルロジックデバイス、ディスクリートゲートまたはトランジスタロジック、ディスクリートハードウェアコンポーネント、またはその任意の組み合わせによって実装または実施される場合がある。汎用プロセッサは、マイクロプロセッサである場合があるが、代替において、プロセッサは、任意の従来のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、または状態機械である場合がある。プロセッサは、コンピューティングデバイスの組み合わせ、例えば、ＤＳＰおよびマイクロプロセッサの組み合わせ、複数のマイクロプロセッサ、ＤＳＰコアと連携する１つまたは複数のマイクロプロセッサ、または任意の他のそのような構成として実装される場合もある。
【0060】
[078]本明細書で開示する実施形態に関連して説明する方法またはアルゴリズムのステップは、ハードウェアで直接、１つまたは複数のプロセッサ（複数可）によって実行されるソフトウェアモジュールで、または両者の組み合わせで具現化される場合がある。ソフトウェアモジュールは、ＲＡＭメモリ、フラッシュメモリ、ＲＯＭメモリ、ＥＰＲＯＭメモリ、ＥＥＰＲＯＭメモリ、レジスター、ハードディスク、取り外し可能ディスク、ＣＤ－ＲＯＭ、または当技術分野で知られている任意の他の形態の記憶媒体内に存在する場合がある。例示的な記憶媒体は、プロセッサが、記憶媒体から情報を読み取り、情報を記憶媒体に書き込むことができるように、プロセッサに結合される。代替において、記憶媒体は、プロセッサと一体をなす場合がある。プロセッサおよび記憶媒体は、ＡＳＩＣ内に存在する場合がある。ＡＳＩＣは、ユーザ端末内に存在する場合がある。代替において、プロセッサおよび記憶媒体は、ユーザ端末内でディスクリートコンポーネントとして存在する場合がある。
【0061】
[079]本明細書の説明によれば、適切なコンピューティングデバイスは、非制限的な例として、サーバコンピュータ、デスクトップコンピュータ、ラップトップコンピュータ、ノートブックコンピュータ、手持ち式コンピュータ、インターネットアプライアンス、モバイルスマートフォン、およびタブレットコンピュータを含む。オプションのコンピュータネットワーク接続性を有するセレクトテレビジョン、ビデオプレーヤ、およびデジタルミュージックプレーヤが、本明細書で説明するシステムで使用するのに適することを当業者は同様に認識するであろう。適切なタブレットコンピュータは、種々の実施形態において、当業者に知られている、ブックレット、スレート、および変換可能な構成を有するコンピュータを含む。
【0062】
[080]幾つかの実施形態において、コンピューティングデバイスは、実行可能命令を実施するように構成されるオペレーティングシステムを含む。オペレーティングシステムは、例えば、デバイスのハードウェアを管理し、アプリケーションの実行のためのサービスを提供する、プログラムおよびデータを含むソフトウェアである。適切なサーバオペレーティングシステムが、非制限的な例として、ＦｒｅｅＢＳＤ、ＯｐｅｎＢＳＤ、ＮｅｔＢＳＤ（登録商標）、Ｌｉｎｕｘ（登録商標）、Ａｐｐｌｅ（登録商標）Ｍａｃ ＯＳ Ｘ Ｓｅｒｖｅｒ（登録商標）、Ｏｒａｃｌｅ（登録商標）Ｓｏｌａｒｉｓ（登録商標）、Ｗｉｎｄｏｗｓ Ｓｅｒｖｅｒ（登録商標）、およびＮｏｖｅｌｌ（登録商標）ＮｅｔＷａｒｅ（登録商標）を含むことを当業者は認識するであろう。適切なパーソナルコンピュータオペレーティングシステムが、非制限的な例として、Ｍｉｃｒｏｓｏｆｔ（登録商標）Ｗｉｎｄｏｗｓ（登録商標）、Ａｐｐｌｅ（登録商標） Ｍａｃ ＯＳ Ｘ（登録商標）、ＵＮＩＸ（登録商標）、およびＧＮＵ／Ｌｉｎｕｘ（登録商標）などのＵＮＩＸに似たオペレーティングシステムを含むことを当業者は認識するであろう。幾つかの実施形態において、オペレーティングシステムは、クラウドコンピューティングによって提供される。適切なモバイルスマートフォンオペレーティングシステムが、非制限的な例として、Ｎｏｋｉａ（登録商標）Ｓｙｍｂｉａｎ（登録商標）ＯＳ、Ａｐｐｌｅ（登録商標）ｉＯＳ（登録商標）、Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｉｎ Ｍｏｔｉｏｎ（登録商標）ＢｌａｃｋＢｅｒｒｙ ＯＳ（登録商標）、Ｇｏｏｇｌｅ（登録商標）Ａｎｄｒｏｉｄ（登録商標）、Ｍｉｃｒｏｓｏｆｔ（登録商標） Ｗｉｎｄｏｗｓ Ｐｈｏｎｅ（登録商標）ＯＳ、Ｍｉｃｒｏｓｏｆｔ（登録商標）Ｗｉｎｄｏｗｓ Ｍｏｂｉｌｅ（登録商標）ＯＳ、Ｌｉｎｕｘ（登録商標）、およびＰａｌｍ（登録商標）ＷｅｂＯＳ（登録商標）を含むことを当業者は同様に認識するであろう。
アプリケーション
[081]幾つかの場合、本明細書で説明する撮像システムまたはデバイス１００は、（例えば、非侵襲的）医療撮像、砕石術、治療介入のための局在化組織加熱、高密度焦点式超音波（ＨＩＦＵ：ｈｉｇｈｌｙ ｉｎｔｅｎｓｉｖｅ ｆｏｃｕｓｅｄ ｕｌｔｒａｓｏｕｎｄ）手術、および／またはパイプ（またはスピーカおよびマイクロフォンアレイ）内の非医療使用流量測定において使用され得る。幾つかの場合、本明細書で説明する撮像システムまたはデバイスは、例えば、ドプラーモード撮像を使用して、動脈および／または静脈内の流体流（例えば、血液流）の方向および／または速度を決定するために使用され得る。幾つかの場合、本明細書で説明する撮像システムまたはデバイスは、組織剛性を測定するために使用され得る。
アプリケーション
[081]幾つかの場合、本明細書で説明する撮像システムまたはデバイス１００は、（例えば、非侵襲的）医療撮像、砕石術、治療介入のための局在化組織加熱、高密度焦点式超音波（ＨＩＦＵ：ｈｉｇｈｌｙ ｉｎｔｅｎｓｉｖｅ ｆｏｃｕｓｅｄ ｕｌｔｒａｓｏｕｎｄ）手術、および／またはパイプ（またはスピーカおよびマイクロフォンアレイ）内の非医療使用流量測定において使用され得る。幾つかの場合、本明細書で説明する撮像システムまたはデバイスは、例えば、ドプラーモード撮像を使用して、動脈および／または静脈内の流体流（例えば、血液流）の方向および／または速度を決定するために使用され得る。幾つかの場合、本明細書で説明する撮像システムまたはデバイスは、組織剛性を測定するために使用され得る。
【0063】
[082]幾つかの場合、本明細書で説明する撮像システムまたはデバイス１００は、１次元撮像（例えば、Ａ－スキャン撮像）を実施するように構成され得る。幾つかの場合、本明細書で説明する撮像システムまたはデバイス１００は、２次元撮像（例えば、Ｂ－スキャン撮像）を実施するように構成され得る。幾つかの場合、本明細書で説明する撮像システムまたはデバイス１００は、３次元撮像（例えば、Ｃ－スキャン撮像）を実施するように構成され得る。幾つかの場合、本明細書で説明する撮像システムまたはデバイス１００は、ドプラー撮像を実施するように構成され得る。幾つかの場合、本明細書で説明する撮像システムまたはデバイス１００は、リニアモードまたはセクターモードを含む異なるモードに（例えば、モード間で）切り換えられる場合がある。幾つかの場合、撮像システムまたはデバイス１００は、（例えば、ユーザによって）プログラム制御下で電子的に構成され得る。
【0064】
[083]多くの場合、撮像システムまたはデバイス１００（例えば、撮像システムまたはデバイス１００のプローブ）はポータブルであることができる。例えば、撮像システムまたはデバイス１００は、１つまたは複数のトランスジューサ素子、ピクセル、またはアレイ、ＡＳＩＣ、制御回路部、および／またはコンピューティングデバイスを収容することができる手持ち式ケーシングを備えることができる（例えば、ハウジング内に収容することができる）。幾つかの場合、撮像システムまたはデバイス１００は、電池を備えることができる。
特定の定義
[084]別段に定義されない限り、本明細書で使用される全ての技術的用語は、本主題が属する技術分野の専門家によって一般に理解されるのと同じ意味を有する。
特定の定義
[084]別段に定義されない限り、本明細書で使用される全ての技術的用語は、本主題が属する技術分野の専門家によって一般に理解されるのと同じ意味を有する。
【0065】
[085]本明細書および添付の特許請求の範囲で使用されるように、単数形「１つの（ａ）」、「１つの（ａｎ）」、および「その（ｔｈｅ）」は、別段に文脈が明確に指示しない限り、複数参照を含む。本明細書の「または（ｏｒ）」に対するいずれの参照も、別段に述べない限り、「および／または（ａｎｄ／ｏｒ）」を包含することを意図される。
【0066】
[086]本明細書全体を通して、「幾つかの実施形態（ｓｏｍｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔｓ）」、「さらなる実施形態（ｆｕｒｔｈｅｒ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔｓ）」、または「特定の実施形態（ａ ｐａｒｔｉｃｕｌａｒ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ）」に対する参照は、実施形態に関連して説明する特定の特徴、構造、または特性が少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。そのため、本明細書全体を通しての種々の場所におけるフレーズ「幾つかの実施形態において（ｉｎ ｓｏｍｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔｓ）」または「さらなる実施形態において（ｉｎ ｆｕｒｔｈｅｒ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔｓ）」または「特定の実施形態において（ｉｎ ａ ｐａｒｔｉｃｕｌａｒ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ）」の出現は、必ずしも全てが同じ実施形態を参照するわけではない。さらに、特定の特徴、構造、または特性は、１つまたは複数の実施形態において、任意の適切な方法で組み合わされる場合がある。
【0067】
[087]本主題の好ましい実施形態が、本明細書で示され、説明されたが、そのような実施形態が単に例として提供されることが当業者に明らかになるであろう。多数の変形、変更、および置換を、ここで、本主題から逸脱することなく当業者が思い付くことになる。本明細書で説明する本主題の実施形態に対する種々の代替が本主題を実施するときに使用される場合があることが理解されるべきである。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図9A】
【図9B】
【図9C】
【図10】
【手続補正書】
【提出日】2022-04-07
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【0001】
[001]超音波撮像は、医療および非破壊試験のための一般的な技法である。超音波システムおよびデバイスは、典型的に、音響波送信軸に沿って画像を作成するために、音響エネルギーを生成し、送信軸に沿って音響的に異質なターゲット物質内に送信し、ターゲット物質から反射される音響エネルギーを検出することが可能な超音波トランスジューサを備える。送信音響エネルギーの部分的または完全反射は、送信音響エネルギー波が、第１の音響インピーダンス（Ｚ１）を有するターゲット物質の第１の部分と第２の音響インピーダンス（Ｚ２）を有するターゲット物質の第２の部分と間の界面に遭遇すると起こり得る。反射音響エネルギー波の振幅を決定するために使用され得る反射係数（Ｒ）は、方程式（１）を使用して計算され得る：
【0002】
【数1】
【0003】
[002]しかしながら、超音波システムおよびデバイスの性能は、超音波プローブトランスジューサおよび／または超音波スキャンのターゲット物質の周囲環境内の音響ノイズ源によって悪い影響を及ぼされ得る。多重反射（リバーブ）アーチファクトは、超音波エネルギー波が、２つ以上の平行な音響反射体間で反射するときに生じる可能性がある。幾つかの場合、平行な音響反射体を備えるターゲット物質内のリバーブアーチファクトの悪影響は、音響波がターゲット物質に送信される角度を変更することによって減じられ得る。しかしながら、そのような方策は、平行な音響反射体に対する超音波トランスジューサの角度を変更することが可能であるときに使用され得るだけである。多重反射アーチファクトが音響ノイズ源から生じ、送信超音波の入射角度が容易に変更されない状況に対処する長年にわたりかつ未解決の必要性が存在する。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0004】
[003]超音波スキャンターゲット（例えば、ターゲット物質）の外の発生源から生じる超音波撮像アーチファクトは、例えば、そのような妨害に対処するための超音波デバイスまたはシステムの設計に対する調整が、実質的な性能トレードオフおよび設計上の妥協を伴う可能性があるため、特有の課題を提示する可能性がある。本明細書において、超音波走査デバイス内の音響多重反射から生じるアーチファクトに関して超音波スキャン性能を改善することができるシステム、デバイス、および方法が説明される。種々の態様において、システム、デバイス、および方法は、熱管理、コスト、および／またはプローブ幾何形状制約に関連する競合する設計制約を同様に克服しながら、超音波スキャン品質に対する音響多重反射の影響を低減することができる。例えば、本明細書で説明する幾つかの実施形態は、システムまたはデバイスのプローブ内の熱伝導を同時に改善しながら、（例えば、超音波システムまたはデバイスの音響反射コンポーネントからの）超音波システムまたはデバイスの超音波トランスジューサの音響分離を改善することができるマルチシンク媒体（例えば、注入可能なマルチシンク媒体４００）を含む。
【0005】
[004]種々の態様において、撮像デバイスは、集積回路基板と、集積回路基板と接触状態のマルチシンク媒体と、集積回路基板に結合された１つまたは複数の微小電気機械（ＭＥＭ：ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ）超音波トランスジューサとを備える。幾つかの場合、撮像デバイスは、ヒートシンクをさらに備える。幾つかの場合、ヒートシンクは金属を含む。幾つかの場合、金属はアルミニウムである。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、ヒートシンクと接触状態にある。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、１つまたは複数のＭＥＭトランスジューサとヒートシンクとの間に少なくとも部分的に配設される。幾つかの場合、デバイスは、集積回路基板に結合されたハウジングをさらに備える。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、ハウジングと接触状態にある。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、１つまたは複数のＭＥＭトランスジューサとハウジングとの間に少なくとも部分的に配設される。幾つかの場合、マルチシンク媒体は注入可能である。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、少なくとも２９ｇ／ｍｉｎの流量を有する。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、少なくとも４０ｇ／ｍｉｎの流量を有する。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、少なくとも１．５ワット／メートル－ケルビン（Ｗ／ｍＫ）の熱伝導率を有する。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、少なくとも３．７ワット／メートル－ケルビン（Ｗ／ｍＫ）の熱伝導率を有する。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、少なくとも６．４ワット／メートル－ケルビン（Ｗ／ｍＫ）の熱伝導率を有する。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、少なくとも０．５ｍｍの厚さを有する。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、少なくとも１．０ｍｍの厚さを有する。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、少なくとも１．５ｍｍの厚さを有する。幾つかの場合、撮像デバイスは、バッキング材料をさらに備える。幾つかの場合、バッキング材料はバッキングラミネートを含む。
【0006】
