特表 2024-544307 事前設定部分パターングループ、対象マイクロＬＥＤ配列パターンを分解する方法、および画素欠陥を検出する方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-11-28

(54)【発明の名称】事前設定部分パターングループ、対象マイクロＬＥＤ配列パターンを分解する方法、および画素欠陥を検出する方法

(51)【国際特許分類】

   G06T 7/00 20170101AFI20241121BHJP

   G06T 5/50 20060101ALI20241121BHJP

   G06T 1/00 20060101ALI20241121BHJP

【ＦＩ】

G06T7/00 610Z

G06T5/50

G06T1/00 305A

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024536110

(86)(22)【出願日】2021-12-16

(85)【翻訳文提出日】2024-08-09

(86)【国際出願番号】 CN2021138834

(87)【国際公開番号】W WO2023108546

(87)【国際公開日】2023-06-22

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】520510771

【氏名又は名称】ジェイド バード ディスプレイ（シャンハイ） リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】シュイ， チェンチャオ

(72)【発明者】

【氏名】ユエ， ヤン

(72)【発明者】

【氏名】リ， チーミン

【テーマコード（参考）】

5B057

5L096

【Ｆターム（参考）】

5B057CA08

5B057CA12

5B057CA16

5B057CB08

5B057CB12

5B057CB16

5B057CE08

5B057CH18

5B057DB02

5B057DB09

5L096AA06

5L096BA03

5L096CA04

5L096FA69

5L096GA10

(57)【要約】

事前設定部分パターングループ、および事前設定部分パターングループを形成する方法が提供される。事前設定部分パターングループに含まれる複数の事前設定部分パターンのそれぞれにおいてオンにされる必要がある画素は、行方向および／または列方向に少なくとも１画素ずつ互いに分離される。複数の事前設定部分パターンは、対象画素配列パターンを形成するために重ねられる。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

マイクロ発光ダイオード（ＬＥＤ）配列を含むマイクロＬＥＤ配列パネルにおける画素欠陥を検出するために対象画素配列パターンを分解する方法であって、
Ｎ個の事前設定部分パターンを構成することを少なくとも含み、それぞれの事前設定部分パターンにおける画素は、行方向および／または列方向に少なくとも１画素ずつ互いに分離され、前記Ｎ個の事前設定部分パターンは前記対象画素配列パターンを形成するために重ねられ、Ｎは正の整数である、方法。

【請求項2】

Ｎ個の画素を含む分解行列を判定するステップ１０１と、
第１の分解行列を形成するために前記分解行列においてオンにされる必要がある第１の画素を判定し、第１の事前設定部分パターンを形成するために前記行方向および前記列方向に沿って前記第１の分解行列を繰り返すステップ１０２と、
第２の分解行列を形成するために分解行列においてオンにされる必要がある第２の画素を判定し、第２の事前設定部分パターンを形成するために前記行方向および前記列方向に沿って前記第２の分解行列を繰り返すステップ１０３と、
前記分解行列における各画素がオンにされると判定されるまでステップ１０２および１０３を繰り返すことによって、前記Ｎ個の事前設定部分パターンを取得するステップ１０４であって、Ｎは４を上回る整数である、前記Ｎ個の事前設定部分パターンを取得するステップ１０４と
をさらに含む、請求項１に記載の方法。

【請求項3】

前記分解行列は、２行以上および２列以上を少なくとも含む、請求項２に記載の方法。

【請求項4】

事前設定部分パターンでオンにされる必要がある前記画素は、少なくとも１画素ずつ前記行方向に沿っておよび少なくとも１画素ずつ前記列方向に沿って、互いに分離される、請求項２に記載の方法。

【請求項5】

ステップ１０２～１０４において、前記分解行列においてオンにされる必要がある前記画素は、ある特定の順序で１つずつ判定される、請求項２に記載の方法。

【請求項6】

ステップ１０２～１０４において、前記分解行列においてオンにされる必要がある前記画素は、左から右までおよび上から下までの順序で１つずつ判定される、請求項５に記載の方法。

【請求項7】

オンにされる必要がある前記画素の位置は、異なる事前設定部分パターンにおいて異なっている、請求項２に記載の方法。

【請求項8】

前記対象画素配列パターンにおける列数が前記分解行列における列数の整数倍ではない場合、前記行方向に沿った最後の分解行列は不完全である、請求項２に記載の方法。

【請求項9】

マイクロＬＥＤ配列パネルにおける画素欠陥を検出するための方法であって、
請求項１に記載の方法を含むパターン分解ステップと、
複数の露光プロセスによる画像収集ステップと
を含む、方法。

