特表 2024-544050 回路基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-11-27

(54)【発明の名称】回路基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/02 20060101AFI20241120BHJP

   H05K 1/18 20060101ALN20241120BHJP

   H05K 3/46 20060101ALN20241120BHJP

   H01L 23/12 20060101ALN20241120BHJP

【ＦＩ】

H05K1/02 J

H05K1/18 R

H05K3/46 Q

H01L23/12 N

H01L23/12 F

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024531697

(86)(22)【出願日】2022-11-29

(85)【翻訳文提出日】2024-05-28

(86)【国際出願番号】 KR2022019076

(87)【国際公開番号】W WO2023096462

(87)【国際公開日】2023-06-01

(31)【優先権主張番号】10-2021-0167679

(32)【優先日】2021-11-29

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(31)【優先権主張番号】10-2021-0170036

(32)【優先日】2021-12-01

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】517099982

【氏名又は名称】エルジー イノテック カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100114188

【弁理士】

【氏名又は名称】小野 誠

(74)【代理人】

【識別番号】100119253

【弁理士】

【氏名又は名称】金山 賢教

(74)【代理人】

【識別番号】100129713

【弁理士】

【氏名又は名称】重森 一輝

(74)【代理人】

【識別番号】100137213

【弁理士】

【氏名又は名称】安藤 健司

(74)【代理人】

【識別番号】100183519

【弁理士】

【氏名又は名称】櫻田 芳恵

(74)【代理人】

【識別番号】100196483

【弁理士】

【氏名又は名称】川嵜 洋祐

(74)【代理人】

【識別番号】100160255

【弁理士】

【氏名又は名称】市川 祐輔

(74)【代理人】

【識別番号】100219265

【弁理士】

【氏名又は名称】鈴木 崇大

(74)【代理人】

【識別番号】100203208

【弁理士】

【氏名又は名称】小笠原 洋平

(74)【代理人】

【識別番号】100216839

【弁理士】

【氏名又は名称】大石 敏幸

(74)【代理人】

【識別番号】100228980

【弁理士】

【氏名又は名称】副島 由加里

(74)【代理人】

【識別番号】100151448

【弁理士】

【氏名又は名称】青木 孝博

(74)【代理人】

【識別番号】100146318

【弁理士】

【氏名又は名称】岩瀬 吉和

(72)【発明者】

【氏名】シン，ジョンベ

(72)【発明者】

【氏名】イ，スミン

(72)【発明者】

【氏名】チョン，ジェフン

(72)【発明者】

【氏名】チョン，チチョル

【テーマコード（参考）】

5E316

5E336

5E338

【Ｆターム（参考）】

5E316AA12

5E316AA32

5E316AA43

5E316CC32

5E316DD02

5E316DD12

5E316DD23

5E316DD24

5E316EE08

5E316EE33

5E316FF13

5E316FF14

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG28

5E316HH31

5E316JJ12

5E316JJ13

5E316JJ25

5E316JJ27

5E336AA04

5E336BB03

5E336BC12

5E336BC25

5E336CC31

5E336CC55

5E336EE01

5E336GG14

5E338AA03

5E338BB19

5E338BB28

5E338BB63

5E338BB75

5E338CD33

5E338EE11

5E338EE24

(57)【要約】

実施例に係る回路基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上面に配置された第１パターン層と、前記第１絶縁層の上面及び前記第１パターン層の上面に配置され、キャビティを含む第２絶縁層と、を含み、前記第１絶縁層の上面は、前記キャビティの下面に対応する第１上面と、前記第１上面と段差を有し、前記キャビティの下面と垂直に重ならない第２上面とを含み、前記第１パターン層は、前記第１上面に配置された第１パターン部と、前記第２上面に配置された第２パターン部とを含み、前記第１パターン部の厚さは、前記第２パターン部の厚さより小さい。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上面に配置された第１パターン層と、
前記第１絶縁層の上面及び前記第１パターン層の上面に配置され、キャビティを含む第２絶縁層と、を含み、
前記第１絶縁層の上面は、
前記キャビティの下面に対応する第１上面と、
前記第１上面と段差を有し、前記キャビティの下面と垂直に重ならない第２上面とを含み、
前記第１パターン層は、前記第１上面に配置された第１パターン部と、前記第２上面に配置された第２パターン部とを含み、
前記第１パターン部の厚さは、前記第２パターン部の厚さより小さい、回路基板。

【請求項2】

前記第１パターン部の上面は、前記第２パターン部の上面より低く位置する、請求項１に記載の回路基板。

【請求項3】

前記第１パターン部の下面は、前記第２パターン部の下面と同一平面上に位置する、請求項１または２に記載の回路基板。

【請求項4】

前記第１パターン層は、前記第１絶縁層の前記第１上面と前記第２上面の間の境界領域に配置された第３パターン部を含み、
前記第３パターン部の厚さは、前記第２パターン部の厚さより小さい、請求項１に記載の回路基板。

【請求項5】

前記第１パターン部の上面は、前記第２絶縁層と接せず、
前記第２及び第３パターン部の上面は、前記第２絶縁層と接する、請求項４に記載の回路基板。

【請求項6】

前記第３パターン部の上面は、前記第１パターン部の上面より高く位置し、
前記第３パターン部の下面は、前記第２パターン部の下面より高く位置する、請求項４に記載の回路基板。

【請求項7】

前記第３パターン部の上面は、前記第２パターン部の上面と同一平面上に位置し、
前記第３パターン部の下面は、前記第１パターン部の上面と同一平面上に位置するか高く位置する、請求項４に記載の回路基板。

【請求項8】

前記第２パターン部は、前記第１パターン部と水平に重なる第１金属層と、
前記第１金属層の上に配置され、前記第１絶縁層の前記第２上面に接する第２金属層を含む、請求項４に記載の回路基板。

【請求項9】

前記第２パターン部の前記第１金属層の厚さは、前記第１パターン部の厚さに対応し、
前記第２パターン部の前記第２金属層の厚さは、前記第３パターン部の厚さに対応する、請求項８に記載の回路基板。

【請求項10】

前記第１絶縁層の前記第１上面は、前記第２上面より低く位置する、請求項６に記載の回路基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

実施例は、回路基板に関するものとして、特に回路基板、半導体パッケージ及びこれを含むアンテナ装置に関するものである。

【背景技術】

【0002】

従来の５G通信システムに適用される回路基板は、多数の基板が集積化された構造を有した。これにより、従来の回路基板は、相対的に厚い厚さを有した。よって、従来の回路基板は、絶縁層の厚さを減らすことにより全体的な厚さを減らしている。

【0003】

しかし、前記回路基板の絶縁層の厚さを減らすことには限界がある。

【0004】

また、前記回路基板がアンテナ装置に適用される場合、前記回路基板は、アンテナ基板やアンテナ給電基板に対応するアンテナ部と、送受信機基板に対応する駆動部を含む。また、前記アンテナ部と駆動部は、相互垂直方向に配列されて結合される構造を有する。このとき、前記アンテナ部に含まれたアンテナパターンは、垂直方向に信号を放射することができる。これにより、前記アンテナ部に対応する基板の厚さを減らす場合、前記アンテナ部と前記駆動部の間の相互信号干渉が発生し得る。これにより、アンテナパターンの放射特性が低下したり、駆動部による通信性能が減少する問題がある。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

実施例は、新しい構造の回路基板、半導体パッケージ及びこれを含むアンテナ装置を提供する。

【0006】

また、実施例は、スリム化され、信号干渉が最小化された、スリム化された回路基板、半導体パッケージ及びこれを含むアンテナ装置を提供する。

【0007】

また、実施例は、駆動素子とアンテナパターンの間の信号ラインの距離を最小化することができる回路基板、半導体パッケージ及びこれを含むアンテナ装置を提供する。

【0008】

また、実施例は、同一条件においてキャビティの深さを増加させることができる回路基板、半導体パッケージ及びこれを含むアンテナ装置を提供しようとする。

【0009】

また、実施例は、キャビティが占める空間を最小化することができる回路基板、半導体パッケージ及びこれを含むアンテナ装置を提供しようとする。

【0010】

また、実施例は、レーザー工程時にパッドの損傷を防止することができる回路基板、半導体パッケージ及びこれを含むアンテナ装置を提供する。

【0011】

また、実施例は、複数の絶縁層の間の密着力を確保することができる回路基板、半導体パッケージ及びこれを含むアンテナ装置を提供する。

【0012】

また、実施例は、半導体素子をモールディングするモールディング層との密着力を確保することができる回路基板、半導体パッケージ及びこれを含むアンテナ装置を提供する。

【0013】

実施例で解決しようとする技術的課題は、以上で言及した技術的課題に制限されるものではなく、言及されていないさらに他の技術的課題は、以下の記載から本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されるだろう。

【課題を解決するための手段】

【0014】

実施例に係る回路基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上面に配置された第１パターン層と、前記第１絶縁層の上面及び前記第１パターン層の上面に配置され、キャビティを含む第２絶縁層と、を含み、前記第１絶縁層の上面は、前記キャビティの下面に対応する第１上面と、前記第１上面と段差を有し、前記キャビティの下面と垂直に重ならない第２上面とを含み、前記第１パターン層は、前記第１上面に配置された第１パターン部と、前記第２上面に配置された第２パターン部とを含み、前記第１パターン部の厚さは、前記第２パターン部の厚さより小さい。

【0015】

また、前記第１パターン部の上面は、前記第２パターン部の上面より低く位置する。

【0016】

また、前記第１パターン部の下面は、前記第２パターン部の下面と同一平面上に位置する。

【0017】

また、前記第１パターン層は、前記第１絶縁層の前記第１上面と前記第２上面の間の境界領域に配置された第３パターン部を含み、前記第３パターン部の厚さは、前記第２パターン部の厚さより小さい。

【0018】

また、前記第１パターン部の上面は、前記第２絶縁層と接せず、前記第２及び第３パターン部の上面は、前記第２絶縁層と接する。

【0019】

また、前記第３パターン部の上面は、前記第１パターン部の上面より高く位置し、前記第３パターン部の下面は、前記第２パターン部の下面より高く位置する。

【0020】

また、前記第３パターン部の上面は、前記第２パターン部の上面と同一平面上に位置し、前記第３パターン部の下面は、前記第１パターン部の上面と同一平面上に位置するか高く位置する。

【0021】

また、前記第２パターン部は、前記第１パターン部と水平に重なる第１金属層と、前記第１金属層の上に配置され、前記第１絶縁層の前記第２上面に接する第２金属層を含む。

【0022】

また、前記第２パターン部の前記第１金属層の厚さは、前記第１パターン部の厚さに対応し、前記第２パターン部の前記第２金属層の厚さは、前記第３パターン部の厚さに対応する。

【0023】

また、前記第１絶縁層の前記第１上面は、前記第２上面より低く位置する。

【0024】

また、前記第１絶縁層の前記第１上面は、前記第２パターン部及び前記第３パターン部の上面より低く位置し、前記第１絶縁層の前記第２上面は、前記第２パターン部及び前記第３パターン部の上面と同一平面上に位置する。

【0025】

また、前記第１絶縁層の前記第１上面は、前記第１パターン部の上面または前記第３パターン部の下面と同一平面上に位置する。

【0026】

また、前記第１絶縁層の前記第１上面は、前記第１パターン部の上面と段差を有する。

【0027】

また、前記第１パターン部は、前記第２パターン部の厚さの５１%～８５%の範囲を満足し、前記第３パターン部は、前記第２パターン部の厚さの１５%～４９%の範囲を満足する。

【0028】

また、前記回路基板は、前記第１絶縁層の他面に配置された第２パターン層を含み、前記第２パターン層の層数は、前記第１パターン層の前記第２パターン部の層数と異なる。

【0029】

また、前記第１パターン層の前記第２パターン部の厚さは、前記第２パターン層の厚さと同一である。

【0030】

また、前記第１絶縁層を貫通し、前記第１パターン層の第１パターン部及び第２パターン部のうちいずれか１つと前記第２パターン層の間を連結する第１貫通電極を含み、前記第１貫通電極の厚さは、前記第１パターン層の第２パターン部の厚さまたは前記第２パターン層の厚さ以下である。

【0031】

また、前記キャビティは、前記第２絶縁層の上面に隣接し、前記第１絶縁層を向けて幅が変化する第１傾斜を有する第１パートと、前記第２絶縁層の下面に隣接し、前記第１絶縁層を向けて幅が変化し、前記第１傾斜と異なる第２傾斜を有する第２パートを含み、前記第１パターン部の上面に対する前記第１傾斜は、前記第１パターン部の上面に対する前記第２傾斜より大きい。

【0032】

また、前記第１パートの垂直長さは、前記第２パートの垂直長さより小さい。

【0033】

一方、実施例に係る半導体パッケージは、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の一面に配置され、キャビティを含む第２絶縁層と、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層の間に配置され、前記キャビティと垂直に重なる第１領域に配置された第１パターン部と、前記キャビティと垂直に重ならない第２領域に配置された第２パターン部と、前記第１及び第２領域の間の境界領域に配置された第３パターン部を含む第１パターン層と、前記第１絶縁層の他面に配置された第２パターン層と、前記第２絶縁層の上面に配置された第３パターン層と、前記第１パターン層の前記第１パターン部に配置された接続部と、前記接続部に実装された素子と、を含み、前記第１パターン部の上面は、前記第２及び第３パターン部の上面より低く位置し、前記第２パターン部の上面は、前記第３パターン部の上面と同一平面上に位置し、前記第３パターン部の下面は、前記第１及び第２パターン部の下面より高く位置し、前記第１パターン部の下面は、前記第２パターン部の下面と同一平面上に位置する。

【0034】

また、前記半導体パッケージにおいて、前記第１～第３パターン層は、前記キャビティと垂直に重ならない領域に配置された第１回路部と、前記キャビティと垂直に重なる領域に配置された第２回路部とを含み、前記第１回路部は、アンテナパターンを含むアンテナ部であり、前記第２回路部は、前記アンテナ部を駆動する駆動部であり、前記素子は、前記アンテナ部に送信信号を提供したり、前記アンテナ部を介して受信した受信信号を処理する駆動素子を含む。

【0035】

実施例に係る回路基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上面に配置された第１パターン層と、前記第１絶縁層の上面及び前記第１パターン層の上面に配置され、キャビティを含む第２絶縁層と、を含み、前記第１絶縁層の厚さは、前記第２絶縁層の厚さと異なり、前記第１及び第２絶縁層のうちいずれか１つの絶縁層の厚さは、他の１つの絶縁層の厚さの１１０%～２２０%の範囲を満足する。

【0036】

また、前記第１パターン層は、前記第２絶縁層の下面の下に配置され、前記第１絶縁層内に埋め込まれ、前記第１絶縁層の厚さは、前記第２絶縁層の厚さより大きい。

【0037】

また、前記第１パターン層は、前記第１絶縁層の上面の上に配置され、前記第２絶縁層内に埋め込まれ、前記第２絶縁層の厚さは、前記第１絶縁層の厚さより大きい。

【0038】

また、前記第１絶縁層の下に配置された第３絶縁層を含み、前記第３絶縁層の厚さは、前記第１絶縁層の厚さより小さい。

【0039】

また、前記第３絶縁層の厚さは、前記第２絶縁層の厚さに対応する。

【0040】

また、前記第２絶縁層の上に配置された第４絶縁層を含み、前記第４絶縁層の厚さは、前記第２絶縁層の厚さより小さい。

【0041】

また、前記第４絶縁層の厚さは、前記第１絶縁層の厚さに対応する。

【0042】

また、前記第１パターン層は、上面が前記第２絶縁層と接し、側面が前記キャビティを介して露出するパターン部を含み、前記パターン部の下面の幅は、前記パターン部の上面の幅より大きい。

【0043】

また、前記パターン部は、前記パターン部の下面から前記パターン部の上面に向かうほど幅が減少する傾斜を有する側面を含み、前記パターン部の側面は曲面を含む。

【0044】

また、前記パターン部は、内側方向に陥没した陥没部を含み、前記第２絶縁層の下面の少なくとも一部は、前記陥没部と垂直に重なり、前記第１パターン層及び前記第１絶縁層と接しない。

【0045】

また、前記第１及び第２絶縁層のうちいずれか１つは、１０μm～６０μmの範囲の厚さを有し、前記第１及び第２絶縁層のうち他の１つは、１１μm～１３２μmの範囲の厚さを有する。

【0046】

一方、実施例に係るパッケージ基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上面に配置され、キャビティを含む第２絶縁層と、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層の間に配置され、前記キャビティと垂直に重なる第１領域に配置された第１パターン部と、前記キャビティと垂直に重ならない第２領域に配置された第２パターン部と、前記第１及び第２領域の間の境界領域に配置された第３パターン部を含む第１パターン層と、前記第１パターン部の上に配置された接続部と、前記接続部に実装された素子と、前記素子をモールディングし、前記キャビティ内に配置されるモールディング層と、を含み、前記第３パターン部は、内側方向に陥没した陥没部を含み、前記第２絶縁層の下面の少なくとも一部は、前記陥没部と垂直に重なり、前記モールディング層と接触する。

【0047】

また、前記第３パターン部は、前記第３パターン部の下面から前記第３パターン部の上面に向かうほど幅が減少する傾斜を有する側面を含み、前記第３パターン部の側面は曲面を含む。

【0048】

また、前記第１パターン層は、前記第２絶縁層の下面の下に配置され、前記第１絶縁層内に埋め込まれ、前記第１絶縁層の厚さは、前記第２絶縁層の厚さの１１０%～２２０%の範囲を満足する。

【0049】

また、前記第１パターン層は、前記第１絶縁層の上面の上に配置され、前記第２絶縁層内に埋め込まれ、前記第２絶縁層の厚さは、前記第１絶縁層の厚さの１１０%～２２０%の範囲を満足する。

