特表 2024-544431 電磁弁

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-12-02

(54)【発明の名称】電磁弁

(51)【国際特許分類】

   F16K 31/06 20060101AFI20241125BHJP

【ＦＩ】

F16K31/06 305L

F16K31/06 305M

F16K31/06 305V

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024529196

(86)(22)【出願日】2022-12-20

(85)【翻訳文提出日】2024-07-04

(86)【国際出願番号】 CN2022140443

(87)【国際公開番号】W WO2023116721

(87)【国際公開日】2023-06-29

(31)【優先権主張番号】202123359794.5

(32)【優先日】2021-12-23

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】515266108

【氏名又は名称】浙江盾安人工環境股▲ふん▼有限公司

【氏名又は名称原語表記】Ｚｈｅｊｉａｎｇ ＤｕｎＡｎ Ａｒｔｉｆｉｃｉａｌ Ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔ Ｃｏ．， Ｌｔｄ

【住所又は居所原語表記】Ｄｉａｎｋｏｕ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ Ｚｏｎｅ， Ｚｈｕｊｉ， Ｚｈｅｊｉａｎｇ， Ｃｈｉｎａ

(74)【代理人】

【識別番号】100079108

【弁理士】

【氏名又は名称】稲葉 良幸

(74)【代理人】

【識別番号】100109346

【弁理士】

【氏名又は名称】大貫 敏史

(74)【代理人】

【識別番号】100117189

【弁理士】

【氏名又は名称】江口 昭彦

(74)【代理人】

【識別番号】100134120

【弁理士】

【氏名又は名称】内藤 和彦

(74)【代理人】

【識別番号】100108213

【弁理士】

【氏名又は名称】阿部 豊隆

(72)【発明者】

【氏名】張 文▲ロン▼

(72)【発明者】

【氏名】金 鉅

(72)【発明者】

【氏名】李 浙鵬

【テーマコード（参考）】

3H106

【Ｆターム（参考）】

3H106DA07

3H106DA13

3H106DA23

3H106DB02

3H106DB12

3H106DB23

3H106DB32

3H106DC02

3H106DC17

3H106DD03

3H106EE40

3H106GA19

3H106GB11

3H106GB18

3H106JJ04

(57)【要約】

弁蓋（６０）及び弁蓋（６０）内に取り付けられた弁芯（２０）と、第１密封構造（４３）及び密封スリーブ（４２）であって、密封スリーブ（４２）は弁蓋（６０）の一端に取り付けられ、第１密封構造（４３）は密封スリーブ（４２）の弁蓋（６０）に近接した一端に設けられて弁口（４１）を形成する第１密封構造（４３）及び密封スリーブ（４２）と、弁芯（２０）を駆動して軸方向に沿って移動させて弁口（４１）を開閉する駆動アセンブリ（３０）と、を含み、第１密封構造における弁芯に係合される部分と弁芯との間に硬度差を有する電磁弁が開示されており、従来技術における弁芯が弁口を封止する際に弁口で媒体漏れが発生しやすい問題を解決できる。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

弁蓋（６０）及び前記弁蓋（６０）内に取り付けられた弁芯（２０）と、
第１密封構造（４３）及び密封スリーブ（４２）であって、前記密封スリーブ（４２）は前記弁蓋（６０）の一端に取り付けられ、前記第１密封構造（４３）は前記密封スリーブ（４２）の前記弁蓋（６０）に近接した一端に設けられて弁口（４１）を形成する第１密封構造（４３）及び密封スリーブ（４２）と、
前記弁芯（２０）を駆動して軸方向に沿って移動させて前記弁口（４１）を開閉する駆動アセンブリ（３０）と、を含み、
前記第１密封構造（４３）における前記弁芯（２０）に係合される部分と前記弁芯（２０）との間に硬度差を有する、電磁弁。

