特表 2024-545467 相互接続組立体を備えた接合構造体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-12-06

(54)【発明の名称】相互接続組立体を備えた接合構造体

(51)【国際特許分類】

   H01L 25/04 20230101AFI20241129BHJP

【ＦＩ】

H01L25/04 Z

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024537978

(86)(22)【出願日】2022-12-22

(85)【翻訳文提出日】2024-08-20

(86)【国際出願番号】 US2022082304

(87)【国際公開番号】W WO2023122771

(87)【国際公開日】2023-06-29

(31)【優先権主張番号】63/293,299

(32)【優先日】2021-12-23

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】518065991

【氏名又は名称】アデイア セミコンダクター ボンディング テクノロジーズ インコーポレイテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100103610

【弁理士】

【氏名又は名称】▲吉▼田 和彦

(74)【代理人】

【識別番号】100109070

【弁理士】

【氏名又は名称】須田 洋之

(74)【代理人】

【識別番号】100119013

【弁理士】

【氏名又は名称】山崎 一夫

(74)【代理人】

【識別番号】100130937

【弁理士】

【氏名又は名称】山本 泰史

(74)【代理人】

【識別番号】100144451

【弁理士】

【氏名又は名称】鈴木 博子

(74)【代理人】

【識別番号】100123630

【弁理士】

【氏名又は名称】渡邊 誠

(72)【発明者】

【氏名】ウゾー シプリアン エメカ

(72)【発明者】

【氏名】ファウンテン ガイウス ギルマン ジュニア

(72)【発明者】

【氏名】ワークマン トーマス

(72)【発明者】

【氏名】ハーバ ベルガセム

(72)【発明者】

【氏名】カトカール ラジェッシュ

(72)【発明者】

【氏名】ミルカリミ ローラ ウィルズ

(57)【要約】

第１の半導体素子と、第１の半導体素子からギャップだけ離間して配置された第２の半導体素子と、導電性トレースを有する絶縁基板を含む相互接続組立体とを備える接合構造体であって、絶縁基板が、第１の半導体素子に直接接合された第１のセクションと、第２の半導体素子に直接接合された第２のセクションと、第１のセクションと第２のセクションとの間に配置されたフレキシブルセクションとを含み、フレキシブルセクションが、ギャップを少なくとも部分的にブリッジする。
【選択図】図２Ｄ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１の半導体素子と、
前記第１の半導体素子からギャップだけ離間して配置された第２の半導体素子と、
導電性トレースを備える絶縁基板を含む相互接続組立体と、
を備え、
前記絶縁基板は、前記第１の半導体素子に直接接合された第１のセクションと、接着剤なしで前記第２の半導体素子に直接接合された第２のセクションと、前記第１のセクションと前記第２のセクションとの間に配置されたフレキシブルセクションとを含み、前記フレキシブルセクションが、前記ギャップを少なくとも部分的にブリッジする、
接合構造体。

【請求項2】

前記絶縁基板が絶縁ベース層を備え、前記導電性トレースが、前記絶縁ベース層に少なくとも部分的に埋め込まれている、請求項１に記載の接合構造体。

【請求項3】

前記絶縁ベース層が、前記第１のセクション、前記第２のセクション及び前記フレキシブルセクションを少なくとも部分的に通って延びている、請求項２に記載の接合構造体。

【請求項4】

前記絶縁ベース層が、複数の絶縁層を備える、請求項２又は３に記載の接合構造体。

【請求項5】

第１の絶縁層と第２の絶縁層との間に配置された層間誘電体（ＩＬＤ）層を更に備える、請求項４に記載の接合構造体。

【請求項6】

前記ＩＬＤ層が、窒化シリコン及び酸化シリコンの少なくとも一方を含む、請求項５に記載の接合構造体。

【請求項7】

少なくとも１つの前記導電性トレースが、前記第１のセクション、前記第２のセクション、及び前記フレキシブルセクションを少なくとも部分的に通って延びている、請求項１～６の何れか１項に記載の接合構造体。

【請求項8】

前記少なくとも１つの導電性トレースが、前記第１及び第２の半導体素子間に電気的通信を提供する、請求項７に記載の接合構造体。

【請求項9】

前記絶縁ベース層が、フレキシブルな厚さの有機材料を含む、請求項２～８の何れか１項に記載の接合構造体。

【請求項10】

前記有機材料がポリマーを含む、請求項９に記載の接合構造体。

【請求項11】

前記有機材料が、液晶ポリマー（ＬＣＰ）及びポリイミドの少なくとも一方を含む、請求項１０に記載の接合構造体。

【請求項12】

前記有機層の熱膨張係数（ＣＴＥ）が１２ｐｐｍ／℃未満である、請求項９～１１の何れか１項に記載の接合構造体。

【請求項13】

前記絶縁ベース層が、フレキシブルな厚さの無機材料を含む、請求項２～１２の何れか１項に記載の接合構造体。

【請求項14】

前記第１のセクションが、前記絶縁ベース層の上に配置された第１の無機非導電性接合層を備える、請求項２～１３の何れか１項に記載の接合構造体。

【請求項15】

前記第２のセクションが、前記絶縁ベース層の上に配置された第２の無機非導電性接合層を備え、前記フレキシブルセクションが、前記第１の無機非導電性接合層と前記第２の無機非導電性接合層との間に配置されている、請求項１４に記載の接合構造体。

【請求項16】

前記第１の無機非導電性接合層及び前記第２の無機非導電性接合層が、平坦化された接合面を備える、請求項１５に記載の接合構造体。

【請求項17】

前記絶縁基板の第１の面が、前記第１及び第２の半導体素子に直接接合され、前記絶縁基板が前記第１の面の反対側の第２の面を含み、前記第１及び第２の無機非導電性接合層は、前記絶縁基板の前記第１の面に配置される、請求項１５～１６の何れか１項に記載の接合構造体。

【請求項18】

前記第１のセクションが、前記絶縁基板の前記第２の面において前記絶縁ベース層の上に配置された第３の無機非導電性接合層を備える、請求項１７に記載の接合構造体。

【請求項19】

前記第２のセクションが、前記絶縁基板の前記第２の面において前記絶縁ベース層の上に配置された第４の無機非導電性接合層を備える、請求項１８に記載の接合構造体。

【請求項20】

前記絶縁基板が、前記第１の無機非導電性接合層に少なくとも部分的に埋め込まれた複数の導電性コンタクト特徴を含む、請求項１４～１９の何れか１項に記載の接合構造体。

【請求項21】

前記第１の無機非導電性接合層は、介在する接着剤なしで前記第１の半導体素子の非導電性領域に直接接合され、前記複数の導電性コンタクト特徴は、介在する接着剤なしで前記第１の半導体素子の複数の導電性コンタクト特徴に直接接合される、請求項２０に記載の接合構造体。

【請求項22】

前記絶縁基板の第１の面が、前記第１及び第２の半導体素子に直接接合され、前記絶縁基板は、前記第１の面の反対側の第２の面を含み、前記接合構造体は、前記絶縁基板の前記第２の面に直接接合された第３の半導体素子と、前記絶縁基板の前記第２の面に直接接合された第４の半導体素子とを含む、請求項１～１６の何れか１項に記載の接合構造体。

【請求項23】

導電性トレースを有する第２の絶縁基板を含む第２の相互接続組立体を更に備え、前記第２の絶縁基板は、前記第３の半導体素子に直接接合された第１のセクションと、前記第４の半導体素子に直接接合された第２のセクションと、前記第１のセクションと前記第２のセクションとの間に配置されたフレキシブルセクションと、を含む、請求項２２に記載の接合構造体。

【請求項24】

前記第１及び第２の半導体素子は、支持組立体上に実装される、請求項１～２３の何れか１項に記載の接合構造体。

【請求項25】

前記支持組立体がキャリアを備え、前記第１及び第２の半導体素子は、前記キャリアに実装されている、請求項２４に記載の接合構造体。

【請求項26】

前記第１及び第２の半導体素子は、介在する接着剤なしで前記キャリアに直接接合されている、請求項２５に記載の接合構造体。

【請求項27】

前記第１のセクションは、前記支持組立体の上側表面に対して第１の垂直位置で前記第１の半導体素子に直接接合され、前記第２のセクションは、前記支持組立体の上側表面に対して第２の垂直位置で前記第２の半導体素子に直接接合され、前記第２の垂直位置は、前記第１の垂直位置とは異なる、請求項２４～２６の何れか１項に記載の接合構造体。

【請求項28】

前記絶縁基板の第１の面が、前記第１及び第２の半導体素子に直接接合され、前記絶縁基板は、前記第１の面の反対側の第２の面を含み、前記第２の面は、互いに離間して配置された第３及び第４の素子に実装され、前記支持組立体は、前記第３及び第４の素子を含む、請求項２４～２７の何れか１項に記載の接合構造体。

【請求項29】

前記絶縁基板が、第３の半導体素子に直接接合された第３のセクションと、前記第２のセクションと前記第３のセクションとの間に配置された第２のフレキシブルセクションとを含む、請求項１～２８の何れか１項に記載の接合構造体。

【請求項30】

前記相互接続組立体には、前記第１及び第２の半導体素子の少なくとも一方に接続された試験回路を含み、前記試験回路は、前記第１及び第２の半導体素子の少なくとも一方における回路の機能を試験するように構成されている、請求項１～２９の何れか１項に記載の接合構造体。

【請求項31】

前記試験回路は、前記第１及び第２の半導体素子の少なくとも一方が実装されたキャリアにワイヤ接合されている、請求項３０に記載の接合構造体。

【請求項32】

前記相互接続組立体の上面図から見て、少なくとも１つの導電性トレースが曲線状又はジグザグ状である、請求項１～３１の何れか１項に記載の接合構造体。

【請求項33】

前記ギャップがガスを含む、請求項１～３２の何れか１項に記載の接合構造体。

【請求項34】

前記第１及び第２の半導体素子が、モールディングコンパウンドに少なくとも部分的に埋め込まれている、請求項１～３２の何れか１項に記載の接合構造体。

【請求項35】

前記モールディングコンパウンドが、前記ギャップ内に配置される、請求項３４に記載の接合構造体。

【請求項36】

前記フレキシブルセクションが、２ＧＰａ～１５ＧＰａの範囲のヤング率を有する、請求項１～３５の何れか１項に記載の接合構造体。

【請求項37】

前記フレキシブルセクションが、前記絶縁ベース層を破壊することなく且つ前記導電性トレースの電気接続性を破壊することなく曲げ可能である、請求項２～３６の何れか１項に記載の接合構造体。

【請求項38】

接合構造体であって、
キャリアと、
導電性トレースを備える絶縁基板を含む相互接続組立体であって、前記絶縁基板は、第１のセクションと、前記第１のセクションから延びるフレキシブルセクションとを含み、前記第１のセクションは、第１の無機非導電性接合層を含み、前記第１の無機非導電性接合層は、接着剤なしで前記キャリアに直接接合されている、相互接続組立体と、
を備える、接合構造体。

【請求項39】

前記キャリアが、第１の半導体素子を備える、請求項３８に記載の接合構造体。

【請求項40】

第２の半導体素子を更に備え、前記絶縁基板は、第２の無機非導電性接合層を含む第２のセクションを含み、前記第２の無機非導電性接合層は、接着剤なしで前記第２の半導体素子に直接接合されている、請求項３９に記載の接合構造体。

【請求項41】

前記キャリアが陥凹部を含み、前記絶縁基板が、前記キャリアに直接接合された第２の無機非導電性接合層を含む第２のセクションを含み、前記フレキシブルセクションが、前記キャリアの前記陥凹部を少なくとも部分的にブリッジする、請求項３８に記載の接合構造体。

【請求項42】

接合構造体であって、
第１の接合面及び第２の接合面を有する支持組立体と、
前記支持組立体を覆う相互接続組立体であって、前記相互接続組立体が導電性トレースを有する絶縁基板を含み、前記絶縁基板は、接着剤なしで前記第１の接合面に直接接合された第１のセクションと、接着剤なしで前記第２の接合面に直接接合された第２のセクションと、前記第１のセクションと前記第２のセクションの間に延在する第３のセクションとを有し、前記第３のセクションが、前記第１の接合面と前記第２の接合面の間のギャップをブリッジし、前記ギャップがガスで充填されている、相互接続組立体と、
を備える、接合構造体。

