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特表2024-546124モリブデン化合物、その製造方法、およびそれを含む薄膜蒸着用組成物
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-12-17
(54)【発明の名称】モリブデン化合物、その製造方法、およびそれを含む薄膜蒸着用組成物
(51)【国際特許分類】
H01L 21/316 20060101AFI20241210BHJP
H01L 21/318 20060101ALI20241210BHJP
C23C 16/18 20060101ALI20241210BHJP
【ＦＩ】
H01L21/316 X
H01L21/318 B
C23C16/18
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024534608
(86)(22)【出願日】2022-12-01
(85)【翻訳文提出日】2024-06-10
(86)【国際出願番号】 KR2022019323
(87)【国際公開番号】W WO2023113308
(87)【国際公開日】2023-06-22
(31)【優先権主張番号】10-2021-0177700
(32)【優先日】2021-12-13
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】515339697
【氏名又は名称】ディーエヌエフ シーオー．， エルティーディー．
【氏名又は名称原語表記】ＤＮＦ ＣＯ．， ＬＴＤ．
(74)【代理人】
【識別番号】100107984
【弁理士】
【氏名又は名称】廣田 雅紀
(74)【代理人】
【識別番号】100182305
【弁理士】
【氏名又は名称】廣田 鉄平
(74)【代理人】
【識別番号】100096482
【弁理士】
【氏名又は名称】東海 裕作
(74)【代理人】
【識別番号】100131093
【弁理士】
【氏名又は名称】堀内 真
(74)【代理人】
【識別番号】100150902
【弁理士】
【氏名又は名称】山内 正子
(74)【代理人】
【識別番号】100141391
【弁理士】
【氏名又は名称】園元 修一
(74)【代理人】
【識別番号】100221958
【弁理士】
【氏名又は名称】篠田 真希恵
(74)【代理人】
【識別番号】100192441
【弁理士】
【氏名又は名称】渡辺 仁
(72)【発明者】
【氏名】クォン ヨンヒ
(72)【発明者】
【氏名】イム ヨンジェ
(72)【発明者】
【氏名】ジョン サンヨン
(72)【発明者】
【氏名】ピョン テソク
(72)【発明者】
【氏名】イ サンチャン
(72)【発明者】
【氏名】イ サンイック
【テーマコード（参考）】
4K030
5F058
【Ｆターム（参考）】
4K030AA09
4K030AA10
4K030AA11
4K030AA13
4K030AA14
4K030AA16
4K030AA17
4K030AA18
4K030BA12
4K030CA04
4K030CA12
4K030EA01
4K030FA01
4K030FA10
4K030HA01
4K030JA01
4K030JA05
4K030JA09
4K030JA10
4K030JA11
4K030JA16
4K030LA15
5F058BA06
5F058BB01
5F058BB02
5F058BB05
5F058BB06
5F058BB07
5F058BC01
5F058BC07
5F058BD02
5F058BD03
5F058BD09
5F058BF04
5F058BF07
5F058BF29
5F058BF30
5F058BF37
5F058BJ01
(57)【要約】
本発明は、モリブデン化合物、その製造方法、それを含むモリブデン薄膜含有薄膜蒸着用組成物、それを用いたモリブデン含有薄膜の製造方法に関し、優れた熱安定性、高い揮発性、および向上した蒸気圧を有する本発明のモリブデン化合物を採用することで、向上した蒸着速度で均一な厚さのモリブデン含有薄膜を製造することができる。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
下記化学式１で表されるモリブデン化合物。【化1】
Ｌは、Ｃ１－Ｃ１０アルキレンまたはハロＣ１－Ｃ１０アルキレンであり、
Ｒ１～Ｒ１０は、互いに独立して、水素またはＣ１－Ｃ１０アルキルであり、
Ｙは、－ＮＲ１１Ｒ１２、－ＯＲ１３、または－ＳＲ１４であり、
Ｒ１１～Ｒ１４は、互いに独立して、水素、Ｃ１－Ｃ１０アルキル、またはハロＣ１－Ｃ１０アルキルであるか、前記Ｒ１１とＲ１２は連結されて環を形成してよい。］
【請求項2】
前記化学式１中、Ｌは、Ｃ１－Ｃ６アルキレンであり、
Ｒ１～Ｒ１０は、互いに独立して、水素またはＣ１－Ｃ６アルキルであり、
Ｙは、－ＮＲ１１Ｒ１２、－ＯＲ１３、または－ＳＲ１４であり、
Ｒ１１～Ｒ１４は、互いに独立して、水素またはＣ１－Ｃ６アルキルであるか、前記Ｒ１１とＲ１２は連結されて脂環族環を形成してよい、請求項１に記載のモリブデン化合物。
【請求項3】
下記化学式２で表されるものである、請求項１に記載のモリブデン化合物。【化2】
Ｒ１～Ｒ１０は、互いに独立して、水素またはＣ１－Ｃ６アルキルであり、
Ｙは、－ＮＲ１１Ｒ１２、－ＯＲ１３、または－ＳＲ１４であり、
Ｒ１１～Ｒ１４は、互いに独立して、水素またはＣ１－Ｃ６アルキルであるか、前記Ｒ１１とＲ１２は連結されて脂環族環を形成してよく、
ｍは、１～３の整数である。］
【請求項4】
下記化合物から選択されるものである、請求項１に記載のモリブデン化合物。【化3】
【請求項5】
水素供給源またはアルキルリチウム、下記化学式４の化合物、および下記化学式５の化合物を反応させ、下記化学式１－１で表されるモリブデン化合物を製造するステップを含む、モリブデン化合物の製造方法。【化4】
【化5】
【化6】
