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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-11-15
(54)【発明の名称】電子装置
(51)【国際特許分類】
G02B 1/11 20150101AFI20241108BHJP
H10K 50/86 20230101ALI20241108BHJP
H10K 50/858 20230101ALI20241108BHJP
H10K 59/12 20230101ALI20241108BHJP
H10K 50/844 20230101ALI20241108BHJP
H10K 59/38 20230101ALI20241108BHJP
H10K 50/12 20230101ALI20241108BHJP
H05B 33/22 20060101ALI20241108BHJP
G02B 1/14 20150101ALI20241108BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20241108BHJP
【ＦＩ】
G02B1/11
H10K50/86
H10K50/858
H10K59/12
H10K50/844
H10K59/38
H10K50/12
H05B33/22 C
H05B33/22 A
G02B1/14
G09F9/00 313
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024529832
(86)(22)【出願日】2022-11-25
(85)【翻訳文提出日】2024-05-20
(86)【国際出願番号】 KR2022018886
(87)【国際公開番号】W WO2023096419
(87)【国際公開日】2023-06-01
(31)【優先権主張番号】10-2021-0167579
(32)【優先日】2021-11-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】512187343
【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１， Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ， Ｇｉｈｅｕｎｇ－ｇｕ， Ｙｏｎｇｉｎ－ｓｉ， Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】110002619
【氏名又は名称】弁理士法人ＰＯＲＴ
(72)【発明者】
【氏名】キム，ビョンキ
(72)【発明者】
【氏名】クウォン，ド－ヒョク
(72)【発明者】
【氏名】シン，ユシク
(72)【発明者】
【氏名】イ，ガクソク
(72)【発明者】
【氏名】ジョン，キョンファン
【テーマコード（参考）】
2K009
3K107
5G435
【Ｆターム（参考）】
2K009AA05
2K009AA15
2K009CC09
3K107AA01
3K107BB01
3K107BB06
3K107BB08
3K107CC08
3K107CC23
3K107CC32
3K107DD72
3K107DD75
3K107EE03
3K107EE21
3K107EE24
3K107EE46
3K107FF06
3K107FF13
3K107FF15
5G435AA01
5G435BB05
5G435CC09
5G435DD12
5G435FF01
5G435HH02
5G435KK07
5G435LL04
5G435LL07
5G435LL08
5G435LL14
5G435LL17
5G435LL19
(57)【要約】
一実施形態の電子装置は、表示モジュールと、前記表示モジュールの上に配置され、波長が３５０ｎｍ以上３７０ｎｍ以下の光に対するＳＣＩ反射率が４％以上７％以下の反射防止部材とを含む。反射防止部材は、ベース層と、反射ベース層の上に配置されるハードコーティング層と、ハードコーティング層の上に配置され、第１屈折率を有する第１光学層と、第１光学層の上に配置される。
【選択図】図６
【選択図】図６
【特許請求の範囲】
【請求項1】
表示モジュールと、前記表示モジュールの上に配置され、波長が３５０ｎｍ以上３７０ｎｍ以下の光に対するＳＣＩ反射率が４％以上７％以下の反射防止部材と、を含み、
前記反射防止部材は、
ベース層と、
前記反射ベース層の上に配置されるハードコーティング層と、
前記ハードコーティング層の上に配置され、第１屈折率を有する第１光学層と、
前記第１光学層の上に配置され、前記第１屈折率より小さい第２屈折率を有する第２光学層と、を含む電子装置。
【請求項2】
前記第１光学層の厚さは、前記第２光学層の厚さより小さい請求項１に記載の電子装置。
【請求項3】
前記第１光学層の厚さは、８０μｍ以上９０μｍ以下であり、前記第２光学層の厚さは、９０μｍ以上１００μｍ以下である請求項２に記載の電子装置。
【請求項4】
前記第１屈折率は、１．４以上１．７以下であり、前記第２屈折率は、１．０以上１．３以下である請求項２に記載の電子装置。
【請求項5】
前記第１光学層の厚さと前記第２光学層の厚さの和は、１７０μｍ以上１９０μｍ以下である請求項２に記載の電子装置。
【請求項6】
前記反射防止部材は、４５０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下の波長の光に対するＳＣＩ反射率が０％以上０．３％以下である請求項１に記載の電子装置。
【請求項7】
前記反射防止部材は、５４０ｎｍ以上５６０ｎｍ以下の光に対するＳＣＩ反射率が０％以上０．２％以下である請求項１に記載の電子装置。
【請求項8】
前記反射防止部材は、７１０ｎｍ以上７３０ｎｍ以下の光に対するＳＣＩ反射率が０％以上０．６％以下である請求項１に記載の電子装置。
【請求項9】
前記第１光学層は、酸化ジルコニウム（ＺｒＯｘ）を含む請求項１に記載の電子装置。
【請求項10】
前記第２光学層は、中空シリカを含む請求項１に記載の電子装置。
【請求項11】
ベース基板と、前記ベース基板の上に配置される回路層と、
前記回路層の上に配置される発光素子層と、
前記発光素子層の上に配置される封止層と、
量子ドットを含む少なくとも一つの光制御部を含み、前記封止層の上に配置される光制御層と、
前記光制御層の上に配置され、波長が３５０ｎｍ以上３７０ｎｍ以下の光に対するＳＣＩ反射率が４％以上７％以下の反射防止部材と、を含み、
前記反射防止部材は、
ベース層と、
前記ベース層の上に配置されるハードコーティング層と、
前記ハードコーティング層の上に配置され、第１屈折率を有する第１光学層と、
前記第１光学層の上に配置され、前記第１光学層より小さい第２屈折率を有する第２光学層と、を含む電子装置。
【請求項12】
前記第１屈折率は、１．４以上１．７以下であり、前記第２屈折率は、１．０以上１．３以下である請求項１１に記載の電子装置。
【請求項13】
前記第１光学層の厚さは、前記第２光学層の厚さより小さく、前記第１光学層の厚さは、８０μｍ以上９０μｍ以下であり、
前記第２光学層の厚さは、９０μｍ以上１００μｍ以下である請求項１２に記載の電子装置。
【請求項14】
前記第１光学層は、酸化ジルコニウム（ＺｒＯｘ）を含み、前記第２光学層は、中空シリカを含む請求項１１に記載の電子装置。
【請求項15】
前記反射防止部材は、４５０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下の波長の光に対するＳＣＩ反射率が０％以上０．３％以下である請求項１１に記載の電子装置。
【請求項16】
