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▶ エーシーエム リサーチ （シャンハイ） インコーポレーテッドの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-11-15
(54)【発明の名称】ウェハ背面洗浄方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20241108BHJP
H01L 21/683 20060101ALI20241108BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 648H
H01L21/304 645A
H01L21/304 643A
H01L21/68 N
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024535892
(86)(22)【出願日】2022-11-24
(85)【翻訳文提出日】2024-07-09
(86)【国際出願番号】 CN2022133991
(87)【国際公開番号】W WO2023109455
(87)【国際公開日】2023-06-22
(31)【優先権主張番号】202111531177.0
(32)【優先日】2021-12-14
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】510005650
【氏名又は名称】エーシーエム リサーチ （シャンハイ） インコーポレーテッド
(74)【代理人】
【識別番号】110001841
【氏名又は名称】弁理士法人ＡＴＥＮ
(72)【発明者】
【氏名】ワン ホイ
(72)【発明者】
【氏名】チュウ ジェンミン
(72)【発明者】
【氏名】リー ズァラン
(72)【発明者】
【氏名】ジャン シァオイェン
(72)【発明者】
【氏名】ワン ダユン
(72)【発明者】
【氏名】チェン フゥピン
【テーマコード（参考）】
5F131
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F131AA02
5F131BA12
5F131BA14
5F131BA15
5F131BA37
5F131CA12
5F131EA06
5F131EB32
5F131EB33
5F131EB37
5F157AA03
5F157AA15
5F157AB02
5F157AB14
5F157AB18
5F157AB33
5F157AB90
5F157BB11
5F157BG12
5F157BG13
5F157BG14
5F157BG15
5F157DB51
(57)【要約】
ウェハ背面洗浄方法は、ウェハクランプ部を用いてウェハを保持し、ウェハクランプ部とウェハとの間に隙間を形成し、隙間に保護ガスを第１の流量で注入し、保護ガスの流量を第１の流量から第２の流量に調整し、ウェハクランプ部の第１の回転速度で駆動しながらウェハを回転させてウェハの背面を洗浄し、ウェハクランプ部の回転速度を第１の回転速度から第２の回転速度に調整して、ウェハがウェハクランプ部によって回転駆動されて乾燥工程を行い、ウェハの回転を停止し、保護ガスの流量を第２の流量から再び第１の流量に調整してからウェハを取り出すこと、ウェハを取り出した後に保護ガスの注入を停止することを含む。本発明によれば、スイッチロジックと保護ガスの流量を調整することにより、ウェハ背面洗浄工程中にウェハの正面に外部不純物が吸着されにくくなり、ウェハ背面洗浄の安定性が向上する。
【選択図】図３
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ステップＳ１：ウェハクランプ部を用いてウェハの背面が上を向き、ウェハの正面が下を向くようにウェハを保持し、ウェハクランプ部とウェハの正面との間に隙間を形成し、ウェハクランプ部の回転速度を０ｒｐｍとする。ステップＳ２：保護ガスを第１の流量で隙間内に注入し、隙間を保護ガスで満たす。
