特表 2024-542910 回路基板設計に適合された真空プレートを用いた可撓性回路基板（ＣＢ）の処理の改善

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-11-19

(54)【発明の名称】回路基板設計に適合された真空プレートを用いた可撓性回路基板（ＣＢ）の処理の改善

(51)【国際特許分類】

   G03F 7/20 20060101AFI20241112BHJP

   H05K 3/00 20060101ALI20241112BHJP

【ＦＩ】

G03F7/20 521

G03F7/20 501

H05K3/00 H

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023578780

(86)(22)【出願日】2022-10-12

(85)【翻訳文提出日】2024-02-08

(86)【国際出願番号】 IB2022059768

(87)【国際公開番号】W WO2023094908

(87)【国際公開日】2023-06-01

(31)【優先権主張番号】63/283,218

(32)【優先日】2021-11-25

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】501005438

【氏名又は名称】オルボテック リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】110001210

【氏名又は名称】弁理士法人ＹＫＩ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】ケラー ラミ

(72)【発明者】

【氏名】ゴイチマン タル

【テーマコード（参考）】

2H197

【Ｆターム（参考）】

2H197CD02

2H197CD06

2H197HA02

2H197HA03

2H197HA04

(57)【要約】

システムは、プレートおよび真空源を含む。プレートは、第１の表面と、第１の表面の反対側の第２の表面とを有し、プレートは、第１の表面上に、第１の可撓性を有する第１のセクションと、第１の可撓性とは異なる第２の可撓性を有する第２のセクションとを含む可撓性基板を受容するように構成され、プレートは、第１の表面と第２の表面との間に貫通孔（ＴＨ）を有する。可変密度は、第１のセクションの反対側の第１の密度で配置された第１のパターンから、第２のセクションの反対側の第１の密度とは異なる第２の密度で配置された第２のパターンまで変化する。真空源は、第１のセクションを第１のパターンに固定し、第２のセクションを第２のパターンに固定するために、第１の表面と第２の表面との間のＴＨ内に真空を引き込むように構成される。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

システムであって、
第１の表面と、前記第１の表面の反対側の第２の表面とを有するプレートであって、前記第１の表面上に、第１の可撓性を有する第１のセクションと、前記第１の可撓性とは異なる第２の可撓性を有する第２のセクションとを備える可撓性基板を受容するように構成され、前記第１の表面と前記第２の表面との間に、前記第１のセクションの反対側の第１の密度で配置された第１のパターンから、前記第２のセクションの反対側の前記第１の密度とは異なる第２の密度で配置された第２のパターンまで変化する可変密度で貫通孔（ＴＨ）を有する、プレートと、
第１のセクションを第１のパターンに固定し、第２のセクションを第２のパターンに固定するために、第１の表面と第２の表面との間のＴＨ内に真空を引き込むように構成される真空源と、
を備えるシステム。

【請求項2】

前記ＴＨのうちの少なくとも１つは、前記第１の表面から前記プレート内に延在し第１の形状を有する第１の空洞と、（ｉ）前記第２の表面から前記プレート内に延在し、（ｉｉ）前記第１の空洞に接続され、（ｉｉｉ）第２の形状を有する第２の空洞と、
を備え、前記第１の形状または前記第２の形状のうちの少なくとも１つは円錐形状を含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。

【請求項3】

全ての前記ＴＨが前記第１の空洞を有する場合、前記第１の表面の少なくとも２０パーセントが前記第１の空洞で穿孔されることを特徴とする請求項２に記載のシステム。

【請求項4】

前記ＴＨの少なくとも１つは、前記第１の表面上で測定される、１ｍｍより小さい直径を有することを特徴とする請求項１に記載のシステム。

【請求項5】

前記プレートはステンレス鋼を含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。

【請求項6】

隣接する前記ＴＨのうちの２つ以上の間の前記第２の表面上に形成され、前記プレートを通して印加される真空の均一性を向上させるように構成される１つ以上のピラーを備えることを特徴とする請求項１に記載のシステム。

【請求項7】

前記ピラーの少なくとも１つは円錐形状を有することを特徴とする請求項６に記載のシステム。

【請求項8】

前記可撓性基板は、前記第１のセクションと前記第２のセクションとの間に配置され、前記第１の可撓性よりも小さく、前記第２の可撓性よりも大きい第３の可撓性を有する第３のセクションを有し、前記プレートは第３のパターンを有し、前記第３のパターンは、前記第１のパターンと前記第２のパターンとの間に配置され、前記第３のセクションの反対側に第３の密度で配置され、前記第３密度は、前記第１密度よりも小さく、前記第２密度よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載のシステム。

【請求項9】

前記可変密度は、前記第１の密度から前記第３の密度を介して前記第２の密度まで徐々に変化することを特徴とする請求項８に記載のシステム。

【請求項10】

前記可撓性基板は可撓性回路基板を含み、前記真空源は、前記ＴＨ内に真空を引き込んで、可撓性回路基板上で、（ｉ）製造プロセス、（ｉｉ）修理プロセス、及び（ｉｉｉ）検査プロセス、からなるプロセスのリストから選択された少なくとも１つのプロセスを実行するように構成されることを特徴とする請求項１に記載のシステム。

【請求項11】

第１の可撓性を有する第１のセクションと、前記第１の可撓性とは異なる第２の可撓性を有する第２のセクションとを備える可撓性基板を固定するためのプレートを製造する方法であって、
第１の表面と、前記第１の表面の反対側の第２の表面とを有するプレートにおいて、前記第１の表面から前記プレート内に延在し、第１の形状を有する複数の第１の空洞を生成するステップと、
前記第２の表面からプレート内に延在し、第２の形状を有する複数の第２の空洞を生成するステップと、
を備え、前記複数の第２の空洞は、前記複数の第１の空洞にそれぞれ接続され、前記第１の表面と前記第２の表面との間に複数の貫通孔（ＴＨ）を形成するために前記プレートを貫通する、方法。

【請求項12】

前記ＴＨは、第１のセクションに対向する第１の密度で配置された第１のパターンから、前記第２のセクションに対向する前記第１の密度とは異なる第２の密度で配置された第２のパターンまで変化する可変密度で配置されることを特徴とする請求項１１に記載の方法。

【請求項13】

前記複数の第１の空洞を生成するステップは、前記ＴＨの前記第１のパターンおよび前記第２のパターンを前記第１の表面上に画定するための第１のリソグラフィプロセスを適用するステップを備えることを特徴とする請求項１２に記載の方法。

【請求項14】

前記複数の第１の空洞を生成するステップは、前記第１のリソグラフィプロセスで画定された前記第１のパターンおよび前記第２のパターンを前記プレートに転写するための前記第１のエッチングプロセスを適用するステップを備えることを特徴とする請求項１３に記載の方法。

【請求項15】

前記複数の第２の空洞を生成するステップは、前記ＴＨの前記第１のパターンおよび前記第２のパターンを前記第２の表面上に画定するための第２のリソグラフィプロセスを適用するステップを備え、前記第２のリソグラフィプロセスでは、（ｉ）前記第２のリソグラフィプロセスの前記第１のパターンは、前記第１のリソグラフィプロセスの前記第１のパターンと位置合わせされ、（ｉｉ）前記第２のリソグラフィプロセスの前記第２のパターンは、前記第１のリソグラフィプロセスの前記第２のパターンと位置合わせされる、ことを特徴とする請求項１４に記載の方法。

