特表 2024-546549 配線基板、機能バックプレーン及びその作製方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-12-26

(54)【発明の名称】配線基板、機能バックプレーン及びその作製方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/34 20060101AFI20241219BHJP

   H05K 1/09 20060101ALI20241219BHJP

   H01L 21/60 20060101ALI20241219BHJP

【ＦＩ】

H05K3/34 501D

H05K1/09 C

H01L21/92 602D

H01L21/92 603B

H01L21/92 604A

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023579657

(86)(22)【出願日】2021-12-31

(85)【翻訳文提出日】2024-01-11

(86)【国際出願番号】 CN2021143613

(87)【国際公開番号】W WO2023123328

(87)【国際公開日】2023-07-06

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】510280589

【氏名又は名称】京東方科技集團股▲ふん▼有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＢＯＥ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＧＲＯＵＰ ＣＯ．，ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１０ Ｊｉｕｘｉａｎｑｉａｏ Ｒｄ．，Ｃｈａｏｙａｎｇ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００１５，ＣＨＩＮＡ

(74)【代理人】

【識別番号】100103894

【弁理士】

【氏名又は名称】家入 健

(72)【発明者】

【氏名】ヤオ ニエンチ

(72)【発明者】

【氏名】リー フェイフェイ

(72)【発明者】

【氏名】ニン ツェ

(72)【発明者】

【氏名】リー ジェンリャン

(72)【発明者】

【氏名】フー ヘヘ

(72)【発明者】

【氏名】ヘー ジアユ

(72)【発明者】

【氏名】ファン ジエ

(72)【発明者】

【氏名】ジャオ クン

(72)【発明者】

【氏名】ツァオ ジャンフェン

(72)【発明者】

【氏名】ワン ク

【テーマコード（参考）】

4E351

5E319

【Ｆターム（参考）】

4E351BB01

4E351BB35

4E351CC03

4E351CC06

4E351DD04

4E351DD05

4E351DD06

4E351DD19

4E351DD21

4E351GG15

5E319AA03

5E319CC33

5E319GG03

(57)【要約】

【要約】
配線基板は、ベース基板と複数の第１接続パッドとを含む。複数の第１接続パッドは、ベース基板上に設けられる。複数の第１接続パッドは、少なくとも１層の電気接続層を含み、各層の電気接続層は、本体材料層と、少なくとも１層の保護層とを含む。少なくとも１層の保護層は、本体材料層のベース基板から離れる側に設けられる。少なくとも１層の保護層は、第１基準保護層を含み、第１基準保護層は、少なくとも１層の保護層のうちのベース基板から最も離れる保護層であり、本体材料層の材料は、銅を含む。少なくとも１層の電気接続層は、第１電気接続層を含み、第１電気接続層は、少なくとも１層の電気接続層のうちのベース基板から最も離れる電気接続層であり、第１電気接続層に含まれる少なくとも１層の保護層において、少なくとも第１基準保護層の材料は、第１半田と第１金属間化合物を形成することができる。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ベース基板と、
前記ベース基板上に設けられる複数の第１接続パッドと、
を含み、
前記複数の第１接続パッドは、少なくとも１層の電気接続層を含み、各層の電気接続層は、本体材料層と、少なくとも１層の保護層とを含み、前記少なくとも１層の保護層は、前記本体材料層の前記ベース基板から離れる側に設けられ、前記少なくとも１層の保護層は、第１基準保護層を含み、前記第１基準保護層は、前記少なくとも１層の保護層のうちの前記ベース基板から最も離れる保護層であり、前記本体材料層の材料は、銅を含み、
前記少なくとも１層の電気接続層は、第１電気接続層を含み、前記第１電気接続層は、前記少なくとも１層の電気接続層のうちの前記ベース基板から最も離れる電気接続層であり、前記第１電気接続層に含まれる前記少なくとも１層の保護層において、少なくとも前記第１基準保護層の材料は、第１半田と第１金属間化合物を形成することができる、
配線基板。

【請求項2】

前記第１電気接続層に含まれる前記第１基準保護層の材料は、金属単体または金属合金である、
請求項１に記載の配線基板。

【請求項3】

前記金属単体は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｇ、及びＡｕのうちのいずれか１つを含み、
前記金属合金は、ニッケル合金または銅合金を含む、
請求項２に記載の配線基板。

【請求項4】

前記ニッケル合金は、ニッケルバナジウム合金、ニッケルアルミニウム合金、ニッケルタングステン合金、銅ニッケルチタン合金、及び銅ニッケルアルミニウム合金のうちのいずれか１つを含む、
請求項１～３のいずれかに記載の配線基板。

【請求項5】

前記第１電気接続層に含まれる各保護層の厚さは、いずれも３００Å以上３００００Å以下である、
請求項１～４のいずれかに記載の配線基板。

【請求項6】

前記第１電気接続層に含まれる前記少なくとも１層の保護層の厚さまたは材料は、さらに前記第１電気接続層に含まれる前記本体材料層内への第１半田の拡散を遮断するように構成される、
請求項１～５のいずれかに記載の配線基板。

【請求項7】

前記第１電気接続層に含まれる前記第１基準保護層の材料に、銅または銅ニッケル合金が含まれる場合、前記第１基準保護層の厚さは、３００Å～６００Åの間で値を取り、
前記第１電気接続層に含まれる前記第１基準保護層の材料に、銅が含まれていない場合、前記第１基準保護層の厚さは、３００Å～３０００Åの間で値を取る、
請求項６に記載の配線基板。

【請求項8】

前記少なくとも１層の保護層における前記第１半田の拡散深さは、前記第１電気接続層に含まれる前記第１基準保護層の厚さ以上である、
請求項７に記載の配線基板。

【請求項9】

前記少なくとも１層の保護層は、第２基準保護層をさらに含み、前記第２基準保護層は、前記第１基準保護層と前記ベース基板との間に位置し、前記第２基準保護層の材料は、第１半田と第１金属間化合物を形成することができ、または、前記第２基準保護層の材料は、第１半田と第１金属間化合物を形成することができない、
請求項１～８のいずれかに記載の配線基板。

【請求項10】

前記第２基準保護層の材料は、第１半田と第１金属間化合物を形成することができ、
少なくとも２層の保護層の材料は異なり、または、少なくとも１層の保護層の厚さは５００Åより大きく、または、少なくとも２層の保護層の厚さとの和は５００Åより大きい、
請求項９に記載の配線基板。

【請求項11】

前記少なくとも２層の保護層の材料が異なることは、
含まれる元素の種類が異なること、
または、
含まれる元素の種類が同じであり、各元素間の割合が異なること、
または、
含まれるベース元素の種類及び割合がいずれも同じであり、少なくとも１層の保護層が、前記少なくとも１層の保護層に含まれるベース元素にドープされたドーピング材料をさらに含むこと、
を含む、
請求項１０に記載の配線基板。

【請求項12】

前記ドーピング材料は、金属タングステン、または金属アルミニウム、または金属バナジウムである、
請求項１１に記載の配線基板。

【請求項13】

前記ベース基板に徐々に近づく方向に沿って、単位時間当たりの前記第１半田及び前記少なくとも２層の保護層の拡散深さは、徐々に減少し、及び／又は、前記少なくとも２層の保護層の材料の融点は、徐々に増大する、
請求項１０～１２のいずれかに記載の配線基板。

【請求項14】

前記ベース基板に徐々に近づく方向に沿って、前記少なくとも２層の保護層における、前記第１半田と第１金属間化合物を形成可能な元素の割合は、徐々に減少する、
請求項１０～１３のいずれかに記載の配線基板。

【請求項15】

前記ベース基板に徐々に近づく方向に沿って、前記少なくとも２層の保護層の厚さは、徐々に増大する、
請求項１０～１４のいずれかに記載の配線基板。

【請求項16】

前記第２基準保護層の厚さは、１０００Å以上３００００Å以下であり、前記第１基準保護層の厚さは、３００Å以上１０００Å以下である、
請求項１５に記載の配線基板。

【請求項17】

前記少なくとも１層の保護層における前記第１半田の拡散深さは、前記第１基準保護層の厚さ以上であり、前記第１基準保護層の厚さと前記第２基準保護層の厚さとの和以下である、
請求項１０～１６のいずれかに記載の配線基板。

【請求項18】

前記少なくとも１層の電気接続層は、第２電気接続層をさらに含み、前記第２電気接続層は、前記第１電気接続層と前記ベース基板との間に位置し、前記第２電気接続層に含まれる前記第１基準保護層の材料は、第１半田と第１金属間化合物を形成することができ、または、前記第２電気接続層に含まれる前記第１基準保護層の材料は、第１半田と第１金属間化合物を形成することができない、
請求項１～１７のいずれかに記載の配線基板。

【請求項19】

前記第２電気接続層に含まれる前記第１基準保護層の厚さは、３００Å以上３００００Å以下である、
請求項１８に記載の配線基板。

【請求項20】

前記第２電気接続層に含まれる前記第１基準保護層の材料は、第１半田と第１金属間化合物を形成することができ、
前記第２電気接続層に含まれる前記第１基準保護層の厚さは、前記第１電気接続層に含まれる前記第１基準保護層の厚さよりも大きい、
請求項１８または１９に記載の配線基板。

【請求項21】

前記第２電気接続層に含まれる前記第１基準保護層の厚さは、１０００Å以上３００００Å以下であり、前記第１電気接続層に含まれる前記第１基準保護層の厚さは、３００Å以上１０００Å以下である、
請求項２０に記載の配線基板。

【請求項22】

前記少なくとも１層の電気接続層における前記第１半田の拡散深さは、前記第１電気接続層に含まれる第１基準保護層の厚さ以上であり、前記第１電気接続層の厚さと前記第２電気接続層に含まれる第１基準保護層の厚さとの和以下である、
請求項１８～２１のいずれかに記載の配線基板。

【請求項23】

前記ベース基板上に設けられる複数の第２接続パッドであって、回路基板に電気的に接続されるように構成される複数の第２接続パッドをさらに含む、
請求項１～２２のいずれかに記載の配線基板。

【請求項24】

請求項１～２３のいずれかに記載の配線基板及び第１半田と、
少なくとも１つの電子部品であって、各電子部品は、ピンを含み、前記電子部品は、前記ピン及び前記第１半田を介して前記第１接続パッドに溶接する少なくとも１つの電子部品と、
を含み、
前記第１半田は、前記第１電気接続層に含まれる少なくとも前記第１基準保護層と第１金属間化合物を形成する、
機能バックプレーン。

【請求項25】

前記少なくとも１つの電子部品は、少なくとも１つの第１電子部品を含み、前記少なくとも１つの第１電子部品に含まれるピンに溶接する第１接続パッドにおいて、前記少なくとも１つの第１電気接続層に含まれる前記第１基準保護層の前記ベース基板から離れる表面には、溝が形成され、前記溝内には、第２半田が設けられ、前記第２半田は、少なくとも前記溝の側壁と第１金属間化合物を形成する、
請求項２４に記載の機能バックプレーン。

【請求項26】

前記少なくとも１層の電気接続層は、第３電気接続層をさらに含み、第３電気接続層は、前記少なくとも１層の電気接続層のうちの前記ベース基板に最も近い電気接続層であり、
前記第１接続パッドの前記溝の底部の一方側に位置する部分は、少なくとも前記第１接続パッドにおける前記第３電気接続層に含まれる部分を含み、前記第３電気接続層に含まれる部分は、少なくとも前記第３電気接続層に含まれる本体材料層における部分を含む、
請求項２５に記載の機能バックプレーン。

【請求項27】

配線基板を製造するステップであって、前記配線基板は、ベース基板と、複数の第１接続パッドとを含み、前記複数の第１接続パッドは、前記ベース基板上に設けられ、前記複数の第１接続パッドは、少なくとも１層の電気接続層を含み、各層の電気接続層は、本体材料層と、少なくとも１層の保護層と、を含み、前記少なくとも１層の保護層は、前記本体材料層の前記ベース基板から離れる側に設けられ、前記少なくとも１層の保護層は、第１基準保護層を含み、前記第１基準保護層は、前記少なくとも１層の保護層のうちの前記ベース基板から最も離れる保護層であり、前記本体材料層の材料は、銅を含み、前記少なくとも１層の電気接続層は、第１電気接続層を含み、前記第１電気接続層は、前記少なくとも１層の電気接続層のうちの前記ベース基板から最も離れる電気接続層であり、前記第１電気接続層に含まれる少なくとも１層の保護層において、少なくとも第１基準保護層の材料は、第１半田と第１金属間化合物を形成することができるステップと、
少なくとも１つの電子部品を提供するステップであって、各電子部品はピンを含むステップと、
前記ピン及び前記第１半田を介して、前記少なくとも１つの電子部品を前記第１接続パッドに溶接するステップであって、前記第１半田は、前記第１電気接続層に含まれる少なくとも前記第１基準保護層と第１金属間化合物を形成し、前記第１半田は、前記ピンと第２金属間化合物を形成するステップと、
を含む、
機能バックプレーンの作製方法。

【請求項28】

前記ピン及び前記第１半田を介して、前記少なくとも１つの電子部品を前記第１接続パッドに溶接するステップは、
各電子部品に含まれるピンと前記第１接続パッドとの間に、第１半田を設けるステップであって、前記第１半田を、それぞれ前記第１接続パッド及び前記ピンと反応させ、前記少なくとも１つの電子部品を、ピン及び第１半田を介して前記第１接続パッドに溶接するステップを含む、
請求項２７に記載の機能バックプレーンの作製方法。

【請求項29】

前記複数の電子部品が少なくとも１つの第１電子部品を含む場合、前記製造方法は、さらに、
前記複数の電子部品と前記第１接続パッドとの接続状態を検出するステップと、
第２電子部品と前記第１接続パッドとの接続状態が要件を満たさない場合、前記第２電子部品を交換し、前記第２電子部品を前記第１電子部品に置き換えるステップと、
を含む、
請求項２７または２８に記載の機能バックプレーンの作製方法。

【請求項30】

前記第２電子部品を交換し、前記第２電子部品を前記第１電子部品に置き換えるステップは、
前記第２電子部品を除去し、前記第１接続パッドの前記ベース基板から離れる表面に、溝を形成するステップと、
前記溝に第２半田を設け、前記第２半田を介して前記第１電子部品に含まれるピンを前記第１接続パッドに溶接し、前記第２半田は、少なくとも前記溝の側壁と前記第１金属間化合物を形成するステップと、
を含む、
請求項２９に記載の機能バックプレーンの作製方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、照明及び表示技術分野に関し、特に配線基板、機能バックプレーン及びその作製方法に関する。

【背景技術】

【0002】

ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ，発光ダイオード) は、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ－Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ，有機発光ダイオード) 発光デバイスに対して、無機半導体材料を用いてｐｎ接合を形成し、電界駆動により、キャリアがｐｎ接合中で複合して発光を実現し、発光輝度と応答速度が比較的に高い。