ステップＳ３：前記保護ガスの流量を前記第１の流量から第２の流量まで徐々に調整し、前記ウェハクランプ部の回転を開始して前記ウェハを回転させ、前記ウェハクランプ部の回転速度が第１の回転速度に達し、前記ウェハの背面に洗浄液を噴霧して背面洗浄工程を行う、
ステップＳ４：ウェハクランプ部の回転速度を第１の回転速度から第２の回転速度に調整し、ウェハがウェハクランプ部によって回転して乾燥工程が行われるようにする。
ステップＳ５：前記乾燥工程が完了した後、前記ウェハクランプ部を第２の回転速度から０ｒｐｍに調整して前記ウェハの回転を停止し、前記保護ガスの流量を前記第２の流量から前記第１の流量に調整し、その後、乾燥した前記ウェハを前記ウェハクランプ部から取り出す、
ステップＳ６：ウェハを取り出した後に保護ガスの注入を停止する、のステップを備えることを特徴とするウェハ背面洗浄方法。
【請求項2】
前記ウェハクランプ部は、前記ウェハに直接作用して前記ウェハを保持する機械クランプテーブルであることを特徴とする、請求項１に記載のウェハ背面洗浄方法。
【請求項3】
前記機械クランプテーブルに、前記隙間に前記保護ガスを注入するための第１の貫通孔が設けられていることを特徴とする、請求項２に記載のウェハ背面洗浄方法。
【請求項4】
前記保護ガスは不活性ガスであることを特徴とする、請求項１に記載のウェハ背面洗浄方法。
【請求項5】
前記ウェハクランプ部はベルヌーイクランプテーブルであり、前記ベルヌーイクランプテーブルには、前記ウェハの浮上状態を保つためにベルヌーイガスを注入するための第２の貫通孔が設けられていることを特徴とする、請求項１に記載のウェハ背面洗浄方法。
【請求項6】
前記ベルヌーイクランプテーブルに第３の貫通孔が設けられ、前記第３の貫通孔を用いて前記隙間に前記保護ガスを注入することを特徴とする、請求項５に記載のウェハ背面洗浄方法。
【請求項7】
前記第１の流量が前記第２の流量よりも大きいことを特徴とする、請求項１に記載のウェハ背面洗浄方法。
【請求項8】
前記第２の回転速度は前記第１の回転速度よりも大きいことを特徴とする、請求項１に記載のウェハ背面洗浄方法。
【請求項9】
前記第１の回転速度は３００ｒｐｍ～１２００ｒｐｍであることを特徴とする、請求項１に記載のウェハ背面洗浄方法。
【請求項10】
前記第２の回転速度は１５００ｒｐｍ～４０００ｒｐｍであることを特徴とする、請求項１に記載のウェハ背面洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、一般的には半導体装置の製造の技術分野に関し、特にウェハ背面洗浄方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体デバイスの製造工程では、主に洗浄、エッチング、フォトレジストのコーティングまたは除去などの工程が半導体デバイスの製造に使用される。これらの工程は主にウェハの正面（デバイス側）を対象としている。ただし、ウェハの背面（デバイス側ではない側）の工程も同様に重要である。
【0003】
半導体洗浄工程では、主にウェハの正面（デバイス側）洗浄工程と背面（非デバイス側）洗浄工程を主とするウェハ洗浄に、シングルウェハ洗浄機が使用されている。ウェハ背面洗浄工程中に、ウェハの正面が汚染物質で汚染される可能性があり、これが半導体デバイスの電気的故障を引き起こす可能性がある。したがって、半導体デバイスの品質を確保するためには、ウェハの正面を保護することが不可欠である。
【0004】
具体的には、ウェハ背面洗浄工程では、シングルウェハ洗浄機のウェハクランプテーブル上にシングルウェハが配置される。様々なクランプ方法があるにも関わらず、ウェハクランプテーブルとウェハの間には一定の隙間がある。背面洗浄工程の乾燥工程中、ウェハは高速回転し、ウェハとウェハクランプテーブルの間に負圧領域が形成される。隙間内の負圧により外部の不純物がウェハの正面に吸収され、ウェハの正面が汚染されることになる。したがって、シングルウェハ洗浄機のウェハ背面洗浄工程は、シングルウェハ洗浄機の構造に左右され、背面洗浄工程が終了して乾燥工程が行われる際にウェハ正面が汚染されることを回避するために、ウェハ正面を保護する必要がある。ウェハ背面洗浄工程の最後に行われる乾燥工程では、汚染を防ぐためにウェハ正面に一定レベルの保護を施す必要がある。