【請求項2】

ソフト密封が形成されるように、前記第１密封構造（４３）の硬度が前記弁芯（２０）の硬度より低い、請求項１に記載の電磁弁。

【請求項3】

ソフト密封が形成されるように、前記弁芯（２０）の硬度が前記第１密封構造（４３）の硬度より低い、請求項１に記載の電磁弁。

【請求項4】

前記第１密封構造（４３）の硬度が前記密封スリーブ（４２）の硬度より小さい、請求項１に記載の電磁弁。

【請求項5】

前記第１密封構造（４３）は、ゴム、シリカゲル及びプラスチックのうちの１つで作製される、請求項１又は４に記載の電磁弁。

【請求項6】

前記第１密封構造（４３）は、前記弁蓋（６０）と前記密封スリーブ（４２）との間に制限され、前記弁蓋（６０）は、
弁蓋本体（６３）と、
前記弁蓋本体（６３）の前記駆動アセンブリ（３０）から離れた側に設けられて前記密封スリーブ（４２）に当接される環状板（６１）と、
前記環状板（６１）の内面に設けられ且つ前記第１密封構造（４３）に当接される環状段差（６２）であって、前記環状段差（６２）と前記環状板（６１）との間に、取り囲んで取り付け空間が形成され、前記第１密封構造（４３）が前記取り付け空間内に設けられる環状段差（６２）と、を含む、請求項１又は４に記載の電磁弁。

【請求項7】

前記弁口（４１）は、互いに接続された第１孔セグメント（４３１）及び第２孔セグメント（４３２）を含み、前記第１孔セグメント（４３１）は、前記第２孔セグメント（４３２）を介して前記密封スリーブ（４２）の内部空洞に連通され、前記第１孔セグメント（４３１）はテーパ孔であり、前記第１密封構造（４３）から前記密封スリーブ（４２）への方向に沿って、前記テーパ孔の内径が徐々に減少する、請求項１又は４に記載の電磁弁。

【請求項8】

前記駆動アセンブリは、第１磁気吸引構造（３１）及び第２磁気吸引構造（３２）を含み、前記弁芯（２０）は、前記第１磁気吸引構造（３１）の前記第２磁気吸引構造（３２）から離れた一端に接続され、前記第１磁気吸引構造（３１）内に貫通孔が設けられており、前記弁芯（２０）内に均衡化孔（２１）が設けられており、前記均衡化孔（２１）は前記貫通孔に連通される、請求項１に記載の電磁弁。

【請求項9】

前記均衡化孔（２１）は、前記貫通孔に近接した第１セグメント及び前記貫通孔から離れた第２セグメントを含み、前記第２セグメントの内径が前記第１セグメントより大きい、請求項８に記載の電磁弁。

【請求項10】

取り付け通路及び流れ通路を有する弁座（１０）であって、前記弁蓋（６０）、前記密封スリーブ（４２）及び前記第１密封構造（４３）は、いずれも前記取り付け通路に取り付けられている弁座（１０）を更に含む、請求項１に記載の電磁弁。

【請求項11】

前記密封スリーブ（４２）と前記弁座（１０）との間に設けられた第２密封構造（５０）、又は、
前記弁蓋（６０）と前記弁座（１０）との間に設けられた第３密封構造（７０）、又は、
第２密封構造（５０）及び第３密封構造（７０）であって、前記第２密封構造（５０）は前記密封スリーブ（４２）と前記弁座（１０）との間に設けられており、前記第３密封構造（７０）は第２密封構造（５０）及び前記弁蓋（６０）と前記弁座（１０）との間に設けられている第２密封構造（５０）及び第３密封構造（７０）を更に含む、請求項１０に記載の電磁弁。

【請求項12】

前記密封スリーブ（４２）は、密封スリーブ本体（４２１）及び前記密封スリーブ本体（４２１）の外周面に設けられた環状凸部（４２２）を含み、前記環状凸部（４２２）は環状溝（４２２１）を有し、前記第２密封構造（５０）は前記環状溝（４２２１）内に設けられている、請求項１１に記載の電磁弁。