Ｌは、Ｃ１－Ｃ１０アルキレンまたはハロＣ１－Ｃ１０アルキレンであり、
Ｒ１～Ｒ６は、互いに独立して、水素またはＣ１－Ｃ１０アルキルであり、
Ｙは、－ＮＲ１１Ｒ１２、－ＯＲ１３、または－ＳＲ１４であり、
Ｒ１１～Ｒ１４は、互いに独立して、水素、Ｃ１－Ｃ１０アルキル、またはハロＣ１－Ｃ１０アルキルであるか、前記Ｒ１１とＲ１２は連結されて環を形成してよく、
Ｘは、ハロゲンである。］
【請求項6】
請求項１～４の何れか一項に記載のモリブデン化合物を含む、モリブデン含有薄膜蒸着用組成物。
【請求項7】
請求項６に記載のモリブデン含有薄膜蒸着用組成物を用いて薄膜を製造する、モリブデン含有薄膜の製造方法。
【請求項8】
ａ）チャンバー内に取り付けられた基板を昇温させるステップと、ｂ）前記チャンバー内に反応ガスと前記モリブデン含有薄膜蒸着用組成物を注入してモリブデン含有薄膜を製造するステップと、を含む、請求項７に記載のモリブデン含有薄膜の製造方法。
【請求項9】
前記反応ガスは、酸素（Ｏ２）、オゾン（Ｏ３）、蒸留水（Ｈ２Ｏ）、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、一酸化窒素（ＮＯ）、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、アンモニア（ＮＨ３）、窒素（Ｎ２）、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）、アミン、ジアミン、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、Ｃ１～Ｃ１２の飽和または不飽和炭化水素、水素（Ｈ２）、アルゴン（Ａｒ）、およびヘリウム（Ｈｅ）から選択される何れか一つまたは二つ以上のものである、請求項８に記載のモリブデン含有薄膜の製造方法。
【請求項10】
ｃ）ｂ）ステップの後に、チャンバー内に反応ガスを注入するステップをさらに含む、請求項８に記載のモリブデン含有薄膜の製造方法。
【請求項11】
前記ｂ）およびｃ）ステップを一周期とし、前記周期を繰り返し行う、請求項１０に記載のモリブデン含有薄膜の製造方法。
【請求項12】
モリブデン３５％以上、窒素４０％以上を含む、モリブデン含有薄膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、モリブデン化合物、その製造方法、それを含む薄膜蒸着用組成物、それを用いた薄膜の製造方法、およびそれを含む薄膜に関する。
【背景技術】
【0002】
種々の有機金属前駆体が金属薄膜の形成に用いられている。多様な技術が薄膜の蒸着のために用いられており、反応性スパッタリング（reactive sputtering）、イオン補助蒸着（ion－assisted deposition）、ゾルゲル蒸着（sol－gel deposition）、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）の一種である有機金属化学気相蒸着法（ＭＯＣＶＤ）、原子層エピタキシー（ＡＬＥ）とも呼ばれる原子層蒸着法（ＡＬＤ）などがある。化学気相蒸着法（ＣＶＤ）および原子層蒸着法（ＡＬＤ）は、良好な組成制御、高い膜均一性、良好なドープ制御といった利点を有し、優れたコンフォーマル蒸着（conformal deposition）が可能であって、高非平面のマイクロエレクトロニクスデバイスの幾何学構造でも、均一な膜厚を実現することができる。
【0003】
化学気相蒸着法（ＣＶＤ）は、基板上に薄膜を形成するために、有機金属前駆体が用いられる化学的工程である。一般的な化学気相蒸着法（ＣＶＤ）において、前駆体は、低い圧力や大気圧のチャンバーで基板を通過しつつ、基板の表面で反応または分解される。揮発性副産物は、ガスの流れにより除去される。
【0004】
原子層蒸着法（ＡＬＤ）は、精緻な厚さ制御が可能であり、均一な膜厚を実現して、優れたコンフォーマル蒸着が可能な方法であって、基板の表面で反応しつつ逐次膜成長させる方法である。しかし、かかる原子層蒸着法（ＡＬＤ）の最大の欠点は、時間当りの、膜を成長させる工程速度が遅いということである。かかる原子層蒸着法（ＡＬＤ）の工程速度を高められる方式として、プラズマ強化原子層蒸着法（ＰＥＡＬＤ）が挙げられる。プラズマ強化原子層蒸着法（ＰＥＡＬＤ）は、原子層蒸着法（ＡＬＤ）よりも低温で反応性を高めることができるという利点もある。したがって、特にアスペクト比の高い膜であるキャパシタやゲートスペーサーの場合は、プラズマ強化原子層蒸着法（ＰＥＡＬＤ）がさらに必要である。
【0005】
原子層蒸着法（ＡＬＤ）およびプラズマ強化原子層蒸着法（ＰＥＡＬＤ）は、通常、有機金属からなる第１前駆体が基板上に単一層を生成するパルス（purlse）Ａ、過量の第１前駆体を除去するパージ（purge）Ａ、非金属前駆体である第２前駆体が第１前駆体と基板の反応を誘導するパルス（purlse）Ｂ、および未反応物を除去するパージ（purge）Ｂの、４ステップにより行われる。これらの４ステップは、所望の厚さの薄膜が得られるまで繰り返し行われる。
【0006】
薄膜は、半導体装置の製造とナノテクノロジーのような重要なアプリケーションに多様に用いられている。かかるアプリケーションは、例えば、伝導性膜、高屈折率の光学コーティング、腐食防止コーティング、光触媒自己洗浄ガラスコーティング、生体適合性コーティング、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）内のゲート誘電体絶縁膜、誘電体キャパシタ層、キャパシタ電極、ゲート電極、接着体拡散障壁、および集積回路などを含む。また、薄膜は、ダイナミックランダムアクセスメモリー（ＤＲＡＭ）アプリケーションのためのhigh－k誘電体酸化物、赤外線検出器、および不揮発性強誘電体ランダムアクセスメモリー（non－volatile ferroelectric random access memories、ＮＶ－ＦｅＦＡＭｓ）に用いられる強誘電性のペロブスカイトのようなマイクロ電子応用分野にも用いられている。マイクロ電子工学部品の小型化が続けられており、これに伴い、誘電体薄膜の使用の必要性が増大している。
