特表 2024-543346 電磁弁

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-11-21

(54)【発明の名称】電磁弁

(51)【国際特許分類】

   F16K 31/06 20060101AFI20241114BHJP

【ＦＩ】

F16K31/06 305L

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024526846

(86)(22)【出願日】2022-08-11

(85)【翻訳文提出日】2024-07-04

(86)【国際出願番号】 CN2022111748

(87)【国際公開番号】W WO2023103436

(87)【国際公開日】2023-06-15

(31)【優先権主張番号】202123059788.8

(32)【優先日】2021-12-07

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】515266108

【氏名又は名称】浙江盾安人工環境股▲ふん▼有限公司

【氏名又は名称原語表記】Ｚｈｅｊｉａｎｇ ＤｕｎＡｎ Ａｒｔｉｆｉｃｉａｌ Ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔ Ｃｏ．， Ｌｔｄ

【住所又は居所原語表記】Ｄｉａｎｋｏｕ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ Ｚｏｎｅ， Ｚｈｕｊｉ， Ｚｈｅｊｉａｎｇ， Ｃｈｉｎａ

(74)【代理人】

【識別番号】100079108

【弁理士】

【氏名又は名称】稲葉 良幸

(74)【代理人】

【識別番号】100109346

【弁理士】

【氏名又は名称】大貫 敏史

(74)【代理人】

【識別番号】100117189

【弁理士】

【氏名又は名称】江口 昭彦

(74)【代理人】

【識別番号】100134120

【弁理士】

【氏名又は名称】内藤 和彦

(74)【代理人】

【識別番号】100108213

【弁理士】

【氏名又は名称】阿部 豊隆

(72)【発明者】

【氏名】金 勇

(72)【発明者】

【氏名】田 鵬

(72)【発明者】

【氏名】張 錬

【テーマコード（参考）】

3H106

【Ｆターム（参考）】

3H106DA07

3H106DA13

3H106DA23

3H106DA35

3H106DB02

3H106DB12

3H106DB23

3H106DB32

3H106DC02

3H106DC17

3H106DD03

3H106EE33

3H106GB08

3H106GB09

3H106GB20

3H106GC07

3H106GC08

3H106JJ04

(57)【要約】

本開示は、ピストン、弁芯座アセンブリ及び弁芯を含み、ピストンは第１収容室を有し、弁芯座アセンブリは第１収容室に固定され、且つ下端に開口する第２収容室を有し、弁芯は第２収容室に軸方向に沿って可動的に設けられ、ここで、第２収容室は軸方向に沿って上向きの第１段差面を有し、第１段差面は、弁芯が第２収容室の下端に位置するときに弁芯の下端に当接されるように配置される、電磁弁を提供する。上述の構造設計によって、本開示で提案される電磁弁は、弁芯座アセンブリの第１段差面によって弁芯の位置を制限し、弁芯がピストンに直接当接されることを回避し、弁芯のピストンに対する衝撃を減少させ、この機構の使用寿命を延長させることができるとともに、弁芯がシステム中に落下してシステムの正常運転に影響を与えることを回避することができる。
【選択図】 図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ピストン、弁芯座アセンブリ及び弁芯を含み、前記ピストンは第１収容室を有し、前記弁芯座アセンブリは前記第１収容室に固定され、且つ下端に開口する第２収容室を有し、前記弁芯は前記第２収容室に軸方向に沿って可動的に設けられ、
前記第２収容室は軸方向に沿って上向きの第１段差面を有し、前記第１段差面は、前記弁芯が前記第２収容室の下端に位置するときに前記弁芯の下端に当接されるように配置される、電磁弁。

【請求項2】

前記弁芯座アセンブリの下端開口は内側に折り曲げられて屈曲部を形成し、前記屈曲部の軸方向に沿って上向きの上面により前記第１段差面が規定される、請求項１に記載の電磁弁。