【請求項16】

前記複数の第２の空洞を生成するステップは、前記第２のリソグラフィプロセスにおいて画定された前記第１のパターンおよび前記第２のパターンを前記プレートに転写するための第２のエッチングプロセスを適用するステップを備え、前記第２のエッチングプロセスを適用することは、前記第２の空洞と前記第１の空洞との間を接続するために前記プレートを破断するステップを備えることを特徴とする請求項１５に記載の方法。

【請求項17】

前記第１のエッチングプロセスおよび前記第２のエッチングプロセスの少なくとも一方は、ウェットエッチングプロセスを備えることを特徴とする請求項１６に記載の方法。

【請求項18】

前記第１の形状および前記第２の形状の少なくとも一方は円錐形状を備えることを特徴とする請求項１１に記載の方法。

【請求項19】

前記第２の表面上に、前記第２の空洞間に位置する１つ以上のピラーを生成するステップを備えることを含む請求項１１に記載の方法。

【請求項20】

リソグラフィプロセスおよびエッチングプロセスを前記プレートに適用することによって、前記ピラーの少なくとも１つを生成することを特徴とする請求項１９に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、概して、電子デバイスの製造に関し、特に、可撓性（フレキシブル）回路基板の処理を改善するための方法およびシステムに関する。

【背景技術】

【0002】

可撓性（フレキシブル）回路基板（ＣＢ）は、様々なタイプの電子デバイス及びシステムにおいて使用される。製造プロセス中に可撓性ＣＢの平坦性を改善するための様々な技術が公開されている。

【0003】

例えば、米国特許第６，９６６，５６０号は、薄い及び／又は可撓性（フレキシブル）基板を固定するための装置又はチャックを記載し、不利な反り又は曲げを全く伴わずに、基板の均一かつ全面的な吸い上げを可能にする。チャックは、軸受面に配置された複数の微小溝に連通するノッチおよび穴を有する。真空装置が穴及びノッチを通して空気を吸引すると、微小溝内に真空が広がり、軸受面上に位置する基板が吸引される。

【0004】

米国再発行特許第ＲＥ４３，７３６号は、テーブルの使用中に表面シートが力を受けたときに表面亀裂を低減するように配置された穿孔を有する表面シートを含む真空押さえテーブルを記載している。穿孔はまた、ワークピースが配置されるテーブルの部分においてより大きな押さえ力が生み出されるように配置されてもよく、これは、穴の直径および／または穴の間隔を変化させることを伴ってもよい。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】米国特許出願公開第２００６／０５４７７４号

【特許文献2】米国特許出願公開第２０１４／１１７４８８号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

可撓性回路基板（及び他の種類の可撓性基板）を真空プレートに固定し、可撓性回路基板に対して様々なタイプのプロセスステップを実行するための改善された技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本明細書に記載される本発明の実施形態は、プレートおよび真空源を含むシステムを提供する。プレートは、第１の表面と、第１の表面の反対側の第２の表面とを有し、プレートは、第１の表面上に、第１の可撓性を有する第１のセクションと、第１の可撓性とは異なる第２の可撓性を有する第２のセクションとを含む可撓性基板を受容するように構成され、プレートは、第１の表面と第２の表面との間に貫通孔（ＴＨ）を有する。可変密度は、第１のセクションの反対側の第１の密度で配置された第１のパターンから、第２のセクションの反対側の第１の密度とは異なる第２の密度で配置された第２のパターンまで変化する。真空源は、第１のセクションを第１のパターンに固定し、第２のセクションを第２のパターンに固定するために、第１の表面と第２の表面との間のＴＨ内に真空を引き込むように構成される。

【0008】

いくつかの実施形態では、ＴＨのうちの少なくとも１つは、第１の表面からプレートの中へ延在し、第１の形状を有する、第１の空洞と、（ｉ）第２の表面からプレート内に延在し、（ｉｉ）第１の空洞に接続され、（ｉｉｉ）第２の形状を有する、第２の空洞を有し、第１および第２の形状のうちの少なくとも１つは、円錐形状を含む。他の実施形態では、全てのＴＨが第１の空洞を有する場合、第１の表面の少なくとも２０パーセントが第１の空洞で穿孔される。さらに他の実施形態では、ＴＨの少なくとも１つは、第１の表面上で測定される、１ｍｍより小さい直径を有する。

【0009】

ある実施形態では、プレートはステンレス鋼を含む。別の実施形態では、システムは、２つ以上の隣接するＴＨの間の第２の表面上に形成され、プレートを通して印加される真空の均一性を向上させるように構成される、１つ以上のピラーを含む。さらに別の実施形態では、ピラーの少なくとも１つは円錐形状を有する。

【0010】

いくつかの実施形態では、可撓性基板は、第１のセクションと第２のセクションとの間に位置付けられ、第１の可撓性より小さく、第２の可撓性より大きい第３の可撓性を有する、第３のセクションを有し、プレートは、第１のパターンと第２のパターンとの間に位置付けられ、第３のセクションと反対の第３の密度で配列される、第３のパターンを有する。第３密度は、第１密度よりも小さく、第２密度よりも大きい。他の実施形態では、可変密度は、第１の密度から第３の密度を介して第２の密度まで徐々に変化する。さらに他の実施形態では、可撓性基板は可撓性回路基板を含み、真空源は、（ｉ）製造プロセス、（ｉｉ）修理プロセス、及び（ｉｉｉ）検査プロセス、からなるプロセスのリストから選択された少なくとも１つのプロセスを可撓性回路基板上で実行するためにＴＨ内に真空を引き込むように構成される。

【0011】

加えて、本発明のある実施形態によると、第１の可撓性を有する第１のセクションと、第１の可撓性とは異なる第２の可撓性を有する第２のセクションとを含む、可撓性基板をそれに固定するためのプレートを製造するための方法が提供され、本方法は、第１の表面と、第１の表面の反対側の第２の表面とを有するプレート内において、第１の表面からプレート内に延在し、第１の形状を有する複数の第１の空洞を生成するステップと、第２の表面からプレート内に延在し、第２の形状を有する複数の第２の空洞を生成するステップを備え、複数の第２の空洞は、複数の第１の空洞にそれぞれ接続され、第１の表面と第２の表面との間に複数の貫通孔（ＴＨ）を生成するためにプレートを貫通する。