[005]さらなる態様において、撮像デバイスを作製する方法は、撮像デバイスの第１のコンポーネントを集積回路基板に結合することによって内部キャビティを形成するステップと、１つまたは複数の微小電気機械（ＭＥＭ）超音波トランスジューサを集積回路基板に結合するステップと、マルチシンク媒体を内部キャビティに注入するステップとを含む。幾つかの場合、第１のコンポーネントは音響反射材料を含む。幾つかの場合、第１のコンポーネントは、集積回路基板に直接結合される。幾つかの場合、第１のコンポーネントはヒートシンクである。幾つかの場合、ヒートシンクは金属を含む。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、ヒートシンクと接触状態にある。幾つかの場合、第１のコンポーネントはハウジングを備える。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、ハウジングと接触状態にある。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、１つまたは複数のＭＥＭトランスジューサと第１のコンポーネントとの間に少なくとも部分的に配設される。幾つかの場合、マルチシンク媒体は注入可能である。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、少なくとも２９ｇ／ｍｉｎの流量を有する。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、少なくとも４０ｇ／ｍｉｎの流量を有する。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、少なくとも１．５ワット／メートル－ケルビン（Ｗ／ｍＫ）の熱伝導率を有する。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、少なくとも３．７ワット／メートル－ケルビン（Ｗ／ｍＫ）の熱伝導率を有する。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、少なくとも６．４ワット／メートル－ケルビン（Ｗ／ｍＫ）の熱伝導率を有する。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、注入後に少なくとも０．５ｍｍの厚さを有する。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、注入後に少なくとも１．０ｍｍの厚さを有する。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、注入後に少なくとも１．５ｍｍの厚さを有する。幾つかの場合、方法は、バッキング材料を集積回路基板に結合するステップをさらに含む。幾つかの場合、バッキング材料はバッキングラミネートを含む。幾つかの場合、バッキング材料は、第１のコンポーネントと１つまたは複数のＭＥＭ超音波トランスジューサとの間に少なくとも部分的に配設される。
【0007】
[006]本主題の特徴および利点のよりよい理解は、例証的な実施形態および添付図面を述べる以下の詳細な説明を参照して得られるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】[007]実施形態によるマルチシンク媒体を備えることができる撮像デバイスのブロック図である。
【図2】[008]実施形態によるマルチシンク媒体を備えることができる撮像デバイスの略図である。
【図3】[009]実施形態による撮像デバイスの内部コンポーネントの略図である。
【図4】[010]実施形態による撮像デバイスの内部コンポーネントの代替の構成の略図である。
【図5】[011]実施形態による撮像デバイスの内部コンポーネントの第２の代替の構成の略図である。
【図6】[012]実施形態による撮像デバイスの内部コンポーネントの第３の代替の構成の略図である。
【図7A】[013]実施形態による、アルミニウムバッキングを使用しマルチシンク媒体を使用しない試験ターゲット基板の超音波スキャンを示す図である。
【図8A】[016]実施形態による、０．５ミリメートル厚を有するマルチシンク媒体を使用する試験ターゲット基板の超音波スキャンを示す図である。
【図9A】[019]実施形態による、０．５ミリメートル厚を有するマルチシンク媒体４００を使用する試験ターゲット基板の超音波スキャンを示す図である。
【図10】[022]実施形態によるコンピューティングシステムのブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
[023]本明細書に、超音波撮像アプリケーションにおける改善された音響および熱管理のためのシステム、デバイス、および方法が開示される。超音波撮像システムおよびデバイスを構成する幾何形状および材料は、熱管理および音響アーチファクトの低減を含む、複数のおそらくは競合する設計制約を生じさせる可能性がある。撮像システムまたはデバイスの温度感応性電子コンポーネント（例えば、超音波撮像システムまたはデバイスのプローブヘッド）から外方への熱伝達（Ｈｅａｔ ｔｒａｎｓｆｅｒ）は、電子コンポーネントによって生成される熱用の導管として働く熱伝導性金属ヒートシンクの組み込みによって既存の機器において、典型的に対処される。残念ながら、金属ヒートシンクは、多重反射アーチファクトを含む音響アーチファクトを生成する可能性があり、そのアーチファクトは、超音波デバイスのトランスジューサ（例えば、超音波プローブヘッドのトランスジューサ）によって生成される超音波エネルギー（例えば、超音波波形またはパターン）に起因する可能性があり、超音波エネルギーは、デバイスの本体を通して後方に移動し、金属ヒートシンク（および／または超音波エネルギーを反射することができる他のコンポーネント）から反射し、デバイスの検出トランスジューサに戻る。その間、撮像システムまたはデバイスの内部キャビティまたは空間内に存在することができる、空気などの多くの音響絶縁材料は、熱エネルギーを効率的に伝導せず、超音波プローブヘッド内のプロセッサおよび集積回路などの撮像システムまたはデバイスの熱感応性内部コンポーネントから外方への熱伝導の総合効率を減少させる。本明細書で説明するように、熱エネルギーを効率的に伝導し、同時に、音響エネルギー（例えば、超音波エネルギー）を吸収するまたは消散させることが可能な物質（例えば、セラミック粒子を含むシリコーンベースペーストまたはパティ）を含むことができるマルチシンク媒体４００は、撮像トランスジューサの熱管理および音響分離を同時に改善するために、撮像システムおよびデバイス内に組み込まれ得る。多くの場合、注入可能かまたは成形可能なペーストまたはパティの形態で使用され得るマルチシンク媒体４００は、撮像システムまたはデバイス内の不規則形状のキャビティ、ギャップ、または空間（例えば、超音波プローブヘッド内の）を容易に充填することができ、熱束（例えば、電気コンポーネントから、金属ヒートシンクまたはハウジングであって、音響アーチファクトを生成する可能性に加えて、そのようなキャビティ、ギャップ、および空間を充填するために容易に作製されない場合がある、金属ヒートシンクまたはハウジングまでの）のためのより大きい断面積を提供し、音響反射材料のより密接するおよび／または完全な輪郭付け（例えば、音響分離）を可能にする。
【0010】
[024]本明細書で説明するように、撮像システムまたはデバイス１００は、超音波エネルギーを（例えば、超音波波形あるいは超音波波形の群またはパターンの形態で）送信および／または受信するように構成されるハードウェアおよび／またはソフトウェアを含むことができる。多くの場合、ターゲット物質の（例えば、ターゲット組織）の全てまたは一部分の画像は、撮像デバイスまたはシステム、例えば、本明細書で説明する撮像デバイスまたはシステムの超音波トランスジューサによる超音波エネルギー（例えば、超音波波形または超音波波形のパターン）の処理および／または分析によって生成され得る。幾つかの場合、本開示の実施形態は、撮像デバイスおよびシステム、例えば、微小電気機械システム（ＭＥＭ）超音波トランスジューサを備える非貫入型超音波撮像デバイスおよびシステムに関することができる。幾つかの場合、超音波トランスジューサは、ＭＵＴ（例えば、単一ダイヤフラムまたは膜を有するトランスジューサユニット（例えば、「ピクセル（ｐｉｘｅｌ）」））を備えることができる。幾つかの場合、超音波システムまたはデバイスは、１つのものとして共に機能するためにグループ化された複数のトランスジューサユニットを備えることができるトランスジューサ素子を備える。幾つかの場合、超音波トランスジューサは、受信した超音波エネルギー（例えば、受信した超音波波形またはパターン）を電気信号またはパターンに変換することができる。幾つかの場合、超音波デバイスまたはシステムは、受信した超音波波形またはパターンからトランスジューサによって生成される電気信号またはパターンをターゲット物質の全てまたは一部分の画像に変換するように構成され得る。
【0011】
[025]図１に示すように、撮像システムまたはデバイス１００はトランスジューサ１０２を備えることができる。撮像システムまたはデバイス１００のトランスジューサ１０２は、１つまたは複数のトランスジューサ素子１０４（例えば、アレイで配置された、例えば、複数のトランスジューサ素子）を備えることができる。幾つかの場合、撮像システムまたはデバイス１００のトランスジューサ１０２は、複数のトランスジューサ素子１０４を備えることができる。トランスジューサ素子１０４は、複数のトランスジューサユニットを備えることができ、複数のトランスジューサユニットは、圧電型微細加工超音波トランスジューサ（ｐＭＵＴ：ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｅｄ ｕｌｔｒａｓｏｕｎｄ ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）または容量性微細加工超音波トランスジューサ（ｃＭＵＴ：ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｅｄ ｕｌｔｒａｓｏｕｎｄ ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）をそれぞれ備える場合がある。ｐＭＵＴまたはｃＭＵＴは、例えば、ターゲット物質の撮像において、光音響または超音波原理に基づいて動作することができる。トランスジューサ素子１０４またはその所定の部分（例えば、トランスジューサユニット）は、生物学的組織（例えば、人間または動物の骨、血流、および／または器官（複数可）を備える）および／または他の物質または質量を備えることができるターゲット物質を通って伝搬する超音波圧力波（例えば、超音波エネルギー）を生成するために使用され得る。トランスジューサ素子１０４またはその所定の部分（例えば、トランスジューサユニット）は、（例えば、ターゲット物質の一部分から反射された）超音波エネルギーを受信するために使用され得る。多くの場合、トランスジューサ素子１０４またはその所定の部分は、受信した超音波エネルギーを電気信号に変換するように構成され得る。幾つかの場合、撮像システムまたはデバイス１００は、信号（例えば、超音波波形またはパターン）をターゲット物質（例えば、身体またはその所定の部分）内に送信し、ターゲット物質（例えば、身体またはその所定の部分）からの反射信号（例えば、超音波波形またはパターン）を受信することができる。幾つかの場合、撮像システムまたはデバイスは、超音波エネルギー（例えば、１つまたは複数の超音波波形またはパターンを含む）を同時に送信し受信するように構成され得る。
【0012】
[026]ｐＭＵＴまたはｃＭＵＴなどのトランスジューサ（または複数のトランスジューサ）は、基板２６０上で、例えば、半導体ウェハ製造プロセスを利用する方法で、効率的に形成され得る。従来のトランスジューサ（例えば、伝統的なバルク圧電（ＰＺＴ：ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ）トランスジューサ）と比較して、ｐＭＵＴトランスジューサ素子およびピクセルは、半導体基板２６０（例えば、集積回路基板）上に構築され得、半導体基板２６０は、かさばらず、製造するのに費用がかからず、より複雑でなく、伝統的なＰＺＴトランスジューサ基板に比べて、高性能の電子／トランスジューサ相互接続を有することができる。多くの場合、ｐＭＵＴを備える撮像システムおよびデバイス１００は、動作周波数においてより大きい柔軟性を可能にすることができ、より高品質な画像を生成することができる。
【0013】
[027]幾つかの場合、基板２６０（例えば、集積回路基板）は、半導体ウェハを備えることができる。幾つかの場合、半導体ウェハは、長さが、１５２．４ｍｍ（６インチ）、２０３．２ｍｍ（８インチ）、３０４．８ｍｍ（１２インチ）、１５２．４～２０３．２ｍｍ（６～８インチ）、２０３．２～３０４．８ｍｍ（８～１２インチ）、１５２．４～３０４．８ｍｍ（６～１２インチ）、１５２．４ｍｍ（６インチ）より小さい値、または３０４．８ｍｍ（１２インチ）より大きい値であることができる。幾つかの場合、半導体ウェハは、シリコン基板上に１つまたは複数の二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）層を形成することによって製造され得る。半導体ウェハの製造におけるさらなる処理は、例えば、半導体ウェハ集積回路基板２６０に結合される電子コンポーネント用のインターコネクトおよびボンドパッドとして役立つために、金属層または経路の付加（例えば、堆積またはエッチングのプロセスを含む）を含むことができる。幾つかの場合、キャビティは、集積回路基板２６０内にエッチングされ得る。
【0014】
[028]撮像システムまたはデバイス１００は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ：ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｓｐｅｃｉｆｉｃ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）を備えることができ、ＡＳＩＣは、トランスジューサの動作、送信超音波波形またはパターンの形成、および／または、（例えば、ターゲット物質またはその所定の部分からの）（例えば、反射された）超音波エネルギーを受信すると、トランスジューサによって生成される電気信号の処理のための電子部品を備えることができる。幾つかの場合、ＡＳＩＣは、１つまたは複数の送信ドライバー、（例えば、撮像される物体または物質から後方に反射した後にトランスジューサによって受信されたと思われる受信超音波エネルギーに対応する電気エネルギー（例えば、エコー信号）を処理するための）検知回路部、および／または、撮像システムまたはデバイス１００の機能に関連する他の動作を制御するための他の処理回路部を備えることができる。幾つかの場合、ＡＳＩＣは、基板２６０（例えば、半導体ウェハ集積回路基板などの半導体ウェハ）上に形成され得る。幾つかの場合、ＡＳＩＣは、例えば、寄生損失を低減するために、撮像システムまたはデバイス１００のトランスジューサ（例えば、ｐＭＵＴまたはｃＭＵＴ）素子またはピクセルにごく接近して位置付けられ（例えば、撮像システムまたはデバイス１００内に位置決めされ）得る。例えば、ＡＳＩＣは、トランスジューサ（例えば、トランスジューサ素子のアレイ）から５０マイクロメートル以下に位置付けられ得る。ＡＳＩＣは、撮像システムまたはデバイス１００の基板２６０（例えば、半導体ウェハ集積回路基板）に直接結合され得る。幾つかの場合、ＡＳＩＣは、撮像システムまたはデバイス１００のトランスジューサが直接結合されるのと同じ集積回路基板２６０（例えば、半導体ウェハ基板）に直接結合される。例えば、撮像システムまたはデバイス１００のトランスジューサは、例えば、ＡＳＩＣに適合する低温ピエゾ材料スパッタリングおよび／または他の低温処理を使用して、ＡＳＩＣがその上で製造される集積回路基板２６０に結合され得る。幾つかの場合、ＡＳＩＣは、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０のトランスジューサに（例えば、積層式ウェハ－ツー－ウェハ相互接続によって）直接的に結合される集積回路基板２６０（例えば、半導体ウェハ基板）に間接的に結合される。例えば、ＡＳＩＣは、トランスジューサに間接的に結合される第１の集積回路基板２６０に直接結合される場合がある（例えば、第１の集積回路基板は、トランスジューサに直接結合される第２の集積回路基板２６０に直接結合される）。幾つかの場合、ＡＳＩＣ（または、ＡＳＩＣに結合された集積回路基板２６０）は、トランスジューサ素子またはアレイ（あるいはトランスジューサ素子またはアレイに結合された半導体ウェハ基板２６０）から１００マイクロメートル未満だけ空間的に分離される場合がある。幾つかの場合、ＡＳＩＣは、ｐＭＵＴトランスジューサ（例えば、ｐＭＵＴ素子を備える）に対して同様のまたは同一のフットプリントを有することができる。ＡＳＩＣは、インターコネクトを介してトランスジューサに結合され得る。
【0015】
[029]撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０の１つまたは複数のトランスジューサ１０４（例えば、１つまたは複数のトランスジューサ素子またはピクセル）は、特定の周波数および帯域幅で（または或る範囲の周波数内でおよび或る範囲の帯域幅で）超音波信号（例えば、超音波圧力波または波形のパターンの形態の、例えば、超音波エネルギー）を送信または受信するように構成され得る。幾つかの場合、トランスジューサ１０４（またはトランスジューサ素子のアレイ）は、例えば、第１の中心周波数（および第１の帯域幅）および１つまたは複数のさらなる中心周波数（１つまたは複数の対応するさらなる帯域幅を有する）を含む、複数の周波数および帯域幅で、信号（例えば、超音波圧力波または波形のパターンの形態の、例えば、超音波エネルギー）を送信または受信するように構成され得る。幾つかの場合、トランスジューサ１０４（例えば、トランスジューサアレイ、素子、またはピクセル）は、０．１メガヘルツ（ＭＨｚ）～１００メガヘルツ（ＭＨｚ）（例えば、０．１ＭＨｚ～１．８ＭＨｚ、１．８ＭＨｚ～５．１ＭＨｚ、または５．１ＭＨｚより大きい値）の中心周波数を有する超音波信号を放出（例えば、送信）または受信することができる。幾つかの場合、超音波信号（例えば、超音波波形、パターン、または圧力波）は、１つまたは複数のトランスジューサがそれに応答する周波数の電圧パルスを用いてトランスジューサアレイ（例えば、または、トランスジューサ素子１０４またはピクセルの群）の１つまたは複数のトランスジューサ１０２を駆動するために１つまたは複数の送信チャネル１０８を使用することによって生成され得る。多くの場合、これは、例えば、ターゲット物質またはその一部分の撮像が所望されるときに、超音波波形を、トランスジューサ素子１０４からターゲット物質に向かって放出（例えば、送信）させることができる。幾つかの場合、超音波波形は、撮像デバイスの１つまたは複数の対応するトランスジューサ素子から送信される１つまたは複数の超音波圧力波を含むことができ、例えば、圧力波は、同時にまたは実質的に同時に送信される。超音波エネルギー（本明細書で説明するように、例えば、波形またはパターンの形態で、例えば、トランスジューサによってターゲット物質に向けて送信される）は、ターゲット物質に向かって、その中に、および／またはそれを通って移動することができる。多くの場合、送信超音波エネルギーの全てまたは一部分は、トランスジューサ１０２に戻るように反射され得る。多くの場合、例えば、ターゲット物質またはその所定の部分からトランスジューサ１０２に戻るように反射される超音波エネルギーは、トランスジューサ１０２によって受信され得る。トランスジューサ１０２によって受信される超音波エネルギー（例えば、トランスジューサ１０２に戻るように反射された後の）は、トランスジューサ１０２における圧電効果を通して電気エネルギー（例えば、電気信号）に変換され得る。１つまたは複数の受信チャネル１１０は、トランスジューサ１０２によって生成される電気エネルギーを（例えば、超音波エネルギーを電気信号に変換する結果として）収集することができる。幾つかの場合、１つまたは複数の受信チャネル１１０は、電気エネルギーを処理することができる。幾つかの場合、トランスジューサ１０２によって生成される（例えば、また、受信チャネル１１０によって収集される）電気エネルギーは、例えば、表示され得る画像の生成を含む場合がある処理のために、コンピューティングシステムまたはデバイス１１２に送信され得る。