【請求項13】

前記第１密封構造（４３）に第１係合部が設けられており、前記弁芯（２０）に第２係合部が設けられており、前記第１係合部及び前記第２係合部のうちの一方が第１突起であり、前記第１係合部及び前記第２係合部のうちの他方が第１凹部であり、前記第１突起は前記第１凹部内に入り込んで前記第１凹部に制限係合される、請求項１に記載の電磁弁。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本出願は電磁弁の技術分野に関し、具体的には、電磁弁に関する。

【背景技術】

【0002】

現在、電磁弁の運転過程において、弁芯は、弁口を遮断する非連通状態と、弁口を回避する連通状態とを有する。

【0003】

しかしながら、従来技術において、弁芯が弁口を封止する際、弁芯と弁口とが激しく接触し、弁口で媒体が漏れる現象が存在し、電磁弁の運転信頼性に影響を与える。

【発明の概要】

【0004】

本出願は、従来技術における弁芯が弁口を封止する際に弁口で媒体漏れが発生しやすい問題を解決するための電磁弁を提供することを主な目的とする。

【0005】

上記の目的を実現するために、本出願は、弁蓋及び弁蓋内に取り付けられた弁芯と、第１密封構造及び密封スリーブであって、密封スリーブは弁蓋の一端に取り付けられ、第１密封構造は密封スリーブの弁蓋に近接した一端に設けられて弁口を形成する第１密封構造及び密封スリーブと、弁芯を駆動して軸方向に沿って移動させて弁口を開閉する駆動アセンブリと、を含み、第１密封構造における弁芯に係合される部分と弁芯との間に硬度差を有する電磁弁を提供する。

【0006】

本出願の技術態様を適用すると、弁芯と第１密封構造との間にソフト密封が形成されて、弁芯と弁口との接続部位の密封を実現し、更に、弁口内に入り込んだ媒体が弁芯と弁口との接続部位を介して漏れて電磁弁の運転信頼性に影響を与えることを回避し、従来技術における弁芯が弁口を封止する際に弁口で媒体漏れが発生しやすい問題を解決する。

【0007】

好ましくは、ソフト密封が形成されるように、第１密封構造の硬度が弁芯の硬度より低い。

【0008】

好ましくは、ソフト密封が形成されるように、弁芯の硬度が第１密封構造の硬度より低い。

【0009】

好ましくは、第１密封構造の硬度が密封スリーブの硬度より小さい。

【0010】

好ましくは、第１密封構造は、ゴム、シリカゲル及びプラスチックのうちの１つで作製される。

【0011】

好ましくは、第１密封構造は、弁蓋と密封スリーブとの間に制限され、弁蓋は、弁蓋本体と、弁蓋本体の駆動アセンブリから離れた側に設けられて密封スリーブに当接される環状板と、環状板の内面に設けられ且つ第１密封構造に当接される環状段差であって、環状段差と環状板との間に、取り囲んで取り付け空間が形成され、第１密封構造が取り付け空間内に設けられる環状段差とを含む。

【0012】

好ましくは、弁口は、互いに接続された第１孔セグメント及び第２孔セグメントを含み、第１孔セグメントは、第２孔セグメントを介して密封スリーブの内部空洞に連通され、第１孔セグメントはテーパ孔であり、第１密封構造から密封スリーブへの方向に沿って、テーパ孔の内径が徐々に減少する。

【0013】

好ましくは、駆動アセンブリは、第１磁気吸引構造及び第２磁気吸引構造を含み、弁芯は、第１磁気吸引構造の第２磁気吸引構造から離れた一端に接続され、第１磁気吸引構造内に貫通孔が設けられており、弁芯内に均衡化孔が設けられており、均衡化孔は貫通孔に連通される。