【0005】
現在、ウェハの正面を保護する方法として、Ｎ2保護や水保護などさまざまな方法がある。ここで、最も一般的に使用される保護方法はＮ2である。しかし、従来のＮ2保護では、動作中にウェハの正面に不純物が吸着し、ウェハの正面の保護効果に大きな影響を与える可能性がある。
【0006】
そのため、保護効果を向上させるために、枚葉式ウェハ洗浄機に適用されるウェハ背面洗浄方法を提案する必要がある。
【発明の概要】
【0007】
従来技術の上記課題に鑑み、本発明の目的は、従来のウェハ洗浄機によるウェハ背面洗浄工程中にウェハの正面（デバイス側）が汚染されやすいという問題を解決することを目的としたウェハ背面洗浄方法を提供することである。この課題を解決するために、スイッチロジックと保護ガスの流量を調整することにより、洗浄および乾燥工程中にウェハが高速回転することでウェハ正面の負圧が高まり、外部不純物が吸着されやすくなることを回避し、ウェハ背面洗浄工程中にウェハ正面が外部不純物に吸着されにくくなるようにすることで、ウェハ背面洗浄の安定性を向上させる。
【0008】
上記目的およびその他の関連目的を達成するために、本発明は、以下のステップを含むウェハ背面洗浄方法を提供する。
ステップＳ１：ウェハクランプ部を用いてウェハの背面が上を向き、ウェハの正面が下を向くようにウェハを保持し、ウェハクランプ部とウェハの正面との間に隙間を形成し、ウェハクランプ部の回転速度を０ｒｐｍとする。
ステップＳ２：保護ガスを第１の流量で隙間内に注入し、隙間を保護ガスで満たす。
ステップＳ３：保護ガスの流量を第１の流量から第２の流量まで徐々に調整し、ウェハクランプ部の回転を開始してウェハを回転させ、ウェハクランプ部の回転速度が第１の回転速度に達したら、ウェハの背面に洗浄液を噴霧して背面洗浄工程を行う。
ステップＳ４：ウェハクランプ部の回転速度を第１の回転速度から第２の回転速度に調整し、ウェハがウェハクランプ部によって回転して乾燥工程が行われるようにする。
ステップＳ５：乾燥工程が完了した後、ウェハクランプ部を第２の回転速度から０ｒｐｍに調整してウェハの回転を停止し、保護ガスの流量を第２の流量から再び第１の流量に調整し、その後、乾燥したウェハをウェハクランプ部から取り出す。
ステップＳ６：ウェハを取り出した後に保護ガスの注入を停止する。
ステップＳ１：ウェハクランプ部を用いてウェハの背面が上を向き、ウェハの正面が下を向くようにウェハを保持し、ウェハクランプ部とウェハの正面との間に隙間を形成し、ウェハクランプ部の回転速度を０ｒｐｍとする。
ステップＳ２：保護ガスを第１の流量で隙間内に注入し、隙間を保護ガスで満たす。
ステップＳ３：保護ガスの流量を第１の流量から第２の流量まで徐々に調整し、ウェハクランプ部の回転を開始してウェハを回転させ、ウェハクランプ部の回転速度が第１の回転速度に達したら、ウェハの背面に洗浄液を噴霧して背面洗浄工程を行う。
ステップＳ４：ウェハクランプ部の回転速度を第１の回転速度から第２の回転速度に調整し、ウェハがウェハクランプ部によって回転して乾燥工程が行われるようにする。
ステップＳ５：乾燥工程が完了した後、ウェハクランプ部を第２の回転速度から０ｒｐｍに調整してウェハの回転を停止し、保護ガスの流量を第２の流量から再び第１の流量に調整し、その後、乾燥したウェハをウェハクランプ部から取り出す。
ステップＳ６：ウェハを取り出した後に保護ガスの注入を停止する。
【0009】
本発明の一実施形態によれば、ウェハクランプ部は、ウェハに直接作用してウェハをクランプする機械クランプテーブルである。
【0010】
本発明の一実施形態によれば、機械クランプテーブルには、保護ガスが隙間の内部に注入される第１の貫通孔が設けられている。