【0016】
[030]撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０は、コントローラを備えることができる制御回路部１０６を備えることができる。撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０の制御回路部１０６は、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０の１つまたは複数のトランスジューサ素子１０４またはトランスジューサユニットを制御する（例えば、動作させる）ように構成され得る。幾つかの場合、制御回路部１０６は、トランスジューサ素子１０４に戻るように反射される超音波エネルギー（例えば、超音波圧力波を含む）を受信し、受信超音波信号に基づいて電気信号を生成するためにトランスジューサ素子１０４を動作させるように構成され得る。幾つかの場合、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０の制御回路部１０６は、１つまたは複数の送信チャネル１０８および１つまたは複数の受信チャネル１１０を備えることができる。幾つかの場合、制御回路部は、ビーム形成回路部を備えることができる。幾つかの場合、制御回路部１０６は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ：ｆｉｅｌｄ ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ｇａｔｅ ａｒｒａｙ）、システムオンチップ、プロセッサ、メモリ（例えば、非一時的メモリおよび／または一時的メモリ）、電圧源、電流源、１つまたは複数の増幅器（例えば、１つまたは複数の演算増幅器）、１つまたは複数のデジタルアナログ変換器、および／または、１つまたは複数のアナログデジタル変換器を備える。幾つかの場合、トランスジューサ１０４は、１つまたは複数の送信ドライバー回路（例えば、本明細書で説明する送信チャネルの）および／または低ノイズ増幅器（例えば、受信チャネルの）に結合され得る。幾つかの場合、送信チャネルは送信ドライバーを含むことができる。幾つかの場合、受信チャネルは、１つまたは複数の低ノイズ増幅器を備えることができる。幾つかの場合、送信および受信チャネルは、例えば、特定のトランスジューサ素子およびトランスジューサ素子のセットが、起動される、停止される、または低電力モードに置かれることを可能にするために、多重化およびアドレス制御回路部をそれぞれ含むことができる。
【0017】
[031]撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０は、本明細書で説明するように、コンピューティングシステム１１２（例えば、コンピューティングデバイス１１２）を備えることができる。幾つかの場合、コンピューティングシステムまたはデバイスは、プロセッサ、メモリ（例えば、非一時的メモリおよび／または一時的メモリ）、通信回路部（例えば、無線または有線通信ポートおよび／または通信モジュール）、電池、および／またはディスプレイを備えることができる。コンピューティングシステムまたはデバイス１１２は、制御回路部１０６および／または１つまたは複数のトランスジューサ素子、ピクセル、またはアレイ１０２と統合され（例えば、に結合され）得る。幾つかの場合、コンピューティングシステムまたはデバイス１１２は、例えば、単一システムオンチップ（ＳｏＣ：ｓｙｓｔｅｍ ｏｎ ａ ｃｈｉｐ）として単一基板２６０（例えば、チップ）に結合された、または、同じハウジング内に配設された複数のコンポーネント（例えば、制御回路部、トランスジューサ、および／またはマルチシンク媒体４００などの本明細書で説明するコンポーネント）を備えることができる。幾つかの場合、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０のコンピューティングシステムまたはデバイス１１２は、制御回路部、トランスジューサ、および／またはマルチシンク媒体４００に結合されるが、それから物理的に離れている（例えば、それと同じチップ内にまたは同じハウジング内に位置しない）ことができる。
【0018】
[032]幾つかの場合、撮像システムまたはデバイスは、必要とされる画像品質を同時に維持しながら、撮像デバイスの温度限界を超えることなく、電力損失を制御する方法で、発射を送信するように構成され得る（例えば、トランスジューサ素子からターゲット物質に向けての、その中への、および／またはそれを通した超音波波形の送信）。幾つかの場合、送信および／または受信チャネルの数またはパターンは、例えば、デバイス内の電力消費を低減するおよび／または過熱のリスクを低減するために、（例えば、制御回路部１０６によって）動的に制御され得る。幾つかの場合、動作中の撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０の送信チャネル１０８の数および／または受信チャネル１１０の数は、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０の動作を通して一定である。幾つかの場合、動作中の送信チャネルの数は、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０の動作を通して一定でない。例えば、Ｎ列およびＭ行を有する２次元空間アレイで配置された（例えば、直交する行および列で配置された、または、非対称の（または、千鳥状の）直線的アレイで配置された）トランスジューサ素子１０４を有する撮像システムは、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０のトランスジューサアレイの動作全体を通してまたは動作中の任意の時点において、Ｎと同程度の数の送信チャネルおよび／または受信チャネル、Ｍと同程度の数の送信チャネルおよび／または受信チャネル、Ｎ×Ｍと同程度の数の送信チャネルおよび／または受信チャネルを使用する場合がある。例えば、トランスジューサ素子１０４のサブセットは、所与の超音波スキャンまたは超音波スキャンの所定の部分のために使用される場合がある。幾つかの場合、トランスジューサ素子は、送信チャネル１０８と受信チャネル１１０の両方に結合される場合がある。例えば、トランスジューサ素子１０４は、超音波パルスを作成し送信し、その後、例えば、反射超音波エネルギーを電気エネルギーに変換することによって、そのパルスのエコーを検出するように構成される場合がある。幾つかの場合、複数のトランスジューサ１０４は、同じ１つまたは複数の送信チャネル１０８および／または同じ１つまたは複数の受信チャネル１１０に結合され得る。幾つかの場合、トランスジューサ１０４のそれぞれは、異なる送信チャネル１０８および／または異なる受信チャネル１１０に結合され得る。幾つかの場合、トランスジューサ素子１０４の任意のものまたは全ては、送信チャネル１０８または受信チャネル１１０に結合されるが、両方に結合されない場合がある。
【0019】
[033]本明細書で説明するように、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０は、例えば、熱管理を改善するおよび／また撮像アーチファクト（例えば、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０の音響反射コンポーネントに起因する多重反射アーチファクト）を低減するために、（例えば、送信および／または受信チャネルの動的制御を有するまたはそれを欠くシステムおよびデバイス１００において）マルチシンク媒体４００を備えることができる。
【0020】
[034]図２は、幾つかの実施形態による、選択的に調整可能なフィーチャを有する撮像デバイス１００、２００、２５０の略図である。撮像デバイス２００、２５０は、単に例として、図１の撮像デバイス１００と同様である場合がある。撮像デバイス１００、２００、２５０は、超音波医療プローブを備える場合がある。
【0021】
[035]図２に示すように、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０またはその所定の部分（例えば、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０のプローブ）は、例えば、トランスジューサ２０２および関連する電子部品を収容することができるハウジング２３１（例えば、手持ち式ケーシング）を備えることができる。幾つかの場合、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０またはその所定の部分（例えば、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０のプローブ）は、例えば、図２に示すように、例えば、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０またはその所定の部分の１つまたは複数のコンポーネントに電力供給するために、電池２３８を備えることができる。幾つかの場合、例えば、図２に示すように、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０またはその所定の部分は、２Ｄアレイで配置された、任意選択で、基板２６０（例えば、シリコンウェハ集積回路ウェハ）上に構築された（に結合された）ｐＭＵＴトランスジューサ素子を使用して２次元（２Ｄ）および／または３次元（３Ｄ）撮像が可能なポータブル撮像デバイスを備えることができる。幾つかの場合、１つまたは複数のトランスジューサ（例えば、トランスジューサアレイ）は、例えば、本明細書で説明するように、トランスジューサ動作のパラメータを制御するのに役立つことができる特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）１０６に（例えば、直接または間接的に）結合され得る。図２に明示的に示さないが、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０またはその所定の部分（例えば、図２に示す）は、例えば、トランスジューサ（および／またはＡＳＩＣ、および／または集積回路基板２６０などの基板２６０）と、ヒートシンク、ハウジング、または図２に示す１つまたは複数のさらなるコンポーネントのうちの１つまたは複数との間で、ハウジング内に配設され得るマルチシンクを備えることができる。
【0022】
[036]図２に示すように、撮像デバイス１００、２００、２５０は、１つまたは複数のトランスジューサ２０２を備えることができる。幾つかの場合、１つまたは複数のトランスジューサ２０２は、トランスジューサ素子の１つまたは複数のアレイを備えることができ、例えば、トランスジューサ２０２は、超音波エネルギー（例えば、超音波圧力波）を送信および／受信するように構成される場合がある。
【0023】
[037]幾つかの場合、撮像デバイス１００、２００、２５０は、例えば、トランスジューサ２０２とターゲット物質（例えば、撮像デバイス１００、２００、２５０によって超音波エネルギーがそこを通って送信される人間の身体あるいは他の質量または組織）との間のインピーダンス整合界面として役立つために、コーティング層２２２を備えることができる。幾つかの場合、コーティング層２２２は、レンズであることができ、または、例えば、所望の焦点距離と整合する曲率を持つように設計されると、レンズとして機能することができる。幾つかの場合、ユーザは、例えば、コーティング層２２２およびターゲット物質の表面の界面におけるインピーダンス整合を改善するために、コーティング層２２２をターゲット物質の表面に接触させる前に、ターゲット物質の表面に（例えば、生体の皮膚に）ゲルを塗布する場合がある。幾つかの場合、本明細書で説明する整合インピーダンスは、（例えば、ターゲット物質内への送信中に、または、ターゲット物質からの反射音響エネルギーの受信中に）コーティング層２２２およびターゲット物質の表面の界面における音響エネルギーの伝導を改善することができ、音響エネルギーの（例えば、振幅の）損失を低減することができる。コーティング層２２２は、例えば、トランスジューサ２０２（例えば、その平坦アレイ）から身体への音響信号の送信を最大にする、また、その逆も同様に最大にするために平坦層である場合がある。コーティング層２２２は、幾つかの実施形態において、トランスジューサ２０２で生成される音響圧力波の波長の１／４（例えば、２５％）に等しい厚さを有することができる。
【0024】
[038]撮像デバイス１００、２００、２５０は、制御回路部１０６を備えることができる。制御回路部１０６は、例えば、１つまたは複数のトランスジューサ２０２を制御するために、１つまたは複数のプロセッサを備えることができる。幾つかの場合、制御回路部１０６は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）またはＡＳＩＣチップを備える。幾つかの場合、ＡＳＩＣまたはＡＳＩＣチップは、１つまたは複数のプロセッサを備えることができる。制御回路部１０６は、幾つかの実施形態において、例えば、バンプによって、例えば、積層構成で１つまたは複数のトランスジューサ１０２に結合され得る。幾つかの場合、制御回路部は、例えば、欠陥についてピクセルを試験したいおよび／または走査モードを変更するかまたはその他の方法でトランスジューサ１０２の動作を調整したいという要望に基づいて、送信チャネル１０８および受信チャネル１１０を（例えば、選択的に）動作させるおよび／またはその動作を調整するように構成され得る。幾つかの場合、撮像デバイス１００、２００、２５０は、例えば、撮像デバイス１００、２００、２５０の１つまたは複数のコンポーネントを制御するために、１つまたは複数のプロセッサ２２６を備えることができる。１つまたは複数のプロセッサ２２６は、１つまたは複数のトランスジューサ素子の動作を（例えば、制御回路部１０６と協調してまたはそれと独立に）制御する、電気信号を（例えば、トランスジューサ素子によって受信される反射超音波エネルギーに基づいて）処理する、および／または、（例えば、コンピューティングデバイス１１２などのコンピューティングデバイスの１つまたは複数のプロセッサによって撮像されるターゲット物質またはその所定の部分の画像の回復をもたらすために）信号を生成するように構成され得る。幾つかの場合、１つまたは複数のプロセッサ２２６は、撮像デバイス１００、２００、２５０に関連する他の処理機能を実施するように構成され得る。プロセッサ（複数可）２２６は、任意のタイプのプロセッサ（複数可）として具現化され得る。例えば、１つまたは複数のプロセッサ２２６は、単一またはマルチコアプロセッサ（複数可）、単一またはマルチソケットプロセッサ（複数可）、デジタル信号プロセッサ（複数可）、グラフィクスプロセッサ（複数可）、ニューラルネットワークコンピュータエンジン（複数可）、画像プロセッサ（複数可）、マイクロコントローラ（複数可）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（複数可）（ＦＰＧＡ）、または他のプロセッサ／制御回路（複数可）として具現化され得る。
【0025】
[039]撮像デバイス１００、２００、２５０は、アナログフロントエンド（ＡＦＥ：Ａｎａｌｏｇ Ｆｒｏｎｔ Ｅｎｄ）（例えば、信号を処理する／調整するための）を備えることができる回路（複数可）２２８を備えることができる。幾つかの場合、アナログフロントエンド２２８は、制御回路部１０６およびプロセッサ２２６などの撮像デバイスの他のコンポーネントとインターフェースするように構成される任意の１つまたは複数の回路として具現化され得る。例えば、アナログフロントエンド２２８は、例えば、１つまたは複数のデジタルアナログ変換器、１つまたは複数のアナログデジタル変換器、および／または１つまたは複数の増幅器を含むことができる。
【0026】
[040]撮像デバイス１００、２００、２５０は、例えば、図３、図４、図５、および図６に示すように、マルチシンク媒体４００および／または音響吸収体層２３０（例えば、トランスジューサ２０２によって生成され、回路２２８に向かって伝搬される音響エネルギーを吸収するための）を備えることができる。マルチシンク媒体４００（および、幾つかの場合、音響吸収体層）は、普通なら反射され、（例えば、多重反射アーチファクトなどのアーチファクト（複数可）の生成を通して）画像の品質に干渉する場合がある、逆方向に放出される（例えば、コーティング層２２２から離れる方向にトランスジューサ２０２によって放出される）超音波エネルギーを吸収することができる。例えば、トランスジューサ（複数可）２０２（例えば、基板２６０上に搭載される場合がある）は、マルチシンク媒体４００と接触状態にあることができる（例えば、マルチシンク媒体４００は、トランスジューサアレイ２０２の全てまたは一部分と、ハウジング２３１、ヒートシンク２６８、バッキングラミネート、および／または音響収集体２３０などの撮像デバイス１００、２００、２５０の別のコンポーネントの全てまたは一部分との間に少なくとも部分的に配設される）。幾つかの場合、トランスジューサ（複数可）２０２は、基板２６０上に搭載され、音響吸収体層２３０に（例えば、１つまたはふく数の接着剤層２６２によって）結合され得、任意選択で、バッキングラミネート（例えば、図３に示すように、アルミニウムバッキングラミネートまたはタングステンバッキングラミネートなどの金属反射体）を有する。