前記反射防止部材は、５４０ｎｍ以上５６０ｎｍ以下の光に対するＳＣＩ反射率が０％以上０．２％以下である請求項１１に記載の電子装置。
【請求項17】
前記反射防止部材は、７１０ｎｍ以上７３０ｎｍ以下の光に対するＳＣＩ反射率が０％以上０．６％以下である請求項１１に記載の電子装置。
【請求項18】
前記発光素子層は、順次に積層される第１電極と、正孔輸送領域と、発光層と、電子輸送領域と、第２電極とを含む請求項１１に記載の電子装置。
【請求項19】
前記発光層は、青色光を発光する請求項１８に記載の電子装置。
【請求項20】
前記光制御層は、前記青色光を赤色光に変換する第１光制御部と、
前記青色光を緑色光に変換する第２光制御部と、
前記青色光を透過させる第３光制御部と、を含む請求項１９に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、反射防止装置を含む表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
表示パネルは、光源から生成されたソース光を選択的に透過する透過型表示パネルと、表示パネル自体からソース光を生成する発光型表示パネルを含む。表示パネルはカラー画像を生成するために画素によって異なる種類の光制御パターンを含むことができる。光制御パターンはソース光の一部の波長範囲のみを透過するか、ソース光のカラーを変換させることができる。一部の光制御パターンはソース光のカラーは変更せず、光の特性を変更させてもよい。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
本発明の目的は、短波長の光に対する反射率が高い反射防止部材を含み、表示品質が改善された電子装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0004】
一実施形態は、表示モジュールと、前記表示モジュールの上に配置され、波長が３５０ｎｍ以上３７０ｎｍ以下の光に対するＳＣＩ反射率が４％以上７％以下の反射防止部材とを含み、前記反射防止部材は、ベース層と、前記反射ベース層の上に配置されるハードコーティング層と、前記ハードコーティング層の上に配置され、第１屈折率を有する第１光学層と、前記第１光学層の上に配置され、前記第１屈折率より小さい第２屈折率を有する第２光学層とを含む電子装置を提供する。
【0005】
請求項１において、前記第１光学層の厚さは前記第２光学層の厚さより小さいものであってもよい。
【0006】
前記第１光学層の厚さは８０μｍ以上９０μｍ以下であり、前記第２光学層の厚さは９０μｍ以上１００μｍ以下であることができる。
【0007】
前記第１屈折率は１．４以上１．７以下であり、前記第２屈折率は１．０以上１．３以下であることができる。
【0008】
前記第１光学層の厚さと前記第２光学層の厚さの和は１７０μｍ以上１９０μｍ以下であることができる。
【0009】
前記反射防止部材は４５０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下の波長の光に対するＳＣＩ反射率が０％以上０．３％以下であることができる。
【0010】
前記反射防止部材は５４０ｎｍ以上５６０ｎｍ以下の光に対するＳＣＩ反射率が０％以上０．２％以下であることができる。
【0011】
前記反射防止部材は７１０ｎｍ以上７３０ｎｍ以下の光に対するＳＣＩ反射率が０％以上０．６％以下であることができる。
【0012】
前記第１光学層は酸化ジルコニウム（ＺｒＯｘ）を含むことができる。
【0013】
前記第２光学層は中空シリカを含むものであってもよい。
【0014】
一実施形態はベース基板と、前記ベース基板の上に配置される回路層と、前記回路層の上に配置される発光素子層と、前記発光素子層の上に配置される封止層と、前記封止層の上に配置され、量子ドットを含む少なくとも一つの光制御部とを含み、前記封止層の上に配置される光制御層と、前記光制御層の上に配置され、波長が３５０ｎｍ以上３７０ｎｍ以下の光に対するＳＣＩ反射率が４％以上７％以下の反射防止部材とを含み、前記反射防止部材はベース層と、前記ベース層の上に配置されるハードコーティング層と、前記ハードコーティング層の上に配置され、第１屈折率を有する第１光学層と、前記第１光学層の上に配置され、前記第１光学層より小さい第２屈折率を有する第２光学層とを含む電子装置を提供する。
【0015】
前記第１屈折率は１．４以上１．７以下であり、前記第２屈折率は１．０以上１．３以下であることができる。
【0016】
前記第１光学層の厚さは前記第２光学層の厚さより小さく、前記第１光学層の厚さは８０μｍ以上９０μｍ以下であり、前記第２光学層の厚さは９０μｍ以上１００μｍ以下であることができる。
【0017】
前記第１光学層は酸化ジルコニウム（ＺｒＯｘ）を含み、前記第２光学層は中空シリカを含むことができる。
【0018】
前記反射防止部材は４５０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下の波長の光に対するＳＣＩ反射率が０％以上０．３％以下であることができる。
【0019】
前記反射防止部材は５４０ｎｍ以上５６０ｎｍ以下の光に対するＳＣＩ反射率が０％以上０．２％以下であることができる。
【0020】
前記反射防止部材は７１０ｎｍ以上７３０ｎｍ以下の光に対するＳＣＩ反射率が０％以上０．６％以下であることができる。
【0021】
前記発光素子層は、順次に積層される第１電極ＥＬと、正孔輸送領域と、発光層と、電子輸送領域と、第２電極ＥＬ２とを含むことができる。
【0022】
前記発光層は青色光を発光することができる。
【0023】
前記光制御層は、前記青色光を赤色光に変換する第１光制御部と、前記青色光を緑色光に変換する第２光制御部と、前記青色光を透過させる第３光制御部とを含むことができる。
【発明の効果】
【0024】
一実施形態の電子装置は、反射防止部材が短波長の光に対して高い反射率を有し、優れた品質を有することができる。
【図面の簡単な説明】
【0025】
【図1】一実施形態による電子装置を示す斜視図である。
【図2】一実施形態による電子装置の分解斜視図である。
【図3】一実施形態による表示装置の斜視図である。
【図4】一実施形態による表示装置の断面図である。
【図5】一実施形態による表示装置を概略的に示す断面図である。
【図6】一実施形態による反射防止部材の断面図である。
【図7】一実施形態の表示装置の断面図である。
【図8a】一実施例の反射防止部材のＳＣＩ反射率を示すグラフである。
【図8b】比較例の反射防止部材のＳＣＩ反射率を示すグラフである。
【図9a】一実施例の反射防止部材を含む表示装置のＳＣＥ反射率を示すグラフである。
【図9b】比較例の反射防止部材を含む表示装置のＳＣＥ反射率を示すグラフである。
【図10】一実施例による反射防止部材の波長によるＳＣＩ反射率を示すグラフである。
【図11a】実施例の反射防止部材の波長によるＳＣＩ反射率を示すグラフである。
【図11b】比較例の反射防止部材の波長によるＳＣＩ反射率を示すグラフである。
【図12a】一実施例による反射防止部材を含む表示装置の視野角によるＳＣＥ反射率を示すグラフである。
【図12b】比較例の反射防止部材を含む表示装置の視野角によるＳＣＥ反射率を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0026】
本明細書において、ある構成要素（または領域、層、部分など）が他の構成要素の「上にある」、または「結合される」と言及されれば、それは他の構成要素の上に直接配置・連結・結合され得るか、またはそれらの間に第３の構成要素が配置され得ることを意味する。
【0027】