【0014】

好ましくは、均衡化孔は、貫通孔に近接した第１セグメント及び貫通孔から離れた第２セグメントを含み、第２セグメントの内径が第１セグメントより大きい。

【0015】

好ましくは、電磁弁は、取り付け通路及び流れ通路を有する弁座であって、弁蓋、密封スリーブ及び第１密封構造がいずれも取り付け通路に取り付けられている弁座を更に含む。

【0016】

好ましくは、電磁弁は、密封スリーブと弁座との間に設けられた第２密封構造、又は、弁蓋と弁座との間に設けられた第３密封構造、又は、第２密封構造及び第３密封構造であって、第２密封構造は密封スリーブと弁座との間に設けられており、且つ第３密封構造は弁蓋と弁座との間に設けられている第２密封構造及び第３密封構造を更に含む。

【0017】

好ましくは、密封スリーブは、密封スリーブ本体及び密封スリーブ本体の外周面に設けられた環状凸部を含み、環状凸部は環状溝を有し、第２密封構造は環状溝内に設けられている。

【0018】

好ましくは、第１密封構造が密封スリーブの弁蓋に近接した一端に設けられて弁口を形成する場合、第１密封構造に第１係合部が設けられており、弁芯に第２係合部が設けられており、第１係合部及び第２係合部のうちの一方が第１突起であり、第１係合部及び第２係合部のうちの他方が第１凹部であり、第１突起は第１凹部内に入り込んで第１凹部に制限係合される。

【図面の簡単な説明】

【0019】

本出願の一部を構成する明細書の図面は、本出願に対する更なる理解を提供するためのものであり、本出願の模式的な実施例及びその説明は、本出願を解釈するためのものであり、本出願を不適切に限定するものではない。

【0020】

【図1】本出願による電磁弁の実施例１の断面図を示す。

【図2】図１における電磁弁のＡでの拡大模式図を示す。

【0021】

ここで、上記の図面には以下の符号が含まれる。
１０ 弁座、１１ 弁チャンバ、１２ 第１貫通孔、１３ 第２貫通孔、２０ 弁芯、２１ 均衡化孔、３０ 駆動アセンブリ、３１ 第１磁気吸引構造、３２ 第２磁気吸引構造、４１ 弁口、４３１ 第１孔セグメント、４３２ 第２孔セグメント、４２ 密封スリーブ、４２１ 密封スリーブ本体、４２２ 環状凸部、４２２１ 環状溝、４３ 第１密封構造、５０ 第２密封構造、６０ 弁蓋、６１ 環状板、６２ 環状段差、６３ 弁蓋本体、６４ 径方向連通孔、７０ 第３密封構造、８０ バネ。

【発明を実施するための形態】

【0022】

説明すべきこととして、矛盾しない限り、本出願における実施例及び実施例における特徴は、互いに組み合わせることができる。以下、図面を参照して、実施例と併せて本出願を詳細に説明する。

【0023】

なお、特に説明がない限り、本出願で使用される全ての技術的及び科学的用語は、本出願の当業者によって一般に理解されるものと同じ意味を持つ。

【0024】

本出願において、反対の説明がなされていない場合、使用される「上、下」のような方位用語は、通常、図面に示された方向に対するものであるか、或いは、鉛直、垂直又は重力方向に対するものである。同様に、理解及び説明を容易にするために、「左、右」は、通常、図面に示された左、右に対するものであり、「内、外」は、各部材自身の輪郭に対する内、外を指すが、上記の方位用語は本出願を制限するためのものではない。

【0025】

本出願は、従来技術における弁芯が弁口を封止する際に弁口で媒体漏れが発生しやすい問題を解決するための電磁弁を提供する。

【0026】

実施例１
図１及び図２に示すように、電磁弁は、弁蓋６０、弁芯２０、第１密封構造４３、密封スリーブ４２及び駆動アセンブリ３０を含む。弁芯２０は、弁蓋６０内に取り付けられる。密封スリーブ４２は弁蓋６０の一端に取り付けられ、第１密封構造４３は密封スリーブ４２の弁蓋６０に近接した一端に設けられて弁口４１を形成する。駆動アセンブリ３０は、弁芯２０を駆動して軸方向に移動させて、弁口４１を開閉する。ここで、第１密封構造４３における弁芯２０に係合される部分と弁芯２０との間に硬度差を有する。