【0027】
[041]本明細書で説明するように、マルチシンク媒体４００は、撮像システムおよびデバイス１００、２００、２５０内への包含のために独自に有利な特性を有することができる。例えば、マルチシンク媒体４００は、熱伝導性であると共に音響非伝導性（例えば、超音波エネルギーについて吸収性または消散性）であることができる。多くの場合、しばしば良好な熱伝導を示さない音響吸収層２３０は、しばしば音響反射性である１つまたは複数のヒートシンク２６８と共に撮像デバイス１００、２００、２５０内で最もよく使用される場合がある。マルチシンク媒体４００は、変形可能または流動可能（例えば、注入可能または成形可能）であることもでき、それは、マルチシンク媒体４００が、撮像デバイス１００、２００、２５０内のキャビティ、ギャップ、または空間２７０内に充填されることを可能にすることができ、トランスジューサ２０２の後方のコンポーネント（例えば、コーティング層２２２および／またはターゲット物質と反対方向に配設された）のより広範な音響分離、および、撮像デバイス１００、２００、２５０の熱感応性コンポーネントと、外部コンポーネント（例えば、ハウジング２３１）および／または音響反射性である場合がある熱伝導コンポーネント（例えば、ヒートシンク２６８など）との間のより大きい接触面積（例えば、熱流束のための断面積）を可能にする。例えば、マルチシンク媒体４００は、音響吸収体層２３０と比べて、撮像デバイス１００、２００、２５０の音響反射コンポーネントのより完全な包囲を可能にする場合があり、音響吸収体層２３０は、パッド、ラミネート、またはフィルムを備える場合があり、また、例えば、音響反射コンポーネントの周りのキャビティ、ギャップ、または空間２７０内に、注入可能、成形可能、または流動可能でない場合がある。マルチシンク媒体４００は、図３、図５、または図６に明示的に示されないが、撮像デバイス１００、２００、２５０の１つまたは複数のキャビティ、ギャップ、または空間２７０（例えば、図３、図５、または図６に示すような）が、マルチシンク媒体４００によって部分的にまたは完全に充填され得ること、および、本明細書で説明するかまたは本出願の図に示す音響吸収体層２３０および／またはヒートシンク２６８の一部または全てがマルチシンク媒体４００によって置換される場合があることが企図される。
【0028】
[042]幾つかの場合、撮像デバイス１００、２００、２５０は、マルチシンク媒体４００および音響吸収体層２３０（および、任意選択で、バッキングラミネート）を備える。図３は、音響吸収体層２３０およびバッキングラミネート２３２（例えば、アルミニウムバッキングまたはタングステン反射体などの金属バッキング）を示すが、これらのコンポーネントの一方または両方は、省略されるかまたは（例えば、マルチシンク媒体４００によって）置換される場合があり、例えば、撮像デバイス１００、２００、２５０の他のコンポーネント（例えば、マルチシンク媒体４００）は、コーティング層２２２から離れる方向へのトランスジューサ２０２からの超音波の送信を実質的に防止する。例えば、撮像デバイス１００、２００、２５０は、例えば、図４、図５、および図６に示すように、音響吸収体層２３０なしで、また任意選択で、バッキングラミネートなしでマルチシンク媒体４００を含むことができる。幾つかの場合、例えば、バッキングラミネート２３２の代わりの、マルチシンク媒体４００の使用は、撮像デバイス１００、２００、２５０のコンポーネントの製造を簡略化するおよび／またはそのコストを低減することができる。
【0029】
[043]図３は、音響吸収層２３０を備える撮像デバイス２５０の実施形態を示す。本明細書で説明するように、撮像デバイス２５０は、マルチシンク媒体４００を備えることができ、例えば、マルチシンク媒体は（例えば、部分的にまたは完全に充填する）キャビティ２７０内に配設される、および／または、マルチシンク媒体は、バッキングラミネート２３２、接着剤層２６２、および／または音響吸収体層２３０の１つまたは複数を置換する。図３に示すように、本明細書で説明する超音波撮像システムまたはデバイス１００、２００の一部である場合がある撮像デバイス２５０は、レンズである場合があるまたはレンズとして機能する場合があるコーティング層２２２を備えることができる。図３に示すように、コーティング層２２２は、ＡＳＩＣに（例えば、直接）結合される場合がある微小電気機械（ＭＥＭ）トランスジューサ（複数可）２０２としての撮像デバイス２５０の遠位端のより近くに位置することができる。制御回路部を備える場合があるＡＳＩＣ１０６は、基板２６０（例えば、プリント回路板（ＰＣＢ：ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）などの集積回路基板）に結合され得る。ＡＳＩＣ１０６は、電池２３８、メモリ２３６、通信回路部２３２、プロセッサ２２６、ＡＦＥ２２８、および／またはポート２３４を含む場合がある撮像デバイス２５０の電子コンポーネントの一部または全てを含む場合がある。幾つかの場合、撮像デバイス２５０のコンポーネント（例えば、コーティング層２２２、トランスジューサ２０２、ＡＳＩＣ１０６、および／または基板２６０）は、タンブステン反射体などの反射体を備える場合がある１つまたは複数の接着剤層２６２、吸収体層２３０、および／またはバッキングラミネート２３２上に載る場合がある、または、それに直接または間接的に結合される場合がある。
【0030】
[044]図４に示すように、マルチシンク媒体４００は、撮像デバイス１００、２００、２５０の１つまたは複数のキャビティ、ギャップ、または空間２７０内に配設され得る。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、撮像デバイス１００、２００、２５０の１つまたは複数のキャビティ、ギャップ、または空間２７０（例えば、図５または図６に示すキャビティ２７０）の全てまたは一部分を充填することができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、ハウジング２３１とヒートシンク２６８との間に配設され得る。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、撮像デバイス１００、２００、２５０のハウジング２３１と接触状態にあることができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体は、撮像デバイス１００、２００、２５０の１つまたは複数のヒートシンク２６８と接触状態にあることができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、１つまたは複数のヒートシンク２６８と撮像デバイス１００、２００、２５０の基板２６０（例えば、プリント回路板を備えることができる）との間に配設され得る。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、撮像デバイス１００、２００、２５０の基板２６０と接触状態にあることができる。図４において接触状態で示されないが、マルチシンク媒体４００は、ＡＳＩＣ１０６（例えば、制御回路部を備えることができる）と撮像デバイス１００、２００、２５０のヒートシンク２６８またはハウジング２３１との間に配設され得る。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、トランスジューサ２０２（例えば、トランスジューサアレイ、素子、またはピクセル）と撮像デバイス１００、２００、２５０のヒートシンク２６８またはハウジング２３１との間に配設され得る。図６に示す撮像デバイス２５０のキャビティ２７０が、マルチシンク媒体４００によって部分的にまたは完全に充填され得ること、および、１つまたは複数の音響吸収体層２３０および／または１つまたは複数の接着剤層２６２および／または１つまたは複数のバッキングラミネートが、幾つかの実施形態において、マルチシンク媒体４００と接触状態にあることができることが理解される。
【0031】
[045]図３、図４、図５、および図６に示すように、ヒートシンク２６８および／またはハウジングは、種々の実施形態によれば、撮像デバイス２５０の基板上に載るかまたはそれに直接結合される場合がある。幾つかの場合、そのような構成は、マルチシンク媒体４００がそこに配設され得る１つまたは複数のキャビティ、ギャップ、または空間２７０を提供することができる。幾つかの場合、そのような構成は、ヒートシンク２６８および／または基板２６０が、（例えば、マルチシンク媒体４００ではなく）撮像デバイス２５０の１つまたは複数のコンポーネントを機械的に支持することを可能にする。
【0032】
[046]幾つかの場合、撮像デバイス１００、２００、２５０は、（例えば、ポート２３４または無線送受信機を通して）例えば、コンピューティングデバイスなどの外部デバイスと、例えば、制御信号を含むデータを通信するために、通信ユニット２３２を備えることができる。撮像デバイス１００、２００、２５０は、例えば、撮像デバイス２５０のコンポーネント（例えば、プロセッサおよび／またはトランスジューサ）の動作のためのデータおよび／または命令を記憶するために、メモリ２３６（例えば、非一時的メモリ）を備えることができる。メモリ２３６は、本明細書で説明する機能を実施することが可能な、揮発性または不揮発性メモリあるいはデータストレージ（例えば、本明細書で説明する）として具現化され得る。幾つかの場合、メモリ２３６は、オペレーティングシステム、アプリケーション、プログラム、ライブラリ、および／またはドライバーなどの、撮像デバイス１００、２００、２５０の動作中に使用される場合がある種々のデータおよびソフトウェアを記憶する場合がある。
【0033】
[047]幾つかの場合、撮像デバイス１００、２００、２５０は、例えば、トランスジューサ、プロセッサ、および／またはメモリなどの撮像デバイスの１つまたは複数のコンポーネントに電力を提供するために、電池２３８を含むことができる。電池２３８は、無線または有線充電回路である場合がある電池充電回路を含む場合がある。撮像デバイス１００、２００、２５０は、幾つかの実施形態によれば、消費された電池電荷量を示し、電池寿命の改善のために電力管理を最適化するよう撮像デバイスを構成するために使用される場合があるゲージを含む場合がある。付加的にまたは代替的に、撮像デバイス１００、２００、２５０は、幾つかの実施形態によれば、外部電力源（例えば、壁電気コンセントから撮像デバイスに電力供給するためのプラグ）によって電力供給される場合がある。
【0034】
[048]撮像デバイス１００、２００、２５０は、種々の実施形態において、異なる適切なフォームファクターを含むことができる。幾つかの実施形態において、トランスジューサ２０２を含む撮像デバイス１００、２００、２５０の一部分は、撮像デバイス１００、２００、２５０の残りの部分から外方に延在する場合がある。撮像デバイス１００、２００、２５０は、任意の適切な超音波医療プローブ、例えば、コンベックスアレイプローブ、マイクロコンベックスアレイプローブ、リニアアレイプローブ、経膣プローブ、直腸内プローブ、外科プローブ、または術中プローブとして具現化される場合がある。
【0035】
[049]図７Ａ～７Ｃは、スキャン品質およびスキャンアーチファクトに対するマルチシンク媒体４００の（例えば、トランスジューサと、ヒートシンク、金属バッキング、またはハウジングなどの撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０の１つまたは複数のさらなるコンポーネントとの間への）組み込みの影響を示す。図７Ａは、試験ターゲット物質（ピンターゲット、ワイヤターゲット、および嚢胞を含む）のスキャンを示し、金属バッキング（この場合、アルミニウムバッキング）は、（ＡＳＩＣおよびトランスジューサのような電子コンポーネントから外方への最大熱伝達を提供するために）利用される撮像デバイス１００、２００、２５０の集積回路基板２６０に（例えば、接着剤によって）結合される。スキャンは、かなりの多重反射アーチファクトを示す；試験物質ターゲットまたはフィーチャはウォッシュアウトのために識別できない。図７Ｂは、同一のスキャン設定を使用する同じ試験ターゲット物質のスキャンを示し、マルチシンク媒体４００は、電子コンポーネント（集積回路基板２６０を含む）とアルミニウムヒートシンクとの間で利用される。スキャンは、多重反射アーチファクトがほとんどないかまたは全くない状態で、試験基板内の全てのターゲットおよびフィーチャの明瞭なフィーチャを示す。図７Ｃは、同一のスキャン設定を使用する同じ試験ターゲット物質のスキャンを示し、空気バッキングは、電子コンポーネント（集積回路基板２６０を含む）とアルミニウムヒートシンクとの間で利用される。スキャンは、多重反射アーチファクトがほとんどないかまたは全くない状態で、試験基板内の全てのターゲットおよびフィーチャの明瞭なフィーチャを示す。
【0036】
[050]図８Ａ～８Ｃは、スキャン品質およびスキャンアーチファクトに対するマルチシンク媒体４００のいろいろな厚さの（例えば、トランスジューサと、ヒートシンク、金属バッキング、またはハウジングなどの撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０の１つまたは複数のさらなるコンポーネントとの間への）組み込みの影響を示す。図８Ａは、集積回路基板２６０と撮像デバイスのアルミニウムヒートシンクとの間に配設された０．５ｍｍの厚さを有するマルチシンク媒体４００を備える撮像デバイス１００を使用して５．１ＭＨｚの中心周波数における試験ターゲット物質（ピンターゲット、ワイヤターゲット、および嚢胞を含む）のスキャンを示す。スキャンは、画像内にわずかな多重反射アーチファクトストリエーションを有する、明瞭に識別可能な試験物質ターゲットおよびフィーチャを示す。これらの結果は、マルチシンク媒体４００がないスキャン結果（例えば、図７Ａに示す）を凌ぐ有意の改善を示す。図８Ｂは、１．０ｍｍであるマルチシンク媒体４００の厚さを除いて、同一のスキャン設定および機器条件を使用する同じ試験物質のスキャンを示す。スキャンは、図８Ａに示すスキャン結果を凌ぐ有意の改善を示し、マルチシンク媒体４００の厚さの増加は、多重反射アーチファクトがほとんどないかまたは全くない状態で、試験基板内の全てのターゲットおよびフィーチャの明瞭なフィーチャを有する画像をもたらす。図８Ｃは、マルチシンク媒体４００が空気バッキング（例えば、マルチシンク媒体４００充填ギャップの代わりに、トランスジューサと撮像デバイス１００のヒートシンクとの間の空気充填ギャップ）によって置換されることを除いて、同一のスキャン設定および機器条件を使用する同じ試験物質のスキャンを示す。スキャンは、図８Ｂに示す結果と同様の結果を示し、その際、試験基板内の全てのターゲットおよびフィーチャの明瞭なフィーチャが、多重反射アーチファクトがほとんどないかまたは全くない状態の画像において明らかである。全てにおいて、これらの結果は、マルチシンク媒体４００の０．５ｍｍ以下の厚さが超音波スキャン品質を改善する（例えば、多重反射アーチファクトを低減する）のに十分であり、その際、品質が、マルチシンク媒体４００の１．０ｍｍ程度の値の厚さにおける理想的な条件に向けて改善する（例えば、内部音響反射および多重反射アーチファクトの減少の結果として）ことを示す。これらの結果は、マルチシンク媒体４００の１．５ｍｍ（例えば、＋／－０．２５ｍｍ）の厚さが、中域のまたは高い中心周波数における任意のスキャン条件から全ての多重反射アーチファクトを減衰させるまたはなくすのに十分であることを示唆する。
【0037】
[051]図９Ａ～９Ｃは、より低い中心周波数を有するスキャンを使用する、スキャン品質およびスキャンアーチファクトに対するマルチシンク媒体４００のいろいろな厚さの（例えば、トランスジューサと、ヒートシンク、金属バッキング、またはハウジングなどの撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０の１つまたは複数のさらなるコンポーネントとの間への）組み込みの影響を示す。図９Ａは、集積回路基板２６０と撮像デバイスのアルミニウムヒートシンクとの間に配設された０．５ｍｍの厚さを有するマルチシンク媒体４００を備える撮像デバイス１００を使用して１．８ＭＨｚの中心周波数における試験ターゲット物質（ピンターゲット、ワイヤターゲット、および嚢胞を含む）のスキャンを示す。スキャンは、画像内にわずかな多重反射アーチファクトストリエーションを有する、明瞭に識別可能な試験物質ターゲットおよびフィーチャを示す。これらの結果は、マルチシンク媒体４００がないスキャン結果（例えば、図７Ａに示す）を凌ぐ有意の改善を示す。図９Ｂは、１．０ｍｍであるマルチシンク媒体４００の厚さを除いて、同一のスキャン設定および機器条件を使用する同じ試験物質のスキャンを示す。スキャンは、図９Ａに示すスキャン結果を凌ぐ有意の改善を示し、マルチシンク媒体４００の厚さの増加は、多重反射アーチファクトがほとんどないかまたは全くない状態で、試験基板内の全てのターゲットおよびフィーチャの明瞭なフィーチャを有する画像をもたらす。図９Ｃは、マルチシンク媒体４００が空気バッキング（例えば、マルチシンク媒体４００充填ギャップの代わりに、トランスジューサと撮像デバイス１００のヒートシンクとの間の空気充填ギャップ）によって置換されることを除いて、同一のスキャン設定および機器条件を使用する同じ試験物質のスキャンを示す。スキャンは、図９Ｂに示す結果と同様の結果を示し、その際、試験基板内の全てのターゲットおよびフィーチャの明瞭なフィーチャが、多重反射アーチファクトがほとんどないかまたは全くない状態の画像において明らかである。全てにおいて、これらの結果は、マルチシンク媒体４００の０．５ｍｍ以下の厚さが超音波スキャン品質を改善する（例えば、多重反射アーチファクトを低減する）のに十分であり、その際、品質が、マルチシンク媒体４００の１．０ｍｍ程度の値の厚さにおける理想的な条件に向けて改善する（例えば、内部音響反射および多重反射アーチファクトの減少の結果として）ことを示す。これらの結果は、マルチシンク媒体４００の１．５ｍｍ（例えば、＋／－０．２５ｍｍ）の厚さが、低い中心周波数における任意のスキャン条件から全ての多重反射アーチファクトを減衰させるまたはなくすのに十分であることを示唆する。