【0012】

いくつかの実施形態では、ＴＨは、第１のセクションに対向する第１の密度で配列される第１のパターンから、第２のセクションに対向する第１の密度とは異なる第２の密度で配列される第２のパターンまで変化する可変密度で配列される。他の実施形態では、複数の第１の空洞を生成するステップは、ＴＨの第１および第２のパターンを第１の表面上に画定するための第１のリソグラフィプロセスを適用するステップを含む。さらに他の実施形態では、複数の第１の空洞を生成するステップは、第１のリソグラフィプロセスで画定された第１および第２のパターンをプレートに転写するための第１のエッチングプロセスを適用するステップを含む。ある実施形態では、複数の第２の空洞を生成するステップは、第２のリソグラフィプロセスにおいて、ＴＨの第１および第２のパターンを第２の表面上に画定するための第２のリソグラフィプロセスを適用するステップを含む：（ｉ）第２のリソグラフィプロセスの第１のパターンは、第１のリソグラフィプロセスの第１のパターンと位置合わせされ、（ｉｉ）第２のリソグラフィプロセスの第２のパターンは、第１のリソグラフィプロセスの第２のパターンと位置合わせされる。別の実施形態では、複数の第２の空洞を生成するステップは、第２のリソグラフィプロセスで画定された第１および第２のパターンをプレートに転写するための第２のエッチングプロセスを適用することを含み、第２のエッチングプロセスを適用するステップは、第２の空洞と第１の空洞との間を接続するためにプレートを破断するステップを含む。さらに別の実施形態では、第１および第２のエッチングプロセスの少なくとも一方は、ウェットエッチングプロセスを含む。

【0013】

いくつかの実施形態では、本方法は、第２の表面上に、第２の空洞間に位置する１つ以上のピラーを生成するステップを含む。他の実施形態では、リソグラフィプロセスおよびエッチングプロセスをプレートに適用することによってピラーの少なくとも１つを生成する。

【0014】

本発明は、図面と共に、その実施形態の以下の詳細な説明からより完全に理解されるであろう：

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】本発明の一実施形態による可撓性（フレキシブル）回路基板（ＣＢ）を処理するためのシステムの概略図である。

【図2】本発明の一実施形態による、図１のシステムの可撓性ＣＢの概略図および真空プレートの断面図である。

【図3】本発明の一実施形態による図２の真空プレートの製造方法を概略的に示すフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0016】

概観
いくつかの電子デバイスおよび／またはシステムは、その中に印刷された回路を有し、その上に搭載された構成要素間を接続するように構成される、可撓性（フレキシブル）回路基板（ＣＢ）等の１つ以上の可撓性デバイスを備える。そのような可撓性ＣＢは、可撓性基板および層の積層、金属コーティングおよびパターニング、ならびに検査および修復プロセス等の種々のタイプのプロセスを使用して生産される。

【0017】

場合によっては、可撓性ＣＢおよび他の種類の薄型デバイスは、プロセス中に歪曲または屈曲し得、プリント回路の歪曲ならびに／あるいはプリント回路内の検査および修理プロセスを行うことができないことをもたらし得る。典型的には、可撓性ＣＢの縁部セクションは曲がる傾向があるが、ＣＢの他のセクションもまた、本明細書で説明されるように、ＣＢの異なるセクションの可撓性レベルに影響を及ぼし得る、ＣＢ上に印刷される製品の設計により、反り得る。したがって、製造プロセス中、可撓性ＣＢのすべてのセクションを処理および／または検査および／または修理システムのチャックまたはマウント（たとえばステージ）に固定することが重要である。本開示の文脈および特許請求の範囲において、ＣＢの「柔軟性」またはその文法的変形という用語は、ＣＢの「可撓性」を指す。言い換えると、ＣＢが、それに適用される条件および／または力に応答して歪曲または歪曲される傾向があることをいう。

【0018】

以下で説明する本発明の実施形態は、可撓性回路基板（及び他の種類の可撓性基板）を真空プレートに固定し、可撓性回路基板に対して様々なタイプのプロセスステップを実行するための改善された技術を提供する。さらに、本発明の実施形態は、真空プレートの改良された設計および製造技術を提供する。

【0019】

いくつかの実施形態では、可撓性ＣＢを処理するためのシステムは、本明細書ではプレートとも呼ばれる真空プレートと、真空ポンプなどの真空源とを備える。

【0020】

いくつかの実施形態では、プレートは、第１の表面と、第１の表面の反対側の第２の表面とを有する。プレートは、第１の可撓性を有する第１のセクションと、第１の可撓性とは異なる第２の可撓性を有する第２のセクションとを備えるＣＢの可撓性基板を第１の表面上に受容するように構成される。

【0021】

いくつかの実施形態では、プレートは、第１の表面と第２の表面との間でプレートを貫通して形成された貫通孔（ＴＨ）を有する。ＴＨは、ＣＢの第１のセクションに対向する第１の密度で配置された第１のパターンから、ＣＢの第２のセクションに対向する第１の密度とは異なる第２の密度で配置された第２のパターンまで変化する可変密度でプレートに沿ってかつプレートを横切って配置される。

【0022】

いくつかの実施形態では、真空源は、ＣＢの第１のセクションをプレートの第１のパターンに固定し、ＣＢの第２のセクションをプレートの第２のパターンに固定するために、第１の表面と第２の表面との間のＴＨ内に真空を引き込むように構成される。言い換えれば、プレート内のＴＨの密度は、ＣＢに印刷される製品の設計に適合される。例えば、曲がりまたは反りやすいＣＢの部分（例えば、ＣＢのエッジセクションまたは非常に薄いもしくは可撓性のセクションである）に対向するように意図されたプレートのパターンでは、プレート内のＴＨの密度は高く、例えば、プレートの全面積の約２０％～４０％である。言い換えれば、プレートの少なくとも２０％がＴＨで穿孔される。ＴＨの高密度は、プレートとＣＢとの間の結合を改善するように、プレートとＣＢとの間のより強い真空力の印加を可能にする。プレートとＣＢとの間の改善された結合は、ＣＢのより良好な固定および平坦化をもたらし、したがって、真空プレートに固定される間にＣＢ上で行われる製造プロセスの品質の改善をもたらすことに留意されたい。同様に、ＴＨの密度は、ＣＢの中心に位置し、比較的低い可撓性（例えば、前述のエッジセクションのものよりも低い）を有するセクションに対向するように意図されたプレートのパターンにおいて、より低くてもよい（例えば、約２０％または１０％未満）。

【0023】

いくつかの実施形態では、ＣＢの典型的な反りレベルは、約０．１ｍｍ～５ｍｍである。反ったＣＢを真っ直ぐにする（例えば、平坦化する）ために印加される力の効果は、貫通孔の密度の増加に起因して真空源への空気の流量（すなわち、吸引）を増加させることによって得られる。言い換えれば、所与の直径を有する各ＴＨは、貫通孔の総面積のうちのその面積に対応する吸引流を生成する。本実施例では、真空源は、約０．２５Ｂａｒ～０．５Ｂａｒの絶対圧力を真空プレートに印加することによって真空を生成するように構成される。直線化という用語は、真空プレートの平面性をＣＢに適用することを指すことに留意されたい。

【0024】

いくつかの実施形態では、各真空プレートの設計は、回路基板内で生産されることが意図される製品の設計に適合される。例えば、いくつかのＣＢは、ＣＢの厚さ全体を通して生成されるビアホールを有する。そのようなビアホールは、プレートとＣＢとの間に適用される真空を低減し得る換気を可能にし得る。

【0025】

場合によっては、所与の製品は、ＣＢの第１のセクションに多数のビアホールを有し、ＣＢの第２のセクションに少数のビアホールを有するか、またはビアホールを有しないことがある。したがって、第１のセクションおよび第２のセクションに同じ真空を適用することは、不充分な局所真空力および第１のセクションの屈曲をもたらし得る。いくつかの実施形態では、所与の真空プレートは、第１のセクションに対向するより高い密度のＴＨおよび第２のセクションに対向するより低い密度のＴＨを有することによって所与の製品に適合される。そのような実施形態では、ＴＨのより高い密度は、真空プレートとＣＢとの間の界面に沿って好適な真空レベルを維持するように、プレートとＣＢの第１のセクションとの間により高い真空力の印加を可能にする。これらの実施形態は、以下の図２に詳細に示されている。

