特表 2024-544444 表示基板及びその製造方法、表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-12-03

(54)【発明の名称】表示基板及びその製造方法、表示装置

(51)【国際特許分類】

   H10K 50/84 20230101AFI20241126BHJP

   H10K 59/80 20230101ALI20241126BHJP

   H10K 59/131 20230101ALI20241126BHJP

   H10K 71/00 20230101ALI20241126BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20241126BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20241126BHJP

   H10K 50/844 20230101ALI20241126BHJP

【ＦＩ】

H10K50/84

H10K59/80

H10K59/131

H10K71/00

G09F9/30 309

G09F9/00 338

H10K50/844

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023575944

(86)(22)【出願日】2021-11-29

(85)【翻訳文提出日】2023-12-08

(86)【国際出願番号】 CN2021134057

(87)【国際公開番号】W WO2023092566

(87)【国際公開日】2023-06-01

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】510280589

【氏名又は名称】京東方科技集團股▲ふん▼有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＢＯＥ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＧＲＯＵＰ ＣＯ．，ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１０ Ｊｉｕｘｉａｎｑｉａｏ Ｒｄ．，Ｃｈａｏｙａｎｇ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００１５，ＣＨＩＮＡ

(71)【出願人】

【識別番号】511121702

【氏名又は名称】成都京東方光電科技有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＣＨＥＮＧＤＵ ＢＯＥ ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＣＯ．，ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１１８８，Ｈｅｚｕｏ Ｒｄ．，（Ｗｅｓｔ Ｚｏｎｅ），Ｈｉ－ｔｅｃｈ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｚｏｎｅ，Ｃｈｅｎｇｄｕ，Ｓｉｃｈｕａｎ，６１１７３１，Ｐ．Ｒ．ＣＨＩＮＡ

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(72)【発明者】

【氏名】杜 楠

(72)【発明者】

【氏名】▲蘇▼ 国▲ウェイ▼

(72)【発明者】

【氏名】▲鐘▼ 杰▲興▼

(72)【発明者】

【氏名】傅 永▲義▼

(72)【発明者】

【氏名】周 勇

(72)【発明者】

【氏名】白 ▲鋒▼

(72)【発明者】

【氏名】▲孫▼ ▲賽▼君

(72)【発明者】

【氏名】▲陳▼ ▲凱▼豪

(72)【発明者】

【氏名】彭 索萍

(72)【発明者】

【氏名】宋 克超

(72)【発明者】

【氏名】徐 ▲鄭▼平

(72)【発明者】

【氏名】▲劉▼ ▲颯▼

(72)【発明者】

【氏名】李 和雄

【テーマコード（参考）】

3K107

5C094

5G435

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC23

3K107DD39

3K107DD90

3K107EE41

3K107EE54

3K107FF15

3K107GG37

5C094AA38

5C094BA03

5C094BA27

5C094CA19

5C094DA07

5C094DA13

5C094FA01

5C094FA02

5C094FA04

5C094GB10

5C094HA05

5C094HA08

5G435AA13

5G435BB05

5G435CC09

5G435KK05

5G435LL04

5G435LL07

5G435LL08

(57)【要約】

本開示は表示基板及びその製造方法、表示装置を提供する。表示基板は表示領域１００、及び表示領域１００に位置する少なくとも１つのホール領域２００を含み、ホール領域２００は機能ホール２１０及び機能ホール２１０を取り囲む仕切領域２２０を含み、仕切領域２２０には機能ホール２１０を取り囲む少なくとも１つの仕切ダム３００が設置され、仕切ダム３００はベース１０に設置される第１仕切層４０及び第１仕切層４０のベース１０から離れる側に設置される第２仕切層５０を含み、少なくとも１つの仕切層は第２サブ層及び第２サブ層のベース１０から離れる側に設置される第３サブ層を含み、第３サブ層は第２サブ層の側壁に対して突出部を有し、突出部と第２サブ層の側壁は凹み構造を形成する。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

表示領域、及び前記表示領域に位置する少なくとも１つのホール領域を含み、前記ホール領域は機能ホール及び前記機能ホールを取り囲む仕切領域を含み、前記仕切領域には前記機能ホールを取り囲む少なくとも１つの仕切ダムが設置され、前記仕切ダムはベースに設置される第１仕切層及び前記第１仕切層の前記ベースから離れる側に設置される第２仕切層を含み、少なくとも１つの仕切層は第２サブ層及び前記第２サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第３サブ層を含み、前記第３サブ層は前記第２サブ層の側壁に対して突出部を有し、前記突出部と前記第２サブ層の側壁は凹み構造を形成する、表示基板。

【請求項2】

少なくとも１つの仕切層は第１サブ層を更に含み、前記第２サブ層は前記第１サブ層の前記ベースから離れる側に設置される、請求項１に記載の表示基板。

【請求項3】

前記第１仕切層は第１導電サブ層、前記第１導電サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第２導電サブ層、及び前記第２導電サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第３導電サブ層を含み、前記機能ホールから離れる方向に沿って、前記第２導電サブ層の幅はいずれも前記第１導電サブ層と第３導電サブ層の幅よりも小さく、前記第２導電サブ層の前記ベースでの正投影はいずれも前記第１導電サブ層と第３導電サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、それにより前記第１導電サブ層と第３導電サブ層は前記第２導電サブ層の側壁に対して突出部を有し、前記突出部と前記第２導電サブ層の側壁は凹み構造を形成する、請求項２に記載の表示基板。

【請求項4】

前記第２仕切層は前記第１仕切層の前記ベースから離れる側に設置される第１金属サブ層、前記第１金属サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第２金属サブ層、及び前記第２金属サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第３金属サブ層を含み、前記機能ホールから離れる方向に沿って、前記第２金属サブ層の幅はいずれも前記第１金属サブ層と第３金属サブ層の幅よりも小さく、前記第２金属サブ層の前記ベースでの正投影はいずれも前記第１金属サブ層と第３金属サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、それにより前記第１金属サブ層と第３金属サブ層は前記第２金属サブ層の側壁に対して突出部を有し、前記突出部と前記第２金属サブ層の側壁は凹み構造を形成する、請求項３に記載の表示基板。

【請求項5】

前記機能ホールから離れる方向に沿って、前記第１金属サブ層の幅は前記第１導電サブ層の幅よりも小さく、前記第１金属サブ層の前記ベースでの正投影は前記第１導電サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置する、請求項４に記載の表示基板。

【請求項6】

前記機能ホールから離れる方向に沿って、前記第２金属サブ層の幅は前記第２導電サブ層の幅よりも小さく、前記第２導電サブ層の前記ベースでの正投影は前記第２金属サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置する、請求項４に記載の表示基板。

【請求項7】

前記機能ホールから離れる方向に沿って、前記第３金属サブ層の幅は前記第３導電サブ層の幅よりも小さく、前記第３導電サブ層の前記ベースでの正投影は前記第３金属サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置する、請求項４に記載の表示基板。

【請求項8】

前記機能ホールから離れる方向に沿って、前記第３金属サブ層の幅は前記第１金属サブ層の幅以下であり、前記第３金属サブ層の前記ベースでの正投影は前記第１金属サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、前記第３導電サブ層の幅は前記第１導電サブ層の幅以下であり、前記第３導電サブ層の前記ベースでの正投影は前記第１導電サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、前記第１金属サブ層の幅は前記第３導電サブ層の幅以下であり、前記第１金属サブ層の前記ベースでの正投影は前記第３導電サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置する、請求項４に記載の表示基板。

【請求項9】

前記機能ホールから離れる方向に沿って、前記第３金属サブ層の幅は前記第１金属サブ層の幅よりも大きく、前記第１金属サブ層の前記ベースでの正投影は前記第３金属サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、前記第３導電サブ層の幅は前記第１導電サブ層の幅よりも小さく、前記第３導電サブ層の前記ベースでの正投影は前記第１導電サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、前記第１金属サブ層の幅は前記第３導電サブ層の幅に等しく、前記第１金属サブ層の前記ベースでの正投影と前記第３導電サブ層の前記ベースでの正投影はほぼ重なる、請求項４に記載の表示基板。

【請求項10】

前記第３金属サブ層の縁部とベースとの距離は、前記第２金属サブ層のベースから離れる側の表面とベースとの距離よりも小さい、請求項４に記載の表示基板。

【請求項11】

前記第２仕切層は前記第１仕切層の前記ベースから離れる側に設置される第１金属サブ層、前記第１金属サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第２金属サブ層、及び前記第２金属サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第３金属サブ層を含み、前記第２金属サブ層の断面形状は第２台形であり、前記第２台形は前記ベースに近い側の第２下底及び前記ベースから離れる側の第２上底を含み、前記機能ホールから離れる方向に沿って、前記第２上底の幅は前記第２下底の幅よりも小さく、前記第２上底の前記ベースでの正投影は前記第２下底の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、前記第３金属サブ層の幅は前記第２上底の幅以下であり、前記第３金属サブ層の前記ベースでの正投影は前記第２上底の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、前記第２下底の幅は前記第１金属サブ層の幅以下であり、前記第２下底の前記ベースでの正投影は前記第１金属サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置する、請求項３に記載の表示基板。

【請求項12】

前記第１金属サブ層の幅は前記第３導電サブ層の幅以下であり、前記第１金属サブ層の前記ベースでの正投影は前記第３導電サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置する、請求項１１に記載の表示基板。

【請求項13】

前記第２仕切層は前記第１仕切層の前記ベースから離れる側に設置される第１金属サブ層、前記第１金属サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第２金属サブ層、及び前記第２金属サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第３金属サブ層を含み、前記機能ホールから離れる方向に沿って、前記第２金属サブ層の幅はいずれも前記第１金属サブ層と第３金属サブ層の幅よりも小さく、前記第２金属サブ層の前記ベースでの正投影はいずれも前記第１金属サブ層と第３金属サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、それにより前記第１金属サブ層と第３金属サブ層は前記第２金属サブ層の側壁に対して突出部を有し、前記突出部と前記第２金属サブ層の側壁は凹み構造を形成する、請求項１に記載の表示基板。

【請求項14】

前記第１仕切層は第１導電サブ層、前記第１導電サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第２導電サブ層、及び前記第２導電サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第３導電サブ層を含み、前記第２導電サブ層の断面形状は第１台形であり、前記第１台形は前記ベースに近い側の第１下底及び前記ベースから離れる側の第１上底を含み、前記機能ホールから離れる方向に沿って、前記第１上底の幅は前記第１下底の幅よりも小さく、前記第１上底の前記ベースでの正投影は前記第１下底の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、前記第３導電サブ層の幅は前記第１上底の幅以下であり、前記第３導電サブ層の前記ベースでの正投影は前記第１上底の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、前記第１下底の幅は前記第１導電サブ層の幅以下であり、前記第１下底の前記ベースでの正投影は前記第１導電サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置する、請求項１３に記載の表示基板。

【請求項15】

前記第１金属サブ層の幅は前記第３導電サブ層の幅以下であり、前記第１金属サブ層の前記ベースでの正投影は前記第３導電サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置する、請求項１４に記載の表示基板。

【請求項16】

前記表示領域はベースに順次に設置される第１絶縁層、半導体層、第２絶縁層、第１導電層、第３絶縁層、第２導電層、第４絶縁層、第３導電層、第１平坦層、第４導電層及び第２平坦層を含み、前記第１仕切層と前記第３導電層は同一層に設置され、前記第２仕切層と前記第４導電層は同一層に設置される、請求項１～１５のいずれか１項に記載の表示基板。

【請求項17】

請求項１～１６のいずれか１項に記載の表示基板を備える表示装置。

【請求項18】

表示基板の製造方法であって、前記表示基板は表示領域及び前記表示領域に位置する少なくとも１つのホール領域を含み、前記ホール領域は機能ホール及び前記機能ホールを取り囲む仕切領域を含み、前記製造方法は、
前記仕切領域に前記機能ホールを取り囲む少なくとも１つの仕切ダムを形成することを含み、前記仕切ダムは積層設置される第１仕切層及び第２仕切層を含み、少なくとも１つの仕切層は第２サブ層及び前記第２サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第３サブ層を含み、前記第３サブ層は前記第２サブ層の側壁に対して突出部を有し、前記突出部と前記第２サブ層の側壁は凹み構造を形成する、表示基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は表示技術分野に関するがそれに限らず、特に表示基板及びその製造方法、表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤと略称される）は能動発光表示デバイスであり、自律発光、広い視角、高いコントラスト比、低い電力消費、極めて高い応答速度、軽量化、湾曲可能、及び低コスト等の利点を有する。表示技術の継続的な発展に伴って、ＯＬＥＤを発光デバイスとし、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴと略称される）により信号制御を行うディスプレイは現在の表示分野の主な製品となっている。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

以下は、本明細書に記載されるテーマに対する概要である。本概要は特許請求の範囲の保護範囲を限定するものではない。

【課題を解決するための手段】

【0004】

一態様では、本開示は表示基板を提供し、表示領域、及び前記表示領域に位置する少なくとも１つのホール領域を含み、前記ホール領域は機能ホール及び前記機能ホールを取り囲む仕切領域を含み、前記仕切領域には前記機能ホールを取り囲む少なくとも１つの仕切ダムが設置され、前記仕切ダムはベースに設置される第１仕切層及び前記第１仕切層の前記ベースから離れる側に設置される第２仕切層を含み、少なくとも１つの仕切層は第２サブ層及び前記第２サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第３サブ層を含み、前記第３サブ層は前記第２サブ層の側壁に対して突出部を有し、前記突出部と前記第２サブ層の側壁は凹み構造を形成する。

【0005】

例示的な実施形態では、少なくとも１つの仕切層は第１サブ層を更に含み、前記第２サブ層は前記第１サブ層の前記ベースから離れる側に設置される。

【0006】

例示的な実施形態では、前記第１仕切層は第１導電サブ層、前記第１導電サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第２導電サブ層、及び前記第２導電サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第３導電サブ層を含み、前記機能ホールから離れる方向に沿って、前記第２導電サブ層の幅はいずれも前記第１導電サブ層と第３導電サブ層の幅よりも小さく、前記第２導電サブ層の前記ベースでの正投影はいずれも前記第１導電サブ層と第３導電サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、それにより前記第１導電サブ層と第３導電サブ層は前記第２導電サブ層の側壁に対して突出部を有し、前記突出部と前記第２導電サブ層の側壁は凹み構造を形成する。

【0007】

例示的な実施形態では、前記第２仕切層は前記第１仕切層の前記ベースから離れる側に設置される第１金属サブ層、前記第１金属サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第２金属サブ層、及び前記第２金属サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第１金属サブ層を含み、前記機能ホールから離れる方向に沿って、前記第２金属サブ層の幅はいずれも前記第１金属サブ層と第３金属サブ層の幅よりも小さく、前記第２金属サブ層の前記ベースでの正投影はいずれも前記第１金属サブ層と第３金属サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、それにより前記第１金属サブ層と第３金属サブ層は前記第２金属サブ層の側壁に対して突出部を有し、前記突出部と前記第２金属サブ層の側壁は凹み構造を形成する。

【0008】

例示的な実施形態では、前記機能ホールから離れる方向に沿って、前記第１金属サブ層の幅は前記第１導電サブ層の幅よりも小さく、前記第１金属サブ層の前記ベースでの正投影は前記第１導電サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置する。

【0009】

例示的な実施形態では、前記機能ホールから離れる方向に沿って、前記第２金属サブ層の幅は前記第２導電サブ層の幅よりも小さく、前記第２導電サブ層の前記ベースでの正投影は前記第２金属サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置する。

【0010】

例示的な実施形態では、前記機能ホールから離れる方向に沿って、前記第３金属サブ層の幅は前記第３導電サブ層の幅よりも小さく、前記第３導電サブ層の前記ベースでの正投影は前記第３金属サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置する。

【0011】

例示的な実施形態では、前記機能ホールから離れる方向に沿って、前記第３金属サブ層の幅は前記第１金属サブ層の幅以下であり、前記第３金属サブ層の前記ベースでの正投影は前記第１金属サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、前記第３導電サブ層の幅は前記第１導電サブ層の幅以下であり、前記第３導電サブ層の前記ベースでの正投影は前記第１導電サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、前記第１金属サブ層の幅は前記第３導電サブ層の幅以下であり、前記第１金属サブ層の前記ベースでの正投影は前記第３導電サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置する。