【発明の概要】

【課題を解決するための手段】

【0003】

一態様では、配線基板が提供され、前記配線基板は、ベース基板と複数の第１接続パッドとを含む。前記複数の第１接続パッドは、前記ベース基板上に設けられる。前記複数の第１接続パッドは、少なくとも１層の電気接続層を含み、各層の電気接続層は、本体材料層と、少なくとも１層の保護層とを含み、前記少なくとも１層の保護層は、前記本体材料層の前記ベース基板から離れる側に設けられる。前記少なくとも１層の保護層は、第１基準保護層を含み、前記第１基準保護層は、前記少なくとも１層の保護層のうちの前記ベース基板から最も離れる保護層であり、前記本体材料層の材料は、銅を含む。前記少なくとも１層の電気接続層は、第１電気接続層を含み、前記第１電気接続層は、前記少なくとも１層の電気接続層のうちの前記ベース基板から最も離れる電気接続層であり、前記第１電気接続層に含まれる前記少なくとも１層の保護層において、少なくとも前記第１基準保護層の材料と第１半田とが第１金属間化合物を形成することができる。

【0004】

幾つかの実施例では、前記第１電気接続層に含まれる前記第１基準保護層の材料は、金属単体または金属合金である。

【0005】

幾つかの実施例では、前記金属単体は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｇ、及びＡｕのうちのいずれか１つを含み、前記金属合金は、ニッケル合金を含む。

【0006】

幾つかの実施例では、前記ニッケル合金は、ニッケルバナジウム合金、ニッケルアルミニウム合金、ニッケルタングステン合金、銅ニッケルチタン合金、及び銅ニッケルアルミニウム合金のうちのいずれか１つを含む。

【0007】

幾つかの実施例では、前記第１電気接続層に含まれる各保護層の厚さは、いずれも３００Å以上３００００Å以下である。

【0008】

幾つかの実施例では、前記第１電気接続層に含まれる前記少なくとも１層の保護層の厚さまたは材料は、さらに前記第１電気接続層に含まれる前記本体材料層内への第１半田の拡散を遮断するように構成される。

【0009】

幾つかの実施例では、前記第１電気接続層に含まれる前記第１基準保護層の材料が、銅または銅ニッケル合金を含む場合、前記第１基準保護層の厚さは、３００Å～６００Åの間で値を取る。前記第１電気接続層に含まれる前記第１基準保護層の材料が、銅を含まない場合、前記第１基準保護層の厚さは、３００Å～３００００Åの間で値を取る。

【0010】

幾つかの実施例では、前記少なくとも１層の保護層における前記第１半田の拡散深さは、前記第１電気接続層に含まれる前記第１基準保護層の厚さ以上である。

【0011】

幾つかの実施例では、前記少なくとも１層の保護層は、第２基準保護層をさらに含み、前記第２基準保護層は、前記第１基準保護層と前記ベース基板との間に位置し、前記第２基準保護層の材料と第１半田とが第１金属間化合物を形成することができ、または、前記第２基準保護層の材料と第１半田とが第１金属間化合物を形成することができない。

【0012】

幾つかの実施例では、前記第２基準保護層の材料と第１半田とが第１金属間化合物を形成することができ、少なくとも２層の保護層の材料は異なり、または、少なくとも１層の保護層の厚さは５００Åより大きく、または、少なくとも２層の保護層の厚さとの和は５００Åより大きい。

【0013】

幾つかの実施例では、前記少なくとも２層の保護層の材料が異なることは、含まれる元素の種類が異なること、または、含まれる元素の種類が同じであり、各元素間の割合が異なること、または、含まれるベース元素の種類及び割合がいずれも同じであり、少なくとも１層の保護層が、前記少なくとも１層の保護層に含まれるベース元素にドープされたドーピング材料をさらに含むこと、を含む。

【0014】

幾つかの実施例では、前記ドーピング材料は、金属タングステン、または金属アルミニウム、または金属バナジウムである。

【0015】

幾つかの実施例では、前記ベース基板に徐々に近づく方向に沿って、単位時間当たりの前記第１半田及び前記少なくとも２層の保護層の拡散深さは、徐々に減少し、及び／又は、前記少なくとも２層の保護層の材料の融点は、徐々に増大する。

【0016】

幾つかの実施例では、前記ベース基板に徐々に近づく方向に沿って、前記少なくとも２層の保護層における前記第１半田と第１金属間化合物を形成できる元素の割合は、徐々に減少する。

【0017】

幾つかの実施例では、前記ベース基板に徐々に近づく方向に沿って、前記少なくとも２層の保護層の厚さは、徐々に増大する。

【0018】

幾つかの実施例では、前記第２基準保護層の厚さは、１０００Å以上３００００Å以下であり、前記第１基準保護層の厚さは、３００Å以上１０００Å以下である。

【0019】

幾つかの実施例では、前記少なくとも１層の保護層における前記第１半田の拡散深さは、前記第１基準保護層の厚さ以上であり、前記第１基準保護層の厚さと前記第２基準保護層の厚さとの和以下である。

【0020】

幾つかの実施例では、前記少なくとも１層の電気接続層は、第２電気接続層をさらに含み、前記第２電気接続層は、前記第１電気接続層と前記ベース基板との間に位置し、前記第２電気接続層に含まれる前記第１基準保護層の材料と第１半田とが第１金属間化合物を形成することができ、または、前記第２電気接続層に含まれる前記第１基準保護層の材料と第１半田とが第１金属間化合物を形成することができない。

【0021】

幾つかの実施例では、前記第２電気接続層に含まれる前記第１基準保護層の厚さは、３００Å以上３００００Å以下である。

【0022】

幾つかの実施例では、前記第２電気接続層に含まれる前記第１基準保護層の材料は、第１半田と第１金属間化合物を形成することができ、前記第２電気接続層に含まれる前記第１基準保護層の厚さは、前記第１電気接続層に含まれる前記第１基準保護層の厚さより大きい。

【0023】

幾つかの実施例では、前記第２電気接続層に含まれる前記第１基準保護層の厚さは、１０００Å以上３００００Å以下であり、前記第１電気接続層に含まれる前記第１基準保護層の厚さは、３００Å以上１０００Å以下である。

【0024】

幾つかの実施例では、前記少なくとも１層の電気接続層における前記第１半田の拡散深さは、前記第１電気接続層に含まれる第１基準保護層の厚さ以上であり、前記第１電気接続層の厚さと前記第２電気接続層に含まれる第１基準保護層の厚さとの和以下である。

【0025】

幾つかの実施例では、前記ベース基板上に設けられる複数の第２接続パッドであって、回路基板に電気的に接続されるように構成される複数の第２接続パッドをさらに含む。

【0026】

別の態様では、機能バックプレーンが提供され、前記機能バックプレーンは、上記の配線基板及び第１半田と、少なくとも１つの電子部品とを含む。各電子部品は、ピンを含み、前記電子部品は、前記ピン及び前記第１半田を介して前記第１接続パッドに溶接する。前記第１半田は、前記第１電気接続層に含まれる少なくとも前記第１基準保護層と第１金属間化合物を形成し、前記第１半田と前記ピンとが第２金属間化合物を形成する。

【0027】

幾つかの実施例では、前記少なくとも１つの電子部品は、少なくとも１つの第１電子部品を含み、前記少なくとも１つの第１電子部品に含まれるピンに溶接する第１接続パッドにおいて、前記少なくとも１つの第１電気接続層に含まれる前記第１基準保護層の前記ベース基板から離れる表面には、溝が形成され、前記溝内には、第２半田が設けられ、前記第２半田と少なくとも前記溝の側壁とが第１金属間化合物を形成する。

【0028】

幾つかの実施例では、前記少なくとも１層の電気接続層は、第３電気接続層をさらに含み、第３電気接続層は、前記少なくとも１層の電気接続層のうちの前記ベース基板に最も近い電気接続層である。

【0029】

前記第１接続パッドの前記溝の底部の一方側に位置する部分は、少なくとも前記第１接続パッドにおける前記第３電気接続層に含まれる部分を含み、前記第３電気接続層に含まれる部分は、少なくとも前記第３電気接続層に含まれる本体材料層における部分を含む。

【0030】

また、別の態様では、機能バックプレーンの製造方法が提供され、前記機能バックプレーンの製造方法は、

【0031】

配線基板を製造するステップを含み、前記配線基板は、ベース基板と、複数の第１接続パッドとを含み、前記複数の第１接続パッドは、前記ベース基板上に設けられ、前記複数の第１接続パッドは、少なくとも１層の電気接続層を含み、各層の電気接続層は、本体材料層と、少なくとも１層の保護層と、を含み、前記少なくとも１層の保護層は、前記本体材料層の前記ベース基板から離れる側に設けられ、前記少なくとも１層の保護層は、第１基準保護層を含み、前記第１基準保護層は、前記少なくとも１層の保護層のうちの前記ベース基板から最も離れる保護層であり、前記本体材料層の材料は、銅を含み、前記少なくとも１層の電気接続層は、第１電気接続層を含み、前記第１電気接続層は、前記少なくとも１層の電気接続層のうちの前記ベース基板から最も離れる電気接続層であり、前記第１電気接続層に含まれる少なくとも１層の保護層において、少なくとも第１基準保護層の材料と第１半田とが第１金属間化合物を形成することができる。

【0032】

少なくとも１つの電子部品を提供して、各電子部品はピンを含む。

【0033】

前記ピン及び前記第１半田を介して、前記少なくとも１つの電子部品を前記第１接続パッドに溶接して、前記第１半田と前記第１電気接続層に含まれる少なくとも前記第１基準保護層とが第１金属間化合物を形成し、前記第１半田と前記ピンとが第２金属間化合物を形成する。

【0034】

幾つかの実施例では、前記ピン及び前記第１半田を介して、前記少なくとも１つの電子部品を前記第１接続パッドに溶接することは、

【0035】

各電子部品に含まれるピンと前記第１接続パッドとの間に、第１半田を設け、前記第１半田を、それぞれ前記第１接続パッド及び前記ピンと反応させて、前記少なくとも１つの電子部品を、ピン及び第１半田を介して前記第１接続パッドに溶接することを含む。

【0036】

幾つかの実施例では、前記複数の電子部品が少なくとも１つの第１電子部品を含む場合、前記作製方法は、

【0037】

前記複数の電子部品と前記第１接続パッドとの接続状態を検出するステップをさらに含む。

【0038】

第２電子部品と前記第１接続パッドとの接続状態が要件を満たさない場合、前記第２電子部品を交換し、前記第２電子部品を前記第１電子部品に置き換える。

【0039】

幾つかの実施例では、前記第２電子部品を交換し、前記第２電子部品を前記第１電子部品に置き換えることは、

【0040】

前記第２電子部品を除去し、前記第１接続パッドの前記ベース基板から離れる表面に、溝を形成することを含む。

【0041】

前記溝内に第２半田を設け、前記第２半田を介して前記第１電子部品に含まれるピンを前記第１接続パッドに溶接し、前記第２半田と少なくとも前記溝の側壁とが前記第１金属間化合物を形成することを含む。

【図面の簡単な説明】

【0042】

以下、本開示に係る技術案をより明確に説明するために、本開示における幾つかの実施例で使用される図面について簡単に説明するが、以下の説明における図面は、本開示における幾つかの実施例の一部にすぎないことは明らかである。当業者であれば、これらの図面に基づいて他の図面を得ることもできる。また、以下の説明における図面は、概略図と見なすことができ、本開示の実施例に係る製品の実際の寸法、方法の実際の流れ、信号の実際のタイミングなどを限定するものではない。

【0043】

【図1】幾つかの実施例に係る機能バックプレーンの構造を示す断面図である。

【0044】

【図2A】幾つかの実施例に係る第１接続パッドの構造を示す断面図である。

【0045】

【図2B】幾つかの実施例に係る別の第１接続パッドの構造を示す断面図である。

【0046】

【図2C】幾つかの実施例に係る別の第１接続パッドの構造を示す断面図である。

【0047】

【図2D】幾つかの実施例に係る別の第１接続パッドの構造を示す断面図である。

【0048】

【図2E】幾つかの実施例に係る別の第１接続パッドの構造を示す断面図である。

【0049】

【図2F】幾つかの実施例に係る別の第１接続パッドの構造を示す断面図である。

【0050】

【図2G】幾つかの実施例に係る別の第１接続パッドの構造を示す断面図である。

【0051】

【図2H】幾つかの実施例に係る別の第１接続パッドの構造を示す断面図である。

【0052】

【図2I】幾つかの実施例に係る別の第１接続パッドの構造を示す断面図である。

【0053】

【図2J】幾つかの実施例に係る別の第１接続パッドの構造を示す断面図である。

【0054】

【図2K】本開示の幾つかの実施例に係るさらに別の第１接続パッドの構造を示す断面図である。

【0055】

【図2L】幾つかの実施例に係るさらに別の第１接続パッドの構造を示す断面図である。

【0056】

【図3】幾つかの実施例に係る第１接続パッドとピンとの接続の構造図である。

【0057】

【図4】幾つかの実施例に係る第１配線層と第１接続パッドの上面図である。

【0058】

【図5】幾つかの実施例に係る図４におけるＡＡ’方向に沿った断面図である。

【0059】

【図6】幾つかの実施例に係る回路基板及び電子部品が配線基板に電気接続の構造を示す断面図である。

【0060】

【図7A】幾つかの実施例に係る第１接続パッドとピンとの接続の構造図である。

【0061】

【図7B】幾つかの実施例に係る別の第１接続パッドとピンとの接続の構造図である。

【0062】

【図7C】幾つかの実施例に係るさらに別の第１接続パッドとピンとの接続の構造図である。

【0063】

【図8】幾つかの実施例に係る機能バックプレーンの製造方法のフローチャートである。

【0064】

【図9】幾つかの実施例に係る第１半田と少なくとも第１基準保護層とが第１金属間化合物を形成するフローチャートである。

【0065】

【図10】幾つかの実施例に係る第２電子部品を第１電子部品に置き換えるフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0066】

以下、図面を参照して、本開示の幾つかの実施例に係る技術案を明確かつ完全に説明する。説明される実施例はあくまで本開示の実施例の一部に過ぎず、全ての実施例ではないことは明らかである。本開示に係る実施例に基づいて、当業者はが得られた他のすべての実施例は、いずれも本開示の権利範囲に含まれるものとする。

【0067】

文脈上別段の解釈を要しない限り、本明細書及び特許請求の範囲全体において、用語「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」及びその他の形式、例えば、第三人称の単数形である「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」及び現在分詞の形式である「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」は、開放、包括的な意味、即ち「含むが、これらに限定されない」と解釈されるべきである。明細書の説明において、用語「１つの実施例（ｏｎｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ）」、「幾つかの実施例（ｓｏｍｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔｓ）」、「例示的な実施例（ｅｘｅｍｐｌａｒｙ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔｓ）」、「例（ｅｘａｍｐｌｅ）」、「特定の例（ｓｐｅｃｉｆｉｃ ｅｘａｍｐｌｅ）」、又は「幾つかの例（ｓｏｍｅ ｅｘａｍｐｌｅｓ）」などは、その実施例又は例に関連する特定の特徴、構造、材料、又は特性が、本開示の少なくとも１つの実施例又は例に含まれることを示すことが意図される。上記の用語の概略的な表現は、必ずしも同じ実施例又は例を指すわけではない。さらに、記載された特定の特徴、構造、材料、又は特性は、任意の適切な態様で、任意の１つ又は複数の実施例又は例に含み得る。