【発明の効果】

【0050】

実施例の回路基板は、第１基板層と第２基板層を含むことができる。前記第２基板層は、キャビティを備えることができる。前記第１基板層は、前記第１基板層と一番隣接するように配置された第１-１絶縁層及び前記第１-１絶縁層の上面に配置された第１パターン層を含むことができる。前記第１パターン層は、前記キャビティと垂直に重なった第１領域に配置された第１パターン部、前記キャビティと垂直に重ならない第２領域に配置された第２パターン部、及び前記第１及び第２領域の間の境界領域に形成された第３パターン部を含むことができる。前記第１～第３パターン部のうち少なくとも１つの厚さは、少なくとも他の１つの厚さと異なってもよい。また、前記第１～第３パターン部のうち少なくとも１つの上面または下面は、少なくとも他の１つの上面または下面と異なる平面上に位置することができる。実施例は、キャビティと隣接した領域に配置された第１パターン層が互いに異なる厚さまたは表面が互いに異なる位置に配置される構造を有することができ、これによりキャビティ形成工程性を向上させることができる。よって、実施例は、キャビティ工程時に発生し得る信頼性問題を解決することができる。

【0051】

具体的に、前記第１パターン層は、２段メッキにより第１金属層及び第２金属層を含む２層構造を有することができる。このとき、前記第１金属層及び第２金属層のうちいずれか１つを実装パッドである第１パターン部として利用し、他の１つをレーザーストッパーである第３パターン部として利用することができる。また、第２パターン部は、前記第１及び第２金属層を両方とも含むことができる。よって、実施例は、実装パッドとストッパーが同一平面上に配置されることにより発生する信頼性問題を解決することができる。例えば、比較例は、キャビティを形成するレーザー工程で前記実装パッドの損傷を防止するために、前記実装パッドの上に別途の保護層(不図示)の形成及び除去工程を行った。この反面、実施例は、前記レーザーストッパーとして利用される第３パターン部の一部を前記実装パッドである第１パターン部の保護部として活用することができる。よって、実施例は、前記キャビティを形成する工程で前記実装パッドである第１パターン部が損傷することを防止することができる。また、実施例は、前記第１パターン部を保護するための追加的な保護層の形成工程を省略することができる。

【0052】

また、前記第１基板層は、前記キャビティと垂直に重なった第１領域と、前記第１領域を除いた第２領域を含むことができる。また、前記第２基板層は、前記キャビティに対応する第３領域と、前記第３領域を除いた第４領域を含むことができる。このとき、実施例の前記第２基板層の第３領域は、駆動素子が配置される領域であってもよく、前記第４領域は、アンテナパターン層が配置される領域であってもよい。よって、第２基板層のキャビティを利用して駆動素子を配置するとともに前記駆動素子と水平方向に隣接した第２基板層の第４領域にアンテナパターン層を配置することができる。よって、実施例は、前記アンテナパターン層と前記駆動素子の間の信号伝送距離を最小化することができ、これによる信号伝送損失を最小化することができる。例えば、実施例は、比較例の接続手段が備えられた構造に比べて信号伝送距離を減らすことができ、これによる別途の接続手段によって発生する信号伝送損失を減少させることができる。また、実施例は、前記アンテナパターン層と駆動素子が水平方向に配置される構造を有することができる。よって、実施例は、前記第２基板層の第４領域と垂直に重なる第１基板層の第２領域を第２アンテナパターン層として活用することができる。これにより１つの回路パターンで互いに異なる方向へのアンテナパターン放射及び信号受信を可能とすることができる。

【0053】

また、実施例は、第２基板層のキャビティ内に駆動素子を配置することができ、これによりキャビティが有する深さに対応するように回路基板の厚さを減らすことができる。

【0054】

また、実施例のキャビティは、第１傾斜を有する第１パートと、前記第１傾斜と異なる第２傾斜を有する第２パートを含むことができる。このとき、前記第２傾斜は、前記キャビティの底面に対し前記第１傾斜より小さい傾斜角を有することができる。また、実施例の前記第２傾斜を有する第２パートの垂直長さは、前記第１傾斜を有する第１パートの垂直長さより長くてもよい。これにより、実施例は、前記比較例に比べて前記キャビティが占める空間を減らすことができ、これにより回路集積度を向上させることができる。例えば、実施例は、比較例と同一回路基板のボリューム内でアンテナパターン層の長さを増加させることができ、これによる通信性能を向上させることができる。

【0055】

また、実施例は貫通電極の厚さを回路層と同一厚さまたはこれより小さい厚さを有するようにすることができる。これにより、実施例は、貫通電極の厚さを回路層と同一厚さまたは回路層より小さい厚さを有するようにすることができ、これにより回路基板の厚さを減らすことができる。また、実施例は、前記貫通電極の厚さを減らすことにより前記貫通電極を含む信号伝送経路における信号伝送距離を減らすことができ、これによる信号伝送損失を最小化することができる。

【0056】

また、実施例は、絶縁層及び貫通電極の厚さを減らすことにより回路層の層数を増加させることができ、これにより回路集積度及び通信性能を向上させることができる。

【0057】

また、前記第１パターン層は、前記キャビティを形成するためのストッパー層を含むことができる。前記ストッパー層は、前記キャビティが形成された後に除去される。ただし、前記ストッパー層は、前記キャビティが形成される前に前記キャビティが形成される領域に対応するように全体的に配置される。このとき、前記回路基板の製造工程中における前記第１パターン層の表面積は、前記第１-１絶縁層及び第２-１絶縁層の表面積の５０%、または６０%を超過することができ、これにより前記第１-１絶縁層と第２-１絶縁層の間の密着力が低下する。実施例は、前記ストッパー層を含む第１パターン層と接する絶縁層の厚さを増加させることができる。よって、実施例は、前記ストッパー層を含む第１パターン層と接する絶縁層との密着力を向上させることができる。具体的に、実施例の第１-１絶縁層及び第２-１絶縁層の厚さのうちいずれか１つの絶縁層の厚さを他の絶縁層の厚さより大きくすることができる。これにより実施例は、前記第１パターン層、前記第１-１絶縁層及び前記第２-１絶縁層の間の密着力を向上させることができ、これにより回路基板の物理的信頼性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0058】

【図1】第１実施例に係る回路基板を示した図面である。

【0059】

【図2】図１のキャビティ領域を拡大した拡大図である。

【0060】

【図3a】第１実施例に係る回路基板の第１パターン層の配置領域を拡大した拡大図である。

【0061】

【図3b】第２実施例に係る回路基板の第１パターン層の配置領域を拡大した拡大図である。

【0062】

【図3c】第３実施例に係る回路基板の第１パターン層の配置領域を拡大した拡大図である。

【0063】

【図4a】は、第２基板層を上側から見た平面図を示したものである。

【図4b】は、第２基板層を上側から見た平面図を示したものである。

【0064】

【図5a】第１変形例に係る回路基板を示した図面である。

【0065】

【図5b】第２変形例に係る回路基板を示した図面である。

【0066】

【図5c】第３変形例に係る回路基板を示した図面である。

【0067】

【図6】第２実施例に係る回路基板を示した図面である。

【0068】

【図7】図６の一部領域を拡大した拡大図である。

【0069】

【図8】実施例に係る半導体パッケージを示した図面である。

【0070】

【図9】第３実施例に係る回路基板を示した図面である。

【0071】

【図10】第４実施例に係る回路基板を示した図面である。

【0072】

【図11a】図１に図示された実施例に係る回路基板の製造方法を工程順に示した図面である。

【図11b】図１に図示された実施例に係る回路基板の製造方法を工程順に示した図面である。

【図11c】図１に図示された実施例に係る回路基板の製造方法を工程順に示した図面である。

【図11d】図１に図示された実施例に係る回路基板の製造方法を工程順に示した図面である。

【図11e】図１に図示された実施例に係る回路基板の製造方法を工程順に示した図面である。

【図11f】図１に図示された実施例に係る回路基板の製造方法を工程順に示した図面である。

【図11g】図１に図示された実施例に係る回路基板の製造方法を工程順に示した図面である。

【図11h】図１に図示された実施例に係る回路基板の製造方法を工程順に示した図面である。

【図11i】図１に図示された実施例に係る回路基板の製造方法を工程順に示した図面である。

【図11j】図１に図示された実施例に係る回路基板の製造方法を工程順に示した図面である。

【図11k】図１に図示された実施例に係る回路基板の製造方法を工程順に示した図面である。

【図11l】図１に図示された実施例に係る回路基板の製造方法を工程順に示した図面である。

【図11m】図１に図示された実施例に係る回路基板の製造方法を工程順に示した図面である。

【図11n】図１に図示された実施例に係る回路基板の製造方法を工程順に示した図面である。

【図11o】図１に図示された実施例に係る回路基板の製造方法を工程順に示した図面である。

【図11p】図１に図示された実施例に係る回路基板の製造方法を工程順に示した図面である。

【発明を実施するための形態】

【0073】

以下、添付された図面を参照して、本発明の好ましい実施例を詳しく説明する。

【0074】

ただし、本発明の技術思想は、説明される一部実施例に限定されるものではなく、多様な形態に具現することができ、本発明の技術思想の範囲内であれば、実施例間の構成要素のうち１つ以上を選択的に結合、置き換えて用いることができる。

【0075】

また、本発明の実施例で用いられる用語(技術及び科学的用語を含む)は、明白に特定して記述されない限り、本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に一般的に理解できる意味と解釈され、辞書に定義された用語のように一般的に使用される用語は、かかわる技術の文脈上の意味を考慮してその意味を解釈できるだろう。

【0076】

また、本発明の実施例で用いられる用語は、実施例を説明するためのものであり、本発明を制限しようとするものではない。本明細書において、単数形は、記載上特に限定しない限り複数形も含むことができ、「A及びB、Cのうち少なくとも１つ(または１つ以上)」と記載される場合、A、B、Cで組合せることのできる全ての組合せのうち１つ以上を含むことができる。

【0077】

また、本発明の実施例の構成要素の説明において、第１、第２、A、B、(a)、(b)等の用語を用いることができる。このような用語は、その構成要素を他の構成要素と区別するためのものであり、その用語によって当該構成要素の本質または順序等が限定されるものではない。そして、ある構成要素が他の構成要素に「連結」、「結合」または「接続」されると記載された場合、その構成要素はその他の構成要素に直接的に連結、結合または接続される場合だけではなく、その構成要素とその他の構成要素との間にあるさらに他の構成要素により「連結」、「結合」または「接続」される場合も含むことができる。

【0078】

また、各構成要素の「上または下」に形成または配置されると記載される場合、「上または下」は、２つの構成要素が直接接触する場合だけではなく、１つ以上のさらに他の構成要素が２つの構成要素の間に形成または配置される場合も含む。また「上または下」と表現される場合、１つの構成要素を基準として、上側方向だけではなく下側方向の意味も含むことができる。

【0079】

実施例を説明する前に比較例のアンテナ装置に対して簡単に説明する。

【0080】

比較例のアンテナ装置は、互いに別個の工程により製造された第１基板と第２基板を含む。前記第１基板と第２基板はソルダーボールのような接続部材を介して結合される。前記第１基板は、アンテナ機能をするアンテナパターンを備え、前記第２基板は、アンテナパターンを駆動する駆動素子を含む。

【0081】

比較例は、前記接続部材の厚さだけアンテナ装置の厚さが増加する。

【0082】

また、比較例は、第１基板と第２基板が垂直積層構造にて結合し、これによりアンテナパターンと駆動素子の間の信号伝送長さが増加し、前記信号伝送長さに対応するように信号伝送損失が増加する。

【0083】

また、比較例は、前記接続部材の代わりにフレキシブル回路基板を利用したコネクタ構造を適用して前記第１基板と第２基板を連結する。前記フレキシブル回路基板が使用される場合、前記第１基板と第２基板が水平配置構造を有することができる。ただし、前記フレキシブル回路基板の長さだけ信号伝送距離が増加し、これによる信号損失が増加する。

【0084】

一方、５G通信システムに適用されるアンテナ装置は、４G以下の通信システムに適用されるアンテナ装置に比べて多いデータを送受信している。このとき、アンテナ装置のバッテリーの消耗量は、前記アンテナ装置で送受信するデータの量に比例して増加し、これによりバッテリーの用量が増加している。また、バッテリーサイズは、バッテリーの用量に比例して大きくなり、前記アンテナ装置でバッテリーが占める空間が増加している。

【0085】

一方、５G以上の通信システムは、バッテリーサイズを増加させるとともにアンテナ装置(例えば、移動端末機)のサイズを維持するために回路基板に備えられた絶縁層の厚さまたはアンテナパターンの厚さを減少させている。このとき、前記アンテナパターンの厚さが減少する場合、前記アンテナパターンの許容電流が減少する。ここで、前記許容電流は、前記アンテナパターンの断面積に対応するように安定した信号が流れることができる電流の限界値を意味する。前記アンテナパターンの厚さが減少する場合、前記許容電流が減少して通信性能(例えば、通信速度、送信信号強度、受信信号強度)が減少する問題がある。

【0086】

また、前記絶縁層の厚さが減少すると、第１基板と第２基板の間の距離が減少して相互間の信号干渉が増加し、これにより通信エラーのような通信性能問題が発生し得る。

【0087】

実施例に係る回路基板、半導体パッケージ及びこれを含むアンテナ装置に対して具体的に説明することにする。

【0088】

図１は、第１実施例に係る回路基板を示した図面であり、図２は、図１のキャビティ領域を拡大した拡大図である。

【0089】

以下では、図１及び図２を参照して実施例に係る回路基板の全体的な構造を説明することにする。

【0090】

まず、実施例の回路基板１００は、アンテナ装置の基板として用いることができる。ただし、実施例はこれに限定されない。例えば、実施例の回路基板は、少なくとも１つの半導体素子の実装が可能であるとともにアンテナ装置以外の他の半導体パッケージに適用することができる。例えば、実施例の回路基板に半導体素子が実装された構造の半導体パッケージは、電子デバイスに適用することができる。このとき、電子デバイスは、メインボード(不図示)を含むことができる。前記メインボードは、多様な部品と物理的及び/または電気的に連結される。例えば、メインボードは、実施例の半導体パッケージと連結される。前記半導体パッケージは、少なくとも１つの半導体素子を含むことができる。例えば、半導体パッケージは、揮発性メモリ(例えば、DRAM)、不揮発性メモリ(例えば、ROM)、フラッシュメモリ等のメモリチップと、セントラルプロセッサ(例えば、CPU)、グラフィックプロセッサ(例えば、GPU)、デジタル信号プロセッサ、暗号化プロセッサ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ等のアプリケーションプロセッサチップと、アナログ-デジタルコンバータ、ASIC(application-specific IC)等を含むことができる。

【0091】

実施例の回路基板は、キャビティを含むとともに前記キャビティ内に少なくとも１つ以上の半導体素子が実装されるようにすることができる。一例として、前記半導体素子は、アンテナ装置の送信チップ及び受信チップを含むRFICであってもよいが、これに限定されるものではない。

【0092】

前記電子デバイスは、スマートフォン(smart phone)、個人用情報端末機(personal digital assistant)、デジタルビデオカメラ(digital video camera)、デジタルスチルカメラ(digital still camera)、ネットワークシステム(network system)、コンピュータ(computer)、モニタ(monitor)、タブレット(tablet)、ラップトップ(laptop)、ネットブック(netbook)、テレビ(television)、テレビゲーム(video game)、スマートウォッチ(smart watch)、オートモーティブ(Automotive)等であってもよい。ただし、これに限定されるものではなく、これらの以外にもデータを処理する任意の他の電子機器であってもよいことはもちろんである。

【0093】

以下では、実施例の回路基板がアンテナ装置に適用される半導体パッケージとして使用されるものとして説明することにする。

【0094】

実施例の回路基板１００は、アンテナ部の駆動、給電及び支持のために提供される。例えば、前記回路基板１００は、プリント回路基板(Printed Circuit Board；PCB)であってもよい。このような、回路基板１００は平板構造を有する。このような回路基板１００は、多数の層が積層された多層構造を有することができる。

【0095】

前記回路基板１００は、接地のための接地層(不図示)及び給電のための給電部(不図示)を含むことができる。

【0096】

実施例の回路基板１００は、導電性アンテナパターン層が配置されるアンテナ部と、前記アンテナ部の駆動のための駆動素子が配置される駆動部とに区分することができる。前記導電性アンテナパターン層は、以下で説明される複数の回路層のうちいずれか１つを意味することができる。前記導電性アンテナパターン層は、実施例の回路基板で、信号送受信のために提供される。例えば、導電性アンテナパターン層は予め決められた共振周波数帯域で信号を送受信することができる。例えば、前記導電性アンテナパターン層は、共振周波数帯域で動作して電磁波を送受信することができる。前記導電性アンテナパターン層は、前記回路基板１００の給電部(不図示)から電源が供給されることにより動作することができ、前記給電部の電源供給動作は、前記駆動部の制御によって行われる。

【0097】

実施例の回路基板１００は、第１基板層２００及び第２基板層３００を含むことができる。前記第１基板層２００及び第２基板層３００は、厚さ方向を基準として１つの回路基板を複数の領域に区分したものであってもよい。例えば、前記第１基板層２００及び第２基板層３００は、キャビティCが形成される第１基板領域と前記第１基板領域以外の第２基板領域を基準として前記回路基板１００を区分したものであってもよい。

【0098】

前記第１基板層２００は、１層の絶縁層を含むことができ、２層以上の絶縁層を含むことができる。

【0099】

第２基板層３００は、前記第１基板層２００の上に配置される。前記第２基板層３００は、２層以上の絶縁層を含むことができる。前記第２基板層３００は、回路層及びキャビティCを含むことができる。前記第２基板層３００の回路層は、アンテナ機能をする導電性アンテナパターン層であってもよい。