【請求項10】

前記複数の露光プロセスは、
マイクロＬＥＤ配列の第１の部分パターンを形成するために第１の事前設定部分パターンに従って前記マイクロＬＥＤ配列パネルにおける画素を切り替えることと、
第１の部分パターン画像を得るために前記第１の部分パターンを画像化することと、
前記マイクロＬＥＤ配列の第２の部分パターンを形成するために第２の事前設定部分パターンに従って前記マイクロＬＥＤ配列パネルにおける前記画素を切り替えることと、
第２の部分パターン画像を得るために前記第２の部分パターンを画像化することと、
前記切り替えるステップおよび前記画像化するステップを繰り返して、Ｎ個の部分パターン画像を形成することと
を含む、請求項９に記載の方法。

【請求項11】

マイクロＬＥＤ配列画像全体を形成するために前記部分パターン画像の全てを重ね合わせることをさらに含む、請求項１０に記載の方法。

【請求項12】

複数の露光プロセス用の事前設定部分パターングループであって、
複数の事前設定部分パターンを含み、
前記複数の事前設定部分パターンのそれぞれにおいてオンにされる必要がある画素は、行方向および／または列方向に少なくとも１画素ずつ互いに分離され、前記複数の事前設定部分パターンは対象画素配列パターンを形成するために重ねられる、複数の露光プロセス用の事前設定部分パターングループ。

【請求項13】

それぞれの事前設定部分パターンはＮ個の画素を含む分解行列を含み、
前記事前設定部分パターングループは、
前記行方向および前記列方向に第１の分解行列を繰り返すことによって形成される第１の事前設定パターンであって、前記第１の分解行列はオンにされる必要がある第１の画素を含む、第１の事前設定パターンと、前記行方向および前記列方向に第２の分解行列を繰り返すことによって形成される第２の事前設定部分パターンであって、前記第２の分解行列はオンにされる必要がある第２の画素を含む、第２の事前設定部分パターンと、前記行方向および前記列方向に第Ｎの分解行列を繰り返すことによって形成される第Ｎの事前設定部分パターンであって、前記第Ｎの分解行列はオンにされる必要がある第Ｎの画素を含む、第Ｎの事前設定部分パターンとを含み、前記対象画素配列パターンはＮ個の事前設定部分パターンを重ねることによって形成され、Ｎは２以上の整数である、請求項１２に記載の複数の露光プロセス用の事前設定部分パターングループ。

【請求項14】

前記分解行列は、２行以上および２列以上を少なくとも含む、請求項１３に記載の複数の露光プロセス用の事前設定部分パターングループ。

【請求項15】

前記第Ｎの事前設定部分パターンにおいてオンにされる必要がある前記画素は、少なくとも１画素ずつ前記行方向に沿っておよび少なくとも１画素ずつ前記列方向に沿って、互いに分離される、請求項１３に記載の複数の露光プロセス用の事前設定部分パターングループ。

【請求項16】

前記分解行列においてオンにされる必要がある前記画素は、ある特定の順序で１つずつ形成される、請求項１３に記載の複数の露光プロセス用の事前設定部分パターングループ。

【請求項17】

前記分解行列においてオンにされる必要がある前記画素は、左から右までおよび上から下までの順序で１つずつ形成される、請求項１６に記載の複数の露光プロセス用の事前設定部分パターングループ。

【請求項18】

オンにされる必要がある前記画素の位置は、異なる事前設定部分パターンにおいて異なっている、請求項１３に記載の複数の露光プロセス用の事前設定部分パターングループ。

【請求項19】

前記対象画素配列パターンにおける列数は、前記分解行列における列数の整数倍ではなく、前記行方向に沿った最後の分解行列は不完全である、請求項１３に記載の複数の露光プロセス用の事前設定部分パターングループ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、一般的に、マイクロ発光ダイオード（ＬＥＤ）の技術分野に関し、より詳細には、事前設定部分パターングループ、事前設定部分パターングループを形成するために対象マイクロＬＥＤ配列パターンを分解する方法、および事前設定部分パターングループを使用することによってマイクロＬＥＤ配列パネルの画素欠陥を検出するための方法に関する。

【背景技術】

【0002】

面積が格段に小さくなり解像度が高くなったマイクロＬＥＤは、世界で人気が高くなっている。複数のマイクロＬＥＤを含むマイクロＬＥＤ配列パネルを使用して、カメラモジュール、投光モジュール、表示モジュール、ＶＲ／ＡＲ光モジュールなどの様々な種類のデバイスを形成することができる。