【0012】

例示的な実施形態では、前記機能ホールから離れる方向に沿って、前記第３金属サブ層の幅は前記第１金属サブ層の幅よりも大きく、前記第１金属サブ層の前記ベースでの正投影は前記第３金属サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、前記第３導電サブ層の幅は前記第１導電サブ層の幅よりも小さく、前記第３導電サブ層の前記ベースでの正投影は前記第１導電サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、前記第１金属サブ層の幅は前記第３導電サブ層の幅に等しく、前記第１金属サブ層の前記ベースでの正投影と前記第３導電サブ層の前記ベースでの正投影はほぼ重なる。

【0013】

例示的な実施形態では、前記第３金属サブ層の縁部とベースとの距離は、前記第２金属サブ層のベースから離れる側の表面とベースとの距離よりも小さい。

【0014】

例示的な実施形態では、前記第２仕切層は前記第１仕切層の前記ベースから離れる側に設置される第１金属サブ層、前記第１金属サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第２金属サブ層、及び前記第２金属サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第３金属サブ層を含み、前記第２金属サブ層の断面形状は第２台形であり、前記第２台形は前記ベースに近い側の第２下底及び前記ベースから離れる側の第２上底を含み、前記機能ホールから離れる方向に沿って、前記第２上底の幅は前記第２下底の幅よりも小さく、前記第２上底の前記ベースでの正投影は前記第２下底の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、前記第３金属サブ層の幅は前記第２上底の幅以下であり、前記第３金属サブ層の前記ベースでの正投影は前記第２上底の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、前記第２下底の幅は前記第１金属サブ層の幅以下であり、前記第２下底の前記ベースでの正投影は前記第１金属サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置する。

【0015】

例示的な実施形態では、前記第１金属サブ層の幅は前記第３導電サブ層の幅以下であり、前記第１金属サブ層の前記ベースでの正投影は前記第３導電サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置する。

【0016】

例示的な実施形態では、前記第２仕切層は前記第１仕切層の前記ベースから離れる側に設置される第１金属サブ層、前記第１金属サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第２金属サブ層、及び前記第２金属サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第３金属サブ層を含み、前記機能ホールから離れる方向に沿って、前記第２金属サブ層の幅はいずれも前記第１金属サブ層と第３金属サブ層の幅よりも小さく、前記第２金属サブ層の前記ベースでの正投影はいずれも前記第１金属サブ層と第３金属サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、それにより前記第１金属サブ層と第３金属サブ層は前記第２金属サブ層の側壁に対して突出部を有し、前記突出部と前記第２金属サブ層の側壁は凹み構造を形成する。

【0017】

例示的な実施形態では、前記第１仕切層は第１導電サブ層、前記第１導電サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第２導電サブ層、及び前記第２導電サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第３導電サブ層を含み、前記第２導電サブ層の断面形状は第１台形であり、前記第１台形は前記ベースに近い側の第１下底及び前記ベースから離れる側の第１上底を含み、前記機能ホールから離れる方向に沿って、前記第１上底の幅は前記第１下底の幅よりも小さく、前記第１上底の前記ベースでの正投影は前記第１下底の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、前記第３導電サブ層の幅は前記第１上底の幅以下であり、前記第３導電サブ層の前記ベースでの正投影は前記第１上底の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、前記第１下底の幅は前記第１導電サブ層の幅以下であり、前記第１下底の前記ベースでの正投影は前記第１導電サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置する。

【0018】

例示的な実施形態では、前記第１金属サブ層の幅は前記第３導電サブ層の幅以下であり、前記第１金属サブ層の前記ベースでの正投影は前記第３導電サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置する。

【0019】

例示的な実施形態では、前記表示領域はベースに順次に設置される第１絶縁層、半導体層、第２絶縁層、第１導電層、第３絶縁層、第２導電層、第４絶縁層、第３導電層、第１平坦層、第４導電層及び第２平坦層を含み、前記第１仕切層と前記第３導電層は同一層に設置され、前記第２仕切層と前記第４導電層は同一層に設置される。

【0020】

他の態様では、本開示は表示装置を更に提供し、上記の表示基板を備える。

【0021】

他の態様では、本開示は表示基板の製造方法を更に提供し、前記表示基板は表示領域及び前記表示領域に位置する少なくとも１つのホール領域を含み、前記ホール領域は機能ホール及び前記機能ホールを取り囲む仕切領域を含み、前記製造方法は、
前記仕切領域に前記機能ホールを取り囲む少なくとも１つの仕切ダムを形成することを含み、前記仕切ダムは積層設置される第１仕切層及び第２仕切層を含み、少なくとも１つの仕切層は第２サブ層及び前記第２サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第３サブ層を含み、前記第３サブ層は前記第２サブ層の側壁に対して突出部を有し、前記突出部と前記第２サブ層の側壁は凹み構造を形成する。

【0022】

図面及び詳細の説明を読んで理解した後、他の方面を理解できる。

【0023】

図面は本開示の技術案に対する更なる理解を提供するためのものであって、明細書の一部となり、本開示の実施例とともに本開示の技術案を解釈するためのものであり、本開示の技術案を制限するためのものではない。図面における各部品の形状とサイズは、実際の比例を反映せず、本開示の内容を模式的に説明するためのものである。

【図面の簡単な説明】

【0024】

【図1】表示基板の構造模式図である。

【図2】表示基板の平面構造模式図である。

【図3】表示領域の平面構造模式図である。

【図4】画素駆動回路の等価回路模式図である。

【図5】画素駆動回路の動作タイミング図である。

【図6】本開示の例示的な実施例による表示基板の断面構造模式図である。

【図7】本開示の例示的な実施例による仕切ダムの構造模式図である。

【図8】本開示の実施例によるトランジスタの構造層パターンが形成された後の模式図である。

【図9】本開示の実施例による第１平坦層パターンが形成された後の模式図である。

【図10】図９における第１仕切層の構造模式図である。

【図11】本開示の実施例による第４導電層パターンが形成された後の模式図である。

【図12】図１１における第１仕切層と第２仕切層の構造模式図である。

【図13】本開示の実施例による第２平坦層パターンが形成された後の模式図である。

【図14】図１３における第１仕切ダムと第２仕切ダムの構造模式図である。

【図15】本開示の実施例による陽極導電層パターンが形成された後の模式図である。

【図16】図１５における第１仕切層と第２仕切層の構造模式図である。

【図17】図１５における第１仕切層と第２仕切層の他の構造模式図である。

【図18】本開示の実施例による画素定義層パターンが形成された後の模式図である。

【図19】本開示の実施例による有機発光層パターンが形成された後の模式図である。

【図20】図１９における仕切ダムによる有機発光材料の遮断の模式図である。

【図21】本開示の実施例による陰極パターンが形成された後の模式図である。

【図22】図２１における仕切ダムによる陰極の遮断の模式図である。

【図23】本開示の実施例による封止構造層パターンが形成された後の模式図である。

【図24】図２３における仕切ダム構造が第１封止層により囲まれる模式図である。

【図25】本開示の例示的な実施例による他の仕切ダムの構造模式図である。

【図26】本開示の例示的な実施例による別の仕切ダムの構造模式図である。

【図27】本開示の例示的な実施例による更なる仕切ダムの構造模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0025】

本開示の目的、技術案及び利点をより明確にするために、以下、図面を参照しながら本開示の実施例を詳細に説明する。なお、実施形態は多くの異なる形態により実施され得る。当業者が容易に理解できるように、方式と内容は本開示の要旨及び範囲を逸脱しない条件で様々な形態に変換され得る。従って、本開示は下記実施形態の記載のみに限定されるものと解釈されるべきではない。衝突がない場合、本開示の実施例及び実施例の特徴を互いに組み合わせることができる。本開示の実施例の下記説明の明確性及び簡明性を維持するために、本開示では一部の既知機能及び既知部品の詳細説明を省略する。本開示の実施例の図面は本開示の実施例に係る構造のみに関し、他の構造については通常設計を参考してもよい。

【0026】

本開示における図面の比例は、実際のプロセスにおける参考としてもよいが、それに限らない。例えば、チャネルの幅と長さとの比、各膜層の厚さと間隔、各信号線の幅と間隔は、実際の需要に応じて調整してもよい。表示基板における画素の数と各画素におけるサブ画素の数も図示の数に限らず、本開示に説明される図面は構造模式図に過ぎず、本開示の一態様は図面に示す形状又は数値等に限らない。

【0027】

本明細書における「第１」、「第２」、「第３」等の序数詞は構成要素の混乱を避けるためのものであり、数量の面で限定するものではない。

【0028】

本明細書において、便利のために、「中部」、「上」、「下」、「前」、「後」、「垂直」、「水平」、「頂」、「底」、「内」、「外」等の方位又は位置関係を示す用語により、図面を参照して構成要素の位置関係を説明するが、これは本明細書を説明し及び説明を簡素化するためのものであり、説明された装置又は素子が特定の方位を有し、特定の方位で構成及び操作しなければならないことを指示又は暗黙的に示唆するためのものではない。従って、本開示を制限するためのものではない。構成要素の位置関係は各構成要素を説明する方向に応じて適当に変更する。従って、明細書に説明する用語に限らず、場合によっては適当に変更できる。

【0029】

本明細書において、明確な規定と限定がない限り、「取り付く」、「連結」、「接続」の用語は広義的に理解されるべきである。例えば、固定接続、又は取り外す可能な接続、又は一体化接続であってもよい。機械的接続、又は電気的接続であってもよい。直接接続、又はリンカーを介する間接接続、又は２つの素子の内部連通であってもよい。当業者なら、具体的な状況に応じて上記専門用語の本開示での具体的な意味を理解することができる。

【0030】

本明細書において、トランジスタとは、少なくともゲート電極、ドレイン電極及びソース電極の３つの端子を含む素子を指す。トランジスタはドレイン電極（ドレイン電極端子、ドレイン領域又はドレイン電極）とソース電極（ソース電極端子、ソース領域又はソース電極）との間にチャネル領域を有し、電流はドレイン電極、チャネル領域及びソース電極を流れることができる。なお、本明細書において、チャネル領域とは電流が主に流れる領域を指す。

【0031】

本明細書において、第１極はドレイン電極、第２極はソース電極であってもよく、又は、第１極はソース電極、第２極はドレイン電極であってもよい。極性が反対であるトランジスタを使用する場合、又は回路における作業中の電流方向が変更する場合等に、「ソース電極」と「ドレイン電極」の機能は互いに変換する場合がある。従って、本明細書において、「ソース電極」と「ドレイン電極」は互いに変換してもよい。

【0032】

本明細書において、「電気的接続」は構成要素がある電気的作用を有する素子を介して接続される場合を含む。「ある電気的作用を有する素子」は特に制限されず、接続される構成要素間での電気信号の送受信を行えればよい。「ある電気的作用を有する素子」の例は、電極と配線だけでなく、トランジスタ等のスイッチ素子、抵抗器、インダクタ、コンデンサ、及び他の様々な機能を備える素子等も含む。

【0033】

本明細書では、「平行」とは２本の直線からなる角度が－１０°以上１０°以下である状態を指すため、該角度が－５°以上５°以下である状態も含む。また、「垂直」とは２本の直線からなる角度が８０°以上１００°以下である状態を指すため、８５°以上９５°以下の角度の状態も含む。

【0034】

本明細書では、「膜」と「層」は互いに交換可能である。例えば、「導電層」は「導電膜」に変更され得る場合がある。同様に、「絶縁膜」は「絶縁層」に変更され得る場合もある。

【0035】

本明細書における三角形、矩形、台形、五角形又は六角形等は厳密なものではなく、近似の三角形、矩形、台形、五角形又は六角形等であってもよく、公差による小さな変形が存在してもよく、進み角、弧辺及び変形が存在してもよい。

【0036】

本開示における「約」とは境界を厳密に限定せず、プロセスと測定の誤差範囲内の数値を許容する場合を指す。

【0037】

図１は表示装置の構造模式図である。図１に示すように、表示装置はタイミングコントローラー、データドライバー、走査ドライバー、発光ドライバー及び画素アレイを備える。タイミングコントローラーはそれぞれデータドライバー、走査ドライバー及び発光ドライバーに接続され、データドライバーはそれぞれ複数のデータ信号線（Ｄ１～Ｄｎ）に接続され、走査ドライバーはそれぞれ複数の走査信号線（Ｓ１～Ｓｍ）に接続され、発光ドライバーはそれぞれ複数の発光信号線（Ｅ１～Ｅｏ）に接続される。画素アレイは複数のサブ画素Ｐｘｉｊを含み、ｉとｊは自然数である。少なくとも１つのサブ画素Ｐｘｉｊは回路ユニット及び回路ユニットに接続される発光デバイスを含み、回路ユニットは少なくとも１つの走査信号線、少なくとも１つのデータ信号線、少なくとも１つの発光信号線及び画素駆動回路を含む。例示的な実施形態では、タイミングコントローラーは、データドライバーの規格に適合する灰色値及び制御信号をデータドライバーに提供し、走査ドライバーの規格に適合するクロック信号、走査開始信号等を走査ドライバーに提供し、発光ドライバーの規格に適合するクロック信号、発射停止信号等を発光ドライバーに提供する。データドライバーはタイミングコントローラーから受信した灰色値及び制御信号を利用して、データ信号線Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、…、Ｄｎに提供するデータ電圧を生成する。例えば、データドライバーはクロック信号を利用して灰色値をサンプリングし、且つ画素行を単位として灰色値に対応するデータ電圧をデータ信号線Ｄ１～Ｄｎに印加することができ、ｎが自然数である。走査ドライバーはタイミングコントローラーからクロック信号、走査開始信号等を受信することにより、走査信号線Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓｍに提供する走査信号を生成することができる。例えば、走査ドライバーはターンオンレベルパルスを有する走査信号を順次に走査信号線Ｓ１～Ｓｍに提供することができる。例えば、走査ドライバーはシフトレジスタの形式として構成され、クロック信号の制御下でターンオンレベルパルスの形式で提供される走査開始信号を順次に次段の回路に輸送することにより走査信号を生成することができ、ｍが自然数である。発光ドライバーはタイミングコントローラーからクロック信号、発射停止信号等を受信することにより、発光信号線Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、…、Ｅｏに提供する発射信号を生成することができる。例えば、発光ドライバーはカットオフレベルパルスを有する発射信号を順次に発光信号線Ｅ１～Ｅｏに提供することができる。例えば、発光ドライバーはシフトレジスタの形式として構成され、クロック信号の制御下でカットオフレベルパルスの形式で提供される発射停止信号を順次に次段の回路に輸送することにより発射信号を生成することができ、ｏが自然数である。

【0038】

インテリジェント端末等の製品について、一般的にフロントカメラ、指紋センサ又は光線センサ等のデバイスを設置する必要があり、ディスプレイ対ボディ比率を高めるために、フルスクリーン又は狭いフレーム等の製品には通常表示領域穿孔技術が採用され、フロントカメラ、指紋センサ又は光線センサ等のデバイスを機能ホール内に設置する。機能ホールの側壁は有機発光層と陰極を露出させるため、空気中の水と酸素は有機発光層に沿って表示基板に浸入し、有機発光層を失効させ、表示不良を招く。このため、表示基板に穿孔する方案の問題点の１つは封止の有効性である。

【0039】

図２は表示基板の平面構造模式図である。図２に示すように、表示基板に平行する平面において、表示基板は表示領域１００及び表示領域１００に位置する少なくとも１つのホール領域２００を含み得ており、表示領域１００は画像表示を行うように設定され、ホール領域２００は光学装置を取り付けるように設定される。例示的な実施形態では、ホール領域２００は少なくとも１つの機能ホール２１０及び機能ホール２１０を取り囲む仕切領域２２０を含み得ており、即ち仕切領域２２０は機能ホール２１０と表示領域１００との間に設置され、仕切領域２２０は少なくとも１つの仕切構造を設置するように設定され、仕切構造は機能ホール中の水と酸素の表示基板への浸入を遮断して表示基板の有効性を確保するように設定される。

【0040】

例示的な実施形態では、ホール領域２００の表示領域１００での位置は制限されず、ホール領域２００は表示領域１００内に位置し、例えば表示領域１００の上部又は下部に位置してもよく、又は、ホール領域２００は表示領域１００のエッジに位置してもよく、本開示はここで限定しない。

【0041】

例示的な実施形態では、表示基板に平行する平面内において、ホール領域２００の形状は矩形、多角形、円形及び楕円形のいずれか１種又は複数種であってもよく、光学装置は撮影装置、指紋識別装置又は３Ｄイメージング等の光学センサであってもよく、本開示はここで限定しない。

【0042】

例示的な実施形態では、機能ホール２１０におけるベースと構造膜層は完全に除去され、ビア構造を形成し、又は、機能ホール２１０における一部のベースと一部の構造膜層は除去され、ブラインドホール構造を形成し、本開示はここで限定しない。