同じ図面符号は同じ構成要素を指す。また、図面において、構成要素の厚さ、割合、及び寸法は技術的内容の効果的な説明のために誇張されている。「及び／または」は、関連する構成要素が定義する一つ以上の組み合わせを全て含む。
【0028】
第１、第２などの用語は多様な構成要素を説明するのに使用されるが、前記構成要素は前記用語に限らない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的にのみ使用される。例えば、本発明の権利範囲を逸脱しないながらも第１構成要素は第２構成要素と命名されてもよく、類似して第２構成要素も第１構成要素と命名され得る。単数の表面は文脈上明白に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。
【0029】
また、「下に」、「下側に」、「上に」、「上側に」などの用語は、図面に示した構成要素の連関関係を説明するために使用される。前記用語は相対的な概念であって、図面に示した方向を基準に説明される。
【0030】
「含む」または「有する」などの用語は明細書の上に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、ステップ、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除しないと理解すべきである。
【0031】
異なるように定義されない限り、本明細書で使用された全ての用語（技術的及び科学的用語を含む）は、本発明の属する技術分野の当業者によって一般的に理解されるようなものと同じ意味を有する。また、一般的に使用される辞書で定義された用語と同じ用語は関連技術の脈絡で有する意味と一致する意味を有すると解釈すべきであり、ここで明示的に定義されない限り、過度に理想的であるか形式的な意味に解釈してはならない。
【0032】
以下では図面を参照して、本発明の一実施形態による電子装置について説明する。
【0033】
【0034】
図１を参照すると、電子装置ＥＤは表示面ＩＳを介して映像ＩＭを表示し得る。表示面ＩＳは、映像ＩＭが表示される表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡに隣接した非表示領域ＮＤＡとを含む。非表示領域ＮＤＡは、映像が表示されない領域である。
【0035】
表示領域ＤＡは四角形状であり得る。非表示領域ＮＤＡは表示領域ＤＡを囲み得る。但し、これに限らず、表示領域ＤＡの形状と非表示領域ＮＤＡの形状は相対的にデザインされてもよい。また、電子装置ＥＤの前面に非表示領域ＮＤＡが存在しなくてもよい。
【0036】
図１では電子装置ＥＤとして携帯用電子機器を例示的に示している。しかし、電子装置ＥＤはテレビ、モニタ、または外部広告板のような大型電子機器を初め、パソコン、ノートパソコン、ＰＤＡ、カーナビゲーションユニット、ゲーム機、スマートフォン、タブレット、及びカメラのような中小型電子装置などに使用されてもよい。また、これらは単に実施形態として提示されたものであって、本発明の概念から逸脱しない限り他の電子機器にも採用され得る。
【0037】
図２を参照すると、一実施形態の電子装置ＥＤは、表示装置ＤＤと、表示装置ＤＤの上部に配置されるウィンドウＷＭとを含み得る。表示装置ＤＤは映像を生成し得る。表示装置ＤＤについては後ほど詳細に説明する。
【0038】
ウィンドウＷＭは、光学的に透明な絶縁物質を含むことができる。また、ウィンドウＷＭは軟性を有することができる。例えば、ウィンドウＷＭはポリイミドなどの樹脂フィルム、樹脂基板、または薄膜のガラス基板を含むことができる。表示装置ＤＤで生成された映像はウィンドウＷＭを通過して電子装置ＥＤに表示されるものであってもよい。
【0039】
【0040】
図３及び図４を参照すると、一実施形態の表示装置ＤＤは、表示モジュールＤＭと、表示モジュールＤＭの上に配置される反射防止部材ＡＲとを含んでもよい。一実施形態の表示装置ＤＤは、表示モジュールＤＤと反射防止部材ＡＲとの間に配置されるベース基板ＢＬを更に含んでもよい。
【0041】
表示モジュールＤＭは、順次に積層される表示パネルＤＰと、光制御層ＣＣＬと、カラーフィルタ層ＣＦＬとを含んでもよい。表示パネルＤＰは、パネルベース層ＢＳと、パネルベース層ＢＳの上に提供される回路層ＤＰ－ＣＬと、表示素子層ＤＰ－ＥＤとを含んでもよい。表示素子層ＤＰ－ＥＤは、画素定義膜ＰＤＬと、画素定義膜ＰＤＬの間に配置される発光素子ＬＥＤと、発光素子ＬＥＤの上に配置される封止層ＴＦＥとを含むことができる。
【0042】
パネルベース層ＢＳは表示素子層ＥＰ－ＥＤが配置されるベース面を提供する部材であり得る。パネルベース層ＢＳはガラス基板、金属基板、プラスチック基板などであってもよい。しかし、実施形態はこれに限らず、パネルベース層ＢＳは無機層、有機層、または複合材料層であってもよい。
【0043】
一実施形態において、回路層ＤＰ－ＣＬはパネルベース層ＢＳの上に配置され、回路層ＤＰ－ＣＬは複数のトランジスタ（図示せず）を含んでもよい。トランジスタ（図示せず）は、それぞれ制御電極と、入力電極と、出力電極とを含み得る。例えば、回路層ＤＰ－ＣＬは、表示素子層ＤＰ－ＥＤの発光素子ＬＥＤを駆動するためのスイッチングトランジスタと駆動トランジスタとを含んでもよい。
【0044】
発光素子ＬＥＤのそれぞれは、第１電極ＥＬ１と、正孔輸送領域ＨＴＲと、発光層ＥＭＬと、電子輸送領域ＥＴＲと、第２電極ＥＬ２とを含んでもよい。正孔輸送領域ＨＴＲ、発光層ＥＭＬ、電子輸送領域ＥＴＲ、及び第２電極ＥＬ２は発光素子ＬＥＤ全体で共通層として提供されてもよい。発光素子ＬＥＤは単一な波長の第１色光を発光してもよい。例えば、発光素子ＬＥＤが発光する第１色光は青色光であってもよい。
【0045】
図示とは異なって、一実施形態において、正孔輸送領域ＨＴＲ、発光層ＥＭＬ、及び電子輸送領域ＥＴＲは画素定義膜ＰＤＬに定義される開口部ＯＨ内にパターニングされて提供されもよい。例えば、一実施形態において、発光素子ＬＥＤの正孔輸送領域ＨＴＲ、発光層ＥＭＬ、及び電子輸送領域ＥＴＲなどはインクジェットプリンティング法でパターニングされて提供されてもよい。発光層ＥＭＬがパターニングされて提供される場合、それぞれの発光層ＥＭＬは、同じ波長領域の第１色光を発光してもよい。第１色光は青色光であってもよい。
【0046】
封止層ＴＦＥは発光素子ＬＥＤをカバーすることができる。封止層ＴＦＥは、表示素子層ＤＰ－ＥＤを密封してもよい。封止層ＴＦＥは薄膜封止層であってもよい。封止層ＴＦＥは一層または複数の層が積層されたものであってもよい。封止層ＴＦＥは少なくとも一つの絶縁層を含む。一実施形態による封止層ＴＦＥは、少なくとも一つの無機膜（以下、封止無機膜）を含むことができる。また、一実施形態による封止層ＴＦＥは、少なくとも一つの有機膜（以下、封止有機膜）と、少なくとも一つの封止無機膜とを含むことができる。
【0047】
封止無機膜は、水分／酸素から表示素子層ＤＰ－ＥＤを保護し、封止有機膜はほこり粒子のような異物から表示素子層ＤＰ－ＥＤを保護する。封止無機膜は、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化シリコン、酸化チタン、または酸化アルミニウムなどを含んでもよいが、特にこれに限らない。封止有機膜はアクリル系化合物、エポキシ系化合物などを含み得る。封止有機膜は光重合可能な有機物質を含み得るが、特にこれに限らない。
【0048】
封止層ＴＦＥは、第２電極ＥＬ２の上に配置され、開口部ＯＨを埋めて配置することができる。
【0049】