【0068】

以下において、「第１」、「第２」という用語は、単に目的を説明するためのものであり、相対的な重要性を指示又は暗示するものとして、若しくは指示された技術的特徴の数量を暗示するものと理解されるべきでない。従って、「第１」、「第２」と定義された特徴は、１つ又は複数の当該特徴を明示的又は暗示的に含み得る。本開示の実施例の説明では、特に説明がない限り、「複数」は２つ以上を意味する。

【0069】

「Ａ、Ｂ及びＣのうちの少なくとも１つ」は、「Ａ、Ｂ又はＣのうちの少なくとも１つ」と同じ意味を有し、いずれも以下のＡ、Ｂ及びＣの組み合わせ：Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、Ａ及びＢの組合せ、Ａ及びＣの組合せ、Ｂ及びＣの組合せ、並びにＡ、Ｂ及びＣの組合せを含む。

【0070】

「Ａ及び／又はＢ」は、Ａのみ、Ｂのみ、及びＡとＢの組合せの３つの組合せを含む。

【0071】

本明細書において、「…に適用する」又は「…ように配置される」の使用は開放的且つ包括的な言語を意味し、追加のタスク又はステップを実行するように適用又は配置される装置を排除しない。

【0072】

本開示の幾つかの実施例は、発光装置が提供される。当該発光装置は、機能バックプレーンを含む。勿論、他の構成要素も含むことができる。例えば、機能バックプレーンに電気信号を提供して、当該機能バックプレーンを駆動するために使用される回路を含むことができる。当該回路は制御回路と呼ぶことができ、機能バックプレーンに電気的に接続される回路基板及び／又はＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅ Ｃｉｒｃｕｉｔ，集積回路）を含むことができる。

【0073】

幾つかの実施例では、当該発光装置は照明装置であってもよい。この場合、発光装置は光源として使用され、照明機能を実現する。例えば、発光装置は、液晶表示装置におけるバックライトモジュール、内部または外部の照明用のランプ、または各種信号ランプなどであってもよい。

【0074】

幾つかの他の実施例では、当該発光装置は表示装置であってもよい。この場合、当該機能バックプレーンは表示基板であり、画像（すなわち、画面）を表示する機能を実現するように使用される。発光装置は、ディスプレイまたはディスプレイを含む製品を含むことができる。ここで、ディスプレイはＦＤＰ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐａｌｙ，フラットパネルディスプレイ）やマイクロディスプレイなどであってもよい。ユーザがディスプレイの背面が見えるか否かに応じて、ディスプレイは、透明ディスプレイまたは不透明ディスプレイに区別されてもよい。ディスプレイが折り曲げられるか、捲れ返られるかに応じて、ディスプレイは、フレキシブルディスプレイまたは通常のディスプレイ（リジッドディスプレイと呼ぶことができる）に区別されてもよい。例示的に、ディスプレイを含む製品は、コンピュータディスプレイ、テレビ、看板、ディスプレイ機能付きレーザープリンター、電話、携帯電話、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔ，パーソナルデジタルアシスタント）、ノート型コンピュータ、デジタルカメラ、ポータブルカメラビデオレコーダー、ビューファインダ、車両、広い面積の壁、劇場のスクリーンまたはスタジアムの看板などを含むことができる。

【0075】

ＳＴＭは表面実装技術（表面貼付技術）（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔｅｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙの略称）であり、電子組立業界において最もポピュラーな技術と工程であり、ピンを有する電子部品を、回路及び接続パッド（パッドとも呼ぶ)を有するベース基板の表面上に配置し、リフロー半田やディップ半田などの方法により、溶接して組み立てる技術である。電子部品と接続パッドとの固定接続を完成するために、ベース基板上の電子部品と電気的に接続する予定がある接続パッド上に半田を設け、または、電子部品のピンに半田を設ける必要がある。次に、電子部品を接続パッドと位置合わせして接触するように設け、例えば、２３０℃～２６０℃の高温で、半田を溶融させて良好な湿潤を得てから、急速に冷却させて温度を下げ、電子部品と接続パッドとの固定接続または溶接を実現する。接続パッドの材料は、一般的に銅であるが、銅は酸化しやすいため、接続パッドを表面処理し、銅の酸化を防止する必要がある。接続パッドの表面処理方式は、接続パッドの表面に銅合金層を形成して、銅の酸化を防止することを含む。これにより、電子部品は、半田を介して銅合金層と直接溶接することが実現される。しかし、本開示の発明者は、リフロー半田過程において、半田と銅合金層及び接続パッドと金属間化合物（Ｉｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃ Ｃｃｏｍｐｏｕｎｄ，ＩＭＣと略称する）が形成されることがあり、金属間化合物の厚さと組成は、溶接工程の時間、温度及び適用条件などと関数関係をなし、且つ材料接合部位の内部応力を変化させ、一般的に、金属間化合物の厚さの増加につれて、内部応力が徐々に増大することにより、電子部品と導電性ガスケットとの接触部位（溶接点）が脆くなり、さらに破断が生じる現象を引き起し、両者の接続強度と信頼性に影響を与えることを見出した。

【0076】

具体的には、リフロー半田過程において、半田と銅合金層と接続パッドとの間に金属間化合物が急速に生成されることがあり、半田と銅合金層及び接続パッドと直接接触して、銅合金層と接続パッドにおける銅は、半田における錫とＣｕｘＳｎｙシリーズの「一時安定的」化合物を形成することがある。ここで、ＣｕｘＳｎｙにおいて、ｘ＝３、４、５、６、ｙ＝２、３、４、５であり、これらのＣｕｘＳｎｙシリーズの化合物の厚さと厚さ割合は、溶接工程の温度、時間、環境及び使用条件などにつれて変化する。ここで、Ｃｕ３Ｓｎ２化合物は半田から最も離れる領域に位置し、Ｃｕ６Ｓｎ５化合物は半田から最も近い領域に位置し、Ｃｕ３Ｓｎ２化合物の溶接可能性は非常に悪く、Ｃｕ６Ｓｎ５化合物は溶接可能性を有するが、その厚さが比較的に薄いため、溶接点の接続強度が低く、信頼性が悪い。

【0077】

また、電子部品に不完全溶接や溶接位置ずれが生じる場合、電子部品を除去して正しい位置に強固に溶接し直すために、横方向の剪断力を加える必要がある。電子部品を除去する過程において、接続パッドが破損する可能性があるため当該接続パッドは、電子部品との溶接を再び実現することができなくなる。

【0078】

本開示の幾つかの実施例は機能バックプレーン１００が提供される。図１に示すように、機能バックプレーン１００は、配線基板１０と、少なくとも１つの電子部品２０と、を含む。少なくとも１つの電子部品２０は、配線基板１０上に設けられる。各電子部品２０は、ピン３０を含む。電子部品２０は、ピン３０を介して配線基板１０に電気的に接続される。電子部品２０は、マイクロ発光ダイオード、マイクロチップ、マイクロセンサー、マイクロドライブなどを含むことができ、ここでは限定されない。

【0079】

具体的には、電子部品２０が２つのピンを有することを例に挙げると、ピン３０は、カソードピン３０ａ及びアノードピン３０ｂを含むことができる。配線基板１０は、ベース基板１と、複数の第１接続パッド２とを含む。ベース基板１は、デバイス領域Ａを有する。複数の第１接続パッド２は、ベース基板１上に設けられ、デバイス領域Ａに位置する。電子部品２０は、ピン３０（カソードピン３０ａ及びアノードピン３０ｂ）及び第１半田Ｘ１（基体材料が錫である合金を含み、例えば錫銀銅合金である）を介して第１接続パッド２に電気的に接続され、これにより、電子部品２０と配線基板１０との電気接続が実現される。

【0080】

電子部品２０がマイクロ発光ダイオードであることを例に挙げると、具体的には、サイズが約５０ミクロン～５００ミクロンである発光ダイオードを指す。

【0081】

バックライト適用について、電子部品２０がマイクロ発光ダイオードである場合、複数のマイクロ発光ダイオードをマトリクス配置し、領域調光技術（ｌｏｃａｌ ｄｉｍｍｉｎｇ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）と組み合わせることにより、より小さい光混合距離内でより良好な輝度均一性とより高い色コントラストを実現することができ、さらに端末製品の超薄型、高演色性、高コントラスト及び高輝度を実現し、従来の直下型またはエッジ入（ｅｄｇｅ－ｌｉｔ）型のバックライトアーキテクチャより優れることを実現する。また、複数のマイクロ発光ダイオードを可撓性基板上に設けることができ、さらに曲面を有する受動型表示パネルと協働して、画質を保証しながら有機発光ダイオードみたいの技術で実現された曲面ディスプレイを実現することができる。ディスプレイ適用について、マイクロ発光ダイオードは、３色（例えば、Ｒｅｄ Ｇｒｅｅｎ Ｂｌｕｅ，赤緑青）のマイクロ発光ダイオードを含み、当該３色のマイクロ発光ダイオードは、より高い輝度とコントラストを有する。

【0082】

幾つかの実施例では、図２Ａ～図２Ｌに示すように、複数の第１接続パッド２は、少なくとも１層の電気接続層２１を含む。各電気接続層２１は、本体材料層２１１と、少なくとも１層の保護層２１２とを含み、少なくとも１層の保護層２１２は、本体材料層２１１のベース基板から離れる側に設けられる。少なくとも１層の保護層２１２は、第１基準保護層２１２Ａを含む。第１基準保護層２１２Ａは、少なくとも１層の保護層２１２のうちのベース基板１から最も離れる保護層２１２である。本体材料層２１１の材料は銅を含む。少なくとも１層の電気接続層２１は、第１電気接続層２１Ａを含む。前記第１電気接続層２１Ａは、少なくとも１層の電気接続層２１のうちのベース基板１から最も離れる電気接続層２１である。 第１電気接続層２１Ａに含まれる少なくとも１層の保護層２１２において、少なくとも第１基準保護層２１２Ａの材料と第１半田と第１金属間化合物が形成することができる。

【0083】

ここで、複数の第１接続パッド２は少なくとも１層の電気接続層２１を含み、各層の電気接続層２１は、本体材料層２１１と、少なくとも１層の保護層２１２とを含み、少なくとも１層の保護層２１２は、本体材料層２１１のベース基板１から離れる側に設けられる。これからわかるように、いずれかの第１接続パッド２において、電気接続層２１の層数は１層又は多層であり、各層の電気接続層２１は、いずれも１層の本体材料層２１１と、１層または多層の保護層２１２を含み、１層または多層の保護層２１２は、当該本体材料層２１１のベース基板１から離れる側に設けられる。

【0084】

ここで、電気接続層２１の層数が１層である場合、当該電気接続層２１は第１電気接続層２１Ａである。この際に、第１電気接続層２１Ａは、１層または多層の保護層２１２を含むことができることによれば、２つの可能な状況を有する。第１状況は、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、第１電気接続層２１Ａは１層の保護層２１２を含み、当該保護層２１２は第１基準保護層２１２Ａである。第２状況は、図２Ｃ～図２Ｇに示すように、第１電気接続層２１Ａは多層の保護層２１２を含み、多層の保護層２１２のうちのベース基板１から最も離れる保護層２１２は、第１基準保護層２１２Ａである。電気接続層２１の層数が多層である場合、図２Ｈ～図２Ｌに示すように、第１電気接続層２１Ａは、多層の電気接続層２１のうちのベース基板１から最も離れる電気接続層２１である。この際に、第１電気接続層２１Ａは１層または多層の保護層２１２を含むことによれば、２つの可能な状況を有する。第１状況は、図２Ｈ～図２Ｌに示すように、第１電気接続層２１Ａは１層の保護層２１２を含み、当該保護層２１２は第１基準保護層２１２Ａである。第２状況は、第１電気接続層２１Ａは多層の保護層２１２を含み、多層の保護層２１２のうちのベース基板１から最も離れる保護層２１２は、第１基準保護層２１２Ａである。

【0085】

これにより、各第１接続パッド２において、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａは、少なくとも１層の電気接続層２１に含まれる少なくとも１層の保護層２１２のうちの外部に露出した保護層２１２である。第１電気接続層２１Ａに含まれる少なくとも１層の保護層２１２において、少なくとも第１基準保護層２１２Ａの材料と第１半田とが第１金属間化合物を形成することができ、従って、第１半田を用いて電子部品２０のピン３０と第１接続パッド２とを溶接する過程において、第１半田と第１電気接続層２１Ａに含まれる少なくとも第１基準保護層２１２Ａとが第１金属間化合物を形成し、第１半田とピン３０とが第２金属間化合物を形成することにより、溶接を実現する。

【0086】

金属と金属、または金属とメタロイド（例えば、Ｈ、Ｂ、Ｎ、Ｓ、Ｐ、Ｃ、Ｓｉなど）によって形成される化合物は、金属間化合物（Ｉｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ，略称ＩＭＣ）と呼ぶ。金属間化合物における元素同士は、金属結合によって結合され、金属特性を保持する。金属間化合物は界面反応の生成物である。第１半田を用いて電子部品２０のピン３０と第１接続パッド２とを溶接する過程において、第１半田はまず加熱下で溶融され、次いで、第１接続パッド２において、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料が溶融され、同時に、ピン３０の材料も溶融され、その後、第１半田における金属原子は、拡散しながら、第１基準保護層２１２Ａにおける金属原子及びピン３０における金属原子とそれぞれ反応し、第１基準保護層２１２Ａにおける金属原子と第１金属間化合物を形成し、ピン３０における金属原子と第２金属間化合物を形成し、同時に、第１半田が拡散し続けるにつれて、第１半田における金属原子と本体材料層における金属原子とが第１金属間化合物を形成することもできる。

【0087】

金属間化合物の形成速度が、材料の組成、融点、温度及び反応時間などに関連付けられていると理解される。また、拡散係数の異なる２つの金属は、拡散が進むにつれて、両者がある膜層の元接触界面が移動することがある。一般的に、界面は拡散係数の大きい金属が存在する膜層に向かって移動する。場合によっては、拡散係数の大きい金属が存在する膜層も、ナノメートルまたはミクロンサイズの空洞または空隙などを形成することがある。