【0026】

原則として、真空テーブルに（可撓性）基板を固定するために真空を適用することが可能である。そのようなテーブルは、真空を適用するためにテーブルを貫通して形成されたドリル又は穴を有することができる。レーザ穿孔又は機械的穿孔技術を使用してそのような穴を生成することが可能であるが、そのような技術は、典型的には、穴の最小サイズ及び／又は最大密度を制限する。例えば、穿孔技術を使用する場合、穴の最大密度は、テーブルの総サイズの約７％または１０％を仮定し得る。さらに、一度に１つの穴を穿孔することは、時間を消費し得、そのような真空テーブルのコストを増加させ得る。

【0027】

いくつかの実施形態では、開示される真空プレートは、超大規模集積（ＶＬＳＩ）プロセスを使用して生産される。具体的には、リソグラフィプロセスは、プレートの表面上にフォトレジスト層をパターニングすることによってＴＨのパターンを画定するように構成される。その後、エッチングプロセスは、画定されたパターンをプレートに転写するように構成される。そのようなＶＬＳＩプロセスは、ＴＨのサイズ、密度および横方向分布の制御を改善する。また、ＴＨは全て１組のリソグラフィマスクを用いて定義されるため、同時に作成される。したがって、ＶＬＳＩプロセスは、ＴＨを形成する処理時間を大幅に削減し、したがって、真空プレートの製造に伴うコストを削減する。

【0028】

原則として、プレートにＴＨのパターンを生成するための任意の適切な処理技術を適用することができる。例えば、コンピュータ数値制御（ＣＮＣ）機械加工、またはパンチング、またはレーザベースの機械加工、または放電加工（ＥＤＭ）が、ＴＨを生成するために使用され得る。しかしながら、そのようなプロセスは、（ｉ）ＴＨ（例えば、ＣＮＣ、レーザ加工およびＥＤＭ）を生成するコストを増加させ、（ｉｉ）プレート（例えば、ＣＮＣ、パンチング、およびレーザ加工）に歪みを引き起こし得る熱応力を導入し、（ｉｉｉ）ＴＨの３次元（３Ｄ）形状の要求されるプロファイルを生成することができず（例えば、打ち抜きおよびレーザ機械加工）、（ｉｖ）バリ等の残留物を真空プレート上で（例えば、レーザ加工）残し得る。別の選択肢は、プレートの表面からプレートのバルク内に延在する空洞を形成するように構成されたウェットエッチングプロセスをプレートに適用することである。ウェットエッチングプロセスは、典型的には、ＴＨの円錐形プロファイルを生成するように構成される１つ以上のエッチング剤を有する液体物質を使用する。あるいは、ウェットエッチングプロセスは、プレートを等方的にエッチングするように構成される。本開示の文脈において、「等方性」という用語は、全ての方向における（プレートと接触して配置されたエッチング液の）均一なエッチング速度を指す。したがって、ウェットエッチングは、典型的には、円錐形状または半球形状を有する空洞の形成をもたらす。

【0029】

いくつかの実施形態では、ＴＨは、第１および第２のパターニングプロセスをプレートの第１および第２の表面にそれぞれ適用することによって生成される。そのような実施形態では、第１のパターニングプロセスは、（ｉ）第１のフォトレジスト層において、第１の表面上に第１のパターンおよび第２のパターンを画定するために、プレートの第１の表面に適用される第１のリソグラフィプロセスと、その後、（ｉｉ）第１のフォトレジスト層の第１のパターンおよび第２のパターンをプレートに転写するために、プレートの第１の表面に適用される第１のウェットエッチングプロセスとを含む。第１のパターニングプロセスの後、第１及び第２のパターンに従って第１の空洞のセットが生成され、第１の空洞は第１の表面からプレートのバルク内に延在し、例えば、第１の空洞の深さはプレートの厚さの約５０％であることに留意されたい。第１のウェットエッチングプロセスの後、第１のフォトレジスト層は、任意の適切なレジスト除去プロセスを使用して第１の表面から除去されることに留意されたい。

【0030】

他の実施形態では、ＴＨを生成するために、第１の空洞の深さは、プレートの厚さの約５０％より実質的に小さく、プロセスフローが本明細書に記載される第２の空洞は、プレートの厚さの約５０％より大きい深さを有する。いくつかの実施形態では、第２のパターニングプロセスは、プレートの第２の表面（例えば、第１のパターニングプロセスの終了後）に適用される。第２のパターニングプロセスは、（ｉ）上述の第１のリソグラフィプロセスと同じ技術を用いて第２のリソグラフィプロセスを適用することを含む。なお、第２リソグラフィ処理では、第２の表面に形成されたＴＨの第１パターン及び第２パターンは、第１の表面に形成されたＴＨの第１パターン及び第２パターンにそれぞれ位置合わせされる。その後、（ｉｉ）第２のウェットエッチングプロセスを第２の表面に適用して、上記の第１のウェットエッチングプロセスで説明した技術を使用して、第２の表面からプレート内に延在する第２の空洞を生成する。第２のウェットエッチングプロセスは、第１および第２の空洞の少なくとも１つ、典型的には、各対が、プレート内に貫通穴（ＴＨ）を生成するために接続されるように、プレートをエッチングするように構成されることに留意されたい。

【0031】

言い換えれば、第２のウェットエッチングプロセスは、第１の空洞および第２の空洞の対がそれぞれのＴＨを構成するように、プレートを第１の空洞に突き破るように構成される。第２のリソグラフィプロセスの位置合わせは、第１および第２のパターンに従ってそれぞれのＴＨを生成するように、第１および第２の空洞の各対を位置合わせするために重要であることに留意されたい。

【0032】

本発明者らは、プレートの第１の表面および第２の表面の両方にウェットエッチングプロセスを適用することが、ＴＨの密度を増加させ、したがって、プレートとＣＢとの間に適用される真空を増加させるように構成されることを見出した。

【0033】

開示された技術は、可撓性プリント回路基板及び他の薄い及び／又は可撓性デバイスを製造する品質を改善する。さらに、開示された技術は、真空プレートの品質を改善し、そのような真空プレートの製造に関連するコストを低減する。

【0034】

システムの説明
図１は、本発明の一実施形態による可撓性（フレキシブル）回路基板（ＣＢ）２２を処理するためのシステム１０の概略図である。

【0035】

いくつかの実施形態では、システム１０は、本明細書では可撓性ＣＢ２２と呼ばれる電子回路の可撓性基板２４上に様々な材料を印刷するように構成される。本実施例では、ＣＢ２２は、可撓性基板２４上に印刷されるが、他の実施形態では、システム１０は、可撓性または剛性フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）、剛性プリント回路基板（ＰＣＢ）、あるいは可撓性または剛性集積回路（ＩＣ）基板等であるが、それらに限定されない、任意の他の好適な種類のデバイスまたは製品を生産、修理、または検査するように構成される。これは、以下に詳細に記載される真空プレート４４上に保持される。