光制御層ＣＣＬは、表示パネルＤＰの上に配置することができる。光制御層ＣＣＬは光変換体を含んでもよい。光変換体は量子ドットまたは蛍光体などであってもよい。光変換体は、提供された光を波長変換して発光してもよい。つまり、光制御層ＣＣＬは量子ドットを含む層であるか、または蛍光体を含む層であってもよい。
【0050】
光制御層ＣＣＬは、複数個の光制御部ＣＣＰ１、ＣＣＰ２、ＣＣＰ３を含んでもよい。光制御部ＣＣＰ１、ＣＣＰ２、ＣＣＰ３は互いに離隔されてもよい。
【0051】
図４を参照すると、互いに離隔されている光制御部ＣＣＰ１、ＣＣＰ２、ＣＣＰ３の間に分割パターンＢＭＰが提供されるが、実施形態はこれに限らない。図４では分割パターンＢＭＰは光制御部ＣＣＰ１、ＣＣＰ２、ＣＣＰ３と重畳しないと示されているが、光制御部ＣＣＰ１、ＣＣＰ２、ＣＣＰ３の端は分割パターンＢＭＰと少なくとも一部が重畳してもよい。
【0052】
光制御層ＣＣＬは、発光素子ＬＥＤから提供される第１色光を第２色光に変換する第１量子ドットＱＤ１を含む第１光制御部ＣＣＰ１と、第１色光を第３色光に変換する第２量子ドットＱＤ２を含む第２光制御部ＣＣＰ２と、第１色光を透過させる第３光制御部ＣＣＰ３とを含んでもよい。
【0053】
一実施形態において、第１光制御部ＣＣＰ１は第２色光である赤色光を提供し、第２光制御部ＣＣＰ２は第３色光である緑色光を提供してもよい。第３光制御部ＣＣＰ３は、発光素子ＬＥＤから提供された第１色光である青色光を透過させて提供することができる。例えば、第１量子ドットＱＤ１は赤色の量子ドットであり、第２量子ドットＱＤ２は緑色の量子ドットであってもよい。
【0054】
第１量子ドットＱＤ１及び第２量子ドットＱＤ２それぞれのコアはＩＩ－ＶＩ族化合物、ＩＩＩ－ＶＩ族化合物、Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族、ＩＩＩ－Ｖ族化合物、ＩＩＩ－ＩＩ－Ｖ族化合物、ＩＩＶ－ＶＩ族化合物、ＩＶ族元素、ＩＶ族化合物、及びこれらの組み合わせから選択することができる。
【0055】
ＩＩ－ＶＩ族化合物は、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＭｇＳｅ、ＭｇＳ、及びこれらの混合物からなる群より選択される二元化合物、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｅＺｎＳｅ、ＨｅＺｎＴｅ、ＭｇＺｎＳｅ、ＭｇＺｎＳ、及びこれらの混合物からなる群より選択される三元化合物、及びＨｇＺｎＴｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択される四元化合物からなる群より選択することができる。
【0056】
ＩＩＩ－ＶＩ族化合物は、Ｉｎ２Ｓ３、Ｉｎ２Ｓｅ３などのような二元化合物、ＩｎＧａＳ３、ＩｎＧａＳｅ３などのような三元化合物、またはこれらの任意の組み合わせを含みむことができる。
【0057】
Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族化合物は、ＡｇＩｎＳ、ＡｇＩｎＳ２、ＣｕＩｎＳ、ＣｕＩｎＳ２、ＡｇＧａＳ２、ＣｕＧａＳ２、ＣｕＧａＯ２、ＡｇＧａＯ２、ＡｇＡｌＯ２及びこれらの混合物からなる群より選択される三元化合物、またはＡｇＩｎＧａＳ２、ＣｕＩｎＧａＳ２などの四元化合物から選択することができる。
【0058】
ＩＩＩ－Ｖ族化合物は、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、及びこれらの混合物からなる群より選択される二元化合物と、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＮＳｂ、ＧａＰＡｓ、ＧａＰＳｂ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＮＳｂ、ＡｌＰＡｓ、ＡｌＰＳｂ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＡｌＰ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＮＳｂ、ＩｎＰＡｓ、ＩｎＰＳｂ、及びこれらの混合物からなる群より選択される三元化合物と、ＧａＡｌＮＰ、ＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＮＳｂ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＡｌＰＳｂ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＳｂ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＰＳｂ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＩｎＡｌＮＳｂ、ＩｎＡｌＰＡｓ、ＩｎＡｌＰＳｂ、及びこれらの混合物からなる群より選択される四元化合物とからなる群より選択することができる。一方、ＩＩＩ－Ｖ族化合物はＩＩ族金属を更に含むことができる。例えば、ＩＩＩ－ＩＩ－Ｖ族化合物としてＩｎＺｎＰなどが選択することができる。
【0059】
ＩＶ－ＶＩ族化合物は、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択される二元化合物と、ＳｎＳｅＳ、ＳｎＳｅＴｅ、ＳｎＳＴｅ、ＰｂＳｅＳ、ＰｂＳｅＴｅ、ＰｂＳＴｅ、ＳｎＰｂＳ、ＳｎＰｂＳｅ、ＳｎＰｂＴｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択される三元化合物と、ＳｎＰｂＳＳｅ、ＳｎＰｂＳｅＴｅ、ＳｎＰｂＳＴｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択される四元化合物とからなる群より選択することができる。ＩＶ族元素は、Ｓｉ、Ｇｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択することができる。ＩＶ族化合物は、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択される二元化合物であってもよい。
【0060】
このとき、二元化合物、三元化合物、または四元化合物は均一な濃度で粒子内に存在するか、濃度分布が部分的に異なる状態に分けられて同一粒子内に存在してもよい。また、一つの量子ドットが他の量子ドットを囲むコア／シェル構造を有してもよい。コア／シェル構造において、シェルに存在する元素の濃度がコアに行くほど低くなる濃度勾配（ｇｒａｄｉｅｎｔ）を有することができる。
【0061】
いくつかの実施形態において第１量子ドットＱＤ１及び第２量子ドットＱＤ２は上述したナノ結晶を含むコアと、前記コアを囲むシェルとを含むコア－シェル構造を有することができる。第１量子ドットＱＤ１及び第２量子ドットＱＤ２のシェルは、第１量子ドットＱＤ１及び第２量子ドットＱＤ２のコアの化学的変性を防止して半導体特性を維持するための保護層の役割、及び／または量子ドットに電気泳動特性を与えるためのチャージング層（ｃｈａｒｇｉｎｇ ｌａｙｅｒ）の役割をすることができる。第１量子ドットＱＤ１及び第２量子ドットＱＤ２のシェルは単層または多重層であってもよい。前記量子ドットのシェルの例としては、金属または非金属の酸化物、半導体化合物、またはこれらの組み合わせなどが挙げられる。
【0062】