トランスジューサ
[052]幾つかの場合、本明細書で説明するシステム、デバイス、または方法は、１つまたは複数の圧電型微細加工超音波トランスジューサ（ｐＭＵＴ）を備えることができる。幾つかの場合、本明細書で説明するシステム、デバイス、または方法は、１つまたは複数の容量性微細加工超音波トランスジューサ（ｃＭＵＴ）を備えることができる。圧電型微細加工超音波トランスジューサ（ｐＭＵＴ）は、半導体ウェハ（例えば、プリント回路版、ＰＣＢ）などの基板２６０上に形成され得る。半導体基板２６０上に構築されるｐＭＵＴ素子は、よりかさばる圧電材料を有するかさばる従来のトランスジューサより小さいサイズプロファイルを提供することができる。幾つかの場合、ｐＭＵＴは、製造するのに費用がかからない可能性もある、および／または、トランスジューサと超音波デバイスまたはシステムのさらなる電子部品との間により複雑でなくかつ高性能の相互接続を可能にする場合がある。
トランスジューサ
[052]幾つかの場合、本明細書で説明するシステム、デバイス、または方法は、１つまたは複数の圧電型微細加工超音波トランスジューサ（ｐＭＵＴ）を備えることができる。幾つかの場合、本明細書で説明するシステム、デバイス、または方法は、１つまたは複数の容量性微細加工超音波トランスジューサ（ｃＭＵＴ）を備えることができる。圧電型微細加工超音波トランスジューサ（ｐＭＵＴ）は、半導体ウェハ（例えば、プリント回路版、ＰＣＢ）などの基板２６０上に形成され得る。半導体基板２６０上に構築されるｐＭＵＴ素子は、よりかさばる圧電材料を有するかさばる従来のトランスジューサより小さいサイズプロファイルを提供することができる。幾つかの場合、ｐＭＵＴは、製造するのに費用がかからない可能性もある、および／または、トランスジューサと超音波デバイスまたはシステムのさらなる電子部品との間により複雑でなくかつ高性能の相互接続を可能にする場合がある。
【0038】
[053]ｐＭＵＴおよび／またはｃＭＵＴを含むことができる微細加工超音波トランスジューサ（ＭＵＴ）は、ダイヤフラム（例えば、撮像デバイス（例えば、超音波プローブ）の内部の１つまたは複数の部分に対して、例えば、膜縁部に取り付けられる薄膜）を含むことができる。対照的に、伝統的なバルク圧電（ＰＺＴ）素子は、典型的に、単一固体材料片からなる。そのような伝統的なＰＺＴ超音波システムおよびデバイスは、例えば、適切な間隔を有するＰＺＴ超音波システムおよびデバイスを構成するＰＺＴまたはセラミック材料をカットし搭載するために、高い精度が必要とされるため、作製するのに費用がかかる可能性がある。さらに、伝統的なＰＺＴ超音波システムおよびデバイスは、ＰＺＴシステムおよびデバイスの送信／受信電子部品のインピーダンスと比較して著しく高いトランスジューサインピーダンスを有する可能性があり、それは、性能に悪影響を及ぼす可能性がある。
【0039】
[054]幾つかの場合、１つまたは複数のトランスジューサ素子１０４は、特定の周波数または帯域幅（例えば、帯域幅は中心周波数に関連する）で信号を送信および／または受信するように構成され得る。幾つかの場合、１つまたは複数のトランスジューサ素子は、さらなる中心周波数および帯域幅で信号を送信および／または受信するようにさらに構成され得る。そのような複数周波数トランスジューサ素子１０４は、マルチモーダル素子１０４と呼ばれ得、幾つかの実施形態において、撮像システムまたはデバイス１００の帯域幅を拡張するために使用され得る。トランスジューサ素子またはピクセル１０４は、例えば、０．１メガヘルツ（ＭＨｚ）～１００ＭＨｚの適切な中心周波数で超音波エネルギー（例えば、超音波波形、パターン、または圧力波）を放出（例えば、送信）および／または受信するように構成され得る。幾つかの場合、トランスジューサまたはピクセル１０４は、０．１ＭＨｚ～１ＭＨｚ、０．１ＭＨｚ～１．８ＭＨｚ、０．１ＭＨｚ～３．５ＭＨｚ、０．１ＭＨｚ～５．１ＭＨｚ、０．１ＭＨｚ～１０ＭＨｚ、０．１ＭＨｚ～２５ＭＨｚ、０．１ＭＨｚ～５０ＭＨｚ、０．１ＭＨｚ～１００ＭＨｚ、１ＭＨｚ～１．８ＭＨｚ、１ＭＨｚ～３．５ＭＨｚ、１ＭＨｚ～５．１ＭＨｚ、１ＭＨｚ～１０ＭＨｚ、１ＭＨｚ～２５ＭＨｚ、１ＭＨｚ～５０ＭＨｚ、１ＭＨｚ～１００ＭＨｚ、１．８ＭＨｚ～３．５ＭＨｚ、１．８ＭＨｚ～５．１ＭＨｚ、１．８ＭＨｚ～１０ＭＨｚ、１．８ＭＨｚ～２５ＭＨｚ、１．８ＭＨｚ～５０ＭＨｚ、１．８ＭＨｚ～１００ＭＨｚ、３．５ＭＨｚ～５．１ＭＨｚ、３．５ＭＨｚ～１０ＭＨｚ、３．５ＭＨｚ～２５ＭＨｚ、３．５ＭＨｚ～５０ＭＨｚ、３．５ＭＨｚ～１００ＭＨｚ、５．１ＭＨｚ～１０ＭＨｚ、５．１ＭＨｚ～２５ＭＨｚ、５．１ＭＨｚ～５０ＭＨｚ、５．１ＭＨｚ～１００ＭＨｚ、１０ＭＨｚ～２５ＭＨｚ、１０ＭＨｚ～５０ＭＨｚ、１０ＭＨｚ～１００ＭＨｚ、２５ＭＨｚ～５０ＭＨｚ、２５ＭＨｚ～１００ＭＨｚ、または５０ＭＨｚ～１００ＭＨｚの中心周波数で超音波エネルギーを送信または受信するように構成され得る。幾つかの場合、トランスジューサまたはピクセル１０４は、０．１ＭＨｚ、１ＭＨｚ、１．８ＭＨｚ、３．５ＭＨｚ、５．１ＭＨｚ、１０ＭＨｚ、２５ＭＨｚ、５０ＭＨｚ、または１００ＭＨｚの中心周波数で超音波エネルギーを送信または受信するように構成され得る。幾つかの場合、トランスジューサまたはピクセル１０４は、少なくとも０．１ＭＨｚ、１ＭＨｚ、１．８ＭＨｚ、３．５ＭＨｚ、５．１ＭＨｚ、１０ＭＨｚ、２５ＭＨｚ、５０ＭＨｚ、または１００ＭＨｚの中心周波数で超音波エネルギーを送信または受信するように構成され得る。幾つかの場合、トランスジューサまたはピクセル１０４は、せいぜい０．１ＭＨｚ、１ＭＨｚ、１．８ＭＨｚ、３．５ＭＨｚ、５．１ＭＨｚ、１０ＭＨｚ、２５ＭＨｚ、５０ＭＨｚ、または１００ＭＨｚの中心周波数で超音波エネルギーを送信または受信するように構成され得る。
マルチシンク媒体４００
[055]本明細書で説明する撮像デバイスまたはシステム（例えば、超音波撮像デバイスまたはシステム）は、マルチシンク媒体４００を備えることができる。マルチシンク媒体４００は、音響非伝導性（例えば、超音波エネルギーについて非伝導性）であることができる。マルチシンク媒体４００は、音響非反射性（例えば、超音波エネルギーについて非反射性）であることができる。例えば、マルチシンク媒体４００は、幾つかの実施形態において、音響エネルギー（例えば、超音波エネルギー）の伝導および／または反射を部分的にまたは完全に阻止することができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、音響エネルギー（例えば、超音波エネルギー）を部分的にまたは完全に吸収するまたはその他の方法で消散させることができる。マルチシンク媒体４００は熱伝導性であることができる。マルチシンク媒体４００は、熱伝導性であると共に音響非伝導性である物質を含むことができる。
マルチシンク媒体４００
[055]本明細書で説明する撮像デバイスまたはシステム（例えば、超音波撮像デバイスまたはシステム）は、マルチシンク媒体４００を備えることができる。マルチシンク媒体４００は、音響非伝導性（例えば、超音波エネルギーについて非伝導性）であることができる。マルチシンク媒体４００は、音響非反射性（例えば、超音波エネルギーについて非反射性）であることができる。例えば、マルチシンク媒体４００は、幾つかの実施形態において、音響エネルギー（例えば、超音波エネルギー）の伝導および／または反射を部分的にまたは完全に阻止することができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、音響エネルギー（例えば、超音波エネルギー）を部分的にまたは完全に吸収するまたはその他の方法で消散させることができる。マルチシンク媒体４００は熱伝導性であることができる。マルチシンク媒体４００は、熱伝導性であると共に音響非伝導性である物質を含むことができる。
【0040】
[056]多くの場合、マルチシンク媒体４００は、入射超音波波形またはパターンの一部または全てのエネルギーを吸収することができる（例えば、音響非伝導性）。例えば、マルチシンク媒体４００は、入射超音波波形またはパターンのエネルギーを低減することが可能な物質を含むことができる。多くの場合、マルチシンク媒体４００は、本明細書で説明する撮像デバイスまたはシステムの超音波トランスジューサによって生成される入射音響エネルギーの一部または全てを吸収することが可能な物質を含むことができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、例えば、ターゲット物質またはその所定の部分以外の物質から撮像デバイスまたはシステムのトランスジューサに向かって反射される音響エネルギー（撮像デバイスまたはシステムの一部分を構成する音響反射材料から反射される音響エネルギー）の送信を減少させるために、超音波トランスジューサと、撮像デバイスまたはシステムのハウジング２３１、ヒートシンク２６８、および／または基板２６０などの音響反射材料との間に配設される。幾つかの場合、金属を含む物質は、音響反射性であることができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、金属がない可能性がある。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、金属酸化物がない可能性がある。例えば、マルチシンク媒体４００は、幾つかの実施形態において、金属粒子（例えば、アルミニウム粒子）を含まない場合がある。
【0041】
[057]マルチシンク媒体４００は、ペーストまたはパティを含むことができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、充填剤を含むことができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、テープ、シート、またはフィルムを備えることができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、パッドを備えることができる。
【0042】
[058]幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、エラストマーを含むことができる。例えば、マルチシンク媒体４００は、シリコーンエラストマーまたはシリコーンベースエラストマーを含むことができる。幾つかの場合、シリコーンエラストマーまたはシリコーンベースエラストマーは、所望の変形能特性（例えば、室温で流動するおよび／または注入または押し出しされる能力）を高熱伝導率の高い特性（例えば、シリコーンの熱伝導率から生じる場合がある）と組み合わせることができる。マルチシンク媒体４００は、超音波エネルギーの伝搬を少なくとも部分的に阻止することが可能な材料を含むことができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、超音波エネルギーを少なくとも部分的に吸収することが可能な材料を含むことができる。例えば、マルチシンク媒体４００は、セラミック材料を含むことができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、セラミック充填シリコーンエラストマー（または、セラミック充填シリコーンベースエラストマー）を含むことができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、マルチシンク媒体４００のバルク内に分散した粒子を含むことができる。例えば、マルチシンク媒体４００は、セラミック粒子を含むシリコーンエラストマーを含むことができる。幾つかの場合、セラミック粒子を含むシリコーンベースエラストマーは、ペーストまたはパティであることができる。
【0043】
[059]幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、（例えば、室温で）変形または流動することが可能である。室温で変形可能であるかまたは流動することが可能である（例えば、室温で注入可能である）マルチシンク媒体４００は、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０内の（例えば、撮像デバイスまたはシステムのヒートシンクを完全にまたは部分的に囲むキャビティなどの、撮像デバイスまたはシステムのプローブ内のキャビティ内の）不規則形状の幾何学的構造を充填するときに有用であることができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０またはその所定の部分のキャビティ、ギャップ、または空間２７０に注入され得る（例えば、マルチシンク媒体４００は、ヒートシンクおよび／またはプリント回路板に接触する）。幾つかの実施形態において、マルチシンク媒体４００は、撮像デバイスまたはシステムまたはその所定の部分に（例えば、撮像デバイスまたはシステムプローブのヒートシンクおよび／またはプリント回路板と接触状態で）付加され得る。例えば、マルチシンク媒体４００は、（例えば、室温で）注入可能または成形可能であることができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、２５グラム／分（ｇ／ｍｉｎ）～４５ｇ／ｍｉｎの流量を有することができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、２５ｇ／ｍｉｎ～３０ｇ／ｍｉｎ、２５ｇ／ｍｉｎ～３５ｇ／ｍｉｎ、２５ｇ／ｍｉｎ～４０ｇ／ｍｉｎ、２５ｇ／ｍｉｎ～４５ｇ／ｍｉｎ、３０ｇ／ｍｉｎ～３５ｇ／ｍｉｎ、３０ｇ／ｍｉｎ～４０ｇ／ｍｉｎ、３０ｇ／ｍｉｎ～４５ｇ／ｍｉｎ、３５ｇ／ｍｉｎ～４０ｇ／ｍｉｎ、３５ｇ／ｍｉｎ～４５ｇ／ｍｉｎ、または４０ｇ／ｍｉｎ～４５ｇ／ｍｉｎの流量を有することができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、２５ｇ／ｍｉｎ、３０ｇ／ｍｉｎ、３５ｇ／ｍｉｎ、４０ｇ／ｍｉｎ、または４５ｇ／ｍｉｎの流量を有することができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、少なくとも２５ｇ／ｍｉｎ、少なくとも３０ｇ／ｍｉｎ、少なくとも３５ｇ／ｍｉｎ、少なくとも４０ｇ／ｍｉｎ、または少なくとも４５ｇ／ｍｉｎの流量を有することができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、せいぜい３０ｇ／ｍｉｎ、せいぜい３５ｇ／ｍｉｎ、せいぜい４０ｇ／ｍｉｎ、またはせいぜい４５ｇ／ｍｉｎの流量を有することができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、非ニュートン速度を有する（例えば、シアシニング特性を有する）。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、時間依存速度を有する（例えば、チキソトロピック特性を有する）。幾つかの場合、エラストマーであるかまたはエラストマーを含むマルチシンク媒体４００は、変形可能であるかまたは流動することが可能であることができる。例えば、エラストマーであるマルチシンク媒体４００は、幾つかの実施形態において、注入可能または成形可能であることができる。
【0044】