【0088】

研究を経て、以下のようなことを見出した。第１接続パッド２が第１電気接続層２１Ａのような電気接続層２１を含み、且つ第１電気接続層２１Ａが第１基準保護層２１２Ａのみを含み、且つ第１基準保護層２１２Ａの材料は銅ニッケル合金を含み、銅ニッケル合金におけるニッケルの質量割合が４０％未満であり、第１基準保護層２１２Ａの厚さが５００Åである場合、第１半田を用いて電子部品２０のピン３０と第１接続パッド２とを溶接する過程において、第１半田が第１基準保護層２１２Ａ内に拡散するにつれて、第１基準保護層２１２Ａと第１金属間化合物を形成し、且つ第１半田と第１基準保護層２１２Ａとが第１金属間化合物を形成した後に、第１半田は当該第１電気接続層２１Ａに含まれる本体材料層２１１内に速やかに拡散し、当該第１電気接続層２１Ａに含まれる本体材料層２１１と第１金属間化合物を形成することにより、溶接点界面第１金属間化合物の厚さが厚くなりすぎて、溶接点が脆くなり、機械的強度が悪くなり、これにより、溶接点が室温下で界面に脆性割れが発生しやすくなり、例えば、溶接不良（例えば、不完全溶接（ｐｓｅｕｄｏ ｓｏｌｄｅｒｉｎｇ）や電子部品２０の位置ずれが発生する）が発生する場合、補修が必要となる。電子部品２０を除去する過程において、当該第１電気接続層２１Ａに含まれる本体材料層２１１も容易に除去されるため、当該第１電気接続層２１Ａに含まれる本体材料層２１１の銅が欠落し、補修が実現できない。

【0089】

本開示の実施例では、第１接続パッド２は少なくとも１層の電気接続層２１を含み、少なくとも１層の電気接続層２１は第１電気接続層２１Ａを含み、第１電気接続層２１Ａは少なくとも１層の保護層２１２を含むため、関連技術において、第１電気接続層２１Ａが１層の保護層２１２のみを含むことに比べると、第１電気接続層２１Ａに含まれる保護層２１２の層数、各層の材料及び／又は厚さなどを合理的に設定することにより、第１半田と第１基準保護層２１２Ａとの反応速度を遅くすれば、第１電気接続層２Ａに含まれる本体材料層２１１への第１半田の拡散を遮断することができるので、溶接点界面第１金属間化合物の厚さが厚すぎて本体材料層２１１における銅が欠落することを回避することができ、補修可能率を向上させることができる。

【0090】

幾つかの実施例では、図２Ａ～図２Ｌに示すように、第１電気接続層２１Ａに含まれる本体材料層２１１の厚さｄ１は、３０００Å以上５００００Å以下である。

【0091】

すなわち、これらの実施例では、第１電気接続層２１Ａに含まれる本体材料層２１１の厚さｄ１は、３０００Å～５００００Åの範囲内で値を取ることができる。

【0092】

選択的に、第１電気接続層２１Ａに含まれる本体材料層２１１の厚さｄ１は、６０００Åである。

【0093】

ここで、上記の第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料は、特に限定されない。当該第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料は、第１半田と第１金属間化合物を形成可能な任意の材料であってもよい。例示的に、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料は、金属材料及び／又は非金属材料を含むことができる。

【0094】

本開示の幾つかの実施例では、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料は、金属単体または金属合金である。

【0095】

幾つかの実施例では、金属単体は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｇ及びＡｕのうちのいずれか１つを含む。金属合金は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｇ及びＡｕのうちの１つ、または、ニッケル合金、銀合金、銅合金などのような複数単体の金属合金を含むことができる。

【0096】

幾つかの例では、金属合金はニッケル合金であってもよい。ニッケル合金は、銅合金、鉄合金、銀合金及び金合金よりも、安価で入手しやすい。

【0097】

ここで、ニッケル合金は、ニッケルを含む任意の二元または三元合金であってもよく、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｐｂ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｓｂ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｎｄ、Ｐｄ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｓｃ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｒ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｈｆ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｔｌ、Ｃｅ、ＰｒなどとＮｉからなる二元合金または三元合金である。

【0098】

幾つかの例では、ニッケル合金は、ニッケルバナジウム合金、ニッケルアルミニウム合金、ニッケルタングステン合金、銅ニッケルチタン合金、銅ニッケルアルミニウム合金を含む。銅合金は、銅ニッケル合金または銅マグネシウムアルミニウム合金のうちのいずれか１つを含む。ニッケルバナジウム合金において、バナジウムの質量割合は、例えば７％または４０％であってもよい。ニッケルアルミニウム合金において、アルミニウムの質量割合は、例えば２０％であってもよい。ニッケルタングステン合金において、タングステンの質量割合は、例えば４９％であってもよい。

【0099】

勿論、幾つかの実施例では、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料には、他の元素（例えば、上記に列挙されていない他の金属元素または非金属元素など）がドープされてもよい。

【0100】

ここで、上記のニッケル合金において、ニッケル合金におけるニッケルの質量割合は、任意の値であってもよい。例えば、ニッケル銅合金において、ニッケルの質量割合は５％～９９％であってもよい。ニッケルアルミニウム合金において、ニッケルの質量割合も５％～９９％であってもよい。

【0101】

ここで、第１電気接続層２１Ａに含まれる１層または多層の保護層２１２の厚さｄ２は、特に限定されない。実際作業において、必要に応じて合理的に設定することができ、溶接時、第１半田と少なくとも第１基準保護層２１２Ａとによって形成される第１金属間化合物は、十分な厚さを有し、溶接の堅牢性を向上させることを確保する。

【0102】

幾つかの実施例では、第１電気接続層２１Ａに含まれる各保護層２１２の厚さｄ２は、いずれも３００Å以上３００００Å以下である。

【0103】

幾つかの実施例では、第１電気接続層２１Ａに含まれる少なくとも１層の保護層２１２の厚さｄ２または材料は、さらに第１電気接続層２１Ａに含まれる本体材料層２１１への第１半田の拡散を遮断するように構成される。

【0104】

これらの実施例では、第１電気接続層２１Ａに含まれる少なくとも１層の保護層２１２の厚さｄ２または材料を選択することにより、第１電気接続層２１Ａに含まれる少なくとも１層の保護層２１２と第１半田との反応速度を調節することができる。例えば、第１電気接続層２１Ａに含まれる少なくとも１層の保護層２１２の厚さｄ２を大きくすることができ、同じ反応時間内において、第１電気接続層２１Ａにおける第１半田の拡散深さを小さくすることができ、これにより、第１電気接続層２１Ａに含まれる本体材料層２１１への第１半田の拡散を遮断することができ、補修可能率を向上させることができる。

【0105】

幾つかの実施例では、図３に示すように、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料が、銅または銅ニッケル合金を含み、且つ銅ニッケル合金におけるニッケルの質量割合が４０％未満である場合、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１は、１０００Å以上である。例示的に、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１は、３０００Åであってもよい。第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料が銅ニッケル合金を含み、且つ銅ニッケル合金におけるニッケルの質量割合が４０％以上である場合、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１は、８００Å以上である。例示的に、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１は、１０００Åであってもよい。第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料が銅を含まない場合、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１は、３００Å～３００００Åである。例示的に、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１は、５００Åであってもよい。

【0106】

これらの実施例では、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料及び厚さｄ２１を上記の範囲内に限定することにより、第１電気接続層２１Ａに含まれる本体材料層２１１への第１半田Ｘ１の拡散を遮断することができるので、電子部品２０を除去した後、第１電気接続層２１Ａに含まれる本体材料層２１１が完全に除去されることがなく、補修可能率を向上させることができる。

【0107】

幾つかの例では、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料が銅ニッケル合金を含み、且つ銅ニッケル合金におけるニッケルの質量割合が４０％未満である場合、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１を１００００Åに制御することにより、第１半田を用いて１回の溶接を行った後、第１半田と第１電気接続層２１Ａに含まれる本体材料層２１１とによって形成される第１金属間化合物の厚さは、約１５０００Åである。第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１を４００００Åまで大きくする場合、第１半田と第１電気接続層２１Ａに含まれる本体材料層２１１とによって形成される第１金属間化合物の厚さは、１００００Åまで薄くなる。

【0108】

上記から分かるように、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料が同じである場合、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａを厚くするという増厚処理を行うことにより、溶接点界面第１金属間化合物ＩＭＣ１の厚さを小さくすることができるので、補修可能率を向上させることができる。

【0109】

幾つかの実施例では、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料が銅または銅ニッケル合金を含む場合、第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１は、３００Å～６００Åの間で値を取る。第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料が銅を含まない場合、第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１は、３００Å～３０００Åの間で値を取る。

【0110】

これらの実施例では、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料及び厚さｄ２１を上記の範囲内に限定することにより、第１電気接続層２１Ａに含まれる本体材料層２１１内への第１半田Ｘ１の拡散を遮断することができるので、電子部品２０を除去した後、第１電気接続層２１Ａに含まれる本体材料層２１１が完全に除去されることがなく、補修可能率を向上させることができる。

【0111】

幾つかの実施例では、図２Ｂに示すように、少なくとも１層の保護層２１２における第１半田の拡散深さＤ１は、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１以上である。

【0112】

これらの実施例では、少なくとも１つの保護層２１２における第１半田の拡散深さＤ１を上記の範囲内に制御することにより、補修可能率を向上させるとともに、第１半田と第１電気接続層２１Ａとによって形成される第１金属間化合物が十分な厚さを有することを確保し、溶接の堅牢性と導電性を向上させることができる。

【0113】

幾つかの実施例では、図２Ｃ～図２Ｇに示すように、少なくとも１層の保護層２１２は、第２基準保護層２１２Ｂをさらに含む。第２基準保護層２１２Ｂは、第１基準保護層２１２Ａとベース基板１との間に位置する。第２基準保護層２１２Ｂの材料と第１半田とが第１金属間化合物を形成することができ、または、第２基準保護層２１２Ｂの材料と第１半田とが第１金属間化合物を形成することができない。

【0114】

これらの実施例では、第２基準保護層２１２Ｂの材料が第１半田と第１金属間化合物を形成することができる場合、第２基準保護層２１２Ｂの材料は、第１基準保護層２１２Ａの材料と同じであっても異なってもよい。第２基準保護層２１２Ｂの材料が第１半田と第１金属間化合物を形成することができない場合、第２基準保護層２１２Ｂの材料は、モリブデン、チタン、アルミニウムのうちの１つの単体、または、モリブデン、チタン、アルミニウムのうちの１つまたは複数の単体を含む合金、例えばモリブデン合金などから選択することができる。

【0115】

ここで、第１電気接続層２１Ａに含まれる第２基準保護層２１２Ｂの材料が、第１半田と第１金属間化合物を形成することができない場合、補修可能率を向上させるために、上記の第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料及び厚さｄ２１の選択については、上記の説明を参照することができ、ここでは詳しく説明しない。

【0116】

第２基準保護層２１２Ｂの材料が、第１半田と第１金属間化合物を形成することができる場合、第１基準保護層２１２Ａの材料及び厚さｄ２１が補修可能率を確保するのに十分でない場合、補修可能率を確保するために、第２基準保護層２１２Ｂの材料及び厚さｄ２２を設定することもできる。例えば、第１基準保護層２１２Ａの材料が銅ニッケル合金を含み、且つ銅ニッケル合金におけるニッケルの質量割合が４０％未満であり、第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１が５００Å以下である場合、第２基準保護層２１２Ｂの材料及び厚さｄ２２を選択することにより、同様に第１半田と第２基準保護層２１２Ｂとによって形成される第１金属間化合物の厚さを調節することができるので、第１半田と第１電気接続層２１Ａに含まれる本体材料層２１１とによって形成される第１金属間化合物の厚さを小さくすることができ、補修可能率を向上させることができる。

【0117】

幾つかの実施例では、第２基準保護層２１２Ｂの材料は、第１半田と第１金属間化合物を形成することができる。少なくとも２層の保護層２１２の材料は異なる。または、図２Ｃ～図２Ｇに示すように、少なくとも１層の保護層２１２の厚さｄ２は５００Åより大きく、または、前記少なくとも２層の保護層の厚さｄ２の和は５００Åより大きい。

【0118】

これらの実施例では、関連技術における電気接続層２１の層数は１層であり、当該電気接続層２１は１層の保護層２１２のみを含み、当該保護層２１２の材料は銅ニッケル合金であり、且つニッケルの質量割合は４０％未満であり、保護層２１２の厚さは５００Åであることに比べると、少なくとも２層の保護層２１２の材料を選択することにより、例えば、少なくとも１層の保護層２１２（例えば、第１基準保護層２１２Ａまたは第２基準保護層２１２Ｂ）は、第１半田と第１金属間化合物を形成しにくい材料（銅合金と比較する）に選択し、第１金属間化合物の厚さを小さくすれば、第１電気接続層２１Ａに含まれる本体材料層２１１への第１半田の拡散を遮断することができる。

【0119】

または、関連技術における電気接続層２１の層数は１層であり、当該電気接続層２１は１層の保護層２１２のみを含み、当該保護層２１２の材料は銅ニッケル合金であり、且つニッケルの質量割合は４０％未満であり、保護層２１２の厚さは５００Åであるものに比べると、少なくとも２層の保護層２１２の材料及び厚さｄ２を合理的に設定することにより、例えば、少なくとも２層の保護層２１２の材料は、関連技術における保護層２１２の材料と同じになるように選択するが、厚さｄ２１の和が比較的厚くて、例えば、第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１と第２基準保護層２１２Ｂの厚さｄ２２との和が１０００Åであるものに選択し、または、少なくとも２層の保護層２１２のうち、少なくとも１層の保護層２１２の材料は、関連技術における保護層２１２の材料と異なるになるように選択し、厚さｄ２は関連技術における保護層２１２の厚さと同じであっても異なってもよいものに選択することにより、同様に、第１電気接続層２１Ａに含まれる本体材料層２１１への第１半田の拡散を遮断することができる。

【0120】

幾つかの実施例では、上記の少なくとも２層の保護層２１２の材料は異なり、多くの可能な状況を有する。

【0121】

第１状況は、少なくとも２層の保護層２１２に含まれる元素の種類が異なる。

【0122】

第２状況は、少なくとも２層の保護層２１２に含まれる元素の種類が同じであり、各元素間の割合が異なる。

【0123】

第３状況は、少なくとも２層の保護層２１２に含まれるベース元素の種類及び割合が、いずれも同じであり、少なくとも１層の保護層２１２が、当該少なくとも１層の保護層２１２に含まれるベース元素にドープされたドーピング材料をさらに含む。

【0124】

第１状況では、少なくとも２層の保護層２１２に含まれる元素の種類が異なるというのは、各保護層２１２は１つの元素または複数の元素を含んでもよいことを指す。各保護層２１２がいずれも１つの元素を含む場合、当該各保護層２１２の材料は、いずれも単体である。各保護層２１２がいずれも複数の元素を含む場合、各保護層２１２の材料は、いずれも合金であってもよい。各保護層２１２において、第１部分保護層２１２（例えば、保護層２１２は３層であり、第１部分保護層２１２は、そのうちの第１基準保護層２１２Ａである）が１つの元素を含み、第２部分保護層２１２（例えば、３層の保護層２１２のうちの第１基準保護層２１２Ａを以外の残りの２層の保護層２１２である）が、複数の元素を含む場合、第１部分保護層２１２の材料は単体であってもよく、第２部分保護層２１２の材料はいずれも合金であってもよい。