【0100】

前記第２基板層３００が１層の絶縁層を含む場合、前記第２基板層３００に備えられるキャビティCの深さが充分に確保されず、これにより半導体パッケージの厚さ減少効果が微小となる。また、前記第２基板層３００が１層の絶縁層を含む場合、アンテナパターンによる通信性能が低下する。

【0101】

以下では、実施例に係る第１基板層２００及び第２基板層３００に対して具体的に説明することにする。

【0102】

第１基板層２００は、絶縁層、回路層及び貫通電極を含むことができる。前記貫通電極は、互いに異なる層に配置された回路パターンの間を連結する機能をする「連結部」または「ビア」と称することもできる。

【0103】

前記第１基板層２００は、第１絶縁層を含むことができる。前記第１絶縁層は、１層または２層以上の層構造を有することができる。図面上には、前記第１基板層２００の第１絶縁層が３層構造を有するものと図示したが、これに限定されるものではない。

【0104】

前記第１絶縁層は、第１-１絶縁層２１１、第１-２絶縁層２１２及び第１-３絶縁層２１３を含むことができる。例えば、前記第１絶縁層は、前記第２基板層３００に隣接した領域から第１-１絶縁層２１１、第１-２絶縁層２１２及び第１-３絶縁層２１３を含むことができる。

【0105】

前記第１-１絶縁層２１１は、前記第１絶縁層のうち前記第２基板層３００と一番隣接するように配置された第１最上側絶縁層を意味することができる。また、前記第１-３絶縁層２１３は、前記第１絶縁層のうち前記第２基板層３００と一番遠く離れた第１最下側絶縁層を意味することができる。また、前記第１-２絶縁層２１２は、前記第１最上側絶縁層及び第１最下側絶縁層の間に配置される第１内側絶縁層を意味することができる。そして、前記第１基板層２００が４層以上の絶縁層構造を有する場合、前記第１内側絶縁層は、複数の層で構成されてもよい。

【0106】

前記第１絶縁層は、プリプレグ(PPG、prepreg)を含むことができるが、これに限定されるものではない。

【0107】

例えば、第１絶縁層が複数の層を含む場合、前記複数の層の一部は、プリプレグを含むことができ、前記複数の層の残りの一部は、プリプレグ以外の絶縁物質を含むことができる。

【0108】

前記第１絶縁層の第１-１絶縁層２１１、第１-２絶縁層２１２及び第１-３絶縁層２１３のそれぞれは、１０μm～６０μmの範囲の厚さを有することができる。例えば、第１-１絶縁層２１１、第１-２絶縁層２１２及び第１-３絶縁層２１３のそれぞれは、１２μm～４５μmの範囲の厚さを有することができる。例えば、前記第１-１絶縁層２１１、第１-２絶縁層２１２及び第１-３絶縁層２１３のそれぞれは、１５μm～３０μmの厚さを有することができる。

【0109】

前記第１-１絶縁層２１１、第１-２絶縁層２１２及び第１-３絶縁層２１３のそれぞれの厚さは、隣接する互いに異なる回路層の間の垂直距離を意味することができる。前記第１-１絶縁層２１１、第１-２絶縁層２１２及び第１-３絶縁層２１３のそれぞれの厚さが１０μm未満であると、これに対応するように隣接する互いに異なる回路層の間の距離が近くなり、これにより相互間の信号干渉によって雑音に弱くなる。前記第１-１絶縁層２１１、第１-２絶縁層２１２及び第１-３絶縁層２１３のそれぞれの厚さが６０μmを超過すると、回路基板の厚さが増加する。また、前記第１-１絶縁層２１１、第１-２絶縁層２１２及び第１-３絶縁層２１３のそれぞれの厚さが６０μmを超過すると、貫通電極の厚さも増加し、これによる信号伝送距離が増加して信号伝送損失が増加する。

【0110】

実施例の第１基板層２００は、第１回路層を含むことができる。例えば、前記第１基板層２００は、第１絶縁層の複数の絶縁層にそれぞれ配置された第１回路層を含むことができる。

【0111】

例えば、前記第１基板層２００は、第１-１絶縁層２１１の上面に配置された第１パターン層２２１を含むことができる。例えば、前記第１基板層２００は、前記第１-１絶縁層２１１の下面及び前記第１-２絶縁層２１２の上面の間に配置される第２パターン層２２２を含むことができる。例えば、前記第１基板層２００は、前記第１-２絶縁層２１２の下面及び前記第１-３絶縁層２１３の上面の間に配置される第３パターン層２２３を含むことができる。例えば、前記第１基板層２００は、前記第１-３絶縁層２１３の下面に配置される第４パターン層２２４を含むことができる。

【0112】

前記第１パターン層２２１は、第１-１絶縁層２１１内に配置される。例えば、前記第１パターン層２２１の側面の少なくとも一部は、前記第１-１絶縁層２１１で覆われる。好ましくは、前記第１パターン層２２１の上面は、第１絶縁層と接触せず、第１パターン層２２１の側面の少なくとも一部及び下面は、前記第１-１絶縁層２１１で覆われる。

【0113】

前記第１パターン層２２１は、前記第１基板層の回路層のうち最上側に配置された回路層を意味することができる。

【0114】

前記第１パターン層２２１は、位置によって互いに異なる高さを有することができる。例えば、前記第１パターン層２２１は、複数のパターン部を含むことができる。前記複数のパターン部のうち少なくとも１つの上面の高さは、少なくとも他の１つの上面の高さと異なってもよい。例えば、前記第１パターン層２２１の複数のパターン部のうち少なくとも１つの上面は、少なくとも他の１つの上面と段差を有することができる。また、前記第１パターン層２２１の複数のパターン部のうち少なくとも１つの下面は、少なくとも他の１つの下面と互いに異なる高さまたは段差を有することができる。また、前記第１パターン層２２１の複数のパターン部のうち少なくとも１つの厚さは、少なくとも他の１つの厚さと異なってもよい。

【0115】

例えば、前記第１基板層２００は、幅方向または長さ方向に複数の領域に区分することができる。

【0116】

前記第１基板層２００は、キャビティCと垂直に重なる第１領域RB１及び前記第１領域RB１以外の第２領域RB２を含むことができる。このとき、前記キャビティCは、厚さ方向に幅が変化する領域を含むことができる。前記第１領域RB１は、前記キャビティCの全体領域のうち一番大きい幅を有する領域と垂直に重なった領域を意味することができる。ただし、実施例はこれに限定されない。例えば、前記第１領域RB１は、前記キャビティCの全体領域のうち一番小さい幅を有する領域と垂直に重なった領域を意味することができる。例えば、前記第１領域RB１は、前記キャビティCの上部領域と下部領域の間の一領域と垂直に重なった領域を意味することができる。

【0117】

前記第１パターン層２２１は、複数のパターン部を含むことができる。例えば、前記第１パターン層２２１は、前記第１-１絶縁層２１１の第１領域RB１の上面に配置される第１パターン部２２１-１を含むことができる。例えば、前記第１パターン層２２１は、前記第１-１絶縁層２１１の第２領域RB２の上面に配置された第２パターン部２２１-２を含むことができる。また、前記第１基板層２００は、前記第１領域RB１と第２領域RB２の間の境界領域を含む。前記境界領域は、前記第１領域RB１及び/または第２領域RB２の少なくとも一部と重なることができる。前記境界領域は、前記キャビティCの内壁の少なくとも一部と垂直に重なる領域を意味することができる。前記第１パターン層２２１は、前記境界領域に配置される第３パターン部２２１-３を含むことができる。

【0118】

このとき、前記第１パターン層２２１の第１～第３パターン部２２１-１、２２１-２、２２１-３のうち少なくとも１つの厚さは、少なくとも他の１つの厚さと異なってもよい。また、前記第１パターン層２２１の第１～第３パターン部２２１-１、２２１-２、２２１-３のうち少なくとも１つの上面は、少なくとも他の１つの上面と異なる平面に位置することができる。また、前記第１パターン層２２１の第１～第３パターン部２２１-１、２２１-２、２２１-３のうち少なくとも１つの下面は、少なくとも他の１つの下面と異なる平面に位置することができる。

【0119】

好ましくは、前記第１パターン部２２１-１の上面は、前記第２パターン部２２１-２の上面及び第３パターン部２２１-３の上面より低く位置することができる。前記第１パターン部２２１-１は、半導体素子が実装される実装パッドとして機能することができる。このとき、前記第１パターン部２２１-１は、前記第２パターン部２２１-２及び第３パターン部２２１-３より低く位置することができ、これによりキャビティCの形成のためのレーザー工程で前記第１パターン部２２１-１が損傷することを防止することができる。これにより、実施例は、半導体素子の実装工程での信頼性を向上させることができる。

【0120】

一方、前記第１パターン層２２１、第２パターン層２２２、第３パターン層２２３及び第４パターン層２２４を含む第１回路層は、金(Au)、銀(Ag)、白金(Pt)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、銅(Cu)及び亜鉛(Zn)から選択される少なくとも１つの金属物質からなることができる。前記第１回路層は、ボンディング力が優れる金(Au)、銀(Ag)、白金(Pt)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)から選択される少なくとも１つの金属物質を含むペーストまたはソルダーペーストからなることができる。好ましくは、第１回路層は、電気伝導性が高く、かつ比較的安価な銅(Cu)からなることができる。

【0121】

前記第１回路層のそれぞれのパターン層は、５μm～５０μmの範囲の厚さを有することができる。例えば、前記第１回路層のそれぞれのパターン層は、１０μm～４０μmの範囲の厚さを有することができる。例えば、前記第１回路層のそれぞれのパターン層は、１５μm～３０μmの範囲の厚さを有することができる。前記第１回路層のそれぞれのパターン層の厚さが５μm未満であると、回路層の抵抗が増加し、これによる信号伝送損失が増加する。前記第１回路層のそれぞれのパターン層の厚さが５μm未満であると、前記第１回路層に伝達できる信号の許容電流が減少し、これによる信号伝送速度が減少等の通信性能が低下する。また、前記第１回路層のそれぞれのパターン層の厚さが５０μmを超過すると、これによるパターン部の線幅が増加して微細化が難しくなる。また、前記第１回路層のそれぞれのパターン層の厚さが５０μmを超過すると、回路基板の厚さが増加する。

【0122】

一方、前記第１基板層２００は、貫通部を含むことができる。例えば、前記貫通部は、前記第１基板層２００のそれぞれの絶縁層を貫通して形成される。

【0123】

例えば、前記貫通部は、前記第１-１絶縁層２１１を貫通する第１貫通電極２３１を含むことができる。例えば、前記貫通部は、前記第１-１絶縁層２１１を貫通して前記第１パターン層２２１と第２パターン層２２２の間を電気的に連結する第１貫通電極２３１を含むことができる。

【0124】

また、前記貫通部は、前記第１-２絶縁層２１２を貫通する第２貫通電極２３２を含むことができる。例えば、前記貫通部は、前記第１-２絶縁層２１２を貫通して前記第２パターン層２２２と前記第３パターン層２２３の間を連結する第２貫通電極２３２を含むことができる。

【0125】

前記貫通部は、第１-３絶縁層２１３を貫通する第３貫通電極２３３を含むことができる。例えば、前記貫通部は、前記第１-３絶縁層２１３を貫通して前記第３パターン層２２３と第４パターン層２２４の間を電気的に連結する第３貫通電極２３３を含むことができる。

【0126】

第２基板層３００は、複数の第２絶縁層を含むことができる。例えば、前記第２基板層３００は、第２-１絶縁層３１１、第２-２絶縁層３１２、第２-３絶縁層３１３及び第２-４絶縁層３１４を含むことができる。

【0127】

例えば、第２基板層３００は、４層の絶縁層を含むことができる。ただし、実施例はこれに限定されず、前記第２基板層３００の第２絶縁層は３層以下の絶縁層を含むことができ、５層以上の絶縁層を含むこともできる。

【0128】

前記第２-１絶縁層３１１は、前記第１基板層２００の上に配置される。例えば、第２-１絶縁層３１１は、前記第１基板層２００のうち最上側に配置された第１-１絶縁層２１１の上面に配置される。

【0129】

第２-２絶縁層３１２は、前記第２-１絶縁層３１１の上に配置される。また、第２-３絶縁層３１３は、第２-２絶縁層３１２の上に配置される。また、第２-４絶縁層３１４は、第２-３絶縁層３１３の上に配置される。

【0130】

前記第２基板層３００の４層の第２絶縁層は、前記第１基板層２００の第１絶縁層と同じ絶縁物質を含むことができるが、これに限定されるものではない。

【0131】

前記第２基板層３００は、第２回路層を含むことができる。

【0132】

例えば、前記第２回路層は、第２-１絶縁層３１１の上面に配置された第５パターン層３２１を含むことができる。例えば、前記第２回路層は、前記第２-２絶縁層３１２の上面に配置された第６パターン層３２２を含むことができる。例えば、前記第２回路層は、前記第２-３絶縁層３１３の上面に配置された第７パターン層３２３を含むことができる。例えば、前記第２回路層は、前記第２-４絶縁層３１４の上面に配置された第８パターン層３２４を含むことができる。

【0133】

このとき、前記第２基板層３００の第２回路層は、アンテナ機能をする導電性アンテナパターン層であってもよい。例えば、前記第５パターン層３２１、第６パターン層３２２、第７パターン層３２３及び第８パターン層３２４は、前記第１基板層２００の第１回路層と連結される。前記第５パターン層３２１、第６パターン層３２２、第７パターン層３２３及び第８パターン層３２４は、外部に送信信号を送信したり、外部から送信される信号を受信するアンテナ機能をするアンテナ部であってもよい。

【0134】

前記第２基板層３００は、第２貫通部を含むことができる。例えば、前記第２基板層３００は、前記第２絶縁層をそれぞれ貫通する複数の貫通電極を含むことができる。

【0135】

例えば、前記第２貫通部は、前記第２-１絶縁層３１１を貫通する第４貫通電極３３１を含むことができる。前記第４貫通電極３３１は、前記第１基板層２００の第１パターン層２２１と前記第５パターン層３２１の間を電気的に連結することができる。例えば、第２貫通部は、第２-２絶縁層３１２を貫通する第５貫通電極３３２を含むことができる。前記第５貫通電極３３２は、前記第５パターン層３２１と第６パターン層３２２の間を電気的に連結することができる。例えば、第２貫通部は、第２-３絶縁層３１３を貫通する第６貫通電極３３３を含むことができる。前記第６貫通電極３３３は、前記第６パターン層３２２と第７パターン層３２３の間を電気的に連結することができる。例えば、第２貫通部は、第２-４絶縁層３１４を貫通する第７貫通電極３３４を含むことができる。前記第７貫通電極３３４は、前記第７パターン層３２３と第８パターン層３３４の間を電気的に連結することができる。

【0136】

一方、前記第２基板層３００は、キャビティCを含むことができる。

【0137】

これにより、前記第２基板層３００は、前記キャビティCと垂直に重なる第３領域RT１と、前記第３領域RT１以外の第４領域RT２を含むことができる。

【0138】

前記第３領域RT１は、第１基板層２００の第１領域RB１と垂直に重なる領域であってもよい。前記第４領域RT２は、前記第１基板層２００の第２領域RB２と垂直に重なる領域であってもよい。

【0139】

前記第２基板層３００の第３領域RT１には、半導体素子が実装される空間のキャビティCが形成される。前記第２基板層３００の第４領域RT２には、アンテナ機能をするアンテナパターンの第２回路層が形成される。

【0140】

このとき、本願の回路基板１００がアンテナ装置に適用されるアンテナ基板である場合、回路基板のそれぞれの層に配置された回路層は互いに異なる機能をすることができる。

【0141】

例えば、前記第１基板層２００の第１回路層の第１パターン層２２１、第２パターン層２２２、第３パターン層２２３及び第４パターン層２２４のそれぞれは、第１領域RB１と垂直に重なる第１回路部を含むことができる。前記第１回路部は、前記キャビティCと垂直に重なることができる。前記第１回路部は、駆動素子や受動素子のようなチップが実装される実装パッドとして機能することができる。または、前記第１回路部は、実施例の回路基板と外部基板(例えば、端末機のメインボード)の間を連結する端子パッドとして機能することができる。

【0142】

また、前記第１回路層の第１パターン層２２１、第２パターン層２２２、第３パターン層２２３及び第４パターン層２２４のそれぞれは、前記第２領域RB２と垂直に重なる第２回路部を含むことができる。前記第２回路部は、前記第２基板層３００の第４領域RT２に形成された第２回路層と垂直に重なることができる。

【0143】

このとき、一実施例に係る前記第１回路層の第２回路部は、前記第１回路部と一緒に端子パッドとして機能することができる。前記第２回路部が前記第１回路部と一緒に端子パッドとして機能する場合、実施例の回路基板は、第２基板層３００の第４領域RT２のみにおいてアンテナ機能をすることができる。例えば、前記第１回路層の第２回路部がアンテナパターンとして機能しない場合、実施例の回路基板は、前記第２基板層３００の第４領域RT２の上側に送信信号を送信したり前記第４領域RT２の上側に受信される信号を受信することができる。

【0144】

また、別の実施例に係る前記第２回路部は、前記第２基板層３００の第４領域RT２に配置された第２回路層と連結される。よって、前記第２回路部は、信号送信または信号受信機能をするアンテナパターンとして機能することができる。

【0145】

例えば、前記第２基板層３００の第４領域RT２に第２回路層を第１アンテナパターン層ということができる。また、前記第１基板層２００の第１回路層の第２回路部は、前記第１アンテナパターン層と連結される第２アンテナパターン層であってもよい。