【0003】

しかしながら、マイクロＬＥＤ配列パネルによって表示される発光領域および画像は以前よりはるかに小さくなっているため、従来の方法によって画素欠陥を検出し識別することは容易ではない。よって、操作者は、マイクロＬＥＤパネルの様々なパターンを表示するグラフィカルユーザインターフェースを通してウエハ、チップ、およびマスクを精査してパターン欠陥を識別する必要がある。

【0004】

残念ながら、マイクロＬＥＤ配列パネルのパターン欠陥は、従来の方法によってはパターンにおいて明確に表示できない。隣接ＬＥＤ間のクロストークにより、オンにされた画素の全ての実際の画像は、画素欠陥を明確に示すことができない。

【0005】

上記の内容は、本願の技術的解決策の理解を助けるためだけに使用されるものであり、上記が先行技術であると認めることにはならない。

【発明の概要】

【0006】

上記の欠点を克服するために、本開示は、複合事前設定部分パターングループを形成するようにマイクロＬＥＤ配列パネルの画素欠陥を検出するために対象画素配列パターンを分解する方法を提供することで、マイクロＬＥＤ配列パネルの画素検出精度を改善する。

【0007】

本開示の１つの実施形態によると、マイクロＬＥＤ配列パネルにおける画素欠陥を検出するために対象画素配列パターンを分解する方法は、Ｎ個の事前設定部分パターンを構成することを含み、
それぞれの事前設定部分パターンにおける画素は、行方向および／または列方向に少なくとも１画素ずつ互いに分離され、Ｎ個の事前設定部分パターンは対象画素配列パターンを形成するために重ねられ、ここで、Ｎは正の整数である。

【0008】

いくつかの実施形態では、Ｎ個の事前設定部分パターンを構成することは、
Ｎ個の画素を含む分解行列を判定するステップ１０１と、
第１の分解行列を形成するために分解行列においてオンにされる必要がある第１の画素を判定し、第１の事前設定部分パターンを形成するために行方向および列方向に沿って第１の分解行列を繰り返すステップ１０２と、
第２の分解行列を形成するために分解行列においてオンにされる必要がある第２の画素を判定し、第２の事前設定部分パターンを形成するために行方向および列方向に沿って第２の分解行列を繰り返すステップ１０３と、
分解行列における各画素がオンにされると判定されるまでステップ１０２および１０３を繰り返すことによって、対象画素配列パターンを形成するために重ねられるＮ個の事前設定部分パターンを取得するステップ１０４であって、Ｎは４を上回る整数である、ステップ１０４とを含む。

【0009】

いくつかの実施形態では、分解行列は、２行以上および２列以上を少なくとも含む。

【0010】

いくつかの実施形態では、事前設定部分パターンにおいてオンにされる必要がある画素は、少なくとも１画素ずつ行方向に沿っておよび少なくとも１画素ずつ列方向に沿って、互いに分離される。

【0011】

いくつかの実施形態では、ステップ１０２～１０４において、分解行列においてオンにされる必要がある画素は、ある特定の順序で１つずつ判定される。

【0012】

いくつかの実施形態では、ステップ１０２～１０４において、分解行列においてオンにされる必要がある画素は、左から右までおよび上から下までの順序で１つずつ判定される。

【0013】

いくつかの実施形態では、オンにされる必要がある画素の位置は、異なる事前設定部分パターンにおいて異なっている。

【0014】

いくつかの実施形態では、対象画素配列パターンにおける列数は、分解行列における列数の整数倍ではなく、行方向に沿った最後の分解行列は不完全である。

【0015】

本開示の別の実施形態によると、マイクロＬＥＤ配列パネルにおける画素欠陥を検出するための方法は、パターン分解ステップと、複数の露光プロセスによる画像収集ステップとを含む。

【0016】

いくつかの実施形態では、複数の露光プロセスは、
マイクロＬＥＤ配列の第１の部分パターンを形成するために第１の事前設定部分パターンに従ってマイクロＬＥＤ配列パネルにおける画素を切り替えることと、
第１の部分パターン画像を得るために第１の部分パターンを画像化することと、
マイクロＬＥＤ配列の第２の部分パターンを形成するために第２の事前設定部分パターンに従ってマイクロＬＥＤ配列パネルにおける画素を切り替えることと、
第２の部分パターン画像を得るために第２の部分パターンを画像化することと、
切り替えるステップおよび画像化するステップを繰り返して、Ｎ個の部分パターン画像を形成することとを含む。