【0011】
本発明の一実施形態によれば、保護ガスは不活性ガスである。
【0012】
本発明の一実施形態によれば、ウェハクランプ部はベルヌーイクランプテーブルである。ベルヌーイクランプテーブルには、ウェハの浮上状態を維持するためにベルヌーイガスを注入する第２の貫通孔が設けられている。
【0013】
本発明の一実施形態によれば、ベルヌーイクランプテーブルには、保護ガスが隙間に注入される第３の貫通孔が設けられている。
【0014】
本発明の一実施形態によれば、第１の流量は第２の流量よりも大きい。
【0015】
本発明の一実施形態によれば、第２の回転速度は第１の回転速度よりも大きい。
【0016】
本発明の一実施形態によれば、第１の回転速度は３００ｒｐｍ～１２００ｒｐｍである。
【0017】
本発明の一実施形態によれば、第２の回転速度は１５００ｒｐｍ～４０００ｒｐｍである。
【0018】
本発明は、従来のウェハ洗浄機によるウェハ背面洗浄工程中にウェハの正面（デバイス面）が汚染されやすいという問題を解決する。スイッチロジックと保護ガスの流量を調整することで、ウェハ背面洗浄工程中にウェハの正面が外部不純物に吸着されにくくなり、ウェハ背面洗浄の安定性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【0019】
【発明を実施するための形態】
【0020】
以下、本発明の実施形態を具体的な実施例により説明するが、本発明のその他の利点や効果は、本明細書に開示された内容から当業者であれば容易に理解できるものである。本発明は、他の様々な特定の実施形態で実施または適用することもでき、本明細書の様々な詳細は、本発明の精神から逸脱することなく、異なる見解および用途に基づいて修正または変更されることができる。
【0021】
図１～図５を参照すると、この実施形態で提供される図は、本発明の基本的な概念を概略的に説明するものにすぎないことに留意されたい。図面には、実際の実施における部品の数、形状、大きさに従って描かれるのではなく、本発明に関連する部品のみが示されているが、各部品の形状、数量、割合は、実際の実施において任意に変更される可能性があり、部品のレイアウトはより複雑になる可能性がある。
【0022】
(実施形態１)
図１～図３を参照すると、実施形態１は、ウェハ背面洗浄工程中にウェハｗをウェハクランプ部上に載置するウェハ背面洗浄方法を提供する。図１に示すように、ウェハクランプ部は、ウェハｗに直接作用してウェハｗをクランプする機械クランプテーブル１であり、ウェハｗの背面（非デバイス側）が上を向き、ウェハｗの正面（デバイス側）が下を向き、ウェハｗと機械クランプテーブル１との間に隙間Ｇが形成される。機械クランプテーブル１の中央には第１の貫通孔１０１が設けられており、この第１の貫通孔１０１を介して隙間Ｇに保護ガスを注入し、ウェハ背面洗浄工程中にウェハｗの正面（デバイス面）の保護を実現する。保護ガスは不活性ガスであり、不活性ガスには以下のものが含まれます。Ｎ2またはヘリウム、ネオン、その他の希ガス。
図１～図３を参照すると、実施形態１は、ウェハ背面洗浄工程中にウェハｗをウェハクランプ部上に載置するウェハ背面洗浄方法を提供する。図１に示すように、ウェハクランプ部は、ウェハｗに直接作用してウェハｗをクランプする機械クランプテーブル１であり、ウェハｗの背面（非デバイス側）が上を向き、ウェハｗの正面（デバイス側）が下を向き、ウェハｗと機械クランプテーブル１との間に隙間Ｇが形成される。機械クランプテーブル１の中央には第１の貫通孔１０１が設けられており、この第１の貫通孔１０１を介して隙間Ｇに保護ガスを注入し、ウェハ背面洗浄工程中にウェハｗの正面（デバイス面）の保護を実現する。保護ガスは不活性ガスであり、不活性ガスには以下のものが含まれます。Ｎ2またはヘリウム、ネオン、その他の希ガス。
【0023】
図２および図３に示すように、ウェハ背面洗浄方法は以下のステップを含む。