【請求項43】

前記絶縁基板の前記第３のセクションが、フレキシブルである、請求項４２に記載の接合構造体。

【請求項44】

前記支持組立体は、第１の半導体素子と、前記第１の半導体素子からギャップだけ離間して配置された第２の半導体素子とを備え、前記第１の半導体素子は、第１の接合面を備え、前記第２の半導体素子は第２の接合面を備える、
請求項４２又は４３に記載の接合構造体。

【請求項45】

前記第１及び第２の半導体素子はキャリア上に実装される、請求項４４に記載の接合構造体。

【請求項46】

前記支持組立体が、陥凹部を有するキャリアを備え、前記第３のセクションが、前記キャリアの陥凹部を少なくとも部分的にブリッジする、請求項４２又は４３に記載の接合構造体。

【請求項47】

前記絶縁基板が絶縁ベース層を備え、前記第１のセクションが、前記絶縁ベース層の上に配置された第１の無機非導電性接合層を備え、前記第２のセクションが、前記絶縁ベース層の上に配置された第２の無機非導電性接合層を備える、請求項４２～４６の何れか１項に記載の接合構造体。

【請求項48】

前記第１の接合面が、前記支持組立体の上側表面に対して第１の垂直位置にあり、前記第２の接合面が、前記支持組立体の前記上側表面に対して第２の垂直位置に配置され、前記第２の垂直位置が前記第１の垂直位置と異なる、請求項４２～４７の何れか１項に記載の接合構造体。

【請求項49】

接合構造体であって、
支持組立体であって、前記支持組立体の上側表面に対して第１の垂直位置にある第１の接合面と、前記支持組立体の上側表面に対して第２の垂直位置に配置された第２の接合面とを有し、前記第２の垂直位置が前記第１の垂直位置とは異なる、支持組立体と、
導電性トレースを有する絶縁基板を含む相互接続組立体であって、前記絶縁基板は、接着剤なしで前記第１の接合面に直接接合された第１のセクションと、接着剤なしで前記第２の接合面に直接接合された第２のセクションと、前記第１のセクションと前記第２のセクションの間に延在する第３のセクションとを有する、相互接続組立体と、
を備える、接合構造体。

【請求項50】

前記絶縁基板の前記第３のセクションがフレキシブルである、請求項４９に記載の接合構造体。

【請求項51】

前記支持組立体は、第１の半導体素子と、前記第１の半導体素子からギャップだけ離間して配置された第２の半導体素子とを備え、前記第１の半導体素子は、第１の接合面を備え、前記第２の半導体素子は、第２の接合面を備え、前記支持組立体の前記上側表面は、前記第１の半導体素子の上面を含む、請求項４９又は５０に記載の接合構造体。

【請求項52】

前記第１及び第２の半導体素子はキャリア上に実装される、請求項５１に記載の接合構造体。

【請求項53】

前記支持組立体が、陥凹部を有するキャリアを備え、前記第３のセクションが、前記キャリアの陥凹部を少なくとも部分的にブリッジする、請求項４９又は５０に記載の接合構造体。

【請求項54】

前記絶縁基板が絶縁ベース層を備え、前記第１のセクションが、前記絶縁ベース層の上に配置された第１の無機非導電性接合層を備え、前記第２のセクションが、前記絶縁ベース層の上に配置された第２の無機非導電性接合層を備える、請求項４９～５３の何れか１項に記載の接合構造体。

【請求項55】

相互接続組立体であって、
導電性トレースを有する絶縁基板であって、第１の面及び前記第１の面の反対側の第２の面を有する絶縁基板と、
前記絶縁基板の前記第１の面の第１のセクション上の第１の無機非導電性接合層であって、直接接合のために調製された第１の無機非導電性接合層と、
前記絶縁基板の前記第１の面の第２のセクション上の第２の無機非導電性接合層であって、前記第２のセクションが前記第１のセクションから離間して配置されており、第２の無機非導電性接合層は直接接合のために調製されている、第２の無機非導電性接合層と、
を備え、
前記絶縁基板が、前記第１のセクション及び前記第２のセクションの間に配置されたフレキシブルセクションを備える、相互接続組立体。

【請求項56】

前記絶縁基板が絶縁ベース層を備え、前記導電性トレースが、前記絶縁ベース層に少なくとも部分的に埋め込まれている、請求項５５に記載の相互接続組立体。

【請求項57】

前記絶縁ベース層は、前記第１のセクション、前記第２のセクション及び前記フレキシブルセクションを少なくとも部分的に通って延びている、請求項５６に記載の相互接続組立体。

【請求項58】

少なくとも１つの前記導電性トレースが、前記第１のセクション、前記第２のセクション、及び前記フレキシブルセクションを少なくとも部分的に通って延びている、請求項５５～５７の何れか１項に記載の相互接続組立体。

【請求項59】

前記絶縁ベース層が、フレキシブルな厚さの有機材料を含む、請求項５６～５８の何れか１項に記載の相互接続組立体。

【請求項60】

前記有機材料がポリマーを含む、請求項５９に記載の相互接続組立体。

【請求項61】

前記有機材料が、液晶ポリマー（ＬＣＰ）及びポリイミドの少なくとも一方を含む、請求項６０に記載の相互接続組立体。

【請求項62】

前記有機層の熱膨張係数（ＣＴＥ）が１２ｐｐｍ／℃未満である、請求項５９～６１の何れか１項に記載の相互接続組立体。

【請求項63】

前記絶縁ベース層が、フレキシブルな厚さの無機材料を含む、請求項５６～６２の何れか１項に記載の相互接続組立体。

【請求項64】

前記第１の無機非導電性接合層が、前記絶縁ベース層の上に配置されている、請求項５６～６３の何れか１項に記載の相互接続組立体。

【請求項65】

前記第２の無機非導電性接合層が、前記絶縁ベース層の上に配置されている、請求項６４に記載の相互接続組立体。

【請求項66】

前記第１の無機非導電性接合層及び前記第２の無機非導電性接合層が、平坦化された接合面を備える、請求項６５に記載の相互接続組立体。

【請求項67】

前記第１の接合層及び前記第２の接合層が、活性化された接合面を備える、請求項６５又は６６に記載の相互接続組立体。

【請求項68】

相互接続組立体であって、
少なくとも１つの導電性トレースを有する絶縁基板であって、前記絶縁基板は、第１のセクションと、第２のセクションと、前記第１及び第２のセクションをブリッジする第３のセクションとを有する、絶縁基板と、
前記絶縁基板の第１のセクション上で、直接接合のために調製された無機の第１の接合層と、
前記絶縁基板の第２のセクション上で、直接接合のために調製され且つ前記第３のセクションの上にあるギャップによって前記第１の接合層から横方向に離間した無機の第２の接合層と、
を備える、相互接続組立体。

【請求項69】

前記絶縁基板は、フレキシブルな厚さの有機材料を含む絶縁ベース層を含む、請求項６８に記載の相互接続組立体。

【請求項70】

前記絶縁ベース層は、フレキシブルな厚さの無機材料を含む、請求項６８に記載の相互接続組立体。

【請求項71】

前記絶縁基板の前記第３のセクションがフレキシブルである、請求項６８～７０の何れか１項に記載の相互接続組立体。

【請求項72】

方法であって、
少なくとも１つの導電性トレースを有する絶縁層を提供するステップであって、前記絶縁層が、第１のセクションと、第２のセクションと、前記第１及び第２のセクションをブリッジする第３のセクションとを有する、ステップと、
前記絶縁層の第１のセクション上に無機の第１の接合層を提供するステップと、
前記絶縁層の第２のセクション上に無機の第２の接合層を提供するステップと、
直接接合するために前記無機の第１及び第２の接合層を調製するステップと、
を含む、方法。

【請求項73】

前記絶縁層の第３のセクションがフレキシブルである、請求項７２に記載の方法。

【請求項74】

キャリア基板上にブランケット無機接合層を提供するステップと、前記ブランケット無機接合層上に前記絶縁層を提供するステップを更に含む、請求項７２又は７３に記載の方法。

【請求項75】

前記ブランケット無機接合層をパターニングするステップを更に含み、前記パターニングされた無機接合層が、前記無機の第１及び第２の接合層を含む、請求項７４に記載の方法。

【請求項76】

前記絶縁層上に第１の層間誘電体（ＩＬＤ）層を提供するステップを更に含む、請求項７４又は７５に記載の方法。

【請求項77】

前記絶縁層にキャビティをパターニングし、前記キャビティに導電性材料を提供するステップを更に含む、請求項７４～７６の何れか１項に記載の方法。

【請求項78】

前記導電性材料をポリッシングするステップを更に含む、請求項７７に記載の方法。

【請求項79】

前記第１の絶縁層及び前記導電性材料の上に第２の絶縁層を提供するステップを更に含む、請求項７７又は７８に記載の方法。

【請求項80】

前記第２の絶縁層上に第２の層間誘電体（ＩＬＤ）層を提供するステップを更に含む、請求項７９に記載の方法。

【請求項81】

前記第２の絶縁層に第２のキャビティを形成し、前記第２のキャビティに第２の導電性材料を提供するステップを更に含む、請求項７９又は８０に記載の方法。

【請求項82】

前記第２の導電性材料をポリッシングするステップを更に含む、請求項８１に記載の方法。

【請求項83】

前記第２の導電材料をポリッシングするステップが、直接接合するために前記第２のＩＬＤ層を調製するステップを含む、請求項８２に記載の方法。

【請求項84】

前記第２のＩＬＤ層は、無機の第１及び第２の接合層を備える、請求項８３に記載の方法。

【請求項85】

前記第１及び第２の接合層に導電性コンタクトをパターニングするステップを更に含む、請求項７２～８４の何れか１項に記載の方法。

【請求項86】

介在する接着剤なしで前記第１の接合層を第１の半導体素子に直接接合し、介在する接着剤なしで前記第２の接合層を第２の半導体素子に直接接合するステップを更に含む、請求項７２～８５の何れか１項に記載の方法。

【請求項87】

前記無機の第１及び第２の接合層を調製するステップが、前記無機の第１及び第２の接合面を平坦化するステップを含み、前記無機の第１及び第２の接合面が、埋め込まれた導電層を含む、請求項７２に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

（関連出願に対する相互参照）
本出願は、「ＢＯＮＤＥＤ ＳＴＲＵＣＴＵＲＥＳ ＷＩＴＨ ＩＮＴＥＲＣＯＮＮＥＣＴ ＡＳＳＥＭＢＬＹ」と題する、２０２１年１２月２３日に出願された米国仮出願第６３／２９３２９９号に対する優先権を主張するものであり、その開示内容は、あらゆる目的のために引用によりその全体が本明細書に組み込まれる。

【0002】

（技術分野）
本分野は、接合構造体に関し、特に、相互接続組立体を備えた接合構造体に関する。

【背景技術】

【0003】

半導体素子は、互いに積層及び接合して接合構造体を形成することができる。幾つかのデバイスでは、例えば、ハイブリッド直接接合技術を使用して、接着剤なしで半導体素子を互いに直接接合することができる。例えば、熱膨張係数（ＣＴＥ）の不一致により、異なるタイプ又は材料セットの半導体素子をパッケージ内に集積することは困難な場合がある。更に、半導体素子のスタック間の通信を提供すること、及びパッケージ又はデバイスの低プロファイルを維持することは、困難な場合がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】米国特許第９，５６４，４１４号明細書

【特許文献2】米国特許第９，３９１，１４３号明細書

【特許文献3】米国特許第１０，４３４，７４９号明細書

【特許文献4】米国特許第９，７１６，０３３号明細書

【特許文献5】米国特許第９，８５２，９８８号明細書

【特許文献6】米国特許公開第２０１９／００９６７４１号明細書

【0005】

詳細な説明は、添付図を参照して記載される。異なる図において同じ番号を使用していることは、類似又は同一の項目を示している。

【0006】

この議論のために、図に例示されたデバイス及びシステムは、複数の構成要素を有するものとして示されている。本明細書に記載されるようなデバイス及び／又はシステムの様々な実施構成は、より少ない構成要素を含むことができるが、本開示の範囲内に留まる。或いは、デバイス及び／又はシステムの他の実施構成は、追加の構成要素又は記載された構成要素の様々な組み合わせを含むことができ、本開示の範囲内に留まる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】ロジックダイがパッケージ基板に実装され、メモリダイがロジックダイに実装されている、従来のパッケージの概略側断面図である。