【0043】

図３は表示領域の平面構造模式図である。図３に示すように、表示領域はマトリックスの形態で配列される複数の画素ユニットＰを含み得る。少なくとも１つの画素ユニットＰは第１色光線を射出する第１サブ画素Ｐ１、第２色光線を射出する第２サブ画素Ｐ２、第３色光線を射出する第３サブ画素Ｐ３、及び第４色光線を射出する第４サブ画素Ｐ４を含み得る。４つのサブ画素はいずれも画素駆動回路と発光デバイスを含み得る。４つのサブ画素における画素駆動回路はそれぞれ走査信号線、データ信号線及び発光信号線に接続される。画素駆動回路は走査信号線と発光信号線の制御下で、データ信号線から伝送されるデータ電圧を受信して、発光デバイスに対応の電流を出力するように設定される。４つのサブ画素における発光デバイスはそれぞれ所在するサブ画素の画素駆動回路に接続される。発光デバイスは所在するサブ画素の画素駆動回路から出力された電流に応答して、対応する輝度の光を発射するように設定される。

【0044】

例示的な実施形態では、第１サブ画素Ｐ１は赤色（Ｒ）光線を射出する赤色サブ画素、第２サブ画素Ｐ２は緑色（Ｇ）光線を射出する緑色サブ画素、第３サブ画素Ｐ３は青色（Ｂ）光線を射出する青色サブ画素、第４サブ画素Ｐ４は緑色（Ｇ）光線を射出する緑色サブ画素であってもよい。例示的な実施形態では、画素ユニットにおけるサブ画素の形状は矩形、菱形、五角形又は六角形等であってもよく、水平配列、垂直配列、正方形（Ｓｑｕａｒｅ）又はダイヤモンド形（Ｄｉａｍｏｎｄ）等の方式で配列されてもよく、本開示はここで限定しない。

【0045】

例示的な実施形態では、４つのサブ画素は赤色サブ画素、緑色サブ画素、青色サブ画素、及び白色（Ｗ）光線を射出する白色サブ画素を含み得る。例示的な実施形態では、画素ユニットは３つのサブ画素、例えば赤色サブ画素、青色サブ画素及び緑色サブ画素を含み得る。３つのサブ画素は水平配列、垂直配列又は品の字形等の方式で配列されてもよく、本開示はここで限定しない。

【0046】

図４は画素駆動回路の等価回路模式図である。例示的な実施形態では、画素駆動回路は３Ｔ１Ｃ、４Ｔ１Ｃ、５Ｔ１Ｃ、５Ｔ２Ｃ、６Ｔ１Ｃ又は７Ｔ１Ｃ構造であってもよい。図４に示すように、画素駆動回路は７つのトランジスタ（第１トランジスタＴ１～第７トランジスタＴ７）と１つの蓄積コンデンサＣを含み得ており、画素駆動回路は７つの信号線（データ信号線Ｄ、第１走査信号線Ｓ１、第２走査信号線Ｓ２、発光信号線Ｅ、初期信号線ＩＮＩＴ、第１の第１仕切構造ＶＤＤ及び第２の第１仕切構造ＶＳＳ）に接続される。

【0047】

例示的な実施形態では、画素駆動回路は第１ノードＮ１、第２ノードＮ２及び第３ノードＮ３を含み得る。そのうち、第１ノードＮ１はそれぞれ第３トランジスタＴ３の第１極、第４トランジスタＴ４の第２極及び第５トランジスタＴ５の第２極に接続される。第２ノードＮ２はそれぞれ第１トランジスタの第２極、第２トランジスタＴ２の第１極、第３トランジスタＴ３の制御極及び蓄積コンデンサＣの第２端に接続される。第３ノードＮ３はそれぞれ第２トランジスタＴ２の第２極、第３トランジスタＴ３の第２極及び第６トランジスタＴ６の第１極に接続される。

【0048】

例示的な実施形態では、蓄積コンデンサＣの第１端は第１の第１仕切構造ＶＤＤに接続され、蓄積コンデンサＣの第２端は第２ノードＮ２に接続され、即ち、蓄積コンデンサＣの第２端は第３トランジスタＴ３の制御極に接続される。

【0049】

第１トランジスタＴ１の制御極は第２走査信号線Ｓ２に接続され、第１トランジスタＴ１の第１極は初期信号線ＩＮＩＴに接続され、第１トランジスタの第２極は第２ノードＮ２に接続される。ターンオンレベル走査信号が第２走査信号線Ｓ２に印加された場合、第１トランジスタＴ１は初期化電圧を第３トランジスタＴ３の制御極に輸送して、第３トランジスタＴ３の制御極の電荷量を初期化させる。

【0050】

第２トランジスタＴ２の制御極は第１走査信号線Ｓ１に接続され、第２トランジスタＴ２の第１極は第２ノードＮ２に接続され、第２トランジスタＴ２の第２極は第３ノードＮ３に接続される。ターンオンレベル走査信号が第１走査信号線Ｓ１に印加された場合、第２トランジスタＴ２は第３トランジスタＴ３の制御極を第２極に接続する。

【0051】

第３トランジスタＴ３の制御極は第２ノードＮ２に接続され、即ち、第３トランジスタＴ３の制御極は蓄積コンデンサＣの第２端に接続され、第３トランジスタＴ３の第１極は第１ノードＮ１に接続され、第３トランジスタＴ３の第２極は第３ノードＮ３に接続される。第３トランジスタＴ３は駆動トランジスタと称されてもよい。第３トランジスタＴ３はその制御極と第１極との電位差に基づいて、第１の第１仕切構造ＶＤＤと第２の第１仕切構造ＶＳＳとの間に流れる駆動電流の量を決定する。

【0052】

第４トランジスタＴ４の制御極は第１走査信号線Ｓ１に接続され、第４トランジスタＴ４の第１極はデータ信号線Ｄに接続され、第４トランジスタＴ４の第２極は第１ノードＮ１に接続される。第４トランジスタＴ４はスイッチトランジスタ、走査トランジスタ等と称されてもよい。ターンオンレベル走査信号が第１走査信号線Ｓ１に印加された場合、第４トランジスタＴ４はデータ信号線Ｄのデータ電圧を画素駆動回路に入力させる。

【0053】

第５トランジスタＴ５の制御極は発光信号線Ｅに接続され、第５トランジスタＴ５の第１極は第１の第１仕切構造ＶＤＤに接続され、第５トランジスタＴ５の第２極は第１ノードＮ１に接続される。第６トランジスタＴ６の制御極は発光信号線Ｅに接続され、第６トランジスタＴ６の第１極は第３ノードＮ３に接続され、第６トランジスタＴ６の第２極は発光デバイスの第１極に接続される。第５トランジスタＴ５と第６トランジスタＴ６は発光トランジスタと称されてもよい。ターンオンレベル発光信号が発光信号線Ｅに印加された場合、第５トランジスタＴ５と第６トランジスタＴ６は、第１の第１仕切構造ＶＤＤと第２の第１仕切構造ＶＳＳとの間に駆動電流経路を形成することにより、発光デバイスに発光させる。

【0054】

第７トランジスタＴ７の制御極は第１走査信号線Ｓ１に接続され、第７トランジスタＴ７の第１極は初期信号線ＩＮＩＴに接続され、第７トランジスタＴ７の第２極は発光デバイスの第１極に接続される。ターンオンレベル走査信号が第１走査信号線Ｓ１に印加された場合、第７トランジスタＴ７は初期化電圧を発光デバイスの第１極に輸送して、発光デバイスの第１極に蓄積された電荷量を初期化させ、又は発光デバイスの第１極に蓄積された電荷量を解放する。

【0055】

例示的な実施形態では、発光デバイスの第２極は第２の第１仕切構造ＶＳＳに接続され、第２の第１仕切構造ＶＳＳの信号は低レベル信号であり、第１の第１仕切構造ＶＤＤの信号は高レベルを提供し続ける信号である。第１走査信号線Ｓ１は該表示行画素駆動回路における走査信号線であり、第２走査信号線Ｓ２は前の１つの表示行画素駆動回路における走査信号線である。即ち、ｎ番目の表示行について、第１走査信号線Ｓ１はＳ（ｎ）であり、第２走査信号線Ｓ２はＳ（ｎ－１）である。該表示行の第２走査信号線Ｓ２と前の１つの表示行画素駆動回路における第１走査信号線Ｓ１は同一の信号線であり、表示パネルの信号線を減少して、表示パネルの狭いフレームを実現することができる。

【0056】

例示的な実施形態では、第１トランジスタＴ１～第７トランジスタＴ７はＰ型トランジスタ、又はＮ型トランジスタであってもよい。画素駆動回路に同じタイプのトランジスタを採用することにより、プロセスフローを簡素化して、表示パネルのプロセス難易度を低減して、製品の良品率を向上させることができる。幾つかの可能な実現形態では、第１トランジスタＴ１～第７トランジスタＴ７はＰ型トランジスタとＮ型トランジスタを含み得る。

【0057】

例示的な実施形態では、第１走査信号線Ｓ１、第２走査信号線Ｓ２、発光信号線Ｅ及び初期信号線ＩＮＩＴは水平方向に沿って延伸し、第２の第１仕切構造ＶＳＳ、第１の第１仕切構造ＶＤＤ及びデータ信号線Ｄは垂直方向に沿って延伸する。

【0058】

例示的な実施形態では、発光デバイスは有機発光トランジスタ（ＯＬＥＤ）であってもよく、積層設置される第１極（陽極）、有機発光層及び第２極（陰極）を含む。

【0059】

図５は画素駆動回路の動作タイミング図である。以下、図４に例示される画素駆動回路の作動過程を参照して、本開示の例示的な実施例を説明する。図４における画素駆動回路は７つのトランジスタ（第１トランジスタＴ１～第７トランジスタＴ７）、及び１つの蓄積コンデンサＣを含む。

【0060】

例示的な実施形態では、画素駆動回路の作動過程は下記の第１段階Ａ１、第２段階Ａ２及び第３段階Ａ３を含み得る。

【0061】

第１段階Ａ１はリセット段階と称され、第２走査信号線Ｓ２の信号は低レベル信号であり、第１走査信号線Ｓ１と発光信号線Ｅの信号は高レベル信号である。第２走査信号線Ｓ２の信号が低レベル信号であることにより、第１トランジスタＴ１をターンオンさせ、初期信号線ＩＮＩＴの信号を第２ノードＮ２に提供し、蓄積コンデンサＣを初期化し、蓄積コンデンサにおける元のデータ電圧をクリアする。第１走査信号線Ｓ１と発光信号線Ｅの信号が高レベル信号であることにより、第２トランジスタＴ２、第４トランジスタＴ４、第５トランジスタＴ５、第６トランジスタＴ６及び第７トランジスタＴ７をカットオフさせ、該段階においてＯＬＥＤは発光しない。

【0062】

第２段階Ａ２はデータ書き込み段階又は閾値補償段階と称され、第１走査信号線Ｓ１の信号は低レベル信号であり、第２走査信号線Ｓ２と発光信号線Ｅの信号は高レベル信号であり、データ信号線Ｄはデータ電圧を出力する。この段階では、蓄積コンデンサＣの第２端は低レベルであるため、第３トランジスタＴ３はターンオンされる。第１走査信号線Ｓ１の信号が低レベル信号であることにより、第２トランジスタＴ２、第４トランジスタＴ４及び第７トランジスタＴ７をターンオンさせる。第２トランジスタＴ２と第４トランジスタＴ４のターンオンにより、データ信号線Ｄから出力されたデータ電圧は第１ノードＮ１、ターンオンされた第３トランジスタＴ３、第３ノードＮ３、ターンオンされた第２トランジスタＴ２を経由して第２ノードＮ２に提供され、且つデータ信号線Ｄから出力されたデータ電圧と第３トランジスタＴ３の閾値電圧との差を蓄積コンデンサＣにチャージする。蓄積コンデンサＣの第２端（第２ノードＮ２）の電圧はＶｄ－｜Ｖｔｈ｜であり、Ｖｄはデータ信号線Ｄから出力されたデータ電圧であり、Ｖｔｈは第３トランジスタＴ３の閾値電圧である。第７トランジスタＴ７のターンオンにより、初期信号線ＩＮＩＴの初期電圧はＯＬＥＤの第１極に提供され、ＯＬＥＤの第１極を初期化（リセット）し、その内部の予め格納される電圧をクリアし、初期化を完成し、ＯＬＥＤが発光しないように確保する。第２走査信号線Ｓ２の信号が高レベル信号であることにより、第１トランジスタＴ１をカットオフさせる。発光信号線Ｅの信号が高レベル信号であることにより、第５トランジスタＴ５及び第６トランジスタＴ６をカットオフさせる。

【0063】

第３段階Ａ３は発光段階と称され、発光信号線Ｅの信号は低レベル信号であり、第１走査信号線Ｓ１と第２走査信号線Ｓ２の信号は高レベル信号である。発光信号線Ｅの信号が低レベル信号であることにより、第５トランジスタＴ５と第６トランジスタＴ６をターンオンさせ、第１の第１仕切構造ＶＤＤから出力された電源電圧はターンオンされた第５トランジスタＴ５、第３トランジスタＴ３及び第６トランジスタＴ６を経由してＯＬＥＤの第１極に駆動電圧を提供し、ＯＬＥＤの発光を駆動する。

【0064】

画素駆動回路の駆動過程において、第３トランジスタＴ３（駆動トランジスタ）を流れる駆動電流は、そのゲート電極と第１極との電圧差により決定される。第２ノードＮ２の電圧はＶｄａｔａ－｜Ｖｔｈ｜であるため、第３トランジスタＴ３の駆動電流は下記の式である。

【0065】

Ｉ＝Ｋ＊（Ｖｇｓ－Ｖｔｈ）^２＝Ｋ＊［（Ｖｄｄ－Ｖｄ＋｜Ｖｔｈ｜）－Ｖｔｈ］^２＝Ｋ＊［（Ｖｄｄ－Ｖｄ］^２

【0066】

式中、Ｉは第３トランジスタＴ３を流れる駆動電流、即ちＯＬＥＤを駆動する駆動電流であり、Ｋは定数であり、Ｖｇｓは第３トランジスタＴ３のゲート電極と第１極との電圧差であり、Ｖｔｈは第３トランジスタＴ３の閾値電圧であり、Ｖｄはデータ信号線Ｄから出力されたデータ電圧であり、Ｖｄｄは第１の第１仕切構造ＶＤＤから出力された電源電圧である。

【0067】

図６は本開示の例示的な実施例による表示基板の断面構造模式図である。例示的な実施形態では、表示基板は表示領域１００及び表示領域１００に位置する少なくとも１つのホール領域２００を含み得ており、ホール領域２００は機能ホール２１０及び機能ホール２１０を取り囲む仕切領域２２０を含み得る。図６には表示領域１００及び仕切領域２２０の断面構造を示し、図２におけるＡ－Ａ方向の断面図である。例示的な実施形態では、仕切領域２２０には機能ホール２１０を取り囲む少なくとも１つの仕切ダム３００が設置され、仕切ダム３００は機能ホール中の水と酸素の表示基板への浸入を遮断するように設定される。

【0068】

例示的な実施形態では、仕切ダム３００はベース１０に設置される第１仕切層４０及び第１仕切層４０のベース１０から離れる側に設置される第２仕切層５０を含み得ており、少なくとも１つの仕切層は第２サブ層及び第２サブ層のベースから離れる側に設置される第３サブ層を含み得ており、第３サブ層は第２サブ層の側壁に対して突出部を有し、突出部と第２サブ層の側壁は凹み構造を形成する。

【0069】

例示的な実施形態では、少なくとも１つの仕切層は第１サブ層を更に含み得ており、第２サブ層は第１サブ層のベースから離れる側に設置され得る。

【0070】

例示的な実施形態では、第１仕切層４０は積層設置される第１導電サブ層、第２導電サブ層及び第３導電サブ層を含み得ており、第２仕切層５０は積層設置される第１金属サブ層、第２金属サブ層及び第３金属サブ層を含み得る。

【0071】

例示的な実施形態では、第１仕切層４０の３つの導電サブ層は「工」字形構造を形成し得ており、第２仕切層５０の３つの金属サブ層は「工」字形構造を形成し得ており、第１仕切層４０と第２仕切層５０は一緒にダブル「工」字形構造が積層設置される仕切ダム構造を構成する。

【0072】

他の例示的な実施形態では、第１仕切層４０の３つの導電サブ層は「工」字形構造を形成し得ており、第２仕切層５０の３つの金属サブ層は台形構造を形成し得ており、第１仕切層４０と第２仕切層５０は一緒に上部の台形構造と下部の「工」字形構造が積層設置される仕切ダム構造を構成する。