[060]幾つかの場合、変形可能であるかまたは流動することが可能である（例えば、注入可能または成形可能である）マルチシンク媒体４００は、熱伝達を改善することが、普通なら容易でないかまたはおそらくは可能でないことになる撮像システムまたは撮像デバイスの所定の部分において熱伝達が改善されることを可能にすることができる。例えば、撮像システムおよび撮像デバイスまたはその所定の部分（例えば、超音波トランスジューサプローブ）、特に、（例えば、手持ち式超音波トランスジューサプローブヘッドにおいて）総合寸法の減少または最小化から利益を得る部分における熱伝達は、伝統的なヒートシンク（例えば、アルミニウムヒートシンクブロックなどの金属ヒートシンク）によってしばしば促進され、伝統的なヒートシンクは、撮像システムまたはデバイスのおそらくは熱感応性の他のコンポーネントによって支持される、それに取り付けられる、それと接触状態にある、または、それと接触状態にないがそれに近接する場合があり、別々に作製される必要がある場合があり、撮像システムまたはデバイスあるいはその所定の部分内の（例えば、空気充填式）キャビティ、ギャップ、または空間をおそらくは必要にする。そのようなキャビティ、ギャップ、または空間は、（例えば、ガス、例えば空気などの熱絶縁体で充填されると）撮像システムまたは撮像デバイス内の熱伝達を低減することができる。伝統的なヒートシンク（例えば、アルミニウムヒートシンクブロックなどの金属ヒートシンク）は、そのようなキャビティ、ギャップ、または空間を充填するために容易に作製されない場合がある。そのため、成形される、プレス加工される、注入される、変形される、またはその他の方法で撮像システムまたはデバイスのキャビティ、ギャップ、または空間の全てまたは一部分に嵌ることを許容されることが可能なマルチシンク媒体４００の包含は、伝統的な熱伝達コンポーネントが占有することができない場合がある撮像システムおよびデバイスの領域における熱伝達を改善することができる。幾つかの場合、（例えば、撮像システムまたはデバイス内にあるいはそのキャビティ、ギャップ、または空間２７０内に配設された）マルチシンクは、０．５（ミリメートル）ｍｍ～２．０ｍｍの厚さを有することができる。幾つかの場合、（例えば、撮像システムまたはデバイス内にまたはそのキャビティ、ギャップ、または空間２７０内に配設された）マルチシンクは、０．５ミリメートル（ｍｍ）～０．８ｍｍ、０．５ｍｍ～１．０ｍｍ、０．５ｍｍ～１．３ｍｍ、０．５ｍｍ～１．５ｍｍ、０．５ｍｍ～１．７ｍｍ、０．５ｍｍ～２ｍｍ、０．８ｍｍ～１．０ｍｍ、０．８ｍｍ～１．３ｍｍ、０．８ｍｍ～１．５ｍｍ、０．８ｍｍ～１．７ｍｍ、０．８ｍｍ～２ｍｍ、１．０ｍｍ～１．３ｍｍ、１．０ｍｍ～１．５ｍｍ、１．０ｍｍ～１．７ｍｍ、１．０ｍｍ～２．０ｍｍ、１．３ｍｍ～１．５ｍｍ、１．３ｍｍ～１．７ｍｍ、１．３ｍｍ～２ｍｍ、１．５ｍｍ～１．７ｍｍ、１．５ｍｍ～２．０ｍｍ、または１．７ｍｍ～２．０ｍｍの厚さを有することができる。幾つかの場合、（例えば、撮像システムまたはデバイス内にまたはそのキャビティ、ギャップ、または空間２７０内に配設された）マルチシンクは、０．５ｍｍ、０．８ｍｍ、１．０ｍｍ、１．３ｍｍ、１．５ｍｍ、１．７ｍｍ、または２．０ｍｍの厚さを有することができる。幾つかの場合、（例えば、撮像システムまたはデバイス内にまたはそのキャビティ、ギャップ、または空間２７０内に配設された）マルチシンクは、少なくとも０．５ｍｍ、少なくとも０．８ｍｍ、少なくとも１．０ｍｍ、少なくとも１．３ｍｍ、少なくとも１．５ｍｍ、少なくとも１．７ｍｍ、または少なくとも２．０ｍｍの厚さを有することができる。幾つかの場合、（例えば、撮像システムまたはデバイス内にまたはそのキャビティ、ギャップ、または空間２７０内に配設された）マルチシンク媒体は、せいぜい０．８ｍｍ、せいぜい１．０ｍｍ、せいぜい１．３ｍｍ、せいぜい１．５ｍｍ、せいぜい１．７ｍｍ、またはせいぜい２．０ｍｍの厚さを有することができる。幾つかの場合、多重反射アーチファクトは、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０のマルチシンク媒体が、幾つかの場合、＋／－０．２５ｍｍの許容範囲を有する少なくとも１．０ｍｍまたは少なくとも１．５ｍｍの厚さを有するとき、超音波スキャンから完全になくされ得る。幾つかの場合、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０を製造する方法は、撮像システムまたはデバイスの１つまたは複数のキャビティ、ギャップ、または空間２７０を部分的にまたは完全に充填するために、マルチシンク媒体４００を注入することまたは成形することを含むことができる。幾つかの場合、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０は、完全に捕捉された縁部を備えることができる（例えば、撮像システムまたはデバイスの１つまたは複数のキャビティ、ギャップ、または空間２７０の縁部は、例えば、注入されるときにマルチシンク媒体４００の漏出を防止するために、結合されると共にシールされる）。幾つかの場合、撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０は、撮像システムまたはデバイスの１つまたは複数のキャビティ、ギャップ、または空間２７０内へのマルチシンク媒体４００の注入を促進するために１つまたは複数の注入ポート（例えば、撮像システムまたはデバイスの１つまたは複数のヒートシンクを通る）を備えることができる。幾つかの場合、注入ポートは、（例えば、基板２６０とヒートシンクとの間のボンディングとの干渉を回避するために、例えば、ヒートシンクの外側から、撮像システムまたはデバイスのキャビティ、ギャップ、または空間に開放するヒートシンクの内側まで）ハウジングまたはヒートシンクの側面を通して設けられる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、例えば、ヒートシンクが基板にボンディングされると、マルチシンク媒体４００をキャビティ、ギャップ、または空間内に捕捉するために、ヒートシンクおよび基板またはハウジングおよび基板が結合／ボンディングされる前に、撮像デバイスまたはシステムに付加され得る。
【0045】
[061]幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、熱伝導性であることができる。例えば、マルチシンク媒体４００は、２ワット／メートル－ケルビン（Ｗ／ｍＫ）～７Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有することができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、２Ｗ／ｍＫ～２．３Ｗ／ｍＫ、２Ｗ／ｍＫ～２．５Ｗ／ｍＫ、２Ｗ／ｍＫ～３Ｗ／ｍＫ、２Ｗ／ｍＫ～３．７Ｗ／ｍＫ、２Ｗ／ｍＫ～４Ｗ／ｍＫ、２Ｗ／ｍＫ～５Ｗ／ｍＫ、２Ｗ／ｍＫ～５．５Ｗ／ｍＫ、２Ｗ／ｍＫ～６Ｗ／ｍＫ、２Ｗ／ｍＫ～６．４Ｗ／ｍＫ、２Ｗ／ｍＫ～７Ｗ／ｍＫ、２．３Ｗ／ｍＫ～２．５Ｗ／ｍＫ、２．３Ｗ／ｍＫ～３Ｗ／ｍＫ、２．３Ｗ／ｍＫ～３．７Ｗ／ｍＫ、２．３Ｗ／ｍＫ～４Ｗ／ｍＫ、２．３Ｗ／ｍＫ～５Ｗ／ｍＫ、２．３Ｗ／ｍＫ～５．５Ｗ／ｍＫ、２．３Ｗ／ｍＫ～６Ｗ／ｍＫ、２．３Ｗ／ｍＫ～６．４Ｗ／ｍＫ、２．３Ｗ／ｍＫ～７Ｗ／ｍＫ、２．５Ｗ／ｍＫ～３Ｗ／ｍＫ、２．５Ｗ／ｍＫ～３．７Ｗ／ｍＫ、２．５Ｗ／ｍＫ～４Ｗ／ｍＫ、２．５Ｗ／ｍＫ～５Ｗ／ｍＫ、２．５Ｗ／ｍＫ～５．５Ｗ／ｍＫ、２．５Ｗ／ｍＫ～６Ｗ／ｍＫ、２．５Ｗ／ｍＫ～６．４Ｗ／ｍＫ、２．５Ｗ／ｍＫ～７Ｗ／ｍＫ、３Ｗ／ｍＫ～３．７Ｗ／ｍＫ、３Ｗ／ｍＫ～４Ｗ／ｍＫ、３Ｗ／ｍＫ～５Ｗ／ｍＫ、３Ｗ／ｍＫ～５．５Ｗ／ｍＫ、３Ｗ／ｍＫ～６Ｗ／ｍＫ、３Ｗ／ｍＫ～６．４Ｗ／ｍＫ、３Ｗ／ｍＫ～７Ｗ／ｍＫ、３．７Ｗ／ｍＫ～４Ｗ／ｍＫ、３．７Ｗ／ｍＫ～５Ｗ／ｍＫ、３．７Ｗ／ｍＫ～５．５Ｗ／ｍＫ、３．７Ｗ／ｍＫ～６Ｗ／ｍＫ、３．７Ｗ／ｍＫ～６．４Ｗ／ｍＫ、３．７Ｗ／ｍＫ～７Ｗ／ｍＫ、４Ｗ／ｍＫ～５Ｗ／ｍＫ、４Ｗ／ｍＫ～５．５Ｗ／ｍＫ、４Ｗ／ｍＫ～６Ｗ／ｍＫ、４Ｗ／ｍＫ～６．４Ｗ／ｍＫ、４Ｗ／ｍＫ～７Ｗ／ｍＫ、５Ｗ／ｍＫ～５．５Ｗ／ｍＫ、５Ｗ／ｍＫ～６Ｗ／ｍＫ、５Ｗ／ｍＫ～６．４Ｗ／ｍＫ、５Ｗ／ｍＫ～７Ｗ／ｍＫ、５．５Ｗ／ｍＫ～６Ｗ／ｍＫ、５．５Ｗ／ｍＫ～６．４Ｗ／ｍＫ、５．５Ｗ／ｍＫ～７Ｗ／ｍＫ、６Ｗ／ｍＫ～６．４Ｗ／ｍＫ、６Ｗ／ｍＫ～７Ｗ／ｍＫ、または６．４Ｗ／ｍＫ～７Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有することができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、２Ｗ／ｍＫ、２．３Ｗ／ｍＫ、２．５Ｗ／ｍＫ、３Ｗ／ｍＫ、３．７Ｗ／ｍＫ、４Ｗ／ｍＫ、５Ｗ／ｍＫ、５．５Ｗ／ｍＫ、６Ｗ／ｍＫ、６．４Ｗ／ｍＫ、または７Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有することができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、少なくとも２Ｗ／ｍＫ、少なくとも２．３Ｗ／ｍＫ、少なくとも２．５Ｗ／ｍＫ、少なくとも３Ｗ／ｍＫ、少なくとも３．７Ｗ／ｍＫ、少なくとも４Ｗ／ｍＫ、少なくとも５Ｗ／ｍＫ、少なくとも５．５Ｗ／ｍＫ、少なくとも６Ｗ／ｍＫ、少なくとも６．４Ｗ／ｍＫ、または少なくとも７Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有することができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、せいぜい２．３Ｗ／ｍＫ、せいぜい２．５Ｗ／ｍＫ、せいぜい３Ｗ／ｍＫ、せいぜい３．７Ｗ／ｍＫ、せいぜい４Ｗ／ｍＫ、せいぜい５Ｗ／ｍＫ、せいぜい５．５Ｗ／ｍＫ、せいぜい６Ｗ／ｍＫ、せいぜい６．４Ｗ／ｍＫ、またはせいぜい７Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有することができる。幾つかの場合、マトリクス材料の選択は、マルチシンク媒体４００が熱伝導性であるか否かを判定することができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、マルチシンク媒体４００がシリコーンエラストマーまたはシリコーンベースエラストマーを含むとき熱伝導性であることができる。熱伝導性であるマルチシンク媒体４００は、撮像デバイスまたは撮像システムにおける熱伝達を改善することができる。例えば、マルチシンク媒体４００（例えば、集積回路（例えば、ＡＳＩＣ）、プロセッサ、および／またはトランスジューサ素子などの撮像デバイスまたは撮像システムのコンポーネントと接触状態にある）は、１つまたは複数のコンポーネントであって、（例えば、動作中に）熱を生成する場合がある、および／または、過剰の熱に敏感である場合がある（例えば、過剰の熱の存在下で、過熱する、性能の低下を経験する、および／または機能することを停止する場合がある）、１つまたは複数のコンポーネントから外方に熱を伝達するのに役立つことができる。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、撮像システムまたは撮像デバイスのヒートシンクおよび／またはハウジングまたはケーシングなどの撮像システムまたは撮像デバイスの別の熱伝導コンポーネントに接触することによって熱伝達を促進することができる。幾つかの場合、熱伝導性であるヒートシンクは、例えば、熱伝達（例えば、撮像システムまたは撮像デバイスの１つまたは複数の熱感応性コンポーネントから外方への）を改善するために、撮像システムまたは撮像デバイスまたはその一部分のキャビティ、ギャップ、または空間内に、位置付けられ得る、位置決めされ得る、注入され得る、または堆積され得る。幾つかの場合、撮像システムまたはデバイスのキャビティ、ギャップ、または空間は、撮像システムまたはデバイスを作製するために使用される方法に起因する場合がある、または、システムまたはデバイスの第１のコンポーネントをシステムまたはデバイスの第２のコンポーネントから電気的にまたは機械的に分離するのを助けるために、システムまたはデバイスの設計に含まれる場合がある。幾つかの場合、撮像システムまたは撮像デバイスまたはその所定の部分のキャビティ、ギャップ、または空間内に、位置付けられる、位置決めされる、注入される、または堆積されるマルチシンクは、キャビティ、ギャップ、または空間内に普通なら位置付けられるコンポーネントまたは材料（例えば、空気などのガス）を置換することができ、例えば、置換されるコンポーネントまたは材料は、マルチシンク媒体４００より低い熱伝導率を有する。例えば、撮像システムまたはデバイスのキャビティ、ギャップ、または空間をマルチシンク媒体４００で充填することは、より低い熱伝導性のコンポーネントまたは材料（例えば、空気）を置換することができ、システムまたはデバイス内の熱伝達を増加させることができ、それは、撮像システムまたは撮像デバイスの過熱のまたは熱関連の性能の低下のリスクを低減する場合がある。幾つかの場合、マルチシンク媒体４００は、熱伝導性である（例えば、本明細書で説明するように）と共に音響非伝導性（例えば、音響絶縁性）である。なぜなら、例えば、超音波を反射するという熱伝導材料の傾向の存在から生じる音響多重反射の結果として、多くの熱伝導材料（例えば、アルミニウムヒートシンク）が、超音波走査中にアーチファクトを引き起こす可能性があるからである。
バッキング層
[062]本明細書で説明する撮像システムまたはデバイス１００（例えば、超音波撮像システムまたはデバイス１００）は、バッキング層２３２（例えば、バッキングラミネート）を備えることができる。幾つかの場合、例えば、吸収体層２３０および／またはマルチシンク媒体４００を備えるバッキング層２３２（例えば、バッキングラミネート）は、例えば、撮像システムまたはデバイス１００内の超音波エネルギーの多重反射に起因する場合がある多重反射アーチファクトを減少させるために、撮像システムまたはデバイス１００に付加され（例えば、撮像システムまたはデバイス１００のプローブの内側に位置決めされ）得る。幾つかの場合、撮像システムまたはデバイス１００は、マルチシンク媒体４００およびバッキング層２３２を備えることができる。バッキング層２３２（例えば、バッキングラミネート）は、金属を含むことができる。例えば、バッキングラミネート２３２は、タングステン反射体を備えることができる。幾つかの場合、バッキング層２３２の一部分を、幾つかの場合、備えることができる吸収体層２３０は、金属フォーム（例えば、銅フォーム）を含むことができる。幾つかの場合、バッキング層（例えば、バッキングラミネート）は、アルミニウムバッキングを備えることができる。幾つかの場合、バッキング層は、（例えば、バッキング層のコンポーネントを共に、および／またはバッキング層のコンポーネントを、基板２６０および／またはヒートシンク２６８などの撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０の１つまたは複数のコンポーネントに結合するために）１つまたは複数の接着剤層２６２を備えることができる。
コンピューティグシステム
[063]図１０を参照すると、コンピュータシステム１０００（例えば、処理またはコンピューティングシステム）を含む例示的な機械を示すブロック図が示され、コンピュータシステム１０００内で、本開示の静的コードスケジューリングのための態様および／または方法論の任意の１つまたは複数をデバイスに実施または実行させるための命令のセットが実行され得る。図１０のコンポーネントは、例に過ぎず、任意のハードウェア、ソフトウェア、組み込み式（ｅｍｂｅｄｄｅｄ）ロジックコンポーネント、または、特定の実施形態を実装する２つ以上のそのようなコンポーネントの組み合わせの使用または機能の範囲を制限しない。
バッキング層
[062]本明細書で説明する撮像システムまたはデバイス１００（例えば、超音波撮像システムまたはデバイス１００）は、バッキング層２３２（例えば、バッキングラミネート）を備えることができる。幾つかの場合、例えば、吸収体層２３０および／またはマルチシンク媒体４００を備えるバッキング層２３２（例えば、バッキングラミネート）は、例えば、撮像システムまたはデバイス１００内の超音波エネルギーの多重反射に起因する場合がある多重反射アーチファクトを減少させるために、撮像システムまたはデバイス１００に付加され（例えば、撮像システムまたはデバイス１００のプローブの内側に位置決めされ）得る。幾つかの場合、撮像システムまたはデバイス１００は、マルチシンク媒体４００およびバッキング層２３２を備えることができる。バッキング層２３２（例えば、バッキングラミネート）は、金属を含むことができる。例えば、バッキングラミネート２３２は、タングステン反射体を備えることができる。幾つかの場合、バッキング層２３２の一部分を、幾つかの場合、備えることができる吸収体層２３０は、金属フォーム（例えば、銅フォーム）を含むことができる。幾つかの場合、バッキング層（例えば、バッキングラミネート）は、アルミニウムバッキングを備えることができる。幾つかの場合、バッキング層は、（例えば、バッキング層のコンポーネントを共に、および／またはバッキング層のコンポーネントを、基板２６０および／またはヒートシンク２６８などの撮像システムまたはデバイス１００、２００、２５０の１つまたは複数のコンポーネントに結合するために）１つまたは複数の接着剤層２６２を備えることができる。
コンピューティグシステム
[063]図１０を参照すると、コンピュータシステム１０００（例えば、処理またはコンピューティングシステム）を含む例示的な機械を示すブロック図が示され、コンピュータシステム１０００内で、本開示の静的コードスケジューリングのための態様および／または方法論の任意の１つまたは複数をデバイスに実施または実行させるための命令のセットが実行され得る。図１０のコンポーネントは、例に過ぎず、任意のハードウェア、ソフトウェア、組み込み式（ｅｍｂｅｄｄｅｄ）ロジックコンポーネント、または、特定の実施形態を実装する２つ以上のそのようなコンポーネントの組み合わせの使用または機能の範囲を制限しない。
【0046】
[064]コンピュータシステム１０００は、バス１０４０を介して、互いにおよび他のコンポーネントと通信する１つまたは複数のプロセッサ１００１、メモリ１００３、およびストレージ１００８を含む場合がある。バス１０４０は、ディスプレイ１０３２、１つまたは複数の入力デバイス１０３３（例えば、キーパッド、キーボード、マウス、スタイラスなどを含む場合がある）、１つまたは複数の出力デバイス１０３４、１つまたは複数の記憶デバイス１０３５、および種々の有形記憶媒体１０３６にリンクする場合もある。これらの要素の全ては、直接あるいは１つまたは複数のインターフェースまたはアダプターを介してバス１０４０にインターフェースする場合がある。例えば、種々の有形記憶媒体１０３６は、記憶媒体インターフェース１０２６を介してバス１０４０とインターフェースすることができる。コンピュータシステム１０００は、１つまたは複数の集積回路（ＩＣ）、プリント回路板（ＰＣＢ）、モバイル手持ち式デバイス（モバイルテレフォンまたはＰＤＡなど）、ラップトップまたはノートブックコンピュータ、分散型コンピュータシステム、コンピューティンググリッド、またはサーバを含むがそれに限定しない任意の適切な物理的形態を有する場合がある。
【0047】