【図2A-2B】横方向に離間したダイが互いに直接通信されていない、積層及び接合構造体の概略側断面図である。

【図2C】様々な実施形態による単層ハイブリッド相互接続組立体の概略側断面図である。

【図2D】横方向に隣接したダイを接続する単層ハイブリッド相互接続組立体を更に含む接合構造体の概略側断面図である。

【図3A-3B】様々な実施形態による、例示的な相互接続組立体の概略側断面図である。

【図4A-4C】様々な実施形態による、相互接続組立体を利用する例示的な接合構造体を示す概略側断面図である。

【図4D-4E】様々な実施形態による、相互接続組立体を利用する例示的な接合構造体を示す概略側断面図である。

【図4F-4H】様々な実施形態による、相互接続組立体を利用する例示的な接合構造体を示す概略側断面図である。

【図5A-5B】本明細書で開示される接合構造体又は相互接続組立体が組み込まれた例示的な用途又はデバイスの概略図である。

【図5C-5D】本明細書で開示される接合構造体又は相互接続組立体が組み込まれた例示的な用途又はデバイスの概略図である。

【図6A-6C】相互接続組立体を形成する方法の概略側断面図である。

【図6D-6F】相互接続組立体を形成する方法の概略側断面図である。

【図6G-6I】相互接続組立体を形成する方法の概略側断面図である。

【図6J-6L】相互接続組立体を形成する方法の概略側断面図である。

【図6M-6O】相互接続組立体を形成する方法の概略側断面図である。

【図6P-6R】相互接続組立体を形成する方法の概略側断面図である。

【図6S-6U】相互接続組立体を形成する方法の概略側断面図である。

【図6V】相互接続組立体を形成する方法の概略側断面図である。

【図7A-7B】デュアルダマシンプロセスの例を示す概略側断面図である。

【図7C-7E】デュアルダマシンプロセスの例を示す概略側断面図である。

【図7F-7I】デュアルダマシンプロセスの例を示す概略側断面図である。

【図8A-8B】接合構造体で使用される相互接続組立体の例を示す概略側断面図である。

【図8C-8F】接合構造体で使用される相互接続組立体の例を示す概略側断面図である。

【図9A-9C】相互接続組立体に配置された試験回路に接続可能な試験パッドを利用する追加の実施形態の概略側断面図である。

【図9D-9E】相互接続組立体に配置された試験回路に接続可能な試験パッドを利用する追加の実施形態の概略側断面図である。

【図10A-10C】相互接続組立体を備えた直接接合構造体の追加の例を示す概略側断面図である。

【図10D-10E】相互接続組立体を備えた直接接合構造体の追加の例を示す概略側断面図である。

【図10F-10H】相互接続組立体を備えた直接接合構造体の追加の例を示す概略側断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

図１は、ロジックダイ２がフリップチップ構成でパッケージ基板３に実装された従来のパッケージ１を示し、ここでは、はんだバンプ４がロジックダイ２をパッケージ基板３に接続する。パッケージ基板３は、はんだボール６を介してシステム回路基板５（プリント回路基板又はＰＣＢなど）に実装することができる。複数のメモリダイ７は、ロジックダイ２に実装され、互いに横方向に離間して配置することができる。はんだバンプ４又は銅ピラーは、メモリダイ７をロジックダイ２に接続することができる。図１に示す従来のパッケージ１において、はんだボール６及びはんだバンプ４を使用すると、従来のパッケージ１の高さが増大する可能性があり、これは、より大きな電子デバイスに組み込むには望ましくない可能性がある。更に、メモリダイ７が互いに離間している従来のパッケージ１では、特にメモリダイ７が図１のロジックダイ２のような共通の支持組立体上に積層される場合に、メモリダイ７間の電気的通信を提供することが困難になる可能性がある。

【0009】

異なる種類の素子又は異なる材料セットを有する素子の異種集積は、異なる基板又は素子間の熱的不整合（例えば、熱膨張係数（ＣＴＥ）の不整合）に起因して困難な場合がある。様々な用途において、有機パッケージ基板３内に微細なピッチの特徴を提供することが重要になる場合がある。一部の用途では、半導体材料（例えば、シリコン）で作られたブリッジを使用することができるが、相互接続ブリッジは依然としてはんだリフローを利用するため、信頼性の問題が生じ、及びパッケージの高さが増大する可能性がある。フレキシブルパッケージ基板は、高性能用途（例えば、高周波、低損失信号）に一般的に使用されているが、従来のパッケージ１は、素子（例えば、ダイ）をフレキシブルパッケージ基板に実装するために直接ハイブリッド接合を利用しない。

【0010】

図２Ａ及び図２Ｂは、横方向に離間したダイ又は半導体素子９が互いに直接通信しない積層及び接合構造体８を示す。半導体素子９は、バルク部５８及び接合層２３を含む。バルク部５８は、トランジスタなどのデバイスがパターニングされた半導体部分を備えることができる。例えば、図２Ａ～２Ｂにおいて、第１半導体素子９ａ及び第２半導体素子９ｂ（例えば、トランジスタ等の能動回路を有する集積デバイスダイ）は、キャリア１０上に実装され、キャリア１０に直接接合することができる。従来技術の範囲内では、キャリア１０は支持組立体として機能することができる。キャリア１０は、集積デバイスダイ、ウェハ、再構成ウェハ又はダイ、インターポーザ等の任意の適切なタイプの支持構造を備えることができる。第３の半導体素子９ｃ及び第４の半導体素子９ｄは、それぞれ、第１の半導体素子９ａ及び第２の半導体素子９ｂに実装されて直接接合することができる。各半導体素子９は、接合界面に沿って接着剤を使用することなく接合を可能にするハイブリッド接合面１８において他の素子９の接合層２３と直接接合された接合層２３を含むことができる。図２Ｂに示すように、任意の適切な数の半導体素子９を、キャリア１０上の左スタック１４又は右スタック１５の何れかに互いに積層することができる。図２Ａ～２Ｂにおいて、上側素子（例えば、第３の９ｃ、第４の９ｄ、第５の９ｅ、第６の９ｆ、第７の９ｇ、及び第８の９ｈの半導体素子）は、導電性ビア１１（例えば、基板貫通ビア、又はＴＳＶ（例えば、シリコン貫通ビア））を介してキャリア１０と通信する。幾つかの実施形態では、キャリア１０は、好適な配線層１２（その一例が図２Ｂに描かれている）によって、第１の半導体素子９ａ及び第２の半導体素子９ｂ間の電気的通信を提供することができる。キャリア１０の接合層２３は、幾つかの実施形態では、キャリア１０内の回路に接続するための追加のキャリア導電パッド１３を含む。キャリア１０内の配線層１２及びビア１１は、第３の半導体素子９ｃと第４の半導体素子９ｄとの間、第３の半導体素子９ｃと第２の半導体素子９ｂとの間、及び／又は第１の半導体素子９ａと第４の半導体素子９ｄとの間の電気的通信を提供するように協働してもよいことが理解されるべきである。

【0011】

図２Ａ～２Ｂの横方向に離間した半導体素子９間の直接通信がないことは、接合構造体８の電気的性能を低下させる可能性がある。例えば、少なくとも、第１の半導体素子９ａ及び第２の半導体素子９ｂ間（又は他の横方向に離間した素子間）で伝送される信号が介在するキャリア１０を通過するため、信号経路が長くなる可能性がある。別の例として、図２Ｂに示すように、左スタック１４上の、ダイとして構成することができる第７の半導体素子９ｇから、右スタック１５上の、ダイとして構成することができる第８の半導体素子９ｈまでの間の電気ルーティング経路は比較的長く、例えば、信号は、接合層２３及び第５の半導体素子９ｅ、第３の半導体素子９ｃ、及び第１の半導体素子９ａを通るルーティング経路を横断して（ＴＳＶ１１によって）キャリア１０に至る。キャリア１０から、信号は、配線層１２を通るルーティング経路を横断し、第２の半導体素子９ｂ、第４の半導体素子９ｄ、及び第６の半導体素子９ｆを介して（ＴＳＶ１１によって）第８の半導体素子９ｈに至る。第７の半導体素子９ｇと第８の半導体素子９ｈの間の経路が長いことに起因して、信号が損失及び／又は信号遅延を発生する恐れがあり、性能及び／又は帯域幅が低下する可能性がある。

【0012】

次に図２Ｃ～２Ｄに目を向けると、それに応じて、本明細書に開示される様々な実施形態は、横方向に離間した半導体素子９間の直接通信を可能にする。図２Ｃは、ハイブリッド相互接続組立体１６の概略側断面図を示す。図３Ａ～３Ｂに関連して以下に説明するように、相互接続組立体１６は、フレキシブルユニット１７、直接ハイブリッド接合面１８、導電性トレース１９、絶縁基板２０、非導電性接合層２３、及び絶縁ベース層２５を備えることができる。図２Ｄは、図２Ｃのハイブリッド相互接続組立体１６を更に含む接合構造体８の概略側断面図を示す。様々な実施形態において、相互接続組立体１６は、フレキシブルユニット１７及び直接ハイブリッド接合面１８を含むことができ、横方向に離間した半導体素子９に直接接合され、その間に直接電気接続部を提供することができる。この相互接続組立体１６は、図２Ａ～２Ｂの経路と比較して、より短いルーティング経路で作製することができ、その結果、改善された電気的性能（図２Ｃ及び２Ｄ）を提供することができる。場合によっては、スタックのルーティング信号は、電気的に介在する半導体素子９（例えば、半導体素子９ａ～ｆ、キャリア１０）を通過しないことがある。図２Ａ～２Ｂの配線層１２とは異なり、図２Ｃ～２Ｄでは、信号は、相互接続組立体１６のフレキシブルユニット１７を介して半導体素子９ａから半導体素子９ｂにルーティングされる。

【0013】

図３Ａ～３Ｂは、様々な実施形態による例示的な相互接続組立体１６を示す。相互接続組立体１６は、絶縁基板２０に埋め込まれた導電性トレース１９を有する絶縁基板２０を含むことができる。絶縁基板２０は、第１の面２１及び第１の面２１の反対側の第２の面２２を有することができる。相互接続組立体１６は、絶縁基板２０の第１の面２１の第１のセクション２４ａ上に第１の無機非導電性接合層２３ａを含むことができる。第１の無機非導電性接合層２３ａは、直接接合（例えば、直接ハイブリッド接合）用に調製することができる。相互接続組立体１６は、絶縁基板２０の第１の面２１の第２のセクション２４ｂ上に第２の無機非導電性接合層２３ｂを含むことができる。第２のセクション２４ｂは、第１のセクション２４ａから離間して配置することができる。第２の無機非導電性接合層２３ｂは、直接接合（例えば、直接ハイブリッド接合）用に調製することができる。第１の無機非導電性接合層２３ａ及び第２の無機非導電性接合層２３ｂは、絶縁基板２０の第１の面２１に配置することができる。幾つかの実施形態では、図３Ａ～３Ｂに示すように、相互接続組立体１６は、それぞれ、第１のセクション２４ａ及び第２のセクション２４ｂに配置され、絶縁基板２０の第２の面２２に配置された第３の２３ｃ及び第４の２３ｄ無機非導電性接合層も含むことができる。様々な実施形態において、無機非導電性接合層２３は、酸化シリコン、窒化シリコン、シリコンオキシニトロカーバイド、又は任意の他の適切な無機非導電性材料を含むことができる。絶縁基板２０は、第１のセクション２４ａと第２のセクション２４ｂとの間に配置されたフレキシブルユニット１７（例えば、フレキシブルセクション）を含む第３のセクション２４ｃを備えることができる。相互接続組立体１６の厚さは、１ミクロン～５０ミクロンの範囲、１ミクロン～２０ミクロンの範囲、又は１ミクロン～３ミクロンの範囲とすることができる。無機接合層２３の厚さは、例えば、３００オングストローム～５００００オングストロームの範囲内、３００オングストローム～１００００オングストロームの範囲内、３００オングストローム～５０００オングストロームの範囲内、又は３００オングストローム～１０００オングストロームの範囲内とすることができる。