【0017】

いくつかの実施形態では、画像収集ステップは、マイクロＬＥＤ配列画像全体を形成するために部分パターン画像の全てを重ね合わせることをさらに含む。

【0018】

本開示のさらに別の実施形態によると、複数の露光プロセス用の複合事前設定部分パターングループは、複数の事前設定部分パターンを含む。複数の事前設定部分パターンのそれぞれにおいてオンにされる必要がある画素は、行方向および／または列方向に少なくとも１画素ずつ互いに分離され、複数の事前設定部分パターンは対象画素配列パターンを形成するために重ねられる。

【0019】

いくつかの実施形態では、複数の事前設定部分パターンのそれぞれのパターンは分解行列を含む。該行列はＮ個の画素を含む。複合事前設定部分パターングループは、
行方向および列方向に第１の分解行列を繰り返すことによって形成される第１の事前設定パターンであって、第１の分解行列はオンにされる必要がある第１の画素を含む、第１の事前設定パターンと、行方向および列方向に第２の分解行列を繰り返すことによって形成される第２の事前設定部分パターンであって、第２の分解行列はオンにされる必要がある第２の画素を含む、第２の事前設定部分パターンと、行方向および列方向に第Ｎの分解行列を繰り返すことによって形成される第Ｎの事前設定部分パターンであって、第Ｎの分解行列はオンにされる必要がある第Ｎの画素を含む、第Ｎの事前設定部分パターンとを含み、対象画素配列パターンはＮ個の事前設定部分パターンを重ねることによって形成され、ここで、Ｎは２以上の整数である。

【0020】

いくつかの実施形態では、分解行列は少なくとも、２行以上および２列以上を含む。

【0021】

いくつかの実施形態では、第Ｎの事前設定部分パターンでオンにされる必要がある画素は、少なくとも１画素ずつ行方向に沿っておよび少なくとも１画素ずつ列方向に沿って、互いに分離される。

【0022】

いくつかの実施形態では、分解行列においてオンにされる必要がある画素は、ある特定の順序で１つずつ形成される。

【0023】

いくつかの実施形態では、分解行列においてオンにされる必要がある画素は、左から右までおよび上から下までの順序で１つずつ形成される。

【0024】

いくつかの実施形態では、各事前設定部分パターンの中で同じ分解行列においてオンにされる必要がある画素は、異なる画素位置にある。

【0025】

いくつかの実施形態では、対象画素配列パターンにおける列数は、分解行列における列数の整数倍ではなく、行方向に沿った最後の分解行列は分解行列全体を含まない。

【0026】

以下の詳細な説明および添付の図面によって、本開示の多くの他の利点および特徴についてさらに理解されるであろう。

【図面の簡単な説明】

【0027】

【図1】本開示の一実施形態によるマイクロＬＥＤ配列パネルにおける画素欠陥を検出する方法のフローチャートである。

【図2】図１のステップ１のフローチャートである。

【図3】本開示の一実施形態によるマイクロＬＥＤ配列の複数の部分パターンを示す概略図である。

【図4】図２のステップ１のフローチャートである。

【図5】本開示の別の実施形態によるマイクロＬＥＤ配列の複数の部分パターンを示す概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0028】

ここで、本開示をさらに理解してもらうためにいくつかの実施形態を詳細に参照する。論じられる特定の実施形態および添付の図面は単に、本開示を作成および使用する特定のやり方を示しているに過ぎず、本開示の範囲または添付の特許請求の範囲を限定するものではない。

【0029】

本開示によって、マイクロＬＥＤ配列パネルにおける画素欠陥を検出するために対象画素配列パターンを分解する方法が提供される。マイクロＬＥＤ配列パネルは、ディスプレイの分野、プロジェクタの分野、走査ファイルなどにおいて適用可能である。ここでのマイクロＬＥＤは、無機ＬＥＤまたは有機ＬＥＤであり得る。例えば、マイクロＬＥＤパネルの寸法は約５ｍｍ×５ｍｍである。マイクロＬＥＤ配列パネルは、マイクロＬＥＤ配列、およびマイクロＬＥＤ配列の背面に形成されるＩＣバックプレーンを含む。ここでの「背面」は発光方向の反対側であることに留意されたい。マイクロＬＥＤ配列は、１６００×１２００、６８０×４８０、１９２０×１０８０などの任意の行列であり得る。

【0030】

マイクロＬＥＤ配列パネルの画素欠陥を検出するプロセスでは、画像収集ステップによって収集される画像は、検出精度および効率に影響を及ぼす。よって、画像収集ステップの前に、ここではパターン分解ステップが行われる。対象画素配列パターンはマイクロＬＥＤ配列パネルにおけるマイクロＬＥＤ配列全体のパターンであることに留意されたい。複数の事前設定部分パターンは、対象画素配列パターンをＮ個に分割することによって得られ得、すなわち、部分パターンはオンにされる必要がある画素によって形成される。複数の部分パターンを使用して、以下の連続した画像収集ステップにおいてオンにされる必要がある画素はどれかを決定する。