【0027】

本実施例の技術態様を適用すると、弁芯２０と第１密封構造４３との間にソフト密封が形成されて、弁芯２０と弁口４１との接続部位の密封を実現し、更に、弁口４１内に入り込んだ媒体が弁芯２０と弁口４１との接続部位を介して漏れて電磁弁の運転信頼性に影響を与えることを回避し、従来技術における弁芯が弁口を封止する際に弁口で媒体漏れが発生しやすい問題を解決する。

【0028】

本実施例において、ソフト密封が形成されるように、第１密封構造４３の硬度が弁芯２０の硬度より低い。このように、上記の設計は、第１密封構造４３と弁芯２０との接触がソフトになるようにし、更に第１密封構造４３と弁芯２０との構造摩耗を減少させ、電磁弁の使用寿命を延長させる。同時に、弁芯２０が第１貫通孔１２に向かって移動する過程において、上記の設計は、第１密封構造４３と弁芯２０との衝撃力を減少させ、第１密封構造４３及び弁芯２０に構造的損傷が発生することを回避することができる。

【0029】

説明すべきこととして、第１密封構造４３と弁芯２０との間の硬度関係はこれに限定されず、作業条件及び使用要求に応じて調整することが可能である。

【0030】

図面に示されていない他の実施形態において、ソフト密封が形成されるように、弁芯の硬度が第１密封構造の硬度より低い。このように、上記の設計は、第１密封構造と弁芯との接触がソフトになるようにし、更に第１密封構造と弁芯との構造摩耗を減少させ、電磁弁の使用寿命を延長させる。同時に、弁芯が第１貫通孔に向かって移動する過程において、上記の設計は、第１密封構造と弁芯との衝撃力を減少させ、第１密封構造及び弁芯に構造的損傷が発生することを回避することができる。

【0031】

本実施例において、第１密封構造４３の硬度が密封スリーブ４２の硬度より小さい。このように、上記の設計は、第１密封構造４３と密封スリーブ４２との接触がソフトになるようにし、更に第１密封構造４３と密封スリーブ４２との構造摩耗を減少させ、第１密封構造４３の使用寿命を延長させる。同時に、弁芯２０が第１貫通孔１２に向かって移動する過程において、上記の設計は、第１密封構造４３と密封スリーブ４２との衝撃力を減少させ、第１密封構造４３及び密封スリーブ４２に構造的損傷が発生することを回避することができる。

【0032】

図１に示すように、弁座１０は、流れ通路を有し、第１貫通孔１２及び第２貫通孔１３を更に有し、第１貫通孔１２及び第２貫通孔１３は、いずれも流れ通路に連通される。弁芯２０は、流れ通路内に可動的に設けられて、第１貫通孔１２及び第２貫通孔１３の連通及び遮断状態を制御するために用いられる。駆動アセンブリ３０は、第１磁気吸引構造３１及び第２磁気吸引構造３２を含み、弁芯２０は、第１磁気吸引構造３１の第２磁気吸引構造３２から離れた一端に接続され、第１磁気吸引構造３１内に貫通孔が設けられており、弁芯２０内に均衡化孔２１が設けられており、均衡化孔２１は貫通孔に連通される。このように、貫通孔は均衡化孔２１を介して弁口４１に連通され、媒体が弁口４１内に入り込むとき、均衡化孔２１を介して貫通孔内に迅速に入り込んで、弁芯２０の両端の圧力差を効果的に均衡化させることができる。