ステップＳ１では、マニピュレータが洗浄対象のウェハｗを機械クランプテーブル１上に静止状態で配置する。機械クランプテーブル１は、ウェハｗの背面（非デバイス面）が上を向き、ウェハｗの正面（デバイス面）が下を向くようにウェハｗをクランプする。ここで、図２に示すように、機械クランプテーブル１の静止状態における回転速度は０ｒｐｍである。
ステップＳ２では、図３に示すように、第１の流量に応じて第１の貫通孔１０１を介してウェハｗと機械クランプテーブル１との間の隙間Ｇ内に保護ガスが注入され、隙間Ｇ内が保護ガスで急速に満たされる。すなわち、ウェハｗの背面（非デバイス面）を洗浄工程をする際に、ウェハｗの正面（デバイス面）を常に保護ガス中に置き、ウェハｗの正面を保護する。この実施形態１では、保護ガスはＮ２である。
ステップＳ３では、隙間Ｇに保護ガスが充填された後、第１の貫通孔１０１を通る保護ガスの流量が第１の流量から第２の流量に徐々に調整され、機械クランプテーブル１が回転を開始し、回転速度が第１の回転速度に達する。ウェハｗは、機械クランプテーブル１の第１の回転速度で回転され、その際にウェハｗの背面（非デバイス面）に洗浄液が噴霧され、ウェハｗの背面が洗浄される。
ステップＳ１では、マニピュレータが洗浄対象のウェハｗを機械クランプテーブル１上に静止状態で配置する。機械クランプテーブル１は、ウェハｗの背面（非デバイス面）が上を向き、ウェハｗの正面（デバイス面）が下を向くようにウェハｗをクランプする。ここで、図２に示すように、機械クランプテーブル１の静止状態における回転速度は０ｒｐｍである。
ステップＳ２では、図３に示すように、第１の流量に応じて第１の貫通孔１０１を介してウェハｗと機械クランプテーブル１との間の隙間Ｇ内に保護ガスが注入され、隙間Ｇ内が保護ガスで急速に満たされる。すなわち、ウェハｗの背面（非デバイス面）を洗浄工程をする際に、ウェハｗの正面（デバイス面）を常に保護ガス中に置き、ウェハｗの正面を保護する。この実施形態１では、保護ガスはＮ２である。
ステップＳ３では、隙間Ｇに保護ガスが充填された後、第１の貫通孔１０１を通る保護ガスの流量が第１の流量から第２の流量に徐々に調整され、機械クランプテーブル１が回転を開始し、回転速度が第１の回転速度に達する。ウェハｗは、機械クランプテーブル１の第１の回転速度で回転され、その際にウェハｗの背面（非デバイス面）に洗浄液が噴霧され、ウェハｗの背面が洗浄される。
【0024】
図３に示すように、Ｎ２の第１の流量は第２の流量よりも大きい。本実施形態１では、第１の流量は２００Ｌであり、第２の流量は５０Ｌである。
【0025】
ここで、この実施形態１では、ウェハｗを洗浄する前に、比較的大きな流量の保護ガスＮ２を使用して、ウェハｗの正面と機械クランプテーブル１との間の隙間Ｇの内部を急速に充填する。
【0026】
ステップＳ４では、図２に示すように、機械クランプテーブル１の回転速度を第１の回転速度から第２の回転速度に調整し、機械クランプテーブル１の第２の回転速度でウェハｗを回転させてウェハｗを乾燥させる。第１の回転速度は第２の回転速度よりも低くなる。
【0027】
ここで、機械クランプテーブル１の第１の回転速度は３００ｒｐｍ～１２００ｒｐｍであり、機械クランプテーブル１の第２の回転速度は１５００ｒｐｍ～４０００ｒｐｍである。実施形態１では、第１の回転速度は５００ｒｐｍであり、第２の回転速度は２０００ｒｐｍである。
【0028】
ステップＳ５では、ウェハｗが乾燥した後、機械クランプテーブル１を第２の回転速度から静止状態に調整する。すなわち、図２に示すように、機械クランプテーブル１の回転速度を２０００ｒｐｍから０ｒｐｍまで徐々に低下させ、高速回転するウェハｗの回転を徐々に停止させる。図３に示すように、保護ガスＮ２の流量は、第２の流量から再び第１の流量に調整される。次に、マニピュレータは、機械クランプテーブル１から乾燥したウェハｗを取り出す。
【0029】