【0031】

図１を参照すると、本開示の一実施形態によるマイクロＬＥＤ配列パネルにおける画素欠陥を検出する方法は、
ステップ１：パターン分解ステップ、および、
ステップ２：複数の露光プロセスによる画像収集ステップを含む。

【0032】

ここで、ステップ１のパターン分解ステップについて、マイクロＬＥＤ配列パネルにおける画素欠陥を検出するために対象画素配列パターンを分解する方法によって示すことができ、これには以下のステップ：
Ｎ個の事前設定部分パターンを構成するステップであって、それぞれの事前設定パターンにおける画素は行方向および／または列方向に少なくとも１画素ずつ互いに分離され、Ｎ個の事前設定部分パターンは対象画素配列パターンを形成するために重ねられるステップを含む。

【0033】

ここでは、Ｎは正の整数である。マイクロＬＥＤ配列パネルの画素は、事前設定部分パターンのそれぞれのパターンに従ってオンにされる。それぞれの事前設定パターンにおける画素は、行方向および／または列方向に少なくとも１画素ずつ互いに分離されるため、マイクロＬＥＤ配列パネルにおいてオンにされた画素は、行方向または列方向に互いに隣接していない。その結果、隣接ＬＥＤ（すなわち、隣接画素）間のクロストークは阻止される。

【0034】

図２を参照すると、ステップ１は分解行列を判定するステップ１０１を含む。

【0035】

分解行列はＮ個の画素を含む。分解行列は、事前設定部分パターンの最小形成単位である。すなわち、事前設定部分パターンは、行方向および列方向に沿って分解行列を繰り返すことによって形成される。

【0036】

ここで、図３において、矢印方向は分解行列の繰り返される方向を表し、大きいボックスは各事前設定部分パターンを表し、破線で取り囲まれた黒の矩形は分解行列を表し、それぞれの分解行列における白のより小さいボックスはオンにされる必要がある画素を表し、それぞれの分解行列における暗いより小さいボックスはオンにされる必要がない画素を提示しており、これらは本開示を最も良く理解してもらうために示されている。分解行列は、左から右まで、上の行から下の行まで繰り返される。ここで、分解行列は、４画素を有する２×２配列など、２行以上および２列以上を少なくとも含む。各事前設定部分パターンにおいて、オンにされる必要がある画素は、行方向に沿って少なくとも１画素ずつおよび列方向に沿って少なくとも１画素ずつ互いに分離される。

【0037】

例としてＮが４であるとして、第１の事前設定部分パターン、第２の事前設定部分パターン、第３の事前設定部分パターン、および第４の事前設定部分パターンとして、左から右までの４つの事前設定部分パターンを示す図３を参照すると、４つの事前設定部分パターンのそれぞれにおいて、オンにされる必要がある画素は、行方向に沿って１画素ずつおよび列方向に沿って１画素ずつ互いに分離される。

【0038】

ステップ１０２では、第１の分解行列を形成するために分解行列においてオンにされる必要がある第１の画素を判定し、第１の事前設定部分パターンを形成するために行方向および列方向に沿って第１の分解行列を繰り返す。

【0039】

ステップ１０３では、第２の分解行列を形成するために分解行列においてオンにされる必要がある第２の画素を判定し、第２の事前設定部分パターンを形成するように行方向および列方向に沿って第２の分解行列を繰り返す。

【0040】

ステップ１０４では、分解行列における各画素がオンにされると判定されるまでステップ１０２および１０３を繰り返すことによって、対象画素配列パターンを形成するために重ねられ得るＮ個の事前設定部分パターンを取得し、ここで、Ｎは整数であり２以上である。

【0041】

ここで、ステップ１０２～ステップ１０４において、分解行列においてオンにされる必要がある画素は、ある特定の順序で１つずつ判定される。いくつかの実施形態では、分解行列においてオンにされる必要がある画素は、左から右までおよび上の行から下の行までの順序で１つずつ判定される。