【0033】

具体的には、駆動アセンブリ３０が第２状態にあるとき、弁芯２０と第１貫通孔１２との間に第１密封構造４３が設けられており、第１密封構造４３は、弁芯２０と第１貫通孔１２との接続部位を密封することができ、更に第１貫通孔１２内に入り込んだ媒体が弁芯２０と第１貫通孔１２との接続部位を介して第２貫通孔１３内に漏れて電磁弁の運転信頼性に影響を与えることを回避し、従来技術における弁芯２０が弁口を封止する際に弁口で媒体漏れが発生しやすい問題を解決する。同時に、駆動アセンブリ３０が第１状態にあるとき、第１貫通孔１２は、第１密封構造４３の弁口４１を介して第２貫通孔１３に連通されることができ、媒体が第１貫通孔１２を介して第２貫通孔１３内に流れ込むことができることを確保する。

【0034】

選択的に、弁芯２０と第１磁気吸引構造３１とは、別体構造又は一体構造である。このように、上記の設計は、弁芯２０と第１磁気吸引構造３１との加工方式をより柔軟にして、異なる使用要求及び作業条件を満たすだけでなく、作業者の加工柔軟性も向上させる。

【0035】

本実施例において、均衡化孔２１は、貫通孔に近接した第１セグメント及び貫通孔から離れた第２セグメントを含み、第２セグメントの内径が第１セグメントより大きい。このように、上記の設計は、大口径内の均衡機能を実現し、且つ第２セグメントの内径寸法は、弁口の流量要求に応じて調整することが可能である。

【0036】

図１に示すように、電磁弁は弁座１０を更に含む。ここで、弁座１０は、取り付け通路及び流れ通路を有し、弁蓋６０、密封スリーブ４２及び第１密封構造４３は、いずれも取り付け通路に取り付けられている。このように、上記の設計は、電磁弁の着脱をより容易にし且つ簡素化させて着脱の難度を低下させ、電磁弁の小型化設計も実現し、電磁弁全体の占有スペースを減少させる。

【0037】

選択的に、第１密封構造４３は、ゴム、シリカゲル及びプラスチックのうちの１つで作製される。このように、上記の設計は、第１密封構造４３の材質選択をより多様化させて、異なる使用要求及び作業条件を満たす。具体的には、第１密封構造４３はＰＴＦＥを採用して作製され、耐摩耗及びソフト密封作用を実現する。

【0038】

本実施例において、第１密封構造４３は、密封スリーブ４２に設けられ且つ密封スリーブ４２に接続される。このように、第１密封構造４３は密封スリーブ４２に固定され、駆動アセンブリ３０が第２状態にあるとき、弁芯２０が第１密封構造４３に当接され、第１貫通孔１２内に入り込んだ媒体は弁口４１を介して弁チャンバ１１内に入り込み、第１密封構造４３の上記の設計は、媒体が第１密封構造４３と弁芯２０との接続部位で漏れ且つ第２貫通孔１３内に漏れることを回避し、更に電磁弁の密封信頼性を向上させることができる。

【0039】

図２に示すように、弁口４１は、互いに接続された第１孔セグメント４３１及び第２孔セグメント４３２を含み、第１孔セグメント４３１は、第２孔セグメント４３２を介して密封スリーブ４２の内部空洞に連通される。ここで、第１孔セグメント４３１はテーパ孔であり、第１密封構造４３から密封スリーブ４２への方向に沿って、テーパ孔の内径が徐々に減少する。このように、上記の設計は、弁芯２０が第１孔セグメント４３１に入り込む動作をより簡素化させ、弁芯２０が第１孔セグメント４３１を封止することもでき、更に駆動アセンブリ３０が第２状態にあるように確保する。ここで、駆動アセンブリ３０が第２状態にあるとき、弁芯２０の少なくとも一部がテーパ孔内に入り込んでテーパ孔の孔壁に当接される。