【0036】

本開示の文脈において、「生産する」という用語は、システム１０において実行される任意の適切な生産プロセスステップを指す。例えば、１つ以上の物質および／または合金の堆積、レーザ誘起順方向転写（ＬＩＦＴ）プロセス、直接書き込みプロセス、ならびに好適なエッチングおよび／またはリソグラフィプロセスである。「修復」または「修復する」という用語は、余分なパターンまたは欠陥の除去、および／または欠落パターンの生成を指す。用語「検査」は、基板２４上に生成された任意の選択されたパターンの任意の適切なタイプの欠陥検査またはサイズ測定を指す。「フラットパネルディスプレイ」、「ＦＰＤ」、「プリント回路基板」、「ＰＣＢ」、「集積回路基板」、および「ＩＣ基板」という用語は、本明細書では、概して、前述の材料および／または合金が堆積または検査される任意の好適な基板を指すために使用される。

【0037】

ある実施形態では、システム１０は、システム１０の選択された軸に沿って光学アセンブリ１６を直線的に移動させることによって、基板２４の所望の部位の上に光学アセンブリ１６を位置決めするように構成された位置決めアセンブリ１８を備える。いくつかの実施形態では、位置決めアセンブリ１８は、１つまたは複数の軸、たとえば水平軸Ｘ、Ｙおよび垂直軸Ｚに沿って移動するように構成された移動ブリッジを備えることができる。他の実施形態では、位置決めアセンブリ１８は、移動ステージを含むことができる。あるいは、他の適切な技術を使用して、位置決めアセンブリ１８およびＣＢ２２を互いに対して移動させることができる。制御ユニット２７は、光学アセンブリ１６および位置決めアセンブリ１８の動作などのシステム１０のいくつかの機能を制御する。

【0038】

制御ユニット２７は、典型的には、本明細書に記載の機能を実行するようにソフトウェアでプログラムされた汎用コンピュータを含む。汎用コンピュータは、当技術分野で知られている任意の適切なプロセッサを含むことができる。ソフトウェアは、例えば、ネットワークを介して電子形態でコンピュータにダウンロードされてもよく、あるいは、代替として、または加えて、磁気、光学、または電子メモリ等の非一時的有形媒体上に提供および／または記憶されてもよい。

【0039】

いくつかの実施形態では、可撓性ＣＢ２２は、真空ベースの力を使用してＣＢ２２を平坦化するように構成される、真空プレート４４上に位置付けられる。ＣＢ２２の可撓性は、ＣＢ２２と真空プレート４４との間に印加された真空が、ＣＢ２２と真空プレート４４との間に結合し、真空プレート４４の表面上のＣＢ２２の全てのセクションを平坦化するように、真空プレート４４の表面に完全に取り付けられないか、または連結されない場合がある、ＣＢ２２の１つ以上のセクションをもたらし得ることに留意されたい。

【0040】

ここで、（ｉ）真空プレート４４のセクションの上面８８（本明細書では第１の表面とも称される）の上面図、および（ｉｉ）真空プレート４４のセクションの下面９９（本明細書では第２の表面とも称される）の底面図をそれぞれ示す挿入２１および３１を参照する。真空が適用された後、上面８８は、ＣＢ２２の全領域にわたって測定して約５０μｍ～２００μｍの平面度を有し、ＣＢ２２を平坦に保持して、上述の製造プロセスおよび／または修理プロセスおよび／または検査プロセスを実施することに留意されたい。いくつかの実施形態では、真空プレート４４は、本明細書では貫通穴（ＴＨ）５５とも呼ばれる、表面８８と９９との間でプレート４４を貫通して形成された穴を有する。

【0041】

いくつかの実施形態では、ＣＢ２２は、複数のセクション（以下の図２に詳細に示される）を有し、セクションのうちの少なくとも３つは、それぞれ、３つの異なるパターンを有する。場合によっては、パターン差は、ＣＢ２２の異なる可撓性および／またはＣＢ２２を通して形成されるビアホール（以下の図２に示される）の異なる密度をもたらし得る。そのようなビアホールは、真空プレート４４とＣＢ２２との間に適用される真空を低減し得る換気を可能にし得るため、そのようなビアホールは、ＣＢ２２と真空プレート４４との間に適用される真空レベルに影響を及ぼし得ることに留意されたい。

【0042】

挿入２１に示される例では、ＴＨ５５は３つのセクション６０、６１および６２に配置され、その各々はＴＨ５５の異なる密度を有する。いくつかの実施形態では、ＴＨ５５の累積面積は、表面８８の総面積の約５％～４５％である。セクション６０の例では、ＴＨ５５の累積面積は、表面８８の総面積の約４０％を占めるのに対し、セクション６２の例では、ＴＨ５５の累積面積は、表面８８の総面積の約１０％を占める。ＴＨ５５の密度は、以下で示され、図２で詳細に説明されるように、可撓性レベルおよび／またはＣＢ２２を通して形成されるビアホールの数に従って形成されることに留意されたい。

【0043】

本開示の文脈および特許請求の範囲において、任意の数値または範囲についての「約」または「およそ」という用語は、構成要素の部分または集合体が本明細書に記載されるようにその意図された目的のために機能することを可能にする適切な寸法公差を示す。

【0044】

ここで、ＴＨ５５が形成され、ピラー８０が形成された表面９９の部分６２の底面図を示す挿入図３１を参照する。上記の挿入図２１の説明によれば、ＴＨ５５の累積面積は、表面９９の総面積の約１０％を占め、ピラー８０は、以下の図２及び図３に記載される好適な製造プロセスを使用してＴＨ５５の間に形成される。

【0045】

いくつかの実施形態では、穿孔プレート（例えば、真空プレート４４）は、重りおよび真空によって印加される力によるたるみの形成を防止するために、複数の点で支持される。支持点の密度は、プレートたるみのサイズ（典型的には約１マイクロメートル未満）を決定する。支持グリッドの密度の増加は、たるみを減少させるが、加えられる真空の分布も減少させる。

【0046】

いくつかの実施形態では、ピラー８０は、表面９９上に形成され、支持点とＴＨとの間に空隙を生成するように構成され、それにより、真空を生成する空気流を貫通孔間に均等に分配することができる。ある実施形態では、ピラー８０は、挿入３１に示されるピラー形状、円錐形状、または任意の他の好適な形状等の任意の好適な形状を有してもよい。

【0047】

ここで、図１の全体図に戻る。いくつかの実施形態では、システム１０は、真空源２０、本例では真空ポンプを備え、真空源は、ＣＢ２２の対応するセクション（以下の図２に示す）を真空プレート４４のセクション６０、６１および６２に固定するために、ＴＨ５５内の表面８８と９９との間に真空を引き込むように構成されている。ある実施形態では、真空源２０は、真空プレート４４に約０．２５Ｂａｒ～０．５Ｂａｒの絶対圧力または任意の他の好適な圧力を加えることによって真空を生成するように構成される。図１の例では、真空源２０は、真空プレート４４の表面９９の下に配置され、ＣＢ２２を真空プレート４４の表面８８に固定するためにＴＨ５５を通して真空を適用するように構成される。