【0146】

よって、実施例は、回路基板の両側方向に信号を送信または前記回路基板の両側方向で信号を受信することができる。例えば、実施例は、第１アンテナパターン層の上側及び第２アンテナパターン層の下側に信号を送信することができる。例えば、実施例は、第１アンテナパターン層の上側及び第２アンテナパターン層の下側から信号を受信することができる。

【0147】

一方、前記第１回路部は、実装パッドまたは端子パッドとして機能するとしたが、これに限定されるものではない。例えば、前記第１基板層２００の第１領域RB１に配置された第１回路部のうち一部は、実装パッドまたは端子パッドとして機能することができ、残りの一部は、前記第２アンテナパターン層と一緒にアンテナパターンとして機能することができる。

【0148】

以下では、実施例のキャビティC及び第１パターン層２２１のそれぞれのパターン部の厚さ及び位置関係に対して具体的に説明することにする。

【0149】

図３を参照すると、実施例のキャビティCは、前記第２基板層３００を貫通することができる。例えば、前記キャビティCは、第２絶縁層を貫通することができる。前記第２絶縁層が複数の層を含む場合、前記キャビティCは、前記複数の層の第２絶縁層を共通で貫通することができる。

【0150】

前記キャビティCは、複数のパートを含むことができる。例えば、前記キャビティCは、前記キャビティCの内壁IWの傾斜を基準として厚さ方向に複数のパートに区分することができる。

【0151】

例えば、キャビティCは、前記第２基板層３００の上面に隣接した第１パートP１を含むことができる。また、前記キャビティCは、前記第２基板層３００の下面に隣接し、前記第１パートP１の下に位置した第２パートP２を含むことができる。

【0152】

このとき、前記第１パートP１は、前記第２基板層３００の下面に行くほど幅が減少する領域を含むことができる。例えば、前記第１パートP１の内壁IW１は、前記第１基板層２００に向かうほど幅が減少する第１傾斜を有することができる。前記第１パートP１の内壁IWが有する第１傾斜は、前記内壁IWと連結される仮想の直線とベースラインBLの間の内角を意味することができる。前記ベースラインBLは、前記キャビティCと垂直に重なる第１基板層２００の上面と平行することができる。

【0153】

一方、前記第１パートP１の内壁IW１が有する第１傾斜θ１は、１１５度～１５０度の間の範囲を有することができる。例えば、前記第１パートP１の内壁IW１の第１傾斜θ１は、１１８度～１４８度の間の範囲を有することができる。例えば、前記第１パートP１の内壁IW１の第１傾斜θ１は、１２０度～１４５度の間の範囲を有することができる。

【0154】

前記第１パートP１の内壁IW１の第１傾斜θ１が１１５度より小さい場合、実施例に係る前記キャビティCに形成に必要となる工程時間が増加する。

【0155】

また、前記第１パートP１の内壁IW１の第１傾斜θ１が１５０より大きいと、前記キャビティCの上部の幅が増加し、これにより回路集積度が減少する。例えば、前記キャビティCの上部幅が増加する場合、無意味に浪費される空間が増加し、これにより前記キャビティCの上部幅が増加しただけ回路層の配置空間が減少する。

【0156】

一方、実施例のキャビティCは、前記第１パートP１の下に位置した第２パートP２を含むことができる。前記第２パートP２は、前記第２基板層３００の下面に行くほど幅が減少する領域を含むことができる。例えば、前記第２パートP２は、前記第１基板層２００に向かうほど幅が減少するとともに、前記第１パートP１の内壁IW１が有する第１傾斜θ１とは異なる第２傾斜θ２を有する内壁IW２を含むことができる。例えば、前記第２パートP２の第２傾斜θ２は、前記第１パートP１の第１傾斜θ１より小さくてもよい。

【0157】

このとき、前記第２傾斜θ２は、前記第２パートP２の内壁IW２が有する傾斜を意味することができる。例えば、前記第２傾斜θ２は、前記第２パートP２の内壁IW２から延長される仮想の直線とベースラインBLの間の内角を意味することができる。

【0158】

前記第２パートP２の内壁IW２の第２傾斜θ２は、前記第１傾斜θ１より小さく、９１度～１２０度の間の範囲を有することができる。例えば、前記第２パートP２の内壁IW２の第２傾斜θ２は、前記第１傾斜θ１より小さく、９５度～１１８度の間の範囲を有することができる。例えば、前記第２パートP２の内壁IW２の第２傾斜θ２は、前記第１傾斜θ１より小さく、９８度～１１５度の間の範囲を有することができる。

【0159】

前記第２パートP２の内壁IW２の第２傾斜θ２が９１度より小さいと、前記キャビティC内に半導体素子が安定的に配置されなくなる。また、前記第２パートP２の内壁IW２の第２傾斜θ２が１２０度より大きいと、前記キャビティのサイズが目標サイズより大きくなる。

【0160】

一方、前記キャビティCの第１パートP１及び第２パートP２の垂直長さは、互いに異なってもよい。例えば、前記キャビティCの第１パートP１は、第１長さL１を有し、前記第２パートP２は、前記第１長さL１より長い第２長さL２を有することができる。このとき、前記第１長さL１は、前記第１パートP１の垂直方向への深さを意味することができる。例えば、前記第１長さL１は、前記第１パートP１の垂直距離または垂直長さを意味することができる。また、前記第２長さL２は、前記第２パートP２の深さを意味することができる。例えば、前記第２長さL２は、前記第２パートP２の垂直方向への垂直距離または垂直長さを意味することができる。

【0161】

このとき、前記第２長さL２は、前記第１長さL１の１.５倍以上、３倍以上、５倍以上または１０倍以上であってもよい。例えば、前記第２長さL２は、前記第１長さL１の１.５倍～３０倍の間の範囲を満足することができる。例えば、前記第２長さL２は、前記第１長さL１の３倍～２８倍の間の範囲を満足することができる。例えば、前記第２長さL２は、前記第１長さL１の５倍～２５倍の間の範囲を満足することができる。例えば、前記第２長さL２は、前記第１長さL１の１０倍～２０倍の間の範囲を満足することができる。

【0162】

このとき、前記第２長さL２が前記第１長さL１の１.５倍未満であると、前記第１パートP１の第１傾斜及び前記第２パートP２の第２傾斜の差によって発生する効果が微小となる。また、前記第２長さL２が前記第１長さL１の３０倍以上であると、これを満足するための第２基板層３００の厚さが増加し、これによる回路基板の厚さが増加する。

【0163】

一方、実施例のキャビティCは、前記第２パートP２の下の第３パートP３を含むことができる。前記第３パートP３は、前記第２基板層３００より低く位置することができる。前記キャビティCの第３パートP３は、前記第２基板層３００ではなく前記第１基板層２００に備えられてもよい。例えば、前記キャビティCの第３パートP３は、前記第１基板層２００の第１パターン層２２１の少なくとも一部と水平方向に重なることができる。即ち、前記第３パートP３は、前記第１パターン層２２１の少なくとも１つのパターン部をエッチングで除去することによって備えられてもよい。さらに、前記第３パートP３は、前記第１パターン層２２１の一部と一緒に前記第１基板層２００の第１-１絶縁層２１１の第１領域RB１の一部を除去することによって備えられてもよい。具体的に、前記第３パートP３は、前記第１基板層２００の第１パターン層２２１のうちキャビティCと垂直に重なった領域に形成されたレーザーストッパー層(例えば、第１パターン層２２１の第３パターン部２２１-３の一部)を除去することによって備えられてもよい。

【0164】

例えば、前記キャビティCの全体深さは、前記第２基板層３００の第２絶縁層の全体厚さより大きくてもよい。例えば、第１実施例の前記キャビティCの深さは、前記第２絶縁層の全体厚さに比べて前記第３パターン部２２１-３の厚さだけ大きくてもよい。

【0165】

これにより、前記キャビティCの底面は、前記第２基板層３００の下面より低く位置することができる。

【0166】

前記第３パートP３は、第３傾斜を有することができる。前記第３傾斜は、前記第３パートP３の内壁IW３が有する傾斜を意味することができる。このとき、前記第１パートP１の内壁IW１及び前記第２パートP２の内壁IW２は、前記第２基板層３００の第２絶縁層の内壁を意味する。これと違うように、第１実施例の前記第３パートP３の内壁IW３は、前記第１パターン層２２１の第３パターン部２２１-３の側面が有する傾斜を意味することができる。

【0167】

具体的に、前記第１基板層２００の第１パターン層２２１は、前記第１領域RB１と前記第２領域RB２の間の境界領域を取り囲んで配置される第３パターン部２２１-３を含むことができる。前記第３パターン部２２１-３は、キャビティCを形成するレーザー工程でレーザーストッパーとして使用されたストッパー層の一部であってもよい。キャビティCの下部幅は、前記ストッパー層が有する幅より小さくてもよい。もし、前記ストッパー層の幅と同一下部幅を有するキャビティCを形成する場合、レーザー工程での工程偏差によって前記ストッパー層のエッジに隣接した前記第１-１絶縁層２１１の上面の一部がレーザーで加工される問題が発生し、これによる信頼性問題が発生し得る。これにより、前記キャビティCは、前記ストッパー層の幅より小さい下部幅を有することができる。よって、前記ストッパー層の一部は、前記キャビティCを介して上面が露出することができ、残りの一部は、前記キャビティCを介して上面が露出しない。このとき、前記キャビティCを介して上面が露出するストッパー層は、エッチングによって除去されて前記キャビティCの第３パートP３を形成することができる。前記キャビティCを介して上面が露出しないストッパー層は、前記エッチング工程時に除去されず、これにより前記第１パターン層２２１の第３パターン部２２１-３を構成することができる。前記キャビティCの第３パートP３の内壁IW３は、前記第３パターン部２２１-３の側面の傾斜角を意味することができる。前記第３パートP３の内壁IW３の第３傾斜は、前記ストッパー層のエッチング条件によって決定される。

【0168】

例えば、第１実施例に係る前記第３パートP３の内壁IW３の第３傾斜は、前記ベースラインBLに対し直角であってもよい。

【0169】

一方、実施例に係る前記第１基板層２００の上面は、段差を有することができる。例えば、第１-１絶縁層２１１の上面は、段差を有することができる。具体的に、前記第１-１絶縁層２１１の上面は、第１上面２１１T１及び前記第１上面２１１T１と段差を有する第２上面２１１T２を含むことができる。前記第１-１絶縁層２１１の前記第１上面２１１T１は、キャビティCの下面または底面を形成することができる。

【0170】

例えば、前記第１-１絶縁層２１１の上面は、前記キャビティCと垂直に重なる第１上面２１１T１と、前記キャビティCと垂直に重ならない第２上面２１１T２を含むことができる。即ち、前記第１-１絶縁層２１１の第１上面２１１T１は、前記第１基板層２００の第１領域RB１に対応し、前記第１-１絶縁層２１１の第２上面２１１T２は、前記第１基板層２００の第２領域RB２に対応することができる。また、前記第１-１絶縁層２１１の第１上面２１１T１は、前記キャビティCの底面であってもよく、前記第２基板層３００に接しない部分であってもよい。また、前記第１-１絶縁層２１１の第２上面２１１T２は、前記キャビティCの下面と段差を有し、前記第２基板層３００に接する部分を意味することができる。前記第１-１絶縁層２１１の第２上面２１１T２は、第１上面２１１T１と垂直に重ならなくてもよい。

【0171】

このとき、前記第１上面２１１T１は、第１パターン部２２１-１と垂直に重なった第１重畳領域及び前記第１パターン部２２１-１と垂直に重ならない第１非重畳領域を含むことができる。

【0172】

また、前記第２上面２１１T２は、前記第２パターン部２２１-２と垂直に重なった第２重畳領域と、第３パターン部２２１-３と垂直に重なった第３重畳領域と、前記第２パターン部２２１-２及び第３パターン部２２１-３と垂直に重ならない第２非重畳領域を含むことができる。

【0173】

このとき、比較例の回路基板で、前記第１-１絶縁層２１１の第１上面２１１T１の第１非重畳領域は、前記第２上面２１１T２の第２非重畳領域と同一平面に位置する。これと違うように、実施例の第１-１絶縁層２１１の第１上面２１１T１の第１非重畳領域は、前記第２上面２１１T２の第２非重畳領域と互いに異なる平面に位置することができる。例えば、前記第１-１絶縁層２１１の第１上面２１１T１の第１非重畳領域は、前記第２上面２１１T２の第２非重畳領域より低く位置することができる。例えば、第１実施例の前記第１非重畳領域は、前記第２非重畳領域に比べて前記第３パターン部２２１-３の厚さだけ低く位置することができる。以下での前記第１-１絶縁層２１１の第１上面２１１T１は、前記第１非重畳領域を意味することができ、前記第１-１絶縁層２１１の第２上面２１１T２は、前記第２非重畳領域を意味することができる。

【0174】

前記第１-１絶縁層２１１の第１上面２１１T１は、前記第１パターン層２２１の第２パターン部２２１-２の下面より高く位置することができる。前記第１-１絶縁層２１１の第１上面２１１T１は、前記第１パターン層２２１の第３パターン部２２１-３の下面と同一平面上に位置することができる。このとき、前記同一平面上に位置するということは、相互間の高さの差が１μm以下、または０.５μm以下、または０.１μm以下であることを意味することができる。または、前記同一平面上に位置するということは、相互間の高さの差が前記第３パターン部２２１-３の厚さの５%以下、または３%以下、または１%以下であることを意味することができる。

【0175】

前記第１-１絶縁層２１１の第２上面２１１T２は、前記第１パターン層２２１の第１パターン部２２１-１の上面より高く位置することができる。前記第１-１絶縁層２１１の第２上面２１１T２は、前記第３パターン部２２１-３の上面と同一平面上に位置することができる。このとき、前記同一平面上に位置するということは、相互間の高さの差が１μm以下、または０.５μm以下、または０.１μm以下であることを意味することができる。または、前記同一平面上に位置するということは、相互間の高さの差が前記第３パターン部２２１-３の厚さの５%以下、または３%以下、または１%以下であることを意味することができる。

【0176】

前記第１-１絶縁層２１１の第１上面２１１T１と第２上面２１１T２は、互いに異なる表面粗さを有することができる。例えば、前記第１-１絶縁層２１１の第１上面２１１T１は、メッキ工程により形成された前記第１パターン層２２１の下面の表面粗さに対応する表面粗さを有することができる。これと違うように、前記第１-１絶縁層２１１の第２上面２１１T２は、前記第２-１絶縁層３１１の下面の表面粗さに対応する表面粗さを有することができる。

【0177】

第１実施例の第１パターン層２２１の前記第１パターン部２２１-１は、前記キャビティCと垂直に重なる第１領域RB１に配置される。また、前記第１パターン層２２１の第２パターン部２２１-２は、前記キャビティCと垂直に重ならない第２領域RB２に配置される。また、第１パターン層２２１の第３パターン部２２１-３は、前記第１領域RB１と第２領域RB２の間の境界領域に配置される。

【0178】

前記第１パターン部２２１-１、第２パターン部２２１-２及び第３パターン部２２１-３のうちいずれか１つは、他の１つと異なる厚さを有することができる。前記第１パターン部２２１-１、第２パターン部２２１-２及び第３パターン部２２１-３のうちいずれか１つの上面は、他の１つの上面と異なる平面に位置することができる。例えば、前記第１パターン部２２１-１、第２パターン部２２１-２及び第３パターン部２２１-３のうちいずれか１つの下面は、他の１つの下面と異なる平面に位置することができる。

【0179】

図３aは、第１実施例に係る回路基板の第１パターン層の配置領域を拡大した拡大図であり、図３bは、第２実施例に係る回路基板の第１パターン層の配置領域を拡大した拡大図であり、図３cは、第３実施例に係る回路基板の第１パターン層の配置領域を拡大した拡大図である。

【0180】

図３aを参照すると、前記第１パターン層２２１は、第１パターン部２２１-１、第２パターン部２２１-２及び第３パターン部２２１-３を含むことができる。

【0181】

前記第１パターン部２２１-１は、前記第１-１絶縁層２１１の第１領域RB１に配置される。即ち、前記第１パターン部２２１-１は、前記キャビティCと垂直に重なることができる。前記第１パターン部２２１-１の上面は、前記第１パターン層２２１の第２パターン部２２１-２及び第３パターン部２２１-３の上面より低く位置することができる。例えば、前記第１パターン部２２１-１の上面は、前記第１-１絶縁層２１１の第２上面２１１T２より低く位置することができる。例えば、前記第１パターン部２２１-１の上面は、前記第２基板層３００の最下側より低く位置することができる。前記第１パターン部２２１-１は、第１厚さT１を有することができる。前記第１厚さT１に対する具体的は特徴は下記で説明することにする。

【0182】

前記第２パターン部２２１-２は、前記第１-１絶縁層２１１の第２領域RB２に配置される。前記第２パターン部２２１-２は、キャビティCと垂直に重ならなくてもよい。第２パターン部２２１-２の上面は、前記第１パターン部２２１-１の上面より高く位置することができる。前記第２パターン部２２１-２の上面は、前記第１-１絶縁層２１１の第１上面２１１T１より高く位置することができる。前記第２パターン部２２１-２の上面は、前記第３パターン部２２１-３の上面と同一平面上に位置することができる。前記第２パターン部２２１-２の上面は、前記第１-１絶縁層２１１の第２上面２１１T２と同一平面上に位置することができる。前記第２パターン部２２１-２の下面は、前記第１-１絶縁層２１１の第１上面２１１T１より低く位置することができる。前記第２パターン部２２１-２の下面は、前記第１パターン部２２１-１の上面より低く位置することができる。前記第２パターン部２２１-２の下面は、前記第１パターン部２２１-１の下面と同一平面上に位置することができる。前記第２パターン部２２１-２の下面は、前記第３パターン部２２１-３の下面より低く位置することができる。前記第２パターン部２２１-２は、複数の層構造を有することができる。例えば、前記第２パターン部２２１-２は、２段メッキ工程により形成された２層構造を有することができる。前記第２パターン部２２１-２がSAPまたはMSAP工程で形成する場合、前記第２パターン部２２１-２の２層構造はシード層として使用された銅箔層及び化学銅メッキ層を除いた電解メッキ層が２層で備えられることを意味することができる。このとき、前記第２パターン部２２１-２は、前記第１厚さT１より大きい第２厚さT２を有することができる。このとき、前記同一平面上に位置するということは、相互間の高さの差が１μm以下、または０.５μm以下、または０.１μm以下であることを意味することができる。または、前記同一平面上に位置するということは、相互間の高さの差が前記第１パターン部２２１-１、第２パターン部２２１-２または第３パターン部２２１-３の厚さの５%以下、または３%以下、または１%以下であることを意味することができる。