【0007】
ＣＶＤおよびＡＬＤに用いるための現在の多くのモリブデン前駆体は、半導体のような次世代装置の製造のための新しい工程を実現するに求められる性能を満たしていない。改善された熱安定性、より高い揮発性、向上した蒸気圧、均一な蒸着、および安定した蒸着速度を有するモリブデン前駆体の開発が必要とされている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
本発明の目的は、モリブデン化合物およびその製造方法を提供することにある。
【0009】
本発明の他の目的は、前記モリブデン化合物を含むモリブデン含有薄膜蒸着用組成物を提供することにある。
【0010】
本発明のさらに他の目的は、前記モリブデン含有薄膜蒸着用組成物を用いたモリブデン含有薄膜の製造方法を提供することにある。
【0011】
また、本発明は、モリブデン３５％以上、窒素４０％以上を含む、モリブデン含有薄膜を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0012】
本発明は、下記化学式１で表されるモリブデン化合物を提供する。
【0013】
【化1】
Ｌは、Ｃ１－Ｃ１０アルキレンまたはハロＣ１－Ｃ１０アルキレンであり、
Ｒ１～Ｒ１０は、互いに独立して、水素またはＣ１－Ｃ１０アルキルであり、
Ｙは、－ＮＲ１１Ｒ１２、－ＯＲ１３、または－ＳＲ１４であり、
Ｒ１１～Ｒ１４は、互いに独立して、水素、Ｃ１－Ｃ１０アルキル、またはハロＣ１－Ｃ１０アルキルであるか、前記Ｒ１１とＲ１２は連結されて環を形成してよい。］
【0014】
本発明の一実施形態に係る化学式１中、Ｌは、Ｃ１－Ｃ６アルキレンであり、Ｒ１～Ｒ１０は、互いに独立して、水素またはＣ１－Ｃ６アルキルであり、Ｙは、－ＮＲ１１Ｒ１２、－ＯＲ１３、または－ＳＲ１４であり、Ｒ１１～Ｒ１４は、互いに独立して、水素またはＣ１－Ｃ６アルキルであるか、前記Ｒ１１とＲ１２は連結されて脂環族環を形成してよい。
【0015】
好ましい一実施形態に係るモリブデン化合物は、下記化学式２で表されるものであってよい。
【0016】
【化2】
Ｒ１～Ｒ１０は、互いに独立して、水素またはＣ１－Ｃ６アルキルであり、
Ｙは、－ＮＲ１１Ｒ１２、－ＯＲ１３、または－ＳＲ１４であり、
Ｒ１１～Ｒ１４は、互いに独立して、水素またはＣ１－Ｃ６アルキルであるか、前記Ｒ１１とＲ１２は連結されて脂環族環を形成してよく、
ｍは、１～３の整数である。］
【0017】
一実施形態において、前記モリブデン化合物は、下記化合物から選択されるものであってよい。
【0018】
【化3】
【0019】
本発明は、本発明の一実施形態に係るモリブデン化合物を製造する方法を提供し、水素供給源またはアルキルリチウム、下記化学式４の化合物、および下記化学式５の化合物を反応させ、下記化学式１－１で表されるモリブデン化合物を製造するステップを含んで製造されてよい。
【0020】
【化4】
【0021】
【化5】
【0022】
【化6】
Ｌは、Ｃ１－Ｃ１０アルキレンまたはハロＣ１－Ｃ１０アルキレンであり、
Ｒ１～Ｒ６は、互いに独立して、水素またはＣ１－Ｃ１０アルキルであり、
Ｙは、－ＮＲ１１Ｒ１２、－ＯＲ１３、または－ＳＲ１４であり、
Ｒ１１～Ｒ１４は、互いに独立して、水素、Ｃ１－Ｃ１０アルキル、またはハロＣ１－Ｃ１０アルキルであるか、前記Ｒ１１とＲ１２は連結されて環を形成してよく、
Ｘは、ハロゲンである。］
【0023】
本発明は、本発明の一実施形態に係るモリブデン化合物を含むモリブデン含有薄膜蒸着用組成物を提供する。
【0024】
また、本発明は、前記モリブデン含有薄膜蒸着用組成物を用いた薄膜の製造方法を提供する。
【0025】
本発明の一実施形態に係る前記モリブデン含有薄膜の製造方法は、
ａ）チャンバー内に取り付けられた基板を昇温させるステップと、
ｂ）前記チャンバー内に反応ガスと前記モリブデン含有薄膜蒸着用組成物を注入してモリブデン含有薄膜を製造するステップと、を含んでよい。
ａ）チャンバー内に取り付けられた基板を昇温させるステップと、
ｂ）前記チャンバー内に反応ガスと前記モリブデン含有薄膜蒸着用組成物を注入してモリブデン含有薄膜を製造するステップと、を含んでよい。
【0026】
一実施形態に係る前記反応ガスは、酸素（Ｏ２）、オゾン（Ｏ３）、蒸留水（Ｈ２Ｏ）、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、一酸化窒素（ＮＯ）、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、アンモニア（ＮＨ３）、窒素（Ｎ２）、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）、アミン、ジアミン、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、Ｃ１～Ｃ１２の飽和または不飽和炭化水素、水素（Ｈ２）、アルゴン（Ａｒ）、およびヘリウム（Ｈｅ）から選択される何れか一つまたは二つ以上のものであってよい。
【0027】
本発明の一実施形態に係る前記モリブデン含有薄膜の製造方法は、
ｃ）ｂ）ステップの後に、チャンバー内に反応ガスを注入するステップをさらに含んでよく、前記ｂ）およびｃ）ステップを一周期とし、前記周期を繰り返し行ってよい。
ｃ）ｂ）ステップの後に、チャンバー内に反応ガスを注入するステップをさらに含んでよく、前記ｂ）およびｃ）ステップを一周期とし、前記周期を繰り返し行ってよい。
【0028】
本発明は、モリブデン３５％以上、窒素４０％以上を含む、モリブデン含有薄膜を提供する。
【発明の効果】
【0029】