例えば、前記金属または非金属の酸化物は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＭｎＯ、Ｍｎ２Ｏ３、Ｍｎ３Ｏ４、ＣｕＯ、ＦｅＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４、ＮｉＯなどの二元化合物、またはＭｇＡｌ２Ｏ４、ＣｏＦｅ２Ｏ４、ＮｉＦｅ２Ｏ４、ＣｏＭｎ２Ｏ４などの三元化合物などが挙げられるが、本発明はこれに限らない。
【0063】
また、前記半導体化合物は、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＴｅＳ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＳｂ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＳｂ、ＡｌＡｓ、ＡｌＰ、ＡｌＳｂなどが挙げられるが、本発明はこれに限らない。
【0064】
第１量子ドットＱＤ１及び第２量子ドットＱＤ２は約４５ｎｍ以下、好ましくは約４０ｎｍ以下、より好ましくは約３０ｎｍ以下の発光波長スペクトルの半値幅（ｆｕｌｌ ｗｉｄｔｈ ｏｆ ｈａｌｆ ｍａｘｉｍｕｍ、ＦＷＨＭ）を有し、この範囲で色純度や色再現性を向上させることができる。また、第１量子ドットＱＤ１及び第２量子ドットＱＤ２を介して発光される光は全方向に発光されるため、光視野角を向上させることができる。
【0065】
また、第１量子ドットＱＤ１及び第２量子ドットＱＤ２の形態は当分野で一般的に使用する形態のものであって特に限らないが、より詳しくは、球状、ピラミッド状、多腕（ｍｕｌｔｉ－ａｒｍ）状、立方体（ｃｕｂｉｃ）のナノ粒子、ナノチューブ、ナノワイヤ、ナノ繊維、ナノ板状粒子などの形態のものを使用することができる。
【0066】
また、光制御層ＣＣＬは散乱体ＳＰを更に含んでもよい。第１光制御部ＣＣＰ１は第１量子ドットＱＤ１と散乱体ＳＰを含み、第２光制御部ＣＣＰ２は第２量子ドットＱＤ２と散乱体ＳＰを含み、第３光制御部ＣＣＰ３は量子ドットを含まずに散乱体ＳＰを含んでもよい。
【0067】
散乱体ＳＰは無機粒子であってもよい。例えば、散乱体ＳＰは、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、及び中空シリカのうち少なくとも一つを含んでもよい。散乱体ＳＰは、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、及び中空シリカのうち少なくともいずれか一つを含むものであるか、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、及び中空シリカのうちから選択される２種以上の物質が混合されたものであってもよい。
【0068】
第１光制御部ＣＣＰ１、第２光制御部ＣＣＰ２、及び第３光制御部ＣＣＰ３それぞれは、量子ドットＱＤ１、ＱＤ２及び散乱体ＳＰを分散させるベース樹脂ＢＲ１、ＢＲ２、ＢＲ３を含むことができる。一実施形態において、第１光制御部ＣＣＰ１は第１ベース樹脂ＢＲ１内に分散された第１量子ドットＱＤ１と散乱体ＳＰを含み、第２光制御部ＣＣＰ２は第２ベース樹脂ＢＲ２内に分散された第２量子ドットＱＤ２と散乱体ＳＰを含み、第３光制御部ＣＣＰ１は第３ベース樹脂ＢＲ３内に分散された散乱体ＳＰを含んでもよい。ベース樹脂ＢＲ１、ＢＲ２、ＢＲ３は量子ドットＱＤ１、ＱＤ２及び散乱体ＳＰが分散される媒質であって、一般にバインダと称されることがある多様な樹脂組成物からなることができる。例えば、ベース樹脂ＢＲ１、ＢＲ２、ＢＲ３は、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコン系樹脂、エポキシ系樹脂などであることができる。ベース樹脂ＢＲ１、ＢＲ２、ＢＲ３は、透明樹脂であることができる。一実施形態において、第１ベース樹脂ＢＲ１、第２ベース樹脂ＢＲ２、及び第３ベース樹脂ＢＲ３のそれぞれは互いに同じであるか異なってもよい。
【0069】
光制御層ＣＣＬはバリア層ＢＦＬ１を含んでもよい。バリア層ＢＦＬ１は、水分及び／または酸素（以下、「水分／酸素」と称する）の浸透を防ぐ役割をしてもよい。バリア層ＢＦＬ１は光制御部ＣＣＰ１、ＣＣＰ２、ＣＣＰ３の上に配置されて光制御部ＣＣＰ１、ＣＣＰ２、ＣＣＰ３が水分／酸素に露出されることを遮断することができる。一方、バリア層ＢＦＬ１は光制御部ＣＣＰ１、ＣＣＰ２、ＣＣＰ３をカバーすることができる。また、光制御部ＣＣＰ１、ＣＣＰ２、ＣＣＰ３とカラーフィルタ層ＣＦＬとの間にもバリア層ＢＬＦ２が提供されてもよい。
【0070】
バリア層ＢＦＬ１、ＢＦＬ２は少なくとも一つの無機層を含んでもよい。つまり、バリア層ＢＦＬ１、ＢＦＬ２は無機物質を含んで形成されることができる。例えば、バリア層ＢＦＬ１、ＢＦＬ２は、シリコン窒化物、アルミニウム窒化物、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物、チタン酸化物、錫酸化物、セリウム酸化物、及びシリコン酸化窒化物や、光透過率が確保された金属薄膜などを含んで形成されることができる。一方、バリア層ＢＦＬ１、ＢＦＬ２は有機膜を更に含むことができる。バリア層ＢＦＬ１、ＢＦＬ２は単一層または複数の層からなってもよい。
【0071】
一実施形態の表示装置ＤＤにおいて、カラーフィルタ層ＣＦＬは光制御層ＣＣＬの上に配置することができる。例えば、カラーフィルタ層ＣＦＬは色制御層ＣＣＬの上に直接配置することができる。この場合、バリア層ＢＦＬ２は省略されてもよい。
【0072】
光制御層ＣＣＬとカラーフィルタ層ＣＦＬとの間に低屈折層ＬＲＬが配置することができる。低屈折層ＬＲＬは、低屈折層ＬＲＬに隣接したカラーフィルタ層ＣＦＬより低い屈折率を有する層であることができる。低屈折層ＬＲＬは光制御層ＣＣＬからカラーフィルタ層ＣＦＬの方向に発光される青色光のうち一部を全反射させて光制御層ＣＣＬに再入射させることができる。青色光は発光素子ＥＤから発光される光であってもよい。青色光のうち一部は光制御層ＣＣＬに含まれる第１光制御部ＣＣＰ１または第２光制御部ＣＣＰ２に再入射させることができる。上述したように、第１光制御部ＣＣＰ１は再入射された青色光を赤色光に変換させることができ、第２光制御部ＣＣＰ２は再入射された青色光を緑色光に変換させることができる。このような光の再循環によって表示装置ＤＤの光効率を向上させることができる。
【0073】
カラーフィルタ層ＣＦＬは、第１カラーフィルタＣＦ－１と、第２カラーフィルタＣＦ－２と、第３カラーフィルタＣＦ－３とを含むことができる。第１フィルタＣＦ－１は第２色光を透過させ、第２フィルタＣＦ－２は第３色光を透過させ、第３フィルタＣＦ－３は第１色光を透過させることができる。例えば、第１フィルタＣＦ－１は赤色フィルタ、第２フィルタＣＦ－２は緑色フィルタで、第３フィルタＣＦ－３は青色フィルタである。
【0074】
第１フィルタＣＦ－１は赤色発光領域ＰＸＡ－Ｒ及び非発光領域ＮＰＸＡに提供され、第２フィルタＣＦ－２は緑色発光領域ＰＸＡ－Ｇ及び非発光領域ＮＰＸＡに提供することができる。また、第３フィルタＣＦ－３は青色発光領域ＰＸＡ－Ｂ及び非発光領域ＮＰＸＡに提供することができる。非発光領域ＮＰＸＡにおいて、第１～第３フィルタＣＦ－１、ＣＦ－２、ＣＦ－３のうち少なくとも２つのフィルタは互いに重畳することができる。例えば、非発光領域ＮＰＸＡにおいて、第１～第３フィルタＣＦ－１、ＣＦ－２、ＣＦ－３がいずれも重畳することができる。但し、実施形態はこれに限らず、非発光領域に第１～第３フィルタが提供されず、有機遮光物質または無機遮光物質を含むブラックマトリックスが提供されてもよい。
【0075】