【請求項3】

前記第２収容室の下端開口に近接した位置に座金が設けられており、前記座金の軸方向に沿って上向きの上面により前記第１段差面が規定される、請求項１に記載の電磁弁。

【請求項4】

前記弁芯座アセンブリの下端開口は内側に折り曲げられて屈曲部を形成し、前記座金は軸方向に沿って前記屈曲部の上方に隣接して設けられる、請求項３に記載の電磁弁。

【請求項5】

前記第１収容室は軸方向に沿って上向きの第２段差面を有し、前記弁芯座アセンブリは軸方向に沿って下向きの第３段差面を有し、前記第２段差面と前記第３段差面とは当接係合される、請求項１から４のいずれか一項に記載の電磁弁。

【請求項6】

前記ピストンは中心孔を有し、前記中心孔は前記第１収容室の下端に連通され、ここで、前記第１収容室の下端に前記第２段差面が形成されるように、前記中心孔の孔径が前記第１収容室の内径より小さく、ここで、前記弁芯座アセンブリの下端開口は内側に折り曲げられて屈曲部を形成し、前記屈曲部の軸方向に沿って下向きの下面により前記第３段差面が規定される、請求項５に記載の電磁弁。

【請求項7】

前記第１収容室は、軸方向に沿って上下に配置された第１チャンバ及び第２チャンバを有し、前記第１チャンバと前記第２チャンバとの接続部位に前記第２段差面が形成されるように、前記第２チャンバの内径が前記第１チャンバの内径より小さく、ここで、前記弁芯座アセンブリは、軸方向に沿って上下に配置された第１部及び第２部を有し、前記第１部と前記第２部との接続部位に前記第３段差面が形成されるように、前記第２部の外径が前記第１部の外径より小さい、請求項５に記載の電磁弁。

【請求項8】

前記弁芯座アセンブリは、軸方向に沿って上下に配置された第３部及び第１部を有し、前記第１部と前記第３部との接続部位に軸方向に沿って上向きの第４段差面が形成されるように、前記第３部の外径が前記第１部の外径より小さく、ここで、前記ピストンが位置する前記第１収容室の頂部開口の周縁の位置に伸び部が設けられており、前記伸び部は前記第４段差面にかしめられるように配置される、請求項１から４のいずれか一項に記載の電磁弁。

【請求項9】

前記弁芯座アセンブリの第３部は、前記第１収容室から突出している、請求項８に記載の電磁弁。

【請求項10】

前記弁芯座アセンブリは、上下に隣接して配置された座本体及びブッシュを含み、前記座本体及び前記ブッシュはともに前記第１収容室に固定され、且つともに前記第２収容室を規定し、前記座本体の上端が前記弁芯座アセンブリの上端であり、前記ブッシュの下端が前記弁芯座アセンブリの下端である、請求項１から４のいずれか一項に記載の電磁弁。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願
本開示は、２０２１年１２月７日に出願番号が２０２１２３０５９７８８．８である中国出願「電磁弁」に基づく優先権を主張し、その全ての内容は参照により本明細書に組み込まれる。

【0002】

本開示は、電磁弁に関する。

【背景技術】

【0003】

従来の電磁弁の弁芯の下端はピストン収容室の底面に直接押し当てられ、弁芯がピストンに長期間衝撃を与え、弁芯が容易に脱落する問題があり、これにより電磁弁の使用寿命が低下し、ひいては弁芯等の部品がシステム中に落下して故障を引き起こす。

【発明の概要】

【0004】

本開示の一態様によれば、ピストン、弁芯座アセンブリ及び弁芯を含み、ピストンは第１収容室を有し、弁芯座アセンブリは第１収容室に固定され、且つ下端に開口する第２収容室を有し、弁芯は第２収容室に軸方向に沿って可動的に設けられ、ここで、第２収容室は軸方向に沿って上向きの第１段差面を有し、第１段差面は、弁芯が第２収容室の下端に位置するときに弁芯の下端に当接されるように配置される、電磁弁を提供する。

【図面の簡単な説明】

【0005】

【図1】例示的な実施形態による電磁弁の断面図である。

【図2】図１に示された電磁弁の部分構造の拡大模式図である。

【図3】他の例示的な実施形態による電磁弁の部分構造の拡大模式図である。

【図4】他の例示的な実施形態による電磁弁の部分構造の拡大模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0006】