ここで、この実施形態１では、マニピュレータがウェハｗを受け取る前に、保護ガスＮ２の流量が第２の流量から第１の流量に再び増加される。これは、ガス流量を増加させてウェハｗのエッジ部に残留する洗浄液を速やかに乾燥させ、その後のマニピュレータによるウェハｗの取り出し時にウェハｗのエッジ部に残留する洗浄液によってウェハｗの正面（デバイス面）が汚染されることを回避するためである。
【0030】
ステップＳ６では、図３に示すように、ウェハｗが取り出された後、保護ガスＮ２をオフにして、機械クランプテーブル１とウェハｗとの間の隙間Ｇへの保護ガスＮ２の注入を停止する。
【0031】
ここで、ウェハｗの洗浄および乾燥工程全体にわたって、ウェハｗの正面（デバイス側）には保護ガスＮ２が充填される。これにより、洗浄・乾燥工程中にウェハが高速回転することでウェハｗの正面に負圧が発生し、外部の不純物が吸着されやすくなるのを回避し、ウェハｗの正面を保護することができる。
【0032】
(実施形態２)
図２、図４、図５を参照すると、この実施形態２も、ウェハ背面洗浄工程中にウェハｗをウェハクランプ部上に載置するウェハ背面洗浄方法を提供する。図４に示すように、ウェハクランプ部は、ウェハｗの背面（非デバイス面）が上を向き、ウェハｗの正面（デバイス面）が下を向くようにウェハｗを吊り下げて保持するベルヌーイクランプテーブル２であり、吊り下げられたウェハｗとベルヌーイクランプテーブル２との間には隙間Ｇが形成される。ベルヌーイクランプテーブル２の外周には、ウェハｗの正面にベルヌーイガスを注入して、ベルヌーイクランプテーブル２によるウェハｗの浮上状態を維持するための第２の貫通孔２０１が設けられている。ベルヌーイクランプテーブル２の中央には第３の貫通孔２０２が設けられており、吊り下げられたウェハｗとベルヌーイクランプテーブル２との間の隙間Ｇに保護ガスを注入してウェハｗの正面を保護するとともに、ウェハ背面洗浄工程中にウェハｗの吊り下げ高さを調整するために使用される。
図２、図４、図５を参照すると、この実施形態２も、ウェハ背面洗浄工程中にウェハｗをウェハクランプ部上に載置するウェハ背面洗浄方法を提供する。図４に示すように、ウェハクランプ部は、ウェハｗの背面（非デバイス面）が上を向き、ウェハｗの正面（デバイス面）が下を向くようにウェハｗを吊り下げて保持するベルヌーイクランプテーブル２であり、吊り下げられたウェハｗとベルヌーイクランプテーブル２との間には隙間Ｇが形成される。ベルヌーイクランプテーブル２の外周には、ウェハｗの正面にベルヌーイガスを注入して、ベルヌーイクランプテーブル２によるウェハｗの浮上状態を維持するための第２の貫通孔２０１が設けられている。ベルヌーイクランプテーブル２の中央には第３の貫通孔２０２が設けられており、吊り下げられたウェハｗとベルヌーイクランプテーブル２との間の隙間Ｇに保護ガスを注入してウェハｗの正面を保護するとともに、ウェハ背面洗浄工程中にウェハｗの吊り下げ高さを調整するために使用される。
【0033】
ここで、実施形態２では、ベルヌーイガスおよび保護ガスはともにＮ２、またはヘリウム、ネオン、その他の希ガスなどの不活性ガスである。
【0034】
【0035】
ステップＳ１では、図４に示すように、マニピュレータは、洗浄対象となるウェハｗをベルヌーイクランプテーブル２上に静止状態で配置し、第２の貫通孔２０１内にベルヌーイガスを供給する。ベルヌーイクランプテーブル２は、ウェハｗの背面（非デバイス面）が上を向き、ウェハｗの正面（デバイス面）が下を向くようにウェハｗをクランプする。ここで、図２に示すように、ベルヌーイクランプテーブル２の静止状態における回転速度は０ｒｐｍである。
【0036】
ステップＳ２では、図５に示すように、第３の貫通孔２０２により吊り下げられたウェハｗとベルヌーイクランプテーブル２との間の隙間Ｇ内に第１の流量に応じて保護ガスが注入され、隙間Ｇ内が保護ガスで急速に満たされる。すなわち、洗浄工程において吊り下げられたウェハｗの背面が洗浄される際、ウェハｗの正面（デバイス側）は常にＮ２雰囲気中にあり、ウェハｗの正面が保護される。
【0037】