【0014】

図３Ａ～３Ｂに示すように、絶縁基板２０は絶縁ベース層２５を含むことができ、導電性トレース１９は、絶縁ベース層２５に少なくとも部分的に埋め込まれる。本明細書で説明するように、絶縁ベース層２５は、１つの絶縁層又は複数の絶縁層を備えることができる。図示されるように、無機非導電性接合層２３は、絶縁ベース層２５の上に配置することができる。半導体素子９は、接着剤を使用せずに接合するための接合界面を接合面１８に含む。絶縁ベース層２５は、第１のセクション２４ａ、第２のセクション２４ｂ、及びフレキシブルユニット１７を含む第３のセクション２４ｃを通って少なくとも部分的に延びることができる。更に、図示のように、少なくとも１つの導電性トレース１９は、第１のセクション２４ａ、第２のセクション２４ｂ、及びフレキシブルユニット１７を含む第３のセクション２４ｃを通って少なくとも部分的に延びることができる。図示の実施形態では、絶縁ベース層２５は、フレキシブルな厚さの有機材料を含む。様々な実施形態において、有機材料は、ポリマー又はコンプライアント材料、例えば、液晶ポリマー（ＬＣＰ）及び／又はポリイミドの少なくとも一方を含むことができる。幾つかの実施形態において、絶縁ベース層２５の有機層の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、１５ｐｐｍ／℃未満、例えば１２ｐｐｍ／℃未満、又は１０ｐｐｍ／℃未満とすることができる。フレキシブルユニット１７を含む第３のセクション２４ｃは、２ＧＰａ～１５ＧＰａの範囲、例えば、２ＧＰａ～１２Ｇｐａの範囲のヤング率を有することができる。幾つかの実施形態では、フレキシブルユニット１７を含む第３のセクション２４ｃは、強化材料を作成するための粒子又はチョップドファイバーを有する有機材料を含む複合材料を含むことができる。図示の実施形態では、フレキシブルユニット１７を含む第３のセクション２４ｃは、絶縁ベース層２５を破断することなく、導電性トレース１９の電気接続性を阻止することなく、撓み可能とすることができる。本明細書で使用されるように、フレキシブルユニット１７を含む第３のセクション２４ｃは、図２Ｄの接合構造体８のような接合構造体８内で撓み可能なままであってもよく、又は（例えば、接合構造体８がオーバーモールドされる場合）接合構造体８内で撓み不能なように固定されてもよいことが理解されるべきである。従って、フレキシブルユニット１７を含む第３のセクション２４ｃは、モールディングコンパウンドのような周囲の材料において可撓性を失うことがあっても、最終的な構造においてはフレキシブル材料とみなすことができる。

【0015】

図示された実施形態において、無機非導電性接合層２３は、直接接合のために調製することができる。例えば、無機非導電性接合層２３は、平坦化された接合面１８を有することができる。また、無機非導電性接合層２３は、活性化された接合面１８を有することができる。

【0016】

図４Ａ～４Ｈは、図３Ａ～３Ｂの相互接続組立体１６を利用することができる例示的な接合構造体８を示す。例えば、接合構造体８は、ギャップ２６によって第１の半導体素子９ａから離間し、相互接続組立体１６ａを介して電気的に接続された第１の半導体素子９ａ及び第２の半導体素子９ｂを含むことができる。幾つかの実施形態では、ギャップ２６は、ガス（例えば、空気）が充填されたギャップ２６を備える。他の実施形態では、モールディングコンパウンドをギャップ２６に配置することができる。図示のように、第１の半導体素子９ａ及び第２の半導体素子９ｂは、キャリア１０上に実装する（例えば、直接接合される）ことができる。上記で説明したように、接合構造体８は、導電性トレース１９を備える絶縁基板２０を含む相互接続組立体１６を含むことができる。絶縁基板２０は、第１の半導体素子９ａに直接接合された第１のセクション２４ａと、第２の半導体素子９ｂに直接接合された第２のセクション２４ｂと、第１のセクション２４ａと第２のセクション２４ｂとの間に配置されたフレキシブルユニット１７を含む第３のセクション２４ｃとを含むことができ、第３のセクション２４ｃは、ギャップ２６を少なくとも部分的にブリッジするフレキシブルユニット１７を含む。

【0017】

上記で説明したように、絶縁基板２０は、図３Ａ及び図３Ｂに示すような絶縁ベース層２５を備えることができ、導電性トレース１９は少なくとも部分的に絶縁ベース層２５に埋め込まれる。絶縁ベース層２５は、フレキシブルユニット１７を含む第１のセクション２４ａ、第２のセクション２４ｂ及び第３のセクション２４ｃを通って少なくとも部分的に延びることができる。少なくとも１つの導電性トレース１９は、少なくとも部分的に、第１のセクション２４ａ、第２のセクション２４ｂ、及び第３のセクション２４ｃを通って延びており、これは、第１のセクション２４ａと第２のセクション２４ｃとの間のギャップ６０を含むフレキシブルユニット１７を含む。更に、少なくとも１つの導電性トレース１９は、第１の半導体素子９ａと第２の半導体素子９ｂとの間の電気的な通信を提供することができる。図示の実施形態では、絶縁ベース層２５は、可撓性の厚さの有機材料を含む。例えば、有機材料は、液晶ポリマー（ＬＣＰ）及びポリイミドの少なくとも一方等のポリマーを備えることができる。有機層の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、１０ｐｐｍ／℃未満とすることができる。他の実施形態では、絶縁ベース層２５は、フレキシブルな厚さの無機材料を備えることができる。

【0018】

上記で説明したように、第１のセクション２４ａは、絶縁ベース層２５上に配置された第１の無機非導電性接合層２３ａを備えることができる。第２のセクション２４ｂは、絶縁ベース層２５上に配置された第２の無機非導電性接合層２３ｂを備えることができ、第３のセクション２４ｃは、第１の無機非導電性接合層２３ａと第２の無機非導電性接合層２３ｂとの間に配置されたフレキシブルユニット１７を備える。上記と同様に、第１の非導電性接合層２３ａ及び第２の非導電性接合層２３ｂは、平坦化及び／又は活性化された接合面を備える。絶縁基板２０の第１の面２１は、第１の半導体素子９ａ及び第２の半導体素子９ｂに直接接合することができる。絶縁基板２０は、第１の面２１とは反対側の第２の面２２を有することができる。第１の無機非導電性接合層２３ａ及び第２の無機非導電性接合層２３ｂは、絶縁基板２０の第１の面２１に配置することができる。第１のセクション２４ａは、絶縁基板２０の第２の面２２において絶縁ベース層２５上に配置された第３の無機非導電性接合層２３ｃを備えることができる。第２のセクション２４ｂは、絶縁基板２０の第２の面２２において絶縁ベース層２５上に配置された第４の無機非導電性接合層２３ｄを備えることができる。図示されるように、絶縁基板２０は、第１の無機非導電性接合層２３ａに少なくとも部分的に埋め込まれた図３Ａ及び図３Ｂの複数の導電性コンタクト特徴２７を含むことができる。第１の無機非導電性接合層２３ａは、介在する接着剤なしで、第１の半導体素子９ａの非導電性領域に直接接合することができる。複数の導電性コンタクト特徴２７は、介在する接着剤なしで、第１の半導体素子９ａの複数の導電性コンタクト特徴２７に直接接合することができる。

【0019】

図４Ｄ～４Ｆに示すように、複数の半導体素子９を互いに積層することができる。従って、幾つかの実施形態では、絶縁基板２０ａの第２の面２２ａは、第１の半導体素子９ａ及び第２の半導体素子９ｂに直接接合することができる。第１の相互接続組立体１６ａの第１の絶縁基板２０ａは、第２の面２２ａの反対側の第１の面２１ａを含むことができる。接合構造体８は、絶縁基板２０ａの第１の面２１ａに直接接合された第３の半導体素子９ｃ及び絶縁基板２０ａの第１の面２１ａに直接接合された第４の半導体素子９ｄを含むことができる。第２の相互接続組立体１６ｂは、導電性トレース１９を有する第２の絶縁基板２０ｂを含むことができる。第２の絶縁基板２０ｂは、第３の半導体素子９ｃに直接接合された第２のセクション２４ｂと、第４の半導体素子９ｄに直接接合された第１のセクション２４ａと、第１のセクション２４ａと第２のセクション２４ｂとの間に配置されたフレキシブルユニット１７を含む第３のセクション２４ｃとを含むことができる。

【0020】

図４Ｇに示すように、幾つかの実施形態では、相互接続組立体１６は、有利には、高さの異なる横方向に間隔を置いた半導体素子９を接続することができる。例えば、図４Ｇにおいて、第１のセクション２４ａは、支持立体１０の上側表面に対する第１の垂直位置で第１の半導体素子９ａに直接接合され、及び第２のセクション２４ｂは、支持立体１０の上側表面に対する第２の垂直位置で第２の半導体素子９ｂに直接接合することができる。第２の垂直位置は、接合面間の垂直オフセット５３によって異なることができる。図４Ｇにおいて、支持組立体の上面は、第１の半導体素子９ａの上面を含む。

【0021】

図４Ｈにおいて、相互接続組立体１６は、第１の半導体素子９ａ及び第２の半導体素子９ｂの少なくとも一方に接続された試験回路２８を含むことができる。試験回路２８は、第１の半導体素子９ａ及び第２の半導体素子９ｂの少なくとも一方における回路の機能を試験するように構成することができる。試験回路２８は、任意の適切な方法で外部デバイスに接続することができる。例えば、試験回路２８は、例えば図９Ｄ～９Ｅに示すように、第１の９ａ及び第２の９ｂ半導体素子の少なくとも一方が実装されたキャリア１０にワイヤ接合することができる。

【0022】

図５Ａ～５Ｄは、本明細書に開示される接合構造体８又は相互接続組立体１６を組み込むことができる例示的なアプリケーション又はデバイスを示す。例えば、図５Ａに示すように、接合構造体８は、幾つかの実施形態において、ウェアラブル消費者デバイスに組み込むことができる。相互接続組立体１６は、２つの半導体デバイス９を接続する。半導体デバイス９及び相互接続組立体１６は、基板５４上に実装される（例えば、直接ハイブリッド接合される）。接合構造体８は、相互接続組立体がブレスレットのリストバンド、ネックレス、又はヘッドバンドの丸い形状等の新しい形状に曲げられたり成形されたりする間に、第１の半導体素子９ａと第２の半導体素子９ｂとの間の接続を可能にする。半導体デバイス９は、プロセッサ、メモリ、又は装着者と相互作用するセンサを備えることができる。図５Ｂ～５Ｃにおいて、接合構造体８は、基板５４上に実装された（例えば、直接接合された）相互接続組立体１６に取り付けられた半導体素子９を含むことができ、幾つかの用途において熱電冷却器５５（ＴＥＣ）に接続できる光学素子２９（発光ダイオード、又はＬＥＤなど）と組み合わせて使用できる。図５Ｂは、ＴＥＣ５５に接続された光学素子２９を示す。このような接続された光学素子２９は、ライトアップネックレス又はブレスレットのようなライトアップ宝飾品として構成することができる。図５Ｄでは、複数の接合構造体８を互いに横方向に接続して、可撓性バンド構造３０を形成することができる。従って、図５Ｄにおいて、例えば図３Ａ～３Ｂに描かれた絶縁基板２０は、第３の半導体素子に直接接合された第３のセクションと、第２のセクションと第３のセクションとの間に配置された第２のフレキシブルセクションとを含むことができる。追加の半導体素子及びフレキシブルセクションを共にデイジーチェーン結合して、任意の適切な長さのバンド構造を形成することができる。このようなデイジーチェーン接合構造体８は、心拍数モニタリング又は他の健康関連モニタリング用に構成されたリストバンド上のセンサとすることができる。デイジーチェーン接合構造体８は、心拍数監視又は他の健康関連監視のためのリング状のセンサとして構成することができる。同様に、デイジーチェーン接合構造体８は、着用者の動きを追跡するための信号位置を送出するために着用可能な構造体上に配置された信号エミッタとすることができる。図５Ａ～Ｄの例のような直接接合は、単一及び複数のダイスタックにおける非平坦化ダイ及び／又は高さ変動のより高い公差を有することができる。更に、利点としては、チップ又はフレックスの全部又は一部に局所的な再配線層を追加できること、異なるＣＴＥを有する基板を統合することが容易であること、ダイ間の直接試験が強化されること、信号損失が低減されること、及び接続までの経路が短くなりインピーダンスが低下すること等を挙げることができる。幾つかの実施形態では、基板５４は支持組立体として機能することができる。