本発明に係るモリブデン化合物は、より向上した熱安定性、高い揮発性、および向上した蒸気圧を有することで、安定した蒸着速度を示し、高い信頼度を有する薄膜を形成することができる。
【0030】
本発明に係るモリブデン化合物の製造方法は、単純な工程により、産業的に容易に高純度のモリブデン化合物を高収率で製造することができる。
【0031】
本発明に係るモリブデン含有薄膜の製造方法は、本発明のモリブデン化合物を含むモリブデン含有薄膜蒸着用組成物を用いることで、プラズマ強化原子層蒸着法（ＰＥＡＬＤ）などにより、高い膜均一性および良好なドープ調整性を有することができる。さらに、前記製造方法は、立体的な半導体装置に対する均一なステップカバレッジ（conformal step coverage）を提供することができる。
【0032】
本発明に係るモリブデン含有薄膜は、モリブデン３５％以上、窒素４０％以上を含み、優れた組成比を示す。
【図面の簡単な説明】
【0033】
【発明を実施するための形態】
【0034】
本発明は、モリブデン化合物、その製造方法、それを含むモリブデン含有薄膜蒸着用組成物、およびそれを用いた薄膜の製造方法を提供する。
【0035】
本発明で用いられる単数の形態は、文脈で特に指示しない限り、複数の形態も含むことを意図する。
【0036】
本発明に記載の「含む」は、「備える」、「含有する」、「有する」、または「特徴とする」などの表現と等価の意味を有する開放型記載であり、追加で挙げられていない要素、材料、または工程を排除しない。
【0037】
本発明に記載の「アルキル」は、直鎖または分岐の形態を何れも含み、１～１０個の炭素原子、好ましくは１～７個の炭素原子であってよい。また、さらに他の態様において、アルキルは、１～４個の炭素原子を有してよい。
【0038】
本発明に記載の「アルキレン」は、「アルキル」で一つの水素を除去することで誘導された２価の有機ラジカルを意味し、ここで、アルキルは上記の定義のとおりである。
【0039】
本発明に記載の「ハロ」は、フッ素、塩素、臭素、またはヨウ素を意味する。
【0040】
本発明に記載の「ハロアルキル」は、それぞれ一つ以上の水素原子がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味する。例えば、ハロアルキルは、－ＣＦ３、－ＣＨＦ２、－ＣＨ２Ｆ、－ＣＢｒ３、－ＣＨＢｒ２、－ＣＨ２Ｂｒ、－ＣＣｌ３、－ＣＨＣｌ２、－ＣＨ２ＣＩ、－ＣＣＩ３、－ＣＨＩ２、－ＣＨ２Ｉ、－ＣＨ２－ＣＦ３、－ＣＨ２－ＣＨＦ２、－ＣＨ２－ＣＨ２Ｆ、－ＣＨ２－ＣＢｒ３、－ＣＨ２－ＣＨＢｒ２、－ＣＨ２－ＣＨ２Ｂｒ、－ＣＨ２－ＣＣｌ３、－ＣＨ２－ＣＨＣｌ２、－ＣＨ２－ＣＨ２ＣＩ、－ＣＨ２－ＣＩ３、－ＣＨ２－ＣＨＩ２、－ＣＨ２－ＣＨ２Ｉ、およびこれと類似のものを含む。ここで、アルキルおよびハロゲンは、上記の定義のとおりである。
【0041】
本発明に記載のアルキルなどに記載されている炭素数は、置換基の炭素数を含まないものであり、一例として、Ｃ１－Ｃ１０アルキルは、アルキルの置換基の炭素数が含まれていない炭素数１～１０のアルキルを意味する。
【0042】
本発明に記載の「置換された」（substituted）は、置換される部分（例えば、アルキル、アリール、またはシクロアルキル）の水素原子が置換基で代替されることを意味する。
【0043】
以下、本発明について具体的に説明する。この際、用いられる技術用語および科学用語において、別に定義しない限り、この発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が通常理解している意味を有し、下記の説明で本発明の要旨を不明瞭にする可能性のある公知機能および構成についての説明は省略する。
【0044】
本発明は、下記化学式１で表されるモリブデン化合物を提供する。
【0045】
【化7】
Ｌは、Ｃ１－Ｃ１０アルキレンまたはハロＣ１－Ｃ１０アルキレンであり、
Ｒ１～Ｒ１０は、互いに独立して、水素またはＣ１－Ｃ１０アルキルであり、
Ｙは、－ＮＲ１１Ｒ１２、－ＯＲ１３、または－ＳＲ１４であり、
Ｒ１１～Ｒ１４は、互いに独立して、水素、Ｃ１－Ｃ１０アルキル、またはハロＣ１－Ｃ１０アルキルであるか、前記Ｒ１１とＲ１２は連結されて環を形成してよい。］
【0046】
本発明に係る前記化学式１で表されるモリブデン化合物は、優れた熱安定性、高い揮発性、および向上した蒸気圧を示し、これを採用すると、高い信頼度を有するモリブデン含有薄膜を得ることができる。
【0047】
本発明の一実施形態に係るモリブデン化合物は、前記化学式１中、Ｌは、Ｃ１－Ｃ６アルキレンであり、Ｒ１～Ｒ１０は、互いに独立して、水素またはＣ１－Ｃ６アルキルであり、Ｙは、－ＮＲ１１Ｒ１２、－ＯＲ１３、または－ＳＲ１４であり、Ｒ１１～Ｒ１４は、互いに独立して、水素またはＣ１－Ｃ６アルキルであるか、前記Ｒ１１とＲ１２は連結されて脂環族環を形成してよい。
【0048】
好ましい一実施形態に係るモリブデン化合物は、下記化学式２で表されるものであってよい。
【0049】
【化8】
Ｒ１～Ｒ１０は、互いに独立して、水素またはＣ１－Ｃ６アルキルであり、
Ｙは、－ＮＲ１１Ｒ１２、－ＯＲ１３、または－ＳＲ１４であり、
Ｒ１１～Ｒ１４は、互いに独立して、水素またはＣ１－Ｃ６アルキルであるか、前記Ｒ１１とＲ１２は連結されて脂環族環を形成してよく、
ｍは１～３の整数である。］
【0050】
前記化学式２で表されるモリブデン化合物は、より具体的に、Ｒ１～Ｒ１０は、互いに独立して、水素またはＣ１－Ｃ４アルキルであってよく、Ｙは、－ＮＲ１１Ｒ１２、－ＯＲ１３、または－ＳＲ１４であり、Ｒ１１～Ｒ１４は、互いに独立して、水素またはＣ１－Ｃ４アルキルであるか、前記Ｒ１１とＲ１２は連結されて環を形成してよく、ｍは２～３の整数である。
【0051】
より好ましい一実施形態に係るモリブデン化合物は、下記化学式３で表されるものであってよい。
【0052】
【化9】
Ｒ１～Ｒ４およびＲ７～Ｒ１０は、互いに独立して、水素またはＣ１－Ｃ４アルキルであり、