【0073】

別の例示的な実施形態では、第１仕切層４０の３つの導電サブ層は台形構造を形成し得ており、第２仕切層５０の３つの金属サブ層は「工」字形構造を形成し得ており、第１仕切層４０と第２仕切層５０は一緒に上部の「工」字形構造と下部の台形構造が積層設置される仕切ダム構造を構成する。

【0074】

例示的な実施形態では、表示基板に垂直する平面内において、表示領域はベース１０に設置される駆動構造層１０１、駆動構造層１０１のベースから離れる側に設置される発光構造層１０２、及び発光構造層１０２のベースから離れる側に設置される封止構造層１０３を含み得る。例示的な実施形態では、駆動構造層１０１はベース１０に順次に設置される第１絶縁層１１、半導体層、第２絶縁層１２、第１導電層、第３絶縁層１３、第２導電層、第４絶縁層１４、第３導電層、第１平坦層１５、第４導電層及び第２平坦層１６を含み得る。半導体層は第１活性層を含み得ており、第１導電層は第１ゲート電極と第１極板を含み得ており、第２導電層は第２極板を含み得ており、第３導電層は第１ソース電極と第１ドレイン電極を含み得る。第１活性層、第１ゲート電極、第１ソース電極及び第１ドレイン電極はトランジスタ１００Ａを構成し得ており、第１極板と第２極板は蓄積コンデンサ１００Ｂを構成し得る。発光構造層１０２は陽極２１、画素定義層２２、有機発光層２３及び陰極２５を含み得ており、封止構造層１０３は積層設置される第１封止層３１、第２封止層３２及び第３封止層３３を含み得る。

【0075】

例示的な実施形態では、第１仕切層４０は第３導電層と同一層に設置されて、同一回のパターン化プロセスにより同時に形成され得ており、第２仕切層５０は第４導電層と同一層に設置されて、同一回のパターン化プロセスにより同時に形成され得る。

【0076】

例示的な実施形態では、仕切領域２２０には機能ホール２１０を取り囲む複数の仕切ダム３００が設置されて、複数周の仕切構造を形成し得る。

【0077】

図７は本開示の例示的な実施例による仕切ダムの構造模式図である。図７に示すように、本例示的な実施例の仕切ダムは第１仕切層４０及び第１仕切層４０のベースから離れる側に設置される第２仕切層５０を含み得る。第１仕切層４０は第１導電サブ層４１、第１導電サブ層４１のベースから離れる側に設置される第２導電サブ層４２、及び第２導電サブ層４２のベースから離れる側に設置される第３導電サブ層４３を含み得る。第２仕切層５０は第３導電サブ層４３のベースから離れる側に設置される第１金属サブ層５１、第１金属サブ層５１のベースから離れる側に設置される第２金属サブ層５２、及び第２金属サブ層５２のベースから離れる側に設置される第３金属サブ層５３を含み得る。

【0078】

例示的な実施形態では、第１導電サブ層４１と第３導電サブ層４３は第２導電サブ層４２の側壁４０Ｂに対して突出部を有し、上下の２つの突出部と第２サブ層の側壁４０Ｂは凹み構造を形成し、それにより積層設置される第１導電サブ層４１、第２導電サブ層４２及び第３導電サブ層４３は第１「工」字形構造を形成する。

【0079】

例示的な実施形態では、第１金属サブ層５１と第３金属サブ層５３は第２金属サブ層５２の側壁５０Ｂに対して突出部を有し、上下の２つの突出部と第２金属層の側壁５０Ｂは凹み構造を形成し、それにより積層設置される第１金属サブ層５１、第２金属サブ層５２及び第３金属サブ層５３は第２「工」字形構造を形成する。

【0080】

例示的な実施形態では、第１「工」字形構造及び第１「工」字形構造のベースから離れる側に設置される第２「工」字形構造は、ダブル「工」字形構造が積層設置される仕切ダム構造を構成する。

【0081】

例示的な実施形態では、第２「工」字形構造の全体幅は第１「工」字形構造の全体幅よりも小さくてもよく、即ち仕切ダム構造は上層が小さく下層が大きい全体形態を有し、幅は機能ホールから離れる方向のサイズである。

【0082】

例示的な実施形態では、第３導電サブ層４３の幅ＬＴ１は第１導電サブ層４１の幅ＬＢ１以下であってもよく、第３導電サブ層４３のベースでの正投影は第１導電サブ層４１のベースでの正投影の範囲内に位置してもよい。

【0083】

例示的な実施形態では、第２導電サブ層４２の幅ＬＭ１は第１導電サブ層４１の幅ＬＢ１よりも小さくてもよく、第２導電サブ層４２のベースでの正投影は第１導電サブ層４１のベースでの正投影の範囲内に位置してもよい。

【0084】

例示的な実施形態では、第２導電サブ層４２の幅ＬＭ１は第３導電サブ層４３の幅ＬＴ１よりも小さくてもよく、第２導電サブ層４２のベースでの正投影は第３導電サブ層４３のベースでの正投影の範囲内に位置してもよい。

【0085】

例示的な実施形態では、第３金属サブ層５３の幅ＬＴ２は第１金属サブ層５１の幅ＬＢ２以下であってもよく、第３金属サブ層５３のベースでの正投影は第１金属サブ層５１のベースでの正投影の範囲内に位置してもよい。

【0086】

例示的な実施形態では、第２金属サブ層５２の幅ＬＭ２は第１金属サブ層５１の幅ＬＢ２よりも小さくてもよく、第２金属サブ層５２のベースでの正投影は第１金属サブ層５１のベースでの正投影の範囲内に位置してもよい。

【0087】

例示的な実施形態では、第２金属サブ層５２の幅ＬＭ２は第３金属サブ層５３の幅ＬＴ２よりも小さくてもよく、第２金属サブ層５２のベースでの正投影は第３金属サブ層５３のベースでの正投影の範囲内に位置してもよい。

【0088】

例示的な実施形態では、第１金属サブ層５１の幅ＬＢ２は第１導電サブ層４１の幅ＬＢ１よりも小さくてもよく、第１金属サブ層５１のベースでの正投影は第１導電サブ層４１のベースでの正投影の範囲内に位置してもよい。

【0089】

例示的な実施形態では、第２金属サブ層５２の幅ＬＭ２は第２導電サブ層４２の幅ＬＭ１よりも小さくてもよく、第２導電サブ層４２のベースでの正投影は第２金属サブ層５２のベースでの正投影の範囲内に位置してもよい。

【0090】

例示的な実施形態では、第３金属サブ層５３の幅ＬＴ２は第３導電サブ層４３の幅ＬＴ１よりも小さくてもよく、第３金属サブ層５３のベースでの正投影は第３導電サブ層４３のベースでの正投影の範囲内に位置してもよい。

【0091】

例示的な実施形態では、第１金属サブ層５１の幅ＬＢ２は第３導電サブ層４３の幅ＬＴ１以下であってもよく、第１金属サブ層５１のベースでの正投影は第３導電サブ層４３のベースでの正投影の範囲内に位置してもよい。

【0092】

以下では例示により表示基板の製造過程を説明する。本開示に説明される「パターン化プロセス」は、金属材料、無機材料又は透明導電材料に対して、フォトレジスト塗布、マスク露光、現像、エッチング、フォトレジスト剥離等の処理を含み、有機材料に対して、有機材料塗布、マスク露光及び現像等の処理を含む。堆積はスパッタリング、蒸着コーティング、化学気相堆積のうちのいずれか１種又は複数種を採用してもよい。塗布はスプレーコーティング、スピンコーティング及びインクジェット印刷のうちのいずれか１種又は複数種を採用してもよい。エッチングは乾式エッチング及び湿式エッチングのうちのいずれか１種又は複数種を採用してもよい。本開示は限定しない。「薄膜」とはある材料を利用してベースにおいて堆積、塗布又は他のプロセスにより製作された１層の薄膜を指す。製作過程全体において該「薄膜」はパターン化プロセスを必要としない場合、該「薄膜」は「層」とも称される。製作過程全体において該「薄膜」はパターン化プロセスを必要とする場合、パターン化プロセスの前に「薄膜」と称され、パターン化プロセスの後に「層」と称される。パターン化プロセスの後の「層」には少なくとも１つの「パターン」が含まれる。本開示に説明される「ＡとＢが同一層に設置される」こととは、ＡとＢが同一回のパターン化プロセスにより同時に形成されることを指す。膜層の「厚さ」は膜層の表示基板に垂直する方向でのサイズである。本開示の例示的な実施例では、「Ｂの正投影がＡの正投影の範囲内に位置する」ことは、Ｂの正投影の境界がＡの正投影の境界範囲内にあること、又はＡの正投影の境界がＢの正投影の境界と重なることを指す。

【0093】

例示的な実施形態では、表示基板は表示領域１００及びホール領域２００を含み得ており、ホール領域２００は機能ホール２１０及び機能ホール２１０を取り囲む仕切領域２２０を含み得ており、仕切領域２２０には少なくとも１周の仕切ダムが設置される。例示的な実施形態では、仕切領域２２０における１周の仕切ダム及び表示領域１００における１つのサブ画素を例として、本開示の例示的な実施例の表示基板の製造過程は下記の操作を含み得る。

【0094】

（１１）図８に示すように、ベースにトランジスタ構造層パターンを形成する。例示的な実施形態では、ベースにトランジスタ構造層パターンを形成することは、下記内容を含み得る。

【0095】

ベースに順次に第１絶縁薄膜と半導体薄膜を堆積し、パターン化プロセスにより半導体薄膜をパターン化して、ベースに設置される第１絶縁層１１、及び第１絶縁層１１に設置される半導体層パターンを形成し、半導体層パターンは少なくとも表示領域１００に位置する第１活性層を含む。

【0096】

それから、順次に第２絶縁薄膜と第１導電薄膜を堆積し、パターン化プロセスにより第１導電薄膜をパターン化して、半導体層パターンを覆う第２絶縁層１２、及び第２絶縁層１２に設置される第１導電層パターンを形成し、第１導電層パターンは少なくとも表示領域１００に位置する第１ゲート電極及び第１極板を含む。

【0097】

それから、順次に第３絶縁薄膜と第２導電薄膜を堆積し、パターン化プロセスにより第２導電薄膜をパターン化して、第１導電層を覆う第３絶縁層１３、及び第３絶縁層１３に設置される第２導電層パターンを形成し、第２導電層パターンは少なくとも表示領域１００に位置する第２極板を含み、第２極板のベースでの正投影と第１極板のベースでの正投影は少なくとも一部が重なる。

【0098】

それから、第４絶縁薄膜を堆積し、パターン化プロセスにより第４絶縁薄膜をパターン化して、第２導電層パターンを覆う第４絶縁層１４パターンを形成し、第４絶縁層１４には複数の活性ビアが形成され、複数の活性ビアは少なくとも表示領域１００に位置する少なくとも２つの活性ビアを含み、２つの活性ビアはそれぞれ第１活性層の両端を露出させる。

【0099】

それから、第３導電薄膜を堆積し、パターン化プロセスにより第３導電薄膜をパターン化して、第４絶縁層１４に第３導電層パターンを形成し、第３導電層パターンは少なくとも表示領域１００に位置する第１ソース電極、第１ドレイン電極、及び仕切領域２２０に位置する第１仕切層４０を含み、第１ソース電極と第１ドレイン電極はそれぞれ活性ビアを介して第１活性層の両端に接続される。例示的な実施形態では、第３導電層は第１ソース・ドレイン金属層（ＳＤ１）と称されてもよい。

【0100】

これまで、図８に示すように、トランジスタ構造層パターンの製造は完成する。例示的な実施形態では、表示領域１００における各サブ画素のトランジスタ構造層は、画素駆動回路を構成する複数のトランジスタと蓄積コンデンサを含み得ており、図８では１つのトランジスタ１００Ａと１つの蓄積コンデンサ１００Ｂを例とする。例示的な実施形態では、トランジスタ１００Ａは第１活性層、第１ゲート電極、第１ソース電極及び第１ドレイン電極を含み得ており、蓄積コンデンサ１００Ｂは第１極板と第２極板を含み得る。例示的な実施形態では、トランジスタは画素駆動回路における駆動トランジスタであってもよく、駆動トランジスタは薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴと略称される）であってもよい。

【0101】

例示的な実施形態では、仕切領域２２０のトランジスタ構造層は、ベース１０に設置される複合絶縁層、及び複合絶縁層のベースから離れる側に設置される第１仕切層４０を含み得る。複合絶縁層はベース１０に積層設置される第１絶縁層１１、第２絶縁層１２、第３絶縁層１３及び第４絶縁層１４を含み得る。

【0102】

例示的な実施形態では、ベースは剛性ベース、又はフレキシブルベースであってもよい。例示的な実施形態では、剛性ベースは硝子又は石英等の材料を採用してもよく、フレキシブルベースはポリイミド（ＰＩ）等の材料を採用してもよく、フレキシブルベースは単層構造、又は無機材料層とフレキシブル材料層からなる積層構造であってもよく、本開示はここで限定しない。

【0103】

例示的な実施形態では、第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層及び第４絶縁層はケイ素酸化物（ＳｉＯｘ）、ケイ素窒化物（ＳｉＮｘ）及びシリコンオキシニトリド（ＳｉＯＮ）のうちの１種又は複数種を採用してもよく、単層、複数層又は複合層であってもよい。第１絶縁層は緩衝（Ｂｕｆｆｅｒ）層、第２絶縁層と第３絶縁層はゲート絶縁（ＧＩ）層、第４絶縁層は層間絶縁（ＩＬＤ）層と称されてもよい。第１導電層、第２導電層及び第３導電層は金属材料、例えば銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）及びモリブデン（Ｍｏ）のうちの１種又は複数種、又は上記金属の合金材料、例えばアルミニウム－ネオジム合金（ＡｌＮｄ）又はモリブデン－ニオブ合金（ＭｏＮｂ）を採用してもよく、単層構造、又は複数層複合構造であってもよい。半導体層はアモルファス酸化インジウムガリウム亜鉛材料（ａ－ＩＧＺＯ）、酸窒化亜鉛（ＺｎＯＮ）、インジウム－亜鉛－スズ－酸化物（ＩＺＴＯ）、アモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）、多結晶シリコン（ｐ－Ｓｉ）、ヘキサチオフェン、ポリチオフェン等の各種材料を採用してもよい。即ち、本開示は酸化物（Ｏｘｉｄｅ）技術、ケイ素技術及び有機物技術に基づいて製造されるトランジスタに適用される。

【0104】

例示的な実施形態では、第３導電層は積層設置される第１導電サブ層、第２導電サブ層及び第３導電サブ層を含み得ており、第１導電サブ層と第３導電サブ層は金属のチタン（Ｔｉ）、第２導電サブ層は金属のアルミニウム（Ａｌ）を採用してもよく、それによりＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの複合構造を形成する。

【0105】

例示的な実施形態では、パターン化プロセスにより第４絶縁薄膜をパターン化する処理において、ホール領域における機能ホールの所在する位置に第１遷移孔（図示せず）を形成し得る。第１遷移孔はビアであってもよく、第１遷移孔内の第４絶縁層、第３絶縁層、第２絶縁層、第１絶縁層及びベースは除去され、又は、第１遷移孔はブラインドホールであってもよく、第１遷移孔内の第４絶縁層、第３絶縁層、第２絶縁層及び第１絶縁層は除去され、本開示はここで限定しない。

【0106】

（１２）第１平坦層パターンを形成する。例示的な実施形態では、図９に示すように、第１平坦層パターンの形成は、上記パターンを形成するベースに第１平坦薄膜を塗布し、パターン化プロセスにより第１平坦薄膜をパターン化して、第１平坦層１５パターンを形成することを含み得る。

【0107】

例示的な実施形態では、第１平坦層１５は表示領域１００のみに形成され、仕切領域２２０の第１平坦薄膜は除去される。表示領域１００の第１平坦層１５には第１接続ビアＫ１が開設され、第１接続ビアＫ１内の第１平坦薄膜は除去され、トランジスタ１００Ａの第１ドレイン電極の表面を露出させ、第１接続ビアＫ１は後続に形成される陽極接続電極が該ビアを介して第１ドレイン電極に接続されるように設定される。

【0108】

例示的な実施形態では、第１平坦薄膜に対するパターン化は、まず第１平坦薄膜に対して露光処理を行い、それから露光処理後の第１平坦薄膜に対して現像処理を行って、パターン化された第１平坦層１５を形成することを含み得る。