[065]コンピュータシステム１０００は、機能を実行する１つまたは複数のプロセッサ（複数可）１００１（例えば、中央処理ユニット（ＣＰＵ：ｃｅｎｔｒａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ）、汎用グラフィクス処理ユニット（ＧＰＧＰＵ：ｇｅｎｅｒａｌ ｐｕｒｐｏｓｅ ｇｒａｐｈｉｃｓ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ）、または量子処理ユニット（ＱＰＵ：ｑｕａｎｔｕｍ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ））を含む。プロセッサ（複数可）１００１は、命令、データ、またはコンピュータアドレスの一時的ローカル記憶のためにキャッシュメモリユニット１００２を、任意選択で含む。プロセッサ（複数可）１００１は、コンピュータ可読命令の実行を支援するように構成される。コンピュータシステム１０００は、メモリ１００３、ストレージ１００８、記憶デバイス１０３５、および／または記憶媒体１０３６などの１つまたは複数の有形コンピュータ可読記憶媒体において具現化される非一時的プロセッサ実行可能命令をプロセッサ（複数可）１００１が実行する結果として図１０に示すコンポーネントのための機能を提供する場合がある。コンピュータ可読媒体は、特定の実施形態を実装するソフトウェアを記憶する場合があり、プロセッサ（複数可）１００１は、ソフトウェアを実行する場合がある。メモリ１００３は、１つまたは複数の他のコンピュータ可読媒体（大容量記憶デバイス（複数可）１０３５、１０３６など）から、または、ネットワークインターフェース１０２０などの適切なインターフェースを通した１つまたは複数の他の供給源からソフトウェアを読み取る場合がある。ソフトウェアは、本明細書で説明するかまたは示す、１つまたは複数のプロセスあるいは１つまたは複数のプロセスの１つまたは複数のステップをプロセッサ（複数可）１００１に実行させる場合がある。そのようなプロセスまたはステップを実行することは、メモリ１００３に記憶されるデータ構造を規定すること、および、ソフトウェアによって指示されるようにデータ構造を修正することを含む場合がある。
【0048】
[066]メモリ１００３は、ランダムアクセスメモリコンポーネント（例えば、ＲＡＭ１００４）（例えば、スタティックＲＡＭ（ＳＲＡＭ）、ダイナミックＲＡＭ（ＤＲＡＭ）、強誘電体ランダムアクセスメモリ（ＦＲＡＭ：ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）、相変化ランダムアクセスメモリ（ＰＲＡＭ：ｐｈａｓｅ－ｃｈａｎｇｅ ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）など）、読み出し専用メモリコンポーネント（例えば、ＲＯＭ１００５）、およびその任意の組み合わせを含むがそれに限定されない種々のコンポーネント（例えば、機械可読媒体）を含む場合がある。ＲＯＭ１００５は、プロセッサ（複数可）１００１に対してデータおよび命令を一方向に通信するために働く場合があり、ＲＡＭ１００４は、プロセッサ（複数可）１００１とデータおよび命令を双方向に通信するために働く場合がある。ＲＯＭ１００５およびＲＡＭ１００４は、以下で説明する任意の適切な有形コンピュータ可読媒体を含む場合がある。一例において、スタートアップ中などで、コンピュータシステム１０００内の要素間で情報を転送するのを助ける基本ルーチンを含む基本入力／出力システム１００６（ＢＩＯＳ：ｂａｓｉｃ ｉｎｐｕｔ／ｏｕｔｐｕｔ ｓｙｓｔｅｍ）は、メモリ１００３に記憶される場合がある。
【0049】
[067]固定ストレージ１００８は、任意選択で、ストレージ制御ユニット１００７を通して、プロセッサ（複数可）１００１に双方向に接続される。固定ストレージ１００８は、さらなるデータストレージ容量を提供し、本明細書で説明する任意の適切な有形コンピュータ可読媒体を含む場合もある。ストレージ１００８は、オペレーティングシステム１００９、実行ファイル（複数可）１０１０、データ１０１１、アプリケーション１０１２（アプリケーションプログラム）、および同様のものを記憶するために使用される場合がある。ストレージ１００８は、光ディスクドライブ、固体メモリデバイス（例えば、フラッシュベースシステム）、または上記の任意のものの組み合わせを含むこともできる。ストレージ１００８内の情報は、適切な場合、メモリ１００３内の仮想メモリとして組み込まれる場合がある。
【0050】
[068]一例において、記憶デバイス（複数可）１０３５は、記憶デバイスインターフェース１０２５を介してコンピュータシステム１０００と（例えば、外部ポートコネクタ（示さず）を介して）取り外し可能にインターフェースされる場合がある。特に、記憶デバイス（複数可）１０３５および関連する機械可読媒体は、機械可読命令、データ構造、プログラムモジュール、および／またはコンピュータシステム１０００用の他のデータの不揮発性および／または揮発性記憶を提供する場合がある。一例において、ソフトウェアは、記憶デバイス（複数可）１０３５上の機械可読媒体内に完全にまたは部分的に存在する場合がある。別の例において、ソフトウェアは、プロセッサ（複数可）１００１内に完全にまたは部分的に存在する場合がある。
【0051】
[069]バス１０４０は、多種多様なサブシステムを接続する。本明細書で、バスに対する参照は、適切である場合、共通機能を提供する１つまたは複数のデジタル信号線を包含する場合がある。バス１０４０は、種々のバスアーキテクチャの任意のアーキテクチャを使用する、メモリバス、メモリコントローラ、ペリフェラルバス、ローカルバス、およびその任意の組み合わせを含むがそれに限定されない幾つかのタイプのバス構造の任意のバス構造である場合がある。制限としてではなく例として、そのようなアーキテクチャは、業界標準アーキテクチャ（ＩＳＡ：Ｉｎｄｕｓｔｒｙ Ｓｔａｎｄａｒｄ Ａｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅ）バス、エンハンスドＩＳＡ（ＥＩＳＡ：Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＩＳＡ）バス、マイクロチャネルアーキテクチャ（ＭＣＡ：Ｍｉｃｒｏ Ｃｈａｎｎｅｌ Ａｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅ）バス、ビデオエレクトロニクススタンダードアソシエーションローカルバス（ＶＬＢ：Ｖｉｄｅｏ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ ｌｏｃａｌ ｂｕｓ）、ペリフェラルコンポーネントインターコネクト（ＰＣＩ：Ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ）バス、ＰＣＩ－エクスプレス（ＰＣＩ－Ｘ：ＰＣＩ－Ｅｘｐｒｅｓｓ）バス、アクセラレーテッドグラフィクスポート（ＡＧＰ：Ａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｏｒｔ）バス、ハイパートランスポート（ＨＴＸ：ＨｙｐｅｒＴｒａｎｓｐｏｒｔ）バス、シリアルアドバンスドテクノロジーアタッチメント（ＳＡＴＡ：ｓｅｒｉａｌ ａｄｖａｎｃｅｄ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ）バス、およびその任意の組み合わせを含む。
【0052】
[070]コンピュータシステム１０００は、入力デバイス１０３３を含む場合もある。一例において、コンピュータシステム１０００のユーザは、コマンドおよび／または他の情報を入力デバイス（複数可）１０３３を介してコンピュータシステム１０００に入力する場合がある。入力デバイス（複数可）１０３３の例は、英数字入力デバイス（例えば、キーボード）、ポインティングデバイス（例えば、マウスまたはタッチパッド）、タッチパッド、タッチスクリーン、マルチタッチスクリーン、ジョイスティック、スタイラス、ゲームパッド、オーディオ入力デバイス（例えば、マイクロフォン、音声応答システムなど）、光学スキャナ、ビデオまたはスチル画像取り込みデバイス（例えば、カメラ）、およびその任意の組み合わせを含むがそれに限定されない。幾つかの実施形態において、入力デバイスは、Ｋｉｎｅｃｔ、Ｌｅａｐ Ｍｏｔｉｏｎ、または同様のものである。入力デバイス（複数可）１０３３は、シリアル、パラレル、ゲームポート、ＵＳＢ、ＦＩＲＥＷＩＲＥ、ＴＨＵＮＤＥＲＢＯＬＴ、または上記の任意の組み合わせを含むがそれに限定されない種々の入力インターフェース１０２３（例えば、入力インターフェース１０２３）の任意のインターフェースを介してバス１０４０にインターフェースされる場合がある。
【0053】
[071]特定の実施形態において、コンピュータシステム１０００は、ネットワーク１０３０に接続されると、ネットワーク１０３０に接続された、他のデバイス、特にモバイルデバイスおよびエンタープライズシステム、分散型コンピューティングシステム、クラウドストレージシステム、クラウドコンピューティングシステム、および同様のものと通信する場合がある。コンピュータシステム１０００へおよびからの通信は、ネットワークインターフェース１０２０を通して送信される場合がある。例えば、ネットワークインターフェース１０２０は、ネットワーク１０３０から１つまたは複数のパケット（インターネットプロトコル（ＩＰ：Ｉｎｔｅｒｎｅｔ Ｐｒｏｔｏｃｏｌ）パケットなど）の形態で到来する通信（要求または他のデバイスからの要求など）を受信する場合があり、コンピュータシステム１０００は、処理のために、到来する通信をメモリ１００３に記憶する場合がある。コンピュータシステム１０００は、１つまたは複数のパケットの形態で出て行く通信（要求または他のデバイスへの要求など）をメモリ１００３に同様に記憶し、ネットワークインターフェース１０２０からネットワーク１０３０に通信する場合がある。プロセッサ（複数可）１００１は、処理のために、メモリ１００３に記憶されたこれらの通信パケットにアクセスする場合がある。
【0054】
[072]ネットワークインターフェース１０２０の例は、ネットワークインターフェースカード、モデム、およびその任意の組み合わせを含むがそれに限定されない。ネットワーク１０３０またはネットワークセグメント１０３０の例は、分散型コンピューティングシステム、クラウドコンピューティングシステム、ワイドエリアネットワーク（ＷＡＮ：ｗｉｄｅ ａｒｅａ ｎｅｔｗｏｒｋ）（例えば、インターネット、エンタープライズネットワーク）、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ：ｌｏｃａｌ ａｒｅａ ｎｅｔｗｏｒｋ）（例えば、オフィス、建物、キャンパス、または他の比較的小さい地理空間に関連するネットワーク）、電話ネットワーク、２つのコンピューティングデバイス間の直接接続、ピア－ツー－ピアネットワーク、およびその任意の組み合わせを含むがそれに限定されない。ネットワーク１０３０などのネットワークは、有線および／または無線通信モードを使用する場合がある。一般に、任意のネットワークトポロジーが使用される場合がある。
【0055】
[073]情報およびデータは、ディスプレイ１０３２を通して表示され得る。ディスプレイ１０３２の例は、陰極線管（ＣＲＴ：ｃａｔｈｏｄｅ ｒａｙ ｔｕｂｅ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ）、薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ（ＴＦＴ－ＬＣＤ：ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ）、パッシブマトリクスＯＬＥＤ（ＰＭＯＬＥＤ：ｐａｓｓｉｖｅ－ｍａｔｒｉｘ ＯＬＥＤ）またはアクティブマトリクスＯＬＥＤ（ＡＭＯＬＥＤ：ａｃｔｉｖｅ－ｍａｔｒｉｘ ＯＬＥＤ）ディスプレイなどの有機液晶ディスプレイ（ＯＬＥＤ：ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ）、プラズマディスプレイ、およびその任意の組み合わせを含むがそれに限定されない。ディスプレイ１０３２は、バス１０４０を介して、プロセッサ（複数可）１００１、メモリ１００３、および固定ストレージ１００８、ならびに、入力デバイス（複数可）１０３３などの他のデバイスにインターフェースすることができる。ディスプレイ１０３２は、ビデオインターフェース１０２２を介してバス１０４０にリンクされ、ディスプレイ１０３２とバス１０４０との間のデータの伝送は、グラフィクスコントロール１０２１によって制御され得る。幾つかの実施形態において、ディスプレイはビデオプロジェクタである。幾つかの実施形態において、ディスプレイは、ＶＲヘッドセットなどの頭部搭載型ディスプレイ（ＨＭＤ：ｈｅａｄ－ｍｏｕｎｔｅｄ ｄｉｓｐｌａｙ）である。さらなる実施形態において、適切なＶＲヘッドセットは、非制限的な例によれば、ＨＴＣ Ｖｉｖｅ、Ｏｃｕｌｕｓ Ｒｉｆｔ、Ｓａｍｓｕｎｇ Ｇｅａｒ ＶＲ、Ｍｉｃｒｏｓｏｆｔ ＨｏｌｏＬｅｎｓ、Ｒａｚｅｒ ＯＳＶＲ、ＦＯＶＥ ＶＲ、Ｚｅｉｓｓ ＶＲ Ｏｎｅ、Ａｖｅｇａｎｔ Ｇｌｙｐｈ、Ｆｒｅｅｆｌｙ ＶＲヘッドセット、および同様のものを含む。なおさらなる実施形態において、ディスプレイは、本明細書で開示するデバイスなどのデバイスの組み合わせである。
【0056】
[074]ディスプレイ１０３２に加えて、コンピュータシステム１０００は、オーディオスピーカ、プリンター、記憶デバイス、およびその任意の組み合わせを含むがそれに限定されない１つまたは複数の他のペリフェラル出力デバイス１０３４を含む場合がある。そのようなペリフェラル出力デバイスは、出力インターフェース１０２４を介してバス１０４０に接続される場合がある。出力インターフェース１０２４の例は、シリアルポート、パラレル接続、ＵＳＢポート、ＦＩＲＥＷＩＲＥポート、ＴＨＵＮＤＥＲＢＯＬＴポート、およびその任意の組み合わせを含むがそれに限定されない。
【0057】
[075]さらにまたは代替として、コンピュータシステム１０００は、本明細書で説明するかまたは示す１つまたは複数のプロセスあるいは１つまたは複数のプロセスの１つまたは複数のステップを実行するためにソフトウェアの代わりにまたはソフトウェアと共に動作する場合がある、回路において配線で接続されたまたはその他の方法で具現化されたロジックの結果として機能を提供する場合がある。本開示におけるソフトウェアに対する参照は、ロジックを包含し、ロジックに対する参照は、ソフトウェアを包含する場合がある。さらに、コンピュータ可読媒体に対する参照は、適切である場合、実行のためのソフトウェアを記憶する回路（ＩＣなど）、実行のためのロジックを具現化する回路、または両方を包含する場合がある。本開示は、ハードウェア、ソフトウェア、または両方の任意の適切な組み合わせを包含する。
【0058】
[076]本明細書で開示する実施形態に関連して説明する、種々の例証的な論理ブロック、モジュール、回路、およびアルゴリズムステップが、電子ハードウェア、コンピュータソフトウェア、または両方の組み合わせとして実装される場合があることを当業者は理解するであろう。ハードウェアおよびソフトウェアのこの互換性を明確に示すために、種々の例証的なコンポーネント、ブロック、モジュール、回路、およびステップが、それらの機能の観点から全体的に上記で説明された。
【0059】
[077]本明細書で開示する実施形態に関連して説明する、種々の例証的な論理ブロック、モジュール、および回路は、本明細書で説明する機能を実施するために設計された、汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ：ｄｉｇｉｔａｌ ｓｉｇｎａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）または他のプログラマブルロジックデバイス、ディスクリートゲートまたはトランジスタロジック、ディスクリートハードウェアコンポーネント、またはその任意の組み合わせによって実装または実施される場合がある。汎用プロセッサは、マイクロプロセッサである場合があるが、代替において、プロセッサは、任意の従来のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、または状態機械である場合がある。プロセッサは、コンピューティングデバイスの組み合わせ、例えば、ＤＳＰおよびマイクロプロセッサの組み合わせ、複数のマイクロプロセッサ、ＤＳＰコアと連携する１つまたは複数のマイクロプロセッサ、または任意の他のそのような構成として実装される場合もある。
【0060】
[078]本明細書で開示する実施形態に関連して説明する方法またはアルゴリズムのステップは、ハードウェアで直接、１つまたは複数のプロセッサ（複数可）によって実行されるソフトウェアモジュールで、または両者の組み合わせで具現化される場合がある。ソフトウェアモジュールは、ＲＡＭメモリ、フラッシュメモリ、ＲＯＭメモリ、ＥＰＲＯＭメモリ、ＥＥＰＲＯＭメモリ、レジスター、ハードディスク、取り外し可能ディスク、ＣＤ－ＲＯＭ、または当技術分野で知られている任意の他の形態の記憶媒体内に存在する場合がある。例示的な記憶媒体は、プロセッサが、記憶媒体から情報を読み取り、情報を記憶媒体に書き込むことができるように、プロセッサに結合される。代替において、記憶媒体は、プロセッサと一体をなす場合がある。プロセッサおよび記憶媒体は、ＡＳＩＣ内に存在する場合がある。ＡＳＩＣは、ユーザ端末内に存在する場合がある。代替において、プロセッサおよび記憶媒体は、ユーザ端末内でディスクリートコンポーネントとして存在する場合がある。
【0061】
[079]本明細書の説明によれば、適切なコンピューティングデバイスは、非制限的な例として、サーバコンピュータ、デスクトップコンピュータ、ラップトップコンピュータ、ノートブックコンピュータ、手持ち式コンピュータ、インターネットアプライアンス、モバイルスマートフォン、およびタブレットコンピュータを含む。オプションのコンピュータネットワーク接続性を有するセレクトテレビジョン、ビデオプレーヤ、およびデジタルミュージックプレーヤが、本明細書で説明するシステムで使用するのに適することを当業者は同様に認識するであろう。適切なタブレットコンピュータは、種々の実施形態において、当業者に知られている、ブックレット、スレート、および変換可能な構成を有するコンピュータを含む。
【0062】