次に、図面を参照して、例示的な実施形態についてより全面的に説明する。しかしながら、例示的な実施形態は、様々な形態で実施でき、ここで述べる実施形態に限定されるものと解釈されるべきではなく、むしろ、これらの実施形態の提示により、本開示が全面的且つ完全なものとなり、例示的な実施形態の概念を当業者に全面的に伝えるものとなる。図面における同一の符号は、同一又は類似の構成を示すため、それらの詳細な説明を省略する。

【0007】

図１を参照すると、本開示で提案される電磁弁の断面図が代表的に示されている。例示的な実施形態において、本開示で提案される電磁弁は、例えば空調システムの冷却設備に適用することを例にして説明する。当業者であれば、本開示の関連する設計を他のタイプの設備又はシステムに適用するために、下記の具体的な実施形態に様々な変形、追加、置換、削除、又は他の変更を行ったとしても、これらの変更は依然として、本開示で提案される電磁弁の原理の範囲内であることが容易に理解される。

【0008】

図１に示すように、本開示の一実施形態において、本開示で提案される電磁弁は、弁体１００、ピストン２００、弁芯座アセンブリ３００及び弁芯４００を含む。図２を合わせて参照すると、図２には本開示の原理を表現できる電磁弁の部分構造の拡大模式図が代表的に示され、具体的には、電磁弁のピストン２００、弁芯座アセンブリ３００及び弁芯４００の組み立て構造が示されている。以下、上述の図面を参照して、本開示で提案される電磁弁のそれぞれの主な構成部分の構造、接続形態、及び機能関係について詳細に説明する。

【0009】

図１及び図２に示すように、本開示の一実施形態において、ピストン２００は第１収容室２１０を有する。弁芯座アセンブリ３００は、第１収容室２１０に固定され、弁芯座アセンブリ３００は自体の下端に開口する第２収容室３３０を有する。弁芯４００は第２収容室３３０に設けられ、且つ弁芯４００は第２収容室３３０において軸方向Ｘに沿って移動することが可能である。これに基づいて、第２収容室３３０は第１段差面Ｓ１を有し、第１段差面Ｓ１は軸方向Ｘに沿って上向きであり、第１段差面Ｓ１は、弁芯４００が第２収容室３３０の下端に位置するときに弁芯４００の下端に当接可能である。上述の構造設計によって、本開示で提案される電磁弁は、弁芯座アセンブリ３００の第１段差面Ｓ１によって弁芯４００の位置を制限し、弁芯４００がピストン２００に直接当接されることを回避し、弁芯４００のピストン２００に対する衝撃を減少させ、この機構の使用寿命を延長させることができるとともに、弁芯４００がシステム中に落下してシステムの正常運転に影響を与えることを回避することができる。

【0010】

説明すべきこととして、図２に示すように、本開示の一実施形態において、弁芯座アセンブリ３００は、上下に隣接して配置された座本体３１０及びブッシュ３２０を含んでもよい。具体的には、座本体３１０及びブッシュ３２０はともに第１収容室２１０に固定され、且つ座本体３１０及びブッシュ３２０はともに弁芯座アセンブリ３００の第２収容室３３０を規定し、座本体３１０の上端が弁芯座アセンブリ３００の上端であり、ブッシュ３２０の下端が弁芯座アセンブリ３００の下端である。いくつかの実施形態において、弁芯座アセンブリ３００は、座本体３１０及びブッシュ３２０を含む構造に限定されず、例えば、座本体３１０のみを含んでもよく、これに限定されない。

【0011】

図２に示すように、本開示の一実施形態において、ブッシュ３２０の下端（即ち、弁芯座アセンブリ３００の下端）の開口が内側に折り曲げられて屈曲部３４０を形成し、屈曲部３４０の軸方向Ｘに沿って上向きの上面により弁芯座アセンブリ３００の上述の第１段差面Ｓ１が規定される。これにより、本開示は、屈曲部３４０によって弁芯４００の下端に当接されて、ピストン２００に対する衝撃保護及び弁芯４００に対する制限を実現することができる。

【0012】

図３を参照すると、図３に、本開示で提案される電磁弁の他の例示的な実施形態における部分構造の拡大模式図が代表的に示され、具体的には、電磁弁のピストン２００、弁芯座アセンブリ３００及び弁芯４００の組み立て構造が示されている。