【0125】

ここで、各保護層２１２がいずれも単体である場合、少なくとも２層の保護層２１２は、いずれも異なる単体から選択され、ここでは、各保護層２１２がいずれも金属単体から選択される場合を例に挙げて、保護層２１２の層数が３層である場合、３層の保護層２１２は、それぞれ３つの異なる金属単体から選択されることができる。例示的に、３層の保護層２１２の材料は、それぞれ銅単体、ニッケル単体及び銀単体であってもよい。各保護層２１２がいずれも合金である場合、少なくとも２層の保護層２１２は、いずれも異なる合金から選択され、ここで、各保護層２１２がいずれも金属合金から選択される場合を例に挙げて、保護層２１２の層数が３層である場合、３層の保護層２１２において、２つずつ含まれる金属単体のうち、少なくとも１つの金属単体は異なる。例示的に、３層の保護層２１２の材料は、それぞれ銅ニッケル合金、銅銀合金及びニッケル銀合金であってもよい。少なくとも２層の保護層２１２において、第１部分保護層２１２が単体から選択され、第２部分保護層２１２が合金から選択される場合、第２部分保護層２１２において、２つずつ含まれる合金の金属単体のうち、少なくとも１つの金属単体は異なる。例示的に、３層の保護層２１２の材料は、それぞれ銅単体、銅ニッケル合金及び銅銀合金であってもよい。少なくとも２層の保護層２１２において、第１部分保護層２１２が合金から選択され、第２部分保護層２１２が単体から選択される場合、第２部分保護層２１２において、２つずつ含まれる金属単体は異なる。例示的に、３層の保護層２１２の材料は、それぞれ銅単体、ニッケル単体及び銅ニッケル合金であってもよい。

【0126】

第２状況では、少なくとも２層の保護層２１２に含まれる元素の種類が同じであり、各元素間の割合が異なるというのは、各保護層２１２に含まれる元素はいずれも複数種であり、且つ種類はいずれも同じであり、各元素間の質量比は異なることを指す。また各保護層２１２がいずれも金属合金から選択される場合を例に挙げて、保護層２１２の層数が３層である場合、３層の保護層２１２の材料は、いずれも銅ニッケル合金であってもよいが、少なくとも２層の保護層２１２のうちの銅とニッケルの質量比は異なる。

【0127】

第３状況では、ベース元素とは、少なくとも２層の保護層２１２における全ての元素のうち、含有量（例えば質量割合）が比較的に多い元素を指す。ベース元素に対して、ドーピング材料とは、少なくとも２層の保護層２１２における含有量（例えば質量割合）が比較的に小さい元素を指す。少なくとも２層の保護層２１２に含まれるベース元素の種類及び割合が、いずれも同じであり、少なくとも１層の保護層２１２が、当該少なくとも１層の保護層２１２に含まれるベース元素にドープされたドーピング物質をさらに含むというのは、少なくとも２層の保護層２１２に含まれるベース元素の種類及び質量割合は、いずれも同じであること、すなわち、基底材料は同じであることを指す。基底材料に異なる種類または異なる（例えば質量）割合のドーピング材料をドープすることにより、（少なくとも２層の保護層２１２）異なる材料が得られる。

【0128】

少なくとも２層の保護層２１２に含まれるベース元素の種類及び割合が同じであり、少なくとも１層の保護層２１２が、当該少なくとも１層の保護層２１２に含まれるベース元素にドープされたドーピング材料をさらに含むというのは、保護層２１２の層数が２層である場合、この２層の保護層２１２に含まれるベース元素の種類及び質量割合は、いずれも同じであることを指す。ベース元素は、質量割合が４０：６０の銅とニッケルであってもよく、または、ベース元素はニッケル単体であり、その場合、２層の保護層２１２のうちの１層の保護層２１２は、当該保護層２１２に含まれるベース元素にドープされたドーピング材料（例えばタングステン）をさらに含む。または、この２層の保護層はいずれも上記のドーピング材料を含み、この２層の保護層２１２が各自に含まれるドーピング材料の種類は異なり、例えば、この２層の保護層２１２に含まれるドーピング材料は、それぞれタングステンとアルミニウムである。または、この２層の保護層２１２に含まれるドーピング材料の種類は同じであり、各自のドープされた割合は異なり、例えば、この２層の保護層２１２に含まれるドーピング材料は、いずれもタングステンであり、保護層２１２におけるタングステンの質量割合は、それぞれ５％と１０％である。保護層２１２の層数が３層である場合、この３層の保護層に含まれるベース元素の種類及び質量割合は、いずれも同じであり、例えば、この３層の保護層２１２に含まれるベース元素は、質量割合が４０：６０の銅とニッケルであってもよく、または、ベース元素はニッケル単体であり、この３層の保護層２１２のうち、少なくとも２層の保護層２１２は、いずれも上記のドーピング材料を含み、この少なくとも２層の保護層２１２のうち、各２つの各自に含まれるドーピング材料の種類はいずれも異なり、例えば、この３層の保護層に含まれるドーピング材料は、それぞれタングステン、アルミニウム、ネオジム、バナジウムのうちのいずれか３つである。または、任意の２つまたは２つずつの間の各自に含まれるドーピング材料の種類は同じであり、ドープされた質量割合は異なり、例えば、この３層の保護層２１２に含まれるドーピング材料は、いずれもタングステンであり、保護層２１２におけるタングステンの質量割合は、それぞれ５％、１０％及び２０％である。

【0129】

ここで、各保護層２１２の基底材料が金属単体である場合、少なくとも２層の保護層２１２の材料を各自に含まれるベース元素とドーピング材料との混合材料と見なすことができることは、当業者であれば、理解され得る。上記の第２状況との相違点は、上記の第２状況では、少なくとも２層の保護層２１２に含まれる各元素の含有量が相当する（すなわち、含有量に大きな差がなく、例えば、同じ保護層２１２における各元素の質量割合の差が１０％以下である）のに対し、第３状況では、ドーピング材料の含有量はベース元素の含有量より少なく、例えば、保護層２１２は２つの金属単体を含み、そのうちの１つの金属単体の元素はベース元素であり、別の１つの金属単体の元素はドーピング材料に含まれる元素である場合、保護層２１２におけるドーピング材料の質量割合は、４０％未満であってもよく、例えば、１０％、１５％または２０％などであってもよい。

【0130】

幾つかの実施例では、ベース基板１に徐々に近づく方向に沿って、少なくとも２層の保護層２１２における単位時間当たりの第１半田の拡散深さは、徐々に減少し、及び／又は、少なくとも２層の保護層２１２の材料の融点は、徐々に増大する。

【0131】

これらの実施例では、ベース基板１に徐々に離れる方向に沿って、少なくとも２層の保護層２１２における単位時間当たりの第１半田の拡散深さが徐々に減少するというのは、ベース基板１に徐々に近づく方向に沿って、第１半田と少なくとも２層の保護層２１２の材料との反応速度は徐々に低下することを指す。すなわち、ベース基板１に近づくにつれて、保護層２１２の材料と第１半田とが第１金属間化合物を形成する速度が小さくなり、すなわち、保護層２１２の材料と第１半田とが第１金属間化合物を形成しにくくなる。この際に、２つの可能な状況を有する。第１状況は、ベース基板１に近づくにつれて、保護層２１２の材料における、第１半田と第１金属間化合物を形成可能な元素の質量割合が小さくなり、及び／又は、保護層２１２の材料における、第１半田と第１金属間化合物を形成する元素の反応能力が低くなる。第２状況では、ベース基板１に近づくにつれて、保護層２１２の材料と第１半田とが第１金属間化合物を形成する条件が厳しくなり、例えば、反応温度が高くなるなどである。

【0132】

第１状況では、反応条件がちょうど少なくとも２層の保護層２１２と第１半田とが第１金属間化合物を形成させることができる場合、ベース基板１に近づくにつれて、材料により、保護層２１２と第１半田とが第１金属間化合物を形成する速度が遅くなり、これにより、第１半田が保護層２１２内に拡散し続けるにつれて、第１半田と保護層２１２とが第１金属間化合物を形成し、その拡散速度が減少し続けるので、第１電気接続層２１Ａに含まれる本体材料層２１１への第１半田の拡散を遮断することができる。第２状況では、ベース基板１に近づくにつれて、反応条件が変化し続け、例えば、ベース基板１に近づくにつれて、第１保護層２１２は、第１温度で第１半田と第１金属間化合物を形成し、第２保護層２１２は、第２温度で第１半田と第１金属間化合物を形成し、第３保護層２１２は、第３温度で第１半田と第１金属間化合物を形成し、第１温度は第２温度より低く、第２温度は第３温度より低い。３層の保護層２１２が作製された場合、溶接を行うときに、まず第１温度でベース基板１から最も離れる１層の保護層２１２（すなわち、上記の第１保護層２１２）と第１半田とが第１金属間化合物を形成させることができる。この際に、第１半田は、他の保護層２１２（例えば、第２保護層２１２と第３保護層２１２）と第１金属間化合物を形成することはなく、または、第１半田が他の保護層２１２に拡散する速度が遅いため、第１半田と少なくとも２層の保護層２１２とによって形成される第１金属間化合物の厚さを制御することができ、補修が必要な場合には、ベース基板１から最も離れる保護層２１２（すなわち、第１基準保護層２１２Ａ）と第１半田とによって形成される第１金属間化合物のみを除去し、比較的過酷な条件（例えば、第２温度）で、第１半田と第２保護層２１２とが第１金属間化合物を形成し続けることにより、補修を実現することができる。

【0133】

ここで、幾つかの例では、上記の第１温度は２５０℃以上３００℃以下であってもよく、第２温度は３００℃以上３５０℃以下であってもよく、第３温度は３５０℃以上４００℃以下であってもよい。

【0134】

第１金属間化合物の形成メカニズムによれば、一定の温度で、第１半田と保護層２１２のうちの少なくとも１つの元素とが互いに融合して第１金属間化合物を得られる。加熱時間が延長するにつれて、第１半田と保護層２１２のうちの少なくとも１つの元素とによって形成される第１金属間化合物の厚さが厚くなる。この加熱温度は、第１半田の融点及び保護層２１２における材料の融点に関連付けられている。第１半田が決定される場合、少なくとも２層の保護層２１２の材料の融点が高いほど、上記の加熱温度が高くなり、すなわち、上記の反応温度が高くなる。この際に、上記の第２状況と同様に、第１半田と少なくとも２層の保護層２１２とによって形成される第１金属間化合物の厚さを制御することができ、補修が必要な場合には、ベース基板１から最も離れる保護層２１２（すなわち、第１基準保護層２１２Ａ）と第１半田とによって形成される第１金属間化合物のみを除去し、比較的過酷な条件（例えば、比較的に高い温度）により、第１半田と第２保護層２１２とが第１金属間化合物を形成し続けることができるので、補修を実現することができる。すなわち、上記のように、ベース基板１に徐々に近づく方向に沿って、少なくとも２層の保護層の材料の融点は徐々に増大する。

【0135】

幾つかの実施例では、ドーピング材料は金属アルミニウムであってもよい。

【0136】

すなわち、これらの実施例では、ベース元素をニッケル元素に選択し、ドーピング材料をＡｌ、Ｌａ、Ｐｂ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｓｂ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｎｄなどのうちのいずれか１つ、例えば金属アルミニウムに選択することにより、ベース基板１に徐々に近づく方向に沿って、少なくとも２層の保護層２１２におけるドーピング元素の質量割合を徐々に増大させることにより、少なくとも２層の保護層２１２における単位時間当たりの第１半田の拡散深さを徐々に減少させるという目的を達成することができる。

【0137】

勿論、上記は一例に過ぎず、ベース元素が銅及びニッケル以外の残りの金属単体に含まれる元素であってもよいことは、理解される。この際に、金属ニッケルは銅以外に最も第１半田と第１金属間化合物を形成しやすく、従って、ベース元素を銅及びニッケル以外の残りの金属単体に含まれる元素、例えば、Ａｌ、Ｌａ、Ｐｂ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｓｂ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｎｄなどの元素に選択することにより、ドーピング材料を金属ニッケルに選択し、且つベース基板１に徐々に近づく方向に沿って、少なくとも２層の保護層２１２における金属ニッケルの質量割合を徐々に減少させることにより、同様に少なくとも２層の保護層２１２における単位時間当たりの第１半田の拡散深さを徐々に減少させるという目的を達成することができる。

【0138】

幾つかの他の実施例では、ドーピング材料は金属タングステンであってもよい。

【0139】

上記の少なくとも２層の保護層２１２に含まれるベース元素の種類及び割合が、いずれも同じであり、少なくとも１層の保護層２１２が、当該少なくとも１層の保護層２１２に含まれるベース元素にドープされたドーピング材料をさらに含み、且つベース基板１に徐々に近づく方向に沿って、少なくとも２層の保護層２１２の材料の融点が徐々に増加する場合、ベース元素は、タングステン以外の残りの金属単体に含まれる元素であってもよく、例えば、ニッケル元素である。この場合、ベース基板１に徐々に近づく方向に沿って、少なくとも２層の保護層２１２における金属タングステンの質量割合を徐々に増加させることにより、少なくとも２層の保護層２１２の材料の融点を徐々に増加させるという目的を達成することができる。

【0140】

幾つかの実施例では、ベース基板１に徐々に近づく方向に沿って、少なくとも２層の保護層２１２のうち、前記第１半田と第１金属間化合物を形成することができる元素の割合は、徐々に減少する。

【0141】

例示的に、少なくとも２層の保護層２１２に含まれるベース元素をニッケル元素であり、ドーピング元素をタングステン元素であることを例に挙げて、ベース基板１に徐々に近づく方向に沿って、タングステンの質量割合は徐々に増大し、これに対応して、ニッケルの質量割合は徐々に減少する。

【0142】

ここで、上記の少なくとも２層の保護層２１２の厚さｄ２の分布は特に限定されず、例えば、少なくとも２層の保護層２１２の厚さｄ２は、同じであっても異なってもよい。

【0143】

少なくとも２層の保護層２１２の厚さｄ２が同じである場合、少なくとも２層の保護層２１２の厚さｄ２はいずれも６０００Åであってもよい。少なくとも２層の保護層２１２の厚さｄ２が異なる場合、例えば、第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１が５００Åであれば、第２基準保護層２１２Ｂの厚さｄ２２は５００Å未満であってもよく、５００Åより大きくてもよい。

【0144】

幾つかの実施例では、図２Ｅ及び図２Ｆに示すように、ベース基板１に徐々に近づく方向に沿って、少なくとも２層の保護層２１２の厚さｄ２は、徐々に増大する。これにより、第１半田が下方に拡散し続けることにより、第１電気接続層２１Ａに含まれる本体材料層２１１への第１半田の拡散を制御しやすくなるため、第１電気接続層２１Ａに含まれる本体材料層２１１への第１半田の拡散を遮断することにより有利になる。

【0145】

幾つかの例では、図２Ｅ及び図２Ｆに示すように、第２基準保護層２１２Ｂの厚さｄ２２は、１０００Å以上３００００Å以下であり、第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１は、３００Å以上１０００Å以下である。