【0183】

前記第３パターン部２２１-３は、前記第１領域RB１と第２領域RB２の間の境界領域に形成される。これにより、前記第３パターン部２２１-３は、一部が前記キャビティCと垂直に重なることができ、これと違うように垂直に重ならなくてもよい。好ましくは、前記第３パターン部２２１-３の少なくとも一部は、前記キャビティCの内壁IWの少なくとも一部と垂直に重なることができる。

【0184】

前記第３パターン部２２１-３の上面は、前記第１パターン部２２１-１の上面より高く位置することができる。前記第３パターン部２２１-３の上面は、前記第１-１絶縁層２１１の第１上面２１１T１より高く位置することができる。前記第３パターン部２２１-３の上面は、前記第２パターン部２２１-２の上面と同一平面上に位置することができる。前記第３パターン部２２１-３の上面は、前記第１-１絶縁層２１１の第２上面２１１T２と同一平面上に位置することができる。前記第３パターン部２２１-３の下面は、前記第１-１絶縁層２１１の上面または第１パターン部２２１-１の上面と同一平面上に位置することができる。前記第３パターン部２２１-３の下面は、前記第１パターン部２２１-１の下面及び前記第２パターン部２２１-２の下面より高く位置することができる。前記第３パターン部２２１-３は、前記第２パターン部２２１-２の第２厚さT２より小さい第３厚さT３を有することができる。このとき、前記同一平面上に位置するということは、相互間の高さの差が１μm以下、または０.５μm以下、または０.１μm以下であることを意味することができる。または、前記同一平面上に位置するということは、相互間の高さの差が前記第１パターン部２２１-１、第２パターン部２２１-２または第３パターン部２２１-３の厚さの５%以下、または３%以下、または１%以下であることを意味することができる。

【0185】

前記第１パターン部２２１-１の第１厚さT１は、前記第２パターン部２２１-２の第２厚さT２を基準として決定される。

【0186】

即ち、前記第２パターン部２２１-２の第２厚さT２は、第１パターン部２２１-１及び第３パターン部２２１-３を除いた他のパターン層が有する厚さに対応することができる。このとき、厚さに対応することができるということは、前記第２パターン部２２１-２の第２厚さT２と異なるパターン層が有する厚さの差が他のパターン層が有する厚さの１０%以下、５%以下、３%以下、または１%以下であることを意味することができる。

【0187】

例えば、前記第２パターン部２２１-２の第２厚さT２は、５μm～５０μmの範囲を満足することができる。例えば、前記第２パターン部２２１-２の第２厚さT２は、１０μm～４０μmの範囲を満足することができる。例えば、第２パターン部２２１-２の第２厚さT２は、１５μm～３０μmの範囲の厚さを有することができる。

【0188】

そして、第１実施例の第１パターン部２２１-１の第１厚さT１と第３パターン部２２１-３の第３厚さT３の和(T１+T３)は、前記第２パターン部２２１-２の第２厚さT２に対応することができる。

【0189】

即ち、実施例は、２段メッキ工程により前記第１パターン層２２１が第１金属層及び第２金属層を含むようにすることができる。前記２段メッキ工程で形成された第１金属層は、前記第１パターン部２２１-１と第３パターン部２２１-３として利用することができ、前記第２金属層は、前記第２パターン部２２１-２と第３パターン部２２１-３として利用することができる。

【0190】

これにより、実施例の前記第１パターン部２２１-１は、前記第１金属層のみを含むことができ、前記第３パターン部２２１-３は、前記第２金属層のみを含むことができる。前記第２パターン部２２１-２は、前記第１金属層２２１-２１及び第２金属層２２１-２２を両方とも含むことができる。これにより、前記第２パターン部２２１-２の第１金属層２２１-２１は、前記第１パターン部２２１-１に対応する第１厚さT１を有することができる。このとき、厚さに対応することができるということは、前記第２パターン部２２１-２の第１金属層２２１-２１の厚さと前記第１厚さT１の差が前記第１厚さT１の１０%以下、５%以下、３%以下、または１%以下であることを意味することができる。前記第２パターン部２２１-２の第２金属層２２１-２２は、前記第３パターン部２２１-３に対応する第３厚さT３を有することができる。このとき、厚さに対応することができるということは、前記第２金属層２２１-２２の厚さと前記第３厚さT３の差が前記第３厚さT３の１０%以下、５%以下、３%以下、または１%以下であることを意味することができる。

【0191】

上記のように、前記第１パターン層２２１は２層で備えられ、これをそれぞれ実装パッドとレーザーストッパー層として活用することができる。これにより、実施例は、前記実装パッドに対応する第１パターン部２２１-１と前記ストッパー層に対応する第３パターン部２２１-３が互いに異なる平面に配置される構造を有することができる。これにより、実施例は、キャビティCを形成する工程で実装パッドである前記第１パターン部２２１-１が損傷することを防止することができる。

【0192】

前記第１パターン部２２１-１の第１厚さT１は、前記第２パターン部２２１-２の第２厚さT２の５１%～８５%の厚さを満足することができる。前記第１パターン部２２１-１の第１厚さT１は、前記第２パターン部２２１-２の第２厚さT２の５３%～８３%の範囲を満足することができる。例えば、前記第１パターン部２２１-１の第１厚さT１は、前記第２パターン部２２１-２の第２厚さT２の５５%～８０%の範囲を満足することができる。

【0193】

前記第１パターン部２２１-１の第１厚さT１が前記第２パターン部２２１-２の第２厚さT２の５１%より小さいと、これに対応するように前記第３パターン部２２１-３の第３厚さT３が増加する。そして、前記第３パターン部２２１-３の第３厚さT３が増加する場合、前記キャビティCの形成が完了した後に、前記キャビティCと垂直に重なる領域で前記第３パターン部２２１-３をエッチングで除去するために要する時間が増加し、これによる工程性が低下する。また、前記第３パターン部２２１-３の第３厚さT３が増加する場合、前記エッチング工程で前記キャビティCと垂直に重なる領域における第３パターン部２２１-３の一部が除去されなくなり、これにより前記第１パターン部２２１-１が前記第３パターン部２２１-３と電気的に連結されることによるショートのような信頼性問題が発生し得る。また、前記第１パターン部２２１-１の第１厚さT１が前記第２パターン部２２１-２の第２厚さT２の５１%より小さいと、前記第１パターン部２２１-１の許容電流が減少し、これによる通信性能が低下する。一方、前記第１パターン部２２１-１の第１厚さT１が前記第２パターン部２２１-２の第２厚さT２の８５%を超過すると、これに対応するように前記第３パターン部２２１-３の第３厚さT３が減少する。これにより、前記キャビティCを形成するレーザー工程で、レーザーが前記第３パターン部２２１-３を貫通する問題が発生し、これにより前記キャビティCを形成する工程で第１-１絶縁層２１１の上面が損傷する問題が発生し得る。好ましくは、前記第１パターン部２２１-１の第１厚さT１は、２.７μm～４２.５μmの範囲を満足することができる。例えば、前記第１パターン部２２１-１の第１厚さT１は、５.１μm～３３.２μmの範囲を満足することができる。例えば、前記第１パターン部２２１-１の第１厚さT１は、７.６５μm～２５.５μmの範囲を満足することができる。

【0194】

前記第３パターン部２２１-３の第３厚さT３は、前記第２パターン部２２１-２の第２厚さT２の１５%～４９%の厚さを満足することができる。前記第３パターン部２２１-３の第３厚さT３は、前記第２パターン部２２１-２の第２厚さT２の１７%～４７%の範囲を満足することができる。例えば、前記第３パターン部２２１-３の第３厚さT３は、前記第２パターン部２２１-２の第２厚さT２の２０%～４５%の範囲を満足することができる。

【0195】

前記第３パターン部２２１-３の第３厚さT３が前記第２パターン部２２１-２の第２厚さT２の１５%より小さいと、前記キャビティCを形成するレーザー工程で、レーザーが前記第３パターン部２２１-３を貫通する問題が発生し、これにより前記キャビティCを形成する工程で第１-１絶縁層２１１の上面が損傷する問題が発生し得る。

【0196】

前記第３パターン部２２１-３の第３厚さT３が前記第２パターン部２２１-２の第２厚さT２の４９%より大きいと、前記キャビティCと垂直に重なる領域で前記第３パターン部２２１-３をエッチングで除去するために要する時間が増加し、これによる工程性が低下する。また、前記第３パターン部２２１-３の第３厚さT３が前記第２パターン部２２１-２の第２厚さT２の４９%より大きいと、前記エッチング工程で前記キャビティCと垂直に重なる領域における第３パターン部２２１-３の一部が除去されなくなり、これにより前記第１パターン部２２１-１が前記第３パターン部２２１-３と電気的に連結されることによるショートのような信頼性問題が発生し得る。前記第３パターン部２２１-３の第３厚さT３が前記第２パターン部２２１-２の第２厚さT２の４９%より大きいと、前記第１パターン層２２１の第１金属層及び第２金属層で、前記第２金属層に対応する厚さだけ精密なエッチングが困難となり、これにより前記エッチング工程で前記第２金属層も一部エッチングされることにより、前記第１パターン部２２１-１の厚さが減少することによる通信性能問題が発生し得る。

【0197】

一方、上記では、第１パターン部２２１-１の厚さT１が第３パターン部２２１-３の厚さT３より大きいと説明したが、前記第１パターン部２２１-１の厚さと第３パターン部２２１-３の厚さを同一にすることもできる。例えば、前記第２パターン部２２１-２の第１金属層２２１-２１と第２金属層２２１-２２の厚さが互いに同一であってもよい。ただし、回路基板の通信性能は、前記第１パターン部２２１-１の厚さが増加するほど向上し、これにより実施例は、前記第３パターン部２２１-３の厚さに比べて前記第１パターン部２２１-１の厚さを大きくする。これにより実施例は、前記第３パターン部２２１-３のエッチング工程で要する時間を減らすとともに、前記第１パターン部２２１-１の厚さ増加による通信性能を極大化することができるようにする。

【0198】

上記のように、前記第１パターン層２２１は、２段メッキにより第１金属層及び第２金属層を含む２層構造を有することができる。このとき、前記第１金属層及び第２金属層のうちいずれか１つは実装パッドとして利用することができ、他の１つはストッパーとして利用することができる。また、第２パターン部は、前記第１及び第２金属層を両方とも含むことができる。これにより、実施例は、実装パッドとストッパーが同一平面上に配置されることにより発生する信頼性問題を解決することができる。例えば、比較例は、キャビティを形成するレーザー工程で前記実装パッドの損傷を防止するために、前記実装パッドの上に別途の保護層(不図示)を形成した後これを除去する工程を行う。この反面、実施例は、前記レーザーストッパーとして利用される第３パターン部２２１-３の一部を前記実装パッドである第１パターン部２２１-１の保護部として活用することができる。これにより実施例は、前記キャビティを形成する工程で前記実装パッドである第１パターン部２２１-１が損傷することを防止することができる。さらに実施例は、前記第１パターン部２２１-１を保護するための追加的な保護層の形成工程を省略することができる。

【0199】

一方、図面上には、前記第１パターン部２２１-１、第２パターン部２２１-２及び第３パターン部２２１-３が第１絶縁層(より明確には、第１-１絶縁層２１１)に全体的に埋め込まれるものと図示したが、これに限定されない。具体的に、図面上には、前記第１パターン部２２１-１、第２パターン部２２１-２及び第３パターン部２２１-３のそれぞれの側面の全体領域が第１絶縁層(より明確には、第１-１絶縁層２１１)で覆われるものと図示したが、これに限定されない。

【0200】

例えば、前記第１パターン部２２１-１、第２パターン部２２１-２及び第３パターン部２２１-３のそれぞれの厚さ方向への全体領域のうち一部領域だけが前記第１絶縁層に埋め込まれてもよい。前記第１パターン部２２１-１の厚さ方向への全体領域のうち前記一部領域を除いた残りの領域は、前記第１上面２１１T１の上に突出してもよい。そして、前記第２パターン部２２１-２及び第３パターン部２２１-３の厚さ方向への全体領域のうち前記一部領域を除いた残りの領域は、前記第２絶縁層(明確には、第２-１絶縁層３１１)内に埋め込まれてもよい。

【0201】

ただし、実施例は、第１パターン部２２１-１、第２パターン部２２１-２及び第３パターン部２２１-３の物理的信頼性及び電気的信頼性を確保するために、前記第１パターン部２２１-１、第２パターン部２２１-２及び第３パターン部２２１-３のそれぞれの前記一部領域の厚さが前記残りの領域の厚さより大きくすることができる。例えば、第１パターン部２２１-１、第２パターン部２２１-２及び第３パターン部２２１-３のそれぞれは、厚さ方向への全体領域のうち８０%以上の領域が前記第１絶縁層内に埋め込まれてもよい。例えば、第１パターン部２２１-１、第２パターン部２２１-２及び第３パターン部２２１-３のそれぞれは、厚さ方向への全体領域のうち９０%以上の領域が前記第１絶縁層内に埋め込まれてもよい。例えば、第１パターン部２２１-１、第２パターン部２２１-２及び第３パターン部２２１-３のそれぞれは、厚さ方向への全体領域のうち９８%以上の領域が前記第１絶縁層内に埋め込まれてもよい。

【0202】

一方、前記第１パターン層２２１を除いた他のパターン層は、前記第１パターン層２２１の第２パターン部２２１-２が有する第２厚さT２を有することができる。

【0203】

具体的に、前記第２パターン層２２２、第３パターン層２２３、第４パターン層２２４、第５パターン層３２１、第６パターン層３２２、第７パターン層３２３及び第８パターン層３２４は、前記第１パターン層２２１の第２パターン部２２１-２と同一な第２厚さT２を有することができる。このとき、同一厚さを有するということは、第２厚さT２との差が第２厚さT２の１０%以下、５%以下、３%以下、１%以下であることを意味することができる。

【0204】

ただし、前記第２パターン層２２２、第３パターン層２２３、第４パターン層２２４、第５パターン層３２１、第６パターン層３２２、第７パターン層３２３及び第８パターン層３２４は、前記第１パターン層２２１の第２パターン部２２１-２と異なる層構造を有することができる。例えば、前記第１パターン層２２１の第２パターン部２２１-２は、ストッパー及び実装パッドの区分のために２段メッキ工程によって前記第２厚さT２を有することができる。前記第２パターン層２２２、第３パターン層２２３、第４パターン層２２４、第５パターン層３２１、第６パターン層３２２、第７パターン層３２３及び第８パターン層３２４は、層区分が不必要であり、これにより１回のメッキ工程により形成することができる。例えば、前記第２パターン層２２２、第３パターン層２２３、第４パターン層２２４、第５パターン層３２１、第６パターン層３２２、第７パターン層３２３及び第８パターン層３２４は、電解メッキ層を基準として１層構造を有することができる。ただし、実施例はこれに限定されない。例えば、前記第２パターン層２２２、第３パターン層２２３、第４パターン層２２４、第５パターン層３２１、第６パターン層３２２、第７パターン層３２３及び第８パターン層３２４も２段メッキを行って形成することができ、これにより電解メッキ層を基準として２層構造を有することができる。

【0205】

第１実施例の前記第１貫通電極２３１は、第４厚さT４を有することができる。例えば、前記第１貫通電極２３１は、第１回路層と垂直に重なる領域における第１-１絶縁層２１１の厚さと同一であってもよい。

【0206】

例えば、第１貫通電極２３１は、それぞれ１０μm～６０μmの範囲の第４厚さT４を有することができる。例えば、第１貫通電極２３１は、それぞれ１２μm～４５μmの範囲の厚さT４を有することができる。例えば、第１貫通電極２３１は、１５μm～３０μmの厚さを有することができる。

【0207】

一方、前記第３パターン部２２１-３の一側面２２１-３S１は、前記キャビティCと水平に重なるとともに前記キャビティCと対向することができる。前記第３パターン部２２１-３の一側面２２１-３S１は、前記キャビティCの第３パートP３の内壁IW３であってもよい。このとき、図３aのように前記第３パターン部２２１-３の一側面２２１-３S１は、前記第２パートP２の内壁IW２と連結されるとともに前記ベースラインBLに対し垂直した第３傾斜を有することができる。

【0208】

このとき、前記第３パターン部２２１-３の一側面の傾斜及び形状は、前記エッチング工程でのエッチング条件によって可変する。

【0209】

例えば、図３bに図示されたように、前記第３パターン部２２１-３の一側面２２１-３S２は、ベースラインに対し傾いた一定傾斜を有することができる。例えば、前記第３パターン部２２１-３は、下面から上面に行くほど幅が減少することができる。即ち、前記キャビティCの第３パートP３は、前記第１-１絶縁層２１１に隣接するほど幅が減少する傾斜を有することができる。