【0013】

図３に示すように、本開示の一実施形態において、第２収容室３３０の下端開口３６０に近接した位置に座金３５０が設けられていてもよく、座金３５０の軸方向Ｘに沿って上向きの上面により弁芯座アセンブリ３００の上述の第１段差面Ｓ１が規定される。これにより、本開示は、座金３５０によって弁芯４００の下端に当接されて、ピストン２００に対する衝撃保護及び弁芯４００に対する制限を実現することができる。

【0014】

図３に示すように、第２収容室３３０に座金３５０が設けられた構造設計に基づいて、本開示の一実施形態において、第２収容室３３０の下端開口３６０に近接した内壁に取り付け溝が設けられてもよく、座金３５０の部分が取り付け溝に係止される又はかしめられることにより、座金３５０と弁芯座アセンブリ３００との取り付けを実現する。いくつかの実施形態において、座金３５０は、例えば溶接等の他の方法を採用して第２収容室３３０に取り付けられてもよい。更に、座金３５０は、屈曲部３４０と組み合わせて配置されることに限定されず、即ち、本開示の設計思想に従う様々な可能な実施形態において、屈曲部３４０を設けず、座金３５０のみを設けてもよく、これに限定されない。

【0015】

図３に示すように、第２収容室３３０に座金３５０が設けられた構造設計に基づいて、本開示の一実施形態では、弁芯座アセンブリ３００が、座本体３１０のみを含み、ブッシュ３２０を含まないことを例に説明し、これに基づき、座本体３１０の上端が弁芯座アセンブリ３００の上端であり、座本体３１０の下端が弁芯座アセンブリ３００の下端である。このとき、屈曲部３４０は、座本体３１０の下端が折り曲げられて成るものであり、且つ座金３５０は、座本体３１０に固定され且つ第２収容室３３０に位置する。いくつかの実施形態において、弁芯座アセンブリ３００がブッシュ３２０を更に含む場合、ブッシュ３２０の下端の開口（即ち、弁芯座アセンブリ３００の下端開口３６０）が内側に折れ曲げられて屈曲部３４０を形成すると、座金３５０は、ブッシュ３２０に固定可能であり且つ第２収容室３３０に位置し、座金３５０は、軸方向Ｘに沿って屈曲部３４０の上方に隣接して設けられるが、これに限定されない。

【0016】

図２及び図３に示すように、本出願の一実施形態において、第１収容室２１０は軸方向Ｘに沿って上向きの第２段差面Ｓ２を有してもよく、且つ弁芯座アセンブリ３００は軸方向Ｘに沿って下向きの第３段差面Ｓ３を有してもよい。これに基づいて、第２段差面Ｓ２と第３段差面Ｓ３とが当接係合されることにより、弁芯座アセンブリ３００のピストン２００の第１収容室２１０における位置が制限され、弁芯座アセンブリ３００に対する固定及び制限を行って、弁芯座アセンブリ３００が脱落することを回避し、弁芯座アセンブリ３００の固定効果を最適化する。

【0017】

図２及び図３に示すように、第１収容室２１０及び弁芯座アセンブリ３００が、当接係合された第２段差面Ｓ２及び第３段差面Ｓ３を有する構造設計に基づいて、本出願の一実施形態において、ピストン２００は中心孔２２０を有し、中心孔２２０は第１収容室２１０の下端に連通される。これに基づいて、第１収容室２１０の下端に第２段差面Ｓ２が形成されるように、中心孔２２０の孔径が第１収容室２１０の内径より小さい。これに基づいて、弁芯座アセンブリ３００の下端開口３６０は内側に折り曲げられて屈曲部３４０を形成し、屈曲部３４０の軸方向Ｘに沿って下向きの下面により第３段差面Ｓ３が規定される。

【0018】

図４を参照すると、図４には本開示で提案される電磁弁の他の例示的な実施形態における部分構造の拡大模式図が代表的に示され、具体的には、電磁弁のピストン２００、弁芯座アセンブリ３００及び弁芯４００の組み立て構造が示されている。