【0146】

これらの実施例では、第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１及び第２基準保護層２１２Ｂの厚さｄ２２を上記の範囲内に限定することにより、後続の補修可能率を確保しつつ、第２基準保護層２１２Ｂが後続の複数回の補修のために使用されることに可能性を提供することができ、補修可能率をさらに向上させることができる。

【0147】

ここで、上記の保護層２１２の層数は、特に限定されず、保護層２１２の層数が増加するにつれて、各保護層２１２の材質及び厚さｄ２がいずれも１回の補修を満たすことができる場合、実施可能な後続の補修の回数が多くなる。

【0148】

例示的に、上記の保護層２１２の層数は、２層、３層、４層、さらに５層、６層またはそれ以上であってもよい。

【0149】

生産能力への影響を考慮すると、選択的に、図２Ｃ～図２Ｇに示すように、保護層２１２の層数は２層～３層である。

【0150】

ここで、なお、上記の保護層２１２の層数が多層である場合、少なくとも２層の保護層２１２の材料及び厚さｄ２は、さらに第１電気接続層２１Ａにおける第１半田の拡散深さを調節するように構成され、第１電気接続層２１Ａ内における第１半田の拡散深さが比較的に大きいことを確保し、溶接堅牢性を向上させる。

【0151】

幾つかの実施例では、図２Ｇに示すように、第１電気接続層２１Ａにおける第１半田の拡散深さＤ２は、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１以上であり、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１と第１電気接続層２１Ａに含まれる第２基準保護層２１２Ｂの厚さｄ２２との和以下である。

【0152】

これらの実施例では、第１電気接続層２１Ａにおける第１半田の拡散深さＤ２を上記の範囲内に制御することにより、溶接の堅牢性を確保するとともに、後続の補修も可能になる。

【0153】

幾つかの実施例では、図２Ｈ～図２Ｌに示すように、少なくとも１層の電気接続層２１は、第２電気接続層２１Ｂをさらに含む。第２電気接続層２１Ｂは、第１電気接続層２１Ａとベース基板１との間に位置する。図２Ｈ、図２Ｊ、図２Ｋ及び図２Ｌに示すように、第２電気接続層２１Ｂに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料は、第１半田と第１金属間化合物を形成することができる。または、図２Ｈに示すように、第２電気接続層２１Ｂに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料は、第１半田と第１金属間化合物を形成することができない。

【0154】

ここで、第２電気接続層２１Ｂに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料が第１半田と第１金属間化合物を形成することができる場合、第２電気接続層２１Ｂに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料は、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料と同じであっても異なってもよい。第２電気接続層２１Ｂに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料が第１半田と第１金属間化合物を形成することができない場合、第２電気接続層２１Ｂに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料は、モリブデン、チタン、アルミニウムのうちの１つの単体、またはモリブデン、チタン、アルミニウムのうちのいずれか１つまたは複数の単体を含む合金から選択することができ、例えば、モリブデン合金などを選択することができる。

【0155】

ここで、なお、第２電気接続層２１Ｂに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料が第１半田と第１金属間化合物を形成することができない場合、補修可能率を向上させるために、第１電気接続層２１Ａに含まれる本体材料層２１１及び少なくとも１層の保護層２１２の材料及び厚さは、上記の少なくとも１層の電気接続層２１が第１電気接続層２１Ａを含み、第１電気接続層２１Ａに含まれる少なくとも１層の保護層２１２の材料及び厚さの設定についての説明を参照することができ、ここでは詳しく説明しない。第２電気接続層２１Ｂに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料が、第１半田と第１金属間化合物を形成することができる場合、第１電気接続層２１Ａに含まれる少なくとも１層の保護層２１２が補修可能率を確保するのに十分でない場合、第２電気接続層２１Ｂに含まれる少なくとも１層の保護層２１２の材料及び厚さｄ２を選択することもできるので、補修可能率を確保する。例えば、第１電気接続層２１Ａの材料及び厚さは、関連技術によって提供される１層の電気接続層２１の材料及び厚さといずれも同じであり、後続の補修の際に、第１電気接続層２１Ａに含まれる本体材料層２１１を完全に除去する場合、第２電気接続層２１Ｂの存在により、補修を継続することもできため、補修可能率を向上させる。

【0156】

幾つかの実施例では、第２電気接続層２１Ｂに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料は、第１半田と第１金属間化合物を形成することができる。第２電気接続層２１Ｂに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料は、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料とは異なる。または、図２Ｉに示すように、第２電気接続層２１Ｂに含まれる前記第１基準保護層２１２Ａ及び前記第１電気接続層２１Ａに含まれる前記第１基準保護層２１２Ａのうち、少なくとも一方の厚さｄ２１は５００Åより大きい。または、図２Ｈ、図２Ｊ、図２Ｋ及び図２Ｌに示すように、第２電気接続層２１Ｂに含まれる第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１と第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１との和は５００Åより大きい。

【0157】

これらの実施例では、関連技術における電気接続層２１の層数は１層であり、当該電気接続層２１は１層の保護層２１２のみを含み、当該保護層２１２の材料は銅ニッケル合金であり、且つニッケルの質量割合は４０％未満であり、保護層２１２の厚さは５００Åであることに比べると、第１電気接続層２１Ａ及び第２電気接続層２１Ｂの材料を選択することにより、例えば、少なくとも１層の第１電気接続層２１Ａに含まれる保護層２１２を、第１半田と第１金属間化合物を形成しにくい材料に選択し、第１金属間化合物の厚さを小さくすれば、後続の補修も可能になる。

【0158】

または、関連技術における電気接続層２１の層数は１層であり、当該電気接続層２１は１層の保護層２１２のみを含み、当該保護層２１２の材料は銅ニッケル合金であり、且つニッケルの質量割合は４０％未満であり、保護層２１２の厚さは５００Åであることに比べると、少なくとも２層の電気接続層２１の材料及び厚さｄ２を合理的に設定すること、例えば、第１電気接続層２１Ａ及び第２電気接続層２１Ｂにおける少なくとも１層の電気接続層２１に含まれる保護層２１２の厚さｄ２を５００Åより大きくするように制御すること、または、第１電気接続層２１Ａ及び第２電気接続層２１Ｂに含まれる保護層２１２の厚さｄ２の和を５００Åより大きくするように制御することにより、同様に後続の補修も可能になる。

【0159】

幾つかの実施例では、第２電気接続層２１Ｂに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料は、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料とは異なり、多くの可能性がある状況を有する。具体的には、上記の電気接続層２１が第１電気接続層２１Ａを含み、第１電気接続層２１Ａに含まれる少なくとも２層の保護層２１２の材料が異なる場合についての説明を参照することができ、ここでは詳しく説明しない。

【0160】

上記の電気接続層２１が第１電気接続層２１Ａを含み、第１電気接続層２１Ａが多層の保護層２１２のみを含むこととは異なり、ここでの少なくとも２層の電気接続層２１は、保護層２１２に加えて、各層の電気接続層２１は、本体材料層２１１をさらに含み、本体材料層２１１の厚さｄ１は、後続の１回または複数回の補修も可能になるという技術的効果を発揮することができる。本体材料層２１１が補修効果を有することを考慮しない場合、第２電気接続層２１Ｂに含まれる第１基準保護層２１２Ａ及び第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料の選択と厚さ関係は、上記の第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａ及び第２基準保護層２１２Ｂの材料の選択及び厚さ関係についての説明を参照することができる。本体材料層２１１が修復効果を有することを考慮する場合、実際の作業において、同じ技術的効果を得るために、第２電気接続層２１Ｂに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料の選択及び第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料の選択は、上記の少なくとも１層の電気接続層２１が第１電気接続層２１Ａを含み、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａ及び第２基準保護層２１２Ｂの材料の選択と同じである場合、第２電気接続層２１Ｂに含まれる第１基準保護層２１２Ａの厚みｄ２１と第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの厚みｄ２１との和は、上記の少なくとも１層の電気接続層２１が第１電気接続層２１Ａを含み、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１と第２基準保護層２１２Ｂの厚さｄ２２との和よりも小さくてもよい。

【0161】

幾つかの実施例では、第２電気接続層２１Ｂに含まれる本体材料層２１１の厚さｄ１は、３０００Å以上５００００Å以下である。すなわち、これらの実施例では、第１電気接続層２１Ａに含まれる本体材料層２１１の厚さｄ１は、３０００Å～５００００Åの範囲内に値を取ることができる。

【0162】

選択的に、第１電気接続層２１Ａに含まれる本体材料層２１１の厚さｄ１は６０００Åである。

【0163】

幾つかの実施例では、第２電気接続層２１Ｂに含まれる本体材料層２１１の厚さｄ１は、第１電気接続層２１Ａに含まれる本体材料層２１１の厚さｄ１と同じであっても異なってもよい。

【0164】

上記では、少なくとも１層の電気接続層２１が第１電気接続層２１Ａと第２電気接続層２１Ｂを含む場合のみを示したが、少なくとも１層の電気接続層２１が第３電気接続層及び第４電気接続層などをさらに含むことができ、少なくとも１層の電気接続層２１が第３電気接続層及び第４電気接続層をさらに含む場合、第３電気接続層及び第４電気接続層は、第２電気接続層２１Ｂとベース基板１との間に設けられることができ、且つ設置方式が上記の第２電気接続層２１Ｂを参照することができ、また、第１電気接続層２１Ａ、第２電気接続層２１Ｂ、第３電気接続層及び第４電気接続層の材料の選択と厚さも、上記の少なくとも１層の電気接続層２１が第１電気接続層２１Ａを含み、第１電気接続層２１Ａに含まれる多層の保護層２１２（例えば、４層以上）の材料の選択と厚さについての説明を参照することができることは、理解される。

【0165】

ここで、少なくとも１層の電気接続層２１が第２電気接続層２１Ｂをさらに含む場合、少なくとも２層の電気接続層２１に含まれる第１基準保護層２１２Ａの厚さ分布は、特に限定されない。少なくとも２層の電気接続層２１に含まれる第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１は、同じであっても異なってもよい。

【0166】

少なくとも２層の電気接続層２１に含まれる第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１が同じである場合、少なくとも２層の電気接続層２１に含まれる第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１は、いずれも６０００Åであってもよい。少なくとも２層の電気接続層２１に含まれる第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１が異なる場合、各隣接する２層の電気接続層２１において、下層の電気接続層２１に含まれる第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１は、上層の電気接続層２１に含まれる第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１より大きくても小さくてもよい。例えば、第１電気接続層２１Ａ及び第２電気接続層２１Ｂにおいて、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１が５００Åである場合、第２電気接続層２１Ｂに含まれる第１基準保護層２１２Ｂの厚さｄ２１は、５００Å未満であってもよく、５００Åより大きくてもよい。

【0167】

幾つかの実施例では、図２Ｈに示すように、第２電気接続層２１Ｂに含まれる第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１は、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１より大きい。

【0168】

これらの実施例では、第１半田の下方への拡散経路が長くなるにつれて、第１電気接続層２１Ａに含まれる本体材料層２１１への第１半田の拡散を制御しやすくなるため、第１電気接続層２１Ａに含まれる本体材料層２１１への第１半田の拡散を遮断することにより有利になる。

【0169】

幾つかの例では、図２Ｈに示すように、第２電気接続層２１Ｂに含まれる第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１は、１０００Å以上３００００Å以下である。第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１は、３００Å以上１０００Å以下である。

【0170】

これらの実施例では、第２電気接続層２１Ｂに含まれる第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１と、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１とを上記の範囲内に限定することにより、後続の補修可能率を確保しつつ、第２電気接続層２１Ｂに含まれる第１基準保護層２１２Ａが後続の複数回の補修のために使用されることは可能になり、補修可能率をさらに向上させることができる。

【0171】

選択的に、第２電気接続層２１Ｂに含まれる第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１は５００Åであり、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１は６０００Åである。

【0172】

ここで、上記の電気接続層２１の層数は、特に限定されない。上記の電気接続層２１の層数は、２層、３層、４層、さらに５層、６層またはそれ以上であってもよい。電気接続層２１の層数が増加するにつれて、各層の電気接続層２１の材料及び厚さＤがいずれも１回の補修を満たすことができる場合、実施可能な後続の補修の回数が多くなる。

【0173】

生産能力への影響を考慮すると、選択的に、電気接続層２１の層数は５層以下である。

【0174】

ここで、なお、上記の電気接続層２１の層数が多層である場合、少なくとも２層の電気接続層２１の材料及び厚さは、さらに多層の電気接続層２１における第１半田の拡散深さＤ３を調節するように構成され、それにより、多層の電気接続層２１における第１半田の拡散深さＤ３が比較的に大きいことを確保し、溶接の堅牢性を向上させる。

【0175】

例示的に、少なくとも１層の電気接続層２１が、少なくとも第１電気接続層２１Ａ及び第２電気接続層２１Ｂを含み、且つ第１電気接続層２１Ａ及び第２電気接続層２１Ｂが、いずれも本体材料層２１１及び第１基準保護層２１２Ａを含み、且つ第１電気接続層２１Ａ及び第２電気接続層２１Ｂに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料が、いずれも第１半田と第１金属間化合物を形成することができ、第１電気接続層２１Ａ及び第２電気接続層２１Ｂに含まれる本体材料層２１１の材料が、いずれも第１半田と第１金属間化合物を形成することができることを例に挙げて、図２Ｌに示すように、第１電気接続層２１Ａ及び第２電気接続層２１Ｂにおける第１半田の拡散深さＤ３は、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１以上であり、第１電気接続層２１Ａの厚さＤ１１と第２電気接続層２１Ｂに含まれる第１基準保護層２１２Ａの厚さｄ２１との和以下である。

【0176】

幾つかの実施例では、図１に示すように、ベース基板１は、バインディング領域Ｂをさらに含む。配線基板１０は、複数の第２接続パッド３をさらに含む。複数の第２接続パッド３は、ベース基板１上に設けられ、且つバインディング領域Ｂに位置する。複数の第２接続パッド３は、回路基板及び／又はＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅ Ｃｉｒｃｕｉｔ，集積回路）に電気的に接続されるように構成される。

【0177】

これらの実施例では、第２接続パッド３と第１接続パッド２は同じ膜層に位置しており、第２接続パッド３と第１接続パッド２は１回パターニング工程を用いて形成することができる。１回パターニング工程とは、１回成膜とフォトリソグラフィープロセスを経て、必要なパターンを形成することを指す。１回パターニング工程には、成膜、露光、現像、エッチング、剥離などの工程が含まれる。第２接続パッド３と第１接続パッド２は同じ膜層に位置するため、パターニング工程の回数を減らし、製造工程を簡略化し、製造コストを大幅に低減することができる。ここで、第１接続パッド２が１層の電気接続層２１を含み、電気接続層２１が本体材料層２１１及び１層の保護層２１２を含むことを例に挙げて、第２接続パッド３と第１接続パッド２が同じ膜層に位置するというのは、第２接続パッド３も１層の電気接続層３１を含み、電気接続層３１は本体材料層３１１及び１層の保護層３１２を含み、本体材料層３１１と本体材料層２１１は同じ膜層に位置し、保護層３１２と保護層２１２は同じ膜層に位置することを指す。同時に、第２接続パッド３の構造は第１接続パッド２の構造と同じであるため、第１接続パッド２の構造が補修可能率を実現することができる場合、当該機能バックプレーン１のバインディング領域Ｂでバインディングエラーが発生したとき、同様に回路基板及び／又はＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅ Ｃｉｒｃｕｉｔ，集積回路）の補修も実現することができる。