Ｙは、－ＮＲ１１Ｒ１２、－ＯＲ１３、または－ＳＲ１４であり、
Ｒ１１～Ｒ１４は、互いに独立して、水素またはＣ１－Ｃ４アルキルであるか、前記Ｒ１１とＲ１２は、Ｃ２－Ｃ６アルキレンで連結されて脂環族環を形成してよい。］
【0053】
より具体的に、本発明の一実施形態に係るモリブデン化合物は、下記化学式３－１で表されるものであってよい。
【0054】
【化10】
Ｒ１～Ｒ６は、互いに独立して、水素またはＣ１－Ｃ４アルキルであり、
Ｙは、－ＮＲ１１Ｒ１２、－ＯＲ１３、または－ＳＲ１４であり、
Ｒ１１～Ｒ１４は、互いに独立して、水素またはＣ１－Ｃ４アルキルであるか、前記Ｒ１１とＲ１２は、Ｃ２－Ｃ６アルキレンで連結されて脂環族環を形成してよい。］
【0055】
一実施形態において、前記モリブデン化合物は、下記化合物から選択されるものであってよいが、これに限定されるものではない。
【0056】
【化11】
【0057】
本発明は、本発明の一実施形態に係るモリブデン化合物を製造する方法を提供し、下記化学式１－１で表されるモリブデン化合物は、水素供給源またはアルキルリチウム、下記化学式４の化合物、および下記化学式５の化合物を反応させて製造されてよい。
【0058】
【化12】
【0059】
【化13】
【0060】
【化14】
Ｌは、Ｃ１－Ｃ１０アルキレンまたはハロＣ１－Ｃ１０アルキレンであり、
Ｒ１～Ｒ６は、互いに独立して、水素またはＣ１－Ｃ１０アルキルであり、
Ｙは、－ＮＲ１１Ｒ１２、－ＯＲ１３、または－ＳＲ１４であり、
Ｒ１１～Ｒ１４は、互いに独立して、水素、Ｃ１－Ｃ１０アルキル、またはハロＣ１－Ｃ１０アルキルであるか、前記Ｒ１１とＲ１２は連結されて環を形成してよく、
Ｘはハロゲンである。］
【0061】
前記化学式４で表される化合物は、アルキルリチウムおよび下記化学式６の化合物を反応させて製造されてよい。
【0062】
【化15】
Ｌは、Ｃ１－Ｃ１０アルキレンまたはハロＣ１－Ｃ１０アルキレンであり、
Ｒ１～Ｒ４は、互いに独立して、水素またはＣ１－Ｃ１０アルキルであり、
Ｙは、－ＮＲ１１Ｒ１２、－ＯＲ１３、または－ＳＲ１４であり、
Ｒ１１～Ｒ１４は、互いに独立して、水素、Ｃ１－Ｃ１０アルキル、またはハロＣ１－Ｃ１０アルキルであるか、前記Ｒ１１とＲ１２は連結されて環を形成してよい。］
【0063】
本発明の一実施形態に係る水素供給源は、反応により生成物に水素を導入できる化合物であり、具体的に、水素源を提供可能な金属水素化物であってよく、具体的に、ＣａＨ２、ＬｉＡｌＨ４、ＬｉＢＨ４、ＮａＢＨ４、ＮａＨ、ＬｉＨ、およびＫＨから選択される一つまたは二つ以上であってよい。より具体的に、前記金属水素化物は、ＬｉＡｌＨ４またはＮａＢＨ４であってよいが、これに限定されるものではない。
【0064】
具体的に、前記アルキルリチウムは、Ｃ１－Ｃ１０アルキルリチウム、より具体的に、Ｃ１－Ｃ６アルキルリチウム、さらに具体的に、Ｃ１－Ｃ４アルキルリチウムであってよく、メチルリチウム、ｎ－ブチルリチウム、ｓｅｃ－ブチルリチウム、Ｔｅｒｔ－ブチルリチウム、およびｎ－ヘキシルリチウムから選択される一つまたは二つ以上であってよいが、これらに限定されるものではない。
【0065】
前記モリブデン化合物の製造方法は、単純な工程により、容易に大量生産が可能である。
【0066】
一実施形態に係る製造方法で用いられる溶媒としては、通常の有機溶媒であれば何れも可能であるが、ヘキサン、ペンタン、ジクロロメタン（ＤＣＭ）、ジクロロエタン（ＤＣＥ）、トルエン（Toluene）、アセトニトリル（ＭｅＣＮ）、ニトロメタン（Nitromethan）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、およびＮ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）からなる群から選択される１種以上を用いることが好ましい。
【0067】
反応温度は、通常の有機合成で用いられる温度で可能であるが、反応物質および出発物質の量によって変わり得る。好ましくは－８０℃～２０℃で行われてよく、具体的に、－７０℃～１０℃で行われてよく、より具体的には、－６０℃～５℃で行われてよい。
【0068】
反応は、出発物質が完全に消耗されたことをＮＭＲなどにより確認してから終結させる。その後、抽出過程、減圧下で溶媒を蒸留させる過程、およびカラムクロマトグラフィーなどの通常の方法により目的物を分離精製する過程を行ってもよい。
【0069】
前記シクロペンタジエン系化合物は、共鳴構造により中心金属に安定に配位結合され、モリブデン化合物の熱安定性が非常に向上することができる。これにより、本発明の一実施形態に係るモリブデン化合物は、これを採用してモリブデン、モリブデン窒化物（ＭｏＮｘ）、またはモリブデン酸化物（ＭｏＯｘ）から構成される薄膜を高い信頼度で形成することができる。
【0070】
前記シクロペンタジエン系化合物は、アミノアルキル、アルコキシアルキル、またはアルキルスルフィドが結合されることができる。これにより、蒸着工程の時に、前記シクロペンタジエン化合物の熱安定性がより向上することができる。
【0071】
本発明は、本発明の一実施形態に係るモリブデン化合物を含むモリブデン含有薄膜蒸着用組成物を提供する。
【0072】
また、本発明は、前記モリブデン含有薄膜蒸着用組成物を用いてモリブデン含有薄膜を製造する製造方法を提供する。
【0073】
前記モリブデン含有薄膜の製造方法は、当業界で用いられる通常の方法、具体的には、原子層蒸着法（ＡＬＤ）、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）、有機金属化学気相蒸着法（ＭＯＣＶＤ）、低圧化学気相蒸着法（ＬＰＣＶＤ）、プラズマ強化化学気相蒸着法（ＰＥＣＶＤ）、またはプラズマ強化原子層蒸着法（ＰＥＡＬＤ）であってよい。
【0074】