【0048】

いくつかの実施形態では、システム１０は、対応する真空プレート４４への各ＣＢ２２の平坦化および固定を最適化するように、ＣＢ２２の各製品に対して異なる真空プレート４４を有してもよい。さらに、各真空プレート４４内のＴＨ５５の密度および分布は、ＣＢ２２の縁部においてより大きな吸引力（真空による）を加え、ＣＢ２２の中心においてより小さな吸引力を加えるように設計される。この設計は、ＣＢ２２等の可撓性ＣＢが、典型的には、中心よりも縁において歪曲または屈曲する傾向があるため、適用される。

【0049】

ここで挿入２１に戻る。いくつかの実施形態では、セクション６０のＴＨ５５は、第１の漸次密度で配置され、セクション６２のＴＨ５５は、第１の漸次密度とは異なる第２の漸次密度で配置される。本発明および特許請求の範囲の文脈において、「漸次密度」という用語は、白黒カラースケールのグレーレベルと同様に、それぞれのセクションに沿って角度で変化するＴＨ５５の可変密度を指す。

【0050】

いくつかの実施形態では、ＴＨ５５は、ＣＢ２２の第１のセクションに対向する第１の密度（第１の可撓性を有する）から、ＣＢ２２の第２のセクションに対向する第１の密度とは異なる第２の密度（第１の可撓性とは異なる第２の密度を有する）まで変化する可変密度を使用して配置されてもよい。

【0051】

他の実施形態では、ＴＨ５５は、任意の好適な分布および密度を使用して、真空プレート４４のセクション６０－６２に沿って、および／またはそれを横断して配列されてもよい。例えば、ＣＢ２２の中心の所与のセクションがビアホールを有さないか、または非常に少量のビアホールを有する場合、ＣＢ２２の所与のセクションに対向して位置付けられることが意図される真空プレート４４の対応するセクションは、ＴＨ５５を有さなくてもよく、またはＴＨの非常に小さい密度を有してもよい。同様に、ＣＢ２２の縁部は、典型的には、真空プレート４４から分離し、例えば光学アセンブリ１６に向かって上方に反る又は曲がる傾向がある。したがって、真空プレート４４の対応する縁部は、ＣＢ２２の縁部の反対側に位置決めされることが意図されており、典型的には、ＣＢ２２の対応する縁部と真空プレート４４との間の真空誘起結合（すなわち、固定）を改善するために、ＴＨ５５の高密度を有する。
可変密度で配置された貫通孔を有する真空プレート
図２は、本発明の一実施形態によるＣＢ２２の概略図および真空プレート４４の断面図である。

【0052】

いくつかの実施形態では、ＣＢ２２は、表面４０および４２と、表面４０と４２との間でＣＢ２２を貫通するビアホール３３とを有する。典型的には、ＣＢ２２は、概念を明確にするために示されていない追加の構成要素を有することに留意されたい。例えば、ＣＢ２２は、典型的には、複数の積層可撓性層を備える。少なくとも１つの層、典型的には全ての層は、層内又は層の外側表面上に形成された導電性トレースを含む。ＣＢ２２は、典型的には、各層のトレース間を接続するための導電性コンタクトホールまたはビアを備える。

【0053】

いくつかの実施形態では、ＣＢ２２は、セクション５０、５１、および５２を有し、セクション５０～５２のうち、（ｉ）セクション５０は、本明細書では第１の密度とも呼ばれるビアホール３３の最も高い密度を有し、（ｉｉ）セクション５２は、本明細書では第２の密度とも呼ばれるビアホール３３の最も低い密度を有する。（ｉｉｉ）部分５１は、第１の密度よりも小さく、第２の密度よりも大きい第３の密度で配置されたビアホール３３を有する。ＣＢ２２は、ＣＢ２２の異なるセクションにおけるビアホール３３の密度の変更または変化（例えば、徐々に変化）を示すために等角図で提示されることに留意されたい。

【0054】

いくつかの実施形態では、真空プレート４４は、上面８８と、下面９９と、真空プレート４４を通して表面８８と９９との間に形成されるＴＨ５５とを有する。さらに、真空プレート４４は、セクション５０の反対側にあり、ＣＢ２２のセクション５０と接触して配置されるように意図されるセクション６０を有し、同様に、真空プレート４４のセクション６２は、ＣＢ２２のセクション５２と接触して配置されるように意図され、真空プレート４４のセクション６１は、ＣＢ２２のセクション５１と接触して配置されるように意図される。なお、セクション５１および６１は、これらのセクションならびにＣＢ２２および真空プレート４４の実際のサイズが図２に示されるものよりも大きくなり得ることを示すための不連続性を示す図面を有する。いくつかの実施形態では、真空プレート４４の各セクションにおけるＴＨ５５の密度は、接触して配置されるように意図されたＣＢ２２のそれぞれのセクションにおけるビアホール３３の密度に対応する。例えば、ＣＢ２２のセクション５０はビアホール３３の最も高い密度を有し、真空プレート４４のセクション６０はＴＨ５５の最も高い密度を有する。同様に、ＣＢ２２のセクション５２は、ビアホール３３の最も低い密度を有し、真空プレート４４のセクション６２は、ＴＨ５５の最も低い密度を有する。なお、真空プレート４４のＴＨ５５の密度の緩やかな変化は、ＣＢ２２のビアホール３３の密度の緩やかな変化に対応する。ＴＨ５５の密度が大きいほど、ＣＢ２２を真空プレート４４の表面８８に引き寄せる真空が高まることに留意されたい。

【0055】

他の実施形態では、ＣＢ２２内のビアホール３３の数は、図２に示される量よりも実質的に少なくてもよく、ＣＢ２２の縁セクションは、典型的には、真空プレート４４の表面８８から分離する傾向がある。そのような実施形態では、真空プレート４４とＣＢ２２との間の結合を改善し、真空プレート４４とＣＢ２２の全領域にわたって表面４２と８８との間の接触を得るように、真空プレート４４の縁部におけるＴＨ５５の密度は、真空プレート４４の中心における密度よりも高い。

【0056】

いくつかの実施形態では、ＴＨ５５は、パターン定義のためのリソグラフィプロセス、続いてＴＨ５５を生成するためのウェットエッチングプロセスを使用して形成される。本実施例では、ＴＨ５５のパターンは、表面８８上に形成され、任意の好適なリソグラフィプロセスを使用してパターン化される、フォトレジスト層６５を使用して画定される。パターン形成は、以下を使用して実施することができる：（ｉ）マスクベースのフォトリソグラフィ、または（ｉｉ）直接結像プロセスである。

【0057】

マスクベースのプロセスでは、フォトレジスト層が、パターン化されることが意図される層の表面に適用され、続いて、例えば、パターンを覆い、パターンの外側の領域を露出させることによって、マスクがパターンを画定するために使用される。その後、フォトレジストの露光領域に適切な光を照射し、続いて露光領域を現像して、フォトレジスト層６５におけるパターン定義を完成させる。

【0058】

直接結像プロセスでは、パターニングされるべき層の表面にフォトレジスト層を塗布した後、マスクを使用することなく、パターンを生成するために成形された光をフォトレジスト層に直接塗布することによって、フォトレジストにパターンを生成する。