【0023】

図６Ａ～６Ｖは、様々な実施形態による相互接続組立体１６を形成する方法を示す。図６Ａにおいて、裏面無機絶縁接合層２３ｃは、一時的支持構造体３７ａ（本明細書では、キャリア、ハンドル、又は犠牲基板とも呼ばれる）上に設ける（例えば、堆積される）ことができる。一時的支持構造体３７ａは、半導体基板（例えば、シリコン基板）、ガラス基板、パネル、永久的又は一時的である基板、又は一般的に言えばキャリア等の任意の適切なタイプの基板を備えることができる。裏面無機絶縁接合層２３ｃは、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンなどの任意の適切なタイプの無機絶縁材料を含むことができる。裏面無機絶縁接合層２３ｃは、その後の使用のために埋め込まれた導電層又はパッドを有するハイブリッド接合面１８を含むことができる（図６Ａには示されていない）。第１の絶縁ベース層２５ａを設ける（例えば、裏面無機絶縁接合層２３ｃ上に堆積させる）ことができる。第１の絶縁ベース層２５ａは、本明細書で記載される絶縁ベース層２５のサブ層を備えることができる。上記で説明したように、様々な実施形態において、第１の絶縁層２５ａは、ポリマーなどの有機材料を含むことができる。例えば、第１の絶縁層２５ａは、ポリイミド、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、又は低いＣＴＥを有する他の任意の適切なポリマーを備えることができる。このステップは、基板上に１０ｐｐｍ／Ｃ未満の低ＣＴＥポリメチリック層をコーティングするステップを含むことができる。図６Ｂにおいて、一時的支持構造体３７ａ、接合層２３ｃ及び第１の絶縁層２５ａは、例えば、マイクロ波オーブン及び／又は真空キュア、又は従来のオーブンを用いて硬化させることができる。硬化は、溶媒を抽出することができ、熱バジェットを低減し、製造された構造体の応力を低下させることができる。

【0024】

図６Ｃに目を向けると、第１の層間誘電体層３１ａ（ＩＬＤ）を第１の絶縁層２５ａ上に設ける（例えば堆積する）ことができる。第１のＩＬＤ３１ａは、窒化シリコン又は酸化シリコンの薄層等の薄い誘電体層を備えることができる。種々の実施形態において、第１のＩＬＤ３１ａは、１又は複数の層を備えることができる。様々な実施形態において、第１のＩＬＤ３１ａはエッチングストップとして機能することができる。幾つかの実施形態では、第１のＩＬＤ３１ａは、第１の絶縁層２５ａと第２の絶縁層２５ｂとの間の接着を改善する役割を果たすことができる（図６Ｉ参照）。図６Ｄでは、フォトレジスト層３２を第１のＩＬＤ３１ａ上に施工し、リソグラフィパターニングを用いてパターンニングすることができる。図６Ｅにおいて、第１のＩＬＤ３１ａ及び第１の絶縁層２５ａは、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）プロセス等の１又は２以上のエッチングプロセスでエッチングされ、単一又はデュアルダマシンキャビティ３６を形成することができる。キャビティ３６を含む第１の絶縁層２５ａの面は、残留有機材料を除去するために洗浄することができる。図６Ｆにおいて、障壁層３３ａをキャビティ３６内に設けることができ、シード層（図示せず）を障壁層３３ａ上に設けることができる。障壁層３３ａは、導電性材料３４（銅など）の絶縁層２５への移行を防止する任意の適切なタイプの障壁を備えることができる。例えば、障壁層３３ａは、窒化タンタル、窒化チタン、ニッケルバナジウム等の導電性障壁材料を含むことができる。

【0025】

図６Ｇに目を向けると、障壁層３３ａの上のキャビティ３６に導電性材料３４ａ（銅など）を設ける（例えば電気メッキする）ことができる。図６Ｈにおいて、導電性材料３４を平坦化し、及び導電性材料３４ａの平坦化された表面３５を残して絶縁層２５を覆っている障壁層３３ａの部分を除去するために、ポリッシングプロセス（例えば、化学機械研磨、又はＣＭＰプロセス）を実行することができる。

【0026】

幾つかの実施形態では、金属キャビティ３６（例えば、金属パッド用のキャビティ）又は導電性パッド４２を生成するために、（ポリイミド等の）光画定可能なポリマーを提供することができる。例えば２～３ミクロンを超える横方向寸法を有するキャビティ３６の場合、第１のＩＬＤ層３１ａを省略し、コーティング及びソフトベークされた第１の絶縁層２５ａをリソグラフィ露光を介してパターニングし、不要領域を適当なデベロッパーで溶解することができる。パターンニングされた第１の絶縁層２５ａは、例えば、パターンニングされた第１の絶縁層２５ａの熱的、機械的及び／又は電気的特性を改善するために、真空オーブン又は電子レンジにおいてより高い温度で熱処理することができる。障壁層３３ａをキャビティ３６内に設けることができ、シード層を障壁層３３ａの上に設けることができる。導電性材料層３４ａ（銅など）を障壁層３３ａの上のキャビティ３６に設ける（例えば、電気メッキする）ことができる。図６Ｈにおいて、導電性材料３４ａを平坦化し、絶縁層２５ａを覆う障壁層３３ａの部分を除去するために、ポリッシングプロセス（例えば、化学機械研磨、又はＣＭＰプロセス）を実施することができる。障壁層３３ａの残りの部分は、ウェットエッチングプロセス又は反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法により選択的に除去することができる。

【0027】

図６Ｉでは、第２の絶縁層２５ｂを、第１のＩＬＤ３１ａ及び第１の導電性材料３４ａの露出した上側表面の上に設けることができる。第２の絶縁層２５ｂは、第１の絶縁層２５ａと同じ材料を含むこともでき、又は異なる材料を含むこともできる。第２の絶縁層２５ｂの上に第２のＩＬＤ３１ｂ（第１のＩＬＤ３１ａと同じ材料であっても、又は異なる材料であってもよい）を設けることができる。図６Ｊでは、第２のＩＬＤ３１ｂ及び第２の絶縁層２５ｂにキャビティ３６を形成（例えばエッチング）することができる。図６Ｋでは、第２の障壁層３３ｂの上のキャビティ３６に第２の導電性材料３４ｂ（例えば、銅）を設ける（例えば、電気メッキする）ことができる。図６Ｌでは、第２の導電性材料３４ｂをポリッシングすることができる。また、上で説明したように、幾つかの実施形態では、複数の相互接続部を光硬化性高分子材料で形成することができる。

【0028】

図６Ｍに目を向けると、（第１の絶縁層２５ａ及び第２の絶縁層２５ｂと同じであっても又は異なっていてもよい）第３の絶縁層２５ｃを第２のＩＬＤ３１ｂ上に設けることができ、第３のＩＬＤ３１ｃを第３の絶縁層２５ｃ上に設けることができる。前面無機絶縁接合層２３ａは、第３のＩＬＤ３１ｃ上に設けることができる。前面無機絶縁接合層２３ａは、裏面接合層２３ｃと同じ材料を含むことができ、又は異なる材料を含むことができる。図６Ｎでは、第３の絶縁層２５ｃ及び前面接合層２３ａのキャビティ３６に第３の導電性材料３４ｃを設けることができる。第３の導電性材料３４ｃは、相互接続組立体１６の前面における導電性コンタクト２７として機能することができる。図６Ｏでは、前面接合層２３ａの一部を選択的に除去し、第３のＩＬＤ３１ｃを露出させることができる。図６Ｐでは、相互接続組立体１６を反転させて一時的支持構造体３７に実装させることができる。一時的支持３７ｂ構造体は、キャリアとして機能することができるが、このプロセス中に除去される。幾つかの実施形態では、接着剤で相互接続組立体１６を一時的支持構造体３７に接着することができる。他の実施形態では、相互接続組立体１６は、接着剤を介さずに一時的支持構造体３７ｂに直接接合することができる。また、図６Ｐでは、一時的支持構造体３７ｂを（例えば、ポリッシング又は研磨によって）除去し、裏面接合層２３ｃを露出させることもできる。図６Ｑでは、裏面接合層２３ｃの部分を選択的に除去して、第１の絶縁層２５ａを露出させることができる。図６Ｒでは、一時的支持構造体３７ｂを除去し、相互接続組立体１６をダイシングシート３８（例えば、幾つかの配置ではダイシングテープ）に取り付けることができる。幾つかの実施形態では、相互接続組立体１６を処理シートに接着取付することができ、一時的支持構造体３７ｂを除去することができる。一部の用途では、処理シートはダイシングシート３８を備えることができ、他の用途では、相互接続組立体１６はフレーム付きダイシングシート３８に移行することができる。

【0029】

図６Ｓでは、裏面接合層２３ｃの上に保護層３９（有機保護層など）を設けることができる。保護層３９は、シンギュレーション時に接合層２５ａの接合面１８を保護する役割を果たすことができる。幾つかの実施形態では、保護層３９はフォトレジスト層を備えることができる。シングレーションプロセスは、例えば、ウェットエッチング法、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法、ソーダイシング、レーザーダイシング及びこれらの任意の組み合わせを含むことができる。図６Ｔでは、図６Ｕに示すように、相互接続組立体１６をソーストリート４０に沿ってシングレーションして、複数のシングレーション相互接続組立体１６を形成することができる。図６Ｕにおいて、保護層３９をレジスト現像液等の適切な洗浄液によって除去し、接合層２３を直接接合するために調製することができる。調製プロセスは、保護層３９の残留物の剥離、不要な微粒子の洗浄、洗浄された接合面４１の灰化及び活性化、脱イオン水又は他の適切な溶媒による接合面４１のリンス、及び洗浄された接合面４１の乾燥を含むことができる。洗浄された接合面４１の乾燥は、リンスされた相互接続組立体１６をスピン乾燥すること、例えば、リンスされた相互接続組立体１６を５００～３０００ｒｐｍの間の速度で、１５秒～２４０秒の間の時間でスピン乾燥するステップを含むことができる。回転数が高いほど、乾燥時間は短くなる。乾燥ステップの後、幾つかの実施形態では、ダイシングフレーム（図示せず）の裏面をＵＶ照射に曝し、ピックアンドプレース接合動作のために、相互接続組立体１６とダイシングシート３８との間の接着を低減することができる。図６Ｖは、前面及び裏面の誘電体接合層２３に少なくとも部分的に埋め込まれた導電性コンタクト特徴２７を有するシングレーション相互接続組立体１６を示す。

【0030】

図７Ａ～７Ｉは、デュアルダマシンプロセスの例を示す。図７Ａ～７Ｃは、図６Ｇ～６Ｉに示されるステップと同じであるか又は概ね同様とすることができる。裏面接合誘電体層２３ｃは、直接ハイブリッド接合用の裏面接合面（図示せず）に埋め込まれた導電パッドを含むことができる。しかしながら、図７Ｄでは、第２の絶縁層２５ｂに二重ダマシンキャビティ４３を形成することができ、及び二重ダマシンキャビティ４３に障壁層３３ｂを設けることができる。図７Ｅでは、第２の導電性材料３４ｂを二重ダマシンキャビティ４３に設けることができ、図７Ｆでは、第２の導電性材料３４ｂを平坦化することができ、第２の障壁層３３ｂのうち第２のＩＬＤ３１ｂを覆っている部分が除去される。図７Ｆの平坦化プロセスはまた、図示された実施形態において接合面１８として機能することができる第２のＩＬＤ３１ｂを平坦化することができる。従って、図７Ｆにおいて、第２のＩＬＤ３１ｂは、酸化シリコン、窒化シリコン等の無機絶縁接合層２３を備えることができる。図７Ｇにおいて、一時基板５９は、（特定のプロセス又は構造に適していれば）裏面で薄肉化することができる。図７Ｈでは、一時基板５９（例えば、一時基板）を除去し、裏面の無機接合層２３ｃを露出させることができる。図７Ｉでは、裏面接合層２３ｃに形成されたキャビティ３６に導電性コンタクト特徴２７を設けることができ、裏面接合層２３ｃ及びコンタクト特徴２７を直接接合するために調製することができる。幾つかの実施形態では、裏面の誘電体層内にアルミニウム（Ａｌ）金属層を使用することにより、前面のメタライゼーション（Ｃｕ）からの応力、並びに結果として得られる構造における全体的な反りを補償することができる。ＡｌはＣｕよりも引っ張りが強く、誘電体の圧縮応力のバランスをとるために使用することができる。アルミニウムは、ビルドアップ層及び／又はＣＭＰアルミニウムプロセスで追加することができる。ビルドアップアルミプロセスでは、アルミニウムをパターニングし、誘電体層をビルドアップアルミ層上に堆積し、アルミニウムを収縮させて誘電体応力を補う。アルミニウムは、エッチング又は誘電体ＣＭＰポリッシングプロセスによって露出させることができる。Ｃｕ接合層がアルミニウム相互接続部上に形成することができる。