より好ましく、一実施形態に係る前記モリブデン含有薄膜の製造方法は、原子層蒸着法（ＡＬＤ）、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）、有機金属化学気相蒸着法（ＭＯＣＶＤ）などであってよい。
【0075】
本発明の一実施形態に係る前記製造方法は、
ａ）チャンバー内に取り付けられた基板を昇温させるステップと、
ｂ）チャンバー内に反応ガスと前記モリブデン含有薄膜蒸着用組成物を注入し、モリブデン含有薄膜を製造するステップと、を含んでよい。
ａ）チャンバー内に取り付けられた基板を昇温させるステップと、
ｂ）チャンバー内に反応ガスと前記モリブデン含有薄膜蒸着用組成物を注入し、モリブデン含有薄膜を製造するステップと、を含んでよい。
【0076】
一実施形態において、目的とする薄膜の構造または熱的特性に応じて蒸着条件が調節されてよく、一実施形態に係る蒸着条件としては、モリブデン化合物の投入流量、反応ガスおよび移送ガスの投入流量、圧力、ＲＦパワーなどが挙げられる。
【0077】
かかる蒸着条件の非限定的な一例としてはモリブデン化合物の投入流量は１～１０００ｓｃｃｍ、移送ガスは１～５０００ｓｃｃｍ、反応ガスの流量は１０～５０００ｓｃｃｍ、圧力は０．１～１０ｔｏｒｒ、ＲＦパワーは１０～１０００Ｗの範囲で調節されてよいが、これに限定されるものではない。
【0078】
一実施形態において、前記ａ）ステップで、チャンバー内に取り付けられた基板は２００℃～７００℃に昇温し、具体的に、５００℃～６００℃に昇温してよいが、これに限定されるものではない。
【0079】
一実施形態に係る基板は、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＧｅ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅＣ、ＩｎＡｓ、およびＩｎＰの一つ以上の半導体材料を含む基板；ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板；石英基板；またはディスプレイ用ガラス基板；ポリイミド（polyimide）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ、PolyEthylene Terephthalate）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ、PolyEthylene Naphthalate）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ、Poly Methyl MethAcrylate）、ポリカーボネート（ＰＣ、PolyCarbonate）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエステル（Polyester）などの可撓性プラスチック基板；であってよいが、これらに限定されるものではない。
【0080】
一実施形態において、前記反応ガスは限定されるものではないが、酸素（Ｏ２）、オゾン（Ｏ３）、蒸留水（Ｈ２Ｏ）、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、一酸化窒素（ＮＯ）、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、アンモニア（ＮＨ３）、窒素（Ｎ２）、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）、アミン、ジアミン、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、Ｃ１～Ｃ１２の飽和または不飽和炭化水素、水素（Ｈ２）、アルゴン（Ａｒ）、およびヘリウム（Ｈｅ）から選択される何れか一つまたは二つ以上の混合気体であってよい。
【0081】
具体的に、前記反応ガスは、酸素（Ｏ２）、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、アンモニア（ＮＨ３）、窒素（Ｎ２）、および水素（Ｈ２）から選択される何れか一つまたは二つ以上であってよく、より詳細には、アンモニア（ＮＨ３）であってよいが、これに限定されない。
【0082】
一実施形態において、前記蒸着するステップにおける移送ガスは、不活性ガスであって、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、および窒素（Ｎ２）から選択される何れか一つまたは二つ以上であってよく、具体的に、窒素（Ｎ２）であってよいが、これらに限定されない。
【0083】
一実施形態に係る前記製造方法は、
ｃ）ｂ）ステップの後に、チャンバー内に反応ガスを注入するステップをさらに含んでよく、前記ｂ）およびｃ）ステップを一周期とし、前記周期を繰り返し行ってよい。
ｃ）ｂ）ステップの後に、チャンバー内に反応ガスを注入するステップをさらに含んでよく、前記ｂ）およびｃ）ステップを一周期とし、前記周期を繰り返し行ってよい。
【0084】
一実施形態において、前記チャンバー内に移送ガスと前記モリブデン化合物を注入した後、基板に吸着されていないモリブデン化合物またはその組成物を、前記移送ガスを用いて除去するパージ（purge）ステップを行ってよい。
【0085】
一実施形態において、前記チャンバー内に反応ガスを注入した後、反応副産物および残留反応ガスを、前記移送ガスを用いて除去するパージ（purge）ステップを行ってよい。
【0086】
一実施形態において、前記モリブデン化合物の注入ステップ、パージ（purge）、反応ガスの注入ステップ、およびパージ（purge）の工程を１周期とし、繰り返し行ってよい。
【0087】
一実施形態に係る前記モリブデン含有薄膜の製造方法により製造された薄膜は、均一で、且つ安定した蒸着速度を示し、大きいアスペクト比を有する構造体に対する均一なステップカバレッジ（conformal step coverage）を提供することができる。