【0040】

具体的には、第１孔セグメント４３１及び第２孔セグメント４３２の中心軸は同軸に設けられ、駆動アセンブリ３０が第２状態にあるとき、弁芯２０の少なくとも一部がテーパ孔内に入り込んでテーパ孔の内壁に当接される。媒体が第１貫通孔１２内に入り込むと、密封スリーブ４２及び第１密封構造４３を介して弁チャンバ１１内に入り込むことができ、弁芯２０により第１孔セグメント４３１が封止されるため、媒体は第１密封構造４３と弁芯２０との接続部位を介して第２貫通孔１３内に入り込むことができない。

【0041】

選択的に、電磁弁は、第２密封構造５０を更に含み、第２密封構造５０は密封スリーブ４２と弁座１０との間に設けられており、又は、電磁弁は、第３密封構造７０を更に含み、第３密封構造７０は弁蓋６０と弁座１０との間に設けられており、又は、電磁弁は、第２密封構造５０及び第３密封構造７０を更に含み、第２密封構造５０は密封スリーブ４２と弁座１０との間に設けられており、第３密封構造７０は弁蓋６０と弁座１０との間に設けられている。

【0042】

図１に示すように、電磁弁は、第２密封構造５０を更に含む。第２密封構造５０は、密封スリーブ４２と弁座１０との間に設けられている。ここで、第２密封構造５０は、ゴム又はシリカゲルで作製される。このように、第２密封構造５０は、第１密封構造４３と弁チャンバ１１との接続部位を密封するために用いられて、第１貫通孔１２内に位置する媒体が第２密封構造５０と弁チャンバ１１との接続部位に入り込むことを回避し、電磁弁の密封度を更に向上させる。同時に、上記の設計は、第２密封構造５０の構造をより簡単にし、且つ加工、達成しやすくして、第２密封構造５０の加工コストを低減させる。

【0043】

選択的に、第２密封構造５０は密封リングである。

【0044】

図１に示すように、弁蓋６０は、第２貫通孔１３に連通される径方向連通孔６４を有することにより、媒体が電磁弁内で円滑に流れることができることを確保する。

【0045】

図１に示すように、電磁弁は、第３密封構造７０を更に含み、第３密封構造７０は弁蓋６０と弁座１０との間に設けられている。このように、第３密封構造７０は、径方向連通孔６４の上方を密封するために用いられ、媒体がこの部位で漏れることを回避する。

【0046】

図１に示すように、密封スリーブ４２は、密封スリーブ本体４２１及び密封スリーブ本体４２１の外周面に設けられた環状凸部４２２を含み、環状凸部４２２は環状溝４２２１を有し、第２密封構造５０は環状溝４２２１内に設けられている。このように、上記の設計は、第２密封構造５０と密封スリーブ４２との着脱をより容易にし且つ簡素化させて、両者の着脱の難度を低下させる。同時に、上記の設計は、密封スリーブ４２の構造をより簡単にし、且つ加工、達成しやすくして、密封スリーブ４２の加工コストを低減させる。

【0047】

図１に示すように、第１密封構造４３は、弁蓋６０と密封スリーブ４２との間に制限され、弁蓋６０は、弁蓋本体６３、環状板６１及び環状段差６２を含む。ここで、環状板６１は、弁蓋本体６３の駆動アセンブリ３０から離れた側に設けられて密封スリーブ４２に当接される。環状段差６２は、環状板６１の内面に設けられ且つ第１密封構造４３に当接され、環状段差６２と環状板６１との間に、取り囲んで取り付け空間が形成され、第１密封構造４３が取り付け空間内に設けられる。このように、第１密封構造４３は弁蓋６０を介して密封スリーブ４２に取り付けられて、第１密封構造４３の交換及び着脱を容易にし且つ簡素化させて、着脱の難度を低下させる。

【0048】

具体的には、環状板６１及び環状段差６２の中心軸は同軸に設けられ、第１密封構造４３が密封スリーブ４２に押し付けられるように、環状段差６２は第１密封構造４３に押し付けて設けられ、更に媒体が第１密封構造４３と密封スリーブ４２との接続部位に入り込むことを回避する。