【0019】

図４に示すように、第１収容室２１０及び弁芯座アセンブリ３００が、当接係合された第２段差面Ｓ２及び第３段差面Ｓ３を有する構造設計に基づいて、本開示の一実施形態において、第１収容室２１０は、軸方向Ｘに沿って上下に配置された第１チャンバ２１０１及び第２チャンバ２１０２を有し、且つ第１チャンバ２１０１と第２チャンバ２１０２との接続部位に第２段差面Ｓ２が形成されるように、第２チャンバ２１０２の内径が第１チャンバ２１０１の内径より小さい。これに基づいて、弁芯座アセンブリ３００は、軸方向Ｘに沿って上下に配置された第１部３０１及び第２部３０２を有してもよく、且つ第１部３０１と第２部３０２との接続部位に第３段差面Ｓ３が形成されるように、第２部３０２の外径が第１部３０１の外径より小さい。これによると、図２及び図３に示された実施形態で採用した、第３段差面Ｓ３が弁芯座アセンブリ３００の下端に設けられた構造設計と異なって、図４に示される実施形態では、第３段差面Ｓ３が弁芯座アセンブリ３００の中間部に設けられているが、中間部とは、弁芯座アセンブリ３００の上端及び下端以外の部分を意味し、中間位置のみに限定されない。

【0020】

図２及び図３に示すように、本開示の一実施形態において、弁芯座アセンブリ３００は、軸方向Ｘに沿って上下に配置された第３部３０３及び第１部３０１を有してもよく、且つ第１部３０１と第３部３０３との接続部位に軸方向Ｘに沿って上向きの第４段差面Ｓ４が形成されるように、第３部３０３の外径が第１部３０１の外径より小さい。これに基づいて、ピストン２００が位置する第１収容室２１０の頂部開口の周縁の位置に伸び部２３０が設けられてもよく、伸び部２３０は第４段差面Ｓ４にかしめられて、弁芯座アセンブリ３００を制限し、弁芯座アセンブリ３００が上方に移動することを回避することができる。更に、図２及び図３に示される第１部３０１及び第３部３０３は、図４に示される実施形態において弁芯座アセンブリ３００が第１部３０１及び第２部３０２を有することを定義した上で名づけを行って、本明細書において弁芯座アセンブリ３００が異なる実施形態で有する各部分を区別するようにする。言い換えると、図２及び図３に示された実施形態において、弁芯座アセンブリ３００は第１部３０１及び第３部３０３を有し、図４に示された実施形態において、弁芯座アセンブリ３００は第１部３０１、第２部３０２及び第３部３０３を有することをここで説明する。

【0021】

図２及び図３に示すように、弁芯座アセンブリ３００が第１部３０１及び第３部３０３を有する構造設計に基づいて、本開示の一実施形態において、弁芯座アセンブリ３００の第３部３０３は、第１収容室２１０から突出していてもよい。

【0022】

上述のように、本開示で提案される電磁弁は、弁芯座アセンブリ３００の第２収容室３３０に第１段差面Ｓ１を設けることで、第１段差面Ｓ１により、弁芯４００が第２収容室３３０の下端に位置するときに弁芯４００の下端に当接される。上述の構造設計によって、本開示で提案される電磁弁は、弁芯座アセンブリ３００の第１段差面Ｓ１によって弁芯４００の位置を制限し、弁芯４００がピストン２００に直接当接されることを回避し、弁芯４００のピストン２００に対する衝撃を減少させ、この機構の使用寿命を延長させることができるとともに、弁芯４００がシステム中に落下してシステムの正常運転に影響を与えることを回避することができる。

【0023】

いくつかの典型的な実施形態を参照して本開示を説明したが、使用される用語は、説明及び例示のためのものであり、限定的なものではないことが理解されるべきである。本開示は、開示の精神又は本質から逸脱することなく、様々な形態で具体的に実施することができるため、上述の実施形態は、前述の詳細のいずれかに限定されず、添付された特許請求の範囲により限定される精神及び範囲内で広く解釈されるべきであり、したがって、特許請求の範囲又はそれと等価的な範囲内に入る全ての変更及び変形は、いずれも添付された特許請求の範囲によって網羅されるべきであることが理解されるべきである。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【国際調査報告】