【0109】

例示的な実施形態では、現像処理の現像液は強アルカリ溶液を採用してもよい。仕切領域２２０の第１平坦薄膜が除去された後、第１仕切層４０の側面は露出するため、強アルカリ溶液の作用下で、第１仕切層４０の側面は現像液に侵食される。Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの複数層複合構造が採用される第１仕切層４０について、現像液のアルミニウム層（第２導電サブ層）に対する侵食速度はチタン層（第１導電サブ層と第３導電サブ層）に対する侵食速度よりも大きいため、侵食された第１仕切層４０の側面に側面窪みが形成され、アルミニウム層の上方及び上方のチタン層はアルミニウム層から一定の距離突出し、「工字形」構造を形成する。

【0110】

図１０は図９における第１仕切層の構造模式図である。図１０に示すように、第１仕切層４０は、第４絶縁層１４に積層設置される第１導電サブ層４１、第２導電サブ層４２及び第３導電サブ層４３を含み得ており、即ち第１導電サブ層４１は第４絶縁層１４のベースから離れる側に設置され、第２導電サブ層４２は第１導電サブ層４１のベースから離れる側に設置され、第３導電サブ層４３は第２導電サブ層４２のベースから離れる側に設置される。

【0111】

例示的な実施形態では、第１導電サブ層４１と第３導電サブ層４３の材料は金属のチタン、第２導電サブ層４２３の材料は金属のアルミニウムを採用してもよい。現像液の第２導電サブ層４２（アルミニウム）に対する侵食速度は第１導電サブ層４１と第３導電サブ層４３（チタン）に対する侵食速度よりも大きいため、現像液に侵食された後、第２導電サブ層４２の側面のエッチング量は第１導電サブ層４１と第３導電サブ層４３の側面のエッチング量よりも大きく、第１仕切層４０の側面に側面窪みが形成され、第１導電サブ層４１及び第３導電サブ層４３は第２導電サブ層４２から一定の距離突出し、「工」字形構造を形成する。

【0112】

例示的な実施形態では、「工」字形構造の第１仕切層４０において、第２導電サブ層４２の幅は第１導電サブ層４１の幅よりも小さくてもよく、第２導電サブ層４２のベースでの正投影は第１導電サブ層４１のベースでの正投影の範囲内に位置してもよく、第２導電サブ層４２の幅は第３導電サブ層４３の幅よりも小さくてもよく、第２導電サブ層４２のベースでの正投影は第３導電サブ層４３のベースでの正投影の範囲内に位置してもよい。

【0113】

（１３）第４導電層パターンを形成する。例示的な実施形態では、図１１に示すように、第４導電層パターンの形成は、上記パターンを形成するベースに第４導電薄膜を堆積し、パターン化プロセスにより第４導電薄膜をパターン化して、第４導電層パターンを形成することを含み得る。例示的な実施形態では、第４導電層は第２ソース・ドレイン金属層（ＳＤ２）と称されてもよい。

【0114】

例示的な実施形態では、第４導電層は表示領域１００に位置する陽極接続電極１７、及び仕切領域２２０に位置する第２仕切層５０を含み得る。陽極接続電極１７は表示領域１００の第１平坦層１５に設置され、陽極接続電極１７は第１接続ビアＫ１を介してトランジスタ１００Ａの第１ドレイン電極に接続される。第２仕切層５０は仕切領域２２０の第１仕切層４０に架設され、それにより第２仕切層５０と第１仕切層４０は直接に接続される。

【0115】

図１２は図１１における第１仕切層と第２仕切層の構造模式図である。図１２に示すように、第２仕切層５０は、第３導電サブ層４３に積層設置される第１金属サブ層５１、第２金属サブ層５２及び第３金属サブ層５３を含み得ており、即ち第１金属サブ層５１は第３導電サブ層４３のベースから離れる側に設置され、第２金属サブ層５２は第１金属サブ層５１のベースから離れる側に設置され、第３金属サブ層５３は第２金属サブ層５２のベースから離れる側に設置される。例示的な実施形態では、第１金属サブ層５１と第３金属サブ層５３の材料は金属のチタン、第２金属サブ層５２の材料は金属のアルミニウムを採用してもよい。

【0116】

例示的な実施形態では、第２仕切層５０の側面はほぼ揃っており、且つ第２仕切層５０の側面と第３導電サブ層４３の側面はほぼ揃っており、第１金属サブ層５１のベースでの正投影、第２金属サブ層５２のベースでの正投影、第３金属サブ層５３のベースでの正投影、及び第３導電サブ層４３のベースでの正投影はほぼ重なり得る。可能な実施形態では、第４導電薄膜のパターン化過程において、エッチング液のチタン層とアルミニウム層に対するエッチング速度は異なる可能性があるため、エッチング後、第１金属サブ層５１と第３金属サブ層５３の側面は第２金属サブ層５２から一定の距離突出し、本開示はここで限定しない。

【0117】

（１４）第２平坦層パターンを形成する。例示的な実施形態では、図１３に示すように、第２平坦層パターンの形成は、上記パターンを形成するベースに第２平坦薄膜を塗布し、パターン化プロセスにより第２平坦薄膜をパターン化して、第２平坦層１６パターンを形成することを含み得る。

【0118】

例示的な実施形態では、第２平坦層１６は表示領域１００のみに形成され、仕切領域２２０の第２平坦薄膜は除去される。表示領域１００の第２平坦層１６は陽極接続電極１７を覆い、第２平坦層１６には第２接続ビアＫ２が開設され、第２接続ビアＫ２内の第２平坦薄膜は除去され、陽極接続電極１７の表面を露出させ、第２接続ビアＫ２は後続に形成される陽極が該ビアを介して陽極接続電極に接続されるように設定される。

【0119】

例示的な実施形態では、第２平坦薄膜に対するパターン化は、まず第２平坦薄膜に対して露光処理を行い、それから露光処理後の第２平坦薄膜に対して現像処理を行って、パターン化された第２平坦層１６を形成することを含み得る。

【0120】

例示的な実施形態では、第２平坦層は有機材料、例えば樹脂等を採用してもよい。

【0121】

図１４は図１３における第１仕切ダムと第２仕切ダムの構造模式図である。図１４に示すように、例示的な実施形態では、現像処理の現像液は強アルカリ溶液を採用してもよい。仕切領域２２０の第２平坦薄膜が除去された後、第１仕切層４０の側面と第２仕切層５０の側面は露出するため、強アルカリ溶液の作用下で、第１仕切層４０と第２仕切層５０の側面は現像液に侵食される。Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの複数層複合構造が採用される第１仕切層４０と第２仕切層５０について、現像液のアルミニウム層に対する侵食速度はチタン層に対する侵食速度よりも大きいため、侵食された第２仕切層５０の側面に側面窪みが形成され、アルミニウム層の上方及び上方のチタン層はアルミニウム層から一定の距離突出し、「工」字形構造を形成する。

【0122】

例示的な実施形態では、「工」字形構造の第２仕切層５０において、第２金属サブ層５２の幅は第１金属サブ層５１の幅よりも小さくてもよく、第２金属サブ層５２のベースでの正投影は第１金属サブ層５１のベースでの正投影の範囲内に位置してもよく、第２金属サブ層５２の幅は第３金属サブ層５３の幅よりも小さくてもよく、第２金属サブ層５２のベースでの正投影は第３金属サブ層５３のベースでの正投影の範囲内に位置してもよい。

【0123】

例示的な実施形態では、第１金属サブ層５１の幅は第３導電サブ層４３の幅に等しくてもよく、第１金属サブ層５１の側面と第３導電サブ層４３の側面は揃ってもよく、第１金属サブ層５１のベースでの正投影と第３導電サブ層４３のベースでの正投影はほぼ重なり得る。

【0124】

例示的な実施形態では、まず陽極接続電極１７を覆う第５絶縁層を形成し、それから第５絶縁層に第２平坦層１６を形成するようにしてもよく、第５絶縁層は表示領域１００のみに形成されてもよく、本開示はここで限定しない。例示的な実施形態では、第５絶縁層はケイ素酸化物（ＳｉＯｘ）、ケイ素窒化物（ＳｉＮｘ）及びシリコンオキシニトリド（ＳｉＯＮ）のうちの１種又は複数種を採用してもよく、単層、複数層又は複合層であってもよく、第５絶縁層は鈍化（ＰＶＸ）層と称されてもよい。

【0125】

これまで、表示領域１００の駆動構造層１０１と仕切領域２２０のホール領域構造層２０１のパターンの製造は完成する。

【0126】

例示的な実施形態では、表示領域１００の駆動構造層１０１はベース１０に順次に積層設置される第１絶縁層１１、半導体層、第２絶縁層１２、第１導電層、第３絶縁層１３、第２導電層、第４絶縁層１４、第３導電層、第１平坦層１５、第４導電層及び第２平坦層１６を含み得る。半導体層は第１活性層を含み得ており、第１導電層は第１ゲート電極及び第１極板を含み得ており、第２導電層は第２極板を含み得ており、第３導電層は第１ソース電極及び第１ドレイン電極を含み得ており、第４導電層は陽極接続電極を含み得ており、陽極接続電極は第１接続ビアを介して第１ドレイン電極に接続される。

【0127】

例示的な実施形態では、仕切領域２２０のホール領域構造層２０１は、ベース１０に順次に積層設置される複合絶縁層、第１仕切層４０及び第２仕切層５０を含み得ており、第１仕切層４０は複合絶縁層のベースから離れる側に設置され、第２仕切層５０は第１仕切層４０のベースから離れる側に設置され、積層設置される第１仕切層４０と第２仕切層５０は仕切ダム構造を構成する。第１仕切層４０は駆動構造層１０１における第３導電層と同一層に設置されて、同一回のパターン化プロセスにより同時に形成され得ており、第２仕切層５０は駆動構造層１０１における第４導電層と同一層に設置されて、同一回のパターン化プロセスにより同時に形成され得る。

【0128】

（１５）陽極導電層パターンを形成する。例示的な実施形態では、図１５に示すように、陽極導電層パターンの形成は、上記パターンを形成するベースに陽極導電薄膜を堆積し、パターン化プロセスにより陽極導電薄膜をパターン化して、陽極導電層パターンを形成することを含み得る。

【0129】

例示的な実施形態では、陽極導電層パターンは少なくとも表示領域１００に位置する陽極２１を含み得ており、陽極２１は第２接続ビアＫ２を介して陽極接続電極１７に接続される。

【0130】

例示的な実施形態では、陽極導電層（ＡＮＤ）は金属材料又は透明導電材料を採用してもよく、金属材料は銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）及びモリブデン（Ｍｏ）のうちの１種又は複数種、又は上記金属の合金材料を含み得ており、透明導電材料は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）又は酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）を含み得る。例示的な実施形態では、陽極導電層は単層構造、又は複数層複合構造、例えばＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯ等であってもよい。

【0131】

図１６は図１５における第１仕切層と第２仕切層の構造模式図である。図１６に示すように、例示的な実施形態では、陽極導電薄膜のパターン化におけるエッチングプロセスは、湿式エッチング処理を採用してもよい。仕切領域２２０の陽極導電薄膜が除去された後、第１仕切層４０と第２仕切層５０の側面は露出するため、エッチング液の作用下で、第１仕切層４０と第２仕切層５０の側面はエッチング液にエッチングされる。エッチング液のアルミニウム層に対するエッチング速度はチタン層に対するエッチング速度よりも大きいため、第１仕切層４０と第２仕切層５０の側面窪みが激しくなり、アルミニウム層の上方及び上方のチタン層はアルミニウム層から一定の距離突出し、第１仕切層４０と第２仕切層５０はそれぞれ「工」字形構造を形成する。

【0132】

例示的な実施形態では、第２仕切層５０は第１仕切層４０のベースから離れる側に位置するため、エッチング液の第２仕切層５０に対するエッチング程度はエッチング液の第１仕切層４０に対するエッチング程度よりも大きく、即ち第２仕切層５０における第２金属サブ層５２のエッチング量は第１仕切層４０における第２導電サブ層４２のエッチング量よりも多く、第２仕切層５０における第１金属サブ層５１と第３金属サブ層５３のエッチング量は第１仕切層４０における第１導電サブ層４１と第３導電サブ層４３のエッチング量よりも多い。

【0133】

例示的な実施形態では、機能ホールから離れる方向に沿って、第３金属サブ層５３の幅ＬＴ２は第１金属サブ層５１の幅ＬＢ２以下であってもよく、第３金属サブ層５３のベースでの正投影は第１金属サブ層５１のベースでの正投影の範囲内に位置してもよい。

【0134】

例示的な実施形態では、機能ホールから離れる方向に沿って、第２金属サブ層５２の幅ＬＭ２は第１金属サブ層５１の幅ＬＢ２よりも小さくてもよく、第２金属サブ層５２のベースでの正投影は第１金属サブ層５１のベースでの正投影の範囲内に位置してもよい。

【0135】

例示的な実施形態では、機能ホールから離れる方向に沿って、第２金属サブ層５２の幅ＬＭ２は第３金属サブ層５３の幅ＬＴ２よりも小さくてもよく、第２金属サブ層５２のベースでの正投影は第３金属サブ層５３のベースでの正投影の範囲内に位置してもよい。

【0136】

例示的な実施形態では、機能ホールから離れる方向に沿って、第３導電サブ層４３の幅ＬＴ１は第１導電サブ層４１の幅ＬＢ１以下であってもよく、第３導電サブ層４３のベースでの正投影は第１導電サブ層４１のベースでの正投影の範囲内に位置してもよい。

【0137】

例示的な実施形態では、機能ホールから離れる方向に沿って、第２導電サブ層４２の幅ＬＭ１は第１導電サブ層４１の幅ＬＢ１よりも小さくてもよく、第２導電サブ層４２のベースでの正投影は第１導電サブ層４１のベースでの正投影の範囲内に位置してもよい。

【0138】

例示的な実施形態では、機能ホールから離れる方向に沿って、第２導電サブ層４２の幅ＬＭ１は第３導電サブ層４３の幅ＬＴ１よりも小さくてもよく、第２導電サブ層４２のベースでの正投影は第３導電サブ層４３のベースでの正投影の範囲内に位置してもよい。

【0139】

例示的な実施形態では、機能ホールから離れる方向に沿って、第１金属サブ層５１の幅ＬＢ２は第１導電サブ層４１の幅ＬＢ１よりも小さくてもよく、第１金属サブ層５１のベースでの正投影は第１導電サブ層４１のベースでの正投影の範囲内に位置してもよい。

【0140】

例示的な実施形態では、機能ホールから離れる方向に沿って、第２金属サブ層５２の幅ＬＭ２は第２導電サブ層４２の幅ＬＭ１よりも小さくてもよく、第２導電サブ層４２のベースでの正投影は第２金属サブ層５２のベースでの正投影の範囲内に位置してもよい。

【0141】

例示的な実施形態では、機能ホールから離れる方向に沿って、第３金属サブ層５３の幅ＬＴ２は第３導電サブ層４３の幅ＬＴ１よりも小さくてもよく、第３金属サブ層５３のベースでの正投影は第３導電サブ層４３のベースでの正投影の範囲内に位置してもよい。

【0142】

例示的な実施形態では、機能ホールから離れる方向に沿って、第１金属サブ層５１の幅ＬＢ２は第３導電サブ層４３の幅ＬＴ１以下であってもよく、第１金属サブ層５１のベースでの正投影は第３導電サブ層４３のベースでの正投影の範囲内に位置してもよい。

【0143】

例示的な実施形態では、第１導電サブ層４１の幅ＬＢ１は約５．０μｍ～５．８μｍ、第２導電サブ層４２の幅ＬＭ１は約４．２μｍ～４．８μｍ、第３導電サブ層４３の幅ＬＴ１は約４．８μｍ～５．６μｍ、第１金属サブ層５１の幅ＬＢ２は約４．６μｍ～５．４μｍ、第２金属サブ層５２の幅ＬＭ２は約３．８μｍ～４．６μｍ、第３金属サブ層５３の幅ＬＴ２は約４．４μｍ～５．２μｍであってもよい。例えば、第１導電サブ層４１の幅ＬＢ１は約５．４μｍ、第２導電サブ層４２の幅ＬＭ１は約４．６μｍ、第３導電サブ層４３の幅ＬＴ１は約５．２μｍ、第１金属サブ層５１の幅ＬＢ２は約５．０μｍ、第２金属サブ層５２の幅ＬＭ２は約４．２μｍ、第３金属サブ層５３の幅ＬＴ２は約４．８μｍであってもよい。