【0088】
本発明に係るモリブデン含有薄膜は、モリブデン３５％以上、窒素４０％以上を含んでよく、好ましく、モリブデン３５％～６５％、窒素４０％～７０％、より好ましく、モリブデン３５％～５０％、窒素４０％～５５％を含んでよく、一実施形態に係るモリブデン含有薄膜は優れた組成比を示す。
【0089】
以下、具体的な実施例を挙げて、本発明に係るモリブデン化合物の製造方法およびそれを採用した薄膜の製造方法についてより詳細に説明する。
【0090】
但し、下記実施例は、本発明を詳細に説明するための一つの参照にすぎず、本発明がこれらに限定されるものではなく、多様な形態で実現可能である。また、本発明の説明で用いられる用語は、特定の実施例を効果的に記述するためのものにすぎず、本発明を制限することを意図しない。
【0091】
また、別に断らない限り、全ての実施例は、不活性雰囲気、例えば、精製された窒素（Ｎ２）またはアルゴン（Ａｒ）下で、当業界で通常知られている空気－敏感性物質を扱う技術を用いて行われた。
【0092】
［実施例１］（（ＣＨ３）２Ｎ（ＣＨ２）２Ｃｐ）２ＭｏＨ２の製造
マグネチックスターラと還流装置（condenser）を含む２Ｌの三つ口フラスコに、ｎ－ブチルリチウム（３１６ｍｌ、２．３M solution in n－Hexane、０．７３ｍｏｌ）を投入した後、ｎ－ヘキサン５００ｍｌを投入してから撹拌した。
マグネチックスターラと還流装置（condenser）を含む２Ｌの三つ口フラスコに、ｎ－ブチルリチウム（３１６ｍｌ、２．３M solution in n－Hexane、０．７３ｍｏｌ）を投入した後、ｎ－ヘキサン５００ｍｌを投入してから撹拌した。
【0093】
前記混合物の内部温度を０℃に維持しつつ、（２－ジメチルアミノエチル）シクロペンタジエンをゆっくりと投入した後、常温で２時間撹拌した。その後、溶媒を減圧下で除去し、Ｌｉ（２－ジメチルアミノエチル）シクロペンタジエンを９５ｇ（収率：９２％）得た。
【0094】
マグネチックスターラと還流装置（condenser）を含む２Ｌの二つ口フラスコに、Ｌｉ（２－ジメチルアミノエチル）シクロペンタジエン（９５ｇ、０．６６ｍｏｌ）とＬｉＡｌＨ４（１０．８ｇ、０．２９ｍｏｌ）を混合して投入した後、ＴＨＦを１０００ｍｌ投入してから、内部温度を－５０℃に維持しつつ撹拌した。
【0095】
マグネチックスターラと還流装置（condenser）を含む２Ｌの三つ口フラスコに、ＭｏＣｌ５（７８ｇ、０．２９ｍｏｌ）を投入した後、トルエン１００ｍｌ、ＴＨＦ１０００ｍｌを投入してから、内部温度を－５０℃に維持しつつ撹拌した。
【0096】
前記混合物に、Ｌｉ（２－ジメチルアミノエチル）シクロペンタジエンとＬｉＡｌＨ４の混合物をゆっくりと投入したところ、発熱とガスの発生が確認され、濃い赤褐色への色変化が観察された。その後、溶媒を減圧下で除去した後、残留物をｎ－ペンタン（１５００ｍｌ）で抽出した。生成された濃い赤色溶液を濾過装置で濾過した後、溶媒を減圧下で除去し、濃い赤褐色の液体である（（ＣＨ３）２Ｎ（ＣＨ２）２Ｃｐ）２ＭｏＨ２を約４３ｇ（ＭｏＣｌ５基準収率：３８％）得た。
1H NMR(400 MHz, C6D6) δ 4.2-4.8 (m, 8H), 2.4 (s, 8H), 2.0 (s, 12H), -8.3 (s, 2H)
1H NMR(400 MHz, C6D6) δ 4.2-4.8 (m, 8H), 2.4 (s, 8H), 2.0 (s, 12H), -8.3 (s, 2H)
【0097】
［実施例２］（（ＣＨ３）Ｏ（ＣＨ２）２Ｃｐ）２ＭｏＨ２の製造
マグネチックスターラと還流装置（condenser）を含む２Ｌの三つ口フラスコに、ｎ－ブチルリチウム（１２２ｍｌ、２．３M solution in n－Hexane、０．２８ｍｏｌ）を投入した後、ｎ－ヘキサン３００ｍｌを投入してから撹拌した。
マグネチックスターラと還流装置（condenser）を含む２Ｌの三つ口フラスコに、ｎ－ブチルリチウム（１２２ｍｌ、２．３M solution in n－Hexane、０．２８ｍｏｌ）を投入した後、ｎ－ヘキサン３００ｍｌを投入してから撹拌した。
【0098】
前記混合物の内部温度を０℃に維持しつつ、（２－メトキシエチル）シクロペンタジエンをゆっくりと投入した後、常温で２時間撹拌した。その後、溶媒を減圧下で除去し、Ｌｉ（２－メトキシエチル）シクロペンタジエンを３３ｇ（収率：９１．６％）得た。
【0099】
マグネチックスターラと還流装置（condenser）を含む１Ｌの二つ口フラスコに、Ｌｉ（２－メトキシエチル）シクロペンタジエン（９５ｇ、０．６６ｍｏｌ）とＬｉＡｌＨ４（１０．８ｇ、０．２９ｍｏｌ）を混合して投入した後、ＴＨＦ５００ｍｌを投入してから、内部温度を－５０℃に維持しつつ撹拌した。
【0100】
マグネチックスターラと還流装置（condenser）を含む２Ｌの三つ口フラスコに、ＭｏＣｌ５（３０ｇ、０．１１ｍｏｌ）を投入した後、トルエン５０ｍｌ、ＴＨＦ５００ｍｌを投入してから、内部温度を－５０℃に維持しつつ撹拌した。
【0101】
前記混合物に、Ｌｉ（２－メトキシエチル）シクロペンタジエンとＬｉＡｌＨ４の混合物をゆっくりと投入したところ、発熱とガス発生が確認され、濃い赤褐色への色変化が観察された。その後、溶媒を減圧下で除去した後、残留物をｎ－ペンタン（１０００ｍｌ）で抽出した。生成された濃い赤色溶液を濾過装置で濾過した後、溶媒を減圧下で除去し、濃い赤褐色の液体である（（ＣＨ３）Ｏ（ＣＨ２）２Ｃｐ）２ＭｏＨ２を約２２ｇ（ＭｏＣｌ５基準収率：５３％）得た。
1H NMR(400 MHz, C6D6) δ 4.2-4.8 (m, 8H), 3.3-3.4 (t, 4H), 3.1 (s, 6H), 2.4-2.5 (t, 4H), 3.1 (s, 6H), 1.0 (m,2H), -8.4 (s, 2H).