【0059】

いくつかの実施形態では、リソグラフィプロセスは、Ａｄｉｘ ＳＡによって製造されるフォトエッチングシステムモデルＡＬＤＳ－Ｐｏｗｅｒ４を使用して行われる（Ｐａｒｃ ｄ’ Ａｆｆａｉｒｅｓ ｄｅｓ Ｐｏｒｔｅｓ Ｖｏｉｅ Ｄｅ １’Ｏｒｅｅ ２７１００，Ｖａｉ Ｄｅ Ｒｅｕｉｌ，Ｆｒａｎｃｅ）。なお、「フォトエッチングシステム」とは、リソグラフィとＴＨのウェットエッチングの両方を行うシステムである。フォトエッチングという用語は、約３ｍｍより小さい厚さ（図２のＺ軸）を有する金属シートまたは他の材料から作製されたシートのパターニングに関連するプロセスにおいて、光化学機械加工（ＰＣＭ）としても知られている。

【0060】

いくつかの実施形態では、リソグラフィプロセスの終了後、空洞６６を生成するためにウェットエッチングプロセスが使用され、続いてフォトレジスト層６５が除去される。なお、（ｉ）フォトレジストを用いて形成されるパターンは、Ｘ軸及びＹ軸の少なくとも一方において、ウェットエッチング時のプレート４４のアンダーカット（フォトレジスト層６５の下のノッチとして図２に示す）を補償するのに充分な幅を有し、（ｉｉ）空洞６６の形成を終えた後に、フォトレジスト層６５が表面８８に残らず、破線で示されている。さらに、典型的には、空洞６６は、適切なエッチング剤を使用して真空プレート４４をウェットエッチングすることによって生成される円錐または半球の形状を有する（図２のＸＺ平面に示す）。

【0061】

いくつかの実施形態では、真空プレート４４は、約１～２ｍｍの厚さ、または約０．０５ｍｍ～５ｍｍの任意の他の好適な厚さを有する、好適な種類のステンレス鋼（例えば、ＳＳ３０４、ＳＳ３１６）から作製される。そのような実施形態では、空洞６６は、約０．１ｍｍより大きい深さを有する。ある実施形態では、エッチング剤は、塩化鉄溶液または任意の他の好適な種類の湿式エッチング剤を含む。

【0062】

いくつかの実施形態では、空洞７７は、真空プレート４４を反転させ、上記で説明される同じリソグラフィおよびウェットエッチングプロセスを使用することによって形成される。空洞７７は、真空プレート４４を貫通して、例えば界面７０において、ＴＨ５５を生成するための空洞６６に分裂することに留意されたい。言い換えれば、空洞６６を形成した後、空洞７７の形成は、ＴＨ５５を完全に開くように真空プレート４４の材料を破断することを含む。いくつかの実施形態では、空洞７７は、界面７０を開放するように、多重（例えば、ダブルまたはトリプル）エッチングまたはフォトエッチングプロセスを使用して形成されてもよい。例えば、Ｚ軸におけるプレート４４の厚さが約１．５ｍｍである場合、空洞６６は約０．１ｍｍの深さを有してもよく、空洞７７は約１．４ｍｍの深さを有してもよく、それによりＴＨ５５が完全に開放される。

【0063】

いくつかの実施形態では、ＴＨ５５の有効断面は、他の処理技術を用いる場合と比較して、ウェットエッチングプロセスを用いる場合に増加する。例えば、ＥＤＭ、ＣＮＣまたはレーザ加工などの別の技術を使用する場合、ＴＨ５５の壁は、表面８８および９９にほぼ直交し、界面７０の幅（Ｘ軸）を有する。ウェットエッチングプロセスは、ＴＨ５５の断面サイズを増大させ、したがって、ウェットエッチング以外のプロセスを使用して形成されたであろうＴＨ５５と比較して、得ることができる真空レベルを改善する。言い換えれば、ウェットエッチングプロセスは、真空プレート４４の総面積に対するＴＨ５５によって覆われる面積の割合を増加させる。

【0064】

いくつかの実施形態では、ピラー８０は、最初は真空プレート４４のステンレス鋼シートの一部であってもよく、好適なリソグラフィプロセスを使用して真空プレート４４からエッチングされてもよい。本例において、ピラー８０は、ＸＹＺ座標系のＸＹ平面において円形又は矩形の断面を有してもよく、Ｚ軸において任意の適切な厚さを有してもよい。そのような実施形態では、ピラー８０は、フォトレジスト層６５のＸ軸及びＹ軸において同じ幅を有してもよく、同じリソグラフィプロセス及び異なる（又は同様の）エッチングプロセスを使用して空洞７７と共に生成されてもよい。他の実施形態では、ピラー８０および空洞７７を生成するために、リソグラフィおよびエッチングプロセスの別個のセットが使用されてもよい。

【0065】

他の実施形態では、ピラー８０は、任意の好適な技法を使用して表面９９上に形成されてもよく、任意の好適な形状およびサイズを有してもよい。例えば、ＸＹ平面における丸い形状は、Ｚ軸において約０．１ｍｍ～２ｍｍの直径および約０．１ｍｍ～５ｍｍの厚さを有する。

【0066】

真空プレート４４の製造プロセスに関連する追加の実施形態は、以下の図３に記載される。

【0067】

各真空プレート４４は、ＣＢ２２の異なる製品を生産するために形成され、したがって、真空プレート４４の形成を終えた後、システム１０のユーザは、ＣＢ２２の対応する製品を生産するために好適な真空プレート４４を選択することに留意されたい。その製造および検査の間、ＣＢ２２は、ＣＢ２２の表面４２が真空プレート４４の表面８８と接触して配置されるように、真空プレート４４上に配置される。本実施例では、ＣＢ２２の表面４２は、上記図１で説明されるように、ＴＨ５５を通して真空源２０によって印加される真空を使用して、真空プレート４４の表面８８に結合される。なお、ＣＢ２２の平坦性は、面４２と面８８との接触を維持することによって得られる。場合によっては、ＣＢ２２の１つ以上のセクションは、真空プレート４４の表面８８から分離してもよい。分離は、ＣＢ２２のエッジセクションにおいて、またはＣＢ２２の異なるセクション間の異なる可撓性に起因して、またはＣＢ２２と真空プレート４４との間に印加された真空力を低減するより高い密度のビアホール３３を有する１つ以上のセクションにおいて生じ得る。

【0068】

いくつかの実施形態では、ＴＨ５５は、ＣＢ２２のセクション５０の反対側のセクション６０から、セクション６２の反対側のセクション６２に第１の密度を有し、第１の密度とは異なる第２の密度を有する可変密度を使用して配置される。言い換えると、セクション６０のＴＨ５５の第１のパターンは、ＣＢ２２のセクション５０と接触して配置されることが意図され、ＴＨ５５の第１の密度で配置され、ＴＨ５５の第２のパターンは、ＣＢ２２のセクション５２と接触して配置されることが意図され、ＴＨ５５の第２の密度でセクション６２に配置される。セクション６０の第１密度とは異なる（例えば、より小さい）。また、例えば真空プレート４４のＸ軸に沿ったＴＨ５５の緩やかな密度を得るために、セクション６１におけるＴＨ５５のパターン密度は、セクション６２におけるパターン密度よりも大きく、セクション６０におけるパターン密度よりも小さい。