【0210】

また、図３cに図示されたように、実施例は、前記第３パターン部２２１-３は陥没部２２１-３Uを含むことができる。これは、前記キャビティCの形成が完了した後に前記キャビティCと垂直に重なる前記第３パターン部２２１-３の一部をエッチングで除去する工程でエッチング条件を調節することによって達成することができる。例えば、前記第３パターン部２２１-３の側面は、前記キャビティCの第２パートP２の内壁IW２の下端から前記キャビティCと離れる水平方向に離隔することができる。これにより前記キャビティCの第３パートP３は、前記陥没部２２１-３Uに対応する領域だけ前記第２パートP２の下部領域の幅より大きくなる。

【0211】

前記陥没部２２１-３Uの水平距離は、１μm～１２μmの間の範囲を有することができる。前記陥没部２２１-３Uの水平距離は、２μm～１０μmの間の範囲を有することができる。前記陥没部２２１-３Uの水平距離は、３μm～８μmの間の範囲を有することができる。

【0212】

ここで、前記水平距離は、前記陥没部２２１-３Uと隣接した前記キャビティCの内壁から前記第３パターン部２２１-３の一側面までの水平距離を意味することができる。このとき、前記第３パターン部２２１-３は、エッチング条件によって下面から上面に行くほど幅が変化(例えば、増加または減少)する領域を含むことができる。そして、前記水平距離は、前記陥没部２２１-３Uの全体領域のうち一番多く陥没した領域の最大水平距離、一番少なく陥没した領域の最小水平距離、及び全体領域の水平距離の平均距離のうちいずれか１つを意味することができる。

【0213】

図４a及び図４bは、第２基板層を上側から見た平面図を示したものである。

【0214】

図４aを参照すると、第２基板層３００は、第３領域RT１及び第４領域RT２を含むことができる。前記第３領域RT１は、前記第２基板層３００を貫通するキャビティCが形成された領域であってもよい。このとき、前記第３領域RT１と第４領域RT２は、前記第２基板層３００の幅方向または長さ方向にそれぞれ形成されてもよい。例えば、前記第３領域RT１は、前記第４領域RT２の一側に配置される。

【0215】

図４bを参照すると、前記第３領域RT１は、第２基板層３００の中央に配置される。前記第４領域RT２は、前記第３領域RT１の周囲を取り囲んで形成されてもよい。

【0216】

以下では、実施例に係る第１-１絶縁層２１１及び第１パターン層２２１の第１パターン部の変形例に対して説明することにする。

【0217】

図５aは、第１変形例に係る回路基板を示した図面であり、図５bは、第２変形例に係る回路基板を示した図面であり、図５cは、第３変形例に係る回路基板を示した図面である。

【0218】

第１～第３変形例を説明する前に、実施例の第１パターン層２２１の第１パターン部２２１-１及び第３パターン部２２１-３の製造工程に対して簡単に説明することにする。

【0219】

前記第３パターン部２２１-３は、前記キャビティCが形成される前に前記第１パターン部２２１-１の上で前記キャビティCと垂直に重なる第１領域RB１と前記境界領域に全体的に配置される。

【0220】

そして、前記第３パターン部２２１-３の全体領域のうち前記キャビティCと垂直に重なった前記第１領域RB１は、レーザー工程により前記キャビティCが形成された後にエッチングされる。このとき、理想的な工程条件であるとき、前記第１パターン部２２１-１の上に配置された前記第３パターン部２２１-３のみを選択的に除去することができる。これにより、前記第１パターン部２２１-１及び第３パターン部２２１-３は、図３aに図示されたような位置関係及び厚さ関係を有することができる。

【0221】

このとき、前記第３パターン部２２１-３を除去するエッチング工程は、エッチング条件によって前記第３パターン部２２１-３の厚さ以上行われる。

【0222】

図５aに図示されたように、第１パターン部２２１-１は、図３aの第１パターン部に比べて第１厚さT１より小さい第１'厚さT１aを有することができる。即ち、実施例は、前記第３パターン部２２１-３をエッチングする工程で前記第１パターン部２２１-１の一部も一緒にエッチングすることができる。これにより、前記第１パターン部２２１-１は、第１'厚さT１aを有することができる。

【0223】

これにより、前記第１パターン部２２１-１の上面は、前記第１-１絶縁層２１１の第１上面２１１T１より低く位置することができる。また、前記第１パターン部２２１-１の上面は、前記第３パターン部２２１-３の下面より低く位置することができる。また、前記第１パターン部２２１-１の上面は、前記第２パターン部２２１-２の第１金属層２２１-２１の上面より低く位置することができる。例えば、図３aでの第１パターン部２２１-１の厚さT１は、前記第２パターン部２２１-２の第１金属層２２１-２１の厚さに対応した。これと違うように、第１変形例における前記第１パターン部２２１-１の第１'厚さT１aは、前記第２パターン部２２１-２の第１金属層２２１-２１の厚さT１より小さくてもよい。

【0224】

一方、前記エッチング工程以前の前記第３パターン部２２１-３は、前記キャビティCと垂直に重なった第１領域RB１に全体的に形成される。このとき、前記第３パターン部２２１-３の全体領域のうち前記第１領域RB１と垂直に重なった領域のエッチングが全体的に行われていない場合、前記第１領域RB１の上に前記第３パターン部２２１-３の一部が残存し得る。前記残存する第３パターン部２２１-３の一部によって複数の第１パターン部２２１-１の間が連結されることによる電気的ショート問題が発生し得る。これにより、実施例はエッチング条件を調節して前記第１領域RB１の上における第３パターン部２２１-３と一緒に前記第１パターン部２２１-１の一部も一緒にエッチングが行われるようにする。これにより実施例は、前記第３パターン部２２１-３の一部が残存することによる電気的信頼性問題を解決することができ、これにより製品の信頼性を向上させることができる。

【0225】

また、第１変形例における第１パターン部２２１-１の上面と前記第１-１絶縁層２１１の第１上面２１１T１の間に段差が設けられる。例えば、第１変形例の第１パターン部２２１-１の上面には、前記第１-１絶縁層２１１の第１上面２１１T１を基準として下側方向に陥没した陥没部(不図示)が備えられる。前記第１パターン部２２１-１の陥没部は、チップと連結されるソルダーボールのような接続部が安定的に配置されるとともに、これを支持するダムの機能をすることができる。

【0226】

一方、前記第３パターン部２２１-３の下面または前記第１-１絶縁層２１１の第１上面２１１T１と前記第１パターン部２２１-１の上面の間の垂直距離(例えば、T１-T１a)は、前記第１厚さT１の２%～１０%の範囲を満足することができる。前記第３パターン部２２１-３の下面または前記第１-１絶縁層２１１の第１上面２１１T１と前記第１パターン部２２１-１の上面の間の垂直距離(例えば、T１-T１a)は、前記第１厚さT１の３%～９%の範囲を満足することができる。前記第３パターン部２２１-３の下面または前記第１-１絶縁層２１１の第１上面２１１T１と前記第１パターン部２２１-１の上面の間の垂直距離(例えば、T１-T１a)は、前記第１厚さT１の３.５%～８%の範囲を満足することができる。前記第３パターン部２２１-３の下面または前記第１-１絶縁層２１１の第１上面２１１T１と前記第１パターン部２２１-１の上面の間の垂直距離(例えば、T１-T１a)が前記第１厚さT１の２%未満であると、前記第１パターン部２２１-１の陥没部の深さが小さいことにより前記ダムの機能による効果が微小となる。また、前記第３パターン部２２１-３の下面または前記第１-１絶縁層２１１の第１上面２１１T１と前記第１パターン部２２１-１の上面の間の垂直距離(例えば、T１-T１a)が前記第１厚さT１の１０%を超過すると、前記第１パターン部２２１-１の厚さT１aの減少による第１パターン部２２１-１の許容電流が減少し、これによる通信性能が低下する。

【0227】

一方、図５bに図示されたように、第２変形例は、図３aの回路基板に比べて第１-１絶縁層２１１の第１上面２１１T１aの高さに差がある。

【0228】

即ち、前記第３パターン部２２１-３をエッチングした後に前記第１-１絶縁層２１１aの第１領域RB１に対する追加エッチング工程を行うことができる。これにより、前記第１-１絶縁層２１１aの第１上面２１１T１は、前記第１パターン部２２１-１の上面より低く位置することができる。

【0229】

即ち、第１-１絶縁層２１１aの第１上面２１１T１は、前記第３パターン部２２１-３の下面より低く位置することができる。例えば、前記第１-１絶縁層２１１aの第１上面２１１T１は、前記第２パターン部２２１-２の第１金属層２２１-２１の上面より低く位置することができる。

【0230】

即ち、前記第１パターン部２２１-１の一部をエッチングして前記第３パターン部２２１-３の残存問題を解決するのではなく、前記第１領域RB１と垂直に重なる前記第１-１絶縁層２１１aの第１上面２１１T１の一部をエッチングして前記残存問題を解決することができる。

【0231】

一方、前記第３パターン部２２１-３の下面または前記第１パターン部２２１-１の上面と前記第１-１絶縁層２１１aの第１上面２１１T１の間の垂直距離T５は、前記第１厚さT１の２%～１０%の範囲を満足することができる。例えば、前記第３パターン部２２１-３の下面または前記第１パターン部２２１-１の上面と前記第１-１絶縁層２１１aの第１上面２１１T１の間の垂直距離T５は、前記第１厚さT１の３%～９%の範囲を満足することができる。例えば、前記第３パターン部２２１-３の下面または前記第１パターン部２２１-１の上面と前記第１-１絶縁層２１１aの第１上面２１１T１の間の垂直距離T５は、前記第１厚さT１の３.５%～８%の範囲を満足することができる。

【0232】

前記第３パターン部２２１-３の下面または前記第１パターン部２２１-１の上面と前記第１-１絶縁層２１１aの第１上面２１１T１の間の垂直距離T５が前記第１厚さT１の２%未満であると、前記残存問題を完全に解決できなくなる。また、前記第３パターン部２２１-３の下面または前記第１パターン部２２１-１の上面と前記第１-１絶縁層２１１aの第１上面２１１T１の間の垂直距離T５が前記第１厚さT１の１０%を超過すると、前記第１パターン部２２１-１の側面で前記第１-１絶縁層２１１aによって覆われない領域(例えば、露出する領域)が増加し、これにより前記第１パターン部２２１-１に対する物理的信頼性問題が発生し得る。

【0233】

一方、図３cに図示されたように、第３変形例は、第１変形例と第２変形例を両方とも適用することができ、これにより前記第１パターン部２２１-１の上面と前記第１-１絶縁層２１１aの第１上面２１１T１が同一平面上に位置するようにすることができる。

【0234】

これにより、前記第１パターン部２２１-１の上面及び前記第１-１絶縁層２１１aの第１上面２１１T１は、前記第３パターン部２２１-３の下面、第２パターン部２２１-２の第１金属層２２１-２１の上面及び前記第２パターン部２２１-２の第２金属層２２１-２２の下面より低く位置することができる。

【0235】

図６は、第２実施例に係る回路基板を示した図面であり、図７は、図６の一部領域を拡大した拡大図である。

【0236】

図６及び図７による回路基板は、図２の回路基板の構造に対応することができ、第１基板層と第２基板層の貫通電極の厚さ及び第１絶縁層と第２絶縁層の厚さが図２の回路基板と異なってもよい。

【0237】

図６及び図７を参照すると、回路基板１１００は、第１基板層１２００及び第２基板層１３００を含むことができる。

【0238】

第１基板層１２００及び第２基板層１３００は、図１の第１基板層２００及び第２基板層３００と同一であり、これに対する詳細な説明は省略する。

【0239】

一方、図１での回路基板における貫通電極の厚さは回路層の厚さより大きい。

【0240】

これと違うように、第２実施例の回路基板における貫通電極の厚さは、前記回路層の厚さと同一であるか、これより小さくてもよい。

【0241】

これは、図１での回路基板の回路層の厚さはそのまま維持するとともに、絶縁層の厚さ及びこれによる貫通電極の厚さを減らすことにより達成することができる。

【0242】

即ち、第２基板層にキャビティCを形成して前記キャビティCに半導体素子を配置することができる。これにより、実施例のアンテナ装置の駆動部は、アンテナ部の垂直方向ではなく水平方向に配置される。例えば、前記駆動部は、アンテナ部のアンテナパターン層の信号放射方向と異なる方向(例えば、その垂直方向)に配置される。これにより、実施例はアンテナ部と駆動部の間の信号干渉を解決することができる。これにより実施例は、絶縁層の厚さ及び貫通電極の厚さを増加させてアンテナと駆動部の間の間隔を充分に維持しなくても通信性能に影響を与えなくなる。これにより、実施例は、第１基板層及び第２基板層のそれぞれの絶縁層の厚さを減らし、これにより前記絶縁層を貫通する貫通電極の厚さを減らすことができる。

【0243】

以下では、第２実施例の第１基板層１２００及び第２基板層１３００における第１-１絶縁層１２１１及び前記第１-１絶縁層１２１１に配置される第１貫通電極１２３１に対して説明することにする。ただし、第１-１絶縁層１２１１及び第１貫通電極１２３１を除いた他の絶縁層及び貫通電極も以下で説明される厚さを有することができる。

【0244】

第１基板層１２００は、第１-１絶縁層１２１１、第１パターン層１２２１、第２パターン層１２２２及び第１貫通電極１２３１を含むことができる。

【0245】

前記第１パターン層１２２１は、第１パターン部１２２１-１、第２パターン部１２２１-２及び第３パターン部１２２１-３を含むことができる。

【0246】

前記第１パターン層１２２１の第１パターン部１２２１-１、第２パターン部１２２１-２及び第３パターン部１２２１-３は、第１実施例説明した第１パターン部２２１-１、第２パターン部２２１-２及び第３パターン部２２１-３と実質的に同一であり、これによりこれに対する詳細な説明は省略することにする。また、第２パターン層１２２２は、第１実施例説明した第２パターン層２２２と実質的に同一であり、これによりこれに対する説明は省略することにする。

【0247】

一方、第１貫通電極１２３１は、第１-１絶縁層１２１１内に配置される。前記第１貫通電極１２３１は、前記第１パターン層１２２１と前記第２パターン層１２２２の間を連結することができる。

【0248】

第１貫通電極１２３１は、第１実施例の第１貫通電極２３１の第４厚さT４より小さい第４'厚さT４aを有することができる。

【0249】

例えば、前記第１貫通電極１２３１は、前記第１パターン層１２２１の第１パターン層１２２１のパターン部のうち少なくとも１つの厚さと同一であってもよい。

【0250】

例えば、前記第１貫通電極１２３１は、第１パターン層１２２１の第１パターン層１２２１と同一厚さを有することができる。例えば、第１貫通電極１２３１は、第１パターン層１２２１の第２パターン部１２２１-２と同一厚さを有することができる。

【0251】

好ましくは、前記第１貫通電極１２３１の第４'厚さT４aは、前記第１パターン層１２２１の第２パターン部１２２１-２の第２厚さT２以下であってもよい。即ち、前記第１貫通電極１２３１の第４'厚さT４aは、前記第２パターン部１２２１-２の第２厚さT２と同一であるか、これより小さくてもよい。

【0252】

前記第１貫通電極１２３１の第４'厚さT４aは、前記第２パターン部１２２１-２の第２厚さT２の５１%～１００%の範囲を満足することができる。例えば、前記第１貫通電極１２３１の第４'厚さT４aは、前記第２パターン部１２２１-２の第２厚さT２の６０%～９５%の範囲を満足することができる。前記第１貫通電極１２３１の第４'厚さT４aは、前記第２パターン部１２２１-２の第２厚さT２の６５%～９０%の範囲を満足することができる。

【0253】

前記第１貫通電極１２３１の第４'厚さT４aが前記第２パターン部１２２１-２の第２厚さT２の５１%未満であると、前記第１パターン層１２２１と第２パターン層１２２２の間の距離が近くなり過ぎることにより相互間の信号干渉が発生し、これによる信号伝送損失が増加する。前記第１貫通電極１２３１の第４'厚さT４aが前記第２パターン部１２２１-２の第２厚さT２の１００%を超過すると、実施例に係る回路基板の厚さ減少効果が微小となる。

【0254】

上記のように実施例は、第１貫通電極１２３１の第４'厚さT４aを第１回路層と同一厚さまたは第１回路層より小さい厚さを有するようにすることができ、これにより回路基板の厚さを減らすことができる。また、実施例は、前記第１貫通電極の厚さを減らすことにより前記第１貫通電極を含む信号伝送経路における信号伝送距離を減らすことができ、これによる信号伝送損失を最小化することができる。

【0255】

一方、実施例は、前記キャビティCの上に実装された半導体素子を含むことができ、これにより前記キャビティCと隣接した領域に配置された貫通電極の厚さを減らすことができる。よって、実施例は、前記半導体素子から伝達される信号または前記半導体素子に提供される信号の伝送経路を最小化することができ、これによる信号伝送損失を最小化することができる。

【0256】

これにより、それぞれの絶縁層に配置された貫通電極のうち前記キャビティCと一番隣接するように配置された第１貫通電極１２３１に対してのみ前記第４'厚さT４aを有するようにすることができる。前記第１貫通電極１２３１を除いた残りの貫通電極(例えば、第２絶縁層内にそれぞれ配置された貫通電極、第１-２絶縁層内に配置された貫通電極、第１-３絶縁層に配置された貫通電極)は、前記第１貫通電極１２３１が有する第４'厚さT４aより大きい厚さ(例えば、T４を有することができる。特に、前記キャビティCと水平方向に重なった第２絶縁層内に配置される貫通電極は、アンテナパターンを介して信号の送信または受信することができる。このとき、アンテナパターンを介した信号の送信強度や受信強度は、信号伝送経路に比例するように増加することができる。これにより、実施例は、前記第１貫通電極１２３１を除いた第２絶縁層内にそれぞれ配置された貫通電極、第１-２絶縁層内に配置された貫通電極及び第１-３絶縁層に配置された貫通電極は、第４厚さT４を有することができ、これによる通信性能を極大化することができる。