【0031】

図８Ａ～８Ｆは、接合構造体８に使用される相互接続組立体１６の追加例を示す。図８Ａは、絶縁基板２０の第１の面２１に実装された複数の半導体素子９ａ及び９ｃ（例えば、デバイスダイ）と、第２の面２２に実装された複数の半導体素子９ｂ及び９ｄとを示しており、第２の面２２は絶縁基板２０の第１の面２１の反対側にある。第１のセクション２４ａの第１の面２１には１又は複数の半導体素子９ａが実装され、第１のセクション２４ａの第２の面２２には１又は複数の半導体素子９ｂが実装することができる。第２のセクション２４ｂの第１の面２１には、１又は複数の半導体素子９ｃが実装することができる。第２のセクション２４ｂの第２の面２２には、１又は複数の半導体素子９ｄが実装することができる。

【0032】

図８Ｂに目を向けると、幾つかの実施形態では、導電性トレース１９は障壁層３３で封止することができる。障壁層３３は、導電性トレース２７に水分が接触するのを防止することができる。障壁層３３は、任意の適切なタイプの障壁材料、例えば、ＣｏＰ、ＮｉＰ、ＣｏＰ／ＮｉＰ、ニッケルバナジウム、窒化タンタル、タンタル、及びこれらの組み合わせを含むことができる。

【0033】

図８Ｃにおいて、相互接続組立体１６は、陥凹部４５を備えるキャリア１０を含む支持構造４４に実装することができる。フレキシブルユニット１７を含む第３のセクション２４ｃは、陥凹部４５を少なくとも部分的にブリッジすることができる。図示のように、半導体素子９は、上記で説明したように、相互接続組立体１６の反対の側に実装する（例えば、直接接合される）ことができる。

【0034】

図８Ｄは、半導体素子９が接合され、及びダイシングシート３８に取り付けられた絶縁基板２０を示す。図８Ｅは、半導体素子９が接合された単結晶相互接続組立体１６を示す。図８Ｆは、相互接続組立体１６の上面図である。図８Ｆの相互接続組立体１６の上面図に示すように、少なくとも１つの導電性トレース１９は曲線又はジグザグにすることができる。曲線又はジグザグは、基板２０の金属層の応力を緩和するために使用することができる。幾つかの実施形態では、半導体デバイス９は支持組立体として機能することができる。

【0035】

図９Ａ～９Ｅは、相互接続組立体１６に配置された試験回路２８に接続することができる試験パッド４６を利用する追加の実施形態を示す。特に断らない限り、図９Ａ～９Ｅの構成要素は、図２Ｃ～８Ｆの同番の構成要素と同じであるか又は一般に類似していることがある。上記で説明したように、試験回路２８は、第１の半導体素子９ａ及び第２の半導体素子９ｂの少なくとも一方における回路の機能を試験するように構成することができる。図９Ａは、相互接続組立体１６に配置された試験パッド４６を示す。図９Ｂにおいて、半導体素子９ｃ及び９ｄは相互接続組立体１６に実装され、相互接続組立体１６内の試験回路２８に接続することができる。好適に構成された試験パッド４６は、図９Ｂの様々な半導体素子９、例えば相互接続組立体１６の下方及び上方の半導体素子９の接続性及び機能性を試験することができる。図９Ｃは、相互接続組立体１６に接合された１又は２以上の半導体素子９を試験するための試験治具４７又はソケットを示す。機能性試験のために、複数の半導体素子９を相互接続組立体１６に接合させることができる。後の時点で、試験された素子が正しく機能する場合、既知の良好な組み立てられた半導体素子９を、相互接続組立体１６の裏面接合面２３ｃを介して別の基板に接合し、モジュール又は組立体を完成させることができる。

【0036】

図９Ｄは、接合ワイヤ４８によってキャリア１０に接合された試験パッド４６を示す。幾つかの実施形態において、接合ワイヤ４８は、パッド４６を介して、半導体素子９に電力及び接地を供給するために、キャリア１０への電力及び接地導管として適合することができる。図９Ｅでは、相互接続組立体１６のフレキシブルユニット１７を含む第３のセクション２４ｃの下のギャップ２６に（例えば、キャリアに直接接合された）チップレット４９（例えば、別の集積デバイスダイ）を設けることができる。幾つかの実施形態では、１又は２以上のチップレット４９が相互接続組立体１６に接合することができる（図示せず）。

【0037】

図１０Ａ～１０Ｈは、相互接続組立体１６を有する直接接合構造体８の追加の例を示す。図１０Ａ～１０Ｅの特徴は、上述した方法を用いて形成することができ、特に断りのない限り、図３Ａ～９Ｅの構成要素と同じ又は一般的に類似する構成要素を含むことができる。図３Ａ～９Ｅの実施形態では、相互接続組立体１６の絶縁ベース層２５（１又は複数の層を含むことができる）は、上述のように有機材料を含む。しかしながら、図１０Ａ～１０Ｅの実施形態では、絶縁ベース層２５は無機ベース層を備えることができる。様々な実施形態において、無機絶縁ベース層２５は、ガラス、炭化ケイ素、サファイア、アルミノシリケートガラス、ガラスセラミック、ゴリラガラス（登録商標）、ロータスガラス（登録商標）、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、又は他の任意の適切な無機材料等の適切な炭化物材料、窒化物材料、及び／又は酸化物材料を含むことができる。無機絶縁ベース層の厚さは、少なくとも１ミクロン、例えば３ミクロンから５０ミクロンの範囲、又は５ミクロンから２０ミクロンの範囲とすることができる。キャリア１０は、キャリア１０に実装された（例えば、直接接合された）半導体素子５７によって半導体素子９に接続することができる。図１０Ｂ～１０Ｃに示すように、様々な実施形態において、モールディングコンパウンド５０を、半導体素子９、キャリア１０、及びギャップ２６内にオーバーモールドして設けることができる。図１０Ｂでは、相互接続組立体１６の上側表面をモールディングコンパウンド５０を通して露出させることができる。図１０Ｃでは、モールディングコンパウンド５０を相互接続組立体１６の上に設けることができる。図１０Ｄでは、相互接続組立体１６が４つの半導体デバイス９と接合された、図１０Ａの接合構造体８の異なる構成を示す。図１０Ｅは、異なる高さを有する半導体デバイス９を直接接合されたフレキシブルユニット１７を含む。

【0038】

図１０Ｆ～１０Ｈは、垂直方向に隣接する無機絶縁ベース層２５の間に配置されたポリマー応力バッファ層５１（例えば、ポリイミド層）を有する無機絶縁ベース層２５を示す。バッファ層５１は、バッファ層５１の上下に相互接続層２５をブリッジするためのパススルー導電ビア５２及び導電性トレース１９を備えることができる。ポリマーバッファ層５１は、特に、ポリマーの上の誘電体層のマトリックスのＣＴＥがポリマー層の下と異なる場合に、層の両側の材料のＣＴＥ不整合に起因して誘発される応力に対する応力緩衝材として有益に機能することができる。幾つかの実施形態では、ポリマーバッファ５１は、繊維強化ポリマーの微粒子を含むことができる。図１０Ｇにおいて、相互接続組立体１６の下側は、適切な基板５４上に形成することができる。ポリマー層５１は、トレース１９、パススルービア５２、及び下側に形成された無機接合面を備えることができる。相互接続組立体１６の上部は、幾つかの実施形態では別個に形成することができる。相互接続組立体１６の上面部分の下側接合面は、ポリマー層５１上に配置された接合面に直接接合することができる。一時基板５４は、その後のプロセスの前に除去することができる。図１０Ｇは、半導体デバイス９が相互接続組立体１６に接合された、図１０Ｆと同様の相互接続組立体を示す。図１０Ｈは、接合ワイヤ４８によってキャリア２０に接合された試験パッド４６を示す。

【0039】

直接接合方法及び直接接合構造体の実施例
本明細書に開示される様々な実施形態は、介在する接着剤なしで２つの素子を互いに直接接合させることができる直接接合構造体に関する。半導体素子（集積デバイスダイ、ウェハ等）、又は本明細書で説明するように、無機絶縁接合層を有するパッケージ基板（フレキシブル基板を含む）等の非半導体素子とすることができる２又は３以上の電子素子を、互いに積層又は接合して接合構造体を形成することができる。本明細書に開示される実施形態では、電子構成要素（例えば、配線層）は、第１の要素を備えることができ、パッケージキャリアは、第２の要素を備えることができる。半導体デバイスは、第３の要素を備えることができる。ある素子の導電性コンタクトパッドは、別の素子の対応する導電性コンタクトパッドに電気的に接続することができる。接合構造体には、任意の適切な数の素子を積層することができる。コンタクトパッドは、非導電性接合領域に形成された金属パッドを備えることができ、再配線層（ＲＤＬ）のような下層のメタライゼーションに接続することができる。

【0040】

幾つかの実施形態では、要素は、接着剤なしで互いに直接接合される。様々な実施形態において、第１の素子の非導電性又は誘電性材料は、接着剤なしで第２の素子の対応する非導電性又は誘電体電界領域に直接接合することができる。非導電性材料は、第１の要素の非導電性接合領域又は接合層と呼ぶことができる。幾つかの実施形態では、第１の素子の非導電性材料は、誘電体対誘電体接合技術を用いて第２の素子の対応する非導電性材料に直接接合することができる。例えば、誘電体－誘電体接合は、少なくとも米国特許第９，５６４，４１４号、米国特許第９，３９１，１４３号、及び特許第１０，４３４，７４９号に開示された直接接合技術を使用して、接着剤なしで形成することができ、これらの各特許の全内容は、引用によりその全体があらゆる目的のために本明細書に組み込まれる。本明細書に記載される直接接合層に好適な誘電体材料としては、限定ではないが、酸化ケイ素、窒化ケイ素、又は酸窒化ケイ素等の無機誘電体が挙げられ、又は炭化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭窒化ケイ素、又はダイヤモンドライクカーボン等の炭素を挙げることができる。幾つかの実施形態では、接合層の誘電体材料は、エポキシ、樹脂又は成形材料のようなポリマー材料を備えないが、下にある層は、本明細書に記載の有機絶縁層のような有機材料を含むことができる。

【0041】

様々な実施形態において、ハイブリッド直接接合は、介在する接着剤なしで形成することができる。例えば、誘電体接合面を高度な平滑さまでポリッシングすることができる。接合面は、洗浄され、プラズマ及び／又はエッチャントに曝されて、表面を活性化することができる。幾つかの実施形態では、表面は、活性化の後又は活性中（例えば、プラズマ及び／又はエッチングプロセス中）に、化学種で終端することができる。理論によって限定されることなく、幾つかの実施形態において、活性化プロセスは、接合面における化学結合を切断するために活性化することができ、終端プロセスは、直接接合の際の接合エネルギーを改善する追加の化学種を接合面に提供することができる。幾つかの実施形態では、活性化及び終端は、同じステップ、例えば、プラズマ又はウェットエッチャントで提供されて、表面を活性化し終端する。他の実施形態では、直接接合のための追加の化学種を提供するために、接合面を別個の処理で終端することができる。様々な実施形態において、終端種は窒素を含むことができる。更に、幾つかの実施形態において、接合面はフッ素に曝露することができる。例えば、層及び／又は接合界面近傍に１又は複数のフッ素ピークが存在することができる。従って、直接接合構造体において、２つの誘電体材料間の接合界面は、より高い窒素含有量及び／又は接合界面におけるフッ素ピークを有する極めて滑らかな界面を備えることができる。活性化及び／又は終端処理の追加の例は、米国特許第９，５６４，４１４号；第９，３９１，１４３号；及び第１０，４３４，７４９号を通して見出すことができ、これらの各々の全内容は、その全体及び全ての目的のために引用により本明細書に組み込まれる。

【0042】

様々な実施形態において、第１の素子の導電性コンタクトパッドはまた、第２の素子の対応する導電性コンタクトパッドに直接接合することができる。例えば、ハイブリッド直接接合技術を使用して、上述のように調製された共有結合的に直接接合された誘電体対誘電体面を含む接合界面に沿って、導体対導体の直接接合を提供することができる。様々な実施形態において、導体－導体（例えば、コンタクトパッド－コンタクトパッド）直接接合及び誘電体－誘電体ハイブリッド接合は、少なくとも米国特許第９，７１６，０３３号及び第９，８５２，９８８号に開示された直接接合技術を使用して形成することができ、これらの各特許の全内容は、引用によりその全体があらゆる目的のために本明細書に組み込まれる。