【0144】

図１７は図１５における第１仕切層と第２仕切層の他の構造模式図である。図１７に示すように、第２仕切層５０は第１仕切層４０のベースから離れる側に位置するため、エッチング液の第２仕切層５０に対するエッチング程度はエッチング液の第１仕切層４０に対するエッチング程度よりも大きいだけでなく、第２導電サブ層４２と第２金属サブ層５２について、ベースから離れる側の領域のエッチング程度はベースに近い側の領域のエッチング程度よりも大きく、それにより第２導電サブ層４２と第２金属サブ層５２の断面形状は台形となる。

【0145】

例示的な実施形態では、台形の側壁は直線形、又は弧線形であってもよい。

【0146】

例示的な実施形態では、第２金属サブ層５２の断面形状は台形であるため、第３金属サブ層５３の第２金属サブ層５２から突出する部分は支持されずにベース方向に垂れる弧形となる。

【0147】

例示的な実施形態では、第３金属サブ層５３の縁部とベースとの距離Ｈ１は、第２金属サブ層５２のベースから離れる側の表面とベースとの距離Ｈ２よりも小さくてもよい。第３金属サブ層５３の縁部とは、第３金属サブ層５３の表示領域に近い側の縁部、及び第３金属サブ層５３の表示領域から離れる側の縁部を指す。

【0148】

（１６）画素定義層（Ｐｉｘｅｌ Ｄｅｆｉｎｅ ＬＭｙｅｒ、ＰＤＬと略称される）パターンを形成する。例示的な実施形態では、図１８に示すように、画素定義層パターンの形成は、上記パターンを形成するベースに画素定義薄膜を塗布し、パターン化プロセスにより画素定義薄膜をパターン化して、画素定義層２２パターンを形成することを含み得る。

【0149】

例示的な実施形態では、画素定義層２２は表示領域１００のみに形成されてもよく、仕切領域２２０の画素定義薄膜は除去される。表示領域１００における各サブ画素の画素定義層２２には画素開口が設置され、画素開口内の画素定義薄膜は除去され、所在するサブ画素の陽極２１の表面を露出させる。

【0150】

例示的な実施形態では、画素定義層の材料はポリイミド又はアクリル等を含み得る。例示的な実施形態では、ハーフトーンマスク（Ｈａｌｆ Ｔｏｎｅ Ｍａｓｋ）のパターン化プロセスを用いて、画素定義層を形成する際にスペーサーピラーパターンを形成し、スペーサーピラーは画素開口の外側に設置されてもよく、スペーサーピラーは後続の蒸着プロセスにおいてファインメタルマスクを支持するように設定され、本開示はここで限定しない。

【0151】

例示的な実施形態では、ベースに平行する平面内において、画素開口の形状は矩形、正方形、五角形、六角形、円形又は楕円形等であってもよい。ベースに垂直する平面内において、画素開口の断面形状は矩形又は台形等であってもよく、画素開口の内側側壁は平面又は弧面であってもよく、本開示はここで限定しない。

【0152】

（１７）有機発光層パターンを形成する。例示的な実施形態では、図１９に示すように、有機発光層パターンの形成は、上記パターンを形成するベースにおいて、蒸着方式又はインクジェット印刷方式により有機発光層２３と有機発光ブロック２４のパターンを形成する。

【0153】

例示的な実施形態では、有機発光層２３は表示領域１００と仕切領域２２０に位置してもよく、表示領域１００の有機発光層２３は画素開口を介して所在するサブ画素の陽極２１に接続されてもよく、仕切領域２２０の有機発光層２３は仕切領域２２０の仕切ダム構造以外の領域に位置してもよい。例示的な実施形態では、有機発光ブロック２４は仕切領域２２０の仕切ダム構造のベースから離れる側に位置してもよく、仕切領域２２０における有機発光ブロック２４と有機発光層２３は互いに分離される。

【0154】

図２０は図１９における仕切ダムによる有機発光材料の遮断の模式図である。図２０に示すように、仕切ダム構造における第２仕切層５０は「工」字形構造であり、上層の第３金属サブ層５３は第２金属サブ層５２から突出する「軒」構造を有するため、有機発光材料は第２仕切層５０の「軒」構造において切断され、第３金属サブ層５３のベースから離れる側に有機発光ブロック２４を形成する。例示的な実施形態では、有機発光ブロック２４のベースでの正投影は第３金属サブ層５３のベースでの正投影とほぼ重なり得る。

【0155】

例示的な実施形態では、仕切ダム構造における第１仕切層４０は「工」字形構造であり、上層の第３導電サブ層４３は第２導電サブ層４２から突出する「軒」構造を有するため、有機発光材料は第２仕切層５０の「軒」構造において切断されていなくても、有機発光材料も第１仕切層４０の「軒」構造において切断され、第３導電サブ層４３のベースから離れる側に有機発光ブロック２４を形成し、有機発光ブロック２４と有機発光層２３との分離を有効に確保する。本開示ではダブル「工」字形構造が積層設置される仕切ダムを設置することにより、有機発光ブロック２４と有機発光層２３との切断を最大限に確保し、水と酸素の伝送通路を切断し、水と酸素の侵入を有効に阻止し、封止の有効性と信頼性を確保することができる。

【0156】

例示的な実施形態では、仕切ダム構造が第１仕切層４０のみを含む場合、又は仕切ダム構造が第２仕切層５０のみを含む場合と比べて、仕切ダム構造は積層設置される第１仕切層４０と第２仕切層５０を含むため、仕切ダム構造の高さが大きく、有機発光材料を遮断する性能を最大限に向上させ、封止の有効性と信頼性を有効に高める。

【0157】

例示的な実施形態では、有機発光層は発光層（ＥＭＬ）と、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、電子阻止層（ＥＢＬ）、正孔阻止層（ＨＢＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、電子注入層（ＥＩＬ）のうちのいずれか１種又は複数種とを含み得る。

【0158】

例示的な実施形態では、下記製造方法により有機発光層を製造してもよい。まず、オープンマスク（Ｏｐｅｎ Ｍａｓｋ、ＯＰＭと略称される）の蒸着プロセス又はインクジェット印刷プロセスを用いて順次に正孔注入層、正孔輸送層及び電子阻止層を形成し、表示基板に正孔注入層、正孔輸送層及び電子阻止層の共通層を形成する。それから、ファインメタルマスク（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ、ＦＭＭと略称される）の蒸着プロセス又はインクジェット印刷プロセスを用いて、対応のサブ画素においてそれぞれ赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層を形成する。隣接するサブ画素の発光層には少量の重なる部分が存在してもよく（例えば、重なる部分がそれぞれの発光層パターンに占める面積は１０％よりも小さい）、又は、分離れてもよい。それから、オープンマスクの蒸着プロセス又はインクジェット印刷プロセスを用いて順次に正孔阻止層、電子輸送層及び電子注入層を形成し、表示基板に正孔阻止層、電子輸送層及び電子注入層の共通層を形成する。

【0159】

例示的な実施形態では、有機発光層はマイクロキャビティ調節層を含み得ており、陰極と陽極との間において有機発光層の厚さにマイクロキャビティ長さの設計を満足させる。例示的な実施形態では、正孔輸送層、電子阻止層、正孔阻止層又は電子輸送層をマイクロキャビティ調節層として採用してもよく、本開示はここで限定しない。

【0160】

例示的な実施形態では、発光層はホスト（Ｈｏｓｔ）材料及びホスト材料にドープされるドーパント（Ｄｏｐａｎｔ）材料を含み得ており、発光層のドーパント材料のドープ割合は１％～２０％である。該ドープ割合の範囲内において、一方で、発光層のホスト材料は励起子のエネルギーを発光層のドーパント材料に有効に転移して発光層のドーパント材料の発光を励起することができる。他方で、発光層のホスト材料は発光層のドーパント材料を「希釈」し、発光層のドーパント材料の分子間の衝突、及びエネルギー間の衝突による蛍光消光を有効に改善し、発光効率及びデバイスの寿命を向上させる。例示的な実施形態では、ドープ割合とはドーパント材料の質量と発光層の質量との比、即ち質量百分率を指す。例示的な実施形態では、多元蒸着プロセスによりホスト材料とドーパント材料の両方を蒸着して、ホスト材料とドーパント材料を均一に発光層に分散させることができる。蒸着過程においてドーパント材料の蒸着速度を制御することによりドープ割合を調節し、又はホスト材料とドーパント材料の蒸着速度比を制御することによりドープ割合を調節することができる。例示的な実施形態では、発光層の厚さは約１０ｎｍ～５０ｎｍであってもよい。

【0161】

例示的な実施形態では、正孔注入層は無機の酸化物、例えばモリブデンの酸化物、チタンの酸化物、バナジウムの酸化物、レニウムの酸化物、ルテニウムの酸化物、クロムの酸化物、ジルコニウムの酸化物、ハフニウムの酸化物、タンタルの酸化物、銀の酸化物、タングステンの酸化物又はマンガンの酸化物を採用してもよく、又は、強電子吸引系のｐ型ドーパントと正孔輸送材料のドーパントを採用してもよい。例示的な実施形態では、正孔注入層の厚さは約５ｎｍ～２０ｎｍであってもよい。

【0162】

例示的な実施形態では、正孔輸送層は正孔移動度が高い材料、例えば芳香族アミン類化合物を採用してもよく、その置換基はカルバゾール、メチルフルオレン、スピロフルオレン、ジベンゾチオフェン又はフラン等であってもよい。例示的な実施形態では、正孔輸送層の厚さは約４０ｎｍ～１５０ｎｍであってもよい。

【0163】

例示的な実施形態では、正孔阻止層と電子輸送層は芳香族複素環化合物、例えばベンゾイミダゾール誘導体、イミダゾピリジン誘導体、ベンゾイミダゾールフェナントリジン誘導体等のイミダゾール誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体等のジン誘導体、キノリン誘導体、イソキノリン誘導体、フェナントロリン誘導体等の、窒素含有六員環構造を含む化合物（複素環においてホスフィンオキシド系の置換基を有する化合物も含む）等を採用してもよい。例示的な実施形態では、正孔阻止層の厚さは約５ｎｍ～１５ｎｍ、電子輸送層の厚さは約２０ｎｍ～５０ｎｍであってもよい。

【0164】

例示的な実施形態では、電子注入層はアルカリ金属又は金属、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、マグネシウム（Ｍｇ）又はカルシウム（Ｃａ）等の材料、或いはこれらのアルカリ金属又は金属の化合物等を採用してもよい。例示的な実施形態では、電子注入層の厚さは約０．５ｎｍ～２ｎｍであってもよい。

【0165】

（１８）陰極パターンを形成する。例示的な実施形態では、図２１に示すように、陰極パターンの形成は、上記パターンを形成するベースにおいて、オープンマスクの蒸着方式により陰極２５と陰極ブロック２６のパターンを形成する。

【0166】

例示的な実施形態では、陰極２５は表示領域１００と仕切領域２２０に位置してもよく、全面構造であってもよい。表示領域１００の陰極２５は有機発光層２３に接続され、有機発光層と陽極及び陰極との同時接続を実現する。仕切領域２２０の陰極２５は仕切領域２２０の仕切ダム構造以外の領域に位置してもよく、仕切領域２２０の陰極ブロック２６は有機発光ブロック２４のベースから離れる側に位置してもよく、仕切領域２２０における陰極ブロック２６と陰極２５は互いに分離される。

【0167】

図２２は図２１における仕切ダムによる陰極の遮断の模式図である。図２２に示すように、仕切ダム構造における第２仕切層５０は「工」字形構造であり、上層の第３金属サブ層５３は第２金属サブ層５２から突出する「軒」構造を有するため、陰極材料は第２仕切層５０の「軒」構造において切断され、有機発光ブロック２４のベースから離れる側に陰極ブロック２６を形成する。例示的な実施形態では、陰極ブロック２６のベースでの正投影は有機発光ブロック２４のベースでの正投影とほぼ重なり得る。

【0168】

例示的な実施形態では、仕切ダム構造における第１仕切層４０は「工」字形構造であり、上層の第３導電サブ層４３は第２導電サブ層４２から突出する「軒」構造を有するため、陰極材料は第２仕切層５０の「軒」構造において切断されていなくても、陰極材料は第１仕切層４０の「軒」構造において切断され、有機発光ブロック２４のベースから離れる側に陰極ブロック２６を形成し、陰極ブロック２６と陰極２５との相互分離を有効に確保する。本開示ではダブル「工」字形構造が積層設置される仕切ダム構造を設置することにより、陰極ブロック２６と陰極２５との切断を最大限に確保し、水と酸素の伝送通路を切断し、水と酸素の侵入を有効に阻止し、封止の有効性と信頼性を確保することができる。

【0169】

例示的な実施形態では、仕切ダム構造が第１仕切層４０のみを含む場合、又は仕切ダム構造が第２仕切層５０のみを含む場合と比べて、仕切ダム構造は積層設置される第１仕切層４０と第２仕切層５０を含むため、仕切ダム構造の高さが大きく、陰極材料を遮断する性能を最大限に向上させ、封止の有効性と信頼性を最大限に高める。

【0170】

例示的な実施形態では、陰極はマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）及びリチウム（Ｌｉ）のうちの１種又は複数種、又は上記金属のうちの１種又は複数種からなる合金を採用してもよい。

【0171】

幾つかの可能な例示的な実施形態では、陰極パターンを形成した後に光学結合層パターンを形成してもよく、光学結合層は陰極に設置され、光学結合層の屈折率は陰極の屈折率よりも大きくてもよく、光取り出しに寄与して光取り出し効率を増加する。光学結合層の材料は有機材料、又は無機材料、或いは有機材料と無機材料の両方を採用してもよく、単層、複数層又は複合層であってもよく、本開示はここで限定しない。

【0172】

これまで、発光構造層１０２パターンの製造は完成する。表示領域１００の発光構造層１０２は陽極２１、画素定義層２２、有機発光層２３及び陰極２５を含み得ており、有機発光層２３は陽極２１と陰極２５との間に設置される。

【0173】

（１９）封止構造層パターンを形成する。例示的な実施形態では、図２３に示すように、封止構造層パターンの形成は、まずオープンマスクの堆積方式により第１封止薄膜を堆積し、表示領域１００と仕切領域２２０に第１封止層３１パターンを形成し、表示領域１００の第１封止層３１は陰極２５を覆い、仕切領域２２０の第１封止層３１は仕切ダム構造を囲む。それから、インクジェット印刷プロセスを用いて第２封止材料を印刷し、表示領域１００に第２封止層３２パターンを形成し、表示領域１００の第２封止層３２は第１封止層３１に設置される。それから、オープンマスクの堆積方式により第３封止薄膜を堆積し、表示領域１００と仕切領域２２０に第３封止層３３パターンを形成し、表示領域１００の第３封止層３３は第２封止層３２に設置され、仕切領域２２０の第３封止層３３は仕切ダム構造を囲む第１封止層３１の外側に設置される。

【0174】

例示的な実施例では、第１封止層と第３封止層はケイ素酸化物（ＳｉＯｘ）、ケイ素窒化物（ＳｉＮｘ）及びシリコンオキシニトリド（ＳｉＯＮ）のうちの１種又は複数種を採用してもよく、単層、複数層又は複合層であってもよく、化学気相堆積（ＣＶＤ）又は原子層堆積（ＡＬＤ）等の方式を採用してもよく、外部の水と酸素が発光構造層に進入できないことを確保できる。第２封止層は有機材料、例えば樹脂等を採用してもよく、表示領域の各膜層を囲む作用を実現し、構造安定性と平坦性を向上させる。このように、積層設置される第１封止層、第２封止層及び第３封止層は封止構造層を構成し、形成される無機材料／有機材料／無機材料の積層構造は、封止の完全性を確保し、外部の水と酸素から有効に隔離することができる。

【0175】

図２４は図２３における仕切ダム構造が第１封止層により囲まれる模式図である。図２４に示すように、第１封止層３１が仕切ダム構造を囲むことは、第１封止層３１が仕切ダム構造から露出する全部の表面を覆うこと、即ち、第１封止層３１が仕切ダム構造のベースから離れる側の陰極ブロック２６、仕切ダム構造の表示領域１００に向ける側の内側表面、及び仕切ダム構造の表示領域１００から離れる側の外側表面を覆って、第１封止層３１による仕切ダム構造に対する完全な囲みを形成することを指す。本開示の例示的な実施例では仕切ダム構造を設置し、仕切ダム構造が第１封止層と第３封止層により完全に囲まれることにより、水と酸素の伝送通路を切断し、水と酸素の侵入を有効に阻止し、封止の有効性と信頼性を確保することができる。