[080]幾つかの実施形態において、コンピューティングデバイスは、実行可能命令を実施するように構成されるオペレーティングシステムを含む。オペレーティングシステムは、例えば、デバイスのハードウェアを管理し、アプリケーションの実行のためのサービスを提供する、プログラムおよびデータを含むソフトウェアである。適切なサーバオペレーティングシステムが、非制限的な例として、ＦｒｅｅＢＳＤ、ＯｐｅｎＢＳＤ、ＮｅｔＢＳＤ（登録商標）、Ｌｉｎｕｘ（登録商標）、Ａｐｐｌｅ（登録商標）Ｍａｃ ＯＳ Ｘ Ｓｅｒｖｅｒ（登録商標）、Ｏｒａｃｌｅ（登録商標）Ｓｏｌａｒｉｓ（登録商標）、Ｗｉｎｄｏｗｓ Ｓｅｒｖｅｒ（登録商標）、およびＮｏｖｅｌｌ（登録商標）ＮｅｔＷａｒｅ（登録商標）を含むことを当業者は認識するであろう。適切なパーソナルコンピュータオペレーティングシステムが、非制限的な例として、Ｍｉｃｒｏｓｏｆｔ（登録商標）Ｗｉｎｄｏｗｓ（登録商標）、Ａｐｐｌｅ（登録商標） Ｍａｃ ＯＳ Ｘ（登録商標）、ＵＮＩＸ（登録商標）、およびＧＮＵ／Ｌｉｎｕｘ（登録商標）などのＵＮＩＸに似たオペレーティングシステムを含むことを当業者は認識するであろう。幾つかの実施形態において、オペレーティングシステムは、クラウドコンピューティングによって提供される。適切なモバイルスマートフォンオペレーティングシステムが、非制限的な例として、Ｎｏｋｉａ（登録商標）Ｓｙｍｂｉａｎ（登録商標）ＯＳ、Ａｐｐｌｅ（登録商標）ｉＯＳ（登録商標）、Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｉｎ Ｍｏｔｉｏｎ（登録商標）ＢｌａｃｋＢｅｒｒｙ ＯＳ（登録商標）、Ｇｏｏｇｌｅ（登録商標）Ａｎｄｒｏｉｄ（登録商標）、Ｍｉｃｒｏｓｏｆｔ（登録商標） Ｗｉｎｄｏｗｓ Ｐｈｏｎｅ（登録商標）ＯＳ、Ｍｉｃｒｏｓｏｆｔ（登録商標）Ｗｉｎｄｏｗｓ Ｍｏｂｉｌｅ（登録商標）ＯＳ、Ｌｉｎｕｘ（登録商標）、およびＰａｌｍ（登録商標）ＷｅｂＯＳ（登録商標）を含むことを当業者は同様に認識するであろう。
アプリケーション
[081]幾つかの場合、本明細書で説明する撮像システムまたはデバイス１００は、（例えば、非侵襲的）医療撮像、砕石術、治療介入のための局在化組織加熱、高密度焦点式超音波（ＨＩＦＵ：ｈｉｇｈｌｙ ｉｎｔｅｎｓｉｖｅ ｆｏｃｕｓｅｄ ｕｌｔｒａｓｏｕｎｄ）手術、および／またはパイプ（またはスピーカおよびマイクロフォンアレイ）内の非医療使用流量測定において使用され得る。幾つかの場合、本明細書で説明する撮像システムまたはデバイスは、例えば、ドプラーモード撮像を使用して、動脈および／または静脈内の流体流（例えば、血液流）の方向および／または速度を決定するために使用され得る。幾つかの場合、本明細書で説明する撮像システムまたはデバイスは、組織剛性を測定するために使用され得る。
アプリケーション
[081]幾つかの場合、本明細書で説明する撮像システムまたはデバイス１００は、（例えば、非侵襲的）医療撮像、砕石術、治療介入のための局在化組織加熱、高密度焦点式超音波（ＨＩＦＵ：ｈｉｇｈｌｙ ｉｎｔｅｎｓｉｖｅ ｆｏｃｕｓｅｄ ｕｌｔｒａｓｏｕｎｄ）手術、および／またはパイプ（またはスピーカおよびマイクロフォンアレイ）内の非医療使用流量測定において使用され得る。幾つかの場合、本明細書で説明する撮像システムまたはデバイスは、例えば、ドプラーモード撮像を使用して、動脈および／または静脈内の流体流（例えば、血液流）の方向および／または速度を決定するために使用され得る。幾つかの場合、本明細書で説明する撮像システムまたはデバイスは、組織剛性を測定するために使用され得る。
【0063】
[082]幾つかの場合、本明細書で説明する撮像システムまたはデバイス１００は、１次元撮像（例えば、Ａ－スキャン撮像）を実施するように構成され得る。幾つかの場合、本明細書で説明する撮像システムまたはデバイス１００は、２次元撮像（例えば、Ｂ－スキャン撮像）を実施するように構成され得る。幾つかの場合、本明細書で説明する撮像システムまたはデバイス１００は、３次元撮像（例えば、Ｃ－スキャン撮像）を実施するように構成され得る。幾つかの場合、本明細書で説明する撮像システムまたはデバイス１００は、ドプラー撮像を実施するように構成され得る。幾つかの場合、本明細書で説明する撮像システムまたはデバイス１００は、リニアモードまたはセクターモードを含む異なるモードに（例えば、モード間で）切り換えられる場合がある。幾つかの場合、撮像システムまたはデバイス１００は、（例えば、ユーザによって）プログラム制御下で電子的に構成され得る。
【0064】
[083]多くの場合、撮像システムまたはデバイス１００（例えば、撮像システムまたはデバイス１００のプローブ）はポータブルであることができる。例えば、撮像システムまたはデバイス１００は、１つまたは複数のトランスジューサ素子、ピクセル、またはアレイ、ＡＳＩＣ、制御回路部、および／またはコンピューティングデバイスを収容することができる手持ち式ケーシングを備えることができる（例えば、ハウジング内に収容することができる）。幾つかの場合、撮像システムまたはデバイス１００は、電池を備えることができる。
特定の定義
[084]別段に定義されない限り、本明細書で使用される全ての技術的用語は、本主題が属する技術分野の専門家によって一般に理解されるのと同じ意味を有する。
特定の定義
[084]別段に定義されない限り、本明細書で使用される全ての技術的用語は、本主題が属する技術分野の専門家によって一般に理解されるのと同じ意味を有する。
【0065】
[085]本明細書および添付の特許請求の範囲で使用されるように、単数形「１つの（ａ）」、「１つの（ａｎ）」、および「その（ｔｈｅ）」は、別段に文脈が明確に指示しない限り、複数参照を含む。本明細書の「または（ｏｒ）」に対するいずれの参照も、別段に述べない限り、「および／または（ａｎｄ／ｏｒ）」を包含することを意図される。
【0066】
[086]本明細書全体を通して、「幾つかの実施形態（ｓｏｍｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔｓ）」、「さらなる実施形態（ｆｕｒｔｈｅｒ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔｓ）」、または「特定の実施形態（ａ ｐａｒｔｉｃｕｌａｒ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ）」に対する参照は、実施形態に関連して説明する特定の特徴、構造、または特性が少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。そのため、本明細書全体を通しての種々の場所におけるフレーズ「幾つかの実施形態において（ｉｎ ｓｏｍｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔｓ）」または「さらなる実施形態において（ｉｎ ｆｕｒｔｈｅｒ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔｓ）」または「特定の実施形態において（ｉｎ ａ ｐａｒｔｉｃｕｌａｒ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ）」の出現は、必ずしも全てが同じ実施形態を参照するわけではない。さらに、特定の特徴、構造、または特性は、１つまたは複数の実施形態において、任意の適切な方法で組み合わされる場合がある。
【0067】
[087]本主題の好ましい実施形態が、本明細書で示され、説明されたが、そのような実施形態が単に例として提供されることが当業者に明らかになるであろう。多数の変形、変更、および置換を、ここで、本主題から逸脱することなく当業者が思い付くことになる。本明細書で説明する本主題の実施形態に対する種々の代替が本主題を実施するときに使用される場合があることが理解されるべきである。
【手続補正2】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
集積回路基板と、前記集積回路基板と接触状態のマルチシンク媒体と、
前記集積回路基板に結合された１つまたは複数の微小電気機械（ＭＥＭ）超音波トランスジューサとを備える撮像デバイス。
【請求項2】
ヒートシンクをさらに備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項3】
前記ヒートシンクは金属を含む、請求項２に記載のデバイス。
【請求項4】
前記金属はアルミニウムである、請求項３に記載のデバイス。
【請求項5】
前記マルチシンク媒体は、前記ヒートシンクと接触状態にある、請求項２～４のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項6】
前記マルチシンク媒体は、前記１つまたは複数のＭＥＭトランスジューサと前記ヒートシンクとの間に少なくとも部分的に配設される、請求項１～５のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項7】
前記集積回路基板に結合されたハウジングをさらに備える、請求項１～６のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項8】
前記マルチシンク媒体は、前記ハウジングと接触状態にある、請求項７に記載のデバイス。
【請求項9】
前記マルチシンク媒体は、前記１つまたは複数のＭＥＭトランスジューサと前記ハウジングとの間に少なくとも部分的に配設される、請求項７または８に記載のデバイス。
【請求項10】
前記マルチシンク媒体は注入可能である、請求項１～９のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項11】
前記マルチシンク媒体は、少なくとも２９ｇ／ｍｉｎの流量を有する、請求項１～１０のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項12】
前記マルチシンク媒体は、少なくとも４０ｇ／ｍｉｎの流量を有する、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項13】
前記マルチシンク媒体は、少なくとも１．５ワット／メートル－ケルビン（Ｗ／ｍＫ）の熱伝導率を有する、請求項１～１２のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項14】
前記マルチシンク媒体は、少なくとも３．７ワット／メートル－ケルビン（Ｗ／ｍＫ）の熱伝導率を有する、請求項１３に記載のデバイス。
【請求項15】
前記マルチシンク媒体は、少なくとも６．４ワット／メートル－ケルビン（Ｗ／ｍＫ）の熱伝導率を有する、請求項１３に記載のデバイス。
【請求項16】
前記マルチシンク媒体は、少なくとも０．５ｍｍの厚さを有する、請求項１～１５のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項17】
前記マルチシンク媒体は、少なくとも１．０ｍｍの厚さを有する、請求項１６に記載のデバイス。
【請求項18】
前記マルチシンク媒体は、少なくとも１．５ｍｍの厚さを有する、請求項１７に記載のデバイス。
【請求項19】
バッキング材料をさらに備える、請求項１～１８のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項20】
前記バッキング材料はバッキングラミネートを含む、請求項１９に記載のデバイス。
【請求項21】
撮像デバイスを作製する方法であって、前記撮像デバイスの第１のコンポーネントを集積回路基板に結合することによって内部キャビティを形成するステップと、
１つまたは複数の微小電気機械（ＭＥＭ）超音波トランスジューサを前記集積回路基板に結合するステップと、
マルチシンク媒体を前記内部キャビティに注入するステップと
を含む、方法。
【請求項22】
前記第１のコンポーネントは音響反射材料を含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項23】
前記第１のコンポーネントは、集積回路基板に直接結合される、請求項２１または２２に記載の方法。
【請求項24】
前記第１のコンポーネントはヒートシンクである、請求項２１～２３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項25】
前記ヒートシンクは金属を含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項26】
前記マルチシンク媒体は、前記ヒートシンクと接触状態にある、請求項２３～２５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項27】
前記第１のコンポーネントはハウジングを備える、請求項２１に記載の方法。
【請求項28】
前記マルチシンク媒体は、前記ハウジングと接触状態にある、請求項２７に記載の方法。
【請求項29】
前記マルチシンク媒体は、前記１つまたは複数のＭＥＭトランスジューサと前記第１のコンポーネントとの間に少なくとも部分的に配設される、請求項２１～２８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項30】
前記マルチシンク媒体は注入可能である、請求項２１～２９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項31】
前記マルチシンク媒体は、少なくとも２９ｇ／ｍｉｎの流量を有する、請求項２１～３０のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項32】
前記マルチシンク媒体は、少なくとも４０ｇ／ｍｉｎの流量を有する、請求項３１に記載のデバイス。
【請求項33】
前記マルチシンク媒体は、少なくとも１．５ワット／メートル－ケルビン（Ｗ／ｍＫ）の熱伝導率を有する、請求項２１～３２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項34】
前記マルチシンク媒体は、少なくとも３．７ワット／メートル－ケルビン（Ｗ／ｍＫ）の熱伝導率を有する、請求項３３に記載の方法。
【請求項35】
前記マルチシンク媒体は、少なくとも６．４ワット／メートル－ケルビン（Ｗ／ｍＫ）の熱伝導率を有する、請求項３３に記載の方法。
【請求項36】
前記マルチシンク媒体は、注入後に少なくとも０．５ｍｍの厚さを有する、請求項２１～３５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項37】
前記マルチシンク媒体は、注入後に少なくとも１．０ｍｍの厚さを有する、請求項３６に記載の方法。
【請求項38】
前記マルチシンク媒体は、注入後に少なくとも１．５ｍｍの厚さを有する、請求項３６に記載の方法。
【請求項39】
バッキング材料を前記集積回路基板に結合するステップをさらに含む、請求項２１～３８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項40】
前記バッキング材料はバッキングラミネートを含む、請求項３９に記載の方法。
【請求項41】
前記バッキング材料は、前記第１のコンポーネントと前記１つまたは複数のＭＥＭ超音波トランスジューサとの間に少なくとも部分的に配設される、請求項３９または４０に記載の方法。【手続補正3】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図3】
【手続補正書】
【提出日】2024-06-12
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
集積回路基板と、前記集積回路基板と接触状態のマルチシンク媒体と、
前記集積回路基板に結合された１つまたは複数の微小電気機械（ＭＥＭ）超音波トランスジューサとを備える撮像デバイス。
【請求項2】
ヒートシンクをさらに備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項3】
前記ヒートシンクは金属を含む、請求項２に記載のデバイス。
【請求項4】
前記金属はアルミニウムである、請求項３に記載のデバイス。
【請求項5】
前記マルチシンク媒体は、前記ヒートシンクと接触状態にある、請求項２に記載のデバイス。
【請求項6】
前記マルチシンク媒体は、前記１つまたは複数のＭＥＭトランスジューサと前記ヒートシンクとの間に少なくとも部分的に配設される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項7】
前記集積回路基板に結合されたハウジングをさらに備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項8】
前記マルチシンク媒体は、前記ハウジングと接触状態にある、請求項７に記載のデバイス。
【請求項9】
前記マルチシンク媒体は、前記１つまたは複数のＭＥＭトランスジューサと前記ハウジングとの間に少なくとも部分的に配設される、請求項７に記載のデバイス。
【請求項10】
前記マルチシンク媒体は注入可能である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項11】
前記マルチシンク媒体は、少なくとも２９ｇ／ｍｉｎの流量を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項12】
前記マルチシンク媒体は、少なくとも１．５ワット／メートル－ケルビン（Ｗ／ｍＫ）の熱伝導率を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項13】
前記マルチシンク媒体は、少なくとも０．５ｍｍの厚さを有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項14】
バッキング材料をさらに備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項15】
前記バッキング材料はバッキングラミネートを含む、請求項１４に記載のデバイス。
【国際調査報告】