第１～第３フィルタＣＦ－１、ＣＦ－２、ＣＦ－３のそれぞれは、高分子感光樹脂と顔料、または染料を含むことができる。但し、実施形態はこれに限らず、第３フィルタＣＦ－３は顔料または染料を含まなくてもよい。第３フィルタＣＦ－３は透明であってもよい。また、第１フィルタＣＦ－１と第２フィルタＣＦ－２は黄色（ｙｅｌｌｏｗ）フィルタであってもよい。第１フィルタＣＦ－１と第２フィルタＣＦ－２は互いに区分されずに一体に提供してもよい。カラーフィルタ層ＣＦＬの上にはベース基板ＢＬが配置されることができる。ベース基板ＢＬは、カラーフィルタ層ＣＦＬ及び光制御層ＣＣＬなどが配置されるベース面を提供する部材であってもよい。ベース基板ＢＬは、ガラス基板、金属基板、プラスチック基板などであってもよい。しかし、実施形態はこれに限らず、ベース基板ＢＬは無機層、有機層、または複合材料層であってもよい。また、図示とは異なって、一実施形態においてベース基板ＢＬは省略されてもよい。
【0076】
表示装置ＤＤは、非発光領域ＮＰＸＡと、発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂとを含むことができる。発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂそれぞれは発光素子ＬＥＤそれぞれから生成された第１色光が光制御層ＣＣＬを通過して変換された第１～第３色光が発光される領域であってもよい。発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂは平面上で互いに離隔されてもよい。
【0077】
発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂそれぞれは画素定義膜ＰＤＬで区分される領域であってもよい。非発光領域ＮＰＸＡは隣り合う発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂの間の領域であって、画素定義膜ＰＤＬと対応する領域であってもよい。一方、本明細書において、発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂそれぞれは画素（Ｐｉｘｅｌ）に対応してもよい。画素定義膜ＰＤＬは発光素子ＬＥＤを区分してもよい。
【0078】
発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂは、光制御部ＣＣＰ１、ＣＣＰ２、ＣＣＰ３から提供される光の色によって複数個のグループに区分することができる。詳しくは、発光層ＥＭＬから提供される第１色光が光制御部ＣＣＰ１、ＣＣＰ２、ＣＣＰ３を通過しながら変換された第１～第３色光の色によって発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂが複数個のグループに区分することができる。図３及び図４に示した一実施形態の表示装置ＤＤでは赤色光、緑色光、及び青色光を発光する３つの発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂを例示的に示している。例えば、一実施形態の表示装置ＤＤは、互いに区分される赤色発光領域ＰＸＡ－Ｒ、緑色発光領域ＰＸＡ－Ｇ、及び青色発光領域ＰＸＡ－Ｂを含むことができる。
【0079】
一実施形態による表示装置ＤＤにおける発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂは縞状に配列されてもよい。図３を参照すると、複数個の赤色発光領域ＰＸＡ－Ｒ、複数個の緑色発光領域ＰＸＡ－Ｇ、及び複数個の青色発光領域ＰＸＡ－Ｂが、それぞれ第２方向軸ＤＲ２に沿って整列されてもよい。また、第１方向軸ＤＲ１に沿って赤色発光領域ＰＸＡ－Ｒ、緑色発光領域ＰＸＡ－Ｇ、及び青色発光領域ＰＸＡ－Ｂの順に交互に配列されてもよい。
【0080】
図３及び図４では発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂの面積がいずれも類似しているように示しているが、実施形態はこれに限らず、発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂの面積は発光する光の波長領域によって互いに異なってもよい。一方、発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂの面積は、第１方向軸ＤＲ１と第２方向軸ＤＲ２が定義する平面上から見た際の面積を意味することができる。
【0081】
一方、発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂの配列形態は図３の図示に限らず、赤色発光領域ＰＸＡ－Ｒ、緑色発光領域ＰＸＡ－Ｇ、及び青色発光領域ＰＸＡ－Ｂが配列される順番は、表示装置ＤＤから要求される表示品質の特性に応じて多様に組み合わせられて提供することができる。例えば、発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂの配列形態はペンタイル（ｐｅｎｔｉｌｅ）（登録商標）配列形態であるか、ダイヤモンド配列形態を有してもよい。
【0082】
また、発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂの面積は互いに異なってもよい。例えば、一実施形態において、緑色発光領域ＰＸＡ－Ｇの面積が青色発光領域ＰＸＡ－Ｂの面積より小さくてもよいが、実施形態はこれに限らない。
【0083】
反射防止部材ＡＲは低い反射率を有し、外部光を遮断する層であってもよい。反射防止部材ＡＲは屈折率が異なる複数の層を有し、相殺干渉によって外部光を遮断する層であってもよい。反射防止部材ＡＲについては後ほど詳細に説明する。
【0084】
【0085】
図５及び図６を参照すると、反射防止部材ＡＲは、ベース層ＴＡＣと、ハードコーティング層ＨＣと、第１光学層ＨＲと、第２光学層ＬＲとを含んでもよい。反射防止部材ＡＲは表示モジュールＤＲの上部に直接配置されてもよい。但し、これは例示的なものであって、実施形態はこれに限らず、反射防止部材ＡＲと表示モジュールＤＭとの間に粘着層（図示せず）が配置されてもよい。
【0086】
図５を参照すると、第１光Ｌ１－１は反射防止部材ＡＲから表示モジュールＤＭの方向に入射する外光であってもよい。第１光Ｌ１－１は反射防止部材ＡＲの表面から一部反射され、残部は反射防止部材ＡＲを透過してもよい。反射防止部材ＡＲの表面から一部反射された第２光Ｌ１－２の光量を調節すれば、反射防止部材ＡＲを透過して表示モジュールＤＭの表面から反射された第３光Ｌ１－３の光量を調節することができる。表示装置ＤＤに入射して反射された反射光がユーザに視認される色は、第２光Ｌ１－２の光量と第３光Ｌ１－３の光量の比率によって決定することができる。例えば、ユーザに視認される反射光の色は表示モジュールＤＭのＳＣＥ（Ｓｐｅｃｕｌａｒ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ Ｅｘｃｌｕｄｅｄ）反射光によって決定されてもよい。
【0087】
反射防止部材ＡＲは、３５０ｎｍ以上３７０ｎｍ未満の波長の光に対するＳＣＩ反射率が４％以上７％以下であることができる。反射防止部材ＡＲの３５０ｎｍ以上３７０ｎｍ未満の波長の光に対するＳＣＩ反射率が増加するほど、第１光Ｌ１－１のうち３５０ｎｍ以上３７０ｎｍ未満の波長の光は第２光Ｌ１－２と同じ経路で反射防止部材ＡＲから反射される比率が増加し、第３光Ｌ１－３と同じ経路で反射防止部材ＡＲを透過して表示モジュールＤＭに入射する比率が減少してもよい。その結果、表示モジュールＤＭから反射される３５０ｎｍ以上３７０ｎｍ未満の波長の光の光量が減少することができる。
【0088】