【0176】

これまで、封止構造層パターンを形成し、封止の完全性を確保し、外部の水と酸素から有効に隔離する。表示領域１００において、封止構造層は積層設置される第１封止層、第２封止層及び第３封止層を含み、無機材料／有機材料／無機材料の積層構造を形成することができる。仕切領域２２０において、封止構造層は積層設置される第１封止層と第３封止層を含み、無機材料／無機材料の積層構造を形成することができる。

【0177】

例示的な実施形態では、封止層の製造が完成した後、封止層にタッチ構造層（ＴＳＰ）を形成してもよく、タッチ構造層はタッチ電極層を含み得ており、又はタッチ電極層とタッチ絶縁層を含み得ており、本開示はここで限定しない。

【0178】

例示的な実施形態では、フレキシブル表示基板を製造する場合、表示基板の製造過程はバッキングフィルムの貼り付け、切断等のプロセスを更に含み得ており、本開示はここで限定しない。

【0179】

表示基板において、仕切領域２２０は第３導電層（ＳＤ１）を用いて複数周の仕切ダムを形成し、プロセス残量の要求が高いだけでなく、仕切ダム構造の遮断効果は有効であり、特に、信頼性要求が益々厳しくなり、信頼性テスト時間が益々長くなる場合に、水蒸気が単層の仕切ダムを超えて表示領域に伝達するリスクは存在する。また、「工」字形構造を採用する単層の仕切ダムの高さは低いため、後続に堆積方式を用いて第１封止層と第３封止層を形成するプロセスにおいて、「工」字形構造の上側の「軒」構造は気相堆積の粒子を遮断し、単層の仕切ダムの側面窪み内に封止材料が充填できず、空洞を形成するだけでなく、「工」字形構造の側壁の勾配は大きく、第１封止層と第３封止層には亀裂（ＣＶＤ ｃｒａｃｋ）が出現する。外部の水蒸気は空洞又は亀裂に進入した後、表示領域に拡散し、製品の失効を引き起こす。

【0180】

本開示の例示的な実施例の表示基板の構造及びその製造過程から分かるように、本開示の例示的な実施例の仕切ダム構造は第３導電層（ＳＤ１）からなる第１仕切層及び第４導電層（ＳＤ２）からなる第２仕切層を含み、仕切ダム構造の高さは約第３導電層と第４導電層の厚さの和であり、仕切ダム構造の高さは大きく、プロセス残量の要求を有効に低減するだけでなく、仕切ダム構造の遮断効果を有効に向上させ、水蒸気が仕切ダム構造を超えて表示領域に伝達するリスクを解消し、封止の有効性と信頼性を有効に高める。本開示では仕切ダム構造の高さを増加することにより、後続に堆積方式を用いて第１封止層と第３封止層を形成するプロセスにおける気相堆積の粒子の旋回空間は大きくなり、封止材料を仕切ダムの側面窪みに充填し易くなり、空洞の形成を回避する。本開示では第１仕切層と第２仕切層をいずれも「工」字形構造に設置し、二層積層設置される「工」字形構造が少なくとも２つの「軒」構造を形成することにより、有機発光材料の切断を最大限に確保し、仕切ダム構造の遮断効果を向上させるだけでなく、第１封止層と第３封止層の抗剪断応力の能力を最大限に強化し、第１封止層と第３封止層の剥離失効を有効に回避する。本開示では第２仕切層の幅を第１仕切層の幅よりも小さく設置し、即ち、第３金属サブ層の幅が第３導電サブ層の幅よりも小さく、第２金属サブ層の幅が第２導電サブ層の幅よりも小さく、第１金属サブ層の幅が第１導電サブ層の幅よりも小さいことにより、仕切ダム構造の側壁の勾配を全体的に減少し、第１封止層と第３封止層の堆積の勾配を有効に軽減し、仕切ダム構造の側壁における空洞形成を有効に回避するだけでなく、第１封止層と第３封止層における亀裂の発生を有効に回避する。本開示の例示的な実施例による表示基板は、封止失効を有効に回避し、表示基板の生産良品率及び製品信頼性を向上させ、製品品質及び使用寿命を高めることができる。本開示の例示的な実施例による表示基板の製造過程は、良好なプロセス互換性を有し、第１平坦層、第２平坦層及び陽極を形成するパターン化プロセスを利用すると同時に、二層の「工」字形構造の仕切ダム構造を形成することにより、プロセスの実現が簡単であり、実施し易く、生産効率が高く、生産コストが低く、良品率が高い。

【0181】

図２５は本開示の例示的な実施例による他の仕切ダムの構造模式図である。図２５に示すように、本例示的な実施例の仕切ダムは積層設置される第１仕切層４０と第２仕切層５０を含み得ており、第１仕切層４０は積層設置される第１導電サブ層４１、第２導電サブ層４２及び第３導電サブ層４３を含み得ており、第２仕切層５０は積層設置される第１金属サブ層５１、第２金属サブ層５２及び第３金属サブ層５３を含み得る。第１導電サブ層４１と第３導電サブ層４３は第２導電サブ層４２の側壁４０Ｂに対して突出部を有し、上下の２つの突出部と第２サブ層の側壁４０Ｂは凹み構造を形成し、それにより第１仕切層４０は第１「工」字形構造を形成する。第１金属サブ層５１と第３金属サブ層５３は第２金属サブ層５２の側壁５０Ｂに対して突出部を有し、上下の２つの突出部と第２金属層の側壁５０Ｂは凹み構造を形成し、それにより第２仕切層５０は第２「工」字形構造を形成する。

【0182】

例示的な実施形態では、第１「工」字形構造及び第１「工」字形構造のベースから離れる側に設置される第２「工」字形構造は、ダブル「工」字形構造が積層設置される仕切ダム構造を構成する。

【0183】

例示的な実施形態では、仕切ダム構造の上部の全体幅と下部の全体幅は仕切ダム構造の中部の全体幅よりも大きくてもよく、即ち仕切ダム構造は上部と下部が大きく、中部が小さい全体形態を有し、仕切ダム構造の側壁は「Ｃ」字形形態を形成する。

【0184】

例示的な実施形態では、第３導電サブ層４３の幅ＬＴ１は第１導電サブ層４１の幅ＬＢ１よりも小さくてもよく、第３導電サブ層４３のベースでの正投影は第１導電サブ層４１のベースでの正投影の範囲内に位置してもよい。

【0185】

例示的な実施形態では、第２導電サブ層４２の幅ＬＭ１は同時に第１導電サブ層４１の幅ＬＢ１と第３導電サブ層４３の幅ＬＴ１よりも小さくてもよく、第２導電サブ層４２のベースでの正投影は同時に第１導電サブ層４１と第３導電サブ層４３のベースでの正投影の範囲内に位置してもよい。

【0186】

例示的な実施形態では、第３金属サブ層５３の幅ＬＴ２は第１金属サブ層５１の幅ＬＢ２よりも大きくてもよく、第１金属サブ層５１のベースでの正投影は第３金属サブ層５３のベースでの正投影の範囲内に位置してもよい。

【0187】

例示的な実施形態では、第２金属サブ層５２の幅ＬＭ２は同時に第１金属サブ層５１の幅ＬＢ２と第３金属サブ層５３の幅ＬＴ２よりも小さくてもよく、第２金属サブ層５２のベースでの正投影は同時に第１金属サブ層５１と第３金属サブ層５３のベースでの正投影の範囲内に位置してもよい。

【0188】

例示的な実施形態では、第３金属サブ層５３の幅ＬＴ２は第１導電サブ層４１の幅ＬＢ１に等しくてもよく、第３金属サブ層５３のベースでの正投影と第１導電サブ層４１のベースでの正投影はほぼ同じくてもよい。

【0189】

例示的な実施形態では、第２金属サブ層５２の幅ＬＭ２は第２導電サブ層４２の幅ＬＭ１に等しくてもよく、第２導電サブ層４２のベースでの正投影と第２金属サブ層５２のベースでの正投影はほぼ同じくてもよい。

【0190】

例示的な実施形態では、第１金属サブ層５１の幅ＬＢ２は第３導電サブ層４３の幅ＬＴ１に等しくてもよく、第１金属サブ層５１のベースでの正投影と第３導電サブ層４３のベースでの正投影はほぼ同じくてもよい。

【0191】

例示的な実施形態では、第１導電サブ層４１の幅ＬＢ１は約５．０μｍ～５．８μｍ、第２導電サブ層４２の幅ＬＭ１は約３．８μｍ～４．６μｍ、第３導電サブ層４３の幅ＬＴ１は約４．０μｍ～４．８μｍ、第１金属サブ層５１の幅ＬＢ２は約４．０μｍ～４．８μｍ、第２金属サブ層５２の幅ＬＭ２は約３．８μｍ～４．６μｍ、第３金属サブ層５３の幅ＬＴ２は約４．４μｍ～５．２μｍであってもよい。例えば、第１導電サブ層４１の幅ＬＢ１は約５．４μｍ、第２導電サブ層４２の幅ＬＭ１は約４．２μｍ、第３導電サブ層４３の幅ＬＴ１は約４．４μｍ、第１金属サブ層５１の幅ＬＢ２は約４．４μｍ、第２金属サブ層５２の幅ＬＭ２は約４．２μｍ、第３金属サブ層５３の幅ＬＴ２は約４．８μｍであってもよい。

【0192】

例示的な実施形態では、本例示的な実施例の表示基板の製造過程は上記実施例とほぼ同じく、トランジスタ構造層、第１平坦層、第４導電層、第２平坦層、陽極導電層、画素定義層、有機発光層、陰極及び封止構造層の形成を含む。相違点は、陽極導電層のパターン化において、まず陽極導電薄膜を用いて第２仕切層５０における第３金属サブ層５３を保護し、湿式エッチングプロセスにより第２仕切層５０における第２金属サブ層５２と第１金属サブ層５１、第１仕切層４０における第１導電サブ層４１、第２導電サブ層４２及び第３導電サブ層４３をエッチングし、それから乾式エッチングプロセス（例えばＳＦ６）により続いてエッチングすることである。ＳＦ６のチタン層とアルミニウム層に対する速度が異なるため、主に第３導電サブ層４３と第１金属サブ層５１を除去できる。それから、湿式エッチングプロセスにより、第３金属サブ層５３を保護する陽極導電薄膜をエッチングし、最終的に側壁が「Ｃ」字形形態である仕切ダム構造を形成する。

【0193】

本例示的な実施例では仕切ダム構造の高さを増加することにより、仕切ダム構造の遮断効果を有効に高めるだけでなく、仕切ダムの側壁を「Ｃ」字形形態に形成することにより、封止材料層は仕切ダムの側壁を良好に覆い、仕切ダムの側壁における空洞形成を有効に回避できるだけでなく、封止材料層における亀裂の発生を有効に回避でき、封止失効を有効に回避し、表示基板の生産良品率及び製品信頼性を向上させることができる。

【0194】

図２６は本開示の例示的な実施例による更なる仕切ダムの構造模式図である。図２６に示すように、本例示的な実施例の仕切ダムは積層設置される第１仕切層４０と第２仕切層５０を含み得ており、第１仕切層４０は積層設置される第１導電サブ層４１、第２導電サブ層４２及び第３導電サブ層４３を含み得ており、第２仕切層５０は積層設置される第１金属サブ層５１、第２金属サブ層５２及び第３金属サブ層５３を含み得る。第１仕切層４０の断面形状は台形構造となり、第２仕切層５０の断面形状は「工」字形構造となり、台形構造と台形構造のベースから離れる側に設置される「工」字形構造は一緒に下部の台形構造、上部の「工」字形構造が積層設置される仕切ダム構造を構成する。

【0195】

例示的な実施形態では、第２導電サブ層４２の断面形状は台形となり、ベースから離れる側の第１上底、ベースに近い側の第１下底、及び第１上底と第１下底との間に接続される第１側壁４０Ｂを含む。例示的な実施形態では、第１側壁４０Ｂは直線形又は弧線形であってもよい。

【0196】

例示的な実施形態では、第１金属サブ層５１と第３金属サブ層５３は第２金属サブ層５２の側壁５０Ｂに対して突出部を有し、上下の２つの突出部と第２金属層の側壁５０Ｂは凹み構造を形成し、それにより第２仕切層５０は第２「工」字形構造を形成する。

【0197】

例示的な実施形態では、第３導電サブ層４３の幅ＬＴ１は第１導電サブ層４１の幅ＬＢ１よりも小さくてもよく、第３導電サブ層４３のベースでの正投影は第１導電サブ層４１のベースでの正投影の範囲内に位置してもよい。

【0198】

例示的な実施形態では、第３導電サブ層４３の幅ＬＴ１は第２導電サブ層４２における第１上底の幅に等しくてもよく、第１導電サブ層４１の幅ＬＢ１は第２導電サブ層４２における第１下底の幅に等しくてもよい。

【0199】

例示的な実施形態では、第３金属サブ層５３の幅ＬＴ２は第１金属サブ層５１の幅ＬＢ２以下であってもよく、第３金属サブ層５３のベースでの正投影は第１金属サブ層５１のベースでの正投影の範囲内に位置してもよい。

【0200】

例示的な実施形態では、第２金属サブ層５２の幅ＬＭ２は同時に第１金属サブ層５１の幅ＬＢ２と第３金属サブ層５３の幅ＬＴ２よりも小さくてもよく、第２金属サブ層５２のベースでの正投影は同時に第１金属サブ層５１と第３金属サブ層５３のベースでの正投影の範囲内に位置してもよい。

【0201】

例示的な実施形態では、第３金属サブ層５３の幅ＬＴ２は第１導電サブ層４１の幅ＬＢ１よりも小さくてもよく、第３金属サブ層５３のベースでの正投影は第１導電サブ層４１のベースでの正投影の範囲内に位置してもよい。

【0202】

例示的な実施形態では、第１金属サブ層５１の幅ＬＢ２は第３導電サブ層４３の幅ＬＴ１に等しくてもよく、第１金属サブ層５１のベースでの正投影と第３導電サブ層４３のベースでの正投影はほぼ同じくてもよい。

【0203】

例示的な実施形態では、第１導電サブ層４１の幅ＬＢ１は約５．０μｍ～５．８μｍ、第３導電サブ層４３の幅ＬＴ１は約４．８μｍ～５．６μｍ、第１金属サブ層５１の幅ＬＢ２は約４．６μｍ～５．４μｍ、第２金属サブ層５２の幅ＬＭ２は約３．８μｍ～４．６μｍ、第３金属サブ層５３の幅ＬＴ２は約４．４μｍ～５．２μｍであってもよい。例えば、第１導電サブ層４１の幅ＬＢ１は約５．４μｍ、第３導電サブ層４３の幅ＬＴ１は約５．２μｍ、第１金属サブ層５１の幅ＬＢ２は約５．０μｍ、第２金属サブ層５２の幅ＬＭ２は約４．２μｍ、第３金属サブ層５３の幅ＬＴ２は約４．８μｍであってもよい。

【0204】

例示的な実施形態では、本例示的な実施例の表示基板の製造過程は上記実施例とほぼ同じく、トランジスタ構造層、第１平坦層、第４導電層、第２平坦層、陽極導電層、画素定義層、有機発光層、陰極及び封止構造層の形成を含む。相違点は、第３導電薄膜に対するパターン化において台形断面の第１仕切層４０を形成し、第１平坦層パターンを形成する際に、第１平坦薄膜を用いて第１仕切層４０を保護し、第２平坦層のパターン化と陽極導電層のパターン化において、第１仕切層４０を保護する場合に「工」字形構造の第２仕切層５０を形成し、最終的に下部の台形構造、上部の「工」字形構造が積層設置される仕切ダム構造を形成することである。

【0205】

本例示的な実施例では仕切ダム構造の高さを増加することにより、仕切ダム構造の遮断効果を有効に高めるだけでなく、台形構造と「工」字形構造との組合せにより仕切ダムを構成し、上層の「工」字形構造は有機発光材料の遮断を実現し、下層の台形構造は封止材料層の良好な接着を実現し、それにより封止材料層は仕切ダムの側壁を良好に覆い、仕切ダムの側壁における空洞形成を有効に回避できるだけでなく、封止材料層における亀裂の発生を有効に回避でき、封止失効を有効に回避し、表示基板の生産良品率及び製品信頼性を向上させることができる。

【0206】

図２７は本開示の例示的な実施例による更なる仕切ダムの構造模式図である。図２７に示すように、本例示的な実施例の仕切ダムは積層設置される第１仕切層４０と第２仕切層５０を含み得ており、第１仕切層４０は積層設置される第１導電サブ層４１、第２導電サブ層４２及び第３導電サブ層４３を含み得ており、第２仕切層５０は積層設置される第１金属サブ層５１、第２金属サブ層５２及び第３金属サブ層５３を含み得る。第１仕切層４０の断面形状は「工」字形構造となり、第２仕切層５０の断面形状は台形構造となり、「工」字形構造と「工」字形構造のベースから離れる側に設置される台形構造は一緒に上部の台形構造、下部の「工」字形構造が積層設置される仕切ダム構造を構成する。