【0257】

また、実施例は、比較例と同一厚さを有する回路基板で絶縁層及び貫通電極の厚さを減らすことにより回路層の層数を増加させることができ、これにより回路集積度及び通信性能を向上させることができる。

【0258】

図８は、第３実施例に係る回路基板を示した図面である。

【0259】

第３実施例の回路基板のうち第１及び第２実施例の回路基板と実質的に同一な部分の説明は省略することにする。

【0260】

第３実施例の回路基板の第１基板層の第１絶縁層の複数の絶縁層のうち少なくとも１つは、少なくとも他の１つの絶縁層と異なる厚さを有することができる。例えば、キャビティCと一番隣接するように配置された第１-１絶縁層２２１１は、第１-２絶縁層２２１２及び第１-３絶縁層２２１３と異なる厚さを有することができる。

【0261】

例えば、第１-１絶縁層２２１１の厚さT１４は、第１-２絶縁層２２１２及び第１-３絶縁層２２１３のそれぞれの厚さT１５より大きくてもよい。

【0262】

例えば、第１-２絶縁層２２１２及び第１-３絶縁層２２１３のそれぞれの厚さT１５は、１０μm～６０μmの範囲を満足することができる。例えば、第１-２絶縁層２２１２及び第１-３絶縁層２２１３のそれぞれの厚さT１５は、１２μm～４５μmの範囲を満足することができる。例えば、前記第１-２絶縁層２２１２及び第１-３絶縁層２２１３のそれぞれの厚さT１５は、１５μm～３０μmの範囲を満足することができる。

【0263】

ただし、第１-２絶縁層２２１２及び第１-３絶縁層２２１３が互いに同一厚さT１５を有するものと説明したが、これに限定されない。例えば、第１-２絶縁層２２１２及び第１-３絶縁層２２１３のそれぞれは、前記第１-１絶縁層２２１１の厚さT１４よりは小さい厚さを有するとともに、互いに異なる厚さを有することができる。

【0264】

例えば、第１-２絶縁層２２１２は、前記第１-１絶縁層２２１１の厚さT１４より小さく、１０μm～６０μmの範囲を満足することができる。前記第１-３絶縁層２２１３は、前記第１-１絶縁層２２１１の厚さT１４より小さく、上記した１０μm～６０μmの範囲内で前記第１-２絶縁層２２１２の厚さより小さいまたは大きい厚さを有することができる。

【0265】

一方、前記第１-１絶縁層２２１１の厚さT１４は、前記第１-２絶縁層２２１２及び第１-３絶縁層２２１３の厚さT１５より大きくてもよい。例えば、前記第１-１絶縁層２２１１の厚さT１４は、前記第１-２絶縁層２２１２及び第１-３絶縁層２２１３の厚さT１５の１１０%～２２０%の範囲を満足することができる。例えば、前記第１-１絶縁層２２１１の厚さT１４は、前記第１-２絶縁層２２１２及び第１-３絶縁層２２１３の厚さT１５の１２０%～２１０%の範囲を満足することができる。例えば、前記第１-１絶縁層２２１１の厚さT１４は、前記第１-２絶縁層２２１２及び第１-３絶縁層２２１３の厚さT１５の１３０%～２００%の範囲を満足することができる。

【0266】

前記第１-１絶縁層２２１１の厚さT１４が前記第１-２絶縁層２２１２及び第１-３絶縁層２２１３のそれぞれの厚さT１５の１１０%未満であると、前記第１-１絶縁層２２１１と前記第２基板層２３００の間の密着力が低下し、これにより前記第１-１絶縁層２２１１が前記第２基板層２３００から分離する脱膜問題が発生し得る。また、前記第１-１絶縁層２２１１の厚さT１４が前記第１-２絶縁層２２１２及び第１-３絶縁層２２１３のそれぞれの厚さT１５の２２０%を超過すると、前記第１-１絶縁層２２１１の厚さT１４によって回路基板の厚さが増加し、第１基板層２２００と第２基板層２３００の間の信号伝送距離が増加する。

【0267】

例えば、前記第１-１絶縁層２２１１の厚さT１４は、１１μm～１３２μmの範囲を満足することができる。例えば、前記第１-１絶縁層２２１１の厚さT１４は、１４.５μm～９４.５μmの範囲を満足することができる。例えば、前記第１-１絶縁層２２１１の厚さT１４は、１９.５μm～６０μmの範囲を満足することができる。

【0268】

即ち、第１-１絶縁層２２１１は、キャビティCを備えないが、前記キャビティCと一番隣接するように配置される。そして第１-１絶縁層２２１１は、他の絶縁層のそれぞれの厚さより大きくてもよい。

【0269】

好ましくは、第１パターン層２２２１の位置を基準として絶縁層の厚さ変化が発生することができる。即ち、前記第１パターン層２２２１は、キャビティCを形成する工程でストッパーとして使用されるパターンを含むことができる。これにより、実施例は、前記ストッパーとして使用されるパターンを含む前記第１パターン層２２２１と接触する絶縁層の厚さを増加させることができる。このとき、前記第１パターン層２２２１と接触する絶縁層は、前記第１基板層２２００の最上側に配置された第１-１絶縁層２２１１及び前記第２基板層２３００の最下側に配置された第２-１絶縁層２３１１を含むことができる。このとき、実施例は、前記第２-１絶縁層２３１１の厚さを維持すながら前記第１-１絶縁層２２１１の厚さを増加させることができる。これにより、実施例は、前記第１-１絶縁層２２１１と前記第１パターン層２２２１の間の密着力及び前記第１-１絶縁層２２１１が前記第２-１絶縁層２３１１の間の密着力を向上させることができる。

【0270】

このとき、前記第１パターン層２２２１と接触する第１-１絶縁層２２１１及び第２-１絶縁層２３１１のうち前記第１-１絶縁層２２１１の厚さを増加させる理由は、前記回路基板を製造する工程順序によるものである。

【0271】

例えば、前記第１-１絶縁層２２１１及び第２-１絶縁層２３１１のうちいずれか１つは、前記第１パターン層２２２１が形成される前に積層され、他の１つは、前記第１パターン層２２２１が形成された後に積層される。好ましくは、前記第２-１絶縁層２３１１は、前記第１パターン層２２２１が形成される前に積層される。また、前記第１-１絶縁層２２１１は、前記第１パターン層２２２１が形成された後に前記第２-１絶縁層２３１１と前記第１パターン層２２２１の上に積層される。

【0272】

よって、実施例は、前記第１パターン層２２２１が形成された後に積層される前記第１-１絶縁層２２１１の厚さT１４を他の絶縁層の厚さT１５より大きくする。これにより、前記ストッパーを含む第１パターン層２２２１の表面積(キャビティ領域おけるエッチングが行われる前の表面積)が６０%を超過することができ、これにより前記第１-１絶縁層２２１１と前記第１パターン層２２２１及び/または前記第２-１絶縁層２３１１の間の密着力が低下することを解決することができ、これにより回路基板の物理的信頼性を向上させることができる。

【0273】

一方、前記第２基板層２３００のそれぞれの第２絶縁層は、前記第１基板層２２００の第１-２絶縁層２２１２及び第１-３絶縁層２２１３の厚さT１５と同一厚さT１６を有することができる。

【0274】

例えば、第２-１絶縁層２３１１、第２-２絶縁層２３１２、第２-３絶縁層２３１３及び第２-４絶縁層２３１４のそれぞれは、前記第１-２絶縁層２２１２及び第１-３絶縁層２２１３の厚さT１５と同一厚さT１６を有することができる。例えば、第２-１絶縁層２３１１、第２-２絶縁層２３１２、第２-３絶縁層２３１３及び第２-４絶縁層２３１４のそれぞれは、前記第１-１絶縁層２２１１の厚さT１４と異なる厚さT１６を有することができる。

【0275】

ただし、実施例はこれに限定されない。

【0276】

例えば、前記第２-２絶縁層２３１２、第２-３絶縁層２３１３及び第２-４絶縁層２３１４のそれぞれは、前記第１-２絶縁層２２１２及び第１-３絶縁層２２１３のそれぞれの厚さT１５と同一厚さT１６を有することができる。また、前記第２-１絶縁層２３１１は、前記第１-１絶縁層２２１１の厚さT１４と同一厚さT１６を有することができる。

【0277】

また、第２-１絶縁層２３１１、第２-２絶縁層２３１２、第２-３絶縁層２３１３及び、第２-４絶縁層２３１４のうち少なくとも１つの厚さT１６は、前記第１-１絶縁層２２１１の厚さよりは小さく、前記第１-２絶縁層２２１２または第１-３絶縁層２２１３の厚さと異なる厚さ(例えば、大きい厚さまたは小さい厚さ)を有することもできる。

【0278】

結論的に、前記第１パターン層２２２１の位置を基準として前記第１パターン層２２２１が形成された後に積層される第１-１絶縁層２２１１の厚さT１４を、これを除いた他の絶縁層の厚さより大きくする。これにより、実施例は、キャビティ形成のためのストッパー層として利用される第１パターン層２２２１の面積による密着力問題を根本的に解決することができるようにする。

【0279】

一方、前記キャビティCの前記第３パートP３の内壁IW３の第３傾斜は曲面を有することができる。例えば、実施例は、前記ストッパー層をエッチングする工程で過エッチング条件でエッチングを行うことができる。これにより、第２基板層で覆われたストッパー層の少なくとも一部は除去される。

【0280】

即ち、前記陥没部２２２１-３Uは、前記第２-１絶縁層２３１１と垂直に重なることができる。例えば、実施例は、前記陥没部２２２１-３Uを介して前記第２-１絶縁層２３１１の下面の少なくとも一部が露出することができる。そして、前記陥没部２２１-３Uは、チップのモールディング工程でモールディング層で充填される。これにより、前記モールディング層は、前記陥没部２２２１-３Uを充填するとともに、前記第２-１絶縁層２３１１の下面の少なくとも一部も接触することができる。これにより、実施例は、前記モールディング層と回路基板の間の密着力をより向上させることができる。

【0281】

図９は、第４実施例に係る回路基板を示した図面である。

【0282】

図９の回路基板は、図８の回路基板と比較して第１パターン層３２２１の位置に差があるだけで、これを除いた他の構造は実質的に同一である。

【0283】

第３実施例の前記第１パターン層は、第１基板層２２００の第１-１絶縁層２２１１に埋め込まれた構造を有した。

【0284】

第４実施例の前記第１パターン層３２２１は、前記第２基板層３３００の第２-１絶縁層３３１１に埋め込まれた構造を有することができる。

【0285】

即ち、第４実施例の第１パターン層３２２１は、前記第１-１絶縁層３２１１の上面上に突出した構造を有することができる。

【0286】

これにより、第４実施例の前記第１パターン層３２２１が領域別に互いに同一厚さを有することができる。例えば、第１～第３実施例の第１パターン層は、領域別に互いに異なる厚さを有する第１～第３パターン部を含んだ。これと違うように、第４実施例の第１～第３パターン部は互いに同一厚さを有し、互いに同一層に配置される。

【0287】

これは、第４実施例の回路基板の製造工程と、第１～第３実施例の回路基板の製造工程の差によって表れる。

【0288】

一方、第１～第３実施例の製造工程は、前記第１パターン層が形成された後に第１-１絶縁層が積層される。

【0289】

これと違うように、第４実施例の製造工程は、前記第１-１絶縁層３２１１の上に第１パターン層３２２１が配置された後に前記第２-１絶縁層３３１１の積層工程が行われる。これにより、第４実施例の前記第１-１絶縁層３２１１は、前記第２-１絶縁層３３１１を除いた他の第１絶縁層と同一厚さT１５を有するようにする。

【0290】

前記第２-１絶縁層３３１１は、前記第１-１絶縁層３２１１を含む他の絶縁層の厚さT１５より大きい厚さT１４を有することができる。

【0291】

また、前記第２-１絶縁層３３１１を除いた他の第２絶縁層は、前記第２-１絶縁層３３１１の厚さT１４より小さい厚さT１６を有することができる。

【0292】

図１０は、実施例に係る半導体パッケージを示した図面である。

【0293】

図１０を参照すると、半導体パッケージは、図１に図示された回路基板１００を含むことができる。ただし、実施例はこれに限定されず、実施例の半導体パッケージは、図１以外の他の図面に図示された回路基板を含むこともできる。

【0294】

半導体パッケージは、回路基板１００の第２基板層３００の上面に配置される第１保護層３４０を含むことができる。また、半導体パッケージは、回路基板１００の第１基板層２００の下面に配置される第２保護層２４０を含むことができる。

【0295】

また、半導体パッケージは、第１基板層２００の第１パターン層２２１のうち前記キャビティCと垂直に重なった領域に配置された第１パターン部２２１-１の上に配置される第１接続部４１０を含むことができる。前記第１接続部４１０の平面形状は円形であってもよい。これと違うように、前記第１接続部４１０の平面形状は四角形であってもよい。前記第１接続部４１０は、前記第１パターン部２２１-１の上に配置され、前記第１パターン部２２１-１と素子４２０の端子４２５の間を連結することができる。前記第１接続部４１０は、ソルダーボールであってもよい。前記第１接続部４１０は、ソルダーに異種成分の物質が含まれてもよい。前記ソルダーは、SnCu、SnPb、SnAgCuのうち少なくともいずれか１つからなることができる。そして、前記異種成分の物質は、Al、Sb、Bi、Cu、Ni、In、Pb、Ag、Sn、Zn、Ga、Cd及びFeのうちいずれか１つを含むことができる。

【0296】

前記第１接続部４１０の上には、半導体素子４２０が配置される。前記半導体素子４２０はドライバー素子であってもよい。例えば、前記半導体素子４２０は、前記回路基板に含まれたアンテナパターン層を駆動する駆動素子であってもよい。また、図面での前記キャビティC内には１つの半導体素子のみが実装されるものと図示したが、これに限定されるものではない。例えば、前記キャビティC内には、前記半導体素子４２０以外にも前記半導体素子４２０の動作のための受動素子(不図示)が追加で実装されてもよい。

【0297】

一方、前記キャビティC内には、前記半導体素子４２０を覆いながらモールディング層４３０が形成される。前記モールディング層４３０は、EMC(Epoxy Molding Compound)であってもよいが、これに限定されるものではない。前記モールディング層４３０は、前記第３パターン部の陥没部を充填しながら備えられてもよい。

【0298】

また、第１基板層２００の第１領域RB１の下面に配置されたパターン層の下面に配置された第２接続部４４０を含むことができる。前記第２接続部４４０は、前記半導体パッケージと外部の基板(例えば、端末機のメインボード)の間を連結することができる。

【0299】

以下では、実施例に係る回路基板の製造方法を工程順に説明することにする。

【0300】

図１１a～１１pは、図１に図示された第１実施例に係る回路基板の製造方法を工程順に示した図面である。

【0301】

以下では、図１１a～１１pを参照して、図１の第１実施例に係る回路基板の製造方法に対して説明することにする。ただし、以下で説明される工程を利用して第１実施例を除いた別の実施例の回路基板を製造することもできる。

【0302】

本願の実施例の回路基板の製造工程は、キャリアボードを利用して第１基板層の一部及び第２基板層の一部を製造する第１工程と、前記第１工程により製造された基板層の上下でそれぞれ第１基板層の残りの一部及び第２基板層の残りの一部を製造する工程と、前記第２基板層にキャビティを形成する工程と、前記キャビティと垂直に重なった領域おけるストッパー層を除去する工程とを含むことができる。

【0303】

まず、図１１aを参照すると、実施例に係る回路基板を製造するための基礎資材であるキャリアボードを用意することができる。

【0304】

前記キャリアボードは、キャリア絶縁層５１０及び前記キャリア絶縁層５１０の一面に配置されたキャリア銅箔層５２０を含むことができる。

【0305】

前記キャリア銅箔層５２０は、前記キャリア絶縁層５１０の一面に配置されてもよく、これと違うように両面に置されてもよい。前記キャリア絶縁層５１０の両面に前記キャリア銅箔層５２０が配置される場合、前記キャリアボードが除去される前まで前記キャリアボードの両側でそれぞれ回路基板の製造工程が行われる。

【0306】

前記キャリア銅箔層５２０は、前記キャリア絶縁層５１０の表面に無電解メッキを行って形成することができる。これと違うように、キャリア絶縁層５１０及び前記キャリア銅箔層５２０は、CCL(copper clad laminate)であってもよい。

【0307】

このとき、前記キャリアボードは、第１基板層２００の第１領域RB１及び第２領域RB２に対応するように複数の領域に区分することができる。

【0308】

次に、実施例は、前記キャリア銅箔層５２０の下面にマスク５３０を形成する工程を行うことができる。このとき、前記マスク５３０に開口部５４０を形成する工程を行うことができる。前記マスク５３０の開口部５４０は、前記キャリア銅箔層５２０の下面のうち第５パターン層３２１が形成される領域と垂直に重なることができる。

【0309】

次に、図１１bに図示されたように、前記キャリア銅箔層５２０をシード層として電解メッキを行って、前記マスク５３０の開口部５４０を充填する第５パターン層３２１を形成する工程を行うことができる。

【0310】

そして、実施例は、前記第５パターン層３２１が形成されると、前記マスク５３０を除去する工程を行うことができる。次に、実施例は、前記マスク５３０が除去されることにより、前記キャリア銅箔層５２０の下面及び前記第５パターン層３２１の下面に第２基板層３００の第２絶縁層の一部である第２-１絶縁層３１１を形成する工程を行うことができる。