【0042】

例えば、図３を参照すると、各２×２分解行列は、以下：第１の画素、第２の画素、第３の画素、および第４の画素のような４つの画素を左から右および上から下の順に含む。第１の画素は左から右への第１の行の第１の位置にあり、第２の画素は左から右への第１の行の第２の位置にあり、第３の画素は左から右への第２の行の第１の位置にあり、第４の画素は左から右への第２の行の第２の位置にある。第１の事前設定部分パターンにおいて、第１の２×２分解行列における第１の画素はオンにされる必要があり、第１の分解行列は、左から右におよび上から下に繰り返されて、第１の事前設定部分パターンを形成する。第２の事前設定部分パターンにおいて、第２の２×２分解行列における第２の画素はオンにされる必要があり、第２の分解行列は、左から右におよび上から下に繰り返されて、第２の部分パターンを形成する。第３の部分パターンにおいて、第３の２×２分解行列における第３の画素はオンにされる必要があり、第３の分解行列は、左から右におよび上から下に繰り返されて、第３の事前設定部分パターンを形成する。第４の部分パターンにおいて、第４の２×２分解行列における第４の画素はオンにされる必要があり、第４の分解行列は、左から右までおよび上から下まで繰り返されて、第４の事前設定部分パターンを形成する。

【0043】

さらに、各事前設定部分パターンの中でオンにされる必要がある画素は、分解行列において異なる画素位置にある。図３を再び参照すると、第１の事前設定部分パターンにおいてオンにされる必要がある画素は、第１の２×２分解行列における第１の画素であるが、第２の事前設定部分パターンにおいてオンにされる必要がある画素は、第２の２×２分解行列における第２の画素であり、第１の画素の位置および第２の画素の位置は、２×２分解行列では同じではない。同様に、第３の事前設定部分パターンにおいてオンにされる必要がある画素は第３の画素であるが、第４の事前設定部分パターンにおいてオンにされる必要がある画素は第４の画素であり、第３の画素の位置および第４の画素の位置は、２×２分解行列では同じではない。従って、異なる事前設定部分パターンにおいてオンにされる必要がある画素の位置は異なっている。

【0044】

対象画素配列パターンにおける列数が分解行列における列数の整数倍でない場合、行方向に沿った最後の分解行列は不完全であり、オンにされる必要がある画素を含まない場合があることに留意されたい。例えば、図３を参照すると、それぞれの事前設定部分パターンにおける左側破線の矩形は、行方向における最後の分解行列を表し、第１の事前設定部分パターンにおいて、第１の行方向における最後の分解行列は２×２配列を含むことができず、２×１配列のみを含むことができ、第２の画素および第４の画素は最後の分解行列に含まれない。よって、第１の画素および第３の画素は、行方向において最後の分解行列になるように繰り返されるが、第２の画素および第４の画素は繰り返されず、行方向において最後の分解行列にならない。対象画素配列パターンにおける行数が分解行列における行数の整数倍ではない場合、列方向に沿った最後の分解行列は不完全なものであり得る。例えば、図５を参照すると、矢印方向は繰り返される分解行列の方向を表し、破線の矩形は分解行列を表し、最後の点で描かれた矩形は列方向における最後の分解行列を表し、第１の部分パターンにおいて、第１の列方向における最下部の分解行列は、３×３配列を含むことができず、２×３配列のみを含むことができ、第７の画素、第８の画素、および第９の画素は、最後の分解行列に含まれない。よって、第１の画素から第６の画素は繰り返されて列方向における最後の分解行列になるが、第７の画素、第８の画素、および第９の画素は繰り返されず、列方向における最後の分解行列にならない。

【0045】

図４を参照すると、ステップ２における複数の露光プロセスによる画像収集ステップはさらに、以下のステップを含む。

【0046】

ステップ２０１では、マイクロＬＥＤ配列の第１の部分パターンを形成するために第１の事前設定部分パターンに従ってマイクロＬＥＤ配列パネルにおける画素をオンにする。

【0047】

ここで、画素は、第１の事前設定部分パターンに従ってＩＣシステムなどの制御システムの制御下でオンにされる。画素は暗室または任意の環境においてオンにされ得ることに留意されたい。

【0048】

ステップ２０２では、オンにされた画素によりマイクロＬＥＤ配列を画像化することによって第１の部分パターン画像を取得する。

【0049】

ここで、第１の事前設定部分パターンに従って画素がオンにされるマイクロＬＥＤ配列は、第１の部分パターン画像を形成するために光学モジュール（例えば、電荷結合素子（ＣＣＤ）カメラ）によって画像化される。光学モジュールで画像化されているとき、非稼働状態で画素欠陥を有する画素がいくつかあり、これらの画素は画像光を発することができない。その結果、第１の部分パターン画像において、画素欠陥を有する画素の輝度は、理論上の欠陥のない画素の輝度と異なる。この輝度差を得るために、この実施形態では、相対的に単一の輝度を有する二値パターンを使用して、事前設定されたマイクロＬＥＤパターン全体を、第１の現在の部分パターン画像が形成されることに基づいて形成する。二値パターンにおける画素は２種類の輝度のみを有し、画像化後の輝度差は明確になり、これは、画素の輝度に従って画素欠陥を検出する際に有利である。