【0207】

例示的な実施形態では、第１導電サブ層４１と第３導電サブ層４３は第２導電サブ層４２の側壁４０Ｂに対して突出部を有し、上下の２つの突出部と第２サブ層の側壁４０Ｂは凹み構造を形成し、それにより第１仕切層４０は第１「工」字形構造を形成する。

【0208】

例示的な実施形態では、第２金属サブ層５２の断面形状は台形となり、ベースから離れる側の第２上底、ベースに近い側の第２下底、及び第２上底と第２下底との間に接続される第２側壁５０Ｂを含む。例示的な実施形態では、第２側壁５０Ｂは直線形又は弧形であってもよい。

【0209】

例示的な実施形態では、第３導電サブ層４３の幅ＬＴ１は第１導電サブ層４１の幅ＬＢ１以下であってもよく、第３導電サブ層４３のベースでの正投影は第１導電サブ層４１のベースでの正投影の範囲内に位置してもよい。

【0210】

例示的な実施形態では、第２導電サブ層４２の幅ＬＭ１は同時に第１導電サブ層４１の幅ＬＢ１と第３導電サブ層４３の幅ＬＴ１よりも小さくてもよく、第２導電サブ層４２のベースでの正投影は同時に第１導電サブ層４１と第３導電サブ層４３のベースでの正投影の範囲内に位置してもよい。

【0211】

例示的な実施形態では、第３金属サブ層５３の幅ＬＴ２は第１金属サブ層５１の幅ＬＢ２よりも小さくてもよく、第３金属サブ層５３のベースでの正投影は第１金属サブ層５１のベースでの正投影の範囲内に位置してもよい。

【0212】

例示的な実施形態では、第３金属サブ層５３の幅ＬＴ２は第２金属サブ層５２における第２上底の幅に等しくてもよく、第１金属サブ層５１の幅ＬＢ２は第２金属サブ層５２における第２下底の幅に等しくてもよい。

【0213】

例示的な実施形態では、第１金属サブ層５１の幅ＬＢ２は第３導電サブ層４３の幅ＬＴ１以下であってもよく、第１金属サブ層５１のベースでの正投影と第３導電サブ層４３のベースでの正投影はほぼ同じくてもよい。

【0214】

例示的な実施形態では、第１導電サブ層４１の幅ＬＢ１は約５．０μｍ～５．８μｍ、第２導電サブ層４２の幅ＬＭ１は約４．６μｍ～５．４μｍ、第３導電サブ層４３の幅ＬＴ１は約４．８μｍ～５．６μｍ、第１金属サブ層５１の幅ＬＢ２は約４．６μｍ～５．４μｍ、第３金属サブ層５３の幅ＬＴ２は約４．４μｍ～５．２μｍであってもよい。例えば、第１導電サブ層４１の幅ＬＢ１は約５．４μｍ、第２導電サブ層４２の幅ＬＭ１は約５．０μｍ、第３導電サブ層４３の幅ＬＴ１は約５．２μｍ、第１金属サブ層５１の幅ＬＢ２は約５．０μｍ、第３金属サブ層５３の幅ＬＴ２は約４．８μｍであってもよい。

【0215】

例示的な実施形態では、本例示的な実施例の表示基板の製造過程は上記実施例とほぼ同じく、トランジスタ構造層、第１平坦層、第４導電層、第２平坦層、陽極導電層、画素定義層、有機発光層、陰極及び封止構造層の形成を含む。相違点は、第１平坦層のパターン化において、現像と湿式エッチングプロセスの両方を用いて第１仕切層４０の側面エッチングを完成し、「工」字形構造の第１仕切層４０を形成し、第２平坦層のパターン化と陽極導電層のパターン化において、第２仕切層５０はずっとフォトレジストにより囲まれて保護され、側面エッチングされず、最終的に上部の台形構造、下部の「工」字形構造が積層設置される仕切ダム構造を形成することである。

【0216】

本例示的な実施例では仕切ダム構造の高さを増加することにより、仕切ダム構造の遮断効果を有効に高めるだけでなく、台形構造と「工」字形構造との組合せにより仕切ダムを構成し、下層の「工」字形構造は有機発光材料の遮断を実現し、上層の台形構造は封止材料層の良好な接着を実現し、それにより封止材料層は仕切ダムの側壁を良好に覆い、仕切ダムの側壁における空洞形成を有効に回避できるだけでなく、封止材料層における亀裂の発生を有効に回避でき、封止失効を有効に回避し、表示基板の生産良品率及び製品信頼性を向上させることができる。

【0217】

本開示の例示的な実施例の表示基板の構造及びその製造過程は例示的な説明に過ぎない。例示的な実施形態では、実際の需要に応じて対応の構造を変更したり、パターン化プロセスを増加又は減少したりすることができ、本開示はここで限定しない。

【0218】

例示的な実施形態では、本開示の表示基板は画素駆動回路を有する表示装置、例えばＯＬＥＤ、量子ドットディスプレー（ＱＬＥＤ）、発光ダイオードディスプレー（Ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ又はＭｉｎｉ ＬＥＤ）又は量子ドット発光ダイオードディスプレー（ＱＤＬＥＤ）等に適用され得ており、本開示はここで限定しない。

【0219】

本開示では表示基板の製造方法を更に提供する。例示的な実施形態では、前記表示基板は表示領域及び前記表示領域に位置する少なくとも１つのホール領域を含み得ており、前記ホール領域は機能ホール及び前記機能ホールを取り囲む仕切領域を含み、前記製造方法は、
前記仕切領域に前記機能ホールを取り囲む少なくとも１つの仕切ダムを形成することを含み得ており、前記仕切ダムは積層設置される第１仕切層及び第２仕切層を含み、少なくとも１つの仕切層は第２サブ層及び前記第２サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第３サブ層を含み、前記第３サブ層は前記第２サブ層の側壁に対して突出部を有し、前記突出部と前記第２サブ層の側壁は凹み構造を形成する。

【0220】

本開示は表示装置を更に提供し、上記実施例の表示基板を備える。表示装置は携帯電話、タブレット、テレビ、ディスプレイ、ノートパソコン、デジタルフレーム又はナビゲーター等の表示機能を備える製品又は部品であってもよい。

【0221】

以上は本開示に開示された実施形態であるが、前記内容は本開示を理解しやすくするために用いた実施形態に過ぎず、本開示を制限するためのものではない。当業者は、本開示に開示される趣旨及び範囲を逸脱せずに、実施形態及び細部に対していかなる修正及び変更を行うことができるが、本願の特許の保護範囲は添付の特許請求の範囲に準じる。

【符号の説明】

【0222】

１０ ベース １１ 第１絶縁層 １２ 第２絶縁層
１３ 第３絶縁層 １４ 第４絶縁層 １５ 第１平坦層
１６ 第２平坦層 １７ 陽極接続電極 ２１ 陽極
２２ 画素定義層 ２３ 有機発光層 ２４ 有機発光ブロック
２５ 陰極 ２６ 陰極ブロック ３１ 第１封止層
３２ 第２封止層 ３３ 第３封止層 ４０ 第１仕切層
４１ 第１導電サブ層 ４２ 第２導電サブ層 ４３ 第３導電サブ層
５０ 第２仕切層 ５１ 第１金属サブ層 ５２ 第２金属サブ層
５３ 第３金属サブ層 １００ 表示領域 １０１ 駆動構造層
１０２ 発光構造層 １０３ 封止構造層 ２００ ホール領域
２０１ ホール領域構造層 ２１０ 機能ホール ２２０ 仕切領域
３００ 仕切ダム

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【手続補正書】

【提出日】2024-11-25

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

表示領域、及び前記表示領域に位置する少なくとも１つのホール領域を含み、前記ホール領域は機能ホール及び前記機能ホールを取り囲む仕切領域を含み、前記仕切領域には前記機能ホールを取り囲む少なくとも１つの仕切ダムが設置され、前記仕切ダムはベースに設置される第１仕切層及び前記第１仕切層の前記ベースから離れる側に設置される第２仕切層を含み、少なくとも１つの仕切層は第２サブ層及び前記第２サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第３サブ層を含み、前記第３サブ層は前記第２サブ層の側壁に対して突出部を有し、前記突出部と前記第２サブ層の側壁は凹み構造を形成する、表示基板。

【請求項2】

少なくとも１つの仕切層は第１サブ層を更に含み、前記第２サブ層は前記第１サブ層の前記ベースから離れる側に設置される、請求項１に記載の表示基板。

【請求項3】

前記第１仕切層は第１導電サブ層、前記第１導電サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第２導電サブ層、及び前記第２導電サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第３導電サブ層を含み、前記機能ホールから離れる方向に沿って、前記第２導電サブ層の幅はいずれも前記第１導電サブ層と第３導電サブ層の幅よりも小さく、前記第２導電サブ層の前記ベースでの正投影はいずれも前記第１導電サブ層と第３導電サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、それにより前記第１導電サブ層と第３導電サブ層は前記第２導電サブ層の側壁に対して突出部を有し、前記突出部と前記第２導電サブ層の側壁は凹み構造を形成する、請求項２に記載の表示基板。

【請求項4】

前記第２仕切層は前記第１仕切層の前記ベースから離れる側に設置される第１金属サブ層、前記第１金属サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第２金属サブ層、及び前記第２金属サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第３金属サブ層を含み、前記機能ホールから離れる方向に沿って、前記第２金属サブ層の幅はいずれも前記第１金属サブ層と第３金属サブ層の幅よりも小さく、前記第２金属サブ層の前記ベースでの正投影はいずれも前記第１金属サブ層と第３金属サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、それにより前記第１金属サブ層と第３金属サブ層は前記第２金属サブ層の側壁に対して突出部を有し、前記突出部と前記第２金属サブ層の側壁は凹み構造を形成する、請求項３に記載の表示基板。

【請求項5】

前記機能ホールから離れる方向に沿って、前記第１金属サブ層の幅は前記第１導電サブ層の幅よりも小さく、前記第１金属サブ層の前記ベースでの正投影は前記第１導電サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、
又は、前記機能ホールから離れる方向に沿って、前記第２金属サブ層の幅は前記第２導電サブ層の幅よりも小さく、前記第２導電サブ層の前記ベースでの正投影は前記第２金属サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、
又は、前記機能ホールから離れる方向に沿って、前記第３金属サブ層の幅は前記第３導電サブ層の幅よりも小さく、前記第３導電サブ層の前記ベースでの正投影は前記第３金属サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、
又は、前記機能ホールから離れる方向に沿って、前記第３金属サブ層の幅は前記第１金属サブ層の幅以下であり、前記第３金属サブ層の前記ベースでの正投影は前記第１金属サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、前記第３導電サブ層の幅は前記第１導電サブ層の幅以下であり、前記第３導電サブ層の前記ベースでの正投影は前記第１導電サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、前記第１金属サブ層の幅は前記第３導電サブ層の幅以下であり、前記第１金属サブ層の前記ベースでの正投影は前記第３導電サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置する、請求項４に記載の表示基板。

【請求項6】

前記機能ホールから離れる方向に沿って、前記第３金属サブ層の幅は前記第１金属サブ層の幅よりも大きく、前記第１金属サブ層の前記ベースでの正投影は前記第３金属サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、前記第３導電サブ層の幅は前記第１導電サブ層の幅よりも小さく、前記第３導電サブ層の前記ベースでの正投影は前記第１導電サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、前記第１金属サブ層の幅は前記第３導電サブ層の幅に等しく、前記第１金属サブ層の前記ベースでの正投影と前記第３導電サブ層の前記ベースでの正投影はほぼ重なる、請求項４に記載の表示基板。

【請求項7】

前記第３金属サブ層の縁部とベースとの距離は、前記第２金属サブ層のベースから離れる側の表面とベースとの距離よりも小さい、請求項４に記載の表示基板。

【請求項8】

前記第２仕切層は前記第１仕切層の前記ベースから離れる側に設置される第１金属サブ層、前記第１金属サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第２金属サブ層、及び前記第２金属サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第３金属サブ層を含み、前記第２金属サブ層の断面形状は第２台形であり、前記第２台形は前記ベースに近い側の第２下底及び前記ベースから離れる側の第２上底を含み、前記機能ホールから離れる方向に沿って、前記第２上底の幅は前記第２下底の幅よりも小さく、前記第２上底の前記ベースでの正投影は前記第２下底の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、前記第３金属サブ層の幅は前記第２上底の幅以下であり、前記第３金属サブ層の前記ベースでの正投影は前記第２上底の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、前記第２下底の幅は前記第１金属サブ層の幅以下であり、前記第２下底の前記ベースでの正投影は前記第１金属サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置する、請求項３に記載の表示基板。

【請求項9】

前記第１金属サブ層の幅は前記第３導電サブ層の幅以下であり、前記第１金属サブ層の前記ベースでの正投影は前記第３導電サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置する、請求項８に記載の表示基板。

【請求項10】

前記第２仕切層は前記第１仕切層の前記ベースから離れる側に設置される第１金属サブ層、前記第１金属サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第２金属サブ層、及び前記第２金属サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第３金属サブ層を含み、前記機能ホールから離れる方向に沿って、前記第２金属サブ層の幅はいずれも前記第１金属サブ層と第３金属サブ層の幅よりも小さく、前記第２金属サブ層の前記ベースでの正投影はいずれも前記第１金属サブ層と第３金属サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、それにより前記第１金属サブ層と第３金属サブ層は前記第２金属サブ層の側壁に対して突出部を有し、前記突出部と前記第２金属サブ層の側壁は凹み構造を形成する、請求項１に記載の表示基板。

【請求項11】

前記第１仕切層は第１導電サブ層、前記第１導電サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第２導電サブ層、及び前記第２導電サブ層の前記ベースから離れる側に設置される第３導電サブ層を含み、前記第２導電サブ層の断面形状は第１台形であり、前記第１台形は前記ベースに近い側の第１下底及び前記ベースから離れる側の第１上底を含み、前記機能ホールから離れる方向に沿って、前記第１上底の幅は前記第１下底の幅よりも小さく、前記第１上底の前記ベースでの正投影は前記第１下底の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、前記第３導電サブ層の幅は前記第１上底の幅以下であり、前記第３導電サブ層の前記ベースでの正投影は前記第１上底の前記ベースでの正投影の範囲内に位置し、前記第１下底の幅は前記第１導電サブ層の幅以下であり、前記第１下底の前記ベースでの正投影は前記第１導電サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置する、請求項１０に記載の表示基板。

【請求項12】

前記第１金属サブ層の幅は前記第３導電サブ層の幅以下であり、前記第１金属サブ層の前記ベースでの正投影は前記第３導電サブ層の前記ベースでの正投影の範囲内に位置する、請求項１１に記載の表示基板。

【請求項13】

前記表示領域はベースに順次に設置される第１絶縁層、半導体層、第２絶縁層、第１導電層、第３絶縁層、第２導電層、第４絶縁層、第３導電層、第１平坦層、第４導電層及び第２平坦層を含み、前記第１仕切層と前記第３導電層は同一層に設置され、前記第２仕切層と前記第４導電層は同一層に設置される、請求項１に記載の表示基板。

【請求項14】

請求項１に記載の表示基板を備える表示装置。

【請求項15】

表示基板の製造方法であって、前記表示基板は表示領域及び前記表示領域に位置する少なくとも１つのホール領域を含み、前記ホール領域は機能ホール及び前記機能ホールを取り囲む仕切領域を含み、前記製造方法は、
前記仕切領域に前記機能ホールを取り囲む少なくとも１つの仕切ダムを形成することを含み、前記仕切ダムは積層設置される第１仕切層及び第２仕切層を含み、少なくとも１つの仕切層は第２サブ層及び前記第２サブ層のベースから離れる側に設置される第３サブ層を含み、前記第３サブ層は前記第２サブ層の側壁に対して突出部を有し、前記突出部と前記第２サブ層の側壁は凹み構造を形成する、表示基板の製造方法。

【手続補正2】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６４

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0064】

画素駆動回路の駆動過程において、第３トランジスタＴ３（駆動トランジスタ）を流れる駆動電流は、そのゲート電極と第１極との電圧差により決定される。第２ノードＮ２の電圧はＶｄ－｜Ｖｔｈ｜であるため、第３トランジスタＴ３の駆動電流は下記の式である。

【国際調査報告】