【0043】

例えば、本明細書に記載の接合層の誘電体接合面は、上記で説明したように、介在する接着剤なしで、調製され、互いに直接接合することができる。導電性コンタクトパッド（非導電性誘電体フィールド領域によって囲まれてもよい）もまた、介在する接着剤なしで、互いに直接接合することができる。幾つかの実施形態では、それぞれのコンタクトパッドは、誘電体フィールド領域又は非導電性接合領域の外側（例えば、上側）表面よりも陥凹部、例えば、３０ｎｍ未満、２０ｎｍ未満、１５ｎｍ未満、又は１０ｎｍ未満、例えば、２ｎｍ～２０ｎｍの範囲、又は４ｎｍ～１０ｎｍの範囲で陥凹部とすることができる。非導電性接合領域は、幾つかの実施形態では、本明細書に記載の接合ツールにおいて、室温で接着接合なしで互いに直接接合され得、及びその後、接合構造体はアニールすることができる。アニールは、別の装置で行うことができる。アニールすると、コンタクトパッドは膨張して互いに接触し、金属対金属の直接接合をすることができる。有利には、カリフォルニア州サンノゼのＡｄｅｉａ社から市販されているＤＢＩ（登録商標）（Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｏｎｄ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ）などのハイブリッド接合技術を使用すると、直接接合界面にわたって接続されたパッドの高密度化が可能になる（例えば、規則的なアレイの場合はピッチが小さい又は細かい）。幾つかの実施形態では、接合パッド、又は接合された素子の１つの接合面に埋め込まれた導電性トレースのピッチは、４０ミクロン未満、又は１０ミクロン未満、又は２ミクロン未満であってもよい。用途によっては、接合パッドのピッチと接合パッドの寸法の比は５未満、又は３未満、場合によっては望ましくは２未満である。他の用途では、接合された素子の１つの接合面に埋め込まれた導電性トレースの幅は、０．３ミクロンから５ミクロンの範囲であってもよい。様々な実施形態において、コンタクトパッド及び／又はトレースは銅を含むことができるが、他の金属が適している場合もある。

【0044】

本明細書で説明したように、第１の要素及び第２の要素（例えば、本明細書で配線層として例示した電子構成要素及びパッケージングキャリア）は、接着剤なしで互いに直接接合され得、これは堆積プロセスとは異なる。それに応じて、第１の要素及び第２の要素は、非堆積要素を含むことができる。更に、直接接合構造体は、堆積層とは異なり、ナノボイドが存在する接合界面に沿った欠陥領域を含むことができる。ナノボイドは、接合面の活性化（例えば、プラズマへの曝露）により形成することができる。上記で説明したように、接合界面は、活性化及び／又は最後の化学処理プロセスからの材料の濃度を含むことができる。例えば、活性化に窒素プラズマを利用する実施形態では、接合界面に窒素ピークが形成することができる。活性化に酸素プラズマを利用する実施形態では、酸素ピークが接合界面に形成することができる。幾つかの実施形態において、接合界面は、シリコンオキシナイトライド、シリコンオキシカーボナイトライド、又はシリコンカーボナイトライドを備えることができる。本明細書で説明されるように、直接接合は、ファンデルワールス結合よりも強い共有結合を備えることができる。接合層はまた、高い平滑度に平坦化されたポリッシング面を備えることができる。例えば、接合層は、ミクロン当たり２ｎｍ二乗平均平方根（ＲＭＳ）未満、又はミクロン当たり１ｎｍ ＲＭＳ未満の表面粗さを有することができる。

【0045】

様々な実施形態において、直接ハイブリッド接合構造体における導電性特徴（例えば、コンタクトパッド）間の金属間接合は、導電性特徴の粒、例えば導電性特徴上の銅粒が接合界面にわたって互いに成長するように接合することができる。幾つかの実施形態では、銅は接合界面にわたって銅の拡散を改善するために１１１結晶面に沿って配向した結晶粒を有することができる。接合界面は、接合されたコンタクトパッドの少なくとも一部まで実質的に完全に延びることができ、接合されたコンタクトパッド又はその近傍の非導電性接合領域間に実質的にギャップがないようにすることができる。幾つかの実施形態では、コンタクトパッドの下に障壁層を提供することができる（例えば、銅を含むことができる）。しかしながら、他の実施形態では、例えば、引用によりその全体及び全ての目的のために本明細書に組み込まれる米国特許公開第２０１９／００９６７４１号に記載されるように、コンタクトパッドの下に障壁層がなくてもよい。

【0046】

一実施形態では、接合構造体は、第１の半導体素子と；第１の半導体素子からギャップだけ離間して配置された第２の半導体素子と；導電性トレースを備えた絶縁基板を含む相互接続組立体と、を備え、絶縁基板は、第１の半導体素子に直接接合された第１のセクションと、第２の半導体素子に直接接合された第２のセクションと、第１のセクションと第２のセクションとの間に配置されたフレキシブルセクションとを含むことができ、フレキシブルセクションはギャップを少なくとも部分的にブリッジする。

【0047】

幾つかの実施形態では、絶縁基板は絶縁ベース層を備え、導電性トレースは絶縁ベース層に少なくとも部分的に埋め込まれる。幾つかの実施形態では、絶縁ベース層は、第１のセクション、第２のセクション及びフレキシブルセクションを通って少なくとも部分的に延びる。幾つかの実施形態では、絶縁ベース層は複数の絶縁層を備える。幾つかの実施形態では、接合構造体は、第１の絶縁層と第２の絶縁層との間に配置された層間誘電体（ＩＬＤ）層を含むことができる。幾つかの実施形態では、ＩＬＤ層は、窒化シリコン及び酸化シリコンの少なくとも一方を含む。幾つかの実施形態では、少なくとも１つの導電性トレースが、第１のセクション、第２のセクション、及びフレキシブルセクションを少なくとも部分的に通って延びている。幾つかの実施形態において、少なくとも１つの導電性トレースは、第１の半導体素子と第２の半導体素子との間の電気的通信を提供する。幾つかの実施形態では、絶縁ベース層は、フレキシブルな厚さの有機材料を含む。幾つかの実施形態では、有機材料はポリマーを含む。幾つかの実施形態では、有機材料は、液晶ポリマー（ＬＣＰ）及びポリイミドの少なくとも一方を含む。幾つかの実施形態では、有機層の熱膨張係数（ＣＴＥ）は１２ｐｐｍ／℃未満である。幾つかの実施形態では、絶縁ベース層は、フレキシブルな厚さの無機材料を含む。幾つかの実施形態において、第１のセクションは、絶縁ベース層の上に配置された第１の無機非導電性接合層を備える。幾つかの実施形態では、第２のセクションは、絶縁ベース層の上に配置された第２の無機非導電性接合層を備え、フレキシブルセクションは、第１の無機非導電性接合層と第２の無機非導電性接合層との間に配置されている。幾つかの実施形態では、第１の無機非導電性接合層及び第２の無機非導電性接合層は、平坦化された接合面を備える。幾つかの実施形態において、絶縁基板の第１の面は、第１及び第２の半導体素子に直接接合され、絶縁基板は、第１の面の反対側の第２の面を含み、第１及び第２の無機非導電性接合層は、絶縁基板の第１の面に配置される。幾つかの実施形態において、第１のセクションは、絶縁基板の第２の面において絶縁ベース層の上に配置された第３の無機非導電性接合層を備える。幾つかの実施形態において、第２のセクションは、絶縁基板の第２の面において絶縁ベース層の上に配置された第４の無機非導電性接合層を備える。幾つかの実施形態では、絶縁基板は、第１の無機非導電性接合層に少なくとも部分的に埋め込まれた複数の導電性コンタクト特徴を含む。幾つかの実施形態では、第１の無機非導電性接合層は、介在する接着剤なしで第１の半導体素子の非導電性領域に直接接合され、複数の導電性コンタクト特徴は、介在する接着剤なしで第１の半導体素子の複数の導電性コンタクト特徴に直接接合される。幾つかの実施形態において、絶縁基板の第１の面は、第１及び第２の半導体素子に直接接合され、絶縁基板は、第１の面の反対側の第２の面を含み、接合構造体は、絶縁基板の第２の面に直接接合された第３の半導体素子と、絶縁基板の第２の面に直接接合された第４の半導体素子とを含む。幾つかの実施形態では、接合構造体は、導電性トレースを有する第２の絶縁基板を備える第２の相互接続組立体を含むことができ、第２の絶縁基板は、第３の半導体素子に直接接合された第１のセクションと、第４の半導体素子に直接接合された第２のセクションと、第１のセクションと第２のセクションとの間に配置されたフレキシブルセクションとを含む。幾つかの実施形態では、第１及び第２の半導体素子は支持組立体上に実装される。幾つかの実施形態では、支持組立体はキャリアを備え、第１及び第２の半導体素子はキャリアに実装される。幾つかの実施形態では、第１及び第２の半導体素子は、接着剤を介さずにキャリアに直接接合される。幾つかの実施形態では、第１のセクションは支持組立体の上側表面に対して第１の垂直位置で第１の半導体素子に直接接合され、第２のセクションは支持組立体の上側表面に対して第２の垂直位置で第２の半導体素子に直接接合され、第２の垂直位置は第１の垂直位置とは異なる。幾つかの実施形態では、絶縁基板の第１の面は第１及び第２の半導体素子に直接接合され、絶縁基板は第１の面の反対側の第２の面を含み、第２の面は互いに間隔を置いて第３及び第４の素子に実装され、支持組立体は第３及び第４の素子を含む。幾つかの実施形態では、絶縁基板は、第３の半導体素子に直接接合された第３のセクションと、第２のセクションと第３のセクションとの間に配置された第２のフレキシブルセクションとを含む。幾つかの実施形態では、相互接続組立体は、第１及び第２の半導体素子の少なくとも一方に接続された試験回路を含み、試験回路は、第１及び第２の半導体素子の少なくとも一方における回路の機能を試験するように構成されている。幾つかの実施形態では、試験回路は、第１及び第２の半導体素子の少なくとも一方が実装されたキャリアにワイヤ接合される。幾つかの実施形態では、少なくとも１つの導電性トレースは、相互接続組立体の上面図から見て、曲線状又はジグザグ状である。幾つかの実施形態では、ギャップはガスを含む。幾つかの実施形態では、第１及び第２の半導体素子は、モールディングコンパウンドに少なくとも部分的に埋め込まれる。幾つかの実施形態では、モールディングコンパウンドはギャップ内に配置される。幾つかの実施形態では、フレキシブルセクションは、２ＧＰａ～１５ＧＰａの範囲のヤング率を有する。幾つかの実施形態では、フレキシブルセクションは、絶縁ベース層を破壊することなく且つ導電性トレースの電気接続部を破壊することなく、曲げ可能である。

【0048】

別の実施形態では、接合構造体は、キャリアと、導電性トレースを有する絶縁基板を含む相互接続組立体であって、絶縁基板が、第１のセクション及び第１のセクションから延びるフレキシブルセクションを含み、第１のセクションが、第１の無機非導電性接合層を含み、第１の無機非導電性接合層は、接着剤なしでキャリアに直接接合される、相互接続組立体と、を含むことができる。

【0049】

幾つかの実施形態では、キャリアは第１の半導体素子を備える。幾つかの実施形態では、接合構造体は第２の半導体素子を含むことができ、絶縁基板は第２の無機非導電性接合層を含む第２のセクションを含み、第２の無機非導電性接合層は接着剤なしで第２の半導体素子に直接接合される。幾つかの実施形態では、キャリアは陥凹部を備え、絶縁基板はキャリアに直接接合された第２の無機非導電性接合層を含む第２のセクションを含み、フレキシブルセクションは少なくとも部分的にキャリアの陥凹部をブリッジする。

【0050】

別の実施形態では、接合構造体は、第１の接合面及び第２の接合面を有する支持組立体と、支持組立体の上の相互接続組立体であって、相互接続組立体が、導電性トレースを有する絶縁基板を含み、絶縁基板は、接着剤なしで第１の接合面に直接接合された第１のセクションと、接着剤なしで第２の接合面に直接接合された第２のセクションと、第１のセクションと第２のセクションとの間に延在する第３のセクションとを含み、第３のセクションは、第１の接合面と第２の接合面との間のギャップをブリッジし、ギャップがガスで充填されている。