【0069】

他の実施形態では、ＴＨ５５の密度は、同じセクション内で徐々に変化してもよい。言い換えると、セクション６０のＴＨ５５の第１のパターンは、ＣＢ２２のセクション５０と接触して配置されるように意図され、ＴＨ５５の第１の緩やかな密度で配置され、ＴＨ５５の第２のパターンは、ＣＢ２２のセクション５２と接触して配置されるように意図され、ＴＨ５５の第２の緩やかな密度でセクション６２に配置される。これは、セクション６０の第１の緩やかな密度とは異なる。

【0070】

加えて、または代替として、ＴＨ５５のサイズは、真空プレート４４の同じセクション内で徐々に変化しても変化しなくてもよく、または同じセクション内で同様であり、真空プレート４４の異なるセクション間で（徐々にまたは徐々に）変化してもよい。例えば、セクション６０のＴＨ５５は、約１ｍｍの直径（例えば、表面８８上）を有してもよく、セクション６２のＴＨ５５は、約０．１５ｍｍの直径（例えば、表面８８上）を有してもよく、セクション６１のＴＨ５５は、約０．５ｍｍの直径（例えば、表面８８上）を有してもよい。原則として、レーザ穿孔または任意の他の好適な穿孔技法を使用して、ＴＨ５５を穿孔またはドリルとして生産することが可能であるが、しかしながら、超大規模集積（ＶＬＳＩ）プロセスを使用することは、ＴＨ５５のサイズ、密度、および側方分布の制御を改善し、また、レーザまたは機械的穿孔システムを使用して、各ＴＨ５５穿孔を穿孔することと関連付けられる時間を短縮することに留意されたい。言い換えれば、ＶＬＳＩプロセスを使用することにより、真空プレート４４の製造に関連する時間およびコストが削減される。

【0071】

他の実施形態では、ＴＨ５５の直径は、同じセクション内で徐々に変化してもよい。例えば、セクション６０が真空プレート４４のエッジセクションである場合、セクション６０の第１の側（真空プレート４４のエッジにより近い）におけるＴＨ５５は、セクション６０の第２の側（真空プレート４４の中心により近い）におけるＴＨ５５と比較して、同じ密度であるが、異なる直径を有し得る。代替実施形態では、ＴＨ５５の密度は、同じセクション内で徐々に変化してもよい。例えば、セクション６０が真空プレート４４の縁部セクションである場合、セクション６０の第１の側（真空プレート４４の縁部により近い）のＴＨ５５は、セクション６０の第２の側（真空プレート４４の中心により近い）に配置されたＴＨ５５とは異なる（例えば、より大きい）密度で配置され得る。

【0072】

真空プレート４４のこの特定の構成は、本発明の実施形態によって対処されるいくつかの問題を説明するため、および可撓性基板内に電子回路を生成するためのシステムの性能を向上させることにおけるこれらの実施形態の用途を実証するために、例として示される。しかしながら、本発明の実施形態は、決して、この特定の種類の例示的な真空プレートに限定されず、本明細書で説明される原理は、真空または任意の他の好適な技法を使用して、可撓性基板をチャックまたはステージに取り付けるための他の種類の装置に同様に適用されてもよい。

【0073】

真空プレートの製造
図３は、本発明の一実施形態による真空プレート４４を製造する方法を概略的に示すフローチャートである。

【0074】

この方法は、図１および図２で詳細に上述したように、対向する表面８８および９９を有する真空プレートを受け入れるプレート受け入れステップ１００で始まる。第１の空洞画定ステップ１０２では、リソグラフィプロセス（本明細書では第１のリソグラフィプロセスとも呼ばれる）が、上記図２で詳細に説明したように、空洞６６を画定するように表面８８上にフォトレジスト層６５をパターニングするために使用される。ステップ１０２の後、エッチングされることが意図される表面８８のいくつかの領域（例えば、空洞６６となることが意図される領域である）が露出され、表面８８の他の領域はフォトレジスト層６５でコーティングされたままである。第１の空洞エッチングステップ１０４では、ウェットエッチング（本明細書では第１のウェットエッチングプロセスとも呼ばれる）が、上記ステップ１０２で定義されるように表面８８の露出領域に適用され、上記図２に示され詳細に説明されるように空洞６６を形成する。第１のウェットエッチングを実行した後、フォトレジスト層６５は、上記の図２で説明したように、ステップ１０４を終了させるために除去されることに留意されたい。

【0075】

第２の空洞画定ステップ１０６では、真空プレート４４が反転され、リソグラフィプロセス（本明細書では第２のリソグラフィプロセスとも呼ばれる）が、上記図２で詳細に説明されるように、空洞７７を画定するために表面９９上にフォトレジスト層６５をパターン化するために使用される。ステップ１０６の後、エッチングされることが意図される表面９９のいくつかの領域（例えば、空洞７７となることが意図される領域）が露出され、表面９９の他の領域はフォトレジスト層６５でコーティングされたままである。第２の空洞エッチングステップ１０８では、図２で詳細に上述したように、空洞７７を生成するために、表面９９の露出領域にウェットエッチングプロセス（本明細書では第２のウェットエッチングプロセスとも呼ばれる）が適用される。本方法を終了するピラー製造ステップ１１０において、ピラー８０が表面９９上に製造される。いくつかの実施形態では、ピラー８０は、表面９９上に層を堆積させ、ピラー８０を生成するために層をパターニングすることによって生成され得る。他の実施形態では、ピラー８０は、真空プレート４４の一部であり、好適なリソグラフィ及びエッチングプロセスを使用して真空プレート４４内にパターン形成される。代替の実施形態では、ピラー８０は、真空プレート４４の一部であり、空洞７７をパターニングするために使用されるのと同じリソグラフィ及びエッチングプロセスを使用して真空プレート４４内にパターニングされる。

【0076】

さらに他の実施形態では、ステップ１０８のウェットエッチングを実行した後、フォトレジスト層６５は、ステップ１０８を終了させるために、かつステップ１１０に移行する前に除去される。

【0077】

図３の方法およびプロセスフローは、概念を明確にするために簡略化されており、限定されないが、表面調製および洗浄等のいくつかのプロセスステップは、意図的に省略されている。

【0078】

本明細書に説明される実施形態は、主に、可撓性回路基板を生産するためのプロセスで使用される真空プレートに対処するが、本明細書に説明される方法およびシステムはまた、任意の薄型および／または可撓性電子デバイスおよび／またはパネル、ガラスディスプレイパネル、ウエハ、フレーム化およびダイシングされたウエハの固定等の他の用途でも使用することができる。

【0079】

したがって、上述の実施形態は例として挙げられたものであり、本発明は、上記に具体的に示され記載されたものに限定されないことが理解されるであろう。むしろ、本発明の範囲は、上述の様々な特徴の組み合わせおよび部分的組み合わせの両方、ならびに前述の説明を読めば当業者に思い浮かぶであろう、先行技術に開示されていないその変形および修正を含む。本特許出願において参照により組み込まれる文献は、本明細書において明示的または暗黙的になされる定義と矛盾するように、これらの組み込まれる文献において任意の用語が定義される場合を除いて、本出願の不可欠な部分と見なされるべきであり、本明細書における定義のみが考慮されるべきである。

【図1】

【図2】

【図3】

【国際調査報告】