【0049】

図１に示すように、電磁弁は、バネ８０を更に含み、バネ８０は第１磁気吸引構造３１と第２磁気吸引構造３２との間に設けられている。

【0050】

選択的に、第１密封構造４３に第１係合部が設けられており、弁芯２０に第２係合部が設けられており、第１係合部及び第２係合部のうちの一方が第１突起であり、第１係合部及び第２係合部のうちの他方が第１凹部であり、第１突起は第１凹部内に入り込んで第１凹部に制限係合される。このように、第１係合部及び第２係合部の上記の設計は、第１密封構造４３と弁芯２０との間の密封信頼性を向上させ、弁口４１において媒体漏れが発生することを回避する。

【0051】

本実施例において、第１係合部が第１突起であり、第２係合部が第１凹部である。

【0052】

説明すべきこととして、第１係合部及び第２係合部の構造はこれに限定されず、作業条件及び使用要求に応じて調整することが可能である。選択的に、第１係合部が第１凹部であり、第２係合部が第１突起である。

【0053】

実施例２
実施例２における電磁弁と実施例１との区別は、第１密封構造４３の配置位置が異なることである。

【0054】

本実施例において、第１密封構造は弁芯に設けられ且つ弁芯に接続される。このように、上記の設計は、第１密封構造の配置位置をより柔軟にして、異なる使用要求及び作業条件を満たすだけでなく、作業者による加工もより柔軟になる。

【0055】

本実施例において、駆動アセンブリが第２状態にあるとき、第１密封構造の密封スリーブに向かう表面と密封スリーブの第１密封構造に向かう表面とを互いに密着して設計する。このように、上記の設計は、媒体が第１密封構造と密封スリーブとの接触面に入り込むことを回避し、更に媒体が第２貫通孔内に入り込むことを防止し、電磁弁に漏れが発生することを回避することができる。

【0056】

選択的に、第１密封構造４３に第３係合部が設けられており、弁口４１の内壁に第４係合部が設けられており、第３係合部及び第４係合部のうちの一方が第２突起であり、第３係合部及び第４係合部のうちの他方が第２凹部であり、第１突起は第２凹部内に入り込んで第２凹部に制限係合される。このように、第３係合部及び第４係合部の上記の設計は、第１密封構造４３と弁芯２０との間の密封信頼性を向上させ、弁口４１において媒体漏れが発生することを回避する。

【0057】

本実施例において、第３係合部が第２突起であり、第４係合部が第２凹部である。

【0058】

説明すべきこととして、第３係合部及び第４係合部の構造はこれに限定されず、作業条件及び使用要求に応じて調整することが可能である。選択的に、第３係合部が第２凹部であり、第４係合部が第２突起である。

【0059】

以上の説明から分かるように、本出願の上記の実施例は、以下のような技術効果を実現している。
弁芯と第１密封構造との間にソフト密封が形成されて、弁芯と弁口との接続部位の密封を実現し、更に、弁口に入り込んだ媒体が弁芯と弁口との接続部位を介して漏れて電磁弁の運転信頼性に影響を与えることを回避し、従来技術における弁芯が弁口を封止する際に弁口で媒体漏れが発生しやすい問題を解決する。

【0060】

上述した実施例は、本出願の一部の実施例にすぎず、全ての実施例ではないことは明らかである。本出願における実施例に基づいて、当業者が創造的な労力なしに得られる全ての他の実施例は、何れも本出願の保護の範囲に属するべきである。

【0061】

ここで用いられる用語は、具体的な実施形態を説明するためのものにすぎず、本出願による例示的な実施形態を限定することを意図するものではないことに注意すべきである。ここで用いられるように、文脈上明確な指摘がなされていない限り、単数形式は複数形式を含むことも意図し、更に、本明細書において、「包含する」及び／又は「含む」という用語が用いられる場合、特徴、ステップ、操作、デバイス、アセンブリ及び／又はそれらの組み合わせが存在することを意味することも理解されるべきである。

【図1】

【図2】

【国際調査報告】