【0311】

次に、図１１cに図示されたように、実施例は、前記第２-１絶縁層３１１を貫通する貫通ホール(不図示)を形成する工程を行うことができる。次に、実施例は、前記第２-１絶縁層３１１の下面に第１ドライフィルムDF１を形成するする工程を行うことができる。前記第１ドライフィルムDF１は、第１パターン層２２１が形成される領域と垂直に重なる開口(不図示)を含むことができる。次に、実施例は、前記第２-１絶縁層３１１の前記貫通ホールを充填する第４貫通電極３３１及び第１基板層２００の第１パターン層２２１の一部を形成する工程を行うことができる。

【0312】

好ましくは、前記第１パターン層２２１は、２段メッキ工程により行われる。ここで、２段メッキとは、シード層を除いた電解メッキ層のメッキ工程が２回行われることを意味することができる。例えば、一般的な回路基板の製造工程では、シード層の上に電解メッキを行ってパターン層を形成しており、これにより前記パターン層が有する電解メッキ層は１層構造を有する。これと違うように、実施例は、前記第１パターン層２２１の領域別の機能が互いに異なることにより、それぞれの機能に合うパターン部を形成するために、前記第１パターン層２２１を２段メッキにより形成して、これにより前記第１パターン層２２１の電解メッキ層が２層構造を有するようにすることができる。

【0313】

例えば、実施例は、前記第２-１絶縁層３１１の下面に前記第１ドライフィルムDF１の開口の少なくとも一部を充填する第１電解メッキ層２２１aを形成する工程を行うことができる。このとき、前記第１電解メッキ層２２１aは、第１パターン層２２１の第２パターン部２２１-２の第２金属層２２１-２２及び第３パターン部２２１-３に対応することができる。

【0314】

次に、図１１dに図示されたように、実施例は、前記第１電解メッキ層２２１aの下面の少なくとも一部に第２ドライフィルムDF２を形成する工程を行うことができる。このとき、前記第２ドライフィルムDF２は、前記第１電解メッキ層２２１aの少なくとも一部を覆って形成される。即ち、前記第２ドライフィルムDF２は、前記第１電解メッキ層２２１aの下面の少なくとも一部と垂直に重なる開口(不図示)を含む。

【0315】

次に、図１１eに図示されたように、実施例は、前記第１電解メッキ層２２１a下面に２次電解メッキを行って前記第２ドライフィルムDF２の開口の少なくとも一部を充填する第２電解メッキ層２２１bを形成する工程を行うことができる。

【0316】

このとき、前記第２電解メッキ層２２１bは、第１パターン層２２１の第１パターン部２２１-１及び第２パターン部２２１-２の第１金属層２２１-２１に対応することができる。これにより、前記第１電解メッキ層２２１aの平面面積は、第２電解メッキ層２２１bの平面面積と異なってもよい。例えば、前記第１電解メッキ層２２１aの平面面積は、第２電解メッキ層２２１bの平面面積より大きくてもよい。具体的に、前記第２電解メッキ層２２１bの全体領域は、前記第１電解メッキ層２２１aと垂直に重なることができる。ただし、前記第１電解メッキ層２２１aは、前記第２電解メッキ層２２１bと垂直に重なる重畳領域と、前記第２電解メッキ層２２１bと垂直に重ならない非重畳領域を含むことができる。例えば、実施例は、前記第１電解メッキ層２２１aは、レーザーストッパーに対応し、レーザー工程時に第１パターン部２２１-１に対応する第２電解メッキ層２２１bの上面を保護する機能をすることができる。これにより、前記第１電解メッキ層２２１aの平面面積は、前記第２電解メッキ層２２１bの平面面積に比べて、キャビティCが形成される領域の平面面積に対応するように大きくなる。

【0317】

次に、図１１fに図示されたように、実施例は、前記第１ドライフィルムDF１及び第２ドライフィルムDF２を除去する工程を行うことができる。また、実施例は、前記キャリア絶縁層５１０と前記キャリア銅箔層５２０を除去する工程を行うことができる。

【0318】

以後、実施例は、前記第２-１絶縁層３１１の上部及び下部でそれぞれ第２基板層３００の一部及び第１基板層２００の一部を製造する工程を行うことができる。

【0319】

例えば、図１１gに図示されたように、実施例は、前記第２-１絶縁層３１１の下面に第１-１絶縁層２１１を形成し、前記第１-１絶縁層２１１を貫通する第１貫通電極２３１と、前記第１-１絶縁層２１１の下面に第２パターン層２２２を形成する工程を行うことができる。また、実施例は、前記第２-１絶縁層３１１の上面に第２-２絶縁層３１２を形成し、前記第２-２絶縁層３１２を貫通する第５貫通電極３３２及び前記第２-２絶縁層３１２の上面に第６パターン層３２２を形成する工程を行うことができる。

【0320】

また、図１１hに図示されたように、実施例は、前記第１-１絶縁層２１１の下面に第１-２絶縁層２１２を形成する工程を行うことができる。また、実施例は、前記第１-２絶縁層２１２を貫通する第２貫通電極２３２及び前記第１-２絶縁層２１２の下面に第３パターン層２２３を形成する工程を行うことができる。

【0321】

また、実施例は、前記第２-２絶縁層３１２の上面に第２-３絶縁層３１３を形成する工程を行うことができる。また、実施例は、前記第２-３絶縁層３１３を貫通する第６貫通電極３３３及び前記第２-３絶縁層３１３の上面に第７パターン層３２３を形成する工程を行うことができる。

【0322】

次に、実施例は、図１１iに図示されたように、実施例は、第１-２絶縁層２１２の下面に第１-３絶縁層２１３を形成する工程を行うことができる。また、実施例は、前記第１-３絶縁層２１３を貫通する第３貫通電極２３３及び前記第１-３絶縁層２１３の下面に第４パターン層２２４を形成する工程を行うことができる。

【0323】

また、実施例は、前記第２-３絶縁層３１３の上面に第２-４絶縁層３１４を形成する工程を行うことができる。次に、実施例は、前記第２-４絶縁層３１４を貫通する第７貫通電極３３４及び前記第２-４絶縁層３１４の上に第８パターン層３２４を形成する工程を行うことができる。

【0324】

これにより、実施例は、キャビティCが形成される前の第１基板層２００及び第２基板層３００を含む回路基板１００の製造が完了する。

【0325】

一方、実施例は、図１１jに図示されたように、前記第８パターン層３２４を形成する工程で、前記第８パターン層３２４のシード層を一部除去せずに残しておき、これを利用してキャビティCを形成する工程でマスクとして活用することができるようにする。

【0326】

例えば、図１１kに図示されたように、前記第８パターン層３２４の製造工程を見ると、前記第２-４絶縁層３１４の上面には、前記第８パターン層３２４を電解メッキで形成するためのシード層３２４-１が位置する。そして、前記シード層３２４-１は、前記第８パターン層３２４を電解メッキするためのシード層として利用することができる。

【0327】

次に、図１１lに図示されたように、実施例は、前記第８パターン層３２４が形成されることにより前記シード層３２４-１のうち前記第８パターン層３２４と垂直に重ならない領域を除去する工程を行うことができる。このとき、実施例は、前記シード層３２４-１のうち前記キャビティCが形成される領域と隣接した領域３２４-１aは除去せずに残しておく。実施例は、キャビティ形成工程で前記シード層３２４-１の前記領域３２４-１aをレーザーマスクとして利用して前記第３領域RT１に対応する部分のみにキャビティ形成工程を行うことができる。このとき、前記シード層３２４-１の領域RB１は、前記キャビティCが形成される領域である第３領域RT１の一部を覆うことができる。これは、レーザー形成工程で発生する工程偏差によるアンダーカットを勘案したものである。

【0328】

次に、図１１mに図示されたように、実施例は、前記シード層３２４-１の領域RB１を活用して、前記第２基板層３００の第２絶縁層を貫通する第１キャビティC１を形成する工程を行うことができる。このとき、前記第１キャビティC１は、前記第１基板層２００の第１パターン層２２１の一部である第１電解メッキ層２２１aの上面(例えば、第３パターン部２２１-３の上面)の上面まで形成される。このとき、前記第１キャビティC１の内壁IW１は、第１傾斜を有することができる。例えば、実施例は、１次キャビティ工程を行うことができる。このとき、前記１次キャビティ工程でのレーザーマスクの幅は、第１幅を有することができる。前記レーザーマスクは、レーザー装備でレーザービームの幅を決定する。このとき、実施例は、キャビティが形成される領域を全体的に開放するために、相対的に大きい幅を有する第１レーザービームを利用して前記１次キャビティ工程を行うことができる。これにより、前記１次キャビティ工程によって形成された第１キャビティC１の内壁IW１は、全体的に前記第１レーザービームに対応する第１傾斜を有することになる。

【0329】

次に、図１１nに図示されたように実施例は、前記第１キャビティC１の上に２次キャビティ工程を行って第２キャビティC２を形成する工程を行うことができる。このとき、前記第２キャビティ工程でのレーザーマスクの幅は、前記第１幅より小さい第２幅を有することができる。そして、前記第２キャビティ工程は、前記第１キャビティ工程で形成された第１キャビティC１の内壁に対応する部分のみで行われる。前記２次キャビティ工程でのレーザーマスクの幅は、前記第１幅より小さい第２幅を有することにより、前記第２キャビティC２の内壁は、複数の傾斜を有することができる。例えば、前記第２キャビティC２の内壁は、前記１次キャビティ工程によって形成された第１傾斜と、前記２次キャビティ工程によって形成された第２傾斜を含むことができる。

【0330】

例えば、図１１oを参照すると、実施例は２８０um程度の第１幅を有するマスクを利用してこれに対応する第１レーザービームL１を照射して前記第１キャビティC１を形成する工程を行うことができる。以後、実施例は、前記第１幅より小さい１００um程度の第２幅を有するマスクを利用してこれに対応する第２レーザービームL２を照射して前記第２キャビティC２を形成する工程を行うことができる。これにより、実施例のキャビティは、前記第１レーザービームL１に対応する第１傾斜及び第２レーザービームL２に対応する第２傾斜を含んでいる。このとき、キャビティの全体的な傾斜が前記第２傾斜を有するようにすることができるが、前記第１キャビティ形成工程で、前記第１レーザービームL１が前記シード層３２４-１の領域RB１の下面に浸透することになり、これによるアンダーカット領域を含むことになる。そして、前記キャビティCで前記第１傾斜に対応する部分は、前記第１キャビティ工程で形成されたアンダーカット領域に対応することができる。

【0331】

次に、図１１pに図示されたように、前記２次キャビティ工程により露出した第３パターン部２２１-３の一部を除去する工程を行うことができる。例えば、前記第３パターン部２２１-３は、前記キャビティCの形成工程が完了した後に、前記キャビティCと垂直に重なる領域から除去される。ただし、前記第３パターン部２２１-３は、前記キャビティCの下部領域の面積より大きい面積を有することができる。これにより、前記エッチング工程で、前記第３パターン部２２１-３の少なくとも一部は除去されずに残ることができる。例えば、前記キャビティCと垂直に重なる第１領域RB１及び前記第１領域RB１を除いた第２領域RB２の境界領域における第３パターン部２２１-３は除去されなくなる。そして、実施例は、前記第３パターン部２２１-３の一部が除去されることにより、キャビティCの第３パートを形成することができる。このとき、前記第３パートの内壁は、第３パターン部２２１-３の側面であってもよい。

【0332】

以上の実施例で説明された特徴、構造、効果等は、本発明の少なくとも１つの実施例に含まれ、必ず１つの実施例に限定されるものでは、ない。また、各実施例に例示された特徴、構造、効果等は、実施例が属する分野で通常の知識を有する者によって、別の実施例に対して組合せまたは変形して実施可能である。よって、そのような組合せと変形に係る内容は、本発明の範囲に含まれると解釈されるべきである。

【0333】

また、以上では、実施例を中心に説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するものでは、なく、本発明が属する分野で通常の知識を有した者であれば、本実施例の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、以上で例示されていない多様な変形と応用が可能である。例えば、実施例に具体的に提示された各構成要素は、変形して実施することができる。そして、そのような変形と応用に係る差異点は、添付される請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれると解釈されるべきである。

【図1】

【図2】

【図3a】

【図3b】

【図3c】

【図4a】

【図4b】

【図5a】

【図5b】

【図5c】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11a】

【図11b】

【図11c】

【図11d】

【図11e】

【図11f】

【図11g】

【図11h】

【図11i】

【図11j】

【図11k】

【図11l】

【図11m】

【図11n】

【図11o】

【図11p】

【手続補正書】

【提出日】2024-05-30

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上に配置され、キャビティを含む第２絶縁層と、
前記第１絶縁層と前記第２絶縁層の間に配置された第１回路パターン層と、を含み、
前記第１回路パターン層は、
垂直方向に沿って前記キャビティと重なった第１回路パターン部と、
前記垂直方向に沿って前記キャビティと重ならない第２回路パターン部と、
前記第１回路パターン部と前記第２回路パターン部の間に配置され、前記キャビティを介して露出した側面を含む第３回路パターン部と、を含み、
前記第１回路パターン部、前記第２回路パターン部及び前記第３回路パターン部のそれぞれの前記垂直方向の厚さは、互いに異なる、回路基板。

【請求項2】

前記第１回路パターン部の上面は、前記第２回路パターン部及び前記第３回路パターン部のそれぞれの上面より低く位置する、請求項１に記載の回路基板。

【請求項3】

前記第３回路パターン部の下面は、前記第１回路パターン部及び前記第２回路パターン部のそれぞれの下面より高く位置する、請求項１に記載の回路基板。

【請求項4】

前記キャビティを形成する前記第２絶縁層の内壁は、前記第１絶縁層の上面に対し第１傾斜角を有する第１内壁と、前記第１内壁の上に配置され、前記第１絶縁層の上面に対し前記第１傾斜角と異なる第２傾斜角を有する第２内壁とを含む、請求項１に記載の回路基板。

【請求項5】

前記キャビティの内壁は、前記第１内壁の下に備えられ、前記第１絶縁層の上面に対し前記第１傾斜角及び前記第２傾斜角と異なる第３傾斜角を有する第３内壁を含む、請求項４に記載の回路基板。

【請求項6】

前記第３回路パターン部の上面は、前記第１回路パターン部の上面より高く位置し、
前記第３回路パターン部の下面は、前記第２回路パターン部の下面より高く位置する、請求項１に記載の回路基板。

【請求項7】

前記第３回路パターン部の上面は、前記第２回路パターン部の上面と同一平面上に位置し、
前記第３回路パターン部の下面の高さは、前記第１回路パターン部の上面の高さ以上である、請求項１に記載の回路基板。

【請求項8】

前記第２回路パターン部は、前記第１回路パターン部と水平に重なる第１金属層と、前記第１金属層の上に配置された第２金属層を含む、請求項１に記載の回路基板。

【請求項9】

前記第２回路パターン部の前記第１金属層の厚さは、前記第１回路パターン部の厚さに対応し、
前記第２回路パターン部の前記第２金属層の厚さは、前記第３回路パターン部の厚さに対応する、請求項８に記載の回路基板。

【請求項10】

前記第１絶縁層の上面は、前記キャビティの底面に対応する第１上面と、前記キャビティと垂直方向に沿って重ならない第２上面とを含み、
前記第１上面は、前記第２上面より低く位置する、請求項６に記載の回路基板。

【請求項11】

前記第１絶縁層の前記第１上面は、前記第２回路パターン部及び前記第３回路パターン部の上面より低く位置し、
前記第１絶縁層の前記第２上面は、前記第２回路パターン部及び前記第３回路パターン部の上面と同一平面上に位置する、請求項１０に記載の回路基板。

【請求項12】

前記第１絶縁層の前記第１上面は、前記第１回路パターン部の上面または前記第３回路パターン部の下面と同一平面上に位置する、請求項１０に記載の回路基板。

【請求項13】

前記第１絶縁層の前記第１上面は、前記第１回路パターン部の上面と段差を有する、請求項１０に記載の回路基板。

【請求項14】

前記第１回路パターン部の厚さは、前記第２回路パターン部の厚さの５１%～８５%の範囲を満足し、前記第３回路パターン部の厚さは、前記第２回路パターン部の厚さの１５%～４９%の範囲を満足する、請求項１に記載の回路基板。

【請求項15】

前記第１絶縁層の他面に配置された第２回路パターン層をさらに含み、
前記第２回路パターン層の金属層の層数は、前記第１回路パターン層の前記第２回路パターン部の金属層の層数と異なる、請求項６に記載の回路基板。

【請求項16】

前記第１回路パターン層の前記第２回路パターン部の厚さは、前記第２回路パターン層の厚さと同一である、請求項１５に記載の回路基板。

【請求項17】

前記第１絶縁層の少なくとも一部領域を貫通して備えられ、前記第１回路パターン層の第１回路パターン部及び第２回路パターン部のうちいずれか１つと連結された第１貫通電極をさらに含み、
前記第１貫通電極の厚さは、前記第１回路パターン層の前記第２回路パターン部の厚さ以下である、請求項１に記載の回路基板。

【請求項18】

前記第１内壁の垂直長さは、前記第２内壁の垂直長さより大きい、請求項５に記載の回路基板。

【請求項19】

前記第３内壁の垂直長さは、前記第１内壁及び前記第２内壁のそれぞれの垂直長さより小さい、請求項５に記載の回路基板。

【請求項20】

前記第２絶縁層の少なくとも一部領域を貫通し、前記第２内壁と水平方向に沿って重なった第２貫通電極をさらに含み、
前記第２貫通電極の垂直方向の厚さは、前記第２内壁の垂直長さより大きい、請求項５に記載の回路基板。

【国際調査報告】