【0178】

幾つかの実施例では、図１に示すように、配線基板１０は、第１配線層４をさらに含む。第１配線層４は、第１接続パッド２とベース基板１との間に位置する。第１配線層４は、積層された第１サブ金属層４１、第１サブ配線層４２及び第２サブ金属層４３を含む。ここで、第１接続パッド２及び第２接続パッド３は、それぞれ第２サブ金属層４３における異なる導電パターン／導電線路に電気的に接続される。

【0179】

第１サブ金属層４１及び第２サブ金属層４３の材料はモリブデンニオブ合金を含む。モリブデンニオブ合金は、接着性を有し、第１配線層４とベース基板１との間の接着力を高める。場合によっては、第１配線層４の全体面積が大きすぎてベース基板１に過大な応力がかかって破片が生じることを防止するために、ベース基板１と第１配線層４との間に緩衝層を設けることができる。また、材料がモリブデンニオブ合金を含む第１サブ金属層４１は、第１配線層４と緩衝層との間の接着力を高めることもでき、緩衝層の材料は、例えば窒化ケイ素である。同時に、材料がモリブデンニオブ合金を含む第２サブ金属層４３は、第１接続パッド２に接続され、モリブデンニオブ合金は接着性を有するため、第１配線層４と第１接続パッド２との接続安定性を保証することができ、また、モリブデンニオブ合金は導電性を有するため、第１接続パッド２と第１配線層４との間の導電性を保証することができる。第１サブ配線層４２の材料は銅を含むことができ、銅は良好な導電性を有するため、膜層間の電気接続を確保することができ、銅の抵抗は小さいため、動作時の電流ロスを低減することができ、銅の価格は安いため、アレイ基板の製造コストを低減することができる。また、材料がモリブデンニオブ合金を含む第２サブ金属層４３は、第１サブ配線層４２の銅を保護し、銅の酸化を防止することができる。第１サブ配線層４２の材料は銅を含むことができ、銅は良好な導電性を有するため、膜層間の電気接続を確保することができ、銅の抵抗は小さいため、動作時の電流ロスを低減することができ、銅の価格は安いため、機能バックプレーンの製造コストを低減することができる。

【0180】

幾つかの実施例では、図１に示すように、第１サブ配線層４２の厚さは、１μｍ～３μｍであってもよい。

【0181】

幾つかの実施例では、図１に示すように、第２接続パッド３は、第１接続パッド２と同層に設けられた膜層を用いて例を挙げられたが、勿論、第２接続パッド３は、第１配線層４と同層に設けてもよく、または、第２接続パッド３は、同時に第１配線層４及び第１接続パッド２と同層に設けられた膜層を用いる。

【0182】

幾つかの実施例では、図１に示すように、デバイス領域Ａは、第１パッシベーション層５１と、第１平坦層６１と、第２平坦層６２とを含む。第１パッシベーション層５１は、第１配線層４と第１接続パッド２との間に位置する。第１平坦層６１は、第１パッシベーション層５１と第１接続パッド２との間に位置する。第２平坦層６２は、第１接続パッド２のベース基板１から離れる側に位置し、且つ複数の第１接続パッド２間の領域を覆う。

【0183】

ここで、図４及び図５に示すように、図５は、図４におけるＡＡ’方向に沿った断面図である。第１配線層４は、アノード配線４４及びカソード配線４５を含むことができる。すなわち、アノード配線４４及びカソード配線４５は、いずれも積層された第１サブ金属層４１、第１サブ配線層４２及び第２サブ金属層４３を用いて設けられる。電圧降下（ＩＲ Ｄｒｏｐ）を低減するために、第１サブ配線層４２の厚さは、第１接続パッド２における１層の本体材料層２１１の厚さより大きく、第１サブ配線層４２の厚さは、バックプレーンのサイズと正の相関がある。スパッタリングプロセスを用いて、第１サブ金属層４１、第１サブ配線層４２及び第２サブ金属層４３を順次に作製することができる。第２サブ金属層４３は、第１サブ配線層４２を保護し、第１サブ配線層４２の表面の酸化を防止することができる。

【0184】

幾つかの実施例では、図５に示すように、第１パッシベーション層５１は、アノード配線４４とカソード配線４５との間に位置する部分を含み、隣接する配線を隔てて隣接する配線における間違った電気接続を回避する。第１パッシベーション層５１の材料は、窒化ケイ素、酸化ケイ素、オキシ窒化ケイ素などであってもよい。第１平坦層６１は、アノード配線４４とカソード配線４５との間の領域を覆う。当該第１平坦層６１は、有機膜であってもよく、配線間の隙間領域を埋めるために用いられ、後続の工程に大きな段差が生じることを回避し、電子部品が配線基板に接続されるときに電子部品ずれの問題が生じないことを保証し、機能バックプレーンの平坦度を向上させると共に、第１平坦層６１は絶縁の役割も果たすことができる。

【0185】

幾つかの実施例では、図５に示すように、第１パッシベーション層５１の厚さは、１０００オングストローム～４０００オングストロームであってもよい。

【0186】

幾つかの実施例では、図１に示すように、配線基板１０は、接着層７をさらに含むことができる。接着層７は、少なくとも１層の電気接続層２１と第１平坦層６１との間に設けられる。接着層７の材料は、モリブデンニオブ合金を含むことができる。モリブデンニオブ合金は接着性を有するため、第１接続パッド２と第１平坦層６１との間の接着力を高めることができる。

【0187】

幾つかの他の実施例では、接着層７の材料は、第１半田と第１金属間化合物を形成することができる。接着層７の材料は、ニッケル合金または銅合金を含むことができ、例えば、ニッケルバナジウム合金、ニッケルアルミニウム合金、またはニッケルタングステン合金、銅ニッケルチタン合金、銅ニッケルアルミニウム合金、銅マグネシウムアルミニウム合金のうちのいずれか１つである。ここで、ニッケル合金におけるニッケルの質量分率は５０％より大きくてもよい。この際に、上記の第１接続パッド２におけるベース基板１に最も近い電気接続層２１のうちの本体材料層２１１が完全に除去された後、第１半田も接着層７と第１金属間化合物を形成することができ、同様に補修可能率を向上させることができる。

【0188】

幾つかの実施例では、図１及び図５に示すように、バインディング領域Ｂは、第２パッシベーション層５２と、第３平坦層６３と、第４平坦層６４と、をさらに含む。第２パッシベーション層５２は、第１配線層３と第２接続パッド３との間に位置する。第３平坦層６３は、第２パッシベーション層５２と第２接続パッド３との間に位置する。第４平坦層６４は、第２接続パッド３のベース基板１から離れる側に位置し、且つ複数の第２接続パッド３間の領域を覆う。

【0189】

ここで、第３平坦層６３は第１平坦層６１と同層に設けられ、一体構造を形成してもよく、その材料は有機材料であってもよく、例えば、樹脂であり、平坦化するために用いられ、後続工程（例えば、第１接続パッド２、第２接続パッド５０等）の製造に有利である。第４平坦層６４は第２平坦層６２と同層に設けられ、一体構造を形成してもよく、その材料は有機材料であってもよく、例えば、樹脂であり、平坦化するために用いられ、後続工程（例えば、保護層８）の製造に有利である。第２パッシベーション層５２は第１パッシベーション層５１と同層に設けられ、一体構造を形成してもよく、その材料はオキシ窒化ケイ素、窒化ケイ素、酸化ケイ素などであってもよい。

【0190】

具体的には、図５に示すように、第２パッシベーション層５２の厚さは１０００Å～９０００Åであってもよい。

【0191】

幾つかの実施例では、上記の複数の第１接続パッドは、複数の第１接続パッド組に分けることができる。各第１接続パッド組は、１つの電子部品を接続するために用いられ、且つペアとして設けられるカソードパッドとアノードパッドとを含む。ここで、電子部品のカソードピンに溶接される第１接続パッドに含まれる本体材料層をカソードパッドと呼び、電子部品のアノードピンに溶接される第１接続パッドに含まれる本体材料層をアノードパッドと呼ぶ。図４に示すように、各第１接続パッド組は、ペアとして設けられるカソードパッド２１１’とアノードパッド２１１とを含む。カソードパッド２１１’とアノードパッド２１１に含まれる膜層構造は同じである。

【0192】

図６に示すように、回路基板２００は、接続部２０を介して第２接続パッドにバインディングして接続される。具体的には、回路基板は、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、集積回路チップなどを含み、接続部の材質は、熱硬化性接着剤または異方性導電接着剤であってもよい。

【0193】

具体的に実施するとき、本発明の実施例によって提供される上記の機能性バックプレーンにおいて、図４及び図５に示すように、複数の第１接続パッドは、複数組の第１接続パッドに分けられ、各組の第１接続パッドは、ヘアとして設けられるカソードパッド２１１’とアノードパッド２１１とを含む。

【0194】

機能バックプレーンは、第２配線層をさらに含む。第２配線層は、複数の第１接続パッドと同層に設けられる。第２配線層は、複数組の第１接続パッドの直列接続または並列接続を実現するために使用され、且つ第２配線層は、第１平坦層６１及び第１パッシベーション層５１を貫通するビアホールを介して第１配線層４と電気的に接続されるためにも使用される。

【0195】

具体的には、図４及び図５に示すように、第２配線層は、配線１１及び配線１２を含む。図５に示すように、配線１２と第１接続パッド２は一体構造であり、図５では配線１２と第１接続パッド２とを点線で区別する。

【0196】

上記の複数の第１パッド組の具体的な接続方式は限定されない。図４では、隣接する２つの第１パッド組が直列に接続されることを例にして示している。図４及び図５に示すように、複数の第１接続パッド２は、複数の第１接続パッド組に分けることができる。各第１接続パッド組は、１つのマイクロ発光ダイオードをバインディングするために使用され、且つペアとして設けられるカソードパッドとアノードパッドとを含む。第１配線層４は、アノード配線４４及びカソード配線４５を含むことができる。隣接する２組の第１接続パッドは、配線１１を介して直列に接続される。図４及び図５に示すように、直列に接続されている２つの第１接続パッド組のうち、その中の１組のアノードパッドは１つの配線１２に接続され、配線１２は、第１パッシベーション層５１及び第１平坦層６１を貫通するビアホールＶ１を介してアノード配線４４に電気的に接続される。アノード配線４４は、第１パッシベーション層５１及び第１平坦層６１を貫通するビアホールを介して１つの第２接続パッド３に電気的に接続される。他の組のカソードパッドは他の配線１２に接続され、当該配線１２は、第１パッシベーション層５１及び第１平坦層６１を貫通する他のビアホールＶ１を介してカソード配線４５に接続され、カソード配線４５は、第１パッシベーション層５１及び第１平坦層６１を貫通するビアホールを介して他の第２接続パッド３に電気的に接続される。図４において、カソードパッド、アノードパッド、第２接続パッド３、配線１１及び配線１２は、同層に設けられ、同じ充填パターンを用いてカソードパッド、アノードパッド、第２接続パッド３、配線１１及び配線１２を示す。アノード配線４４とカソード配線４５は同層に設けられ、同じ充填パターンを用いてアノード配線４４とカソード配線４５を示す。

【0197】

本開示が、機能バックプレーンの駆動方式を限定しなく、図４に示すように、機能バックプレーンが、受動的な方式を用いて発光ユニットを駆動することができ、または、薄膜トランジスタを含む駆動回路を介して発光ユニットに信号を提供することもでき、または、マイクロチップを介して発光ユニットに信号を提供することもできることは、理解される。

【0198】

具体的には、マイクロチップを介して発光ユニットに信号を提供するとき、各マイクロチップは複数のピンを含む。配線基板は、デバイス領域に位置する第３接続パッドをさらに含み、第３接続パッドは、マイクロチップのピンとバインディングして接続するために使用される。第３接続パッドの構造は第１接続パッドと同様であり、第１接続パッドと同じの膜層構造を用いて作製することができる。複数の電子部品は複数のランプ領域に分けることができ、各ランプ領域は少なくとも１つの電子部品を含み、各マイクロチップは少なくとも１つのランプ領域の電子部品を駆動して発光させるために用いられる。

【0199】

幾つかの実施例では、本発明の実施例によって提供される上記の機能バックプレーンにおいて、図５及び図６に示すように、保護層８をさらに含む。保護層８は、第２配線層の一方側に位置する。保護層８は第１接続パッド２を露出する。保護層８の材料はオキシ窒化ケイ素、窒化ケイ素、酸化ケイ素を含むことができる。

【0200】

幾つかの実施例では、図７Ａ～図７Ｃに示すように、機能バックプレーンにおいて、複数の電子部品は少なくとも１つの第１電子部品を含む。少なくとも１つの第１電子部品に含まれるピン３０に溶接する第１接続パッド２において、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａのベース基板１から離れる表面に溝Ｗが形成される。溝Ｗ内に第２半田Ｘ２が設けられる。第２半田Ｘ２は、少なくとも溝Ｗの側壁と第１金属間化合物ＩＭＣ１を形成する。

【0201】

これらの実施例では、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａは、第１接続パッド２におけるベース基板１から最も離れる保護層２１２である。この際に、電気接続層２１の層数が１層であるか多層であるか、及び溝Ｗの底部が本体材料層２１１と直接接触しているかまたは保護層２１２と直接接触しているかに応じて、異なる状況が存在する可能性がある。

【0202】

ここで、電気接続層２１の層数が２層のみであり、各層の電気接続層２１が、１層の本体材料層２１１と１層の保護層２１２と（すなわち、上記の第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａ及び第２電気接続層２１Ｂに含まれる第１基準保護層２１２Ａ）を含むことを例に挙げると、第２半田Ｘ２が少なくとも溝Ｗの側壁と第１金属間化合物ＩＭＣ１を形成することについて説明する。

【0203】

第１状況は、図７Ａに示すように、２層の電気接続層２１に含まれる保護層２１２の材料は、いずれも第１半田と第１金属間化合物を形成可能な材料から選択される。第１回目の溶接を行った後、第１半田はベース基板１から最も離れる側の電気接続層２１（すなわち、第１電気接続層２１Ａ）に含まれる保護層２１２Ａと第１金属間化合物を形成する。第１金属間化合物の厚さは上層の電気接続層２１に含まれる保護層２１２Ａの厚さよりも小さい。電子部品に不完全溶接や位置ずれが生じる場合、電子部品の除去と同時に上記の第１金属間化合物も除去され、この際に、電気接続層２１Ａに含まれる保護層２１２Ａのベース基板１から離れる表面は、溝Ｗを形成し、電気接続層２１Ａに含まれる保護層２１２Ａはまだ保留するものがあり、すなわち、溝Ｗの側壁及び底部はいずれも当該保護層２１２Ａである。この際に、溝Ｗ内に第２半田Ｘ２を設けることにより、第２半田Ｘ２を、溝Ｗの側壁及び底部（すなわち、保護層２１２Ａ）の両方と第１金属間化合物ＩＭＣ１－１を形成し続け、新たな電子部品のピン３０を第１接続パッド２に溶接すれば、補修を実現することができる。