ステップＳ３では、隙間Ｇに保護ガスが充填された後、第３の貫通孔２０２を通過する保護ガスの流量が第１の流量から第２の流量に徐々に調整され、ベルヌーイクランプテーブル２が回転を開始し、回転速度が第１の回転速度に達する。吊り下げられたウェハｗは、ベルヌーイクランプテーブル２の第１の回転速度で回転され、その際にウェハｗの背面（非デバイス面）に洗浄液が噴射されてウェハｗの背面が洗浄される。
【0038】
図５に示すように、保護ガスの第１の流量は第２の流量よりも大きい。この実施形態２では、第１の流量は２００Ｌであり、第２の流量は５０Ｌである。
【0039】
ここで、この実施形態２では、ウェハｗを洗浄する前に、比較的大きな流量（第１の流量）の保護ガスＮ２を使用して、吊り下げられたウェハｗとベルヌーイクランプテーブル２との間の隙間Ｇを急速に満たす。ウェハｗの洗浄および乾燥工程中、ベルヌーイクランプテーブル２による吊り下げられたウェハｗの高さ調整に影響するＮ２の過剰流量を回避するために、保護ガスＮ２の流量が（第１の流量から第２の流量へ）減少される。
【0040】
ステップＳ４では、図２に示すように、ベルヌーイクランプテーブル２の回転速度を第１の回転速度から第２の回転速度に調整し、ベルヌーイクランプテーブル２の第２の回転速度でウェハｗを回転させ、ウェハｗを乾燥させる。第１の回転速度は第２の回転速度よりも低くなる。
【0041】
ここで、図２に示すように、ウェハＷ乾燥工程におけるベルヌーイクランプテーブル２の回転速度は、ウェハＷ洗浄工程における回転速度よりも大きい。その理由は、ウェハｗの乾燥工程では、ウェハｗの正面の洗浄液を速やかに乾燥させるために、ベルヌーイクランプテーブル２の回転速度を上げる必要があるからである。
【0042】
ここで、ベルヌーイクランプテーブル２の第１の回転速度は３００ｒｐｍ～１２００ｒｐｍであり、ベルヌーイクランプテーブル２の第２の回転速度は１５００ｒｐｍ～４０００ｒｐｍである。実施形態２では、第１の回転速度は５００ｒｐｍであり、第２の回転速度は２０００ｒｐｍである。
【0043】
ステップＳ５では、吊り下げられたウェハｗが乾燥された後、ベルヌーイクランプテーブル２を第２の回転速度から静止状態に調整する。すなわち、図２に示すように、ベルヌーイクランプテーブル２の回転速度を２０００ｒｐｍから０ｒｐｍまで徐々に低下させ、高速回転していたウェハｗの回転を徐々に停止させる。図５に示すように、保護ガスの流量は、第２の流量から再び第１の流量に調整される。次に、マニピュレータは、乾燥したウェハｗをベルヌーイクランプテーブル２から取り出す。
【0044】
ここで、この実施形態２では、吊り下げられたウェハｗとベルヌーイクランプテーブル２との間の隙間Ｇが小さいため、マニピュレータがベルヌーイクランプテーブル２からウェハｗを取り出す際に、ウェハｗの正面（デバイス面）が破壊されやすい。したがって、マニピュレータがウェハｗを受け取る前に、保護ガスＮ２の流量が第２の流量から第１の流量に再び増加され、これにより、吊り下げられたウェハｗとベルヌーイクランプテーブル２との間の隙間Ｇの高さが増加し、マニピュレータがウェハｗをスムーズに受け取ることが促進される。
【0045】
ステップＳ６では、図５に示すように、ウェハｗを取り出した後、ベルヌーイガスをオフにし、同時に保護ガスをオフにする。
【0046】
本発明では、ウェハｗの洗浄・乾燥工程全体において、ウェハｗの正面（デバイス側）に保護ガスＮ２を充填することにより、洗浄・乾燥工程中のウェハｗの高速回転によりウェハｗの正面の負圧が増大して外部不純物が吸着されやすくなることを回避し、ウェハｗの正面の保護を実現している。
【0047】
本発明の内容は、上記の好ましい実施形態によって詳細に説明されたが、上記の説明は本発明を制限するものではないことを認識すべきである。当業者にとって明らかな様々な変更および代替は、添付の特許請求の範囲によって定義される本発明の保護の範囲に含まれるものとする。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【国際調査報告】