また、一実施形態の反射防止部材ＡＲは、３５０ｎｍ以上３７０ｎｍ未満の波長の光に対するＳＣＩ反射率が４％以上７％以下であれば、表示装置ＤＤの電源がＯＦＦされた状態でユーザに視認される反射光の色が純水な黒色（ｎｅｕｔｒａｌ ｂｌａｃｋ）であってもよい。表示装置ＤＤが電源がＯＦＦされた状態でユーザに視認される反射光の色が純粋な黒色であれば、表示装置ＤＤの電源がＯＮされた状態で生成する映像に対して反射光の干渉が減って、表示装置ＤＤの表示品質を向上させることができる。
【0089】
反射防止部材ＡＲは４５０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下の波長の光に対するＳＣＩ反射率が０％以上０．３％以下であることができる。反射防止部材ＡＲの４５０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下の波長の光に対するＳＣＩ反射率が０．３％を超過すれば、表示装置ＤＤが電源がＯＦＦされた状態でユーザに視認される反射光の色を純粋な黒色に具現することができず、表示装置ＤＤの表示品質が低下することがある。
【0090】
反射防止部材ＡＲは５４０ｎｍ以上５６０ｎｍ以下の波長の光に対するＳＣＩ反射率が０％以上０．２％以下であることができる。反射防止部材ＡＲの５４０ｎｍ以上５６０ｎｍ以下の波長の光に対するＳＣＩ反射率が０．２％を超過すれば、反射防止部材ＡＲの反射防止機能が損なわれることがある。
【0091】
反射防止部材ＡＲは７１０ｎｍ以上７３０ｎｍ以下の波長の光に対するＳＣＩ反射率が０％以上０．６％以下であることができる。反射防止部材ＡＲの７１０ｎｍ以上７３０ｎｍ以下の波長の光に対するＳＣＩ反射率が０％以上０．６％以下であれば、ユーザが視野角ＡＧが１０度～６０度のところから表示装置ＤＤを見る際、表示装置ＤＤが電源がＯＦＦされた状態で反射光がユーザにやや赤く（ｒｅｄｄｉｓｈ）視認される減少を改善することができる。
【0092】
図６を参照すると、ベース層ＴＡＣは表示モジュールＤＭに隣接して配置されてもよい。ベース層ＴＡＣは高強度と優れた平坦化特性を有する有機物を含んでもよい。例えば、ベース層ＴＡＣはトリアセチルセルロースを含んでもよい。ベース層ＴＡＣは表示モジュールＤＭの上に配置されて平坦な上面を提供することができる。
【0093】
ハードコーティング層ＨＣは、ベース層ＴＡＣの上に配置されてもよい。ハードコーティング層ＨＣは反射防止部材ＡＲに耐久性を提供してもよい。ハードコーティング層は屈折率が１．３以上１．６以下であることができる。
【0094】
第１光学層ＨＲは、ハードコーティング層ＨＣの上に配置されされてもよい。第１光学層ＨＲの第１屈折率は、第２光学層ＬＲの第２屈折率より大きいのであってもよい。第１光学層ＨＲは酸化金属を含んでもよい。例えば、第１光学層ＨＲは、酸化ジルコニウム（ＺｒＯｘ）を含んでもよい。但し、これは例示的なものであって、実施形態はこれに限らず、第１屈折率を第２屈折率より大きく具現し得るものであれば第１光学層ＨＲの材料として制限なく使用することができる。
【0095】
第２光学層ＬＲは、第１光学層ＨＲの上に配置されてもよい。第２光学層ＬＲの第２屈折率は第１光学層ＨＲの第１屈折率より小さいのであってもよい。第２光学層ＬＲは第１光学層ＨＲと互いに異なる材料を含んでもよい。第２光学層ＬＲは第１光学層ＨＲの材料より屈折率が小さい材料を含んでもよい。
【0096】
第２光学層ＬＲは、ベース部ＢＰと、ベース部ＢＰに分散されている無機粒子ＨＰとを含んでもよい。ベース部ＢＰは硬化可能な有機物を含んでもよい。例えば、ベース部ＢＰはシリコン樹脂であってもよい。しかし、これは例示的なものであって、実施形態はこれに限らない。
【0097】
無機粒子ＨＰは、中空シリカを含んでもよい。中空シリカは球状を有することができる。中空シリカの大きさは均一であってもよい。但し、これは例示的なものであって、実施形態はこれに限らない。例えば、中空シリカの大きさは不均一であってもよい。一方、中空シリカの平均直径は１５μｍ以上４５μｍ以下であることができる。中空シリカの平均直径が１５μｍ未満であれば反射防止特性が弱化し、中空シリカの平均直径が４５μｍを超過すれば透過度特性を損なうことがある。
【0098】
第１光学層ＨＲの屈折率は、１．４以上１．７以下であることができる。第２光学層ＬＲの屈折率は、１．０以上１．３以下であることができる。第１光学層ＨＲの厚さＴ１は８０μｍ以上９０μｍ以下であることができる。第２光学層ＬＲの厚さＴ２は９０μｍ以上１００μｍ以下であることができる。第１光学層ＨＲの屈折率が１．４以上１．７以下で、第２光学層ＬＲの屈折率が１．０以上１．３以下で、第１光学層ＨＲの厚さＴ１は８０μｍ以上９０μｍ以下で、第２光学層ＬＲの厚さＴ２は９０μｍ以上１００μｍ以下であれば、ユーザに反射光が純粋な黒色で視認することができる。
【0099】
第１光学層ＨＲの厚さＴ１と第２光学層ＬＲの厚さＴ２の和は、１９０μｍ以下であることができる。第１光学層ＨＲの厚さＴ１と第２光学層ＬＲの厚さＴ２の和が１９０μｍを超過すれば、反射防止部材ＡＲの５４０ｎｍ以上５６０ｎｍ以下の光に対するＳＣＩ反射率が増加し、反射防止部材ＡＲの反射防止機能がそこなわれることがある。
【0100】
一実施形態の反射防止部材ＡＲは、従来の反射防止部材に比べ第１光学層ＨＲの厚さＴ１と第２光学層ＬＲの厚さＴ２を厚く調節して、反射防止部材ＡＲの反射率を調節したものである。例えば、一実施形態の反射防止部材ＡＲは、第１光学層ＨＲの厚さＴ１を従来の第１光学層の厚さより約１０％厚く調節し、第２光学層ＬＲの厚さＴ２を従来の第２光学層の厚さより約９％厚く調節したものであってもよい。一実施形態の反射防止部材ＡＲは第１光学層ＨＲの厚さＴ１と第２光学層ＬＲの厚さＴ２を厚く調節することで、青色光に対する高いＳＣＩ反射率を有し、緑色光に対する低いＳＣＩ反射率を有することができる。反射防止部材ＡＲが青色光に対する高いＳＣＩ反射率を有すれば、反射防止部材ＡＲを透過して表示モジュールＤＭに入射する青色光の光量が減少し、表示モジュールＤＭから反射される青色光の光量が減少することができる。また、反射防止部材ＡＲが緑色光に対して低いＳＣＩ反射率を有して、反射防止部材ＡＲから反射される緑色光の光量が減少することができる。それによって、異なる波長領域の光の反射率を調節し、表示装置ＤＤが電源がＯＦＦされた状態でユーザに視認される反射光の色を純粋な黒色に具現することができる。
【0101】
【0102】
【0103】
図７を参照すると、一実施形態の表示装置ＤＤ－１には光制御層ＣＣＬの上にカラーフィルタ層ＣＦＬ－１が直接配置されてもよい。カラーフィルタ層ＣＦＬ－１は、第１フィルタＣＦ１と、第２フィルタＣＦ２と、第３フィルタＣＦ３とを含んでもよい。カラーフィルタ層ＣＦＬ－１は遮光部ＢＭ（図４）を含まないのであってもよい。カラーフィルタ層ＣＦＬ－１の上に反射防止部材ＡＲが直接配置されされてもよい。つまり、ベース基板ＢＬ（図４）を含まない表示モジュールＤＭの上に反射防止部材ＡＲが直接配置されてもよい。光制御層ＣＣＬ、カラーフィルタ層ＣＦＬ－１、及び反射防止部材ＡＲは連続工程によって形成されてもよい。
【0104】
図８ａは、一実施例の反射防止部材のＳＣＩ反射率を示すグラフである。図８ｂは、比較例の反射防止部材のＳＣＩ反射率を示すグラフである。図９ａは、一実施例の反射防止部材を含む表示装置のＳＣＥ反射率を示すグラフである。図９ｂは、比較例の反射防止部材を含む表示装置のＳＣＥ反射率を示すグラフである。図８ａ及び図８ｂに示した反射防止部材のＳＣＩ反射率は、図６で説明した反射防止部材ＡＲ（図６）を黒板の上に配置した後で測定したものである。図９ａ及び図９ｂに示した表示装置のＳＣＥ反射率は、図４で説明した表示装置ＤＤのＳＣＥ反射率を測定したものである。図８ａ及び図９ａで説明する実施例の反射防止部材は、波長が３５０ｎｍ以上３７０ｎｍ以下の光に対するＳＣＩ反射率が４％以上７％以下である。図８ｂ及び図９ｂで説明する比較例の反射防止部材は、波長が、波長が３５０ｎｍ以上３７０ｎｍ以下の光に対するＳＣＩ反射率が４％未満である場合を除いては実施例と同じ構造である。