【0204】

第２状況は、図７Ｂに示すように、２層の電気接続層２１に含まれる保護層２１２（すなわち、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａと、第２電気接続層２１Ｂに含まれる第１基準保護層２１２Ａ）の材料は、いずれも第１半田と第１金属間化合物を形成することができる。第１回目の溶接を行った後、第１半田Ｘ１は、ベース基板１から最も離れる側の電気接続層２１Ａに含まれる保護層２１２Ａと第１金属間化合物を形成し、上層の電気接続層２１に含まれる本体材料層２１１と第１金属間化合物も形成する。第１半田と上層の電気接続層２１に含まれる本体材料層２１１とによって形成される第１金属間化合物の厚さは、当該本体材料層２１１の厚さよりも薄い。電子部品に不完全溶接や位置ずれが生じる場合、電子部品を除去した後、電気接続層２１Ａに含まれる保護層２１２Ａ及び本体材料層２１１のベース基板１から離れる表面に溝Ｗを形成し、溝Ｗの底部は本体材料層２１１であり、溝Ｗの側壁は保留された保護層２１２と保留された本体材料層２１１の両方を含む。この際に、溝Ｗ内に第２半田Ｘ２を設けることにより、第２半田Ｘ２を、溝Ｗの側壁（すなわち、電気接続層２１Ａに含まれる保護層２１２Ａ）及び底部（すなわち、電気接続層２１Ａに含まれる本体材料層２１１）と反応させ続け、それぞれ第１金属間化合物ＩＭＣ１－１及び第１金属間化合物ＩＭＣ１－２を形成し、新たな電子部品のピン３０を第１接続パッド２に溶接し、それにより、補修を実現する。

【0205】

第３状況は、図７Ｃに示すように、２層の電気接続層２１において、上層の電気接続層２１Ａに含まれる保護層（すなわち、上記の第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層）の材料は、第１半田と第１金属間化合物を形成することができ、下層の電気接続層２１に含まれる保護層２１２（すなわち、第２電気接続層２１Ｂに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料は、第１半田と第１金属間化合物を形成することができず、例えば、モリブデンニオブ合金であってもよい。第１回目の溶接を行った後、第１半田は上層の電気接続層２１に含まれる保護層及び本体材料層２１１の両方と第１金属間化合物を形成し、第１金属間化合物の厚さは、上層の電気接続層２１に含まれる保護層の厚さと上層の電気接続層２１に含まれる本体材料層２１１の厚さとの和に等しい。電子部品に不完全溶接や位置ずれが生じる場合、電子部品を除去した後、上層の電気接続層２１に含まれる保護層が完全に除去され、且つ溝Ｗの底部が下層の電気接続層２１であれば、溝Ｗの側壁は保留された本体材料層２１１である。溝Ｗ内に第２半田Ｘ２を設けることにより、第２半田Ｘ２を、溝Ｗの側壁（すなわち、上層の電気接続層２１に含まれる本体材料層２１１における部分）と第１金属間化合物ＩＭＣ１－２を形成させ続け、新たな電子部品のピン３０を第１接続パッド２に溶接すれば、補修を実現することができる。

【0206】

これらの実施例では、少なくとも１つの第１電子部品２０Ａに含まれるピン３０に溶接される第１接続パッド２において、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａのベース基板から離れる表面に溝Ｗが形成される。この溝Ｗは、第１接続パッド２における第１金属間化合物を除去することにより形成される。具体的には、上記の電気接続層２１に含まれる保護層２１２の厚さ及び材料を選択することにより、溶接不良が生じたとき、電子部品を除去すれば、第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａのベース基板１から離れる表面に、溝Ｗを形成することができ、少なくとも溝Ｗの側壁を保留する部分は、第１半田と第１金属間化合物ＩＭＣ１を形成可能な材料である。従って、補修時に、第２半田Ｘ２を用いて、少なくとも溝Ｗの側壁と第１金属間化合物ＩＭＣ１を形成すればよい。ここで、第２半田Ｘ２の材料は、第１半田の材料と同じであってもよく、例えば、いずれも基体材料が錫である合金を含み、例えば錫銀銅合金である。または、第２半田Ｘ２は、第１電気接続層２Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａ及び本体材料層２１１と第１金属間化合物ＩＭＣ１を形成することができる材料であってもよい。

【0207】

幾つかの実施例では、図７Ａ～図７Ｃに示すように、少なくとも１層の電気接続層２１は、第３電気接続層２１Ｃをさらに含む。第３電気接続層２１Ｃは、少なくとも１層の電気接続層２１のうちのベース基板１に最も近い電気接続層２１である。第１接続パッド２の溝Ｗの底部の一方側に位置する部分は、少なくとも第１接続パッド２における第３電気接続層２１Ｃに含まれる部分を含む。第３電気接続層２１Ｃに含まれる部分は、少なくとも第３電気接続層２１Ｃに含まれる本体材料層２１１における部分を含む。

【0208】

ここで、電気接続層２１が１層である場合、第３電気接続層２１Ｃは、上記の第１電気接続層２１Ａであり、電気接続層２１が２層である場合、第３電気接続層２１Ｃは、上記の第２電気接続層２１Ｂである。

【0209】

これらの実施例では、第１接続パッド２の溝Ｗの底部の一方側に位置する部分が、第３電気接続層２１Ｃに含まれる部分というのは、補修後に、第１接続パッド２において、少なくとも第３電気接続層２１Ｃに含まれる本体材料層２１１における部分が保留され、第１接続パッド２における最も底層の本体材料層２１１が完全に除去されることは生じないことを指し、それにより、上記の接着層のみが保留され、接着層の材料が第1半田と第1金属間化合物を形成することができず、補修不良が生じる状況を回避することができる。

【0210】

本開示の幾つかの実施例は機能バックプレーンの製造方法が提供される。図８を参照すると、前記機能バックプレーンの作製方法は、Ｓ１）～Ｓ２）を含む。

【0211】

Ｓ１）配線基板１０を作製する。配線基板１０は、ベース基板１と複数の第１接続パッド２とを含む。ベース基板１はデバイス領域Ａを有し、複数の第１接続パッド２はデバイス領域Ａ内に位置する。複数の第１接続パッド２は、少なくとも１層の電気接続層２１を含む。各層の電気接続層２１は、本体材料層２１１及び少なくとも１層の保護層２１２を含む。少なくとも１層の保護層２１２は、本体材料層２１１のベース基板１から離れる側に位置する。少なくとも１層の保護層２１２は、第１基準保護層２１２Ａを含み、第１基準保護層２１２Ａは、少なくとも１層の保護層のうちのベース基板１から最も離れる保護層２１２である。本体材料層２１１の材料は銅を含む。少なくとも１層の電気接続層２１は、第１電気接続層２１Ａを含み、第１電気接続層２１Ａは、少なくとも１層の電気接続層２１のうちのベース基板１から最も離れる電気接続層２１である。第１電気接続層２１Ａに含まれる少なくとも１層の保護層２１２において、少なくとも第１基準保護層２１２Ａの材料は、第１半田と第１金属間化合物を形成することができる。

【0212】

ここで、上記の配線基板の作製方法は、以下の通りである。

【0213】

ステップ１）ベース基板１上に第１サブ金属層４１及び第１サブ配線層４２を形成する。第１サブ金属層４１及び第２サブ金属層４３の材料は、モリブデン含有合金であってもよく、その材料は、接着性と耐酸化性を有し、スパッタリング方式により作製することができ、その厚さは数百オングストロームから数千オングストロームの範囲内で値を取る。第１サブ配線層４２の材料は銅であってもよい。第１サブ配線層４２の厚さは１μｍ～５μｍであってもよく、スパッタリングまたは電気めっきのプロセスにより形成することができる。

【0214】

勿論、第１サブ金属層４１、第１サブ配線層４２及び第２サブ金属層４３は、連続蒸着及びパターニングによって形成することもできる。

【0215】

ステップ２）第１パッシベーション層（ＳｉＮ）５１を蒸着し、パターニングしてビアホールを形成する。第１パッシベーション層５１の厚さは１０００Å～４０００Åである。

【0216】

ステップ３）第１パッシベーション層５１が形成されたベース基板１上に第１平坦層６１を形成し、パターニングしてビアホールを形成する。

【0217】

ステップ４）接着層７、第２配線層及び少なくとも１層の電気接続層を形成する。各層の電気接続層２１は、本体材料層２１１及び少なくとも１層の保護層２１２を含む。少なくとも１層の電気接続層２１は、第１電気接続層２１Ａを含み、少なくとも１層の保護層２１２は、第１基準保護層２１２Ａを含む。第１基準保護層２１２Ａは、少なくとも１層の保護層２１２のうちのベース基板１から最も離れる保護層２１２である。第１電気接続層２１Ａに含まれる第１基準保護層２１２Ａの材料は、第１半田と第１金属間化合物を形成することができる。本体材料層２１１の材料は金属銅を含む。接着層７は、上記の第１パッシベーション層５１及び第１平坦層６１におけるビアホールを介して、第２サブ金属層４３に電気的に接続される。

【0218】

ステップ５）第２パッシベーション層５２、第２平坦化層６２及び保護層８を蒸着してパターニングし、第１接続パッド２を露出する。

【0219】

Ｓ２）少なくとも１つの電子部品２０を提供する。各電子部品２０はピン３０を含む。少なくとも１つの電子部品２０を、ピン３０及び第１半田Ｘ１を介して第１接続パッド２に溶接する。第１半田Ｘ１は、第１電気接続層２１Ａに含まれる少なくとも第１基準保護層２１２Ａと第１金属間化合物を形成する。第１半田は、ピン３０と第２金属間化合物を形成する。

【0220】

幾つかの実施例では、図８及び図９に示すように、少なくとも１つの電子部品２０を、ピン３０及び第１半田Ｘ１を介して第１接続パッド２に溶接することは、

【0221】

各電子部品２０に含まれるピン３０と第１接続パッド２との間に第１半田Ｘ１を設け、第１半田Ｘ１を、それぞれ第１接続パッド２及びピン３０と反応させて、それにより、少なくとも１つの電子部品２０を、ピン３０及び第１半田Ｘ１を介して第１接続パッド２に溶接する。

【0222】

具体的には、第１半田Ｘ１を、第１接続パッド２及びピン３０と高温状態で反応させることができる。具体的には、リフロー半田工程であってもよい。この際に、第１半田Ｘ１は、第１接続パッド２に含まれる第１電気接続層２１Ａにおける少なくとも第１基準保護層２１２Ａと第１金属間化合物ＩＭＣ１（例えば、ＩＭＣ１－１）を形成することができ、第１半田Ｘ１は、ピン３０と第２金属間化合物ＩＭＣ２を形成することにより、第１接続パッド２とピン３０とを溶接することができる。

【0223】

ここで、反応終了後、第１金属間化合物ＩＭＣ１と第２金属間化合物ＩＭＣ２との間に、未反応の第１半田Ｘ１が残されてもよいし、第１半田Ｘ１が全く残されてもいなくてもよい。すなわち、第１半田Ｘ１は、第１接続パッド２及びピン３０内に完全に拡散し、第１接続パッド２及びピン３０とそれぞれ第１金属間化合物ＩＭＣ１及び第２金属間化合物ＩＭＣ２を形成する。

【0224】

幾つかの実施例では、少なくとも１つの電子部品２０が少なくとも１つの第１電子部品を含む場合、作製方法はさらに、

【0225】

少なくとも１つの電子部品２０と配線基板１０との接続状態を検出するステップを含む。

【0226】

すなわち、少なくとも１つの電子部品２０と配線基板１０との電気接続が不完全溶接であるか否か、または、少なくとも１つの電子部品２０がずれているか否かを検出することができる。

【0227】

第２電子部品と配線基板１０との接続状態が要件を満たさない場合、第２電子部品を交換し、第２電子部品を第１電子部品に置き換えるステップを含む。

【0228】

第２電子部品と配線基板１０との接続状態が要件を満たさない場合とは、第２電子部品と配線基板１０との間は不完全溶接であり、または、第２電子部品がずれていることを指す。この際に、第２電子部品を交換し、すなわち、第２電子部品を補修する。

【0229】

幾つかの実施例では、図１０に示すように、第２電子部品を交換し、第２電子部品を第１電子部品に置き換えることは、下記のステップを含む。

【0230】

Ｓ２１）第２電子部品２０Ｂを除去し、第１接続パッド２のベース基板１から離れる表面に溝Ｗを形成する。

【0231】

例えば、第２電子部品２０Ｂに横方向の剪断力を加えて、第２電子部品２０Ｂを除去することができる。この過程において、第１接続パッド２のうち、第１半田Ｘ１と第１金属間化合物ＩＭＣ１（例えば、ＩＭＣ１－１）を形成する部分も除去されるため、第１接続パッド２のベース基板１から離れる表面に溝Ｗが形成される。

【0232】

Ｓ２２）溝Ｗ内に第２半田Ｘ２を設ける。第１電子部品２０Ａに含まれるピン３０を、第２半田Ｘ２によって第１接続パッド２に溶接する。第２半田Ｘ２は少なくとも溝Ｗの側壁と第１金属間化合物ＩＭＣ１を形成する。

【0233】

ここで、上記の溝Ｗの底部が本体材料層２１１と直接接触しているかまたは保護層２１２と直接接触しているか、Ｗの底部が第２半田Ｘ２と第１金属間化合物ＩＭＣ１を形成することができるか否かに応じて、第２半田Ｘ２は、溝Ｗの側壁と第１金属間化合物ＩＭＣ１を形成することができ、または、第２半田Ｘ２は、溝Ｗの側壁及び底部の両方といずれも第１金属間化合物ＩＭＣ１を形成することができる。具体的には、上記の電気接続層２１の層数が２層であり、第２半田Ｘ２が少なくとも溝Ｗの側壁と第１金属間化合物ＩＭＣ１を形成するについての説明を参照することができ、ここでは繰り返し説明しない。

【0234】

上記は、本開示の具体的な実施形態に過ぎず、本開示の保護範囲はこれに限定されず、本開示の技術的範囲内で当業者が容易に想到できる変更又は置換は、すべて本開示の技術的範囲内に包含するものである。従って、本開示の保護範囲は、特許請求の範囲に記載された範囲を準拠するものとする。

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図2C】

【図2D】

【図2E】

【図2F】

【図2G】

【図2H】

【図2I】

【図2J】

【図2K】

【図2L】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7A】

【図7B】

【図7C】

【図8】

【図9】

【図10】

【国際調査報告】