【0050】

いくつかの実施形態では、第１の部分パターン画像は二値画像であり得る。二値画像における画素は、２種類の輝度、例えば、黒または白のみを有する。

【0051】

いくつかの他の実施形態では、第１の部分パターン画像はグレースケール画像であってよい。グレースケールカメラを直接使用して第１の現在の部分パターンに従ってマイクロＬＥＤ配列における画素をオンにすることによって得られる画像を収集し、次いで、グレースケール画像を得ることができ、またはカラーカメラを使用して撮影した後、得られた画像をグレー化するが、この実施形態ではこれらに限定されない。

【0052】

二値画像とは異なり、グレースケール画像は、黒、白、および黒と白との間の多数の異なるグレーレベルを含む。グレーレベルは、第１の部分パターン画像の輝度を表すことができ、例えば、白は最も明るいことを意味し、黒は最も暗いことを意味する。従って、グレースケールの第１の部分パターン画像に示される画素の輝度に基づいて、マイクロＬＥＤ配列におけるどの画素が画像光を発しないかを判定することができる。第１の部分パターンを定義するために「第１」を使用することは、説明の便宜上に過ぎず、本開示にいずれの限定も与えるものではないことは理解されるべきである。

【0053】

ステップ２０３では、ステップ２０１および２０２を繰り返して第２の部分パターン画像などを得て、Ｎ個の部分パターン画像を形成する。

【0054】

ここで、ステップ２０１および２０２を繰り返して、第２の部分パターン画像、次いで第３の部分パターン画像、…、および第Ｎの部分パターン画像を得る。ここで、いくつかの実施形態において、Ｎはこの実施形態では４である。

【0055】

いくつかの実施形態では、ステップ２０４の後、画素欠陥を検出する方法は、マイクロＬＥＤ配列画像全体を形成するために部分パターン画像の全てを重ね合わせるステップ２０５をさらに含む。ここで、ステップ２０５は、部分パターン画像データの全てを組み合わせることによってマイクロＬＥＤ配列画像データ全体を取得することを含むことができる。例えば、マイクロＬＥＤ配列画像データ全体における画素のデータは、部分パターン画像データの全ての対応する画素のデータを組み合わせることによって得られる。図３を例として、マイクロＬＥＤ配列画像データ全体の最上行における最左画素のグレースケール値は、第１の部分パターン画像データの最上行における最左画素の第１のグレースケール値、第２の部分パターン画像データの最上行における最左画素の第２のグレースケール値、および第３の部分パターン画像データの最上行における最左画素の第３のグレースケール値を合計することによって得られる。

【0056】

Ｎは２以上の任意の整数であり得ることに留意されたい。例えば、Ｎが９である場合のマイクロＬＥＤ配列パネルの９個の事前設定部分パターンを示す図５を参照すると、ここで、分解行列は９画素を有する３×３配列である。図５において、第１の事前設定部分パターン、第２の事前設定部分パターン、第３の事前設定部分パターン、…、および第９の事前設定部分パターンとして、左から右および上から下までの９個の事前設定部分パターンが示されており、９個の部分パターンのそれぞれにおいて、オンにされる必要がある画素は行方向に沿って２画素ずつ、および列方向に沿って２画素ずつ互いに分離される。９個の部分パターンは対象画素配列パターンを形成するために重ねられ得る。

【0057】

さらに、３×３分解行列においてオンにされる必要がある画素は、ある特定の順序で１つずつ判定される。いくつかの実施形態では、分解行列においてオンにされる必要がある画素は、左から右および上の行から下の行までの順序で１つずつ判定される。例えば、各３×３分解行列は、以下：第１の画素、第２の画素、第３の画素、第４の画素、…、および第９の画素のような９個の画素を、左から右および上から下の順に含む。第１の画素は左から右への第１の行の第１の位置にあり、第２の画素は左から右への第１の行の第２の位置にあり、第３の画素は左から右への第１の行の第３の位置にあり、第４の画素は左から右への第２の行の第１の位置にあり、第５の画素は左から右への第２の行の第２の位置にあり、第６の画素は左から右への第２の行の第３の位置にあり、第７の画素は左から右への第３の行の第１の位置にあり、第８の画素は左から右への第３の行の第２の位置にあり、第９の画素は左から右への第３の行の第３の位置にある。第１の事前設定部分パターンにおいて、各３×３分解行列の第１の行における第１の画素はオンにされる必要があるため、各分解行列の第１の画素は、左から右および上から下まで繰り返されて、第１の事前設定部分パターンを形成する。第２の事前設定部分パターンにおいて、各３×３分解行列の第１の行における第２の画素はオンにされる必要があるため、各分解行列の第２の画素は、左から右および上から下まで繰り返されて、第２の事前設定部分パターンを形成する。第３の事前設定部分パターンにおいて、各３×３分解行列の第１の行における第３の画素はオンにされる必要があるため、各分解行列の第３の画素は、左から右および上から下まで繰り返されて、第３の事前設定部分パターンを形成する。第４の事前設定部分パターンにおいて、各３×３分解行列の第２の行における第１の画素はオンにされる必要があるため、各分解行列の第４の画素は、左から右および上から下まで繰り返されて、第４の事前設定部分パターンを形成するなどが行われ、第９の事前設定部分パターンが形成される。