【0105】
図８ａ及び図８ｂを参照すると、実施例の反射防止部材は、比較例の反射防止部材に比べ波長が３５０ｎｍ以上３７０ｎｍ以下の光に対するＳＣＩ反射率が大きいことを確認することができる。また、図９ａ及び図９ｂを参照すると、実施例の表示装置は、比較例の表示装置に比べ波長が３５０ｎｍ以上３７０ｎｍ以下の光に対するＳＣＥ反射率が大きいことを確認することができる。
【0106】
下記表１では、実施例の表示装置ＤＤ（図５）と比較例の表示装置それぞれの反射光のＳＣＥ色座標を測定して下記表１に示している。表示装置の反射光のＳＣＥ色座標は、表示装置の電源がＯＦＦされた状態での反射光のＳＣＥ色座標を測定した。
【0107】
【表1】
【0108】
ＳＣＥ色座標がＸ＝０．３１０、Ｙ＝０．３３０に近いほどユーザに反射光が純粋な黒色に近く認識される。表１を参照すると、実施例のＳＣＥ色座標はＸ＝０．３０５、Ｙ＝０．２８４で、比較例のＳＣＥ色座標はＸ＝０．２８８、Ｙ＝０．２４６である。よって、実施形態の表示装置ＤＤ（図４）の反射光が比較例の表示装置の反射光に比べユーザに純粋な黒色に近く視認することができる。
【0109】
図１０は、一実施例の反射防止部材の波長によるＳＣＩ反射率を示すものである。
【0110】
図１０を参照すると、グラフの上にそれぞれ実施例１～実施例６の反射防止部材ＡＲ（図５）の波長によるＳＣＩ反射率を示している。実施例１～実施例６の反射防止部材ＡＲ（図５）は、波長が３５０ｎｍ以上３７０ｎｍ以下の光に対するＳＣＩ反射率がいずれも４％以上７％以下の範囲で差異を有する。実施例１～実施例６は、降順に波長が３５０ｎｍ以上３７０ｎｍ以下の光に対するＳＣＩ反射率のより低い値を有する。実施例１～実施例６の反射防止部材ＡＲ（図５）を含む表示装置ＤＤ（図５）において、表示装置ＤＤ（図５）に入射した第１光Ｌ１－１に対する第３光Ｌ１－３の比率（以下、表示モジュールのＳＣＩ反射率）、及び反射光のＳＣＥ色座標を下記表２に示す。
【0111】
【表2】
【0112】
表２を参照すると、波長が３５０ｎｍ以上３７０ｎｍ以下の光に対して反射防止部材ＡＲ（図５）のＳＣＩ反射率が減少するほど、波長が３５０ｎｍ以上３７０ｎｍ以下の光に対して表示モジュールＤＭ（図５）のＳＣＩ反射率が増加することが分かる。これは、反射防止部材ＡＲ（図５）から反射される第２光Ｌ１－２の光量が増加すれば、表示モジュールＤＭ（図５）に入射される光量が減少して表示モジュールＤＭ（図５）から反射される第３光Ｌ１－３の光量が減少することに起因すると考えられる。よって、波長が３５０ｎｍ以上３７０ｎｍ以下の光に対して反射防止部材ＡＲ（図５）のＳＣＩ反射率を調節し、波長が３５０ｎｍ以上３７０ｎｍ以下の光に対する表示モジュールＤＭ（図５）のＳＣＩ反射率を調節することができる。
【0113】
また、波長が３５０ｎｍ以上３７０ｎｍ以下の光に対して反射防止部材ＡＲ（図５）のＳＣＩ反射率が増加するほど、ＳＣＥ色座標のＸ値及びＹ値がそれぞれ増加することを確認することができる。よって、波長が３５０ｎｍ以上３７０ｎｍ以下の光に対して反射防止部材ＡＲ（図５）のＳＣＩ反射率を調節すれば、ＳＣＥ色座標の値を調節できることを確認することができる。
【0114】
図１１ａは、実施例の反射防止部材の波長によるＳＣＩ反射率を示すグラフである。図１１ｂは、比較例の反射防止部材の波長によるＳＣＩ反射率を示すグラフである。図１２ａは、一実施例による反射防止部材を含む表示装置の光の波長の長さによるＳＣＥ反射率を示すグラフである。図１２ｂは、比較例の反射防止部材を含む表示装置の光の波長の長さによるＳＣＥ反射率を示すグラフである。図１１ａ及び図１１ｂに示した反射防止部材のＳＣＩ反射率は、図６で説明した反射防止部材ＡＲ（図６）を黒板の上に配置した後で測定したものである。図１２ａ及び図１２ｂに示した表示装置のＳＣＥ反射率は、図５で説明した表示装置ＤＤのＳＣＥ反射率を測定したものである。図１１ａ及び図１２ａで説明する実施例の反射防止部材は、波長が７１０ｎｍ以上７３０ｎｍ以下の光に対するＳＣＩ反射率が０．６％以下である。図１１ｂ及び図１２ｂで説明する比較例の反射防止部材は、波長が、波長が７１０ｎｍ以上７３０ｎｍ以下の光に対するＳＣＩ反射率が０．６％を超過する場合を除いて、実施例と同じ構造である。
【0115】
【0116】
図１２ａ、図１２ｂ、及び図５を参照すると、実施例７～実施例１２は、それぞれ表示装置ＤＤ（図５）を視野角ＡＧ（図５）が６０度（ｄｅｇｒｅｅ）、５０度、４０度、３０度、２０度、及び１０度の位置におけるＳＣＥ反射率をそれぞれ示している。図１２ｂを参照すると、比較例１～比較例６は、視野角ＡＧ（図５）が６０度、５０度、４０度、３０度、２０度、及び１０度の位置における反射光のＳＣＥ反射率を示している。
【0117】
図１２ａ及び図１２ｂにおいて、実施例７～実施例１２と比較例１～比較例６をそれぞれ対応して比較すると、実施例７～実施例１２が比較例１～比較例６に比べ、波長が７１０ｎｍ以上７３０ｎｍ以下の光のＳＣＥ反射率が小さいことを確認することができる。それによって、波長が７１０ｎｍ以上７３０ｎｍ以下の光に対するＳＣＩ反射率が０．６％以下の反射防止部材ＡＲ（図５）を含む表示装置ＤＤ（図５）は、表示装置ＤＤ（図５）を側面から見る際の反射光がユーザにやや赤く視認される現象を減少させることができる。
【0118】
一実施例の電子装置は３５０ｎｍ以上３７０ｎｍ以下の波長領域の光に対する反射率が相対的に高い反射防止部材を含み、電子装置から反射される反射光の色を純粋な黒色に調節することができる。また、反射光の色を純粋な黒色に調節すれば、電子装置から提供される映像と反射光の干渉を最小化することができる。その結果、一実施例の電子装置は、表示品質を改善させることができる。
【0119】
これまで本発明の好ましい実施例を参照して説明したが、該当技術分野における熟練した当業者または該当技術分野における通常の知識を有する者であれば、後述する特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び技術領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させることができることを理解できるはずである。
【0120】
よって、本発明の技術的範囲は明細書の詳細な説明に記載の内容に限らず、特許請求の範囲によって決められるべきである。
【産業上の利用可能性】
【0121】
近年の表示パネルは、カラー画像を生成するために、画素によって異なる種類の光制御パターンを含み、視野角が広く、色再現性に優れる。一方、光制御パターンを含む表示パネルは、光制御パターンの表面から外部光の反射が起こり、表示パネルの表示効率が低下することがある。よって、光源から提供される光のピーク波長におけるカラーフィルタの透過率、隣接した波長範囲における光透過率、半値幅などを一定範囲以下に調節し、透過効率は最適化しながらも反射率を下げ、色再現率が改善された表示パネルを提供する本発明は、産業上の利用可能性が高い。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8a】
【図8b】
【図9a】
【図9b】
【図10】
【図11a】
【図11b】
【図12a】
【図12b】
【国際調査報告】