1H NMR(400 MHz, C6D6) δ 4.2-4.8 (m, 8H), 3.3-3.4 (t, 4H), 3.1 (s, 6H), 2.4-2.5 (t, 4H), 3.1 (s, 6H), 1.0 (m,2H), -8.4 (s, 2H).
【0102】
［実施例３］（（ＣＨ３）２Ｎ（ＣＨ２）２Ｃｐ）２ＭｏＨ２を用いたモリブデン含有薄膜の製造
前記実施例１に係るモリブデン化合物を使用し、反応ガスとしてアンモニア（ＮＨ３）を用いて、プラズマ強化原子層蒸着法（ＰＥＡＬＤ）によりモリブデン含有薄膜を製造した。
前記実施例１に係るモリブデン化合物を使用し、反応ガスとしてアンモニア（ＮＨ３）を用いて、プラズマ強化原子層蒸着法（ＰＥＡＬＤ）によりモリブデン含有薄膜を製造した。
【0103】
蒸着チャンバーの内部に酸化シリコンが成長されたシリコン基板をローディングし、前記基板の温度を４００℃に調節した。ステンレス鋼製のバブラー容器内にある実施例１で製造された（（ＣＨ３）２Ｎ（ＣＨ２）２Ｃｐ）２ＭｏＨ２を有機金属前駆体として充填し、温度を１００℃に調節した。
【0104】
プラズマ強化原子層蒸着法（ＰＥＡＬＤ）工程の時に、工程圧力はスロットル弁を調節して１０Ｔｏｒｒ以下に調節した。窒素ガスを移送気体（１００ｓｃｃｍ）として、前記有機金属前駆体を蒸着チャンバーの内部に５秒間注入した。窒素ガス（５００ｓｃｃｍ）を用いてパージを３秒間行い、前記蒸着チャンバー内に残留している前記有機金属前駆体および反応副産物を除去した。
【0105】
反応ガスとしてアンモニア（ＮＨ３）（２，０００ｓｃｃｍ/ＲＦパワー４００Ｗ）を３秒間注入し、モリブデン含有窒化薄膜を蒸着した。その後、窒素ガス（５００ｓｃｃｍ）を用いてパージを３秒間行い、残留反応ガスおよび反応副産物を除去した。
【0106】
上述の工程を一サイクルとし、１０００サイクルを繰り返すことで、図１のような、厚さ３２０Åのモリブデン含有窒化薄膜を製造した。前記モリブデン含有薄膜に対してＡＥＳ分析を行った結果、モリブデン（Ｍｏ）の含量および窒素（Ｎ）の含量はそれぞれ４１．８％および４５．４％と測定され、実際的にモリブデン窒化膜が形成されたことを確認した。
【0107】
［実施例４］（（ＣＨ３）Ｏ（ＣＨ２）２Ｃｐ）２ＭｏＨ２を用いたモリブデン含有薄膜の製造
前記実施例２に係るモリブデン化合物を使用し、反応ガスとしてアンモニア（ＮＨ３）を用いて、プラズマ強化原子層蒸着法（ＰＥＡＬＤ）によりモリブデン含有薄膜を製造した。
前記実施例２に係るモリブデン化合物を使用し、反応ガスとしてアンモニア（ＮＨ３）を用いて、プラズマ強化原子層蒸着法（ＰＥＡＬＤ）によりモリブデン含有薄膜を製造した。
【0108】
蒸着チャンバーの内部に酸化シリコンが成長されたシリコン基板をローディングし、前記基板の温度を４００℃に調節した。ステンレス鋼製のバブラー容器内にある実施例２で製造された（（ＣＨ３）Ｏ（ＣＨ２）２Ｃｐ）２ＭｏＨ２を有機金属前駆体として充填し、温度を１００℃に調節した。
【0109】
プラズマ強化原子層蒸着法（ＰＥＡＬＤ）工程の時に、工程圧力はスロットル弁を調節して１０Ｔｏｒｒ以下に調節した。窒素ガスを移送気体（１００ｓｃｃｍ）として、前記有機金属前駆体を蒸着チャンバーの内部に５秒間注入した。窒素ガス（５００ｓｃｃｍ）を用いてパージを３秒間行い、前記蒸着チャンバー内に残留している前記有機金属前駆体および反応副産物を除去した。
【0110】
反応ガスとしてアンモニア（ＮＨ３）（２，０００ｓｃｃｍ/ＲＦパワー４００Ｗ）を３秒間注入し、モリブデン含有窒化薄膜を蒸着した。その後、窒素ガス（５００ｓｃｃｍ）を用いてパージを３秒間行い、残留反応ガスおよび反応副産物を除去した。
【0111】
上述の工程を一サイクルとし、１０００サイクルを繰り返すことで、図２のような、厚さ２７０Åのモリブデン含有窒化薄膜を製造した。前記モリブデン含有薄膜に対してＡＥＳ分析を行った結果、モリブデン（Ｍｏ）の含量および窒素（Ｎ）の含量はそれぞれ４１．３％および４６．５％と測定され、実際的にモリブデン窒化膜が形成されたことを確認した。
【0112】
このことから、本発明の一実施形態に係るモリブデン化合物は、より向上した熱安定性、高い揮発性、および向上した蒸気圧を有することで、それを用いて薄膜を製造した際に、均一で且つ安定した蒸着速度を示し、高い信頼度を有する薄膜を形成することができ、立体的な装置に対して均一な膜厚を提供することができ、モリブデンおよび窒素の優れた組成比を示す薄膜を製造することができる。
【0113】
以上のとおり、本発明では特定の事項と限定された実施例および比較例により説明されたが、これは、本発明のより全般的な理解のために提供されるものにすぎず、本発明は上記の実施例に限定されるものではなく、本発明が属する分野において通常の知識を有する者であれば、このような記載から多様な修正および変形が可能である。
【0114】
したがって、本発明の思想は上述の実施例に限定されて決まってはならず、添付の特許請求の範囲だけでなく、この特許請求の範囲と均等なもの、または等価的変形があるものなどは、何れも本発明の思想の範疇に属するといえる。
【図1】
【図2】
【国際調査報告】