【0051】

幾つかの実施形態では、絶縁基板の第３のセクションはフレキシブルである。幾つかの実施形態では、支持組立体は、第１の半導体素子と、第１の半導体素子からギャップだけ離間して配置された第２の半導体素子とを備え、第１の半導体素子は第１の接合面を備え、第２の半導体素子は第２の接合面を備える。幾つかの実施形態では、第１及び第２の半導体素子はキャリアに実装される。幾つかの実施形態では、支持組立体は、陥凹部を有するキャリアを備え、第３のセクションは、キャリアの陥凹部を少なくとも部分的にブリッジする。幾つかの実施形態では、絶縁基板は絶縁ベース層を備え、第１のセクションは絶縁ベース層の上に配置された第１の無機非導電性接合層を備え、第２のセクションは絶縁ベース層の上に配置された第２の無機非導電性接合層を備える。幾つかの実施形態において、第１の接合面は支持組立体の上側表面に対して第１の垂直位置にあり、第２の接合面は支持組立体の上側表面に対して第２の垂直位置に配置され、第２の垂直位置は第１の垂直位置とは異なる。

【0052】

別の実施形態では、接合構造体は、支持組立体の上側表面に対して第１の垂直位置にある第１の接合面と、支持組立体の上側表面に対して第２の垂直位置に配置された第２の接合面とを有し、第２の垂直位置は第１の垂直位置とは異なる、支持組立体と、導電性トレースを有する絶縁基板を含む相互接続組立体であって、絶縁基板は接着剤なしで第１の接合面に直接接合された第１のセクションと、接着剤なしで第２の接合面に直接接合された第２のセクションと、第１のセクションと第２のセクションとの間に延在する第３のセクションとを有する、相互接続組立体と、を含むことができる。

【0053】

幾つかの実施形態では、絶縁基板の第３のセクションはフレキシブルである。幾つかの実施形態では、支持組立体は、第１の半導体素子と、第１の半導体素子からギャップだけ離間して配置された第２の半導体素子とを備え、第１の半導体素子は、第１の接合面を備え、第２の半導体素子は、第２の接合面を備え、支持組立体の上側表面は第１の半導体素子の上面を含む。幾つかの実施形態では、第１及び第２の半導体素子はキャリア上に実装される。幾つかの実施形態では、支持組立体は、陥凹部を有するキャリアを備え、第３のセクションは、キャリアの陥凹部を少なくとも部分的にブリッジする。幾つかの実施形態において、絶縁基板が絶縁ベース層を備え、第１のセクションは絶縁ベース層の上に配置された第１の無機非導電性接合層を備え、第２のセクションは絶縁ベース層の上に配置された第２の無機非導電性接合層を備える。

【0054】

別の実施形態では、相互接続組立体は、導電性トレースを有する絶縁基板であって、第１の面及び該第１の面の反対側の第２の面を有する、絶縁基板と、絶縁基板の第１の面の第１のセクション上に設けられた第１の無機非導電性接合層であって、直接接合のために調製された第１の無機非導電性接合層と；絶縁基板の第１の面の第２のセクション上の第２の無機非導電性接合層であって、第２のセクションは第１のセクションから離間して配置されており、第２の無機非導電性接合層は直接接合のために調製されている、第２の無機非導電性接合層と、を備え、絶縁基板が第１のセクションと第２のセクションの間に配置されたフレキシブルセクションを備える。

【0055】

幾つかの実施形態では、絶縁基板は絶縁ベース層を備え、導電性トレースは絶縁ベース層に少なくとも部分的に埋め込まれる。幾つかの実施形態では、絶縁ベース層は、第１のセクション、第２のセクション及びフレキシブルセクションを通って少なくとも部分的に延びる。幾つかの実施形態において、少なくとも１つの導電性トレースは、第１のセクション、第２のセクション及びフレキシブルセクションを少なくとも部分的に通って延びる。幾つかの実施形態では、絶縁ベース層は、フレキシブルな厚さの有機材料を含む。幾つかの実施形態では、有機材料はポリマーを含む。幾つかの実施形態では、有機材料は、液晶ポリマー（ＬＣＰ）及びポリイミドの少なくとも一方を含む。幾つかの実施形態では、有機層の熱膨張係数（ＣＴＥ）は１２ｐｐｍ／℃未満である。幾つかの実施形態では、絶縁ベース層は、フレキシブルな厚さの無機材料を含む。幾つかの実施形態において、第１の無機非導電性接合層は、絶縁ベース層の上に配置される。幾つかの実施形態では、第２の無機非導電性接合層が絶縁ベース層の上に配置される。幾つかの実施形態では、第１の無機非導電性接合層及び第２の無機非導電性接合層は、平坦化された接合面を備える。幾つかの実施形態では、第１の無機非導電性接合層及び第２の無機非導電性接合層は、活性化された接合面を備える。

【0056】

別の実施形態では、相互接続組立体は、少なくとも１つの導電性トレースを有する絶縁基板であって、絶縁基板は、第１のセクションと、第２のセクションと、第１及び第２のセクションをブリッジする第３のセクションとを有する、絶縁基板と、絶縁基板の第１のセクション上で、第１の接合層は直接接合のために調製されている、無機第１の接合層と、絶縁基板の第２のセクション上で、直接接合のために調製され且つ第３のセクションの上にあるギャップによって第１の接合層から横方向に離間した無機の第２の接合層と、を含むことができる。

【0057】

幾つかの実施形態では、絶縁基板は、フレキシブルな厚さの有機材料を含む絶縁ベース層を含む。幾つかの実施形態では、絶縁ベース層は、フレキシブルな厚さの無機材料を備える。幾つかの実施形態では、絶縁基板の第３のセクションはフレキシブルである。

【0058】

別の実施形態では、方法は、少なくとも１つの導電性トレースを有する絶縁層を提供するステップであって、絶縁層が、第１のセクションと、第２のセクションと、第１及び第２のセクションをブリッジする第３のセクションとを有する、ステップと、絶縁層の第１のセクション上に無機第１の接合層を提供するステップと、絶縁層の第２のセクション上に無機の第２の接合層を提供するステップと、直接接合のために無機の第２の接合層を調製するステップと、を含むことができる。

【0059】

幾つかの実施形態では、絶縁層の第３のセクションはフレキシブルである。幾つかの実施形態では、本方法は、キャリア基板上にブランケット無機接合層を提供するステップと、ブランケット無機接合層上に絶縁層を提供するステップとを含むことができる。幾つかの実施形態において、本方法は、ブランケット無機接合層をパターンニングするステップを含むことができ、パターンニングされた無機接合層は、無機第１の接合層及び第２の接合層を備える。幾つかの実施形態において、本方法は、絶縁層上に第１の層間誘電体（ＩＬＤ）層を提供するステップを含むことができる。幾つかの実施形態において、本方法は、絶縁層にキャビティをパターニングするステップ及びキャビティに導電性材料を提供するステップを含むことができる。幾つかの実施形態において、本方法は、導電性材料をポリッシングすることを含むことができる。幾つかの実施形態において、本方法は、第１の絶縁層及び導電性材料上に第２の絶縁層を提供するステップを含むことができる。幾つかの実施形態において、本方法は、第２の絶縁層上に第２の層間誘電体（ＩＬＤ）層を提供するステップを含むことができる。幾つかの実施形態において、本方法は、第２の絶縁層に第２のキャビティを形成し、第２のキャビティに第２の導電性材料を提供するステップを含むことができる。幾つかの実施形態において、本方法は、第２の導電性材料をポリッシングするステップを含むことができる。幾つかの実施形態において、本方法は、第２の導電材料をポリッシングするステップが、直接接合されるために第２のＩＬＤ層を調製するステップを含むことができる。幾つかの実施形態では、第２のＩＬＤ層は、無機第１の接合層及び第２の接合層を備える。幾つかの実施形態において、本方法は、第１の接合層及び第２の接合層に導電性コンタクト層をパターニングするステップを含むことができる。幾つかの実施形態において、本方法は、介在する接着剤なしで第１の接合層を第１の半導体素子に直接接合し、介在する接着剤なしで第２の接合層を第２の半導体素子に直接接合するステップを含むことができる。幾つかの実施形態において、本方法は、無機第１の接合層及び第２の接合層を調製するステップが、無機第１の接合面及び第２の接合面を平坦化するステップを含み、無機の第１の接合面及び第２の接合面は、埋め込まれた導電層を含むことができる。

【0060】

文脈上明らかにそうでないことが要求されない限り、本明細書及び特許請求の範囲を通して、「備える」、「備えている」、「含む」、「含んでいる」等の用語は、排他的又は網羅的な意味とは対照的に、包括的な意味で解釈され、すなわち、「含むが、これに限定されない」という意味である。本明細書で一般的に使用される「結合」という用語は、直接結合されるか、１又は２以上の中間要素を介して結合されるかの何れかである２以上の要素を指す。同様に、本明細書で一般的に使用される「接続」という用語は、直接接続されているか、又は１又は２以上の中間要素を介して接続されているかの何れかである２以上の要素を指す。更に、「本明細書」、「上」、「下」及び類似の語は、本出願で使用される場合、本出願全体を指し、本出願の特定の部分を指すものではない。更に、本明細書で使用される場合、第１の要素が第２の要素の「上に」又は「上に」あると記載される場合、第１の要素は、第１及び第２の要素が直接接触するように、第２の要素の上に又は第２の要素の上に直接あってもよく、又は第１の要素は、１又は２以上の要素が第１及び第２の要素の間に介在するように、第２の要素の上に又は第２の要素の上に間接的にあってもよい。文脈が許す限り、上記の詳細な説明において単数又は複数の数を使用する語は、それぞれ複数又は単数の数を含むことができる。２又は３つ以上の項目のリストに関する「又は」という用語は、この用語の以下の解釈：リスト中の項目の何れか、リスト中の項目の全て、及びリスト中の項目の任意の組み合わせの全てを保護する。

【0061】

更に、本明細書で使用される条件付き表現、例えば、とりわけ、「できる」、「可能性がある」、「かもしれない」、「例えば」、「のような」等は、特に明記されていない限り、又は使用される文脈内で理解されない限り、一般に、特定の実施形態が特定の特徴、要素及び／又は状態を含み、他の実施形態が特定の特徴、要素及び／又は状態を含まないことを伝えることを意図している。従って、このような条件付き表現は、一般に、特徴、要素及び／又は状態が１又は２以上の実施形態に何らかの形で必要であることを意味することを意図していない。

【0062】

特定の実施形態が説明されてきたが、これらの実施形態は例示としてのみ提示されており、及び本開示の範囲を限定することを意図していない。実際、本明細書に記載される新規な装置、方法、及びシステムは、様々な他の形態で具現化することができる；更に、本明細書に記載される方法及びシステムの形態における様々な省略、置換、及び変更は、本開示の精神から逸脱することなく行うことができる。例えば、ブロックは所定の配置で示されているが、代替の実施形態は、異なる構成要素及び／又は回路トポロジで同様の機能を実行することができ、幾つかのブロックは、削除、移動、追加、細分化、組み合わせ、及び／又は変更することができる。これらの各ブロックは、様々な異なる方法で実施することができる。上述した様々な実施形態の要素及び行為の任意の適切な組み合わせは、更なる実施形態を提供するために組み合わせることができる。添付の特許請求の範囲及びその均等物は、本開示の範囲及び精神の範囲内に入るような形態又は変更をカバーすることを意図している。

【符号の説明】

【0063】

１６ ハイブリッド相互接続組立体
１７ フレキシブルユニット
１８ 直接ハイブリッド接合面
１９ 導電性トレース
２０ 絶縁基板
２３ 非導電性接合層
２５ 絶縁ベース層

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図2C】

【図2D】

【図3A】

【図3B】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図4E】

【図4F】

【図4G】

【図4H】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図5D】

【図6A】

【図6B】

【図6C】

【図6D】

【図6E】

【図6F】

【図6G】

【図6H】

【図6I】

【図6J】

【図6K】

【図6L】

【図6M】

【図6N】

【図6O】

【図6P】

【図6Q】

【図6R】

【図6S】

【図6T】

【図6U】

【図6V】

【図7A】

【図7B】

【図7C】

【図7D】

【図7E】

【図7F】

【図7G】

【図7H】

【図7I】

【図8A】

【図8B】

【図8C】

【図8D】

【図8E】

【図8F】

【図9A】

【図9B】

【図9C】

【図9D】

【図9E】

【図10A】

【図10B】

【図10C】

【図10D】

【図10E】

【図10F】

【図10G】

【図10H】

【国際調査報告】