【0058】

さらに、各事前設定部分パターンの中でオンにされる必要がある画素は、分解行列において異なる画素位置にある。図５を再び参照すると、第１の事前設定部分パターンにおいて繰り返される必要がある画素は、３×３分解行列における第１の画素であり、第２の事前設定部分パターンにおいて繰り返される必要がある画素は、３×３分解行列における第２の画素であり、第３の事前設定部分パターンにおいて繰り返される必要がある画素は、３×３分解行列における第３の画素であり、第１の画素、第２の画素、および第３の画素は、各３×３分解行列において同じ位置にはない。同様に、３×３分解行列において、各事前設定部分パターンにおいて繰り返される必要がある画素の位置は、別の事前設定部分パターンにおいて繰り返される必要がある画素の位置と異なっている。従って、異なる事前設定部分パターンにおいて繰り返される必要がある画素の位置は異なっている。

【0059】

事前設定部分パターンは、複数の露光プロセス用に複数の事前設定部分パターンのグループを構成することに留意されたい。さらに、複数の露光プロセスにおける事前設定部分パターンは任意の順序で露光可能である。

【0060】

マイクロＬＥＤ配列パネルの画素は、事前設定部分パターンのそれぞれのパターンに従ってオンにされる。それぞれの事前設定パターンにおける画素は行方向および／または列方向に少なくとも１画素ずつ互いに分離されるため、マイクロＬＥＤ配列パネルにおいてオンにされた画素は、行方向または列方向に互いに隣接していない。その結果、隣接ＬＥＤ（すなわち、隣接画素）間のクロストークは阻止される。

【0061】

ここで、本開示において、複数の露光プロセス用の事前設定部分パターングループがさらに開示される。それぞれの事前設定部分パターンはＮ個の画素を含む分解行列を含む。事前設定部分パターンのグループは、行方向および列方向に第１の分解行列を繰り返すことによって形成される第１の事前設定パターンであって、第１の分解行列はオンにされる必要がある第１の画素を含む、第１の事前設定パターンと、行方向および列方向に第２の分解行列を繰り返すことによって形成される第２の事前設定部分パターンであって、第２の分解行列はオンにされる必要がある第２の画素を含む、第２の事前設定部分パターンと、行方向および列方向に第Ｎの分解行列を繰り返すことによって形成される第Ｎの事前設定部分パターンであって、第Ｎの分解行列はオンにされる必要がある第Ｎの画素を含む、第Ｎの事前設定部分パターンとを含み、対象画素配列パターンはＮ個の事前設定部分パターンを重ねることによって形成され、Ｎは２以上の整数である。好ましくは、分解行列は、少なくとも、２行以上および２列以上を含む。さらに、第Ｎの事前設定部分パターンにおいてオンにされる必要がある画素は、少なくとも１画素ずつ行方向に沿って、および少なくとも１画素ずつ列方向に沿って互いに分離される。別の実施形態では、分解行列においてオンにされる必要がある画素は、ある特定の順序で１つずつ形成される。さらに、分解行列においてオンにされる必要がある画素は、左から右までおよび上から下までの順序で１つずつ形成される。オンにされる必要がある画素の位置は、異なる事前設定部分パターンにおいて異なっている。対象画素配列パターンにおける列数は、分解行列における列数の整数倍ではなく、行方向に沿った最後の分解行列は不完全である。

【0062】

分解行列および事前設定部分パターンのさらなる詳細については前述の説明に言及され得、この説明についてここではこれ以上繰り返すことはない。上記の説明は本開示の実施形態に過ぎず、本開示はこれらに限定されない。本開示の概念および原理から逸脱することなくなされた修正、等化の置換、および改善は、本開示の保護範囲内にあるものとする。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【国際調査報告】